S-5741 Bシリーズ
125°C動作 高耐圧 高速
交番検知型 ホールIC

www.ablic.com

Rev.1.1_00© ABLIC Inc., 2016-2021

本ICは、CMOS技術を使用して開発した、高耐圧、高速検知、高精度磁気特性の交番検知型ホールICです。
磁束密度の強弱および極性変化を検知して、出力電圧が変化します。磁石と組み合わせることで、さまざまな機器の回転検出が可能です。出力電流制限回路を内蔵しています。
小型のSOT-23-3Sパッケージを採用しているため、高密度実装が可能です。
高精度磁気特性のため、磁石と組み合わせた機構の動作ばらつきを小さくすることが可能です。
弊社では、お客様の機構に合わせて磁石と弊社ホールICの最適な組み合わせをご提案する "磁気シミュレーションサービ
ス" を提供しております。この磁気シミュレーションサービスをご活用いただくことで、試作回数、開発期間、開発費用の削減やより高いコストパフォーマンスが期待できる部品の最適化に貢献いたします。
磁気シミュレーションサービスの実施については販売窓口までお問い合わせください。

 特長・極検知・出力論理*1
・出力形態*1・磁気感度*1: 交番検知
: S極検知時VOUT = "L"
S極検知時VOUT = "H": Nchオープンドレイン出力
Nchドライバ + 内蔵プルアップ抵抗: BOP = 1.8 mT typ.
BOP = 3.0 mT typ.
BOP = 6.0 mT typ.
: fC = 500 kHz typ.
: tD = 8.0 μs typ.
: VDD = 3.5 V ~ 26.0 V・チョッピング周波数・出力遅延時間・電源電圧範囲
・レギュレータ内蔵・出力電流制限回路内蔵
・動作温度範囲: Ta = −40°C ~ +125°C
・鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー*1.

オプション選択が可能。

 用途
・家庭用電気製品
・DCブラシレスモータ
・住宅設備機器・産業機器

 パッケージ
・SOT-23-3S

1

125°C動作 高耐圧
S-5741 Bシリーズ

高速交番検知型

ホールIC
Rev.1.1_00

 ブロック図1.

Nchオープンドレイン出力品
VDD

OUT
レギュレータ*1チョッパ
アンプ
出力電流制限回路
VSS*1.

寄生ダイオード
図12.

Nchドライバ + 内蔵プルアップ抵抗品

VDD

OUT
レギュレータ*1チョッパアンプ
出力電流制限回路
VSS*1.

寄生ダイオード
図22

125°C動作

高耐圧

高速

Rev.1.1_00

交番検知型 ホールIC
S-5741 Bシリーズ

 品目コードの構成
1.

製品名
S-5741x B x x B - M3T4 U

環境コード
U : 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー*1

パッケージ略号とICの梱包仕様
M3T4 : SOT-23-3S、テープ品
動作温度
B : Ta = −40°C ~ +125°C
磁気感度
0 : BOP = 1.8 mT typ.
1 : BOP = 3.0 mT typ.
2 : BOP = 6.0 mT typ.
出力論理
L : S極検知時VOUT = "L"H : S極検知時VOUT = "H"
極検知
B : 交番検知
出力形態
N : Nchオープンドレイン出力
R : Nchドライバ + 内蔵プルアップ抵抗*1.

