機能性透明酸化物とオプトエレクトロニクス−ERATO 細野透明電子活性プロジェクト成果−

各位（株）オプトロニクス社

本 PDF ファイルは月刊オプトロニクス 2004 年 10 月号の抜粋データです。著者の依頼により提供していますが，この機会にぜひ雑誌の定期講読（有料）をご検討ください。なお本ファイルは内容の抽出および編集がプロテクトされており，複写は禁じられています。お申し込みは下記の弊社
ウェブサイトから。
http://www.optronics.co.jp/order/optronics.html

機能性透明酸化物とオプトエレクトロニクス― ERATO 細野透明電子活性プロジェクト成果
光学的応用面では大きな利点を持つものの，電気的に絶縁体であるため電子デバ
イス用機能材料としては注目されて来なかった透明酸化物。この材料の新しい光・電子・化学機能を探索し，画期的なデバイス開発につなげようという注目の研究が我が国で進められている。今月号の特集では世界を先導する，その研究の最前線を紹介する。

細野透明電子活性プロジェクトの狙いと成果概略
細野秀雄

116

平野正浩

122

神谷利夫，太田裕道，平松秀典，上岡隼人，野村研二

128

透明酸化物と光エレクトロニクス

透明酸化物半導体とデバイスへの展開

透明ナノポーラス結晶： 12CaO ・ 7Al2O3
林

克郎，松石

聡，宮川

仁，Peter V. Sushko，神谷利夫

140

深紫外透明材料と紫外オプトロニクスへの展開
梶原浩一，大登正敬，Linards Skuja

148

干渉フェムト秒パルスレーザーによる透明物質のナノ加工
河村賢一，上岡隼人，三浦泰祐

157※本特集ご執筆者の所属は著者紹介をご参照下さい

OPTRONICS（2004）No.10

115

特集
特 集
機能性透明酸化物とオプトエレクトロニクス― ERATO 細野透明電子活性プロジェクト成果

細野透明電子活性プロジェクトの狙いと成果概略
細野秀雄のトップ 5 は，酸素，アルミニウム，シリコン，鉄，カ

1

ERATO プロジェクトとはルシウムで，これらはいわばユビキタス元素ということができる。我々の環境はこれらの元素と酸素が化合
科学技術振興機構の創造科学技術推進事業（Exploratory

した酸化物から構成されており，人類はこれらのありふ

Research for Advanced Technology, ERATO）は，科学のいれた物質を細工して石器，鉄器時代という文明を築いてろいろな分野から推薦公募制で選ばれた研究者（毎年 4きた。現代の高度情報化時代を支えている半導体と光名）を総括責任者（PL）として，PL の研究構想と指揮ファイバも物質としては，Si と SiO2 がベースとなっておの下で，新しい研究領域の開拓を使命とする探索研究プ

り，例外ではない。これらの酸化物は鉄を除くといずれ

ロジェクトであり，PL の名前＋研究主題が各プロジェ

も透明（粉の状態では白色）という共通の性質がある。

クトの正式名称となっている。研究場所は PL の所属機透明であるということは，それ自体で光学的応用には極関以外の外部に設置することが原則（当時）で，研究期めて大きな利点だが，電気的には典型的な絶縁体であり，間は準備も入れて 5 年間。研究費は工事費，場所借料，

電子が主役を演じるような機能材料の舞台になるとはみ

ユーティリティ，人件費などを含め総額 15 億円程度でなされていなかった。

ある。各プロジェクトには，PL を補佐する技術参事，
事務を担当する事務参事と事務員が常勤している。2 年

3

プロジェクトの狙いとアプローチ

前の制度変更によって，現在は戦略的創造研究推進事業
総括実施型研究

ERATO タイプと称されるようになっ本プロジェクトの主題は，大きなバンドギャップを有た。「細野透明電子活性プロジェクト」は 1999 年 10 月にする酸化物をベースとする結晶とアモルファスを対象物

発足し，2004 年 9 月に終了。研究室（事務所，居室を含質とし，バンド構造と点欠陥の電子状態や光反応性を明めた総面積は 500 ㎡）は神奈川県川崎市高津区の神奈川

らかにしつつ，それらの制御と活用により，光学的透明

サイエンスパーク内に設置した。研究員は延べ約 15 名

性を活かした新しい光・電子および化学機能を探索するで，その内訳は博士を取得したばかりのポスドク（このとともに，透明酸化物のもつポテンシャルを引出すため

うち 3 名は外国人）と企業からの出向者で，その平均年の手法の開拓である。すなわち，透明酸化物という古代

齢は 30 歳前後であった。

から使われている伝統的物質に，独自の視点で光をあて，
state-of-the art な手法を適応することで，新しい機能材料

2

本プロジェクトの背景としての展開を図ろうというものである。
具体的には，ITO など透明導電性酸化物のフロンティ

地殻を構成する元素の量（重量％）を表すクラーク数116

ア（導電率，広バンドギャップ，p 型伝導）の拡大と，

OPTRONICS（2004）No.10

新物質創製
透明電子
回路

高性能発光
・蓄光材料
高感度フォトリフラクティブ

新アモルファス
半導体
欠陥
エンジニ
アリング

バンド
構造変調

新透明導電体
p/n型
非占有電子状態

電子伝導体の設計

化学設計指針新励起プロセス

超構造作製技術
ドーピングプロセス

欠陥
欠陥・ドーピングの科学
ファインセラミックス

エネルギー

光リン用
光学材料

Et

電子構造の解析

不純物準位
占有電子状態
状態密度
Et：フェルミ準位

ニューガラス

図 1 透明電子活性の樹（こんな具合に育って欲しいという図）

これらの物質を使い PN 接合を形成した素子の試作を行Conductive Oxide, TCO）と称されている。これらの物質

い，透明半導体としての可能性を追求する。この中で，は透明な金属として各種ディスプレイ類の電極材料とし新しい透明 p 型物質の探索とその設計指針の確立，そして不可欠であるものの，半導体としての応用は皆無に近て，透明酸化物半導体の高品位な薄膜の形成技術を模索い。これまでの TCO の伝導性は n 型に限定されており，する。また，短パルスレーザや真空紫外レーザ光などを

p 型物質が見出されていなかったため，多様な半導体機駆使した高密度電子励起により，新しい欠陥生成と構造

能のオリジンである PN 接合が実現していなかったこと

変化を明らかにするとともに，これまで透明であるがゆがその主因である。1997 年に川副・細野グループは透明

えにレーザ加工が困難であった，透明酸化物の短パルス

p 型 TCO，CuAlO2 を見出し Nature 誌に報告した。また，レーザによる新しい微細加工法の検討をおこなう。特に，同グループによってフェルミレベルの制御が可能なアモ

科学的にも未開拓で，これからの進展が期待される深紫ルファスの透明酸化物も見出されていた。このような状

外〜真空紫外領域の光物性と，これらの波長領域のパル況下で開始された本プロジェクトの成果は，図 2 のよう

スレーザ光を駆使した新しい光誘起現象を探索する。図

にまとめられる。これらの研究によって，透明酸化物導1 にはプロジェクト発足時に作成した研究構想を示す。

電体から透明酸化物半導体という新しい領域が開けつつあるといえよう。

4

研究成果● 実用的に最も重要な TCO である ITO の電気抵抗の下限がどこにあるのかというのは産業界の大きな関心で大別して 4 つのテーマに取り組んだ。各テーマ毎の成あった。エピタキシャル成長によって 7 × 10− 5 Ωcmと果については本稿に続く解説を参照していただくとしいう値の薄膜を再現性よく作製できることを示した。

て，以下にはその概略を記す。

この値は現在では信頼できるワールドレコードとなっ4.1 透明酸化物半導体 1 〜 5）
透明酸化物で導電性を示す物質といえば，ITO，ZnO，SnO2 などが知られており，透明酸化物導電体（Transparent

OPTRONICS（2004）No.10て，より実用的なプロセスによる低抵抗化を目指す研究の目標となっている。また，原子平坦面をもつ ITO
薄膜も実現し，これを基板に用いることで，有機半導体分子のエピタキシャル成長に成功した。

117

特 集

機能性透明酸化物とオプトエレクトロニクス―ERATO 細野透明電子活性プロジェクト成果（R-SPE 法）」を考案した。この方法によってホモロガ
透明酸化物半導体のフロンティア拡大

重・遷移金属酸化物

最高伝導度σ＞1×104 Scm−1★スーパーITO

これまでのTCO
深紫外透明 ＜300 nm
In2O3：Sn★深紫外透明TCO β-Ga2O3
SnO2：F
P型TCO
ZnO：Alp-n★p-nホモ接合ダイオード
単極性
ホモ接合（CuInO2）（LaCuOS，SrCu2O2）
両極性（CuInO2） p-n★紫外LED
ヘテロ接合
InGaO（ZnO）
3m

アモルファス 反応性固相エピ法 室温安定励起子
P-type TCO★冷電子放出源★高性能透明トランジスタ（ZnRh2O4）
室温で安定なエレクトライド★全アモルファス酸化物pnダイオード
新大陸（軽金属酸化物）
光誘起
12CaO・7Al2O3
絶縁体−導電体変換

図 2 本プロジェクトで開拓された透明酸化物半導体のフロンティア

ス化合物 InGaO 3（ZnO）m（m ＝ 1 〜 100）の単結晶薄膜の合成や LaCuOCh などのエピ薄膜の成長に成功した。
● R-SPE 法で合成した上記ホモロガス化合物の単結晶薄膜を活性層に用い，電界効果移動度が 80 cm2（Vs）− 1，
オンオフ比が 6 桁以上という多結晶シリコンに匹敵する高性能な透明トランジスタを実現した。
● 念願の一つであった p 型伝導性アモルファス酸化物

ZnO-Rh2O3 を見出した。そしてこれまで見出してきた
N 型アモルファス酸化物と組み合わせることで，室温で堆積させるだけで良好な特性を示す PN ダイオードが得られることを示した。今後，Flexible electronicsへの展開が期待される。

● 低抵抗化と並ぶ TCO のフロンティアである透明域の短 波 長 化 を 図 り ， 250 nm ま で 透 明 な TCO 薄 膜 を
Ga2O3（8 Scm − 1）で実現した。
●

4.2

ナノポーラス結晶 C12A76, 7）

点欠陥を活用して，ありふれた物質で新機能を実現し独自に見出した透明 p 型酸化物 SrCu2O2 と n 型 ZnO のようという目論見で 12CaO・7Al2O3（C12A7）というアルヘテロ PN 接合を形成し，電流注入で紫外発光するダ

ミナセメントの構成成分として知られた物質を取り上げイオードを試作した。これは透明酸化物半導体からなた。この物質は図 3 のように直径 0.44 nm のケージが面る初の紫外発光ダイオードとなった。

を共有することで，3 次元に最密充填された結晶構造を● Si のように不純物のドーピングで伝導性の PN 制御が有し，1/6 のケージには O 2 − イオン（自由酸素イオン）

可能な両極性の透明酸化物半導体（CuInO 2）を初めが緩く包接されている。この自由酸素イオンを，通常でて見出し，ホモ PN 接合ダイオードを試作した。
●

LaCuOCh（Ch ＝ S，Se，Te）が透明 p 型伝導性を示
すことを見出し，そのエピ薄膜を合成した。この物質
は励起子が室温でも安定で，それに由来する紫外〜青色発光を示すことを見出した。また，これまで GaNでも実現していない p 型縮退伝導を実現した。さらに，
室温安定な励起子を利用して顕著な 3 次光学非線形感
受率の増大とサブピコ秒という高速時間応答を示すことを見出した。これらのユニークな光・電子特性は狭いギャップの p 型層が広いギャップの絶縁層にサンドイッチされた 2 次元的な電子構造に起因する励起子の閉じ込め効果とデルタドーピング（変調ドーピング）の実現によるものと考えられる。

● 通常の気相堆積法では作製が困難であった蒸気圧の高い成分を含む多成分の結晶の単結晶薄膜を高効率で合成できる「反応性固相エピタキシャル成長法

118

図 3 C12A7 の結晶構造
四角が単位格子。大きな丸が自由酸素イオン。

OPTRONICS（2004）No.10

は不安定な他のマイナスイオンで置換することで，以下の機能を実現した。
● 最強の酸化力を有するが活性が高く不安定な「幻の−20

化学種 O イオン」を 2 × 10 cm−3

4.3 真空紫外光学材料 8, 9）
主に合成シリカガラスを対象とし，その F（波長
157 nm）
2

も安定に包接するや ArF（193 nm）エキシマーレーザとの相互作用の解明

試料が合成された。この試料は予想通り，高温で安という基礎的視点から取り組み，その成果をフィードバ

定な白金さえ酸化できる強い酸化力を有していた。

ックしつつ，これまで実現されていなかった ArF レーザ−

また，この物質に高温で電界を印加すると O イオンのパワー伝送に耐えられるファイバーの開発を目指した。

の単色高密度（数 µAcm

● フッ素ドープシリカガラスが真空紫外域で最も透明で−2）ビームを生成できることを見出した。

F2 レーザー耐性に優れていることを見出し，それが歪● 水素雰囲気下で熱処理することで，水素アニオン H

を 10

20

cm

−1

−

程度安定に包接させることができた。そして，この試料を紫外光に曝すと絶縁体から 1 Scm−1んだ Si-O-Si 結合が少なく，構造のランダムネスが小さいためであることを明らかにした。
● シリカガラスへの水素分子の添加はレーザ照射による程度の伝導性を示す電子導電体に転化することを見

欠陥の修復に有効であるといわれてきたが，（i）照射出した。400 ℃以上に加熱しない限り，この電子伝導によって酸素欠陥（Si-Si 結合）の生成を促進するた性は光照射を止めても永続的である。この発見は，

め F 2 レーザー用ガラスには適さないこと，（ii）応力

これまで教科書類に典型的な絶縁体と分類されてき腐食によるクラック発生を引き起こすため，過剰な水た軽金属酸化物が，電子伝導体に変換できた初めて

素含浸は好ましくないことを見出した。

の例となり，「常識を覆す発見」と紹介された。また，薄膜試料に水素をイオン注入し，紫外線を照射する
ことで，10 Scm−1● 上記の知見に基き ArF エキシマーレーザのパワー伝送に耐えられる深紫外用光ファイバーを開発した（図 4）。
● シリカガラス中の酸素分子を高感度（10 14 cm − 3）にの透明導電膜が得られた。

● 電子は究極のアニオンともみなすことができる。自検出する手法を駆使し，光励起プロセスによる原子状

由酸素イオンを全て電子で置き換えることに成功し酸素の生成と反応を解明し，原子状酸素が酸素過剰欠

21，陥の生成に極めて重要な役割を演じることを明らかにに及ぶ。電子がアニオンとしてした。また，シリカガラス中での原子状酸素と酸素分た。ケージ中に包接された電子濃度は 2 × 10 cm
伝導度は 100 Scm−1−3

働くイオン結晶はエレクトラドとして知られている子の拡散係数をそれぞれ評価することに成功した。

が，1983 年に初めて合成されて以来，これまで低温，
かつ不活性ガス雰囲気下でのみ安定なため，材料としての応用はもとより物性研究も遅れていた。ここで合成した［Ca12Al14O32］（e −）4 は，20 年来の課題であった空気中・室温で安定な初めてのエレクトライドとなった。また，この物質の仕事関数が 0.6 eV と極
めて小さいことを利用して冷電子放出源として用い
電界放射型発光デバイスを試作した。
● C12A7 のケージに電子がドープされると永続的な電子伝導性が発現する機構は，3 次元的に連結したケージによってギャップ中にもう一つの伝導帯が形成され，そこにキャリア電子が導入されることによる，ということを励起状態での構造の緩和を考慮した埋め込み型クラスター計算によって明らかにした。

OPTRONICS（2004）No.10

図 4 ArF エキシマーレーザのパワー伝送が可能な深紫外ファイバーの
バンドル

119

特 集

4.4

機能性透明酸化物とオプトエレクトロニクス―ERATO 細野透明電子活性プロジェクト成果

短パルスレーザの試作 10）とナノ加工 11, 12）

サファイヤやシリカなどの透明で硬質な物質の表面および内部に精密なナノ加工が可能な方法の開拓を行い，フォトンによる透明物質中への 3 次元光集積回路の形成を狙った。

導波路，そして回折格子を書き込み，微小な分布帰還型色中心レーザを作製し，室温発振に成功した。

4.5

論文発表・特許および受賞

プロジェクト発足から 5 年間に発表した原著論文は約180 報（Nature 1，Science 2，Physical Review Letters 6,● Ce 3 ＋： LiCaAlF 結晶を使用して高強度超短光パルス

Advanced Materials 5，Applied Physics Letters 29 など），を発する深紫外フェムト秒再生増幅レーザシステムを

特許出願は 56 件（国内 42，国際 14）であった。国際会

試作し，波長 290 nm，パルス幅 115 fs，尖塔値 30 GW

議での招待講演は〜 60 件，総説・解説は〜 80 編。また､の深紫外光パルスの発生を達成した。

研究員の本プロジェクトの研究での受賞は 20 件を数え

6

● 1 発のフェムト秒レーザパルスを衝突させ，その干渉た。内訳： TEPIA ハイテクビデオコンクールグランプリ，

パターンを物質の加工に応用する「フェムト秒レーザ

JJAP 論文奨励賞，先端技術大賞ニッポン放送賞，SPIE

単一パルス干渉露光法」を考案し，自由度の高いパル

主催第 31 回 Boulder Conference，第 15 回 ICDIM など国際

ス衝突タイミング調整法や微動試料ステージなどを統会議の最優秀論文賞 4 件，学会などの奨励賞 3 件（セラ

合して装置化した。この方法はフェムト秒レーザの干ミックス，金属，光科学振興財団），学会講演奨励賞 9

渉を材料加工に応用した初めての報告となった。

件（応物 8，化学会 1），手島記念発明賞 1 件。

● 上記の方法によって物質自体の感光性の有無にかかわらず，ダイヤモンド，サファイヤなど殆どの透明物質

5

これからの展開に，一発のパルスで微小な回折格子が書き込めるようになった。また，パルスをチャープさせることで，物物質として酸化物を特徴づけるものは何であろうか？

質の内部にも回折格子を書き込めることを示した。

結晶構造とそれを構成する元素の多様性が挙げられる。

● フェムト秒レーザパルスだけで，フッ化リチウム（バシリコンやガリウム砒素に代表される化合物半導体の結ンドギャップ： 14 eV）単結晶の内部に，発光色中心，晶構造は，4 面体型配位を構成要素とするダイヤモンド型に限定されているのに対し，酸化物では基本構造単位
が 2 〜 12 配位と多種で，それから構成される結晶構造は極めて多様になっている。化学結合が前者では共有性がメインであるのに対し､後者ではイオン性が高いものが多いが，構成カチオンによっては共有性と拮抗するレベ
ルまで達する。
このような多様な構造の中には，ナノサイズのケージから構成されているものや 2 次元性の高い層状構造など
酸化物ならではのユニークなものも少なくない。これらの結晶構造中に内包されたナノ構造を意識的に眺めると，量子構造とみなすことができるものも少なくない。
このような視点は「build-in ナノ構造を活用した透明酸化物の機能開拓」というコンセプトにつながった。これが 5 年間の ERATO プロジェクトが与えてくれたメッセー

図 5 フォトンのみでフッ化リチウム結晶に書き込んだ DFB 色中心レー
ザの室温発振の様子

120

ジと捉えている。2004 年 10 月から開始される継続プロ
ジェクトではこれを主題として新たな展開を図り，透明OPTRONICS（2004）No.10

酸化物機能材料の分野を大きく育てたいと意気込んでTechnology Agency (JST)いる。

■ Research objective and achievement of Hosono

最後に本プロジェクトの遂行に際し，スポンサーであTransparent Electro-Active Material Project, sponsored by

る科学技術振興機構をはじめ，お世話になった関係者各

Japan Science and Technology Agency, were briefly

位に厚く感謝する。

described. This project targeted to explore novel activefunctions in transparent oxides utilizing band structure anddefect engineering based on an original view for thesematerials. The achievement is classified into 4 categories,
transparent oxide semiconductors, nano-porous material

参考文献 （総説）
1）H. Hosono, Int. J. Adv. Ceram. Technol. 1, 106 (2004).
2）平野正浩，細野秀雄，セラミックス，3，331（2003）．
3）細野秀雄，ニュートン，2003 年 10 月号，p102.
4）平野正浩，細野秀雄，日本結晶学会誌，46，48（2004）．
5）H. Ohta and H. Hosono, Materials Today, 6, 42 (2004).
6）細野秀雄，固体物理，38，423（2003）．
7）細野秀雄，松石聡，現代化学，395，27（2004）．
8）梶原浩一，平野正浩，細野秀雄，日本結晶学会誌，44，182（2002）．
9）K. Kajihara,Y. Ikuta, M. Oto, M. Hirano, L. Skuja, H. Hosono, Nucl.
Instr. Meth. B218, 323 (2004).
10）Z.Liu et al IEEE J.Selected Topics in Quantum Electronics，7，542（2001）．
11）河村賢一，平野正浩，細野秀雄，レーザ研究，30，244（2002）．
12）河村賢一，神谷利夫，平野正浩，細野秀雄，光アライアンス，
印刷中

12CaO・7Al2O3, SiO2 glass for deep and vacuum UV optics,
and nano-machining of transparent materials by
femtosecond laser pulse. A new concept “built-in
nanostructure for active electronic function” was obtained
as a message from this project.

