エントリーモデル コーティング装置
MiniQS・簡単な操作・Au、Au / Pd、Ag スパッタ

・小さな設置面積

・完全な自動運転・丈夫なタッチパネルを採用

Q Plus シリーズ卓上型コーティング装置

コーティング

マグネトロンスパッタコーター
カーボンコーター

推奨アプリケーション

・低～中倍率での SEM 観察向け仕様

・装置寸法：幅 ��� mm × 奥行��� mm × 高さ ��� mm（コーティングヘッドオープン時高さ ��� mm）

・重量：�.� kg

・スパッタターゲット：金ターゲット付属（φ�� mm, t = �.� mm）
・試料ステージ：φ�� mm ステージ

Quorum Technologies 社

Quorum Technologies（クォーラムテクノロジーズ）社は英国南東部の East Sussex 州 Laughton に拠点を構え、電子顕微鏡市場において試料前処理装置の開発・製造・販売を長年に渡り手掛けてきた老舗メーカーです。試料前処理装置メーカーとして実績のある Polaron 社を前身に、���� 年に設立されました。���� 年に同業の Emitech 社を合併して市場規模を拡大し、両ブランドを統合・発展させてきました。���� 年にはJudges Scientiﬁc plc の傘下に入り、販売チャネルや製品開発への投資を拡大し、グループ会社間での相乗効果により更なる発展を遂げています。

日本国内においては、���� 年 � 月に㈱アド・サイエンスが国内総代理店となり、Quorum Technologies 社

製品の販売・サポート業務をご提供しています。主力製品は、試料前処理のための「コーティング装置（スパッターコーター・カーボンコーター）」と SEM、FIB を対象とした「クライオシステム」の � 本立てとなります。

その他 取扱いメーカー （電子顕微鏡関連）
SEM, FIB

・マイクロマニピュレータ
・ナノプローバー

SEM, TEM, EPMA etc.

・プラズマアッシャー（有機系コンタミネーション
予防・除去ツール）・プローブニードル

ラボ向け多目的 成膜用途

国内総代理店

分析試料の導電性コーティング、保護膜形成

カーボン支持膜の作成、TEM レプリカ法への応用〒���-����
東京都千代田区富士見�-�-�ステージビルディング��階TEL : ��-����-���� https://www.ads-img.co.jp/
E-mail : ads-contact@ads-img.co.jp

製造元
Quorum Technologies Ltd
https://www.quorumtech.com/※本カタログの製品の仕様等は、予告なく変更する事がございます。 [����]ラインナップ

卓上型コーティング装置「Q Plus シリーズ」はラボ向け に開発された真空成膜装置で、DC マグネトロンスパッタリング（イオンスパッタ）と、

抵抗加熱によるカーボン蒸着が行えます。他にも、親水化処理・真空蒸着・アパーチャークリーニングなどの機能を拡張することも可能です。

電子 顕 微 鏡や EPMA などの電子ビームをプローブ とする分析 装置において、試 料 の帯 電 防止等を目的とした導電 性コーティングに適しチャンバーサイズから「Q���」と「Q���」に大別され、次に高真空仕様（TMP 搭載）と低真空仕様（RP）とに分類されます。Q��� シリーズでは、ています。生物試料や無機／有機化合物などの絶縁物試料の観察や、大電流プローブを必要とする EPMA や EDX などの元素分析にはほぼスパッタリング／カーボン蒸着／マルチの � タイプがあり、Q��� シリーズでは、デュアルターゲット（� 元）またはトリプルターゲット（� 元）

不可欠といえます。金属スパッタは試料の熱ダメージを低減し、二次電子放出率を高める効果もあります。カーボン蒸着はカーボンの原子番号のスパッタリングと、マルチ（主に真空蒸着）の � タイプがあります。

が小さいことから元素分析に用いら れることが多く、また透過電子顕微鏡の観察手法の一つであるレプリカ法や、TEM グリッド メッシュのカーボン支持膜の作成などにも使用されます。

Q��� Plusシリーズ

上述の用途では一般に数 nm 程度の薄い膜厚が 求められますが、一方で FIB（Focused Ion Beam）やアトムプローブなどの用途において、数十～数百 nm 程度の保護膜の成膜にも使用できます。

電子顕微鏡関連の試料前処理用途以外にも、実験 レベルでの薄膜や電極の成膜などにも適しています。

スパッター

カーボン蒸着Q��� Plus シリーズ

スパッター

真空蒸着

Q Plus シリーズコーターは、Au や Pt などの貴金属ターゲット以外

タリングも可能 であることから、簡便に使える卓上サイズのコーターとして、小～中規模実験室向けに重宝されます。Q���TD では

プラズマ放電によりターゲット金属（Au、Cr、etc.）をスパッタして、試料可能です。

ターゲットにマイナスの高電圧を印加してグロー放電を発生させます。プラ真空を保持したまま � 種類のターゲットを連続して成膜することもや基板の表面にターゲット材料を付着・成膜させる装置です。

試料チャンバー内を真空引きした後、不活性ガス（主に Ar ガス）を導入しズマ空間でイオン化したアルゴン（Ar +）は、陰極のターゲットに高速で引きつけられて、ターゲット表面の粒子を叩き出します。叩き出された粒子は、対向に配置した試料や基板の表面に付着して薄膜を形成します。

Q Plus シリーズはターゲットの裏面に永久磁石を内蔵したマグネトロン型で、磁場によりターゲット近傍に電子を囲いこむことで、Ar + の生成効率

マルチユースが増えると同時にターゲットのスパッタ効率を増加し、成膜スピードを速くします。また、イオン衝撃による試料ダメージを低減する効果もあります。

各種成膜用途（ラボ向け）

スパッタリングは真空蒸着と比較して、高融点金属の成膜が可能な点や、粒子エネルギーが大きいことにより付着力が強い、といった利点があります。

SEM, TEM,EPMA
試料の導電性コーティング

TEM

カーボン支持膜形成・TEMレプリカ法・φ���mm チャンバー・φ���mm チャンバー、�inch ウエハまで対応

・TMP 搭載高真空タイプ（Q���V、Q���T）（Q���TD/TES は �” まで）or RP 低真空タイプ（Q���R）

・TMP 搭載高真空タイプ

・スパッタリング or カーボン蒸着

・デュアルターゲット（� 元＊�）or トリプルターゲット（� 元＊�）or マルチ（スパッタ 兼 蒸着）

or マルチ（スパッタ 兼 蒸着）

Q ��� T E S Plus➀

FIB, アトムプローブ➁

Q ��� T D Plus

Namin

g Rule➂➀ チャンバーサイズ ：[���] 内径 ���mm

保護膜形成

マルチユーザー環境に最適

マルチタスクに対応

ハイスループット＆ハイクオリティ

2

マグネトロンスパッタコーターにも、Cr や Ni・Al・W・ITO などの酸化する金属ターゲットのスパッ➁ 真空ポンプ：[V][T] ターボ分子ポンプ搭載 高真空仕様➂ 成膜モード：[S] スパッタリング[R] ロータリーポンプのみ 低真空仕様➀

