遷移金属酸化物における相分離を利用したチェッカーボード型ナノ組織の作製とその特徴
堀部

陽一 森

茂生


ネルギーの利得のために，低対称構造が安定化する．この現.

は じめに象は Jahn Teller (JT )現象と呼ばれており，この JT 現象により導入される局所歪(Jahn Teller 歪 JT 歪)は， JT イオ

近年のナノサイエンス・ナノテクノロジーの発展に伴い，ン濃度の変調を伴う化学的相分離の駆動力となり得ることがナノメートルスケールの自己組織化材料の研究が精力的に行報告されている(10)(11)．実際， Mn 系スピネル型酸化物におわれている．これらのナノ自己組織化材料には，一般にコロけるチェッカーボード型ナノ組織は，本系に存在する Mn3＋イド沈殿法やブロック共重合体などの各種有機物における自イオンに起因した JT 歪による化学的相分離と密接に関係す

己組織化，金属の陽極酸化等の湿式化学的手法が用いられることが指摘されている(7)．すなわち，Mn 系スピネル型酸る(1)(3)．一方，無機物におけるナノ自己組織化については，化物におけるチェッカーボード型ナノ組織は，本系におけるAlNiCo 合金や CoPt 等の強磁性合金(4)(5)や，パルスレー

JT 現象に関係して，試料中における局所的歪場や Mn3＋ 濃ザー蒸着法を用いて作製された BaTiO3CoFe2O4 強誘電強磁性薄膜(6)においてその存在が報告されているものの，ナノ構造単位の大きさ(通常 40～60 nm 以上)および秩序度(無秩序化傾向)において満足のいく材料を得るのは一般的に困難である．しかしながら従来の研究から，ナノメートルスケー
ル で の 相 分 離 を 利 用 す る こ と に よ り ， ZnMnGaO4 やMg(Mn, Fe)2O4，(Co, Mn, Fe)3O4 などの Mn イオンを含むスピネル型酸化物において，数 nm×数 nm×数十～数百 nm程度のナノロッドから構成されるチェッカーボード(checkerboard ) 型 ナ ノ 組 織 を 作 製 出 来 る こ と が 見 出 さ れ て いる(7)(9)．
スピネル型酸化物 AB2O4 の結晶構造を，図に示す．ス
ピネル型構造は立方晶空間群 Fd3̃m を伴う基本構造を有し，A および B イオンがそれぞれ四面体サイト(8a 位置)および八面体サイト( 16d 位置)を占位する．したがって B イオンおよび周辺の酸素イオンは，B イオンを中心とした酸素八面体を構成している(図 1 中破線部)．このため B イオンがMn3＋ や Cu2＋ といった遷移金属イオンの場合，系全体のエ

図1

スピネル型構造の模式図．点線は，BO6 酸素八面体を示す．

九州工業大学大学院工学研究院准教授(〒8048550 北九州市戸畑区仙水町 11)
大阪府立大学大学院工学系研究科教授
Fabrications and Characterizations of Checkerboardtype Nanostructure Utilized by Phase Separation in Transition Metal Oxides;
Yoichi Horibe, Shigeo Mori(Department of Materials Science, Kyushu Institute of Technology, Kitakyushu. Department ofMaterials Science, Osaka Prefecture University, Sakai)
Keywords: transmission electron microscopy, checkerboardtype nanostructure, domain structure, local structure, JahnTeller effect, transitionmetal oxides
2018年 3 月30日受理[doi:10.2320/materia.57.271]

ま て り あ 第57巻 第 6 号(2018)Materia Japan度等に強く依存することが示唆される．そこで我々はこれまで，Mn 系スピネル型酸化物において，様々な条件下でチェッカーボード型ナノ組織の作製を試み，その特徴について研究を行ってきた(7)(8)(12)(14) ．本稿では，主に ZnMnGaO4 において得られた研究成果について紹介する．本物質中では，Mn3＋ イオンが八面体サイトに配位する結果， JT 活性となっており， ZnMn2O4 は室温において JT 歪を伴う正方晶構造(空間群 I41 / amd )を有する(15) ．一方， ZnGa2O4 は室温において立方晶構造(空間群Fd3̃m)を示すことが報告されている(16)．

.

