2016.JAN.
Quarterly
I nformation

VOL.92

パワー半導体向け装置を強化

2原子層堆積（ALD）装置を開発、販売を開始
スウェーデンのSiCエピタキシャル成膜装置メーカーと販売代理店契約を締結

サムコ・インド薄膜技術セミナー開催のお知らせ

S amco-Interview

3

À la carte 京の銘菓・老舗4 京菓匠 亀屋良永

5T echnical-Report6

九州大学 先導物質化学研究所 先端素子材料部門
教授 横山 士吉 先生

ICPエッチング装置を用いたGaAsウェハのプラズマスクライビング技術紹介

Information

パワー半導体向け装置を強化原子層堆積（ALD）装置を開発、販売を開始
当社は、グリーンエレクトロニクスの要とミナ（AlOx）膜及びSiO2 膜の形成が可能して近年期待される炭化ケイ素（SiC）や窒です。基板有効径はφ212mmでφ8イン化ガリウム（GaN）などの次世代パワー半チウエハーまで対応しており、φ4インチ導体のゲート酸化膜形成用の原子層堆積

ウエハーの場合3枚の同時処理が可能で（ALD：Atomic Layer Deposition）装 置

す。研究開発からセミ量産まで対応してお『AL-1』をセミコン・ジャパン2015で紹介ります。

し、販売を開始いたしました。

ALD装置の販売開始により、次世代パ『AL-1』で は、GaN MOSFET、GaN MOS

ワーデバイス向け製品のラインナップをHFET及 び4H-SiC MOSFETのゲ ート酸 化

充 実させ、同 分 野 のリーディングカンパ

膜に最適なピンホールフリーの緻密なアルニーを目指します。

原子層堆積（ALD）装置『AL-1』

スウェーデンのSiCエピタキシャル成膜装置メーカーと販売代理店契約を締結
当社は、スウェーデンのSiCエピタキシャ

れ、パワー半導体向けを中心とするSiCエル成膜装置メーカーのEpiluvac AB（以下ピタキシャル成膜装置の開発、製造を行うEpiluvac社）と同社製品のグローバルな販ベンチャー企業です。

売代理店契約（日本、台湾、シンガポール、

当社は、既存製品であるプラズマCVD

マレ ー シ ア、フィリピン は 独 占 契 約）を装置、ドライエッチング装置、ドライ洗浄2015年12月1日付で締結いたしました。

装置にEpiluvac社のSiCエピタキシャル成Epiluvac社は世界の代表的な研究機関膜装置を加えてSiCパワー半導体向け製で使われているSiCエピタキシャル成膜装品のラインナップ化を図り、ワンストップ置の開発、製造、販売に長年携わってきたソリューション（一貫製造ライン）をさらに同社の経営陣らによって2013年に設立さ積極的に展開してまいります。

SiCエピタキシャル成長装置『EPI 1000-C』

サムコ・インド薄膜技術セミナー開催のお知らせ
来る2016年2月2日、インド工科大学ボンベイ校（ I I TBombay）のMEMS / NEMS Proto Fabのオープ ニング を記念して、『サムコ・インド薄膜技術セミナー』を同校で開催いたします。
インドでは初めてとなる今回のワークショップはIoTの本格化に向け世界的な関心がさらに高まっている『MEMSand Nano Processes』をテーマに開催されます。日本からは京都大学大学院工学研究科の田畑修教授、インドからはIIT BombayのV. Ramgopal Rao教 授 がキーノートスピー

samco NOW vol.92 / 2016. JAN.

カーを務め、最新のMEMS技術と応用展開に関する講演を行います。
MEMSへの関心の高まりを背景に、今回も活発な討論と技術交流が行われ、大盛況となることが予想されます。
※ 日本からのお申込みもお待ち申し上げております。案内状、申込フォーム（ともに英文）は当社ホームページに掲載しております。

http://www.samco.co.jp/whatsnew/news/2015/11/
post̲91.php

2Samco-Interview

プロフィール
学歴 1989年

上智大学 理工学部 化学科 卒業

1991年

上智大学 大学院 理工学研究科 応用化学専攻 修士課程 修了

1993年

マックスプランク研究所（ベルリン） 留学

1994年

東京工業大学 大学院理工学研究科 有機材料工学専攻
博士課程 修了［博士（工学）］

職歴 1995年

通信総合研究所 関西先端研究センター（現 情報通信研究機構 未来ICT研究センター） 研究員

1999年

通信総合研究所 関西先端研究センター 主任研究員

2006年情報通信研究機構 未来ICT研究センター ナノICTグループ
グループリーダー

2007年

九州大学 先導物質化学研究所 教授
よ こ や ま九州大学 先導物質化学研究所
先端素子材料部門 教授

し よ し

横山 士吉 先生

今回のSamco-Interviewは、九州大学を訪ね、先導物質化学研究所 先端素子材料部門 教授の横山士吉先生にポリマーを応用した高性能ITデバイスのご研究についてお話を伺いました。

