The Japan Research and Development Center for Metals

財団法人

ISSN0913‑0020．
173
2001.3 No
No．

金属系材料研究開発センター

TODAY

材料開発

ひと味違う切り口

東京工業大学大学院理工学研究科教授

里

計算機内でのナノクラスタの形成原子がランダムに分布する状態から原子の小集合体( ナノクラスタ)が自発的に形成される。これにより合金強度が増大する。

達 雄

じんあいじょう

材料があらゆる産業、情報通信、医療分野等の10‑9：「塵」、10‑10：「埃」・・・・10‑23：「浄」となっ基盤であることは言うまでもない。
新しい材料はているそうだ（塵刧記）。
極微の世界にずいぶん多新規の技術を可能にし、新規の技術は新しい材料くの呼び方があることに驚く。
ナノの世界は「塵」を要求する。材料開発は、しかし息の長い仕事でということか。

ある。
創造主はこちらが考えるほどには新材料創

ところで、「ナノスケール」という切り口は単に製に協力的でない。かくして、ない知恵を絞り、スケールを小さくしたというだけではない。
「拡大身近の材料をじっと眺めることになる。

して見る」ということ以上に、見る側に大きな発材料は見る側の心の有り様に応じてさまざまな想の変革を迫る。そして「全く別のもの」が見え姿をあらわす。
これは材料構造の階層性のゆえでてくる。そのことが大事であり、新しい材料開発あろう。われわれは金属を眺めるとき、自ずとあのチャンスが生まれる。

る「切り口」で見ている。その「切り口」に応じ金属内部はどこも一様ではなく、粒界・界面がて、あるいは、その「切り口」の制約下で材料をあり、格子欠陥があり、極微の原子集合体（上図）評価・理解する。階層構造は「スケール」というがありと、変幻自在、複雑多様である。この複雑切り口で見えてくる。例えば、肉眼で見る、ルー多様性こそが有用特性を発現させるもととなってペで見る、光学顕微鏡で見る、電子顕微鏡で見る、いる。

等である。すなわち、メートルからナノメートル

21世紀は「材料をより有効に生かす」時代となへのスケールダウンにより階層世界が見えてくるであろう。
そのためには多面的切り口により材る。金属原子の大きさは数nmであり、ナノメート料をさらに深く理解する必要があり、同時にそのルの世界では原子・分子が主役となる。

切り口から材料の最適設計を着想することが求め「材料ナノテクノロジー」が大型プロジェクトとられる。
「切り口」
をどうするかが大変重要であり、して動き出そうとしている。ナノワールドでは、ひと味もふた味も違う切り口が鍵となる。
自然界

金属もセラミックスもポリマーも共通原理で理解に見られる「自己組織化」や「自己修復性」といできるのではとの期待が高まる。

う切り口からもまた新規の材料開発が着想できそ

いち0

漢数詞では大きさのスケールが、10 ：「一」、ぶりん

もううである。仕事の「ネタ」は山ほどに転がっていし

10‑1：
「分」
、10‑2：「厘」、10‑3：「毛」、10‑4：
「糸」
、
こつび

せん

ることをぜひ若い人たちに伝えたい。

しゃ

10‑5：
「忽」
、10‑6：「微」、10‑7：「繊」、10‑8：「沙」、

1

JRCM REPORT
海外出張報告アルミリサイクルに関する国際シンポジウム発表
及び欧米の技術開発動向調査
古河電気工業㈱メタル総合研究所リサイクルグループリーダー
1 ． はじめに大瀧

光弘を、2000 年 8 月から開始したとの情報が得られた。

ＪＲＣＭは、非鉄金属系素材リサイク(1)

液相精製技術

ル促進技術に関するプロジェクトなか今回の海外調査の結果、これまのアルミニウム高度リサイクル技術開でわずかながら情報を得ていたア発研究を受託し、1993年から10年間でーヘン工科大学、デルフト工科大推進している。このたび、2000年10月

学及びアルコア社での分別結晶法

22〜25日に米国ピッツバーグで開催さの開発状況が判明した。

TMS シンポジウム会場にてれたＴＭＳ(The Minerals , Metals

ドイツ・アーヘン工科大学で研ロジェクトでも要素技術研究の一つと＆ Materials Society)主催の「金属究しているスクリューコンベアを用いして偏析凝固法を検討し、鋳物スクラ及び工業材料のリサイクルに関する第た分別結晶技術は、中国や南米でＳ nップのような不純物濃度の高いスクラ4回国際シンポジウム」に、本プロジェの製造に商業的に用いられている分離ップでは除去効果が大きいことを確認

