S-8206Aシリーズ
www.ablic.com

1セル用バッテリー保護IC(セカンドプロテクト用)© ABLIC Inc., 2015-2020

Rev.1.5_00

S-8206Aシリーズは、高精度電圧検出回路と遅延回路を内蔵したリチウムイオン / リチウムポリマー二次電池セカンドプロ
テクト用ICです。

 特長
・高精度電圧検出回路
過充電検出電圧3.500 V ~ 5.000 V (5 mVステップ)
精度±20 mV
過充電解除電圧3.100 V ~ 4.950 V*1
精度±50 mV・検出遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要)
・出力論理: アクティブ "H"、アクティブ "L"
・出力形態: CMOS出力、Nchオープンドレイン出力
・広動作温度範囲: Ta = −40°C ~ +85°C
・低消費電流動作時: 1.5 μA typ., 3.0 μA max. (Ta = +25°C)
・鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー*1.

過充電解除電圧 = 過充電検出電圧 − 過充電ヒステリシス電圧(過充電ヒステリシス電圧は、0.05 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)

 用途・リチウムイオン二次電池パック
・リチウムポリマー二次電池パック

 パッケージ
・SNT-6A
・HSNT-6 (1212)

1

1セル用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用)
S-8206Aシリーズ

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 ブロック図1. CMOS出力、アクティブ "H"

VDD

DO

過充電検出
コンパレータ

制御ロジック
遅延回路

VSS

発振回路

CO

VM

図1

2

Rev.1.5_00

1セル用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用)
S-8206Aシリーズ

2. CMOS出力、アクティブ "L"

VDD

DO

過充電検出
コンパレータ

制御ロジック
遅延回路

VSS

発振回路

CO

VM

図2

3

1セル用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用)
S-8206Aシリーズ

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3. Nchオープンドレイン出力

VDD

DO

過充電検出
コンパレータ

制御ロジック遅延回路

VSS発振回路

COVM

図34

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 品目コードの構成
1.

製品名
S-8206A xx-xxxx

U

環境コード
U
: 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
パッケージ略号とICの梱包仕様*1
I6T1: SNT-6A、テープ品
A6T2: HSNT-6 (1212)、テープ品

*1.
*2.

2.

追番*2
AA ~ ZZまで順次設定
テープ図面を参照してください。
"3. 製品名リスト" を参照してください。

パッケージ
パッケージ名SNT-6A
HSNT-6 (1212)

表1
外形寸法図面パッケージ図面コード
テープ図面

リール図面

ランド図面

PG006-A-P-SD
PM006-A-P-SD

PG006-A-C-SD
PM006-A-C-SD

PG006-A-R-SD
PM006-A-R-SD

PG006-A-L-SD
PM006-A-L-SD51セル用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用)
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3. 製品名リスト
3. 1

SNT-6A

製品名

過充電検出電圧 過充電解除電圧
[VCU]
[VCL]

表2
過充電検出遅延時間*1[tCU]

S-8206AAA-I6T1U
4.500 V4.150 V
S-8206AAB-I6T1U
4.550 V
4.200 V
S-8206AAC-I6T1U
4.150 V
4.000 V
S-8206AAD-I6T1U
4.250 V
4.100 V
S-8206AAE-I6T1U
4.150 V
4.000 V
S-8206AAF-I6T1U
4.250 V
4.100 V
S-8206AAG-I6T1U
4.450 V4.150 V
S-8206AAH-I6T1U
4.400 V
4.100 V
S-8206AAI-I6T1U
4.350 V
4.050 V
S-8206AAJ-I6T1U
4.570 V
4.220 V
S-8206AAL-I6T1U
4.600 V
4.250 V
S-8206AAR-I6T1U
4.130 V
4.080 V*1. 過充電検出遅延時間 : 1 s, 2 s, 4 s*2. 出力論理 : "H"、アクティブ "L"*3. 出力形態 : CMOS出力、Nchオープンドレイン出力
備考

