Ｖ－２． 研究開発項目② MEMS ／半導体の一体形成技術の開発（１） MEMS-半導体プロセス統合モノリシック製造技術－新たなセンシング原理の探索－ （立命館大学）
１．研究の概要271

２．成果の詳細
２－１.ナノメカニカル構造の実現とナノ弾性特性の解明
I． 金属シリサイド（WSi）
I.1. 研究目的
高導電性、小さいグレインサイズ、温度安定性、加工簡易性等をもつ金属シリサイドは
LSI における配線（コンタクト）やゲート電極などでよく利用されている。最近、金属シ
リサイド、特にタングステンシリサイド（WSi）は MEMS デバイスの構造材料として使われている。MEMS デバイスとしての信頼性や耐久性を持つかどうかを確認するため、この材料の機械特性を明らかにすることが必要である。
本研究の目標は、サブミクロンスケールの厚さをもつ WSi 薄膜の製作プロセス条件が薄膜の機械的性質に及ばす影響について定量的に評価することである。
I.2. WSi 薄膜の機械的特性の評価
I.2.1. 測定原理：ナノインデンテーション法
薄膜や材料の表面弾性係数（ヤング率・硬さ）は，先端形状がダイヤモンドチップから成る正三角錐（バーコビッチ型）の圧子を薄膜や材料の表面に押込み，そのときの圧子にかかる荷重 P と圧子の下の面積から求められる[1]。ナノインデンテーション法による薄膜及び微小領域の硬さ・ヤング率測定の特徴は，低荷重の押し込み試験によって高精度な定量的測定が可能なことである。
図 1 にバーコビッチ型圧子と試料の接触の様子を示す。また，図 2 に弾性／塑性変形物
質の典型的な荷重－変位曲線を示す。

272

I.2.2. 金属シリサイド薄膜の作製
ＷＳｉ およびモリブデン（Mo）薄膜をそれぞれスパターで 6 インチまたは 8 インチシ
リコンウェハに成膜する。膜厚は 350nm から 1000nm まであり、製作された後、それぞれの厚さの薄膜について、いくつかの温度で熱処理（アニール）をする。
測定装置：ダイナミック超微小硬度計ＤＵＨ－２１１Ｓ（株式会社島津製作所）
実験条件：試験力：0.98mN から 3.1mN (シリコン基板の影響を回避するために、押し込みの深さが膜厚の 10 分の 1 以下になるように力の大きさを決める)
負荷速度：0.05 [mN/sec]
圧子の種類：三角錐圧子 115oポアソン比：0.15
圧子弾性率：1.14 ・ 106 [N/mm2]
ウェハの表面粗さ（α－ステップ装置による測定結果）：アニールなしで Ra=0.74nm、Rz＝4.2nm で、500deg でアニールすると Ra=0.42nm、Rz＝3.6nm
ウェハの面内分布を調べるため、ウェハの 5 個所（図３のように、Upper:上部, Lower：
下部,Center：中心部, Left：左部, Right：右部）それぞれについて近接した５点の測定を行い、データ再現性と信頼性を確認する。

I.2.3. 測定結果
マルテンス硬さとヤング率の測定結果を図表に示す。表中の「deviation」は近接した５点の測定値における偏差である。
(a) 測定 1：ウェハの構造：WSi 500nm/SiO2 500nm/Si-substrate 725μｍ
アニール条件：3 条件273

(1-1) as-deposition(1-2) 350℃ 1.5h アニール
(1-3) 500℃ 1.5h アニール
押し込み力：1.2mN（押し込み深さ：50nm）
測定結果：マルテンス硬さを図 4 と表 1、押し込みヤング率を図 5 と表 2 にそれぞれ示す。

(b) 測定 2：ウェハの構造：WSi 750nm/SiO2 500nm/Si-substrate 725μｍ
アニール条件：3 条件(2-1) as-deposition(2-2) 350℃ 1.5h アニール
(2-3) 500℃ 1.5h アニール
押し込み力：1.2mN（押し込み深さ：50nm）
測定結果：マルテンス硬さを図 6 と表 3、押し込みヤング率を図 7 と表 4 にそれぞれ示す。

