量子ホール効果–その意義と幾何学的および代数的構造 (物性若手夏の学校 2001 年夏 初貝 v1.05)17

ホール伝導度とそのトポロジカルな意義

32

量子ホール効果は占有率 ν が特定の有理数 ν = p/q (q 奇数 ) のときのホール伝導度が σxy = ν ehとなり、ν を変えて実験したとき小さい q のところに平らな部分 (プラトー) が現れるというもの
2であり、σxy = ν eh という表式自体は乱れのない連続系の場合容易にしめせるものでそれほどおどろくべきものではない。驚くべきは ν を上記のマジックナンバーの近傍で変化させても σxy は変化せずプラトーをつくるという点にあり、乱れの効果の議論も本質的に重要である。ただここでは2

それには触れず、σxy = ν eh が ν = 整数の場合、ある種の位相幾何学的量として書き直せることを紹介したい。
なぜ物理量を不変量で書こうとするのか、その気持ちだけをここで述べよう。ある物理量が本質的に離散的な量 (たとえば何かの個数) で書けたとするとすると乱れの強さ、相互作用等を連続に変化させても離散量の方は連続に変化することはできない。唯一許される連続変化は変化しないこと、というわけである。14
なおここでは ν が整数の場合に限って議論し ν が分数の場合は後でこの場合に帰着させることを試みる [24]。

3.1

無限系 (バルク) におけるホール伝導度のトポロジカルな意味— 渦度、チャーン数 —無限系の場合にホール伝導度を久保公式から書き直すことは有名な TKNN の論文でおこなわれた。[16] 15 その結果をまず述べよう。
bulk
はフェル
フェルミエネルギーが下から j 番目のエネルギギャップにある時のホール伝導度 σxy`
ミエネルギー以下のエネルギーバンドのホール伝導度 σxyの和として次のようになる。

TKNN formula

bulk
σxy

=

j
∑

`
σxy

`=1
2

−

e 1
h 2πi

∫ ∫

`
σxy

=

~`
B

=

~`
rot A

~`
A

=

~ k ψ` ihψ ` |∇∑~ ` (~k)ψ ` (~k)∇ψ

=



j

2
TM
BZ

~`
dkx dky ẑ · Bjj

ここで ψ ` (~k)i は下から ` 番目のバンドの規格化されたブロッホ関数である。

この表式の意味は次節以降で説明するが、チャーン数と呼ばれる位相幾何学的な意味を持つ特徴的な整数であることを注意しておく。[16, 17, ?, 23, 18, 19]

14 当然どのくらい変化させても変化しないかという見積もりが重要であり、そこの見積もりをきちんとするのがむずかしい。これを定量的にしようとすれば、例えばエネルギーギャップのある場合に断熱近似を用いることが考えられる。
15 D. J. Thouless, M. Kohmoto, M. P. Nightingale, and M. den Nijs, Phys. Rev. Lett 49 405 (1982).

量子ホール効果–その意義と幾何学的および代数的構造 (物性若手夏の学校 2001 年夏 初貝 v1.05)183.1.1

断熱近似による TKNN 公式の導出

ホール伝導度を議論するために磁場に加えてさらに x 方向に電場 Ex をかけ y 方向の電流を計
1 ∂Ax
算してみよう。まず Maxwell の方程式よりスカラーポテンシャルがない場合 Ex = −でc ∂t
あることより、電場の効果を時間に依存するハミルトニアンとして取り込むことを考える。さらに(便宜上) パラメーター Φ を含む形にハミルトニアンを拡張しておく。これはいわゆるアハロノフ・
ボーム磁束に対応する。このときのハミルトニアンは次の形をとる。(波数の和は磁気ブリルアン∫d2 k
ゾーン 0 ≤ kx ≤ 2π/q, 0 ≤ ky ≤ 2π の上でとる。以下これを常に仮定する。 TM BZ (2π)
2 )
Φ 1
acEx
i2π
−i2π
t
Φ0 Ly + h.c.
Φ0H(t, Φ) = Tx e
+ Ty e∫d2 k=H̃(t, Φ, ~k)2
TM BZ (2π)∫
d2 k † ~c (k) H(t, Φ, ~k)c(~k)=
2
TM BZ (2π)
acEx
Φ 1H(t, Φ, ~k) = H 0 (kx + 2πt, ky − 2π
)
Φ0
Φ0 Ly
ここで y 方向の全電流演算子 Iy を次のように書こう。(Byers-Yang の公式とよばれる。)

Iy

=

e
∂H
i(Ty − Ty† ) = c= c∂Φ H(t, Φ)h̄∂Φ Φ=0Φ=0以下断熱近似の範囲で時間に依存する摂動論により y 方向の電流（電流演算子の期待値）を電場の効果を最低次まで計算する。
まず次の事実から確認しよう。一般に時間に依存するハミルトニアン H(t) の基底状態 |G(t)i はスナップショットハミルトニアンの規格直交化された固有状態 |α(t)i

H(t)|α(t)i = Eα |α(t)i, Eg ≤ Eα
を用いて

|haα |ġi| << |Eg − Eα |, α 6= gの範囲で|G(t)i1= eiγ e ih̄
∫ t

iγ

= −

∫ t

dt0 Eg (0|gi + ih̄∑α6=ghα|∂t gi|αi
Eα − Eg

dt0 hg|ġi0となる。1616 まず|G(t)iaα (0)

=
=

e

−i



1
h̄

Z t
0

dt0 Eg (t0 ) X
α

1
0

α=g
α 6= gaα (t)|α(t)i)

量子ホール効果–その意義と幾何学的および代数的構造 (物性若手夏の学校 2001 年夏 初貝 v1.05)19
まず１粒子ハミルトニアンを対角化するユニタリ行列 ψ を求めておく。

ψ † (~k)H(~k)ψ(~k) =H(~k)ψ ` (~k) =diag (E 1 (~k), · · · , E 1 (~k))
E ` (~k)ψ ` (~k)

ψ(~k) = (ψ 1 (~k), · · · , ψ q (~k))
これよりスナップショットの固有状態は一体の状態として（シングルスレーター行列式）次のよ
うにとれる。17と展開する。よって

|Ġi

=

1
−i
Eg
h̄
|Gi + eih̄hg| との内積をとって

Z t

1
dt0 Eg (t0 ) X `
−i
´
1
h̄
0
ȧα |αi + aα |α̇i =H|Gi = e
ih̄
α

Z t
0

dt0 Eg (t0 ) X Eααih̄aα |αiX
Eg
Eg
ag + ȧg +aα hg|α̇i =
|gi
ih̄
ih̄
α

|aα | << |ag |, α 6= g の成立する時間を考えると ȧg + ag hg|ġi ≈ 0 よって
Z t−
dt0 hg|ġi0ag = e= eiγhα|, α 6= g との内積をとると