真空蒸着法によりカーボンを成膜します。金属や金属酸化物などの蒸着

材料を真空中で加熱して、蒸発または昇華させます。気体分子になった蒸着材料が試料や基板の表面に付着・堆積して薄膜を形成します。スパッ

タ法よりも以前から実用化されている方式です。材料の加熱方法には、➁ 真空ポンプ➂ 成膜モード

抵抗加熱、高周波誘導加熱、電子ビーム加熱などがありますが、Q Plus
シリーズでは抵抗加熱式となります。

カーボン蒸着の場合、蒸着源としてカーボンファイバーを編紐にしたもの

Q���R E

Q���R ES

低真空

Q���T S

Q���T E

Q���T ES

高真空

Q���V ES

超高真空

推奨モデル

推奨モデル

推奨モデル

スパッタ

蒸着

マルチ

Q���V Eと、ロッド状のものがあります。いずれも蒸着前に通電して脱ガスし、その後大電流を流してカーボンを蒸発させ、蒸発したカーボンが試料に蒸着されます。

【グローボックス組込用

g Rule：[T] ターボ分子ポンプ搭載 高真空仕様：[D] デュアル（� 元）ターゲット（スパッタリング）[T] トリプル（� 元）ターゲット（スパッタリング）[ES] マルチ（真空蒸着 / スパッタリング）[E] カーボン蒸着

Q���R SQ���V S➂➀ チャンバーサイズ ：[���] 外径 ���mm[ES] マルチ

カーボンコーター➁

Namin

Q���T T
トリプル
ターゲット（� 元）

トリプルターゲット
（� 元）

推奨モデル

Q���T D

Q���T ES

デュアルターゲット（� 元）

マルチ

デュアルターゲット
（� 元）

高真空

＊�：� 元同時スパッタはできません。
＊�：同種のターゲット（φ��mm）が

� 枚装着されます。

スパッタモジュール】

コーター本体・制御スクリーン・電源ボックスを モジュール設計し、本体をグローブボックス内に組込むことを可能にしました。グローブ

ボックス床面をコーター本体のサイズに切り抜き、そこにガスケット

を介して本体を嵌めこみます。制御は大気側に置かれるタッチパネル

スクリーンからリモートで行われ、電源モジュールと真空ポンプはグ
ローブボックスの下側に置かれます。コーターの基本 仕様は Q���T
ES と同等です。

3

ラインナップ

卓上型コーティング装置「Q Plus シリーズ」はラボ向け に開発された真空成膜装置で、DC マグネトロンスパッタリング（イオンスパッタ）と、

抵抗加熱によるカーボン蒸着が行えます。他にも、親水化処理・真空蒸着・アパーチャークリーニングなどの機能を拡張することも可能です。

電子 顕 微 鏡や EPMA などの電子ビームをプローブ とする分析 装置において、試 料 の帯 電 防止等を目的とした導電 性コーティングに適しチャンバーサイズから「Q���」と「Q���」に大別され、次に高真空仕様（TMP 搭載）と低真空仕様（RP）とに分類されます。Q��� シリーズでは、ています。生物試料や無機／有機化合物などの絶縁物試料の観察や、大電流プローブを必要とする EPMA や EDX などの元素分析にはほぼスパッタリング／カーボン蒸着／マルチの � タイプがあり、Q��� シリーズでは、デュアルターゲット（� 元）またはトリプルターゲット（� 元）

不可欠といえます。金属スパッタは試料の熱ダメージを低減し、二次電子放出率を高める効果もあります。カーボン蒸着はカーボンの原子番号のスパッタリングと、マルチ（主に真空蒸着）の � タイプがあります。

が小さいことから元素分析に用いら れることが多く、また透過電子顕微鏡の観察手法の一つであるレプリカ法や、TEM グリッド メッシュのカーボン支持膜の作成などにも使用されます。

Q��� Plusシリーズ

上述の用途では一般に数 nm 程度の薄い膜厚が 求められますが、一方で FIB（Focused Ion Beam）やアトムプローブなどの用途において、数十～数百 nm 程度の保護膜の成膜にも使用できます。

電子顕微鏡関連の試料前処理用途以外にも、実験 レベルでの薄膜や電極の成膜などにも適しています。

スパッター

カーボン蒸着Q��� Plus シリーズ

スパッター

真空蒸着

Q Plus シリーズコーターは、Au や Pt などの貴金属ターゲット以外

タリングも可能 であることから、簡便に使える卓上サイズのコーターとして、小～中規模実験室向けに重宝されます。Q���TD では

プラズマ放電によりターゲット金属（Au、Cr、etc.）をスパッタして、試料可能です。

ターゲットにマイナスの高電圧を印加してグロー放電を発生させます。プラ真空を保持したまま � 種類のターゲットを連続して成膜することもや基板の表面にターゲット材料を付着・成膜させる装置です。

試料チャンバー内を真空引きした後、不活性ガス（主に Ar ガス）を導入しズマ空間でイオン化したアルゴン（Ar +）は、陰極のターゲットに高速で引きつけられて、ターゲット表面の粒子を叩き出します。叩き出された粒子は、対向に配置した試料や基板の表面に付着して薄膜を形成します。

Q Plus シリーズはターゲットの裏面に永久磁石を内蔵したマグネトロン型で、磁場によりターゲット近傍に電子を囲いこむことで、Ar + の生成効率

マルチユースが増えると同時にターゲットのスパッタ効率を増加し、成膜スピードを速くします。また、イオン衝撃による試料ダメージを低減する効果もあります。

各種成膜用途（ラボ向け）

スパッタリングは真空蒸着と比較して、高融点金属の成膜が可能な点や、粒子エネルギーが大きいことにより付着力が強い、といった利点があります。

SEM, TEM,EPMA
試料の導電性コーティング

TEM

カーボン支持膜形成・TEMレプリカ法・φ���mm チャンバー・φ���mm チャンバー、�inch ウエハまで対応

・TMP 搭載高真空タイプ（Q���V、Q���T）（Q���TD/TES は �” まで）or RP 低真空タイプ（Q���R）

・TMP 搭載高真空タイプ

・スパッタリング or カーボン蒸着

・デュアルターゲット（� 元＊�）or トリプルターゲット（� 元＊�）or マルチ（スパッタ 兼 蒸着）

or マルチ（スパッタ 兼 蒸着）

Q ��� T E S Plus➀

FIB, アトムプローブ➁

Q ��� T D Plus

Namin

g Rule➂➀ チャンバーサイズ ：[���] 内径 ���mm

保護膜形成

マルチユーザー環境に最適

マルチタスクに対応

ハイスループット＆ハイクオリティ

2

マグネトロンスパッタコーターにも、Cr や Ni・Al・W・ITO などの酸化する金属ターゲットのスパッ➁ 真空ポンプ：[V][T] ターボ分子ポンプ搭載 高真空仕様➂ 成膜モード：[S] スパッタリング[R] ロータリーポンプのみ 低真空仕様➀

