FMA23 program ver0.1

2006/4/13

http://fma.naist.jp/

5月24日(水)
開会挨拶

(座長)

塩嵜 忠 (奈良先端大)10:25--10:30

強誘電体材料(I)(座長)

坂部 行雄 (村田製作所)

10:30--12:00(24-F-1)

非鉛系無機微粒子/エポキシ樹脂複合体の作製とその誘電特性(兵庫県大工) 小舟 正文, 高崎 慶子, 嶺重 温, 矢澤 哲夫(24-F-2)

積層セラミックコンデンサの誘電特性と鳴きの関係(村田製作所) 井上 徳之, 川崎 健一, 佐野 晴信, 森本 正士(24-F-3)

低温焼成BaTiO3セラミックスの誘電特性と微細構造(双信電機) 長谷川 朋之, 小田切 正(24-F-4)

共沈殿法によりナノBi4Ti3O12粉末の作製(富山県大) 張 帆, 唐木 智明, 安達 正利(24-F-5)

リチウム添加ニオブ酸銀大型単結晶の育成とその圧電特性(東工大工, 広大理*) 和田 智志, 斉藤 亜紀子, 保科 拓也, 掛本 博文, 鶴見 敬章,
森吉 千佳子*, 黒岩 芳弘*(24-F-6)

層状強誘電体Bi2WO6結晶の欠陥構造と分極特性(*東大先端研, **科技機構SORST, ***東海大学) 野口 祐二*,**, 村田紘一朗***,
宮山 勝*

薄膜(I)
(24-T-1)(座長)

田畑 仁 (大阪大学)

13:15--14:45

PLZT積層膜の結晶配向性と光起電力特性(*産総研, **東京電機大, ***東北大) 一木 正聡*, 古江 治美*, 小林 健*, 森川 泰*,
野中 一洋*, 前田 龍太郎*, 中田 毅** , 王 占杰***(24-T-2)

PbZrO3薄膜の電界誘起ひずみ特性(京大工, *横浜市大) 神野 伊策, 井上 貴史, 鈴木 孝明, 小寺 秀俊, 和佐 清孝*(24-T-3)

液相法により作製したチタン酸ジルコン酸鉛薄膜の残留応力評価(静岡大, *北見工大) 鈴木 久男, 大野 智也*, 松田 剛*(24-T-4)

レーザー変位計を用いたPZT厚膜の微小変位計測(産総研計測フロンティア, *防衛大通信) 飯島 高志, 大曽根 聡子, 沖野 裕丈*, 山本孝*

(24-T-5)

Temperature Dependence of Piezoelectric and Retention Properties of Ferroeloectric Thin Films(湘南工大, *イノステック) 眞岩 宏司, S.-H. Kim(24-T-6)

自己集合化による金属ナノドットの作製と強誘電体ナノキャパシタへの応用(兵庫県立大工) 森本 悠子, 藤沢 浩訓, 清水 勝

薄膜(II)(座長)

藤村 紀文 (大阪府立大学)

15:00--16:00

(24-T-7)

低温成膜したMn添加PZT薄膜キャパシタの信頼性(NEC) 森 透(24-T-8)

MOCVDにより作製したPZTキャパシタの膜厚依存性(アルバック) 西岡 浩, 増田 健, 梶沼 雅彦, 木村 勲, 菊地 真, 安田 武史, 植田 昌久,
遠藤 光広, 小風 豊, 鄒紅コウ

(24-T-9)

液体Ir原料を用いたMOCVD法によるIr系電極の作製(*兵庫県大工, **東ソー, ***相模中研) 藤沢 浩訓*, 岩本 直也*, 亘理 聡一*, 清水勝*, 古川 泰志**,***, 河野 和久**,***, 大島 憲昭**,***(24-T-10)

LaNiO3層の導入によるPZT薄膜の結晶配向の制御(*東北大工, **産総研) 王 占杰*, 熊谷 俊秀*, 粉川 博之*, 前田 龍太郎**
圧電材料(I)(24-P-1)(座長)

