２０１８ 第２８回 ＲＣＪ信頼性シンポジウム（“EOS/ESD/EMCシンポジウム”、“電⼦デバイス・電⼦部品の信頼性シンポジウム”）
⽇時︓ 2018年11⽉27⽇（⽕）〜11⽉28⽇（⽔）⽇時

11⽉27⽇（⽕）
EOS/ESD/EMC
電⼦デバイス・電⼦部品のシンポジウム
信頼性シンポジウム
優秀論⽂等表彰式
４階コンベンションホール
Ａ会場
Ｂ会場(9:45〜12:00)(10:00〜10:30)「デバイス及びテスト」
1件
5件(10:30〜11:45)「信頼性セミナー」

項⽬
会場

午前

（12:00〜12:15）
優秀論⽂等表彰式（12:15〜13:30）
休憩

昼

午後 前半

午後 後半

夜
展⽰会

（13:30〜15:00）「招待講演・セミナー」 2件（12:00〜12:15）
優秀論⽂等表彰式（A会場で）（12:15〜13:00）
休憩休憩（13:00〜16:45）「信頼性セミナー」（15:00〜15:20）
休憩（15:20〜17:00）「静電気対策」
4件（17:15〜19:00）
情報交換会 (軽⾷・ドリンク付き)
4 階コンベンションホール ロビー（ホワイエ）（10:00〜17:00）（2階⼩展⽰ホール）
ESD関連装置の展⽰及びESD対策技術ワークショップ

開催場所︓⼤⽥区産業プラザ
11⽉28⽇（⽔）
ESD チュートリアル
EOS/ESD/EMC（主催︓ESDA
シンポジウム
別料⾦︓募集中）
４階コンベンションホール
Ａ会場
Ｂ会場(9:30〜12:00)（9:30〜12:30）「セミナー・招待講演」「ESD Basics to
3件
Advanced Protection
Design」
Charvaka Duvvury（12:00〜13:15）（12:30〜13:30）
休憩
休憩（13:15〜14:30）「イミュニティ-1」
3件（14:30〜15:00）
休憩（15:00〜16:40）「イミュニティ-2」
4件（13:30〜17:00）「ESD Basics in
Manufacturing」
John Kinnear＜案内は、以下のHPを参照
して下さい。
http://rcj.or.jp/esdtutorial-esda＞（10:00〜17:00）（2階⼩展⽰ホール）
ESD関連装置の展⽰及びESD対策技術ワークショップ

主催 ⼀般財団法⼈ ⽇本電⼦部品信頼性センター
協
賛 ⼀般社団法⼈ 電⼦情報技術産業協会 ⼀般社団法⼈ ⽇本電機⼯業会(順不同) ⼀般社団法⼈ ⽇本電気計測器⼯業会 ⼀般財団法⼈ ⽇本規格協会
⼀般社団法⼈ ⽇本電⼦回路⼯業会
⼀般財団法⼈ 光産業技術振興協会
⽇本信頼性学会 IDEMA JAPAN

⼀般社団法⼈ 電⼦情報通信学会
⼀般社団法⼈ 電気学会
⼀般財団法⼈ ⽇本科学技術連盟 静電気学会
公益社団法⼈ ⽇本磁気学会
⼀般社団法⼈ 情報通信ネットワーク産業協会
SPE ⽇本⽀部

シ ン ポ ジ ウ ム の概要
RCJ信頼性シンポジウムは、電⼦部品、電⼦デバイス、電⼦機器等の設計・開発技術者、信頼性技術者、⽣産技術者を対象に、信頼性及びESDという共通のテーマで論⽂発表・討論しあい、より進歩した信頼性向上技術、ESD障害対策技術等の分野での発展に寄与することを狙いとしています。本シンポジウムは、静電気関連問題を中⼼に扱う”EOS/ESD/EMCシンポジウム”、及び電⼦デバイス・電⼦部品の信頼性問題を中⼼に扱う”電⼦デバイス・電⼦部品の信頼性シンポジウム”からなっており、今年で28回⽬を迎えました。
EOS/ESD/EMC関係では、Dr. S.H. Chen (IMEC)⽒及びDr. F. Caignet (LASS)⽒による招待講演、システムレベルESD、モジュールESD対策に関する招待講演、その他従来からのテーマである”デバイスのESD対策、システム・デバイス試験、イミュニティ”に関する各セッションがあり、幅広くESD現象と対策について討議できる場を提供しています。
電⼦デバイス関係では、⼀般講演は1件のみですが、“新たなLSI信頼性保証⽅法”を中⼼としたセミナーを開催します。
また、同会場２階の⼩展⽰場では、静電気（ESD）対策⽤資材、計測・評価試験装置及び故障解析技術サービス等をテーマとした“信頼性・ESD対策技術展⽰会”及びESD対策技術ワークショップを同時開催します。
⽇頃、この⽅⾯でご活躍の皆様の多数のご参加をお待ちしております。

