「結晶加工と評価技術第１４５委員会」活動状況報告⑴

設置年月：昭和52年10月⑵

委員長名（所属職名）：柿本浩一（九州大学・教授）（期間：平成29年10月～現在に至る）⑶

委 員 数：70名（学界委員45名・産業界委員25名）

１．委員会趣旨・目的

委員数17名），意見交換会

IoTに代表されるような高度情報化社会を支える(2) 第153回研究会「最先端ゲッタリング技術の研超LSIや半導体レーザー等の半導体デバイスは，大究開発動向」，2017.7.21，明治大学駿河台キャンパ型で高品位な結晶育成技術と微細で精密な加工・評ス、講演7件，参加者数53名（内、産業界委員数11

価技術の発展により高性能で安価なデバイスを社会名），意見交換会に供給してきた．しかし，並列化による高速化と3(3) 第154回研究会「X線を用いた先端材料評価技術

次元の高集積化が進化した結果，従来技術の延長で－ウェーハ評価からナノスケールイメージングまは解決できない多くの困難な問題が顕在化してきてで」，2017.8.29，明治大学駿河台キャンパス，講演いる．翻って社会に目を向けると，環境・エネルギ

6件，参加者数33名（内、産業界委員数9名），意見

ー問題に対応するために高性能かつ安価な太陽電池

講演会や低損失電力デバイスの開発が加速されてきてお(4) 第155回研究会「IoTによる結晶・薄膜と加工技り，革新的な結晶育成・加工技術の創出が重要であ術の可能性」，2017.10.18，明治大学駿河台キャン

る．こうした環境下において，確固とした基礎研究パス，講演6件，参加者数48名（内、産業界委員数に基づく産学連携研究開発の取り組みがますます重13名），意見交換会要になっている．

(5) 第 156研 究 会 「 先 端計 測 と 太 陽 電 池研 究 」，

本委員会は，シリコンならびに化合物半導体の2017.12.14，明治大学駿河台キャンパス、講演6

結晶育成とウェーハ技術の向上に資するため，新し件，参加者数37名（内、産業界委員数8名），意見交

い加工および評価技術の開発を行うとともに，研究換会者・技術者そして若者の交流の場を与えることを目(6) 第157研究会（第161委員会との合同研究会）的としている．

「次世代パワーデバイス開発における要素技術の進展」，2018.3.2，名古屋大学，講演6件，参加者数31

２．活動概要・実績名（内、産業界委員数13名），意見交換会・概要：研究会6回，幹事会5回，委員総会2回②学振の国際シンポジウム等開催経費援助への応募

・実績

実績（過去3年間）①研究会

平成27年:有り(平成28年度分)(1) 第152回研究会「SiCパワーデバイス：社会実装

平成28年:無し(平成29年度分)へ向けた現状と課題」，2017.6.5，明治大学駿河台

平成29年:有り(平成30年度分)

キャンパス，講演5件，参加者数54名（内、産業界③協力会の特別事業への応募実績（過去3年間）－1－

平成27年:有り(平成28年度分)(2) 第153回研究会「最先端ゲッタリング技術の研平成28年:無し(平成29年度分)

究開発動向」を7月21日に明治大学駿河台キャンパ

平成29年:有り(平成30年度分)

スにて開催した．撮像素子の高性能化のために，極④産業界のニーズを委員会活動に反映させるためのめて高いゲッタリング能力を付与されたウェーハが取組要望されている．本研究会では，ゲッタリングに関幹事会における委員会活動内容の検討において，するレビューから，酸素析出物あるいはイオン注入産業界委員（幹事）の意見を反映した．

欠陥によるゲッタリング技術，近接もしくは超近接⑤女性委員参画についての取組

ゲッタリング技術など（図2），最新の研究開発成果

幹事および委員として，それぞれ新たに1名の女に至る7件の講演について，活発な討議を行った．

性委員が参画した．

３．活動の成果
本委員会は平成 29 年度には，定例の研究会を 6回開催した．以下にその成果概要を記す．
(1) 第152回研究会「SiCパワーデバイス：社会実装へ向けた現状と課題」を明治大学駿河台キャンパスにて，6月5日に開催した．本研究会では，ポストシリコンパワー半導体材料として注目を集めている
SiCをとりあげ，社会実装の視点から現状技術と，本格的社会実装へ向けた課題を討論した．結晶欠陥