クトの成果である真空蒸留技術、溶湯技術をアルミニウム及び亜鉛の精製にしたが、展伸材には不適切なので要素清浄化技術、ドロス残灰の有効利用技応用したもので、Ｚ n 合金の精製実験技術研究で中断した経緯がある。

術の 3 件を報告した。

では良好な結果が得られたが、アルミ以上のように、海外ではスクラップニウム合金では装置材料の溶損のためリサイクル技術として分別結晶法によに中断状態とのことである。

る精製技術開発の動きが活発化しはじ

その後、精製・溶湯清浄化技術を中心としたテーマに関する海外技術開発の動向調査を目的として、欧米の 3 かオランダ・デルフト工科大学/ＴＮＯ/国、4 か所を訪問し、関係各企業・大ＣＯＲＵＳグループで研究している分別学との討議を行った。

めている。
(2) 気相精製結晶技術は、液体有機物の固液分離技

真空蒸留法に関して、Al‑Li 合金ス

調査メンバーは、大瀧光弘（古河電気術（Wash Column 法）を、アルミニクラップからLi金属を回収するライボ工業㈱）を団長に、大隅研治（㈱神戸製ウム材料の分別結晶法における初晶のルト方式での A l ‑ Z n ‑ M g 合金の実験

鋼所）、久保田和利（スカイアルミニウ分離に応用しようとするものである。

結果（容量約 250kg/ch）が、アーヘン

ム㈱）、渡辺良夫（住友軽金属工業㈱）、ＥＥＴプロジェクトとして研究開発を工科大学から紹介された。本プロジェ

佐藤丘憲（日本軽金属㈱）、 藤後光男

開始したばかりで、まだ実験装置の製クトで開発中の真空蒸留技術の処理能（三菱アルミニウム㈱）の６名である。

作にまで至っておらず、理論計算から力やZn除去速度に対して、アーヘン工精製の可能性を評価した段階に過ぎな科大学やアルコア社から高い評価が得かった。

られた。

2 ． 本プロジェクトに関連する最新技術動向

一方、今回訪問しなかったが、米国・(3)

溶湯清浄化技術

これまで、欧米ではアルミニウムリアルコア社の分別結晶法は、すでに高セラミックフォームフィルター（ＣＦサイクルに関する国家プロジェクト情純度アルミニウム地金の生産に用いらＦ）メーカーとして歴史のあるセリー報はなかったが、今回の調査で、オラれている偏析凝固法を用いたもので、社の開発した、ＣＦＦ2段フィルターにンダが1999〜2002年までのＥＥＴ（E‑メモリーディスク用アルミニウムスクよる溶湯中の介在物除去技術、及び 2

conomy, Ecology, Technology）プ

ラップの Fe、Si 量低減に応用した事段フィルター間に塩化物系介在物を吸ロジェクトを、またＡＡ（アメリカ・ア例が TMS シンポジウムで紹介された。

収する Salt Media を充満して溶湯をルミニウム協会）が自動車シュレッダ

不純物除去率は20〜42％と低いが、実ろ過するSalt Filterについての全貌ースクラップからのアルミニウムの選用化を考慮して歩留まりは82％の高水が判明した。

別技術に関する１年間のプロジェクト準で達成したとの発表があった。本プ

2

一方、アーヘン工科大学では、水モデルを用いたＣＦＦでの介在物除去機

解技術及びドロスからのアルミニウム制はいずれも世界的にも類例のない技構の解明をＶＡＷ（Vereinigte Alu‑回収技術に関するものであり、本プロ術であり、実用化までにはまだ解決すminium‑Werke Ag）社と共同で実施

ジェクトのようなドロス自体の再利用べき課題が残されているものの、そのしているが、まだ基礎研究の段階であ方法に関しては注目すべき報告は存在技術の先見性やレベルが高い評価を得った。本プロジェクトの開発技術であしなかった。ており、かつ強い関心をもたれているる内部ろ過法に対して、アルコア社や3.

