2016 年度（平成 28 年度）
コース名

物理学コース

領域名

量子多体系物理学領域

教員名

中山 隆史

電子メール nakayama 理 physics.s.chiba-u.ac.jp※メール送信の際は、「理」を半角@に変更してください。
（１）研究論文などのリスト（印刷中を含む）
発
著者・発表者

発表雑誌・会合

巻・

タイトル

行・

掲載論文の DOI（付与されている場発表合）

頁

等

等

号

年等
Fundamental
processes of

(１)

Y.

excitonMasugata,scattering at

H. Iizuka, K.

organic solar-cell

Sato, T.

interfaces:

Nakayama

One-dimensional

Jpn. J. Appl.
Phys.

55

pp.
081601-1-8

2016

http://doi.org/10.7567/JJAP.55.081601

2016

http://doi.org/10.7567/JJAP.55.101301

2016http://doi.org/10.7567/JJAP.55.111302

model
calculation
Stability andelectronic
structures of(2)S. Iizuka, T.

isoelectronic

Jpn. J. Appl.

Nakayama

impurity

Phys.

55

pp.
101301-1-7

complexes in Si:
First-principles
study
Defectdistribution and(3)S. Sasaki, T.
Nakayama

Schottky barrierat metal/Geinterfaces:

Roleof metal-induced
gap states

Jpn. J. Appl.
Phys.

55

pp.
111302-1-6

Ionization anddiffusion of metal(4)

Y. Asayama,

atoms underMaterials

M. Hiyama,electric field atScience inT.

metal/insulator

SemiconductorNakayama

interfaces;

Processng(in press)

2016

DOI: 10.1016/j.mssp.2016.09.010

First-principles
study
Physics of(5)T.

Metal/Ge

Nakayama,Interfaces;

S. Sasaki, Y.

Interface Defects

Asayamaand Fermi-Level

ECS trans75

pp.
643-650

2016

Depinning
Metal-atom
Y. Tomita,(6)

T. Park, T.
Nakayamainteractions andclustering inJ. ElectronicorganicMaterials(in press)2017

doi:10.1007/s11664-016-5090-4(in press)

2017

http://dx.doi.org/10.1016/j.mssp.2016.11.031

semiconductor
systems
Tunnelingcurrent
characteristics(7)

S.Iizuka,

by Al+N

Mater. Sci.

Y.Asayama,

isoelectronic

Semicond.

T.Nakayama

traps inProcessing

Si-TFET;
first-principles
study（２）卒業研究、大学院修士および博士論文修了指導人数
・卒業研究

4名

・大学院修士3名

・大学院博士0名（３）教育業績（自己申告、テキストの作成など、授業の工夫など）

なし（４）国際会議出席と招待リスト
・T. Nakayama, “Quantum processes of exciton scattering at organic solar organic solar cellinterfaces”, EMN (Energy Materials Nanotechnology) Qingdao Meeting 2016, Qingdao
China, June 7-10 2016. (招待講演)
・Y. Asayama, M. Hiyama, T. Nakayama, “Ionization and diffusion of metal atoms underelectric field at metal/insulator interfaces; First-principles study”, ISCSI-VII/ISTDM2016(7th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces & Int. SiGe Technology and DeviceMeeting), Nagoya Japan, June 7-11 2016.
・S. Iizuka, T. Nakayama, “Tunneling current characteristics by Al+N isoelectronic traps in
Si-TFET; first-principles study”, ISCSI-VII/ISTDM2016 , Nagoya Japan, June 7-11 2016.
・T. Nakayama, Y. Asayama, Y. Onda, “Structural and electronic stability of metal nanodots inamorphous SiO2”, ICSNN 2016 (19th Int. Conf. on Superlattices, Nanostructures andNanodevices), Hong Kong China., Jul.25-30, 2016.
・Y. Tomita, T. Nakayama, “Metal-atom interactions and clustering in organic semiconductorsystems”, 19th Int. Conf. Superlattices, Nanostructures and Nanodevices, Hong KongChina., Jul.25-30, 2016.
・M. Ishikawa, T. Nakayama, K. Wakita, Y. G. Shim, N. Mamedov, “First-principles study ofGiant thermoelectric power in incommensurate TlInSe2 and TlInS2”, 19th Int. Conf.
Superlattices, Nanostructures and Nanodevices, Hong Kong China., Jul.25-30, 2016.
・M. Ishikawa, T. Nakayama, K. Wakita, Y. G. Shim, N. Mamedov, “First-principles study of
optical properties of incommensurate TlInSe2 and TlInS2”, ICTMC-20 (20th Int. Conf.
Ternary and Multinary Compounds), Halle Germany, Sep. 5-9, 2016.
・S. Yamazaki, Y. Asayama, Y. Onda, T. Nakayama, “Charge Retention and Stability of Metal
Nanodots in SiO2: First-principles Study on Metal Dependence”, SSDM 2016 (Int. Conf.
Solid State Devices and Materials), Tsukuba Japan, Sep.26-29, 2016.
・K. Kawabata, T. Nakayama, “Metal-Atom Penetration and Clustering Processes in PTCDA
Thin Films; First-Principles Study of Film Degradation”, Int. Conf. Solid State Devices andMaterials, Tsukuba Japan, Sep.26-29, 2016.
・T. Nakayama, S. Sasaki, Y. Asayama, “Physics of Metal/Ge Interfaces: Interface Defects andFermi-level Depinning”, PRiME 2016 (Pasific Rim Meeting on Electrochemical andSolid-state Science), Honolulu USA, Oct. 2-7, 2016 ECS（５）国際共同研究（共同研究名，研究内容等）
所 職

年
氏名

共同研究名

研究内容

属 種

度
熱電物質TlInSe2,

理 教

TlInS2の原子･電子構造と熱電発生機

熱電物質TlInSe2,

構の解明

TlInS2の理論研究

先方：Prof.N.Mamedov (Inst.Phys., Azerbaijan Nat. Sci.

中山隆史
学 授28Academy)（６）新聞や雑誌等で報道された研究成果等（報道媒体，報道年月日，報道内容等）
所 職

年
氏名

報道媒体

報道内容

属 種

度
なし

（７）国際並びに国内学会での受賞
所（賞名，その内容，受賞理由等）

職

年
氏名

属28

種

賞名備考度

なし

28

（８）地域・社会と連携した教育・研究活動，学会、国、県などへの協力，など
・千葉大学高等教育機構 高大連携専門部会長
・佐倉高等学校 SSH 運営指導委員会委員長
・千葉大学・成田国際高校連絡協議会委員
・千葉県高等学校課題研究発表会 審査委員長
・文科省特別研究員審査委員
文科省科学研究費第一次審査委員
・東京大学学位論文審査委員
・HPCI 共用計算機資源（京コンピュータ）利用研究課題選定委員
・物性研共同利用スーパーコンピュータ課題審査委員
・Jpn. J. Appl. Phys. 編集者, eJ. Surface Science Nanotech. 編集者 他
・応用物理学会 電子デバイス界面テクノロジー研究会, プログラム＆実行委員
・2016 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM 2016) プログラム委員2017 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM 2017) プログラム委員・2017 Int. Workshop on Dielectric Thin Film (2017 IWDTF)プログラム委員（９）特許（発明者名，発明の名称，出願日，出願番号，整理番号等）（現時点で公表できるもののみ）なし（１０）その他
・「君も物理チャレンジを！２０１６」講習会講師：千葉市科学館、2016/5～6 月
・物理チャレンジ２０１６ 第１チャレンジ及び第２チャレンジ 採点委員 2016/7～8 月