ホソノ

ヒデオ

所属：東京工業大学 フロンティア創造共同研究
センター＆応用セラミックス研究所 教授。科学技術振興機構（JST）創造科学技術推進事業（ERATO）
細野透明電子活性プロジェクト 総括責任者
連絡先：〒 226-8503
東工大

Tel. 045-924-5359■ Objective and achievement of Hosono Transparent
Electro-Active Materials Project

横浜市緑区長津田町 4259

応用セラミックス研究所

郵便箱 R3-1

Fax. 045-924-5339

E-mail ： hosono@msl.titech.ac.jp
経歴： 1977 年東京都立大学工学部工業化学科卒業，1982 年同大学院博士課程修了（工学博士），同年名古屋工業大学無機材料工学科助手，■ Hideo Hosono

1990 年同助教授，1993 年東京工業大学工業材料研究所助教授，1999 年■ Professor, Frontier Collaborative Research Center &より同応用セラミックス研究所教授。2004 年 10 月より同学フロンティ

Materials and Structures Laboratory, Tokyo Institute ofTechnology. Project Leader, Hosono Transparent Electro-

ア創造共同研究センター教授。1999 年 10 月〜 04 年 9 月細野透明電子活性プロジェクト（JST/ERATO）総括責任者，2002 〜 07 年文部科学省 21
世紀 COE プログラム東工大「産業化を目指したナノ材料開拓と人材育

Active Materials Project(TEAM), Exploratory Research for成」拠点リーダ。1991 年 Otto-Schott Research Award，1995 年

Advanced Technology(ERATO), Japan Science and

W.H.Zachariasen Award，1998 年市村学術賞，2002 年井上学術賞，米国セラミックス学会フェロー，04 年日本化学会学術賞など。

OPTRONICS（2004）No.10

121

特集
特 集
機能性透明酸化物とオプトエレクトロニクス― ERATO 細野透明電子活性プロジェクト成果

透明酸化物と光エレクトロニクス
平野正浩

グラフィープロセスでは，逆に，光の短波長化が発展方

1

はじめに

向である。また，ディスプレイ素子では，可視光域で機能する事が不可欠である。

光エレクトロニクスでは，多種多様な材料が使われてこうした多岐に亘るオプトエレクトロニクス材料の中いる。光システムは，いくつかの機能を有する複数の光で，透明酸化物は，光透過性を活用するデバイス材料とデバイスから構成されており，それぞれの機能を担うた

して広く用いられてきた。細野プロジェクトの主題であめに，異なる材料群が必要とされるからである。例えば，る，「透明酸化物へのアクティブ機能の開拓」は，透明発光・受光デバイス材料としては，主として化合物半導

酸化物に，固有の光透過機能を活かしつつ，発光などの体が，光導波・透過デバイスには透明酸化物結晶・ガラ

新しい機能を付加することへの挑戦である。

ス材料が，非線形光デバイスには誘電体結晶が，アイソ
レーターデバイスには透明磁性材料が使われている。

2

二種類の光デバイス

さらに，光システムの特性は，使用する光波長域に大きく依存し，用途により本質的に優れた波長域が特定され光システムを組み上げるには，多様な機能を担う光デている。光波長が変化すると，その波長に適した光機能

バイスが必要となる。たとえば，光通信システムでは，材料も異なってくるため，材料の多様性が更に増加する。

電気エネルギーを光に変換する「発光素子（半導体レー

具体的に，光通信システムを例にとると，情報キャリザー）」，光強度を増幅する「光アンプ（エルビウム添加

ヤーとしての光波長は赤外光域が最適とされている。こファイバー光増幅器）」，光に伝送信号を載せるためののために，光通信システムでは，最初に実用化した短波「光変調素子」，光を伝播させるための「光導波素子（光長帯システム（850 nm）から長波長帯システム（1.30 〜

ファイバー，光導波路）」，光をファイバーに導入するた

1.55 µm）へと進展した。初期の短波長帯光通信システ

めの「光結合素子（レンズ）」，戻り光を低減させるため

ムでは，発光素子材料として，GaAs 単結晶基板上に育の「光アイソレーター」，光を複数のビームや波長に分成された GaAlAs エピタキシャル膜（GaAlAs//GaAs），受離するための「光分岐・分波素子」，光信号を電気信号光素子として Si 結晶，光ファイバーとして多成分ガラスに変換するための「受光素子」など多様な光素子が使わ

材料が使われていた。これに対して，現在広く普及してれている。こうした光素子は，二つのグループに大別すいる長波長帯光通信システムでは，発光素子材料としてることができる。第一は，光そのものの特性を制御する

InGaAsP//InP，受光材料として InAsP//InP，光ファイバー機能を担う素子群である。光通信の例では，光変調素子，としてシリカガラス材料が使われている。

光ファイバー，レンズ，光アイソレーター，光分岐・分

一方，光メモリー，レーザー加工，半導体素子光リゾ

122

波素子がこのグループに含まれる。すなわち，これらのOPTRONICS（2004）No.10

素子は，光の伝播，波長，偏光などの基本特性を制御すとして使われている。

る機能を担っており，素子が作用した後でも，光は，光

今後の透明酸化物材料の課題として，①透明波長域ののままの形態であり続ける。すなわち，これらの素子は拡大，特に，短波長域への拡大，②単位長さ当りの相互「純光素子（O デバイス）」で，これらの素子のみで構築

作用係数の増大，③電気伝導性，磁性などと光透明性のされたシステムは，「全光システム」となる。

共存などが挙げられる。先にも述べたように，応用分野

第二のグループは，光と他のエネルギー形態との変換によって，光システムは最適な波長域がある。光通信シ機能を担う素子群である。発光素子，受光素子がこのグ

ステムでは赤外波長領域，光メモリー，光加工では紫外ループに含まれる。これらの素子は，光と電子エネル

光域，またディスプレイでは可視光域である。この結果，

ギーとの変換機能を担っており，「オプトエレクトロニ

赤外域から紫外域までは，その領域で使用可能な材料のクス素子（OE デバイス）」と定義され，光システムと電実用化が大きく進展した。最後に残された波長領域とし子システムのインターファイスを担っている。（電子以て，深紫外および真空紫外域がある。この光領域では，外の他のエネルギー形態への変換，例えば，光と化学エ

ArF レーザー（193 nm）を光源とした半導体集積回路リ

ネルギー，機械エネルギーとの変換素子なども考えられ

ゾグラフィー装置の実用化が開始したが，それ以外にも，る。）現状では，「電子・光複合システム」が，それぞれ医療分野，計測分野，超精密光加工分野など多くの用途の単独システムより，優れた特性を示すことが多いためが考えられる。光技術の新しいフロンティアである深紫に，OE デバイスが重要な役割を果している。

外・真空紫外領域を開拓するために，この光領域で機能

3

O デバイス材料と透明酸化物への期
待する光デバイスが必要であり，それらデバイス用材料として，透明酸化物は大きな可能性を有していると考えられる。

O デバイスに用いられる材料は，使用される波長で透一方，原理的には，材料のデバイス特性は，相互作用

明であることが要求される。光ファイバーに代表される係数を吸収係数で規格化した「性能指数」で評価される

導波デバイスで使われる材料では，透明性そのものが基ことが多いが，実用上は，透明性より相互作用係数がよ

本的に重要である。その他の O デバイスの機能でも，そり重要である。例えば，性能係数が同じでも，相互作用の機能は，光と材料の相互作用に基づいており，その大係数が大きな材料を用いれば，より小型のデバイスを構

きさは相互作用距離に比例する。この結果，相互作用を成する事ができる。相互作用係数を大きくするためには，大きくするために，O デバイスは反射型よりも透過型構材料開発と並んで，デバイス構造を工夫する事も重要と成をとる事が多い。光が材料中を相互作用しながら伝播なる。例えば，フォニック結晶構造により，実効的に光しているうちに，その強度が大きく減衰しないよう，材

屈折を飛躍的に大きくする事ができる。

料は透明であることが望ましい。

一般的に見て，光透明性と共存する事が難しいと考え

透明酸化物は，こうした O デバイス材料としての基本

られているいくつかの材料特性がある。典型的には，電的要求を満たしている。実際に，透過デバイスとして，

気伝導性と強磁性である。電気伝導に関しては，TCO と透明度の高いシリカガラス，各種ガラス，MgO などの呼ばれる一群の酸化物化合物が見出され，透明電極とし単純酸化物が使われている。透明性に加え，別の機能をて実用化されている。室温透明強磁性材料に関しては，もつ酸化物は，偏光素子（CaCO 3 など），高調波発生素

赤外光に透明な磁性体（YIG など）は見出されているが，子（BBO，KDP など），光変調素子（LiNbO 3 など），

可視光に透明なものは見出されていない。ここでも，透アイソレーター（YIG）などの機能素子材料として実用

明酸化物に大きな可能性があると考えられる。

化されている。また，光透明性と電気伝導性を兼ね備えた酸化物（TCO 材料）は，平面パネルディスプレイ，太陽電池などの透明電極（素子のビルディング・ブロック）OPTRONICS（2004）No.10

4

OE デバイス材料と透明酸化物の可能
性

123

特 集

機能性透明酸化物とオプトエレクトロニクス―ERATO 細野透明電子活性プロジェクト成果

OE デバイス材料には，化合物半導体が広く使われている。化合物半導体では，不純物の添加により，p 型，
n 型両性伝導が可能で，それらの薄膜を積層した PN 接

5透明酸化物オプトロニクスの進展への課題

合を用いて，電子エネルギーを効率良く，光エネルギー

以上の現状を踏まえ，透明酸化物デバイスの光技術分に変換する事ができるためである。化合物半導体 OE デ

野への普及を加速するために，あるいは透明酸化物の実

バイスの発光波長，受光スペクトル感度は，使われてい用化により，光技術分野の新しいフロンティアを開拓する化合物のバンドギャップエネルギーに対応している。

るために，以下の具体的な目標・課題が考えられる。

InP，GaAs，GaN 系材料を用いた OE 素子の実用化により，1.5 µm 〜 0.4 µm の波長範囲をカバーする事ができる。
元来，透明酸化物は，そのエネルギー構造からバンド

5.1 VUV 光透過ガラス材料とその機能化――真空紫外域オプトロニクスの開拓

ギャップが大きな半導体とみなすことができるので，透最短波長を透過する，すなわち，禁制帯エネルギー幅

明酸化物には，短波長帯 OE 素子材料としての期待があの最も大きな材料は，LiF である。また，潮解性がなく，る。実際，酸化物では効率良く固有発光を示す材料も少

正方晶の大型結晶育成が可能である CaF2 結晶が，F2 レー

なからず存在し，ZnO などの材料では，光励起によるザー（157 nm）用透過光学素子用材料として注目されてレーザー発振が実現している。また，TCO 化合物が，液いる。しかし，総合的に，実用上最も優れている透過材

晶デバイス及び太陽電池に不可欠な透明電極材料として料は，量産性，光学均一性に優れたシリカガラスである。

使われている事からもわかるように，透明酸化物に電気シリカガラスでは，150 nm より短波長光を透過させる事

伝導性を持たせる事はそれほど難しいことではない。しは，本質的に不可能である。しかし，F2 レーザーが，透かし，実用化している TCO は，すべて電子による伝導過光学系で実用的に使用できる最短波長レーザーである（n 型伝導）で，ホールによる伝導（p 型伝導）を実現す

事を勘案すると，シリカガラスの透明波長限界の追求は，るのが非常に難しい。また，透明酸化物に関しては，良大きな意義を持つ。赤外光域で使用される通信用光ファ

質なエピタキシャル薄膜積層技術が充分に成熟していな

イバー材料ではほとんど問題とならなかった，酸素欠乏い。すなわち，透明酸化物を用いた OE デバイスを実現

欠陥あるいはネットワーク構造不均一性などが，157 nm

するには，まず，p 型伝導体化合物を開拓する事，更に付近の透過性に大きな影響を及ぼしている。シリカガラ

良質エピタキシャル積層膜を育成する手法の開発が不可スの本来的な真空紫外透明性を具現化するためには，組欠である。また，GaN 系 OE デバイスが既に実用化され成のノンストイキオメトリーに由来する化学欠陥の除ているために，単に，短波長で使えるというだけでは，

去，不均一構造に由来する物理欠陥の制御が必要である。

透明酸化物の化合物半導体に対する優位性はない。GaN

これらはアモルファス材料の本質にかかわる課題である。

系デバイスを凌駕する性能ないし新規な特徴を付加しなくてはならない。

また，真空紫外領域オプトロニクスの普及を図るためには，200 nm より短波長を伝播する光ファイバーの実用

一方，太陽電池，受光素子には，間接遷移型バンド構化が必要である。光ファイバーでは，高透明性シリカ材

造を持つシリコン材料も用いることができる。また，こ料の開発に加えて，酸素欠乏欠陥の生成を抑制する線引

れらのデバイスは，太陽光に対して感度がよい事が必要

き過程を開発する必要がある。更に，もし，こうした真であり，太陽電池では，シリコンに比べ，短波長に感度

空紫外透明材料に，高調波発生機能などを付加できれば，の高い材料，逆に，光触媒では，TiO2 に比べて，長波長

最短波長レーザー光発生素子用材料としての可能性が拓に感度の高い材料が要求されている。こうした分野では，ける。現在までに，シリカガラスによる SHG 光の発生

耐環境性に優れている酸化物デバイスが実用化される可が報告されており，これは真空紫外透明材料に，こうし能性は高いと期待される。

た光機能を付加できる可能性を示唆している。

124

OPTRONICS（2004）No.10

ずに，透明酸化物に適した薄膜成長手法を開発すること

5.2 透明酸化物 PN 接合――透明酸化物 OE デバイスが必要である。実際に，細野プロジェクトでは，反応性
固相エピタキシャル法が，複合酸化物のエピタキシャル

酸化物の価電子帯は，主として，酸素の p 軌道から構成長法として有効である事を示してきた。また，ガーネ

成されている。p 軌道は，酸素イオンに局在しているのット酸化物では，フラックスを用いた液相エピタキシャ

で，価電子帯へのホール導入が難しく，また，エネル

ル法が，気相エピタキシャル法より有効であることを銘

ギー分散が小さく，たとえホールが導入できても，その記すべきである。

移動度は小さい。この結果，酸化物では，p 型伝導体を実現しにくい。p 型伝導を実現する方策として，p 軌道に d 軌道を混成させて，その分散を大きくする事が提案

5.4 アモルファス透明酸化物――フレキシブルディスプレイ

され，実際に，3d 閉殻電子配置をもつ Cu ＋を含むいくつ酸化物の伝導帯は，主として，金属イオンの s 軌道かかの透明酸化物で p 型伝導が実現した。また，この材料ら構成されている。s 軌道は等方的であるため，原子配

3＋

イオンを

列が乱れたアモルファス構造でも，伝導パスは大きく変含む化合物に拡張された。p 型伝導性酸化物群を更に拡化することがなく，電子移動度も，結晶に比べて，大幅大するためには，材料設計指針の更なる普遍化が必要でに減少する事がない。一方，共有結合から構成される半ある。d 軌道混成による価電子帯の分散増加は，酸素イ

導体では，アモルファス状態になると，電子移動度は大オンと金属イオン間に共有結合が形成されたためである

幅に減少する。この結果，酸化物アモルファスの電子移が，同時に，金属イオン内相互作用により，d 軌道に動度は，シリコンに代表されるアモルファス半導体に比s 軌道が混成した結果とも考えられる。単体半導体，化

べて，ずっと大きな値をもつことになる。また，アモ合物半導体では，価電子帯が sp 混成軌道から構成され，ルファス酸化物半導体薄膜は，低温で堆積する事ができ

この結果，p 型伝導が実現していることも勘案し，「p 型るので，プラスチックなどフレキシブル基板の上に形成

伝導を実現するためには，価電子帯にｓ軌道を混成させする事が可能である。こうした特徴を活用すれば，高性ればよい」とのより一般化した材料設計指針を得ること

能なフレキシブルな透明薄膜トランジスター（TTFT）もできる。こうした仮説が正しいか否かは，実証されてを実現する事ができる。TTFT は，フレキシブル透明デいない。

ィスプレイの実用化などを通じ，光技術の新しいフロン

設計指針は，3d 擬似閉殻電子構造を持つ Rh

5.3 エピタキシャル薄膜成長手法
OE デバイスには，エピタキシャル膜積層構造をとる

ティア開拓に貢献するものと期待される。

5.5 透明酸化物の微細加工――フォトニック結晶

ものが多い。化合物半導体のエピタキシャル膜の育成法

短波長レーザーを使用する事により，レーザー加工のは，固相法（焼結時の粒成長は，固相ホモエピタキシャ

微細化が進展している。また，レーザー加工での加工精ル成長とみなす事ができる。）から液相法，さらには気度は，加工プロセスでの熱の影響の大小に大きく依存し相法へと進展してきた。酸化物薄膜エピタキシャル成長ている。これに関して，熱効果が無視できる超短時間法として，従来，化合物半導体で用いられている分子線（フェムト秒）パルスレーザーを用いることで，超微細エピタキシャル法（MBE 法），その変形であるパルス加工が可能となってきている。

レーザー堆積法（PLD 法）が用いられ，主として成長雰

短波長レーザーを用いれば，透明酸化物を加工する事

囲気の制御（酸素ガスの導入），成長温度の高温化によができるし，また，時間当りのエネルギー密度の高いり，高品質エピタキシャル膜が得られてきた。しかし，フェムト秒レーザーを用いれば，光非線形効果により，複雑な組成や構造を有する複合酸化物に対しては，気相

赤外レーザー光でも透明酸化物の加工が可能となる。さ法は，最適な薄膜成長手法ではない。気相法に捕らわれらに，こうしたレーザー光の干渉を利用して，回折格子

OPTRONICS（2004）No.10

125

特 集

機能性透明酸化物とオプトエレクトロニクス―ERATO 細野透明電子活性プロジェクト成果などの周期構造を材料中に記録することができる。透明
酸化物中に形成された周期構造は，DFB レーザーのミ

6.2

ビルトインナノ構造の活用

ラー，光導波路の光結合・分離素子として機能し，これ酸化物では，その結晶構造にナノ構造がビルトインさらの光素子の性能を著しく向上させる。さらには，こうれているものがある。例えば，異なる組成及び構造をもした手法は，フォトニック結晶など将来の高機能光導波

つ二つの層が交互に積み重なった層状化合物である。層制御素子の製法手段としても有望である。

状化合物は自然に造られた超格子構造であり，エネル

66.1

透明酸化物をオプトロニクス材料として活用する基本的な考え方
ユビキタス元素の活用

ギー構造的に多重量子井戸構造（MQW）とみなす事ができるものがある。人工的に造られる GaAs ／ AlGaAs な
どの MQW に比べて，自然 MQW は，①バンドオフセッ
トを大きく変化させることができる。②層の厚さを，
1 原子層にまで薄くすることができ，しかも，厚さの精酸化物は，古くから，人類が慣れ親しんできた，身の度及び周期性は厳密に保たれる。反面，層厚を自由に変回りに多く存在する材料系である。言いかえれば，資源化させることは，一般的には不可能である。③各層は，的に豊富で，環境と調和された材料であるといえよう。

電気的に中性ではなく，電荷を帯びている。④人工

透明酸化物は，クラーク数の大きな元素，すなわちユビ

MQW は，各層を人工的に一層，一層積み上げて造るの

キタス元素から構成されているものが多い。しかしながに対して，自然 MQW は，結晶化過程で，自己整合的にらオプトエレクトロニクスで使われる材料では，重金属形成される。（ナノテク用語での「自己整合的ボトムア

イオンを含む事が多く，これらの非ユビキタス元素によップ手法」）自然 MQW は，基本的には，人工 MQW とり機能が発現されている面がある。例えば発光材料に使同様に，高電子移動度，高発光効率，禁制帯幅増加などわれている化合物半導体には，Ga，In など，透明電極材の特性が期待される。さらに，上に述べた特徴を活かし料としての ITO には，In などの重金属が含まれている。

て，人工 MQW より優れた機能を持つデバイスを実現で環境と調和し，持続可能な文明を発展させるために，ユきると期待される。

ビキタス元素から構成される材料のみで機能を実現させ

層状化合物は，二次元電子状態であるのに対し，る事が理想である。しかし，重金属元素を含む材料の持0 次元電子状態を実現するのが，ナノポーラス結晶であつ機能をユビキタス元素から構成される化合物で，すべる。結晶中に存在するケージが，マイナスに帯電していて代替する事は簡単な事ではない。例えば，軽金属酸化る場合は，カチオン又はカチオン分子を，プラスに帯電物は典型的な絶縁体で，電気伝導性を発現させるのは不しているときはアニオン又はアニオン分子を包接し，そ可能とされてきた。しかし，生物を見ると，それを構成

れらは，量子粒子として振舞うことが期待される。前者

する元素は，炭素，水素，窒素，酸素などいずれもユビの典型的な例は，ゼオライト化合物である。一方，後者

キタス元素で，しかも非常に高度な機能を実現している。

の例として，アルミナセメント，12CaO ・ 7Al2O3 があり，ユビキタス元素から構成される無機材料を用いて多くの

細野プロジェクトにおいて，光誘起絶縁体・半導体変換

機能を発現させることは決して不可能ではない。しかし，など，独特な特性が見出されている。また，一次元電子

そのためには，材料探索の新たな発想が必要である。そ状態としては，ナノチャネルを有する結晶構造がその舞の主なものは，①酸化物に存在する多様な結晶構造を活台として考えられる。

用する。特に，層状構造，ポーラス構造など結晶構造中に固有に作り込まれたナノ構造を積極的に活用すること。②金属イオンだけでなく，陰イオン（酸素イオン）の持つ機能を活用することであると考えられる。

6.3

アニオンの活用

ユビキタス元素化合物では，陽イオンばかりではなく，陰イオンに基づく機能を発現させる事も重要である。例
えば，ほとんどの強磁性の発現は，d 及び f 軌道不完全

126

OPTRONICS（2004）No.10

殻電子構造のもつ磁気モーメントに基づいている。しかし，酸素イオンには，O −，O2 −など磁気モーメントを有transparent oxides in Hosono project are discussed withemphasis on their applications to optoelectronic devices.

するイオン種がある。これらを高濃度に含む化合物を実Ii is pointed out that oxides, basically environmental friendly,

現できれば，アニオンに基づいた透明強磁性体を実現で

have intrinsic features useful for opto electronic device

きる可能性がある。

applications such as p-type conductivity, which enables us
to use oxides for both passive and active devices in

7

終りに

optoelctronics. Following three considerations are importantto fully utilize the potential of transparent oxides. 1) to focus

オプトエレクトロニクス材料の開拓の観点から，細野
プロジェクトの研究を進める上での基本的な考え方，及び具体的な目標について述べてきた。それらは，プロジ

on oxides composed of ubiquitous elements, not including
harmful heavy metal ions 2) utilization of built in nanostructures in oxides and 3) to pay attention material
functions derived from anions in the oxides.

