TRIAC(Through Hole / Isolated)

TMG12CQ60F(Tj=150℃)

Triac TMG12CQ60F is designed for full wave AC control applications.
It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation.

3.2±0.3

TO-220F
10.5±0.3

4.7±0.2
2.7±0.2

Typical Applications

Home Appliances : Washing Machines, Vacuum Cleaners, Rice Cookers, MicroWave Ovens, Hair Dryers, other control applications● Industrial Use: SMPS, Copier Machines, Motor Controls, Dimmer, SSR,
Heater Controls, Vending Machines, other controlapplications

1φ3.2±0.2

3

9.7±0.3

16.0±0.3●

2.6±0.2

Features1.1±0.22

1.4±0.2

3.0±0.3

13.0±0.5

0.60±0.15

1 T1
2 T2
3 Gate0.6±0.15

IT(RMS)=12A● High Surge Current● Low Voltage Drop
● Lead-Free Package

Nofo tR
rN ecew om
D mes enig dn●132.54±0.25

5.08±0.5

Identifying Code：T12CQ6F■Maximum Ratings
SymbolVDRM
IT（RMS）
ITSM
I2t
PGM
PG（AV）IGM
VGM
VISO
TjTstg2Unit：mm（Tj=25℃ unless otherwise specified）

Item
Repetitive Peak Off-State Voltage
R.M.S. On-State Current
Surge On-State Current
I2t（for fusing）
Peak Gate Power Dissipation
Average Gate Power Dissipation
Peak Gate Current
Peak Gate Voltage
Isolation Breakdown Voltage（R.M.S.）
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Mass

Reference

Tc＝103℃
One cycle, 50Hz/60Hz, Peak value non-repetitive

A.C. 1minuteRatings
600
12119/130
71
50.5
2
10
1500−40〜＋150−40〜＋150
2Unit
VA
A
A2SW
W
A
V
V℃℃g

■Electrical Characteristics
SymbolItem

IDRM
VTM＋I GT1−
I GT1＋I GT3−I GT3＋V GT1−V GT1＋V GT3−V GT3
VGD

Repetitive Peak Off-State Current
Peak On-State Voltage
12Gate Trigger Current
3412Gate Trigger Voltage
34Non-Trigger Gate Voltage

VD=VDRM, Single phase, half wave, Tj＝150℃
IT＝20A, Inst. measurement〔dv/dt〕c

Critical Rate of Rise of Off-StateVoltage at Commutation

Tj＝150℃，〔di/dt〕
c＝−6A/ms，VD＝2／3VDRM

Holding Current
Thermal ResistanceJunction to case

IHRth     1（  ）＋Reference

VD＝6V，RL＝10Ω

Tj＝150℃，VD＝1／2VDRMRatings
Min. Typ. Max.
21.43030―30
1.51.5―1.50.1520

 2（  ）−3.3

 3（ III ）＋ 4（ III ）−UnitmA
VmA

VV
V/μs
mA℃/W

TMG12CQ60F

On-State Characteristics（MAX）

Gate Characteristics

１０００

VGM（10V）

On-State Peak Current（A）

１０１００

PGM（5W）

PG（AV）（0.5W）

１０．
１

IGM（2A）

25℃
1＋GT１
1−GT１
1−GT３

Ｔ
ｊ=２５℃
Ｔ
ｊ=１５０℃

VGD（0.1V）

１０１Nofo t
RrN ecew om
D mes enig dn

Gate Voltage（V）

１０００．
０１１０１００００.１０１００００

０.５

１２.５３RMS On-State Current vsMaximum Power Dissipation

RMS On-State vs
Allowable Case Temperature

π０１２

θ＝180゜
θ＝150゜θ2πθ

θ＝120゜

３６０゜

θ＝90゜

θ
：Conduction Angle

１０θ＝60゜８θ＝30゜６２

４６８１０１３０

θ＝30゜

１２０

θ＝60゜

π０

θ＝90゜θ

θ３６０゜

θ：Conduction Angle

９００１２

２４１００

60HZ
50HZ

４０20

１０１０0

Transient Thermal Impedance（℃/W）

１２００１８１０１２

Transient Thermal Impedance

１０１０.１
０.０１

０.１Time（Cycles）

１１０１００Time（Sec.）VGT −Tj（Typical）

IGT −Tj（Typical）

IGT（t℃）
×100（％）
IGT（２５℃）

VGT（t℃）
×100（％）
VGT（２５℃）

１０００

１０００

V＋GT1（!＋）
V−GT1（!−）
V−GT3（#−）

１００

１００
I＋GT１
（ !＋ ）
I−GT１（!−）

I−GT３（#−）

１０−５０６RMS On-State Current（A）

Surge On-State Current Rating（Non-Repetitive）

６０

θ＝120゜
θ＝150゜
θ＝180゜2π

RMS On-State Current（A）

８０４

１４０

１００００

３.５

１５０

１１０４２Surge On-State Current（A）

２On-State Voltage（V）

１４１４０

１.５

Gate Current（mA）

Allowable Case Temperature（℃）

Power Dissipation（W）

１６１００−２５０２５５０７５１００

Junction Temp. Tj（℃）

１２５１５０１０−５０−２５０２５５０

７５１００

Junction Temp. Tj（℃）

１２５ １50