アプリケーションノート

静電容量センサマイコン
QE for Capacitive Touch アドバンスドモード(高度な設定)パラメータガイド
要旨
本アプリケーションノートでは、静電容量タッチセンサ対応開発支援ツール(QE for Capacitive Touch)を使用したアドバンスドモード(高度な設定)と調整可能な CTSU パラメータについて説明します。
静電容量タッチセンサ対応開発支援ツール(QE for Capacitive Touch)は、CTSU を搭載したルネサスマイ
コンで使用するソフトウェアのパラメータを生成します。基本的には、QE for Capacitive Touch の自動チューニングによってパラメータを生成しますが、さらにタッチのパフォーマンスを最適化するために、
QE for Capacitive Touch はアドバンスドモード(高度な設定)をサポートしています。静電容量タッチを初めて開発する場合は、事前に静電容量タッチ導入ガイドをお読みになることを推奨します。
静電容量センサマイコン 静電容量タッチ導入ガイド (renesas.com)

動作確認デバイス
CTSU 搭載 RX ファミリ、RA ファミリ、RL78 ファミリ MCU、Renesas Synergy™
（CTSU には CTSU2、CTSU2L、CTSU2La、CTSU2SL 、CTSU2SLa 等を含みます）
次ページ以降 CTSU2L/CTSU2La/CTSU2SL/CTSU2SLa は CTSU2x を参照してください。
CTSU2SLa 搭載の計測値多数決モード(Value Majority Mode： VMM)を使用した自動判定は、将来のアップデートで対応予定です。

本書が対象とする開発環境• 統合開発環境 e2 studio 2024-07 以降• Renesas QE for Capacitive Touch V4.0.0 以降

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静電容量センサマイコン QE for Capacitive Touch アドバンスドモード(高度な設定)パラメータガイド

目次
1.

はじめに ..................................................................................................................................3

1.1

自動チューニング .................................................................................................................................... 5

1.2

CapTouch パラメータの手動チューニング ............................................................................................ 6

1.3

アドバンスドモード(高度な設定)チューニング ...................................................................................... 72.

アドバンスドモード(高度な設定) ............................................................................................ 92.1

感度向上調整フロー ................................................................................................................................ 9

2.2

ノイズ対策調整フロー........................................................................................................................... 102.3

静電容量タッチセンサごとの対応表 ..................................................................................................... 113.

各パラメータの概要 .............................................................................................................. 12

3.1

計測回数/計測時間 ................................................................................................................................. 12

3.1.1

計測回数/計測時間変更による感度への影響と注意点について .......................................................... 15

3.1.2

計測回数変更時のオフセットチューニング調整の必要性について .................................................... 16

3.2

オフセットチューニング目標値 ............................................................................................................ 18

3.2.1

オフセットチューニング目標値と計測回数変更による計測値への影響について .............................. 21

3.3

計測周波数 ............................................................................................................................................. 23

3.3.1

計測周波数変更による感度への影響について .................................................................................... 26

3.3.2

アドバンスドモードを用いた計測周波数の調整方法について ........................................................... 273.4

計測電流レンジ ..................................................................................................................................... 29

3.4.1

計測電流レンジ変更による感度への影響について ............................................................................. 31

3.5

非計測 TS 端子出力選択 ........................................................................................................................ 32

3.6

送信端子電源 ......................................................................................................................................... 34

3.7

タッチ判定方法/マルチ周波数計測/逓倍比............................................................................................ 37

3.8

自動判定/自動補正(ハードウェア)/自動マルチ周波数補正(ハードウェア) ........................................... 40

3.9低電圧動作モード .................................................................................................................................. 43

改訂記録 ....................................................................................................................................... 45

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1. はじめにこの章では、QE for Capacitive Touch を使用したパラメータの生成フローと、チューニングで調整可能なパラメータを説明します。
QE for Capacitive Touch ではユーザ製品のタッチセンサの寄生容量を計測し、パラメータを最適化する自動チューニングを行います。QE for Capacitive Touch の詳細は下記 Web ページをご確認ください。
静電容量式タッチセンサ対応開発支援ツール QE for Capacitive Touch | Renesas
計測値多数決モード(Value Majority Mode： VMM)を使用した自動判定は、将来のアップデートで対応予定です。
QE for Capacitive Touch を使用した自動チューニングによって基本的な CapTouch パラメータが生成されます。これらのパラメータを使用した評価で、要求仕様を満たさない場合は、CapTouch パラメータの手動
チューニングを実施してください。更なる調整が必要な場合は、アドバンスドモード(高度な設定)チューニングを実施してください。図 1-1 に QE for Capacitive Touch でのチューニングのフローを示します。
Tuning Start

自動チューニングOK
システム評価NG
CapTouch パラメータの手動チューニングOK
システム評価

NG
アドバンスドモード(高度な設定)によるチューニングOK
システム評価NG
H/W 再設計

Tuning END

図 1-1 チューニング・フローチャート
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表 1-1 に自動チューニング/CapTouch パラメータの手動チューニング/アドバンスドモード(高度な設定)で調整可能なパラメータを示します。
表 1-1 チューニングで調整可能なパラメータ
パラメータ
計測周波数

自動チューニング

CapTouch パラメータの手動チューニング

アドバンスドモード(高度な設定)によるチューニング-✓(表示のみ)-

ヒステリシス✓✓✓✓

ドリフト補正間隔-

長押しキャンセルの判定回数-

ポジティブ・ノイズフィルタの判定回数-

ネガティブ・ノイズフィルタの判定回数-

移動平均フィルタの深度

-

✓
✓
✓
✓
✓
✓
✓

計測回数/計測時間--

オフセットチューニング目標値--

計測電流レンジ※1--

非計測 TS 端子出力選択※1--

送信端子電源--

タッチ判定方法※1--

マルチ周波数計測/逓倍比※1

-

-

✓
✓
✓
✓
✓
✓
✓

自動判定/SMS※2
自動補正(ハードウェア)※3
自動マルチ周波数補正(ハードウェア)※3
低電圧動作モード※1--(表示のみ)(表示のみ)(表示のみ)

✓※4

-

オフセット
タッチしきい値

-

✓※4
✓：
対応
※1 CTSU2/CTSU2L/CTSU2La/CTSU2SL/CTSU2SLa のみで調整できる機能です。各静電容量タッチセン
サの違いと対応製品については静電容量タッチ導入ガイドをご参照ください。
静電容量センサマイコン 静電容量タッチ導入ガイド (renesas.com)※2 CTSU2L/CTSU2La/CTSU2SL/CTSU2SLa のみで使用できる機能です。SNOOZE モード・シーケンサ（SMS）を内蔵しているマイコンであれば SMS と併用することで実現可能です。スマート・コンフィグ
レータ/タッチインタフェース構成から設定可能で、アドバンスドモード(高度な設定)では表示されるのみです。次ページ以降”自動判定/SMS”は”自動判定”を参照してください。
計測値多数決モード(Value Majority Mode： VMM)を使用した自動判定は、将来のアップデートで対応予定です。
※3 CTSU2SL/CTSU2SLa のみで使用できる機能です。タッチ判定方法や自動判定の設定により自動で設定されるためユーザで変更不可です。
※4 マイコン動作電圧の設定が 2.4V 未満の場合、自動で低電圧動作モードが有効となります。2.4V 以上の場合でもアドバンスドモード(高度な設定)で低電圧動作モードを有効に設定可能です。
自動チューニングでは QE for Capacitive Touch により自動でパラメータ値を調整し、調整結果をソース
ファイルに出力します。CapTouch パラメータの手動チューニングについては QE for Capacitive Touchの”CapTouch パラメータ一覧”により変更できるパラメータを示しています。詳細は下記ドキュメントの”7.2 CapTouch パラメータの手動チューニング”をご参照ください。
静電容量センサマイコン 静電容量タッチ導入ガイド (renesas.com)
自動チューニングや CapTouch パラメータの手動チューニングでの調整結果が感度やノイズ耐性の面でユーザ要
求仕様を満たせない場合にアドバンスドモード(高度な設定)で各パラメータを調整可能です。

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1.1

自動チューニング

図 1-2 に自動チューニングのフローを示します。

図 1-2 QE for Capacitive Touch での自動チューニングのフロー
自動チューニングによりタッチセンサ検出の感度調整を行い、最適なパラメータを決定します。
最初にタッチ OFF 時の静電容量を計測し、その結果に合わせて計測周波数を設定します。また、オフセットチューニ
ング目標値に合わせてオフセットを調整します。その後、タッチ ON/OFF 状態の静電容量を計測し、タッチしきい値等を設定し、チューニング結果をソースファイルに出力します。

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1.2

CapTouch パラメータの手動チューニング

CapTouch パラメータの手動チューニングでは”CapTouch パラメータ一覧”からソフトウェアパラメータを変更することが可能です。タッチ動作とパラメータ値の変更後の結果をリアルタイムで確認できます。

①②③④

図 1-3 QE for Capacitive Touch を使用した CapTouch パラメータの手動チューニング
手動チューニングには、QE for Capacitive Touch の”CapTouch パラメータ一覧”（図 1-3 の赤枠内）を使用します。パラメータの値を変更し、リアルタイムに”CapTouch ステータス・チャート”から調整した結果の動作確認が可能です。また、本ビューで調整したパラメータをソースファイルに反映させることも可能です。CapTouch
パラメータの手動チューニングを実施する際に使用する”CapTouch パラメータ一覧”ツールバー（図 1-3 の青枠内）の各機能の説明については表 1-2 をご参照ください。これらのアイコンを使用して、アプリケーションにパラメータを読み書きできます。

表 1-2 ”CapTouch パラメータ一覧”ツールバー機能説明
アイコン説明①

ターゲットボードから読み込む②

ターゲットボードへ書き込む③

リアルタイムにターゲットボード
へ書き込む
パラメータファイルを生成する④

機能概要
パラメータの数値をターゲットボードから読み込みます。
編集したパラメータの数値をターゲットボードへ書き込みます。
リアルタイムにパラメータの数値をターゲットへ反映するかど
うかを切り替えるトグルボタンです。
本ビューで調整したパラメータの情報を基に、パラメータファ
イルを出力します。

