蒸着装置用製品ガイド

スパッタリングHiPIMSプロセス用パルサー及び電源

ionautics社のHiPIMS （High Power Impulse Magnetron Sputtering）用パルサー及び電源は高い安定性があり、パルスを任意にコントロールすることが出来るので、お客様のプロセスに合わせたチューニングが可能です。また、シンクロナイザーを使用することにより、最大8台のパルス電源及びバイアスユニットをコントロールすることが出来、より幅広い制御が可能です。

新製品のHiPSTER BiPolar は絶縁膜のスパッタ法による成膜時に，局所的に大電流が流れるアーキング現象の発生という問題が抱えているHiPIMS法を用いたDLC（Diamond Like Carbon）成膜において、アーキング率が低くなることが確認されています。また、試料へのバイアスも必要無くなることにより装置の簡略化も期待されています。

1kW用 HiPSTER1

6kW用 HiPSTER610kW用 HiPSTER10

シンクロナイザーHiPSTER Sync

ionautics社のナノパーティクルクラスターソースは様々なアプリケーションに対応したナノパーティクル製造用ソースです。
既存の高真空装置に取り付け可能でターゲットカソードを容易に交換できメンテナンスも容易に出来ます。
電源にはionautics社で定評のあるHipster1 HiPIMS用高出力パルス電源を使用し、高品質なナノパーティクルを作り出します。

ナノパーティクル クラスターソース

Kurt J. Lesker 社製スパッタカソード
高真空用丸型スパッタリングカソード

チムニー（オプション）
ガスインジェクションリング（オプション）
ダークスペース（シールド）
ターゲット押さえ
冷却銅プレート
マグネット●

ターゲットサイズは 1”、2”、3”、4” が標準●

特注で最大 12” のターゲットまで対応可能●

RF、DC、DC パルスオペレーションにも対応●

高ターゲット利用効率及び高均一●

広範囲の圧力レンジに対応（10 -9 Torr まで）●

デポジションレートが早い●

ターゲットはクランプ固定式でボンディング不要●

磁石は水と分離されていて長寿命（単位 mm）

ステンレスボディー
バイトン O リング

ICF34 フランジ

TM04

型式

TM01

TM02

TM03

H173878793

H2799797102

H3N/A6.46.46.4

H4N/A

25.4

25.425.4

D1N/A

7676

102

D2529393118

超高真空用丸型スパッタリングカソード●

ターゲットサイズは 2”、3” は標準●

RF、DC、DC パルスオペレーションに対応●

溶接構造により超高真空対応●

高ターゲット利用効率（最大 30%）●

高均一性（±3%）●ターゲットはクランプ固定式でボンディング不要●

磁石は水と分離しており長寿命●

350℃高温ベーキング対応（マグネット取外時）（単位 mm）
モデル

TM2U

TM2U

TM3U

ターゲット寸法50.850.8

76

TM3U
976

ターゲット厚2 〜 6.3

2 〜 6.3

2 〜 6.3

2 〜 6.3

A 寸法

102

235

102235

B 寸法

133

266

133

266

E 寸法

307440307440

取付フランジ

CF152

CF152

CF152

CF152

生産用大口径角型スパッタリングカソード●

ターゲットサイズは最大 279ｍｍ×3,556ｍｍまで可能●

RF、DC、DC パルスオペレーションに対応●

溶接構造により超高真空対応●

高ターゲット利用効率（最大 50%）●

成膜安定を高める為に 15％以下で電圧調整が可能●

ターゲットはクランプ固定式でボンディング不要●

磁性材料及び非磁性材料にも対応可能●

フランジ付きも製作可能●

特注にも対応可能

TARGET LENGTHS TO
140” (3,556mm)（単位 mm）

Target Size（in）
TARGET WIDTHS FROM
1” TO 11”(25mm-279mm)

