OL730-TE
熱電冷却型ディテクターパッケージ
OLシリーズ730-TE熱電冷却ディテクターパッケージは、OL730Eなどの放射計/光度計などのロックインアンプを使用してブロードバンド測定を行うために設計されています。
OL730-TE冷却ディテクターは、OLシリーズ740や746などの分光放射計システムで分光測定を行うためにも使用できます。標準のBNC信号出力により、OL730-TEを他のさまざまな機器で使用することもできます。選択したディテクターに応じて、0.2〜5μmの波長範囲の全部または一部で測定を行うことができます。
OL730-Si、OL730-Ge、OL730-InGaAs、OL730-PbS、OL730-PbSe熱電冷却ディテクターは、OL730-TE冷却器コントローラーと熱電冷却ディテクターで構成されています。OL730-XX-Cは、熱電冷却ディテクターパッケージの校正済みバージョンを指します。
回路には、OL730-TEクーラーコントローラーにある熱電コントローラーカードと熱電冷却ディテクターにあるインターフェースボードが含まれます。OL730-TEクーラーコントローラーは、各種熱電冷却ディテクターに対応します。
すべてのクーラーリファレンス設定は、ディテクターインターフェースボードによって制御されます。これにより、ユーザーは同じOL730-TEクーラーコントローラーで使用するために複数のディテクターを導入できます。但し、一度に操作できるディテクターは1つだけです。
OL730-TEディテクター
シグナルアンプへのBNCケーブル

OL730-TEクーラー
コントローラ背面パネル
入力パワーモジュール（120または220VAC）

クーラーコントローラー
OL730-TEクーラーコントローラー
OL730-TEクーラーコントローラーには、1.0アンペアで熱電素子に公称2.0ボルトを供給する精密温度コントローラーが含まれています。バイアスされたサーミスターの電圧降下を、同じ方法でバイアスされたディテクターのプリセットリファレンスと比較することにより、温度が正確に制御されます。2つの電圧は、コンパレーターとして動作する高精度動作アンプに供給されます。アンプは、熱電冷却器の電流を調整する直列パスダーリントントランジスタを制御します。フィードバック制御は、周囲温度の適度な変動に関係なく、非常に安定した温度動作（標準<±0.5°C）を生成します。OL730-TEクーラー
コントローラーには、OL730-PbSまたはOL730-PbSeディテクターが付属している場合はバイアスバッテリーも含まれています。アルカリ電池はEMIシールドされており、電源スイッチによってリレー制御されます。ハードウェアは、
OL730-PbSおよびOL730-PbSeバイアスバッテリーの現場設置用のクーラーコントローラーシャーシに含まれています。温度モニターは、クーラーシャーシの背面パネルにあります。これにより、電圧計を使用してサーミスターの電圧（温度）を監視できます。デュアル一次変圧器と入力電源モジュールにより、入力電力を120または240VACに迅速に変換できます。

ディテクター
概要
熱電冷却されたOLシリーズ730ディテクターは、ペルチェクーラー、サーミスター、およびディテクターを備えたTO-8パッケージで構成されています。このTO-8パッケージは、直径4.76cm x 長さ8.71cmの機械加工されたアルミニウムハウジングに取り付けられています。TO-8
パッケージは、不便さや大量の液冷デュワーなしで非常に高い検出率を提供します。各OLシリーズ730ディテクター
ハウジングには、インターフェースPCBも含まれています。
このインターフェースは、基準温度とサーミスターバイアスを制御する高精度の基準ソースを提供します。黒アルマイトのハウジングは、ほとんどの実験室アプリケーションに十分なヒートシンクを提供します。分光放射測定モードで使用する
場合、モノクロメータからのヒートシンクの増加により、40°Cの周囲温度までの日常的な操作が可能になります。

温度モニターData Sheet： B160 Dec 2020 Rev A
仕様は予告なく変更される場合があります。

OL730-Si ディテクター

OL730-PbSディテクター

OL730-Siシリコンディテクターは、5.8 mm X 5.8 mm、高インピーダンス、低静電容量、UV強化、平面拡散フォトダイオードで構成されています。0.2μmから1.1μmの波長領域で優れた感度を提供します。フォトダイオードは、アクティブエリア全体にわたって優れた均一性を示します。
13段階のダイナミックレンジで線形動作が可能です。1μm未満の波長で0.1％/°Cの熱安定性が一般的です。標準的な検出率は、ピーク波長960nmで3 x 10 -13cmHz ½W -1（ピーク、167Hz、1Hz）です。帯域幅が1Hzの167Hzでの一般的なノイズレベルは、5x10-15アンペアです。

OL730-PbS硫化鉛ディテクターは、化学的に堆積された薄膜、光伝導性の硫化鉛セルマウントと、単段熱電素子にサーミスタを備えたもので構成されています。1μmから3μmの波長範囲での測定に特に適しています。3mm x 3mm PbSディテクターは、サファイアウィンドウ付きの密閉されたTO-8パッケージに取り付けられています。通常の検出率は2.1x1011cmHz½W-1（ピーク、167Hz、1Hz）で、ピーク感度は2.5μmです。3μmでの応答はピーク応答の20％を超えています。標準の動作回路は、負荷抵抗とバイアスバッテリーと直列のディテクターで構成され、AC結合出力信号が負荷抵抗の両端で監視されます。
帯域幅が1Hzの167Hzでの一般的なノイズレベルは0.5μVで、約1.4 x 1〜12Wの赤外線フラックスに対応します。