テープ図面を参照してください。

2. パッケージ
表1 パッケージ図面コード
パッケージ名SOT-23-3S

外形寸法図面

テープ図面

リール図面

MP003-D-P-SD

MP003-D-C-SD

MP003-D-R-SD

3

125°C動作 高耐圧
S-5741 Bシリーズ

高速

交番検知型

ホールIC
Rev.1.1_00

3. 製品名リスト
表2
製品名

出力形態

極検知

出力論理

交番検知
S極検知時VOUT = "L"S-5741NBL0B-M3T4U Nchオープンドレイン出力
交番検知
S極検知時VOUT = "L"S-5741NBL1B-M3T4U Nchオープンドレイン出力
Nchオープンドレイン出力
交番検知
S極検知時VOUT = "L"S-5741NBL2B-M3T4U交番検知
S極検知時VOUT = "H"S-5741NBH1B-M3T4U Nchオープンドレイン出力
S極検知時VOUT = "L"S-5741RBL0B-M3T4U Nchドライバ + 内蔵プルアップ抵抗 交番検知
S極検知時VOUT = "L"S-5741RBL1B-M3T4U Nchドライバ + 内蔵プルアップ抵抗 交番検知
S極検知時VOUT = "L"S-5741RBL2B-M3T4U Nchドライバ + 内蔵プルアップ抵抗 交番検知
Nchドライバ+内蔵プルアップ抵抗
交番検知
S極検知時VOUT = "H"S-5741RBH0B-M3T4U
S極検知時VOUT = "H"S-5741RBH1B-M3T4U Nchドライバ + 内蔵プルアップ抵抗 交番検知
S極検知時VOUT = "H"S-5741RBH2B-M3T4U Nchドライバ + 内蔵プルアップ抵抗 交番検知
備考 上記以外の製品をご希望のときは、販売窓口までお問い合わせください。

4磁気感度 (BOP)
1.8 mT typ.
3.0 mT typ.
6.0 mT typ.
3.0 mT typ.
1.8 mT typ.
3.0 mT typ.
6.0 mT typ.
1.8 mT typ.
3.0 mT typ.
6.0 mT typ.

125°C動作

高耐圧

高速

Rev.1.1_00

交番検知型 ホールIC
S-5741 Bシリーズ

 ピン配置図1.

SOT-23-3S
Top view

表3

1

端子番号

端子記号

1232

端子内容
GND端子
電源端子
出力端子

VSS
VDD
OUT

3
図3 絶対最大定格
表4(特記なき場合 : Ta = +25°C)
項目記号

絶対最大定格単位

VSS − 0.3 ~ VSS + 28.0
V20mA
Nchオープンドレイン出力品
VSS − 0.3 ~ VSS + 28.0V
出力電圧
VOUT
Nchドライバ + 内蔵プルアップ抵抗品
VSS − 0.3 ~ VDD + 0.3
V
動作周囲温度−40 ~ +125°C
Topr
保存温度−40 ~ +150
Tstg
°C
注意 絶対最大定格とは、どのような条件下でも越えてはならない定格値です。万一この定格値を越えると、製品の劣化などの物理的な損傷を与える可能性があります。
電源電圧
出力電流

VDD
IOUT

 熱抵抗値表5
項目

ジャンクション温度 − 周囲温度間
熱抵抗値*1

*1.

記号

θJA

条件

SOT-23-3S

Board A
Board B
Board C
Board D
Board E

Min.
−−−−−Typ.
200
165
−−−

Max.
−
−−−−単位°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W

測定環境 : JEDEC STANDARD JESD51-2A準拠

備考 詳細については、" Power Dissipation"、"Test Board" を参照してください。

5

125°C動作 高耐圧
S-5741 Bシリーズ

高速

交番検知型

ホールIC
Rev.1.1_00

 電気的特性表6

項目(特記なき場合 : Ta = +25°C, VDD = 12.0 V, VSS = 0 V)
測定
Min.
Typ. Max. 単位回路

記号

条件

電源電圧

VDD

消費電流

IDD

−
Nchオープンドレイン出力品
平均値
Nchドライバ + 内蔵プルアップ抵抗品
平均値, VOUT = "H"
Nchオープンドレイン出力品
出力トランジスタNch, VOUT = "L", IOUT = 10 mA
Nchドライバ + 内蔵プルアップ抵抗品
出力トランジスタNch, VOUT = "L", IOUT = 10 mA
Nchドライバ + 内蔵プルアップ抵抗品
VOUT = "H", VD = VDD − VOUT
Nchオープンドレイン出力品
出力トランジスタNch, VOUT = "H" = 26.0 V
VOUT = 12.0 V−−−
Nchオープンドレイン出力品
C = 20 pF, R = 820 Ω
Nchドライバ + 内蔵プルアップ抵抗品
C = 20 pF
C = 20 pF, R = 820 Ω
Nchドライバ + 内蔵プルアップ抵抗品

