Vol.３2 No.３，２０１３

121
センターニュース

分析機器解説シリーズ（121）◆イオンミリング法の基礎と応用 …………………………………………………… P1
USER'S DATA

株式会社日立ハイテクノロジーズ

黒田靖、許斐麻美

◆フラットミリング装置（IM3000）を使用した例 ………………… P5
九州大学

トピックス

◆科学計測用sCMOSカメラ

材料工学部門大上悟

ORCA-Flash4.0 ……………………… P6

浜松ホトニクス株式会社

戸田英児、杉下財

分析機器解説シリーズ（121）

イオンミリング法の基礎と応用
株式会社日立ハイテクノロジーズ

1

はじめに

黒田

靖、許斐麻美た試料が用いられる。また、試料は必要に応じて切り出し、樹脂包埋、機械研磨を行う。イオンビーム照射角度の選択に

イオンミリング法は真空中で数kVに加速したArイオンをよって2種類の加工が可能で、試料表面に対し鋭角にイオン試料に衝突させて、この衝突したイオンが試料から原子や分ビームを照射して加工する方法では、材料の組成や結晶方位子を弾き飛ばすスパッタリング現象を利用して、試料を削るによるミリングレートの違いを反映した凹凸を形成できる(図加工方法である。イオンミリング法は、試料に物理的な応力1(a))。一方、イオンビームを試料表面に平行に近い角度で照が加わらないので、脆弱な材質や空隙を含む材料のような機射して加工する方法では、材料組成のミリングレート差によ械的切削や研磨の難しい試料の加工に適している。また、ミる凹凸形成を抑制した比較的平滑な加工面を形成できる(図リメートルオーダーの清浄な観察面を作製できるため、走査1(b))。平面ミリングでは約5mmの範囲が加工可能である。

電子顕微鏡(SEM)用試料作製法として、新素材やデバイスなどの多くの分野で利用されている。イオンミリング法には、

2.2 断面ミリング法

平面ミリング法と断面ミリング法の2つがあり、内部構造や断面ミリング法は、試料のイオンビーム照射面側にマスク断面積層形状・膜厚評価・結晶状態の観察や、故障・異物解(遮蔽板)を配置し、イオンビームを試料に対して垂直に照射

析等など様々な目的に対した断面作製方法として用いられして切削する方法である。試料の加工位置にイオンビームがる。本稿では2種類のイオンミリング方法の基礎とその応用照射されるようにマスク端面から数十μm程度はみ出して試例を紹介する。

料を設置することにより、マスク端面に沿って平滑に加工することができる(図1(c))。マスク端面からの突出量が大きい

2イオンミリング法

2.1 平面ミリング法
平面ミリング法は、イオンビームを試料表面に斜めに照射して加工する方法である。本手法では予め表面を鏡面研磨しと加工時間を要する等の問題があるので、切り出しや研磨で突出量が数十μmになるように成形することもある。試料加工面に対して平行にイオンビームを照射するため、ミリングレートの異なる組成で構成される複合材料の断面も平滑に加工できる。断面ミリングの加工領域は約1mmである。

（1）

分析機器解説シリーズ（121）(a) 平面ミリング法(b) 平面ミリング法

図13(c) 断面ミリング法

イオンミリング加工模式図の試料では、研磨傷や研磨粒子の残存が観察されるが、平面応用例

ミリングを5分間行った結果、図3(b)に示すように、研磨傷3.1 小型電子部品の平面ミリング加工や残存する研磨粒子が除去され、はんだと接合部に存在する表1に示す条件で平面ミリング加工した小型電子部品の反合金層が明瞭に観察されるようになった。また、丸で囲った

射電子像を図2に示す。直径約5mmの領域が加工されてお部分には、はんだに含まれる銀(Aｇ)が浮き出て粒子状に存り、パッケージと基板の間に、はんだボールが並んで存在す在する様子が観察できる。これはAgとベースのはんだに含る様子が観察できる。また、基板に接合されたコンデンサもまれる錫(Sn)のミリングレート差によって生じたもので、こ確認できる。

れを利用することでAgの分布も確認できる。また、金属配＜===で示した接合部について機械研磨とイオンミリン線部とメッキ層も機械研磨のみでは判別できないが、平面ミグで加工した結果を図3に示す。図3(a)に示した機械研磨後リングによって2層の境界の凹凸が明瞭に判別できている。

