シングル P チャンネル MOSFET
ELM65103A-S

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■概要

■特長

ELM65103A-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。

・ Vds=-30V
・ Id=-4.5A (Vgs=-10V)
・ Rds(on) = 41mΩ (Vgs=-10V)
・ Rds(on) = 60mΩ (Vgs=-4.5V)■絶対最大定格値

特に指定なき場合、Ta=25℃

項目
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧

記号
Vds
Vgs
Ta=25℃
Ta=70℃

連続ドレイン電流

Id

パルス ・ ドレイン電流

Idm
Tc=25℃
Tc=75℃

最大許容損失接合温度範囲及び保存温度範囲

PdTj, Tstg

規格値-30±20-4.5-3.5-201.380.83- 55 ～ +150

単位VV

Max.
90単位℃/W

備考AA

1, 2W3℃

備考 :1. パルス幅は最大接合部温度によって制限される。
2. パルス幅� 300μs、 デューティサイクル� 2％。
3. FR-4 基板上の、 1 平方インチの銅パッドに実装する場合。

■熱特性項目
最大接合部 - 周囲間記号
RθjaTyp.
-

備考

備考 : FR-4 基板上の、 1 平方インチの銅パッドに実装する場合 ； また最小銅パッドへの実装時は 270℃/W。

■端子配列図■回路
�SOT-23(TOP VIEW)
��

�

端子番号
1

端子記号
GATE

23SOURCE
DRAIN

�
�

Rev.1.01/7

シングル P チャンネル MOSFET
ELM65103A-S■電気的特性項目

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特に指定なき場合、Ta=25℃

記号

条件

Min.

Typ.

Max. 単位

BVdss Id=-250μA, Vgs=0V-30
Vds=-24V, Vgs=0V
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=-24V, Vgs=0V Ta=125℃
ゲート漏れ電流Igss Vds=0V, Vgs=±20V
ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA-1.2
Vgs=-10V, Id=-4.5A
ドレイン - ソースオン抵抗 *Rds(on)Vgs=-4.5V, Id=-3.5A
順方向相互コンダクタンス *Gfs Vds=-10V, Id=-4.5A*
最大寄生ダイオード連続電流
Is*ダイオード パルス電流
Ism*
ダイオード順方向電圧
Vsd Is=-1A, Vgs=0V
動的特性
入力容量
Ciss
出力容量
Coss Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHz
帰還容量
Crss
スイッチング特性
総ゲート電荷 *Qg
Vgs=-10V, Vds=-15V*
ゲート - ソース電荷
Qgs
Id=-4.5A*
ゲート - ドレイン電荷
Qgd*
ターン ・ オン遅延時間td(on)
Vgs=-10V, Vds=-15V*
ターン ・ オン立ち上がり時間
tr
Id=-1A, Rd=15Ω
*
ターン ・ オフ遅延時間
td(off)Rgen=6Ω
*
ターン ・ オフ立ち下がり時間tf
寄生ダイオード逆回復時間 *trr
If=-4.5A,
dlf/dt=100A/μs
寄生ダイオード逆回復電荷量 *
Qrr
-1.8
4160
4.3-

V-1
μA
-10±100 nA
-2.2
V50mΩ
70S-4.5
A-18A-1.2V

静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧

8858681-pF
pF
pF

153781230
2332.013.5-nCnCnC
nsnsnsnsnsnC* パルステスト ： パルス幅� 300μs、 デューティサイクル≦ 2％。

■参考ランドパターン Recommended Soldering Footprint

Rev.1.02/7

シングル P チャンネル MOSFET
CYStechELM65103A-SElectronics Corp.
■標準特性と熱特性曲線
Typical Characteristics

Brekdown Voltage vs Ambient Temperature

Typical Output Characteristics-ID, Drain Current (A)

20

15

10V
9V
8V
7V
6V
5V

-VGS=4.5V-VGS=4V-VGS=3.5V

10-VGS=3V

5-VGS=2.5V

40-BVDSS, Drain-Source Breakdown Voltage(V)2538363432

ID=-250μA,VGS=0V

300012345678-VDS, Drain-Source Voltage(V)9-75 -50 -25

10Static Drain-Source On-State resistance vs Drain Current

1.2
VGS=-3V-VSD, Source-Drain Voltage(V)R DS(on) , Static Drain-Source On-StateResistance(mΩ)

025 50 75 100 125 150 175
Tj, Junction Temperature(°C)

Reverse Drain Current vs Source-Drain Voltage

1000

VGS=-4.5V

VGS=-2.5V

100

VGS=-10V
VGS=-4V

100.001

Tj=25°C

0.8
Tj=150°C

0.6
0.4
0.2

0.01

0.1
1-ID, Drain Current(A)100100R DS(ON) , Static Drain-Source On-StateResistance(mΩ)

180160140120100
ID=-4.5A
ID=-3.5A

8060402002468-VGS, Gate-Source Voltage(V)

