技術動向分析イノベーションレポート
No.R24090404

シリコンフォトニクス
分析対象特許情報： 中国（ＣＮ）
2024年9月4日発行

イノベーションリサーチ株式会社

Copyright 2024 Innovation Research Corporation1

本レポートとは他社の研究開発動向を簡易的に探ることができる エンジニア向けの研究開発動向調査レポートです。
主に、特許情報を利用して執筆されています。
◇こんな方に使ってほしい◇作成工程

研究開発を行っていて、日々気になる事―
それは、技術動向、競合企業動向ではないでしょうか。特許情報を紐解けば、比較的正確にそれを掴む事が可能です。
しかし、特許情報分析には、検索式の作成や企業名のゆらぎの処理等が必須であり、分析結果の解釈等に、一定の難しさがあることも確かです。
また、このような分析は、社内の知的財産部門等で行うことも可能ですが、全ての分野、全ての企業の分析を行う事は非常に手間がかかります。特に新規事業などのこれから事業化していく分野については、社内リソース的に十分に知財分析をすることが難しいと考えられます。
そこで、我々は、社内リソースとして十分に調べることが出来ていない分野・企業の動向調査レポートをご提供し、エンジニアの皆様のお悩みを少しでも解消させて頂ければと考えております。
皆様の研究開発が実り多きものとなることを願っております。

Copyright 2024 Innovation Research Corporation2

－技術動向分析イノベーションレポート－
1

主要プレイヤーについて
1-1 主要プレーヤーがわかる！
1-2 主要プレイヤーのポジションがわかる！

2

対象技術について2-1
この１枚でわかる！ サマリー
2-2
出願状況がわかる！
2-3
現在有効な重要特許の権利満了時期は？
2-4
グローバル戦略がわかる！～外国出願～
2-5
重要出願を行っている企業がわかる！
2-6
パートナー戦略がわかる！～共同出願～
2-7
注力している技術内容がわかる！

（別紙）注目出願リスト（外国出願（各国）最新TOP50/被引用TOP50）

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１．主要プレイヤーについて

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1-1 主要プレイヤーがわかる！

シリコンフォトニクス主要プレイヤーは、以下のとおりである。
左は出願件数ランキング、右は出願件数の累積推移を示す。

◇特許出願件数◇特許出願件数 累積推移

INSTSEMICONDUCTORS…
HUAWEI
UNIV ZHEJIANG

99

UNIV SHANGHAIJIAOTONG

95

UNIV JILININTELINST SEMICONDUCTORS CAS

136

140

HUAWEI

133120

UNIV ZHEJIANG

110HISENSE BROADBAND
MULTIMEDIA…

UNIV SOUTHEAST

160150

出願件数

0

出願件数
50100100HISENSE BROADBAND
MULTIMEDIA TECHNOLOGY CO

80

UNIV SHANGHAI JIAOTONG

60

UNIV JILIN

40

UNIV SOUTHEAST

856967

SHANGHAI INSTMICROSYSTEM&INF…

63

UNIV HUAZHONGSCIENCE TECH

63INTEL

20

SHANGHAI INSTMICROSYSTEM&INFORMATIONTECH CAS

0UNIV HUAZHONG SCIENCE TECH

出願年

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51-2 主要プレイヤーのポジションがわかる！

シリコンフォトニクス

主要プレーヤーのポジションを分析した結果は、以下のとおりである。
縦軸は客観的な権利化度合（登録件数）、横軸は自社注力度（重要出願件数）、バブルの大きさは出願件数を示す。

◇開発・特許ポジション■全期間■2018年以降

12070

10060②④60⑥⑤⑦40 ⑩④② HUAWEI③ UNIV ZHEJIANG

50

登録件数

登録件数

①80③① INST SEMICONDUCTORS CAS

40③①⑥④⑤30⑤ UNIV SHANGHAI JIAOTONG⑨⑧20⑥ UNIV JILIN②20 ⑦⑩⑨HISENSE BROADBAND
MULTIMEDIA TECHNOLOGY CO⑦ UNIV SOUTHEAST

10⑧⑧ INTEL

00050
重要出願件数100（バブルの大きさ：出願件数）

01020
重要出願件数3040（バブルの大きさ：出願件数）

SHANGHAI INST

⑨ MICROSYSTEM&INFORMATION TECH CAS⑩UNIV HUAZHONG SCIENCE
TECH

ポジションについて●「特許出願件数」「重要出願件数」から、その企業の注力ぶりや体制を推測、「登録件数」から、その企業の特許出願の権利化度合を推測し、各企業のポジションを把握する。 ●本レ
ポートにおける登録とは、出願し、特許庁の審査を経て、特許として権利が認められたものをいう。●本レポートにおける重要出願とは、外国出願があったものを指す。 ●上記出願人の登録件数が0件の場合、または、重要出願件数が0件の場合は、該当出願人はグラフ上に表記されない。

