ハード ウエ アの 変 遷 に み る オー ディオメーカ ー の 歴 史 ［第6回］

アキュフェーズ40 年の歩み（2）パワーアンプ回路技術の変遷［前編］
柴崎 功 SHIBAZAKI Isao
パワーアンプ第1弾の P-300 から純 A 級モノーラルアンプA-100までの「電圧フィードバック型パワーアンプ」の注目モデルに的を絞って，回路技術を中心に振り返ってみよう．その後，同社のパワーアンプは現行モデルにも採用されている電流フィードバック方式が主流となっていく．

パワーアンプの第 1 弾
P-300

1991年全日本オーディオフェアで注目された，純 A 級100WアンプA-100のパワーアンプア
ッセンブリーとスピーカー端子造りとなっている．1973年8月にアと並んで「オーディオ御三家」発売された当時の価格は，物品税と呼ばれ，日本オーディオ界の先込195,000円であったが，1973年頭集団の一角であった．そのトリコントロールアンプC-200とペの末以降オイルショックで諸物価オの中でもトップクラスの技術者

アになるデビュー作のパワーアンが急騰したため，翌年には23万円陣が，1972年にスピンアウトしてプP-300は，大型パワーメーターに値上げされた．

集結した新進オーディオメーカーを装備した150W ＋ 150Wのステトリオ（現JVCケンウッド）は，がケンソニック（アキュフェーズ

レオアンプで，写真1〜3に示す

1970年代には山水電気やパイオニの前身）なので，前号で述べた
C-200と同様に，P-300にも当時としては最先端の技術と機能とアイデアが盛り込まれている．
図1は信号系ブロック図であるが，入力端子はフロントとリアに装備され，入力アンプの後には可聴帯域外成分を急峻にカットする，［写真1］ 1973 年 8月に発売されたパワーアンプの第1弾 P-300（150W/ch， 物 品 税 込195,000 円→ 23 万円）のサブパネルカバーを開けたフロント外観．入力端子とスピーカー端子は，リアパネルだけでなくフロントのサブパネルにも装備［写真 2］ 天板を外したP-300 の後ろ姿．各ブロッ
クはシールドケースで覆われている．リアパネルのス
ピーカー端子はプラスネジ型で，MAIN/REMOTE1/REMOTE2 の 3 系統を装備

114［写真 3］ シールドケースを外したP-300 の内部．中央が電源部で，左右にパワーアンプブロック，フロントパネルの裏側に入力アンプ，フィルター回路，安定化電源回路の基板が配置されている

MJ

アキュフェーズ 40 年の歩み
メーターレンジセレクター
パワーアンプ部[INPUT]REAR

LR独立のレベル調整

電圧増幅部

入力アンプ
＋FRONT

－入力
セレクター

バイアス
コントロール回路

バンドパスフィルタースイッチ(AV =－1.2dB)(AV =16dB)

BP(AV =16.4dB)

メーター
ドライブ
回路

［スピーカー端子］

25%

パワーリミッター

メーター

大電流用ロータリースイッチ

ON 17Hz～24kHz ON
18dB/oct
バンドパス
OFF フィルター
OFF

電流増幅部

プロテクション
および
ミュー
ティング
リレー

50%
FULL

MAIN

REMOTE1

REMOTE2PHONES［図1］ ステレオパワーアンプ P-300 の信号系ブロック図スピーカーセレクター

オーディオ帯域
バンドパスフィルター（電圧ロス1.2dB）

入力アンプ（ゲイン16dB）[INPUT]
REAR（17Hz以下と24kH以上を18dB/octでカットする
BPFスイッチ
33.2kΩ 4.7μF
ONOFF

