TEM ホルダー真空保管ステーション

有 機 系コン タミネ ー ション 予 防 & 除 去 ツール

プラズマクリーナ－

TEM 試料ホルダー真空保管ステーションは、最大 � 個の TEM 試料
ホルダーを真空下で保管する装置です。

試料とホルダーのアウトガスおよび水分の除去を行うことでクリーンな状態に保ちます。試料ホルダーのリークチェックにも利用できます。

●●●

最大 � 本の TEM ホルダーを保管／個別に管理

各社 TEM ホルダーに対応
� 台まで並列運用可能

真空ポンプ（Dryポンプ推奨）

卓上プラズマクリーナー
Tergeo-EM• 有機系コンタミネーション
予防＆除去

TEM ホルダーを
クリーニングして保管へ！

TEM ホルダーステーション
TEM STORAGE STATION

Te rge o シリーズ

• 真空下で TEM ホルダーを保管

Tergeo-EM と TEM ホルダーステーションで、真空ポンプの共用が可能※単独でもお使い頂けます。

国内総代理店〒���-����
東京都千代田区富士見�-�-� ステージビルディング��階TEL : ��-����-���� https://www.ads-img.co.jp/
E-mail : ads-contact@ads-img.co.jp

製造元

PIE SCIENTIFIC LLC
https://piescientiﬁc.com/

16※本カタログの製品の仕様等は、予告なく変更する事がございます [����]EM - K LEEN シリーズ

なぜ、コンタミネーションが発生するのか？
ステージやバルブに用いる潤滑材 , 真空グリス , ポンプ油 , 大気 , 更には試料そのもの ( 特に蒸気圧の高いポリマーやレジストなど )、これらはあらゆる高真空装置において炭化水素汚染の原因であるハイドロカーボンのソースとなります。分子量の大きい汚染物質は試料表面や真空チャンバー壁に付着し、これらをガスパージで取除くことはできず、高分子材料が真空中に曝されると、含有されている低分子有機物がガス化し真空中に放出されます。試料室内は高真空に保たれていても、試料室内に残留した汚染物質や試料そのものからアウトガスが放出されるため、試料表面は炭化水素系のガス分子に覆われた状態となります。
電子線や EUV,X 線などの高エネルギー光ビームは、こうした残留ガス分子 ( ハイドロカーボン汚染物質 ) を分解し、それによる副産物 ( 主にカーボン ) はビーム照射された試料表面や光学系などの表面で重合し、汚染物質として試料表面に堆積されます。
堆積物の主成分は炭素や酸素で、SEM の二次電子像で暗いコントラストが付くのは、堆積したカーボンの二次電子放出効率が低く、また試料表面からの二次電子放出が最表面のコンタミネーション層で抑えられるためと考えられます。
試料表面に堆積したコンタミネーション層

アウトガス等で試料表面が炭化水素系ガス分子に覆われる。

電子ビーム
ハイドロカーボン分子

電子ビーム ( 一次電子 ) を試料に照射すると試料から二次電子 (<��eV) が発生
二次電子

二次電子は試料表面近傍のガス分子を分解分解されたカーボンが試料表面で重合・堆積

試料

水素分子

コンタミネーション

電子線を用いた「表面観察 / 分析装置」「加工 / 描画装置」、「真空製膜装置」での※コンタミネーション を低減し、装置性能を最大限に引き出します。
※本装置における「コンタミネーション」は電子線照射により真空チャンバー内の残留ガス分子 ( 炭化水素 ) が試料などの表面で重合して堆積される汚染膜を意図します。残留異物や微粒子 ( ほこり）を指すものではありません。

FE-SEM
TEM
EPMA
SIMS
XPS
ESCA
AES
CD-SEM
ALD
EUVL / EBL
Synchrotron
2

装置の性能をフルに発揮できない !?

コンタミネーションによる弊害
試料汚染

像コントラストや分解能の低下（特に極表面観察時の低加速電圧や、コントラストが得づらい平坦な試料に おいて顕著）

コンタミ付着による試料最表面の形態変化、偽信号の生成

EDX,EELS 等の元素分析や、EBSD のような表面敏感な分析の弊害

光学系コンポーネント汚染

検出器の検出効率・感度の低下

アパーチャー汚染によるビーム電流の変動・光学系分解能の低下
鏡筒内汚染によるビームドリフト・フォーカス変動・収差

光学系 (X 線・EUV ミラー , 回折格子 ,FZP など ) の反射率や透過率の低下
3ダウンストリーム式プラズマクリーニングの原理と使用方法
予防的な
使い方

原理
クリーニング対象の真空チャンバー、もしくはクリーニング対象物（試料や汚染コンポー

Case�

プラズマクリーナー

ネントなど）をセットした真空チャンバーにプラズマソースを接続し、ソース内部の石英
チューブはチャンバーと一緒に真空引きされます。コントローラ（高周波電源）からプラ

ズマソースに RF 信号が伝達されると同時に、ソースの通気バルブを介してプロセスガス※

ラジカルは真空装置付随のポンプでチャンバー内に引かれて拡散します。チューブ内（上して低分子かされ、最終的には二酸化炭素や水分子などの副生成物となって真空ポンプ● ラジカル種● コンタミネーション〇 副生成物

置したプラズマソースを用いて、試料室内で試ラジカルはハイド

プラズマソースを化学的に反応（アッシング）

真空チャンバーに設置

装置にプラズマソースを設置できる試料交換

クリーニングを行うことで、試料室内へのハイ
ドロカーボンの持込みを防ぎます。

適応機種：EM-KLEEN,SEMI-KLEEN

装置に試料交換室が無い場合は、試料室に設料やホルダの Pre クリーニングを 行います。

この時同時に、試料室内のクリーニングにも効果があります。

適応機種：EM-KLEEN,SEMI-KLEEN

真空ポンプ

ロカーボンガス分子とし、水分子などとなって真空ポンプでチャンバー外に排出

（O, O�, OH, H）を生成室がある場合、交換室で試料やホルダの Pre

適応機種：Tergeo

でチャンバー外に排出されることで、チャンバーおよび対象物をクリーニングします。

発生させラジカル種原因になるハイドロカーボンが付着していま
ドロカーボンの持込みを防ぎます。

ニング対象物やチャンバー壁に堆積した有機物と化学的に反応（低温灰化 , アッシング）

ソース内でプラズマを試料室内で Pre クリーニング、
同時に試料室内のクリーニングにクリーニングすることで、試料室内へのハイ内で拡散されたラジカルは、チャンバー内に残留したハイドロカーボンガス分子や、クリーCase�

試料交換室で試料やホルダをPre クリーニング

す。真空試料室に試料やホルダを入れる直前流）からチャンバー（下流）へのラジカルの流れをダウンストリームと呼びます。チャンバー

Case�

卓上スタンドアロン機で試料やホルダを Pre クリーニング
試料やホルダの表面にはコンタミネーションのを導入し、チューブ内にプラズマを発生させて活性ラジカルを生成します。チューブ内の※ 通常は Air または酸素ガスをプロセスガスとして導入することで酸素ラジカル（原子状酸素）を生成し、酸化反応によりクリーニングを行います。酸化が許容できない場合は、ガス種に水素を用いた水素プラズマ（原子状水素）による還元反応でクリーニングする場合もあります。

汚れを真空試料室に持ち込まない

ソース内のラジカル種が真空チャンバー内に拡散（ダウンストリーム）

予防的な
使い方

真空試料室内の定期コンディショニング

汚染の原因となる炭化水素は至るところに存在し、様々な経路で試料室内に侵入します。対象サンプルそのものが汚染源である場合もあり、試料室内は徐々に汚染されます。定期的に試料室をクリーニングすることで、試料室内に残留した炭化水素を分解除去し、試料室内を清浄な状態に保ちます。
適応機種：EM-KLEEN,SEMI-KLEEN

主な使 用方法
予 防 的な 使い方アンチコンタミネーション：
コンタミを堆積させない

汚染の原因となる炭化水素は至るところに存在し、様々な経路で試料室内に侵入するため試料室内は徐々に汚染されます。右記の方法で試料汚染を格段に抑制できる効果が期待できます。

4

除去 的な 使い方クリーニング：
堆積したコンタミを取り除く

ひどく汚染された試料やコンポーネントの表面をクリーニングすることで、再生利用します。

除去的な
使い方

汚染された試料やコンポーネントの Post クリーニング

電子ビーム照射により付着したコンタミを除去クリーニング≪Tergeo≫ ≪EM-KLEEN@ 試料交換室≫
たとえば…

・分析などで長時間露光により試料表面に堆積したコンタミネーションの除去
・アパーチャーや検出器の再生クリーニング

5

ダウンストリーム式プラズマクリーニングの原理と使用方法
予防的な
使い方

原理
クリーニング対象の真空チャンバー、もしくはクリーニング対象物（試料や汚染コンポー

Case�

プラズマクリーナー

ネントなど）をセットした真空チャンバーにプラズマソースを接続し、ソース内部の石英
チューブはチャンバーと一緒に真空引きされます。コントローラ（高周波電源）からプラ

ズマソースに RF 信号が伝達されると同時に、ソースの通気バルブを介してプロセスガス※

ラジカルは真空装置付随のポンプでチャンバー内に引かれて拡散します。チューブ内（上して低分子かされ、最終的には二酸化炭素や水分子などの副生成物となって真空ポンプ● ラジカル種● コンタミネーション〇 副生成物

置したプラズマソースを用いて、試料室内で試ラジカルはハイド

プラズマソースを化学的に反応（アッシング）

真空チャンバーに設置

装置にプラズマソースを設置できる試料交換

クリーニングを行うことで、試料室内へのハイ
ドロカーボンの持込みを防ぎます。

適応機種：EM-KLEEN,SEMI-KLEEN

装置に試料交換室が無い場合は、試料室に設料やホルダの Pre クリーニングを 行います。

この時同時に、試料室内のクリーニングにも効果があります。

適応機種：EM-KLEEN,SEMI-KLEEN

真空ポンプ

ロカーボンガス分子とし、水分子などとなって真空ポンプでチャンバー外に排出

（O, O�, OH, H）を生成室がある場合、交換室で試料やホルダの Pre

適応機種：Tergeo

でチャンバー外に排出されることで、チャンバーおよび対象物をクリーニングします。

発生させラジカル種原因になるハイドロカーボンが付着していま
ドロカーボンの持込みを防ぎます。

ニング対象物やチャンバー壁に堆積した有機物と化学的に反応（低温灰化 , アッシング）

ソース内でプラズマを試料室内で Pre クリーニング、
同時に試料室内のクリーニングにクリーニングすることで、試料室内へのハイ内で拡散されたラジカルは、チャンバー内に残留したハイドロカーボンガス分子や、クリーCase�

試料交換室で試料やホルダをPre クリーニング

す。真空試料室に試料やホルダを入れる直前流）からチャンバー（下流）へのラジカルの流れをダウンストリームと呼びます。チャンバー

Case�

卓上スタンドアロン機で試料やホルダを Pre クリーニング
試料やホルダの表面にはコンタミネーションのを導入し、チューブ内にプラズマを発生させて活性ラジカルを生成します。チューブ内の※ 通常は Air または酸素ガスをプロセスガスとして導入することで酸素ラジカル（原子状酸素）を生成し、酸化反応によりクリーニングを行います。酸化が許容できない場合は、ガス種に水素を用いた水素プラズマ（原子状水素）による還元反応でクリーニングする場合もあります。

汚れを真空試料室に持ち込まない

ソース内のラジカル種が真空チャンバー内に拡散（ダウンストリーム）

予防的な
使い方

真空試料室内の定期コンディショニング

汚染の原因となる炭化水素は至るところに存在し、様々な経路で試料室内に侵入します。対象サンプルそのものが汚染源である場合もあり、試料室内は徐々に汚染されます。定期的に試料室をクリーニングすることで、試料室内に残留した炭化水素を分解除去し、試料室内を清浄な状態に保ちます。
適応機種：EM-KLEEN,SEMI-KLEEN

