コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM52527CWA-N■概要

http://www.elm-tech.com■特長

ELM52527CWA-N は 低 入

N チャンネル

P チャンネル

力 容 量、 低 電 圧 駆 動、 低 オ ン・ Vds=20V

抵抗という特性を備えた大電流
MOSFET です。 また、 保護回・ Id=4.5A
・ Id=-4.5A
・ Rds(on) = 19mΩ(Vgs=4.5V) ・ Rds(on) = 42mΩ(Vgs=-4.5V)

路によって ESD 耐性があります。

・ Rds(on) = 23mΩ(Vgs=2.5V) ・ Rds(on) = 52mΩ(Vgs=-2.5V)・ Vds=-20V

・ Rds(on) = 34mΩ(Vgs=1.8V) ・ Rds(on) = 68mΩ(Vgs=-1.8V)
・ ESD 保護・ ESD 保護■絶対最大定格値
項目
ドレイン - ソース電圧

記号
Vds
Vgs

ゲート - ソース電圧
連続ドレイン電流 (Tj=150℃)

Ta=25℃

20±124.5-20±12-4.5

4.520
7.8-4.5-20
7.8

5.0

5.0

150
-55 ～ 150

150-55 ～ 150℃
℃

Max.

単位

Id

Ta=70℃

パルス ・ ドレイン電流

Idm
Tc=25℃

最大許容損失特に指定なき場合、 Ta=25℃
N-ch (Max.)
P-ch (Max.)単位

Tc=70℃

動作接合部温度
保存温度範囲Pd
TjTstg

VVAAW■熱特性項目記号

チャンネル

最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - ケース

Rθja
Rθja
Rθjc

N-chP-chN-ch52.052.0
12.5

最大接合部 - ケース

RθjcP-ch12.5■端子配列図���

℃/W℃/W■回路DFN6-2�2(TOP VIEW)
�Typ.

��

端子番号1

端子記号SOURCE1234

GATE1DRAIN2
SOURCE25

GATE26DRAIN1・ N－ch・ P－ch��������

����

Rev.1.0
9-1

コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM52527CWA-N■電気特性 (N-ch)
項目

記号

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特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位条件

静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧

BVdss Id=250μA, Vgs=0V

ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流

Idss

Vds=16V, Vgs=0V

ゲート漏れ電流Igss

Vds=0V, Vgs=±12V

ゲート ・ スレッシュホールド電圧オン状態ドレイン電流
ドレイン - ソースオン状態抵抗

20V

Ta=85℃

Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=4.5V, Vds�5VVgs=4.5V, Id=5.0A

0.415110μA

±10μA

1.0VA

1519Rds(on) Vgs=2.5V, Id=4.6A

18

23

Vgs=1.8V, Id=4.2A
Vds=6V, Id=5.0A

27
28

34

Is=1.5A, Vgs=0V

0.85

1.20
1.6

順方向相互コンダクタンス

Gfs

ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性

Vsd
Is

入力容量

Ciss

出力容量
帰還容量

Coss
Crss

Vgs=0V, Vds=6V, f=1MHzmΩ
SVA

620pF

180
100pFpF

スイッチング特性
総ゲート電荷ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレント電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間

Qg
Qgs
Qgd

Vgs=4.5V, Vds=6V
Id≡5.0A

td(on)
Vgs=4.5V, Vds=10V
tr
Id≡3.6A, RL=5.5Ω
td(off)Rgen=6.0Ω
tf

6.0
0.8
0.8

12.0

nC
nC
nC

10102020

nsns

25
1040
20

nsns

Rev.1.0
9-2

AFC2527W

Alfa-MOS

20V N & P Pair

コンプリメンタリーパワーEnhancement
MOSFET
Technology
Mode MOSFET
ELM52527CWA-N■標準特性曲線 (N-ch)

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Typical Characteristics ( N-Channel )www.alfa-mos.com©Alfa-MOS Technology Corp.
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Rev.1.09-3

AFC2527W

Alfa-MOS

20V N & P Pair
Technology
Enhancement Mode MOSFET
コンプリメンタリーパワー MOSFET
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Typical Characteristics ( N-Channel )http://www.elm-tech.com

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20V N & P Pair
TechnologyMode MOSFET
コンプリメンタリーパワーEnhancement
MOSFET
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Typical■テスト回路と波形
Characteristics ( (N-ch)
N-Channel )http://www.elm-tech.com

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コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM52527CWA-N■電気特性 (P-ch)
項目記号

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特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位

条件

静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧

BVdss Id=-250μA, Vgs=0V

ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流

Idss

Vds=-16V
Vgs=0V

ゲート漏れ電流Igss

Vds=0V, Vgs=±8V

ゲート ・ スレッシュホールド電圧
オン状態ドレイン電流
ドレイン - ソースオン状態抵抗-20

V

Ta=85℃

Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vgs=-4.5V, Vds�-5V
Vgs=-4.5V, Id=-4.5A-0.4-10-1-10μA±10μA-1.0VA3742Rds(on) Vgs=-2.5V, Id=-3.4A

4652

Vgs=-1.8V, Id=-2.4A
Vds=-6V, Id=-4.6A

59
1268

Is=-1.25A, Vgs=0V-0.85 -1.20-1.6

VA

1450

pF

265
255

pF
pF

順方向相互コンダクタンス

Gfs

ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性

Vsd
Is

入力容量

Ciss

出力容量
帰還容量

Coss
Crss

Vgs=0V, Vds=-6V, f=1MHzmΩ
S

スイッチング特性
総ゲート電荷ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレント電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間

Qg
Qgs
Qgd

Vgs=-4.5V, Vds=-6V
Id≡-5.6A

td(on)
Vgs=-4.5V, Vds=-10V
tr
Id≡-3.7A, RL=2.7Ω
td(off)Rgen=1.0Ω
tf

10.0
2.5
2.8

18.0

nCnCnC15252540

nsns

40
156525nsns

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Mode MOSFET
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MOSFET Mode MOSFET
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TypicalCharacteristics(P-ch)( P-Channel )■テスト回路と波形

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