高専

研究室

紹介

熊本電波工業高等専門学校・半導体デバイス研究部

熊本電波工業高等専門学校
教授 大山

電子工学科

英典

e-mail：ohyama@knct.ac.jp
研究室 URL：http://www2.ee.knct.ac.jp/tstaﬀ/e04ohyama/ohyama/

半導体デバイス研究部は、教授：２名（大山英典、紫垣

以 外 の 海 外 連 携 機 関 で あ る NCM（Centro Nacional de一貞）、准教授：５名（葉山清輝、工藤友裕、本木実、高倉Microelectronica、バルセロナ、スペイン：平成19年に国際健一郎、松尾和典）、技術職員：１名（米岡将士）、専攻科１、共同研究協定を締結）、University of Athens（アテネ、ギ２年生：15名、本科５年生：25名から構成されており、「先リシャ）、IET（Institute for Energy Technology、オスロ、

端半導体デバイス・回路（システム）と材料」に関する研ノルウェー）、国内では、宇宙航空研究開発機構（JAXA）、究を多くの海外研究機関や国内企業・独立法人と連携して並びに（株）湖東製作所、（株）日本ガスケミ、阪和電子工行っています。ここでは、その研究活動や人材育成等の対業（株）、中欧電子工業（株）、テクノデザイン（株）、（株）外活動について紹介します。

東京カソード研究所、（株）菱栄テクニカ（順不同）とも密接に協力して行い、関連する国際学会や学術論文に報告し『研究活動』ています。これまでに、メインテーマである「耐放射線性半導体デバイスの開発」①放射線照射によるデバイス特性の劣化には、表面の酸は、①最近の IT 技術の急速な進展に伴う人工衛星を介した化保護膜の損傷と同時に、基板に導入される格子欠陥通信の信頼性向上が大きく関与するが、その関与の割合は、照射線源、②恒久的なエネルギー供給における原子炉の安全管理、等の人類にとって重要な課題を解決することを目的にしています。こうした社会的ニーズから、放特に線量に深く関係する。
②損傷の程度は基板原子の構造や種類で異なり、SiGe 系

射線環境下でも正常に動作する半導体デバイス（広義的にデバイスでは、Ge の含有量が多い程、劣化が少ない。

は材料と回路・システム）を開発する研究は世界各国（特これは、損傷が入射線源の粒子質量や基板原子との衝に、欧米で）で盛んに実施されており、本研究部でも昭和突確率、すなわち、導入格子欠陥量に依存するためで57年から積極的にこれに取り組んでいます。特に、大山がある。

文部省在外研究員・客員研究員として滞在（平成４〜６③損傷の程度は照射温度でも変わり、照射温度が低温程、年）したのを契機として、平成８年にベルギー（ルーバン）劣化が大きい。これは、照射時に発生する熱処理（回に 在 る IMEC（Interuniversity Microelectronics Center）復効果）が影響しているためである。と国際共同研究協定を締結し、IMEC で製作された SiGe、等の最新の成果を他の研究機関に先駆けて発表しています。

SiGeC、SOI（Silicon on Insulator）等を基板とした先端半（研究室 URL を参照）

導体デバイスの放射線損傷機構を調べています。放射線環境を実現するための電子線、中性子線、陽子線等の放射線

この他には、「透明電極材料β発」と「ニューロデバイスの開発」も実施しています。前者は、照射は、原研施設利用共同研究経費（東京大学大学院工学

安価で安全な太陽電池用透明薄膜の作製を目指して、高周系研究科原子力専攻）を活用して日本原子力研究機構・高波スパッタリング法とそれに続く熱処理で良質な薄膜を成崎量子応用研究所の電子加速器やサイクロトロンで実施し長させるユニークなテーマです。後者は、設計したニューています。詳細なデバイスの照射、評価、解析は、IMEC

ラルネットワークを用いたニューロデバイスを VDEC（東SEAJ Journal 2008. 11 No. 117

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高専研究室紹介
大大規模集積システム設計教育研究センター）にて製作し、ていきたいと考えています。

それの耐放射線性を検証するものです。
こうした一連の研究は、配属された専攻科生が後輩の本科生を指導しながら、自主的（かつ、精力的）に研究して＊電子情報システム工学専攻１年：坂本敬太

