VOL.63
2008.AUG.
Quar t e r l y

発行所

発行者

サムコ株式会社
わら や
京都市伏見区竹田藁屋町36(075)621-7841
辻 理

編集・企画協力

アド・プロヴィジョン株式会社●表紙写真／花脊松上げ[花脊八桝町] 8月15日と ろ ぎ
洛北の山村に伝わる、高さ約20メートルの灯籠木をめがけて松明を投げ入れる火の祭典。真っ赤な放物線を描いて炎が飛び交う様子は迫力に満ちています。
（写真提供：土村清治さん／日本写真家協会会員）

「先端技術の啓蒙」「科学者、研究者と産業界の知識し始め、また技術力を広く認識して頂けるようになっ共有」をコンセプトに1988年6月に第1号を創刊しました頃でした。

た『SAMCO NOW』は、おかげさまで20周年を迎えその後、国内外で営業拠点を拡充し、研究開発センました。これもひとえにユーザーの皆様をはじめとすターや第2研究開発棟、英国のケンブリッジ･ラボラト

る読者の方々の温かいご支援の賜と厚くお礼申し上げ

リーなどを開設しました。また、2001年にはジャスダます。

ック市場へ株式を上場し、翌年に生産技術研究棟を完

誌面では、最新のニュースや製品情報、技術レポー成させるとともに生産用装置のラインナップの充実とトとともに、当社製品のユーザーであり日頃よりご指積極的な拡販に努め、2004年には「サムコ株式会社」

導頂いている大学、研究機関の先生方へのインタビュ

への社名変更、2005年の生産機事業部の新設、2006年

ー記事を掲載して参りました。取材等でご協力賜りまの製品サービスセンターの開設などを行い、生産機メした方々にも厚くお礼申し上げます。

ーカーとして着実に成長して参りました。『SAMCO

創刊の1988年は、日経平均株価が3万円台になったバ
ブル景気の年で、青函トンネルや瀬戸大橋が開通した

NOW』では、これらの情報をその都度読者の皆様にお伝えして参りました。

年でもありました。当社にとりましては創業から9年目

創刊20周年を迎え、より一層の誌面の充実を目指し、であり、前年には米国シリコンバレーにオプトフィル新しい試みにも積極的に挑戦したいと考えております。

ムス研究所を開設し、翌年には第1回パイオニアオブザ今後とも皆様方のご支援とご鞭撻を賜りますようお願

イヤー賞を受賞するなどグローバルな研究開発を展開い申し上げます。
代表取締役社長

辻理

仙台営業所移転のご挨拶
東北・北海道地方のお客様へのさらなるサービスの向上を目指し、仙台出張所を仙台市の中心地に移転、要員を増強し、去る6月16日に仙台営業所を開設致しました。
6月14日には岩手・宮城内陸地震に見舞われましたが、おかげさまで影響はほとんどなく、無事開設することができました。被災された方々には1日も早い復興を心よりお祈り申し上げます。
東北・北海道のお客様は増加の一途をたどり、何かとご不便をかけることもありました。本営業所の開設を機に、お客様のニーズにさらに迅速かつきめ細やかに対応できるよう一層努力を致します。何とぞご愛顧とお引き立てを賜りますようお願い申し上げます。

Information 2

新住所

東京支店 支店長

中川 雅文

仙台営業所 所長

平松 隆則

〒980-0804 仙台市青葉区大町2-10-14 パークサイド21ビル4階
TEL 022-343-9920

FAX 022-343-9921

千葉大学 大学院工学研究科人工システム科学専攻 教授

吉川 明彦 先生
●プロフィール
1947（昭和22）年 埼玉県生まれ
1969（昭和44）年 千葉大学工学部電気工学科 卒業
1971（昭和46）年 千葉大学大学院工学研究科修士課程 修了
東京工業大学工学部電子物理工学科 助手
1976（昭和51）年 千葉大学工学部へ異動
1977（昭和52）年 工学博士（東京工業大学）
1981（昭和56）年 千葉大学工学部 助教授
1990（平成 2）年 千葉大学工学部（現工学研究科） 教授
1999（平成11）年 千葉大学電子光情報基盤技術研究センター長
北京大学物理学科 客員教授
2006（平成18）年 日本学術振興会ワイドギャップ半導体
光・電子デバイス第162委員会委員長
2008（平成20）年 応用物理学会 フェロー

