Tokyo Electron

Annual Report 2011

研究開発 / 知的財産

研究開発
半導体産業は今後も成長を続けます。まず、半導体を搭載し微細化に伴って“素子性能のばらつき”に起因する歩留まりた機器が世界の隅々まで浸透し、半導体は今以上に人々 の生低下が、ますます深刻な問題になります。素子性能のばらつき活を支える基幹部品になっていきます。半導体の用途も拡大しは様々な原因で起こりますが、製造プロセスで使用されるプラます。現在半導体のおよそ 60%はコンピュータと通信に使わズマや熱などの過剰なエネルギーもその一つです。

れていますが、クラウドコンピューティングなどのネットワーク

東京エレクトロンではプロセスの低温化とプラズマの低エネインフラは今後エネルギー、医療、あるいは農業などにも応用ルギー化を積極的に進めています。ラジアルラインスロットアされ、それを支える半導体がますます必要になることはいうま

ンテナを用いたプラズマは高密度・低エネルギーのプラズマ源でもありません。

で、素子の損傷を大幅に低減できる新しいエッチング装置とし発展を支えるのが技術です。研究開発では、高度化した技て製品化しました。

術をタイムリーに創出することが重要です。東京エレクトロン

半導体を高機能化するためには、今後新しい機能性材料がでは、基礎研究は大学やSEMATEcH 、imecなどのコンソーシ不可欠です。ロジックデバイスにはHigh-k&メタルゲート膜を、アムとの協業を通じて効率化を図っています。その施策の一つ

DRAMには新キャパシタ絶縁膜と電極材料を、また新メモリデとして 2012 年春、茨城県つくば市に新たな研究開発拠点としバイスに向けて相変化材料や抵抗材料を成膜するcVD 装置をて、東京エレクトロンテクノロジーセンターつくばを開設するこ開発しています。とになりました。つくばに集中する優れた研究開発環境を活用して研究開発のスピードアップを狙います。応用段階では顧客に近い場所に開発拠点を設け、顧客と密接な協力関係を築いて実用化を加速しています。

2010 年よりコーポレート開発部門においては、シリコン集積回路のみならず新半導体材料（化合物半導体、有機半導体微細化と並んで近年注目を集めているのが、3 次元メモリセ
ル積層技術と3 次元チップ積層技術です。

3 次元メモリセル積層技術はフラッシュ・メモリセルを縦に積み重ねて集積度を高めるもので、東京エレクトロンは深い穴のエッチングや金属膜の埋め込み技術を通じてこの革新的集積化プロセスの開発に貢献しています。など）や新製造技術まで活動領域を広げ、“ナノメートル”レベル3 次元チップ積層技術は完成した複数のチップを積み重ねての超微細加工技術と新材料が織りなす新しい半導体の世界へ高機能化を目指す技術です。東京エレクトロンはこの分野でもの飛躍を目指しています。

トップの装置メーカーを目指しており、シリコン（ Si ）基板に高速極限を目指す半導体製造技術
微細化は半導体の価値を支える根源です。その微細化を牽引するのはダブルパターニング技術と極端紫外線（ EUV ）露光技術です。
当社のダブルパターニング技術は、室温でのシリコン酸化膜形成など独自の技術を採用しており、ハーフピッチ13nmのパターンを形成しました。今年は改良を重ねて 11nmのパターン形成に成功し、量産露光装置を使用する微細加工の限界を更新しています。
また、次世代露光技術として有望なEUV 露光技術に対しては、コータ/デベロッパの開発のみならず、ラインエッジラフネス（パタ−ン側面の荒れ）を低減するプロセス開発も進めています。

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東京エレクトロンテクノロジーセンターつくば（2012 年春開設予定）
茨城県つくば市に集まる日本を代表する研究機関・大学等との連携により、SPE 関連の新たな基盤技術、コア技術の研究開発、および太陽電池製造技術の研究開発を加速させていきます。

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で貫通ヴィアホールを開孔するエッチング装置を製品化し、まより高効率・低コストの太陽電池を目指してシリコン薄膜系以外たヴィアホール内をポリイミド膜で絶縁する装置なども開発しの太陽電池製造技術への取り組みも進めています。ています。