「パラメータファイルを生成する」により qe_gen フォルダ下にソースファイルを出力します。
表 1-3 に出力されるソースファイルを示します。ソースファイルを出力後、ビルド・デバッグすることで調整したパラメータの動作確認が可能です。

表 1-3 「パラメータファイルを生成する」により出力されるソースファイル
ファイル名
qe_touch_config.c

説明
構成（メソッド）ごとのパラメータ設定を保持するファイル

詳細は QE for Capacitive Touch のヘルプをご参照ください。
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1.3

アドバンスドモード(高度な設定)チューニング

アドバンスドモード(高度な設定)チューニングでは静電容量を計測するセンサドライブパルス出力など主にハードウェアに関するパラメータを調整することが可能です。調整できるパラメータの詳細は 2.3 静電容
量タッチセンサごとの対応表以降をご参照ください。
図 1-4 は Cap Touch ワークフロー(QE)を示します。ワークフローの”2.タッチセンサの調整”よりチューニングが可能です。”調整の実行”から「アドバンスドモード(高度な設定)」にチェックすることにより、アドバンスドモード(高度な設定)によるチューニングが可能です。

図 1-4 アドバンスドモード(高度な設定)によるチューニング
アドバンスドモード(高度な設定)によるチューニングを開始すると図 1-5 のようなウィンドウが表示され、各パラメータの調整が可能です。必要なパラメータを調整した後、図 1-5 の青枠内「調整処理の開始」
ボタンを押下することにより、調整開始します。

CTSU2x を使用した場合の例

図 1-5 アドバンスドモード(高度な設定)ウィンドウ
アドバンスドモード(高度な設定)で調整できるパラメータはデバイスにより異なります。詳細は 2.3 静電容量タッチセンサごとの対応表をご参照ください。
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アドバンスドモード(高度な設定)によるチューニング後、”調整結果の出力”から図 1-6 の「ファイルを出力する」ボタンを押下することでパラメータ調整した結果をソースファイルに反映させることが可能です。

図 1-6 調整結果の出力「ファイルを出力する」ボタンを押下することで qe_gen フォルダ下にソースファイルを出力します。
表 1-4 に出力されるソースファイルを示します。

表 1-4 「ファイルを出力する」ボタンにより出力されるソースファイル
ファイル名

説明

qe_touch_define.h

タッチミドルウェアで使用するマクロ情報ファイル

qe_touch_config.h

ユーザープログラムからインクルードするファイル

qe_touch_config.c

構成（メソッド）ごとのパラメータ設定を保持するファイル

ソースファイルを出力後、ビルド・デバッグすることで調整したパラメータの動作確認が可能です。
これらの値を誤って設定したり、明確な理解なしに設定したりすると、調整結果が悪くなる可能性があります。ご使用になられている環境に合わせて十分に評価したうえで値を調整してください。

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2. アドバンスドモード(高度な設定)
この章では、アドバンスドモード(高度な設定)での調整と変更できるパラメータについて説明します。

2.1

感度向上調整フロー

図 2-1 にアドバンスドモード(高度な設定)により感度を向上させる際の調整手順を示します。
感度向上調整フロー

3.1
計測回数/計測時間を増加

3.2
オフセットチューニング
目標値を調整CTSU2以降の
静電容量タッチ
センサか？

No

Yes

システム評価NG

3.4

OK
計測電流レンジを変更

システム評価OKNG

3.3
計測周波数を調整

H/W 再設計

システム評価OK

NG

END

図 2-1 感度向上調整フロー

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2.2

ノイズ対策調整フロー

図 2-2 にアドバンスドモード(高度な設定)によりノイズ耐性を向上させる際の調整手順を示します。
ノイズ対策調整フロー

3.5

非計測TS端子出力選択の見直し

システム評価NG
OK
CTSU2以降の
静電容量タッチ
センサか？

No

Yes
3.7

タッチ判定方法/
マルチ周波数計測/
逓倍比の見直し

システム評価OK

H/W 再設計
NG

END

図 2-2 ノイズ対策調整フロー

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2.3

静電容量タッチセンサごとの対応表

表 2-1 にアドバンスドモード(高度な設定)で変更できるパラメータと各静電容量タッチセンサの対応表を示します。

表 2-1 静電容量タッチセンサの対応表

1

2

3

パラメータ

目的

計測回数/計測時間

感度向上

オフセットチュー
ニング目標値

感度向上

計測周波数

感度向上

計測電流レンジ

6

非計測 TS 端子出力
選択

ノイズ対策

送信端子電源

端子設定

マルチ周波数計測/
逓倍比

ノイズ対策

自動判定

処理軽減
低消費電力

9

11

自動補正(ハード
ウェア)

処理軽減
低消費電力

自動マルチ周波数補正(ハードウェ
ア)

処理軽減
低消費電力

低電圧動作モード

低消費電力

12

✓：

機能概要

✓

✓

✓

計測回数を設定し、計測時間を決定します。
計測値を積算することでシグナル値を向上させることが可
能です。

✓

✓

✓

タッチ OFF 時の計測値がターゲット値になるようにオフ
セット電流の目標値(%)を設定します。計測時間を変更した
場合等に調整します。

✓

✓

✓

タッチセンサに出力する周波数の分周比を設定します。計
測周波数が高いほど感度が良く見えますが、寄生容量が大きい場合に計測誤差が発生します。

-

VDC からの電源供給能力を設定し計測電源電流と電流制御発振器(CCO)の入力電流とのカレントミラー比を決定しま
す。計測電流レンジを低く設定するとタッチ ON 時の CCO
入力電流が大きくなるため感度が上がります。

✓

✓

✓

-

TS 端子に設定されている端子のタッチ計測期間中の非計測端子の処理の設定を行います。
非計測端子の処理を適切に行うことでノイズ対策することが可能です。

✓✓✓

相互容量方式使用時やアクティブシールド使用時の送信端子に設定した端子の I/O 電源を選択します。この値はデフォルト設定の値を使用し、変更しないでください。

✓

✓

-

タッチ判定方法には計測値多数決モード(以下 VMM)と判定
多数決モード(以下 JMM)があります。計測値多数決モード
は３周波数の計測結果から値が近い２つの計測値を加算して判定する方式です。判定多数決モードは 3 周波数計測のそれぞれの判定結果を多数決で判定する方式です。計測値
多数決モード(VMM)を使用した自動判定は、将来のアップ
デートで対応予定です。

✓

✓

-

マルチ周波数で計測する回数と計測に使用する複数種類の周波数の逓倍比を設定します。マルチ周波数計測では同期
ノイズを回避するために複数種類のセンサドライブパルス
周波数で計測することが可能です。

-

自動判定をサポートする CTSU にてボタンのタッチ判定をする機能です。そのため、低消費電力動作を実現できます。スマート・コンフィグレータ/タッチインタフェース構
成から設定可能です。計測値多数決モード(VMM)を使用した自動判定は、将来のアップデートで対応予定です。

-

自動補正をサポートする CTSU にて CCO 補正計算処理を実施する機能です。ハードウェア処理することで、計測ごとのウェイクアップが不要になり、消費電力低減に貢献できます。自動判定有効時に設定可能です。

-

自動マルチ周波数補正をサポートする CTSU にて 3 周波数
計測後の周波数補正を実施する機能です。自動判定が有効で計測値多数決モード(VMM)使用時のみ使用可能です。計
測値多数決モード(VMM)を使用した自動判定は、将来のアップデートで対応予定です。

-

使用する TSCAP 電圧の設定をします。マイコン動作電圧が 2.4V 未満の場合には自動で低電圧動作モードが有効とな
り TSCAP 電圧は 1.2V となります。バッテリ動作時にマイコン動作電圧が 2.4V 未満になる場合等で使用します。

ノイズ対策

7

10

CTSU1

✓

タッチ判定方法

8

CTSU2

感度向上

4

5

CTSU2x

✓

✓

✓

✓

-

-

-

✓

対応

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3. 各パラメータの概要
3.1

計測回数/計測時間“計測回数/計測時間”では 1 回の計測を行うために充放電の回数を設定し、1 回の計測時間を決定します。
計測回数を増加させることで、シグナル値※を向上させることができます。ただ、同時に計測時間も延びる
ためユーザの仕様に合わせた調整が必要となります。また、計測回数を変更した場合はオーバーフローすることを防ぐために、オフセットチューニング目標値によりオフセットチューニングターゲットを調整してください。オフセットチューニングターゲットの調整の詳細は 3.2 オフセットチューニング目標値をご参照く
ださい。
※シグナル値はタッチ ON/OFF 時の差分値を表しています。
図 3-1 に計測回数による計測時間とタッチ ON/OFF 時の計測値のイメージ図を示します。

Count Value

タッチ ON 時
タッチ OFF 時
シグナル値

Time
A period of pulse output

計測回数 = 1

A period of pulse output

A period of pulse output

計測回数 = 2

図 3-1 計測回数による計測時間と計測値のイメージ
表 3-1 に CTSU1 のデフォルトの計測回数を示します。CTSU2/CTSU2x では計測周波数に依らず計測回
数は 8 回固定です。

表 3-1 デフォルトの”計測回数”設定
計測周波数(ベースクロック周波数)

計測回数 ※1

4 MHz

8

2 MHz

4

1 MHz

2

0.5 MHz

1

-

8

CTSU1
（RX130 の例）

CTSU2/CTSU2x（RX140 の例）

計測時間 [μs]526

128 ※2※1 計測回数(SNUM)の詳細については各静電容量タッチセンサマイコンのハードウェアマニュアルをご参照ください。
※2 1 周波数の計測時間を記載しています。

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下記に CTSU1、CTSU2/CTSU2x それぞれの安定待ち時間/計測時間の計算式と例を示します。


CTSU1 (RX130 の例)

安定待ち時間[μs] = 34 × (1 / ベースクロック周波数)
計測時間[μs] = 263 × (1 / ベースクロック周波数) × (計測回数)
表 3-2 に CTSU1 の代表例として RX130 での自己容量方式使用時の安定待ち時間、計測時間の例を示します。
表 3-2 RX130 での自己容量方式使用時の安定待ち時間、計測時間
ベースクロック周波数[MHz]計測回数

安定待ち時間[μs]

計測時間[μs]

