正誤表
この製品のデータシートに間違いがありましたので、お詫びして訂正いたします。
この正誤表は、2023 年 4 月 24 日現在、アナログ・デバイセズ株式会社で確認した誤りを記したものです。
なお、英語のデータシート改版時に、これらの誤りが訂正される場合があります。
正誤表作成年月日： 2023 年 4 月 24 日
製品名： ADuM4195-1
対象となるデータシートのリビジョン(Rev)：Rev.0
訂正箇所：1 ページ、左の特長の段、上から 4 項目の内容【誤】► 低ゲイン誤差および低ゲイン・ドリフト：±50.5%（最大値）
および±42 ppm/°C（最大値）► ±0.5%（最大値）および±42 ppm/°C（最大値）【正】► 低ゲイン誤差および低ゲイン・ドリフト：±0.5%（最大値）
および±42 ppm/°C（最大値）

本社／〒105-6891 東京都港区海岸 1-16-1
ニューピア竹芝サウスタワービル
電話 03（5402）8200
大阪営業所／〒532-0003 大阪府大阪市淀川区宮原 3-5-36
新大阪トラストタワー
電話 06（6350）6868

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データシートADuM4195-1
固定ゲインおよびシングルエンド出力のアイソレーション・アンプ
特長

アプリケーション► 絶縁型電圧測定に適した高インピーダンス入力► インバータ► 固定ゲイン：1► DC/DCコンバータ► 低オフセット誤差および低オフセット・ドリフト：±5mV（最大値）（25°C）および−22µV/°C（代表値）► オンボード・チャージャ

概要► 低ゲイン誤差および低ゲイン・ドリフト：±50.5%（最大値）
および±42 ppm/°C（最大値）

ADuM4195-11は、アナログ・デバイセズのiCoupler®技術をベースにしたアイソレーション・アンプです。ADuM4195-1のオフセッ
ト誤差およびゲイン誤差は極めて小さいため、多くの絶縁型電圧検出アプリケーションに最適です。

► ±0.5%（最大値）および±42 ppm/°C（最大値）► 電源電圧範囲► VDD1：4.5V～5.5V

寿命全体の電流伝達比が不確定で高温時に不安定なフォトカプ
ラ・ベースのソリューションとは異なり、ADuM4195-1の伝達関数は全寿命期間を通じて変化せず、-40℃～+125°Cの広い温度範
囲にわたって安定しています。

► VDD2：4.5V～5.5V► 帯域幅：210kHz► 絶縁電圧：5000V RMS► 安全性と規制に対する認定（申請中）

ADuM4195-1はUL1577に従い、最大5kV RMSのガルバニック絶縁能力があることが認定されています。

► UL認定：5000V RMSで1分間、UL 1577規格に準拠► CSA Component Acceptance Notice #5Aに準拠

ADuM4195-1は、沿面距離を増やしたワイド・ボディの小型8ピン
SOICパッケージに収納されています。

► VDE適合性認定► DIN V VDE V 0884-11（VDE V 0884-11）► VIORM = 1401V peak
► 広い動作温度範囲► −40°C～+125°Cの周囲温度で動作► 150°Cの最大ジャンクション温度► オートモーティブ・アプリケーション向けのAEC-Q100に適合

代表的なアプリケーション回路

図 1.

1

米国特許5,952,849、6,873,065、7,075,329により保護されています。その他の特許は申請中です。

Rev. 0
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データシート

ADuM4195-1

目次
特長 ......................................................................................................... 1

ピン配置およびピン機能の説明 .......................................................... 8

アプリケーション ................................................................................. 1

代表的な性能特性 ................................................................................. 9

概要 ......................................................................................................... 1

動作原理 ............................................................................................... 13

代表的なアプリケーション回路 ......................................................... 1

アプリケーション情報 ....................................................................... 14仕様 ......................................................................................................... 3

