0.9V駆動タイプ Nch + Nch MOSFET
EM6K34
 構造
シリコンNチャネルMOS型電界効果トランジスタ

外形寸法図 (Unit : mm)
EMT6

SOT-563

 特長1) 高速スイッチングスピード
2) 小型パッケージ(EMT6)
3) 超低電圧駆動(0.9V駆動)

(6)

(5)

(4)

(1)

(2)

(3)

標印略記号 :K34

 用途スイッチング

 包装仕様TypeEM6K34

内部回路図

包装名
テーピング
記号
T2R
基本発注単位（個）
8000
○(6)

(5)

(4)

∗1
∗2
∗2

∗1

 絶対最大定格 (Ta = 25C)<Tr1, Tr2共通>
Parameter(1)

SymbolLimitsUnit

ドレイン・ソース間電圧

VDSS

50V

ゲート・ソース間電圧
ドレイン電流ソース電流(内部ダイオード)

VGSS

8V

直流ID

200mAパルス

IDP *1

800mA直流Is

125mA

パルス

Isp

800mAmW/トータルmW/素子
C
C

*1

許容損失

PD *2

チャネル部温度
保存温度

TchTstg

150120150
55～+150

SymbolLimitsUnit

Rth (ch-a)*

833
1042

°C/ W /トータル°C / W /素子(2)∗1 静電気保護用ダイオード∗2 内部ダイオード(3)(1) Tr1 ソース(2) Tr1 ゲート(3) Tr2 ドレイン
(4) Tr2 ソース(5) Tr2 ゲート(6) Tr1 ドレイン

*1 Pw≦10s, Duty cycle≦1%*2 各端子を推奨ランドに実装した場合

 熱抵抗
Parameter
チャネル・外気間* 各端子を推奨ランドに実装した場合

www.rohm.com©2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

1/5

2010.11 - Rev.AEM6K34

Data Sheet 電気的特性 (Ta = 25C)<Tr1, Tr2共通>
Parameter
ドレイン・ソース降伏電圧

Conditions

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

IGSS--10

A

VGS=8V, VDS=0V

ゲート漏れ電流V (BR)DSS

50--V

ID=1mA, VGS=0V

ドレイン遮断電流

IDSS--1

A

VDS=50V, VGS=0V

ゲートしきい値電圧

VGS (th)

0.3

-

0.8

V

VDS=10V, ID=1mA

-

1.6

2.2

ID=200mA, VGS=4.5V

-

1.7

2.4

ID=200mA, VGS=2.5V

-

2.0

2.8

-

2.2

3.3

ID=100mA, VGS=1.2V

-

3.0

9.0

ID=10mA, VGS=0.9V

ドレイン・ソース間オン抵抗

RDS (on)*ID=200mA, VGS=1.5V

順方向アドミタンスl Yfs l *0.2--S

ID=200mA, VDS=10V

入力容量

Ciss-

26-

pF

VDS=10V

出力容量

Coss-

6-

pF

VGS=0V

帰還容量

Crss-

3-

pF

f=1MHz

ターンオン遅延時間td(on) *-5-

ns

ID=100mA, VDD 25V

上昇時間

tr *td(off) *tf *-8-

ns

VGS=4.5V-

1743-

nsns

RL=250
RG=10

ターンオフ遅延時間
降下時間
*パルス

 内部ダイオード特性 (ソース・ドレイン間) (Ta = 25C)<Tr1, Tr2共通>
Parameter
順方向電圧

SymbolVSD *Min.

Typ.

Max.

