TRIAC(Through Hole / Isolated)

TMG3D80F(Sensitive Gate)

Triac TMG3D80F is designed for full wave AC control applications.
It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation.
3.2±0.3

TO-220F
10.5±0.3

4.7±0.2
2.7±0.2

Typical Applications

Home Appliances : Washing Machines, Vacuum Cleaners, Rice Cookers, MicroWave Ovens, Hair Dryers, other control applications● Industrial Use: SMPS, Copier Machines, Motor Controls, Dimmer, SSR,
Heater Controls, Vending Machines, other controlapplications●39.7±0.3

16.0±0.3

1φ3.2±0.2

2.6±0.2

Features21.4±0.2

3.0±0.3

13.0±0.5

0.60±0.15
1.1±0.2

1 T1
2 T2
3 Gate0.6±0.15

IT(RMS)=3A● High Surge Current● Low Voltage Drop
● Lead-Free Package●

13

2.54±0.25
5.08±0.5

Identifying Code：T3D8F■Maximum Ratings
SymbolVDRM
IT（RMS）
ITSM
I2t
PGM
PG（AV）IGM
VGM
VISO
TjTstg2Unit：mm（Tj=25℃ unless otherwise specified）

Item
Repetitive Peak Off-State Voltage
R.M.S. On-State Current
Surge On-State Current
I2t（for fusing）
Peak Gate Power Dissipation
Average Gate Power Dissipation
Peak Gate Current
Peak Gate Voltage
Isolation Breakdown Voltage（R.M.S.）
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
MassReference
Tc＝107℃
One cycle, 50Hz/60Hz, Peak value non-repetitive

A.C. 1minuteRatings
800
327/30
3.7
1.5
0.1
17
1500
−40〜＋125−40〜＋150
2Unit
VA
A
A2SW
W
A
V
V℃℃g

■Electrical Characteristics
Symbol

Item

IDRM
VTM＋
I GT1−I GT1＋I GT3−I GT3＋V GT1−V GT1＋V GT3−V GT3
VGD

Repetitive Peak Off-State Current
Peak On-State Voltage
12Gate Trigger Current
3412
Gate Trigger Voltage
34Non-Trigger Gate Voltage〔dv/dt〕c

Critical Rate of Rise of Off-State
Voltage at Commutation

IH
Holding Current
Rth（j-c） Thermal Resistance     1（  ）＋Reference
VD=VDRM, Single phase, half wave, Tj＝125℃
IT＝4.5A, Inst. measurement

VD＝6V，RL＝10Ω

Tj＝125℃，VD＝1／2VDRM
Tj＝125℃，〔di/dt〕
c＝−1.5A/ms，VD＝400V

Ratings
Min. Typ. Max.
11.455
105
1.5
1.5
2.0
1.5
0.2

2−5 3（ III ）＋mA
VmAV

V
V/μs

5Junction to case 2（  ）Unit 4（ III ）−mA℃/WTMG3D80F

Gate Characteristics

On-State Characteristics（MAX）

１００１０25℃
1＋GT１1−GT１
1−GT３25℃
1＋GT３

On-State Current（A）

PG（AV）（0.1W）

１Ｔ
ｊ=２５℃
Ｔ
ｊ=１２５℃

PGM（1.5W）

IGM（1A）

Gate Voltage（V）

VGM（7V）

１０１

VGD（0.2V）

０．
１
１

１０

１００

０.５

１.５

２２.５

RMS On-State Current vsMaximum Power Dissipation

RMS On-State vs
Allowable Case Temperature

３０πθθ＝１８０゜
θ＝１５０゜2πθ
３６０゜

θ＝１２０゜θ：Conduction Angle

θ＝９０゜

２.５

θ＝６０゜

２

θ＝３０゜

１.５
１０.５

１１.５２２.５

θ＝３０゜

１１５

θ＝６０゜０π

θ＝９０゜

θ
2π

θ＝１２０゜
θ＝１５０゜
θ＝１８０゜θ
３６０゜θ：Conduction Angle

０.５

１１.５

２２.５

３

RMS On-State Current（A）

Surge On-State Current Rating（Non-Repetitive）

３５
３０
２５２０６０HZ

１５５０HZ

１０５
１０１００

Transient Thermal Impedance（℃／W）

RMS On-State Current（A）

０１３.５

１２０１０５０３３１２５

１１００.５００Allowable Case Temperature（℃）

On-State Voltage（V）

３.５

Surge On-State Current（A）

１

Gate Current（mA）

４

Power Dissipation（W）

０.１０１０００

Transient Thermal Impedance

１０１０.０１

０.１

Time（Cycles）

１１０１００Time（Sec.）

IGT −Tj（Typical）

VGT −Tj（Typical）

１００

I＋GT１（!＋）
I−GT１（!−）−
I GT3（#−）

VGT（t℃）
×100（％）
VGT（２５℃）

１０００

IGT（t℃）
×100（％）
IGT（２５℃）

１０００

V＋GT1（!＋）
V−GT1（!−）
V＋GT3（#＋）
V−GT3（#−）

１００

I＋GT３（#＋）

１０−５０−２５０２５５０７５１００

Junction Temp.Tj（℃）

１２５１５０

１０−５０

−２５０

２５５０

７５１００

Junction Temperature（℃）

１２５１５０