アプリケーションのブロック図 .................................................... 14

パッケージ特性 ................................................................................. 4

設計例 ............................................................................................... 14

適用規格（申請中） ......................................................................... 4

寄生容量の処理 ............................................................................... 14

絶縁および安全性関連の仕様 ......................................................... 4

DC精度と磁界耐性 .......................................................................... 14

推奨動作条件 ..................................................................................... 5

レイアウト時の考慮事項................................................................ 15

DIN V VDE V 0884-11（VDE V 0884-11）絶縁特性（申請中）.. 5

外形寸法 ............................................................................................... 16

絶対最大定格 ......................................................................................... 7

オーダー・ガイド ........................................................................... 16

熱抵抗 ................................................................................................. 7

評価用ボード ................................................................................... 16

ESDに関する注意.............................................................................. 7

オートモーティブ製品.................................................................... 16

改訂履歴1/2023—Revision 0: Initial Version

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ADuM4195-1

データシート仕様

VDD1 = VDD2 = 4.5V～5.5V、TA = TMIN～TMAX。特に指定のない限り、すべての代表仕様値は、TA = 25℃、VDD1 = VDD2 = 5 Vでの値です。
表 1. 仕様
パラメータ

テスト条件／コメント

最小値

VIN < VDD2

0.0

代表値

最大値

単位

VDD2

V

INPUT CHARACTERISTICS
Input Voltage Range
Input Resistance1

Input Capacitance

5

GΩ
pF

Input-Bias Current

−12

+12

nA

Input-Bias Current Drift

15

25

pA/°C

0.25

VDD2 − 0.7

V

−5.0

+5.0

mV

OUTPUT CHARACTERISTICS
Linear Output Voltage Range1
Output Offset Voltage

VOUT − VIN、TA = 25°C、VIN = 2.5V

Output Offset Drift

VIN = 2.5V、TA = −40°C～+125°C−22

Output Gain2

µV/°C

1

Output Gain Error

−0.5

+0.5

%

Output Gain Drift

−42

+42

ppm/°C

Output −3 dB Bandwidth
Output Delay
Output Rise and Fall Time
Output Noise
Signal-to-Noise Ratio (SNR)
Signal-to-Noise and Distortion (SINAD)
Ratio
Total Harmonic Distortion Plus Noise(THD + N) Ratio
Power-Supply Rejection Ratio (PSRR)

210

kHz

VIN = 1V～4Vの範囲で入力の50%から出力の50%までの時間
VIN = 1V～4Vの範囲で10%から90%までの時
間
100kHz超

3

µs

2

µs

540

µV RMS

200kHz超1

mV RMS

fIN = 1kHz、帯域幅 = 100kHz

69

dB

fIN = 1kHz、帯域幅 = 200kHz

64

dB

fIN = 1kHz、帯域幅 = 100kHz

57

dB

fIN = 1kHz、帯域幅 = 200kHz

56

dB

fIN = 1kHz、帯域幅 = 100kHz

−54

dB

fIN = 1kHz、帯域幅 = 200kHz

−56

dB

DC、VDD1 = VDD2 = 4.5V～5.5V

−60

dB

Output Resistive LoadkΩ

10Output Capacitive-Load
Common-Mode Transient Immunity(CMTI)3, 4

100
CMTI、|GND1 – GND2| = 1.5kV

100

150

VDD1

4.5

5.0

pF
kV/µs

POWER SUPPLYSide 1 Operating Range
Undervoltage Lockout (UVLO) Positive
Going Threshold
UVLO Negative Going Threshold
Side 2 Operating Range

