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12023/09/08

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キオクシア㈱四日市工場

1■ 東芝グループ

第〒 512-8550 三重県四日市市山之一色町 800..Tel.059-330-1000【工場長】松下 智治

2章【設立】1992 年 1月
【代表者】早坂 伸夫【生産品目】フラッシュメモリー（NAND）、MCP【生産能力】月産 40 万枚【建物】【敷地】約 66 万 m2
【本社】〒108-0023 東京都港区芝浦 3-1-21 Tel.03-6478-2500【人員】7200 人（23 年 4月現在）

世代フラッシュメモリーの開発や投資を継続して行ってい共同で設備投資を行っている。3D-NAND の積層工程などく。このほど竣工したメモリ開発センターには現在、2000を行う新第 2 棟（N-Y2）が 16 年 7 月竣工。17 年 2 月には第人が働いているが、将来的には 3000 人以上まで収容できる6 製造棟（Y6）ならびに開発センターを着工、前者は 18 年夏、スペースを確保した。2 年間でエンジニアを 500 人増員す

後者は18年3月に完成。Y6の工事規模は建屋の高さが42m、る計画も順調に進んでいる。21 年 2 月から「Y7」の建設にも着手、第 1 期分の建屋が 22 年 10 月に竣工した。Y7 ではインチファブの第 5 棟と同等程度の大きさ。CR は 2 層構造

今後、第 6 世代（162 層）および第 8 世代（218 層）を中心に生で地震の際の大きな揺れを軽減して製造装置などに被害が産を拡大していくものとみられる。また、Y7 棟への設備投及ばないような免震構造も採用。Y6は第2期投資が市況低資は政府の助成金も活用される。22 年 7 月に経済産業省の迷で先送りされていたが、現状でフルキャパシティーに到「特定半導体生産施設整備等計画」に認定されたと発表。最達しているものとみられる。Y6の竣工にあわせて18年9月

大で約 929 億円が交付される。

■ 東芝グループ

5第キオクシア岩手㈱4第 章

建築面積が 2 万 6000m で、CR 面積 2 万 7300m 。既存の 12章

23

第するが、製造装置への投資は JV パートナーである米 WD と章には「メモリ開発センター」が竣工。3D-NANDならびに、次第NANDフラッシュの主力工場。建屋はキオクシアが所有

2第 章

半導体産業計画総覧 2023-2024 年度版

6章〒 024-0002 岩手県北上市北工業団地 6-6..Tel.0197-68-8203【工場長】【人員】約 1200 人

第7章【設立】2017 年 12月【代表者】柴山 耕一郎【生産品目】NAND 型フラッシュメモリーほか（次世代メモリーなど）【生産能力】【建物】4 万 m2（延べ床 20 万 m2）【敷地】15 万 m2
【本社】所在地に同じ

月から K1 棟の建設に着手した。建設地はジャパンセミコ取得した隣接地の整備を開始。22年から建屋建設に着手しンダクター（旧岩手東芝エレクトロニクス）の隣接地。19た。K2 の建屋面積は約 3.1 万 m2 で 7 階建て。四日市工場や年秋に竣工した。19 年 5 月にはパートナーの米 WD と共同

K1 と同様に免震構造を採用するほか、太陽光パネルなど再設備投資で合意したと公表。K1 の工事規模は、5 階建て延生可能エネルギーを積極的に活用。環境面にも配慮した工べ床約 20 万 m2（建屋面積約 4 万 m2）で 2 層構造の CR を導場となっている。なお、量産開始時には 162 層世代以降の入する。キオクシアとしては最新の四日市 Y6 を上回り、最生産を計画している。また、K3 以降の建屋建設も見据えて、大規模の大きさを誇る。拠点の完成後は、リアルタイムで現在建設中のK2の南側エリアの用地取得を進めている。一

生産情報などを管理して、拠点を横断するデータ解析シス

部土地の取得はすでに完了しており、今後のさらなる生産テムを導入する。人工知能（AI）や機械学習のさらなる高度規模拡大に向けた準備も進めている。なお、23 年 8 月に足化も目指す。K1 のフル稼働時には 1000 人以上が勤務する。

元での市況悪化を受けて K2 の稼働開始時期を延期、24 年

さらには四日市工場と同様に、地震の揺れを大幅に低減で以降に再度判断することを決めた。

8第 章

きる免震構造も採用する。21 年から「K2」の建設に向けて

第 章

主力の四日市工場に次ぐ新たな生産拠点として、18 年 79第10章

第5章

日本国内の工場別設備計画

215

ー1イ

第インフィニオンテクノロジーズ
Infineon Technologies AG2

クー ンフロン

2 四半期業績のセグメント別では、PSS設定に見直した。22年～ 27年までの各以外は増収増益を果たした。中でも同社はシーメンスの半導体部門が独セグメントでの成長率見通しでは、オATV と GIP は大幅に伸長。ATV は売3立・分離するかたちで誕生した半導体ートモーティブ（ATV）とグリーンイ