INTEGRATED DUAL
LINEAR

Utilization（％）
バッキングプレート（無 / 有）ｋWhrVolume Used（in"）

Groove Depth（in）

2×38×1/4

28 / 33

181

5.10.1833-1/2×30×3/8

40 / 43558

15.70.250

5×12×1238 / 42371

12.00.150

5×12×5/8

33 / 39409

15.00.525

5×36×1/2

37 / 40975

36.00.461

6×15×5/8

41 / 48793

23.00.575

6×46×5/8

40 / 472170

69.00.583

8×36×7/8

44 / 50

3361

111.0

0.763

11×45×1

43 / 485869

173.00.810

032 PRIMS コンパクトスパッタリングシステム
コンパクトなサイズでチャンバーサイズはΦ355mm
2 インチカソードが 3 台搭載可能● チャンバー内部にはシールドを設置● チャンバーベースプレッシャー：10-7 mbar-3● ワーキングプレッシャー: 5x10 mbar – 1x10-1 mbar (max)● ターボ分子ポンプ排気システムを採用● サンプルサイズは２インチまで対応● チャンバー開口にはビューポート付き大型ドアを採用● サンプル交換やターゲット交換が容易●●●

オプション :サンプルヒーター 最大 600℃
サンプルステージ回転機構
蒸着レート測定同時蒸着

2 インチスパッタリングカソード＋DC 電源コントローラー●

2 インチスパッタリングカソード
ICF114 フランジマウント
圧空ドーム型シャッター
チルト ＋45°/ -10°
チムニー
ガスインジェクション
水冷ライン

1 台のユニットで下記の機能があります：
１．600W-2400W スパッタ用 DC 電源
２．3 台のスパッタカソードが接続可能（スイッチ）
３．シャッター制御機能
４．膜厚計を接続すれば膜厚及びレート表示が可能
５．真空計を接続すれば真空度の表示が可能
６．マスフローを接続すればフローコントロールが可能

PREVAC 社製

K-Cell（低温型 / 標準型 / デュアルフィラメント型）＋電源コントローラー
K-Cell 本体

電源コントローラー
低温型：
タッチ式 7” TFT ディスプレイ
温度制御範囲：100℃〜 1000℃（±0.1℃）
1 チャンネル /2 チャンネル独立加熱● 標準型
PID 温度コントロール
温度制御範囲：250℃〜 1500℃（±0.1℃）
ランプレート：0.1℃〜 1000℃ s/min/h● デュアルフィラメント型
温度制御範囲：250℃〜 1400℃（±0.1℃）●

共通仕様：
ルツボ容量：5cc
シャッター：手動または圧空

HEAT3-PS ヒーター用電源コントローラー
抵抗加熱モードと EB 加熱モードの 2 モード搭載可能
抵抗加熱モード：45V 17A ( 他の値もリクエスト可能）
EB モード：1000V 300mA ( 他の値もリクエスト可能）● リアルタイムチャート機能（温度・真空度）● 真空計を接続すれば真空度の表示が可能（オプション）●
PID もしくは手動での温度コントロール● ２個までのシャッターコントロールが可能● タッチ式7” TFT ディスプレイ
●電子銃 ＋電源コントローラー
電子銃本体
温度制御範囲：160 ℃〜 2300 ℃
ルツボ容量：0.07ml またはロッド
シャッター：手動または圧空出口アパーチャー：4/6/7.4mm

電源コントローラー
LCD ディスプレイ
フラックスコントロール
PID 温度コントロール

蒸着用成膜コントローラー＋オシレーター＋クリスタルセンサー
成膜コントローラー
6 個のクリスタルセンサーの表示と制御が可能
タッチ式 7” TFT ディスプレイ
2 チャンネルの真空計表示が可能
シャッター制御（手動 / 時間 / 膜厚）
分解能：0.1Hz (TM13) もしくは 0.01Hz(TM14)100 種類の材料がインプット済み
クリスタルセンサー
ICF70 フランジ
長さは指定可能ベーカブルタイプ・ノンベーカブルタイプから選択可能
シャッター付き / シャッター無しから選択可能

Total Thin Film Solutions

MBE system

PVD system

SVT 社の MBE システムは、半 導 体、オプトエレク
トロニクス、太 陽 光 発 電、および 磁気アプリケーション向けの高純度な精密薄膜を作り出します。装置は製造 する 材 料 用に 特 別 に 設計されており 、重要な成長パラメータを 監 視、表 示、および制御するためのハードウェアおよびソフトウェア機能が装備されています。

