内殻電子励起による界面固相反応の制御, , 
佐 藤 和 久1
保 田 英 洋2
森
)
)

, 

博太郎3
)

る(14)，の 2 例である．後者では，電子励起により aSiOx が

.

は じ

め

に

解離し，生成した Si が Pt と反応して Pt2Si が形成されるものと推察される．光化学分野では，分子の光誘起解離反応に

固体材料改質に有効な手法の 1 つとして，メガ電子ボルより生成した化学種(主に構成原子)が，引き続いて起こる次ト( MeV )の高エネルギーイオン照射や電子照射が広く利用の合成反応の出発物質の 1 つとなる場合があることはよくされている．照射による点欠陥の生成・消滅や移動に関する知られている(15)．しかしながら，無機固相反応ではそのよ

研究は，固体内で生じる各種プロセスのメカニズム解明や材

うな例は報告されていない．電子励起により無機固相反応を料の高機能化の観点から重要である．非金属無機材料に限定制御できるかどうかは，興味深い課題である．

すると，この分野の研究例として，電子・イオン同時照射環

上記のような背景のもと，著者らは上述した Pt/aSiOx 系

境下での Si の構造変化(1) ，電子照射による半導体への異種において，電子励起による解離生成物である Si 原子が Pt2Si

原子注入(2) ，電子照射による Si の非晶質化(3) ，イオン注入形成に寄与することを実験的に明らかにすることにした．こによる半導体への不純物原子のドーピング(4)，イオン照射にのとき，エネルギー可変な放射光を励起源として用いること

よる CeO2 への格子欠陥導入(5)(6)などが挙げられる．

により，軌道選択的な電子励起が可能となるため，Pt2Si 形

一般に，高エネルギー粒子照射による材料改質は，構成原

成反応の支配因子およびメカニズムの解明に有用な知見が得

子の弾き出しによる原子移動，ならびに，電子励起により生られるものと期待される．本稿では，電子励起を利用した新じる固体内プロセスによって行われる．固体の照射損傷は弾しい固相反応について，著者らの最近の研究成果を中心に紹き出しに起因し，上記の非金属無機材料の例に見るように，介する(16)．

これまで多くの研究成果が蓄積されている．一方，電子励起.

は，価電子励起と内殻電子励起とに区分され，前者に関しては主にレーザー光照射を用いて，化合物結晶のアモルファス
化(7)，半導体表面からの構成原子の脱離(8)(9)，準安定な表面




実

験

方

法

試料作製

ナノ構造の生成(10)(11) ，酸化物薄膜の相転移(12) などが報告

大気中劈開した単結晶 NaCl ( 001 )基板を用いて， SiO (一されている．これに対して，内殻電子励起を利用した固相反

酸化ケイ素)の真空蒸着と Pt の直流スパッタリングにより，

応は研究例が極めて少ない．

Pt/SiOx 薄膜を作製した．成膜時の基板温度と成膜順序を変我々のグループでは，これまでに内殻電子励起に着目し化させることにより，aSiOx 薄膜上で Pt スパッタ膜の結晶て，熱処理では生じない固相反応(すなわち，ギブス自由エ

配向を調整した．まず，真空チャンバー内で 573 K に保持

ネルギー変化 DG が正の固相反応)が，原子弾き出しを伴わした NaCl 基板に Pt をスパッタし，その表面を aSiOx 薄膜ない低エネルギー電子照射により進行する場合があることをで覆うことにより，方位配向膜(以下， Pt(epi) / SiOx と表記)

 GaSb 化合物半導体ナノ
見出している(13)(14) ．すなわち，

を作製した．次に，室温に保持した NaCl 基板上にまず SiOx

 Pt / a 
粒子が Ga と Sb の混合物に分解する(13) ，SiOx 界面を蒸着し，続いて同じく室温で Pt をスパッタすることによ( a は ア モ ル フ ァ ス の 意 ) で 正 方 晶 の a Pt2Si が 生 成 すり，多結晶膜(以下， Pt(poly)/SiOx と表記)を作製した． SiOx

