2024年7月期第3四半期
決算概要
サムコ株式会社
証券コード：6387 東証プライム
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24/7⽉期第3Qの実績（ 2023.8.1 ～ 2024.4.30 ）Page 2

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24/7月期第3四半期 業績
 売上高 57.5億円（前年同期比＋3.3%）
 営業利益 12.9億円（前年同期比△1.8%）• 営業利益率22.4％。

 受注高 56.6億円（前年同期比△11.1%）• 受注残高53.2億円。（前年同期比△8.7%）
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24/7月期第3Q 実績報告
（単位：百万円）

23/7月期3Q実績

24/7月期3Q
実績

前年同期比

売上高

Net Sales

5,576

5,759

3.3 %

売上総利益

Gross Profit

2,791

2,852

2.2 %

50.1 %

49.5 %

－

1,314

1,291

△ 1.8 %

23.6 %

22.4 %

－

1,349

1,384

2.6 %

966

972

0.6 %

売上高総利益率

営業利益
営業利益率

Gross Profit Ratio

Operating Profit
Operating Profit Ratio

経常利益

Ordinary Profit

当期純利益

Net Income

 原材料価格の上昇はあるものの、原価低減や操業度向上などにより、売上高総利益率は高水準を維持。
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24/7月期第3Q 装置別売上高（単位：百万円）

23/7月期3Q
売上高

24/7月期3Q

構成比

売上高

前年同期比

構成比

CVD装置

1,000

17.9 %

1,135

13.5 %

19.7 %

エッチング装置

2,631

47.2 %

3,192

21.4 %

55.5 %

洗浄装置

569

10.2 %

456△ 19.9 %7.9 %部品・メンテナンス

1,376

24.7 %

975△ 29.1 %16.9 %

合計

5,576

100.0 %

5,759

3.3 %

100.0 %【CVD装置】 半導体レーザー向けや高周波デバイス向け（化合物半導体分野）での販売。
【エッチング装置】 半導体レーザー向け、高周波デバイス向け、パワーデバイス向け（化合物半導体分野）、
欠陥解析向け（シリコン半導体分野）での販売。
【洗浄装置】 高周波デバイス向けや半導体レーザー向け（化合物半導体分野）での販売。
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24/7月期第3Q 用途別売上高（単位：百万円）

23/7月期3Q
売上高

24/7月期3Q

構成比

売上高

前年同期比

構成比

化合物半導体分野

1,600

28.7 %

2,248

40.5 %

39.1 %

シリコン半導体分野

679

12.2 %

1,021

50.3 %

17.7 %

電子部品分野737

13.2 %

384△ 47.9 %6.7 %ヘルスケア関連分野

118

2.1 %

64

△ 45.9 %

1.1 %

その他

1,064

19.1 %

1,065

0.1 %

18.5 %

部品・メンテナンス

1,376

24.7 %

975△ 29.1 %16.9 %

合計

5,576

100.0 %

5,759

3.3 %

100.0 %

当第2四半期決算より、当社の事業形態を分かりやすく反映させるため、用途区分を変更しております。
（詳細は次ページ参照ください）
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用途別売上高区分 当第2四半期決算より区分を変更しております
⽤ 途

概

要

化合物半導体分野

GaN（窒化ガリウム）、GaAs（ガリウムひ素）、InP（インジウムリン）、SiC（炭化シリコン）などの化合物を材料に用いた半導体デバイスの加工用途であります。化合物半導体はLEDや半導体レーザーといった光デバイス、電力の制御や増幅に使われるパワーデバイスや高速通信を実現するHEMT（High Electron Mobility Transistor＝
高電子移動度トランジスタ）などの高周波デバイスに用いられます。

シリコン半導体分野

シリコンウェハーの欠陥解析及びシリコン半導体に関する加工用途であります。

電子部品分野半 導 体 を 除 く 電 子 部 品 の 加 工 用 途 で あ り ま す 。 主 に MEMS （ Micro Electro
Mechanical Systems＝微小電気機械システム）、コンデンサ、インダクタ、各種センサー、高周波フィルターが含まれます。

