TRIAC( Through Hole/Isolated)

TMG2C60F
Triac TMG2C60F is designed for full wave AC control applications.
It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation.

3.2±0.3

TO-220F
10.5±0.3

4.7±0.2
2.7±0.2

Typical Applications

Home Appliances : Washing Machines, Vacuum Cleaners, Rice Cookers, Micro
Wave Ovens, Hair Dryers, other control applications● Industrial Use: SMPS, Copier Machines, Motor Controls, Dimmer, SSR,
Heater Controls, Vending Machines, other controlapplications

1φ3.2±0.2

3

9.7±0.3

16.0±0.3●2.6±0.2

1.1±0.22

1.4±0.2

3.0±0.3

13.0±0.5

0.60±0.15

1 T1
2 T2
3 Gate0.6±0.15

Features

IT(RMS)=2A
High Surge Current● Lead-Free Package●232.54±0.25

Nofo tRrN ecew om
D mes enig dn

1●5.08±0.5

Identifying Code：T2C6F■Maximum Ratings

Unit：mm（Tj=25℃ unless otherwise specified）

SymbolItem

Reference

VDRM

Repetitive Peak Off-State Voltage

IT（RMS）

R.M.S. On-State Current

Tc＝105℃

ITSM

Surge On-State Current

One cycle, 50Hz/60Hz, Peak value non-repetitiveIt

I t（for fusing）

PGM

Ratings

Unit600

V

2A

18/20
1.67

A
A2S

Peak Gate Power Dissipation

1.5W

PG（AV）

Average Gate Power Dissipation

0.1W

IGM

Peak Gate Current

1A

22VGM

Peak Gate Voltage

VISO

Isolation Breakdown Voltage（R.M.S）

7V

1500

VTj

Operating Junction Temperature−40〜＋125℃

Tstg

Storage Temperature−40〜＋150
2℃

A.C.1minute

Massg■Electrical Characteristics

Ratings

SymbolItem

IDRM

Repetitive Peak Off-State Current

VD=VDRM, Single phase, half wave, Tj＝125℃

1mA

VTM＋I GT1Peak On-State Voltage

IT＝3A, Inst. measurement

1.6V

1−
I GT12＋
I GT33−
I GT34＋
V GT11−
V GT12＋
V GT33−
V GT34VGD〔dv/dt〕cIH
Rth（j-c）Rth（j-a）Reference

Min.

Typ. Max.

Unit

1515

Gate Trigger Current

mA15

VD＝6V，RL＝10Ω

1.5
1.5

Gate Trigger Voltage

V

1.5

Non-Trigger Gate Voltage

Tj＝125℃，VD＝1／2VDRM

0.2

V

Critical Rate of Rise of Off-State
Voltage at Commutation

Tj＝125℃，〔di/dt〕
c＝−1A/ms，VD＝2／3VDRM

3V/μs

Holding Current2Junction to case

Thermal Resistance 1（  ）＋    Junction to ambient 2（  ）− 3（ III ）＋mA
7.5℃/W50
 4（ III ）℃/W−TMG2C60F

Gate Characteristics

On-State Characteristics（MAX）

１００１０

IGM（1A）

PG（AV）（0.1W）

１Ｔ
ｊ=２５℃
Ｔ
ｊ=１２５℃

PGM（1.5W）

１０１No
fo t
RrN ecew om
D m
es enig dn

25℃
1＋GT１
1−GT１
1−GT３

On-State Current（A）

Gate Voltage（V）

VGM（7V）

VGD（0.2V）０．
１１０.１
０１００００.５１２２.５

３On-State Voltage（V）

RMS On-State Current vsMaximum Power Dissipation

RMS On-State vs
Allowable Case Temperature

２.５π０θ＝180゜
θ＝150゜θ

2πθ

θ＝120゜

３６０゜

θ＝90゜

２ θ：Conduction Angle

θ＝60゜

３.５４

θ＝30゜

１２０

θ＝30゜
θ＝60゜

１１０

１０００.５

１

θ＝90゜

θ

３６０゜

θ：Conduction Angle

０.５

1Surge On-State Current Rating（Non-Repetitive）

２０１５60HZ

１０50HZ

５１０１０0１００

Rth（j−a）

１０１０.０１Rth（j−c）

０.１

１IGT −Tj（Typical）

１０００

VGT −Tj（Typical）

５０７５Junction Temp. Tj（℃）

１００１２５VGT（t℃）
×100（％）
VGT（２５℃）

IGT（t℃）
×100（％）
IGT（２５℃）

１００２５１００１０００

I＋GT１（!＋）
I−GT１（!−）−I GT3（#−）

０１０Time（Sec.）

１０００−２５２

Transient Thermal ImpedanceTime（Cycles）

１０−５０

１.５

RMS On-State Current（A）

Transient Thermal Impedance（℃/W）

RMS On-State Current（A）

０１

θ＝120゜
θ＝150゜
θ＝180゜2πθ１０００２１.５π０１０５０.５

４.５

１２５１１５

１.５Surge On-State Current（A）

１.５Gate Current（mA）

Allowable Case Temperature（℃）

Power Dissipation（W）

３１００１０

V＋GT1（!＋）
V−GT1（!−）
V−GT3（#−）

１００１０−５０−２５０２５５０７５１００

１２５Junction Temp. Tj（℃）

2Allowable Ambient Temperature（℃）

TMG2C60FRMS On-State vs
Allowable Ambient Temperature

１２５π０θ
2π

θ

１００３６０゜θ：Conduction Angle

Conduction Angle 180゜

７５５０Nofo tRrN ecew om
D mes enig dn

２５０００．
２ ０．
４ ０．
６ ０．
８１１．
２ １．
４ １．
６ １．
８２RMS On-State Current（A）

3