コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM54599CWA-N
■概要

■特長

ELM54599CWA-N は低入力容量、 低・ N チャンネル

電圧駆動、 低オン抵抗という特性を備え

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Vds=40V, Id=8.0A, Rds(on)=22mΩ(Vgs=10V)た大電流 MOSFET です。

Vds=40V, Id=6.0A, Rds(on)=28mΩ(Vgs=4.5V)・ P チャンネル
Vds=-40V, Id=-7.2A, Rds(on)=42mΩ(Vgs=-10V)
Vds=-40V, Id=-6.2A, Rds(on)=60mΩ(Vgs=-4.5V)■絶対最大定格値
項目
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧

記号Vds
Vgs
Ta=25℃
Ta=70℃

連続ドレイン電流 (Tj=150℃)

8.0
6.025-7.2-6.2-25Pd

2.8
1.8

2.81.8W

Tj,Tstg-55 ～ 150

-55 ～ 150℃

Max.

単位

62.5
62.5℃/W℃/W

Id
Idm

パルス ・ ドレイン電流
Tc=25℃
Tc=70℃

最大許容損失接合温度範囲及び保存温度範囲

特に指定なき場合、 Ta=25℃
N-ch (Max.)
P-ch (Max.)単位
40-40V±20±20VA
A■熱特性項目
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - 周囲温度

定常状態
定常状態

記号

チャンネル

Rθja
Rθja

N-chP-ch■端子配列図Typ.

■回路

SOP-8(TOP VIEW)
��

����

�

�

端子番号12

端子記号SOURCE1
GATE13

SOURCE245

GATE2DRAIN2678

DRAIN2DRAIN1DRAIN1・ N－ch

・ P－chD1D2G2G1S1S2

Rev.1.0
8- 1コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM54599CWA-N■電気特性 (N-ch)
項目

記号

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特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位条件

静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧

BVdss Id=250μA, Vgs=0V

ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流

Idss

Vds=32V, Vgs=0V

ゲート漏れ電流Igss

Vds=0V, Vgs=±20V

ゲート ・ スレッシュホールド電圧
オン状態ドレイン電流
ドレイン - ソースオン状態抵抗

Gfs
Vsd

最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
入力容量

Is
Ciss

出力容量

Coss

帰還容量
スイッチング特性

Crss

総ゲート電荷ゲート - ソース電荷

Qg

ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間

Qgs
Qgd
td(on)

Vds=15V, Id=5.0A
Is=2A, Vgs=0V

Vgs=0V, Vds=20V, f=1MHz

Vgs=4.5V, Vds=20V,
Id=5A

tr
Vgs=10V, Vds=20V, Id=5.0A
td(off) RL=4Ω, Rgen=1Ω
tfV

Ta=85℃

Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=10V, Vds=5V
Vgs=10V, Id=8.0A
Rds(on)Vgs=4.5V, Id=6.0A

順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧

ゲート - ドレント電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間

40

1.020

110μA

±100nA

3.0VA

16222028250.85mΩ

1.20SV

1.5A850pF110pF

75

pF

10.0

14.0

nC

2.8
3.2
612nCnC
ns

10202036nsns

612ns

Rev.1.08- 2

AFP4599W

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40V N & P Pair

Technology
Enhancement
Mode MOSFET
コンプリメンタリーパワー
MOSFETELM54599CWA-N
TypicalCharacteristics( N-Channel )■標準特性曲線(N-ch)©Alfa-MOS Technology Corp.
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40V N & P Pair
Technology
Enhancement Mode MOSFET
コンプリメンタリーパワー MOSFET
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Typical Characteristics ( N-Channel )©Alfa-MOS Technology Corp.
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ELM54599CWA-N■電気特性 (P-ch)
項目

記号

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特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位

条件

静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧

BVdss Id=-250μA, Vgs=0V

ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流

Idss

Vds=-32V
Vgs=0V

ゲート漏れ電流Igss

Vds=0V, Vgs=±20V

ゲート ・ スレッシュホールド電圧
オン状態ドレイン電流
ドレイン - ソースオン状態抵抗

Gfs
Vsd

最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
入力容量

IsCiss

出力容量

Coss

帰還容量
スイッチング特性

Crss

総ゲート電荷ゲート - ソース電荷Qg

ゲート - ドレント電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間

Qgs
Qgd
td(on)

Vds=-15V, Id=-5A
Is=-2A, Vgs=0V

Vgs=0V, Vds=-20V, f=1MHz

Vgs=-4.5V, Vds=-20V
Id=-5Atr
Vgs=-4.5V, Vds=-20V
td(off) Id=-5A, RL=4Ω, Rgen=1Ω
tfV

Ta=85℃

Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V
Vgs=-10V, Id=-7.2A
Rds(on)Vgs=-4.5V, Id=-6.2A

順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧-40-1.0-20-1-20μA±100nA-3.0VA34425060

20-0.8mΩ

-1.2

SV-1.7

A

1100

pF

145pF

115pF

13.0

20.0

nC

4.5
6.5
40

80

nCnC
ns55
30

100
60nsns1220nsRev.1.08- 5

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40V N & P Pair

Technology
Enhancement
コンプリメンタリーパワー
MOSFET Mode MOSFET
ELM54599CWA-N■標準特性曲線(P-ch)
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40V N & P Pair
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Enhancement Mode MOSFET
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Typical Characteristics ( P-Channel )©Alfa-MOS Technology Corp.
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40V N & P Pair

Technology
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コンプリメンタリーパワー
MOSFET Mode MOSFET
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Typical Characteristics■テスト回路と波形©Alfa-MOS Technology Corp.
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