ヘルスケア関連分野

マイクロ流体デバイスなどヘルスケアに関する加工用途であります。

その他

大学等の共用設備向けの装置など上記以外の加工用途であります。

部品・メンテナンス

部品・メンテナンスに関する売上であります。
第45期第2四半期 決算短信（2024.3.13提出）よりPage 7

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24/7月期第3Q 目的別売上高（単位：百万円）

23/7月期3Q
売上高

24/7月期3Q

構成比

売上高

前年同期比

構成比

生産用

2,282

40.9 %

2,125△ 6.9 %

36.9 %

研究開発用

1,918

34.4 %

2,658

36.6 %

46.2 %

部品・メンテナンス

1,376

24.7 %

975△ 29.1 %16.9 %

合計

5,576

100.0 %

5,759

3.3 %

100.0 %

【生産用】 エッチング装置を中心に、半導体レーザー、欠陥解析向けなどで販売。
【研究開発用】 半導体レーザー、高周波デバイス、パワーデバイス、多目的研究開発、共用設備への販売。
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24/7月期第3Q 地域別売上高（単位：百万円）

23/7月期3Q
売上高

24/7月期3Q

構成比

売上高

前年同期比

構成比

（国内）

3,550

63.7 %

3,196△ 10.0 %55.5 %（海外合計）

2,026

36.3 %

2,562

26.5 %

44.5 %

アジア

1,564

28.1 %

2,036

30.1 %

35.4 %

北米

397

7.1 %

523

31.6 %

9.1 %

欧州

63

1.1 %

2

△ 95.7 %

0.0 %

その他

－

－

0

－

0.0 %

5,576

100.0 %

5,759

3.3 %

100.0 %

合計

 海外売上高比率 44.5% （通期計画は43.4%） 。
 アジア市場：中国1,328百万円、韓国424百万円、台湾196百万円、以下 インド、フィリピン、シンガポールほか。
 北米市場：コロナ後の落ち込みから挽回。
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受注環境 （受注高、受注残高）の変化（単位：百万円）

6,500
6,000
5,500
5,000
4,500
4,000
3,500
3,000
2,500
2,000
1,500
1,000
500
0

6,019
受注高

5,027

受注残高
3,791

4,139

5,418 5,393
4,976

5,323

4,451

2,894 3,027
2,460 2,316

2,440 2,339
1,709

1,503 1,680
680
1Q

2Q

3Q

20/7月期
Page 10

5,704 5,828

1,534
1,462 1,646 1,411

2,173
1,818 1,940 1,849
1,669

4Q

3Q

1Q

2Q

21/7月期

4Q

1Q

2Q

3Q

22/7月期2,709 2,419

4Q

1Q

2,106 1,851 1,843

2Q

3Q

23/7月期

4Q

1,355
1Q

2,307 2,001

2Q

3Q

24/7月期

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24/7月期事業計画（ 2023.8.1 ～ 2024.7.31 ）Page 11

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中期経営計画 目標数値
（単位：百万円）

23/7月期
実績

上半期
実績

下半期
計画

通期

25/7月期
計画

高

7,830

4,105

4,394

8,500

11,000

売 上 総 利 益

3,869

2,052

2,072

4,125

5,180

営

業

利

益

1,858

1,012

977

1,990

2,600

経

常

利

益

1,927

1,063

946

2,010

2,610

当 期 純 利 益

1,366

747

622

1,370

1,780

海外売上高比率34.3 %

43.4 %

45.5 %

R

12.9 %
170.07

11.8 %
170.5613.8 %
221.4

売

上

O

E

1株当たり当期純利益（円）Page 1224/7月期 計画

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参考資料

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会社概要
商
代

表

設

号

サムコ株式会社 Samco Inc.