274

(c) 測定 3：ウェハの構造：WSi 750nm/SiO2 500nm/Si-substrate 725μｍ
アニール条件：3 条件(2-1) as-deposition(2-2) 350℃ 1.5h アニール
(2-3) 500℃ 1.5h アニール
押し込み力： 2mN（押し込み深さ：75nm）
測定結果：マルテンス硬さを図 8、押し込みヤング率を図 9 にそれぞれ示す。

275

測定 2 と測定 3 からまとめた結果を図 10 に示す。
ウェハの構造：WSi 750nm/SiO2 500nm/Si-substrate 725μm
押し込み力：1.2mN と 2mN
アニール条件：3 条件(d) 測定 4：ウェハの構造：WSi 1000nm/SiO2 500nm/Si-substrate 725μm
アニール条件：3 条件(3-1) as-deposition(3-2) 350℃ 1.5h アニール
(3-3) 500℃ 1.5h アニール
押し込み力： 1.2mN（押し込み深さ：50nm）
測定結果：マルテンス硬さを図 11 と表 5、押し込みヤング率を図 12 と表 6 にそれぞれ
示す。

276

(e) 測定 5：ウェハの構造：WSi 1000nm/SiO2 500nm/Si-substrate 725μm
アニール条件：3 条件(3-1) as-deposition(3-2) 350℃ 1.5h アニール
(3-3) 500℃ 1.5h アニール
押し込み力： 3.1mN（押し込み深さ：100nm）
測定結果：マルテンス硬さを図 13、押し込みヤング率を図 14 にそれぞれ示す。

277

測定 4 と測定 5 からまとめた結果を図 15 に示す
ウェハの構造：WSi 1000nm/SiO2 500nm/Si-substrate 725μｍ
押し込み力：1.2mN と 3.1mN
アニール条件：3 条件

アニール条件による弾性係数への影響を簡便に調べるために、硬さおよびヤング率の平均値をそれぞれ図 16、図 17、表 7、および表 8 にまとめた。500℃でアニールすることによって、ヤング率の平均値は 17%増加することが観察された。
278

測定 6：モリブデン（Mo）薄膜。
ウェハの構造：8 インチウェハの構造：Mo 500nm/SiO2 500nm/Si 700μm
試験条件：押し込み力 ： 1mN、押し込み深さ：50nm
ウェハの面内分布を調べるため図 18 のように区域分けをして、それぞれの区域について近接した５点の測定を行い、データ再現性と信頼性を確認した。測定したデータを図 19、
図 20、表 9、および表 10 に示す。

279

280

I.2.4. まとめ
アニール条件と膜厚による弾性係数への影響を簡便に調べるために、硬さおよびヤング率の平均値をそれぞれ図 21、図 22、表 11、および表 12 にまとめた。WSi のマルテンス硬さの平均値は 7.59 GPa で、ウェハ面内の偏差は 10%以下である。この測定結果によれば、
マルテンス硬さは膜厚やアニール温度に対してはっきりとした依存性を示さなかった。一方、ヤング率の平均値は 181～191GPa と測定され、アニール温度に対する依存性が見られた。すなわち、アニール温度が上昇するにつれヤング率が大きくなり、500℃でアニールするとヤング率の平均値が 17%増加することが観察された。

マルテンス硬さやヤング率のアニール温度依存性については、以下の①および②の立場
から定性的に説明することができる。
① as-deposited 薄膜はアモルファス構造または数 nm レベルの非常に小さなグレインサ
イズをもつナノ結晶構造で、500 度でアニールすることによってグレインサイズが数十 nmまで大きくなり、ポリ結晶構造に近い状態になる[4,5]。このグレインサイズの増大がヤング率の上昇に対応するものと思われる。一方、as-deposited 薄膜のグレインサイズはアニール薄膜よりもかなり小さい数 nm オーダーであるため、圧子は数多くのグレイン境界にはたらくことになり、グレイン境界での結合強度が弱いことから圧痕は深くなる。すなわち、
as-deposited 薄膜の硬さやヤング率はアニール薄膜のそれらよりも小さいといえる。

