イントロダクション

はじめての人もチャレンジしよう

トランジスタってなに？

● 暮らしを支えるトランジスタ
私達の身の回りには，さまざまな電子機器があります．地上波ディジタル・テレビ，携帯電話，パーソナル・コンピュータの他，自動車には数多くの電子機器が搭載され，電車などの大きなものも，電子制御されています（図 1）．それらは，ディジタル回路であってもアナログ回路であっても，トランジスタが欠かせません．

● トランジスタとは何か？

ります．

トランジスタは，3 本足のデバイスである，という① 制御端子に電流が流れてしまうのが少し厄介？だ

ことはご存じの通りです．一言で説明するために筆者が，制御端子に流れる電流によって，内蔵されてなりに表現をすれば，「トランジスタとは中に抵抗器いる抵抗器に流れる電流が，制御端子の電流に比があり，その端子が二つ外に出ていて，その抵抗値を例するように働くバイポーラ・トランジスタ（図2）

残りの 1 本の端子で制御するデバイスである」となり② 制御端子に電流が流れなくて嬉しい？けれども，ます．「トランジスタ（transistor）」の由来にはいくつ

その反面，制御端子の電圧によって，内蔵されてかの説があって，そのうち，transfer（ 伝達する）と，いる抵抗器が出力端子の電流を，電圧に比例でなresistor（抵抗器）から出来た造語であるといわれているものがあります．トランジスタには次の 2 種類があく，2 乗に比例するように働く FET（図 3）①②の両者を満たすような，制御端子に電流が流れ

図 1 「トランジスタ」は，いろいろな電子機器，自動車などに使用されている家電機器だけでなく，電車などの大きな物も電子制御されるようになった．多くの場面でトランジスタが使われている．

8

イントロダクション トランジスタってなに？

ず，制御端子の電圧と内蔵されている抵抗器に流れる

知らないと，バイポーラ・トランジスタを扱えません

電流が完全に比例するトランジスタがあればよいなとが，その反対に，バイポーラ・トランジスタについて思うのですが，そういった夢のようなトランジスタは知っていれば，FET の回路はすぐ作れるようになり残念ながらありません．しかし，複数のトランジスタます．

を組み合わせて「回路」とすることで，ここで考えるような理想的なものをかなり正確に実現することができます．こういった何らかの要求を満たすものが，ト● さまざまなトランジスタ増幅回路
トランジスタを使うアナログ回路には，さまざまなものがありますが，初歩の段階においては，次のものランジスタ回路といえます．
実用化された順番が，①②であったという歴史的背景があることもあり，通常の電子回路の教科書では，バイポーラ・トランジスタについては詳しく書かれているのですが，FET についてはおまけ程度に書かれている，というものが多いように感じます．

を考えておけば OK です．
① 電圧を増幅することを目的とした増幅器．あまり電流は取り出せない．
② 利得が低い，例えば 1 倍の増幅器．電流をたくさん取り出せる．

実は，バイポーラ・トランジスタをよく理解してし①の増幅器は，電圧の増幅率（利得という）が大きい

まえば，FET の扱いは非常に楽です．FET のみしかですが，あまり電流を取り出すことができません．一電流が10μAだからこれだけ流そう

I作用R

図 2 バイポーラ・トランジスタのイメージ制御端子に電流が流れてしまうのが少し厄介？だが，制御端子に流れる電流によって，内蔵されている抵抗器が，出力端子の電流に比例するように働く．

電圧が1Vだからこれだけ流そう

作用VR

図 3 FET のイメージ制御端子に電流が流れなくて嬉しい？けれども，その反面，制御端子の電圧によって，内蔵されている抵抗器が出力端子の電流を，電圧に比例でなく，2 乗に比例するように働く．