真空蒸着法によりカーボンを成膜します。金属や金属酸化物などの蒸着

材料を真空中で加熱して、蒸発または昇華させます。気体分子になった蒸着材料が試料や基板の表面に付着・堆積して薄膜を形成します。スパッ

タ法よりも以前から実用化されている方式です。材料の加熱方法には、➁ 真空ポンプ➂ 成膜モード

抵抗加熱、高周波誘導加熱、電子ビーム加熱などがありますが、Q Plus
シリーズでは抵抗加熱式となります。

カーボン蒸着の場合、蒸着源としてカーボンファイバーを編紐にしたもの

Q���R E

Q���R ES

低真空

Q���T S

Q���T E

Q���T ES

高真空

Q���V ES

超高真空

推奨モデル

推奨モデル

推奨モデル

スパッタ

蒸着

マルチ

Q���V Eと、ロッド状のものがあります。いずれも蒸着前に通電して脱ガスし、その後大電流を流してカーボンを蒸発させ、蒸発したカーボンが試料に蒸着されます。

【グローボックス組込用

g Rule：[T] ターボ分子ポンプ搭載 高真空仕様：[D] デュアル（� 元）ターゲット（スパッタリング）[T] トリプル（� 元）ターゲット（スパッタリング）[ES] マルチ（真空蒸着 / スパッタリング）[E] カーボン蒸着

Q���R SQ���V S➂➀ チャンバーサイズ ：[���] 外径 ���mm[ES] マルチ

カーボンコーター➁

Namin

Q���T T
トリプル
ターゲット（� 元）

トリプルターゲット
（� 元）

推奨モデル

Q���T D

Q���T ES

デュアルターゲット（� 元）

マルチ

デュアルターゲット
（� 元）

高真空

＊�：� 元同時スパッタはできません。
＊�：同種のターゲット（φ��mm）が

� 枚装着されます。

スパッタモジュール】

コーター本体・制御スクリーン・電源ボックスを モジュール設計し、本体をグローブボックス内に組込むことを可能にしました。グローブ

ボックス床面をコーター本体のサイズに切り抜き、そこにガスケット

を介して本体を嵌めこみます。制御は大気側に置かれるタッチパネル

スクリーンからリモートで行われ、電源モジュールと真空ポンプはグ
ローブボックスの下側に置かれます。コーターの基本 仕様は Q���T
ES と同等です。

3デュアルターゲット搭載※Q���TD のみ

P.�

プラグイン式インサートの交換による機能拡張性
プラグイン式インサートの交換による機能拡張性※Q���TT、Q���TD はインサート交換不可

トップカバーを開けた状態

誰でも使える簡単操作
誰でも使える簡単操作

マルチユーザー・マルチタスク環境に最適。

レシピを『選択』『実行』するだけ。TMP 搭載モデルなら最短 � 分 *プラグイン式のコーティングインサートを交換することで、機能を拡張することができます。
インサートの交換は冶具無しで簡単に行うことができます。

カーボンロッド蒸着

レシピ作成、プロセスのフルオート化

Q Plus シリーズコーターは、登録プロファイルを実行することで動作します。スパッタリ
ングやカーボン蒸着など、コーティングモード毎に標準プロファイルがプリインストール
されています。スパッタリングにおいては、各種ターゲット材料の初期設定もプリインス
トールされています。
装置管理者が必要に応じてプロファイルを編集することで、簡単にオリジナルレシピを作
成・保存することも出来ます。使用者はプロファイルを選択・実行するだけで、真空排気→ コーティング → ベントまでの全工程が自動で完了します。毎回同じ条件で自動処理されますので、だれが使用しても同じ結果を得ることができます。

カーボンファイバー蒸着

真空蒸着 [ 左 Upwards、右 Downwards]

多種スパッタターゲットに対応
高品位カーボン蒸着

グロー放電

P.�
P.�

高真空で高品質なコーティング
高真空で高品質なコーティング※Q���V、Q���T、Q���T のみ

データログ機能

試料チャンバー内を高真空にすることで、残留する不純物を減少し、成膜する原子の平均
自由行程を長くすることができます。そのため、高品質の薄膜を得るためには、より高い真空度が求められます。
Q Plus シリーズはターボ分子ポンプ [TMP]（��ℓ/sec）を内蔵し、�×�� -�mbar（typ.）程度の真空に到達するため、ロータリーポンプ仕様のコーターと比べ良好な結果が得られます。FE-SEM 観察や TEM グリッド支持膜作成などの用途には TMP 搭載タイプが推奨されます。

ビジュアルステータスインジケータ
ビジュアルステータスインジケータ

チャンバーを真空保持したままシャットダウンします。

ステージ回転機構を標準搭載、豊富なステージオプション
ステージ回転機構を標準搭載、豊富なステージオプション

大型のマルチカラーLEDライトによって、装置の状態が視覚的に表示され、離れた場所でプロセスの状態が簡単にわかります。

速度可変のステージ回転機構が標準搭載されています。Drop-in 構造のため、ステージの着脱・交換が非常に簡単です。
試料高さは手動で微調整できます。（Rotacota ステージを除く )Q��� シリーズには『��mm ステージ』、Q���TT には『�” ウエハステージ』、Q���TDには『�” ウエハステージ（スウィングアーム 機構付き）』がそれぞれ標準付属します。
その 他 にも、『チルトステ ージ』や『Rotacota（Pre チルト 遊 星 回 転）ステージ』、スライドガラス用の『スライドステージ』など多種のステー
ジオプションが用意されています。
チルトステージ

プロファイル選択画面

FTM*（推奨オプション）
FTM* による膜厚コントロールによる膜厚コントロール（推奨オプション）*Film Thickness Monitor

QCM（水晶振動子マイクロバランス）法による FTM を装着することで、コーティ
ン グ 中 の 膜 厚と 成 膜レ ートがリアル タイムで モニタ表 示され ます。
「FTM
Terminated Sputter」「Controlled Pulse Cord」モードでは、膜厚設定による制御が可能で、設定膜厚を検知すると自動でコーティングを終了します。

（詳しくはステージ一覧 [P.��] 参照）※FTMの 読み値は精度や再現性を保証するものではありません。
目安としてのみご利用下さい。

多彩なコーティングモードとプロファイル
多彩なコーティングモードとプロファイル

以下のコーティングモードが初期プロファイル化されています。
（使えるプロファイルは機器構成に依ります）
スパッタリング

FTM TerminatedSputter4

�” ウエハステージ

スイングアーム付 �” ウエハステージ（Q���TD 標準）

ウエハステージ（Q���TT ＆ Q���RT)

膜厚のリアルタイム表示

デュアル FT M（Q���TD のみ）

FTM で膜厚を読取り、設定した値に到達するとプロセスを終了します。 ※要 FTM設定したスパッタ時間が経過するとプロセスを終了します。

カーボン蒸着Controlled Pulse
推奨
Cord Evaporation

カーボンファイバー向け。手軽に良質膜が得られます。 ※要 FTM

Ramped Proﬁleカーボンロッド向け。ロッド形成が手間ですが、
繰返精度の高い高品位膜が得られます。

Pulse Cord
Evaporation

Pulsed Rod
Evaporation

その他

Metal Evaporation
スライドガラス用ステージ

推奨

Timed Sputter

Glow Discharge

Rotacotaステージ（遊星回転ステージ）

実行中画面（FTM 有り）

実行した成膜プロセスデータを、���� 件まで自動保存します。後から成膜条件を確認することが可能です。ログファイルは USB ポートを介して CSV 形式でエクスポートできます。

真空シャットダウン機能
真空シャットダウン機能

��mm ステージ（Q��� 標準）

タッチパネル操作

ディスプレイにカラータッチパネルを採用し、操作に抵抗感を覚える指示計や操作ボタン、バルブなどの計器類を全て排除しました。直観的なインターフェース
で、プロセス状態が分かり易く表示されます。

