日程表 (会場別1)
会場名

A21

朱鷺
メセ
会
議棟

朱鷺
メセ
展
⽰
ホ

収容⼈数
400

A22400

A23115

A24115

A2575

A31115

A32115

A33115

A34115

A3575

A3645

9:00 ~ 11:30
15.4 III-V族窒化物結晶

午後
13:00 ~ 17:00
15.4 III-V族窒化物結晶

午前
9:30 ~ 12:00
T16 有機系vs無機化合物系
薄膜太陽電池バトルロワイアル

9⽉18⽇(⽔)
午後

13:30 ~ 17:15
T16 有機系vs無機化合物系
薄膜太陽電池バトルロワイアル

午前
9:00 ~ 12:00
23.1 合同セッションN「インフォマティクス応⽤」

午後
13:30 ~ 18:50
T29 【⼀般公開】⽣産技術の醍醐味 〜 モノづくりシステムの現場
で応⽤物理は何ができるか︖ 〜

13:00 ~ 19:00
9:00 ~ 12:30
13:45 ~ 19:30
9:15 ~ 11:30
CS.13 13.7 化合物及びパワー
13:30 ~ 16:55
9:00 ~ 12:15
21.1 合同セッションＫ 「ワイド21.1 合同セッションＫ 「ワイド13.7 化合物及びパワーデバイス・ デバイス・プロセス技術・評価、
T13 光と磁気、スピントロニクスに
KS.2 量⼦情報⼯学研究会
ギャップ酸化物半導体材料・デバ ギャップ酸化物半導体材料・デバ
プロセス技術・評価
15.4 III-V族窒化物結晶のコー関わる最新の研究動向
イス」
イス」
ドシェア
11:00〜12:00
13:30 ~ 19:30
13:30 ~ 16:45
本部⾏事（功労会員証贈呈式、 13:30 ~ 18:25
9:00 ~ 12:30
T21 原⼦層プロセス（ALP︓T6 Si基板へのエピタキシャル成⻑ 第18回応⽤物理学会フェロー表 T26 カーボンナノチューブの物性・ 13.5 デバイス／配線／集積化技
Atomic Layer Process）の基
単結晶薄膜とデバイス応⽤
彰式、第56回応⽤物理学会講 応⽤研究の最新動向
術
礎と最新技術動向
演奨励賞授賞式）
13:30 ~ 16:30
9:00 ~ 11:40
13:30 ~ 16:25
9:00 ~ 11:30
13:30 ~ 17:15
NT1 【⼀般公開】先端半導体がT17 有機・イオン熱電変換材料 T17 有機・イオン熱電変換材料 13.2 探索的材料物性・基礎物 23.1 合同セッションN「インフォマ
切り拓く未来社会 〜応⽤物理への開発とデバイス応⽤の開発とデバイス応⽤性
ティクス応⽤」の期待〜
13:30 ~ 14:30
4.8 Optica Special Lecture
9:00 ~ 11:45
13:30 ~ 18:00
9:00 ~ 12:00
13:30 ~ 17:45
3.14 シリコンフォトニクス・集積フォ 3.14 シリコンフォトニクス・集積フォ
14:45 ~ 18:15
3.6 レーザープロセシング
3.6 レーザープロセシング
トニクス
トニクス
4.2 Photonics Devices,
Photonic Integrated Circuitand Silicon Photonics
13:30 ~ 19:15
10:45 ~ 12:00
13:30 ~ 17:45
9:00 ~ 12:00
13:30 ~ 18:30
9:00 ~ 12:00
17.1 カーボンナノチューブ，他の 17.1 カーボンナノチューブ，他の 4.3 Laser sources and Laser 4.3 Laser sources and Laser 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表ナノカーボン材料
ナノカーボン材料
applications
applications
⾯処理
⾯処理
13:30 ~ 18:45
8.5 プラズマ現象・新応⽤・融合分野
13:30 ~ 17:15
9:00 ~ 12:00
13:30 ~ 17:00
9:00 ~ 12:00
3.1 光学基礎・光学新領域
3.1 光学基礎・光学新領域
3.1 光学基礎・光学新領域
KS.2 量⼦情報⼯学研究会
18:45 ~ 19:00
8.6 Plasma Electronics
English Session
9:00 ~ 12:00
13:30 ~ 18:00
9:00 ~ 12:00
13:30 ~ 17:00
9:00 ~ 11:45
13:00 ~ 18:30
FS.1 フォーカストセッション「AIエレ FS.1 フォーカストセッション「AIエレ FS.1 フォーカストセッション「AIエレ FS.1 フォーカストセッション「AIエレ 3.11 ナノ領域光科学･近接場光 3.11 ナノ領域光科学･近接場光クトロニクス」
クトロニクス」
クトロニクス」
クトロニクス」
学
学
12:15〜13:45
9:00 ~ 12:00
無料チュートリアル「D&Iを⽬指す
4.1 Plasmonics and事例紹介」 講師︓松下祥⼦
Nanophotonics（東京⼯業⼤学）
14:00〜16:30
9:00 ~ 12:00
9:00 ~ 12:00
チュートリアル（※有料）
4.5 Nanocarbon and 2D
11.1 基礎物性「超伝導研究の今」 講師︓前⽥Materials
京剛（東京⼤学）
9:30 ~ 12:15
13:30 ~ 17:30
T7 Society 5.0を⽀えるサイバー T7 Society 5.0を⽀えるサイバー
フィジカルシステムの先端技術 フィジカルシステムの先端技術 フィジカル空間を繋ぐ材料・デバイ フィジカル空間を繋ぐ材料・デバイス・プロセス・回路・アプリケーション ス・プロセス・回路・アプリケーション
技術 技術 -A37

