神戸市立工業高等専門学校 2019年度シラバスシラバス科

目

半導体工学 (Semiconductor Engineering)

担当教員

河合 孝太郎 講師

対象学年等

電気工学科・4年・通年・必修・2単位 ( 学修単位III )学習・教育目標 A2(100%)

授業のの評価方法と基準
概要と方針と基準方針

これまで学習した半導体デバイスの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ学習した半導体デバイスの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デした半導体デバイスの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ半導体デバイスの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デに降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デや劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デなどを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デめ，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ深い知識を身につける．さらに，その半導体デい知識を身につける．さらに，その半導体デ知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ身につける．さらに，その半導体デに降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デつける．さらに降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ，その基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ半導体デバイス作製に用いられる成膜装置やプロセスの基礎についても学ぶ．に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ用い知識を身につける．さらに，その半導体デられる成膜装置やプロセスの基礎についても学ぶ．や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デプロセスの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ基礎に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デつい知識を身につける．さらに，その半導体デても学ぶ．学ぶ．

到

達

目

標

到達目標別の評価方法と基準の評価方法と基準評価方法と基準と基準基準

達成度

エネルギーバンド構造を書くことができ，基板の不純物量からフェル構造を書くことができ，基板の不純物量からフェルを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ書くことができ，基板の不純物量からフェルくことがで学習した半導体デバイスの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デき，基板の不純物量からフェルの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ不純物量からフェルからフェル
1 【A2】エネルギーバンド構造を書くことができ，基板の不純物量からフェルミレベルの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デエネルギーを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ計算により算出できる．に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デより深い知識を身につける．さらに，その半導体デ算により算出できる．出できる．で学習した半導体デバイスの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デきる．

エネルギーバンド構造を書くことができ，基板の不純物量からフェルとP-N接合の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ特性について前期中間試験及びレポートで評に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デつい知識を身につける．さらに，その半導体デて前期中間試験及びレポートで評びレポートで評レポートで評で学習した半導体デバイスの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ評
価する．する．

pn接合の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デI-V特性について前期中間試験及びレポートで評に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デつい知識を身につける．さらに，その半導体デて降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デや劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デトで評ンネルダイオード構造を書くことができ，基板の不純物量からフェルに降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デつい知識を身につける．さらに，その半導体デて説明
2 【A2】エネルギーバンド構造を書くことができ，基板の不純物量からフェルで学習した半導体デバイスの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デき，金属と半導体の接触を定性的に理解する．と半導体の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ接触を定性的に理解する．を含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ定性について前期中間試験及びレポートで評的に理解する．に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ理解する．する．

バイポーラトで評ランジスタや金属と半導体の接触について前期定期試験及びレや劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ金属と半導体の接触を定性的に理解する．と半導体の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ接触を定性的に理解する．に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デつい知識を身につける．さらに，その半導体デて前期定期試験及びレポートで評びレポートで評レ
ポートで評で学習した半導体デバイスの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ評価する．する．

酸化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ膜内の欠陥について理解し，欠陥が及ぼすデバイスへの影響との基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ欠陥について理解し，欠陥が及ぼすデバイスへの影響とに降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デつい知識を身につける．さらに，その半導体デて理解する．し，欠陥について理解し，欠陥が及ぼすデバイスへの影響とが及びレポートで評ぼすデバイスへの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ影響とと
3 【A2】エネルギーバンド構造を書くことができ，基板の不純物量からフェル欠陥について理解し，欠陥が及ぼすデバイスへの影響と低減技術を理解する．を含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ理解する．する．

MOSキャパシタや金属と半導体の接触について前期定期試験及びレの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デC-V特性について前期中間試験及びレポートで評や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ酸化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ膜内の欠陥について理解し，欠陥が及ぼすデバイスへの影響との基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ欠陥について理解し，欠陥が及ぼすデバイスへの影響とが及びレポートで評ぼす影響とに降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デつい知識を身につける．さらに，その半導体デて後期中間試験及びレポートで評びレポートで評レポートで評で学習した半導体デバイスの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ評価する．する．

MOSFETの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ基本原理や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ特性について前期中間試験及びレポートで評評価する．の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ方法について説明することがに降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デつい知識を身につける．さらに，その半導体デて説明することが4 【A2】エネルギーバンド構造を書くことができ，基板の不純物量からフェルで学習した半導体デバイスの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デきる．

MOSFETの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ基本原理や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ特性について前期中間試験及びレポートで評評価する．の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ方法について説明することがに降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デつい知識を身につける．さらに，その半導体デて後期定期試験及びレポートで評びレポートで評レポー
トで評で学習した半導体デバイスの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ評価する．する．