281

② 一方、薄膜の機械特性はナノインテンデーション法によって測定しているが、この手法
は残留応力の種別の違いに大きな影響を受けるので[5]、ナノインテンデーション法の実験
データにおける残留応力の効果を明らかにすることが測定の信頼性を高めるために不可欠である。圧縮または引っ張りの残留応力はスパッタリングによって製膜した薄膜にしばしば見られ、これらはスパッタリングの条件に依存する。WSi のアニール過程では薄膜や基板の熱膨張によって残留応力は引っ張りの方向に変化する（引っ張り応力はより増加し、圧縮応力は減少する[4,6]）。薄膜の残留圧縮応力は、せん断応力のはたらきを妨げることにより、亀裂の生長や破壊が起こりにくくなるが、残留引っ張り応力は逆にせん断応力や亀裂決壊の効果を高めるので、より多くの残留引っ張り応力が存在するほど同じ大きさの押し込み力でも圧痕はより深く創られ、アニール薄膜の硬さや弾性特性は低く見積もられることになる。また、残留圧縮応力があると原子間距離も縮まるため原子結合の切断にはかなり大きな力が要るが、残留引っ張り応力の場合は原子間距離が伸びるため力は小さくて済む。
したがって、前述のように残留圧縮応力を含む薄膜の機械特性が引っ張り応力を含むものより高く測定されることになる。
①と②は弾性特性の測定結果に背反して寄与すると考えられ、このことから硬さの結果にアニール過程依存の傾向が見られないことを説明できる。結論として、薄膜の弾性特性におけるアニールの効果を正確に明らかにするには、as-deposited 薄膜およびアニール薄膜の構造（グレインサイズ、組成）や残留応力を見積もることが不可欠である。
I.3. WSi 薄膜のデバイス構造の疲労実験
WSi 薄膜のデバイス構造を図 23 に示す。ダイアフラムの寸法は 55μｍ・ 56μｍ・ 0.5μｍである。

282

試験の方法：① 静電力でダイアフラムを振動して,ダイアフラムに応力を発生する。レーザドップラ
振動計ＬＤＶでダイアフラムの振動特性（振幅、位相）を測定する。
② ダイアフラムの疲労現象が発生するときダイアフラムの振幅が異常的に変化する。
③ ①と②の工程を繰り返し実験によりσ-N 曲線を確定する。
はじめに応力とダイアフラムの変位の関係を FEM 構造解析で調べた。

さらに、FEM 構造解析で共振周波数を調べた。得られた共振周波数はダイアフラムの寸法が 55μｍ×56μｍ×0.5μｍ のとき 5.5MHz、65μｍ×40μｍ×0.5μｍ のとき 7.8MHz であった。
静電駆動するとき、プルイン問題が発生しないように、WSi ダイアフラムの最大変位量は 170nm（ギャップの 1/3）以下にする。
電圧を変化させてダイアフラムの最大変位を LDV で測定すると図 25 に示した結果が得られた（ダイアフラム寸法は 55μm×56μm×0.5μm）。また、ダイアフラムの周波数応答を
図 26 に示す。理論から得られるダイアフラムの自然振動数は 5.5MHz であるが、測定では共振状態は得られず、周波数が 70kHz を超えると振幅は急激に減少する。この現象はダイ
アフラムの下に 500nm の空間があるときに強いスクイーズフィルムエアダンピングが生じているために起こると説明できる。

283

図 27 に示したように疲労試験のセットアップを行う。
疲労試験の条件：
電圧 Vpp：75V, 周波数: f = 100 kHz、
ダイアフラムの変位振幅: 70nm、最大応力(解析) ：75MPa284

結果：周期回数 N ＞1011 でも正常に作動。
駆動電圧または駆動周波数を急増させることにより、すなわち、消費電力を増大させる
ことにより Au ワイヤが溶けてしまう。したがって、さらに大きな周波数や応力に対する実験は現状の TEG 設計では行うことができない。