者

代表取締役会長 兼 CEO 辻 理（つじ おさむ）
代表取締役社長 兼 COO 川邊 史（かわべ つかさ）

立

1979年（昭和54年）9月1日

本社所在地〒612-8443 京都市伏見区竹田藁屋町36

事 業 内 容半導体等電子部品製造装置の製造及び販売

売

上

高

78億3,059万円 （2023年7月期）

最新の会社案内はこちら

従

業

員

175名 （2024年1月）

当社のビジネスモデルはこちら

証券コードPage 14

左：川邊 史、右：辻 理

6387 （東京証券取引所 プライム市場）

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沿革（創業～2010年）
1979年9月

半導体製造装置の製造及び販売を目的として株式会社サムコインターナショナル研究所を設立

1980年7月

半導体プロセス用大型CVD（Chemical Vapor Deposition）装置の開発、販売を開始

1984年7月

東京都品川区に東京出張所（現東日本営業部）を開設

1987年2月

米国カリフォルニア州にオプトフィルムス研究所を開設

1997年11月

キリンビール株式会社と共同で、プラスチックボトルにDLC（ダイヤモンド・ライク・カーボン）膜を形成する技術を開発

2001年5月

日本証券業協会に株式を店頭上場

2004年12月

株式会社サムコインターナショナル研究所からサムコ 株式会社へ社名を変更

2010年4月

ジャスダック証券取引所と大阪証券取引所の合併に伴い、大阪証券取引所JASDAQ市場（2013年7月より東京証券取引所JASDAQ（スタンダード））に上場

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沿革の詳細はこちら

沿革（2011年～現在）
2013年7月

東京証券取引所JASDAQ（スタンダード）から市場第二部へ市場変更

2014年1月

東京証券取引所市場第二部から同第一部銘柄に指定

2014年5月

リヒテンシュタイン公国UCP Processing Ltd.の株式90％を取得し子会社化（samco-ucp AGに社名変更）

2016年9月

Aqua Plasmaを用いたプラズマ洗浄装置AQ-2000の開発、販売を開始

2020年7月

第二生産技術棟内にCVD装置のデモルームを開設

2021年12月

電子デバイス製造向けクラスターツールシステム「クラスターH 」の販売を開始

2022年3月

第二研究開発棟内にナノ薄膜開発センターを立ち上げ

2022年4月

東京証券取引所の市場区分の見直しにより、東京証券取引所市場第一部からプライム市場へ移行

Page 16

TM

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沿革の詳細はこちら

国内拠点、海外拠点

リヒテンシュタイン・
samco-ucp ltd.

つくば営業所
東⽇本営業部
東海⽀店

カリフォルニア州（シリコンバレー）
オプトフィルムス研究所

北京事務所
上海事務所

インド・
ベンガルールオフィス

マレーシア事務所

韓国事務所
台湾・新⽵事務所および
台南サービスオフィス

ニュージャージー州
イーストコーストオフィス

シンガポール⽀店

京都地区

海外営業・サービス拠点（計11拠点）
本社

研究開発センター

第⼆研究開発棟

海外売上高比率34.3％（2023年7月期実績）
現地の営業・サービス人員を強化し、海外市場の開拓を図る。
⇒インド・ベンガルールオフィスを開設（ 2022年7月）

製品サービスセンター
Page 17

⽣産技術研究棟

第⼆⽣産技術研究棟

各事業拠点の詳細はこちら

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製品ラインナップ
CVD (Chemical Vapor Deposition) 装置• ALD (Atomic Layer Deposition) 装置• プラズマCVD装置• 液体ソースCVD®装置

ドライエッチング装置• ICP (Inductively Coupled Plasma) エッチング装置• シリコン深掘り装置• RIE (Reactive Ion Etching) 装置

ドライ洗浄装置• Aqua Plasma® クリーナー• プラズマクリーナー• UVオゾンクリーナー
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品目別売上高 CVD装置
装置ラインナップ
・ALD (Atomic Layer Deposition) 装置
・プラズマCVD装置
・液体ソースCVD®装置
16.6%
23/7期
売上高構成比概 要
反応性の気体を基板上に供給し、化学反応によって薄膜を形成する装置で、一般に半導体、電子部品製造のための半導体膜、絶縁膜、金属膜などを形成するために使われます。当社が開発したLS（Liquid
Source）-CVD装置では、引火爆発性のあるガスを使用せず安全性に優れた液体原料を用いて、低温で均一性に優れた薄膜を高速で形成することが可能であります。
2015 年 12月 か ら 販 売 を 開 始 し た 原 子 層 堆 積 装 置 （ ALD＝ Atomic
Layer Deposition）はCVD装置に分類しております。ALD装置は、反応室に有機金属原料と酸化剤を交互に供給し、表面反応のみを利用して成膜を行う装置であり、高い膜厚制御性と良好な段差被覆性を実現することが可能であります。
第44期有価証券報告書（2023.10.24提出）より