合計(安定待ち時間+ 計測時間) [μs]

4

8

8.5

526

534.5

2

4

17

526

543

1

2

34

526

560

0.5

1

68

526

594

※CTSUPRRTIO、CTSUPRMODE は推奨値を使用しています。この値を変更することは非推奨です。詳細は各静電容量タッチセンサマイコンのハードウェアマニュアルをご参照ください。

CTSU2/CTSU2x (RX140 の例)

安定待ち時間[μs] = (64 × 3 [3 周波数計測使用時])
計測時間[μs] = (16 × (計測回数) × 3 [3 周波数計測使用時])
表 3-3 に CTSU2/CTSU2x の代表例として RX140 での自己容量方式使用時の安定待ち時間、計測時間の例
を示します。
表 3-3 RX140 での自己容量方式使用時の安定待ち時間、計測時間 (3 周波数計測)
計測回数

8[(STCLK サイクル * 8) * 8]

安定待ち時間[μs]

計測時間[μs]

合計(安定待ち時間+ 計測時間) [μs]192 [64 × 3]

384 [128 × 3]

576 [192 + 384]

※STCLK サイクルは計測時間用のリファレンスクロックです。推奨値の 0.5MHz(2μs)に設定されます。
各静電容量タッチセンサ使用時での安定待ち時間、計測時間については動作クロックによって異なります。各静電容量タッチセンサマイコンのハードウェアマニュアルや下記ドキュメントをご参照ください。
RX ファミリ QE CTSU モジュール Firmware Integration Technology Rev.3.00 (renesas.com)

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図 3-2 にアドバンスドモード(高度な設定)で”計測回数/計測時間”を設定する際のウィンドウ例を示しま
す。

CTSU1

CTSU2

CTSU2x

図 3-2 “計測回数/計測時間”の設定
設定した値は qe_touch_config.c の”snum”に計測回数 - 1 の値が反映されます。例として RX140 で計測回数/計測時間で”(STCLK サイクル * 8) * 8”を選択した場合、”snum = 0x07”と設定されます。
const ctsu_element_cfg_t g_qe_ctsu_element_cfg_config01[] ={{ .ssdiv = CTSU_SSDIV_4000, .so = 0x12B, .snum = 0x07, .sdpa = 0x07 },};※SNUM の詳細については各静電容量タッチセンサマイコンのハードウェアマニュアルをご参照ください。

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3.1.1

計測回数/計測時間変更による感度への影響と注意点について

表 3-4 に計測回数/計測時間を変更した場合の RX140 搭載静電容量タッチ評価システム使用時の計測値(実測例)を示します。

表 3-4 計測回数/計測時間を変更した場合の計測値(実測例)
CTSU2x(RX140 搭載静電容量タッチ評価システム使用)

自己容量方式, VMM 方式, 計測周波数 : 2MHz, 計測電流レンジ : 40μA, ボタン 1ch (5 回平均)
計測
回数

オフセット

タッチ OFF 時のチューニング
目標値

平均値

タッチ ON 時の平均値(タッチ ON/OFF の差分値)

A

B

B-A

シグナル値

タッチ OFF 時のノイズ値

安定待ち時間
SNR

+
計測時間

8
37.5%
11545
13514
1969
17.78
17.85
576 μs
12
25%
11666
14586
2920
22.76
20.96
768 μs
16
20%
11435
14994
3559
27.12
21.12
912 μs※実測例は QE for Capacitive Touch の”CapTouch ステータス・チャート (QE) ビュー”の機能より取得しま
した。詳細は e2studio のヘルプよりご参照ください。
計測値を積算することでシグナル値を向上させることにつながりますが、同時に計測値がオーバーフロー
することや計測時間がユーザの要求仕様を満たさない可能性があります。その場合は、オフセット調整の目
標値を調整し、測定回数を減らす、測定電流範囲や周波数を変更することをご検討ください。これらは個別に調整が可能です。
また、計測回数を増やすことで、CTSU は低電力動作時の消費電力の増加を引き起こす可能性があります。計測回数は十分に評価したうえでユーザの要求仕様に合わせて設定してください。

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3.1.2

計測回数変更時のオフセットチューニング調整の必要性について

計測回数を変更した場合、計測値が最大値である 65535 を超えてオーバーフローすることを防ぐため、オ
フセットチューニングの調整をし、計測値を調整する必要があります。オフセットチューニング調整については 3.2 オフセットチューニング目標値をご参照ください。
表 3-5、図 3-3 に CTSU1 の代表例として RX130 での“計測回数/計測時間”に対しての計測値を示します。
表 3-5 RX130 での“計測回数/計測時間”に対しての計測値(理論値)
CTSU1 (RX130)
自己容量方式 PCLKB:32MHz 計測周波数 : 2MHz オフセットチューニング目標値:37.5% ボタン 1ch
計測回数

安定待ち時間[μs]計測時間 [μs]合計(安定待ち時間+ 計測時間) [μs]計測値(理論値)

1
2
3
4
5
6
:

17
17
17
17
17
17
:

131.5
263
394.5
526
657.5
789
:

148.5
280
411.5
543
674.5
806
:

3840
7680
11520
15360
19200
23040
:

※PRMODE、PRRATIO は推奨値を設定

図 3-3 RX130 での“計測回数/計測時間”に対しての計測値(理論値)
例として自己容量方式で計測回数を 8 回に増やした場合、タッチ OFF 時の計測値は 30720 付近の値になります。また、計測回数を増やすことでタッチ ON 時の計測値がオーバーフローする可能性があります。計
測値は電流制御発振器（CCO）の出力リニアリティ特性の良い範囲に収まるようにオフセットチューニン
グ目標値を調整する必要があります。

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表 3-6、図 3-4 に CTSU2/CTSU2x の代表例として RX140 での“計測回数/計測時間”に対しての計測値を示します。

表 3-6 RX140 での“計測回数/計測時間”に対しての計測値(理論値)
CTSU2/CTSU2x (RX140)
自己容量方式 PCLKB:32MHz 計測周波数 : 2MHz オフセットチューニング目標値:37.5% ボタン 1ch
計測回数

安定待ち時間[μs]計測時間 [μs]合計(安定待ち時間 + 計測時間) [μs]1 周波数当たりの計測値(理論値)

1 [(STCLK サイクル * 8) * 1]
2 [(STCLK サイクル * 8) * 2]
3 [(STCLK サイクル * 8) * 3]:
8 [(STCLK サイクル * 8) * 8]:
16 [(STCLK サイクル * 8) * 16]
:

192
192
192
:
192
:
192
:

48
96
144
:
384
:
768
:

240
288
336
:
576
:
960
:

720
1440
2880
:
5760
:
11520
:

図 3-4 RX140 での“計測回数/計測時間”に対しての計測値(理論値)
例として自己容量方式で計測回数を 16 回に増やした場合、タッチ OFF 時の 1 周波数分の計測値は 11520
付近の値になります。また、計測回数を増やすことでタッチ ON 時の計測値がオーバーフローする可能性があります。計測値は電流制御発振器（CCO）の出力リニアリティ特性の良い範囲に収まるようにオフセッ
トチューニング目標値を調整する必要があります。

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3.2

オフセットチューニング目標値“オフセットチューニング時の目標設定”では、タッチ OFF 時の計測値がターゲット値になるようにオフ
セット値設定をメソッドごとに調整します。計測時間を変更し計測値がオーバーフローする場合や、アクティブシールド使用時に寄生容量が大きく計測値がターゲット値に達しない場合に調整します。詳細は下記
ドキュメントの” 2.2.2 計測範囲”をご参照ください。
静電容量センサマイコン 静電容量タッチ導入ガイド (renesas.com)
図 3-5 に RX130 で自己容量方式使用時のオフセットチューニングのイメージを示します。センサカウン
タレジスタは 16bit のレジスタのため範囲としては 0～65535 ですが、実際に使用する場合は電流計測レン
ジ内（電流レンジの上限 100%以下）で計測する必要があります。CTSU ではセンサオフセット調整レジスタを搭載しオフセット電流量をチューニングすることで、寄生容量成分の計測値を制御しターゲット値に調整できます。

Before offset

0

After offset

図 3-5 自己容量方式のオフセットチューニング処理
表 3-7 にデフォルトの計測回数でのターゲット値を示します。デフォルトの”計測回数”については表 3-1
デフォルトの”計測回数”設定をご参照ください。

表 3-7 各計測条件でのデフォルトの”オフセットチューニング目標値”設定
タッチ判定方法※ATUNE0自己容量方式

相互容量方式

アクティブシールド

CTSU1

-

通常

15360 (37.5%)10240 (25%)-

CTSU2/

計測値多数決モード
(VMM)

通常

11520 (37.5%)7680 (25%)

4608 (15%)

低電圧動作9216 (37.5%)

6144 (25%)-

通常

5760 (37.5%)

3840 (25%)

2304 (15%)

低電圧動作

4608(37.5%)

3072 (25%)-

CTSU2x

判定多数決モード(JMM)※VMM 使用時では 3 周波数計測結果の内、採用された 2 周波数計測結果の合算値(128 + 128 = 256 μs)が最終計測結果となります。JMM 使用時では計測値としては 1 周波数分(128 μs)の値となります。

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表 3-8 に CTSU1 でのオフセットチューニング目標値の設定に対してのターゲット値を示します。

表 3-8 CTSU1 での“オフセットチューニング目標値”に対してのターゲット値
オフセットチューニング目標値
25.0%
30.0%
35.0%
37.5%
40.0%
45.0%
50.0%

ターゲット値
10240
12288
14336
15360
16384
18432
20480

CTSU2/CTSU2x では QE for Capacitive Touch のバージョンの違いによりターゲット値が異なります。表3-9 に v4.0.0 以降、表 3-10 に v3.5.0 以前の QE for Capacitive Touch を使用した際に CTSU2/CTSU2x でオ
フセットチューニング目標値を変更した場合のターゲット値を示します。

