登壇申込締切：2024年6月18日(火)17：00(厳守)URL：https://meeting.jsap.or.jp/entry
ご注意■登壇申込締切以後の登録内容の修正，予稿の差し替え，申込の取消はいたしかねます．
■登壇申込が完了した時点で参加費（債務）が発生します．やむを得ず当日欠席される場合や代理の方が講演される場合も, 参加費のお支払いが必要です．

■大会ＨＰ掲載の「応用物理学会学術講演会講演規程」を必ずご一読のうえ，お申し込みください．
■ご提出いただいた予稿の著作権は応用物理学会に帰属します．
■予稿原稿は予稿発行日から会期半年後までは，ウェブプログラム上で参加者のみに公開します．
また，会期半年後には応用物理学会会員に公開，会期１年後にはウェブプログラムにて一般公開いたします．また会期３年後にはJ-STAGEで一般公開いたします．

■発表形式(口頭・ポスター)及び発表分科(各分科・シンポジウム・コードシェアセッション)は，お申込み時の希望に添えない場合があります．希望と異なる場合も登壇者の方への事前の連絡はいたしませんのでご了承ください．

一般講演で登壇するための３つのステップ
1. 入会登録※※非会員のみ※※
一般会員
入会金
年会費

10,000円
10,000円

大学生・大学院生
入会金 3,000円
年会費 3,000円※初年度は年会費無料

2. 登壇申込

6月18日(火)17：00締切締切以降の取消、差し替え、修正は一切受け付けておりませんのでご注意ください。

３. 参加申込
早期予約(8/30(金)まで）
一般（会員・協定学会会員*）
一般（非会員）**
シニア会員**
学生（登壇者・現地参加者）
学生（オンライン聴講者）
後期受付(9/6(金）～）
一般（会員・協定学会会員* ）一般（非会員）**
シニア会員***
学生（登壇者・聴講者）

12,000円
23,000円
4,000円
3,000円
0円
18,000円
30,000円
7,000円
5,000円(*)協定学会：APS(American Physical Society), CSOE(Chinese Society for Optical Engineering), EOS(EuropeanOptical Society), EPS(European Physical Society), IOP(Institute of Physics, JIEP(エレクトロニクス実装学会),KPS(Korean Physical Society), OPTICA(formerly OSA), OSJ(日本光学会), OSK(Optical Society of Korea), PESJ(日本物理教育学会), PSROC(The Physical Society of Republic of China), SPIE(International Society for OpticalEngineering ), SPP(Physics Society of the Philippines), TPS(Taiwan Photonics Society)(**)ご所属先が賛助会員であっても、参加者本人が個人会員でない場合は非会員扱いとなります。
(***)常勤として勤務に就かれていない60歳以上の会員。一般会員からの種別変更が必要です。

以下の常設の大分類、中分類、および合同セッション、一部のシンポジウムで一般講演を募集します。
※お申込みいただいた発表希望に添えない場合があります。
1）常設分科
大分類分科名 Categoryフォーカストセッション「AIエレクトロニクス」
Focused Session "AI Electronics"

研究会セッション

Sessions organized by JSAP's Professional Group

1 応用物理学一般
Interdisciplinary Physics and Related
Areas of Science and Technology

2 放射線Ionizing Radiation

3 光・フォトニクス
Optics and Photonics

4 JSAP-Optica Joint Symposia
すべてEnglish Session

6 薄膜・表面Thin Films and Surfaces

7 ビーム応用
Beam Technology and Nanofabrication

8 プラズマエレクトロニクス
Plasma Electronics

9 応用物性Applied Materials Science

10 スピントロニクス・マグネティクス
Spintronics and Magnetics

11 超伝導Superconductivity

中分類分科名Section(キーワード）脳型コンピュータ、ニューロモルフィック、ニューラルネットワーク、シナプ
スデバイス、メモリ、Computation-In-Memory (CIM)、
Processing-In-Memory (PIM)、組み合わせ最適化、アニーリング、量子機械学習、量子AI、光コンピューティング、リザバーコン
ピューティング、物理リザバー、センサAI融合、センサ内AI、新原理
コンピューティング技術：材料/デバイス(Keywords)
brain-inspired computer, neuromorphic, neural network, synapse
device, memory, learning mechanism, STDP, combinational
optimization, annealing, quantum machine learning, quantum AI,
optical computing, reservoir computing, physical reservoir

