東北大学 電気通信研究所

研究室外部評価 参考資料
(2013 年度-2018 年度)

Research Laboratory Reference Datafor External Review
April 2013 - March 2019
(FY.2013-2018)

Research Institute of Electrical Communication
Tohoku University

ナノ集積デバイス・プロセス研究室
Nano-Integration Devices and Processing

1. 研究成果 / Research Achievements(1) 査読付学術論文 / Refereed journal papers
1. A. Ohta, K. Makihara, S. Miyazaki, M. Sakuraba, J. Murota, “X-Ray Photoemission Study of
SiO2/Si/Si0.55Ge0.45/Si Heterostructures”, IEICE Trans. Electron., vol. E96.C, no. 5, pp. 680-685, 2013.
(May 1, 2013)
Impact Factor: 0.516
2. Y. Abe, M. Sakuraba, J. Murota, “Epitaxial Growth of B-Doped Si on Si(100) by Electron-CyclotronResonance Ar Plasma Chemical Vapor Deposition in a SiH4-B2H6-H2 Gas Mixture without Substrate”, Thin
Solid Films, vol. 557, pp. 10-13, 2014.
(Apr. 30, 2014)
Impact Factor: 1.939
3. N. Ueno, M. Sakuraba, S. Sato, J. Murota, “Epitaxial Growth of Si1-xGex Alloys and Ge on Si(100) by
Electron-Cyclotron-Resonance Ar Plasma Chemical Vapor Deposition without Substrate Heating”, Thin
Solid Films, vol. 557, pp. 31-35, 2014.
(Apr. 30, 2014)
Impact Factor: 1.939
4. T. Kawashima, M. Sakuraba, J. Murota, “Nitrogen Doping Effect upon Hole Tunneling Characteristics of Si
Barriers in Si1-xGex/Si Resonant Tunneling Diode”, Thin Solid Films, vol. 557, pp. 302-306, 2014.
(Apr. 30, 2014)
Impact Factor: 1.939
5. H. Akima, T. Yoshida, “Measurement of large low-order aberrations by using a series of through-focus
Ronchigrams”, Microscopy, vol. 63, no. 4, pp. 325-332, 2014.
(Apr. 16, 2014)
Impact Factor: 1.776
6. S. Sato, H. Akima, K. Nakajima, M. Sakuraba, “Izhikevich neuron circuit using stochastic logic”, Electron.
Lett., vol. 50, pp. 1795-1797, 2014.
(Dec. 1, 2014)
Impact Factor: 1.232
7. A. A. Shklyaev, V. I. Vdovin, V. A. Volodin, D. V. Gulyaev, A. S. Kozhukhov, M. Sakuraba, J. Murota,“Structure and optical properties of Si and SiGe layers grown on SiO2 by chemical vapor deposition”, Thin
Solid Films, vol. 579, pp. 131-135, 2015.
(Mar. 31, 2015)
Impact Factor: 1.939
8. Y. Yamamoto, N. Ueno, M. Sakuraba, J. Murota, A. Mai, B. Tillack, “C and Si delta doping in Ge by CH3SiH3
using reduced pressure chemical vapor deposition”, Thin Solid Films, vol. 602, pp. 24-28, 2015.
(Mar. 1, 2016)
Impact Factor: 1.939
9. T. Ma, D. Tadaki, M. Sakuraba, S. Sato, A. Hirano-Iwata, M. Niwano, “Effects of interfacial chemical stateson the performance of perovskite solar cells”, J. Mater. Chem. A, vol. 4, no. 12, pp. 4392-4397, 2016.
(Mar. 7, 2016)
Impact Factor: 9.931
10. H. Yamamoto, S. Kubota, Y. Chida, M. Morita, S. Moriya, H. Akima, S. Sato, A. Hirano-Iwata, T. Tanii, M.
Niwano, “Size-dependent regulation of synchronized activity in living neuronal networks”, Phys. Rev. E, vol.
94, no. 1, p. 012407 (7 pages), 2016.
(Jul. 13, 2016)
Impact Factor: 2.353
11. H. Akima, Y. Katayama, M. Sakuraba, K. Nakajima, J. Madrenas, S. Sato, “CMOS Majority Circuit with
Large Fan-In”, IEICE Trans. Electron., vol. E99.C, no. 9, pp. 1056-1064, 2016.
(Sep. 1, 2016)
Impact Factor: 0.516
12. W. A. Borders, H. Akima, S. Fukami, S. Moriya, S. Kurihara, Y. Horio, S. Sato, H. Ohno, “Analogue spin１

orbit torque device for artificial-neural-network-based associative memory operation”, Appl. Phys. Express,
vol. 10, no. 1, p. 013007 (4 pages), 2017.
(Dec. 20, 2016)
Impact Factor: 2.555
The 41st JSAP Outstanding Paper Award, APEX 10th Anniversary Collection
13. M. Sakuraba, K. Sugawara, T. Nosaka, H. Akima, S. Sato, “Carrier properties of B atomic-layer-doped Si
films grown by ECR Ar plasma-enhanced CVD without substrate heating”, Sci. Technol. Adv. Mat., vol. 18,
pp. 294-306, 2017.
(Apr. 27, 2017)
Impact Factor: 4.787
14. K. Motegi, N. Ueno, M. Sakuraba, Y. Osakabe, H. Akima, S. Sato, “Electrical Properties and B Depth Profilesof In-Situ B Doped Si Film Grown by ECR Ar Plasma CVD without Substrate Heating”, Mat. Sci. Semicond.
Proc., vol. 70, pp. 50-54, 2017.
(Nov. 1, 2017)
Impact Factor: 2.593
15. N. Ueno, M. Sakuraba, H. Akima, S. Sato, “Electronic Properties of Si/Si-Ge Alloy/Si(100) Heterostructures
Formed by ECR Ar Plasma CVD without Substrate Heating”, Mat. Sci. Semicond. Proc., vol. 70, pp. 55-62,
2017.
(Nov. 1, 2017)
Impact Factor: 2.593
16. S. Sasaki, M. Sakuraba, H. Akima, S. Sato, “Silicon-Carbon Alloy Film Formation on Si(100) Using SiH4
and CH4 Reaction under Low-Energy ECR Ar Plasma Irradiation”, Mat. Sci. Semicond. Proc., vol. 70, pp.
188-192, 2017.
(Nov. 1, 2017)
Impact Factor: 2.593
17. Y. Osakabe, H. Akima, M. Sakuraba, M. Kinjo, S. Sato, “Quantum Associative Memory with Quantum
Neural Network via Adiabatic Hamiltonian Evolution”, IEICE Trans. Info. & Syst., vol. E100-D, pp. 26832689, 2017.
(Nov. 1, 2017)
Impact Factor: 0.500
18. D. Yamaura, D. Tadaki, S. Araki, M. Yoshida, K. Arata, T. Ohori, K. Ishibashi, M. Kato, T. Ma, R. Miyata,
H. Yamamoto, R. Tero, M. Sakuraba, T. Ogino, M. Niwano, A. Hirano-Iwata, “Amphiphobic Septa Enhance
the Mechanical Stability of Free-Standing Bilayer Lipid Membranes”, Langmuir, vol. 34, no. 19, pp. 56155622, 2018.
(Apr. 17, 2018)
Impact Factor: 3.789
19. H. Yamamoto, S. Moriya, K. Ide, T. Hayakawa, H. Akima, S. Sato, S. Kubota, T. Tanii, M. Niwano, S. Teller,
J. Soriano, A. Hirano-Iwata, “Impact of modular organization on dynamical richness in cortical networks,”
Sci. Adv., vol. 4, p. eaau4914 (11 pages), 2018.
(Nov 14, 2018)
Impact Factor: 12.804
20. S. Moriya, H. Yamamoto, H. Akima, A. Hirano-Iwata, S. Kubota, S. Sato, “Mean-field analysis of directed
modular networks,” Chaos, vol. 29, p. 013142 (9 pages), 2019.
(Jan. 31, 2019)
Impact Factor: 2.643(2) 原著論文と同等に扱う査読付国際会議発表論文
Full papers in refereed conference proceedings equivalent to journal papers
N/A２