CVD装置の詳細はこちら
CVD装置とは ⇒こちら
（半導体製造装置入門より）Page 19

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品目別売上高 エッチング装置
装置ラインナップ
・ICP (Inductively Coupled Plasma) エッチング装置
・シリコン深掘り装置
・RIE (Reactive Ion Etching) 装置
・XeF2ドライエッチング装置

概 要
各種半導体基板上の半導体薄膜、絶縁膜をはじめ微細加工が必要な材料をドライ加工する装置で、反応性の気体をプラズマ分解し、目的物と反応させて蝕刻いたします。当社独自のト
ルネードICP（Inductively Coupled Plasma＝高密度プラズマ）を利用するエッチング装置では、高密度プラズマを安定して生成し、高速で高精度の微細加工が可能であります。
第44期有価証券報告書（2023.10.24提出）より

23/7期
売上高構成比50.5%

エッチング装置の詳細はこちら
エッチング装置とは ⇒こちら
（半導体製造装置入門より）Page 20

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品目別売上高 洗浄装置
装置ラインナップ・Aqua Plasma® クリーナー・プラズマクリーナー
・UVオゾンクリーナー

10.7%

23/7期
売上高構成比概 要
実装基板や各種半導体基板などを溶液を用いずドライ洗浄する装置
で、減圧下で反応性の気体をプラズマ放電させて処理する装置や紫外線と高濃度オゾンの併用で処理する装置などがあります。当社のドライ洗浄装置は、ウエット洗浄では難しい超精密洗浄を高効率で行うことが可能であります。
2016年9月より販売を開始した水蒸気（H2O）を用いたプラズマ処理装置であるAqua Plasma（アクアプラズマ）洗浄装置は、金属酸化膜の還元、有機汚れの洗浄、樹脂接合、超親水化などの表面処理を、安全で環境に優しく行うことが可能であります。 第44期有価証券報告書（2023.10.24提出）より洗浄装置の詳細はこちら
洗浄装置とは ⇒こちら
（半導体製造装置入門より）Page 21

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品目別売上高 部品・メンテナンス
主な内訳
・部品、消耗品
・修理、改造・移設、作業・メンテナンス

概 要
当社装置の納品後のアフターサービスに係る売上を、部品・メンテナンスの売上高として計上しております。交換用の部品や消耗品をはじめ、装置の修理や改造、また装置の移設やそれに伴う作業費、メンテナンス費用等があります。
第44期有価証券報告書（2023.10.24提出）より

22.2%

23/7期
売上高構成比Page 22

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旧用途別売上高区分 当第1四半期決算までの区分
⽤

途

概

要

オプトエレクトロニク
ス分野

主に化合物半導体から作られるLED（Light Emitting Diode＝発光ダイオード）やマイクロLED、LD（Laser Diode＝半導体レーザー）、面発光レーザー（VCSEL）などの発光デバイスのほか、電気信号を
光信号に変換したり、逆に光信号を電気信号に変換したりする光通信用デバイスなどに関する分野。

電子部品分野パワーデバイス・高周波デバイス・各種センサー・MEMS（Micro Electro Mechanical Systems＝微小電気機械素子）・SAW（Surface Acoustic Wave＝弾性表面波）デバイス・量子デバイスなどに関する分野。

シリコン分野三次元LSI（Large Scale Integrated circuit）・三次元パッケージやウェハー欠陥解析などに関する分野。

実装・表面処理分野

ＩＣのパッケージングの洗浄や表面処理に関する分野であります。高密度実装に対応するために基板はますます小型化、薄型化、多ピン化しており、高度な洗浄機能が要求されております。

表示デバイス分野

有機EL（Electro Luminescence）、LCD（Liquid Crystal Display＝液晶表示素子）、VR（Virtual Reality）
ディスプレイなどに関する分野。

その他分野

上記以外の分野。

部品・メンテナンス

部品・メンテナンスに関する分野。

Page 23

第44期有価証券報告書（2023.10.24提出）より

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用途別売上高区分 当第2四半期決算より区分を変更しております
⽤ 途

