ペガサスソフトウェア株式会社

プラズマ材料プロセス／希薄気体統合シミュレーションツール

Plasma Enhanced materials processing andrarefied GAS dynamics Unified Simulation tools

装置の設計・開発・改良・評価
材料、デバイスの開発・製造
プロセス技術の予測・開発・改良







Copyright 2002-2004 PEGASUS Software Inc., All rights reserved.

真空装置の中性粒子挙動解析
プラズマ装置（ＰＥCVD装置、ドライエッ
チング装置、マグネトロンスパッタ装置）
内のプラズマ挙動解析
荷電粒子ビーム解析

装置内のプラズマ挙動／
中性粒子挙動解析の効率化、実験および試作コストの軽減を目的とした支援シミュレータ







プラズマプロセス，真空技術におけるPEGASUSとは

2







プラズマPICモンテカルロモジュール（PIC－MCCM）
プラズマ・ハイブリッド・モジュール（PHM）
中性粒子DSMCモジュール（DSMCM）
中性粒子連続体モジュール（NMEM）
静磁場解析モジュール（MSSM）

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（RGS3D）

動的モンテカルロシミュレーションソフトウェア（SASAMAL）
スパッタリング・シミュレーション・モジュール（SPUTSM）
シース内モンテカルロ・シミュレーション・モジュール（SMCSM）

３次元希薄気体挙動解析ソフトウェア







表面科学系シミュレータ











２次元気相シミュレータ

PEGASUSの構成モジュール

3



1000

10000

入射エネルギー[eV]100

Ar -> Ni SASAMAL
H -> Ni SASAMAL$^4$He -> Ni SASAMAL
Ar -> Ni exp.
H -> Ni exp.
$^4$He -> Ni exp.

100000

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0.001

0.01

0.1

1

10

100

MSSM, PIC-MCCM, SPUTSM, DSMCMを組み合わせた例

スパッタリングシミュレーションの計算例

スパッタリング率4ユーザーインターフェイス GUIM

計算結果を簡単な操作で確認、検討できる（ポストプロセッサー）Copyright 2002-2004 PEGASUS Software Inc., All rights reserved.

ガス種、反応式、装置形状などの計算
条件を直感的な操作で指定できる（プリプロセッサー）PEGASUS専用のグラフィカルユーザー
インターフェイス（標準装備）



ユーザーインターフェイス GUIM

6







入力データ作成

モジュールの実行
停止
ログファイル出力



時刻歴データ
空間分布表示

ポスト処理







ジョブの制御

計算条件の設定

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PEGASUS／GUIM（メインパネル）

7

Copyright 2002-2004 PEGASUS Software Inc., All rights reserved.

ガス種、反応式の選択

8

Copyright 2002-2004 PEGASUS Software Inc., All rights reserved.

計算領域の設定
電極、誘電体、コイルそして磁石などの配置

9境界条件の設定
メッシュ分割Copyright 2002-2004 PEGASUS Software Inc., All rights reserved.

10

Copyright 2002-2004 PEGASUS Software Inc., All rights reserved.

制御パラメータの設定

11

ポスト処理Copyright 2002-2004 PEGASUS Software Inc., All rights reserved.