今回のSamco-Interviewは、千葉大学を訪ね、大学院工学研究科人工システム科学専攻の吉川明彦先生に高機能光デバイスのご研究などのお話を伺いました。
高機能光デバイスのご研究についてご紹介いただけますか。
窒化物半導体であるInN（窒化インジウム）を利用した新規構造光デバイスの研究を中心に行っています。GaN（窒化ガリウム）のバリア層の間にInNを1分子層分ずつ入れた多重量子井戸構造によるLEDやレーザ、超高速光変調デバイスの実現などを目的としています。
In極性やGa極性の+C極性成長、高温成長、広いプロセスウインドウを持つ非混和システム、自己規則化、自己停止機構などの特徴を活かして、高完全性のナノ構造を作り上げることができ、ターゲットとして緑色領域までの窒化物系半導体レーザの開発を目指しています。
ご研究を始められたきっかけと経緯についてお聞かせください。

Samco-Interview 34・

私は修士の研究でCdTe（カドミウムテルル）というⅡ-Ⅵ族化合物半導体の発光素子を液相成長で作りました。これは赤外発光素子のため肉眼では見ることができませんでしたが、結構よく光りました。ちょうどその頃に、可視光のGaP（ガリウムリン）の赤色LEDが出てきて発光デバイスに強い興味を持ちました。
その後、東工大でⅡ-Ⅵ族化合物半導体のCdS（硫化カドミウム）の結晶成長の研究を行い、非常にきれいなファセットができるなど、光物性とともに結晶成長にも魅せられてしまいました。当時、赤や緑の発光素子はGaPで作れるようになってきましたので、青色発光素子が次の目標になり、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導体での研究開発に取り組み始めました。千葉大に戻ってからは、日本では先駆的にⅡ-Ⅵ族用のMOCVD装置およびエキシマやアルゴンイオンレーザを使った光CVD装置を手作りし、光励起プロセスやMBEを含むエピタキシと光デバイス開発の研究を始めました。ZnSe（セレン化亜鉛）系の青緑色レーザをMBEで作りましたが、しだいにGaNを中心とした窒化物系半導体が台頭し、最終的にZnSe系Ⅱ-Ⅵ族半導体では寿命が持たないということで、窒化物系のワイドギャップ半導体に主力を移しました。ZnSe系と窒化物系の大きな違いは、窒化物系は六方晶であるためC軸方向に結晶反転対称性がないことです。そして、窒化物系半導体は結晶成長や物性が結晶極性に大きく影響されることに興味を持ち、極性に着目したGaNやInNの研究を始め、最近は1分子層のInNをGaNマトリクス中に+C極性で成長させた高い構造完全性を持つ光デバイスの研究を主要な研究課題の一つとして行うようになってきました。
昨年度で終了しました科学技術振興機構のCREST（戦略的創造研究推進事業）の研究成果についてご紹介いただけますか。
CRESTの研究は、「InN系窒化物半導体ナノデバイス／ナノプロセスの分子線エピタキシによる新展開」というテーマで、InN系窒化物半導体での極性制御をベースに、InNの特徴を活かしたナノ構造デバイスを作り上げ、それに必要なナノプロセスも開発することを目的に、平成14年度から足かけ6年間、今年の3月まで行いました。研究を始めた頃はエピタキシ制御も難しい状況でした。GaN系窒化物系半導体のエピタキシでは、一般に結晶極性はGa極性（+C）がよいと思われていましたが、極性転換や極性制御の研究から、我々はInNについてはN極性（−C）の方がIn極性（+C）より結晶成長温度を100℃高くできることを見出しました。光デバイスを作製するためには、窒化物系半導体どうしで多層ヘテロ構造を作る必要がありますので、例えばGaNとInNを同じ温度で成長させることが重要です。そして、高温成長が可能なN極性の方だと、InNをGaNと同じ温度でデバイス構造を作製できるということを我々のアイデアの一つとしてCRESTで提案しました。エピタキシ制御を2年ほど行い、結晶極性の影響やコヒーレント成長の程度を調べる中で、当研究室の助教の崔さんの発案で、In極性あるいは+C極性成長を検討し、成長可能温度は低いが、非常に平坦性の高い膜ができやすいということがわかりました。
我々のターゲットの一つは、数分子層の非常に薄いInNを創製することでしたので、表面の平坦性あるいは界面の平坦性･急峻性が極めて重要です。それで+C極性の検討を始めました。
InNとGaNでは格子不整合が11%もあります
が、よく調べてみますと、1分子層程度であるとコヒーレントに成長することがわかりました。コヒーレントに成長すれば、結晶格子不整合に起因する欠陥が原理的には発生しませんので、完全性の高いヘテロ構造あるいは超格子構造ができます。一方、In極性ではN極性よりも温度が低く、実際には500℃くらいが限度ですが、1分子層ではInの結合しているNがGaと強固に繋がっており、そのマトリクス効果によって１〜2分子層程度までであればかなり高温で成長できると考え、実際に700℃近くの高温成長に成功しました。非常に薄い1分子層のInNをGaNに挟み込んで構造完全性の高いものを作っているので、発光デバイスにすると非常に高効率の発光が期待できます。この
１分子層InN井戸層の提案と実証がCRESTの研究成果の一つです。
もう一つの研究成果は、InNのP型半導体の実現です。InNはN型半導体になりやすく、P型が実現できるかは危ぶまれ、実際には不可能ではないかとも思われてきました。我々は結晶成長制御を厳密に行い、残留電子の起源を調べ、それを極限的に減らすことに成功しました。Mgの添加濃度を非常に広い範囲で変えたサンプルを作り、電気化学的C-V特性で精密に評価しました。その結果、1×1018/cm2から3×1019/cm2くらいまででP型に反転することがわかり、P型化が実現できました。さらにそれよりも不純物を増やしていくとInNの本来の物性を反映して、オーバードープによる欠陥がドナになり、再びN型に戻ることを見出しました。また、正孔の移動度も初めて伝導特性から求めました。さらに、GaNがそうです
が、−C極性と+C極性では−Cの方が不安定で、容易に+Cに反転します。一方、+Cから−Cへの転換もいくつか例があり、Mgを過剰添加すると転換します。同様なことを我々はInNでも初めて見出しました。これらのInNのP型伝導実現と関連物性の精密評価がCRESTの大きな研究成果であると思っています。
サムコの装置はどのようなことにご使用いただいていますか。
随分昔にECR装置を購入しました。その後、ICPやRIE、プラズマCVD装置等を購入し、いくつかのグループと共同で使っています。1分子層のInNでは、レーザのデバイス構造でエッジのシャープなキャビティーを作る必要があり、その加工にICPエッチング装置を使っています。また、電極の作製での絶縁膜形成にプラズマCVD装置を使っています。CVD装置もICPエッチング装置も私たちの研究グループだ
けではなく他の研究グループもSAWデバイスや光導波路の作製に使っていますので、稼働率はかなり高くなっています。
今後のご研究の展望について教えてください。
1分子層のInNとGaNのマトリクス構造に関しては、特性や完全性の非常に高い構造が実現できていますので、目標である緑色の窒化物レーザダイオードを作る見込みはある程度つけられそうな感触を持っています。しかし、この発光特性の解釈は非常に難しく、実際に作る構造と光物性の合致的理解や光デバイスとしての展開のためにはどうすればいいかということがあります。幸い、当研究室のグループだけではなく世界中でこのデバイス構造に興味を持たれている方が多いので、最適なコラボーレーションのチームを作って光デバイスとして展開させていくことができればう
れしいと思っています。
産官学連携についてはどのようにお考えでしょうか。
私自身、千葉大学が産官学連携を始めたときのイニシエーターの一人であると自負しております。具体的には、ベンチャービジネスラボである電子光情報基盤技術研究センター