（2018.11.8 (9.25付けの案内より、招待・セミナーセッションで発表順⼊替わり有り）
本内容は今後変更になる可能性があります。RCJ ホームページ（http://www.rcj.or.jp）で随時ご確認願います。

- 1 -第２8回 ＥＯＳ/ＥＳＤ/ＥＭＣシンポジウム プログラム
開催⽇︓ ２０１8年１１⽉２7⽇（⽕） ９︓４５〜１９︓００
会 場 ︓ ４階コンベンションホール（Ａ会場）（9:45~9:50） 「開会の挨拶」（⼀財）⽇本電⼦部品信頼性センター（9:50~9:55） 「今年度のEOS/ESD/EMCシンポジウムについて」

鈴⽊ 輝夫（(株) ソシオネクスト）

セッション名︓ 「デバイス及びテスト」 司会︓ 藤原 秀⼆（オン・セミコンダクター）、⼩沢 忠史（(株)メガチップス）（9:55~10:20） 28E-01 「パワーオンESD耐性を向上させたESD電源保護回路(2)」成⽥ 幸輝, 奥島 基嗣 （ルネサスエレクトロニクス(株)）システムレベルESD試験時、PCB上に実装されたICは、⼀般的にオフチップ保護素⼦によってESD
電流から保護される。しかしながら、ボード設計によっては、ESD電流の残留電流がIC内部へ流れ込
むことがあり、その場合、ICの内部回路はオンチップ保護回路によって残留電流から保護される。RCト
リガ式保護回路はオンチップ保護として⼀般的によく⽤いられる回路であるが、システムレベルESD試験のようなパワーオン状態でのESD印加においては、クランプ電圧が上昇し、内部回路に⼤きなESD
ストレスが加わりやすくなるという問題がある。上述したパワーオン状態におけるクランプ電圧上昇を解決するため、パワーオン状態での保護回路動作を容易化し、クランプ電圧を低減する保護回路技術について昨年のRCJシンポジウムにて報告した。今回、上述した提案保護回路に対して追加評価を⾏ったので、その結果について報告する。
（10:20~10:45） 28E-02 「CDM試験⽅法における、Waferでの代替試験の検討」
澤⽥ 真典 （阪和電⼦⼯業(株)）半導体デバイスのCDM試験は、パッケージング後のテストによりPass/Fail判定を⾏っている。パッケージング後のCDM試験結果によっては、設計変更からの時間と費⽤を費やすことになる。CDM保護
回路評価⽤のWafer⽤の試験装置として、VF-TLPがある。
しかしながら、今回が、VF-TLPではない、代替の試験⽅法でCDM評価が可能かどうか、市販の半導体デバイスを⽤いて破壊試験および評価を⾏った。
（10:45~11:10） 28E-03 「酸化物半導体ダイオードを利⽤した表⾯弾性波（SAW）フィルタ⽤ESD保護素⼦」
霍間 勇輝、川嶋 絵美、⻑崎 義和（出光興産(株) 電⼦材料部）
松本 英顯、奈良 誠（新⽇本無線（株）通信デバイス事業部 RFデバイス設計部）
表⾯弾性波（SAW）フィルタはその⾼周波数化に伴い、電極サイズの微細化が進んでおりESD対策が課題となっている。我々は、酸化物半導体ダイオードを⽤いた新規ESD保護素⼦を開発し、SAWフィルタのESD耐性が向上することを確認した。
（11:10~11:35） 28E-04 「疑似CBE（Charged board event）の放電電流解析」
⽯塚 裕康*1、⽵内 宏永*1、澤⽥ 真典*2（*1 シナプティクス・ジャパン合同会社 *2 阪和電⼦⼯業(株)）
組み⽴て⼯程で発⽣するcharged board eventを疑似的に再現し、その放電電流波形を解析した。
放電経路によって放電電流値や⽴ち上がり速度が変化し、数nsで終焉する短いパルスが主体で、応⽤的な実験⼿法で、組み⽴て⼯程で発⽣した⼀部の不具合を再現できることも確認できた。
ここで得られた電流波形によって、system/module内の半導体部品がどのような影響を受ける可能性があるか検討する。
（11:35~12.00） 28E-05 「MCUチップにおけるEOS損傷メカニズムの考察」
森下 泰之 （ルネサスエレクトロニクス (株)）半導体デバイスにおけるオンチップ保護回路は、⼈体モデル(HBM)、デバイス帯電モデル(CDM)で定義されるコンポーネントレベルESD試験において、所定レベルを満⾜するように半導体ベンダー側で設計される。 しかしながら、昨今、EOS (Electrical Overstress) と称されるESDとは異なる現象
によって、半導体ユーザー側で発⽣するデバイス損傷が問題視されており、半導体ベンダー・ユーザー
双⽅による取り組みが求められている。 本稿では、MCUチップを⽤いて種々の過電圧印加実験を⾏い、半導体ユーザー側で起こり得るEOS損傷メカニズムを考察したので紹介する。