大阪大学超高圧電子顕微鏡センター 1)准教授 2)教授 3)特任教授(〒567
0047 茨木市美穂ヶ丘 71)
大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻 1)准教授 2)教授
大阪大学名誉教授
A Novel Interfacial Solid Phase Reaction and Its Control by Core Excitation; Kazuhisa Sato,, Hidehiro Yasuda,, HirotaroMori,(Research Center for UltraHigh Voltage Electron Microscopy, Osaka University, Ibaraki. Department of Materials andManufacturing Science, Graduate School of Engineering, Osaka University, Suita. Emeritus Professor, Osaka University, Suita)
Keywords: transition metal silicide, electronic excitation, synchrotron radiation, transmission electron microscopy, electronic band structure
2018年 8 月24日受理[doi:10.2320/materia.57.545]

ま て り あ 第57巻 第11号(2018)Materia Japan

膜中の酸素含有量 x は約1.5である(14)．作製した試料薄膜をPt 薄膜が形成されていること， Pt 薄膜が( 001 )配向してい精製水に浸して NaCl 基板を除去し， q 3 mmCu 単孔グリッ

ることがわかる． a SiOx によるハローパターンは強度が非ド(孔径 q 0.3 mm )にすくい取り，フォトン照射および透過常に弱い．フォトン照射後の BFTEM 像と対応した SAED

電子顕微鏡(TEM)観察用試料とした．

図形を図 1( c )，( d )に示す．図 1( d )の矢印位置に新たな反

フォトン照射および電子顕微鏡観察

佐賀大学シンクロトロン光応用研究センターのビームライ

射 が 現 れ て い る ． こ の 反 射 は 正 方 晶 a Pt2Si ( ThH2 型 構造(17))の110反射であることが判明した．よって，680 eV のフォトン照射により， Pt(epi) / SiOx 薄膜中に a Pt2Si が形成

ン( BL13 )を用いて， Pt / SiOx 薄膜にエネルギー 680 eV ，されることが明らかとなった．図 1 ( e )に SAED 図形上で140 eV ， 80 eV の 紫 外 光 を 室 温 で そ れ ぞ れ 14.4 ks 照 射 し[ 22̃0 ]方向に測定した回折強度プロファイルを示す． a 

た．フォトンビームは直径約 0.1 mm であり，フラックスはPt2Si の 110 反射によるピークが確認できる．図 1 ( f )は図 1

約 1.8 × 1020 photons / m2s ( 680 eV )， 5.1 × 1021 photons / m2s(d)に示した SAED 図形のキーダイヤグラムを示す．

(140 eV)，3.7×1021 photons/m2s(80 eV)である．フォトン

図(a)に 680 eV フォトン照射領域で観察した HREM 像照射に際して，Cu 単孔メッシュの中心付近にフォトンビー

を示す．観察に用いた試料は図 1 に示した試料と同一であムが収束するようにビーム位置を調整した．さらに，る．明るいコントラストで観察される領域は主に a SiOx でPt(epi) / SiOx と Pt(poly) / SiOx 薄膜ともに，フォトンビームがあり，暗いコントラストで観察される領域に格子縞が観察さ

常に Pt 側に入射するように試料を配置した．照射前後でのれる．領域 A では直交した 0.28 nm 間隔の格子縞が， B で試料の微細組織観察には， 200 kV 電界放射型 TEM ( JEOLは直交した 0.20 nm 間隔の格子縞，C では一方向に 0.20 nm

JEM ARM200F )を用いた．電子照射実験は 75 kV TEM

間隔の格子縞が観察される．解析の結果，領域 A が aPt2Si(Hitachi H7000)を用いて行い，いずれの場合も CCD カメの(110)面に対応することが判明した．面間隔 0.20 nm の格

ラを用いて画像を記録した．マルチスライス法による高分解子縞は(112) Pt2Si または(200) Pt に対応し， HREM 像では

能 TEM ( HREM )像シミュレーションには MACTEMPAS

直ちには判別できない．図 2(b)に領域 A の拡大像とシミュ(Total Resolution LLC)を用いた．

レーション像(右下)を示す．シミュレーションは，加速電圧200 kV ，球面収差係数 Cs ＝ 0.5 mm ，ビーム発散角 b ＝ 0.5

.