(3) 査読付国際会議 / Papers in refereed conference proceedings
1. Y. Abe, M. Sakuraba, J. Murota, “Epitaxial Growth of B-Doped Si on Si(100) by ECR Ar Plasma CVD in a
SiH4-B2H6-H2 Gas Mixture without Substrate Heating”, Abs. 8th Int. Conf. on Si Epitaxy andHeterostructures (ICSI-8) & 6th Int. Symp. Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI), Fukuoka, Japan,
June 2-7, 2013, Abs.No. P1-4.
2. N. Ueno, M. Sakuraba, J. Murota, S. Sato, “Epitaxial Growth of Si1-xGex Alloy on Si(100) by ECR Ar Plasma
CVD in a SiH4-GeH4 Gas Mixture without Substrate Heating”, Abs. 8th Int. Conf. on Si Epitaxy andHeterostructures (ICSI-8) & 6th Int. Symp. Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI), Fukuoka, Japan,
June 2-7, 2013, Abs.No. P1-8.
3. T. Kawashima, M. Sakuraba, J. Murota, “Nitrogen Doping Effect upon Hole Tunneling Characteristics of Si
Barriers in Si1-xGex/Si Resonant Tunneling Diode”, Abs. 8th Int. Conf. on Si Epitaxy and Heterostructures(ICSI-8) & 6th Int. Symp. Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI), Fukuoka, Japan, June 2-7, 2013,
Abs.No. P1-27.
4. J. Murota, M. Sakuraba, B. Tillack, “Atomically Controlled CVD Processing of Group IV Semiconductors
for Strain Engineering and Doping in Ultralarge Scale Integration” (Invited Paper), Proc. 4th Int. Conf. on
Semiconductor Technology for Ultra Large Integrated Circuits and Thin Film Transistors (ULSIC vs. TFT
4), Grenoble, France July 7-12, 2013 (ECS Trans., Vol.54, No.1, Edited by Y. Kuo, The Electrochem. Soc.,
Pennington, NJ, 2013), pp. 55-64.
5. M. Sakuraba, J. Murota, “Group-IV Semiconductor Quantum Heterointegration by Low-Energy Plasma
CVD Processing” (Invited Paper), Proc. Symp. E12: ULSI Process Integration 8, San Francisco, USA, Oct.
27-Nov. 1, 2013 (ECS Trans., Vol.58, No.9, Edited by C. Claeys, H. Iwai, M. Tao, S. Deleonibus, J. Murota,
The Electrochem. Soc., Pennington, NJ, 2013), pp. 195-200: Abs. 224th Electrochem. Soc. Meeting, Abs.No.
2226.
6. N. Ueno, M. Sakuraba, J. Murota, S. Sato, “Formation and Characterization of Strained Si1-xGex Films
Epitaxially Grown on Si(100) by Low-Energy ECR Ar plasma CVD without Substrate Heating”, Proc. Symp.
E12: ULSI Process Integration 8, San Francisco, USA, Oct. 27-Nov. 1, 2013 (ECS Trans., Vol.58, No.9,
Edited by C. Claeys, H. Iwai, M. Tao, S. Deleonibus, J. Murota, The Electrochem. Soc., Pennington, NJ,
2013), pp. 207-211: Abs. 224th Electrochem. Soc. Meeting, Abs.No. 2228.
7. Y. Abe, S. Kubota, M. Sakuraba, J. Murota, S. Sato, “Epitaxial Growth of Heavily B-Doped Si and Ge Filmson Si(100) by Low-Energy ECR Ar Plasma CVD without Substrate Heating”, Proc. Symp. E12: ULSI
Process Integration 8, San Francisco, USA, Oct. 27-Nov. 1, 2013 (ECS Trans., Vol.58, No.9, Edited by C.
Claeys, H. Iwai, M. Tao, S. Deleonibus, J. Murota, The Electrochem. Soc., Pennington, NJ, 2013), pp. 223228: Abs. 224th Electrochem. Soc. Meeting, Abs.No. 2230.
8. H. Akima, Y. Katayama, K. Nakajima, M. Sakuraba, S. Sato, “Majority neuron circuit having large fan-inwith non-volatile synaptic weight”, Proc. 2014 Int. Joint Conf. on Neural Networks (IJCNN 2014), pp. 42664271, Beijing, China, Jul. 6-11, 2014.
9. N. Ueno, M. Sakuraba, S. Sato, ”Epitaxial Growth of Si/Strained Si1-xGex Heterostructure on Si(100) by ECR
Ar Plasma CVD without Substrate Heating”, Abs. 15th Int. Union of Mat. Res. Soc.- Int Conf. in Asia 2014
(IUMRS-ICA 2014), Fukuoka, Japan, Aug. 24-30, 2014, Abs.No. D5-O26-003.
10. C. Bao, T. Onomi, Y. Hayakawa, S. Sato, K. Nakajima, “Performance Analysis of Bidirectional Associative
Memories by Using the Inverse Function Delay-less Model”, Proc. 2014 Int. Symp. Nonlinear Theory andits Applications (NOLTA2014), Luzern, Switzerland, Sep. 17, 2014.
11. N. Ueno, M. Sakuraba, S. Sato, “Surface Reaction in Thin Film Formation of Si1-xGex Alloys on Si(100) by
Electron-Cyclotron-Resonance Ar Plasma Chemical Vapor Deposition without Substrate Heating”, Proc.
Symp. P7: SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices 6, Cancun, Mexico, Oct.
6-9, 2014 (ECS Trans., Vol.64, No.6, Edited by D. L. Harame, M. Caymax, M. Heyns, G. Masini, S. Miyazaki,
G. Niu, A. Reznicek, K. C. Saraswat, B. Tillack, B. Vincent, Y. C. Yeo, A. Ogura, J. Murota, The Electrochem.
Soc., Pennington, NJ, 2014), pp.99-105: Abs. 226th Electrochem. Soc. Meeting, Abs.No. 1768.
12. M. Sakuraba, S. Sato, “Electron-Cyclotron-Resonance Ar Plasma Chemical Vapor Deposition for Group-IV
Semiconductor Quantum-Heterostructure” (Invited Paper), Abs. Energy Materials Nanotechnology (EMN)
Meeting on Photovoltaics, Orlando, Florida, Jan. 12-15, 2015, Abs.No. A13, pp.28-29.
３

13. Y. Osakabe, T. Onomi, H. Akima, M. Sakuraba, S. Sato, “Experimental Analysis of Macroscopic Quantum
Tunneling Rate in Series Array of Nb/AlOx/Nb Josephson Junctions”, Proc. 15th Int. Superconductive
Electronics Conference (ISEC 2015), Nagoya, Japan, Jul. 6-9, 2015.
14. W. Li, S. Sato, H. Akima, M. Sakuraba, "Hydrogen Atom Desorption Induced by Electron Bombardment on
Si Surface”, Proc. Symp. Semiconductors, Metal Oxides, and Composites: Metallization andElectrodeposition of Thin Films and Nanostructures 3, Phoenix, Arizona, Oct. 11-16, 2015, (ECS Trans.,
vol. 69, no. 31, Edited by J. Fransaer, P. M. Vereecken, G. Oskam, The Electrochem. Soc., Pennington, NJ,
2015), pp. 35-38: Abst. 228th Electrochem. Soc. Meeting, Abs.No. 943.
15. M. Sakuraba, H. Akima, S. Sato, “Group-IV Quantum-Heterostructure Formation Based on Low-Energy
Plasma CVD towards Electronic Device Application” (Invited Paper), Abs. Energy Materials
Nanotechnology (EMN) Hong Kong Meeting, Hong Kong, China, Abs.No. D10, Dec. 9-12, 2015, pp.135136.
16. N. Ueno, M. Sakuraba, H. Akima, S. Sato, “Electronic Properties of Si/Si-Ge Alloy/Si(100) Heterostructures
Formed by ECR Ar Plasma CVD without Substrate Heating”, Abs. Int. SiGe Technol. and Device Meeting(ISTDM2016) & 7th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VII), Nagoya, Japan, Jun.
7-11, 2016, Abs.No. WE-PB-15.
17. K. Motegi, M. Sakuraba, H. Akima, S. Sato, “In-Situ B Doping Control in Si Film Deposition Using ECR Ar
Plasma CVD without Substrate Heating”, Abs. Int. SiGe Technol. and Device Meeting (ISTDM2016) & 7th
Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VII), Nagoya, Japan, Jun. 7-11, 2016, Abs.No.
WE-PB-13.
18. S. Sasaki, M. Sakuraba, H. Akima, S. Sato, “Silicon-Carbon Alloy Film Formation on Si(100) Using SiH4
and CH4 Reaction under Low-Energy ECR Ar Plasma Irradiation”, Abs. Int. SiGe Technol. and Device
Meeting (ISTDM2016) & 7th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VII), Nagoya, Japan,
Jun. 7-11, 2016, Abs.No. FE-PB-19.
19. M. Sakuraba, H. Akima, S. Sato, “Epitaxy and In-Situ Doping of Group-IV Semiconductors by Low-Energy
Plasma CVD for Quantum Heterointegration in Nanoelectronics” (Invited Paper), Abs. Energy Materials
Nanotechnology (EMN) Meeting on Epitaxy, Budapest, Hungary, Sep. 4-8, 2016, No.A19, pp. 61-63.
20. Y. Osakabe, S. Sato, M. Kinjo, K. Nakajima, H. Akima, M. Sakuraba, “Learning Method for a Quantum Bit
Network”, Proc. 25th Int. Conf. on Artificial Neural Networks (ICANN 2016), pp. 558, Barcelona, Spain,
Sep. 6-9, 2016.
21. H. Akima, S. Moriya, S. Kawakami, M. Yano, K. Nakajima, M. Sakuraba, S. Sato, “VLSI design of a neuralnetwork model for detecting planar surface from local image motion”, Proc. 25th Int. Conf. on Artificial
Neural Networks (ICANN 2016), p. 556, Barcelona, Spain, Sep. 6-9, 2016.
22. Y. Osakabe, S. Sato, H. Akima, M. Sakuraba, M. Kinjo, “Neuro-inspired Quantum Associative Memory
Using Adiabatic Hamiltonian Evolution”, Proc. Int. Joint Conf. on Neural Networks (IJCNN 2017,
Anchorage, Alaska, USA, May 14-19, 2017), pp. 803-807, 2017.
23. S. Moriya, H. Yamamoto, H. Akima, A. Hirano-Iwata, M. Niwano, S. Kubota, S. Sato, “Modularitydependent Modulation of Synchronized Bursting Activity in Cultured Neuronal Network Models”, Proc. Int.
Joint Conf. on Neural Networks (IJCNN 2017, Anchorage, Alaska, USA, May 14-19, 2017), pp. 1163-1168,
2017.
24. Y. Osakabe, “Comparison between Ising Hamiltonian and Neuro-inspired Hamiltonian for Quantum
Associative Memory”, Abs. Adiabatic Quantum Computing Conference 2017 (AQC 2017, Tokyo, Japan, Jun.
26-29, 2017), Poster No. 17, 2017.
25. H. Akima, S. Kawakami, J. Madrenas, S. Moriya, M. Yano, K. Nakajima, M. Sakuraba, S. Sato, “Complexity
Reduction of Neural Network Model for Local Motion Detection in Motion Stereo Vision”, Proc. Int. Conf.
on Neural Information Processing (ICONIP 2017, Guangzhou, China, Nov. 14-18, 2017), pp. 830-839, 2017.
26. Y. Osakabe, H. Akima, M. Sakuraba, M. Kinjo, S. Sato, “Neuro-inspired Quantum Associative Memory
Model”, Abs. The 30th Int. Symp. on Superconductivity (ISS2017, Tokyo, Japan, Dec. 13-15, 2017), EDP11, 2017.
４

