第 16 回 Cat-CVD 研究会

講演プログラム

令和元年 7 月 19 日（金）、20 日（土）BIZ SPACE 姫路

7 月 19 日（金）13:00～13:30 研究会 受付
13:30～13:35 開会挨拶
13:35～14:55
O-01

セッション１

座長：堀邊 英夫（大阪市立大学）： 13:35～14:15･･･････････････････････････････1

Cat-CVD 技術の最新動向（招待講演）
松村 英樹
北陸先端科学技術大学院大学
O-02： 14:15～14:35･･･････････････････････････････5

H2O/H2 分解種を用いた直接酸化における Si 基板の結晶面方位依存性
福島 和哉*、田原 慎一、片宗 優貴、和泉 亮
九州工業大学O-03： 14:35～14:55･･･････････････････････････････7

Cat-CVD チャンバーでの NH3 系ラジカルが SiNx 膜のパッシベーション性能に及ぼす
影響
住友 誠明(1,*)、大平 圭介(1)(1) 北陸先端科学技術大学院大学
14:55～15:05 休憩
15:05～16:25
O-04

セッション２： 15:05～15:45

座長：和泉 亮（九州工業大学）･･･････････････････････････････9

ラジカル高密度化への道（招待講演）
梅本 宏信
静岡大学
O-05

： 15:45～16:05･･･････････････････････････････12

Hot-Wire を用いた新規原子状水素照射装置の紹介
神戸 正雄(1,*)、甲田 優太(1)、田村 弘毅(2)、大箭 哲史(2)、佐藤 絵理子(1)、堀邊 英夫(1)(1)大阪市大院工、(2)東京応化工業
O-06： 16:05～16:25･･･････････････････････････････14

水素ラジカルを用いた KrF/ArF レジスト用ベース樹脂の除去度における酸素添加効果山本 雅史(1,*)，城井 智弘(1)，長岡 史郎(2)、大平 圭介(3)、梅本 宏信(4, 5)、堀邊 英夫(5)(1) 香川高等専門学校（高松キャンパス）、(2) 香川高等専門学校（詫間キャンパス）、(3) 北陸先端科学技術大学院大学、(4) 静岡大学、(5) 大阪市立大学
16:25～16:35 休憩
16:35～17:55
O-07

セッション３

座長：伊藤 貴司（岐阜大学）： 16:35～17:15･･･････････････････････････････16

Hot-Filament を用いたガスソース MBE によるグラフェン成長（招待講演）
前田 文彦(1,3)、日比野 浩樹(2,3*)(1) 福岡工業大学工学部、(2) 関西学院大学理工学部、(3) NTT
O-08： 17:15～17:55･･･････････････････････････････20

生物酵素・ヒドロゲナーゼにおける水素合成・活性化触媒反応機構の構造化学（招待講演）
樋口 芳樹
兵庫県立大学大学院生命理学研究科
17:55～18:00 休憩18:00～20:00 ポスターセッション
P-01････････････････････････････････････････････････････23

シリコン太陽電池の正孔選択層応用へ向けた HWCVD による酸化タングステンの形成
陳 詩源*、白取 優大、宮島 晋介
東京工業大学P-02････････････････････････････････････････････････････25

X 線反射率法を用いた SiOCN 膜の評価
松本 真(1*)、筒井 逸仁(1)、片宗 優貴(1)、和泉 亮(1)(1)九州工業大学
P-03････････････････････････････････････････････････････27

SiCN 膜の表面組成および濡れ性の評価
森下 文広(1,*)、片宗 優貴(1)、和泉 亮(1)(1)九州工業大学
P-04････････････････････････････････････････････････････29

Control of Solution Wettability on Textured c-Si Prior to Cat-CVD of SiNx/aSi for Obtaining Extremely Low Surface Recombination Velocity of 0.6 cm/s
Cong Thanh Nguyen*, Keisuke Ohdaira, Hideki Matsumura
Japan Advanced Institute of Science and TechnologyP-05････････････････････････････････････････････････････31

nc-3C-SiC:H/c-Si ヘテロ接合素子特性に与えるバッファ層挿入の影響
亀山 航太(*)，田畑 彰守
名古屋大学大学院工学研究科
P-06････････････････････････････････････････････････････33

熱フィラメント CVD 法によるダイヤモンド(111)面の結晶成長とリンドーピング
片宗 優貴(1,*)、森 大地(1)、有川 大輔(1)、和泉 亮(1)(1) 九州工業大学
P-07････････････････････････････････････････････････････35

