TRIAC(Through Hole / Isolated)

TMG16CQ60F(Tj=150 )10.5±0.3

3.2±0.3

Triac TMG16CQ60F is designed for full wave AC control applications.
It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation.
4.7±0.2
2.7±0.2

Typical Applications

Home Appliances : Washing Machines, Vacuum Cleaners, Rice Cookers, MicroWave Ovens, Hair Dryers, other control applications
Industrial Use: SMPS, Copier Machines, Motor Controls, Dimmer, SSR,
Heater Controls, Vending Machines, other control
applications

13

9.7±0.3

16.0±0.3

φ3.2±0.22.6±0.2
0.60±0.15

Features21.4±0.2

3.0±0.3

13.0±0.5

1.1±0.2

1 T12 T23 Gate

0.6±0.15

Nofo tRrN ecew om
D mes enig dn

IT(RMS)=16A
High Surge Current
Low Voltage Drop
Lead-Free Package

13

2.54±0.25

5.08±0.5

Identifying Code T16CQ6F

Maximum Ratings

SymbolVDRM
IT RMS
ITSM
I2t
PGM
PG AV
IGM
VGM
VISO
Tj
Tstg

2Tj=25Item
Repetitive Peak Off-State Voltage
R.M.S. On-State Current
Surge On-State Current
I2t for fusing
Peak Gate Power Dissipation
Average Gate Power Dissipation
Peak Gate Current
Peak Gate Voltage
Isolation Breakdown Voltage R.M.S.
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
MassUnit mmunless otherwise specified

ReferenceRatings
600
16155/170
120
50.52101500
40150
40150
2Tc 93One cycle, 50Hz/60Hz, Peak value non-repetitive

A.C. 1minuteUnit
VAA
A2SW
W
A
V
Vg

Electrical Characteristics

Symbol

Item

IDRM
VTM
I GT1
I GT1
I GT3
I GT3
V GT1
V GT1
V GT3
V GT3
VGD

Repetitive Peak Off-State Current
Peak On-State Voltage
12Gate Trigger Current
3412Gate Trigger Voltage
34Non-Trigger Gate Voltage

dv/dt cCritical Rate of Rise of Off-State
Voltage at Commutation

Tj 150Holding Current
Thermal ResistanceJunction to case

IHRth     1（  ）＋Reference

VD=VDRM, Single phase, half wave, Tj 150
IT 25A, Inst. measurement

Ratings
Min. Typ. Max.
3
1.4
30
3030
1.5
1.5

VD 6V RL 10

UnitmA
VmA

V

1.5

Tj 150VD

12VDRMdi/dt cA/ms VD

23VDRM

0.1

V5V/ s25

 2（  ）−3.0 3（ III ）＋ 4（ III ）−mA/WTMG16CQ60F

On-State Characteristics（MAX）

Gate Characteristics

１０００

VGM（10V）

On-State Peak Current（A）

１０１００PGM（5W）

PG（AV）（0.5W）

１０．
１

IGM（2A）

25℃
1＋GT１
1−GT１
1−GT３

Ｔ
ｊ=２５℃
Ｔ
ｊ=１５０℃

VGD（0.1V）

１０１Nofo t
RrN ecew om
D mes enig dn

Gate Voltage（V）

１０００．
０１
１００.１
０１００００

０.５

１２.５

３

RMS On-State Current vsMaximum Power Dissipation

RMS On-State vs
Allowable Case Temperatureπ０θ＝180゜
θ＝150゜θθ＝120゜2π

θ１４θ＝90゜３６０゜θ：Conduction Angle

θ＝60゜１２１０θ＝30゜８３.５

６１４０１３０１２０

θ＝30゜
θ＝60゜

１００４００２４６８１０１２１６１４π０θ＝90゜θ

θ

９０３６０゜θ：Conduction Angle

８００２４

１４０１２０60HZ
50HZ

６０４０20１０１０0

Transient Thermal Impedance（℃/W）

１６００
１

６１０

１０

１２１４１６

Transient Thermal Impedance

１０.１
０.０１

０.１

１１０１００Time（Sec.）Time（Cycles）

IGT −Tj（Typical）

VGT −Tj（Typical）IGT（t℃）
×100（％）
IGT（２５℃）

VGT（t℃）
×100（％）
VGT（２５℃）

１０００

１０００

V＋GT1（!＋）
V−GT1（!−）
V−GT3（#−）

１００１００
I＋GT１（ !＋ ）I−GT１（!−）

I−GT３（#−）

１０−５０８RMS On-State Current（A）

Surge On-State Current Rating（Non-Repetitive）

８０

θ＝120゜
θ＝150゜
θ＝180゜

2π

RMS On-State Current（A）

１００４

１５０

１１０２Surge On-State Current（A）

２On-State Voltage（V）

１６

１８０

１.５

Gate Current（mA）

１８

Power Dissipation（W）

１０００

Allowable Case Temperature（℃）

２０１００−２５０２５５０７５１００Junction Temp. Tj（℃）

１２５１５０１０−５０−２５０２５５０

７５１００Junction Temp. Tj（℃）

１２５ １50