特殊ストレージ・メモリソリューションのグローバルリーダー

����年 日本語製品カタログ

ATPについて����年以来、当社は、高性能、高品質、高耐久性のNAND FLASH製品およびDRAMモジュールの世界有数の相手先ブランド供給（OEM）としての地位を一貫して確立してきました。
製造メーカのリーダーとして、私たちは、高度な技術力、製造品質、および広い
動作温度範囲を必要とするさまざまな業界から信頼されるメモリおよびストレージソリューションを提供します。
当社は次のような道を切り開き続けいることによってリーダーシップを強化します。

特殊ストレージ・メモリソリューション ストレージおよびメモリののグローバルリーダー
熱対策ソリューション

真の製造メーカ

ATPが開発したファームウェアと量産
製造プロセスのすべての段階を管理し、品当社は、極端な動作条件向けの工業用温度
インフラは、さまざまな組み込み/産業用途 （I-Temp）�D NAND FLASHストレージを最初質と製品寿命の確保・自社内 での設計、のケースに完全に対応できます。
独自のおよび集積回路（IC）からモジュールに開発した企業の�つとして広 く知られています。 テスト、
メモリとストレージの要件をサポートすおよびドライブレベルまでのチューニング
この専門知識は、超 高速で動作する最新のるための特殊な構成を提供できます。
こ
すべての製品は、製造工場
NVMeモジュールでカスタマイズ可能なサーマル を提供します。
れらはすべて、お客様に最高の総所から出荷される前に綿密にテストおよび検ソリューションが利用できるようになるに
有コスト
（TCO）
を提供することを目的とし つれて、今日まで続いています。
証され、最も厳しい業界標準に準拠している
お客様との絶ています。
こと、および過酷な条件と作業負荷の下で長期え間ないコラボレーション、および一流のファームウェアとハードウェアエンジニアリングの 間確実に動作することを確認します。
能力により、極寒または極度の高温の条件においても、最適な持続的パ フォマーンスが確実に達成されます。

ATP EUROPE
ATP USAMUNICH, GERMANY

SAN JOSE, CA, USA

ATP JAPAN

ATP CHINATOKYO, JAPANSHANGHAI, CHINA

目次

ATPについて社長メッセージ
ATPの製造プロセスの完全な管理とお客様への利益セグメントソリューションの概要

取得認証と業界団体/コンプライアンス
エンタープライズ対応基準と産業用
エンタープライズ
オートモーティブ向けストレージソリューション
熱管理ソリューション
高耐久性ソリューション
セキュリティーソリューション
バリューライン SSDs
DDR� 概要

2

ATP HEADQUARTERS
TAIPEI, TAIWAN

2
3
4
6
8
9
13
15
18
22
23
25

DRAMソリューション
DDR� DRAM
長期供給プログラム
DRAM製品ポートフォリオ

26
30
32
33

FLASHソリューション
SSD/モジュールメモリカードマネージドNAND

34
35
46
52

FLASH製品のネーミングルール
ソリューション/テクノロジー
FLASHテクノロジー一覧
FLASH製品ライン製品サイズ比較

55
56
59
60

社長メッセージ

����年は、ATPエレクトロニクスだけでなく、世界のメモリおよびストレージビジネスにとっても困難な年でした。
��年を超える経験から、当社は再び課題を乗り越え、お客様とサプライヤーに提供する長期的な価値は市場の周期的な変化を超えると強く確信しています。
皆様と緊密に連携すること
で、より強力なパートナーシップが生まれ、困難な時代を乗り越えることができました。

この最近の経済低迷にもかかわらず、当社は会社の歴史の中で最も大きくかつ重要な�つの取り組みに投資することで、自社を強化してきました。

まず、エンタープライズリソースプランニング(ERP)システムと業務プロセスを完全に見直し、効率を向上
させ、最終的にはサービスの品質と柔軟性を高めました。

次に、�年を要して新しい検証、生産、テスト施設を開発し、����年初めまでに生産を開始する予定です。
導入されたデジタル変革、自動化、および持続可能性テクノロジーにより、従来の”多品種”製造および”大量”製造の両方で、グリーンで無駄のない生産が可能になります。
これにより、最終的にはお客様のコストと物流が持続的に改善されます。

ATPは不況に積極的に投資することで、”We Build With You”への対応を新たなレベルに引き上げています。
今年は、これらの取り組みについて詳細を知るための多くの刺激的な発表や招待状が期待されています。

この�年は大変な年だったかもしれませんが、揺るぎない自信を持って前進していきます。
皆様の変わらぬご支援とパートナーシップに感謝し、����年、
そしてそれ以降も私たちと共に構築を続けていただけますよう
お願いいたします。
Jeff Hsieh
President

3

ATPの製造プロセスの完全な管理
なぜ私たちはユニークなのでしょうか？

一つのサイズがすべてに適しているわけではありません。
ATPは各お客様の要件のユニークさを認識し、お客様のニーズに合わせてストレージとメモリソリューションをカスタム構成するために努力を惜しまないのです。
私たちはソリューションと品質の旅をICレベルで始めます。
これがすべてのATP製品の基盤となります。

私たちはサプライチェーンを完全に管理し、すべての段階を主導します。
私たちはすべてのプロセスを
エンドツーエンドで管理し、私たちのソリューションがお客様の厳格な要件を満たすことを確認します。

我々のコミットメント: We Build With You. お客様と共に作り上げます。

製造プロセスのすべてを保有しているため、お客様の独自のケースに対するソリューションを作り上げます。
それはあなたのソリューション、
あなたの製品です。

NAND/DRAM IC
検証

NANDウェハ
管理

パッケージレベル NAND Flash検証
スクリーニング

設計検証 &
テスト

パイロットラン

業界標準の製品開発
私たちの品質の旅程は、最も基本的なコンポーネントレベルであるICから始まります4

量産ATPの製造プロセス管理はどのようにあなたを支援しますか?
長期供給性と柔軟性

�. サプライパートナーとの長期的な計画
�. BOMの制御
�. ICからモジュールへのパッケージング能力

安定性

市場/テクノロジーの知見
円滑な認定と移行

二重の調達戦略

NANDメーカからの�年間のファブ配置多様化計画を含むコンポーネントロードマップ

供給
長期供給性と柔軟性
テクノロジー知見
円滑な認定と移行

安定性

品質

技術

厳格な
DRAMテスト基幹

耐久性&信頼性

包括的なNAND アプリケーションのためのFLASHテスト
設計検証とテスト

厳格なDRAMテスト

�. 自動テスト装置 (ATE)
�. システムレベルでの���% バーインテスト
�. ATP設計によるミニチャンバーを使用したバーンイン中の���%テスト

包括的なNAND FLASHテスト

�. ICからドライブレベルへの検証
�. ATP設計の迅速診断テスト(RDT)によるNAND FLASH生産スクリーニング

基幹アプリケーションのための設計検証とテスト

�. 設計/製品特性仕様検証
�. 平均故障間隔 (MTBF) & End-Of-Life (EOL)
テスト
�. 基板組立(PCBA)の半田付け性検証

温度管理

セキュリティ

耐久性&信頼性

�. 合理的な総所有コストでSLC/MLCの耐久性を同等またはそれを上回るように構成されたTLCベースのドライブ
�. GBあたりの最適なコストまたは耐久性あたりのコストのための多様な構
成オプション�. ハードウェアベースの電断対策(PLP)技術をマイクロコントローラ
ユニット(MCU)と統合し、優れたデータ信頼性を提供

温度管理

�. -��°Cから��°C以上の工業用温度下での動作に適したNAND FLASHソリューション
�. 広温度範囲のDRAMソリューション
�. 高性能アプリケーション向けのPCIe Gen�およびGen�
ドライブの熱カスタマイズテストおよび検証
�. ヒートシンクソリューション

セキュリティ

�. AES ���ビット暗号化、
TCG Opal �.�を超えるカスタマイズされたセキュリティソリューション
�. データアットレストからIoTセキュリティソリューションまでの
セルフビルトのハードウェア、APIファームウェア、
ソフトウェア�. コンテンツのプリロードと暗号化サービス

5セグメントソリューションの概要

私たちのレガシー/最新世代のメモリおよびNAND FLASHストレージソリューションは、さまざまなセグメントのアプリケーションの信頼性、耐久性、および長寿命の要件を満たしています。

ネットワーク/オートモーティブ
テレコム

交通機関

産業機器/

オートメーション

防衛/航空宇宙IoT

医療

小売り/金融オートモーティブグレード温度(AG� & �)

温度

高温/低温信頼性検証

特注の熱解決策

エンタープライズ
・スタンダード耐久性

DRAM TDBIの極端に低い故障率▪高耐久性 �D TLC/pSLC/SLC シリーズ
▪容量のオーバープロビジョニング設定▪MCUベースの電断保護(PLP)▪AES, TCG Opal �.�, 自己暗号化ドライブ▪セキュアイレーズ▪カスタマイズの暗号化セキュリティ▪ライトプロテクション

セキュリティ

耐久性

インダストリアル温度動作• IATF 16949• AEC-Q100• VDA 6.3

TSE ストレージソリューションMIL-STD-810G

品質▪FCC, CE, UKCA, VCCI, BSMI, KCC, RCM, IC, UL, CB, CSA, Morocco, etc. (optional)▪ROHS, 顧客固有のテストに関するREACHコラボレーション, JEDEC規格を超える認定と検証

供給 & サービス

エンタープライズ・スタンダードテスト

6�年以上の長期供給性とBOMコントロール▪コンテンツ・プリロードサービス
▪共同検証

7

企業責任

取得認証

主要な業界標準による

ISO 9001:2015

ISO 14001:2015

ISO 45001:2018

VDA 6.3

IATF16949:2016

Sony
Green Partner

ISO14064-1:2018

ATPは次のような業界特有の標準による広範囲な製品検証の実績があります。

• AEC-Q100• SNIA• JESD219• IEC 60529• IP6X• ATIS• JESD22-A110• MIL-STD-883• IEC 61000-4-2:2008

業界団体/コンプライアンス

8• JESD78B• UL94-v0

ISO/IEC 17025:2017

２つの世界が融合しています！

ITとOTの融合により、産業企業向けの新しいデータストレージ
ソリューションが必要になります。
情報技術(IT)の世界は、従来のサーバー/ストレージ、
ソフトウェア、在庫管理、企業システム
ソフトウェアなどを使用して、データの処理、通信、および処理に関与します。
一方、運用技術(OT)の世界
は、一般的には企業や産業環境での監視、モニタリング、制御に関連しています。

これらの�つの世界は融合しています。
この融合は、
インターネット・オブ・シングス(IoT)、産業用
IoT(IIoT)、人工知能などの急速な展開、および広範な統合が求められるエッジでのコンピューティング/
ストレージ/ネットワーキングとビッグデータ分析の普及によってもたらされています。

歴史的に、ITの使用ではエンタープライズ/クライアント用のソリッドステートドライブ(SSD)が必要とされていましたが、OTアプリケーションでは通常、産業用SSDが必要とされていました。
ITとOTの融合により、前例のない規模でデータが生成されています。
これにより、
データを処理し、洞察を行動可能な情報に変換するための適切なストレージソリューション
が必要とされています。

これにより、
データセンターのような中央集権的なリポジトリとは対照的に、
ストレージとコンピュートリソース
がソースに近いエッジコンピューティングが生まれました。

IT

IT/OT融合

情報処理と共有を容易にする
ために、
データ、
コンピュータシステム、通信ネットワークの管理を包括します。

OT

物理プロセス、機械、
および設備を監視および制御するために産業およびインフラシステムで使用される技術を指します。

エッジにおけるデータの台頭と重要なコンポーネントとしてのSSDの登場

データの生成が加速する中、計算リソースはデータのソースに近いエッジに移動し、データセンターなどの制御された環境ではなくなっています。
この進化の中で、組織はSSDの利点により、
エッジサーバーでの計算能力を最大限に活用することで、SSDが事実上の選択ストレージメディアとして普及しています。
▪適切な容量ポイントの範囲▪高性能▪低レイテンシー▪高耐久性▪環境耐久性▪スマートな熱処理▪”ブートドライブ”、”ストレージドライブ”、
および一般的なx��システムでのハイブリッド使用向けに設計された理想的なフォームファクタ
▪監視なしで長期間厳しい環境条件下で作業し、エンタープライズの運用ワークロードおよび耐久性と信頼性要件を処理することができます。

従来の産業用SSDもエンタープライズSSDもエッジコンピューティングのニーズに完全に適合しているわけではありません。

エッジコンピューティングは、低レイテンシー、より優れたコスト効率、
リアルタイムアナリティクス、およびネットワークの可用性が限られている場合のオフラインアクセシビリティの利便性を提供します。
しかし、ITとOTの融合には、
さまざ
まなシステム、
アプリケーション、およびユースケースが必要です。
したがって、
これらの課題を乗り越えるために包括的なストレージソリューションが必要です。
9ATP エンタープライズ対応基準:

エッジコンピューティングシステムにおけるSSDの信頼性を保証
ATPエレクトロニクスは、FLASHストレージソリューションが信頼性を持ち、高品質なサービスで長い製品寿命を実現することをお約束します。
以下には、ATPのエンタープライズ対応基準（ERS）の範囲を要約したもので、厳格なテストと強化されたファームウェア機能が含まれています。

Product images and labels are for reference only and may differ from the actual products.

メディア/NANDレベルのテスト

NANDの動作と信頼性をNANDエラー処理メカニズム
で特性評価することを目的としています。

強化した性能テスト

様々なワークロード、読み書き操作の組み合わ
せ、
およびシーケンシャル/ランダムアドレッシングにおけるSSDのパフォーマンスをテストします。

10

強化した電力消費テスト

異なるワークロード下でのSSDの消費電力を特性評価することが含まれており、これは単一の最
悪のシナリオにおける最大および平均測定に限定されていません。

熱特性評価およびテスト

様々な周囲の動作温度や異なるエアフロー設定でのSSDのサーマルスロットリング動作をテストします。

電源サイクルテスト

突然の停電条件下での電断対策(PLP)メカニズムの設計を検証します。

動作温度サイクリングテスト

動作温度と入力電圧はSSDの機能に影響を与える可能性があります。
�象限変化テスト(Four-corner
testing)は、�つの領域で異なるバリエーションの組
み合わせを使用して、SSDの電源サイクリングの信頼性と動作機能を検証します。
高/低の動作温度と高/低の入力電圧を表します。

拡張ファームウェア機能

ATPの厳格なテストによって検証されたファーム
ウェア機能は、組込みコンピューティングシステム
用のストレージソリューションに関するものです。
次の強化されたファームウェア機能は、産業用エンタープライズ向けに構築されたストレージ製品の安定性、信頼性、機能性を確保します。
▪マイクロコードのダウンロード機能▪強化されたリードディスターブ耐性▪キャッシュFLASHコマンドバイパス▪複数のサーマルスロットリングステージ▪急な電源喪失データ保護のための最適化されたFLASHキャッシュタイミング▪PLPキャパシタのヘルスチェック▪SMART IDのカスタマイズ▪安定した書込み遅延の調整

11産業向けエンタープライズ製品ライン(近日リリース)
ATPのエンタープライズ対応基準から生まれるSSDの新しい時代

ATPのストレージ製品がこれらの要件を満たしていることの証として、ガートナーのマジック・クアドラントレポートに掲載されている企業のうち��%以上が、プライマリストレージ、
データセンターおよびクラウドコンピューティング、
WAN-Edgeインフラストラクチャに関するもので、ATPを戦略的なサプライヤーと見なし、ATP SSDをインフラストラクチャに統合しています.

