シングル P チャンネル MOSFET
ELM4P2607FAA-S

http://www.elm-tech.com

■概要

■特長

ELM4P2607FAA-S は低入力容量、 低電圧駆動、・ Vds=-20V

低 ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET で・ Id=-6.9A (Vgs=-4.5V)

す。

・ Rds(on) = 30mΩ (Vgs=-4.5V)・ Rds(on) = 38mΩ (Vgs=-2.5V)・ Rds(on) = 55mΩ (Vgs=-1.8V)■絶対最大定格値
項目記号Vds

規格値-20単位
V

Vgs

±12V

Ta=25℃
Ta=70℃

Id-6.9-5.4A

1Ta=25℃

Idm
PdTj, Tstg

-201.0- 55 ～ +150A
W℃

23

記号Typ.
-Max.
50単位℃/W

備考-100℃/W

ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
連続ドレイン電流 (Vgs=-4.5V)
パルス ・ ドレイン電流
最大許容損失接合温度範囲及び保存温度範囲

備考■熱特性項目
熱抵抗 ( 接合部 - 周囲)t ≦10s

熱抵抗 ( 接合部 - 周囲)Rθja■端子配列図1■回路

TSOP-6(TOP VIEW)
端子番号

端子記号

12DRAIN
DRAIN

345

GATE
SOURCEDRAIN

6DRAIN

Rev.1.01/4

シングル P チャンネル MOSFET
ELM4P2607FAA-S■電気的特性
項目

記号

条件

http://www.elm-tech.com
特に指定なき場合、 Tj=25℃
Min. Typ. Max. 単位 備考

静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流

BVdss Vgs=0V, Id=-250μA-20--Vds=-16V, Vgs=0V---1

Vds=-16V, Vgs=0V
Tj=55℃---5Idss

ゲート漏れ電流Igss Vds=0V, Vgs=±12V
ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Vgs=-4.5V, Id=-4.0A
ドレイン - ソースオン状態抵抗 Rds(on) Vgs=-2.5V, Id=-2.0A
順方向相互コンダクタンス

Gfs

ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
ダイオード パルス電流

VsdIsIsm

VμA- ±100 nA-0.3 -0.5 -1.0 V
2530-3238mΩ

Vgs=-1.8V, Id=-1.5A
Vds=-5V, Id=-4A-422155-SIs=-1A, Vgs=0V---1-6.9-18.8

VAA

Vgs=Vds=0V, Force Current

221, 42, 4

動的特性
入力容量
出力容量

Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz

-

2280
220-

pF
pF

帰還容量

Crss-187-pF

スイッチング特性
総ゲート電荷 ( -4.5V )ゲート - ソース電荷

Qg
Qgs

-

27.3
3.6-

nC
nC

ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間

Qgd
td(on)

-

6.5
9.2

-nCns

ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間tr
Vgs=-4.5V, Vds=-10V
td(off) Id=-4A, Rgen=3.3Ω
tf

-

59.0
99.071.0-nsnsns

寄生ダイオード逆回復時間
寄生ダイオード逆回復電荷

trr
Qrr

-5228-nSnC

Vgs=-4.5V, Vds=-15V
Id=-4A

If=-4A , dI/dt=100A/μs

備考 :1. 厚さ 70um の銅箔のついた 1 平方インチの FR-4 に実装したときの値。
2. パルステスト : パルス幅≦ 300μ秒、 デューティサイクル≦ 2％。
3. 許容損失は 150℃接合温度により制限。
4. 理論的にIdおよびIdmと同じだが、実際のアプリケーションでは、総電力損失によって制限。

Rev.1.02/4

FKQ2607

シングル P チャンネル MOSFET

ELM4P2607FAA-S
P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs

FETek Technology Corp.

http://www.elm-tech.com■標準特性と熱特性曲線
Typical Characteristics

5020ID=-4A

VGS=-5V
VGS=-4.5V
VGS=-3V40

RDSO N(mΩ)-ID Drain Current (A)1612

VGS=-2.5V
830

VGS=-1.8V
420000.25

0.50.75

1-VDS , Drain-to-Source Voltage (V)

11.25

Fig.1 Typical Output Characteristics

23-VGS (V)45Fig.2 On-Resistance vs. Gate-Source-IS Source Current(A)86

TJ=150℃

4TJ=25℃

2000.4

0.8-VSD , Source-to-Drain Voltage (V)1.2

Fig.3 Forward Characteristics Of Reverse

Fig.4 Gate-Charge Characteristics
1.8
Normalized On Resistance

1.8

1.4

Normalized VGS(th)1.41.010.60.6

0.20.2-50050100

TJ ,Junction Temperature (℃ )-50150Fig.5 Normalized VGS(th) vs. TJ

050100

TJ , Junction Temperature (℃)

150

Fig.6 Normalized RDSON vs. TJ

Data and specifications subject to change without notice.
www.fetek.com.tw Ver : A

3Rev.1.0
3/4

シングル P チャンネル MOSFET
FETek Technology Corp.

FKQ2607

ELM4P2607FAA-S

P-Ch 20V Fast Switching
MOSFETs
http://www.elm-tech.com

10000

Capacitance (pF)

Ciss
1000

CossCrss

100

F=1.0MHz

101591317-VDS , Drain to Source Voltage (V)21

Fig.7 CapacitanceFig.8 Safe Operating Area

Normalized Thermal Response (R θJA)

1

DUTY=0.5
0.2
0.1

0.1
0.05
0.02

0.01

0.01

0.001

SINGLE PULSE

PDM

TONT

D = TON/T
TJpeak = TA + PDM x RθJA0.0001
0.0001

0.001

0.01

10.1

10

100

1000

t , Pulse Width (s)Fig.9 Normalized Maximum Transient Thermal Impedance

Fig.10 Switching Time Waveform

Fig.11 Gate Charge Waveform

Data and specifications subject to change without notice.
www.fetek.com.tw Ver : A

4

Rev.1.04/4