X
EαEg
aα + ȧα +aα0 hα|α̇0 i =
aα
ih̄
ih̄
0
α

よって上と同じ時間においてはaα ≈ ih̄

ag hα|ġihα|ġi= ih̄eiγ
Eg − EαEg − Eα

これより求める表式が得られる。またこの近似の成立条件はこれより、|hα|ġi| << |Eg − Eα |となる。
17c̃† = c† ψ = c† (ψ 1 , · · · , ψ q )としてc† Hc =XE ` c̃`† c̃``

これら ψ 1 , · · · , ψ q から粒子数分だけ状態をピックアップしたものが固有状態となる。なお波数を固定した場合の一粒子
状態は
Y X †
(
cj α`j (~k))|0i
|αi =
`

j

と書け、この状態に列数がこの波数での占有数 M 、行数が q である行列 α を

α = (α1 , · · · , αM )と対応させると (α` は q 次のベクトル)、状態空間としての内積は M × M 次の行列式で与えられることに注意しよう。

hβ|αi = detM β † α量子ホール効果–その意義と幾何学的および代数的構造 (物性若手夏の学校 2001 年夏 初貝 v1.05)20

H(t, Φ)|α(t, Φ)i= Eα (t, Φ)|α(t, Φ)i∏∑ †=cj ψj` (~k, t, Φ)|0i|α(t, Φ)i

~
k,`

c†j

j

= c†j (kx , ky )acEx
Φ 1t, ky − 2π)ψ ` (t, Φ, ~k)Φ0Φ0 Ly= E0` (t, Φ, ~k)ψ ` (t, Φ, ~k)H(t, Φ, ~k)ψ ` (t, Φ, ~k)= H 0 (kx + 2πを満たすことに注意する。例えば基底状態は波数 ~k 及びバンドインデックス ` を E ` (~k) ≤ EF を満たすように選ぶ。また特に最後の式より

acEx
Φ 1
t, ky − 2π
)
Φ0
Φ0 Ly
Φ 1
acEx
t, ky − 2π)
E0` (kx + 2π
Φ0
Φ0 Ly

ψ ` (t, Φ, ~k) =ψ `0 (kx + 2π

E ` (t, Φ, ~k) =と書ける。ここでH 0 (~k)ψ `0 (~k)

= E0` (~k)ψ `0 (~k)

は外場の無い場合のブロッホ関数が満たす式である。
よって|∂t αi

=

)
(∑
)
0 (∑
∑∏
c†j ψj1 (~k, t, Φ) · · ·c†j ∂t ψj`d (~kd , t, Φ) · · · |0i~
kd ,`d ~
k,`

acEx
= 2π
Φ0
≡ 2π

j

j

0 (∑
∑∏

c†j ψj1 (~k, t, Φ)

)
···

(∑

j

~
kd `d ~k,`c†j ∂kx ψj`d (~kd , t, Φ))· · · |0ij

acEx|∂kx αiΦ0ここで積の 0 は ~kd , `d にだけ微分がかかりその他は |αi と同じものが現れることを意味する。最後の式は前式の略記である。( 微分は係数にのみ作用すると思える) これと全く平行に|∂Φ αi

=

)
(∑
)
0 (∑
∑∏
c†j ψj1 (~k, t, Φ) · · ·c†j ∂Φ ψj`d (~kd , t, Φ) · · · |0i~
kd ,`d ~
k,`

1 1
= −2π
Φ0 Ly
≡

−2π

j

j

0 (∑
∑∏
~
kd ,`d ~k,`c†j ψj1 (~k, t, Φ)

)
···

(∑

j

c†j ∂ky ψj`d (~kd , t, Φ))· · · |0ij

1 1|∂k αi
Φ0 Ly yここでも最後の式はその前の式の略記である。
次に以下の事実を確認しよう18hβ|∂Φ H|αi = (Eα − Eβ )hβ|∂Φ αi = (Eβ − Eα )h∂Φ β|αi, (β 6= α)
18 H(t, Φ)|α(t, Φ)i = E

α (t, Φ)|α(t, Φ)i より (∂Φ H)|αi + H|∂Φ αi = (∂Φ Eα )|αi + Eα |∂Φ αi よって β 6= α として

hβ|∂Φ H|αi = (Eα − Eβ )hβ|∂Φ αi

量子ホール効果–その意義と幾何学的および代数的構造 (物性若手夏の学校 2001 年夏 初貝 v1.05)21
これより19 20

hIy i = hG|Iy |Gi∑ hg|∂Φ H|αihα|∂t gi − h∂t g|αihα|∂Φ H|gi
= cih̄
Eα − Eg
α6=g∑= cih̄
(−h∂Φ g|αihα|∂t gi + h∂t g|αihα|∂Φ gi)
α6=g

(
)
acEx
1 1 ∑
= (cih̄)(2πh∂kx g|αihα|∂ky gi − h∂ky g|αihα|∂kx gi
)(−2π
)
Φ0
Φ0 Ly
α6=g
(
)
e2 aEx ∑= −i2πh∂kx g|αihα|∂ky gi − h∂ky g|αihα|∂kx gi
h Ly
α6=g
(
)
2
e aEx
h∂kx g|∂ky gi − h∂ky g|∂kx gi= −i2πh Ly

また hβ(t, Φ)|H(t, Φ) = hβ(t, Φ)|Eβ (t, Φ) よりh∂Φ β|H + hβ|∂Φ H = h∂Φ β|Eβ + hβ|∂Φ Eβ
よって α 6= β としてh∂Φ β|H|αi = (Eβ − Eα )h∂Φ β|αi

またhα|∂Φ H|αi = ∂Φ EΦ (Feynmann)
19 hg|I |gi = 0y20 h∂ g|gi + hg|∂ gi = 0 を示せ。
kk

量子ホール効果–その意義と幾何学的および代数的構造 (物性若手夏の学校 2001 年夏 初貝 v1.05)22
以下これを変形して2121 まず、
0 X
X † b
X Y
cj ψj d (kd )) · · · |0i(c†j ψj1 (k)) · · · (|∂kx gi =h∂kx g|∂ky gi =jj

kd ,bd k,b

XXX
m m0

k

X
X
X †
X †
0
h0|(
cj ψj∗1 ) · · · (cj ψj∗m ) · · · · (cj ψj1 ) · · · (cj ψjm ) · · · |0i
j

0

1
B
B
B
B
B
m B
B∗
B
X X
B
det
B
B
k m6=m0
B
B
B
m0 B
B∗
B
@

+

k

=

det diag

X Xk

第一項は m, kx

C
C
C
C “
C
C ψ1
C
C
C
A

det

m6=m0

↔ m0 , k

det

m0 ↓

0

ψ m −1···∂ky ψ m

1

..

0

0

ψ m +1

···

m0

1

.

···

1
∗

∂kx ψ m† ψ m

∗
1

···
..

···

∗

0

ψm † ψm∗∗∂kx ψ m† ∂ky ψ m1∗

ψ m † ∂ky ψ m

0

∗

···

∗
1

···

.

···

0

0

..

···

1

m
∂kx ψ m† ∂ky ψ mm

X X
k m6=m0

=

“

j

m

0

XX

j

1

ψ 1†
.
..
m−1†
ψ
∂kx ψ m†ψ m+1†
.
..

