IEEE EDS Kansai Chapterの皆様
IEEE Kansai Section の皆様

2010年 9月 6日
IEEE EDS Kansai Chapter Chair
大村 泰久
Vice Chair
高橋 明

下記の通り、第10回「関西コロキアム電子デバイスワークショップ」を開催致します。
会員の皆様のご参加をお待ち申し上げております。

記

会議名: 第10回「関西コロキアム電子デバイスワークショップ」
主催:
IEEE Electron Devices Society Kansai Chapter
日時:2010年10月22日(金) 9:30～17:30
会場:
関西大学・１００周年記念会館・第１会議室
場所:〒564-8680 大阪府吹田市山手町3丁目3番35号
http://www.kansai-u.ac.jp/index.html
プログラム：次ページ以降参照
公用語: 日本語
会費:無料(事前登録不要)[お問い合せ先]IEEE EDS Kansai Chapter Secretary: 廣木 彰(京都工芸繊維大学 hiroki@kit.ac.jp)＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＜ご講演頂く皆様へ＞
講演時間：２０分(IEEE EDS Kansai Chapter of the Year Awardは３０分)、質疑：５分 （全て日本語）
使用器具：講演で使用していただくPCは原則ご持参ください。もしご都合が悪いようでしたら、事前に渡辺(リコー hirobumi.watanabe@nts.ricoh.co.jp)までご連絡ください。その場合、Power Pointデータを事前に上記アドレス宛お送りいただくか、当日USBスティックメモリをご持参ください。当日、特別な資料をご用意いただく必要はありません。

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IEEE EDS Kansai Chapter
第10回「関西コロキアム電子デバイスワークショップ」プログラム
2010年10月22日(金)関西大学・１００周年記念会館 第１会議室

開会挨拶 [9:30-9:35]
大村 泰久（関西大学）
セッションI. CMOS Device, Process, Circuit, Nanoelectronics [9:35 - 10:50]
座長：浦岡 行治(奈良先端科学技術大学)
1. Cost-Effective 28-nm LSTP CMOS using gate-first metal gate/high-k technology [Sysmposium onVLSI Tech.]
T. Tomimatsu, Y. Goto, H. Kato, M. Amma, M. Igarashi, Y. Kusakabe, M. Takeuchi, S. Ohbayashi, S.
Sakashita, T. Kawahara, M. Mizutani, M. Inoue, M. Sawada, Y. Kawasaki, S. Yamanari, Y. Miyagawa, Y.
Takeshima, Y. Yamamoto, S. Endo, T. Hayashi, Y. Nishida, K. Horita, T. Yamashita, H. Oda, K.
Tsukamoto, Y. Inoue, H. Fujimoto, Y. Sato, K. Yamashita, R. Mitsuhashi, S. Matsuyama, Y. Moriyama,K. Nakanishi, T. Noda, Y. Sahara, N. Koike, J. Hirase, T. Yamada, H. Ogawa and M. Ogura
Renesas Technol. Corp.
2. Floating Gate Memory based on Ferritin Nanodots with High-k Gate Dielectrics [Si Nanoelectronics
WS]
K.Ohara, Y.Uraoka, T.Fuyuki I.Yaegashi, M.Moniwa, and M.Yoshimaru
1Nara Institute of Science and Technology and 2 STARC
3. Formation of Quantum Dots in Graphene with Constrictions [SSDM]
Y. Yamashiro, Y. Ohno, K. Maehashi, K. Inoue and K. Matsumoto
Osaka Univ.
― 休憩 [10:50 - 11:00] ―セッションII. Modeling, Reliability [11:00 - 12:15]
座長：鎌倉 良成(大阪大学)
1. <IEEE EDS Kansai Chapter MSFK Award (Student Award)> Quantum Transport Simulation ofSilicon-Nanowire Transistors Based on Direct Solution Approach of the Wigner Transport Equation[T. Electron Devices]
Y. Yamada, H. Tsuchiya, M. Ogawa
Kobe Univ.
2. Impact of interface roughness on threshold-voltage variation in ultra-small three-dimensional
MOSFETs [SSDM]
N. Mori, H. Minari
Osaka Univ.
3. Necessity of pulse hot carrier evaluation in suppressing self-heating effect for SOI smart power[ISPSD]
T. Nitta, S. Yanagi, T. Igarashi, K. Hatasako, S. Maegawa, K. Furuya, T. Katayama
Renesas Electronics Corp.

