J. Inst. Electrostat. Jpn.

静電気学会誌，35, 1 (2011) 8-13

出芽酵母への大気圧低温プラズマ曝露における DNA 損傷の検出
山口広輝*，安田八郎*，浴 俊彦*，栗田弘史*，高島和則*，水野 彰*,1
（2010 年 9 月 14 日受付；2010 年 12 月 3 日受理）

Detection of DNA Damages in Saccharomyces cerevisiae Caused by
Non-thermal Atmospheric Pressure Plasmas
Hiroki YAMAGUCHI,* Hachiro YASUDA,* Toshihiko EKI,* Hirofumi KURITA,*
Kazunori TAKASHIMA* and Akira MIZUNO*,1(Received September 14, 2010; Accepted December 3, 2010)

Non-thermal atmospheric pressure plasmas have been recently applied in biomedical field. So far, the influence ofthe plasma treatment to living cells and organs is still unknown. In this study, we have monitored DNA damage inyeast cells exposed to argon plasma torch. We have used the yeast-based genotoxicity assay system, which is based on
the transcriptional induction of a Saccharomyces cerevisiae with a RNR2-lacZ reporter plasmid in response to DNA
damaging agents and agents that interfere with DNA synthesis. As well as an alkylating agent or UV radiation, argon
plasma torch treatment induced the high levels of RNR2-lacZ expression. These strongly suggest that non-thermal
atmospheric pressure plasmas treatment could cause genotoxic effects via cellular DNA damages.

1.

プラズマトーチの曝露による DNA 損傷の検出を行った．まはじめに

近年，生物・生態への関心の高さも相まって，プラズマやた，対照として紫外線，代表的な DNA アルキル化剤である放電を利用した新しい殺菌・医療技術の開発・実用化が検討

MMS（Methyl methanesulfonate）への曝露による DNA 損傷の検されている．イオンと電子からなる混合気体であるプラズマ

出及び熱ショックによるストレス応答の検出を行った．

は高い化学反応性を持っている．その中でも，大気圧低温プ
ラズマに大きな注目が集まっており，放電機構と応用に関す
1)2.

出芽酵母を用いる DNA 損傷検出のメカニズムる研究が盛んに進められている ．大気圧低温プラズマの一

図 1 に遺伝子組換え酵母を用いた DNA 損傷検出のメカニ

種として，プラズマトーチが挙げられる．プラズマトーチはズムを示す．4 つのサブユニットで構成されるリボヌクレオ

被照射物に対して熱負荷をかけずに，化学的に活性なラジカ

チドレダクターゼ(ribonucleotide reductase; RNR)は DNA の前ルによるプラズマプロセスを行うことが可能である．また，

駆体合成の際に重要な働きをする酵素であり，DNA 合成に

任意の対象物表面に非接触で曝露でき，局所的なプラズマプ

おいて主要な役割を果たす．RNR の活性は細胞周期及びロセスが可能であることから，身体表面の疾患治療や虫歯治DNA 損傷チェックポイント機構により高度に制御され，細療などの医療分野への応用研究が注目されている2,3）．