表 3-9 CTSU2/CTSU2x での“オフセットチューニング目標値”に対してのターゲット値(QE for Capacitive Touch v4.0.0 以降)
JMM ターゲット値
VMM ターゲット値
通常モード
低電圧モード
通常モード
低電圧モード
10.0%
1536
1229
3072
2458
15.0%
2304
1843
4608
3686
20.0%
3072
2458
6144
4915
25.0%
3840
3072
7680
6144
30.0%
4608
3686
9216
7373
35.0%
5376
4301
10752
8602
37.5%
5760
4608
11520
9216
40.0%
6144
4915
12288
9830
45.0%
6912
5530
13824
11059
50.0%
7680
6144
15360
12288
※VMM 使用時は 3 周波数計測結果の 2 周波数合算後(256 μs)の値です。JMM 使用時は 1 周波数分(128μs)の値です。
オフセットチューニング
目標値

表 3-10 CTSU2/CTSU2x での“オフセットチューニング目標値”に対してのターゲット値（参考値）(QE for Capacitive Touch v3.5.0 以前)
ターゲット値※
オフセットチューニング
ターゲット値※
目標値(QE for Capacitive Touch v3.3.0 以前)(QE for Capacitive Touch v3.5.0)
10.0%
4096
3072
15.0%
6144
4608
20.0%
8192
6144
25.0%
10240
7680
30.0%
12288
9216
35.0%
14336
10752
37.5%
15360
11520
40.0%
16384
12288
45.0%
18432
13824
50.0%
20480
15360
※3 周波数計測結果の 2 周波数合算後(256 μs)の値です。
ターゲット値はチューニング時の QE for Capacitive Touch のバージョンに依存します。本アプリケーショ
ンノートでは表 3-9 のターゲット値を使用して説明します。評価には最新版の QE for Capacitive Touch を使用することを推奨します。
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図 3-6 にアドバンスドモード(高度な設定)で”オフセットチューニング目標値”を設定する際のウィンドウ例を示します。

CTSU1

CTSU2

CTSU2x

図 3-6 “オフセットチューニング目標値”の設定
設定した値は qe_touch_config.c に反映されます。下記は RX130 使用時の自己容量方式/相互容量方式の目標値の例です。この値を直接書き換えることは推奨していません。
#if (CTSU_TARGET_VALUE_CONFIG_SUPPORT == 1).tuning_self_target_value = 15360,.tuning_mutual_target_value = 10240,#endif

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3.2.1

オフセットチューニング目標値と計測回数変更による計測値への影響について

計測回数により計測値が変化し、計測回数をデフォルトの設定から 2 倍の値に設定すると計測値も 2 倍になります。
CTSU1：
計測値=(オフセットチューニング目標値[%] × 40960※) / 100×(計測回数 / デフォルトの計測回数)※ 40960 はオフセットチューニング目標値 100%時の値です。
CTSU2/CTSU2x：
VMM 使用時：
通常モード時：
計測値=(オフセットチューニング目標値[%] ×30720※) / 100×(計測回数 / デフォルトの計測回数)※ 30720 は計測時間 256 μs でのオフセットチューニング目標値 100%の値です。
低電圧動作モード時：
計測値=(オフセットチューニング目標値[%] ×24576※) / 100×(計測回数 / デフォルトの計測回数)※ 24576 は計測時間 256 μs でのオフセットチューニング目標値 100%の値です。
JMM 使用時：
通常モード時：
計測値=(オフセットチューニング目標値[%] ×15360※) / 100×(計測回数 / デフォルトの計測回数)※ 15360 は計測時間 128 μs でのオフセットチューニング目標値 100%の値です。
低電圧動作モード時：
計測値=(オフセットチューニング目標値[%] ×12288※) / 100×(計測回数 / デフォルトの計測回数)※12288 は計測時間 128 μs でのオフセットチューニング目標値 100%の値です。

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表 3-11、図 3-7 に CTSU2/CTSU2x での計測回数を変更した場合のオフセットチューニング目標値の設定に対しての VMM 使用時のタッチ OFF 時の計測値(理論値)を示します。
表 3-11 計測回数を変更した場合の“オフセットチューニング時の目標値”に対しての計測値(理論値)
オフセットチューニング
目標値

VMM 使用時のターゲット値※

10%
3072
15%
4608
20%
6144
25%
7680
30%
9216
35%
10752
37.5%
11520
40%
12288
45%
13824
50%
15360
※3 周波数計測結果の 2 周波数合算後の値です。

タッチ OFF 時の VMM 使用時の計測値(理論値)※
計測回数 : 8 (デフォルト)

計測回数 : 16

3072
4608
6144
7680
9216
10752
11520
12288
13824
15360

6144
9216
12288
15360
18432
21504
23040
24576
27648
30720

図 3-7 計測回数を変更した場合の“オフセットチューニング時の目標値”に対しての計測値(理論値)
オフセットチューニング目標値を変更することで計測値がオーバーフローする可能性があります。システ
ム（製品）が動作中に想定される最大の容量付加状態の時※の計測値が電流制御発振器（CCO）の出力リ
ニアリティ特性の良い範囲に収まるように目標値と計測時間を設定してください。また、特に変更の必要が無ければ、表 3-7 を参考に各方式のターゲット値になるようオフセットチューニング時の目標値と計測時間を設定してください。
計測回数を変更し、計測値が想定と異なった場合は表 3-11 を参考にオフセットチューニング目標値を設定してください。オフセットチューニング目標値は計測値がターゲット値よりも大きい場合はデフォルトの設定よりも低く設定し、計測値がターゲット値よりも小さい場合はデフォルトの設定よりも高く設定してください。電極の寄生容量が小さい場合やアクティブシールドを使用する場合など、オフセットチューニング
処理で設定したターゲット値に届かない際にこれらの目標値を再設定してください。
※例としてタッチボタンの上に、水をこぼしてしまった場合など、通常の操作以外も含め考えられうる最大の容量付加状態を想定してください。

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3.3

計測周波数

“計測周波数”ではタッチセンサに出力する周波数の分周を設定します。計測周波数が高いほど感度が良く見えますが、寄生容量が大きい場合計測誤差が発生します。
CTSU は TS 端子よりセンサドライブパルスを出力して、その充電電流から静電容量を計測します。詳細は下記ドキュメントをご参照ください。
静電容量センサマイコン 静電容量タッチ導入ガイド (renesas.com)
計測周波数は寄生容量と設定したダンピング抵抗により、自動チューニングで最適な周波数に設定されます。また、動作クロックによって計測周波数が異なります。詳細は各静電容量タッチセンサマイコンのハードウェアマニュアルをご参照ください。図 3-8 に CTSU1 の代表例(TSCAP 電圧 1.6V)として RX130 の寄生
容量/ダンピング抵抗と自動チューニングで設定される計測周波数の関係を示します。下図は動作クロック
32 MHz の例です。
pF

Ω

10

10

12

15

18

22

27

33

39

47

56

68

82

100

150

200

220

240

270

300

330

360

390

430

470

510

560

620

680

750

820

910 1000

4MHz

12
15
18

2MHz

22
27
33
39
42

1MHz

47
51
56
62
68

0.5MHz

75
82
91
100

図 3-8 RX130(受信電極 1.6V)の寄生容量/ダンピング抵抗と計測周波数の関係
図 3-9 に CTSU1 の代表例(TSCAP 電圧 1.18V)として RX671 の寄生容量/ダンピング抵抗と自動チューニ
ングで設定される計測周波数の関係を示します。下図は動作クロック 30 MHz の例です。
pF

Ω
10
12
15

10

12

15

18

22

27

33

39

47

56

68

82

100

150

200

220

240

270

300

330

360

390

430

470

510

560

620

680

750

820

910 1000

3.75MHz

18
22
27
33

1.875MHz

39
42
47

1MHz

51
56
62
68
75

0.5MHz8291100

図 3-9 RX671 (受信電極 1.18V)の寄生容量/ダンピング抵抗と計測周波数の関係

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図 3-10 に CTSU2/CTSU2x の代表例(TSCAP 電圧 1.5V)として RX140 の寄生容量/ダンピング抵抗と自動チューニングで設定される計測周波数の関係を示します。
pF

Ω

10

12

15

18

22

27

33

39

47

56

68

82

100

150

200

220

240

270

300

330

360

390

430

470

510

560

620

680

750

820

910 1000

10
12
15

4MHz

18
22
27
33

2MHz

39
42
47
51

1MHz

56
62
68
75
82

0.5MHz91100

図 3-10 RX140(受信電極 1.5V)の寄生容量/ダンピング抵抗と計測周波数の関係
寄生容量が大きいほど計測周波数は低く設定されます。寄生容量が大きい場合に計測周波数を高く設定す
ると、TS 端子よりセンサドライブパルスを出力する際に、充放電が満足に行われず計測値の誤差が発生する可能性があります。自動チューニングでは計測誤差が発生しない最適な計測周波数に設定します。
また、CTSU2/CTSU2x では”計測周波数”で設定した周波数が、マルチ周波数計測時の第 1 周波数に決定されます。第 2 /第 3 周波数の設定方法は 3.7 タッチ判定方法/マルチ周波数計測/逓倍比をご参照ください。

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図 3-11 にアドバンスドモード(高度な設定)で”計測周波数”を設定する際のウィンドウ例を示します。

CTSU1

CTSU2

CTSU2x

図 3-11 “計測周波数”の設定
設定した値は qe_touch_config.c の”sdpa”に反映されます。例として RX140 搭載静電容量タッチ評価シス
テム使用時、計測周波数で”SUCLK の 16 分周”を選択した場合、”sdpa = 0x07”と設定されます。
const ctsu_element_cfg_t g_qe_ctsu_element_cfg_config01[] ={{ .ssdiv = CTSU_SSDIV_4000, .so = 0x12B, .snum = 0x07, .sdpa = 0x07 },};※SDPA の詳細については各静電容量タッチセンサマイコンのハードウェアマニュアルをご参照ください。

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3.3.1

計測周波数変更による感度への影響について

表 3-12 に計測周波数を変更した場合の RX140 搭載静電容量タッチ評価システム使用時の計測値(実測例)を示します。

表 3-12 計測周波数を変更した場合の計測値(実測例)
CTSU2x(RX140 搭載静電容量タッチ評価システム使用),
自己容量方式, VMM 方式, 計測回数 : 8, 計測電流レンジ : 40μA, オフセットチューニング目標値 : 37.5% (5 回平均)計測
周波数

