ナノテクノロジー設備供用拠点(大阪大学)
保

.

は じ

め

田

英

洋

に

阪大微細構造解析プラットフォームは，超高圧電子顕微鏡センターによって実施されている．産業科学研究所によって実施されている微細加工プラットフォームならびに分子・物
質合成プラットフォームとともに 3 つのナノテクノロジー
プラットフォームにより「大阪大学ナノテクノロジー設備供用拠点」として学内規定に基づいて運営されている．阪大微細構造解析プラットフォームの最大の特徴は，無機・金属材
料から生体・高分子にいたるハードからソフトまでの試料の作製と観察に対応している点にある．図に示すように，3MV 超高圧電子顕微鏡(日立 H3000)， 1 MV クライオ超高

圧走査透過電子顕微鏡(日本電子 JEM 1000EES )， 300 kV
クライオ電子顕微鏡(Thermo Fisher Scientific Titan Krios)，
200 kV 走 査 透 過 分 析 電 子 顕 微 鏡 ( 日 本 電 子 JEM 
ARM200F ) ， 集 束 イ オ ン ビ ー ム 走 査 電 子 顕 微 鏡 ( FIB SEM)複合ビーム装置(Thermo Fisher Scientific Scios 2)と材料系および生物系の試料作製装置群等を供用に付している．観察に最適な加速電圧や試料温度を変化できる範囲が広い点において，様々なサイズや状態にある観察対象をカバーすることができる．試料作製装置についても，材料系の薄膜作製装置のみならず，生物試料の超薄切片作製から重金属による染色ツール，生物試料を無染色で非晶質氷中に包埋する装置等にいたる幅広い機能の装置群を有している．
本稿では，主要設備の概要と超高圧電顕およびクライオ電顕によって実施された支援研究の一部を紹介する．

図1

阪大微細構造解析プラットフォームの代表的な設備群．(オンラインカラー)

大阪大学超高圧電子顕微鏡センターセンター長・教授(〒567
0047 茨木市美穂ケ丘 71)
Achievements and Future Development by UltraHigh Voltage Electron Microscopes and CryoTEM in Nanotechnology Open Facilities
of Research Center for UltraHigh Voltage Electron Microscopy, Osaka University; Hidehiro Yasuda(Research Center for UltraHigh
Voltage Electron Microscopy, Osaka University, Ibaraki, Osaka)
Keywords: ultrahigh voltage electron microscope, cryotransmission electron microscope, tomography, insitu observation, high temporal andspacial resolution
2019年 7 月 4 日受理[doi:10.2320/materia.58.738]




特

集

よる試料厚さの増加により像質が低下するが，超高圧電顕の.


特徴的な主要設備の概要

3 MV 超高圧電子顕微鏡

3 MV 超高圧電子顕微鏡( H 3000 )は，試料に対する電子もつ高い透過能は，その像質低下を大幅に抑制し，高傾斜でも高い像質で透過像を撮影できる．取得した投影像は専用の解析ソフトウエアを使うことで，試料内の三次元情報を構築する．

線の高い透過能が最大の特徴である．図は加速電圧 100

こうした特徴は，ナノからマイクロメートルスケールまで

kV の透過電顕によって観察できる試料厚さに対して観察可のマルチスケールの階層性をもつ試料，例えば，様々な組織

能な試料最大厚さの加速電圧依存性を示している．加速電圧とさらに特殊化した細胞が複雑に重なり合って形作られてい2～3 MV においては，加速電圧 100 kV の TEM に比べて，る生体組織に対して有効である．また，高分子系コンポジッ10 ～ 15 倍の厚さの試料を観察することが可能になる(1)(2) ．

ト材料に対しても，ナノ素材の分散度を可視化することで構

特に挿入図に示されるように，加速電圧 2 MV における試造と機能との関連性を明らかにすることができる．

料の観察可能な最大厚さは，ステンレス鋼や Cu のような原生体組織である毛髪内部のメラニンを電子線トモグラフィ

子番号の大きな金属において，バルク試料において観察されーによって観察した結果を図( a )に示す．メラニンは動る現象と同等の現象を電顕観察するために必要な臨界試料厚

