5月26日(水)
開会挨拶

(座長)

塩嵜 忠(奈良先端科学技術大学院大学)

10:25--10:30

強誘電体材料(I)(座長)

大里 齊 (名古屋工業大学)

10:30--12:00(26-F-1)

強誘電性液晶における螺旋構造の動的運動解析(東理大, *八戸高専) 片山 崇, 上原 宏行*, 古江 広和, 幡野 純

(26-F-2)

LPE法によるニオブ酸リチウム膜の育成と評価(FDK, *光産業技振協・富士通) 八木 毅, 加藤 彰彦, 梅澤 浩光, 白石 崇*, 中澤忠雄*(26-F-3)

SrZrO3 /SrTiO3 系人工超格子における強誘電性の発現(東工大, *Bruker AXS) 張替 貴聖, 田中 大介, 南 ソンミン, 掛本 博文, 和田智志, 鶴見 敬章, 斉藤 啓介*(26-F-4)

MOCVD法によりSi基板上で配向制御したPb(Zr,Ti)O3 厚膜の電気特性の配向依存性(東工大総理工, *Bruker AXS) 岡本 庄司, 横山 信太郎, 本田 佳久, 浅野 剛司,舟窪 浩, 斎藤 啓介*(26-F-5)Ba(Ti,Zr)O3 をベースとするY5V系誘電体材料における微細構造変化と電気特性の関係(太陽誘電, 名工大*) 水野 洋一, 森田 浩一郎, 萩原 智也, 岸 弘志, 大沼 健二,大里 齊*(26-F-6)

UAFMによる強誘電体ドメイン構造の弾性特性評価(*産総研, **東北大, ***NECトーキン) 辻 俊宏*,**, 小木曽 久人*, 明渡 純*,
川上 祥広***, 斉藤 繁**, 福田 憲司**, 山中 一司**

薄膜(I)(26-T-1)(座長)

野田 実 (大阪大学)

13:15--14:45

Sol-gel/PLDハイブリッドプロセスによりin situ成長したPZT薄膜の電気的特性と微細組織(東北大工, *産総研) 王 占杰, 前田 龍太郎*, 粉川 博之, 一木 正聡*(26-T-2)

Pb(Zn1/3 Nb2/3 )O3 -PbTiO3 薄膜の特性と評価(湘南工大工, 早大理工*) 真岩 宏司, 一ノ瀬 昇*(26-T-3)Fabrications of Pb(Sc1/2 Nb1/2 )O3 /xPbTiO3 Thin Films and Their StructuralCharacterizations(Waseda Univ. and *SPMS, Ecole Centrale Paris) S. Asanuma, M. Fukunaga, Y.
Uesu, R. Haumont*, B. Dkhil*, C. Malibert* and J.-M. Kiat*(26-T-4)

MOCVD法によりSrTiO3 及びMgO上に作製した PbTiO3 自己集合島の構造制御(兵庫県大, *Bruker AXS, **富士通研) 野々村 哉, 藤沢 浩訓, 清水 勝, 丹生博彦, 斉藤 啓介*, 本田 耕一郎**(26-T-5)

エアロゾルデポジション法でステンレス箔上に直接形成したPb(Zr,Ti)O3 厚膜のCO2 レー
ザー加熱後の電気特性と構造変化(産総研) 馬場 創, 明渡 純(26-T-6)

Dielectric Characteristics of PLZT Films on Base-metal Foils for Embedded PowerElectronic Systems(INOSTEK Inc. and *Argonne National Lab.) S.-H. Kim, J.-H. Yeom, D. Y.
Kaufman*, S. K. Streiffer*, C. Y. Koo, J.-H. Cheon, and J. Ha

圧電材料(I)(26-P-1)(座長)

鶴見 敬章 (東京工業大学)

15:00--16:15

モルフォトロピック相境界近傍の強誘電体固体溶体単結晶Pb(Zn1/3 Nb2/3)O3 -PbTi
O3 の圧電特性の静水圧力依存性(岐阜大, 川鉄鉱業*, 東芝**, 名工大***, 愛知淑徳大****) 安田 直彦, 伊藤裕己, 大和 英弘, 松下 三芳*, 山下 洋八**, 岩田 真***, 石橋 善弘****(26-P-2)