山本 孝 (防衛大学校)

16:15--17:45

常圧焼結したKBa2Nb5O15セラミックスの分極および圧電異方性(名工大物質工) 柿本 健一, 吉藤 知子, 大里 齋

(24-P-2)

La置換Sr2NaNb5O15セラミックスの磁場配向(太陽誘電, 長岡技科大*, 首都大学東京**) 土信田 豊, 岸 弘志, 牧谷 敦*, 田中 諭*,植松 敬三*, 木村 恒久**

(24-P-3)

SrBi2Nb2O9配向セラミックスのハイパワー特性(村田製作所) 川田 慎一郎, 小川 弘純, 木村 雅彦, 白露 幸祐(24-P-4)(Bi1/2Na1/2)TiO3-(Bi1/2K1/2)TiO3-BaTiO3三成分系強誘電体
セラミックスの電気的特性と相転移温度との関係(東理大理工) 晝間 裕二, 永田 肇, 竹中 正

(24-P-5)マイクロ波焼結による高性能チタン酸バリウムの特性(富士セラミックス, *東北大未来科学センタ, **東北大ナノメカニクス) 高橋 弘文, 沼本芳樹, 谷 順二*, 連川 貞弘**

(24-P-6)

組成変性によるタンタル酸リチウム固溶体セラミックスの圧電性の向上(信州大工) 番場 教子, 高岡 純平, 知野 崇, 深海 龍夫

5月25日(木)
薄膜(III)(25-T-11)(座長)

加藤 一実 (産業技術総合研究所)

9:00--10:15

PLD法によるBiFeO3薄膜の合成とアニールによる強誘電性の向上(東工大院*, 東工大総理工**, 富士通研究所***,東工大ものつくり教育研究支援センタ****) 高 鉉龍, 脇谷 尚樹*, 舟窪 浩**, 佐藤桂輔, 近藤 正雄, Jeffrey S. Cross, 丸山 研二***, 水谷 惟恭****, 篠崎 和夫*(25-T-12)

Structural Characterization of BiFeO3 Thin Films(Bruker AXS*, Tokyo Tech**) 斎藤 啓介*, 黒澤 利行*, 植木 定雄*, 舟窪 浩**(25-T-13)

化学溶液プロセスによるBiFeO3-PbTiO3薄膜の作製とその特性(名大エコトピア研) 坂本 渉, 山崎 浩史, 岩田 麻希, 志村 哲生, 余語 利信(25-T-14)

BiFeO3-BiScO3薄膜の結晶構造と強誘電特性(上智大*, 東工大**) 安井 伸太郎*,**, 内田 寛*, 中木 寛**, 舟窪 浩**, 幸田清一郎*

(25-T-15)

強磁性強誘電体YbMnO3薄膜の作製(大阪府立大工) 高橋 哲也, 吉村 武, 藤村 紀文

(座長)

基礎(I)
(25-B-1)

岩田 真 (名古屋工業大学)

10:30--12:00

Bi層状ペロブスカイト(m=5)の強誘電性と相転移(北大理, *北海学園大工) 小野寺 彰, 毛利 聖子, 福永 正則, 平松 祥吾, 武貞 正樹,山下 晴康*(25-B-2)

BaBi2Nb2O9焼結体への希土類イオン(La, Pr, Sm)置換(道立工試, *北大院工, **北見工大) 執行 達弘, 工藤 和彦, 岸本 純一*, 高橋 順一*,
伊藤 英信**(25-B-3)エアロゾルプラズマパイロリシス法によるBaTiO3ナノ粒子の合成とその焼結性(*福井大, **中外炉工業) 小寺 喬之, 荻原 隆, 小形 信男, 中根 幸治*, 小村 季孝,
上出 雅男**(25-B-4)

リラクサー特性出現条件の理論的考察(岐阜大工) 松下 栄子, 小澤 和則(25-B-5)チタン酸ビスマスのPDF解析(原子力機構, JASRI*) 米田 安宏, 水木 純一郎, 小原 真司*(25-B-6)