物，植物，菌類等が有する黒～褐色の色素であり，動物ではさである 1 ～ 3 mm よりも十分に厚く，例えばシリコン薄膜

毛髪，皮膚，眼球，神経等様々な組織において，タンパクとの場合， 6 mm 程度の厚さまで観察が可能であることを示し

強固に結合して顆粒(メラノソーム)の形で存在している．メている．これは，バルク材料の様々な現象の観察が，原子番

ラニン顆粒を構成する微細構造の形状，サイズ，分布等を明号の大きな金属においても，3 MV クラスの超高圧電顕を用らかにするために，日本人黒髪を酵素分解して得たメラニン

いると行えることを意味する．

顆粒を 2 mm の厚さをもつ切片にスライスして，高いコント

優れた透過能を活用すると電子線トモグラフィーにより厚ラストを与える重金属染色法により観察を行った．図 4( b)

い試料を立体観察できる．電子線トモグラフィーは，医療現および(c)の 3 次元再構成像は，青色の繊維状タンパクが全場で用いられる X 線 CT(コンピュータ・トモグラフィー)と域にわたってマトリックスを形成していることや，黄色の微

原理的には類似しているが，電顕を用いるために分解能は極小球状タンパクがメラニン顆粒のごく表層部分にのみ散在しめて高い．図にその原理を模式的に示す．物体の投影像のていることを示している．

コントラストは物体を構成する物質の電子線吸収係数に依存第二の特徴は，相対論的電子の粒子性の特徴にある．電子

して強度分布をもつ．これをラドン変換といい，物体投影像

は波動性をもつがエネルギーが増大するとともに粒子性も現の方向を 180 °
変化させて得られたラドン変換を逆投影する
ことによって 3 次元の再構成像が得られる．実際には，試料を±60～70°の範囲において断続的に傾斜して透過像を撮影する．ただし，この撮影法においては，見かけ上，傾斜に

図3

図2

加速電圧 100 kV の透過電顕によって観察できる
試料厚さに対して観察可能な試料最大厚さの加速電圧依存性(1)(2)．

ま て り あ 第58巻 第12号(2019)
Materia Japan

図4

電子線トモグラフィーの原理．

電子線トモグラフィーによって観察した毛髪内部のメラニン(3)．(オンラインカラー)




図5

光速 c に対する電子の運動速度 v の比，ならびに，電子の静止質量 m0 に対する運動時の質量 mの比の電子エネルギー依存性．

れ， 2 MeV 以上のエネルギーでは粒子性の特徴が顕著となる．図は，光速 c に対する電子の運動速度 v の比，ならびに，電子の静止質量 m0 に対する運動時の質量 m の比をエ
ネルギーの関数として示す．これによると，3 MV クラスの超高圧電子顕微鏡においては，光速に近い電子の質量は相対論効果により静止質量の 7 倍程度にまで増大する．この性質を利用すると，電子照射により個々の原子を変位させることができる．運動エネルギー Ekin をもつ電子が質量 M の原子によって角度 u の方向に散乱されるとき，原子に与えられるエネルギー Ep は，
Ep＝2(m0/M ){1/(m0c2)}(E＋2m0c2)Ekinsin2(u/2)となる．ここで，原子に与えられるエネルギーの最大値 Ep,
max は，弾き出しエネルギー Ed として以下のように与えられる．
Ed＝2(m0/M ){Eth/(m0c2)}(Eth＋2m0c2)

ここで，Eth は原子があるエネルギー以上の電子線で格子点から変位するために必要な電子線の最小の(しきい)エネル
ギーである．例えば， Al 原子に 25 eV 程度の弾き出しエネ
ルギー(Ed)を受け渡すためには，最小で 0.25 MeV 程度の電子の運動エネルギーを必要とする．
化学的にクリーンな電子による原子の弾き出し効果によっ