胞内のデオキシリボヌクレオチド濃度を最適に保つことに本研究では，アルゴンガスを媒体とするアルゴンプラズマ

より，遺伝的忠実性の保持に不可欠な役割を果たしている．

トーチ発生装置を作製し，アルゴンプラズマトーチ曝露によ

生物は DNA に損傷が加わり修復が必要になると，これらのる出芽酵母の単位面積当たりの領域別殺菌実験及び 96 穴プ

DNA 修復遺伝子が活性化され，修復タンパク質の量が増大

レートを用いた液中殺菌実験を行った．続いて，DNA 修復

し，修復が開始される．一方，熱ショックタンパク質(heat

遺伝子発現に基づいた DNA 損傷検出法を用いて，アルゴン

shock proteins; HSPs)は熱などの環境ストレスに応答して発現されるタンパク質である．HSP は熱以外に一般ストレス応答

キーワード：大気圧低温プラズマ, DNA 損傷, 出芽酵母, 殺菌,-galactosidase assay* 豊橋技術科学大学 環境・生命工学系（441-8580 豊橋市
天伯町雲雀ヶ丘 1-1）
Department of Environmental and Life Sciences, Toyohashi
University of Technology, 1-1 Hibarigaoka Tempaku-cho,
Toyohashi 441-8580, Japan1
mizuno@ens.tut.ac.jpにも関与し，熱及び浸透圧や酸化ストレスのような一般的なストレスにより発現する．HSP は DNA 修復タンパク質ではないが，プラズマによる細胞損傷（DNA 損傷を含む）に反応することが期待される．
本研究で用いるDNA 損傷検出法はDNA損傷に応答することが知られているリボヌクレオチドレダクターゼの大サブユニットをコードする遺伝子である RNR2 のプロモーターを，

出芽酵母への大気圧低温プラズマ曝露における DNA 損傷の検出（山口広輝ら）

9

図 2 アルゴンプラズマトーチ曝露実験構成図
Fig. 2 Schematic of the experimental set-up.

いた．YPD 寒天培地上における単位面積当たりの領域別殺菌
実験では印加電圧 12.0 kV0-P，周波数 2.5 kHz とし，アルゴン
図 1 DNA 損傷の検出メカニズム

プラズマトーチ発生装置の先端とメンブレンフィルタ中央

Fig. 1 Reporter assay system for detection of DNA damage.

上部との距離を 20 mm とした．96 穴プレートを用いた液中殺菌実験では，印加電圧 10.0 kV0-P，周波数 3.0 kHz とし，アレポーター遺伝子（lacZ）の上流に結合したレポータープラ

ルゴンプラズマトーチ発生装置の先端と菌液の液面との距

スミドを作成し，出芽酵母に導入し，DNA 損傷性物質への離を30 mm とした．
アルゴンプラズマトーチ曝露によるDNA

曝露によって酵母内に生じた DNA 損傷をレポーター遺伝子

損傷検出実験では，印加電圧 8.0 kV0-P，周波数 3.5 kHz とし，（lacZ）の発現量に基づいて定量的に検出するものである．

アルゴンプラズマトーチ発生装置の先端と菌液の液面とのレポーター遺伝子(lacZ)は遺伝子産物として β-galactosidase

距離を 25 mm とした．96 穴プレートを用いた実験ではアル（β-gal）をコードしており，o-nitrophenyl β-D-galactopyranoside

ゴンプラズマトーチが 1 ウェル内に伸入するように印加電圧（ONPG）の添加によって生じる o-nitrophenol（ONP）を比色

を下げ，周波数を調節して実験を行った．

測定する β-gal assay を用いて DNA 損傷を検出する．

3.2

発光分光計測，温度測定及び pH 測定結果

以上の遺伝子組換え酵母を用いた DNA 損傷検出法は，

DNA の紫外線吸収による損傷として高い殺菌効果が認め

MMS をはじめとする変異原性物質による DNA 損傷を高られている UV-C region は200-280 nm 領域であり，特に紫外感度に検出する方法として確立されている4,5)．

線による代表的な DNA 損傷であるピリミジンダイマーは
260 nm 付近にスペクトルが観測され，殺菌灯はこの波長の紫3.

