瀬戸市記者会、豊田市政記者クラブ、豊田市政記者東クラブ、長久手市同時

平成 24 年 11 月 26 日(月)あいち産業科学技術総合センター
共同研究支援部
担当 杉本、加藤、加納
電話 0561-76-8315（ダイヤルイン）
愛知県産業労働部産業科学技術課
管理・調整グループ
担当 西村、山口
Si 基板上 GaN 膜の断面構造
内線 3381、3389（名工大 極微デバイス機能システム研究センターご提供）
ダイヤルイン 052-954-6347「先端機能材料の製膜及び評価技術」講演会の参加者を募集します
あいち産業科学技術総合センターでは、「愛知ナノテクものづくりクラスター成果活用促進事業※１」の一環として、実用化が近い次世代半導体材料として大きく期待されている GaN/Si 材料※２に関する技術開発を実施し、地域企業の方々への技術移転を行っています。
今回、GaN/Si 材料をはじめとする先端機能材料に関する講演会を、１２月１３日（木）にあいち産業科学技術総合センターで開催します。講演会では、大学において先端技術に関する研究を進めておられる先生方に、製膜や評価技術について、最先端の研究内容をご講演いただきます。
講演会後は、当センターの最新の分析機器の紹介や、隣接するシンクロトロン光利用施設の見学会も実施します。
参加費は無料です。多くの皆様の参加をお待ちしております。
１．日時
平成２４年１２月１３日(木) 午後１時から午後５時まで
２．会場
あいち産業科学技術総合センター 本部 講習会室
（豊田市八草町秋合１２６７－１ 東部丘陵線リニモ「陶磁資料館南」下車すぐ）※会場には公共交通機関を利用してお越しください
３．内容
・「MOCVD※３による Si 基板上 GaN 系半導体結晶成長」
名古屋工業大学 大学院工学研究科 機能工学専攻 エレクトロニクス分野
極微デバイス機能システム研究センター

く ぼとしはる

助教 久保 俊晴 氏
（午後１時５分～午後２時３５分）

・「材料開発のための電子顕微鏡法」
大阪府立大学 大学院工学研究科 物質・化学専攻 マテリアル工学分野
もりしげお

教授
森 茂生 氏（午後２時５０分～午後４時２０分）
・見学会（希望者のみ）
あいち産業科学技術総合センター共同研究支援部計測分析室
シンクロトロン光利用施設（午後４時２０分～午後５時）-1-４．主催
あいち産業科学技術総合センター
５．参加費
無料
６．定員
１００名（先着順）
７．申込方法関係分野の研究・製品開発に取り組む研究者・企業関係者の方をはじめ、どなたでも自由に参加できます。
下記のいずれかの方法により、必要事項をご連絡ください。会場に余裕がある場合は、当日受付も可能です。
(1) 電子メールご利用の場合
タイトルを「1213 講演会申込」とした電子メールに、企業名、所在地（郵便番号・住所）、所属、氏名、電話番号、メールアドレスを記載し、申込先に送信してください。
(2) 郵便又はＦＡＸご利用の場合
講演案内チラシの参加申込書に必要事項を記入し、申込先に送付してください。参
加申込書は、あいち産業科学技術総合センター及び愛知県産業労働部産業科学技術課で配布しています。また、下記ホームページからもダウンロードできます。
http://www.pref.aichi.jp/0000056013.html
８．申込期限平成２４年１２月１２日（水）９．申込先及び問い合わせ先
あいち産業科学技術総合センター 共同研究支援部
担当 杉本、加藤、加納
電話：０５６１－７６－８３１５ ＦＡＸ：０５６１－７６－８３１７E-mail: AIC0000001@chinokyoten.pref.aichi.jp-2-