レベル調整
1μF

FRONT

200kΩ

REMOTE
FRONT

Rchへ＋25V）

BPFスイッチ
0.22μF ON 出力OFF6.19kΩ

入力
セレクター

２段目
（ダーリントン接続）

バイアスコントロール
回路［スピーカー端子］

３パラ出力段ドライバー

東芝
2SC1079×3＋70V＋65V

プロテクション
およびミューティング
リレー

2μH
入力
（BPFより）

10Ω

2.2μF
1MΩ）

－25V

10Ω
0.1μF

10pF

56kΩ
BP

［図 3］ P-300 パワーアンプ部の構成

47μF
10kΩ

出力段のアイドル電流調整

1kΩ
－70V

NFB
パワーリミッター

東芝 2SA679×3－65V

ロータリースイッチのスピーカーセレクター

DCオフセット調整

パワーアンプ部へ274kΩ

［図 2］ 入力アンプとBPF の構成

初段（MAIN

REMOTE1

REMOTE2

REMOTEFRONTPHONES
25%
50%
FULL

Rchへバイパス可能なBPF（バンドパス

図2のようになっており，入力アンフィルター）を装備．パワーアン

プは差動回路＋エミッター接地回一の欠点は，コストが高くなるとプ部には最大出力を8Ω定格出力路の上下対称プッシュプル構成にいうことぐらいだろう．BPFはコンダムノイズ低減効果もある．唯の1/2と1/4に制限するパワーリミなっている．上下対称プッシュプ

ンプリメンタリー SEPPバッファッターが装備され，スピーカー端

ル構成は，同じ出力電圧を得るたーを用いた正帰還型アクティブ2子はリアに3系統，フロントのサブめの電流変化量が半分となり，偶次フィルターの後に，1次CRフィパネルに1系統装備されている．

数次歪みを相殺し，交流的には上ルターを追加した構成で，17Hz以入力端子からBPFまでの構成は下のアンプが並列になるので，ラ下と24kHz以上を18dB/octでカ2012/10115

［写真 5］ P-300 の放熱器まわり．左端 2 個の TO-66 パッケージトランジスターはドライバ［写真 4］ P-300 の電圧増幅回路基板．この当時のモールドトランジスタ ー段 の東 芝 2SC783と 2SA483， 残り6 個ーには信頼性の低い製品があったので，信号系には高価なメタルキャン型 の TO-3 パッケ ージ は 3 パ ラ 出 力 段 の 東 芝
高信頼トランジスターを全面採用
2SC1079と 2SA679［ 写真 6］ 出力段まわりの配 線．トランジスターソケットとつながっている奥の基板がドライバー以 降の電 流 増 幅 回 路で，手前の基板が電圧増
幅回路．基板間の中央部には，出力段から初段への飛び付きを防ぐシールド板が設けてある［ 写 真 8］ P-400 の内部．電源トランスからLRを分けたデュア
ルモノーラル構成で，中 央 部 に TO-3 パッ ［ 写 真 7］ 1979 年 6月に発 売されたP-400（物品
ケージ MOS-FET 群
税込 41万円）の外観．第 2 世代のパワーアンプで，とパワーアンプ 基 板
右端のプッシュスイッチがA 級 /AB 級の動作モードセを取り付けた放熱器， レクター．8Ω出力は A 級モードが 50W/ch，AB 級
左 右 にLR 独 立の 電は 200W/ch．リアパネルには，放熱器温度に応じ源を配 置．フロントて回転速度が連続的に変わる空冷ファンを装備
パ ネル 裏 の 基 板 には，安定化電源回路/ 保護回路 /メーター
P-400の外観と内部は写真7，8駆動回路が搭載されのようになっている．本機は電源ているトランスからLRを完全に分離したデュアルモノーラル構成である点と，出力段にパワー MOS-FETをットする．
パワーアンプ部は図3の構成で，出力段はP c（コレクター損失）が第 2 世代機 P-400
P-300が発売された翌年の1974

100WのTO-3パッケージトランジ

年9月には110W/chのステレオパスターを3パラレルプッシュプル

ワーアンプP-250，1975年7月に換えができる点が大きな特徴である．
図4は，電流リミッターなどの接続．パワーリミッターは，ドライは初のモノーラルパワーアンプ