いることによるものです。専攻科が設置された平成12年か

私が高専に進学した大きな理由は，中学校時代から興味ら本研究部には、延べ38名の専攻科生が在席し、その内のがあった電気系の専門分野をより早い時期から学べること約半数は、九州大学、熊本大学、奈良先端科学技術大学院と，自宅から近かったためです．また、熊本電波高専にあ大学等に進学し、残りの学生は半導体関連の企業に就職しる４つの学科の中で、電子工学科を専攻したのは，主に学ています。また、地場半導体関連企業にも数名就職して、習する半導体デバイスが社会の広い分野で利用され，様々高専で学んだ教養と技術を活かして大いに活躍しています。

な製品の小型化がデバイスに集積化技術の進歩によるもの

続いて、多くの卒研生を代表して、「高専・専攻科に進学であることを、詳しく学ぶことができるからです．現在はした理由」「半導体やニューロデバイスを研究テーマに選ん専攻科において，半導体デバイスの放射線損傷に関する研だ理由」「今後の進路・抱負」等々について３名の専攻科１

究と同時に、関連する電子情報系の分野を勉強しており、年生に書いて貰います。

専攻科修了後の大学院進学に備えています．

『卒研生の紹介』＊電子情報システム工学専攻１年：水上郁太郎＊電子情報システム工学専攻１年：金子朋裕
専攻科では、身近なものにも使われている半導体デバイ

私はニューロデバイスを研究しています。この分野を選んだきっかけは、研究室の HP で見た「コンピュータに人スに興味を持ち、それに関する研究（：半導体デバイスの間的な処理技術を」「人工知能」という言葉にひかれたため放射線損傷）を行なっています。私が熊本電波高専へ進学です。最近は、研究の難しさに直面すると共に、ニューラした理由は、高専ではより早く半導体や通信など専門知識ルネットに関する興味も一段と強まっています。高専の専を身に付けることができることにとても魅力を感じたから

攻科に進学した理由は、本科で学習した教科や研究を同じです。本科を卒業する時、就職、他大学への編入、専攻科環境のまま続けていくことができることに魅力を感じたかへの進学という３つの選択肢がありましたが、私は専攻科らで、専攻科修了後の進路としては、大学院に進学してこへの進学を決めました。それは本科で行なっていた研究をの分野の研究を続けていきたいと思っています。そして、さらに深く続けることで、そこで得たものが自分の知識といつかは自分で作ったニューロデバイスが、さまざまな電なり、専攻科終了後の進路にも役立つと考えたからです。

子機器・システムに活用されて広く浸透していくような優終了後は、電気系企業への就職を希望しており、本校で学れた技術者になりたいと日々の研究活動に励んでいます。

んだことをしっかりと活かしながら、様々なことに挑戦し58

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熊本電波工業高等専門学校・半導体デバイス研究部『対外活動』

内外企業17社の協力の下に人材開発事業も実施しています。

高専の使命の１つでもある地域貢献の一環として、学術（経済産業省「組込みソフトウェアレポート2008〜地域に研究や学生教育と並行して、地場半導体関連企業の技術者おける先進的取組み事例」：http://www.meti.go.jp/policy/

向けの半導体セミナーを昭和60年から開講しています。こit̲policy/etreport/etreport2008.html）のセミナーは、熊本に昭和40年代から進出した NEC や三菱の IC 生産工場の協力企業である地場中小企業、広くは工場『研究施設』に出入りする商社や融資を計画する銀行で働く社員の半導以上のような、教育研究を遂行するために、簡単な Si デ体に関するリフレッシュ教育を主な目的としています。平

バイスや色々な薄膜を作製できるクリーンルームと、それ成11年からは、くまもとテクノ産業財団や熊本県と連携しらの電気的・光学的・結晶学的特性を高精度に評価する各た「くまもとセミコン塾」と衣替えして、現在までに、延種測定装置を備えています。

べ22回、500名が受講し、関係技術者のスキルアップに貢献

このように、熊本電波工業高等専門学校の半導体デバイしています。また「、くまもとセミコン塾」の成果を活かして、ス研究部は、熊本の地域に根ざした半導体関連の教育研究

平成18年から本年度まで３年間、経済産業省中小企業庁のを通して優れた人材を輩出すると同時に、主力である半導「高専等活用事業経費」による「中小企業若手技術者向け体産業を支える種々の地場企業に働く人材の育成に務めて実践的電子情報技術教育システム」を新たに構築し、熊本います。

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