研究業績リスト
学術論文 （査読あり） 142 件
・ Yuta Takishita, Masaki Kobayashi, Kazuki Hattori, Tokiyoshi Matsuda, Sumio Sugisaki, Yasuhiko Nakashima, andMutsumi Kimura
Memristor Property of an Amorphous Sn-Ga-O Thin-Film Device deposited using Mist
Chemical-Vapor-Deposition Method
AIP Advances, to be published・ Jingxin Jiang, Mamoru Furuta, Dapeng Wang, Tokiyoshi Matsuda, Mutsumi Kimura, Masashi Kasami, Shigekazu
Tomai, and Koki Yano
Extraction of Backchannel Traps and its Influence on the Electrical Properties of InSnZnO Thin-Film Transistors
with Different Channel Thicknesses
IEEE Electron Device Lett., to be published・ Mutsumi Kimura, Masashi Inoue, and Tokiyoshi Matsuda
Gate Array using Low-Temperature Poly-Si Thin-Film Transistors
IEICE Trans. Electron. , Vol. E103-C, No. 7, July 2020, to be published・ Hiroya Ikeda, Hiroki Yamane, Yuta Takishita, Mutsumi Kimura, and Yasuhiko Nakashima
Influence of Characteristic Variation of Oxide Semiconductor and Comparison of the Activation Function in
Neuromorphic Hardware
NOLTA. IEICE, Vol.E11-N, No.2, Apr. 2020, to be published・ Keisuke Tomioka, Kohei Toyoda, Toshio Ishizaki, Toshihiko Noda, Jun Ohta, and Mutsumi Kimura
Retinal Prosthesis using Thin-Film Devices on a Transparent Substrate and Wireless Power Transfer
IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 67, Issue 2, pp. 529-534, Jan. 2020
・ [招待論文] 松田 時宜, 梅田 鉄馬, 加藤 雄太, 西本 大貴, 杉崎 澄生純生, 古田 守, 木村 睦
レアメタルフリー Ga-Sn-O 材料の薄膜トランジスタへの応用
電子情報通信学会論文誌 C, Vol. J102-C, No.11, pp. 305-311, Nov. 2019.
・ Ayata Kurasaki, Ryo Tanaka, Sumio Sugisaki, Tokiyoshi Matsuda, Daichi Koretomo, Yusaku Magar, Mamoru Furuta,
and Mutsumi Kimura
Memristive Characteristic of an Amorphous Ga-Sn-O Thin-Film Device with Double Layers of Different Oxygen
Density
Materials, Vol. 12, Issue 19, 3236, Oct. 2019
・ [STAP Reviews] Mutsumi Kimura
Emerging Applications using Metal-Oxide Semiconductor Thin-Film Devices
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 58, No. 9, 090503, Sep. 2019
・ Mutsumi Kimura
Sensor Applications of Thin-Film Devices originating in Display Technologies
J. SID, Vol. 27, Issue 12, pp. 741-756, Aug. 2019・ Y. Chen, J. Zhang, Y. Xu, Y. Zhang, R. Zhang, and Y. Nakashima
A ReRAM-based Row-column-oriented Memory Architecture for Convolutional Neural Network
IEICE Trans. Electron. Vol. E102-C, No. 7, pp. 580-584, July 2019.
・ Mutsumi Kimura, Kenta Umeda, Keisuke Ikushima, Toshimasa Hori, Ryo Tanaka, Junpei Shimura, Atsushi Kondo,
Takumi Tsuno, Sumio Sugisaki, Ayata Kurasaki, Kaito Hashimoto, Tokiyoshi Matsuda, Tokiyoshi Kameda, andYasuhiko Nakashima
Neuromorphic System with Crosspoint-type Amorphous Ga-Sn-O Thin-Film Devices as Self-Plastic Synapse
Elements
ECS Trans., Vol. 90, Issue 1, pp. 157-166, May 2019・ Sumio Sugisaki, Tokiyoshi Matsuda, Mutsunori Uenuma, Toshihide Nabatame, Yasuhiko Nakashima, Takahito Imai,
Yusaku Magari, Daichi Koretomo, Mamoru Furuta, and Mutsumi Kimura

1Memristive Characteristic of an Amorphous Ga-Sn-O Thin-Film Device
Scientific Reports, Vol. 9, 2757, Feb. 2019
・ Mutsumi Kimura, Daisuke Nishinohara, Tomoya Nishiyori, Daisuke Suzuki, Shigeki Sawamura, and Masakazu Kato
Pulse-Width Modulation with Current Uniformization for AM-OLED Micro-Displays on Si LSI Chips
J. SID, Vol. 27, Issue 7, pp. 402-408, Feb. 2019・ Katsuya Kito, Shuhei Kitajima, Tokiyoshi Matsuda, Masahide Inoue, Mitsuo Tamura, and Mutsumi Kimura
Infrared Sensors using Poly-Si Thin-Film Transistors for Proximity Sensors integrated in Smartphone Displays
J. SID, Vol. 27, Issue 3, pp. 147-154, Jan. 2019・ Keisuke Tomioka, Kohei Miyake, Keigo Misawa, Kohei Toyoda, and Mutsumi Kimura
Photo-sensing Circuit using Thin-Film Transistors for Retinal Prosthesis
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 57, No. 10, 1002B1, Aug. 2018
・ Mutsumi Kimura, Yuki Koga, Hiroki Nakanishi, Tokiyoshi Matsuda, Tomoya Kameda, and Yasuhiko Nakashima
In-Ga-Zn-O Thin-Film Devices as Synapse Elements in a Neural Network
IEEE J. Electron Devices Society, Vol. 6, Issue 1, pp. 100-105, Dec. 2017
・ Koji Aoki, Tokuro Ozawa, Ying-Ying Chen, Chun-Pin Fan, Chuncheng Cheng, Chia-Wei Kuo, YuSheng Huang,
Chih-Che Kuo, Takaaki Matsumoto, Akito Yoshikawa, Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi Kimura
Magnetoresistive Effect of Amorphous In-Ga-Zn-O Magnetic Field Sensors
IEEE Electron Device Lett., Vol. 38, No. 8, pp. 1143-1145, Aug. 2017
・ Mutsumi Kimura, Ryohei Morita, Sumio Sugisaki, Tokiyoshi Matsuda, Tomoya Kameda, and Yasuhiko Nakashima
Cellular Neural Network formed by Simplified Processing Elements composed of Thin-Film Transistors
Neurocomputing Vol. 248, pp. 112-119, March and July 2017
・ Hisashi Hayashi, Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi Kimura
Hybrid-type Temperature Sensor using Poly-Si Thin-Film Transistors outputting Rectangle Waveforms
IEEE Sensors J., Vol. 17, Issue 14, pp. 4365-4368, July 2017
・ Kun Li, Daping Chu, Jiaqi Chu, Shuhei Kitajima, Tokiyoshi Matsuda, and Mutsu Kimura
Tuneable Liquid Crystal Micro-Lens Array for Image Contrast Enhancement in a Pixelated Thin Film
Photo-Transistor Flat Panel Imager
Micromachines, Vol. 8, Issue 7, 205, June 2017
・ Tokiyoshi Matsuda, Mutsunori Uenuma, and Mutsumi Kimura
Thermoelectric Effect of Amorphous Ga-Sn-O Thin Film
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 56, No. 7, 070309, June 2017
・ Tokiyoshi Matsuda, Ryo Takagi, Kenta Umeda, and Mutsumi Kimura
Room-Temperature Fabrication of Ga-Sn-O Thin-Film Transistors
Solid State Electronics, Vol. 134, pp. 19–21, May 2017
・ Mutsumi Kimura and Tokiyoshi Matsuda
Neuromorphic Application of Oxide Semiconductors
ECS Trans., Vol. 79, No. 1, pp. 169-175, May 2017
・ Mutsumi Kimura, Hiroki Nakanishi, Nao Nakamura, Tomoharu Yokoyama, Tokiyoshi Matsuda, Tomoya Kameda, andYasuhiko Nakashima
Simplification of Processing Elements in Cellular Neural Network
J. Electrical Engineering and Electronic Technology, Vol. 6, Issue 1, Apr. 2017
・ Jing Xin Jiang, Da Peng Wang, Tokiyoshi Matsuda, Mutsumi Kimura, Sheng Yang Liu, and Mamoru Furuta
Influence of Interface Traps on the Electrical Properties of Oxide Thin-Film Transistors with Different Channel
Thicknesses
J. Nano Research Vol. 46, pp. 93-99, March 2017
・ Tokiyoshi Matsuda, Kenta Umeda, Yuta Kato, Daiki Nishimoto, Mamoru Furuta, and Mutsumi Kimura
Rare-Metal-Free High-Performance Ga-Sn-O Thin Film Transistor
Scientific Reports, Vol. 7, 44326, March 2017
・ Mutsumi Kimura, Takaaki Matsumoto, Akito Yoshikawa, Tokiyoshi Matsuda, Tokuro Ozawa, Koji Aoki, and2

Chih-Che Kuo
Hall Effect in Thin-Film Transistor
IEEE Trans. Electron Devices Vol. 63, No. 8, pp. 3335-3337, 2016
・ Daichi Koretomo, Tatsuya Toda, Tokiyoshi Matsuda, Mutsumi Kimura, and Mamoru Furuta
Anomalous Increase in Field-Effect Mobility in In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistors Caused by Dry-Etching
Damage through Etch-Stop Layer
IEEE Trans. Electron Devices Vol. 63, No.7, pp. 2785-2789, 2016
・ Yuki Koga, Tokiyoshi Matsuda, Mutsumi Kimura, Dapeng Wang, Mamoru Furuta, Masashi Kasami, Shigekazu Tomai,
and Koki Yano
Capacitance Sensor of Frequency Modulation for Integrated Touchpanels using Amorphous In-Sn-Zn-O
Thin-Film Transistors
IEICE Trans. Electron. Vol. E98-C, No.11, pp. 1028-1030, Nov. 2015
・ 木村 睦, 吉川 朗登, 松本 貴明, 松田 時宜, 小澤 徳郎, 青木 幸司, 郭 志徹
オペアンプと集積化した poly-Si ホール素子の磁場応答特性
映像情報メディア学会誌, Vol. 69, No. 7, pp. J227-J229, July 2015
・ Tokiyoshi Matsuda and Mutsumi KimuraComparison of Defects in Crystalline Oxide Semiconductor Materials by Electron Spin Resonance
J. Vac. Sci. Technol. A Lett., Vol. 33, Issue 2, 020601, March 2015
・ 木村 睦, 西依 知也, 鈴木 大介, 小池 正通, 澤村 茂樹, 加藤 正和
AM-OLED の電流均一化パルス幅変調駆動方式 ～ 発光履歴に応じて生じる輝度低下の抑制効果検証 ～映像情報メディア学会誌 Vol. 69, No. 3, pp. J121-125, 2015 年 3 月
・ Mutsumi Kimura, Tomoaki Miyatani, Yusuke Fujita, and Tomohiro Kasakawa
Apoptotic Self-Organized Electronic Device using Thin-Film Transistors for Artificial Neural Networks with
Unsupervised Learning Functions
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 54, No. 3S, 03CB02, Feb. 2015
・ Takashi Kojiri, Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi Kimura
Thermally Enhanced Threshold Voltage Shifts in Amorphous In-Ga-Zn-O Thin Film Transistor
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 53, No. 12, 125802, Dec. 2014
・ Mutsumi Kimura, Kazuki Kojima, Tomonori Mukuda, Katsuya Kito, Hisashi Hayashi, Tokiyoshi Matsuda, Yasushi
Hiroshima, and Mitsutoshi Miyasaka
Hybrid-Type Temperature Sensor using Thin-Film Transistors
IEEE J. Electron Devices Society, Vol. 2, Issue 6, pp. 182-186, Nov. 2014
・ Jun Taya, Kazuki Kojima, Tomonori Mukuda, Akihiro Nakashima, Yuki Sagawa, Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi
KimuraTemperature Sensor employing Ring Oscillator composed of Poly-Si Thin-Film Transistors - Comparison
between Lightly-Doped and Offset Drain Structures IEICE Trans. Electron., Vol. E97-C, No. 1, pp. 1068-1073, Nov. 2014
・ Mutsumi Kimura and Tokiyoshi Matsuda
Extraction of Trap Densities in TFTs using C-V Characteristics
ECS Trans. Vol. 64, No. 10, pp. 45-50, Oct. 2014
・ Tokiyoshi Matsuda, Daiki Nishimoto, Kota Takahashi, and Mutsumi Kimura
Evaluation of Damage in InGaZnO4 Induced by Plasma using Electron Spin Resonance Measurement
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 53, No. 3S1, 03CB03, March 2014
・ Matthew M. Ombaba, Takayuki Hasegawa, Li Lu, Yusuke Yasuda, Mutsumi Kimura, Takashi Nishida, Shinji Koh,
Yukihara Uraoka, and M. Saif Islam
Hierarchical Silver Nanoparticle Micro-Clustering in Poly(methyl methacrylate) Matrix in Spin-Coatable
Electrically Conductive Thermoplastics
Sci. Adv. Mater., Vol. 5, No. 11, pp. 1546-1555, Nov. 2013
・ Mutsumi Kimura, Jun Taya, and Akihiro Nakashima3Temperature Dependences of Transistor Characteristics of Single-Drain and Lightly-Doped-Drain Poly-Si TFTs
ECS Trans. Vol. 54, No. 1, pp. 233-239, Oct. 2013
・ Mutsumi Kimura, Tokiyoshi Matsuda, Mamoru Furuta, Takahiro Hiramatsu, Hiroshi Furuta, Chaoyang Li, Takashi
Hirao, Yudai Kamada, and Shizuo Fujita
Trap Densities in ZnO TFTs with SiNx/SiOx Stacked Gate Insulators Fabricated using Several N2O Flow Rateduring SiOx Deposition
ECS Trans. Vol. 54, No. 1, pp. 121-126, Oct. 2013
・ Mutsumi Kimura and Yasushi Hiroshima
p/i/n-Type Poly-Si Thin-Film Transistor for Quasi-Static Capacitance-Voltage Measurement
Solid State Electronics, Vol. 87, pp.1-3, Sept. 2013
・ Mutsumi Kimura, Jun Taya, Akihiro Nakashima, and Yuki Sagawa
Thermal Sensor using Poly-Si Thin-Film Transistors with Self-Aligned and Offset Gate Structures
IEEE Sensors J., Vol. 13, No. 5, pp.1771-1774, May 2013
・ Mutsumi Kimura and Yasushi Hiroshima
Evaluation of Thermal Annealing before and after Formation of Gate Insulator Films by Extracting Trap Densities
for SPC poly-Si TFTs
IEEE Electron Device Lett., Vol. 34, No. 2, pp. 256-258, Feb. 2013
・ Jun Taya, Akihiro Nakashima, and Mutsumi Kimura
Thermal Sensor employing Ring Oscillator composed of Poly-Si Thin-Film Transistors
Solid State Electronics, Vol. 79, pp.14-17, Jan. 2013
・ Kuniaki Matsuki, Mutsumi Kimura, and Ryoichi Ishihara
3-D Simulator of Laser Crystallization for Polycrystalline-Silicon Thin-Film Transistors
IEEE Trans. Semiconductor Manufacturing, Vol. 25, No. 4, pp. 650-656, Nov. 2012
・ Mutsumi Kimura, Takayuki Hasegawa, Keisuke Ide, Kenji Nomura, Toshio Kamiya, and Hideo Hosono
Maximum Applied Voltage Detector using Amorphous In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistor exposed to Ozone
Annealing
Solid State Electronics, Vol. 75, pp. 74-76, Sept. 2012
・ Hiroshi Okazaki, Shigeki Sawada, Mutsumi Kimura, Tetsurou Matsumoto, Toshihiro Ohtake, and Satoshi Inoue
Soft Actuator using Ionic Polymer-Metal Composite composed of Gold Electrodes deposited using Vacuum
Evaporation
IEEE Electron Device Lett., Vol. 33, No. 7, pp.1087-1089, July 2012
・ Mutsumi Kimura
Extraction Method of Trap Densities in TFTs combining C-V and F-E Methods
IEEE Electron Device Lett., Vol. 33, No. 6, pp. 845-847, June 2012
・ Mutsumi Kimura, Jun Taya, and Akihiro Nakashima
Temperature Dependences of I-V Characteristics of SD and LDD Poly-Si TFTs
IEEE Electron Device Lett., Vol. 33, No. 5, pp. 682-684, May 2012
・ Mutsumi Kimura, Daisuke Suzuki, Shigeki Sawamura, Masakazu Kato, and Daisuke Nishinohara
Gamma Correction of Pulse-Width Modulation with Current Uniformization for AM-OLEDsIEEE J. Display Technology, Vol. 8, No. 5, pp. 245-249, May 2012
・ Mutsumi Kimura
Practical Guidance of Parameter Extraction for Device Simulation of Thin-Film Transistors
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 51, No. 5, 054302, May 2012
・ Mutsumi Kimura, Takayuki Hasegawa, Keisuke Ide, Kenji Nomura, Toshio Kamiya, and Hideo Hosono
Light Irradiation History Sensor using Amorphous In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistor exposed to Ozone
AnnealingIEEE Electron Device Lett., Vol. 33, No. 3, pp. 384-386, March 2012
・ Mutsumi Kimura
Behavior Analysis of an LDD Poly-Si TFT using 2-D Device Simulation

4IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 59, No. 3, pp. 705-709, March 2012
・ Mutsumi Kimura, Jun Taya, and Akihiro NakashimaComparison of Transistor Characteristics between Excimer-Laser and Solid-Phase Crystallized Poly-Si
Thin-Film Transistors
Solid State Electronics, Vol. 72, pp. 52-55, March 2012
・ Mutsumi Kimura, Takashi Kojiri, Akihiro Tanabe, and Takeyoshi Kato
Exact Extraction Method of Trap Densities at Insulator Interfaces using Quasi-Static Capacitance-Voltage
Characteristics and Numerical Solutions of Physical Equations
Solid State Electronics, Vol. 69, pp. 38-42, March 2012
・ Kuniaki Matsuki, Ryusuke Saito, Shuji Tsukamoto, Mutsumi Kimura
Reproduction of Columnar Grains after Laser Crystallization from Amorphous-Si to Poly-Si using Crystallization
Simulator
Solid State Electronics, Vol. 69, pp. 4-6, March 2012
・ Mutsumi Kimura and Akihiro Nakashima
Mechanism Analysis of Current-Voltage Characteristic in a Lightly-Doped-Drain Poly-Si Thin-Film Transistor
using Activation Energy
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 51, No. 3, 03CA05, March 2012
・ Kuniaki Matsuki, Ryusuke Saito, Shuji Tsukamoto, Mutsumi Kimura, and Ryoichi Ishihara
Analysis of -Czochralski Technique using Two-Dimensional Crystallization Simulator
J. Crystallization Process and Technology, Vol. 2, No. 1, pp. 12-15, Jan. 2012
・ Mutsumi Kimura
Degradation Analysis of p-Type Poly-Si Thin-Film Transistors using Device Simulation
IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 58, Issue 11, pp.4106-4110, Nov. 2011
・ Mutsumi Kimura and Yuta Miura
Characteristic Analysis of p-i-n Thin-Film Phototransistor using Device Simulation
IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 58, No. 10, pp. 3472-3476, Oct. 2011
・ Mamoru Furuta, Yudai Kamada, Mutsumi Kimura, Shin-ichi Shimakawa, Toshiyuki Kawaharamura, Dapeng Wang,
Chaoyang Li, Shizuo Fujita, and Takashi Hirao
Photocurrent and Persistent Photoconductivity in Zinc Oxide Thin-Film Transistors under Ultraviolet-Light
Irradiation
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 50, No. 11, 110204, Oct. 2011
・ Mutsumi Kimura, Mamoru Furuta, Yudai Kamada, Takahiro Hiramatsu, Tokiyoshi Matsuda, Hiroshi Furuta,
Chaoyang Li, Shizuo Fujita, and Takashi Hirao
Extraction of Trap Densities in ZnO Thin-Film Transistors and Dependence on Oxygen Partial Pressure during
Sputtering of ZnO Films
IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 58, Issue 9, pp. 3018-3024, Sept. 2011
・ Mutsumi Kimura, Masaaki Hirako, Toshifumi Yamaoka, and Satoshi Tani
Simulation Algorithm of Carrier Transport subject to Lorentz Force in Semiconductor Films
Solid State Electronics, Vol. 63, Issue 1, pp. 137-139, Sept. 2011
・ Mutsumi Kimura
Extraction of Trap Densities in Entire Bandgap of Poly-Si Thin-Film Transistors Fabricated by Solid-Phase
Crystallization and Dependence on Process Conditions of Post Annealing
Solid State Electronics, Vol. 63, Issue 1, pp. 94-99, Sept. 2011
・ Keisuke Ide, Yutomo Kikuchi, Kenji Nomura, Mutsumi Kimura, Toshio Kamiya, and Hideo Hosono
Effects of Excess Oxygen on Operation Characteristics of Amorphous In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistors
Appl. Phys. Lett. Vol. 99, Issue 9, 093507, Aug. 2011
・ Kuniaki Matsuki, Ryusuke Saito, Shuji Tsukamoto, and Mutsumi Kimura
Two-Dimensional Simulator of Laser Crystallization for Polycrystalline-Silicon Thin-Film Transistors
IEEE Trans. Semiconductor Manufacturing, Vol. 24, Issue 3, pp. 472-476, Aug. 20115

・ Yuta Miura, Tomohisa Hachida, and Mutsumi Kimura
Artificial Retina Using Thin-Film Transistors Driven by Wireless Power Supply
IEEE Sensors J., Vol. 11, No. 7, pp. 1564-1567, July 2011
・ Mutsumi Kimura and Charalabos Dimitriadis
Characteristic Degradation of Poly-Si Thin-Film Transistors with Large Grains from Viewpoint of Grain
Boundary Location
IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 58, Issue 6, pp.1748-1751, June 2011
・ Akihiro Nakashima and Mutsumi Kimura
Mechanism Analysis of Off-Leakage Current in an LDD Poly-Si TFT using Activation EnergyIEEE Electron Device Lett., Vol. 32, No. 6, pp. 764-766, June 2011
・ Mutsumi Kimura, Mamoru Furuta, Yudai Kamada, Takahiro Hiramatsu, Tokiyoshi Matsuda, Hiroshi Furuta,
Chaoyang Li, Shizuo Fujita, and Takashi Hirao
ZnO Thin-Film Transistors with SiNx/SiOx Stacked Gate Insulators: Trap Densities and N2O Flow Rate
DependenceElectrochem. Solid-State Lett., Vol. 14, Issue 9, pp. H365-H367, June 2011
・ Yudai Kamada, Shizuo Fujita, Mutsumi Kimura, Takahiro Hiramatsu, Tokiyoshi Matsuda, Mamoru Furuta, andTakashi Hirao
Reduction of Photo-Leakage Current in ZnO Thin-Film Transistors with Dual-Gate StructureIEEE Electron Device Lett., Vol. 32, Issue 4, pp. 509-511, April 2011
・ Akihiro Nakashima, Yuki Sagawa, and Mutsumi Kimura
Temperature Sensor using Thin-Film Transistor
IEEE Sensors J., Vol. 11, Issue 4, pp. 995-998, April 2011
・ Akihiro Nakashima, Yuki Sagawa, and Mutsumi Kimura
Thermal Sensor Using Poly-Si Thin-Film Transistor With Widened Detectable Temperature Range
IEEE Electron Device Lett., Vol. 32, No. 3, pp. 333-335, March 2011
・ Yohei Yamaguchi, Hayami Hashimoto, Tsuyoshi Segawa, and Mutsumi Kimura
Analysis of the Hall Effect in Micro Poly-Si Hall Devices and Origin of Offset Voltages
Electrochem. Solid-State Lett., Vol. 14, Issue 6, pp. J26-J29, March 2011
・ Mamoru Furuta, Yudai Kamada, Takahiro Hiramatsu, Chaoyang Li, Mutsumi Kimura, Shizuo Fujita, and Takashi
Hirao
Positive Bias Instability of Bottom-Gate Zinc Oxide Thin-Film Transistors with a SiOx/SiNx-Stacked Gate
Insulator
Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 50, No. 3, 03CB09, March 2011
・ Mutsumi Kimura
Extraction Technique of Trap Densities in Thin Films and at Insulator Interfaces of Thin-Film Transistors
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 50, No. 3, 03CB01, March 2011
・ Yudai Kamada, Shizuo Fujita, Mutsumi Kimura, Takahiro Hiramatsu, Tokiyoshi Matsuda, Mamoru Furuta, andTakashi Hirao
Effects of Chemical Stoichiometry of Channel Region on Bias Instability in ZnO Thin-Film Transistors
Appl. Phys. Lett., Vol. 98, Issue 10, 103512, March 2011
・ Mutsumi Kimura and Charalambos Dimitriadis
Dependence of Off-leakage Current on Channel Film Quality in Poly-Si Thin-Film Transistors and Analysis using
Device Simulation
Solid State Electronics, Vol. 57, Issue 1, pp. 87-89, March 2011
・ Mutsumi Kimura, Kosuke Bundo, Yoshiki Imuro, Yuki Sagawa, and Koushi Setsu
Chronoamperometry using Integrated Potentiostat consisting of Poly-Si Thin-Film Transistors
IEEE Electron Device Lett., Vol. 32, Issue 2, pp. 212-214, Feb. 2011
・ Tomohiro Kasakawa, Hiroki Tabata, Ryo Onodera, Hiroki Kojima, Mutsumi Kimura, Hiroyuki Hara, and Satoshi
Inoue

6

Degradation Evaluation of Poly-Si TFTs by Comparing Normal and Reverse Characteristics and Behavior
Analysis of Hot-Carrier Degradation
Solid State Electronics, Vol. 56, Issue 1, pp. 207-210, Feb. 2011
・ Mutsumi Kimura, Takuto Yoshino, and Kiyoshi Harada
Complete Extraction of Trap Densities in Poly-Si Thin-Film Transistors
IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 57, Issue 12, pp. 3426-3433, Dec. 2010
・ Mutsumi Kimura
Extraction of Trap Densities in Poly-Si Thin-Film Transistors Fabricated by Solid-Phase Crystallization and
Dependence on Temperature and Time of Post Annealing
Solid State Electronics Vol. 54, Issue 12, pp. 1500-1504, Dec. 2010
・ Mutsumi Kimura, Akihiro Nakashima, and Yuki Sagawa
Mechanism Analysis of Off-Leakage Current in Poly-Si TFTs with LDD Structure
Electrochem. Solid-State Lett., Vol. 13, issue 12, pp. H409-H411, Dec. 2010
・ Yohei Yamaguchi, Hayami Hashimoto, Mutsumi Kimura, Masaaki Hirako, Toshifumi Yamaoka, and Satoshi Tani
Magnetic-Field Area Sensor using Poly-Si Micro Hall Devices
IEEE Electron Device Lett., Vol. 31, No. 11, pp. 1260-1262, Nov. 2010
・ Mamoru Furuta, Yudai Kamada, Mutsumi Kimura, Takahiro Hiramatsu, Tokiyoshi Matsuda, Chaoyang Li, Shizuo
Fujita, and Takashi Hirao
Analysis of Hump Characteristics in Thin-Film Transistors with ZnO Channels Deposited by Sputtering under
Various Oxygen Partial Pressures
IEEE Electron Device Lett., Vol. 31, No. 11, pp. 1257-1259, Nov. 2010
・ Mutsumi Kimura, Yudai Kamada, Shizuo Fujita, Takahiro Hiramatsu, Tokiyoshi Matsuda, Mamoru Furuta, andTakashi Hirao
Mechanism Analysis of Photo-Leakage Current in ZnO Thin-Film Transistors using Device Simulation
Appl. Phys. Lett. Vol. 97, Issue 16, 163503, Oct 2010
・ Tomohiro Kasakawa, Hiroki Tabata, Ryo Onodera, Hiroki Kojima, Mutsumi Kimura, Hiroyuki Hara, and Satoshi
Inoue
An Artificial Neural Network at Device Level using Simplified Architecture and Thin-Film Transistors
IEEE Trans. Electron Devices Vol. 57, No. 10, pp. 2744-2750, Oct. 2010
・ Mutsumi Kimura, Daisuke Suzuki, Masamichi Koike, Shigeki Sawamura, and Masakazu Kato
Pulsewidth Modulation with Current Uniformization for AM-OLEDsIEEE Trans. Electron Devices Vol. 57, No. 10, pp.2624-2630, Oct. 2010
・ Mamoru Furuta, Mutsumi Kimura, Takahiro Hiramatsu, Takashi Nakanishi, Chaoyang Li, and Takashi Hirao
Uniformity and Bias-Temperature Instability of Bottom-Gate Zinc Oxide Thin-Film Transistors (ZnO TFTs)
J. SID, Vol. 18, Issue 10, pp. 773-778, Oct. 2010
・ Mutsumi Kimura, Yuta Miura, Takeshi Ogura, Shiro Ohno, Tomohisa Hachida, Yoshitaka Nishizaki, Takehiko
Yamashita, and Takehiro Shima
Device Characterization of p/i/n Thin-Film Phototransistor for Photosensor Applications
IEEE Electron Device Lett. Vol. 31, No. 9, pp. 984-986, Sep. 2010
・ Mutsumi Kimura and Shinji Imai
Degradation Evaluation of -IGZO TFTs for Application to AM-OLEDsIEEE Electron Device Lett. Vol. 31, No. 9, pp. 963-965, Sep. 2010
・ Mutsumi Kimura, Yohei Yamaguchi, Hayami Hashimoto, Masaaki Hirako, Toshifumi Yamaoka, and Satoshi Tani
Analysis of Hall Voltage in Micro Poly-Si Hall Cells
Electrochem. Solid-State Lett. Vol. 13, Issue 8, pp. J96-J98, Aug. 2010
・Kenji Nomura, Takashi Aoki, Kiyoshi Nakamura, Toshio Kamiya, Takashi Nakanishi, Takayuki Hasegawa, Mutsumi
Kimura, Takeo Kawase, Masahiro Hirano, and Hideo Hosono
Three-Dimensionally Stacked Flexible Integrated Circuit: Amorphous Oxide / Polymer Hybrid Complementary
Inverter using n-type a-In-Ga-Zn-O and p-type poly-(9,9-dioctylfluorene-co-bithiophene) Thin-Film7

Transistors
Appl. Phys. Lett. Vol. 96, Issue 26, 263509, June 2010
・ Mutsumi Kimura, Toshio Kamiya, Takashi Nakanishi, Kenji Nomura, and Hideo Hosono
Intrinsic Carrier Mobility in Amorphous In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistors Determined by Combined Field-EffectTechniqueAppl. Phys. Lett. Vol. 96, Issue 26, 262105, June 2010
・ Mutsumi Kimura
Extraction Technique of Trap Densities in Thin Films and at Insulator Interfaces of Thin-Film Transistors
IEEE Electron Device Lett. Vol. 31, No. 6, pp. 570-572, June 2010
・ Yukiharu Uraoka, Yumi Kawamura, Koji Yamasaki, Takehiko Yamashita, Yuta Sugawara, and Mutsumi Kimura
Crystallization by Green-laser Annealing for Three-dimensional Device Application
J. Korean Phys. Soc. Vol. 56, No. 5, pp. 1456-1460, May 2010
・ Yuta Miura, Takeshi Ogura, Tomohisa Hachida, Yoshitaka Nishizaki, Takehiko Yamashita, Takehiro Shima, andMutsumi Kimura
Color Sensitivity of Thin-Film Phototransistor Using Polycrystalline-Silicon Film with p/i/n Structure
Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 49, No. 3, 03CA01, March 2010
・ 吉野 拓人, 原田 聖, 木村 睦
多結晶シリコン薄膜トランジスタのトラップ密度の完全抽出
電子情報通信学会論文誌 C Vol. J93-C, No. 2, pp. 48-55, 2010 年 2 月
・ Mamoru Furuta, Takashi Nakanishi, Mutsumi Kimura, Takahiro Hiramatsu, Tokiyoshi Matsuda, Hiroshi Furuta,
Toshiyuki Kawaharamura, Chaoyang Li, and Takashi Hirao
Effect of Surface Treatment of Gate-Insulator on Uniformity of Bottom-Gate ZnO Thin Film Transistors
Electrochem. Solid-State Lett. Vol. 13, Issue 4, pp. H101-H104, Jan. 2010
・ Mutsumi Kimura, Hitoshi Fukushima, Yuki Sagawa, Koushi Setsu, Hiroyuki Hara, and Satoshi Inoue
An Integrated Potentiostat with an Electrochemical Cell using Thin-Film Transistors
IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 56, No. 9, pp. 2114-2119, Sep. 2009
・ Yoichi Ogo, Hidenori Hiramatsu, Kenji Nomura, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Mutsumi Kimura, Masahiro Hirano,and Hideo Hosono
Tin Monoxide as an s-Orbital-Based p-Type Oxide Semiconductor: Electronic Structures and TFT Application
Phys. Status Solidi A Vol. 206 Issue 9, pp. 2187-2191, Sep. 2009
・ Mutsumi Kimura
Physical Model for Current-Voltage Characteristics of Thin-Film Transistors
Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 48, No. 3, 03B008, March 2009
・ Mutsumi Kimura, Yoshitaka Nishizaki, Takehiko Yamashita, Takehiro Shima, and Tomohisa Hachida
Device Characterization of Thin-Film Phototransistors for Photosensor Applications
IEICE Trans. Electron. Vol. E91-C, No. 10, pp. 1557-1563, Oct. 2008
・ Mutsumi Kimura, Takehiro Shima, Takehiko Yamashita, Yoshitaka Nishizaki, Hiroyuki Hara, and Satoshi Inoue
Evaluation of Thin-Film Photodevices and Application to Artificial Retina
J. SID, Vol. 16, Issue 6, pp. 661-667, June 2008
・ Takehiko Yamashita, Takehiro Shima, Yoshitaka Nishizaki, Mutsumi Kimura, Hiroyuki Hara, and Satoshi Inoue
Evaluation of Thin-Film Photodiodes and Development of Thin-Film Phototransistor
Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 47, No. 3, pp. 1924-1929, March 2008
・ Mutsumi Kimura, Takashi Nakanishi, Kenji Nomura, Toshio Kamiya, and Hideo Hosono
Trap Densities in Amorphous-InGaZnO4 Thin-Film Transistors
Appl. Phys. Lett. Vol. 92, No. 13, 133512, April 2008
・ Mutsumi Kimura, Shigeki Sawamura, Masakazu Kato, Yuji Hara, Daisuke Suzuki, Hiroyuki Hara, and Satoshi Inoue
Pulse-Width Modulation with Current Uniformization for TFT-OLEDs
IEICE Trans. Electron. Vol. E90-C, No. 11, pp. 2076-2082, Nov. 2007
・ Kiyoshi Harada, Takuto Yoshino, Tohru Yasuhara, Mutsumi Kimura, Daisuke Abe, Satoshi Inoue, and Tatsuya

8Shimoda
Extraction Technique of Trap Density at Grain Boundaries in Polycrystalline-Silicon Thin-Film Transistors with
Device Simulation
Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 46, No. 3B, pp. 1308-1311, March, 2007
・ Mutsumi Kimura, Takehiro Shima, and Takehiko Yamashita
Artificial Retina using Thin-Film Photodiode and Thin-Film Transistor
ECS Trans. Vol. 3, No. 8, pp. 325-331, Oct. 2006
・ Toshiyuki Sameshima and Mutsumi Kimura
Characterization of Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors
Jpn. J. Appl. Phys. Pt. 1, Vol. 45, No. 3A, pp. 1534-1539, March 2006
・ Mutsumi Kimura, Yuji Hara, Masakazu Kato, Hiroyuki Hara, Tomoyuki Okuyama, Satoshi Inoue, and Tatsuya
ShimodaTime-Ratio Grayscale and Hopping Scan with Current Uniformization for Thin-Film Transistor Driven Organic
Light-Emitting Diode Displays
Jpn. J. Appl. Phys. Pt. 1, Vol. 45, No. 5B, pp. 4407-4412, May 2006
・ Mutsumi Kimura, Takehiro Shima, Tomoyuki Okuyama, Sumio Utsunomiya, Wakao Miyazawa, Satoshi Inoue, andTatsuya Shimoda
Artificial Retina using Thin-Film Photodiodes and Thin-Film Transistors
Jpn. J. Appl. Phys. Pt. 1, Vol. 45, No. 5B, pp. 4419-4422, May 2006
・ Mutsumi Kimura, Tohru Yasuhara, Kiyoshi Harada, Daisuke Abe, Satoshi Inoue, and Tatsuya Shimoda
The Study of Oxide Interface and Grain Boundary Traps in poly-Si TFT Characteristics and its Application to
Fabrication Process Diagnosis
J. SID, Vol. 13, Issue 12, pp. 1027-1033, 2005
・ Mutsumi Kimura, Yuji Hara, Hiroyuki Hara, Tomoyuki Okuyama, Satoshi. Inoue, and Tatsuya Shimoda
Classification of Driving Methods for TFT-OLEDs and Novel Proposal using Time Ratio Grayscale and Current
Uniformization
IEICE Trans. Electronics Vol. E88-C, No. 11, pp. 2043-2050, Nov. 2005
・ Mutsumi Kimura
Evaluation of Trap States at Front and Back Oxide Interfaces and Grain Boundaries Using Electrical
Characteristic Analysis and Device Simulation of Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors
Electronics and Communications in Japan, Pt. 2: Electronics, Vol. 88, No. 2, pp. 1-10, Feb. 2005
・ Mutsumi Kimura, Tohru Yasuhara, Kiyoshi Harada, Daisuke Abe, Satoshi Inoue, and Tatsuya Shimoda
Device Simulation of Polycrystalline-Silicon Thin-Film Transistors with Trap States at Front and Back Oxide
Interfaces
J. Inst. Image Information and Television Engineers Vol. 58, No. 9, pp. 1242-1247, Sep. 2004
・ 木村 睦多結晶シリコン薄膜トランジスタの電気特性解析とデバイスシミュレーションによる表裏絶縁膜界面と結晶粒界のトラップ準位の評価
電子情報通信学会論文誌 C, Vol. J87-C, No. 8, pp. 632-640, 2004 年 8 月
・ Mutsumi Kimura, Daisuke Abe, Satoshi Inoue, Tatsuya Shimoda, and Simon W.-B. Tam
Analysis of Plasma Treatment and Vapor Heat Treatment for Thin-Film Transistors by Extracting Trap Densities
at Front and Back Interfaces
Appl. Phys. Lett. Vol. 84, No. 20, pp. 4026-4028, May 2004
・ Mutsumi Kimura, Simon W.-B. Tam, Satoshi Inoue, and Tatsuya Shimoda
Extraction of Trap Densities at Front- and Back-Interfaces in Thin-Film Transistors
Jpn. J. Appl. Phys. Pt. 1, Vol. 43, No. 1, pp. 71-76, Jan. 2004
・ Satoshi Inoue, Mustumi Kimura, and Tatsuya Shimoda
Analysis and Classification of Degradation Phenomena in Polycrystalline-Silicon Thin Film Transistors
Fabricated by a Low-Temperature Process using Emission Light Microscopy