※インサート一覧 [P.��] 参照

スパッタリング* 条件に依ります

Aperture Cleaning

推奨

カーボンファイバー向け。

カーボンロッド向け。
グロー放電を行います。親水化処理や、試料表面の前処理クリーニングなどに利用できます。
金属を加熱蒸発させて試料表面に金属皮膜をコー
ティングします。
アパーチャーの炭化水素系汚染をクリーニングします。

5

多種スパッタターゲットに対応

スパッタ
コーティングターゲットのクリーニング

Q150R

ベント

TMP 搭載モデルでは、粒径が細かくターゲットが安価であることからクロム（Cr）が推奨・標準付属されます。酸化させられない試料に対しては、イリジウム（Ir）が推奨されます。他にも Au、Pt などの貴金属系はもちろん、Ni、W、Al、ITO など様々な金属のコーティ
ングが行えます。

：スパッタリング実績あり

高密度コーティングで画像のコントラストはよくな

粒径が小さくなることで、繊維の形態学的特徴を

超微粒径のコーティングを高密度に行うことによHeです。粒子の大きいコーティングでは、付近の繊きます。

裂け目、介在物といった繊維個別の形態をイメー

C

N

O

F

Ne

Na Mg

Al

Si

P

S

Cl

Ar

Cu Zn Ga Ge

As

Se

Br

Kr

Ti

V

Rb

Sr

Y

Zr

Nb Mo Tc

Cs

Ba

Hf

Ta

Cr Mn Fe
W

Ru

Re Os

Co Ni

Rh Pd Ag Cd

In

Sn

Sb

Te

I

Xe

Ir

Tl

Pb

Bi

Po

At

Rn

Pt

Au Hg

Q���RS/Q���RES には Au、Q���VS/Q���VES/Q���TS/Q���TES/Q���TT には Cr、Q���TD には Au と Cr がそれぞれ標準付属します。

Au-Pd

Pt-Pd

写真は Si 基板上の自然酸化膜に Cr をスパッタリングした断面

維を一つの纏まりのように見せる傾向があります。

とが分かります。（スパッタ条件：���mA、�×�� mbar、�min）
-�

Si 基板

高品位カーボン蒸着コーティングを実現する高度なプロセス制御

高品位なカーボン蒸着膜を得るためには、高真空環境と緻密な電流制御が必要です。Q Plus シリーズコーターは、カーボンファイバー向けとカーボンロッド向けに � つの特殊なモードを用意しました。これらは、カーボン蒸着で見られるスパークによる試料表面の汚染や熱ダメー
カーボンロッドインサート向け

Controlled Pulse Cord

Ramped Carbon Rod

ショートパルス電流を印加し、約 � ～ �nm/ パルスのカーボン

最も良質で再現性に優れた蒸着膜が得られます。このモードをは FTM が必要です。ショートパルスはコーティング中の試料へテージに分類し、それぞれのステージで電流を緻密に制御しま

レイヤーを試料に積層していきます。このモードを利用する時の熱ダメージを軽減することが可能で、FTM による膜厚検知によりコーティングを終了します。主に膜厚制御が必要な EDX や

FIB 試料の保護膜、電極の形成までのスパッタリングが可能で、数百 nm から �μm

Cr(���nm)

程度 *� の厚膜コーティングも可能です。

FIB 加工などにおける試料保護膜の形成や、電極形成などにもごEBSD、EPMA などに使用され、最大で ��nm 程度のコーティングが可能です。
70
60

利用頂けます。

Current (A)50*�：放熱の為の冷却時間は含みません*�：条件に拠ります

40※Q���V、Q���T のみ

利用する時は、ロングチャンバーが必要です。蒸着過程を � ス
す。特に TEM カーボン支持膜（� ～ ��nm）や TEM レプリカの作成、EBSD（�nm）や EPMA（�� ～ ��nm）分析などで、高品位膜・高い再現性が要求される場合に適しています。

20

50

18

45

16

40

14

35

12

30

10

30

8
6

20

20
Current A

40

60

80
Thickness (nm)

100

120

140

Outgascurrent

25

Ramp terminatedEvaporation Current

Ramp terminatedPreEvap End current

Evaporation time

Current increasing at
Pre Evap Rate

20
Outgas time

10

2
0

[ Ramped carbon process ]Current increasing at
Current Ramp Rate

15

4

10
0

5

0

0

Time (S)

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90
100
Time (S)※Q���TD のみ

最上位機の Q���TD は � 元のスパッタターゲットを装着可能で、その他インサート（オプション）

真空を保持したまま � 種類のターゲットを最大 � 層まで連続して成膜することができます。Q���TD の標準付属ターゲットは Cr と Auです。（� 元同時スパッタはできません。）

� 元ターゲットとシャッター機構

6ジングできます。

ジといった問題を改善し、再現性に優れたコーティングを実現します。予備加熱によるカーボンの事前焼出しも自動で行います。

ITO

厚膜のスパッタリング

多層膜のコーティング

り、直径 ��nm 程の小さい繊維であっても、段差、

自然酸化膜

TEM 像で、自然酸化膜層に窪みなどのダメージが入っていないこ

デュアルターゲット搭載

見ることができ、個々の繊維を識別することがでCr

基板にダメージを与えることなくスパッタコーティングが行えます。

連続 �� 分りますが、一本の繊維の形態を調査するのは困難

カーボンファイバーインサート向け

ダメージレス*�×���K MAG

×���K MAG

B

Ca Sc

×���K MAG

×���K MAGBe

K

PVDF 電界紡糸 , Au �nm,
低スパッタ電流×���K MAG

H
Li

×���K MAG

Q150V

PVDF 電界紡糸 , Au �nm,
低スパッタ電流高 真 空

前に酸化層を Pre スパッタでクリーニングしてから、コーティングを行います。これらのプロセスは全て自動で行います。

低 真 空

高真空排気により、酸化しやすい金属のスパッタリングも可能です。ターゲットの前面にシャッター機構を搭載し、コーティングの直Q150T

PVDF 電界紡糸 , Au �nm

Current (A)

高真空排気

真空度の違いによるコーティング比較※Q���V、Q���T、Q���Tのみ

金属蒸着インサート
Q���VE/VES、

Q���TE/TES に対応

グロー放電インサート
Q���VS/VES、
Q���TS/TES

Q���RS/RES に対応

7

多種スパッタターゲットに対応

スパッタ
コーティングターゲットのクリーニング

Q150R

ベント

TMP 搭載モデルでは、粒径が細かくターゲットが安価であることからクロム（Cr）が推奨・標準付属されます。酸化させられない試料に対しては、イリジウム（Ir）が推奨されます。他にも Au、Pt などの貴金属系はもちろん、Ni、W、Al、ITO など様々な金属のコーティ
ングが行えます。

：スパッタリング実績あり

高密度コーティングで画像のコントラストはよくな

粒径が小さくなることで、繊維の形態学的特徴を

超微粒径のコーティングを高密度に行うことによHeです。粒子の大きいコーティングでは、付近の繊きます。

裂け目、介在物といった繊維個別の形態をイメー

C

N

O

F

Ne

Na Mg

Al

Si

P

S

Cl

Ar

Cu Zn Ga Ge

As

Se

Br

Kr

Ti

V

Rb

Sr

Y

Zr

Nb Mo Tc

Cs

Ba

Hf

Ta

Cr Mn Fe
W

Ru

Re Os

Co Ni

Rh Pd Ag Cd

In

Sn

Sb

Te

I

Xe

Ir

Tl

Pb

Bi

Po

At

Rn

Pt

Au Hg

Q���RS/Q���RES には Au、Q���VS/Q���VES/Q���TS/Q���TES/Q���TT には Cr、Q���TD には Au と Cr がそれぞれ標準付属します。

