東洋鋼鈑Vol.35

表面活性化接合法によるCu / LCPクラッド材の開発
南部光司＊・大澤真司＊２・岡山浩直＊３・岩下寛之＊４
Development of Cu/LCP Laminated Material by Surface Activated Bonding MethodKouji NANBU，Shinji OZAWA，Hironao OKAYAMA and Hiroyuki IWASHITA

Synopsis：Electronic equipment such as a mobile phone, a digital camera and a DVD recorder has become
highly performed and smaller because the fabrication techniques and materials of the ﬁeld of large
scale integrated circuit（LSI）and of integrated circuit（IC）have improved. However, printedwiring boards（PWBs）onto which those parts are put, are still large size because of the technicalgap between those parts and the PWBs. In this point of view, the development of new materials for
the PWB is expected.
In presence, polyimide（PI）film is widely applied as an insulator material in the PWBs,
especially in a ﬂexible printed circuit（FPC）. In a FPC using PI ﬁlm, it is diﬃcult to produce ﬁne
pitch patterned circuits because of large dimensional change due to its large moisture adsorption
and large coeﬃcient of hygroscopic expansion（CHE）. In addition，it is unstable when it is used atthe high frequency ﬁeld because the dielectric constant and dissipation factor, which aﬀect the highspeed signal transmission, change with various atmospheres. In order to solve those problems, westarted to develop new copper clad lamination（CCL）materials using a liquid crystal polymer（LCP）
ﬁlm which has low moisture adsorption, low dielectric constant and dissipation factor instead of PI
ﬁlm.
In this paper, we studied lamination of a copper（Cu）foil to a LCP film by using surface
activated bonding（SAB）method. First, we investigated the change of chemical bonding state on
the LCP surface against argon（Ar）ion etching by means of electron spectroscopy for chemicalanalysis（ESCA）. Secondly, peel strength of the Cu/ LCP laminated material was measured. Finally,in order to find the suitable manufacturing conditions, we controlled RF plasma power, its
treatment time, Cu sputter thickness on the LCP surface after RF plasma treatment, bonding
pressure and heat treatment after lamination. Consequently, the peel strength improved to 750N / m.
Key Words：surface activated bonding；liquid crystal polymer；copper foil；lamination；printed wiringboard；RF plasma treatment；peel strength

接続方法などによって技術的なブレイクスルーは見出され

１．緒 言てきているが，これらの部品を実装するプリント配線板（PWB；Printed Wiring Board），あるいは半導体パッケー

携帯電話，デジタルビデオカメラ等に代表されるモバイ

ジ用サブストレート（インターポーザー）への要求性能も

ル電子機器，あるいはテレビ，DVDデッキなどの一般民年々高まっている．

生機器の軽薄短小化，高速・高機能化の勢いは全く衰える

これらPWB用材料やインターポーザー用材料には銅張ことなく，各メーカーの技術競争も激しくなっている．こり樹脂フィルム材（CCL；Copper Clad Laminate）が使

れら電子機器の進化に対して，LSIの性能，あるいはその用されている．CCLは接着剤を用いて銅箔と樹脂フィルム

技術研究所
クラッド開発部 副主事＊3 技術研究所 グループ主任研究員＊4 技術研究所 主事
＊

＊2 本社

19東洋鋼鈑Vol.35を張り合わせた３層材と，接着剤を用いずに銅箔上に樹脂1/10程度である．また信号の高速伝送に影響する誘電率おフィルムを直接積層した２層材に大別される．２層材と比よび誘電正接も極めて低く安定しており，次世代CCL用の較し３層材は安価であるが，電子機器の進化に伴い，接着絶縁材料として期待されている．

剤層の耐熱性，屈曲性，耐マイグレーション性等が問題と本報では，Liイオン電池の防爆用安全弁などに現在適用なることから１），高機能性用途では２層材が多く適用され，されている金属／金属クラッド材の製造方法である表面活年率120％程度の伸び率で増加している２）．

性化接合（Surface Activated Bonding）法を用い７〜13）,

現在，これらCCLの絶縁層にはポリイミド（PI）が主と新たなクラッド材として金属／プラスチックフィルム，特して使われている３）．PIは耐熱性,屈曲性に優れる一方，に銅（Cu）箔とLCPの接合について検討した.

