静電気学会誌，40, 4（2016）199-205

J. Inst. Electrostat. Jpn.

論

文

高電界パルスによる大腸菌の殺菌－高電界パルス殺菌モデルによる生菌率の算出－

村上 祐一 ，岡 洋佑 ，村本 裕二 ，清水 教之
＊, 1

＊

＊

＊

（2016年3月10日受付；2016年6月22日受理）

Inactivation of Escherichia coli by High Electric Field Pulse－Calculation of the Survival Ratio by a Model for Inactivation of High Electric Field Pulse－
＊, 1

＊

＊

＊

Yuichi MURAKAMI , Yosuke OKA , Yuji MURAMOTO and Noriyuki SHIMIZU（Received March 10, 2016; Accepted June 22, 2016）

We have been investigating the inactivation of Escherichia coli in liquid using high electric field pulse. This paper compared
the survival ratio obtained from experiments and survival ratio calculated from inactivation mechanism model. High voltage
pulse（ -3.8 kV, -4.4 kV or -5.3 kV ）is applied to liquid culture medium with Escherichia coli. As a result, the survival ratio of
E. coli de-creases with the number of pulses. The survival ratios were calculated as a function of the number of pulses by usinga model for inactivation of high electric field pulse. The calculated values well agreed with the experimental results.

1．はじめに一方，あるパルス印加回数以上では，高電界パルス印加

高電界パルス殺菌法は，非加熱殺菌法の一つであり，によるバクテリアの生菌率の減少率は，緩やかになる結加熱殺菌の問題である熱が食品の品質を変化させること果も報告されており ，この傾向は，本研究室でこれまやエネルギー効率が低いことを解決できることから，液で実施してきた実験においても確認されている体食品の新しい殺菌方法として注目されており

13）

．ま

3, 4）

，多

た，大嶋らは消費エネルギー（オシロスコープ上の波形

くの研究者によって研究されてきた．これまで，本研究から算出）とバクテリアの殺菌率は，ある範囲までは相

室では，高電界パルス印加後の大腸菌の長さは印加前よ関があるが，その範囲を超えると生菌率の減少幅は小さり長くなること や，温度およびパルス間隔がパルス殺

くなると報告している ．本研究室では，U. Zimmermann

菌に及ぼす影響

ら

1, 2）

3）

4）

について報告してきた．また，高電界パルスによる殺菌に及ぼす印加電界強度

14）

15）

が提唱する殺菌機構のモデルを使って生菌率の算

5, 7）

，

出を試みてきた ．本報では，試料中の大腸菌の長さ分の影響などが他の研究者から報告されてい布の要素を考慮に入れ，殺菌機構モデルから算出した生る．さらに，高電界パルス殺菌の実用化に向けて，高い菌率と殺菌実験から得られた生菌率の比較を行ったので殺菌効果が得られる殺菌処理槽の形状

報告する．

パルス幅

5）

，印加回数

5-7）

8-10）

や電極素材

が検討され，さらに，様々な種類の菌（大腸菌
母，黄色ブドウ球菌

11-12），酵

3-6, 9-11），および黒コウジカビ胞子7, 11）

11）

16）

等）

11）

2．実験方法2.1 実験試料の殺菌効果が確認されている．
高電界パルス印加による殺菌率の見積りが可能になる

殺菌対象には Escherichia coli JM103 を用いた．この菌

こ と は， 実 用 化 に 向 け て 重 要 な 課 題 で あ る．H.

を寒天培地（1 wt％ Tryptone, 0.5 wt％ Yeast Extract, 0.5 wt

Hülsheger らは豊富な研究データから，高電界パルス印％ NaCl, 1.5 wt％ Agar, 96.5 wt％ 蒸留水）上に塗布し，加による大腸菌殺菌はパルス処理時間（印加パルス電圧

静置培養（37℃ 24 時間）させた．培養後，寒天培地上の幅とその印加回数の積）に依存すると報告している ．

に形成されたコロニー1 つを液体培地（1 wt％ Tryptone,

5）

0.5 wt％ Yeast Extract, 0.5 wt％ NaCl, 98 wt％ 蒸留水）5 mL
キーワード：高電界パルス，大腸菌，殺菌モデル＊
名城大学大学院理工学研究科（〒468-8502 名古屋市天白区塩釜口 1-501）
Graduate School of Science and Technology, Meijo
University, Shiogamaguchi 1-501, Tempaku-ku, Nagoya
468-8502, Japan1
143441504@ccalumni.meijo-u.ac.jp