イントロダクション トランジスタってなに？

9簡単な回路で増幅作用を体感

トランジスタの種類と基本動作を理解しよう

第1章

本章では，さまざまなトランジスタの分類について説明します．また，簡単な回路を通して，増幅回路を構成します．
さらに，大きな電力を扱うパワー・アンプなどを作る際に問題となる放熱についても説明するとともに，実験に適した回路の作り方や測定器を紹介します．
トランジスタは基本的に 3 本足のデバイスです．

1-1
トランジスタの種類

左側のものはバイポーラ・トランジスタ（BipolarTransistor，または Bipolar Junction Transistor，BJT）と呼ばれるもので，通常，トランジスタといえば，こ● トランジスタの外観

ちら側を指します．

写真 1−1 にさまざまなトランジスタを示します．

右側のものは電界効果トランジスタ（FET：Field-バイポーラ・トランジスタ

FET

小信号用

小信号用接合型FET
小信号用MOSFET

パワー・トランジスタ

高周波用

パワー・トランジスタ

パワー
MOSFET

高周波用MOSFET

パワーMOSFET

写真 1-1 さまざまなトランジスタ
トランジスタは基本的に 3 本足のデバイスで，小信号用と電力用トランジスタがある．小信号用はサイズが小さく，電力用のものはサイズが大きい．高周波用トランジスタは特別な形をしている．これは実装方法を考慮していることによる．

14

第1章

トランジスタの種類と基本動作を理解しよう第1部

トランジスタの基礎

トランジスタの特性とバイアス条件がかぎ増幅動作のしくみを理解しよう

第3章

本章では，トランジスタの静特性（直流特性）について説明するとともに，実際に測定を行います．
さらに，最もたいせつなバイアスの考え方について述べ，初歩的な考えに基づく増幅回路を実際に設計して動作させます．源の両端の電圧は無限大になってしまいます．従って，

3-1
トランジスタのI C -I B 特性相手の状況によっては，非常に高電圧になることがあります．実際に，電流源の両端を何もつながなければ，理論的には無限大の電圧となります．

第 1 章で，トランジスタは，on と off の中間の状態

ただし，現実の部品で実現した電流源は，内部の電があることを述べました．それでは具体的にトランジ源電圧がありますので，ある程度の電圧で止まるようスタは，どのような特性を持っているのでしょうか．

になっています．

図 3−1 の回路により，I C -I B 特性を測定しましょう．

ある程度回路が分かるようになると，どのように電流源を実現するのかが気になって，理解が先に進まな● 電流源と電圧源

い，という方も多くいます．コラム 2-1（p.41）の電圧▶電流源

電流発生器があれば，容易に定電流源を利用できます

図 3−1 に含まれている直流電流源 I B は，図 3−2 のように，相手がどのような状況であっても定められたが，個人で用意することが難しいといえます．気になる方のために，3-7 節で OP アンプを利用した電流源を詳しく説明します．この回路は，出力電圧が電流を流すものです．

I ＝ 1 mA，RL ＝ 1 kΩの場合，抵抗の両端の電圧を入力電圧に比例します．従って，この回路は電圧制御

Vout とすると，Vout ＝ 1 V となります．RL を 10 kΩと電流源（VCCS）ということになります．直流定電流源

す る と，V out ＝ 10 V と な り ま す．R L ＝ 0 と す る と，が欲しい場合は，入力に定電圧を加えます．

Vout ＝ 0 となりますが，このような状況においても，▶電圧源
電圧源は身近にある電池などから想像がつき，容易電流源からは 1 mA の電流が流れます．
今度は R L を取り去ってしまうと，R L は無限大になってしまうわけですが，電流源は何も存在しないところに 1 mA の電流を流そうとします．このとき，電流にイメージが分かります．電圧源は，相手がどのような状況であっても，定められた電圧をかけます．
従って，相手の状況によっては，非常に大きな電流が流れることがあります．ただし，実際の電圧源は，0〜50μAの範囲でスイープする（横軸）

