Kiru • Kezuru • Migaku
DBGプロセス
搬送時のウェーハ破損やダイシング時の裏面チッピングを低減し、ø300mmウェーハの薄化ニーズに対応します。

DBG（Dicing Before Grinding）は従来の「裏面研削 → ウェー

Half -CutDicing

ハ切断」という通常工程を逆転させ、先にウェーハをハーフカットした後、裏面研削によりチップ分割するプロセスです。搬送時のウェーハ破損やダイシング時の裏面チッピングの大幅な低減が可能です。特にNAND Flashなどの極薄ウェーハに最適です。

Back Grinding Tape
Laminating

BackGrinding

Dicing Tape
Mounting

精密加工サービス

Back Grinding
Tape Peeling

Precision
Processing
ServiceDry Polishing

DBG+DP（DP08）チップ上面写真

DBG（#2000）チップ上面写真

SDBGプロセス
狭カーフ化により、ストリート幅の縮小・チップ取り個数増加を実現します。

DBGにおけるブレードダイシングをSD
BG Tape
Laminating BG Tape Laminating Stealth Dicing
SDBG
SDBG
Stealth Dicing極薄チップ
Before Grinding（Stealth）に置き換え、Dicing
Stealth Dicing
BeforeGrindingのカーフ狭小化と抗折強度向上を実現します。また、ダイセパレータDDS2300と組み合わせることで、薄チップ積層時に用いられるDAF（Die Attach Film）も、高品
Laminator位に分割できます。
DFL7361
Laminator
高抗折強度
Wafer size : ø300 mm × t20 µm
プロセス
Die strength（Three point bending
Material ） : Si

レーザ改質された部分を研削で取り除くため、高強度の極薄チップを作製可能

Min.

2000の極薄チップを作製可能
1000
0Thinning +Blade Dicing

0DFL7361

Avg.
Min.

ストリートリダクションとチ

Thinning +Blade Dicing

ぼゼロとなるため、大幅なップ取り個数増加が可能
Thinning +50um
Bladedicing
スSDBG
トリートリダクションとチップ取り個数増加が可能
Thinning +Blade dicing

SDBG

DDS2300

DFM2800

チップ取り個数増加

り代が不要でカーフもほ
ステルスダイシングは切ぼゼロとなるため、大幅なり代が不要でカーフもほMax.

Expanding
CoolCool
Expanding& HeatShrinking& HeatShrinking

DFM2800

DGP8761

DGP8761

DDS2300

高品位のDAF分割との組み
DDS2300
高品位のDAF分割

ステルスダイシングは切チップ取り個数増加

4000

Wafer size : ø300 mm × t20 µm
レーザ改質された
Material: Si
3000
4000
部分を研削で取りMax.
2000
3000
Avg.
除くため、
高強度
1000

Fracture Stress［MPa］

高抗折強度プロセス

Fracture Stress［MPa］

Die strength（Three point bending）

Stealth DicingBack GrindingBackGrinding& Dry Polishing& BG
Tape Peeling& DryPolishing
MountingMounting& BG TapePeeling

合わせにより、DAFとの組みDDS2300を高品位に分割可能
合わせにより、DAF
50um

50um

SDBG
50um

を高品位に分割可能

Si：40 µm
DAF : 10 µm

SDBG

Si：40 µm
DAF : 10 µm

Si + DAF

Si + DAF

試作から量産まで幅広いご要望にお応えする、
ディスコの精密加工サービス

試作のご相談テスト・条件出し小ロット生産ご来社または電話・Webによる相談対応

最適な精密加工ツール・加工条件の選定

ご要望に応じた品質・納期での少量生産のご協力

設備投資のご相談

ファウンダリのご紹介

後工程に関する内容は、どんなことでもお気軽にご相談ください。

確かな品質をお届けする、
ディスコの精密加工サービス〒143-8580 東京都大田区大森北 2-13-11

03-4590-1000（営業代表）
03-4590-1040（精密加工グループ）
E-mail PSSALES@disco.co.jp
Phone

Fax

03-4590-1001

URL

http://www.disco.co.jp
2015.11

Kiru
ブレード加工超音波ダイシング

豊富なノウハウ、実績を持つダイシングブレードによる切断、溝入れ加工で、お客さまの多様な要望にお応えします。

ブレードダイシングでは困難であったガラスやセラミックスなど、難削材の加工が可能です。

■ シリコン柱残し■ 石英ガラス

Si・化合物半導体■ ガラス樹脂

超音波ダイシングは、加工負荷を低減し、ブレードの冷却状況を改善する効果があります。そのため、難削材であるSiCやガラスなどの電子部品・光学部品の高速、高品位な加工が可能です。