【用語説明】※１ 愛知ナノテクものづくりクラスター成果活用促進事業
愛知県及び名古屋市は、平成２０年度に文部科学省の「地域イノベーション戦略支援プログラム（旧：知的クラスター創成事業 第Ⅱ期）」の実施地域に採択されたことを受け、公益財団法人科学技術交流財団を中核機関として、ナノテクノロジー分野の共同研究プロジェクトを推進してきました。
本事業では、これらの研究成果を活用した事業化に向けた技術開発や、成果普及のための活動を支援しています。
※２ GaN／Si 材料
シリコン（Si）基板上に、次世代半導体材料である窒化ガリウム（GaN）結晶薄膜を成長させたもの。愛知県は、この分野における厚い研究集積を有している地域です。
薄膜を形成する基板として Si 基板を用いることにより、低価格かつ高性能・低消費電力な半導体デバイス（パワーデバイス、白色 LED、紫外線センサー等）の実用化が可能になるため、活発な研究開発が進められています。
※３ MOCVD
有機金属化学気相蒸着法（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）。原料を高温中で反応させて基板上に製膜するプロセスのうち、原料に有機金属を用いる方法のこと。
原料をガスの状態で反応槽に供給し、加熱分解・反応させることにより、基板上に膜を堆積する方法で、GaN 薄膜を Si 基板上に製膜するために必須の技術です。

-3-

「先端機能材料の製膜及び評価技術」 講演会
開 催 の ご 案 内
主催：あいち産業科学技術総合センター

あいち産業科学技術総合センターでは、実用化の近い次世代半導体材料として大きく期待されている、GaN/Si 材料に関する技術開発を実施しています。
このたび、こうした取組を地域企業の方々や関係機関等に紹介し、当地域における技術移転を推進することを目的として、大学において先端技術に関する研究を進めておられる
先生方に、最新の研究内容についてご講演いただきます。
この取組は、愛知県が平成２０年度より実施している文部科学省「地域イノベーション戦略支援プログラム」（旧：知的クラスター創成事業 第Ⅱ期）「東海広域ナノテクものづくりクラスター」の成果活用を図るため、公益財団法人科学技術交流財団「愛知ナノテクものづくりクラスター成果活用促進事業」を活用して実施しています。
講演後には、当センターの分析機器の紹介や、隣接するシンクロトロン光利用施設の見学会（希望者のみ）も実施します。
参加費は無料です。多くの皆様にご出席いただきますようご案内申し上げます。
【日【場時】平成２４年１２月１３日(木) 午後１時～午後５時
所】あいち産業科学技術総合センター本部 講習会室
愛知県豊田市八草町秋合 1267-1 TEL: 0561-76-8315【プログラム】
時間

内容

12:30 ～ 13:00

受付

13:00 ～ 13:05

開会あいさつ「MOCVD による Si 基板上 GaN 系半導体結晶成長」
講師：名古屋工業大学大学院工学研究科機能工学専攻
エレクトロニクス分野
極微デバイス機能システム研究センター

13:05 ～ 14:35

くぼとしはる久保 俊晴
14:35 ～ 14:50
14:50 ～ 16:20

助教

休憩「材料開発のための電子顕微鏡法」
講師：大阪府立大学大学院工学研究科物質・化学系専攻
マテリアル工学分野
もりしげお

森 茂生 教授
見学会（希望者のみ）
・共同研究支援部 計測分析室
16:20 ～ 17:00
・シンクロトロン光利用施設

■申込方法 下記の申込書にご記入の上、ＦＡＸ、郵送または電子メールでお送りください。
■申込期限

平成２４年１２月１２日（水）■参 加 費

無料■定１００名（先着順）

員■交通のご案内・東部丘陵線リニモ「陶磁資料館南駅」
下車、北側すぐ・猿投グリーンロード八草 IC から西へ
約 800 m
■申込先及び問い合せ先
あいち産業科学技術総合センター
共同研究支援部 杉本、加藤、加納〒４７０－０３５６ 豊田市八草町秋合１２６７－１
電話：０５６１－７６－８３１５
FAX：０５６１－７６－８３１７メール：AIC0000001@chinokyoten.pref.aichi.jp
U R L：http://www.aichi-inst.jp/------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------「先端機能材料の製膜及び評価技術」講演会
参 加 申 込 書
平成年月日

あいち産業科学技術総合センター 共同研究支援部 杉本、加藤、加納 宛
FAX：0561-76-8317
メール：AIC0000001@chinokyoten.pref.aichi.jp
ふ り が な

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）※ご記入いただいた個人情報は、セミナー情報の提供等、当センターからの各種連絡のために利用させていただくことがあります。あらかじめご了承ください。
※参加受付証は発行いたしません。直接会場にお越し下さい。

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