TRIAC(Through Hole / Isolated)

TMG3C60F
Triac TMG3C60F is designed for full wave AC control applications.
It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation.
3.2±0.3

TO-220F
10.5±0.3

4.7±0.2
2.7±0.2

Typical Applications

Home Appliances : Washing Machines, Vacuum Cleaners, Rice Cookers, Micro
Wave Ovens, Hair Dryers, other control applications● Industrial Use: SMPS, Copier Machines, Motor Controls, Dimmer, SSR,
Heater Controls, Vending Machines, other controlapplications●39.7±0.3

16.0±0.31
φ3.2±0.2

2.6±0.2Features2

1.4±0.2

3.0±0.3

13.0±0.5

0.60±0.15
1.1±0.2

1 T1
2 T2
3 Gate0.6±0.15

IT(RMS)=3A● High Surge Current● Low Voltage Drop
● Lead-Free Package

Nofo tRrN ecew om
D m
es enig dn●132.54±0.25

5.08±0.5

Identifying Code：T3C6F■Maximum Ratings
SymbolVDRM
IT（RMS）
ITSM
I2t
PGM
PG（AV）IGM
VGM
VISO
TjTstg2Unit：mm（Tj=25℃ unless otherwise specified）

Item
Repetitive Peak Off-State Voltage
R.M.S. On-State CurrentSurge On-State Current
I2t（for fusing）
Peak Gate Power Dissipation
Average Gate Power Dissipation
Peak Gate Current
Peak Gate Voltage
Isolation Breakdown Voltage（R.M.S.）
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
MassReference

Tc＝107℃
One cycle, 50Hz/60Hz, Peak value non-repetitive

A.C. 1minuteRatings
600
327/30
3.7
1.5
0.1
17
1500−40〜＋125−40〜＋150
2Unit
VA
A
A2SW
W
A
V
V℃℃g

■Electrical Characteristics
SymbolItem

IDRM
VTM＋I GT1−
I GT1＋I GT3−I GT3＋V GT1−V GT1＋V GT3−V GT3VGD

Repetitive Peak Off-State Current
Peak On-State Voltage
12Gate Trigger Current
3412Gate Trigger Voltage
34Non-Trigger Gate Voltage

VD=VDRM, Single phase, half wave, Tj＝125℃
IT＝4.5A, Inst. measurement〔dv/dt〕c

Critical Rate of Rise of Off-State
Voltage at Commutation

Tj＝125℃，〔di/dt〕
c＝−1.5A/ms，VD＝2／3VDRM

IH
Holding Current
Rth（j-c） Thermal Resistance     1（  ）＋Reference

VD＝6V，RL＝10Ω

Tj＝125℃，VD＝1／2VDRM

Ratings
Min. Typ. Max.
11.41515―151.51.5―
1.50.22−5 3（ III ）
＋mA
VmAVV
V/μs

5Junction to case 2（  ）Unit 4（ III ）−mA℃/WTMG3C60F

Gate Characteristics

On-State Characteristics（MAX）

１００Pe

Peak Gate Voltage（７V）

akPowe（r１.

5W

AvGe
at

25℃
1＋GT１
1−GT１1−GT３）

Peak Gate Current（１A）eagerwPoW１．
r０e（１０１Nofo t
RrN ecew om
D mes enig dn）

Gate Voltage（V）

te１

Tj＝ ２５℃
Tj＝１２５℃

GaOn-State Current（A）

１０

Non-Trigger Gate Voltage (0.2V)

０.１
１１００.５１.５

２２.５

RMS On-State Current vsMaximum Power Dissipation

RMS On-State vs
Allowable Case Temperature３０πθθ＝１８０゜
θ＝１５０゜2π

θ３６０゜θ＝１２０゜θ：Conduction Angle

θ＝９０゜

２.５

θ＝６０゜

２

θ＝３０゜

１.５

１０.５

１

１.５

２２.５

θ＝３０゜

１１５

θ＝６０゜０πθ＝９０゜θ2πθ：Conduction Angle

０.５

１３０２５２０６０HZ

１５５０HZ

１０５１０１００

Transient Thermal Impedance（℃／W）

３５３Transient Thermal Impedance

１０.０１０.１

１１０１００VGT −Tj（Typical）

IGT −Tj（Typical）

IGT（t℃）
×100（％）
IGT（２５℃）

I＋GT１（ 1＋ ）I−GT１（1−）（3−）
I−GT３５０

７５１００

Junction Temp.Tj（℃）

１２５１５０VGT（t℃）
×100（％）
VGT（２５℃）

１０００

１００

２５２.５

Time（Sec.）

１００００２１０

Time（Cycles）−２５１.５RMS On-State Current（A）

Surge On-State Current Rating（Non-Repetitive）

１０−５０

θ＝１２０゜
θ＝１５０゜
θ＝１８０゜θ
３６０゜

RMS On-State Current（A）

０１３.５１２０１０５０３３１２５１１００.５００

Allowable Case Temperature（℃）

On-State Voltage（V）

３.５Surge On-State Current（A）

１Gate Current（mA）

４

Power Dissipation（W）

０.１０１０００

１００

I＋GT１（ 1＋ ）I−GT１（1−）
−（3−）
I GT３

１００

１０−５０

−２５０２５５０

７５１００

Junction Temp.Tj（℃）

１２５１５０