THYRISTOR( Through Hole)

SMG04C60( Sensitive Gate)

Thyristor SMG04C60 is designed for full wave AC control applications.
It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation.

Home Appliances : Electric Blankets, Starter for FL, other control applications
Industrial Use: SMPS, Solenoid for Breakers, Motor Controls, Heater
Controls, other control applications

Features

IT(AV)=0.4A● High Surge Current● Low Voltage Drop
● Lead-Free Package●

32.0MAX

●13.5±0.5●

4.0±0.2

5.0±0.2

Typical Applications

TO-92
5.0±0.2

10.45 +- 0.2
0.10.45 +- 0.20.1

Nofo tRrN ecew om
D mes enig dn212（1.27）3（1.27）

Identifying Code：S04C6■Maximum Ratings

1 Gate2A
3K

Unit：mm（Tj=25℃ unless otherwise specified）

SymbolItem

VRRM

Reference

Ratings

Unit

Repetitive Peak Reverse Voltage

600

V

VRSM

Non-Repetitive Peak Reverse Voltage

720

V

VDRM

Repetitive Peak Off-State Voltage

600

V

IT（AV）

Average On-State Current

Single phase, half wave, 180°, conduction, Ta＝55℃

0.4A

IT（RMS）

R.M.S. On-State Current

Single phase, half wave, 180°, conduction, Ta＝55℃

0.63

A

ITSM

Surge On-State Current

50/60Hz, 1／2 cycle Peak value, non-repetitive

I2t

I2t

9.1/10
0.4

A2SA

PGM

Peak Gate Power Dissipation

0.5

W

PG（AV）

Average Gate Power Dissipation

0.1

W

IFGM

Peak Gate Current

0.3

A

VFGM

Peak Gate Voltage（Forward）

6V

VRGM

Peak Gate Voltage（Reverse）

6V

Tj

Operating Junction Temperature−40〜＋125℃

Tstg

Storage Temperature−40〜＋150℃

0.2g

Mass

■Electrical Characteristics
Item

IDRM

Repetitive Peak Off-State Current

Tj＝125℃, VD＝VDRM, RGK＝1kΩ

0.5mA

IRRM

Repetitive Peak Reverse Current

Tj＝125℃, VR＝VRRM, RGK＝1kΩ

0.5mAVTM

Peak On-State Voltage

IT＝1.2A, Inst. measurement

1.2V

IGTGate Trigger Current

100

μA

0.8

V

VGT

Gate Trigger Voltage

VGD

Non-Trigger Gate Voltage

IH

Holding Current

Rth（j-a）

Thermal Resistance

ReferenceRatings

SymbolMin.

Typ.

VD＝6V, RL＝100Ω

Tj＝125℃, VD＝1／2VDRM, RGK＝1kΩ

Max.

0.2

300

Junction to ambient

150UnitVμA℃/WSMG04C60

On-State Voltage（MAX）

Gate Characteristics

１０１０VFGM（6V）

Ｔ
ｊ=２５℃

On-State Current（A）

Gate Voltage（V）

PGM（0.5W）

IFGM（0.3A）

PG（AV）（0.1W）

１Nofo tRrN ecew omD mes enig dn２５℃

１

VGD（0.2V）

０.１
０.０１

０.１

１

１０１００

０.１
０１００００.５

Average On-State Current vs Power
Dissipation（Single phase half wave）

１２０

θ＝１２０゜３π2πθ３６０゜θ：Conduction Angle

１００

θ＝６０゜

θ＝３０゜０.２π０2πθ
３６０゜０.１

θ：Conduction Angle

９０８０７０６０４０００.０５ ０.１ ０.１５ ０.２ ０.２５ ０.３ ０.３５ ０.４ ０.４５

θ＝３０゜５０

θ＝６０゜

θ＝９０゜ θ＝１２０゜

θ＝１８０゜０.０５ ０.１ ０.１５ ０.２ ０.２５ ０.３ ０.３５ ０.４ ０.４５

Average On-State Current（A）

Surge On-State Current Rating（Non-Repetitive）

１２１０

Transient Thermal Impedance（℃／W）

Average On-State Current（A）

Surge On-State Current（A）

２.５０１１０θ＝９０゜００２１３０

θ＝１８０゜０.３１.５

Average On-State Current vs AmbientTemperature（Single phase half wave）

Ambient Temperature（℃）

Power Dissipation（W）

０.５０.４１On-State Voltage（V）

Gate Current（mA）

Maximum Transient Thermal
Impedance Characteristics

１０００１００８６６０HZ
５０HZ４２０１１０１００１０１０.００１０.０１０.１Time（Cycles）

１１０１００75

100１０００Time（sec.）

IGT −Tj［Change Rate］（Typical）

VGT −Tj（Typical）

１１０００

IGT（t℃）
×100（％）
IGT（２５℃）

Gate Trigger Voltage（V）

０.９

１００１０−50−25０２55075

Junction Temp.（℃）

100125０.８
０.７
０.６０.５０.４０.３０.２０.１０−50−25０2550

Junction Temp.（℃）

１25SMG04C60150

VD−RGK［Change Rate］（Typical）

VD −Tj Change Rate（Typical）

１２０
RGK=1kΩVD（RGK=rkΩ）
×100（％）VD（RGK=１kΩ）

Tj=１２５℃

１００130120110
100908070８０６０４０２０Nofo tR
rN ecew om
D mes enig dn

VD（t℃）
×100（％）
VD（２５℃）

140

6050−５０−２５０２５５０７５１０００１１２５１０Junction Temp.（℃）

１００Gate-Cathode Resistance（kΩ）

IH−RGK［Change Rate］（Typical）

１０００150140

V（R t℃）
×100（％）
V（R 25℃）

IH（RGK=rkΩ）
×100（％）
IH（RGK=１kΩ）

Ｔ
ｊ=２５℃

１００VR −Tj Change Rate（Typical）

13012011010090807060

１００.１

１１０Gate-Cathode Resistance（kΩ）

１００50−５０−２５０２５５０７５Junction Temp.（℃）

１００１２５