崔成伯助教（左はICPエッチング装置）の立ち上げに携わりました。その関係でもサムコさんの辻社長がベンチャーの先駆けとして活躍されてきたことを知っています。また、千葉市の産業振興財団でベンチャーカップの審査員を長年務め、千葉銀行のひまわりベンチャーにも協力しています。また、日本学術振興会のワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会の委員長を仰せつかっておりますが、これはまさに産官学の協力や連携を推進するための組織です。このようなところで今後も少しずつでも努力していくつもりです。ただ、文科省は大学発ベンチャーに強く期待していますが、非常に能力がありいいアイデアを持った大学の先生が、ベンチャーを立ち上げたことによってその会社の運営に追われてしまい、疲弊されている例も少なからず見ています。大学や大学教員が産官学連携やベンチャー立ち上げで貢献することは基本的には必要だと思いますが、どういう形で取り組むかはよく考える必要があると思っています。
先生のご趣味についてお聞かせください。
10年ほど前にテレビで紹介されていたのがきっかけで、サイクリングを始めました。非
常に爽快で、研究室の学生も誘って楽しんでいます。研究室の行事として、1年に最低1回は片道30kmほどの佐倉まで行ってバーベキューをしており、つい先日も楽しんできたところです。また、あまり自由な時間がありませんが音楽鑑賞が好きで、研究は半導体ですが、真空管のアンプと少し大きなスピーカーで楽しんでいます。
最後にサムコに対して一言お願いします。
サムコさんの装置はコンパクトな設計でありながら高性能で使いやすく、また、国内外の大学などでも皆さんが便利に使われている様子を拝見しています。学生たちが使っても非常にわかりやすく、インターロックにも気を使っていただいて、ユーザーの立場に立った装置を提供されているといつも感じています。
お忙しいところ貴重なお時間をいただき、誠にありがとうございました。