保護回路や位相補正回路を省いた

バートランジスターのベース電圧

M-60（300W/8Ω），1976年5月

パワーアンプ部の基本構成で，「次振幅を制限する構成だ．図3の電には70W/chのステレオパワー世代機」ということでP-300とは圧増幅部の基板は写真4，ドライアンプP-20が発売された．そして回路が一新され，斬新な技術が随バーと出力段の実装状態は写真5， 「第2世代機」と呼ばれているパワ6のようになっている．

ーアンプが，1979年6月に発売されたP-400である．

116

採用して，A級（50W/ch）とAB級（200W/ch）の動作モード切り所に盛り込まれている．
初段はトランジスター差動回路の上下対称プッシュプル構成であMJアキュフェーズ 40 年の歩み
定電流回路

初段

２段目
リップル
フィルター

ドライバー

定電流
トランジスター

入力
S

S

プロテクションおよびミューティングリレー

AB級
アイドル
調整

スピーカー端子A級／AB級セレクターへ
A級のとき電流が流れる（（NチャンネルFETのドレインにPNP差動
トランジスターをカスコードブートストラップ接続してミラー効果を防止）＋66V(AB級)＋34V(A級)

2SK175 ×3

DCオフセット
調整

A級アイドル調整

フォールデッド
カスコードブートストラップ型
ソースフォロワー＋88V
３パラ出力段－－＋＋ドリフト
キャンセル用インバーター）

2SJ55 ×3
リップル
フィルター

DCサーボ
アンプ

－66V(AB級)－88V－34V(A級)

DC NFB
信号 NFB［図 4］ P-400 パワーア
ンプ部の基本構成（保護回路は省略）

るが，共通エミッター回路が定電になり，そのコレクターにつながはP-260と同出力の後継機P-266

流化されてコモンモード成分除去っているトランジスターがOFFにが発売されたが，1983年4月には能力が強化され，ソースフォロワなるので，A級アイドル調整ボリ「第3世代機」と呼ばれる300W/ーの入力バッファーが追加されてュームが機能する．そして出力段chのステレオパワーアンプP-600

低インピーダンス駆動され，高域の電源電圧は，A級動作時は34V，が発売された．

リニアリティも改善された．

AB級動作時は66Vに切り換わる

しかもこのソースフォロワーは，というしくみだ．

1982年10月にCDが登場してデジタルオーディオの時代が来る

上下の差動回路の共通エミッター

P-300では，帰還抵抗のアースと，アナログオーディオより広いが入力信号と同位相・同振幅で動側にコンデンサーを入れて100％ダイナミックレンジが得られるたく点に着目し，FETのドレインにのDC帰還を掛け，DC安定度を確め，そのメリットが生かせるCD対PNP差動トランジスターのエミッ保していたが，P-400ではDCサー応アンプが必要になる．そこで瞬ターを接続して正帰還を掛けた，ボを導入して，帰還回路のアース時電流供給能力を強化して低インフォールデッド（折り返し）カス側コンデンサーを追放しているのピーダンス負荷に強くし，再生中コードブートストラップ型ソースフが特徴だ．しかもこの当時は現在にインピーダンスが大きく変化すォロワーとなっており，ゲート・ドのような超低オフセットオペアンる鳴らしにくいスピーカーでも，よレイン間電圧が一定となるのでミプICが入手困難であったため，デり入力信号に忠実な再生ができるラー効果が防止される．

ュアルオペアンプICを用いてDCように配慮したのがP-600である．

A級とAB級のバイアス電圧切サーボアンプと反転アンプを組み外観は写真9のように大型で，内り換えには，信号経路と制御回路合わせ，DCオフセットの温度ドリ部は写真10のようになっている．

を絶縁するためにフォトカプラーフトを相殺するという工夫が凝ら

パワーアンプ部は図5の基本構が用いられている．ノーマルモーされている．

成で，初段はバイポーラートランドのAB級ではLEDに電流を流さ

なおP-400の弟分に，A級出力ジスターをカスコードブートストラないため，フォトカプラー内のトラ30W/ch，AB級出力130W/chのップ接続した差動回路の上下対称ンジスターはOFFとなり，そのコ