5.5

4.2

V

4.0
VDD2

4.5

5.0

V

V
5.5

V

UVLO Positive Going Threshold

4.2

V

UVLO Negative Going Threshold

4.0

V

VDD1 = 5V、VDD2 < UVLO閾値

35Ω

VDD1 < UVLO閾値

3.7

kΩ

VOUT Impedance
Supply Current
IDD1

4.1

4.9

mA

IDD2

5.9

7.3

mA

VDD2

V

SHUTDOWN INPUT
Operating Range

0.0

VSHTD High

3.0

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V

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ADuM4195-1

データシート仕様
パラメータ

テスト条件／コメント

最小値

代表値

VSHTD Low

最大値

単位

2.2

V

1 1V～3.5Vの規定入力範囲で最適近似直線からの最大偏差が±1.25%の場合。
2 出力ゲインは、オフセット誤差調整後の、規定入力範囲での最適近似直線の傾きとして定義されます。
3 CMTI誤差は、2µs以上継続する100mVより大きな出力の乱れを表します。
4

設計および特性評価により裏付けられています。

パッケージ特性
表 2. パッケージ特性
パラメータ

記号

最小値

代表値

最大値

単位

テスト条件／コメント

RESISTANCE
RI-O

1013

Ω

Input-to-Output1

CI-O

2.2

pF

Input Capacitance2

CI

4.0

pF

Input-to-Output1
CAPACITANCE

1

デバイスは、2端子デバイスとみなされます。すなわち、ピン1～ピン8を相互に短絡し、ピン9～ピン16を相互に短絡します。

2

入力容量は任意の入力データ・ピンとグラウンド間の値です。

f = 1 MHz

適用規格（申請中）
表 3. 適用規格（申請中）
UL

CSA1

VDE2

Recognized Under 1577 Component
Recognition Program3

Approved under CSA Component Acceptance Notice #5A

Certified according to DIN V VDE V 0884-11

Single Protection, 5000 V RMS
Isolation Voltage, 8- Lead SOIC_IC

Basic insulation per CSA 62638-1-03 and IEC 62638-1, 600 V RMS (849
VPEAK) maximum working voltage
Reinforced insulation per CSA 62638-1-03 and IEC 62638-1, 900 V RMS(1273 VPEAK) maximum working voltage

Reinforced insulation, 1401 VPEAK, VIOTM =7000 VPEAK, VIOSM = 8000 VPEAK

File E214400

File 205078

1 動作電圧は汚染度2、材料グループIIIについて適用されます。
2 DIN V VDE V 0884-11に従い、それぞれのADuM4195-1には2627VPEAK以上の絶縁テスト電圧を1秒間加える耐電圧テストを実施しています（部分放電検出限界 =5pC）。デバイス表面のアスタリスク（*）マークは、DIN V VDE V 0884-11認定製品であることを示します。
3 UL 1577に従い、それぞれのADuM4195-1には、6000V RMS以上の絶縁テスト電圧を1秒間加える耐電圧テストを実施しています（電流リーク検出限界 = 5µA）。

絶縁および安全性関連の仕様
表 4. 絶縁および安全性関連の仕様
パラメータ

記号

Rated Dielectric Insulation Voltage

値単位

テスト条件／コメント

5000

V RMS

1分間持続

Minimum External Air Gap (Clearance)

L (I01)

8.3

mm min入力端子から出力端子までを測定、空気中の最短距離

Minimum External Tracking (Creepage)

L (I02)8.3

mm min入力端子から出力端子までを測定、ボディに沿った最短距離

Minimum Clearance in the Plane of the Printed
Circuit Board (PCB Clearance)

L (PCB)

8.3

mm minPCB実装面の空中で、入力端子と出力端子の間の最短直線距離を測
定

0.041

mm min絶縁体を介した絶縁距離

Minimum Internal Gap (Internal Clearance)

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ADuM4195-1

データシート
仕様
パラメータ

記号

値

単位

テスト条件／コメント

Tracking Resistance (Comparative Tracking Index)