ェクト当初に設定したものもあるが，その多くは，研究の進捗と共に，新たに設定し直したものである。また，別の章で示すように，これらの目標，具体的な課題は，既に達成できたものもあるし，今後の研究の進展に委ねられているものもある。ここで紹介した機能性透明酸化物に対する基本的な考え方が，酸化物研究分野ひいては光オプトロニクス分野に新たな息吹を与える事を期待し
たい。
ヒラノ

マサヒロ

所属：細野透明電子活性プロジェクト（JST/ERATO）技術参事
連絡先：〒 213-0012
戸 3-2-1

神奈川県川崎市高津区坂KSP ビル R&D-C 棟 12 階 1232

Tel. 044-850-9757

Fax. 044-819-2205

E-mail ： m-hirano@ksp.or.jp■ Transparent Oxides and Their application to Optelectronics

経歴： 1971 年 3 月 東京大学工学系大学院工業科
学科博士過程終了。同年 4 月 通商産業省工業技術
院電子技術総合研究所入所。1981 年 1 月〜 84 年 1 月（財）光産業技術振■ Masahiro Hirano

興協会開発部長。1981 年 3 月〜 87 年 3 月光応用システム技術研究組合光■ Research Manager, TEAM(ERATO/JST)

技術共同研究所研究企画室長。1988 年 10 月 旭硝子 電子応用研究所所長。

■ Basic research concept and research targets of

OPTRONICS（2004）No.10

1999 年 10 月 細野透明電子活性プロジェクト（JST/ERATO）技術参事。
専門分野：材料物性（光物性，磁性物性，酸化物）

127

特集
特 集
機能性透明酸化物とオプトエレクトロニクス― ERATO 細野透明電子活性プロジェクト成果

透明酸化物半導体とデバイスへの展開
神谷利夫， 太田裕道， 平松秀典， 上岡隼人， 野村研二

伝導帯は主に金属の s 軌道，価電子帯は酸素の 2p 軌道で

1

はじめに

構成されている。イオンの電荷がつくるマーデルングポ
テンシャルによって陽イオンのエネルギー準位は上が錫ドープ酸化インジウム（In 2 O 3 :Sn，ITO），フッ素

り，陰イオンの準位は下がるため，バンドギャップが大ド ー プ 酸 化 錫 （ S n O 2 : F ）， ア ル ミ ド ー プ 酸 化 亜 鉛

きくなる。また，陽イオン，特に重金属イオンの非占有（ZnO:Al）などの透明導電性酸化物（TCO）は，大きなs 軌道は空間的な拡がりが大きく，有効質量の小さい電バンドギャップを有し，可視光で透明であるにも拘わら

子伝導路を形成しやすい。そのため，電子ドーピングさず，高い電子伝導性を示す物理的にも興味深い特性を持えできれば，SnO2 や ITO のように，可視光透明性と高いつ。また，平面ディスプレイや太陽電池などの透明電極

電子伝導率が両立した TCO が実現できる。一方で価電として実用上も不可欠な材料である。我々は，これら子帯を構成する O 2p 軌道は，酸素が大きな電子親和力

TCO が従来の半導体を凌駕するポテンシャルを秘めていを持つため，比較的局在性が強く，一般的に価電子帯のると考え，透明酸化物半導体（TOS）と，それら材料を

分散は小さくなる。このため，仮に正孔ドーピングがで利用したデバイスの研究を行ってきた。

きたとしても，電気伝導度やデバイス特性は小さい移動

新しい機能材料を開発するためには，機能の起源を電度によって制限されてしまう。また，O 2p 軌道のエネル

子構造から理解し，それに基づいた材料設計指針を創る

ギー準位が深いため，この軌道に導入された正孔はエネ必要がある。ここでは，我々が新材料探索のために開発

ルギー的に不安定である。

してきた指針と，その指針に基づき「細野透明電子活性

こうした状況を理解するには，図 1 に示すバンドライ

プロジェクト」で見出した新材料を紹介する。それらのンナップ 1）を見るとよい。図 1 は，真空準位を基準とし多くは，従来から知られていた半導体，Si，GaAs，GaN，て各化合物の価電子帯端（VBM），伝導帯端（CBM）をなどにはない優れた特性，あるいは新しい物性を示す。

示したものであり，前者のエネルギー準位が深いほど正さらに，実用デバイスへの展開に必要な高品質薄膜の作孔が不安定に，後者のエネルギー準位が浅いほど電子が製技術と，実際に作製したデバイスについても紹介し，

不安定になると考えることができる。経験的に，CBM

酸化物半導体の可能性について議論する。

の深さが 3.8 eV 以下の物質は n 型半導体になりにくく，

2

透明酸化物半導体の電子構造−材料設計からデバイス設計まで−

VBM の深さが 5.7 eV 以上では p 型半導体になりにくい。
代表的な n 型半導体である SnO 2 や In 2O 3 で，p 型ドーピ
ングが困難である理由はここにある。

多くの酸化物に共通した特徴は，バンドギャップがつまり，酸化物に正孔をドープするためには，（1）酸素

3.3 eV 以上と大きく，透明であることである。酸化物の間距離を縮める，あるいは（2）O 2p に近いエネルギ

128

OPTRONICS（2004）No.10

−6

Ge

Si

CdF2

GaN

CuAlO2−4

金属

その結果，LaCuOSe で 8 cm2V − 1s − 1 の高い正孔移動度が得られ，Mg ドープにより縮退伝導も実現できた 6）。GaN
でも実現されていないこのような優れた正孔輸送特性

0
Mg
Al
Au
Ni
Pt

は，図 2 に示す電子構造から理解できる 7）。当初目論ん

−2
−4
−6

仕事関数（eV）

エネルギー（eV）−2

ZnRh2O4

Cu2O

NiO:Li

p型
CdO

SnO2

0

In2O3

真空準位

ZnO

n型

C（Diamond）

ルコゲナイド LaCuOS，LaCuOSe について検討を行った。
半導体

酸化物半導体だように，正孔の輸送路である VBM は Cu-（S，Se）混成
軌道で形成されており（b），特に Γ-X 方向のバンド分散が大きく有効質量が小さくなっている（a）。Cu（ S，Se）

−8

−8

−10

−10

層が 2 次元構造を持つため，バンドギャップが大きく，

−12

−12

透明半導体となっている。
このような層状構造は，次のような興味深い電子構造

図 1 酸化物半導体のバンドラインナップ
縦長長方形の，白抜き部分の上端が CBM，下端が VBM を表している。比較のため，Si など他の半導体のバンド構造と金属の仕事関数も示している。

的な特徴を持つ。すなわち，バンドギャップを形成しているのが Cu（S，Se）層であり，交互に積層している LaO
層はこれよりも広いエネルギーギャップを有し，図 （2 d）に模式的に示しているような電子構造を持つと考えられ

ー準位を持つ陽イオン M を導入し，O 2p-M 混成軌道を作る，ことで価電子帯の分散（バンド幅）を大きくし，
6

VBM のエネルギー準位を上昇させることが効果的である。これは同時に，正孔の移動度を大きくする効果も期

4
Energy（eV）

待できる。O 2p に混成する軌道としては，例えば 3d 軌
道が挙げられる。ただし，透明である条件を同時に満たすためには，3d 軌道は完全に電子で占有されている必要があり，3d 10 配位を持つ Cu ＋ イオンを含む酸化物が，

Γ1＋

La 5d

2

Cu 4s
Γ5−

0

Eg

p 型伝導体候補となる。
我々はこの指針に従い，1997 年に初めての p 型 TOS

−2

O 2p

CuAlO2 を報告した 2）。以来，CuGaO23），SrCu2O24）といった一連の p 型 TOS を見出してきた。さらに，これらの物

Cu 3d
＋
S 3p

Γ

X
（a）バンド構造Z（b）バンドギャップ付近 （c）VBM の
電子密度マップの電子構造の模式図

質に電子伝導性を付与するには，深い CBM を形成する

正孔が CuCh 層に閉じ込められていることがわかる。

元素を添加すればよいと考えた。図 1 からわかるように，
In3 ＋を候補として検討したところ，CuInO2 が酸化物で初めての，n 型／ p 型両極性にドープできる材料であることを発見した 5）。

La-O
Layer

しかしながら，これらの物質では正孔の移動度が低く，高濃度ドープが実現できてない難点がある。このために，

Mg（3）価電子帯を形成する陰イオンの波動関数を O 2p よ

Cu-Se
Layer

La-O
Layer

Mg

り拡がった S 3p で置き換える，というアプローチを採用
して新しい材料探索を行った。ただし，単純な硫化物で（d）変調ドーピングの模式図はバンドギャップが小さく透明という条件を満たさない。この両者の条件を満たす物質として，層状オキシカ

OPTRONICS（2004）No.10

図2

LaCuOCh（Ch ＝ S，Se）に見られる，2 次元的な電子構造

129

特 集

機能性透明酸化物とオプトエレクトロニクス―ERATO 細野透明電子活性プロジェクト成果る 7）。このため，図 2（c）の価電子密度分布に見られるよセットが大きいことが見て取れる。ZnRh2O4 / ZnO 接合

うに，正孔が Cu（S，Se）層に閉じ込められている。こうにおいても，伝導帯，価電子帯で 1.5，および 2.5 eV のした低次元電子構造により，（La，Mg）-O 層で生成したバンドオフセットが存在する。極端な場合，例えば p 型

正孔が，伝導層である Cu（S，Se）層で輸送される「自然ZnRh2O4 / n 型 Si では，p/n 接合を作っているにも拘わら変調ドーピング」が実現されていると考えられる。50

ず，電流−電圧特性はオーミックになる。そのため，目meV にもなる励起子結合エネルギーも，部分的な Cu（S，的とするデバイスに応じて，材料の組み合わせ，デバイ

Se）層閉じ込め効果によるものと考えられる。

ス構造を再設計することが重要である。

一方で，電子デバイス用の材料として必要な特性は，電気伝導度が高いだけではなく，低濃度領域（例えば3≪ 1016 cm − 3）から，広い濃度領域で，安定的にキャリア密度が制御できることである。ZnO などの一般的なTCO では，作製した状態で，すでに高濃度の電子を含ん

3.1

新しい透明酸化物半導体の設計と開発
p 型透明酸化物半導体

でおり，低濃度制御は困難であった。この点については，

閉殻構造の Cu ＋ 3d10 と O 2p 軌道の混成を利用するこ

欠陥・粒界の少ない高品質な薄膜を作製することによとで，酸化物で可視光透明性と高い p 型伝導性の共存をり，キャリア濃度の低い薄膜を得られることがわかって実現できるとの指針に基づき，独特な O-Cu-O ダンベル型

8）

きており ，高品質膜の成長技術が重要になる。我々は，構造を有するデラフォサイト型酸化物 CuMO（M＝ Al2），
2

この要求に対して，反応性固相エピタキシャル法（R-Ga3）など）に着目し，CuAlO2 について，TOS で初めてSPE）を開発し，高品質 InGaO 3（ZnO）m （m ＝自然数）の p 型伝導性を実現し 2），p 型 TOS の化学設計指針が妥

単結晶薄膜を育成し，その膜ではキャリア濃度が当であることを実証した。その後発見した SrCu 2O 2 も，

15

10 cm

−3

9）

以下の低濃度から制御できることを確認した 。

また，接合デバイスの観点からは，界面の電子構造が結晶構造は，デラフォサイトとは異なるが，同様の
O-Cu-O のダンベル型構造を有している 4, 10）。

重要になる。特にヘテロ接合の場合，伝導帯および価電

p 型 TOS はダンベル構造を持つ Cu 系酸化物に限られ

子帯のバンドオフセットがデバイス特性に大きく影響をていた。そこで，Cu を含まないワイドギャップ酸化物与える。例として図 3 に，p 型 ZnRh 2O 4 と n 型 ZnO 接合

で p 型伝導性を実現することを試みた。着目したのは，の電子構造を示す。電子親和力モデルによれば，図 1 に

Co3 ＋や Rh3 ＋のような d6 電子配置を持つ遷移金属イオン

示すバンドラインナップから直接ヘテロ接合の電子構造である。これらイオンの基底状態は低スピン状態となり，を推察できるが，一般に酸化物半導体ではバンドオフ

d 軌道の配位子場分裂によってバンドギャップが形成される。擬似閉殻 d 軌道と p 軌道の混成軌道で VBM が構成されるので，価電子帯に正孔をドープできれば p 型伝導Evac性を示すことが期待される。さらに，原子番号の大きな

Evac
CBM
∆Ec〜1.5 eV〜2.0 eV

EF

EF

Evac

ると考えられる。そこで，Rh3 ＋を含む酸化物について検2.0 eVVbi〜0.5 eVEFVBM
3.0 eV∆Ev〜2.5 eV

n-IGZO

p-ZnO Rh2O3〜3.0 eV

遷移金属を用いることで，バンドギャップを大きくでき討を行ったところ，ZnRh2O4 が新しいタイプの p 型酸化物であることを発見した 11, 12）。バンドギャップは〜 2 eVであり，0.7 Scm − 1 の導電率が得られた。

3.2（a）熱平衡状態（b）フラットバンド条件

図 3 IGZO / ZnRh2O4 接合の電子構造

130（c）順バイアス〜 2V の状態

深紫外透明透明酸化物半導体： β-Ga2O3

波長 300 nm 以下の深紫外領域でも透明な

深紫外透

明酸化物半導体（Deep-UV TOS，DUV-TOS） が実現す

OPTRONICS（2004）No.10

れば，従来の TCO とは異なる応用分野が拓けてくる。
例えば，DNA に波長 240 nm から 280 nm の深紫外光を照O（2p）O（2p） O（2p） O（2p）O（2p） O（2p）射すると，可視光のルミネッセンスを生じる。そのため，
DUV-TOS を電極として Lab-on-a-chip を作製すれば，Chip 上で分離した DNA を深紫外光で検出・識別することが可能になる。
DUV-TOS の候補材料として β-Ga 2 O 3 に着目した。
β-Ga2O3 はバンドギャップが約 5 eV あり，深紫外領域でも透明であり，Sn を置換ドーピングしたバルク単結晶
では導電性を示すことが報告されている 13）。しかし，室

Cd
Cd
Cd
Cd
（5s） （5s） （5s） （5s）Cd
Cd （5s）（5s）（a）crystalline state

Cd
Cd
（5s）
（5s）

（b）amorphous state

図 4 2CdO ・ GeO2 における，結晶（a）とアモルファス（b）の伝導帯底部における軌道の描像
アモルファスでも結晶と同じように Cd 5s 軌道が重なるため，大きな電子移動度を示す。

温で導電性を示すような低抵抗 β-Ga2O3 薄膜はこれまで実現していなかった。我々は，基板温度 880 ℃で薄膜成長させ，Sn の固溶を促進させ，約 1 Scm−1の低抵抗を有に関しては，アモルファス酸化物半導体はシリコンよりも優れた特性を有している。

する β-Ga2O3 薄膜の作製に成功した。この膜は吸収端エ

第 4 周期の金属，例えば ZnO や Ga2O3 を主成分とする

ネ ル ギ ー が 約 4.9 eV で ， 波 長 250 nm の 深 紫 外 光 をアモルファス TOS はこれまで実現していなかった。そこ〜 60 % 透過した。TOS の透明領域を深紫外領域まで拡

で，ZnO をベースとしたアモルファス TOS の探索を行っ大する事ができた14）てみた。ZnO は通常の気相成長法ではアモルファス化し。

ないため，In2O3-Ga2O3-ZnO 系に着目した。In や Ga イオ

3.3 アモルファス透明酸化物半導体：
Cd-Ge-O，In-Ga-Zn-O，Zn-Rh-Oンを導入することにより，ZnO の無秩序化が起こりやす
くなると期待したためである。その結果，InGaO（ZnO）
3m

アモルファス薄膜は，低温・大面積での成膜が可能な系において m ＜ 5 の組成を持つ材料は，安定なアモルフ

ため，太陽電池などの大面積デバイスに利用されている。

ァス状態となり，高い移動度と電気伝導度，可視光透明

重金属の非占有 s 軌道は大きく等方的な空間的拡がりを性を持つことを突き止めた 18）。

持つ。そのため，（n − 1）d10ns0（n ≥ 5）の電子配置をも

これらアモルファス半導体は全て n 型半導体であったつ金属イオンの酸化物では，アモルファス化しても良好

ため，PN 接合を利用した電子デバイスを作ることはでな電子伝導性が発現するとの指針のもと，一連の物質群きなかった。ZnRh 2O 4 のアモルファス薄膜が，初めてのを見出してきた2〜 10 cm V

−1 −1

s

15）

。これらの物質では移動度がp 型アモルファス酸化物半導体であることを見いだした。

以上であり，従来の共有結合から構成

さらに，室温でアモルファス酸化物 PN 接合を実現し2されるアモルファスシリコン（＜ 1 cm V

−1 −1

s

）などよ

りも桁違いに大きい移動度を示す 16）。
アモルファス 2CdO-GeO217）では，図 4 に示すように，

た 19）。

3.4 エレクトロクロミック材料： NbO2F20）

CBM は主に Cd 5s 軌道から構成されており，アモルファ

エレクトロクロミック（EC）材料は電気化学的なイス構造中でも，Cd 5s 軌道同士が重なっている。つまり，オンの脱挿入により着色・消色が起こる材料であり，例

等方的で拡がった Cd 5s 軌道が，連続的な電子の伝導路

えば入射光量を印加電圧により調節できるスマートウイを形成している。これが，大きな移動度の起源である。

ンドウに使われている。現在，EC 材料として最も研究

一方，アモルファスシリコンなどの伝導路は指向性の強が進んでいるのは WO 3 であるが，これはバンドギャッ

3

い sp 軌道から構成されており，このために，アモルフ

プが 2.6 eV と小さいため，透明ではない。

ァス構造中の歪んだ構造により局在化状態が形成され，そこで我々は，Nb 基酸化物に着目し，透明な EC 材料

移動度は，結晶状態に比較して著しく低下する。移動度の開発を試みた。Nb2O5 は，非ド−プ状態では，絶縁体

OPTRONICS（2004）No.10

131

特 集

機能性透明酸化物とオプトエレクトロニクス―ERATO 細野透明電子活性プロジェクト成果

であるが，F −を導入すると欠陥ペロブスカイト型結晶より，単結晶並の ITO 薄膜を実現した（図 5）22）。このの NbO 2F が生成する。作製した NbO 2F のバンドギャッ

ITO 薄膜の表面は，1 × 1 cm2 の領域にわたって，0.2 nm

プは 3.1 eV であり，絶縁体であった。500 ℃で Pt-H 2 処の超平坦性を有している。この ITO 薄膜を用いて，紫外理を行ったところ，色が青く変化し，6 × 10

−3

Scm

−1

の n 型伝導性を示した。これは，NbO2F 中には空の陽イ
オンサイトが一次元的に配列したトンネル構造があり，そこに H ＋をインターカレートすることによって電子がドーピングできたためだと考えられる。また，Na2SO4 あ＋

発光ダイオード 23），紫外線センサー 24），透明有機トラン
ジスタ 25, 26）などを実現することができた。

反応性固相エピタキシャル成長法 27）4.2

層状構造を有する複合酸化物には，半導体人工超格子

るいは H2SO4 水溶液中で電気化学的に Na イオンをインと類似の電子構造，すなわち多重井戸構造を持つと考えターカレートすることにより，濃青色に変化する EC 効られるものがあり，量子効果に基づくユニークな物性が果を確認した。

期待される。しかし，複雑な構造と組成を持つこうした層状化合物の高品質薄膜を作製することは容易な事では

4

高品質エピタキシャル薄膜成長技術ない。このような化合物を固相から自己組織化的に育成できる手法の開発に成功し，反応性固相エピタキシャル

4.1（R-SPE）法と名付けた 27）。この方法では，まず，基板

超平坦・超低抵抗 ITO 薄膜上に「エピタキシャルテンプレート層」を形成し，その電子機能材料の本来の特性を知るためには，高品質試

上に，室温で組成の制御された複合酸化物膜を形成する。

料を作製して評価する必要がある。例えば，原子レベル堆積された複合酸化物膜は，多結晶でもアモルファスでに平坦化した単結晶イットリア安定化ジルコニア（YSZ）

もよい。この 2 層膜を空気中で加熱するだけで，テンプ（100）面上に，ITO 膜を基板温度 600 ℃でヘテロエピタキ

レート層を基点として固相エピタキシャル成長が自己整

シャル成長させることにより，7.8 × 10

−5

Ωcm の超低抵抗率を示す ITO 薄膜を再現性良く作製することに成功した

21）

合的に起こり，最終的に単結晶薄膜が得られる。
一 例 と し て ， I n M O 3（ Z n O ）m （ M ＝ I n ま た は G a ，。また，成長速度の方位依存性に着眼し，成長速度m ＝自然数）を取り上げ，R-SPE 法について説明する。

が遅い結晶面を高温でエピタキシャル成長させることにInMO 3（ZnO）m は，InO 2 − 層と MO（ZnO）m ＋ ブロックがc 軸方向に交互積層した結晶構造を持ち，MO（ZnO）m ＋ブ
ロック層の厚さは組成パラメータ

20
11
＜

変化させることができる。YSZ 基板上にテンプレート層
0＞

10

5
0

した。次に室温で InGaO（ZnO）
膜を約 150 nm 堆積させ，
3
5

＜
11

Z（nm）

a′
0

［0001］

er

InO

0.5

µm
）

5

0000

nO

（Z
aO 3

1
a
100

300
200
Length（nm）

400

500

図 5 超平坦 ITO 薄膜の原子間力顕微鏡像
原子レベルで平坦なテラス＆ステップ表面が観察される。

132

）5

InG

1.9 nm1 ML（0.3 nm）
a′

0
0

00021

µm

X（

0.5

− lay
2

）

［1100］［0001］Y（

Height（nm）

として，600 ℃で 2 nm 厚の ZnO エピタキシャル層を形成

IT
O

O
IT

2＞

15
a

によって自由に

m

［111］
［112］

3 nm

te

tra

ubs

Zs

YS

40 nm

図 6 反応性固相エピタキシャル成長法により作製した InGaO3（ZnO）5
単結晶薄膜の断面 HRTEM 像

OPTRONICS（2004）No.10大気中で 1400 ℃において加熱した。図 6 の断面高分解能
Ln＝lanthanide

透過電子顕微鏡（HRTEM）像にみられるように，得らOxygenれた膜は 1.9 nm 間隔の超格子構造が明瞭に観測されてお（Ln2O2）2＋
layer

り，エピタキシャル成長した単結晶膜であることがわ

Ch＝chalcogen

かる。
R-SPE 法は，応用範囲の広い手法で，次に述べる層状（Cu2Ch2）2−layer

オキシカルコゲナイドなど，他の材料系にも拡張できる。

5

Copperc

層状オキシカルコゲナイド化合物
LnCuOCh の特異な機能：
室温励起子発光と縮退 p 型伝導aa（a）LnCuOCh の結晶構造

LnCuOCh の結晶構造（図 7（a））は，原子オーダーの酸化物（Ln2O2）2 ＋層とカルコゲナイド（Cu2Ch2）2 −層を c 軸方

LaCuOS

向に交互に積層した層状構造をなしており 32），こうした

［001］
［110］

層状構造は，自然超格子構造とみなすことが出来，2 次
元構造に基づいたユニークな光・電子物性を示すことが0.853 nm期待できる。

5.1 R-SPE 法によるヘテロエピタキシャル薄膜成長［001］

InGaO3（ZnO）m と同様に，LnCuOCh の場合も，酸化物

MgO

［110］

層とカルコゲナイド層を構成する成分の蒸気圧差が非常

5 nm（b）断面 HRTEM 像に大きいため（CuCh 成分が蒸発しやすい），通常の気相成長法ではエピタキシャル薄膜はもとより，単一相の多結晶膜すら得ることが出来ない。そこで，R-SPE 法

図7

LnCuOCh の結晶構造（a）と断面 HRTEM 像（b）

27）

によりエピタキシャル薄膜の作製を試みた。具体的には，まず，MgO（001）単結晶基板上に PLD 法を用いて金5.2 自然変調ドーピングと高移動度縮退 p 型伝導属銅極薄膜（〜 5 nm）を成長させ，次いでアモルファス

一連の LnCuOCh 膜は全て，p 型伝導性を示す透明半導

LnCuOCh 膜を室温で堆積した。こうして得られた積層体であった。また，LaCuO（S1 − xSex）では，Se 濃度の増加

膜を，シリカガラス中に真空封入して 1000 ℃で加熱すに伴って，正孔移動度（µ）の増加が観察された 6）。こることにより，一連の化合物 LnCuOCh（Ln ＝ La，Ce，

れは，S よりも拡がった p 軌道を持つ Se の濃度の増加とPr，Nd ； Ch ＝ S1 − xSex，Se1 − yTey，x,y ＝ 0 〜 1）のエピタ

ともに，価電子帯の分散が増えたことに起因する。

。図 7
（b）
に，得られた

LaCuOSe において，最大移動度は 8 cm2V − 1s − 1 が得られ

LaCuOS 薄膜の HRTEM 像を示す。LaCuOS の c 軸長と一たが，この値は，実用化されている p 型ワイドギャップ

致する 0.853 nm の周期構造が認められる。また加熱前に半導体 GaN:Mg に匹敵する大きさである。

キシャル薄膜作製に成功した

28, 29）堆積した金属銅は，エピタキシャル膜／基板界面から完LaCuOSe の La サイトに Mg イオンを置換ドーピングす

全に消滅している。膜成長中の電子顕微鏡観測から，金る こ と に よ り ，室 温 の 電 気 伝 導 度 は 24 Scm − 1 か ら

属銅薄膜は，500 ℃付近でアモルファス LaCuOS と反応

140 Scm − 1 まで飛躍的に増加した。また，正孔濃度はし，膜／基板界面に小さな LaCuOS 種結晶を生成する役

2.2 × 1020 cm − 3 に達し，温度変化によらず一定の値を示割を果たしている事がわかった 30）。

した（図 8）6）。ワイドギャップ p 型半導体 GaN:Mg やOPTRONICS（2004）No.10

133

Temperature（K）
300 200 100
50
30

1020

1019

1018
0

x＝0
x＝0.5
x＝1
10
20
30
103/T（K−1）（a）正孔濃度の温度依存性

101

FEA

Temperature（K）
300 200 100
50
30

×500
100
x＝0
x＝0.5
x＝1

10−1

10−2
0

PL intensity（a.u.）1021

機能性透明酸化物とオプトエレクトロニクス―ERATO 細野透明電子活性プロジェクト成果

Hall mobility, µ（cm2V−1s−1）

Hole concentration, n（cm−3）

特 集

10
20
30
103/T（K−1）

400

300 K
200

180
140
100
80

150
125
100
90

80

BE

80

80

70

60

60

20

50

16

40

2

25

（b）移動度の温度依存性

図 8 Mg ドープ LaCuO（S1 − xSex）のキャリア輸送特性

ZnSe:N の場合，アクセプター準位が深い（100 meV 以上）

×1

ため，1020 cm − 3 を越える正孔濃度は実現できておらず，

3.1

10 K
3.3
3.2
Photon energy（eV）

3.4

電極界面がショットキー接合になりやすい。これに対し，
LaCuOSe:Mg は初めての透明 p 型縮退半導体であり，容図 9 LaCuOS の励起子 PL スペクトルの温度依存性