図6

1 MV クライオ超高圧走査透過電子顕微鏡の俯瞰図，および断面図．(オンラインカラー)て導入される 1 次欠陥は，極めて単純な原子空孔と格子間原子である．弾き出し効果により物質中に導入される種々の欠陥はエネルギー的に高い非平衡状態にある．こうした状態

レンズ，対物ミニレンズ，3 段の中間レンズ，投射レンズかの多様性により相変態が起こり，高エネルギー電子と物質とらなる．本体は地下に設置された大型除振装置上に設置されの相互作用を利用した特異構造の発現に関する研究を行うこている．除震装置は重量300トンのコンクリートブロックかとが可能である．

らなり，それらはエアダンパーによって浮上して支持されて



1 MV クライオ超高圧走査透過電子顕微鏡

いる．そのため，外部からの振動が電顕本体に直接伝達することはない．

1 MV クライオ超高圧走査透過電子顕微鏡(物質・生命科

主 要 性 能 と し て は ， 加 速 電 圧 は 1 MV ， 像 分 解 能 は ，学超高圧電子顕微鏡JEM1000EES)は，高さ 14 m，除振TEM モードにおいて点分解能 0.16 nm，STEM モードにお装置を含む総重量330トンであり，2 階に CockcroftWalton

いては 1.0 nm である．像観察装置は 4 台のデジタルカメラ

回路の高電圧発生装置，1 階に鏡体，地階に除振装置を配置からなり，モニター用，1 k×1 k CCD，2 k×2 k CCD，なした構造である．図に断面図，および俯瞰図を示す．電子

らびに 8 k×8 k 電子直接検出カメラを装備している．

加速部は 2 つのタンクからなり，高電圧発生のための Cock-図(a)は室温において Si 結晶から撮影された高分解能像

croft Walton 回路と電子加速管は，独立して収納されていである．［ 110 ]方向から観察された格子像中には原子間隔

る．レンズ部は 3 段の集束レンズ，集束ミニレンズ，対物

0.136 nm の Si 原子が暗いコントラストによって明瞭に分離




特

集

図7

(a) 室温において Si 結晶の[110]方向から撮影された高分解能像，(b) 94 K において Au 結晶の[100]方向から撮影された高分解能像，(c) PtIr 合金において 94 K で撮影された 500 nm アンダーフォーカスの Thon リ
ング．(オンラインカラー)

して観察されている．図 7(b)中の 94 K において Au 結晶の可能とし，複数の凍結試料の自動搬送，低温での電子線照射[100]方向から撮影された高分解能像には 0.2 nm 間隔の Au

損傷の極めて少ない透過電子顕微鏡像および走査透過電子顕

原子像が明瞭に分解され，その FFT パターンには 0.1 nm

微鏡像を連続的に自動撮影することや，得られた画像データの実空間分解能を示す400スポットが現れている．図 7(c)のを電子線トモグラフィー法，あるいは単粒子構造解析法によPtIr 合金において 94 K で撮影された 500 nm アンダーフォって 3 次元高分解能構造解析までを連続して高効率で行うーカスの Thon リングは，情報限界が 1/0.14 nm－1 以上であことが可能である．また生物試料のみならず，電子線照射にることを示している．

敏感な高分子等のソフトマテリアルの観察にも威力を発揮す

この超高圧電顕が装備しているマイクロ秒時間スケールのその場観察が可能な像記録装置は高感度の電子直接検出方式のデジタル画像記録が可能であり， 3840 × 3840 の有効画素

る．


FIBSEM 複合ビーム装置数を有し， 400 から 1600 フレーム/秒の速度で画像記録が可FIB SEM 複合ビーム装置( Scios 2 )における試料加工装能である．また，個々の電子を検出器で直接カウントするこ