12

２次元気相シミュレータ概要











DSMCM
NMEM

PIC-MCCM
PHM

MSSM





DSMCM
NMEM

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ラジカル、解離種の密度分布等



静磁場





プラズマの密度分布等

バッファ（供給）ガスの流れ場

装置内の場を計算するモジュール群

２次元気相シミュレータ

14













プラズマ・ハイブリッド・モジュール （ハイブリッドモデル）

プラズマ PIC-MCC モジュール （粒子モデル）

中性粒子 運動量保存式 モジュール （流体モデル）

中性粒子DSMC モジュール （粒子モデル）



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静磁場解析モジュール

MSSM（Magneto-Static Simulation Module）



DSMCM（Direct Simulation Monte Carlo Module）



NMEM（Neutral Momentum Equation Module）



PIC-MCCM（Particle-in-Cell Monte Carlo Collision Module）



PHM（Plasma Hybrid Module）

２次元rzもしくはxy座標の装置形状に対して２次元気相シミュレータの構成モジュール

15

B

データベース・磁性体
・衝突断面積・反応レート定数

単体で使用可能MSSM

Ne

νe_momEMM

Ne

νe_mom
θ

Pabs

反復

Φ, Es
Np

PEM

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Ne, Ni, Φ, Es, Ve, Vi

PIC-MCCM

Eθ

Np

Es

EMCSM μ ,Dee
μi,Di ITCM
(EEDF)RRCM
Si
EEEM Ne, Es
PSM
DDEM
E
Es

Te,Se

PHM

２次元気相シミュレーション概略図

Nn

Sn

Nn,Vn

NMEM

Nn,Tn
Pn,Vn

DSMCM

16





ポアソン方程式モジュール（PEM）
ドリフト・拡散モジュール（DDEM）

イオン輸送係数計算モジュール（ITCM）
荷電粒子生成・消滅レート計算モジュール（RRCM）
誘導電界モジュール（ICPの場合）（EMM）



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DSMCM及びNMEMとのカップリングにより、荷電粒子だけではなく、バッファガス、ラジカル種の挙動も考慮した結合シミュレーションが可能です。

２次元直交座標または２次元円柱座標（軸対称）上で、上記モジュールを交互に用いながらプラズマの挙動を計算します。











電子モンテカルロシミュレーションモジュール（EMCSM）
電子エネルギー方程式解法モジュール（EEEM）
荷電粒子シミュレーションモジュール（PSM）

以下のモジュールで構成されています。



電子エネルギー分布関数は『粒子法』、もしくは電子エネルギー方程式により、電子温度を計算します。
荷電粒子の密度と流束は、ドリフト拡散モデルを用いて計算します。

PHMは、ガス圧またはプラズマ密度の高いプラズマの 挙動解析を得意とするモジュールです。





PHM

17





物理モデルが比較的簡単
シミュレーションの際に持ち込まれる物理モデ
ルの仮定や近似が少ない
計算精度が高い
電子もしくはイオンのみの荷電粒子挙動解析
も可能

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DSMCMとのカップリングにより、荷電粒子だ
けではなく、バッファガス、ラジカル種の挙動も考慮した結合シミュレーションが可能です。

といった利点があります。









PIC-MCCMは、ガス圧又はプラズマ密度の比較的低いプラズマ挙動解析を得意とするモ
ジュールです。電子とイオン共に『粒子法』でモデル化し、それぞれの受ける電磁力、衝突過程を忠実に追跡します。

PIC-MCCM

18





Pα = Rα ρα Tα∂ρα uα= −∇Pα + ∇ ⋅ µ (∇uα + ∇uαT )∂t+ ρα ∑α ν αβ (uβ − uα ) + Rα uα∂ρα= −∇ρα uα + Rα∂t

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プラズマ挙動解析モジュールとのカップリングが可能です。

NMEMは、電荷を持たないガス種の流れ場を求めるためのモジュールです。対象とする気体は理想気体であって連続体近似が成り立つと仮定し、各ガス種の質量保存則（連続の式）、運動量保存則（ナビエ・ストークス方程式）を解くことにより各ガス種の圧力場、密度場、および
速度場を求めます。空間の離散化には
有限体積法を用い、計算アルゴリズム
はSIMPLE法を圧縮性流体用に変形して用いています。

NMEM

19









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プラズマ挙動解析モジュールとのカップリングが可能です。

DSMCMは、気体分子運動論の支配方
程式であるボルツマン方程式を直接的に確率論的手法で解くDSMC法に基づき、希薄気体の中性ガスやラジカル種の挙動を解析するモジュールです。
気体の希薄度を示すKn（クヌーセン数）が大きな流れ場（ > 0.01、中間流、自由分子流）の解析を得意としています。
DSMC法は、原理的にKn < 0.01となる、気体の流れ場を解析できますが、計算量の問題からKn > 0.01での解析が実
用的です。

DSMCM

20









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MSSMは、永久磁石やコイルによる静磁場を２次元体系で高速に解析するモジュールです。マグネトロンスパッタ装置
内や磁場コイルを持つ装置内の静磁場を計算し、その結果をプラズマ解析モジュールに容易に引き渡すことができます。
MSSMは、株式会社ミューテックとの共同開発です。
マグネトロンスパッタ装置内や磁場コイ
ルをもつ装置内の静磁場解析
磁石、コイルがある系一般の静磁場解
析