P-260（物品税込21万円）があり，プッシュプル構成，2段目はダーリレクターにつながっているトラン

これは1979年4月に発売された．

ントン接続エミッター接地トラン

ジスターがONになってA級アイドル調整ボリュームをショートす第 3 世代機 P-600

ジスターに同極性トランジスターをカスコードブートストラップ接る．LEDに電流を流すと，フォト1981年7月には500Wのモノー続した上下対称プッシュプル構成

カプラー内のトランジスターがON

ラルアンプM-100，1983年3月にで，カスコードブートストラップを2012/10

117

［写真 9］ 1983 年 4月に発売されたP-600（物品税込 65 万円）の外観．第 3 世代のパワーアンプで，デジタルのパワーメーターを搭載．低インピーダンス負荷駆動能力重視設計で，保証出力は 8Ω300W/ch，2Ω700W．ブリッジ接 続にすれば1000W/8Ωのモノーラルアンプになる．リアパネル中央のカバーを外せばオプションの空冷ファンが取り付け可能
初段
レギュレーター［写真10］ P-600 の内部．大型トロイダル電源トランスと大容量ブロックコンデンサーを中央に置き，MT-200 樹脂パッケージトランジスター群を取り付けたパワーアンプ基板と合体した放熱器を左右に配置．中央部の 3 基板は，フロン
トパネル側から順にデジタルパワーメーター回路，ロジックコントロール回路，安定化電源と保護回路という配置だ

MOS-FET
ドライバー

２段目

レギュレーター

カレントミラー７パラ

出力段＋B1
2SC2774×7＋B2

2SK400

S
S＋入力

S
S

バイアス
兼温度補償回路出力
2SJ114－B2

2SA1170×7
レギュレーター

カレントミラーDCサーボアンプ

レギュレーター－B1＋［ 図 5］ P-500 パワーアンプ 部の基本構成

118

DC NFB－信号 NFB導入して，高域特性とリニアリテ

出力インピーダンスでピークで8Ωで300W/ch，2Ωで700W/ch

ィの改善が図られている．

12Aも流せるMOS-FETを用いて，の出 力を 保 証．ブリッジ 接 続

ドライバーには日立（ルネサス

2段ダーリントンで済ませている．

（BTL接続）モードにすれば8Ωエレクトロニクス）の電力増幅用

出力段には200Wで17Aというで1000W，4Ωで1400Wのモノー

MOS-FET，2SK400と2SJ114が最大定格で，放熱性の良い2点留ラルアンプになる．また低インピ投入されているのが特徴で，バイめ大型樹脂パッケージMT-200をーダンス負荷動作スイッチが装備

ポーラートランジスターだと3段ダ

採 用 し た サ ン ケ ン2SC2774とされているので，これをONにすーリントンにする必要があるとこ

2SA1170を7パラレルプッシュプ

ると出力段の電源電圧を下げて，1ろを，高入力インピーダンス，低ルで用い，2チャンネル同時駆動でΩという超低インピーダンス負荷MJアキュフェーズ 40 年の歩み

［写真11］ 1991年 3月に発売されたP-360（税別 37 万円）の外観．P-300シリーズの後継機で機能等の基本は 300シリーズを踏襲．フロントパネルは左右対称配置に変更され，スピーカー端子を2 系統装備．保証出力は
8Ω200W/ch，2Ω400W/chで，ブリッジ 接 続で 600W/8Ωモノーラルアンプになる［ 写 真12］ P-360 の 内 部．パ ワーアンプ 基 板 に 取り付けた
TO-3P 樹脂パッケージの出力トランジスター群を，L 形金具を介して放熱器に取り付けている．電源部を中央に置き，パワーアンプブロックを左右，メーター回路 / 保護回路 /ヘッドフォンアンプなどを搭載した基板をフロントパネルの裏側に配置しているに対して450W/chの出力が保証

月にP-300S，1980年6月にP-300X，アンプ部の基本構成は図6のようされている．さらに，通風の良く1984年6月にP-300L，1987年7月になっている．

