单 P 沟道 MOSFET
ELM4P2607FAA-S■概要

http://www.elm-tech.com■特点

ELM4P2607FAA-S 是 P 沟道低输入电容，低工作·Vds=-20V

电压，低导通电阻的大电流 MOSFET。

·Id=-6.9A (Vgs=-4.5A)·Rds(on) = 30mΩ (Vgs=-4.5V)·Rds(on) = 38mΩ (Vgs=-2.5V)·Rds(on) = 55mΩ (Vgs=-1.8V)■绝对最大额定值
项目漏极 - 源极电压记号Vds规格范围-20单位V栅极 - 源极电压

Vgs±12-6.9V

漏极电流（定常）(Vgs=-4.5A)

Ta=25℃

IdTa=70℃

漏极电流（脉冲）容许功耗

Ta=25℃

结合部温度及保存温度范围

-5.4备注A

1Idm-20A2Pd1.0W

3Tj, Tstg- 55 ~ +150℃

典型值-最大值50单位℃/W-100℃/W■热特性项目热阻（结合部 - 周边）记号t≤10sRθja热阻（结合部 - 周边）■引脚配置图

备注
1■电路图

TSOP-6(俯视图)
引脚编号

引脚名称

1DRAIN

2DRAIN

345

GATE
SOURCEDRAIN

6DRAIN

Rev.1.0
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单 P 沟道 MOSFET
ELM4P2607FAA-S

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■电特性
项目

记号

条件

如没有特别注明时, Tj=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注静态特性漏极 - 源极击穿电压BVdss Vgs=0V, Id=-250μA

栅极接地时漏极电流Idss栅极漏电电流Igss栅极阈值电压
漏极 - 源极导通电阻-20--V

Vds=-16V, Vgs=0V
Vds=-16V, Vgs=0V, Tj=55℃---1-5μA

Vds=0V, Vgs=±12V--±100nA

Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Vgs=-4.5V, Id=-4.0A
Rds(on) Vgs=-2.5V, Id=-2.0A-0.3--0.52532-1.03038

VmΩ

Vgs=-1.8V, Id=-1.5A
Vds=-5V, Id=-4A-

42
2155-

S

Is=-1A, Vgs=0V---1-6.9

VA

21, 4---18.8

A2, 4正向跨导Gfs

二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流VsdIs二极管脉冲电流Ism

动态特性输入电容输出电容Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz-

2280
220-

pF
pF

反馈电容Crss-

187-

pF

开关特性总栅极电荷 ( -4.5V)
栅极 - 源极电荷栅极 - 漏极电荷QgQgs

-

27.3
3.6-

nCnC

Qgd
td(on)
tr
Vgs=-4.5V, Vds=-10V

-

6.5
9.2
59.0-

nC
ns
ns

td(off) Id=-4A, Rgen=3.3Ω
tf
trr
If=-4A , dI/dt=100A/μs
Qrr

-

99.0
71.052-

ns
nsnS-

28-

nC

导通延迟时间导通上升时间关闭延迟时间关闭下降时间
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷Vgs=Vds=0V, Force CurrentVgs=-4.5V, Vds=-15V
Id=-4A2

备注：
1. 安装在70μm厚铜箔的1平方英寸FR-4上时的值；
2. 脉冲测试：脉冲宽度≤300μ秒和占空比≤2%；
3. 功耗受150℃结合部温度限制；
4. 在理论上数据是与Id和Idm相同的，而在实际应用中是受到总功率损耗限制的。

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FKQ2607

单 P 沟道 MOSFET

ELM4P2607FAA-S
P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs

FETek Technology Corp.

http://www.elm-tech.com■标准特性和热特性曲线
Typical Characteristics

50

20

ID=-4A

VGS=-5V
VGS=-4.5V
VGS=-3V40

RDSO N(mΩ)-ID Drain Current (A)1612

VGS=-2.5V
830VGS=-1.8V
420000.25

0.50.75

1-VDS , Drain-to-Source Voltage (V)

11.25

Fig.1 Typical Output Characteristics

23-VGS (V)45Fig.2 On-Resistance vs. Gate-Source-IS Source Current(A)86

TJ=150℃

4

TJ=25℃

2000.4

0.8-VSD , Source-to-Drain Voltage (V)1.2

Fig.3 Forward Characteristics Of Reverse

Fig.4 Gate-Charge Characteristics
1.8
Normalized On Resistance

1.8

1.4

Normalized VGS(th)1.4

1.010.6

0.6

0.2

0.2-50050100TJ ,Junction Temperature (℃ )

-50

150

Fig.5 Normalized VGS(th) vs. TJ

050100

TJ , Junction Temperature (℃)

150

Fig.6 Normalized RDSON vs. TJ

Data and specifications subject to change without notice.
www.fetek.com.tw Ver : A

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单 P 沟道 MOSFET
FETek Technology Corp.

FKQ2607

ELM4P2607FAA-S

P-Ch 20V Fast Switching
MOSFETs
http://www.elm-tech.com

10000

Capacitance (pF)

Ciss
1000

CossCrss

100

F=1.0MHz

101591317-VDS , Drain to Source Voltage (V)21Fig.7 CapacitanceFig.8 Safe Operating Area

Normalized Thermal Response (R θJA)

1

DUTY=0.5
0.2
0.1

0.1
0.05
0.02

0.01

0.01

0.001

SINGLE PULSE

PDM

TONT

D = TON/T
TJpeak = TA + PDM x RθJA

0.00010.0001

0.001

0.01

10.1

10

100

1000

t , Pulse Width (s)Fig.9 Normalized Maximum Transient Thermal Impedance

Fig.10 Switching Time Waveform

Fig.11 Gate Charge Waveform

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