Ｖ－３.研究開発項目③ ＭＥＭＳ／ＭＥＭＳの高集積結合技術の開発（１）多層ウェハレベル接合体の低ストレスダイシング技術（レーザー技術総合研究所／東北大学）
１．研究の概要460

２．成果の詳細
第1章
1.1

緒論

背景及び目的MEMS（Micro Electro Mechanical System：微小電気機械システム）は小型・低消費電力・高機能という特徴を活かし，自動車・情報通信分野等で市場規模を拡大し続けている．この MEMS とは，半導体集積技術を用いてガラスや Si 基板上に，電子回路・機械要素部品・
センサ・アクチュエータなどを作り込んだデバイスを示す．代表例としてはインクジェッ
トプリンタヘッド・圧力センサ・加速度センサ 1-1)等が挙げられる．
MEMS デバイスは，薄膜形成，フォトリソグラフィ，ドライエッチングなどの工程後に，切断（ダイシング）工程へと移る．従来，MEMS ウエハをチップ化するには接触方式であるダイヤモンドブレード（回転刃）が用いられている．このブレードを用いるダイシング
工程では，接触方式であるため切断時に MEMS デバイスに負荷がかかる．更に，ブレードの冷却や切削粉の除去のために水をかける必要がある．しかし，ダイヤフラムなどを有す
る精密な MEMS 素子に水が浸入すると，汚染や破損が生じ歩留まりが大幅に低下する．このため，通常は MEMS ウエハのチップ化前に保護テープを施したり，レジストにより保護したりするが，これが MEMS の設計の大きな制約となる．また，回転ブレードによるダイ
シングでは，ブレード幅に相当する分割代とチッピングが発生する領域が広いため，ウエ
ハ内でのチップ数が減少するという問題がある．これは，特に小型チップのコストに直結するため MEMS 実用化の障害となる．以上の背景から，ドライな環境でチッピングなしに低ストレスダイシングする技術が求められている．
これまでに，レーザーアブレーションを用いた切断が検討されているが，デブリ（ゴミ）の発生や熱影響が懸念される．レーザーアブレーション切断の応用として，レーザーマイ
クロジェットという技術があるが，これは水の問題を避けられない．前述した問題を解決する手法として，ウエハ内部に改質層を発生させ割断するステルスダイシング技術が開発された．しかし，厚みのある試料や積層構造 MEMS への適用はできておらず装置が高額である．したがって，我々は MEMS の一般的な構成要素であるテンパックスガラスと Si のレーザー加工特性を調べた後，積層 MEMS をレーザーによってデブリなしに低ストレスで分割する技術の開発を行った．

461

1.2
1.2.1

低ストレスレーザーダイシング技術の開発
低ストレスダイシングの手順

本研究で行ったレーザーダイシングは 3 つの工程から構成されており，その概要を図 1-1に示す．第 1 工程として，試料に対して透過性のある短パルスレーザーをウエハ内部に集光して内部クラックを形成する．続いて，このクラックがライン状につながるようにレー
ザーを走査させ内部加工ラインを作る．厚みのあるウエハに対しては厚さ方向にレンズのデフォーカス量を変化させて数回レーザー走査させ，数層の内部加工ラインを形成する．
ここで，ウエハ表面がアブレーションしてデブリ（ゴミ）が発生しないように内部加工ラ
インの層数，レンズのデフォーカス量を調整する．また，形成された内部クラックによってレーザー光が散乱しエネルギーロスすることを避けるために，レーザー走査はウエハの底面から表面の順に行っていく．次に，第 2 工程として，ブレード等によって外部ストレスを加えることでウエハを内部クラック層に沿って完全に割断する．最後に第 3 工程としてテープエキスパンドを行いチップ間の隙間をあける．図 1-2(a)に第 3 工程で用いたテープ
エキスパンダ装置（ヒューグルエレクトロニクス社製）を示す．本研究では，第 1 工程の前後どちらかで図 1-2(b)に示すテープマウント装置（ヒューグルエレクトロニクス社製）を用いて，ウエハにダイシングテープを貼り付けている．テープエキスパンダ装置はダイシ
ングテープの端をリングで固定し，ステージを上昇させることでテープを伸ばす．このテープが引張られる時に発生する引張り応力を利用して，個々のチップ間に隙間をあけている．第 1 工程で用いたレーザーダイシング装置，第 2 工程で用いたウエハ割断装置については第 2 章で詳しく述べる．

(b) Second step
(Wafer separation)①

Pressure
Blade
Tape

(a) First step
(Internal transformation)

RubberPulse laser (fs ～ns)Multi passscanning

High NA
objective lens(c)Third step
(Tape Expansion)② Pressure

MEMS chipRollerTape

TargetInternal transformation

Rubber③

Tape
Pressure

Tape

Pressure

Curve plate

図 1-1 低ストレスダイシングのプロセスフロー

462

Flat plateProcessed wafer
Dicing tape

Dicing frame

Wafer(a) テープエキスパンダ装置(b)テープマウント装置

図 1-2 テープエキスパンダ，テープマウント装置の外観
1.2.2

短パルスレーザーによるウエハの内部加工

レーザーでバンドギャップの大きいガラスの内部加工をする場合は，非線形現象である
多光子吸収を起こす必要がある．物質の電離エネルギーや解離エネルギーに比べて，1 光子のエネルギーが大きい場合は，図 1-3(a)のように 1 光子の吸収により物質の状態が変化する．
この場合，吸収係数はレーザー光強度に依存せず，照射強度に比例してイオン数などは増加する．これに対して，図 1-3(b)，(c)のように 1 光子のエネルギーに比べて励起準位のエネルギーが大きい場合は，レーザー強度を大きくすると複数の光子を同時に吸収して遷移する多光子吸収が起こる．この多光子吸収には 2 つのケースがある．図 1-3（b）に示される原子の光電離のように中間に共鳴準位が存在しない場合，電離に要する光子数を n とすると，吸収は光強度の n 乗に比例する．これに対して，図 1-3（c）の分子振動にようにエ
ネルギー準位が密な場合，段階的な吸収が起こるため励起準位に達するには n 個の光子が必要な場合でも，吸収は強度の n 乗には比例せず，強度依存性は n 乗に比べてかなり小さ
くなる．ガラスの内部クラックは図 1-3(b)の多光子吸収で起こるため，光強度の大きい短パルスレーザーが必要である．一方，Si の内部加工をする場合は，Si に対して吸収の少ない
赤外域のレーザー波長を選択する．Si のバンドギャップは約 1.1eV であり，波長 1064nmのレーザーで内部加工をした場合，フォトンエネルギーが 1.17eV であるため図 1-3(a)の 1
光子吸収で加工が行われる．
励起準位

E

E

E < hν

E

E < 3h ν

基底準位（a）1光子過程（b）多光子吸収

図 1-3 光の吸収過程
463（c）多段階吸収

ウエハの内部加工をするには，ウエハの表面と内部集光点のエネルギー密度の関係も重要になる．ウエハ表面のレーザーエネルギー密度はアブレーション閾値以下，集光点は内部クラック形成閾値以上という条件を満たすには高 NA の対物レンズが必要になる．本研究では NA0.7 と NA0.8 の対物レンズを使用した．続いて，短パルスレーザーを NA0.8 の対物レンズでガラスや Si に内部集光した時の集光位置について述べる．図 1-4 にレンズのデフォーカス量に対する内部集光位置を示す．内部集光位置(内部加工位置)l はスネルの法則よ
り以下のように導かれる．

l = n2⎛ NA ⎞⎟⎟
1 − ⎜⎜⎝ n2 ⎠

2⎛ NA ⎞⎟⎟
1 − ⎜⎜⎝ n1 ⎠

2

⋅d

(1-1)

ここで，d はレンズのデフォーカス量，n1 は空気の屈折率，n2 は基板の屈折率，NA はレー
ザーの入射 NA である．ガラスの屈折率は 1.5，Si の屈折率は 3.6，空気の屈折率は 1 としている．図 1-4 よりガラスの場合は屈折率が小さいため内部集光位置が基板内部に少し入り込む程度であるが，Si の場合は屈折率が大きいため集光位置が基板内部に大きく入り込んでいることが確認できる．一例として式(1-1)を用いて，NA0.8 の対物レンズで 10μm デフォーカスした場合，ガラスの内部集光位置は 21.6μm，Si の内部集光位置は 58.5μm となる．
NA: 0~0.8

NA: 0~0.8

n1=1
n2=1.5

n1=1
d

l1 l2

n2=3.6

d
l1 l2

Glass

Si

図 1-4 入射 NA と内部集光位置の関係
1.3

ガラスの熱応力割断

液晶パネル，プラズマパネルなど薄型ディスプレイの基板となるガラスの切断には，超硬ホイールによって表面にクラックを入れブレイクする方法と，レーザーによる熱応力を
図 1-5 にレーザー照射による熱応力割断の原理を示す．
利用した方法 1-4)が用いられている．
割断プロセスとしては，割断予定ラインに端にホイールやレーザーで初期亀裂を形成する．
そこに CO2 レーザー（波長：10.6μm）を照射し，割断ラインに沿って走査させる．この時，464

ガラス表面にレーザー光が吸収され，表面は融点以下の温度まで加熱される．ガラスには熱膨張に伴って照射域では圧縮応力，その周辺では引張り応力が発生する．この引張り応力は照射部を中心とした円周方向に作用するため，引張り応力場内にある初期亀裂はレー
ザー照射部中心に向かって進展していき割断される．また，このプロセス中に冷却源を同時に走査することで，引張り応力が大きくなり切断プロセス時間の短縮ができる．この技術の利点としては，きれいな割断面が得られる点とクラックを入れてブレイクする方式にはできない自由曲線で切断できる点である．欠点としては，引張り応力が加わりにくい細
い幅の切り出しが困難であることが挙げられる．
CO2 laser
Dicing line

Tensile stressCompression stressTensile stress

Intial crack

Crack propagetion

図 1-5 ガラスの熱応力割断
参考文献
1.