CTI

>600

V

DIN IEC 112/VDE 0303、Part 1

Isolation GroupI

材料グループ（DIN VDE 0110, 1/89, Table 1）

推奨動作条件表 5. 推奨動作条件

1

パラメータ

記号

最小値

最大値

単位

OPERATING TEMPERATURE

TA

−40

+125

°C

SUPPLY VOLTAGES1

VDD1, VDD2

4.5

5.5

V

すべての電圧はそれぞれのグラウンドを基準とします。

DIN V VDE V 0884-11（VDE V 0884-11）絶縁特性（申請中）
これらのアイソレータは、安全限界データ範囲内の強化絶縁のみに適しています。保護回路を使用することで安全データを維持しやすくなります。パッケージのアスタリスク（*）マークは、1273VPEAK動作電圧のDIN V VDE V 0884-11認定を取得済みであることを示しています。
表 6. DIN V VDE V 0884-11（VDE V 0884-11）絶縁特性
内容

テスト条件／コメント

記号

特性

単位

Installation Classification per DIN VDE 0110
For Rated Mains Voltage ≤ 150 V RMS

I～IV

For Rated Mains Voltage ≤ 300 V RMS

I～III

For Rated Mains Voltage ≤ 400 V RMS

I～IIClimatic Classification

40/105/21

Pollution Degree per DIN VDE 0110, Table 1

2

Maximum Working Insulation Voltage

VIORM

1401

VPEAK

VIORM × 1.875 = VPD (M)、100%出荷テスト、
tINI = tM = 1秒、部分放電 < 5pC

VPD (M)

2627

VPEAK

VPD (M)

2102

VPEAK

VPD (M)

1681

VPEAK

Highest Allowable Overvoltage

VIORM × 1.5 = VPD (M)、tINI = 60秒、tM = 10秒、部分放電< 5pC
VIORM × 1.2 = VPD (M)、tINI = 60秒、tM = 10秒、部分放電< 5pC
トランジェント過電圧、tTR = 10秒

VIOTM

7000

VPEAK

Withstand Isolation Voltage

1分間持続定格

VISO

5000

V RMS

Surge Isolation Voltage

VPEAK = 12.8kV、立上がり時間1.2µs、50%立下がり時間50µs
故障発生時に許容される最大値（図2参照）

VIOSM

8000

VPEAK

Case Temperature

TS

150

°C

Safety Total Dissipated Power

PS

1.5

W

RS

>109

Ω

Input-to-Output Test Voltage, Method B1
Input-to-Output Test Voltage, Method A
After Environmental Tests Subgroup 1
After Input or Safety Test Subgroup 2 and Subgroup 3

Safety Limiting Values

Insulation Resistance at TS

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VIO = 500V

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データシート

ADuM4195-1

仕様

図 2. 熱ディレーティング曲線、安全限界値とケース温度の依存関係（DIN V VDE V 0884-11による）

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ADuM4195-1

データシート
絶対最大定格特に指定のない限り、TA = 25ºC。

表 9. 最大連続動作電圧

表 7.
Parameter

RatingSupply Voltages−0.5 V～+7.0 V

VDD1, VDD21

Parameter

RatingConstraint

AC Voltage Bipolar
Waveform
Basic Insulation

991 V RMS

Basic insulation rating per IEC
60747-17. Accumulative failure
rate over lifetime (FROL) ≤ 1000
ppm at 20 years.

830 V RMS

Rating limited by package
creepage per IEC 60664-1:2020 in
Pollution Degree 2 environment.

1401 V DC

Rating limited by package
creepage per IEC 60664-1:2020 in
Pollution Degree 2 environment.

830 V DC

Rating limited by package
creepage per IEC 60664-1:2020 in
Pollution Degree 2 environment.