吸水率が大きく，吸湿に対する寸法変化率（CHE；Coeﬃcient

２．実 験of Hygroscopic Expansion）が大きいため，ファインピッチパターンを形成した回路での接続信頼性が低い．また，

２．
１

信号の高速伝送を実現するためには，絶縁材料の特性とし供試材て低誘電率，低誘電正接であることが必要とされる．しかCu箔とLCPフィルムのクラッド材（Cu/LCP）の作製にし，PIの誘電率および誘電正接は適用信号周波数の変化において，Cu箔には35㎛厚の圧延Cu箔（日本製箔製）を用対して，あるいは湿潤環境下において極めて不安定であり，いた．圧延Cu箔は熱ラミネート材などに用いられている

先に挙げた高速・高機能化を実現するために，PWBもし電解Cu箔と比べ，屈曲性，平滑性に優れており，フレキ

くはインターポーザー用の新規CCLの開発が必要とされてシブルプリント基板（FPC；Flexible Printed Circuit）へいる４）．の適用やファインピッチパターンの作製が可能である．

このような背景から，絶縁材料に液晶ポリマー（LCP；LCPフィルムには50㎛厚のⅠ型LCP（ジャパンゴアテック

Liquid Crystal Polymer）フィルムを用いた新規CCLの開1にス製BIAC BA）を用いた．LCPのモノマー構造をFig．

発をスタートした．LCPは融点の高い順に，Ⅰ型，Ⅱ型，示す６）．

Ⅲ型に区分されており，Ⅰ型およびⅡ型のLCPはフィルム２．２化されているが，Ⅲ型は分子構造的にフィルム化が困難で表面活性化接合法によるCu/LCPクラッド材作製
方法あり，コネクター等の射出成形品に用いられている ５）．
LCPはＨ，Ｃ，Ｏのみから構成された全芳香族ポリエステ

Cu/LCPクラッド材の作製には表面活性化接合法を用いルの熱可塑性樹脂であり，耐熱性は熱硬化性のPIより劣る

2 に表面活性化接合法の原理を示す．材料物質はた．Fig．

ものの，熱可塑性樹脂の中では最も耐熱性に優れた樹脂の原子の配列，結合によって構成されているが，最表層の原一 つ で あ る．LCPとPIの 特 性 比 較 をTable1 に 示 す ６）．

子は結合する相手となる原子が存在しないため，エネルLCPの吸水率はPIと比較して非常に小さく，CHEもPIのギー的に非常に不安定な状態にある．そのため大気中におTable1

Comparison of the each characteristics between the LCP ﬁlm and PI ﬁlm

Fig.１ Chemical structure of the LCP ﬁlm（BIAC BA；JAPAN GORE-TEX INC.）

20表面活性化接合法によるCu/LCPクラッド材の開発

Fig.２ Principle of the surface activated bonding（SAB）method

Fig.３ Schematic of Cu/LCP bonding equipment
Fig.４ Schematic of the T-peel test

いて材料表面は，通常酸化物や吸着物などによって覆われ，機に送り，ロール圧延を行いCu/LCPクラッド材を作製し安定な状態を保っている．表面活性化接合法は全て真空中た.

で行うが，真空中に入れられた材料は，プラズマ化した

クラッド材は両材料の変形抵抗の違いにより，ロール圧Arイオンによりエッチングされ，表面を覆っている酸化延後に内部応力（主に剪断応力）が発生し，カールした形物や吸着物を物理的に除去され，活性な材料表面が露出す状となる．そこで，この内部応力を除去するために熱処理る．この活性化された材料表面同士をロールによって圧接を行ったが，その条件についても検討した．

