双 N 沟道 MOSFET
ELM54910WA-N■概要

http://www.elm-tech.com■特点

ELM54910WA-N 是 N 沟 道 低 输

N2 沟道 :

阻的大电流 MOSFET，内藏有两个

N1 沟道 :
·Vds=40V·Id=10.0A·Vds=40V·Id=10.0A

MOSFET。

·Rds(on) = 19mΩ (Vgs=10V)·Rds(on) = 10mΩ (Vgs=10V)·Rds(on) = 25mΩ (Vgs=4.5V)·Rds(on) = 12mΩ (Vgs=4.5V)

入 电 容、 低 工 作 电 压、 低 导 通 电■绝对最大额定值项目记号

如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围单位N240V

漏极 - 源极电压

VdsN140栅极 - 源极电压

Vgs±20±20V

Id

10.0
8.0

10.08.0A

Idm
Ias
Eas

20105302010A
AmJ

Ta=25℃
Ta=70℃

漏极电流（定常）Tj=150℃
漏极电流（脉冲）崩溃电流
持续崩溃能量

L=0.1mH
Tc=25℃
Tc=70℃容许功耗动作结合部温度
保存温度范围

Pd

2.8
1.8

W

Tj
Tstg

150-55 ~ 150℃℃■热特性项目
最大结合部 - 环境热阻记号

典型值

Rθja

■引脚配置图

最大值单位

62.5℃/W■电路图

SOP-8(俯视图)18273645

引脚编号1

引脚名称SOURCE1234

GATE1
SOURCE2
GATE2567DRAIN2DRAIN2DRAIN18DRAIN1

D1

D2G2G1S1

S2Rev.1.08-1
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双 N 沟道 MOSFET
ELM54910WA-N

http://www.elm-tech.com■N1 电特性项目记号如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位条件静态特性
漏极 - 源极击穿电压

BVdss Id=250μA, Vgs=0V

栅极接地时漏极电流

Idss

Vds=40V，Vgs=0V栅极漏电电流Igss

Vds=0V, Vgs=±20V栅极阈值电压

Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA

1.0

导通时漏极电流

Id(on) Vgs=10V, Vds≧5V

20

漏极 - 源极导通电阻

Rds(on)Vgs=10V，Id=10A
Vgs=4.5V，Id=8A

15.8
21.5

正向跨导Gfs

Vds=15V, Id=5.0A

25

二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流Vsd
IsIs=2.0A, Vgs=0V

0.85

动态特性输入电容Ciss输出电容Coss反馈电容开关特性总栅极电荷栅极 - 源极电荷栅极 - 漏极电荷导通延迟时间导通上升时间关闭延迟时间关闭下降时间40

V
1Ta=85℃

10μA±100nA

3.0VA

19.0
25.0mΩ
S

1.20
1.8

V
A

600

pF

100pF

Crss

45pF

Qg

5.0Qgs Vgs=4.5V, Vds=20V, Id=10.0A
Qgd
td(on)
tr

Vgs=0V, Vds=20V, f=1MHz

Vgs=10V, Vds=20V, Id=10.0A

td(off) RL=2.0Ω, Rgen=1.0Ω
tf

10.0nC

1.5
1.5715nCnCns

920ns

1683018nsns

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AFN4910W

Alfa-MOS

40V N1 & N2 Pair
Technology双 N 沟道 MOSFET
Enhancement Mode MOSFET
ELM54910WA-N

http://www.elm-tech.com■N1 标准特性和热特性曲线
N1 Channel
Typical Characteristics©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev.A Nov. 2015

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40V N1 & N2 Pair
TechnologyEnhancement Mode MOSFET
双 N 沟道 MOSFET
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http://www.elm-tech.com■N2 电特性项目记号

如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位条件静态特性
漏极 - 源极击穿电压

BVdss Id=250μA, Vgs=0V

栅极接地时漏极电流

Idss

Vds=32V，Vgs=0V栅极漏电电流Igss

Vds=0V, Vgs=±20V栅极阈值电压

Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA

1.0

导通时漏极电流

Id(on) Vgs=10V, Vds≧5V30

漏极 - 源极导通电阻

Rds(on)Vgs=10V，Id=10A
Vgs=4.5V，Id=8A

8.8
10.2正向跨导Gfs

Vds=15V, Id=12.4A

56

二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流

Vsd
IsIs=1.5A, Vgs=0V0.85

动态特性输入电容Ciss输出电容Coss反馈电容开关特性总栅极电荷栅极 - 源极电荷栅极 - 漏极电荷导通延迟时间导通上升时间关闭延迟时间关闭下降时间40V
1Ta=85℃

10μA±100nA

3.0

VA

10.0
12.0mΩ
S

1.20
1.8

VA

2000

pF

260

pF

Crss

150

pF

Qg

15.0Qgs Vgs=4.5V, Vds=10V, Id=8.0A
Qgd
td(on)
tr

Vgs=0V, Vds=20V, f=1MHz

Vgs=10V, Vds=20V, Id=8.0A

td(off) RL=2.0Ω, Rgen=1.0Ωtf

30.0nC6.85.21020nCnC
ns

1530ns30
106020nsns

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40V N1 & N2 Pair
Technology双 N 沟道 MOSFET
Enhancement Mode MOSFET
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Enhancement Mode MOSFET
双 N 沟道 MOSFET

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Technology双 N 沟道 MOSFET
Enhancement Mode MOSFET
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