N651Sie / N651Sce

Product LineInterface

Gen4 x4

Form Factor

M.2

U.2

E1.S

Dimensions (mm)80 x 22 x 3.85

100 x 69.85 x 15

118.75 x 33.75 x 9.5

Flash TypeTLC

Capacity

120 GB to 960 GB

Sequential Read (up to) 1,6,7

6,450 MB/s

6,000 MB/s

6,100 MB/s

Sequential Write (up to) 1,6,7

6,050 MB/s

5,500 MB/s

6,000 MB/s

Random Read (up to) 2,6,7

1,100 KIOPS

820 KIOPS

Random Write (up to) 2,6,7

1,250 KIOPS

480 GB to 3.84 TB

Sustained Sequential Write (up to) 3,6,7

3,000 MB/s

3,200 MB/s

Sustained Random Write (up to) 4,6,7

250 KIOPS (1,000 MB/s)

320 KIOPS (1,280 MB/s)

Endurance [DWPD] 8
QoS 99.9999%5,6,7>2.5
Read <80µs | Write <10µs

Read <90µs | Write <10µs

Read <80µs | Write <10µs

5 years (10% P/E cycle) @ 30°C

Data Retention
Power Loss Protection

Yes

End to End Data Path Protection

Yes

Sustained Read Power (Max) 7<9W<14.5W<13W

Sustained Write Power (Max) 7<11.5W<17.5W<15.5W

Supply Voltage

3.3V

Operating Temperature Tc

12V-40°C to 85°C (I-Temp) | 0°C to 70°C (C-Temp)

Storage Temperature Tc-40°C to 85°C

Vibration

Sine 16.4G,10~2,000Hz

Shock

Half sine 1,500G/0.5ms

MTBF @ 25°C

2,000,000 hours

UBER

1 sector per 10^17 bits read

Warranty

5 years

Notes:
�. IOmeter �MB、QD��でのSequential Burst性能テスト
�. IOmeter �MB、QD��でのSequential Burst性能テスト
�. IOmeter �MB、QD��(��分間)での平均Sustained Sequential Write性能テスト
�. IOmeter �KB、QD��(��分間)での平均Sustained Random Write性能テスト
�. �KB Random QD=��. 実際の性能はユーザーの条件やシステム環境によって異なる場合があります�. 最大容量のドライブでテストしたパラメータ
�. JESD���Aエンタープライズのワークロードで�年間のDWPDをテスト

12870 KIOPS
1,200 KIOPS

オートモーティブのメガトレンドとE/Eアーキテクチャの移行
オートモーティブ産業の革新であるC.A.S.E.は、Connected（接続）、Autonomous（自律）、Secured/Shared（安全/共有）、Electric（電動）車両の需要の増加によって推進されています。

C

onnectedAutonomousSEecuredhared

ドメイン/中央集中型およびゾナルE/Eアーキテクチャ:

lectric

Zonal
Gateway

Zonal
Gateway

����年までに、電気自動車が総自動車販売の少なくとも�分の�を占めると予測されています(デロイト)。
このアーキテクチャは、分散型ECUからドメイン、
集中型/ゾナル設計に移行し、コスト削減のためにケーブルの長さを短縮します。

CentralBrains

この変化により、いくつかの強力な車両コンピューティングシステムで小さな制御ユニットに置き換える動きが加速しています。
この技術の急激な発展は、NANDストレージデバイスを革新しています。

Zonal
Gateway

Zonal
Gateway

スマートコックピット / 充実したキャビン = より多くのデータ
ADAS（先進運転支援システム）をインフォテインメントシステムと統合することで、ユーザーエクスペリエンスが向上し、Apple CarPlayおよびAndroid Autoのサポートを含む、最大12台の4Kディスプレイでのエンターテインメントや独創的なコミュニケーションが提供されます。
ドメインゲートウェイは、OTA(Over The Air)ソフトウェアの更新、交通監視、およびメ
ンテナンスデータのアップロードを管理します。

オートモーティブメーカにとってのC.A.S.E.の課題：
安定した供給と長寿命▪古いアーキテクチャは減少していますが、次の�年間で完全に廃止されるとは予想されていません。
▪従来の内燃エンジン車（ICE）は通常、約��年間持続します。
▪半導体サプライヤーは、NANDプロセスの移行中に従来の部品の生産を停止する可能性があります。
▪オートモーティブの要件を満たす適切な耐久性のある後継製品を調達することが困難になる可能性があります。
▪多様なストレージサプライヤーの調達戦略は、
この不確実性に対処する上で重要です。

Share vehicle production volume

2025年までに、マイクロンは2021年と比較して1台あたりのNAND(1TB）が4倍に増加することを予想しており、多様な機能を持つeMMC、UFS、お
よびUFDとともにドメインゲートウェイをサポートする高容量SSDが可能になります。

2024

2025

Traditional E/E

2026

2027

Domain Centralized

2028

2029

Vehicle Centralized

Source: Bosch-Mobility

13

C.A.S.E. 自動車メーカにとっての課題
電力の節約 = コストの節約

電気自動車のコストの��～��％を占めるのがバッテリーです。
自動車メーカは今、バッテリーの寿命を延ばし、消費電力を減らすことを優先しています。

バッテリーや管理システムの進歩は重要であり、効率的な電力利用とNANDストレージの熱管理が、全体的な効率や品質を損なうことなく、重要な役割を果たしています。

ATPとの協業のメリットは何でしょうか？

ATPの適格性とサービス:▪オートモーティブ業界での��年以上の経験▪IATF �����
▪VDA �.�
▪AEC-Q��� とAEC-Q��� テスト�
▪熱管理ソリューション�
▪プロジェクトサポートによるコンテンツのプリロードと暗号化▪共同開発と検証

ATPオートモーティブ向けATP製品ラインナップと特長▪高品質のNAND FLASHを使用した長寿命化▪工業用温度グレード� (-��°C/��°C) およびグレード�(-��°C/���°C)▪pSLC構成の提供▪電断保護機能(ハードウェア、ファームウェア）▪リードディスターブおよびデータ保持保護機能▪プロジェクトサポートによるコンテンツのプリロードおよび暗号化▪エラー処理およびリカバリーメカニズム▪S.M.A.R.T.によるヘルスモニタリングレポート
SSDシリーズ:
E�.S, BGA SSD, U.�, M.�

レガシーサポート: E/E
アーキテクチャ全
SD/microSD
体にわたる:eMMC

1 Selected*
2 選択されたBOMによるファームウェアのカスタマイズ及び機能のサポート、ATPの熱管理ソリューションの詳細については、��ページから��ページをご参照ください。

14

温度

ATPのカスタマイズ可能な熱管理ソリューション:
着実なものが競争に勝つ
ますますデータ中心の時代において、産業用アプリケーションは常にストレージと迅速なアクセスが必要なデータを生成しています。
しかしながら、
私たちは時間だけでなく、熱ともに絶えず競争しています。

MVMeソリッドステートドライブ（SSD）は、
シリアルATA（SATA）の速度の�倍から�倍の高速で動作し、驚異的なパフォーマンス
を実現します。
しかし、
この高速動作は極端な温度変化やほとんど通気のない組み込み環境では悪化し、ストレージデバイスの安定性を損なう発熱問題を引き起こす可能性があります。

多くのストレージ業界が「速ければ速いほど良い」と言っている中、ATPは「着実に競争に勝つ」の姿勢を取っており、驚異的な速度が高熱に変わらないようにしています。
ATPの熱管理へのアプローチは、
マラソンに例えられるかもしれません。
以下の手順を考慮しています:

Match toCustomerCriteria

8.3 mm ± 0.2

Mechanical
Design for Heat
Dissipation
MAX 3.9 mm

Solution forEnvironment &Workloadステップ �: カスタマイズ

Copper Foil Heatsink

4 mm Fin-Type Heatsink

8 mm Fin-Type Heatsink

ステップ �: 最適化
Performance

ステップ �: シミュレーション

12.3 mm ± 0.2

ステップ �: 評価

ATP Thermal Management Solutions

Standard Heatsink Solutions
Time

15

ステップ �: 評価

NVMe SSDはどのようにして熱に克服できるのでしょうか?
各お客様は独自の熱の課題に直面しており、これは以下に挙げるすべての要因の相互作用によるものです:▪システム/メカニカル基準▪ユーザアプリケーション▪システム仕様（以下が含まれますが、これらに限定されません）：• 温度• エアフロー• メカニカル設計• ワークロードおよび性能要件

Area BH2

M.2 2280 PCB
M.2
SocketArea A

H1

Screw
Hole

SYSTEM PCB

M.2 Socket

M.2 2280 PCB
W1SYSTEM PCB
W2

Screw

ステップ �: シミュレーション

包括的な熱シミュレーションカバレッジ
ATPは、設計段階から始まる徹底した熱シミュレーション戦略を採用しています。
ATPは、コンポーネントや機械的な考慮
事項、
ファームウェアの評価、
ドライブの環境テストなど、さまざまな側面に対応し、最終的にはお客様の仕様に合わせた
ミニチャンバーで熱環境をシミュレートしています。

熱シミュレーションテストの完全なカバレッジ
メカニカル
設計フェーズファームウェア&S.M.A.R.T.ツール▪IRドロップシミュレーション▪電力ドロップシミュレーション▪温度分布▪最適化されたPCBレイアウト
およびコンポーネント配置▪シグナル・インテグリティの向上▪NAND FLASH ICの検証▪メカニカル熱
シミュレーション▪ICパッケージ、PCB、電子
部品組み立て/ヒートシンク/
筐体、
およびパワー素子におけるエアフロー、温度、および熱伝達を予測▪サーマルセンサーやマイクロコントローラユニット（MCU）から報告された温度に基づいてパフォーマンスを最適化する
ファームウェア
▪温度に関連するファームウェアのエラー処理とリカバリー▪温度情報はS.M.A.R.T.
ツールを介して利用可能

Performance

コンポーネ
ント設計フ
ェーズ

cadenceStandard Heatsink Solutions
Time

Ansys Icepak

16

ATP Thermal Management Solutions

ドライブ(SSD) 環境テスト
▪ATP製のミニチャンパー▪実際のテスト環境
をシミュレート▪可変の周囲温度、
エアフロー
およびSSD設定▪パフォーマンス、消費
電力、およびS.M.A.R.T.
情報のログファイルステップ �: カスタマイズ

�つのシナリオがすべてに当てはまるわけではありません
私たちはお客様との協力的なアプローチを採用し、共同開発の取り組みを通じて“we build with you”という理念に重点を置いています。
私たちの放熱の最適化への当社の取り組みには、機械設計の継続的な評価を含みます。
これには、材料、外観、
エアフロー、および組立プロセスを検討し、最適な熱管理を確保するための作業が含まれます。
以下に、ヒートシンク、
ハウジング、
および筐体などの機械的なソリューションを詳細に示した表を示します。

放熱ソリューション

サポートされるフォームファクタ
タイプ

M.2 2280
銅箔

寸法:
L x W x H (mm) 80 x 22 x 3.9
材料

銅

適合性

省スペース

固定性

U.2

E1.S

� mm フィンタイプ
のヒートシンク� mm フィンタイプ
ヒートシンク�� mmフィンタイプ �.� mm シンメトリック
ハウジング
エンクロージャー

80 x 24.4 x 8.3

80 x 24.4 x 12.3

100.5 x 69.85 x 15 118.75 x 33.75 x 9.5

上部: アルミニウム合金
下部: ステンレス鋼

上部:アルミニウム合金 アルミニウム合金
下部:ステンレス鋼

スティック形状

十分な放熱空間

クリップ形状ねじ込み方式

アルミニウム合金
ねじ込み方式

ステップ �: 最適化

着実なものが競争に勝つ

ATPのダイナミックサーマルスロットリングは、デバイスの温度を継続的に監視して過度な温度上昇を防ぐために
ファームウェアを利用します。
このメカニズムはエコモードをトリガーし、
パフォーマンスと温度のバランスを取り、消費電力を低減させます。
添付の図は、エコモード下での消費電力の大幅な削減を示しています

最大

消費電力 (ワット)

平均

エコモード

最小

パワーモード（フルスピード）

複合温度が上昇すると、�mmヒートシンクとエアフローによりSSDが一貫して冷却されます。
これにより、NVMe SSDの最大複合温度が低下し、最適化されたファームウェアアルゴリズムによる安定したパフォーマンスが確保されます。
複合温度

˚C

MB/s

Time

Bare SSD

パフォーマンスTime

8 mm Heatsink

17

耐久性

N���/N���シリーズ 工業用の���層
PCIe® Gen� x� M.� ����, U.� SSDs
高耐久性の�K以上の P/Eサイクル
頑丈なクロス温度統合性最大�.��TB容量を提供

最新の高速N���/N���シリーズM.� ����およびU.� SSDは、PCIe® Gen� x�インターフェースを採用して高速なデータ転送速度を提供します。

N���/N���シリーズのSSDは、驚異的な�,���回以上のプログラム/イレーズ(P/E)サイクルの耐久性と、異なる読み込み/
書き込み温度で動作している場合でも、低ビットエラーでクロス温度統合性を提供します。
ATPのエラー処理技術のおかげで、この統合性は、評価された耐久性を超えても維持されます。

N���/N���シリーズのSSDは、���層の�Dトリプルレベルセル(TLC）NAND FLASHをベースとし、��� Gbitダイパッケージを使用しています。
これにより、��層技術に比べて性能と価格の改善が実現されます。
M.� ���� SSDは、��� GBから�.�� TBまでの容量で利用可能であり、U.� SSDは、��� GBから�.�� TB(ネイティブTLC）および
��� GBから�.�� TB(pSLCモード）まで利用可能です。

これらのSSDは、
ネットワーキング/サーバー、�G、
データロギング、監視、および画像処理などの読み書き集中型でミッションクリティカルな
産業用アプリケーションに適しています。
市場で利用可能な一般的なPCIe Gen�コンシューマSSDと同等以上の性能を持っています。

PCIe® Gen4 NVMe M.2 2280 SSD

製品のハイライト• 容量• 240 GB to 3.84 TB• 動作温度• I-Temp (-40°C to 85°C): N651Si• C-Temp (0°C to 70°C): N651Sc/N601Sc• 最適な熱放散のための熱管理• コントローラにニッケルコーティングされた
銅ヒートスプレッダ• �mmまたは�mmのフィンタイプヒートシンクデザイン• セキュリティ• AES 256-bit encryption• TCG Opal 2.0• データの整合性• エンドツーエンドのデータパス保護• パフォーマンス• シーケンシャルリード/ライト最大�,���/�,��� MB/s
製品仕様については��ページを参照してください

18

PCIe® Gen4 NVMe U.2 SSD

製品のハイライト• 容量• 960 GB to 7.68 TB (TLC mode)• 320 GB to 2.56 TB (pSLC mode)• 動作温度• I-Temp (-40°C to 85°C): N651Si• C-Temp (0°C to 70°C): N601Sc• 最適な熱放散のための熱管理• �� mm フィンタイプヒートシンク設計• セキュリティ• AES 256-bit encryption• TCG Opal 2.0• データの整合性• エンドツーエンドのデータバス保護• パフォーマンス• シーケンシャルリード/ライト最大�,���/�,��� MB/s
• ホットスワップ可能

製品仕様については��ページを参照してくださいE�.S PCIe Gen� x� SSD (近日リリース)

新しいフォームファクタはホットスワップ/ホットプラグのサポート、
より良い電力と熱効率、より高いデータ容量を提供します

ATPのE�.S SSDは、���層のNANDを使用し、驚異的な�,���以上のプログラム/消去(P/E）サイクルの耐久性を誇ります。
これらのSSDは、最先端のPCIe®インターフェースとNVMeプロトコル技術を活用して、最適なパフォーマンスを実現するよう設計されています。

ATPのE�.S SSDは、�Uエッジサーバー向けに設計されており、小さなフットプリントのシステムで垂直に配置されるように設計されています。
これにより、�Uシャーシに�から��のドライブを搭載できます。
これらのSSDは、システムが稼働中でもドライブの簡単なサービスおよび交換を可能にするホットスワップ/ホットプラグをサポートしています。
高いクロス温度信頼性は、低いビットエラーと高いデータ整合性のための優れた伝送精度につながります。

ATPのE�.S SSDは、�.� mmの対称型エンクロージャに収納されており、熱管理ソリューションの結果です*。
このエンクロージャには、
カスタマイズされたハードウェアと持続的なパフォーマンスファームウェアの調整が特徴であり、ハイパースケールアーキテクチャの要求を満たす理想的なソリューションとなっています。

PCIe® Gen4 NVMe E1.S SSD

製品のハイライト• E�.S �.� mmシンメトリックエンクロージャー• PCIe Gen� x� インターフェース• ��� GBから� TBのストレージ容量• 工業用温度で動作可能• 熱管理ソリューション*• ハードウェアPLP(電断保護)*ATPの熱管理ソリューションについて詳細は ��ページから��ページをご参照ください。

19

A���/A���, N���/N��� シリーズ:
新世代�D TLC SSDにNear-SLC/MLC耐久性を実装

書き込み集中ワークロードに適した耐久性:
TLCでは他のSSDより��%高く、pSLCでは���K以上のP/Eサイクル

新しいダイ パッケージを使用して製造された新世代 �D TLC SATA および NVMe 組込み SSD は、耐久性の記録を更新しています。
SATA A���シリーズおよび A��� シリーズは、M.� ����/����、�.� インチ、および mSATA フォームファクタが準備されています。
一方、N���シリーズおよびN���シリーズは、PCIe Gen � x�インターフェースで NVMe �.� プロトコルをサポートし、
M.� ���� モジュールとして準備されています。

次のグラフは、他の工業用�D TLC SSDと比較して、A/N���シリーズは耐久性が��％増加しており、一方、A/N���シリーズは���K以上の
P/Eサイクルを持ち、pSLC構成の同等品よりも優れていることを示しています。
P/E サイクル

Native TLC

pSLC mode
100,000+
100,000

100k

66% 高い耐久性5,000+
3,000
5k
3k
他SSDs

A���/A��� シリーズ

ATP 650 SSDs

製品のハイライト• SATA III � Gb/s インターフェース• M.� ����/����、�.�インチ、およびmSATA
フォームファクターで利用可能• A���モデルは���K以上のP/Eサイクル A���は�K以上のP/Eサイクル• 動作温度範囲• I-Temp (-��°C to ��°C): A���Pi /A���Si• C-Temp (�°C to ��°C): A���Sc

製品仕様は��, ��, ��ページをご覧ください

20

他SSDs

ATP 750 SSDs

N���/N��� シリーズ

製品のハイライト• PCIe Gen� x� インターフェース• M.� ����フォームファクターで利用可能• N���モデルは���K以上のP/Eサイル;A���は�K以上の
P/Eサイクル• 動作温度範囲• I-Temp (-��°C to ��°C): N���Pi /N���Si• C-Temp (�°C to ��°C): N���Sc

製品仕様は��ページをご覧ください。

高耐久性、最大���GBのS���Si/S���Piシリーズ SD/microSDカード
AI監視インフラストラクチャにおける信頼性の高いビデオ録画

S���Si/S���PiシリーズのSDおよびmicroSDメモリカードは、���層の�D NAND技術と低密度パリティチェック（LDPC）
コントローラを搭載し、�G、人工知能（AI）、およびエッジテクノロジーによって促進される成長セグメント向けにターゲットを絞っています。
これには、AI機能を備えた監視、
スマートホーム、
モバイル監視、
オートモーティブ記録装置、遠隔医療、
および重い書き込みと再書き込みが必要なセキュリティ監視システムなどが含まれます。

前世代のATP SD/microSD製品と比較して、新しいメモリカードは、シーケンシャルライト速度が�倍速く、持続的なライティングパフォーマンスが向上しています。