SVT 社の PVD システムは、
K-Cell、スパッタ、電子 銃など様々な蒸着ソースが 搭載可能でプラズマソースやイオンソースでサンプルトリートメントにも対応した複合型システムです。
様々なアプリケーションにご使 用いただける高性能なシステムです。

PLD system
SVT 社の PLD システムは他の蒸着技術と組み合わせることで、幅 広い材 料と用途を提供します。真空機能を超高真空ベース圧力に拡張する機能により、不要な膜不純物の制御が可能になります。

SVT 社の NorthStar ALD システムは、様々な用途に対応した研究開発用ツールです。最大 8 本のプリカーサーラインとホットウォール̶クロスフローデ
ポジションチャンバーにより、単一のシステムから幅広いアプリケーションに対応致します。

本製品は MBE や MOCVD、CIGS といった成膜プロセスで多層膜の成長をモニター及びコントロールするユニットです。リアルタイムで基 盤温 度、膜 厚と成長レートをクローズドループで 測定します。
Substrate Temperature Monitor - AccuTemp™

Gas Injector
Valved Cracking Source

本製品は MBE や MOCVD といった成膜プロセスでリアルタイムにフラックスと 組 成 を 測 定 す る ユ ニ ット で す。
0.002nm/s からの成長レートを測定できます。
Atomic Hydrogen Source
RF Plasma Atom Source

Electron Beam Evaporator

AccuFlux™ Deposition Flux Monitor

Island e-Beam 社製

E-Beam 蒸着源
Island e-Beam 社は、E-Beam 蒸着源の専門メーカーです。3kW、10kW、15kW を標準製品とし、その他にもフランジ、シャッター機構や 3 ポケット回転機構などを付けたモジュラー型も製品化し、電源コントローラーやスイープコントローラーも自社で開発した製品です。このE-beam 蒸着源は、大きなパワー密度が得られるので、AL から高融点金属である Ta、Mo、W から酸化物まで、ほとんどの金属の蒸着が可能です。用途として、低抵抗金属材を蒸着することにより、デバイスや LED 素子の電極を作製することができます。また、屈折率の異なる金属酸化膜を積層蒸着することにより、AR コートなどの様々な光学薄膜や薄膜酸化膜を作製することも可能です。

3kw E-beam 蒸着源

10kw E-beam 蒸着源

15kw E-beam 蒸着源●

270°静電偏向型●

270°静電偏向型●

270°静電偏向型●

ルツボ数は 4 個●

ルツボ数は 1 個から 6 個まで選択可能●

ルツボ数は 1 個から 6 個まで選択可能●

ルツボ容量は 2cc をご用意●

ルツボ容量は 4cc、12cc、25cc、●ルツボ容量は 25cc、40cc、75cc、●最大パワーは 3kW

150cc をご用意

（加速電圧は 6kV 〜 10kV）●

外形は 260ｍｍ×145ｍｍ×98ｍｍと400cc をご用意
最大パワーは 15kW
（加速電圧は 6kV 〜 10kV）● ビームスポット径は 8 〜 10 ｍｍ● 外形は 284ｍｍ×174ｍｍ×105.6ｍｍ