▶ ご研究内容、テーマについてお聞かせください。

非常に広く、さまざまな光学デバイスとの融研究開発が続き、非常に優れた成果を生み合が可能です。その代表がシリコン（Si）光導出していました。欧州でも大きな研究プロ波路と複合化したハイブリッド型デバイスでジェクトが立ち上がる動きもあり、日本でも私の研究室では高性能な光学特性を有すす。Si光導波路はCMOS技術と融合した光集再び挑戦する必要を感じたのが今の研究にるポリマーの合成と光デバイスへの応用を目積デバイスとして世界的に研究開発が進めら繋がるきっかけです。有機色素やポリマー合指した研究、開発を進めております。近年のれ、エレクトロニクスとフォトニクスを組み合成など3〜4年はかかりましたが、産学官の情報通信技術（IT）の発展は目覚ましく、さまわせた先端光デバイスとして知られていま

共同研究などを経て非常に優れた電気光学ざまな先端技術を使って超高速・大容量通信す。電 気 光 学 ポリマーとSi光 導 波 路との 融ポリマーの合成が進み、当初の目標であるを実現しています。これまでは無機や半導体合、他にも窒化シリコン（Si3N4）や酸化チタ

低電力動作・超高速のポリマー光導波路変技術を基盤とした研究が中心的に行われてン（TiO2）などの高屈折率光導波路と融合し調器が実現しつつある状況です。また、最近

きましたが、より高い性能を有し、多様性に富たオンチップ用の光デバイスを作る研究も始ではSi、Si3N4、及びTiO2 などの光導波路とんだポリマー材料の応用に関して世界的に研めております。

融合したハイブリッド型デバイスの研究にも究が開始されてきています。研究室では、光学ポリマーのIT分野への応用に挑戦し、これ▶ ご研究を始められたきっかけと興味を広げています。電気光学ポリマーの研究は10年近くになりますが、研究開始当までにない優れた材料特性と新しいデバイス経緯についてお聞かせください。

機能の追及を目指しております。最近、注力大学院ではポリマー合成の研究室に所属バイス像とは大きく変わってきていると思いして研究している電気光学ポリマーは外部電しておりました。そういう意味では化学の出ます。今後、3年後、5年後にさらにどういう圧印加によって屈折率変化を起こす光学特身です。大学院の修了の頃、通信総合研究所

局面でポリマーが応用されることになるか非初に描いていた将来像と現在期待されるデ性を持ちます。研究室では電気光学ポリマーの関西先端研究センター（現 情報通信研究常に楽しみです。大学の研究者としては、さの合成、光導波路の作製、超高速、低電力動機構 未来ICT研究センター）で有機分子やポまざまな光学技術にポリマーが応用されるこ作の光変調器やスイッチングデバイスなどのリマー、バイオなどを将来の通信技術に役立とを期待し、材料とデバイスの両側面から挑研究を行っています。電気信号を光信号に変たせるための基礎研究を行う研究室が新設さ戦し続けたいと思います。