＋A−IB
1k

先ほどの電流源と同じように，ある一定の電流で止ま縦軸ICVCE● I C はI B に比例するIB
発振するときに挿入するるようになっています．

図 3−3 に，よく用いられる I C -I B 特性を測定するた
固定して変えない（5V とした）

め の 回 路 を 示 し ま す．V CE を 5 V に 固 定 し，V BB を

図 3-1 I C -I B 特性を測定する回路
静特性を測定し，特性が不自然な形で急激に変化している場
合は発振していることが多い．このようなときは，ベースに1 kΩ程度の抵抗器を接続すると発振が止まる．本書の実験においても発振がみられたので 1 kΩの抵抗器を挿入した．

録します．この方法は，学生実験でよく用いられてい0 V から少しずつ上げていき，そのときのI B とI C を記る方法です．

IB を横軸，IC を縦軸にとると，図 3−4 の特性が得られます．これは，写真 2−A（p.41）に示した電圧電流

3-1 トランジスタのI C -I B 特性

43

第2部

第5章

バイポーラ・トランジスタによる増幅器

固定バイアス / 電圧帰還バイアス / 電流帰還バイアス回路の安定性の解析と実験

実用的なバイアス回路を理解しよう

バイアス回路には，固定バイアス，電圧帰還バイアス，電流帰還バイアスの三つがあります．最も安定性が優れた回路は，最後の電流帰還バイアス回路です．
バイアス回路の実用性は，温度や製造ばらつきによって生じるデバイスのパラメータ変動に対する安定性を数学の知識を使って調べることによって確かめることができます．
理論と実験により，これらを確かめます．さらに，バイアス設計法についても説明します．

ShFE ＝

5-1
バイアス回路の安定性∂I C（5−2）∂h FE上式は偏微分です．偏微分と言うと難しいですが，ただI C をV B ′E や h FE で微分するだけで OK です．

● 製造ばらつきや温度によって変動するV B ′E と h FE
バイアス点はコレクタ電流 I C で決まります．従ってバイアスの安定性を調べるには，パラメータが変動したとき I C がどのくらい変動するか調べればよい，

VB ′E と h FE が変化したとして，その変動量をそれぞれΔV B ′E とΔh FE で表すと，I C の総合の変動量ΔI C は，次のようになります．

ΔIC ≒SVB ′E ΔV B ′E ＋ S hFE Δh FE（5−3）

上式の近似≒は，例えばΔV B ′E が小さいと仮定すれということになります．
製造ばらつきや温度によって変動するトランジスタのパラメータとしてV B ′E と h FE があります．

ば，図 5−1 のように，微分で近似することができることを意味しています．

VB ′（例えE は，温度に対して− 2 mV/℃の温度係数
ば 50℃の温度上昇で V B ′E が最初 0.6 V なら，0.1 V 下● ΔV B ′E やΔh FE による I C の変動率
上式の形は若干使いにくいので，V B ′E や h FE の変化，がって 0.5 V になる性質）を持っています．

hFE は，2SC1815 の場合，第 3 章の表 3−1（p.45）で示したように，同一ランクで最大と最小が 2 倍程度とな

つまりΔV B ′E やΔh FE による I C の変化率を求めましょう．ΔV B ′E に対しては，次のようになります．

るばらつきがあり，さらに 25 〜 100℃で 50 〜 100％程度増加すると言われています［参考文献（13）］．従って，かなり大幅な変動があると考えておくべきです．

y（直線ABの傾きa ）＝ΔyΔx● 安定性を示す指標「安定指数」
B

変動するパラメータがいくつかある場合，影響を調（点Aでの接線の傾きb ）＝べたいもののうち，一つだけを動かしてほかのものはΔyA固定して考える手段が有効です．

Δxdydxa ≒b

安定性を示す指標として，次式で表される安定指数があります注 5-1．

SVB ′
E＝

∂I C
∂V B ′
Ex0（5−1）

注 5-1：コレクタ遮断電流I CO（第 3 章参照）
に対する安定性も紹介している教科書が多いが，小信号用シリコン・トランジスタのICO は nA オーダと常に小さく，安定性への影響が小さいため省略した．

