装置名：自動精密切断機・研磨機
メーカー：ビューラー

型番：アシソメット4000＆メタサーブ250

２０１０年度導入【装置の基本機能】

アイソメット4000（切断）
メタサーブ250（研磨）

付属のレシピにより簡単に切断・面出しが可能

パワーMOSFET（TO-3P）の切断と研磨

アイソメット4000（切断）・切断能力
最大：φ50mm、150L×50D×13Hmm
試料位置決め：2μm
・自動切断移動距離：0.25～200rpmの範囲内で0.25mm刻みで設定可能
メタサーブ250（研磨）・8インチ、10インチ両用
・自動研磨

製品URL
http://www.buehler.com/Japan/IsoMet-4000.php
http://www.buehler.com/Japan/MetaServ-250Family.php

設置場所：九州工業大学
次世代パワエレ研究センター（戸畑）外部利用: 可装置名：ダイヤモンドワイヤーソー
メーカー：メイワフォーシス株式会社
高精度かつ微細な切断が可能

スリット加工

型番：DWS3242 ２０１３年度導入【装置の基本機能】
・切断間際50μmの高精度位置合わせ・断面粗さ5μm以内
・ワイヤー径：φ100～300μm
ダイヤモンド粒径：20～60μm
・推奨サンプルサイズ 30 × 30 × 10 ㎜以下【応用例】
・軟らかい、脆い、硬い、複合材料
チップコンデンサ、太陽電池、シリコン基板、BGA、ガラス、コンクリート、セラミクス焼結体、サファイア基板、LEDライト、磁性体材料
・湿式で変質する試料（ドライカット可能）
リチウム電池、カーボン板、ゼラチン、岩石、発砲スチ
ロール、エアロゲル

フェライト加工

備考、注意事項
製品URL
http://www.meiwafosis.com/products/well/well_lin
eup.html

設置場所：九州工業大学
次世代パワエレ研究センター（戸畑）外部利用: 可装置名：パワー半導体評価用試料製作システム
メーカー：ウルトラテック

型番：ASAP-1

選択部分の開封・研磨

２０１４年度導入【装置の基本機能】
・セラミック、シリコン、銅、レジンの研磨
・最小研磨面：3mm×3ｍｍ以下
最大研磨面：40mm×40mm以上
Z軸方向送り量精度：1ミクロン以下
・X軸、Y軸送り量精度：10ミクロン以下
・使用可能ツール
粗ダイヤモンドツール
ミリングツール
微細ダイヤモンドツール
Xylem研磨ツール
Xyove研磨ツール

BGA、セラミックフリップチップ、パワーデバイス、MCM等のパッケージに対応

製品URL
http://www.ultratecusa.com/asap-1#

設置場所：九州工業大学
次世代パワエレ研究センター（戸畑）外部利用: 要相談

装置名：Ｘ線実装検査システム
メーカー：メディエックステック

型番：MX-90Basic

２０１１年度導入【装置の基本機能】
X線CCDカメラ
・X線検出視野 24mm×18mm
・解像度 13LP/mm
試料テーブル・寸法(mm) 596(W)×470(D)×60(H)・動作範囲 160mm×100mm
・試料高さ 最大60mm

開封前のチップ位置確認など

製品URL
http://www.medixtec.co.jp/products/60b/

画像処理
画像補正（Brightness, Gamma, Contrast）
画像積算、画像平均、計測機能、画像保存、動画保存、画面最大化
jpeg、ビットマップ形式で保存可能

設置場所：九州工業大学
次世代パワエレ研究センター（戸畑）外部利用: 要相談

装置名：高精細マイクロスコープ
メーカー：キーエンス

型番：VH-5500SP

２０１０年度導入【装置の基本機能】
レンズ
・倍率 100～1000倍・撮像範囲(mm)100倍 3.05(H)×2.28(V)
1000倍 0.30(H)×0.23(V)・観察距離 25mmカメラ
・撮像素子 1/2型150万画素CCDイメージセンサ
有効画素数1392(H)×1040(V)・フレームレート：15F/s

距離、角度などの計測が可能

備考、注意事項

設置場所：九州工業大学
次世代パワエレ研究センター（戸畑）外部利用: 可装置名：超音波ボンディング装置
メーカー：シンアペックス

型番：SWB-15050W ２００９年度導入【装置の基本機能】• 適用ワイヤ径：100mmから500mm（Al）• 超音波最大出力：50W• ボンディング可能高さ範囲：50mm• 設定チャンネル数：2チャンネル