ことも確認することができた。

セリー社から強い関心が示された。
(4) ドロス処理及びドロス残灰の再利まとめ

この内容は、新エネルギー・産業技

今回の調査によって、アルミニウム用技術スクラップのリサイクルが世界的な課

術総合開発機構(ＮＥＤＯ）と(財)金属系材料研究開発センター（ＪＲＣＭ）とのＴＭＳシンポジウムではドロス処理題となりつつあり、技術開発が加速さ共同研究、「非鉄金属系素材リサイクルに関して17件と多くの報告がみられた。

れてきたことが感じられた。また、本その多くはドロス発生抑制のための溶プロジェクトでの開発技術及びその体促進技術研究開発」の一端を紹介したものである。

海外出張報告ＭＲＳ 2000 Ｆａｌｌ Ｍｅｅｔｉｎｇにおける技術動向調査報告
2 1 世紀のあかり推進部
2000年11月25日から12月1 日まで、

西川重昭

渡部正孝決定の困難さが感じられる。

当数のナノ材料に分類できる発表を含

ボストンで開催された MRS（Material

限られた数のシンポジウムを観察しむ。ナノ材料の用途は半導体デバイス

Research Society 2000 Fall

た結果ではあるが、各講演会場への出やディスプレイを想定しているものがM e e t i n g ）の G a N 系シンポジウムを

席者数はシンポジウムの発表件数に比多いなかで、ナノチューブによる水素中心として技術動向を調査した。

例していたようだ。有機エレクトロニ吸蔵に関して 9 件の連続した発表があック・フォトニック材料シンポジウム

り注目された。

1 . ＭＲＳ
産官学がニューマテリアルの新知見の盛況が印象的だった。

3 . G a N 系シンポジウムを共有することを目的に1973年に設立

5 . G a N 系シンポジウム（"GaN and Related Alloys"）
Alloys"）における注目すべき発表された非営利組織で、年 2 回の主要講演・ポスターで 271 件の発表があMeeting 開催のほか、関連書籍等の出り、昨年に引き続き最大のシンポジウ以下に、GaN 系化合物半導体に関すムであった。別のシンポジウムにおいる注目すべき発表のうち、主なものをて GaN 系材料を取り上げている発表概説する。

版により情報交換を推進している。

2．2000 Ｆall Ｍ eeting の様子も散見された。
発表にかかわる研究機関は 25 か国、Hynes Convention Center、Shera‑

延べで 331 大学、109 企業、45 国研、10【基板】ton Hotel 及び Marriott Hotel の 3軍研究所の計 495 機関であった。米、● Structure and Optical Proper‑

施設で、大小計41のシンポジウムが実日、独、仏に次いで韓国が上位に付けties of GaN Bulk Crystals Grown施された。このなかで GaN 系と SiC 系ている。

from the Liquid Phaseの 2 つのシンポジウムが特定の材料を対象としたが、ほかは材料横断的なシG a N 系の注目すべき発表について

大（Ioffe Inst., TDI と共同）は後述する。

・ Gaベースのメルト中、 50mmのGaNンポジウムである。講演総数2,073件、ポスター展示1,556件、合計3,629件のM. Albrecht, Erlangen‑Nuernberg

4 . ナノ材料等

種結晶基板上に 1,000℃、2 気圧未満で LPE 成長。

研究が発表された。
G a N 系等のいくつかのシンポジウ明らかにナノ材料を称えた 7 つのシ・ いまできているのは配向多結晶。最ムを除き、シンポジウムの名称が昨年

ンポジウムの発表件数合計は 841 件で大で長さ 15mm、直径 20mm、結晶粒のとは変わっていた。材料横断的テーマあるが、その他のシンポジウムでも相寸法≦ 3mm × 1.5mm。

3光波長 248.1 nm得られた。
・ＦＩＥＬＯ ‑GaN 上に、InGaN ＭＱＷ青色ＬＤをつくった。

・ 成長温度 1,460 / 1,200℃。
・ 導電性はいまだ得られていない。

HVPE による自立 GaN 膜の作成と、その上への GaN の成膜・その特性については、ほかに数件（Air Force【その他の構造・プロセス】

Research Lab., Univ. Massa‑●T r a n s f e r o f N i t r i d e D e v i c echusetts、Samsung、Wright StateHeterostructures from Sapphire

Univ.,Univ. Dayton,Tech. Univ.