タッチ OFF 時の

タッチ ON 時の

シグナル値

平均値

平均値

(タッチ ON/OFF の差分値)

A

B

B-A

タッチ OFF 時の
ノイズ値

SNR

4MHz
11674
15322
3648
26.1
23.29
2MHz
11540
13376
1836
17.7
16.22
1MHz
11580
12513
932
13
11.29
0.5MHz
11550
12021
471
13.8
5.40
※実測例は QE for Capacitive Touch の”CapTouch ステータス・チャート (QE) ビュー”の機能より取得しま
した。詳細は e2studio のヘルプよりご参照ください。
計測周波数を高くするとタッチ ON/OFF の差分値は大きく見えますが、計測周波数を高くすることでタッチ ON 時にオーバーフローが発生する可能性があります。また、寄生容量が大きい場合に無理に計測周波数を上げると計測誤差が発生する可能性があります。
図 3-12 に寄生容量が大きい場合に計測周波数を上げた場合の CTSU 計測のイメージを示します。高い周波数の場合パルスの出力が充電時間よりも早く、寄生容量が大きい場合だと十分に充放電できない可能性があります。それにより計測に誤差が発生する可能性があるため、寄生容量に合わせた計測周波数の設定が必要となります。

図 3-12 CTSU 計測のイメージ
0.5MHz 設定時、寄生容量が小さい場合にタッチ OFF 時の平均値がオフセットチューニング目標値付近に設定されない場合があります。理由として寄生容量が小さいことで VDC から供給される電流が小さく、カ
レントミラー回路に供給される電流も小さくなることから計測値が目標値に到達しないためです。その場合
は計測周波数を高くするか、オフセットチューニング目標値を下げてください。
また、充放電時間を十分に確保することを考慮し、計測周波数は 4MHz 以下になるよう設定してください。
ユーザの要求仕様に合わせて十分に評価したうえで調整してください。

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3.3.2

アドバンスドモードを用いた計測周波数の調整方法について

自動チューニングでは計測誤差が発生しない最適な計測周波数に設定します。寄生容量により 4 種類の周
波数 4 / 2 / 1 / 0.5MHz から最終的な計測周波数が決定されますが、寄生容量に対して設定された計測周波数のマージンが大きすぎる場合があります。その場合はアドバンスドモードにより、さらに詳細な計測周波数に変更することが可能です。図 3-13 に CTSU1 である RX130 でダンピング抵抗 560Ωを使用した場合の寄生容量と SDPA の関係を示します。

※PRMODE、PRRATIO は推奨値を設定

図 3-13 RX130 使用時に計測可能な寄生容量値
寄生容量が 30pF で動作クロック(CTSUCLK)が 32MHz の場合、最適な SDPA は 11 となります。
計測周波数は下記の計算式で求められます。
計測周波数 = CTSUCLK / ((SDPA + 1) × 2)
動作クロック(CTSUCLK)が 32MHz で SDPA が 11 の場合、計測周波数は下記のようになります。
計測周波数 ： 32[MHz] / ((11 + 1) × 2) = 1.333MHz
RX130 では自動チューニング結果として計測時間が 526μs となるように設定されますが、本アドバンスド
モードを用いて計測周波数を手動で変更した場合は計測時間も変化します。詳細は 3.1 計測回数/計測時間をご参照ください。
図 3-14 に 526μs 付近に設定する場合の動作クロック 32MHz 使用時の SDPA と計測回数の関係を示します。

※計測回数の設定値は整数に限られるため、SDPA によっては最適な計測回数でも計測時間 526μs から大きく乖離するケースがあります

図 3-14 RX130(動作クロック 32MHz)使用時に 526μs 相当の計測時間を設定する場合の SDPA と計測回数
計測時間を変更する場合はオーバーフローエラーが発生しないよう、ユーザの要求仕様に合わせて調整してください。また、動作クロックによっては自動チューニングにより 4 / 2 / 1 / 0.5MHz 以外に設定されることがあります。例として動作クロックが 30MHz の場合は、分周の関係で 4 / 2MHz に設定することができません。その場合は 4 / 2MHz 付近の周波数で低い値、3.75 / 1.875MHz に設定されます。
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図 3-15 に CTSU2 である RX140 でデフォルトの”マルチ周波数計測/逓倍比”の設定を使用し、ダンピング
抵抗 560Ωを使用した場合の寄生容量と SDPA の関係を示します。

図 3-15 RX140 使用時に計測可能な寄生容量値
寄生容量が 25pF の場合、最適な SDPA は 9 となります。
計測周波数は下記の計算式で求められます。
計測周波数 = (SUCLK※ / 2) / (SDPA + 1)
※SUCLK = STCLK[0.5MHz] × SUMULTI を示しています。
STCLK、SUMULTI の詳細については各静電容量タッチセンサマイコンのハードウェアマニュアルをご参照ください。
SDPA が 9 の場合、3 周波数計測時の周波数は下記のようになります。
計測周波数(64 逓倍) ： (32[MHz] / 2) / (9 + 1) = 1.6MHz
計測周波数(55 逓倍) ： (27.5[MHz] / 2) / (9 + 1) = 1.38MHz
計測周波数(73 逓倍) ： (36.5[MHz] / 2) / (9 + 1) = 1.83MHz
ユーザの要求仕様に合わせて十分に評価したうえで調整してください。

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3.4

計測電流レンジ“計測電流レンジ”の設定は CTSU2/CTSU2x のみで変更可能です。
“計測電流レンジ”では計測用 VDC から供給した電流とカレントミラー回路を介して電流制御発振器（CCO）に流れる電流とのカレントミラー比をメソッドごとに設定します。”計測電流レンジ”を低く設定するとタッチ ON 時の CCO 入力電流が高くなるため感度が上がります。
CTSU は TS 端子よりセンサドライブパルスを出力して、その充放電電流を計測することで静電容量値を計測します。電極側の電流 I、センサドライブパルス周波数 F、寄生容量を Cp、指の静電容量 Cf、センサドラ
イブパルス電圧 V とすると次の式が成立します。
I = F (Cp＋Cf) V
ここで、電流 I は計測用 VDC から供給される電流 I1 とオフセット電流（DAC）から供給される電流 I2 を加算した電流になります。詳細は下記ドキュメントの”2.2.1 検出原理”をご参照ください。
静電容量センサマイコン 静電容量タッチ導入ガイド (renesas.com)
計測用 VDC から供給した電流 I1 は、カレントミラー回路を介して電流制御発振器(CCO)に比例した電流
IOUT が印加されます。”計測電流レンジ”の設定では VDC からの電源供給能力を設定し、設定に合わせて自動でカレントミラー比を決定します。計測電流レンジを大きくすることで、計測用 VDC から供給する電流
I1 が大きくなります。
図 3-16 に通常電流(40μA)使用時の計測イメージを示します。

図 3-16 通常電流(40μA)使用時の計測イメージ
表 3-13 にデフォルトの設定を示します。
表 3-13 デフォルトの”計測電流レンジ”設定
CTSU2/CTSU2x

自己容量方式使用時

相互容量方式使用時

通常電流(40μA)

高電流(80μA)

また、CTSU2/CTSU2x ではデフォルト設定のほかに低電流(20μA)/高電流(160μA)に設定することが可能です。

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図 3-17 にアドバンスドモード(高度な設定)で”計測電流レンジ”を設定する際のウィンドウ例を示します。

CTSU2

CTSU2x

図 3-17 “計測電流レンジ”の設定
設定した内容は qe_touch_config.c に反映されます。下記は通常電流(40μA)の例です。
.atune12= CTSU_ATUNE12_40UA,※ATUNE の詳細については各静電容量タッチセンサマイコンのハードウェアマニュアルをご参照ください。

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3.4.1

計測電流レンジ変更による感度への影響について

表 3-14 に計測電流レンジを変更した場合の RX140 搭載静電容量タッチ評価システム使用時の計測値(実測例)を示します。

表 3-14 計測電流レンジを変更した場合の計測値(実測例)
CTSU2x(RX140 搭載静電容量タッチ評価システム使用),
自己容量方式, VMM 方式, 計測周波数 : 2MHz, 計測回数 : 8, オフセットチューニング目標値 : 37.5% (5 回平均)
計測電流
レンジ

タッチ OFF 時の

タッチ ON 時の

シグナル値

平均値

平均値

(タッチ ON/OFF の差分値)

A

B

B-A

タッチ OFF 時の

SNR

ノイズ値

20μA
11653
15508
3855
38.32
16.216
40μA
11566
13513
1947
16.96
17.672
80μA
11513
12484
970
11.46
14.288
160μA
11360
11840
480
9.94
7.49
※実測例は QE for Capacitive Touch の”CapTouch ステータス・チャート (QE) ビュー”の機能より取得しま
した。詳細は e2studio のヘルプよりご参照ください。
計測電流レンジを低くするとタッチ ON/OFF の差分値は大きく見えますが、電流レンジを低くすること
でタッチ ON 時にオーバーフローが発生する可能性があります。また、寄生容量が小さい場合に電流モードが大きすぎると、タッチ OFF 時の平均値がオフセットチューニング目標値付近に設定されない場合があります。理由として寄生容量が小さいことで VDC から供給される電流が小さく、カレントミラー回路に供給される電流も小さくなることから計測値が目標値に到達しないためです。その場合は計測電流レンジを下げるか、計測値の目標値を下げてください。
図 3-18 に例として計測周波数が 2MHz で寄生容量が約 18.8pF の電極を使用している場合の計測電流レン
ジが通常電流(40μA)/高電流(160μA)時のオフセットチューニング目標値に対する計測用 VDC から供給される電流 I1 とオフセット電流（DAC）から供給される電流 I2、電流制御発振器(CCO)に流れる電流値 Iout を示します。