■ ホウケイ酸ガラス

超音波On

Si 、InP 、GaAs 、CdTe 、etc

金属

銅、超硬材、SUS 、クロモリ綱、ニッケル、etc

ガラス・セラミックス

ガラス（石英・液晶 etc）
、サファイア、
ジルコニア、
光ファイバ、アルチック、アルミナ、ガラセラ、PZT 、etc

樹脂

ガラエポ、BGA 基板、ポリミド、アクリル樹脂、etc
CSP基板、超音波Off

切削平坦化加工
金属などの延性材料や樹脂、これらの複合材料の高精度な平坦化加工が可能です。

■ Auバンプの切削加工

レーザ アブレーション

ステルスダイシング

レーザアブレーションによる様々な素材への高速、高品位加工をご提供します。

レーザによる切断方法でMEMSデバイス等の高品位、高速な加工を実現します。

微少なエリアにごく短時間にレーザエネルギーを集中させることにより、固体を昇華・蒸発させる加工方法です。Low-k 膜やDAF 、厚さ50µm以下の極薄ウェーハなどの高品質な加工が可能です。

レーザをワーク内部に集光することで内部に改質層を形成し、テープエキスパンド等にてチップ分割をおこなうダイシング手法です。高輝度LED用サファイアウェーハや負荷に弱いワーク（MEMSなど）の高速、高品位なダイシングが可能です。また、ステル
スダイシングは洗浄不要のドライプロセスです。

■ 化合物デバイスのフルカット■ MEMS■ Si＋DAFのフルカット■ シリコンウェーハ

Siウェーハ所定のバンプ高さに平坦化できるだけでなく、高さバラツキ・面粗さも同時に向上します。
高さバラツキ：5mm角チップで1µm以下 面粗さ：Rz 0.1µm以下を実現

平坦化前■ Cuバンプと樹脂の一括切削加工

Cuバンプと樹脂を一括切削し、バンプの頭出しが可能です。

平坦化後バンプ高さバラツキ

1.7 μm

0.5 μm

バンプ面粗さ（Rz）

1.373 μm

0.039 μm

加工前

加工後

DAF

（40 µmt）
100 µmx100 140 mm/s 1pass 50 µmt

1000 µm

SEMx1500■ サファイアスクライビング■ Low-kグルービング

SEM x500 ウェーハ厚さ：80 µm

SEM x2000■ サファイア

SEM x200

SEM x500■ リチウムタンタレート

Kezuruグラインディング加工

TAIKO研削

豊富な研削加工ノウハウにより、厚さ50 µm以下の薄化研削が可能です。

独自技術を用いたウェーハバックグラインディングで、薄ウェーハの搬送リスクや反りを大幅に低減します。

ディスコでは、ますます要求の増すウェーハの薄仕上げ研削において、厚さ5 µm〜 50 µmの極薄研削や非シリコン素材（サファイア、SiCなど）の研削加工まで、豊富なノウハウによりお客さまのご要望に対応します。

TAIKO研削は、ウェーハ最外周をリング状に残し、その内周を研削加工で薄化します。リング部分が補強材となり、ウェーハ強度が上がるためハンドリング性が向上します。また、リング部分が一体構造のため、高温プロセス時でもアウトガスが発生せず、容易に各種プロセスが適用できます。

■ シリコンウェーハ 厚さ 5 µm

■ 加工イメージ

SEM x100 350 µmt■ チップ研削加工

Conventional ProcessMigaku
ドライポリッシング加工
グラインディング工程後のためのドライプロセスのストレスリリーフです。
ドライポリッシングは、水やスラリーを使用しない環境負荷の低いストレスリリーフです。極薄ウェーハの抗折強度向上に効果的です。

特殊固定方法により、チップの薄化が可能■ ダメージ比較（TEMによる観察）■ 薄仕上げ加工

DP08研磨後Siウェーハ 加工厚み：30 µm#2000研削後■ サファイアウェーハ■ ホウケイ酸ガラス

TAIKO Process