Unit

Conditions--

1.2V

Is=200mA, VGS=0V*パルス

www.rohm.com©2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

2/5

2010.11- Rev.AEM6K34

Data Sheet 電気的特性曲線

0.20.1

VGS= 4.5V
VGS= 2.5V
VGS= 1.5V
VGS= 1.2V

VGS= 0.9V

Ta=25C
Pulsed

VGS= 0.8V

0.05

1
VGS= 4.5V
VGS= 2.5V
VGS= 1.5V
VGS= 1.2V

0.15
VGS= 0.9V
0.1

0.2

0.4

0.6

VDS= 10V
PulsedTa= 125C
Ta= 75C
Ta= 25C
Ta= 25C

0.1

0.01

VGS= 0.7V
0.001

000.81024680100.2

0.4

0.60.81DRAIN-SOURCE VOLTAGE : VDS[V]DRAIN-SOURCE VOLTAGE : VDS[V]GATE-SOURCE VOLTAGE : VGS[V]Fig.1 Typical Output Characteristics( Ⅰ)Fig.2 Typical Output Characteristics( Ⅱ)Fig.3 Typical Transfer Characteristics

Ta= 25C
Pulsed

VGS= 0.9V
VGS= 1.2V
VGS= 1.5V
VGS= 2.5V
VGS= 4.5V

100
0.001

0.01

0.1

1

VGS= 4.5V
Pulsed1000
Ta= 125C
Ta= 75C
Ta= 25C
Ta= 25C
1000.001

DRAIN-CURRENT : ID[A]VGS= 1.5VPulsed

Ta= 125C
Ta= 75C
Ta= 25C
Ta= 25C

100
0.01

0.11DRAIN-CURRENT : ID[A]Fig.7 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current( Ⅳ)www.rohm.com©2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

VGS= 2.5VPulsed

1000

Ta= 125C
Ta= 75C
Ta= 25C
Ta= 25C

100

10.001

10000
VGS= 1.2V
Pulsed1000
Ta= 125C
Ta= 75C
Ta= 25C
Ta= 25C
100
0.001

0.01

0.1

1

DRAIN-CURRENT : ID[A]Fig.8 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current( Ⅴ)

3/5

0.01

0.1

1DRAIN-CURRENT : ID[A]Fig.5 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current( Ⅱ)STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATERESISTANCE : RDS(on)[m]

10000

0.001

0.1

10000

DRAIN-CURRENT : ID[A]Fig.4 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current( Ⅰ)

1000

0.01

Fig.6 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current( Ⅲ)

STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATERESISTANCE : RDS(on)[m]

1000

10000

STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATERESISTANCE : RDS(on)[m]

10000

STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATERESISTANCE : RDS(on)[m]STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATERESISTANCE : RDS(on)[m]

Ta=25C
Pulsed

VGS= 0.8V
0.05

VGS= 0.7V
0STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATERESISTANCE : RDS(on)[m]DRAIN CURRENT : ID[A]0.15

DRAIN CURRENT : ID[A]DRAIN CURRENT : ID[A]

0.2

10000
VGS= 0.9V
PulsedTa= 125C
Ta= 75C
Ta= 25C
Ta= 25C

1000

100
0.001

0.01

0.1

1

DRAIN-CURRENT : ID[A]Fig.9 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current( Ⅵ)

2010.11 - Rev.A

Data Sheet

1
VDS= 10V
Pulsed1
Ta=25C
Ta=25C
Ta=75C
Ta=125C
0.1

VGS=0V
Pulsed0.1
Ta= 125CTa= 75C
Ta= 25C
Ta= 25C
0.01

0.01

0.1

10.51

Fig.10 Forward Transfer Admittancevs. Drain Current

Fig.11 Reverse Drain Current
vs. Sourse-Drain Voltage

10td(on)

tr

10.1

1

Ta=25CPulsed

4000

ID= 0.01A

3000

ID= 0.20A
2000
10000012345

6

78

GATE-SOURCE VOLTAGE : VGS[V]Fig.12 Static Drain-Source On-StateResistance vs. Gate Source Voltage

1000
Ta=25C
f=1MHz
VGS=0V

4
CAPACITANCE : C [pF]100

GATE-SOURCE VOLTAGE : VGS [V]tf

Ta=25C
VDD=25V
VGS=4.5V
RG=1050001.5SOURCE-DRAIN VOLTAGE : VSD [V]td(off)