B
B
B
B
XXX
B
=
det
m→ B
B
0
k m m
B
B
@

=

j

∂kx ψ m† ψ m
0ψm † ψm−ψ m† ∂kx ψ m0ψm † ψm∂kx ψ m† ∂ky ψ m
00
ψ m † ∂ky ψ m

0∂kx ψ m† ∂ky ψ m
00
ψ m † ∂ky ψ m

1
!
0

+

!

···

”

XX

∂kx ψ m† ∂ky ψ m

m

k

+

.

XX
k

∂kx ψ m† ∂ky ψ mm

y の入れ換えで不変だから (ϕm† ψ m = hϕm |ψ m iの記法を用いる。)

h∂kx g|∂ky gi − h∂ky g|∂kx gi

=

XX
k

(∂kx ψ m† ∂ky ψ m − ∂ky ψ m† ∂kx ψ m )

m

Lx Ly

XZ

Lx Ly

XZ

Lx Ly

XZ

=

Lx Ly

XZ

=

hψ |∇k ψ b i

=

b

=

b

=

b

b

~`
A

` ~

d2 k
(h∂kx ψ ` |∂ky ψ ` i − h∂ky ψ ` |∂kx ψ ` i)
(2π)2
d2 k
(∂kx hψ ` |∂ky ψ ` i − ∂ky hψ ` |∂kx ψ ` i)
(2π)2
d2 k
(∂kx A`y − ∂ky A`x )
(2π)2
d2 k
~` )z
(rotk A
(2π)2

C
C
C
C
C
C
C
C
C
C
C
C
C
C
C
C
C
A

”

量子ホール効果–その意義と幾何学的および代数的構造 (物性若手夏の学校 2001 年夏 初貝 v1.05)23

hIy i

∑ 1
e2
aEx Lxh2πi=∫~ ` )zd2 k (rotk A
TM BZ

`

= σyx Vx , (Vx = Ex aLx )∫e2 ∑ 1~ ` )z = −σxy=d2 k (rotk Ah
2πi TM BZ

σyx

`

~`
A

~ k ψ` i= hψ ` |∇これが求める式であった。

3.1.2

チャーン数と渦度、ディラックモノポールとのアナロジー

前節で与えられたホール伝導度の表式のトポロジカルな意味をここで詳しく議論しよう [16, 17,?, 23, 19]。前節の結果を次の様に書こう。
j, bulk
σxy

c`
~`
B
~`
A
|Ψi

j
∑
e2
= − C, C =
c`
h
`=0
∫
1
~k · B~`=dS
2πi TM BZ~`= rotk A~ k ψ` i= hψ ` |∇Ψ1q .  ∑..  ,= |Ψk |2 = 1


k=1
Ψq

この c` を ` 番目のバンドのチャーン数と呼ぶ。
最初に積分領域である磁気的ブリルアンゾーンは x 方向に周期 2π, y 方向に周期 2π/q と周期的でありトーラス T 2 と見なせることに注意しよう。 よって単純にストークスの定理を適用すると境界がないことより

cj = 0~ は定義されとなる これは正しくない。ブリルアンゾーン上で被積分関数に特異性があり全域で A
ないのである。
この特異性をていねいに議論しよう。[17, 19] 22
最初にブロッホ関数 |Ψ(~k)i は位相の自由度を持つことに注意する。つまり任意の関数 ξBA (~k)
に対して~|ΨB i = eiξBA (k) |ΨA i
これより

hIy i

=
=

σyx

=

X 1
e2
aEx Lxh2πibZ~ b )zd2 k (rotk A

TM BZ

σyx Vx , (Vx = Ex aLx )Z
e2 X 1~b )z = −σxyd2 k (rotk A
h b 2πi TM BZ

22 M. Kohmoto, Ann. Phys. (NY) 160,355 (1985). Y. Hatsugai, Phys. Rev. Lett. 71, 3697 (1993)

量子ホール効果–その意義と幾何学的および代数的構造 (物性若手夏の学校 2001 年夏 初貝 v1.05)24と２つのブロッホ関数 |ΨA,B i をの間の関係を定めれば~ k ΨB i = A~A + ∇~ k ξBA (~k)
A~B = hΨB |∇よって~ B = rot A~A
rot Aとチャーン数は不変である。これは磁気的ブリルアンゾーン上でのゲージ変換と対応する場の量の不変性と解釈できる。このゲージ変換の自由度 ( 結局、これはよく知られた線形方程式の固有ベク
トルの位相は確定しないことにこの自由度は起因する。) を用いて特異性なくチャーン数を計算することを考えよう。具体的に計算を実行するには何らかのゲージ（位相）を固定することが必要である。ここでは第一のゲージとしてある方法で得られた規格化されたブロッホ関数 |Ψ̄iに適当な位相因子をかけ、ブロッホ関数の第 q 成分が正の実数となるようにしよう。

|ΨA i= e−iArg Ψ̄q |Ψ̄i

ΨA
q

> 0

これは Ψ̄q のゼロ点以外であれば常に可能である。逆にいうと Ψ̄q のゼロ点Ψ̄q = 0ではこのゲージ A（ルール）ではブロッホ関数が一意に決まらない。そこでこのような点~k = ~ks , s = 1, · · · ,Ψ̄q (~ks ) = 0の近傍 Rs では別なゲージとして|ΨB i= e−iArg Ψ̄1 |Ψ̄i

ΨB
1

> 0

なるものをとることとしよう。(これらの近傍は Ψ̄q のゼロ点を１個だけ含むみ、Ψ̄1 のゼロ点は含まないように十分小さくとる。) この２つのゲージをつなぐゲージ変換は

ξBA = Im log

Ψ̄q
Ψ̄1

であり（Ψ̄1 , Ψ̄q のゼロ点以外で）定義されることとなる。これらの２つのゲージを使い磁気的ブリルアンゾーン TM BZ を次のように分割する。

R=

∪
i=1

Rs ,

TM BZ \R

量子ホール効果–その意義と幾何学的および代数的構造 (物性若手夏の学校 2001 年夏 初貝 v1.05)25

0.8

0.8

0.6

0.6

»vq»0.4»v1»0.4

0.2

0.2

0

0
kx

ky

kx

ky

図 5: φ = 13 の場合の下から２番目のエネルギーバンドのブロッホ関数の振幅

量子ホール効果–その意義と幾何学的および代数的構造 (物性若手夏の学校 2001 年夏 初貝 v1.05)26

|ψq |

|ψ1 |

kx

(0,2π)

kx

(0,0)

kx

図 6: φ = 13 の場合の下から２番目のエネルギーバンドのブロッホ関数の振幅と相対位相から定まる渦度(2π/3,2π)