出力電圧

VOUT

出力降下電圧

VD

リーク電流

ILEAK

出力制限電流出力遅延時間チョッピング周波数
スタートアップ時間

IOM
tD
fC
tPON

出力立ち上がり時間tR

出力立ち下がり時間
プルアップ抵抗

tF
RL

3.5

12.0

26.0V−−

3.04.0mA

1−

3.04.0mA

1−

−

0.4V

2−

−0.5V

2−−20mV2−−

10μA

322−−−−
8.05002070−−−mAμs
kHzμs

3−−
4−−2.0μs

5−−

6.0μs

5−
7−
102.013μs
kΩ

5−

S極
本ICが受ける
磁束密度 (B)

BOP
0BRP
N極
tD

tD
tF

tR

90%
出力電圧 (VOUT)(S極検知時VOUT = "L" 品)

10%
tD

tD
tR

90%
出力電圧 (VOUT)(S極検知時VOUT = "H" 品)10%

図4 動作タイミング

6tF

125°C動作

高耐圧

高速

Rev.1.1_00

交番検知型 ホールIC
S-5741 Bシリーズ

 磁気的特性1.

BOP = 1.8 mT typ.品
表7(特記なき場合 : Ta = +25°C, VDD = 12.0 V, VSS = 0 V)
項目
動作点*1
復帰点*2
ヒステリシス幅*32.

記号
S極
N極

BOP
BRP
BHYS

条件Min.
0.3−3.3−−−
BHYS = BOP − BRP

Typ.
1.8−1.83.6Max.
3.3−0.3−単位測定回路

mTmTmT444BOP = 3.0 mT typ.品
表8(特記なき場合 : Ta = +25°C, VDD = 12.0 V, VSS = 0 V)
項目
動作点*1
復帰点*2
ヒステリシス幅*33.

記号
S極
N極

BOP
BRP
BHYS

条件

Min.
1.5−4.5−−−
BHYS = BOP − BRP

Typ.
3.0−3.06.0Max.
4.5−1.5−単位測定回路

mTmTmT444BOP = 6.0 mT typ.品
表9(特記なき場合 : Ta = +25°C, VDD = 12.0 V, VSS = 0 V)
項目記号
条件単位測定回路
Min.
Typ.
Max.
動作点*1
S極−
3.06.09.0
mT4BOP
復帰点*2
N極−−9.0−6.0−3.0BRP
mT4
ヒステリシス幅*3
BHYS = BOP − BRP−−BHYS
12.0mT4*1. BOP : 動作点
磁石 (S極) から本ICが受ける磁束密度を大きくした (磁石を近づけた) とき、出力電圧 (VOUT) が切り換わる時点の磁束密度の値を指します。
BRPより大きいN極の磁束密度が印加されるまで、VOUTは状態を保持します。
*2. BRP : 復帰点
磁石 (N極) から本ICが受ける磁束密度を大きくした (磁石を近づけた) とき、出力電圧 (VOUT) が切り換わる時
点の磁束密度の値を指します。
BOPより大きいS極の磁束密度が印加されるまで、VOUTは状態を保持します。
*3. BHYS : ヒステリシス幅
BOPとBRPの磁束密度の差を指します。
備考

磁束密度の単位mTは、1 mT = 10 Gauss換算となります。

7125°C動作 高耐圧
S-5741 Bシリーズ

高速交番検知型

ホールIC
Rev.1.1_00

 測定回路A*1

R820 Ω

VDD
S-5741 OUT
Bシリーズ
VSS

*1.

Nchドライバ + 内蔵プルアップ抵抗品の場合、抵抗 (R) は不要です。
図5 測定回路1

VDD
S-5741 OUT
Bシリーズ
VSS

図6AV

測定回路2

VDD
S-5741 OUT
Bシリーズ
VSS

A
V

図7

測定回路3

VDD

R820 Ω

*1

S-5741 OUT
Bシリーズ
VSS

*1.