実験

外線が強く観測される．また，活性種のうち最も強力な酸化

3.1

実験装置

力を有する OH ラジカルが発生すると，309 nm 付近にスペク

アルゴンプラズマトーチ発生装置は，主に放電部であるガトルが観測される7）．

ラス管と，ガス導入部である T 字管で構成される6)．ガラス

作成したアルゴンプラズマトーチ発生装置先端部分と分管（外径7 mm，内径5 mm）の管軸にガラス管（外径2 mm，

光計測用光ファイバーヘッド（USB4000p Ocean Optics）の間

内径1 mm）に通したステンレスワイヤ（φ=0.3 mm）を高電

40 mm の位置に厚さ 5 mm の石英ガラスを設置，照射下部か

圧印加電極とした．装置下流部外壁にはステンレスメッシュ

ら垂直に採光して発光分光計測を行った．図 3 に本実験で用を設置し，接地電極とした．大気圧下にて高電圧を印加した

いたアルゴンプラズマトーチの発光スペクトルを示す．

場合，装置先端部分において，バリア放電が発生する仕組み

図3より309 nm 付近に OH ラジカルのスペクトルが観測さとなっている．本装置にアルゴンガスを投入することにより，れた．アルゴンプラズマトーチで OH ラジカルのスペクトル装置先端からプラズマトーチが発生する構造となっている．

が観測された要因として，空気中の酸素と水蒸気成分が解離

図 2 にアルゴンプラズマトーチ曝露実験の実験構成図を示した OH ラジカルが観測されたためであると考えられる8）．

す．キャリアガスとしてアルゴンを用いた．アルゴンガス流

UV-C region ではピークがほとんど観測されなかったことか

量は流量計にて 2.0 L/min に調整し，アルゴンプラズマトーチ

ら本実験にて使用したアルゴンプラズマトーチでは紫外線発生装置に流入させた．

による DNA 損傷は殆ど生じないと考えられる．

電源にはパルス電源（電子制御国際 実験機 9 号改）を用

また，アルゴンプラズマトーチを曝露した寒天培地表面温10

第 35 巻静電気学会誌

第 1 号 (2011)

滴下し，アルゴンプラズマトーチを曝露した．曝露時間は0，60，120，240，480，960 sec とした．曝露後，菌液の回収及び希釈を行い，YPD 寒天培地上に塗布した．塗布した培地を室温にて 48 時間培養後，生菌数を算出し，生存率を求めた．
3.4

遺伝子組換え酵母における DNA 損傷及びストレス応答の検出

3.4.1

使用した出芽酵母株

本実験では，DNA 修復遺伝子のプロモーター領域をレポーター遺伝子（lacZ）の上流に結合したレポータープラスミ
図 3 発光分光計測結果

ドを出芽酵母に導入し，DNA 損傷性物質への曝露によるレ

Fig. 3 Emission Spectrum of the argon plasma torch.

ポーター遺伝子の発現量の増大に基づいて DNA 損傷の検出を行った．本研究では，RNR2，HSP26 の 2 種類のプロモータ

度を赤外温度計で測定した結果，温度上昇は全く認められず，

ー領域を用いたレポータープラスミドを出芽酵母株 DF5 に検出開始温度より 1-2℃低くなった．これはアルゴンガスの導入した DF5(YEp365-RNR2-lacZ)，DF5(YEp365-HSP26-lacZ)

噴きつけによる寒天培地表面水分の蒸発における気化熱のと，プロモーターレスレポータープラスミドを有する

吸収が原因と考えられる．

DF5(YEp365)の計 3 種類の形質転換株を用いた．

アルゴンプラズマトーチを曝露した培地の pH を pH 試験

レポータープラスミドは酵母 2 µm プラスミド由来の紙で測定した結果，
pH の変化はほとんど観察されなかった．

YEp365 ベクターに RNR2 と HSP26 の各遺伝子の上流域をそよって，アルゴンプラズマトーチ曝露による pH の変化でのれぞれ PCR で増幅してクローニングを行った．

DNA 損傷はほとんど生じないと考えられる．
3.3

3.4.2

アルゴンプラズマトーチ曝露による出芽酵母の殺アルゴンプラズマトーチ曝露による DNA 損傷
検出

3 種類の出芽酵母形質転換株を YPD 培地中で 12-16 時間，

菌実験
アルゴンプラズマトーチ曝露による出芽酵母の生存率30℃で振とう培養した．培養した菌液を YPD 培地で 2 倍にへの影響を検証するために，YPD 寒天培地を領域分けし，希釈し，希釈した菌液 1 容量に対して 5 容量のロイシン欠損

