下地触媒型無電解金めっき
Substrate-Catalayzed Electroless Gold Plating

関東化学株式会社 技術・開発本部 中央研究所 第五研究室 室長 工学博士

加藤勝

MASARU KATO, Ph.D.
Group Manager Central Research Laboratory
Technology & Development Division Kanto Chemical Co.,INC

1. はじめに金は全ての金属のなかで最も延展性に優れ、大気中、水中、高温中でも酸化されない化学的に極めて安定な金属である。また、銀、銅に次ぐ高い電気伝導率をもち、樹脂封止したときのストレスに耐えうるなど、他の金属にない優れた物理的・機械的性質を備えている。このような特性

図１ 金めっきの分類から、金は電子工業分野において配線材料、接点材料と使用金塩により液性（pH）、温度等の操作条件、安定して着目され、金めっき技術が接続端子等の最終表面処性等の特性が決まってくる。そのため、KAu（CN）2等のシ理法として広く実用化されてきた。近年、移動体通信や携アン化合物を用いたシアン系か、Na3Au（SO3）2等を金源帯電子機器が急速に普及し、心臓部にあたる「半導体デとするノーシアン系かという区別は大きな意味を持つ。シア

バイスの微細化技術」が進むとともに、「高密度実装技術」

ン系浴は酸性、中性、アルカリ性、電解、無電解、硬質の開発が盛んに行われ、接続信頼性確保のため金めっき金、軟質金全てに対応している。一方、ノーシアン系浴は、技術が益々重要度を増してきている。特に、実装分野に液性は中性、アルカリ性、析出機構は電解、無電解が報おいて、デバイス、パッケージの内・外部接続端子部のめ告されているが、析出可能な膜は軟質金のみである。

っき処理は、配線の微細化、複雑化などにともない、従来の電気めっきでは対応困難なものが増え、精密な加工精2.2 無電解金めっき度に対応できる無電解金めっきへの要求が高まっている。

現在、電子工業分野で実用化されている無電解金め

本稿では、電子工業分野で実用化されている無電解金めっき法は、析出反応メカニズムから置換型と自己触媒型っきの特長や問題について概説し、新しい無電解めっき技の2種に分類される。2種の浴は要求される膜厚や物性術である下地触媒型無電解金めっきについて詳述する。

によって使い分けられている。

2. 金めっきの分類と反応機構●置換型無電解金めっき
置換めっきは、下地金属（通常Ni）と金イオンのイオン化

2.1 金めっきの分類

101,2)傾向の差を利用した析出システムである。置換金めっき浴

金めっきは使用する金塩、反応機構、析出膜質等々、は後述する自己触媒浴に比較して浴組成は比較的単純様々な観点から分類することができる。その分類系統図

であり、浴安定性に優れ、管理が容易、金析出コストがを図1に示す。金めっき浴はそれぞれ、膜質、液性、操安い等の特長を有する。反面、下地金属（Ni）が金で被作条件などを考慮し、使用目的に応じて適宜選択される。

覆された時点で反応が停止するため、析出膜厚は薄くな

THE CHEMICAL TIMES 2003 No.3（通巻189号）

下地触媒型無電解金めっきり（通常は最大0.2μｍ程度）、かつ下地の溶解に起因するピンホールが多く存在する。さらに、溶出した下地金属3, 4）いるかは明らかではない。
自己触媒型無電解金めっきは、実用面では浴の安定等の性に問題がある。通常無電解金めっきプロセスでは、下問題点がある。一般的に置換金めっき膜はボンディングに地ニッケルに対して0.1μm以下の置換金めっきを施し密は不向きで、主に薄付け金としてはんだ接続のためのNi着性を確保してから、自己触媒型めっきにより金を厚付下地の保護膜や厚付け金めっきの前めっきとして使用されけするといった2段プロセスを行う。このようなプロセスのる。最近では、置換型でありながら厚付けが可能な高速煩雑さも自己触媒型無電解金めっき浴の問題点といえ厚付け置換金めっき5, 6）や、置換及び還元が同時に起こる。また、めっき浴が汚染物質に非常に敏感という報告