換する光変調器は、情報通信技術に不可欠れ、そこへ就職したことがポリマーとIT応用なデバイスです。電気光学ポリマーを用いたに関する研究を始めたきっかけです。これま

光変調器は、従来の無機材料よりも高い電気でに、有機色素を分散したポリマーレーザや▶ 先導物質化学研究所についてご紹介ください。

光学特性を有し、その作製プロセスも容易で非線型光学などを研究してきました。有機色

先導物質化学研究所はその名の通り化学あるため、さまざまな構造の光導波路変調器

素非線型光学は、かつては日本でも非常に盛と物質材料の研究を中心とした附置研究所に応用して低消費電力で超高速応答のデバんに研究された時期がありましたが、期待さです。合 成 反 応 化 学、分 子 集 積の化 学、有イスを実現できます。最近はポリマーに加えれたような性能が達成できなかったことや優機・無機融合材料の化学、先端材料の素子て、さまざまな光学部材と組み合わせた、有れた無機結晶が開発されたことなどにより、化に関する化学など、多岐にわたる研究が機―無機複合デバイスの設計、及びこれを実10〜15年ほど前にはほとんど研究されなく進められています。また、各 分 野 の 研 究グ現する作製手法など総合的に研究を進めてなっていました。一方、アメリカでは国防高等ループが連携して、原子・分子・ナノスケーおります。高性能電気光学ポリマーの応用は研究計画局（DARPA）などのプロジェクトでルからマクロスケールまでの物質の構造と機

samco NOW vol.92 / 2016. JAN.

能にかかわる基礎学術とその応用に関する研自ら進めています。実験室では大学院生と研究も進められています。研究所では最新の化究の進捗や問題点など密に議論ができます

学系分析・評価機器等の設備も充実しており、ので、ゼミの報告だけでは気づかないいろい

これら機器分析の専任の技術員による研究サろな問題点が見えてきます。学生への指導もポートも整っています。合成化学者にとって非伝わっているようで意外と実験が進んでいな

常に優れた研究環境であり、多くの優れた研究かったりと、研究の進捗を把握することもでき成果が出ております。最近では、基礎的な化ます。雑談も多いですが、研究の場で議論が学・材料研究のみならず、応用志向の高い研究でき学生にとっても得るものは多いのではな成果も増えつつあります。現在の私の研究はポいでしょうか。

リマー光デバイスが中心となっていますが、もともと化学出身であることもあり、材料開発を進める上でも大変恵まれた研究環境です。
▶ 物質・デバイス領域共同研究拠点事業に▶ 弊社の装置をどのようにご使用いただいておりますか？ また、ご感想をお聞かせください。
私の研究室には、サムコさんの液体ソースついてご紹介ください。

CVD装置、ICPエッチング装置、ボッシュタイプ

共同研究拠点は個々の大学の枠を越えて大のエッチング装置、また汎用的なRIE装置があ型の研究設備や大量の資料・データ等を全国ります。液体ソースCVD装置では、主に光導波の研究者が共同で利用したり共同研究を行うた

路用の基板作製にSiO2、Si3N4、TiO2 などの成めの組織で、文部科学省が全国で49大学99拠膜を行っております。これまでの研究から光学点を認定しております。先導物質化学研究所が的に非常に優れた特性が得られ、ハイブリッド参画している物質・デバイス領域共同研究拠点型ポリマー光デバイスの応用に役立っていまは、北海道大学電子科学研究所、東北大学多す。また、最近はSiとポリマーのハイブリッド化

元物質科学研究所、東京工業大学資源化学研の研究も進めていますが、これはサムコさんに究所、及び大阪大学産業科学研究所の5つのご協力いただき本社でサンプルを作っていた附置研究所が1つの拠点として研究ネットワーだきました。ICPエッチング装置では、光導波クを形成し、全国規模の共同研究を進める大変路や微細構造の加工を中心に行っております。

特徴的な取り組みです。このネットワークの仕研究室で取り扱う物質はポリマーなどの有機組みを利用すると、例えば北海道大学で進めて物が主体です。これまで、半導体を研究していいる共同研究を先導物質化学研究所を加えたる研究設備ではなかなか装置を共用して使う共同研究に容易に広げることができ、研究者のことはできませんでしたが、私の研究室ではポ交流や機器・設備の相互利用など全国横断でリマーの応用研究を中心に制限なく使ってい研究展開することができます。共同研究は、物ます。

質創成開発、物質組織科学、ナノシステム科学、ナノサイエンス・デバイス、物質機能化学の研▶ ところでプライベートなことですが、究領域にまたがる「物質・デバイス領域」で公休日などはどのようにお過ごしでしょうか？

募し、多様な先端的・学際的共同研究を推進すスポーツジム通いをかれこれ15年近く続けることを目的としています。これまでにも年間ています。休日は、午前中は大体ジムに行き、500件以上の共同研究を5つの研究所で取りま午後は家族に付き合うという感じです。おかげ

