第 8 回 Cat-CVD 研究会プログラム
研究会プログラム・プログラム・予稿集目次

6 月 17 日（金）13:00-13:10

基調講演
1-01

オープニング

司会：河野昭彦（金沢工業大学）

ページ

座長：堀邊英夫（金沢工業大学）

13:10-13:35

Cat-CVD 法の現状と現状と今後の今後の展開○松村英樹（北陸先端大）オーラルセッション（オーラルセッション（Ⅰ）
1-02

13:35-14:00

1

座長：和泉亮（九州工業大学）

Cat-CVD 法を利用した利用したカーボンナノチューブデバイスしたカーボンナノチューブデバイスのカーボンナノチューブデバイスの作製（作製（依頼講演）依頼講演）○前橋兼三，大野恭秀，井上恒一，松本和彦（阪大産研）

1-03

14:00-14:15

5

HWCVD-6 聴講報告
○大平圭介
（北陸先端大）1-04

14:15-14:30

7HW-CVD 成長 µc-3C-SiC 薄膜の薄膜の熱分解グラフェン
熱分解グラフェン層形成過程評価
グラフェン層形成過程評価
野木努，○中村篤志，田中昭，天明二郎

1-05

14:30-14:45

14:45-15:00（静大 電子工学研究所）

11

ラジカル窒化反応
ラジカル窒化反応による窒化反応によるSiNx膜の低温作製○武山真弓1，佐藤勝1，町田英明2，近藤英一3，野矢厚1（1 北見工業大，2 気相成長(株)，3 山梨大）

13

Coffee break

オーラルセッション（
オーラルセッション（Ⅱ）
1-06

1-07

15:00-15:25

15:25-15:40

座長：大平圭介（北陸先端科学技術大学院大学）
リアルタイム計測
計測によるリアルタイム
計測によるラジカルによるラジカルとラジカルと固体表面相互反応プロセス
固体表面相互反応プロセスのプロセスの体系化
依頼講演）（依頼講演）
1○堀勝 ，関根誠 2，石川健治 2，近藤博基 1，竹田圭吾 1，河野昭彦 3，堀邊英夫 3（1 名古屋大院，2 名古屋大院工プラズマナノ工学研究センター，3 金沢工大）

15

太陽電池用 Cat-CVD アルミナパッシベーション p-Si の高速アニール
高速アニールによるアニールによる表面再による表面再結合の結合の抑制○荻田陽一郎，立原誠之（神奈川工科大）

19

1-08

1-09

1-10

15:40-15:55

15:55-16:10

ハイグレイドガスバリアフィルム用
ハイグレイドガスバリアフィルム用ロールツーロール型有機触媒
ロールツーロール型有機触媒 CVD 装置の装置の開発○中山弘 1,2（1 マテリアルデザインファクトリー，2 大阪市立大）21

水素ラジカルクリーニング
水素ラジカルクリーニング装置
ラジカルクリーニング装置における装置におけるラジカルにおけるラジカルとラジカルと熱の輸送に輸送に関する検討
する検討
1
1
1
○西山岩男 ，船越直人 ，和泉亮 ，安信強2，野北寛太3（1 九州工大，2 北九州工業高専，3(財)福岡県産業･科学技術振興財団）

23

16:10-16:25 イオン注入
イオン注入レジスト
注入レジストのレジストの構造と構造と原子状水素による原子状水素による除去性による除去性11○河野昭彦 ，山本雅史 ，新井祐 1，後藤洋介 1，信田拓哉 2，飯田貴之 2，田川精一 3，堀邊英夫 1,3

16:25-16:40

特別講演
1-11

（1 金沢工大，2(株)日東分析センター，3 阪大産研）

25

イノベーションのイノベーションの創出に創出に向けた産総研
けた産総研の産総研の取組 －ナノテク・ナノテク・材料・材料・製造技術と製造技術と標準計測技術を中心に・計測技術を中心に－○一村信吾（産業技術総合研究所）

27

Coffee break

座長：堀邊英夫（金沢工業大学）

16:40-17:05

17:05-19:00 金沢工業大学見学会
金沢工業大学見学会（見学会（ライブラリーセンター，ライブラリーセンター，夢考房 26，夢考房 41，自習室）自習室）
19:00-20:30

懇親会（懇親会（金沢工業大学 カフェテリア「カフェテリア「IL SOLE」）

6 月 18 日（土）オーラルセッション（オーラルセッション（Ⅲ）
2-01

2-02

9:00- 9:259:25- 9:40

座長：河野昭彦（金沢工業大学）

特異な特異な熱電子励起プラズマ
熱電子励起プラズマ CVD －メタンガスによるメタンガスによる新規による新規な新規な炭素物質の炭素物質の合成－合成－（依頼講演）
依頼講演）○生地文也，長井達三（九州共立大 総合研究所）