MSSM

21

２次元気相シミュレータ概要
各モジュール単体／組み合わせ計算例

２次元気相シミュレータ
単体／組み合わせ計算例 １
GECRC（２次元CCP）型の装置
PIC-MCCM
DSMCM

中心軸

RF電極

Arガス流入

アース




















24

（弾性散乱）
（電離）
（励起）
（励起）
（電離）
（弾性散乱）（電荷交換）

Vrf=100[V]およそ40[mTorr]（DSMCMで計算）

e- + Ar → e- + Ar
e- + Ar → 2e- + Ar+
e- + Ar → e- + Ar*
e- + Ar → e- + Ar4s
e- + Ar4s → 2e- + Ar+
Ar+ + Ar → Ar+ + Ar
Ar+ + Ar→ Ar + Ar+

反応式

印加電圧
ガス圧

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Arガス流出

PIC-MCCM＋DSMCM
GEC-RC型の装置

Ar速度分布Copyright 2002-2004 PEGASUS Software Inc., All rights reserved.

Ar密度分布

計算時間 : Alpha 21264 500MHz の計算機で３時間

Step1. DSMCM によるArバッファガスの流れ場の計算

PIC-MCCM＋DSMCM
GEC-RC型の装置

25電子密度分布Copyright 2002-2004 PEGASUS Software Inc., All rights reserved.

イオン密度分布電位分布

計算時間 : Alpha 21264 500MHz の計算機で12時間

Step2. PIC-MCCM+DSMCM による プラズマ、励起種の計算

PIC-MCCM＋DSMCM
GEC-RC型の装置

26

電離率空間分布

イオンエネルギー分布

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基板へのイオンフラックス

電子温度空間分布

電子エネルギー分布

サンプル粒子数の時間変化

PIC-MCCM 単体で計算できる物理量の一例

PIC-MCCM＋DSMCM
GEC-RC型の装置

27

サンプル粒子数の時間変化

Ar4s空間フラックス

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Ar4s生成率分布

Ar4s密度分布

密度の時間変化

基板へのフラックス

PIC-MCCMとDSMCMを組み合わせたときに計算できる物理量の一
例

PIC-MCCM＋DSMCM
GEC-RC型の装置

28

２次元気相シミュレータ
単体／組み合わせ計算例 ２
マグネトロンスパッタ装置
MSSM
PIC-MCCM
SPUTSM（表面科学系）
DSMCM

磁束密度分布MSSM

・磁性体ライブラリ（ＢＨ特性）

使用データベース

SASAMALSPUTSM

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・荷電粒子-中性粒子
衝突断面積

使用データベース

Ne, Ni, Φ, Es, Ve, Vi

PIC-MCCM

１）ターゲットへの入射イオン情報・粒子種、粒子束・エネルギー・角度
２）ターゲット材料

スパッタ粒子情報
・発射粒子束・発射角度
・発射エネルギー

Nn,Tn
Pn,Vn

DSMCM

30

基板上の膜厚分布

２次元マグネトロンスパッタシミュレーション概略図

中心軸

バッファガス Ar 5mTorr
印加電圧 - 400[V]Copyright 2002-2004 PEGASUS Software Inc., All rights reserved.

磁石 磁石
ヨーク

ターゲット

基板





MSSM+PIC-MCCM+SPUTSM+DSMCM
マグネトロンスパッタ装置

31

磁力線

計算時間 : PenIII 850MHz の計算機で 10秒

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磁束密度分布

Step1. MSSM による静磁場解析

MSSM+PIC+SPUTSM+DSMCM
マグネトロンスパッタ装置

32

Ar+密度分布

Copyright 2002-2004 PEGASUS Software Inc., All rights reserved.

電位分布Ar+ ターゲットへのフラックス分布

計算時間 : Alpha 21264 500MHz の計算機で18時間

Step2. PIC-MCCM によるプラズマ解析

MSSM+PIC+SPUTSM+DSMCM
マグネトロンスパッタ装置

33

Copyright 2002-2004 PEGASUS Software Inc., All rights reserved.