一致溶融組成LiTaO3上に形成した微小分極反転ドットの長期保持特性(東北大通研) 小田川 望, 長 康雄
基礎(II)・高分子(25-B-7)(座長)

黒岩 芳弘 (岡山大学)

13:15--14:45

化学量論比組成タンタル酸リチウム結晶の非弾性散乱(筑波大, *IPTI, **PSI) 小島 誠治, A. Hushur*, S. Lushnikov*, S. Gvasaliya** and B.
Roessli**(25-B-8)

ニオブ酸カリウム単結晶の低温育成(新潟大, *東大先端研) 戸田 健司, 飯田 晃弘, 上松 和義, 佐藤 峰夫, 木崎 陽一*,
野口 祐二*, 宮山 勝*(25-B-9)水晶球のSAWの3次元音場解析と計測(*東北大学, **凸版印刷, ***山武) 甲斐 智司*, 大手 一憲*, 辻 俊宏*, 三原 毅*,
大木 恒郎**, 中曽 教尊**, 佐藤 一太郎***, 吹浦 健***, 田中 秀一***, 山中 一司*(25-B-10)強誘電性液晶における螺旋構造の高分子安定化(東理大基礎工) 古江 広和, 濱野 大輔, 幡野 純

(25-B-11)

V字型強誘電性液晶のアクティブ素子を用いたパルス駆動における自発分極の影響(防衛大, *ダルムシュタット工科大) 森武 洋, 戸田 耕司, F.V. Podgornov*, E.P.
Pozhidaev*, W. Haase*(25-B-12)

圧電性高分子膜における光変調性の測定(ユニオプト,*関西大工) 築地 光雄, 高和 宏行, 村木 可苗, 田實佳郎*
薄膜(IV)(座長)

舟窪 浩 (東京工業大学)

15:00--16:00

(25-T-16)

La0.05Sr0.95TiO3基板に形成したSr0.5 Ba0.5 Nb2O6薄膜の構造・強誘電特性(東理大理) 蝦名 慶樹, 樋口 透, 服部 武志, 塚本 桓世(25-T-17)

エアロゾルCVD法による(BaxSr1-x)TiO3薄膜積層コンデンサ の試作及び評価(野田スクリーン) 王 樹強, 河瀬 昭博, 小川 裕誉(25-T-18)

酸素プラズマにより表面改質した基板へのインクジェット法によるBaTiO3厚膜の作製(富山県工業技術センタ,富山県立大*) 坂井 雄一, 二口 友昭, 安達 正利*(25-T-19)

ゾルゲル-水熱処理による(Pb,Ba)TiO3強誘電体薄膜の低温作製と評価(阪大院基工) 井上 成央, 直山 卓示, 武井 孝平, 野田 実, 奥山 雅則

(座長)

招待講演
(25-I-1)

奥山 雅則 (大阪大学)

16:15--16:45

Lead-free Multiferroic Ferroelectrics : A New Generation of Correlated Complex Oxides(Univ. of California, Berkeley) R. Ramesh

(座長)

特別講演
(25-S-1)

塩嵜 忠 (奈良先端大)16:45--17:45

特別講演(愛知淑徳大学) 石橋 善弘

5月26日(金) パラレルセッション 202号室
圧電材料(II)(26-P-7)(座長)

山下 洋八 (東芝)

9:00--10:15

Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3単結晶での巨大横効果圧電性の組成依存(静岡理工科大) 加藤 楽子, 小川 敏夫, 杉山 大介, 粥川 宏作(26-P-8)

モルフォトロピック相境界近傍の強誘電体固溶体単結晶PMNTの圧電特性の静水圧効果(岐阜大, *岐阜高専, **川鉄鉱業, ***東芝, ****名工大, *****愛知淑徳大) 安田直彦, 藤田 一彦*, 大和 英弘, 松下 三芳**, 山下 洋八***, 岩田 真****, 石橋善弘*****(26-P-9)Pb(Zr,Ti)O3圧電素子エッチング技術の開発(アルバック) 小風 豊, 植田 昌久, 遠藤 光広, 木村 勲, 鄒 紅コウ(26-P-10)