- 2 -第27回ＲＣＪ信頼性シンポジウム優秀論⽂賞等表彰式 （12:00~12:15）
挨拶
⽊村 忠正 （電気通信⼤学名誉教授 ＲＣＪ信頼性シンポジウム運営委員⻑）⽊村 忠正 （電気通信⼤学名誉教授 ＲＣＪ信頼性シンポジウム運営委員⻑）＜優秀論⽂賞＞「パワーオンESD耐性を向上させたESD電源保護回路」
成⽥ 幸輝, 奥島 基嗣 （ルネサスエレクトロニクス (株)）＜奨励賞＞
「⼤気圧プラズマ装置を⽤いた⾮接触式⼈体除電装置の開発」
⼤津 孝佳、○藤⽥ 真太朗、⼤⽯ 晋平、迫川 瞭（沼津⼯業⾼等専⾨学校）
セッション名︓招待講演-1（13:30~14:30）

司会︓ 鈴⽊ 輝夫（(株) ソシオネクスト）「ESD
Diodes in Next Generation Bulk FinFET and GAA NW Technology
InvitedNodes」
Dr. Shih-Hung Chen (IMEC)
Beyond dimensional scaling, new process options in CMOS roadmap often result
in degradation of ESD device performance. ESD reliability is investigated in bulk
FF and bulk GAA stacked NW technologies. A gate-defined diode (gated diode)and a STI-defined diode (STI diode) are proposed and compared in these twoadvanced technologies. The STI diode has been demonstrated as the ESD
protection diode with the higher failure current (It2) to parasitic capacitance(Cparasitic) ratio. The GAA NW STI diode even showed a better ESD performance,compared with the FF one. The reason is related to the different thermal heating
during ESD stress. In addition, more process options including fin pitch (Pfin)
scaling, wrap-around contact (WAC) scheme, and dual epitaxy processes forstrain engineering, are proposed for next bulk FF and GAA NW technology nodes.
They all have an impact on ESD diode performance. In this presentation, using
3D TCAD and ESD characterization, the impacts of device architecture, middleof-line contact scheme, and S/D epitaxy process options are explored on ESD
diode performance in next generation bulk FF and GAA technologies.

セッション名︓ セミナー1（14:30~15:00）

司会︓ 澤⽥ 真典 （阪和電⼦⼯業(株)）Invited 「JEITA ESD Activity︓ CDM sensitive device の⼯程管理、JEITA EDR-4709（システムレベルESDに対応した半導体のESD試験⽅法検討とシステムへの半導体部品実装
⽅法,取り扱いガイドライン）改訂版の紹介」
若井 伸之（東芝デバイス＆ストレージ(株)）、⽯塚 裕康 (シナプティクス・ジャパン)
半導体製品の多ピン化、プロセスの微細化に伴い、CDM sensitive device 管理⼿法の規格化に向けESDA-WG17(process assessment WG)と調整を⾏っている。その状況及びJEITA EDR4709の改定内容（⼯程内におけるEOS/ESD現象と破壊モード、IEC-61000 4-2との相関、SEED
設計⼿法）について報告する。 併せて上記EOS/ESD現象とデバイスの破壊モード詳細を分析すること
で、⼯程内におけるESD/EOSの発⽣要因を推定し、それに対応した新たなシステムESD試験⽅法の検討、component level ESD試験やASIC設計へのフィードバックにも繋がる活動計画について紹介する。

休憩（15:00~15:20）
セッション名︓ 「静電気対策」（15:20~15:45）

司会︓ ⼩⼭ 明（ソニーセミコンダクタソリューションズ(株)）、⽯塚 裕康 (シナプティクス・ジャパン)
28E-06 「基板実装・製品組⽴⼯程における静電気測定⼿法」
板垣 達也 （(株)東芝 研究開発本部 ⽣産技術センター）
半導体デバイスは, 微細化・⾼集積化が進み, ESD(Electrostatic Discharge︓静電気放電)耐圧が低下している。半導体デバイスを基板へ実装する⼯程や製品組⽴⼯程では, ESDにより半導体デバイスが損傷を受けやすくなっており, 製造⼯程内の不良や市場での製品不良の原因の⼀つとなっている。しかし, 従来の静電気測定⼿法では, 基板実装⼯程や製品組⽴⼯程でESDの発⽣原因を特定することが困難であった。
本発表では, 実装基板の特定箇所の電荷量を測定することで, 容易にESDの発⽣原因を特定- 3 -できる静電気測定⼿法を提案する。この静電気測定⼿法により, 原因特定に掛かる時間や対策費
⽤が⼤幅に削減できる。また, 確実にESDの発⽣原因を特定できることから, それら原因を対策することで, 更なる製造⼯程及び市場品質の安定化が期待できる。
28E-07 「電⼦デバイスの純⽔スプレー洗浄時の静電気障害対策 第２報 ⼀流体スプレーの噴霧の違いによる影響評価」
⼩川貴成 1, ⽯⽥優介 1, 森⻯雄 1, 瀬川⼤司 2, ⼩林義典 2, 宮地計⼆ 2,
清家善之 1（愛知⼯業⼤学 1、旭サナック (株) 2）（15:45~16:10）