9Jpn. J. Appl. Phys. Pt. 1, Vol. 42, No. 3, pp. 1168-1172, March 2004
・ Mutsumi Kimura, Satoshi Inoue, and Tatsuya Shimoda
Numerical Model of Thin-Film Transistors for Circuit Simulation Using Spline Interpolation with Transformation
by y = x+log(x)IEICE Trans. Electronics Vol. E86-C, No. 1, pp. 63-70, Jan. 2003
・ Satoshi Inoue, Mustumi Kimura, and Tatsuya Shimoda
Analysis of Drain AC Stress-Induced Hot-Carrier Degradation in Low-Temperature Poly-Si TFTs
J. SID, Vol. 10, No. 1, pp. 75-80, 2002
・ Mutsumi Kimura, Satoshi Inoue, and Tatsuya Shimoda
Table Look-Up Thin-Film Transistor Model for Circuit Simulation Using Spline Interpolation with Transformation
by y = x+log(x)IEEE Trans. Computer-Aided Design of ICAS Vol. 21, No. 9, pp. 1101-1104, Sep. 2002
・ 木村 睦, 野澤 陵一, 井上 聡, 下田 達也, Basil O.-K. Lui, Simon W.-B. Tam, Piero Migliorato
多結晶シリコン薄膜トランジスタの絶縁膜-シリコン界面と結晶粒界のトラップ準位の抽出
電子情報通信学会論文誌 C, Vol. J85-C, No. 8, pp. 673-683, 2002 年 8 月
・ Mutsumi Kimura, Teruo Takizawa, Satoshi Inoue, and Tatsuya Shimoda
Analytical Current-Voltage Model for Thin-Film Transistors
Appl. Phys. Lett. Vol. 80, No. 13, pp. 2326-2328, April 2002
・ Mutsumi Kimura, Satoshi Inoue, Tatsuya Shimoda, Simon W.-B. Tam, Basil O.-K. Lui, Piero Migliorato, and Ryoichi
NozawaExtraction of Trap States in Laser-Crystallized Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors and Analysis of
Degradation by Self-Heating
J. Appl. Phys. Vol. 91, No. 6, pp. 3855-3858, March 2002
・ Mutsumi Kimura, Satoshi Inoue, Tatsuya Shimoda, and Toshiyuki Sameshima
Current Paths over Grain Boundaries in Polycrystalline Silicon Films
Jpn. J. Appl. Phys. Pt. 2, Vol. 40, No. 2A, pp. L97-99, Feb. 2001
・ Mutsumi Kimura, Ryoichi Nozawa, Satoshi Inoue, and Tatsuya Shimoda
Current Density Enhancement at Active Layer Edges in Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors
Jpn. J. Appl. Phys. Pt. 2, Vol. 40, No. 1A/B, pp. L26-28, Jan. 2001
・ Mutsumi Kimura, Satoshi Inoue Tatsuya Shimoda, and Toshiyuki Sameshima
Device Simulation of Carrier Transport through Grain Boundaries in Lightly Doped Polysilicon Films and
Dependence on Dopant Density
Jpn. J. Appl. Phys. Pt. 1, Vol. 40, No. 9A, pp. 5237-5243, Sep. 2001
・ Mutsumi Kimura, Ryoichi Nozawa, Satoshi Inoue, Tatsuya Shimoda, Basil O.-K. Lui, Simon W.-B. Tam, and Piero
Migliorato
Extraction of Trap States at the Oxide-Silicon Interface and Grain Boundary for Polycrystalline SiliconThin-Film Transistors
Jpn. J. Appl. Phys. Pt. 1, Vol. 40, No. 9A, pp. 5227-5236, Sep. 2001
・ Mutsumi Kimura, Ryoichi Nozawa, Satoshi Inoue, Tatsuya Shimoda, Basil O.-K. Lui, Simon W.-B. Tam, and Piero
Migliorato
Extraction of Trap States at the Oxide-Silicon Interface and Grain Boundary in Polycrystalline Silicon Thin-Film
Transistors
Jpn. J. Appl. Phys. Pt. 1, Vol. 40, No. 1, pp. 112-113, Jan. 2001
・ Mutsumi Kimura, Satoshi Inoue, Tatsuya Shimoda, and Toshiyuki Sameshima
Device Simulation of Grain Boundaries in Lightly Doped Polysilicon Films and Analysis of Dependence on DefectDensityJpn. J. Appl. Phys. Pt. 1, Vol. 40, No. 1, pp. 49-53, Jan. 2001
・ Mutsumi Kimura, Satoshi Inoue, Tatsuya Shimoda, and Tsukasa Eguchi
Dependence of Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistor Characteristics on the Grain Boundary Location

10

J. Appl. Phys. Vol. 89, No. 1, pp. 596-600, Jan. 2001
・ Mutsumi Kimura, Hiroshi Maeda, Yojiro Matsueda, Hidekazu Kobayashi, Satoru Miyashita, and Tatsuya Shimoda
An Area-Ratio Gray-Scale Method to Achieve Image Uniformity in TFT-LEPDs
J. SID, Vol. 8, No. 2, pp. 93-97, 2000
・ Mutsumi Kimura, Tsukasa Eguchi, Satoshi Inoue, and Tatsuya Shimoda
Device Simulation of Grain Boundaries with Oxide-Silicon Interface Roughness in Laser-Crystallized
Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors
Jpn. J. Appl. Phys. Pt. 2, Vol. 39, No. 8A, pp. L775-L778, Aug. 2000
・ Hidekazu Kobayashi, Sadao Kanbe, Shunichi Seki, Hiroshi Kigchi, Mutsumi Kimura, Ichio Yudasaka, Satoru
Miyashita, Tatsuya Shimoda, Carl R. Towns, Jeremy H. Burroughes, and Richard H. Friend
A Novel RGB Multicolor Light-Emitting Polymer Display
Synthetic Metals, Vol. 111-112, pp. 125-128, June 2000
・ Mutsumi Kimura, Tokuro. Ozawa, and Satoshi Inoue
Pseudo-Lattice Method for Dynamic 3-D Liquid-Crystral Director Simulation
IEICE Trans. Electronics, Vol. E83-C, No. 3, pp. 513-519, March 2000
・ Charalabos A. Dimitriadis, Mutsumi Kimura, Mitsutoshi Miyasaka, Satoshi Inoue, Filippos V. Farmakis, Jean Brini,and Georges Kamarinos
Effect of Grain Boundaries on Hot-Carrier Induced Degradation in Large Grain Polysilicon Thin-Film Transistors
Solid State Electronics Vol. 44, pp. 2045-2051, 2000
・ Mutsumi Kimura, Ichio Yudasaka, Sadao Kanbe, Hidekazu Kobayashi, Hiroshi Kiguchi, Shun-ichi Seki, Satoru
Miyashita, Tatsuya Shimoda, Tokuro Ozawa, Kiyofumi Kitawada, Takashi Nakazawa, Wakao Miyazawa, andHiroyuki Ohshima
Low-Temperature Polysilicon Thin-Film Transistor Driving with Integrated Driver for High-Resolution Light
Emitting Polymer Display
IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 46, No. 12, pp. 2282-2288, Dec. 1999
・ 木村 睦, 松枝 洋二郎, 井上 聡
フィールド順次カラーTFT-LCD の液晶応答補正のための信号補正
電子情報通信学会論文誌 C-I, Vol. J81-C-I, No. 7, pp. 440-441, 1998 年 7 月
・ Keishi Ishii, Takashi Nakajima, Shin Masui, Yasushi Yoshida, Masaki Seguchi, and Mutsumi Kimura
Stark Beats of Lyman- Emission of Foil-Excited Hydrogen Atom
Z. Phys. D, Atoms, Molecules and Clusters, Vol. 23, No. 1, pp. 55-60, March 1992

招待講演 108 件 （講演者）[基調講演]
・ Mutsumi Kimura
Neuromorphic System using Thin-Film Devices as a Novel Computing System
ISACIT 2019, Aug. 2019
・ Mutsumi Kimura
Brain-like Integrated System using Thin-Film Devices
IC-LYCS 2019, Mar. 2019
・ Mutsumi Kimura and Yasuhiko Nakashima
Neuromorphic Hardware using Simplified Elements and Thin-Film Semiconductor Devices
CANDAR '17, pp. 56, Nov. 2017
・ Mutsumi Kimura
Neuromorphic Application using Thin-Film Devices
SSTE 2017, June 2017
・ Mutsumi Kimura, Tokiyoshi Matsuda, and Yasuhiko Nakashima
Brain-type Integrated System using Thin-Film Devices
IC-TECS 2016, Dec. 2016

11

[招待講演]・ 木村 睦
薄膜デバイスを用いたリアルニューロモーフィックシステム
エレクトロニクス実装学会 第 34 回春季講演大会 特別シンポジウム 「IoT によるフィジカル空間変革と AI 社会実装」 2020 年 3 月
・ 木村 睦
薄膜デバイスを用いたニューロモーフィックシステム
薄膜材料デバイス研究会 高知特別研究会, 2020 年 3 月, 講演予定
・ Mutsumi Kimura
Brain-like Integrated System usin Thin-Film Devices
The 8th RIEC International Symposium on Brain Functions and Brain Computer, Feb. 2020
・ Mutsumi Kimura, Keisuke Tomioka, and Kohei Toyoda
Retinal Prosthesis using Thin-Film Devices on a Transparent Substrate and Wireless Power Transfer
The 4th International Symposium on Biomedical Engineering, Nov. 2019
・ Mutsumi Kimura
Emerging Applications of Thin-Film Devices and Integration to Information Displays
The 7th Huawei Multimedia Summit 2019, Nov. 2019
・ Mutsumi Kimura
Neuromorphic Chip using AOS Thin-Film Devices
The 77th Fujihara Seminar,pp. 16-17, Oct. 2019
・ Mutsumi Kimura
Emerging Applications using Metal-Oxide Semiconductor Thin-Film Devices
SID Taipei Chapter, Student Branch, Aug. 2019
・ Mutsumi Kimura
Novel application using TFTs
IMID 2019, B65-3, pp. 653, Aug. 2019
・ Mutsumi Kimura
Neuromorphic System using Thin-Film Devices
2019 ULSIC vs. TFT Conference, May 2019
・ Mutsumi Kimura and Shinpei Kurisu
Sensor Applications of Thin-Film Devices
ICDT 2019, Mar. 2019
・ Mutsumi Kimura
Brain-like Integrated System using Thin-Film Devices
The 6th International Symposium on Brainware LSI、pp. 1, Mar. 2019
・ Mutsumi Kimura
Brain-Type Integrated System using Thin-Film Devices
Compass for Next-Gen ICT, FY 2018 RIEC Annual Meeting on Cooperative Research Projects, Feb. 2019・ 木村 睦アモルファス金属酸化物半導体を用いたニューロモーフィックシステム
新世代コンピューティングシンポジウム/第 8 回電子光技術シンポジウム, 2019 年 1 月
・ 木村 睦
酸化物半導体デバイスのニューロモーフィック応用
第 2 回酸化物半導体討論会, 2018 年 10 月
・ Mutsumi Kimura
Amorphous Metal-Oxide Semiconductors and Novel Applications
SID Taipei Chapter, Student Branch, Aug. 2018
・ 木村 睦アモルファス金属酸化物半導体の研究開発とエレクトロニクス・エナギーハーベスト・ニューロモーフィックデバイ

12

スへの新規応用平成 30 年度 半導体エレクトロニクス部門委員会 第 1 回研究会, 2018 年 7 月
・ Mutsumi Kimura,
Neuromorphic Hardware using Simplified Elements and Thin-Film Semiconductor Devices
YUN-NAIST Summer Workshop, July 2018
・ Mutsumi Kimura, Toshio Kamiya, Tokiyoshi Matsuda, Kenta Umeda, Asuka Fukawa, and Yasuhiko Nakashima
Research and Applications of Amorphous Metal-Oxide Semiconductor Devices - In-Ga-Zn-O and Ga-Sn-O
Thin-Film Devices ICDT 2018, Apr. 2018
・ Mutsumi Kimura, Hiroki Yamane, and Yasuhiko Nakashima
Neuromorphic Systems using Simplified Elements and Thin-Film Devices
FOSCOM 2018, March 2018
・ Karim Khan, Weiliang Wang, Mingzhi Dai, and Mutsumi Kimura
A Model for Amorphous Oxide Semiconductor (AOS) Devices to mimic Synaptic Transmission Behaviors
2017 International Symposium on Nonlinear Theory and its Applications, NOLTA 2017, pp. 311-313, Dec. 2017
・ Mutsumi Kimura, Tomoya Kameda, and Yasuhiko Nakashima
Brain-like Integrated System using Thin-Film Devices2017 International Symposium on Nonlinear Theory and its Applications, NOLTA 2017, pp. 95-98, Dec. 2017
・ Hiroki Yamane, Tomoya Kameda, Mutsumi Kimura, and Yasuhiko Nakashima
Development and Evaluation of Neural Networks using Oxide Semiconductor Synapses for Letter Reproduction2017 International Symposium on Nonlinear Theory and its Applications, NOLTA 2017, pp. 91-94, Dec. 2017
・ Mutsumi Kimura
Novel Applications of Thin-Film Devices - Flatpanel Imager, Proximity Sensor, Artificial Retina, etc. SID Taipei Chapter, Student Branch, Sept. 2017
・ Mutsumi Kimura
Novel Application of Thin-Film Devices - Sensing Devices, Electronics Devices, etc IDMC '17, Fri-S20-01, Sept. 2017
・ 木村 睦有機 EL の超基本から最新研究まで
AM-FPD '17, チュートリアル, 2017 年 7 月
・ Mutsumi Kimura and Tokiyoshi Matsuda
Neuromorphic Application of Oxide Semiconductors
2017 ULSIC vs. TFT Conference, May 2017
・ 木村 睦
薄膜デバイスを用いた脳型集積システム
薄膜材料デバイス研究会 山陰特別研究会, 2017 年 3 月
・ 木村 睦
酸化物半導体の研究開発と電子デバイスへの新規応用
第 2 回 NEDIA Day 関西, 2017 年 3 月
・ Katsuya Kito, Hisashi Hayashi, Shuhei Kitajima, Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi Kimura
Temperature and Illuminance Detections by Hybrid-type Carrier-Generation Sensors using n-type and p-type
Poly-Si TFTs
IEEE Electron Devices Society Kansai Chapter 第 16 回 関西コロキアム電子デバイスワークショップ, 2017 年 1
月
・ 木村 睦、松田 時宜
薄膜デバイスの生体インターフェイスへの応用 －完全埋込型人工網膜を目指した研究開発と超コンパクト低消費電力の脳型集積システム－
SICE ライフエンジニアリング部門シンポジウム（第 31 回生体・生理工学シンポジウム）, LE 2016, pp. 172-175,
2016 年 11 月

13・ Mutsumi Kimura
Brain-type Integrated System using Thin-Film Devices
AIST mini-Workshop, Neuromorphic: from Out-of-Equilibrium Physics to Deep Learning, Oct. 2016
・ Mutsumi Kimura and Tokiyoshi Matsuda
Unique Application using Oxide TFTs
IMID 2016, pp. 328, Aug. 2016
・ Tokiyoshi Matsuda and Mutsumi Kimura
Evaluation and Development of New Oxide Semiconductor, Energy Materials and Nanotechnology
EMN, June, 2016
・ Tokiyoshi Matsuda and Mutsumi Kimura
Relationships between the Defects and Electrical Properties of Oxide Semiconductor
CMOS Emerging Technologies 2016 Conference, pp. 29, May, 2016
・ Mutsumi Kimura and Tokiyoshi Matsuda
Cellar Neural Network using Thin-Film Devices
CMOS Emerging Technologies 2016 Conference, pp. 22, May, 2016
・ 木村 睦、松田 時宜
薄膜デバイスの新しいアプリケーション －センシングデバイスとエレクトロニクス応用－
電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理- 第 21 回研究会, pp. 35-38, 2016
年1月
・ Mutsumi Kimura
Sensor Applications using Thin-Film Materials based on the Electrical Characteristics
IEFM 2015, pp. 282, Nov. 2015
・ Mutsumi Kimura
Feasibility Study of Thin-Film Semiconductor Devices for Artificial Retinas
2015 Japan-Taiwan Joint Workshop on Retinal Prosthesis, Oct. 2015
・ Mutsumi Kimura and Tokiyoshi Matsuda
Novel Architecture on Cellular Neural Network using Thin-Film Devices
Nano S&T 2015, Sep. 2015
・ Mutsumi Kimura
Sensor Application using Thin-Film Devices available for Integration on Information Displays
IDMC & 3DSA '15, S16-2, Aug. 2015
・ Mutsumi Kimura and Tokiyoshi Matsuda
Novel Architecture on Neural Network of Device Level
WCAM 2015, pp. 380, May 2015
・ Mutsumi Kimura
Novel Architecture on Neural Network of Device Level
CMOS Emerging Technologies 2015 Conference, pp. 25, May 2015
・ 木村 睦、松田 時宜
AOS デバイスの新規回路・アプリケーション応用
酸化物半導体討論会, 2015 年 5 月
・ 松田 時宜、木村 睦
新規酸化物半導体 TFT の形成及び評価
酸化物半導体討論会, 2015 年 5 月
・ Mutsumi Kimura and Tokiyoshi Matsuda
Novel Architecture on Neural Network of Device Level
InfoTech 2015, April 2015
・ 木村 睦フレキシブル・透明ディスプレイ
第 4 回 新産業技術促進検討会 「NEDO におけるディスプレイ分野のロードマップ」, 2015 年 4 月

14・ Mutsumi Kimura
Thin-Film Sensing Devices and Application Potential to Artificial Retina
2014 Taiwan-Japan Joint Symposium, Dec. 2014
・ Mutsumi Kimura, Tokiyoshi Matsuda, Shinichiro Noguchi, Takashi Sakamoto, Tokuro Ozawa, Koji Aoki, andChih-Che Kuo
Sensor Application using Thin-Film Devices derived from Display Technologies - Flatpanel Imager, Artificial
Retina, Temperature Sensor, etc IDW '14, pp. 1549-1552, Dec. 2014
・ Shohei Ohyama, Tsuyoshi Higashiyama, Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi Kimura
Artificial Retina using Poly-Si TFTs - Operation Confirmation of Real-Time Detection IEEE Electron Devices Society Kansai Chapter 第 14 回 関西コロキアム電子デバイスワークショップ, 2014 年 11月
・ Mutsumi Kimura
Sensor Applications using Thin-Film Transistor Technologies
CMOS Emerging Technologies 2014 Conference, pp. 10, July 2014
・ Mutsumi Kimura and Tokiyoshi Matsuda
Sensor Applications using Thin-Film Transistor Technologies
InfoTech 2014, pp. 110, June 2014
・ Mutsumi Kimura and Tokiyoshi Matsuda
Sensor Applications using Thin-Film Transistor Technologies
WCAM 2014, pp. 80, June 2014
・ Mutsumi Kimura and Tokiyoshi Matsuda
Device Characterizations and Novel Applications of Thin-Film Transistors
TFT Seminor, ITC 2014, Jan. 2014
・ Mutsumi Kimura and Tokiyoshi Matsuda
Device Characterizations and Novel Applications of Thin-Film Transistors
IDW '13, Vol. 20, pp. 327-330, Dec. 2013
・ 木村 睦
薄膜トランジスタにおける Si の結晶化技術
日本学術振興会 透明酸化物光・電子材料第 166 委員会 第 61 回研究会, 2013 年 10 月
・ Mutsumi Kimura
Thin-Film Sensors Integrated in Information Displays
Nano S&T 2013, pp. 193, Sep. 2013
・ 木村 睦
薄膜トランジスタの新規アプリケーションと人工網膜への適用可能性
大阪大学 ハイブリッド臓器創成プロジェクト, 2013 年 9 月
・ Mutsumi Kimura
Sensor Applications using Thin-Film Transistor Technologies
IMID 2013, pp. 197, Aug. 2013
・ Mutsumi Kimura
Novel Applications using TFTs
IMID 2013, Workshops, pp. 109-143, Aug. 2013
・ Mutsumi Kimura
Thin-Film Sensors Integrated in Information Displays
CMOS Emerging Technologies 2013 Conference, pp. 21, July 2013
・ Mutsumi Kimura
Thin-Film Sensors Integrated in Information Displays
Info Tech 2013, pp. 99, June 2013
・ Mutsumi Kimura

15

Channel Materials for Thin-Film Transistor
WCAM 2013, pp. 252, June 2013
・ Mutsumi Kimura
Driving methods for AMOLEDs
WCAM 2013, pp. 194, June 2013
・ Mutsumi Kimura
Trap States in Thin-Film Transistors
Nano S&T 2012, pp. 359, Oct. 2012
・ Mutsumi Kimura
Thin-Film Transistors and Flatpanel Displays
FPD International China 2012 / Beijing Summit, pp.35, Sept. 2012
・ Mutsumi Kimura
Multiple Function Sensors using Thin-Film Technologies integrated in Information Displays
WCEIT 2012, pp. 120, Aug. 2012
・ Mutsumi Kimura
Thin-film Sensors using Thin-film Transistor Technologies
CMOS Emerging Technologies 2012 Conference, pp. 7, July 2012
・ 木村 睦
薄膜トランジスタとフラットパネルディスプレイ
AM-FPD '12, チュートリアル, 2012 年 7 月
・ Mutsumi Kimura
Sensor Applications using TFTs
2012 Taiwan Display Conference, pp. 34, April 2012
・ Mutsumi Kimura, Daisuke Suzuki, Masamichi Koike, Shigeki Sawamura, and Masakazu Kato
Pulsewidth Modulation with Current Uniformization for AM-OLEDsIEEE Electron Devices Society Kansai Chapter 第 11 回 関西コロキアム電子デバイスワークショップ, 2011 年 10月
・ Mutsumi Kimura
Features and Applications of Various TFTs - Si based Matured TFTs and Oxide Semiconductor based
Transparent TFTs 2011 IEEE Photonics Conference, pp. 557-558, Oct. 2011・ 木村 睦広がる薄膜トランジスタ技術とデバイス
第 131 回電子セラミック・プロセス研究会プログラム, 2011 年 4 月
・ Mutsumi Kimura
Device Characterization starting from Quasi-Static Capacitance-Voltage Characteristics for Thin-Film
Transistors − Low- and High-Temperature Poly-Si, Amorphous In-Ga-Zn-O, ZnO, Polymer −IMID '10, pp. 263-264, Oct. 2010
・ Mamoru Furuta, Takahiro Hiramatsu, Tokiyoshi Matsuda, Takashi Hirao, and Mutsumi Kimura
Effects of Interfacial Processes of Gate Dielectric on Electrical Properties and Reliability of Bottom-Gate ZnO
TFTs
IMID '10, pp. 4-5, Oct. 2010
・ 木村 睦アモルファス酸化物薄膜トランジスタの欠陥構造解析と高性能化による実用化研究
2010 年度 応用セラミックス研究所長賞 受賞記念講演会, 2010 年 9 月
・ 木村 睦アクティブマトリクス型有機 EL ディスプレイ
情報ディスプレイ技術研究委員会 第 148 回定例会, 2010 年 9 月
・ Mamoru Furuta, Takahiro Hiramatsu, Tokiyoshi Matsuda, Takashi Hirao, Takashi Nakanishi, and Mutsumi Kimura

16

Effect of Channel / Gate-Insulator Interface Treatment on Uniformity of Bottom-Gate Zinc Oxide Thin-Film
Transistors (ZnO TFTs)
ITC '10, pp. 18-21, Jan. 2010
・ 木村 睦, 薄膜材料デバイス研究会
TFT の基礎 : テキスト『薄膜トランジスタ』より
薄膜材料デバイス研究会 第 6 回研究会, pp. 1-15, 2009 年 11 月
・ Mami Fujii, Hiroshi Yano, Tomoaki Hatayama, Yukiharu Uraoka, Takashi Fuyuki, Ji Sim Jung, Jang Yeon Kwon,
Takashi Nakanishi, and Mutsumi Kimura
Threshold Voltage Shift in Ga2O3-In2O3-ZnO (GIZO) Thin Film Transistors under Constant Voltage StressIEEE EDS Kansai Chapter 第９回 関西コロキアム電子デバイスワークショップ, 2009 年 10 月
・ Mutsumi Kimura, Tomohisa Hachida, Yoshitaka Nishizaki, Takehiko Yamashita, Takehiro Shima, Takeshi Ogura,
Yuta Miura, Hayami Hashimoto, Masaaki Hirako, Toshifumi Yamaoka, Satoshi Tani, Yohei Yamaguchi, Yuki
Sagawa, Koushi Setsu, Yoshiki Imuro, and Kosuke Bundo
Sensor Applications of Thin-Film Transistors - Photosensor, Magnetic Sensor, Temperature Sensor andChemical Sensor IMID '09, pp. 957-960, Oct. 2009
・ Mutsumi Kimura, Tomohisa Hachida, Yoshitaka Nishizaki, Takehiko Yamashita, Takehiro Shima, Takeshi Ogura,
Yuta Miura, Hayami Hashimoto, Masaaki Hirako, Toshifumi Yamaoka, Satoshi Tani, Yohei Yamaguchi, Yuki
Sagawa, Koushi Setsu, Yoshiki Imuro, Kosuke Bundo, Tokihiro Yoshikawa, and Tomohiro Tadokoro
Sensor Applications of Thin-Film Devices - Photosensor, Magnetic Sensor, Temperature Sensor and Chemical
Sensor IDMC / 3DSA / Asia Display '09, pp. 28, Tue-S06-01, April 2009・ 木村 睦
薄膜トランジスタによる人工網膜とニューラルネットワーク
第 12 回 NAIST 科学技術セミナー 「最先端メディカルフォトニクス」, pp. 11, 2008 年 12 月
・ 木村 睦Poly-Si TFT の結晶粒界の電気特性評価とデバイスシミュレーション
2008 年（平成 20 年）秋季 第 69 回応用物理学会学術講演会 No. 0, pp. 102, 2008 年 9 月
・ 木村 睦多結晶シリコン薄膜トランジスタのデバイス物理・デバイス評価
2008 年（平成 20 年）春季 第 55 回応用物理学関係連合講演会 シンポジウム No. 0, pp. 123, 2008 年 3 月
・ Mutsumi Kimura, Yoshitaka Nishizaki, Takehiko Yamashita, Takehiro Shima
Development of p/i/n Thin-film Phototransistor and Application to Artificial Retina
2007 KHU Fall Workshop, Nov. 2007
・ Mutsumi Kimura, Takehiro Shima, Takehiko Yamashita, Yoshitaka Nishizaki, and Hiroyuki Hara
Evaluation of Thin-Film Photodevices and Development of Artificial Retina
IMID 2007, Vol. 7, pp. 1745-1748, Aug. 2007
・ Mutsumi Kimura, Takehiro Shima, Takehiko Yamashita, Yoshitaka Nishizaki, Hiroyuki Hara, and Satoshi Inoue
Artificial Retina using Poly-Si Thin-Film Photodevice and Poly-Si Thin-Film Transistor
IDMC ‘07, pp. 191-194, July 2007
・ Mutsumi Kimura, Shigeki Sawamura, Takehiro Shima, and Takehiko Yamashita
Smart pixel - Advanced function in pixel area by thin-film transistor –IMFEDK ‘07, pp. 33-34, April. 2007
・ Mutsumi Kimura, Takehiro Shima, and Takehiko Yamashita
Artificial Retina using Thin-Film Photodiode and Thin-Film Transistor
210th ECS TFT 8, Vol. 3, E15-1600, Nov. 2006
・ 木村 睦, 島 武弘, 山下 毅彦, 浦岡 行治
薄膜フォトダイオードと薄膜トランジスタによる人工網膜
応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 シリコンナノテクノロジー研究委員会 第 85 回研究集会 「次世代デ17

バイスへのブレークスルー =三次元化の試み=」, No. 85, pp. 23-28, 2006 年 9 月
・ Mutsumi Kimura and Takehiro Shima
Artificial Retina using Thin-Film Photodiode and Thin-Film Transistor
IMID / IDMC '06, pp. 1787-1790, Aug. 2006
・ Mutsumi Kimura and Takehiro Shima
Applications of Thin-Film Transistors other than Flatpanel Displays
AM-FPD '06, pp. 73-76, July 2006
・ 木村 睦
薄膜トランジスタによる人工網膜
日本人工視覚研究会 第 2 回研究会, 2006 年 7 月
・ Mutsumi Kimura Masakazu Kato, Yuji Hara, Shigeki Sawamura, Hiroyuki Hara, Tomoyuki Okuyama, Satoshi Inoue,
and Tatsuya Shimoda
Development of TFT-OLED and Analysis of Current Error in its Driving Method
2006 Taiwan Display Conference, pp. 37-40, June 2006
・ Mutsumi Kimura
Development of TFT-OLED and its Driving Method for Excellent Image Quality
IDRW, Jan. 2006
・ Mutsumi Kimura and Akihiko Tsunoya
On-Demand Pixel Arrangement for Flat Panel Displays
Digital Fabrication 2005, pp. 134-138, Sep. 2005
・ 木村 睦TFT の動作原理
薄膜材料デバイス研究会 第 1 回研究会, pp. 8-11, 2004 年 11 月
・ 木村 睦多結晶シリコン薄膜トランジスタの電気特性解析とデバイスシミュレーション
電子情報通信学会, SDM2003-161, pp. 1-8, 2003 年 10 月
・ Mutsumi Kimura
Characterization and Simulation of Thin-Film Transistors
AWAD 2002, pp. 169-174, July 2002
・ 木村 睦, 野澤 陵一, 前田 浩, 松枝 洋二郎, 井上 聡, 宮下 悟, 下田 達也
低温多結晶シリコン薄膜トランジスタ駆動発光ポリマーディスプレイ
電子情報通信学会, SDM2000-180, pp. 85-92, 2000 年 12 月
・ Mutsumi Kimura, Ryochi Nozawa, Hiroshi Maeda, Yojiro Matsueda, Satoshi Inoue, Satoru Miyashita, Tatsuya
Shimoda, Hiroyuki Ohshima, Simon W.-B. Tam, Piero Migliorato, Jeremy H. Burroughes, Carl R. Towns, andRichard H. Friend
Low-Temperature Poly-Si TFT Display using Light-Emitting-Polymer
AM-LCD 2000, pp. 245-248, July 2000
・ Mutsumi Kimura, Hiroyuki Maeda, Yojiro Matsueda, Satoru Miyashita, Tatsuya Shimoda, Simon W.-B. Tam, Piero
Migliorato, Jeremy H. Burroughes, Carl R. Towns, and Richard H. Friend
Low-Temperature Poly-Si TFT Driven Light-Emitting-Polymer Displays and Digital Gray Scale for Uniformity
IDW ’99, pp. 171-174, Dec. 1999
・ Tatsuya Shimoda, Mutsumi Kimura, Satoru Miyashita, Richard H. Friend, Jeremy H. Burroughes, and Carl R.
Towns
Current Status and Future of Light Emitting Polymer Display driven by Poly-Si TFT
SID '99, pp. 372-375, May 1999

学会発表 （査読あり） 315 件 （講演者）
・ Mutsumi Kimura, Shuhei Kitajima, Kun Li, and Daping Chu
Magnifying Viewer using Poly-Si Thin-Film Phototransistor and Liquid-Crystal Micro-Lens Array

18

SID '20, June 2020, to be published・ Mutsumi Kimura, Kenta Umeda, Keisuke Ikushima, Toshimasa Hori, Ryo Tanaka, Tokiyoshi Matsuda, Tomoya
Kameda, and Yasuhiko Nakashima
Neuro-inspired System with Crossbar Array of Amorphous Metal-Oxide-Semiconductor Thin-Film Devices as
Self-Plastic Synapse Units − Letter Recognition of Five Alphabets −The 26th International Conference on Neural Information Processing, ICONIP 2019, Pt. II, LNCS 11954, pp.
481-491, Dec. 2019
・ Kaito Hashimoto, Ayata Kurasaki, Mutsumi Kimura, and Tokiyoshi Matsuda
In-Ga-Zn-O Film Thickness Dependence of Memristor Characteristic for Resistive Random Access Memory
IMFEDK 2019, Nov. 2019
・ Yuki Shibayama, Daiki Yamakawa, Yuki Onishi, and Mutsumi Kimura
Ga-Sn-O Thin Film Synapse for Neural Network
IMFEDK 2019, Nov. 2019
・ Takumi Tsuno, Jumpei Shimura, Atsushi Kondo, and Mutsumi Kimura
Synapse Elements in Neural Network Based on Multilayer Cross-Point Device using IGZOIMFEDK 2019, Nov. 2019
・ Homare Yoshida, Yuta Miyabe, and Mutsumi Kimura
Crystal Growth of (Bi, La)4Ti3O12 Using a Two Step Deposition Process
IMFEDK 2019, Nov. 2019・ Kazuki Hattori, Kenta Tanino, Mutsumi Kimura, and Tokiyoshi Matsuda
Ga-Sn-O TFT Fabricated with Al2O3 Insulating Film
IMFEDK 2019, Nov. 2019
・ Kohei Toyoda, Keisuke Tomioka, Keigo Misawa, Naoya, Naitou, and Mutsumi Kimura
In-vitro Experiments of Artificial Retina using TFTs and TFPTs
IMFEDK 2019, Nov. 2019
・ 柴山 友輝, 山川 大樹, 大西 祐輝, 山根 弘樹, 中島 康彦, 木村 睦
ニューラルネットワーク用 Ga-Sn-O 薄膜シナプス
薄膜材料デバイス研究会 第 16 回研究集会, pp. 129-131, 2019 年 11 月
・ 荒牧 達也, 松田 時宜, 梅田 鉄馬, 上沼 睦典, 木村 睦
ミスト CVD 法により成膜した Ga-Sn-O 薄膜の組成比に対する熱電特性の変化
薄膜材料デバイス研究会 第 16 回研究集会, pp. 70-71, 2019 年 11 月
・ 山川 大樹, 柴山 友輝, 大西 祐輝, 池田 裕哉, 中島 康彦, 木村 睦
アモルファス In-Ga-Zn-O 薄膜シナプスの可塑性薄膜材料デバイス研究会 第 16 回研究集会, pp. 65-67, 2019 年 11 月
・ Hiroya Ikeda, Hiroki Yamane, Yuki Shibayama, Mutsumi Kimura, and Yasuhiko Nakashima
Evaluation of Neuromorphic Hardware using Cellular Neural Networks and Oxide Semiconductors
APDCM 2019, to be presented
・ Yan Chen, Jing Zhang, Yingjie Zhang, Renyuan Zhang, Mutsumi Kimura, and Yasuhiko Nakashima
A Programmable Calculation Unit EmployingMemcapacitor-based Neuromorphic Circuit
NEWCAS 2019, to be presented
・ Mutsumi Kimura, Keisuke Ikushima, Daiki Yamakawa, Hiroki Yamane, and Yasuhiko Nakashima
Real Neuromorphic System using LSI Chip and Thin-Film Devices
ICONS 2019, July. 2019・ Sumio Sugisaki, Ayata Kurasaki, Kenta Tanino, Ryo Tanaka, Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi Kimura
Simultaneous Fabrication of Thin Film Transistor and Switching Resistance Memory using GTO Thin Film
ITC 2019, pp. 78-79, Mar. 2019・ Sumio Sugisaki, Ayata Kurasaki, Ryo Tanaka, Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi Kimura
Development of Rare Metal Free Al/Ga-Sn-O/Al Cell Structure Switching Resistance Memory
IDW '18, pp. 361-363, Dec. 201819