2s2s2s2s2s2s2s2s2s2s2s2s

出力論理*2

出力形態*3

アクティブ "H"アクティブ "H"アクティブ "L"
アクティブ "L"
アクティブ "H"アクティブ "H"アクティブ "H"アクティブ "H"アクティブ "H"アクティブ "H"アクティブ "H"アクティブ "L"

CMOS出力CMOS出力CMOS出力CMOS出力Nchオープンドレイン出力
Nchオープンドレイン出力
CMOS出力CMOS出力CMOS出力CMOS出力CMOS出力
CMOS出力上記以外の製品をご希望のときは、販売窓口までお問い合わせください。
3. 2

HSNT-6 (1212)
表3過充電検出電圧 過充電解除電圧 過充電検出遅延時間*1
製品名
出力論理*2
[VCU]
[VCL]
[tCU]
アクティブ "H"4.500 V4.150 V
2s
S-8206AAA-A6T2U
アクティブ "H"4.550 V
4.200 V
2s
S-8206AAB-A6T2U*1. 過充電検出遅延時間 : 1 s, 2 s, 4 s*2. 出力論理 : "H"、アクティブ "L"*3. 出力形態 : CMOS出力、Nchオープンドレイン出力
備考6

上記以外の製品をご希望のときは、販売窓口までお問い合わせください。

出力形態*3
CMOS出力CMOS出力1セル用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用)
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 ピン配置図
1.

SNT-6A
表4Top view
123端子番号654

図4端子記号

端子内容

1

NC*1

無接続

2CO

充電制御用FETゲート接続端子

3DO

テスト信号入力端子

4VSS

負電源入力端子

5VDD

正電源入力端子

6VM

CO端子側負極電源端子*1. NCは電気的にオープンを示します。
そのため、VDD端子またはVSS端子に接続しても問題ありません。

2.

HSNT-6 (1212)
表5Top view
123654

Bottom view
123654

端子番号

端子記号

端子内容1

NC*2

無接続

2CO

充電制御用FETゲート接続端子

3DO

テスト信号入力端子

4VSS

負電源入力端子

5VDD

正電源入力端子

6VM

CO端子側負極電源端子*1

図5*1. 網掛け部分の裏面放熱板は、基板に接続し電位をオープンまたはVDDとしてください。ただし、電極としての機能には使用しないでください。
*2. NCは電気的にオープンを示します。
そのため、VDD端子またはVSS端子に接続しても問題ありません。

71セル用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用)
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 絶対最大定格
表6(特記なき場合 : Ta = +25°C)
項目記号

適用端子

単位

VSS − 0.3 ~ VSS + 6

V

VDD端子 − VSS端子間入力電圧

VDS

VDD

VM入力端子電圧

VVM

VM

VDD − 28 ~ VDD + 0.3

V

DO入力端子電圧

VDO

DO

VCO

CO−−−

VSS − 0.3 ~ VDD + 0.3
VVM − 0.3 ~ VDD + 0.3
VVM − 0.3 ~ VVM + 28
400*1
480*1
−40 ~ +85

V
V
VmW
mW°C

−−55 ~ +125°C

CO出力端子電圧
許容損失

CMOS出力Nchオープンドレイン出力
SNT-6A
HSNT-6 (1212)

動作周囲温度PDTopr

保存温度
*1.

注意

Tstg
基板実装時
[実装基板](1) 基板サイズ : 114.3 mm × 76.2 mm × t1.6 mm(2) 名称: JEDEC STANDARD51-7

絶対最大定格とは、どのような条件下でも越えてはならない定格値です。万一この定格値を越えると、製品の劣化などの物理的な損傷を与える可能性があります。

700
許容損失 (PD) [mW]600

HSNT-6 (1212)

500
SNT-6A

400
300
200
1000050100150

周囲温度 (Ta) [°C]

図6 パッケージ許容損失 (基板実装時)

8絶対最大定格1セル用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用)
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 電気的特性1. Ta = +25°C

表7(特記なき場合 : Ta = +25°C)
条件

Min.