0.01

0DRAIN-CURRENT : ID[A]1000
SWITCHING TIME : t [ns]STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATERESISTANCE : RDS(ON)[m]

10SOURCE CURRENT : Is [A]

FORWARD TRANSFER ADMITTANCE : |Yfs| [S]

EM6K3432
Ta=25C
VDD=25V
ID= 0.2A
RG=10
Pulsed1000.5

1100

Ciss

10Crss
Coss
11.5

0.01

0.1

110100DRAIN-CURRENT : ID[A]TOTAL GATE CHARGE : Qg [nC]

DRAIN-SOURCE VOLTAGE : VDS[V]Fig.13 Switching Characteristics

Fig.14 Typical Capacitancevs. Drain-Source Voltage

Fig.15 Typical Capacitancevs. Drain-Source Voltage

www.rohm.com©2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

4/5

2010.11- Rev.AEM6K34

Data Sheet 測定回路図
Pulse width

VGSID

VDS
RL

50%

10%

D.U.T.
RG

90%

50%
10%

VGS
VDS

VDD

90%
td(on)

trton

Fig.1-1 Switching time measurement circuit

10%90%
td(off)tf
toff

Fig.1-2 Switching waveforms

 使用上の注意
本製品は、帯電性の大きな環境では素子の劣化・破壊の恐れがあるので、取り扱い時には必ず静電対策を講じてください。

www.rohm.com©2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

5/5

2010.11- Rev.A

Notice

ご 注 意
本資料の一部または全部をロームの許可なく、転載・複写することを堅くお断りします。
本資料の記載内容は改良などのため予告なく変更することがあります。
本資料に記載されている内容は製品のご紹介資料です。ご使用にあたりましては、別途仕様書を必ずご請求のうえ、ご確認ください。
本資料に記載されております応用回路例やその定数などの情報につきましては、本製品の標準的な動作や使い方を説明するものです。したがいまして、量産設計をされる場合には、外部諸条件を考慮していただきますようお願いいたします。
本資料に記載されております情報は、正確を期すため慎重に作成したものですが、万が一、当該情報の誤り・誤植に起因する損害がお客様に生じた場合においても、ロームはその責任を負うものではありません。
本資料に記載されております技術情報は、製品の代表的動作および応用回路例などを示したものであり、ロームまたは他社の知的財産権その他のあらゆる権利について明示的にも黙示的にも、その実施または利用を許諾するものではありません。上記技術情報の使用に起因して紛争が発生した場合、ロームはその責任を負うものではありません。
本資料に掲載されております製品は、一般的な電子機器（AV機器、OA機器、通信機器、家電製品、アミューズメント機器など）への使用を意図しています。
本資料に掲載されております製品は、「耐放射線設計」はなされておりません。
ロームは常に品質・信頼性の向上に取り組んでおりますが、種々の要因で故障することもあり得ます。
ローム製品が 故障した際、その影 響により人 身事故、火 災 損害 等が起こらないようご使 用機 器でのディレーティング、冗長設計、延焼防止、フェイルセーフ等の安全確保をお願いします。定格を超えたご使用や使用上の注意書が守られていない場合、いかなる責任もロームは負うものではありません。
極めて高度な信頼性が要求され、その製品の故障や誤動作が直接人命を脅かしあるいは人体に危害を及ぼすおそれのある機器・装置・システム（医療機器、輸送機器、航空宇宙機、原子力制御、燃料制御、各種安全装置など）へのご使用を意図して設計・製造されたものではありません。上記特定用途に使用された場合、いかなる責任もロームは負うものではありません。上記特定用途への使用を検討される際は、事前にローム営業窓口までご相談願います。
本資料に記載されております製品および技術のうち「外国為替及び外国貿易法」に該当する製品または技術を輸出する場合、または国外に提供する場合には、同法に基づく許可が必要です。

ローム製品のご検討ありがとうございます。
より詳しい資 料やカタログなどご用 意しておりますので、お問合せください。

ROHM Customer Support System
http://www.rohm.co.jp/contact/

www.rohm.com© 2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

R1010A