15
京都の西山は、北山や東山ほど著名な寺院は多くありませんが、昔ながらのひなびた農村や竹林に古寺が点在する歴史的自然景観に恵まれた場所です。今回は、緑豊かな西山で味わい深い手作りの京漬物や佃煮、季節の新鮮な野菜を販売されている名店『よしみねの里』さんを訪ねました。
また、西山の朝掘り筍を使った佃煮も大人気です。京都の筍は白く柔らかいため珍重されていますが、特に西山は土壌に恵まれており、手入れの行き届いた竹林に生える筍は最高級品といわれています。山椒の実とともに煮込まれたものや昆布と合わせたものなど数種
よし みね でら

京都市街を見下ろす西山の善峯寺は、類あり、筍を生から扱う専門店ならでけいしょういん

徳川五代将軍綱吉の生母桂昌院 ゆかり

はの素材の持ち味を最大限に生かしたの名刹です。伽藍を取り巻く春の桜や絶品揃いです。
ぼ たん

さ つき

あ じ さ い周囲の山々に溶け込む秋の紅葉は圧巻

桜や紅葉のほか、牡丹、皐月、紫陽花で、JR東海の京都誘客キャンペーンのなどでも知られる善峯寺。よしみねのテレビコマーシャルにも使われました。

里さんでは、店内で筍料理や松茸ご飯

よしみねの里さんはその善峯寺に向かなど季節の味を楽しむこともできます。

う静かな山間の参道にあります。

京都に来られることがあれば、ぜひ善よしみねの里さんは、もともと平安峯寺を参拝し、豊かな自然に囲まれた神宮の近くで京漬物のお店を出されてよしみねの里さんで昔ながらの手づくいましたが、近所の八百屋さんが廃業作りの味を楽しまれてはいかがでしょ

される際にその業務も引き継ぎ、野菜うか。の販売も始められました。そのため筍の産地である西山とつながりができ、その後、善峯寺の名誉住職ともご縁ができたため、30年ほど前にこの地に移られたそうです。

■よしみねの里
京都市西京区大原野小塩町703
TEL 075（331）5521
FAX 075（331）5529
http://www.yoshiminenosato.com/

旬の京野菜を販売されているだけあり、厳選された新鮮な材料を用いて手N

洛西口駅
向物 東 日
集 向 町
女 日 駅 Ｊ
Ｒ街 駅

作りで味わい深い京漬物を作られています。夏の人気商品は、さわやかな風味の若芽生姜の甘酢漬けです。冬の代

よしみねの里

表商品は、珍しい紅白の千枚漬です。
れた聖護院かぶらと赤かぶを最高級の・日高昆布でじっくりと漬け込んだ、色la carte 5A

地元の洛西の農家で丹精込めて栽培さ・

よしみねGC
善峰寺

向日善峰

道線
阪急
京都線

西向日駅

鮮やかな逸品です。
※ 京の漬物シリーズは「京都銀行」のご協力でお店の紹介を行っております。

東海道
本線

会会期場

9月9日（火）〜11日（木）Taipei World Trade Center（台北）ブースNo. 606

来る9月9日から11日までの3日間、台北国際展示場で適なBoschプロセス専用高速シリコンディープエッチン

SEMICON Taiwanが開催されます。750以上もの出展

グ装置や絶縁膜形成で実績が豊富なLS-CVD 装置を中社と40,000人近くの来場者が見込まれる台湾最大のマ心に、欠陥解析用のドライエッチング装置や後工程用イクロエレクトロニクス分野の展示会です。のドライ洗浄装置などを紹介する予定です。

当社は、3次元LSIプロセスでのビアホール形成に最去る6月11日から13日までの3日間、アジア最大規

ルネードICP エッチング装置を中心に、新製品の模の光エレクトロニクス分野の国際総合展示会の一窒化ガリウム膜形成用MO-CVD装置やパッシベーつであるPhotonics Festival Taiwan 2008が台北国

ション膜形成用CVD装置などの化合物半導体プロ際展示場で開催されました。

セス向けの製品群を最新の技術データとともに紹介

当社は、その中のOPTO Taiwanに出展し、LEDし、多くの来場者から引き合いを頂きました。

用各種化合物の高精度エッチングで実績が豊富なト

北米最大のセミコンショーであるSEMICON

ープエッチングを行うBoschプロセス専用ICPエッチWestが、去る7月15日から3日間、サンフランシスング装置やプラズマCVD装置、UVオゾン洗浄装置

コのモスコーニセンターで開催されました。今回は、などを最新の技術データとともに紹介しました。

世界的な太陽電池への関心の高まりを背景に、関連のセミナーや会議が多く開催され、また展示も目立ちました。
当社は海外市場の開拓や拡大を積極的に進めており、北米市場でも化合物半導体関連の製品を中心に受注を堅調に伸ばしています。本展示会では、青色LED用の窒化ガリウムをはじめとする化合物半導体の高精度エッチングで実績が豊富なトルネード
Information 6

ICP エッチング装置を中心に、シリコンの高速ディ