図 5-1 微分による近似
本来は，例えば V B ′E や h FE が 1％変動したとき，I C が何％変動するかを知りたいわけであるが，そのような計算は差分となるので計算が煩雑となる．そこで，これらの変動量を無限小に仮定したときの変動，つまり微分を使って計算するようにすると計算が容易になる．

5-1 バイアス回路の安定性

75

第7章

特性図を使った設計手順の ABC

接合型 FET を理解しよう

本章では，電圧制御型デバイスの一つである接合型 FET について説明します．近年，接合型 FET が使われる場面は減っていますが，第 12 章で述べる OTL 回路の入力段などにおいて，現在でもわずかながら需要があります．もう一つの FET として，現在広く用いられている MOSFET があります（第 8 章で説明）．MOSFET には，よく使われるエンハンスメント型と，最近あまり使われなくなったデプリーション型のものがあります．
後者の静特性は，接合型 FET のそれに極めて似ており，それらの回路設計方法も同じものとなります．また，接合型 FET の直流および小信号等価回路は，エンハンスメント型，デプリーション型を問わず，MOSFET のそれと同一なので，本章で述べる考え方は十分に参考になるはずです．
本章は，第 1 章〜第 6 章で述べたバイポーラ・トラン

Field-Effect Transistor）の構造を示します．接合型トジスタの説明を接合型 FET 向けに集約した内容になっランジスタは，S，D，G の三つの端子を持っており，ています．ポイントは，①静特性やそれを利用したバイそれぞれ，バイポーラ・トランジスタの E，C，B にアス回路の設計法，②直流および小信号等価回路，③相当します．

ソース接地・ドレイン接地・ゲート接地回路，④それら

また，ここに示していませんが，2SJ，3SJ 注 7-1 で始の周波数特性の比較です．将来新しいデバイスを使う

まる p チャネル FET があります．これらは，電流とときも，これら四つのポイントを押さえることで，デバ電圧の向きが反対になるだけです．

イスのかなりのことを理解できるといえます．接合型▶ FET は電圧制御デバイス

FET や MOSFETを使った回路の設計は，バイポーラ・接合型 FET は，ゲートとソース，ドレインがダイトランジスタと異なり，特性図を使った設計が主なもの

オードのようになっていますが，ここは逆方向バイアになります．このような方法を図式解法と呼びます．スになるように使います．このように使えば，ゲートにはダイオードの飽和電流に相当するわずかな電流

7-1
接合型 FET の構造と特徴（数 nA 程度）しか流れません．
ドレイン電流がゲート - ソース間電圧で制御されるのですが，ゲートに電流が流れないため，FET は電圧制御デバイスであると言われます．

● 接合型 FET の構造

なお，バイポーラ・トランジスタは，ベースに流れ

表 7−1 に，接合型 FET（電界効果トランジスタ：接 合 型 FET の 構 造 とバイアス方法
表 7-1

S，D，G の 三 つ の 端 子 を も つ．
接合型 FET はゲート - ソースの pn接合が逆バイアスになるように使うので，その電流は nA オーダとなる．つまり，ゲート端子の電流は流れないと考えてよい．

種別回路記号構造とバイアス方法

IDDwDn チャネル
接合型 FET（2SKxxxx）

Gpp

G
Sn

VGS
S112

第7章

接合型 FET を理解しよう

VDS

第9章

パワー・アンプへのアプローチ

A 級電力増幅回路を理解しよう

これまでに述べた増幅回路は，電圧の増幅を目的としているので，スピーカなどの重い負荷に電力を供給するのは電力効率の点から，たいへん不利なものとなります．
そこで本章では，A 級電力増幅回路を説明します．オーディオ用途においては，良好な周波数特性をもつト
ランスが入手困難であるということから，あまり使われることのない回路ではありますが，高周波の分野では，今もなおよく使われる回路形式の一つです．また，回路構造が簡単で理解しやすいという特徴を持っています．
負荷線や特性図を使ったバイアス設計，トランジスタの損失への配慮，放熱，電力効率など，トランジスタ回路を構成する上で必要不可欠な要素が多く含まれています．
コラム 9-1 のように，抵抗器 R L と巻数比 n ：1 のト
ランス T からなる回路は，一次側から見ると n 2R L の

