コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM54569CWSA-N■概要

http://www.elm-tech.com■特長

ELM54569CWSA-N は低入N チャンネル

P チャンネル

力容量、 低電圧駆動、 低オン

・ Vds=60V

抵抗という特性を備えた大電流
MOSFET です。

・ Id=8.0A
・ Id=-8.0A
・ Rds(on) = 36mΩ(Vgs=10V) ・ Rds(on) = 60mΩ(Vgs=-10V)

・ Vds=-60V

・ Rds(on) = 40mΩ(Vgs=4.5V) ・ Rds(on) = 72mΩ(Vgs=-4.5V)■絶対最大定格値

特に指定なき場合、 Ta=25℃
N-ch (Max.)
P-ch (Max.)
単位項目
ドレイン - ソース電圧

記号Vds60-60V

ゲート - ソース電圧

Vgs±208.0
6.0±20-8.0-6.0V20
2.8
1.8-202.81.8A

150-55 ～ 150

150-55 ～ 150℃℃

Max.
62.5
62.5

単位℃/W℃/W

連続ドレイン電流 (Tj=150℃)

Ta=25℃
Ta=70℃

パルス ・ ドレイン電流

Id
Idm

Tc=25℃
Tc=70℃

最大許容損失接合温度
保存温度範囲

Pd
Tj
Tstg

A

W

■熱特性項目
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - 周囲温度

記号
Rθja
Rθja

■端子配列図チャンネル
N-ch
P-chTyp.

■回路

SOP-8(TOP VIEW)
��

�

�

�

�

�

�

端子番号
1

端子記号
SOURCE1234

GATE1
SOURCE2
GATE2567

DRAIN2DRAIN2DRAIN18

DRAIN1・ N－ch・ P－chD1D2

G2G1S1S2

Rev.1.0
8-1

コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM54569CWSA-N■電気特性 (N-ch)
項目記号

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特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位

条件

静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧

BVdss Id=250μA, Vgs=0V

ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流

Idss

Vds=48V, Vgs=0V

ゲート漏れ電流Igss

Vds=0V, Vgs=±20V

ゲート ・ スレッシュホールド電圧
オン状態ドレイン電流
ドレイン - ソースオン状態抵抗

Gfs
Vsd

最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
入力容量

Is
Ciss

出力容量

Coss

帰還容量
スイッチング特性

Crss

総ゲート電荷ゲート - ソース電荷

Qg

ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間

Qgs
Qgd
td(on)

Vds=15V, Id=15A
Is=2.0A, Vgs=0V

Vgs=0V, Vds=25V, f=1MHz

Vgs=4.5V, Vds=30V,
Id≡8.0A

Vgs=10V, Vds=30V, Id≡8.0A
trtd(off) RL=1.3Ω, Rgen=6.0Ω
tfV

Ta=85℃

Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=10V, Vds�5V
Vgs=10V, Id=8.0A
Rds(on)Vgs=4.5V, Id=6.0A

順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧

ゲート - ドレント電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間

60

1.020

15μA

±100nA

2.0VA

28363240

200.8mΩ

1.3SV

1.5A

680pF

150pF

60pF6.5

13.0

nC

3.0
3.0
815nCnC
ns

15303060nsns2550

nsRev.1.08-2

AFC4569WS

Alfa-MOS

60V N & P Pair
Technology
コンプリメンタリーパワーEnhancement
MOSFET
Mode MOSFET
ELM54569CWSA-N■標準特性曲線(N-ch)
TypicalCharacteristics( N-Channel )©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev.A June 2016

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Alfa-MOS

60V N & P Pair
Enhancement Mode MOSFET

Technology

コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM54569CWSA-N

Typical Characteristics ( N-Channel )©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev.A June 2016

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ELM54569CWSA-N■電気特性 (P-ch)
項目

記号

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特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位

条件

静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧

BVdss Id=-250μA, Vgs=0V

ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流

Idss

Vds=-48V
Vgs=0V

ゲート漏れ電流Igss

Vds=0V, Vgs=±20V

ゲート ・ スレッシュホールド電圧
オン状態ドレイン電流
ドレイン - ソースオン状態抵抗

Gfs
Vsd

最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
入力容量
出力容量

Coss

帰還容量
スイッチング特性

Crss

総ゲート電荷ゲート - ソース電荷Qg

ゲート - ドレント電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間

VTa=85℃

Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vgs=-10V, Vds�-5V
Vgs=-10V, Id=-8.0A
Rds(on)Vgs=-4.5V, Id=-6.0A

順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧

-60

μA

±100

nA

-2.5

V
A

52

60

61

72
-1.3

Is-1.7A

Ciss

1200 2000

pF

140

pF

90

pF

tr
td(off)tf

Vgs=0V, Vds=-25V, f=1MHz

Vgs=-10V, Vds=-30V
Id≡-8.0A
Vgs=-10V, Vds=-30V
Id≡-8.0A, RL=3.0Ω
Rgen=2.5Ω

12-0.8mΩ
SV

Qgs
Qgd
td(on)

Vds=-15V, Id=-3.2A
Is=-3.0A, Vgs=0V-1.0-20-1-202540nC

581020nCnCns10452080nsns

2540nsRev.1.08-5

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60V N & P Pair
Technology
Enhancement
コンプリメンタリーパワー
MOSFET Mode MOSFET
ELM54569CWSA-N
TypicalCharacteristics( P-Channel )■標準特性曲線(P-ch)©Alfa-MOS Technology Corp.
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60V N & P Pair
Enhancement Mode MOSFETTechnology

コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM54569CWSA-NTypical Characteristics ( P-Channel )©Alfa-MOS Technology Corp.
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60V N & P Pair
Enhancement Mode MOSFET

Technology

コンプリメンタリーパワー MOSFET
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Typical ■テスト回路と波形
Characteristics©Alfa-MOS Technology Corp.
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