27. S. Fukami, H. Ohno, W. A. Borders, H. Akima, S. Moriya, S. Kurihara, Y. Horio, S. Sato, “Analog spintronics
device based artificial neural network”, Dagstuhl Seminar 17061, 2017.
28. Y. Osakabe, H. Akima, M. Sakuraba, M. Kinjo, S. Sato, “Neuro-inspired Quantum Learning Rule Inspired
by Boltzmann Machine”, Abs. APS March Meeting 2018 (Los Angeles, USA, March 5–9, 2018), S28.00011,
2018.
29. W.A. Borders, H. Akima, S. Fukami, S. Moriya, S. Kurihara, A. Kurenkov, Yoshihiko Horio, S. Sato, H.
Ohno delayless neuron model An artificial neural network with an analogue spin-orbit torque device”, inProceedings of the IEEE Int. Magnetics Conf., INTERMAG Europe 2017, Dublin, Ireland, April 24-28, 2017.
30. S. Fukami, W.A. Borders, A. Kurenkov, H. Akima, S. Moriya, S. Kurihara, Y. Horio, S. Sato, H. Ohno, “Ananalog spin-orbit torque device for edge artificial intelligence”, 62nd Annual Conf. on Magnetism andMagnetic Materials (MMM2017), Pittsburgh, USA, November 9, 2017.
31. S. Fukami, W.A. Borders, A. Kurenkov, H. Akima, S. Moriya, S. Kurihara, Y. Horio, S. Sato, H. Ohno,“Analogue spin–orbit torque device for artificial-neural-network-based associative memory operation”, SPIE.
Optics+Photonics – Spintronics X, San Diego, CA, USA, Aug. 9, 2017.
32. Y. Osakabe, H. Akima, M. Kinjo, M. Sakuraba, S. Sato, “Hebbian and anti-Hebbian Learning of Qubit
Networks for Quantum Associative Memory” (Invited Paper), Abs. Energy Materials and Nanotechnology(EMN) Greece Meeting 2018 (Heraklion-Crete, Greece, May 14-18, 2018).
33. S. Moriya, H. Yamamoto, K. Ide, H. Akima, J. Soriano, A. Hirano-Iwata, S. Kubota, S. Sato, “Modular andglobal synchronization in modular neuronal network models”, Abs. 11th FENS Forum of Neuroscience(Berlin, Germany, July 7-11, 2018), Abs.No. G011, 2018.
34. K. Wakimura, H. Yamamoto, K. Ide, S. Moriya, S. Sato, J. Soriano, A. Hirano-Iwata, “Spontaneous activity
patterns in micropatterned cortical cultures: Influence of modular organization,” Abs. 11th FENS Forum of
Neuroscience (Berlin, Germany, July 7-11, 2018), Abs.No. B096, 2018.
35. H. Akima, S. Kurihara, S. Moriya, S. Kawakami, J. Madrenas, M. Yano, K. Nakajima, M. Sakuraba, S. Sato,“Motion Stereo Vision LSI for Spatial Perception”, Proc. 2018 Int. Symp. on Nonlinear Theory and Its
Applications (NOLTA2018), p. 663, 2018.
36. W. Li, M. Sakuraba, S. Sato, “Carrier Concentration Profile of In-Situ B-Doped Si Epitaxially Grown by
Low-Energy ECR Ar Plasma CVD without Substrate Heating”, Abs. 14th Int. Conf. on AtomicallyControlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14, Sendai, Japan, Oct. 22-25, 2018), Abs.No.
22P015, 2018.
37. N. Kato, W. Li, M. Sakuraba, S. Sato, “Epitaxial Growth of In-Situ P-Doped Si Films by ECR Ar Plasma
CVD without Substrate Heating”, Abs. 14th Int. Conf. on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces andNanostructures (ACSIN-14, Sendai, Japan, Oct. 22-25, 2018), Abs.No. 23E27, 2018.
38. M. Sakuraba, S. Sato, “Epitaxy and In-Situ Doping in Low-Energy Plasma CVD Processing for Group-IV
Semiconductor Nanoelectronics” (Invited Lecture), Abs. 11th Int. Symp. on Advanced Plasma Science andits Application for Nitrides and Nanomaterials / 12th Int. Conf. on Plasma-Nano Technology & Science(ISPlasma/IC-PLANTS, Nagoya, Japan, Mar. 17-21, 2019), No.19aC06I, 2019.
(4) 査読なし国際会議・シンポジウム等 / Papers in conference proceedings
1. N. Ueno, M. Sakuraba, J. Murota, S. Sato, “Characterization of Strain in Si1-xGex Films Epitaxially Grown
on Si(100) by ECR Ar Plasma CVD without Substrate Heating”, Abs. 7th Int. WorkShop on New Group IV
Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled
Processing for Ultralarge Scale Integration”, Tohoku Univ., Sendai, Japan, Jan. 27-28, 2014, Abs.No. P-21.
2. K. Matsui, Y. Hayakawa, S. Sato, K. Nakajima, “FPGA Implementation of the Discrete Inverse-function
Delayed Neural Network with High Order Synaptic Connections”, Abs. 7th Int. WorkShop on New GroupIV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar “Atomically Controlled
Processing for Ultralarge Scale Integration”, Sendai Japan, Jan. 2014, Abs.No. P17.
3. Y. Watanabe, Y. Hayakawa, S. Sato, K. Nakajima, “A system for solving optimization problems using theinverse function delayless neuron model”, Abs. 2nd RIEC Int. Symp. on Brain Functions and Brain Computer,５

p. 17, Sendai Japan, Feb. 2014.
4. D. Sasaki, Y. Hayakawa, S. Sato, K. Nakajima, “Optimal scheduling of a disruption toletrant network using
a neural network”, Abt. 2nd RIEC Int. Symp. on Brain Functions and Brain Computer, p. 18, Sendai Japan,
Feb. 2014.
5. S. Sato, K. Nakajima, “Neurochip using stochastic logic”, Abs. 2nd RIEC Int. Symp. on Brain Functions andBrain Computer, p. 13, Sendai, Japan, Feb. 21-22, 2014.
6. H. Akima, M. Sakuraba, S. Sato, “Nano-Integration Devices and Processing”, Abs. 1st Int. Symp. on
Brainware LSI, p. 10, Sendai Japan, March 28, 2014.
7. N. Ueno, M. Sakuraba, S. Sato, “Influence of Partial Pressures upon Rate Coefficients of SiH4 and GeH4 in
ECR Ar Plasma CVD of Si1-xGex on Si(100) without Substrate Heating”, Abs. 8th Int. WorkShop on New
Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "AtomicallyControlled Processing for Ultralarge Scale Integration", Tohoku Univ., Sendai, Japan, Jan. 29-30, 2015,
Abs.No. P-10.
8. S. Sato, M. Kinjo, K. Nakajima, H. Akima, M. Sakuraba, “Quantum neural network and its application to
optimization problems”, Abs. 3rd RIEC Int. Symp. on Brain Functions and Brain Computer, No. S6-3, Sendai,
Japan, Feb. 18-19, 2015.
9. H. Akima, S. Moriya, S. Kawakami, M. Yano, K. Nakajima, M. Sakuraba, S. Sato, “VLSI implementation ofneural network model in local motion detection in motion stereo vision”, Abs. 3rd RIEC International
Symposium on Brain Functions and Brain Computer, No. P-12, Sendai, Japan, Feb. 18-19, 2015.
10. N. Ueno, M. Sakuraba, H. Akima, S. Sato, “Study on Surface Reaction in ECR Ar Plasma CVD of SiGe
Alloy on Si(100) without Substrate Heating”, Abs. Joint Symp. of 9th Int. Symp on Medical, Bio- and NanoElectronics, and 6th Int. Workshop on Nanostructures & Nanoelectronics, Tohoku Univ., Sendai, Japan, Mar.
2-4, 2015, Abs.No. P-1.
11. H. Akima, S. Moriya, S. Kawakami, M. Yano, K. Nakajima, M. Sakuraba, S. Sato, “VLSI Design of Neural
Network Model for Local Motion Detection in Motion Stereo Vision”, Abs. 2nd Int. Symp. on Brainware
LSI, p.10, Sendai Japan, Mar. 2-3, 2015.
12. S. Sato, W. Li, H. Akima, M. Sakuraba, “A Fundamental Study on STM Lithography on Hydrogen-terminatedSilicon Surface” (Invited Paper), A*MIDEX - JSPS Int. Workshop, Marseille, France, July 9-10, 2015.
13. M. Sakuraba, H. Akima and S. Sato, “Low-Energy Plasma CVD Processing for Quantum Heterointegrationof Group-IV Semiconductors” (Invited Paper), 2nd Joint IT Workshop of Moscow State University-Tohoku
University, Moscow State University, Moscow, Russia, Sep. 7, 2015.
14. N. Ueno, M. Sakuraba, H. Akima, S. Sato, “Evaluation of Electronic Properties of Si/SiGe/Si(100)Heterostructures Formed by ECR Ar Plasma CVD”, Abs. 9th Int. WorkShop on New Group IV
Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled
Processing for Ultralarge Scale Integration", Sendai, Japan, pp. 27-28, Jan. 11-12, 2016.
15. K. Motegi, M. Sakuraba, H. Akima, S. Sato, “Characteristics of B Doping in Si Epitaxial Growth on Si(100)Using ECR Ar Plasma CVD”, Abs. 9th Int. WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar “Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale
Integration”, Sendai, Japan, pp. 43-44, Jan. 11-12, 2016.
16. W. Li, S. Sato, H. Akima, M. Sakuraba, “Current and voltage dependence of STM induced hydrogen
desorption on Si(111)”, Abs. 9th Int. WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS
Core-to-Core Program Joint Seminar “Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration”,
pp. 67-68, Jan. 11-12, 2016.
17. S. Moriya, H. Akima, S. Kawakami, M. Yano, K. Nakajima, M. Sakuraba, S. Sato, “A neural network modelfor detecting planar orientation and time-to-collision from local image motion”, Abs. 4th RIEC Int. Symp.
on Brain Functions and Brain Computer, Sendai, Japan, No. P-4, Feb. 23-24, 2016.
18. Y. Osakabe, S. Sato, M. Kinjo, K. Nakajima, H. Akima, M. Sakuraba, “Brain inspired adiabatic quantum
computing and learning”, Abs. 4th RIEC Int. Symp. on Brain Functions and Brain Computer, Sendai, Japan,
No. S4-3, Feb. 23-24, 2016.
６19. H. Akima, S. Moriya, S. Kawakami, M. Yano, K. Nakajima, M. Sakuraba, S. Sato, “VLSI implementation of
a neural network model for detecting planar surface from local image motion”, Abs. 3rd Int. Symp. on
Brainware LSI, Sendai, Japan, Feb. 26-27, 2016.
20. K. Motegi, M. Sakuraba, H. Akima, S. Sato, “Depth Profile of B Concentration in Heavily B-Doped Si
Epitaxial Film Grown on Si(100) Using ECR Ar Plasma CVD without Substrate Heating”, Abs. Joint Symp.
of 10th Int. Symp. on Medical, Bio- and Nano-Electronics, and 7th Int Workshop on Nanostructures &Nanoelectronics, Sendai, Japan, p. 23, Mar. 1-3, 2016.
21. N. Ueno, M. Sakuraba, H. Akima, S. Sato, “Characterization of Si and Si-Ge Alloy Heterostructures Formedon Si(100) by ECR Ar Plasma CVD without Substrate Heating”, Abs. Joint Symp. of 10th Int. Symp. on
Medical, Bio- and Nano-Electronics, and 7th Int Workshop on Nanostructures & Nanoelectronics, Sendai,
Japan, p. 24, Mar. 1-3, 2016.
22. M. Sakuraba, H. Akima, S. Sato, “Si-Ge Alloy and Si Epitaxy by Low-Energy Plasma CVD for
Semiconductor Device Fabrication”, Abs. JSPS Meeting 2016: Workshop on "Atomically Controlled
Processing for Ultra-large Scale Integration", No. 1-4, pp. 11-12, Juelich, Germany, Nov. 24-25, 2016.
23. S. Sato, H. Akima, W. Li, M. Sakuraba, “Saturation Property of Hydrogen Atom Desorption Induced byElectron Bombardment on Si Surface”, Abs. JSPS Meeting 2016: Workshop on “Atomically Controlled
Processing for Ultra-large Scale Integration”, No. 6-2, pp. 44-45, Juelich, Germany, Nov. 24-25, 2016.
24. N. Ueno, M. Sakuraba, H. Akima, S. Sato, “Electrical Characteristics of Epitaxial p-n Junctions of Si and
SiGe Formed by Plasma CVD without Substrate Heating”, Abs. 10th Int. WorkShop on New Group IV
Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar “Atomically Controlled
Processing for Ultralarge Scale Integration”, Feb. 13-14, 2017, Sendai, Japan, Abs.No. O-08, pp. 35-36.
25. H. Akima, S. Kurihara, S. Moriya, S. Kawakami, J. Madrenas, M. Yano, K. Nakajima, M. Sakuraba, S. Sato,“Vision processor based on motion-stereo vision implementing huge neural connections by successive Houghtransform”, Abs. 4th Int. Symp. on Brainware LSI, Sendai, p. 7, Japan, Feb. 24-25, 2017.
26. M. Zapata, J. Madrenas, H. Akima, S. Sato, “Flexible spike delay controller for neural processing based on
FPGA”, Abs. 4th Int. Symp. on Brainware LSI, Sendai, p. 5, Japan, Feb. 24-25, 2017.
27. S. Moriya, H. Yamamoto, H. Akima, A. Hirano-Iwata, M. Niwano, S. Kubota, S. Sato, “Analyzing
synchronized bursts in cortical neuronal networks”, Abs. 5th RIEC Int. Symp. on Brain Functions and Brain
Computer, p. P-6, Sendai, Japan, Feb. 27-28, 2017.
28. S. Kurihara, H. Akima, W. A. Borders, S. Fukami, S. Moriya, A. Kurenkov, R. Shimohashi, Y. Horio, S. Sato,
H. Ohno, “Autoassociative memory using non-volatile analogue magnetic memory device”, Abs. 5th RIEC
Int. Symp. on Brain Functions and Brain Computer, p. P-1, Sendai, Japan, Feb. 27-28, 2017.
29. Y. Osakabe, S. Sato, H. Akima, M. Sakuraba, M. Kinjo, "Hamiltonian change for quantum associative
memory", Proc. 5th RIEC Int. Symp. on Brain Functions and Brain Computer, p. S1-4, Sendai, Japan, Feb.
27-28, 2017.
30. J. Madrenas, M. Zapata, H. Akima, S. Sato, “An evolvable and configurable SIMD architecture for spiking
neural emulation”, Abs. 5th RIEC Int. Symp. on Brain Functions and Brain Computer, p. S1-2, Sendai, Japan,
Feb. 27-28, 2017.
31. S. Sato, Y. Osakabe, H. Akima, M. Sakuraba, “Hebbian and anti-Hebbian learning for a quantum associative
memory”, Abs. 6th RIEC Int. Symp. on Brain Functions and Brain Computer (Sendai, Japan, Feb. 1-2, 2018),
S1-3, 2018.
32. J. Madrenas, M. Zapata, H. Akima, S. Sato, “Design considerations for real-time digital architecturesemulating spiking neural models”, Abs. 6th RIEC Int. Symp. on Brain Functions and Brain Computer (Sendai,
Japan, Feb. 1-2, 2018), S1-2, 2018.
33. S. Moriya, H. Yamamoto, H. Akima, S. Kubota, M. Niwano, A. Hirano-Iwata, S. Sato, “Synchronization of
spontaneous activity in modular neuronal network models”, Abs. 6th RIEC Int. Symp. on Brain Functions
and Brain Computer (Sendai, Japan, Feb. 1-2, 2018), P-4, 2018.
34. S. Kurihara, H. Akima, S. Kawakami, J. Madrenas, S. Moriya, M. Yano, K. Nakajima, M. Sakuraba, S. Sato,“Spatial perception system based on motion stereo vision in cortex”, Abs. 6th RIEC Int. Symp. on Brain
７

