第 4 回 実行委員長
開催

和泉亮（九州工業大学）

2007 年 6 月 29 日（金）午後から 30 日（土）会場： 北九州市立男女共同参画センター"ムーブ"

６月２９日
開始

終了

講演題目、発表者（○：登壇者）、所属

13:00 13:10 オープニング
セッション１－１ 座長：中山弘（ＭＤＦ）
０１．フラッシュランプアニールにより作製されるボトムゲート型多結晶薄膜トランジスタの開発（1）
13:10 13:25○西崎昭吾、遠藤洋平、藤原友子、大平圭介、松村英樹(北陸先端科学技術大学院大学)
０２． 超撥水 PTFE 薄膜の作製

13:25 13:40○安岡裕章、大平圭介、松村英樹(北陸先端科学技術大学院大学)【招待講演】

13:40 14:10

０３． 高温タングステン表面での有機ケイ素のフラグメンテーション
吉村智 1、○木内正人 1,2、竹内孝江 2,3、浜口智志 1(1 大阪大学、2 産業技術総合研究所、3 奈良女子大学)
０４． 酸化耐性のある金属キャタライザによるＴＭＡの解離特性14:10 14:25○荻田陽一郎、工藤嗣友(神奈川工科大学)
０５． 酸素／水素混合系触媒分解過程における水素原子の検出

14:25 14:40○梅本宏信(静岡大学)

14:40 15:00 休憩
セッション１－２ 座長：梅本宏信（静岡大学）【招待講演】
15:00 15:30

０６． 「水素原子と表面の反応」○成田克、並木章(九州工業大学)

15:30 16:00【招待講演】
０７． 原子状水素による EUV ミラーのクリーニング○西山岩男 1、甕久実 1、老泉博昭 1、和泉亮 2、並木章 2(1 技術研究組合超先端電子技術開発機構、2 九州工業大学)【招待講演】
16:00 16:30

０８． 新型両面電極パッケージおよび銅金属粒子直描配線技術の取組○石原政道、和泉亮(九州工業大学)

16:30 16:50 休憩
セッション１－３ 座長：部家彰（兵庫県立大学）
０９．Hot-wire を用いた化学輸送成長による Ge 薄膜の作成
16:50 17:05○成田知岐、成瀬恒平、鈴木幾己、飯田民生、小川俊輔、吉田憲充、磯村雅夫、野々村修一(岐阜大学)
１０． 熱触媒生成水素ラジカルを用いた EUV リソグラフィ光学系のための Sn クリーニング

17:05 17:20○三浦央、酒井朗、弓場愛彦、赤坂洋一(大阪大学)
１１．Si-ULSI における Cu 配線への Cat によるラジカル窒化膜の適用

17:20 17:35○武山真弓 1、佐藤勝 1、青柳英二 2、野矢厚 1(1 北見工業大学、2 東北大学)
１２． 水素ラジカルを用いたレジスト剥離(3)17:35 17:50○堀邊英夫 1、山本雅史 1、市川智和 2、高尾和久 3、松村英樹 2(1 金沢工大、2 北陸先端科学技術大学院大学、3 東京応化工業)

18:00 20:00 懇親会 （九州厚生年金会館）

６月３０日
開始

終了

講演題目、発表者（○：登壇者）、所属

セッション２－１ 座長：成田克（九州工業大学）
１３．Cat-CVD によるカーボンナノチューブ光放射吸収層の作製09:50 10:05○谷治環、新里雅巳、小野寛方、大谷文雄(埼玉大学)
１４．ホットワイヤーCVD 法によるカーボンナノウォール作製におけるバイアス印加効果

10:05 10:20○島袋誠司、畠山雄一、久永優、他田桂一朗、伊藤貴司、野々村修一(岐阜大学)

【招待講演】
10:20 10:50

１５． 薄膜の応力とその発生メカニズム○生地文也(九州共立大学)

10:50 11:05 休憩
セッション２－２ 座長：武山真弓（北見工業大学）
１６．ルテニウム担持したタングステン Hot-mesh CVD 法による GaN 膜成長○深田祐介 1、小前泰彰 1、黒木雄一郎 1、末光眞希 2、伊藤隆 2、成田克 3、遠藤哲郎 4、中澤
11:05 11:20 日出樹 5、高田雅介 1、安井寛治 1、赤羽正志 1(1 長岡技術科学大学、2 東北大学学際科学国際高等センター、3 九州工業大学、4 東北大学電気通信研究所、5 弘前大学)
１７．Cat-CVD 法による裏面電極型 HIT 太陽電池製作の可能性の検討
11:20 11:35○小山晃一、大平圭介、松村英樹(北陸先端科学技術大学院大学)
１８． 第三電極を有するマグネトロンスパッタ法による ZnO 透明導電膜の電気特性の均一性の改善