KS.1 固体量子センサ研究会

Solid State Quantum Sensor Group

KS.2 量子情報工学研究会

Quantum Information Engineering Group

KS.3 半導体グリーンファブ研究会
1.1 応用物理一般・学際領域
1.2 教育1.3 新技術・複合新領域
1.4 エネルギー変換・貯蔵・資源・環境
1.5 計測技術・計測標準
1.6 超音波
2.1 検出器デバイス開発

Green Transition of Fabrication Group

3.2 情報フォトニクス・画像工学（旧3.3）
3.3 生体・医用光学（旧3.4）
3.4 レーザー装置・材料（旧3.5）
3.5 超高速・高強度レーザー（旧3.6）
3.6 レーザープロセシング（旧3.7）
3.7 光計測技術・機器（旧3.8）
3.8 テラヘルツ全般（旧3.9）
3.9 光量子物理・技術（旧3.10）
3.10 フォトニック構造・現象（旧3.11）
3.11 ナノ領域光科学･近接場光学（旧3.12）
3.12 半導体光デバイス（旧3.13）
3.13 光制御デバイス・光ファイバー（旧3.14）
3.14 シリコンフォトニクス・集積フォトニクス（旧3.15）

Interdisciplinary and General Physics
Education
Novel technologies and interdisciplinary engineering
Energy conversion, storage, resources and environment
Instrumentation, measurement and Metrology
Ultrasonics
Detection Devices
Radiation physics fundamentals & applications, radiation generators,
new technology
Accelerator Mass Spectrometry, Accelerator Beam Analysis
Medical application
Radiation-induced phosphors
Basic optics and frontier of optics (merged with formerly 3.2
Equipment optics and materials)
Information photonics and image engineering (formerly 3.3)
Biomedical optics (formerly 3.4)
Laser system and materials (formerly 3.5)
Ultrashort-pulse and high-intensity lasers (formerly 3.6)
Laser processing (formerly 3.7)
Optical measurement, instrumentation, and sensor (formerly 3.8)
Terahertz technologies (formerly 3.9)
Optical quantum physics and technologies (formerly 3.10)
Photonic structures and phenomena (formerly 3.11)
Nanoscale optical science and near-field optics (formerly 3.12)
Semiconductor optical devices (formerly 3.13)
Optical control devices and optical fibers (formerly 3.14)
Silicon photonics and integrated photonics (formerly 3.15)

3.15 Optics and Photonics English Session（旧3.16）

Optics and Photonics English Session (formerly 3.16)

2.2 放射線物理一般・放射線応用・発生装置・新技術
2.3 加速器質量分析・加速器ビーム分析
2.4 医用応用
2.5 放射線誘起蛍光体
3.1 光学基礎・光学新領域（旧3.2「材料・機器光学」と統合）