るめっき浴7, 8）等が報告されている。しかし、これらの浴にもある23）。しかし、このような問題点を抱えつつも、微細ついての詳細な反応機構等は明らかにされていない。

プロセスの表面処理技術として、従来の電解金めっきでイオン（通常ニッケルイオン）により浴が汚染されるは対応できない部品や実装分野に、自己触媒型無電解めっきが実用化されるようになってきている18,22）。

●自己触媒型無電解金めっき
自己触媒型無電解金めっきは析出金属（金）上で酸化触媒活性を有する還元剤の反応を利用して金を析出3. 下地触媒型無電解金めっきさせるシステムである。自己触媒型無電解金めっき浴としては1970年に沖中らにより報告されたテトラヒドロほう

1991年、Iacovangeloらにより新規な無電解金めっきシ酸カリウム（KBH 4）
もしくはDMAB：ジメチルアミンボランステムとして下地触媒型無電解金めっきが紹介された24）。

（（CH3）2NHBH3）を還元剤とし、KAu（CN）2を金塩とし下地触媒型めっきは還元剤を用いた化学還元型のめっき

9,10）。本系浴は優であるが、被めっき素地金属（Ni）が触媒活性を持ち、析れた物性の析出物が得られるが、安定剤等を含まない出金属（Au）自体は触媒活性を持たない還元剤を用いる組成であったためニッケルなどの汚染物質に非常に敏感という特異なシステムである。このシステムからの析出膜であった。しかし、現在までにこの浴をベースに多くの改は従来の置換金に比較すると緻密で著しく細孔が少なて用いたシアン系浴が最も有名である

11）

良がなされ、実用浴が提案され用いられている 。シアい。また、自己触媒型めっき浴のように、浴中にめっき金ン系浴の根本的な問題として、シアン自体の基板素材を属が分解析出する事はなく、良好な浴安定性を有する。

浸食する性質に加え、強アルカリ性、高温度での操作性

逢坂らはこのシアン系下地触媒浴について、詳細な検から、アルカリに弱いポリイミド基板やポジ型レジスト付ウ討を行い、めっき反応及び良好な析出膜を得るためには、ェハー等には応用が困難という点がある。

素地ニッケルの酸化膜除去、りん含量などの活性制御が1986年以降シアン系浴の問題点を解決する目的で、極めて重要である事を見出した25）。下地触媒めっきの析

シアン化合物を全く用いないノーシアン系自己触媒型浴

出膜は、薄膜でも著しく細孔が少ないことから、高信頼性の開発が試みられ、日立製作所グループのチオ硫酸金接続のための金めっき方法として期待できる。下地触媒金12）塩の特許 を皮切りに、多くの浴が報告されてきている

めっきシステムは現在シアン系浴が報告されているのみで13）。ノーシアン系浴のほとんどは亜硫酸またはチオ硫酸ある。シアン系下地触媒浴は従来のシアン系自己触媒型を錯化剤とした系であり、報告例として、亜硫酸単独浴浴と同様、シアン自体の浸食性に加え、強アルカリ性、高14,15）温度での操作が必要という実用上の問題点を有している。

、チオ硫酸単独浴

16）、更に亜硫酸−チオ硫酸を混17,18）、アスコルビン酸

下地触媒型めっきをノーシアン系で実現できれば、金薄19−21）などを用いた浴が報告されている。亜硫酸又はチ膜化によるコストの低減、厚付めっき時の置換金めっきの省オ硫酸系の浴は比較的安定性が高いことが特徴であり、略など、実用プロセスとして様々な利点が期待できる。著

いくつかの浴は商品化され、プリント配線板等のめっき者らは、ノーシアン系自己触媒型浴を基本として、下地触媒合した系で還元剤としてチオ尿素13,22）。亜硫酸、チオ硫酸系以外で型無電解金めっきシステムの開発を試みた。その結果、亜は、チオりんご酸、エタンチオールなどを錯化剤としたノ硫酸―チオ硫酸混合塩を錯化剤とした系で、亜硫酸が還ーシアン浴が報告されているが、商品化、実用化されて元剤となり下地触媒反応が進み、安定な無電解金めっき浴に実用化されている

