5月28日(水)強 誘 電 体 材 料(I)(28-F-1)( 座長)

岡 村 信吾 ( 三菱マテリアル)

10:30--12:00

A(B',B")O3 型リラクサー強誘電体のBサイトイオン配列制御(*阪大産研, **科技団・さきがけ21, ***Twente Univ.) 堀田 育志*, G. W. J
Hassink***, 川合 知二*, 田畑 仁*,**(Ag,Li)NbO3 セラミックスにおけるNa+、K+イオン置換効果(28-F-2)(村田製作所) 竹田 敏和, 高橋 夕香子, 和田 信之, 坂部 行雄(28-F-3)

PLZT(9/65/35-6/65/35)複合化セラミックスの作成と評価(日大工) 続 馨, 小林 力

(28-F-4)

Pb(A1/2 W1/2 )O3 -PbZrO3 (A=Cd, Mn)系固溶体酸化物の強誘電・反強誘電性(いわき明星大) 横須賀 勝, 三浦 知則(28-F-5)

エアロゾルデポジション法で作成したPLZT薄膜の電気光学効果(NEC基礎研、*産総研) 中田 正文, 大橋 啓之, マキシム レベデフ*, 明渡 純*(28-F-6)

Effects of Niobium Addtion on the Relaxor Ferroelectric Properties and Ordering Structures ofLead Iron Tantalates(KIST) B.-C. Woo and B.-K. Kim( 座長)

薄 膜(I)(28-T-1)

加 藤 一実 ( 産 業 技 術 総 合 研 究 所)

13:15--14:45

強誘電体ゲートキャパシタのD-E測定(大阪府立大工) 吉村 武, 藤村 紀文(28-T-2)

アミン系原料を用いたHfO2のMOCVD成膜と評価(東工大物創) 日野 史郎, 中山 誠, 徳光 永輔, 高橋 健治, 舟窪 浩

(28-T-3)

樹脂フィルム上の高容量薄膜キャパシタ(NEC機能材料研) 森 透, 渋谷 明信, 山道 新太郎(28-T-4)

多重記憶可能な1T/1C型強誘電体メモリの提案(京大工) 加藤 洋明, 野澤 博

(28-T-5)

Si基板上に作製した中間電極を用いた強誘電体メモリの基本特性(北陸先端大材料) 家村 伸吾, T. D. Khoa, 村中 一城, 堀田 將

(28-T-6)

CSD法による(Y,Yb)MnO3 /Y2 O3 /Si(MFIS)構造の作製(産総研) 鈴木 一行, 符 徳勝, 西澤 かおり, 三木 健, 加藤 一実

圧 電 材 料(I)(28-P-1)( 座長)

鶴 見 敬章 ( 東 京 工 業 大 学)

15:00--16:15

現象論的熱力学によるPbZrO3 -PbTiO3 系の相図、及び誘電・圧電特性(防大通信) 山本 孝、岡 英樹、沖野 裕丈(28-P-2)

PMN電歪セラミックスとPZT圧電セラミックスにおける非線形性の比較(防大機能材料) 田代 新二郎, 石井 啓介, 永田 邦裕

(28-P-3)

表面修飾法により焼結助剤LiBiO2をコーティングしたPMN-PZT粉末の低温焼結と圧電特性(湘南工大, *リコー中研) 長谷川 朋之, 林 卓, 富沢 淳, 秋山 善一*(28-P-4)

ハイブリッド焼結で作製したセラミックスコンポジットの諸特性(富士セラミックス, *東北大, **本田技研) 高橋 弘文, 塚本 真太郎, 裘 進浩*, 谷順二*, 鋤柄 宜**(28-P-5)Structural and Dielectric Behavior of Sc-substituted Pb(Yb1/2 Nb1/2 )O3 Ceramics(KAIST and *Chungang Univ.) J.-H. Kim, H. Kim, K. S. Koh* and W. K. Choo

薄 膜(II)(28-T-7)( 座長)

舟 窪 浩 ( 東 京 工 業 大 学)

