ポスターセッション
バルク結晶Si太陽電池 （17件）
番号
著者

所属
タイトル
1 京都大学エネルギー科学研
野平俊之1,2、安田幸司1,2,3、究科2 JST-CREST3 京都大学
鳥羽哲也1、楊 肖1,2、萩原理
溶融塩電解法によるシリカ直接還元プロセ
B-1
環境安全保健機構4 太平洋セ
加1,2、一坪幸輝4、増田賢太
スの開発
メント(株)5 早稲田大学先進理4、本間敬之2,5
工学部
金属級Siを原料とする高効率SiH4製造プロ
山田高寛，山田浩輔，大参宏
セスの開発 －高圧マイクロ波水素プラズマ
B-2
大阪大学，JST CREST昌，垣内弘章，安武潔によるSi高速エッチングにおけるガス流速の影響－
Supawan Joonwichien ,B-3 Satoru Matsushima , andNoritaka Usami

Graduate School ofImpurity precipitation at crystal defects inEngineering, Nagoya
multicrystalline Si: Effects of grain boundary
University, Furo-cho, Chikusa- characters and dislocation decoration onku, Nagoya, 464-8603, JAPAN electrical properties

B-4

村井良多、中嶋一雄、森下浩 京都大学大学院 エネルギー平科学研究科

Noncontact Crucible Methodにより作製したSi多結晶インゴットの結晶組織と電気的特性の評価

B-5

小島拓人，立花福久，小島信
豊田工業大学晃，大下祥雄，山口真史

多結晶シリコン中の不純物分布とキャリア再結合に対する熱処理の影響

B-6

高井大輔、小島拓人、小島信
豊田工業大学晃、大下祥雄、山口真史

表面再結合速度の光照射時間依存性と暗状態放置による劣化

Trinh Cham Thi1,*, Koichi

B-7 Koyama1,2, Keisuke Ohdaira1,Hideki Matsumura1,2

B-8

1Japan Advanced Institute of Passivation Quality of A SiNx SingleScience and Technology
Passivation Layer on Crystalline-Si(JAIST)
Prepared by Cat-CVD

小山晃一、後藤太樹、大平圭 北陸先端科学技術大学院大介、松村英樹
学、JST-CREST

藤村宗平、吉葉修平、ウズム
B-9 アブドゥラ、ダムリンマルワン、 東京農工大学
上迫浩一、須田良幸
B-10

シリコン酸化膜を用いたパッシベーション膜としての基礎特性評価

中田和吉[1]、宮島晋介[1]、小 [1]東工大 電子物理工学専攻 Siヘテロ接合太陽電池用a-SiO:H薄膜のパッ[2]東工大 太陽光発電システ
シベーション効果評価
長井誠[1,2]
ム研究センター

井口 功嗣、今枝 博紀、三木
B-11 祥平、酒井 智香子、新船 幸二、小椋 厚志、佐藤 真一

兵庫県立大学 工学研究科、
明治大学 理工学部、CREST

吉葉修平1、谷津克也2、ダム
B-12 リンマルワン1、須田良幸1、上 農工大・工1 東京応化2
迫浩一1
B-13低表面再結合速度を実現するCat-CVD
SiNx/a-Si積層パシベーション膜の光・温度・湿度耐性の評価

ミストCVD法によるAlOxパッシベーション膜形成
TiO2-SiO2 複合物を用いたスピンコート法によるパッシベーション膜の作製と評価

星裕介１, 大井万史2, 太野垣 1名古屋大学, 2京都大学, 3東 ナノ構造体・結晶シリコン融合構造の作製と
健2, 木口賢紀3, 宇佐美徳隆1 北大学
その太陽電池特性