概

要

化合物半導体分野

GaN（窒化ガリウム）、GaAs（ガリウムひ素）、InP（インジウムリン）、SiC（炭化シリコン）などの化合物を材料に用いた半導体デバイスの加工用途であります。化合物半導体はLEDや半導体レーザーといった光デバイス、電力の制御や増幅に使われるパワーデバイスや高速通信を実現するHEMT（High Electron Mobility Transistor＝
高電子移動度トランジスタ）などの高周波デバイスに用いられます。

シリコン半導体分野

シリコンウェハーの欠陥解析及びシリコン半導体に関する加工用途であります。

電子部品分野半 導 体 を 除 く 電 子 部 品 の 加 工 用 途 で あ り ま す 。 主 に MEMS （ Micro Electro
Mechanical Systems＝微小電気機械システム）、コンデンサ、インダクタ、各種センサー、高周波フィルターが含まれます。

ヘルスケア関連分野

マイクロ流体デバイスなどヘルスケアに関する加工用途であります。

その他

大学等の共用設備向けの装置など上記以外の加工用途であります。

部品・メンテナンス

部品・メンテナンスに関する売上であります。
第45期第2四半期 決算短信（2024.3.13提出）よりPage 24

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当社製品が用いられるアプリケーション（例）

MEMS

TSV

SiCパワーデバイス

GaNパワーデバイス

様々なアプリケーションの製造工程に当社の製品が使用されています。
LED

光導波路
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半導体レーザ（LD）

フォトニック結晶

GaAs高周波デバイス

SAWデバイス

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事業領域 化合物半導体の例
化合物半導体は、複数の異なる元素を組み合わせて作ることで、シリコンのような単元素の半導体では実現できない特性を得ることができます。
高速で動作する、高い耐熱性、低消費電力、発光するなどの優れた特性を持っており、スマートフォンの高周波デバイスやLD、LED、次世代パワーデバイスなどの材料として利用されています。
デバイスの例

材料の例

最終製品・用途の例

LD（半導体レーザー）

GaAs、InGaAsP、InP

スマートフォン顔認証システム、自動車の自動運転システム、
無線基地局・衛星、光通信

LED、マイクロLED

GaN、AlInGaP、GaP

液晶ディスプレイ、照明、自動車ヘッドライト

パワーデバイス

SiC、GaN、Ga₂O₃

鉄道車両インバーター、電気自動車の充電ユニット、データセ
ンター、ノートパソコン等の急速充電器

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地域別売上高区分
当社では、当社の製品が使用される地域（国）によって、売上高を以下の地域に区分しております。

地 域

対象となる国

日 本

日本国内

アジア

台湾、中国、韓国、シンガポール、マレーシア、タイ、ベトナム、インド ほか

北 米

米国、カナダ、メキシコ

欧 州

ブルガリア、ドイツ、イギリス、フィンランド、ポルトガル、スペイン、イタリア、トルコ ほか

その他

オーストラリア、エジプト ほか
当社 第44期有価証券報告書（2023.10.24提出）よりPage 27

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株式の状況 （2024年1月末時点）
・発行可能株式総数 14,400,000株
・発行済株式の総数 8,042,881株
・株主数 9,340名

・所有者別株式分布状況（株式数ベース）

・大株主の状況
持株数
（株）

持株比率
（％）

1,000,000

12.4

辻 理

863,707

10.7

サムコエンジニアリング株式会社

850,282

10.6

日本マスタートラスト信託銀行株式会社（信託口）

665,600

8.3

株式会社日本カストディ銀行（信託口）

377,300

4.7

辻 一美

201,465

2.5

野村信託銀行株式会社（投信口）

161,000

2.0

株式会社三菱UFJ銀行

129,600

1.6

サムコ従業員持株会

104,738

1.3

立田 利明

103,099

1.3

株主名
一般財団法人サムコ科学技術振興財団

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個人・その他
3,776,420株 （47.0%）
その他の法人
1,992,296株 （24.8%）
金融機関
1,919,100株 （23.9%）
金融商品取引業者 193,085株 （2.4%）
外国法人等
161,980株 （2.0%）