16:30--18:00

PZT薄膜の配向制御に及ぼす焼成時の電界印加の効果(静岡工技セ, *静大工) 中山 洋, 宮原 鐘一, 鈴木 繁*, 鈴木 久男*(28-T-8)

MOCVD法によるナノサイズPbTiO3 自己集合島の作製と評価(姫路工大工, 富士通研究所*) 野々村 哉, 藤沢 浩訓, 清水 勝, 丹生 博彦, 本田耕一郎*(28-T-9)スパッタ法により作製したPZT薄膜キャパシタにおける特性劣化および結晶欠陥の熱刺激電流測定(奈良先端大物質) 西田 貴司, 松岡 正浩, 岡村 総一郎, 塩嵜 忠

(28-T-10)

Effects of Seeding Layer and PZT Thickness on Reliability of FRAM Device with 0.25um D/R(Samsung Electronics Co.) K. S. Park, K. M. Lee, S. D. Nam, M. S. LEE, S. H. Joo,S. L. Cho, Y. H. Son, S. H. Choi, J. C. Shin, H. J. Kim, Y. J. Jung, M. S. Choi, J. E.
Heo, H. G. An, S. O. Park, U. I. Chung, and J. T. Moon

(28-T-11)

Dielectric and Electromechanical Properties of Highly Textured Pb(Zr,Ti)O3 Thin Films for
Piezo-MEMS Devices(INOSTEK Inc., *Korea Elec. Tech. Inst., **Seoul National Univ. and ***Han YangUniv.) S.-H. Kim, J.-S. Yang, C. Y. Koo, J.-H. Yeom, J.-S. Park*, E. Yoon**, S.-G.
Kang*** and J. Ha(28-T-12)

Characterizations of Sol-Gel Multi-Coated Thick PZT Films on Platinized Silicon Substrates for
Micro Devices Applications(*Korea Elec. Tech. Inst., **Inostek Inc. and ***Han Yang Univ.) J.-S. Park*,***,
S.-H. Kim**, H.-D. Park*, J. Ha** and S.-G. Kang***

5月29日(木)薄 膜(III)(29-T-13)( 座長)

清 水 勝 ( 姫 路 工 業 大 学)

9:00--10:15

MOCVD法によりSi基板上に作製したPb(Zr,Ti)O3 厚膜の電気特性の組成依存性(東工大物創, *産総研) 横山 信太郎, 本田 佳久, 森岡 仁, 浅野 剛司, 飯島 高志*,松田 弘文*, 舟窪 浩

(29-T-14)

Spray噴霧法を用いたPZTの成膜とその特性(産総研) 一木 正聡, 張麓(29-T-15), 楊振, 池原 毅, 前田 龍太郎

Sol-Gel/PLD複合プロセスによるPZT薄膜の作製と評価(東北大工, *産総研) 王 占杰, L. J. Yan, 粉川 博之, 前田 龍太郎*

(29-T-16)

エアロゾルデポジション法によるPZT厚膜の低温形成-高速原子ビーム照射による電気特性の改善(産総研) 明渡 純,マキシム レベデフ

(29-T-17)

Comparison of Lead Source Material on the Microstructure and Ferroelectric Properties ofSputter Deposited PZT Films Using Lead and Lead Oxide for Compensation(Feng-Chia Univ.) W. L. Chang and J. L. He( 座長)

薄 膜(IV)(29-T-18)

田 畑 仁 ( 大 阪 大 学)

10:30--12:00

等方加圧アニール法により結晶化した0.24Pb(Zn1/3Nb2/3)O3・0.384PbZrO3・0.376PbTi
O3 薄膜の諸特性(姫路工大工) 小舟 正文, 児島 慎一, 嶺重 温, 矢澤 哲夫(29-T-19)

強誘電体Pb(Zr, Ti)O3 薄膜の電気機械特性の温度依存性(湘南工大, *Inostek, **早大理工) 真岩 宏司, S.-H. Kim*, 一ノ瀬 昇**(29-T-20)

PZT薄膜の強誘電性に及ぼす電極構造の影響(八戸工大工) 野坂 隆, 馬場 明, 増田 陽一郎(29-T-21)

