复合沟道 MOSFET
ELM52527CWA-N■概要

http://www.elm-tech.com■特点

ELM52527CWA-N 是低输入电容、N 沟道P 沟道低工作电压、低导通电阻的大电流
MOSFET。同时内藏有 N 沟道和 P 沟·Vds=20V·Id=4.5A·Vds=-20V·Id=-4.5A

道的复合产品。另外，此芯片还内

·Rds(on) = 19mΩ(Vgs=4.5V) ·Rds(on) = 42mΩ(Vgs=-4.5V)

藏 ESD 保护电路。

·Rds(on) = 23mΩ(Vgs=2.5V) ·Rds(on) = 52mΩ(Vgs=-2.5V)·Rds(on) = 34mΩ(Vgs=1.8V) ·Rds(on) = 68mΩ(Vgs=-1.8V)·ESD 保护■绝对最大额定值项目记号

·ESD 保护如没有特别注明时, Ta=25℃
N 沟道 ( 最大值 ) P 沟道 ( 最大值 ) 单位漏极 - 源极电压

Vds

20-20V栅极 - 源极电压Vgs±124.5±12-4.5V

4.5-4.520
7.8-207.8

5.0
150-55 ~ 1505.0
150
-55 ~ 150℃℃

最大值单位

Ta=25℃

漏极电流（定常）(Tj=150℃)

Id

Ta=70℃

漏极电流（脉冲）Idm
Tc=25℃

容许功耗

Pd

Tc=70℃

结合部温度
保存温度范围

TjTstgAAW■热特性项目最大结合部 - 环境热阻记号沟道

最大接合部 - 外封裝

Rθja
Rθja
Rθjc

NPN

52.0
52.0
12.5

最大接合部 - 外封裝

Rθjc

P12.5

最大结合部 - 环境热阻

■引脚配置图DFN6-2×2(俯视图)典型值℃/W℃/W

■电路图
引脚编号
1

引脚名称SOURCE123

GATE1
DRAIN2456SOURCE2
GATE2DRAIN1·N 沟道·P 沟道

Rev.1.09-1如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。

复合沟道 MOSFET
ELM52527CWA-N

http://www.elm-tech.com■电特性 (N 沟道 )项目记号

如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位条件

静态特性漏极 - 源极击穿电压

BVdss Id=250μA, Vgs=0V

栅极接地时漏极电流

Idss

Vds=16V, Vgs=0V栅极漏电电流Igss

Vds=0V, Vgs=±12V栅极阈值电压Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA

0.4

导通时漏极电流

Id(on) Vgs=4.5V, Vds≧5V15

漏极 - 源极导通电阻

Vgs=4.5V, Id=5.0A
Rds(on) Vgs=2.5V, Id=4.6A

15181923

Vgs=1.8V, Id=4.2A

2734

Vds=6V, Id=5.0A
Is=1.5A, Vgs=0V

28
0.85

正向跨导
二极管正向压降Gfs
Vsd

寄生二极管最大连续电流
动态特性Is输入电容Ciss输出电容反馈电容
开关特性CossCrss总栅极电荷栅极 - 源极电荷栅极 - 漏极电荷Qg
Qgs
Qgd

导通延迟时间导通上升时间关闭延迟时间关闭下降时间

20

V
1Ta=85℃10

Vgs=0V, Vds=6V, f=1MHz

μA

±10μA

1.0VAmΩ

1.20

SV

1.6A

620pF

180
100pFpF

6.00.80.812.0nCnC
nCtd(on)

1020

nstr
Vgs=4.5V, Vds=10V, Id≡3.6A
td(off) RL=5.5Ω, Rgen=6.0Ω
tf

1025
10204020

nsnsnsVgs=4.5V, Vds=6V, Id≡5.0A

Rev.1.09-2如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。

AFC2527W

Alfa-MOS

20V N & P Pair

Technology复合沟道 MOSFET
Enhancement Mode MOSFET
ELM52527CWA-N

http://www.elm-tech.com■标准特性曲线 (N 沟道 )Typical Characteristics ( N-Channel )www.alfa-mos.com©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev.B Jan. 2018