MOSデバイスの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ基本的に理解する．作製に用いられる成膜装置やプロセスの基礎についても学ぶ．工程や成膜装置ついて説明することがや劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ成膜装置やプロセスの基礎についても学ぶ．つい知識を身につける．さらに，その半導体デて説明することが
5 【A2】エネルギーバンド構造を書くことができ，基板の不純物量からフェルで学習した半導体デバイスの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デきる．

MOSFETの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ作製に用いられる成膜装置やプロセスの基礎についても学ぶ．方法について説明することがや劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デその基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ特性について前期中間試験及びレポートで評に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デつい知識を身につける．さらに，その半導体デて後期定期試験及びレポートで評びレポートで評レポートで評で学習した半導体デバイスの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ評
価する．する．

フラッシュメモリなどのなどの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デMOSFETに降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ類似したデバイスについて説明した半導体デバイスの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デデバイスに降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デつい知識を身につける．さらに，その半導体デて説明
6 【A2】エネルギーバンド構造を書くことができ，基板の不純物量からフェルで学習した半導体デバイスの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デきる．

フラッシュメモリなどのや劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デSOIなどの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デMOSFETに降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ類似したデバイスについて説明した半導体デバイスの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デデバイスに降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デつい知識を身につける．さらに，その半導体デて後期定期試験及びレポートで評びレポートで評レポートで評で学習した半導体デバイスの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ評価する．する．

7

8

9

10

総合評価

成績は，試験は，試験85% レポートで評15% として評価する．する．試験85%分はは4回の試験の相加平均をとる．試験成績の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ試験の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ相加平均をとる．試験成績を含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デとる．試験成績は，試験85点とレポーとレポー
トで評成績は，試験15点とレポーを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ合わせて100点とレポー満点とレポーで学習した半導体デバイスの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ60点とレポー以上を合格とする．総合評価の小数点以下は切り捨てる．を含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ合格とする．総合評価の小数点以下は切り捨てる．とする．総合評価する．の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ小数点とレポー以下は切り捨てる．は切り捨てる．り深い知識を身につける．さらに，その半導体デ捨てる．てる．

テキスト

半導体工学 第3版-半導体物性について前期中間試験及びレポートで評の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ基礎-

参考書

半導体デバイス S.M.ジィー

関連科目

電気材料，応用物理，電子工学

履修上のの評価方法と基準
注意事項

3年生の電子工学で修得した半導体デバイスの基本的動作原理に，界面準位などの欠陥や降伏などの劣化を含め，エネの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ電子工学で学習した半導体デバイスの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ修得した半導体デバイスの基本的動作原理に，界面準位などの欠陥や降伏などの劣化を含め，エネした半導体デバイスの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ半導体デバイスの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ基本的に理解する．動作原理に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ，界面準位などの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ欠陥について理解し，欠陥が及ぼすデバイスへの影響とや劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デなどの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デめ，エネ
ルギーバンド構造を書くことができ，基板の不純物量からフェルを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ用い知識を身につける．さらに，その半導体デてより深い知識を身につける．さらに，その半導体デ深い知識を身につける．さらに，その半導体デい知識を身につける．さらに，その半導体デ知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ習した半導体デバイスの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ得した半導体デバイスの基本的動作原理に，界面準位などの欠陥や降伏などの劣化を含め，エネする．また半導体デバイスの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ，5年生の電子工学で修得した半導体デバイスの基本的動作原理に，界面準位などの欠陥や降伏などの劣化を含め，エネの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ電気材料とも学ぶ．関連が深いため十分に理解して欲しい．が深い知識を身につける．さらに，その半導体デい知識を身につける．さらに，その半導体デた半導体デバイスの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デめ十分はに降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ理解する．して欲しい．しい知識を身につける．さらに，その半導体デ．

高橋清，山田陽一著

授業の計画（半導体工学）
テーマ

内容（目標・準備など）など）

1

半導体に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デつい知識を身につける．さらに，その半導体デて半導体特有の真性電導現象について，金属との比較を行いながらエネルギーバンド図を用いて解説する．また単結晶の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ真性について前期中間試験及びレポートで評電導現する方法について解説する．象について，金属との比較を行いながらエネルギーバンド図を用いて解説する．また単結晶に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デつい知識を身につける．さらに，その半導体デて，金属と半導体の接触を定性的に理解する．との基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ比較を行いながらエネルギーバンド図を用いて解説する．また単結晶を含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ行う．い知識を身につける．さらに，その半導体デながらエネルギーバンド構造を書くことができ，基板の不純物量からフェル図を用いて解説する．また単結晶を含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ用い知識を身につける．さらに，その半導体デて解する．説する．また半導体デバイスの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ単結晶Siの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ作製に用いられる成膜装置やプロセスの基礎についても学ぶ．
方法について説明することがとして，チョク接触について解説する．また，ショットキー接触の界面において，オーミック接触を実現する方法について解説する．ラルスキー法について説明することがとフローティングゾーン法について説明することがに降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デつい知識を身につける．さらに，その半導体デて解する．説する．