9-1
A 級電力増幅回路抵抗器とインダクタ L P の並列接続になります．その結果，図 9−2 のように表すことができます．

● 動作原理正弦波などのような上下対称の信号が入力されたと

図 9−1 に A 級電力増幅回路を示します．第 10 章でき，L P が十分に大きいとすると，このインダクタは述べるプッシュプル電力増幅回路との違いを強調する

無信号時の直流電流I CQ を流す直流電流源として働き場合，A 級シングル電力増幅回路と呼ばれることがあます．そもそもインダクタは，流れる電流が急激に変ります．エミッタ接地増幅回路が原形になっています

化しないように働くという性質があり，L P が大きいが，これまでと異なるところは，トランスがコレクタほどその性質は顕著になります．言い換えれば，入力側に入っている部分です．R B はバイアス供給用の抵信号によってトランジスタが騒ぎ出しても，L P は入抗器です．信号は，灰色で示されているように結合コ力信号と無関係に，無信号時の I CQ を静かに流し続けンデンサC を通してベース端子から供給します．簡単

る直流電流源として働くようになります．

のため，固定バイアス回路としていますが，実現に際トランスによるインピーダンス変換機能が必要ないしては直流バイアスの安定化の観点から，電流帰還バ場合，n ＝ 1 となり，出力トランスは必要なくなりまイアスなどとすることになります．

すが，その代わりにコイルを用います．この用途に用いられるコイルを，チョーク・コイルと呼びます．こVCCのような構成は，比較的小電力の高周波電力増幅回路

Tn：1RBLPに見られます．チョーク・コイルは，利用する周波数
LS

RLにおいて十分に高いインピーダンスを持つものを選びます．もちろん，音声信号の周波数帯域で利用可能な

C
v1

数 H の大きなインダクタンスを持つチョーク・コイル
スピーカなどの負荷があれば，音声帯域に応用できます．
図 9−2 から，次式が成り立ちます．

VCE ＝VCC −n 2RL（IC −ICQ ）図 9-1 A 級電力増幅回路
スピーカなどの重い負荷を駆動するのに適している．基本はエミッタ接地増幅回路であるが，負荷の取り付け方が今までと異なる．抵抗器 R B はバイアス供給用の抵抗器である．信号を入力する場合，結合コンデンサC を介してベース端子に入力する．

148

第9章

A 級電力増幅回路を理解しよう＝V CC ＋n 2R L I CQ −n 2R L I C（9−1）

ICQ は定数なので，上式から負荷線の傾きが 1/（−n 2RL ）となることが分かります．

電力効率を改善

プッシュプル電力増幅回路を理解しよう

第10章

A 級電力増幅回路は，非常にシンプルですが，電力効率が悪いという問題を持っています．この問題を解決するものとして，プッシュプル電力増幅回路があります．ここでは，その動作原理と設計法を説明します．前章のシングル A 級電力増幅回路と同様，トランス結合のプッシュプル電力増幅回路は，特に音声帯域においては，ほとんど用いられることはありませんが，トランジスタを一つ増やすだけで，出力電力を大きくすることができるという特徴があります．高周波の分野では，大出力の高周波用リニア・アンプとして現在でも広く用いられています．
がありますが，図のようなトランスを使う方法が最も10-1
トランス結合 A 級プッシュプル電力増幅回路簡単です．
● 負荷抵抗はn 2R L /2
設計方法は，第 9 章の A 級電力増幅回路と同じです．