Au-Pd

Pt-Pd

写真は Si 基板上の自然酸化膜に Cr をスパッタリングした断面

維を一つの纏まりのように見せる傾向があります。

とが分かります。（スパッタ条件：���mA、�×�� mbar、�min）
-�

Si 基板

高品位カーボン蒸着コーティングを実現する高度なプロセス制御

高品位なカーボン蒸着膜を得るためには、高真空環境と緻密な電流制御が必要です。Q Plus シリーズコーターは、カーボンファイバー向けとカーボンロッド向けに � つの特殊なモードを用意しました。これらは、カーボン蒸着で見られるスパークによる試料表面の汚染や熱ダメー
カーボンロッドインサート向け

Controlled Pulse Cord

Ramped Carbon Rod

ショートパルス電流を印加し、約 � ～ �nm/ パルスのカーボン

最も良質で再現性に優れた蒸着膜が得られます。このモードをは FTM が必要です。ショートパルスはコーティング中の試料へテージに分類し、それぞれのステージで電流を緻密に制御しま

レイヤーを試料に積層していきます。このモードを利用する時の熱ダメージを軽減することが可能で、FTM による膜厚検知によりコーティングを終了します。主に膜厚制御が必要な EDX や

FIB 試料の保護膜、電極の形成までのスパッタリングが可能で、数百 nm から �μm

Cr(���nm)

程度 *� の厚膜コーティングも可能です。

FIB 加工などにおける試料保護膜の形成や、電極形成などにもごEBSD、EPMA などに使用され、最大で ��nm 程度のコーティングが可能です。
70
60

利用頂けます。

Current (A)50*�：放熱の為の冷却時間は含みません*�：条件に拠ります

40※Q���V、Q���T のみ

利用する時は、ロングチャンバーが必要です。蒸着過程を � ス
す。特に TEM カーボン支持膜（� ～ ��nm）や TEM レプリカの作成、EBSD（�nm）や EPMA（�� ～ ��nm）分析などで、高品位膜・高い再現性が要求される場合に適しています。

20

50

18

45

16

40

14

35

12

30

10

30

8
6

20

20
Current A

40

60

80
Thickness (nm)

100

120

140

Outgascurrent

25

Ramp terminatedEvaporation Current

Ramp terminatedPreEvap End current

Evaporation time

Current increasing at
Pre Evap Rate

20
Outgas time

10

2
0

[ Ramped carbon process ]Current increasing at
Current Ramp Rate

15

4

10
0

5

0

0

Time (S)

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90
100
Time (S)※Q���TD のみ

最上位機の Q���TD は � 元のスパッタターゲットを装着可能で、その他インサート（オプション）

真空を保持したまま � 種類のターゲットを最大 � 層まで連続して成膜することができます。Q���TD の標準付属ターゲットは Cr と Auです。（� 元同時スパッタはできません。）

� 元ターゲットとシャッター機構

6ジングできます。

ジといった問題を改善し、再現性に優れたコーティングを実現します。予備加熱によるカーボンの事前焼出しも自動で行います。

ITO

厚膜のスパッタリング

多層膜のコーティング

り、直径 ��nm 程の小さい繊維であっても、段差、

自然酸化膜

TEM 像で、自然酸化膜層に窪みなどのダメージが入っていないこ

デュアルターゲット搭載

見ることができ、個々の繊維を識別することがでCr

基板にダメージを与えることなくスパッタコーティングが行えます。

連続 �� 分りますが、一本の繊維の形態を調査するのは困難

カーボンファイバーインサート向け

ダメージレス*�×���K MAG

×���K MAG

B

Ca Sc

×���K MAG

×���K MAGBe

K

PVDF 電界紡糸 , Au �nm,
低スパッタ電流×���K MAG

H
Li

×���K MAG

Q150V

PVDF 電界紡糸 , Au �nm,
低スパッタ電流高 真 空

前に酸化層を Pre スパッタでクリーニングしてから、コーティングを行います。これらのプロセスは全て自動で行います。

低 真 空

高真空排気により、酸化しやすい金属のスパッタリングも可能です。ターゲットの前面にシャッター機構を搭載し、コーティングの直Q150T

PVDF 電界紡糸 , Au �nm

Current (A)

高真空排気

真空度の違いによるコーティング比較※Q���V、Q���T、Q���Tのみ

金属蒸着インサート
Q���VE/VES、

Q���TE/TES に対応

グロー放電インサート
Q���VS/VES、
Q���TS/TES

Q���RS/RES に対応

7

仕様一覧

Q���

Q���V/Q���T Plus

概要

真空系

TMP
RP（オプション）
到達真空度（typ.）スパッタ真空度
真空ゲージ

スパッタリング

Q���VS/TS Plus
：スパッタリング
Q���VE/TE Plus
：カーボン蒸着（真空蒸着）
Q���VES/TES Plus ：マルチ（スパッタ兼カーボン蒸着）

Q���RS Plus ：スパッタリング
Q���RE Plus ：カーボン蒸着（真空蒸着）
Q���RES Plus ：マルチ（スパッタ兼カーボン蒸着）

・高真空タイプ・高分解能 FE-SEM 向け（Q���V は超高分解能観察向け）
・酸化しやすいターゲットも可能

・低真空タイプ・W-SEM 向け
・貴金属系のみ （Pt コーティングの場合は、オプションの SUS フレキシブルホース

内部組込み、��ℓ/sec、空冷

機能・制御

真空蒸着、アパーチャー
クリーニング［Q���VE/VES/TE/TES のみ］

プロファイル

データログ

スパッタ仕様モデル

付属インサート［Q���VS/TS/RS、Q���TD/TT］

蒸着仕様モデル［Q���VE/TE/RE］

マルチ仕様モデル［Q���VES/TES/RES］

一般仕様

回転試料ステージ
膜厚計（オプション）
ディスプレイビジュアルステータスインジケータ

チャンバー
サイズ
重量
梱包仕様（参考値、本体のみ）
CE マーキング
Ar ガス（スパッタリング用。カーボン蒸着、真空蒸着用途には不要）

設置条件

N� ガス

（ベント用）

電源
消費電力
8

アッセンブリーの使用を強く推奨）無し

� 段式、�m�/h（��ℓ/min）@��Hz、�m�/h（���ℓ/min）@��Hz、オイルミストフィルタ付き

Q���V：�×�� -�mbar、Q���T：� × �� -�mbar

�×�� -�mbar

Q���V：フルレンジゲージ
Q���T：ピラニゲージ（オプションでフルレンジゲージ）

ピラニゲージ�×�� ～ �×�� mbar-�-�・スパッタ電流：� ～ ���mA・スパッタ電流：� ～ ��mA・ロッド向け：「Pulse Rod」、「Ramped carbon」
・ファイバー向け：「Controlled Pulse Cord」、「Pulse Cord」
・パルス電流：� ～ ��A・ロッド向け：「Pulse Rod」
・ファイバー向け：「Controlled Pulse Cord」、「Pulse Cord」
・パルス電流：� ～ ��A