易にオーミックコンタクトをとることが可能であり，高効率な正孔注入層としての応用が期待できる。さらに，
n＝1

10 20 cm − 3 以上の高濃度の不純物を置換ドーピングした

105 cm−1にも拘わらず，正孔移動度は非ドープ試料と比較してのため，キャリア生成層と移動層が空間分離している
変調ドーピングが実現しているためと考えられる 7）。

5.3

室温安定な励起子と二次元的な電子構造

フォトルミネッセンス（PL）スペクトルの温度依存
性

31）

x＝0.0

Absorption coefficient（a.u.）

50 % 減にとどまった（4 cm2V − 1s − 1）。特有の層状構造

n＝2

x＝0.25x＝0.7を図 9 に示す。束縛励起子が温度の上昇に伴って

x＝1.0

自由励起子へ熱励起される様子が示されている。こうした傾向はすべての LnCuOCh 薄膜において観察される。
2.8

さらに PL 強度の温度依存性から，励起子の束縛エネル

3.4
3.0
3.2
Photon energy（eV）

3.6

ギーは，約 50 meV と非常に大きな値であることがわかった。カルコゲン置換およびランタノイド置換によって，

図 10

LaCuO（S1 − xSex）に見られる，二次元的な吸収スペクトル

室温での発光波長は 386 〜 429 nm の範囲で連続的に変化させることが可能である。

カルコゲナイド内では， 自然の多重量子井戸構造

が

また，LaCuOS1 − xSex（x ＝ 0 〜 1）エピタキシャル薄膜形成されている実験的証拠である。このような階段状のの 10 K における光吸収スペクトルには，シャープな励

光吸収スペクトルは，人工超格子では広く知られている

7）

起子吸収を伴う階段状の構造が観察された（図 10） 。こが，自然の層状化合物で観察されたのは初めてである。

の階段状の吸収スペクトルは，二次元的な電子構造に由また，励起子吸収ピークは，2 本に分裂し，その分裂来するものであると考えられる。すなわち，層状オキシ

幅は Se 濃度の増加に伴って増加している。後に述べる

134

OPTRONICS（2004）No.10

ように，この分裂は，カルコゲンイオン p 軌道のスピンの励起波長依存性を示す 32）。比較のために ZnO のスペク

軌道（SO）相互作用によるものである。

トルも示してある。LaCuOS の χ（3）スペクトルは励起子

5.4 光学非線形性および励起子間相互作用 32, 33）2−

吸収の位置（3.23 eV）に共鳴的な構造を持っており，共鳴位置での χ（3）値は 4 × 10 − 9 esu と見積られた。一方

LnCuOCh では正孔が（Cu2Ch2） 層内に閉じ込められ

LaCuOSe では，Se の SO 相互作用により分裂した 2 つのており，光励起によって生成される励起子も層内へ拘束

励起子吸収ピーク（2.9 eV，3.1 eV）が観測された。χ（3）されるものと考えられる 7）。こうした二次元性励起子は，スペクトルはこれらの励起子へ共鳴しており，共鳴状態

室温でも安定に存在し，その吸収エネルギーに共鳴する

では，χ（3）値は〜 2 × 10 − 9 esu で，LaCuOS とほぼ同程度

巨大な光非線形効果が生じることが知られている。すなの値が得られている。これら χ（3）の値は室温下での励起

わち，LaCuOCh（Ch ＝ S，Se）は，室温でも巨大な光非子由来のものとしては､半導体 CdS の微粒子（準 1 次元

線形性を有することが示唆され，励起子物性と非線形効系）において得られている値（10 − 9 〜 10 − 6 esu）に迫る果を利用した紫外光デバイスへの応用が期待される。そ大きい値である。また，この値は，室温安定励起子を有こで，波長可変なモード同期チタンサファイヤ・レー

する ZnO の χ（3）の値（1 × 10 − 9 esu）より若干大きい。

ザーの第 2 高調波を光源とする縮退四光波混合（DFWM）

誘電率はほぼ同じ（〜 8）で，励起子束縛エネルギーはを利用して，フェムト秒領域での光学非線形性および励

むしろ ZnO より小さいにもかかわらず相対的に大きな光起子間相互作用の測定を行った。これは励起子が生成す

非線形性を示しているのは，（Cu2Ch2）2 −層内への励起子

る過渡格子により回折されてきたパルス光強度をモニ閉じ込めによる状態密度の集中が生じていることを示唆ターする手法である。この強度から 3 次の光非線形性のしている。LaCuOCh における DFWM 信号の応答時間は指標である χ（3）

Laser Intensity

小なエネルギー分裂構造がある場合は，それぞれの準位同士の過渡的な干渉効果として，いわゆる「量子ビート」が観測され，その分裂幅を正確に求めることができる。
図 11 に室温の LaCuOCh 吸収スペクトルおよび χ（3）値

LaCuOS

3.1

3.2
3.3
Energy（eV）

Absorptionの絶対値を得ることができる。また，微3.4（a）LaCuOS の吸収スペクトル（実線）と励起レーザーパルスのスペクトルの一例（破線）52.5×10
2.0

（esu）
χ（3）

1.5
1.0
0.5

10−9

0.0

10−10

DFWM Signal Intensity（arb. units）

10−8

Absorption coefficient（cm−1）

LaCuOS
LaCuOSe
ZnO

−1.0
2.8

3.4
3.0
3.2
Photon Energy（eV）

3.6

図 11 LaCuOS（点線），LaCuOSe（実線）および ZnO（破線）の吸収ス
ペクトルと χ（3）値の励起波長依存性

OPTRONICS（2004）No.10

3.287 eV
3.279
3.270
3.266
3.262
3.253

0.0

1.0
2.0
Delay Time（ps）

3.0（b）吸収端近傍の 6 つの励起エネルギー位置における
DFWM 信号の時間発展
図 12

LaCuOS の吸収端近傍の光学応答

135

特 集

機能性透明酸化物とオプトエレクトロニクス―ERATO 細野透明電子活性プロジェクト成果

250 〜 300 fs であり，生成する過渡回折格子の位相緩和
時間は，凡そ 1 〜 1.2 ps と非常に高速である。

4.0
PL

次に，LaCuOS に対し励起パルスエネルギーを図 12
（a）

3.5

λp＝377 nm

λp＝382 nm

号の減衰部分には弱い振動構造が重なっており，これは励起子吸収ピークと一致する励起エネルギー位置
3.266 eV において最も明瞭に観測されている｡この量子

Intensity（a.u.）

する DFWM 測定を 4 K で行った（図 12（b））33）。これら信

2.0

EL

Intensity（normalized）のように励起子吸収の近傍 3.253 〜 3.287 eV の間で掃引

Energy（eV）
2.5

3.0

105

15 mA
14 mA
11 mA
10 mA

104

103

ビート構造は，微小なエネルギー間隔（∆E）で隔てら2.8れた励起子それぞれの分極位相間の干渉によるものであり，振動周期 480 fs から得られる ∆E の値は 9 meV であ300る。この値は，第一原理バンド計算から求めた SO 分裂

400

3.0 3.2 3.4
Energy（eV）

500
Wavelength（nm）

600

3.6

700

エネルギーに一致し，LaCuOS の励起子吸収ピークが近接する二つの励起子状態から成ることが確認された。以上の結果から，LaCuOCh 系の VBM が Ch の SO 相互作用

図 13 p-SrCu2O2 / n-ZnO ヘテロ接合紫外発光ダイオードの発光スペク
トル
中心波長 382 nm の鋭い紫外発光が観測される。

によって分離していること，それぞれの準位で励起子が安定に形成され，LaCuOS のようにエネルギー分裂が小が，同一の物質で n 型，p 型の両極性を示す TOS は知ら

さい場合，それぞれの励起子間で相互作用があることがれていなかった。我々は，p 型 TOS である CuAlO 2 と同明らかになった。

じ結晶構造を持ち，分散の大きい伝導帯を形成すると期

66.1

透明酸化物半導体の光・電子デバイ
スへの展開
透明酸化物近紫外発光ダイオード 23）

n 型 TOS である ZnO と p 型 TOS である SrCu2O2 を組み待される In を含む CuInO2 において，置換ドーピングにより，n 型および p 型伝導を実現した 5）。さらに，それらを接合することで，立ち上がり電圧約 1.8 V の良好な整流特性を示す PN ホモ接合ダイオードを初めて実現した。

6.3

透明紫外線センサー 24）

合わせて，初めての透明酸化物紫外発光ダイオードを実

オゾン層の破壊が進む中，人体にとって有害な紫外線現した。ZnO はバンドギャップ 3.3 eV の直接遷移型半導（UV-B）を検知する紫外センサーの重要性が高まってい体であり，励起子の束縛エネルギーが 59 meV と室温のる。最近では GaN を用いた携帯型紫外線センサーが市販

エネルギー（26 meV）よりも大きいことから，室温励起されている。透明酸化物半導体は可視光領域において透子に由来する紫外（380 nm）発光材料として知られる

明で，化合物半導体と比較して毒性が少なく，熱的・化

n 型 TOS である。こうして作製したデバイスで，順方向学的にも安定であるため，紫外線センサー材料として適電流注入によって，図 13 に見られるように，382 nm

した材料と考えられる。YSZ 基板上に n-ZnO / p-NiO:Li /にシャープな発光ピークが観測された。紫外発光強度がITO（電極）を，PLD 法によりエピタキシャル成長させ，

約 3 V で急峻な立ち上がりを示したことから，発光がヘテロ接合ダイオードを作成した。このダイオードを用

ZnO 層側での電子-ホールの再結合に起因する発光であいた透明紫外線センサーを開発した。図 14 に UV 応答性

ることが確認できた。

能を示す。− 6 V のバイアスを印加することにより，波6.2

透明酸化物 PN ホモ接合ダイオード 34）

これまで，多くの n 型，p 型の TOS が報告されてきた136

長 360 nm の紫外線で 0.3 AW − 1 の応答性能が得られた。
これは既に商品化されている GaN 製 UV 検出器（〜 0.1
AW − 1）と同等の性能である。

OPTRONICS（2004）No.10

0.3

オフ（閾値電圧 Vth 〜 3 V）特性 ，µeff 〜 80 cm2V − 1s − 1，

4

−6V

2
0.1

を有する高性能透明 FET を実現した。

3

0.2

−4V

AbsorbanceResponsivity（AW−1）

電流 ON/OFF 比〜 106 の実用システムへ応用可能な特性

透明 FET の典型的な出力特性を示す。ドレイン電流 I ds

−2V
0V
300

よびゲート絶縁膜には ITO およびアモルファス HfOx（厚さ 〜 80 nm） を そ れ ぞ れ 使 用 し ， 可 視 光 領 域 （ T trans.
〜 100 %）で完全に透明である（図 15（b））。図 15
（c）
に，

1

0

図 15
（a）
に透明 FET のデバイス構造を示す。各電極お

350

400
450
Wavelength（nm）

500

はソース-ドレイン電圧 Vds の増大とともに急激に増加す

0

ることから，チャネルが n 型であることが確認できる。

図 14 p-NiO / n-ZnO ヘテロ接合紫外線検出器の光応答スペクトル
デバイスに逆バイアスを印加することにより，紫外線検出が可能になる。

また，Vds ＝ 8 V 程度以上で電流が飽和する明確なピンチ
オフ特性を示し，このデバイスが従来の FET 理論に従う，
良好な動作をしていることがわかる。このデバイスの電界効果移動度（線形領域・飽和領域）は〜 80 cm2V − 1s − 1
であり，従来の透明 FET と比較して大きく改善された。

6.4 透明電界効果型トランジスタ 9）

また，利得特性（図 15（d））から，10 − 9 A オーダーの低TOS における可視光透明性と伝導キャリアの極性・濃いオフ電流，1 mA 以上の飽和電流（ON 電流），〜 106 の度の制御性から実現される光・電子機能を利用した新し

高い電流オン／オフ比が得られた。このような高性能ないデバイスとして，透明電界効果型トランジスタ（透明透明 FET は，チャネル層として欠陥濃度の低い高品質単FET）が期待されている。透明 FET は，能動型平面ディ結晶薄膜を，ゲート絶縁膜として高誘電率の HfO x を用

スプレイの駆動素子として，期待されている。さらに，

いた事に起因していると考えられる。以上の結果，適切透明 FET では，チャネル層材料のバンドギャップが大きな材料選択と高品質単結晶薄膜作成技術を組み合わせる

く熱励起キャリア密度が低いことから，Si MOS FET で問題となっているオフ状態リーク電流を劇的に低減できる可能性もある。これまでに，n 型 TOS としてよく知らITOれている SnO2 や ZnO 等をチャネル層に用いた透明 FET。しかしながら，これら TOS では

single cr

ystalline（b）デバイスチップの写真
10−2
VDS＝2V

VGS（V）
3.0

R-SPE 法により，残留キャリア濃度が 1015 cm − 3 以下

9

2.0

8
1.0

0

と低い。

10

7
6
5
0

5
10
15
Drain voltage, VDS（V）

10−4

10−4

10−6

10−6

−8

10

10−8

10−10

10−10

−12

10
20

（c）出力特性−50510Gate voltage, VGS（V）

10−12（d）利得特性の InGaO3（ZnO）5 単結晶薄膜を作製することに成功した。
この薄膜を n 型チャネル層に用いることで， ノーマリー

OPTRONICS（2004）No.10

図 15

透明電界効果トランジスタ

137

Leakeage current, IG（A）

−2

10

4.0
Drain current, IDS（mA）

粒界を含む多結晶体を用いているため，〜 5 cm2V − 1s − 1

1 mm（a）デバイス構造難である。そのため，作製された透明 FET はゲート電圧

は，チャネル層に伝導キャリアの主散乱原因となる結晶

120
（nm）

留キャリア濃度を 1017 cm − 3 以下にすることが極めて困

マリーオン"特性を示す。また，電界効果移動度（µ eff）

film

1）

るため，カウンタードーピングなしではチャネル層の残

ノー

40

ZnO）m

YSZ（11

酸素欠損により高濃度の伝導キャリアが容易に導入され非印加時にもソース−ドレイン間に電流が流れる

ITO

Drain current, IDS（A）

は報告されている

InGaO（335, 36）80

ITO
a-HfOx

特 集

機能性透明酸化物とオプトエレクトロニクス―ERATO 細野透明電子活性プロジェクト成果

ことにより，多結晶シリコントランジスタに匹敵する性能を持つ透明電界効果トランジスタを実現できた。

参考文献
1）細野秀雄，神谷利夫 セラミックス 38，825（2003）．
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035203 (2002).
18）M. Orita, H. Ohta, M. Hirano, S. Narushima, and H. Hosono, Phil.
Mag. 81, 501 (2001).
19）S. Narushima, H. Mizoguchi, K. Simizu, K. Ueda, H. Ohta, M.
Hirano, T. Kamiya, and H. Hosono, Adv. Mater. 15, 1409 (2003).
20）H. Mizoguchi, M. Orita, M. Hirano, S. Fujitsu, T. Takeuchi, and H.
Hosono, Appl. Phys. Lett. 80, 4732 (2002).
21）H. Ohta, M. Orita, M. Hirano, H. Tanji, H. Kawazoe, and H. Hosono,Appl. Phys. Lett. 76, 2740 (2000).
22）H. Ohta, M. Orita, M. Hirano, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 91,
3547 (2002).
23）H. Ohta, K. Kawamura, M. Orita, M. Hirano, N. Sarukura, and H.
Hosono, Appl. Phys. Lett. 77, 475 (2000).

13824）H. Ohta, M. Hirano, K. Nakahara, H. Maruta, T. Tanabe, M. Kamiya,
T. Kamiya, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 83, 1029 (2003).
25）H. Ohta, T. Kambayashi, M. Hirano, H. Hoshi, K. Ishikawa, H.
Takezoe, and H. Hosono, Adv. Mater. 15, 1258 (2003).
26）H. Ohta, T. Kambayashi, K. Nomura, M. Hirano, K. Ishikawa, H.
Takezoe, and H. Hosono, Adv. Mater. 16, 312 (2004).
27）H. Ohta, K. Nomura, M. Orita, M. Hirano, K. Ueda, T. Suzuki, Y.
Ikuhara, and H. Hosono, Adv. Funct. Mater. 13, 139 (2003).
28）H. Hiramatsu, K. Ueda, H. Ohta, M. Orita, M. Hirano, and H.
Hosono, Appl. Phys. Lett. 81, 598 (2002).
29）H. Hiramatsu, K. Ueda, K. Takafuji, H. Ohta, M. Hirano, T. Kamiya,and H. Hosono, J. Mater. Res. 19, 2137 (2004).
30）H. Hiramatsu, H. Ohta, T. Suzuki, C. Honjo, Y. Ikuhara, K. Ueda, T.
Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Cryst. Growth Des. 4, 301(2004).
31）H. Hiramatsu, K. Ueda, K. Takafuji, H. Ohta, M. Hirano, T. Kamiya
and H. Hosono, J. Appl. Phys. 94, 5805 (2003).
32）H. Kamioka, H. Hiramatsu, H. Ohta, K. Ueda, M. Hirano, T. Kamiya,and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 84, 879 (2004).
33）H. Kamioka, H. Hiramatsu, K. Ueda, M. Hirano, T. Kamiya, and H.
Hosono, Opt. Lett. 29 , 1659 (2004).
34）H. Yanagi, K. Ueda, H. Hosono, H. Ohta, M. Orita, and M. Hirano,
Solid State Commun. 121, 15 (2002).
35）M. W. J. Prins, S. E. Zinnemers, J. F. M. Cillessen, and J. B. Giesbers,
Appl. Phys. Lett. 70, 458 (1997).
36）P.F. Carcia, R.S. McLean, M.H. Reilly, and G. Nunes. Jr., Appl. Phys.
Lett. 82, 1117 (2003).

■ Transparent Oxide Semiconductor and Their Device
Applications■ ① Toshio Kamiya
Hiramatsu② Hiromichi Ohta

④ Hayato Kamioka③ Hidenori⑤ Kenji Nomura■ ① Associate Professor, Materials and Structures
Laboratory, Tokyo Institute of Technology. Group Leader,
TEAM(ERATO/JST) ② Associate Professor, Graduate
School of Engineering, Nagoya University. Group Leader,
TEAM(ERATO/JST) ③ ④ ⑤ PhD.Researcher, TEAM(ERATO/JST)OPTRONICS（2004）No.10

■ Recent progress in transparent oxide semiconductor

②オオタ

ヒロミチ

所属：名古屋大学大学院

工学研究科

助教授，

(TOS) is reviewed in conjunction with our material design

細野透明電子活性プロジェクト（JST/ERATO）

concept. First we discuss typical electronic structure of

グループリーダーoxides, and point out what is needed to design new TOSs

連絡先：〒 464-8603

名古屋市千種区不老町

名古屋大学工学研究科

物質制御工学専攻

and p-type TOSs. Then the new TOSs that we have foundTel. 052-789-3202

are introduced. New techniques to grow high-quality

E-mail ： h-ohta@apchem.nagoya-u.ac.jp

epitaxial films of TOSs are also given, which include a novel
technique so called Reactive Solid-Phase Epitaxy. We havealso proposed that we may find new funcitons in TOSs withnatural nanostructures embedded in their crystal structures.
We show the case of layered oxychalcogenides as an

Fax. 052-789-3201

経歴： 1996 年 3 月名古屋大学大学院工学研究科物質化学専攻・博士前期課程修了。1996 年 4 月〜 97 年 12 月 三洋電機。
1998 年 1 月〜 2003 年 9 月 HOYA。1999 年 11 月〜細野透明電子活性プロ
ジェクト（JST/ERATO）（〜 2003 年 9 月 HOYA より出向）。2001 年 9 月東京工業大学大学院総合理工学研究科 物質科学創造専攻修了（工学博士）。
2003 年 10 月名古屋大学大学院工学研究科 助教授。現在に至る。

example. Finally, device applications of the TOSs are
summarized.