Growth Substrates to Silicon byMunich 等）の発表があった。

Metal bonding and Laser Lift‑OffT. Sands, UC Berkeley
・ サファイア基板側からエキシマレー

MRS シンポジウム会場にて【紫外発光】

ザ光を照射して、G a N 素子部分を●ＵＶ Emitter Based on High‑Ef‑剥離する。

ficiency GaN/Al X Ga 1‑X N Multi‑● Growth of Self‑Seeded Aluminum
Nitride by Sublimation‑Reconden‑・レーザ照射により基板／nitride界面は1,000℃になるが、nitrideの大部

Quantum Wells
M. Iwaya, 名城大分は＜ 400℃に保てる。

sation and Substrate Preparation

・ＬＥＤにおいて発光面上に発光強度・電極上に I n を成膜して「I n / P d /C. Rojo, Crystal IS （Rensselaerの分布が見られ、強度の高い領域はGaN/ サファイア基板」とし、これPolytechnic Inst. と共同）転位密度の低い領域に対応している。と「Pd/Si 基板」とを張り合わせて・低転位密度＋ Si ドープによって、室200℃に加熱し、Pd‑In 反応により長させる基板として有望な、AlN 単温でも GaN に近い PL 発光特性が得接合する。→レーザ照射によりサフ結晶を得ることが目的。

られる。

ァイア基板を剥がす。→「GaN/ 電・G a N 系、特に A l リッチの混晶を成● Current Injection UV‑Emission

極 / 中間層 /Si」構造が完成。

により輸送。2,000℃、成長速度 0.9

form InAlGaN Multi‑Quantum‑

・剥離前後で LED 特性には変化がな

mm/h。

Well Light‑Emitting Diodes

・昇華法、Al ＋ N 2 の状態で温度勾配

・直径 15mm、結晶粒の寸法は 10mm × 6mm 程度、多結晶の部分もある。
・黄色または無色。C L では、深いレベルからの発光が強く、バンドエッジの 0.8 倍程度。
・基板上に A l N を成膜し、各種評価

A. Kinoshita, 理研（早稲田大と共かった。
● Integration of InxGa 1‑XN Laser
Diodes with Dissimilar Substrates

同）・InAlGaN で、230 nm の PL を室温でby Laser Lift‑Off
W. S. Wong, Xerox

観測した。
・基板はＣＲＥＥの(0001) SiC。

・LD 構造（GaN/ サファイア基板）の上・ＭＱＷ、厚い発光層とも、活性層のにSiまたはCu板を張り付けて、レー上（上下？）に SL 層を入れている。

ザリフトオフによってサファイア基● Characteristics of FIELO‑ GaN

・電流注入での発光ピーク波長は、Ｍ板を取り外す。Cu だと放熱がよい。

Grown by Hydride Vapor Phase

ＱＷで 360 nm、厚い発光層で 340

・Al2O3‑GaN 界面が 900℃になっても、Epitaxynm。

や HEMT 試作等を実施。

A. Usui, ＮＥＣ

界面から 2 μ m 離れた G a N 側では● Improved Optical Quality of200℃。

・ＨＶＰＥによる FIELO‑GaN 成長膜

BAlGaN/AlN ＭＱＷ Structure

・仮に張り付けた Si または Cu をあとは、転位密度は 106cm‑2、PL ディケイ

Grown on 6H‑SiC Substrate by

で取り去って、"LD 膜 " をつくるこ

時間は最長1.3 nsでこれまでのＭＯ

Controlling Residual Strain Usingともできる。これをダイアモンドベ

ＶＰＥより長い。
・サファイアφ2"基板上に60〜400μmの G a N 膜を積んで冷却すると、熱膨張差によって自然に基板と膜が剥がれ、自立したφ 35 mm GaN 基板がMulti‑Buffer Layer
Hideo Kawanishi，工学院大・6 H ‑ S i C 上 の B A l G a N で B 5 ‑ 1 3 %ース上に接着するのもよい。
● Group‑III Nitride Quantum
Heterostructures Emitting in the
Whole Visible Rangeが可能。
・B 0.07 Al 0.52 Ga 0.41 N/AlN ＭＱＷで発4

N. Grandjean, ＣＮＲＳ

・ＭＢＥにより自然に発生する島状構造を活用して、量子ドットをつくる。

● Gallium Nitride Films fromLiquid Precursorsにでも 1 素子あたり 1 W ほしい。
・ 銅ブロックへの直接ボンディングがM. Puchinger, Max‑Planck‑Inst.