中に入れ，振とう培養（37℃，24 時間）を行った．これらの寒天培地および液体培地は滅菌してから使用した．振とう培養した液体培地 5 mL 中の 100 μL を，別の滅菌済みの液体培地 5 mL 中に入れ，再び振とう培養（37℃）した．実験試料は，この液体培地の吸光度（ OD620）
が 0.6 になったときのもの 1 mL を滅菌した蒸留水 9 mL

200（46）

静電気学会誌 第40巻 第 4 号（2016）に入れたものである．液体培地の吸光度を調整すること
で，初期菌数濃度を調整した．実験試料の初期菌数は，2.4 節で後述するコロニー計数法で測定したところ，1 ×
10 CFU/mL だった．また，実験試料の pH および導電率7を pH 計（ HM-30R 型：TOADKK ）および電気伝導率計（ CM-30R 型：TOADKK ）を用いて測定したところ，室温で試料の pH は約 6.5，導電率は約 130 mS/m であった．

2.2 殺菌槽
図 1 に同軸円筒電極型殺菌槽の断面図を示す．電極はステンレス製のものを用い，電極の固定には EPDM ゴムを使用した．内部電極の半径 R1 は 2.5 mm，外部電極

図 2 実験回路
Fig.2 Experimental set up.

の内半径 R2 は 5.5 mm，電極間距離は 3 mm，深さは 80
mm である．円筒槽内の電界 E（r）
は，内部電極の管軸からの距離 r の関数として式（1）で与えられる．
（1）
ここで，V は印加電圧である．

図 3 印加電圧波形
Fig.3 The shape of the applied voltage.
表 1 電界強度
Table 1 Electric field.

Applied voltage［ kV ］
3.8
4.4
5.3
図 1 同軸円筒電極型殺菌槽の断面図
Fig.1 Cross section of the coaxial cylindrical electrodes tank.

Maximum field at
inner electrode［ kV/mm ］
1.9
2.2
2.7

Minimum field atouter electrode［ kV/mm ］
0.87
1.0
1.2

尾長は 11.5 μs であった．表 1 に各印加電圧波高値から

2.3 実験手順式（1）を用いて求めた殺菌槽内の電界強度を示す．槽内

図 2 に実験回路を示す．パルス電圧印加にはインパル

では内部電極付近に最大電界が，外部電極付近に最小電ス電圧発生器（東京変圧器（株）898101）を使用した．

界が生じる．また，パルス電圧印加による試料の単位体

図 1 に示す殺菌槽内に実験試料 6 mL を入れ，内部電極積当たりの投入エネルギーEn は，式（2）のように印加電に室温下でパルス電圧を 60 秒間隔で印加した．印加パル

圧波形と電流波形の積を積分することで求めた．図 4 にス電圧の波高値は－3.8 kV，－4.4 kV および－5.3 kV とし，

印加電流波形を示す．

図 2 中のコンデンサ（62.5［nF］）に充電する電圧値を調（2）整した．殺菌槽にかかる電圧波形は分圧器（ IWATSU
ELECTRIC CO. LTD, HV-P30）を通してディジタルオシ

ここで，V（t）は印加電圧（ V ），I（t）は印加電流（ A ），ロスコープ（ Tektronix DPO4034）を用いて観測した．

t は時間（s），n はパルス電圧印加回数，T は殺菌槽内の図 3 に印加電圧波形を示す．波高値－3.8 kV，－4.4 kV，試料容積（6 mL ）である．パルス電圧印加 30 回後の温および－5.3 kV の印加電圧波形の波頭長は約 5.3 μs，波度は，印加前と比較して 3 ℃程度上昇していた．

高電界パルスによる大腸菌の殺菌（村上 祐一ら）

図 4 印加電流波形
Fig.4 The shape of the applied current.

2.4 生菌数の測定
大腸菌の生菌数の測定にはコロニー計数法を用いた ．
17）

201（47）図 5 大腸菌の生菌率のパルス印加回数特性
Fig.5 The survival ratio of E. coli as a function of the number ofpulses.
The marks show the averages of survival ratio. The numbers
in parentheses indicate the number of experiments. The
error bar shows maximum and minimum values.