・ Hiroya Ikeda, Hiroki Yamane, Yuki Shibayama, Mutsumi Kimura, and Yasuhiko Nakashima
Evaluation of Letter Reproduction System using Cellular Neural Network and Oxide Semiconductor Synapses by
Logic Simulation
CANDAR '18, pp. 145, Nov. 2018
・ 生島 恵典, 新村 純平, 松田 時宜, 山根 弘樹, 中島 康彦, 木村 睦
ニューラルネットワークに応用するための Ga-Sn-O 薄膜の研究開発
薄膜材料デバイス研究会 第 15 回研究集会, pp. 179-181, 2018 年 11 月
・ 今西 恒太, 符川 明日香, 松田 時宜, 木村 睦
Hall 効果測定による Ga-Sn-O 薄膜の特性評価
薄膜材料デバイス研究会 第 15 回研究集会, pp. 176-178, 2018 年 11 月
・ 冨岡 圭佑, 豊田 航平, 三澤 慶悟, 木村 睦
無線電力伝送を用いた LTPS-TFT 人工網膜の生体環境刺激実験
薄膜材料デバイス研究会 第 15 回研究集会, pp. 127-129, 2018 年 11 月
・ 田中 遼, 堀内 功, 茂木 幸雄, 廣島 安, 中島 康彦, 木村 睦
デバイスレベルのニューラルネットワークに向けた Ta2O5/Ta 薄膜を用いた抵抗変化型シナプス
薄膜材料デバイス研究会 第 15 回研究集会, pp. 84-85, 2018 年 11 月
・ 杉崎 澄生, 倉崎 彩太, 田中 遼, 松田 時宜, 木村 睦
レアメタルレス Al/Ga-Sn-O/Al セル構造抵抗変化型メモリの開発
薄膜材料デバイス研究会 第 15 回研究集会, pp. 80-83, 2018 年 11 月
・ 山川 大樹, 柴山 友輝, 山根 弘樹, 中島 康彦, 木村 睦
IGZO を用いたセルラニューラルネットワーク -酸化物半導体シナプス評価と文字学習実験薄膜材料デバイス研究会 第 15 回研究集会, pp. 57-59, 2018 年 11 月
・ Mutsumi Kimura, Kenta Umeda, Keisuke Ikushima, Toshimasa Hori, Ryo Tanaka, Tokiyoshi Matsuda, Tomoya
Kameda, and Yasuhiko Nakashima
Hopfield Neural Network with Double-layer Amorphous Metal-Oxide Semiconductor Thin-Film Devices as
Crosspoint-type Synapse Elements and Working Confirmation of Letter Recognition
The 25th International Conference on Neural Information Processing, ICONIP 2018, Pt. VII, LNCS 11307, pp.
637-646, Dec. 2018
・ Hiroki Yamane, Mutsumi Kimura, and Yasuhiko Nakashima
Development and Evaluation of Letter Reproduction System using Cellular Neural Network and Oxide
Semiconductor synapses
2018 International Symposium on Nonlinear Theory and its Applications, NOLTA 2018, pp. 114-117, Sep. 2018
・ Mutsumi Kimura, Kenta Umeda, Keisuke Ikushima, Toshimasa Hori, Ryo Tanaka, Tokiyoshi Matsuda, Tomoya
Kameda, and Yasuhiko Nakashima
Hopfield Neural Network with Variable Resistance Synapses using Amorphous Metal-Oxide Semiconductor
Thin-Film Devices2018 International Symposium on Nonlinear Theory and its Applications, NOLTA 2018, pp. 106-109, Sep. 2018
・ Keisuke Ikushima, Junpei Shimura, Tokiyoshi Matsuda, Mutsumi Kimura, Hiroki Yamane, and Yasuhiko Nakashima
Research and Development of Ga-Sn-O Thin Films for Application to Neural Networks
AM-FPD '18, 4-3, July 2018
・ Ryo Tanaka, Isao Horiuchi, Yukio Mogi, Yasushi Hiroshima, Yasuhiko Nakashima, and Mutsumi Kimura
Cross-point Device using Ta2O5/Ta Layer for Synapse Element in Neural Network
AM-FPD '18, P-36, July 2018
・ Sumio Sugiski, Ayata Kurasaki, Ryo Tanaka, Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi Kimura
Room Temperature Fabrication of Resistive Random Access Memory
AM-FPD '18, P-35, July 2018
・ Daiki Yamakawa, Yuki Shibayama, Hiroki Yamane, Yasuhiko Nakashima, and Mutsumi Kimura
Cellular Neural Network using IGZO Thin Film as Synapses and LSI as Neurons
AM-FPD '18, P-34, July 201820

・ Keisuke Tomioka, Kohei Miyake, Keigo Misawa, and Mutsumi Kimura
Biological Stimulation Performance of LTPS-TFT Artificial Retina by Wireless Power Drive
AM-FPD '18, P-L3, July 2018
・ Kota Imanishi, ,Asuka Fukawa, Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi Kimura
Characteristic Evaluation of Ga-Sn-O Thin Films by Hall Measurement
AM-FPD '18, P-20, July 2018
・ Yuta Miyabe, Isato Ogawa, Mutsumi Kimura, Eisuke Tokumitsu, Kenichi Haga, and Isao Horiuchi
Evaluation of (Bi,La)4Ti3O12 Thin Film for Capacitor-type Synapses
IMFEDK 2018, pp. 90-91, June 2018
・ Tatsuya Aramaki, Ryuki Nomura, Tokiyoshi Matsuda, Mutsumi Kimura, Kenta Umeda, Mutsunori Uenuma, andYukiharu Uraoka
Thermoelectric Conversion Devise using Ga-Sn-O Thin Film prepared by mist CVD Method
IMFEDK 2018, pp. 82-83, June 2018
・ Yuta Takishita, Ryugo Okamoto, Mutsumi Kimura, and Tokiyoshi Matsuda
Evaluation of GTO film deposited using mistCVD method
IMFEDK 2018, pp. 68-69, June 2018
・ Yoku Ikeguchi, Kota Imanishi,, Ryuki Nomura, Mutsumi Kimura, Kenta Umeda, and Mutsunori Uenuma
Evaluation of Ga-Sn-O Thermoelectric Element
IMFEDK 2018, pp. 66-67, June 2018
・ Kenta Tanino, Ryo Takagi, Mutsumi Kimura, and Tokiyoshi Matsuda
Characteristic Analysis of Ga-Sn-O TFT subjected to UV Annealing Treatment
IMFEDK 2018, pp. 64-65, June 2018
・ Jumpei Shimura, Keisuke Ikushima, Mutsumi Kimura, and Tokiyoshi Matsuda
Multilayer Cross-point Synapse using Ga-Sn-O Thin Films in Neural Network
IMFEDK 2018, pp. 62-63, June 2018
・ Atsushi Kondo, Mutsumi Kimura, and Tokiyoshi Matsuda
Multilayer Cross-point Device using IGZO as Synapses in Artificial Neural Networks
IMFEDK 2018, pp. 58-59, June 2018
・ Yuki Shibayama, Daiki Yamakawa, Mutsumi Kimura, and Yasuhiko Nakashima
In-Ga-Zn-O Thin Film Synapse in Neural Network Using LSIIMFEDK 2018, pp. 54-55, June 2018
・ Ayata Kurasaki, Sumio Sugisaki, Ryo tanaka, Mutsumi Kimura, and Tokiyoshi Matsuda
Development of Memristor Characteristic Device using In-Ga-Zn-O Thin Film
IMFEDK 2018, pp. 50-51, June 2018
・ Mutsumi Kimura, Kenta Umeda, Keisuke Ikushima, Toshimasa Hori, Ryo Tanaka, Tokiyoshi Matsuda, Tomoya
Kameda, and Yasuhiko Nakashima
Letter Reproduction using a Cellular Neural Network consisting of Simplified Neurons and Synapses fabricatedby Thin-Film Transistors
2017 International Symposium on Nonlinear Theory and its Applications, NOLTA 2017, to be presented
・ Hiroki Yamane, Mutsumi Kimuray, and Yasuhiko Nakashima
Development and Evaluation of Letter Reproduction System using Cellular Neural Network and Oxide
Semiconductor synapses
2017 International Symposium on Nonlinear Theory and its Applications, NOLTA 2017, to be presented
・ Kun Li, Daping Chu, Jiaqi Chu, Shuhei Kitajima, Tokiyoshi Matsuda, and Mutsu Kimura
Liquid Crystal Micro-Lens Array assisted Thin Film Photo-Transistors Flat Panel Imager
Euro Display 2017, Oct. 2017, to be published・ 今西 恒太, 符川 明日香, 松田 時宜, 木村 睦
Hall 効果測定による Ga-Sn-O 薄膜の特性評価
薄膜材料デバイス研究会 第 14 回研究集会, pp. 171-173, 2017 年 10 月

21

・ 北島 秀平, 小川 功人, 松田 時宜, 木村 睦, Kun Li, Daping Chu
偏光子を用いたフラットパネルイメージャのコントラスト向上
薄膜材料デバイス研究会 第 14 回研究集会, pp. 141-144, 2017 年 10 月
・ 杉崎 澄生, 倉崎 彩太, 田中 遼, 松田 時宜, 木村 睦
Ga-Sn-O 薄膜を用いた抵抗変化型メモリ
薄膜材料デバイス研究会 第 14 回研究集会, pp. 95-96, 2017 年 10 月
・ 冨岡 圭佑, 三宅 康平, 木村 睦
低温多結晶シリコン薄膜トランジスタを用いた人工網膜
薄膜材料デバイス研究会 第 14 回研究集会, pp. 75-78, 2017 年 10 月
・ 生島 恵典, 新村 純平, 松田 時宜, 木村 睦
Ga-Sn-O 薄膜をシナプスに用いたニューラルネットワーク
薄膜材料デバイス研究会 第 14 回研究集会, pp. 51-53, 2017 年 10 月
・ Isato Ogawa, Shuhei Kitajima, and Mutsumi Kimura
Evaluation of Thin-Film Phototransistors Arrayed for a Magnifying Viewer
IDW '17, pp. 476-478, Dec. 2017
・ Kota Imanishi, Asuka Fukawa, Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi Kimura
Characteristic Evaluation of Ga-Sn-O Thin Films by Hall Measurement
IDW '17, pp. 444-446, Dec. 2017
・ Tomoya Kameda, Mutsumi Kimura, and Yasuhiko Nakashima
Neuromorphic Hardware using Simplified Elements and Thin-Film Semiconductor Devices as Synapse Elements- Simulation of Hopfield and Cellular Neural Network The 24th International Conference on Neural Information Processing, ICONIP 2017, Pt. VI, LNCS 10639, pp. 769–776, Nov. 2017
・ Keisuke Ikushima, Kenta Umeda, Tokiyoshi Matsuda, Mutsumi Kimura, Tomoya Kameda, and Yasuhiko Nakashima
Ga-Sn-O Thin Films as Synapse Devices for Neural Networks
AM-FPD '17, pp. 193-196, July 2017
・ Sumio Sugisaki, Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi Kimura
Letter Recognition by Neural Network Using Poly-Si Thin Film Transistors
AM-FPD '17, pp. 190-192, July 2017
・ Keisuke Tomioka, Kohei Miyake, Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi Kimura
Stimulus Performance of Thin-Film Biological Stimulation Device
AM-FPD '17, pp. 187-189, July 2017
・ Shuhei Kitajima, Isao Ogawa, Tokiyoshi Matsuda, Mutsumi Kimura, Kun Li, and Daping Chu
Reading Accuracy Improvement of Flatpanel Imager by Liquid-Crystal Micro Lens
AM-FPD '17, pp. 51-53, July 2017
・ Takaaki Matsumoto, Akito Yoshikawa, Tokiyoshi Matsuda, Mutsumi Kimura, Tokuro Ozawa, Koji Aoki, andChih-Che Kuo
Hall Effect in Thin-Film Transistor - Sensitivity Dependence on Applied Voltage IMFEDK 2017, pp. 104-105, June 2017
・ Ryuki Nomura, Asuka Fukawa, Kota Imanishi, Hiroki Fukushima, Ryugo Okamoto, Mutsumi Kimura, and Tokiyoshi
MatsudaMagnetoresistance Effect of Ga-Sn-O Film deposited using Mist Chemical Vapor Deposition
IMFEDK 2017, pp. 76-77, June 2017
・ Ryugo Okamoto, Hiroki Fukushima, Mutsumi Kimura, and Tokiyoshi Matsuda
Characteristic Evaluation of Ga-Sn-O Films deposited using Mist Chemical Vapor Deposition
IMFEDK 2017, pp. 74-75, June 2017
・ Daiki Yamakawa, Yuki Koga, Keisuke Ikushima, Kenta Umeda, Toshimasa Hori, Tomoharu Yokoyama, Koki Watada,
Ryo Tanaka, Mutsumi Kimura, and Tokiyoshi Matsuda
Planar Device using In-Ga-Zn-O Semiconductor for Synapse Element in Neural Network

22

IMFEDK 2017, pp. 72-73, June 2017
・ Ryo Takagi, Kenta Umeda, Mutsumi Kimura, and Tokiyoshi Matsuda
Room-Temperature Forming of Ga-Sn-O Film for Thin-Film Transistors
IMFEDK 2017, pp. 68-69, June 2017
・ Ryo Tanaka, Yuki Koga, Keisuke Ikushima, Kenta Umeda, Toshimasa Hori, Tomoharu Yokoyama, Koki Watada,
Daiki Yamakawa, Mutsumi Kimura, and Tokiyoshi Matsuda
Cross-Point Device using In-Ga-Zn-O Semiconductor for Synapse Element in Neural Network
IMFEDK 2017, pp. 62-63, June 2017
・ Kohei Miyake, Keisuke Tomioka, and Mutsumi Kimura
Evaluation of Thin-Film Biostimulating Device using Thin-Film Transistors
IMFEDK 2017, pp. 40-41, June 2017
・ Keigo Misawa, Yuki Yamamoto, and Mutsumi Kimura
Wireless Power Transmission to Thin-Film Devices
IMFEDK 2017, pp. 38-39, June 2017
・ Takayuki Hasegawa, Masashi Inoue, Mutsumi Kimura, Kenji Nomura, Toshio Kamiya, and Hideo Hosono
3-D Stacked Complementary Circuit with n-type -IGZO and p-type F8T2 TFTs - Tolerant Characteristic
against Temperature Change EM-NANO 2017, pp. 41, June 2017
・ Takumi Tanaka, Takayuki Kadonome, Takahiro Fuchiya, Shota Haruki, Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi Kimura
Dependences of Photo-Induced Current on Channel Dimensions in Thin-Film Phototransistors
IDW '16, pp. 446-447, Dec. 2016
・ Mutsumi Kimura, Yuki Koga, Tokiyoshi Matsuda, and Yasuhiko Nakashima
Characteristic Analysis of IGZO Thin Films using Planar and Stacked Devices - Evaluation of Electrical
Resistivity and Current Density IDW '16, pp. 398-399, Dec. 2016
・ Tomoya Kameda, Mutsumi Kimura, and Yasuhiko Nakashima
Letter Reproduction Simulator for Hardware Design of Cellular Neural Network using Thin-Film Synapses
2016 International Symposium on Nonlinear Theory and its Applications, NOLTA 2016, pp. 40-43, Nov. 2016
・ Mutsumi Kimura, Ryohei Morita, Sumio Sugisaki, Tokiyoshi Matsuda, Tomoya Kameda, and Yasuhiko Nakashima
Letter Reproduction using a Cellular Neural Network consisting of Simplified Neurons and Synapses fabricatedby Thin-Film Transistors
2016 International Symposium on Nonlinear Theory and its Applications, NOLTA 2016, pp. 36-39, Nov. 2016
・ 古我 祐貴, 山川 大樹, 中西 弘樹, 中村 奈央, 松田 時宜, 木村睦
IGZO 薄膜をシナプスとして用いたニューラルネットワーク
薄膜材料デバイス研究会 第 13 回研究集会, pp. 165-167, 2016 年 10 月
・ 田中 匠, 門目 尭之, 渕矢 剛宏, 春木 翔太, 松田 時宜, 木村睦
pin 型、n 型、p 型薄膜フォトトランジスタの光誘起電流のチャネル形状に対する依存性―実験とデバイスシミュレーションによる解析―
薄膜材料デバイス研究会 第 13 回研究集会, pp. 142-145, 2016 年 10 月
・ 北島 秀平, 小川 功人, 松田 時宜, 木村 睦, Kun Li, Daping Chu
液晶レンズによるフラットパネルイメージャの読み取り精度向上
薄膜材料デバイス研究会 第 13 回研究集会, pp. 139-141, 2016 年 10 月
・ 木藤 克哉, 北島 秀平, 松田 時宜, 木村 睦, 田村 光夫, 井上 昌秀
Poly-Si TFT を用いた近赤外線センサの特性評価
薄膜材料デバイス研究会 第 13 回研究集会, pp. 65-68, 2016 年 10 月
・ 林 久志, 木藤 克哉, 北島 秀平, 松田 時宜, 木村睦
Poly-Si TFT を用いたハイブリッド型温度センサ - 矩形波出力回路の動作確認 薄膜材料デバイス研究会 第 13 回研究集会, pp. 46-48, 2016 年 10 月
・ Tomoya Kameda, Mutsumi Kimura, and Yasuhiko Nakashima

23

Letter Reproduction Simulator for Hardware Design of Cellular Neural Network using Thin-Film Synapses Crosspoint-type Synapses and Simulation Algorithm The 23rd International Conference on Neural Information Processing, ICONIP 2016, Pt. II, LNCS 9948, pp. 342–
350, Oct. 2016
・ Mutsumi Kimura, Nao Nakamura, Tomoharu Yokoyama, Tokiyoshi Matsuda, Tomoya Kameda, and YasuhikoNakashima
Simplification of Processing Elements in Cellular Neural Networks - Working Confirmation using Circuit
Simulation The 23rd International Conference on Neural Information Processing, ICONIP 2016, Pt. II, LNCS 9948, pp. 309–
317, Oct. 2016
・ Yuki Koga, Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi Kimura
Neural Network Using FPGA for Neurons and IGZO Thin Films for Synapses
AM-FPD '16, pp. 179-180, July 2016
・ Shuhei Kitajima, Katsuya Kito, Tokiyoshi Matsuda, Mutsumi Kimura, and Masahide Inoue
Characteristic Evaluation of Photo-Induced Current by Infrared Light Irradiation in Low-Temperature Poly-Si
TFT
AM-FPD '16, pp. 171-174, July 2016
・ Katsuya Kito, Shuhei Kitajima, Tokiyoshi Matsuda, Mutsumi Kimura, Mitsuo Tamura, and Masahide Inoue
Evaluation of the Infrared-Ray Sensors using Poly-Si TFTs
AM-FPD '16, pp. 168-170, July 2016
・ Hisashi Hayashi, Katsuya Kito, Shuhei Kitajima, Toshimasa Hori, Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi Kimura
Hybrid-Type Temperature Sensor Using Thin-Film Transistors Generating Rectangle Output Waveform Operating Confirmation by Actual Experiment AM-FPD '16, pp. 166-167, July 2016
・ Koki Watada, Hiroki Nakanishi, Nao Nakamura, Tomoharu Yokoyama, Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi Kimura
Simplification of Synapse Devices in Cellular Neural Network
IMFEDK 2016, pp. 80-81, June 2016
・ Tomoharu Yokoyama, Nao Nakamura, Hiroki Nakanishi, Yuki Watada, Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi Kimura
Study on Simplification of Processing Elements in Neural Networks using Circuit Simulation
IMFEDK 2016, pp. 78-79, June 2016
・ Sumio Sugisaki, Ryohei Morita, Yuki Yamaguchi, Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi Kimura
Artificial Neural Networks using Poly-Si Thin-Film Transistors
IMFEDK 2016, pp. 76-77, June 2016
・ Asuka Fukawa, Kota Imanishi, Shogo Miyamura, Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi Kimura
Magnetoresistance Effect of Ga-Sn-O Thin-Film Device
IMFEDK 2016, pp. 68-69, June 2016
・ Hiroki Fukushima, Masahiro Yuge, Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi Kimura
Evaluation of Ga-Sn-O Films fabricated using Mist Chemical Vapor Deposition
IMFEDK 2016, pp. 66-67, June 2016
・ Kota Imanishi, Asuka Fukawa, Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi Kimura
Characteristic Evaluation of Ga-Sn-O Thin Film by Hall Measurement
IMFEDK 2016, pp. 62-63, June 2016
・ Yuta Kato, Kenta Umeda, Daiki Nishimoto, Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi Kimura
Characteristic Evaluation of Ga-Sn-O Thin Films fabricated using RF Magnetron Sputtering
IMFEDK 2016, pp. 58-59, June 2016
・ Yuki Yamamoto, Toshio Ishizaki, Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi Kimura
Wireless Power Supply to Artificial Retina using Poly-Si Thin-Film Transistor
IMFEDK 2016, pp. 50-51, June 2016
・ Keisuke Tomioka, Shota Haruki, Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi Kimura

24

Stimulus Performance of Poly-Si Thin-Film Transistor in in-vitro Experiment for Artificial Retinas
IMFEDK 2016, pp. 42-43, June 2016
・ Toshimasa Hori, Jun Taya, Hisashi Hayashi, Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi Kimura
Characteristic Reliability of a Hybrid-Type Temperature Sensor using Poly-Si Thin-Film Transistors
IMFEDK 2016, pp. 38-39, June 2016
・ Tomoya Kameda, Mutsumi Kimura, and Yasuhiko Nakashima
Character Recognition System using Cellular Neural Network suitable for Integration on Electronic Displays —Development of Simulator and Evaluation of Operation—
IDW '15, pp. 1462-1463, Dec. 2015
・ Mutsumi Kimura, Akito Yoshikawa, Takaaki Matsumoto, Haruki Shiga, Tokiyoshi Matsuda, Tokuro Ozawa, Koji Aoki,
and Chih-Che Kuo
Poly-Si Hall Devices for Magnetic-Field Sensors, - Sensitivity Enhancement by High-Voltage Application IDW '15, pp. 340-343, Dec. 2015
・ Mutsumi Kimura, Ryohei Morita, Yuki Koga, Hiroki Nakanishi, Nao Nakamura, and Tokiyoshi Matsuda
Simplified Architecture for Cellular Neural Network suitable for High-Density Integration of Electron Devices
2015 International Symposium on Nonlinear Theory and its Applications, NOLTA 2015, pp. 499-502, Dec. 2015
・ Mutsumi Kimura, Yusuke Fujita, Tomohiro Kasakawa, and Tokiyoshi Matsuda
Novel Architecture for Cellular Neural Network suitable for High-Density Integration of Electron Devices Learning of Multiple Logics The 22nd International Conference on Neural Information Processing, ICONIP 2015, Pt. I, pp. 12-20, Nov. 2015
・木藤 克哉, 北島 秀平, 松田 時宜, 木村 睦, 田村 光夫, 井上 昌秀
Poly-Si TFT を用いた近赤外線センサの特性評価
薄膜材料デバイス研究会 第 12 回研究集会, pp. 158-160, 2015 年 10 月
・林 久志, 木藤 克哉, 北島 秀平, 堀 賢将, 松田 時宜, 木村 睦
Poly-Si TFT を用いたハイブリッド型温度センサ - 矩形波出力の回路シミュレーションによる動作確認 薄膜材料デバイス研究会 第 12 回研究集会, pp. 149-151, 2015 年 10 月
・古我 祐貴, 松田 時宜, 木村 睦
a-IGZO 薄膜における連続電圧印加が与える影響
薄膜材料デバイス研究会 第 12 回研究集会, pp. 140-141, 2015 年 10 月
・田中 匠, 門目 尭之, 渕矢 剛宏, 春木 翔太, 松田 時宜, 木村 睦
薄膜フォトトランジスタの光誘起電流のチャネル形状に対する依存性 - デバイスシミュレーションによる解析 薄膜材料デバイス研究会 第 12 回研究集会, pp. 74-77, 2015 年 10 月
・森田 竜平, 杉崎 澄生, 松田 時宜, 木村 睦
Poly-Si TFT によるニューラルネットワーク - 文字認識 薄膜材料デバイス研究会 第 12 回研究集会, pp. 62-65, 2015 年 10 月
・ Keisuke Ide, Mutsumi Kimura, Hidenori Hiramatsu, Hideya Kumomi, Hosono Hideo, and Toshio Kamiya
How we can control Weakly-bonded Oxygen introduced by Sputtering Deposition for Amorphous In-Ga-Zn-O
Thin-Film Transistor
IMID 2015, 53-3, Aug. 2015
・ Ryohei Morita, Yoshiharu Maeda, Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi Kimura
Improvement of Learning Efficiency in Neural Network using Poly-Si TFTs by Synapse TFTs with LDD Structure
AM-FPD '15, pp. 141-142, July 2015
・ Yuki Koga, Tokiyoshi Matsuda, Mamoru Furuta, and Mutsumi Kimura
Frequency Modulation-type Capacitance Sensor using Amorphous In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistors
AM-FPD '15, pp. 139-140, July 2015
・ Katsuya Kito, Hisashi Hayashi, Shuhei Kitajima, Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi Kimura
Temperature and Illuminance Detections by Hybrid-type Carrier-Generation Sensors using n-type and p-type
Poly-Si TFTs
AM-FPD '15, pp. 137-138, July 201525

・ Hisashi Hayashi, Katsuya Kito, Shuhei Kitajima, Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi Kimura
Hybrid-type Temperature Sensor using Thin-Film Transistors generating Rectangle Output Waveform
AM-FPD '15, pp. 135-136, July 2015
・ Junji Ogawa, Toshihiro Yoshioka, Masahiro Yuge, Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi Kimura
Evaluation of SnO2 / Al2O3 Thin Film deposited by RF Magnetron Sputtering
IMFEDK 2015, pp.94-95, June 2015
・ Toshihiro Yoshioka, Junji Ogawa, Masahiro Yuge, Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi Kimura
Evaluation of In2O3 Thin Film deposited by RF Magnetron Sputtering
IMFEDK 2015, pp.92-93, June 2015
・ Nao Nakamura, Kenji Shimada, Tokiyoshi Matsuda, and Mutsu Kimura
Neuron MOS Inverter and Source Follower using Thin-Film Transistors
IMFEDK 2015, pp.90-91, June 2015
・ Shuhei Kitajima, Katsuya Kito, Hisashi Hayashi, Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi Kimura
Hybrid-type Temperature Sensor using n-type Low-temperature Processed poly-Si Thin-Film Transistors
IMFEDK 2015, pp.84-85, June 2015
・ Shota Haruki, Takahiro Fuchiya, Takayuki Kadonome, Takumi Tanaka, Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi Kimura
Characteristic Analysis of Thin-Film Phototransistors
IMFEDK 2015, pp.80-81, June 2015
・ Haruki Shiga, Akito Yoshikawa, Takaaki Matsumoto, Shogo Miyamura, Tokiyoshi Matsuda, Tokuro Ozawa, Koji Aoki,
Chih-Che Kuo, and Mutsumi KimuraHall Effect in a p-type poly-Si Thin-Film Transistor with Hall Terminals
IMFEDK 2015, pp.78-79, June 2015
・ Mutsumi Kimura, Shigeki Sawada, Hiroshi Okazaki, Masahito Okumura, and Tokiyoshi Matsuda
Current-Supplying Driving Method of Active-Matrix Ionic Polymer-Metal Composites for Stereoscopic Displays
SID '15, , pp. 1119-1122, June 2015
・ Mutsumi Kimura, Kenji Shimada, and Tokiyoshi Matsuda
Neuron MOS Devices using Thin-Film Transistors
SID '15, pp. 479-482, June 2015
・ Katsuya Kito, Hisashi Hayashi, Shuhei Kitajima, Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi Kimura
Hybrid-Type Temperature Sensors using Thin-Film Transistors - Characteristic Comparison of n, p, andpin-type Transistors SID '15, pp. 41-44, June 2015
・ Shohei Oyama, Takayuki Kadonome, Takumi Tanaka, Takahiro Fuchiya, Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi Kimura
Working Confirmation under Low Illuminance for a Photosensor Pixel using Thin-Film Phototransistor
IDW '14, pp. 340-341, Dec. 2014
・ Daiki Tadokoro, Mutsumi Kimura, Akito Yoshikawa, Takaaki Matsumoto, and Tokiyoshi Matsuda
Reduction of Offset Voltage in Poly-Si Hall Devices by Enlarging Channel Size
IDW '14, pp. 336-337, Dec. 2014
・ 門目 尭之, 大山 翔平, 松村 篤, 田中 匠, 渕矢 剛宏, 前田 善春, 松田 時宜, 木村 睦
薄膜デバイス技術を用いた周波数変調方式人工網膜 - 低照度検出およびワイヤレス駆動への試み 薄膜材料デバイス研究会 第 11 回研究集会, pp. 221-224, 2014 年 11 月
・ 森田 竜平, 山口 裕貴, 松田 時宜, 木村 睦
Poly-Si TFT を用いたニューラルネットワーク - 学習成功率向上の取り組み 薄膜材料デバイス研究会 第 11 回研究集会, pp. 207-210, 2014 年 11 月
・ 田中 匠, 門目 尭之, 渕矢 剛宏, 春木 翔太, 松田 時宜, 木村 睦
薄膜フォトトランジスタの光誘起電流のチャネル形状に対する依存性
薄膜材料デバイス研究会 第 11 回研究集会, pp. 137-140, 2014 年 11 月
・ Mutsumi Kimura, Takayuki Hasegawa, Tokiyoshi Matsuda, Keisuke Ide, Kenji Nomura, Toshio Kamiya, and Hideo
Hosono26

Light Irradiation and Applied Voltage History Sensors using Amorphous In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistors
exposed to Ozone Annealing and fabricated under High Oxygen Pressure
AM-FPD '14, pp. 319-322, July 2014
・ Katsuya Kito, Hisashi Hayashi, Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi Kimura
Evaluation of Temperature Dependences of Transistor Characteristics in n-type, p-type, and pin-type poly-Si
TFTs for Temperature Sensor Application
AM-FPD '14, pp. 277-278, July 2014
・ Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi KimuraComparison of Defects in Crystalline Oxide Semiconductor Materials by Electron Spin Resonance
AM-FPD '14, pp. 269-270, July 2014
・ Tokiyoshi Matsuda, Mamoru Furuta, Takahiro Hiramatsu, Hiroshi Furuta, Mutsumi Kimura, and Takashi Hirao
Low Temperature ZnO TFT fabricated on SiOx Gate Insulator deposited by Facing Electrodes Chemical Vapor
Deposition
AM-FPD '14, pp. 267-268, July 2014
・ Takahiro Fuchiya, Yoshiharu Maeda, Takayuki Kadonome, Takumi Tanaka, Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi
KimuraEvaluation of Photoconductivities in Diode Connections using n-ch, p-ch, and pin-ch poly-Si TFTs for
Photosensor Application
AM-FPD '14, pp. 263-264, July 2014
・ Mutsumi Kimura, Tomoaki Miyatani, Yusuke Fujita, and Tomohiro Kasakawa
Apoptotic Self-Organized Electronic Device using Thin-Film Transistors for Artificial Neural Networks with
Unsupervised Learning Functions
AM-FPD '14, pp. 177-180, July 2014
・ Hiroshi Okazaki, Shigeki Sawada, Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi Kimura
Soft Actuator using Ionic Polymer-Metal Composite driven with Ionic Liquid
IMFEDK 2014, pp.122-123, June 2014
・ Akito Yoshikawa, Daiki Tadokoro, Yohei Yamaguchi, Tokiyoshi Matsuda, Mutsumi Kimura, Tokuro Ozawa, Koji Aoki
and Chih-Che Kuo
Magnetic Field Sensitivity of Poly-Si Hall Device improved by High Voltage Application
IMFEDK 2014, pp. 86-87, June 2014
・ Yasuhiko Ohno, Yoshihiro Ito, Yosuke Nagase, Akito Yoshikawa, Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi Kimura
Maximum and Minimum Voltage Sample and Hold Circuits employing Operational Amplifiers composed of
Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors
IMFEDK 2014, pp. 84-85, June 2014
・ Yosuke Nagase, Tokiyoshi Matsuda, Mutsumi Kimura, Taketoshi Matsumoto, and Hikaru Kobayashi
Multiple-Input NAND Cirucit using Poly-Si TFTs and SR-FF Circuit using the NAND Circuits
IMFEDK 2014, pp. 82-83, June 2014
・ Atsushi Matsumura, Takahiro Fuchiya, Yoshiharu Maeda, Takayuki Kadonome, Takumi Tanaka, Tokiyoshi Matsuda,and Mutsumi Kimura
Artificial Retina using Thin-Film Devices driven by Wireless Power Supply - Working Confirmation of Pattern
Recognition IMFEDK 2014, pp. 74-75, June 2014
・ Mutsumi Kimura, Daisuke Sawamoto, Tokiyoshi Matsuda, Dapeng Wang, Mamoru Furuta, Masashi Kasami,
Shigekazu Tomai, and Koki Yano
Pseudo-CMOS Circuits using Amorphous In-Sn-Zn-O Thin-Film Transistors
SID '14, pp. 960-963, June 2014
・ Mutsumi Kimura, Tomonori Mukuda, Tokiyoshi Matsuda, and Yasushi HiroshimaHybrid-Type Temperature Sensor using Thin-Film Transistors
SID '14, pp. 952-955, June 201427

・ Mutsumi Kimura, Masahito Okumura, Tokiyoshi Matsuda, and Shinichiro Noguchi
High-Resolution Active-Matrix Imager using Poly-Si Phototransistors in a Magnifying Viewer
SID '14, pp. 709-712, June 2014
・ Daiki Tadokoro, Yohei Yamaguchi, Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi KimuraHall Effect in Poly-Si Films - Constant Current Driving and Constant Voltage Driving ITC 2014, Silicon 11, pp. 107, Jan. 2014
・ Takayuki Hasegawa, Masashi Inoue, Tokiyoshi Matsuda, Mutsumi Kimura, Kenji Nomura, Toshio Kamiya, and Hideo
Hosono3-D Stacked Complementary TFT Devices using n-type -IGZO and p-type F8T2 TFTs - Comparison ofPower Consumption ITC 2014, Oxide L1, pp. 85, Jan. 2014
・ Yasuhiko Ohno, Yoshihiro Ito, Yoshiki Imuro, Yuki Sagawa, Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi Kimura
Glucose Sensor composed of Integrated Potentiostat consisting of Poly-Si TFTs - Uniformity Evaluation ofConcentration Sensing ITC 2014, pp. 35, Jan. 2014
・ Yoshihiro Ito, Shuji Terada, Yoshiki Imuro, Koushi Setsu, Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi Kimura
Operational Amplifier using Poly-Si TFTs - Characteristic Comparison between Multiple Output Stage Numbers
IDW '13, Vol. 20, pp. 392-395, Dec. 2013
・ Jun Taya, Kazuki Kojima, Tomonori Mukuda, Akihiro Nakashima, Yuki Sagawa, Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi
KimuraTemperature Sensor using Poly-Si TFT and 1T1C Circuit with Gate Bias Control
IDW '13, Vol. 20, pp. 388-391, Dec. 2013
・ Takayuki Hasegawa, Masashi Inoue, Tokiyoshi Matsuda, Mutsumi Kimura, Kenji Nomura, Toshio Kamiya, and Hideo
Hosono3-D Stacked Complementary TFT Devices using n-type -IGZO and p-type F8T2 TFTs - Comparison between
Stacked and Sided Configurations IDW '13, Vol. 20, pp. 331-332, Dec. 2013
・ 門目 尭之, 松村 篤, 田中 匠, 大山 翔平, 渕矢 剛宏, 前田 善春, 松田 時宜, 木村 睦
薄膜フォトトランジスタ(TFPT)を用いた周波数変調方式人工網膜
薄膜材料デバイス研究会 第 10 回研究集会, pp. 232-235, 2013 年 11 月
・ 松村 篤, 門目 尭之, 田中 匠, 大山 翔平, 渕矢 剛宏, 前田 喜春, 松田 時宜, 木村 睦
Poly-Si TFTs を用いた人工網膜
薄膜材料デバイス研究会 第 10 回研究集会, pp. 229-231, 2013 年 11 月
・ 澤田 成規, 岡崎 弘, 奥村 雅仁, 松田 時宜, 木村 睦
イオン導電性高分子金属複合膜（IPMC）のアクティブマトリクス駆動
薄膜材料デバイス研究会 第 10 回研究集会, pp. 225-228, 2013 年 11 月
・ 田中 匠, 門目 尭之, 松村 篤, 松田 時宜, 木村 睦
薄膜フォトトランジスタの光誘起電流のチャネル形状に対する依存性
薄膜材料デバイス研究会 第 10 回研究集会, pp. 223-224, 2013 年 11 月
・ 井上 雅志, 木村 睦
Poly-Si TFT を用いた Gate Array の設計開発
薄膜材料デバイス研究会 第 10 回研究集会, pp. 220-222, 2013 年 11 月
・ 松田 時宜, 西本 大樹, 高橋 宏太, 植野 大貴, 木村 睦
結晶性酸化物半導体の粉末中に導入された格子欠陥の評価
薄膜材料デバイス研究会 第 10 回研究集会, pp. 119-120, 2013 年 11 月
・ 小尻 尚志, 松田 時宜, 木村 睦
IGZO 薄膜トランジスタにおける熱活性型しきい値シフト
薄膜材料デバイス研究会 第 10 回研究集会, pp. 108-110, 2013 年 11 月