Effect of Top Electrode in Dielectric Properties on Relaxor Pb(Sc 0.5 Nb0.5)O3 Thin FilmCapacitors(KAIST and *EPFL) B. J. Kuh, J.-H. Kim, W. K. Choo, K. Brinkman*, D. Damjanovic*
and N. Setter*(29-T-22)

Thickness Effect on the Pyroelectric Properties of Chemical Solution Derived PZT Thin Films
for the PIR Sensor Devices(INOSTEK Inc., *Seoul National Univ., **Korea Elec. Tech. Inst., ***KIST and****Han Yang Univ.) J.-S. Yang, S.-H. Kim, D.-Y. Park, E. Yoon*, J.-S. Park**,T.-S. Kim***, S.-G. Kang**** and J. Ha(29-T-23)

A Contribution of Mechanical Stresses into Self-Polarization in Thin PZT Films(A.F.Ioffe Physico-Technical Institute Russian Academy of Sciences, *St.-Petersburg
State Electrotechnical Univ.) I.P. Pronin, E.Yu. Kaptelov, A.V. Goltsev and V.P.
Afanasjev*

強 誘 電 体 材 料(II)(29-F-7)( 座長)

坂 部 行雄 ( 村 田 製 作 所)

13:15--14:45

化学溶液法による(Bi,Nd)4 Ti3 O12 強誘電体薄膜のUVプロセシング(湘南工大, 名大理工総研*, 名大院工**) 林 卓, 飯澤 直也, 戸川 大地, 山田 美緒**,坂本 渉*, 菊田 浩一**, 平野 眞一**

(29-F-8)

低温成長YMnO3 薄膜の構造解析とその誘電特性(大阪府立大工) 坂田 浩憲, 伊藤 大輔, 吉村 武, 藤村 紀文, 伊藤 太一朗(29-F-9)

MOCVDによるPZT薄膜形成用新規Zr材料の評価(三菱マテリアル) 岡村 信吾, 高山 佳典, 曽山 信幸, 小木 勝実(29-F-10)

積層セラミックコンデンサの内部応力に関する研究(TDK,*東理大理工) 中野 幸恵, 野村 武史, 竹中 正*(29-F-11)

B特性Ni-MLCCの応力・熱・電場応答性(太陽誘電) 斉藤 賢二, 茶園 広一, 岸 弘志

(29-F-12)

TSFZ法によるニオブ酸カリウム結晶の評価(長野県精密工業試験場, *信州大工) 工藤 賢一, 垣内 健児, 水谷 康治*, 深海 龍夫*

薄 膜( V )( 座長)

塩 嵜 忠 ( 奈 良 先 端 科 学 技 術 大 学 院 大 学)

15:00--16:00

(29-T-24)

MOCVD法により作製されたBi4Ti3 O12 薄膜のキャリアーガスの効果(東理大理) 中村 誠, 樋口 透, 塚本 桓世(29-T-25)

原料交互供給によるチタン酸ビスマス薄膜の作成と評価(芝浦工大工, *八戸工大工) 山口 正樹, 増田 陽一郎*

(29-T-26)

Bi4-xPrxTi3 O12 多結晶薄膜の配向特性と強誘電・圧電特性(産総研) 松田 弘文, 伊藤 佐千子, 飯島 高志(29-T-27)

化学溶液法により作製した(Ca,Sr)Bi 4 Ti4 O15 薄膜の電気的特性(上智大理工, *産総研, **東工大物創) 内田 寛, 桜井 恵子, 岡田 勲, 松田 弘文*,飯島 高志*, 小島隆志**, 渡邊 隆之**, 舟窪 浩**

( 座長)

招待講演
(29-I-1)

石 橋 善弘 ( 愛 知 淑 徳 大 学)

16:15--16:45(招待講演)未定(未定) 未定

( 座長)

特別講演
(29-S-1)

塩 嵜 忠 ( 奈 良 先 端 科 学 技 術 大 学 院 大 学)

16:45--17:45「ビスマス系複酸化物強誘電体と取り組んで40年」−荒野の時代を顧みて今後の動向を探る−(東理大) 坂田 好一郎

5月30日(金) パラレルセッション 202号室
圧 電 材 料(II)(30-P-6)( 座長)