Page 5

Rev.1.09-3如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。

AFC2527W

Alfa-MOS

20V N & P Pair
Technology
Enhancement Mode MOSFET
复合沟道 MOSFET
ELM52527CWA-N
Typical Characteristics ( N-Channel )http://www.elm-tech.com

www.alfa-mos.com©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev.B Jan. 2018

Page 6
Rev.1.09-4如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。

AFC2527W

Alfa-MOS

20V N & P Pair
Technology
Enhancement Mode MOSFET
复合沟道 MOSFET
ELM52527CWA-N
Typical■测试电路和波形
Characteristics ((NN-Channel)
沟道 )http://www.elm-tech.com

www.alfa-mos.com©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev.B Jan. 2018

Page 7Rev.1.09-5
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。

复合沟道 MOSFET
ELM52527CWA-N

http://www.elm-tech.com■电特性 (P 沟道 )项目记号

如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位条件静态特性
漏极 - 源极击穿电压

BVdss Id=-250μA, Vgs=0V

栅极接地时漏极电流

Idss

Vds=-16V, Vgs=0V栅极漏电电流Igss

Vds=0V, Vgs=±8V栅极阈值电压

Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA-0.4

导通时漏极电流

Id(on) Vgs=-4.5V, Vds≧-5V-10

漏极 - 源极导通电阻

Vgs=-4.5V, Id=-4.5A
Rds(on) Vgs=-2.5V, Id=-3.4A

37464252Vgs=-1.8V, Id=-2.4A

5968

Vds=-6V, Id=-4.6A
Is=-1.25A, Vgs=0V

12-0.85

正向跨导二极管正向压降Gfs
Vsd

寄生二极管最大连续电流
动态特性Is输入电容Ciss输出电容反馈电容开关特性CossCrss总栅极电荷栅极 - 源极电荷栅极 - 漏极电荷Qg
Qgs
Qgd

导通延迟时间td(on)导通上升时间
关闭延迟时间关闭下降时间tr
Id≡-3.7A, RL=2.7Ω
td(off)Rgen=1.0Ω
tf-20

V-1

Ta=85℃-10

Vgs=0V, Vds=-6V, f=1MHz

Vgs=-4.5V, Vds=-6V, Id≡-5.6A

Vgs=-4.5V, Vds=-10V

μA

±10μA

-1.0VAmΩ

-1.20

SV-1.6A

1450

pF

265
255

pF
pF

10.0
2.5
2.8

18.0

nCnCnC1525ns25
40
1540
6525nsnsns

Rev.1.09-6
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。

AFC2527W

Alfa-MOS

20V N & P Pair

Technology
Enhancement Mode MOSFET
复合沟道 MOSFET
ELM52527CWA-N

http://www.elm-tech.com■标准特性曲线(P 沟道)
TypicalCharacteristics( P-Channel)

www.alfa-mos.com©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev.B Jan. 2018

Page 8

Rev.1.09-7
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。

AFC2527W

Alfa-MOS

20V N & P Pair
Technology
Enhancement Mode MOSFET复合沟道 MOSFET
ELM52527CWA-N
Typical Characteristics ( P-Channel )http://www.elm-tech.com

www.alfa-mos.com©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev.B Jan. 2018

Page 9Rev.1.09-8
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。

AFC2527W

Alfa-MOS

20V N & P Pair

Technology复合沟道 MOSFET
Enhancement Mode MOSFET
ELM52527CWA-N
TypicalCharacteristics
P-Channel)■测试电路和波形(P (沟道)http://www.elm-tech.com

www.alfa-mos.com©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev.B Jan. 2018

Page 10

Rev.1.09-9
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。