● プッシュプル電力増幅回路の働き
前章で述べた A 級電力増幅回路を二つ用意し，図出力トランスを二つのトランジスタで共用することに10−1 のように背中合わせに接続してみます．二つのなるので，トランジスタから見た負荷抵抗は，「巻数トランジスタの特性が揃っているとし，トランス T1が半分，つまり巻数比がn /2：1 になったわけだから，を使って入力信号として，互いに逆相の信号を加える

トランジスタから見た負荷抵抗は n 2R L /4 である」とと，二つの回路は互いに電流を増減しあうように働きいうように単純に考えてはならないことが分かります．

ます．このような動作から，この回路をプッシュプルそれでは，どのようになるのでしょうか．

電力増幅回路と呼び，出力トランスを用いたものを，

図 10−2 に出力トランスを示します．トランジスタ

トランス結合 A 級プッシュプル電力増幅回路と呼びは電圧源として表現しています．簡単のため，出力トます．

ランスを理想トランスとします．全体の巻数比をn ：互いに逆相となる信号の生成には，さまざまな方法

2 ICQ

ICQ

2VCC0A

VCC

Q1

IC 1

2人で協力して信号を作るんだね［1］ RLn

VCC

ICC

T20v1

トランスT2の1-1′の電圧

VCE (sat)−VCCn
VCC 2VBE

VCE (sat)

0V
1T11 とすると，図のように中間タップにより，巻数比が君が引くときは僕はおす．僕がおすときは君が引いてね

21′

Q22 ICQIC 2ICQ0A

2VCC

VCC0V

VCE (sat)
VCE (sat)（a）基本（b）回路の動作

図 10-1 A 級プッシュプル電力増幅回路
A 級電力増幅回路を二つ用意し，出力トランスに接続する．それぞれの増幅器に逆相の信号を入力すると，A 級プッシュプル電力増幅回路となる．

176

第 10 章プッシュプル電力増幅回路を理解しよう

増幅器の広帯域化のかぎ

第11章

帰還増幅回路を理解しよう

トランジスタ回路において広く用いられている帰還増幅器について説明します．増幅器の出力を入力に戻すことを，帰還をかけると言います．特に利得が下がる方向に帰還をかけた増幅器を負帰還増幅器と呼び，トランジスタの特性変動による利得の変動が抑えられると共に，周波数特性や，ひずみ率を改善することができます．帰還は，現在においても広く用いられている価値の高い技術です．トランスを使った電力増幅器に負帰還をかけ，周波数特性やひずみ率がどの程度改善されるかを調べます．プのように，μが十分に大きい場合，

11-1
帰還

vout ＝1vin
β（11−3）となります．上式は，回路全体の特性が，μによらずβだけで決まることを意味しています．μはトランジ● 帰還とは
帰還とは，増幅器の出力の一部を入力に戻すことでスタを使った増幅器なので，特に温度依存性や製造ばす．このようにした増幅器を，帰還増幅器と呼びます．

らつきの影響を受けて変動します．これに対し，受動その原理を図 11−1 に示します．μは増幅器を表して部品で構成されたβは，変動がずっと小さいので，います．βは帰還率と呼ばれ，普通これを構成する回回路全体の利得変動は小さなものになります．

路は，抵抗器やコンデンサなどからなる受動回路です．

も，帰還をかけることによって，回路全体としての利

図 11−1 から，次式が得られます．

vi ＝vin −βvout（11−1）

vout ＝μvi

OP アンプのように，μが十分に大きくない場合で上式からv i を消去し，v out について解くと，次のようになります．

得変動をある程度低く抑えることができます．
● 負帰還と正帰還
ここで，式（11−2）について考えます．1< ￨ 1 ＋μβ￨

μvout ＝vin
1 ＋μβ（11−2）

上式において，μを開ループ利得，μ/（1 ＋μβ）を閉ループ利得，1 ＋μβを帰還量と呼びます．OP アンのとき，開ループ利得に対して回路全体の利得が低くなります．このようにすることを，負帰還をかけると言います．多くの場合，負帰還が用いられます．
反対に，￨ 1 ＋μβ￨ <1 とすると，μよりも利得が高くなります．このようにすることを，正帰還をかける