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として働くことを見出した26,27）。さらに、この系にヒドロキシ定した金膜厚よりも少ない。すなわち置換だけで金析出ルアミンを還元剤として加えることで下地触媒と自己触媒のが起こっているのではなく、金析出が下地触媒反応によ28）複合浴として働くことを見出した 。以下にIacovangeloらっても進行していることが示唆されている。のシアン系浴とさらに著者らが開発したノーシアン系浴それぞれの下地触媒型無電解金めっき浴について詳述する。

●下地膜組成、前処理の影響
Iacovangeloらは、下地ニッケルとして、CVDによる3.1 シアン系下地触媒型無電解金めっきNi膜や無電解NiB膜を用いている。しかし、工業的によ●浴組成と析出機構

り広く用いられている無電解NiP膜での検討は行ってい

表1にIacovangeloらにより報告されたヒドラジンを還ない。逢坂らは高りんタイプの無電解NiP（P:15.4wt.%）

元剤としたシアン系下地触媒型無電解金めっき浴の基本

膜を下地として無電解NiB膜との比較を行い、以下に示浴組成及びめっき条件（Bath A）を示す 。本浴の析出す知見を得ている。NiB（B:5.4wt.%）素地上において機構を模式的に図2に示す。本システムはヒドラジンの酸は特別な前処理を行わず通常の水洗のみで均一で密着化反応に対する触媒活性がニッケルと金では異なること性のよい金めっき膜を得ることができたが、高りんタイプのを利用している。a）ニッケル表面でヒドラジンが酸化しNiPでは不均一で密着性の悪い金めっき膜となった。更（還元剤として機能する）、金の核発生と核成長が進行に、析出膜の違いの原因を調べるために、金の初期析

する、b）金上でヒドラジンは酸化しない（金上で還元剤出状態を電顕（SEM）にて観察した（図3）。図3よりNiBとして働かない）＝ニッケル表面が完全に金で覆われた下地では金の核発生が緻密なために、連続膜を作りや時点で金析出が停止する、というものである。

すいと考えられるが、NiP下地では、初期のAu核の発生

24）

Iacovangeloらは、ヒドラジン濃度と金析出量および密度がまばらであり、結晶成長が優先され、連続膜になニッケル溶解量の関係を調べている。ヒドラジン無添加りにくいことが確認できる。このような初期のAu核発生の場合は、金の実析出膜厚と浴中のニッケル溶解量か密度の違いはヒドラジンの酸化反応に対する下地の触ら計算される析出膜厚は比較的近い値となり、金はニッケルと置 換 析 出している。ヒドラジン添 加 条 件では、

表2 金析出外観に及ぼす素地NiP膜のP含量及び前処理の影響

KCN濃度により差はあるものの、溶解したニッケル量から算出した金析出膜厚（置換反応による）は、実際に測表1 シアン系下地触媒型無電解金めっき浴の浴組成

析出時間3秒

30秒

3分

NiB
下地

NiP
（P:15.4 wt.%）下地

図2 下地触媒型無電解金めっき（A浴）の反応モデルa）ニッケル表面でのみN2H4が還元剤となり金の核発生と核成長が進行b）ニッケル表面が完全に金で覆われた時点で金析出が停止

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図3 シアン系下地触媒型無電解金めっき浴（Bath A）からの金析出初期形態（SEM写真）下地触媒型無電解金めっき

媒活性度の差によるものであり、NiBとNiP下地膜の表処理を施さなくとも、密着性の良い均一な金めっき皮膜面状態の差がこの違いを与えているとしている。

を得ることができることを報告している。

また、逢坂らはNiP膜中のりん含有量や前処理法を適切に選択することにより、均一な金膜を成膜するこ●めっき膜厚の制御と有孔度とができるかどうかを検討した。りん含量の異なる3種

IacovangeloらはNiB素地を用いて、錯化剤である（15.4,10.5,4.7wt.%）のNiPめっき膜を用い、前処理なKCN濃度を変化させると、金の析出膜厚を制御できるし（水洗のみ）、ふっ化アンモニウムとスルファミン酸ナトリことを報告している2 4 ）。逢坂らは低りんタイプの N i Pウムの混合液処理（ＦＳ処理）、10%塩酸処理の3種の前（P:4.7wt.%）素地を用い、KCN濃度と析出膜厚の関係処理を施し、金めっきを行った。

