コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM56332CESA-S■概要

http://www.elm-tech.com■特長

ELM56332CESA-S は低N チャンネル

P チャンネル

入力容量、 低電圧駆動、 低・ Vds=20V

オン抵抗という特性を備えた
大電流 MOSFET です。 また、・ Id=1.2A
・ Id=-1.0A
・ Rds(on) = 320mΩ(Vgs=4.5V) ・ Rds(on) = 580mΩ(Vgs=-4.5V)

保護回路によって ESD 耐性

・ Rds(on) = 420mΩ(Vgs=2.5V) ・ Rds(on) = 780mΩ(Vgs=-2.5V)があります。

・ Rds(on) = 580mΩ(Vgs=1.8V) ・ Rds(on) = 980mΩ(Vgs=-1.8V)・ Vds=-20V

・ ESD 保護・ ESD 保護■絶対最大定格値
項目
ドレイン - ソース電圧

記号
Vds
Vgs

ゲート - ソース電圧
連続ドレイン電流 (Tj=150℃)

Ta=25℃
Ta=70℃

パルス ・ ドレイン電流

Idm
Tc=25℃

最大許容損失Id

Tc=70℃

Pd

特に指定なき場合、 Ta=25℃
N-ch (Max.)
P-ch (Max.)単位
20±12-20
±12

1.2
0.9
4-1.0-0.7
-30.3

0.3
0.2
-55 ～ 150℃

-55 ～ 150℃

動作接合部温度Tj

0.2-55 ～ 150

保存温度範囲Tstg-55 ～ 150

■端子配列図

��

�

A
A
W

■回路

SC-70-6(TOP VIEW)
�VV��

端子番号

端子記号

123SOURCE1
GATE1DRAIN245SOURCE2
GATE26DRAIN1・ N－ch・ P－ch������������

Rev.1.09-1

コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM56332CESA-S■電気特性 (N-ch)
項目記号

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特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位条件

静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧

BVdss Id=250μA, Vgs=0V

ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流

Idss

Vds=16V, Vgs=0V

ゲート漏れ電流Igss

Vds=0V, Vgs=±12V

ゲート ・ スレッシュホールド電圧
オン状態ドレイン電流
ドレイン - ソースオン状態抵抗

20V

Ta=85℃

Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=4.5V, Vds�5V
Vgs=4.5V, Id=0.7A

0.3
1.2

15μA

±1mA

1.0VA

230

320

Rds(on) Vgs=2.5V, Id=0.6A

280

420

Vgs=1.8V, Id=0.5A
Vds=10V, Id=1.0A

400
1580

Is=1.0A, Vgs=0V

0.65

1.50
0.6

順方向相互コンダクタンス

Gfs

ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性

Vsd
Is

入力容量

Ciss

出力容量
帰還容量

Coss
Crss

Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHzmΩ
S
V
A

70pF

208pF
pF

スイッチング特性
総ゲート電荷ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレント電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間

Qg
Qgs
Qgd

Vgs=4.5V, Vds=10V
Id≡1.2A

td(on)
Vgs=4.5V, Vds=10V
trId≡1.2A, RL=20Ω
td(off)Rgen=1Ω
tf

1.06
0.18
0.32

1.38

nC
nCnC

18202628

nsns702511040nsns

Rev.1.09-2

AFC6332ES

Alfa-MOS

20V N & P Pair
Technology
コンプリメンタリーパワーEnhancement
MOSFET
Mode MOSFET
ELM56332CESA-S■標準特性曲線(N-ch)
TypicalCharacteristics( N-Channel )©Alfa-MOS Technology Corp.
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20V N & P Pair
Technology
Enhancement Mode MOSFET
コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM56332CESA-S

Typical Characteristics ( N-Channel )©Alfa-MOS Technology Corp.
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20V N & P Pair
TechnologyMode MOSFET
コンプリメンタリーパワーEnhancement
MOSFET
ELM56332CESA-S
Typical■テスト回路と波形
Characteristics ( N-Channel)(N-ch)©Alfa-MOS Technology Corp.
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ELM56332CESA-S■電気特性 (P-ch)
項目記号

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特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位条件

静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧

BVdss Id=-250μA, Vgs=0V

ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流

Idss

Vds=-16V
Vgs=0V

ゲート漏れ電流Igss

Vds=0V, Vgs=±12V

ゲート ・ スレッシュホールド電圧
オン状態ドレイン電流
ドレイン - ソースオン状態抵抗-20

V

Ta=85℃

Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vgs=-4.5V, Vds�-5V
Vgs=-4.5V, Id=-0.6A-0.3-0.7

-1-5

μA

±1mA

-1.0VA380

580

Rds(on) Vgs=-2.5V, Id=-0.5A

520

780

Vgs=-1.8V, Id=-0.4A
Vds=-10V, Id=-0.4A

690
1980

Is=-0.15A, Vgs=0V-0.65 -1.50-0.6VA

70pF

順方向相互コンダクタンス

Gfs

ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性

Vsd
Is

入力容量

Ciss

出力容量
帰還容量

Coss
Crss

Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHzmΩ
S

1002010pF
pF

スイッチング特性
総ゲート電荷ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレント電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間

Qg
Qgs
Qgd

Vgs=-4.5V, Vds=-10V
Id≡-0.25A

td(on)
Vgs=-4.5V, Vds=-10V
tr
Id≡-0.2A, RL=30Ω
td(off)Rgen=10Ω
tf

1.00.1
0.3

1.3nC
nCnC

10101515nsns

40306050nsns

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Technology
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コンプリメンタリーパワー
MOSFET Mode MOSFET
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