実 験方法

ZnMnGaO4 セラミックス試料は，空気中において通常の固 相 反 応 法 を 用 い て 作 製 さ れ た ． 具 体 的 に は ZnO ，Mn2O3 ，および Ga2O3 原料粉を秤量・粉砕混合・ペレット化した後，2 度の焼成を行い，その後様々な条件下でアニールを行った．また ZnMnGaO4 薄膜試料の作製は，パルスレーザー蒸着法を用いて行った．薄膜作製には( 001 ) MgO 基板を用い， ZnMnGaO4 セラミックス試料をターゲットとし

図2

ZnMnGaO4の室温におけるチェッカーボード型ナノ組織とヘリンボーン型ナノ組織．( a )および(b)[001]方向から得られた明視野像および電子回折図形．(c)および(d )[010]方向から得られた明視野像および電子回折図形．( a )の挿入図
は，( b )の b 回折斑点のみを用いて結像した暗視野像である．て厚さ～ 800 nm 程度まで蒸着を行った後，基板ヒーターを用いて570°Cにて数時間アニールを行った．構造評価は粉末
X 線回 折装 置を用い て行 った． 透過型 電子顕 微鏡用 試料またこれらのドメインは，互いに隣接していないことが分か

は，粉砕法， Ar イオンミリング法，および集束イオンビーる．異なる回折斑点を用いて結像した暗視野像の比較から，ム法を用いて作製した．透過型電子顕微鏡(TEM )観察は，回折図形中の 4 つに分裂した回折斑点は，図 2(a)中の a～dJEM 2000FX ， JEM 2010 ( 加 速 電 圧  200 kV ) ， お よ び

で示す 4 つの異なるドメインから得られることが明らかとJEM3000F(加速電圧300 kV)を用いて行った．また電子なった．またエネルギー分散型 X 線分析の結果から，本系回折図形の指数付けは，高対称構造である立方晶構造を基準におけるチェッカーボード型ナノ組織において，a および dに行っている．

ドメインは Mn rich な正方晶ドメイン， b および g ドメイ

. ZnMnGaO4 におけるチェッカーボード型ナノ組織た．ここで a および d ドメインでは，正方晶構造の最も長ンは Mnpoor な立方晶ドメインに対応することが見出され
い格子間隔の方向が 90°異なっており，また b および g ドメ
図に， ZnMnGaO4 セラミックス試料から得られた明視野像および電子回折図形を示す．電子入射方向は，〈100〉方インでは，立方晶構造の結晶軸が，基準となる方向から時計回転している．
方向および反時計方向に約 3°向にほぼ平行である．図 2(a)中には，[110]および[11̃0]方一方，図 2( c )は，異なる領域から得られたヘリンボーン

向に沿って大きさ約 4 nm×4 nm 程度のドメインが規則的に( herringbone )型ナノ組織の明視野像である．像中には，互配列した，チェッカーボード型ナノ組織が観察される．このいに直交する〈100〉方向に沿った 2 種類の縞状コントラスト領域から撮影された電子回折図形(図 2(b ))中の矢印で示すを持つヘリンボーン型ナノ組織の存在が見出される．1 つの800逆格子位置近傍などにおいて，それぞれ a，b， g，およ縞状コントラスト領域の長さは約 70 nm であり，また 2 種

び d で表される 4 つに分裂した回折斑点が観察される．こ類の縞状コントラストの境界は〈110〉方向に沿って存在しての分裂を注意深く観察すると，これらの回折斑点は，800位いる．ヘリンボーン型ナノ組織から得られた電子回折図形

置から[100]および[1̃00]方向への大きさの異なる分裂(a お(図 2(d ))中には，各基本格子反射近傍に散漫ストリークおよび d)と，[010]および[01̃0]方向への分裂(b およびg)を伴よび複数次の衛星反射が明瞭に観察される．これらのストリうことが分かる．一般的に双晶による回折斑点の分裂は，双ークおよび衛星反射は[ 100]および[ 001]方向に沿って出現晶界面に対して垂直な方向に観察されることから，本系におしており，縞状コントラストに垂直であることから，ヘリンける 4 つに分裂した回折斑点の存在は，本系のドメイン配ボーン型ナノ組織に関係したドメインが極めて規則的に配列列を特徴付けるものであると考えられる．これらの回折斑点していることを示唆している．隣接する衛星斑点の間隔からの分裂の起源を明らかにするため，b 斑点を用いて結像した見積もった周期は約 6 nm であり，チェッカーボード型ナノ暗視野像を図 2( a )挿入図に示す．像中には規則的に配列し組織を構成する 1 つのドメイン(約 4 nm×4 nm)の対角方向た明るい四角状コントラストを持つドメインが観察される．の長さと良く一致している．実際，本系においてチェッカー