高誘電率, 高結合係数リラクサ系圧電セラミクス(東芝研究開発セ) 山下 洋八, 細野 靖晴(26-P-3)

PMNZTセラミックスの800℃焼成プロセスと積層体特性(湘南工大, *リコー) 林 卓, 長谷川 朋之, 大竹 尉之, 秋山 善一*(26-P-4)

PZT系ハイパワー圧電セラミックス(リードテクノ, *早大, **長岡工専, ***龍谷大) 早野 修二, 高橋 貞行*, 梅田幹雄**, 松雄 嘉浩***, 和田 隆博***(26-P-5)マイクロデバイスにおけるPZTセラミックス-Si単結晶の接合(立命館大理工) 田中 克彦, 勝田 匡彦, 小西 隆寛, 久瀬 亘, 杉山 進
薄膜(II)(26-T-7)

(座長)

堀田 將
(北陸先端科学技術大学院大学)

16:30--18:00

低温および高温でのFRAM用PZT膜解析(富士通研) 金 暢大, 本田 耕一郎(26-T-8)

水熱合成法によるエピタキシャルチタン酸鉛(PbTiO3 )薄膜(東北大電通研) 森田 剛, 長 康夫

(26-T-9)希土類置換PZT薄膜の電気特性評価(上智大理工, *東工大物創) 中木 寛, 内田 寛, 横山信太郎*, 舟窪 浩*,幸田清一郎(26-T-10)

PZT薄膜の電気伝導メカニズムに及ぼす界面効果(八戸工大工) 野坂 隆, 増田 陽一郎(26-T-11)

エアロゾルデポジション法で作製したPLZT, PT薄膜の構造と電気光学効果(NEC, 産総研*) 中田 正文, 大橋 啓之, 明渡 純*(26-T-12)

Ferroelectric Characteristics of Pb(Zr,Ti)O3 Capacitor by Various Methods of PZT Thin
Film Formation(Samsung Electronics) K.-M. Lee, J.-E. Lim, B.-J. Bae, S.-D. Nam, K.-S. Park,C.-M. Lee, S.-O. Park, U.-I.. Chung, and J.-T. Moon

5月27日(木)
薄膜(III)(27-T-13)(座長)

藤村 紀文 (大阪府立大学)

圧電応答顕微鏡によるPZTキャパシタの分極反転過程の観察(兵庫県大) 藤沢 浩訓, 八木 達也, 清水 勝, 丹生 博彦

9:00--10:15

(27-T-14)

分極制御ウェットエッチング法による強誘電体単結晶記録媒体の作製と記録特性の評価(東北大通研) 平永 良臣, 長 康雄

(27-T-15)

基板表面洗浄によるミスト堆積PZT薄膜の平坦性ならびに強誘電特性改善(奈良先端大, *サムコ) 河崎 晋, 岡村 総一郎, 塩嵜 忠, 本山 慎一*, 立田利明*, 辻 理*

(27-T-16)

Study of Polarization Properties in Random Oriented Bi 3.35La0.85Ti3 O12Ferroelectric Thin Film Utilizing Piezoresponse Force Microscope(PFM)(SungKyunKwan Univ. and *Hynix semiconductor Inc) S. Choi, I. Chung, S.-K.
Hong*, S.-H. Oh*, K.-N. Lee*, and Y.-J. Park*(27-T-17)

Polarization Switching Mechanisms for Epitaxial and Polycrystalline Ferroelectric PZT Films(Seoul Nat'l Univ., *Suwon Univ. and **Changwon Nat'l Univ.) Y. W. So, T. W.
Noh, Jong-Gul Yoon* and T. K. Song**(座長)

薄膜(IV)(27-T-18)

加藤 一実 (産業技術総合研究所)

10:30--12:00

LSMCD法を用いた強誘電体薄膜の選択成長(セイコーエプソン) 高桑 敦司, 下田 達也(27-T-19)

化学溶液プロセスによる(Bi,Nd)4 (Ti,Ge)3 O12 薄膜の作製と評価(名大理工総, *湘南工大, **名大工) 坂本 渉, 水谷 祐輝, 飯澤 直也*, 余語
利信, 林 卓*, 平野 眞一**