半導体デバイスやフラットパネルディスプレー等の電⼦デバイスの製造⼯程において、純⽔をスプレーし、洗浄する⼯程が数多くある。純⽔でスプレー洗浄した場合、絶縁性の⽔が液滴分裂を繰り返し、
デバイス上に静電気障害（Electrostatic Discharge; ESD）を⽣じる問題がある。
本報告で第2報として,⼀流体スプレーによって⽣じる純⽔の静電気発⽣を調査したので報告する。
28E-08 「枚葉洗浄におけるシリコンウェハの帯電現象の観察」
鈴⽊政典*1，川上雅之*2，⽮野⼤作*2，荒⽊浩之*3，佐藤雅伸*3，川瀬信雄*4（㈱テクノ菱和*1, オルガノ㈱*2, ㈱SCREENセミコンダクターソリューションズ*3, ジョイNテック㈱*4）（16:10~16:35）

近年、半導体製造における枚葉洗浄⼯程において、シリコンウェハが帯電しその上の半導体素⼦が静電破壊を起こすことにより、歩留まりが低下することが問題になっていた。対策として、現状では超純⽔に炭酸ガスを溶解した導電性洗浄⽔を⽤いて帯電を防⽌しているが、適⽤できない場合もあり、新
たな対策⽅法が求められている。
本報では、帯電現象の解明を通して帯電防⽌対策を検討することを⽬的として、まず、熱酸化膜
シリコンウェハの帯電現象の観察を⾏い、そして、①熱酸化膜の膜厚、②洗浄時間（リンス時間）、③吐出流量（吐出流速）、④ウェハの回転速度、⑤ウェハ直径、の諸因⼦の熱酸化膜シリコンウェ
ハの帯電現象への影響について調査したので、その結果について報告する。
28E-09 「⼤気圧プラズマを⽤いた⾮接触式⼈体除電装置の開発」
⼤津孝佳、〇藤⽥真太朗、⼤⽯晋平、迫川瞭、永尾優磨（沼津⼯業⾼等専⾨学校）（16:35~17:00）

電⼦デバイスの⾼性能化・⾼集積化に伴い、静電気耐⼒は低下し、電⼦機器の製造⼯程に於ける静電気対策技術が必要とされる。⼈体帯電による静電破壊を防⽌する為には、接地による⼈体の除電が有効であるが、接地導体との接触⼯程が必須であることや接触時の汚染物質の吸着等懸念される。また、イオナイザ―では除電が不⼗分であり、⾼速での除電技術が必要とされる。そこで本研
究では、⼤容量⼤気圧プラズマ装置を⽤いた⾮接触式⼈体除電装置を構築し、除電に有効なイオ
ンの振る舞いについての検討を⾏った。その結果、⼤気圧プラズマ装置の分光特性やイオン移動度の解析から、イオンバランス制御のメカニズムを明らかにした。

17:15〜19:00

情報交換会 (軽⾷・ドリンク付き)︓シンポジウム参加者は⾃由にご参加下さい。
会場︓ 4階コンベンションホール ロビー（ホワイエ）

開 催 ⽇ ︓ ２０１８年１１⽉２８⽇（⽔）
会

9︓3０〜１6︓4０

場 ︓ ４階コンベンションホール（A会場）
司会︓ 鈴⽊ 輝夫（(株) ソシオネクスト）
Invited 「基板・モジュールレベルのESDモデルと静電気対策」
福⽥ 保裕（ESD コンサルタント）

セッション名︓ セミナー2（9:30~10:20）

Component Level, System LevelにおけるESD現象のModel化、対応評価⽅法等は、ある程度、分類され、各種Modelに対する静電気対策においても取扱い規定、対策部材等提案がされている。しかし、中間⽣成物に相当する、基板、モジュールレベルに対しては、ESD現象に対し、Model化、対応評価⽅法は作成されておらず、よって、静電気対策等もComponent Level での対策等を無理に持ってきて、対応しているのが現状である。今後、実装部品の縮⼩化、微細化が進む中で、基板、モジュールレベルに対応した静電気対策の確⽴が重要になってくるものと思われるため、基板、モジュールレベルのESD model化、整理をテーマに活動してきた。ここではその活動内容を紹
介する。

- 4 -

セッション名︓招待講演-2

司会︓ 若井 伸之（東芝デバイス&ストレージ（株））
ESDA
2017 EOS/ESD Symposium Best Paper（10:20~10:55） Invited「Risk Assessment of Cable Discharge Events」
Wolfgang Stadler, Josef Niemesheim, Andreas Stadler,
Sebastian Koch, ○Harald Gossner, Intel Deutschland GmbHA rigorous measurement set-up, parameter extraction procedure, and SPICE
simulation approach are presented which allow assessing the risk of ESD events
caused by plugging a charged cable to a port of an electronic system (cable
discharge events). The feasibility of the approach has been demonstrated on
various USB-3 cables.