各領域内の単位面積当たりの残存生菌数の観察を行った．

選択培地を加え，30 ℃で 2 時間振とう培養したものを前培養処理検体として希釈調製された出芽酵母 DF5(YEp365)を液とした．96 穴プレートの 1 ウェルにこの前培養液 100 µL

用いた．約 1,000 個の出芽酵母を滅菌水 100 mL に懸濁し，を滴下し，アルゴンプラズマトーチを 0，60，120，240，480，

減圧濾過法を用いてメンブレンフィルタ（ADVANTEC

960 sec 曝露した．曝露後，β-gal の発現と蓄積を行うため 30℃

Cellulose Acetate, ポアサイズ 0.45 μm，φ90 mm）上に菌ので 6 時間振とう培養した（2，4，6 時間培養して実験を行っ捕集を行った．菌を捕集したメンブレンフィルタを YPDた結果，6 時間で β-gal 活性が顕著に上昇したため，6 時間で寒天培地表面に設置し，メンブレンフィルタの中心上部か実験を行った）．その後，各ウェルについて波長 590 nm でのらアルゴンプラズマトーチを曝露した．暴露時間は 0，10，

吸光度（OD590）を検出し，培養後の上記菌液を新しいウェ

20，40，80，160，320，640 sec とした．曝露後，30 ℃にルに 20 μL 移し，以下に示す β-gal assay により β-gal 活性の設定されたインキュベーター内にて 48 時間培養後，生菌比活性値を算出した．

数の検出及び観察を行った．メンブレンフィルタの中心地

Y-PER(Yeast Protein Extraction Reagent)と ONPG 溶液(ONPG点より半径 10 mm の領域を①，半径 10 mm と 20 mm の間

1.1 mg/mL in Z buffer)の混合液（Y-PER：ONPG 溶液= 35：85，の領域を②，半径 20 mm と 30 mm の間の領域を③，半径w/v）を 1 ウェル当たり 120 μL 加え，よく混合させた．混合

30 mm と 40 mm の間の領域を④とし，①-④の領域におけ開始時間を反応開始とし，20 分間反応させ，反応後の溶液にる単位面積当たりの生菌数を算出した．

56 μL の１M 炭酸ナトリウムを加え，反応を停止した．反応

また，アルゴンプラズマトーチ曝露による溶液中での出終了後の各ウェルにおける波長 405 nm，590 nm での吸光度

芽酵母の生存率への影響を検証するために，96 穴プレー

（A405，A590）を測定し, 検出した OD590，A405，A590 により7以下に示す式を用いて，1 細胞当たりの β-gal 活性の比活性値

トの 1 ウェル内における液中殺菌実験を行った．1.0 × 10

CFU/mL に調整した出芽酵母 DF5（YEp365-RNR2-lacZ）を
96 穴プレートの 1 ウェル内に 100 μL（菌液深さは約 3 mm）を算出した．
β-gal activity=( A405-1.18・A590)/ OD590

出芽酵母への大気圧低温プラズマ曝露における DNA 損傷の検出（山口広輝ら）

11

ここで，A405 は酵素活性のレベルを示す指標である．A590
は各ウェル中に残存する細胞片による散乱影響の程度を示す指標である．OD590 は細胞密度である．
曝露菌株による β-gal 活性を未処理菌株での β-gal 活性で除した値を fold induction（誘導倍数）とし，グラフにプロット
した5）．3種類の出芽酵母株でそれぞれ3回の実験を行い，foldinduction の平均値と標準偏差を算出した．
3.4.3

MMS 曝露による DNA 損傷検出

96 穴プレートの 1 ウェルに前培養液 90 µL を滴下し，DNAアルキル化剤である MMS を最終濃度が 0.005，0.01，0.02，
0.05，0.1%となるように，滅菌水で 0.05，0.1，0.2，0.5，1.0%の濃度に希釈した MMS 溶液を 10 µL 加え，6 時間反応させて，β-gal assay により DNA 損傷の検出を行った．3 種類の出芽酵母株でそれぞれ 3 回の実験を行い，fold induction の平均値と標準偏差を算出した．
3.4.4

紫外線曝露による DNA 損傷検出

紫外線の曝露には 260 nm 付近に発行スペクトルが観測さ

図 4 領域別殺菌観察写真
Fig. 4 Photograph of Petri dish showing the effects of the argon
plasma torch on S.cerevisiae.