ky

ky

ky

ψq
ξ = Arg ψ
1(2π/3,0)量子ホール効果–その意義と幾何学的および代数的構造 (物性若手夏の学校 2001 年夏 初貝 v1.05)27

0.8

0.8

0.6
»vq»0.4

0.6»v1»0.4

0.2

0.2

0

0
ky
kx

ky
kx

図 7: φ = 25 の場合の下から 1 番目のエネルギーバンドのブロッホ関数の振幅

量子ホール効果–その意義と幾何学的および代数的構造 (物性若手夏の学校 2001 年夏 初貝 v1.05)28

|ψ1 |

|ψq |

ψq
ξ = Arg ψ
1(0,2π)kykykx(2π/5,2π)

ky

kx

(0,0)

kx

図 8: φ = 25 の場合の下から 1 番目のエネルギーバンドのブロッホ関数の振幅と相対位相から定まる渦度(2π/5,0)量子ホール効果–その意義と幾何学的および代数的構造 (物性若手夏の学校 2001 年夏 初貝 v1.05)29
その後、それぞれの領域でストークスの定理を使うこととするよって
∫
∫
1
cj =
d2 k (rot AB )z +d2 k (rot AA )z
2πi R
TM BZ \RI
I
1~A=d~k · A~B +d~k · A2πi ∂R∂(T \R)
(
)
I
1 ∑
~
~
B
A
~
=
dk · A − A
2πi s ∂Rs
∑ 1 I=
d~k · ξ~BA
2π
∂R
s
s
∑ 1 I
=
d~k · Im log Ψq (~k)
2π ∂Rs
s
∑
Ns
=
s

Ns

=

1
2π

I
d~k · Im log Ψq (~k)
∂Rs

となる。
つまりチャーン数はブロッホ関数 (の任意) のある成分のゼロ点が定義するゼロ点 (s) まわりの整数である渦度 Ns の和として与えられることがわかった。
これは数学的にはこの状況はファイバーバンドルとして記述されることを意味する。よく知られた類似の例としは Dirac の単磁極の例がある [29, 30]。このアナロジーによれば、ホール伝導度の量子化は単磁極の量子化のアナログとも考えられる。
これを復習してみよう。極座標表示された次の２つの異なるベクトルポテンシャルを考える。

~A
A
~B
A

1 − cos θ
1~eφ = g(−y, x), ~eφ = (− sin φ, cos φ)r sin θr(r + z)1 − cos θ1= −g~eφ = −g(−y, x)r sin θr(r − z)

= g

これらは

~A − A~B
A= g

2
1 ∂ξBA~eφ , =~eφ ,r sin θr sin θ ∂φ

~ BA
= ∇ξ
ξBA

= 2gφ

と書ける。これらは ξBA によるゲージ変換で結ばれているためその磁場は等しく

~
B

=
=

~ A = rot A
~B
rot A
~r
r3

となり原点に磁場の湧き出しがあることとなる (磁気単極子)。ただし AA , AB の定義域について考えてみると分母がゼロとなるところでは定義されていないことから{~ A : z 軸負方向をのぞく, (cos θ 6= −1)
A~ B : z 軸正方向をのぞく, (cos θ 6= +1)
A量子ホール効果–その意義と幾何学的および代数的構造 (物性若手夏の学校 2001 年夏 初貝 v1.05)30となっていることに注意しよう。
（これらの特異点はストリングと呼ばれることがある。）次に原点を含む閉曲面上（例えば単位球面上）で全磁束を計算することを考えると∫~ ·B~ = 4πgΦtotal =dSS~ の表式よりすぐにわかる。一方これをストークスの定理を用いてベクトルポテンシャとなるのは B
ルから計算してみよう。その際、上記のベクトルポテンシャルの特異性に注意すると球面 A を北半球 SA 、 南半球 SB 、に分けそれぞれで異なるゲージを用いて計算することが必要となる。
∫
∫
∫
~ ·B
~ =
~ ·B
~+
~ ·B
~
Φtotal =
dS
dS
dS

∫S

A
B
∫
A
~
~
~
~B
=
dS · rot A +dS · rot A
A
B
∫
∫
A
~
~B
=
d~r · A +d~r · A∂SA∂SB∫
~A − A~ B ), (Ceq = ∂CA : 赤道, θ = 0)=
d~r · (A

∫

Ceq

∫ 2π
~ BA =
d~r · ∇ξ=Ceq

dφ 2g = 4πg0つまり、ベクトルポテンシャルに特異性が（必然的に）ある場合、全系で一度に積分定理を使うのではなく適宜領域をパッチにわけそれぞれの領域ごとに適用すればよいことのである。

3.2

境界のある系でのゲージ不変性による Laughlin の議論

ここでは Lauglin によるホール伝導度の量子化に関するゲージ不変性の議論を紹介したい [7, 8]。
現実のサンプルには必ず境界があることを考え図のようなシリンダー状のいわゆる Laughlin の配置を考えよう。ここで Φ はシリンダーを貫くアハロノフ・ボーム磁束である。

B

Φ

Iy

Vx

図 9: Laughlin の配置。シリンダー状の系に幅をよぎる方向に電圧をかけ、輪の方向の電流を測定する

量子ホール効果–その意義と幾何学的および代数的構造 (物性若手夏の学校 2001 年夏 初貝 v1.05)31
この配置で Laughlin は次のような議論を行った。Φ を断熱的に ∆Φ だけ変化させる。その過程で系にした仕事量 ∆E を計算しよう。そのときシリンダーの輪方向の電流 Iy はいわゆる Byers-Yangの公式 [25] により、

Iy = c∆E∆Φとなる。23
このとき ∆Φ = Φ0 Φ0 = hce は磁束量子である場合を考える。(系が十分大きいとき磁束単位の変化は境界条件の変化とみなせるので微小変化と考えられ微分に置き換えられる) アハロノフ・
ボーム磁束を磁束量子変化させた場合、物理系は（大きな）ゲージ変換によりもとの状態に戻る。
よってこのあいだになされた仕事量は、シリンダーの一方の端から他端へ 何個か (整数 n 個) 電子が移動されたことによると考えられる。そこでこの両端の間の電位差を Vx とすると ∆E = neVxとなる。これらを代入すれば

e2
Vxh
これが Laughlin による整数量子ホール効果の量子化に関する説明である。[7] これは非常に強力な議論で乱れのある場合等、種々の状況に拡張可能である汎用の考察である。ただし「ここでの n
Iy = nは整数ではあるがいくつであるかはこの議論からは定められない」点にその最大の弱点がある。
さらにこの議論は分数量子ホール効果の場合にも拡張されそこでの有効的な分数電荷の存在と基底状態の多重性を意味することとなる。(講義では時間があれば議論する予定)
実はこの Laughlin の議論では不定であった整数 n にはバルク（無限系）の場合とは全く異なる
位相幾何学的意味があるのである。それについて次に紹介したい [18]。

3.3境界を持つ系におけるホール伝導度のトポロジカルな意味— リーマン面上でのエッジ状態の回転数と交点数 —[18]配置としては Laughlin のものと同じシリンダー状の系を考える。具体的には図のような系を考え y 方向へは周期的境界条件をとる。ゲージとしては、シリンダーの両端をつなぐ方向へ増加す
るランダウゲージで考える。