(27-T-20)

チタン酸ビスマス薄膜におけるシリコン添加効果(芝浦工大工, *八戸工大工) 山口 正樹, 増田 陽一郎*

(27-T-21)

m=1-2系BLSF自然超格子構造薄膜の作製(阪大基工, *Bruker AXS) 渋谷 明, 野田 実, 奥山 雅則, 斎藤 啓介*(27-T-22)

レーザーアブレーション法によるBi(FexAl1-x)O3 薄膜の作製とその評価(大府大工) 岡田 守弘, 吉村 武, 藤村 紀文(27-T-23)

Heteroepitaxial Growth and Ferroelectricity of Bi 3.25La0.75Ti3 O12 Films on
n-GaN/Al2 O3 (0001) Substrates Prepared by Pulsed Laser Deposition(Korea Basic Science Inst., *Pusan Nat'l Univ. and **Konkuk Univ.) C.-R. Cho,J.-P. Kim, J.-Y. Hwang, S.-Y. Jeong* and B.-H. Park**

強誘電体材料(II)(27-F-7)(座長)

塩嵜 忠(奈良先端科学技術大学院大学)

13:15--14:45

Bi4 Ti3 O12 -BaBi 4 Ti4 O15 単結晶の分極特性(*東大生研, **科技機構さきがけ) 小林 友*, 野口 祐二*,**, 宮山 勝*(27-F-8)

Dielectric Properties and Aging of CaO-Doped 0.9Pb(Mg 1/3 Nb2/3 )O3 -0.1PbTiO3(Chinese Academy of Sci.) C. Feng and W. Yoo(27-F-9)High Dielectric Tunability of (Ba, Sr)TiO3 Thin Films and Their CPW Phase ShifterApplications(ETRI) S.-J. Lee, S. E. Moon, M.-H. Kwak, H.-C. Ryu, Y.-T. Kim and K.-Y. Kang(27-F-10)

Substitution Mechanism of ZnO-doped Lithium Niobate Crystal Determined by Power
x-ray Diffraction and Coercive Field(Nat'l Taiwan Normal Univ., *Tera Xtal Tech. Co., **Nat'l Central Univ.
***Chung-Shan Inst. of Sci. and Tech. and ****Academia Sinica) C.-T. Chia, M.
L. Hu*, L. J. Hu**, J. Y. Chang*** and W. S. Tse****(27-F-11)

Structure and Electrical Properties of Lead-Free (Na0.5 K0.5 )NbO3 -BaTiO3Ceramics(Nagoya Inst. of Tech.) Y. Guo, K. Kakimoto and H. Ohsato(27-F-12)

Optical and Electrical Studies on Trivalent Ions (Cr,Fe) Doped KTP Single Crystals(Nims and *Anna Univ.) C. V. Kannan, H. Kimura, A. Miyazaki and P. Ramasamy*

(座長)

薄膜(V)
(27-T-24)

真岩 宏司 (湘南工科大学)

15:00--16:00

アルコキシド法BaTiO3 系薄膜の誘電・圧電特性における粒径効果(産総研) 田中 清高, 鈴木 一行, 符 徳勝, 西澤 かおり, 三木 健, 加 藤 一実

(27-T-25)

La-doped SrTiO3 基板に形成されたBa2 NaNb5 O15 薄膜の構造・強誘電特性(東理大理, *八戸工大) 亀井 隆之, 樋口 透, 十河 実, 塚本 桓世, 増田 陽一郎*

(27-T-26)

サファイア基板上KNbO3 エピタキシャル薄膜の作製(セイコーエプソン) 樋口 天光, 青山 拓, 岩下 節也, 下田 達也(27-T-27)

SPS法を用いた高密度セラミックターゲットの作製とPLD法による(K,Na)NbO3 系薄膜の形
成(龍大理工, *松下先端研, **京大工) 齊藤 武尚, 和田 隆博, 足立 秀明*, 神野伊策**

(座長)

招待講演
(27-I-1)

清水 勝 (兵庫県立大学)

16:15--16:45

Scanning Probe Microscopy Progress Nanoscale Ferroelectrics(North Carolina State Univ.) A. Gruverman

