半導体・デバイス事業
2023/5 三菱電機株式会社

目次

1. エグゼクティブ・サマリ

P３

2. 事業概要

P５

3. 重点成長事業の成長戦略 ーパワーデバイスー

P９3-1. 成長戦略

P103-2. 成長加速に向けた注力事業領域

P113-3. SiCモジュールの強み

P12

3-4. 製造戦略

P133-5. リソース投入計画

P14

4. 事業シナジーを活かした半導体・デバイス事業の持続的成長

P15

2

1

エグゼクティブ・サマリ

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エグゼクティブ・サマリ⚫ 重点成長事業と位置付けるパワーデバイス事業の売上高・営業利益率は、25年度目標 ※1 : 売上高 2,400億円以上

営業利益率 10%以上 に対し、計画通り進捗中
成長目標
2021年度実績

2022年度実績

2025年度目標

売上高
セミコンダクター・デバイス
営業利益率(半導体・デバイス事業)

2,414億円

2,815億円

0.3兆円

7.0%

10.4%

12%

売上高

1,790億円

2,100億円

2,400億円以上

6.5%

8.4%10%以上

パワーデバイス

営業利益率⚫ 市場拡大を見据え、強みのSiCを核とした成長基盤の強化に取り組み、事業の成長を加速。

30年度でパワーデバイスにおけるSiCの売上比率 30%以上を目指す⚫ SiCモジュールは、電気自動車への搭載により需要が急拡大し、様々な応用分野へ市場が広がる見込み。
三菱電機の強みを活かした競争力の高いSiCモジュールを幅広い分野に提供し、GX※2 の実現に貢献⚫ 成長戦略の実行に向け、21-25年度の設備投資計画を倍増。更なる事業拡大に向け、積極的な成長投資を継続※1 2021年11月時点の計画 ※2 GX : Green Transformation

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2

事業概要

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事業構成
持続可能な社会の実現に向け、カーボンニュートラルと安心・安全・快適な暮らしを支えるキーデバイスを提供

パワーデバイス事業

重点成長事業

技術の進化を追求し、GXの実現に貢献

売上構成比 75%

高周波・光デバイス事業

レジリエント事業

機能・用途の変化でDXや新たな価値を創出

売上構成比 13%

電気自動車、民生機器(エアコン等)、産業用機器、再生可能エネルギー、無線通信、光ファイバー通信やセンシング分野など、様々な用途に応用

電鉄などのパワーエレクトロニクス機器の省エネ化を実現し、脱炭素社会のされる化合物半導体デバイスで安心・安全な暮らし、快適なデジタル社会の実現と豊かな生活の両立に貢献

実現に貢献

Si パワーデバイス•IPM•

IGBTモジュール•

パワーMOSFETモジュール•

HVIC 等

SiC パワーデバイス•

SiC-SBD及びSiC-MOSFET•

フルSiCパワーモジュール•

フルSiC-IPM•

ハイブリッドSiCパワーモジュール 等

高周波デバイス
衛星通信、5G基地局、ミリ波レーダー、他

光デバイス
光ファイバー通信、データセンター、他

赤外線センサー
防犯、見守り、人数カウント、空調、車室内、他※売上構成は22年度実績

6市場環境と成長の方向性⚫ パワーデバイス： 脱炭素化に向け中期的な市場拡大が見込まれ、自動車分野・民生分野を中心に高い成長を実現⚫ 高周波・光デバイス： 光デバイスを主力としつつ、需要拡大を見込む基地局向けGaNデバイスの売上を拡大《 市場環境 》《 成長の方向性 》(億円)

パ
ワーデバイス

光デ高バ周
イ波ス・

自動車分野

民生分野
産業・再エネ・
電鉄分野
5G基地局向け
GaNデバイス

データセンター向け光デバイス

⚫
⚫

⚫
⚫

⚫

⚫

電動化が進展
Siと比較し大幅な電力損失削減が可能なSiCの採用が加速 (2022→2025 CAGR : +165%)
インバータ化が拡大
ATWヒートポンプ需要の成長

2022

CAGR
+21%

2025

SiCを更に強化

CAGR+9%トップ地位を堅持

省エネ・自動化が進展

CAGR
+7%

エリア拡張や新興国投資などによる需要が拡大

CAGR
+18%
市場浸透を加速⚫

大容量通信や人工知能(AI)による光ネットワークの高速化が進展

CAGR
+6%
※市場規模は調査会社予測をベースとした当社予測

7当社の強み⚫ グローバルトップクラスの製品群を保有する２つの強い事業⚫ 三菱電機グループの持つ多様なリソースとのシナジーを発揮し、最先端のキーデバイスを市場に提供
多様なグループ内リソース