林正和：レーザー式ガラス割断装置の開発，芝浦メカトロニクス技報(2007-1)

2.

黒部利次：YAG レーザーによる精密割断技術，精密工学会誌，Vol.65，No.11，(1999)3.

上田隆司：割断における温度計測，レーザー加工学会誌，Vol.12，No.1(2005)

4.

才元明秀，今井康文，森田英毅：き裂面加熱に伴う反無限き裂の熱応力拡大係数，日本機械学会論文集(A 編)，62 巻 597 号(1996-5)

465

第2章
2.1

低ストレスレーザーダイシング装置の開発

高速レーザー加工装置

波長 1μm のレーザーによる Si の内部クラック形成は 1 光子吸収による熱影響に基づいている 1) ．これに対して，ガラスの内部クラック形成には多光子吸収を利用する．N 次の多光子吸収では吸収の強さは入射光強度の N 乗に比例するため，高強度である短パルスレー
ザーがガラスの内部クラック形成に適している．そこで本研究では，光学特性の異なるガ
ラス，Si 共に内部加工を施すため，短パルスレーザーである Nd:YVO4 レーザー（MEGAOPTO
社製）を用いた．Nd:YVO4 は YVO4 結晶中の Y3+を Nd3+に置換した結晶である．発振波長は1.0643μm と Nd:YAG レーザーの 1.0641μm に近い値となっている．Nd:YVO4 レーザーは，発振閾値が低く発振が容易であり，LD 励起に適しているため小型である．また，上準位の蛍光寿命が比較的短く高繰り返し発振に適しているため，高速レーザーダイシング装置に組み込んだ．波長は 1064nm，パルス幅は 10ns，繰り返し周波数は 10kHz～100kHz で任意に設定可能である．加工条件の最適化を行うためにその他のレーザーとして，Ti:sapphire レーザー（波長：800nm，パルス幅：100fs，繰り返し周波数：1kHz，SpectraPhysics 社製），
Nd:YVO4 レーザーの第 2 高調波（波長：532nm，パルス幅：10ns，繰り返し周波数：10～100kHz ，
MEGAOPTO 社製），Yb ファイバーレーザー（波長：1064nm，パルス幅：200ns，繰り返し
周波数：10～100kHz，SPI 社製）も用いた．
使用したレーザー加工装置の概略図を図 2-1 に示す．加工用のレーザーを各レーザー波長に対応したミラーで打ち下ろし，NA0.8 の対物レンズを通して試料に照射する．試料の固定にはステージ上に設置された真空ポーラスチャックを用いる．観察系としては基盤の歪み
CCD camera (for NIR)

CCD camera(for visible)
Ti:Sapphire laser(Pulse width:100 fs, wavelengh:800 nm)
Nd:YVO4 laser(Pulse width:10 ns, wavelengh:1064 nm)
Nd:YVO4 laser(Pulse width:10 ns, wavelengh:532 nm)
Yb fiber laser(Pulse width 200 ns , wavelengh:1064 nm)

Condenser lensLong pass filter (1100 nm~)Cold mirror
Polarizer
Energyattenuator

Photo diodePorous vacuum chuck

Illuminator
Polarizer
Objective lens
( NA:0.1,0.4,0.8 )4 axes stage ( x, y, z ,θ )

図 2-1 高速レーザー加工装置の概要
466

θ
Air cylinder(0 ~ 40 N)

Blade
Processed waferx

図 2-2 最大曲げ応力評価装置

を見るための偏光顕微鏡機能，Si の内部加工を見るための赤外顕微鏡機能を搭載している．
加工ステージは 4 軸のものを用いており，最大速度が X・Y 軸：700mm/sec，Z 軸：100mm/sec
である．XY ステージのストロークは 300mm と 6 インチウエハに対応しており，大口径ウエハの高速ダイシングが実証できる．ステージの繰り返し位置決め精度は±500μm，Z 軸ス
テージの分解能は 100nm である．レーザーのエネルギー調整は半波長板と偏光子を組み合わせてエネルギー源衰器を作製し用いた．本装置を用いて，図 1-1 に示す第 1 工程のレーザ
ー加工を行った．

2.2

曲げ応力測定装置

内部加工を施した試料は外部ストレスを加えることで完全にチップ化されるが，脆弱構造を有する MEMS ウエハは出来る限り低ストレスに割断する必要がある．この割断条件の最適化を行うために，図 2-2 に示す 3 点曲げ応力装置を設計しウエハの分離に必要な最大曲げ応力を測定した．装置の支点間距離は 10mm，ブレード先端の幅は 200μm，ブレードにかかる圧力はエアシリンダーによって供給される．試料に形成された内部加工ラインとブレード先端が沿うように x 軸と θ 軸で位置調整を行った．曲げ応力測定に使用した評価試料サ
イズは，Si が厚み 300μm で 6×20mm，テンパックスガラスが厚み 500μm で 6×20mm，ガ
ラス/Si 接合ウエハが厚み 300-300μm で 6×20mm である．ガラスと Si の接合には陽極接合技術を用いた．この原理は，300~500 度で加熱すると同時にガラス側を陰極，Si 側を陽極として高電圧をかけることで，ガラス中の陽イオンを陰極側に強制的に拡散させ，ガラスとSi の間に静電引力を発生させて密着を促すとともに，ガラスと Si を化学反応によって結合させている．接合最大曲げ応力 σmax2)[MPa]は以下の次式より求めた．

σ max =

M
Z

(2-1)

467

F l
⋅
2 2

(2-2)

bh 2
6

(2-3)

M =
Z=

ここで，M は曲げモーメント，Z は断面係数，F は試料に加えれた圧力，l は支点間距離（10mm），b は奥行き方向の試料幅（6mm），h は試料厚み（Si：300μm，テンパックスガラス：500μm，
接合ウエハ：600μm）である．

2.3

ウエハ分割装置

2.3.1

ブレイク装置

図 1.1 の第 2 工程(a, b)でウエハの割断に用いるブレイク装置について述べる．初めに，(a)ブレードを用いた場合の装置概要を図 2-3 に示す．ブレードは 1～9 枚まで重ねて使用することができ，複数のブレードを利用することでチップ化の効率が上がる．ブレードの押し当て方は図 2-4 に示す 2 つの方式を用いた．図 2-4(a)はウエハの表面にブレードを押し当てる接触方式であり，下にあるスポンジと挟み込むことで大きな力が加えられる．図 2-4(b)は空中に浮いており，テープ側から押し込むため非接触であるが，加えられる力が弱くなる．また，この方式ではブレードの押し込み量が増えるとテープが裂けたり剥がれたりした．そこで，図 2-5 のようなローラー式のブレードを用いて，局所的に割断を行うことでテープ剥がれの問題を解決した．ウエハの割断方法はそれぞれウエハの状態に合わせて最適な方式を選択し用いた．
ブレードを用いたチップ化の手順としては，Y 軸方向のウエハ内部加工ラインとブレードが沿うように CCD カメラでアライメントを行う．そして，Z 軸方向にブレードを押し込む
ことで亀裂を進展させ短冊状に割断する．その後，θ軸を用いて 90 度回転させ X 軸方向に対しても割断を行いチップ化する．ローラーを用いた場合には図 2-5 に示すように Z 軸方向に押し込んだ後，内部加工ライン方向にスキャンさせることで割断を行っている．

2.3.2

球面テープエキスパンダ装置

テープエキスパンダ装置は，ウエハ固定のために使用するダイシングテープを引張ることで発生する引張り応力を利用してチップ間に隙間をあける．通常，この装置はブレードダイシング等の手法で，完全に切断されたウエハに対して用いられる．本研究においても，
図 1-9 に示すようにブレイク装置で割断を行った試料に対して第 3 工程で用いている．そこで，プロセスの簡略化として，第 2 工程，第 3 工程を同時に行うために，引張り応力だ
けでなく，縦方向に曲げ応力も加えられる球面テープエキスパンダ装置を開発した．図 2-6にこの装置の外観を，図 2-7 にプロセス手順を示す．
プロセス手順としては，初めに，ダイシングテープを伸ばしやすくするためにヒーターで
468

zOption blade

Main bladeθDicing flame

Dicing tapex
Hard sponge

Processed wafer

図 2-3 ブレードを用いたウエハ自動分割装置(b) 非接触方式(a) 接触方式

図 2-4 ブレードによる分割方法

Scan

z

・・・
x
PressurezScany

図 2-5 ローラーを用いたウエハ自動分割装置469

Processed wafer
Tape

Tape cramp
Support ring

Hemi sphere stage

HeaterRing stage

30 cm
図 2-6 球面テープエキスパンダ装置の概観

1. テープの固定と加熱
Processed Wafer
Tape

4. 全ステージの上昇 (大きな応力を加えるため)
Tape cramp

Support ring

Hemisphere stage

Ring stage

2. リング・半球ステージ上昇

5. リングステージ上昇、半球ステージ下降(平らになるまで)