スパッタおよびドライエッチング法により作製したPb(Zr,Ti)O3膜を用いたダイヤフラム型圧電素子の特性評価(アルバック) 木村 勲, 西岡 浩, 菊地 真, 小風 豊, 遠藤 光広, 植田 昌久, 森川泰宏,
小出澤 徹, 鄒 紅コウ(26-P-11)

Piezoelectric Properties of Lead-free Piezoelectric Materials(*Konkuk Univ. and **Korea Univ.) J.-S. Kim*, I. R. Hwang*, J. H. Lee*, S. H.
Hong*, and B. H. Park* C. W. Ahn**, and S. Nahm**

圧電材料(III)(26-P-12)(座長)

鶴見 敬章 (東京工業大学)

改良固相法を用いたKNbO3非鉛圧電セラミックスの作製(龍谷大理工) 和田 隆博, 鈴木 章人, 斉藤 武尚(26-P-13)

KNbO3-NaNbO3-LiNbO3-SrTiO3系無鉛圧電セラミックスの誘電及び圧電特性(産総研) 楠本 慶二

10:30--12:00

(26-P-14)(SrxK0.5-xNa0.5-x)NbO3圧電セラミックスの作製と圧電特性に及ぼすMnOの添加効果(防衛大) 田代 新二郎, 石井 啓介(26-P-15)

エアロゾルデポジション法で形成した 非鉛系圧電体(LF4)厚膜の作製及び評価(産総研, *NECトーキン) 呉 世雄, 明渡 純, 朴 載赫, 川上 祥広*(26-P-16)

Piezoelectric and Dielectric Properties of (LiNaK)(NbTaSb)O3 Ceramics with the variation ofPoling Temperature(Semyung Univ., * Chungju National Univ.) K. Lee, K. Chung, S. Lee, J. Yoo, S. Ryu*
and J. Lee*

(26-P-17)

Sintering Behaviors Based on Control of Volatile Mass of Potassium and Sodium in KNN
Ceramics(KICET, *Hanyang Univ.) Y. H. Lee, J. H. Cho, B. I. Kim, D. K. Choi*
圧電応用(26-A-1)(座長)

長 康雄 (東北大学)

13:15--14:45

負性容量回路を利用したPZTセラミックスによる超音波域における弾性波遮断(II)(井元製作所, *小林理研, **関西大工) 井元 健二, 伊達 宗宏*, 深田 栄一*, 上田裕章**, 守本 雄**, 田實 佳郎**(26-A-2)

圧電アクチュエータを用いた焦点可変ミラー(*立命館大理工, **船井電機) 田中 克彦, 土屋 芳城, 石井 明, 杉山 進*, 田中 史記,
前田 重雄, 長島 賢治**

(26-A-3)

磁気ヘッド用回転対称型圧電マイクロアクチュエータ(富士通研究所, *富士通) 栗原 和明, 肥田 正春, 梅宮 茂良 ,近藤 正雄, 小金沢
新治*(26-A-4)

Development of Thin Disc Piezoelectric Transformers Using Piezoelectric Buzzers(National United Univ.) K.-T. Chang, C.-W. Lee(26-A-5)

Novel Multioutput Ring-Shaped Piezoelectric Transformer Based on Piezoceramic Ring
(National United Univ.) K.-T. Chang, and K.-S. Lyu(26-A-6)

The Influence of the Surface Roughness of the Bragg Reflectors on the Resonance
Characteristics of Solidly Mounted Resonators(National Sun Yat-Sen Univ., *De Lin Inst. of Tech., **Tung-Fang Inst. of Tech and***Cheng-Shiu Univ.) C.-J. Chung, C.-C. Cheng*, C.-L. Wei, Y.-C. Chen, K.-S.
Kao** and C.-M. Wang***

薄膜(V)(26-T-20)(座長)

坂本 渉 (名古屋大学)

15:00--16:00

インクジェット法によるチタン酸ビスマス薄膜の作製(*芝浦工大, **八戸工大) 山口 正樹*, 増田 陽一郎**(26-T-21)

