コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM53326CWSA-N■概要

http://www.elm-tech.com■特長

ELM53326CWSA-N は低入N チャンネル

P チャンネル

力容量、 低電圧駆動、 低オン

・ Vds=30V

抵抗という特性を備えた大電流
MOSFET です。

・ Id=12.0A
・ Id=-8.0A
・ Rds(on) = 36mΩ(Vgs=10V) ・ Rds(on) = 60mΩ(Vgs=-10V)

・ Vds=-30V

・ Rds(on) = 46mΩ(Vgs=4.5V) ・ Rds(on) = 80mΩ(Vgs=-4.5V)■絶対最大定格値

特に指定なき場合、 Ta=25℃
N-ch (Max.)
P-ch (Max.)
単位項目
ドレイン - ソース電圧

記号Vds30-30V

ゲート - ソース電圧

Vgs±2012.0
10.0±20-8.0-6.0V50
2.0
1.5-301.81.2A

150-55 ～ 150

150-55 ～ 150℃℃

Max.
56.0
62.5

単位℃/W℃/W

連続ドレイン電流 (Tj=150℃)

Ta=25℃
Ta=70℃

パルス ・ ドレイン電流

Idm
Tc=25℃
Tc=70℃

最大許容損失Id

接合温度
保存温度範囲

Pd
Tj
Tstg

AW

■熱特性項目
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - 周囲温度

記号
Rθja
Rθja

チャンネル
N-chP-ch■端子配列図■回路

DFN8-3×3(TOP VIEW)
��

�

�

�

�

Typ.

�

�

端子番号1

端子記号
SOURCE1234

GATE1SOURCE2
GATE2567DRAIN2DRAIN2DRAIN18DRAIN1・ N－ch・ P－ch

D1D2

G2

G1
S1S2

Rev.1.0
8-1

コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM53326CWSA-N■電気特性 (N-ch)
項目

記号

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特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位

条件

静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧

BVdss Id=250μA, Vgs=0V

ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流

Idss

Vds=24V, Vgs=0V

ゲート漏れ電流Igss

Vds=0V, Vgs=±20V

ゲート ・ スレッシュホールド電圧
オン状態ドレイン電流
ドレイン - ソースオン状態抵抗

Gfs
Vsd

最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
入力容量

Is
Ciss

出力容量

Coss

帰還容量
スイッチング特性

Crss

総ゲート電荷ゲート - ソース電荷

Qg

ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間

Qgs
Qgd
td(on)

Vds=15V, Id=5.2AIs=1.6A, Vgs=0V

Vgs=0V, Vds=20V, f=1MHz

Vgs=4.5V, Vds=20V
Id≡5.2A

tr
Vgs=10V, Vds=15V, Id≡1A
td(off) RL=15Ω, Rgen=6Ω
tfV

Ta=85℃

Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=4.5V, Vds�5V
Vgs=10V, Id=12.0A
Rds(on)Vgs=4.5V, Id=10.0A

順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧

ゲート - ドレント電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間

30

1.3
10130

μA

±100nA

2.1VA

30

3640

46

130.8mΩ

1.3

SV

10A

700pF

75pF

45pF

8.012.0nC

1.62.4812nCnCns12281840nsns

1018nsRev.1.08-2

AFC3326WS

Alfa-MOS

30V N & P Pair
Technology
コンプリメンタリーパワーEnhancement
MOSFET
Mode MOSFET
ELM53326CWSA-N■標準特性曲線(N-ch)
TypicalCharacteristics( N-Channel )©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev.A Jan. 2011

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Rev.1.08-3

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Alfa-MOS

30V N & P Pair
Technology
Enhancement Mode MOSFET
コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM53326CWSA-N
Typical Characteristics ( N-Channel )©Alfa-MOS Technology Corp.
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8-4

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ELM53326CWSA-N■電気特性 (P-ch)
項目

記号

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特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位条件

静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧

BVdss Id=-250μA, Vgs=0V

ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流

Idss

Vds=-24V
Vgs=0V

ゲート漏れ電流Igss

Vds=0V, Vgs=±20V

ゲート ・ スレッシュホールド電圧
オン状態ドレイン電流
ドレイン - ソースオン状態抵抗

Gfs
Vsd

最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
入力容量

Is
Ciss

出力容量

Coss

帰還容量
スイッチング特性

Crss

総ゲート電荷ゲート - ソース電荷Qg

ゲート - ドレント電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間

Qgs
Qgd
td(on)
trtd(off)
tf

Vds=-10V, Id=-4.9A
Is=-1.7A, Vgs=0V

Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz

Vgs=-10V, Vds=-15V
Id≡-5.0A
Vgs=-10V, Vds=-15V
Id≡-1.0A, RL=15Ω
Rgen=6Ω

V

Ta=85℃

Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vgs=-10V, Vds�-5V
Vgs=-10V, Id=-8.0A
Rds(on)Vgs=-4.5V, Id=-6.0A

順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧-30-1.0-25-1-30μA±100nA-2.0VA50607080

10-0.8mΩ-1.3SV-10A

500

pF

100pF

55pF

10.0

18.0

nC

1.6
3.0
818nCnCns825

1850nsns

2535nsRev.1.08-5

AFC3326WS

Alfa-MOS

30V N & P Pair

TechnologyMode MOSFET
コンプリメンタリーパワーEnhancement
MOSFET
ELM53326CWSA-N■標準特性曲線(P-ch)
TypicalCharacteristics( P-Channel )©Alfa-MOS Technology Corp.
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Rev.1.08-6

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30V N & P Pair
Technology
Enhancement Mode MOSFET
コンプリメンタリーパワー MOSFET
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Typical Characteristics ( P-Channel )©Alfa-MOS Technology Corp.
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Rev.1.08-7

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Alfa-MOS

30V N & P Pair
Technology
コンプリメンタリーパワーEnhancement
MOSFET
Mode MOSFET
ELM53326CWSA-N■テスト回路と波形
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