TRIAC(Through Hole / Isolated)

TMG16D60F( Sensitive Gate)
10.5±0.3

TO-220F

3.2±0.3

Triac TMG16D60F is designed for full wave AC control applications.
It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation.

4.7±0.2
2.7±0.2

Typical Applications

Home Appliances : Washing Machines, Vacuum Cleaners, Rice Cookers, MicroWave Ovens, Hair Dryers, other control applications● Industrial Use: SMPS, Copier Machines, Motor Controls, Dimmer, SSR,
Heater Controls, Vending Machines, other controlapplications

1●2.6±0.2
0.60±0.15
1.1±0.22

1.4±0.2

3.0±0.3

13.0±0.5

Features39.7±0.3

16.0±0.3

φ3.2±0.2

0.6±0.15

IT(RMS)=16A● High Surge Current● Low Voltage Drop
● Lead-Free Package

Nofo tRrN ecew om
D mes enig dn●132.54±0.25

5.08±0.5

Identifying Code：T16D6F■Maximum Ratings
SymbolVDRM
IT（RMS）
ITSM
I2t
PGM
PG（AV）IGM
VGM
VISO
TjTstg

21 T1
2 T2
3 GateUnit：mm（Tj=25℃ unless otherwise specified）

Item
Repetitive Peak Off-State Voltage
R.M.S. On-State Current
Surge On-State Current
I2t（for fusing）
Peak Gate Power Dissipation
Average Gate Power Dissipation
Peak Gate Current
Peak Gate Voltage
Isolation Breakdown Voltage（R.M.S.）
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Mass

Reference

Tc＝68℃
One cycle, 50Hz/60Hz, Peak value non-repetitive

A.C. 1minuteRatings
600
16155/170
120
50.5
210
1500−40〜＋125−40〜＋150
2Unit
VA
A
A2SW
W
A
V
V℃℃g

■Electrical Characteristics
Item

IDRM
VTM＋I GT1−I GT1＋I GT3−
I GT3＋V GT1−V GT1＋V GT3−V GT3VGD

Repetitive Peak Off-State Current
Peak On-State Voltage
12Gate Trigger Current
3412Gate Trigger Voltage
34Non-Trigger Gate Voltage

VD=VDRM, Single phase, half wave, Tj＝125℃
IT＝25A, Inst. measurement

Tj＝125℃，VD＝1／2VDRM

0.2

V〔dv/dt〕c

Critical Rate of Rise of Off-StateVoltage at Commutation

Tj＝125℃，〔di/dt〕
c＝−8A/ms，VD＝2／3VDRM

10V/μsHolding Current
Thermal ResistanceJunction to case

IHRth     1（  ）＋ReferenceRatings
Typ. Max.
21.4
1010―
101.51.5―
1.5Symbol

Min.

VD＝6V，RL＝10Ω25

 2（  ）−3.0

 3（ III ）＋ 4（ III ）−UnitmA
VmA

VmA℃/WTMG16D60F

100

Gate Characteristics

On-State Characteristics（MAX）

２００

On-State Peak Current（A）

Gate Voltage（V）

１００
VGM（10V）

１０PGM（5W）

IGM（2A）

PG（AV）（0.5W）
25℃

１２０１０５２１Ｔ
ｊ=２５℃
Ｔ
ｊ=１２５℃

０．
５Nofo tRrN ecew om
D mes enig dn

I+GT1
I-GT1
I-GT3５０

VGD（0.2V）０．
１１１０100

1000

１．
０

１．
５RMS On-State vs
Allowable Case Temperature

θ＝１８０゜
θ＝１５０゜０１６πθ

θ＝１２０゜2π

θ３６０゜１４

θ＝９０゜θ
：Conduction Angle

θ＝６０゜

１２１０

θ＝３０゜

８６４２４６８１０１２１４１６

Allowable Case Temperature（℃）

RMS On-State vsMaximum Power Dissipation

２００１０５θ＝30゜

９５８５π０θ＝60゜θ2π

θ＝120゜

３６０゜θ：Conduction Angle

６５０２４１４０１２０60HZ50HZ

６０４０20０１１０６１０0

１０８１０１２１４１６Transient Thermal Impedance

１０.１０.０１

０.１

Time（Cycles）

１１０１００１００１５０Time（Sec.）VGT −Tj（Typical）

IGT −Tj（Typical）

１０００５００５００

VGT（t℃）
×100（％）
VGT（２５℃）

１０００

２００２００V−GT３（3−）

１００１００５０

I＋GT１（1＋）
I−GT１（1−）−
I GT３（3−）

２０１０−５０θ＝150゜
θ＝180゜RMS On-State Current（A）

１６０８０

θ＝90゜

θ

７５１８Surge On-State Current Rating（Non-Repetitive）

１００３．
５１１５

Transient Thermal Impedance（℃/W）

１８０３．
０１２５

RMS On-State Current（A）Surge On-State Current（A）

２．
５On-State Voltage（V）

１８IGT（t℃）
×100（％）
IGT（２５℃）

２．
０Gate Current（mA）

２０Power Dissipation（W）

０．
２０．
５10000

０５０

１００Junction Temp. Tj（℃）

１５０

V＋GT１（ 1＋ ）（1−）
V−GT１５０
２０
１０−５００５０Junction Temp. Tj（℃）