吉永征矢、石河泰明
B-14 荒木慎司、堀田昌宏
浦岡行治

奈良先端科学技術大学院大学
CREST

プリンテッドテクスチャ太陽電池のテクスチャ効果シミュレーション

岡村 隆徳1, 西村 英紀1,
1.奈良先端科学技術大学院大シリコンインクを用いた連続発振緑色レー
B-15 冬木 隆1, 富澤 由香2, 池田 学（NAIST）
ザードーピングによる太陽電池の作製
吉紀2
2.帝人 (株)B-16

津崎省吾、太田立教、小山晃 北陸先端科学技術大学院大一、大平圭介、松村英樹
学、JST CREST

ヘテロ接合ダイオードへの低温ドーピング技
術導入の検討ページ

Abdullah Uzum1,Marwan
Dhamrin1, Koichi Kamisako1,
B-17 Yoshiyuki Suda1 Hiroaki Sato2,
Katsuhiko Katsuma2 andKuniyasu Kato2

1Tokyo University of Agricultureand Technology, The Nippon
Synthetic Chemical Industry Co.,
Ltd. (NIPPON GOHSEI)

Si関連・Ⅳ族薄膜太陽電池 （12件）
番号
著者
所属
野田進,田中良典,石崎賢
S-1 司,Menaka De Zoysa,川本洋 京都大学工学研究科
輔,梅田尚実,重田博昭
S-2

栗山寛、伊藤貴紀、鈴木俊正、伊藤貴司、野々村修一

岐大院工SCREEN-PRINTING BORON DIFFUSIONSOURCE TO FORM HIGH QUALITY p+
LAYERS FOR N-TYPESILICON SOLAR CELLS

タイトル
フォトニック結晶による光マネージメント技術の開発－薄膜太陽電池の光トラップ効率向上を目指して－
ケルビンプローブフォース顕微鏡を用いたSi系薄膜太陽電池の局所的表面電位の評価

佐久間 陽1, 大平 圭介1,2, 増
田 貴史1,3, 申 仲栄1,2, 高岸 北陸先端大1, JST-ALCA2,
S-3
秀行1,2, Pham Tien Lam1,2, JST-ERATO3
下田 達也1,2,3溶液プロセスa-Si:H膜の焼成およびガス放出による膜構造への影響

S-4 葉文昌、建部恭平

島根大学

スパッタエピタキシーによる薄膜Si太陽電池の作製

S-5 葉文昌，杉原圭祐

島根大学

スパッタエピタキシーによるSi(100）基板上のGe厚膜形成とその特性

久米徹二1、大橋史隆1、伴隆
幸1、野々村修一1、今井基晴 1岐阜大学、2物質・材料研究
S-6
機構、3宮崎大学、4茨城大2、福山敦彦3、鵜殿治彦4、飯学、5岐阜工業高等専門学校
田民夫5ページ

太陽電池用材料としての半導体クラスレートの開発

中塚理1、山羽隆1、朝羽俊介 1 名古屋大学大学院工学研究
GeSiSn混晶エピタキシャル層の結晶成長おS-7 1、黒澤昌志1,2、坂下満男1、 科
よび光電特性の評価
2 日本学術振興会特別研究員
田岡紀之1、財満鎭明1
末益崇、都甲薫、渡辺健太郎、M. Ajmal Khan、Du Weijie、 筑波大学、名古屋大学、物質・シリサイド半導体pn接合による薄膜結晶太S-8 馬場正和、中村航太郎、髙部 材料研究機構、熊本大学、
陽電池を目指してJST-CREST
涼太、Zhang Ning、N. A.
Lattif、
原康祐1,2)、宇佐美徳隆1,2)、
中村航太郎3)、髙部涼太3)、 1) 名古屋大学、2) JSTBaSi2エピタキシャル薄膜の成長後アニール
S-9
馬場正和3)、都甲薫3)、末益 CREST、3) 筑波大学による余剰キャリア寿命の増大
崇2,3)
馬場 正和、連川 貞弘、Du
筑波大学、熊本大学、名古屋 KFM法によるシリサイド半導体BaSi2膜の粒S-10 Weijie、都甲 薫、原 康介、宇大学
界性格評価
佐美 徳隆、末益 崇
梅野正義、ギミレ チャンドラ、
S-11 スディープ スニル、市村 進、 中部大学
内田秀雄、脇田紘一
中部大学工学部電子情報工S-12 アディカリ スディープ
学科
化合物系太陽電池 （33件）
番号
著者
所属
C-1