表1

小型電子部品平面ミリング加工の試料作製条件

切り出し

ダイヤモンドワイヤーソー

埋め込み

樹脂：エポキシ系常温硬化樹脂

機械研磨

回転研磨機

面出し

耐水研磨紙(粒径34.3μm)

中間仕上げ

バフ+ダイヤモンドスラリ(粒径9μm→3μm)

最終仕上げ

バフ+アルミナスラリ(粒径0.05μm)

イオンミリング

加速電圧：4ｋV
イオンビーム照射角度：30°
試料ステージ：回転
ミリング時間：5分

図 2 平面ミリング加工した小型電子部品の反射電子像
観察装置：S-3400N、加速電圧：15kV、観察倍率：20 倍（2）分析機器解説シリーズ（121）(a)機械研磨後(b)イオンミリング加工後

図 3 小型電子部品はんだ接合部の反射電子像
観察装置：S-3400N、加速電圧：5kV、観察倍率：3,000 倍

3.2 金ボンディング部の平面ミリング加工

金ボンディングと金属配線の接合状態が明瞭に観察できる。

平面ミリング加工した小型電子部品の金ボンディング部のさらに、イオンミリングによって、ボンディングと配線の間反射電子像を図4に示す。加工は表2に示す条件で行った。に存在する金メッキ層も明瞭になり、また、ボンディングと図4(a)に示すように、機械研磨した試料では、研磨傷や研磨メッキ層の間にはボイドが存在することも確認でき、金ボン剤の残存が見られ、金ボンディング部の結晶状態を確認する

ディング面には結晶粒の方位の違いによる濃淡のコントラスことはできない。イオンミリングした試料では、図4(b)に示トも観察できる。

すように、研磨傷や研磨剤が除去した平滑な断面が得られ、
表2

小型電子部品平面ミリング加工の試料作製条件

切り出し

ダイヤモンドワイヤーソー

埋め込み

樹脂：エポキシ系常温硬化樹脂

機械研磨

回転研磨機

面出し

耐水研磨紙(粒径34.3μm)

中間仕上げ

バフ+ダイヤモンドスラリ(粒径9μm→3μm)

最終仕上げ

バフ+アルミナスラリ(粒径0.05μm)

イオンミリング

加速電圧：4ｋV
イオンビーム照射角度：80°
試料ステージ：反転
ミリング時間：5分(a) 機械研磨後(b) イオンミリング加工後

図 4 金ボンディング接合部の反射電子像
観察装置：S-3400N、加速電圧：5 kV、観察倍率：5,000 倍（3）分析機器解説シリーズ（121）
図5(a)に示すように、バンパーの表面には、ベースとその上3.3 車載バンパーの断面ミリング加工
断面ミリング加工した車載バンパーの反射電子像を図5にに充填材を含む異なる3層が確認できる。図5(b)及び図5(c)示す。加工は表3に示す条件で行った。樹脂製バンパーは熱は層間の拡大で、図5(b)に示すように、第1層と第2層の界によって変形や収縮を起こしやすい材料から構成されている面や2層中の細い繊維状のフィラーが鮮明に観察できる。図ため、高加速電圧(6 kV)で加工を行うと、加工面にしわな5(ｃ)では、3層中に粒子状のフィラー、ベース部のタルクどの変形が見られる場合がある。この場合、低加速電圧でのといわれる板状の構造物が観察できる。このようにイオンミイオンビーム照射や高速のステージ反転速度に設定するこリングによって、硬度の異なる樹脂や充填剤を平滑に加工でとによって、試料への蓄熱による温度上昇を軽減し、試料のき、形状や配向状態を確認することができる。

変形や収縮を抑制した平滑な断面を取得することができる。
表3

車載バンパー断面ミリング加工の試料作製条件

切り出し

カミソリ

埋め込み

樹脂：エポキシ系常温硬化樹脂

機械研磨
面出し
中間仕上げ
イオンミリング

耐水研磨紙(#800、#1000、#2000)
加速電圧：4ｋV
試料ステージ：反転(速度：速め)
ミリング時間：4時間(a) 全(b)1 層−2 層間拡大像

体像(c)3 層−ベース間拡大像

図 5 断面ミリング加工した車載バンパーの反射電子像
観察装置：S-3400N、加速電圧：5kV、観察倍率：(a)300 倍、(b)(c)5,000 倍

4

おわりに

イオンミリング法の基礎と加工例について紹介した。イオンミリング法は平面ミリングと断面ミリングの両方の加工が（4）可能であるため、観察対象や観察目的に応じて手法の選択が可能で、多様な試料に適用できる。今後、益々、イオンミリング法が材料の研究開発から製品品質管理まで幅広い分野で利用されることを期待している。