実 験

結

果

フォトン照射(680 eV)による Pt2Si 形成

図に Pt(epi) / SiOx 薄膜における Pt2Si 形成の例を示す．

mrad ，試料厚さ t ＝ 8 nm の条件で行った．同様にして，Pt(poly) / SiOx 薄膜においても， 680 eV にて 14.4 ks のフォトン照射により aPt2Si が形成されることを確認した．なお，
HREM 観察中の電子線量は，電子照射による Pt2Si 形成に

図 1(a)，(b)はそれぞれフォトン照射前の明視野(BF)TEM

必要な値よりも 2 桁低いことから，観察時の電子照射の影像および制限視野電子回折( SAED )図形を示す．不連続な響は無い．さらに，フォトン照射による温度上昇も無視し得

図1




Pt(epi)/SiOx 薄膜へのフォトン照射(680 eV)による Pt2Si 形成．(a) BFTEM像(照射前)，(b) SAED 図形(照射前)，(c) BFTEM 像(照射後)，(d) SAED 図形(照射後)，(e) [22̃0]方向に測定した電子回折強度プロフ
ァイル，(f) SAED 図形のキーダイヤグラム(照射後)．

最近の研究る程度である．これら電子照射の影響や温度上昇の評価，多結 晶 膜 で の 実 験 結 果 等 は 原 著 論 文 の Supplementary
Material(18)を参照されたい．


フォトン照射(140 eV)による Pt2Si 形成

図(a)，(b)はそれぞれフォトン照射前の BFTEM 像と対応した SAED 図形を示す．図 1 ( a )と同様に，( 001 )配向
した不連続な Pt 薄膜が形成されている．フォトン照射後のBFTEM 像と対応した SAED 図形を図 3(c)，(d)に示す．

図 3(d)の矢印位置に，非常に弱い aPt2Si の110反射が現れており，140 eV のフォトン照射により Pt(epi)/SiOx 薄膜中にPt2Si が形成されたことがわかる．図 3 ( e )に SAED 図形上で[ 220]方向に測定した回折強度プロファイルを，図 3( f )に SAED 図形のキーダイヤグラムを示す．
図に 140 eV フォトン照射領域で観察した HREM 像を示 す ．観 察 に 用い た 試料 は 図 3 に 示 し た試 料 と同 一 で ある．丸印で囲んだ領域内に面間隔 0.28 nm の(110)格子縞が観察され，aPt2Si が形成されていることがわかる．Pt(poly)/
SiOx 薄膜においても， 140 eV にて 14.4 ks のフォトン照射により aPt2Si が形成されることを確認した．


フォトン照射(80 eV)の効果

図に照射前後での BF TEM 像と SAED 図形を示す．
図2

フォトン照射後( 680 eV 14.4 ks )の Pt(epi) / SiOx
薄膜の HREM 観察結果．(a) HREM 像，(b) 図
2 ( a )領域 A の拡大像とシミュレーション像(右下 ) ． 面 間 隔 0.28 nm の 格 子 縞 は a Pt2Si の(110)に対応する．

解析の結果，aPt2Si に起因する反射は検出されなかった．
さらに， Pt2Si 以外の白金シリサイド( Pt5Si2 ， PtSi )も形成されなかった．Pt(poly)/SiOx 薄膜の場合も同様であり，したがって， 80 eV フォトン照射では Pt/ a SiOx 界面に Pt2Si は
 で考察するように，形成されないと結論した．これは，4

Pt2Si 形成には Si 2p 準位( 100 eV )の励起が必要であること

図3

Pt(epi)/SiOx 薄膜への 140 eV フォトン照射による Pt2Si 形成．(a) BFTEM 像(照射前)，(b) SAED 図形(照射前)，(c) BFTEM 像(照射後)，(d) SAED 図形(照射後)，(e) [220]方向に測定した電子回折強度プロフ
ァイル，(f) SAED 図形のキーダイヤグラム(照射後)．

ま て り あ 第57巻 第11号(2018)Materia Japan




図4

フォトン照射後( 140 eV 14.4 ks )の Pt(epi) / SiOx
薄膜の HREM 観察結果．◯印で囲んだ領域内に
aPt2Si の(110)格子縞が観察される．

図5

Pt(epi) / SiOx 薄膜の 80 eV フォトン照射前後でのTEM 観察結果．(a) BFTEM 像(照射前)，(b)SAED 図 形 ( 照 射 前 ) ， ( c ) BF TEM 像 ( 照 射後)，(d) SAED 図形(照射後)．80 eV では Pt2Siは形成されない．