Input Voltages−0.5 V～VDD2 + 0.5 V

VIN, SHTD1

Reinforced Insulation

Output Voltage−0.5 V～VDD1 + 0.5 V

VOUT1−11 mA～+11 mA

Output Current per Output Pin

DC Voltage Bipolar
Waveform
Basic Insulation

Temperature
Storage Temperature (TST) Range−65°C～+150°C

TA Operating Range−40°C～+125°C

TJ Range−40°C～+150°C−200 kV/µs～+200 kV/µs

Common-Mode Transients2
1

すべての電圧はそれぞれのグラウンドを基準とします。

2

絶縁バリアをまたぐコモンモード過渡電圧を表します。 絶対最大定格を超えるコモンモード過渡電圧は、ラッチアップまたは恒久的な故障の原因になります。

上記の絶対最大定格を超えるストレスを加えると、デバイスに恒久的な損傷を与えることがあります。これはストレス定格のみを定めたものであり、本規格の動作セクションに記載する規定値以上でデバイスが正常に動作することを示唆するものではありません。長時間にわたり最大動作条件を超えて動作させると、デバイスの信頼性に影響を与えることがあります。

Reinforced Insulation

ESDに関する注意
ESD（静電放電）の影響を受けやすいデバイスです。
電荷を帯びたデバイスや回路ボードは、検知されないまま放電
することがあります。本製品は当社独自の特許技術である ESD
保護回路を内蔵してはいますが、デバイスが高エネルギーの静電放電を被った場合、損傷を生じる可能性があります。したがって、性能劣化や機能低下を防止するため、ESD に対する適切な予防措置を講じることをお勧めします。

熱抵抗
熱性能は、PCBの設計と動作環境に直接関連します。PCBの熱設計には細心の注意が必要です。
θJAは、1立方フィートの密閉容器内で測定された、自然体流での周囲とジャンクションの間の熱抵抗です。θJCは、ジャンクションとケースの間の熱抵抗です。
表 8. 熱抵抗