CCO に流れる電流 Iout が目標値に達していない

図 3-18 オフセットチューニング目標値と計測電流レンジを変更した際の電流値
電流制御発振器(CCO)に流れる電流は 2.5~20μA でオフセットチューニング目標値 100%の際に 20μA 流
れます。
通常電流(40μA)使用時はオフセットチューニング目標値が 37.5%時に I1 = 約 15μA, I2 = 約 41μA となっています。CCO に流れる電流 IOUT は計測用 VDC から供給した電流 I1 とのカレントミラー比で値が決定す
るため IOUT = I1 / 2 = 7.5μA と求められます。
高電流(160μA)使用時はオフセットチューニング目標値が 37.5%時に I1 = 約 56μA, I2 = 0μA となっています。CCO に流れる電流 IOUT は計測用 VDC から供給した電流 I1 とのカレントミラー比で値が決定するため
IOUT = I1 / 8 = 約 7μA と求められます。
このように寄生容量が小さい場合に電流モードが大きすぎるとカレントミラー回路に供給される電流も小さくなり、計測値が目標値に到達しません。
ユーザの要求仕様に合わせて十分に評価したうえで、電流レンジ、オフセットチューニングの目標値を調整してください。

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3.5

非計測 TS 端子出力選択“非計測 TS 端子出力選択”の設定は CTSU2/CTSU2x のみで変更可能です。
“非計測 TS 端子出力選択”では計測期間中の計測端子以外の非計測端子の処理をメソッドごとに設定します。非計測端子の処理を適切に行うことでノイズ対策が可能です。計測していない TS 端子は ノイズ対策のために GPIO Low 出力に設定することを推奨します。アクティブシールド使用時は寄生容量の増加を抑えつ
つ外部からの影響をシールドするために、計測期間中の非計測端子はセンサドライブパルスと同相のシール
ド信号を出力する設定である同相パルス出力に設定してください。表 3-15 にデフォルトの設定を示します。
表 3-15 デフォルトの”非計測 TS 端子出力選択”設定
CTSU2/CTSU2x

自己容量方式使用時

相互容量方式使用時

アクティブシールド使用時

GPIO から L 出力

GPIO から L 出力

同相パルス出力例として図 3-19 のようなタッチインタフェース構成の場合の TS 端子の計測イメージを図 3-20 に示します。config01 の計測期間中の TS 端子の挙動について、アクティブシールドが設定されているため、TS00を計測中の他端子 TS01,TS02 は同相パルス出力しています。また、config02 の計測期間中では TS03 を計
測中 TS04 は Low 出力となります。
Config01

Config02

図 3-19 タッチインタフェース構成の例

青波形：TSCAP 電源使用
黄波形：内部ロジック電源使用

図 3-20 TS 端子の計測イメージ
これは非計測 TS 端子出力選択設定の一例です。詳細については以下の資料をご参照ください。
RL78 ファミリ 静電容量センサユニット (CTSU2L) 動作説明 Rev.1.00 (renesas.com)
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表 3-16 に各処理設定の概要を示します。
表 3-16 各処理設定の概要
非計測 TS 端子出力選択設定

概要

GPIO から L 出力

計測期間中の非計測端子から Low 出力する設定です。

Hi-Z 出力

計測期間中の非計測端子から Hi-Z 出力する設定です。

同相パルス出力

計測期間中の非計測端子からセンサドライブパルスと同相のシールド信号を出力する設定です。

図 3-21 にアドバンスドモード(高度な設定)で”非計測 TS 端子出力選択”を設定する際のウィンドウ例を示
します。

CTSU2

CTSU2x

図 3-21 “非計測 TS 端子出力選択”の設定
設定した内容は qe_touch_config.c に反映されます。下記は GPIO から L 出力に設定した例です。
.posel = CTSU_POSEL_LOW_GPIO,※POSEL の詳細については各静電容量タッチセンサマイコンのハードウェアマニュアルをご参照ください。

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3.6

送信端子電源“送信端子電源”では相互容量方式使用時、送信端子に設定した端子の I/O 電源をメソッドごとに選択します。また、選択した電源は、自己容量方式のアクティブシールド電極用の電源にも使用されます。
この値はデフォルト設定の値を使用し、変更しないでください。詳細は下記ドキュメントをご参照ください。
RL78 ファミリ 静電容量センサユニット (CTSU2L) 動作説明 Rev.1.00 (renesas.com)
表 3-17 にデフォルトの設定を示します。

表 3-17 デフォルトの”送信端子電源”設定
自己容量方式使用時

相互容量方式使用時

アクティブシールド使用時

VCC

VCC

-

VCC

VCC(専用)

内部ロジック電源(アクティブシールド用電源)

CTSU1
CTSU2/CTSU2x

表 3-18 に CTSU1 での各設定の概要を示します。
表 3-18 CTSU1 での”送信端子電源”設定概要
送信端子の電源設定

TXVSEL概要

VCC

0

計測時に受信端子のみ使用し、送信端子を使用しません。受信端子は TSCAP 電源を使用します。

VCC

0

計測時に送信端子も使用します。送信端子の電圧により感度が変わります。受信端子は TSCAP 電源を使用します。

自己容量方式使用時
相互容量方式使用時

CTSU1 を使用する場合は TXVSEL = 1 の設定は行わないでください。
表 3-19 に CTSU2/CTSU2x での各設定の概要を示します。
表 3-19 CTSU2/CTSU2x での”送信端子電源”設定概要
送信端子の電源設定

TXVSELTXVSEL2

概要

VCC

0

0

計測時に受信端子のみ使用し、送信端子を使用しません。受信端子は TSCAP 電源を使用します。

VCC(専用)0/1

1

計測時に送信端子も使用します。送信端子の電 圧に より 感度 が変 わりま す。 受信 端子 は
TSCAP 電源を使用します。

0

シールドパルスの出力のために送信端子を使用します。送信端子から受信端子と同相・同電位のパルスを出力することでシールドの役割を果たすことができます。受信端子は TSCAP 電源を使用します。

自己容量方式使用時

相互容量方式使用時

アクティブシールド使用時

内部ロジック電源(アクティブシールド用電源)
RX,RA:VCL
RL:REGC1※詳細は下記ドキュメントの”2.3.1 検出原理”をご参照ください。
静電容量センサマイコン 静電容量タッチ導入ガイド (renesas.com)

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図 3-22 にアドバンスドモード(高度な設定)で”送信端子電源”の設定する際のウィンドウ例を示します。

CTSU1

CTSU2

CTSU2x

図 3-22 “送信端子電源”の設定

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設定した内容は qe_touch_config.c に反映されます。
下記は CTSU1 での例です。


自己容量方式使用時 / 相互容量方式使用時.txvsel = CTSU_TXVSEL_VCC,

下記は CTSU2/CTSU2x での例です。


自己容量方式使用時.txvsel = CTSU_TXVSEL_VCC,.txvsel2= CTSU_TXVSEL_MODE,

相互容量方式使用時.txvsel = CTSU_TXVSEL_VCC,.txvsel2= CTSU_TXVSEL_VCC_PRIVATE,

アクティブシールド使用時.txvsel = CTSU_TXVSEL_INTERNAL_POWER,.txvsel2= CTSU_TXVSEL_MODE,

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3.7

タッチ判定方法/マルチ周波数計測/逓倍比“タッチ判定方法”と“マルチ周波数計測”、”逓倍比”の設定は CTSU2/CTSU2x のみで変更可能です。
マルチ周波数計測では同期ノイズを回避するために複数種類のセンサドライブパルス周波数で計測可能です。デフォルトでは 3 種類の周波数で計測し、3 つの周波数それぞれで計測した結果を用いてタッチ判定をします。“タッチ判定方法”はメソッドごと、“マルチ周波数計測”と”逓倍比”はシステムごとに設定が可能です。
下記にタッチ判定方法を示します。
1. 計測値多数決モード
計測値多数決モード(Value Majority Mode： VMM)は、3 周波数の計測結果から値が近い 2 つの計測結果を加算した値でタッチ判定する方式です。図 3-23 に VMM 使用時動作イメージを示します。

図 3-23 VMM 使用時の動作イメージ
2. 判定多数決モード
判定多数決モード(Judgement Majority Mode： JMM)は、3 周波数計測のそれぞれの判定結果から多数決により最終的なタッチ判定する方式です。自己容量ボタンと相互容量ボタンのみ対応しています。図 3-24 にJMM 使用時の動作イメージを示します。

図 3-24 JMM 使用時の動作イメージ
タッチ判定方法の詳細は下記ドキュメントをご参照ください。
静電容量センサマイコン 静電容量タッチ導入ガイド (renesas.com)
表 3-20 にボタン使用時の“タッチ判定方法”と“マルチ周波数計測”のデフォルトの設定例を示します。

表 3-20 デフォルトの“タッチ判定方法/マルチ周波数計測”設定
自動判定

タッチ判定方法

マルチ周波数計測

CTSU2-

計測値多数決モード

3 周波数

CTSU2x有効

判定多数決モード

3 周波数

無効

計測値多数決モード

3 周波数

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設定した逓倍比による計測周波数は図 3-25 のように表示されます。

図 3-25 逓倍比の設定による計測周波数
アドバンスドモードの設定では、マルチ周波数計測は 3 種類のセンサドライブパルス周波数でそれぞれ計測します。第 1 周波数は”計測周波数”(センサドライブパルス周波数)で設定した値で、その逓倍比はデバイ
スにより 48 または 64 に固定されます。第 2 周波数、第 3 周波数の逓倍比は任意の値に変更することが可能です。
表 3-21 に”逓倍比”のデフォルトの設定と設定可能な下限値と上限値を示します。
表 3-21 デフォルトの”逓倍比”設定
デバイス名

第 1 周波数逓倍比※1

第 2 周波数逓倍比※2

第 3 周波数逓倍比※2

RL78/G22
RL78/G23

48

41 [32~60]

通常モード：55 [32~60]低電圧動作モード：46 [32~60]

RX260
RX261

48

41 [32~64]

通常モード：55 [32~64]低電圧動作モード：46 [32~64]

その他の
デバイス

64

通常モード
：55 [32~80]低電圧動作モード：55 [32~64]

通常モード：73 [32~80]低電圧動作モード：46 [32~64]※1 SUCLK の上限値により第 1 周波数の逓倍比が異なります。SUCLK の詳細については各静電容量タッチ
センサマイコンのハードウェアマニュアルをご参照ください。
※2 低電圧動作モードについては”3.9 低電圧動作モード”をご参照ください。
下記に逓倍比を変更した際の第 2 周波数、第 3 周波数の計測周波数の計算式を示します。
計測周波数[第 2 周波数] = 計測周波数[第 1 周波数] × 逓倍比[第 2 周波数] /逓倍比[第 1 周波数]
計測周波数[第 3 周波数] = 計測周波数[第 1 周波数] × 逓倍比[第 3 周波数] /逓倍比[第 1 周波数]
3 周波数計測の周波数差分を大きくすると、計測値のばらつきが大きくなる傾向があります。
また、逓倍比は計測値がオーバーフローしないよう設定する必要があります。逓倍比の設定は十分に評価したうえで設定してください。