主な使 用方法
予 防 的な 使い方アンチコンタミネーション：
コンタミを堆積させない

汚染の原因となる炭化水素は至るところに存在し、様々な経路で試料室内に侵入するため試料室内は徐々に汚染されます。右記の方法で試料汚染を格段に抑制できる効果が期待できます。

4

除去 的な 使い方クリーニング：
堆積したコンタミを取り除く

ひどく汚染された試料やコンポーネントの表面をクリーニングすることで、再生利用します。

除去的な
使い方

汚染された試料やコンポーネントの Post クリーニング

電子ビーム照射により付着したコンタミを除去クリーニング≪Tergeo≫ ≪EM-KLEEN@ 試料交換室≫
たとえば…

・分析などで長時間露光により試料表面に堆積したコンタミネーションの除去
・アパーチャーや検出器の再生クリーニング

5

製品ラインナップ

リモートプラズマクリーナー

卓上プラズマクリーナー

分離されたプラズマソースとコントローラで構成され、ソースはラボ向け All in one マルチユース対応。Dual プラズマソース内蔵で、試などに接続されます。接続された試料チャンバーやチャンバー内の � つのモードが選択できます。分析試料や TEM 用カーボン支持膜の（スタンドアロン型）（プラズマソース分離型）

FE-SEM や XPS, EPMA などの試料チャンバーもしくは試料交換室

料や目的に応じて「ソフトクリーニング」「高速・ハードクリーニング」の試料をプラズマクリーニングすることで、高真空装置におけるPre クリーニング（コンタミ予防）から、濃厚なコンタミネーションの積

カーボン系コンタミネーションを予防・除去します。

EM-KLEEN

極的な除去クリーニングまで、� 台で様々なニーズに対応します。

SEMI-KLEEN Quartz

リモートタイプのベーシックモデル。
一般的な高真空チャンバー向け。

半導体インライン装置向け。ガス導入
ラインに nm サイズのパーティクルを除去する超微細フィルターを搭載。

SEMI-KLEEN Sapphire

Tergeo-EM

反応性ガス・腐食性ガスに適応する
ため、プラズマチューブにサファイアを使用。（H�, NH�, NF�, CF� etc）

電子顕微鏡用途向け。
TEM 試料ホルダを � 本装着可能。フロントドアの取外しが可能で、バルク試料のクリーニングには���×���mm の試料トレイを挿入可能。繊細な試料向けに「Pulse（極低ダメージ）モード」を搭載。

Tergeo-Basic

Tergeo-Plus

Tergeo-Pro

低価格エントリーモデル

Basic のラージチャンバーモデル

高出力
� インチ大型チャンバー※ SEMI-KLEEN Quartz は、SEMI-KLEEN Sapphire のように、
特 定 用 途 向 け に カ ス タ マ イ ズ も 可 能 で す。例 え ば、
SEMI-KLEEN プラズマクリーナーは、ALD システムでエッチング/ デポジション用途として使用されています。

SEMI-KELLN Quartz

EM-KLEEN

製品
用途

SEM, TEM, XPS, SIMS, AES,
CD-SEM, EB-Litho

SEM, TEM, XPS, SIMS, AES

チャンバー

石英ガラスチューブ

プラズマ方式

RF 出力＊�（@��.��MHz）
動作真空度（ソース内）

� mTorr ～ � Torr

固定

ソースマウント形状
PC 制御

コントローラ

プラズマソースサイズ

標準コントローラサイズ

���W コントローラサイズ
電源
6

マイクロピラニゲージ内蔵、大気 ～ � e- � Torr

不可

固定 or オートNW / KF��（オプション：CF �.��” [CF��]）

���×���×��� mm，�.� kg

W ���×D ���×H ��� mm，� kg

���×���×��� mm，� kg

W ���×D ���×H ��� mm，� kg

AC �� ～ ��� V，��/�� Hz，��� W 以下

*� RF 出力：日本国内では、初期設定で RF 出力を ��W までに制限しています。“高周波利用設備申請書” の届出により、制限を解除し、��W（オプション：���W）まで使用可能となります。
*� 真空装置の仕様（特にチャンバーサイズやポンプスピード）やソースの設置個所、使用目的や使用方法により大きく異なります。

ダイレクトモード：CCP（CapacitivelyCoupled Plasma）[ 容量結合型 ]

標準

標準

標準

パルスモード

標準

オプション

オプション

オプション

内径：��� mm
奥行：��� mm
�” wafer or
�” wafer boat

内径：��� mm
奥行：��� mm
�” wafer or�” /�” wafer boat

標準

標準

� ～ �� W
オプション：��� W
内径：��� mm
奥行：��� mm
�” wafer

マスフローコントローラ
プラズマ強度センサー
サイズ（W×H×D）

標準×� ～ ��� W
オプション：��� W or ��� W

� インチ LCD タッチパネル
�� レシピ保存オート制御 � レシピのジョブシーケンスモード

システム制御電源

Tergeo-Pro

標準

低ダメージ

重量

Tergeo-Plus

高速クリーニング

可可搬型、� inch タッチパネル、シリアル通信ポート（D-sub�）、ソース ～ コントローラ間ケーブル �.� m－

クリーニングモード

Tergeo-Basic

ダイレクトモード：CCP（CapacitivelyCoupled Plasma）[ 容量結合型 ]リモートモード：ICP（Inductively Coupled Plasma）[ 誘導結合型 ]チャンバーサイズ

RS��� / RS���，Windows.Net Framework �.� 以上

φ��×��� mm，� kg

プラズマソース

Tergeo-EM

RF 出力＊�（@��.��MHz）

�.� mTorr ～ � Torr

（ダウンストリーム側）

腐食性ガス

サファイアチューブ製品

� ～ �� W（オプション：� ～ ��� W）

� ～ �� W＊�

インピーダンス整合

ALD, EUV-Litho for NF�, CF�,NH�, H�, HF, H�S プラズマ

ICP（Inductively Coupled Plasma）[ 誘導結合型 ]真空チャンバー真空度
真空計

SEMI-KLEEN Sapphire� 系統のマスフローコントローラで、プロセスガスの流量制御（オプションで � 系統増設可）
Vent/Pump は、別系統のソレノイドバルブで制御

