VOL.37

発行所 （株）サムコインターナショナル研究所
わら や京都市伏見区竹田藁屋町361(075)621-7841
発行者 辻 理編集者 外山 真鍋 山口 山本

1999.NOV.
Quarterly

編集・企画協力 アド・プロヴィジョン株式会社

設立20周年特集号

mÜçíç●表紙写真／京都、嵐山もみじ祭。色とりどりの船が大堰川に浮かび、紅葉を背景に時代絵巻が繰り広げられます。
（写真提供：嵐山保勝会）

プラズマ材料科学賞受賞！

去る９月９日、サムコ社長の辻理は、日本学術振興会プラズマ材料科学第1 5 3 委員会鯉沼秀臣委員長より「新規なプラズマ堆積装置の開発とその応用研究」に関する業績が評価され、第２回プラズマ材料科学賞を受賞しました。

サムコ

ホームページのご案内

サムコでは、製品情報や最新ニュースを満載したホームページを開設しています。

http://www.samcointl.com

ぜひ一度ご覧下さい。（※現在は英文のみ開設しております。）

セミコン・ジャパン99開催●12月1日（水）〜3日（金）●幕張メッセにてブース 「2-B201」（前工程）「9-A509」（後工程）
来る1 2 月1 日から3 日まで、世界最大級の半導体業界の中心とした製品群の展示会「セミコン・ジャパン」が幕張メッセ国際展示場実機および最新の技で開催されます。昨年は、半導体業界も未曾有の厳しい術データを展示しま環境下にありましたが、世界25ヶ国より1,517社の出展がす。また後工程のあり、出展者数としては過去最高を記録しました。本年ホール9には、BGAな度は、半導体産業が復活し、2 1 世紀を牽引する産業へとどのプラスチック飛躍することを願い、「輝けSEMICON!! 来るミレニア

パッケージの信頼性改善に優れた効果を発揮するプラムへ

ズマドライクリーナーのバッチ式装置や自動量産装置〜力強く、希望あふれる半導体産業に…〜」というテーマを掲げています。などの展示を行う予定です。

サムコは、前工程のホール2 には、独自のトルネードコ皆様のご来場を心よりお待ち申し上げております。

イルを採用し、高密度プラズマを効率よく発生させるこ※ICP-CVD装置については6ページのテクニカルレポーとが可能なICP‐CVD装置やICP‐エッチング装置などをトをご覧下さい。

サムコが出展する展示会の予定
期間

1999年 11月24日〜26日

展

示会（1999年11月〜2000年2月）
名会

場

Information 2

マイクロメカトロニクス展示会

名古屋市工業研究所

12月 1日 〜 3日

セミコン・ジャパン99

幕張メッセ

12月 8日 〜10日

'99実装プロセステクノロジー展

幕張メッセ

半導体パッケージング技術展（インターネプコン・ジャパン2000）

東京ビッグサイト

SEMICON

COEX（ソウル）

2000年 1月 19日 〜21日
2月 15日 〜17日

Korea2000※招待券等のお問合せは、各営業担当者までお願いします。

サムコ設立20周年記念式典
おかげさまでサムコは今年9 月で設立2 0 周年を迎えることができました。これを記念して7 月の東京簡易保険ホール（ゆうぽうと）での薄膜セミナーをはじめとして、20周年記念誌の発行などさまざまな記念事業を行ってきましたが、これら一連の事業の締めくくりとも言うべき「2 0 周年記念式典」が9 月2 5 日、京都パークホテルで開催されました。サムコが日頃からお世話になっている取引先、大学、官庁、各種団体の方々にもご出席いただき、式典は盛大にとり行われました。
式典は2 部構成で、第1 部は記念講演会として環境分析機器て下さったジャズバンド「ザ・ドリームチーム」により、の世界的企業である株式会社堀場製作所会長の堀場雅夫様にデューク・エリントンの懐かしい名曲からマイルス・デイビ「2 1 世紀の夢」というテーマでご講演いただきました。会社