グローバルトップクラスのキーデバイス群⚫ 研究開発部門

パワーデバイス事業⚫

グループ内の先進基盤技術、生産技術を結集した研究開発部門との開発・技術連携

高い性能・品質を実現する設計技術と製造技術の擦り合わせ

パワーモジュール
グローバルシェア第2位

民生用IPMシェア

電鉄用フルSiC
モジュールシェア

第1位

第1位⚫ ユーザー事業

高周波・光デバイス事業⚫

高度な化合物半導体技術⚫

様々な市場ニーズに対応する製品開発力

広範な事業分野をカバーする
ユーザー事業との共創、事業連携

シナジー創出

Ku帯衛星通信地上局用
GaN高出力増幅器シェア

データセンター向け
光デバイスシェア第1位

第1位

最先端のキーデバイスを市場に提供※ シェアはいずれも21年度実績、当社調べにおいて

8

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重点成長事業の成長戦略ーパワーデバイスー

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成長戦略 ーパワーデバイスー⚫ 産業・再エネ・電鉄分野をベースロードとし、高い成長を見込む自動車分野と当社が強い民生分野を強化⚫ 市場拡大を見据え、長年培った強みのSiCを核とした成長基盤の強化に取り組み、事業の拡大を加速《 基本戦略 》⚫ 当社の強みと市場ニーズが合致する分野にリソースを集中⚫ 成長ドライバーと位置付ける自動車分野・民生分野を更に強化し売上拡大(売上高、営業利益率)

中期計画※に対し計画通り進捗中

SiC

1,790億円

2,100億円
8.4%•

自動車向けSiC製品の開発・次世代化加速

SiC売上比率•グローバル拡販の強化

30%+

•

SiC基板サプライヤとの戦略的パートナシップ構築による安定調達確保・技術連携強化•

生産能力増強 (6インチウエハ増産、8インチ新工場棟建設)

SiCで成長を加速2,400億円+

収益力強化・次の成長に向けた事業基盤構築

10%+

•Si

•

自動車・民生を中心とした戦略製品の拡大
2022年度

製品ポートフォリオ変革 (標準化・共通化推進、自動車・ 民生向けを中心とした戦略製品拡大)

6.5%

2021年度強みのSiCを核とした成長基盤の強化

2025年度

生産性の更なる向上 (生産効率の高い福山工場でのSi 8インチウエハ生産拡大、Si 12インチへ大口径化)

2030年度※ 2021年11月時点の計画10

成長加速に向けた注力事業領域 ーパワーデバイスー⚫ SiCモジュールは電気自動車への搭載により急速に市場が拡大し、様々な応用分野へ市場の広がりを見込む⚫ 強固な技術基盤とトップクラスの顧客基盤を活かし、GX実現に貢献する競争力の高いSiCモジュールを提供
SiCパワー半導体市場動向

三菱電機パワーデバイス事業の戦略⚫ モジュール市場が急激に拡大見込⚫ 世界をリードするモジュール製品群⚫ SiCモジュールを様々な用途に提供⚫ 様々な応用分野へSiCの採用が広がる
IPM・IGBTモジュールの領域
SiCモジュールの領域
ディスクリートの領域

US＄M

SiCモジュール市場

三菱電機の注力領域

応用装置の出力(VA)

CAGR

43%

世界初 (2012年12月発売)
数値制御装置(CNC)ドライブユニットにハイブリッドSiC-IPM搭載

再生可能エネルギー
IPM
IGBT
モジュール

エアコン
冷蔵庫
出典： OMDIA

ルームエアコン「霧ヶ峰」にハイブリッドSiC DIPIPMTM搭載

2012年

電鉄

他社に先駆けて開発着手

世界初 (2010年10月発売)
2010年

大型電動機
直流送電

1990年代

汎用インバータ
サーボアンプxEV
小型DCモータ
PC用電源

スイッチング 周波数(Hz)

2015年
2019年

世界初 (2015年6月広報)
高速鉄道向け主変換装置に大容量フルSiCパワーモジュール搭載

世界最高出力 (2019年2月開発発表)
xEV用 超小型パワーユニットにフルSiCパワーモジュール搭載

幅広い分野のGXに貢献※世界初・世界最高：いずれも広報発表時点での当社調べにおいて11

SiCモジュールの強み ーパワーデバイスー
三菱電機が保有する多様な要素技術の組み合わせ(化合物半導体技術・チップ技術・モジュール技術）と豊富な市場実績により、急拡大を見込むSiCモジュール市場のニーズに応える最適なデバイスを提供◆ 高度な製造技術で基板欠陥の無害化技術を確立

品質向上
生産性改善

化合物
半導体技術

チップ技術

◆ 独自の電界緩和構造を採用した
トレンチ型SiC-MOSFETにより、従来型SiC※2と比較し、素子抵抗率約50%低減を実現

高精度なスクリーニング技術と組合せ、高い信頼性と生産性を確保

三菱電機
SiCの強み3.3kV フルSiCモジュール⚫ 市場実績： SiCモジュール

xEVの航続距離延長、システムコスト削減に貢献◆ 高性能・高信頼性が高く 評価され、InnoTrans 2022にてSiemens Mobility社“Moving Beyond”受賞