���×���×��� mm
�� kg

プラズマ発光強度センサーを内蔵

���×���×��� mm
�� kg

���×���×��� mm
�� kg

AC �� ～ ��� V，��/�� Hz，��� W 以下（真空ポンプ消費電力含まず）

���×���×��� mm
�� kg*� RF 出力：日本国内では、初期設定で RF 出力を ��W までに制限しています。“高周波利用設備申請書” の届出により、制限を解除し、��W（オプション：���W）まで使用可能となります。

7

製品ラインナップ

リモートプラズマクリーナー

卓上プラズマクリーナー

分離されたプラズマソースとコントローラで構成され、ソースはラボ向け All in one マルチユース対応。Dual プラズマソース内蔵で、試などに接続されます。接続された試料チャンバーやチャンバー内の � つのモードが選択できます。分析試料や TEM 用カーボン支持膜の（スタンドアロン型）（プラズマソース分離型）

FE-SEM や XPS, EPMA などの試料チャンバーもしくは試料交換室

料や目的に応じて「ソフトクリーニング」「高速・ハードクリーニング」の試料をプラズマクリーニングすることで、高真空装置におけるPre クリーニング（コンタミ予防）から、濃厚なコンタミネーションの積

カーボン系コンタミネーションを予防・除去します。

EM-KLEEN

極的な除去クリーニングまで、� 台で様々なニーズに対応します。

SEMI-KLEEN Quartz

リモートタイプのベーシックモデル。
一般的な高真空チャンバー向け。

半導体インライン装置向け。ガス導入
ラインに nm サイズのパーティクルを除去する超微細フィルターを搭載。

SEMI-KLEEN Sapphire

Tergeo-EM

反応性ガス・腐食性ガスに適応する
ため、プラズマチューブにサファイアを使用。（H�, NH�, NF�, CF� etc）

電子顕微鏡用途向け。
TEM 試料ホルダを � 本装着可能。フロントドアの取外しが可能で、バルク試料のクリーニングには���×���mm の試料トレイを挿入可能。繊細な試料向けに「Pulse（極低ダメージ）モード」を搭載。

Tergeo-Basic

Tergeo-Plus

Tergeo-Pro

低価格エントリーモデル

Basic のラージチャンバーモデル

高出力
� インチ大型チャンバー※ SEMI-KLEEN Quartz は、SEMI-KLEEN Sapphire のように、
特 定 用 途 向 け に カ ス タ マ イ ズ も 可 能 で す。例 え ば、
SEMI-KLEEN プラズマクリーナーは、ALD システムでエッチング/ デポジション用途として使用されています。

SEMI-KELLN Quartz

EM-KLEEN

製品
用途

SEM, TEM, XPS, SIMS, AES,
CD-SEM, EB-Litho

SEM, TEM, XPS, SIMS, AES

チャンバー

石英ガラスチューブ

プラズマ方式

RF 出力＊�（@��.��MHz）
動作真空度（ソース内）

� mTorr ～ � Torr

固定

ソースマウント形状
PC 制御

コントローラ

プラズマソースサイズ

標準コントローラサイズ

���W コントローラサイズ
電源
6

マイクロピラニゲージ内蔵、大気 ～ � e- � Torr

不可

固定 or オートNW / KF��（オプション：CF �.��” [CF��]）

���×���×��� mm，�.� kg

W ���×D ���×H ��� mm，� kg

���×���×��� mm，� kg

W ���×D ���×H ��� mm，� kg

AC �� ～ ��� V，��/�� Hz，��� W 以下

*� RF 出力：日本国内では、初期設定で RF 出力を ��W までに制限しています。“高周波利用設備申請書” の届出により、制限を解除し、��W（オプション：���W）まで使用可能となります。
*� 真空装置の仕様（特にチャンバーサイズやポンプスピード）やソースの設置個所、使用目的や使用方法により大きく異なります。

ダイレクトモード：CCP（CapacitivelyCoupled Plasma）[ 容量結合型 ]

標準

標準

標準

パルスモード

標準

オプション

オプション

オプション

内径：��� mm
奥行：��� mm
�” wafer or
�” wafer boat

内径：��� mm
奥行：��� mm
�” wafer or�” /�” wafer boat

標準

標準

� ～ �� W
オプション：��� W
内径：��� mm
奥行：��� mm
�” wafer

マスフローコントローラ
プラズマ強度センサー
サイズ（W×H×D）

標準×� ～ ��� W
オプション：��� W or ��� W

� インチ LCD タッチパネル
�� レシピ保存オート制御 � レシピのジョブシーケンスモード

システム制御電源

Tergeo-Pro

標準

低ダメージ

重量

Tergeo-Plus

高速クリーニング

可可搬型、� inch タッチパネル、シリアル通信ポート（D-sub�）、ソース ～ コントローラ間ケーブル �.� m－

クリーニングモード

Tergeo-Basic

ダイレクトモード：CCP（CapacitivelyCoupled Plasma）[ 容量結合型 ]リモートモード：ICP（Inductively Coupled Plasma）[ 誘導結合型 ]チャンバーサイズ

RS��� / RS���，Windows.Net Framework �.� 以上

φ��×��� mm，� kg

プラズマソース

Tergeo-EM

RF 出力＊�（@��.��MHz）

�.� mTorr ～ � Torr

（ダウンストリーム側）

腐食性ガス

サファイアチューブ製品

� ～ �� W（オプション：� ～ ��� W）

� ～ �� W＊�

インピーダンス整合

ALD, EUV-Litho for NF�, CF�,NH�, H�, HF, H�S プラズマ

ICP（Inductively Coupled Plasma）[ 誘導結合型 ]真空チャンバー真空度
真空計

SEMI-KLEEN Sapphire� 系統のマスフローコントローラで、プロセスガスの流量制御（オプションで � 系統増設可）
Vent/Pump は、別系統のソレノイドバルブで制御