(座長)

特別講演
(27-S-1)

石橋 善弘 (愛知淑徳大学)

16:45--17:45

積層セラミックコンデンサ開発の現状と将来展望(TDK) 野村 武史

5月28日(金) パラレルセッション 202号室
圧電材料(II)(28-P-6)(座長)

竹中 正 (東京理科大学)

9:00--10:15

透明SrB4 O7 単結晶の育成と評価(山口大工) 川野 博昭, 小松 隆一, 池田 攻

(28-P-7)

ランタンカルシウムオキソボレート
LaCa4 O(BO3 )3 結晶の材料定数評価(奈良先端大, *堺化学工業) 清水 寛之, 児玉 芳, 武田 博明, 西田 貴司, 式田
尚志*, 岡村 総一郎, 塩嵜 忠

(28-P-8)

Ca3 NbGa3 Si2 O14 単結晶の圧電特性(富山県立大) 唐木 智明, 佐藤 涼子, 安達 正利

(28-P-9)

垂直ブリッジマン法により育成したニオブ酸カリウム単結晶の圧電特性への電界効果(長野精工試, *信州大) 工藤 賢一, 垣内 健児, 水谷 康治*, 青木 芳仁*, 干川圭吾*, 深海 龍夫*(28-P-10)

Pb2 KNb5 O15 単結晶の育成と評価(NIMS材料研) 木村 秀夫, 眞岩 幸治, 宮崎 昭光, 中村 博昭, Z. X. Cheng, C. V.
Kannan

圧電材料(III)(28-P-11)(座長)

山下 洋八 (東芝)

10:30--12:00

微量元素ドープしたKNbO3 セラミックスの固溶体構造と圧電特性(名工大物質工) 柿本 健一, 増田 いづみ, 大里 齊

(28-P-12)

BaTiO3 -(Bi 1/2 K1/2 )TiO3 系強誘電体セラミックスの圧電特性(東理大理工) 晝間 裕二, 寺田 圭悟, 永田 肇, 竹中 正(28-P-13)(Bi 0.5 -xNa0.5 TiO3 )0.94(BaTiO3)0.06セラミックスの圧電特性に及ぼすBi欠損効果(兵庫県大, *京セラ) 阿部 次郎, 小舟 正文, 矢澤 哲夫, 中井 泰広*, 尾坂 茂*(28-P-14)

ドメインエンジニアリングによるニオブ酸カリウム単結晶の圧電特性の向上(東工大, *旭テクノグラス) 和田 智志, 村岡 一磨, 掛本 博文, 鶴見 敬章, 熊谷博彦*(28-P-15)(K,Pb,Na)NbO3 セラミックスの圧電特性に及ぼすA/Bサイト比の影響(防大機能材料) 田代 新二郎, 永田 邦裕(28-P-16)

圧電セラミックス(Na0.5K0.5 )NbO3 -PbTiO3 の電気変位特性(産総研, 物材機構*, 東工大**) 王 瑞平, 関谷 忠, 解 栄軍*, 内田 正哉*, 伊藤満**

マイクロ波材料(28-M-1)(座長)

安藤 陽 (村田製作所)

13:15--14:45

Preparation of Decoupling Thin Film Multilayer and Single Layer High-Frequency(Ba,Sr)TiO3 Capacitors on Al2 O3 Ceramic Substrates(Gennum Co. and *ULVAC Inc.) I.. P. Koutsaroff, A. C.-Lawry, T. Bernacki, M.
Zelner, P. Woo, A. Patel, A. Kassam, L. Woodward, T. Jimbo*, and K. Suu*

(28-M-2)

Effect of Stacking Layers on the Microwave Dielectric Properties ofCaTiO3 /(Li1/2 Sm1/2 )TiO3 Multilayered Thin Films(Yonsei Univ.) B. D. Lee, H. R. Lee and K. H. Yoon

(28-M-3)

A K-band Distributed Analog Phase Shifter Using Etched Ba0.6 Sr0.4 TiO3 Thin Films(ETRI) H.-C. Ryu, S. E. Moon, S.-J. Lee, M.-H. Kwak, Y.-T. Kim and K.-Y. Kang

(28-M-4)