OL730-Ge ディテクターOL730-Geゲルマニウムディテクターは、光起電力（非バイアス）モードで動作する、高品質、高インピーダンス、低キャパシタンスのパッシベーションフォトダイオードです。0.8μmから1.8μmの波長領域の測定に特に適しています。直径5mmのGeダイオードは、2段のサーモエレクトリッククーラーに精密サーミスターとともに取り付けられ、ガラス窓付きのTO-8パッケージに乾燥窒素で気密封止されています。標準的な検出率は5.7x1011cmHz½W-1（ピーク、167 Hz、1 Hz）で、ピーク感度は1.55μmです。1.74μmでの応答はピーク応答の20％を超えています。標準の動作回路は、共通のアノードで動作するゲルマニウムディテクターで構成されています。
出力は、電流測定用に構成されたオペアンプに接続することができます。ディテクターは、オシロスコープで監視するために75Ωの抵抗でシャントすることもできます。帯域幅が1Hzの167Hzでの一般的なノイズレベルは7.0x10-13 Aで、約7.8 x1-13Wの赤外線フラックスに対応します。

OL730-InGaAsディテクター
OL730-InGaAsインジウムガリウムヒ素ディテクターは、単段熱電冷却器にサーミスター付き高インピーダンスの平面フォトダイオードで構成されています。特に、0.8μm、1.8μmの波長範囲での測定に適しています。直径3mmの
InGaAsディテクターは、サファイアウィンドウを備えた密閉されたTO-8パッケージに取り付けられています。標準的な検出率は1.6x1012cmHz½W-1（ピーク、167Hz、1Hz）で、ピーク感度は1.6μmです。1.72μmでの応答はピーク応答の20％を超えています。標準の動作回路は、共通のアノードで動作するInGaAsディテクターで構成されています。
出力は、電流測定用に構成されたオペアンプに接続することができます。ディテクターは、オシロスコープで監視するために75Ωの抵抗でシャントすることができます。帯域幅が1Hzの167Hzでの一般的なノイズレベルは1.5x10-13 Aで、約1.7 x1-13Wの赤外線フラックスに対応します。

OL730-PbSeディテクター
OL730-PbSe鉛セレン化物ディテクターは、化学的に堆積された薄膜、光伝導性の鉛セレン化物セルマウントと、単段熱電モジュール上のサーミスターで構成されています。1μmから5μmの波長範囲での測定に特に適しています。3mm x 3mm
PbSeディテクターは、サファイアウィンドウ付きの密閉されたTO-8パッケージに取り付けられています。標準的な検出率は、ピーク感度（4.4μm）で1.9 x 109cmHz½W-1（ピーク、167Hz、1Hz）です。5.2μmでの応答はピーク応答の20％を超えています。
標準の動作回路は、バイアスバッテリーの両端にある負荷抵抗と直列のディテクターで構成され、AC結合された出力信号がPbSeセルの両端で監視されます。1Hz 帯域幅で167Hzにおける典型的なノイズレベルは0.5μVで、これは1.5 x 10-10Wの赤外線フラックスに相当します。
OL730-TEクーラーコントローラー仕様
入力電源
消費電力120 または220 VAC（選択可）

ヒューズ

0.5 A（ファストブロー）

温度制御範囲

-40 ～ 10℃

0.3 A 120 VAC、 0.15 A 220 VAC（ディテクターによる)

動作環境温度

15 ～ 30℃

フォールドバックしきい値

2.5 V

TE出力リップル(最大）10 mV p.p.

バイアス電圧-64 V ± 4 V（OL730-PbS & OL730-PbSeのみ)

TE電圧

2.0 V

TE電流

1.5 A

寸法

21.59 x 25.4 x 8.59 cm

重量2.04 Kg

Data Sheet： B160 Dec 2020 Rev A
仕様は予告なく変更される場合があります。

ディテクター仕様
パラメーター
動作温度(公称値)
アクティブエリア（直径)
波長範囲
ピーク(公称値)
NEP(公称値)@ピーク波長

OL730-Ge

OL730-InGaAs

OL730-PbS

OL730-PbSe

OL730-Si-20℃-30℃-10℃-10℃

5℃

3 x 3 mm
1.0 ～ 3.0 μｍ

3 x 3 mm
5.8 x 5.8 mm
1.0 ～ 6.0 μｍ 0.2 ～ 1.1 μｍ

3 mm
5 mm
0.8 ～ 1.8 μｍ 0.8 ～ 1.8 μｍ
0.90 A/W

0.90 A/W

3.5 x 105 V/W

3.2 x 103 V/W 0.5 A/W

ディテクターインピーダンス
出力インピーダンス

1 x 10-12W@1.5μｍN/A
２MΩ(-20℃)

1.7 x 10-13W@1.6μｍN/A
２0MΩ(-20℃)

1.5 x 10-13W@2.6μｍ2MΩ（-１０℃)
1MΩ

1.5 x 10-10W@4.4μｍ2MΩ（-１０℃)
1MΩ

1 x 10-15W@960nｍ2MΩ（-１０℃)
1GΩ

周波数特性

DC〜≈200 kHz

DC～>200 KHz

DC〜≈10 kHz

DC〜≈10 kHz

DC〜≈10 MHz

寸法 C
寸法 B
寸法 A
OL730-XX
φ38.1mm
φ25.1mm

寸法 D

φ47.6 mm

ディテクター平面ディテクター

寸法 A

寸法 B

寸法 C

寸法 D

OL730-Ge

6.35 mm32.5 mm101.3 mm

3.3 mm

OL730-InGaAs
OL730-PbS
OL730-PbSe

6.35 mm32.5 mm101.3 mm

4.0 mm6.35 mm35.2 mm101.3 mm

5.5 mm6.35 mm32.5 mm101.3 mm

5.4 mm

2.5 mm29.1 mm97.9 mm

2.5 mm

OL730-Si

ハウジング/全長寸法

Data Sheet： B160 Dec 2020 Rev A
仕様は予告なく変更される場合があります。