单 P 沟道 MOSFET
ELM6PB010FAA-N

http://www.elm-tech.com■概要■特点ELM6PB010FAA-N 是 P 沟道低输入电容，低工作电
压，低导通电阻的大电流 MOSFET。

·Vds=-40V·Id=-22A (Vgs=-10V)·Rds(on) = 10mΩ (Vgs=-10V)·Rds(on) = 13mΩ (Vgs=-4.5V)■绝对最大额定值
项目

如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
-40
V±20V-22.0
A
1-14.0-9.7
A2-7.8-88
A
3-10A
1-30
A
81mJ12.0
W
14.6
2.3
W
21.5- 55~+150℃

记号VdsVgs

漏极 - 源极电压栅极 - 源极电压
Tc=25℃
Tc=100℃
Ta=25℃
Ta=70℃

漏极电流（定常）
漏极电流（脉冲）寄生二极管最大连续电流 (Tc=25℃)
脉冲崩溃电流 ( L=0.1mH)
持续崩溃能量 ( L=0.5mH)

Id
Idm
IsIas
Eas

Tc=25℃
Tc=100℃
Ta=25℃
Ta=70℃容许功耗结合部温度及保存温度范围

Pd
Tj, Tstg■热特性项目最大结合部 - 周围环境
最大接合部 - 封裝外周围环境记号RθjaRθjc

典型值-

最大值
5511

单位

备注
2℃/W

备注：
1. 消耗电力 Pd 是由 Tj(max)=150℃和接触部与外壳之间的热电阻来决定的。
2. Rθja 是在 Ta =25℃、处于无风状态时，装置在 70 公分厚的铜箔、1 平方英寸的 FR-4 上所测得的值。消耗电力 Pdsm
是相对于 Rθja 和最大容许接合温度 150℃的。但不管哪一个都会根据实际使用时电路板的设计而变化。
3. 脉冲宽度是相对于接合温度 Tj(max)=150℃的。额定值是相对于维持初期 Tj=25℃时的低频率及低占空比的。

■引脚配置图

■电路图

SOP-8(俯视图)18273645

引脚编号
12

引脚名称
SOURCE
SOURCE

345SOURCE
GATE
DRAIN

678DRAIN
DRAIN
DRAIN

DGS

Rev.1.0
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单 P 沟道 MOSFET
ELM6PB010FAA-N

http://www.elm-tech.com■电特性如没有特别注明时, Ta=25℃
项目记号条件最小值 典型值 最大值 单位 备注静态特性漏极 - 源极击穿电压

BVdss Id=-250μA, Vgs=0V-40--V栅极接地时漏极电流Idss

Vds=-32V，Vgs=0V---10μA栅极漏电电流Igss

Vds=0V, Vgs=±20V--±100nA

栅极阈值电压Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA

-1.0-

-2.5

V

漏极 - 源极导通电阻

Rds(on)Vgs=-10V, Id=-10A

-

10.0

13.0

Vgs=-4.5V, Id=-8A

-

13.0

18.5mΩ

正向跨导

Gfs

Vds=-10V, Id=-10A

-

24-

S

二极管正向压降Vsd

Is=-10A, Vgs=0V--0.82

-1.20

V-

3400-

pF

-

280-

pF-

200-

pF

-

5.3-

Ω-

68.0-

nC

1，2-

10.5-

nC

1，2-

14.5-

nC

1，2-

17-

ns

1，2-21-

ns

1，2-

97-

ns

1，2-

17-

ns

1，2-

16-ns-

11-nC

1

动态特性输入电容Ciss输出电容Coss反馈电容Crss栅极电阻Rg

Vgs=0V, Vds=-20V, f=1MHzf=1MHz

开关特性总栅极电荷Qg栅极 - 源极电荷Qgs

栅极 - 漏极电荷

Qgd导通延迟时间td(on)导通上升时间

tr关闭延迟时间

Vgs=-10V, Vds=-20V
Id=-10A

Vgs=-10V, Vds=-20V

td(off) Id=-10A, Rgen=1Ω关闭下降时间tf

寄生二极管反向恢复时间trr

寄生二极管反向恢复电荷Qrr

If=-10A, dIf/dt=100A/μs

注）1. 脉冲测试：脉冲宽度≤ 300μs，占空比≤ 2％；
2. 与工作温度无关。

Rev.1.02/5如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。

单 P 沟道 MOSFETCYStek
Electronics Corp.
ELM6PB010FAA-N

Spec. No. : C030Q8
Issued Date : 2017.10.17
Revised Date : 2021.10.21
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Page No. : 4/9■标准特性和热特性曲线
Typical Characteristics