75

A41543

10:00 ~ 11:30
8.7 プラズマエレクトロニクス分科
内招待講演

B1

95

9:00 ~ 12:00
13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

B2

95

B395

B495

B595

B695

ル
B

9⽉17⽇(⽕)

9⽉16⽇(⽉)
午前9:00 ~ 10:30
3.13 光制御デバイス・光ファイバー

13:30 ~ 15:00
CS.2 3.2 情報フォトニクス・画像
13:30 ~ 17:00
9:00 ~ 11:45
⼯学、4.4 Information
CS.2 3.2 情報フォトニクス・画像 CS.2 3.2 情報フォトニクス・画像
9:00 ~ 12:00
Photonicsのコードシェア
⼯学、4.4 Information
⼯学、4.4 Information
17.2 グラフェン
Photonicsのコードシェア
Photonicsのコードシェア
15:30 ~ 16:45
16.2 エナジーハーベスティング
13:30 ~ 17:30
T18 【⼀般公開】最先端ロジック
10:30 ~ 11:20
13:00 ~ 17:25
半導体と連携・協働する材料・プ
9:00 ~ 12:00
NT2 【⼀般公開】奮闘する⽇本 NT2 【⼀般公開】奮闘する⽇本
ロセス・実装技術の最前線 〜再12.5 有機・ハイブリッド太陽電池の先端パワー半導体の先端パワー半導体
起する⽇本の先端ロジック半導体・その２〜
13:00 ~ 17:00
9:00 ~ 11:00
13:00 ~ 16:00
9:00 ~ 11:30
13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・13.2 探索的材料物性・基礎物
13.8 光物性・発光デバイス
MEMS・装置技術
MEMS・装置技術
性13:00 ~ 17:15
9:00 ~ 11:30
13:00 ~ 15:30
9:15 ~ 11:30
13.6 ナノ構造・量⼦現象・ナノ量 15.7 結晶評価，不純物・結晶 15.7 結晶評価，不純物・結晶 15.3 III-V族エピタキシャル結⼦デバイス
⽋陥
⽋陥
晶・エピタキシーの基礎
9:30 ~ 11:30
6.1 強誘電体薄膜