3. 半球ステージの上昇によるウエハの分割

6. 全ステージの上昇 (チップ間隔をあけるため)

図 2-7 球面テープエキスパンダ装置のウエハ分割手順
加熱（60℃）を行う．加熱後，外側のリングと半球のステージが上昇して，通常のエキス
パンダ装置と同様に引張り応力を加える．弱い力で割断されるウエハはこの過程で完全にチップ化される．チップ化されない場合は，中央から半球ステージが上昇し，ウエハに対470

して縦方向の曲げ応力が加えられチップ化される．また，途中から更に応力を加えるためにリングステージも上昇する．完全にチップ化すると，外側のリングがそのまま上昇してチップ間の隙間を広げつつ，曲面ステージが下降し，最終的に平らな状態でテープにマウントされたチップが得られる．この装置には，粘着力が 20N/25mm と強力な UV 剥離タイ
プのダイシングテープ(ウノン技研製)を用いた．これは，球面ステージでテープ側から曲げ応力を加えると，粘着力が弱い場合には，ウエハがテープから浮き上がってしまい力が伝
わらなくなるため，強粘着なテープを使用した．
参考文献
1.

T.Monodane, E.Ohmura, “Thermo-Elastic -Plastic Analysis on Internal Processing Phenomenaof Single-Crystal Silicon by Nanosecond Laser”, in Proceedings of LAMP 2006, Kyoto, May
16-19, 2006, #06-125.

2.

須藤一：材料試験法，p.61 (2002)

471

第3章
3.1

パルスレーザー照射による内部クラック形成実験

テンパックスガラスに形成される内部クラック形状

表 3-1 に示す物性値をもったテンパックスガラスに対して，パルス幅の異なるレーザーを照射し，形成される内部加工の比較を行った．テンパックスガラスはドイツ，ショット社の製品で，耐熱ガラスとして有名なパイレックスガラス(アメリカ，コーニング社)と同等の特徴をもっている．パイレックスガラスが生産中止となったため，本製品を実験に用いた．
レーザーには Nd:YVO4 レーザー（波長：1064nm，パルス幅：10ns），Ti:sapphire レーザー（波長：800nm，パルス幅：200ps），Ti:sapphire レーザー（波長：800nm，パルス幅：100fs）の3 種類を使用した．レーザー光を NA0.7 の対物レンズでガラス内部に集光し，シングルパル
ス照射して形成されるクラック形状を観察した．シングルパルスの切り出しにはメカニカ
ルシャッターを利用した．
ナノ秒レーザー，ピコ秒レーザー，フェムト秒レーザーで形成した内部クラックを上部からレーザー顕微鏡で観察した結果を図 3-1 に示す．上段は加工閾値近くのエネルギーを照表 3-1 ガラス物性値の比較
熱膨張係数(0～300℃)
×10-7 [℃-1]

熱伝導率[W/m/K]

比誘電率(25℃，1MHz)

屈折率(589.3nm)

ポワソン比

ヤング率
×103 [kg/mm2]

テンパックスガラス
厚み:500±10μm(ホウケイ酸ガラス)

32.1

1.2

4.8

1.472

0.22

6.42

パイレックスガラス(ホウケイ酸ガラス)

32.5

1.1

4.6

1.474

0.2

6.68

ソーダライムガラス

93.5

1.0

7.0

1.523

0.23

7.20

800nm・100fs

800nm・200ps

1064nm・6ns～Eth1(3μJ)～Eth2(6μJ)～Eth3(65μJ)～3Eth1～3Eth2～3Eth360μm

図 3-1 レーザーパルス幅の違いによる内部クラック形状比較(LSM 像)
472

射した結果で，下段は加工閾値の約 3 倍のエネルギーを照射した結果である．それぞれの加工閾値エネルギーは Nd:YVO4 レーザー（パルス幅：10ns）は 80μJ，Ti:sapphire レーザー(パルス幅：200ps)は 6μJ ，Ti:sapphire レーザー（パルス幅：100fs）は 3μJ となり，パルス幅の短い Ti:sapphire レーザーは多光子吸収が起こりやすいため，加工閾値エネルギーが低くなったと考えられる．加工閾値エネルギーで形成される内部クラック形状は，Nd:YVO4 レー
ザーの場合，集光点からほぼ等方的に約 30μm のマイクロクラックが発生しており，内部ク
ラック幅は約 60μm であった．一方，パルス幅 100fs の Ti:sapphire レーザーの場合は多光子吸収が起きやすく，少ないエネルギーで加工できるため熱影響が抑えられ，集光点のみに局所的なクラックを形成できた．その内部クラック幅はナノ秒レーザーに比べて 1 桁低い
5 μm 程度であった．
図 3-2 に内部クラック幅の照射エネルギー依存性を示す．このグラフにおいて Nd:YVO4

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10
80
70
60
50
40
30
20
10
0

160
Nd:YVO4 _10ns (Eth:80μJ)
Nd:YAGω

内部クラック幅 L [μm]140

Ti:Sapphire_200ps (Eth:6μJ)
200ps

120

Ti:Sapphire_100fs (Eth:3μJ)
100fs

100
80
60

クラック幅

40
20
0
0 0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

投入エネルギー/閾値エネルギー E / Eth
図 3-2 内部クラック幅のパルス幅依存性(a) 内部クラック幅(b) 内部クラック深さ

40 μm

図 3-3

Nd:YVO4 レーザー(パルス幅：10ns)で形成される内部クラック形状473

レーザーの場合，集光点から等方的にマイクロクラックが発生するため，中心から端までの距離を平均して 2 倍したものを内部クラック幅と定義している．グラフの横軸には投入
エネルギーを加工閾値エネルギーで割った値を示している．投入エネルギーの増加に伴い
内部クラック幅が増加しており，パルス幅が短いほど小さい内部クラックを形成できた．
また，試料の厚み方向に形成される内部加工ライン深さも調べた．内部クラック層を 1 ライン形成したガラスの断面をレーザー顕微鏡で観察した．図 3-3 にナノ秒レーザーで形成された(a)内部クラック幅（シングルパルス），(b)内部加工ライン深さを示す．加工閾値エネル
ギーの 1.5 倍のエネルギーを投入すると，ナノ秒レーザーの場合は 100μm，フェムト秒レー
ザーの場合は 10μm の内部クラック深さとなることから，ガラスに形成される内部クラックのアスペクト比は約 1.5～2 であることが分かった．以上の結果から，パルス幅の短い
Ti:sapphire レーザーは内部クラックを小さく形成できるため，ダイシング幅を狭く抑える可能性を示しており優位な点といえる．しかし，ダイシングにおいては内部クラックがつながるようにレーザーの走査速度を決定しなければならない．つまり，レーザーの走査速度
は内部クラックの大きさとレーザーの繰り返し周波数によって決定されるため，Ti:sapphire
レーザーを用いた場合は Nd:YVO4 レーザーに比べて大幅に時間がかかる．特に厚みのあるMEMS ウエハに対しては，深さ方向にも数回レーザー走査させるため Nd:YVO4 レーザーの方が有効である．例えば，平均出力 10W，繰り返し周波数 20kHz の Nd:YVO4 レーザーを用いた場合，80μm の内部クラックをつなげるようにレーザー走査すると 1 ライン当たり
1600mm/sec の加工が可能である．厚さ 1mm のガラスウエハに対しては深さ方向に数ライン走査する必要があるが，これを考慮してもブレードダイシングと比べてかなり高速である．
また，レーザー装置の価格も 1 桁違うため Nd:YVO4 レーザーの方が実用的であるといえる．
3.2

Si に形成される内部クラック形状

表 3-2 に示す物性値をもった Si ウエハに対して，透過性のある Nd:YVO4 レーザー（波長：1064nm，パルス幅：10ns）を用いて内部加工を行った．レーザー光を NA0.8 の対物レンズ
で Si 内部に集光し，図 3-4 に示すようにレンズのデフォーカス量を深さ方向に 5μm ずつ変化させレーザー加工を行った．内部加工ライン幅のレーザーエネルギーによる変化を図 3-5に示す．それぞれの左図が上部から赤外顕微鏡で内部加工ラインを観察したもの，右図が
図 3-4 の Y 軸方向に Si ウエハを割断して，断面を光学顕微鏡で観察したものである．赤外顕微鏡像で確認できる黒い線は表面アブレーションで，薄い線が内部加工ラインである．
照射エネルギーの増加に伴い表面アブレーションする領域が増えている．しかし，内部加工ライン幅はエネルギーの増減によらずほぼ一定で約 5μm であることが分かった．また，ガラスの場合に発生したマイクロクラックも確認されなかった．断面図からは，Nd:YVO4
レーザーを用いることで深さ方向全面に内部加工が形成できることが確認できる．この断面の内部加工ライン深さをレーザー顕微鏡で観察した結果を図 3-6 に示す．照射エネルギーを 10μJ 以上にすると内部加工ライン深さが飽和し，その時のサイズは約 70μm である．以474