34

スパッタリングフラックス分布 スパッタリング粒子放出角度分布（ターゲットの損耗分布）

計算時間 : PentiumIII 850MHz の計算機で20分

Step3. SPUTSMによるスパッタリングシミュレーション

MSSM+PIC+SPUTSM+DSMCM
マグネトロンスパッタ装置

スパッタ粒子(Al)の密度分布

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Al 空間フラックス分布

Al 基板へのフラックス分布

計算時間 : Alpha 21264 500MHz の計算機で10分

Step4. DSMCM によるスパッタ粒子の挙動解析

MSSM+PIC+SPUTSM+DSMCM
マグネトロンスパッタ装置

35

２次元気相シミュレータ
単体／組み合わせ計算例 ３
ICP型装置
PHM
DSMCM

ガス流入

５

中心軸

クウォーツ窓空気接地

２５

PHM+DSMCM
ICP型装置r
単位：ｃｍz

Ｃ２Ｈ２ （アセチレン）
40 [sccm]





５ターン、
400 [W] 、 13.56 [MHz]ＩＣＰコイル

ガス種

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ICPコイル

１５

３３





37

電子密度

PHM+DSMCM
ICP型装置Copyright 2002-2004 PEGASUS Software Inc., All rights reserved.

電子生成率

電子温度

38

Copyright 2002-2004 PEGASUS Software Inc., All rights reserved.

EEDF（電子エネルギー分布関数）

PHM+DSMCM
ICP型装置39

ＩＣＰコイルパワー
吸収分布

PHM+DSMCM
ICP型装置Copyright 2002-2004 PEGASUS Software Inc., All rights reserved.

１周期平均
静電位

ＩＣＰコイルによる誘導電界の絶対値

40

PHM+DSMCM
ICP型装置Copyright 2002-2004 PEGASUS Software Inc., All rights reserved.

生成されるイオン密度41

水素イオン密度

PHM+DSMCM
ICP型装置Copyright 2002-2004 PEGASUS Software Inc., All rights reserved.

中性粒子種
全圧力

流入ガス密度42

表面科学系シミュレータ概要

シース内の荷電粒子の運動を追跡してイオンエネルギー分布関数等を求める。

SMCSM（シース内モンテカルロシミュレーションモジュール）

Copyright 2002-2004 PEGASUS Software Inc., All rights reserved.

についてシミュレーションを行うモジュール群

シースを通って表面に達する荷電粒子

スパッタリング率やDepth Profile を求める。



SASAMAL, SPUTSM

イオン注入



スパッタリング現象、イオン注入

材料表面で生じる現象

表面科学系シミュレータ

44







基板へのイオンのフラックスやエネルギーターゲットの組成の初期の深さ分布







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スパッタリング率
ターゲット組成の分布の変化
入射イオンのDepth Profile

出力





入力

45

２体衝突モデルに基づき、入射イオンとターゲットを構成する原子がどのように運動していくかを追跡し、スパッタリング率やDepth Profileをシミュレーションにより求めるモジュール

SASAMAL、SPUTSM

産業技術総合研究所 中部センター（名古屋）
基礎素材研究部門

宮川佳子・宮川草児

Simulation of Atomic Scattering in Amorphous MAterials
based on Liquid model

dynamic-SASAMAL

動的モンテカルロシミュレーションソフトウェア

Pumping

TargetIon Beam

Target-+High Voltage
Pulser

大面積の試料や複雑形状の試料への注入が可能装置の構造が単純
細孔やパイプ内面の処理はやはり困難
多種イオン注入

プラズマイオン注入 (PBII, PSII, PIII)

Beam Scanner

大面積の試料や複雑形状の試料への注入は困難

加速器からのイオンビームを用いたイオン注入

Plasma Source

Pumping

Analyzing
MagnetIon
SourcePECVD装置
エッチング装置
マグネトロンスパッタ装置
イオン注入装置 等

壁からの不純物混入：
スパッタリング

成膜：ラジカル付着、イオン衝撃
スパッタリング：イオン衝撃
エッチング：エッチングガスの化学反応、
イオン衝撃
表面改質：イオン衝撃、電子衝撃

プラズマと固体表面との相互作用

ターゲット

試料

プラズマ
電
極

真空容器

MARLOWE
Crystal-TRIM
ACOCOT
COSIPO
XTOPS

TRIM
ACAT
SASAMALEVOLVETRIDYN
ACAT-DIFFUSE
dynamic-SASAMAL

動的モンテカルロ法

結晶

非結晶
モンテカルロ法

２体衝突近似法

元素組成の深さ分布、損傷の深さ分布、薄膜形成
選択スパッタリング等

動的モンテカルロ法：線量依存性を予測する。

モンテカルロ法 : 非結晶ターゲットを取扱う２体衝突近似コードでは、ターゲット原子の位置、衝突係数、あるいは、散乱角の決定に確率論的な手法を用いているので、モンテカルロ法と呼ばれている。