これらのメモリカードは、高い耐久性と安定したレイテンシーを提供し、長期の書き込み後も一貫したパフォーマンス
を確保し、良質な連続ビデオ録画を保証します。
優れたクロス温度信頼性により、さまざまな運用条件での完全なデバイス信頼性を確保するために、温度の変動に耐えることができます。
�つの構成での利用が可能です。
• Native Triple Level Cell (TLC): S���Siは��GBから��� GBまでの容量、�K+ P/Eサイクルの耐久性、最大�,���TBのTBW(Tera Byte Written)• Pseudo Single Level Cell (pSLC): S���Piは��GBから���GBまでの容量、���K+ P/Eサイクルの耐久性、最大��,���TBのTBW

S���/S��� シリーズ

製品のハイライト• 容量• ATP自社開発ファームウェア• S���Si Series: �� GB to ��� GB (native TLC)
• ATP SD Life Monitor: インテリジェントなワークロード検査• S���Pi Series: �� GB to ��� GB (pSLC mode) • エラー回復アルゴリズム: リードリトライ、
オートリードキャリブレーション• 動作温度範囲• バックアップメカニズムと突然の電断リカバリ• I-Temp (-�� to ��°C)• ATP自社開発System-in-Package SiPのための高度なカード分析• 耐久性• ATP開発のハードウェア設計 - 将来の解析用に予約されたテスト• S���Si Series: �,��� TB
端子を備えたサブストレート• S���Pi Series: ��,��� TB• レーザによるソルダーマスクの除去‒ サブストレート上の• 長期供給サポート：�年
テスト端子に到達するようにソルダーマスクを除去する正• 共同検証サービス
確で効率的な方法.
• ATP自社でカスタマイズしたデバッグツール- ハードウェア予約
テスト端子に接続し、ソフトウェア分析システムにリンク
製品仕様は��ページと��ページをご覧ください21

N���Si/N���Sc シリーズ Type B CFexpress カード,
B���Sc シリーズ NANODURA デュアルUFDs:
高速データ転送と書き込み保護機能を備えた安全なストレージを提供

ATP N���Si/N���ScシリーズCFexpress Type Bメモリカード
は、CompactFlash（CF）の最新世代です。
PCIe �.� x�
インターフェースを使用して、PCIe �.� x�インターフェースを使用する他のカードと比較して、より優れた高速パフォーマンスを提供します。
ATP N���Si/N���ScシリーズCFexpress Type Bメモリカードには、
オプションのハードウェア書き込み保護機能が付属しています。
TCG Opal �.�に準拠した暗号化/復号化により、データの盗難や改ざんから保護し、性能の低下なしにセキュリティを確保します。

ATP B���ScシリーズのNANODURAデュアルユニバーサル
FLASHドライブ(UFD)は、Superspeed USB �.� Gen �仕様に準拠しており、データ転送速度を最大� Gb/sで実現します。
これは、USB �.�の転送速度である��� Mb/s
から大幅に向上したものです。

ATP B���ScシリーズのNANODURAデュアルUFDには、
ハードウェアとファームウェアのソリューションが搭載されており、Write Protect Commandsをソフトウェア
ツールに統合して簡単なアクセスと改良されたユーザー
インターフェースを提供します。

▪こシステムは、
お客様のソフトウェア開発のための.dll
およびコマンドプロンプトコマンド(CMD)のガイドラインをサポートしています。
▪ATPは、デバイスの便利なロック/アンロックのための独自のWindowsツールを提供しています。

N���Si/N��� シリーズCFexpress Type B 製品のハイライト

B600Sc シリーズ NANODURA Dual

▪容量• ��� GB to � TB
▪動作温度範囲:• I-Temp (-�� to ��°C): N���Si• C-Temp (� to ��°C): N���Sc▪耐久性• Up to �,��� TB▪Host Memory Buﬀer (HMB) サポート
▪セキュリティ• TCG Opal �.�
• HW 書込み保護(オプション)• RAID �, � compatibility▪フォームファクタ:USB ﬂash drive (USB �.�) Gen�,
backward compatible with USB �.�
▪コネクタタイプ:• USB Type A• USB Type A/Type C Dual Connectors (optional)▪容量: �� GB to ��� GB▪動作温度範囲: C-Temp (� to ��°C)▪耐久性: 最大�� TB▪真のプラグ・アンド・プレイ接続、
ホット・スワップ機
能をサポート▪HW/FW 書込み保護

製品仕様は��ページをご覧下さい。

22

製品仕様は��ページをご覧ください。

製品のハイライト

DRAM未搭載 バリュー ライン SSD
I-Temp/C-Temp対応モデルを用意

製品仕様は��/��/��/��ページをご覧ください。

N���Vi/VcシリーズM.� ����/���� PCIe Gen� NVMeおよびA���Vi/VcシリーズSATA �.�インチ、M.� ����/����、
およ
びmSATAのバリューラインのソリッドステートドライブ（SSD）は、先進の���層�Dアーキテクチャ上のプライムダイのトリプルレベルセル（TLC）NANDで構築されています。

バリューラインSSDは、信頼性の高いパフォーマンス、幅広い容量オプション、およびフレンドリーな価格ポイント
での長期的な供給コミットメントが必要な産業用/埋め込み型アプリケーション向けに設計されています。
DRAMレス
構成により、より低い消費電力と熱の発生を提供します。

バリューラインは、Webサーバー、ボックスPC、
キオスク/販売時点システム（POS）、
および他の産業用/埋め込み型ブートドライブなど、読み取り集中型または一般的なR/W混合アプリケーション向けにカスタマイズされており、信頼性と投資コストの削減が求められる用途に適しています。

なぜバリューラインSSDか ?

読み取りが集中し、かつ書き込みが中程度のアプリケーション向けに優れた GB あた
りのコスト値価格▪業界をリードするNAND
スクリーニング能力▪ISO ����, ISO �����

品質、
信頼性

▪ウェハから完成品への製造プロセスを所有▪製造ラインへのトレーサビリティ▪ウェハから完成品への製造プロセスを所有

サービス▪製造前の包括的な事前評価から製造後の故障分析サービスサポート
までの包括的なサポート▪�年間の供給長期サポート

真のメーカ、完
全なプロセス所有権23N���Vi/Vc シリーズ

A���Vi/Vc シリーズ

製品のハイライト▪SATA III � Gb/s
▪M.� ����/����, �.�” & mSATAで利用可能▪��� GB to � TB 容量▪I-Temp/C-Temp 動作可能
▪ファームウェアベースの電断保護とレベル�のデータ静止状態保護▪電力効率の高いDRAMなしの設計▪PCIe Gen� x�, NVMe �.�
▪M.� ����/����で利用可能▪��� GB to ��� GB 容量▪I-Temp/C-Temp 動作可能
▪ファームウェアベースの電断保護とレベル�のデータ静止状態保護▪Host Memory Buffer (HMB) サポート
▪エンドツーエンドのデータパス保護

Value

Product Line

A600Vi / A600Vc

N600Vi / N600Vc

Interface

SATA III 6 Gb/s

PCIe G3 x4Flash TypeForm Factor
Operating Temperature

製品のハイライト

3D TLC
M.2 2280 S2-M

2.5"

M.2 2242 D5-M

M.2 2280 S2-B-M M.2 2242 D2-B-M-40°C to 85°C / 0°C to 70°C

Power Loss Protection Options

MO-300A-40°C to 85°C / 0°C to 70°C
Firmware Based

Optional SED Features-

Capacity

32 GB to 1TB

120 GB to 960 GB
Performance

560

Sequential Read (MB/s) up to

2,600

Sequential Write (MB/s) up to

1,870

Random Reads IOPS up to184,300

72,00070,50072,000Random Writes IOPS up to145,900

85,00081,00085,00042 x 22 x 3.5

50.8 x 29.85 x 3.5

525Endurance and Reliability
Endurance (TBW)1 up to

2,792 TB

2,880 TB

Reliability MTBF @ 25°C (hours)>2,000,000 hours
OthersDimensions (mm)Certifications
Warranty
1

2480.0 x 22.0 x 2.2

42.0 x 22.0 x 3.6

100 x 69.85 x 780 x 22 x 2.2

CE, FCC, BSMI, UKCA, RoHS, REACH
2 years

最大シーケンシャルライト値によります。容量、コンフィグレーション設定、およびアプリケーションにより値は変化します。

ATPのDDR�メモリは、速度、高容量、低消費電力のニーズを満足

製品仕様は��ページをご覧ください。

ATP は次世代 DRAM仕様メモリであるDDR� を展開します。
これは前世代メモリであるDDR�に比べていくつかの大幅な改善と利点をもたらします。
ATPのDDR�が主要なパフォーマンス向上をもたらす理由のいくつかを次に示します。

�X スピード

Up to 128 Gb Density with 4-Layer TSV

ATPのDDR� DIMMはメモリ帯域幅����/����MT/sで産声を上げます。
DDR�の最大速度
����MT/sに取って代わります。
DDR�は����MT/sのチャネル速度までスケールアップ
することが期待されておりDDR�の� 倍となり、全体的なパフォーマンスが向上します。

DDR�がシングルダイパッケージ（SDP）で�� Gb
が最大でしたが、シングルDDR� DRAM
ダイパッケージは最大で�� Gbまであります.

低消費電力

PMIC による優れた電力アーキテクチャ

動作電圧はDDR�の�.�V に対して、DDR�
はわずか �.�V であり、消費電力が低減され、より多くのエネルギー節約できます。

DDR� は、電源管理をマザーボードからDIMMに移行する新しい電源アーキテクチャを特徴としています。
オンボードの電源管理集積回路(PMIC)が電源を調整して、ノイズを低減しながら分配と信号の完全性を向上させます。

正確な温度制御

DDR� Registered DIMM (RDIMM) を対象としたDIMMの温度センサーは、正確でリアルタイムの温度監視と制御を提供します。

DDR� に対してその他の重要な機能強化• On-Die ECC はデータが CPU に送信される前にエラーを検出して訂正• DIMM上のデュアル サブチャネル。�つの��ビット幅チャネル(��データビットと� ECCビット)によりメモリアクセスが改善• �� のバースト長。
DDR�の� 倍のバースト長を持つDDR� は、�つのバーストで�つの独立したチャネル (DIMMの半分)の�つだけを使用して �� バイトのデータにアクセスできるため、効率が向上します。
• デュアル データ レート(DDR)は、DDR�のコマンドおよびアドレスインターフェイスでのシングルデータ レート(SDR)とは異なり、絶縁強化のために追加のピンが解放されました。

25

DRAMソリューション
高負荷環境における高いパフォーマンス

ATPの産業用DRAMモジュールは堅牢に製造されており、成長する企業の厳格な要求に対応することができます。
��時
間���日対応し、これらの頑強なモジュールは高速であり、過酷な動作環境に耐えることができ、大容量の帯域幅要件を処理することができます。
ATPのDRAMラインナップには、レガシーSDRAMと、DDR�、DDR�、DDR�、DDR�、

DDR�モジュールの全てのモジュールが含まれています。
これらは、RDIMM、RDIMM VLP、UDIMM/UDIMM ECC、
SO-DIMM/SO-DIMM ECC、Mini-RDIMM、およびMini-UDIMM/Mini-UDIMM ECCとして利用可能です。

26

DRAM モジュール

多世代での加速コンピューティング

ATPのDRAMモジュールは、
メモリ集積型および高性能
コンピューティングアプリケーションにおける加速されたパフォーマンスの成長するニーズに対応し、モノのインターネット（IoT）および産業用IoT（IIoT）がますま
す普及する中で、データ処理要件が強化されていく中で、より大きな要求に対応します。多世代のソリューション
は、レガシーのDDR�/DDR�/DDR�、DDR�、
およ
び最新のDDR�ソリューションが含まれており、頑丈な
パフォーマンス、耐久性のある構造、および最も厳しい
ワークロードに適した適切な密度を提供します。
ATPのモジュールは、すべての主要な集積回路（IC）を���％のTier �メーカから独占的に入手しており、スポット市
場のソースへの依存を排除しています。

ATPの優位性: WE BUILD WITH YOU*
付加価値のあるカスタマイズサービス*▪コンフォーマルコーティングは、DRAMモジュールを完全にピンホールフリーにし、本当に均一に形成し、それをほこり、
化学物質、
湿気、
およびその他の有害な物質から保護します。
▪シャンフェリングPCBデザインは、コネクタのエッジを斜めに削る
こと、
つまり”面取り”または”テーパリング”を行うことを指します。
これにより、
メモリスロットへの挿入が容易になります。
▪抗硫黄抵抗器 通常の銀抵抗器は、硫黄に曝露されると腐食し、導電性を失います。
ATPのDRAMモジュール製品は、硫黄汚染の腐食効果を防ぐための抗硫黄抵抗器オプションを提供しています。
これにより、長期間にわたって信頼性の高いパフォーマンスが保証され、不必要なダウンタイムや高価な部品交換を防ぎ、総所有
コストを低減します。

広温度帯ICを使用した最適なTCO-��°Cから��°Cの動作範囲をサポートする広温度帯ICは、より低コストで産業用グレードのパフォーマンスを実現す
る最適なソリューションを提供します。

レガシーモジュールの長期サポート

製品長寿命プログラムの下、Micron Technology社とのパートナーシップ契約に基づき、ATPは移行できないMicronのお客様向けに、レガシーのSDR/DDR/DDR� DRAMモジュールを引き続き製造します。
これには、AMD Embedded
Geodeプラットフォームを使用する特定のお客様向けに特に選択されたレガシーDRAMモジュールも含まれます。

システムレベルのTDBIは�.��%のエラーをスクリーニングアウトします

たとえデバイスが��.��％効果的であっても、わずか�.��％のエラーはモジュールレベルでの故障率を増加させ、実際の使用中に故障を引き起こす可能性があります。
ATPのシステムレベルのTDBIは、
この�.��％のエラーを検出し、排除することで、最高の信頼性を確保します。

* 機能やサービスは、プロジェクトやお客様の要求に応じて異なる場合があります。

27

ATP DRAMモジュール：信頼性最大化のための綿密なテスト

DRAMモジュールは高負荷なシステム対して重要な役割を持ちます。
それらの多くは高ストレス環境のノンストップ で動作するシステムに使用されており、熱、環境、および電気的な脅威に絶えずさらされています。
不安定なシステム運用を引き起こす
脆弱性がビジネスオペレーションに大きな影響を与える可能性があるため、ATP はDRAM モジュールの信頼性を高めるた
めに十分なテストを行っています。

Automatic Test Equipment (ATE)

ATE はDIMM のアッセンブリに関連する部品及び製造上の欠陥を検出し、タイミングやノイズマージンなどの信号品質(SI) を検査します。
ATEは連続的な熱サイクルの下での限界電圧、信号周波数、クロック、
コマンドタイミング、
データタイミングなど、さまざまなパラメーター設定を備えた電気試験パターンによるテストが可能です。

Test During Burn-in (TDBI)•量産レベルにおけるTDBIは、Early Life Failure (ELF)改善のために製品初期に故障する可能性のある弱いIC を効果的に選別します。
温度、負荷、速度、時間を組み合わせてメモリモジュールをストレス・テストし、弱いモジュールを選別します。
• ��.��%の有効なデバイスでのエラーデバイスがわずか�.��%であっても、モジュールレベルでの故障率が上昇し。
• TDBIは�.��%のエラーを排除し最大の信頼性を確保します。

Temperature
Load

ATP DRAM Modules

Speed

Memory Modules
Time

28

Weak Module

ATP TDBIの特長

ATPのTDBIシステムは、DRAMモジュールに対して高温/低温、高/低電圧などのパターンテストを行います。
ミニチャンバー(オプション)

高温テスト時にマザーボード全体へ熱によるストレスを与えないように するためにミニチャンバーを使用します。
これによりテスト対象である DRAMモジュールのみに高温負荷をかけることが出来ます。
言
い換えるとマザーボード上の他のコンポーネントへの障害を最小限に抑えることが可能でありDRAM以外で発生する誤ったエラーを減らすことができます。
従来の大型サーマルチャンバーでは、
システム全体に熱ストレスがかか ることを考えると、DRAMに関連しない
コンポーネントのエラーが一定頻度発生している可能性があります。

モジュールライザーアダプター

量産工程にて容易にモジュールを挿入することができます。

TDBI採用による不良率の改善

以下のグラフはTDBIを採用したことによって不良率が年々減少したことを示しています。
業界で許容される不良率の数値は�,���DPPM *ですが現在までにDPPMは大幅に改善されています。
DPPM* Summary
3500

3202

3000
2500
2000

1955

1500
1000
500

1297
948
757

651

520

445

407

377

346

331

0
*DPPM = Defective Parts per Million

29

DDR�: � 倍の速度、� 倍の容量、優れた電力効率で、増え続けるメモリのニーズを満たすために構築
最大

51 GB/s

メモリ帯域幅

4800 to 6400 MT/s

周波数 / 転送レート

最大

128 Gb

メモリ容量

1.1 v

動作電圧

ATPのDDR�ソリューションは、特に重要なコンピューティングアプリケーションにおいて、前世代よりも性能と信頼性の向上が期待されています。
次世代のDRAM仕様であるDDR�は、すべての面でDDR�を上回ります。
DDR�は、
より高速なパフォーマンス、より高いメモリ
帯域幅、
より高いデータ密度、および新しい電力管理構造を約束し、より優れた電力効率を提供します。

これらの利点やその他の利点は、現在および将来のアプリケーションのますます成長するメモリ需要を満たすことが期待されています。
DDR�とDDR�のデュアルインラインメモリモジュール（DIMM）はともに���ピンですが、DDR�の高い帯域幅により、データをより高速に転送できます。
ピン数は同じですが、DDR� DIMMは、
アライメントキーの位置が異なり、新機能に対応するためにピン配置が変更されているため、DDR�ソケットには適合しません。
DDR�のDDR� に対する利点に関する詳細については、�� ページを参照してください。