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6

２．対象技術について

Copyright 2024 Innovation Research Corporation7

2-1 この1枚でわかる！サマリー①ステータス

シリコンフォトニクス

②出願件数推移

③重要出願

700件数

区分

600

登録記録あり2,718

登録記録なし1,953

合計（総出願件数）

4,671

件数

外国出願あり（各国）

500

出願件数

ステータス

1,415

400
300

200
100

0

出願年

④外国出願先
0

2,000

4,000

⑤主要プレイヤー2社と、その共同出願人
6,000

総出願件数 136件

欧州
日本

HUAWEI④

総出願件数 133件

③ 分野全体UNIV HUAZHONGSCIENCE TECH

－0件

英国
－

韓国
2018年以降（出願国が多い場合、特許出願件数上位を抽出。各出願におけるファミリーの出願件数を合算しているため、同一の出願が重複カウントされている場合がある。）

②－－0件
－0件

0件

（主要プレイヤーで、グループとして掲載されている企業は、グループ内の企業同士による共同出願を排除している。共同出願人名義は旧社名である場合がある。）

Copyright 2024 Innovation Research Corporation①1件0件

2017年以前⑩⑨⑧⑦⑤⑥＜本編では、6社分掲載＞

INST SEMICONDUCTORS
CAS

米国⑥技術内容構成比①② ① 光学要素，光学系，または光学装置③ ② 本サブクラスに包含される素子の媒体の光学的性質の変化により光を制御④ ③ クラスＨ１０に包含されない半導体装置⑤ ④ 伝送⑥ ⑤ 光を増幅または生成するために，放射の誘導放出による光増幅を用いた装置⑦ ⑥ 多重通信⑧ ⑦ フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造⑨ ⑧ デジタル情報の伝送⑩ ⑨ 材料の化学的または物理的性質の決定による材料の調査または分析⑩ 無線による方位測定等（各特許出願に付与されている特許分類を基に作成）

8ントされている場合がある。）

る共同出願を排除している。共同出願人名義は旧社名である場合がある。）

2-2 出願状況がわかる！

（各特許出願に付与されている特許分類を基に作成）

シリコンフォトニクス

出願状況及び件数推移は、以下のとおりである。

◇ステータス◇出願件数推移
700
件数

登録記録あり2,718

登録記録なし1,953

合計（総出願件数）

4,671

600
50042%
58%

出願件数

ステータス

400300200100
登録記録あり0

登録記録なし出願年
ステータスについて●登録記録があったものとなかったもので区分けをしている。

出願件数推移について●出願件数推移は、現在の、当技術のライフサイクル把握に有用である。

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92-3 現在有効な重要特許の権利満了時期は？

シリコンフォトニクス

重要出願と、重要出願のうち、登録記録があったものが満了を迎える予定は以下のとおりである。

◇重要出願

外国出願あり（各国）

800

件数

700
1,415600

残存権利数

区分

◇登録記録のある重要出願の残存予定推移

500
400

300
2001000

各年末時点
重要出願について●ここでいう外国出願とは、本分析対象国に関連した外国ファミリー出願を指す。本レポートでは、各ファミリーにおける国数ではなく、各ファミリーにおける各国への全出願件数をカウントしている。ただし、本レポートの分析対象国に出願しないものもあることから、必ずしも全ての外国出願がカウントされているわけではない。なお、重複カウントとなる可能性が高いPCT出願、EPC出願等自体はカウントしていない。

重要特許の残存件数について●特許権のライフは、維持し続けた場合、最長20年である。重要出願のうち登録記録のあるものを、全て満了まで維持し続けた場合、いつごろどの程度の件数となるかを把握する。 ●将来取得する権利は捨象している。 ●当技術における重要特許が、いつごろ切れるのかを俯瞰することができる。

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2-4 グローバル戦略がわかる！～外国出願～

シリコンフォトニクス

外国出願先は、以下のとおりである。

◇出願先 国別ランキング
01,000

出願件数
2,000
3,000

4,000

米国
欧州
日本
英国
韓国
台湾
ドイツ
カナダ
オーストラリア
シンガポールフランス
インド
スウェーデン
オーストリア
ブラジル
イスラエル
南アフリカ
スペイン
メキシコ
デンマーク

5,000

2017年以前
2018年以降

外国出願について●ここでいう外国出願とは、本分析対象国に関連した外国ファミリー出願を指す。本レポートでは、各ファミリーにおける国数ではなく、各ファミリーにおける各国への全出願件数をカウントしている。ただし、本レポートの分析対象国に出願しないものもあることから、必ずしも全ての外国出願がカウントされているわけではない。 ●各出願におけるファミリーの出願件数を合算しているため、同一の出願が重複カウントされている場合がある。 ●市場となりうる国、生産拠点となる国等を把握することが可能である。 ●「欧州」とは、ヨーロッパ特許条約（EPC）に基づいてされる出願を指す。ヨーロッパ各国への出願には、①EPC出願（特許を付与するか否かの審査を伴う）後、各国移行手続きする方法と、②直接国ごとに出願する方法がある。
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2-5 重要出願を行っている企業がわかる！

シリコンフォトニクス

重要出願の出願人トップ５は、以下のとおりである。

◇重要出願の出願人ランキング■外国出願あり
No.