Typ.

Max.

単位測定
回路−VCU − 0.020
VCU − 0.025

VCU
VCU

VCU + 0.020
VCU + 0.025

VV

11VCL
VCL − 0.050
VCL
VCL + 0.050
過充電解除電圧
入力電圧
VDD端子 − VSS端子間
VDSOP
−
1.5−
6.0
動作電圧
入力電流
IOPE
VDD = 3.4 V, VVM = 0 V−
1.53.0動作時消費電流
出力抵抗
RCOH1 CMOS出力
51020
CO端子抵抗 "H" 1
RCOL1−
51020
CO端子抵抗 "L" 1RDOH−
51020
DO端子抵抗 "H"−
DO端子抵抗 "L"
RDOL
51020
RCOH2 CMOS出力、アクティブ "L"
14−
CO端子抵抗 "H" 2
RCOL2 CMOS出力、アクティブ "H"
14−
CO端子抵抗 "L" 2出力電流
ICOLL
Ncnオープンドレイン出力−−0.1
端子リーク電流 "L"
遅延時間tCUtCU
過充電検出遅延時間tCU × 1.3−tCU × 0.7*1. 高温および低温での選別はしておりませんので、この温度範囲での規格は設計保証とします。

V1V−μA2kΩkΩkΩkΩ
MΩ
MΩ

333333μA

3−4

項目

記号

検出電圧
過充電検出電圧

VCU

Ta = −10°C ~ +60°C*1−

9

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 測定回路注意 1. 特に記述していない場合のCO端子の出力電圧 (V CO ) の "H", "L" の判定は、Nch FETのしきい値電圧(1.0 V) とします。このとき、CO端子はVVM基準で判定してください。
2. Nchオープンドレイン出力はSWをON、CMOS出力はOFFに設定してください。

1. 過充電検出電圧、過充電解除電圧(測定回路1)1. 1アクティブ "H"V1 = 3.4 Vに設定した状態からV1を徐々に上げ、VCO = "L" → "H" となるV1の電圧を過充電検出電圧 (VCU) とします。その後、V1を徐々に下げ、VCO = "H" → "L" となるV1の電圧を過充電解除電圧 (VCL) とします。VCUとVCLとの差を過充電ヒステリシス電圧 (VHC) とします。

1. 2アクティブ "L"V1 = 3.4 Vに設定した状態からV1を徐々に上げ、VCO = "H" → "L" となるV1の電圧を過充電検出電圧 (VCU) とします。その後、V1を徐々に下げ、VCO = "L" → "H" となるV1の電圧を過充電解除電圧 (VCL) とします。VCUとVCLとの差を過充電ヒステリシス電圧 (VHC) とします。

2. 動作時消費電流(測定回路2)V1 = 3.4 Vに設定した状態において、VDD端子に流れる電流 (IDD) を動作時消費電流 (IOPE) とします。

3. CO端子抵抗 "H" 1 (CMOS出力)(測定回路3)
3. 1

アクティブ "H"V1 = 5.1 V, V2 = 4.7 Vに設定した状態において、VDD端子 − CO端子間抵抗をCO端子抵抗 "H" 1 (RCOH1) とします。

3. 2

アクティブ "L"V1 = 3.4 V, V2 = 3.0 Vに設定した状態において、VDD端子 − CO端子間抵抗をCO端子抵抗 "H" 1 (RCOH1) とします。

4. CO端子抵抗 "L" 1(測定回路3)
4. 1

アクティブ "H"V1 = 3.4 V, V2 = 0.4 Vに設定した状態において、VM端子 − CO端子間抵抗をCO端子抵抗 "L" 1 (RCOL1) とします。

4. 2

アクティブ "L"V1 = 5.1 V, V2 = 0.4 Vに設定した状態において、VM端子 − CO端子間抵抗をCO端子抵抗 "L" 1 (RCOL1) とします。