28

・ Mutsumi Kimura, Jun Taya, and Akihiro Nakashima
Temperature Dependences of Transistor Characteristics of SD and LDD Poly-Si TFTsULSI & TFT 2013, P-4, July 2013
・ Mutsumi Kimura, Tokiyoshi Matsuda, Mamoru Furuta, Takahiro Hiramatsu, Hiroshi Furuta, Chaoyang Li, Takashi
Hirao, Yudai Kamada, and Shizuo Fujita
Trap Densities in ZnO TFTs with SiNx/SiOx Stacked Gate Insulators Fabricated using Several N2O Flow Rateduring SiOx Deposition
ULSI & TFT 2013, 4-5, July 2013
・ Tokiyoshi Matsuda, Daiki Nishimoto, Kota Takahashi, Taiki Ueno, and Mutsumi Kimura
Evaluation of Damages Using Electron Spin Resonance (ESR) in Oxide Semiconductors Induced by Plasma
AM-FPD '13, pp. 239-242, July 2013
・ Mutsumi Kimura, Shota Morii, Yasuhiro Ono, Yoshihiro Ito, and Tokiyoshi Matsuda
Characteristic Deviation of Excimer-Laser Crystallized Poly-Si Thin-Film Transistors and Layout Design ofOperational Amplifiers
AM-FPD '13, pp. 207-210, July 2013
・ Shinpei Kurisu, Daiki Tadokoro, Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi Kimura
Detection of 2D and 3D Distributions of Magnetic Field by Moving a Poly-Si Micro Hall Device
AM-FPD '13, pp. 145-146, July 2013
・ Shohei Ohyama, Tsuyoshi Higashiyama, Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi Kimura
Artificial Retina Using Poly-Si TFTs - Operation Confirmation of Real-Time Detection AM-FPD '13, pp. 143-144, July 2013
・ Satoshi Urakawa, Shigekazu Tomai, Masashi Kasami, Koki Yano, Daping Wang, Mamoru Furuta, Mutsumi Kimura,
Masahiro Horita, Yasuaki Ishikawa, and Yukiharu Uraoka
Thermal Degradation and Theoretical Analysis of Amorphous Oxide Thin-Film Transistor
AM-FPD '13, pp. 125-128, July 2013
・ Yuki Yamaguchi, Ryohei Morita, Yusuke Fujita, Tomoaki Miyatani, Tomohiro Kasakawa, and Mutsumi Kimura
Artificial Neural Network using Thin-Film Transistors － Working Confirmation of Asymmetric Circuit －IMFEDK 2013, pp. 78-79, June 2013
・ Takayuki Kadonome, Atsushi Matsumura, Tsuyoshi Higashiyama, Shohei Oyama, and Mutsumi Kimura
Retinal Prosthesis of Frequency Modulation using Thin-Film Photo Transistors
IMFEDK 2013, pp. 74-75, June 2013
・ Mutsumi Kimura and Akihiro NakashimaComparison of Off-Leakage Current between LTPS and HTPS TFTs using Activation Energy and Device
Simulation
IWCE 2013, pp. 176-177, June 2013
・ Mutsumi Kimura, Masaaki Hirako, Toshifumi Yamaoka, and Satoshi Tani
Device Simulation of Hall Effect around Grain Boundaries in Poly-Si Films
IWCE 2013, pp. 174-175, June 2013
・ Tokiyoshi Matsuda, Mutsumi Kimura, Jingxin Jiang, Dapeng Wang, Mamoru Furuta, Masashi Kasami, Shigekazu
Tomai, and Koki Yano
Trap States in Amorphous-In-Sn-Zn-O Thin-Film Transistors Analyzed Using Dependence on Channel
Thickness
SID '13, pp. 1014-1017, May 2013
・ Mutsumi Kimura, Takayuki Hasegawa, Masashi Inoue, Kenji Nomura, Toshio Kamiya, and Hideo Hosono
3-D Stacked Complementary TFT Devices using n-type -IGZO and p-type F8T2 TFTs − Operation
Confirmation of NOT and NAND Logic Circuits −SID '13, pp. 995-998, May 2013
・ Mutsumi Kimura and Yasushi Hiroshima
Trap Densities at MOS Interface and in Poly-Si Film of SPC TFTs with Thermal Annealing before and after29Formation of Gate Insulator
ITC 2013 1pLP10, March 2013
・ Yoshiki Imuro, Yuki Sagawa, and Mutsumi Kimura
Integrated Potentiostat using TFTs with Electrochemical Cells - Confirmation of Multiple Simultaneous
Measurements ITC 2013 1pLP09, March 2013
・ Yohei Yamaguchi, Daiki Tadokoro, Tsuyoshi Segawa, Hayami Hashimoto, and Mutsumi Kimura
Magnetic Area Sensor using Poly-Si Micro Hall Devices − Working Confirmation of Actual Operation −IDW / AD '12, Vol. 19, pp. 957-958, Dec. 2012
・ Tomonori Mukuda, Jun Taya, Akihiro Nakashima, and Mutsumi Kimura
Temperature Sensor employing 1-Transistor 1-Capacitor Circuit consisting of P-type Poly-Si Thin-Film
Transistor
IDW / AD '12, Vol. 19, pp. 909-912, Dec. 2012
・ Tokiyoshi Matsuda, Daiki Nishimoto, Kota Takahashi, Taiki Ueno, and Mutsumi Kimura
ESR Evaluation of Damages Induced in InGaZnO4 with Plasma
IDW / AD '12, Vol. 19, pp. 557-558, Dec. 2012
・ Yuki Sagawa, Koushi Setsu, Yoshihiro Ito, Yasuhiko Ono, and Mutsumi Kimura
Integrated Potentiostat using TFTs with Electrochemical Cell − Optimization of Detection Parameters −IDW / AD '12, Vol. 19, pp. 145-146, Dec. 2012
・ 澤田 成規, 岡崎 弘, 奥村 雅仁, 木村 睦
イオン導電性高分子金属複合膜(IPMC)の性能評価とワイヤレス駆動
薄膜材料デバイス研究会 第 9 回研究集会, pp. 221-224, 2012 年 11 月
・ 長谷川 貴之, 木村 睦, 野村 研二, 神谷 利夫, 細野 秀雄
高酸素雰囲気で成膜されたα-IGZO 薄膜トランジスタを用いた光照射履歴センサ
薄膜材料デバイス研究会 第 9 回研究集会, pp. 207-209, 2012 年 11 月
・ 井上 雅志, 長谷川 貴之, 中西 孝, 木村 睦, 野村 研二, 神谷 利夫, 細野 秀雄
酸化物 TFT と有機物 TFT を用いたインバータと NAND 回路の測定と評価
薄膜材料デバイス研究会 第 9 回研究集会, pp. 199-202, 2012 年 11 月
・ 奥村 雅仁, 木村 睦
ポリシリコン薄膜フォトトランジスタを用いた密着型イメージセンサ
薄膜材料デバイス研究会 第 9 回研究集会, pp. 196-198, 2012 年 11 月
・ 松田 時宜, 西本 大樹, 高橋 宏太, 植野 大貴, 木村 睦
電子スピン共鳴法(ESR)による IGZO 粉末の評価
薄膜材料デバイス研究会 第 9 回研究集会, pp. 109-110, 2012 年 11 月
・ 伊藤 嘉啓, 飯室 恵紀, 山口 陽平, 木村 睦
Poly-Si TFT を用いたポテンシオスタットの特性評価
薄膜材料デバイス研究会 第 9 回研究集会, pp. 104-106, 2012 年 11 月
・ 松村 篤, 門目 尭之, 東山 剛士, 木村 睦
Poly-Si TFTs を用いた人工網膜
薄膜材料デバイス研究会 第 9 回研究集会, pp. 102-103, 2012 年 11 月
・ 王 大鵬, 蒋 晶鑫, 古田 守, 木村 睦, 松田 時宜, 笘井 重和, 笠見 雅司), 矢野 公規
酸化物 TFT のバックチャネルトラップの抽出とその TFT 特性への影響
薄膜材料デバイス研究会 第 9 回研究集会, pp. 56-59, 2012 年 11 月
・ Matthew Ombaba, Takayuki Hasegawa, Li Lu, Yusuke Yasuda, Mutsumi Kimura, Takashi Nishida, Shinji Koh,
Yukihara Uraoka, and M. Saif Islam
Highly Flexible, Transparent and Electrically Conducting Silver Nanoparticles Films Enabled by Controlled
Sedimentation2012 MRS Spring Meeting Vol, 1436, Aug. 2012
・ Tsuyoshi Segawa, Yohei Yamaguchi, Daiki Tadokoro, Hayami Hashimoto, and Mutsumi Kimura

30

Magnetic-Field Line Sensor Using Poly-Si Micro Hall Devices
AM-FPD '12, pp. 211-212, July 2012
・ Tokiyoshi Matsuda, Mutsumi Kimura, Dapeng Wang, Chaoyang Li, and Mamoru Furuta
Dependence of Transfer Characteristic of Amorphous Oxide Semiconductor Thin-Film Transistors on the
Channel Thickness Evaluated by Device Simulation
AM-FPD '12, pp. 207-208, July 2012
・ Mutsumi Kimura and Yuta Miura
Characteristic Analysis of p-i-n Thin-Film Phototransistor Using Device Simulation
AM-FPD '12, pp. 131-134, July 2012
・ Takayuki Hasegawa, Mutsumi Kimura, Keisuke Ide, Kenji Nomura, Toshio Kamiya, and Hideo Hosono
Light Irradiation History Sensor Using Amorphous In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistor Fabricated by High Oxygen
Partial Pressure Sputtering
AM-FPD '12, pp. 41-42, July 2012
・ Atsushi Matsumura, Takayuki Kadonome, Tsuyoshi Higashiyama, Yuta Miura, Tomohisa Hachida, and Mutsumi
KimuraArtificial Retina using Poly-Si TFTs driven by Wireless Power Supply
IMFEDK 2012, pp. 128-129, May 2012
・ Masashi Inoue, Takayuki Hasegawa, Takashi Nakanishi, Mutsumi Kimura, Kenji Nomura, Toshio Kamiya, and Hideo
HosonoCharacteristic Shift of a CTFT Inverter using n-type IGZO and p-type F8T2 TFTs after Temperature andOperation Stresses
IMFEDK 2012, pp. 126-127, May 2012・ 野口 紳一郎, 木村 睦, 山口 成志「読み」「書き」に易しい超薄型大画面のパネル式拡大読書器の開発  ビデオカメラを用いない新式拡大読書器 
第 37 回感覚代行シンポジウム, pp. 61-64, 2011 年 12 月
・ Yoshihiro Ito, Yoshiki Imuro, Yohei Yamaguchi, and Mutsumi Kimura
Characteristic Evaluation of an Operational Amplifier using poly-Si Thin-Film Transistors
IDW '11, Vol. 1, pp. 187-188, Dec. 2011
・ Mutsumi Kimura
Extraction Technique of Trap Densities in Thin Films and at Insulator Interfaces of Thin-Film Transistors
IDW '11, Vol. 1, pp. 81-84, Dec. 2011
・ Yohei Yamaguchi, Hayami Hashimoto, Tsuyoshi Segawa, Daiki Tadokoro, and Mutsumi Kimura
Magnetic-Field Area Sensor using Poly-Si Hall Devices: Static and Real-Time Area Sensing
IDW '11, Vol. 1, pp. 77-80, Dec. 2011
・ 飯室 恵紀, 分銅 衡介, 佐川 祐樹, 瀬津 光司, 木村 睦
TFT を用いたポテンシオスタットによるグルコースセンサの高感度化の検討
薄膜材料デバイス研究会 第 8 回研究集会, pp. 199-202, 2011 年 11 月
・ 岡崎 弘, 奥村 雅仁, 澤田 成規, 木村 睦
イオン導電性高分子金属複合膜によるソフトアクチュエータ～真空蒸着による作製・評価とイオン液体駆動～
薄膜材料デバイス研究会 第 8 回研究集会, pp. 98-100, 2011 年 11 月
・ 奥村 雅仁, 松村 篤, 東山 剛士, 門目 尭之, 木村 睦
薄膜フォトトランジスタの出力特性の実験とデバイスシミュレーションの比較
薄膜材料デバイス研究会 第 8 回研究集会, pp. 65-66, 2011 年 11 月
・ Mutsumi Kimura, Yuki Sagawa, Koushi Setsu, and Yoshiki Imuro
Integrated Potentiostat using Thin-Film Transistors with Electrochemical Cell
AM-FPD '11, pp. 259-262, July 2011
・ Mutsumi Kimura and Akihiro Nakashima
Mechanism Analysis of Current-Voltage Characteristic in an LDD Poly-Si Thin-Film Transistor using Activation

31

Energy
AM-FPD '11, pp. 137-140, July 2011
・ Mutsumi Kimura, Akihiro Nakashima, Jun Taya, and Yuki Sagawa
Thermal Sensor using Poly-Si Thin-Film Transistor
AM-FPD '11, pp. 133-136, July 2011
・ Tsuyoshi Segawa, Yohei Yamaguchi, Hayami Hashimoto, and Mutsumi Kimura
Analysis of Hall Effect in Micro Poly-Si Hall Devices with p-type Doping Films for Magnetic Area Sensors
IMFEDK 2011, pp. 132-133, May 2011
・ Yusuke Fujita, Tomoaki Miyatani, Tomohiro Kasakawa, and Mutsumi Kimura
Artificial Neural Network using Poly-Si TFTs - Verification of Multiple Overwriting IMFEDK 2011, pp. 124-125, May 2011
・ Mutsumi Kimura, Yuta Miura, and Tomohisa Hachida
Artificial Retina using Poly-Si Thin-Film Transistors driven by Wireless Power Supply
SID '11, pp. 1201-1204, May 2011
・ Mutsumi Kimura
Dependence of Trap Density in SPC Poly-Si TFT on Temperature and Time of Post Annealing
IDW '10, Vol. 2, pp. 779-780, Dec. 2010
・ Hayami Hashimoto, Yohei Yamaguchi, Masaaki Hirako, Toshifumi Yamaoka, and Mutsumi Kimura
Evaluation of Hall Effect in Micro Poly-Si Hall Devices to Analyze Electron Transport in poly-Si films
IDW '10, pp. 777-778, Dec. 2010
・ Yoshiki Imuro, Kosuke Bundo, Yuki Sagawa, Koushi Setsu, and Mutsumi Kimura
Integrated Potentiostat using Thin-Film Transistors with Electrochemical Cell
IDW '10, pp. 669-672, Dec. 2010
・ 岡崎 弘, 奥村 雅仁, 澤田 成規, 木村 睦
イオン導電性高分子金属複合膜の真空蒸着による作製と性能評価
薄膜材料デバイス研究会 第 7 回研究集会, pp. 193-195, 2010 年 11 月
・ 山口 陽平, 橋本 早未, 平子 正明, 山岡 俊文, 木村 睦
Poly-Si micro Hall 素子による磁場エリアセンサ
薄膜材料デバイス研究会 第 7 回研究集会, pp. 149-152, 2010 年 11 月
・ 中島 章宏, 田矢 純, 佐川 祐樹, 木村 睦
TFT を用いた温度センサとアクティブマトリクス駆動によるエリアセンサへの応用検討Ⅱ
薄膜材料デバイス研究会 第 7 回研究集会, pp. 45-47, 2010 年 11 月
・ Yohei Yamaguchi, Hayami Hashimoto, Masaaki Hirako, Toshifumi Yamaoka, and Mutsumi KimuraLine Sensor of Magnetic Field using Micro Hall Devices with Poly-Si Thin Film
AM-FPD '10, pp. 193-194, July 2010
・ Mutsumi Kimura
Extraction Technique of Trap Densities in Thin Films and at Insulator Interfaces of Thin-Film Transistors
AM-FPD '10, pp. 93-96, July 2010
・ Akihiro Nakashima, Yuki Sagawa, and Mutsumi Kimura
Temperature Sensor using Thin-Film Transistor
AM-FPD '10, pp. 51-52, July 2010
・ Mutsumi Kimura and Takashi Nakanishi
Characteristic Evaluation of Thin-Film Transistors using Capacitance-Voltage Characteristics
IMFEDK 2010, pp. 52-53, May 2010
・ Tomohiro Kasakawa, Hiroki Tabata, Ryo Onodera, Hiroki Kojima, Mutsumi Kimura, Hiroyuki Hara, and Satoshi
Inoue
Degradation Evaluation of Poly-Si TFTs by Comparing Normal and Reverse Characteristics and Behavior
Analysis of Hot-Carrier Degradation
IDW '09, pp. 1829-1830, Dec. 200932

・ Takayuki Hasegawa, Takashi Nakanishi, Mariko Sakemi, Mutsumi Kimura, Kenji Nomura, Toshio Kamiya, Hideo
Hosono, Takashi Aoki, Takeo Kawase, and Satoshi Inoue
Characteristic Comparison between Complementary Inverter using Amorphous Oxide TFT and Polymer Organic
TFT and N-type Inverter using Amorphous Oxide TFTs
IDW '09, pp. 1823-1824, Dec. 2009
・ Koushi Setsu, Hayami Hashimoto, and Mutsumi Kimura
Design Methodology for Operational Amplifiers using Poly-Si TFTs
IDW '09, Vo. 3, pp. 1717-1720, Dec. 2009
・ Yoichi Suzuki, Hiromitsu Umezawa, Hiroki Nakao, Mutsumi Kimura, and Mitsuteru Inoue
Improvements of Magneto-Optic Spatial Light Modulator Driven by Thin Film Transistor
IWHM & D '09, pp. 51-52, Dec. 2009・ Daisuke Suzuki, Masamichi Koike, Shigeki Sawamura, Masakazu Kato, and Mutsumi Kimura
Pulse-Width Modulation with Current Uniformization using Reduced Pixel Circuit for TFT-OLEDs
薄膜材料デバイス研究会 第 6 回研究集会, 100228075-1-6, 2009 年 11 月
・ 中西 孝, 長谷川 貴之, 酒見 真里子, 奥村 友也, 上田 勇気, 木村 睦, 野村 研二, 神谷 利夫, 細野 秀雄,
平松 孝浩, 古田 守, 平尾 孝, 青木 敬
酸化物薄膜トランジスタのトラップ密度の抽出とアモルファス酸化物 TFT と高分子有機 TFT を用いたＣＴＦＴイ
ンバータの開発
薄膜材料デバイス研究会 第 6 回研究集会, pp. 226-229, 2009 年 11 月
・ 橋本 早未, 山口 陽平, 平子 正明, 山岡 俊文, 谷 智之, 木村 睦
Poly-Si Hall 素子による磁場エリアセンサ
薄膜材料デバイス研究会 第 6 回研究集会, pp. 141-144, 2009 年 11 月
・ 鈴木 大亮, 小池 正通, 澤村 茂樹, 加藤 正和, 木村 睦
TFT-OLED の簡略画素回路を用いた電流均一化パルス幅階調方式
薄膜材料デバイス研究会 第 6 回研究集会, pp. 129-131, 2009 年 11 月
・ 松木 邦晃, 斉藤 龍輔, 塚本 周史, 木村 睦
-CZ 法の 2 次元過渡シミュレーションおよびレーザー結晶化の 3 次元過渡シミュレータの開発
薄膜材料デバイス研究会 第 6 回研究集会, pp. 113-114, 2009 年 11 月
・ 中島 章宏, 佐川 祐樹, 木村 睦
TFT を用いた温度センサとアクティブマトリクス駆動によるエリアセンサへの応用検討
薄膜材料デバイス研究会 第 6 回研究集会, pp. 41-43, 2009 年 11 月
・ Takehiko Yamashita, Yuta Sugawara, Yukiharu Uraoka, and Mutsumi Kimura
Three-Dimensional Device Fabricated with Green Laser
AM-FPD '09, pp. 247-250, July 2009
・ Kuniaki Matsuki, Ryusuke Saito, Shuji Tsukamoto, and Mutsumi Kimura
Three-Dimensional Transient Simulator of Laser Crystallization
AM-FPD '09, pp. 181-182, July 2009・ Daisuke Suzuki, Masamichi Koike, Shigeki Sawamura, Masakazu Kato, and Mutsumi Kimura
Pulse-Width Modulation with Current Uniformization using Reduced Pixel Circuit for TFT-OLEDs
AM-FPD '09, pp. 177-178, July 2009
・ Tomohisa Hachida, Takeshi Ogura, Yuta Miura, Yoshitaka Nishizaki, Takehiko Yamashita, Takehiro Shima, andMutsumi Kimura
Color Sensitivity of Thin-Film Phototransistor using Poly-Si film with p/i/n Structure
AM-FPD '09, pp. 141-144, July 2009・ Daisuke Suzuki, Masamichi Koike, Shigeki Sawamura, Masakazu Kato, and Mutsumi Kimura
Novel Driving Method to Improve Picture Quality of Active-Matrix Organic Light-Emitting Diode Displays
ISCE 2009, pp, 259-262, May 2009
・ Takehiko Yamashita, Yuta Sugawara, Yukiharu Uraoka, Takashi Fuyuki, and Mutsumi Kimura
Green Laser Annealing Crystallization for Three-Dimensional Device Application

33

ITC '09 pp. 267-270, March 2009
・ Tomohisa Hachida, Yoshitaka Nishizaki, Takehiko Yamashita, Takehiro Shima, Mutsumi Kimura, Hiroyuki Hara, andSatoshi Inoue
Artificial Retina using Thin-Film Devices − Grayscale Detectability, Moving-Image Capturing and Color
Sensitivity −IDW '08, Vol. 3, pp. 1645-1646, Dec. 2008
・ Takuto Yoshino, Kiyoshi Harada, Tohru Yasuhara, and Mutsumi Kimura
Complete Extraction of Trap Density in Poly-Si TFTs
IDW '08, Vol. 2, pp. 655-658, Dec. 2008
・ Mutsumi Kimura
Potential Barrier and Carrier Transport at Grain Boundary in Poly-Si Thin-Film
IDW '08, Vol. 2, pp. 651-654, Dec. 2008
・ Takashi Nakanishi, Mariko Sakemi, Tomoya Okumura, Yuki Ueda, Mutsumi Kimura, Kenji Nomura, Toshio Kamiya,
Hideo Hosono, and Takashi Aoki
Characteristic Evaluation of Complementary Inverter using Amorphous Oxide TFT and Polymer Organic TFT
薄膜材料デバイス研究会 第 5 回研究集会, pp. 1-1-1-5, 2008 年 11 月
・ 中西 孝, 酒見 真里子, 奥村 友也, 上田 勇気, 木村 睦, 野村 研二, 神谷 利夫, 細野 秀雄, 青木 敬
アモルファス酸化物ＴＦＴと高分子有機ＴＦＴを用いたＣＭＯＳインバータの特性評価
薄膜材料デバイス研究会 第 5 回研究集会, pp. 176-178, 2008 年 11 月
・ 松木 邦晃, 中尾 博樹, 斉藤 龍輔, 塚本 周史, 木村 睦
レーザー結晶化の 2 次元過渡シミュレーション ～熱伝導率と基板温度に対する結晶粒径の依存性～
薄膜材料デバイス研究会 第 5 回研究集会, pp. 156-157, 2008 年 11 月
・ 笠川 知洋, 田畑 裕貴, 小野寺 亮, 小嶋 明樹, 木村 睦
Poly-Si TFT によるデバイスレベルのニューラルネットワーク
薄膜材料デバイス研究会 第 5 回研究集会, pp. 135-138, 2008 年 11 月
・ 鈴木 大亮, 小池 正通, 澤村 茂樹, 加藤 正和, 木村 睦
TFT-OLED の電流均一化パルス幅階調方式
薄膜材料デバイス研究会 第 5 回研究集会, pp. 139-141, 2008 年 10 月
・ 瀬津 光司, 佐川 祐樹, 木村 睦, 福島 均, 原 弘幸, 井上 聡
薄膜トランジスタをもちいたポテンシオスタットによる電気化学測定
薄膜材料デバイス研究会 第 5 回研究集会, pp. 38-41, 2008 年 10 月
・ Mami Fujii, Hiroshi Yano, Tomoaki Hatayama, Yukiharu Uraoka, Takashi Fuyuki, Ji Sim Jung, Jang Yeon Kwon,
Takashi Nakanishi, and Mutsumi Kimura
Threshold Voltage Shift in Ga2O3-In2O3-ZnO (GIZO) Thin Film Transistors under Constant Voltage Stress
Extended Abstract SSDM 2008, pp. 1044-1045, Sep. 2008
・ Mami Fujii, Hiroshi Yano, Tomoaki Hatayama, Yukiharu Uraoka, Takashi Fuyuki, Ji Sim Jung, Jang Yeon Kwon,
Takashi Nakanishi, and Mutsumi Kimura
Degradation in Ga2O3-In2O3-ZnO Thin Film Transistors under Constant Voltage Stress
AM-FPD '08, pp. 295-298, July 2008
・ Mutsumi Kimura
Physical Model of Current-Voltage Characteristic for Thin-Film Transistor
AM-FPD '08, pp. 263-266, July 2008
・ Daisuke Suzuki, Masamichi Koike, Shigeki Sawamura, Masakazu Kato, and Mutsumi Kimura
Pulse-Width Modulation with Current Uniformization for TFT-OLEDs
AM-FPD '08, pp. 249-250, July 2008
・ Kuniaki Matsuki, Hiroki Nakao, Ryusuke Saito, Shuji Tsukamoto, and Mutsumi Kimura
Two-Dimensional Transient Simulation of Laser Crystallization and Grain-Size Dependences on Thermal
Conductivity and Substrate Temperature
AM-FPD '08, pp. 245-246, July 200834

・ Mutsumi Kimura, Daisuke Suzuki, Yuji Hara, Shigeki Sawamura, and Masakazu Kato
Pulse-Width Modulation with Current Uniformization for TFT-OLEDs
SID '08, pp. 1173-1176, May 2008
・ Mutsumi Kimura, Yoshitaka Nishizaki, Takehiro Shima, and Takehiko Yamashita
Artificial Retina using Thin-Film Devices
SID '08, pp. 1169-1172, May 2008
・ Mutsumi Kimura
Device Simulation of Carrier Transport Parallel, Oblique and Perpendicular to Grain Boundaries in Doped Poly-Si
Film
IDW '07, Vol. 3, pp. 1983-1984, Dec. 2007
・ Mutsumi Kimura and Takuya Tsujino
Determination of Capture Cross-Section of Trap States from On- and Off-Current Characteristic for Poly-Si
TFTs
IDW '07, Vol. 3, pp. 1841-1844, Dec. 2007
・ Yoshitaka Nishizaki, Takehiko Yamashita, Takehiro Shima, Mutsumi Kimura, Hiroyuki Hara, and Satoshi Inoue
Behavior Characterization of p/i/n Thin-Film Phototransistor
IDW '07, Vol. 1, pp. 107-110, Dec. 2007
・ Takashi Aoki, Soichi Moriya, Tsutomu Miyamoto, Hideyuki. Kawai, Tomoya Okumura, Yuki Ueda, and Mutsumi
KimuraAnalysis of Actual Results of Semiconductor Layer Thickness Dependence in Organic TFT using Device
Simulation
薄膜材料デバイス研究会 第 4 回研究集会, 2007 年 11 月
・ Tomoya Okumura, Yuki Ueda, Mutsumi Kimura, Junichi Karasawa, Takashi Aoki, and Soichi Moriya
Extraction Technique of Trap Density at Insulator Interface and in Semiconductor Film of Organic TFT from
C-V Characteristic
薄膜材料デバイス研究会 第 4 回研究集会, 2007 年 11 月
・ 鈴木 洋一, 石川 省吾, 梅澤 浩光, 大井 秀夫, 木村 睦, 内田 裕久, 井上 光輝
磁気光学空間光変調器に用いる PZT 上の TFT の作製
薄膜材料デバイス研究会 第 4 回研究集会, pp. 216-219, 2007 年 11 月
・ 奥村 友也, 上田 勇気, 木村 睦, 柄澤 潤一, 青木 敬, 守谷 壮一
有機薄膜トランジスタの CV 測定による特性解析
薄膜材料デバイス研究会 第 4 回研究集会, pp. 204-205, 2007 年 11 月
・ 瀬津 光司, 木村 睦
Poly-Si TFT によるオペアンプ回路の動作評価
薄膜材料デバイス研究会 第 4 回研究集会, pp. 116-118, 2007 年 11 月
・ 木村 睦ドープｐ oly-Si 薄膜の結晶粒界に平行・傾斜・垂直なキャリア輸送のデバイスシミュレーション
薄膜材料デバイス研究会 第 4 回研究集会, pp. 114-115, 2007 年 11 月
・ 笠川 知洋, 小野寺 亮, 小嶋 明樹, 木村 睦, 原 弘幸, 井上 聡
Poly-Si TFT によるデバイスレベルのニューラルネットワーク
薄膜材料デバイス研究会 第 4 回研究集会, pp. 63-66, 2007 年 11 月
・ 青木 敬, 守谷 壮一, 宮本 勉, 川居 秀幸, 奥村 友也, 上田 勇気, 木村 睦
有機トランジスタの半導体膜厚依存性の実測結果のデバイスシミュレーションによる解析
薄膜材料デバイス研究会 第 4 回研究集会, pp. 26-27, 2007 年 11 月
・ Takehiko Yamashita, Takehiro Shima, Yoshitaka Nishizaki, Mutsumi Kimura, and Hiroyuki Hara
Evaluation of Thin-Film Photodiodes and Development of Thin-Film Phototransistor
AM-FPD '07, pp. 219-222, July 2007
・ Kuniaki Matsuki, Ryusuke Saito, Shuji Tsukamoto, Mutsumi Kimura, Yuta Sugawara, and Yukiharu Uraoka
Analysis of Laser Crystallization of Double-Layered poly-Si Thin Films using Process Simulation of Laser

35

Crystallization
AM-FPD '07, pp. 199-200, July 2007
・ Takuya Tsujino and Mutsumi Kimura
Mechanism Analysis of Off Current in Poly-Si TFTs by Using Device Simulation and Evaluating Temperature
Dependence
AM-FPD '07, pp. 175-178, July 2007
・ Takuto Yoshino, Mutsumi Kimura, and Toshiyuki Sameshima
Characterization of Trap Density at Grain Boundaries using Doped Poly-Si TFTs
IDW '06, Vol. 3, pp. 1671-1674, Dec. 2006
・ Mutsumi Kimura, Masakazu Kato, Yuji Hara, Shigeki Sawamura, Hiroyuki Hara, Tomoyuki Okuyama, Satoshi Inoue,
and Tatsuya Shimoda
Pulse-Width Modulation with Current Uniformization for TFT-OLEDs
IDW '06, Vol. 2, pp. 671-674, Dec. 2006
・ Akihiko Tsunoya and Mutsumi Kimura
Visual Evaluation of New Pixel Arrangements for Matrix Displays
IDW '06, Vol. 1, pp. 507-510, Dec. 2006
・ Mutsumi Kimura and Takuya Tsujino
Determination of Trap State Density by On-Current Characteristic and Capture Cross-Section by Off-Current
Characteristic for Poly-Si TFTs
薄膜材料デバイス研究会 第 3 回研究集会, pp. 25-31, 2006 年 11 月
・ 島 武弘, 山下 毅彦, 木村 睦, 井上 聡
薄膜フォトダイオードと薄膜トランジスタを用いた人工網膜
薄膜材料デバイス研究会 第 3 回研究集会, pp. 192-195, 2006 年 11 月
・ 奥村 友也, 木村 睦, 青木 敬
有機薄膜トランジスタのトラップ準位密度の決定
薄膜材料デバイス研究会 第 3 回研究集会, pp. 176-177, 2006 年 11 月
・ 斎藤 龍輔, 塚本 周史, 木村 睦
レーザー結晶化のプロセスシミュレータによる Poly-Si 薄膜の結晶化過程の解析と基板熱伝導率に対する依存
性
薄膜材料デバイス研究会 第 3 回研究集会, pp. 30-32, 2006 年 11 月
・ 吉野 拓人, 原田 聖, 安原 徹, 木村 睦, 安部 大介
薄膜トランジスタの結晶粒界のトラップ密度の抽出方法の開発と実際の抽出結果
薄膜材料デバイス研究会 第 3 回研究集会, pp. 28-29, 2006 年 11 月
・ 木村 睦, 辻野 拓也
Poly-Si TFT のオン電流特性からのトラップ準位密度の決定とオフ電流特性からのトラップ準位捕獲断面積の決定
薄膜材料デバイス研究会 第 3 回研究集会, pp. 22-23, 2006 年 11 月
・ Masakazu Kato, Yuji Hara, and Mutsumi Kimura
Time-Ratio Grayscale with Current Uniformization for TFT-OLEDs and its Tolerance against Characteristic
Degradation
AM-FPD '06, pp. 235-238, July 2006
・ Hiromi Hayasaka, Toshiyuki Sameshima, and Mutsumi Kimura
Analysis of Threshold Voltage for Silicon Thin FIlm Transistor
AM-FPD '06, pp. 215-218, July 2006
・ Kiyoshi Harada, Tohru Yasuhara, Mutsumi Kimura, Daisuke Abe, Satoshi Inoue, and Tatsuya Shimoda
Extraction Technique of Trap Density at Grain Boundaries in poly-Si TFTs using Device Simulation
AM-FPD '06, pp. 195-198, July 2006
・ Mutsumi Kimura and Yuki Kubo
Analysis of Bright Lines in Passive-Matrix OLEDs using High-Speed Photography

36

SID '06, Vol. 37, pp. 912-915, June 2006
・ Masakazu Kato, Yuji Hara, and Mutsumi Kimura
Time-Ratio Grayscale and Hopping Scan with Current Uniformization for AM-OLEDs and its Tolerance for TFT
Degradation
ITC '06 pp. 122-125, Jan. 2006
・ Kiyoshi Harada, Tohru Yasuhara, and Mutsumi Kimura
Extraction Technique of Trap Density at Grain Boundaries in poly-Si TFTs – Extraction Algorithm using Device
Simulator and Extraction Results ITC '06 pp. 74-77, Jan. 2006
・ Mutsumi Kimura Ryusuke Saito, Shuji Tsukamoto, Yasushi Hiroshima, Satoshi Inoue, Tatsuya Shimoda, andRyoichi Ishihara
Process Simulation of Laser Crystallization and Analysis of Crystallization Process of Si films
IDW '05, pp. 977-980, Dec. 2005
・ Mutsumi Kimura and Yuki Kubo
Analysis, Detection and Repair of Pixel Shorts in PM-OLEDs
IDW '05, pp. 605-608, Dec. 2005
・ Mutsumi Kimura, Takehiro Shima, Tomoyuki Okuyama, Sumio Utsunomiya, Wakao Miyazawa, Satoshi Inoue, andTatsuya Shimoda
Artificial Retina using Thin-Film Photodiodes and Thin-Film Transistors
IDW '05, pp. 261-264, Dec. 2005
・ Kiyoshi Harada, Tohru Yasuhara, and Mutsumi Kimura
Extraction Technique of Trap Density at Grain boundaries in poly-Si TFTs using Device Simulation
薄膜材料デバイス研究会 第 2 回研究集会, pp. 35-39, 2005 年 11 月
・ Toshiyuki Sameshima and Mutsumi Kimura
Analysis of Transfer Characteristics at Threshold Voltage for Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors
薄膜材料デバイス研究会 第 2 回研究集会, pp. 19-24, 2005 年 11 月
・ Mutsumi Kimura and Toshiyuki Sameshima
Strict Model of Carrier Density for TFTs and Increasing Rate of Carrier Density at Vth
薄膜材料デバイス研究会 第 2 回研究集会, pp. 13-18, 2005 年 11 月
・ 澤井 勇太, 南雲 翔太, 木村 睦, 斉藤 光徳
薄膜 Si を用いた赤外スイッチングデバイスの研究開発
薄膜材料デバイス研究会 第 2 回研究集会, pp. 102, 2005 年 11 月
・ 島 武弘, 木村 睦, 奥山 智幸, 井上 聡, 下田 達也
薄膜フォトダイオードと薄膜トランジスタを用いた人工網膜
薄膜材料デバイス研究会 第 2 回研究集会, pp. 100, 2005 年 11 月
・ 鮫島 俊之, 木村 睦
TFT の閾値解析
薄膜材料デバイス研究会 第 2 回研究集会, pp. 88, 2005 年 11 月
・ 古田 雅彦, 杉立 大輔, 島 武弘, 木村 睦
微細 TFT の分散ミラー効果とスケーリング則
薄膜材料デバイス研究会 第 2 回研究集会, pp. 86, 2005 年 11 月
・ 原田 聖, 安原 徹, 木村 睦
薄膜トランジスタの結晶粒界のトラップ密度の抽出方法の開発
薄膜材料デバイス研究会 第 2 回研究集会, pp. 85, 2005 年 11 月
・ 木村 睦, 松川 貴
Poly-Si 薄膜の結晶粒界のポテンシャルバリアのデバイスシミュレーションと走査型 Maxwell 応力顕微鏡による観察
薄膜材料デバイス研究会 第 2 回研究集会, pp. 84, 2005 年 11 月
・ 木村 睦, 鮫島 俊之

37

TFT のキャリア密度の厳密解と Vth についての考察
薄膜材料デバイス研究会 第 2 回研究集会, pp. 83, 2005 年 11 月
・ 塚本 周史, 斎藤 龍輔, 木村 睦, 広島 安, 井上 聡, 下田 達也, 石原 良一
レーザー結晶化のプロセスシミュレータの作製と poly-Si 薄膜の結晶化過程の解析
薄膜材料デバイス研究会 第 2 回研究集会, pp. 54, 2005 年 11 月
・ Mutsumi Kimura, Takehiro Shima, Tomoyuki Okuyama, Sumio Utsunomiya, Wakao Miyazawa, Satoshi Inoue, andTatsuya Shimoda
Artificial Retina using Thin-Film Transistors
AM-LCD '05, pp. 323-326, July 2005
・ Mutsumi Kimura, Kazuyuki Miyashita, Satoshi Inoue, and Tatsuya Shimoda
Temperature Dependence of Electric Conductance in Poly-Si Thin Films and Determination of the Effective
Richardson Constant
AM-LCD '05, pp. 257-258, July 2005
・ Toshiyuki Sameshima and Mutsumi Kimura
Characterization of Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors
AM-LCD '05, pp. 245-248, July 2005
・ Masahiko Furuta, Daisuke Sugitachi, Takehiro Shima, and Mutsumi Kimura
Distributed Miller Effect and Scaling Rule for Fine TFTs
AM-LCD '05, pp. 241-244, July 2005
・ Mutsumi Kimura
Hybrid Display using Liquid-Crystal Display and Organic Light-Emitting Diode
AM-LCD '05, pp. 151-154, July 2005
・ Akihiko Tsunoya and Mutsumi Kimura
Nyquist Limits and Visual Resolution Limits of the Conventional Pixel Arrangements and Novel Proposal
AM-LCD '05, pp. 127-130, July 2005
・ Mutsumi Kimura, Taidi Akai, Yuji Hara, Hiroyuki Hara, Tomoyuki Okuyama, Satoshi Inoue, and Tatsuya Shimoda
Novel Driving Method using Time-Ratio Grayscale and Hopping Scan with Current Uniformization for
TFT-OLEDs
AM-LCD '05, pp. 45-48, July 2005
・ Mutsumi Kimura, Daisuke Abe, Satoshi Inoue, and Tatsuya Shimoda
Extraction of Trap Density at Oxide Interfaces in Thin-Film Transistors by Comparing Low- and High-Frequency
C-V Characteristics
IDW '04, pp. 491-492, Dec. 2004
・ Mutsumi Kimura, Tohru Yasuhara, Kiyoshi Harada, Ryusuke Saito, Daisuke Abe, Satoshi Inoue, and Tatsuya
ShimodaTrap Densities at Oxide Interface and Grain Boundaries in Poly-Si TFTs with Oxygen Plasma treatment followed
by Hydrogen Plasma Treatment
IDW '04, pp. 489-490, Dec. 2004
・ Mutsumi Kimura, Yuji Hara, Yuki Kubo, Taidi Akai, and Ryusuke Saito
Comparison of Driving Methods for TFT-OLEDs and Novel Proposal using Time Ratio Grayscale and Current
Uniformization
IDW '04, pp. 271-274, Dec. 2004
・ Mutsumi Kimura, Kiyoshi Harada, Yusuke Nishikawa, Sayuri Sugiura, Yuta Sawai, and Ryusuke Saito
Comparison of the TFT Characteristics between Localized Traps and Uniform Traps using Device Simulation
薄膜材料デバイス研究会, pp. 64-68, 2004 年 11 月
・ 木村 睦, 鮫島俊之
薄膜トランジスタの量子効果
薄膜材料デバイス研究会 第 1 回研究会, pp. 88, 2004 年 11 月
・ 鮫島 俊之, 渡壁 創, 安藤 伸行, 木村 睦