・バスケットまたは蒸着ボート（モリブデン）による抵抗加熱式
・Upwards / Downward の切替え可能
・蒸着時間：� 分以下

内部組込み、��ℓ/sec、空冷

� 段式、�m�/h（��ℓ/min）@��Hz、�m�/h（���ℓ/min）@��Hz、オイルミストフィルタ付き
�×�� -�mbar

�×�� -� ～ �×�� -�mbar
ピラニゲージ（オプションでフルレンジゲージ）
・マグネトロンスパッタリング
・膜厚設定による制御（要膜厚計 ※オプション）：「FTM Terminated Sputter」
・内蔵タイマーによる時間制御：「Timed Sputter」（連続 �� 分まで ※放熱時間は含まない）
・スパッタ電流：� ～ ���mA（シングルターゲット）�� ～ ���mA（オールターゲット）

・スパッタ電流：� ～ ���mA・� 元ターゲット（� 元同時は不可）・連続 � 層まで

無し
無し

無し

【スパッタリング】「FTM Terminated Sputter」、「Timed Sputter」【カーボン蒸着】「Pulse Rod」、「Ramped carbon」、「Controlled Pulse Cord」、「Pulse Cord」【その他】「Metal evaporation」、「Aperture cleaning」、「Vent chamber」、「Vacuum shutdown」、「Glow Discharge」【スパッタリング】「FTM Terminated Sputter」、「Timed Sputter」【カーボン蒸着】「Pulse Rod」、「Controlled Pulse Cord」、「Pulse Cord」【その他】「Vent chamber」、「Vacuum shutdown」、「Glow Discharge」

スパッタリング（標準付属ターゲット：Cr）

スパッタリング（標準付属ターゲット：Au）【スパッタリング】「FTM Terminated Sputter」、「Timed Sputter」、「Process sequence」【その他】「Vent chamber」、「Vacuum shutdown」【スパッタリング】「FTM Terminated Sputter」、「Timed Sputter」【その他】「Vent chamber」、「Vacuum shutdown」

���� 件

カーボンロッド蒸着

カーボンファイバー蒸着

スパッタリング＆カーボンロッド蒸着

スパッタリング＆カーボンファイバー蒸着

φ��mm ステージ付属、スピード可変（� ～ ��rpm）
QCM 法、表示分解能：�.�nm

���.� × ��.�mm（有効領域）、RGB ���×���（ディスプレイフォーマット）、静電容量式カラータッチパネル
マルチカラー LED ライト

ホウケイ酸ガラス、内径：���mm、高さ：���mm（Q���V 用）、���mm（Q���T 用）、���mm（ロングチャンバー）、防爆ガード（PET シリンダー）付き

W:���×D:���×H:���（最大 ���）mm
Q���T：��kg

・高真空タイプ・トリプルスパッタターゲット（� 元）
・大型試料向け
・酸化しやすいターゲットも可能

・高真空タイプ・デュアルスパッタターゲット（� 元）
・酸化しやすいターゲットも可能-�

・マグネトロンスパッタリング
・膜厚設定による制御（要膜厚計 ※オプション）：「FTM Terminated Sputter」
・内蔵タイマーによる時間制御：「Timed Sputter」（連続 �� 分まで ※放熱時間は含まない）

Q���V：��.�kg

Q���TT Plus

Q���TD Plus

�×�� ～ �×�� mbar-�［Q���VE/TE/RE を除く］

カーボン蒸着（抵抗加熱式）［Q���VS/TS/RS を除く］

Q���R Plus

Q���

W:���×D:���×H:���（最大 ���）mm
��kg

W:���×D:���×H:���mm、��kg
取得済

・純度 ��.���%・圧力：�.��MPa
・使用量：�ℓ/min ＠�psi（� 分間のスパッタ時間で約 �.�ℓ）
・付属のプラスティックチューブ（内径 �mm× 外径 �mm×L�m）に接続
・純度 ��.���％・圧力：�.��MPa
・付属のプラスティックチューブ（内径 �mm× 外径 �mm×L�m）に接続
�� ～ ���VAC、��/��Hz����VA（ロータリーポンプ込み）

���� 件
スパッタリング（標準付属ターゲット：Cr、Au）

スパッタリング（標準付属ターゲット：Cr）

スイングアーム付 �" ウエハステージ付属、スピード可変

インサート交換は不可

水平遊星回転 回転機構付き �" ウエハステージ付属、スピード可変
QCM 法、表示分解能：�.�nm

QCM 法、表示分解能：�.�nm、デュアルヘッド

���.�×��.�mm（有効領域）、���RGB×���（ディスプレイフォーマット）、静電容量式カラータッチパネル
マルチカラー LED ライト

ホウケイ酸ガラス、外径 ���（内径 ���）mm×H���（ロングチャンバー H���）mm、防爆ガード（PET シリンダー）付き
W:���×D:���×H:���（最大 ���）mm
��kg

W:���×D:���×H:���mm、��kg
取得済

・純度 ��.���%・圧力：�.��MPa
・付属のプラスティックチューブ（内径 �mm× 外径 �mm×L�m）に接続
・純度 ��.���%・圧力：�.��MPa
・付属のプラスティックチューブ（内径 �mm× 外径 �mm×L�m）に接続
�� ～ ���VAC、��/��Hz����VA（ロータリーポンプ込み）
9

ステージ一覧
品名

型番

��mm ステージ

�����

備考

ターゲット～試料ステージ距離（WD）：�� ～ ��mm［Q���］、�� ～ ��mm［Q���］φ�� /φ�.�mm 試料台または �/�" ピンスタブを � 個搭載可Rotacota ステージ������" ウエハステージ（Q��� 用）
�" ウエハステージ（Q���TD 向け）

�" / �" / �" ウエハ対応＊�：ロングチャンバーが必要

インサート 一覧

◯

◯

◯

S

◎
◯
◯

スパッタリング

追加用スパッタリング
グロー放電

カーボンファイバー蒸着

カーボンロッド（φ�.��mm）蒸着

カーボンロッド（φ�.��mm）蒸着

Q���R
E

◎
◯

◎
◯
◯
◎
◯

S

E

◎
◯
◯

※カーボンロッドはφ�.��mm が推奨されます。
真空蒸着＆アパーチャークリーニングは Upwards/Downwards の切替えが可能です。タングステンフィラメントとモリブデンボートが付属します。

オプション 一覧

ロンググラスチャンバー
コーティング保護キット
L 型真空ホースアダプタ

膜厚計（Film Thickness Monitor）
デュアル膜厚計
水晶振動子

型番�����（Q���）�����（Q���）�����（Q���）�����（Q���）�����（T）
�����（R）

�����
�����

ロータリーポンプ

ダイアフラムポンプ
スクロールポンプ

フルレンジ真空ゲージ

Pt コーティング用真空ホース

10

�����
�����

推奨度

備考
本体標準付属品、H���mm。予備・交換用。

◯
◎
◎
◎
◎
△
△
◯

H���mm。Ramped プロファイル用途には必須。
Q���VE、VES、TE、TES に標準付属成膜によるチャンバー内の汚れを防止するためのマスキングキット。
脱着が簡単でクリーニング可能。（Q��� はロングチャンバー用もあり）
本体背面の RP 接続用ホースアダプタ（ストレート）を L 型に変更
奥行きが限られた設置環境に有効
水晶振動子マイクロバランス（QCM）法� チャンネル膜厚計（Q���TD のみ）
FTM の消耗品