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図 3-26 にアドバンスドモード(高度な設定)で”タッチ判定方法/マルチ周波数計測/逓倍比”を設定する際のウィンドウ例を示します。

CTSU2

CTSU2x

図 3-26 “タッチ判定方法/マルチ周波数計測/逓倍比”の設定“タッチ判定方法”の設定は qe_touch_define.h に反映されます。下記は VMM 使用時の設定例です。
#define CTSU_CFG_MAJORITY_MODE (1)“マルチ周波数計測/逓倍比”を設定した値は qe_touch_define.h に反映されます。下記は SUCLK の上限が40MHz の場合の設定例です。
#define CTSU_CFG_NUM_SUMULTI#define CTSU_CFG_SUMULTI0#define CTSU_CFG_SUMULTI1#define CTSU_CFG_SUMULTI2(3)(0x3F)(0x36)(0x48)※SUMULTI の詳細については各静電容量タッチセンサマイコンのハードウェアマニュアルをご参照ください。

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3.8

自動判定/自動補正(ハードウェア)/自動マルチ周波数補正(ハードウェア)“自動判定”と”自動補正(ハードウェア)”、”自動マルチ周波数補正(ハードウェア)”の設定は CTSU2x が対象です。”自動判定”,”自動補正(ハードウェア)”,”自動マルチ周波数補正(ハードウェア)”はタッチ判定や CCO 補正、マルチ周波数補正をハードウェアで実施する機能です。ソフトウェアでの処理が不要となるため低消費電力、メインプロセッサの処理時間低減を実現しています。アドバンスドモード(高度な設定)では"自動判定”の設定を参照し、”自動補正”、”自動マルチ周波数補正”の設定が自動で設定されます。計測値多数決モード(Value Majority Mode： VMM)を使用した自動判定は、将来のアップデートで対応予定です。表 3-22 に各機能の説明を示します。

表 3-22 ”自動判定/自動マルチ周波数補正(ハードウェア)/自動補正(ハードウェア)”の機能概要
機能

機能概要
自動判定をサポートする CTSU にてボタンのタッチ判定をする機能です。この機能はボタンのみ使用可能です。SNOOZE モード・シーケンサ（SMS）を内蔵しているマイコンであれば SMSと併用することで実現可能です。SMS 使用時は判定多数決モード(JMM)のみ使用可能です。計測値多数決モード(VMM)を使用した自動判定は、将来のアップデートで対応予定です。
自動補正をサポートする CTSU にて CCO 補正計算処理を実施する機能です。

自動判定

自動補正(ハードウェア)

自動マルチ周波数補正をサポートする CTSU にて 3 周波数計測後の周波数補正を実施する機能です。3 周波数計測後の周波数補正
処理と 3 周波数計測結果の内近しい値の 2 周波数の結果を合算す
る 2 周波数選択処理を実施します。計測値多数決モード(VMM)使
用時のみ使用可能です。計測値多数決モード(VMM)を使用した自動判定は、将来のアップデートで対応予定です。

自動マルチ周波数補正(ハードウェア)図 3-27 に VMM 使用時の各機能の動作イメージを示します。VMM を使用した自動判定は、将来のアップ
デートで対応予定です。

自動補正

自動マルチ周波数補正

自動判定

図 3-27 VMM 使用時の動作イメージ
図 3-28 に JMM 使用時の各機能の動作イメージを示します。JMM 使用時はマルチ周波数補正の処理があり
ません。

自動補正

自動判定

図 3-28 JMM 使用時の動作イメージ

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表 3-23 に自動判定有効/無効時の各機能のデフォルト設定の例を示します。

表 3-23 “自動補正(ハードウェア)/自動マルチ周波数補正(ハードウェア)”のデフォルト設定
自動判定

自動補正(ハードウェア)

有効

有効

無効

無効

自動マルチ周波数補正(ハードウェア)
VMM 使用時※：有効
JMM 使用時：無効
無効※VMM を使用した自動判定は、将来のアップデートで対応予定です。

システム内のメソッドで一つでも自動判定の機能が有効の場合に、システムとして自動補正が有効となります。また、自動判定有効時に VMM を使用していれば自動マルチ周波数補正も有効になります。図 3-29 に”自動判定/自動補正(ハードウェア) /自動マルチ周波数補正(ハードウェア)”設定の決定フローを示します。
機能決定フロー

メソッド内に下記設定があるか？

自動判定＝有効No
Yes

自動補正＝有効自動補正＝無効メソッド内に下記設定があるか？

タッチ判定方法＝VMM
No
Yes
VMM

JMM

VMM/JMM

自動マルチ周波数補正＝有効自動マルチ周波数補正＝無効

自動マルチ周波数補正＝無効※VMM を使用した自動判定は、将来のアップデートで対応予定です。

図 3-29 “自動判定/自動補正(ハードウェア)/自動マルチ周波数補正(ハードウェア)”の決定フロー

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図 3-30 にアドバンスドモード(高度な設定)で“自動判定/自動補正(ハードウェア)/自動マルチ周波数補正(ハードウェア)”を設定する際のウィンドウ例を示します。SMS 内蔵マイコン使用時は”自動判定”の項目では”SMS”と表示されます。VMM を使用した自動判定は、将来のアップデートで対応予定です。

CTSU2L/CTSU2La

CTSU2SL/CTSU2SLa

図 3-30 “自動判定/自動補正(ハードウェア)/自動マルチ周波数補正(ハードウェア)”の設定“自動判定”の設定は r_ctsu_qe_config.h に反映されます。下記は自動判定を有効にした場合の例です。
#define CTSU_CFG_AUTO_JUDGE_ENABLE(1)“自動補正(ハードウェア)/自動マルチ周波数補正(ハードウェア)”の設定は qe_touch_define.h に反映されます。下記は JMM 使用時に自動判定を有効にした場合の例です。
#define CTSU_CFG_AUTO_CORRECTION_ENABLE(1)#define CTSU_CFG_AUTO_MULTI_CLOCK_CORRECTION_ENABLE (0)※各機能の詳細については各静電容量タッチセンサマイコンのハードウェアマニュアルをご参照ください。

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3.9

低電圧動作モード“低電圧動作モード”の設定は CTSU2/CTSU2x のみで変更可能です。
低電圧動作モードでは使用する TSCAP 電圧をシステムごとに設定できます。マイコンの動作電圧が 2.4V
未満の場合には自動で低電圧動作モードが有効となり TSCAP 電圧は 1.2V となります。バッテリ動作時にマイコン動作電圧が 2.4V 未満になる場合等で使用します。また、低電圧動作モードはボタン、スライ
ダ、ホイール使用時のみ使用できます。マイコン動作中に TSCAP 電圧を切り替えることはサポートしていません。
表 3-24 にマイコンの動作電圧による低電圧動作モードのデフォルトの設定例を示します。

表 3-24 マイコンの動作電圧による低電圧動作モードのデフォルト設定
低電圧動作モード

TSCAP 電圧

2.4V 以上

無効

1.5V

2.4V 未満

有効1.2V

マイコンの動作電圧※※設定可能な動作電圧は各静電容量タッチセンサマイコンのハードウェアマニュアルをご参照ください。
図 3-31 にアドバンスドモード(高度な設定)で”低電圧動作モード”を設定する際のウィンドウ例を示しま
す。

CTSU2

CTSU2x

図 3-31 “低電圧動作モード”の設定
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静電容量センサマイコン QE for Capacitive Touch アドバンスドモード(高度な設定)パラメータガイド
設定した値は qe_touch_define.h に反映されます。下記に例を示します。


マイコンの動作電圧 5.0V で低電圧動作モード無効時（TSCAP 電圧：1.5V）#define CTSU_CFG_VCC_MV(5000)#define CTSU_CFG_LOW_VOLTAGE_MODE (0)

マイコンの動作電圧 5.0V で低電圧動作モード有効時（TSCAP 電圧：1.2V）#define CTSU_CFG_VCC_MV(5000)#define CTSU_CFG_LOW_VOLTAGE_MODE (1)

マイコンの動作電圧 1.8V で低電圧動作モード有効時（TSCAP 電圧：1.2V）#define CTSU_CFG_VCC_MV(1800)#define CTSU_CFG_LOW_VOLTAGE_MODE (1)※低電圧動作モードの詳細については各静電容量タッチセンサマイコンのハードウェアマニュアルをご参照ください。

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静電容量センサマイコン QE for Capacitive Touch アドバンスドモード(高度な設定)パラメータガイド

改訂記録
Rev.
1.00
2.00

3.00

発行日
2023/6/20
2023/12/25

2024/10/22

ページ
P26
P30
P38
-

-

P1
P11
P15,26,31
P18
P19
P23
P29
P34
P37
P37
P40
P43

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改訂内容
ポイント
初版発行
計測周波数の調整方法について説明を追加
計測電流レンジ変更時のオフセット目標値に対する電流の変化量について説明を追加
自動補正(ハードウェア)有効/無効時のイメージ図を追加
新機能の情報を追加
・タッチ判定方法
・自動判定/自動マルチ周波数補正
・低電圧動作モード
QE for Capacitive Touch v4.0.0 以降のワークフロー、モニタ
リング用ビューデザインの変更に伴い図を変更
QE for Capacitive Touch v4.0.0 以降のアドバンスドモード(高度な設定)のダイアログについて設定可能な項目名が変更となったため図を変更
動作確認デバイスに CTSU2La、CTSU2SLa を追加
静電容量タッチセンサの対応表を更新
QE for Capacitive Touch v4.0.0 でのオフセットチューニング
目標値更新に伴いデータを更新
QE for Capacitive Touch v4.0.0 でのオフセットチューニング
目標値更新に伴い内容を修正
表 3-10 に QE for Capacitive Touch v3.3.0 および v3.5.0 のチューニング目標値を記載
RX671 を例とした寄生容量/ダンピング抵抗と計測周波数の関係の表を追加
電流制御発振器(CCO)に流れる定格電流値を修正
前版から 3.6 章と 3.7 章を入れ替え
3.7 章のタイトルを修正
タッチ判定方法について説明を追加し、逓倍比について説明を修正
自動判定、自動マルチ周波数補正について説明を追加
低電圧動作モードについて説明を追加

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製品ご使用上の注意事項
ここでは、マイコン製品全体に適用する「使用上の注意事項」について説明します。個別の使用上の注意事項については、本ドキュメントおよびテク
ニカルアップデートを参照してください。
1.