5. DO端子抵抗 "H"(測定回路3)V1 = 3.4 V, V3 = 3.0 Vに設定した状態において、VDD端子 − DO端子間抵抗をDO端子抵抗 "H" (RDOH) とします。

10

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6. DO端子抵抗 "L"(測定回路3)V1 = 1.8 V, V3 = 0.4 Vに設定した状態において、VSS端子 − DO端子間抵抗をDO端子抵抗 "L" (RDOL) とします。

7. CO端子抵抗 "H" 2 (CMOS出力、アクティブ "L")
(測定回路3)V1 = 5.1 V, V2 = 0 Vに設定した状態において、VDD端子 − CO端子間抵抗をCO端子抵抗 "H" 2 (RCOH2) とします。

8. CO端子抵抗 "L" 2 (CMOS出力、アクティブ "H")
(測定回路3)V1 = 5.1 V, V2 = 5.1 Vに設定した状態において、VM端子 − CO端子間抵抗をCO端子抵抗 "L" 2 (RCOL2) とします。

9. CO端子リーク電流 "L" (Nchオープンドレイン出力)(測定回路3)
9. 1

アクティブ "H"V1 = 5.1 V, V2 = 28 Vに設定した状態において、CO端子に流れる電流 (ICO) をCO端子リーク電流 "L" (ICOLL)とします。

9. 2

アクティブ "L"V1 = 3.4 V, V2 = 28 Vに設定した状態において、CO端子に流れる電流 (ICO) をCO端子リーク電流 "L" (ICOLL)とします。

10. 過充電検出遅延時間(測定回路4)10. 1

アクティブ "H"V1 = 3.4 Vに設定した状態からV1を上昇させ、V1がVCUを上回ってからVCO = "H" となるまでの時間を過充電検出遅延時間 (tCU) とします。

10. 2

アクティブ "L"V1 = 3.4 Vに設定した状態からV1を上昇させ、V1がVCUを上回ってからVCO = "L" となるまでの時間を過充電検出遅延時間 (tCU) とします。

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R1 = 330 Ω

IDD
A

VDD
S-8206Aシリーズ

V1
C1 = 0.1 μF

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VDD

V1

S-8206Aシリーズ
VSS

VSS
VM

DO

CO

V VDO

V VCO SW

DO

図7

測定回路1

図8

VDD

測定回路2

VDD
V1

S-8206Aシリーズ
VSS

VM
DO

COA IDO

A ICO

V3V2

S-8206Aシリーズ
VSS
VM

COM

DO

オシロスコープ

COSW
オシロスコープ

COM

図912COCOM

COM

V1VM

測定回路3

図10測定回路4

Rev.1.5_00

1セル用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用)
S-8206Aシリーズ

 動作説明備考 " バッテリー保護ICの接続例" を参照してください。

1. 過充電検出状態
S-8206Aシリーズは、VDD端子 − VSS端子間に接続された電池電圧を監視し、過充電を検出します。通常状態の電池電圧が充電中に過充電検出電圧 (VCU) を越え、その状態を過充電検出遅延時間 (tCU) 以上保持した場合、CO端子から過充電検出信号を出力します。この状態を過充電状態と言います。CO端子にFETを接続することにより、充電制御およびセカンドプロテクトが可能です。

2. テストモード
S-8206Aシリーズは、DO端子を外部から強制的にVSS電位にすることでtCUを短縮できます。DO端子を外部から強制的にVSS電位にした場合、tCUが約1/64になります。

13

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 タイミングチャート
1. 過充電検出
VCU
VCL (VCU − VHC)
電池電圧

VDD
CO端子電圧CMOS出力アクティブ "H"VVM

VDD
CO端子電圧CMOS出力アクティブ "L"VVM

VDD
CO端子電圧Nchオープンドレイン出力
アクティブ "H"High-Z

VVM

VDD
CO端子電圧Nchオープンドレイン出力
アクティブ "L"High-Z

High-Z

VVM
過充電検出遅延時間 (tCU)
状態

*1(2)

(1)

*1. (1) : 通常状態
(2) : 過充電状態
図1114(1)1セル用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用)
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 バッテリー保護ICの接続例

CMOS出力、アクティブ "H" の製品を使用した場合の接続例を図12に示します。
SCPEB+R1
VDD
C1電池

DO

S-8206Aシリーズ
FET
VSS
VM

COEB−

図12表8記号部品

FETNch
MOS FET

R1

抵抗C1

容量

注意 1.
2.

