会場 E
領域 6E-1

In-Zn-Ga-O ３次元膜の磁気抵抗、電子局在と熱処理効果
九大院理 A , 情通機構 B , 九大高等教育セ C , 出光興産先進研 D
BACA江崎翔平A , 牧瀬D圭正 , 山田和正 , 小久保伸人 , 篠崎文重 , 笘井重和 , 矢野公規 D , 中村浩昭
D

スパッター法で作成されたアモルファス In

局在 3D 系に対する理論で、L φ2 =Dτ in (T)(D=系酸化物の電気抵抗 ρ は金属的振る舞いを示拡散係数) をパラメターに選んだ理論曲線であし、低温では電子局在効果による dρ/dTh0 やる。この解析から得られた L φ= [D τ in (T)]1/2

負の磁気抵抗を示すことをこれまでも報告してを挿入図に示す。理論的には τ in (T) ∝ T − 3/2

きた。酸化物系のキャリアは主として酸素欠損であり、実験結果はほぼこの温度依存性を示に由来する電子が担っていると考えられているす。講演では熱処理温度を系統的に変化させた。As − depo.膜の ρ は作成条件、特に酸素濃度アニール膜の実験結果を示し、高抵抗膜で見らに大きく依存するが、熱処理によっても ρ、キャれた ∆σ(T) の符号クロスオーバーを議論する。

リア数 n を制御でき、金属的特性から半導体特200

われわれは In-Zn-Ga-O ３次元膜 (d=350nm)

150
Δσ [Ω-1m-1]を大気中で熱処理し、ρ(300K) が１桁以上異なる膜を準備した。2KhT h50K, 0ThHh5T の範囲

2K4.5K
10K
15K
20K
30K
50K

10-7Lφ [m]性まで幅広く変化することが可能である。今回

10-8100

T-0.75

110T [K]で ρ(T)、ホール係数 Rh(T)、および磁気伝導50度 ∆σ(T,H)=[1/ρ(T,H) − 1/ρ(T,0)] の測定を行った。図は熱処理温度 Ta =200 ℃で、大気中02h アニールした試料の ∆σ(T,H) を示す。測定した温度範囲では ∆σ(T,H)i0 である。実線は弱00.20.40.6
H [T]

390.81E-2

超伝導/微小強磁性複合構造における臨界電流と磁束フロー
九大院理 A , 九大高等教育セ B 多持洋孝A , 吉村哲也 A , 小久保伸人 B , 篠崎文重 A

周期的に配列した微小強磁性膜と超伝導膜

これらの結果は 20 °において磁束を磁気的にの複合構造において、磁束量子のピン止め特性ピン止めする強磁性ドットからの漏れ磁場成分及びフロー特性を制御する研究を行っている。と印加磁場の大きさが相殺することを示唆する。

我々の超伝導/微小強磁性複合構造の模式図を図のインセットに示す。三角形状の微小パーマ

NbGe(300nm)

0.10ロイドットの二次元アレイを Si 基板上に作製Ge(8nm)し、その上にアモルファス NbGe 超伝導膜をパーマロイ(25nm)Si substrate成膜した。ドットからの漏れ磁場は超伝導体にθIC(mA)誘起された磁束量子と磁気的に結合する。このため臨界電流の磁場依存性に強磁性ドットの周期性を反映した複雑な振動が現れる。今回一定0.05

磁場下において試料を回転することにより強磁I
試料面性ドットからの漏れ磁場と印加磁場の関係を調

μ 0Hべた。得られた臨界電流の角度依存性を図に示す。臨界電流の角度依存性は 20 °付近の狭い角度範囲においてカスプ状のディップを示すこ

102030405060θ (deg)とがわかる。同様な異常は一定電流下における

図：臨界電流の角度依存性。
インセット：試料の断面図（上）試料の回転方向（下）フロー電圧の角度依存性にも見られる。さらに
モードロック共鳴実験を行ったところ、20 °付
近でのみ明確なモードロック共鳴を観測した。