最近の研究

ボード型ナノ組織を〈 100 〉軸周りに約 90 °傾斜させた場合，ZnMnGaO4 におけるドメイン構造は，JT 効果による化学的ヘリンボーン型ナノ組織に変化することが見出されてお相分離の結果として現れる，大きさ約～ 4 nm ×～ 4 nm ×～り(7)，本系におけるナノ組織は四角柱形状を持つナノロッド

70 nm の 4 種類のナノロッドの規則配列により特徴付けら状ドメイン(大きさ約～ 4 nm ×～ 4 nm ×～ 70 nm )の規則配れることが明らかとなった．

列により構成され，その横断面像がチェッカーボード型ナノ組織，縦断面像がヘリンボーン型ナノ組織を示すことが分かる．

.

ZnMnGaO4 におけるチェッカーボード型ナノ組織変化

これらの結果から得られた， ZnMnGaO4 におけるドメイン配列の模式図を図に示す．灰色および白色の領域は，そMn 系スピネル型酸化物におけるチェッカーボード型ナノれぞれ立方晶および正方晶ドメインに対応する．本系におけ組織は，アニール条件に大きな影響を受ける(9)(14)．図(a)るナノドメイン構造は，図 3( a )で示すように，立方晶およに，ZnMnGaO4 セラミックス試料を高温から急冷(Quench)，び斜方晶構造を持つ，大きさ約～ 4 nm ×～ 4 nm ×～ 70 nm

120°C/ h ， 5 °C/h，および 1°C/hの冷却速度で室温まで徐冷しの 4 種類のナノロッドの規則配列により特徴付けられる．

た際に得られた311回折ピーク近傍の X 線回折曲線をそれぞ

このドメイン構造における[001]方向に垂直な断面図を，図れ示す．Quench 試料および120°C/h 冷却試料における X 線3(b)に示す．2 種類の正方晶ナノロッドにおける正方晶歪の回折曲線は，明瞭な基本格子ピークの分裂を示し，120°C/h異なっている．また 2 種伸張および収縮方向は，互いに90°冷却試料の方がより大きい正方晶歪を有することが分かる．

類の立方晶ナノロッドにおける単位格子は，元々の基準位置

一方，5°C/h および 1°C/h 冷却試料における回折曲線では，回転している．その結果としから互いに反対方向に約 3 °

基本格子反射ピークの顕著な幅広がりが観察され，ピーク半て，[001]方向に垂直な断面ではチェッカーボード型ナノ組

値幅は 5 °
C / h 冷却試料の方が 1 °C / h 冷却試料に比べて大き織が，[001]方向に平行な断面ではヘリンボーン型ナノ組織いことが分かる．ここで特徴的なのは，Quench 試料およびが観察される．これらのナノロッドの規則配列は，図 2( b )120°
C/h 冷却試料における正方晶構造が，5°C/h および 1°C/の電子回折図形中において観察される基本格子反射の特徴的

h 冷却試料における正方晶構造に比べ，小さな正方晶歪を有な分裂を良く説明することが出来る．以上の結果から，することである．このため， Quench 試料および 120°
C/h 冷
却試料における正方晶構造を中間正方晶構造と呼ぶこととする．また回折ピーク位置から見積もった格子定数から，
ZnMnGaO4 は 5 °C / h 冷却により立方晶 ZnMn0.5Ga1.5O4 と正方晶 ZnMn1.7Ga0.3O4 に相分離することが示唆される．このうち Mnpoor な立方晶 ZnMn0.5Ga1.5O4 が b および g ドメインに， Mn rich な ZnMn1.7Ga0.3O4 が a および d ドメインに対応するものと考えられる．
Quench 試料， 120 °C / h ，および 5 °C / h 冷却試料から得られた暗視野像を，それぞれ図 4 ( b ) , ( c )，および( d )に示
す．また挿入図には対応する電子回折図形を示してある．電子入射方向は[001]方向にほぼ平行であり，また暗視野像撮影に用いた回折斑点はそれぞれ 400 ， 22̃0 ，および 400 である．図 4 ( b )に示す Quench 試料から得られた暗視野像中には，〈 110〉方向に沿ったツイード( tweed )模様が明瞭に観察される．また対応する電子回折図形中には，各基本格子反射周りにツイード模様の存在を示す散漫散乱が見出される．一方，120°
C/h 冷却試料においては，正方晶歪の増加に伴い，内部にツイード模様を伴う〈110〉方向に沿った微細な双晶ドメインが出現すると共に，回折図形中にも典型的な基本格子反射の双晶分裂が見られる(図 4( c ))．更に 5 °C / h 冷却試料においては，特徴的な回折斑点の分裂を伴う～ 4 nm ×～ 4nm のチェッカーボード型ナノ組織が観察される(図 4(d))．