DDR5
DIMM TypeRDIMM

ECC UDIMM

Non-ECC UDIMM

ECC SO-DIMM

Non-ECC SO-DIMM

Density

16 GB to 256 GB

16 GB to 64 GB

8 GB to 64 GB

16 GB to 64 GB

8 GB to 64 GB

Speed up to (MT/s)

4800/5600

4800/5600

4800/5600

4800/5600

4800/5600

PCB Height*

Low profile / VLP*

Low profile / VLP*

Low profile

Low profile

Low profile

Operating Temperature* VLP: 0.74"

30

0°C to 85°C / -40°C to 85°C

なぜWide-Tempモジュールなのか?
DRAMモジュールは通常、過酷な環境や日中、夜間に変動する極端な温度、およびさまざまな気象条件で動作するシステムにインストールされます。
このように、

ほとんどのエッジ コンピューティング アプリケーションが 年中無休で稼働し、多くの場合、厳しい環境で動作するため、より広い範囲の温度機能を備えたメモリの必要性が高まっています。

ATPは、商用品のDRAMでは不十分な環境での耐久性と冗長性を確保するために、産業用グレードの広温度範囲(Wide-Temp)DRAMモジュールを提供しています。

ATP Wide-Tempモジュールの利点

100%

寿命

-40°C to 85°C

最高の信頼性

主要なICはTier�メーカ
から供給されています

動作温度範囲保証*

ATPのTest-During-Burn-In（TDBI）は、�.��％のエラーを検出して排除し最高の信頼性を確保します* 製品販売後に行われたカスタム改造は保証の対象外です。
特定のモジュールについては、請求書の日付から特定のお客様に適用される�年間の保証が提供されます。

31

ATPはレガシー DRAM モジュールの長期供給への宣言をさらに主張します。

ATP は DDR�モジュールの継続的需要に対応

今現在のDRAMメモリの主流がDDR�であり、多くの企業が DDR�への準備を進めているなか、主要なメモリサプライヤー
はDDR�の生産を縮小、もしくは廃止する流れを取っています。
しかしながら長期間にわたってDDR�メモリを運用してきたシステムは、産業機器、
ネットワーク、そして多くの組み込み機器において、今でも幅広く使用され続けています。
ATP は長年に渡る主要サプライヤーとのパートナーシップを通じて、今後 �～� 年間におけるDDR� SO-DIMM、並びにUDIMMの継続的なマーケット需要に対する継続的なサポートに取り込んでおります。

製品情報

Module Type

DDR3 SO-DIMM

DDR3 UDIMM

Capacity

4 GB / 8 GB

4 GB / 8 GB

Function

ECC/NON-ECC

ECC/NON-ECC

Frequency

1866 MHz

1866 MHz

MicronとATPのパートナーシップ・ライセンス契約により: DDR�継続プログラム

DDR�は米国、日本、欧州で広く展開されており、ATPとMicronはこれらの市場の信頼性が高いミッションクリティカルな環境に設置された産業/組み込みシステムにDDR� SO-DIMMとUDIMMを安定供給致します。
このプログラムのすべてのモジュールはMicronと同等の仕様
でATPによって製造、テスト、検証されます。

“Micronはレガシーシステムやアプリケーションの長期サポートを行うことによって顧客がそのプラットフォームに行ったインフラ投資を最大化できるような取り組みを行っている。
ATPとの実績のあるパートナーシップによって顧客は 現在のプラットフォームをサポートするDRAMモジュールの供
給とオペレーションの安定性をATPから受けることができるだろう”- Kris Baxter, Corporate Vice President
and General Manager, Embedded Business Unit, Micron Technology, Inc.

レガシー (SDR/DDR) DRAMモジュール
ライセンス契約概要：• ���% Micronデザイン準拠 顧客の評価工数を最小化するためにこれらレガシー製品のサポートを延長しています。
• ���% Micron部品表準拠 Micronの部品表に基づいて主要部品(DRAM, Register/PLL)は同じものを使用しています。
また、受動
部品 (抵抗器、コンデンサ、EEPROMなど) はMicronの部品表の仕様に基づいた部品を使用しています。
• ���% Micron設定準拠 SPDにmanufacturer’s informationを追加。
• ���% Micron仕様に準拠 それぞれのモジュールはMicronと同等の仕様によって製造されています。

製品情報
Module Type

Function

Frequency

Number of Pins

PCB HeightDDR SO-DIMM

Capacity
128 MB / 256 MB /512 MB / 1 GB

Unbuffered Non-ECC

400 MHz

200

1.25"

DDR SO-DIMM(Industrial Grade)

256 MB / 512 MB

Unbuffered Non-ECC

400 MHz

200

1.25"

Module TypeCapacity

DDR UDIMM

256 MB / 512 MB
64 MB / 128 MB /256 MBSDRAM SO-DIMM

32

Build To Order (BTO)
Function
Frequency

Number of Pins

PCB Height

Unbuffered Non ECC

400 MHz

184

1.25"

Unbuffered Non ECC

133 MHz144

1.0" / 1.25"

DRAM製品ライン
耐硫化対策
レジスタ

絶縁保護
コーティング

PCB加工

▲

▲

-

▲

●

▲

▲

▲

▲

●

●

▲

▲

▲

▲

-

●

●

▲

▲

▲

▲

4800/5600

-

●

●

▲

▲

▲

▲

4 GB to128 GB

3200

●

●

●

▲

▲

-

▲

ECC UDIMM

4 GB to 32 GB

3200

●

●

●

▲

▲

▲

▲

Non-ECC UDIMM

2 GB to 32 GB

3200

●

●

●

▲

▲

▲

▲

ECC SO-DIMM

4 GB to 32 GB

3200

-

●

●

▲

▲

▲

▲

Non-ECC SO-DIMM

2 GB to 32 GB

3200

-

●

●

▲

▲

▲

▲

Mini-RDIMM

4 GB to 16 GB

2400

●

●

●

▲

▲

-

-

Mini-UDIMM

4 GB to 16 GB

2400

●

●

●

▲

▲

-

-

RDIMM

1 GB to 32 GB

1866

●

●

●

▲

▲

-

▲

ECC UDIMM

1 GB to 16 GB

1866

●

●

●

▲

▲

▲

▲

Non-ECC UDIMM

1 GB to 16 GB

1866

●

●

●

▲

▲

▲

▲

ECC SO-DIMM

1 GB to 16 GB

1866

●

●

●

▲

▲

▲

▲

Non-ECC SO-DIMM

1 GB to 16 GB

1866

-

●

●

▲

▲

▲

▲

Mini-RDIMM

1 GB to 8 GB

1600

●

●

●

▲

▲

-

-

Mini-UDIMM

1 GB to 8 GB

1600

●

●

●

▲

▲

-

-

ECC UDIMM

1 GB to 2 GB

800

-

●

●

▲

-

-

-

Non-ECC UDIMM

1 GB to 2 GB

800

-

●

●

▲

-

-

-

Non-ECC SO-DIMM

256 MB / 1 GB to 4 GB

800

-

●

●

▲

-

-

-

Non-ECC UDIMM

256 MB

400

-

●

●

-

-

-

-

400

-

●

●

▲

-

-

-

133

-

●

●

-

-

-

-

Capacity

Speed(MT/s, up to)

VLP/ULP*

RDIMM

16 GB to 256 GB

4800/5600●●●

ECC UDIMM

16 GB to 64 GB

4800/5600●●

Non-ECC UDIMM

8 GB to 64 GB

4800/5600-

ECC SO-DIMM

16 GB to 64 GB

4800/5600

Non-ECC SO-DIMM

8 GB to 64 GB

RDIMM

DDR5

DDR4

DDR3

DDR2

DDR1

Non-ECC SO-DIMM 128 MB to 512 MB / 1 GB
SDRAM

金メッキゴール バーンイン・テスト 温度拡張DRAM
ドフィンガーモジュール(TDBI)

DIMM Type

Product

Non-ECC SO-DIMM

64 MB to 256 MBS▲: Optional* VLP: height = 0.74"
ULP: height below 0.74"

33

Flashソリューション

ミッションクリティカル・アプリケーションのための特別対応可能なストレージソリューション
ATPの産業用FLASH製品は、ミッションクリティカルなタスクを達成するため、信頼性の高いパフォーマンス、効率的な応答性、および長寿命を提供します。
お客様の構成に合わせてカスタマイズ可能で、U.�、�.�インチSSD、M.�組み込みモジュール、
mSATA、CFexpress、CFast、CompactFlash、SD/microSDメモリカード、USBドライブ、およびエンタープライズおよび
産業用アプリケーション向けのE�.Sドライブ（今後登場予定）など、さまざまなフォームファクタで提供されています。

これらの製品は、信頼性の高い、高速な、将来にわたって使えるパフォーマンスを提供するために、SATA � Gb/sや最新のNVMe™プロトコルなどの高速インターフェースをサポートしています。
マネージドNAND製品には、オートモーティブ/産業
用グレードのe.MMCやNVMe HSBGA SSDなどが含まれており、FLASHメモリとメモリを�つのパッケージに統合しています。

* プロジェクト・サポート毎によります。

34

SSDとモジュール

産業企業向けの新しいストレージソリューション

情報技術（IT）と運用技術（OT）が融合するにつれ、絶え間ないデータ生成には、新しいタイプのデータストレージ
ソリューションが必要とされています。
ATPのSSDおよびモジュールは、産業界の多様で増大するデータストレージのニーズを満たします。
これらはカスタム設定が可能で、強化されたファームウェアを提供し、厳しい信頼性テストを受けて、極端な温度（-��°Cから��°C）や突然の電源喪失イベントでも信頼性の高いパフォーマンスを保証します。
�象限変化テスト、
温度サイクリング、およびパワーサイクリング
は、ATPのSSDおよびモジュールが優れた性能、堅牢な耐久性、および長年の信頼性の高い性能を提供することを保証するために実施される信頼性テストのほんの一部です。
これらは、PCIe® Gen� x�インターフェースを使用した最新の高速NVMe™プロトコルだけでなく、SATA �
Gb/sやUSBなどの実績のあるインターフェースもサポートしています。
様々なフォームファクタには、U.�、�.�インチ
SSD、M.�、mSATA、eUSBモジュール、およびE�.Sドライブ（今後登場予定）などが含まれます。

ATPの優位性: WE BUILD WITH YOU*

付加価値のあるカスタマイズサービス*

熱、耐久性、セキュリティ、および耐久性の機能は、ユニークなアプリケーションやセグメント固有の要件を満たすようにカスタム設定できます。
ATPが開発したファームウェアとハードウェアのオプションは、特別な組み込
みおよび産業用途を対象としています。
熱管理ソリューション

NVMe SSDで利用可能なカスタマイズ可能なソリューション
は、
ファームウェアとハードウェアテクノロジー(ヒートシンクオプション付き)を組み合わせて、高速かつ高性
能なストレージにおける過熱の課題を克服します。
性能基準、
ユーザーアプリケーション、
システム仕様を理解することで、ATPは、持続的なパフォーマンスを向上させるためのカスタマイズされたソリューションを提供できます。
拡張耐久性

�D TLC NAND FLASHを使用したSSDは、優れた耐久性を提供します。
ネイティブのTLCでは、MLCの耐久性に匹敵し、
pSLCモードで構成されたものはほぼSLCドライブと同等の性能を示します。
MCUベースのHW+FW電断保護
突然の電断が発生してもデータを保護する高度な電源喪失保護機能がデータを保存します。
一部のSSDには、
マイクロコントローラユニットベースの設計とレベル�（データ送受信中）の保護が搭載されています。

* プロジェクトやお客様の要求に応じて、機能やサービスは異なる場合があります35���層NANDストレージソリューション
のクロス温度動作堅牢性

���°Cの動作範囲でのクロス温度における堅牢なエラー処理
様々な温度での操作、例えば低温条件での書き込みや高温での読み取りなどを行うことは、
エラービットの発生頻度を増加させ、時間とともにデータの整合性を損なう可能性があります。
ATPのクロス温度エラー処理機能は、
これらの問題を軽減し、エラーを減らし、NAND
が運用寿命の終わりに近づくにつれてもデータの整合性を維持します。

Fresh NAND
(1 P/E cycle)
ATPが採用する
known good die (KGD)の産業用グレードのNAND
FLASHは、初期状態におけるクロス温度変動の影響を最小限に抑えます。

高Error Bits(based on 1KB)

低36End-of-Life NAND
(100% P/E cycle)
エラー処理なし

NAND FLASHのエラーは、
その運用寿命の終わりに
近づくにつれて増加し始めます。

クロス温度エラー処理あり

NAND FLASHが寿命の終わりに近づ
くにつれて、
エラーを最小限に抑え、データの整合性を保持するために、堅牢なエラー処理メカニズムの実装が重要です。

PCIe® Gen4 NVMe M.2 2280 SSD
主な仕様• 優れた読出し/書込みパフォーマンス• MCUベース電断対策デザイン*レベル�(書込み途中のデータ保護)• 自己暗号化ドライブ(SED)
AES ���-bit暗号化, TCG Opal �.� *• サーマルマネジメントソリューション**• エンドトゥーエンド・データ保護• 耐硫化抵抗器サポート** 製品、
プロジェクト・サポートによって変更することがあります。
** プロジェクト毎でカスタマイズ化の準備があります。

PCIe® Gen4 NVMe M.2 2280 SSD
Superior

Product Line

N651Si / N651Sc

N601ScInterface

PCIe G4 x4Flash TypeForm Factor

3D TLC
M.2 2280-D6-M1
Hardware + Firmware Based

Optional SED Features
Capacity

M.2 2280-D2-M

Firmware Based

Firmware Based-40°C to 85°C / 0°C to 70°C

Operating TemperaturePower Loss Protection Options

M.2 2280-D2-M

0°C to 70°C

AES 256-bit Encryption, TCG Opal 2.0
240 GB to 3.84 TB

240 GB to 1.92 TB

240 GB to 1.92 TB

Performance
6,450

Sequential Read (MB/s) up to
Sequential Write (MB/s) up to

6,050

Random Reads IOPS up to

1,091,000

Random Writes IOPS up to

1,245,000

1,095,000
1,244,000
Endurance and Reliability

Endurance (TBW)2 up to9,230 TB

Reliability MTBF @ 25°C

17,930 TB

5,700 TB

>2,000,000 hours
OthersDimensions (mm)Certifications
Warranty

80.0 x 22.0 x 3.85
80.0 x 24.4 x 12.5
(with 8 mm heatsink)

80.0 x 22.0 x 3.6
80.0 x 24.4 x 12.5
(with 8 mm heatsink)

80.0 x 22.0 x 3.6
80.0 x 24.4 x 12.5
(with 8 mm heatsink)
CE, FCC, BSMI, UKCA, RoHS, REACH
2 years

Technologies &Add-On Services3
Superior

S

▲

▲

▲

▲

▲

1. M.� ����-D�-Mフォームファクタ(最大高さ:�.��mm)は、ハードウェアベースの電断保護機能を備えています。M.� ����-D�-Mフォームファクタ(最大高さ:�.�mm)は、ファームウェアベースの電断保護機能を備えています。
2. 最大シーケンシャルライト値によります。容量、コンフィグレーション設定、およびアプリケーションにより値は変化します。
3. P��-��を参照してください。 ▲: プロジェクト毎のカスタム化オプションがあります。

37

PCIe® Gen3 NVMe M.2 2280 / 2242 / 2230 SSD
主な仕様• MCUベース電断対策デザインレベル�(書込み中データ保護) *• 自己暗号化ドライブ(SED)
AES ���-bit暗号化, TCG Opal �.� *• サーマルマネジメントソリューション**• エンドトゥーエンド・データ保護• TRIMファンクションサポート* 製品、
プロジェクト・サポートによって変更することがあります。
** プロジェクト毎でカスタマイズ化の準備があります。

PCIe® Gen3 NVMe M.2 2280 / 2242 / 2230 SSD
Superior

Premium

Product Line

N750Pi

N700Pi

N700PiInterface

N650Si

N700PcN650ScN600Si

N600ScPCIe G3 x4Flash Type

3D TLC

3D TLC (pSLC mode)

Form Factor

M.2 2230-S4-M

M.2 2280-D2-M

Operating Temperature-40°C to 85°C

Power Loss Protection Options

Hardware + Firmware Based-40°C to 85°C

-40°C to 85°C

0°C to 70°C

0°C to 70°C

-40°C to 85°C

0°C to 70°C

Hardware + Firmware Based or Firmware Based

Firmware Based

Optional SED Features
Capacity

M.2 2280-D2-M

AES 256-bit Encryption, TCG Opal 2.0
40 GB to 640 GB

40 GB to 320 GB

120 GB to 960 GB

40 GB to 160 GB

120 GB to 3.84 TB

Performance
3,150

Sequential Read (MB/s) up to
Sequential Write (MB/s) up to

3,420

2,000

3,050

1,600

2,820

2,670

Random Reads IOPS up to

147,789

135,600

222,700

225,200

Random Writes IOPS up to114,227

112,000

176,600

179,200

4,640 TB

10,600 TB

Endurance and Reliability
Endurance (TBW)1 up to

16,000 TB

21,300 TB

4,280 TB

Reliability MTBF @ 25°C

>2,000,000 hours
Others80.0 x 22.0 x 3.5 (M.2 2280 Bare PCBA)
80.0 x 24.4 x 12.5 (M.2 2280 with 8 mm heatsink)

Dimensions (mm)Certifications

80.0 x 22.0 x 3.5 (M.2 2280 Bare PCBA)
80.0 x 24.4 x 12.5 (M.2 2280 with 8 mm heatsink)

30.0 x 22.0 x 2.5

CE, FCC, BSMI, UKCA, RoHS, and REACH
are available for SSD models withcapacities between 120 GB to 1,920 GB;
RoHS/VCCI/CE/FCC are available for the
3.84 TB SSD model.