２体衝突近似法(BCA)は、イオンと固体との相互作用を再現する適切な物理的モデルを導入することによって、計算時間を短縮している。 これにより、BCA コードは、イオン注入、放射線損傷、スパッタリング、表面散乱などのシミュレーションに使われ、成功してきた。

PARASOL, MD-TOPS
MODYSEM, SPUT3
MOLDYCASK, MOLDY

分子動力学法イオン・固体相互作用シミュレーション・コードの分類

Copyright 2002-2004 PEGASUS Software Inc., All rights reserved.

SASAMAL（出力例）

50





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PIC-MCCM の計算結果を参照し、内部でSASAMALを呼び出し、その計算結果を DSMCMで用いる境界条件として引き渡す。

スパッタリング計算用のモジュール。

SPUTSM

51











シースの厚さや電界の時間変化
シース端でのイオン、電子フラックス等



ターゲット上での EEDF, IEDF, IADF

出力





入力

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Liebermannモデル（あるいはPHM）
により、1次元の時間依存のシース内の電界を計算する。
プラズマシース境界から荷電粒子（電子あるいはイオン）を入れる。
プラズマシース境界から壁面に達するまで、時間変化する電界の中での荷電粒子の運動を追跡する。
壁面に到達した荷電粒子のエネルギー
等をサンプリングして出力する。



予め計算により求められた時間的に変化するシース内の電子、イオンの運動を追跡し、ターゲット上でのエネルギー分
布や角度分布を求めるモジュール

SMCSM

52

SMCSM（出力例）

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53

ハードディスク容量

その他





Intel系CPU
EWS

メモリー容量Copyright 2002-2004 PEGASUS Software Inc., All rights reserved.

Java実行環境

20GB以上推奨※主に作業領域、プログラムは200MB

512MB以上推奨

WindowsNT/2000/XP、Linux
Tru64 UNIX、Digital UNIX v4.0D以上

付属のGUIツール（GUIM）を使用
任意の断面グラフ表示、GIFデータ出力、印字出力、
テキストデータ入出力、画面表示の任意拡大機能ほか

オペレーティングシステム



GUI機能／プレポスト機能







PEGASUS動作環境ほか

54

RGS3Dの概要

３次元希薄気体挙動解析ソフトウェア R G S 3 D

















P・L ＜ 5 [Torr・mm]

気体分子運動論の支配方程式:
Boltzmann方程式など
DSMC法: Direct Simulation
Monte Carlo

圧力 P [Torr]、物体の代表長さ L [mm]とすると希薄気体となる条件

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各種真空容器、装置内の流れ解析
真空ポンプ内の流れ解析
真空蒸着シミュレーション

適用分野



希薄気体となる条件下で、気体分子運動論の支配方程式をDSMC法により数値的に解くプログラム

RGS3Dの概要

56













2次元3次元任意形状

壁面上での定義
解離/結合などの分子間衝突時での定義



メッシュ分割、流入/流出境界、壁温

粒子種毎質量、直径（剛体球モデル）、流入/流出境界条件（流入量、流入速度分布、境界反射条件など）
プレによる入力



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57

サンプル粒子数時刻歴、各粒子種に対する温度／圧力／密度／速度分布、境界壁への入射粒子束、エネルギー分布

出力項目





入力項目





分子間衝突（最大衝突数法）
分子模型（剛体球モデル）
反応（カスタマイズ機能）

空間分割メッシュ形状機能分子流領域のとき、高速なモンテカルロ法計算機能

気相、壁面反応処理機能

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重み付法により、密度差が大きい多種粒子種の計算が可能



特長

58

解析事例
混合ガス希薄気体解析
クラウジング係数計算の検証例

Copyright 2002-2004 PEGASUS Software Inc., All rights reserved.

混合ガス希薄気体解析
解析モデル

60

Ar

He

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混合ガス希薄気体解析
密度分布

O2

61

Ar

He

Copyright 2002-2004 PEGASUS Software Inc., All rights reserved.