― 昼食 [12:15 - 13:15] ―-2-

セッションIII. Power, Compound, Quantum [13:15 - 14:55]
座長：吉本 昌広（京都工芸繊維大学）
1. Low-loss rectifier by self-driven MOSFET with gate drive voltage control circuit [ISPSD]
Y. Kagawa, A. Furukawa, M. Takeshita, A. Iwata, I. Suga, S. Yamakawa and M. Inoue
Mitsubishi Electr. Corp.
2. 0.15m BiC-DMOS technology with novel stepped-STI N-channel LDMOS [ISPSD]
S. Yanagi, H. Kimura, T. Nitta, T. Kuroi, K. Hatasako, S. Maegawa, K. Onishi and Y. Otsu
Renesas Technol. Corp.
3. <IEEE EDS Kansai Chapter MSFK Award (Student Award)> Enhanced Drain Current of 4H-SiC
MOSFETs by Adopting a Three-Dimensional Gate Structure [T. Electron Devices]
Y. Nanen, H. Yoshioka, M. Noborio, J. Suda, T. Kimoto
Kyoto Univ.
4. GaN monolithic inverter IC using normally-off gate injection transistors with planar isolation on Sisubstrate [IEDM]
Y. Uemoto, T. Morita, A. Ikoshi, H. Umeda, H. Matsuo, J. Shimizu, M. Hikita, M. Yanagihara, T. Ueda,T.
Tanaka, and D. Ueda
Panasonic Corp.
― 休憩 [14:55 - 15:10] ―セッションIV. Display, Sensor, Emerging [15:10 - 17:00]
座長：木村 睦（龍谷大学）
1. Integration of single crystal Si TFTs and circuits on a large glass substrate [IEDM]
Y. Takafuji, Y. Fukushima, K. Tomiyasu, M. Takei, Y. Ogawa, K. Tada, S. Matsumoto, H. Kobayashi, Y.
Watanabe, E. Kobayashi, S.R. Droes, A.T. Voutsas, and J. Hartzell
Sharp Corp. and Sharp Laboratories of America Inc.
2. <IEEE EDS Kansai Chapter of the Year Award> Integration of Cell Sheet Sucking and Tactile Sensing
Functions to Retinal Pigment Epithelium Transplantation Tool [MEMS Conference]
M. Tokida, T. Obara, M. Takahashi, M. Yamato, and S. Konishi
Ritsumeikan University, RIKEN Kobe Insitute and Tokyo Women's Medical University
3. A Multimodal CMOS Sensor Device with an On-Chip Mounted LED and Electrodes for Imaging ofFluorescence and Electrical Potential in a Mouse Deep Brain [SSDM]
A. Tagawa, H. Minami, M. Mitani, T. Noda, K. Sasagawa, T. Tokuda, H. Tamura, Y. Hatanaka, Y.
Ishikawa, S. Shiosaka, and J. Ohta
NAIST and CREST-JST
4. High Efficiency Energy Harvester of Transferred Epitaxial PZT Films on Stainless Steel Sheets[MEMS Conference]
I. Kanno, K. Morimoto, R. Yokokawa, K. Wasa, H. Kotera, N. Yamauchi, J. Ogawa, T. Matsushima, andK. Aizawa
Kyoto University and Panasonic Electric Works, Ltd.

AWARD 授与 [17:00-17:20]

神澤 公（ローム）

閉会挨拶 [17:20-17:30]

大村 泰久（関西大学）-3-