38

レーザ加熱誘起不純物拡散を用いた Si 及び SiO2/Si 界面の特性解析
薄膜材料デバイス研究会 第 1 回研究会, pp. 83, 2004 年 11 月
・ 木村 睦, 原田 聖, 西川 裕介, 杉浦 さゆり, 澤井 勇太, 斎藤 龍輔
デバイスシミュレーションによる界面局在トラップと一様分布トラップに対するトランジスタ特性の比較
薄膜材料デバイス研究会 第 1 回研究会, pp. 45, 2004 年 11 月
・ Mutsumi Kimura, Chiharu Iriguchi, Yusuke Nishikawa, Yuta Sawai, Akihiko Tsunoya, Kiyoshi Harada, Satoshi Inoue,
and Tatsuya Shimoda
Device Simulation of Fine TFTs
AM-LCD '04, pp. 257-260, Aug. 2004
・ Mutsumi Kimura, Tohru Yasuhara, Kiyoshi Harada, Yuta Sawai, Akihiko Tsunoya, Abe Daisuke, Satoshi Inoue, andTatsuya Shimoda
Analysis of Hydrogen Plasma Treatment through Oxide Layers for Poly-Si TFTs by Extracting Trap Densities at
Oxide Interface and Grain Boundaries
AM-LCD '04, pp. 95-96, Aug. 2004
・ Mutsumi Kimura, Daisuke Abe, Satoshi Inoue, and Tatsuya Shimoda
Dependence of Poly-Si TFT Characteristics on Oxide Interface Traps and Grain Boundary Traps and its
Application to Diagnosis of Fabrication Processes
SID '04, pp. 220-223, May 2004
・ Mutsumi Kimura, Daisuke Abe, Simon W.-B. Tam, Satoshi Inoue, and Tatsuya Shimoda
Analysis of Plasma Treatment and Vapor Heat Treatment for Thin-Film Transistors by Extracting Trap Densities
at Front- and Back-Interfaces
IDW '03, pp. 1669-1670, Dec. 2003
・ Mutsumi Kimura, Satoshi Inoue, and Tatsuya Shimoda
Dependence of Transistor Characteristics on Trap Densities at the Front- and Back-Oxide Interfaces inThin-Film Transistors
IDW '03, pp. 331-334, Dec. 2003
・ Mutsumi Kimura, Simon W.-B. Tam, Satoshi Inoue, and Tatsuya Shimoda
Extraction of Trap Densities at Front- and Back-Interfaces in Poly-Si TFTs
AM-LCD '03, pp. 205-206, July 2003
・ Sumio Utsunomiya, Tomoyuki Kamakura, Masashi Kasuga, Mutsumi Kimura, Wakao Miyazawa, Satoshi Inoue, andTatsuya Shimoda
Flexible Color AM-OLED Display Fabricated using Surface Free Technology by Laser Ablation / Annealing(SUFTLA) and Ink-jet Printing Technology
SID '03, pp. 864-867, May 2003
・ Mutsumi Kimura, Teruo Takizawa, Mitsutoshi Miyasaka, Satoshi Inoue, and Tatsuya Shimoda
Analytical Current-Voltage Model for Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors
Solid State Phenomena Vol. 93, pp. 79-86, 2003
・ Simon W. B. Tam, Mutsumi Kimura, Richard Friend, Tatsuya Shimoda, and Piero Migliorato
A Self-Biased TFT-OLED Pixel Driver Circuit
IDW '02, pp. 243-246, Dec. 2002
・ Sumio Utsunomiya, Tomoyuki Kamakura, Masashi Kasuga, Mutsumi Kimura, Wakao Miyzawa, Satoshi Inoue, andTatsuya Shimoda
Flexible TFT-LEPD Transferred onto Plastic SUbstrate Using Free Technology by Laser Ablation/Annealing(SUFTLA)Euro Display '02, pp. 79-82, Oct. 2002
・ Mutsumi Kimura, Teruo Takizawa, Mitsutoshi Miyasaka, Satoshi Inoue, and Tatsuya Shimoda
Analytical I-V Model for Poly-Si TFTs
POLYSE 2002, pp. 73, Sep. 2002
・ Mutsumi Kimura, Satoshi Inoue, and Tatsuya Shimoda

39

Dependence of Poly-Si TFT Characteristics on Oxide Interface Traps, and Grain Boundary Traps
AM-LCD '02, pp. 255-258, July 2002
・ Mutsumi Kimura, O. K. Basil Lui, William French, Itaru Kamohara, Satoshi Inoue, Tatsuya Shimoda, and Piero
Migliorato
Development of Poly-Si TFT Models for Device Simulation: In-Plane Trap Model and Thermionic Emission Model
Asia Display / IDW '01, pp. 423-426, Oct. 2001
・ Mutsumi Kimura, Simon W.-B. Tam, O. K. Basil Lui, Ryoichi Nozawa, Satoshi Inoue, Tatsuya Shimoda, and Piero
Migliorato
Extraction of Trap States at the Oxide-Silicon Interface and Grain Boundary in Laser-Crystallized
Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors
AM-LCD '01, pp. 191-192, July 2001
・ Simon W. Tam, Yojiro Matsueda, Mutsumi Kimura, Hiroshi Maeda, Tatsuya Shimoda, and Piero Migliorato
Poly-Si Driving Circuits for Organic EL Displays
SPIE, Vol. 4295, pp. 125, April 2001
・ Mutsumi Kimura, Satoshi Inoue, and Tatsuya Shimoda
Device Simulation of Grain Boundaries and MOS Interface Roughness in Laser-Crystallized Poly-Si TFTs
AM-LCD '00, pp. 189-190, July 2000
・ Satoshi Inoue, Mutsumi Kimura, and Tatsuya Shimoda
Investigation of Hot Carrier Degradation Due to AC Stress in Low Temperature Poly-Si TFTs
SID '00, pp. 365-367, May 2000
・ Mutsumi Kimura, Hiroshi Maeda, Yojiro Matsueda, Ichio Yudasaka, Satoshi Inoue, Sadao Kanbe, Hidekazu
Kobayashi, Shun-ichi Seki, Satoru Miyashita, Tatsuya Shimoda, Tokuro Ozawa, Kiyofumi Kitawada, Yutaka
Kobashi, Shinsuke Fujikawa, Takashi Nakazawa, Wakao Miyazawa, Hiroyuki Ohshima, Richard H. Friend, Jeremy H.
Burroughes, and Carl R. Towns
TFT-LEPD with Image Uniformity by Area Ratio Gray Scale
Euro Display ‘99 Late-News Papers, pp. 71-74, Sep. 1999
・ Mutsumi Kimura and Satoshi Inoue
Device Simulation of Interface Roughness in Laser-Crystallized p-Si TFTs
AM-LCD ’99, pp. 263-266, July 1999
・ Mutsumi Kimura, Tokuro Ozawa, Kinya Ozawa, and Hiroyuki Ohshima
Numerical TFT Model for Circuit Simulation Using Spline Interpolation with Transformation by y=x+log(x)AM-LCD ‘98, pp. 181-184, July 1998
・ Tatsuya Shimoda, Hiroyuki Ohshima, Satoru Miyashita, Mutsumi Kimura, Tokuro Ozawa, Ichio Yudasaka, Sadao
Kanbe, Hidekazu Kobayashi, Richard H. Friend, Jeremy H. Burroughes, and Carl R. Towns
High Resolution Light Emitting Polymer Display Driven by Low Temperature Polysilicon Thin Film Transistor with
Integrated Driver
Asia Display ’98, pp. 217-220, Sep. 1998
・ Mutsumi Kimura, Tokuro Ozawa, and Hiroyuki Ohshima
Simulation of Horizontal Crosstalk in Point-at-Time Scheme with Matrix Parametric Model
AM-LCD ’96, pp. 317-320, Nov. 1996
・ Mutsumi Kimura and Hiroyuki Ohshima
Pseudo-Lattice Method for 3-D Dynamics Director Simulation
Euro Display ’96, pp. 57-60, Oct. 1996
・ Mutsumi Kimura, Yutaka Nanno, and Yoneharu Takubo
Simulation Techniques for Horizontal Crosstalk in TFT-LCDs
AM-LCD ’94, pp. 229-232, Nov. 1994

学会発表 （査読なし） 169 件 （講演者）
・ Mutsumi Kimura

40

Brain-like IIntegrated System using Thin-Film Devices
Compass for Next-Gen ICT, FY 2019 RIEC Annual Meeting on Cooperative Research Projects, Feb. 2020・ 橋本 快人, 倉崎 彩太, 田中 遼, 杉崎 澄生, 角田 涼, 木村 睦
Ga-Sn-O 薄膜を用いた抵抗変化型メモリのメモリスタ特性の電極依存性
映像情報メディア学会, IDY2019-74, pp. 29-32, 2019 年 12 月
・ 吉田 誉, 石崎 勇真, 宮部 雄太, 木村 睦
2 段階堆積プロセスを用いた(Bi,La)4Ti3O12 薄膜の結晶成長
映像情報メディア学会, IDY2019-73, pp. 25-28, 2019 年 12 月
・ 津野 拓海, 近藤 厚志, 新村 純平, 田中 遼, 山川 大樹, 柴山 友輝, 岩城 江津子, 木村 睦
ニューラルネットワークのための多層クロスポイント型シナプス素子
映像情報メディア学会, IDY2019-72, pp. 21-24, 2019 年 12 月
・ 豊田 航平, 冨岡 圭佑, 三澤 慶悟, 内藤 直矢, 木村 睦
薄膜デバイスを用いた人工網膜の生体外実験
映像情報メディア学会, IDY2019-71, pp. 17-20, 2019 年 12 月
・ 服部 一輝, 谷野 健太, 松田 時宜, 川原村 敏幸, 劉 麗, 木村 睦
Al2O3 絶縁膜上に作製した Ga-Sn-O TFT
映像情報メディア学会, IDY2019-70, pp. 9-12, 2019 年 12 月
・ 小林 雅樹, 杉崎 澄生, 木村 睦
ミスト CVD 法による Ga-Sn-O 薄膜を用いたメモリスタ開発
映像情報メディア学会, IDY2019-69, pp. 5-8, 2019 年 12 月
・ Mutsumi Kimura, Keisuke Ikushima, Daiki Yamakawa, Hiroki Yamane, and Yasuhiko Nakashima
Neuromorphic System using an LSI Chip and -IGZO Thin-Film Devices
38th Electronic Materials Symposium, Fr2-04, pp. 267, Oct. 2019・ 木村 睦, 田中 遼, 山川 大樹, 柴山 友輝, 池田 裕哉, 滝下 雄太, 中島 康彦
局所学習則と薄膜デバイスを用いるリアルニューロモーフィックシステム - 文字学習の動作確認 第 80 回応用物理学会秋季学術講演会, 20a-F211-7, pp. 19-026, 2019 年 9 月
・ 杉崎 澄生, 倉崎 彩太, 田中 遼, 滝下 雄太, 松田 時宜, 中島 康彦, 木村 睦
非結晶酸化物半導体を記憶素子として用いたニューロモロフィックデバイス
第 66 回応用物理学会春季学術講演会, 12a-PA4-2, pp. 18-030, 2019 年 3 月
・ 木村 睦, 生島 恵典, 杉崎 澄生, 田中 遼, 山川 大樹, 山根 弘樹, 池田 裕哉, 中島 康彦
局所学習則と薄膜デバイスを用いるリアルニューロモーフィックシステム
第 66 回応用物理学会春季学術講演会, 11p-W810-13, pp. 18-024, 2019 年 3 月
・ 宮部 雄太, 新村 純平, 吉田 誉, 小川 功人, 羽賀 健一, 徳光 永輔, 木村 睦
Bi3.25La0.75Ti3O12 薄膜をシナプスに用いたニューラルネットワーク
映像情報メディア学会, IDY2018-64, pp. 53-56, 2018 年 12 月
・ 柴山 友輝, 山川 大樹, 生島 恵典, 杉崎 澄生, 木村 睦, 中島 康彦
脳型集積システムのための IGZO 薄膜シナプス
映像情報メディア学会, IDY2018-63, pp. 49-52, 2018 年 12 月
・ 新村 純平, 生島 恵典, 田中 遼, 山川 大樹, 近藤 厚志, 柴山 友輝, 津野 拓海, 中島 康彦, 木村 睦
Ga-Sn-O 薄膜を用いたニューラルネットワークの文字認識
映像情報メディア学会, IDY2018-62, pp. 45-48, 2018 年 12 月
・ 近藤 厚志, 田中 遼, 津野 拓海, 杉崎 澄生, 生島 恵典, 山川 大樹, 柴山 友輝, 新村 純平, 木村 睦
酸化物半導体を用いた多重構造のクロスポイント型シナプス
映像情報メディア学会, IDY2018-61, pp. 41-44, 2018 年 12 月
・ 荒牧 達也, 野村 竜生, 池口 翼, 松田 時宜, 梅田 鉄馬, 上沼 睦典, 木村 睦
ミスト CVD 法により作製した Ga-Sn-O 薄膜熱電変換素子の評価
映像情報メディア学会, IDY2018-60, pp. 37-40, 2018 年 12 月
・ 池口 翼, 荒牧 達也, 梅田 鉄馬, 上沼 睦典, 是友 大地, 曲 勇作, 古田 守, 木村 睦
Ga-Sn-O 薄膜の熱電特性及び構造のアニール依存性

41映像情報メディア学会, IDY2018-59, pp. 33-36, 2018 年 12 月
・ 谷野 健太, 高木 瞭, 松田 時宜, 木村 睦
Ga-Sn-O TFT 特性の UV アニール依存性解析
映像情報メディア学会, IDY2018-58, pp. 29-32, 2018 年 12 月
・ 滝下 雄太, 杉崎 澄夫, 是友 大地, 曲 勇作, 古田 守, 松田 時宜, 木村 睦
ミスト CVD 法による GTO 薄膜を用いたデバイス
映像情報メディア学会, IDY2018-57, pp. 13-16, 2018 年 12 月
・ 倉崎 彩太, 杉崎 澄生, 田中 遼, 木村 睦
Ga-Sn-O 薄膜を用いた二層構造抵抗変化型メモリの開発
映像情報メディア学会, IDY2018-56, pp. 9-12, 2018 年 12 月
・ 梅田 鉄馬, 上沼 睦典, 藤本 裕太, 石河 泰明, 木村 睦, 浦岡 行治, 足立 秀明
透明半導体を用いた薄膜熱電変換素子
第 15 回日本熱電学会 2018, S3B7-p90, 2018 年 9 月
・ 木村 睦, 山根 弘樹, 中島 康彦
薄膜デバイスを用いたニューロモルフィックシステム
電子情報通信学会 2018 年総合大会, D-6-11, pp. 49, 2018 年 3 月
・ 杉崎 澄生, 田中 遼, 倉崎 彩太, 松田 時宜, 木村 睦
Ga-Sn-O 薄膜を用いた抵抗変化型メモリの室温作製
第 65 回応用物理学会春季学術講演会, 19p-P11-24, pp. 16-057, 2018 年 3 月
・ 木村 睦, 山根 弘樹, 中島 康彦
薄膜デバイスを用いたニューロモルフィックシステム
電子情報通信学会, EID2017-47, pp. 11-14, 2018 年 3 月
・ 三宅 康平, 冨岡 圭佑, 三澤 慶悟, 木村 睦
薄膜トランジスタを用いた薄膜生体刺激デバイスの動作検証
電子情報通信学会, EID2017-25, pp. 71-76, 2017 年 12 月
・ 岡本 龍吾, 福嶋 大貴, 松田 時宜, 木村 睦
ミスト CVD 法を用いた GaSnO 薄膜の特性評価
電子情報通信学会, EID2017-23, pp. 63-66, 2017 年 12 月
・ 小川 功人, 横山 朋陽, 木村 睦
強誘電体キャパシタを用いたニューラルネットワークのシミュレーション
電子情報通信学会, EID2017-21, pp. 51-56, 2017 年 12 月
・ 田中 遼, 杉崎 澄生, 木村 睦
アモルファス酸化物半導体を用いたクロスポイント型シナプス
電子情報通信学会, EID2017-20, pp. 45-50, 2017 年 12 月
・ 山川 大樹, 柴山 友輝, 生島 恵典, 杉崎 澄生, 宮前 義範, 木村 睦
IGZO 薄膜を可変抵抗素子として用いた脳型集積システム
電子情報通信学会, EID2017-19, pp. 39-44, 2017 年 12 月
・ 野村 竜生, 荒牧 達也, 松田 時宜, 梅田 鉄馬, 上沼 睦典, 木村 睦
レアメタルフリー酸化物半導体のゼーベック効果測定
電子情報通信学会, EID2017-17, pp. 29-34, 2017 年 12 月
・ 髙木 瞭, 梅田 鉄馬, 松田 時宜, 上沼 睦典, 木村 睦
GaSnO 薄膜を用いたフレキシブルデバイス応用
電子情報通信学会, EID2017-16, pp. 23-28, 2017 年 12 月
・ 三澤 慶悟, 冨岡 圭佑, 三宅 康平, 木村 睦
薄膜コイルを有した生体刺激デバイスへのワイヤレス給電
電子情報通信学会, EID2017-15, pp. 17-22, 2017 年 12 月
・ Sumio Sugisaki, Ayata Kurasaki, Ryo Tanaka, Daiki Yamakawa, and Mutsumi Kimura
Variable Resistance Device using Amorphous Oxide Semiconductor Ga-Sn–O
応用物理学会関西支部セミナー「脳型素子としての抵抗変化素子開発の最前線」, pp. 11, 2017 年 11 月

42・ Mutsumi Kimura, Keisuke Ikushima, Sumio Sugisaki, Ryo Tanaka, Daiki Yamakawa
Brain-type Integrated System using Thin-Film Devices as Variable Resistance Elements
応用物理学会関西支部セミナー「脳型素子としての抵抗変化素子開発の最前線」, pp. 5, 2017 年 11 月
・ 松田 時宜, 梅田 鉄馬, 木村 睦
レアメタルフリー金属酸化物半導体 Ga-Sn-O 薄膜トランジスタ
電子情報通信学会 2017 年ソサイエティ大会, C-9-4, pp. 20, 2017 年 9 月
・ 木村 睦, 松本 貴明, 吉川 朗登, 松田 時宜
薄膜トランジスタのホール効果
電子情報通信学会 2017 年総合大会, C-9-6, pp. 42, 2017 年 3 月
・ 杉崎 澄生, 松田 時宜, 木村 睦
Poly-Si TFT を用いたニューラルネットワークでの文字認識
第 64 回応用物理学会春季学術講演会, 17a-E206-14, pp. 12-459, 2017 年 3 月
・ 生島 恵典, 古我 祐貴, 堀 賢将, 松田 時宜, 木村 睦, 亀田 友哉, 中島 康彦
Ga-Sn-O 薄膜をシナプスに用いたニューラルネットワーク
第 64 回応用物理学会春季学術講演会, 16a-502-1, pp. 16-042, 2017 年 3 月
・ 梅田 鉄馬, 松田 時宜, 木村 睦
高性能レアメタルフリーGa-Sn-O 薄膜トランジスタ
第 64 回応用物理学会春季学術講演会, 16a-502-1, pp. 16-041, 2017 年 3 月
・ 横山 朋陽, 木村 睦, 松田 時宜
セルラニューラルネットワークのアナログ回路シミュレーション
電子情報通信学会, EID2016-30, pp. 93-97, 2016 年 12 月
・ 堀 賢将, 田中 遼, 古我 祐貴, 松田 時宜, 木村 睦
a-IGZO 薄膜を用いたニューラルネットワークのシナプスの作製
電子情報通信学会, EID2016-29, pp. 89-92, 2016 年 12 月
・ 和多田 晃樹, 中西 弘樹, 木村 睦, 松田 時宜
ニューラルネットワークのハードウェア化におけるキャパシタ型シナプスの検討
電子情報通信学会, EID2016-28, pp. 85-88, 2016 年 12 月
・ 生島 恵典, 梅田 鉄馬, 松田 時宜, 木村 睦
GTO 薄膜を用いたプレーナ型シナプスの特性評価
電子情報通信学会, EID2016-27, pp. 81-84, 2016 年 12 月
・ 杉崎 澄生, 三澤 慶悟, 松田 時宜, 木村 睦
薄膜トランジスタによるセルラニューラルネットワークでの文字認識
電子情報通信学会, EID2016-26, pp. 75-79, 2016 年 12 月
・ 山本 友稀, 三澤 慶悟, 松田 時宜, 木村 睦
薄膜コイルを用いたワイヤレス電力伝送
電子情報通信学会, EID2016-16, pp. 31-35, 2016 年 12 月
・ 冨岡 圭佑, 三宅 康平, 松田 時宜, 木村 睦
薄膜生体刺激デバイスの in-vitro 実験
電子情報通信学会, EID2016-15, pp. 27-30, 2016 年 12 月
・ 今西 恒太, 符川 明日香, 野村 竜生, 松田 時宜, 木村 睦
GaSnO 膜の Hall 効果測定
電子情報通信学会, EID2016-14, pp. 23-26, 2016 年 12 月
・ 符川 明日香, 野村 竜生, 松田 時宜, 木村 睦
IGZO 薄膜素子の磁気抵抗効果に対する電極の影響
電子情報通信学会, EID2016-13, pp. 19-22, 2016 年 12 月
・ 梅田 鉄馬, 加藤 雄太, 西本 大樹, 松田 時宜, 木村 睦
新規レアメタルフリーAOS-TFT の研究開発
電子情報通信学会, EID2016-12, pp. 15-18, 2016 年 12 月
・ 福嶋 大貴, 弓削 政博, 木村 睦, 松田 時宜

43

ミスト CVD 法で作製した GaSnO 薄膜の特性評価
電子情報通信学会, EID2016-11, pp. 11-14, 2016 年 12 月
・ 木村 睦, 森田 竜平, 杉崎 澄生, 松田 時宜, 亀田 友哉, 中島 康彦
薄膜デバイスと簡略化エレメントを用いたセルラニューラルネットワーク
電子情報通信学会 2016 年ソサイエティ大会, C-9-9, pp. 33, 2016 年 9 月
・ 木村 睦, 亀田 友哉, 中島 康彦
アナログセルラニューラルネットを用いる脳型集積回路のデバイス開発
LSI とシステムのワークショップ 2016 「IoT ｘ人工知能による人類の飛躍に向けた LSI とシステム, 2016 年 5 月
・ 亀田 友哉, 木村 睦, 中島 康彦
アナログセルラニューラルネットを用いる脳型集積回路のモデリング手法
LSI とシステムのワークショップ 2016 「IoT ｘ人工知能による人類の飛躍に向けた LSI とシステム, 2016 年 5 月
・ Daichi Koretomo, Tatsuya Toda, Tokiyoshi Matsuda, Mutsumi Kimura, and Mamoru Furuta
Influence of Carrier Concentration at Front- and Back-Channel on Transfer Characteristics of Bottom-Gate Ι
n-Ga-Zn-O Thin-Film Transistors
PRiME 2016, Oct. 2016
・ 木村 睦, 宮村 祥吾, 松田 時宜
In-Ga-Zn-O の磁気抵抗効果
電子情報通信学会 2016 年総合大会, C-9-9, pp. 57, 2016 年 3 月
・ 木村 睦, 春木 翔太, 冨岡 圭祐, 松田 時宜
薄膜デバイスによる人工網膜 －In vitro 実験による動作検証－
電子情報通信学会, EID2015-29, pp. 25-28, 2016 年 1 月
・ 木村 睦, 森田 竜平, 杉崎 澄生, 松田 時宜
薄膜デバイスによるセルラニューラルネットワーク －文字認識の動作検証－
電子情報通信学会, EID2015-28, pp. 21-24, 2016 年 1 月
・ 亀田 友哉, 木村 睦, 中島 康彦
セルラニューラルネットワークのシミュレータ開発と評価
電子情報通信学会, CPSY2015-63, pp. 13-17, 2015 年 12 月
・ 中西 弘樹, 森田 竜平, 古我 裕貴, 中村 奈央, 杉崎 澄生, 横山 朋陽, 和多田 晃樹, 松田 時宜, 木村 睦
超簡略化構造のセルラニューラルネットワークの研究開発 ～ FPGA と可変抵抗による動作検証 ～電子情報通信学会, EID2015-24, pp. 65-68, 2015 年 12 月
・ 中村 奈央, 森田 竜平, 古我 祐貴, 中西 弘樹, 杉崎 澄生, 横山 朋陽, 和多田 晃樹, 松田 時宜, 木村 睦
簡略化エレメントを用いたニューラルネットワークの FPGA による動作検証
電子情報通信学会, EID2015-23, pp. 61-64, 2015 年 12 月
・ 春木 翔太, 冨岡 圭佑, 松田 時宜, 木村 睦
薄膜トランジスタを用いた人工網膜の研究開発 ～ TFT の in vitro 実験 ～電子情報通信学会, EID2015-22, pp. 57-60, 2015 年 12 月
・ 北島 秀平, 木藤 克哉, 松田 時宜, 木村 睦, 井上 昌秀
低温 Poly-Si TFT の赤外線照射に対する電流特性評価
電子情報通信学会, EID2015-21, pp. 53-56, 2015 年 12 月
・ 小川 淳史, 弓削 政博, 吉岡 敏博, 松田 時宜, 木村 睦
SnO2/Al2O3 薄膜の特性評価と薄膜トランジスタの評価
電子情報通信学会, EID2015-20, pp. 49-52, 2015 年 12 月
・ 志賀 春紀, 宮村 祥吾, 今西 恒太, 符川 明日香, 木村 睦, 松田 時宜, 廣島 安
CrSiN の磁気特性測定
電子情報通信学会, EID2015-18, pp. 39-42, 2015 年 12 月
・ 宮村 祥吾, 志賀 春紀, 今西 恒太, 符川 明日香, 木村 睦, 松田 時宜
IGZO のアニール温度に対する MR 効果の変化
電子情報通信学会, EID2015-17, pp. 35-38, 2015 年 12 月
・ 弓削 政博, 小川 淳史, 吉岡 敏博, 加藤 雄太, 松田 時宜, 木村 睦

44

ミスト CVD 法による GaxSn1-xO 薄膜の特性評価
電子情報通信学会, EID2015-16, pp. 31-34, 2015 年 12 月
・ 吉岡 敏博, 小川 淳史, 弓削 政博, 松田 時宜, 木村 睦
RF マグネトロンスパッタリング法による In2O3 薄膜の特性評価
電子情報通信学会, EID2015-15, pp. 27-30, 2015 年 12 月
・ 木村 睦, 椋田 朋訓, 小島 一輝, 松田 時宜
薄膜トランジスタを用いたハイブリッド型温度センサ －センサトランジスタサイズと回路方式と制御電圧に対する特性依存性－
電子情報通信学会 2015 年ソサイエティ大会, C-9-8, pp. 31, 2015 年 9 月
・ 古我 祐貴, 松田 時宜, 古田 守, 木村 睦
酸化物半導体ＴＦＴを用いたタッチパネル回路の特性解析
電子情報通信学会 2015 年総合大会, C-9-9, pp. 45, 2015 年 3 月
・ 林 久志, 木藤 克哉, 北島 秀平, 松田 時宜, 木村睦
Poly-Si TFT と IGZO TFT を用いたハイブリッド型温度センサ
電子情報通信学会 2015 年総合大会, C-9-8, pp. 44, 2015 年 3 月
・ 木藤 克哉, 林 久志, 北島 秀平, 松田 時宜, 木村 睦
Poly-Si TFT を用いたハイブリッド型温度センサの特性比較
電子情報通信学会 2015 年総合大会, C-9-7, pp. 43, 2015 年 3 月
・ 弓削 政博, 小川 淳史, 吉岡 敏博, 松田 時宜, 木村 睦
ミスト CVD 法による薄膜の特性評価
応用物理学会関西支部 平成 26 年度 第 3 回講演会 「関西発グリーンエレクトロニクス研究の進展」, 2015 年 2月
・ 宮村 祥吾, 松本 貴明, 松田 時宜, 木村 睦
IGZO 薄膜素子の磁気特性の評価
応用物理学会関西支部 平成 26 年度 第 3 回講演会 「関西発グリーンエレクトロニクス研究の進展」, 2015 年 2月
・ 中西 弘樹, 松田 時宜, 木村 睦
Poly-Si TFT を用いたゲートアレイ SR-FF 回路の動作解析
応用物理学会関西支部 平成 26 年度 第 3 回講演会 「関西発グリーンエレクトロニクス研究の進展」, 2015 年 2月
・ 吉川 朗登, 松本 貴明, 宮村 祥吾, 志賀 春紀, 松田 時宜, 木村 睦, 小澤 徳郎, 青木 幸司, 郭 志徹
Poly-Si Hall 素子による磁場センサ － 高電圧印加とオペアンプ回路による感度向上 －電子情報通信学会, EID2014-47, pp. 49-52, 2015 年 1 月
・ 古我 祐貴, 松田 時宜, 古田 守, 木村 睦
ITZO TFT を用いたタッチパネル回路の特性解析
電子情報通信学会, EID2014-30, pp. 89-93, 2014 年 12 月
・ 西野 克弥, 高橋 宏太, 松田 時宜, 木村 睦
IGZO 薄膜に対する成膜条件による影響
電子情報通信学会, EID2014-29, pp. 83-87, 2014 年 12 月
・ 加藤 雄太, 西本 大樹, 松田 時宜, 木村 睦
GaSnO 薄膜の特性評価
電子情報通信学会, EID2014-28, pp. 79-82, 2014 年 12 月
・ 松本 貴明, 吉川 朗登, 宮村 祥吾, 志賀 春紀, 松田 時宜, 木村 睦, 小澤 徳郎, 青木 幸司, 郭 志徹
ゲート付き Poly-Si Hall 素子と IGZO Hall 素子による磁場センサの研究開発
電子情報通信学会, EID2014-27, pp. 73-77, 2014 年 12 月
・ 永瀬 洋介, 松田 時宜, 木村 睦, 松本 健俊, 小林 光
Poly-Si TFT を用いた同期回路と非同期回路の特性評価
電子情報通信学会, EID2014-25, pp. 61-65, 2014 年 12 月
・ 木藤 克哉, 林 久志, 北島 秀平, 松田 時宜, 木村 睦

45

Poly-Si TFT を用いたハイブリッド型温度センサの特性比較
電子情報通信学会, EID2014-24, pp. 55-59, 2014 年 12 月
・ 前田 善春, 渕矢 剛宏, 門目 尭之, 田中 匠, 春木 翔太, 松田 時宜, 木村 睦
N 型・P 型・PIN 型薄膜フォトトランジスタを用いた周波数変調型フォトセンサの特性比較
電子情報通信学会, EID2014-22, pp. 45-50, 2014 年 12 月
・ 渕矢 剛宏, 前田 善春, 門目 尭之, 田中 匠, 松田 時宜, 木村 睦
n-ch, p-ch, pin-ch poly-Si TFPT の光伝導性の評価
電子情報通信学会, EID2014-21, pp. 41-44, 2014 年 12 月
・ 木村 睦, 西依 知也, 鈴木 大介, 小池 正通, 澤村 茂樹, 加藤 正和
AM-OLED の電流均一化パルス幅変調駆動方式 － 画素間輝度バラツキと輝度低下の抑制効果検証 －電子情報通信学会, EID2014-8, pp. 1-4, 2014 年 10 月
・ 木村 睦, 椋田 朋訓, 松田 時宜, 廣島 安, 宮坂 光敏
薄膜トランジスタを用いたハイブリッド型温度センサ
電子情報通信学会 2014 年ソサイエティ大会, C-9-4, pp. 36, 2014 年 9 月
・ 門目 尭之, 松村 篤, 東山 剛士, 大山 翔平, 松田 時宜, 木村 睦
周波数変調出力方式の薄膜フォトセンサ
電子情報通信学会 2014 年総合大会, C-9-5, pp. 50, 2014 年 3 月
・ 井上 雅志, 松田 時宜, 木村 睦
Poly-Si TFT を用いた Gate Array の設計開発
電子情報通信学会, SDM2013-123, pp. 43-47, 2013 年 12 月
・ 大山 翔平, 松村 篤, 門目 尭之, 田中 匠, 松田 時宜, 木村 睦
多結晶シリコン薄膜デバイスによるフォトセンサ
電子情報通信学会, SDM2013-118, pp. 13-18, 2013 年 12 月
・ 門目 尭之, 木村 睦
薄膜フォトトランジスタ（TFPT）を用いた周波数変調方式人工網膜
応用物理学会関西支部 平成 25 年度第 2 回講演会 「関西のグリーン・バイオエレクトロニクス研究の現状と若手からの発信」, 2013 年 10 月
・ 澤田 成規, 木村 睦
イオン導電性高分子金属複合膜（IPMC）の作製と性能評価
応用物理学会関西支部 平成 25 年度第 2 回講演会 「関西のグリーン・バイオエレクトロニクス研究の現状と若手からの発信」, 2013 年 10 月
・ 島田 健次, 松田 時宜, 木村 睦
Poly-Si TFT を用いたニューロン MOS インバータの特性評価
2013 年第 74 回応用物理学会秋季学術講演会, 19a-P5-2, pp. 13-079, 2013 年 9 月
・ 森田 竜平, 山口 裕貴, 木村 睦, 松田 時宜
薄膜トランジスタによるニューラルネットワーク
2013 年第 74 回応用物理学会秋季学術講演会, 19a-P5-1, pp. 13-078, 2013 年 9 月
・ 松田 時宜, 西本 大樹, 高橋 宏太, 植野 大貴, 木村 睦
IGZO 結晶粉末中の格子欠陥に関する研究2013 年第 74 回応用物理学会秋季学術講演会, 16p-P8-17, pp. 21-017, 2013 年 9 月
・ 木村 睦, 西依 知也, 鈴木 大介, 小池 正通, 澤村 茂樹, 加藤正和
AM-OLED の電流均一化パルス幅変調駆動方式
電子情報通信学会 2013 年ソサイエティ大会, C-9-3, pp. 44, 2013 年 9 月
・ 門目 尭之, 松村 篤, 東山 剛士, 大山 翔平, 松田 時宜, 木村 睦
周波数変調出力方式の薄膜フォトセンサ
2013 年（平成 25 年）第 60 回応用物理学会春季学術講演会, 28a-G6-7, pp. 13-117, 2013 年 3 月
・ 木村 睦, 飯室 恵紀, 佐川 祐樹, 松田 時宜
薄膜トランジスタによる集積化ポテンシオスタット
2013 年（平成 25 年）第 60 回応用物理学会春季学術講演会, 27p-PB4-10, pp. 13-104, 2013 年 3 月

