THYRISTOR( Through Hole/Isolated)

SMG5C60F
Thyristor SMG5C60F is designed for full wave AC control applications.
It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation.
3.2±0.3

TO-220F
10.5±0.3

4.7±0.2
2.7±0.2

Typical Applications

Home Appliances : Electric Blankets, Starter for FL, other control applications
Industrial Use: SMPS, Solenoid for Breakers, Motor Controls, HeaterControls, other control applications

1φ3.2
±0.2

3

9.7±0.3●

16.0±0.3●

2.6±0.2
0.60±0.15

Features●21.4±0.2

3.0±0.3

13.0±0.5

IT(AV)=5A
High Surge Current● Low Voltage Drop
● Lead-Free Package●1.1±0.2

Nofo tRrN ecew omD mes enig dn

0.6±0.15

1231K2A
3 Gate2.54±0.25

5.08±0.5

Identifying Code：S5C6F■Maximum Ratings

Unit：mm（Tj=25℃ unless otherwise specified）

SymbolItem

VRRM

Reference

Ratings

Unit

Repetitive Peak Reverse Voltage

600

V

VRSM

Non-Repetitive Peak Reverse Voltage

720

VVDRM

Repetitive Peak Off-State Voltage

600

V

IT（AV）

Average On-State Current

Single phase, half wave, 180°, conduction, Tc＝96℃

5A

IT（RMS）

R.M.S. On-State Current

Single phase, half wave, 180°
, conduction, Tc＝96℃

7.8

A

ITSM

Surge On-State Current

50Hz/60Hz, 1／2 cycle Peak value, non-repetitive

I2t

I2t

80/88
32

A2S

A

PGM

Peak Gate Power Dissipation

5W

PG（AV）

Average Gate Power Dissipation

0.5

W

IFGM

Peak Gate Current

2A

VFGM

Peak Gate Voltage（Forward）

6V

VRGM

Peak Gate Voltage（Reverse）

10V

A.C 1minute

VISO

Isolation Breakdown（R.M.S.）

1500

VTj

Operating Junction Temperature−40〜＋125℃Tstg

Storage Temperature−40〜＋150℃

2g

Mass

■Electrical Characteristics
Item

IDRM

Repetitive Peak Off-State Current

Tj＝125℃, VD＝VDRM

2mA

IRRM

Repetitive Peak Reverse Current

Tj＝125℃, VR＝VRRM

2mA

VTM

Peak On-State Voltage

IT＝15A, Inst. measurement

1.5

V

IGT

Gate Trigger Current

10mA

VGT

Gate Trigger Voltage

1.4

V

VGD

Non-Trigger Gate Voltage

IH

Holding Current

Rth（j-c）

Thermal Resistance

Reference

Ratings

SymbolMin.

Typ.

VD＝6V, RL＝10Ω

Tj＝125℃, VD＝1／2VDRM

Max.

0.2

V
15Junction to case

UnitmA4℃/W

SMG5C60F

Gate Characteristics

On-State Voltage Max

１０１００VFGM（６V）

On-State Current（A）

Gate Voltage（V）

PGM（５W）

PG（AG）（０.５W）
１FGM（２A）

１１０Nofo t
RrN ecew om
D m
es enig dn

２５℃

Ｔ
ｊ=２５℃
Ｔ
ｊ=１２５℃

VGD（０.２V）

０.１
１１０

１００

１０００

１０.５

１００００１Gate Current（mA）

１.５

２

２.５

Average On-State Current vs Power
Dissipation（Single phase half wave）

Average On-State Current vs Ambient
Temperature（Single phase half wave）

８１３０

θ＝１８０゜１２５Ambient Temperature（℃）

Power Dissipation（W）

７

θ＝１２０゜６2πθ
３６０゜θ：Conduction Angle

１１５θ＝３０゜

１１０４１０５３２π０１００2πθ
３６０゜

１

θ
：Conduction Angle

００１２３４５９５９００６１

Average On-State Current（A）

９０８０
７０
６０６０Hz４０５０Hz３０２０１００
１１０１００Transient Thermal Impedance（℃／W）

１００５０

θ＝３０゜

θ＝６０゜ θ＝９０゜ θ＝１２０゜ θ＝１８０゜２３４５６

Average On-State Current（A）

Surge On-State Current Rating（Non-Repetitive）

Surge On-State Current（A）

π０１２０

θ＝９０゜

θ＝６０゜５３On-State Voltage（V）

Maximum Transient Thermal
Impedance Characteristics

１０１０.０１０.１Time（Cycles）

１１０１００Time（sec.）

VGT −Tj（Typical）

IGT −Tj［Change Rate］（Typical）

１１０００

IGT（t℃）
×100（％）
IGT（２５℃）

Gate Trigger Voltage（V）

０.９

１００１０−５０−２５０２５５０７５Junction Temp.（℃）

１００１２５０.８
０.７
０.６
０.５
０.４
０.３
０.２

０.１０−５０−２５０２５５０７５Junction Temp.（℃）

１００１２５SMG5C60F

VD −Tj Change Rate（Typical）

150
140

130130V（R t℃）
×100（％）
V（R ２５℃）

140

120
110
100908070

VR −Tj Change Rate（Typical）

120
110
100908070

Nofo tRrN ecew om
D mes enig dn

VD（t℃）
×100（％）
VD（２５℃）

150

60

50
−５０60

−２５０２５５０７５Junction Temp.（℃）

１００１２５50−５０−２５０２５５０７５１００

１２５Junction Temp.（℃）

3