TRIAC(Through Hole / Isolated)

TMG5C60F
Triac TMG5C60F is designed for full wave AC control applications.
It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation.
3.2±0.3

TO-220F
10.5±0.3

4.7±0.2
2.7±0.2

Typical Applications

Home Appliances : Washing Machines, Vacuum Cleaners, Rice Cookers, Micro
Wave Ovens, Hair Dryers, other control applications● Industrial Use: SMPS, Copier Machines, Motor Controls, Dimmer, SSR,
Heater Controls, Vending Machines, other controlapplications●39.7±0.3

16.0±0.31
φ3.2±0.2

2.6±0.2Features2

1.4±0.2

3.0±0.3

13.0±0.5

0.60±0.15
1.1±0.2

1 T1
2 T2
3 Gate0.6±0.15

IT(RMS)=5A● High Surge Current● Low Voltage Drop
● Lead-Free Package

Nofo tRrN ecew om
D m
es enig dn●132.54±0.25

5.08±0.5

Identifying Code：T5C6F■Maximum Ratings
SymbolVDRM
IT（RMS）
ITSM
I2t
PGM
PG（AV）IGM
VGM
VISO
TjTstg2Unit：mm（Tj=25℃ unless otherwise specified）

Item
Repetitive Peak Off-State Voltage
R.M.S. On-State CurrentSurge On-State Current
I2t（for fusing）
Peak Gate Power Dissipation
Average Gate Power Dissipation
Peak Gate Current
Peak Gate Voltage
Isolation Breakdown Voltage（R.M.S.）
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Mass

Reference

Tc＝100℃
One cycle, 50Hz/60Hz, Peak value non-repetitive

A.C. 1minuteRatings
600
550/55
12.6
30.3
2
10
1500
−40〜＋125−40〜＋150
2Unit
VA
A
A2SW
W
A
V
V℃℃g

■Electrical Characteristics
SymbolItem

IDRM
VTM＋I GT1−
I GT1＋I GT3−I GT3＋V GT1−V GT1＋V GT3−V GT3VGD

Repetitive Peak Off-State Current
Peak On-State Voltage
12Gate Trigger Current
3412Gate Trigger Voltage
34Non-Trigger Gate Voltage

VD=VDRM, Single phase, half wave, Tj＝125℃
IT＝7A, Inst. measurement〔dv/dt〕c

Critical Rate of Rise of Off-State
Voltage at Commutation

Tj＝125℃，〔di/dt〕
c＝−2.5A/ms，VD＝2／3VDRM

Holding Current
Thermal ResistanceJunction to case

IHRth     1（  ）＋Reference

VD＝6V，RL＝10Ω

Tj＝125℃，VD＝1／2VDRM

Ratings
Min. Typ. Max.
11.42020―201.51.5―
1.50.2−4.0

 3（ III ）
＋mA
VmAVV
V/μs

510

 2（  ）Unit 4（ III ）−mA℃/WTMG5C60F

Gate Characteristics

１００On-State Peak Current（A）

Gate Voltage（V）

１００

VGM（10V）

１０PGM（3W）

１IGM（2A）

PG（AV）（0.3W）

５０２０１０５２１Ｔ
ｊ=２５℃
Ｔ
ｊ=１２５℃

０．
５

No
fo t
R
rN ecew om
D mes enig dn

25℃
1＋GT１
1−GT１1−GT３

On-State Characteristics（MAX）

VGD（0.2V）

０．
１１００．
２０．
５１００００１．
０

１．
５RMS On-State Current vsMaximum Power Dissipation

RMS On-State vs
Allowable Case Temperatureπ０2πθ５３６０゜θ：Conduction Angle

θ＝６０゜

３

θ＝３０゜

１１５

θ＝30゜

１１０

θ＝60゜

１０５２１２３４６５π０θ＝90゜θ

３６０゜

θ
：Conduction Angle

９５０１２

Surge On-State Current（A）

Surge On-State Current Rating（Non-Repetitive）

５０
４０

６０HZ

５０HZ

２０１００１２５１０２０

５０

１００１０４５Transient Thermal Impedance

１０.０１

０.１

１１０１００１００

１５０Time（Sec.）Time（Cycles）

IGT −Tj（Typical）

１０００５００５００

VGT（t℃）
×100（％）
VGT（２５℃）

１０００

VGT −Tj（Typical）

２００２００１００

I＋GT１（ 1＋ ）I−GT１（1−）

５０I−GT３（3−）

V−GT３（3−）

１００

V＋GT１（ 1＋ ）V−GT１（1−）

５０２０２０１０−５０３

RMS On-State Current（A）

Transient Thermal Impedance（℃/W）

RMS On-State Current（A）

３０

θ＝120゜
θ＝150゜
θ＝180゜2π

θ

１００００

３．
５１２０

θ＝９０゜

４３．
０１２５

θ＝１８０゜
θ＝１５０゜
θ＝１２０゜θ

１IGT（t℃）
×100（％）
IGT（２５℃）

２．
５On-State Voltage（V）

６６０

２．
０Gate Current（mA）

Allowable Case Temperature（℃）

Power Dissipation（W）

７１０００１０００５０１００Junction Temp. Tj（℃）

１５０１０−５００５０Junction Temp. Tj（℃）