休憩（10:55~11:00）
セッション名︓ 招待講演-3
司会︓ 奥島 基嗣（ルネサスエレクトロニクス(株)）（11:00~12:00） Invited 「Mixing ESD/EMC to achieve safe embedded systems」
Dr. Fabrice CAIGNET（LAAS（Laboratory for analysis and architecture of systems︓仏））With the increased number of electronic products that requires a very high levelof safety (as for automotive applications) the « zero defect » is the challenge. In
nowadays systems embedded ICs are the key elements of most of thefunctionalities and they have to survive very harsh environments. ESD and EMC
events can cause reliability issues that have to be considered as soon as possible
in design phase to prevent. EMC impact on ICs has been studied since years now
but ESD related failures is much more recent.
Into this presentation, from characterization techniques to IC modelling, we will
present how EMC field can join ESD field in a common methodology to developpe
more secure products.

休憩（12:00~13:15）
セッション名︓「イミュニティ-1」 司会︓徳永 英晃(パナソニック AIS社)、磯福 佐東⾄（東京電⼦交易(株)）（13:15~13:40） 28E-10 「⾞載電⼦機器における⽕花放電の発⽣メカニズムとその解析技術」
⻑⾕川 光洋*, 泉地 正⼈*, 吉⽥ 孝博**（(株)デンソー*, 東京理科⼤学**）
静電気放電試験において、⾞載電⼦機器内部の⾦属間ギャップで⽕花放電が⽣じることがある。
それによって、意図しない箇所に⼤電流が流れ、ICの破壊原因となる。したがって、⽕花放電が起きな
い製品設計が必要であり、⽕花放電が⽣じるか否かを解析するための技術が必要になる。これまでに、静電気試験器を含む3DモデルによるTransient解析技術が開発されているが、⼤規模なTransient解析であるために、解析に数⼗時間を要する。そこで、本研究では、⽕花放電の発⽣有
無が静的に解析できる現象であることを実験とシミュレーションを⽤いて⽰し、静電界解析を⽤いた、より短時間で⽕花放電の発⽣有無を解析する⼿法を確⽴した。また、その⼿法を⾞載電⼦機器に適⽤し、その妥当性を検討した。
（13:40~14:05） 28E-11 「絶縁体の充放電時における表⾯電位の推移について」
宮本 佳明（阪和電⼦⼯業(株)）近年機器組⽴の⾃動化により、静電誘導を受け帯電したデバイスがツールなどから放電し、破壊する事象が多くなっている。
帯電された物質の表⾯電位推移については現状不透明の部分が多い。今回は、チャージプレート
上に絶縁体等を乗せ、帯電および放電させたときの状態を、静電気可視化モニタにて表⾯電位の観測した結果を報告する。
（14:05~14:30） 28E-12 「挟ギャップを有する⾮接地の⾦属物体で発⽣する放電事象について」
本⽥ 昌實（(株) インパルス物理研究所）
数百μｍ以下の狭いギャップを持つ⾮接地の浮動⾦属体における誘導帯電と放電事象について実験を⾏い、発⽣する強⼒な過渡電磁界に曝された⾼速論理回路と⾼周波伝送線路の応答を調べたので報告する。