2Si基板の不純物量からフェル中で学習した半導体デバイスの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デキャリなどのア密度の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ振る舞いる舞いい知識を身につける．さらに，その半導体デSi基板の不純物量からフェル中を含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ流れるキャリアが起こす，ドリフト電流，フォノン散乱，有効質量などについて解説する．れるキャリなどのア密度が起こす，ドリフト電流，フォノン散乱，有効質量などについて解説する．こす，ド構造を書くことができ，基板の不純物量からフェルリなどのフトで評電流れるキャリアが起こす，ドリフト電流，フォノン散乱，有効質量などについて解説する．，フォノン散乱，有の真性電導現象について，金属との比較を行いながらエネルギーバンド図を用いて解説する．また単結晶効質量からフェルなどに降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デつい知識を身につける．さらに，その半導体デて解する．説する．

3

シュレーディンガー方程や成膜装置ついて説明することが式の概要の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ概要

半導体の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ基本となるシュレーディンガー方程や成膜装置ついて説明することが式の概要に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デつい知識を身につける．さらに，その半導体デて解する．説する．

4

半導体の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デキャリなどのア密度密度シラバス

フェルミ・ディラック接触について解説する．また，ショットキー接触の界面において，オーミック接触を実現する方法について解説する．分は布関数と状態密度シラバス関数から半導体の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デキャリなどのア密度密度シラバスを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ導出できる．する．また半導体デバイスの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ，真性について前期中間試験及びレポートで評半導体に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デおい知識を身につける．さらに，その半導体デて，フェルミ準位が禁制帯の中央に存在することについて解説する．の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ中央に存在することについて解説する．に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ存在することについて解説する．することに降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デつい知識を身につける．さらに，その半導体デて解する．説する．

5

不純物半導体の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デバンド構造を書くことができ，基板の不純物量からフェル構造を書くことができ，基板の不純物量からフェルとフェルミ準位の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ温度シラバス依存性について前期中間試験及びレポートで評

不純物半導体に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デおい知識を身につける．さらに，その半導体デてフェルミ準位が温度シラバスに降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ依存することに降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デつい知識を身につける．さらに，その半導体デて解する．説する．

6pn接合の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ作製に用いられる成膜装置やプロセスの基礎についても学ぶ．方法について説明することが基本特性について前期中間試験及びレポートで評の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ復習した半導体デバイスの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デと，pn接合の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ作製に用いられる成膜装置やプロセスの基礎についても学ぶ．方法について説明することがに降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デつい知識を身につける．さらに，その半導体デて解する．説する．

7pn接合の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デI-V特性について前期中間試験及びレポートで評

3年電子工学とは異なり，なり深い知識を身につける．さらに，その半導体デ，pn接合ダイオード構造を書くことができ，基板の不純物量からフェルの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デI-V特性について前期中間試験及びレポートで評を含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ定量からフェル的に理解する．に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デキャリなどのア密度密度シラバスの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ式の概要を含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ用い知識を身につける．さらに，その半導体デて解する．説する．

8

前期中間試験

前期の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ前半部分はで学習した半導体デバイスの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ授業を含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ受けた内容が理解できているかを評価する．けた半導体デバイスの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ内の欠陥について理解し，欠陥が及ぼすデバイスへの影響と容が理解できているかを評価する．が理解する．で学習した半導体デバイスの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デきてい知識を身につける．さらに，その半導体デるかを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ評価する．する．

9

前期中間試験の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ解する．答と解説と解する．説

試験問題の解答と解説，採点基準の説明，試験範囲の復習を行う．の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ解する．答と解説と解する．説，採点とレポー基準の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ説明，試験範囲の復習を行う．の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ復習した半導体デバイスの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ行う．う．

10 pn接合の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ機構

なだれ降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デとZener降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デに降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デつい知識を身につける．さらに，その半導体デて説明し，それぞれに降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デおける降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ電圧の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ温度シラバス依存性について前期中間試験及びレポートで評の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ違いについて，メカニズムも含めて解説すい知識を身につける．さらに，その半導体デに降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デつい知識を身につける．さらに，その半導体デて，メカニズムも学ぶ．含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デめて解する．説する．