・所有者別株式分布状況（株主数ベース）
9,140名 （97.9%）
個人・その他
72名 （0.8%）
外国法人等
70名 （0.7%）
その他の法人
金融商品取引業者 36名 （0.4%）
22名 （0.2%）
金融機関

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1株当たり配当金、配当性向 推移
（円）

50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0

45.0
74.5%

45.0

80.0%

35.0
30.0

60.0%

25.0
18.0

20.0
45.2%

20.0
15.0

30.3%

20.0

39.4%

31.6%

31.9%

100.0%

26.7%

26.5%

26.4%

40.0%
20.0%

-45.4％
0.0%
15/7期

16/7期

17/7期

18/7期

19/7期

20/7期

1株当たり配当金

21/7期

22/7期

配当性向

23/7期

24/7期
（予定）

経営体質の強化と研究開発のための設備投資等のために必要な内部留保を確保しつつ、安定した配当を継続する基本方針のもと、余剰資金については業績連動的な配当の考え方を合わせて取り入れております。
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ESG・サステナビリティー

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持続可能な社会の実現に向けて サムコの取り組み
経営理念 ～薄膜技術で世界の産業科学に貢献する～≪気候変動・脱炭素への取り組み≫

・TCFD提言に基づいた情報開示。ESG委員会の活動による気候変動への対応状況把握、対策。
・環境方針（2006年制定）に沿った取り組みを実施。

E

当社が重点的に取り組むSDGs≪環境配慮型製品≫

環境・省エネ・脱炭素を支えるLED、次世代パワーデバイスの製造などを支える装置メーカー。
・コア技術である最先端の“薄膜技術”をベースに世界中の製造現場や研究者へ装置を提供。
・主な取り組みテーマ ①製品容積の減少、②消費エネルギーの削減、③会社消費電力量の削減、④グリーン調達、⑤廃棄物の削減≪事業を通じた社会的価値の創造≫

・顧客価値、取引先価値、社会的価値、株主価値、従業員価値の創造

S≪社会貢献、地域貢献≫

社会

G
ガバナンス

・サムコ科学技術振興財団による若手研究者への支援活動
・京都工繊繊維大学への寄附講座
・従業員、会社からの寄付金活動。（日本赤十字社、京都大学ほか／ウクライナ支援、トンガ大津波支援）≪ガバナンス体制、ダイバーシティ≫

・役員11名中、社外役員5名
・取締役会の実効性評価による改善、検討。
・多様な人材確保。（女性管理職の登用、外国籍社員の積極採用、中途採用含めた中核人材の多様性、シニア社員の活躍）

上記の取り組みに限らず、様々なチャレンジを続けることで、持続可能な社会の実現に貢献してまいります。
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サステナビリティに関する取り組み
取り組みテーマ

概 要

製品容積の減少

半導体製造装置の製造現場では、多大な電力を要するクリーンルームでの効率的な装置配置が不可欠です。そのためには、フットプリントの削減が重要なポイントとなります。更に小さなサイズの装置とすることで納品時における移送コストの削減を行うことができます。

消費エネルギーの削減

より少ない電力消費で当社装置を稼働できるよう省電力が可能となる部品の選択や構成の見直しなどを恒常的に行ってまいります。

会社消費電力量の削減

当社業務活動における電力消費、温室効果ガスの排出量削減を目指した取り組みを行ってまいります。

グリーン調達当社では、環境に配慮した原材料・部品を優先的に調達するグリーン調達を、調達先企業と協力して推進しております。

廃棄物の削減事業活動に伴い排出される廃棄物の量の削減・リサイクル製品の利用促進に継続的に取り組んでおります。
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TCFD対応
気候関連財務情報開示タスクフォース（TCFD）
G20財務大臣・中央銀行総裁会議の要請を受け、金融安定理事会（FSB）により2015年12月に設立された「TaskForce on Climate-related Financial Disclosures」の略称。
「ESG委員会」より、ガバナンス、戦略、リスク管理、指標と目標について当社ホームページ上で開示。