を調べた。その結果を図5に示す。NiP（P:4.7wt.%）素

その結果、表2に示すように、低りんタイプNiP膜にFS地でもKCN濃度によって金の析出膜厚の制御が可能で処理を行った場合のみ均一で密着性の良い析出膜が得あることを見出した。KCN濃度が高くなるに従い、最大られ、そのほかの条件ではいずれも良好な析出は得ら

析出膜厚が増大した。また、30分及び60分のめっき析れなかった25）。更に低りんNiP（P:4.7wt.%）
素地を用い、出膜について、定電流電解法29）により評価した有孔度

前処理なしとFS処理を行った時の金析出膜についてオ測定結果を図5に示した。図中暗色又は黒色に見えるージェ電子分光分析（AES）による組成分析を行った。

部分は、電解により孔を通して金表面に溶出してきたニ図4にその結果を示す。

ッケルがジメチルグリオキシムにより赤く呈色した部分であり、金膜上に孔が存在している部分である。析出膜の有孔度は置換金と比較して著しく低いこと、また、厚膜となる高シアン濃度の方が有孔度が高いことが分かった。
KCN濃度による金めっき膜厚の制御機構および有孔度の違いを調べるため、金析出状態の電顕（SEM）観察を行った結果を図6に示す。KCN濃度が高い方がNiP

図4 NiP（P:4.7wt.%）下地上金析出膜のAES深さ方向分析（Bath A）25）
a）前処理無 b）FS処理

前処理なしの膜（a）では金とニッケルとの間にニッケル

図5 金析出膜厚及び膜有孔度に及ぼすシアン濃度の影響（Bath A）25）（有孔度は定電流電解法27）により評価）の自然酸化に由来すると考えられる酸化膜の存在が認析出時間5秒10秒60秒められる。一方、FS処理の膜（b）では酸素がほとんど認められない。このことからFS処理によりニッケルの自然酸化膜が除去され、その結果NiP下地上に密着性のよいKCN
0.005
mol / l均一な金皮膜が得られていることが明らかである。
さらに、
下地NiP表面の自然酸化膜は、NiPめっき後の水洗過程において形成することが確認された。NiPめっき後のKCN
0.015
mol / l

洗浄溶液として溶存酸素の少ない窒素脱気水やヒドラジンなどの還元剤溶液を用いると、FS処理などの特別な前

図6 シアン系下地触媒型無電解金めっき浴（Bath A）からの金析出初期形態に及ぼすシアン濃度の影響（SEM写真）25）

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（P:4.7wt.%）下地上での初期のAu核発生密度がまばら

表3 ノーシアン下地触媒型無電解金めっき浴の浴組成及び浴条件26）であり、核発生よりも結晶成長が優先されることが分かる。
そのために、KCN濃度が高い場合はめっき膜に孔が多く存在するようになる。この孔の存在により下地NiPが金で完全に覆われないために、図5に示すように、KCN濃度が15mmol/Lの場合には下地触媒反応による金析出が30分程度まで進行する。一方、低KCN濃度（5ｍmol/L）の場合は、早期に微細結晶によって下地が覆われてしまうので、約10分以降は膜厚の成長は認められない。さらにKCN濃度が高いときにめっき膜の有孔度が高く、KCN濃度が低いときには有孔度が低くなる原因も、このような結晶成長過程の相違によるものであると考えられる。

3.2 ノーシアン系下地触媒型無電解金めっき●浴組成と析出機構
著者らが開発したノーシアン系下地触媒型無電解金めっき浴の組成及び操作条件を表3（Bath B）に示す26）。自図7 基本浴（Bath B）及び置換型金めっき浴の金析出膜厚実測値および溶解ニッケルイオンから算出した金膜厚計算値の比較

己触媒型金めっき浴として用いられているチオ硫酸−亜硫酸塩混合溶液を基本浴として、ニッケル上でのみ還元剤として作用する化合物の探索を行った。その結果、特にシアン系下地触媒型無電解金めっきでは、下地ニッケル還元剤を添加しない基本浴で、ニッケル上で金の析出が膜組成および前処理条件が金めっき皮膜の膜特性に大き30, 31）により報告されていく影響する。そこで基本浴（Bath B）の特性を調べるため、るが、本系は自己触媒型浴として作用すると述べている。

下地の組成と前処理を同時に変化させて検討を行った。

著者らは、この系について詳細な検討を行った結果、ニ下地として無電解NiB（B:5.4wt.%）膜、高りん（P:15.

