RF4C100BC
Datasheet

Pch -20V -10A Middle Power MOSFET
l外 形 図VDSS-20VRDS(on)(Max.)15.6mΩ

ID±10APD

2W

HUML2020L8

l内 部 回 路 図l特 長1) 低オン抵抗2) 小型ハイパワーパッケージ（HUML2020L8）3) 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
4) ハロゲンフリー

l包 装 仕 様
包装形態
リールサイズ (mm)l用 途タイプ テープ幅 (mm)
基本発注単位(個)スイッチングテーピングコード

ロードスイッチ

標印

Embossed
Tape
180
83000
TCR
KH

l 絶 対 最 大 定 格 (Ta = 25°C)

Parameter

SymbolVDSSID
ID,pulse*2
VGSS
EAS*3
IAS*3
PD*4
Tj
Tstg

ドレイン・ソース間電圧
ドレイン電流 (直流)
ドレイン電流 (パルス)ゲート・ソース間電圧
アバランシェエネルギー (単発)
アバランシェ電流
許容損失
ジャンクション温度
保存温度

www.rohm.com© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

1/11

Value

Unit-20±10±36±815.2-2.02150-55～ +150

VAAVmJ
A
W℃℃

20150411 - Rev.001

RF4C100BC

Datasheetl熱 抵 抗Parameter

SymbolValues

Unit

Min.

Typ.

Max.

--

62.5℃/W

ValuesMin. Typ. Max.

Unit

ドレイン・ソース降伏電圧 V(BR)DSS VGS = 0V, ID = -1mA-20--V

ドレイン・ソース降伏電圧 ΔV(BR)DSS ID = -1mA
温度係数
ΔT
referenced to 25℃--10.3-mV/℃

ドレイン遮断電流

IDSS

VDS = -20V, VGS = 0V---1μA

ゲート漏れ電流IGSS

VGS = ±8V, VDS = 0V--±100nA

ゲートしきい値電圧

VGS(th)VDS = VGS, ID = -1mA-0.5--1.2V

ゲートしきい値電圧
温度係数

ΔVGS(th) ID = -1mA

-1.7-mV/℃

VGS = -4.5V, ID = -10A

-

12.0

15.6

RDS(on)*5 VGS = -2.5V, ID = -10A

-15.4

20.0

VGS = -1.8V, ID = -2.5A

-

23.5

37.6

熱抵抗 (ジャンクション・外気間)RthJA*4l 電 気 的 特 性 (Ta = 25°C)

Parameter

SymbolConditionsj

ドレイン・ソース間オン抵抗ΔTj

referenced to 25℃mΩゲート抵抗RG

f=1MHz, open drain

-4.2-

Ω

順伝達アドミタンス|Yfs| *5

VDS = -5V, ID = -10A

12--S

*1 Vgs≧2.5V*2 Pw ≦ 10μs, Duty cycle ≦ 1%
*3 Tr1: L ⋍ 5mH, VDD = -10V, RG = 25Ω, 開始温度 Tj = 25℃ Fig.3-1,3-2参照*4 40mm×40mm×0.8mm 銅箔基板実装時*5 パルス

www.rohm.com© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

2/11

20150411 - Rev.001

RF4C100BC

Datasheetl 電 気 的 特 性 (Ta = 25°C)

ValuesParameter

SymbolConditions

Unit
Min.

Typ.

Max.

入力容量Ciss

VGS = 0V-

1660-

出力容量

Coss

VDS = -10V-

320-

帰還容量

Crss

f = 1MHz-280-

ターンオン遅延時間td(on)*5

VDD ⋍ -10V,VGS = -4.5V-

16-上昇時間

tr*5

ID = -5.0A-43-

ターンオフ遅延時間td(off)*5

RL ⋍ 2.0Ω

-110-

下降時間

tf*5

RG = 10Ω

-

86-

pF

nsl ゲ ー ト 電 荷 量 特 性 (Ta = 25°C)

ValuesParameter

Symbolゲート総電荷量

Qg*5

ゲート･ソース間電荷量

Qgs*5

ゲート･ドレイン間電荷量

Qgd*5

Conditions
VDD ⋍ -10V,
ID = -10A,
VGS = -4.5V

Unit
Min.

Typ.

Max.

-

23.5--

2.6--8.0-nCl 内 部 ダ イ オ ー ド 特 性 (ソース･ドレイン間) (Ta = 25°C)

ValuesParameter
ソース電流(直流)

SymbolIS

ソース電流(パルス)

ISP*2

順方向電圧

VSD*5

www.rohm.com© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

Conditions

Ta = 25℃
VGS = 0V, IS = -1.67A

3/10

Unit
Min.

Typ.

Max.

---1.67

A---36

A---1.2

V

20150411 - Rev.001

RF4C100BC

Datasheetl電 気 的 特 性 曲 線

Fig.1 Power Dissipation Derating Curve

Fig.2 Maximum Safe Operating Area

Fig.3 Normalized Transient Thermal
Resistance vs. Pulse Width

Fig.4 Single Pulse Maximum Powerdissipationwww.rohm.com© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

4/11

20150411 - Rev.001

RF4C100BC

Datasheetl電 気 的 特 性 曲 線

Fig.5 Typical Output Characteristics(I)Fig.6 Typical Output Characteristics(II)Fig.7 Breakdown Voltage vs. Junction
Temperaturewww.rohm.com© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

5/11

20150411 - Rev.001

RF4C100BC

Datasheetl電 気 的 特 性 曲 線

Fig.8 Typical Transfer Characteristics

Fig.9 Gate Threshold Voltage vs. Junction
Temperature

Fig.10 Transconductance vs. Drain Current

www.rohm.com© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

6/11

20150411 - Rev.001

RF4C100BC

Datasheetl電 気 的 特 性 曲 線

Fig.11 Drain Current Derating Curve

Fig.12 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Gate Source Voltage

Fig.13 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Junction Temperaturewww.rohm.com© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

7/11

20150411 - Rev.001

RF4C100BC

Datasheetl電 気 的 特 性 曲 線

Fig.14 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(I)Fig.15 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(II)Fig.16 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(III)Fig.17 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(Ⅳ)

www.rohm.com© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

8/11

20150411 - Rev.001

RF4C100BC

Datasheetl電 気 的 特 性 曲 線

Fig.18 Typical Capacitance vs. Drain Source Voltage

Fig.19 Switching Characteristics

Fig.20 Dynamic Input Characteristics

Fig.21 Source Current vs. Source Drain
Voltagewww.rohm.com© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

9/11

20150411 - Rev.001

RF4C100BC

Datasheetl測 定 回 路 図
図 1-1 スイッチング時間測定回路

図 1-2 スイッチング波形

図 2-1 ゲート電荷量測定回路

図 2-2 ゲート電荷量波形

図 3-1 L負荷測定回路

図 3-2 アバランシェ波形

l使 用 上 の 注 意
本製品は、帯電性の大きな環境では素子の劣化・破壊の恐れがあるので、取り扱い時には必ず静電対策を講じてください。

www.rohm.com© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

10/11

20150411 - Rev.001

RF4C100BC

Datasheetl外 形 寸 法 図

www.rohm.com© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

11/11

20150411 - Rev.001