コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM54539CWSA-N■概要

http://www.elm-tech.com■特長

ELM54539CWSA-N は低入力容量、・ N チャンネル

低電圧駆動、 低オン抵抗という特性を備

Vds=30V, Id=5.0A, Rds(on)=36mΩ(Vgs=10V)

えた大電流 MOSFET です。

Vds=30V, Id=4.7A, Rds(on)=46mΩ(Vgs=4.5V)・ P チャンネル
Vds=-30V, Id=-5.4A, Rds(on)=62mΩ(Vgs=-10V)
Vds=-30V, Id=-4.2A, Rds(on)=90mΩ(Vgs=-4.5V)■絶対最大定格値

特に指定なき場合、 Ta=25℃
N-ch (Max.)
P-ch (Max.)
単位項目
ドレイン - ソース電圧

記号Vds30-30V

ゲート - ソース電圧Vgs±205.4±20-5.4V

4.020
2.8-4.2-30
2.8

1.8-55 ～ 150

1.8-55 ～ 150

Ta=25℃

連続ドレイン電流 (Tj=150℃)

Id

Ta=70℃

Idm

パルス ・ ドレイン電流
Tc=25℃

最大許容損失Pd

Tc=70℃

接合温度範囲及び保存温度範囲

Tj,TstgAA
W℃■熱特性項目
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - 周囲温度

定常状態
定常状態

記号
Rθja
Rθja

■端子配列図

チャンネル
N-ch
P-ch

Typ.

Max.
62.5
62.5

単位℃/W
℃/W

■回路

SOP-8(TOP VIEW)
����

���

�

端子番号1

端子記号
SOURCE1234GATE1SOURCE2
GATE256DRAIN2DRAIN278DRAIN1DRAIN1・ N－ch

・ P－ch

D1

D2G2

G1
S1

S2

Rev.1.0
8-1

コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM54539CWSA-N■電気特性 (N-ch)
項目

記号

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特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位条件

静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧

BVdss Id=250μA, Vgs=0V

ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流

Idss

Vds=24V, Vgs=0V

ゲート漏れ電流Igss

Vds=0V, Vgs=±20V

ゲート ・ スレッシュホールド電圧
オン状態ドレイン電流
ドレイン - ソースオン状態抵抗

Gfs
Vsd

最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
入力容量

Is
Ciss

出力容量

Coss

帰還容量
スイッチング特性

Crss

総ゲート電荷ゲート - ソース電荷

Qg

ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間

Qgs
Qgdtd(on)Vds=15V, Id=5.2A
Is=1.6A, Vgs=0V

Vgs=0V, Vds=20V, f=1MHz

Vgs=4.5V, Vds=20V,
Id=5.2A

tr
Vgs=10V, Vds=15V, Id=1.0A
td(off) RL=15Ω, Rgen=6Ω
tfV

Ta=85℃

Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
Vgs=10V, Id=5.0A
Rds(on)Vgs=4.5V, Id=4.7A

順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧

ゲート - ドレント電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間

301.310130

μA±100nA

2.1VA30364046130.8mΩ

1.3SV1.5A

700

pF

75pF

45pF

8.0

12.0

nC

1.6
2.4
812nCnCns

12281840nsns

1018nsRev.1.08-2

AFC4539WS

Alfa-MOS

30V N & P Pair

TechnologyMode MOSFET
コンプリメンタリーパワーEnhancement
MOSFETELM54539CWSA-N
TypicalCharacteristics( N-Channel )■標準特性曲線(N-ch)©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev.A July 2010

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Rev.1.08-3

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Alfa-MOS

30V N & P Pair
Technology
Enhancement Mode MOSFET
コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM54539CWSA-N
Typical Characteristics ( N-Channel )©Alfa-MOS Technology Corp.
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Rev.1.0
8-4

コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM54539CWSA-N■電気特性 (P-ch)
項目

記号

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特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位

条件

静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧

BVdss Id=-250μA, Vgs=0V

ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流

Idss

Vds=-24V
Vgs=0V

ゲート漏れ電流Igss

Vds=0V, Vgs=±20V

ゲート ・ スレッシュホールド電圧
オン状態ドレイン電流
ドレイン - ソースオン状態抵抗

Gfs
Vsd

最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
入力容量

Is
Ciss

出力容量

Coss

帰還容量
スイッチング特性
総ゲート電荷ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレント電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間

V

Ta=85℃

Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V
Vgs=-10V, Id=-5.4A
Rds(on)Vgs=-4.5V, Id=-4.2A

順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧-30

Vds=-10V, Id=-4.9A
Is=-1.7A, Vgs=0V-1.0-25-1-30μA±100nA

-2.5

VA

52

62

70

90

10-0.8mΩ

-1.3

S
V-1.7

A

500

pF

100pF

Crss

55pF

Qg

10.0

Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz18.0nC

Qgs Vgs=-10V, Vds=-15V, Id=-5A
Qgd
td(on)

1.63.0818nCnC
nstr
Vgs=-10V, Vds=-15V, Id=-1A
td(off) RL=15Ω, Rgen=6Ω

8251850nsns2535nstf

Rev.1.08-5

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30V N & P Pair
Technology
コンプリメンタリーパワーEnhancement
MOSFET
Mode MOSFET
ELM54539CWSA-N■標準特性曲線(P-ch)
TypicalCharacteristics( P-Channel )©Alfa-MOS Technology Corp.
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Rev.1.08-6

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30V N & P Pair
Technology
Enhancement Mode MOSFETコンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM54539CWSA-N
Typical Characteristics ( P-Channel )©Alfa-MOS Technology Corp.
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Rev.1.08-7

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Alfa-MOS

30V N & P Pair
Technology
Enhancement
Mode MOSFET
コンプリメンタリーパワー
MOSFETELM54539CWSA-N■テスト回路と波形
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