500mmまでの太線ワイヤ対応

備考、注意事項
製品URL
http://shinapex.co.jp/news/product/bonding【応用例】• パワー半導体のAl・Cuワイヤボンディ
ング

設置場所：九州工業大学
次世代パワエレ研究センター（戸畑）外部利用: 可装置名：ウェッジボンダー
メーカー：K&S社

型番：K&S 4526 ２０１０年度導入【装置の基本機能】• 対応ワイヤー径:金線12.7～76μm、アルミ線20～76μm• ボンディングエリア:134×134mm• 荷重：10～160g• 温度コントローラー：250±0.5℃【応用例】• パワー半導体のAl・Auワイヤボンディ
ング

細線の超音波接合

備考、注意事項
製品URL
http://www.kns.com/enus/Pages/Manual%20Wedge%20Bonder%204500.aspx?kns=TLFQStL
4sfpp%2Bl8m5g2LJEljkRIhkn3TJ8OjMabQP30FB2X16NHen5imU5c9P
h7U

設置場所：九州工業大学
次世代パワエレ研究センター（戸畑）外部利用: 可装置名：ウェッジボンダー
メーカー：BONDTEC

型番：5350 ２０１５年度導入【装置の基本機能】• 対応ワイヤー径:アルミ線100～500μm• ボンディングエリア:50×50mm• コントロール・モード：マニュアル、セミ・オート【応用例】• パワー半導体のAlワイヤボンディング
500μｍまでの太線ワイヤ対応

備考、注意事項
製品URL
http://www.eltech.co.jp/seihinannai/wirebonder/manual/5330manual.html

設置場所：九州工業大学
次世代パワエレ研究センター（戸畑）外部利用: 可装置名：シミュレーション・ツール【装置の基本機能】

TCAD

シノプシス - テクノロジCAD（TCAD）
デバイス・シミュレーション
アンシス
Icepak – 電気・電子機器熱流体解析
Q3D - 電子部品向け寄生パラメータ抽出
HFSS - 高周波3 次元電磁界解析

ICEPAK、Q3D、HFSS

MATLAB / Simulink
信号解析、画像解析、回路シミュレーション

MATLAB / Simulink

製品URL
http://www.synopsys.com/jp2/Tools/TCAD/Pages/default.aspx
http://www.ansys.jp/products/fluid/icepak/
http://jp.mathworks.com/products/?s_tid=gn_ps

設置場所：九州工業大学
次世代パワエレ研究センター（戸畑）外部利用: 原則不可

装置名：半導体カーブトレーサ
メーカー：岩通計測

型番：CS-3200 ２０１０年度導入【装置の基本機能】• 最大ピーク電圧：3,000V（高電圧モード）• 最大ピーク電流：400A（大電流モード）• 全機種LEAKAGEモード搭載（カーソル分解能1pA）• 画面データ保存やセットアップデータ保存
可能なUSBポート• リモートコントロール用、LANインタフェー
ス搭載

3kV-400A素子特性の測定【応用例】
・IGBTやMOSFET、トランジスタ、ダイオードなど各種半導体の静特性測定

備考、注意事項
製品URL
http://www.iti.iwatsu.co.jp/ja/products/cs/cs3000_top.ht
ml

設置場所：九州工業大学
次世代パワエレ研究センター（若松）外部利用: 可装置名：パワーアナライザ
メーカー：横河計測

型番：WT-3000 ２０１０年度導入【装置の基本機能】
・電力基本確度 0.06％・測定帯域 DC, 0.1Hz～1MHz
・最大4入力エレメント入出力同時測定
・電圧レンジ 15V～1000V
・電流レンジ 5mA～2A, 500mA～30A

備考、注意事項
製品URL
http://www.yokogawa.com/jp-ymi/tm/Bu/WT3000/

設置場所：九州工業大学
次世代パワエレ研究センター（若松）外部利用: 可装置名：インピーダンスアナライザ
メーカー：アジレント・テクノロジー社

型番：4294A ２０１０年度導入【装置の基本機能】
・計測パラメータ:｜Z｜、｜Y｜、θ、R、X、G、B、I、C、D、Q
・周波数範囲: 40 Hz～110 MHz
・分解能: 1 mHz
・基本インピーダンス確度: ±0.08％