Breakdown Voltage vs Ambient Temperature

Typical Output Characteristics-BVDSS, Normalized Drain-Source Breakdown
Voltage80-10V, -9V,-8V,-7V,-6V,-5V-ID, Drain Current (A)

-4V

60

40
-3.5V

20
VGS=-3V01.1

1
ID=-250μA
VGS=0V

0.90.802

46810-75 -50 -25255075 100 125 150 175

TJ, Junction Temperature(°C)

Static Drain-Source On-State resistance vs Drain Current

Body Diode Currentvs Source-Drain Voltage
1.2-VSD, Source-Drain Voltage(V)15

VGS=-4.5V

10VGS=-10V

51
TJ=25°C

0.8
0.6

TJ=150°C

0.4
0.20051015020

5

Static Drain-Source On-State Resistance vs Gate-Source
Voltage

RDS(on), Normalized Static Drain-Source OnState Resistance

ID=-10A20

10002461520Drain-Source On-State Resistance vs Junction Temperature

403010-IS, Body Diode Current(A)-ID, Drain Current(A)RDS(on), Static Drain-Source On-StateResistance(mΩ)

0-VDS, Drain-Source Voltage(V)20RDS(on), Static Drain-Source On-StateResistance(mΩ)

1.2810-VGS, Gate-Source Voltage(V)

2.5
2VGS=-10V, ID=-10A
RDS(ON)@TJ=25°C : 10mΩ typ.

1.5
10.50-75 -50 -250255075 100 125 150 175

TJ, Junction Temperature(°C)

MTB010P04Q8

CYStek Product Specification

Rev.1.03/5
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CYStekElectronics
单 P 沟道MOSFETCorp.

Spec. No. : C030Q8Issued Date : 2017.10.17
Revised Date : 2021.10.21
Page No. : 5/9

ELM6PB010FAA-N

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Typical Characteristics (Cont.)Threshold Voltage vs Junction Temperature

Capacitance vs Drain-to-Source Voltage
1.4-VGS(th), Normalized Threshold Voltage

10000

Capacitance(pF)

Ciss

1000
CossCrss

100

101.2
1ID=-1mA

0.8
ID=-250μA

0.60.401020-75 -50 -25-VDS, Drain-Source Voltage(V)

75 100 125 150 175

Gate Charge Characteristics-VGS, Gate-Source Voltage(V)GFS, Forward Transfer Admittance(S)50

10100101VDS=-10VTA=25°C
Pulsed0.1

0.010.001

864
VDS=-20V
ID=-10A

200.010.1110100010-ID, Drain Current(A)2030

4050607080Qg, Total Gate Charge(nC)Maximum Safe Operating Area

Maximum Drain Current vs Junction Temperature

10012100μs

RDS(ON)
Limited

1ms

10ms

10.1

0.01
0.01

100ms

1s
10s
DCTA=25°C, TJ=150°C
VGS=-10V, RθJA=55°C/W
Single Pulse-ID, Maximum Drain Current(A)-ID, Drain Current(A)

25TJ, Junction Temperature(°C)

Forward Transfer Admittance vs Drain Current

10010864VGS=-10V
RθJA=55°C/W

200.1

11025100-VDS, Drain-Source Voltage(V)5075100125150175

TJ, Junction Temperature(°C)

MTB010P04Q8CYStek Product Specification

Rev.1.04/5
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单 P 沟道MOSFET Corp.
CYStekElectronics
ELM6PB010FAA-N

Spec. No. : C030Q8
Issued Date : 2017.10.17
Revised Date : 2021.10.21
Page No. : 6/9

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Typical Characteristics (Cont.)
Single Pulse Power Rating, Junction to Ambient
1000
TJ(MAX)=150°C
TA=25°C
RθJA=55°C/W

Power (W)

800
600
400
20000.0001

0.001

0.01

0.1

110100

Pulse Width(s)Transient Thermal Response Curves
1r(t), Normalized Transient Thermal Resistance

D=0.5

0.2
1.RθJA(t)=r(t)*RθJA
2.Duty Factor, D=t1/t2
3.TJM-TA=PDM*RθJA(t)4.RθJA=55°C/W

0.1

0.1
0.05
0.02
0.01
0.01

Single Pulse
0.001
0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10100

1000

t1, Square Wave Pulse Duration(s)Recommended Soldering Footprint

MTB010P04Q8

CYStek Product Specification

Rev.1.05/5如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。