③ヒラマツ

ヒデノリ

所属：細野透明電子活性プロジェクト（JST/ERATO）

研究員

連絡先：〒 213-0012

川崎市高津区坂戸 3-2-1

KSP C 棟 1232
Tel. 044-850-9764

Fax. 044-819-2205

E-mail ： h-hiramatsu@net.ksp.or.jp
経歴： 1996 年 3 月古屋大学工学部応用化学および物質化学科 卒業。1998 年 3 月 名古屋大学大学
院工学研究科物質化学専攻修士課程修了。1998 年 4 月〜 2000 年 9 月 松
下電器産業。2004 年 3 月 東京工業大学大学院総合理工学研究科材料物
理科学専攻博士課程修了。2000 年 10 月より現職。

④カミオカ

ハヤト

所属：細野透明電子活性プロジェクト（JST/ERATO）

研究員

連絡先：③と同じ
Tel. 044-850-9799

Fax. ③と同じ

E-mail ： h-kamioka@net.ksp.or.jp
経歴： 1996 年 京都大学理学部卒。東京大学理学系研究科修士課程を経て，2001 年 同大学博士課①カミヤ

程終了。同年より現職。主として超高速分光法をトシオ

所属：東京工業大学

応用セラミックス研究所

用いた固体の光物性の研究に従事。物理学会，応用物理学会会員。

助教授，細野透明電子活性プロジェクト（JST/ERATO）グループリーダー
連絡先：〒 226-8503

横浜市緑区長津田町 4259

⑤ノムラ

ケンジ

東京工業大学応用セラミックス研究所 Mailbox R3-4

所属：日本学術振興会 特別研究員

Tel. 045-924-5357

連絡先：①と同じ

Fax. 045-924-5350

E-mail ： tkamiya@msl.titech.ac.jp

Tel.Fax. ①と同じ

経歴： 1991 年 3 月東京工業大学大学院理工学研

E-mail ： nomura@lucid.msl.titech.ac.jp

究科無機材料工学専攻修士課程中退。1991 年 4 月東京工業大学工学部助

経歴： 2001 年 3 月 名古屋工業大学大学院工学研

手。1996 年 11 月同大学院総合理工学研究科電子化学専攻助手。1997 年

究科物質工学専攻修士課程修了

4 月同応用セラミックス研究所附属構造デザイン研究センター助手。

東京工業大学大学院総合理工学研究科材料物理科

2004 年 3 月

2000 年 4 月〜 02 年 2 月英国ケンブリッジ大学キャベンディッシュ研究所

学専攻博士課程修了その間

マイクロエレクトロニクス研究センター客員研究員。2002 年 1 月東京工年 4 月 細野透明電子活性プロジェクト（JST/ERATO）非常勤研究員

業大学応用セラミックス研究所セラミックス機能部門講師。2003 年 122003 年 4 月 日本学術振興会 特別研究員， 現在に至る

月同助教授。現在に至る。

専門分野：材料工学（酸化物半導体を用いた電子デバイス）

OPTRONICS（2004）No.10

2001 年 4 月〜 2003

139

特集
特 集
機能性透明酸化物とオプトエレクトロニクス― ERATO 細野透明電子活性プロジェクト成果

透明ナノポーラス結晶：
12CaO・7Al2O3
林克郎， 松石

1

はじめに

聡， 宮川

仁 ， Peter V. Sushko， 神 谷 利 夫

結晶格子
包接陰イオン［Ca24Al28O64］4＋4X−

磁性体，誘電体，イオン伝導体，そして高温超伝導体や強相関化合物といった機能セラミックス材料の性能の発現には，材料を構成する遷移金属や希土類の陽イオンAlの役割が重要視されている。典型金属元素の酸化物は，

O
O−

資源として豊富であり，環境調和性の点で優れているが，

O2−

Ca

機能材料としては見込みが無いように思われがちである。しかし今後は，ナノ構造という新たな視点と，陰イ

1 nm

オンの制御という新しい方向性によって，典型金属元素の酸化物が機能材料として見直されるかもしれない。本
プロジェクトで取り上げた 12CaO ・ 7Al2O3（C12A7）は，

図 1 C12A7 の結晶構造と，ケージ中への陰イオン（O −と O2 −）の包接結晶格子は，1 ケージあたり＋ 1/3 の電荷を持つため，一部分のケ
ージに陰イオンを包接することで，結晶の電気的中性が保たれる。

クラーク数上位の典型元素（Ca ： 5 位，Al ： 3 位，O ：1 位）のみからなる金属酸化物である。C12A7 の結晶格

ン伝導性の起源と考えられている 1）。また，C12A7 は高子は，図 1 に示すように直径約 0.4 nm の空隙を持つ籠状

温安定相であり，単純な固相反応でケージ構造を持つ結構造（ケージ）から構成される。この結晶格子が正電荷晶が得られる。これは，実用上，ゼオライトなどにはなを帯びることから，ケージ内部に様々な陰イオンを自在

い大きな強みである。これまで，当プロジェクトでは，に取り込む（＝包接）ことができる。この特徴をうまくC12A7 の透光性セラミックス 2），パルスレーザー蒸着法

利用すると，単なるカルシウム，アルミニウムの酸化物による薄膜 3） を得ている。また山梨大学と共同で帯融でありながら，冷陰極電子放出源，光で瞬時に透明電子（FZ）法により単結晶を育成している 4）。

回路を作る，強力な活性酸素を高密度に発生させるといった，多彩な機能を発揮させることができる。

2

活性酸素 O −，O2 −の包接と効率生成

一般に，ゼオライトのような多くの自然ナノポーラス
結晶は陽イオンを包接した形態で生成するが，C12A7 の活性酸素は，短寿命であるが，反応性に富んだ状態に場合は，陰イオンを包接するのが特徴である。化学量論

ある酸素関連化学種の総称である。この中でも，O −は組成では 2 個の酸化物イオン（フリー酸素）が 1/6 のケー

際立って強い酸化力を持つ 5）。O −を酸化反応に利用でき

ジ内サイトをランダムに占有しており，高速酸化物イオ

れば，工業的な波及効果は大きいが，経済的に成り立つ

140

OPTRONICS（2004）No.10

生成手法や反応プロセスが実現されていない。また，超酸化物イオン（O2 −）が不安定であり，これが活性酸素

酸化物ラジカル（O2 −）も，生体中を含めた様々な酸化生成の駆動力になっているようである 10）。

反応に関わる重要な化学種である。条件を適切に選べば，

特に C12A7 中の O2 −について，その包接状態（サイト，

このような活性酸素陰イオン，O −と O2 −が C12A7 結晶

配向，運動状態）の詳細を，C12A7 単結晶の電子スピンのケージ中に容易にかつ大量に生成できることが，当プ共鳴によって明らかにした 11）。図 3 のようにケージの中

ロジェクトによって見出された。従来，空気中で焼成さ心には結晶＜ 100 ＞に平行な 2 回回転対称軸（C2）があ程度の O2 が生成するこり，ケージの 6 個の Ca2 ＋イオンのうち 2 個はこの軸上にとは知られていた 6）。当プロジェクトでは，C12A7 セラある。O 2 −はこれらのうちの一方に吸着しており，このミックスの焼結・徐冷を乾燥酸素中で行うだけで，ケー

とき O 2 −の O-O 結合軸はその中点で C 2 軸と直交していジ中に 6 × 1020 cm − 3（O2 −： 4 × 1020 cm − 3，O −： 2 ×

る。温度の上昇に伴い，熱的擾乱によって， O-O 結合

れた C12A7 中に 1 × 10

10

20

cm

−3

19

cm

−3

−

，常温気相に換算して数 10 気圧の極めて高い
7）濃度）の活性酸素を包接できることを見出した 。この−軸は C 2 軸を中心に回転運動するようになる。C12A7 中の O 2 − の包接状態はアルカリハライドのアニオン欠陥

ような高濃度の O を生成した状態は，我々の知る限り，（F センター）に捕捉された O2 −の状態と非常に良く似てこの材料のみでしか実現されていない。

いる。

ケージ中に生成される活性酸素の量は雰囲気に強く依また，東京大学との共同研究により，結晶内部に生成存し，酸素分圧を高めるほど，また水蒸気分圧を低くすさせた O − を真空中で電場によって引出し，高密度のるほど大きくなる 7 〜 12）。例えば，熱処理を行う雰囲気のO − イオン電流（ビーム）を得ることに成功した 12 〜 14）。

酸素分圧を 100 気圧以上に高めると，O2 −と O −の総量は，活性酸素を包接させた C12A7 セラミックスの片面に電極

21

−3

）近

を形成して，対向引出し電極と共に真空チャンバー中にくにまで達する 。更に，活性酸素の生成を熱力学的に配置した。C12A7 を最大で 800 ℃まで加熱しながら取り扱うことで，図 2 に示すように酸素雰囲気中での活1 kV・cm − 1 程度の電場を印加すると，セラミックスから性酸素の平衡濃度を算出することができる。これによれ

真空中にほぼ純粋な O − の放出が認められ，電流値はば，温度が下がるほど，また高温域では，酸素分圧の1 µA・cm − 2 以上を達成した。これは O −ビームとしては

1/2 乗に比例して平衡濃度が増大する。いくつかの実験

実用レベルの高密度の値である。従来，固体から直接結果から，ケージの内部は金属酸化物の表面に類似した

O − を生成させるために，酸化物イオン伝導体である，状態にあることが分かってきた。このような状態では，

イットリウム安定化ジルコニアが検討されていた 15）。

1 価の陰イオンのほぼ包接量上限（2.3 × 10cm

8）

しかし，O −放出の際に，表面で O2 −が O −に解離する過程が必要であることなどから，，イオン電流は nA オーダ
2
平衡酸素ラジカル濃度（1021 cm−3）

ーに留まっていた。C12A7 では，内部に存在する O −を

400
100
20
5
1

Po2＝0.2

Side
O2−

1

Top

y‖［010］
C2

［100］
x

2＋

Ca

O2−
O−
0

0

O2−

［001］
1000

500
温度（℃）

図 2 酸素分圧，温度と平衡酸素ラジカル濃度との関係
丸点は，実測平衡濃度を表す。

OPTRONICS（2004）No.10

1500

Al3＋

［001］

O2−

z

図 3 C12A7 のケージ中の O2 −の包接状態
右図は左図を上から見たもの。

141

特 集

機能性透明酸化物とオプトエレクトロニクス―ERATO 細野透明電子活性プロジェクト成果

きる。H −が導入された C12A7（C12A7:H −）単結晶は，
ヒーター

作製直後は無色透明で，10 − 10 S・cm − 1 以下の絶縁体で

C12A7
引き出し電極ある。そこに，波長 300 nm 前後の紫外線を照射すると，0.4 eV と 2.8 eV を中心とした光吸収帯が生じることで被照射物

緑色に着色し，同時に，室温で 0.3 S・cm − 1 程度の電子

O−

O2ガス

伝導性が生じる（図 5）。電子伝導状態は室温では安定で，一年後でも全く劣化しない。さらに着色と電子伝導性は，
300 〜 400 ℃の加熱によって消失するため，C12A7:H −をレンズ

可逆的に無色透明の絶縁体に戻すことができる。

真空チャンバー

C12A7 の量子化学計算によれば，結晶中のイオンが作る静電ポテンシャルにより，ケージ内のイオンの準位がバンドギャップ内に位置する 17）。このため，比較的不安
図 4 C12A7 を用いた連続 O −照射システムの概念図
C12A7 管の背面側に多孔質金属電極を形成して，その界面で酸素ガスを O −にイオン化する。

定な H −などの陰イオンが安定化されると考えられる。
更に，構造緩和も考慮した埋め込みクラスターの密度汎関数による理論計算 18）により，C12A7 中の電子伝導状

直接電場で引き出すことで，飛躍的に O −の放出効率を態について検討を行った。C12A7:H −に紫外線を照射す

高めることができた。

ると，H −から光励起によって電子が放出され，これがO −の高い反応性と，電場によって真空中に純粋な高−空のケージに捕獲される。図 6 は，C12A7 のエネルギー密度の O イオン電流として取り出せることを利用して，準位図である。結晶格子が作る基礎バンドギャップ内に酸化触媒，滅菌，酸化膜形成プロセスなど様々な応用にケージに捕獲された電子の準位があることが特徴であ展開できると期待される。この目的のため，幾つかのグる。この状態は，F ＋ 状中心とも呼ぶべきものである。

ループ間の協力により，図 4 に示す連続的に O −ビーム

電子濃度が十分低い場合は，電子とケージの引力により，を生成できるシステムの開発を進めている。現在基本的電子を包接しているケージが縮むことで，電子が局在化な動作が確認できたことから，いくつかの適用例で実証する。ところが，温度が十分高くなると，電子は格子振中である。

動と共に隣のケージにホッピングすることが可能にな

水素化物イオン H −の包接と紫外線誘起電子伝導性
4SiO2，Al2O3，CaO といった典型軽金属酸化物は，良好な絶縁体で，決して電子伝導性を得られないというのがが，本プロジェクトでは，H −イオンをケージ中に導入することで，典型軽金属酸化物における最初の電子伝導

3000

2

1

体を実現することに成功した 16）。
H −は，O −とは対照的に，最も強力な還元力をもつ陰−Wavelength（nm）
400 500
1000

3Absorbance

これまでの常識であった。C12A7 もその範疇に含まれる

300

Sensitivity（arbitrary units）

3−

イオンである。しかし，H を含む無機固体やその H に

0

5

4

2
3
Photon energy（eV）

10

よる物性への影響は，最近になって着目され始めてきたばかりである。C12A7 の場合，高温水素熱処理によって，ケージ中へ 1020 cm − 3 程度の H −を取り込ませることがで142

図 5 H −を包接した C12A7 単結晶の紫外線照射前と照射後の光吸収ス
ペクトル
丸点は，感光感度の光子エネルギー依存性を示す。

OPTRONICS（2004）No.10

移に対応している。
exited stateinter-cagetransition

今回得られた特性を利用すれば，例えば，紫外線照射によって，直接透明電子回路をパターニングするといっ

Conductin band

た応用が可能となる。また電子線照射によっても感光させることができるので 19），微細なパターニングによって，

2.3〜2.7 eV
0.6〜1.1 eV
H− in cage 1

e− in cage 1

H− level

新たな機能性が得られるかもしれない。このような機能

4.0 eVを持つ薄膜は，パルスレーザー蒸着法によって製膜した

Valence band

C12A7 を，高温水素処理することで実現されている 3）

1.2 eV（図 7）。また，後述のように，イオンの注入によって更に高い伝導度を持つ薄膜 C12A7:H −を得ることもできる。
図 6 埋め込みクラスター密度汎関数法による第一原理計算によって得られた C12A7 のエネルギー準位図る。この場合は，エネルギーの高い中間状態を経過して，4

室温，大気中で安定なエレクトライドの実現と冷電子発生−
紫外線照射後の C12A7:H の室温での電気伝導度は最隣のケージに飛び移る。このように，電子の移動と格子

高 10 S・cm − 1 程度であり，ケージ中の電子の濃度は〜の歪み（格子振動）が結合して電子がホッピング伝導す

1020 cm − 3 と見積もられている。もし，すべてのフリー

る，いわゆるポーラロン伝導をしていると考えられる。

酸素イオンを電子で置換えることができれば，最高

この際，エネルギーの高い中間状態を経過するため，電2.3 × 1021 cm − 3 という濃度の電子が C12A7 に導入される

気伝導率は 0.1 eV 程度の活性化エネルギーを示す。光をと期待される（［Ca24Al28O64］4 ＋（O2 −）2 →［Ca24Al28O64］4 ＋

照射した場合にも，包接電子は隣のケージに移ることが（e −）4）。C12A7 単結晶を金属カルシウム片と共にガラスできるが，この場合は格子緩和が追いつかず，隣のケ管に封入し，700 ℃で加熱することで，ケージから効率ージに移った状態は 0.4 eV 程高い状態になる。0.4 eV 付

的にフリー酸素イオンを引き抜き，代わりに電子を包接

近の吸収ピークは，この電子のケージ間遷移によるもの

することができる 20）。図 8 に示すように，カルシウム処である。同時に出現する 2.8 eV の吸収ピークは，電子が理を行うと，紫外線照射後の C12A7:H −とまったく同様

同じケージにとどまったまま，高いエネルギー状態に遷の光吸収バンドが現れ，無色透明の C12A7 単結晶が緑色

移するケージ内遷移に起因する。これは，ケージを単一から黒色へと変化していく。また，この吸収バンドの成量子ドットと見立てたときの，s 軌道から p 軌道への遷長と同時に電気伝導度も上昇し，最も処理の進んだ試料
f では室温で約 100 S・cm − 1 という高い電気伝導度が得られた（図 9）。電気伝導度，光吸収，電子スピン共鳴などの結果を総合すると，試料 f の包接電子濃度は〜 2 × 10 21 cm − 3 となり，すべてのフリー酸素イオンが抜かれた場合に予想されるものに一致した。

紫外線照射前紫外線照射後

全てのフリー酸素イオンが電子で置換された C12A7（C12A7:e −）では，電子がフリー酸素イオンの代わりに陰イオンの役割を担っていると見なすことができる（図10）。電子が陰イオンとして振舞う物質はエレクトライド（electride，電子化物）とよばれ，これまで，クラウ

図 7 H −を包接した C12A7 薄膜（厚み： 200 nm）が紫外線照射によって絶縁体から導体に変化する様子
薄膜は外観上，照射前後で無色透明のままである。

OPTRONICS（2004）No.10

ンエーテルなどの有機分子によりアルカリ金属陽イオンと電子を空間に分離することで得られてきた 21）。電子は

143

特 集

吸収係数（102 cm−1）

機能性透明酸化物とオプトエレクトロニクス―ERATO 細野透明電子活性プロジェクト成果

Ca処理時間a4b

8 18 40 240 h

c

d

e

f

（1）

単位格子

4

d

2.8 eV

O

c

2

Ca

b

0

a
4

吸収係数［拡散反射］（任意単位）

00.4 eV
62
1
3
光子エネルギー（eV）

a＝1.199 nm
0.4 eVAl電子（雲）f
2.8 eV

e
d
a

4

3
2
1
光子エネルギー（eV）

図 10

C12A7 エレクトライドの結晶構造のイメージ図（2）

しかも大型の単結晶の得られるエレクトライドが得られ
図 8 カルシウム金属蒸気処理による C12A7 単結晶の色の変化と光吸収スペクトルたことは，大きなブレークスルーである。
C12A7:e −のケージ内の電子は緩く束縛された状態にある。そのため，一般的な金属や半導体と比べ，電子は電気伝導度（S・cm−1）［常用対数表示］高いエネルギーを持っていて，その濃度も〜 1021 cm − 3
300 100

50

温度（K）
30
20

15

と非常に高濃度である。このような特異な電子構造は，
電子放出源として有望である。そこで，C12A7:e −単結2晶を用いて，真空中で電子放出の検討を行った 22）。

f0

表面を鏡面研磨した単結晶の背面に白金電極を形成

−2
e

−4

二極管構造を作製した。図 11 は，その電流−電圧特性

d

−6

c
−8
10

し，単結晶表面から 0.05 mm の位置に収集電極を配したである。印加電界の増大に伴い，熱電子放出型から，b

Fowler-Nordheim トンネル機構による電界電子放出に変20 30 40 50 60
1000／温度（K−1）

化しており，一般的な電子放出理論に従っている 23）。電極間距離が大きく，放出面が鏡面であることで電界集中

図 9 カルシウム金属蒸気処理した C12A7 の電気伝導度の温度依存性
図中のアルファベットは，図 8 の試料に対応している。

が起こらないため，実験上の動作電圧は高くなるものの，
2000 V 印加時には 22 µA/cm2 の放出電流密度が観測されている。次いで，C12A7:e −を電子放出源として，収集負の電荷をもつという点では 1 価の陰イオンと同じであ電極に ZnO:Zn 蛍光体を用いた電界放射型発光デバイス

るが，質量が小さく量子力学的に振舞うので，エレクトを作製した。図 11 中の写真は，実際に緑色に発光してライドには興味深い物性が期待される。しかし，これまいる様子である。蛍光灯下でも明瞭な発光が観測された。

で実現したエレクトライドは不安定で，− 40 ℃程度で電流−電圧特性から得られた見かけ上の仕事関数は，分解し，かつ低温でも空気に曝すと壊れてしまうことか

約 0.6 eV と，非常に小さな値であった。紫外光電子分光

ら，物性研究は十分に進展していなかった。そこで，最測定から求めた C12A7:e −の仕事関数は〜 3.7 eV であり，

近は有機分子の代わりに強固な骨格をもつゼオライトを

電子放出特性から得られた値と大きく異なった。この原用いたエレクトライドの合成が検討され始めたところで因として，表面バンドベンディング，表面構造緩和や表あった。C12A7 を用いることで室温・空気中で安定な，面分極などが挙げられる。特に C12A7 では，結晶格子が

144

OPTRONICS（2004）No.10

Temperature（K）
300

50

1

10

0

0

500

1500
1000
引き出し電圧（V）

2000

図 11 C12A7 エレクトライドからの電子放出特性
内挿図は，ZnO:Zn を蛍光体に用いた電界放射型発光デバイスが動作している様子。

「柔らかい」ために容易に変形する。すなわち C12A7 表面の電子構造の解明は，今後の研究に必要とされる大き

−1

12.5

1×1018 cm−2

1×1017 cm−2
Log［F＋-center（cm−3）］20

Log［Conductivity（Scm−1）］

電流密度（µA/cm2）30−3

1×1016 cm−2
−5
1×1015 cm−2
−7

10

20

21
20
19
18

15
18
16
17
Log［H fluence（cm−2）］

30
40
50
1000/T（K−1）

60

70

80

図 12 600 ℃でプロトンを注入した C12A7 薄膜における，紫外光照射後の電気伝導度の温度依存性
内挿図は，生成した電子濃度とプロトン注入量の関係。

な課題である。

5

御できる。例えば，1 × 1018 cm − 2 の注入によって，室温

イオン注入による−
H イオン，電子の包接24）

で〜 10 S・cm − 1 の伝導度を得ることができる。
アルゴンのように，大きな質量を持った元素を結晶中を用いると，ビームの電流密度と時に高濃度で打ち込んだ場合，多くの結晶では，強いダメ間を制御することで容易に注入量を制御できる。また，ージを受け，その結果，結晶構造が破壊されアモルファ

非平衡プロセスである為，局所濃度を高めやすい。このス化する。しかし，C12A7 では，1 × 1018 cm − 2 もの高いような特徴を利用すると，C12A7 薄膜へのプロトンイオ

照射量でも，結晶構造を保持し続けることが判明した。

ン注入によって，水素中熱処理では得られない高濃度のまた，注入量 5 × 10 17 cm − 2 以上のアルゴンイオンをH −イオンを導入したり 25），あるいは，アルゴンイオン

600 ℃で注入した場合には，〜 1 S・cm − 1 の電子伝導性が注入によって，結晶構造を壊すことなくケージ中のフリ発現する。注入量が 1 × 1017 cm − 2 以下の場合は，注入後ー酸素イオンを弾き出し，代わりに H −イオン又は電子は絶縁体であったが，プロトン照射の際と同様に，紫外イオン注入法をケージにドープすることが可能となる

26）。

線照射により電気伝導度の増加が認められた（図 13）。こ

パルスレーザー蒸着法によって成膜した C12A7 薄膜をの結果は，ケージ中に，あらかじめ存在していた OH −イ

600 ℃に加熱しながら，1015 〜 17 cm − 2 のプロトンを注入

オンが，アルゴンイオン照射によって，H −イオンに変化した。イオン注入した薄膜に紫外線を照射すると，した事を示している。図 14 に，アルゴン照射による H −0.4 eV と 2.8 eV にピークを持つ光吸収帯が誘起され，同イオンと電子の形成機構を示した。イオン注入による照時に，電子伝導が生じる。すなわち，プロトン注入によ

射効果により，注入層内の原子の弾き出しやボンドの切−っても，C12A7 中への H イオンの生成が可能である。

断が生じる。その結果，比較的結合の弱い，ケージ内の紫外光照射により誘起される電気伝導度と光吸収帯強度

フリー酸素が酸素分子として放出され，電気的中性を保は，プロトン注入量が多いほど，注入温度が高いほど大つために，電子が C12A7 中に残留する。注入量が低い場−きくなる。従って H イオンの形成には熱活性化プロセ合は，生成する電子の数が薄膜中に存在する OH −の数よスが絡んでいると考えられる。図 1 2 に示すように，り少ないため，生成された電子は，OH −が分解して形成

プロトンの注入量によって，広い範囲で電気伝導性を制されたプロトンに全て捕獲され，その結果 H −イオンとOPTRONICS（2004）No.10

145

特 集

機能性透明酸化物とオプトエレクトロニクス―ERATO 細野透明電子活性プロジェクト成果ージ中への導入が困難であった，重金属イオンを導入するための有効な手法になると考えられる。

Log［σ at 300 K（Scm−1）］

0
−2

6

C12A7 結晶の非常にユニークな機能の多くが，科学的−6な興味の対象であるだけでなく，我々の日常生活に直接−8

UV-light illumination

的に役立つポテンシャルを持っている。実用化のためにも，裾野の広い研究が望まれる。また，C12A7 を起点と

−10
16

17
Log［Ar＋ fluence（cm−2）］

して，多くの材料で活性陰イオンによる新しい機能性が18開拓されていくことを期待したい。

図 13 アルゴンイオン注入した C12A7 薄膜の電気伝導度の注入量依存性■は，注入直後の電気伝導度。◇は，紫外線照射後の電気伝導度
を示す。

1
−O2
2

注入中

O2−

O2−

e−

−

e

H＋

e−

OH−

O2−
e−

［e−］＜［OH−］

H
hν

O

2−

H−

e−

1
−O2
2

high dose
O2−

0

O2−

［e−］＞［OH−］low dose

注入後

O2−

e−
e−

e−
O2−
e−

図 14 アルゴンイオン注入によるケージ中への H −イオンと電子の生成モデル
六角格子は C12A7 中のケージを表している。

なる。一方，注入量が増加し，電子の数がプロトンの濃度を超えると，電子はケージに直接捕獲される。また，
ケージ中の H −イオンは，長時間の注入中では，薄膜中から水素として抜けてしまい，もはやケージ内には存在しなくなる。このように，高質量のイオンを注入しても結晶構造が壊れないために，あたかもフリー酸素イオン
を H −イオン・電子で置き換えるという新規プロセスが実現できた。さらに，イオン注入プロセスは，これまでケ

146

おわりに

−4

参考文献
1）M. Lacerda, J.T.S. Irvine, F.P. Glasser, A.R. West, Nature 332, 525(1988).
2）K. Hayashi, M. Hirano, H. Hosono, J. Mater. Res. 17, 1244 (2002).
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Hosono, Thin Solid Films 445, 309 (2003).
4）S. Watauchi, I. Tanaka, K. Hayashi, M. Hirano, H. Hosono, J. Cryst.
Growth 237, 496 (2002).
5）日本化学会編，活性酸素種の化学，学会出版センター（1990）．
6）H. Hosono, Y. Abe, Inorg. Chem. 26, 1192 (1987).
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124, 736 (2002).
8）K. Hayashi, S. Matsuishi, N. Ueda, M. Hirano, H. Hosono, Chem.
Mater. 15, 1851 (2003).
9）S. Yang, J.N. Kondo, K. Hayashi, M. Hirano, K. Domen, H. Hosono,Chem. Mater. 16, 104 (2003).
10）K. Hayashi, S. Matsuishi, M. Hirano, H. Hosono, J. Phys. Chem. 108,
8920 (2004).
11）S. Matsuishi, K. Hayashi, M. Hirano, I. Tanaka, H. Hosono,
submitted.
12）K. Hayashi, M. Hirano, Q. Li, M. Nishioka, M. Sadakata, Y.
Torimoto, S. Matsuishi, H. Hosono, Electorochem. Solid State Lett. 5,
J13 (2002).
13）Q. Li, K. Hayashi, M. Nishioka, H. Kashiwagi, M. Hirano, Y.
Torimoto, H. Hosono, M. Sadakata; Appl. Phys. Lett. 80, 4259
(2002).
14）Q. Li, H. Hosono, M. Hirano, K. Hayashi, M. Nishioka, H.
Kashiwagi, Y. Torimoto, M. Sadakata; Surf. Sci. 527, 100 (2003).
15）Y. Torimoto, A. Harano, T. Suda, M. Sadakata, Jpn. J. Appl. Phys.
36, L238 (1997).
16）K. Hayashi, S. Matsuishi, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono, Nature
419, 462 (2002).
17）T. Kamiya, H. Ohta, H. Hiramatsu, K. Hayashi, K. Nomura, S.
Matsuishi, K. Ueda, M, Hirano, H. Hosono, Microelectr. Eng. 73-74,
620 (2004).
18）P.V. Sushko, A.L. Shluger, K. Hayashi, M. Hirano, H. Hosono, Phys.
Rev. Lett. 91, 126401 (2003).
19）K. Hayashi, Y. Toda, T. Kamiya, M. Hirano, I. Tanaka, T.