���×���×��� mm
�� kg

プラズマ発光強度センサーを内蔵

���×���×��� mm
�� kg

���×���×��� mm
�� kg

AC �� ～ ��� V，��/�� Hz，��� W 以下（真空ポンプ消費電力含まず）

���×���×��� mm
�� kg*� RF 出力：日本国内では、初期設定で RF 出力を ��W までに制限しています。“高周波利用設備申請書” の届出により、制限を解除し、��W（オプション：���W）まで使用可能となります。

7

基 本性能タッチパネルスクリーンと直観的な I/F

レシピ登録・管理

Turbo DischargeTM テクノロジー
高出力 ICP(Inductively Coupled Plasma) プラズマ技術により、高効率かつ高真空レンジでのプラズマクリーニングが可能です。特に高真空領域でのプラズマ効率およびダウンストリームクリーニング
におけるラジカル種の生成スピードを大幅に向上させます。

画期的な Turbo DischageTM プラズマソース設計技術は米国特許庁の認可を受けています。

RF 出力※ ０～ 75Ｗ可変プラズマ発光強度センサー内蔵（プラズマ診断）

＠13.56MHz

機種により � ～ ���W

安価なプラズマ装置にはプラズマ診断機能が無く、オペレーターがプラズマ強度を視認するしかありませんが、人の目はダイナミックレ
ンジを自動で調整するため、定量的な診断は出来ません。

内蔵センサーは、定量的にプラズマ発光強度を診断することで、より詳細にレシピを最適化することが可能で、一貫したクリーニング
結果を得ることが出来ます。

オート制御
独自のプラズマ点火アルゴリズムにより、レシピを選択・実行するだ
けで、自動でクリーニングプロセスを実行します。

自動インピーダンスマッチング（Tergeo シリーズのみ）

効率良くプラズマを発生させるためには 、RF 電源とプラズマソース間のインピーダンスマッチング（整合）が必要ですが、手動によるインピー
ダンスマッチングは慣れが必要で面倒な作業です。自動マッチング機

能は、確実で素早い自動整合を行い、安定したプラズマを発生します。

オートガス流量制御
熱式流量計と電子流量制御弁によるマスフローコントロール

真空ゲージ内蔵

応答速度 � ～ ��sccm

MEMS 加工技術による小型熱伝対真空系を内蔵
�e-�Torr ～ ���Torr まで測定可能

内部温度センサと冷却ファン
プラズマクリーニング中はプラズマソース内が発熱しますが、真空環境のため通常はクーリングができず、オーバーヒートすることがあります。EM-KLEEN は内部に温度センサと冷却ファンを持ち、プラ
ズマソースが �� 度を超えない様に監視・制御を行います。

8

外部電極構造により微量金属汚染を低減
内部電極のプラズマシステムでは金属電極に RF が印加され、この場合、電場が電極端で強くなるエッジ効果により、一様性を得ることは難しく、また内部電極がスパッタリングされることで、試料の金属汚染が問題になります。

本製品では、電極を石英ガラスチューブの外部に配置することで、試料の金属汚染を極めて低減します。

※ 本製品は ��kHz 以上の高周波電流を使用する高周波利用設備であり、その高周波エネルギーが ��W 以上に設定可能です。
��W 以上の設定でご利用される場合は、電波法第 ��� 条に定められた通り、高周波利用設備設置のための必要書類を管轄の総務省地方総合通信局に提出する必要があります。

9

リモートプラズマクリーナー（プラズマソース分離型）

分離されたプラズマソースとコントローラで構成され、ソースは FE-SEM や XPS, EPMA などの試料チャンバーも
しくは試料交換室などに接続されます。接続された試料チャンバーやチャンバー内の試料をプラズマクリーニン

超 H i g h スピードクリーニン グ

アパー チャーサイズの 選 択がひどく汚染されている場合、プラズマソースとアダプタの間の�mm の � 種類が付属します。設置する真空チャンバーや目的に使用済みのアパーチャープレートのように、クリーニング対処物

グすることで、高真空装置におけるカーボン系コンタミネーションを予防・除去します。プラズマソース内で生成された活性酸素ラジカルが、真空装置付随のターボ分子ポンプで試料室内に引かれて拡散します（ダウンスト「ブースターチューブ」内でクリーニングすることで、超高速クリーリーム）。残留したハイドロカーボンガス分子とラジカルが化学的に反応（低温灰化 = アッシング）し、反応にニングが可能です。

よる副生成物は真空ポンプで試料室外に排出されることで、試料室内をクリーニングします。

ターボ 分 子ポンプ領 域 で 運 転 可

プラズマソースを設置した試料室の真空度が、�.�mTorr ～ �Torr レンジでプラズマ点火が可能です。試料室を大気開放する必要が無く、

Plasma Source

高真空状態から即プラズマクリーニングが可能で、ターボポンプの回転数を下げることなくプロセスを実行します。ターボポンプを止めな

Booster Tube
兼 Aperture

Adapter※設置する装置や設置箇所（試料室 / 交換室）, 使用目的に よって条件は大きく異なります。詳細は別途お問合わせ下さい。

・レシピ名
・RF出力
・ソース内真 空 度・バルブ設定・実行時間

・ソース内真空度 , 温度
・ RF 出 力 , 損 失・プラズマ発光強度
・バルブ DAC
・ステータス・残時間

SEMI-KLEEN

ルターを搭載。SEMI-KLEEN Sapphire は反応性ガス・腐食性ガスに適応するため、プラズマ汚染された SEM アパーチャープレートの再生（Before/After:�� 分）

選 べるコントローラ■ 自動インピーダンスマッチング機能■ 低パーティクルデザイン、�nm 以上の粒子をフィルタリング■ 反応性ガス・腐食性ガス（レビュー SEM、CD-SEM、リソグラフィなど）