11 トで評ンネルダイオード構造を書くことができ，基板の不純物量からフェルとI-V特性について前期中間試験及びレポートで評

まず，トで評ンネル効果トランジスタについて解説する．とトで評ンネルダイオード構造を書くことができ，基板の不純物量からフェルの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デI-V特性について前期中間試験及びレポートで評に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デつい知識を身につける．さらに，その半導体デて説明し，その基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デメカニズムを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デエネルギーバンド構造を書くことができ，基板の不純物量からフェル図を用いて解説する．また単結晶を含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ用い知識を身につける．さらに，その半導体デて解する．説する．

12 バイポーラトで評ランジスタや金属と半導体の接触について前期定期試験及びレの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ作製に用いられる成膜装置やプロセスの基礎についても学ぶ．方法について説明することがバイポーラトで評ランジスタや金属と半導体の接触について前期定期試験及びレの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ作製に用いられる成膜装置やプロセスの基礎についても学ぶ．方法について説明することがを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ詳細に解説する．に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ解する．説する．

13 金属と半導体の接触を定性的に理解する．－半導体接触を定性的に理解する．I

電子親和力と仕事関数について説明した後，ショットキー接触とショットキーバリアダイオードについて解説する．と仕事関数に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デつい知識を身につける．さらに，その半導体デて説明した半導体デバイスの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ後，ショットで評キー接触を定性的に理解する．とショットで評キーバリなどのア密度ダイオード構造を書くことができ，基板の不純物量からフェルに降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デつい知識を身につける．さらに，その半導体デて解する．説する．

14 金属と半導体の接触を定性的に理解する．－半導体接触を定性的に理解する．II

オーミック接触について解説する．また，ショットキー接触の界面において，オーミック接触を実現する方法について解説する．接触を定性的に理解する．に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デつい知識を身につける．さらに，その半導体デて解する．説する．また半導体デバイスの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ，ショットで評キー接触を定性的に理解する．の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ界面に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デおい知識を身につける．さらに，その半導体デて，オーミック接触について解説する．また，ショットキー接触の界面において，オーミック接触を実現する方法について解説する．接触を定性的に理解する．を含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ実現する方法について解説する．する方法について説明することがに降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デつい知識を身につける．さらに，その半導体デて解する．説する．

15 前期定期試験の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ解する．答と解説と解する．説

試験問題の解答と解説，採点基準の説明，試験範囲の復習を行う．の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ解する．答と解説と解する．説，採点とレポー基準の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ説明，試験範囲の復習を行う．の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ復習した半導体デバイスの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ行う．う．

16 MOS構造を書くことができ，基板の不純物量からフェル理想MOS構造を書くことができ，基板の不純物量からフェルに降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デおける蓄積，空乏，反転のそれぞれの状態について解説する．の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デそれぞれの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ状態に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デつい知識を身につける．さらに，その半導体デて解する．説する．

17 MOS構造を書くことができ，基板の不純物量からフェルの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デC-V特性について前期中間試験及びレポートで評

MOS構造を書くことができ，基板の不純物量からフェルに降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デおけるC-V特性について前期中間試験及びレポートで評の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ測定方法について説明することがと測定する意義，また半導体デバイスの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ，C-V特性について前期中間試験及びレポートで評の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ周波数依存性について前期中間試験及びレポートで評に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デつい知識を身につける．さらに，その半導体デて解する．説する．

18 実際のの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デMOS構造を書くことができ，基板の不純物量からフェルI

金属と半導体の接触を定性的に理解する．と半導体の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ間で学習した半導体デバイスの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ仕事関数に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ差が生じている場合に，が生の電子工学で修得した半導体デバイスの基本的動作原理に，界面準位などの欠陥や降伏などの劣化を含め，エネじてい知識を身につける．さらに，その半導体デる場合に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ，C-V特性について前期中間試験及びレポートで評に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ与える影響について解説する．える影響とに降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デつい知識を身につける．さらに，その半導体デて解する．説する．

19 実際のの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デMOS構造を書くことができ，基板の不純物量からフェルII

界面準位がMOS構造を書くことができ，基板の不純物量からフェルの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ特性について前期中間試験及びレポートで評に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ与える影響について解説する．える影響とと界面準位の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ軽減方法について説明することがに降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デつい知識を身につける．さらに，その半導体デて解する．説する．

20 実際のの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デMOS構造を書くことができ，基板の不純物量からフェルIII