高電圧パルス印加 10 回ごとに実験試料 100 μL を採取し，大腸菌のコロニー数が数十～数百個になるように，0.8
wt％ NaCl 水溶液で希釈した．希釈したサンプルを寒天培地に塗布し，静置培養（37℃ 24 時間）を行い，培養後，寒天培地上に形成された大腸菌のコロニー数を測定した．なお，実験試料より生菌数測定用のサンプルを採取したことにより，試料の単位体積当たりの投入エネルギ
ーが変化することが考えられるが，各試料の容量 6.0 mLと 5.7 mL のパルス電圧 1 回印加の投入エネルギーは同じである．

3．実験結果図 6 大腸菌の生菌率の投入エネルギー特性
Fig.6 The survival ratio of E. coli as a function of Input energy.
The marks show the averages of survival ratio. The numbers
in parentheses indicate the number of experiments. The
error bar shows maximum and minimum values.

図 5 に大腸菌の生菌率のパルス印加回数特性を，図 6大きいほど減少していることがわかる．また，同程度のに大腸菌の生菌率の投入エネルギー特性を示す．生菌率

投入エネルギーでも印加電圧の波高値が高いほど，生菌は（各回の生菌数）／（印加前の生菌数），投入エネル率は減少しているようにみえる．

ギーは式（2）より求めた．図中のマークは平均生菌率を，
エラーバーは最小値および最大値を，括弧内の数字は実4．考察

験回数を示す． エラーバーが重なり見難くなるため，

ここでは，U. Zimmermann らが提唱する殺菌機構の

15）－3.8 kV および－4.4 kV 印加時の結果のマークとエラーモデルに基づき，大腸菌の生菌率を印加回数の関数としバーは，左右に少しずらしている．なお，図 5 にはパルて算出することを試みる．そして，算出した生菌率と実ス電圧を印加しない場合の生菌率の変化も示している．

験から得られた生菌率（図 5）を比較し，考察を行う．

この場合，印加回数ではなく，0～30 回の印加に要する

4.1 殺菌機構モデルによる生菌率の算出

時間 0～30 分に対しての生菌率の変化を示している．パ

一般的に細胞の表面は細胞膜で覆われ，細胞の内部はルス印加が無い場合には，大腸菌は殺菌されていないこ

細胞質で構成されている．細胞質は，主に Na ，K ，Clとが確認できる．

イオンやタンパク質，DNA などの巨大分子を含む液体

+

+

－

18）

図 5 から，同じパルス印加回数では，印加したパルスであり，導電性流体である．一方，細胞内外のイオンは電圧の波高値が高いほど平均生菌率は低いことがわか

細胞膜の脂質二重層を通って移動することがほとんど出る．また，パルス電圧を印加した試料の生菌率はパルス来ないため，細胞膜は絶縁体であると考えることができ印加回数とともに減少しているが，ある印加回数を超える．高電界パルスを細胞に印加するとき，細胞質中と水るとその減少率は緩やかになることがわかる．

溶液中のイオンの移動によって細胞膜の両側に電位差がそして図 6 から，大腸菌の生菌率は投入エネルギーが発生する．この電位差によってマクスウェル応力が発生静電気学会誌 第40巻 第 4 号（2016）

202（48）し，細胞膜を圧縮する．その圧縮力に細胞膜が耐え切れなくなると，細胞膜に孔があく．電位差が小さい時は孔が小さいため，細胞は自己修復をして孔をふさぐことができる（可逆的破壊）．しかし，電位差が大きい時は孔も大きいため，細胞は自己修復をできなくなる（不可逆的破壊）．そして高電界パルス印加により細胞膜上に形成された孔から，細胞内容物が細胞外へ流出することにより菌は死滅すると考えられている ．モデルの大腸菌
19）の形状を円柱の両端に半球が付いた形で近似すると，細胞膜にかかる電位差は半球の頂点で最大となる．その値を Vm とすれば，Vm は次式（3）で与えられると報告され
ている ．
15）

図 7 パルス電圧印加前の 500 個の大腸菌の長さ分布
Fig.7 Distributions of the length of 500 E. coli before pulses
application.