とめ、実施しております。2010年4月に始まり、で風邪も引きません。

本年度の2016年3月で第1期が終了しますが、学協会を中心に非常に高い評価を頂き、来年▶ 最後にサムコに対して一言お願いします。

度からも新たに第2期が始まる予定です。サム2014年9月に福岡営業所が開設されました

コさんから2013年に導入しましたCVD装置やが、ちょうど液体ソースCVD装置やICPエッチICPエッチング装置もこの共同利用拠点の機器

ング装置の導入と同時期でしたので、装置の取として登録しており、どなたでも共同研究をおり扱いや条件設定など分からないことを教えて申し込みいただくことができます。
▶ 日頃のご研究において心がけておられるいただき大変助かっております。引き続きサポートをよろしくお願いいたします。

ことはどのようなことでしょうか？

お忙しいところ貴重なお時間を頂き、情報通信研究機構で10年近く研究をして誠にありがとうございました。

いたこともあり、大学に異動してからも研究は3-4À la carte

京 の 銘菓・老舗 4
明治末期から作られていた煎餅に4代目が新たな工夫を凝らし創り出した代表銘菓「御池煎餅」。その後ろ姿に多くを学び、京菓子司180余年の暖簾を受け継ぎ極めてきた下邑隆さんに、「菓心求道」の菓子づくりの世界をお訊きしました。

「御池煎餅」

派400年に因んで羊羹「光琳」を新たに創案しました。紅白の光琳梅に大納言小豆で水の流れを表現した寿ぎの迎春にもふさわしい逸品です。この他にも桂離宮の襖の引手から発想を得た「月」、落雁に大徳寺納豆を入れた「光琳」

大戦の苦難を乗り越え4代目が復興
寺町通御池の南西角、本能寺の門前に店「無門」、大原の里の四季を彩りの変化で感じさせる「大原路」など数多くの銘菓があり、多くの人々に愛でられています。
下邑隆さんが大切にしているのが「本物のを構える亀屋良永。その佇まいにも趣深い老器の上にのせられるお菓子を作るように」とい舗の心を感じます。創業は180余年前の天保

う父親の教えです。また、仲人を依頼した菓子3年（1832）。そ の 後、嘉 永7年（1854）に京業界の大先輩に披露宴の席で頂戴した「一生都で組織された上菓子屋仲間の一軒として認の内で、2つか3つ自分の菓子を作りなさい」

められ、京菓匠としての歴史を暖簾に刻んでという言葉も心に深く響き、励みにしてきたときました。同店に時代の大きな荒波が打ち寄か。
「先々代が良い菓子を残してくれておりませたのは大戦末期の昭和20年。防火帯を設すし、いまも私どもの店の中心になっておりまけるために、御池通が拡張されることになり、す。次の代まで残る菓子こそ、ほんまもんであ強制撤去の命が下り、疎開を経て休業に追いり、一生一品ということのように思います」。取込まれたのです。苦難の末に菓子づくりを再材の最後に聞いた名高い女性歌人の話も興開したのは昭和27年（1952）でした。

味深いものでした。
「一番言いたいことはドー

明治末期から作られていた煎餅に新たな工ナツの穴のように空っぽにしておき、相手に夫を凝らし「御池煎餅」を生み出したのも、戦感じ取ってもらうこと中戦後の混乱期を乗り越えた4代目でした。

が短歌のありようだと原料の調達もままならない中での困難な試み諭して います」。これでしたが、溜まり醤油を隠し味にした砂糖をは菓子づくりにも通じ刷毛でひいた独特の風味、サクサクとした淡る極意であり、感銘を泊な食感が次第に評判を呼び、亀屋良永の受けたと下邑隆さんは代表銘菓となっていったのです。
「4代目はま語ります。

さに中興の祖です。すべて一からのスタートであった父親の懸命な姿に多くのことを学びました…」と、取材に応じていただいた下邑隆さんは往時を振り返ります。ちなみに、版画家の故・棟方志功の作である「御池煎餅」の印象

京菓匠「亀屋良永」
京都市中京区寺町通御池西南角
TEL 075-231-7850
営業時間 8：00〜18：00
定休日 日曜日／第1・第3水曜日

深いラベルも美術品をこよなく愛した4代目が知人を通じて依頼されたそうです。
琳派400年に因んで創案した「光琳」
琳派を象徴する絵師の一人として名高い尾形光琳は、江戸中期に革新的な様式を創出し、「燕子花図」「紅白梅図」「竹梅図」など多数の傑作を残しています。亀屋良永ではこの琳samco NOW vol.92 / 2016. JAN.