置，および 3 次元画像観察装置としての機能を図に模式とにより， 7680 × 7424 の有効画素数の高精細で像撮影する的に示す．この装置は，FIB と SEM の複合機であり，ショこともできる． 12 個の試料を 100 K 以下の低温に保持したットキーサーマル電界放射電子銃を装備し，電子ビーム加速状態で予備室に待機させることができ，必要な試料を試料室

電圧は 200 V ～ 30 kV であり， 2 次電子像分解能は 1.0 nmに導入して，電子線トモグラフィー等により観察が可能であである． EDS 分析によって， B ～ U の元素分析が可能である．

る．また，試料加工用の Ga イオンビームの加速電圧は 0.5

300 kV クライオ電子顕微鏡～30 kV である．3 次元解析用加工装置として，局所的な領域から電子顕微鏡用薄膜試料が作製できる．

300 kV クライオ電子顕微鏡(Titan Krios)は，電顕試料室

また，3 次元画像観察装置として試料表面をイオンにより内および予備排気室において，試料温度は常に 80 K に保持加工しながら連続的に SEM 像観察や化学組成分析が可能でされ，空間分解能は 0.14 nm でる．コンデンサーレンズはあり，それらの 2 次元像データから 3 次元 SEM 像や元素分電流を一定にするコンスタントパワー方式をとっているた

析像を再構築できる．

め，レンズの温度変化による分解能への影響は皆無である．

.

試料導入はオートグリッド挿入型サイドエントリータイプ
で，カートリッジ導入方式とし，ロボティックアームにより，凍結試料が汚染されることなく自動で交換する機能を有

供用による研究実績

超高圧電顕による人工衛星搭載用デバイスの信頼性評価している．カメラはシンチレータとレンズを介さずに電子を

AlGaN / GaN HEMT は，高い飽和ドリフト速度と絶縁破直接検出できる CMOS 型電子直接検出方式をとり， 4 k × 4

壊耐圧を有することから，高出力・高効率動作が可能性な小k ピクセルの有効画素数で階調が16ビットである．このカメ

型軽量で高い信頼性の高周波増幅器が実現可能なデバイスとラを用いて Low Dose 技術によって撮影する場合，必要なして注目され，人工衛星搭載用デバイスとして期待されてい電子線量は20電子/Å2 程度であり，撮影中の試料温度の上昇

る．宇宙環境では，宇宙放射線，それが衛星に衝突して発生はほぼ皆無であるとともに，電子照射による試料の損傷を極する X 線や g 線に曝されるため，デバイスはこれらに十分限まで減らすことができる．

な耐性を確保することが要求されている．超高圧電顕内本設備は，生物試料を無染色で氷包埋して観察することを

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MeV 電子照射の弾き出し効果によりデバイス中に生成する




図8

図9

FIBSEM 複合ビーム装置における試料加工装置，および 3 次元画像観察装置としての機能．(オンラインカラー)( a ) AlGaN / GaN HEMT 試 料 に お け る 18 MeVの Ni イオン照射領域，( b ) 照射領域の光学測定結果．(オンラインカラー)

欠陥をその場観察して劣化メカニズムの解明を試みるとともに，宇宙環境で使用するための耐放射線性の評価を行った．
AlGaN/GaN HEMT 試料において，図(a)に示すようなデバイス領域に，加速器を用いて 18 MeV の Ni イオン照射と 2 MeV の電子照射を行い，照射効果を光学測定とデバイ
ス特性解析を用いて比較した．
図 9 ( b ) は Ni イ オ ン 照 射 前 後 に お け る EL 発 光 ( Photo
Emission Microscope)，OBIRCH(Optical Beam Induced
Resistance Change)および PL(Photo Luminescence)測定の結果である． EL 発光， OBIRCH ，ならびに PL 測定のいずれにおいても，照射領域の発光強度や反応が減少している．
図( a )に Ni イオン照射前後の順方向，逆方向のショッ
トキー特性を示す．順方向特性の高電流領域では照射とともに電流がわずかに減少している．直線領域の変化はなくショットキー障壁の変化はない．また図10(b)における電子照射
前後のショットキー特性の測定結果からも，大きな変化がな
いことを示している．