29

Cat-CVD SiNx/a-Si 積層膜が積層膜が c-Si に対する高品質界面特性
する高品質界面特性を高品質界面特性を有する原因する原因の原因の究明*○小山晃一 1,2，東嶺孝一 1,2，加藤和也 1,2，大平圭介 1，大塚信雄 1,2，松村英樹 1,2（1 北陸先端大，2JST-CREST）

2-03

9:40- 9:55

33

Cat-CVD SiNx/a-Si 積層膜の積層膜の Si(111)面に対する表面再結合抑制効果
する表面再結合抑制効果*○加藤和也 1,2，小山晃一 1,2，大平圭介 1，松村英樹 1,2

2-04

2-05

9:55-10:10

10:10-10:25

10:25-10:40（1 北陸先端大，2JST-CREST）

35

リン系リン系ラジカルをラジカルを用いた低温
いた低温ドーピング
低温ドーピング*○早川太朗 1,2，中島祐貴 1,2，小山晃一 1,2，大平圭介 1，松村英樹 1,2（1 北陸先端大，2JST-CREST）

37

触媒分解により触媒分解により生成により生成した生成したラジカルしたラジカルをラジカルを用いた結晶
いた結晶シリコン結晶シリコンへのシリコンへの低温への低温ドーピング
低温ドーピング*○中島裕貴 1,2，早川太郎 1,2，小山晃一 1,2，大平圭介 1，松村英樹 1,2（1 北陸先端大，2JST-CREST）

39

Coffee Break

10:40-12:10 ポスターセッション
司会：河野昭彦（金沢工業大学）
P1
触媒反応で生成されたされた水蒸気分子
水蒸気分子とジメチル亜鉛
亜鉛からのからの酸化亜鉛薄膜形成機構
触媒反応で生成された水蒸気分子とジメチル亜鉛からの酸化亜鉛薄膜形成機構*○石川卓末 1，西原裕心 1，梅本宏信 1，安井寛治 2，西山洋 2，井上泰宣 2，牛島満 3P2P3（1 静岡大，2 長岡技大，3 東京エレクトロン）

41

加熱触媒体上で加熱触媒体上で発生させた発生させた水素原子させた水素原子と水素原子と赤リンからのリンからの PH3 生成*○西原裕心 1,2，石川卓末 1,2，梅本宏信 1,2（1 静岡大，2JST-CREST）

43

Hot-wire CVD 法による nc-SiC 薄膜の薄膜のポリタイプ制御
ポリタイプ制御の制御の試み*○林功太郎 1，寺澤祥 1，濱口智成 1，吉田憲充 1，夏原大宗 2，野々村修一 1（1 岐阜大院，2 岐阜大）*

優秀発表賞審査講演45

P4P5P6P7P8P9ナノ結晶
ナノ結晶 3C-SiC:H 薄膜を薄膜を用いたヘテロ
いたヘテロ接合
ヘテロ接合の接合の素子特性への素子特性への水素希釈への水素希釈ガス
水素希釈ガスのガスの与える*
影響○佐藤慎一郎，田畑彰守（名古屋大院）47

原子状水素供給スパッタリング
原子状水素供給スパッタリング法
スパッタリング法を用いたシリコン
いたシリコン薄膜
シリコン薄膜の薄膜の高性能化*○浅野英輝，清水耕作
（日大）

49

水素ラジカル
水素ラジカルをラジカルを用いたはんだバンプ
いたはんだバンプ均一処理条件
バンプ均一処理条件の均一処理条件の検討*○太夫本悟 1，田畑浩二 1，鎌谷良介 1，野北寛太 2，和泉亮 1（1 九州工大院，2 福岡県産業・科学技術振興財団）

51

フラッシュランプアニールにフラッシュランプアニールにより形成より形成した形成した poly-Si 薄膜の薄膜の欠陥密度低減化*○澤田恵佑 1，石井翔平 1，渡村尚仁 1，大平圭介 1,2，松村英樹 1（1 北陸先端大，2JST さきがけ）

53

湿潤オゾン
湿潤オゾンによるオゾンによる加速による加速エネルギー
加速エネルギーのエネルギーの異なるイオン
なるイオン注入
イオン注入レジスト
注入レジストのレジストの除去性*
1○後藤洋介 1，安形行 1，，山本雅史 1，信田拓哉 2，飯田貴之 2，河野昭彦 1，堀邊英夫 1,3（1 金沢工大，2(株)日東分析センター，3 阪大産研）

55

広 五十嵐壮紀

変湿潤オゾン
湿潤オゾンによるオゾンによる化学構造による化学構造を
化学構造を えたポリマー
えたポリマーのポリマーの除去性*○安形行 1，後藤洋介 1，船宏 1，河野昭彦 1，広坂知