分析機器解説シリーズ（121）
用，TECHNICAL DATA，SEM No.149，（2012）参考文献
1）中島里絵他，IM-3000形フラットミリング装置の特徴と応用， TECHNICAL DATA，SEM

No.136，4）Muto A., et al.: A study for the Cross-sectional
Evaluation of Composite Material Using Ar
Ion Beam Broad Milling System, The 16th（2009）2）檀紫他，E-3500形イオンミリング装置の特長と電International Microscopy Congress（2006）

子部品材料への応用，TECHNICAL DATA，SEM

5）武藤宏史他，高レートイオンミリング装置の開発と応用，日本顕微鏡学会第66回学術講演会(2010)

No.133，（2008）
3）許斐麻美他，IM4000形イオンミリング装置の特長と応USERʼS DATA

( 関連するユーザーの測定例をご紹介します )フラットミリング装置（IM3000）を使用した例
九州大学

材料工学部門大上悟

サンプルは電気銅めっきの断面である。バフ研磨、酸洗・よる切削面積は数百um四方であるので全域が加工される。

脱脂処理をした圧延銅板上に、硫酸銅を主成分とする電解液

図2にその結果を示す。明らかに明確な界面が観察される。

中にて電流密度200A/m2として8umの皮膜厚となるよう

またEBSDにおいて結晶面の算出妥当性を示すCI値も0.9以に電解した。電極の中心部分を切り出し、自作のジグにて固上と非常に良好であった。この浴条件・電析条件においては定の後、ウルトラミクロトーム(Leica Ultracut-S)に装着し銅の電析物は電場配向性を持つ細長いコラム状の形態を示す

たダイヤモンドナイフ(スミナイフ45°)にて面出しを行っことが判明した。

た。面出しのまま、EBSD測定(Hitachi SU6600, TSL

もし同様の処理を一般的に認められている手法で行った場

Solutions)を行ったのが図1である。かなりノイズが大き合、機械研磨条件の選定、化学エッチングであれば処理液・く、なんとか界面が判別できる程度である。今回の皮膜厚の浸漬条件の選定、電解エッチングであれば電解条件の選定な

電析物の結晶カラムの径は大きくても数umであり、素地のど多岐にわたる条件を考慮しなくてはならない。組織の形態圧延銅板と比べて圧倒的に小さい。またダイヤモンドナイフ

によっては同じ元素構成であったとしても、エッチング条件による切削は電析物のみならず素地の圧延銅板の結晶にも大を微妙に調整しなくては微細な組織を失ってしまう結果となきな塑性変形を与えており、組織の判別を困難にしている。

る。IM3000に代表されるフラットミリング装置は、前処理

そこでこの試料をフラットミリング装置Hitachi IM3000として機械研磨のみでも問題なく、発生したダメージ層を迅にセットし、試料傾斜80°, 加速電圧3kV, 加工時間3分と速に取り除く。水を使用できない試料においても大きなアドしてフラットミリングを行った。IM3000の加工領域は試料バンテージがある。

台中心の直径5mmφの範囲であり、ダイヤモンドナイフに

図 1）IM3000 処理前の電析銅めっきの断面 EBSD 測定例

図 2）IM3000 処理後の電析銅めっきの断面 EBSD 測定例（5）

トピックス

科学計測用 sCMOS カメラ

ORCA-Flash4.0
浜松ホトニクス株式会社

戸田英児、杉下財1．はじめに弊社が科学計測用のGENⅠsCMOS カメラORCA-Flash2.8を販売して3年が経過しました。
GENⅠsCMOSカメラにおいて低ノイズ化に大きく寄与した技術として、カラムパラレルADC（並列ADコンバータ）が挙げられます。カラム数分の並列処理が可能なため、各アンプでの周波数帯域を低くすることで低ノイズ化でき、科学計測用途でのsCMOSカメラへの流れを加速させました。ここでは更に性能アップされた、第2世代のGENⅡsCMOSカメラORCA-Flash4.0を紹介いたします。

２．GENⅠsCMOSとGENⅡsCMOSの違い
GENⅠsCMOSカメラORCA-Flash2.8に比べてさらに量子効率が高く（図２参照）、CMOS起因による縦筋の固定ノイズが非常に少ない（図１参照）GENⅡsCMOSカメラORAC-Flash4.0を開発。これによりGENⅠsCMOSカメラORCA-Flash2.8が抱えていた問題点も解消され、科学計測分野で多く受け入れられています。極微弱光計測用カメラEM-CCDを含む弊社カメラ
で性能比較してみました。（表１参照）
表１