9:00 ~ 12:00
4.1 Plasmonics andNanophotonics

9:30 ~ 12:00
CS.5 3.10 フォトニック構造・現 13:30 ~ 18:00
象、3.12 半導体光デバイスの3.10 フォトニック構造・現象
コードシェア
10:00 ~ 12:00
13:30 ~ 16:45
13:30 ~ 16:15
CS.6 4.5 Nanocarbon andT3 半導体放射線検出器の最新
3.13 光制御デバイス・光ファイ
2D Materials、17 ナノカーボン・動向バー
⼆次元材料のコードシェア
13:00 ~ 17:453.10 フォトニック構造・現象

13:00 ~ 17:00
4.1 Plasmonics andNanophotonics

9:00 ~ 11:15
6.6 プローブ顕微鏡
9:45 ~ 11:30
2.5 放射線誘起蛍光体

13:00 ~ 19:30
12.2 評価・基礎物性

9:00 ~ 11:30
12.4 有機EL・トランジスタ

13:00 ~ 17:45
6.1 強誘電体薄膜

10:30 ~ 12:00
6.1 強誘電体薄膜

13:30 ~ 18:15
T11 先端イオン/電⼦顕微鏡技
術のナノスケール材料・デバイスへの応⽤展開13:30 ~ 16:30
17.2 グラフェン

13:30 ~ 17:05
T20 どうなるEVシフト - その現状と課題 -13:00 ~ 18:45
13.9 化合物太陽電池
13:00 ~ 18:15
4.6 Terahertz Photonics
13:00 ~ 16:15
CS.7 6.1 強誘電体薄膜、13.3
絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェア

13:00 ~ 18:30
CS.10 6.6 プローブ顕微鏡、
9:00 ~ 11:30
12.2 評価・基礎物性のコードシェ 6.6 プローブ顕微鏡ア
9:00 ~ 11:45
13:00 ~ 17:15
13:00 ~ 17:30
11.5 接合，回路作製プロセスお 11.4 アナログ応⽤および関連技
2.5 放射線誘起蛍光体
よびディジタル応⽤術
13:00 ~ 17:30
9:00 ~ 11:45
13:00 ~ 15:00
12.4 有機EL・トランジスタ
12.4 有機EL・トランジスタ
12.4 有機EL・トランジスタ日程表 (会場別2)
会場名

A21

セ会
議
棟

朱
鷺
メ
セ
展
⽰
ホ400

9⽉19⽇(⽊)

9⽉20⽇(⾦)

午前
午後
午前
13:30 ~ 17:05
9:30 ~ 11:50
9:00 ~ 11:45
T28 AI・ロボットによる⾃律駆動 T28 AI・ロボットによる⾃律駆動23.1 合同セッションN「インフォマ型研究がもたらす研究パラダイムシ 型研究がもたらす研究パラダイムシ
ティクス応⽤」
フトフト
13:30 ~ 17:30
T2 地球の限界︖プラネタリバウン
ダリにおけるプラズマとエネルギーシ
ステムによる危機回避

9:00 ~ 11:45
21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

午後
13:30 ~ 16:30
23.1 合同セッションN「インフォマティクス応⽤」
13:00 ~ 16:30
21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

400

9:15 ~ 11:45
NT3 【⼀般公開】就活⽣必⾒︕
未来をあなた⾃⾝の⼿で︕〜 半導体が⽣み出す新しい世界

A23

115

9:30 ~ 11:50
9:00 ~ 11:55
13:30 ~ 16:25
T27 Vibronics: Energy
T23 接合技術と先端シリコン集積 T23 接合技術と先端シリコン集積transport science of回路の展開︓過去、現在、未来 回路の展開︓過去、現在、未来
vibrations in solidA24115