することにより接合が行われる．
Fig．
3 に本実験で用いた接合装置を示す．Cu箔とLCP

２．
３

フィルムを専用のカセットにセットし，エッチングチャン評価方法

２．
３．
１

Ｘ線光電子分光分析

バー内に入れ，3.0 10­３Paまで真空引きを行った後，3.0

Ｘ線光電子分光分析装置（ESCA；Electron Spectroscopy

10­１Pa分圧のArガスをエッチングチャンバーに導入し，for Chemical Analysis，アルバックファイ製ESCA5100）

高周波（RF；Radio Frequency）プラズマエッチングを行っにより，LCPフィルム，ならびにESCA付属のArイオン銃た．エッチングチャンバーにはシャッターが設置されておによってArイオンエッチングを行ったLCPフィルムの表り，Cu箔とLCPフィルムを別々に処理することが可能で面化学結合状態を分析した．イオン銃の加速電圧は0.5，1,4ある．両材料のRFプラズマエッチング終了後，LCPフィkV，電流は25mAである．

ルム表面にCuスパッタリングを行う場合は，シャッターを開放し，LCPフィルム側のRF電源を切り，Cu箔材料か２．
３．
２ピール強度測定らのスパッタリングを行った．この際，Cu箔がターゲット，Cu/LCPクラッド材の密着力評価として，Ｔ型ピール試LCPフィルムが基板となる．RFプラズマエッチングおよ

4 に示す．10㎜巾の試験片験を行った．試験概略図をFig．

びCuスパッタリング終了後，両材料を重ね合わせて圧延を用いて，常温，引張速度0.1m/minの条件にて試験した．

21

東洋鋼鈑

さらに，ピール試験後のCu/LCPクラッド材の剥離面をVol.35

た.

ESCA分析することにより，剥離位置を推定した．
２．３．
５
２．
３．３

電子顕微鏡観察

動的粘弾性測定

動的粘弾性測定器（オリエンテック製 RHEOVIBRON

走査型電子顕微鏡（SEM；Scanning Electron Microscopy，

DDV 01FP）を用いてLCPフィルムの貯蔵弾性率Eʼ［MPa］

日本電子製JSM 840Ａ）によりCu/LCPクラッド材の剥離を測定した．測定は，クラッド前，クラッド後およびクラッ面の形態観察を行った.

ド・熱処理後のLCPフィルム（３㎜巾 30㎜長）について，周波数10Hz，昇温速度２℃/minの条件で行った．なお，

２．
３．
４

光学顕微鏡観察クラッド後およびクラッド・熱処理後のLCPフィルムは光学顕微鏡（Nikon製OPTIPHOT 200）により，Cu/LCP

Cu/LCPクラッド材からCuを塩化第二鉄水溶液で溶かしてクラッド材および市販の熱ラミネート材の断面観察を行っ単離したものである．

Fig.５ Change of C1s and O1s peak against the beam voltage22表面活性化接合法によるCu/LCPクラッド材の開発

Fig.６ The shape of Cu/LCP laminated material

圧延後，Cu/LCPクラッド材はカールした形状となる（Fig．

３．結果および考察

6 ⒜）．この形状のままでは，材料間に応力が作用し，ピール強度を低下させる原因となる．LCPフィルムの熱膨張係

３．
１

LCPフィルムの表面改質数は16ppm /℃であり，Cu箔の熱膨張係数に合わせてあArイオンエッチングによるCu，Al等の表面の汚染状態るため，熱処理により応力除去を行うことによって平坦な７〜10），あるいはPIフィルムの化学結合状態の変化 14） はこ

6 ⒝）形状にすることができる（Fig．
．

れまでに報告されているが，LCPフィルムに関する報告は見あたらない．本報では，まずArイオンエッチングを行っ

３．
３ Cu/LCPクラッド材の諸特性に及ぼす作製条件の影響

た際のLCPフィルムの表面化学結合状態の変化について

３．
３．
１

RFプラズマエッチングの影響

5 にイオン銃の加速電圧を0.5，ESCA分析を行った．Fig．
１，４

表面活性化接合法では，接合する全てのサンプルに対しkVと変化させたときのArイオンエッチング時間に対するて，RFプラズマエッチングを行っている．ここで，Cu/C1sとO1sのスペクトル変化を示す．Arイオンエッチング