Functions and Brain Computer (Sendai, Japan, Feb. 1-2, 2018), P-5, 2018.
35. H. Akima, S. Kurihara, S. Moriya, S. Kawakami, J. Madrenas, M. Yano, K. Nakajima, M. Sakuraba, S. Sato,“Vision LSI for Spatial Perception Based on Motion Stereo Vision”, Abs. 5th Int. Symp. on Brainware LSI(Sendai, Japan, Feb. 23-24, 2018), p. 5, 2018.
36. M. Sakuraba, H. Akima, S. Sato, “Epitaxy and In-Situ Doping of Group-IV Semiconductors by Low-Energy
Plasma CVD for Nanoelectronics” (Invited Paper), Abs. 11th Int. WorkShop on New Group IV
Semiconductor Nanoelectronics (Sendai, Japan, Feb. 23-24, 2018), Abs.No.I-14, pp.27-28, 2018.
37. W. Li, N. Kato, M. Sakuraba, H. Akima, S. Sato, “Crystallinity Improvement in B-Doped Si and Its Influence
upon Si-Ge p+-n Junctions Formed by ECR Ar Plasma CVD”, Abs. 11th Int. WorkShop on New Group IV
Semiconductor Nanoelectronics (Sendai, Japan, Feb. 23-24, 2018), No.P-14, pp.55-56, 2018.
38. N. Kato, W. Li, M. Sakuraba, H. Akima, S. Sato, “Epitaxial Growth of In-Situ P-Doped Si Films by ECR Ar
Plasma CVD without Substrate Heating”, Abs. 11th Int. WorkShop on New Group IV Semiconductor
Nanoelectronics (Sendai, Japan, Feb. 23-24, 2018), No.P-15, pp.57-58, 2018.
39. W.A. Borders, H. Akima, S. Fukami, S. Moriya, S. Kurihara, A. Kurenkov, Y. Horio, S. Sato, H. Ohno, “AnArtificial Neural Network Built with Analogue Spin-Orbit Torque Devices”, 15th RIEC Int. Workshop on
Spintronics, Sendai, Japan, December 13, 2017.
40. W. Li, M. Sakuraba, S. Sato, “Ar Plasma Irradiation Effect upon Electrical Activation of B Atoms Doped in
Epitaxial Si Thin Film Grown by ECR Ar Plasma CVD”, Abs. 12th Int. WorkShop on New Group IV
Semiconductor Nanoelectronics, Dec. 6-7, 2018, Sendai, Japan, Abs.No. O-01, 2018.
41. N. Kato, M. Sakuraba, S. Sato, “Depth Profile of Carrier Concentration in In-Situ P-Doped Si Thin Films
Epitaxially Grown by ECR Ar Plasma CVD without Substrate Heating”, Abs. 12th Int. WorkShop on New
Group IV Semiconductor Nanoelectronics, Dec. 6-7, 2018, Sendai, Japan, Abs.No. P-04, 2018.
42. J. Madrenas, M. Zapata, S. Moriya, S. Sato, “Recent developments on the state of the art in spiking neural
hardware”, Abs. 7th RIEC Int. Symp. on Brain Functions and Brain Computer (Sendai, Japan, Feb. 22-23,2019), Abs.No. S1-3, 2019.
43. S. Sato, Y. Tamura, S. Moriya, T. Kato, M. Sakuraba, Y. Horio, “Design of an analog MOS circuit of the
Izhikevich neuron model”, Abs. 7th RIEC Int. Symp. on Brain Functions and Brain Computer (Sendai, Japan,
Feb. 22-23, 2019), Abs.No. S1-4, 2019.
44. Y. Tamura, S. Moriya, T. Kato, M. Sakuraba, Y. Horio, S. Sato, “A numerical study on an Izhikevich neuronmodel analog MOS Circuit”, Abs. 7th RIEC Int. Symp. on Brain Functions and Brain Computer (Sendai,
Japan, Feb. 22-23, 2019), Abs.No. P-2, 2019.
45. S. Moriya, H. Yamamoto, A. Hirano-Iwata, S. Kubota, S. Sato, “Analysis of dynamical complexity inmodular neuronal network model”, Abs. 7th RIEC Int. Symp. on Brain Functions and Brain Computer(Sendai, Japan, Feb. 22-23, 2019), Abs.No. P-8, 2019.
46. S. Sato, Y. Tamura, S. Moriya, T. Kato, M. Sakuraba, Y. Horio, “An Analog MOS Circuit of the Izhikevich
Neuron Model”, Abs. The 6th Int. Symp. on Brainware LSI (Sendai, Japan, Mar. 1-2, 2019), p. 6, 2019.
(5) 総説・解説 / Review articles
1. 秋間 学尚, 佐藤 茂雄，運動視により局所運動を検出する神経回路網モデルの LSI 化，日本神経回路学会誌、vol.22, no. 4, pp. 152-161, 2015.
(6) 査読付国内会議 / Refereed proceedings in domestic conferences
N/A(7) 査読なし国内研究会・講演会 / Proceedings in domestic conferences
1. 秋間学尚、片山康弘、佐藤茂雄、櫻庭政夫、中島康治、”大規模 fan-in を有するニューロンを実現する多８数決回路”、第 4 回コンピュテーショナル・インテリジェンス研究会(2013 年 12 月 4-5 日、九州大学),
講演論文集, pp.76-79.
2. 佐々木大輔、早川吉弘、佐藤茂雄、中島康治、“ニューラルネットワークによる DTN ルーティング手法”、
電子情報通信学会非線形問題研究会、2014 年 1 月 21-22 日，ニセコパークホテル、信学技報, vol. 113,
no. 383, NLP2013-136, pp. 41-44. （口頭発表）
3. 渡邊裕斗, 早川吉弘、佐藤茂雄、中島康治、“DS-net と IDL モデルを用いた最適化問題解探索”、電子情報通信学会非線形問題研究会、2014 年 1 月 21-22 日，ニセコパークホテル、信学技報, vol. 113, no.
383, NLP2013-137, pp. 45-50. （口頭発表）
4. 堀内優太, 早川吉弘、佐藤茂雄、中島康治、“逆関数ゼロ遅延モデルを用いたニューラルネットワークの学習”、電子情報通信学会非線形問題研究会、2014 年 1 月 21-22 日，ニセコパークホテル、信学技報,
vol. 113, no. 383, NLP2013-142, pp. 73-76. （口頭発表）
5. 蒋 靖, 早川吉弘、佐藤茂雄、中島康治、“広い引き込み領域を持つ神経回路連想記憶のハードウエア
化に関する研究”、電子情報通信学会非線形問題研究会、2014 年 1 月 21-22 日，ニセコパークホテル、
信学技報, vol. 113, no. 383, NLP2013-147, pp. 99-102. （口頭発表）
6. 鮑春宇, 小野美 武，早川吉弘、佐藤茂雄、中島康治、“逆関数ゼロ遅延モデルを用いた BAM 連想シ
ステムのハードウェア化に関する研究”, 電子情報通信学会非線形問題研究会, 2014 年 6 月 30 日-7 月
1 日、東北大学、信学技報, vol. 114, no. 113, NLP2014-26, pp. 31-36. （口頭発表）
7. 品川政太朗，早川吉弘、佐藤茂雄、小野美武、中島康治、“学習パラメータを離散化した制限付きボルツ
マンマシンの学習の検討”, 電子情報通信学会非線形問題研究会, 2014 年 6 月 30 日-7 月 1 日、東北大学、信学技報, vol. 114, no. 113, NLP2014-27, pp. 37-40. （口頭発表）
8. N. Ueno, M. Sakuraba, S. Sato, “Formation and Characterization of Strained Si-Ge Alloy Epitaxially Grown
on Si(100) by Low-Energy ECR Ar plasma CVD without Substrate Heating”, 平成 26 年度電気関係学会
東北支部連合大会講演論文集, 山形大学, 2014 年 8 月 21-22 日, No. 1A02.
9. 秋間学尚、川上進，中島康治、櫻庭政夫、佐藤茂雄、”運動視により平面の空間認識を行う神経網モデ
ルの数値シミュレーションによる検証”、電子情報通信学会ニューロコンピューティング研究会, 2014 年 11
月 21-22 日、東北大学、信学技報, vol. 114, no. 326, NC2014-43, pp. 97-100. （口頭発表）
10. 守谷哲, 秋間学尚, 川上進, 矢野雅文, 中島康治, 櫻庭政夫, 佐藤茂雄, “運動視により局所運動を検出する神経網モデルの LSI 化”, 電子情報通信学会総合大会講演論文集, 2015 年 3 月 10-13 日, 立命館大学、No. D-2-6. （口頭発表）, 平成 27 年度電子情報通信学会学術奨励賞
11. 秋間学尚、守谷哲、川上進，矢野雅文、中島康治、櫻庭政夫、佐藤茂雄、”大脳皮質視覚野において局所運動を検出する神経回路網モデルの LSI 化”、電子情報通信学会ニューロコンピューティング研究会,
2015 年 6 月 23-25 日、沖縄科学技術大学院大学、信学技報, vol. 115, no. 111, NC2015-4, pp. 57-62.
（口頭発表）
12. 刑部好弘, 佐藤茂雄, 小野美武, 秋間学尚, 櫻庭政夫, “Superconductivity Coherence in Series Array of
Nb/AlOx/Nb Josephson Junctions”, 平成 27 年度電気関係学会東北支部連合大会講演論文集, 岩手県立大学, 2015 年 8 月 27-28 日, No. 1A10.
13. 李武, 佐藤茂雄, 秋間学尚, 櫻庭政夫, “STM を用いた電子注入による Si 表面終端水素原子の脱離に関する研究”, 平成 27 年度電気関係学会東北支部連合大会講演論文集, 岩手県立大学, 2015 年 8 月
27-28 日, No. 2E12.
14. 佐藤茂雄, 秋間学尚, 中島康治, 櫻庭政夫、”確率的ロジックを用いた Izhikevich ニューロン回路の設計”、電子情報通信学会ニューロコンピューティング研究会, 2015 年 11 月 20-21 日、東北大学、信学技報, vol. 115, no. 318, NC2015-42, pp. 31-34. （口頭発表）
15. 刑部好弘、佐藤茂雄、秋間学尚、櫻庭政夫、金城光永、”脳型計算の学習則を導入した断熱的量子計
算手法の検討、電子情報通信学会総合大会講演論文集, 2016 年 3 月 15-18 日, 九州大学、No. C-8-20.
９（口頭発表）16. 守谷哲, 秋間学尚, 川上進, 矢野雅文, 中島康治, 櫻庭政夫, 佐藤茂雄, “局所運動を統合して平面の空間認識を行う神経網モデルの LSI 化”、電子情報通信学会総合大会講演論文集, 2016 年 3 月 15-18
日, 九州大学、No. D-2-5. （口頭発表）
17. 栗原祥太、守谷 哲、秋間学尚、櫻庭政夫、佐藤茂雄、”深層神経回路網のハードウェア実装におけるシナプス荷重値分解能に関する研究”、電子情報通信学会ニューロコンピューティング研究会, 2016 年 5 月
21 日、富山大学、信学技報, vol. 116, no. 59, NC2016-5, pp. 23-28. （口頭発表）
18. 守谷哲、山本英明、秋間学尚、平野愛弓、庭野道夫、久保田繁、佐藤茂雄、”深層神経回路網のハード
ウェア実装におけるシナプス荷重値分解能に関する研究”、電子情報通信学会ニューロコンピューティン
グ研究会, 2016 年 7 月 4-6 日、沖縄科学技術大学院大学、信学技報, vol. 116, no. 120, NC2016-13, pp.
217-222. （口頭発表）
19. 守谷哲、山本英明、秋間学尚、平野愛弓、庭野道夫、久保田繁、佐藤茂雄、”モジュール構造型神経回路モデルにおける構造と同期活動の解析”、電子情報通信学会ニューロコンピューティング研究会, 2016年 11 月 18-19 日、東北大学、信学技報, vol. 116, no. 313, NC2016-38, pp. 33-38. （口頭発表）
20. 栗原祥太, 秋間学尚, William A. Borders, 深見俊輔, 守谷 哲, Aleksandr Kurenkov, 下橋亮太, 堀尾
喜彦, 佐藤茂雄, 大野英男、”アナログ磁気メモリデバイスを用いた自己連想記憶システムの構築”、電子情報通信学会ニューロコンピューティング研究会, 2017 年 3 月 13-14 日、機械振興会館、信学技報,
vol. 116, no. 521, NC2016-85, pp. 127-132. （口頭発表）
21. 守谷哲、山本英明、井手克哉, 秋間学尚、平野愛弓、庭野道夫、久保田繁、佐藤茂雄、”モジュール構
造型神経回路モデルにおける自発活動パターンのばらつきに関する考察”、電子情報通信学会ニューロ
コンピューティング研究会, 2017 年 3 月 13-14 日、機械振興会館、信学技報, vol. 116, no. 521, NC201686, pp. 133-136. （口頭発表）
22. Borders William Andrew、Akima Hisanao、Fukami Shunsuke、Moriya Satoshi、Kurihara Shouta、Kurenkov
Aleksandr1、Horio Yoshihiko、Sato Shigeo、Ohno Hideo, “An Analogue Spin-Orbit Torque Device for an
Artificial Neural Network”, 第 64 回応用物理学会春季学術講演会（2018 年 3 月 14～17 日，パシフィコ横浜）, No. 15p-501-13 （口頭発表）. 第 42 回（2017 年春季）応用物理学会講演奨励賞
23. 秋間学尚, Borders William, 深見俊輔, 守谷哲, 栗原祥太, Kurenkov Alexander, 下橋亮太, 堀尾喜彦,
佐藤茂雄, 大野英男, “スピン軌道トルク磁気メモリデバイスを用いた自己連想記憶”, 電子情報通信学会
総合大会講演論文集，2017 年 3 月 22-25 日, 名城大学, DS-2-7. （口頭発表）
24. 井手克哉、山本英明、守谷哲、脇村桂、谷井孝至、秋間学尚、久保田繁、佐藤茂雄、庭野 道夫、平野
愛弓、“生体分子パターンの形状による神経細胞回路のモジュール間相互作用の制御”, 第 78 回応用物理学会秋季学術講演会（2017 年 9 月 5-8 日、福岡国際会議場他）、No. 5a-A502-3 （口頭発表）.
25. William Andrew Borders 、 Hisanao Akima 、 Shunsuke Fukami 、 Satoshi Moriya 、 Shouta Kurihara 、Aleksandr Kurenkov、Yoshihiko Horio、Shigeo Sato、Hideo Ohno, “Characterizing Analogue Spin-Orbit
Torque Devices for Artificial Neural Networks”, 第 78 回応用物理学会秋季学術講演会（2017 年 9 月 58 日、福岡国際会議場他）、No. 7a-C18-10 （口頭発表）. JSAP Young Scientist Award Speech
26. 秋間学尚、川上進, Jordi Madrenas, 守谷哲、栗原祥太，矢野雅文、中島康治、櫻庭政夫、佐藤茂雄、”
運動立体視により局所運動を検出する視覚情報処理 LSI”, 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論
文集，2017 年 9 月 12-15 日, 東京都市大学、AS-1-7. （口頭発表）依頼講演
27. Shota Kurihara, Hisanao Akima, Susumu Kawakami, Jordi Madrenas, Satoshi Moriya, Masafumi Yano, Koji
Nakajima, Masao Sakuraba, Shigeo Sato， “Local motion detection LSI based on motion stereo vision incortex”, 日本神経回路学会第 27 回全国大会(2017 年 9 月 20～22 日、北九州国際会議場)、No. P-78
(ポスター発表).
28. 秋間学尚, Borders William, 深見俊輔, 守谷哲, 栗原祥太, Kurenkov Alexander, 堀尾喜彦, 佐藤茂雄,
大野英男, “アナログスピントロニクス素子とその人工神経回路網応用“、電子情報通信学会磁気記録・情１０

