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安全設計に関するお願い
1. 弊社は品質、信頼性の向上に努めておりますが、半導体製品は故障が発生したり、誤動作する場合があります。弊社の半導体製品の故障又は誤動作によって結果として、人身事故、火災事故、社会的損害などを生じさせないような安全性を考慮した冗長設計、延焼対策設計、誤動作防止設計などの安全設計に十分ご留意ください。
本資料ご利用に際しての留意事項
1. 本資料は、お客様が用途に応じた適切なルネサス テクノロジ製品をご購入いただくための参考資料であり、本資料中に記載の技術情報についてルネサス テクノロジが所有する知的財産権その他の権利の実施、使用を許諾するものではありません。
2. 本資料に記載の製品データ、図、表、プログラム、アルゴリズムその他応用回路例の使用に起因する損害、第三者所有の権利に対する侵害に関し、ルネサス テクノロジは責任を負いません。
3. 本資料に記載の製品データ、図、表、プログラム、アルゴリズムその他全ての情報は本資料発行時点のものであり、ルネサス テクノロジは、予告なしに、本資料に記載した製品または仕様を変更することがあります。ルネサス テクノロジ半導体製品のご購入に当たりましては、事前にルネサス テクノロジ、ルネサス販売または特約店へ最新の情報をご確認頂きますとともに、ルネサス テクノロジホームページ(http://www.renesas.com)などを通じて公開される情報に常にご注意ください。
4. 本資料に記載した情報は、正確を期すため、慎重に制作したものですが万一本資料の記述誤りに起因する損害がお客様に生じた場合には、ルネサス テクノロジはその責任を負いません。
5. 本資料に記載の製品データ、図、表に示す技術的な内容、プログラム及びアルゴリズムを流用する場合は、技術内容、プログラム、アルゴリズム単位で評価するだけでなく、システム全体で十分に評価し、お客様の責任において適用可否を判断してください。ルネサス テクノロジは、適用可否に対する責任は負いません。
6. 本資料に記載された製品は、人命にかかわるような状況の下で使用される機器あるいはシステムに用いられることを目的として設計、製造されたものではありません。本資料に記載の製品を運輸、移動体用、医療用、航空宇宙用、原子力制御用、海底中継用機器あるいはシステムなど、特殊用途へのご利用をご検討の際には、ルネサス テクノロジ、ルネサス販売または特約店へご照会ください。
7. 本資料の転載、複製については、文書によるルネサス テクノロジの事前の承諾が必要です。
8. 本資料に関し詳細についてのお問い合わせ、その他お気付きの点がございましたらルネサス テクノロジ、ルネサス販売または特約店までご照会ください。

HVR100
シリコンエピタキシャルプレ−ナ形バリキャップダイオ−ド電子同調用

ADJ-208-090H (Z)Rev.82002.10特長• 容量変化比が大きく(n≧16.0)，直線性が良いです。
• 低電圧で使用できます。
• 性能指数(Q)が高いです。 (Q≧200)• 小形レジン外形のため小形であり面装着に対応でき又，小形設計及び高密度実装が可能です。

形名表示
製品名
HVR100レ−ザマ−ク2

パッケージコードSRP

ピン配置12ࠞ࠰࡯࠼ࡑ㧙ࠢᒻฬ⴫␜

2
1. ࠞ࠰࡯࠼
2. ࠕࡁ࡯࠼

HVR100

絶対最大定格(Ta = 25°C)
項目
逆電圧
接合部温度
保存温度

記号
VR
Tj
Tstg

定格値
15125–55〜+125単位
V°C°C

電気的特性(Ta = 25°C)
項目

MinTypMax
記号
単位
測定条件
VR15V
IR = 10µA
逆電圧――
IR100nA
VR = 9V
逆電流――pF
C1421.5524.6
VR = 1V, f = 1MHz
端子間容量―C3182.0275.7
VR = 3V, f = 1MHz―
C573.2
121.4
VR = 5V, f = 1MHz―C642.2
72.2
VR = 6V, f = 1MHz―C726.241.6
VR = 7V, f = 1MHz―20.4
28.2
VR = 8V, f = 1MHzC8―n16C1/C8
容量変化比
―――
Q200
C = 450pF, f = 1MHz
性能指数―――∆C/C *1
3.0%
VR = 1〜8V, f = 1MHz
組内容量偏差――*280VC = 200pF, 順逆各 1 回印加
静電破壊電圧―――【注】 1. 組内の素子については，任意の連続した 3 個に対し，組内容量偏差を管理しております。組内容量偏差の計算方法は次の通りです。
∆C/C =(Cmax – Cmin)
× 100 (%)
Cmin

2. 故障判定基準 IR≧100nA (VR = 9V)2

HVR100

主特性10–5ㅒᣇะ㔚ᵹ‫ޓ‬IR‫(ޓ‬A)