9:00 ~ 12:00
KS.1 固体量⼦センサ研究会

13:30 ~ 17:45
T10 原⼦間⼒顕微鏡による有9:00 ~ 11:30
機・⽣体システム計測の技術的進 15.4 III-V族窒化物結晶
歩と未来展望13:30 ~ 17:00
NT4 【⼀般公開】Z世代に繋ぎたい未来ビジョン 〜 創造を⽣むネッ
トワーキングを応物から

A25

75

9:00 ~ 12:00
3.5 超⾼速・⾼強度レーザー

13:30 ~ 18:00
3.5 超⾼速・⾼強度レーザー

9:00 ~ 11:45
3.3 ⽣体・医⽤光学

13:30 ~ 15:15
3.3 ⽣体・医⽤光学

A31

115

9:00 ~ 12:00
17.3 層状物質

13:30 ~ 18:15
17.3 層状物質

9:00 ~ 12:00
17.3 層状物質

13:15 ~ 17:00
17.3 層状物質

A32

115

9:00 ~ 11:45
3.9 光量⼦物理・技術

13:30 ~ 18:15
3.9 光量⼦物理・技術

9:00 ~ 12:00
8.1 プラズマ⽣成・診断

13:30 ~ 16:30
8.1 プラズマ⽣成・診断

A33

115

9:00 ~ 12:00
13:30 ~ 18:30
9:00 ~ 11:45
CS.4 3.10 フォトニック構造・現3.11 ナノ領域光科学･近接場光
8.4 プラズマライフサイエンス
象、3.11 ナノ領域光科学･近接学
場光学のコードシェア

13:30 ~ 17:00
8.4 プラズマライフサイエンス

A34

115

9:15 ~ 11:30
12.1 作製・構造制御

13:30 ~ 18:15
3.8 テラヘルツ全般

13:30 ~ 17:00
3.8 テラヘルツ全般

A35

75

9:00 ~ 12:00
3.12 半導体光デバイス

13:30 ~ 17:35
T24 薄膜半導体の結晶化とデバ
イス応⽤

A36

45

9:00 ~ 11:00
8.3 プラズマナノテクノロジー

13:30 ~ 17:00T1 科学教育の⼈材育成および教育の取り組みとその活性化ー北陸・信越地区ー

A22

朱鷺
メ収容
⼈数

13:30 ~ 16:00
3.12 半導体光デバイス

9:00 ~ 10:30
CS.3 3.4 レーザー装置・材料、
3.13 光制御デバイス・光ファイバーのコードシェア
10:45 ~ 12:00
3.4 レーザー装置・材料

13:30 ~ 17:00
3.4 レーザー装置・材料

A37

75

9:15 ~ 12:00
3.7 光計測技術・機器

A41543

9:00 ~ 12:00
13:30 ~ 17:10
9:30 ~ 11:40
T9 新材料・新原理を活⽤した物 T9 新材料・新原理を活⽤した物 CS.8 6.2 カーボン系薄膜、KS.1 13:30 ~ 15:45
KS.1 固体量⼦センサ研究会
理リザバーコンピューティングの社会 理リザバーコンピューティングの社会 固体量⼦センサ研究会のコード
シェア
応⽤に向けて応⽤に向けて

B195

B295

9:15 ~ 11:30
15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

13:00 ~ 16:45
3.6 レーザープロセシング

B395

9:00 ~ 11:30
6.2 カーボン系薄膜

13:00 ~ 19:15
6.2 カーボン系薄膜

B495

B595

9:30 ~ 11:45
13:00 ~ 17:15
15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

B695

9:00 ~ 11:30
13:00 ~ 18:15
9:00 ~ 11:30
13:00 ~ 15:30
12.3 機能材料・萌芽的デバイス 12.3 機能材料・萌芽的デバイス 12.3 機能材料・萌芽的デバイス 12.3 機能材料・萌芽的デバイス