静電気対策
CMOS 製品の取り扱いの際は静電気防止を心がけてください。CMOS 製品は強い静電気によってゲート絶縁破壊を生じることがあります。運搬や保存の際には、当社が出荷梱包に使用している導電性のトレーやマガジンケース、導電性の緩衝材、金属ケースなどを利用し、組み立て工程にはアースを施してください。プラスチック板上に放置したり、端子を触ったりしないでください。また、CMOS 製品を実装したボードについても同様の扱いをしてください。

2.

電源投入時の処置
電源投入時は、製品の状態は不定です。電源投入時には、LSI の内部回路の状態は不確定であり、レジスタの設定や各端子の状態は不定です。外部
リセット端子でリセットする製品の場合、電源投入からリセットが有効になるまでの期間、端子の状態は保証できません。同様に、内蔵パワーオン
リセット機能を使用してリセットする製品の場合、電源投入からリセットのかかる一定電圧に達するまでの期間、端子の状態は保証できません。

3.

電源オフ時における入力信号
当該製品の電源がオフ状態のときに、入力信号や入出力プルアップ電源を入れないでください。入力信号や入出力プルアップ電源からの電流注入により、誤動作を引き起こしたり、異常電流が流れ内部素子を劣化させたりする場合があります。資料中に「電源オフ時における入力信号」についての記載のある製品は、その内容を守ってください。

4.

未使用端子の処理
未使用端子は、「未使用端子の処理」に従って処理してください。CMOS 製品の入力端子のインピーダンスは、一般に、ハイインピーダンスとなっています。未使用端子を開放状態で動作させると、誘導現象により、LSI 周辺のノイズが印加され、LSI 内部で貫通電流が流れたり、入力信号と認識されて誤動作を起こす恐れがあります。

5.

クロックについてリセット時は、クロックが安定した後、リセットを解除してください。プログラム実行中のクロック切り替え時は、切り替え先クロックが安定した
後に切り替えてください。リセット時、外部発振子（または外部発振回路）を用いたクロックで動作を開始するシステムでは、クロックが十分安定した後、リセットを解除してください。また、プログラムの途中で外部発振子（または外部発振回路）を用いたクロックに切り替える場合は、切り替え先のクロックが十分安定してから切り替えてください。

6.

入力端子の印加波形
入力ノイズや反射波による波形歪みは誤動作の原因になりますので注意してください。CMOS 製品の入力がノイズなどに起因して、VIL（Max.）から VIH（Min.）までの領域にとどまるような場合は、誤動作を引き起こす恐れがあります。入力レベルが固定の場合はもちろん、VIL（Max.）から VIH（Min.）までの領域を通過する遷移期間中にチャタリングノイズなどが入らないように使用してください。

7.

リザーブアドレス（予約領域）のアクセス禁止
リザーブアドレス（予約領域）のアクセスを禁止します。アドレス領域には、将来の拡張機能用に割り付けられている リザーブアドレス（予約領域）があります。これらのアドレスをアクセスしたときの動作については、保証できませんので、アクセスしないようにしてください。

8.

製品間の相違について
型名の異なる製品に変更する場合は、製品型名ごとにシステム評価試験を実施してください。同じグループのマイコンでも型名が違うと、フラッ
シュメモリ、レイアウトパターンの相違などにより、電気的特性の範囲で、特性値、動作マージン、ノイズ耐量、ノイズ幅射量などが異なる場合があります。型名が違う製品に変更する場合は、個々の製品ごとにシステム評価試験を実施してください。

ご注意書き1.

本資料に記載された回路、ソフトウェアおよびこれらに関連する情報は、半導体製品の動作例、応用例を説明するものです。回路、ソフトウェアおよびこれらに関連する情報を使用する場合、お客様の責任において、お客様の機器・システムを設計ください。これらの使用に起因して生じた損害（お客様または第三者いずれに生じた損害も含みます。以下同じです。）に関し、当社は、一切その責任を負いません。

2.

当社製品または本資料に記載された製品デ－タ、図、表、プログラム、アルゴリズム、応用回路例等の情報の使用に起因して発生した第三者の特許権、著作権その他の知的財産権に対する侵害またはこれらに関する紛争について、当社は、何らの保証を行うものではなく、また責任を負うものではありません。

3.

当社は、本資料に基づき当社または第三者の特許権、著作権その他の知的財産権を何ら許諾するものではありません。

4.

当社製品を組み込んだ製品の輸出入、製造、販売、利用、配布その他の行為を行うにあたり、第三者保有の技術の利用に関するライセンスが必要と5.

当社製品を、全部または一部を問わず、改造、改変、複製、リバースエンジニアリング、その他、不適切に使用しないでください。かかる改造、改なる場合、当該ライセンス取得の判断および取得はお客様の責任において行ってください。
変、複製、リバースエンジニアリング等により生じた損害に関し、当社は、一切その責任を負いません。
6.

当社は、当社製品の品質水準を「標準水準」および「高品質水準」に分類しており、各品質水準は、以下に示す用途に製品が使用されることを意図しております。
標準水準：

コンピュータ、OA 機器、通信機器、計測機器、AV 機器、家電、工作機械、パーソナル機器、産業用ロボット等

高品質水準： 輸送機器（自動車、電車、船舶等）、交通制御（信号）、大規模通信機器、金融端末基幹システム、各種安全制御装置等
当社製品は、データシート等により高信頼性、Harsh environment 向け製品と定義しているものを除き、直接生命・身体に危害を及ぼす可能性のある機器・システム（生命維持装置、人体に埋め込み使用するもの等）、もしくは多大な物的損害を発生させるおそれのある機器・システム（宇宙機器と、海底中継器、原子力制御システム、航空機制御システム、プラント基幹システム、軍事機器等）に使用されることを意図しておらず、これらの用途に使用することは想定していません。たとえ、当社が想定していない用途に当社製品を使用したことにより損害が生じても、当社は一切その責任を負いません。
7.

あらゆる半導体製品は、外部攻撃からの安全性を 100％保証されているわけではありません。当社ハードウェア／ソフトウェア製品にはセキュリ
ティ対策が組み込まれているものもありますが、これによって、当社は、セキュリティ脆弱性または侵害（当社製品または当社製品が使用されているシステムに対する不正アクセス・不正使用を含みますが、これに限りません。）から生じる責任を負うものではありません。当社は、当社製品または当社製品が使用されたあらゆるシステムが、不正な改変、攻撃、ウイルス、干渉、ハッキング、データの破壊または窃盗その他の不正な侵入行為（「脆弱性問題」といいます。）によって影響を受けないことを保証しません。当社は、脆弱性問題に起因しまたはこれに関連して生じた損害について、一切責任を負いません。また、法令において認められる限りにおいて、本資料および当社ハードウェア／ソフトウェア製品について、商品性および特定目的との合致に関する保証ならびに第三者の権利を侵害しないことの保証を含め、明示または黙示のいかなる保証も行いません。

8.

当社製品をご使用の際は、最新の製品情報（データシート、ユーザーズマニュアル、アプリケーションノート、信頼性ハンドブックに記載の「半導体デバイスの使用上の一般的な注意事項」等）をご確認の上、当社が指定する最大定格、動作電源電圧範囲、放熱特性、実装条件その他指定条件の範囲内でご使用ください。指定条件の範囲を超えて当社製品をご使用された場合の故障、誤動作の不具合および事故につきましては、当社は、一切その責任を負いません。

9.

当社は、当社製品の品質および信頼性の向上に努めていますが、半導体製品はある確率で故障が発生したり、使用条件によっては誤動作したりする場合があります。また、当社製品は、データシート等において高信頼性、Harsh environment 向け製品と定義しているものを除き、耐放射線設計を行っておりません。仮に当社製品の故障または誤動作が生じた場合であっても、人身事故、火災事故その他社会的損害等を生じさせないよう、お客様の責任において、冗長設計、延焼対策設計、誤動作防止設計等の安全設計およびエージング処理等、お客様の機器・システムとしての出荷保証を行ってください。特に、マイコンソフトウェアは、単独での検証は困難なため、お客様の機器・システムとしての安全検証をお客様の責任で行ってください。

10. 当社製品の環境適合性等の詳細につきましては、製品個別に必ず当社営業窓口までお問合せください。ご使用に際しては、特定の物質の含有・使用を規制する RoHS 指令等、適用される環境関連法令を十分調査のうえ、かかる法令に適合するようご使用ください。かかる法令を遵守しないことにより生じた損害に関して、当社は、一切その責任を負いません。
11. 当社製品および技術を国内外の法令および規則により製造・使用・販売を禁止されている機器・システムに使用することはできません。当社製品および技術を輸出、販売または移転等する場合は、「外国為替及び外国貿易法」その他日本国および適用される外国の輸出管理関連法規を遵守し、それらの定めるところに従い必要な手続きを行ってください。
12. お客様が当社製品を第三者に転売等される場合には、事前に当該第三者に対して、本ご注意書き記載の諸条件を通知する責任を負うものといたします。
13. 本資料の全部または一部を当社の文書による事前の承諾を得ることなく転載または複製することを禁じます。
14. 本資料に記載されている内容または当社製品についてご不明な点がございましたら、当社の営業担当者までお問合せください。
注 1. 本資料において使用されている「当社」とは、ルネサス エレクトロニクス株式会社およびルネサス エレクトロニクス株式会社が直接的、間接的に支配する会社をいいます。
注 2. 本資料において使用されている「当社製品」とは、注１において定義された当社の開発、製造製品をいいます。
(Rev.5.0-1 2020.10)

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