ッケル上で金析出が起こるが、金上では全く金の析出はタイプNiP膜の3種類4wt.%）および低りん（P:4.7wt.%）

認められなかった。そこで、浴中の溶解ニッケル量から置を用い、前処理としてFS処理、塩酸処理及び亜硫酸ナ換反応による金析出量を計算した結果（図7）、置換浴でトリウム溶液処理を施し、金めっきを行った。その結果、はほぼ 計算値と実測値が 等しいのに対して、基本浴

シアン系の場合と同様、高りんタイプNiPでは前処理法の（Bath B）
では、ニッケル溶解量から計算した値よりも多量いかんに関わらず不均一な析出膜となった。低りんタイの金の析出が確認された。従って、この浴では下地触媒

プNiPではいずれの前処理でも均一で密着性のよい良型無電解金めっき反応が主として進行し、一部下地ニッ好な金めっき皮膜が得られた。

認められた。この現象はKrulikら

14●下地膜組成、前処理の影響ケルの置換反応も進行していることが分かる。さらに、本一方、シアン系の場合とは異なり、NiB上での析出膜浴からのニッケル上への金の析出には亜硫酸の存在がの均一性は低りんタイプNiP上に比べて著しく悪い結果不可欠である。そのことは局部反応の分極曲線を測定すとなった。しかし、浴中のチオ硫酸濃度を低下させたることから明らかとなった。S2O32-単独、SO32-単独では金場合や、シアンイオンを含む溶液で前処理することで、析出が生じるための電位の交差がなく、S2O32-とSO32-混析出性が改善される傾向も認められた。無電解NiB素合の場合のみ金イオンの還元反応と酸化反応の電位が地上で均一な析出膜が得られない点に関して結論は出交差し、無電解めっき混成電位が成立し、金析出が可能ていないが、チオ硫酸がNiB表面に何らかの作用をしてであった。従って、亜硫酸が還元剤として機能し、チオ硫Sに由来する吸着層を形成（これはシアンイオンにより除酸は金と錯体をつくり、金析出電位を混成電位まで移動去可能）され、金の析出を妨げているのではないかと考する役割を果たしていることが明らかとなっている。

えている。

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下地触媒型無電解金めっき

HClを添加した浴をヒドロキシルアミン浴（Bath C）とした。

●NiP上の金めっき膜厚の制御と有孔度基本浴（Bath B）のチオ硫酸濃度を変化させた場合のめヒドロキシルアミン浴（Bath C）では、NiP素地上で均一っき析出挙動を図8に示す。シアン系下地触媒型浴においな析出が可能なばかりでなく、基本浴（Bath B）では前て、錯化剤KCNの濃度により最大析出膜厚を制御できるこ

処理のいかんにかかわらず析出が困難であったNiB素とを図6に示したが、同様にチオ硫酸の濃度によって金めっ地上でも、均一な金析出が可能であった。

き膜厚の制御が可能であった。さらに、膜の有孔度を調べ浴のpHを7とした条件では、図10（a）に示すように、金上た結果、シアン系と同様にチオ硫酸濃度が高く、めっき膜ではほとんど金析出は認められず、NiB上でのみ初期10分厚が厚いものほど有孔度が高いという結果が得られた。に金析出が起こり、その後析出は停止した。このことより浴これらの結果は図9に示す初期の金析出状態により説pH7ではヒドロキシルアミンは金及びニッケル下地上で還元明ができ、チオ硫酸濃度の高いものほど下地NiP上での剤として機能せず、下地ニッケルと金の置換反応と亜硫酸を初期のAu核発生密度がまばらであり、核発生よりも結晶還元剤とした下地触媒反応のみが進むことが確認された。