報ストレージ研究会, 2017 年 10 月 19-20 日、東京電力（株） 柏崎エネルギーホール,信学技報, vol. 117,
no. 247, MR2017-18, pp. 7-12. （口頭発表）招待講演
29. 栗原祥太, 秋間学尚、川上進, Jordi Madrenas, 守谷哲、矢野雅文、中島康治、櫻庭政夫、佐藤茂雄、”
運動立体視の神経回路網モデルに基づいた空間認識システムの構築”、電子情報通信学会ニューロコ
ンピューティング研究会, 2017 年 11 月 24-25 日、東北大学、信学技報, vol. 117, no. 325, NC2017-27, pp.
1-6. （口頭発表）
30. 守谷哲、山本英明、井手克哉, 秋間学尚、平野愛弓、庭野道夫、久保田繁、佐藤茂雄、”モジュール構
造型神経回路モデルにおける同期活動のメカニズム”、 電子情報通信学会ニューロコンピューティング
研究会, 2017 年 11 月 24-25 日、東北大学、信学技報, vol. 117, no. 325, NC2017-30, pp. 19-23. （口頭発表）
31. 李武, 上野尚文, 加藤永史, 櫻庭政夫, 秋間学尚, 佐藤茂雄，“Si 系半導体デバイス高性能化に向けた Si/Si-Ge 混晶ヘテロ接合形成プロセスに関する研究”，第 72 回応用物理学会東北支部学術講演会（2017 年 11 月 30 日～12 月 1 日，秋田）, No. 30pA11.
32. 栗原祥太, 秋間学尚、川上進, Jordi Madrenas, 守谷哲、矢野雅文、中島康治、櫻庭政夫、佐藤茂雄、”
運動立体視に基づき空間を認識する視覚情報処理システム”、電子情報通信学会ニューロコンピューテ
ィング研究会, 2018 年 3 月 13-14 日、機械振興会館、信学技報, vol. 117, no. 508, NC2017-82, pp. 85-90.
（口頭発表） IEEE Computational Intelligence Society (CIS) Young Researcher Award (YRA)
33. 山本英明、守谷哲、井手克哉、松村亮佑、秋間学尚、久保田繁、谷井孝至、佐藤茂雄、庭野 道夫、平野愛弓, “モジュール構造型培養神経回路の計算論的モデリング”, 第 64 回応用物理学会春季学術講
演会（2018 年 3 月 14～17 日，パシフィコ横浜）, No. 14a-F204-1 （口頭発表）.
34. 李武, 上野尚文, 加藤永史, 櫻庭政夫, 秋間学尚, 佐藤茂雄，“ECR Ar プラズマ CVD により形成した
Si-Ge 系 p+-n 接合への B ドープ Si の結晶性改善の影響”，第 65 回応用物理学会春季学術講演会（2018 年 3 月 17～20 日，東京）, No. 17p-C101-6.
35. 井手克哉、山本英明、脇村桂、守谷哲、袁之雄、久保田繁、佐藤茂雄、平野 愛弓、”階層的モジュール構造を有する培養神経回路の in vitro 再構成“、第 79 回応用物理学会秋季学術講演会（2018 年 9 月
18-21 日、名古屋国際会議場）、No. 18a-221C-4 （口頭発表）.
36. 田村祐樹, 守谷哲、櫻庭政夫、佐藤茂雄、”Izhikevich ニューロンモデル MOS 回路に関する研究”、 電子情報通信学会ニューロコンピューティング研究会, 2018 年 10 月 19-20 日、東北大学、信学技報, vol.
118, no. 258, NC2018-13, pp. 1-5. （口頭発表）
37. 袁之雄、山本英明、守谷哲、井手克哉, 久保田繁、佐藤茂雄, 平野愛弓、” 階層的モジュール構造を有する神経回路網モデルにおける活動パターンの機能的複雑性”、 電子情報通信学会ニューロコンピューティング研究会, 2018 年 10 月 19-20 日、東北大学、信学技報, vol. 118, no. 258, NC2018-14, pp. 712. （口頭発表）
38. 守谷哲、山本英明、袁之雄、井手克哉, 脇村桂、平野愛弓、久保田繁、佐藤茂雄, ”モジュール構造型
神経回路モデルにおける興奮性-抑制性均衡とネットワークダイナミクス”、 電子情報通信学会ニューロコ
ンピューティング研究会, 2018 年 10 月 19-20 日、東北大学、信学技報, vol. 118, no. 258, NC2018-15, pp.
13-17. （口頭発表）
39. 田村祐樹, 守谷哲、加藤達暉、櫻庭政夫、堀尾喜彦、佐藤茂雄、”Izhikvich ニューロンモデル MOS 回路の提案”、 電子情報通信学会ニューロコンピューティング研究会, 2019 年 3 月 4-6 日、電気通信大学、
信学技報, vol. 118, no. 470, NC2018-60, pp. 93-93. （口頭発表）(8) 著書 / Books
1. 室田淳一，櫻庭政夫，“CVD 法による SiGe(C)系エピタキシャル成長における原子層成長制御と原子層ドーピング”, ポストシリコン半導体－ナノ成膜ダイナミクスと基板・界面効果－，エヌ・テ
ィ－・エス社，第 1 編 結晶性半導体ナノ薄膜の成膜と電子物性に関する物質科学，第 3 章，pp.43１１