休憩（14:30~15:00）- 5 -セッション名︓「イミュニティ-2」 司会︓本⽥ 昌實（(株) インパルス物理研究所）、⼤津 孝佳（沼津⼯業⾼等専⾨学校）（15:00~15:25） 28E-13 「⼤規模電磁界解析を⽤いたEMC解析技術の開発」
松原 亮、 井⼝ 勝夫（パナソニック（株）コネクティッドソリューションズ社 イノベーションセンター）
⾼性能・⼩型化が進展しているデジタル機器の開発では，LSIの⾼速化，低電圧化に伴い，EMC(Electromagnetic Compatibility)対策の難易度が⾼くなっている．この課題を効果的に解決するため，EMC解析技術開発を⾏っている．本稿では，輻射と静電気に関して，従来より，設計へ直結する解析法の開発を⾏った．輻射解析では，設計初期段階でも対応可能なノイズ源の設定法を検討することで，従来課題発⽣時に活⽤していたものを，試作前に活⽤できるようにした．静電気解析では，基板間接続を考慮し，多層基板と⾦属筐体をモデル化することで，⾦属筐体からハーネスを介し，基板へ流⼊する複雑な課題発⽣メカニズムの分析を可能とした．これらの技術を製品開発に適⽤することで，対策期間、追加試作，後戻り⼯数削減に貢献した．
（15:25~15:50） 28E-14 「コロナ放電が放射する電磁波の検出、計測事例︓第２報」
磯福 佐東⾄（東京電⼦交易(株)）第27回 EOS/ESD/EMCシンポジウムでイオナイザ等の内部で発⽣するコロナ放電が周辺に放射する電磁波の計測事例を報告したが、まだ、報告できていない事があるので、今回は第2報として追加報告を⾏う。
コロナ放電が絶縁体の表⾯で⽣じる、沿⾯放電、及びCDM試験との関連に関しても取り上げる予定です。
（15:50~16:15） 28E-15 「光電界センサを⽤いたロボットの誤動作解析」
⼤津孝佳、〇⽥代治⼰、荻島規宏、⽵内誠⼈、漆畑幸星、*⼤沢隆⼆（沼津⼯業⾼等専⾨学校, *（株）精⼯技研）
電⼦デバイスの⾼性能化・⾼集積化に伴い，静電気耐⼒は低下しており，ロボットや電⼦機器の誤動作による危険性を無くすために静電気対策技術の開発が必要とされている．本研究ではロボットの制御基板への静電気印加による誤動作のメカニズムを解明し, 安⼼安全なロボットや電⼦機器の設計に役⽴てることを⽬的としている．そこで、⼊⼒インピーダンスが⼤きく、5 V 以下の電圧を精密に測定できる光電界センサを⽤いて、ロボットの誤作動解析を⾏なった。その結果、ロボットのリセット端⼦への印加波形とロボットの誤動作との関係が明らとなった。
（16:15~16:40） 28E-16 「⼈体からの放電電流の季節変動とその波形解析」
早⽥ 裕（プローブテック）
放電電流プローブを⽤いて実際に発⽣する⼈体からの放電電流とその電流波形の季節変動を測定している。今回は、約 2 年分のデータをもとに、季節変動のデータをアップデートする。その電流波形には、かなりのばらつきが有り、季節要因と波形の特徴について相関関係を検討した。それにより、ピー
ク電流値が⾼い放電電流は、インパルス状のものが多く⾒られた。また電流積分による電荷量と、季節要因や電流値との相関を試みた。

第２8回 電⼦デバイス・電⼦部品の信頼性シンポジウム プログラム
開催⽇︓２０１8年１１⽉２7⽇(⽕) １０︓００〜１７︓００

会

４階コンベンションホール（B会場）

場︓

セッション名︓ 「故障解析」 司会︓ ⼤⽇⽅ 浩⼆ （ソニーセミコンダクタソリューションズ（株））（10:00~10:30） 28S-01 「故障箇所特定精度向上のためのLock in Thermography（LIT）測定条件の検討」
磯野 ⼤樹 （東芝デバイス＆ストレージ(株)）ロックイン発熱解析(Lock in Thermography: LIT)は半導体製品の故障箇所を特定する⽅法として広く使われている。LITはサンプル内の発熱により発⽣する⾚外線を観測するため、パッケージを開封しなくても故障箇所をある程度推定できる。しかし、パワーデバイスのパッケージのように樹脂が厚い場合は、発熱位置の絞り込みが難しい場合がある。解決⽅法として、パッケージを薄く加⼯して観測する⽅法もあるが、加⼯することにより故障原因が失われてしまう危険もある。
本研究では印加周波数などの測定条件を調整することで、パッケージを加⼯せずに故障箇所を特定することを検討した。

- 6 -信頼性セミナー︓ 「LSI信頼性保証⽅法と最新LSIの信頼性」
司会︓ ⼤⽇⽅ 浩⼆ （ソニーセミコンダクタソリューションズ（株））
⽊村 忠正（故障物理委員会委員⻑
電気通信⼤学）「パワー半導体（SiC、GaN）の故障物理と信頼性評 ⽊村 忠正（故障物理委員会委員⻑
(10:45~11:45)
価・保全技術」
電気通信⼤学）(10:30~10:45) 「故障物理委員会活動状況」(11:45~13:00) 昼⾷休憩
司会︓ ⽊村 忠正（故障物理委員会委員⻑、電気通信⼤学）(13:00~14:15)「⾃動⾞⽤電気/電⼦システム機能安全規格（ISO26262）と半導体信頼性への要求」

塩野 登 （RCJ）(14:15~14:30) 休憩
司会︓ ⼤⽇⽅ 浩⼆ （ソニーセミコンダクタソリューションズ（株））(14:30~15:15) 「FiNFETの信頼性」