上の結果から，Si ウエハにエネルギー10μJ 投入した場合，内部加工ライン幅が約 5μm，内部加工ライン深さが約 70μm とアスペクト比の高い加工形状が得られることが分かった．

表 3-2

Si ウエハの物性値

結晶成長法

タイプ

ドーパント

結晶軸方位

厚み

抵抗率

熱伝導率

CZ

N

Phos

100

300±10μm

10～20[Ω・cm]

168[W/m/K]Si(両側鏡面)XY
Z

300 μmDefocus pitch 5 μm

図 3-4

Si ウエハのレーザー加工方法

Ablation

5μJ

Ablation

10μJ
200 μmAblation

20μJ

図 3-5

Ablation

40μJ

Si ウエハに形成された内部クラック幅(赤外顕微鏡像)と内部加工断面写真(光学顕微鏡像)

5μJ

10μJ

20μJ

30μJ

15μm

図 3-6 内部加工ライン深さの照射エネルギー依存性

475

40μJ

ガラスと比較して，このような高アスペクト比な加工形状が得られるのは，Si の屈折率が 3.6 と大きいためである．第 1 章の図 1-12 に示すように，ガラスに比べて屈折率が高い
分，ウエハの内部で集光 NA が小さくなり焦点深度が伸びたため長尺な加工形状になったと考えられる．また，ガラスに比べて投入エネルギーも小さいため熱影響が抑えられ，クラックが横方向に広がらなかったと考えられる．

3.3

透過波長レーザーによる Si の内部加工

波長 1550 nm のレーザーは Si に対して透過性を持っているので内部加工ができる可能性がある．本節では波長 1550 nm、パルス幅 1 ps および 200 ps の Er ファイバーレーザーによる Si 内部加工特性について述べる．表面に関しては図 3-6 に示すようにパルス幅 1ps でもパルス幅 100 fs の時と同じように，c-Si 表面にアモルファス化を発生させることは可能であった．
図 3-7 のように，デフォーカス量を 5 μm ずつシフトさせるプログラムを作成し，NA 0.8の対物レンズを用いて，内部集光を行った．照射エネルギーは 0.65 μJ であった．図 3-8 に加工部の透過型近赤外顕微鏡像を示す．パルス幅 1 ps の場合，アブレーションの発生を確認することはできるものの，内部加工を観察することはできなかった．一方パルス幅が 200
ps の場合は内部加工がしっかりと発生しているのが分かる．図 3-9 にそれぞれの加工部を劈開して断面観察を行ったものをしめすが，パルス幅 1 ps の場合は何も確認することができなかった．200 ps の場合は，ウエハの深部まで内部加工されていることが見て取れる．このことから，パルス幅 1 ps の場合はウエハ内部に加工に十分なエネルギーを伝えることができていないと思われる．フェムト秒レーザー加工が起こる場合，レーザーが当たったとほぼ同時にキャリアの励起が発生し，その吸収係数が大幅に増加する．内部加工を行う場合，集光点に達するまでに Si ウエハを通過するので，そのたびに多くのエネルギーをロスすることになる．このため，超短パルスレーザーは Si の内部加工には不向きであることが明らかになった．
パルス幅 200 ps で加工した断面の結晶構造を確認するため，EBSD（Electron Back Scatter
Diffraction）観察を行ったが，その方位は元の Si 基板と同じであった (図 3-10)．このことから，内部加工においても 200 ps のロングパルスではアモルファス化は発生しないことが
分かった．

3.4

まとめ

テンパックスガラスに対して Nd:YVO4 レーザー（パルス幅：10ns）と Ti:sapphire レーザー（パルス幅：200ps，100fs），Si に対して Nd:YVO4 レーザー（パルス幅：10ns）を用いた結果，ウエハ内部にクラックを形成できた．
テンパックスガラスの場合，パルス幅の短い Ti:sapphire レーザーを用いることで内部クラックサイズを10μm 程度に抑えることができるため，精密なダイシングが行える．
Nd:YVO4476

レーザーで形成される内部クラックは Ti:sapphire レーザーと比較すると大きいが，その分，レーザー加工を高速にできるため，ダイシングに要する時間が短くできる利点がある．また，ガラスに形成される内部クラックはアスペクト比 1.5 程度であった．
Si の場合，透過性のある Nd:YVO4 レーザーを用いることで内部クラックを形成でき，ダ
イシング幅 5μm とガラスに比べて極めて細い幅となった．また，屈折率の影響により形成される内部加工のアスペクト比がガラスに比べて高くなることがわかった．

図 3-6 パルス幅 1ps の Er ファイバーレーザーによって発生した c-Si のアモルファス化.

(a) 表面のレーザー顕微鏡写真, (b)断面の TEM 像

500 μmDefocus pitch 5 μm
図 3-7 内部加工条件だしプログラムの一例
200 ps, 1 μJ, NA 0.8

1ps, 0.65 μJ, NA0.8

Ablation

AblationInternaltransformation

200 μm200 μm

図 3-8 透過型近赤外顕微鏡による Si 内部加工の観察．
右図：レーザーパルス幅 200 ps，左図：レーザーパルス幅 1 ps．

477

1ps, 0.65 μJ, NA0.8

200 ps, 1 μJ, NA 0.8

200μm

200μm

図 3-9 図 3-8 のレーザー加工部の劈開箇所のおけるレーザー顕微鏡像

図 3-10 パルス幅 200 ps の Er ファイバーレーザーによる
c-Si 内部加工断面の EBSD 観察結果

478

第4章

ウエハの割断に必要な曲げ応力測定結果及び熱応力割断結果

4.1

はじめに

第 3 章に示した内部クラックを利用し，テンパックスガラス，Si ウエハ，テンパックス
ガラス/Si 接合ウエハに対して低ストレスレーザーダイシングを行った．レーザーは加工速
度が速くできる，価格が安い，1 台のレーザーで光学特性の異なるガラス・Si を共に内部加工できる点から Nd:YVO4 レーザー（波長：1064nm，パルス幅：10ns，繰り返し周波数 10～100kHz）を用いた．レーザー加工した試料に対して，割断に必要な最大曲げ応力を第 2章に示す応力評価測定し，最適な加工条件を見つけた後，実デバイスである評価試料（圧力センサ）を割断した．以下にそれらを示す．

4.2
4.2.1

ガラスの割断結果
テンパックスガラスの割断に必要な曲げ応力測定

テンパックスガラス（厚み：500μm）に対して，Nd:YVO4 レーザー（パルス幅：10ns）を
NA0.8 の対物レンズで集光し内部加工ラインを形成する．この時，低ストレスに割断するためにできるだけ表面近くに内部加工を行い表面へ亀裂を進展させた．この表面亀裂が割断の起点になるため，低ストレスを加えるだけでウエハがダイシング予定ラインに沿ってき
れいに割断される．図 4-1 に試料表面から内部に向けてのレンズのデフォーカス量と表面に発生した亀裂の関係を示す．レーザー照射条件は，エネルギー125μJ，繰り返し周波数 20kHz，
レーザー走査速度 100mm/sec である．レンズのデフォーカス量が小さいとウエハの一部が欠けたり，亀裂が蛇行したりするため高品質なダイシングができない．デフォーカス量を増やすと亀裂の蛇行が減少し，デフォーカス量 70μm の時に直線状の亀裂が得られた．直線状の亀裂はレンズのデフォーカス量 70±20μm の範囲で発生する．

100μm

Defocus 30μm

100μm

100μm

Defocus 50μm

Defocus 60μm

図4-1
図2-2
100μm

Defocus 70μm

100μm

Defocus 80μm

100μm

Defocus 90μm

図 4-1 レンズのデフォーカス量と表面亀裂の関係
479

140

16

120

14

100

12
10

80

8

60

6
Pressure

440
最大曲げ応力
応力平均値

20

内部クラック幅の平均値
クラック幅の平均値

20
0 0

内部クラック幅 w[μm]割断に必要な曲げ応力 σmax [MPa]

18

0
100

200 300 400 500 600 700
レーザー走査速度 v [mm/sec]

