2SA1020
東芝トランジスタ シリコン PNP エピタキシャル形 (PCT 方式)

2SA1020○ 電力増幅用○ 電力スイッチング用•

単位: mmコレクタ·エミッタ間飽和電圧が低い。
: VCE (sat) = −0.5 V (最大) (IC = −1 A)•許容コレクタ損失が大きい。

: PC = 900 mW•

スイッチング時間が速い。

: tstg = 1.0 µs (標準)

•2SC2655 とコンプリメンタリになります。

最大定格 (Ta = 25°C)
項目

記 号

定格単位

コ レ ク タ · ベ ー ス 間 電 圧

VCBO−50V

コ レ ク タ · エ ミ ッ タ 間 電 圧

VCEO−50

Vエ ミ ッ タ · ベ ー ス 間 電 圧

VEBO−5V流

IC−2A流IB−0.2A

JEDEC

TO-92MOD失PC

900mW

JEITA―コベコレ

クータ電ス

レ

ク電タ損

接合

温度

Tj

150°C

保存温度

Tstg

−55~150°C

1東芝2-5J1A

質量: 0.36 g (標準)2004-07-08

2SA1020
電気的特性 (Ta = 25°C)
項

目

記 号

測 定 条 件

最小標準

最大単位

コレ ク

タ しゃ 断 電流

ICBO

VCB = −50 V, IE = 0⎯⎯−1.0µAエミ ッ

タ しゃ 断 電流

IEBO

VEB = −5 V, IC = 0⎯⎯−1.0µAV (BR) CEO

IC = −10 mA, IB = 0−50⎯⎯

V

コレクタ·エミッタ間降伏電圧hFE (1)VCE = −2 V, IC = −0.5 A70⎯240hFE (2)

VCE = −2 V, IB = −1.5 A40⎯⎯

コレクタ·エミッタ間飽和電圧

VCE (sat)

IC = −1 A, IB = −0.05 A

⎯

⎯

−0.5V

ベース ·エミッタ間飽和電圧

VBE (sat)

IC = −1 A, IB = −0.05 A⎯⎯−1.2Vト ラ ン ジ シ ョ ン 周 波 数

fT

VCE = −2 V, IC = −0.5 A

⎯100

⎯

MHz

コ量Cob

VCB = −10 V, IE = 0, f = 1 MHz

⎯

40

⎯

pF

ターンオン時間

ton⎯

0.1

⎯

⎯1.0⎯

⎯0.1⎯

流レ電ク流タ増出力幅容率20 µs

入力

スイッチング時間 蓄積時間tstg

IB1IB2下降時

間tf−IB1 = IB2 = 0.05 A

IB2IB1

出力30 Ω

直VCC = −30 Vµs

繰り返し周期 ≤ 1%

注:hFE (1) 分類

O: 70~140, Y: 120~240

現品表示A1020

製品名 (または略号)
ロット No.

特性区分記号

外装鉛フリー
識別マーク(なし: 鉛含有あり: 鉛フリー)

2

2004-07-08

2SA1020

VCE – IC

VCE – IC
−1.0

コレクタ·エミッタ間電圧 VCE (V)

コレクタ·エミッタ間電圧 VCE (V)−1.0
エミッタ接地Ta = 25°C

IB = −5 mA−0.8−10−20−40−80−120−0.6−160−200−0.4−0.200−0.4−0.8−1.2−1.6

コレクタ電流 IC−2.0−2.4エミッタ接地−20 −30 −40 −60−0.8−80

IB = −5 mA−120−0.6−160−180−200−0.4−0.200−2.8−0.4−0.8(A)−1.2−2.4−2.8(A)1000
エミッタ接地
VCE = −2 V

エミッタ接地−20−60−30500

Ta = −55°C

直流電流増幅率 hFE−40

IB = −10 mA−80−120−0.6−160−200−0.4300

Ta = 100°C

2510050−5530−0.210−0.0100−0.4−0.8−1.2−1.6

コレクタ電流 IC−2.0−2.4−0.03−2.8−0.1−0.3

コレクタ電流 IC

VCE (sat) – IC

VBE (sat) – IC
エミッタ接地ベース·エミッタ間飽和電圧
VBE (sat) (V)IC/IB = 20−0.3

Ta = 100°C−0.1−0.05−55−0.03−0.01−0.01(A)−10
エミッタ接地−0.5−3−1(A)−1

コレクタ·エミッタ間飽和電圧
VCE (sat) (V)−2.0hFE – IC

VCE – IC
コレクタ·エミッタ間電圧 VCE (V)−1.6コレクタ電流 IC−1.0−0.8

Ta = 100°C

25−0.03−0.1−0.3

コレクタ電流 IC−1−5−3−1(A)Ta = −55°C−0.5−0.3−0.1−0.01−3IC/IB = 2025
100−0.03−0.1−0.3

コレクタ電流 IC

3−1−3(A)

2004-07-08

2SA1020

IC – VBE

PC – Ta−2.01000
エミッタ接地−1.0

Ta = 100°C

25PC (W)
許容コレクタ損失

コレクタ電流 IC(A)VCE = −2 V
−1.5−55−0.500−0.4−0.8−1.2−1.6

ベース·エミッタ間電圧 VBE

800

600

400

20000−2.04080120160200240

周囲温度 Ta (°C)(V)

安全動作領域−5−310 ms*

IC max (パルス)*
IC max (連続)

1 ms*

100 ms*

コレクタ電流 IC(A)−11 s*−0.5
直流動作
Ta = 25°C−0.3−0.1−0.05−0.03*: 単発パルス Ta = 25°C
安全動作領域は温度によってディレーティングして考える必要があります。

−0.01−0.1−0.3 −0.5 −1

VCEO max−3 −5−10−30 −50 −100

コレクタ·エミッタ間電圧 VCE (V)4

2004-07-08

2SA1020

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030519TAA• 当社は品質、信頼性の向上に努めておりますが、一般に半導体製品は誤作動したり故障することがあります。当社半導体製品をご使用いただく場合は、半導体製品の誤作動や故障により、生命･身体･財産が侵害されることのないように、購入者側の責任において、機器の安全設計を行うことをお願いします。
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