ない環境でも安心して大パワーがにはP-300Vに進化した．しかし一

一見すると図5の回路と似てい出せるよう，リアパネルは別売空連のアキュフェーズパワーアンプ

るが，P-600はパワーアンプ部が＋冷ファンを増設できる構造になっが左右対称デザインに移行したの入力端子だけのアンバランス入力ている．

で，機能などの基本部分はP-300

で，バランス入力信号はバランス/シリーズを踏襲しつつデザインをアンバランス変換回路でアンバラ

写真11のように一新し，当時の最ンス信号に変換していた．それに先端技術を採り入れたP-300シリ

対してP-360は，パワーアンプ部

P-300 シリーズの後継機
P-360
P-300シリーズは，1973年8月ーズの後継機P-360が登場した．

を＋と−の入力端子を備えたバラのP-300から始まって，1977年9

写真12はその内部構造で，パワーンス入力型にしてバランス信号を初段

２段目

カスコード接続
MOS-FETドライバー

定電流
トランジスター７パラ出力段＋B1
2SC3909×7＋B2－入力

SS

バイアス
兼温度補償回路

SS＋入力

2SK213

出力2SJ76－B2
定電流
トランジスター2SA1516×7
信号
NFB［図 6］ P-360パワーアンプ部の基本回路2012/10＋DCサーボアンプ－－B1

DC NFB119［写真13］ 1991年12月に発売された純 A 級100Wモ
ノーラルアンプA-100（税別 95 万円）の外観．両サイドに大型放熱器を配置して自然空冷で純 A 級100Wを実現．大型スピーカー端子を2 系統装備してバイワイアリン
グに対応．57kgと重いので，運搬用にフロントには頑丈なハンドル，リアには縦置き時にスピーカー端子を保護するスタンドが付いている＋入力

パワーユニット
＋－－入力

スピーカー
端子
スピーカー

プロテクション
およびミューティング
クレー＋－＋－パワーユニット［図 7］ A-100 のバランス接続

ターをカスコードブートストラップ

30％程度と低いため，周辺回路の接続したMOS-FETにグレードア

電力消費を含めると出力電力の3.5ップされてリニアリティがより向倍前後の電力を消費し，放熱が大上した．

変なのでハイパワーアンプの実現

DCサーボは，P-600では正相アは非常に困難である．そこでアキンプを用いて−入力側にDC NFBュフェーズは，写真14のように大直接入力できるようにし，バランと 信 号NFBを か け て い る が，型筐体の両サイドに大型放熱器をス入力のクオリティが改善されて

P-360では反転アンプを用いて＋配置し，10パラレルプッシュプル

入力側にDC NFBをかけ，−入力

MOS-FET出力段のパワーアンプには信号NFBだけをかける構成

2個をブリッジ接続にして，保証出いる．
差動アンプの定電流回路は，ダイオードとトランジスターを少々変わった形で組み合わせた変形カレントミラーである．これは＋側定電流トランジスターの電流を−電になった．

純 A 級ハイパワーアンプ
A-100

力が8Ω100Wの自然空冷純A級モノーラルパワーアンプを実現した．
ブリッジ接続はアンプを2台用
い，正相アンプと逆相アンプの出源側ダイオードに流し，−側定電1991年10月に池袋サンシャイン

流トランジスターの電流を＋電源シティで行われた全日本オーディ

力端子間に負荷を接続するため，側ダイオードに流して相互に帰還オフェアでは，アキュフェーズブ同じ出力を得るアンプ出力電圧がさせ，＋側と−側の定電流値を自ースに8Ω100Wの純A級モノー1/2で済む．このため電源電圧が動的にバランスさせる構成だ．

ラルパワーアンプA-100（写真13）低くできて低耐圧大容量のコンデとその構成部品（タイトル写真）ンサーが使用でき，半導体は2次が展示されて注目された．

破壊しにくくなって信頼性が向上

ドライバー段は，P-600はMOSFETが単独で用いられているが，P-360ではバイポーラートランジス
120［写真14］ A-100 の内部．約1kVAの大型トロイダル電源トラン
スと68000μF の大型電源コンデンサーが内部の大半を占有．
左右に配置された大型放熱器には，ハイブリッド IC 化した電圧増幅回路と，10 パラ接続のパワー MOS-FET 群を搭載したパワーアンプ基板（タイトル写真参照）が取り付けられている．フロント
パネル裏側の基板に搭載されているのは，メーター駆動回路 / 保
護回路 / 安定化電源回路だ