ペンタセンと Ni 担持 W メッシュを用いたナノグラフェン合成

部家 彰(1,*)、山崎 良(2)、松尾 直人(1)(1) 兵庫県立大学、(2) トーカロ
P-08････････････････････････････････････････････････････39n 型 a-Si への B の Cat ドーピングによる p 型 a-Si 作製の試み
鶴飼 太陽 (1,*)、大平 圭介(1)(1) 北陸先端大科学技術大学院大学
P-09････････････････････････････････････････････････････41

原子状水素による炭素汚染膜のオンサイト洗浄装置の開発
新部 正人(1,*)、徳島 高(1,2)、崔 藝涛(1,2)、堀川 裕加(3)、吉田 啓晃(4)(1) 兵庫県大学高度産業科学技術研究所、(2) (株)三佳ハイテクノロジー、(3) 山口大学院創成科学研究科、(4) 広島大学院理学研究科
P-10････････････････････････････････････････････････････43

Hot-wire 法で生成した原子状水素によるネガ型レジストの還元分解
竹森 友紀(1,*)、神戸 正雄(1)、甲田 優太(1)、山本 雅史(2)、田村 弘毅(3)、大箭 哲史(3)、佐藤 絵理子(1)、堀邊 英夫(1)(1) 大阪市大院工、(2) 香川高等専門学校、(3) 東京応化工業
P-11････････････････････････････････････････････････････47

原子状水素アニールを用いたポリテトラフルオロエチレンの表面改質
橋野 開(1,*)、大貫 智史(1)、部家 彰(1)、住友 弘二(1)(1) 兵庫県立大学
P-12････････････････････････････････････････････････････49

酸素雰囲気中で作製した AlOx/GeOx/a-Ge スタック構造に対する原子状水素アニー
ルの効果
大貫 智史(1,*)、部家 彰(1)、松尾 直人(1)、住友 弘二(1)(1) 兵庫県立大学

P-13････････････････････････････････････････････････････52

原子状水素、酸素プラズマ処理による酸化物半導体のギャップ内準位の変化
鈴木 貴祐(1*) , 清水 耕作(1)(1) 日大生産工P-14････････････････････････････････････････････････････55

金属援用終端法によるダイヤモンド中貫通転位の低減と縦型 SBD の特性改善
小林 篤史(1,2*)、大曲 新矢(1)、梅沢 仁(1)、齊藤 丈靖(2)、竹内 大輔(1)(1) 国立研究開発法人産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究セン
ター、(2) 大阪府立大学大学院工学研究科化学工学分野

7 月 20 日（土）9:00～9:15

研究会 受付

9:15～10:35

セッション４O-09： 9:15～9:55

座長：大平 圭介（北陸先端科学技術大学院大学）･･･････････････････････････････57

放射光軟Ⅹ線吸収分光法を用いた炭素材料のキャラクタリゼーション（招待講演）
村松 康司
兵庫県立大学工学研究科
O-10： 9:55～10:15･･･････････････････････････････61

熱フィラメント CVD 法によるダイヤモンド薄膜ホモエピタキシャル成長と 金属不純物導入効果
大曲 新矢
国立研究開発法人 産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター
O-11： 10:15～10:35･･･････････････････････････････62

酸素プラズマ処理したカーボンナノウォールの濡れ性とウォール間への溶液の侵入伊藤 貴司(*)、田邉 耕生、家田 祐輔、鈴木 友康、祖父江 弘志、山田 繁、野々村修一
岐阜大学 工学部 電気電子・情報工学科
10:35～10:45 休憩10:45～11:45
O-12

セッション５

座長：田畑 彰守（名古屋大学）： 10:45～11:25･･･････････････････････････････64

Ge MOS 界面の欠陥制御技術（招待講演）
高木 信一(1,*)、柯 夢南(1)、張 睿(1)、トープラサートポン・カシディット(1)、竹中 充(1)(1) 東京大学大学院工学系研究科 電気系工学専攻
O-13： 11:25～11:45･･･････････････････････････････68

In-Sn-Zn-O 薄膜の HW 水素化とポストアニール処理による TFT 信頼性向上評価
清水 耕作
日本大学大学院 生産工学研究科
11:45～11:50 閉会挨拶
（12:00～ 実行委員会）