8V

Nchドライバ + 内蔵プルアップ抵抗品の場合、抵抗 (R) は不要です。
図8 測定回路4125°C動作高耐圧高速Rev.1.1_00

交番検知型 ホールIC
S-5741 Bシリーズ*1

VDD
S-5741 OUT
Bシリーズ
VSS

*1.

R
820 Ω

C20 pFV

Nchドライバ + 内蔵プルアップ抵抗品の場合、抵抗 (R) は不要です。
図9 測定回路5

 標準回路*1

VDD
CIN
0.1 μF

*1.

R
820 Ω

S-5741 OUT
Bシリーズ
VSS

Nchドライバ + 内蔵プルアップ抵抗品の場合、抵抗 (R) は不要です。
図10

注意

上記接続図および定数は、動作を保証するものではありません。実際のアプリケーションで十分な評価の上、定数を設定してください。

9125°C動作 高耐圧
S-5741 Bシリーズ

高速交番検知型

ホールIC
Rev.1.1_00

 動作説明1.

磁束印加方向本ICは、マーキング面に対して垂直方向の磁束密度を検出します。
図11に、磁束印加方向を示します。

NS
マーキング面図11

2.

ホールセンサ位置
図12に、ホールセンサの位置を示します。
ホールセンサの中心は、下図に示すようにパッケージ中央の丸印で示した領域に位置します。
また、パッケージのマーキング面からチップの表面までの距離 (typ.値) も示します。
Top view
ホールセンサの中心(φ0.3 mm 内)

1230.315 mm (typ.)

図1210

125°C動作

高耐圧

Rev.1.1_00

3.

高速

交番検知型 ホールIC
S-5741 Bシリーズ

基本動作
本ICは、磁石などから受ける磁束密度 (N極またはS極) の強弱および極性変化により出力電圧 (VOUT) レベルを切り換えます。
3. 1

S極検知時VOUT = "L" 品

磁石のS極が本ICのマーキング面に近づき、マーキング面に対し垂直方向のS極の磁束密度が動作点 (BOP) より大きくなると、VOUTは "H" から "L" に切り換わります。また、磁石のN極が本ICのマーキング面に近づき、N極の磁束密度が復帰点 (BRP)より大きくなると、VOUTは "L" から "H" に切り換わります。BRP＜B＜BOPのとき、VOUTは状態を保持します。
図13に磁束密度とVOUTの関係を示します。
VOUT

BHYS
HL
N極

BRP

BOP

0S極

磁束密度 (B)

図133. 2

S極検知時VOUT = "H" 品

磁石のS極が本ICのマーキング面に近づき、マーキング面に対し垂直方向のS極の磁束密度がBOPより大きくなると、VOUTは "L" から "H" に切り換わります。また、磁石のN極が本ICのマーキング面に近づき、N極の磁束密度がBRPより大きくなると、VOUTは "H" から "L" に切り換わります。BRP＜B＜BOPのとき、VOUTは状態を保持します。
図14に磁束密度とVOUTの関係を示します。
VOUT

BHYS
HL
N極

BRP

0BOP

S極

磁束密度 (B)

図1411

125°C動作 高耐圧
S-5741 Bシリーズ

4.

高速

交番検知型

ホールIC
Rev.1.1_00

タイミングチャート
図15に電源投入時タイミングチャートを示します。
電源電圧 (VDD) が立ち上がるときの初期出力電圧は "H" または "L" のいずれかになります。
VDDの立ち上がり後、スタートアップ時間 (tPON) が経過した時点でB＞BOP (動作点) またはB＜BRP (復帰点) のとき、本ICは印加磁束密度に応じてVOUTを出力します。
VDDの立ち上がり後、tPONが経過した時点でBRP＜B＜BOPのとき、本ICは初期出力電圧を保持します。

S極検知時VOUT = "L" 品

S極検知時VOUT = "H" 品

電源電圧 (VDD)

電源電圧 (VDD)
tPON

tPON

出力電圧 (VOUT)(B＞BOP)"H" / "L""L"