OPTRONICS（2004）No.10

Yamamoto, H. Hosono, submitted.
20）S. Matsuishi, Y. Toda, M. Miyakawa, K. Hayashi, M. Hirano, I.
Tanaka, H. Hosono, Science 301, 626 (2003).
21）J. L. Dye, Inorg. Chem. 36, 3817 (1997).
22）Y. Toda, S. Matsuishi, K. Hayashi, K. Ueda, T. Kamiya, M. Hirano
H. Hosono, Adv. Mater. 16, 685 (2004).
23）石川順三，荷電粒子ビーム工学，コロナ社（2001）．
24）J.S. Williams, J.M Poate, Ion Implantation and Beam Process,Academic (1984).
25）M. Miyakawa, K. Hayashi, M. Hirano, Y. Toda, T. Kamiya, H.
Hosono, Adv. Mater. 15, 1100 (2003).
26）M. Miyakawa, Y. Toda, K. Hayashi, T. Kamiya, M. Hirano, N.
Matsunami, H. Hosono, submitted.

①ハヤシ

カツロウ

所属：細野透明電子活性プロジェクト（JST/ERATO）

研究員

連絡先：〒 213-0012
戸 3-2-1

神奈川県川崎市高津区坂KSP C-1232

Tel. 044-850-9784

Fax. 044-819-2205

E-mail ： k-hayashi@net.ksp.or.jp
経歴： 2000 年 3 月東京大学工学系研究科博士課程修了。2000 年 4 月より現職。

②マツイシ

サトル

所属：東京工業大学応用セラミックス研究所
博士課程
連絡先：〒 226-8503

神奈川県横浜市緑区長津田 4259■ Transparent nanoporous crystal: C12A7■① Katsuro Hayashi② Satoru Matsuishi

Miyakawa ④ Peter V.Sushko

Tel. 045-924-5628③ Masashi

Fax. 045-924-5350

E-mail ： satoru@lucid.msl.titech.ac.jp
経歴： 2002 年 3 月東京工業大学総合理工学研究⑤ Toshio Kamiya■①③ TEAM(ERATO/JST) ② Materials and Structures
Laboratory, Tokyo Institute of Technology ④ Department of科修士課程修了。2002 年 4 月より東京工業大学
総合理工学研究科博士課程在学中。2002 年 4 月〜 04 年 3 月細野透明電子活性プロジェクト（JST/ERATO）非常勤研究員

Physics and Astronomy,University Callege Londo,⑤ Associate Professor, Materials and Structures Laboratory,Tokyo

InstituteofTechnology.

Group

Leader,TEAM(ERATO/JST)

③ミヤカワ

マサシ

所属：①と同じ
連絡先：①と同じ■ 12CaO ・ 7Al 2 O 3 (C12A7) is typically a transparent

Tel. 044-850-9785

insulator as has been practically used as a constituent ofE-mail ： m-miyakawa@ksp.or.jp

alumina cement. Our approach to invest the C12A7 with

経歴： 2002 年 3 月東京工業大学大学院総合理工electro-active functionalities is incorporation of chemically

Fax. ①と同じ学研究科物質科学創造専攻博士課程修了。同年 4月より現職。

unstable, in other words, ‘active’ negative species byutilizing a positively charged cage-structure inherent to thismaterial. Anionic active oxygen radicals, O − and O2 −, areefficiently formed inside the cages under high oxygen
activity. The O − ion, the strongest oxidant among anionic④ピーター V. スシコ
所属：ロンドン大学物理宇宙学科

研究員

連絡先： Department of Physics and Astronomy,

radicals, can be extracted into vacuum by the electric field

University Callege London, London WC1E

application with a thermal assistance, generating high-

6BT,UK

density O − beam with µA・cm − 2 level. In contrast,

Tel. +44-20-7679-3032

reduction by hydrogen atmosphere forms H − ions in the

Fax.+44-20-7679-1360

E-mail ： p.sushko@ucl.ac.uk
経歴： 1994 年サンクト・ペテルブルグ大学物理cages. Resultant C12A7 exhibits a ultraviolet light-induced

学科卒業，1996 年同学修士課程修了，2000 年英electronic insulator-conductor conversion. Furthermore,

国王立協会博士課程修了（ロンドン大学物理宇宙学科）。2000 年より現severer reducing condition allows us to complete

職，博士。細野透明電子活性プロジェクト（JST/ERATO）委託研究員

substitution of electrons for anions in the cages. Such a
C12A7 is regarded as ‘electride’, a compound in which⑤カミヤ

electrons serve as anions. Together with its excellent

所属：東京工業大学 応用セラミックス研究所

stability and electronic conductivity, the C12A7 electride isapplicable for a cold-cathode electron field emitter. We also
demonstrate that ion implantations of H ＋ and Ar ＋ in C12A7

トシオ

助教授，細野透明電子活性プロジェクト（JST/ERATO）グループリーダー
連絡先，経歴：本特集「透明酸化物半導体とデバ
イスへの展開」を参照

thin films are effective for the H − and the electron doping.

OPTRONICS（2004）No.10

147

特集
特 集
機能性透明酸化物とオプトエレクトロニクス― ERATO 細野透明電子活性プロジェクト成果

深紫外透明材料と紫外
オプトロニクスへの展開
梶原浩一， 大登正敬， Linards Skuja

紫外透明材料としてのシリカガラスに，新たな課題をも

1

はじめに

たらした。シリコン上に幅〜 100 nm という極細の回路を正確に刻むため，シリカガラスには，十分な透明性と紫外光は，その大気の透過特性によって，いくつかの均一性，さらに，光照射によって変質しない厳しい耐久

波長域に区分されている。オゾン層で吸収されるため地性が求められる。これらの性質を左右するのは，ガラス＞ 300 nm）は，深紫外（Deep-UV，
表に届かない波長域（ 〜に含まれる，わずか ppm オーダーの微量成分や局所構造

DUV）とよばれる。また，酸素によって強く吸収されるの乱れ（欠陥）である（図 1）1, 2）。光ファイバーの実用化と＞ 200 nm）は，真空
ため大気中を透過しない波長域（ 〜共に，シリカガラスの水分や重金属原子に関する高純度

紫外（Vacuum-UV，VUV）とよばれる。DUV-VUV 域の化は著しく進展したが，赤外域に吸収をもたない塩素な透明材料として使われるのは，バンドギャップの大きい

どの不純物や酸素欠陥には，充分な関心が払われてこな

軽金属元素の酸化物やフッ化物である。CaF2 は立方晶でかった。シリカガラスを紫外域で使用するためには，シあるため光学的に等方で，化学的にも安定なため，KrF

リカガラス中の欠陥と，その DUV-VUV レーザー光との（λ ＝ 248 nm，hν ＝ 5.0 eV），ArF（193 nm，6.4 eV），F2相互作用を理解することが，極めて重要である。また，（157 nm，7.9 eV）レーザーといった，エキシマレーザー

光の波長こそ異なるが，DUV-VUV レーザー照射によるを用いた半導体リソグラフィーの光学系に欠かすことがシリカガラスの構造変化は，アモルファスシリコンの光できない。固体材料中で最大のバンドギャップをもつ

構造変化と共通した現象と考えられ，学術的にも興味

LiF（Eg 〜 12 eV）は，耐湿性には劣るものの，VUV 光源深い。

の窓材として重要である。

酸化物の欠陥を制御することによる物質の機能化は，シリカガラスは，DUV-VUV 域で使用できる，ほぼ唯我々の掲げるテーマのひとつである。当プロジェクト発

一の実用アモルファス透明材料である。アモルファスで足当時，シリカガラスは，DUV-VUV 透明材料として十あるため，結晶に比べて大きいサイズのものが得やすく，

分成熟しているとはいえなかった。たとえば，ほとんど自由な形状にも加工しやすい。また，半導体素子用のシのシリカガラスは，透明性が不十分なため，F2 レーザー

リコンを原料とした気相合成法が確立されているので，用光学材料として使うことができなかった。また，多く高純度の製品が容易に手に入る。そのうえ，物理的，化の光ファイバーは，コアに Ge や P などがドープされて学的に安定で，熱膨張率も小さい。これらの利点のため，いるため紫外光を透過させることができず，一方，これシリカガラスは，紫外透明材料として，最も多く使われらのドーパントを除いても，紡糸時に形成される欠陥やている。

その前駆体が，透明化を妨げていた。同時に，これらの一方，エキシマレーザーリソグラフィーの登場は，

148

原因の系統的な理解も不足していた。

OPTRONICS（2004）No.10

Normal bond
O

O

O

Si
O

Si

O

O

O

Oxygen deficiency-related defects
O
O Si
O
Si
O
O
Si
O
O
O
O
Si-Si bondE’centerPhysical disorder
O
Si
O

Si

O Si

O

O
Strained Si-O-Si bond

O

O Si
O

O

5

3

O

4

O

8

6
9

12

6

7
8

KrF
Nd:YAG4ω

250

5

XeCl
XeF
Nd:YAG3ω

300

4

400

3

9

2

14

Nd:YAG

O Si

O

13

9

12

10

11
11

500

12

1000

8

13

O
O

O

O Si
O

SiOH group

O
Si
O

2

F

SiF group

O

O
H H
O
Molecular
MolecularOhydrogenoxygenAtomicO
H
oxygenOO
AtomicOzonehydrogen

VUV absorption edge
1. Fluoride group≡SiF
2. Hydride group≡SiH
3. Chloride group≡SiCl
4. Oxygen vacancy［SiODC（I）］ ≡Si-Si≡
5. Hydroxyl group≡SiOH
6. Peroxy linkage［POL］≡SiOOSi≡
7. E’ center≡Si●
8. Peroxy radical［POR］≡SiOO●
9. Divalent Si／Oxygen divacancy●●［ SiODC（II）］
O-Si-O
10. Ozone molecule
O3
11. Chlorine moleculeCl2
12. Non-bridging oxygen≡SiO●hole center［NBOHC］
13. Oxygen molecule
O2●
14. Self-trapped hole［STH］≡Si-O-Si≡
2
Peak absorption cross section（cm ）＜10−1913

1O
HInterstital chemical species

1

7

Nd:YAG2ω

O
Divalent Si

Non-bridging oxygen Peroxy radical Peroxy linkage（PCL）
hole center（NBOHC）（POR）

8

200

O Si

O

150

ArF

O

Si
O

O

O

O

F2

O

Oxygen excess-related defects

O

O

Dopant-related structures

10−19−10−17＞10−17

VerifiedTentative0

図 1 シリカガラスの主要な構造欠陥とその光吸収

22）

シリカガラスの化学的欠陥，
物理的欠陥，含有分子と材料特性

分子（格子間分子）を取り込みやすい。これらは，シリカガラスの組成や結合の規則性を乱しているので，ここでは「化学的欠陥」とよぶ。
非架橋酸素ホール中心（NBOHC，≡ SiO ， は不対電●

2.1 シリカガラスの化学的欠陥と含有分子との反応●子を示す）は，シリカガラス中の主要な化学的欠陥のひ

理想的なシリカガラスは，化学式 SiO2 で表され，SiO4

とつである。NBOHC が，これまで知られていた 4.8 eV四面体が頂点の酸素を介して立体的に連なった構造をも吸収帯に加え，6.8 eV にも吸収帯をもつことを，実験 3）

ち，Si-O という一種類の結合のみからなるが，実際には，と計算 4）の両面から明らかにした。

図 1 に示すような原子配列の乱れや Si と O 以外の不純物

シリカガラスの Si/O 元素比は，合成条件によってわずを，わずか（〜 10 15 − 10 20 cm − 3）に含む。また，シリかながら変化する。シリカガラスを酸素不足下で作製す

カガラスはすきまの多い構造であるため，そこに小さなると，Si-O-Si 結合の一部から酸素原子が外れ，Si-Si 結

OPTRONICS（2004）No.10

149

特 集

合が生じる。Si-Si 結合は 7.6 eV を中心とした強い吸収をもち，VUV 域の透明性を低下させる 5）。一方，酸素過剰で合成したシリカガラスは，格子間のすきまに酸素分子（O2）を含む。O2 は，単に熱処理するだけでも大気から取り込まれ，その速度から拡散係数と飽和溶解度を求めることができる 6）。大気中の O2 は VUV 光を強く吸収し，原子状酸素（O 0）に解離する。格子間 O 2 もこの吸収をもつことから，O 2 を含むシリカガラスに F 2 レーザーを照射してその変化を調べたところ，O 0 が未解離の O 2 とAreal NBOHC concentration（1015 cm−2）

機能性透明酸化物とオプトエレクトロニクス―ERATO 細野透明電子活性プロジェクト成果

8
F2 laser irradiation（single pulse）＋H0
SiO-H→SiO●（NBOHC）

6

Photon flux: 2.4×1016 cm−2（30 mJ cm−2）
Absorbed photons: 2.2×1016 cm−2
Quantum yield: 0.28

4

2

0
−30

0

30

60
90
Time（s）

反応し，格子間オゾン分子（O 3）7）となることを証明した 8）。また O3 も F2 レーザー光を吸収するため，照射を続けると O2 と O3 の両方が消滅した。このとき，生じた O

0

F2-excited
NBOHC 1.9 eV PL

150

measurement〜20 µsが Si-O-O-Si 結合（パーオキシ結合）を形成し，〜 7.1

timeeV に弱い吸収を与えることを示した 9）。このガラスを熱処理すると格子間 O 2 の濃度が元に戻ることを利用し，YAG 4ω-excited
NBOHC 1.9 eV PL

120

tD

F2 pulset1Y

YAG 4ω pulse

t1Y

t1Y

O0 の拡散係数を求めた 10）。また，O0 を介して，NBOHCとパーオキシラジカル（POR，≡ SiOO ）が互いに変換●すること，POR は〜 5 eV に吸収帯をもつことを実証し

図 2 SiO-H 結合切断による NBOHC 形成プロセスの F2 レーザーポンプ
11, 12）
プローブ法
によるその場測定た 11）。これ以外にも，シリカガラスを高密度励起すると，
Si-O-Si 結合が Si-Si 結合と O0 に分解することが知られて12）ることもできる

16）。

（低密度励起の場合は，片方の Si-O 結合のみが切格子間 H 2 は，NBOHC や E ′中心と反応してそれらを断され，E ′中心（≡ Si ）と NBOHC ができる）。シリカガ

SiOH 基と SiH 基とへ変化させる（終端作用，図 3）ため，

ラス中の原子状酸素は，直接検出する方法がないためこNBOHC と E'中心による〜 4 − 7 eV の吸収を抑えるのにれまで見過ごされてきたが，DUV-VUV レーザー光によ効果がある。一方，H2 を含むガラスに DUV レーザー光る欠陥反応で重要な役割を果たしている可能性がある。

を照射すると，一部の Si-O-Si から O が引き抜かれ，

水素は，シリカガラス中でもっともありふれた不純物

Si-Si 結合が生じる（光還元作用）ため，＞ 7 eV の吸収である。シラン化合物を酸水素炎で加水分解して合成さは増大する 17）（図 4）。感光性ガラスに H2 を含浸すると，いる●れたシリカガラスは，Wet シリカともよばれ，〜 1018 −ただし，Dry シリカは SiH 基を含むことがある。SiH 基
は＜ 8 eV に吸収をもたないとされる。一方，SiOH 基は，＞ 7.4 eV に吸収をもち，VUV 透明性を低下させる。
Wet シリカに F2 レーザーを照射し，欠陥形成の様子を調べたところ，SiOH 基が孤立状態から水素結合状態へと変化すること 13, 14），また，O-H 結合が量子効率〜 0.1 −
0.2 という高い効率で切断され，NBOHC と原子状水素0（H ）が生じること
015）

H2-free
H2-im

H2 band4135 cm−1（3×1018 cm−3）

4000
4100
4200
Raman shift（cm−1）

0

30

60
Time（s）

90

120

150

が見出された（図 2）。逆に，こうして形成した H の拡散や反応を，リアルタイムで調べ

150

H2-free
H2-im（3×1018 cm−3）

Intensity（a.u.）

とんど含まないシリカガラスは Dry シリカとよばれる。

Relative NBOHC concentration（arb. units）

1020 cm − 3 の SiOH 基を含む。これに対し，SiOH 基をほ

図 3 水素含浸による NBOHC の除去効果のその場測定

OPTRONICS（2004）No.10

が進歩したため，近年は化学的欠陥をほとんど含まない（b）F2, OH-free, H2-free
H2-im

0.1
0.05

1
0.5

0
（a）ArF, OH-doped, H2-free
H2-im

0
3

4

6
5
Photon energy（eV）

7

試料を得ることができる。そこで，Si-O-Si 結合角分布∆Absorption coefficient（cm−1）∆Absorption coefficient（cm−1）

0.15を変化させたガラスを作製し，吸収端の変化を調べた。
高温で熱処理して Si-O-Si 結合角の分布が広がったガラ
スでは，吸収端が長波長シフトし（図 5），同時に三員環（図 6），四員環 23）という，α-石英には存在しない小さい
環構造が増加した。結合角の分布が広がると，平均角から外れた歪 Si-O-Si 結合が増える。なかでも，三員環に含まれる Si-O-Si 結合は，結合角〜 130 °の典型的な歪結8合である。すなわち，シリカガラスの紫外透明性は，物理的欠陥によって低下することが示された 24）。F2 レーザ

図 4 H2 による NBOHC，E ′中心の除去と Si-Si 結合形成の促進

ー光は歪 Si-O-Si 結合による吸収を直接励起するため，屈折率変化型 Bragg グレーティングの書込みが増感される。この原因が，H2 が P などのドーパントの配位数変化を促進するためであることを示した 18）。
フッ素ドープシリカに含まれる SiF 基は，Si-F 結合がSi-O 結合よりも安定なため，解離しにくく，シリカガラスのバンドギャップ中にも吸収をもたない。フッ素ドー
プシリカは，優れた紫外透明性と耐照射性を示す，重要な紫外透明材料である 19 〜 22）。

2.2 シリカガラスの物理的欠陥

210∆α（cm−1）

Absorption coefficient（cm−1）

15

5

0

1

2

4
6
Photon energy（eV）

0
7.8

Si-O-Si 結合角がすべて等しい（144 °）。一方，シリカガ

8

7.9
8
Photon energy（eV）

α-石英は，シリカガラスと同じ，SiO4 四面体からなる結晶であるが，SiO 4 四面体が規則配列しているため，

Tf＝1400℃
1200℃
1100℃
900℃

Tf＝1400℃
900℃

8.1

図 5 シリカガラスの真空紫外透明性と F2 レーザー耐光性における熱処
理温度の効果ラスでは SiO 4 四面体がランダム配列しており，Si-O-Si
結合角も〜 140 - 150 °を中心とした分布をもっている。
このようなトポロジーや結合角の乱れは，組成や結合のSi
O

規則性を乱さないので，化学的欠陥とは明らかに区別される。そこで，これらをここでは「物理的欠陥」とよぶ。

O

Si
O

物理的欠陥は，アモルファスと結晶とを本質的に区別し7.9 eV
photon

Si
O

O

Si

Si

O

Si

F

Si

ている乱れであると考えることができる。
α-石英のバンドギャップはシリカガラスより大きい。
これは，物理的欠陥がシリカガラスの紫外透明性に影響SiOすることを示唆している。しかし，バルクシリカガラス

Si

4の紫外吸収端は，バンドギャップ吸収（吸収係数 10 −
5

10 cm

−1

）ではなく，吸収係数が数 cm

−1

O
O

F-doping

OSi
F

程度の，吸収

O

Si
O

Si

端の裾によって決められる。この吸収は化学的欠陥の吸収に隠れていることが多いが，シリカガラスの製造技術

OPTRONICS（2004）No.10

図6歪 Si-O-Si 結合の光解離とフッ素ドープによる除去

151

特 集

機能性透明酸化物とオプトエレクトロニクス―ERATO 細野透明電子活性プロジェクト成果

ArF，KrF レーザー光に比べて高い効率で Si-O-Si 結合を切断したり（図 5，6），この準位を経た二段階光吸収が8.51みられたりする 25）。

8Photon energy（eV）
7.5
7Transmittanceとができる（物理的アニール）。しかし，所要時間は温度が下がるにつれて指数関数的に長くなる。一方，SiF
基や SiOH 基などをドープすると，シリカガラスの網目