TGG法により作製したBa4 Nd9.33Ti18 O54 粒子配向セラミックスのマイクロ波誘電特性異方性(名工大) 和田 賢介, 柿本 健一, 大里 齊(28-M-5)

誘電性・磁性複合体のマイクロ波帯電波吸収特性(防大通信) 安 英準, 三浦 隆史, 沖野 裕丈, 山本 孝

(28-M-6)

高誘電率材料マイクロ波誘電特性の測定(立命館大, 村田製作所) 脇野 喜久男, 熊谷 聡介, 白石 剛史, 北澤 敏秀, 藤井高志, 安藤 陽

薄膜(VI)(28-T-28)(座長)

野澤 博 (京都大学)

15:00--16:00

バックエッチングによるSi基板上のチタン酸鉛薄膜の残留応力への影響(静岡大, *静岡県工技セ, **四日市大) 大野 智也, 星 佑介, 鈴木 久男, 増井裕久*, 石川 賢司**

(28-T-29)

BaTiO3 ナノ粒子分散溶液を用いて作製したBaTiO3 薄膜の誘電特性(村田製作所) 山下 裕久, 山本 宏, 坂部 行雄(28-T-30)

YMnO3 薄膜の低温成長による強誘電特性の向上(大府大工) 重光 学道, 坂田 浩憲, 吉村 武, 藤村 紀文(28-T-31)

Investigation of Ru/TiN Bottom Electrodes Prepared by Chemical Vapor Deposition(Seoul Nat'l Univ.) S. Y. Kang, C. S. Hwang and H. J. Kim
薄膜(VII)(28-T-32)(座長)

田畑 仁 (大阪大学)

16:15--17:15

Fabrication and Electric Properties of Pt/SrBi 2 Ta2 O9 /Hf-Al-O/Si MFIS-FETs(AIST) S. Sakai, R. Ilangovan. and M. Takahashi(28-T-33)

Investigation of AlOxNy Thin Films Prepared by UV Assisted Atomic Layer Deposition(Seoul Nat'l Univ.) D. Eom, S. Y. No, C. S. Hwang and H. J. Kim(28-T-34)

Improvement of Dielectric Properties through the Laser Treatment in Ultra-Thin TiO2Films Grown by Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition(Chungnam Nat'l Univ. and *Dong-Eui Univ.) J.-H. Kim, K.-J. Choi, W.-J. Lee*and S.-G. Yoon

(28-T-35)

The Effect of Substrate Bias Voltage on the Electrical Properties of ZnO:Al Thin Film(Kyungsung Univ. and *Kyungsung Univ.) D. J. Kwak, K. I. Park, B. S. Kim, M. W
Park*, S. J. Lee* and S. H Lee

5月28日(金) パラレルセッション 201号室
基礎(I)(28-B-1)(座長)

岩田 真 (名古屋工業大学)

9:00--10:15

KDP型混晶における相境界の異常とリラクサー特性の探索(岐阜大工) 松下 栄子, 新海 有人(28-B-2)

リラクサー人工格子とモンテカルロ法によるA(B' 4+ 0.5 ,B''4+ 0.5 )O3 の相転移シミュ
レーション(阪大産研) 堀田 育志, 土井 敦裕, 川合 知二, 田畑 仁

(28-B-3)ビスマス層状構造強誘電体の異常光伝導(物材機構物質研, *東工大応セラ研) 長田 実, 垣花 眞人*(28-B-4)

Theoretical Study of Atomic Relaxation in 900 Domain Walls of Ferroelectric Perovskite
Films(Aichi Shukutoku Univ. and *Osaka Univ.) Y. Ishibashi, D. Ricinschi* and M.
Okuyama*(28-B-5)

強誘電材料のサブミリ波域における誘電特性(村田製作所) 藤井 高志, 安藤 陽

(座長)

基礎(II)(28-B-6)

上江洲 由晃 (早稲田大学)

10:30--12:00

ペロブスカイト型強誘電体BaTiO3 , KNbO3 , PbTiO3 の全エネルギー表面の第一原理計
算とその比較
(*東北大金研, **NECトーキン) 橋本 孝俊*,**, 西松 毅*, 水関 博志*, 川添良幸*, 佐々木 淳**, 池田 義秋**