コンパクトとコンパクト設計

最大パワーは 10kW●

ビームスポット径は 3 〜 4ｍｍ（加速電圧は 6kV 〜 10kV）●

外形は 166ｍｍ×71ｍｍ×60ｍｍと

●

コンパクト

●

ビームスポット径は 8 〜 10ｍｍ●

最新のモジュール型
エミッターブロックは縦型電極で配線も簡単になりました。

この電源は最新式のソリッドステート（半導体回路）を用いた高性能な電源です。4kV から 10kV をこの１台で制御可能です。

電源コントローラー●

出力電流：0 〜 1amp●

出力電圧：4kV 〜 10kV●

室力電力：<2J＠10kW●

電源入力：208V 3 相●

外形寸法：482.6ｍｍ×432ｍｍ（高さ 133ｍｍ）●

重量：22.5kg

このプログラマブルスウィープコントローラーは、最新の電子技術とお客様からのフィードバックにより、高いレベルの実用的な電子ビームスウィープ能力を有しています。

スイープコントローラー●

コイル電源出力：5Amps●

最大コイル周波数：200Hz●

インターフェイス：RS232●

電源入力：115V 50/60Hz（3A）●

外形寸法：213ｍｍ×355.6ｍｍ（高さ 133.4ｍｍ）●

重量：5kgUHV Design 社製
GLAD サンプル
加熱ステージ

NEW

基板加熱ステージ（Epi Centre）
この基板加熱ステージは使用している全てのパーツが超高真空対応で腐食ガスにも強い設計になっています。インライン型、アングル型があり、どちらも基板を 360 °（∞）回転させながら 1200℃加熱が可能です。

インライン型

アングル型
この GLAD はサンプルの回転に加えてチルト機構付型式

仕様

VPS38
VPS64
VPS100

ICF70 手動ICF114 手動ICF152 手動

型式

フランジサイズ

QDV-114
QDV-152
QDV-203
QDV-253

CF114
CF152
CF203
CF253

シャッター機構
このシャッター機構は蒸発材料のビューポートへの付着を防ぐための製品です。標準品でも 95％の遮蔽能力があり、100％遮蔽型（フルクローズ）もございます。

フルクローズ型

ビューポート付きエントリーハッチ
精密に設計されたヒンジ機構により、確実なシールを実現しました
ハッチ側からキャップボルトでチャンバーへ取付け可能● ビューポートが汚れてもO-ring シールなのでガラス交換が可能●●PRINCETON SCIENTIFIC 社製
Material
Aluminum
Beryllium
CarbonChromum
CobaltCopperGermanium
Harfnium
IndiumIndium / Tin / Oxide
Iridium
Iron
Magnesium
Molybdenum
Nickel
Niobium
Palladium
Platinum
SiliconSilverTantalum
Tin
Titanium
Tungsten
Zinc
Zirconium

Density

ThermalConductivity

CTE

Melting
Point（g/cc）（W/mk）（1/10*6K）

（℃）

2.7
1.848
2.25
7.1
8.9
8.96
5.32
13.1
22.4
7.1
7.3
7.87
1.74
10.22
8.9
8.57
12
21.45
2.34
10.5
16.6
7.28
4.5
19.3
7.14
6.49

237
201
80 - 240
94100
40160.2
23
81.8
11.0 - 12.0
174
80.4
156
138
90.9
53.7
71.8
71.6
80 - 150
429
57.5
66.8
21.9
173
116
22.7

23.5
12
0.6 - 4.3
6.5
12.5
17
5.75
6
24.8
8.5 - 10.2
6.8
12.1
26
5.1
13.3
7.2
119
4.7 - 7.6
19.1
6.5
23.5
8.9
4.5
31
5.9

600
1278
3650
1857
1495
1083
937
2227
156.6
1527 - 1927
2410
1535
649
2617
1453
2468
1554
1772
1410
962
2996
232
1660
3410
419
1852

株式会社テクノポート

PowerRF

Relative
Sputtering RateDC（Å/sec）

̶1
0.58
0.2
1.13
1.25
1.75
0.970.752.14̶̶̶̶̶̶̶̶̶̶̶̶̶̶

̶̶̶̶

̶̶̶̶

̶

̶

̶̶

̶̶̶̶̶̶̶̶̶̶̶̶̶̶̶

蒸着材料
この蒸着材料には、スパッタターゲッ
ト、蒸着材料、蒸着ボート、電子ビー
ム蒸 着用ルツボ などがあり、最 高
99.999 ％ 純 度 の 製 品 がご ざ います。R&D 用に小分けにパッキングされているので無駄がありません。

1.06
1.15
2.03
0.86
1.28
0.63
2.09
1.27
0.54
2.6
0.66
1.57
0.58
0.66
4.61
0.63

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