Semiconductor International Capacity Statistics

SI AS
2009 年 8 月 18 日
SICAS 統計の 2009 年第 2 四半期（4–6 月）の数値公表
SICAS 統計（世界半導体生産キャパシティ統計）の 2009 年第 2 四半期(4 – 6 月)の数値がまとまりましたので公表致します。生産能力の数字は断りのない限り 8 ｲﾝﾁウェハ換算の数字です。
【総括】
2009 年第 2 四半期（2Q）の IC 合計(MOS IC+ﾊﾞｲﾎﾟｰﾗ)の生産能力は 1920.9 千枚/週で 2009 年 1Q の 1995.0千枚/週から-3.7%減少した。前期比伸長率は 2007 年 2Q に 5.3%、3Q に 6.1%、4Q に 1.2%、2008 年 1Q に 1.6%、
2Q に 2.1％、3Q に 1.2％と６期連続で堅調に増加基調を続けていたが、2008 年 4Q に-1.6％、2009 年 1Q に-8.8%、2Q に-3.7%と３期連続で減少方向になった。 なお、この 2009 年 2Q の前年同期比伸長率は-12.6%であった。
また、IC 合計の 2009 年 2Q における稼働率は、2009 年 1Q の 56.8%から 21.0 ポイント上昇し、77.8%となった。
2009 年 2Q の半導体合計（IC 合計+ﾃﾞｨｽｸﾘｰﾄ計）の生産能力は 2103.4 枚/週で前四半期（2009 年 1Q）の2183.2 枚/週から-3.7%減少した。2009 年 2Q の半導体合計の稼働率は 76.7%となり、2009 年 1Q の 55.6%から21.1 ﾎﾟｲﾝﾄ上昇した。
【概要】
１．生産能力MOS IC（MOS 計）の第 2 四半期（2Q）の生産能力は、1863.0 千枚/週で前四半期（2009 年 1Q）の 1942.1 千枚/週から-4.1%減少した。前年同期比伸長率は、-12.2%であった。
２．稼働率
MOS 計の稼働率は 2009 年 1Q の 57.1%から 21.3 ﾎﾟｲﾝﾄ上昇して、78.4%となった。
３．ファンダリー・ウェハの生産能力
MOS 計に占めるファンダリー・ウェハの生産能力(2Q)は、288.3 千枚/週であり、2009 年 1Q に対して前期比-2.6%の減少を示した。2Q の稼働率は、83.1%であり、2009 年 1Q から 33.0 ﾎﾟｲﾝﾄ上昇した。
４．ウェハサイズ別まとめ
MOS 計に占める 8 ｲﾝﾁウェハの生産能力は、679.7 千枚/週であり、2009 年 1Q に比べ-7.3%減少した。
SICAS では 2004 年 1Q から 12 ｲﾝﾁ（300mm）ウェハの統計を集計しているが、2009 年 2Q の生産能力は、8 ｲﾝﾁ換算で 958.1 千枚/週 (12 ｲﾝﾁ実枚数では 425.8 千枚/週)と 2009 年 1Q から-1.6%の減少を示し、稼働率は91.9%（前期比 19.1 ﾎﾟｲﾝﾄ上昇）であった。
（諸データの詳細は別添をご参照ください。）

1【データ収集】SICAS に参加している IC メーカは、年 4 回、四半期毎に、その IC 生産能力と実投入数を地域別に委託した第三者のデータ集計機関に提出し、そこで集計された数値は最後に中央集計機関によりまとめられ、世界計の集計データとなり発表されます。
データの秘密保持のため、会員を含むいかなる関係者（データ集計機関を除く）も、公表される「世界計のデータ」以外を知り得ない仕組みとなっています。
参加会員は、各々自社の世界全体の生産能力と実投入数を連結ベースで把握し報告しますが、他の IC メーカに生産委託している部分は含みません。生産能力・実投入数のいずれもウェハ枚数を単位とし、集計期間内の総数を週当たりの平均値に換算し「千枚／週」の単位で報告します。報告方法は、以下のとおりです。
（１）半導体合計＝IC 合計＋デイスクリート合計（２）IC 合計＝MOS IC＋バイポーラ IC の体系となります。（＊ｲﾝﾁ換算にご注意ください。）
MOS IC は、加工精度により 0.7 ﾐｸﾛﾝ以上、0.4 ﾐｸﾛﾝ以上 0.7 ﾐｸﾛﾝ未満、0.3 ﾐｸﾛﾝ以上 0.4 ﾐｸﾛﾝ未満、0.2 ﾐｸﾛﾝ以上 0.3 ﾐｸﾛﾝ未満、0.16 ﾐｸﾛﾝ以上 0.2 ﾐｸﾛﾝ未満、0.12 ﾐｸﾛﾝ以上 0.16 ﾐｸﾛﾝ未満、0.08 ﾐｸﾛﾝ以上 0.12 ﾐｸﾛﾝ未満および 0.08 ﾐｸﾛﾝ未満に分けて 8 ｲﾝﾁウェハの枚数に換算、バイポーラ IC は加工精度の分類はなく、5 ｲﾝﾁウェハの枚数に換算。また、2007 年 3Q より 0.12 ﾐｸﾛﾝ未満の項目を 0.08 ﾐｸﾛﾝ以上 0.12 ﾐｸﾛﾝ未満および 0.08 ﾐｸﾛﾝ未満と 1 つの項目から 2 つの項目としました。
MOS IC 生産能力のうち 8 ｲﾝﾁウェハと 12 ｲﾝﾁウェハの生産能力および実投入数のデータも併せて集計。また生産能力については、1 年＝52 週、1 週＝7 日、1 日＝24 時間の稼動を前提とします。
【組織概要】SICAS は、世界の 5 業界団体（EECA、JEITA、KSIA、SIA、TSIA）注 1 の支援の下に、1994 年に活動を開始し、現在世界の主要半導体メーカ 27 社が会員として参加しています。
SICAS の運営組織は、会員から選出された代表者で構成されており、現在、事務局はオランダに設置されています。
SICAS への参加は任意であり、いかなる半導体メーカ（5 つの支援業界団体のどれにも属さないメーカも含む）に対してもオープンです。四半期毎に公表される SICAS 統計は、参加会員だけでなく誰にでも入手可能であり、前述の 5 業界団体から入手できます。また、SICAS 統計は、全ての過去データを含め以下の Web サイト（http://www.sicas.info/）でご覧になることができます。
なお、日本地域の運営組織として、SICAS Japanが1995年1月に設立され、2006年4月からは、JEITA傘下でSICAS小委員会として活動しております。
SICAS 統計は、世界の IC 生産能力とその稼動実績に関する信頼に足る情報をタイムリーに提供するものであり、このような情報は、IC 製造設備の急速な技術革新や IC 技術に対応し、各世代毎に必要な設備投資額が増加していることなどを考えると、半導体及び関連産業にとって有用な参考情報であると考えられます。
（注１）
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EECA ：European Electronic Component Manufacturers Association
JEITA ：Japan Electronics & Information Technology Industries Association
KSIA ：Korea Semiconductor Industry Association
SIA ：Semiconductor Industry Association (of the US）
TSIA ：Taiwan Semiconductor Industry Association（欧州電子部品工業会）（電子情報技術産業協会）（韓国半導体産業協会）（米国半導体工業会）（台湾半導体産業協会）【お問い合わせ先】
ＳＩＣＡＳ小委員会（SICAS-Japan）
事務局：（社）電子情報技術産業協会 半導体部会 電子デバイス部
電話：０３−５２７５−７２５８
URL：http://www.jeita.or.jp2