（3）
ここで，E は外部電界，ｆは細胞の形で決まる係数，a は細胞の長さ，θ は電界の方向と細胞の長軸がなす角である．印加された電圧は，細胞膜の 2 か所の点で分圧されるため 1/2 となる．係数 f は桿菌である大腸菌の場
合，式（4）のように与えられる ．
15）（4）d は，半球の直径である．
式（3）および（4）から，大腸菌の細胞膜に生じる電位差は，大腸菌の長さと幅に依存していることがわかる．そこで，試料中の大腸菌の長さと幅の測定を行った．図 7にパルス印加前の 500 個の大腸菌の長さ分布を示す．この分布は，パルス電圧印加前の大腸菌の長さを 100 個ず
つ 5 回測定し，計 500 個の分布をまとめた結果である．
図 8 に大腸菌の光学顕微鏡写真を，表 2 に大腸菌の長さの区切りと平均値を示す．写真は光学顕微鏡（ OLYMPUS
製：BX60）により倍率 500 倍にて撮影したものを PC 上で拡大したものである．対物レンズ（オリンパス製：
UMPlamFI ）の倍率は 50 倍であり，開口数は 0.80，分解能は 0.42 μm である．大腸菌の長さと幅は図 8 のような写真から測定し，長さは表 2 に示すように区切った．図7 に示すマーク（○印）は，区切り範囲の平均値で示し

図 8 大腸菌の光学顕微鏡写真
Fig.8 Optical microscope photograph of E. coli.
表 2 大腸菌の長さの区切りと平均値
Table 2 The section of length of E. coli and its average value

Section［ μm ］
0～0.240.25～0.49
0.50～0.74
0.75～0.99
1.00～1.24
1.25～1.49
1.50～1.74
1.75～1.99
2.00～2.24
2.25～2.49

Average value［ μm ］
0.12
0.37
0.62
0.87
1.12
1.37
1.62
1.87
2.12
2.37

Section［ μm ］
2.50～2.74
2.75～2.99
3.00～3.24
3.25～3.49
3.50～3.74
3.75～3.99
4.00～4.24
4.25～4.49
4.50～4.74
4.75～4.99

Average value［ μm ］
2.62
2.87
3.12
3.37
3.62
3.87
4.12
4.37
4.62
4.87

てある．長さの測定の際に，グラム染色により大腸菌を（4）から菌の長さ a，円筒槽内の菌の位置 r の関数として，染色しており，図 8 中の赤い細長い物体が大腸菌である．

以下の式
（5）
が導出される．

測定の結果，大腸菌の長さ a は，0.50 μm～4.50 μm であり，大腸菌の幅 d は約 0.6 μm でほぼ一定だった

（5）

U. Zimmermann らは，細胞膜の電位差 Vm が約 1 V を

図 9 に円筒槽内の大腸菌の模式図を示す．図 9 は，円超えると細胞膜穿孔が生じると報告している ．今回の筒の中心線を含む面で切断した断面図である．大腸菌の計算では，Vm ≥ 1 V になると大腸菌の細胞膜に孔が形成

傾き（θ）の分布は，均一で偏りがないと考えられる．つされ大腸菌は死滅する，と仮定した．式（3）において，まり，θ は 0 ≤ θ ≤ の範囲で均一に分布している．従って，

Vm ＝ 1 V になる時の角度 θ を θc とする．θc は，
式
（1）
（
，3）
，

θ が θc より小さな領域（0 ≤ θ ≤ θc ）となる確率は，

15）

高電界パルスによる大腸菌の殺菌（村上 祐一ら）

203（49）

めることができる．
（9）

ここで，N（a）
は長さ a の大腸菌の初期菌数である．
0
パルス印加 x 回後に槽内に存在する全ての長さの大腸菌（ amin～amax ）の菌数 N は，式（10）で計算することができる．

図 9 円筒槽内の大腸菌の模式図
Fig.9 Schematic diagram of E. coli in the coaxial cylindrical tank.

（10）

従って，計算される生菌率 Y は，式（11）から求めることができる．

である．一方，長さ a の菌が，半径 r から r+dr の領域に（11）存在する確率は，菌が均一に分布していると考えられる
ためその体積に比例する．長さ a の菌の場合，

図 11 に算出した生菌率のパルス印加回数特性に及ぼ

半径が r から r ＋ dr の領域に存在し，殺菌される確率 α

す印加電圧波高値の影響を示す．算出生菌率は，式
（11）

（a,r）
は，以下の式（6）で示される．

から求めた．
（6）

よって殺菌槽全領域で長さ a の大腸菌が殺菌される確
率α
（a）
は，式
（7）
のように計算できる．
（7）



図 10 に，式（7）から計算した長さ a とパルス電圧 1 回
印加による殺菌率の関係を示す．実験試料中の大腸菌には，図 7 に示すように長さ分布があると確認された．この図 7 の分布を用いて，初期菌数 1 × 10 CFU/mL 時の-7

長さ a の大腸菌の個数 N（a）を求めた．菌数 N（a）の長さa の大腸菌にパルス電圧を dx 回印加すると，
殺菌率 α
（a）
で菌数は dN（a）だけ減少する．減少した菌数 dN
（a）は式
（8）
から求められる．
（8）

よって，パルス印加 x 回後の菌数 N
（a）
は，式
（9）で求

図 11 算出した生菌率のパルス印加回数特性に及ぼす印加
電圧波高値の影響
Fig.11 Effect of the peak value of applied voltage on the calculated survival ratio as a function of the number of pulses.