スまでバラエティーにとんだ数々のジャズナンバーが演奏さ経営での体験談を交えながら来るべき2 1 世紀に必要とされるれ、会はクライマックスを迎えました。名演奏のあと、サムことなどをユーモアたっぷりにお話いただき、会場が爆笑でコ・オプトフィルムス研究所（米国カリフォルニア州）所長溢れる一幕も見られるほど盛り上がりました。のテッド・ワイデバンからの中締めの挨拶に続き、サムコ取第2 部の記念祝賀会では、サムコ代表取締役社長の辻理からの挨拶のあと、京セラ株式会社専務の森篤様、S E M I ジャパ

締役東京営業部部長の石川詞念夫からの閉会の挨拶で、ジャズの余韻の覚めやらぬなか式典は幕を閉じました。

ン代表の内田傳之助様からご祝辞をいただき、立命館大学副おかげさまで大盛況のうちに閉会することができました。

学長の濱川圭弘様による乾杯のご発声を皮切りに、食事、歓ご多忙中にもかかわらず、ご出席いただいた多数のお客様に談が始まりました。中盤にはアメリカからお祝いに駆けつけは心よりお礼申し上げます。

記念講演会

ご祝辞を下さった京セラ株式会社専務の森篤様（左）とSEMIジャパン代表の内田傳之助様

お客様を待ち受ける社長の辻理ほか
役員一同
ユーモアあふれる堀場雅夫様のお話に会場が爆笑の渦に包まれる一幕もに 立よ 命る 館
乾 大杯 学の 副
ご 学発 長声 の濱川圭弘様記
念祝賀会

Information 3・4

ベテラン・ジャズバンドの名演奏にも花を添えていただきました20年間の感謝を込めた祝賀会
心ゆくまでお楽しみいただけたでしょうか式
典について報道した
日
本
工業
新聞の記
事

︹平成11年10月１日付︶

式典にご参加いただいた方々のご感想
SEMI(半導体製造装置、材料の世界的アド・プロヴィジョン株式会社の白山様団体)ジャパン代表の内田様
サムコさんの2 0 周年にふさわしく、独特の趣向が凝らされた素晴らしい堅実さと自由で新鮮な空気が一つに2 0 周年レセプションでした。アメリカなったような趣の記念式典で、お祝いからのジャズバンドの演奏もあり、社もそこそこに目一杯楽しませていただ

長の国際性や一つの物事にとらわれなきました。中でも印象に残っているのい幅の広さが感じられました。また、は、自らワインを仕入れてくださった

アメリカの研究所の方々がスピーチを

辻社長をはじめ、社員の方々からたいされる際、奥様を紹介されたことが普へん細やかなお心使いをいただいただ

段見かけられない場面として印象にいたことです。みなさん自身が式典を残っています。社員の方々の熱意や一楽しんでおられるようで、サムコさん体感も如実に表れていて、前途洋々での力の源にふれる思いがしました。こあるとつくづく感じました。

れからも、薄膜技術の世界に新しい風を吹き注いでくださることを期待しています。

サムコ設立20周年記念誌のご紹介

20th HISTORY & DREAM
サムコ設立20周年記念事業の一環として制作された記念誌「20th＆HISTORYDREAM」。20 年間のあゆみと将来への夢を一冊の本にまとめました。サ

ムコがお世話になってきたお客様やその他多くの方々へ感謝の気持ちを込めまして、その内容の一部をご紹介させていただきます。
記念誌の導入部分となっているのが時々の新製品やできごとを社員が語る「巻頭座談会」です。設立以来、サムエピソードを交えながら紹介していま

コはさまざまな出会いのなかで、多くす。の方々にお世話になりながら成長して「創業期」1979年から1984年まで…

きました。そんなエピソードを交えてガレージでの創業時のエピソード、現在までをふり返り、そして京都の産第1業や業界の未来についての話題へと、号機をはじめとするの初期の製品、東京営業所の開設などサムコ社長の辻理を囲んで、各界の「挑戦期」1 9 8 5 年から1 9 8 9 年まで…

方々に語り合っていただきました。座

1 9 8 7 年のオプトフィルムス研究所の談会には、創業期からお世話になって開設など海外進出や海外企業との提きた京都大学教授の藤田茂夫様、ベン携、社会貢献などの新たな挑戦につチャービジネスの育成に活躍されていいてる京都リサーチパーク株式会社常務取「躍進期」1 9 9 0 年から1 9 9 4 年まで…