Low Leakage Current of (001)-oriented Bi3.25La0.75Ti3O12 Ferroelectric Thin Film
(奈良先端大物質) ジョン ニ, 塩嵜 忠(26-T-22)

SrBi2Ta2O9キャパシタのインプリント特性における分極保持条件の影響(沖電気, *関東学院大工) 足利 欣哉, 高屋 浩二, 金原 隆雄, 長友 良樹, 小岩 一郎*

(26-T-23)

Development of Embedded Capacitor with Bismuth-Zinc-Niobate Thin Films for PCB
Applications(*Chungnam National Univ. and **Samsung Electro-Mechanics) J.-H. Park, W.-S. Lee,N.-J. Seong, S.-G. Yoon*, S.-H. Son, H.-M. Chung, J.-S. Moon, H.-J. Jin, S.-E.
Lee, J.-W. Lee, H.-D. Kang, Y.-K. Chung and Y.-S. Oh**(座長)

薄膜(VI)(26-T-24)

清水 勝 (兵庫県立大学)

16:15--17:15

MOCVD合成したBi-Zn-Nb-O薄膜の誘電特性に及ぼす基板種および組成の効果(*東工大, **上智大学, ***物材研) 岡浦 伸吾*, 内田 寛**, 幸田 清一郎**, 長田実***, 舟窪 浩*(26-T-25)(Pb,La)(Zr0.65,Ti0.35)O3厚膜における電気光学効果のLa量依存性(東理大理) 島 宏美,岡村 総一郎(26-T-26)

回転ディスク型SNDM強誘電体プローブメモリの試作(東北大通研) 平永 良臣, 長 康雄

(26-T-27)

ゾルゲル法によるTi:Er:LiNbO3エピタキシャル薄膜の作製と物性評価(*中部大, **サンテック, ***山寿セラミックス) 高橋 誠*, 芳賀 剛*, 梶谷 尚史*, 佐藤昭次*, 大西 直之*, 脇田 紘一*, 音羽 亮平**, 倉知 雅人***

5月26日(金) パラレルセッション 201号室
強誘電体材料(II)(26-F-7)(座長)

安達 正利 (富山県立大学)

9:00--10:15

Ferroelectric Studies on BaMgF4 Single Crystal Grown under CF4 Atmosphere(NIMS) C.V.Kannan, K.Shimamura, H.Zeng, E.G.Villora, S.Takekawa, K.Kitamura(26-F-8)

Dielectric Properties of SrBi2-xPrxNb2O9 Ceramics(Chinese Academy of Sci.) C. Feng and S. Huang(26-F-9)Structure, Dielectric and Ferroelectric Properties in the Crystalline (CaxSr1-x)Bi2Ta2O9(Feng-Chia Univ.) C.-J. Chen*, J.-B. Shi, H.-C. Shih, Y.-T. Lin, H.-D. Tseng,C.-C. Lin, S.-Y. Wei, C.-W. Lee(26-F-10)

Crystal structure and LTCC Property of Wolframite (Li, Re)W2O8・BaWO4 Ceramics (Re = Y,Yb)(Hoseo Univ., *Samcheok National Univ.) J. S. Kim, J. C. Lee, C. I. Cheon, and H.-J.
Kang*(26-F-11)

Determination of Elastic, Piezoelectric and Dielectric Constants of0.67Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.33PbTiO3 Single Crystal by Brillouin Scattering(City Univ. of Hong Kong, *Chinese Academy of Sci.) Z.K. Xu, Y.L. Liu*, G.G. Siu

基礎(III)(26-B-13)(座長)

上江洲 由晃 (早稲田大学)

10:30--12:00(1-x)BiFeO3-xBaTiO3における誘電・磁気特性と構造変化(大阪府立大理) 堀部 陽一, 喜多川 修次, 細越 祐子, 森 茂生

(26-B-14)

