コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM54616CWSA-N■概要

http://www.elm-tech.com■特長

ELM54616CWSA-N は低入N チャンネル

P チャンネル

力容量、 低電圧駆動、 低オン

・ Vds=30V

抵抗という特性を備えた大電流
MOSFET です。

・ Id=8.0A
・ Id=-8.0A
・ Rds(on) = 18mΩ(Vgs=10V) ・ Rds(on) = 18mΩ(Vgs=-10V)

・ Vds=-30V

・ Rds(on) = 22mΩ(Vgs=4.5V) ・ Rds(on) = 22mΩ(Vgs=-4.5V)■絶対最大定格値
項目
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
連続ドレイン電流 (Tj=150℃)

記号Vds
Vgs±20±20V

Id8.0
6.0-8.0-6.0A25
2.81.8-30
2.8
1.8

Ta=25℃
Ta=70℃

パルス ・ ドレイン電流

特に指定なき場合、 Ta=25℃
N-ch (Max.)
P-ch (Max.)
単位30-30VIdm
Tc=25℃
Tc=70℃

最大許容損失

PdAW

接合温度

Tj

150

150℃

保存温度範囲Tstg-55 ～ 150

-55 ～ 150℃

Max.

単位

62.5
62.5℃/W℃/W■熱特性項目記号

チャンネル

最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - 周囲温度

Rθja
Rθja

N-chP-ch■端子配列図Typ.

■回路

SOP-8(TOP VIEW)
��

��

�

���

端子番号
12

端子記号
SOURCE1
GATE13

SOURCE245GATE2DRAIN2678

DRAIN2DRAIN1DRAIN1・ N－ch・ P－ch

D1D2G2G1S1S2

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8-1

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ELM54616CWSA-N■電気特性 (N-ch)
項目

記号

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特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位

条件

静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧

BVdss Id=250μA, Vgs=0V

ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流

Idss

Vds=30V, Vgs=0V

ゲート漏れ電流Igss

Vds=0V, Vgs=±20V

ゲート ・ スレッシュホールド電圧
オン状態ドレイン電流
ドレイン - ソースオン状態抵抗

Gfs
Vsd

最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
入力容量

Is
Ciss

出力容量

Coss

帰還容量
スイッチング特性

Crss

総ゲート電荷ゲート - ソース電荷

Qg

ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間

Qgs
Qgd
td(on)

Vds=15V, Id=10A
Is=3.0A, Vgs=0V

Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz

Vgs=4.5V, Vds=15V,Id≡10Atr
Vgs=10V, Vds=15V, Id≡10A
td(off) RL=1.5Ω, Rgen=1.0Ω
tfV

Ta=85℃

Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=10V, Vds�5V
Vgs=10V, Id=8.0A
Rds(on)Vgs=4.5V, Id=6.0A

順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧

ゲート - ドレント電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間30

0.5
15110μA±100nA

1.8VA

13181422240.8mΩ

1.3S
V

1.5A

800pF

180pF

70pF

8.012.0nC

2.02.3815nC
nCns8161528nsns816ns

Rev.1.08-2

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Alfa-MOS

30V N & P Pair
Technology
コンプリメンタリーパワーEnhancement
MOSFET
Mode MOSFET
ELM54616CWSA-N■標準特性曲線(N-ch)
TypicalCharacteristics( N-Channel )©Alfa-MOS Technology Corp.
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30V N & P Pair
Enhancement Mode MOSFET

Technology

コンプリメンタリーパワー MOSFET

ELM54616CWSA-N
Typical Characteristics ( N-Channel )©Alfa-MOS Technology Corp.
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ELM54616CWSA-N■電気特性 (P-ch)
項目記号

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特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位

条件

静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧

BVdss Id=-250μA, Vgs=0V

ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流

Idss

Vds=-24V
Vgs=0V

ゲート漏れ電流Igss

Vds=0V, Vgs=±25V

ゲート ・ スレッシュホールド電圧
オン状態ドレイン電流
ドレイン - ソースオン状態抵抗
順方向相互コンダクタンス

Gfs

ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性

VsdIs

入力容量

Ciss

出力容量
帰還容量

Coss
Crss

VTa=85℃

Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Vgs=-10V, Vds�-10V
Id(on)
Vgs=-4.5V, Vds�-5V
Rds(on)-30-1.0-30-5-1-30

μA

±100

nA-2.0

VA

Vgs=-10V, Id=-8.0A

1518

Vgs=-4.5V, Id=-6.0A
Vds=-10V, Id=-9.0A

19
22

22

Is=-2.3A, Vgs=0V

-0.7

-1.3
-1.7

Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHzmΩ
S
V
A

1600pF

350
300pFpF

スイッチング特性
総ゲート電荷ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレント電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間

Qg
Qgs
Qgd

Vgs=-4.5V, Vds=-15V
Id≡-6.0A

td(on)
Vgs=-10V, Vds=-15V
tr
Id≡-5.0A, RL=3Ωtd(off)Rgen=1Ωtf

2061030nCnCnC

10122024nsns

30
104520nsns

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30V N & P Pair
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コンプリメンタリーパワーEnhancement
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30V N & P Pair
Enhancement Mode MOSFET

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30V N & P Pair
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コンプリメンタリーパワー
MOSFET Mode MOSFET
Enhancement
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