23 当面のところこれをまず認めよう。

量子ホール効果–その意義と幾何学的および代数的構造 (物性若手夏の学校 2001 年夏 初貝 v1.05)32

Φ

Iy

Vx

(1,Ly )

(1,1)

(Lx-1,L y )(Lx -1,1)

図 10: 格子上での境界のある系、Laughlin の配置。y 方向に Ly サイト、x 方向に Lx − 1 サイトとし、y 方向には周期的境界条件をおく。
次の数節は少し話が細かく、長くなる。そこで以下具体的に議論するまえに議論の大筋を説明しておこう。
このゲージのもとで系はシリンダーの輪の方向には最小の並進で不変であることに注意しよう。
これより２次元の問題は、シリンダーの輪の方向の波数 ky ごとの１次元系に帰着することに注意する。さらにこの１次元系は両端をもつのでその両端に局在した束縛状態をもつ場合がある。この束縛状態が２次元系の言葉では量子ホール効果においてエッジ状態と呼 ばれるものである。その束縛状態の振る舞いがホール伝導度、つまり Laughlin の議論の未定の整数 n を定めるわけだが、その振る舞いはこの１次元系の複素エネルギー面を考えるとわかりやすい。(量子力学で習う

Levinson の定理を思い出してもらうといいかもしれない。束縛状態（エッジ状態）と散乱状態（バルク状態）はお互いに関連しており、他の有名な応用としては Friedel の総和則があるのはよく知られている。) この複素エネルギー面はやや複雑でエネルギーバンドが q 個 (φ = p/q の時を考えて。) あることに対応して g = q − 1 個の穴をもつ浮輪となる。(図 11) これはリーマン面と呼ばれる。

量子ホール効果–その意義と幾何学的および代数的構造 (物性若手夏の学校 2001 年夏 初貝 v1.05)33

R

+

Ι1

Ιg

α1

αg
R

-

図 11: 磁場中の電子系の複素エネルギー面としてのリーマン面 Σg 。穴の数 g = q − 1 はエネル
ギーギャップの個数に等しく、単位格子あたりの磁束は φΨ0 = pq Ψ0 である。
この g 個の穴が q − 1 個のエネルギーギャップに対応する。この複素エネルギー面上で束縛状態(エッジ状態) のエネルギーは g 個存在することとなる。以上はシリンダーの輪方向の波数 ky を固定した１次元系の議論である。次に、波数 ky を 0 から 2π まで変化させることを考え２次元の問題を議論しよう。すると 0 と 2π は同一視すべきであることを考えると g 個のエッジ状態のエネ
ルギーはこの浮輪上で閉曲線をつくることになる。復習すると浮輪の穴はエネルギーギャップ (下から j 番目のエネルギーギャップとしよう) に対応していたわけだがその穴のまわりをエッジ状態のエネルギーが何回か (Ij 回) まわるわけである。実はここで与えた回転数 Ij がフェルミエネル
ギーがそのエネルギーギャップにある状況における Laughlin の未定整数 n を与えることとなるのである。[18, 19] 24


境界を持つ系でのホール伝導度のトポロジカルな表式

σxyedge = −Ij

3.3.1

e2
h



転送行列とエッジ状態

ハミルトニアンはバルクの場合と同じ次のものをとる。境界条件は y 方向には aLy の長さで周期的 x 方向には a(Lx − 2) の長さで固定端の境界条件をおく (サイト数としては Lx − 1 個。)
配置としては Laughlin のものと同じシリンダー状の系を考える。具体的には図のような系を考え y 方向へは周期的境界条件をとる。ゲージとしては、シリンダーの両端をつなぐ方向へ増加す
るランダウゲージで考える。

Φ 1
i2π
∑ †
∑ †
Φ
0 Ly
cm+1,n cm,n + e
cm,n+1 ei2πφm cm,nH(Φ) =m,nm,n現在の系は y 方向にだけ周期的であることに注意して y 方向には運動量表示とした演算子 cm (~k)
を導入しよう。

∑
1eiky n cm (ky ), (ny = 1, · · · , Ly )cm,n= √
Ly ~ny
ky =2π Ly

24 Y. Hatsugai, Phys. Rev. Lett. 71 3697 (1993) ,Phys. Rev. B48 11851 (1993)

量子ホール効果–その意義と幾何学的および代数的構造 (物性若手夏の学校 2001 年夏 初貝 v1.05)34
すると

H

=

∑

H(ky , Φ)ky

H(ky , Φ)

=

−t

L∑
x −2

[c†m+1 (ky )cm (ky ) + c†m (ky )cm+1 (ky )]

m=1

−2t

L∑
x −1

cos(ky − 2πm=1Φ
− 2πφm)c†m (ky )cm (ky ).
Φ0 Ly

この系はをパラメターとする１次元系のハミルトニアンの和であるから、１次元系の一粒子シュ
レディンガー方程式

H(ky , Φ)|Ψ(ky , Φ)i|Ψ(ky , Φ)i= E(ky , Φ)|Ψ(ky , Φ)i∑=Ψm (ky , Φ)c†m (ky )|0imをまず考えよう。ここでΨm (ky , Φ) = Ψ0m (ky − 2πΦ)Φ0と Φ 依存性は ky 依存性に吸収できることに注意しよう。まずこの波動関数 Ψ0m は次の関係式を満たすことに注意しよう。

−t(Ψ0m+1 (ky ) + Ψ0m−1 (ky )) − 2t cos(ky − 2πφm)Ψ0m (ky ) = EΨ0m (ky )これを  = Et として、いわゆる転送行列の形で次のように書こう。
))((
Ψ0m+1 (, ky )
Ψ0m (, ky )= M̃m (, ky )
Ψ0m (, ky )
Ψ0m−1 (, ky )(M̃m (, ky ) =− − 2 cos(ky − 2πφm)
1

−1
0

)

これを繰り返しつかうことで (添え字の 0 を省略する)
(
)
(
)
(
)l
ΨLx +1 ()Ψ1= M (),ΨLx ()Ψ0(
M () = M̃q ()M̃q−1 () · · · M̃2 ()M̃1 () =M11 () M12 ()M21 () M22 ()),を得る。ここで M11 (), M12 (), M21 (), M22 () は  のそれぞれ q, q − 1,q − 1 q − 2 次の多項式である。
この転送行列及び境界条件から系の波動関数、スペクトルが求まることとなる。( この１次元系は格子上の Hill 方程式と呼ばれ Strum-Liouville 型の微分方程式の一般論の格子アナログが古くからある（例えば戸田盛和著「非線形格子」等) ここでの１次元系での議論はその結果を使うこととなる。ここで我々の問題とする点はそれらがどのように２次元の物理と関連するかにある。

[26, 27, 28] )付加的な条件として、ここで系の大きさに対して整合性のLx − 1 = q`, `|(Lx − 1)