CE, FCC, BSMI, UKCA, RoHS, REACH

Warranty

5 years

2 years

PCIe® Gen3 NVMe M.2 2280 / 2242 / 2230 SSD
Value

Product Line

N600Vi

N600VcInterface

N600Vc

N600Vi

0°C to 70°C

-40°C to 85°C

N600Vi

N600VcPCIe G3 x4Flash Type

3D TLC

Form Factor

M.2 2280 S2-M

Operating Temperature-40°C to 85°C

Power Loss Protection Options

M.2 2230-S4-M

M.2 2242 D5-M

0°C to 70°C

-40°C to 85°C

0°C to 70°C

Firmware Based

Optional SED Features-

Capacity

120 GB to 960 GB

120GB to 480GB

Performance
Sequential Read (MB/s) up to

2,600

Sequential Write (MB/s) up to

1,870

1,550

Random Reads IOPS up to184,300

138,000

145,900

112,600

Random Writes IOPS up to

2,050

Endurance and Reliability
Endurance (TBW)1 up to2,880 TB

Reliability MTBF @ 25°C

>2,000,000 hours

768 TB

OthersDimensions (mm)80.0 x 22.0 x 2.2

30.0 x 22.0 x 2.5

42.0 x 22.0 x 3.6

Certifications

CE, FCC, BSMI, UKCA, RoHS, REACH

Warranty

2 years

Technologies &Add-On Services2
PCIe® Gen3 NVMe
M.2 2280 / 2242 / 2230

S

Premium▲

Superior

▲

Value

▲
▲

1 最大シーケンシャルライト値によります。容量、コンフィグレーション設定、およびアプリケーションにより値は変化します。
2 P��-��を参照してください。 ▲: プロジェクト毎のカスタム化オプションがあります。

38

▲

▲

▲

▲

▲

▲

▲

▲

PCIe® Gen4 NVMe U.2 SSD
主な仕様• ��mmフィンタイプハウジングデザイン• MCUベース電断対策デザイレベル�(書込み中データ保護)*• 自己暗号化ドライブ(SED) AES ���-bit暗号化, TCG Opal �.�*• エンドトゥーエンド・データ保護• ホットスワップ対応• pSLC mode 対応 *• 耐硫化抵抗器サポート** 製品、
プロジェクト・サポートによって変更することがあります。
PCIe® Gen4 NVMe U.2 SSD
Product Line

Superior

Premium
N751PiInterface
Flash Type

PCIe G4 x4
3D TLC (pSLC mode)

3D TLC

Form Factor

2.5"-40°C to 85°C

Operating TemperaturePower Loss Protection Options

0°C to 70°C
Hardware + Firmware Based

Optional SED Features
Capacity

N601Sc

N651SiAES 256-bit Encryption, TCG Opal 2.0
320 GB to 2.56 TB

960 GB to 7.68 TB
Performance

Sequential Read (MB/s) up to

6,100

Sequential Write (MB/s) up to

6,000

5,500

Random Reads IOPS up to870,000

819,000

Random Writes IOPS up to

1,250,000

6,000

1,177,000
Endurance and Reliability

Endurance (TBW)1 up to

157,000 TB

10,280 TB

Reliability MTBF @ 25°C

>2,000,000 hours

Dimensions (mm)100 x 69.85 x 15

10,370 TB

OthersCertifications
Warranty

RoHS/VCCI/CE/FCC/UKCA
5 years

2 years

Technologies &Add-On Services2

S

Premium▲▲

Superior

▲

▲

▲

▲

▲

▲

▲

1 実際の製品寿命は、JESD���Aエンタープライズのワークロードに依存します。
2 P��-��を参照してください。 ▲: プロジェクト毎のカスタム化オプションがあります。

39

PCIe® Gen3 NVMe U.2 SSD
主な仕様• サーマルマネジメントソリューション*• 高容量NVMeドライブ• LDPC / RAIDデータリカバリーエラー訂正• エンドトゥーエンド・データ保護• S.M.A.R.T / TRIM / グローバルウェアレベリング* プロジェクト毎でカスタマイズ化の準備があります。

PCIe® Gen3 NVMe U.2 SSD
Product Line

Superior
N600SiInterface

PCIe G3 x4Flash Type

3D TLC

Form Factor

2.5"

Operating Temperature-40°C to 85°C

Power Loss Protection Options

Hardware + Firmware Based

Optional SED Features

AES 256-bit Encryption, TCG Opal 2.0

Capacity

960 GB to 7.68 TB
Performance

Sequential Read (MB/s) up to

3,100

Sequential Write (MB/s) up to

1,400

Random Reads IOPS up to

190,000

Random Writes IOPS up to168,000
Endurance and Reliability

Endurance (TBW)1 up to

21,000 TB

Reliability MTBF @ 25°C

>2,000,000 hours

Dimensions (mm)100.0 x 69.85 x 7.0

Certifications

RoHS, VCCI, CE, FCC

Warranty

2 years

OthersTechnologies &Add-On Services2
Superior

1 最大シーケンシャルライト値によります。容量、コンフィグレーション設定、およびアプリケーションにより値は変化します。
2 ��-��を参照してください。 ▲: プロジェクト毎のカスタム化オプションがあります。

40

▲

▲

SATA III M.2 2280 / 2242 SSD
主な仕様• MCUベース電断対策デザイン：レベル�(書込み中データ保護)*• LDPC / RAIDデータリカバリーエラー訂正• エンドトゥーエンド・データ保護• TRIM /グローバルウェアレベリング* 製品、
プロジェクト・サポートによって変更することがあります。

SATA III M.2 2280 SSD
Product Line

Premium
A750PiSuperior
A700Pi

A650SiValue

A650ScInterface

A600Si

A600Sc

A600VcSATA III 6 Gb/s

Flash Type

3D TLC (pSLC mode)

Form Factor

2280 D2-B-M

Operating Temperature-40°C to 85°C

3D TLC

3D TLC
2280 D1-B-M-40°C to 85°C

Power Loss
Protection Options
Optional SED Features

2280 S2-B-M

2280 D2-B-M

0°C to 70°C

-40°C to 85°C

0°C to 70°C

0°C to 70°C
Firmware Based

Hardware + Firmware Based
AES 256-bit Encryption, TCG Opal 2.0

Capacity

80 GB to 320 GB

240 GB to 960 GB

Sequential Read (MB/s) up to

560

Sequential Write (MB/s) up to

120 GB to 960 GB

32 GB to 1 TB

560

560

560

520

520

510

525

90,000103,000

100,000

72,00086,00088,00085,0002,792 TB

2,792 TB

Performance

Random Reads
IOPS up to
Random Writes
IOPS up to

88,000Endurance and Reliability
Endurance (TBW)1 up to

19,200 TB

12,800 TB

4,655 TB

Reliability MTBF @ 25°C

>2,000,000 hours

Dimensions (mm)80 x 22 x 3.35

Certifications

CE, FCC, BSMI, UKCA, RoHS, REACH

OthersWarranty

80 x 22 x 2.2

5 years

2 years
SATA III M.2 2242 SSD

Product Line

Premium
A800PiSuperior

A750Pi

A700PiInterface
Flash Type

A650SiValue

A650Sc

A600Si

A600Sc

A600VcSATA III 6 Gb/s
SLC

3D TLC (pSLC mode)

Form Factor

2242 D2-B-M

Operating Temperature-40°C to 85°C

3D TLC

3D TLC
2242 D2-B-M

2242 D6-B-M-40°C to 85°C

Power Loss
Protection Options
Optional SED Features-

Capacity

8 GB to 64 GB

40 GB to 160 GB

Sequential Read (MB/s) up to

530

560

Sequential Write (MB/s) up to
Random Reads
IOPS up to
Random Writes
IOPS up to

400

520

76,00068,00076,00088,0000°C to 70°C

-40°C to 85°C

0°C to 70°C

0°C to 70°C
Firmware Based

Hardware + Firmware Based
AES 256-bit Encryption, TCG Opal 2.0

120 GB to 480 GB

32 GB to 1 TB

560

560

560

525

510

525

104,000

100,000

70,50092,00088,00081,0001,396 TB

2,792 TB

240 GB to 960 GB
Performance

Endurance and Reliability
Endurance (TBW)1 up to

5,333 TB

9,600 TB

6,400 TB

4,655 TB

Reliability MTBF @ 25°C

>2,000,000 hours

Dimensions (mm)42 x 22 x 3.5

OthersCertifications
Warranty

CE, FCC, UKCA,
RoHS, REACH

CE, FCC, BSMI, UKCA, RoHS, REACH
5 years

2 years

Technologies &Add-On Services2

S

Premium▲

Superior

▲

▲

▲

▲

▲

▲

▲

▲

Value

1 最大シーケンシャルライト値によります。容量、コンフィグレーション設定、およびアプリケーションにより値は変化します。
2 P��-��を参照してください。 ▲: プロジェクト毎のカスタム化オプションがあります。

41

SATA III 2.5" SSD
主な仕様• MCUベース電断対策デザイン
レベル�(書込み中データ保護) *• 自己暗号化ドライブ(SED)AES ���-bit暗号化,
TCG Opal �.�*• NSA準拠セキュア・イレーズ*• MIL-STD-���G規格** プロジェクト毎でカスタマイズ化の準備があります。

SATA III 2.5" SSD
Product Line

Superior

Premium
A800Pi

A750Pi

A700Pi

A650SiInterface
Flash TypeValue
A600Si

A600Sc

A600Vc-40°C to 85°C

0°C to 70°C

0°C to 70°C

A650ScSATA III 6 Gb/s
SLC

3D TLC (pSLC mode)

3D TLC

2.5"

Form Factor
Operating Temperature-40°C to 85°C

0°C to 70°C

-40°C to 85°C

Power Loss
Protection Options

Firmware Based

Hardware + Firmware Based

Optional SED Features-

Capacity

8 GB to 256 GB-

AES 256-bit Encryption, TCG Opal 2.0
240 GB to 1,920 GB

80 GB to 640 GB

32 GB to 1 TB

120 GB to 1,920 GB

Performance

Sequential Read
(MB/s) up to
Sequential Write(MB/s) up to
Random Reads
IOPS up to

420

520

525

520

525

76,00090,000103,000

100,000

72,000Random Writes
IOPS up to

74,00088,00090,00091,00085,000Endurance (TBW)1
up to
Reliability MTBF
@ 25°C
Reliability
Number of Insertions

21,333 TB

5,585 TB

2,792 TB

Dimensions (mm)100 x 69.85 x 9.2

Certifications

CE, FCC, UKCA,
RoHS, REACH

520

560

560

560

Endurance and Reliability
38,400 TB

25,600 TB

9,310 TB
>2,000,000 hours
10,000 minimum
OthersWarranty

100 x 69.85 x 7/9.2

100 x 69.85 x 7

CE, FCC, BSMI, UKCA, RoHS, REACH
2 years

5 years

Technologies &Add-On Services2

S

Premium▲

Superior

▲

▲

▲

▲

▲

▲

▲

▲

Value

1 最大シーケンシャルライト値によります。容量、コンフィグレーション設定、およびアプリケーションにより値は変化します。
2 P��-��を参照してください。 ▲: プロジェクト毎のカスタム化オプションがあります。

42

SATA III mSATA SSD
主な仕様• MCUベース電断対策デザインレベル�(書込み中データ保護) * • LDPC / RAIDデータリカバリーエラー訂正• 自己暗号化ドライブ(SED)AES ���-bit暗号化, TCG Opal �.�* • エンドトゥーエンド・データ保護• TRIM / グローバルウェアレベリング* 製品、
プロジェクト・サポートによって変更することがあります。

SATA III mSATA SSD
Product Line

Premium
A800PiSuperior

A750Pi

A700PiSLC

3D TLC (pSLC mode)

Value
A600Si

A600Sc

A600Vc-40°C to 85°C

0°C to 70°C

0°C to 70°C

3D TLC
MO-300A

Form Factor
Operating Temperature

A650ScSATA III 6 Gb/s

Interface
Flash Type

A650Si-40°C to 85°C

-40°C to 85°C

Power Loss
Protection Options-40°C to 85°C

0°C to 70°C

Hardware + Firmware Based

Optional SED Features

AES 128/256-bit
Encryption

Capacity

8 GB to 128 GB

Firmware Based-

AES 256-bit Encryption, TCG Opal 2.0
40 GB to 160 GB

240 GB to 960 GB

120 GB to 480 GB

32 GB to 1 TB

560

560

Performance
Sequential Read
(MB/s) up to
Sequential Write(MB/s) up to
Random Reads
IOPS up to
Random Writes
IOPS up to

530

560

430

560
525

510

525

76,00090,000520
94,000104,000

100,000

72,000-88,00085,00090,00088,00085,000

10,667 TB

9,600 TB

6,400 TB

1,396 TB

2,792 TB

Endurance and Reliability
Endurance (TBW)1
up to
Reliability MTBF
@ 25°C>2,000,000 hours
OthersDimensions (mm)Certifications
Warranty

4,655 TB

50.8 x 29.85 x 3.5
CE, FCC, UKCA,
RoHS, REACH

CE, FCC, BSMI, UKCA, RoHS, REACH
5 years

2 years

Technologies &Add-On Services2

S

Premium▲

Superior

▲

▲

▲

▲

▲

▲

▲

▲

Value

1 最大シーケンシャルライト値によります。容量、コンフィグレーション設定、およびアプリケーションにより値は変化します。
2 P��-��を参照してください。 ▲: プロジェクト毎のカスタム化オプションがあります。

43

USB 3.2 NANODURA Dual
主な仕様

• グローバル・ウェアレベリング• バッドブロック管理アルゴリズム• 高信頼性• “プラグアンドプレイ”接続、
ホットスワップをサポート• より高いランダム書き込みパフォーマンス
• OTG Type-Cコネクタをサポート

USB 3.2 NANODURA Dual
Product Line

Superior
B600ScInterfaceUSB 3.2

Flash Type

TLC

Form Factor

USB Type-A
USB Type-A/Type-C Dual Connector1 (Optional)

Operating Temperature

0°C to 70°C

Power Loss Protection Options

Firmware Based

Optional SED Features-

Capacity

32 GB to 128 GB
PerformanceUSB 3.2 Sequential Read (MB/s) up to270

USB 3.2 Sequential Write (MB/s) up to85

USB 2.0 Sequential Read (MB/s) up to45

USB 2.0 Sequential Write (MB/s) up to30
Endurance and Reliability

Endurance (TBW)2 up to

84 TB

Reliability MTBF @ 25°C

>2,000,000 hours

Reliability Number of Insertions

10,000 minimum

Dimensions (mm)28 x 12.25 x 4.65
Dual Connector: 36.40 x 12.25 x 4.65

Certifications

CE, FCC, UKCA, RoHS

Warranty

2 years

OthersTechnologies &Add-On Services3
Superior

1 DualコネクタデバイスはUSB On-The-Go（OTG）をサポート
2 最大シーケンシャルライト値によります。容量、コンフィグレーション設定、およびアプリケーションにより値は変化します。
3 P��-��を参照してください。 ▲: プロジェクト毎のカスタム化オプションがあります。

44

USB 2.0 NANODURA

主な仕様• グローバルウェアレベリング• バッドブロックマネージメント・
アルゴリズム• 高信頼性• ホットスワップ対応のプラグ・アンド・プレイ(PnP)サポート

USB 2.0 NANODURASuperior
B600ScPremium
B800Pi

Product LineUSB 2.0 (480 Mbps)

Interface
Flash Type

SLC

MLC

Form Factor

USB Type-A-40°C to 85°C

Operating Temperature

0°C to 70°C

Power Loss Protection Options

Firmware Based

Optional SED Features-

Capacity

512 MB to 8 GB

4 GB to 8 GB
Performance

Sequential Read (MB/s) up to

31

Sequential Write (MB/s) up to

21

26
10
Endurance and Reliability

Endurance (TBW)1 up to

192 TB

9.6 TB

Reliability MTBF @ 25°C

>5,000,000 hours>2,000,000 hours

Reliability Number of Insertions

10,000 minimum

Dimensions (mm)34 x 12.2 x 4.5

OthersCertifications

CE, FCC, UKCA, RoHS

Warranty

5 years

2 years

Technologies &Add-On Services2
Premium
Superior

1 最大シーケンシャルライト値によります。容量、コンフィグレーション設定、およびアプリケーションにより値は変化します。
2 P��-��を参照してください。 ▲: プロジェクト毎のカスタム化オプションがあります。

USB 2.0 eUSB
USB 2.0 eUSB
Product Line

Premium
B800PiSuperior
B600Sc

B800PiInterface

Compatible with USB 2.0 (480 Mbps)

Flash TypeSLC

Form Factor-40°C to 85°C

Operating TemperaturePower Loss Protection Options

MLC
Pitch 2.54 mm / 2.00 mm
0°C to 70°C

Firmware Based

Hardware + Firmware Based

Optional SED Features
Capacity

主な仕様• 優れたランダム書き込み性能• グローバルウェアレベリング• 電断対策• ハードウェアライトプロテクト** 製品、
プロジェクト・サポートによって変更することがあります。