E-3アモルファス超伝導膜の傾斜磁場下における磁束格子フローの格子
方位回転 II
九大院理 A , 九大高等教育セ B

吉村哲也A , 小久保伸人 B , 篠崎文重 A

我々は第二種超伝導体の磁束フロー状態におと共に減少することがわかった。講演では、

いて磁束格子方位と運動方向の関係をモードその他の傾斜方向の結果も合わせて報告する。

85

ロック共鳴法により調べている。これまでアモLMN

ルファス (a-) 超伝導膜において、磁束格子の格JK

H
O
C 75
AB'(I? @ 6565
LMN= >
O./
5 5 6655 75 85 95 :5 ;5 <5FGHθD E fc:   
#$%&'()! fc"% &./)
* (+ ) ,01234
!
fc"* ( - )子方位が運動方向に揃う平行な方位運動と直交0する垂直な方位運動が存在すること、磁場や周波数 (速度) を変化させると垂直な方位から平行な方位へ回転が起こることを見出してきた。
今回磁場を傾斜したときに現われる磁束フローの格子方位を詳しく調べた。試料は a-NbGe 膜 (Tc=3.5K) である。面直に磁場をかけた場合、低速 (低周波) では垂直な方位が現れたが、速度を上げていくと平行な方位へ回転した。回転が起こる周波数 fc は磁場を電流方向に傾斜させた場合、傾斜角度θと共に増加し、θ＝ 45 °付近で発散するように見える (図)。一方磁場の傾斜方向を変え、電流方向に対して垂直な面内とすると fc はθ

40

E-4(In2 O3 )1−x (ZnO)x 膜の超伝導特性 III
九大院理 A , 九大高推セ B , 情通機構 C , 出光興産（株）先進技術研究所 D 高田聡A ,篠崎文重 A , 山田和正 A , 小久保伸人 B , 牧瀬圭正 C , 矢野公規 D , 中村浩昭 D

In2 O3 に Zn をドープした (In2 O3 )1−x (ZnO)x膜 (IZO 膜) は、高い導電率を持つ透明導電膜n の相図であり、相関がより明確に見えるようになった。また、EELS と STEM によりであり、加工性等の利点から液晶ディスプレイ微細構造を測定し、In の析出の有無を確認等に応用されている。Zn ドープが低濃度の場した。しかし、微小析出物の分布は拡散して合、as-depo 膜はアモルファスであり、超伝導おり、In チェインにより超伝導転移ではない。

を示さない。しかし、アニールすることで、多結晶化し、低キャリアにも関わらず、超伝導を示すことを観測した。
前回の報告では、アニールした重量比 x=0.01の膜における結晶性と超伝導転移温度 Tc との相関と、x やアニール温度 Ta、アニール時間ta が異なる全ての膜の結果からキャリア数 n とTc との相関が見られた。ただし、Ta=200 ℃で固定し、ta を変えた x ≧ 0.025 の膜では、超伝導が観測されなかった。
今回は、x=0.025 の膜での超伝導の観測のため、Ta の範囲を広げ、測定を行った。下図は、その結果を含めた、すべての膜の Tc とE-5

FIB 法により作成された擬一次元 In/Mo 超伝導体の輸送特性
九大院理 A , NICTB , 九大高推センター C

田崎茂A , 江崎翔平 A , 牧瀬圭正 B , 山

田和正 A , 小久保伸人 C , 篠崎文重 A
我々は、擬一次元 In/Mo 超伝導体の輸送特性

厚の異なる細線の結果、R-T 特性および、臨の解明を目的とし、In/Mo 薄膜を FIB(Foucus

界磁場の温度依存性と細線の次元性を議論する。

Ion Beam) 技術により幅数 100nm 程度の細線に加工し、その輸送特性について研究を行っている。2 次元試料の作成には MBE 装置を1.2用い、SiO2 /Si 基板上に Mo を 50 Å、In を10∼20 Å蒸着した。その後保護膜として SiOを 200 Å蒸着し、FIB 加工により細線化した。右図の挿入図は作成した試料の模式図であり、FIB 加工した細線部分を含む R2 と、未加工の 2 次元試料のみからなる R1 が同時に測定できるように端子を、蒸着時にメタルR(T)/R(8K)1.0● : R1▲ : R20.80.60.4

R1R2I+

I-

マスクを用いて成型した。グラフは、In 膜厚＝ 20 Å膜の結果で、未加工部分 R1(T onset ∼=0.23.3K) と細線加工部分 R2 の RT 曲線を比較し0.0
1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0T(K)V1+V1-,2+V2-

c,2Dたものである。加工部分の R2 に細線部分の超伝導転移と思われる、緩やかな抵抗の下がり(T onset ∼= 4.5K) が見られた。講演では、In 膜
c,1D41