高精度なインピーダンス測定が可能

備考、注意事項
製品URL
http://www.keysight.com/ja/pd1000000858%3Aepsg%3Apro-pn-4294A/precisionimpedance-analyzer-40-hz-to-110-mhz?cc=JP&lc=jpn【応用例】
・パワー半導体のインピーダンス測定
・キャパシタ、インダクタ、圧電素子等のインピーダンス測定
・半導体材料の誘電率，導電率，C-V特性
評価
設置場所：九州工業大学
次世代パワエレ研究センター（戸畑）外部利用: 可装置名：ＴＤＲ測定装置
メーカー：テクトロニクス

型番：DSA8200-R3 ２０１０年度導入【装置の基本機能】・広帯域サンプリングオシロスコープ
・デュアルチャンネル20 GHz帯域のTDRサンプリングモジュールを搭載
・立上り時間23 psの高速なTDR測定が可能
・静電気保護モジュールの搭載

高速パルスによる広帯域な測定が可能

IGBTインダクタンス測定

備考、注意事項
製品URL
http://jp.tek.com/datasheet/dsa8200【応用例】
・プリント基板、ケーブル、コネクタなどの特性試験
・パワー半導体の寄生パラメータの測定
・受動素子のパラメータ測定

設置場所：九州工業大学
次世代パワエレ研究センター（戸畑）外部利用: 要相談

装置名：マニュアルプローバ
メーカー：ベクターセミコン 型番：MX-1100BHV/K ２０１０年度導入【装置の基本機能】
・RTから300℃までウエハステージへの加熱
・半導体パラメータアナライザー(B1500)でのデバイス評価（トライアキシャル対応）
最大ピーク電圧：3,000V（高電圧モード）
最大ピーク電流：1,000A（CS-3300大電流モード）【応用例】
・高温でのデバイス評価
・ホットキャリア特性、 Positive Bias Temperature
Instability (PBTI), Negative Bias Temperature
Instability (NBTI)等の信頼性評価
・デバイスパラメータ抽出

備考、注意事項

設置場所：九州工業大学
次世代パワエレ研究センター（戸畑）外部利用: 可装置名：半導体パラメータアナライザ
メーカー：アジレント・テクノロジー社

型番：B1500A ２０１１年度導入【装置の基本機能】
・IV、CV、パルス／ダイナミックIVなどの特性を評価
・最大100V、100mAの計測が可能
・PCからデータ解析及び本体の制御が可能
・最大１０スロットまで測定モジュールを拡張可能半導体の高精度な電圧電流特性の評価が可能

備考、注意事項
製品URL
http://www.keysight.com/en/pd-582565-pnB1500A/semiconductor-device-analyzer?cc=JP&lc=jpn【応用例】
・パワー半導体の評価・故障解析
・受動素子の特性評価

設置場所：九州工業大学
次世代パワエレ研究センター（戸畑）外部利用: 可装置名：超音波映像装置
メーカー：日立

型番：FineSAT type3 FS100Ⅲ

２０１１年度導入【装置の基本機能】
プローブ周波数： 保有50MHz、（最高500MHz）
有効ストローク（X×Y×Z）mm： 350×350×80
最大走査速度： 1000mm/s
最小ピッチ： 0.5μm
パワーストレス： DC～532A/30V

パワーサイクル
試験中にデバイスの内部変化を観察【特徴】
・デバイス内部（界面）を非破壊で観察・ジャンクション温度（Tj）の同時モニタリング
・観察面を浸水させ観察・表面温度、形状変化の同時モニタリング機能拡張中【適応例】
パワーMOSFET（TO-3P）、IGBTモジュール、DBC実装基板製品URL
http://www.hitachi-powersolutions.com/finesat/products/finesat/finesat01.ht
ml

設置場所：九州工業大学
次世代パワエレ研究センター（若松）外部利用: 要相談

装置名：高速赤外線カメラシステム
メーカー：FLIR

型番：SC7600

２０１１年度導入【装置の基本機能】

検出素子 冷却型インジウムアンチモン（InSb）
冷却型水銀カドミウムテルル（MCT）
解像度 640×512ピクセル
スペクトル波長 1.5-5.1μm
フレームレート 100Hz（フルフレーム）
最大 3400Hz（48×4）
ピクセルピッチ 15μm

