Chapter 1
ディスプレイの技術推移

Chapter 1

1.

直視型フラットパネルディスプレイ（Flat Panel Display：FPD）
ディスプレイの進化を図 1.1 に示したが，デバイスとしては CRT から LCD，PDP に代表される FPD の実用化で薄型・軽量・大型化が実現した。しかも，CRT では実現不可能なモバイル機器への適用も可能になった。中でも，TFT-LCD は既存分野の市場を拡大し，新たなアプリケーションを創出し続けることで FPD 市場を大きくしてきたといっても過言ではない。
FPD の進化に伴って，バックプレーン用 TFT 技術も変遷し続けている。今後の展開としては，
スーパーハイビジョン（SHV：4K × 8K）が 2020 年の東京オリンピックを照準に下準備が進められている。現状の HDTV に比べ臨場感や没入感が増すといわれている。ディスプレイメーカー
および TV メーカーは高精細化・高品位化による次世代テレビの創出で価格下落の抑制を企んでいるが，消費者目線を忘れると過去の過ちを繰り返すことになりかねない。
なお，ここで用いられているディスプレイはガラス基板を用いたもので，フレキシブル性，形状の自由度，軽薄で堅牢などには大きな課題がある。そこで，注目され R ＆ D および実用化が活発なディスプレイがフレキシブルディスプレイである。

図 1.1

ディスプレイの進化（IHS，SID2013 Business Conference）

3

Chapter 2
Display Week 2017 の基調講演

Chapter 2

Display Week 2017 は米国 Los Angeles Convention Center で 5 月 21 ～ 26 日まで開催された（図2.1）。シンポジウムは，81 のテクニカルセッションで300 件の口頭発表と250 件のポスター発表があった。参加者数は展示会を含めるとおおよそ 8,000 人と思われる。ここでは，基調講演から著者が興味を持ったものを紹介する。

図 2.1

Los Angeles Convention Center（著者撮影）

今年の基調講演 Keynote Session は，下記の 3 件の講演が行われた。
・‌Paul Peng, Chairman and CEO, AU Optronics Corp., Hsinchu, Taiwan,“The Warring
States Era of Display Technologies”
・‌Clay Bavor, Vice President of Virtual Reality, Google Inc., Mountain View, CA, USA,
“Enabling rich and immersive experiences in virtual and augmented reality”
・‌Sanjay Dhawan, President, Connected Services, HARMAN, Stamford, CT, USA,
“Humanizing the Autonomous Car Experience”
ここでは，AU Optronics（AUO）社の講演を紹介する。AUO 社の CEO，Paul Peng 氏は，「ディスプレイ技術の戦争状態」をテーマに講演した。
過去 20 年間で，TFT-LCD は，PDP，FED，OLED ディスプレイなど競合技術の中で最も支配的なフラットパネルディスプレイ（FPD）技術といえる。というのは，競合技術と比較して，優れた優位性と継続的な技術の向上により，ディスプレイのアプリケーションにタイムリーなソリューションと手頃な価格で贅沢なパフォーマンスを提供し続けている（図 2.2）。
図 2.2 は，CES（ 毎年アメリカのラスベガスで開催される。コンシューマエレクトロニクスのショーでは世界最大）における液晶テレビの変遷を示す。2004 年のフラット TV に始まり，2006 年 FHD（Full High Definition），2008 年には BLU（Back Light Unit）が冷陰極蛍光灯からLED に，2009 年には Edge LED が採用された。2011 年には 3D が各社から商品化されるも不発に終わった。2014 年には UHD（3,840×2,160）4K が，2015 年には画面がフラットから曲面にな21

Chapter 3
TFT-LCD の高コントラスト化技術

Chapter 3

映像の品質は図 1.2 に示したように，①空間解像度，②階調（量子化数もしくは量子化率。
ピクセルの濃度を濃淡といい，濃淡の数は量子化数（率）または階調数と呼ぶ。），③時間解像度（フレームレート），④色再現範囲，⑤コントラスト（輝度範囲），の 5 つの要素で表現できるが，①～③が画素の密度を表すのに対し，④と⑤は画素が表現可能な色と輝度の範囲を表しており，それぞれのグループは異なる性格を持っている。これら 5 要素の進化により映像品質が向上してきたが，これまでの進化は主に解像度が中心であり，SD から HD，そして 4K へと数値で表せるわかりやすい進化であった。一方，数年前に BT.2020 として ITU-R で規格化された広色域は色の表現範囲を広げたが，輝度の表現範囲は数十年前に決められた範囲（SDR：Standard Dynamic Range）のままであり，5 要素の中で唯一進化していない要素となっていた。
それが，SMPTE の ST2084 および ITU-R の BT.2100 により HDR が導入され，ついに大きく広がることとなった。ここでは，HDR により輝度の表現範囲が拡張される意味について説明する。上述したように，実世界における輝度範囲は非常に広く，1092－62cd/m 程度の夜空から