4.1 Plasmonics and Nanophotonics

Plasmonics and Nanophotonics
Photonics Devices, Photonic Integrated Circuit andPhotonics Devices, Photonic Integrated Circuit and Silicon Photonics
Silicon Photonics
Lasers and laser materials processing
4.3 Laser sources and Laser applications
Information Photonics
4.4 Information Photonics
4.5 Nanocarbon and 2D Materials
Nanocarbon and 2D Materials
4.6 Terahertz Photonics
Terahertz Photonics
4.7 Quantum Optics and Nonlinear Optics
Quantum Optics and Nonlinear Optics
Ferroelectric thin films
6.1 強誘電体薄膜
Carbon-based thin films
6.2 カーボン系薄膜Oxide electronics
6.3 酸化物エレクトロニクス
Thin films and New materials
6.4 薄膜新材料
Surface Physics, Vacuum
6.5 表面物理・真空
Probe Microscopy
6.6 プローブ顕微鏡
X-ray technologies
7.1 X線技術
Applications and technologies of electron beams
7.2 電子ビーム応用
Micro/Nano patterning and fabrication
7.3 微細パターン・微細構造形成技術
Ion beams
7.4 イオンビーム一般
Atomic/molecular beams and beam-related new technologies
7.5 原子・分子線およびビーム関連新技術
Plasma production and diagnostics
8.1 プラズマ生成・診断
Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment
8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理
Plasma nanotechnology
8.3 プラズマナノテクノロジー
Plasma life sciences
8.4 プラズマライフサイエンス
Plasma phenomena, emerging area of plasmas and their new
8.5 プラズマ現象・新応用・融合分野
applications
Plasma Electronics English Session
8.6 Plasma Electronics English Session
Plasma Electronics Invited Talk
8.7 プラズマエレクトロニクス分科内招待講演
8.8 プラズマエレクトロニクス賞受賞記念講演
Plasma Electronics Division Award Speech
Dielectrics, ferroelectrics
9.1 誘電材料・誘電体
Nanoparticles, Nanowires and Nanosheets
9.2 ナノ粒子・ナノワイヤ・ナノシート
Nanoelectronics
9.3 ナノエレクトロニクス
Thermoelectric conversion
9.4 熱電変換
New functional materials and new phenomena
9.5 新機能材料・新物性
Emerging materials in spintronics and magnetics (including fabrication
新物質・新機能創成（作製・評価技術）
10.1
and characterization methodologies)
Fundamental and exploratory device technologies for spin10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術
Spin devices, magnetic memories and storages
10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術
Semiconductor spintronics, superconductor, multiferroics
10.4 半導体・トポロジカル・超伝導・強相関スピントロニクス
Application of magnetic field
10.5 磁場応用
Fundamental properties
11.1 基礎物性
Thin and thick superconducting films, coated conductors and film
11.2 薄膜，厚膜，テープ作製プロセスおよび結晶成長
crystal growth
Critical Current, Superconducting Power Applications
11.3 臨界電流，超伝導パワー応用
Analog applications and their related technologies
11.4 アナログ応用および関連技術
Junction and circuit fabrication process, digital applications
11.5 接合，回路作製プロセスおよびデジタル応用

4.2

大分類分科名 Category
12 有機分子・バイオエレクトロニクス
Organic Molecules and Bioelectronics

13 半導体Semiconductors

中分類分科名12.1 作製・構造制御
12.2 評価・基礎物性12.3 機能材料・萌芽的デバイス
12.4 有機EL・トランジスタ
12.5 有機・ハイブリッド太陽電池
12.6 ナノバイオテクノロジー
12.7 医用工学・バイオチップ
13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション
13.2 探索的材料物性・基礎物性13.3 絶縁膜技術
13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術
13.5 デバイス／配線／集積化技術
13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス
13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

15 結晶工学
Crystal Engineering

16 非晶質・微結晶
Amorphous and MicrocrystallineMaterials
17 ナノカーボン・二次元材料

Nanocarbon and Two-Dimensional Materials

合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

13.8 光物性・発光デバイス
13.9 化合物太陽電池
15.1 バルク結晶成長15.2 II-VI族結晶および多元系結晶
15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎
15.4 III-V族窒化物結晶
15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶
15.6 IV族系化合物（SiC）
15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥
16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス
16.2 エナジーハーベスティング
16.3 シリコン系太陽電池
17.1 カーボンナノチューブ，他のナノカーボン材料
17.2 グラフェン
17.3 層状物質

SectionFabrications and Structure Controls
Characterization and Materials Physics
Functional Materials and Novel Devices
Organic light-emitting devices and organic transistors
Organic and hybrid solar cells
Nanobiotechnology
Biomedical Engineering and Biochips
Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si
related materials
Exploratory Materials, Physical Properties, Devices
Insulator technology
Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology
Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies
Nanostructures, quantum phenomena, and nano quantum devices
Compound and power devices, process technology andcharacterization
Optical properties and light-emitting devices
Compound solar cells
Bulk crystal growth
II-VI and related compounds
III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy
III-V-group nitride crystals
Group IV crystals and alloys
Group IV Compound Semiconductors (SiC)
Crystal characterization, impurities and crystal defects
Fundamental properties, evaluation, process and devices in disorderedmaterials
Energy Harvesting
Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells
Carbon nanotubes & other nanocarbon materials
Graphene
Layered materials(キーワード）薄膜成長、 物性評価、 透明導電膜、 電子デバイス、光デバイ
ス、新機能材料･新技術開発(Keywords)
thin film growth, characterization of physical properties,
transparent conductive oxide film, electronic devices, opticaldevices, novel functional materials & development of noveltechnologies