水本 雄太、Jakapan
Chantana、峯元 高志

C-2 森濱優、前田毅、和田隆博

マイクロ波表面波プラズマＣＶＤによるカーボン薄膜太陽電池
カーボン薄膜タンデム型太陽電池
タイトル

立命館大学

ZnO1-xSx:Alのスパッタ成膜とバッファフリー
Cu(In,Ga)Se2太陽電池への応用

龍谷大学 理工学部

ナローバンドギャップ半導体Cu2GeSe3の結晶構造と光学特性

C-3 赤木洋二、山田涼香、東祥吾 都城高専

クランク型ボールミルを用いた太陽電池用Cu(In, Ga)Se2結晶の合成

C-4 竹井康二、前田毅、和田隆博 龍谷大学 理工学部

CuInSe2-ZnSe系固溶体の結晶構造と光学特性

村田 雅、Jakapan
C-5 Chantana、廣庭 大輔、峯元高志

Cu(In,Ga)Se2の欠陥・光学特性と最適バンド
プロファイル

立命館大学

ページ

C-6

梅原 猛，黒川康良, 宮島晋介，山田 明

東工大院理工, 東工大PVREC

インピーダンス分光法によるカルコパイライト
系太陽電池の評価

久松弘明、山口真司、福山敦
久松弘明、山口真司、境健太彦、碇哲雄＠宮崎大学工学部 Cu(In,Ga)Se2薄膜の光学的特性評価とバン
C-7 郎、峯元高志、福山敦彦、碇
境健太郎＠産学連携センター ドグレーデッドの影響
哲雄
峯元高志＠立命館大学
1. 立命館大学 立命館グロー青柳健大1、田村昭洋2、高倉
クラックフリーLift-off CIGSセル/透明裏面電バル・イノベーション研究機構
秀行2、峯元高志2極接合界面の解析
2. 立命館大学 理工学部
東京工業大学 電子物理工学
大西 智、黒川 康良、宮島 専攻、東工大太陽光発電シス ITOナノインクによるCIGS薄膜多接太陽電池
C-9
晋介、山田 明テム研究センター、JSTさきが 作製に向けた研究
け平井 義晃1，鈴木 良太郎1, 1: 東工大院理工，2: 東工大
Cu(In,Ga)Se2のバンドプロファイルが太陽電
C-10
PVREC
池特性に及ぼす影響に関する理論解析
黒川 康良1，山田 明1, 2
C-8

C-11 前田毅、和田隆博

龍谷大学 理工学部

第一原理計算によるCuInSe2中のCdおよびZn拡散に関する研究

岩田恭彰, 深澤一仁, 中村元
昭和シェル石油株式会社エネ 高品質光吸収層を用いた高効率CIS太陽電C-12 志, 加藤拓也, 杉本広紀, 田中
ルギーソリューション事業本部 池の開発
良明, 白間英樹
C-13