1510 cd/m 程度の直射日光まで 10 にもなるダイナミック・レンジを持つが，人の目はその 1/312程度のダイナミック・レンジを持ち，さらに瞳の調整により 10 程度のダイナミック・レンジを得ているといわれている（図 3.1）。
カメラの絞りはこの瞳の機能を模しており，図 3.2 に示すように高性能化された撮像素子のダイナミック・レンジを活用して人の目を満足させるダイナミック・レンジを持った映像を撮像できるようになってきた。また，近年ディスプレイも高性能化しており，人の目を満足させるダイナミック・レンジを持った映像を再生できるようになってきた。ところが，図 3.3 に示すように旧来の SDR 信号では伝送可能なダイナミック・レンジが狭いために，人の目に対して十分なダイナミック・レンジの映像を送ることができなかった。それに対し，図 3.4 に示す
ように HDR 信号では十分に広いダイナミック・レンジを伝送することができるので，非常にリアルに見える映像を提供できるようになった。
さらにこれに加えて，広色域は色の表現範囲を拡張するので，HDR と広色域を組み合わせることで表現可能な範囲が三次元的に広がる。それを表したのが図 3.5 であり，図 3.5 左側の一般的な色度図を底面として高さ方向に輝度を取ると図 3.5 右側の立体が構成される（これをカラーボリュームと呼ぶ）。従来の色域と SDR の組み合わせ（内側の立体）に対し，広色域とHDR の組み合わせ（外側の立体）では，表現可能な範囲が非常に大きくなっていることがわかる。このように，広色域と HDR により拡張された範囲には多くの色が含まれるが，特に SDRの範囲を超える高輝度の色は青い空や海，車の塗装などの「綺麗な色」の再現を可能とし，また，光が当たると白く飛びやすい人の鼻筋は高輝度の色により再生可能となるように，高輝度の色は物体の「立体感」も表現することができる，という点が重要である。

31

Chapter 4
TFT-LCD の広色再現範囲化技術

Chapter 4

SID2016 の 展 示 会 場 で は，LG Display 社 が AMOLED-TV を 展 示 す る 一 方 で，Samsung
Display 社は VA Mode LCD-TV をアピールしていた。OLED-TV と比べ色再現範囲に劣る LCDTV の対抗策として，ここでは，量子ドットによる TFT-LCD の色再現範囲の改善を述べる。

1.

量子ドット（Quantum Dot：QD）とは電子を微小な空間に閉じ込めるために形成した直径数～数十ナノメートル（nm）の半導体結晶である。電子をその波長とほぼ同じ大きさの空間に注入すると，三次元のどの方向にも自由に移動できないため，特定のエネルギー状態をとる。このエネルギー状態は，量子ドットの大きさを変えることで，ある程度自由に変化させることができるため，新しい機能を発現する素材をつくることができる。離散的なエネルギー状態はあたかも原子のエネルギー順位のように見えることから，人工原子と呼ばれることもある。量子ドットの種類としては，結晶成長により作製したものと溶液プロセスにより作製したものがある。後者の量子ドットはコロイド量子ドットと呼ばれる。このコロイド量子ドットの特徴は，①室温・大気圧下溶液プロセスによりデバイスを作製可能（図 4.1）
②材料，粒径により吸収波長を制御可能（図 4.2 および図 4.3）③‌励起エネルギーを有効に活用可能（Multiple Exciton Generation：MEG，1 光子吸収で 2 つの励起子が生成，図 4.4）などである。
図 4.5 に示すように，直径が 1 ～ 10 nm の量子ドットは Core/Shell 構造を有し，紫外光（たとえば 365 nm）励起によって，粒子が小さいほど短い波長の光を蛍光し，粒子が大きいほど長い波長の光を蛍光する。Core 材料としては CdSe が代表的である。最近は，カドミウムを含まない低毒性材料として InP などのⅢ－Ⅴ族半導体や Si などが研究開発されている。Shell 材料としては ZnS が使われることが多い。
Ligands（配位子）は，Core または Shell 表面に存在する不安定な部分（非結合手：ダングリングボンド）をなくし，水あるいは有機溶剤への溶解性や分散性を高める役割がある。先述のように，量子ドットは Core のサイズにより半導体のバンドギャップが変化するため，ディスプレイ材料として極めて有利な光学特性を示す。つまり，Core のサイズが大きくなると発光スペクトルが長波長シフト，小さくなると短波長シフトし，サイズ制御により紫外～可視光～赤外の広い波長領域で発光波長を自在にチューニングすることが可能である。さらに，サイズのばらつきを小さくすると，発光スペクトルの半値幅が小さくなるため，色純度の高い発光材料となる。Core のサイズおよびそのばらつきは，量子ドット合成時の温度や時間，原料の種類