4.2 計算結果と実験結果との比較
図 12 に，－3.8 kV 印加時の算出した生菌率と実験結果の比較を示す．なお，実験結果は図 5 でプロットしてあるものと同一であり，エラーバーは実験結果のものである．図 12 より，－3.8 kV 印加時の計算結果と実験結
果の減少傾向は，大方一致している．また，図 13 および 14 は，－4.4 kV および－5.3 kV 印加時の計算した生菌率と実験結果の比較をそれぞれ示しており，－4.4 kVおよび－5.3 kV 印加時の算出した生菌率も，－3.8 kV 印
加時と同様に，実験結果の減少傾向と大方一致した．
これらから，U. Zimmermann らのモデルを用いた本

15）

計算によって，殺菌率を求めることが可能であることが示された．一方，実験値のエラーバーは大きい．今後は，
図 10 長さと殺菌率の関係
Fig.10 Sterilization ratio versa length of E. coli.

実験値のばらつく要因を検討し，これを計算に考慮させることで，算出生菌率の精度を向上させる必要がある．

静電気学会誌 第40巻 第 4 号（2016）

204（50）

図 12 －3.8 kV 印加時の算出した生菌率と実験結果の比較
Fig.12 Comparison of calculated survival ratio and Experimental
result（ application of －3.8 kV pulses）.

図 15 －3.8 kV 印加時の算出した大腸菌の長さ分布
Fig.15 Calculated distributions of the length of E. coli
（ application of －3.8 kV pulses）.

図 13 －4.4 kV 印加時の算出した生菌率と実験結果の比較
Fig.13 Comparison of calculated survival ratio and Experimental
result（ application of －4.4 kV pulses）.
図 16 －4.4 kV 印加時の算出した大腸菌の長さ分布
Fig.16 Calculated distributions of the length of E. coli
（ application of －4.4 kV pulses）.

図 14 －5.3 kV 印加時の算出した生菌率と実験結果の比較
Fig.14 Comparison of calculated survival ratio and Experimental
result（ application of －5.3 kV pulses）.

算出した生菌率および実験にて得られた生菌率は，図12，13，14 から印加電圧波高値が高くなるほど減少し

図 17 －5.3 kV 印加時の算出した大腸菌の長さ分布
Fig.17 Calculated distributions of the length of E. coli
（ application of －5.3 kV pulses）.

ていることがわかる．この傾向は，多くの先行研究でも，式（3）に示すように，印加電圧波高値，

結果および計算結果ともに見られた．図 15 に，－3.8

すなわち印加電界が高くなるほど膜に生じる電位差が高kV 印加時の算出した大腸菌の長さ分布を示す．なお，

報告されており5-7）

くなり，膜が破壊されやすくなったためであると考えら

印加前の分布は，図 7 と同一である．図 15 より，大腸れている．

菌の長さ分布はパルス印加回数の増加とともに長さの短

生菌率の減少の度合いがパルス印加回数の増加とともい方（左）へシフトしていることがわかる．図 16 およびに小さくなり，ある一定値に収束していることは，実験

17 に，－4.4 kV および－5.3 kV 印加時の算出した大腸高電界パルスによる大腸菌の殺菌（村上 祐一ら）

205（51）

菌の長さ分布を示す．－4.4 kV および－5.3 kV 印加時の4） 村上祐一，村本裕二，清水教之：高電界パルスを用いた大腸菌の長さ分布でも，－3.8 kV 印加時と同様にパルス

液体培地中の大腸菌殺菌に及ぼすパルス間隔と液体温度印加回数の増加とともに長さの短い方（左）へシフトしての影響．静電気学会誌，39（2015）258

おり，印加電圧波高値が高いほど，短い方へシフトして

5） H.Hülsheger, J.Potel, E.-G. Niemann:：Killing of Bacteria

いる．これは図 10 に示すように，大腸菌の長さが長いwith electric Pulses of High Field Strength. Radiat Environ

