单 P 沟道 MOSFET
ELM6PB8P6FCA-S

http://www.elm-tech.com

■概要

■特点

ELM6PB8P6FCA-S 是 P 沟道低输入电容，低工作电
压，低导通电阻的大电流 MOSFET。

·Vds=-60V·Id=-3.0A (Vgs=-10V)·Rds(on) = 83mΩ (Vgs=-10V)·Rds(on) = 120mΩ (Vgs=-4.5V)■绝对最大额定值
项目记号Vds
Vgs

漏极 - 源极电压栅极 - 源极电压漏极电流（定常）
漏极电流（定常）

Tc=25℃
Tc=100℃
Ta=25℃
Ta=70℃

漏极电流（脉冲）二极管正向持续电流脉冲崩溃电流 ( L=0.1mH)
持续崩溃能量 ( L=0.5mH)

Id
Idm
IsIas
Eas

Tc=25℃
Tc=100℃
Ta=25℃
Ta=70℃容许功耗容许功耗如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围单位备注-60
V±20V-7.3
A
1-6.3-3.0
A
2-2.4-30
A
3-4.8A
1-12A12mJ
21.0
18.4W
2.7
2
1.7- 55~+150℃

结合部温度及保存温度范围

PdTj, Tstg

■热特性项目最大结合部 -封裝外周围环境
最大结合部 - 周围环境

记号
Rθjc
Rθja

典型值

最大值647

单位

备注℃/W

1

备注：
1. 消耗电力 Pd 是由 Tj(max)=150℃和接触部与外壳之间的热电阻来决定的。
2. Rθja 是在 Ta =25℃、处于无风状态时，装置在 70 公分厚的铜箔、1 平方英寸的 FR-4 上所测得的值。消耗电力 Pdsm
是相对于 Rθja 和最大容许接合温度 150℃的。但不管哪一个都会根据实际使用时电路板的设计而变化。
3. 是根据重复脉冲的规格。脉冲宽度是相对于接合温度 Tj(max)=150℃的。额定值是相对于维持初期 Tj=25℃时的低频率及低占空比的。

■引脚配置图

■回路
DSOT-89(俯视图)
引脚编号
123

引脚名称
GATE
DRAIN
SOURCE

GS

Rev.1.2
1/7
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。

单 P 沟道 MOSFET
ELM6PB8P6FCA-S

http://www.elm-tech.com■电特性如没有特别注明时, Ta=25℃
项目记号

条件

最小值 典型值 最大值 单位静态特性漏极 - 源极击穿电压

BVdss Id=-250μA, Vgs=0V

-60

--V

栅极接地时漏极电流

Idss

Vds=-48V，Vgs=0V---1μA栅极漏电电流Igss

Vds=0V, Vgs=±20V--±100nA栅极阈值电压Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA

-1.0-

-2.5

V

漏极 - 源极导通电阻

Rds(on)Vgs=-10V, Id=-3A-

83

110

Vgs=-4.5V, Id=-2A-

120

170mΩ

正向跨导

Gfs

Vds=-10V, Id=-3A

-

6.4

-

S

二极管正向压降（注）1Vsd

Is=-3A, Vgs=0V

-

-0.84

-1.20

V-

500-

pF-

51-

pF-

37-

pF

-

6.6-

Ω-

11.0-

nC-

2.0-

nC-

3.2-

nC-

6.4-

ns-

17.0-

ns-

25.0-

ns-

7.2-

ns-

13-

ns-

8-nC

动态特性输入电容Ciss输出电容Coss反馈电容Crss栅极电阻Rg

Vgs=0V, Vds=-30V, f=1MHzf=1MHz

开关特性总栅极电荷（注）1，2
栅极 - 源极电荷（注）1，2
栅极 - 漏极电荷（注）1，2
导通延迟时间（注）1，2
导通上升时间（注）1，2
关闭延迟时间（注）1，2Qg
Qgs
Qgd

Vgs=-10V, Vds=-30V
Id=-3Atd(on)
tr

Vgs=-10V, Vds=-30V

td(off) Id=-3A, Rgen=3Ω关闭下降时间（注）1，2tf

寄生二极管反向恢复时间trr

寄生二极管反向恢复电荷Qrr

If=-3A, dIf/dt=100A/μs注）
1. 脉冲测试：脉冲宽度≤ 300μs，占空比≤ 2％；
2. 与工作温度无关。

Rev.1.22/7如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。单 P 沟道 MOSFET
CYStekElectronics Corp.
ELM6PB8P6FCA-S

Spec. No. : C069M3
Issued Date : 2016.04.19
Revised Date : 2022.02.17
http://www.elm-tech.com
Page No. : 4/9■标准特性和热特性曲线
Typical Characteristics
Typical Output Characteristics

Breakdown Voltage vs Ambient Temperature

40-BVDSS, Normalized Drain-Source Breakdown
Voltage

1.2-ID, Drain Current(A)-10V,-9V,-8V,-7V
30-6V-5V

20-4V

10-3.5V
VGS=-3V

002468101.11

ID=-250μA
VGS=0V

0.90.8-75-50-VDS, Drain-Source Voltage(V)255075100 125 150 175

Body Diode Current vs Source-Drain Voltage

160

1.2-VSD, Source-Drain Voltage(V)RDS(ON), Static Drain-Source On-StateResistance(mΩ)

0TJ, Junction Temperature(°C)

Static Drain-Source On-State resistance vs Drain Current

140
VGS=-4.5V
120

10080

VGS=-10V

1.0

TJ=25°C

0.8

TJ=150°C
0.6

0.4

0.2

60

02

4680

10246810-ID, Drain Current(A)-IS, Body Diode Current(A)Static Drain-Source On-State Resistance vs Gate-SourceVoltage

Drain-Source On-State Resistance vs Junction Temperature

RDS(ON), Normalized Static Drain-Source
On-State Resistance

240RDS(ON), Static Drain-Source On-StateResistance(mΩ)-25200160

ID=-3A

120

80

2.5
VGS=-10V, ID=-3A
RDS(ON)@TJ=25°C : 83mΩ typ.

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

4002468-75

10-50-250255075

100 125 150 175

TJ, Junction Temperature(°C)-VGS, Gate-Source Voltage(V)

MTB080P06M3

CYStek Product Specification

Rev.1.2
3/7
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。

CYStekElectronics
单 P 沟道MOSFETCorp.

