TRIAC(Through Hole / Isolated)

TMG12C80F
Triac TMG12C80F is designed for full wave AC control applications.
It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation.
3.2±0.3

TO-220F
10.5±0.3

4.7±0.2
2.7±0.2

Typical Applications

Home Appliances : Washing Machines, Vacuum Cleaners, Rice Cookers, Micro
Wave Ovens, Hair Dryers, other control applications● Industrial Use: SMPS, Copier Machines, Motor Controls, Dimmer, SSR,
Heater Controls, Vending Machines, other controlapplications●39.7±0.3

16.0±0.31
φ3.2±0.2

2.6±0.2Features2

1.4±0.2

3.0±0.3

13.0±0.5

0.60±0.15
1.1±0.2

1 T1
2 T2
3 Gate0.6±0.15

IT(RMS)=12A● High Surge Current● Low Voltage Drop
● Lead-Free Package

Nofo tRrN ecew om
D m
es enig dn●132.54±0.25

5.08±0.5

Identifying Code：T12C8F■Maximum Ratings
SymbolVDRM
IT（RMS）
ITSM
I2t
PGM
PG（AV）IGM
VGM
VISO
TjTstg2Unit：mm（Tj=25℃ unless otherwise specified）

Item
Repetitive Peak Off-State Voltage
R.M.S. On-State CurrentSurge On-State Current
I2t（for fusing）
Peak Gate Power Dissipation
Average Gate Power Dissipation
Peak Gate Current
Peak Gate Voltage
Isolation Breakdown Voltage（R.M.S.）
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Mass

Reference

Tc＝79℃
One cycle, 50Hz/60Hz, Peak value non-repetitive

A.C. 1minuteRatings
800
12119/130
71
50.5
210
1500
−40〜＋125−40〜＋150
2Unit
VA
A
A2SW
W
A
V
V℃℃g

■Electrical Characteristics
Symbol

Item

IDRM
VTM＋
I GT1−I GT1＋I GT3−I GT3＋V GT1−V GT1＋V GT3−V GT3VGD

Repetitive Peak Off-State Current
Peak On-State Voltage
12Gate Trigger Current
3412Gate Trigger Voltage
34Non-Trigger Gate Voltage

Tj＝125℃，VD＝1／2VDRMRatings
Min. Typ. Max.
2
1.430
30―30
1.5
1.5―
1.5
0.2

〔dv/dt〕c

Critical Rate of Rise of Off-StateVoltage at Commutation

Tj＝125℃，〔di/dt〕
c＝−6A/ms，VD＝400V

10Holding Current
Thermal ResistanceJunction to case

IHRth     1（  ）＋Reference

VD=VDRM, Single phase, half wave, Tj＝125℃
IT＝20A, Inst. measurementVD＝6V，RL＝10Ω

−

3.3

 3（ III ）
＋mA
VmAVV
V/μs

20

 2（  ）Unit 4（ III ）−mA℃/WTMG12C80F

Gate Characteristics

２００１００On-State Characteristics（MAX）

On-State Peak Current（A）

Gate Voltage（V）

１００１０
VGM（10V）

PGM（5W）

１

IGM（2A）

PG（AV）（0.5W）

２０１０５
２１Ｔ
ｊ=２５℃
Ｔ
ｊ=１２５℃

０．
５

Nofo tRrN ecew om
D mes en
ig dn

25℃
1＋GT１
1−GT１
1−GT３５０

VGD（0.2V）０．
１１０１００００．
２０．
５１００００１．
０

１．
５RMS On-State Current vsMaximum Power Dissipation

RMS On-State vs
Allowable Case Temperature

12π０

θ＝１８０゜
θ＝１５０゜θ

10

θ＝９０゜

θ＝６０゜

8

θ＝３０゜

642００２46810

12１２５

θ＝30゜

９５

θ＝60゜
θ＝90゜８５π０θθ

７５３６０゜θ：Conduction Angle

６５０14２４１００60HZ
50HZ

４０20

１０１０0

Transient Thermal Impedance（℃/W）

Surge On-State Current（A）

１２００１１０１２１０.１
０.０１０.１

１１０１００１００１５０Time（Sec.）VGT −Tj（Typical）IGT −Tj（Typical）

１０００

VGT（t℃）
×100（％）
VGT（２５℃）

５００５００IGT（t℃）
×100（％）
IGT（２５℃）

８Transient Thermal Impedance

１０Time（Cycles）

２００２００１００

I＋GT１（ 1＋ ）I−GT１（1−）

５０
I−GT３（3−）

２０１０−５０６

RMS On-State Current（A）

Surge On-State Current Rating（Non-Repetitive）

６０

θ＝120゜
θ＝150゜
θ＝180゜

2π

RMS On-State Current（A）

８０３．
５１０５３６０゜θ：Conduction Angle

３．
０１１５

θ＝１２０゜2π

θ

１０００

２．
５

On-State Voltage（V）

14１４０

２．
０Gate Current（mA）

Allowable Case Temperature（℃）

Power Dissipation（W）

１6１０００５０１００Junction Temp. Tj（℃）

１５０V−GT３（3−）

１００

V＋GT１（ 1＋ ）（1−）
V−GT１５０２０１０−５００５０Junction Temp. Tj（℃）