1 宮崎大学 工学部 電気電永岡 章1、吉野 賢二1、三宅子工学科 2 三重大学 工学
秀人2部 電気電子工学科

THM法によるCZTS, CZTSe単結晶の作製

山口利幸1，中嶋崇喜1，川本
1和歌山工業高等専門学校
C-14 浩平1，新山茂利2，今西敏人
2和歌山県工業技術センター
2

化合物プリカーサのセレン化法による
Cu2ZnSnSe4薄膜へのNa添加効果

水井裕一1，岡 祐介1，中嶋
1和歌山工業高等専門学校
C-15 崇喜1，山口利幸1，新山茂利
2和歌山県工業技術センター
2，今西敏人2

Sn添加Se・S混合雰囲気中での熱処理によるCu2ZnSn(S,Se)4薄膜の作製

C-16

堀茂雄、鈴木俊正、鈴木吏、鈴木貴大、野々村修一

岐阜大院工Cu2ZnSnS4ナノ粒子合成と特性評価

C-17

鈴木吏、鈴木俊正、堀茂雄、鈴木貴大、野々村修一

岐阜大院工Cu2ZnSnSe4ナノ粒子を用いた薄膜作製と特性評価

C-18

後藤 仁憲、張 毅聞
陶山 直樹、山田 明

C-19

1 宮崎大学 工学部 電気電永岡 章1、吉野 賢二1、三宅子工学科 2 三重大学 工学
秀人2部 電気電子工学科

東京工業大学院理工学研究科電子物理工学専攻

非真空プロセスによるCu2ZnSn(S,Se)4薄膜太陽電池の作製
CZTS単結晶の電気伝導メカニズムの解析○田島伸、片岡恵太、高橋直子、間広文、木本康司、深野㈱豊田中央研究所、
CZTS太陽電池におけるCdS/CZTS界面のC-20 達雄、長谷川正樹、旭良司、Northwestern
Univ.,
NUCAPT
解析
David N. Seidman、DieterIsheim
鈴木貴大、鈴木俊正、堀茂
SnSナノシート合成と特性評価
C-21 雄、鈴木吏、ドジェカ、野々村 岐阜大院工修一
牧田紀久夫、水野英範，小牧（独）産業技術総合研究所 太 スマートスタック技術を用いた多接合太陽電
C-22 弘典，菅谷武芳，大島隆治、
陽光発電工学研究センター
池の検討
柴田肇、松原浩司，仁木栄
C-23 ブゼジ ブサイリ

C-24

小島 信晃, 大下 祥雄, 山口 Modeling of the improvement of the external
真史 豊田工業大学
quantum efficiency in GaAsN solar cellgrown by chemical beam epitaxy

池田和磨，小島信晃，大下祥豊田工業大学雄，山口真史GaAsN太陽電池材料におけるN-H複合欠陥の配向特性

幸脇広幸、稲垣充、池田和C-25 磨、小島信晃、大下祥雄、 豊田工業大学
山口真史
Muhammad Monirul Islam12,
Naoya Miyashita1, Nazmul
C-26
Ahsan1, Ryo Matsuda1,
Yoshitaka Okada1C-27

１．先端科学技術研究センStudy of Hydrogen irradiation-effect on theター, 東京大学
electrical properties of GaNAs Schottky
２．電子・物理工学専攻, 筑波junctions
大学

小寺大介，山口真史，大下祥豊田工業大学，原子力機構雄，小島信晃，佐々木拓生C-28 宮下 直也、岡田 至崇

化学ビームエピタキシー法で作製したGaAsN
太陽電池中の再結合中心の解析

格子不整合AlInGaAs/GaAsの歪緩和の面内異方性

東京大学 先端科学技術研究 GaInNAsSb/Geタンデム太陽電池の集光特センター性評価

出水 孝志郎(池田 和磨, 稲垣
C-29 充, 小島 信晃, 大下 祥雄, 山 豊田工業大学
口 真史)

GaAsN中の同一N-H複合欠陥起因の変角・伸縮振動モードの特定C-30 角谷正友(独)物質・材料研究機構

III-V族窒化物薄膜の発電デバイスへの応用

菅谷武芳1)、牧田紀久夫1)、
武田明紘1, 2)、大島隆治1)、
C-31
松原浩司1)、岡野好伸2)、仁木 栄1)