285

I.4. WSi デバイスの設計と実用化検討
I.4.1. 疲労実験用 TEG の設計
疲労実験用の TEG の構造を図 29 に示す。この TEG は低ドライブ電圧・高周波で大きなストレスを生み出すように設計されている。WSi ダイアフラムと電極との間隔は 500nm に固定してあり、長さ L が小さく、厚さ t が大きいほどストレスも大きくなる。製作と測定の両面について考慮した結果、ダイアフラムの寸法は、L を 50～65μｍ、 t を 500nm,
750nm,1000nm の 3 通り、 w を 90μｍ, 120μｍの 2 通りに設定した。また、ビームの寸法は 2μｍ×2μｍ×t とした。図 30 はこのダイアフラムについて FEM 解析を行った結果であり、ダイアフラムの変位を 300nm に設定すれば、ダイアフラムの厚さに応じてそれぞれ 1GPa（厚さ 1μｍ）,900MPa（厚さ 750nm）, 650MPa（厚さ 500nm）のストレス最大値が
得られた。

286

I.4.2. 抵抗温度係数測定用 TEG の設計
抵抗温度係数（TCR）測定用の TEG の構造を図 31 に示す。ピエゾ抵抗効果による抵抗変化を防ぐため、TEG の各エレメントは温度変化に応じて自由に伸縮できるように基板から離されている。抵抗値は 4 つのパッドを用いて 4 探針法により測定する。メインエレメントの寸法は、幅 w を 200nm, 500nm, 1μｍ の 3 通り、長さ l を 2μｍ, 5μｍ の 2 通り、
厚さ t を 500nm, 750nm, 1μｍ の 2 通りに設定した。

I.4.3. 共振器の設計
共振器の構造を図 32 に示す。WSi ビームは静電力により共振することで作動する。ビー
ムの周波数応答は静電容量または起電力（EMF）から測定する。WSi のヤング率を測定する
ことがこの共振器の目的用途の 1 つであり、共振周波数 f がわかればよりヤング率 E を求めることができる。ここで、ρは WSi の密度（= 7.7 g/cm3）、L と w はそれぞれビームの長さと幅である。

287

設計においては L を 5μｍ,10μｍ、厚みを 500nm 以上、ビームと電極との間隔 g を 200nm程度とし、w は共振周波数が 1～10MHz の範囲になるように決定した。ヤング率を 200GPa（インデンテーション法による測定値）と近似したとき、ビームの幅 w と予想される共振周波数の対応関係を表 13 に示す。

288

I.4.4. 加速度センサの設計
WSi の密度 7.7 g/cm3 は Si の約 3.3 倍で非常に大きいが、ヤング率は 180～200GPa であり Si と比べてもわずか 1.2 倍ほど大きいだけである。したがって、慣性センサ（容量型の加速度センサやジャイロスコープ等）の材料として WSi を使用することができれば、感度が 3 倍に増大することが期待できる。図 33 は 3 軸容量型マイクロ加速度センサの概略図で、センサに加速度が加わると慣性力により中央の錘が変位して、キャパシタの容量が変化する。
この加速度センサのサイズは 2mm ・ 2mm ・ 0.7mm で、設計パラメータを表 14 に示す。

289

I.4.5. TEG・デバイスの製作および測定設計した TEG やデバイスは、本研究の連携先である㈱日立製作所中央研究所が製作を行った。製作された疲労実験用 TEG、TCR 測定用 TEG、共振器デバイス、および加速度センサ
デバイスの SEM 像をそれぞれ図 34 と図 35 に示す。現在、これらの TEG やデバイスを用いて疲労実験、TCR 測定、共振周波数特性、加速度センサの特性を立命館大学で測定中である。

現在、HF 蒸気を用いた SiO2 エッチングによる WSi デバイス層のリリースを行っている段階である。図 36(a)や図 36(b)に示したように広い面構造や細長い棒状構造をもつ WSi デバイス構造は基板にスティッキングしたが、TCR 測定用 TEG については図 36(c)のように
スティッキングすることなしにリリースされた。WSi 薄膜の表面と裏面の残留応力が異なるため、リリースした構造の変形がみられる。TCR 測定の結果を図 37 に示す。測定結果は、抵抗率が 0.8 mΩ・cm 程度で平均 TCR が-1140ppm/oC±2.2%であった。