図6と関係する．


電子照射(75 keV)による Pt2Si 形成

Pt(poly)/SiOx 薄膜への 75 keV 電子照射による Pt2
Si 形成．( a ) BF TEM 像(照射前)，( b ) SAED
図形(照射前)，( c ) BF TEM 像(照射後)，( d )SAED 図形(照射後)，(e) SAED 図形から測定した 電 子 回 折 強 度プ ロ フ ァ イ ル ．二 重 矢 印 は a 
SiOx の第 1 ハローリングのピーク位置を示す．
(オンラインカラー)

Pt2Si が 形 成 さ れ て い る こ と を 示 し て い る ． 図 6 ( e ) にPt(poly)/SiOx 薄膜について得られた電子回折強度プロファイ

ルを示す．青，緑，赤色で表示したプロファイルはそれぞ

図に 75 keV 電子照射による Pt(poly) / SiOx 薄膜におけるれ，照射前試料， 680 eV フォトン照射(18) ， 75 keV 電子照

Pt2Si 形成の例を示す．フラックスは 6.93 × 1022e / m2s ，照射試料での結果を表す．フォトンあるいは電子照射により，

射温度は室温，照射時間は 3.6 ks である．図 6(a)，(b)はそ

Pt の反射に加えて a Pt2Si からの反射が観察される．特にれぞれ電子照射前の BF TEM 像と対応した SAED 図形を

電子照射試料では，フォトン照射試料の場合と比較して示す．約 10 nm サイズの Pt ナノ粒子が a SiOx 上でランダ

110Pt2Si 反射の強度が強く，さらに002Pt2Si，022Pt2Si 反射も観ム配向している．図 6(c)，(d)は電子照射後の BFTEM 像

察されることから， Pt2Si がより多量に形成されていると考と SAED 図形を示す． Pt 粒子の凝集・粒成長が進んでいる

えられる．Pt(epi)/SiOx 薄膜における電子照射による Pt2Si 形

ことと， SAED 図形上で Pt の 111 反射の内側に矢印で示す

成の詳細は，文献(14)(18)を参照されたい．

新たな回折リングが現れていることがわかる．この回折リン

図 6(e)の強度プロファイル上の二重矢印は， aSiOx から

グ は a Pt2Si の 110 反 射 で あ り ， 75 keV 電 子 照 射 に よ りの第 1 ハローリングのピーク位置を示すが，Pt2Si 形成に伴




最近の研究

い低散乱角側にシフトしていることがわかる．照射前試料ではピークは散乱ベクトル q＝ 2.60 nm－1 の位置にあったが，電子照射後には q＝ 2.43 nm－1 へと大きくシフトしていることがわかる．ここで q＝ 2 sin u/ l である(2 u， l はそれぞれ散乱角，電子線波長)．aSiO および aSiO2 における第 1 ハ
ロ ー リ ン グ の ピ ー ク 位 置 は そ れ ぞ れ 2.73 nm－1 (19)， 2.44
nm－1 (20)と報告されている．照射前試料(aSiOx，x～1.5)での値は，これら a SiO と a SiO2 での値の中間に位置し，Pt2Si 形成に伴って aSiO2 での値に近づいている．これは，Pt2Si 形成に伴い， Pt と接触している a SiOx 中の Si 含有量が低下し，平均的に組成が SiO2 に近づいたためと考えられる．比較のため， Pt を含まない a SiOx 試料への 75 keV 電子 照 射実 験 を行 っ たが ， 7.2 ks 照 射後 試 料に お いて も a 
SiOx の第 1 ハローリングのピーク位置に変化は見られなかった．これは，ピーク位置のシフトには Pt が関与している
こと，すなわち， Pt2Si 形成に伴う a SiOx 中の Si 濃度低下に起因することを示している．フォトン照射の場合には，図6(e)に示すようにピーク位置は q＝2.55 nm－1 であり，電子照射の場合と比較してそのシフト量は小さいことから，
Pt2Si 形成反応の進行度は低いと言える．これは上述の推論とも一致する．

.