牧平尚久 ，小池国彦 ，
山岸忠明 ，堀邊英夫
2

2

3

1,4

（ 金沢工大， 岩谷産業(株)， 金沢大， 阪大産研）
1

P10P11秒

34照射

遠*（長岡技大）

実時間 そ 場観察

Lunch

*

59

共鳴

水素ラジカルによる有機薄膜表面処理
・ の電子スピン
水素ラジカルによる有機薄膜表面処理の有機薄膜表面処理の電子スピン*（ESR）解○ 見直也 1，石川健治 1，河野昭彦 2，堀邊英夫 2，竹田圭吾 1,3，近藤博基 1，関根誠 1,3，堀勝 1,3（1 名古屋大院，2 金沢工大，3JST-CREST）

析57

圧非平衡プラズマによるプラズマによる有機金による有機金属錯体の分解
忠親，江偉華，鈴木常生，末松久幸，新原晧一

ナノ パルス電
パルス電 を用いた大気
いた大気○ 藤慎，中山

鷲

12:10-13:00

源2

優秀発表賞審査講演61オーラルセッション（
オーラルセッション（Ⅳ） 座長：梅本宏信（静岡大学）
2-06 13:00- 13:25 超熱エネルギービームによるームによる材料加工による材料加工・材料加工・評価技術（評価技術（依頼講演）
依頼講演）

○松尾二郎

1,2

（1 京大院，2JST-CREST）

2-07

13:25-13:40

63

Investigation of the passivation property of SiNx/Si-rich SiNx stacked layers on
crystalline silicon wafers*○Trinh Cham Thi 1，小山晃一 1,2，大平圭介 1，松村英樹 1,2（1 北陸先端大，2JST-CREST）

2-08

13:40-13:55

65

Cat-CVD アルミナパッシベーション膜
アルミナパッシベーション膜による太陽電池による太陽電池 n-Si の表面再結合の表面再結合の抑制*

會澤洋太朗，荻田陽一郎○（神奈川工科大）2-09

13:55-14:10

探索

Cat-CVD 低温アルミナ
低温アルミナ作製用
アルミナ作製用 TMA 分解触媒体の分解触媒体の*67

齋藤直之，荻田陽一郎

○

2-10

14:10-14:35（神奈川工科大）69

圧放電により生成により生成した生成した窒素原子密度した窒素原子密度の窒素原子密度の計測（計測（依頼講演）
依頼講演）○稲永康隆 ，生沼学 ，谷村泰宏 ，渡辺謙資（ 三菱電機(株)先端技術総合研究所， 東芝三菱電機産業システム(株)）71大気1114:35-14:50

1122Coffee Break

オーラルセッション（オーラルセッション（Ⅴ） 座長：清水耕作（日本大学）
2-11 14:50-15:15 基板表面活性化による性化による低温炭化による低温炭化珪素成膜法（素成膜法（依頼講演）
依頼講演）

羽深等

○（2-122-13

15:15-15:30

15:30-15:45

横国大工学研究院）

析

カーボンナノチューブのカーボンナノチューブの原子状水素による原子状水素によるエッチングによるエッチングとエッチングとアトムプローブによるアトムプローブによる分による分○谷口 宏， 澤 ，西川治（金沢工大）

昌

変

柳 歩

化学構造をえたポリマーポリマーの化学構造を えた
ポリマーの原子状水素による原子状水素による除去性による除去性*○新井祐 1，渡 誠 1，河野昭彦 1，山明 2，堀邊英夫 1,312（ 金沢工大， 金沢大，3 阪大産研）

邉7579

岸忠*

優秀発表賞審査講演

81

2-14

15:45-16:00

Effect of H atoms generated by Cat-CVD system on silver nanoparticle growth*○Nguyen Kieu Thi Thanh，大平圭介，松村英樹（北陸先端大）2-15

16:00-16:15

83

HWCVD 法により堆積により堆積した
堆積した SiCN 膜の耐候性評価*○川原淳樹 1，緒方徹 1，河島慎吾 1，門谷豊 2，和泉亮 1,2（1 九州工大院，2 トップマコート(株)）2-16

16:15-16:30

85

Cat-CVD 法を用いたガスバリア
いたガスバリア膜
ガスバリア膜における基板凹凸における基板凹凸の基板凹凸の影響*○渡部五常，大平圭介，松村英樹（北陸先端大）16:30-16:55

表彰式・表彰式・クロージング・クロージング・次回開催案内

司会：堀邊英夫（金沢工業大学）*

優秀発表賞審査講演‐口頭発表時間
口頭発表時間‐時間‐

・ 基調講演，基調講演，特別講演，特別講演，依頼講演：
依頼講演：発表（20 分）＋ 質疑・応答（4 分）＋ 交代（1 分）
・ 一般講演：一般講演：発表（10 分）＋ 質疑・応答（4 分）＋ 交代（1 分）‐ポスター発表
ポスター発表時間
発表時間‐
時間‐

・発表（3 分）＋ 質疑・応答（2 分）（ポスター前で行う）

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