応用物理学会
先進パワー半導体分科会
説明資料

1ポバール興業株式会社

は、研磨分野での長年の実績、知見を活かしてパッドの開発を行い、各種研磨用パッドを生産しています。
■ますます高精度化をもとめられる研磨分野において、クオリティーをより一層高め高性能を発揮するポバール興業の研磨パッド。
■パッドの基材である不織布製造から樹脂加工、溝加工まですべての加工を社内一貫生産。
■お客様個々のニーズに対応するアレンジも可能。
■グレードの高い製品力で応えます。

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Lineup
KV
Artificial

Material

2

Hardness (Asker C)

84～88

Density

0.4

Compressibility (%)

1.9

Si-face

Wafer

C-faceSapphire
GaN

PK500

PK520

2.5

1.3

1.3

1.3

1.5

1.5

87

95

9787

75

80

0.6

0.5

0.8

0.4

0.6

0.6

1.7

23.2

1.4

1.4

○○○○○○1.3

1.6
1.1○

○

○

c-faceGa-face○○○

Strong acid
Alumina

ZAN100 ZAN200
Urethane foama-faceSilicaSlurry○PK250Non-woven fabricleatherThickness (mm)SiC

PK100○○○○○○○○○○○※測定は弊社測定法に基づきます。数値は代表値であり保証値ではありません。

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【人工皮革】

KRKVR
人工皮革F20に立体加工を施したものです。
左から4-2S加工、8-3S加工、6-2S加工、6S加工

KR :人工皮革をバームクーヘン状に積層加工したもの。
KVR:積層加工の方向を変えたもの。

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【KV】

人工皮革層とウレタン樹脂層を組み合わせた研磨パッドです。
SiCのSi面で非常に良い面が得られています。
355.3nm/h※コロイダルシリカ使用

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【PK100】 Polishing pad for SiC(nm/h)

Removal rates ( SiC Si-face)

Wafer
Crystalorientation
Polytype

300

3inch SiC
off4±0.5°
4H

250

Testing condition
PAD-A, PK100(Low pressure)200

Machine150

FAM 32inch

Diameter of surface plate

φ812mmPressure

265g/cm2

Number of rotation

35 rpmslurry1waysilica

100

15ml/min50

Testing condition
PK100(High pressure)
0Machine

Competitor'sproduct
PAD-A

112.8nm/h

PK100(Low pressure)119.6nm/h

PK100(High pressure)280.3nm/h

FAM 32inch

Diameter of surface plate

φ812mmPressure

715g/cm2

Number of rotation

50 rpmsilicaslurry1way
50ml/minコロイダルシリカスラリーと相性の良い研磨パッドです。

※Data is based on our measurement method.

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【 PK250 】(nm/h)

Polishing pad for SiC

Removal rates ( SiC Si-face)
Wafer
Crystalorientation
Polytype

3000

2500

3inch SiC
off4±0.5°
4H

Testing condition
2000

1500

MachineFAM 32inch

Diameter of surface plate

φ812mmPressure715g/cm2

Number of rotation

50 rpmStrong acidslurry

1000

1way15ml/min※Data is based on our measurement method.

500

0Competitor's
PAD-Aproduct

PK2502072.5nm/h2542.4nm/h

強酸スラリーと相性の良い研磨パッドです。
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【PK500】 Polishing pad for Sapphire , GaN
Removal rates (Sapphire c-face)(μm/h)
18161412Testing condition
MachineFujikoshi 36inch
Diameter of surface plate
φ900mmPressure400g/cm2
Number of rotation
60rpm
Alumina
SlurryCirculation system
13L/min※Data is based on our measurement method.

108
6420
Competitor's
PAD-BproductPK500

7.59μm/h

16.64μm/h

アルミナスラリーと相性の良い研磨パッドです。
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【PK520】 Polishing pad for Sapphire
Removal rates (Sapphire c-face)(μm/h)
1412108

Testing condition
MachineFujikoshi 36inch
Diameter of surface plate
φ900mmPressure400g/cm2
Number of rotation
60rpm
Alumina
SlurryCirculation system
13L/min※Data is based on our measurement method.

6420

Competitor's
PAD-BproductPK520

7.59μm/h

12.23μm/h

アルミナスラリーと相性の良い研磨パッドです。
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【 ZAN100 】- 1
Removal rates ( SiC Si-face)

198.2nm/h

Testing condition ZAN100

Wafer
Crystalorientation
Polytype

MachineFAM 32inch

Diameter of surface plate

φ812mm3inch SiC

Pressure

400g/cm2

off4±0.5°

Number of rotation

50 rpm4H

非常に良い面状態に仕上がる研磨パッドです。

silicaslurry1way
20ml/min※Data is based on our measurement method.

10【 ZAN100 】- 2(μm/h)

Removal rates (Sapphire c-face)

2.5

21.5
10.50
Competitor's
PAD-Bproduct2.05μm/h

ZAN1002.11μm/h

Testing condition
MachineFujikoshi 36inch
Diameter of surface plate
φ900mmPressure
300g/cm2
Number of rotation
60rpm
SilicaSlurryCirculation system
13L/min

非常に良い面状態に仕上がる研磨パッドです。

※Data is based on our measurement method.

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パッド基材の不織布製作から樹脂加工、表面加工、溝加工まで全て社内一貫生産です。

お客様のニーズに応じて細かな対応を取ることができます。

カスタマイズも喜んでいたします。
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