高速ダイオードモジュール
DBA200ZA20(V R(DC) =200V, I F(AV) =100A×2)

用途▶ 溶接機二次側高速整流▶ スイッチング電源▶ 誘導加熱用電源

UL 規格対応UL File No.E76102

特長

アバランシェ耐量とは・・・■ アバランシェ耐量と優れた高速性の両立を実現

・長年培われた最適化技術により、優れた高速リカバリー特性を実現（trr :Typ 50ns）
・充分なアバランシェ耐量の確保により、ショットキーバリアダイオードからの置き換えに最適■ 小型・高信頼性パッケージ

・小型、高信頼性のSOT-227標準パッケージ・ヒートシンクへの直接取り付けが可能

・絶縁耐圧 2500V
・RoHS対応

使用例
溶接機 構成例
SOT-227 パッケージの他のデバイスとの組み合わせにより搭載機器の小型化に貢献

整流器

インバーター

変圧器

整流器

半導体素子に定格を超えた逆電圧が印加されると、アバランシェ降伏により電流が流れます。
この時にどれくらいのエネルギー（電流）まで耐えられるのかをアバランシェ耐量として表します。アバランシェ耐量向上型のデバイスは一般よりもアバランシェ電流で破壊しにくいのが特長です。

高速ダイオードモジュール

産業用パワー半導体

DBA200ZA20
最大定格

特にことわらない限り Tj=25℃
項目

直流逆電圧
平均順電流

記号

単位

定格値

VR(DC)

V200

A

1000/1100

電流二乗時間積

V

2500

W

45000

A

I2t

A2S

5000

IASA

40VISO

絶縁耐圧
アバランシェ電流（単発）PARM

せん頭アバランシェ電力（繰返し）
動作接合部温度
取付 (M4)締付トルク

主端子 (M4)

質量50Hz 10ms/60Hz 8.3ms 正弦波、波高値、非繰返しAC 実効値 1 分間

V=100V、L=1.15mH℃- 40 〜 +150℃- 40 〜 +150ー

N･m(kgf･cm)

1.5ーg

1.530ー

直流、Tc=98℃ (１素子当たり)50Hz 10ms/60Hz 8.3ms 正弦波

TjTstg

保存温度

100IF(AV)IFSM

サージ順電流条件

Tp = 10 μs

推奨値 1.0 〜 1.4（ 10 〜 14）
推奨値 1.0 〜 1.4（ 10 〜 14）
標準値

電気的特性

特にことわらない限り Tj=25℃
項目記号単位IRmA

順電圧

VFV

閾値電圧

V(to)

V

スロープ抵抗

rtmΩ

逆回復時間

trr

ns

Qrr

nC

Rth( j-c )

℃/W

逆電流

irr

逆回復電流（ピーク）
逆回復電荷
熱抵抗

Rth(c-f )接触熱抵抗±
±
±

最小

標準
0.5

5.0（１素子当たり）
Tj=Tjmax、VR=VR(DC)、

1.15（１素子当たり）
IF=100A、

0.70

Tj=Tjmax

2.16

2.46

Tj=Tjmax

5.5

7.5

IF=100A、VR=100V、-di/dt=200A /μs、（１素子当たり）

0.45

接合部 ー ケース間（１素子当たり）

0.84

0.96

0.62
1.71

1.94

50A℃/W条件

最大1.0065160

2100.250.10

Tj = 25 ℃
Tj = 25 ℃

接合部 ー ケース間（１モジュール当たり）

ケース ー フィン間（１モジュール当たり）
Si グリスの熱伝導率 =9×10-3[W/cm･℃]

SOT-227 パッケージラインアップ±±

±

∅

規格値

IGBT

高速ダイオード

GSA75AA120
75A 1200V

DBA200YA40
100A×2 400V
ソフトリカバリーダイオード







GSA100AA60
100A 600V

DBA200WA40/60
DBA200UA40/60
100A×2 400V/600V

単位：

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42-J-202404-1