290

また、リリース時に生じるスティッキングの問題も起こっているため、リリース過程における最適な条件を見つけるためのテストを継続する。

291

II．カーボンナノチューブのセンサ素子としての特性評価

II.1. 研究目的
カーボンナノチューブ（CNT）は優れた電気的・機械的性質を持ち、CNT のセンサ素子への応用が新規ナノスケールデバイス開発の分野にとって非常に有望な研究となっている。
しかし、CNT をマイクロ・ナノデバイスとして集積させる製作技術はまだ発展途上であり、効果的に MEMS デバイスへと応用するためには CNT の物性や配向性を正確に制御することが不可欠である。近年になって、指定の場所に生成された大量の CNT を通常のリソグラフィ
でパターニングする技術が報告され、複雑な CNT 構造体を集積させてデバイス化することが可能になりつつある。
本研究では(独)産業技術総合研究所の技術であるスーパーグロース法[2]により生成された高い配向性をもつカーボン単層ナノチューブ（SWNT）フィルム（図 38）の機械的性質を明らかにして、メカニカルセンサ素子としての適用性について評価することを研究目標とした。具体的にはスーパーグロース法 SWNT フィルムのピエゾ抵抗係数およびゼーベック
効果について以下に報告する。Si デバイス上への CNT フィルム接着・パターニングのプロ
セスを図 39 に示す。CNT フィルムの生成（プロセス図のステップ 4）は産総研で行い、Au電極の製作（ステップ 1～3）や EB リソグラフィ・RIE（ステップ 5・6）等、他の工程は立命館大学で行った。

292

II.2. CNT フィルムのピエゾ抵抗効果測定
CNT フィルムのピエゾ抵抗効果を測定するため、図 39 に示したプロセスにより 50mm ・
5mm ・ 0.5mm の Si ビーム（または Si 短冊）上に CNT フィルムを乗せ、CNT フィルムに一様な応力（ひずみ）が作用するように、図 40 に示した 4 点曲げ法でビームにひずみを加えた。抵抗は 4 探針法で測定し、CNT と電極との接触抵抗を取り除いて CNT の抵抗値とした。

293

縦・横方向およびせん断ピエゾ抵抗係数が測定できるように製作した CNT フィルムピエ
ゾ抵抗素子を図 41 に示す。図 42 は CNT と Au 電極との間の線形 I-V 特性図である。

294

CNT エレメントのひずみに対する相対抵抗変化を図 44 に示す。縦方向および横方向におけるゲージファクタはそれぞれ 6.24 および 0.67 であり、既知である CNT フィルムのヤン
グ率 9.7GPa[3]を用いると、ピエゾ抵抗係数はπl=81.9×10-5MPa-1、πt =7.37×10-5 MPa-1 と
なる。

295

II.3. CNT フィルムのゼーベック効果評価
CNT フィルムのゼーベック係数は図 45 に模式的に示したような CNT-Au でつくられた熱電対を用いて測定することができる。CNT-Au の熱電対ジャンクションの一方は Cr/Au ヒー
タで加熱される。熱・冷２つのジャンクションの温度差を Au 製の温度センサで 2μm 離れた位置から測定した（図 46）。出力電圧は図 47 より Vout = 7.5μV/K と求められ、また温度差は Au 製の温度センサ（TCR＝2200ppm/K）から得られる。
Vout = (αAu - αCNT)(ΔT)
より Au フィルムのゼーベック係数（・ Au = 1.7μV/K）を用いて CNT フィルムのゼーベッ
ク係数が計算できる。

296

297

参考文献（第１章）[1] W. C. Oliver and G. M. Pharr, J. Mater. Res. 7, 1564 (1992).
[2] K. Hata, D. N. Futaba, K. Mizuno, T. Namai, M. Yumura, and S. Iijima, Science
306, 1362(2004).
[3] Y. Hayamizu, T. Yamada, K. Mizuno, R. C. Davis, D. N. Futaba, M. Yumura and K.
Hata, Nat.Nanotechnol. 3, 289 (2008).
[4] V. Jain and D. Pramanik, IEEE VMIC Conference, June, 1990, pp 261-267.
[5] Krishna et al., IEEE Trans. Electron Devices 30, 1497 (1983).
[6] M.-L. Gera and R. B. Brown, J. Mater. Res. 10, 1710 (1995).