(28-B-7)

Pb系ペロブスカイト型反強誘電体に特徴的な電子密度分布(岡山大理, *名大工, **JASRI, ***東工大応セラ研) 黒岩 芳弘, 藤原 弘, 澤田昭勝, 青柳 忍*, 西堀 英治*, 坂田 誠*, 高田 昌樹**, 川路 均***, 阿竹 徹***(28-B-8)

AFM によるPZN-PTのドメインウォール構造 II(名工大工, *チェコ物理研, **岐阜大工, ***愛知淑徳大) 岩田 真, 鬘谷浩平, 立崎 真輔, J. Hlinka*, 前田 雅輝, 鈴木 昱雄, 安田 直彦**, 石橋(28-B-9)

接触共振圧電応答顕微鏡により観察したPb(Mg1/3Nb2/3 )O3 -PbTiO3 単結晶のドメイン構造の降温速度依存性(防大通信) 沖野 裕丈, 坂本 順一, 山本 孝

(28-B-10)

放射光トポグラフィを用いたBaTiO3 のドメイン観察(原研, *理研, **JASRI, ***福島高専, ****いわき明星大) 米田 安宏, 水木純一郎, 香村 芳樹*, 鈴木 芳生**, 濱崎 真一***, 高重 正明****(28-B-11)

Order-disorder Nature of Ferroelectric BaTi2 O5 Single Crystals(Tsukuba Univ. and *Shimane Univ.) A. Hushur, H. Shigematsu*, Y. Akishige* andS. Kojima

基礎・光応用(28-E-1)(座長)

小島 誠治 (筑波大学)

13:15--14:45

Ozone Generation and Electrical Characteristic of a Silent Discharge Chamber According to
the Kind of a Dielectric Materials(Kyungsung Univ. and *Kyungpook Univ.) S. H. Lee, B. S. Kim, K. I. Park, S. W.
Lee, J. Y. Seok* and D. J. Kwak

(28-E-2)

A Simple Analytical Approach for Ferroelectric Hysteresis under Arbitrary Electric FieldHistory(The Hong Kong Polytechnic Univ.) C. H. Tsang, C. K. Wong and F. G. Shin

(28-E-3)

Maximum Transient Diffraction Efficiency from a Steady-State Grating in a BaTiO3 Crystal(Shizuoka Univ.) S. M. Sharif and K. Ogusu(28-E-4)

Pump-probe Study of E(TO) Polariton of Zn-doped LiNbO3(Nat'l Taiwan Normal Univ. and *Nat'l Taiwan Univ.) C.-C. Lee, Y.-M. Chang*, M.
L. Sun and C.-T. Chia(28-E-5)

第一原理計算によるNaNbO3 の点欠陥形成エネルギーの評価(龍大理工) 繁實 章夫, 和田 隆博(28-E-6)

チタン酸ビスマス系強誘電体の電子構造(*東大生研, **科技機構さきがけ) 後藤 崇*, 高橋 尚武*, 曽我 雅之*, 野口祐二*,**, 宮山 勝*

圧電材料(IV)(28-P-17)(座長)

安達 正利 (富山県立大学)

15:00--16:00

Bi層状構造強誘電体の厚み縦振動に関する研究(東光, *足工大, **東理大) 菅谷 豊, 奥野 英介*, 荘司 和男*,

坂田 好一郎**(28-P-18)

強磁場印加によるBi4 Ti3 O12 の結晶配向(太陽誘電, *長岡技科大, **都立大) 土信田 豊, 都竹 浩一郎, 岸 弘志, 牧谷敦*, 田中 諭*, 植松 敬三*, 木村 恒久**(28-P-19)

強磁場下で配向させた高分子膜の圧電性(*関大工, **関西テック, ***住友重機, ****住友化学, *****小林理研) 名切卓男*,**, 石塚 正之***, 岡本 敏****, 植松 淑子*, 伊達 宗宏*****, 深田栄一*****, 田實 佳郎*(28-P-20)

Preparation of Optically Transparent Strontium Calcium Sodium Niobate Piezoelectric
Ceramics(物材機構, *産総研) 解 栄軍, 広崎 尚登, 王 瑞平*, 秋宗 淑雄*