800

図 4-2 加工線幅と曲げ応力のレーザー走査速度依存性
この直線状の亀裂を利用して，ウエハの割断に必要な曲げ応力の測定を行った．図 4-2 に加工線幅と曲げ応力のレーザー走査速度依存性を示す．ウエハ加工条件は，エネルギー125μJ，
繰り返し周波数 20kHz，レーザー走査速度 10～700mm/ssec であり，ウエハの厚さ方向全体に内部加工がつながるようにレンズのデフォーカス量を 65μm ずつ変化させ 5 層レーザー加工した．評価試料サイズは，テンパックスガラス（厚み：500μm）の 6×20mm であり，各条件ごとに 5 サンプル測定した．走査速度の減少に伴い，内部クラックが重なり成長する
ため加工線幅が増加している．一方，曲げ応力は多少の増減はあるが，全てにおいて 15MPa以下と低い値を示しており低ストレスに割断できることがわかった．レーザー走査速度が100mm/sec の場合に，曲げ応力は 9.5MPa と一番低い値を示している．そこで，最上層と最下層のレーザー加工位置を固定して，その間の層数を 0～35 層と変化させて曲げ応力を測定した結果を図 4-3 に示す．全ての場合において 18MPa 以下と低い値を示していたが，3層以上加工した場合には，曲げ応力は 10MPa 程度と値が飽和した．加工線幅は層数が増える毎に増加していく．5 層加工した場合の線幅は 95μm に対して， 2 層加工した場合の線幅は 60～70μm 程度とシングルパルスで形成されるクラックとさほど変わらないことがわかった．これは深さ方向のクラックが重ならなかったためと考えられる．ガラスの割断において層数は，厚さ 150μm ごとに 1 層程度で十分低ストレスに割断ができる．また，加工線
幅を極力細くしたい場合は，深さ方向のクラックが完全に重ならないように層数を設定することで達成できる．図 4-4 に走査速度 100mm/sec で 5 層レーザー加工し，3mm 角のチッ
プに切り出したテンパックスガラスを示す．レーザーを円形に走査させた場合には、図 4-5のようなテンパックスガラスの円形カットも可能であった。
480

100

160

最大曲げ応力
応力平均値
内部クラック幅の平均値
クラック幅の平均値

140
120

80

Pressure

100
80

60

60

40

40
20
0
0 0

内部クラック幅 w[μm]割断に必要な曲げ応力 σmax [MPa]

120

20
0
10

20
層数 N [layer]

3040

図 4-3 加工線幅と曲げ応力の内部加工層数依存性
3 mm square Tempex glass (1 mm thickness)

Separated
chips

Processed
waferInternaltransformation

図 4-4 3 ㎜角にチップ化したテンパックスガラス

5 mm
図 4-5 テンパックスガラスの円形カット
481

4.2.2

ガラスの熱応力割断結果

第 1 章で示すように大口径ガラスの割断には熱応力割断が用いられている．従来，熱応
力割断はクラックの伝搬方向の制御が難しいため，MEMS のような小型素子に対しては適用されていなかった．そこで，レーザー内部加工を併用することで小さなチップに切り出せるか試した．図 4-6 に CO2 レーザー照射実験系を示す．連続発振の CO2 レーザーを反射型対物レンズか ZnSe レンズで集光し，ガラスに照射した．基板の固定には真空ポーラスチ
ャックを用いており，マイクロスコープでアライメントを行った．通常，熱応力割断するには初期亀裂を形成する必要がある．従来はブレードなどで端の一部に傷をつけるが，本研究では Ti:Sapphire レーザーでダイシング方向に向かって 2mm 内部加工を形成し初期亀裂とした．図 4-7 のように間隔をあけて 2 つの初期亀裂を形成したサンプルを作成し，CO2 レ
ーザーをファーストライン，セカンドラインの順に 1 パス走査させてソーダライムガラス(厚み：1mm)を割断した結果を図 4-8 に示す．図 4-8(a)は初期亀裂の横の間隔が 10mm，図4-8(b)は間隔が 2mm の場合である．レンズは反射型対物レンズを用いており，照射エネル
ギーは 4.7W，レーザー走査速度 3mm/sec，ビームの形状はリング状で外径 2mm，内径 0.5mmである．10mm 間隔の場合には，初期亀裂が進展し真っ直ぐに切断できているが，2mm 間隔の場合には，セカンドラインがそれて割断されている．これは，ファーストラインを割
断後，セカンドラインの左側の幅が 2mm と狭くなったために熱応力が非対称にかかり亀裂
が直進しなかったと考えられる．
Microscope

CO2 laser (CW)
Reflective objective lens or ZnSe lensPorous vacuum chuck
4 axes stage ( x, y, z ,θ )図 4-6

CO2 レーザー照射実験系
CO2 laser
Reflective
objective lens

1 pass scanFirst line
Second line
TargetCrack propagation

2mm
10mm or 2mm

図 4-7 熱応力割断実験方法
482

(a)

10 mm

First
line

(b)

2 mm

Secondline

図 4-8 ソーダライムガラスの熱応力割断(加工品質のライン幅による影響)

(a)
Top

First
line

BottomSecondline

Internal modification(16 layer)

No process area

1mm

(b)
Top

2mm
Bottom

図 4-9 レーザー内部加工+熱応力割断の結果

1mm

図 4-10 ミシン目状に内部加工した
ソーダライムガラスの熱応力割断面

そこで，Ti:Sapphire レーザーによる内部加工をダイシングライン全体に形成し，CO2 レーザ
ーを照射した結果を図 4-9 に示す．内部加工を形成することで，熱応力によって発生した亀裂が内部クラックに沿って伝搬するため，間隔が 2mm であっても図 4-9 のようにそれずに平行なダイシングラインが得られた．しかし，全面に内部クラックを形成すると時間がかかってしまう．そこで，スループット向上のためミシン目状の内部クラックについて検討を行った．図 4-10 はミシン目状に内部クラックを形成し，その後，熱応力で割断を行った
ソーダライムガラスの割断面の顕微鏡写真である．それぞれのデューティー比は図 4-9(a)は 0.5，(b)は 0.25 である．白い部分に内部クラックが形成されていることから，熱応力によってのびた亀裂がダイシングラインに沿って真っ直ぐに進んだことがわかる．また，全体に内部加工を形成しなくても，シリンドリカルレンズを用いてビームをライン状（14mm×0.5mm）にすることで図 4-11 に示すように 4mm 間隔に割断できる．これは，スポット幅が狭くなることで熱応力のかかる領域が狭くなるためと考えられる．以上の結果を踏まえて，
テンパックスガラスウエハ(厚み：1mm)の熱応力割断を行った．時間短縮を考えてガラスに
483

Ti:Sapphire レーザーでクロス状の内部加工を形成した後に熱応力を加えて割断を行った．図4-12 に示すようにテンパックスガラスを小さな 3mm 角のチップに分割することに成功した．
断面に内部加工ラインが確認できるためダイシングラインに沿って割断されたことがわかる．
(b) Line bean(a) Gaussian beam

First
line

Second
line

First
line

4mm

Secondline

4mm

図 4-11 照射レーザースポットによる直進性の向上

3mm
0.5 mm
3mm square
Thickness 1mm
図 4-12 クロス状に内部加工を施したテンパックスガラスの熱応力割断結果

4.3

Si ウエハの割断に必要な曲げ応力

Si ウエハ（厚み：300μm）に対して，Nd:YVO4 レーザー（パルス幅：10ns）を NA0.8 の対物レンズで集光し内部加工ラインを形成する．Si の場合においても，低ストレス割断するために表面にのびてくる亀裂の観察を行ったが，ガラスの場合に確認された表面亀裂は
本実験では確認されなかった．
Si ウエハの割断に必要な曲げ応力のレーザー走査速度依存性を図 4-13 に示す．ウエハ加
工条件は，エネルギー20μJ，繰り返し周波数 100kHz，レーザー走査速度 10～700mm/ssec
であり，ウエハの厚さ方向全体に内部加工がつながるようにレンズのデフォーカス量を10μm ずつ変化させ 5 層レーザー加工した．評価試料サイズは，Si(厚み：300μm)の 6×20mm
であり，各条件ごとに 5 サンプル測定した．図 4-13 の写真より走査速度が速くなるにつれて内部クラックからそれて割断されていることが確認できる．
図 4-14 に Si ウエハをレーザー走査速度(a)100mm/sec，(b)300mm/sec で内部加工して割断した時の断面図を示す．走査速度を上げると内部クラックが重ならなくなると同時に深さ484

方向のサイズが減少し，未加工部ができる．上部から観察した時の Si の内部クラック幅は5μm 程度と小さいため，外部ストレスを加えた場合，深さ方向に未加工部があることによってそれて割断される可能性が高くなる．その結果，余分な力が必要になり大きな曲げ応力になったと考えられる．逆に走査速度 10mm/sec と遅い場合に曲げ応力が大きくなったのは，レーザーが同一箇所に重なって当り過ぎたことで溶けが発生し，引っ付いた可能性が考えられる．

割断に必要な曲げ応力 σmax [MPa]

250
Top

200

Bottom150
100
Pressure

50
0
0 0

100

200

300

400

500

600

700

800

走査速度 v [mm/sec]
図 4-13

Si ウエハの割断に必要な曲げ応力のレーザー走査速度依存性(a) 100mm/sec(b) 300mm/sec

300 μm
図 4-14Crack-less area

内部加工を施した Si ウエハの割断面観察

深さ方向のクラックがつながっており，一番曲げ応力が小さい走査速度 100mm/sec の場
合でも，110MPa とテンパックスガラスに比べて非常に大きな力が必要であった．次に，ガラスの場合と同様に，走査速度を 100mm/sec で最上層と最下層のレーザー加工位置を固定して，その間の層数を 0～41 層と変化させて曲げ応力を測定した結果を図 4-15 に示す．内部加工ラインの層数が 5 層以上の場合は，曲げ応力が 100MPa 程度と飽和した．また，深さ485