E-6

アモルファス NbGe 超伝導膜における臨界電流と形状効果
九大理 A , 九大院理 B , 九大高等教育セ C
篠崎文重

尾堂智隆A , 多持洋孝 B , 小久保伸人 C ,B

第二種超伝導体の臨界電流は、超伝導体に内方、低磁場では、大小関係が逆転し、ストレー在する不純物や欠陥などピン止め中心の強さだ

ト試料の臨界電流が大きい。講演では、磁束量けでなく、試料端の形状にも依存することが指子の侵入過程とエッジ形状の違いから議論する。

摘されている。本研究では、ピン止め特性が極0.06

straightzigzag

めて弱い超伝導材料（アモルファス NbGe 膜V（Tc=3.9K、厚さ 300nm））を用いて、試料端0.2mmの形状が異なる二種類の試料を微細加工で作0.04製することにより、臨界電流に与える形状効果
Ic(mA)を系統的に調べた。図のインセットに作製した試料の模式図を示す。試料端を直線のブリッジに加工した試料（右）と試料端をジグザグ（5VI5μμm0.02μ m 周期）に加工した試料（左）を用意した。

2.5 K で得られた臨界電流の磁場依存性をメインパネルに示した。磁場は膜面に垂直である。
いずれの試料でも、臨界電流は印加磁場の増加

0.00
0.81.62.4に対して減少し、２ T 付近で小さなピークをµ0H(T)示した後、急激に減少した。0.6 T 以上の高磁図： 2.5Kにおける臨界電流の磁場依存性場では、臨界電流の大きさはストレートの試料がジグザグ試料に比べてわずかに小さい。一E-7a-NbGe 超伝導膜における磁束格子フローと磁気相図
九大理 A , 九大院理 B , 九大高等教育セ C

下岡孝明A , 吉村哲也 B , 小久保伸人 C ,篠崎文重 B
第二種超伝導体の磁束格子の方位は、静的な磁場及び第 2 臨界磁場 (HC2 ) 近傍の高磁場にお場合、超伝導体を構成する母体原子配列の対称いて平行な格子方位が現われることがわかった。

性や超伝導秩序パラメータの異方性など微視的

5=206
=9:7H
H
D <9: H4
BC 89:@ A?
>9:H:9: 89: 89; <9: <9; =9:EF GH 
:  "#$%& H '()*+,-. /H '! ,*+(). 0123!

な環境で決まる。これに対し、電流で磁束を駆動すると、微視的環境から受ける影響が有効的0に減少するため磁束のフロー状態特有の方位C2H運動が期待される。これまでアモルファス (a-)µ超伝導膜において、磁束格子の格子方位が運動方向に揃う平行な方位と、直交する垂直な方位が存在すること、温度や磁場を変化させるとこ

PerpendicularOrientation

ParallelOrientation

L

れらの間で回転が起こること、さらに印加した磁場を傾けることで方位の回転が起こることをモードロック共鳴実験から見出してきた。
今回 a-NbGe 超伝導膜 (Tc=4.1K) における格子方位の温度磁場相図を傾斜磁場下で作成したL(図)。磁場は面直から電流方向へ 20 °傾けた。広
い温度磁場領域で垂直な格子方位が現われ、低42H

E-82,3 次元 In2O3-ZnO 膜の磁気抵抗に及ぼす熱処理効果
九大理 A , 九大院理 B , 情通機構 C , 九大高等教育セ D , 出光興産先進研 E 日高和也A ,江崎翔平 B , 牧瀬圭正 C , 山田和正 B , 小久保伸人 D , 篠崎文重 B , 苫井重和 E , 矢野
公規 E , 中村浩昭 E(In2 O3 )1−x − ZnOx は ITO や IO 同様縮退

アニール時間 2min. の ∆σ(T,H) の実験結果

半導体であり、金属にも匹敵する高い電気伝導を示す。温度減少と共に ∆σ ∝ lnH の領域度を持つ。一方、キャリア数は金属に比べ約が広がる。この傾向は理論と定性的に一致す２桁小さい。τso À τin (T) を満たす乱れた２る。しかし、T=2.0K で低磁場データに合わ次元系（τso ,τin はそれぞれ、非弾性散乱時間、せた理論曲線からわかるように、高磁場領域スピンー軌道散乱時間）における磁気伝導度