有望。□2〜2.5"基板に18個のＬＥＤ発光波長（2.6eV 〜 1.9eV）が対応（ＵＣＳＢと共同）を実装する構想がある。チップサイする。

・ 基板上に先駆体の溶液をスピンコーズを拡大し、次にフリップチップでトし、これを N2 中で熱処理して GaNマルチチップ実装という構想もある。

・島の高さ（3nm 〜 5.5nm）に、ＰＬ・波長が変わるメカニズムは、Stark効果か量子サイズによるのか不明。

結晶を得る。

・チップサイズ拡大に伴い、くし状電・現状では、サファイア上で、薄い膜・白色ＬＥＤが可能となる。

極が必要になるだろう。試作もして● Drastic Reduction of Threadingからはファセットはあっても単結晶

Dislocation Density of AlGaN onの GaN 膜（≦ 20 nm）が得られたが、・ただし、チップサイズが大きくなる

SiC by Using Highly‑Si‑Incorpo‑

厚い膜からは多結晶しか得られなかと効率がどんどん下がっていくといrated AlGaN Superlatticeった。

うデータもあるので、LumiLeds がM. Ainoya, 理研 （早大と共同）いる。

目指すのは「分割チップ＋マルチチ・Si を 1.2 × 1020/cm3 含んだ AlGaN。

【ＬＥＤの動向】

・(AlGaN 80 nm + AlGaN:Si 20 nm)● Development of High Power・＜青色 LED のデモをしながら＞従来

Nitride LEDs for SemiconductorのＬＥＤに比べて15倍の電流で20倍Lightingの光出力。白色 LED もあり、これは

S. A. Stockman, LumiLeds

赤と緑の 2 種類の蛍光体を使ってい× 6 で、TDD (Thermal Dislocation
10282Density)が 10 /cm → 10 /cm 。
・Siドープ層中で、転位が折れ曲がる。
・SiC 基板でもサファイア基板でも同ップ実装」。

・現状の最高レベルは、A l I n G a P で100 lm/W (600 nm 黄色)、InGaN で様の効果あり。
● Growth and Characterization of

80 lm/W (540 nm 黄緑)。

るが、まだ低効率。
・＜応用＞ＬＣＤバックライト、室内照明、道路・トンネル照明、等々。10the GaN Underlying Layer Used・エポキシ樹脂の耐熱性から、砲弾型W デバイスが望まれる。

in Blue‑Violet GaN‑Based Laser

では光出力≦0.1Wが限度だろう（い・最も重要なのは、熱の問題。

Diodes on Sapphire

まは 5 〜 10 mW）。一方、いますぐ

Kenji Funato，ソニー

金属学会セミナー

・下層を改善して転位を低減し、寿命を延ばした(1,000 h 以上)。
・結晶の relaxation は転位を増加さ「鉛フリーはんだ実装の基礎と技術」(社)日本金属学会主催(ＪＲＣＭ他協賛)で、下記のとおりセミナーが開催させ、閾電流が高くなる。
・成長圧力は 0.9‑1.6 atm、圧力を高めるとrelaxationを抑える傾向があれます。
日 時：平成 13 年 3 月 27 日(火) 9:30 〜 17:05
場

所：千葉工業大学芝園キャンパス 8 号館 1 階 8109 講義室
ＴＥＬ 047‑454‑5700 千葉県習志野市芝園 2‑1‑1

内容：鉛フリーはんだのＬＣＡ／ＩＭＳ国際共同プロジェクト／鉛フリーはんだの状態図と組織／リフトオフ発生のメカニズムと対策／機械的る。
・ＰＬ強度は EPD 1.2 × 107 cm‑2 以上で顕著に低下する。
・ＥＬＯはline 2μm/space 10μmで、5‑2wing の転位密度は mix ＜ 10 cm 、edge ＜ 106 cm‑2・ＬＤ寿命は、低出力ではＥＬＯがサファイアの 2 倍くらいあるが、高出力になると差が小さくなる。

信頼性（疲労、熱疲労、クリープ、接続界面）／マイグレーションと電気的信頼性／鉛フリーめっき技術の現状／国内外における鉛フリーはんだ標準化の動向／リフトオフメカニズム解明による鉛フリーはんだ実用化推進／自動車における鉛フリーはんだ実用化
定 員：130 人
参加費：会員(含むＪＲＣＭ賛助会員)15,000 円