観察領域全体の高速・高精度
温度分布測定

製品URL
http://www.flir.jp/cs/display/?id=43463

温度測定範囲5℃～300℃(InSb) 分解能 < 0.02℃
5℃～150℃（MCT） 分解能 < 0.025℃

設置場所：九州工業大学
次世代パワエレ研究センター（戸畑）外部利用: 要相談

装置名：走査型温度モニタリングシステム
九工大独自開発

赤外線センサを用いた高速・高空間分解能温度測定【装置の基本機能】検出器をスキャンすることで、各位置での温度変化を高速・高空間分解能温度測定
・光学レンズ＋検出器による高空間分解測定（50μm）
・高速取込みによる高時間分解測定（1μs）
・光学系により集光するため微弱な信号も検出可能
・レーザ変位計による高精度焦点合わせ

備考、注意事項

設置場所：九州工業大学
次世代パワエレ研究センター（戸畑）外部利用: 要相談

装置名：パワー半導体信頼性試験環境
メーカー：ハセテック

２０１３年度導入【装置の基本機能】
・電圧定格: 10 kV，電流定格: 100 A
・最大1 MVAの連続運転試験に対応
・水冷システム(冷却能力: 8 kW)

電源及び負荷インダクタ

水冷システム(~10 kV, ~100 A)【応用例】
・パワー半導体の連続動作信頼性試験
・パワー半導体のスイッチング制御
・高電圧スイッチングに伴うノイズの解明
・受動素子(キャパシタ)の損失評価と信頼性試験

試作インバータ回路

備考、注意事項
高電圧を扱うため、特に下記の点に注意する。
・運転時は装置に立ち入れないよう柵を設ける。
・高電圧電圧計の設置。
・その他安全対策の徹底。

設置場所：九州工業大学
次世代パワエレ研究センター（若松）外部利用: 要相談

装置名：スイッチング試験装置
メーカー：コペル電子

型番：九工大オリジナル ２０１２年度導入

写真

1000V-2400Aまで対応したIGBT試験装置

備考、注意事項
製品URL
http://www.copernics.co.jp/semi.html【装置の基本機能】• 直流電圧：1,000V• 過電流設定範囲：100A~2400A• インダクタ値：
20μH/50μH/100μH/200μH/400μH• 安全機能：ショートチェック機能、試料部カバーの充電中ロック【応用例】
・IGBTやMOSFET、トランジスタ、ダイオードなど各種半導体のスイッチング特性評価

設置場所：九州工業大学
次世代パワエレ研究センター（若松）外部利用: 要相談

装置名：高電圧安全ボックス
メーカー：九州計測器

型番：特注品 ２０１４年度導入【装置の基本機能】• 直流電圧：1,000V• 安全機能：インターロックにより50V以上の充電中ロック

写真1000Vまで対応したIGBT試験装置

備考、注意事項
製品URL

【応用例】
・IGBTやMOSFET、トランジスタ、ダイオードなど各種半導体のスイッチング特性評価

設置場所：九州工業大学
次世代パワエレ研究センター（若松）外部利用: 不可

装置名：極限性能試験環境システム
メーカー：エスティーラボ

型番： SiMCB-HTV40 ２０１２年度導入【装置の基本機能】
・RTから500℃までデバイス特性の評価が可能
・真空中でのデバイス特性の評価
・チップサイズ 30mm X 30mm
・BNC対応【応用例】
・デバイス特性評価
・デバイスモデリング

備考、注意事項

設置場所：九州工業大学
次世代パワエレ研究センター（若松）外部利用: 要相談

装置名：パワーシステム極限性能評価試験環境システム
メーカー：in TEST Thermal Solutions

型番：ATS-750-M

２０１４年度導入【装置の基本機能】
温度範囲: －90℃～300℃
温度切替時間: 18℃/秒
OS :Windows
カラータッチスクリーン
データログ機能有DUTコントロール機能有温度サイクル試験可能
加熱型デフロースト機能
入力された圧縮エアーを素早く温度コントロー
ルし、エアーノズルから検査対象物に噴射
ボード上のIC、テストボード・ソケット上のIC等対象物をスポット的に素早く温度コントロール

