コンプリメンタリーパワー MOSFET ( コモンドレイン）
ELM55616CA-S■概要

http://www.elm-tech.com■特長

ELM55616CA-S は低入力容量、

N チャンネル

P チャンネル

低電圧駆動、 低オン抵抗という特・ Vds=60V性を備えた大電流 MOSFET です。

・ Id=7.0A
・ Id=-7.0A
・ Rds(on) = 34mΩ(Vgs=10V) ・ Rds(on) = 56mΩ(Vgs=-10V)

・ Vds=-60V

・ Rds(on) = 40mΩ(Vgs=4.5V) ・ Rds(on) = 68mΩ(Vgs=-4.5V)■絶対最大定格値
項目記号
Vds
Vgs

ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
Ta=70℃

連続ドレイン電流 (Tj=150℃)

特に指定なき場合、 Ta=25℃
N-ch (Max.)
P-ch (Max.)
単位60-60V±20±20V
7.0
6.030-7.0-6.0-30

Pd

2.8
1.8

2.81.8W

Tj
Tstg

150-55 ～ 150

150-55 ～ 150℃
℃

Max.
62.5
62.5

単位℃/W℃/W

Id
Idm

パルス ・ ドレイン電流
Tc=25℃
Tc=70℃

最大許容損失動作接合部温度
保存温度範囲AA■熱特性項目
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - 周囲温度

記号
Rθja
Rθja

DeviceN-chP-ch■端子配列図Typ.

■回路

TO-252-4(TOP VIEW)

・ N－ch
端子番号1

端子記号
SOURCE1234

GATE1
SOURCE2
GATE2TABDRAIN1/DRAIN2・ P－ch���������

Rev.1.08-1コンプリメンタリーパワー MOSFET ( コモンドレイン）
ELM55616CA-S

http://www.elm-tech.com■電気的特性 (N-ch)
項目

記号

特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位

条件

静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧

BVdss Id=250μA, Vgs=0V

ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流

Idss

Vds=60V, Vgs=0V60
1Ta=85℃

ゲート漏れ電流ゲート ・ スレッシュホールド電圧
オン状態ドレイン電流

Igss Vds=0V, Vgs=±20V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=4.5V, Vds�5V

ドレイン - ソースオン状態抵抗

Rds(on)順方向相互コンダクタンス

Gfs

Vgs=10V, Id=7.0A
Vgs=4.5V, Id=6.0A
Vds=15V, Id=5.3A

ダイオード順方向電圧Vsd

Is=2.0A, Vgs=0V

最大寄生ダイオード連続電流

Is

動的特性
入力容量
出力容量

Ciss
Coss

Vgs=0V, Vds=25V, f=1MHz

帰還容量
スイッチング特性
総ゲート電荷Crss

ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレイン電荷

Qgs
Qgd

ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間

td(on)
Vgs=10V, Vds=30V
tr
RL=1.3Ω, Id≡23.0A
td(off)Rgen=1.0Ω
tf

ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間

Qg

V

Vgs=4.5V, Vds=30V
Id≡23.0A

μA

5±100
2.5

1.030nA
V
A

2530
2434
40

0.8

1.3

V

1.5AmΩ
S

700
150pF
pF

70pF

7.0

15.0

3.2
3.2nC
nCnC10152030nsns

30
256550nsns

Rev.1.08-2

AFC5616

Alfa-MOS

60V N & P Pair
Technology( コモンドレイン）
コンプリメンタリーパワー MOSFET
Enhancement
Mode MOSFET
ELM55616CA-S■標準特性と熱特性曲線(N-ch))
TypicalCharacteristics ( N-Channel©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev.A Apr. 2016

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60V N & P Pair
Technology
Enhancement Mode MOSFET
コンプリメンタリーパワー MOSFET ( コモンドレイン）
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Typical Characteristics ( N-Channel )©Alfa-MOS Technology Corp.
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ELM55616CA-S

http://www.elm-tech.com■電気特性 (P-ch)
項目

記号

特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位

条件

静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧

BVdss Id=-250μA, Vgs=0V

ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流

Idss

Vds=-48V
Vgs=0V

ゲート漏れ電流Igss

Vds=0V, Vgs=±20V

ゲート ・ スレッシュホールド電圧
オン状態ドレイン電流
ドレイン - ソースオン状態抵抗

Gfs
Vsd

最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
入力容量
出力容量

Coss

帰還容量
スイッチング特性

Crss

総ゲート電荷ゲート - ソース電荷Qg

ゲート - ドレント電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間

VTa=85℃

Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vgs=-10V, Vds�-5V
Vgs=-10V, Id=-7A
Rds(on)Vgs=-4.5V, Id=-6A

順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧-60μA±100nA

-2.5

VA

46

56

56

68-1.3Is-1.7

ACiss

1200 2000

pF

140

pF

90

pF

tr
td(off)tf

Vgs=0V, Vds=-25V, f=1MHz

Vgs=-10V, Vds=-30V
Id=-10.0A
Vgs=-10V, Vds=-30V
Id=-18.0A, RL=3.0Ω
Rgen=2.5Ω

12-0.8mΩ
SV

Qgs
Qgd
td(on)

Vds=-15V, Id=-3.2AIs=-3.0A, Vgs=0V-1.0-30-1-202540nC

581020nCnCns

10452080nsns2540ns

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60V N & P Pair
Technology( コモンドレイン）
Enhancement
Mode MOSFET
コンプリメンタリーパワー MOSFET
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Typical■標準特性と熱特性曲線
Characteristics ( P-Channel©Alfa-MOS Technology Corp.
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60V N & P Pair
Enhancement Mode MOSFET
コンプリメンタリーパワー MOSFET ( コモンドレイン）

Technology

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60V N & P Pair
Technology
Enhancement Mode MOSFET
コンプリメンタリーパワー MOSFET ( コモンドレイン）
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