ほど殺菌率は高く，生菌数は減少しやすいためである．

Biophys, 20（1981）53

このことから，生菌率の減少幅が小さくなることは，パ

6） H.Hülsheger, and E.-G. Niemann： Lethal Effects on High-ルス印加回数が増加すると殺菌され難い短い菌が残るた

Voltage Pulses on E. coli K12. Radiat. Environ. Biophys, 18めであると考えられる．また，本研究で印加したパルス（1983）281

電界では，殺菌されない短い大腸菌も存在するため，生

7） H.Hülsheger, J.Potel, E.-G. Niemann： Electric Field Effects

菌率はある一定値に収束する．U. Zimmermann らのモデon Bacteria and Yeast Cells. Radiat Environ Biophys, 22ルから提案した式（11）による算出から，本研究と同じ（1983）149

パルス印加 30 回で，滅菌（生菌率が 10 以下）を達成-6するためには，図 11 に示すように波高値－15.0 kV 以上8） 大嶋孝之，佐藤正之：パルス殺菌―自然のままに安全―．
日本調理科会誌，36（2003）334のパルス電圧を印加する必要があることが計算される．

9） 北島信義，阿久澤悦子，上田香奈，大嶋孝之，佐藤正之：

今回の計算では考慮していなかったが，高電界パルス

8（2007）
織物電極によるパルス殺菌．日本食品工学会誌，

殺菌は印加電圧のパルス幅6）や液体試料の温度 にも影4）

響されるという報告がある．今後，これらの影響も考慮する必要があると思われる．

13910）ネイデ ミホ イシダ，大嶋孝之，佐藤正之：スパイラル
形状電極処理槽のパルス殺菌特性．日本食品工学会誌，
5（2004）35

5．まとめ
大腸菌を含む液体培地試料に－3.8 kV，－4.4 kV，および－5.3 kV のパルス電圧を印加し殺菌実験を行い，高電界パルス印加後の生菌率と U. Zimmermann らが提唱する殺菌機構のモデルから算出した生菌率を比較した．

11） 吉野功，大嶋孝之，谷野孝徳，佐藤正之：銀電極を用いた高電圧パルス殺菌装置による種々の菌に対する不活性化効果．静電気学会誌，34（2010）81
12）速水光浩，天満孝昌，水野彰：高電圧パルスによるイースト菌の破壊．静電気学会誌，13（1989）322

生菌率の計算では，U. Zimmermann らの報告を参考とし，

13）Sheshakamal Jayarm, G. S. P. Castle, Argyrios Margaritis：

細胞膜の電位差が 1 V 以上で，菌が死滅するとして，殺The effects of high field DC pulse and liquid medium

菌槽内での菌の位置，菌と電界方向となす角，および菌

conductivity on survivability of Lactobacillus brevis. Applの長さ分布を考慮した．その結果，計算により求めた生

Microbiol Biotechnol, 40（1993）117

菌率は，実験から得られた生菌率と良く一致した．

14）大嶋孝之，谷野孝徳：水中における高電圧パルス電界・放電の発生と利用．静電気学会誌，35（2011）114

謝辞
本研究を進めるにあたり，数々の技術的御指導および御助言を頂きました元名城大学農学部市原茂幸教授，同大学農学部加藤雅士教授および同大学農学部志水元亨助
教に深く感謝致します．

15）U. Zimmermann, G. Pilwat and F. Riemann：DIELECTRIC
BREAKDOWN OF CELL MEMBRANES, BiophysicalJournal, 14（1974）881
16）岡洋佑，村本裕二，清水教之，加藤雅士：高電界パルスを用いた大腸菌の殺菌．電子情報通信学会技術研究報告，
110（2011）33

参考文献
1） 松田敏生：非加熱殺菌技術による食品の殺菌と保存．
食衛誌，41（2000）163
2） 五十部誠一郎：非加熱殺菌法を中心とした新規殺菌技術，日本食品微生物学会雑誌，27（2010）115
3） 村本裕二，岡洋佑，村上祐一，清水教之，市原茂幸：高電界パルス印加による大腸菌の伸長．静電気学会誌，38（2014）108

17）小西正朗，堀内淳一：細胞の増殖を捉える - 計測法から比速度算出まで -，生物工学会誌，93（2015）149
18）太田孝之，岡田節人，岡田善雄
化学 3

編：岩波講座現代生物

細 胞 の 構 造 と 機 能 Ⅱ，pp.309-310， 岩 波 書 店（1975）
19）佐藤正之：高電圧パルスによる微生物制御．日本食品工学会誌，8（2007）191