山 本 孝 ( 防 衛 大 学 校)

9:00--10:15

巨大電気機械結合係数k31 モードをもつPb[(Zn1/3 Nb2/3)0.91Ti0.09 ]O3 単結晶での結晶配向依存およびバイポーラパルス分極特性(静岡理工科大) 小川 敏夫, 沼本 芳樹(30-P-7)

モルフォトロピック相境界近傍でのPb(In1/2 Nb1/2)O3 -PbTiO3 単結晶のドメイン構造と誘電特性への電界効果(岐阜大, *東芝, **名工大, ***愛知淑徳大) 安田 直彦, 阪口 正広, 大和 英弘, 山下洋八*, 岩田 真**, 石橋 善弘***(30-P-8)

ブリッジマン法によるインジウムニオブ酸鉛(スカンジウムニオブ酸鉛)-マグネシウムニオブ酸鉛-チタン酸鉛3成分系圧電単結晶の育成(東芝研究開発センタ, *早大理工) 細野 靖晴、山下 洋八、坂本 英也*、一ノ瀬 昇*(30-P-9)

TSSG法によるインジウムニオブ酸鉛‐マグネシウムニオブ酸鉛‐チタン酸鉛3成分系圧電単結晶の育成(富山県大) 中本 真紀, 住吉 洋一, 唐木 智明, 安達 正利(30-P-10)

LaCa4 O(BO3 )3 結晶の作製と圧電特性(奈良先端大物質, *堺化学工業) 武田 博明, 迫 秀樹, 西田 貴司, 岡村 総一郎, 中尾日六士*, 西田 雅宏*, 式田 尚志*, 塩嵜 忠

圧 電 材 料(III)(30-P-11)( 座長)

山 下 洋八 ( 東芝 研 究 開 発 セ ン タ ー)

10:30--12:00(Bi1/2 Na1/2 )TiO3‐(Bi1/2 K1/2 )TiO3‐BaTiO3 三成分系非鉛セラミックスの圧電特性(東理大理工) 永田肇, 吉田正樹, 牧内洋一, 竹中正(30-P-12)

放電プラズマ焼結法による強誘電性NaNbO3セラミックスの作製(龍谷大理工) 和田 隆博, 辻 健二, 齊籐 武尚, 松尾 嘉浩(30-P-13)

LaFeO3を微量添加したKNbO3セラミックスの強誘電および圧電特性(名工大材料工) 柿本 健一, 増田 いづみ, 大里 齊

(30-P-14)

LnBi 2 TiNbO9 系セラミックスの作製・評価(東光, 足工大*, 東理大**) 菅谷 豊, 荘司 和男*, 坂田 好一郎**(30-P-15)高い機械的品質係数Qmを持つ Bi3-xM xTiTaO9 (M=La, Nd)セラミックス(東理大理工, *東工大物質) 鈴木 宗泰, 大原 仁, 永田 肇, 舟窪 浩*, 竹中 正

(30-P-16)

SrBi 2 Nb2 O9 系セラミックスの弾性異常(村田製作所、*EPFL) 澤田 拓也, 安藤 陽, 坂部 行雄, D. Damjanovic*, N. Setter*

マイクロ波材料(30-M-1)( 座長)

田 村 博 ( 村 田 製 作 所)

13:15--14:45

V2 O5 添加によるMg4 Nb2 O9 の低温焼成化とマイクロ波誘電特性(名城大理工, *名工大物質工) 菅 章紀, 小川 宏隆, 吉田 篤史, 横井 敦史, 大里 齊*(30-M-2)

LnBO3 系酸化物(Ln=La, Nd, Sm, Dy, Ho, Y)の合成とマイクロ波誘電特性(住友金属) 高田 隆裕, 山元 寿文 景山 恵介(30-M-3)

RFインピーダンス・アナライザによるBaTiO3 系セラミックスの誘電スペクトル測定(東工大理工, 産総研*) 掛本 博文, 李 建永, S.-M. Nam*, 和田 智志, 鶴見 敬章(30-M-4)