量子ホール効果–その意義と幾何学的および代数的構造 (物性若手夏の学校 2001 年夏 初貝 v1.05)35を要求しよう。
このとき、系のスペクトルは境界条件

Ψ0 = ΨLx = 0から定まることとなる。規格化の条件として

Ψ1 = 1をとれば

ΨLx = M21 () = 0
は Lx − 1 次の方程式の解であり Lx − 1 個の実根を持つ。これがこの１次元系のスペクトルを与えることとなる。(実根であることはそれらがエルミート行列の固有値であることから保証される。)
まず

M12 () = 0の解 µj , j = 1, · · · , q − 1 = g が ΨLx = M21 () = 0 を満たすことは三角行列の冪乗は三角行列であることからわかる。これらがすべて実であることは g = q − 1 サイトの系の固有値であることが保証する。実はこの g = q − 1 個がエッジ状態のエネルギーである。
転送行列より k を一般の整数として

Ψqk+1 (µj ) = [M11 (µj )]kとなる。これより一般には |M11 (µj )| 6= 1 であるから|M11 (µj )| < 1 :x ≈ 1 に局在したエッジ状態|M11 (µj )| > 1 :x ≈ Lx − 1: (左の境界)に局在したエッジ状態: (右の境界).

であることがわかる。(|M11 (µj )| 6= 1 を満たす状態は後で判るようにバルク状態と縮退した状態
であり、トポロジカルな議論においてもバルクとエッジの議論をつなぐ重要な役割を持つ。)

3.3.2

転送行列とバルク状態

転送行列を使って境界が無い場合つまりバルクの系について議論しよう。
境界の無い場合この１次元系は周期 q を持つ周期系であるからブロッホの定理により

Ψm+q () = ρ()Ψm (), |ρ()| = 1.と書ける。これは

(

Ψq+1
Ψq

)

(
=M

Ψq+1
Ψq

)

(
=ρ

Ψ1
Ψ0

)

つまり ρ は転送行列 M の固有値であることを意味する。これから (det M̃m () = 1 がすべての mで成立するのでdet M () = M11 ()M22 () − M12 ()M21 () = 1,)
ρ2 − ∆ρ + 1 = 0, ∆ = TrM = M11 + M22

量子ホール効果–その意義と幾何学的および代数的構造 (物性若手夏の学校 2001 年夏 初貝 v1.05)36を満たす。二次方程式の議論から |ρ| = 1 はエネルギー  を実として

(

∆()

)2

≤4

と同値で、これがエネルギーバンドのエネルギーを与える式となることを注意しよう。一般にエネ
ルギーバンドは q 個あるから∆()2 − 4 = ( − λ1 )( − λ2 ) · · · ( − λ2q−1 )( − λ2q )とバンド端のエネルギー λj , (λi < λj , i < j) を用いて因数分解できることに注意しよう。よって

ρ(z) =√
1(∆(z) − ∆(z)2 − 4)2

ここで分枝を定めるためにエネルギー  を解析接続して複素エネルギー z を導入した。
次にバルクの系に対しても波動関数は境界を持つ場合と同様の規格化条件

Ψ1 = 1を要求すると転送行列の固有ベクトルから次のように Ψq は定まる。25

Ψq (z)ρ(z)M21 (z)ρ(z) − M22 (z)√M11 + M22 − ∆2 − 4√
M21
M11 − M22 − ∆2 − 4==

ここで波動関数は複素エネルギー面上で定義されていることに注意しよう。
この複素エネルギー面（リーマン面）についてここでしばらく議論しよう。
次の複素関数のリーマン面について考えよう。
√√
f (z) = ∆(z)2 − 4 =(z − λ1 )(z − λ2 ) · · · (z − λ2q−1 )(z − λ2q )まず、図の様に g = q − 1 個のブランチカットを[λ1 , λ2 ], · · · , [λ2q−1 , λ2q ]を入れた R+ , R− ２枚のシート（リーマン球：無限遠点を同一視した複素平面）を用意する。
次にそれらをはりあわせてリーマン面を構成する。その際ブランチカットにおける√z∞ のとき ∆2 − 4 > 0 と向きに注意する。（図を参照） ただし分枝は R+ 上でとろう。すると下から j 番目のエネルギーギャップのエネルギー内のエネルギー  に関してはα(−1)j√∆2 − 4 > 0, z ∈ Rα , (α = ±)

となる。
25

„

M11 − ρM21より

Ψ0 (z) =M12
M22 − ρ

«„

Ψ1
Ψ0

«

= ~0

M21 (z)M11 (z) − ρ(z)=
ρ(z) − M22 (z)M12 (z)量子ホール効果–その意義と幾何学的および代数的構造 (物性若手夏の学校 2001 年夏 初貝 v1.05)37

∞

+
R

R

λ3

λ2

λ4

λ5

λ1

λ3

λ2

λ6

∞

-

λ4

λ5

λ1

λ6

図 12: ステップ 1：実軸にブランチカットをいれる

∞

+
R

λ2

λ4

λ3

λ1

∞

R

λ5

λ2
λ6

λ4

λ3

λ5

λ1

図 13: ステップ 2：実軸にブランチカットをを切り開く

R-

R

R+
R

+

図 14: ステップ 3：少し変形する

λ6

量子ホール効果–その意義と幾何学的および代数的構造 (物性若手夏の学校 2001 年夏 初貝 v1.05)38

R

+

R-

図 15: ステップ 4：相対的な配置をかえ、張り合わせよう。

labelfig:step4+
RR
図 16: ステップ 5：出来上がり：ギャップが２個あるとき穴が２個できた

量子ホール効果–その意義と幾何学的および代数的構造 (物性若手夏の学校 2001 年夏 初貝 v1.05)39
この数学的事実を現在の物理的状況の下でまとめると

1 次元系のリーマン面

複素エネルギー面↔

種数（穴の数）g のリーマン面Σg

q 個のエネルギーバンド ↔

q 個のブランチカット(q 個)(: リーマン面上くびれの部分)

g = q − 1 個のエネルギーギャップ ↔

g = q − 1 個のリーマン面上の穴と対応することになる。

3.3.3

リーマン面上のエッジ状態

前節での議論より、波動関数はそのエネルギーに関してリーマン面 Σq 上で定義されていると考えられることがわかった。
ここでエッジ状態のエネルギー µj に関しては

M21 (µj ) = 0
であるから、det M = 1 より

M11 M22 = 1, ∆2 − 4 = (M11 − M22 )2
さらに ∆() の最高次の係数を考えて∆ = M11 + M22{≥ +2 j：偶数≤ −2 j：奇数

よってこれからリーマン面上のブロッホ関数のエッジ状態のエネルギー近傍の振る舞いは26

Ψq (µj + δ) ≈M11 + M22 − α(−1)j |M11 − M22 |M21 , (µj ∈ Rα ),M11 − M22 − α(−1)j |M11 − M22 |この分母をエッジ状態のエネルギー近傍で考えよう。まず j が偶数の場合 M11 + M22 ≥ 0 であるから M11 M22 = 1 より

