TRIAC(Through Hole / Isolated)

TMG5CQ60F(Tj=150 )10.5±0.3

3.2±0.3

Triac TMG5CQ60F is designed for full wave AC control applications.
It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation.
4.7±0.2
2.7±0.2

Typical Applications

Home Appliances : Washing Machines, Vacuum Cleaners, Rice Cookers, MicroWave Ovens, Hair Dryers, other control applications
Industrial Use: SMPS, Copier Machines, Motor Controls, Dimmer, SSR,
Heater Controls, Vending Machines, other control
applications

39.7±0.3

16.0±0.3

1
φ3.2
±0.2

2.6±0.2Features

21.4±0.2

3.0±0.3

13.0±0.5

0.60±0.15
1.1±0.2

1 T12 T23 Gate

0.6±0.15

Nofo tRrN ecew om
D mes enig dn

IT(RMS)=5A
High Surge Current
Low Voltage Drop
Lead-Free Package

13

2.54±0.25

5.08±0.5

Identifying Code T5CQ6F

Maximum Ratings

SymbolVDRM
IT RMS
ITSM
I2t
PGM
PG AV
IGM
VGM
VISO
Tj
Tstg

2Tj=25Item
Repetitive Peak Off-State Voltage
R.M.S. On-State Current
Surge On-State Current
I2t for fusing
Peak Gate Power Dissipation
Average Gate Power Dissipation
Peak Gate Current
Peak Gate Voltage
Isolation Breakdown Voltage R.M.S.
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
MassUnit mmunless otherwise specified

ReferenceRatings
600
550/5512.6
30.3
2101500
40150
40150
2Tc 125
One cycle, 50Hz/60Hz, Peak value non-repetitive

A.C. 1minuteUnit
VA
A
A2SW
W
A
V
V

g

Electrical Characteristics

Symbol

Item

IDRM
VTM
I GT1
I GT1
I GT3
I GT3
V GT1
V GT1
V GT3
V GT3
VGD

Repetitive Peak Off-State Current
Peak On-State Voltage
12Gate Trigger Current
3412Gate Trigger Voltage
34Non-Trigger Gate Voltage

dv/dt cCritical Rate of Rise of Off-State
Voltage at Commutation

Tj 150Holding Current
Thermal ResistanceJunction to case

IHRth     1（  ）＋Reference

VD=VDRM, Single phase, half wave, Tj 150
IT 7A, Inst. measurement

Ratings
Min. Typ. Max.
2
1.4
2020
20
1.5
1.5

VD 6V RL 10

UnitmA
VmA

V

1.5

Tj 150

VD

1

2VDRM

di/dt cA/ms VD

2

3VDRM

0.1

V2V/ s10

 2（  ）−4.0 3（ III ）＋ 4（ III ）−mA/WTMG5CQ60F

Gate Characteristics

On-State Characteristics（MAX）

１００

On-State Current（A）

１０VGM（10V）

PGM（3W）

IGM（2A）

PG（AV）（0.3W）

１25℃
1＋GT１
1−GT１
1−GT３０.１

VGD（0.1V）

Ｔ
ｊ=２５℃
Ｔ
ｊ=１５０℃

１０1

Nofo tRrN ecew om
D mes enig dn

Gate Voltage（V）

１０００．
０１
１０

１００００.１
０１００００

０.５

１２.５

３

RMS On-State Current vsMaximum Power Dissipation

RMS On-State vs
Allowable Case Temperature

π０１５５θ

θ＝180゜
θ＝150゜2πθ５θ＝120゜３６０゜

θ＝90゜θ
：Conduction Angle４θ＝60゜３

θ＝30゜１２４３１４０

θ＝30゜１３５

θ＝60゜０θθ＝90゜

2π３６０゜θ：Conduction Angle

１２４０６０HZ

５０HZ

２０１０

５１０２０５０１００Transient Thermal Impedance（℃/W）

５０２１０４５６Transient Thermal Impedance

１０.０１

０.１

１

１０１００Time（Sec.）Time（Cycles）

VGT −Tj（Typical）

IGT −Tj（Typical）

IGT（t℃）
×100（％）
IGT（２５℃）

VGT（t℃）
×100（％）
VGT（２５℃）

１０００１０００V＋GT1（!＋）
V−GT1（!−）
V−GT3（#−）

１００１００
I＋GT１（ !＋ ）I−GT１（!−）

I−GT３（#−）

１０−５０３

RMS On-State Current（A）

Surge On-State Current Rating（Non-Repetitive）

０１

θ＝120゜
θ＝150゜
θ＝180゜θ

１２００５πRMS On-State Current（A）

３０４

１４５１２５００

３.５

１５０１３０２１

Surge On-State Current（A）

２On-State Voltage（V）

６６０

１.５

Gate Current（mA）

Allowable Case Temperature（℃）

Power Dissipation（W）

７１００−２５０２５５０７５１００Junction Temp. Tj（℃）

１２５１５０１０
−５０

−２５０

２５５０

７５１００

Junction Temp. Tj（℃）

１２５ １50