1)産総研
2)東京都市大固体ソースMBEで作製したInGaP/GaAsダブ
ルジャンクション太陽電池

C-32

中村紘也，小島信晃，大下祥
豊田工業大学雄，山口真史GaAs/Si新規バッファ層への応用を目指した(InGa)2Se3のGaAs(111)面上MBE成長

C-33

鈴木秀俊1、伊東大樹2、芳賀 1宮崎大学IR推進機構
章博2、福山敦彦2、碇哲雄2 2宮崎大学工学部

MBE成長GaAs/Si(111)における双晶発生機
構の観察

透明導電膜 （5件）
番号
著者

所属

タイトル

ページ

影井泰次郎、(西窪恵一、ポー 東京工業大学電子物理工学
W-textured ZnO:B TCO基板におけるテクス
T-1 ポン・シッチャヌグリスト、小長 東京工業大学太陽光発電シス
チャ形状依存性の研究
テム研究センター井誠)
T-2

１．田中 真樹
２．吉野 賢二

１ ．宇 部 マ テ リ ア ル ズ株 式会 H2導入スパッタにおける低抵抗AZO薄膜物社、宮崎大学 ２．宮崎大学
性への影響1T-3

１．田中 真樹
２．吉野 賢二

１．宇部マテリアルズ株式会社、宮崎大学 ２．宮崎大学

H2導入スパッタにおける低抵抗AZO薄膜物性への影響2

宮崎大工1、東ソーファインケ
ム株式会社2ジエチル亜鉛を原料に用いたスプレー法による不純物添加酸化亜鉛薄膜のアニール効果

井手亜貴子1○、持原晶子1、吉野賢二1、小嶋稔2、竹元裕
T-4 仁2豊田浩司2稲葉孝一郎2、羽賀健一2、中俊雄2、徳留功
一2(龍谷大学 理工学部)山本貢
一、岡夲洋和、榊間博、和田
T-5
隆博、(木更津高専)岡本保、
林亮二、小川洋平
色素増感・有機太陽電池 （8件）
番号
著者
西城 理志,石河 泰明
D-1 鄭 彬,岡本 尚文,山下 一郎
浦岡 行治
発表者：嶋田一裕（１）D-2 連名者：内田聡（２）、瀬川浩司（２）

1 龍谷大学 理工学部 2 木更 BaCuSeF系p型透明導電膜の作製と
津高専
CdS/CdTe太陽電池の裏面電極への応用

所属

タイトル

奈良先端科学技術大学院大学

SiO2被膜金ナノ粒子によるプラズモン効果を利用した色素増感太陽電池（１）石川県工業試験場（２）東京大学

白金ナノ粒子を利用した色素増感太陽電池用対極の作製

D-3

松本大介（岡田顕一、松井浩 (株)フ ジクラ 環 境エネルギー
環境発電用色素増感太陽電池モジュール志、田辺 信夫）
研究所 太 陽光発電研究室

D-4

岸直希、森戸成、曽我哲夫、神保孝志

名古屋工業大学

酸化チタンナノ構造を導入した逆型構造有機薄膜太陽電池

ページ

鹿取晋二1，有馬和博1，大村
D-5 佳弘1，桑原貴之1，當摩哲也 金沢大学1，JSTさきがけ2
1,2，山口孝浩1，高橋光信1
D-6

周英1，當摩哲也1,2，桑原貴之1，高橋光信1

金沢大学1，
JSTさきがけ2,

導電性を制御したPEDOT:PSSを用いた両面受光型の逆構造有機薄膜太陽電池の開発
および発電出力の開口率依存性結晶テンプレートを用いた高効率有機薄膜太陽電池の開発

前田勝浩（井改知幸・桑原貴
金沢大学 理工研究域 物質化 置換基効果を利用したローバンドギャップポ
D-7 之・當摩哲也・高橋光信・加納
学系
リマーの電子ドナー特性の制御重義）
D-8