0.6

Dry
Wet
F-foped∆α（cm−1）0.8

歪 Si-O-Si 結合は，低温で熱処理することで減らすこ

0.4

2
1
0
2

が切断され，ガラスの粘度が下がるため，効率的に歪を（157 nm）
0140

除去できる（図 6）26）。これは，物理的アニールに対し，

150

化学的アニールと位置づけることができる。

エキシマレーザーリソグラフィーとシリカガラス（157 nm）

3

0.2

3

6.5

（7.9 eV） reflection loss

468
Photon energy（eV）

180
160
170
Wavelength（nm）

190

200

図 7 シリカガラスの吸収端付近の透過スペクトル（挿入図）F2 レーザー照射による吸収変化

エキシマレーザーリソグラフィー用シリカガラスの製成を促すため，F2 レーザー用ガラスには適さない。しか造には，前節で述べたような欠陥反応を考慮したうえで，し，適切な条件でフッ素ドープを行なうと，SiOH 基と最適な条件を選ぶことが必要である

27）

Si-Si 結合の両方の増加を抑えつつ，歪 Si-O-Si 結合も減。

まず，KrF，ArF レーザー用シリカガラスに適した条らせるので（図 6），F 2 レーザー光に対する透明性と耐光件について述べる。歪 Si-O-Si 結合は，結合を切って歪性を大きく改善できる（図 7）20, 21）。このフッ素ドープシリを 開 放 し ， 〜 4 − 7 eV に 吸 収 を も つ 安 定 な 欠 陥 対

カは，「モディファイドシリカ」ともよばれ，F2 レーザー

（NBOHC と E ′中心）に変化しやすいため，極力減らす

リソグラフィー用フォトマスク基板として実用可能な特必要がある。これには，SiF 基や SiOH 基のドープによる性を有している。

化学的アニールが有効である。このどちらも，＜ 7 eVの光を吸収しないためドーパントとして使用できる。た4

深紫外光透過シリカ光ファイバー

だし，SiOH 基の O-H 結合は二光子吸収によって解離する可能性があるため，SiOH 濃度をあまり高くしない方がよいという指摘もある 27）。一方，レーザー照射によっ

4.1

はじめに

て生じた NBOHC と E ′中心を除くには，ガラスへの

近年，各分野で DUV 光の利用が広がりつつあり，高H 2 含浸が有効である。しかし，ごく最近，H 2 がマイク性能な DUV ファイバーの要求が高まっている。こうし

28）

。H2 が

た要求に応えるため，フッ素ドープシリカガラス（モガラス網目と反応して O-H 結合が形成され，応力腐食がディファイドシリカ）21, 24）を用いて，DUV 光伝播用ファ起こったと推測される。この結果は，H2 には適した濃度

イバーの開発を行った。

ロクラックの形成を促すことが明らかにされたがあることを示している。

半導体製造の分野では，集積回路の微細化に伴い，

F 2 レーザー用シリカガラスに適した条件は，KrF，

KrF，ArF レーザーを光源としたリソグラフィー装置がArF レーザー用のものと同じではない。＞ 7.4 eV に吸収実用化しており，最近では液浸の ArF リソや F2 リソの開帯をもつ SiOH 基は，F2 レーザー用ガラスには添加でき発も進んでいる。また，レーザー加工の分野でも，ない。一方，SiOH 基を含まない Dry シリカにしばしば

Nd-YAG レーザーの 3 倍波（355 nm）や 4 倍波（266 nm）

含まれる Si-Si 結合も，7.6 eV を中心とした吸収をもち，を用いたアブレーション加工が盛んになってきている。

F 2 レーザー光の透過率を低下させる。そのため，KrF，さらに，医療・バイオ分野でも DUV 光の利用は広まり

ArF レーザー用ガラスで有効な H2 含浸は，Si-Si 結合の形

つつあり，角膜手術や深紫外光近接場顕微鏡（DUV-152

OPTRONICS（2004）No.10

SNOM）の開発などが行われている。
このような研究・技術開発を遂行する際に，性能の良1.0
relative transmission

い DUV ファイバーがあれば，DUV 光をフレキシブルに取り扱うことが可能となり，開発が促進されるとともに，これら DUV 装置の普及に貢献するものと考えられる。
しかし，従来市販されていたファイバーは，DUV 光の照射中に透過率が劣化するという問題があったため，長
時間 DUV 光を伝播させることは困難であった。そのた

0.8
high-OH: A
high-OH: B
F-SiO2

0.6
0.4
0.2
0.0
0

め，DUV ファイバーの応用は，限られた分野に留まら

2

4
6
8
number of pulses（×104）

10

ざるを得なかった。
開発したフッ素ドープシリカファイバーは，従来の

図9ArF レーザー照射中の透過率変化

high-OH シリカの紫外用ファイバーとは異なり，DUV 域
から可視・近赤外域にわたり良好な透過率をもち，実用

図 8 に深紫外光ファイバーの深紫外域の透過率と紫に耐えうる照射耐久性をもっている 29）。また，このファ外−可視−近赤外域の損失スペクトルを示す。近赤外域

イバーは良好なエッチング特性を有するため，容易に先に OH による光吸収が若干みられるものの，紫外−可端を針状に尖らすことができ，DUV 用のファイバープロ

視−近赤外域で，目立つ光吸収はなく，全体として良好

ーブへの応用が期待される。

な透過特性を持つことがわかる。また，ArF レーザー波

4.2 フッ素ドープシリカファイバーの構造と透過特性，照射耐性

長（193 nm）で，1 m あたり 60 〜 65 % の透過率を示す。
開発したフッ素ドープファイバーの，ArF レーザー光
透過率の経時変化を図 9 に示す。初期透過率を 1 に規格開発したファイバーの模式図を図 8 の挿入図に示す。

化して表示している。比較のために市販の 2 種類の紫外フッ素を〜 200 ppm 含むシリカガラスをコアに，フッ素を光用ファイバー（high-OH シリカファイバー）でも同様〜 1 wt.% 含むシリカガラスをクラッドとしたプリフォームの実験を行った。照射条件は，パルスエネルギー

ロッドを線引きしてファイバーを作製した。線引き後，20 mJ/cm2，繰返し周波数 50 Hz，105 ショットである。フ

加圧タンク中でファイバーに H2 を含浸させ，ファイバーのッ素ドープ光ファイバーでは，照射初期に 10 % 程度透照射耐性を高めている。ファイバー径は 1250 〜 200 mm，過率が低下するものの，それ以降目立った透過率の低下

開口数（NA）は 0.12 〜 0.18 の範囲で作製可能である。

はみられない（実線）。透過率の低下は照射中のみに起こる一時的なもので，照射停止後数分で，透過率はほぼ照射前のレベルに回復する。一方，市販の high-OH シリ

10

カ光ファイバーの透過率は，どちらも，照射直後から急
optical loss［dB/m］

8
F：10,000 ppm
6

F：200 ppm

激に低下しはじめる（破線・点線）。
それぞれのファイバーでのレーザー照射前後の透過スペクトルを図 10 に示す。フッ素ドープファイバー（実4線）では目立った欠陥生成はみられないが，市販のファ2

イバーでは 220 nm 付近に欠陥（E ′中心）による吸収が0みられる（破線・点線）。同様の実験を Nd-YAG レーザー
200

400

600

800 1000 1200 1400 1600
wavelength［nm］の 3 倍波・ 4 倍波でも行い，これらのレーザーに対してもフッ素ドープシリカファイバーが良好な照射耐性を示

図 8 ファイバー構造と損失スペクトルOPTRONICS（2004）No.10

すことを確認した。

153

特 集

機能性透明酸化物とオプトエレクトロニクス―ERATO 細野透明電子活性プロジェクト成果

透過率を示す。As drawn のファイバー（破線）にはtransmission［%/m］

100

ニールすると，実線に示すように ODC（I）が減少するこ60とが認められた。水素アニールにより透過率が改善され40

たファイバーのスペクトルを図 11（実線）に示す。

high-OH: A
high-OH: B
F-SiO220
0100transmission［%/m］

ODC（I）による吸収がみられる。水素雰囲気下で高温ア

（a）

80

アニール前のファイバーでは，ODC（I）により短波長側の透過率が制限され，193 nm での透過率が 65 % 程度に（b）

とどまっていたが（破線），水素アニールによって ODC

80（I）が減少し，193 nm での透過率が約 80 % まで改善され60た（実線）。高温水素アニールによりファイバー中の欠40

陥を低減することができた。

high-OH: A
high-OH: B
F-SiO2

20

4.4
0
150

200

300
250
wavelength［nm］

エッチングによるファイバー端の先鋭化

350

フッ素ドープシリカファイバーはエッチングにより，先端を容易に先鋭化することができる。図 12 にエッチ

図 10 ArF レーザー照射前後のファイバー透過スペクトル（a）照射前 （b）照射後ングしたファイバーの SEM 写真を示す。ファイバーの先端を約 30 % のフッ酸水溶液に浸してエッチングする

4.3

フッ素ドープシリカファイバーの透過率改善

フッ素ドープシリカファイバーは，フッ素を含有する
ため紡糸時の加熱により酸素欠陥（ODC）が生じやすい

ことにより，良好に先鋭化されたファイバー端を得ることができる。この特性を利用し，フッ素ドープファイバ
ーは現在 DUV-SNOM のプローブとしての応用が試みられている。

という問題がある。特に 163 nm 付近に吸収をもつ ODC（I）（Si-Si 結合）は，ファイバーの短波長側の透過率を制限するため，可能な限り低減することが望ましい。ファイバーを水素雰囲気下で高温アニールして ODC（I）を除き，DUV 透明性を向上させることを試みた。
図 11 挿入図に短く切った（L ＝ 1 cm）ファイバーのstandard
improved

80100

transmission［%/cm］

transmission［%/m］

100

60
40
20
0
150

図 11

154

200

80
60
40
20
0
140

160
180
200
wavelength［nm］

250
wavelength［nm］300

フッ素ドープファイバーの水素アニール効果

図 12

先鋭化したファイバー端の SEM 写真

4.5

まとめ

220

350

フッ素ドープシリカガラス（モディファイドシリカ）

OPTRONICS（2004）No.10

を用い，DUV 光伝播用ファイバーを開発した。このファイバーには〔1〕DUV 域で良好な透過率を持つ，〔2〕DUV 光の照射に対して優れた耐性を有する，〔3〕エッ
チング性に優れ容易に先端を先鋭化できる，という特長がある。このファイバーは既に実用化され，販売も開始している。開発した DUV ファイバーは，紫外光照射用
バンドルファイバ，加工用紫外レーザーガイド，DUVSNOM ファイバープローブとして，既に実用的なテストが行われている。さらに，DUV ファイバーの実現により，DUV 領域の光を用いた新しい用途が出現する事を期待したい。

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4121 (2002).
19）K. Awazu, H. Kawazoe, and K. Muta, J. Appl. Phys. 69, 4183 (1991).
20）M. Kyoto, Y. Ohoga, S. Ishikawa, and Y. Ishiguro, J. Mater. Sci. 28,2738 (1993).
21）H. Hosono, M. Mizuguchi, H. Kawazoe, and T. Ogawa, Appl. Phys.
Lett. 74, 2755 (1999).
22）M. Mizuguchi, L. Skuja, H. Hosono, and T. Ogawa, J. Vac. Sci.
Technol. B 17, 3280 (1999).
23）F.L. Galeener, J. Non-Cryst. Solids 49, 53 (1982).
24）H. Hosono, Y. Ikuta, T. Kinoshita, K. Kajihara, and M. Hirano, Phys.
Rev. Lett.87, 175501 (2001).
25）K. Kajihara, Y. Ikuta, M. Hirano, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett.
81, 3164 (2002).
26）H. Hosono and Y. Ikuta, Nucl. Instr. Methods Phys. Res. B 166-167,
691 (2000).
27）L. Skuja, H. Hosono, M. Hirano, and K. Kajihara, Proc. SPIE 5112, 2(2003).
28）Y. Ikuta, K. Kajihara, M. Hirano, and H. Hosono, Appl. Opt. 43, 2332
(2004).
29）M. Oto, S. Kikugawa, N. Sarukura, M. Hirano and H. Hosono, IEEE
Photonics Technol. Lett., 13, 978 (2001).

■ Deep-ultraviolet transparent materials■① Koichi Kajihara② Masanori Oto ③ Linards Skuja■① Researcher, TEAM(ERATO/JST) ② Showa Electric Wire
& Cable Co., Ltd, R&D Section of Optical Fiber ③ Leading
researcher, Institute of Solid-State Physics, University ofLatvia■ Studies on SiO2 glass made in Hosono project with the
purpose of developing deep-ultraviolet and vacuumultraviolet transparent materials are reviewed. To clarify theorigin of optical absorption in DUV-VUV spectral region andthe mechanisms of laser-induced formation of color centers,
structural defects in SiO2 glass and their interactions with
DUV-VUV laser light were intensively studied. Heavilystrained Si-O-Si bonds arising from the structural disorder of
SiO2 glass are an important origin of the optical absorption
near the fundamental absorption edge. Mobile and reactive
interstitial species including hydrogen atoms and molecules
as well as oxygen atoms and molecules, play a significant
role on the laser-induced defect formation and annihilation
processes. Fluorine-doped SiO2 glasses are found to exhibita good transparency and toughness to DUV-VUV laser light

155

特 集

機能性透明酸化物とオプトエレクトロニクス―ERATO 細野透明電子活性プロジェクト成果

②オオト

マサノリ

because the color centers absorbing DUV-VUV light and所属：昭和電線電纜㈱their precursors are largely eliminated. A use of the F-doped

技術開発部

silica glass and the post H2-loading allow to fabricate DUV

連絡先：〒 222-1133
Tel. 042-773-5162

optical fibers with low transmission loss and good radiation

通信システムユニット

ファイバー G
相模原市南橋本 4-1-1

Fax. 042-773-3967

E-mail ： k980203@snt1.swcc.co.jp

toughness to ArF laser pulses.

経歴： 1998 年北海道大学工学研究科量子物理工学専攻博士課程修了，工学博士。同年昭和電線電纜㈱に入社。特殊光ファイバーの研究開発に従事。
細野透明電子活性プロジェクト（JST/ERATO）
共同研究員

①カジハラ

コウイチ

③リナード

スクーヤ

所属：細野透明電子活性プロジェクト

所属：ラトビア大学固体物理学研究所 主席研究員（JST/ERATO）研究員

連絡先： Kengaraga iela 8, LV1063, Latvia

連絡先：〒 213-0012

川崎市高津区坂戸 3-2-1

経歴： 1974 年ラトビア大学卒業，1980 年同学大

KSP C-1232

学院博士課程修了，同学半導体物理学研究所

Tel. 044-850-9759

Fax. 044-819-2205

研究員，同学固体物理学研究所研究員を経て現職。

E-mail ： k-kajihara@ksp.or.jp

専門分野：光および磁気分光，固体中の点欠陥，

経歴： 1994 年京都大学工学部卒業，1997 年同学

シリカ系材料の光素子への応用。細野透明電子活

大学院工学研究科博士後期課程退学，同年同学大

性プロジェクト（JST/ERATO）客員研究員

学院エネルギー科学研究科助手，2000 年より現職。
専門分野：無機材料科学，シリカガラスの物性

光通信時代を支える

FTTH施工技術◇定価：5,250円（本体5,000円＋税）◇著者：菊地 拓男、西澤 紘一
お問合せは…

◇体裁：B5判

約260頁◇監修：NPO高度情報通信推進協議会＜URL＞http://www.optronics.co.jp/books/ <E-mail>booksale@optronics.co.jp〒162-0814 東京都新宿区新小川町5-5 SANKENビルTEL 03-5225-6614

156

FAX 03-5229-7253

OPTRONICS（2004）No.10

特集
機能性透明酸化物とオプトエレクトロニクス― ERATO 細野透明電子活性プロジェクト成果

干渉フェムト秒パルスレーザー
による透明物質のナノ加工
河村賢一， 上岡隼人， 三浦泰祐

光を試料の内部に集光することができる。高密度エネル

1

はじめに

ギーを有する集光部分のみで，アブレーションや材料改質を発生させ，さらに集光部を走査することで，3 次元

近年，チタンサファイア・レーザーの登場によって，の加工を施す事ができる。

高出力の近赤外フェムト秒レーザーが，容易に取り扱え

一方で，加工分野で見過ごされてきたフェムト秒パル

るようになり，その特徴を活かした用途が盛んに模索さスの特徴に，可干渉性がある。モードロック・チタンサれている。なかでもフェムト秒レーザーを使った材料加

ファイアレーザーから得られるフェムト秒パルスは，工は，従来からの YAG レーザーや炭酸ガスレーザーを

フーリエ変換限界状態にあり，非常に高い可干渉性を持光源としたレーザー加工とは異なったユニークな加工がち，そのコヒーレンス長はパルス幅と一致する。この特できることから，非常に多くの注目を集めている。フェ

徴は，従来から過渡的回折格子の形成を利用した過渡分

ムト秒レーザーパルスは数百フェムト秒と極めて短い時

光測定には広く活用されてきたが，材料加工に応用した間の中にエネルギーを集中させることができる。さらに研究例はこれまでになかった。本プロジェクトでは，

そのパルスを集光すると，そのパワー密度は数百

フェムト秒レーザーシングルパルス干渉露光装置を開発

TW/cm にも達し，超高密度なエネルギーを与える。こし，1 発の干渉パルス光の照射により，様々な透明材料のようなパルス光を用いると，今まで光加工が困難だっの表面および内部に微小なグレーティングを書き込むこ

た材料，例えばガラスや単結晶類といった透明材料も容とに成功した。さらにその回折格子を利用した光学デバ

易に加工できるだけでなく，材料と光の相互作用によっイスの作製も試みてきた。一方で，さらなる微細加工，て新しい機能を持った材料の創製も期待することができ

高効率な加工，物質との相互作用を調べる事を目的に高る。また，フェムト秒レーザー加工の一つの特徴に，被強度紫外フェムト秒レーザーの開発も行った。

2

加工材料への熱的効果が非常に小さいことが挙げられる。微少な領域へ極短時間に高エネルギーが付与され，熱的緩和が起きる前に構造変化が終了するためである。

2

フェムト秒レーザーシングルパルス
干渉露光法 1）

したがって，金属材料でも加工部周辺に熱ダレや変質が

図 1 に本プロジェクトで作製したフェムト秒レーザー

生じにくく，超微細な加工を施すことが可能となる。さ

シングルパルス干渉露光装置の概略図を示す 1）。光源にらに，もう一つの大きな特徴として透明材料内部の 3 次

再生増幅モードロック・チタンサファイアレーザー（中元加工がある。チタンサファイア・フェムト秒レーザー

心波長： 800 nm，パルス時間幅：〜 100 fs，パルスエネの発振波長は 800 nm 付近と比較的長波長であるため，

ルギー：最大約 3 mJ/pulse，繰り返し周波数： 10 Hz）を

ほとんどの透明材料では光は直接吸収されず，レーザー用いた。フェムト秒パルスを 1 発だけ取り出し，ビーム

OPTRONICS（2004）No.10

157

特 集

機能性透明酸化物とオプトエレクトロニクス―ERATO 細野透明電子活性プロジェクト成果

的に簡単に一致させる方法として「空気からの第 3 次高M2M3調波発生（THG）とプラズマを利用した検出方法」を

光学遅延回路レンズ
M4

ビーム1
ハーフミラー

開発した 1）。2 つの高強度フェムト秒パルスを大気中で衝突させたとき，第 3 次高調波とプラズマの強度が著し
く強くなることを発見した。この現象を利用することで，ビーム2ビームの衝突角度（θ）を 0 °付近から 180 °近くまで，変

M6
レンズ

M5

化させても，時間一致を達成することができる。

fsパルス

3
M1

表面レリーフ型グレーティング：
石英ガラスへの書き込み 2, 3）

グレーティング

まず透明試料の表面にグレーティングを作製した結果試料を示す。2 つのフェムト秒レーザーパルスを試料表面で会合させると，表面レリーフ型のグレーティングを作製

図 1 フェムト秒レーザーシングルパルス干渉露光装置

することができる。図 2 に純粋な石英ガラス表面に書込んだグレーティングの光学顕微鏡写真を示す。直径約

スプリッターで 2 つのビームに分割し，それぞれを異60 µm のビームスポット内部に，グレーティング構造がなった光路を伝播させた後，凸レンズで集光した。その書き込まれていることが分かる。各ビームスポットは 1

集光点をサンプルの表面または内部の同一点で合致させ発のパルス照射で形成されるため，レーザーパワーの揺て干渉を生じさせた。ビームスポット内部に発生した干らぎや，定盤の振動といった外部環境の変化に影響され渉パターンは，1 回の照射で試料の表面または内部に転ることなく，精度の高いグレーティングを書くことがで写される。形成されるグレーティングの大きさは，書込きる。グレーティング断面の走査型電子顕微鏡（SEM）

み条件によって異なるが，直径数十〜数百 µm で変化さ像を図 3 に示した。グレーティングは約 1 µm 程度の深せることができる。大面積のグレーティング構造が必要さを持つ溝から構成されている。グレーティングの溝間な場合は，試料を電動ステージでレーザーの繰り返し周隔，すなわちフリンジ間隔 d は，パルスの会合角度 θ に

波数と同期させて動かすと，試料全面に回折格子を書く

より変化させることができ，d ＝ 2.6 µm（ θ ＝ 20 °）〜ことができる。または任意の形にグレーティングを並べ

d ＝ 430 nm（ θ ＝ 160 °） の 書 込 み に 成 功 し て い る 。

たり，光学顕微鏡で照射部位を観察しながら，既存の光

フェムト秒レーザーで作られるグレーティングの構造

導波路の上に，微小なグレーティングを書き込むこともは，光強度および材料の性質によって，レーザーアブレ可能である。
しかしフェムト秒レーザーパルスの干渉には，連続発振レーザーを用いた場合にはない困難な問題が生じる。
時間幅 100 fs のパルスを空間的な広がりに換算すると約30 µm にすぎない。つまり 2 つのフェムト秒パルス光を
時間的，空間的に会合させて干渉させるには，2 つに分けたビームの光路差を 30 µm 以内に調整する必要がある。一般に，このような調整には非線形光学結晶を用いた和周波法などが用いられるが，結晶のダメージや位相整合等の制限が多くあり，本目的のためには，あまり実50 µm

用的でない。そこで我々は 2 つのビームを時間的，空間

図 2．石英ガラス表面に書き込んだグレーティングアレイ

158

OPTRONICS（2004）No.10

1 µm

図 3 表面グレーティングの断面 SEM 像
5 mmーションや光誘起構造変化，またはその両方で書きこまれる。石英ガラスの場合は，フェムト秒レーザーを照射するとガラスを構成する網目構造が変形し，体積の収縮

図4

石英ガラス内部に書き込んだ 2 層のグレーティングアレイが誘起されることが知られている。従って石英ガラスではアブレーションと体積収縮の両者で溝が形成される。

我々がおこなったパルスをチャープさせる方法は，焦点実際に，レーザーの強度をアブレーション閾値より小さ

距離 100 mm の凸レンズでも，表面をダメージさせるこく設定すると，溝の深さは数 nm と非常に浅くなるが，体となく内部を加工することができる。

3）

積収縮だけでグレーティングを形成することができる 。

パルスをチャープさせる効果として次のことが考えられる。高強度パルスを照射すると直ちに多光子励起によ4埋め込み型体積型ホログラムの作製 4）って 1021 cm − 3 を超える高濃度のフリーキャリアが生成する。この結果，照射パルス前半部分で生成したフリーキ

次に，透明材料の内部にグレーティングを書き込んだ

ャリアによって，パルス後半のエネルギーが吸収され，例を示す。透明試料の内部で 2 つのパルスを会合させ，

表面ダメージを起こすと考えられる。つまり高 NA レン

そのときに時間幅を約 500 fs 程度にチャープさせたパルズを使った場合でも，入射表面で高濃度のキャリアが生スを用いると，図 4 に示す埋め込み型の体積型ホログラ