では、実験値は理論に比べ約１桁小さい。挿∆σ = R□1(H) − R□1(0) は、電子局在効果によりe2十分高磁場・低温で、∆σ = πh
H で与えられ

入図には低磁場の様子を示す。講演ではこの不一致の原因、３ D の結果も合わせて議論する。

ように２ D 系・量子補正の特徴は系の乱れ程5度によらず普遍常数のみで与えられる。
今回われわれは ZnO 濃度 x=0.025、膜厚d=25nm,350nm の膜を大気中でアニールし、乱れ程度を変化させ、磁気抵抗に与える熱処

Δσ [µmho]性は多数の実験によって支持されている。この6Δσ [µmho]

7ることが理論的に示されている。この磁場依存

4Theory
2K4.5K
10K
20K

0.50.40.30.20.1002.557.5

10H [mT]
321

理効果を調べた。熱処理で酸素欠損は減少し、そのためキャリア数は減少する。同時に散乱00.0001

0.001

0.010.11

H [T]機構も変化する。図に熱処理温度 Ta=228 ℃、E-9金属ガラス Cu27.5Zr65Al7.5 の構造
九州大学大学院 A , JAEAB , SPring-8C

山口展史A , 武田信一 A , 川北至信 B , 尾原幸治 C , 小原真司 C

CuZr 合金系は溶融相から急冷することにして、今回は Reverse Monte Carlo(RMC) 法

より金属ガラスを形成することが知られていを用いた構造モデリングを行った。我々が測定る。金属ガラスは従来の合金と比べて耐蝕製、した CuZr2 及び Cu27.5Zr65Al7.5 の X 線回折

強靱性、軟磁性に優れており、また過冷却液体実験から得た静的構造因子を元に RMC モデリの状態で安定し鋳型での鋳造が可能といったよングを行ったところ、両者には基本的な構造にうな利便性をもつため、その物性が盛んに研は大差がないものの二体分布関数 g(r) の第２究されている。

CuZr2 のガラス構造中にはピークに若干の差がある。Al がガラス形成能に

2,3,5 回回転対称性をもつ 20 面体クラスターの存在が指摘されており、特に５回対称によって長距離秩序が形成されにくいことがガラスの安どのように寄与しているかに着目して議論する。

定性に寄与していると考えられている。また、

CuZr 合金系に Al を添加するとガラス形成能が高くなることが分かっている 。

我々はこれまでに Cu27.5Zr65Al7.5 の X 線非弾性散乱実験を行い、縦音響 (LA) モードと横音響 (TA)モードの二つのモードを観測した。動的ダイナ
ミクスと静的構造を関連づけることを目標と

43

E-10

室温イオン液体の構造
九大院理 A , 原子力機構 J-PARCB , JASRI/SPring-8C , 京大院理 D , PALE
脇阪有衣子A , 島倉宏典 A,B , 尾原幸治 C , 川北至信 B , 小原真司 C , 八尾誠 D , 永谷清信 D , Y.J.ParkE , 武田信一 A

本研究ではイオン液体

1-Buthyl-3-methylimidazolium
Hexaﬂuorophosphate（[c4mim][PF6]）の構造を調べるため X 線回折実験を行った。

43.532.5S(Q)

実験は Spring-8 の BL04B2 の 113.4keV の高エネルギー X 線、および韓国の Pohang Ac-

21.5
1celerator Laboratory（PAL）のビームライン
3C2 XRS I の 8.05keV の X 線を用いて透過法で行った。

0.50-1-0.5

13579111315Q

図１：構造因子S(Q)
図１：構造因子S(Q)得られた構造因子 S(Q) 図１に示す。構造因子 S(Q) から得られた二対分布関数 g(r) 図２に示す。二対分布関数の 3.5 Å以下は主として

4.54[c4mim][PF6] のイオン内相関を、それ以上の範囲ではイオン間相関を示していると考えられる。

3.53g(r)2.521.510.50-0.5 0123456789101112ｒ

図２：二対分布関数g(r)図２：二対分布関数g(r)E-11

銀ハライドにおける非アレニウス型イオン伝導の解析
熊大院自然科学 A

犬童貴樹A , 安仁屋勝 A

高いイオン伝導率を持つ物質の多くは, イオン伝導率について典型的なアレニウス型の温度依存性を示す。しかしながら, いくつかの銀ハライドイオン導電体において, 単純なアレニウス則に従わないことが報告されている [1]。この現象は通常 defect chemistry の観点から格子欠陥の相互作用によるものとして議論されている。今回の研究では, Zwanzig によって提唱された速度自己相関関数のモデル [2] を改良して非アレニウス型イオン伝導を議論する。当モデルによると, イオン伝導率は次のように書ける。