伊東 嶺, Varun Vohra，東嶺孝一, 村田 英幸

北陸先端科学技術大学院大学マテリアル

新概念太陽電池 （10件）
番号
著者所属
福永圭吾、 畑山智亮、 矢野
奈良先端科学技術大学院大N-1 裕司、 岡本尚文、 谷あゆ
学（NAIST）
み、 石河泰明、 冬木隆
Van Hoang NGUYEN, Haruna
WATANABE, Yusuke HOSHI,
N-2 Takanori KIGUCHI, Toyohiko
KONNO, and Noritaka USAMI

N-3

Graduate School of Engineering,
Nagoya University,MEXT, FUTUREPV Innovation, Japan Science andTechnology Agency (JST) Instituteof Fluid Science, Tohoku University
Institute for Materials Research,Tohoku University

山崎竜也 石川亮佑 宮島晋東工大 科学技術振興機構
介 小長井誠ラビング処理による二層型有機太陽電池の光電変換効率の向上
タイトル

ページ

インジウムを介したVapor-Liquid-Solid機構
によるシリコンナノワイヤーの形成と評価

Growth of Vertical Silicon Nanowires Array
Using Self-Ordered Template Assisted
Epitaxial Methodology

a-Si薄膜を用いたシリコンナノワイヤの作製

MEXT, FUTURE-PV Innovation,
加藤慎也、黒川康良、宮島晋 Japan Science and Technology 2次元デバイスシュミレーションを用いたシリAgancy (JST)東京工業大学,東工
N-4介、山田明、小長井誠
大太陽光発電システム研究セン コンナノワイヤ太陽電池の解析
ター,JST-さきがけ

N-5

吉田裕之、鈴木拓明、牧野克
宇宙航空研究開発機構
省、木皿且人

滝口 雄貴1、Kim Sinae1、
N-6 Porponth Sichanugrist1、小長井 誠1,2
N-7

1 東工大院理工2東工大太陽光発電システム
研究センター

宇宙太陽光発電における地上受光システムの検討
波長スプリッティング法による太陽電池の高効率化

西永慈郎、河原塚篤、小野満 早大高等研、早大理工、NTT- 励起子吸収を利用したAlGaAs/GaAs超格子恒二、堀越佳治
BRL
太陽電池

N-8 庄司靖、岡田至崇

高エネルギーギャップ母体材料を用いた
東京大学先端科学技術研究セ
InGaAs量子ドット太陽電池の2段階光吸収特ンター
性N-9

Mohammad Rahman、宇佐美徳隆、寒川誠二

東北大学流体科学研究所、名 バイオテンプレート極限加工による３次元量
古屋大学
子ドット超格子構造の作製

N-10

金光義彦(1)
秋山英文(2)(1)京都大学化学研究所, JSTナノ構造太陽電池におけるキャリア多体効CREST(2)東京大学物性研究
果とエネルギー損失抑制
所, JST-CREST

モジュール技術・評価 （11件）
番号
著者
M-1

所属タイトル

太田靖之1、永井宏和2、荒木 1. 宮崎大学 工学部2. 大同特 伝熱解析を用いた集光型太陽電池モジュー
殊鋼株式会社
ルにおける動作温度と出力の関係
建次2、西岡賢祐1M-2 下斗米光博（猪狩真一）

日清紡メカトロニクス（産業技術総合研究所太陽光発電工学研究センター）

出力測定における直列抵抗Rsの計算方法の検証
CIGS太陽電池モジュールの長期宇宙実験

M-3

川北史朗，今泉充，高橋真人，艸分宏昌

宇宙航空研究開発機構

M-4

石井 徹之，大谷 謙仁，増田淳，菱川 善博

独立行政法人 産業技術総合
産総研九州センターにおける各種太陽電池
研究所 太陽光発電工学研究
アレイの年間発電量の調査
センター

ページ

阪本貞夫①、門脇将②、清水成宜③鈴木健太郎④田中秀
M-5 樹⑤、計智郎⑥
辺田 祐志⑦、土井卓也①、増田淳①
大竹 秀明*下瀬 健一*
M-6 Joao Gari da Silva Fonseca
Jr*高島 工*大関 崇*山田 芳
M-7①産業技術総合研究所、②大日本印刷、③日立化成工業、
長期暴露された太陽電池モジュールの年平④帝人デュポンフィルム⑤東均出力低下率
京エレクトロン、⑥凸版印刷⑦
デュポン* （独）産業技術総合研究所** 気象庁気象研究所