圧電応用(I)(28-A-1)(座長)

富川 義朗 (山形大学)

16:15--17:15

SH波の伝搬速度変化を利用したネマチック液晶の配向測定(防大電情, *阪大工) 森武 洋, 金 載錡, 戸田 耕司, 吉野 勝美*(28-A-2)

スクリーン印刷法によるシリコン基板上へのBa(Ti,Zr)O3 厚膜マイクロアクチュエータの作
製(富山県工技セ, *産総研, **富山県立大) 坂井 雄一, 二口 友昭, 飯島 高志*,安達 正利**(28-A-3)

Electromechanical Property Map of Pb-based Films for Microsystems(INOSTEK Inc.) S.-H. Kim, C. Y. Koo, J.-H. Cheon, J.-H. Yeom and J. Ha(28-A-4)Fabrication of Piezoelectric and Ferroelectric Single Crystals without Melting Step
(Ceracomp Co., Ltd. and *Sunmoon Univ.) J.-B. Lee, T.-M. Heo, D.-H. Kim andH.-Y. Lee*

チュートリアル
(28-TU-1)(座長)奥山 雅則 (大阪大学大学院)

17:30--18:30

フォトニクスクリスタルとフラクタル(信州大理) 武田 三男

5月29日(土)
圧電応用(II)(29-A-5)(座長)

高橋 貞行 (早稲田大学)

9:00--10:15

Designing a Radial Mode Laminated Piezoelectric Transformer for High Power Applications(MTEC and *ICAT Pennsylvania State Univ.) P. Laoratanakul, S. Manuspiya* andK. Uchino*(29-A-6)

独立性の高い2方向振動合成による超音波モータ(*京セラ, **山形大工) 宗石 猛*,**, 富川 義朗**

(29-A-7)

磁気ディスク装置用圧電マイクロアクチュエータ(富士通研, *富士通) 栗原 和明, 肥田 勝春, 梅宮 茂良, 小金沢 新治**(29-A-8)周波数変化型力センサを一体化した縦振動子触覚センサの振動解析と実験的検討(石巻専大理工) 工藤 すばる(29-A-9)

圧電トランスを用いた誘電体バリア放電型プラズマ発生器(千葉工大) 寺西 研二, 鈴木 進, 伊藤 晴雄

薄膜(VIII)(29-T-36)(座長)中村 孝 (ローム)

10:30--12:00

真空アニール効果によるSBTおよびBLTの構造変化(京大エネルギー科学) 辰巳 直行, 玉井 慎一, 前田 佳均, 野澤 博

(29-T-37)

SrBi 2 Ta2 O9 薄膜の構造相変化とグレイン成長(福岡大理学) 香野 淳, 坂元 英雄, 松尾 和展(29-T-38)

酸化チタンアナターゼ上に形成されたBi4 Ti3 O12 薄膜の強誘電特性(東理大理) 樋口 透, 中村 誠, 蜂巣 祐司, 塚本 桓世(29-T-39)

分極軸配向Bi4-xPrxTi3 O12 強誘電体膜の圧電評価(産総研, *防大通信) 松田 弘文, 伊藤 佐千子, 飯島 高志, 真下 翼*, 沖野裕丈*, 山本 孝*(29-T-40)

Phase Formations and Electrical Properties of Bi 0.85La3.15Ti3 O12 and Sm-Doped
Bi0.85La3.15Ti3 O12 Thin Films With Annealing Temperature(ETRI, *Dong-Eui Univ. and **Chungnam Nat'l Univ.) S.-O. Ryu, N.-Y.l Lee,W.-J. Lee* and S.-G. Yoon**(29-T-41)

Ferroelectric Properties of Mn-doped Bi 3.6 La0.4Ti3 O12 Thin Films with AnnealingConditions(Korea Basic Sci. Inst. and *Pusan Nat'l Univ.) J.-P. Kim, J.-Y. Hwang, C.-R.
Cho, M.-K. Ryu*, M.-S. Jang*, and S.-Y. Jeong*

閉会挨拶

(座長)

塩嵜 忠
(奈良先端科学技術大学院大学)

12:00--12:05