すなわち ZnMnGaO4 においては，高温からの冷却速度の低下に伴い，中間正方晶相から立方晶/正方晶相への相分離の
図3

ZnMnGaO4 におけるナノドメイン構造の模式図．
( a )規則配列したナノロッドの三次元的模式図．
(b)[001]方向からの投影図．

ま て り あ 第57巻 第 6 号(2018)Materia Japan

発生と，それに伴うチェッカーボード型ナノ組織の形成が明らかとなった．ここで冷却速度を低下させた際の組織変化は，近似的に温度低下に伴う組織変化を反映していると考え




図5

1°C/h 冷却試料から得られた明視野像および電子回折図形．

おける各構造とほぼ同じ格子定数を有することが見出された．すなわち，1°C/h 冷却試料におけるラメラ型ナノ組織は，2 種類のバンド状正方晶ドメインと 1 種類のバンド状立方晶ドメインから構成されることが明らかとなった．
以上の結果から， ZnMnGaO4 においては，高温からの冷却 に 伴 い ， ま ず 八 面 体 位 置 ( 16d サ イ ト 位 置 ) を 占 有 す る
Mn3＋ イオンに関係した協力的 JT 相転移が生じ，結晶構造が立方晶から中間正方晶構造に変化すると考えられる．このJT 転移はマルテンサイト的な相転移であり，イオン拡散を伴わない．その結果，更なる温度の低下と共に中間正方晶相は構造的に不安定となり，イオン拡散を伴う立方晶相および正方晶相への相分離が生じると共に，まずチェッカーボード型ナノ組織が形成されると考えられる．このチェッカーボード型ナノ組織は 2 種類の正方晶ナノロッドと 2 種類の立方図4

ZnMnGaO4 において異なる速度で冷却した試料から得られた(a)粉末 X 線回折曲線，および(b)～(d)暗視野像および電子回折図形．( b )，( c )，および(d)は，それぞれ Quench，120°C/h，および 5°C/h
冷却試料から得られたものである．

晶ナノロッドの微妙なバランスの上で形成されるため(7)，ナノロッドの粗大化と共に不安定化すると考えられ，その結果ラメラ型ナノ組織に変化することが予想される．すなわちZnMnGaO4 におけるナノ組織変化は，中間正方晶相から立方晶相および正方晶相への相分離に伴うチェッカーボード型ナノ組織形成と，その粗大化に関係したラメラ型ナノ組織へられる．の変化により特徴付けられると考えられる．

図および挿入図は， ZnMnGaO4 における 1 °C / h 冷却試料から得られた明視野像および電子回折図形である．電子入射方向は[ 001 ]方向にほぼ平行である．明視野像中には，

.

ZnMnGaO4 薄膜におけるチェッカーボード型ナノ組織[110]方向から時計回りおよび反時計回りに回転したバンド状コントラストを伴うラメラ型ナノ組織が観察される．またセラミックス試料におけるチェッカーボード型ナノ組織お対応する電子回折図形中には，例えば440逆格子位置などに，よびヘリンボーン型ナノ組織の形成には，本系における中間3 つに分裂した回折斑点の存在が見出される．様々な回折斑

正方晶に関係した双晶ドメインとそれに伴う歪場の存在が重点を用いた暗視野像観察の結果から，これらの回折斑点の 3要な役割を果たすと考えられる．そこでナノ組織形成に対すつの分裂は，双晶関係にある 2 種類の正方晶ドメインの存る局所歪の影響について調べるため，基板材料との格子ミス在(双晶分裂に類似した基本格子反射の分裂に対応)と，1 種フィットを伴う ZnMnGaO4 薄膜試料を作製し，ナノ組織の類の立方晶ドメインの存在(分裂の中間に位置する基本格子特徴について調べた(12) ．図( a )および 6 ( b )は，それぞれ反射に対応)に起因することが明らかとなった．また電子回MgO 基板上に作製した ZnMnGaO4 薄膜試料から得られた折図形の検討から，ラメラ型ナノ組織における立方晶構造お断面明視野像および平面暗視野像である．また，図 6(b )によび正方晶構造は，それぞれチェッカーボード型ナノ組織に対応する電子回折図形を挿入図に示す．電子入射方向はそれ