ESG委員会
気候変動に係るリスク及び機会、自社の事業活動や収益に与える影響についてのデータ収集と分析を行うため、代表取締役社長を委員長とする「ESG委員会」設置。
⇒活動内容を取締役会に年1回以上報告⇒財務への影響や中長期経営計画への影響等に対する検討を行う。

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省エネ、脱炭素社会実現を支えるサムコの技術
サムコの“薄膜技術”は省エネ・脱炭素を⽀えるLED、次世代パワーデバイスなどを⽀えています。
当社のコア技術である最先端の“薄膜技術”をベースに、SDGsに関連する環境・社会・ガバナンスの視点から研究開発、⼈材育成に注⼒。
最先端の製造装置を世界中の製造現場や研究者へ提供し、省エネ、脱炭素社会の実現に貢献していきます。

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サムコとSDGsの関わり
・当社の主な事業領域である半導体・電子部品製造装置事業は、SDGsの目標を達成するためには欠かせない技術です。
・SDGsの17の目標では、経済、産業、社会等の課題を取り扱っていますが、当社では、創業以来、「企業の永続的な発展を追求し、適正な利益を確保することにより、企業を取巻く利害関係者と共に成長する企業を目指して、薄膜技術で世界の産業科学に貢献する。」という経営理念を掲げて、社会への貢献に重きを置いてきました。
事業との関連性が高い以下の項目について、重点的に取り組んでまいります。

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サムコのSDGsの取り組み例
・マイクロ流体チップ、医療用ドライ滅菌装置の製造に当社アクアプラズマ技術の寄与を目指す。
・深紫外LED空気清浄機（コロナウィルス不活性化）製造に当社装置が寄与。
・医療機器、エコーヘッドセンサーの製造に当社装置が寄与。
・日本赤十字社への寄付。（ウクライナ支援、トンガ大津波支援等）
・国内外の大学（ODA案件を含む）・研究機関等における医療分野や科学分野の研究のために、幅広く当社装置を提供。
・サムコ科学技術振興財団を通じ、基礎・応用研究に携わる研究者を支援。
・京都工芸繊維大学にサムコ辻理寄附講座「先端材料科学講座」を開講。
・浄水場・家庭・職場・レストラン等での流水浄化用に水銀ランプの代替光源として、深紫外線LEDを利用した浄水器が製造。深紫
外線LEDの製造に当社装置が寄与。
・省エネの切り札である次世代パワーデバイスの材料として期待されるSiC（炭化シリコン）、GaN（窒化ガリウム）、酸化ガリウム（Ga₂O₃）等の加工に当社装置が寄与。
・高効率LED素子、マイクロLEDや、LD（レーザー）の製造のほか、太陽電池の研究開発用で当社装置を提供。
・当社はファブライト企業として、サプライヤーや協力工場と協業し、双方の事業発展を目指す。
・勤続年数に応じた表彰のほか、業績への貢献に応じた賞を用意。
・役職ごとの当社独自の人材育成プログラムを実施。
・多様な人材確保。（女性管理職の登用、外国籍社員の積極採用、中途採用含めた中核人材の多様性、シニア社員の活躍）
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サムコのSDGsの取り組み例
産業と技術革新の基盤造りのため、以下の用途等に装置を提供
・5G関連の高周波フィルター、高周波デバイスの製造やデータセンターなどVCSEL（面発光レーザー）を含む通信用LD（レーザー）用装置の製造。
・自動運転用のセンシング技術（LiDAR）、各種センサーや宇宙衛星の探索用センサー機器の製造。
・有機EL、マイクロLEDの製造。
・超伝導デバイス、量子デバイスの研究開発用途。
・人の健康や環境を守るために当社での製造過程、製品について適正な管理を実現する。
・環境に調和するプロセス技術の開発と、製造から廃棄までを考慮した環境負荷軽減型の製品開発に努める。
・省エネルギー、省スペースを基本とした製品を通じて環境負荷を低減。
・調達する原材料、部品について、環境影響を考慮するよう調達先に働きかけ、グリーン調達に注力。
・エネルギーの効率的な利用および3Rに取り組む。
・省エネルギー、省スペースを基本とした製品を通じて環境負荷を低減。
・コーポレートガバナンス・コードに基づいた経営を実践。
・管理職、新入社員を対象にしたコンプライアンス研修を定例的に実施。
・コンプライアンス全体を統括する組織として代表取締役社長を委員長とする「内部統制委員会」を設置し、内部統制システムの構
築、維持、向上を推進。

