单 P 沟道 MOSFET
ELM6040P03A-S■概要

http://www.elm-tech.com■特点

ELM6040P03A-S 是 P 沟道低输入电容，低工作·Vds=-30V

电压，低导通电阻的大电流 MOSFET。

·Id=-4A (Vgs=-10V)·Rds(on) = 42mΩ (Vgs=-10V)■绝对最大额定值

如没有特别注明时, Ta=25℃

项目记号Vds
Vgs

漏极 - 源极电压栅极 - 源极电压
Ta=25℃
Ta=70℃

漏极电流（定常）
漏极电流（脉冲）容许功耗
低减热率
结合部温度及保存温度范围

Id
Idm
PdKθ
Tj, Tstg规格范围-30±20-4.0-3.2-24
1.25
0.01- 55~+150

单位VV备注

A3AW
W/℃℃

1, 2■热特性
项目
最大结合部 - 周围环境（安装 PCB）最大接合部 - 封裝外周围环境记号RθjaRθjc

典型值-最大值10045

单位℃/W℃/W备注3备注：
1. 脉冲宽度受最大结合部温度限制；
2. 脉冲宽度≤ 300μs，占空比≤ 2％；
3. 安装在表面为 FR-4 板的 1in2 铜垫上时；另外，安装在最小的铜垫上时为 270℃/W。

■引脚配置图

■回路
D

SOT-23(俯视图)
312

引脚编号
12

引脚名称
GATE
SOURCE

3DRAIN

G
S

Rev.1.01/7
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。

单 P 沟道 MOSFET
ELM6040P03A-S

http://www.elm-tech.com■电特性项目记号条件

如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位静态特性漏极 - 源极击穿电压栅极接地时漏极电流栅极漏电电流栅极阈值电压漏极 - 源极导通电阻（注）正向跨导（注）二极管正向压降（注）BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
Vds=-24V，Vgs=0V
Idss
Vds=-24V，Vgs=0V Ta=70℃
Igss Vds=0V, Vgs=±20V

-30
---1

V---10±100

Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Rds(on) Vgs=-10V, Id=-4A-2-42-453

VmΩ

-

S

μA
nA

Gfs

Vds=-10V, Id=-3A-

3.4

Vsd

Is=-1A, Vgs=0V--0.78 -1.20

V动态特性
输入电容Ciss-482-pF

输出电容Coss Vgs=0V, Vds=-25V, f=1MHz-65-pF

反馈电容开关特性总栅极电荷（注）栅极 - 源极电荷（注）栅极 - 漏极电荷（注）Crss-50-

pF-

10.3-

nC-

2.5
2.8-

nCnC

导通延迟时间（注）导通上升时间（注）td(on)-

7.6

ns关闭延迟时间（注）关闭下降时间（注）tr
Vgs=-10V, Vds=-15V
td(off) Id=-4A, Rgen=1Ω
tf

-

15.8
34.8
12.6

ns
ns
ns

寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷trr
Qrr

-

8.2
3.3

ns
nC

Qg
Qgs
Qgd

Vgs=-10V, Vds=-24V
Id=-4A

Vgs=0V, If=-1A
dIf/dt=100A/μs-注）脉冲测试：脉冲宽度≤ 300μs，占空比≤ 2％；■参考焊盘图

Recommended Soldering Footprint

Rev.1.02/7如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。

单 P 沟道 MOSFET
CYStech Electronics Corp.

Spec. No. : C058N3
Issued Date : 2016.09.13
Revised Date : 2017.03.09
Page No. : 4/9
http://www.elm-tech.com

ELM6040P03A-S■标准特性和热特性曲线
Typical Characteristics���������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������� ��� �����

������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������� ���������������������������������������������������

������������������������������������������������������������������������������������������������������ ������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������� ������ ��������������������������������������������������������������������������� �� �� �� ��� ��� ��� �������������������������������C ���������

������������������������������������������������ ��������������������������������������� ������������������������������ ��� ��� � �� �� �� ��� ��� ��� �������������������������������

MTE040P03N3

CYStek Product Specification

Rev.1.0
3/7
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。

单 P 沟道MOSFETCorp.
CYStechElectronics

Spec. No. : C058N3
Issued Date : 2016.09.13
Revised Date : 2017.03.09
Page No. : 5/9

ELM6040P03A-S

http://www.elm-tech.com

Typical Characteristics(Cont.)��������������������������������������������������������������������������������������������������������������� ������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������� ��� ����������������������������������������������������������������������������������������������������������������� �������������������������������������������������������������������JA������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������� ����������������������������������� �� �� ��� ��� ��� ������������������������������������������������������������������������������������������������� �������������
��������������������������������������������������

MTE040P03N3

��

���

CYStek Product Specification

Rev.1.0
4/7
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。

单 P 沟道MOSFET Corp.
CYStechElectronics
ELM6040P03A-SSpec. No. : C058N3
Issued Date : 2016.09.13
Revised Date : 2017.03.09
Page No. : 6/9

http://www.elm-tech.com

Typical Characteristics(Cont.)�������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������

���������

�����������������JA����������������������
������������������������JA=100°C/W����������������������������

�����������������

������

������������
���������������������������������

������

MTE040P03N3

������

������

CYStek Product Specification

Rev.1.0
5/7
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。

单 P 沟道 MOSFET
ELM6040P03A-S

http://www.elm-tech.com■SOT-23 尺寸

SOT-23 Dimension

Inches
Min.
Max.
0.11020.12040.0472
0.06690.03350.05120.01180.0197
0.06690.09100.0000
0.0040

DIMA
B
CDGH

Millimeters
Min.
Max.
2.80
3.04
1.20
1.70
0.89
1.30
0.30
0.50
1.70
2.30
0.00
0.10

DIMJK
LSV
L1

Inches
Min.
Max.
0.00320.00790.01180.0266
0.03350.04530.08300.11610.00980.02560.01180.0197

Millimeters
Min.
Max.
0.08
0.20
0.30
0.67
0.85
1.15
2.10
2.95
0.25
0.65
0.30
0.50

Notes: 1.Controlling dimension: millimeters.

2.Maximum lead thickness includes lead finish thickness, and minimum lead thickness is the minimum thickness of base material.

Material:• Lead: Pure tin plated.
• Mold Compound: Epoxy resin family, flammability solid burning class: UL94V-0.

Rev.1.0
6/7
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。

单 P 沟道 MOSFET
ELM6040P03A-S

http://www.elm-tech.com■卷带和载带尺寸
Reel
Dimension·
卷带Carrier·载带 Tape Dimension

Rev.1.0
7/7如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。