新分野の探索環境・エネルギー問題への取り組み培ってきた半導体製造技術を軸にして参入できる可能性の

東京エレクトロンは地球的課題ともいえる環境・エネルギーある分野として、医療やエネルギーなどの分野を検討しています。デジタルカメラや携帯音楽機器など新しい製品がnAnD 型問題にもグループを挙げて取り組んでいます。
第一は省エネルギーへの貢献です。消費電力低減に大きなフラッシュメモリを牽引したように、新しい製品が新しい製造技貢献が期待されるパワーデバイスにおいては、シリコンカーバ術を牽引します。その意味で新分野への参入に当たっては、事イド（ Sic ）半導体が数十年に一度の大変革と期待を集めていま業部門と研究開発部門が密接に連携して市場と技術の両面かす。そのSic 半導体に必須の Sic エピタキシャル膜成膜装置をら検討を加えています。

開発し2010 年に販売を開始しました。パワーデバイスのみな未知の技術については、当社と相補的な技術を持つ大学、コらず照明も省エネルギー化が必要な分野です。次世代省電力ンソーシアム、およびベンチャー企業などとの水平分業的研究技術として期待の有機 Elに対しても、当社独自の製造装置を開発を心がけていることはいうまでもありません。国内の大学開発しています。

はもとより、海外の研究プログラムにも参加して優れた研究を第二は太陽電池製造装置です。成長が期待されているシリコン薄膜系太陽電池では、半導体やFPD 製造装置で培った成発掘し、有望な技術については国内外を問わず積極的に共同研究をしています。

膜技術を活かして生産性の高い製造装置を開発中です。また、

hp 45nmhp 23nm

hp 11nm

東京エレクトロン独自のダブルパターニングプロセスを2 回行うことによって、ハーフピッチ11nmという極微細パターンの形成に成功しました。

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知的財産
知的財産活動の方針

同時に、知的財産活動を実効的なものとするためには、激し

当社では、事業会社における知的財産活動の意義は事業活く変化する市場、技術動向への柔軟な対応も求められます。営動のサポートにより企業収益の向上に貢献することにあり、知業・マーケティング部門と連携して市場、技術動向をタイムリー

的財産戦略は技術戦略および製品戦略と三位一体となることに把握できるよう、調査・渉外業務の担当者は営業・マーケティによってはじめて実効性のあるものになると考えています。

ング部門がある本社に配置しています。加えて、出願権利化おそのため、知的財産権を他社にライセンスし収益を上げるこよび調査・渉外業務の担当者と事業部門および開発部門の責とではなく、知的財産権による自社製品の技術的差別化や競任者が知財活動について協議するための会議体を定期的に開争優位性の確保することを第一の目的として、知的財産戦略を催することで、常に知財活動が市場、技術動向に対応したもの構築・実行しています。となるようにしています。

また、技術がますます高度化、複雑化している当社参入分
野では、他社所有特許を十分に尊重しない製品開発は大きな知的財産権の出願、保有状況リスクを抱えることになります。この観点から、当社では他社

当社では、各事業分野の戦略上重要なコア技術の出願に加の知的財産権を適切にモニターし、必要に応じてライセンスのえ、広く周辺技術を包含できるような特許網の構築を積極的に取得を含め適切な対応を行うことで紛争のリスクを最小化して推進しています。

います。

各国における出願件数ならびに保有件数は、各事業分野における市場、競合会社の動向を考慮して常に適正化を図ってい知的財産活動の体制ます。国内外における特許出願ならびに保有状況は、下のグラお客様であるデバイスメーカーのより高いニーズに対応し、フのとおりです。当社事業活動における海外市場の重要度に当社では積極的な研究開発を継続しています。その成果に基対応し、近年は70% 前後のグローバル出願率*1を維持していづく競争優位を維持するためには、確実に知的財産権によってます。とりわけ、韓国と中国での出願・保有件数を増加させて保護することが不可欠です。そのため、当社知的財産部門でいます。これは昨今の事業戦略における韓国や中国の市場とは、研究開発部門と密に連携しながら知的財産権の取得を行なしての重要度の高まりと、韓国の半導体および FPD 製造装置えるよう、出願権利化の担当者を研究開発部門がある工場にメーカー興隆に対応した当社特許戦略によるものです。

配置しています。

*1 日本国特許庁への特許出願のうち外国に出願される件数の比率。日本企業の平均は約25% 。

年度別特許出願件数

各年度末特許保有件数（年度）（3 月31 日現在）

1,000

4,000

800

3,000

600
2,000
400
1,000

200
00070809
日本

26

米国

10欧州

韓国

11
台湾

07中国

0809
日本

米国

10欧州

韓国

11
台湾

中国