M11 − M22 − α|M11 − M22 |{M11 − M22 − α(M22 − M11 ) 左の境界に局在 |M11 | ≤ 1 : (M22 ≥ M11 )=M11 − M22 − α(M11 − M22 ) 右の境界に局在 |M11 | ≥ 1 : (M11 ≥ M22 )より

M11 − M22

− α|M11 − M22 |≈ 0 (リニアにゼロとなる),

26



{

左の境界に局在 : α = − の時
右の境界に局在 : α = + の時

q∆(µj )2 − 4 = α(−1)j |M11 − M22 |量子ホール効果–その意義と幾何学的および代数的構造 (物性若手夏の学校 2001 年夏 初貝 v1.05)40
つぎに j が奇数の場合 M11 + M22 ≤ 0 であるから M11 M22 = 1 より

M11 − M22 + α|M11 − M22 |{M11 − M22 + α(M11 − M22 ) 左の境界に局在 |M11 | ≤ 1 : (M11 ≥ M22 )=M11 − M22 + α(M22 − M11 ) 右の境界に局在 |M11 | ≥ 1 : (M22 ≥ M11 )より

M11 − M22

+ α|M11 − M22 |{≈ 0 (リニアにゼロとなる),

左の境界に局在 : α = − の時
右の境界に局在 : α = + の時

つまり j の偶奇によらず、Ψq (µj ) の上記の表式の分母はエッジ状態が左の境界に局在している時は α = − の時にまたは右の境界に局在しているときは α = + の時にリニアにゼロとなることがわかる。ここで M21 () は µj でリニアにゼロとなるから Ψq はリーマン面上片方のシート上のエッ
ジ状態のエネルギーでのみゼロとなり、つまりエッジ状態の境界条件をみたし (Ψq = ρΨ0 ) そのときのエッジ状態のエネルギーのシートとエッジ状態の局在している空間的位置が対応することがわかる。
これらの対応をまとめると

ブロッホ状態のリーマン面とエッジ状態

エッジ状態は左の境界に局在する↔

Ψq (z) は R+ 上 (z = µj ) で零点を持つエッジ状態は右の境界に局在する↔

Ψq (z) は R− 上 (z = µj ) で零点を持つエネルギーバンド↔

ブランチカット(q 個)エネルギーギャップ(: リーマン面上のくびれ)↔

リーマン面上の穴(g = q − 1 個)
つまり複素エネルギー面としてのリーマン面上のブロッホ関数のゼロ点をみればエッジ状態の空間的な情報がえられることとがわかった [18]。

3.3.4

リーマン面上の回転数、交点数と Laughlin の議論

前節の議論はすべて y 方向の波数 ky を固定した１次元系のものであったがここでそれを２次元の問題へ適用しよう。まず、ky を変化させても１次元系のエネルギーギャップは閉じないものとしよう。つまり２次元の問題として安定なエネルギーギャップの存在を仮定しよう。( これが閉じる
場合リーマン面にトポロジカルチェンジがおきるわけで、そこでは量子相転移が起こり、後述する

Dirac Fermion に有効的に現れることとなる。) この仮定のもとでは各波数でのリーマン面のトポ
ロジカルな構造は不変であることに注意し、それらを同一視しよう。さらに波数 ky = 0 と 2π は同一視されるから（ブリルアンゾーン）束縛状態 (エッジ状態) の個数だけあるエッジ状態のエネ
ルギーを与えるゼロ点 µj はリーマン面上で向きのついた閉ループ

Cj : {z = µj (ky )|ky ∈ [0, 2π]}

量子ホール効果–その意義と幾何学的および代数的構造 (物性若手夏の学校 2001 年夏 初貝 v1.05)41を作ることとなる。一般には、これらの閉ループはリーマン面上の穴の周りを数回回転し、その符号をつけた回転数 Ij が定義されることとなる。
ここでいくつか具体的な計算例をしめそう。（図参照）(a):p= 2,q= 7 ; r=1.0

3.0

2.0

Energy

1.0

0.0

-1.0

-2.0

-3.0

0.0

ky

2π

図 17: φ = 27 の場合のエネルギーバンド (斜線の領域) とエッジ状態のエネルギー ( 実線：右端に局在したエッジ状態、破線：左端に局在したエッジ状態)。エッジ状態が作る閉曲線のリーマン面
上での交点数は下のエネルギーギャップから順に 1 である。

量子ホール効果–その意義と幾何学的および代数的構造 (物性若手夏の学校 2001 年夏 初貝 v1.05)42(b):

p= 3,q= 7 ; r=1.0

3.0

2.0

Energy

1.0

0.0

-1.0

-2.0

-3.0

0.0

ky

2π

図 18: φ = 37 の場合のエネルギーバンド (斜線の領域) とエッジ状態のエネルギー ( 実線：右端に局在したエッジ状態、破線：左端に局在したエッジ状態)。エッジ状態が作る閉曲線のリーマン面
上での交点数は下のエネルギーギャップから順に −3, 1, −2, 2, −1, 3 である。

量子ホール効果–その意義と幾何学的および代数的構造 (物性若手夏の学校 2001 年夏 初貝 v1.05)43(c):

p= 2,q= 5 ; r=1.0

3.0

2.0

Energy

1.0

0.0

-1.0

-2.0

-3.0

0.0

ky

2π

図 19: φ = 25 の場合のエネルギーバンド (斜線の領域) とエッジ状態のエネルギー ( 実線：右端に局在したエッジ状態、破線：左端に局在したエッジ状態)。エッジ状態が作る閉曲線のリーマン面
上での交点数は下のエネルギーギャップから順に −2, 3, 1, −1, −3, 2 である。

量子ホール効果–その意義と幾何学的および代数的構造 (物性若手夏の学校 2001 年夏 初貝 v1.05)44(d):

p= 1,q= 6 ; r=1.0

3.0

2.0

Energy

1.0

0.0

-1.0

-2.0

-3.0

0.0

ky

2π

図 20: φ = 16 の場合のエネルギーバンド (斜線の領域) とエッジ状態のエネルギー ( 実線：右端に局在したエッジ状態、破線：左端に局在したエッジ状態)。エッジ状態が作る閉曲線のリーマン面
上での交点数は下のエネルギーギャップから順に 1, 2, 不定, −2, −1 である。この場合、ギャップが途中で閉じるトポロジカルチェンジが起きる例である。
図中では各波数 ky ごとに複素エネルギー面としてのリーマン面 Σg (ky ) を考える。
そのときの安定なギャップの数が g = q − 1 で、図で斜線で示した q 個の領域がエネ
ルギーバンド、その間の領域がエネルギーギャップである。そのエネルギーギャップの中の実線、及び点線がエッジ状態のエネルギー µj 、すなわちブロッホ関数 Ψq のゼロ点で実線、点線はそのゼロ点がリーマン面 Σg 上 R+ , R− にあること、つまりエッジ

量子ホール効果–その意義と幾何学的および代数的構造 (物性若手夏の学校 2001 年夏 初貝 v1.05)45
状態が左端、または右端に局在していることを意味する。
一般的な状況にかえって、リーマン面上の基本的な閉ループ

