コンプリメンタリーパワー MOSFET ( コモンドレイン）
ELM55614CA-S■概要

http://www.elm-tech.com■特長

ELM55614CA-S は低入力容量、N チャンネル

P チャンネル

低電圧駆動、 低オン抵抗という特・ Vds=40V性を備えた大電流 MOSFET です。

・ Id=12A
・ Id=-12A
・ Rds(on) = 35mΩ(Vgs=10V) ・ Rds(on) = 65mΩ(Vgs=-10V)

・ Vds=-40V・ Rds(on) = 42mΩ(Vgs=4.5V) ・ Rds(on) = 95mΩ(Vgs=-4.5V)■絶対最大定格値
項目記号
Vds
Vgs

ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
Ta=70℃

連続ドレイン電流 (Tj=150℃)

特に指定なき場合、 Ta=25℃
N-ch (Max.)
P-ch (Max.)
単位40-40V±20±20V
12.0
10.030-12.0-10.0-30

Pd22122212W

Tj
Tstg

150-55 ～ 150

150-55 ～ 150℃℃

Max.
62.5
62.5

単位℃/W℃/W

Id
Idm

パルス ・ ドレイン電流
Tc=25℃
Tc=70℃

最大許容損失動作接合部温度
保存温度範囲AA■熱特性項目
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - 周囲温度

記号
Rθja
Rθja

DeviceN-ch
P-ch■端子配列図Typ.

■回路TO-252-4(TOP VIEW)

・ N－ch
端子番号1

端子記号
SOURCE1234

GATE1
SOURCE2GATE2TABDRAIN1/DRAIN2

・ P－ch���������

Rev.1.08-1

コンプリメンタリーパワー MOSFET ( コモンドレイン）
ELM55614CA-S

http://www.elm-tech.com■電気的特性 (N-ch)
項目

記号

特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位条件

静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧

BVdss Id=250μA, Vgs=0V

ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流

Idss

Vds=32V, Vgs=0V

40
1
Ta=85℃

ゲート漏れ電流ゲート ・ スレッシュホールド電圧
オン状態ドレイン電流

Igss Vds=0V, Vgs=±20V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=10V, Vds�5V

ドレイン - ソースオン状態抵抗

Rds(on)順方向相互コンダクタンス

Gfs

Vgs=10V, Id=7.0A
Vgs=4.5V, Id=6.0A
Vds=5V, Id=12.0A

ダイオード順方向電圧

Vsd

Is=2A, Vgs=0V最大寄生ダイオード連続電流

Is

動的特性
入力容量
出力容量

Ciss
Coss

Vgs=0V, Vds=20V, f=1MHz

帰還容量
スイッチング特性
総ゲート電荷Crss

ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレイン電荷

Qgs
Qgd

ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間

td(on)
Vgs=10V, Vds=20V
tr
RL=4Ω, Id≡5.0A
td(off)Rgen=1Ω
tf

ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間

QgV

Vgs=4.5V, Vds=20V
Id≡5.0A

μA

10±1002.0

1.030nA
V
A

26
32
25

35
420.8

1.3

V

1.5AmΩ
S

750
110pF
pF

75pF

10.0

14.0

2.8
3.2nC
nC
nC

6101220nsns

20
63612nsns

Rev.1.0
8-2

AFC5614

Alfa-MOS

40V N & P Pair
Technology( コモンドレイン）
コンプリメンタリーパワー MOSFET
Enhancement
Mode MOSFET
ELM55614CA-S■標準特性と熱特性曲線(N-ch))
TypicalCharacteristics ( N-Channel©Alfa-MOS Technology Corp.
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40V N & P Pair
TechnologyEnhancement Mode MOSFET
コンプリメンタリーパワー MOSFET ( コモンドレイン）
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Typical Characteristics ( N-Channel )©Alfa-MOS Technology Corp.
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8-4

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ELM55614CA-S

http://www.elm-tech.com■電気特性 (P-ch)
項目記号

特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位

条件

静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧

BVdss Id=-250μA, Vgs=0V

ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流

Idss

Vds=-32V
Vgs=0V

ゲート漏れ電流Igss

Vds=0V, Vgs=±20V

ゲート ・ スレッシュホールド電圧
オン状態ドレイン電流
ドレイン - ソースオン状態抵抗

Gfs
Vsd

最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
入力容量

Is
Ciss

出力容量

Coss

帰還容量
スイッチング特性

Crss

総ゲート電荷ゲート - ソース電荷Qg

ゲート - ドレント電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間

Qgs
Qgd
td(on)
trtd(off)
tf

Vds=-5V, Id=-12A
Is=-2A, Vgs=0V

Vgs=0V, Vds=-20V, f=1MHz

Vgs=-4.5V, Vds=-20V
Id=-5.0A
Vgs=-4.5V, Vds=-20V
Id=-5.0A, RL=4Ω
Rgen=1Ω

V

Ta=85℃

Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vgs=-10V, Vds�-5V
Vgs=-10V, Id=-6.0A
Rds(on)Vgs=-4.5V, Id=-5.0A

順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧-40-1.0-30-1-20

μA±100nA-2.0VA60

65859525-0.8mΩ

-1.3SV-1.7

A

1100pF

195pF105pF

13.0

20.0

nC

4.5
6.5
4080

nCnC
ns553010060nsns

1220nsRev.1.0
8-5

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40V N & P Pair
Technology( コモンドレイン）
コンプリメンタリーパワー MOSFET
Enhancement
Mode MOSFET
ELM55614CA-S■標準特性と熱特性曲線(P-ch))
TypicalCharacteristics ( P-Channel

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Enhancement Mode MOSFET
コンプリメンタリーパワー MOSFET ( コモンドレイン）

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40V N & P Pair
Technology
Enhancement Mode MOSFET
コンプリメンタリーパワー MOSFET ( コモンドレイン）
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