データ・シート
シリコン・トランジスタ
Silicon Transistor

2SA733
PNPエピタキシアル形シリコン・トランジスタ
低周波増幅用特徴

外形図（単位：mm）○2SC945とコンプリメンタリで使用できます。
φ 5.2 MAX.
5.5 MAX.

○直流電流増幅率が大きく，直線性がすぐれています。

絶対最大定格（TA = 25℃）
号定格

単位

コレクタ・ベース間電圧

VCBO

−60V

コレクタ・エミッタ間電圧

VCEO

−50V

エミッタ・ベース間電圧

VEBO

−5.0V

コレクタ電流IC−100mA

全損失

PT250mW

ジャンクション温度

TJ

150℃

保存温度

Tstg

−55〜＋150℃

0.5
1.27

2.54

123

4.2 MAX.

略12.7 MIN.

目

1.77 MAX.

項電極接続
1.

エミッタ

EIAJ

2.

コレクタ

JEDEC ：TO−923.

ベースIEC：SC−43B：PA33

電気的特性（TA = 25℃）
項号条件MIN.

TYP.

MAX.

目

略単位

コレクタしゃ断電流

ICBO

VCB = −60 V, IE = 0 A−0.1µA

エミッタしゃ断電流

IEBO

VEB = −5.0 V, IC = 0 A−0.1µA

直流電流増幅率hFE

VCE = −6.0 V, IC = −1.0 mA

90200600

直流ベース電圧

VBE

VCE = −6.0 V, IC = −1.0 mA−0.58−0.62−0.68

V

コレクタ飽和電圧

VCE(sat)

IC = −100 mA, IB = −10 mA−0.18−0.3V

利得帯域幅積fT

VCE = −6.0 V, IE = 10 mA

180MHz

コレクタ容量Cob

VCB = −10 V, IE = 0, f = 1.0 MHz4.5pF

hFE規格区分捺 印

RQPKhFE

90〜180135〜270

200〜400

300〜600

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資料番号 D10868JJ8V0DS00（第8版）
発行年月 June 2004 N CP(K)

本文欄外の 印は，本版で改訂された主な箇所を示しています。

1983

2SA733
特性曲線（TA = 25℃）
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE

COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE

300−200

自然放置

VCE = −6.0 V−100250

10050−1002575 ℃
50−5.0TA =−20−25150

IC（mA）

200

コレクタ電流全損失PT（mW）−50−2.0−1.0−0.50255075

周囲温度100125150−0.2TA（℃）−0.1−0.4−0.5−0.6−0.7

COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
2.0 −1. 1.6 48− 1.
− .2

IB = −0.2 mA

IC（mA）−0.4

コレクタ電流IC（mA）
コレクタ電流.6−40−1.0−40−35−8−0−605−4−1 1.0−.8−0−80−0.9

COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE−10−100−−0.8
VBE（V）

直流ベース電圧−30−6−25−20−4−15−10−2−20IB = −5 μA
00−0.2−0.4−0.6−0.8

コレクタ・エミッタ間電圧

VCE（V）

00−1.0−10−30−40

コレクタ・エミッタ間電圧

VCE（V）

COLLECTOR AND BASE
SATURATION VOLTAGE vs.
COLLECTOR CURRENT−20

OUTPUT CAPACITANCE vs.
REVERSE VOLTAGE−2.0100f = 1.0 MHz
50−1.0Cob（pF）

VBE(sat)−0.5

コレクタ容量ベ ー ス飽和電圧 VBE(sat)（V）
コレクタ飽和電圧 VCE(sat)（V）IC = 10・IB−0.2−0.1
VCE(sat)20105.0

2.0−0.05

1.0
−1.0
−0.02
−1−2−5−10

コレクタ電流2−50−20−50−100IC（mA）

データ・シート D10868JJ8V0DS−2.0−5.0−10−20

コレクタ・ベース間電圧−50VCB（V）−1002SA733
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
1000

直流電流増幅率 hFE

500
VCE = −6.0 V

200−1.0100502010−0.1 −0.2−0.5−1−2−5−10 −20−50 −100

コレクタ電流 IC（mA）

DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
1000

VCE = −6.0 V

直流電流増幅率 hFE

500
TA = −75 ℃
50252000−25100502010−0.1 −0.2−0.5−1−2−5−10 −20−50 −100

コレクタ電流 IC（mA）

GAIN BANDWIDTH PRODUCT vs.
EMITTER CURRENT

利得帯域幅積 fT（MHz）

500

VCE = −6.0 V

200−1.01005020125102050100

エミッタ電流 IE（mA）

データ・シート D10868JJ8V0DS3

2SA733
NORMALIZED h PARAMETER vs.
EMITTER CURRENT

100100h定数基準値
VCE = −6.0 V, IE = 1.0 mA, f = 1.0 kHz
hie = 5.5 kΩ, hre = 7.5×10−4hfe = 205, hoe = 28μs

5020

hie5hre2
hfe

hfe
hoe

4521hoe
hre
hfe
hie

hie

hfe
hre

hoe

0.5
0.2

0.2
0.1
0.1

10

h定数相対値

h定数相対値

hoe

100.5h定数基準値
VCE = −6.0 V, IE = 1.0 mA, f = 1.0 kHz
hie = 5.5 kΩ, hre = 7.5×10−4hfe = 205, hoe = 28μs

50201NORMALIZED h PARAMETER vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE

hie
0.20.5 12
エミッタ電流510 20IE（mA）

hre
50 1000.1−0.1−0.2 −0.5 −1 −2−5 −10 −20 −50−100
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE（V）

データ・シート D10868JJ8V0DS

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標準水準：コンピュータ，OA機器，通信機器，計測機器，AV機器，家電，工作機械，パーソナル機器，産業用ロボット
特別水準：輸送機器（自動車，電車，船舶等），交通用信号機器，防災・防犯装置，各種安全装置，生命維持を目的として設計されていない医療機器
特定水準：航空機器，航空宇宙機器，海底中継機器，原子力制御システム，生命維持のための医療機
器，生命維持のための装置またはシステム等
当社製品のデータ・シート，データ・ブック等の資料で特に品質水準の表示がない場合は，標準水準製品であることを表します。意図されていない用途で当社製品の使用をお客様が希望する場合には，事前に当社販売窓口までお問い合わせください。
（注）（１）本事項において使用されている「当社」とは，NECエレクトロニクス株式会社およびNECエレクトロニクス株式会社がその総株主の議決権の過半数を直接または間接に保有する会社をいう。
（２）本事項において使用されている「当社製品」とは，（１）において定義された当社の開発，製造製品をいう。
M8E

02.11

【発 行】
NECエレクトロニクス株式会社〒211-8668 神奈川県川崎市中原区下沼部1753
電話（代表）：044(435)5111

お問い合わせ先【ホームページ】
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URL（アドレス）http://www.necel.co.jp/【営業関係，技術関係お問い合わせ先】
半導体ホットライン

電 話：044-435-9494（電話：午前 9:00〜12:00，午後 1:00〜5:00）

E-mail：info@necel.com【資料請求先】
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C04.2T