成長が優先されるために、析出膜に多くの孔が残存す

一方、浴のpH9では図10（b）に示すように、金上でも時間経過にともない直線的に膜厚が増加し、ヒドロキシると考えられる。

ルアミンを還元剤とした自己触媒反応が進むことが明らかとなった。一方、NiB上では最初の金析出速度が速くなっており、そののち金上での析出速度に一致する。
このことはめっき初期NiB下地が露出している時はNiB上の下地触媒反応と析出した金上での自己触媒反応が合わせて起こり、下地NiBが全て金に覆われると、金上での自己触媒反応のみが進むことを示している。
図8 ノーシアン系下地触媒型無電解金めっき（Bath B）
からの金析出膜厚及び有孔度に及ぼすチオ硫酸濃度の影響

析出時間5秒

30秒

3分

Na2S2O30.01mol / l

Na2S2O30.24mol / l
図9 ノーシアン系下地触媒型無電解金めっき浴（Bath B）
からの金析出初期形態に及ぼすチオ硫酸濃度の影響（SEM写真）

3.3 ヒドロキシルアミンを用いたノーシアン系下地触媒及び自己触媒混合型金めっき●浴のpHと析出機構

図10 ヒドロキシルアミン浴（Bath C）
からの金析出膜厚の時間変化（a）pH7,（b）pH9

前節でチオ硫酸−亜硫酸混合塩浴では亜硫酸が還元剤となり、下地触媒型無電解金めっきが進むことを示した。

●浴のpHと有孔度

この基本浴に自己触媒性も付加することができれば、実ヒドロキシルアミン浴（Bath C）はpHにより析出機構が用上の利点が大きい。種々の還元剤について添加効果異なるため、析出膜特性も大きく異なる。浴のpH条件をを検討した結果、ヒドロキシルアミンが金析出に有効であ7及び9としたときの析出断面を調べた結果を図11に示ることを見出した。基本浴（Bath B）に0.1mol NH2OH･す。pH7では、図11（a）に示すように金／ニッケル界面THE CHEMICAL TIMES 2003 No.3（通巻189号）

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にニッケルと金の置換反応が起こった時のニッケル溶解求は増加するものと考えられ、早期の下地触媒型浴のによると考えられる溝が多数認められる。一方、pH9実用化が期待される。さらに亜硫酸−チオ硫酸系に代わ（図11（b））では置換反応がほとんど起こらないことから、る新しい安定な金錯体の開発なども期待される。

金／ニッケル界面ではこのような溝は認められず、ニッケル（NiB）上に下地触媒反応により金が析出していること

参考文献が確認できる。また、有孔度については置換反応の比率が高いpH7からの析出膜は多数の細孔が存在する

1）貴金属の科学 応用編，田中清一郎監修
pp225-247 (1985)

が、pH9では自己触媒反応による膜成長がともに起こる

2）最新表面処理技術便覧，産業技術サービスセンター編(1989)

田中貴金属工業(株)発行，ため細孔がほとんどない良好な析出膜が得られている。

3）西山浩二，渡辺秀人，表面技術, 48,393 (1997)

但し、ヒドロキシルアミン浴（Bath C）、pH9条件では有4）村槇利弘，表面技術，40,800 (1989)

孔度は低下しているが、同時に密着性の低下も認められ

5）中沢昌夫，若林新一，特開平5-287541 (1993)

る。これは置換反応がほとんど起こらない事に起因して

pp337-341

6）大塚邦顕，鳥養栄一，川岸重光，奥野和義，特開平5-295558 (1993)
7）磯野雅司，長谷川清，高橋昭男，特開平9-143749 (1997)いる可能性も考えられる。従って、有孔度及び密着性と

8）杉山初次，木名瀬隆，特開平4-371583 (1992)

もに良好な金めっき皮膜を得るためには、置換反応、下9）Y.Okinaka, Plating, 57, 914 (1970)

地触媒反応、自己触媒反応が適当な比率を持って起こ

10）Y.Okinaka, C.Wolowodiuuk, Plating, 58 1080 (1971)