1 GB to 32 GB

1 GB to 16 GB

8 GB to 32 GB

Performance
Sequential Read (MB/s) up to

36

30

25

Sequential Write (MB/s) up to

23

25

19

Endurance (TBW)1 up to

1,548 TB

Endurance and Reliability
Reliability MTBF @ 25°C

1,280 TB

38.4 TB>2,000,000 hours>5,000,000 hours
10,000 minimum

Reliability Number of Insertions
OthersDimensions (mm)36.9 x 26.6 x 9.5

Certifications

CE, FCC, UKCA, RoHS

Warranty

5 years

Technologies &Add-On Services2

2 years

S

Premium▲▲▲

Superior▲▲▲

1 最大シーケンシャルライト値によります。容量、コンフィグレーション設定、およびアプリケーションにより値は変化します。
2 P��-��を参照してください。 ▲: プロジェクト毎のカスタム化オプションがあります。

45

メモリカード

インテリジェントエッジ用の小型で高性能なカード

ATPのメモリカードは、連続したビデオ録画、
エッジコンピューティング、人工知能（AI）を活用した監視、ロボティクス、POS（販売時点）
トランザクション、携帯用コンピューティングなど、
リムーバブルストレージメディアの携帯性を必要とするアプリケーションに最適です。
オペレーティングシステム（OS）および/またはアプリケーション
プログラムの保存やストレージ容量の拡張に最適です。
小型でありながら頑丈なフォームファクタは、IP��/IP��認定を取得し、工業用温度範囲（-��°Cから��°C）をサポートし、過酷な環境でも信頼性の高い機能を実現します。
利用可能なフォームファクタには、SD/microSDカードが含
まれます。
これらは、
ドイツの財政市場向けのテクニカル
セキュリティソリューション
（TSE）としても利用でき、改ざん防止のPOSトランザクションを保証します。
CompactFlash Association規格に準拠したメモリカードには、レガシーのCFおよびCFastカード（SATAインタフェース）と、PCIe �.� x �インターフェースを使用するCFexpress
Type B（PCIe/NVMe）カードが含まれます。

ATPの優位性: WE BUILD WITH YOU*
付加価値のあるカスタマイズサービス*

一つのサイズがすべてに適合するわけではありません。
リムーバブルストレージの用途は非常に多く、多様であるため既製のソリューションは、特定のコンテンツ量、セキュリティ、
信頼性、および耐久性の要件に適していない場合があります。
ATPはファームウェアとハードウェアをカスタム構成
することができるため、お客様が本当に必要とするものを提供することができます。
ATPが開発したファームウェア、
ハードウェア、および付加価値のあるサービス

ATP共同検証サービス**. クライアントのホストデバイスとシステムを使用して、互換性と機能テストを実施します。
ATP SD Life Monitor:インテリジェントなワークロード検査
これにより、
ホストシステムの事前適格性によって書き込み操作とファイルサイズが素早く確認されます。
高度なカード分析: ATPの独自に設計された基板とデバッグツールにより、システムインパッケージ（SiP）
コンポーネントの事後解析が可能になります。
ファームウェア電断保護: 突然の停電の際にデータの損失や破損を防止します。
完全カバレッジ高速診断テスト-��°Cから��°Cまでの信頼性の高い動作を保証するための極端な温度でのテストが含まれています。
RDTは、
ユーザー、
ファームウェア、
スペア領域を含むストレージデバイスのすべての領域をカバーします。
過酷な環境に対する頑丈な設計

ATPメモリカードは非常に堅牢で、埃(IP�X / IP�X)、湿度/水(IPX�)、静電気放電(ESD)、極端な温度、衝撃/振動などの損傷要素に耐性があります。
* プロジェクトやお客様の要求に応じて、機能やサービスは異なる場合があります。
** 付加価値のあるサービス

46

SD/SDHC/SDXC Card
主な仕様

• SDライフモニター• リードディスターブ保護• 電断対策機能• インダストリ温度• ���%量産レベルテスト

SD/SDHC/SDXC Card
Product Line

Premium
S800PiSuperior

S750PiInterface

512 MB to 2 GB, HS mode
4 GB to 8 GB, UHS-I

Flash TypeSLC

S700Pi

S750PcS650Si

S650ScUHS-I
3D TLC

3D TLC (pSLC mode)

Form Factor

SD Card-40°C to 85°C

Operating Temperature-25°C to 85°C

-40°C to 85°C

-25°C to 85°C

Power Loss Protection Options-40°C to 85°C

-25°C to 85°C

Firmware Based

Optional SED Features
Capacity

S700Pc

512 MB to 8 GB

16 GB to 128 GB

8 GB to 32 GB

64 GB to 512 GB

Performance
Sequential Read (MB/s) up to

68

97

98

97

Sequential Write (MB/s) up to

39

82

80

76

Endurance and Reliability
Endurance (TBW)1 up to

192 TB

10,160 TB

582 TB

1,400 TB

Reliability MTBF @ 25°C

>5,000,000 hours>3,000,000 hours>3,000,000 hours>2,000,000 hours

Reliability Number of Insertions

20,000 (SDA spec minimum 10,000)

Dimensions (mm)32.0 x 24.0 x 2.1

OthersCertifications

CE, FCC, UKCA, RoHS

Warranty

5 years

2 years

SD/SDHC/SDXC Card
Product Line

Superior
S600Si

S600Sc

S600Sc

S600Si / Sc

MLC

MLC / 3D TLC-25°C to 85°C

-40°C to 85°C /-25°C to 85°C

UHS-I

Interface
Flash Type

3D TLC

Form Factor
Operating Temperature

SD Card-40°C to 85°C

-25°C to 85°C

Power Loss Protection Options

Firmware Based

Optional SED Features
Capacity

32 GB to 128 GB

Sequential Read (MB/s) up to
Sequential Write (MB/s) up to

8 GB to 16 GB

8 GB to 256 GB

Performance
94

68

96

55

23

65

19 TB

307 TB

Endurance and Reliability
Endurance (TBW)1 up to

77 TB

Reliability MTBF @ 25°C
Reliability Number of Insertions>2,000,000 hours
20,000 (SDA spec minimum 10,000)
OthersDimensions (mm)32.0 x 24.0 x 2.1

Certifications

CE, FCC, UKCA, RoHS

Warranty

2 years

Technologies &Add-On Services2
Premium▲

Superior

▲

▲

▲
▲

▲

▲

1 最大シーケンシャルライト値によります。容量、コンフィグレーション設定、およびアプリケーションにより値は変化します。
2 P��-��を参照してください。 ▲: プロジェクト毎のカスタム化オプションがあります。

47

microSD/microSDHC/microSDXC Card

主な仕様

• SDライフモニター• リードディスターブ保護• 電断対策機能• インダストリ温度• ���%量産レベルテスト

microSD/microSDHC/microSDXC Card
Superior

Premium

Product Line

S800Pi

S750PiInterface

512 MB to 2 GB, HS mode
4 GB to 8 GB, UHS-I

Flash TypeSLC

S750Pc

S700Pc

S700Pi

S650Si

S650ScUHS-I
3D TLC (pSLC mode)

3D TLC (pSLC mode)

Form Factor

3D TLC

microSD Card

Operating Temperature-40°C to 85°C

-25°C to 85°C

Power Loss Protection Options-40°C to 85°C

-25°C to 85°C

-40°C to 85°C

-25°C to 85°C

Firmware Based

Optional SED Features-

Capacity

16 GB to 128 GB

512 MB to 8 GB

8 GB to 64 GB

64 GB to 512 GB

97

96

97

82

76

76

Performance
Sequential Read (MB/s) up to68

Sequential Write (MB/s) up to39

Endurance and Reliability
Endurance (TBW)1 up to

192 TB

10,160 TB

1,164 TB

1,400 TB

Reliability MTBF @ 25°C

>5,000,000 hours>3,000,000 hours>3,000,000 hours>2,000,000 hours

20,000 (SDA spec minimum 10,000)

Reliability Number of Insertions

OthersDimensions (mm)15.0 x 11.0 x 1.0

Certifications

CE, FCC, UKCA, RoHS

Warranty

5 years

2 years

microSD/microSDHC/microSDXC Card
Superior

Product Line

S600Si

S600Sc

S600ScUHS-I

Interface
Flash Type

3D TLC

Form Factor

MLC

microSD Card
-40°C to 85°C

Operating TemperaturePower Loss Protection Options-25°C to 85°C
Firmware Based

Optional SED Features-

Capacity

32 GB to 256 GB

8 GB to 32 GB

Performance
Sequential Read (MB/s) up to97

68

Sequential Write (MB/s) up to62

24

Endurance and Reliability
153 TB

Endurance (TBW)1 up to
Reliability MTBF @ 25°C
Reliability Number of Insertions

38 TB>2,000,000 hours
20,000 (SDA spec minimum 10,000)
OthersDimensions (mm)15.0 x 11.0 x 1.0

Certifications

CE, FCC, UKCA, RoHS

Warranty

2 years

Technologies &Add-On Services2
Premium▲

Superior

▲

▲

▲
▲

▲

1 最大シーケンシャルライト値によります。容量、コンフィグレーション設定、およびアプリケーションにより値は変化します。
2 P��-��を参照してください。 ▲: プロジェクト毎のカスタム化オプションがあります。

48▲

PCIe® Gen4 NVMe CFexpress Card
主な仕様

• 優れた読出し/書込みパフォーマン• 自己暗号化ドライブ(SED)：AES ���-bit暗号化, TCG Opal �.� *• ホスト メモリ バッファ (HMB) をサポートする DRAM レス構成
• ハードウェアライトプロテクト** 製品、
プロジェクト・サポートによって変更することがあります。

PCIe® Gen4 NVMe CFexpress Card
Product Line

Premium

Superior

N751PiInterface
Flash Type

PCIe G4 x2
3D TLC

3D TLC (pSLC mode)

Form Factor

CFexpress Type B-40°C to 85°C

Operating TemperaturePower Loss Protection Options

0°C to 70°C
Firmware Based

Optional SED Features
Capacity

N601Sc

N651SiAES 256-bit Encryption, TCG Opal 2.0
128 GB to 1 TB

40GB to 320GB
Performance

Sequential Read (MB/s) up to
Sequential Write (MB/s) up to

3,500

Random Reads IOPS up to
Random Writes IOPS up to

3,200

3,100
770,000
735,000

750,000
Endurance and Reliability

Endurance (TBW)1 up to

1,000 TB

4,410 TB

Reliability MTBF @ 25°C

>2,000,000 hours

Reliability Number of Insertions

10,000 minimum

Dimensions (mm)29.6 x 38.5 x 3.8

OthersCertifications
Warranty

CE, FCC, RoHS, UKCA
5 years

2 years

Technologies &Add-On Services2

S

Premium▲▲

Superior

▲

▲

▲

▲

▲

▲

▲

1 最大シーケンシャルライト値によります。容量、コンフィグレーション設定、およびアプリケーションにより値は変化します。
2 P��-��を参照してください。 ▲: プロジェクト毎のカスタム化オプションがあります。

49

CFast Card

主な仕様

• アドバンスト・ウェアレベリング• バッドブロックマネージメント• オートリフレッシュ• 電断対策機能• S.M.A.R.T

CFast Card
Premium

Product Line

A800PiInterface

SATA III 6 Gb/s

Flash TypeSLC

Form Factor

CFast Type I

Operating Temperature-40°C to 85°C

Power Loss Protection Options

Hardware + Firmware Based

Optional SED Features-

Capacity

8 GB to 32 GB
Performance

Sequential Read (MB/s) up to

500

Sequential Write (MB/s) up to300

Random Reads IOPS up to

35,800Random Writes IOPS up to

Endurance and Reliability

Endurance (TBW)1 up to

2,667 TB

Reliability MTBF @ 25°C

>2,000,000 hours
10,000 minimum

Reliability Number of Insertions
OthersDimensions (mm)36.4 x 42.8 x 3.6

Certifications

CE, FCC, UKCA, RoHS

Warranty

5 years

Technologies &Add-On Services2

S

Premium

▲

▲

▲

▲

1 最大シーケンシャルライト値によります。容量、コンフィグレーション設定、およびアプリケーションにより値は変化します。
2 P��-��を参照してください。 ▲: プロジェクト毎のカスタム化オプションがあります。

CompactFlash Card

主な仕様

CompactFlash Card
Product LineInterface

UDMA 0~4
SLC

I600Sc

I700Sc

I800PiFlash TypeUDMA 0~6
Pseudo SLC

Form Factor

MLC

CF Type I

Operating Temperature-40°C to 85°C

0°C to 70°C

Power Loss Protection Options

Hardware + Firmware Based

Firmware Based

Optional SED Features
Capacity• グローバルウェアレベリングとバッドブロックマネージメント• オートリフレッシュ• 電断対策機能• 省電力モード• S.M.A.R.Tサポート

Superior

Premium

512 MB to 32 GB

8 GB to 16 GB

16 GB to 32 GB

Performance
Sequential Read (MB/s) up to

61

110

108

Sequential Write (MB/s) up to

55

80

46

Endurance and Reliability
Endurance (TBW)1 up to

1,280 TB

Reliability MTBF @ 25°C

>5,000,000 hours

128 TB

38 TB>2,000,000 hours

Reliability Number of Insertions

10,000 minimum
OthersDimensions (mm)36.4 x 42.8 x 3.3

Certifications

CE, FCC, RoHS, UKCA

Warranty

50

5 years

2 years

Technologies &Add-On Services2

S

Premium▲▲

Superior▲▲

1 最大シーケンシャルライト値によります。容量、コンフィグレーション設定、およびアプリケーションにより値は変化します。
2 P��-��を参照してください。 ▲: プロジェクト毎のカスタム化オプションがあります。

SecurStor microSD Card
主な機能

•追加のAESキー保護• ライブラリへのアクセスが可能（MBRが必要）• 認証/特権制御• 合計��のユーザーアカウントで個別に特権を設定できます

セキュリティ機能*• 多層認証:最大��人のユーザーの特権制御により、高レベルの保護が提供されます。
• SecurBoot: オペレーティングシステムで許可されている場合にブートパーティションを保護するか、Raspberry PiシステムのBIOSに保存されている構成を保護することで、
ブートパーティションの整合性と有効性を確保します。

Product Name

SecurStor microSD

Product Line

SecurStor

Flash TypeMLC

Density

4 GB to 16 GB

Performance
Sequential Read (MB/s) up to
Performance
Sequential Write (MB/s) up to• Hardware AES-256 XTS Encryption(SecurEncrypt):
堅牢なハードウェアAES-��� XTS暗号化によりユーザーデータ領域を保護し、最高レベルの暗号化を提供• 安全な消去: 暗号化キーを削除して、ユーザーデータの不正な取得または回復を防ぎます。
• 米国空軍システムセキュリティ命令（AFSSI）����標準などへの準拠等もご要求があれば対応可能です。
* 特定の機能の実際の可用性は、製品および容量によって異なる場合があります。
詳しくはATPにお問い合わせください。

10
5Interface

UHS-I

Operating Temperature-25°C to 85°C

Reliability MTBF @ 25°C

>2,000,000 hours

Reliability Number of Insertions

10,000Dimensions (mm)15.0 x 11.0 x 1.0

TSE Storage Solutions
主な仕様• 容量: � GB and �� GB• データ保持：最大��年（テスト条件による）• ライフタイム：����万署名*• OS サポート：Windows, Android, Linux• BSI TR-�����*, コモンクライテリアPP-SMAERS,
PP-CSPの要件に準拠。
• 予測される証明書の有効期間：最大�年（�年間の有効期間も利用可能）• フォームファクター: microSD, SD, USB* ペイロードサイズによって異なる場合があります。

Product NameTSE Storage Solutions

Product Line

SecurStor

Flash TypeMLC

Density

8 GB / 16 GB

Performance
Signature time<150 ms

Interface

UHS-I

Operating Temperature-25°C to 85°C

Reliability MTBF @ 25°C

>2,000,000 hours

Reliability Number of Insertions

10,000Dimensions (mm)15.0 x 11.0 x 1.0

51

マネージドNAND

極小パッケージに極限の耐久性と最高なパフォーマンス

ATPのマネージドNANDソリューションは、生のNAND
FLASHメモリとハードウェアコントローラを統合しています。
はんだ付けされたソリューションとして、絶え間ないの振動に対して安全であるため、堅牢な耐久性と耐久性が求められる組み込みおよび自動車用アプリケーションに最適です。
フットプリント小さいため、
スペースに制約のある組み込みシステムに最適ですが、過酷な環境では堅牢な耐久性、信頼性、耐久力が必要です。
これらは、�つのフォームファクタで利用可能です。
�つは、���ピンのファインピッチボールグリッドアレイ（FBGAパッケージ）を使用するe.MMCで、もう�つは、高速PCIe �.�インターフェースx�レーンを使用して、レーンあたり� Gb/sで最大�� Gb/sの帯域幅を提供するNVMe
ヒートシンクボールグリッドアレイ（HSBGA）です。

付加価値のあるカスタマイズサービス*

集積回路（IC）パッケージのカスタマイズサービスは、ATPの製造プロセス所有権によって実現されます。
従来のランドグリッドアレイ(LGA)パッケージのサポートは、�年から�年まで利用可
能です。
ATPはまた、以下のようなパッケージの柔軟性も提供
しています:• パッケージサイズ (�x��, ��.�x��, ��x�� mm)• パッケージ形状 (���-/���-ball BGA, LGA)
• ダイパッケージ (octa-die以上)
オプションのセキュリティ機能: HWライトプロテクト、HW
クイックイレース、HWセキュアイレース(データ消去、AFSSI-����）、AES-���暗号化、TCG Opal �.�

e.MMC

NVMe HSBGA

極限の耐久性**
標準のe.MMCよりも�～�倍の耐久性があり、より高い
テラバイト書き込み(TBW)、健全なメモリストレージ、
および長い製品寿命を提供します。

pSLC モード
耐久性と信頼性を向上させ、�倍から�倍優れた持続可能なパフォーマンスを提供します。

SRAMのソフトエラー検出および回復***
データの整合性を最大限に確保するため、適時なエラー検
出、ログ記録、
およびエラー対応の設定を提供します。
製品のトレサビリティ
ATP e.MMCに重要な情報をレーザーで刻印し、正確な追跡と効率的な在庫管理を行います。
*