考

察
図7

SiO 二元系のエネルギー準位を表す模式図．

本研究で得られた実験結果は以下のように要約できる．


Pt(epi) / SiOx 薄膜ならびに Pt(poly) / SiOx 薄膜にフォトン照射を行うと，フォトンエネルギー 680 eV および 140 eV起による酸化物表面からの酸素の脱離は， K F モデルと同の場合には薄膜中に a Pt2Si が生成したが， 80 eV では a 様のメカニズムでは完全には説明できず，イオン脱離のため

Pt2Si を含め白金シリサイドは生成しなかった． a Pt2Si はの電荷移動は Kotani Toyozawa ( K T )モデル(24)(25) によっ

75 keV 電子照射によっても生成する．

てより適切に記述されると報告している．しかし，遷移金属



Pt2Si 形成に伴い，aSiOx 中の Si 濃度が減少する．



Pt2Si 形成メカニズムとは異なり Si には d 電子は存在しないことから，KT モデ
ルは Pt / SiOx 系には適用できない．そこで K F モデルに準拠して考える． Pt / SiOx 界面で Si2p 準位の電子を励起する

図は SiO 二元系のエネルギー準位を表す模式図である．

と，まず酸素イオンの価数変化を生じると考えられる(註Pt / SiOx 界面において， Si O 原子間距離と比較して， Si 原

オージェ遷移の終状態において 2 正孔が生成する)．その結子と Pt 原子とは物理的に距離が離れていることから，Pt と果，SiO 結合が切断され，フリーになった Si が Pt/SiOx 界

Si との軌道混成は無視し得る程度と考えられる．そこで，

面で PtSi 結合を形成する．Chen らは aSiO2 内部での電荷

Pt/SiOx 界面での価電子帯は SiO 二元系の価電子帯(21)を用の符号変化による酸素変位を 報告している(26)．このようにいて表すことができると仮定する．図 7 と実験結果の要約

して， aSiOx 中で短時間ではあるが O との結合が切れた Si から， Pt2Si 形成には価電子の励起では不十分であり，少は Pt と結合し，この過程を繰り返すことにより， Pt / SiOx

なくとも Si2p 準位(2p1/2: 100 eV，2p3/2: 99 eV)の電子を励界面での Pt2Si 形成と， a SiOx 中での Si 濃度の減少をもた起する必要があることが判明した．同様の理由で， Pt4f 電

らす．自由エネルギー変化の観点からは，通常の熱処理では子(4f5/2: 74 eV，4f7/2: 70 eV)の励起も Pt2Si 形成には寄与しこのような SiOx の解離に伴う Pt2Si 形成反応は進行しない

ない． Si2p 電子の励起は，遷移金属酸化物表面からの酸素ことに注意したい(SiO2(s)＋2Pt(s)→ Pt2Si(s)＋ O2(g), DG

脱離に関する Knotek Feibleman ( K F )モデル(22) の場合と＞ 0)(18)．なお，上述の K F モデルでは， O＋ 生成の起源と類似している．このモデルでは，内殻正孔のオージェ崩壊

してダブルオージェ(DA)過程による 3 正孔生成を挙げてい(註内殻電子励起がオージェ電子放射により緩和する過程)

るが，従来報告されている DA の確率は 5程度であり(希が正に帯電した酸素イオン(O＋)生成の起源となる(本研究でガスネオンの場合)(27)，固相反応における DA 過程の寄与には， Si2p 準位に形成された正孔のオージェ崩壊)．一方，

は不明な点が残されている．

Tanaka ら(23)は，遷移金属酸化物において金属の内殻電子励

ま て り あ 第57巻 第11号(2018)Materia Japan







は室温で進行することを見出した．金属や半導体などの無機

フォトン照射と電子照射の比較物質において，内殻電子励起を起源とする固相反応が見つか

本研究では，フォトン照射ならびに電子照射により， Pt/

ったのは初めてである．本稿で紹介したような電子状態の直SiOx 界面に aPt2Si が形成されることを明らかにした．これ

接操作が，将来的に，実現可能な無機固相反応の対象を拡大

は励起源が異なる場合にも，内殻電子励起により同一の固相

し，新材料創製を実現する一手法となることを期待している．

反応が生じることを示している．しかしながら，生成した

aPt2Si からの回折強度には励起源による相違が見られた．

本稿で紹介した研究は，文部科学省「超顕微科学研究拠点

すなわち，図 6( e )に示すように，フォトン照射の場合と比事業」による佐賀大学シンクロトロン光応用研究センターと較して電子照射の場合の方が a Pt2Si からの回折強度が強