10（SEMI-KLEEN Sapphire）

�mm 口径と比較してクリーニングレートは遅くなりますが、より低ダメージでのクリーニングが可能です。

フラン ジオプション

プラズマソースの接続は、NW/KF�� が標準ですが、オプション
で CF�.��” (CF��) に変更可能です。

S a f e モ ードと E x p e r t モ ード

高電圧がかかる検出器を備えた FE-SEM のような分析装置で、ユーザーが装置自体に不慣れな場合、より安全にクリーニングを実施するためのモードが「Safe モード」です。

安全に高電圧を oﬀ する手順を知っているユーザーは、融通性のある「Expert モード」がお勧めです。

チューブにサファイアを使用。（H�, NH�, NF�, CF� etc）
■ 半導体装置、R&D 装置向け

プラズマ点火時の試料室真空度を高真空に保持します。

レートは向上します。

ポータブル卓上モデル

半導体インライン装置向け。ガス導入ラインに nm サイズのパーティクルを除去する超微細フィ

�mm 口径 = Gentle クリーニング

プラズマ点火時の試料室真空度は下がりますが、クリーニング

秀 逸 なユー ザー I/F デザイン
ステータス表示応じて付け替えることが可能です。

�mm 口径 = High Speed クリーニング

いため、クリーニング後わずか数分で既定の真空度に回復します。

レシピ設定項目

Booster Tube（左図参照）のアパーチャーは、開口径 �mm と-Quartz-Sapphire

��”ラックモデル（オプション）11

リモートプラズマクリーナー（プラズマソース分離型）

分離されたプラズマソースとコントローラで構成され、ソースは FE-SEM や XPS, EPMA などの試料チャンバーも
しくは試料交換室などに接続されます。接続された試料チャンバーやチャンバー内の試料をプラズマクリーニン

超 H i g h スピードクリーニン グ

アパー チャーサイズの 選 択がひどく汚染されている場合、プラズマソースとアダプタの間の�mm の � 種類が付属します。設置する真空チャンバーや目的に使用済みのアパーチャープレートのように、クリーニング対処物

グすることで、高真空装置におけるカーボン系コンタミネーションを予防・除去します。プラズマソース内で生成された活性酸素ラジカルが、真空装置付随のターボ分子ポンプで試料室内に引かれて拡散します（ダウンスト「ブースターチューブ」内でクリーニングすることで、超高速クリーリーム）。残留したハイドロカーボンガス分子とラジカルが化学的に反応（低温灰化 = アッシング）し、反応にニングが可能です。

よる副生成物は真空ポンプで試料室外に排出されることで、試料室内をクリーニングします。

ターボ 分 子ポンプ領 域 で 運 転 可

プラズマソースを設置した試料室の真空度が、�.�mTorr ～ �Torr レンジでプラズマ点火が可能です。試料室を大気開放する必要が無く、

Plasma Source

高真空状態から即プラズマクリーニングが可能で、ターボポンプの回転数を下げることなくプロセスを実行します。ターボポンプを止めな

Booster Tube
兼 Aperture

Adapter※設置する装置や設置箇所（試料室 / 交換室）, 使用目的に よって条件は大きく異なります。詳細は別途お問合わせ下さい。

・レシピ名
・RF出力
・ソース内真 空 度・バルブ設定・実行時間

・ソース内真空度 , 温度
・ RF 出 力 , 損 失・プラズマ発光強度
・バルブ DAC
・ステータス・残時間

SEMI-KLEEN

ルターを搭載。SEMI-KLEEN Sapphire は反応性ガス・腐食性ガスに適応するため、プラズマ汚染された SEM アパーチャープレートの再生（Before/After:�� 分）

選 べるコントローラ■ 自動インピーダンスマッチング機能■ 低パーティクルデザイン、�nm 以上の粒子をフィルタリング■ 反応性ガス・腐食性ガス（レビュー SEM、CD-SEM、リソグラフィなど）

10（SEMI-KLEEN Sapphire）

�mm 口径と比較してクリーニングレートは遅くなりますが、より低ダメージでのクリーニングが可能です。

フラン ジオプション

プラズマソースの接続は、NW/KF�� が標準ですが、オプション
で CF�.��” (CF��) に変更可能です。

S a f e モ ードと E x p e r t モ ード

高電圧がかかる検出器を備えた FE-SEM のような分析装置で、ユーザーが装置自体に不慣れな場合、より安全にクリーニングを実施するためのモードが「Safe モード」です。

安全に高電圧を oﬀ する手順を知っているユーザーは、融通性のある「Expert モード」がお勧めです。

チューブにサファイアを使用。（H�, NH�, NF�, CF� etc）
■ 半導体装置、R&D 装置向け

プラズマ点火時の試料室真空度を高真空に保持します。

レートは向上します。

ポータブル卓上モデル

半導体インライン装置向け。ガス導入ラインに nm サイズのパーティクルを除去する超微細フィ

�mm 口径 = Gentle クリーニング

プラズマ点火時の試料室真空度は下がりますが、クリーニング

秀 逸 なユー ザー I/F デザイン
ステータス表示応じて付け替えることが可能です。

�mm 口径 = High Speed クリーニング

いため、クリーニング後わずか数分で既定の真空度に回復します。

レシピ設定項目

Booster Tube（左図参照）のアパーチャーは、開口径 �mm と-Quartz-Sapphire

��”ラックモデル（オプション）

11

Tergeo-EM

L ab 向

け A ll- in - O●

TEM, 各種分析装置のホルダクリーニング●

光学部品のクリーニング●●

卓上プラズマクリーナー（スタンドアロン型）

ne

●
●
●

試料の Pre/Post クリーニング

ミラー , 分光結晶 , 回折格子 , アパーチャー ,FZP
検出器 , 窒化シリコン膜のクリーニング
フォトレジストアッシング

表面洗浄 , 表面改質（PDMS , マイクロ流体デバイス）
医療機器洗浄Lab ベースで要求されるほとんどのプラズマアプリケーションに 1 台で対応
Tergeo プラズマクリーナーは、� つのプラズマソースを内蔵し、用途に応じてクリーニングモードを切り替えることが出来ます。