LCPクラッド材を作製する際のLCPフィルムに対するRFによるLCPフィルムの帯電が原因と考えられる各ピークシ

プラズマエッチング条件としてRFプラズマエッチング時フトは見られるが，C1sピークは−Ｃ＝Ｏ（290.5eV）,−

7 にピール間とRFプラズマ出力について検討した．Fig．

Ｃ−Ｏ−（287.8eV）ならびにベンゼン環（286.3eV）か強度に及ぼすRFプラズマエッチング時間の影響を示す．

ら構成され，O1sピークは−Ｃ−Ｏ−（535.1eV）と−Ｃここで，LCP側RFプラズマ出力は全て20Ｗとした．また，＝Ｏ（533.4eV）から構成されている．加速電圧が0.5kV

接合後に大気中240℃において60minの熱処理を行った場の条件でArイオンエッチングを行うと，エッチング時間合についても比較検討した．接合後に熱処理を行っていなが90min付近からC1sの−Ｃ＝Ｏピーク強度が低下し始め

い場合，いずれの条件においても非常に弱いピール強度しるが，−Ｃ−Ｏ−とベンゼン環ピークに変化は見られない．

か得られていない．熱処理を行った場合，エッチング時間

一方，O1sピークでは，−Ｃ−Ｏ−と−Ｃ＝Ｏの二つのピークが重なり，同じく90min付近で一つのピークとなった．
加速電圧が高くなるにつれて，C1sの−Ｃ＝Ｏピークはより短時間で低下が始まり，４kVではエッチング時間５minで消滅した．O1sピークでは加速電圧が高いほど，より短時間のエッチングにおいてもピーク強度は低下した．
これらの結果より，Arイオンエッチングの加速電圧が高いほど,短時間でLCPフィルム表層のC1sの−Ｃ＝ＯピークおよびO1sピークが減少していることから，−Ｃ＝Ｏの二重結合の開裂，あるいは二重結合が完全に切断され，未処理のLCPフィルム表層よりもＣの組成比が高くなり，結果として，ＣあるいはＯの未結合が存在していることが推測される．
３．
２

Fig.７ Eﬀect of RF plasma etching time on peel strengthin Cu/LCP laminated materials（RF plasma power：20W, bonding pressure：320MPa,
heat treatment: 240℃ 60min）

クラッド材の残留応力除去

Cu箔とLCPフィルムの変形抵抗の違いにより，ロール

23

東洋鋼鈑

が８minまでは，エッチング時間が長いほどピール強度がVol.35と考えられる．

大幅に向上し約150N/mとなり，それ以上のエッチング時間では徐々に増加していく傾向が見られる．この結果より，

３．
３．
２

RFプラズマエッチング時間が長いほどピール強度は増大

Cuスパッタの影響

金属／金属のクラッド材では，十分な密着力が得られなすることがわかった．

い材料の組合せに対して，接合対象試料間にインサート材

Fig．
8 にRFプラズマエッチング時間を８minに固定し，を挿入し，密着力を向上させる方法が適用されている12）．

ピール強度に及ぼすRFプラズマ出力の影響について評価

そこでCu/LCPクラッド材に対しても，インサート材としした結果を示す．この場合もFig．
7 と同様に熱処理前後のてLCPフィルム表面にCuスパッタを施した後に接合を行ピール強度について評価した．熱処理を行わない場合，い，その密着力について評価した．この場合，Fig．
3 のCu

RFプラズマ出力が600Ｗまでのピール強度は約10N/mしか箔側のカセット上に0.4㎜厚のCu板を置いてチャンバー内得られていないが，800Ｗでは約70N/mと増大した．このにセットし，真空引きを行った後，Cu箔とLCPフィルム理由として，RFプラズマ出力が800Ｗでは，熱によるLCPのRFプラズマエッチングを行った．その後，LCP側のRFの変質によってLCPフィルムの機械的強度が変化したと考電源を切り，シャッターを開放し，Cu箔およびCu板からえられる．なお，RFプラズマ出力 RFプラズマエッチン

LCP表面へCuスパッタを行った．ここで，Cuスパッタはグ時間で表される処理量が800Ｗ ８minの試料と同等とな9 にピール強度とLCPフィルム1.4nm/minで行った．Fig．