川井 望（東芝デバイス＆ストレージ（株））(15:15~16:00) 「デバイス/回路のばらつきと信頼性」

堤 利幸 （明治⼤学）(16:00~16:45) 「ベイズ推測によるワイブル初期故障分布の推定・評価」

横川 慎⼆ （電気通信⼤学）（注︓ テーマ名等プログラムが変更される場合があります）＜要旨＞
現在半導体分野でのホットな話題は、新材料を用いたパワー半導体や車載用や IoT 向けの半導体信頼性方法です。RCJ 故障物理委員会では、次世代パワー半導体の動向と LSI 信頼性問題を取り上げ、調査研究をしています。本セミナーは、これらの調査活動成果を中心に報告するものです。

信頼性保証方法として、従来の多数試料を用いたストレス試験による保証から、故障物理に基づき、問題となる
故障モードに着目した試験方法や効率的な試験方法も注目されています。また、半導体信頼性について、システ
ム側の要求とデバイス側の考え方に相違があると思われます。このような観点からの半導体信頼性保証方法のあり方について報告します。さらに、パワー半導体、及び、従来より調査活動を進めている“LSI 信頼性問題”についても報告します。
本セミナーでは、現在LSI信頼性の分野で問題となっているホットな話題を取り上げています。半導体デバイス信頼性に携わっている方は勿論その他の分野に携わっている方々のご参加をお勧めします。

- 7 -信頼性・ESD 対策技術展示会（無料）（静電気障害対策技術及び ESD 故障解析技術を扱う専⾨の展⽰会）
静電気の影響を受けやすい電⼦デバイス・部品、電⼦機器などを扱う信頼性技術者、設計技術者、品質技術者の⽅々を対象に、より進歩した静電気障害対策技術 、静電気測定技術、故障解析技術を扱う専⾨の展⽰会です。この分野の専⾨メーカが展⽰しますので、最新の技術情報収集のためにも是⾮お⽴ち寄り下さい。

期⽇︓ 平成 30 年 11 ⽉ 27 ⽇（⽕）〜11 ⽉ 28 ⽇（⽔）︓ 10:00〜17:00
会場︓ ⼤⽥区産業プラザ（東京 蒲⽥）、2 階⼩展⽰場
主催︓ NPO 法⼈ ESD 協会、（⼀財）⽇本電⼦部品信頼性センター
同時開催︓ ESD 対策技術ワークショップ（無料）
同会場内特設会場にて（プログラムの詳細︓RCJ ウエブ（http://rcj.or.jp/exhibition）参照）

出展社名
株式会社いけうち〒108-0022 東京都港区海岸3-9-15 LOOP-X 14階
TEL：03-6400-1973 E-mail：dryfog@kirinoikeuchi.co.jp
URL：http://dryfog.kirinoikeuchi.co.jp

株式会社ウエストワン〒105-0001東京都港区虎ノ門5-13-1虎ノ門 40MTビル7階
TEL：03-4530-9885, E-mail:info@west-1.co.jp
URL: http://www.westone.jp

OKIエンジニアリング〒179-0084 東京都練馬区氷川台3-20-16
TEL：03-5920-2366, E-mail:oeg-dsales-g@oki.com
URL: http://www.oeg.co.jp

春⽇電機株式会社〒212-0032 神奈川県川崎市幸区新川崎２番４号
TEL: 044-580-3511, E-mail: info@ekasuga.co.jp
URL: http://www.ekasuga.co.jp

クレハエクストロン株式会社〒143-0004 東京都大田区昭和島2-4-4
TEL：03-3764-2511,
E-mail: daisuke-satoh@kureha-extron.co.jp
URL : http://www.kreha-extron.co.jp

シシド静電気株式会社〒145-0065 東京都大田区東雪谷1-3-3
TEL：03-3727-0161
E-mail: info@shishido-esd.co.jp
URL：http://www.shishido-esd.co.jp

中国深圳百泉河実業有限公司〒518101中国深圳市宝安区前進一路諾鉑広場1607室
TEL: 0086-0752-3268119, E-mail: jp88@btree.cn
URL: http://www.szbtree.com/

テク･トライアングル〒299-4111 千葉県茂原市萱場776-58
TEL: 0475-36-7037
E-mail: suzuki.tech-triangle@chiba.email.ne.jp
URL: http://www.tech-triangle.jp

DESCO JAPAN株式会社〒289-1115千葉県八街市八街ほ661-1
Tel: 043-309-4470、E-Mail：Yuta.Takahashi@Desco.com
URL: http://www.descoasia.co.jp/

東京電⼦交易株式会社〒190-0023 東京都立川市柴崎町5-16-30
TEL: 042-548-8011, E-mail: sadohara@tet.co.jp
URL: http://www.tet.co.jp

トレック・ジャパン株式会社〒101-0044 東京都千代田区鍛冶町1-8-5新神田ビル4F
TEL: 03-3526-2985, E-mail: sales@trekj.com
URL： http://www.trekj.com

阪和電⼦⼯業株式会社〒649-6272 和歌山県和歌山市大垣内689-3
TEL: 073-477-4435, E-mail: y-yata@hanwa-ei.co.jp
URL: http://www.hanwa-ei.co.jp