方向にクラックがつながっていない 3 層の場合は大きな曲げ応力が必要となった．エネル
ギー20μJ で加工を行った場合は，表面アブレーションを避けるためデフォーカス量を多くしており，表面から 50μm が未加工になっていた．そこで，エネルギーを低くして表面近くに内部加工を形成することで曲げ応力低下を狙った．エネルギーを 5μJ に変更した結果，未加工部が 20μm となり，曲げ応力を 73MPa まで低下できた．以上のことから，Si に対して
は深さ方向にクラックがつながるように層数と速度を設定する必要がある．Si に形成される内部クラック深さは 70μm であるため，重なりを少し考慮して 60μm ごとに 1 ライン加工を行うことで，ダイシングラインに沿った割断ができる．走査速度は繰り返し周波数が100kHz の場合，100mm/sec が適当である．また，低エネルギーでなるべく未加工部を残さ割断に必要な曲げ応力 σmax [MPa]

ない加工を行うことが重要である．

600
500
400

Top
Bottom

300
200
100
0
0 0

図 4-15
4.4

Pressure102030
層数 N [layer]

40

50

Si の割断に必要な曲げ応力の内部加工層数依存性

接合ウエハの割断に必要な曲げ応力

4.2.1 節，4.3 節の結果を踏まえて，テンパックスガラス/Si 接合ウエハの割断に必要な曲げ応力を測定した．積層ウエハをレーザー加工する場合，エネルギー損失を考慮してガラ
ス側からレーザーを照射し Si，テンパックスガラスの順に加工した．レーザー照射条件は，前述した実験結果より Si に対しては加工層数 6，エネルギー5μJ，繰り返し周波数 100kHz，
走査速度 100mm/sec，テンパックスガラスに対しては加工層数 5，エネルギー125μJ，繰り返し周波数 20kHz，走査速度 500mm/sec とした．実験の結果，接合ウエハの割断に必要な曲げ応力は約 14MPa であった．式(1-1)からもわかるように曲げ応力は厚みの 2 乗がかかる
ため，接合ウエハは厚みがある分，曲げ応力が小さく表れる．これを押し力 F[N]で評価す
ると 1.9N であり，Si の割断に必要な押し力と同じであることが確認できた．次に，このダ
486イシング技術が実デバイスに対しても有効であるか確認するため，図 4-16 に示す圧力セン
サの割断を行った．この圧力センサはダイヤフラムやギャップ間に破損や張り付きが起きないように，また，ITO 電極の隙間に水やゴミが浸入しないようにダイシングする必要があ
Diaphragm(10 μm)
300 μmGap

Si

300 μm

Glass

3mm

ITO
ITO

3mm

図 4-16 静電容量式圧力センサの構造

Pressure sensor (Glass:300/Si:300μm)

500μm

Si
Glass
Internaltransformation

図 4-17 圧力センサの低ストレスレーザーダイシング結果
487

Results of blade dicing
Results of laser dicing
図 4-18 ダイシング法による加工品質の比較

る．図 4-17 に上記の条件で実デバイスを割断し SEM で観察した様子を示す．ダイヤフラム
内にデブリの侵入はなく，内部クラックラインに沿ってきれいに割断することができている．図 4-18 は低ストレスレーザーダイシング，ブレードダイシングで圧力センサを切断した後に，それぞれのデバイスを暗視野観察した結果である．ブレードダイシングの場合には，水が侵入し多くのデブリが付着して全てのデバイスが破損したのに対して，レーザー
ダイシングの場合にはダイヤフラム内に水・デブリの侵入はなく高品質に割断できたといえる．以上の結果より，この低ストレスレーザーダイシング技術が有効であることが示さ
れた．

4.5

まとめ

テンパックスガラス，Si ウエハ，テンパックスガラス/Si 接合ウエハに対して，波長 1064nm，
パルス幅 10ns の Nd:YVO4 レーザーで低ストレスレーザーダイシングを行った．
Nd:YVO4 レーザーを用いると，テンパックスガラスに表面亀裂を形成でき，それを利用することで 10MPa 程度と低ストレス割断が可能となった．ガラスの割断において層数は，厚さ 150μm ごとに 1 層程度で十分低ストレスに割断ができる．また，ガラスの熱応力割断に内部加工を併用すると，ダイシングラインからのそれがなくなり，従来困難であった小さなチップの切り出しに成功した．
Si の場合，本実験では表面亀裂が確認できず，ウエハの割断に必要な曲げ応力は 74MPaとテンパックスガラスに比べて大きな力が必要であることがわかった．Si の割断においては，深さ方向にクラックがつながるように最低 60μm ごとに 1 層加工し，速度も最適値選ぶ必要がある．また，低エネルギー照射し表面近くの未加工部分を残さない加工を行うこと
488

が重要である．
接合ウエハに対して，1 台の Nd:YVO4 レーザーを使用して低ストレスレーザーダイシン
グを行った結果，チップに分割することに成功した．接合ウエハの割断においては，Si 層の割断に必要な押し力が支配的であることが明らかとなった．また，実デバイスである圧力センサの割断を行った結果，破損することなく高品質に割断することができ，ダイシン
グブレードによる割断と比較して本手法が有効であることが示された．

489

第5章
5.1

低ストレスダイシングに向けて各種ウエハ加工条件の検討

はじめに

第 4 章に示すように，パルス幅 10ns の Nd:YVO4 レーザーを用いることで実デバイスをデ
ブリフリーに割断できたが，MEMS ウエハはできる限り弱い力で割断することが望まれる．
そこでテンパックスガラス，Si ウエハそれぞれに対してレーザー波長やパルス幅を最適化
し，その条件で接合ウエハのダイシングを行った．また，接合ウエハダイシング方法の再検討も行った．

5.2

テンパックスガラスの割断に必要な曲げ応力のレーザー波長依存性

テンパックスガラスは低ストレス割断を実証しているため，Nd:YVO4 レーザーの第 2 高
調波（波長：532nm）を用いてダイシング幅の減少を試みた．
テンパックスガラス（厚み：500μm）に対して Nd:YVO4 レーザーの基本波と第 2 高調波をシングルパルス照射して内部クラックを形成した．図 5-1 にガラスの加工閾値近傍のエネ
ルギーを照射した時に形成される内部クラック形状を示す．照射エネルギーは基本波 80μJ，
第 2 高調波 38μJ であり，レンズはそれぞれに波長透過率が高い NA0.8 の対物レンズを用意し用いた．内部クラックの形状はどちらも集光点から等方的にクラックが伸びており似ているが，第 2 高調波の場合は大きさが半分に抑えられていることがわかる．表 5-1 は Nd:YVO4レーザーの基本波，第 2 高調波による加工を比較したものである．テンパックスガラスに対して加工閾値近傍のエネルギー（基本波：80μJ，第 2 高調波：38μJ）をシングルパルス照射した時の内部クラックサイズと，加工条件が加工層数 5，加工閾値の 1.5 倍エネルギー（基本波：125 μJ，第 2 高調波：57μJ），繰り返し周波数 20kHz，走査速度 100mm/sec でレーザー加工した時の加工線幅と割断に必要な曲げ応力を示している．第 2 高調波を用いること
で，加工線幅を基本波の半分以下である約 43μm にできる．また，曲げ応力に関しては少し増加したが，17MPa であれば弱い力で問題なく割断できるため，ダイシング幅を抑えたい
デバイスの割断に有効であるといえる．

(a)1064nm (Eth1:80μJ)(b)532nm (Eth2:38μJ)

30 μm

30 μm

図 5-1 テンパックスガラスの内部クラック形状比較490

表 5-1

Nd:YVO4 レーザーの基本波，第 2 高調波によるテンパックスガラス内部加工比較
Nd:YVO4 ( λ:1064nm)

Nd:YVO4 (λ:532nm)

シングルパルス照射によるクラックサイズ

60μm

30μm

加工線幅（閾値の1.5倍のエネルギーで加工）

95μm

43μm

分離に必要な曲げ応力

10MPa

17MPa

Top view

100 μmAfter tape expansion
2mm square 500 μm thickness
Tempax glass
図 5-2

Nd:YVO4 レーザー（λ：532nm）によるテンパックスガラスの 2mm 角ダイシング

図 5-2 に Nd:YVO4 レーザーの第 2 高調波を用いて，テンパックスガラス（厚み：500μm）
を 2mm 角にチップ化した結果を示す．チップ分割手順は，レーザー加工したガラスウエハ
に対してブレード方式のブレイク装置を用いてチップに分割し，テープエキスパンドを行った．ダイシング幅を抑えたまま全てチップに分割することに成功した．