� 段式、�m�/h@��Hz、�m�/h@��Hz、オイルミストフィルタ
ロータリーポンプ代替（オイルフリー）
ロータリーポンプ代替（オイルフリー）

ピラニゲージ（標準付属）のアップグレード。（要工場設置）
Q���R（Pt コーティングの場合強く推奨）

ニッケル

イリジウム

タングステン

錫

ターゲット
白金 ＊�
銀

Q���

○

○

○

○

○

○

○
○
○
○
○
-

○
○
○
○
○

マグネシウム

チタン

タンタル

鉄

ITO（��/��）＊�：ロータリー仕様のコーター（Q���R）で Pt コーティングする場合は、SUS フレキシブルホースアッセンブリー［�����］が強く推奨されます。

ターゲットの厚み（最大厚み：� mm）は、各種製作可能です。上記ターゲット以外にも製作可能なターゲットもございます。
詳しくはお問い合わせください。

Au

TT

○

モリブデン

アルミニウム白金 / パラジウム（�� / ��）

Ir

TD

○

カーボン

パラジウム

Cr

R

○

コバルト

試料前処理のためのターゲット選択

◎
◯
◯
◯
◎
◯
◯

Q���

クロム

金 / パラジウム（�� / ��）

Pt

V/T

ターゲット

◯

ES

◯
◎
◯
◯

金

◎

標準付属インサート：◎ 、オプション：○ES

TMP 仕様のみ （Q���VS / Q���VES / Q���TS / Q���TES / Q���TT / Q���TD）◯◎

Q���V/T

ターゲットはφ��mmのディスク形状です。Q���TT には同種のターゲットが � 枚必要です。
��nm 以上の厚膜コーティングには t = �.�mm 以上のターゲットをご利用ください。

全機種対応

（＊�）

◯

真空蒸着 & アパーチャークリーニング

グラスチャンバー◯Q���シリーズのインサートは固定で取外しできません（Q���TES を除く）

インサート

品名

◯

◯

�" / �" ウエハ対応

������" ウエハステージ◯

�"/�" ウエハ対応
ターゲット～試料ステージ距離（WD）：�� ～ ��mm

�����

◯

◯

◯

オフセットギアボックス付き������" ウエハステージ

Q���
TD

◯

◯

手動チルト可（水平～ ��°）高さ調整不可φ��/φ�.�mm 試料台または �/�" ピンスタブを � 個搭載可
（試料の高さによって、ロングチャンバーが必要な場合があります）

�����（遊星回転ステージ）◎

ステージサイズ：φ��mm
スライドガラス（��×��mm）を � 枚並べ置き可能（��×��mm）
ステージを裏返すと、�/�" ピンスタブを � 個搭載可�����

スライドガラス用ステージ

Q���
TT

Q���

��mm ステージのチルト対応タイプ。最大チルト角 �� 度（手動）ターゲット～試料ステージ距離（WD）：�� ～ ��mm［Q���］、�� ～ ��mm［Q���］φ��/φ�.�mm 試料台または �/�" ピンスタブを � 個搭載可�����

チルトステージ

標準付属ステージ：◎ 、オプション：○

ターゲット 一覧

○

○
○
○
○
○
○
○
○
-

○

○
○
○
○
○
○
○
○
-

粒径サイズ：Au > Au/Pd > Pt > Cr > Ir

適正条件で成膜された Cr の粒径は Pt よりも細かく、また安価のため FE-SEM 観察に最適です。しかし、酸化しやすい特性から、高真空仕様のコーターが必須です。大気保管はできず、コーティング後すぐに観察する必要があり、再観察が必要なサンプルへの使用は推奨できません。

Cr と同等以下の粒径で、酸化もしません。同じく高分解能観察向けに推奨されますが、ターゲットが高価になります。高真空仕様のコーターが推奨されます。

SEM 観察に最も多く使用されます。導電性に優れ、スパッタ

レートも早い反面、粒径が大きいため、主に W-SEM 向けです。
二次電子放射効率も良く、ロータリーポンプ仕様のスパッタコータｰでは最も微細な粒径が得られます。Au と比較して、スパッタレートは遅く、ターゲットが高価です。

カーボン消耗品一覧
品名

長さ

カーボンファイバーコード

��m

カーボンファイバー

品名

カーボンロッド

カーボンロッドシェーパー ＊�＊�：Q���RE/Q���RES 標準付属

�m ＊�

���m
�m

��m

���m

Au よりも粒径が小さく、同様の特性を持ちます。

Pd

特に元素分析に適しています。

備考

編み紐

（Thick 向け）

極細撚り線（Thin ～ Med. 向け）

サイズ

員数

φ�.��×���mm

�� 本

φ�.��×���mm ＊�

Au
/Pd

編み紐

�� 本
�個

＊�：Q���VE/Q���VES/Q���TE/Q���TES 標準付属

極細撚り線

11

ステージ一覧
品名

型番

��mm ステージ

�����

備考

ターゲット～試料ステージ距離（WD）：�� ～ ��mm［Q���］、�� ～ ��mm［Q���］φ�� /φ�.�mm 試料台または �/�" ピンスタブを � 個搭載可Rotacota ステージ������" ウエハステージ（Q��� 用）
�" ウエハステージ（Q���TD 向け）

�" / �" / �" ウエハ対応＊�：ロングチャンバーが必要

インサート 一覧

◯

◯

◯

S

◎
◯
◯

スパッタリング

追加用スパッタリング
グロー放電

カーボンファイバー蒸着

カーボンロッド（φ�.��mm）蒸着

カーボンロッド（φ�.��mm）蒸着

Q���R
E

◎
◯

◎
◯
◯
◎
◯

S

E

◎
◯
◯

※カーボンロッドはφ�.��mm が推奨されます。
真空蒸着＆アパーチャークリーニングは Upwards/Downwards の切替えが可能です。タングステンフィラメントとモリブデンボートが付属します。

オプション 一覧

ロンググラスチャンバー
コーティング保護キット
L 型真空ホースアダプタ

膜厚計（Film Thickness Monitor）
デュアル膜厚計
水晶振動子

型番�����（Q���）�����（Q���）�����（Q���）�����（Q���）�����（T）
�����（R）

�����
�����

ロータリーポンプ

ダイアフラムポンプ
スクロールポンプ

フルレンジ真空ゲージ

Pt コーティング用真空ホース

10

�����
�����

推奨度

備考
本体標準付属品、H���mm。予備・交換用。

◯
◎
◎
◎
◎
△
△
◯

H���mm。Ramped プロファイル用途には必須。
Q���VE、VES、TE、TES に標準付属成膜によるチャンバー内の汚れを防止するためのマスキングキット。
脱着が簡単でクリーニング可能。（Q��� はロングチャンバー用もあり）
本体背面の RP 接続用ホースアダプタ（ストレート）を L 型に変更
奥行きが限られた設置環境に有効
水晶振動子マイクロバランス（QCM）法� チャンネル膜厚計（Q���TD のみ）
FTM の消耗品