る浴組成と操作条件を設定することが必要である。

11）M Schlesinge and M.Paunovic,; Modern Electroplating, Fourth
Edition,705 (John Wiley & Sons. Inc., 2000)
12）牛尾二郎，宮沢 修，横野 中，宮沢 明，特開昭62-86171 (1987)
13）井上隆史，表面技術，52,410 (2001)
14）進藤義朗，本間英夫，第84回表面技術講演大会要旨集,163 (1991)
15）Y.Sato, T.Osawa, K.Kaieda, and K.Kobayakawa, Plating
Surf.Finishi, 81 (9),74 (1994)

図11 ヒドロキシルアミン浴（Bath C）
からNiB素地上の金析出物の断面SEM写真（a）pH7, （b）pH9

4. まとめ
今回新しいめっき法として紹介した下地触媒型無電解17）T. I n o u e , S . A n d o , H . O k u d a i r a , J . U s h i o , A . To m i z a w a ,H.Takehara, T.Shimazaki, H.Yamamoto, and H.Yokono,
Proc.45th IEEE electronic Components Technology Conf.,1059(1995)
18）井上隆史，安藤節夫，牛尾二郎，奥平弘明，竹原裕子，太田敏彦，山本 弘，横野 中，表面技術，49,1298(1998)

金めっきは、自己触媒型と同じ化学還元型めっきである

19）加藤 勝，新倉恵子，星野重孝，大野湶，表面技術，42, 729 (1991)

が金属の触媒活性の差を利用した特異的なめっき方法20）M.Kato, Y.Yazawa and Y.Okinaka, Proceedings of the AESF
Technical Conference, 'SUR/FIN'95', 805 (1995)

である。その特長を生かし実用面では、従来の置換型および自己触媒型プロセスの問題点を解決できるシステ
ムとして期待できる。シアン系、ノーシアン系いずれの場

21）H.Honma, A.Hasegawa, S.Hotta,and K.Hagiwara, Plating Surf.
Finish., 82 (4), 89 (1995)22）N . H a t t o r i , K . I w a m a t s u , K . N a i t o , K . O k u n o , Y. Ya z a w a ,K.Kuroiwa, M.Kato , Proceedings of the 2001 ICEP, 166 (2001)

合も、錯化剤濃度により最高到達膜厚の制御が可能で、

23）Y.Okinaka, R,Sard, C.Wolowodiuuk, W.H.Craft, T.F.Retajaczyk,
J.Electrochem.Soc., 121,56 (1974)

薄膜でも有孔度の低い析出物が得られる。また、ノーシ

24）C.D.Iacovangelo and K.P.Zarnoch, J.Electrochem. Soc., 138, 983(1991)

アン系では、第二還元剤の併用により下地触媒及び自己触媒混合型のめっきも可能であり、厚付けも可能である。今後の実用化のためには、浴組成の最適化、下地25）T.Osaka, T.Misato, J.Sato, H.Akiya, T.Homma, M.Kato,
Y.Okinaka and O.Yoshioka, J.Electrochem. Soc., 147, 1059
(2000)

Niと前処理条件の設定、はんだ接続性やボンディング性

26）M.Kato, J.Sato, H.Otani, T.Homma, Y.Okinaka, T.Osaka, andO.Yoshioka, J.Electrochem.Soc. 149 (3) C164 (2002)

能など実用物性の評価等の検討が必要である。

27）J.Sato, M.Kato, H.Otani, T.Homma, Y.Okinaka, T.Osaka, andO.Yoshioka, J.Electrochem.Soc.149 (3), C168 (2002)

電子部品の高密度化、微細化が進み、素材への適応性からノーシアン系自己触媒型無電解金めっきが実用

1616）A.Sullivan, and P.A.Kohl, J.Electrochemical Soc., 142, 2250
(1995)

28）佐藤 潤，加藤 勝，吉澤賢一，本間敬之，沖中 裕，吉岡 修，逢坂哲彌, 第101回表面技術講演大会要旨集246 (2000)
29）F.V.Bedetti and R.V.Chiarenzelli,Plating,53,305 (1966)

技術として定着してきている。さらなるファインパターン化、

30）G.A.Krulik and N.V.Mandich, US Pat. 5,232,492 (1992).

環境問題への対応等から、ますますノーシアン浴への要31）G.A.Krulik, N.V.Mandich, and R.Singh, US Pat.5,318, 621 (1994).

THE CHEMICAL TIMES 2003 No.3（通巻189号）