53, (2013).
2. M. Sakuraba, H. Akima, S. Sato, Chapter 4: Low-Energy Plasma CVD for Epitaxy and In-Situ Doping ofGroup-IV Semiconductors in Nanoelectronics (in ”Chemical Vapor Deposition (CVD): Types, Uses andSelected Research”, Edited by Monica Powell, pp.61-115, Nova Science Publishers, Inc., February 14, 2017,
Book:
ISBN978-1-53610-893-4,
ebook:
ISBN978-1-53610-908-5,
https://www.novapublishers.com/catalog/product_info.php?products_id=61039.
(9) 特許 / Patents
1. 猪股邦宏、佐藤茂雄、中島康治、田中秋広、高野義彦、羽多野毅、王華兵、「銅酸化物高温超伝導体固有ジョセフソン接合を用いた量子ビット」、特許第 5233039 号（登録日 2013 年 4 月 5 日）、特開 2007-081289（公開日 2007 年 3 月 29 日）、特願 2005-270031（出願日 2005 年 9 月 16 日）．
2. 櫻庭政夫、上野尚文、佐藤茂雄、秋間学尚、「半導体デバイスの製造方法」，特願 2016‐182925（出願日 2016 年 9 月 20 日）．

(10) 招待講演 / Invited Talks
1. J. Murota, M. Sakuraba, B. Tillack, “Atomically Controlled CVD Processing of Group IV Semiconductors
for Strain Engineering and Doping in Ultralarge Scale Integration” (Invited Paper), Proc. 4th Int. Conf. on
Semiconductor Technology for Ultra Large Integrated Circuits and Thin Film Transistors (ULSIC vs. TFT
4), Grenoble, France July 7-12, 2013 (ECS Trans., Vol.54, No.1, Edited by Y. Kuo, The Electrochem. Soc.,
Pennington, NJ, 2013), pp. 55-64.
2. M. Sakuraba, J. Murota, “Group-IV Semiconductor Quantum Heterointegration by Low-Energy Plasma
CVD Processing” (Invited Paper), Proc. Symp. E12: ULSI Process Integration 8, San Francisco, USA, Oct.
27-Nov. 1, 2013 (ECS Trans., Vol.58, No.9, Edited by C. Claeys, H. Iwai, M. Tao, S. Deleonibus, J. Murota,
The Electrochem. Soc., Pennington, NJ, 2013), pp. 195-200: Abs. 224th Electrochem. Soc. Meeting, Abs.No.
2226.
3. M. Sakuraba, S. Sato, “Electron-Cyclotron-Resonance Ar Plasma Chemical Vapor Deposition for Group-IV
Semiconductor Quantum-Heterostructure” (Invited Paper), Abs. Energy Materials Nanotechnology (EMN)
Meeting on Photovoltaics, Orlando, Florida, Jan. 12-15, 2015, Abs.No. A13, pp.28-29.
4. S. Sato, W. Li, H. Akima, M. Sakuraba, “A Fundamental Study on STM Lithography on Hydrogen-terminatedSilicon Surface” (Invited Paper), A*MIDEX - JSPS Int. Workshop, Marseille, France, July 9-10, 2015.
5. M. Sakuraba, H. Akima and S. Sato, “Low-Energy Plasma CVD Processing for Quantum Heterointegrationof Group-IV Semiconductors” (Invited Paper), 2nd Joint IT Workshop of Moscow State University-Tohoku
University, Moscow State University, Moscow, Russia, Sep. 7, 2015.
6. M. Sakuraba, H. Akima, S. Sato, “Group-IV Quantum-Heterostructure Formation Based on Low-Energy
Plasma CVD towards Electronic Device Application” (Invited Paper), Abs. Energy Materials
Nanotechnology (EMN) Hong Kong Meeting, Hong Kong, China, Abs.No. D10, Dec. 9-12, 2015, pp.135136.
7. M. Sakuraba, H. Akima, S. Sato, “Epitaxy and In-Situ Doping of Group-IV Semiconductors by Low-Energy
Plasma CVD for Quantum Heterointegration in Nanoelectronics” (Invited Paper), Abs. Energy Materials
Nanotechnology (EMN) Meeting on Epitaxy, Budapest, Hungary, Sep. 4-8, 2016, No.A19, pp. 61-63.
8. 秋間学尚, Borders William, 深見俊輔, 守谷哲, 栗原祥太, Kurenkov Alexander, 堀尾喜彦, 佐藤茂雄,
大野英男, “アナログスピントロニクス素子とその人工神経回路網応用“、電子情報通信学会磁気記録・情報ストレージ研究会, 2017 年 10 月 19-20 日、東京電力（株） 柏崎エネルギーホール,信学技報, vol. 117,
no. 247, MR2017-18, pp. 7-12. （口頭発表）招待講演
9. M. Sakuraba, H. Akima, S. Sato, “Epitaxy and In-Situ Doping of Group-IV Semiconductors by Low-Energy
Plasma CVD for Nanoelectronics” (Invited Paper), Abs. 11th Int. WorkShop on New Group IV
Semiconductor Nanoelectronics (Sendai, Japan, Feb. 23-24, 2018), Abs.No.I-14, pp.27-28, 2018.
10. Y. Osakabe, H. Akima, M. Kinjo, M. Sakuraba, S. Sato, “Hebbian and anti-Hebbian Learning of Qubit
１２

Networks for Quantum Associative Memory” (Invited Paper), Abs. Energy Materials and Nanotechnology(EMN) Greece Meeting 2018 (Heraklion-Crete, Greece, May 14-18, 2018).
11. M. Sakuraba, S. Sato, “Epitaxy and In-Situ Doping in Low-Energy Plasma CVD Processing for Group-IV
Semiconductor Nanoelectronics” (Invited Lecture), Abs. 11th Int. Symp. on Advanced Plasma Science andits Application for Nitrides and Nanomaterials / 12th Int. Conf. on Plasma-Nano Technology & Science(ISPlasma/IC-PLANTS, Nagoya, Japan, Mar. 17-21, 2019), No.19aC06I, 2019.
2. 学会活動 / Activities in academic societies(1) 学会役員等の活動 / Activities on committees of academic societies
佐藤茂雄 Shigeo Sato
1. 日本神経回路学会- 2013-2016 理事
2. 電子情報通信学会ニューロコンピューティング研究会- 2015 副委員長
- 2016 委員長- 2017～ 研究専門委員
3. 電子情報通信学会非線形問題研究会- 2014～ 研究専門委員
4. 電子情報通信学会超伝導エレクトロニクス研究会- 2015～ 研究専門委員
5.