成してしまい，そのため光は全て表面付近で吸収されて4）

ムを作ることができる 。図 4 は，合成石英ガラス（厚内部にまで到達することができない。パルスを適当にチ

さ 5 mm）の内部に 2 層のグレーティングアレイを書きャープさせ，パルス時間幅を広げた場合は，尖塔エネル

込んである。それぞれの層は，表面から約 2 mm と 3 mm

ギーが減少し，照射直後には，赤外光を吸収する高濃度の深さに形成されている。100 fs のパルスを用いた場合

キャリアが生じることはない。しかし，パルス時間幅がには，表面から奥深くにグレーティングを記録するのは長いので，時間と共にキャリア濃度が蓄積し，閾値を越非常に困難である。通常 100 fs 程度の高強度パルスを用える濃度（1021 cm − 3）に到達したのち非可逆的な加工がいて透明試料の内部を加工しようとすると，入射表面付生じる。つまり表面層にダメージが生じるのに必要な多近のエネルギー密度が非常に大きく，表面にダメージが量のキャリア生成には時間が必要となり，その前に光は生じてしまう。そこで，そのダメージを回避するために，内部（集光点）に到達し，その結果，集光点のキャリア

一般には開口係数（NA）の大きな対物レンズ使って急濃度が表面部分より早く加工閾値に達する。一度十分な峻に集光し，表面でのエネルギー密度を低減する方法が濃度のキャリアが生成すると，エネルギーは，線形プロ用いられる。しかし，こうした手法では，対物レンズのセスで吸収され，加工が進行すると考えられる。

作動距離を長くする事ができないので，表面から数 mm

図 5 は表面から約 30 µm の深さにグレーティングを書といった深い領域を加工することはできない。一方，き込んだ試料の断面の SEM 像である。パルスが交差し

OPTRONICS（2004）No.10

159

特 集

機能性透明酸化物とオプトエレクトロニクス―ERATO 細野透明電子活性プロジェクト成果

入射面

30 µm

100 µm10 µm（a）

図 5 石英ガラス内部に作製したグレーティングの断面 SEM 像（HF エッチング処理後）た部分に，明瞭なグレーティング構造が形成されていることが分かる。但し，単に試料を切断しただけの状態では，このようなグレーティング構造を観察することはできない。図 5 の写真は断面を HF 溶液でエッチング処理

750 nm

をしたあとに観察したものである。つまりフェムト秒
レーザーの干渉光でシリカガラスの内部に作製したグ（b）
図 6 2 重露光法で石英ガラス表面に作製した 2 次元周期構造の SEM 像

レーティングは，クラックなどで構成されたものではない。前にも述べたように，石英ガラスの場合フェムト秒

400 ×高さ 300 nm のメサ型の周期構造が，θ ＝ 45 °の場

レーザー照射で構造の変化が誘起され，同時にその部分

合は直径〜 200 nm のホールが規則的に配列した構造がが酸に溶けやすい性質を持つ。従って変化部分が選択形成される。パルス強度を適当に調整すると，最小径〜

的にエッチングされ，その結果グレーティング構造とし20 nm と光の回折限界を大きく越えた超微細ホールを形て観察される。以上のことから，図 5 で観察されたグ

成することもできる。作製されたナノスケール 2 次元周

レーティングは，光誘起構造変化に伴う屈折率変調型の期構造は，それ自身 2 次元フォトニック結晶，または周体積型ホログラムとなっていることがわかる。このよう期量子ドット構造とみなすことができ，こうした量子素な体積型グレーティングはシリカガラスだけでなく，サ子作製のための有力な手法になるものと期待される。

ファイアなど他の透明材料でも作製する事ができる。

5

2 重露光法による2 次元の周期ナノ構造の形成 5）

最初の 1 パルスで 1 つのグレーティングを作製したあと，試料を 90 度回転させ直交したグレーティングを重6

紫外フェムト秒レーザーとホログラム記録 6 〜 8）

6.1 紫外フェムト秒パルスレーザー光によるホログラムの形成 6）

ねて書き込む「2 重露光法」により，2 次元周期ナノ構

干渉露光により作製される回折格子のフリンジ周期間

造を作製することができる。書込み条件を変化させると隔は，使用するレーザー光の波長および書込み時の 2 パ

図 6 に示すユニークな構造を，干渉パルスを 2 回照射す

ルス間相対角度により制御され，チタンサファイヤ・レるだけで作ることができる。 θ ＝ 90 °の場合は約 400 ×ーザーの赤外光（〜 800 nm）を用いると，その下限は

160

OPTRONICS（2004）No.10

400 nm 程度である。したがって，可視及び紫外領域で，
1 次回折素子として使用可能な短周期のフリンジ間隔を有する回折格子を作成するためには，発振波長が紫外光領域にある短パルスレーザーを用いることが必要となる。このような紫外フェムト秒光パルスの発生法としては，近赤外域の極超短パルス光源から出力されるフェム
ト秒レーザーパルスを，非線形光学結晶を用いて波長変換する方法が一般的である｡我々は，再生増幅されたチ1.50 µm

タンサファイヤ・レーザーの基本波（波長 870 nm， パ
ルス幅〜 100 fs， 繰り返し周波数 1 kHz）の 3 次高調波
である紫外パルス光（中心波長は 290 nm）を用いて，回図 8 シリカガラス表面に形成された微小回折格子の電子顕微鏡像
干渉縞の周期は 290 nm。

折格子の記録を行った。
干渉露光法においては，前述のように 2 つに分離した

シリカガラスの試料表面上に，閾値を越えたエネルギ

フェムト秒レーザーパルスを空間的，時間的に一致させーを投入して形成させた微小回折格子の電子顕微鏡写真る必要があり，近赤外の光源を用いる場合には，空気かを図 8 に示す。試料表面に明瞭な周期構造が刻まれておらの三次高調波の発生を利用した。しかし，紫外領域のり，その格子間隔 290 nm はパルス光間の相対角（60 °）とパルス光源を用いる場合には，発生する高調波の波長が波長から求められる値と一致している｡加工に必要なパ

空気中光伝播の禁制領域に入る等の問題が生じ，この手

ルス光の最低エネルギーは 2 パルス合計で 30 µJ 程度であ法は使えない。そこで，加工対象となる透明媒質それ自った。同様にしてシリコン基板上の酸化膜やサファイア

体の 3 次の光非線形性（光カー効果），および透過光強度の基板等にも微小回折格子を形成させることに成功した

微小な過渡変調を利用して，2 つのパルス光の空間および今回用いた紫外パルス光は，非線形結晶を通過する過時間的一致を得る方法を開発した 6）。すなわち，強度を加程での断面形状の乱れにより干渉性が若干悪くなってい工の閾値以下に落とした 2 つのパルス光をそれぞれ励起

るが，パターンの良好な場所を切り出し，適切なパワー

および検索光とする，いわゆるポンプ・プローブ測定系

密度を選択することによって，この系で理論的には 150

で時間一致を達成し（図 7），その後，同じ配置でパルス光

nm までの加工が可能である。また，この干渉露光の方法

強度を上げて干渉による回折格子を形成させた。

では試料の位置を書き込み毎に平行移動させることで容易に帯状の回折格子を形成することが出来る。電動ステージにより試料を高速に移動させ，繰り返しの速いパル

Ti:Sapphire
Regenerative Amplifier
Ti:Sapphire
Pulse Laser

Nd:YVO4 Laser

Nd:YLF Laser

Optical Chopper

ス光源を用いることでこのプロセスに要する時間は短縮
Lock-in
Amplifire

Delay
Stage

λ/2

子列を 10 mm の長さに渡って形成するのに僅か 1 秒しか要しない。図 9 は，YSZ 基板上にエピタキシャル成長さ

PBS
λ/2

できる。例えば，1 kHz の光源を用いれば，微小回折格

Photo
Diode

PC

せた ZnO 薄膜表面にこの方法で連続書きこみを行った結果を示している。適当な移動スピードを選ぶことで，隙間の無い回折格子列が形成されていることが分かる。紫外パルス光を用いることで，様々な透明媒質の表面上に紫外−可視光の波長に対応する微小回折格子および格子図 7 深紫外フェムト秒レーザー干渉露光システムの概念図
微小回折格子書き込み用の光学系が，2 つのパルスの時間・空間
的一致を見るための光カー効果および過渡的透過光強度変化の測定系を兼ねている。

OPTRONICS（2004）No.10

列が形成可能となり，干渉露光法の適用範囲は更に広げられたことになる。

161

特 集

機能性透明酸化物とオプトエレクトロニクス―ERATO 細野透明電子活性プロジェクト成果

210 fs／290 nm
80 µJ／1 kHz

Ti:sapphire
regenerative Trigger
Synchronizer
amplifier
1 kHz
system

140 fs／870 nm

Tripler

700 µJ／1 kHz

×1/2

×1.5

10 mm

roof-reflector

2.6 ps
290 nm
33 µJ

roof-reflector
Prism

Prism
30 cm
Concave mirror（f＝75 cm）

30 cm
Concave mirror（f＝75 cm）

Mechanicalshutter8-pass prism stretcher

10 µm

図 9 連続書き込み法によって YSZ 基板上の ZnO エピタキシャル膜表面に形成された微小回折格子列（周期は 560 nm）の光学顕微鏡写真
挿入図はおよそ 20 列の回折格子列を書き込んだ試料の全体像。

Ce:LiCAF
10 mm

Trigger×2

Q-switched
Nd:YAG laser
Lens

4-pass Ce:LiCAF amplifier
6 mJ
290 nm

70 cm

70 cm
SQ

高出力紫外パルス光源の開発 7, 8）

6.2

Prism-paircompressor
15.5 cm

Grating
2400 l/mm
×3.5

パルスに非線形光学結晶を用いることで，材料加工可能
な強度をもつ紫外フェムト秒光パルスが得られる。我々

3.5 mJ
290 nm
115 fsXeF 3-photon
fluorescence
autocorrelatorOR

前記のように，再生増幅した近赤外域のフェムト秒光

100 mJ／266 nm
10 ns／10 Hz

Grating
2400 l/mm

2.5 mJ
290 nm
120 fs

Grating-paircompressor

は既設のシステムでは得られない，より高強度の光を得るために，波長変換で得られた微弱な紫外フェムト秒光
パルスを，固体レーザー媒質である Ce3 ＋:LiCAF（Ce3 ＋:

図 10 Ce3 ＋:LiCAF 結晶を用いたチャープパルス増幅システム
mJ 級深紫外フェムト秒光パルスが得られている。

LiCaAlF 6 ）結晶を用いて直接増幅することを試みた。
この結晶は紫外領域に広い利得帯域を持ち，高出力なルスは，パルスエネルギー 100 mJ，パルス幅 10 ns を持Q スイッチ Nd:YAG レーザーの第 4 次高調波（266 nm）

つ Nd:YAG レーザーの第 4 次高調波で励起されたで励起することができるため，深紫外域での増幅媒質とCe3 ＋:LiCAF 結晶を 4 回通過することで，そのパルスエネ

して有用である｡深紫外域における Ce3 ＋:LiCAF 結晶の発ルギーを 33 µJ から 6 mJ まで増幅される｡増幅されたパル光準位寿命はおよそ 25 ns と短く結晶自体の発振による再スはパルス圧縮器によって再びパルス幅を縮められ，最生増幅は行えないが，マルチパス増幅を行うことは可能

終的にプリズム対経由で 3.5 mJ，回折格子対経由でである 7）。我々は図 10 に示すようなフェムト秒チタンサ

2.5 mJ の出力が得られた。

ファイヤ再生増幅器からの出力パルス光の第 3 次高調波

増幅後の深紫外パルス光の時間幅は，図 11（a）で示す（波長 290 nm，パルスエネルギー 80 µJ）を種光パルスとXeF ガスの 3 光子蛍光過程を利用した自己相関測定器に3＋する，Ce :LiCAF 結晶を用いたマルチパス増幅系を構築
8）より求められる｡出力された高強度深紫外パルス光を二した 。増幅された深紫外フェムト秒パルスによって結つに分け，両パルス光を対向させる形で Xe ガスを充填

晶を損傷しないように，マルチパス増幅の前段にプリズ

したセル内に集光すると，両パルス光が時間的，空間的ム対を用いたパルスストレッチャーを配置し，増幅後にに一致した点で蛍光が発生する｡蛍光強度は深紫外パル

プリズム対または回折格子対を用いてパルス光の再圧縮

ス光強度の 3 乗に比例するため，蛍光の光軸方向に沿っを行うチャープパルス増幅法を採用している｡パルスス

た空間強度分布はパルス光の自己相関波形となる。拡大

トレッチャーでパルス幅を 2.6 ps まで広げられた種光パ

光学系と高感度カメラを用いてこの蛍光強度分布を観測

162

OPTRONICS（2004）No.10

7

T：50 %

LiF 単結晶へのグレーティング書き込
みと分布帰還型カラーセンターレー
ザーの作製 9, 10）

LiF 単結晶中にグレーティングをアレイ状に書き込み，
分布帰還型（Distributed-FeedBack）カラーセンターレー

Gas cell XeF

ザーの作製を試みた（図 12）9）。LiF を含めたアルカリハ
ライド結晶には，多種類のカラーセンターが存在するこPhoto graphic lens
（f：50 mm）とが知られており，その光学的特徴を使ったデバイスへ

Zoom lens（f：50〜500 mm）
×2 magnifierの応用が期待されている。その中でも，LiF 結晶中に存

SIT Camera

在するカラーセンターには，室温で安定かつ可視域での（a）XeF ガスを用いた深紫外光パルス幅測定用自己相関器

発光，さらにレーザー活性を持つものが存在している。
そのため，LiF 結晶をベースにした室温カラーセンター

Intensity（arb. units）

1.0

Compressed pulse
with prism

レーザーの研究が，数多く試みられている。これまでに，
F2 中心（蛍光波長 λ ＝ 0.65 〜 0.74 µm），F3 ＋中心（蛍光150 fs（FWHM）

0.5

波長 λ ＝ 0.51 〜 0.57 µm）等を発光センターとしたレーザーの発振が報告されている。また，外部鏡による共振器だけでなく，低温で結晶内に超音波や紫外線レーザー

0
−500

図 11

Tp＝115 fs@sech2
τp・∆ν＝0.66−250

0Time（fs）

250

500の干渉光を照射したときに生じる過渡的グレーティングを用いた，DFB 共振器によるレーザー発振も実現してい（b）プリズム対によりパルス圧縮された
増幅後の深紫外パルス光の自己相関波形る。しかし，この場合グレーティングは過渡的に存在す

深紫外フェムト秒パルスレーザーのパルス巾の測定は停止する。このような過渡グレーティングが用いられるだけで，グレーティングの消失と共に，レーザー発振
た理由として，LiF 結晶の光学バンドギャプは 14 eV とした｡

極端に大きく，光などで結晶の表面や内部に精度の高い

図 11
（b）
にパルス幅の測定結果を示す。回折格子対を永久的なグレーティングを作製する事が困難であった点用いたパルス圧縮器ではパルス幅 120 fs，プリズム対をが挙げられる。このような材料に対しても，フェムト秒用いた場合はパルス幅 115 fs が得られることが確認された｡これは深紫外領域で尖頭値 30 GW の高強度超短パル
グレーティングアレイ

ス光が得られたことを示している｡こうした高出力紫外光フェムト秒レーザーを用いれば，ビーム径を拡大し，かつ２つのビームの交叉角を大きくすることができるので，フリンジ間隔がせまく，大口径で均一な回折格子を記録できると期待される。将来，大型 Ce3 ＋:LiCAF 結晶を用いて深紫外域でテラワット（1000 GW）に達するフ

fsレーザーェムト秒光パルスを得ることも可能になるであろう。こ10 mm

れらのレーザーを透明材料の加工及びその物性研究のツールとして適用してゆくことは，残された今後の課題である。

OPTRONICS（2004）No.10

図 12

LiF カラーセンター DFB レーザーの構成図

163

特 集

機能性透明酸化物とオプトエレクトロニクス―ERATO 細野透明電子活性プロジェクト成果

レーザーを用いると永久的なグレーティングを形成でき，さらに色中心も光で誘起できることも見いだした 10）。
そこでフェムト秒レーザーパルス干渉露光法を使い，LiF 結晶内部〜 100 µm の深さにグレーティングをアレイ状に書き込み，DFB レーザー共振器を作製した。書き込
まれたグレーティングは室温でも安定で，強い光を照射しても消失することはない。カラーセンターとして，室温安定でかつ可視光域でレーザー発振可能（〜 700 nm）
な F2 中心を選択した。F2 中心の発振可能波長域に合わせ，格子間隔 d を 510 nm（発振波長 710 nm）に設定し，グレーティングを約 10 mm の長さに連続的に並べた（図 12）。
450 nm のレーザー光を DFB 共振器に照射したときに得られた発光を，CCD 分光器で観測した結果を図 13 に示した。707 nm 付近に非常に鋭い発光が見られ，その半値

図 14

LiF - DFB カラーセンターレーザーの発振時の写真

幅は分光器の分解能 1 nm 以下であった。グレーティン
グを記録していない領域を励起した場合は，ブロードな蛍光のみが観測された。また，設計波長 710 nm と観測

8

おわりに

された発振波長がほぼ一致していることから，作製したグレーティングが DFB ミラーとして機能していること

本プロジェクトで開発したフェムト秒レーザーパルスがわかる。変換効率は，最大約 10 % が得られた。DFBの干渉を使った透明材料への周期構造形成手法は，フェレーザー発振の様子を撮った写真を図 14 に示す。スク

ムト秒レーザー光のもつ高エネルギー密度性，超短時間リーン上に明るいビームスポットをはっきりと見る事が性，および高可干渉性を最大限活用した新しい材料加工できる。

技術である。この方法の最大の特徴は，感光性の有無に関わらず，ほとんど全ての材料に回折格子を記録できることである。これまでに SiC，Al 2 O 3 ，LiNbO 3 ，ZrO 2 ，
ZnO，CaF2，CdF2，MgO，各種ガラス，また各種金属，
半導体材料やプラスチック材料といった，感光性を持たない材料にも，ホログラフィックにグレーティングを書き込むことができた。

グレーティングあり

本手法のもう一つの際立った特徴は，非線形効果および体積収縮などの材料特性を利用して，光の回折限界を

強度

グレーティングなし

超えたナノスケール構造を作製できる点である 5）。また，
回折格子として表面レリーフ，および材料中に埋め込まれた屈折率変調型回折格子を形成することができる。さらに，光の干渉を利用しているので，自己整合的に多次元周期構造を作成することが出来る。こういった特徴を

680

700

720
波長（nm）

740

上手く利用することにより，LiF 結晶のように，今まで加工が困難であった光学材料の表面や内部に加工を施す

図 13

164

グレーティング書き込み部分の発光スペクトルことができ，それを利用して室温で発振する DFB レー

OPTRONICS（2004）No.10

ザーを作成する事ができた。さらに，本手法により，on the surface and inside the transparent materials. Nano-

フォトニック結晶など今までにないユニークなデバイス

sized structures can be encoded probably due to the opticalが創製される可能性がある。そういった新しいデバイス

non-linear effect with a aid of laser induced material

は光通信分野だけでなく，さらに多くの光エレクトロニ

structural changes. The fringe spacing of the gratings is

クス分野へ応用できる大きな可能性を秘めている。

reduced down to 290nm using ultraviolet laser instead of IR
laser. Further, two-dimensional periodic nano-structures by

謝辞

LiF カラーセンター DFB レーザーの結果は金沢大黒堀利夫教授との共同研究の成果です。ここに記して

a double exposure technique and the fabrication of a
distributed feedback laser in a LiF single crystal aredemonstrated.

感謝いたします。

参考文献
1）K. Kawamura, N. Ito, N. Sarukura, M. Hirano and H. Hosono, Rev.
Sci. Instrum. 73, 1711 (2002).
2）K. Kawamura, N. Sarukura, M. Hirano and H. Hosono, Appl. Phys.
B71, 119 (2000), Jpn. J. Appl. Phys. 39, L767 (2000).
3）K. Kawamura, N. Sarukura, M. Hirano and H. Hosono, Appl. Phys.
Lett. 78, 1038 (2001).
4）K. Kawamura, M. Hirano, T. Kamiya and H. Hosono, Appl. Phys.
Lett. 81, 1137 (2001).
5）K. Kawamura, N. Sarukura, M. Hirano, N. Ito and H. Hosono, Appl.
Phys. Lett. 79, 1228 (2001).
6）H. Kamioka; T. Miura, K. Kawamura, M. Hirano, H. Hosono, J.
Nanosci. Nanotechnol. 2, 321 (2002).
7）Z. Liu, T. Kozeki, Y. Suzuki, N. Sarukura, K. Shimamura, T. Fukuda,
M. Hirano, and H. Hosono, Jpn. J. Appl. Phys. 40, 2308 (2001).
8）Z. Liu, T. Kozeki, Y. Suzuki, N. Sarukura, K. Shimamura, T. Fukuda,
M. Hirano, and H. Hosono, Opt. Lett. 26, 301 (2001).
9）K. Kawamura, M. Hirano, T. Kurobori, D. Takamizu, T. Kamiya andH. Hosono, Appl. Phys. Lett. 84, 331 (2004).
10）T. Kurobori, K. Kawamura, M. Hirano, and H. Hosono, J. Phys.
Condens. Matter. 15, L399 (2003).

①カワムラ

ケンイチ

所属：細野透明電子活性プロジェクト（JST/ERATO）研究員
連絡先：〒 213-0012
戸 3-2-1

神奈川県川崎市高津区坂KSP ビル C 棟 1232

Tel. 044-850-9799

Fax. 044-819-2205

E-mail ： kawamura@lucid.msl.titech.ac.jp
経歴： 1998 年

東京工業大学

総合理工学研究科

材料科学専攻 博士課程修了，1998 〜 2000 年日本学術振興会

特 別 研 究 員 ，2 0 0 1 年 よ り 細 野 透 明 電 子 活 性 プ ロ ジ ェ ク ト（JST/ERATO）研究員，現在に至る．
専門分野：材料工学（フェムト秒レーザー光学）

②カミオカ

ハヤト

所属：細野透明電子活性プロジェクト（JST/ERATO）研究員
連絡先，経歴：本特集「透明酸化物半導体とデバ
イスへの展開」を参照■ Nano-Processing of Transparent Materials By
Interference Femtosecond Laser Pulses■① Ken-ichi Kawamura② Hayato Kamioka③ Taisuke

Miura■①② Researcher,TEAM(ERATO/JST)③ Researcher,TEAM (ERATO/JST) , Solid-State Optical
Science Research Unit RIKEN,Researcher■ Processing of transparent materials using infrared andultraviolet femtosecond (fs) laser pulses is discussed. Micro-

③ミウラ

タイスケ

所属：（独）理化学研究所 固体光学デバイス研究ユニット 基礎科学特別研究員
連絡先：〒 351-0198 埼玉県和光市広沢 2 番 1 号
Tel. 048-467-4746 Fax. 048-462-4369
E-mail ： taisuke@riken.jp
経歴： 1974 年東京生まれ。2001 年，慶應義塾大学大学院理工学研究科電気工学専攻修了。工学博士。2001 年
より ERATO 細野プロジェクトにて，深紫外レーザ用

grating structures can be holographically encoded inの新レーザ媒質探索に関する研究に従事。2003 年より理化学研究所固体光学デ

transparent materials by interference infrared fs laser pulses

バイス研究ユニットにて，EUV 発生用高繰り返し高出力超短パルスレーザ光源の開発に従事し，現在に至る。

OPTRONICS（2004）No.10165