()(Ze)2111σ=n(T )+ +f mω 2τAτiτj(1)

ここで, Z は価数, m は質量, f はハーベン比, n(T ) は可動イオンのキャリアー数, ω は振動数である。また, τA , τi , τj はそれぞれの拡散プロセスに対応した緩和時間である。

References[1] J.-S. Lee, S. Adams and J. Maier: J. Phys. Chem. Sol. 61 (2000) 1607.
[2] R. Zwanzig: J. Chem. Phys. 79 (1983) 4507.

4413E-12

イオン結晶の弾性スティフネスと結合性の温度依存性
熊大院自然科学 A

貞国治人A , 安仁屋勝 A

AgCl や AgBr が示す物性は，同じ結晶構造を持つアルカリハライドのものとは大きく異なる。
例えば，銀ハライドは，低い融点や高いイオン伝導度をもつ。この差異は結合性の違いにあると考えられる。物質の結合性を知る上で，弾性定数を調べることは非常に有効である。そこで，今回の発表では，弾性スティフネス定数の温度依存性から物質の結合性について考察する。
弾性定数の温度依存性の記述において，次の関係式 [1] がよく使われる。

(M (T ) = M0

V (T )V00)−δM(1)

ここで，M は弾性定数，V は体積，δM は各弾性定数に付随する Anderson-Grüneisen 定数である。
下付きあるいは上付きの添字 0 は，基準温度としてとる室温における値であることを示す。発表時には，上式を用いて解析したイオン結晶の弾性定数の温度依存性を結合論の観点から議論する。加えて，結合の揺らぎが重要な役割を果たすイオン伝導の温度依存性との相関についても考察する。

Reference[1] A. Vijay, T.S. Verma: Physica B 291 (2000) 373.

E-13イオン導電体におけるイオン輸送の活性化エネルギーと非線形光学定数
熊大院自然科学 A

池田祥典A , 安仁屋勝 A

我々は固体中のイオン拡散現象と非線形光学定数の間に存在すると考えられる相関について研究を行っている．固体中のイオン伝導を説明するモデルの一つである結合揺らぎモデルの予測から，非線形光学定数の増大はイオン拡散し易い状況の形成，活性化エネルギーの減少につながると考えられる．
今回の報告では，ハロゲン導電体として知られる CaF2 型構造を持つイオン導電体，Ag 導電体の Ag2 O-B2 O3 ガラス，Na 導電体の Na2 O-B2 O3 ガラスのイオン伝導の活性化エネルギーと非線形光学定数の関係について考察する．結合揺らぎモデルの予想通り，これらの物質で非線形光学定数の増大と共に活性化エネルギーが減少する．
半導体でよく用いられる非線形光学定数を予測する Sheik-Bahae の式によると，非線形光学定数は線形屈折率 n0 とエネルギーギャップ Eg の 4 乗に反比例する．一方，n0 と Eg は Reddy の経験式で n0 = −lnAEg と関係付けられる．ここで，A は物質の結合性を反映する量である．A は電子雲の変化のし易さに起因する結合揺らぎの増大に伴って増加する性質を持つ．今回調べた全ての系で，A の増加と共にイオン伝導の活性化エネルギーが減少した．更には，Sheik-Bahae の式から，A の増加によって非線形光学定数も増加することが分かる．これらのことから，イオン導電体は高い非線形光学定数をもち易いという性質の背景が明らかになった．

45

E-14

第一原理分子動力学法による高圧下における液体 Se の半導体-金属転移
熊大院自然 A大村訓史A , 下條冬樹 A

液体 Se や液体 Te などの 6 族元素液体に関しては、半導体-金属転移 (SC-M 転移) に関連した構造変化に関する研究が盛んに行われてきた。
最近、液体 Se の粘性の測定実験が行われ、加圧に伴う粘性の減少が報告された。そこで我々は、
液体 Se の SC-M 転移に伴う構造変化、動的性質の圧力変化に加え、転移点よりさらに高圧領域における構造の圧力依存性を第一原理分子動力学法を用いた計算機シミュレーションによって調べた。図は計算から得られた粘性係数の圧力依存性である。この図から液体 Se が 5GPa付近で半導体から金属に転移している事が分かる。我々は、金属化の起こった後の液体 Se が液体 Na などの等方的な構造ではなく、各原子が特徴的なシェルに囲まれている特殊な構造を持つことを見出した。講演では液体 Se の静的構
造、動的構造の圧力依存性に加え、液体 Te との相違点についても議論する予定である。