る低出力 長時間の試料，すなわち50Ｗ 128minおよび上のスパッタ膜厚の関係を示す．３．３．１で述べたCuス

100Ｗ 64minの試料を用いて確認すると，ピール強度はわ

パッタを行わない場合と比較して，Cuスパッタを行った

ずか数N/mであった．熱処理を行った場合，RFプラズマ場合には，熱処理を行わなくても，比較的強いピール強度

出力が20Ｗ以上では150N/m以上のピール強度が得られ，が得られた．Cuスパッタ膜厚が21nmまでは，CuスパッRFプラズマ出力の増加と共にピール強度も増大した．しタ膜厚の増加とともにピール強度は増大するが，それ以上かし，熱処理を行わない場合と同様に，RFプラズマ出力のCuスパッタ膜厚ではほぼ一定となった．熱処理を行っが800ＷではLCPの変質が生じ，ロール圧延時に著しくシたサンプルでもCuスパッタ膜厚とピール強度の関係は同ワが混入しやすくなった．したがって，LCP側のRFプラ様の傾向を示したが，熱処理を行わない場合と比較して，ズマ出力は600 Ｗ程度が妥当であると考えられる．

ピール強度は大きく増大し，Cuスパッタ膜厚が21nmで以上のことから，LCPフィルムに高出力および長時間の570N/mが得られた．これは，Cuスパッタ膜厚が21nm以RFプラズマエッチングを行うことにより，高いピール強下では，LCP表面がCuによって完全に覆われていないこ度が得られることが明らかになった．したがって，Fig．
5とが原因であると考えられる．

で示したように，LCPフィルム表層のC1sの−Ｃ＝Ｏピー
３．
３．
３クが小さくO1sピーク強度が小さい,すなわち−Ｃ＝Ｏの圧延荷重の影響

二重結合の開裂，あるいは二重結合が完全に切断する条件

クラッド材の積層工程ではロール圧延を行う．Fig．10にでエッチングを行うことにより高いピール強度が得られる

ピール強度に及ぼす圧延荷重の影響を示す．この実験で用

Fig.８ Eﬀect of RF plasma power on peel strength in Cu/
LCP laminated materials（RF plasma etching time： ８min, bonding pressure：
320MPa, heat treatment：240℃ 60min）

Fig.９

24

Effect of the Cu sputtering thickness on peelstrength in Cu/LCP laminated materials（RF plasma power：600W, RF plasma etching time：８min, bonding pressure： 320MPa, heat treatment：240℃ 60min）

表面活性化接合法によるCu/LCPクラッド材の開発度に及ぼす熱処理温度の影響を示す．ここでは３．
３．
２にて著しくピール強度の向上が認められた，LCPフィルム上へのCuスパッタを行ったクラッド材を使用した．大気中での熱処理の場合，200〜260℃の熱処理温度では，温度によるピール強度の差はなく510N/m程度であったが，270℃以上の熱処理温度では，温度の上昇と共にピール強度は低下し，300℃で300N/mとなった．また，クラッド材の形状も200〜260℃では平坦であったが，270℃以上では端部に若干のカールが発生した.
このような熱処理温度に対するピール強度や形状の変化について，LCPフィルムの動的粘弾性に基づいて考察した．
Fig．12にクラッド前，クラッド後およびクラッド・熱処理

Fig.10 Eﬀect of the bonding pressure on peel strength in
Cu/LCP laminated materials（RF plasma power：600W, RF plasma etching time：８min, Cu sputtering thickness：７nm, heat treatment：
240 C 60min）

後のLCPフィルムの貯蔵弾性率E ʼ の変化における温度依存性を示す．この図から，いずれのLCPフィルムも270℃以上においてE ʼ の低下が著しく，動的粘弾性測定によるガラス転移温度Tg であると考えられ，Tg 以上の熱処理においてはLCPフィルムの寸法変化などが生じると推測される．
また，240℃以下における弾性率はクラッド工程において若干高くなるが，熱処理により大きく低下することがわかる．すなわち，クラッド後に200〜260℃で熱処理することによりピール強度や形状が回復した理由として，LCPフィルムの柔軟性が増したために接合界面の残留応力が緩和されたことが考えられる．一方，熱処理によるピール強度の回復が270℃以上では高温になるほど低下する現象については，分子構造変化の詳細な機構についてまでは確認できていないが，Fig．12に示している240℃および300℃熱処理
クラッド材におけるLCPフィルムのE ʼ の比較から，Tg 以上