図10(a) Ni イオン照射前後，および(b) 電子照射前後の順方向，逆方向のショットキー特性．(オンラインカラー)

以上から，イオン照射および電子照射は，光学測定におい




特

集

図 11

(a) Ni イオン照射後のデバイス断面を試料厚さ 0.1 mm の薄膜を用いて 200 kV 電顕観察した結果，(b) 照射
後と(c) 照射前のデバイス断面を試料厚さ 1.5 mm の薄膜を用いて 2 MV 超高圧電顕により観察した結果．(オンラインカラー)ては発光強度等を減少させるが，ショットキー特性においてデバイスの電流をわずかに減少させるだけで，信頼性に与える影響は小さいことが明らかになった．
図(a)は，18 MeV の Ni イオン照射後のデバイス断面を
試料厚さ 0.1 mm の薄膜を用いて 200 kV 電顕観察した結果である．SiC 基板中には顕著な変化は認められない．一方，
図11(c)，および(b)は，デバイス断面を試料厚さ 1.5 mm の薄膜を用いて，2 MV 超高圧電顕により，それぞれイオン照射前後において観察した結果である．図 11( b )中には，( a )中にはないイオン照射による転位ループ起因の欠陥のコント
ラストが認められ，形成されている欠陥の深さは，図中に示した SRIM(Stopping and Range of Ions in Matter)によるイ

図 12超高圧電子顕微鏡内電子照射による欠陥発生のその場観察結果．

オン侵入深さのシミュレーション結果と一致する．
以上のように， 1.5 mm 厚さの試料を用いた 2 MV 超高圧
電顕観察によってはじめて，転位ループの形成を確認したが，この欠陥は電界集中やリーク電流に寄与しない良性の欠陥であることがわかった．

げられる．
C60 ポリマーは低エネルギーの電子照射によって作製される．ここでは，マイカ上に蒸着した C60 単結晶薄膜を 3 keV

一方，デバイスに加速器で照射した電子線と同じエネルギの エ ネ ル ギ ー の 電 子 線 を 用 い た 電 子 励 起 に よ り Stone ーの電子を超高圧電子顕微鏡内で照射して欠陥発生の様子をWales 転移による重合反応によって作製した．一方，電子

その場観察した．図に電子線照射前後の TEM 像を示す．

のエネルギーを 20 keV 以上にすると，照射損傷によりアモ点線で示した 1.3 × 1022e / cm2 の電子を照射した円内に現れルファス構造に変化することが知られており，電子顕微鏡観る黒いコントラストは，点欠陥集合体である．加速器による察時には注意が必要となるため，クライオ電子顕微鏡による照射に比べるとドーズ量は桁違いに大きいが，この結果はデLow Dose 観察を行った．

バイス特性の変化が弾き出し効果による格子間原子型転位ループの生成によることを示唆している．
以上のように，宇宙用途のための AlGaN/GaN HEMT の高い放射線耐性を実証することができた(4)．


クライオ電顕による C60 ポリマーの微細構造解析

図は C60 分子，ダイマー， 1 次元ポリマーと fcc 構造の分子性結晶の単位格子，ならびに，ダイマー，ポリマーにおける C60 分子間距離を模式的に示している．分子性結晶における分子間距離に比べてダイマーやポリマーにおいては，分子間距離が短くなっていることがわかる．
図は C60 分子性結晶ならびにポリマー結晶の高分解能電C60 分子は孤立した状態においては，クラスターとしての