47

Chapter 5
フレキシブルディスプレイ

Chapter 5

数ある FPD の中で OLED が高コントラスト，高色再現範囲を実現でき，しかも極薄型化も容易であることからフレキシブルディスプレイの本命技術として注目されている。
電子ペーパーの代表的な電気泳動ディスプレイ（EPD）はフレキシブルディスプレイとしての実用化は早かった。しかもこのディスプレイは，メモリ性を有しバックライトが不要な反射型で，しかも偏光板が不要のため，明るく無彩色の表示が得られる。しかし，カラー表示と動画対応への課題が残る。
一方，LCD は大画面・高精細で広色再現範囲など，高品位のディスプレイとして広範囲の用途で実用化されている。しかも，製造技術の完成度は高く，今や中国での生産量がトップになる日も遠くない。しかし，液晶は所詮液体であり，配向が必要なところから極薄型化やフレキシブル化に伴う表示品位の安定化に課題を有する。

1.

フレキシブル AMOLED と製造工程
Apple 社の iPhone にフレキシブル OLED が採用されるとのことで，関連企業の動きは活発になっている。ここでは，フレキシブル AMOLED 固有の製造技術について述べる。
現在量産されているフレキシブル AMOLED の製造プロセスを図 5.1 に示す。ガラス基板上に PI 膜をコートし，OLED 駆動用に LTPS-TFT を形成する。さらに，ディスプレイとしての
OLED はファインメタルマスク（FMM：Fine Metal Mask）を用いた真空蒸着で RGB の発光層を作製する。OLED 材料は酸素や水に弱いので封止をする。次に，ガラス基板の裏面からレーザを照射し，ガラス基板と PI 層を剥離し（LLO：Laser Lift Off），最後にディスプレイサイズに合わせて PI 基板を切断する。
モバイル用の LTPS-TFT の基板サイズは，例えば G6（1,500 mm×1,850 mm）である。この

図 5.1

フレキシブル AMOLED の製造工程（（株）オプトピア提供資料）

71

Chapter 6
薄膜トランジスタ（TFT）

Chapter 6

1.

TFT の種類と特徴
表 6.1 に現在実用化されている無機系 TFT と開発中の有機 TFT の特性比較を示す。取り上

げた TFT は，アモルファス Si（a-Si），微結晶（ナノ nc-Si），低温ポリシリコン（Low temperaturepoly-Si：LTPS），有機（Organic）および金属酸化物（Metal oxide）である。比較した特性は，伝導型（PMOS, NMOS），移動度（μ），駆動能力（オン電流 ION）
，しきい値電圧の安定性（ΔVT），しきい値電圧の均一性，移動度の均一性，補償回路，量産性，コストおよびフレキシブル基板である。
Chapter 5 でフレキシブルディスプレイの生産方式として，R2R 方式への期待が大きいと述
べたが，これに対応できるのは唯一 OTFT であることが表からわかる。現在，スマートフォンのディスプレイに用いられている AMOLED の駆動には LTPS が用いられている。ただ，LTPS は a-Si を ELA することで多結晶 Si を作製している。したがって，作製に必要な温度は450℃前後である。プロセスとしては，ガラス基板上に PI 膜を塗膜し，その上に LTPS を作製後，ガラス基板からレーザを用いた剥離でフレキシブル基板を作製する。枚葉方式で，グリーンプロセスからほど遠いと言わざるを得ない。Si 系は，基本的に真空中のプロセスが必須であり，脱真空プロセスには適さない。
金属酸化物半導体は，塗布方式の進捗が目覚ましいので，フレキシブルデバイスとして実用
表 6.1

TFT の特性比較（UDDI 資料）

151

Chapter 7
マイクロ LED（Light Emitting Diode）

Chapter 71.