Fig.11の熱処理を施されることによりLCPフィルムが再び硬化すEﬀect of the heat treatment and its atmospheres onpeel strength in Cu/LCP laminated materials（RF plasma power：600W, RF plasma etching time：８min, Cu sputtering thickness：21nm, heat treatment
time： 60min）

ることに起因していると推測される．
その他にも，熱処理温度の上昇に伴い，LCPを介してガス成分や水分が透過しやすくなり，接合界面のCuスパッいた試料は，全てCuスパッタ（７nm厚）を行ったものでタ膜やCu箔が酸化した結果，ピール強度が低下したともある．熱処理を行っていない場合，160MPaではピール強考えられる．そこで，200〜260℃の熱処理温度において高度は約80N/mであり，荷重を320MPaに倍増すると，ピール強度も160N/mに倍増した．しかし，それ以上荷重を増大させてもピール強度に影響は無く，480MPa以上では圧延によるシワ，絞りの発生が顕著になった．また，熱処理を行うとピール強度は大幅に増大したが，熱処理を行わない場合と同様に大荷重の圧延では，シワ，絞りが発生した．
したがって，Fig．
3 に示す接合装置を用いて，高ピール強度を確保し，なおかつ形状良くCu/LCPクラッド材作製を行うためには，320MPa程度の圧延荷重が妥当である.
３．
３．
４

熱処理の影響３．２で述べたように,残留応力によりカールしたCu/LCPクラッド材は熱処理により平坦な形状にすることができる．Fig．11に熱処理後のCu/LCPクラッド材のピール強Fig.12 Temperature dependence of elastic modulus E ʼ of LCP ﬁlm25

東洋鋼鈑

Vol.35

Fig.13 SEM images of peeling surface

Fig.14 Comparison of the ESCA analysis of peeling surface

いピール強度を示したCu/LCPクラッド材の剥離位置を確ように，真空中にて240℃熱処理したクラッド材のピール認するために，剥離面のSEM観察を行った．観察結果例

強度は約750N/mであり，大気中にて熱処理したクラッドとして，240℃で熱処理を行ったCu/LCPクラッド材の剥材と比較して大幅に改善された．しかし，真空中にて13に示す．剥離はLCPフィルムの凝離面のSEM写真をFig．

300℃付近の熱処理したクラッド材では，大気中にて熱処集破壊を伴い，Cu箔表面はLCPで覆われていることがわ

理した場合と同様に，240℃熱処理した場合より低いピーかる.

ル強度650N/m程度であった.

また，接合界面の酸化を調べるために，240℃熱処理ク

このように，熱処理はロール圧延によって生じた応力をラッド材と300℃熱処理クラッド材の剥離面のESCA分析除去するために有効な手段であり，200℃〜260℃の範囲が結果をFig．14に示す．Fig．14⒜に示すように，240℃熱処適していることがわかった．また，接合界面のスパッタCu

理では剥離面LCP側からはCuのピークは全く検出されず，の酸化を抑制して，高いピール強度を得るためには，真空Cu側においてもわずかなCuのピークしか検出されなかっ中あるいは還元雰囲気下での熱処理が好ましいと考えられた．またFig．14⒝に300℃熱処理クラッド材の剥離面の分る．

析結果を示す．剥離面Cu箔側では主にCuのピークが得ら

４．今後の展開

れ，CuOのピークはほとんど検出されず，剥離面LCP側からは，CuOのピークのみ検出された．したがって，300℃以上のようにして，高いピール強度が得られたCu/LCP

熱処理クラッド材の剥離は，スパッタCuが高温熱処理のために酸化されCuO層を形成し，このCuO層とCu箔，あクラッド材の断面写真をFig．15⒜，また市販の熱ラミネー