1

Package Type1

θJA

θJC

Unit

RI-8-1

83

34

°C/W

熱電対はパッケージ下面の中央に設置されています。

最大連続動作電圧は、汚染度2の環境で絶縁バリアに加わる連続電圧の大きさを表します。

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ADuM4195-1

データシート
ピン配置およびピン機能の説明

図 3.ピン配置
表 10. ピン機能の説明
ピン番号

記号

説明

1

VDD2

サイド2の電源電圧（4.5V～5.5V）。VDD2とGND2の間に0.1µFのコンデンサおよび1µFのコンデンサを接続します。

2

VIN

オペアンプのバッファ入力。

3

SHTD

シャットダウン入力、アクティブハイ、プルダウン抵抗(代表値：100kΩ）内蔵。

4

GND2

サイド2のグラウンド・リファレンス。

5

GND1

サイド1のグラウンド・リファレンス。

6

NC

接続なし。ピン6はGND1またはVDD1に接続します。ピン6はフロート状態のままにしないでください。

7

VOUT

アナログ出力電圧。

8VDD1

サイド1の電源電圧（4.5V～5.5V）。VDD1とGND1の間に0.1µFのコンデンサおよび1µFのコンデンサを接続します。

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データシート

ADuM4195-1

代表的な性能特性

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図 4. VOUTオフセット電圧と温度の関係

図 7. 出力ゲイン誤差とVDD1の関係

図 5. 出力ゲイン誤差と温度の関係

図 8. 出力帯域幅と温度の関係

図 6. 出力ゲイン誤差とVDD2の関係

図 9. 出力遅延と温度の関係

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データシート

ADuM4195-1

代表的な性能特性

図 10. 出力遅延と電源電圧の関係

図 13. 出力ノイズ密度と周波数の関係

図 11. 出力の立上がり時間および立下がり時間と温度の関係

図 14. PSRRと周波数の関係

図 12. 出力の立上がり時間および立下がり時間と電源電圧の関係

図 15. 正規化したVOUTと負荷の関係

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ADuM4195-1

代表的な性能特性

図 16. 代表的な電源電流と温度の関係（VDD1 = VDD2 = 5.5V）

図 19. VINからVOUTへのゲインの分布（125°C）

図 17. 出力矩形波応答

図 20. VINからVOUTへのゲインの分布（-40°C）

図 18. VINからVOUTへのゲインの分布（25°C）

図 21. VINからVOUTへのオフセット電圧の分布（25°C、VIN= 2.5V
に対する出力オフセット電圧）

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ADuM4195-1

代表的な性能特性

図 22. VINからVOUTへのオフセット電圧の分布（125°C、VIN= 2.5V
に対する出力オフセット電圧）

図 25. VOUTの最大非直線性分布（125°C、最大非直線性はVINの入力範囲が1V～3.5Vの場合に絶対値で定義

図 23. VINからVOUTへのオフセット電圧の分布（-40°C、VIN= 2.5V
に対する出力オフセット電圧 ）図 26. VOUTの最大非直線性分布（-40°C、最大非直線性はVINの入力範囲が1V～3.5Vの場合に絶対値で定義）

図 24. VOUTの最大非直線性分布（25°C、最大非直線性はVINの入力範囲が1V～3.5Vの場合に絶対値で定義）

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ADuM4195-1

動作原理
ADuM4195-1は、アナログ・デバイセズのiCoupler®技術をベースにしたアイソレーション・アンプ（IA）です。IAの入力側は、入力用VINとアクティブハイのSHTDピンを備えたオペアンプで構成されています。直線性の高いパルス幅変調（PWM）は、オペアン
プの出力と内部電圧リファレンスを比較し、コアレス・トランスを通じて復調器にデューティサイクル（比）情報を伝達します。
IAの出力側では、復調器がこの比の情報と内部リファレンス電圧を用いて出力電圧を再構築し、この電圧がローパス・フィルタ処理およびバッファ処理されて出力ピンにVOUTとして表れます。これは固定ゲイン1でVINに従う値です。

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ADuM4195-1

データシートアプリケーション情報与えられたIDIVに対し、分圧器の最小入力抵抗RINは次式を満たす
必要があります。

アプリケーションのブロック図
図27に、ADuM4195-1を絶縁型電圧モニタとして使用する代表的なアプリケーションを示します。このアプリケーションは、優れた直線性、高い同相ノイズ耐性、低いゲイン誤差、および低い温度ドリフト性能を示します。これらの特長により、このアプリケ
ーションは、高電圧検出が必要な工業用アプリケーションに適した、堅牢で高性能なアイソレーション・アンプを実現します。
高電圧バスは、分圧器R1と分圧器R2を通じて検出されます。IAがユニティゲイン・アンプとして動作する場合、VOUTの電圧は、検出バス電圧に分圧器の比を乗じた値に等しくなります。VINピンの入力インピーダンスは非常に高いため、精度を下げることなく抵抗分圧器を流れる電流を小さく保つことができます。そのため、抵抗の消費電力を低く抑えられます。ただし、バス電圧が非常に高い場合、低入力電流向けに設計をする際には、PCBに生じ得る汚染も考慮する必要があります。また、分圧器R2に並列配置された保護素子（ダイオードやツェナーダイオードなど）が、分圧器の精度に悪影響を及ぼす可能性があるため、必要な温度範範囲全域で逆リーク電流を最小限にするものを選択する必要があります。そのような場合、図27に示す容量性の保護方法が、より現実的な手法となります。

RIN = (R1 + R2) > VBUS (max)/IDIV = 1kVDC/500µA = 2MΩ(4)

また、R1とR2の比は次式で表せます。
R1/R2 = (1/K) – 1 = 231.558 ... 254.814(5)

したがって、2個の1MΩ高電圧抵抗を直列に接続したものをR1に選択すると、R2は次式で計算できます。
R2 = 2 MΩ × K = 8.6 kΩ ... 7.82 kΩ(6)

入力バイアス電流（IBIAS）がある場合の分圧器の出力抵抗（ROUT）によりバイアス誤差の大きさが決まり、これがシステムの全体誤差に付加されます。バイアス誤差を防止するために、R1
およびR2を次式のように選択します。
ROUT = R1||R2 < 100kΩ(7)