片岡 直弥、植野 聖也、亀井立命館大学愛佳、高倉 秀行、峯元 高志

気象庁メソモデルによる日射量予測の実績から解析された誤差幅の特徴
二波長帯による太陽光スペクトル指標と太陽電池屋外性能の評価

下瀬健一1大竹秀明1山田芳PV発電予測に向けた気象庁メソ数値予報モ
1:産業技術総合研究所
M-8 則2Joao Gari da SilvaFonseca
デルの日射予測の改良ー日射予測と雲量
2:気象庁気象研究所
Jr.1高島工1大関崇1
予測ー
産業技術総合研究所 太陽光 屋外でのI-V特性測定時における日射変動
M-9 津野裕紀，菱川善博
発電工学研究センターの影響の解析
M-10

亀井 愛佳、吉田 翔多、片岡直弥、植野 聖也、峯元 高志

M-11 大関 崇

立命館大学

世界各地における気象データを用いたシリコン系太陽電池の年間発電量予測

産総研

太陽光発電システムのシステム信頼性向上に関する研究さきがけ （8件）
番号
著者所属
タイトル○黒川 康良1,4，渡邊 裕也
東工大院理工1, 東工大
1, 加藤 慎也1, 山田 康晴3,シリコンナノワイヤアレイの光散乱特性評価
P-1
PVREC 2, 東工大工 3, JST山田 明1,2, 太田 最実5, 丹羽と光散乱シミュレーション
さきがけ4, 日産総研5勇介5, 廣田 正樹5
綿 打 敏 司 1,2, Md. Mukter 1 山梨大学大学院附属クリスP-2 Hossain1, 柳本一樹1, 長尾雅 タル科学研究センター
則1, 田中功1
2 JST-さきがけ

赤外線集中加熱浮遊帯溶融法によるシリコン結晶の育成における固液界面形状

田中徹1,2，長尾康弘1，宮原雅宜1，斉藤勝彦1，郭其新1， 1佐賀大学, 2JSTさきがけ,
西尾光弘1, K.M.Yu3,3LBNL
W.Walukiewicz3

ZnTeO系高不整合材料による中間バンド型
太陽電池の作製P-3

板垣奈穂、松島宏一、桑原和 九州大学システム情報科学研
高効率太陽電池の実現に向けた新規酸窒成、山下 大輔、徐鉉雄、鎌滝 究院
P-4
化物半導体ZnInONのバンドギャップエンジ
JSTさきがけ
晋礼、内田儀一郎、古閑一
ニアリング
九州大学基幹教育院憲、白谷正治荒木秀明1,2，粟飯原直也1，豊永詞1，金井綾香1，木村和1長岡工業高等専門学校，
硫化法を用いたCu2SnS3薄膜太陽電池の作
P-5 貴1，山田愛美1，齋藤優太郎
2JSTさきがけ，3JST-CREST 製－硫化温度の検討－
1，竹内麻希子1，片桐裕則
1,3
独立行政法人 物質・材料研究機構(NIMS) 太陽光発電材
色素増感太陽電池における電解液のイオン
P-6 柳田真利
料ユニット,独立行政法人 科
輸送特性学技術振興機構(JST) さきがけ(太陽光と光電変換機能)
P-7 家裕隆、陣内青萌、安蘇芳雄
P-8

大阪大学産業科学研究所
JST-さきがけ

宮寺哲彦 1 2、王植平 1、吉田 1.産業技術総合研究所
郵司 12.JSTさきがけ

イミド、チオイミドを含むπ 電子系分子の合成、物性、および、n型特性
有機薄膜太陽電池の結晶相制御

ページ