混合ガス希薄気体解析
温度分布

O2

62

Ar

He

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混合ガス希薄気体解析
圧力分布

O2

63

Copyright 2002-2004 PEGASUS Software Inc., All rights reserved.

Ar

混合ガス希薄気体解析
速度分布

He

O2

64

流入

Ｌ
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Ｒ

クラウジング係数＝流出／流入

流出円管（Ｒ）の径が一定で、長さ（Ｌ）を変化させたときの分子流のクラウジング係数の計算を、DSMC法、モンテカルロ法（MC法）
で行い、比較文献の分子通過確率と比較

クラウジング係数計算の検証例
解析概要

65

L=7

L=5
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L=3

L=1

クラウジング係数計算の検証例
解析モデル（長さを変えて４ケース）

66







0.675
‐
0.424
‐
0.313
‐
0.247
‐

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

6.0

7.0

10.0
‐

0.243

‐

0.304

‐

0.415

‐

0.670

MC法

‐

0.254

0.281

0.315

0.359

0.421

0.514

0.672

真空技術
マニュアル

0.197

‐

‐

‐

0.359

‐

0.514

0.672

論文

Copyright 2002-2004 PEGASUS Software Inc., All rights reserved.

真空技術マニュアル（産業図書） ジョンＦ．オハンロン著 野田保、斉藤弥八、奥谷剛訳２５ページ 図２．
６円管の分子通過確率
Gas Flow Patterns at Entrance and Exit of Cylindrical Tubes By B.B.DAYTON Table 2 Valuesof a and P

比較文献

DSMC法

長さ(L)

クラウジング係数計算の検証例
解析結果

67







0

2

MC

4
長さ ［L]

6

真空技術マニュアル

8

論文

10

Copyright 2002-2004 PEGASUS Software Inc., All rights reserved.

真空技術マニュアル（産業図書） ジョンＦ．オハンロン著 野田保、斉藤弥八、奥谷剛訳２５ページ 図２．
６円管の分子通過確率
Gas Flow Patterns at Entrance and Exit of Cylindrical Tubes By B.B.DAYTON Table 2 Valuesof a and P

比較文献

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

DSMC

クラウジング係数計算の検証例
解析結果

68

1141.01233.01373.0

3.0

5.0

7.0

23.0

14.0

9.0

3.0

MC法

71,751

66,08160,26819,726

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MC法

100,000

100,000

100,000

100,000

粒子個数
DSMC法

計算マシン仕様Pentium(R) 4 CPU 2.53GHz 768 MB RAM

411.0

DSMC法

計算時間 [sec]

1.0

長さ(L)

クラウジング係数計算の検証例
計算時間

69









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入力：節点、要素、境界条件
出力：節点ごとの物理量、要素ごとの物理量

PEGASUSのGUIMおよび内蔵のプレポスト
モデル形状入力、メッシュ作成、出力結果の表示など



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

ＯＳ：
メモリー容量
ディスク容量Copyright 2002-2004 PEGASUS Software Inc., All rights reserved.

UNIX、Linux、Windows98/NT/2000/XP
５１２ＭＢ以上推奨
１ＧＢ以上推奨

NASTRANフォーマットでの入力をサポート
ユニバーサルファイル、ニュートラルファイルの解析結果の出力をサポート

動作環境





インターフェイス





プレポスト

動作環境ほか70

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

装置の設計／開発／改良／評価
材料／デバイスの開発／製造
プロセス技術の予測／開発／改良



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量子分子動力学法、分子動力学法、モンテカルロ法などによるシミュレーションソフトウェア群
弊社との関連分野としては、基板・薄膜表面反応、膜質などに関する
分子・原子シミュレーション

コンビナトリアル計算化学ソフトウェア

東北大学、宮本研究室が開発したソフトウェアの販売代理店の効率化、実験および試作コストの軽減を目的とした支援シミュレーター
『PEGASUS』の開発／販売、およびそれに関わる科学技術計算サービス



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半導体製造技術、プラズマプロセス、真空技術における

事業紹介

71

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ＴＥＬ
ＦＡＸ
Ｅ-ｍａｉｌ
ＵＲＬ

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住所

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〒104-0032
東京都中央区八丁堀４丁目２番２号共同ビル５階（０３）３５５３－７２１１（０３）３５５３－７２１２
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