10–6
10–7
10–8
10–9
10–10
10–11
10–120102030

ㅒᣇะ㔚࿶‫ޓ‬VR‫(ޓ‬V)࿑1. ㅒᣇะ․ᕈ
103┵ሶ㑆ኈ㊂‫ޓ‬C‫(ޓ‬pF)

f = 1MHz102

101.01040

ㅒᣇะ㔚࿶‫ޓ‬VR‫(ޓ‬V)࿑2. ┵ሶ㑆ኈ㊂ ኻ ㅒ㔚࿶․ᕈ

3

HVR100

外形寸法図42.65 ± 0.2
3.80 ± 0.2

0.6 ± 0.2

0 – 0.10

1.1 ± 0.2

1.6 ± 0.2

As of July, 2002
Unit: mm

Hitachi Code
JEDEC
JEITA
Mass (reference value)

SRP——
0.010 g

HVR100

ご注意
1. 本書に記載の製品及び技術のうち「外国為替及び外国貿易法」に基づき安全保障貿易管理関連貨物・技術に該当するものを輸出する場合，または国外に持ち出す場合は日本国政府の許可が必要です。
2. 本書に記載された情報の使用に際して，弊社もしくは第三者の特許権，著作権，商標権，その他の知的所有権等の権利に対する保証または実施権の許諾を行うものではありません。また本書に記載された情報を使用した事により第三者の知的所有権等の権利に関わる問題が生じた場合，弊社はその責を負いませんので予めご了承ください。
3. 製品及び製品仕様は予告無く変更する場合がありますので，最終的な設計，ご購入，ご使用に際しましては，事前に最新の製品規格または仕様書をお求めになりご確認ください。
4. 弊社は品質・信頼性の向上に努めておりますが，宇宙，航空，原子力，燃焼制御，運輸，交通，各種安全装置， ライフサポート関連の医療機器等のように，特別な品質・信頼性が要求され，その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり，人体に危害を及ぼす恐れのある用途にご使用をお考えのお客様は，事前に弊社営業担当迄ご相談をお願い致します。
5. 設計に際しては，特に最大定格，動作電源電圧範囲，放熱特性，実装条件及びその他諸条件につきましては，弊社保証範囲内でご使用いただきますようお願い致します。
保証値を越えてご使用された場合の故障及び事故につきましては，弊社はその責を負いません。
また保証値内のご使用であっても半導体製品について通常予測される故障発生率，故障モードをご考慮の上，弊社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故，火災事故，その他の拡大損害を生じないようにフェールセーフ等のシステム上の対策を講じて頂きますようお願い致します。
6. 本製品は耐放射線設計をしておりません。
7. 本書の一部または全部を弊社の文書による承認なしに転載または複製することを堅くお断り致します。
8. 本書をはじめ弊社半導体についてのお問い合わせ，ご相談は弊社営業担当迄お願い致します。

お問い合わせ先ඨዉ૕ࠣ࡞࡯ࡊ‫ޥ‬100-0004᧲੩ㇺජઍ↰඙ᄢᚻ↸ੑৼ⋡6⇟2ภ㧔ᣣᧄࡆ࡞㧕(03) 3270-2111 ᄢઍ

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(011) 261-3131 (ઍ)

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␠ ٨(06) 6616-1111 (ᄢઍ)

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(03) 3212-1111 (ᄢઍ)

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ᐫ ٨(075) 223-5611 (ઍ)(0263) 36-6632

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ᐫ ٨(078) 261-9677(ઍ)ඨዉ૕㩂㩨㩣㨺㩖㩩᧻ᧄ༡ᬺᚲ

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␠ ٨(045) 451-5000 (ઍ)

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␠ ٨(082) 541-4111 (ઍ)

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(076) 433-8511 (ᄢઍ)

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http://www.hitachisemiconductor.com/sic/jsp/japan/jpn/Sicd/Japanese/map/frame.html‫ع‬ᛛⴚ⊛ߥ߅໧วߖ߅ࠃ߮⾗ᢱߩߏ⺧᳞ߪ‫ޔ‬਄⸥ߩᜂᒰ༡ᬺ߹ߚߪਅ⸥߳ߤ߁ߙ‫ޕ‬‫ޥ‬100-0004‫᧲ޓ‬੩ㇺජઍ↰඙ᄢᚻ↸ੑৼ⋡6⇟2ภ ᣣᧄࡆ࡞ᩣᑼળ␠ᣣ┙⵾૞ᚲ‫ޓ‬ඨዉ૕ࠣ࡞࡯ࡊࡆࠫࡀࠬࠝࡍ࡟࡯࡚ࠪࡦᧄㇱ‫ޓ‬✚ว໧วߖ⓹ญ‫ޓޓޓ‬㧦ඨዉ૕ࠞࠬ࠲ࡑࠨ࡯ࡆࠬ࠮ࡦ࠲‫ޓ‬E-Mail:csc@sic.hitachi.co.jp
࠼ࠠࡘࡔࡦ࠻⺧᳞⓹ญ㧦ඨዉ૕࠼ࠠࡘࡔࡦ࠻▤ℂቶ‫ޓޓޓ‬E-Mail:document@sic.hitachi.co.jp㔚⹤(03) 5201-5220 ⋥㔚⹤(03) 5201-5189 ⋥Copyright © Hitachi, Ltd., 2002. All rights reserved. Printed in Japan.
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