上高が同 49％増／ 11％増、セグメント専業メーカー。設立当初は DRAM やンダストリアルパワー（GIP）を伸びし利益も同 2 倍／ 22％増と過去最高を更ベースバンドプロセッサーといったメろとみて、各 10％以上の成長シナリオ新し、売上高が 20 億ユーロの大台を突モリーやロジック製品も数多く手がけを想定している。一方、パワー＆セン破したのは同社史上初の快挙となる。

第てきたが、ここ数年はより得意分野にサーシステムズ（PSS）とコネクテッド

ADAS と EV（電気自動車）分野で高事業の軸足を移す「選択と集中」を進

セキュアシステムズ（CSS）は最大で各需要が継続。MCU、特殊メモリー、パ4めてきており、なかでもパワーデバイ10％成長を描いている。中でも同社がワーコンポーネントを中心に、全製品スにより多くのリソースを投じてい具体的に成長領域として明確に示唆し群が伸長した。同社では、車載用 MCUる。MOSFET と IGBT そ れ ぞ れ の 市ているのは、e モビリティー、再生可能で世界第 2 位のポジションに浮上した場で高いシェアをキープしているだけ

エネルギー、ADAS、データセンター、とみる。メガトレンドである e モビリでなく、世界初となるパワーデバイス

IoT としている。

ティー、ADAS、新 E/E アーキテクチャる。現状、パワーデバイスでは業界首ロ、営業利益は同 94％

位（シェア 19.7％、OMDIA 調べ）、車増の28億ユーロと2桁載用半導体でも業界首位（同 12.4％、台の大幅な増収増益をTechInsights 調べ）に位置する。M&A果たした。セグメント戦略も積極推進しており、米インター

別 内 訳 で は、ATV がや 20 年にはサイプレス・セミコンダが 29％、CSS が 13％とクターの買収も完了。直近では GaNなり、オートモーティ

Systems も買収している（後述）。

ブでの強さが際立って

20,000

7,599

8,029

8,56775,000018年度

1920212223計画

インフィニオンテクノロジーズ・設備投資（9月期）
百万ユーロ

3,000

3,000

は、ATV および GIP 向ーロ（±3 億ドル）を計画。ミッドポイけなどが好調に推移

ントでは前期比 14％増を見込んでいし、売上高が前年同期る。同社では中長期の財務モデルとし

比 25 ％ 増 ／ 前 四 半 期て23年9月期に入り上方修正しており

比 4％増の 41 億ユーロ、1,000（23 年 5 月上旬時点）、売上高の年平均セグメント利益は同

500

成長率は修正前の 9％から 10％以上へ、 55％増／ 7％増の12億

08

2,500
2,000
1,354

1,500
850

865

1,565

1,042

第 章ユーロを達成した。第611,060
10,00023 年 9 月期は売上高として 162 億ユ

セグメント利益率は 19％から 25％へ、

16,200第 章

年1 ～ 3月 期 ） 業 績

14,21815,000いる。
23 年第 2 四半期（23（9月期）

章

45％、GIP が 13％、PSS

インフィニオンテクノロジーズ・

百万ユーロ

第ナショナル・レクティファイアー（IR）

ーを着実に捉えていく。GIP も売上高

第 章

29 ％ 増 の 142 億 ユ ー

5章

技術トレンドのリーダー的存在でもあ

第22 年 9 月期業績は、売上高が前年比章の 300mm ウエハーでの生産といった章

売上高投資比率 13％から 10 ～ 15％の第・ンン章

インフィニオンテクノロジーズジー ン

第 章

半導体産業計画総覧 2023-2024 年度版

918年度

1920

2122

第6章

欧米企業の事業戦略

23計画（23年のみR&D含む）

第10章

283

第 章

半導体産業計画総覧 2023-2024 年度版

1・

第CSMC-HR

無錫華潤上華半導体公司

2章9弁で新たに生産ラインを立ち上げ、01され、09 年に生産ラインの立ち上げを年に 150mm ファンドリーに転換。03始めた。

年に米アギア・システムズやシンガポ

CSMC が無錫ハイニックスから購入

第CR マイクロ（華潤微電子）傘下でファールの旧チャータードから 150mm 対した製造装置は、設備能力が月産 5 万3ンドリー事業を手がける CSMC（華潤応の中古製造装置を移設し、150mm 半枚。そのうちの 1.5 万枚分の製造装置