会員外 30,000 円

・出力はＥＬＯで 1.21 W/mA(74mA)、

問い合わせ先：(社)日本金属学会〒 980‑0845 仙台市青葉区荒巻字青葉

サファイアで 0.92 W/mA (90mA)。

ＴＥＬ 022‑223‑3685

・サファイア上の最小転位密度は 4 ×
108 cm‑2、ＥＬＯでは1×106 cm‑2 以下。

5E‑mail stevent@jim.or.jp

ＡＮＮＯＵＮＣＥＭＥＮＴ
第３回「スーパーメタルシンポジウム」 を開催
第３回「第 3 回「スーパーメタルシンポジウ
ム」が１月 29 日、30 日の 2 日間にわたり東京国立オリンピック記念青少年総合センターにおいて開催された。このシンポジウムは、
ＪＲＣＭと(財)次世代金属・複合材料研究開発協会(ＲＩＭＣＯＦ)が主催し、経済産業省産業技術環境局と新エネルギー・産業技術総合開発機構(ＮＥＤＯ)が後援して開催されたもので、昨年に続き３回目になる。
当日は、約 300 人に及ぶ参加者があり、スーパーメタルについて最新の研究開発成果を熱心に聴講する姿が目立った。
１日目は、招待講演として、①産業
技術融合領域研究所所長(東京大学名誉教授) 岸 輝雄：「材料技術分野戦略について」、②日経ＢＰクリエーティ
ブ企画制作部長 丸山正明：「スーパーメタルを事業化する駆動力」が行われた。午後からは、鉄系(ＪＲＣＭ)、アルミニウム系(ＪＲＣＭ)、ナノ(ＲＩＭＣＯＦ)、アモルファス(ＲＩＭＣＯＦ)の平成11年度成果を中心とした総括報告が行われた。
２日目は、鉄系、アルミ系とナノ・アモルファスの３つの分科会に分かれて、38件の一般講演とパネル討議や総合討議が行われた。
超微細粒鋼の特性についての活発な質
鉄系分科会

疑が行われた。

鉄系分科会では、企業より、結晶粒微細化機構の研究成果とプロセスウインドウの拡大を目指した新たな取り組み、強磁場中加工熱処理による1.6μm
微細結晶粒径の達成成果及びインレンズＳＥＭによる構造解析結果が報告され、再委託大学からは微細結晶粒形成機構の研究、計算科学による組織制御モデル研究成果が報告された。また本
年は総括として京都大学牧教授より、鉄系スーパーメタルの成果の総括と今後の研究課題としてオーステナイト結晶粒の微細化の推進という貴重な提言をいただいた。
会場からは、微細結晶粒形成機構、アルミニウム分科会
アルミニウム分科会では、企業 6 社及び3大学からの研究発表が行われた。
平成11年度以降、研究成果において目覚ましい進歩がみられ目標達成がほぼ確実となってきた。温間制御圧延・加工、溶湯圧延、異周速圧延等の要素技術を利用することにより結晶粒径３μｍ、強度 1.5 倍以上、耐食性 3 倍以上という特性が得られている。微細結晶粒達成のメカニズムについても解明されつつある。また、今後の方向についても、参加者から多くの貴重なご意見を頂戴した。

ＪＲＣＭ 講演会のお知らせ
日時：平成 13 年 3 月 13 日(火)16:10 〜 17:10
場所：ＪＲＣＭ会議室
演題：「今後の素材産業のあり方について（仮題）」
講師：経済産業省製造産業局次長
増田 優 氏詳しくはＪＲＣＭホームページをご覧ください。

開 催 月 日 会議
・イベント
会議・
3 月 6 日 第 33 回評議員会
3月13日
第 49 回理事会
3月13日
JRCM 講演会

The Japan Research and Development Center for Metals

場 所
JRCM 会議室
JRCM 会議室
JRCM 会議室

担 当
総 務
総 務
総 務部
部
部

備 考
平成 1 3 年度事業計画及び予算
平成 1 3 年度事業計画及び予算
経済産業省製造産業局次長
増田 優 氏J R C M N E W S / 第 1 73 号

発行 2001 年3 月1 日
発 行 人 小島 彰
発 行 所 財団法人 金属系材料研究開発センター

内容に関するご意見、ご質問は JRCM 総務課までお寄せください。
本誌は地球環境保全を考慮し再生紙を使用しています。

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