先に計算したR1およびR2の値を用いると、ROUT = 2MΩ||7.82kΩ = 7.8kΩ,(8)となり、ROUTに対する制限を十分下回ります。

寄生容量の処理非常に高いバス電圧をモニタする場合、R1の寄生容量によって、VBUSでのスイッチング時にVINに過電圧スパイクが生じるリスクがあります。そのため、補償コンデンサC2をR2と並列に接続することを推奨します。分圧器の平坦な周波数応答に適した補償は、次式を満たすようにC2を選択することで実現できます。

図 27. ADuM4195-1を用いたDCバス電圧モニタリング

設計例

C2 = R1 × C1/R2

図27に示す代表的なDCバス電圧モニタリング・アプリケーション
では、次の設計手順を用いることができます。
表 11. 設計パラメータの例
Parameter

Value

Comment

VDD2 (min)5.0 VDC

Lowest VDD2 supply

VBUS (max)1000 VDC

Highest expected bus voltage

IDIV

500 µA

Limit power loss in divider to 0.5 W

VIN (max) = VDD2 (min) – 0.7V = 5.0V – 0.7V = 4.3 V(1)

VBUS (max)の所定最大値に対し、分圧器R1と分圧器R2の比1/KがVBUS (max)/VIN (max)より0%～10%大きくなるよう、1/Kを決定します。
1/K = (R1 + R2)/R2 = VBUS (max)/VIN (max)(2)

1/K = 1 ... 1.1 × (1000V/4.3V) = 232.558 ... 255.814(3)analog.com

C2の値は重要というわけではありませんが、VBUSでのスイッチ
ング時に生じるVINでの過電圧を抑えるには、計算値よりもわずかに大きな値を選択する必要があります。上述の設計例で、R1 =2MΩ、R2 = 8.6kΩ、C1の推定寄生容量を約10pFとすると、C2に必要な補償容量は、次式のようになります。
C2 ≥ 2MΩ × 10pF/8.6kΩ = 2.3nF

目的のシステムのVDD2 (min)を決定します。これにより、絶縁バリ
アを越えて直線的に伝達される最大VIN (max)が次式によって定ま
ります。

(9)

(10)

DC精度と磁界耐性
アイソレータ入力での正および負のロジック遷移により、狭いパルス（約1ns）がトランスを経由してデコーダに送られます。デコーダは双安定であるため、パルスによりセットまたはリセットされ、これによって入力のロジック遷移を示します。1µs以上にわたり入力にロジック遷移がない場合、出力のDC精度を確保するため、適切な入力状態を示す一連の周期的なリフレッシュ・パルス
が送られます。デコーダが、約3µs以上にわたり内部パルスを受け取らない場合、入力側は、通電されていないか機能していないとみなされ、その場合、ウォッチドッグ・タイマ回路により、アイソレータ出力は強制的にデフォルトの高インピーダンス状態にされます。更に、電力が増加してUVLO閾値を超えるまで、出力はデフォルトの高インピーダンス状態のままになります。

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ADuM4195-1

データシートアプリケーション情報
ADuM4195-1は、外部磁界に対する耐性を備えています。トラン
スの受信側コイルに発生する誘導電圧が、誤ってデコーダをセッ
トまたはリセットする値まで大きくなると、ADuM4195-1の磁界耐性が限界に達します。この状態が発生する条件は、次に示す解析によって求めることができます。ADuM4195-1の4.5V動作条件
は、最も感受性の高い動作モードであるため、検査する必要があります。デコーダは、外部磁界から誘導される最大1.6Vのノイズに耐えられます。50%のマージンを仮定すると、デコーダが安全に動作できるのは0.8Vの誘導ノイズまでです。受信側コイルの誘導電圧は次式で求めます。
V = (−dβ/dt) Σπ rn2, n = 1, 2, …, N