ルB

13:30 ~ 17:45
3.7 光計測技術・機器

9:00 ~ 12:00
3.8 テラヘルツ全般

13:15 ~ 16:05
T27 Vibronics: Energy
transport science ofvibrations in solid

13:00 ~ 17:15
13.3 絶縁膜技術

9:30 ~ 11:30
6.3 酸化物エレクトロニクス

13:00 ~ 17:00
6.3 酸化物エレクトロニクス

日程表 (会場別3)
会場名

ホテル
⽇航新潟

万代
島
ビル

9⽉17⽇(⽕)
午後

13:00 ~ 18:00
6.4 薄膜新材料

午前

9:00 ~ 12:00
11.1 基礎物性

9⽉18⽇(⽔)
午後72

9:00 ~ 11:30
6.4 薄膜新材料

C32

72

9:00 ~ 11:45
13:15 ~ 16:45
9:00 ~ 11:30
13:00 ~ 16:45
16.1 基礎物性・評価・プロセス・ 16.1 基礎物性・評価・プロセス・ 3.14 シリコンフォトニクス・集積フォ
12.6 ナノバイオテクノロジー
デバイス
デバイス
トニクス
9:30 ~ 10:30
8.8 プラズマエレクトロニクス賞受賞記念講演

C41

240

C42285

C4364C301

80

C302

180

D61

95

D6275

D6349

セル
A

9⽉16⽇(⽉)
午前

C31

朱鷺
メ

展
⽰
ホ収容
⼈数

P

13:00 ~ 18:45
12.7 医⽤⼯学・バイオチップ

午前

午後

9:00 ~ 11:30
12.7 医⽤⼯学・バイオチップ

13:00 ~ 18:30
12.7 医⽤⼯学・バイオチップ

9:00 ~ 11:30
12.1 作製・構造制御

13:00 ~ 16:30
12.6 ナノバイオテクノロジー

13:30 ~ 18:30
9:00 ~ 12:00
T14 ペロブスカイト太陽電池の新 T14 ペロブスカイト太陽電池の新展開
展開
11:00 ~ 11:45
8.7 プラズマエレクトロニクス分科
内招待講演
10:00 ~ 11:50
13:30 ~ 18:25
9:00 ~ 11:30
T15 フレキシブル・ストレッチャブル T15 フレキシブル・ストレッチャブル
15.4 III-V族窒化物結晶
エレクトロニクスのフロンティア
エレクトロニクスのフロンティア