締役の木村隆之様、特定フロンの無害1991年の研究開発センターと第2工場固定化の研究でお世話になった財団法の完成、営業拠点の拡充など大きく

人地球環境産業技術研究機構（RITE）躍進を遂げた頃のこと

専務理事の山口務様にご出席いただきました。

「発展期」1 9 9 5 年から現在まで…
不況下にあっても独創的な新製品をこのあと、サムコの基本技術である次々と市場投入し、発展を遂げる過薄膜技術のもとであるプラズマについ程と環境問題への取り組み、将来へてやさしく解説した「プラズマ入門講の展望など座」、サムコが薄膜技術を広く普及さ「2 0 年のあゆみ」のあとは、新聞なせるためにさまざまな分野の先生にごどに掲載され話題を集めてきたサムコ講演をお願いして開催し、今年の2 0 周の記事を紹介する「新聞掲載されたサ年記念セミナーで1 2 回を数えた「サムムコの話題」、サムコナウの1号から36

コ薄膜技術セミナー・ダイジェスト」号までの編集エピソードなどを綴ったへと続きます。

「サムコナウ3 6 号の思い出」、資本金Information 5

そして、「サムコ2 0 年のあゆみ」でや売上の推移、会社沿革、その他さまは、1 9 7 9 年9 月の会社設立からの2 0 年

ざまなサムコの現在の情報を掲載した間を4半期ごとに「創業期」、「挑戦期」、「資料編」などのコーナーを設けまし「躍進期」、「発展期」と分け、そのた。

ICP-CVDによるTEOS‐SiO2成膜●はじめに

図2 TEOS-SiO2高速成膜の埋め込み例

近年、半導体やオプトエレクトロニクス、マイクロマシンなどの製造プロセスにおいて高密度プラズマ装置が応用されつつある。I C P - C V D による成膜で期待される効果としては、高速、低圧、低温、低バイアスなどがあげられる。ここでは、現在開発中のICP‐CVD装置を用いてTEOS/O 2 によるSiO2成膜を試みた結果を報告する。

●装置の基本構成

最初に、高速S i O 2 の能力をみるため、いくつかのプロセス条件を振り、成膜速度の変化を探ってみた。その一例を

基板温度は室温から200℃まで可変でき、ガス導入のマニフォールドもいくつかのサイズがある。TEOSは恒温槽でタンク加熱により気化され、槽内でO2と混合される。TEOSラインは配管加熱を行い、チャンバーに導入される。ICPとバイアスは独立に印可することが可能である。

グラフに示す（図１）。成膜速度として4000〜5000Å/min以上の値が得られた。このSiO 2 膜の膜質をESCAで評価した
ところ、残留炭素成分の少ない膜になっていることがわかった。このあと、この条件で埋め込み特性を調べるため、A ê のライン＆スペースパターン上に成膜を行った。段差は、5000Å程度あり、ライン幅は3000Å程度で、スペー●実験および結果

ス幅は一番狭いところで0.7μm程度である。図2に成膜結果を示す。広いスペースでは、十分成膜できているが、狭い部分では、ボイドが発生していることがわかる。
次に、シリコンプロセスで行われる層間絶縁膜のギャップフィルを試みた。条件的には成膜圧力を下げ、バイアス電力を増加することで、成膜時のオーバーハングをスパッタしながら成膜を進めることで、成膜速度は低下するがボイドのない成膜が可能である。通常はSiH 4 /O 2 /Arベースで処理されるが、ここでは、TEOS/O2で行っている。図3がその成膜結果である。スパッタを伴う成膜に特有な三角形の形状が得られている。またそのまま、厚く積んでいくこと

図1

成膜速度のO2流量比依存症も可能で、3 μｍほど積んだ例が図3 に示してある。このボイドのない成膜は、そ図3 TEOS-SiO2 ギャップフィルの例のまま光導波路の埋め込みなどに適用できる可能性が高い。

Technical Report 6