プロジェクトやお客様の要求に応じて、機能やサービスは異なる場合があります。
** 最高の書き込み増幅指数（WAI）で、シーケンシャル書き込み値が最も高い。
密度、
テスト構成、
ワークロード、およびアプリケーションによって異なる場合があります。
*** 構成はお客様とATPによって事前に決定され、現場で変更することはできません。

52

ATPの優位性: WE BUILD WITH YOU*

スリープモード時の消費電力は� mW
Power State �（スリープモード）時の低消費電力がわず
か� mWと低いため、大幅な省電力を実現します。

ホストメモリバッファ(HMB)サポート
DRAMリソースをキャッシュとして取得することでパフォーマンスを向上させ、ストレージ内のメモリ容量の制限を克
服し、I/Oパフォーマンスを最適化します。

より良い熱放散
ヒートシンクは効果的に熱を伝達してデバイスを冷却し、パフォーマンスを最適なレベルに保ちます。

e.MMC
主な仕様• AEC-Q100 Grade 2(-40°C~105°C) 準拠*• AEC-Q100 Grade 3(-40°C~85°C) 準拠*• 高度書込み性能：標準的なe.MMCと比較して�～�倍の耐久性*• Complies with JEDEC e.MMC v5.1 Standard (JESD84-B51)• 153-ball FBGA (RoHS 準拠, "green package")• LDPC ECC engine** 製品、
プロジェクト・サポートによって変更することがあります。
e.MMC

Extended Industrial Grade

Product Line
Flash Type

Automotive Grade 2

Automotive Grade 3

Premium

Superior

Premium

Superior

Premium

Superior

E700Pa

E600Sa

E700Paa

E600Saa

E700Pia

E600Sia

3D MLC (pSLC mode)

3D MLC

3D MLC (pSLC mode)

3D MLC

3D MLC (pSLC mode)

3D MLCIC Package

153-ball FBGAJEDEC Specification

v5.1, HS400

Power Loss
Protection Options
Operating Temperature
Capacity*

Industrial Grade
Premium
E750Pi

E700Pi

E700Pi3D TLC (pSLC mode) 3D MLC (pSLC mode) 3D TLC (pSLC mode)

Firmware Based-40°C to 105°C
8 GB to 64 GB

16 GB to 128 GB-40°C to 105°C
8 GB to 64 GB-40°C to 85°C

16 GB to 128 GB

8 GB to 64 GB-40°C to 85°C

16 GB to 128 GB

10 GB to 21 GB

8 GB to 64 GB

10 GB to 40 GB

300 / 170

295/ 215

300 / 240

290 / 225

Performance

Sequential Read/
Write up to (MB/s) (Max.)**300 / 240

300 / 170

300 / 240

300 / 240

300 / 170Bus Speed Modes

x1 / x4 / x8

ICC (Typical RMS
in Read/Write) mA (Max.)145 / 175

125 / 175

145 / 175

125 / 175

145 / 175

125 / 175

95.5 / 92

145 / 175

100 / 110

ICCQ (Typical RMS
in Read/Write) mA (Max.)

120 / 100

115 / 95

120 / 100

115 / 95

110 / 95

115 / 95

104 / 87.5

120 / 100

105 / 100Endurance TBW**(Max.)

1,213 TB

824 TB

1,213 TB

824 TB824 TB

1,034 TB

1,320 TB

1,364 TB

Endurance and Reliability
1,320 TB

Reliability MTBF @ 25°C

>2,000,000 hours

Dimensions (mm)11.5 x 13.0 x 1.3

Certifications

AEC-Q100, RoHS, REACH

Warranty

One Year

Others
RoHS, REACH

e.MMC
Industrial Grade
Product Line
Flash Type

Commercial Grade

Superior

Premium

E600Si

E600Si

E750Pc3D TLC

3D MLC

3D TLC

3D TLC (pSLC mode)

IC Package

E700PcE650ScValue
E600Vc

E600Vc3D TLC

3D TLC

153-ball FBGAJEDEC Specification

v5.1, HS400

Power Loss
Protection Options

Firmware BasedOperating Temperature
Capacity*

Superior

E650Si-40°C to 85°C

-25°C to 85°C

32 GB to 64 GB 16 GB to 128 GB 32 GB to 128 GB 10 GB to 21 GB

10 GB to 40 GB 32 GB to 64 GB 32 GB to 128 GB

32 GB

Performance
Sequential Read/
Write up to (MB/s)**

270 / 215

300 / 170Bus Speed Modes

290 / 225

295 / 215

290 / 225

270 / 215

290 / 225

250 / 135

x1 / x4 / x8

ICC (Typical RMS
in Read/Write) mA (Max.)69.5 / 68.5

125 / 175

100 / 11095.5 / 92

100 / 11069.5 / 68.5

100 / 11081.5 / 49.5

ICCQ (Typical RMS
in Read/Write) mA (Max.)88 / 85.5

110 / 100

105 / 100

104 / 87.5

105 / 100

88 / 85.5

105 / 100

80.5 / 61.5

1,364 TB

70 TB

52 TB

8.3 TB

Endurance and Reliability
Endurance TBW (Max.)
**

70 TB

824 TB

52 TB

1,034 TB

Reliability MTBF @ 25°C

>2,000,000 hours

Dimensions (mm)11.5 x 13.0 x 1.0

Certifications

RoHS, REACH

Warranty

One Year

Others
9.0 x 10.0 x 0.8

Technologies &Add-On Services***
Premium▲

Superior
Value

▲
▲

* LDPC（低密度パリティ検査符号）。プロジェクト毎のサポートになります。
** パフォーマンス結果はホストシステムのオーバーヘッドを排除し、ATP自社テスト環境で実施したものです。
*** P��-��を参照してください。 ▲: プロジェクト毎のカスタム化オプションがあります。

▲

53

PCIe® Gen3 NVMe M.2 Type 1620 HSBGA SSD
主な仕様• PCIe Gen3 x4, NVMe 1.3, M.2 Type 1620
• 疑似SLC使用した通常より�～�倍の持続的パフォーマンス*• 最適化されたサーマルスロットリングFW/ヒートシンク (HSBGA) による
高安定性能• 最適化された消費電流：�mW (Power State �)• DRAMレスのHMB* (Host Memory Buﬀer)サポート• セキュリティ・オプション*** 最大シーケンシャル書込み値によります。
容量、コンフィギュレーションにより変化します。
** プロジェクト毎でカスタマイズ化の準備があります。

PCIe® Gen3 NVMe M.2 Type 1620 HSBGA SSD
Product Line

Premium
N700PiValue
N700Pc

N600ViInterface
Flash Type

3D TLC

3D TLC (pSLC mode)

Form Factor
Operating Temperature

N600VcPCIe G3 x4
291-Ball, HSBGA-40°C to 85°C

-40°C to 85°C

0°C to 70°C

Power Loss
Protection Options

0°C to 70°C

Firmware Based

Optional SED Features

AES 256-bit Encryption, TCG Opal 2.0-

Capacity

40 GB to 160 GB

120 GB to 480 GB
Performance

Sequential
Read (MB/s) up to
Sequential
Write (MB/s) up to
Random Reads
IOPS up to
Random Writes
IOPS up to

2,000

2,050

1,600

1,550

135,600

138,000

112,000

112,600
Endurance and Reliability

Endurance (TBW)1 up to

4,280 TB

768 TB

Reliability MTBF @ 25°C

>2,000,000 hours

Dimensions (mm)16.0 x 20.0 x 1.6

Certifications

RoHS, REACH

Warranty

1 yearOthersTechnologies &Add-On Services2
Premium

▲

▲

▲

Value

1 最大シーケンシャルライト値によります。容量、コンフィグレーション設定、およびアプリケーションにより値は変化します。
2 P��-��を参照してください。 ▲: プロジェクト毎のカスタム化オプションがあります。

54▲

Flash製品名ルール

N 651 S i a

プレミアム製品

インターフェース
(大文字)

製品耐久仕様(数字)

Technology
Iterations

N: PCIe (NVMe)
A: SATA
B: USB
I: PATA/IDE (CF)S: SD/microSD
E: e.MMC/eMCP
U: UFS

80: SLC
75: Enhanced SLC mode
70: SLC mode
65: Enhanced TLC
60: Native TLC/MLC

コア技術/
インターフ
ェース世代
の変更を定
義するため
に予約

セグメント
(大文字)

温度
(小文字)

版
(小文字)

P: Premium c: Commercial a: Automotive
S: Superior i: Industrial
e: Industrial Enterprise
V: Value
a: Automotive

ATPプレミアムラインは性能に妥協のない、最高の信頼性及び、比類なき耐久性を追求した製品ソリューションズで構成されています。
システム不具合や、その中断で稼働が重大なインパクトをあたえるようなミッションクリティカルなアプリケーションにその最上級技術が最高級レベルの信頼性を約束しております。
－４０度から＋８５度までのインダストリアル温度で、これら堅牢なソリューションは 厳しい使用環境や、極端な温度下での使用に耐えることができます。
比類の無い使用寿命や、素早い書き込みスピードがプレミアム ラインが他の製品の上位に位置します。
秒あたりの高速
インプット・アウトプットオペレーション（IOPS）が安定した高性能を約束、
パワープロテクタ技術が電断時にも、安全にデータをフラッシュチップに保存することを保証しています。
ゆえに、データの正確さ、
データロスやデータ破壊を防ぎ、機器へのダメージを予防します。

スーペリア製品

ATPのスーペリア製品はその協力で、実証済みの性能により、多くの産業で、高IOPS、複雑な負荷条件での正確なオペレーションを達成します。
豊富なストレージ容量はこれらデータ量が求められ、書き込みの比率が高いアプリケーションに最適です;中容量ドライブは、費用対効果の 効率の良い
いろいろな選択肢を提供します; そして、オーバープロビジョニングの調整ができるドライブは、ユーザーが必要な作業に最適なドライブ性能と耐久性
バランスを設定することを可能にしています。
ATPスーペリア製品は、お客様のご使用環境にあう選択ができるように、
インダストリアル温度(-��°C~+��°C)とコマーシャル温度（エンベデッド用SSD �°C ~+��°C; SD/microSD card: -��°C~+ ��°C)の２種類があります。

バリュー製品

ATPのバリュー製品は拡大を続ける企業と産業のニーズに応える、最先端で基本的なソリューション調和させた、高性能と一貫した信頼性を提供します。
組み込み用途ブートや、イメージのブートをする製品、それらは、IoTアプリケーションに適しており、家、車、医療機器その他 スマート機器のコネクティビティを推進します。
大きなストレージ容量により、他のアプリケーションでの使用を可能にすることができます。

オートモーティブ用製品

ATPのオートモーティブ向け製品は、高いデータ信頼性を必要とするオートモーティブの顧客の要件を満たすように、注文別のソリューションにより構成されています。
そして、
これらのソリューションは高度で厳密なレベル試験である、
オートモーティブ業界標準APQP：IATF����� 認定、PPAP、IMDS、
AEC-Q���、製品選択／機能、およびプロジェクトサポートにおけるジョイントバリデーションテストとユーザ様からのニーズに伴って保証されています。

産業用・エンタープライズ向け製品

産業用・エンタープライズ向け製品は、厳格な基準に従って設計、構築、
テスト/検証された包括的なフラッシュストレージ
ソリューションで構成されており、信頼性の高い動作と長い製品寿命、高品質のサービスを実現します。
これらは、ATPのエンタープライズ
適合基準（ERS）に準拠しており、厳格なテストやファームウェア機能の強化など、
レイテンシーの低減、費用対効果の向上、
リアルタイム分析、
アクセシビリティといったエッジコンピューティングの要件を満たしています。
これらはブートドライブ
として理想的ですが、ストレージやハイブリッドの使用にも適しています。
これらは、監視なしで長期間、厳しい環境条件下で動作し、より高い耐久性と信頼性の要件を処理する能力を持っています。
55

ソリューション/テクノロジー

ATPは技術主導型の企業として革新的なソリューション開発と最先端テクノロジーの活用により、ミッションクリティカル・

アプリケーションに対して最高レベルのデータ整合性、信頼性、
データ保持性を提供する事をコミットします。

 ライフモニター/S.M.A.R.T.*

フラッシュ製品の健康状態、予測寿命をモニターするための使い勝手の良いインターフェースSWツールを提供します。

 ハードウェアベース電断保護回路

ハードウェアでの電源不良防止機能は、最後の読み・書き・消去コマンドを完了させ、不揮発性フラッシュメモリに格納し、電源遮断によるデータ喪失を防ぎます。
一部のNVMe
モジュールとSATA SSDには新しいマイクロコントローラ
ユニットが搭載されています。
MCUベースの設計によりPLPアレイが様々な温度、電力
グリッチ、充電状態でインテリジェントに動作し、デバ イスとデータの両方を保護します。

動作時のエラービット・レベルをモニターします。
ブロック内のエラービットが予め設定された閾値に到達・超過する前に、オートリフレッシュにより、データをヘルシーなブロックに移動させます。
これにより、コントローラが 非常に多くのエラービットを読んでしまう状況、読み込み不能な状態、データ破損の発生を回避させます。

 ファームウェアベースの電断保護

ファームウェアベースの電断保護は、電源が失われる前にデバイスに書き込まれたデータを効果的に保護します。
ライト操作が正常に完了したという信号をデバイスからホストが受信した後、突然の電源喪失が発生した場合でも、新しく書き込
まれたデータと以前に書き込まれたデータは保護されます。

 アドバンスト・ウエアレベリング

 ダイナミック・データ・リフレッシュ エンドトゥーエンド・データ保護

 オートリードキャリブレーション

ブロックに均一にリード・ライトをできるように管理し、フラッシュ製品の製品寿命を最適化します。

データがホストからストレージデバイスコントローラに、
またはその逆に移動するときのエラー・チェックと修正を保証します。
データパス全体をカバーすることにより、エンドトゥーエンド・データの保護によりデータ転送
中の任意の時点で整合性が保証されます。

* 互換性/サポートはプラットフォームまたはOSによって異なります。
 Flashソリューション DRAMソリューション
 Flash/DRAMソリューション
 付加価値ソリューション

56

 オートリフレッシュ

リード・ライト・オペレーションに影響を与えることなく、
バックグランドでユーザー領域の記録を順番にスキャンすることにより、使用頻度の低い領域でのリード障害の危険性を減らし、データの完全な保全を保証します。
完全に別のブロックへ移動されたデータは、元のデータと同一かを確認するために、読み込まれた上で、元のデータと比較されます。

P/Eサイクル（消去回数）が増大すると、メモリセルが劣化し電圧シフトが発生します。
これにより、
リードしきい値が固定されている場合には、ビットエラーレート（BER）が上昇します。
オートリードキャリブレーション（ARC）機能は、
リードしきい値を調整することによりBERを低減し信頼性を高めます。ARC
はTLC LDPCコントローラにてサポートされています。

 セキュア・イレーズ

 TCG Opal 2.0

 ダイナミックサーマルスロットリング

 インダストリアル温度対応

SSDやメモリカードが再利用されたり、廃棄される場合に、機密データが復元されたり検索されることが無いように削除するためのソリューションです。
機密データの残存が全く無 くなっている事を確認することができるので、セキュア消去 の機能は、高度なセキュリティ・レベルを必要とする官公 庁、防衛、ビジネスの用途での使用に適しています。

このメカニズムは、
パフォーマンスと温度の微妙なバランスをとり、劇的なパフォーマンス低下を抑制します。
温度センサはデバイス温度を継続的に検出し、高度なファームウェア処理により、パフォーマンスを徐々に低下
させて温度を調整します。

TCG Opal Security Subsystem Class (SSC) �.�は、データを盗難や改竄から保護するためのセキュリティ管理標準を規定する自己暗号化ドライブの仕様です。
セキュリティ機能は、
ハードウェアベースのデータ暗号化、起動前認証(PBA) 及びデータ機密性を保護するためのAES-���/���データ暗号化が含まれます。

－��℃から＋��℃までの高低温度環境での安定動作

 温度拡張DRAMモジュール

これらのモジュールは、ATP独自の技術/テスト
によって、-��℃～+��℃の産業機器用温度動作範囲のサポートを可能にしており、産業用グレードICを備えたモジュールよりも低価格を実現しています。

 SiP (システム・イン・パッケージ)

全ての部品を露出させず、外部から保護・遮蔽するための製造プロセスです。

 耐振動BGAパッケージ

はんだ付けされたソリューションは、振動に強く、過酷な環境での動作中でも信頼の高いパフォーマンスを出すことができます。

57

S
 耐硫化対策レジスタ 絶縁保護コーティング PCB加工 金メッキゴールドフィンガー

ATPのDRAMモジュールとNANDフラッシュ・ストレージ製品
は、硫黄等の腐食ガス環境下でも長期的に安定動作を実現するための耐硫化対策レジスタの実装オプションを準備しております。

面取りはメモリスロットに簡単に挿入できるようにするた
めの、べべリングやテーパリングといった、
コーナーエッジの加工プロセスを指します。
斜角は特定な角度で行われ、通常約��°～��°です。