るいはCuO層と酸化されなかったスパッタCuの界面で生ト材の断面写真をFig．15⒝に示す．表面活性化接合法で作じていると考えられる．

製したクラッド材は表面が平坦な圧延Cu箔を用いている．
一方，熱ラミネート材は電解Cu箔を用いており，この電この接合界面の酸化を抑制するために，真空中での熱処
1理（真空度：約10 Pa）を行った．Fig．11に併示している

解Cu箔の粗面によるアンカー効果を利用し密着力を確保

26

表面活性化接合法によるCu/LCPクラッド材の開発

Fig.15 Cross sections of Cu/LCP laminated materials⒜surface activated bonding material⒝heat bonding material

している．

以上の知見より，適正条件にて作製したCu/LCPクラッ

今後は，高速信号処理，すなわち高速伝送を実現するた

ド材のピール強度は約750N/mに達するだけでなく，極めめに，これまでのメガヘルツ帯の信号周波数ではなく，ギて平滑な接合界面を有しており，今後の高速伝送用基板へガヘルツ帯の信号周波数が適用されると予想されている15）．の適用が期待される．

この高周波信号は表皮効果により導体層の表面を優先的に導通しようとする．したがって，Fig．15⒝に示している熱ラミネート材に代表されるような，絶縁層と導体層の間に引凹凸がある電気回路では表皮抵抗が増大し，結果として信１）西川忠寛，秋山良治：表面技術，45（1994），８号の遅延が生じる16）．しかしながら，表面活性化接合材は２）2005エレクトロニクス実装ニューマテリアル便覧，㈱富士

接合界面が極めて平滑であることから，低誘電率および低用

文

献

キメラ総研，（2005），
108

誘電正接材であるLCPフィルムと組み合わせることにより

３）山崎高速伝送を可能にする材料として期待される．

４）福武素直，井上 博：電子材料，39（2000），66

真，徳光 明：電子材料，39（2000），
47５）神谷 武，清水徹男：液晶ポリマー新時代，㈱工業調査会，

５．結 言（1991），
25
６）Hiroshi Inoue，Sunao Fukutake，Hiroyuki Ohata：

表面活性化接合法によるArイオンエッチングを想定し６th Pan Paciﬁc Microelectronics Symposium,たESCA分析を行うことにより，LCPフィルム表面の化学SMTA2001，（2001），273７）西條謹二，吉田一雄，礒部剛彦，宮地昭夫，小池一幸：結合状態の変化を調べた結果，加速電圧が高いほど，またエッチング時間が長いほど，LCPフィルム表面に存在する

まてりあ，39（2000），
172−Ｃ＝Ｏの二重結合の開裂，もしくは二重結合の切断が進

８）西條謹二：日本塑性加工学会誌，42（2001），
25

行し，LCPフィルム表面におけるＣの組成比が高くなるこ

９）西條謹二，吉田一雄：日本金属学会誌，69（2005），291とがわかった.

10）西條謹二，吉田一雄：日本金属学会誌，69（2005），
413

また，表面活性化接合法によりCu/LCPクラッド材を作

11）西條謹二，吉田一雄：日本金属学会誌，69（2005），
560

製し，密着性をＴ型ピール試験により評価した結果，以下

12）大澤真司：東洋鋼鈑，32（2000），41の知見を得た．

13）大澤真司，吉田一雄，西條謹二：エレクトロニクス実装学⑴

RFプラズマ出力が高いほど，またRFプラズマエッチ

会誌，5（2002），
223

ング時間が長いほどピール強度は増大した．
⑵

14）佐光武文，大中道俊亮：住友金属鉱山

RFプラズマエッチング後，LCPフィルム表面へのCu

13（1998），37

スパッタを行うことにより，ピール強度は増大した．
⑶

15）宇都宮久修：電子材料，44（2005），
２

シワ，絞りの発生を抑制し，高いピール強度を得るに

16）高木 清：電子技術，45（2003），２は，320MPaの圧延荷重が妥当である．
⑷

Cu/LCPクラッド材に対する熱処理は，クラッド材形状の矯正,ならびにピール強度の向上に有効であった．
また，真空中で熱処理を行うことにより，接合界面の酸化が抑制され，さらに高いピール強度を得ることができた．

27

中研所報，