製品URL
http://www.hakuto.co.jp/products/equipment/intest-thermal/thermo.html
http://www.intestthermal.com/products/thermostr
eam-air-forcing-systems/configurations

設置場所：九州工業大学
次世代パワエレ研究センター（若松）外部利用: 要相談

装置名：周波数特定分析装置
メーカー：NF回路

型番：FRA5097、BP4610

２０１４年度導入【装置の基本機能】

周波数特性分析器 FRA5097
サーボ特性、ループ特性、インピーダンス測定、共振特性測定など

バイポーラ電源 BP4610

FRA4097・測定周波数 0.1mHz～15MHz・振幅精度 ±0.05dB、位相精度 ±0.3°
・ダイナミックレンジ 140dB、アイソレーション電圧 250Vrms

BP4610・255ステップのシーケンシャル信号源内蔵・DC（直流）・正弦波・方形波および任意波の出力可能・電圧電流4象限出力・ハイパワー ： ±60V（シフト可）、±10A (30Ap-p)
・ハイスピード ： DC～150kHz （CV、調整特性）
・定電圧 (CV)／定電流 (CC) 動作を選択可能

シーケンス機能内蔵、高電圧・大電流バイポーラ電源

製品URL
http://www.nfcorp.co.jp/pro/mi/fra/fra5087_97/
http://www.nfcorp.co.jp/pro/ps/p-amp/bipolar/bp/

設置場所：九州工業大学
次世代パワエレ研究センター（戸畑）外部利用: 可

装置名：空間電磁界可視化システム
メーカー：ノイズ研

型番：九工大オリジナル

２０１4年度導入【装置の基本機能】
空間電磁界可視化システム
・周波数帯：100kHz～3GHz
・測定周波数範囲：100kHz-3GHz以上。

空間電磁界可視化システム
精密ステージシステム
ネットワークアナライザ

部品より輻射している
電磁界

精密ステージシステム装置
・作動移動範囲：X軸750mm以上、Y軸 450mm以上、Z軸250mm以上
ネットワークアナライザ
・周波数範囲：100 kHz～4.5・測定ポート数は、2ポート の測定が可能
・50 Ωで Sパラメータの測定が可能
・トレース・ノイズ：0.005 dB rms以下・ダイナミック・レンジ：125 dB rms以下

製品URL
http://www.noiseken.co.jp/modules/products/inde
x.php?content_id=250

設置場所：九州工業大学
次世代パワエレ研究センター（戸畑）外部利用: 要相談

装置名：3次元画像相関システム
メーカー：Correlated Solutions社

型番：VIC-3D

２０１4年度導入【装置の基本機能】
・計測範囲（使用するレンズによる）標準レンズ：50×50mm～5,000×5,000mm
・計測レンジ 0.01％～400％・計測精度
ピクセルの1/50～1/100＜変位＞100×100mm2 の視野で1～2μm＜ひずみ＞ 0.01%
・データの取り込み 15Hz（ビデオレート）(カメラシステムに依存）

2台のカメラで撮影した画像から、材料や部品の全視野の変形計測やひずみ解析を、非接触・3次元で計測

製品URLhttp://www.lasermeasurement.com/product/correlated/vic3d.html

設置場所：九州工業大学
次世代パワエレ研究センター（戸畑）外部利用: 要相談

装置名：シリコンウェーハバルク品質評価装置
メーカー：九州工業大学

型番：九工大独自開発 ２０１4年度導入

・新原理（光学励起レーザビーム屈折）・超高速・低装置
価格測定解析

結果
品質指標

屈折角曲線

備考、注意事項：
デュアルレーザビーム法による世界初の新原理に基づく新規バルク品質評価装置．ワイド・バンドギャップ半導体（e.g., SiC）など，他の半導体ウェーハにも適応化．

【装置の基本機能】
・ウェーハ内部の結晶品質を直接評価
・測定時間（0.1秒/1測定点）
・実機ではウェーハ非破壊高速スキャン【応用例】
・ハイエンドパワーデバイス用シリコンウェーハの高速高精度バルク品質評価
・中耐圧パワーデバイス用シリコンウェーハの高速バルク品質評価
・太陽電池用シリコンの高速品質評価【基本スペック】
・拡散長分解能：50μm （高品質領域）

設置場所：九州工業大学
次世代パワエレ研究センター（戸畑）外部利用: 要相談