このため「エッチング」や「アッシング」、「表面洗浄」、「表面改質」といった、一般にラボで要求されるあらゆるプラズマ処理に、Tergeo� 台で対応することが可能です。Tergeo があれば、プラズマ処理のために複数台の装置を用意する必要はありません。

� つ のクリーニングモ ード （D u a l プラズ マソース）
高速クリーニング

Immersion モード

低ダメージ

Downstream モード

プラズマを試料室「内」で発生させます。

プラズマを試料室「外」で発生させます。プラズマ発生室と試料室と同時に、スパッタリングされます。フォトレジストのアッシングやな化学反応のみによってクリーニングされます。熱や静電気放電に

プラズマ空間の中に浸された試料は、ラジカルと化学反応を起こす
試料エッチング , PDMS 表面改質など、積極的で早いクリーニング
レートが要求される用途に適しています。

（参考）Immersion= 浸漬。一般に「プラズマクリーナー」と称する装置は Immersion モードであることが多いです。

対応モデル：Tergeo-EM / -Basic / -Plus / -Pro

フレキシブル なフロントドア 構 造

マスフローコントローラ

を分離することで、試料はスパッタリングされること無く、マイルド

弱いデバイスや、TEM 試料 , カーボン支持膜付き TEM グリッド , 窒化シリコン膜などの繊細で脆い試料、薄膜コートされた光学デバイ

� 系統（オプションで � 系統増設）のマスフローコントローラで、スなど、ダメージレスでマイルドにクリーニングしたい用途に適しています。

プロセスガスの流量制御を行います。

Vent/Pump は、別系統のソレノイドバルブで制御します。

対応モデル：Tergeo-EM / -Basic / -Plus

フロントドアはバヨネット式で簡単に着脱が可能です。試料など

クリーニング対象物は、スライドトレイに乗せてチャンバー内にセットされます。

秀 逸 なユー ザー I/F デザイン

TEM 用途の場合、フロントドアのロッドアダプタ（最大 � 本まで）に TEM ホルダを挿入します。
ロッドアダプタは Tergeo-EM のみ利用可能です。

極低ダメージ

Pulse モード

ON

ON

OFF

ON

OFF

OFF

ON

OFF

ON

OFF

低デューティーサイクルの Pulse モードは平均的なプラズマ強度をON

著しく減少させることで、極繊細な試料へのクリーニング適応を可能にします。
Average
Intensity

12

Time

RF 出力を変えるか、デューティーサイクルを変えることで、プラズ
マ強度を調整出来ます。

対応モデル：Tergeo-EM

バッチ処理用TEM試料ホルダー（20サンプル）

ウェハホルダー（アルミ製）

水蒸気プラズマキット
・親 水化 の 安 定 化、均一化が期待できます※Tergeo-Basic / -Plus / -Pro はオプションで可13

Tergeo-EM

L ab 向

け A ll- in - O●

TEM, 各種分析装置のホルダクリーニング●

光学部品のクリーニング●●

卓上プラズマクリーナー（スタンドアロン型）

ne

●
●
●

試料の Pre/Post クリーニング

ミラー , 分光結晶 , 回折格子 , アパーチャー ,FZP
検出器 , 窒化シリコン膜のクリーニング
フォトレジストアッシング

表面洗浄 , 表面改質（PDMS , マイクロ流体デバイス）
医療機器洗浄Lab ベースで要求されるほとんどのプラズマアプリケーションに 1 台で対応
Tergeo プラズマクリーナーは、� つのプラズマソースを内蔵し、用途に応じてクリーニングモードを切り替えることが出来ます。

このため「エッチング」や「アッシング」、「表面洗浄」、「表面改質」といった、一般にラボで要求されるあらゆるプラズマ処理に、Tergeo� 台で対応することが可能です。Tergeo があれば、プラズマ処理のために複数台の装置を用意する必要はありません。

� つ のクリーニングモ ード （D u a l プラズ マソース）
高速クリーニング

Immersion モード

低ダメージ

Downstream モード

プラズマを試料室「内」で発生させます。

プラズマを試料室「外」で発生させます。プラズマ発生室と試料室と同時に、スパッタリングされます。フォトレジストのアッシングやな化学反応のみによってクリーニングされます。熱や静電気放電に

プラズマ空間の中に浸された試料は、ラジカルと化学反応を起こす
試料エッチング , PDMS 表面改質など、積極的で早いクリーニング
レートが要求される用途に適しています。

（参考）Immersion= 浸漬。一般に「プラズマクリーナー」と称する装置は Immersion モードであることが多いです。

対応モデル：Tergeo-EM / -Basic / -Plus / -Pro

フレキシブル なフロントドア 構 造

マスフローコントローラ

を分離することで、試料はスパッタリングされること無く、マイルド

弱いデバイスや、TEM 試料 , カーボン支持膜付き TEM グリッド , 窒化シリコン膜などの繊細で脆い試料、薄膜コートされた光学デバイ

� 系統（オプションで � 系統増設）のマスフローコントローラで、スなど、ダメージレスでマイルドにクリーニングしたい用途に適しています。

プロセスガスの流量制御を行います。

Vent/Pump は、別系統のソレノイドバルブで制御します。

対応モデル：Tergeo-EM / -Basic / -Plus

フロントドアはバヨネット式で簡単に着脱が可能です。試料など

クリーニング対象物は、スライドトレイに乗せてチャンバー内にセットされます。

秀 逸 なユー ザー I/F デザイン

TEM 用途の場合、フロントドアのロッドアダプタ（最大 � 本まで）に TEM ホルダを挿入します。
ロッドアダプタは Tergeo-EM のみ利用可能です。

極低ダメージ

Pulse モード

ON

ON

OFF

ON

OFF

OFF

ON

OFF

ON

OFF

低デューティーサイクルの Pulse モードは平均的なプラズマ強度をON

著しく減少させることで、極繊細な試料へのクリーニング適応を可能にします。
Average
Intensity

12

Time

RF 出力を変えるか、デューティーサイクルを変えることで、プラズ
マ強度を調整出来ます。

対応モデル：Tergeo-EM

バッチ処理用TEM試料ホルダー（20サンプル）

ウェハホルダー（アルミ製）

水蒸気プラズマキット
・親 水化 の 安 定 化、均一化が期待できます※Tergeo-Basic / -Plus / -Pro はオプションで可13想定される使用事例 （ ユーザー様別 ）真空装置メーカー
製造工程●