IEEE Computational Intelligence Society Japan Chapter- 2014～ 選奨委員
6. IEEE Sendai Section- 2014-2015 役員（Student Activities Committee）
7. IEEE Computational Intelligence Society, Neural Network Technical Committee, Task Force on ComplexValued Neural Networks- 2016～ Committee Member
8. 電子情報通信学会非線形理論とその応用(NOLTA)サブソサイエティ- 2012～2013 運営委員
櫻庭政夫 Masao Sakuraba
1. 応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会，ULSI デバイス研究委員会- 2014～2020 幹事
2. 応用物理学会 論文賞委員会- 2013～2014 委員(2) 学術的国際会議の企画・運営
Planning and organizing academic international conferences.
佐藤茂雄 Shigeo Sato
1. RIEC International Symposium on Brain Functions and Brain Computer
Symposium Chair- 7th (Sendai, Feb. 22-23, 2019)- 6th (Sendai, Feb. 1-2, 2018)
Program Committee Member- 5th (Sendai, Feb. 27-28, 2017)- 4th (Sendai, Feb. 23-24, 2016)- 3rd (Sendai, Feb. 18-19, 2015)- 2nd (Sendai, Feb. 21-22, 2014)
１３

2. RIEC International Symposium on Brainware LSI
Organizing Committee Member- 6th (Sendai, Mar. 1-2, 2019)- 5th (Sendai, Feb. 23-24, 2018)- 4th (Sendai, Feb. 24-25, 2017)- 3rd (Sendai, Feb. 26-27, 2016)- 2nd (Sendai, Mar. 2-3, 2015)- 1st (Sendai, Mar. 28, 2014)
3. International Symposium on Superconductivity
Program Committee Member- 31th (Ibaraki, Dec. 12-14, 2018)- 30th (Tokyo, Dec. 13-15, 2017)- 29th (Tokyo, Dec. 13-15, 2016)
4. IEEE HISTELCON (HISTory of ELectrotechnology CONference)
Technical Program Committee Member- 2017 (Kobe, Aug. 7-8, 2017)
5. International Conference on Neural Information Processing (ICONIP)
Program Committee Member- 24th (Guangzhou, China, Nov. 14-18, 2017)- 23rd (Kyoto, Oct. 16-21, 2016)
6. International Joint Conference on Neural Networks (IJCNN)
Program Committee Member- 2014 (Beijing, July 6-11, 2014)
櫻庭政夫 Masao Sakuraba
1. Int. SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Device Symp., (Part of The Electrochem.
Soc. Meeting),
Epitaxy Committee Member- 8th (Cancun, Mexico, Sep. 30-Oct. 4, 2018)- 7th (Hawaii, USA, Oct. 2-7, 2016)- 6th (Cancun, Mexico, Oct. 5-10, 2014)
2. Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI),
Steering Committee Member- 7th (Nagoya, Japan, Jun. 7-11, 2016)
3. Int. SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM),
Steering Committee Member- 8th (Nagoya, Japan, Jun. 7-11, 2016)
4. Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (Tohoku Univ., Sendai, Japan),
Organizing Committee Member- 12th (Dec. 6-7, 2018)- 11th (Feb. 23-24, 2018)- 10th (Feb. 13-14, 2017)- 9th (Jan. 11-12, 2016)- 8th (Jan. 29-30, 2015)- 7th (Jan. 27-28, 2014)- 6th (Feb. 22-23, 2013)
5. Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI),
Scientific Organizing Committee Member- 8th Conf. (Fukuoka, Japan, Jun. 2-5, 2013)(3) 学術論文誌の編集・査読 / Editor and reviewer for academic journals.
佐藤茂雄 Shigeo Sato
１４

1. Neural Networks- 2013-2018 Action Editor
2. IEICE, NOLTA- 2013～ Associate Editor
3. IEICE- 2003～ Reviewer

3. 社会貢献 / Contributions to society(1) 教育活動 / Educational activities outside university
佐藤茂雄 Shigeo Sato
1. 半導体工学、2013 年度、仙台高等専門学校（広瀬キャンパス）（非常勤講師）、知能エレクトロニ
クス学科（非常勤講師）、5 年生
2. 出張講義、2014 年 7 月 10 日, 福島東高校、総合学習「学問入門講座」（半導体で脳を創る）、2 年生.
3. システム情報工学、2016～2018 年度、八戸工業高等専門学校、電気情報工学コース(非常勤講師)、
5 年生前期
4. 出張講義、2018 年 12 月 18 日、いわて半導体アカデミー、公開講座（シリコン半導体と脳型計算）
櫻庭政夫 Masao Sakuraba
1. 半導体工学、2013～2015 年度、仙台高等専門学校（広瀬キャンパス） 知能エレクトロニクス学科（非常勤講師）、5 年生前期．
2. 集積回路基礎、2016～2018 年度、仙台高等専門学校（広瀬キャンパス） 知能エレクトロニクス学科（非常勤講師）、5 年生前期．
3. 出張講義（「暮らしの中の半導体」、「半導体入門」、「半導体ができるまで１～３」）、2018 年 9 月 6～7 日、いわて半導体アカデミー・大学生コース（講師）(2) 産業界における指導・啓蒙 / Instruction and education for industry
1. 櫻庭政夫、秋間学尚、佐藤茂雄、室田淳一、XPS による IV 族半導体材料における深さ方向組成分
布の評価事例、表面分析研究懇談会講演要旨（2015 年 6 月 18～19 日、（株）島津製作所秦野工場）
講演要旨集 6-1-6-9、2015 年 6 月．

(3) 国・地方自治体・公共団体における活動
Activities for national and local governments, and public organizations
N/A(4) アウトリーチ活動 / Outreach activities
N/A

4. 競争的資金の獲得状況 / Research funds/grants received(1) 科学研究費補助金 / Grant-in-Aid for Scientific Research (KAKENHI)
佐藤茂雄 Shigeo Sato
1. 種 目： 基盤研究(C)課題名： 脳型計算機用ナノシナプスデバイスの開発（基盤研究 C）
１５

期 間： 2013-2015
代表／分担： 代表
交付金総額： 3,600 千円
2. 種 目： 挑戦的萌芽研究
課題名： 磁束量子・反磁束量子対の生成・消滅に基づく高速論理演算・記憶方式の開発研究
期 間： 2012-2014
代表／分担： 分担（代表者：中島康治）
交付金総額： 3,100 千円
3. 種 目： 挑戦的研究(萌芽)課題名： ハードウェア実装を前提とした脳型量子計算アルゴリズムの学習に関する研究
期 間： 2017-2019
代表／分担： 代表
交付金総額： 4,700 千円
4. 種 目： 特別推進研究課題名： スピントロニクスを用いた人工知能ハードウェアパラダイムの創成期 間： 2017
代表／分担： 分担（代表者：大野英男）
交付金総額： 39,500 千円
5. 種 目： 基盤研究(B)課題名： 人工神経細胞回路の複雑ダイナミクスに基づく時系列情報処理とそのモデル化
期 間： 2018-2021
代表／分担： 分担（代表者：山本英明）
交付金総額： 13,400 千円
櫻庭政夫 Masao Sakuraba
1. 種 目： 基盤研究(B)課題名： IV 族半導体高度歪量子ヘテロ共鳴トンネル素子の高性能化プロセス
期 間： 2011-2013
代表／分担： 代表
交付金総額： 15,700 千円
2. 種 目： 基盤研究(A)課題名： サーファクタント媒介による緩和 Ge 薄膜結晶の形成とデバイス応用
期 間： 2012-2014
代表／分担： 分担（代表者：鷲尾勝由）
交付金総額： 36,300 千円
3. 種 目： 基盤研究(B)課題名： サブ原子層カーボンの媒介による緩和 Ge 薄膜と量子ドットの選択的形成とデバイス応用
期 間： 2015-2017
代表／分担： 分担（代表者：鷲尾勝由）
交付金総額： 12,900 千円
4.

種 目： 挑戦的研究(萌芽)課題名： Si 極薄膜における低エネルギープラズマ誘起再配列による結晶構造転換の実験的研究
期 間： 2018-2019
代表／分担： 代表
交付金総額： 4,900 千円(2) 受託研究費 / Other grants and subsidies
1. 受託研究 JST CREST 特定課題調査
１６

課題名： スピントロニクスデバイスのシステム展開に向けての検討
期 間： 2018
代表／分担： 代表
研究費総額： 3,000 千円
2. 民間との共同研究（住友金属鉱山）課題名： SiC 薄膜のデバイス化による評価技術開発に関する研究
期 間： 2018-2019
代表／分担： 代表
研究費総額： 9,030 千円
5. 国際共同研究・連携研究・連携教育活動の実績
International joint research, collaborative research, and collaborative education
1. A. Ohta, K. Makihara, S. Miyazaki, M. Sakuraba, J. Murota, “X-Ray Photoemission Study of
SiO2/Si/Si0.55Ge0.45/Si Heterostructures”, IEICE Trans. Electron., vol. E96.C, no. 5, pp. 680-685, 2014.
(May 1, 2013)
Impact Factor: 0.516【宮崎誠一教授（名古屋大学）との間で進めた IV 族半導体ヘテロ構造形成に関する共同研究の成果論文】
2. A. A. Shklyaev, V. I. Vdovin, V. A. Volodin, D. V. Gulyaev, A. S. Kozhukhov, M. Sakuraba, J. Murota,“Structure and optical properties of Si and SiGe layers grown on SiO2 by chemical vapor deposition”, Thin
Solid Films, vol. 579, pp. 131-135, 2015.
(Mar. 31, 2015)
Impact Factor: 1.939【Alexander A. Shklyaev 博士（ロシア・Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, ロシア科学アカ
デミーシベリア支部）との間で進めた IV 族半導体ヘテロ構造形成に関する国際共同研究の成果論
文】
3. Y. Yamamoto, N. Ueno, M. Sakuraba, J. Murota, A. Mai, B. Tillack, “C and Si delta doping in Ge by CH3SiH3
using reduced pressure chemical vapor deposition”, Thin Solid Films, vol. 602, pp. 24-28, 2015.
(Mar. 1, 2016)
Impact Factor: 1.939【Bernd Tillack 教授（ドイツ・IHP、IHP GmbH）との間で進めた原子層ドーピングに関する国際共同研究の成果論文】
4. H. Akima, Y. Katayama, M. Sakuraba, K. Nakajima, J. Madrenas, S. Sato, “CMOS Majority Circuit with
Large Fan-In”, IEICE Trans. Electron., vol. E99.C, no. 9, pp. 1056-1064, 2016.
(Sep. 1, 2016)
Impact Factor: 0.516【Jordi Madrenas 准教授（スペイン・カタルーニャ工科大学）との間で進めた神経回路ハードウェ
アに関する国際共同研究の成果論文】
6. 共同利用・共同研究拠点活動の実績
Achievements of work done under the framework of Joint Usage/Research Center佐藤茂雄 Shigeo Sato
1. H24/B10 高次元ニューラルネットワークの情報処理能力
期 間： 2012～2014
代表／対応教員： 対応教員（代表者：廣瀬明）
2. H25/A05 大規模超伝導量子検出器の実用化に関する研究
期 間： 2013～2015
代表／対応教員： 対応教員（代表者：神代暁）
3. H27/A21 脳型計算用ハードウェア技術期 間： 2015～2017
１７