298

２－２．ナノスケールシリコンのピエゾ抵抗効果の解明
I．単結晶シリコンのピエゾ抵抗効果の解析
I.1. 研究目的
ピエゾ抵抗効果は、結晶に応力・ひずみが作用したときにその比抵抗が変化する効果であり、圧力センサや加速度センサ等のマイクロメカニカルセンサの検出原理として広く利用されている。こうしたマイクロメカニカルセンサの主たる構成材料には、高い結晶性と安定した機械的性質を有することから単結晶シリコンが利用されており、ナノスケールのメカニカルセンサが実現する場合においても構成材料にはシリコン系材料が有力である。
しかし、ナノスケールにおいて機械的性質の安定性が保たれたとしても、微細化によって材料の電気的性質が大きく変化することが予想される。とりわけ、シート状材料・ワイヤ状材料など低次元を伴う材料の微細化は、同じ材料でも電気的性質を左右する電子状態が根本的に変化することも考えられ、低次元材料のピエゾ抵抗係数が同じ材料のバルクでのピエゾ抵抗係数と著しく異なる可能性もある。
本研究では、単結晶シリコンのピエゾ抵抗物性解析を目的とする。平成 18 年度は第一原
理電子状態計算により 3 次元バルク構造および 1 次元ナノワイヤ構造モデルの電子状態の
詳細やひずみに対する電子構造の応答を明らかにしたが、平成 19 年度は具体的にピエゾ抵抗係数を予測する新しい手法を開発し[1]、その手法に基づいてピエゾ抵抗係数の数値計算を行った。平成 20 年度はその手法の計算精度を改良するとともに、ピエゾ抵抗係数のキャ
リア濃度・温度・面方位等に対する依存性について明らかにした[2,3]。
I.2. 単結晶シリコンのピエゾ抵抗物性理論
ピエゾ抵抗効果の概要やピエゾ抵抗係数の定義について再び述べておく。3 次元系において、作用する電場 E と電流密度 J との関係は、比抵抗テンソル を用いてと表される。単結晶シリコン系において、その 3 つの主軸を座標軸としたデカルト座標を考えると、応力がない場合の(1)式の成分要素はのように、主軸方向の電場と電流を結びつけるテンソル対角要素はすべて等しく、また、
主軸方向の電流とそれに直交する他の主軸方向の電場を結びつけるための非対角要素はす
べて零になる。しかし、系に応力が作用することによって(2)式は
299

300

301

302

303

な取り扱いを報告しているが[13−16]、本研究では「すべてのバンドの緩和時間が等しく、ひずみのあるなしに関わらず一定」と近似した。この取り扱いは一見粗い様にも思われるが、
ピエゾ抵抗係数導出に必要なのはキャリア伝導率の比であり、比をとった時に緩和時間の多くの部分が打ち消されることを考慮すると、簡単で有効な取り扱いであるといえる。

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332

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図 33 SiNW の製作プロセス
334

335

II.4. ナノワイヤのピエゾ抵抗素子の特性
図 37 にさまざまな幅の SiNW における線形 I-V 特性図を示す。線形性が示されたことにより、金属配線と SiNW との間にオーミックコンタクトが得られていることを確証できた。