れる殺菌灯（20 W）を使用し，紫外線ランプとサンプルとの距離を 20 cm とした．96 穴プレートの 1 ウェルに前培養液
100 µL を滴下し，紫外線を 0，60，120，240，480，960 sec
曝露後，6 時間培養し，β-gal assay により DNA 損傷の検出を行った．3 種類の出芽酵母株でそれぞれ 3 回の実験を行い，
fold induction の平均値と標準偏差を算出した．
3.4.5

熱ショックによるストレス応答検出

前培養液を 0.6 mL チューブに分注し，40℃に設定したアルミバスにて 15，30，60 min 静置し, 熱ショックを加えた後，
96 穴プレート 1 ウェルに熱ショック後の菌液を 100 µL 滴下
し，6 時間培養後，β-gal assay により DNA へのストレス応答の検出を行った．3 種類の出芽酵母株でそれぞれ 3 回の実験

図 5 領域別殺菌実験結果（①-④は図 4 を参照）

を行い，fold induction の平均値と標準偏差を算出した．

Fig. 5 Survival curves of S.cerevisiae according to the range
on membrane filter which exposed the argon plasma torch.

4.

実験結果及び考察

4.1

アルゴンプラズマトーチ曝露による出芽酵母の殺菌実験

アルゴンプラズマトーチを出芽酵母に曝露した場合における殺菌効果の検証を行った．図 4 にアルゴンプラズマトー
チ曝露時間 80 sec における YPD 寒天培地の観察写真を，図 5に領域別殺菌実験結果を，図 6 に液中殺菌実験結果を示す．
図 4，5 よりアルゴンプラズマトーチの曝露時間経過に伴い，曝露部分を中心とし，放射状に殺菌効果が進展することが分かった．また，殺菌効果は曝露部分に近づくにつれ上昇
し，曝露部分（中心領域①）の領域においては曝露時間 320 sec
において殺菌率は 100%となった．
アルゴンプラズマトーチ曝露による殺菌のメカニズムとして曝露部分における荷電粒子の菌体への衝突による物理

図 6 液中殺菌実験結果
Fig. 6 Survival curves of S.cerevisiae in one hole of 96-well plate
which exposed the argon plasma torch.

12

静電気学会誌

第 35 巻

第 1 号 (2011)

的破壊及び寒天培地上の水分を吸収したメンブレンフィル

トーチ曝露による細胞ダメージやストレスは HSP26 遺伝子

タへの曝露によって生成した活性種による化学的破壊が行の発現にあまり影響しないものと考えられる．

われていると考えられる．また，アルゴンガスがメンブレン

また，アルゴンプラズマトーチ発生により生じた紫外線がフィルタ表面に衝突し，表面全体に広がりを見せていること

DNA 損傷の原因となるかを検討するため，カバーガラスでからアルゴンガス流に伴って曝露が寒天培地表面全体に広96 穴プレートのウェルを遮蔽し，アルゴンプラズマトーチががり，活性種が全体で生成されると考えられる．更に液層でウェル内部に伸入しないよう遮蔽した状態で，同様の実験を生成された活性種が拡散することで殺菌効果を放射状に伸行った．その結果，RNR2 遺伝子プロモーターを有する株の9）張させると考えられる ．
また，図 6 より溶液中の出芽酵母に曝露した場合，曝露時
間 960 sec において約 95%の殺菌効果を確認した．殺菌要因