上華半導体、江蘇省無錫市）は、江蘇省導体工場として中国最大クラスの生産を 09 年に立ち上げた。ファブ 2 は建築

無錫市に 200mm（8 インチ）と 150mm体制を築いた。03年にCSMCの合弁相設計からみて、月産能力で6万～ 7万枚（6 インチ）、125mm（5 インチ）対応手の華晶グループが HR（華潤）グルーまで装置導入が可能とみられた。の半導体工場を展開している。無錫プに買収され、CSMC は華潤グループ市の 200mm 工場の月産能力は 7 万枚、の子会社となった。

第した中古装置は DRAM 製造専用装置分のうちの 70％程度しか使えなかっ

一時期は北京市に 150mm 工場を稼

2 は、150mm 対応のファブ 1 から車でた。そのため、月産能力で 1.5 万枚分の働させたが、無錫エリアに生産体制を30 分の無錫新区の開発区内にあり、工中古装置は売却処分された。CSMC は集約するため、ここを閉鎖して中古装場面積は約 6 万 m2。工場棟は、05 年後その後も 200mm 対応の中古装置を買置は無錫工場に移設した。

半にほぼ完成していたが、半導体不況

い増し、10 年末に月産能力を 2 万枚化、親会社にあたる CR マイクロは 20 年と重なってしまい、200mm ラインの立11年に3.5万枚に拡張した。その後、フ2 月、中国版ナスダックと呼ばれる新ち上げは見送られた。この間、北京市

ァブ 2 は最大積載能力の月産 7 万枚に興ハイテク企業向け株式市場の科創板に150mm対応のファブ3を立ち上げつ到達した。に株式上場した。この調達資金の一部

つ、200mm 工場の投資の機会をうかがを使い、グループ傘下の CSMC などのった。中国科学院微電子研究所と合弁事業を運営している。

で北京市に立ち上げたファブ3（月産能CSMC の 150mm 工場は 10 年、月産無錫のファブ 5 に製造装置を移設した。 能力6万枚（ファブ1）と月産能力3万枚新会社「CR ルンポン（潤鵬半導体）」を（ファブ 5）の生産規模に到達。11 年は設立した。24年に生産ラインを立上げ、合計 11 万枚に拡張し、これで拡張余地

25 年末に月産能力 4 万枚化を計画してがなくなり、また150mm対応の中古装CSMCは07年、200mm工場のプロジェクトを再開した。ハイニックスの無9イン置の入手も困難となり、150mm 工場の能力拡張は止まった。
ファブ1はデザインルールが0.5μmの売却を検討し、CSMC はこの装置一以上、ミックスドシグナル、BiCMOS、CSMC は、1998 年に無錫市の半導体式を購入。CSMC は 08 年 4 月、無錫ハBCDを生産。ファブ5は08年に華潤晶メーカーの華晶グループの生産設備

イニックスから開発用にミニラインを芯から買収した工場で、デザインルー（125mm、150mm 生産ライン）を利用導入し、200mm 対応での技術開発に着ルが 0.5μm 以上、バイポーラ、DMOS、し、まず125mmウエハー対応の半導体手した。08年11月から200mm対応装MOSFETを生産している。CSMCは05製造を始めた。その後、華晶微電子と合置の大半が無錫ハイニックスから搬出

年の DMOS 開発以来、150mm 工場で8第 章錫工場が DRAM 製造の 200mm ライン

7第 章

300mm 工場を建設する。そのためのいる。

6章

力 2 万枚）は、09 年前半に生産を停止し、5

第応のファブ 2 の建設を始めた。ファブ章

維持していもようだ。

第なり老朽化していて、月産能力 5 万枚

章だったので改造が必要だった。
また、か参入を計画し、04 年 8 月に 200mm 対第その後、CSMC は 200mm 製造への1 万枚。2018 年以降はこの生産体制を

4章

しかし、無錫ハイニックスから購入

150mm 工場は 11 万枚、125mm 工場は

CR マ イ ク ロ は 広 東 省 深 圳 市 に章中国の半導体 IDM 企業グループの9第10章

第8章

中国企業の事業戦略443

書 名 ..................半導体産業計画総覧 2023-2024 年度版
体裁・頁数 ...........A4 変形判 オフセット刷り 564 頁
定 価 ..................31,900 円（税込）
発刊日 ..................2023 年 9 月 11 日

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