13:30 ~ 19:00
T12 次世代半導体・新デバイス 9:00 ~ 10:45
製造に向けたプラズマ直接接合技 15.6 IV族系化合物（SiC）
術

13:30 ~ 17:00
T22 異分野に拡がる界⾯ナノ電⼦化学 〜最先端半導体からバイオサイエンスまで〜

13:30 ~ 18:30
9:00 ~ 12:30
T25 窒化物・III/V族ナノ構造に
15.4 III-V族窒化物結晶
おける新規機能発現

13:30 ~ 17:15
T8 2次元材料とその集積回路・
電⼦デバイス応⽤

9:00 ~ 12:00
7.1 X線技術

13:00 ~ 17:30
1.6 超⾳波

13:00 ~ 17:45
1.4 エネルギー変換・貯蔵・資源・
環境

13:00 ~ 16:00
1.5 計測技術・計測標準

9:30 ~ 11:45
1.3 新技術・複合新領域

9:00 ~ 11:30
1.1 応⽤物理⼀般・学際領域

9:00 ~ 11:30
CS.11 9.4 熱電変換、22.1 合 13:00 ~ 16:15
同セッションM 「フォノンエンジニアリ 9.1 誘電材料・誘電体ング」のコードシェア
10:00 ~ 11:35
13:00 ~ 17:20
13:00 ~ 18:15
13:30 ~ 17:30
9:00 ~ 12:00
T4 フォトニックコンピューティングと T4 フォトニックコンピューティングと13.5 デバイス／配線／集積化技
T19 グリーン・サスティナブル半導13.8 光物性・発光デバイス
AIのクロスオーバー 〜新潮流から AIのクロスオーバー 〜新潮流から術体製造に貢献する材料応⽤まで〜
応⽤まで〜
9:00 ~ 11:15
13:00 ~ 16:45
9:00 ~ 11:30
13:00 ~ 18:45
13:30 ~ 17:15
10.2 スピン基盤技術・萌芽的デ 10.2 スピン基盤技術・萌芽的デ 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・
10.4 半導体・トポロジカル・超伝
6.3 酸化物エレクトロニクス
バイス技術
バイス技術
ストレージ技術
導・強相関スピントロニクス
13:30 ~ 18:15
13:30 ~ 16:00
10:00 ~ 11:30
13:00 ~ 17:45
10:00 ~ 11:45
10:00 ~ 11:45
CS.1 2.3 加速器質量分析・加7.3 微細パターン・微細構造形成
2.5 放射線誘起蛍光体
2.5 放射線誘起蛍光体
2.4 医⽤応⽤
2.4 医⽤応⽤
速器ビーム分析、7.4 イオンビーム
技術
⼀般のコードシェア
13:00 ~ 17:45
13:00 ~ 17:15
13:00 ~ 18:00
CS.9 6.5 表⾯物理・真空、7.5 10:00 ~ 11:30
原⼦・分⼦線およびビーム関連新 7.2 電⼦ビーム応⽤
7.2 電⼦ビーム応⽤
12.1 作製・構造制御
技術のコードシェア[13:30-15:30]
7 ビーム応⽤[13:30-15:30]
8.2 プラズマ成膜・エッチング・表2 放射線[13:30-15:30]
⾯処理
6.3 酸化物エレクトロニクス
6.4 薄膜新材料
8.5 プラズマ現象・新応⽤・融合
6.6 プローブ顕微鏡
6.5 表⾯物理・真空[09:30-11:30]
分野
12.2 評価・基礎物性11 超伝導3.1 光学基礎・光学新領域
8.6 Plasma Electronics
22 合同セッションM 「フォノンエン
23 合同セッションN「インフォマティ
3.5 超⾼速・⾼強度レーザー
English Session
ジニアリング」
クス応⽤」
3.9 光量⼦物理・技術
12.1 作製・構造制御
FS フォーカストセッション「AIエレク[09:30-11:30]
3.12 半導体光デバイス
13.2 探索的材料物性・基礎物
トロニクス」
17 ナノカーボン・⼆次元材料
12.3 機能材料・萌芽的デバイス
性
13.7 化合物及びパワーデバイス・ [16:00-18:00]
プロセス技術・評価[16:00-18:00]
6.1 強誘電体薄膜
15.4 III-V族窒化物結晶
13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・12.4 有機EL・トランジスタ[16:00-18:00]
MEMS・装置技術
12.5 有機・ハイブリッド太陽電池
1 応⽤物理学⼀般
13.5 デバイス／配線／集積化技
15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶
KS 研究会セッション術
15.6 IV族系化合物（SiC）
13.8 光物性・発光デバイス
15.7 結晶評価，不純物・結晶
⽋陥
13:00 ~ 18:30
9:00 ~ 11:30
9.2 ナノ粒⼦・ナノワイヤ・ナノシー
6.4 薄膜新材料
ト

13:30 ~ 16:45
9.4 熱電変換

日程表 (会場別4)
会場名

ホテル
⽇
航
新潟

万代
島
ビル

9⽉20⽇(⾦)
午後

午前

13:30 ~ 16:15
11.2 薄膜，厚膜，テープ作製プ
ロセスおよび結晶成⻑

午後13:00 ~ 14:30
3.7 光計測技術・機器

72

C32

72

C41

240

13:00 ~ 19:30
9:00 ~ 11:45
13.7 化合物及びパワーデバイス・ 13.7 化合物及びパワーデバイス・
プロセス技術・評価
プロセス技術・評価

C422859:00 ~ 11:3015.4 III-V族窒化物結晶

13:00 ~ 17:15
15.4 III-V族窒化物結晶

C4364

9:00 ~ 10:15
1.2 教育13:00 ~ 18:00
4.7 Quantum Optics,
Nonlinear Optics andStructured Optics