活性の上昇は全く見られなかった．よって，アルゴンプラズ
マトーチの発生により生じた紫外線での DNA への損傷はな
いと考えられる．

として，アルゴンプラズマトーチを溶液中に曝露することで以上の結果から，
アルゴンプラズマトーチ曝露による DNA

生成された活性種による化学的破壊により，殺菌が行われた

損傷の増大の原因として，液中に照射した際に OH ラジカルと考えられる．

等の活性種の生成による DNA の切断や酸化作用による塩基

4.2
4.2.1

遺伝子組換え酵母における DNA 損傷及びストレの化学修飾が考えられる．

ス応答の検出4.2.2

アルゴンプラズマトーチ曝露による DNA 損傷

MMS 曝露による β-gal 活性の発現誘導を図 8 に示す．

検出

DF5（Yep365-RNR2-lacZ)において MMS 処理により，β-gal

アルゴンプラズマトーチ曝露による β-gal 活性の発現誘導を図 7 に示す．
図 7 より DF5(YEp365-RNR2-lacZ)において曝露時間に依存した β-gal 活性の増大が確認された．曝露時間 960 sec におい

MMS 曝露による DNA 損傷検出

活性の著しい上昇が認められた．特に MMS 濃度 0.01%において最大の β-gal 活性レベルが観察され，約 17.5 倍の活性上昇が確認された．RNR2 遺伝子プロモーターがアルキル化による DNA 損傷を特異的に検出すると考えられる．

て最大の活性の増大が確認され，約 18.5 倍の β-gal 活性の増RNR2 遺伝子プロモーターを有する DNA 損傷検出システ

大が確認された．RNR2 遺伝子プロモーターを有する株にてムにおいて，大気圧低温プラズマと変異原性の強い MMS が特異的に活性が増大していることから，アルゴンプラズマト

同様の効果を示した．これまで低温プラズマによる DNA のーチ暴露により DNA 損傷が生じ，RNR2 の転写活性が上昇し物理的切断や生理活性の低下等を報告してきたが 10,11)，本研て DNA 修復が行われたと考えられる．

究によりアルゴンプラズマトーチの曝露により DNA 損傷がDF5(YEp365)では活性の増大がほとんど観察されなかった生じていることが明確に示された．

ことから，β-gal 活性の増大はアルゴンプラズマトーチ曝露に

DF5(YEp365-HSP26-lacZ)や DF5(YEp365)ではアルゴンプ

よる DNA 損傷に応答して lacZ の発現が誘導された結果であ

ラズマトーチを曝露した場合と同様，MMS 処理に対し顕著ると考えられる．また，DF5(YEp365-HSP26-lacZ)では活性のな活性上昇は認められなかった．

著しい上昇が確認されなかったことから，アルゴンプラズマ

図 8 MMS 曝露による β-gal 活性の発現誘導
図 7 アルゴンプラズマトーチ曝露による β-gal 活性の発現誘導

Fig. 8 Induction of β-gal activity by MMS.

Fig. 7 Induction of β-gal activity by argon plasma torch.

Yeast strain used DF5 cells with YEp365-RNR2-lacZ (filled

Yeast strain used DF5 cells with YEp365-RNR2-lacZ (filled square),square), YEp365-HSP26-lacZ (filled triangle) and YEp365

YEp365-HSP26-lacZ (filled triangles) and YEp365 (filled circle).

(filled circle).

出芽酵母への大気圧低温プラズマ曝露における DNA 損傷の検出（山口広輝ら）

13

図 10 より DF5(YEp365-HSP26-lacZ)において熱ショックに対し，β-gal 活性の上昇がわずかながら確認されたのに対し，
DF5(YEp365)，DF5(YEp365-RNR2-lacZ)においては，熱ショッ
クに対し，β-gal 活性の著しい上昇は認められなかった．この結果から本実験系で観察されたアルゴンプラズマトーチ曝露による β-gal 活性の上昇は，熱などの一般的なストレス応
答によるものではないと考えられる．
5.
(1)

まとめ
発光分光計測及び温度測定結果より，本実験で用いた

図 9 紫外線曝露による β-gal 活性の発現誘導

アルゴンプラズマトーチでは紫外線や熱による DNA 損

Fig. 9 Induction of β-gal activity by UV light.