子顕微鏡像と対応する電子回折図形を示す．図14(a)は，fcc

性質をもつが， C60 が 1 次元ポリマー化した場合， 1 次元金構造の分子性結晶の[111]晶帯軸の格子像である．面間隔約

属に起因した特異な物性を示すことが知られている．例え

0.5 nm の{220}面に対応する格子縞が見られるが，面内にはば，相転移における電荷密度波に起因するフォノン異常とパ)中の回折図形中には強顕著な欠陥は認められない．図14(a′イエルス転移を起こすこと，1 次元ファンホーブ特異点をも度の強い基本格子反射に加えて E1, E2 で示す強度の弱い衛

つこと，朝永－ラッティンジャー液体状態をとること等があ

星反射が認められる．この衛生反射は fcc 構造においては出

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


図 13

C60 分子，ダイマー， 1 次元ポリマーと fcc 構造の分子性結晶の単位格子，ならびに，ダイマ
ー，ポリマーにおける C60 分子間距離の模式図．
(オンラインカラー)

図15(a) は単一ドメインの C60 ポリマー結晶の高分解能像，( b ) は fcc 構造の C60 結晶の{ 111 }面において a 軸方向(最近接原子間距離の〈110〉方向)にポリマー化したときの構造モデル，( c ) ( a )中の) (c)の模式
高 分 解 能 像 の FFT パ タ ー ン ， ( c ′図，(d) 3 つのドメインからなる領域からの制限) ( d )の模式図． (オンライ
視野電子回折図形，( d ′ンカラー)

る FFT 解析を行った．図(a)は単一ドメインの C60 ポリマ
ー結晶の高分解能像であり，図の左右の方向に C60 分子が 1次元に配列した領域を示す．図 15 ( b )は fcc 構造の C60 結晶
図14

C60 分子性結晶ならびにポリマー結晶の高分解能
電子顕微鏡像と対応する電子回折図形．(オンラインカラー)の{111}面において a 軸方向(最近接原子間距離の〈110〉方向)にポリマー化したときの構造モデルである．ポリマー化した a 軸方向の C60 分子間距離が短くなり，｛ 111 }面内の a
軸方向に結晶が収縮している様子を示している．図15(c)および(c′)は，それぞれ図15(a)中の高分解能像の FFT パター

現しないが，結晶が hcp 構造をとる場合には現れる反射でンとその模式図である．a 軸方向の結晶の歪みに対応してC，ある．従って，この分子性結晶は fcc 構造，hcp 構造，およDで示す回折斑点の a 軸方向への拡大シフトと，その結果生び，積層欠陥が組み合わさった単結晶薄膜であることを示し

じる A で示す回折斑点の分裂が観察される．図15(d )(図 14ている．図 14(b)は C60 ポリマー結晶の格子像を示す．図中(b′)と同じ図)および( d ′)は，それぞれ 3 つのドメインからに示すように，約 0.88 nm 間隔の格子縞が 3 方向に確認さなる領域からの制限視野電子回折図形とその模式図である．

れる．この各方向からなる格子縞を示す領域が約 10 ～ 20

図中の A, B, C, D で示す回折斑点は，図15(c)中に同様に表)に C60 ポ
nm のサイズでドメインを形成している．図 14(b′した回折斑点に対応する．図15(a)中のドメインとそれぞれリマー結晶からの制限視野電子回折図形を示す．回折図形は± 60°の方向からなるドメインによる回折斑点を重ね合わせ

格子縞が示す 3 方向からなるドメインによる回折図形が重)の回折図形が得られる．
ると，図15(d)および(d′

畳したものである．
電子回折図形を解析するために，1 方向のドメインにおけ

以上の解析から， C60 ポリマー結晶は， fcc 構造からなる
C60 結晶の{111}面上の C60 分子が特定の〈110〉方向に 1 次元

特集

この間，めざましい発展により，物質・材料科学や生命科学では必要不可欠な観察・分析技術となった．レンズ収差補正技術の導入により，その役割はさらにステップアップし，最先端の研究者のみならず，誰もが原子・分子でものを見ることで研究成果を議論するようになった．そうした電顕学の潮流の中で，我が国の役割が一層重要になりつつある．すなわ
ち「物質や生命の実相をあるがままに見たい」，「実環境での挙動を動的に把握したい」という欲求は依然として研究活動
図16