� 段式、�m�/h@��Hz、�m�/h@��Hz、オイルミストフィルタ
ロータリーポンプ代替（オイルフリー）
ロータリーポンプ代替（オイルフリー）

ピラニゲージ（標準付属）のアップグレード。（要工場設置）
Q���R（Pt コーティングの場合強く推奨）

ニッケル

イリジウム

タングステン

錫

ターゲット
白金 ＊�
銀

Q���

○

○

○

○

○

○

○
○
○
○
○
-

○
○
○
○
○

マグネシウム

チタン

タンタル

鉄

ITO（��/��）＊�：ロータリー仕様のコーター（Q���R）で Pt コーティングする場合は、SUS フレキシブルホースアッセンブリー［�����］が強く推奨されます。

ターゲットの厚み（最大厚み：� mm）は、各種製作可能です。上記ターゲット以外にも製作可能なターゲットもございます。
詳しくはお問い合わせください。

Au

TT

○

モリブデン

アルミニウム白金 / パラジウム（�� / ��）

Ir

TD

○

カーボン

パラジウム

Cr

R

○

コバルト

試料前処理のためのターゲット選択

◎
◯
◯
◯
◎
◯
◯

Q���

クロム

金 / パラジウム（�� / ��）

Pt

V/T

ターゲット

◯

ES

◯
◎
◯
◯

金

◎

標準付属インサート：◎ 、オプション：○ES

TMP 仕様のみ （Q���VS / Q���VES / Q���TS / Q���TES / Q���TT / Q���TD）◯◎

Q���V/T

ターゲットはφ��mmのディスク形状です。Q���TT には同種のターゲットが � 枚必要です。
��nm 以上の厚膜コーティングには t = �.�mm 以上のターゲットをご利用ください。

全機種対応

（＊�）

◯

真空蒸着 & アパーチャークリーニング

グラスチャンバー◯Q���シリーズのインサートは固定で取外しできません（Q���TES を除く）

インサート

品名

◯

◯

�" / �" ウエハ対応

������" ウエハステージ◯

�"/�" ウエハ対応
ターゲット～試料ステージ距離（WD）：�� ～ ��mm

�����

◯

◯

◯

オフセットギアボックス付き������" ウエハステージ

Q���
TD

◯

◯

手動チルト可（水平～ ��°）高さ調整不可φ��/φ�.�mm 試料台または �/�" ピンスタブを � 個搭載可
（試料の高さによって、ロングチャンバーが必要な場合があります）

�����（遊星回転ステージ）◎

ステージサイズ：φ��mm
スライドガラス（��×��mm）を � 枚並べ置き可能（��×��mm）
ステージを裏返すと、�/�" ピンスタブを � 個搭載可�����

スライドガラス用ステージ

Q���
TT

Q���

��mm ステージのチルト対応タイプ。最大チルト角 �� 度（手動）ターゲット～試料ステージ距離（WD）：�� ～ ��mm［Q���］、�� ～ ��mm［Q���］φ��/φ�.�mm 試料台または �/�" ピンスタブを � 個搭載可�����

チルトステージ

標準付属ステージ：◎ 、オプション：○

ターゲット 一覧

○

○
○
○
○
○
○
○
○
-

○

○
○
○
○
○
○
○
○
-

粒径サイズ：Au > Au/Pd > Pt > Cr > Ir

適正条件で成膜された Cr の粒径は Pt よりも細かく、また安価のため FE-SEM 観察に最適です。しかし、酸化しやすい特性から、高真空仕様のコーターが必須です。大気保管はできず、コーティング後すぐに観察する必要があり、再観察が必要なサンプルへの使用は推奨できません。

Cr と同等以下の粒径で、酸化もしません。同じく高分解能観察向けに推奨されますが、ターゲットが高価になります。高真空仕様のコーターが推奨されます。

SEM 観察に最も多く使用されます。導電性に優れ、スパッタ

レートも早い反面、粒径が大きいため、主に W-SEM 向けです。
二次電子放射効率も良く、ロータリーポンプ仕様のスパッタコータｰでは最も微細な粒径が得られます。Au と比較して、スパッタレートは遅く、ターゲットが高価です。

カーボン消耗品一覧
品名

長さ

カーボンファイバーコード

��m

カーボンファイバー

品名

カーボンロッド

カーボンロッドシェーパー ＊�＊�：Q���RE/Q���RES 標準付属

�m ＊�

���m
�m

��m

���m

Au よりも粒径が小さく、同様の特性を持ちます。

Pd

特に元素分析に適しています。

備考

編み紐

（Thick 向け）

極細撚り線（Thin ～ Med. 向け）

サイズ

員数

φ�.��×���mm

�� 本

φ�.��×���mm ＊�

Au
/Pd

編み紐

�� 本
�個

＊�：Q���VE/Q���VES/Q���TE/Q���TES 標準付属

極細撚り線

11

エントリーモデル コーティング装置
MiniQS・簡単な操作・Au、Au / Pd、Ag スパッタ

・小さな設置面積

・完全な自動運転・丈夫なタッチパネルを採用

Q Plus シリーズ卓上型コーティング装置

コーティング

マグネトロンスパッタコーター
カーボンコーター

推奨アプリケーション

・低～中倍率での SEM 観察向け仕様

・装置寸法：幅 ��� mm × 奥行��� mm × 高さ ��� mm（コーティングヘッドオープン時高さ ��� mm）

・重量：�.� kg

・スパッタターゲット：金ターゲット付属（φ�� mm, t = �.� mm）
・試料ステージ：φ�� mm ステージ

Quorum Technologies 社

Quorum Technologies（クォーラムテクノロジーズ）社は英国南東部の East Sussex 州 Laughton に拠点を構え、電子顕微鏡市場において試料前処理装置の開発・製造・販売を長年に渡り手掛けてきた老舗メーカーです。試料前処理装置メーカーとして実績のある Polaron 社を前身に、���� 年に設立されました。���� 年に同業の Emitech 社を合併して市場規模を拡大し、両ブランドを統合・発展させてきました。���� 年にはJudges Scientiﬁc plc の傘下に入り、販売チャネルや製品開発への投資を拡大し、グループ会社間での相乗効果により更なる発展を遂げています。

日本国内においては、���� 年 � 月に㈱アド・サイエンスが国内総代理店となり、Quorum Technologies 社

製品の販売・サポート業務をご提供しています。主力製品は、試料前処理のための「コーティング装置（スパッターコーター・カーボンコーター）」と SEM、FIB を対象とした「クライオシステム」の � 本立てとなります。

その他 取扱いメーカー （電子顕微鏡関連）
SEM, FIB

・マイクロマニピュレータ
・ナノプローバー

SEM, TEM, EPMA etc.

・プラズマアッシャー（有機系コンタミネーション
予防・除去ツール）・プローブニードル

ラボ向け多目的 成膜用途

国内総代理店

分析試料の導電性コーティング、保護膜形成

カーボン支持膜の作成、TEM レプリカ法への応用〒���-����
東京都千代田区富士見�-�-�ステージビルディング��階TEL : ��-����-���� https://www.ads-img.co.jp/
E-mail : ads-contact@ads-img.co.jp

製造元
Quorum Technologies Ltd
https://www.quorumtech.com/※本カタログの製品の仕様等は、予告なく変更する事がございます。 [����]