九州大学超顕微解析研究センターとの連携ネットワークを活い．これは，電子照射による Pt2Si 形成がフォトン照射の場用した共同研究の成果である．ご尽力頂いた高橋 和敏 准教

合よりも著しいことを示している． Si2p 電子のみに着目

授(佐賀大学)，今村 真幸 助教(佐賀大学)，波多 聰 教授

し，フォトンおよび電子による励起断面積( m2 )と照射時の(九州大学)，松村 晶 教授(九州大学)に深く感謝致します．

フラックス(フォトン，電子についてそれぞれ photons/m2 s，また，種々ご協力頂いた市川 修平 助教(大阪大学)，穴田

e / m2 s )をもとに，単位時間あたりの励起の頻度( photons/ s

智史 博士(ファインセラミックスセンター)，李 正九 博士

あるいは e/s．ここでは，励起断面積とフラックスの積を便(Korea Institute of Materials Science)，ならびに卒研生とし宜上，励起の頻度と定義)と励起される電子の総数(上記の励て本研究に参画した谷立樹，今田紳一朗，古川大希の諸氏に起の頻度×照射時間で定義)を見積もった(18)．その結果，本

お礼申し上げます．

研究で用いた照射条件下では，フォトン照射下での Si2p 電子の励起の頻度は電子照射時よりも若干高く，フォトン照射

文

献

により励起された Si2p 電子の総数は電子照射の場合の約 6倍であることが判明した． Si2p 電子の励起の頻度や励起電子数の増加によって Pt2Si 形成が促進されると仮定すると，フォトン照射による Pt2Si 形成は電子照射の場合よりも多量でなければならないが，実験結果は逆であった．この相違の原因は，励起される電子のエネルギー準位の違いにあると考えられる．すなわち，電子照射では，フォトン照射の場合よりもはるかに深いエネルギー準位の電子が励起され，それがPt2Si 形成に寄与している可能性がある．例えば 140 eV のフォトン照射では，Si の内殻電子励起のみを考慮した場合，140 eV よりも浅いエネルギー準位の電子(すなわち， Si2p

準位のみ)が励起されることになる．電子照射(75 keV)の場
合， Si2p だけでなく， Si2s ， Si1s ，および O1s のような深いエネルギー準位の電子も励起されることになり，上記のフォトン照射の場合と比較して，Pt と Si との結合形成頻度が高くなり， Pt2Si 形成が多量になるものと推察される．以上の結果，Pt2Si 形成には少なくとも Si2p 電子の励起が必要であるが，その形成反応は深い準位の電子励起により律速されると結論できる．

.