図2 金属ゲッタリング技術の概略図（ルネサスエレやデバイス・プロセス物理等に関する科学的な理解

クトロニクス 山口直氏の講演資料より）（図1），および製造技術に関する課題や，今後に求められる研究開発の方向性が確認された．

(3) 第154回研究会「X線を用いた先端材料評価技術－ウェーハ評価からナノスケールイメージングまで」を8月29日に明治大学駿河台キャンパスにて開催した．多波回折条件下でのX線明視野トポグラフ
ィや，実験室X線トポグラフによる転位の三次元観
察，放射光を用いたX線回折法や硬X線光電子分光法によるその場観察，放射光マイクロビームX線回折による局所歪構造分析やInGaN/GaN量子井戸構造評
価，高分解能X線顕微鏡の開発についての講演がなされ， X線材料分析評価における最先端技術の到達点が示された．

図1 SiCエピ成長における転位引継ぎの模式図（京(4)第155回研究会「IoTによる結晶・薄膜と加工技

都大学 木本恒暢教授の講演資料より）術の可能性」を10月18日に明治大学駿河台キャンパ－2－スにて開催した．圧電性結晶振動子（原理，機能，４．今後の活動方針

化学気相堆積測定例，将来性）や，窒化膜の原子層定例となっている研究会に関しては，2018年度はレベルエッチング，完全自動化平坦化CMP，結晶育5月に第158回研究会「ダイヤモンド結晶の加工およ成時の地震制振機構，クリーンルームの気流解析にび機能化技術SiCパワーデバイス」を開催する．さ関する講演が行われ，機器・設備のミクロからマクらに，7月には「Siの結晶成長，Grown-in欠陥と欠ロに及ぶ情報を相互に活用することによって生産シ陥 評 価」，10月 には 「ワイ ド ギ ャッ プ 半導 体β-ステムが革新される可能性（図3）が示された．

Ga2O3結晶育成と評価，デバイス応用の最前線」，12
月には「Si ULSIロジック，SOCの材料・デバイス・プロセスの最前線，その後「先端計測と半導体評価法の展開／微量・微小分析」をテーマとして企画し,わが国の半導体産業の更なる発展を目指して，結晶成長から結晶の加工と評価までの領域を網羅した産学連携を推進することに寄与していく．また，国際シンポジウムとして，第8回シリコン材料の科学と技術フォーラムを2018年11月18日(日)－22日(水)に岡山大学にて末岡浩治実行委員長のもと当委

図3 IoTによる結晶・薄膜と加工技術の可能性

員会主催にて開催し，第10回結晶シリコン太陽電池の科学と技術国際ワークショップを2018年4月8日(5) 第156回研究会「先端計測と太陽電池研究」を(日)－11日(水)に東北大学金属材料研究所にて，宇12月14日に明治大学駿河台キャンパスにて開催し

佐美徳隆実行委員長のもと当委員会協賛にて開催すた．先端計測により解明されるバンド構造，光励起る．さらには，国内シンポジウムとして，第6回パキャリア挙動，結晶粒界の原子構造，不純物偏析なワーデバイス用シリコンおよび関連半導体材料に関どの基礎科学的知見，ならびにデータ科学を駆使しする研究会を2018年12月17(月)－18日(火)に電力中た適応的マッピング技術を活用した太陽電池高効率

央研究所にて，土田秀一実行委員長のもと当委員会化の可能性が示された．

主催にて開催する．これらの研究会や国際シンポジ(6) 第157回研究会「次世代パワーデバイス開発にウムを適宜開催することにより，産学の有機的な情おける要素技術の進展」を第161委員会との合同研報交換や，海外の産学の研究者との交流，若者研究究会として，3月2日に名古屋大学にて開催した．次者が活躍・成長できる場を提供する．

世代パワーデバイスの開発と実装に関する講演が行

社会の本委員会への期待に応えるべく研究会のテ

われ，性能と信頼性の向上に向けた取組状況が紹介

ーマ選定に関して企業等にアンケートを実施するとされた．また，システム応用に関する講演が行わ

ともに，本委員会に参画する女性委員の意見を取りれ，デバイスに対する要求と期待が述べられた．デ

入れて，幅広い視点からタイムリーかつバランスのバイスを創る立場と使う立場からの意見が交換さとれた研究会のテーマ設定を行う．これらの活動をれ，社会実装に向けた課題と方向性が確認された．

通じて我が国の半導体電子産業のさらなる活性化・技術力向上に貢献することが期待される．

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