5.3

Si ウエハの割断に必要な曲げ応力のレーザーパルス幅依存性

接合ウエハの割断において，Si の低ストレス割断が重要であることがわかった．そこで，Si に対して，ウエハ表面まで伸びてくる亀裂を発生できれば低ストレス割断ができると考えられるため，表面亀裂のパルス幅依存性について調べた．
Si（厚み：300μm）にパルス幅の異なる Nd:YVO4 レーザーを NA0.8 の対物レンズで集光
し，内部加工を行った．図 5-3 にエネルギー5μJ，パルス幅(a)10ns，(b)50ns，(c)100ns，レンズのデフォーカス量 10μm で 1 ライン加工を行った Si 表面の様子を示す．10ns の場合にはない表面亀裂が，パルス幅が長くなるにつれて安定して発生した．特に，100ns の場合にはウエハ全体に安定して亀裂を発生でき，レンズのデフォーカス量 5μm の範囲において表面亀裂の発生が確認された．
491

10 μm(a) 10 ns(b) 50 ns(c) 100 ns
stableunstable

10 μm
図 5-3

Si 表面に発生する亀裂の観察

割断に必要な曲げ応力 σmax [MPa]10090

Average

80
70
60
50
40
30
20
10
0
0 0

50

100

150

200

250

レーザーパルス幅 t [nsec]

図 5-4

Si の割断に必要な曲げ応力のレーザーパルス幅依存性

次に，Si の割断に必要な曲げ応力のパルス幅依存性を図 5-4 に示す．加工条件は深さ方向
全面に密に内部加工されるように層数を増やし，加工層数 13，エネルギー5μJ，繰り返し周
波数 100kHz，走査速度 100mm/sec とした．パルス幅の長さに伴い曲げ応力が減少していることが確認できる．100ns の場合には，非常に割断されやすくサンプルの大半が測定できない程であった．そのため，図 5-4 には測定できたサンプルの平均値を示しており，実際はテンパックスガラスよりはるかに低ストレスで割断できるようになった．また，パルス幅200ns の Yb ファイバーレーザー（波長：1064nm）で加工を行うと，更に表面亀裂が安定的に形成できることが明らかになった．この時の曲げ応力は現状の装置では測定できない程に弱いため，Si の内部加工には熱影響が大きいロングパルスレーザーが適しているといえる．図 5-5 にパルス幅 10ns と 200ns レーザーで 1 ライン内部加工した時の断面を示す．パ
ルス幅が長くなると内部クラックの幅が少し大きくなり，更に上下端にクラックが進展していることが確認できる．これは，パルス幅が長いと熱拡散長が長くなりウエハ表面までクラックが進展するため，ウエハ全面に安定的に表面亀裂が形成されたと考えられる．熱492

(a) 10ns, 5μJ(b) 200ns, 5μJ

15μm
図 5-5

Crack

Si に形成される内部加工ラインの断面比較

Straight
crack

Before separation

1mm square Si chips

100 μmAfter separation

1 mm
図 5-6

Yb ファイバーレーザーによる Si ウエハの１mm 角ダイシング

拡散長 l は，材料の熱拡散係数 D，レーザーパルス幅τとして次式で表される．
1

l = 2 (D ⋅ τ ) 2(5-1)

ロングパルスレーザーの熱影響については，断面に溶けがなく，EBSD 法で結晶方位を確認
しても多結晶化していなかったため問題ないと考えられる．しかし，横方向に内部加工が広がりマイクロクラックが発生したため，部分的には脆くなっている可能性がある．今後，このマイクロクラックがどの程度デバイスに対して悪影響を及ぼすのか検討する必要がある．図 5-6 に Yb ファイバーレーザー(パルス幅：200ns)を用いて Si ウエハ（厚み：300μm）
を 1mm 角にチップ化した結果を示す．レーザー加工後の Si 表面の光学顕微鏡像より表面亀493

裂が安定的に発生している様子がわかる．この Si ウエハに対して球面テープエキスパンド装置を用いてチップ化とエキスパンドを行った結果，全て 1mm 角にチップ化でき，デブリ
フリー低ストレスダイシングを実現した．

5.4

加工断面の構造解析

Si 割断を行った試料の割断面に対して，EBSD 解析と HRTEM 観察を行った．図 5-9 にパルス幅 50 ns の時の観察結果を示す．(a)の EBSD 観察から，割断面の結晶構造は，元の(100)
ウエハと同じ方位を向いており，多結晶化も発生していないことが明らかになった．これは図 3-20 で示したパルス幅 200 ps の Er ファイバーレーザーによって加工したものに対する結果と変わらなかった．奥行方向のウエハのダメージを観察するために行った HRTEM 観察(b)からは，奥行き方向に最大で長さ 1 μm 程度の転位の発生を確認できたが，周囲での結晶性の変化は見られなかった．このことから，本技術による Si の割断面はレーザーアブレー
ションに比べて熱的ダメージが極めて少ないことが明らかになった．

図 5-9 パルス幅 50 ns の Nd:YVO4 レーザーによる Si 内部加工断面への(a)EBSD 測定および(b)HRTEM 測定

494

5.5

二台のレーザーによる接合ウエハのダイシング結果

5.2 節，5.3 節の結果から，接合ウエハ（厚さ：300-300μm）のテンパックスガラスに対して Nd:YVO4 レーザーの第 2 高調波，Si に対してパルス幅 200ns の Yb ファイバーレーザー
で加工した結果を図 5-10，図 5-11 に示す．レーザー照射条件は，Si に対しては加工層数 13，
エネルギー5μJ，繰り返し周波数 100kHz，走査速度 100mm/sec，テンパックスガラスに対しては加工層数 5，エネルギー57μJ，繰り返し周波数 20kHz，走査速度 500mm/sec である．また，Nd:YVO4 レーザーの第 2 高調波の時はガラス面を上にして照射，Yb ファイバーレーザ
ーの時は Si 面を上にして照射した．このような加工を行った接合ウエハの曲げ応力を測定した結果は 9MPa（押し力：1.3N）であり，10ns レーザーで加工した場合の 14MPa（押し力：
1.9N）と比較して，低ストレスでチップ化できることが示された．

Glass/Si double layered chips

1mm

図 5-10 2 種類のレーザーを用いた接合ウエハの 3mm 角ダイシング

図 5-11 図 5-10 でダイシングされたチップの SEM 像.
495

5.6

接合ウエハの新たなダイシング方法

図 4-17，図 5-10，11 に示す 2 層構造試料の低ストレスレーザーダイシング結果は，ガラ
スに内部加工を行ったため，ガラス断面にその内部クラックの形状が残ってしまう．低ス
トレスレーザーダイシングしたデバイスに対して衝撃試験，振動試験をした結果，デバイ
スの品質上問題ないレベルではあったが，断面から小さなガラス片が取れる可能性がある．
そこで，ガラスに内部加工を行わずに接合ウエハをダイシングする手法を考えた．
初めに，接合ウエハ（厚み：300-300μm）の Si のみに加工を行いチップに分割できるか試した．パルス幅 10ns，50ns，100ns の Nd:YVO4 レーザー，パルス幅 200ns の Yb ファイバーレーザーを用いて，接合ウエハの Si 側からレーザー照射して Si のみに内部加工を行った
後，ガラス側からブレードを押し当てた時の割断に必要な曲げ応力測定結果を図 5-12 に示
す．接合ウエハの Si 加工条件は加工層数 13，エネルギー5μJ，繰り返し周波数 100kHz，走査速度 100mm/sec である．図 5-4 と同様にレーザーのパルス幅が長い程，割断に必要な曲げ応力が減少している．また，パルス幅 100ns 以上の場合には，曲げ応力の値が飽和することが確認できた．パルス幅 200ns で加工を行った接合ウエハの分割に必要な曲げ応力は約14MPa（押し力：1.9N）であった．2 種類のレーザーを用いた場合の 9MPa（押し力：1.3N）と比べると曲げ応力が増加したが，10ns の Nd:YVO4 レーザーでガラス，Si ともに加工した
場合とほぼ同じ曲げ応力であることがわかった．パルス幅 200ns のレーザーで評価用ウエハ（圧力センサ）の Si のみを加工して割断した結果を図 5-13 に示す．レーザー加工した接合
ウエハの分割方法としては，Si の表面亀裂から割くように分割するため，ガラス面にブレ100

割断に必要な曲げ応力 σmax [MPa]90

Average

80
70
60
50
40
30
20
10
0
0 0

50

100

150

200

250

レーザーパルス幅 t [nsec]

図 5-12Si のみ加工した接合ウエハの割断に必要な曲げ応力（レーザーパルス幅依存性）
496

Pressure sensor (Glass:300/Si:300μm)

