QH8MA3
Datasheet

30V Nch+Pch Middle Power MOSFET

l外 形 図SymbolVDSS
RDS(on)(Max.)
IDPD

Tr1:Nch Tr2:Pch
30V-30V29mΩ

48mΩ

±7.0A

±5.5A

TSMT82.5Wl特 長l内 部 回 路 図

1) 低オン抵抗2) 小型面実装パッケージ(TSMT8)で省スペース
3) 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
4) ハロゲンフリー

l包 装 仕 様
包装形態
l用 途

リールサイズ (mm)タイプ テープ幅 (mm)
基本発注単位(個)スイッチングテーピングコード標印

Embossed
Tape
180
83000
TR
MA3

l 絶 対 最 大 定 格 (Ta = 25°C)

Parameter

Symbolドレイン・ソース間電圧

VDSS
ID*1

ドレイン電流 (直流)
ドレイン電流 (パルス)ID,pulse*2
VGSS
EAS*4
IAS*4PD*1
PD*3
PD*3TjTstg

ゲート・ソース間電圧
アバランシェエネルギー (単発)
アバランシェ電流
全許容損失

トータル素子ジャンクション温度
保存温度
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Value
Tr1:Nch Tr2:Pch30-30±7.0±5.5±18±18±20±20
1.8
1.1
5.0-4.0
2.5
1.5
1.25
150
-55 ～ +150

Unit
VA
A
VmJ
A
W℃℃

20150730 - Rev.002

QH8MA3

Datasheetl熱 抵 抗Parameter

Symbol

熱抵抗 (ジャンクション・外気間)

Values
Min.

Typ.

Max.

-83.3

-RthJA*3

Unitl 電 気 的 特 性 (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol TypeConditionsValues
Min.

Typ.

Max.

Tr1 VGS = 0V, ID = 1mA

30--

Tr2 VGS = 0V, ID = -1mA-30---21---22-

Tr1 VDS = 30V, VGS = 0V--1

Tr2 VDS = -30V, VGS = 0V---1

Tr1 VDS = 0V, VGS = ±20V--±100

Tr2 VDS = 0V, VGS = ±20V--±100

Tr1 VDS = VGS, ID = 1mA

1.0-

2.5

Tr2 VDS = VGS, ID = -1mA-1.0--2.5

ΔVGS(th)

Tr1 ID = 1mA, referenced to 25℃--3-ΔTj

Tr2 ID = -1mA, referenced to 25℃-

2.9-

VGS = 10V, ID = 7.0A

-

2229

VGS = 4.5V, ID = 5.0A

-35

46

VGS = -10V, ID = -5.5A

-

3748

VGS = -4.5V, ID = -4.0A

-55

72

Tr1 VDS = 5V, ID = 5A

2.7--

Tr2 VDS = -5V, ID = -4A

3.3-

-

ドレイン・ソース降伏電圧 V(BR)DSS

ドレイン・ソース降伏電圧 ΔV(BR)DSS Tr1 ID = 1mA, referenced to 25℃
温度係数
ΔTj
Tr2 ID = -1mA, referenced to 25℃
ドレイン遮断電流

IDSS

ゲート漏れ電流IGSSゲートしきい値電圧
ゲートしきい値電圧
温度係数

VGS(th)Tr1
ドレイン・ソース間
オン抵抗

RDS(on)*5
Tr2伝達コンダクタンス

gfs*5Unit

VmV/℃μAnA

VmV/℃mΩS*1 Pw ≦ 1s, チャネル温度が150℃を超えることのない放熱条件でご使用下さい。
*2 Pw ≦ 10μs, Duty cycle ≦ 1%
*3 セラミック基板実装時*4 Tr1: L ⋍ 100μH, VDD = 15V, RG = 25Ω, 開始温度 Tch = 25℃ Fig.3-1,3-2参照
Tr2: L ⋍ 100μH, V DD = -15V, RG = 25Ω, 開始温度 Tch = 25℃ Fig.6-1,6-2参照*5 パルス

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QH8MA3Datasheetl 電 気 的 特 性 (Ta = 25°C)<Tr1>

Parameter

SymbolValuesConditions

Unit

Min.

Typ.

Max.

入力容量

Ciss

VGS = 0V-300-

出力容量

Coss

VDS = 15V-50-

帰還容量

Crss

f = 1MHz-40-

ターンオン遅延時間td(on)*5

VDD ⋍ 15V, VGS = 10V-

7.2-上昇時間

tr*5

ID = 3.5A-

8.0-

ターンオフ遅延時間td(off)*5

RL = 4.3Ω

-

12-

下降時間

tf*5

RG = 10Ω-

5.7-

pF

ns

<Tr2>
Parameter

SymbolValuesConditions

Unit

Min.

Typ.

Max.

入力容量

Ciss

VGS = 0V

-480-

出力容量

Coss

VDS = -15V-

85-

帰還容量

Crssf = 1MHz-65-

ターンオン遅延時間td(on)*5VDD ⋍ -15V, VGS = -10V-

8.0-上昇時間

tr*5

ID = -2.25A-12-

ターンオフ遅延時間td(off)*5

RL = 6.7Ω

-40-下降時間

tf*5

RG = 10Ω

-20-

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pF

ns

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QH8MA3Datasheetl ゲ ー ト 電 荷 量 特 性 (Ta = 25°C)<Tr1>
Parameter

Symbolゲート総電荷量

Conditions
VGS = 10V

Qg*5

ゲート･ソース間電荷量

Qgs*5

ゲート･ドレイン間電荷量

Qgd*5

VDD ⋍ 15V
ID = 7A

Values
Min.