46

・ 山口 裕貴, 森田 竜平, 藤田 悠佑, 宮谷 友彰, 笠川 知洋, 松田 時宜, 木村 睦
薄膜トランジスタによるニューラルネットワーク
2013 年（平成 25 年）第 60 回応用物理学会春季学術講演会, 27p-PB4-9, pp. 13-103, 2013 年 3 月
・ 松田 時宜, 西本 大樹, 高橋 宏太, 植野 大貴, 木村 睦
IGZO 結晶粉末中にプラズマによって生成される格子欠陥の評価
2013 年（平成 25 年）第 60 回応用物理学会春季学術講演会, 27a-PB4-3, pp. 21-003, 2013 年 3 月
・ 門目 尭之, 松村 篤, 東山 剛士, 大山 翔平, 木村 睦
薄膜フォトトランジスタを用いた周波数変調方式の人工網膜
電子情報通信学会, SDM2012-124, pp. 53-57, 2012 年 12 月
・ 木村 睦, 山口 裕貴, 森田 竜平, 藤田 悠佑, 宮谷 友彰, 笠川 知洋
薄膜トランジスタによるニューラルネットワーク ～ 非対称回路での動作確認 ～電子情報通信学会, SDM2012-123, pp. 47-52, 2012 年 12 月
・ 木村 睦, 松木 邦晃, 斎藤 龍輔, 塚本 周史
レーザー結晶化のプロセスシミュレータの開発 －2 次元および 3 次元シミュレータの開発－
電子情報通信学会, SDM2011-143, pp. 59-64, 2011 年 12 月
・ 田矢 純, 椋田 朋訓, 中島 章宏, 木村 睦
Poly-Si TFT による温度センサ
電子情報通信学会, SDM2011-141, pp. 47-52, 2011 年 12 月
・ 田矢 純, 中島 章宏, 佐川 祐樹, 木村 睦
薄膜トランジスタによる温度センサ
2011 年（平成 23 年）春季 第 58 回応用物理学関係連合講演会, 24a-P2-31, pp. 13-172, 2011 年 3 月
・ 山口 陽平, 橋本 早未, 瀬川 剛司, 木村 睦
薄膜 Hall 素子による磁場センサ
2011 年（平成 23 年）春季 第 58 回応用物理学関係連合講演会, 24a-P2-30, pp. 13-171, 2011 年 3 月
・ 大野 史郎, 松村 篤, 安藤 博晃, 三浦 佑太, 小倉 健, 山下 毅彦, 木村 睦, 浦岡 行治
2 層同時結晶化 poly-Si 薄膜デバイスを用いた人工網膜の解析
2011 年（平成 23 年）春季 第 58 回応用物理学関係連合講演会, 24a-P2-29, pp. 13-170, 2011 年 3 月
・ 宮谷友彰, 藤田悠佑, 三島 大樹, 谷口 仁, 笠川 知洋, 木村 睦
Poly-Si TFT によるデバイスレベルのニューラルネットワーク －複数回の学習と AND・OR・EXOR の学習―
電子情報通信学会, SDM2010-202, pp. 93-97, 2010 年 12 月
・ 野口 紳一郎, 木村 睦, 山口 成志
フラットパネル構造の筆記操作に優れた「超薄型軽量・大画面の拡大読書器」の開発
第 11 回日本ロービジョン学会学術総会, P1-13, 2010 年 10 月
・ 山口 陽平, 橋本 早未, 平子 正明, 山岡 俊文, 谷 智之, 木村 睦
Poly-Si Hall 素子による磁場エリアセンサ
2010 年（平成 22 年）春季 第 57 回応用物理学関係連合講演会, 18p-D-19, pp. 13-227, 2010 年 3 月
・ 飯室 恵紀, 分銅 衡介, 佐川 祐樹, 瀬津 光司, 木村 睦
薄膜トランジスタを用いたポテンシオスタットの開発
2010 年（平成 22 年）春季 第 57 回応用物理学関係連合講演会, 17p-ZD-7, pp. 12-282, 2010 年 3 月
・ 中西 孝, 長谷川 貴之, 酒見 真理子, 木村 睦, 野村 研二, 神谷 利夫, 細野 秀雄, 青木 敬
アモルファス酸化物ＴＦＴと高分子有機ＴＦＴを用いたＣＴＦＴインバータの特性評価
2010 年（平成 22 年）春季 第 57 回応用物理学関係連合講演会, 17a-TL-10, pp. 21-010, 2010 年 3 月
・ 三島 大樹, 谷口 仁, 笠川 知洋, 田畑 裕貴, 小野寺 亮, 小嶋 明樹, 木村 睦
Poly-Si TFT によるデバイスレベルのニューラルネットワーク
電子情報通信学会, SDM2009-164, pp. 67-71, 2009 年 12 月
・ 三浦 佑太, 小倉 健, 大野 史郎, 八田 智久, 西崎 仁貴, 山下 毅彦, 島 武弘, 木村 睦
薄膜デバイスの人工網膜への応用検討
電子情報通信学会, SDM2009-162, pp. 59-62, 2009 年 12 月
・ 分銅 衡介, 飯室 恵紀, 瀬津 光司, 佐川 祐樹, 木村 睦

47

薄膜トランジスタをもちいたポテンシオスタットによる電気化学測定
電子情報通信学会, SDM2009-156, pp. 29-33, 2009 年 12 月
・ 野口 紳一郎, 木村 睦
次世代拡大読書器の検討 ～視覚障害者のより良い読書環境のために～
第 8 回情報科学技術フォーラム 第 3 分冊, pp. 563, 2009 年 9 月
・ 八田 智久, 西崎 仁貴, 山下 毅彦, 島 武弘, 木村 睦
薄膜デバイスを用いた人工網膜の特性評価
2009 年（平成 21 年）春季 第 56 回応用物理学関係連合講演会 No. 3, pp. 1340, 2009 年 3 月
・ 佐川 祐樹, 瀬津 光司, 木村 睦
薄膜トランジスタを用いたポテンシオスタットの開発
2009 年（平成 21 年）春季 第 56 回応用物理学関係連合講演会 No. 3, pp. 1337, 2009 年 3 月
・ 田畑 裕貴, 笠川 知洋, 小野寺 亮, 小嶋 明樹, 木村 睦
Poly-Si TFT を用いたニューラルネットワークにおけるシナプス TFT の特性変動
2009 年（平成 21 年）春季 第 56 回応用物理学関係連合講演会 No. 2, pp. 886, 2009 年 3 月
・ 笠川 知洋, 田畑 裕貴, 小野寺 亮, 小嶋 明樹, 木村 睦
Poly-Si TFT によるデバイスレベルのニューラルネットワーク
2009 年（平成 21 年）春季 第 56 回応用物理学関係連合講演会 No. 2, pp. 885, 2009 年 3 月
・ 木村 睦
薄膜材料デバイスの 5 年間 －どのような材料がデバイスに必要とされるのか－
薄膜材料デバイス研究会 第 5 回研究集会, pp. 1, 2008 年 10 月
・ 八田 智久, 西崎 仁貴, 山下 毅彦, 島 武弘, 木村 睦
薄膜デバイスの人工網膜への応用検討
2008 年（平成 20 年）秋季 第 69 回応用物理学会学術講演会 No. 3, pp. 1152, 2008 年 9 月
・ 八田 智久, 西崎 仁貴, 山下 毅彦, 島 武弘, 木村 睦
Poly-Si 薄膜フォトトランジスタの特性解析
2008 年（平成 20 年）秋季 第 69 回応用物理学会学術講演会 No. 2, pp. 743, 2008 年 9 月
・ 木村 睦
薄膜トランジスタの電流電圧特性の物理モデル
2008 年（平成 20 年）秋季 第 69 回応用物理学会学術講演会 No. 2, pp. 742, 2008 年 9 月
・ 中西 孝, 木村 睦, 野村 研二, 神谷 利夫, 細野 秀雄
アモルファス In-Ga-Zn-O 薄膜トランジスタの電気特性解析とトラップ密度の抽出
2008 年（平成 20 年）春季 第 55 回応用物理学関係連合講演会 No. 2, pp. 1020, 2008 年 3 月
・ 西口 眞敬, 大井 秀夫, 木村 睦
Poly-Si TFT によるアクティブマトリクス駆動の３次元過渡デバイスシミュレーション
2008 年（平成 20 年）春季 第 55 回応用物理学関係連合講演会 No. 2, pp. 891, 2008 年 3 月
・ 平子 正明, 山岡 俊文, 谷 智之, 木村 睦
Poly-Si Hall 素子のデバイスシミュレーションと磁場測定
2008 年（平成 20 年）春季 第 55 回応用物理学関係連合講演会 No. 2, pp. 891, 2008 年 3 月
・ 大井 秀夫, 木村 睦, 鈴木 洋一, 石川 省吾, 梅澤 浩光, 高木 宏幸, 金 周映, 内田 裕久, 井上 光輝
磁気光学空間光変調器の Poly-Si TFT によるアクティブマトリクス駆動の動作検討
電子情報通信学会, SDM2007-237, pp. 63-66, 2007 年 12 月
・ 小野寺 亮, 笠川 知洋, 小嶋 明樹, 木村 睦, 原 弘幸, 井上 聡
Poly-Si TFT を用いたデバイスレベルのニューラルネットワーク
電子情報通信学会, SDM2007-235, pp. 55-58, 2007 年 12 月
・ 齋藤 龍輔, 塚本 周史, 木村 睦, 菅原 祐太, 浦岡 行治
２層 Si 薄膜のレーザー結晶化のプロセスシミュレーション
2007 年（平成 19 年）春季 第 54 回応用物理学関係連合講演会 No. 2, pp. 914, 2007 年 3 月
・ 山岡 俊文, 谷 智之, 木村 睦
多結晶半導体の H ａｌｌ効果のデバイスシミュレーションと実験解析

48

2007 年（平成 19 年）春季 第 54 回応用物理学関係連合講演会 No. 2, pp. 910, 2007 年 3 月
・ 山下 毅彦, 島 武弘, 木村 睦, 原 弘幸
薄膜フォトデバイスの特性解析
2007 年（平成 19 年）春季 第 54 回応用物理学関係連合講演会 No. 2, pp. 908, 2007 年 3 月
・ 澤村 茂樹, 木村 睦
TFT-OLED の電流均一化パルス幅階調法 －回路シミュレーションと実験評価による動作検証－
電子情報通信学会, EID2006-91, pp. 13-18, 2007 年 3 月
・ 木村 睦Poly-Si TFT 特性の結晶粒界位置にたいする依存性のシミュレーションと実測による解析
2006 年（平成 18 年）秋季 第 67 回応用物理学会学術講演会 No. 2, pp. 766, 2006 年 9 月
・ 木村 睦Poly-Si TFT のオフ電流のデバイスシミュレーションと実測による解析
2006 年（平成 18 年）秋季 第 67 回応用物理学会学術講演会 No. 2, pp. 765, 2006 年 9 月
・ 吉野 拓人, 原田 聖, 安原 徹, 木村 睦
薄膜トランジスタの結晶粒界のトラップ密度の抽出方法の開発と実際の抽出結果
2006 年（平成 18 年）秋季 第 67 回応用物理学会学術講演会 No. 2, pp. 765, 2006 年 9 月
・ 鮫島 俊之, 早坂 紘美, 木村 睦
Si 薄膜トランジスタのしきい値解析-2
2006 年（平成 18 年）秋季 第 67 回応用物理学会学術講演会 No. 2, pp. 764, 2006 年 9 月
・ 早坂 紘美, 鮫島 俊之, 木村 睦
Si 薄膜トランジスタのしきい値解析-1
2006 年（平成 18 年）秋季 第 67 回応用物理学会学術講演会 No. 2, pp. 764, 2006 年 9 月
・ 加藤 正和, 加藤 正和, 原 裕司, 木村 睦, 原 弘幸, 井上 聡
TFT-OLED の駆動方法における突抜誤差の補償方式
電子情報通信学会, ED2006-13, pp. 65-69, 2006 年 4 月
・ 澤井 勇太, 南雲 翔太, 木村 睦, 斉藤 光徳
薄膜 Si を用いた赤外線スイッチングデバイスのシミュレーション
2006 年（平成 18 年）春季 第 53 回応用物理学関係連合講演会 No. 3, pp. 1268, 2006 年 3 月
・ 谷 智之, 奥村 友也, 木村 睦
ローレンツ力を考慮したデバイスシミュレータの開発と多結晶半導体の Hall 効果の評価
2006 年（平成 18 年）春季 第 53 回応用物理学関係連合講演会 No. 2, pp. 898, 2006 年 3 月
・ 吉野 拓人, 木村 睦, 鮫島 俊之
ドープ poly-Si TFT による結晶粒界のトラップ密度の特性解析
2006 年（平成 18 年）春季 第 53 回応用物理学関係連合講演会 No. 2, pp. 897, 2006 年 3 月
・ 鮫島 俊之, 木村 睦
POLY－Si TFT のしきい値解析
2006 年（平成 18 年）春季 第 53 回応用物理学関係連合講演会 No. 2, pp. 897, 2006 年 3 月
・ 加藤 正和, 原 裕司, 木村 睦
TFT-OLED における電流均一化時間階調方式の特性劣化耐性 －回路シミュレーションによる評価結果と考察－
電子情報通信学会, SDM2005-206, pp. 41-46, 2005 年 12 月
・ 原田 聖, 安原 徹, 木村 睦
薄膜トランジスタの結晶粒界のトラップ密度の抽出方法の開発 －デバイスシミュレータによる抽出方法と抽出
結果－
電子情報通信学会, SDM2005-206, pp. 29-32, 2005 年 12 月
・ 山田 逸成, 木村 和哉, 斉藤 光徳, 木村 睦
静電引力式赤外光用波長可変フィルタの低電圧化
2005 年（平成 17 年）秋季 第 66 回応用物理学会学術講演会 No. 3, p. 864, 2005 年 9 月
・ 鮫島 俊之, 木村 睦

49

Poly-Si TFT のしきい値解析
2005 年（平成 17 年）秋季 第 66 回応用物理学会学術講演会 No. 2, pp. 719, 2005 年 9 月
・ 木村 睦, 鮫島 俊之
TFT のキャリア密度についての厳密解と Vth についての考察
2005 年（平成 17 年）秋季 第 66 回応用物理学会学術講演会 No. 2, pp. 719, 2005 年 9 月
・ 木村 睦, 松川 貴
TFT 用 poly-Si の結晶粒界のポテンシャルバリアのデバイスシミュレーションと SMM による観察2005 年（平成 17 年）秋季 第 66 回応用物理学会学術講演会 No. 2, pp. 718, 2005 年 9 月
・ 木村 睦, 斎藤 龍輔, 塚本 周史, 石原良一
レーザー結晶化のプロセスシミュレーションと poly-Si 薄膜の結晶化過程
2005 年（平成 17 年）秋季 第 66 回応用物理学会学術講演会 No. 2, pp. 718, 2005 年 9 月
・ 芹川 正, 宮下 誠, 浦岡 行治, 冬木 隆, 木村 睦
スパッタ法による Si 膜，SiO2 膜を用いた高移動度・高信頼性 poly-Si TFT
2005 年（平成 17 年）秋季 第 66 回応用物理学会学術講演会 No. 2, pp. 717, 2005 年 9 月
・ 木村 睦, 吉野 拓人, 渡壁 創, 安藤 伸行, 鮫島 俊之
ドープ poly-Si TFT とデバイスシミュレーションによる Vth と移動度についての考察
2005 年（平成 17 年）春季 第 52 回応用物理学関係連合講演会 No. 2, pp. 952, 2005 年 3 月
・ 鮫島 俊之, 渡壁 創, 安藤 伸行, 木村 睦
チャネルドープした poly-Si TFT の電気的特性
2005 年（平成 17 年）春季 第 52 回応用物理学関係連合講演会 No. 2, pp. 952, 2005 年 3 月
・ 木村 睦, 安原 徹, 原田 聖, 安部 大介, 井上 聡, 下田 達也
酸素+水素プラズマ処理を施した poly-Si TFT の酸化膜界面と結晶粒界のトラップ密度2005 年（平成 17 年）春季 第 52 回応用物理学関係連合講演会 No. 2, pp. 951, 2005 年 3 月
・ 宮下 誠, 矢野 裕司, 畑山 智亮, 浦岡 行治, 冬木 隆, 芹川 正, 木村 睦
スパッタ酸化膜を利用した薄膜トランジスタのホットキャリア劣化
2005 年（平成 17 年）春季 第 52 回応用物理学関係連合講演会 No. 2, pp. 951, 2005 年 3 月
・ 木村 睦, 大辻 悟, 西川 裕介, 芹川 正, 宮下 誠, 浦岡 行治, 冬木 隆
スパッタ法によるゲート酸化膜をもつ微細 poly-Si TFT のデバイスシミュレーションによる解析
2005 年（平成 17 年）春季 第 52 回応用物理学関係連合講演会 No. 2, pp. 951, 2005 年 3 月
・ 木村 睦, 井上 聡, 下田 達也
Poly-Si 薄膜の電気伝導率の温度依存性のデバイスシミュレーション
2004 年（平成 16 年）秋季 第 65 回応用物理学会学術講演会 No. 2, pp. 733, 2004 年 9 月
・ 木村 睦, 安部 大介, 井上 聡, 下田 達也
低周波と高周波の C-V 特性の比較による Poly-Si TFT の酸化膜界面のトラップ密度の抽出
2004 年（平成 16 年）秋季 第 65 回応用物理学会学術講演会 No. 2, pp. 733, 2004 年 9 月
・ 木村 睦, 安原 徹, 原田 聖, 安部 大介, 井上 聡, 下田 達也
酸化膜を通した水素プラズマ処理を施した poly-Si TFT の酸化膜界面と結晶粒界のトラップ密度
2004 年（平成 16 年）秋季 第 65 回応用物理学会学術講演会 No. 2, pp. 731, 2004 年 9 月
・ 木村 睦, 入口 千春, 井上 聡, 下田 達也
微細 TFT のデバイスシミュレーション
2004 年（平成 16 年）春季 第 51 回応用物理学関係連合講演会 No. 2, pp. 940, 2004 年 3 月
・ 木村 睦, 安部 大介, 井上 聡, 下田 達也
プラズマ処理と水蒸気熱処理で改質した poly-Si TFT の表・裏界面トラップ密度の抽出
2004 年（平成 16 年）春季 第 51 回応用物理学関係連合講演会 No. 2, pp. 938, 2004 年 3 月
・ 木村 睦, 井上 聡, 下田 達也
Poly-Si 薄膜の電気伝導率の温度依存性と実効リチャードソン定数の導出
2004 年（平成 16 年）春季 第 51 回応用物理学関係連合講演会 No. 2, pp. 932, 2004 年 3 月
・ 木村 睦, 井上 聡, 下田 達也
Poly-Si TFT 特性の酸化膜界面トラップと結晶粒界トラップに対する依存性およびその製造プロセス診断への50

応用
電子情報通信学会, SDM2003-180, pp. 7-12, 2003 年 12 月
・ 木村 睦デバイスシミュレーションによる薄膜トランジスタの特性診断
2003 年（平成 15 年）秋季 第 64 回応用物理学会学術講演会 No. 2, pp. 777, 2003 年 9 月
・ 木村 睦, 井上 聡, 下田 達也
Poly-Si TFT の表・裏界面トラップ密度の抽出
2003 年（平成 15 年）秋季 第 64 回応用物理学会学術講演会 No. 2, pp. 776, 2003 年 9 月
・ 木村 睦, 井上 聡, 下田 達也
TFT 特性の表側・裏側酸化膜界面トラップ密度に対する依存性
2002 年（平成 14 年）秋季 第 63 回応用物理学会学術講演会 No. 2, pp. 785, 2002 年 9 月
・ 木村 睦, 井上 聡, 下田 達也
Poly-Si TFT と SOI FET に対する絶縁膜-Si 界面と結晶粒界の欠陥密度の抽出
2002 年（平成 14 年）春季 第 49 回応用物理学関係連合講演会 No. 2, pp. 878, 2002 年 3 月
・ 木村 睦, 井上 聡, 下田 達也
ドープ Poly-Si 膜の結晶粒界における Thermionic Emission のデバイスシミュレーション
2001 年（平成 13 年）秋季 第 62 回応用物理学会学術講演会 No. 2, pp. 682, 2001 年 9 月
・ 木村 睦, 野澤 陵一, 井上 聡, 下田 達也
poly-Si TFT における絶縁膜-Si 界面と結晶粒界の欠陥密度の抽出
2001 年（平成 13 年）春季 第 48 回応用物理学関係連合講演会 No. 2, pp. 960, 2001 年 3 月
・ 木村 睦, 東 清一郎, 鮫島 俊之
多結晶シリコン膜における結晶粒界のデバイスシミュレーション
電子情報通信学会, ED2000-11, pp. 9-14, 2000 年 4 月
・ 木村 睦, 東 清一郎, 鮫島 俊之
多結晶シリコン膜における結晶粒界のデバイスシミュレーション
2000 年（平成 12 年）春季 第 47 回応用物理学関係連合講演会 No. 2, pp. 964, 2000 年 3 月

一般講演 176 件 （講演者）
・ 赤根 詩穂里, 田中 遼, 木村 睦
相変化材料の薄膜デバイスを用いたメモリスタ
革新的材料・プロセス研究センター 2019 年度シンポジウム 「持続可能な社会形成を指向した資源循環型材料研究」, 2020 年 2 月
・ 石崎 勇真, 吉田 誉, 木村 睦
BLT 薄膜強誘電体キャパシタとニューロモーフィックシステム
革新的材料・プロセス研究センター 2019年度シンポジウム 「持続可能な社会形成を指向した資源循環型材料研究」, 2020 年 2 月
・ 木村 睦超コンパクト・超低消費電力を実現するアモルファス金属酸化物半導体を用いたニューロモーフィックシステム
革新的材料・プロセス研究センター 2019 年度シンポジウム 「持続可能な社会形成を指向した資源循環型材料研究」, 2020 年 2 月
・ 木村 睦，豊田 航平，冨岡 圭佑，内藤 直矢, 東 清一郎
薄膜デバイスを用いた人工網膜の研究
令和元年度生体医歯工学共同研究拠点成果報告会, 2020 年 3 月
・ 木村 睦TFT の FPD 以外への応用
第 31 回 龍谷大学 新春技術講演会, 2020 年 1 月
・ Mutsu Lab
Applications of TFT other than LCD = TFT の LCD 以外への応用 =IDW '19 Exhibition, Dec. 201851

・ 木村 睦Display Week 2019 報告 － 全体概要 －映像情報メディア学会技術報告, IDY2019-30, pp. 1-2, 2019 年 7 月
・ 小林 雅樹, 木村 睦, 松田 時宜
ミスト CVD 法によるアモルファス金属酸化物半導体を用いたメモリスタ
革新的材料・プロセス研究センター 2018 年度シンポジウム 「持続可能な社会形成を指向した資源循環型材料研究」, 2019 年 2 月
・ 橋本 快人, 木村 睦, 松田 時宜
アモルファス金属酸化物半導体を用いた抵抗変化デバイス
革新的材料・プロセス研究センター 2018 年度シンポジウム 「持続可能な社会形成を指向した資源循環型材料研究」, 2019 年 2 月
・ 木村 睦Ga-Sn-O 薄膜を用いた熱電変換素子
革新的材料・プロセス研究センター 2018 年度シンポジウム 「持続可能な社会形成を指向した資源循環型材料研究」, 2019 年 2 月
・ 木村 睦TFT の FPD 以外への応用
第 30 回 龍谷大学 新春技術講演会, 2019 年 1 月
・ Guilherme Crespo Rodrigues Antunes Correia, 木村 睦
Investigation of Cybernet Security by AI
第 30 回 龍谷大学 新春技術講演会, 2019 年 1 月
・ Mutsu Lab
Applications of TFT other than LCD = TFT の LCD 以外への応用 =IDW '18 Exhibition, Dec. 2018
・ 近藤 厚志, 松田 時宜, 木村 睦
多層クロスポイント型金属酸化物半導体薄膜シナプス素子
革新的材料・プロセス研究センター 2017 年度シンポジウム 「相界面のスマートデザインによる生体規範材料の創製」, 2018 年 2 月
・ 荒牧 達也, 松田 時宜, 木村 睦
ミスト CVD 法で作製した GTO 薄膜を用いた熱電素子
革新的材料・プロセス研究センター 2017 年度シンポジウム 「相界面のスマートデザインによる生体規範材料の創製」, 2018 年 2 月
・ 木村 睦
薄膜デバイスの界面現象を用いた脳型集積システム
革新的材料・プロセス研究センター 2017 年度シンポジウム 「相界面のスマートデザインによる生体規範材料の創製」, 2018 年 2 月
・ 木村 睦発電効率とコストを両立するレアメタルフリー酸化物半導体熱電素子
京都産学公連携フォーラム 2018, 2018 年 2 月
・ 木村 睦TFT の LCD 以外への応用
第 29 回 龍谷大学 新春技術講演会, 2018 年 1 月
・ 木村 睦, 石崎 俊雄, 太田 淳, 寺澤 靖雄
薄膜デバイスを用いた完全埋込型の人工網膜
第 29 回 龍谷大学 新春技術講演会, 2018 年 1 月
・ Mutsu Lab
Applications of TFT other than LCD = TFT の LCD 以外への応用 =IDW '17 Exhibition, Dec. 2017
・ Mutsumi Kimura

52

Neuromorphic Application using Thin-Film Devices
NIMTE Seninar, Nov. 2017
・ 木村 睦Sensing Devices in Smart Phone
奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科, 2017 年 11 月
・ 木村 睦発電効率とコストを両立するレアメタルフリー酸化物半導体熱電素子
ビジネス・エンカレッジ・フェア 2017, 2017 年 11 月
・ 木村 睦発電効率とコストを両立するレアメタルフリー酸化物半導体熱電素子
イノベーション・ジャパン 2017, 2017 年 9 月
・ 木村 睦
超低消費電力を実現する薄膜プリンテッド積層デバイスによるアナログニューラルネットワーク LSI
2016 年度ローム研究公募 成果報告会, 2017 年 7 月
・ Mutsumi Kimura
Neuromorphic Application using Thin-Film Devices
NIMTE Seninar, June 2017
・ 木村 睦
レアメタルフリー酸化物半導体薄膜トランジスタ
スマートテクノロジー 新技術説明会, 2017 年 3 月
・ 木村 睦TFT の LCD 以外への応用
第 28 回 龍谷大学 新春技術講演会, 2017 年 1 月
・ 木村 睦, 石崎 俊雄, 太田 淳, 寺澤 靖雄
薄膜デバイスを用いた完全埋込型の人工網膜
第 28 回 龍谷大学 新春技術講演会, 2017 年 1 月
・ 岡本 龍吾、福嶋 大貴、松田 時宜、木村 睦
ミスト CVD で作製した GTO 薄膜とその評価
革新的材料・プロセス研究センター 2016 年度シンポジウム 「相界面のスマートデザインによる生体規範材料の創製」, 2017 年 3 月
・ 田中 遼、梅田 鉄馬、松田 時宜、木村 睦
酸化物半導体薄膜素子のニューラルネットワークのシナプス素子への応用
革新的材料・プロセス研究センター 2016 年度シンポジウム 「相界面のスマートデザインによる生体規範材料の創製」, 2017 年 3 月
・ 木村 睦
薄膜デバイスの界面現象を利用したシナプス素子を用いたニューラルネットワークの研究開発
革新的材料・プロセス研究センター 2016 年度シンポジウム 「相界面のスマートデザインによる生体規範材料の創製」, 2017 年 3 月
・ Mutsu Lab
Applications of TFT other than LCD = TFT の LCD 以外への応用 =IDW '16 Exhibition, Dec. 2016
・ 木村 睦脳型人工知能デバイス
2016 年度 第 5 回 REC BIZ-NET 研究会 「人工知能やＩｏＴがもたらすビジネスへのインパクトを考える」, 2016年 12 月・ 京都試作ネット, 関西電子工業
薄膜トランジスタのワイヤボンディング
Electronica 2016, Electronic Manufacturing Services, C4.272, Nov. 2016
・ 福嶋 大貴、中川 陽平、弓削 政博、梅田 鉄馬、松田 時宜、木村 睦

53レアメタルフリー酸化物半導体の開発
革新的材料・プロセス研究センター 2015 年度シンポジウム 「相界面のスマートデザインによる生体規範材料の創製」, 2016 年 3 月
・ 梅田 鉄馬、加藤 雄太、中川 陽平、福嶋 大貴、松田 時宜、木村 睦
レアメタルフリー酸化物半導体の開発
革新的材料・プロセス研究センター 2015 年度シンポジウム 「相界面のスマートデザインによる生体規範材料の創製」, 2016 年 3 月
・ 和多田 晃樹、木村 睦
薄膜デバイスを想定したニューラルネットワークの新規回路の開発
革新的材料・プロセス研究センター 2015 年度シンポジウム 「相界面のスマートデザインによる生体規範材料の創製」, 2016 年 3 月
・ 堀 賢将、木村 睦
薄膜デバイスによる温度センサの開発
革新的材料・プロセス研究センター 2015 年度シンポジウム 「相界面のスマートデザインによる生体規範材料の創製」, 2016 年 3 月
・ 松田 時宜
新規酸化物半導体デバイスの開発と評価
革新的材料・プロセス研究センター 2015 年度シンポジウム 「相界面のスマートデザインによる生体規範材料の創製」, 2016 年 3 月
・ 木村 睦
薄膜デバイスによるニューラルネットワーク
革新的材料・プロセス研究センター 2015 年度シンポジウム 「相界面のスマートデザインによる生体規範材料の創製」, 2016 年 3 月
・ 木村 睦TFT の LCD 以外への応用
第 27 回 龍谷大学 新春技術講演会, 2016 年 1 月
・ 松田 時宜, 木村 睦, 古田 守, 谷 篤史, 川原村 敏幸
酸化物半導体材料の格子欠陥に関する研究薄膜
第 27 回 龍谷大学 新春技術講演会, 2016 年 1 月
・ 木村 睦, 松田 時宜
薄膜トランジスタを用いたハイブリッド型温度センサの研究開発
第 27 回 龍谷大学 新春技術講演会, 2016 年 1 月
・ 木村 睦木村睦研究室 研究紹介 Novel Applications using Thin-Film Electronics Devices
味の素, 2015 年 9 月
・ Tomoya Kameda, Mutsumi Kimura, and Yasuhiko Nakashima
Character Recognition System Using Cellular Neural Network Suitable for Integration on Electronic Displays —Development of Simulator and Evaluation of Operation—
IDW '15 Innovative Demonstration, Dec. 2015
・ Mutsu Matsu Lab
Applications of TFT other than LCD = TFT の LCD 以外への応用 =IDW '15 Exhibition, Dec. 2015
・ 木村 睦ディスプレイの将来
2015 年度 第 5 回 REC BIZ-NET 研究会 「ICT の発展を支えるディスプレイ・デバイス・電池・スマホの将来」,
2015 年 10 月
・ 木村 睦
薄膜デバイスの新アプリケーション
高知工科大学 セミナー, 2015 年 10 月

54

・ 木村睦・松田研究室
無機蛍光体
大阪市立科学館 光とあかり展, 2015 年 10 月
・ 木村 睦研究紹介 TFT の特性解析と新規応用
デンソー セミナー, 2015 年 9 月
・ Mutsumi Kimura
Novel Applications using Thin-Film Devices - Sensing Devices and Electronics Applications Seminar, Prof. Chu Lab., University of Cambridge, Aug. 2015
・ 春木 翔太, 渕矢 剛宏, 門目 尭之, 田中 匠, 松田 時宜, 木村 睦
薄膜デバイスを用いたフォトセンサ
革新的材料・プロセス研究センター 2014 年度シンポジウム 「相界面のスマートデザインによる生体規範材料の創製」, 2015 年 3 月
・ 宮村 祥吾, 志賀 春紀, 松本 貴明, 吉川朗登, 松田 時宜, 木村 睦
薄膜デバイスを用いた磁場センサ
革新的材料・プロセス研究センター 2014 年度シンポジウム 「相界面のスマートデザインによる生体規範材料の創製」, 2015 年 3 月
・ 木村 睦TFT の LCD 以外への応用
第 26 回 龍谷大学 新春技術講演会, 2015 年 1 月
・ 松田 時宜, 木村 睦, 山本 伸一
多元系酸化物半導体材料の格子欠陥に関する研究
第 26 回 龍谷大学 新春技術講演会, 2015 年 1 月
・ 木村 睦, 松田 時宜, 宮坂 光敏
薄膜トランジスタを用いたハイブリッド型温度センサの研究開発
第 26 回 龍谷大学 新春技術講演会, 2015 年 1 月
・ Mutsu Matsu Lab
Sensor Application using Thin-Film Devices derived from Display Technologies - Flatpanel Imager, Artificial
Retina, Temperature Sensor, etc IDW '14 Innovative Demonstration, Dec. 2014
・ Mutsu Matsu Lab
Applications of TFT other than LCD = TFT の LCD 以外への応用 =IDW '14 Exhibition, Dec. 2014
・ 木村 睦新しいセンシングデバイスとエレクトロニクスの創成 - 薄膜デバイスは究極未来素子 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 公開セミナー, 2014 年 9 月
・ 木村 睦SID '14 報告会 － AMD －電子情報通信学会技術研究報告, EID2014-5, pp. 37-40, 2014 年 7 月
・ 木村 睦TFT の特性解析と新規応用
第 1 回出雲薄膜材料デバイスミニ研究会, 2014 年 3 月
・ 西野 克弥, 加藤 雄太, 西本 大樹, 松田 時宜, 木村 睦
アモルファス酸化物半導体薄膜に関する評価
革新的材料・プロセス研究センター 2013 年度シンポジウム 「相界面のスマートデザインによる生体規範材料の創製」, 2014 年 3 月
・ 加藤 雄太, 西本 大樹, 西野 克弥, 松田 時宜, 木村 睦
新規酸化物半導体薄膜の開発
革新的材料・プロセス研究センター 2013 年度シンポジウム 「相界面のスマートデザインによる生体規範材料

55

の創製」, 2014 年 3 月
・ 松本 貴明, 松田 時宜, 木村 睦
薄膜 Hall 素子による磁場センサ
革新的材料・プロセス研究センター 2013 年度シンポジウム 「相界面のスマートデザインによる生体規範材料の創製」, 2014 年 3 月
・ 前田 善治, 松田 時宜, 木村 睦
薄膜デバイスによるフォトセンサ
革新的材料・プロセス研究センター 2013 年度シンポジウム 「相界面のスマートデザインによる生体規範材料の創製」, 2014 年 3 月
・ 木村 睦
薄膜トランジスタの半導体界面の特性解析
革新的材料・プロセス研究センター 2013 年度シンポジウム 「相界面のスマートデザインによる生体規範材料の創製」, 2014 年 3 月
・ 松田 時宜, 木村 睦, 西本 大樹
酸化物材料の最表面へのプラズマによるダメージに関する研究
第 25 回 龍谷大学 新春技術講演会, 2014 年 1 月
・ 木村 睦TFT の LCD 以外への応用
第 25 回 龍谷大学 新春技術講演会, 2014 年 1 月
・ 木村 睦, 山本 伸一, 松田 時宜, 西ノ原大介
電流均一化パルス幅変調階調方式による超高画質有機 EL ディスプレイの研究開発
第 25 回 龍谷大学 新春技術講演会, 2014 年 1 月
・ Mutsu Matsu Lab
Applications of TFT other than LCD = TFT の LCD 以外への応用 =IDW '13 Exhibition, Dec. 2013
・ 木村 睦、松田 時宜
Oxide-Semiconductor TFT, Characterization and Applications
出光興産 講演, 2013 年 11 月
・ 中村 雅一, 木村 睦
薄膜材料デバイス研究会 第 10 回研究集会 「薄膜デバイスの応用展開」 チュートリアル イントロダクトリー
薄膜材料デバイス研究会 第 10 回研究集会, pp. 1, 2013 年 11 月
・ 木村 睦イントロダクトリートーク
CEATEC Japan, Conference, 電子ディスプレイシンポジウム -タッチパネルのすべて-, 2013 年 10 月
・ 中島 康彦, 浦岡 行治, 古田 守, 木村 睦, 鎌倉 良成
超軽量センサを実現するプリンタブルコンピュータの構想
STARC ワークショップ 2013, 2013 年 9 月
・ 木村 睦SID '13 報告 - Active-Matrix Devices I - @ 関西
映像情報メディア学会技術報告, IDY2013-30, pp. 17-21, 2013 年 7 月
・ 木村 睦SID '13 報告 - Active-Matrix Devices I 映像情報メディア学会技術報告, IDY2013-30, pp. 17-21, 2013 年 7 月
・ 木村 睦曲げ伸ばし自由な未来のテレビ
夢ナビライブ, 2013 年 6 月
・ 木村 睦
薄膜トランジスタの基礎と光デバイスへの応用 ～Si/酸化物/有機半導体 TFT の基礎と応用を徹底解説～
Electronic Journal 第 1630 回 Technical Seminor, 2013 年 6 月

56

・ Mutsu Matsu Lab
Applications of TFT other than LCD = TFT の LCD 以外への応用 =AUTM Asia 2013, March 2013
・ 木村 睦新規材料・プロセスの界面電気特性解析
龍谷大学グリーンプロセスによる自然エネルギー有効利用材料の製造技術開発プロジェクト 研究成果報告会,
2013 年 2 月
・ 木村 睦TFT の LCD 以外への応用
第 24 回 龍谷大学 新春技術講演会, 2013 年 1 月
・ 山本 伸一, 木村 睦, 松田 時宜, 大橋 義信, 中川 拓哉, 野中 俊宏, 板倉 聡之, 清川 敏夫, 浦岡 行治
新規電子ディスプレイ・デバイスの研究開発
第 24 回 龍谷大学 新春技術講演会, 2013 年 1 月
・ 松田 時宜, 木村 睦, 山本 伸一, 古田 守, 谷 篤史
酸化物薄膜トランジスタデバイスの材料開発と評価
第 24 回 龍谷大学 新春技術講演会, 2013 年 1 月
・ 木村 睦, 山本 伸一, 松田 時宜, 西ノ原大介
電流均一化パルス幅変調階調方式による超高画質有機 EL ディスプレイの研究開発
第 24 回 龍谷大学 新春技術講演会, 2013 年 1 月
・ 木村 睦未来のテレビ  曲げたり、触ったり、透明だったり 
第 24 回 龍谷大学 新春技術講演会, 2013 年 1 月
・ Mutsu Matsu Lab
Applications of TFT other than LCD = TFT の LCD 以外への応用 =IDW '12 Exhibition, Dec. 2012
・ 木村 睦
薄膜トランジスタの基礎と光デバイスへの応用 ～Si/酸化物/有機半導体 TFT の基礎と応用を徹底解説～
Electronic Journal 第 1164 回 Technical Seminor, 2012 年 3 月
・ 木村 睦
薄膜トランジスタの新規応用
第 23 回 龍谷大学 新春技術講演会, 2012 年 1 月
・ 木村 睦, 山本 伸一, 松田 時宜, 海川 龍治, 井上 聡
薄膜 Hall 素子による磁場エリアセンサの研究開発
第 23 回 龍谷大学 新春技術講演会, 2012 年 1 月
・ Mutsu Lab
Applications of TFT other than LCD = TFT の LCD 以外への応用 =IDW '11 Exhibition, Dec. 2011・ 木村 睦
薄膜トランジスタの新規応用技術
龍谷大学・明治大学 新技術説明会, 2011 年 11 月
・ 木村 睦
薄膜トランジスタの基礎と光デバイスへの応用
Electronic Journal 第 709 回 Technical Seminor, 2011 年 3 月
・ 木村 睦, 中島 章宏, 橋本 早未, 飯室 恵紀, 山口 陽平
薄膜トランジスタの新規応用 = 薄膜トランジスタが拓く近未来エレクトロニクス =革新的材料・プロセス研究センター 2010 年度シンポジウム 「エネルギー有効利用のための革新的材料研究開発」, 2011 年 3 月
・ 木村 睦
薄膜トランジスタの新規応用