E-15

金属基板を覆うヘリウム膜上 2 次元電子系の輸送特性
九大理 A

中西倫宏A , 金崎直史 A , 矢山英樹 A

液体ヘリウム上には非常に理想的な２次元のは減少している。これにより、金属表面を覆う電子系を作ることができ、この系を用いて様々ヘリウム膜上に電子が乗っていることがわかる。

な実験が行われてきた。そのひとつの発展として固体基板を覆う超流動ヘリウム膜上に電子を乗せる試みがなされている。この下地の固体基板が誘電体の場合は電子が乗ることが確認されたが、金属の場合には電子が乗るという説と乗らないという説がある。我々はこれを確認するため以下の実験を行った。
金属表面を液体ヘリウム膜で覆い、その表面に電子を供給した。この金属を液体ヘリウムに一部浸漬し、上下させてその表面と液体ヘリウムとの間で電子を移動させることを試みた。
図はその時の液体ヘリウム上の電子密度を測定した結果である。基板を下げると表面を覆うヘリウム膜上の電子が流れ出てバルクヘリウム上の電子密度が上昇し、逆に基板を上げると戻っていき、バルクヘリウム上の電子密度46

E-16

機械式冷凍機を用いた液体ヘリウムフリー希釈冷凍機の振動解析
九大理 A , 株式会社低温技術研究所 B

金崎直史A , Ali G. HafezB , 矢山英樹 A

液体ヘリウムフリー希釈冷凍機は、10 mK

い る た め 、x 方 向（ 水 平 方 向 ）に 固 有 振 動

オーダーの超低温を作り出す装置であり、循を し て い る 。改 良 前 の ス ペ ク ト ル に は 、x環ガスの予冷を GM 冷凍機により行っている。

方向の固有振動である 15 Hz 以下の大きGM 冷凍機が発生する振動は、発熱や、測定の際のノイズの原因になるため、振動低減が望まれる。しかし、これまでに報告されている振動な ス パ イ ク が 見 ら れ る が 、上 記 の 改 良 に より、こ れ を 大 幅 に 低 減 す る こ と が で き た 。

解析は、すべて、z 方向（鉛直方向）のみの解析である。
今回、希釈冷凍機中の Mixing chamber で起こる微小な振動を軽減するために、無冷媒希釈冷凍機のフレームと Mixing chamber に改良を施し、3 次元振動解析を初めて行った。具体的な改良は次の二点である。
１．希釈冷凍機を支えるフレームの対角線上に、新たなサポート部品を追加。
２．Mixing chamber を FRP で 4 K シールドに固定。
この 2 点の改良を加える前後での 3 次元振動のスペクトルを下図に示す。
希 釈 冷 凍 ユ ニット は 、吊 り 下 げ ら れ て

E-17

タングステン磁気抵抗熱スイッチの特性
九大理 A

金田大輝A , 八山陽介 A , 矢山英樹 A
桁大きいことがわかった。この原因は現在不明

極低温領域では熱流の制御には熱スイッチが不可欠である。現在主に熱スイッチに用いられである。ているのは機械的熱スイッチ、ガス伝導式スイッこれらの結果から、熱スイッチとしては、単チ、超伝導熱スイッチなどである。今回我々は結晶を用いる必要があることが明らかになった。

タングステンが磁場中で熱伝導率が小さくなることに着目し、熱スイッチとして利用できるかの実験を行った。
単結晶タングステンは入手が困難であること、形状加工が難しいことから、我々は多結晶タングステンで実験を行い単結晶の結果と比較した。
実 験 は 直 径 0.7mm、長 さ 150mm、純 度99.95%の多結晶タングステン線をらせん状にした試料を用い、熱伝導率の測定は定常法で行った。
図は多結晶タングステン線における熱伝導率の温度依存性を示す。ON STATE における熱伝導率は単結晶の場合に比べて約 3 桁小さいことがわかった。これは実験に用いた試料が多結晶であることが原因と考えられる。OFF STATEにおける熱伝導率は単結晶の場合に比べて約 147