Typ.

Max.

-7.2--

3.7--

1.4--1.3-

UnitnC
VGS = 4.5V

<Tr2>
Parameter

Symbolゲート総電荷量

Conditions

Min.

Typ.

Max.

VGS = -10V-

10-

VDD ⋍ -15V
ID = -5.5A VGS = -4.5V-

5.2--

1.6--

1.9-

Qg*5

ゲート･ソース間電荷量

Qgs*5

ゲート･ドレイン間電荷量

Qgd*5

ValuesUnitnCl 内 部 ダ イ オ ー ド 特 性 (ソース･ドレイン間) (Ta = 25°C)<Tr1>
Parameter

SymbolConditions

ソース電流(直流)IS

ソース電流(パルス)

ISP*2

順方向電圧

VSD*5

VGS = 0V, IS = 1A

SymbolConditions

Ta = 25℃

Values
Min.

Typ.

Max.

--

1.0--18--1.2UnitAV<Tr2>Parameter
ソース電流(直流)IS

ソース電流(パルス)

ISP*2

順方向電圧

VSD*5

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Ta = 25℃

Values
Min.

Typ.

Max.

---1.0---18---1.2

Unit

A

VGS = 0V, IS = -1A

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V

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QH8MA3

Datasheetl 電 気 的 特 性 曲 線 <Tr1>

Fig.1 Power Dissipation Derating Curve

Fig.2 Maximum Safe Operating Area

Fig.3 Normalized Transient Thermal
Resistance vs. Pulse Width

Fig.4 Single Pulse Maximum Powerdissipationwww.rohm.com© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

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QH8MA3

Datasheetl 電 気 的 特 性 曲 線 <Tr1>

Fig.5 Typical Output Characteristics(I)Fig.6 Typical Output Characteristics(II)Fig.7 Breakdown Voltage vs. Junction
Temperaturewww.rohm.com© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

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QH8MA3

Datasheetl 電 気 的 特 性 曲 線 <Tr1>

Fig.8 Typical Transfer Characteristics

Fig.9 Gate Threshold Voltage vs. Junction
Temperature

Fig.10 Tranceconductance vs. Drain
Current

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QH8MA3

Datasheetl 電 気 的 特 性 曲 線 <Tr1>

Fig.11 Drain Current Derating Curve

Fig.12 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Gate Source Voltage

Fig.13 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Junction Temperaturewww.rohm.com© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

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QH8MA3

Datasheetl 電 気 的 特 性 曲 線 <Tr1>

Fig.14 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(I)Fig.15 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(II)Fig.16 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(III)www.rohm.com© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

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QH8MA3

Datasheetl 電 気 的 特 性 曲 線 <Tr1>

Fig.17 Typical Capacitance vs. Drain Source Voltage

Fig.18 Switching Characteristics

Fig.19 Dynamic Input Characteristics

Fig.20 Source Current vs. Source Drain
Voltagewww.rohm.com© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

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QH8MA3

Datasheetl 電 気 的 特 性 曲 線 <Tr2>

Fig.1 Power Dissipation Derating CurveFig.2 Maximum Safe Operating Area

Fig.3 Normalized Transient Thermal
Resistance vs. Pulse Width

Fig.4 Single Pulse Maximum Powerdissipationwww.rohm.com© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

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Datasheetl 電 気 的 特 性 曲 線 <Tr2>

Fig.5 Typical Output Characteristics(I)Fig.6 Typical Output Characteristics(II)Fig.7 Breakdown Voltage vs. Junction
Temperaturewww.rohm.com© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

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QH8MA3

Datasheetl 電 気 的 特 性 曲 線 <Tr2>

Fig.8 Typical Transfer Characteristics

Fig.9 Gate Threshold Voltage vs. Junction
Temperature

Fig.10 Tranceconductance vs. Drain
Current

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QH8MA3

Datasheetl 電 気 的 特 性 曲 線 <Tr2>

Fig.11 Drain Current Derating Curve

Fig.12 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Gate Source Voltage

Fig.13 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Junction Temperaturewww.rohm.com© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

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QH8MA3

Datasheetl 電 気 的 特 性 曲 線 <Tr2>

Fig.14 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(I)Fig.15 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(II)Fig.16 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(III)www.rohm.com© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

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QH8MA3

Datasheetl 電 気 的 特 性 曲 線 <Tr2>

Fig.17 Typical Capacitance vs. Drain Source Voltage

Fig.18 Switching Characteristics

Fig.19 Dynamic Input Characteristics

Fig.20 Source Current vs. Source Drain
Voltagewww.rohm.com© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

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QH8MA3l測 定 回 路 図

Datasheet<Tr1>

図 1-1 スイッチング時間測定回路

図 1-2 スイッチング波形

図 2-1 ゲート電荷量測定回路

図 2-2 ゲート電荷量波形

図 3-1 L負荷測定回路

図 3-2 アバランシェ波形

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QH8MA3l測 定 回 路 図

Datasheet<Tr2>

図 4-1 スイッチング時間測定回路

図 4-2 スイッチング波形

図 5-1 ゲート電荷量測定回路

図 5-2 ゲート電荷量波形

図 6-1 L負荷測定回路

図 6-2 アバランシェ波形

l使 用 上 の 注 意
本製品は、帯電性の大きな環境では素子の劣化・破壊の恐れがあるので、取り扱い時には必ず静電対策を講じてください。

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QH8MA3

Datasheetl外 形 寸 法 図

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