PZN-PTのCubic相に見出されたPb原子のdisorder(*広大院理, **名工大工, ***CREST/JST) 寺戸 良博*, Su Jae Kim*, 森吉 千佳子*,
黒岩 芳弘*,*** 岩田 真**(26-B-15)

PZN-PT混晶におけるMPB近傍の誘電異方性(名工大工, *愛知淑徳大) 岩田 真, 榊原 耕平, 鬘谷 浩平, 青柳 倫太郎, 前田 雅輝,鈴木 昱雄, 石橋 善弘*(26-B-16)

PbフリーBサイト同価数系Ba(ZrxTi1-x)O3,Ba(Hf xTi1-x)O3における相共存・ゆらぎとリラクサー現象の相関(阪大産研, *広島大) 土井 敦裕, 田畑 仁, 金 秀宰*, 黒岩 芳弘*(26-B-17)

TMC(Topochemical Micro-crystalConversion)法による板状SrTiO3粒子の合成と配向セラミックスへの応用(豊田中研) 齋藤 康善, 高尾 尚史(26-B-18)

Dy置換PZT薄膜におけるサイト占有率と分極特性と相関(高知工大*, 物材機構**, 上智大***, 東工大院****) 西田 謙*, 長田 実**, 内田寛***, 中木 寛****, 幸田 清一郎***, 舟窪 浩****, 河東田 隆*

(座長)

光応用
(26-O-1)

小島 誠治 (筑波大学)

13:15--14:45

シリコン基板上に形成したPZT膜の電気光学特性(富士通研*, 東工大院**) 近藤 正雄, 佐藤 桂輔, 石井 雅俊*, 脇谷 尚樹, 篠崎和夫**, 栗原 和明*(26-O-2)

Sol-Gel法により合成した (PbLa)(ZrTi)O3の光学特性(八工大*, ヤーマン**) 越前 正洋, 増田 陽一郎*, 高島 啓**(26-O-3)高速空間光変調器用PLZT電気光学薄膜の開発(ローム) 藤井 剛, 鈴木 達也, 藤森 敬和, 中村 孝, 守分 政人, 高須 秀視(26-O-4)

単一結晶による自己励起型位相共役光の4本同時発生(*東理大理工, **トプコン) 涌井 美帆子*, 武田 崇宏*, 宮川 一宏**, 山下 正文*(26-O-5)

エアロゾルデポジッション法で形成したナノ複合gold/PZT膜の表面プラズモン共鳴(産総研, *NEC) 朴 載赫, 明渡 純, 中田 正文*(26-O-6)

Second Harmonic Generation Imaging of LiIO3/Laponite nanocomposite waveguides(*Univ. de Savoie, **Univ. Claude Bernard Lyon and ***Waseda Univ.) Y. Lambert*,
R. L. Dantec*, Y. Mugnier*, C. Galez*, J. Bouillot*, J.-C. Plenet**, H.
Hayakawa***, Y. Uesu***

マイクロ波材料(I)(26-M-1)(座長)

田村 博 (村田製作所)

15:00--16:00

放電プラズマ焼結による不規則型Ba(Zn1/3Ta2/3)O3の合成とマイクロ波Q値(*パナソニック, **名工大) 古賀 英一*, 森分 博紀*, 柿本 健一**, 大里齊**(26-M-2)

擬ペロブスカイト型Ba8Ta6(Ni1-xMx)O24 (M= Co and Zn)固溶体のマイクロ波誘電特性(名城大, *名工大) 菅 章紀, 小川 宏隆, 横井 敦史, 大里 齊*(26-M-3)

BST薄膜を用いた広帯域周波数逓倍器の作製及び評価(奈良先端大物質) パックデイソンクラーム ガン, 山下 洋司, 河野 琢磨, 西田 貴司,内山 潔, 塩嵜 忠

(26-M-4)

TiO2/Al2O3積層セラミックスを用いたTHz帯バンドパスフィルタ(村田製作所) 松本 直樹, 中川 卓二, 景山 恵介, 和田 信之, 坂部 行雄

マイクロ波材料(II)(26-M-5)(座長)

大里 齊 (名古屋工業大学)