傷はほとんど生じなかったと考えられる．

Yeast strain used DF5 cells with YEp365-RNR2-lacZ (filled(2)

寒天培地上における領域別での出芽酵母の殺菌効果は

square), YEp365-HSP26-lacZ (filled triangle) and YEp365

曝露部分にて最も高い殺菌効果を示し，時間経過に伴い(filled circle).

曝露部分から放射状に殺菌効果が伸展した．溶液表面をアルゴンプラズマトーチに曝露することで，液中での出芽酵母の殺菌効果が認められた．
(3)

酵母を用いる DNA 損傷検出システムは DNA 損傷を高感度に検出するものであり，アルゴンプラズマトーチの出芽酵母への曝露は MMS や紫外線の曝露と同様に高い
DNA 損傷を引き起こすことを示した．すなわち，致死量に満たないアルゴンプラズマトーチの曝露でも DNA の損傷は起こっており，それに伴い，変異原性（突然変異の誘発や発癌性）が誘起される可能性が示唆された．

(4)

アルゴンプラズマトーチにより生成された活性種が細胞膜やタンパク質等の生体構成物質に損傷を加え10)，さ

図 10 熱ショックによる β-gal 活性の発現誘導

らに内部に侵入した活性種により DNA に損傷が加わる

Fig. 10 Induction of β-gal activity by heat shock.
Yeast strain used DF5 cells with YEp365-RNR2-lacZ (filledと考えられる．これらの損傷が複合的に作用して細胞のsquare), YEp365-HSP26-lacZ (filled triangle) and YEp365

不活化に至ると考えられる．

(filled circle).
4.2.3

紫外線曝露による DNA 損傷の検出

紫外線曝露による β-gal 活性の発現誘導を図 9 に示す．
DF5(YEp365-RNR2-lacZ)において曝露時間に依存した明ら
かな β-gal 活性の増大が確認された．曝露時間 960 sec において，最大で約 3.0 倍の β-gal 活性の増大が確認されたが，DF5(YEp365)，DF5(YEp365-HSP26-lacZ)では紫外線曝露による顕著な活性上昇は認められなかった．
高い殺菌効果が認められている UV-C 領域のスペクトルが観測される殺菌灯では，アルゴンプラズマトーチ暴露ほど活性の上昇が見られなかったことから，アルゴンプラズマトー
チ暴露による DNA 損傷の主な要因は紫外線ではなく，OH ラ
ジカル等の活性種によるものであると考えられる．
4.2.4

熱ショックによるストレス応答の検出

熱ショックによる β-gal 活性の発現誘導を図 10 に示す．

参考文献
M. Laroussi: Plasma Process. Polym., 2 (2005) 391
G. Fridman, G. Friedman, A. Gutsol, A.B. Shekhter, V.N. Vasilets
and A. Fridman: Plasma Process. Polym., 5 (2008) 503
3) B. Liu, D. Drake and E. Stoffels: IEEE Trans. Plasma Sci., 34(2006) 1317
4) X. Jia, Y. Zhu and W. Xiao: Mut Res., 519 (2002) 83
5) K. Ichikawa and T. Eki: J. Biochem., 139 (2006) 105
6) 北野勝久, 浜口智志: 応用物理, 77 (2008) 383
7) 佐藤圭輔, 安岡康一, 石井彰三: IEEJ Trans. FM, 128, 6(2008) 401
8) 井川聡, 北野勝久, 谷篤志, 大西直文, 浜口智志: 電気学会 プラズマ研究会, p.23 (2009)9) 柴原大輝, 安田八郎, 藤井直斗, 栗田弘史, 高島和則,
水野彰: 静電気学会誌, 34 (2010) 2
10) H. Yasuda, M. Hashimoto, M.M. Rahman, K. Takashima and
A. Mizuno: Plasma Process. Polym., 5 (2008) 615
11) H. Yasuda, T. Miura, H. Kurita, K. Takashima and A. Mizuno:
Plasma Process. Polym., 7 (2010) 301

1)2)