高専／高校セミコン

The 高専＠ SEMICON Japan 展示発表を終えて高知工業高等専門学校電気情報工学科准教授

池上浩

2008年より始まった The 高専＠ SEMICON への参加も今回で３回目を迎え、第１回より参加させて頂いていることに感謝申し上げます。第１回及び第２回に参加させて頂いた学生は The 高専＠ SEMICON で素晴らしい経験をし、現在は大学院や企業で活躍しています。第１回に参加した山崎浩司（現・奈良先端科学技術大学院大学博士課程前期課程２年）は The 高専＠ SEMICON の思い出を「大学院に進学して様々な発表を経験させてもらったが、The 高専
＠ SEMICON での発表はその中でも強烈に印象に残っており、会場で企業の方々に真剣に話を聞いてもらいアドバイスを頂いたことは、自身の研究に取り組む考え方に大きく影響していると思う」と語っておりました。現在、山崎は後期課程への進学に向けて研究論文をまとめており、将来は半導体デバイスの開発者になりたいという夢の実現に向けて奮闘しています。高専時代の指導教員としてこのような卒業生の姿に触れるのは大きな喜びであり、また、The
高専＠SEMICON は確かに彼らの成長を支えてくれたと感じています。

水中レーザー照射前後のTFT特性

水中レーザー照射条件

今回は、池上研究室から専攻科２年の福留誉司と専攻科
照射条件
・波長:355 nm
・パルス幅:
3〜5 nsec
・繰り返し周波数: 10 Hz・照射エネルギー: 19〜49 mJ/cm2
・照射回数:
500 shots/location
・ビーム径:□100 m×100 m

水中レーザー照射前（欠陥不活性化なし）

1.0E-03

1.060

0.8

1.0E-070.6

1.0E-09

0.4

Drain Current [ A]

Vds = 0.1 V
Vds = 5.0 V
Vds = 5.0 V(Linear)

1.0E-05

Field-Eﬀect Mobility [cm2/Vs]

Cross-sectional structure of poly-Si TFT

Variable Slit

Drain Current [A]

１年の清岡雅弘、藤原研究室から専攻科１年の岡崎祐平がON/OFF 比 = 103
移動度= 4 cm2/Vs
Vth = 33.6 V
S. S. = 2.5 V/dec

Vds = 0.1 V
Vds = 5.0 V

40

参加させて頂きました。彼らにとっても今回の発表が貴重
Q-Switch
Nd:YAG Laser
THG

Mirror

1.0E-110.2

1.0E-13

TFT sub.
Quartz Window

0.0-100102030

20040010203040

な経験となり将来に向けて力強く歩む原動力になると確信
Gate Voltage [V]Stageしています。

1.0E-03

Drainelectrode

Gateelectrode

100 m

Optical image of poly-Si TFT surface

Drain Current [A]yWater Drainx
WLA system

Gate Voltage [V]100

Vds = 0.1 V
Vds = 5.0 V
Vds = 5.0 V(Linear)

1.0E-05

特性向上

照射回数= 500 shots/location
照射エネルギー：
27 mJ/cm2

水中レーザー照射後80

1.0E-07

60

Drain Current [ A]

Lens

DI-WaterSupplyField-Eﬀect Mobility [cm2/Vs]

Sourceelectrode
Irradiation area

60

ON/OFF 比 = 106
移動度= 46 cm2/Vs
Vth = 25.6 V
S. S. = 2.0 V/dec

Vds = 0.1 V
Vds = 5.0 V

40

最後になりましたが、今回の展示ブースを提供頂いた株照射エネルギーによるTFT特性の変化
1.0E-0940

1.0E-11201.0E-130200

式会社アルバックの方々に厚くお礼申しあげます。
-1001020

Gate Voltage [V]3040010203040

Gate Voltage [V]水中レーザーアニールによる，poly-Si TFTのTFT特性向上を達成

結論

機械・電気工学専攻１年

清岡雅弘

低エネルギー照射充分な水素，酸素が未生成

高エネルギー照射poly-Si膜中からの水素脱離

水中レーザーアニールによりTFT特性の改善を実現
Field- effect mobility：46 cm2/Vs
ON/OFF ratio：106
処理速度向上のために照射パルス数低減が必要なることが問題となっています。我々の提案する方式では、適正エネルギー