9:00 ~ 12:15
T5 新宇宙時代に求められるス
ペースフォトニクス
10:00 ~ 11:30
4.7 Quantum Optics,
Nonlinear Optics andStructured Optics

C301

80

9:00 ~ 11:00
10.5 磁場応⽤

13:30 ~ 17:15
9.5 新機能材料・新物性

9:00 ~ 11:30
3.5 超⾼速・⾼強度レーザー

C302

180

9:00 ~ 12:00
13:00 ~ 17:00
9:00 ~ 12:00
13:00 ~ 16:00
12.5 有機・ハイブリッド太陽電池 12.5 有機・ハイブリッド太陽電池 12.5 有機・ハイブリッド太陽電池 12.5 有機・ハイブリッド太陽電池D6195

9:00 ~ 12:00
2.1 検出器デバイス開発

D62

75

9:00 ~ 12:00
13:00 ~ 18:00
9:00 ~ 11:30
13:00 ~ 16:45
22.1 合同セッションM 「フォノンエ 22.1 合同セッションM 「フォノンエ 2.2 放射線物理⼀般・放射線応15.1 バルク結晶成⻑
⽤・発⽣装置・新技術
ンジニアリング」
ンジニアリング」

D63

49

9:00 ~ 11:30
9.3 ナノエレクトロニクス

セル
A

9⽉19⽇(⽊)
午前
9:00 ~ 10:30
11.1 基礎物性C31

朱鷺
メ

展⽰
ホ

収容⼈数

P

10:30 ~ 12:00
11.3 臨界電流，超伝導パワー
応⽤
9:00 ~ 11:30
CS.12 12.6 ナノバイオテクノロ
ジー、12.7 医⽤⼯学・バイオチッ
プのコードシェア

13:00 ~ 16:15
3.3 ⽣体・医⽤光学

13:00 ~ 18:00
2.1 検出器デバイス開発

9:00 ~ 11:30
16.3 シリコン系太陽電池

9:00 ~ 11:30
10.1 新物質・新機能創成（作製・評価技術）

13:00 ~ 16:00
16.3 シリコン系太陽電池

13:30 ~ 15:00
15.4 III-V族窒化物結晶
13:00 ~ 16:00
13.1 Si系基礎物性・表⾯界⾯・シミュレーション
13:00 ~ 16:30
3.5 超⾼速・⾼強度レーザー

13:00 ~ 17:00
10.1 新物質・新機能創成（作製・評価技術）

13:00 ~ 15:15
9.3 ナノエレクトロニクス[13:30-15:30]
3.10 フォトニック構造・現象[09:30-11:30][13:30-15:30]
8.1 プラズマ⽣成・診断[09:30-11:30]
3.2 情報フォトニクス・画像⼯学
6.2 カーボン系薄膜
8.3 プラズマナノテクノロジー
3.7 光計測技術・機器
3.3 ⽣体・医⽤光学9 応⽤物性
8.4 プラズマライフサイエンス
3.11 ナノ領域光科学･近接場光
3.4 レーザー装置・材料
21 合同セッションＫ「ワイドギャップ学
3.6 レーザープロセシング
酸化物半導体材料・デバイス」
12.6 ナノバイオテクノロジー
3.8 テラヘルツ全般
12.7 医⽤⼯学・バイオチップ
3.13 光制御デバイス・光ファイ13.1 Si系基礎物性・表⾯界⾯・バー[16:00-18:00]
シミュレーション
3.14 シリコンフォトニクス・集積フォ
10 スピントロニクス・マグネティクス
13.3 絶縁膜技術
トニクス
13.9 化合物太陽電池
15.1 バルク結晶成⻑
4 JSAP-Optica Joint
15.2 II-VI族結晶および多元系
Symposia 2024
結晶15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎
16 ⾮晶質・微結晶