 完全なドライブ・テスト



NANDフラッシュ・ストレージ製品については、
ファームウ ェア、
ユーザー領域、予備領域を含むドライブ
全体を完全にテストすることにより、
バッド・ブロックが無いことを確認します。
DRAM製品も、
メタマッピング及びキャッシュエリアを含む、物理レイヤとコントローラを完全にテストします。

 バーンイン・テスト (TDBI)TDBIは、DRAMモジュールを様々な温度、パワーサイクル、電圧、その他のストレス条件下で一定期間経過させるテストです。その目的は、弱いICをスクリーニングすることであり、信頼性の高いICのみ
モジュールに使われていることを確認します。

* 互換性/サポートはプラットフォームまたはOSによって異なります。
 Flashソリューション DRAMソリューション
 Flash/DRAMソリューション
 付加価値ソリューション

58

防塵、化学汚染物質からの影響、高低温、湿度、浸食を防ぐため、化学コンパウンドのパリレン（Parylene）を使った
コーティングで電子回路を保護しています。

DRAMモジュールではコネクター間の信号伝送品質を最適化するために��µ厚の金メッキを使用しています。

 共同検証ATPは、量産テストでは検出困難なエラーを未然に防ぐために、お客様から提供頂いたホストデバイス及びシステムを使った互換性・機能テストを評価段階で実施し、品質向上に役立てています。

Form Factor

Product ライフモニター/ ファームウェアベ ハードウェアベース
S.M.A.R.T.
Line
ースの電断保護 電断保護回路

ダイナミック・アドバンスト・
エンド・トゥー・ オートリードキャリ セキュア・イレーズ
オートリフレウエアレベリング データ・リフレッシュ エンド・データ保護 ブレーションッシュ

PCIe® Gen4 NVMe M.2 2280 SSD Superior▲Premium▲

Superior▲

PCIe® Gen3 NVMe M.2 2280 /
2242 / 2230 SSD

Value
PCIe® Gen4 NVMe U.2 SSD

PCIe® Gen3 NVMe U.2 SSD

TCG Opal 2.0

ダイナミックサー
インダストリマルスロットリング アル温度対応

SiP

耐振動BGA
パッケージ

耐硫化対策
レジスタ
S

絶縁保護
コーティング

▲

▲

▲

▲

▲

▲
▲

▲

▲

▲

▲

▲

▲

▲

▲

▲

▲

▲

▲

▲

Superior▲▲

Superior▲

SATA III M.2 2280 / 2242 SSD Superior

▲

共同検証

▲

Premium

Premium

完全なドラ
イブ・テスト

▲

▲

▲

▲

▲

▲

▲

▲

▲

▲

▲

▲

▲

▲

▲

▲

▲

▲

▲

▲

▲

Value

SATA III 2.5" SSD

Premium▲

Superior

▲

▲

Value
Premium▲

SATA III mSATA SSD

Superior▲

USB 3.2 NANODURA DualSuperior▲

Value

USB 2.0 NANODURA

USB 2.0 eUSB

Premium
Superior
Premium▲▲▲

Superior▲▲▲(micro)SD/(micro)SDHC/(micro)SDXC Card

Premium▲

Superior▲

PCIe® Gen4
NVMe CFexpress Card

Premium

Cfast Card

PremiumCompact Flash Card

e.MMC

▲

▲
▲

▲

▲
▲

▲

▲

▲

▲

Premium▲▲

Superior▲▲

Superior

▲

▲

▲

▲

P56-58 を参照してください。

Premium▲▲

Premium▲

Superior▲

Value
PCIe® Gen3 NVMe M.2
Type 1620 HSBGA SSD▲▲

PremiumValue▲: プロジェクト毎のカスタム化オプションがあります。

▲

▲

▲

▲

▲

▲

Flash製品ライン
Form Factor

PCIe® Gen4 NVMe
M.2 2280 SSD

Product Line
NamingInterface

Capacity

NAND

Reliability
TBW (max) *Sequential Performance
MB/s (up to)
Read

Write

N651Si / N651Sc

PCIe G4 x4240 GB to 3.84 TB

3D TLC

17,930

6,450

6,050

-40 to 85 / 0 to 70

N601ScPCIe G4 x4240 GB to 1.92 TB

3D TLC

5,700

6,450

6,050

0 to 70

16,000

3,150

2,670

-40 to 85

PCIe G3 x4

40 GB to 640 GB

3D TLC(pSLC mode)
3D TLC(pSLC mode)

21,300

3,150

2,820

-40 to 85

PCIe Gen3 NVMe N650Si / N650Sc
M.2 2280 SSD
N600Si / N600Sc

PCIe G3 x4

120 GB to 960 GB

3D TLC

4,640

3,420

3,050

-40 to 85 / 0 to 70

PCIe G3 x4

120 GB to 3.84 TB

3D TLC

10,600

3,420

3,050

-40 to 85 / 0 to 70

N750Pi
N700Pi®

PCIe G3 x4

40 GB to 320 GB

N600Vi / N600Vc

PCIe G3 x4

120 GB to 960 GB

3D TLC

2,880

2,600

1,870

-40 to 85 / 0 to 70

PCIe® Gen3 NVMe
M.2 2242 SSD N600Vi / N600Vc

PCIe G3x4

120 GB to 960 GB

3D TLC

2,880

2,600

1,870

-40 to 85 / 0 to 70

N700Pi / N700Pc

PCIe G3 x4

40 GB to 160 GB

3D TLC(pSLC mode)

4,280

2,000

1,600

-40 to 85 / 0 to 70

N600Vi / N600Vc

PCIe G3 x4

120 GB to 480 GB

3D TLC

768

2,050

1,550

-40 to 85 / 0 to 70

PCIe G4 x4

320 GB to 2.56 TB

3D TLC(pSLC mode)

157,000

6,100

6,000

-40 to 85

PCIe G4 x4960 GB to 7.68 TB

3D TLC

10,370

6,000

5,500

-40 to 85 / 0 to 70

PCIe G3 x4

960 GB to 7.68 TB

3D TLC

21,000

3,100

1,400

-40 to 85

19,200560

520-40 to 85

12,800560

520-40 to 85

PCIe® Gen3 NVMe
M.2 2230 SSD

N751Pi
PCIe® Gen4 NVMe
U.2 SSD
N651Si / N601Sc
PCIe® Gen3 NVMe
U.2 SSD

SATA IIIM.2 2280 SSD

SATA IIIM.2 2242 SSD

SATA III2.5” SSD

SATA IIImSATA SSD

N600Si
A750PiSATA 6Gb/s

80 GB to 320 GB

A700PiSATA 6Gb/s

80 GB to 320 GB

3D TLC(pSLC mode)
3D TLC(pSLC mode)

A650Si / A650Sc

SATA 6Gb/s

240 GB to 960 GB

3D TLC

4,655

560

520

-40 to 85 / 0 to 70

A600Si / A600Sc

SATA 6Gb/s

120 GB to 960 GB

3D TLC

2,792

560

510

-40 to 85 / 0 to 70

A600VcSATA 6Gb/s

32 GB to 1 TB

3D TLC

2,792

560

525

0 to 70

A800PiSATA 6Gb/s

8 GB to 64 GB

SLC

5,333

530

400

-40 to 85

9,600

560

520

-40 to 85

A700PiSATA 6Gb/s

40 GB to 160 GB

3D TLC(pSLC mode)
3D TLC(pSLC mode)

6,400

560

520

-40 to 85

A650Si / A650Sc

SATA 6Gb/s

240 GB to 960 GB

3D TLC

4,655

560

525

-40 to 85 / 0 to 70

A600Si / A600Sc

SATA 6Gb/s

120 GB to 480 GB

3D TLC

1,396

560

510

-40 to 85 / 0 to 70

A600VcSATA 6Gb/s

32 GB to 1 TB

3D TLC

2,792

560

525

0 to 70

A800PiSATA 6Gb/s

8 GB to 256 GB

SLC

21,333520

420-40 to 85

38,400560

520-40 to 85

25,600560

520-40 to 85

A750PiSATA 6Gb/s

40 GB to 160 GB

A750PiSATA 6Gb/s

80 GB to 640 GB

A700PiSATA 6Gb/s

80 GB to 640 GB

3D TLC(pSLC mode)
3D TLC(pSLC mode)

A650Si / A650Sc

SATA 6Gb/s

240 GB to 1,920 GB

3D TLC

9,310

560

525

-40 to 85 / 0 to 70

A600Si / A600Sc

SATA 6Gb/s

120 GB to 1,920 GB

3D TLC

5,585

560

520

-40 to 85 / 0 to 70

A600VcSATA 6Gb/s

32 GB to 1 TB

3D TLC

2,792

560

525

0 to 70

A800PiSATA 6Gb/s

8 GB to 128 GB

SLC

10,667530430-40 to 85

9,600

560

520

-40 to 85

6,400

560

520

-40 to 85

A750PiSATA 6Gb/s

40 GB to 160 GB

A700PiSATA 6Gb/s

40 GB to 160 GB

3D TLC(pSLC mode)
3D TLC(pSLC mode)

A650Si / A650Sc

SATA 6Gb/s

240 GB to 960 GB

3D TLC

4,655

560

525

-40 to 85 / 0 to 70

A600Si / A600Sc

SATA 6Gb/s

120 GB to 480 GB

3D TLC

1,396

560

510

-40 to 85 / 0 to 70

A600VcSATA 6Gb/s

32 GB to 1 TB

3D TLC

2,792

560

525

0 to 70

USB 3.2
NANODURA Dual

B600ScUSB 3.2

32 GB to 128 GB

3D TLC

84

270

85

0 to 70

USB 2.0
NANODURA

B800PiUSB 2.0

512 MB to 8 GB

SLC

192

31

21

-40 to 85

B600ScUSB 2.0

4 GB to 8 GB

MLC

9.6

26

10

0 to 70

B800PiUSB 2.0

1 GB to 32 GB

SLC

1,548

36

25

-40 to 85

B600ScUSB 2.0

8 GB to 32 GB

MLC

38.4

25

19

0 to 70

USB 2.0
eUSB* 最大シーケンシャルライト値によります。容量、コンフィグレーション設定、およびアプリケーションにより値は変化します。

60

Operating Temperature(°C )Form Factor

Product Line
Naming

S800PiSD/
SDHC/
SDXC Card

Interface

HS mode / UHS-I

Capacity

512 MB to 8 GB

NAND

SLC

Reliability
TBW (max) *Sequential Performance
MB/s (up to)

Operating Temperature
(°C )

Read

Write

192

68

39

-40 to 85

10,16097

82-40 to 85 / -25 to 85

S750Pi / S750Pc

UHS-I

16 GB to 128 GB

S700Pi / S700Pc

UHS-I

8 GB to 64 GB

3D TLC(pSLC mode)
3D TLC(pSLC mode)

582

98

80

-40 to 85 / -25 to 85

S650Si / S650Sc

UHS-I

64 GB to 512 GB

3D TLC

1,400

97

76

-40 to 85 / -25 to 85

S600Si / S600Sc

UHS-I

32 GB to 128 GB

3D TLC

77

94

55-40 to 85 / -25 to 85

S600ScUHS-I

8 GB to 16 GB

MLC

19

68

23

-25 to 85

S600Si / Sc

UHS-I

8 GB to 256 GB

MLC / 3D TLC

307

96

65

-40 to 85 / -25 to 85

S800PiHS mode / UHS-I

512 MB to 8 GB

SLC

192

68

39

-40 to 85

10,16097

82-40 to 85 / -25 to 85

S750Pi / S750Sc

UHS-I

16 GB to 128 GB

microSD/
S700Pi / S700Sc
microSDHC/
microSDXC Card S650Si / S650Sc

UHS-I

8 GB to 64 GB

3D TLC(pSLC mode)
3D TLC(pSLC mode)

1,164

96

76

-40 to 85 / -25 to 85

UHS-I

64 GB to 512 GB

3D TLC

1,400

97

76

-40 to 85 / -25 to 85

S600Si / S600Sc

UHS-I

32 GB to 256 GB

3D TLC

153

97

62

-40 to 85 / -25 to 85

S600ScUHS-I

8 GB to 32 GB

MLC

38

68

24

-25 to 85

Product Line
NamingInterface

Capacity

NAND

Reliability
TBW (max) *Form Factor

PCIe® Gen4 NVMe
CFexpress Card
CFast Card

CompactFlash Card

Sequential Performance
MB/s (up to)

Operating Temperature
(°C )

Read

Write

4,410

3,500

3,100

-40 to 85

N751Pi

PCIe G4 x2

40 GB to 320 GB

3D TLC(pSLC mode)

N651Si / N601Sc

PCIe G4 x2

128 GB to 1 TB

3D TLC

1,000

3,500

3,200

-40 to 85 / 0 to 70

A800PiSATA 6Gb/s

8 GB to 32 GB

SLC

2,667

500

300

-40 to 85

I800Pi

UDMA 0~4

512 MB to 32 GB

SLC

1,280

61

55

-40 to 85

I700ScUDMA 0~6

8 GB to 16 GB

Pseudo SLC

128

110

80

0 to 70

I600ScUDMA 0~6

16 GB to 32 GB

MLC

38

108

46

0 to 70* 最大シーケンシャルライト値によります。容量、コンフィグレーション設定、およびアプリケーションにより値は変化します。

61

Form Factor

e.MMC

Product Line
NamingCapacity

NAND

Reliability
TBW (max) *Sequential Performance
MB/s (up to)
Read

Write

1,213

300

240

E700Paa

v5.1, HS400

8 GB to 64 GB

3D MLC(pSLC mode)

E600Saa

v5.1, HS400

16 GB to 128 GB

3D MLC

824

300

170

E700Piav5.1, HS400

8 GB to 64 GB

3D MLC(pSLC mode)

1,320

300

240

-40 to 85(AEC-Q100 Grade 3)

E600Siav5.1, HS400

16 GB to 128 GB

3D MLC

824

300

170

-40 to 85(AEC-Q100 Grade 3)

E750Piv5.1, HS400

10 GB to 21 GB

3D TLC(pSLC mode)

1,034

295

215

-40 to 85(Industrial Grade)

E700Piv5.1, HS400

8 GB to 64 GB

3D MLC(pSLC mode)

1,320

300

240

E700Piv5.1, HS400

10 GB to 40 GB

3D TLC(pSLC mode)

1,364

290

225

-40 to 85(Industrial Grade)-40 to 85(Industrial Grade)

E650Siv5.1, HS400

32 GB to 64 GB

3D TLC

70

270

215

-40 to 85(Industrial Grade)

E600Siv5.1, HS400

16 GB to 128 GB

3D MLC

824

300

170

-40 to 85(Industrial Grade)

E600Siv5.1, HS400

32 GB to 128 GB

3D TLC

52

290

225

-40 to 85(Industrial Grade)

E750Pcv5.1, HS400

10 GB to 21 GB

3D TLC(pSLC mode)

1,034

295

215

-25 to 85(Commercial Grade)

E700Pcv5.1, HS400

10 GB to 40 GB

3D TLC(pSLC mode)

1,364

290

225

E650Scv5.1, HS400

32 GB to 64 GB

3D TLC

70

270

215

-25 to 85(Commercial Grade)-25 to 85(Commercial Grade)

E600Vcv5.1, HS400

32 GB to 128 GB

3D TLC

52

290

225

E600Vcv5.1, HS400

32 GB

3D TLC

8.3

250

135

-25 to 85(Commercial Grade)-25 to 85(Commercial Grade)

PCIe G3 x4

40 GB to 160 GB

3D TLC(pSLC mode)

4,280

2,000

1,600

-40 to 85 / 0 to 70

PCIe G3 x4

120 GB to 480 GB

3D TLC

768

2,050

1,550

-40 to 85 / 0 to 70

v5.1, HS400

8 GB to 64 GB

E600Sav5.1, HS400

16 GB to 128 GB

3D MLC

824

300

170

1,213

300

240

* 最大シーケンシャルライト値によります。容量、コンフィグレーション設定、およびアプリケーションにより値は変化します。

62

Operating Temperature(°C )-40 to 105(Extended Industrial Grade)-40 to 105(Extended Industrial Grade)-40 to 105(AEC-Q100 Grade 2)-40 to 105(AEC-Q100 Grade 2)

E700Pa3D MLC(pSLC mode)

N700Pi / N700Pc
PCIe Gen3
NVMe M.2 Type 1620
HSBGA SSD
N600Vi / N600Vc®

Interface

118.75 mm

30.0 mm42.0 mm80.0 mm100.0 mm

製品サイズ比較22.0 mm69.85 mm

33.75 mm

M.2 2280 SSD

M.2 2242 SSD

M.2 2230 SSD

U.2 SSD / 2.5” SSD

E1.S SSD (Coming Soon)

36.4 mm28.0 mm36.9 mm
26.6 mm

12.2 mm

12.2 mm

NANODURA DUAL

USB Drive

38.5 mm36.4 mm36.4 mmeUSB

32.0 mmmSATA SSD

12.2 mm
NANODURA

42.8 mm24.0 mm

CFexpress Card

Compact Flash Card

CFast Card

SD Card10.0 mm13.0 mme.MMC

15.0 mmmicroSD Card

20 mm

42.8 mm11.5 mm29.6 mm11.0 mm29.85 mm34.0 mm22.0 mm50.8 mm22.0 mm

9.0 mm

16.0 mm

M.2 Type 1620 HSBGA SSD

63

シリコンバレーのビジネススイートに�つのデスクしかないという小さなスタートから、
ストレージとメモリのグローバルリーダーとしての地位を確立して
きました。
今日、
ガードナー社発行のプライマリストレージ、
データセンター、
クラウドコンピューティング、およびWANエッジインフラストラクチャに関するマジック・クアドラントレポートに記載されている��%以上の企業がATPを戦略的サプライヤーと位置付けています。

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