お わ

り

に

本稿では，電子励起による新しい無機固相反応に関する著者らの最近の研究について， Pt/ SiOx 界面での Pt2Si 形成反応に焦点を絞り，その一端を紹介した．現在，Pt/SiOx 界面に形成された薄い Pt2Si 層を介しての物質移動の詳細はまだ明らかではなく，今後の研究が待たれる．一般に，固相反応の平衡は，温度や構成成分の活量などの状態変数により決定され，反応が進行する方向は反応の DG の符号により厳密に決定される(28) ．本研究では，熱処理では進行しない固相反応である Pt/SiOx 界面での Pt2Si 形成が，電子励起環境下で( 1 ) D. N. Seidman, R. S. Averback, P. R. Okamoto and A. C. Baily:
Phys. Rev. Lett., 58(1987), 900903.
( 2 ) H. Mori, H. Yasuda, T. Sakata and H. Fujita: Radiat. Effect.
Defec. Solid., 124(1992), 5159.
( 3 ) S. Takeda and J. Yamasaki: Phys. Rev. Lett., 83(1999), 320
323.
( 4 ) M. T. Winkler, D. Recht, MJ. Sher, A. J. Said, E. Mazur and
M. J. Aziz: Phys. Rev. Lett., 106(2011), 178701.
( 5 ) K. Yasuda, M. Etoh, K. Sawada, T. Yamamoto, K. Yasunaga,
S. Matsumura and N. Ishikawa: Nucl. Instr. Meth. Phys. Res.
B, 314(2013), 185190.
( 6 ) S. Takaki, K. Yasuda, T. Yamamoto, S. Matsumura and N.
Ishikawa: Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B, 326(2014), 140
144.
( 7 ) X. B. Li, X. Q. Liu, X. Liu, D. Han, Z. Zhang, X. D. Han, H. B.
Sun and S. B. Zhang: Phys. Rev. Lett., 107(2011), 015501.
( 8 ) J. Kanasaki, A. Okano, K. Ichikawa, Y. Nakai and N. Itoh:Phys. Rev. Lett., 70(1993), 24952498.
( 9 ) K. Hattori, A. Okano, Y. Nakai and N. Itoh: Phys. Rev. B 45
(1992), 84248436.
(10) R. K. Raman, Y. Murooka, C.
Y. Ruan, T. Yang, S. Berberand D. Tom áanek: Phys. Rev. Lett. 101(2008), 077401.
(11) J. Kanasaki, E. Inami, K. Tanimura, H. Ohnishi and K. Nasu:
Phys. Rev. Lett., 102(2009), 087402.
(12) H. Ichikawa, S. Nozawa, T. Sato, A. Tomita, K. Ichiyanagi, M.
Chollet, L. Guerin, N. Dean, A. Cavalleri, S. Adachi, T. Arima,
H. Sawa, Y. Ogimoto, M. Nakamura, R. Tamaki, K. Miyano
and S. Koshihara: Nature Mater., 10(2011), 101105.
(13) H. Yasuda, A. Tanaka, K. Matsumoto, N. Nitta and H. Mori:
Phys. Rev. Lett., 100(2008), 105506.
(14) J.G. Lee, T. Nagase, H. Yasuda and H. Mori: J. Appl. Phys.,
117(2015), 194307.
(15) G. W. Castellan: Physical Chemistry, 2nd ed., Addison
WesleyPublishing Company, London, (1971).
(16) K. Sato, H. Yasuda, S. Ichikawa, M. Imamura, K. Takahashi,
S. Hata, S. Matsumura, S. Anada, J.G. Lee and H. Mori: Acta
Mater., 154(2018), 284294.
(17) P. Villars and L. D. Calvert: Pearson's Handbook of Crystallographic Data for Intermetallic Phases, 2nd ed., ASM International, Ohio, (1991).
( 18 ) Supplementary Material of ref.16 [ https: // dx.doi.org /最近の研究10.1016/j.actamat.2018.05.045].
(19) J. A. Yasaitis and R. Kaplow: J. Appl. Phys., 43(1972), 995
1000.
(20) C. Meade, R. J. Hemley and H. K. Mao: Phys. Rev. Lett., 69(1992), 1387
1390.
(21) T. H. DiStefano and D. E. Eastman: Phys. Rev. Lett., 27(1971), 1560
1562.
(22) M. L. Knotek and P. J. Feibelman: Phys. Rev. Lett., 40(1978),964967.
(23) S. Tanaka, K. Mase and S. Nagaoka: Surf. Sci., 572(2004),
4358.
(24) A. Kotani and Y. Toyozawa: J. Phys. Soc. Jpn., 37(1974), 912
919.
(25) S. H äufner: Photoelectron Spectroscopy, third ed., Springer,
Berlin, (2003).
(26) G. S. Chen, C. B. Boothroyd and C. J. Humphreys: Philos.
Mag. A, 78(1998), 491506.
(27) Y. Hikosaka, T. Kaneyasu, P. Lablanquie, F. Penent, E.
Shigemasa and K. Ito: Phys. Rev. A, 92(2015), 033413.
(28) D. R. Gaskell: Introduction to Metallurgical Thermodynamics,
2nd ed., Hemisphere Publishing Corporation, New York,(1981).

ま て り あ 第57巻 第11号(2018)Materia Japan★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★
佐藤和久
1999年 3 月
2005年 9 月

大阪大学大学院工学研究科博士前期課程修了
博士(工学)取得 (大阪大学)
大阪大学産業科学研究所，イリノイ大学材料科学科(併任)，東北大学金属材料研究所勤務を経て，2015年10月 現職
専門分野材料科学，電子顕微鏡◎ナノ構造物質・材料の電子線構造解析に従事．原子的構造・微細組織と機能発現メカニズムとの関わりとともに，新しい構造物性評価法の開拓に関心を持つ．

★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★

佐藤和久

保田英洋