ポリマー化の構造モデル．

の源泉であり，電顕はその一翼を担う重要な研究設備である．今後とも，装置開発や応用研究を積極的に推進するとともに，多くの若手研究者を育成し，100 周年までに世界のセポリマー化することにより生成されることが明らかになった．図の構造モデルは，ポリマー化することにより fcc 構

ンターとして貢献していくことを目指している．
なお，当プラットフォームは以下の URL から利用情報を造からなる単位格子が歪んだ hcp 構造からなる単位格子に得ることができる．

変化することを示す(5)(6)．

http://www.uhvem.osakau.ac.jp/jp/
https://www.youtube.com/watch?v＝Nh5UG9Wck4.

まとめと今後の展開
文

献当プラットフォームの特徴と超高圧電顕およびクライオ電
顕 に よ る研 究 成 果の 2 つの 例 を 紹介 し た． こ う した 成 果
は，個々の利用者に対する最適な装置利用についての専門的指導から，材料科学・生命科学に関する実験データの具体的な解釈に至るまでの支援を提供することで生み出されている．このような研究を通じた人材交流による「知」と「智」の集約や異分野融合による新たなイノベーションを目指している．
さらに，プラットフォームとしてユニークな装置開発も重要である．クライオ超高圧電顕は，前述したように高時間分解能超高圧電顕である．クライオステージは物質の低温における挙動観察と生物試料のダメージ低減に，また高時間分解
能は材料挙動の高速その場観察と生物試料のダメージ低減のための短時間撮影に有効であり，これらの機能を並行して開発することは，分野を超えて大きな価値がある．時間分解能をさらに向上させるために，パルス電顕を開発している．短時間に高輝度のパルス電子を得るために，負の電子親和力
NEA(Negative Electron Affinity)をもつ Cs 蒸着した InGaN

基板からパルスレーザー励起による光電子放出を利用したパルス電子源を試作して，それを電顕に搭載することによる高時間分解観察を目指して開発を進めている．

( 1 ) H. Fujita, T. Tabata, K. Yoshida, N. Sumida and S. Katagiri:
Jpn. J. Appl. Phys., 11(1972), 15221536.
( 2 ) H. Fujita and T. Tabata: Jpn. J. Appl. Phys., 12(1973), 471
472.
( 3 ) 高橋俊江ら第 24 回日本色素細胞学会学術大会口頭発表，(2012).
( 4 ) H. Sasaki, T. Hisaka, K. Kadoiwa, T. Oku, S. Onoda, T.
Ohshima, E. Taguchi and H. Yasuda: Microelectronics Reliability, 81(2018), 312319.
( 5 ) H. Masuda, J. Onoe and H. Yasuda: Carbon: 81(2014), 842
846.
( 6 ) H. Masuda, J. Onoe and H. Yasuda: Carbon: 96(2016), 316
319.
★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★
1985年 3 月 大阪大学 大学院工学研究科 博士前期
課程修了
株 第二技術研究所 研究員
1985年 4 月 新日本製鐵
1988年 4 月 大阪大学 大学院工学研究科 助手～助教授
2000年 4 月 科 技 庁 / 文 科 省 金 属 材 料 技 術 研 究 所
研究ユニットリーダー
2001年 4 月 神戸大学 大学院工学研究科 教授
2010年 4 月現職
保田英洋
専門分野材料物性学，電子顕微鏡・電子分光学◎ナノ粒子の構造・相転移・電子状態の研究，電子励起状態が構造安定性に及ぼす影響についての研究，およびフォトカソードフェムト秒時間分解パルス電顕の開発に従事．

★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★

1931年に発明された電顕は，まもなく100周年を迎える．

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