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Technical-Report

ICP エッチング装置を用いた GaAs ウェハのプラズマスクライビング技術紹介【サムコ（株）開発部】■はじめに
GaAsウェハを用いた電子デバイスやLED、LD、VCSEL等のオプトエレクトロニクスデバイスは、通信やメディア用途で多く用いられている。今日では用いられる製品の小型化が進み、それに合わせたデバイスの小型化やウェハ内のチップの取り数の向上が求めら
図2
GaAs 加工底面をV 字形状にしたプラズマスクライビング例れている。そのウェハのチップ化は、一般的にはダイヤモンドスクライビングやブレードダイシングで行われているが、溝幅も広いためにチップの取り数の向上につながらず、またチッピングによるデバイス不良が生じて歩留まり悪化の要因となっている。これらを改善するために、ICP（Inductively Coupled Plasma）エッチング装置

件でエッチング深さ依存性を確認したところ、図3のように、エッチを用いてチッピングの無い、スクライブラインの狭い加工を行い、ング深さが深くなると共に平坦な底面部の幅が小さくなり、溝幅が更にスクライブ底面に先端の尖ったV字形状を施して、ブレーキン11μmでは約50μmの深さまで加工した時にテーパー部が繋がり、グし易いGaAsプラズマスクライビングが行えたので紹介する。

図2のような加工形状が得られることが判った。また、加工幅によってV字形状が得られる深さが異なることも判った。このテー■プラズマスクライビング例の紹介

パー面は約45°と一定であることから、GaAsウェハの結晶方位で工であり、高速レートや高選択比エッチングが求められる。これを｛111｝面がドライエッチングによって表れているものと思われる。
このスクライブ形状により、次工程のブレーキングが行い易くなり、安定してチップ化が行えるものと考えている。

実現するために高密度プラズマエッチング装置が用いられるが、エッチング装置（Model：RIE-200iP）で行ったGaAsスクライビング1)を紹介した。 図１にその結果を示す。5μmの溝幅で、60μmの深さのチッピングの無いスクライブ形成を実現した。この時のGaAsエッチングレートは1.78μm/min、レジストマスク選択比は22程度であった。しかし図１の形状では、ブレーキングの際にスクライブラインの底部が平坦であるために、ブレーク箇所が一定しない問題が生じた。このことから、できるだけ一定の箇所でブレーキングできるような、スクライブ底面に先端が尖ったV字形状が望まれ、その加工を行った。

12GaAs底部平面の残り幅（μｍ）w

以前に当社でもトルネードICP Ⓡコイルを搭載した高密度プラズマ

11W⃞W=11μm

10

エッチング深さ D

プラズマエッチング装置を用いたGaAsウェハのスクライビングやダイシングは、レジストやSiO2 マスクを用いた数十μmの深い加⃞W=7.1μm

87.1

6.31

65.05

420

平面の残り幅 w

2.52

2.25

1.39010203040

GaAsエッチング深さ（μｍ）D50060

図 3 GaAsプラズマスクライビングのエッチング深さとエッチング底面形状の変化■まとめ以上のようにICPエッチング装置を用いたGaAsの異方性のある高選択比、高速エッチングが行え、更にスクライブ底部にV字形状を形成できるプラズマスクライビング技術を示した。これにより、ス
図1
以前のGaAsプラズマスクライビング例

その検討の結果で得られたスクライビング例を図2に示す。エッチングには結晶方位が100面のGaAsウェハを使用。レジストマスクライブラインの縮小や、デバイスへのチッピングが抑えられることができ、更にブレーキングが容易になるものと思われる。また、他の化合物半導体等でも同様の加工が行えるか取り組んでいる。この技術は、製品の小型化が進むデバイス作製や、歩留まり向上に必要になり、今後のデバイス生産に貢献できるものと考えている。

クで溝幅が11μm、深さが50μmの異方性でスクライブラインの底部に尖ったV字加工が行えた。その時のGaAsエッチングレートは■参考文献

9.6μm/min、レジストマスク選択比は10程度が得られた。この条

1) 2012年10月Vol.79 Samco Now Technical-Reportsamco NOW vol.92
サムコ株式会社2016年 1月発行

〒612-8443 京都市伏見区竹田藁屋町36

TEL 075-621-7841 FAX 075-621-0936 E-mail koho@samco.co.jp

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