16:15--17:15

異種材料共焼結LTCCシステムの開発(村田製作所) 村田 崇基, 大賀 聡, 杉本 安隆(26-M-6)マイクロ波帯における誘電体、および誘電複合体の材料定数(防大, *テイカ) 安 英準, 沖野 裕丈, 山本 孝, 植田 俊吉**, 出口 剛**(26-M-7)

噴霧熱分解法によるマイクロ波誘電体粉体の合成と誘電特性(*福井大院工, **大研化学工業) 山田 宏城*,**, 荻原 隆*, 小形 信男*, 大川 隆**,
原田 昭雄**(26-M-8)マイクロ波・非接触単針を用いた誘電率測定における空間分解能と測定確度(東工大理工) 掛本 博文, 李 建永, 張替 貴聖, 南 ソンミン, 和田 智志, 鶴見 敬章

チュートリアル
(26-TU-1)(座長)

竹中 正 (東京理科大学)

17:30--18:30

圧電結晶と弾性波デバイス(東北大学) 中村 僖良

5月27日(土)(座長)

薄膜(VII)(27-T-28)

野田 実 (大阪大学)

9:00--10:15

ECR-Ta2O5膜のMIM特性(弘前大, *諏訪東理大, **NTT-MI研) 小野 俊郎, 豊田 宏, 加藤 浩司, 福田 幸夫*,
嶋田 勝**, 神 好人**

(27-T-29)

Fatigue Behaviour of Pb(Zr,Ti)O3/PbZrO3 Multilayer Ferroelectric Thin Films(Gebze Inst. of Tech and *NAIST) S. Alkoy, E. M. Alkoy*, K. Uchiyama* and T.
Shiosaki*(27-T-30)

Operation of a Polycrystalline Ferroelectric Gate FET Memory with an Intermediate Electrode(JAIST) B. N. Q. Trinh and S, Horita(27-T-31)

Self Polarization in PST Relaxor Thin Films: Impact on Dielectric and Piezoelectric Response(EPFL, *AIST) K. Brinkman*, A. Tagantsev, P. Muralt and N. Setter(27-T-32)

PZT-based Ferroelectric Thin Films for Embedded FeRAM Devices(INOSTEK, *Hynix) S.-H. Kim, C. Y. Koo, J.-H. Cheon, J.-H. Yeom, S.-K. Hong*,and J. Ha

薄膜(VIII)(27-T-33)(座長)中村 孝 (ローム)(Y,Yb)MnO3/HfO2/Si構造の特性に及ぼす強誘電体膜の結晶化条件の影響(産総研) 鈴木 一行, 西澤 かおり, 三木 健, 加藤 一実(27-T-34)

Pt/SSBT/HfO2/Si構造強誘電体ゲートFETのデータ保持特性の測定(東工大精研) 斎木 博和, 徳光 永輔

10:30--11:45

(27-T-35)

ECRプラズマ法によるGe酸窒化膜の形成と界面特性(*諏訪東理大, **弘前大, ***東京農工大) 福田 幸夫*, 加藤 浩司**, 豊田 宏**, 小野俊郎**, 長里 喜隆***, 上野 智雄***(27-T-36)

強誘電体Sr2(Ta1-x,Nbx)2O7(x=0.3)膜及び大メモリーウィンドーを有する強誘電体ゲート構造デバイスの作製(*東北大未来科学センタ, **東北大工) 高橋 一郎*, 磯貝 達典**, 安曇 啓太*, 寺本章信*, 須川 成利**, 大見 忠弘*(27-T-37)

Fabrication and Electrical Characteristics of Al/(BaZr0.1 Ti0.9)O3/SiO2/Si (MFIS)
Structure for Nonvolatile Memory Applications(*National Sun Yat-Sen Univ., **Tung Fang Inst. of Tech., ***Kao Yuan Univ.) K.-H.
Chen*, Y.-C. Chen*, K.-S. Kao** and C.-C. Chan***

閉会挨拶

(座長)

塩嵜 忠 (奈良先端大)11:45--11:50