図 37 ワイヤ幅 35～500nm での SiNW の I-V 特性
SiNW のピエゾ抵抗係数は、応力を印加したときの SiNW 抵抗値の変化を測定することにより求めた。SiNW に応力を印加するために、図 38 に示したようなカンチレバー構造を用いた。ナノインデンタから得られる既知の大きさの力がカンチレバーの先端に作用し、SiNWに応力が印加される。図 39 に SiNW の長手方向（縦方向）に応力が加えられたときの抵抗値変化を示す。図 40 および図 41 は縦方向ピエゾ抵抗係数と SiNW の幅の大きさとの対応関係であり、<110>方位の SiNW では幅が 300nm より小さい場合、幅が小さくなるにつれピ
エゾ抵抗係数は大きくなる。一方、SiNW の幅が 300nm より大きいときは、ピエゾ抵抗係数
は幅の大きさにほとんど依存しない。また、<100>方位の SiNW では幅が 500nm から 60nm に小さくなると縦方向ピエゾ抵抗係数は 2.4 倍の大きさになることが明らかになり、本研究によるシミュレーションで得られた結果に近づく傾向を示すことがわかった。バルクシリ
コンでは<100>方位縦方向ピエゾ抵抗係数πl<100>は基本ピエゾ抵抗係数π11 と等しいが、
SiNW においてどれくらいのスケールまでπl<100>が他の方位でのピエゾ抵抗係数を表すための基本定数としての役割を果たすか、非常に興味がもたれるところである。

336

337

II.5. デバイスの設計と実用化検討
SiNW がもつ高感度機械センシング材料としての特長を生かして、SiNW のピエゾ抵抗効
果を利用した超小型 3 軸加速度センサを開発中である。図 42(a)に概略図を示したセンサの寸法は 500μｍ・ 500μｍ・ 450μｍ であり、4 本の厚みの薄いビームにおもりが架けられている。ナノスケール（150nm）の厚みをもつピエゾ抵抗素子はビームにイオン注入してつくる。理論的に得られる感度は x 軸、y 軸、z 軸それぞれについて約 300 μV/V/g が得られており、現在センサの製作（図 42(c)）と測定を行っている。

338

参考文献（第２章）[1] K. Nakamura, Y. Isono, and T. Toriyama, Jpn. J. Appl. Phys. 47, 5132 (2008).
[2] K. Nakamura, Y. Isono, T. Toriyama, and S. Sugiyama, Phys. Rev. B, submitted.
[3] K. Nakamura, Y. Isono, T. Toriyama, and S. Sugiyama, Jpn. J. Appl. Phys. 48 (2009),[4] B. Kloeck and N. F. De Rooij, Semiconductor Sensors, S. M. Sze ed., (John Wiley& Sons, Inc.,（1994), Chap. 4.
[5] Y. Kanda, Jpn. J. Appl. Phys. 26, 1031 (1987).
[6] C. S. Smith, Phys. Rev. 94, 42 (1954).
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339

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340

２－３．開発成果のまとめ（１）目標の達成度
基本計画及び自主的に設定した目標をすべて達成した。

研究項目

目標

成果

基本計画

半導体センサの微細化に 製造プロセスは問わないが、１つ以上の 第一原理計算によるバンド構造を用いて、より発現する新たなＭＥ 新たなＭＥＭＳセンシング原理を見出す あらゆる半導体系、任意のキャリア濃度・温度でのピエゾ抵抗効果シミュレーション
ＭＳセンシング原理の探が可能な手法を確立した。本手法により、
索＜001＞方位のp型Siナノワイヤーで、伝導率が劇的に変化し、バルクSiのピエゾ抵抗係数の約10倍の値が得られる予測を得た

自主目標

様々な熱処理履歴の金属シリサイド (WSi)
ナノメカニカル構造の実 LSI構成材料として用いられる厚さ
現とナノ弾性特性の解明 300nm以下の金属シリサイド薄膜のプロ 薄膜を製作し硬さ・ヤング率計測を行った。
セス条件が機械的性質に及ぼす影響の定 また、ダイアフラム型圧力センサチップで量的評価
高サイクル疲労試験を実施した。
その結果、WSiは、力覚センサとしてSiの3倍の感度が期待でき、繰返し数寿命もN ＞
1011回と疲労にも強く、構造材料としてきわめて有望であるとの知見を得た。
ナノスケールシリコンの 面方位(100)、長手方向結晶方位①第一原理計算によるバンド構造を用いて、ピエゾ抵抗効果の解明 <100><110>、伝導型p型、目標最小線 あらゆる半導体系、任意のキャリア濃度・幅100nmのSiナノワイヤーのピエゾ抵抗 温度でのピエゾ抵抗効果シミュレーション
特性の評価が可能な、手法を開発・確立した。
②集積化プロセス（EB直描）による幅30500nmのｐ型Ｓｉナノワイヤーを製作（日立）し、I-V特性計測およびピエゾ抵抗係数の測定を行った。 <100>方位幅60nmで500nmの2.4 倍の縦方向ピエゾ抵抗係数を
観測した。