Joint Session M "Phonon Engineering"(キーワード）
材料開発・材料物性、 計測技術、理論・シミュレーション、熱伝導・フォノン輸送、ナノスケール・低次元系、バンドエンジニアリング、
コヒーレント制御、 フォノンポラリトン, マグノン、熱マネージメント・熱設計技術、 デバイス応用、熱電変換、 蓄熱、 断熱、マイクロ/ナノメカニクス、放熱、熱変換、ナノ構造・デバイス作製技術(Keywords)
material development and material properties, measurement
methods, theory and simulation, thermal conduction and phonontransport, nanoscale and low dimensional system, bandengineering, coherent control, phonon polariton, magnon,
thermal management and design technology, device application,
thermoelectrics, thermal storage, thermal insulation,
micro/nanomechanics, heat dissipation, thermal conversion,nano-structure/device fabrication technology

合同セッションＮ「インフォマティクス応用」(Keywords)(キーワード）materials informatics, process informatics, measurement
マテリアルズインフォマティクス、 プロセスインフォマティクス、計測イン
informatics, database, data mining, machine learning, deep
フォマティクス、データベース、 データマイニング、 機械学習、 深層学
learning, sparse modeling, statistical analysis, causal analysis,
習、スパースモデリング、統計解析、因果分析、最適化、データ同
optimization, data assimilation, high-throughput, automation,化、ハイスループット、自動・自律化、ロボティクス
robotics

Joint Session K "Wide bandgap oxide
semiconductor materials and devices"

合同セッションM「フォノンエンジニアリング」

Joint Session N "Informatincs"

２）シンポジウム
シンポジウム一覧は以下をご参照ください。一部、一般講演を募集しないシンポジウムもございます。
https://meeting.jsap.or.jp/symposium講演奨励賞
応用物理学の発展に貢献しうる優秀な論文を発表した若手会員(発表年月日以降の４月１日時点で満33歳以下)に対して「講演奨励賞」が授与されます。登壇申込画面で申請が必要です。
講演奨励賞の表彰対象は、「現地会場にて登壇した講演者」となっております。
オンライン発表の方は表彰の対象となりませんので、奨励賞審査をお申込みの方は、必ず現地会場へきて発表いただきますようお願いします。
Poster Award「Poster Award」は、応用物理学の発展に貢献しうる優秀なポスター講演を行った会員に対して授与されます。プログラム編集委員が予稿原稿をもとに審査対象を選出いたします。講演者によるエントリーは不要です。
代理登壇
やむを得ない事情で一般講演の登壇者が講演会を欠席する場合は、欠席する講演の代理登壇を認めています。代理登壇者は登壇資格のある会員であり、共著者である方にります。また、代理登壇者も講演会参加申込をした上で所定の講演会参加費の支払いをしてください。
講演の無断欠席（No-Shoｗ)について（口頭講演の場合）
予定の講演開始時間5分を過ぎても講演者が来ない場合は、「No-Show」とみなします。
（ポスター講演の場合）
ポスターセッション開始5分後までに、所定の場所にポスターの貼り付けが完了していない場合は、「No-Show」とみなします。
事前の欠席連絡がなく、当日発表が行われなかった場合には、会期後、ウェブプログラムの講演タイトルに「No-Show」と追記いたします。
やむを得ない事情で当日欠席をする場合は、必ず、事前に講演会担当（meeting@jsap.or.jp）にご連絡ください。
共著者（応用物理学会に限る）による代理登壇も可能です。代理登壇者についても講演会参加申込をした上で所定の講演会参加費の支払いをしてください。
事前に欠席連絡があった場合はウェブプログラムの講演タイトルに「講演者欠席」と記載いたします。