(11)

ここで、
βは、磁界強度（Gs）、
rnは、受信側コイルの巻き数n回目の半径（cm）、
Nは、受信側コイルの巻き数です。
ADuM4195-1の受信側コイルの形状と、誘導電圧がデコーダの閾
値1.6Vの最大50%という条件が与えられると、最大許容磁界を計算できます（図28を参照）

図 29. 電流とADuM4195-1の間の距離と最大許容電流の関係

レイアウト時の考慮事項
VDD1およびVDD2は、少なくとも1µFと100nFの並列に接続したコン
デンサを用いて、それぞれGND1およびGND2とデカップリングする必要があります。高いコモンモード過渡電圧が発生するアプリ
ケーションでは、絶縁バリアをまたぐボード結合を最小限に抑えてください。ADuM4195-1の仕様規定された絶縁性能を十分に利用するには、PCBの上面と底面の銅層はパッケージの下まで達してはなりませんが、ハンダパッド領域にまでは達している必要があります。デカップリング・コンデンサは電源ピンのできるだけ近くに配置します。推奨する部品の配置については図30を参照してください。

図 28. 最大許容外部磁界強度
例えば、磁界周波数= 1MHzで、最大許容磁界= 8kGsの場合、受信側コイルの電圧は0.8Vになります。これはデコーダの閾値の約50%であるため、誤った出力遷移は生じません。前述の磁界強度値は、ADuM4195-1のトランスから、所定の距離だけ離れた特定の電流値に対応します。図29に、選択された距離に対する周波数の関数としての許容電流値を示します。図29に示すように、
ADuM4195-1の耐性は高く、影響を受ける可能性があるのは、このデバイスの非常に近い距離に高周波数で動作する極めて大きな電流がある場合のみです。1MHzの例では、ADuM4195-1から5mm
離れた位置に20kAの電流を流さなければ、デバイスの動作に影響を与えることはありません。

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図 30. デカップリング・コンデンサ、グランド・プレーン
GND1、グランド・プレーンGND2の配置

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ADuM4195-1

データシート外形寸法

図 31. 沿面距離を増やした、8ピン標準SOP（スモール・アウトライン・パッケージ）［SOIC_IC］
ワイド・ボディ（RI-8-1）
寸法：mm
更新：2022年12月13日

オーダー・ガイド
Model1, 2

Temperature Range

Package Description

Packing Quantity

Package Option

ADUM4195-1BRIZ−40°C～+125°C

8-Lead SOIC (Increased Creepage)

Tube, 80

RI-8-1

ADUM4195-1BRIZ-R7−40°C～+125°C

8-Lead SOIC (Increased Creepage)

Reel, 400

RI-8-1

ADUM4195-1WBRIZ−40°C～+125°C

8-Lead SOIC (Increased Creepage)

Tube, 80

RI-8-1

ADUM4195-1WBRIZ-R7−40°C～+125°C

8-Lead SOIC (Increased Creepage)

Reel, 400

RI-8-1

1

Z = RoHS準拠製品。

2

W = 車載アプリケーション向けに性能を評価済み。

評価用ボードModel1

Description

EVAL-ADuM4195-1EBZ

Evaluation Board

1

Z = RoHS準拠製品。

オートモーティブ製品
ADuM4195-1Wモデルは、オートモーティブ・アプリケーションの品質と信頼性の条件に対応するよう管理された製造工程により提供されています。これらのオートモーティブ・モデルの仕様は商用モデルと異なる場合があるため、設計者はこのデータシートの仕様のセクションを慎重に検討してください。オートモーティブ・アプリケーション向けには、上記のオートモーティブ・グレード製品のみを提供
しています。特定製品のオーダー情報とこれらのモデルに特有のオートモーティブ信頼性レポートについては、最寄りのアナログ・デバ
イセズまでお問い合わせください。

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