Spec. No. : C069M3
Issued Date : 2016.04.19
Revised Date : 2022.02.17
Page No. : 5/9

ELM6PB8P6FCA-S

http://www.elm-tech.com

Typical Characteristics (Cont.)
Capacitance vs Drain-to-Source Voltage

Threshold Voltage vs Junction Temperature

1000-VGS(th), Normalized Threshold Voltage

1.4

Capacitance(pF)

Ciss

100

Coss

Crss

1.0

ID=-1mA

0.80.6

ID=-250μA

0.4

100

102030-75-50-250255075

100 125 150 175-VDS, Drain-Source Voltage(V)TJ, Junction Temperature(°C)

Forward Transfer Admittance vs Drain Current

Gate Charge Characteristics

1010-VGS, Gate-Source Voltage(V)GFS, Forward Transfer Admittance(S)

1.2

10.1
VDS=-10V
TA=25°C
Pulsed864
VDS=-30V
ID=-3A

200.01
0.001

0.01

0.1

10102-ID, Drain Current(A)4681012Qg, Total Gate Charge(nC)Maximum Safe Operating Area

Maximum Drain Current vs Junction Temperature-ID, Drain Current(A)10RDS(ON)
Limited-ID, Maximum Drain Current(A)4100μs

11ms
10ms
100ms
1s
10s

0.1
TA=25°C, TJ=150°C
VGS=-10V,RθJA=47°C/W
Single Pulse

DC0.010.1

110

32

VGS=-10VRθJA=47°C/W

10100

25-VDS, Drain-Source Voltage(V)5075100125150

175

TJ, Junction Temperature(°C)

MTB080P06M3

CYStek Product Specification

Rev.1.24/7
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。

单 P 沟道MOSFETCorp.
CYStekElectronics

Spec. No. : C069M3
Issued Date : 2016.04.19
Revised Date : 2022.02.17
Page No. : 6/9

ELM6PB8P6FCA-S

http://www.elm-tech.com

Typical Characteristics (Cont.)
Maximum Drain Current vs Case Temperature

Single Pulse Power Rating, Junction to Ambient
12300

ID, Maximum Drain Current(A)TJ(MAX)=150°C
TA=25°C
RθJA=47°C/W

250

Power (W)200
1501005010

Silicon limit

8Package limit

64

VGS=-10V, RθJC=6°C/W

2000.0001

0.001

0.01

0.1

1102510050

Pulse Width(s)

75

100

125150175

TC, Case Temperature(°C)
Transient Thermal Response Curvesr(t), Normalized Effective Transient Thermal Resistance

1
D=0.5
0.2
1.RθJA(t)=r(t)*RθJA
2.Duty Factor, D=t1/t2
3.TJM-TA=PDM*RθJA(t)4.RθJA=47°C/W

0.1
0.1

0.05
0.02

0.01
0.01, Single Pulse

0.001
1.E-04

1.E-031.E-02

1.E-01

1.E+00

1.E+01

1.E+02

1.E+03t1, Square Wave Pulse Duration(s)Recommended Soldering Footprint■焊盘图案参考

MTB080P06M3

CYStek Product Specification

单位：mm
Rev.1.25/7
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。

单 P 沟道 MOSFET
ELM6PB8P6FCA-S

http://www.elm-tech.com■SOT-89 外形尺寸

A

213H

C

DB

F

E

I

G

记号
DIMA
A
B
B
C
C
D
DE
E
F

Millimeters
InchesMillimeters
Min.
Max.
Min. 4.40Max.
Min.
Max.
4.60

DIM

0.1732 3.94
0.1811F

4.40

0.1551

4.60
4.25
4.25

0.0906 0.320.1024

2.30

REF
2.60
2.60
0.52

0.02051.50 TYP
0.32

0.52

0.16731.55 REF
3.94
0.06102.30REF
1.55

0.0126*: TypicalInches
InchesMillimeters
Min.
Max.
Min.
Min.0.1811Max.
0.1732 Max.

H

0.05911.50
0.1551 TYP
0.1673TYP
0.1181 0.0610
TYP REF3.00 TYP
0.05511.40
0.0906 0.0630
0.1024 1.60

I

0.01380.0126 0.0173

G

0.0591 TYP
0.1181 TYP

Notes:
G 1.Controlling dimension: millimeters.
3.00 TYPH

0.35
0.0205 0.44

2.Maximum lead thickness includes lead finish thickness, and minimum lead thickness is the minimum thickness of base material.

Material:I

1.40

1.60

0.0551

0.06300.35

0.44

0.01380.0173

 Lead: Pure tin plated.
 Mold Compound: Epoxy resin family, flammability solid burning class: UL94V-0.

Rev.1.2
6/7
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。

单 P 沟道 MOSFET
ELM6PB8P6FCA-S

http://www.elm-tech.com■SOT-89 卷盘和载带尺寸 ( 单位 : mm)
Reel·卷盘Dimension

Carrier·载带 Tape Dimension

Rev.1.2
7/7
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。