新規真空チャンバーのベイキングと同時に●工場出荷データの取得時●

真空部品の組込み前ドライ洗浄

分析 分 野

観察・分析
●
●
●

試料やホルダー，グリッドの Pre クリーニング
コンタミ付着した試料の Post クリーニング
ホルダや TEM グリッド，ダイヤモンドナイフなどの親水化処理

研 究開発 分 野研究開発分野●新規真空チャンバーのベイキングと同時に●真空部品の組込み前ドライ洗浄

●
●
●
●

真空チャンバーの定期コンディショニングフィールドサービス●

現地での装置立上げ・検収データ取得時●

アパーチャーや検出器などのクリーニング（再生）●定期メンテ時の鏡筒内、試料室内のクリーニング

DLC（Diamond-like Carbon）のコンタミネーション Before / After

右：� 分間のクリーニング後、堆積したコンタミネーションが除去されるとともに、異なる視野を同じ条件でビーム照射してもコンタミネーションの付着は無し

保守・メンテナンス●●

試料室内の定期コンディショニング

アパーチャーやメンブレンのクリーニング（再生）水素プラズマ照射により、InGaAs 試料表面の酸素と炭素汚染を除去
Courtesy of Professor Kummel in UCSD

放射光関連
●

光学部品の in-situ / ex-situ クリーニング（再生）

XPS
Chamber（X 線・EUV ミラー , 回折格子 ,FZP など）

PlasmaCleaner

基材の親水化処理

Mass
Spectrometer

水素プラズマを用いた還元クリーニング
レジストエッチング�� 分間の水素プラズマクリーニングにより、XPS チャンバー
内のハイドロカーボンを除去（緑スペクトル）
Courtesy of Professor Newberg in U.Delaware

工 業 用途●

基盤や電子部品などのドライクリーニング（有機膜除去）●

表面改質・活性化●

14

メッキやコーティング・ボンディングの前処理（接着性向上）
ウエハの親水化処理 ( 濡れ性向上 )酸素プラズマクリーニングによりアルミ表面の有機汚染物質を除去

15

想定される使用事例 （ ユーザー様別 ）真空装置メーカー
製造工程●

新規真空チャンバーのベイキングと同時に●工場出荷データの取得時●

真空部品の組込み前ドライ洗浄

分析 分 野

観察・分析
●
●
●

試料やホルダー，グリッドの Pre クリーニング
コンタミ付着した試料の Post クリーニング
ホルダや TEM グリッド，ダイヤモンドナイフなどの親水化処理

研 究開発 分 野研究開発分野●新規真空チャンバーのベイキングと同時に●真空部品の組込み前ドライ洗浄

●
●
●
●

真空チャンバーの定期コンディショニングフィールドサービス●

現地での装置立上げ・検収データ取得時●

アパーチャーや検出器などのクリーニング（再生）●定期メンテ時の鏡筒内、試料室内のクリーニング

DLC（Diamond-like Carbon）のコンタミネーション Before / After

右：� 分間のクリーニング後、堆積したコンタミネーションが除去されるとともに、異なる視野を同じ条件でビーム照射してもコンタミネーションの付着は無し

保守・メンテナンス●●

試料室内の定期コンディショニング

アパーチャーやメンブレンのクリーニング（再生）水素プラズマ照射により、InGaAs 試料表面の酸素と炭素汚染を除去
Courtesy of Professor Kummel in UCSD

放射光関連
●

光学部品の in-situ / ex-situ クリーニング（再生）

XPS
Chamber（X 線・EUV ミラー , 回折格子 ,FZP など）

PlasmaCleaner

基材の親水化処理

Mass
Spectrometer

水素プラズマを用いた還元クリーニング
レジストエッチング�� 分間の水素プラズマクリーニングにより、XPS チャンバー
内のハイドロカーボンを除去（緑スペクトル）
Courtesy of Professor Newberg in U.Delaware

工 業 用途●

基盤や電子部品などのドライクリーニング（有機膜除去）●

表面改質・活性化●

14

メッキやコーティング・ボンディングの前処理（接着性向上）
ウエハの親水化処理 ( 濡れ性向上 )酸素プラズマクリーニングによりアルミ表面の有機汚染物質を除去

15

TEM ホルダー真空保管ステーション

有 機 系コン タミネ ー ション 予 防 & 除 去 ツール

プラズマクリーナ－

TEM 試料ホルダー真空保管ステーションは、最大 � 個の TEM 試料
ホルダーを真空下で保管する装置です。

試料とホルダーのアウトガスおよび水分の除去を行うことでクリーンな状態に保ちます。試料ホルダーのリークチェックにも利用できます。

●●●

最大 � 本の TEM ホルダーを保管／個別に管理

各社 TEM ホルダーに対応
� 台まで並列運用可能

真空ポンプ（Dryポンプ推奨）

卓上プラズマクリーナー
Tergeo-EM• 有機系コンタミネーション
予防＆除去

TEM ホルダーを
クリーニングして保管へ！

TEM ホルダーステーション
TEM STORAGE STATION

Te rge o シリーズ

• 真空下で TEM ホルダーを保管

Tergeo-EM と TEM ホルダーステーションで、真空ポンプの共用が可能※単独でもお使い頂けます。

国内総代理店〒���-����
東京都千代田区富士見�-�-� ステージビルディング��階TEL : ��-����-���� https://www.ads-img.co.jp/
E-mail : ads-contact@ads-img.co.jp

製造元

PIE SCIENTIFIC LLC
https://piescientiﬁc.com/

16※本カタログの製品の仕様等は、予告なく変更する事がございます [����]EM - K LEEN シリーズ