57

第 22 回 龍谷大学 新春技術講演会, 2011 年 1 月
・ 野口 紳一郎, 木村 睦
薄膜 Tr アレイと有機 EL ディスプレイを用いた新型拡大読書器の開発
第 22 回 龍谷大学 新春技術講演会, 2011 年 1 月
・ 山本 伸一, 木村 睦, 板倉 聡之, 大橋 義信, 中川 拓哉, 中村 裕亮, 野中 俊宏, 山本 宏輝, 岡 威樹, 景山
豪, 金森 翼, 小管 浩揮, 佐竹 聖樹, 平野 貴大
自己組織化ナノ構造形成プロセスの高機能化
第 22 回 龍谷大学 新春技術講演会, 2011 年 1 月
・ 木村 睦, 山本 伸一, 海川 龍治
薄膜 Hall 素子による磁場エリアセンサの研究開発
第 22 回 龍谷大学 新春技術講演会, 2011 年 1 月
・ 木村 睦学会状況からみる技術動向
第 22 回 龍谷大学 新春技術講演会, 2011 年 1 月
・ Mutsu Lab
Applications of TFT other than LCD = TFT の LCD 以外への応用 =IDW '10 Exhibition, Dec. 2010
・ 木村 睦, 小倉 健, 三浦 佑太, 大野 史郎, 橋本 早未, 山口 陽平, 中島 章宏, 飯室 恵紀, 分銅 衡介, 谷口仁, 三島 大樹, 宮谷 友彰
薄膜トランジスタの新規応用 = 薄膜トランジスタが拓く近未来エレクトロニクス = （ポスター）
革新的材料・プロセス研究センター 2009 年度シンポジウム 「エネルギー有効利用のための革新的材料研究開発」, 2010 年 3 月
・ 木村 睦, 小倉 健, 三浦 佑太, 大野 史郎, 橋本 早未, 山口 陽平, 中島 章宏, 飯室 恵紀, 分銅 衡介, 谷口仁, 三島 大樹, 宮谷 友彰
薄膜トランジスタの新規応用 = 薄膜トランジスタが拓く近未来エレクトロニクス = （口頭）
革新的材料・プロセス研究センター 2009 年度シンポジウム 「エネルギー有効利用のための革新的材料研究開発」, 2010 年 3 月
・ 木村 睦, 鈴木 大亮, 橋本 早未, 小倉 健, 谷口 仁, 三浦 佑太, 三島 大樹, 山口 陽平, 大野 史郎, 奥村 雅仁, 宮谷 友彰
薄膜トランジスタの新規応用
第 21 回 龍谷大学 新春技術講演会, 2010 年 1 月
・ 木村 睦, 斉藤 光徳, 山本 伸一, 鈴木 洋一, 梅澤 浩光
薄膜トランジスタによる光記録のための磁気光学空間光変調器の研究開発
第 21 回 龍谷大学 新春技術講演会, 2010 年 1 月
・ Mutsu Lab
Applications of TFT other than LCD = TFT の LCD 以外への応用 =IDW '09 Exhibition, Dec. 2009・ 木村 睦IMID 2009 報告 －TFT 技術（無機材料）－
電子情報通信学会, EID2009-38, pp. 9-12, 2009 年 11 月
・ 木村 睦TFT の電気特性評価とデバイスシミュレーションによる動作解析および新規応用提案
下田ナノ液体プロセスプロジェクト講演, 2009 年 7 月
・ 木村 睦TFT の電気特性評価とデバイスシミュレーションによる動作解析および新規応用提案
富士フイルム ゼミ, 2009 年 7 月
・ 木村 睦, 田畑 裕貴, 中尾 博樹
薄膜トランジスタの新規応用 = 薄膜トランジスタが拓く近未来エレクトロニクス =革新的材料・プロセス研究センター 2008 年度シンポジウム 「エネルギー有効利用のための革新的材料研究

58

開発」, 2009 年 3 月
・ 木村 睦, 田畑 裕貴
薄膜トランジスタの新規応用 = 薄膜トランジスタが拓く近未来エレクトロニクス =第 20 回 龍谷大学 新春技術講演会, 2009 年 1 月
・ 木村 睦, 斉藤 光徳, 鈴木 洋一, 梅澤 浩光
薄膜トランジスタによる光記録のための磁気光学空間光変調器の研究開発
第 20 回 龍谷大学 新春技術講演会, 2009 年 1 月
・ Mutsu Lab
Applications of TFT other than LCD = TFT の LCD 以外への応用 =IDW '08 Exhibition, Dec. 2008
・ 木村 睦
薄膜トランジスタの新規応用
知財ビジネスマッチングフェア 2008, 2008 年 11 月
・ 木村 睦有機 EL ディスプレイ（OLED）を理解するための基礎講座 －OLED の基礎とデバイス構造&駆動方式－
半導体産業新聞 サマースクール 2008 Part. I ビギナーのための FPD / 夏講座 これだけは知っておきたいフ
ラット・パネル・ディスプレイの基礎知識, 2008 年 8 月
・ 木村 睦有機 EL ディスプレイの動作原理と駆動回路技術
技術情報協会 有機 EL ディスプレイの低コスト・大型化高効率発光材料と駆動回路技術, 2008 年 7 月
・ 木村 睦【駆動回路技術】 わかりやすく解説 ： 有機 EL ディスプレイの動作原理・駆動回路技術 -パッシブマトリクス駆動・アクティブマトリクス駆動 各方式の特徴・課題プレスジャーナル ビジネスがわかる テクノロジーがわかる 有機 EL 入門セミナー, 2008 年 7 月
・ 木村 睦TFT の評価技術（トラップ密度抽出・シミュレーション）と TFT の光センサー応用
高知工科大学 セミナー, 2008 年 6 月
・ 木村 睦有機 EL ディスプレイ（OLED）を理解するための基礎講座 －OLED の基礎とデバイス構造&駆動方式－
半導体産業新聞 ビギナーのための FPD 講座 これだけは知っておきたいフラット・パネル・ディスプレイの基
礎知識 , 2008 年 5 月
・ 木村 睦TFT の動作原理・製造プロセス・応用および電気特性解析
富士フイルム ゼミ講義, 2008 年 5 月
・ 木村 睦
薄膜トランジスタの液晶ディスプレイ以外への応用 （口頭）
革新的材料・プロセス研究センター 2007 年度シンポジウム 「エネルギー有効利用のための革新的材料研究開発」, 2008 年 3 月
・ 木村 睦
薄膜トランジスタの液晶ディスプレイ以外への応用 （ポスター）
革新的材料・プロセス研究センター 2007 年度シンポジウム 「エネルギー有効利用のための革新的材料研究開発」, 2008 年 3 月
・ 木村 睦TFT の LCD 以外への応用
第 19 回 龍谷大学 新春技術講演会, 2008 年 1 月
・ 木村 睦, 小淵 洋一, 浦岡 行治, 井上 聡
薄膜トランジスタによるデバイスレベルのニューラルネットワークの研究開発
第 19 回 龍谷大学 新春技術講演会, 2008 年 1 月
・ Mutsu Lab

59

Applications of TFT other than LCD = TFT の LCD 以外への応用 =IDW '07 Exhibition, Dec. 2007
・ 木村 睦IMID 2007 報告 Active-Matrix Devices / OLED Displays / Novel and Future Displays
電子情報通信学会, EID2007-55, pp. 5-8, 2007 年 11 月
・ 木村 睦
薄膜トランジスタのフラットパネルディスプレイ応用と新規応用
豊橋技術科学大学特別講義, 2007 年 10 月
・ 木村 睦
薄膜デバイスによる人工網膜
イノベーション・ジャパン 2007, 2007 年 9 月
・ 木村 睦有機 EL ディスプレイの動作原理と特徴
技術情報協会 セミナー 有機 EL ディスプレイの市場動向と動作原理および最新技術, 2007 年 7 月
・ 木村 睦OLED の基礎 － AMOLED の駆動方式と特徴・応用 －第 3 回 SID 日本支部サマーセミナー, 2007 年 8 月
・ 木村 睦有機 EL ディスプレイ概論 ： 動作原理から駆動技術までをわかりやすく解説 － 次世代の最有力ディスプレ
イ その優位性はどこにあるのか －プレスジャーナル 2007 FPD 入門セミナー, 2007 年 5 月
・ 木村 睦有機 EL ディスプレイの動作原理と駆動方式
日本テクノセンター セミナー, 2007 年 5 月
・ 木村 睦
薄膜フォトダイオードと薄膜トランジスタによる人工網膜 （口頭）
革新的材料・プロセス研究センター 2006 年度シンポジウム 「エネルギー有効利用のための革新的材料研究開発」, 2007 年 3 月
・ 木村 睦
薄膜フォトダイオードと薄膜トランジスタによる人工網膜 （ポスター）
革新的材料・プロセス研究センター 2006 年度シンポジウム 「エネルギー有効利用のための革新的材料研究開発」, 2007 年 3 月
・ 木村 睦多結晶シリコン薄膜トランジスタの電気特性解析と新規アプリケーション開発
東京工業大学 応用セラミックス研究所 講演会, 2007 年 3 月
・ 大柳 満之, 和田 隆博, 内田 欣吾, 中沖 隆彦, 西原 弘訓, 木村 睦, 辻上 哲也, 青井 芳史, 宮武 智弘, 白神 達也, 海川 龍治, 阪井 一繁, 糟野 潤, 辻本 敬, 中野 裕美, 内山 裕士
エネルギー有効利用のための革新的材料研究開発
第 18 回 龍谷大学 新春技術講演会, 2007 年 1 月
・ 木村 睦, 小淵 洋一, 浦岡 行治, 井上 聡, 笠川 知洋, 小嶋 明樹
薄膜トランジスタによるデバイスレベルのニューラルネットワークの研究開発
第 18 回 龍谷大学 新春技術講演会, 2007 年 1 月
・龍谷大学, 木村睦研究室, 青井研究室, 龍谷エクステンションセンター
Applications of TFT other than LCD = TFT の LCD 以外への応用 =Development of Gas Barrier Plastic Films for FPDs = FPD 用ガスバリアプラスチックフィルムの開発 =Ryukoku Extension Center =龍谷エクステンションセンター（REC）の紹介 =IDW '06 展示（大学）・ 木村 睦研究内容紹介 TFT 回路設計技術 貴社 OTFT シミュレーション結果報告60リコー 社内講演, 2006 年 11 月
・ 木村 睦
薄膜トランジスタ有機 EL ディスプレイ
滋賀県産学官ニーズ・シーズプラザ, 2006 年 10 月
・ 木村 睦Poly-Si TFT の動作原理・特性解析とデバイス・回路シミュレーション
日本テクノセンター セミナー, 2006 年 9 月
・ 木村 睦
薄膜トランジスタの素子構造・製造方法動作原理・応用分野
FDK 株式会社 社内講演, 2006 年 7 月
・ 木村 睦企業と大学での研究開発と博士のススメ
奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 第 2 回キャリアパスセミナー, 2006 年 3 月
・ 木村 睦有機 EL 素子の劣化を低減・補償する駆動方式と設計最適化
技術情報協会 セミナー 有機 EL における超寿命・低劣化技術, 2006 年 2 月
・ 木村 睦アクティブマトリクス型ディスプレイの内蔵駆動回路の基礎原理と性能向上技術
情報機構 セミナー, 2006 年 2 月
・ 木村 睦
薄膜トランジスタ駆動有機 EL ディスプレイ
守山商工会議所 モノづくり塾 第 3 講目, 2006 年 1 月
・ 木村 睦, 斉藤 光徳, 井上 聡, 蒲原 格
低温多結晶シリコン薄膜トランジスタのプロセスシミュレータの開発
第 17 回 龍谷大学 新春技術講演会, 2006 年 1 月
・ 木村 睦
薄膜トランジスタ駆動有機 EL ディスプレイ
京都産学連携フォーラム 2005, 2005 年 11 月
・ 木村 睦AM-OLED における TFT 技術と素子劣化の補償方式
高効率有機デバイス 第９回補完研究講演会, 2005 年 10 月
・ 木村 睦LTPS-TFT の特性解析
東京エレクトロン 講演, 2005 年 10 月
・ Mutsumi Kimura
Analysis and simulation of LTPS-TFT and its applications
Texas A & M University, Sep. 2005
・ 木村 睦
薄膜トランジスタの動作原理とモデリング
OrCAD バージョンアップセミナー2005, 2005 年 9 月
・ 木村 睦
薄膜トランジスタの動作原理とモデリング
OrCAD バージョンアップセミナー2005, 2005 年 8 月
・ 木村 睦LTPS-TFT の特性解析
UCT フォーラム 第 28 回 TFT ディスプレー技術委員会, 2005 年 8 月
・ 木村 睦有機ＥＬ素子における駆動方式 ～素子劣化に強い駆動とは～
技術情報協会 セミナー 有機 EL ディスプレイにおける薄膜形成, 駆動方式および長寿命化への封止技術,

61

2005 年 7 月
・ 木村 睦Poly-Si TFT の動作原理・特性解析とデバイス・回路シミュレーション
日本テクノセンター セミナー, 2005 年 3 月
・ 木村 睦
低温多結晶シリコン薄膜トランジスタのプロセスシミュレータの開発
しがぎんニュービジネスフォーラム 2004 第 5 回サタデー起業塾, 2005 年 2 月
・ Mutsumi Kimura
AM-OLED, Active Matrix Organic Light Emitting Display
Taitra Seminar, New Flat Panel Technology, Feb. 2005
・ Mutsumi Kimura
Electrical Analysis and Device Simulation of TFT
Taitra Seminar, New Flat Panel Technology, Feb. 2005
・ Mutsumi Kimura
TFT Electrical Analysis, Device Simulation, Circuit Simulation and LC Simulation
Toppoly Private Seminar, Feb. 2005
・ Mutsumi Kimura
Poly-Si TFT vs Amorphous-Si TFT for AM-OLED
Quanta Display and Quanta Display Japan Private Seminar, Feb. 2005
・ 木村 睦アクティブマトリクス型ディスプレイの内蔵駆動回路の基礎と性能向上技術
情報機構 セミナー, 2005 年 2 月
・ 木村 睦, 斉藤 光徳, 井上 聡, 蒲原 格
低温多結晶シリコン薄膜トランジスタのプロセスシミュレータの開発
第 16 回 龍谷大学 新春技術講演会, 2005 年 1 月
・ 木村 睦フラットパネルディスプレイの動作原理と最新研究
新無機膜研究会 第 9 次調査委員会 FPD 分科会 第 2 回会合講演会, 2004 年 12 月
・ 木村 睦有機 EL ディスプレイ －敵か味方か－
シンテック 第 13 回液晶表示器設計技術研究会, 2004 年 12 月
・ 木村 睦AMOLED の駆動方式
IDW '04 チュートリアル －IDW を 10 倍楽しむために－, 2004 年 12 月
・ 木村 睦有機ＥＬ素子の劣化を低減・補償する駆動方式と設計最適化
技術情報協会 セミナー有機ＥＬディスプレイの大型・高効率・長寿命化と素子劣化の低減・低電圧化および劣化解析, 2004 年 11 月
・ 木村 睦有機ＥＬディスプレイの駆動原理と各種駆動方法の比較
技術情報協会 セミナー, 2004 年 7 月
・ 木村 睦
薄膜トランジスタとフラットパネルディスプレイの現在と将来
2003 年度龍谷大学 REC ビジネスネットワーククラブ 第 6 回研究会, 2004 年 2 月
・ 木村 睦有機 EL ディスプレイにおける各種駆動方法の比較と駆動技術の最適化
技術情報協会 セミナー, 2004 年 1 月
・ 木村 睦アクティブマトリクス有機 EL ディスプレイの特性と開発

62

情報機構 セミナー, 2004 年 1 月
・ 木村 睦Electronics Everywhere どこでも電子回路
近畿ブロック技術・市場交流プラザ 滋賀大会 分科会, 2003 年 10 月
・ 木村 睦低温 poly-Si TFT 駆動発光ポリマーディスプレイの開発 動作原理・回路構成・駆動方式の詳解とディスプレイ
応用
技術情報協会 セミナー, 2003 年 10 月
・ 木村 睦TFT シミュレータ開発 －TFT デバイス・TFT 回路・液晶シミュレータについて－
シンテック 第７回液晶表示器設計技術研究会, 2002 年 5 月
・ 木村 睦多結晶シリコン薄膜トランジスタのデバイス・回路・液晶シミュレータの開発とその応用
企業研究会 第 15 期 CAMM フォーラム本例会, 2002 年 2 月
・ 木村 睦低温 p-Si TFT の新アプリケーションとそのひとつである有機 EL ディスプレイ
第 34 回 TFT 液晶技術委員会, 1998 年 10 月
・ Mutsumi Kimura
Asia Display 98 (IDRC) 報告, Electroluminescent Device (Session 14, 27, 31, 35, Poster)
電子情報通信学会, EID98-73, pp. 31-36, 1998 年 11 月

著書 24 件・ Mutsumi Kimura
Sensor Applications using Thin-Film Transistor Technologies
CRC Press, Optical imaging and Sensing, to be published・ Mutsumi Kimura
Sensor Applications using Thin-Film Transistor Technologies
CRC Press, Microsystems Technologies, to be published・ Mutsumi Kimura
Sensor Applications using Thin-Film Transistor Technologies
CRC Press, Devices, Circuits and Systems Series, to be published・ Mutsumi Kimura
Thin Film Transistors for Active Matrix LCDs
The Institution of Engineering and Technology, IET, High Quality Liquid Crystal Displays and Smart Devices, Vol.
1, Chapter 14, pp. 255-270, Mar. 2019・ 木村 睦有機 EL ディスプレイの動作原理と駆動回路技術 -パッシブマトリクス駆動・アクティブマトリクス駆動と各種補償駆動方式の比較技術情報協会 有機 EL に関する発光効率向上，部材開発，新しい用途展開 第 5 章 pp. 169-185, 2018 年 1 月
・ 木村 睦 （単著）
スッキリ!がってん! 有機 EL の本
電気書院, 2017 年 3 月
・ 木村 睦 （単著）
搭載!! 人工知能
電気書院, 2016 年 5 月
・ Mutsumi Kimura
Thin-Film Sensors integrated in Information Displays
CRC Press, Optical Imaging Devices, New Technologies and Applications, Chapter 1, pp. 1-26, 2016
・ Mutsumi Kimura

63

Thin-Film Sensors
CRC Press, Novel Advances in Microsystems Technologies and their Applications, Chapter 11, pp. 247-263,
2014
・ 木村 睦金属と半導体の接合, バイポーラトランジスタの動作原理, 薄膜トランジスタ
オーム社 半導体デバイス工学 4 章, 5 章, 10 章, 2012 年 9 月
・ 木村 睦ポリシリコン薄膜トランジスタ駆動の有機 EL ディスプレイ
シーエムシー出版 有機 EL 技術と材料開発 第 3 章 pp. 80-91, 2010 年 5 月
・ 木村 睦, 薄膜材料デバイス研究会
TFT の動作原理
コロナ社 薄膜トランジスタ 第 2 章 pp. 10-74, 2008 年 11 月
・ 木村 睦駆動方法と画素回路
情報機構 FPD の比較と製造プロセス ～各種部材への要求特性と性能評価～ 第 3 編 第 1 章 第 5 節 pp.
331-341, 2008 年 5 月
・ 木村 睦
薄膜トランジスタ開発のための基礎技術・装置・測定、評価法
情報機構 ラボレベル・研究初期で必要となる 発光素子、発光デバイス開発のための 基礎技術・装置・測定、評価法 第 12 章 pp. 259-280, 2008 年 3 月
・ 木村 睦有機 EL ディスプレイの駆動方法と動作原理
技術情報協会 最先端 照明・光源 技術全集 第 5 章 第 8 節 pp. 325-333, 2008 年 2 月
・ 木村 睦シミュレーション, 人工網膜
シーエムシー出版 低温ポリシリコン薄膜トランジスタの開発 －システムオンパネルをめざして－ 第Ⅲ編 第 1章 pp. 267-280, 第Ⅴ編 第 1 章 pp. 321-330, 2007 年 2 月
・ 木村 睦
薄膜トランジスタ駆動の有機 EL ディスプレイ - 大画面化・高精細化・高効率化・長寿命化・高画質化 工業調査会 図解 電子ディスプレイのすべて 第 5 章 pp. 250-253, 2006 年 10 月
・ 木村 睦アクティブ型有機 EL ディスプレイの駆動技術
プレスジャーナル 06～07 フラットパネルディスプレイ製造プロセス技術＆プロダクトデータ 第 3 編 第 1 章 第 3
節, 2006 年 6 月
・ 木村 睦
TFT-OLED の素子劣化の補償駆動
Digital Multimedia Solution, Display Asia, pp. 55-63, 2006 年 3 月
・ 木村 睦
TFT-OLED の素子劣化の補償駆動
テクノタイムス 月刊ディスプレイ 特集 2 pp. 63-71, 2006 年 1 月
・ 木村 睦ポリシリコン薄膜トランジスタ駆動の有機 EL ディスプレイ
シーエムシー出版 有機 EL 材料技術 第 3 章 pp. 80-91, 2004 年 5 月
・ 木村 睦新しい情報処理システム？
龍谷理工ジャーナル Vol 15-3 2003 pp. 59-64, 2004 年 1 月
・ 木村 睦低温 poly-Si 薄膜トランジスタ駆動発光ポリマーディスプレイ
工業調査会 液晶ディスプレイ技術 2001 年 （電子材料 2001 年 7 月号別冊） 第 3 章

64

・ 下田 達也, 木村 睦
アクティブ型有機 EL ディスプレイ
電子ジャーナル 2001 FPD テクノロジー大全 （Electronic Journal 別冊） 第 3 部 第 1 編 第 3 章 pp. 682-697,
2000 年 10 月

概説 30 件・ 木村 睦回路・デバイス・境界技術領域委員会 －ハイコスパ運営－
IEICE, The Electronics Society, News Letter, No. 175, pp. 6-7, Oct. 2019・ 小林 亮太, 三宅 陽一郎, 木村 睦, 市瀬 龍太郎
特集「マテリアルズインフォマティクス」にあたって
人工知能, 34 巻, 3 号, pp. 324, 2019 年 5 月
・ 木村 睦IDW '15 レポート
映像情報メディア学会誌, Vol. 70, No. 3, pp. 453-456, 2016 年 5 月
・ Mutsumi Kimura
Foreword, Special Section on Electronic Displays
IEICE Trans. Electron., Vol. E98-C, No. 11, pp. 999, Nov. 2015
・ 木村 睦CEATEC JAPAN 2014 連携企画 電子ディスプレイシンポジウム 「これからのディスプレイ材料」
IEICE, The Electronics Society, News Letter, No. 159, pp. 20, Jan. 2015
・ 木村 睦英文論誌 C 小特集 「電子ディスプレイ」
IEICE, The Electronics Society, News Letter, No. 159, pp. 13, Jan. 2015
・ Mutsumi Kimura
Foreword, Special Section on Electronic Displays
IEICE Trans. Electron., Vol. E97-C, No. 11, pp. 1041, Nov. 2014
・ 木村 睦
薄膜トランジスタの新規アプリケーション開発
IEICE, The Electronics Society, News Letter, No. 157, pp. 26, July 2014
・ 木村 睦アモルファス酸化物薄膜トランジスタの電気特性評価と新規アプリケーション提案
東京工業大学 応用セラミックス研究所 共同利用研究報告書 平成 25 年度, No. 18, pp. 154-156, 2014 年 6 月
・ 木村 睦アモルファス酸化物薄膜トランジスタの電気特性評価
東京工業大学 応用セラミックス研究所 共同利用研究報告書 平成 24 年度, No. 17, pp. 127-129, 2013 年 6 月
・ 木村 睦電子ディスプレイの研究開発
IEICE, The Electronics Society, News Letter, No. 153, pp. 10-11, July, 2013
・ 木村 睦アモルファス酸化物薄膜トランジスタの電気特性評価
東京工業大学 応用セラミックス研究所 共同利用研究報告書 平成 23 年度, No. 16, pp. 138-140, 2012 年 6 月
・ 木村 睦IDW '11
映像情報メディア学会誌, 第 66 巻, 第 4 号, pp. 272-274, 2012 年 4 月
・ 木村 睦アモルファス酸化物薄膜トランジスタの欠陥構造解析と高性能化による実用化研究
東京工業大学 応用セラミックス研究所 共同利用研究報告書 平成 22 年度, No. 15, pp. 130-131, 2011 年 6 月
・ 木村 睦65

アモルファス酸化物薄膜トランジスタの欠陥構造解析と高性能化による実用化研究
Materials & Structures Laboratory, News Letter, No. 26, pp. 6, April, 2011・ 木村 睦
薄膜トランジスタのフォトデバイス応用
応用物理, 第 79 巻, 第 11 号, pp. 988-992, 2010 年 11 月
・ 木村 睦アモルファス酸化物薄膜トランジスタの欠陥構造解析と高性能化による実用化研究
東京工業大学 応用セラミックス研究所 共同利用研究報告書 平成 21 年度, No. 14, pp. 98-100, 2010 年 6 月
・ 木村 睦インテリジェント薄膜トランジスタ
映像情報メディア学会誌, 第 63 巻, 第 10 号, pp. 1376-1377, 2009 年 10 月
・ 木村 睦アモルファス酸化物薄膜トランジスタの欠陥構造解析と高性能化による実用化研究
東京工業大学 応用セラミックス研究所 共同利用研究報告書 平成 20 年度, No. 13, pp. 121-122, 2009 年 6 月
・ 土屋 敏章, 木村 睦, 中川 謙一, 野口 隆
ぶらっくぼーど 第 15 回アクティブマトリックスフラットパネルディスプレイ国際会議（AM-FPD '08）報告
応用物理, 第 77 巻, 第 9 号, pp. 1122, 2008 年 9 月
・ 木村 睦アモルファス酸化物薄膜トランジスタの欠陥構造解析と高性能化による実用化研究
東京工業大学 応用セラミックス研究所 共同利用研究報告書 平成 19 年度, No. 12, pp. 132-133, 2008 年 4 月
・ 木村 睦, 西崎 仁貴
薄膜デバイスによる人工網膜
シーエムシー出版 バイオインダストリー, FEB. 2 2008, pp. 76-81, 2008 年 1 月
・ 木村 睦, 内海 夕香
ぶらっくぼーど 第 14 回アクティブマトリクスフラットパネルディスプレイ国際会議（AM-FPD '07）報告
応用物理, 第 76 巻, 第 9 号, pp. 1061, 2007 年 9 月
・ 木村 睦, 内海 夕香
ぶらっくぼーど AM-FPD '06 国際会議報告
応用物理, 第 75 巻, 第 9 号, pp. 1156, 2006 年 9 月
・ 薄膜材料デバイス研究会組織委員会
ぶらっくぼーど 薄膜材料デバイス研究会 第 2 回研究集会報告
応用物理, 第 75 巻, 第 2 号, pp. 235, 2005 年 2 月
・ 薄膜材料デバイス研究会組織委員会
ぶらっくぼーど 薄膜材料デバイス研究会報告
応用物理, 第 74 巻, 第 2 号, pp. 235, 2005 年 2 月
・ 木村 睦ぶらっくぼーど AM-LCD '04 国際ワークショップ報告
応用物理, 第 73 巻, 第 11 号, pp. 1457, 2004 年 11 月
・ 木村 睦
会議速報 AM-LCD '04 報告
電子材料, Vol. 43, No. 11, pp. 92-93, 2004 年 11 月
・ 下田 達也, 木村 睦
ぶらっくぼーど AM-LCD '03 国際ワークショップ報告
応用物理, 第 72 巻, 第 12 号, pp. 1552, 2003 年 12 月
・ 浜田 弘喜, 木村 睦
ぶらっくぼーど AM-LCD '02 国際ワークショップ報告
応用物理, 第 71 巻, 第 10 号, pp. 1291, 2002 年 10 月

寄稿 1 件66

・ 小川 功人
SID 日本支部 学生支援制度を受けて IDW '17 に参加して
SID Japan Chapter Newsletter, to be published

学位
博士（理学）
Mutsumi KImura
Study on Neuromorphic Systems using Thin-Film Devices
Graduate School of Information Science, Nara Institute of Science and Technology, NAIST-IS-DD1561010, Jan.
2018

博士（工学）
Mutsumi KImura
Development of Device, Circuit and Liquid-Crystal Simulators for Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors
and Their Applications
Tokyo University of Agriculture and Technology, June 2001

修士
木村 睦, 木村 恭之, 渡辺 裕文, 石井 慶之
フォイル透過水素原子の量子ビート観測による励起状態に関する研究
京都大学, 1991 年 3 月

学士
木村 睦, 瀬口 正紀, 吉田 靖, 石井 慶之
励起寿命測定におけるカスケード効果の直線偏光観測による低減方法
京都大学, 1989 年 3 月

特許
日本国特許 187 件[龍谷大学在職中] （2018 年 05 月 02 日現在）
・ 特願 2017-202437, メモリスタ及びそれを用いたニューラルネットワーク
・ 特願 2015-207458 計測装置
・ 特願 2015-130812 温度センサー
・ 特願 2015-130598 磁気抵抗素子及び電子デバイス・ 特願 2014-147074 磁場センサー
・ 特願 2014-083432 アクチュエーター装置、触覚ディスプレイ、および駆動方法
・ 特願 2014-075152 発振回路、計測装置、半導体装置、電気光学装置、及び電子機器
・ 特願 2014-031470 アクチュエーター装置、触覚ディスプレイ、および駆動方法
・ 特願 2013-242680 電界効果型トランジスタ、発振回路、ドライバ回路、半導体装置及び電界効果型トランジスタの製造方法
・ 特願 2013-231118 半導体装置の製造方法
・ 特願 2013-192659 発振回路、計測装置、半導体装置、電気光学装置、及び電子機器
・ 特願 2012-181426 評価方法、半導体装置、電気光学装置、及び電子機器
・ 特願 2012-029175 温度センサー及び電気光学装置
・ 特願 2012-029174 温度センサー及び温度計測方法、電気光学装置
・ 特願 2011-200040 薄膜トランジスタ、及びそれを用いた最大印加電圧検出センサ及び照射光履歴センサ
・ 特願 2011-149160 電源回路
・ 特願 2011-099227 温度計測方法
・ 特願 2011-099226 温度センサ
・ 特願 2011-099225 温度センサ
・ 特願 2011-040458 発光装置用信号処理回路
・ 特願 2009-257242 アクチュエーター

67

・ 特願 2009-249022 温度センサ及び温度検出方法
・ 特願 2009-150769 半導体装置
・ 特願 2008-272004 センサ装置
・ 特願 2008-253423 磁場センサ
・ 特願 2008-158134 磁気光学空間光変調器
・ 特願 2008-158084 磁気光学空間光変調器の製造方法
・ 特願 2008-128621 人工網膜・ 特願 2008-107489 拡大読書器
・ 特願 2007-080290 半導体素子，半導体装置および電子機器
・ 特願 2007-190591 ニューラルネットワーク
・ 特願 2007-033100 表示装置、表示装置の駆動方法及びプログラム
・ 特願 2006-262746 人工網膜およびその製造方法
・ 特願 2006-211850 電子装置
・ 特願 2006-142424 センサ装置及びデータ検出方法
・ 特願 2006-042191 非線形素子の電流電圧特性のフィティング方法及び電子回路
・ 特願 2005-348902 有機 EL 装置および有機 EL 装置の製造方法ならびに電子機器
・ 特願 2005-195810 画素配列構造・ 特願 2005-102553 有機 EL 装置及びその製造方法並びに電子機器
・ 特願 2005-102552 有機 EL 装置及びその製造方法並びに電子機器
・ 特願 2004-333382 薄膜デバイス、薄膜デバイスの製造方法、集積回路、マトリクス装置、電子機器
・ 特願 2004-333374 薄膜デバイス、薄膜デバイスの製造方法、集積回路、マトリクス装置、電子機器
・ 特願 2004-279305 電気光学装置及び電子機器
・ 特願 2004-277332 電気光学装置の製造方法及び電子機器
・ 特願 2004-277322 電気光学装置及び電子機器
・ 特願 2004-234610 人工網膜及びその製造方法
・ 特願 2004-005466 電気光学装置及び電子機器
・ 特願 2003-376124 トランジスタの評価方法
・ 特願 2003-369058 電流生成回路、電気光学装置及び電子機器
・ 特願 2003-367501 電気光学装置の駆動方法、電気光学装置及び電子機器[セイコーエプソン在職中] （2004 年 10 月現在）
・ 特開 2004-296353 電気光学装置及びその製造方法並びに表示装置
・ 特開 2004-281424 薄膜素子の製造方法、薄膜トランジスタ回路、アクティブマトリクス型表示装置、電気光学装置、電子機器
・ 特開 2004-272293 電気光学装置
・ 特開 2004-253375 有機半導体膜の形成方法、及び発光素子の製造方法
・ 特開 2004-235241 薄膜トランジスタ型表示装置、薄膜素子の製造方法、薄膜トランジスタ回路基板、電気光学装置および電子・ 特開 2004-235238 薄膜素子の製造方法、薄膜トランジスタ回路、アクティブマトリクス型表示装置、電気光学装置および電子機
・ 特開 2004-233444 アクティブマトリクス型表示装置および薄膜トランジスタ型表示装置
・ 特開 2004-228374 デバイスの製造方法とデバイス、電気光学装置、及び電子機器
・ 特開 2004-214546 トランジスタの製造方法、トランジスタ、半導体集積回路、表示装置
・ 特開 2004-145011 配線基板、回路基板、電気光学装置及びその製造方法、電子機器
・ 特開 2004-139091 表示装置
・ 特開 2004-133047 回路基板及びその製造方法、転写チップ、転写元基板、電気光学装置、電子機器
・ 特開 2004-126559 トランジスタ回路、アレイ基板、表示パネル及び電子機器
・ 特開 2004-119725 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、転写チップ、転写元基板、電子機器
・ 特開 2004-111356 発光装置及びその製造方法
・ 特開 2004-095671 薄膜トランジスタ、スイッチング回路、アクティブ素子基板、電気光学装置、電子機器、サーマルヘッド、液滴・ 特開 2004-062199 トランジスタ回路、アレイ基板、表示パネル及び電子機器
・ 特開 2004-062183 表示装置
・ 特開 2004-062180 表示装置

68

・ 特開 2004-062179 表示装置
・ 特開 2004-054261 発光表示装置
・ 特開 2004-054260 発光表示装置及びその製造方法
・ 特開 2004-047494 発光表示装置
・ 特開 2004-039690 半導体素子
・ 特開 2004-038210 表示装置及び電子機器
・ 特開 2004-038209 表示装置及び電子機器
・ 特開 2004-031356 表示装置
・ 特開 2004-006755 半導体デバイスシミュレーション方法、半導体素子及びその製造方法、回路基板、電気光学装置、並びに電・ 特開 2004-006724 半導体装置およびその製造方法、電気光学装置、液晶表示装置、電子機器
・ 特開 2004-004911 表示装置
・ 特開 2004-004910 表示装置
・ 特開 2003-318407 トランジスタ、アクティブ素子基板、電気光学装置、及びその電気光学装置を搭載した電子機器、並びにトラ・ 特開 2003-298029 剥離転写装置、剥離転写方法、半導体装置及びＩＣカード
・ 特開 2003-298006 半導体装置および電気光学装置
・ 特開 2003-297974 半導体装置、電気光学装置および半導体装置の製造方法
・ 特開 2003-295783 半導体装置及びその製造方法
・ 特開 2003-241676 表示素子の製造方法及び表示素子用基板の製造方法
・ 特開 2003-234195 表示素子
・ 特開 2003-178874 表示素子の製造方法
・ 特開 2003-178873 表示素子の製造方法
・ 特開 2003-110114 半導体素子のデバイスシミュレーション方法及びこれを用いた半導体素子
・ 特開 2003-110113 半導体素子のデバイスシミュレーション方法及び半導体素子
・ 特開 2003-110112 デバイスシミュレーション方法及び半導体素子
・ 特開 2003-110111 半導体デバイスシミュレーション方法及び半導体素子
・ 特開 2003-086806 薄膜トランジスタ解析方法、回路シミュレーション方法及び薄膜トランジスタ・ 特開 2003-069032 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法
・ 特開 2003-015548 有機ＥＬ表示体の製造方法、半導体素子の配置方法、半導体装置の製造方法、電気光学装置の製造方法
・ 特開 2002-323867 電気光学装置、電気光学装置の駆動方法、電子機器、及び電子機器の駆動方法
・ 特開 2002-319683 半導体装置、回路基板、電気光学装置、及び電子機器
・ 特開 2002-311924 表示装置、表示装置の駆動方法、電気光学装置、電気光学装置の駆動方法、及び電子機器
・ 特開 2002-237597 半導体装置の評価方法、半導体装置、半導体装置の製造方法、電気光学装置、及び電気光学装置の製造
・ 特開 2002-175048 電気光学装置の駆動方法及び電気光学装置及び電子機器
・ 特開 2002-175047 電気光学装置の駆動方法及び電気光学装置及び電子機器
・ 特開 2002-026327 分割体の作製方法
・ 特開 2002-020893 電着材料及び電着塗膜形成方法並びにそれを用いた摺動機器
・ 特開 2002-009300 回路シミュレータ用トランジスタモデル
・ 特開 2001-332383 有機ＥＬ表示体の製造方法、半導体素子の配置方法、半導体装置の製造方法
・ 特開 2001-217421 薄膜トランジスタ・ 特開 2001-210825 多結晶薄膜トランジスタ・ 特開 2001-196434 トランジスタの評価方法
・ 特開 2001-194667 液晶表示装置
・ 特開 2001-184015 表示装置の駆動方法
・ 特開 2001-156183 記憶装置
・ 特開 2001-135825 デバイスシミュレーション方法
・ 特開 2001-126867 表示装置の製造方法
・ 特開 2001-125526 表示装置
・ 特開 2001-092384 表示装置
・ 特開 2001-043971 有機電界発光素子及びその製造方法並びに表示パネル