vin＋viμβvoutμ：開ループ利得β：帰還率1＋μβ：帰還量
μ1＋μβ：閉ループ利得

増幅器の出力の一部を入力に戻すことを「帰還をかける」と言うんだと言います．
● 増幅器における正帰還の応用例
増幅器としての用途における正帰還の実用例は，ほとんどありません．これまでの積極的な実用例として，
写真 11−1 に示す再生式ラジオがあります．このラジオは，高周波増幅回路に正帰還を施してあり，選局ダイヤルの他に，帰還量を調整するための再生調整つまみがついています．このつまみを発振寸前になるよう

図 11-1 帰還増幅回路
出力の一部を入力に戻すようにしたものを，帰還増幅回路と呼ぶ．トランジスタの特性変動に対して利得があまり変わらないようにしたり，周波数帯域を広くすることができる．

198

第 11 章

帰還増幅回路を理解しようにすると，最も高い感度で放送を受信することができます．もちろん，このつまみで音量も変化します．
再生調整つまみをうまく調整しないと，発振してし

第4部

第12章

電力増幅と帰還

本格的なパワー・アンプ

OTL 電力増幅回路を理解しよう

これまでトランスを用いた電力増幅回路を扱ってきました．これらは，現在では音声帯域に用いられることは，ほとんどありませんが，高周波増幅回路においてよく用いられる回路方式です．本章では，OTL 回路について説明します．この回路は，音声帯域などの比較的低い周波数領域でよく利用されます．トランスを用いないため多量の帰還をかけることができ，低域から高域にかけて，たいへん良好な特性を持ちます．このような理由からこの回路方式は，現在のオーディオ・アンプに多く用いられています．
な増幅器として働きます．このようにすると，出力ト12-1
バイポーラ・トランジスタによるOTL 電力増幅回路ランスが不要となるので，装置が軽量化されます．
VCC● OTL 回路とは

Q1

VBE

OTL は，Output Transformer-Less の略で，出力トRLランスを廃した回路を指します．図 12−1 に OTL 回v1路を示します．この回路もプッシュプル電力増幅回路

VCC

VCE (sat)

0Vの仲間です．V BE は Q1，Q2 に直流バイアスを供給するための電源です．Q1，Q2 の特性が揃っているとします．このようなトランジスタを，コンプリメンタリ・

0V

トランジスタといいます．パーツ店では，選別を行い，VEE

VCE (sat)
RLコンプリメンタリ・ペアとして販売している場合があります．

VBEv1

Q2

● B 級動作の場合
VEE

B 級動作の場合，半周期ごとにトランジスタが動作

図 12-2 B 級動作における各トランジスタの働きトランジスタはエミッタ・フォロワとして動作する．

します．このとき，図 12−2 のように，トランジスタは，エミッタ・フォロワとして働きます．負荷抵抗に，Q1，Q2 の出力が合成されて伝わるので，全体として線形コンプリメンタリ・トランジスタを使って，エミッタ・フォロワを二つ 背 中 合わせにしているんだ

入力側から見ると，RL が（1＋β）倍になって軽くなるよ

VCC

Q1VBE
VBE

図 12-1 B 級 OTL 電力増幅回路
エミッタ・フォロワを二つ使い，特性の揃ったトランジス
タを使うと，OTL 電力増幅回路を構成することができる．

RL
Q2

v1

出力トランスが不要なのが助かるね

VEE

12-1 バイポーラ・トランジスタによる OTL 電力増幅回路

215

このPDFは，CQ出版社発売の「合点!トランジスタ回路超内容・購
内容
購法」の部

本です．法などにつきましては以下のホームページをご覧下さい．
http://shop.cqpub.co.jp/hanbai/books/45/45981.htm
http://www.cqpub.co.jp/order.htm