Ba4 Sm9.33Ti18 O54セラミックスの粒子配向制御とマイクロ波誘電特性(名工大物質工) 和田 賢介, 柿本 健一, 大里 齊

(30-M-5)

Low Temperature Sintering and Microwave Dielectric Properties of BiNbO4 -ZnNb2 O6
Ceramics with Addition of CuO-V2 O5 Compounds(Yonsei Univ. and *Kyonggi Univ.) H. R. Lee, K. H. Yoon and E. S. Kim*

(30-M-6)

Microwave Dielectric Properties of CaTiO3 and MgTiO3 Thin Films(Yonsei Univ. and *Kyonggi Univ.) B. D. Lee, K. H. Yoon and E. S. Kim*

薄 膜(VI)(30-T-28)( 座長)

徳 光 永輔 ( 東 京 工 業 大 学)

15:00--16:00

AFMによるCaBi 4Ti4 O15 強誘電体薄膜の圧電特性の評価(産総研) 符 徳勝、鈴木 一行、加藤 一実(30-T-29)

分極反転のリアルタイム計測(東北大通研) 森田 剛, 長 康雄

(30-T-30)

Influence of Trapped Injected Charge on the Capacitance and Leakage Characteristics of(Bax,Sr1-x)Ti1+yO3+z Thin Film Capacitors(Fujitsu Laboratories) J D. Baniecki, T. Shioga, K. Kurihara(30-T-31)

Imprint After Fatigue Characteristics of BLT-based FeRAMs(Hynix Semiconductor Inc.) K. H. Noh, S.-S. Lee, H. J. Jeong, J. H. Son, J. G. Kim,J. Y. Seong, S. H. Oh, Y. H. Yang, S.-K. Hong and Y.-J. Park

薄 膜(VII)( 座長)

藤 村 紀文 ( 大 阪 府 立 大 学)

16:15--17:15

(30-T-32)

SrBi 2 Ta2 O9 薄膜の初期成長観察(阪大超伝導セ) 川山 巌, 小谷 研太, 斗内 政吉(30-T-33)

自然超格子構造を有するBi4Ti3 O12 -SrBi 4 Ti4 O15 (m = 3-4)薄膜の作製と評価(阪大基礎工) 渋谷 明, 野田 実, 奥山 雅則(30-T-34)

櫛型電極によるSrBi 2Ta2 O9 薄膜の誘電特性の温度変化(阪大超フォト研) 小谷 研太, 川山 巌, 斗内 政吉(30-T-35)

Preparation and Ferroelectric Characteristics of Barium-ion Doped Strontium Bismuth Tantalate
Thin Films(Natl Taiwan Univ.) C.-H. Lu, D.-P. Chang and W.-J. Hwang

5月30日(金) パラレルセッション 201号室
基 礎(I)(30-B-1)( 座長)

上 江 洲 由晃 ( 早 稲 田 大 学)

9:00--10:15

接触共振圧電応答顕微鏡によるPb(Mg1/3Nb2/3)O3 -PbTiO3 単結晶のドメイン観察(防大通信) 沖野 裕丈, 山本 孝

(30-B-2)

AFM によるPZN-PTのドメインウォール構造(名工大工, *岐阜大工, **愛知淑徳大) 岩田 真, 鬘谷 浩平, 前田 雅輝, 鈴木 昱雄,安田 直彦*, 石橋 善弘**

(30-B-3)

非線形誘電率顕微鏡を用いた超高密度強誘電体記録再生(東北大通研, *パイオニア総研) 平永 良臣, 長 康雄, 藤本 健二郎, 我妻 康夫, 尾上
篤*Electrostatic Model for the Dielectric Permittivity of Ferroelectric Films with 90O Domain
Structures(30-B-4)(Aichi Shukutoku Univ. and * Osaka Univ.) Y. Ishibashi, D. Ricinschi* and M.
Okuyama*(30-B-5)nmオーダーチタン酸バリウム微粒子の合成とその誘電特性評価(東工大理工) 和田 智志, 安野 弘明, 保科 拓也, S.-M. Nam, 掛本 博文, 鶴見 敬章