最近の研究

ぞれ[ 010]方向および[ 001]方向にほぼ平行であり，暗視野ックス試料と同様の特徴的な回折斑点の分裂が見られる．実像の撮影は， 800 位置周りの分裂した回折斑点を全て用い際，分裂した800回折斑点の 1 つを用いて撮影された暗視野て，試料をやや傾斜させて行っている．断面明視野像中では，像において，明瞭なチェッカーボード型ナノ組織が見出されMgO 基板と試料の界面から約 50 nm 程度のコントラストをている(12)．以上の結果から得られた， ZnMnGaO4 薄膜にお持たない遷移領域が見られる．その上部において基板面に垂けるナノドメイン構造の模式図を図 6 ( c)に示す．灰色およ直な方向に，幅約 6 nm 程度の細かいフリンジコントラスト

び白色の領域は，それぞれ立方晶および正方晶ドメインに対が，薄膜表面まで約～750 nm にわたり連続的に存在するこ応する．本系におけるドメイン構造は，立方晶および斜方晶とが分かる．一方，平面暗視野像および対応する電子回折図構造を持つ，大きさ約～4 nm×～4 nm×～750 nm の 4 種類形(図 6 ( b )および挿入図)中には，約～ 4 nm ×～ 4 nm 程度のナノロッドの規則配列により構成され，極めて異方的な構(対角方向の幅が約～6 nm 程度)の大きさのチェッカーボー造を有することが分かる．

ド型ナノ組織が明瞭に観察され，また回折図形中にはセラミ

本ナノドメイン構造における断面方向の結晶学的特徴について更に詳しく調べるため，基本格子反射を用いた暗視野像の観察を行い，さらに基板―薄膜間の遷移領域近傍および薄膜領域において電子回折図形の撮影を行った．その結果を図に示す．図 7(a)は440基本格子反射を用いて結像した暗視野像であり，また像中の白枠 I および II は，それぞれ図 7(b)および 7(c)の電子回折図形に対応する領域近傍の位置を表している．暗視野像中では，ナノロッドの規則配列を反映した，極めて周期的に並んだフリンジコントラストが観察される．この規則配列を反映して，薄膜領域において得られた電子回折図形(図 7( b))中には，強いストリーク状散漫散乱に加えて高次の衛星反射の存在が見出される．一方，暗視野像中の MgO 基板と薄膜との間の遷移領域では，局所的な格子歪の存在を示唆する複雑なコントラストが観察される．この領域近傍から得られた図 7 ( c )に示す回折図形では，図 7(b)に比べて明瞭なストリーク状散漫散乱は見られず，また

図6

ZnMnGaO4 薄膜試料におけるチェッカーボード型ナノ組織．(a)断面明視野像．(b)平面暗視野像および対応する電子回折図形．暗視野像の撮影は，800位置近傍の 4 つに分裂した基本格子反射の全てを用いて行っている．( c )薄膜試料におけるナノドメイン構造の三次元的模式図．

ま て り あ 第57巻 第 6 号(2018)Materia Japan

図7

ZnMnGaO4 薄膜試料における局所構造の基板からの距離依存性．( a )断面暗視野像．暗視野像の撮影は， 440 基本格子反射を用いて行っている．
(b)(a)中の白枠 I の領域近傍から得られた電子回折図形．( c )( a )中の白枠 II の領域近傍から得られた電子回折図形．