500μm
Si
Glass

Internaltransformation

図 5-13 圧力センサのレーザーダイシング結果（Si のみ加工した場合）

ードを押し当ててチップ化した．このダイシング方法の利点は，図 5-13 からもわかるように，ガラスを一切加工していないため，傷がなく高品質な断面が得られる点である．Si が内部加工された時にガラスにも応力が局所的に集中することで，きれいに割断できたと考えられる．
また，この Si のみを加工した接合ウエハに対してブレードではなく，熱応力を加えることでチップ化できるかも試した．パルス幅 50ns，100ns の Nd:YVO4 レーザー，パルス幅 200nsの Yb ファイバーレーザーを用いて，接合ウエハの Si 側からレーザー照射して Si のみに内部加工を行った後，CO2 レーザーを Si 側から照射して熱応力を加えた．Si 加工条件は図 5-12と同様で，加工層数 13，エネルギー5μJ，繰り返し周波数 100kHz，走査速度 100mm/sec である． CO2 レーザー照射条件は Si ウエハが溶けないように，かつガラスに亀裂が入るように設定し，エネルギー54.6W，走査速度 90mm/sec，バーンパターンは 1mm で 1 ライン走査
した．この接合ウエハの割断に必要な曲げ応力測定結果を図 5-14 に示す．熱応力を加えた
場合は，レーザーのパルス幅の影響を受けずにほぼ一定の曲げ応力で割断されることが確認できる．熱応力を加えた接合ウエハの割断に必要な曲げ応力は，約 4.6MPa（押し力 0.65N）
であり極めて低ストレスに接合ウエハの割断ができた．この実験では曲げ応力評価用サン
497

割断に必要な曲げ応力 σmax [MPa]

100
90

Si加工

80

Si加工+熱応力

70
60
50
40
30
20
10
0
0 0

50

100

150

200

250

レーザーパルス幅 t [nsec]

図 5-14Si 内部加工と熱応力を加えた接合ウエハの割断に必要な曲げ応力（レーザーパルス幅依存性）

Glass/Si double layered chips (300/300μm)

glass
Si
Internaltransformation
200μm

図 5-15 接合ウエハのレーザーダイシング結果(Si 加工+熱応力割断の場合)
プルを複数用意したが，一部のサンプルは測定前に分離されるほどであった．図 5-15 にパルス幅 50ns のレーザーで Si 内部加工をした接合ウエハの熱応力割断結果を示す．ガラスの部分が熱影響によって少し溶けたように見えるが，CO2 レーザーの照射条件を最適化するこ
498

とで解決できると考えられる．この手法を用いることで，ガラス面のクラック傷もなく低ストレスに割断できることが明らかとなった．

5.7

まとめ

ダイシングの低ストレス化，品質向上のために，ガラス，Si それぞれに対してレーザー
波長，パルス幅の最適化を行い，その条件を用いることで接合ウエハの低ストレス割断に成功した．また，新たな加工方法を用いることで接合ウエハのガラス断面に傷がなく高品質にチップ化できることを示した．
テンパックスガラスに対して，Nd:YVO4 レーザーの第 2 高調波を用いることで加工線幅を 43μm まで抑えることができ，チップの取り数が増えるメリットがうまれる．また，Siに対しては，パルス幅が数 100ns のレーザーを用いることで表面亀裂の形成が可能となり，
テンパックスガラス以上に低ストレスで割断できることを示した．
接合ウエハにおいては，テンパックスガラスに対して Nd:YVO4 レーザーの第 2 高調波，Si に対してパルス幅数 100ns のパルスレーザーを使用することで低ストレスダイシングを実証した．また，接合ウエハのガラス面に傷がない高品質なチップを望む場合は，Si のみを加工することで達成できる．Si のみ加工したウエハに対して CO2 レーザーで熱応力を加えると，割断に必要な曲げ応力が 4.6MPa と大幅に減少し，高品質にデブリフリー低ストレ
スダイシングが行えることを示した．

499

第6章

結論

従来のダイシング技術では割断が困難であった積層 MEMS を，レーザーによってデブリフリーに低ストレス割断する技術の開発を行った．
初めに，MEMS の一般的な構成要素であるテンパックスガラス，Si に対してレーザー内部加工を行い，形成される内部クラックの形状を調べた．テンパックスガラスに対しては，
フェムト秒レーザーを用いることで，ダイシング幅を 10μm 以下にでき，チップの取り数を多くできることを示した．ナノ秒レーザーを用いた場合は 80μm 程度と内部クラックは大き
いが，高速にチップ化できる利点がある．いずれの場合においても，内部クラックのアスペクト比は 1.5 程度であった．Si に対しては，透過性のある Nd:YVO4 レーザーでダイシン
グ幅 5μm 以下の加工が出来ることを示した．また，Si に形成される内部クラックのアスペ
クト比は 15 以上とガラスに比べて大きいことがわかった．
次に，内部クラックをライン状につなげて，テンパックスガラス，Si ウエハ，テンパッ
クスガラス/Si 接合ウエハのダイシングを行った．加工用レーザーにはガラス，Si の両方に対して透過性のある Nd:YVO4 レーザーを用いた．ガラスの曲げ応力割断結果は，表面亀裂を利用することで曲げ応力 10MPa 程度とわかり，低ストレスに割断できることを示した．
また，熱応力割断では内部加工を併用することで従来困難であった小さなチップの切り出しに成功した．一方，Si の割断に必要な曲げ応力は 74MPa とガラスに比べて大きいことがわかった．Si を低ストレス割断するには，照射エネルギーを低くして，表面近くに未加工部を残さないことが重要である．以上の結果を踏まえて，ガラス/Si 接合ウエハの割断を行った結果，3mm 角にチップ化することに成功した．接合ウエハの割断においては，Si 層の割断に必要な曲げ応力が支配的であることが明らかとなった．この技術を用いて実デバイスである圧力センサを割断した結果，破損することなく高品質に割断することができた．
ダイシングブレードによる割断と比較して本手法が有効であることが示された．
実デバイスの低ストレスレーザーダイシングに成功したが，脆弱構造を有する MEMS デ
バイスはできる限り低ストレスに割断する必要がある．そこで，ダイシングの低ストレス化，品質向上のために，ガラス，Si それぞれに対してレーザー波長，パルス幅の最適化を行い，その条件を用いることで接合ウエハの低ストレス割断を行った．テンパックスガラスに対しては，Nd:YVO4 レーザーの第 2 高調波を用いることで加工線幅を 43μm に抑えることができた．Si に対しては，パルス幅数 100ns のレーザーを用いることで表面亀裂を形成
でき，ガラス以上に低ストレス割断できることを実証した．接合ウエハのテンパックスガ
ラスに対して Nd:YVO4 レーザーの第 2 高調波，Si に対してパルス幅数 100ns のパルスレー
ザーを使用することで，パルス幅 10ns のレーザーを 1 台使用するよりも低ストレスにダイ
シングできることを示した．また，接合ウエハの Si のみを加工することで高品質なチップの切り出しが行えることを発見した．更に Si のみ加工したウエハに対して CO2 レーザーで熱応力を加えると，割断に必要な曲げ応力が 4.6MPa と大幅に減少し，高品質，デブリフリ
500

ーに低ストレスダイシングできることを実証した．

501

２－４．開発成果のまとめ（１）目標の達成度
研究項目

目標

成果

基本 多層 MEMS 構造の割 多層構造 3 種類以上につ 多層構造 3 種類以上について
計画 断技術開発

いてレーザダイシング試 レーザダイシング試験を行の目験を行い，試料の破損率 い，試料の破損率 1%以下を達標

1%以下を達成する。

達成度
○

成。

自主 MEMS 構成材料のレ Si とガラスにおいて 1〜 広範囲な波長域、パルス幅領◎

目標 ーザー加工・改質特 2μm の波長帯域で、Si 域でレーザ加工・改質特性を性調査

において 10ns〜200ns の 確認することにより、ガラス
パルス幅範囲でレーザー /Si 積層体に対して新たなダ
加工・改質特性を確認

イシング手法を見いだした。

自主 分割支援構造の評 破損率を定義・評価でき 破損率評価に適宜サンプル
目標 価・設計・製作・検 る試料を製作

○

を提供

討
（２）成果の意義
産業用として普及している安価な YAG レーザー、CO2 レーザーを用いて積層ウェハを
デブリフリーでダイシングできる可能性を明らかにした。これにより、既存の高価でブ
ラックボックス的なレーザーダイシング法にとらわれることなく、様々なダイシングニーズが存在する少量多品種の MEMS ウェハに対してデブリフリーレーザーダイシング手法の適用性が拡大する。
（３）知的財産等の取得
国内特許出願 3 件（４）成果の普及
大阪大学と東北大学に“お試し”加工用レーザーダイシング装置を設置しユーザーの評価を得ると共に、装置メーカーへ技術供与し製品化へつなげる。

502

３．実用化・事業化の見通し（１）成果の実用化可能性
本プロジェクトで得られた基礎データは全て公開されており、公的機関（大学、公益法人）による技術指導/移転を行う体制も整備されている。システムコンポーネント（レーザー装置、光学部品等）の単価も数百万円程度であり、中堅企業が当該技術を実用化する際の障壁は低いものと考えられる。
（２）波及効果
本プロジェクトで得られた新しい知見は、大面積ガラスの割断に適用できる可能性があり、FPD（フラットパネルディスプレイ）等の製造技術として有用なものとなる可能性がある。レーザーによるガラス割断において、これまで困難とされてきたクロスカッ
トの問題を解決できる可能性が高い。

503