目的充電制御ESD対策、電源変動対策
電源変動対策

外付け部品定数

Min.

Typ.

Max.

備考−−−−

150 Ω330 Ω

1 kΩ

−

0.068 μF

0.1 μF1.0 μF−

定数は予告なく変更することがあります。
接続例以外の回路においては、動作確認されていません。また、接続例および定数は、動作を保証するものではありません。実際のアプリケーションで十分な評価の上、定数を設定してください。

15

1セル用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用)
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Rev.1.5_00【SCPに関するお問い合わせ先】
デクセリアルズ株式会社 グローバルマーケティング本部〒141-0032 東京都品川区大崎 1-11-2
ゲートシティ大崎イーストタワー8 階
TEL 03-5435-3946
お問い合わせ http://www.dexerials.jp/

 注意事項・IC内での損失がパッケージの許容損失を越えないように、入出力電圧、負荷電流の使用条件に注意してください。
・本ICは静電気に対する保護回路が内蔵されていますが、保護回路の性能を越える過大静電気がICに印加されないようにしてください。
・弊社ICを使用して製品を作る場合には、その製品での当ICの使い方や製品の仕様また、出荷先の国などによって当ICを含めた製品が特許に抵触した場合、その責任は負いかねます。

16

1セル用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用)
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 諸特性データ (Typicalデータ)
1.

消費電流
1. 1

IOPE − Ta

4.0

IOPE [μA]3.0
2.0
1.00.02.

−40 −25025
Ta [°C]5075 85

検出電圧2. 1

VCU − Ta

2. 2

4.53

VCL [V]VCU [V]

4.51
4.49
4.47
4.45025Ta [°C]5075 85025Ta [°C]5075 85

4.21
4.19
4.17
4.15
4.13
4.114.09
4.07−40 −25025
Ta [°C]5075 85

遅延時間
3. 1tCU − Ta

5.0
4.0tCU [s]3.

−40 −25

VCL − Ta

3.0
2.0
1.0

−40 −2517

1セル用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用)
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4.

Rev.1.5_00

出力抵抗
4. 1

RCOH1 − VCO

4. 230

RCOL1 [kΩ]30

RCOH1 [kΩ]

RCOL1 − VCO

201002010001234012VCO [V]3412
VDO [V]

34VCO [V]RDOH − VDO

4. 4302020100100012
VDO [V]

18

RDOL − VDO

30

RDOL [kΩ]

RDOH [kΩ]

4. 3

340

1セル用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用)
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 マーキング仕様
1. SNT-6A
Top view
65(1) ~ (3)(4) ~ (6)4: 製品略号 (製品名と製品略号の対照表を参照): ロットナンバー(1) (2) (3)(4) (5) (6)123

製品名と製品略号の対照表
製品名(1)
J
J
J
J
J
J
J
J
J
J
J
J

S-8206AAA-I6T1U
S-8206AAB-I6T1U
S-8206AAC-I6T1U
S-8206AAD-I6T1U
S-8206AAE-I6T1U
S-8206AAF-I6T1U
S-8206AAG-I6T1U
S-8206AAH-I6T1U
S-8206AAI-I6T1U
S-8206AAJ-I6T1U
S-8206AAL-I6T1U
S-8206AAR-I6T1U

製品略号
(2)
N
N
N
N
N
N
N
N
N
N
N
N

(3)
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
L
R

2. HSNT-6 (1212)
Top view
65(1) ~ (3)(4), (5)4: 製品略号 (製品名と製品略号の対照表を参照): ロットナンバー(1) (2) (3)(4) (5)1

2

3

製品名と製品略号の対照表
製品名
S-8206AAA-A6T2U
S-8206AAB-A6T2U

(1)
J
J

製品略号
(2)
NN

(3)
A
B

19

1.57±0.03654123+0.05
0.08 -0.02

0.5

0.48±0.02

0.2±0.05

No. PG006-A-P-SD-2.1

TITLE

SNT-6A-A-PKG Dimensions

No.