基 礎(II)(30-B-6)( 座長)

小 野 寺 彰 ( 北 海 道 大 学 大 学 院)

10:30--12:00

What a Structure Model is Suitable for Lithium Niobate Family Ferroelectrics?
(AML/NIMS) D. Xue and K. Kitamura(30-B-7)

軟X線分光によるBi4-xLaxTi3 O12 , Bi4 ZrxTi3-xO12の電子構造(東理大理, *東大生研) 樋口 透, 森内 祥行, 塚本 桓世, 野口 祐二*, 宮山 勝*, 辛(30-B-8)(Bi, M)4 Ti3 O12の第一原理計算による電子構造の解明(湘南工大) 湯藤 幸男, 杉原 淳, 磯邊 孝昌(30-B-9)量子常誘電体SrTiO3 の16 O→18 O同位元素効果の理論(岐阜大工) 松下 栄子, 奥村 振一郎(30-B-10)

テラヘルツ時間領域分光法によるLiTaO3の誘電的性質の研究(筑波大学, *信州大学) 小島 誠治, 北原 英明*, 西澤 誠治*, 武田 三男*

(30-B-11)

Raman and OH - Absorption Spectra of Zn-doped Lithium Niobate Crystals(Natl. Taiwan Normal Univ., *Natl. Central Univ. and **Academia Sinica, ***Natl.
Taiwanl Univ.) M-L Sun, C-T Chia, M-L Hu*, J. Y. Chang*, W-S Tse**, Z. P.
Yang*** and H. H. Cheng***

基礎・液晶(30-E-1)( 座長)

小 島 誠治 ( 筑 波 大 学)

13:15--14:45

層状ペロブスカイトSBTの中間相の結晶構造(北大理, *北海学園大工) 小野寺 彰, 吉尾 圭司, 山下 晴康*(30-E-2)バナジウムドープBi4 Ti3 O12 単結晶の導電特性(東大生研) 高橋 尚武, 曽我 雅之, 野口 祐二, 宮山 勝

(30-E-3)

熱輻射熱量法による強誘電体Ba (Ti, Zr) O3セラミクスの熱物性測定(防大通信) 森本 康介, 澤井 真也, 久野 九万雄, 山本 孝

(30-E-4)

圧電性高分子ポリ乳酸膜の新規な作製法とその構造・物性(山形大工, *三井化学, **小林理研) 田實 佳郎, 助川 誠*, 菊地 美幸, 須藤 信行,
工藤 益男, 増子 徹, 伊達 宗宏**, 深田 栄一(30-E-5)

強誘電性液晶自己保持膜の電界誘起振動(阪大工) 中野 和行, 尾崎 雅則, 吉野 勝美(30-E-6)高分子安定化反強誘電性液晶(*科学技術振興事業団, **産総研) 古江 広和*, 横山 浩*,**

圧 電 材 料(IV)(30-P-17)( 座長)

竹 中 正 ( 東 京 理 科 大 学)

15:00--16:00

スクリ-ン印刷法によるシリコン基板上へのBa(Ti,Zr)O3 厚膜の作製(富山県工技セ, *富山県大工) 二口 友昭, 坂井 雄一, 藤田 直*, 安達 正利*(30-P-18)

エアロゾルデポジション法で形成したPZT厚膜による高速マイクロ光スキャナーの製作(ブラザー工業, *産総研) 浅井 伸明, 明渡 純*,マキシム レベデフ* ,山田 祥治(30-P-19)

液体吸引機能を有する圧電吐出ヘッドの検討(*オリンパス光学, **山形大工) 高橋 誠也*,**, 富川 義朗**

(30-P-20)

小型簡易圧電測定器の試作(早大理工) 福永 守, 上江洲 由晃

圧 電 応 用(I)(30-A-1)( 座長)

高 橋 貞行 ( 早 稲 田 大 学)

16:15--17:15

高次モード利用圧電トランスの積層化の検討(山形大工) 広瀬 精二, 遠藤 勉

(30-A-2)