69

・ 特開 2001-042790 表示装置
・ 特開 2001-034231 ＥＬ表示装置
・ 特開 2000-357735 半導体装置、電気光学装置及び半導体装置の製造方法
・ 特開 2000-357584 発光素子用回路基板、電子機器および表示装置
・ 特開 2000-356963 表示装置、回路基板、回路基板の製造方法
・ 特開 2000-294789 薄膜トランジスタ・ 特開 2000-294785 薄膜トランジスタ・ 特開 2000-284752 表示装置
・ 特開 2000-284727 表示装置
・ 特開 2000-277742 薄膜トランジスタ・ 特開 2000-260993 薄膜トランジスタ・ 特開 2000-260992 薄膜トランジスタ・ 特開 2000-243971 デバイスシミュレーション方法
・ 特開 2000-162990 表示装置の作製方法
・ 特開 2000-162642 表示装置の作製方法
・ 特開 2000-162585 液晶表示装置
・ 特開 2000-162575 液晶表示システムおよびそれに用いる液晶表示装置
・ 特開 2000-133807 多結晶シリコン薄膜トランジスタ・ 特開 2000-098919 表示装置
・ 特開平 11-326868 液晶表示装置
・ 特開平 11-282894 半導体素子の電流電圧特性の補外方法および電子回路
・ 特開平 11-274506 半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子および表示装置
・ 特開平 11-272233 トランジスタ回路、表示パネル及び電子機器
・ 特開平 11-260926 半導体素子の電流電圧特性のフィッティング方法および電子回路
・ 特開平 11-177409 レベルシフト回路、これを用いた信号ドライバおよび表示装置ならびに半導体装置
・ 特開平 11-077997 インクジェットプリンタヘッド
・ 特開平 11-073158 表示素子
・ 特開平 11-055122 デジタル－アナログ変換器、回路基板、電子機器及び液晶表示装置
・ 特開平 11-017546 分圧回路、Ｄ／Ａ変換器、回路基板、電子機器及び液晶表示装置
・ 特開平 10-291309 インクジェットプリンタヘッド
・ 特開平 10-228015 表示装置及びその製造方法
・ 特開平 10-154814 アクティブマトリクス基板およびその製造方法
・ 特開平 10-055376 アクティブマトリクス型表示パネルの回路シミュレーション方法、およびこのシミュレーション方法を用いて設計
・ 特開平 10-055353 数値計算解法における境界条件の設定方法
・ 特開平 10-011032 信号線プリチャージ方法，信号線プリチャージ回路，液晶パネル用基板および液晶表示装置
・ 特開平 10-010575 薄膜トランジスタ液晶表示装置、薄膜トランジスタ液晶表示装置の設計方法、および薄膜トランジスタ液晶表・ 特開平 09-326701 Ｄ／Ａ変換器，Ｄ／Ａ変換器の設計方法，液晶パネル用基板および液晶表示装置
・ 特開平 09-275344 Ｄ／Ａ変換器、Ｄ／Ａ変換方法、液晶パネル用基板及び液晶表示装置
・ 特開平 09-245078 逐次代入法の初期近似値の選定法およびこの逐次代入法を用いて設計された液晶表示装置[松下電器産業在職中] （2004 年 10 月現在）
・ 特開平 09-222597 直視型薄膜トランジスタ液晶表示装置
・ 特開平 09-218389 薄膜トランジスタ液晶表示素子の駆動方法
・ 特開平 09-113933 薄膜トランジスタ液晶表示素子
・ 特開平 09-113910 離散計算方法
・ 特開平 09-068720 薄膜トランジスタ液晶表示素子およびその駆動法
・ 特開平 09-061855 液晶表示装置
・ 特開平 09-061786 液晶表示装置およびその駆動法
・ 特開平 08-179371 薄膜トランジスタ液晶表示装置およびその駆動法
・ 特開平 08-179370 薄膜トランジスタ液晶表示装置およびその駆動法

70

・ 特開平 08-179369 薄膜トランジスタ液晶表示装置およびその駆動法
・ 特開平 08-146863 電子テスト装置
・ 特開平 08-043794 アクティブマトリクス型表示装置の駆動方法
・ 特開平 08-008432 薄膜トランジスタ・ 特開平 07-318896 アクティブマトリクス型表示装置の駆動方法
・ 特開平 07-159808 薄膜トランジスタ素子
・ 特開平 06-324305 アクティブマトリクス型表示装置およびその駆動方法
・ 特開平 06-308611 光源装置
・ 特開平 06-186530 アクティブマトリクス液晶パネル及び駆動方法
・ 特開平 06-149186 アクティブマトリクス型液晶表示装置の駆動法
・ 特開平 06-148675 アクティブマトリクス型液晶表示装置
・ 特開平 06-018932 液晶表示装置
・ 特開平 06-018870 投写型表示装置
・ 特開平 05-323370 アクティブマトリックス型液晶表示素子
・ 特表 2002-504717 エレクトロルミネッセントデバイス
・ 再表 98/040871 電流駆動型発光素子を備えた画素回路、表示装置及び電子機器
・ 再表 98/036407 表示装置
・ 再表 98/036406 電流駆動型発光表示装置及びその製造方法
・ 再表 98/036405 電流駆動型発光表示装置及びその駆動方法並びにその製造方法
・ 再表 98/013811 表示装置
・ 再表 98/012689 マトリクス型表示素子及びその製造方法

外国特許 168 件 （2010 年 9 月 27 日現在）

委員
学会
・ 電子情報通信学会 電子ディスプレイ研究専門委員会委員長, 20132015
副委員長, 20162017
・ 電子情報通信学会 回路・デバイス・境界技術領域委員会
委員長, 2019
副委員長, 2018
・ 応用物理学会 機関誌企画・編集委員
委員, 2018
・ 電子情報通信学会 コンピュータシステム研究専門委員会
委員, 2017
・ IEEE Electron Devices Society Kansai Chapter
Technical Committee, 2009
・ SID 日本支部支部長, 2019
副支部長, 20172018
公的組織
・ 滋賀県産業支援プラザ 理事, 2019
・ 新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO） ディスプレイ分野の技術戦略マップの策定に関する検討、および、市場・技術開発動向等に関する調査 技術ロードマップ策定委員会 委員, 20142015
・ 新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO） 次世代大型低消費電力液晶ディスプレイ基盤技術開発
NEDO 技術委員, 2012
・ 特許庁 平成 21 年度 特許出願技術動向調査 有機 EL 表示装置の駆動技術
委員, 2009

71

・ 文部科学省 ナノテクノロジー・材料を中心とした融合振興分野研究開発・産学官連携型 超高密度情報メモリの開発 ナノ構造磁性フォトニック結晶を用いた超光情報メモリ
運営委員, 20062010
・ 新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO） 極低電力情報端末用 LSI の研究開発
委員, 20002002
論文誌編集委員
・ IEICE Transactions, Electronics, Editor
・ Jpn. J. Appl. Phys. (JJAP), Special Issue: Active-Matrix Liquid-Crystal Displays (AM-FPD), Editor
・ IEICE Transactions, Special Section on Electronic Displays, Guest Editor-in-Chief
・ J. SID (JSID), Special Section Based on Presentations from the 18th International Display Workshops (IDW '11),
Editor
国際会議
・ International Display Workshops (IDW) （2000 人規模の国際会議）
中長期計画検討委員会委員長, 2017
General Chair, 2016
Organizing Committee, 2011
Program Chair, 2011, 2015
Program Vice-Chair, 2014
Program Secretary, 20092010, 2013
Exhibition Chair, 2006
Senior member, 2012
Program Committee, 20092010
AMD Workshop Chair, 20072008
AMD Workshop Program Chair, 20092010
AMD Workshop Program Vice-Chair, 20052006
AMD Workshop, 20042010, 2012
・ International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD) （200 人規模の国際会議）
Executive Committee, 20032009
Steering Committee, 2002
Program Chair, 2004, 2007
Program Vice-Chair, 20022003, 20082012
Program Committee, 20022012
・ International Meeting on Information Display (IMID) （2000 人規模の国際会議）
Program Committee, 2006
・ International Display Manufacturing Conference (IDMC) （1000 人規模の国際会議）
Program Committee, 2006
・ International Thin Film Transistors Conference (ITC) （100 人規模の国際会議）
Program Committee, 2009
・ International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK) （100 人規模の国際会議）
General Chair, 2017
Program Committee, 2009
・ International Electron Devices Meeting (IEDM)
Detectors, Sensors and Display Subcommittee, 20012002
・ 2017 International Symposium on Nonlinear Theory and its Applications, (NOLTA 2017) （2000 人規模の国際会
議）Special Session, Neuromorphic Hardwar, Organizer
国内研究会
・ 薄膜材料デバイス研究会 （200 人規模の国内会議）

72

組織委員, 2004
プログラム委員長, 2005, 2013
会場委員長, 2005, 2007, 2009
展示委員長, 2007
募金委員長, 20042005

会員
・ Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
Member, 2010
Senior Member, 2011
・ Society for Information Display (SID)
Member, 1998
Senior Member, 2012
・ 電子情報通信学会 (EIC)
正員, 2000
シニア会員, 2014
・ 応用物理学会 (JSAP)正会員, 1999

TV・新聞・雑誌など
・ Mutsumi Kimura
Report about Eye Prosthesis and Eyesight Reparation : New Technologies and Experiments
Russian Petersburg 5, To be broadcasted
・ 木村 睦通過の電荷記憶 抵抗変化 ガリウム・スズ酸化物 非晶質薄膜の特性発見
日刊工業新聞 2019 年 2 月 27 日, 2019 年 2 月
・ 木村 睦文字を拡大 高精度表示
毎日新聞 2017 年 7 月 30 日 ラボ便り, 2017 年 7 月
・ 木村 睦広い範囲、高精度に読み取り 拡大読書器応用へ 龍大教授ら開発
京都新聞 2017 年 7 月 11 日, 2017 年 7 月
・ 木村睦・松田研究室
無機蛍光体
大阪市立科学館 光とあかり展, 2015 年 10 月
・ 木村 睦NEDO におけるディスプレイ分野のロードマップ フレキシブル・透明ディスプレイ
日刊工業新聞 2015 年 5 月 18 日, pp. 12, 2015 年 5 月
・ 木村 睦
薄膜トランジスタの可能性を、生体模倣技術分野に応用し医療や社会の現場に生かす
龍谷大学 REC 産官学連携通信 Vol. 1, pp. 9-10, 2009 年 6 月
・ 木村 睦
薄膜トランジスタで人工網膜や人間の脳に近づくコンピュータ開発をめざす
龍谷 No. 66, pp. 26-27, 2008 年 9 月 26 日
・ 木村 睦不可能を可能にする医学！2008 最新版 アナタの知っている治療法はもう古い！？
日本テレビ 世界一受けたい授業 2008 年 3 月 15 日
・ 木村 睦ディスプレイ技術を人工網膜へ73

ニュートンプレス ニュートン 2007 年 12 月号, pp. 15, 2007 年 10 月
・ 木村 睦
人工網膜、曲面に作製可能
日本経済新聞 2007 年 9 月 7 日

表彰
外部・ 令和元年度（第 17 回） 学生ビジネスプランコンテスト 優秀賞
岩本 淳, 新谷 隆太, 池田 裕哉
令和元年度（第 17 回） 学生ビジネスプランコンテスト, 2020 年 1 月
・ Best of the International Conference on Display Technology (ICDT) 2019
Mutsumi Kimura and Shinpei Kurisu
Sensor Applications of Thin-Film Devices
ICDT 2019, Mar. 2019
・ APEX / JJAP Editorial Contribution Award
Mutsumi Kimura
The Japan Society of Applied Physics, Mar. 2019・ ベストペーパーアワード, 薄膜材料デバイス研究会 第 15 回研究集会
冨岡 圭佑, 豊田 航平, 三澤 慶悟, 木村 睦
無線電力伝送を用いた LTPS-TFT 人工網膜の生体環境刺激実験
薄膜材料デバイス研究会 第 15 回研究集会, pp. 127-129, 2018 年 11 月
・ 日本熱電学会 学術講演会 優秀講演賞
梅田 鉄馬, 上沼 睦典, 藤本 裕太, 石河 泰明, 木村 睦, 浦岡 行治, 足立 秀明
透明半導体を用いた薄膜熱電変換素子
第 15 回日本熱電学会 2018, S3B7-p90, 2018 年 9 月
・ 研究会推薦 博士論文速報
Mutsumi Kimura
Study on Neuromorphic Systems using Thin-Film Devices
情報処理, Vol. 59, No. 9, pp. 834, Sep. 2018
・ IEEE EDS Kansai Chapter MFSK Award
Katsuya Kito, Hisashi Hayashi, Shuhei Kitajima, Tokiyoshi Matsuda, and Mutsumi Kimura
Temperature and Illuminance Detections by Hybrid-type Carrier-Generation Sensors using n-type and p-type
Poly-Si TFTs
IEEE Electron Devices Society Kansai Chapter 第 16 回 関西コロキアム電子デバイスワークショップ, 2017 年 1
月
・ 電子情報通信学会 コンピュータシステム研究会 2015 年度研究会優秀若手講演賞
亀田 友哉, 木村 睦, 中島 康彦
セルラニューラルネットワークのシミュレータ開発と評価
電子情報通信学会, CPSY2015-63, pp. 13-17, 2015 年 12 月
・ The 50 Most Downloaded Sensors Journal Papers (Two times)
Yuta Miura, Tomohisa Hachida, and Mutsumi Kimura
Artificial Retina Using Thin-Film Transistors Driven by Wireless Power Supply
IEEE Sensors J., Vol. 11, No. 7, pp. 1564-1567, July 2015
・ 平成 27 年 電子・情報・システム部門 技術委員会奨励賞
吉川 朗登, 松本 貴明, 宮村 祥吾, 志賀 春紀, 松田 時宜, 木村 睦, 小澤 徳郎, 青木 幸司, 郭 志徹
Poly-Si Hall 素子による磁場センサ －高電圧印加とオペアンプ回路による感度向上－
電気学会 発光型／非発光型ディスプレイ
・ EPL Presentation Award, ITC 2014
Takayuki Hasegawa, Masashi Inoue, Tokiyoshi Matsuda, Mutsumi Kimura, Kenji Nomura, Toshio Kamiya, and74

Hideo Hosono
3-D Stacked Complementary TFT Devices using n-type -IGZO and p-type F8T2 TFTs - Comparison ofPower Consumption ITC 2014 Oxide L1, pp. 85, Jan. 2014
・ IEEE EDS Kansai Chapter IMFEDK Student Paper Award, 2013 IMFEDK
Takayuki Kadonome, Atsushi Matsumura, Tsuyoshi Higashiyama, Shohei Oyama and Mutsumi Kimura
Retinal Prosthesis of Frequency Modulation using Thin-Film Photo Transistors
IMFEDK 2013, pp. 74-75, June 2013
・ Presidential Citation Award, Soceity for Information Display
Mutsumi Kimura
Exceptional Service as Program Chair of the 2011 (18th) International Display Workshops
June 2012
・ IEEE EDS Kansai Chapter IMFEDK Student Paper Award, 2012 IMFEDK
Masashi Inoue, Takayuki Hasegawa, Takashi Nakanishi, Mutsumi Kimura, Kenji Nomura, Toshio Kamiya, and Hideo
HosonoCharacteristic Shift of a CTFT Inverter using n-type IGZO and p-type F8T2 TFTs after Temperature andOperation Stresses
IMFEDK 2012, pp. 126-127, May 2012
・ Outstanding Poster Paper Awards, IDW '10
Hayami Hashimoto, Yohei Yamaguchi, Masaaki Hirako, Toshifumi Yamaoka, and Mutsumi Kimura
Evaluation of Hall Effect in Micro Poly-Si Hall Devices to Analyze Electron Transport in poly-Si films
IDW '10, pp. 777-778, Dec. 2010
・ 2010 年度 応用セラミックス研究所長賞 研究奨励部門
木村 睦
アモルファス酸化物薄膜トランジスタの欠陥構造解析と高性能化による実用化研究
2010 年 6 月 16 日
・ Outstanding Poster Paper Awards, IDW ’09
Takayuki Hasegawa, Takashi Nakanishi, Mariko Sakemi, Mutsumi Kimura, Kenji Nomura, Toshio Kamiya, Hideo
Hosono, Takashi Aoki, Takeo Kawase, and Satoshi Inoue
Characteristic Comparison between Complementary Inverter using Amorphous Oxide TFT and Polymer Organic
TFT and N-type Inverter using Amorphous Oxide TFTs
IDW '09, pp. 1823-1824, Dec. 2009
・ Outstanding Poster Paper Awards, IDW ’07
Mutsumi Kimura and Takuya Tsujino
Determination of Capture Cross-Section of Trap States from On- and Off-Current Characteristic for Poly-Si
TFTs
IDW '07, Vol. 1, pp. 1841-1844, Dec. 2007
・ ベストペーパーアワード, 薄膜材料デバイス研究会 第 4 回研究集会
笠川 知洋, 小野寺 亮, 小嶋 明樹, 木村 睦, 原 弘幸, 井上 聡
Poly-Si TFT によるデバイスレベルのニューラルネットワーク
薄膜材料デバイス研究会 第 4 回研究集会, pp. 63-66, 2007 年 11 月
・ AM-LCD '05 Best Paper Award, AM-LCD '05
Mutsumi Kimura, Takehiro Shima, Tomoyuki Okuyama, Sumio Utsunomiya, Wakao Miyazawa, Satoshi Inoue, andTatsuya Shimoda
Artificial Retina using Thin-Film Transistors
AM-LCD '05, pp. 323-326, July 2005
・ Outstanding Poster Paper Awards, Asia Display / IDW ’01
Mutsumi Kimura, O. K. Basil Lui, William French, Itaru Kamohara, Satoshi Inoue, Tatsuya Shimoda, and Piero
Migliorato

75

Development of Poly-Si TFT Models for Device Simulation: In-Plane Trap Model and Thermionic Emission Model
Asia Display / IDW '01, pp. 423-426, Oct. 2001

共著者・指導者・ AM-FPD ‘08 Student Paper Award, AM-FPD ‘08, July 2008
Mami Fujii, Hiroshi Yano, Tomoaki Hatayama, Yukiharu Uraoka, Takashi Fuyuki, Ji Sim Jung, Jang Yeon Kwon,
Takashi Nakanishi, and Mutsumi Kimura
Degradation in Ga2O3-In2O3-ZnO Thin Film Transistors under Constant Voltage Stress
AM-FPD '08, pp. 295-298, July 2008

内部・ 龍谷大学 科学技術共同研究センター優秀研究プロジェクト
木村 睦, 石崎 俊雄, 太田 淳, 寺澤 靖雄
薄膜デバイスを用いた完全埋込型の人工網膜・ 龍谷大学 知的財産センター 2011 年度発明功労奨励賞, 2012 年 1 月
木村 睦・ セイコーエプソン 社長表彰 優秀開発研究賞 I 級, 2001 年 6 月
第一研究グループ
低温 poly-Si TFT 発行ポリマーディスプレイの開発
・ セイコーエプソン 優秀発明賞, 2001 年 6 月
木村 睦エレクトロルミネセンス表示装置
特願平 H11-094345
・ セイコーエプソン 優秀開発研究賞 III 級, 1999 年 5 月
木村睦
TFT 回路シミュレータの開発
・ セイコーエプソン 優秀発明賞, 1999 年 5 月
木村睦
表示装置
特願平 10-531360
・ セイコーエプソン 優秀発明賞, 1998 年 5 月
木村睦
D/A 変換器及び液晶表示装置
特願平 08-220616

そのほか
・ 感謝状, IDW ’06, Jan. 2007
・ 新竹市企業経理協進 特頒比状 敬表謝枕 感謝状, 2005 年 2 月

競争的資金
外部
・ 広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所生体医歯工学共同研究プロジェクト
名称 ： 薄膜デバイスを用いた人工網膜の研究
期間 ： 2019 年度
金額 ： 100,000 円
・ 科学研究費補助金 基盤研究(C)
名称 ： 単一アナログデバイスと局所的学習則を用いるリアルニューロモーフィックシステム
期間 ： 2019～2021 年度
金額 ： 3,300,000 円 （全体額）
・ 東京工業大学科学技術創成研究院フロンティア材料研究所共同利用研究
名称 ： アモルファス酸化物半導体の電子構造解析と新規応用提案76期間 ： 2018～2019 年度
金額 ： 280,000 円
・ 東北大学電気通信研究所共同プロジェクト
名称 ： 薄膜デバイスを用いた脳型集積システム
期間 ： 2018～2019 年度
金額 ： 756,000 円
・ 電気通信普及財団 研究調査助成
名称 ： 脳型集積システムのためのＧＴＯメモリスタ
期間 ： 2018～2019 年度
金額 ： 3,500,000 円
・ 受託研究 （FLOSFIA）
名称 ： ミストドライ法を用いた新規デバイスの基礎技術開発
期間 ： 2018～2019 年度
金額 ： 300,000 円
・ 受託研究 （LG Electronics）
名称 ： Research on the crystallization by laser annealing using simulation
期間 ： 2018～2019 年度
金額 ： 2,160,000 円
・ 受託研究 （ローム）
名称 ： 超低消費電⼒を実現するアナログニューラルネットワークＬＳＩ向け記憶素子の研究
期間 ： 2018～2019 年度
金額 ： 2,160,000 円
・ 技術指導 （Apple）
名称 ： Apple 技術試作サンプルの大学による評価
期間 ： 2018～2019 年度
金額 ： 2,160,000 円
・ SCAT 研究費助成
名称 ： アナログセルラニューラルネットワークを用いた脳型集積システム
期間 ： 2017～2019 年度
金額 ： 2,500,000 円
・ 矢崎科学技術振興記念財団 研究助成
名称 ： セルラニューラルネットワークの超低消費電力化を目指したキャパシタ型シナプスの研究
期間 ： 2017～2019 年度
金額 ： 2,000,000 円
・ 受託研究 （KOA）
名称 ： 抵抗薄膜の評価・解析、及びその応用に関する研究
期間 ： 2018 年度
金額 ： 800,000 円
・ 三菱財団助成
名称 ： 新規レアメタルフリー酸化物半導体 Ga-Sn-O の研究と薄膜トランジスタ・脳型集積システム・熱電素子への応用
期間 ： 2017～2018 年度
金額 ： 5,000,000 円
・ 科学研究費補助金 基盤研究(C) （分担研究者）
名称 ： 新規レアメタルフリー酸化物半導体を用いた機能性デバイス開発のための格子欠陥評価
期間 ： 2016 年度～2018 年度
金額 ： 5,000,000 円 （全体額）
・ 関西エネルギー・リサイクル科学研究振興財団 研究助成
名称 ： レアメタルフリー酸化物半導体 Ga-Sn-O の熱電効果の研究

77期間 ： 2017 年度
金額 ： 930,000 円
・ 東京工業大学科学技術創成研究院フロンティア材料研究所共同利用研究
名称 ： アモルファス酸化物半導体の新規応用提案
期間 ： 2017 年度
金額 ： 150,000 円
・ 受託研究 （ローム）
名称 ： 超低消費電⼒を実現する Si デバイスを用いたアナログニューラルネットワークＬＳＩ
期間 ： 2017 年度
金額 ： 2,160,000 円
・ 受託研究 （KOA）
名称 ： 抵抗薄膜の評価・解析、及びその応用に関する研究
期間 ： 2017 年度
金額 ： 500,000 円
・ 村田学術振興財団 研究者 海外派遣援助 （推薦者）
名称 ： NOLTA 2017, Fabrication of Resistive Device with Self-Repairing for Synaptic Device Application
期間 ： 2017 年度
金額 ： 200,000 円
・ JFE21 世紀財団 技術研究助成
名称 ： レアメタルフリー酸化物半導体 Ga-Sn-O の熱電効果の研究
期間 ： 2016 年度～2017 年度
金額 ： 2,000,000 円
・ 私立大学戦略的研究基盤形成支援事業 （分担研究者）
名称 ： 相界面のスマートデザインによる生体規範材料の創製
期間 ： 2013～2017 年度
金額 ： 8,820,000 円 （分担額）
・ ローム株式会社 2016 年度研究公募
名称 ： 超低消費電力を実現する薄膜プリンテッド積層デバイスによるアナログニューラルネットワーク LSI
期間 ： 2016 年度
金額 ： 2,000,000 円
・ 受託研究 （KOA）
名称 ： 抵抗薄膜の評価・解析、及びその応用に関する研究
期間 ： 2016 年度
金額 ： 500,000 円
・ 東京工業大学応用セラミックス研究所共同利用研究
名称 ： アモルファス酸化物半導体薄膜の磁気抵抗効果の解析
期間 ： 2015～2016 年度
金額 ： 315,000 円
・ 科学研究費補助金 挑戦的萌芽研究 （連携研究者）
名称 ： ロービジョン者の紙面書字活動を支援する新奇な拡大読書器の提案と開発
期間 ： 2014 年度～2016 年度
金額 ： 未定
・ 受託研究 （デンソー）
名称 ： 有機薄膜トランジスタのデバイスシミュレーション技術に関する研究
期間 ： 2015 年度
金額 ： 1,500,000 円
・ 受託研究 （セイコーエプソン）
名称 ： HTPS-TFT の評価解析活動
期間 ： 2014～2015 年度

78

金額 ： 500,000 円
・ 受託研究 （Huawei Technologies Japan）
名称 ： Research of Gesture Input for Near field
期間 ： 2014 年度～2015 年度
金額 ： 1,000,000 円
・ 受託研究 （日本エーユー・オプトロニクス）
名称 ： 2D Magnetic Field Sensor
期間 ： 2013～2015 年度
金額 ： 3,000,000 円
・ 奨学寄附金 （KOA）
期間 ： 2013～2015 年度
金額 ： 800,000 円
・ 東京工業大学応用セラミックス研究所共同利用研究
名称 ： アモルファス酸化物薄膜トランジスタの電気特性評価と新規アプリケーション提案
期間 ： 2013 年度～2014 年度
金額 ： 180,000 円
・ 受託研究 （出光興産）
名称 ： 酸化インジウム系半導体デバイスの特性評価
期間 ： 2013 年度
金額 ： 500,000 円
・ 受託研究 （日本ゼオン）
名称 ： 有機パッシベーション膜を用いた IGZO-TFT の劣化機構の解明と評価法（TFT 作成）の開発
期間 ： 2013 年度
金額 ： 500,000 円
・ 研究成果展開事業 研究成果最適展開支援プログラム A-STEP フィージビリティスタディステージ 探索タイプ
名称 ： 画像焼付現象を克服した超高画質有機 EL ディスプレイの実現
期間 ： 2012～2013 年度
金額 ： 1,700,000 円
・ 受託研究 （セイコーエプソン）
名称 ： 千歳 HTPS-TFT を中心とした評価解析活動
期間 ： 2012～2013 年度
金額 ： 500,000 円
・ 科学研究費補助金 基盤研究(B) （分担研究者）
名称 ： 次世代高性能ディスプレイの実現に向けた低温多結晶シリコン薄膜トランジスタ
期間 ： 2011 年度～2013 年度
金額 ： 1,500,000 円 （分担額）
・ 科学研究費補助金 基盤研究(C) （分担研究者）
名称 ： 酸化亜鉛透明トランジスタと積層式色分離型光電変換素子からなる光デバイスの創成
期間 ： 2011 年度～2013 年度
金額 ： 1,040,000 円 （分担額）
・ 共同研究（科学技術振興機構 戦略的創造研究推進事業 総括実施型研究 ERATO 下田ナノ液体プロセスプロ
ジェクト）
名称 ： Solution Process による酸化物 TFT の動作解析
期間 ： 2012 年度
金額 ： 0 円
・ 受託研究 （出光興産）
名称 ： 酸化インジウム系半導体デバイスの特性評価
期間 ： 2012 年度
金額 ： 0 円

79

・ 研究成果展開事業 研究成果最適展開支援プログラム A-STEP フィージビリティスタディステージ 探索タイプ
名称 ： 薄膜デバイスによる複合センサアレイの研究開発
期間 ： 2011～2012 年度
金額 ： 1,700,000 円
・ 受託研究 （セイコーエプソン）
名称 ： TFT の評価解析活動・新規用途の探索
期間 ： 2011～2012 年度
金額 ： 500,000 円
・ 受託研究 （日本ゼオン）
名称 ： CV 測定（QSCV）によるデバイス劣化機構解明（半導体：aSi 及び IGZO）
期間 ： 2011 年度～2012 年度
金額 ： 1,000,000 円
・ 受託研究 （奈良先端科学技術大学院大学 先端的研究連携事業）
名称 ： ナノインプリント技術によるエネルギー低消費社会の創成
期間 ： 2010～2012 年度
金額 ： 1,300,000 円
・ 新エネルギー・産業技術総合開発機構 イノベーション推進事業 産業技術実用化開発助成事業 （分担研究者）
名称 ： アナログ、液晶パネル回路向け高速シミュレーション・システム
期間 ： 2010～2012 年度
金額 ： 2,000,000 円 （分担額）
・ 東京工業大学応用セラミックス研究所共同利用研究
名称 ： アモルファス酸化物薄膜トランジスタの欠陥構造解析と高性能化による実用化研究
期間 ： 2006～2012 年度
金額 ： 595,000 円
・ 受託研究 （ジーダット）
名称 ： FPD の歩留まり解析手法検討
期間 ： 2011 年度
金額 ： 1,980,000 円
・ 東京工業大学 応用セラミックス研究所長賞 研究奨励金
名称 ： アモルファス酸化物薄膜トランジスタの欠陥構造解析と高性能化による実用化研究
期間 ： 2010 年度
金額 ： 1,000,000 円
・ 受託研究 （セイコーエプソン）
名称 ： ソフトアクチュエータの最新動向調査・試作・制御方法の提案
期間 ： 2010 年度
金額 ： 500,000 円
・ 受託研究 （セイコーエプソン）
名称 ： 有機／無機 TFT を用いた CMOS 素子の特性解析
期間 ： 2009～2010 年度
金額 ： 500,000 円
・ 科学研究費補助金 萌芽研究
名称 ： 薄膜フォトトランジスタと多結晶シリコン薄膜トランジスタによる人工網膜
期間 ： 2008～2010 年度
金額 ： 3,500,000 円
・ 科学研究費補助金 基盤研究(A) （分担研究者）
名称 ： 非二次元シリコン基板のレーザ結晶化とそのデバイス応用
期間 ： 2008～2010 年度
金額 ： 2,340,000 円 （分担額）
・ 私立大学学術研究高度化推進事業 ハイテク・リサーチ・センター整備事業 革新的材料・プロセス研究センター

80

（分担研究者）
名称 ： 製造時・使用時の省資源・省エネルギーを実現する薄膜トランジスタの研究開発
期間 ： 2006～2010 年度
金額 ： 5,854,000 円 （分担額）
・ 文部科学省 「ナノテクノロジー・材料を中心とした融合新興分野研究開発」に関する研究開発課題 （分担研究者）
名称 ： ナノ構造磁性フォトニック結晶を用いた超光情報メモリ
期間 ： 2005～2010 年度
金額 ： 500,000 円 （分担額）
・ 受託研究 （セイコーエプソン）
名称 ： セイコーエプソン株式会社における新領域分野と P-Si TFT の研究支援
期間 ： 2009 年度
金額 ： 500,000 円
・ 新エネルギー・産業技術総合開発機構 産業技術研究助成 （分担研究者）
名称 ： アモルファス酸化物薄膜トランジスタの欠陥構造解析と高性能化による実用化研究
期間 ： 2006～2009 年度
金額 ： 11,900,000 円 （分担額）
・ 科学技術振興機構 地域イノベーション創出総合支援事業 重点地域研究開発推進プログラム シーズ発掘試験
名称 ： 薄膜フォトダイオードと薄膜トランジスタによる人工網膜
期間 ： 2008 年度
金額 ： 2,000,000 円
・ 受託研究 （セイコーエプソン）
名称 ： セイコーエプソン株式会社における新領域分野と有機 TFT の研究支援
期間 ： 2008 年度
金額 ： 500,000 円
・ 受託研究 （フジフイルム）
名称 ： TFT デバイスの電気特性解析とトラップ密度抽出
期間 ： 2008 年度
金額 ： 1,000,000 円
・ 受託研究 （神戸製鋼所）
名称 ： FPD 用半導体デバイスの解析技術に関する研究
期間 ： 2008 年度
金額 ： 1,000,000 円
・ 受託研究 （FDK）
名称 ： 電圧駆動型磁気光学空間光変調器の駆動素子および駆動方法の研究開発
期間 ： 2006～2008 年度
金額 ： 1,840,000 円
・ 奨学寄附金 （リコー）
期間 ： 2006～2008 年度
金額 ： 3,000,000 円
・ 受託研究 （セイコーエプソン）
名称 ： セイコーエプソン株式会社における次世代 TFT と新規アプリケーションの開発試作の研究支援
期間 ： 2007 年度
金額 ： 1,500,000 円
・ 受託研究 （セイコーエプソン）
名称 ： 次世代 TFT と新規アプリケーションの研究開発
期間 ： 2006 年度
金額 ： 1,500,000 円

81

・ 受託研究 （セイコーエプソン）
名称 ： マトリクス型ディスプレイにおける薄膜トランジスタ特性解析と画質評価技術の開発
期間 ： 2006 年度
金額 ： 1,500,000 円
・ 私立大学等研究設備整備費
名称 ： 多結晶半導体薄膜の電気特性評価システム
期間 ： 2005 年度
金額 ： 26,932,000 円
・ 受託研究 （三洋エプソンイメージングデバイス）
名称 ： ポリシリコン薄膜フォトダイオードの研究開発
期間 ： 2005 年度
金額 ： 1,050,000 円
・ 業務委託 （クオンタ・ディスプレイ・ジャパン）
名称 ： 有機 EL ディスプレイに関する全般的な技術指導
期間 ： 2005 年度
金額 ： 1,575,000 円
・ 受託研究 （セイコーエプソン）
名称 ： 次世代 TFT と AM-OLED 駆動方式の研究開発
期間 ： 2005 年度
金額 ： 1,500,000 円
・ 受託研究 （セイコーエプソン）
名称 ： 有機 EL ディスプレイの駆動・画質評価技術の開発
期間 ： 2004～2005 年度
金額 ： 3,000,000 円
・ 受託研究 （セイコーエプソン）
名称 ： OLED 駆動回路を中心とする次世代 TFT の研究開発
期間 ： 2004 年度
金額 ： 1,500,000 円
・ 受託研究 （セイコーエプソン）
名称 ： 次世代 TFT の研究開発
期間 ： 2003 年度
金額 ： 1,200,000 円

龍谷大学
・ 科学技術共同研究センター研究プロジェクト
名称 ： 薄膜デバイスを用いた完全埋込型の人工網膜期間 ： 2016～2017 年度
金額 ： 5,700,000 円
・ 科学技術共同研究センター研究プロジェクト
名称 ： 薄膜トランジスタを用いたハイブリッド型温度センサの研究開発
期間 ： 2014～2015 年度
金額 ： 4,850,000 円
・ 科学技術共同研究センター研究プロジェクト （分担研究者）
名称 ： 酸化物半導体材料の格子欠陥に関する研究
期間 ： 2014 年度
金額 ： 0 円 （分担額）
・ 科学技術共同研究センター研究プロジェクト
名称 ： 電流均一化パルス幅変調階調方式による超高画質有機 EL ディスプレイの研究開発
期間 ： 2012～2013 年度
金額 ： 5,600,000 円

82

・ 科学技術共同研究センター研究プロジェクト （分担研究者）
名称 ： フレキシブルディスプレイ用高結晶性構造薄膜の評価
期間 ： 2012 年度
金額 ： 0 円 （分担額）
・ 科学技術共同研究センター研究プロジェクト （分担研究者）
名称 ： 酸化物薄膜トランジスタデバイスの材料開発と評価
期間 ： 2012 年度
金額 ： 0 円 （分担額）
・ 奨学寄附金 （発明功労奨励費）
期間 ： 2012 年度
金額 ： 500,000 円
・ 革新的材料・プロセス研究センター （分担研究者）
期間 ： 2012 年度
金額 ： 300,000 円 （分担額）
・ 科学技術共同研究センター研究プロジェクト
名称 ： 薄膜 Hall 素子による磁場エリアセンサの研究開発
期間 ： 2010～2011 年度
金額 ： 5,997,000 円
・ 科学技術共同研究センター研究プロジェクト （分担研究者）
名称 ： 走査プローブ顕微鏡(SPM)を用いたフェリチンコアの特性評価
期間 ： 2010～2011 年度
金額 ： 500,000 円 （分担額）
・ 理工学部特別研究設備 （分担研究者）
名称 ： 超先端微細電子デバイス特性評価装置
期間 ： 2010 年度
金額 ： 39,940,600 円 （全体額）
・ 科学技術共同研究センター研究プロジェクト
名称 ： 薄膜トランジスタによる光記録のための磁気光学空間光変調器の研究開発
期間 ： 2008～2009 年度
金額 ： 5,938,000 円
・ 科学技術共同研究センター研究プロジェクト
名称 ： 薄膜トランジスタによるデバイスレベルのニューラルネットワークの研究開発
期間 ： 2006～2007 年度
金額 ： 5,986,000 円
・ 理工学部特別研究設備
名称 ： 多結晶半導体薄膜の電気特性評価システム
期間 ： 2005 年度
金額 ： 39,969,963 円
・ 科学技術共同研究センター研究プロジェクト
名称 ： 低温多結晶シリコン薄膜トランジスタのプロセスシミュレータの開発
期間 ： 2004～2005 年度
金額 ： 5,940,000 円
・ 理工学学術研究助成基金
名称 ： 微細薄膜トランジスタの動作原理解析・測定技術開発とそのアプリケーション研究開発
期間 ： 2003 年度
金額 ： 1,100,000 円
・ 科学技術共同研究センター研究プロジェクト （分担研究者）
名称 ： シリコン超薄板の電子空乏化を利用した赤外線変調器の開発
期間 ： 2003 年度

83金額 ： 500,000 円 （分担額）
以上

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