ミドリ安全株式会社〒150-8455 東京都渋谷区広尾5丁目4番3号
TEL: 03-3442-8244, FAX: 03-3444-4508
URL: http://www.midori-esd.jp

村上商事株式会社〒111-0043 東京都台東区駒形2-5-6
TEL: 03-6231-7405,
E-mail: info@murakamicorp.co.jp
URL: http://www.murakamicorp.co.jp

カミナガビル3階★詳細は別途案内状をご覧下さい。（RCJ ホームページ（http://www.rcj.or.jp）にも掲載しています）。

- 8 -＜参加要領＞
場所、
定員

テキスト

参加区分（開催日）① 11月27日､11月28日:
RCJ信頼性シンポジウム発表論文集（2日間）（電子デバイス・電子部品の信頼性シンポジ
ウム、EOS/ESD/EMCシンポジウム）② 11月27日:（1日間）③ 11月28日:（1日間）（注：電子デバイス・電子部品、EOS/ESD/EMC
シンポジウム両方の聴講可能）

A、B
会場

参加費（消費税を含む）（円）RCJ会員、ESDC
協賛団体会員
非会員
大田区民

２５,０００３２,０００

１７,０００２２,０００

１７,０００２２,０００200名＜注：11月28日開催の「ESDチュートリアル」は、別料金です（http://rcj.or.jp/esd-tutorial-esda）。＞

申 込 先： 〒111-0043 東京都台東区駒形2-5-6 カミナガビル3F TEL：03-5830-7601、FAX：03-5830-7602（一財）日本電子部品信頼性センター 総務部
E-mail： masunaga@rcj.or.jp
申込締切： 11月21日（水）
申込方法：

振込銀行
口座名：

「参加申込書」を上記あて送付すると共に、「参加費」を現金書留又は銀行振込でご送金下さい。
銀行振込の手数料は、申込者負担です。銀行振込の場合は、振込内容（振込予定日（分かる場
合：貴社の都合に合わせて結構です）、金額、振込人名義）を参加申込書に明記して下さい。
なお、請求書及び領収書の発行を致しますので、必要な場合はその旨申込書にご記入下さい。
参加申込者には、参加券を送付致します。シンポジウム発表論文集やセミナーテキストは当日配
布します。
三菱東京UFJ銀行、日本橋中央支店、普通預金口座 0084373、名義：（一財）日本電子部品信頼性センター
きりとり線

・FAXの場合は切り取らずこの用紙のままご送付下さい。

参加申込書
区分欄に上記表の①、②、③の参加区分を必ず記入して下さい。
会 社 名
所 在 地
〒

*受理番号

区分

ＴＥＬ
氏 名

会員又は否に○印を付けて下さい
RCJ賛助会員
協賛団体会員ESDC資格保有者
大田区民

否

所 属 ・ E-mail所属：
E-mail：所属：
E-mail：所属：
E-mail：所属：
E-mail：

ご記入して下さい。
●支払方法
現金書留／銀行振込●振込予定日
月日 ●振込金額●振込人名義円*受理番号欄には、記入しないで下さい- 9 -備考（請求書、領収書の要否（該当箇所に○を付けて下さい））
請求書
要
不要
領収書
要
不要

◆会場ご案内

会場： 大田区産業プラザ： ４階コンベンションホール、２階小展示場〒144-0035 東京都大田区南蒲田１－２０－２０
交通： 京浜急行線・空港線/京急蒲田駅より徒歩約２分(品川・横浜・羽田空港よりの所要時間各約１０数分)
ＪＲ京浜東北線/蒲田駅より徒歩約１２分◆宿泊施設のご案内
遠方からお越しの方で宿泊が必要な場合下記のホテルに直接連絡してご利用下さい。
（１） グランパークホテル パネックス東京
ＴＥＬ： ０３－５７０３－１１１１〒144-0052 東京都大田区蒲田5-9-19（２） 東横イン 蒲田東口
ＴＥＬ： ０３－３７３６－１０４５〒144-0052 東京都大田区蒲田5-18-4（３） 相鉄フレッサイン東京蒲田 ＴＥＬ： ０３－５７１４－０３０３〒144-0052 東京都大田区蒲田5-19-12
注）（１）、（２）、（３）とも、ＪＲ蒲田駅東口徒歩２～３分程度（４） アパホテル京急蒲田駅前 ＴＥＬ： ０３－５７１３－３９３９〒144-0052 東京都大田区蒲田4-18-24（５） 東急ステイ蒲田 ＴＥＬ： ０３－５７１４－１０９０〒144-0052 東京都大田区蒲田4-23-1（６） チサンイン蒲田 ＴＥＬ： ０３－６７１５－７３１１〒144-0052 東京都大田区蒲田4-23-13
注）（４）、（５）、（６）とも、京急蒲田西口徒歩２～３分程度- 10 -