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サムコの人材育成方針
１．仕事は楽しく、面白くあるべきである。一所懸命に楽しく仕事をして、かつ面白い。そして良い結果がついてくる。そんな楽しく、面白い日々が日常である会社とする。
２．“学ぶ”を忘れない。学ぶことを常に念頭に置き、長きに渡り己を磨くことで自らの価値を高めてほしい。特に若手社員
は30代までに能力向上に勤しむ癖をつけなければならない。
３．リスキリングにより第一線で活躍できるスキルを身に付けることにより、70歳まで働ける企業としていく。シニア社員が十分社会貢献できるよう再教育することを会社の使命と考える。
４．外国籍社員の採用を増やし、若手社員の海外経験を増やすことによりグローバル人材の育成を図る。
５．階層別の教育訓練制度（部長塾、課長塾、成長塾）を発展的に継続し、多角的な視野で経営管理できる人材の育成を図る。
６．たえず組織の新陳代謝を図り、新たな細胞（多様な人材）を積極的に登用していく。人事異動は社員の層を厚くし、組織を重層化する目的もあり、新たな能力の開拓につなげる。女性社員も大きな戦力として、管理職で活躍をしてもらえるように環境を整備する。

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資本コストや株価を意識した経営の実現に向けた対応
当社は、中長期的な経営指標として「装置製造原価率50％未満」「売上高営業利益率20％以上」「海外売上高比率50％以上」を掲げ、収益性と成長性を重視した経営の実現に向け対応しております。

ROEの実績（3期分）、計画（2期分）
20.0%
18.0%
16.0%

当社の2023年7月期（第44期）のROEは12.9%であり、第45期には11.8%、
第46期には13.8%とする計画であります。また、「資本コスト」については、
その概念や計算方法について統一的な基準が示されておらず、一般的な指標になっていないことより、当社の経営指標や開示情報には用いておりませんが、新規事業等への新たな投資については現状のROE水準を意識した経営を実践しております。

14.0%

なお、当社の2023年7月末時点のPBRは3.83倍となっており、株価についても意識した経営を継続いたします。
コーポレートガバナンス報告書（2024.4.4提出）より

0.0%

ROE

PER

PBR

（Return On Equity）
自己資本当期純利益率（Price Earnings Ratio）
株価収益率（Price Book-value Ratio）
株価純資産倍率

12.9%
10.8%

12.0%
10.0%

13.8%
11.8%

8.3%

8.0%
6.0%
4.0%
2.0%
21/7月期 22/7月期 23/7月期 24/7月期 25/7月期
実績
実績
実績
計画
計画

コーポレートガバナンス報告書はこちら
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株主・投資家との対話状況
基本方針
当社は、持続的な企業価値の向上のために、株主との間で建設的な対話を行うこととしております。株主との対話につきましては、代表取締役社長 川邊 史の管掌の下、専任部署である広報・IR室（2024年6月現在3名）を中心に、経理部、総務部、社長室などの関連部署と密接に連携しつつ、IR活動を行っています。また、対話に際しては内部規定に基づき未公表のイン
サイダー情報の管理を徹底しております。

対話を行った株主の概要 対象期間：2022年8月1日から2023年7月31日までの1年間【機関投資家・アナリスト向け】
・1 on 1 ミーティング 118件 （国内100件、海外18件）
・スモールミーティング 年5回・機関投資家・アナリスト向け オンライン決算説明会 年2回 （Zoomウェビナー形式／中間3月、期末9月）【個人投資家向け】
・株主総会後の会社説明会 年1回 （10月）・第44期年次報告書にて株主アンケートを実施
・個人投資家からの電話・メール問い合わせ対応 随時
その他、対話の実例、取締役会に対するフィードバック、取り入れた事項などはHPに掲載 ⇒ 株主・投資家との対話状況の詳細はこちら
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IRカレンダー

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お問合わせ

広報・IR室E-mail : koho@samco.co.jp
URL: www.samco.co.jp

Better Tomorrow Driven by Thin Film Technology

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