純A級アンプは出力段の効率がし，A級動作領域では電源電流がMJ

アキュフェーズ 40 年の歩み
入力
バッファー

入力アンプ

パワーアンプの初段

２段目

MOS-FET
ドライバー

レギュレーター

10パラMOS-FET出力段＋B1S＋入力

2SK1529×10S

S
S
S＋B2

2SK213－

S－入力＋

カスコード
FET
ソース
フォロワー
FET

バイアス
兼温度補償回路

出力＋－

2SJ76－B2

定電流
FET

2SJ200 ×10レギュレーター

DC NFB－B1－＋DCサーボアンプ

信号NFB［図 8］ A-100 パワーユニットの基本構成っている．

一定となって，信号で出力段電源流の低減が図られている．パワー

電圧が振られなくなるというメリアンプの初段は，カスコードブーットがある．

トストラップ型トランジスター差動の1993年5月に50W/chのステレ回路の上下対称プッシュプル構成，オアンプA-50が発売されたが，アユニット2個を図7に示すバランス

2段目はエミッター接地トランジス

キュフェーズのパワーアンプはこ接続で使用して，アンプ内部で発ターに同極性トランジスターをカのA-50までが「電圧フィードバッ生するノイズを相殺し，より高S/スコードブートストラップ接続しク 型 」 で，1994年 に 登 場 し た

Nで高純度の出力信号が得られる

た上下対称プッシュプル構成であP-550以降の製品には「電流フィよう配慮されている．

る．

ードバック」が採用されている．

A-100はバランス入力のパワー

純A級パワーアンプは，2年後パワーユニットは図8の基本構

ドライバー段は，MOS-FETの次回は，「電流フィードバック」成で，入力バッファー /レギュレ

シンプルなプッシュプル構成になを採用したP-550以降のパワーアンプ群を紹介する．

ーター /パワーアンプの初段と2段っている．P-360のようにMOS-目/オペアンプ群はハイブリッド

FETをカスコードブートストラッ

IC化されている．このハイブリップ接続にしなかったのは，ブリッドICは，60×35mmの 高 熱 伝 導ジ接続の100Wアンプは各ユニッアルミナ磁器回路基板上にチップ

トアンプの出力振幅が25Wアンプ部品を取り付けてモールド処理し，並みと小さいため，わざわざカス厚手のアルミシールドカバーを取コードブートストラップ接続にしり付けたもので，温度特性や耐雑なくても十分なリニアリティが得音性の向上に大きく寄与しているられるためだろう．出力段には最そうだ．アルミカバーは金色アル

大 定 格 が120Wで10Aの 東 芝マイト処理なので，見た目も豪華

2SK1529と2SJ200が，10パラレである．

ルプッシュプルで用いられている．

入力バッファーはNチャンネル

NFBはP-360と同様に，出力かFETの3石構成で，ソースフォロ

ら初段の＋入力側に反転型DCサ

ワー FETのドレイン側にカスコーーボアンプを用いたDC NFB，−ドFET，ソー ス 側には 定 電 流

入力側には信号NEBがかけられFETを付けて，高域特性やリニアている．A-100の保証出力は8Ωでリティの改善と，ゲートリーク電

100W，4Ωで200W，2Ωで400Wとな

2012/10【取材協力】
アキュフェーズ株式会社
社長：齋藤重正氏，副社長：伊藤英晴氏，専務取締役：鈴木雅臣氏【参考文献】●アキュフェーズ提供資料●羽山和寛：ステレオパワーアンプ アキュフェーズP-400，電波科学，1979年，日本放送出版協会●羽山和寛・高島徹：A-100にみるパワーアンプのA級オペレーションと回路ブロックの詳細と特性測定，ラジオ技術，1992年3月号※写真1，および写真7〜14は，アキュフェーズ提供

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