高次の衛星反射も存在していない．MgO 基板と ZnMnGaO4

番号 17H03393 )および基盤研究( C )(課題番号 26420681 )に( 3 ) Y. Lin, A. Boker, J. He, K. Sill, H. Xiang, C. Abetz, X. Li, J.
Wang, T. Emrick, S. Long, Q. Wang, A. Balazs and T. P.
Russell: Nature, 434(2005), 5559.
( 4 ) Y. Le Bouar, A. Loiseau and A. G. Khachaturyan: Acta Mater.,46(1998), 27772788.
( 5 ) A. Suzuki and M. Takeyama: J. Mater. Res., 21(2006), 2126.
( 6 ) H. Zheng, J. Wang, S. E. Lofland, Z. Ma, L. Mohaddes
Ardabili, T. Zhao, L. SalamancaRiba, S. R. Shinde, S. B. Ogale, F.
Bai, D. Viehland, Y. Jia, D. G. Schlom, M. Wuttig, A.
Roytburd and R. Ramesh: Science, 303(2004), 661663.
( 7 ) S. Yeo, Y. Horibe, S. Mori, C. M. Tseng, C. H. Chen, C. L.
Zhang and S.W. Cheong: Appl. Phys. Lett., 89(2006),233120.
( 8 ) C. L. Zhang, S. Yeo, Y. Horibe, Y. J. Choi, S. Guha, M. Croft,S.W. Cheong and S. Mori: Appl. Phys. Lett., 90(2007),133123 13.
( 9 ) C. L. Zhang, C. M. Tseng, C. H. Chen, S. Yeo, Y. J. Choi andS.W. Cheong: Appl. Phys. Lett., 91(2007), 233110.
(10) M. A. Ivanov, N. K. Tkachev and A. Ya. Fishman: Low Temp.
Phys., 28(2002), 613620.
(11) M. A. Ivanov, N. K. Tkachev and A. Ya. Fishman: Low Temp.
Phys., 25(1999), 459465.
(12) S. Park, Y. Horibe, T. Asada, L. S. Wielunski, N. Lee, P. L.
Bonanno, S. M. O'Malley, A. A. Sirenko, A. Kazimirov, M.
Tanimura, T. Gustafsson and S.W. Cheong: Nano Lett., 8(2008), 720
724.
(13) Y. Horibe, S. Takeyama and S. Mori: AIP Conf. Proc., 1763
(2016), 050005.
(14) H. Tabuki, H.
J. Woo, K. Jang and Y. Horibe (submitted).
(15) M. Robbins and P. K. Baltzer: J. Appl. Phys., 36(1965), 1039
1040.
(16) S. K. Sampath, D. G. Kanhere and R. Pandey: J. Phys. Condens. Matter, 11(1999), 36353644.

よる支援のもと行われました．また本研究の一部は，九州工★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★

薄膜との間の格子ミスフィットは基板から距離が離れるにつれて緩和されると考えられることから，チェッカーボード型ナノ組織は局所歪の微妙なバランスの上に形成されること，またこの局所歪を制御することにより極めて異方的かつ高度に規則化したチェッカーボード型ナノ組織を実現可能性であることが示唆された．

.

お わりに

本稿では，様々な条件下で作製・アニールされた Mn 系
スピネル型酸化物 ZnMnGaO4 セラミックス試料および薄膜試料における，主に透過型電子顕微鏡観察により行われたナノ自己組織化の研究結果について紹介した．このナノ自己組織化は，本系における Mn3＋ イオンの JT 効果に関係した相分離を起源とし，JT 歪を伴う Mnrich な正方晶ナノロッドと JT 歪を持たない Mn poor な立方晶ナノロッドが巧妙に規則配列したドメイン構造の形成を伴う．この様なナノドメイン構造は高度な秩序化および大きな異方性を持つことか
ら，これらの特性を利用した異方的熱伝導材料の作製やナノ磁石の作製など様々な分野への応用が期待される．
本研究の一部は，科学研究費補助金基盤研究( B )(課題

業大学機器分析センター(CIA)および石丸 学教授(九州工業大学)所有の各装置を用いて実施しました．本研究結果は，
田吹 遥氏(九州工業大学)，S.W. Cheong 教授(米国・Rutgers University)，S. Yeo 博士(韓国・Korea Atomic Energy
ResearchInstitute ) ， S. Park 准 教 授 ( 韓 国 ・ ChungangUniversity)，谷村 誠准教授(横浜国立大学)，浅田敏広氏との共同研究によるものであり，ここに深く感謝の意を表しま堀部陽一
2000年 3 月 早稲田大学大学院理工学研究科博士後期課程修了，博士(工学)2000年 4 月 米国ベル研究所・博士研究員
2002年10月 大阪府立大学総合科学部物質科学科・助手
2006年 6 月 米国ラトガース大学新奇材料センター・透過型電子顕微鏡施設長
2013年10月 現職
専門分野透過型電子顕微鏡，固体物理，相転移◎透過型電子顕微鏡を用いた，機能性材料における局所構造および各種ドメインの研究に従事．

★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★

す．

文

献( 1 ) S. Sun, C. B. Murray, D. Weller, L. Folks and A. Moser:Science, 287(2000), 19891992.
( 2 ) F. X. Redl, K.S. Cho, C. B. Murray and S. O'Brien: Nature,423(2003), 968971.



堀部陽一

森茂生

最近の研究