PG006-A-P-SD-2.1

ANGLE
UNIT

mm

ABLIC Inc.

+0.1

ø1.5 -0

4.0±0.1

2.0±0.05

0.25±0.05+0.1

1.85±0.05

ø0.5 -0

4.0±0.1

0.65±0.05

3 2 1

45 6

Feed direction

No. PG006-A-C-SD-2.0

TITLE

SNT-6A-A-Carrier Tape

No.

PG006-A-C-SD-2.0

ANGLE
UNIT

mm

ABLIC Inc.

12.5max.

9.0±0.3

Enlarged drawing in the central part
ø13±0.2

(60°)

(60°)

No. PG006-A-R-SD-1.0

TITLE

SNT-6A-A-Reel

No.

PG006-A-R-SD-1.0

ANGLE

QTY.

UNITmmABLIC Inc.

5,000

0.52

1.36

20.52

0.2 0.3

1.
2.

1(0.25 mm min. / 0.30 mm typ.)(1.30 mm ~ 1.40 mm)
0.03 mm
SNT

1. Pay attention to the land pattern width (0.25 mm min. / 0.30 mm typ.).
2. Do not widen the land pattern to the center of the package ( 1.30 mm ~ 1.40 mm ).
Caution 1. Do not do silkscreen printing and solder printing under the mold resin of the package.
2. The thickness of the solder resist on the wire pattern under the package should be 0.03 mm
or less from the land pattern surface.
3. Match the mask aperture size and aperture position with the land pattern.
4. Refer to "SNT Package User's Guide" for details.
1.
2.

(0.25 mm min. / 0.30 mm typ.)(1.30 mm ~ 1.40 mm)

No. PG006-A-L-SD-4.1

TITLE

SNT-6A-A-Land Recommendation

No.

PG006-A-L-SD-4.1

ANGLEUNITmm

ABLIC Inc.

0.401.00±0.05

0.38±0.02

0.404631+0.05

0.08 -0.02

1.20±0.04

The heat sink of back side has different electric
potential depending on the product.
Confirm specifications of each product.
Do not use it as the function of electrode.
0.20±0.05

No. PM006-A-P-SD-1.1

TITLE

HSNT-6-B-PKG Dimensions

No.

PM006-A-P-SD-1.1

ANGLE
UNITmmABLIC Inc.

2.0±0.05+0.1
ø1.5 -0

4.0±0.1

0.25±0.05+0.1

ø0.5 -00.50±0.05

4.0±0.1

1.32±0.05

3146

Feed direction

No. PM006-A-C-SD-2.0

TITLE

HSNT-6-B-C a r r i e r Tape

No.

PM006-A-C-SD-2.0

ANGLE
UNITmmABLIC Inc.

+1.0

9.0 - 0.0
11.4±1.0

Enlarged drawing in the central part

ø13±0.2

(60°)

(60°)

No. PM006-A-R-SD-1.0

TITLE

HSNT-6-B-ReelNo.

PM006-A-R-SD-1.0

ANGLE
UNIT

QTY.
mm

ABLIC Inc.

5,000

1.04min.

Land Pattern
0.24min.