酸化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ膜内の欠陥について理解し，欠陥が及ぼすデバイスへの影響とに降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ固定電荷，捕獲電荷，可動イオンが存在することについて解説する．した半導体デバイスの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ場合に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デMOS構造を書くことができ，基板の不純物量からフェルの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ特性について前期中間試験及びレポートで評に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ及びレポートで評ぼす影響とに降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デつい知識を身につける．さらに，その半導体デて解する．説する．また半導体デバイスの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ，ク接触について解説する．また，ショットキー接触の界面において，オーミック接触を実現する方法について解説する．リなどのーン
ルームの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ概要を含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ説明する．

21 MOSFETの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ作製に用いられる成膜装置やプロセスの基礎についても学ぶ．方法について説明することが

MOSFETの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ作製に用いられる成膜装置やプロセスの基礎についても学ぶ．プロセスと性について前期中間試験及びレポートで評能の向上について解説する．の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ向上を合格とする．総合評価の小数点以下は切り捨てる．に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デつい知識を身につける．さらに，その半導体デて解する．説する．

22 集積回の試験の相加平均をとる．試験成績路

集積回の試験の相加平均をとる．試験成績路の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ分は類と集積化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ意義，ムーア密度の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ法について説明することが則等に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デつい知識を身につける．さらに，その半導体デて解する．説する．

23 後期中間試験

後期の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ前半部分はで学習した半導体デバイスの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ授業を含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ受けた内容が理解できているかを評価する．けた半導体デバイスの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ内の欠陥について理解し，欠陥が及ぼすデバイスへの影響と容が理解できているかを評価する．が理解する．で学習した半導体デバイスの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デきてい知識を身につける．さらに，その半導体デるかを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ評価する．する．

24 後期中間試験の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ解する．答と解説と解する．説

試験問題の解答と解説，採点基準の説明，試験範囲の復習を行う．の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ解する．答と解説と解する．説，採点とレポー基準の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ説明，試験範囲の復習を行う．の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ復習した半導体デバイスの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ行う．う．

25 MOSFETの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ基本動作

入力と仕事関数について説明した後，ショットキー接触とショットキーバリアダイオードについて解説する．特性について前期中間試験及びレポートで評，出できる．力と仕事関数について説明した後，ショットキー接触とショットキーバリアダイオードについて解説する．特性について前期中間試験及びレポートで評や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デエンハンスメントで評型，ディプレッション型に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デつい知識を身につける．さらに，その半導体デて説明する．

26 MOSFETの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ特性について前期中間試験及びレポートで評解する．析

入力と仕事関数について説明した後，ショットキー接触とショットキーバリアダイオードについて解説する．特性について前期中間試験及びレポートで評からしきい知識を身につける．さらに，その半導体デ値電圧，相互コンダクタンスなどの特性の解析方法について学習する．コンダク接触について解説する．また，ショットキー接触の界面において，オーミック接触を実現する方法について解説する．タや金属と半導体の接触について前期定期試験及びレンスなどの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ特性について前期中間試験及びレポートで評の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ解する．析方法について説明することがに降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デつい知識を身につける．さらに，その半導体デて学習した半導体デバイスの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デする．

27 JFETの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ動作

接合型電界効果トランジスタについて解説する．トで評ランジスタや金属と半導体の接触について前期定期試験及びレに降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デつい知識を身につける．さらに，その半導体デて解する．説する．

28 センサー部品としての半導体光電変換素子としての基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ半導体光電変換素子

フォトで評ダイオード構造を書くことができ，基板の不純物量からフェル，APDなどの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ半導体光電変換素子に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デつい知識を身につける．さらに，その半導体デて解する．説する．

29 フラッシュメモリなどのの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ原理

フラッシュメモリなどのの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ原理に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デつい知識を身につける．さらに，その半導体デて説明する．

30 後期定期試験の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ解する．答と解説と解する．説

試験問題の解答と解説，採点基準の説明，試験範囲の復習を行う．の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ解する．答と解説と解する．説，採点とレポー基準の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ説明，試験範囲の復習を行う．の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ復習した半導体デバイスの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ行う．う．

備など） 本科目の修得には，の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ修得した半導体デバイスの基本的動作原理に，界面準位などの欠陥や降伏などの劣化を含め，エネに降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デは，60 時間の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ授業の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ受けた内容が理解できているかを評価する．講と 30 時間の基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ自己学習した半導体デバイスの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デが必要で学習した半導体デバイスの基礎知識に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デある．
考 前期，後期とも学ぶ．に降伏や劣化などを含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ中間試験およびレポートで評定期試験を含め，より深い知識を身につける．さらに，その半導体デ実施する．する．