圧電・角・加速度センサ(山形大工, *マイクロストーン) 富川 義朗, 伊藤 昌弘, 岡田 恵也*(30-A-3)Fabrication and Characteristics of PDA CCFL Driving Circuits for Piezoelectric Transformer
Using PNW-PMN-PZT Ceramics(Semyung University, *Daewon Science College and **Dongseoul College) L. Hwang,
E. Jang, W. Nam, J. Yoo, D. Oh, M. Cho*, I. Ahn* and J. Hong**(30-A-4)

The Characteristics of Windmill Type Ultrasonic Motor with Modified Endcap(Changwon University and *Pennsylvania State Univ.) J. H. Lee, T. G. Park, H. H.
Chong and K. Uchino*

チュートリアル
(30-TU-1)( 座長)

奥 山 雅則 ( 大 阪 大 学 大 学 院)

17:30--18:30

マイクロ波誘電体材料の基礎と応用(村田製作所) 田村 博

5月31日(土)圧 電 応 用(II)(31-A-5)( 座長)

富 川 義朗 ( 山 形 大 学)

9:00--10:15

漏洩ラム波液体遅延線発振器を用いた極微小変位の測定(防大) 藤田 剛, 戸田 耕司(31-A-6)

ランガサイトを基板材料とした高温用ワイヤレスSAW温度センサー(三菱マテリアル) 王 守奇, 原田 次郎, 宇田 聡

(31-A-7)

K2 O-Nb2 O5 系の新強誘電体相:K5 Nb9 O25(山口大工, *島根大教育) 小松 隆一, 錦織 和子, 桶谷 忠正, 池田 攻, 秋重 幸邦*(31-A-8)Fabrication of Cantilever and Bridge Type Piezoelectric Micro-Transducer for Mass DetectingDevice(Sung Kyun Kwan Univ. and *Korea Elec. Tech. Inst.) S. Shin, S. Song, J. Kim, D.
Jung, H. Park*, J. Park* and J. Lee(31-A-9)

Electrical Characteristics of 3rd Overtone Mode Energy-Trapped High Frequency Ceramic
Filter Using PbTiO3 System Ceramics(Semyung Univ., *Kyungmoon College, **Kyungpook National Univ., ***Samsung
Electro-Mechanics Co., ****Korea electric power co. and *****Chungju Univ.) D.
Oh, J. Yoo, C. Park, H. Yoon*, S. Lee**, J. Kim***, Y. Jeong****, S. Ryu***** andS. Lee*****

薄 膜(VIII)(31-T-36)( 座長)

高 須 秀視 ( ローム)

10:30--12:00

ミリ波照射がSrTiO3 薄膜の結晶化に与える影響(松下電産) 大塚 隆, 森本 廉, 森田 清之(31-T-37)

コンビナトリアルPLD法によるSnTiO3 薄膜の作製(富士電機総研, 東工大応セラ研*, 物質・材料研究機構**, 東北大***) 小西 義則,大沢 通夫, 米澤 喜幸, 寺尾 豊, 脇坂 寿幸*, 知京 豊裕*,**, 篠田 克巳***, 久保百司***, 宮本 明***, 鯉沼 秀臣*,**(31-T-38)

ECR-PLD法によるKNbO3 薄膜の成長(東北大工) 新井 孝,伊藤 重夫,石川 一夫,中村 僖良(31-T-39)

SPS法による高密度セラミックスターゲットを用いたPLD法によるKNbO3 薄膜の形成(龍谷大理工, 松下電器先端研*, 京大工**) 齊藤 武尚, 和田 隆博, 足立 秀明*, 神野伊策**(31-T-40)

化学溶液法による希土類元素置換BaNb2 O6 薄膜の作製と評価(名大理工科学総合研究センター,*名大工) 坂本 渉, 水野 将成*, 山口 十志明*, 菊田浩一*, 平野 眞一*

(31-T-41)

Comparison of Strain Development between BaTiO3 /SrTiO3 Artificial Lattice and Single Oxide
Layer and its Effect on the Dielectric Properties(Sung Kyun Kwan Univ.) J. Kim, L. Kim, Y. S. Kim, D. Jung and J. Lee