各カメラの使用比較

カメラ

GENⅡsCMOS

GENⅠsCMOS

EM-CCD

画素数

2048×2048

2560×2160

512×512画素サイズ

6.5μm×6.5μm

6.5μm×6.5μm

16μm×16μm

量子効率

72%

56%

92%

フレームレート

100fps100fps

30fps

読み出しノイズ1.3electron

3.0electron

10electron

11

1.4

エクセスノイズファクタ

図１

固定パターンノイズ比較

図２

量子効率比較

３.GEN Ⅱ sCMOS カメラ ORCA-Flash4.0 の特徴と応用例
sCMOSカメラORCA-Flash4.0は、低ノイズ、高解像度、高ダイナミックレンジ、高速読み出しと多くの特長を持つカメラです。科学計測（微弱光観察用途）において、入力フォトン数が5フォトンを越えるとEM-CCDカメラを上回るS/Nが得られる
ので特に期待される分野としては、蛍光を使用する生物細胞顕微イメージング、X線・電子線読み出し、流れ解析、EL発光（太陽電池等）、近赤外イメージング、プラズマ観察等の科学計測に応用できます。

（6）

トピックス
3-1. 応用例１）超解像度イメージング
蛍光顕微鏡は、GFPをはじめとする蛍光標識を用いて、生体内の構造や機能の解析に使われています。この超解像顕微鏡には、カメラ内部で増倍機能を持つ、EM-CCDカメラがよく使用されていましたが、sCMOSカメラORCA-Flash4.0の開発により、EM-CCDカメラを上回る高S/Nと高解像度、高い精度で超解像度画像を得ることができました。

写真１

ローカライゼーション法によるアクチン束の超解像画像

3-2. 応用例２）EL(Electro Luminescence)発光イメージング
太陽電池へ電流を流すと、EL（エレクトロルミネッセンス）発光が起こります。この発光は、太陽電池の発電効率と大きな関連があり、局所的な発電効率の差がわかります。また、電極不良やクラックの有無も判断できます。sCMOSカメラORCAFlash4.0は、近赤外までの幅広い波長感度を持ち、低ノイズで、2048×2048画素と高解像度で、太陽電池の最小単位セル（Si結晶系太陽電池は、通常15cm角程度のユニット）を、従来より短時間で、詳細な部位まで観察が可能となり、モジュールの測定において、全体を見ながら面内発電効率が確認できるため、特に有用です。（図4/写真2参照）（7）

トピックス

図４

EL 観察システムの構成例

写真２EL 観察画像（多結晶 Si）

3-3. 応用例３）高解像度X線イメージングシステム
X線イメージングを行う場合、放射光実験施設やX線を扱う研究室では、X線ビームを蛍光体で可視化するシンチレータと、その分解能、視野に適した光学系およびカメラの組み合わせが必要です。（写真3/図５参照）特に近年では、半導体や、精密機械等微細な対象物をX線で3次元イメージングするマイクロX線CTの需要が高まっています。従来使用されてきた冷却CCDカメラ
より、sCMOSカメラORCA-Flash4.0が微細な構造を詳細に、かつ高S/Nで測定が可能となります。

写真３

高分解能 X 線イメージングシステム

図５

X 線イメージングユニットの光学系基本構造

４.GEN Ⅱ sCMOS カメラのまとめ
sCMOSカメラORCA-Flash4.0に使用されている科学計測用CMOSイメージセンサFL-400は、従来のCMOSイメージセンサから常識を覆した優れた高精細画質・性能を持ち、高ダイナミックレンジによる明視野から微弱な蛍光まで幅広い光領域のイメージングや計測が可能となり、カラムパラレルADC（並列ADコンバータ）を採用し1.3Electoronsという低ノイズでかつ100フレーム/秒（2048×2048画素時）の高速な信号読み出しが可能に成りました。今後も単に画像を取得するカメラを提供するという立場ではなく、イメージングを使って何ができるかを常に考え、ユーザーに最適なソリューションを提供できるようなメーカーとしてチャレンジしていきたいと考えています。

九州大学中央分析センターニュース 第121号 平成25年7月25日発行
九州大学中央分析センター（筑紫地区）〒816-8580 福岡県春日市春日公園6丁目1番地
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