マイクロ LED とは
光源の輝度および電力効率は，適切な応用を決定する上で重要な要素である。発光ダイオー
2ド（LED）は，50,000,000 cd/m を超える非常に高い輝度が実現でき，直射日光下での応用にも適している。しかも LED は電力の光パワーへの変換効率は最高である。材料システムに応じて，60％を超えるエネルギー変換を達成することができる。これらの利点と小さなソリッドステートフォームファクタにより，発光型 LED はあらゆるサイズのディスプレイに適用できる。
最近のディスプレイ用途では，TFT-LCD の BLU として，LED は 0.5 型から 100 型など，すべてのサイズに使用されている。個々にパッケージングされた LED は，大面積のビルボード・ディスプレイの個々の画素としても使用されており，LED ディスプレイの唯一のフォーマットである。残されている応用分野は，競合技術に比べ小さい表示フォーマットの個々の画素としての LED である。
HDR テレビや拡張現実感などの新しいアプリケーションでは，大面積ディスプレイと同じ高性能仕様が要求されるが，パッケージ化された LED の場合は対応が困難である。例えば，
2TV ディスプレイは，将来の HDR コンテンツ用に最高輝度 10,000 cd/m を必要とし，AR/MR2用メガネに用いられるマイクロディスプレイでは 100,000 cd/m を実現する必要がある。これ
2らの要件は，50,000,000 cd/m までの輝度を有することができる LED によって容易に実現できる。他の発光型ディスプレイと同様に，発光型 LED ディスプレイは，LCD（偏光子，カラーフィルタなどで構成）のように大きな光損失なしに，ピクセル光源の輝度および効率を実現できる。
70 型よりも小さい高輝度発光型解像度 FHD の LED ディスプレイは，パッケージ化されたLED ピクセルから作ることができないため，新しい製造技術の開発が必要である。具体的には，これらのより小さい表示形式では，より小型の LED 素子または「マイクロ LED」を使用する。緩く定義されたマイクロ LED は，1 画素当たりの LED 発光面積が 50 μm×50 μm または
20.0025 mm 未満のデバイスである。マイクロ LED のアレイはマイクロ LED ディスプレイを構成し，そのサイズは 1 ～ 70 インチの範囲まである。
マイクロ LED ディスプレイの作製方法を図 7.1 に示す。作製方法は図に示すように，「直視型マイクロ LED ディスプレイ」と「マイクロ LED マイクロディスプレイ」の 2 通りがある。
いずれもマイクロ LED アレイからスタートし，ピック & プレイス技術でトランジスタバックプレーンに実装したものが「直視型マイクロ LED ディスプレイ」，半導体集積化技術で実装したものが「マイクロ LED マイクロディスプレイ」である。
直視型マイクロ LED ディスプレイでは，マイクロ LED は小さなピクセルピッチで製造され，個々のダイスに分離され，ピック＆プレイス技術を用いてアクティブマトリクス用バック207

Chapter 8
量子ドット LED（QLED）

Chapter 8

コロイド状量子ドットは，特に発光スペクトルが狭く，発光波長が調整可能であり，製造プロセスが容易であることから，LED 技術にとって魅力的な材料である。昨今の QLED に関する活発な研究はその性能に飛躍的な改善をもたらし，製品化に必要な条件を議論できるレベルになってきた。
図 8.1 に代表的な QLED の構造を示す。図からわかるように，量子ドットによる発光層の両側に電子輸送層（ETL）および正孔輸送層（HTL）とそれぞれの電極を有する構造である。この構造は OLED と類似でしかも構成層の膜厚も同程度である。図 8.2 に QLED の RGB3 色の発光スペクトルを OLED と比較して示す。図から QLED の発光波長の半値幅は 30 nm 以下で，OLED に比べ狭いことがわかる。
SID2017 での QLED 関係の論文を図 8.3 と図 8.4 に示す。以下に，この中からいくつか選んだ論文の概要を紹介する。

図 8.1

図 8.2

QLED のデバイス構造

1）

QLED の発光スペクトルと OLED との比較

2）231