αj , j = 1, · · · , q

R

+

Ι1
α1

Ιg
αg

R

-

図 21: リーマン面上の閉曲線を用いてブッロホ関数のゼロ点（エッジ状態のエネルギー）の回転数はエネルギーギャップごとに定義されるこの曲線 Cj と標準的な曲線 αj との交点数となることも見て取れるであろう [27]。

Ij = I(αj , Cj )なお交点数については曲線間の交点ごとに図 22 のように向きにより符号をつけた交点数を定義
し、曲線 A, B 間の交点数 I(A, B) はその和と定義される。

量子ホール効果–その意義と幾何学的および代数的構造 (物性若手夏の学校 2001 年夏 初貝 v1.05)46

B

B

A

A

I(A,B) = -1

I(A,B) = +1

A
B
-1

-1
+1

I(A,B) = -1+1-1=-1
図 22: 曲線間の符号付き交点数
ここまでは数学の話だが、実は Laughlin の議論を用いるとこれが量子化されたホール伝導度となることがわかる。
これを次に説明しよう。
図の様にフェルミエネルギーがバルクのエネルギーギャップの中にある場合を考えよう。また y方向の系の大きさ Ly も有限であることを思い出しすと波数 ky が離散的となる。さらに波数とAharonov-Bohm 磁束 Φ は
ky + 2πΦΦ0と結合し離散化された波数は

ky = 2π

整数
Ly量子ホール効果–その意義と幾何学的および代数的構造 (物性若手夏の学校 2001 年夏 初貝 v1.05)47

Φ=0

Φ = Φ0EFEF

図 23: Laughlin の議論とエッジ状態、リーマン面上のゼロ点の移動の関係
であることに注意すれば、 Aharonov-Bohm 磁束 Φ を Φ0 だけ変化させたとき一粒子状態全体は不変であることはすぐわかる。
特に図のようにフェルミエネルギーがギャップ内にある場合、図で黒丸で示したエッジ状態が占有されていることとなる。そこで Aharonov-Bohm 磁束 Φ を Φ0 だけ断熱的に増加させると、マクロな系では左右のエッジ状態間の行列要素は系の大きさに関して指数関数的に小さいのでその間での遷移は起こらないと考えてよい。よってこの過程の終状態としては下図の様な占有状態となる。ここでこの過程の前後、つまり図の左右を比べると、エネルギーバンド内の状態（バルク状態）はすべて元の状態に戻ったがエッジ状態は一つだけ玉突き式にずれた状態となっているのがわかるだろう。ここで与えられる状態の変化の個数がこの過程により両境界間を左から右へ移動した電子の数であり、Laughlin の議論で不定であった整数である。またリーマン面上のブロッホ関数のゼロ点とエッジ状態の対応からこの整数はエッジ状態の作る閉曲線の回転数となる！
つまり

ホール伝導度のエッジ状態によるトポロジカルな表式

フェルミエネルギーが下から j 番目のエネルギーギャップにあるとき複素エネルギー面としてのしてのしてのブロッホ関数のゼロ点の作る閉曲線のリーマン面上の回転数（もしくは符号付き交点数）をもちいて、ホール伝導度は次のように与えられる [18]。
j, edge
σxy
=−



e2
I(Cj )h量子ホール効果–その意義と幾何学的および代数的構造 (物性若手夏の学校 2001 年夏 初貝 v1.05)48

3.4

２つの位相不変量: — バルクかエッジか —ここまでの議論でフェルミエネルギーが下から j 番目のエネルギーギャップの中にある場合系のホール伝導度に対して２つのトポロジカルな表式が与えられたこととなる。
j, bulkσxyj, edge
σxy

= −
= −

e2
C,
h

C=

j
∑

c`

`=0

e2
I(Cj )h

この節ではこの２つの表式の間の関係を考えよう。チャーン数の位相幾何学的意味を議論した際用いたゲージによると Ψq のゼロ点周りの渦度の和としてチャーン数が与えられたことを思い出そう。転送行列の議論では規格化しない波動関数を常に扱っていたことに注意し、

Ψq = 0はエッジ状態を定義したことを思い出そう。また x 方向の波数 kx はブロッホの定理から

ρ = eiqkxと対応し、バンド端の条件∆ = ±2

q=3

q=3

M [
G

kx

E

G

G

l

l

l

M o[

M [

h

kx

kx

0

ky

2π

0

ky

2π

図 24: エッジ状態とバルクの関係。ブランチカットの領域は x 方向の波数 kx でパラメトライズ
すると円となる ( kx の周期性 )。

量子ホール効果–その意義と幾何学的および代数的構造 (物性若手夏の学校 2001 年夏 初貝 v1.05)49

Q

M

b v

G b W

P

M

b v

G b W

図 25: 図 24 のチューブの領域は ky = 0, 2π を同一視する事でトーラスとなる（磁気的ブリルア
ンゾーン)。さらにエッジ状態は概念的にはエネルギーバンドからなるトーラスをつなぐ閉曲線となる。
は ρ = 12 (∆ −√∆2 − 4) より
kx = 0, 2π/qと対応する。つまり概念的には前節で示したエネルギーバンドの領域はブリルアンゾーンがトーラスであることに対応して図のような筒状の領域と考えられ ky = 0, 2π を同一視することでトーラスとなる。これより、チャーン数に寄与するブロッホ関数のゼロ点はバンド端のみに存在し、具体的にはエッジ状態がエネルギーバンドに縮退する点であたえられることとなる。エネルギーバンドの上端と下端からの寄与を少していねいに調べると下から j 番目のエネルギーバンドのチャーン
数 cj と j 番目と j − 1 番目のエッジ状態を与えるブロッホ関数のゼロ点の回転数の間に

cj = I(Cj ) − I(Cj−1 )という関係式が成り立つことがわかる。
（微積分の基本定理
よって (I(C0 ) = 0 に注意して)∫badx f 0 (x) = f (b) − f (a) のアナログ)

量子ホール効果–その意義と幾何学的および代数的構造 (物性若手夏の学校 2001 年夏 初貝 v1.05)50
μ ( k)y
j

@¶
E

Gb W

Gb W

j

+1

j

G

M b v

l

M

[ o

-1

E
@¶

Gb W

Gb W
j-1

μ ( k)y

M b v

j-1

ky

図 26: エッジ状態がエネルギーバンドに接するところでチャーン数を与える渦を与える。エネル
ギーバンドの上端、下端での接点で波動関数を展開すれば前節で説明したワインディング数 (交点数) とチャーン数の関係が与えられる。



エッジとバルクj,bulk
σxy

= −

)
j
j (
e2 ∑
e2 ∑
c` = −
I(Cj ) − I(Cj−1 )
h
h
`=1

= −



`=1

2

e
I(C` )
hj,edge= σxy

すなわち二つのトポロジカルな整数は等しい。つまりホール伝導度はバルクで考えてもエッジで考えても等しいこととなる [19]。