今回、The 高専 @ SEMICON では、研究テーマである、Si 蒸着膜と基板との間に中間層として Ag 薄膜を形成し、「レーザーを用いた Si 蒸着膜の直接パターニング」についレーザー照射により局所的に熱を与えることで中間層であて展示・発表を行いました。一般的に Si 薄膜のパターニン

る Ag を Si 薄膜表面に偏析させます。レーザー照射後、硝グは多数の工程を必要とし、製造コストや環境負荷が高く酸により中間層の Ag とレーザー照射領域で表面に偏析しSEAJ Journal 2011. 3 No. 131

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た Ag を除去することで、レーザー照射領域のみ Si がパターだきました。また、他の高専生や高専卒業の方と話をするン基板上に残ります。

ことができ、非常に刺激を受けました。発表を聞いてくれ

セミコン会場では３日間できるだけ多くの方に発表を聞た方からは貴重な意見やアドバイスを頂き、予想もしていいてもらおうと思いました。最初は興味がありそうな人やなかった質問には深く考えさせられました。最終的にパン時間に余裕のありそう人にだけ話しかけていましたが、忙フレットは450部を配ることができました。３日目の終了時

しい場合や興味がない場合は断ってくれるだろうと考え、には足が痛くなった分、達成感がありました。そして、３目が合った方や立ち止まった方には少し強引にでも話しか日目で終了することにほっとしました。今回、The 高専 @けてみました。結果、本当に多くの方に発表を聞いていたSEMICON に参加できて本当に良かったです。

機械・電気工学専攻２年

福留誉司

まず、今回このような大きな場で研究発表をする機会を達はターゲット基板をこれまでのバルクから薄膜にするこ与えていただいた事に感謝し、尽力していただいた各関係とにより、粗大粒子の生成を抑制しました。更に、この方者の方々にお礼を申し上げたいと思います。現在、私は薄式ではターゲット薄膜の膜厚のコントロールにより生成さ膜ターゲット液相レーザーアブレーションを用いたナノ粒れる粒子の粒径のコントロールも可能です。この研究テー子の高効率生成方法に関する研究を行っております。これ

マをアルバック様のブースで発表し、多くの方々から貴重までの液相中でのレーザーアブレーションによる生成方法なアドバイスをいただきました。それらのアドバイスは全では、粒子生成の際にマイクロメーター以上の粒径をもつて今後の研究に対する指針に繋がり、この高専 @ セミコン

粗大粒子が形成され、それら粒子の分級が必要でした。私

ジャパンは自己の研究にとって有意であったと感じていま

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高専／高校セミコンす。また、高知という地理的条件から私達学生にとっては、ていました。この展示会に参加できた事は私にとって産業このような展示会に参加しづらい所があります。その為実界に対する視野を広げる貴重な機会になったと考えていま

際の産業界や企業の方々と接する機会が少なく焦りを感じす。

機械・電気工学専攻１年

岡崎祐平をいただきました。ご指導の中で特に多かった事は、「もっと〜すると売れるね。
」というものでした。私は研究内容に
私は今年初めて The 高専 @SEMICON に参加させていた

ついて目先の問題ばかり考え、産業に応用するためにはどだきました。今年参加することが決まるまでは、どういっうするべきかの考えが甘かった、と強く感じました。またた展示会でどの程度の規模で行われているのか詳細には知研究内容を聞いていただいた方には、大学生や大学院生のりませんでした。参加して最も驚いたのは Semicon Japan

学生がいました。就職活動の一助あるいは自分の研究の一助として展示会に積極的に参加する学生の意欲は、見習わなければならないと思いました。たくさんの人と出会い、いから、ブースの一部を提供していただいた企業の方々の会話をすることができたこの展示会で、高専にいるだけで思いを聞いて、とてもうれしく思いました。私の研究内容は決して得られない知識が付き、研究に対する意欲がさらは半導体製造技術に関係のない内容でありますが、国内外に湧きました。このような場を企画していただいた企業の多数の方々に興味をもっていただきました。研究内容を聞方々に感謝します。ありがとうございました。

いていただいた方からは、研究内容に関する激励やご指導

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