代表／対応教員： 代表
4. H27/B08 高次元ニューラルネットワークにおける情報表現の最適化
期 間： 2015～2017
代表／対応教員： 対応教員（代表者：廣瀬明）
5. H28/A03 Si-Ge 系ナノ構造制御による室温エレクトロルミネッセンス
期 間： 2016～2018
代表／対応教員： 対応教員（代表者：宮崎誠一）
6. H28/A04 超伝導検出器と読出回路の高性能化に関する研究
期 間： 2016～2018
代表／対応教員： 対応教員（代表者：石野宏和）
7. H28/B03 荷電現象がもたらす微粒子－流体混成系の多様性と機能性期 間： 2016～2018
代表／対応教員： 対応教員（代表者：酒井道）
8. H29/A09 各種 high-k/Ge 構造において成膜後プロセスがもたらす効果の検討
期 間： 2017～2019
代表／対応教員： 対応教員（代表者：岡本浩）
9. H30/A20 脳型計算ハードウェア基盤とその応用期 間： 2018～
代表／対応教員： 代表
10. H30/B13 高次元ニューロダイナミクスとそのニューロハードウエア構築への展開
期 間： 2018～
代表／対応教員： 対応教員（代表者：廣瀬明）
櫻庭政夫 Masao Sakuraba
1. H23/A04
高度歪異種原子層配列 IV 族半導体構造形成とナノデバイスへの応用に関する研究
期 間： 2011～2013
代表／対応教員： 代表
2. H24/A06 IV 族半導体量子ヘテロ構造の高集積化のための原子層制御プラズマ CVD プロセスの開発期 間： 2012～2014
代表／対応教員： 代表
3.

H26/A06 Ge ベース高度歪異種原子層配列 IV 族半導体形成とナノデバイスへの応用に関する研究期 間： 2015～2017
代表／対応教員： 代表

4.

H27/A03 原子層制御プラズマ CVD を駆使した IV 族半導体量子ヘテロ構造形成と電子物性制御
期 間： 2015～2017
代表／対応教員： 代表
5. H29/A08 新 IV 族半導体ナノ構造の原子層制御とデバイス高性能化に関する研究
期 間： 2017～2018
代表／対応教員： 代表
6. H30/A10 高性能 IV 族半導体量子ナノデバイスのための低エネルギープラズマプロセスの開発
期 間： 2018
代表／対応教員： 代表

１８

7. 研究教育指導 / Research supervision(1) 担当講義リスト / List of lectures
佐藤茂雄 Shigeo Sato
1. 解析力学 2013～2015 工学部電気情報物理工学科、第 4 セメスター
2. ブレインファンクション集積学 2013～2014 大学院情報科学研究科応用情報科学専攻、第 1 セメスター
3. コンピュータが創る世界 2013 全学教育 第 2 セメスター
4. 未来の電子・通信・情報技術を目指す学術研究の最前線 2014～2015 全学教育 第 1 セメスター
5. 創造工学研修 2013～ 全学教育 第 2 セメスター
6. 基礎ゼミ 2013～ 全学教育 第 1 セメスター
7. 電子デバイス工学特論 2015～ 大学院工学研究科電子工学専攻、第 1 セメスター
8. 電子物性 2016 工学部電気情報物理工学科、第 5 セメスター
9. 電子物性 A 2016～ 工学部電気情報物理工学科、第 4 セメスター
10. 電気電子材料 2016～ 工学部電気情報物理工学科、第 6 セメスター
櫻庭政夫 Masao Sakuraba
1. 半導体デバイス、2013～2016 年度、東北大学 工学部 電気情報物理工学科、第 6 セメスター．
2. 半導体デバイス、2017～2018 年度、東北大学 工学部 電気情報物理工学科、第 5 セメスター．
3. 半導体材料プロセス工学、2013～2018 年度、東北大学 工学部 電気情報物理工学科、第 6 セメス
ター．
4. 微細プロセス科学、2013 年度、2015 年度、2017 年度、東北大学 大学院 工学研究科 電子工学専
攻、第 2 セメスター．
5. 電子材料プロセス工学、2014 年度、2016 年度、2018 年度、東北大学 大学院 工学研究科 電子工学専攻、第 1 セメスター．

(2) 学位取得者リスト
List of bachelor’s, master’s and doctoral degree students supervised
博士
1. 2013 年 3 月
川島 知之、「IV 族半導体への窒素原子層ドーピングと量子効果デバイスへの応用」．
2. 2015 年 9 月
松田 雄馬、「曲率を用いて形態表現する物体認識のモデル化に関する研究」．
3. 2017 年 3 月
上野 尚文、「Si-Ge 系 ECR プラズマ CVD における基板非加熱エピタキシャル成長と電子物性制御に関する研究」．
4. 2018 年 3 月
刑部 好弘、「脳型計算を模倣した断熱的量子計算アルゴリズムとそのハードウェア構成に関する
研究」
．

１９

修士
1. 2013 年 3 月
阿部 佑亮、「プラズマ CVD による不純物ドープ Si エピタキシャル成長に関する研究」．
2. 2014 年 3 月
上野 尚文、「プラズマ CVD による Si-Ge 系薄膜形成に関する研究」
3. 2015 年 3 月
刑部 好弘、「ジョセフソン接合列の巨視的量子トンネリング特性とその多接合効果に関する研究」．
4. 2015 年 3 月
李 武、「走査型トンネル顕微鏡を用いた単一水素脱離に関する研究」
5. 2016 年 3 月
佐々木 翔吾、「低エネルギープラズマ照射下での Si-C 系混晶薄膜形成制御に関する研究」．
6. 2016 年 3 月
茂木 江也、「基板非加熱プラズマ CVD を用いた Si 薄膜形成における B ドーピング制御に関する研究」．
7. 2017 年 3 月
守谷 哲、「モジュール構造型神経回路網モデルにおける構造機能相関に関する計算論的研究」
8. 2018 年 3 月
栗原 祥太、「運動立体視の神経回路網モデルに基づいた脳型視覚情報処理システムに関する研究」．
9. 2018 年 3 月
手塚 浩久、「縦型 Si トランジスタ高性能化に向けたプラズマエピタキシャル成長ドーピング制
御に関する研究」．
10. 2019 年 3 月
加藤 永史、「プラズマ CVD による不純物ドープ Si 薄膜形成と電子物性制御に関する研究」．
学士
1. 2013 年 3 月
久保田 修司、「プラズマ CVD による不純物ドープ Ge エピタキシャル成長に関する研究」．
2. 2014 年 3 月
岩橋 昌之、「視覚系神経回路網の集積化に向けた背側皮質視覚路における局所運動検出アルゴリ
ズムの研究」．
3. 2014 年 3 月
茂木 江也、「プラズマ CVD による IV 族半導体薄膜形成に関する研究」．
4. 2015 年 3 月
守谷 哲、「運動視により局所運動を検出する神経網モデルのハードウェア実装に関する研究」．
5. 2015 年 3 月
吉田 昂平、「ダイナミッククランプ法への応用を目的とする化学シナプス電子回路に関する研究」．
6. 2016 年 3 月
栗原 祥太、「画像認識用深層神経回路網のハードウェア実装に関する研究」．
7. 2016 年 3 月
手塚 浩久、「STM を用いた単一原子ドーピングに関する基礎的研究」．
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8. 2017 年 3 月
下橋 亮太、「アナログメモリを利用した深層神経回路網の学習性能に関する研究」．
9. 2017 年 3 月
仲地 翼、「アナログメモリを利用した重み付き多数決回路に関する研究」．
10. 2018 年 3 月
達増 建、「Si(100)基板上に形成した高 C 比率 Si-C 系薄膜の固相結晶化に関する研究」．
11. 2018 年 3 月
田村 祐樹、「多様な神経発火を再現するシリコンニューロン回路に関する研究」．
12. 2019 年 3 月
加藤 達暉、「エッジコンピューティング用脳型計算機に関する基礎的研究」．
13. 2019 年 3 月
半 澤 和 也 、「 結 晶 構 造 転 換 の た め の サ ブ ナ ノ メ ー ト ル 級 Si 極 薄 膜 形 成 制 御 に 関 す る
研究」．
8. 叙勲・受賞・表彰 / Honors, awards, and prizes
1. 櫻庭政夫，石田實記念財団 研究奨励賞、“IV 族半導体量子ヘテロ構造高集積化のためのプラズ
マ CVD プロセスに関する研究”、平成 27 年 11 月 27 日, http://www.ishida-kinenzaidan.or.jp/ .
2. APEX 10th Anniversary Collection
W. A. Borders, H. Akima, S. Fukami, S. Moriya, S. Kurihara, Y. Horio, S. Sato, H. Ohno, “Analogue spinorbit torque device for artificial-neural-network-based associative memory operation”, Appl. Phys. Express,
vol. 10, no. 1, p. 013007 (4 pages), 2017. (Dec. 20, 2016)
3. 平成 27 年度電子情報通信学会学術奨励賞
守谷哲, 秋間学尚, 川上進, 矢野雅文, 中島康治, 櫻庭政夫, 佐藤茂雄, “運動視により局所運動を検出する神経網モデルの LSI 化”, 電子情報通信学会総合大会講演論文集, 2015 年 3 月 10-13 日, 立命館大学、No. D-2-6. （口頭発表）
4. IEEE Sendai Section Student Awards 2015 (The Best Paper Prize)
刑部好弘, 佐藤茂雄, 小野美武, 秋間学尚, 櫻庭政夫, “Superconductivity Coherence in Series Array of
Nb/AlOx/Nb Josephson Junctions”, 平成 27 年度電気関係学会東北支部連合大会講演論文集, 岩手県立大学, 2015 年 8 月 27-28 日, No. 1A10 （口頭発表）.
5. IEEE Computational Intelligence Society (CIS) Young Researcher Award (YRA)
栗原祥太, 秋間学尚、川上進, Jordi Madrenas, 守谷哲、矢野雅文、中島康治、櫻庭政夫、佐藤茂雄、”
運動立体視に基づき空間を認識する視覚情報処理システム”、電子情報通信学会ニューロコンピュ
ーティング研究会, 2018 年 3 月 13-14 日、機械振興会館、信学技報, vol. 117, no. 508, NC2017-82, pp.
85-90. （口頭発表）
9. その他 / Others
N/A

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