達成度

○

○

○

達成度 ×：目標未達成、△：条件付で目標達成、○：目標達成、◎：目標を大幅に上回る成果（２）成果の意義①ナノメカニカル構造の実現とナノ弾性特性の解明
１）WSi 薄膜の機械的性質の解明とこれらの応用に適した集積化 MEMS 機械量センサの設計を通して、モノリシック集積化 MEMS の実用化の見通しが立ったことは重要な成果といえる。
２） CNT 薄膜を用いて MEMS デバイスを製作し、CNT 薄膜のピエゾ抵抗効果およびゼー
ベック効果を計測した。CNT 薄膜における縦方向および横方向のゲージファクタはそれ
ぞれ 6.24 および 0.67 であり、対応するピエゾ抵抗係数としてそれぞれ 81.9×10-5MPa-1
および 7.37×10-5MPa-1 が得られた。この研究成果は、CNT の力学量センサへの適用に関する重要な基礎データとなる。
②ナノスケールシリコンのピエゾ抵抗効果の解明
１）理論シミュレーションを用いたピエゾ抵抗効果の予測およびトップダウン加工法によるシリコンナノワイヤの製作・ピエゾ抵抗効果計測を行った。本研究により提案した
ピエゾ抵抗物性理論とそれに基づくシミュレーション手法は n 型および p 型バルクシリ
341

コンのピエゾ抵抗係数を定性的・定量的に正しく再現し、とりわけ n 型バルクシリコンのせん断ピエゾ抵抗係数π44 が負の値をもつことを初めて数値計算で証明した。
２）トップダウン加工法によるシリコンナノワイヤの製作については、EB リソグラフィ
によって幅 30nm までシリコンナノワイヤの小型化が実現できた。I-V 特性は線形性を示
し、ピエゾ抵抗効果を測定した結果、ワイヤ幅を小さくすることによって<110>方位では1.6 倍、<100>方位では 2.4 倍の大きさの縦方向ピエゾ抵抗係数が得られるなど、小型化による縦方向ピエゾ抵抗係数の増大が見られた。この測定結果は理論シミュレーション
で非常に大きなπl<001>を得られたことと対応している。
これらの理論・実験の結果によりシリコンナノワイヤピエゾ抵抗素子を応用した世界最小クラス MEMS 機械量センサの製作プロセス・構造設計の指針が確立できた。今後のMEMS センサ技術開発において世界的なリードを保つ上で、きわめて重要かつ有望な研究成果であると考えている。
（３）知的財産等の取得
特許出願準備中２件（１） シリコンナノワイヤピエゾ抵抗素子の製法と構造（２） WSi を可動構造とする慣性センサ（４）成果の普及
１）口頭発表：26 件（国際 14、国内 12）、２）論文（査読付）：4 件、３）成果展示：３回

マイクロマシン/MEMS 展

342

３．実用化・事業化の見通し①金属シリサイド(WSi)薄膜
機械的性質を解明した結果、Si を用いた加速度センサに比べて約 3 倍の感度が得られることが明らかになった。WSi は静電容量型力覚センサや慣性センサの構成材料としてきわめて有望といえ、モノリシック集積化 MEMS の実用化に大いに期待がもてる。
②Ｓｉナノワイヤー
ピエゾ抵抗物性シミュレーションによって、p 型 Si ナノワイヤーのピエゾ抵抗係数が非常に大きいことが示された。更にワイヤ径の細い Si ナノワイヤーを製作する技術を確立することで、 Si ナノワイヤーをピエゾ抵抗素子として応用した世界最小クラス
MEMS 機械量センサの実用化が期待できる。
研究を遂行する上で得た知見や連携機関との協力関係から新たに展開をはじめた内容を含めて今後も継続して実用化研究を行う。

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