出力電圧 (VOUT)(B＞BOP)"H" / "L""H"

出力電圧 (VOUT)(B＜BRP)"H" / "L"

"H"出力電圧 (VOUT)(B＜BRP)"H" / "L""L"

出力電圧 (VOUT)(BRP＜B＜BOP)"H" / "L"保持

出力電圧 (VOUT)(BRP＜B＜BOP)"H" / "L"

保持

図1512

125°C動作
Rev.1.1_00

高耐圧

高速

交番検知型 ホールIC
S-5741 Bシリーズ

 注意事項・電源のインピーダンスが高い場合、貫通電流などを原因とした電源電圧降下によって、ICが誤動作する可能性があります。電源のインピーダンスが低くなるように十分注意してパターン配線してください。
・電源電圧が急峻に変化すると、ICが誤動作する可能性がありますので注意してください。電源電圧が急峻に変化する環境下で使用する場合には本ICの出力電圧を複数回読み込んで判定を行う等の対策を推奨いたします。
・本ICは静電気に対する保護回路が内蔵されていますが、保護回路の性能を越える過大静電気がICに印加されないようにしてください。
・本ICは出力電流制限回路を内蔵していますが、絶対最大定格を越える環境条件下では製品の劣化などの物理的な損傷が起こる可能性があります。
・IC内での損失が許容損失を越えないように、電源電圧、プルアップ電圧、プルアップ抵抗の使用条件に注意してください。
・本ICに大きな応力が加わると、磁気的特性が変化することがあります。基板実装時や、実装後の取り扱いなどによりICに大きな応力が加わらないように注意してください。
・弊社ICを使用して製品を作る場合には、その製品での当ICの使い方や製品の仕様、出荷先の国などによって当ICを含めた製品が特許に抵触した場合、その責任は負いかねます。

13125°C動作 高耐圧
S-5741 Bシリーズ

高速交番検知型

ホールIC
Rev.1.1_00

 Power Dissipation
SOT-23-3S
Tj = +150°C max.

Power dissipation (PD) [W]

1.00.8 B
A
0.60.40.20.00255075100125150

Ambient temperature (Ta) [°C]14Board

Power Dissipation (PD)ABCDE

0.63 W
0.76 W−−−175

SOT-23-3/3S/5/6 Test Board
IC Mount Area

(1) Board A
ItemSize [mm]Material
Number of copper foil layer

Copper foil layer [mm]1234Thermal via

Specification
114.3 x 76.2 x t1.6
FR-4
2Land pattern and wiring for testing: t0.070
74.2 x 74.2 x t0.070-(2) Board B
Item
Size [mm]Material
Number of copper foil layer

Copper foil layer [mm]Thermal via

123
4Specification
114.3 x 76.2 x t1.6
FR-44Land pattern and wiring for testing: t0.070
74.2 x 74.2 x t0.035
74.2 x 74.2 x t0.035
74.2 x 74.2 x t0.070-No. SOT23x-A-Board-SD-2.0

ABLIC Inc.

2.9±0.2
123+0.1

0.16 -0.06

0.95±0.1
1.9±0.2

0.4±0.1

No. MP003-D-P-SD-1.1

TITLE

SOT233S-A-PKG Dimensions

No.

MP003-D-P-SD-1.1

ANGLE
UNIT

mm

ABLIC Inc.

+0.1

ø1.5 -0

4.0±0.1

2.0±0.1+0.25

ø1.0 -00.23±0.1
4.0±0.1

1.4±0.2

3.2±0.2

123

Feed directionNo. MP003-D-C-SD-1.0

TITLE

SOT233S-A-Carrier Tape

No.

MP003-D-C-SD-1.0

ANGLE
UNITmmABLIC Inc.

+1.0

9.0 - 0.0
11.4±1.0

Enlarged drawing in the central part

ø13±0.2

(60°)

(60°)

No. MP003-D-R-SD-1.0

TITLE

SOT233S-A-Reel

No.

MP003-D-R-SD-1.0

ANGLE

QTY.

UNITmmABLIC Inc.

3,000

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2.4-2019.07

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