2468-IDR, Reverse Drain Current (A)

10Drain-Source On-State Resistance vs Junction Tempearture

2000VGS=0V

1

Static Drain-Source On-State Resistance vs Gate-SourceVoltage

R DS(ON) , Static Drain-Source OnState Resistance(mΩ)

Spec. No. : C400N3
Issued Date : 2011.11.28
Revised Date : 2019.03.06
http://www.elm-tech.com
Page No. : 4/9908580757065605550454035302520

VGS=-4.5V, ID=-4A

VGS=-10V, ID=-5A-60

10MTP5103N3-202060
100
140
Tj, Junction Temperature(°C)

180

CYStek Product Specification

Rev.1.0
3/7

シングル PElectronics
チャンネル MOSFETCYStechCorp.
ELM65103A-S

Spec. No. : C400N3
Issued Date : 2011.11.28
Revised Date : 2019.03.06
Page No. : 5/9

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Typical Characteristics(Cont.)Threshold Voltage vs Junction Tempearture

Capacitance vs Drain-to-Source Voltage
2.2-VGS(th),Threshold Voltage-(V)Capacitance---(pF)10000

Ciss1000

Coss100

Crss

ID=-250uA

2
1.8
1.6
1.4
1.2
10.8100.1

110-VDS, Drain-Source Voltage(V)-60 -40 -201006080 100 120 140 160

Gate Charge Characteristics

1012-VGS, Gate-Source Voltage(V)GFS, Forward Transfer Admittance-(S)20 40Tj, Junction Temperature(°C)

Forward Transfer Admittance vs Drain Current

10.1

VDS=-10V
PulsedTa=25°C

108

VDS=-15V
ID=-4.5A

642
00.01
0.001

0.01

0.1
1-ID, Drain Current(A)010Maximum Safe Operating Area

24681012Qg, Total Gate Charge(nC)1416Maximum Drain Current vs JunctionTemperature

1006RDS(ON)Limited10-ID, Maximum Drain Current(A)-ID, Drain Current (A)0100μs
1ms
10ms

1100ms0.1

DC0.015432
1

TA=25°C, VGS=-10V

00.010.1
110-VDS, Drain-Source Voltage(V)

10025

MTP5103N35075
100
125
Tj, Junction Temperature(°C)

150

175

CYStek Product Specification

Rev.1.04/7

シングル P チャンネル MOSFET
CYStech Electronics Corp.

Spec. No. : C400N3
Issued Date : 2011.11.28
Revised Date : 2019.03.06
Page No. : 6/9
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ELM65103A-S

Typical Characteristics(Cont.)
Power Derating Curve
1.6PD, Power Dissipation(W)

1.4

Mounted on FR-4 board
with 1 in² pad area

1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0020406080
100 120TA, Ambient Temperature(℃)

140160Transient Thermal Response Curves

Normalized Transient Thermal Resistance

1
D=0.5

0.2

0.1

1.RθJA(t)=r(t)*RθJA
2.Duty Factor, D=t 1/t2
3.TJM-TC=PDM*ZθJC(t)4.RθJA=90°C/W

0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse

0.01
1.E-04

1.E-03

1.E-02

1.E-01

1.E+00

1.E+01

1.E+02

t1, Square Wave Pulse Duration(s)MTP5103N3CYStek Product Specification

Rev.1.05/7

シングル P チャンネル MOSFET
ELM65103A-S

http://www.elm-tech.com■SOT-23 寸法

SOT-23 Dimension

DIMA
B
CDGH

Inches
Min.
Max.
0.1102 0.1204
0.0472 0.0669
0.0335 0.0512
0.0118 0.0197
0.0669 0.0910
0.0000 0.0040

Millimeters
Min.
Max.
2.80
3.04
1.20
1.70
0.89
1.30
0.30
0.50
1.70
2.30
0.00
0.10

DIM
JK
LSV
L1InchesMin.
Max.
0.0032 0.0079
0.0118 0.0266
0.0335 0.0453
0.0830 0.1161
0.0098 0.0256
0.0118 0.0197

Millimeters
Min.
Max.
0.08
0.20
0.30
0.67
0.85
1.15
2.10
2.95
0.25
0.65
0.30
0.50

Notes: 1.Controlling dimension: millimeters.

2.Maximum lead thickness includes lead finish thickness, and minimum lead thickness is the minimum thickness of base material.
kMaterial: Lead: Pure tin plated.
 Mold Compound: Epoxy resin family, flammability solid burning class: UL94V-0.

Rev.1.06/7

シングル P チャンネル MOSFET
ELM65103A-S

http://www.elm-tech.com■リール＆キャリアテープ寸法
Reel Dimension
Dimension
Reel• リール

Carrier
Tape Dimension
Dimension•Carrier
キャリアテープ
TapeRev.1.0
7/7