11:35 11:50○朝野章 1、尾辻美紅 1、山田覚 2、片桐裕 2、増田淳 3、黒木雄一郎 1、安井寛治 1、高田雅介
1、赤羽正志 1(1 長岡技術科学大学、2 長岡高等工業専門学校、3 産業技術総合研究所)
１９． 有機金属原料を用いた MO-Cat-CVD 法の開発と応用

11:50 12:05○中山弘、畑強之、伊藤道弘(マテリアルデザインファクトリー)

12:05 13:10 昼休み
ポスターセッション【招待講演】
２０．石英管で輸送した原子状水素による EUV リソグラフィ用多層膜のクリーニング○老泉博昭 1,2、甕久実 1、西山岩男 1、宮崎靖雄 2、和泉亮 2、並木章 2(1 技術研究組合超先端電子技術開発機構、2 九州工業大学)
13:10 14:10
２１．Cat-CVD SiN ゲート絶縁膜の TFT 特性の安定化に与える影響○西崎昭吾、大平圭介、松村英樹(北陸先端科学技術大学院大学)

２２．パルス制御核発生法による Si(001)-2°off 基板上での Ge ナノドットの形成と制御○須藤晴紀、荻原智明、西山洋、安井寛治、井上泰宣、赤羽正志、高田雅介(長岡技術科学大学)

２３．HWCVD 法により作製した SiCN 膜の XPS 解析○松尾亘祐、林祐史、生田哲大、中村郁浩、和泉亮(九州工業大学)

２４．HWCVD 法により作製した SiCN 膜の電気容量特性評価○林祐史、松尾亘祐、中村郁浩、生田哲大、和泉亮(九州工業大学)

２５．Cat-CVD 法による HMDS を用いたガスバリア膜の作製Ⅱ○太田泰広、小栁津拓哉、大平圭介、松村英樹(北陸先端科学技術大学院大学)

２６．原子状水素を用いたプラスチック基板の表面処理○部家 彰、佐藤真彦、松尾直人(兵庫県立大学)
セッション２－３ 座長：大平圭介（北陸先端科学技術大学院大学）【招待講演】
14:10 14:40

２７．Cat-CVD 法による高融点半導体の結晶成長－SiC の低温へテロエピ技術－○安井寛治(長岡技術科学大学)
２８．Hot-Mesh CVD 法を用いた極薄 SOI 基板上への 3C-SiC 成長

14:40 14:55○三浦仁嗣 1、安部和貴 1、増田淳 2、黒木雄一郎 1、西山洋 3、安井寛治 1、高田雅介 1、井上泰宣 3、赤羽正志 1(1 長岡技術科学大学、2 産業技術総合研究所、3 長岡技術科学大学分析センター)
２９．フィラメント基板間距離を変えて作製したＣａｔ-ＣＶＤ法によるナノ結晶 3C-SiC 薄膜の膜特性

14:55 15:10○田畑彰守 1、香村勇介 1、蘇志成 2、近藤明弘 2(1 名古屋大学、2 岐阜大学)

15:10 15:30 休憩
セッション２－４ 座長：安井寛治（長岡技術科学大学）
15:30 16:00 【招待講演】

３０．Cat-CVD 技術の基礎と実用化の現状○松村英樹(北陸先端科学技術大学院大学)
３１．Cat-CVD 用金属キャタライザの耐酸化特性
16:00 16:15○工藤嗣友、荻田陽一郎(神奈川工科大学)
３２．タングステン触媒体のシリサイド化と温度変動に関する考察

16:15 16:30○本田和広、大平圭介、松村英樹(北陸先端科学技術大学院大学)
３３．プラズマアシスト有機触媒 CVD によるガスバリヤフィルムの開発

16:30 16:45○中山弘、畑強之、伊藤道弘(マテリアルデザインファクトリー)
３４．Cat-CVD 法による SiNx 膜の半導体デバイスへの適用

16:45 17:00○藤長徹志、山本裕子、高木牧子、橋本正典、浅利伸、斎藤一也(アルバック)

17:00 17:20 クロージング