素子抵抗率(mΩ・㎠)⚫ チップ技術： 世界最高水準※1の低損失化⚫ 化合物半導体技術： 高度なエピ・プロセス技術

低損失化

従来型

トレンチ型

⚫ モジュール技術： 業界をリードする小型・軽量化◆ J1シリーズ※3は、他社比⚫ 市場実績： 自動車市場◆ Siも含め、累計採用実績

豊富な市場実績

モジュール技術

約29%小型化・約53%軽量化を実現（同容量帯製品比※4)

小型・軽量化

車両2,600万台相当

様々なアプリケーションに最適化したモジュールソリューションを提供

インバータの小型化・低コスト化に貢献
他社製品 (イメージ)

J1シリーズ※1 耐圧性能1500V以上の素子において。2019年9月30日広報発表時点での当社調べ※2 当社プレーナー型MOSFET ※3 自動車用パワーモジュール ※4 2023年5月現在、当社調べ

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製造戦略 ーパワーデバイスー⚫ 高い生産性を実現する自動化ラインの構築・拡大に加え、大口径化を推進し生産能力を増強⚫ 後工程は設計・開発から生産技術検証までを一貫して行う体制を構築し、ものづくりまで含めた製品力を強化
パワーデバイス製造拠点

重点施策
広島県福山市

中期的成長の実現に向けた積極的な能力増強

福岡県福岡市開発・設計・後工程マザー工場

SiC

兵庫県伊丹市

主要拠点••

Si 8インチ
Si 12インチ(24年度稼働予定)

前工
程(26年度稼働、順次拡張予定)•
SiC 8インチ•

6インチ： 既存ラインの増強

福山工場の生産拡大による生産性の更なる向上
Si••

8インチ： 熊本県(泗水地区)に最先端の省エネ性能と自動化を実現する新工場棟を建設、需要の拡大に合わせ順次生産能力を拡張

生産能力： 約5倍 (22年度→26年度)

熊本県合志市 (前工程マザー工場)
熊本県菊池市(泗水)••12インチ： 大口径化ラインを24年度から稼働予定•

8インチ： 福山工場に生産効率を高めたラインを構築

Si 8インチ
SiC 6インチ

生産能力： 約2倍 (20年度→25年度)

後工程拠点(パワーモジュール)•メルコパワーデバイス(株) (福岡 [福岡市/糸島市]、兵庫[丹波市/豊岡市])•Mitsubishi Electric GEM Power Device (Hefei) Co., Ltd. (中国安徽省合肥市)•

ものづくり力強化： 新工場棟を福岡地区に建設し、設計・開発から生産技術検証までを一貫して行う体制を構築•能力増強： 需要増に対応した適時適切な増強

後工程

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リソース投入計画 ーパワーデバイスー
SiCに対応した新工場棟の建設をはじめ、従来計画 ※1から倍増となる約2,600億円を投資し、パワーデバイス事業の成長戦略を確実に実行
設備投資額(実績、計画)

SiC 8インチウエハ新工場棟

21年度から25年度までの累計設備投資を倍増

最先端の省エネと徹底した自動化による高い生産効率を実現⚫ 従来計画に加え、SiCでの更なる事業拡大に向けて⚫ クリーンルームに旋回流誘引型成層空調システム(TCRSWIT®※2)採用に加え、徹底した廃熱回収を行うことに積極的な成長投資を継続する

より、従来方式比約30%※3の省エネ化を実現
成長投資の継続⚫ 自動搬送システム採用による省人化、設備稼働率向上

2,600億円

約約1,000億円

従来計画
約1,300億円

稼働開始
2026年4月予定※1 2021年11月時点の計画 ※2 TCR-SWITは高砂熱学工業株式会社の登録商標 ※3 本計画におけるシミュレーション値

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4

事業シナジーを活かした半導体・デバイス事業の持続的成長

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事業シナジーを活かした半導体・デバイス事業の持続的成長⚫ キーデバイスの提供を通じて、三菱電機グループの統合ソリューションを強化⚫ ユーザー事業の知見を取り込み、お客様目線で付加価値の高いデバイスを開発◆ インフラBA• 直流送電• 電鉄• 防衛・宇宙• 再生可能エネルギー• 無停電電源装置(UPS)• 光ネットワーク◆ インダストリー・モビリティBA• 産業用ロボット• インバータ、サーボ• xEV“半導体の「進化」と「革新」で半導体・デバイス事業社会の変化を先導する”

市場競争力の高いデバイス開発⚫ お客様目線で付加価値の高いデバイスを幅広い市場へ提供

高品質

高性能先端技術⚫ 半導体・デバイス事業の持続的成長◆ ライフBA• エレベーター• 空調機器• 家電製品16