1.02

0.40±0.02

0.40±0.02(1.22)
Caution It is recommended to solder the heat sink to a board
in order to ensure the heat radiation.
PKG

Metal Mask Pattern

Aperture ratio

Aperture ratio

CautionMask aperture ratio of the lead mounting part is 100%.
Mask aperture ratio of the heat sink mounting part is 40%.
Mask thickness: t0.10mm to 0.12 mm
100%
40%
t0.10mm ~ 0.12 mm

TITLE

HSNT-6-B-Land Recommendation

No.

PM006-A-L-SD-2.0

ANGLE

No. PM006-A-L-SD-2.0

UNITmmABLIC Inc.

免責事項 (取り扱い上の注意)
1.

本資料に記載のすべての情報 (製品データ、仕様、図、表、プログラム、アルゴリズム、応用回路例等) は本資料発行時点のものであり、予告なく変更することがあります。

2.

本資料に記載の回路例および使用方法は参考情報であり、量産設計を保証するものではありません。本資料に記載の情報を使用したことによる、本資料に記載の製品 (以下、本製品といいます) に起因しない損害や第三者の知的財産権等の権利に対する侵害に関し、弊社はその責任を負いません。

3.

本資料の記載に誤りがあり、それに起因する損害が生じた場合において、弊社はその責任を負いません。

4.

本資料に記載の範囲内の条件、特に絶対最大定格、動作電圧範囲、電気的特性等に注意して製品を使用してください。
本資料に記載の範囲外の条件での使用による故障や事故等に関する損害等について、弊社はその責任を負いません。

5.

本製品の使用にあたっては、用途および使用する地域、国に対応する法規制、および用途への適合性、安全性等を確認、試験してください。

6.

本製品を輸出する場合は、外国為替および外国貿易法、その他輸出関連法令を遵守し、関連する必要な手続きを行ってください。

7.

本製品を大量破壊兵器の開発や軍事利用の目的で使用および、提供 (輸出) することは固くお断りします。核兵器、生物兵器、化学兵器およびミサイルの開発、製造、使用もしくは貯蔵、またはその他の軍事用途を目的とする者へ提供 (輸出) した場合、弊社はその責任を負いません。

8.

本製品は、生命・身体に影響を与えるおそれのある機器または装置の部品および財産に損害を及ぼすおそれのある機器または装置の部品 (医療機器、防災機器、防犯機器、燃焼制御機器、インフラ制御機器、車両機器、交通機器、車載機器、航空機器、宇宙機器、および原子力機器等) として設計されたものではありません。上記の機器および装置には使用しないでください。ただし、弊社が車載用等の用途を事前に明示している場合を除きます。上記機器または装置の部品として本製品を使用された場合または弊社が事前明示した用途以外に本製品を使用された場合、これらにより発生した損害等について、弊社はその責任を負いません。

9.

半導体製品はある確率で故障、誤動作する場合があります。本製品の故障や誤動作が生じた場合でも人身事故、火災、社会的損害等発生しないように、お客様の責任において冗長設計、延焼対策、誤動作防止等の安全設計をしてください。また、システム全体で十分に評価し、お客様の責任において適用可否を判断してください。

10. 本製品は、耐放射線設計しておりません。お客様の用途に応じて、お客様の製品設計において放射線対策を行ってください。
11. 本製品は、通常使用における健康への影響はありませんが、化学物質、重金属を含有しているため、口中には入れないようにしてください。また、ウエハ、チップの破断面は鋭利な場合がありますので、素手で接触の際は怪我等に注意してください。
12. 本製品を廃棄する場合には、使用する地域、国に対応する法令を遵守し、適切に処理してください。
13. 本資料は、弊社の著作権、ノウハウに係わる内容も含まれております。本資料中の記載内容について、弊社または第三者の知的財産権、その他の権利の実施、使用を許諾または保証するものではありません。本資料の一部または全部を弊社の許可なく転載、複製し、第三者に開示することは固くお断りします。
14. 本資料の内容の詳細その他ご不明な点については、販売窓口までお問い合わせください。
15. この免責事項は、日本語を正本として示します。英語や中国語で翻訳したものがあっても、日本語の正本が優越します。
2.4-2019.07

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