出願人名

出願件数

1

HUAWEI

79

2

INTEL

673ROCKLEY PHOTONICS

544TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING

375INPHI

27重要出願について●「外国出願あり」は、シンプルな国内出願に比べ投資額がかさむことから、これらの出願は、出願人が重要視しているものである考えられる。 ●ここでいう外国出願とは、本分析対象国に関連した外国ファミリー出願を指す。なお、本件数は、各国に出願されている件数を示しており、重複カウントとなる可能性が高いPCT出願、EPC出願等自体はカウントしていない。

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2-6 パートナー戦略がわかる！～共同出願～

シリコンフォトニクス

主要プレイヤー各社は、以下の企業との共同出願が認められ、パートナーシップが推認される。

◇主要プレイヤーとその共同出願人
INST SEMICONDUCTORS
CAS

1

主要プレイヤー

総出願件数 136件

0件
2

1

HUAWEI－

UNIV HUAZHONGSCIENCE TECH

総出願件数 133件

1件
2－

13－

UNIV HUAZHONGSCIENCE TECH

総出願件数 99件

1件
22件
2

SHAOXING TECHVENTURE CAPITAL CO

2件
30件

UNIV SHANGHAIJIAOTONG

1SHANGHAI JIAO TONG UNIVPINGHU INTELLIGENT
PHOTOELECTRIC RESEARCHINSTITUTE

総出願件数 95件

2件
2－UNIV SHANGHAIUNIV ZHEJIANGTECHNOLOGY
2件

その他

UNIV JILIN

1

CHANGCHUNOPTICS FINE MECH

総出願件数 85件

1件
2－1件
3－0件

総出願件数 110件

－0件
3

ZHEJIANG UNIV SHAOXINGMICROELECTRONIC RESEARCHCENTER

0件

0件
HISENSE BROADBAND
MULTIMEDIATECHNOLOGY CO

1UNIV ZHEJIANG－0件
3

主要プレイヤーの共同出願人

ZTE PHOTOELECTRICTECH COその他

1件

0件
3－0件

共同出願について●共同出願の状況を確認することで、各社のパートナー戦略を読み解くことができる。 ●「-」は、共同出願人が存在しないことを空欄を示す。 ●共同出願人は、件数順に掲載している。 ●共同出願人名義は旧社名である場合がある。 ●主要プレイヤーで、グループとして掲載されている企業においては、グループ内の企業同士による共同出願を排除している。

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132-7 注力している技術内容がわかる！

シリコンフォトニクス

技術内容の全体構成比および年別構成比推移を示す。

◇技術内容構成比/同推移（参考情報）

100%⑩ ⑩ 無線による方位測定等

90%⑩⑨⑧⑦⑤⑥80%④⑧ ⑧ デジタル情報の伝送

70%

分野全体

③

材料の化学的または物理的性質の決定⑨ ⑨ による材料の調査または分析①②60%

フォトメカニカル法による凹凸化又はパ⑦ ⑦ ターン化された表面の製造50%⑥ ⑥ 多重通信

40%

光を増幅または生成するために，放射の⑤ ⑤ 誘導放出による光増幅を用いた装置

30%④ ④ 伝送20%③ ③ クラスＨ１０に包含されない半導体装置

10%

本サブクラスに包含される素子の媒体の② ② 光学的性質の変化により光を制御

0%
2018

2019

2020
2021
出願年

2022

2023

① ① 光学要素，光学系，または光学装置（各特許出願に付与されている特許分類を基に作成）

技術内容構成比/同推移について●トレンド技術を知る。 ●直近期は、必ずしも全てが公開されているわけではないため、参考情報となる。
●複数の技術に係る出願については、それぞれの技術において１件とカウントして集計している。 ●「その他」には、最新技術のため、分類できないものを含む場合がある。

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■お問合せ先■イノベーションリサーチ株式会社
住所：〒115-0045
東京都北区赤羽1-59-8ヒノデビル4階S-4E-mail：webinquiry@innovation-r.com
URL：https://www.innovation-r.com/

本レポートの著作権は、イノベーションリサーチ株式会社に帰属します。
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15

（別紙）注目出願リスト （外国出願（各国）最新TOP50）

あCopyright 2024 Innovation Research Corporation

16外国出願（各国）の最新出願がわかる！～最新出願TOP50～（手続き中などの出願もあるため、以下のリストにない出願が存在する可能性がある）
最新ランキ

公報番号

出願日

発明の名称

出願人

審査･権利状況 外国出願（各国）

ング

1
1

CN118249193A
CN118244435A

2024/5/28

Wafer-level silicon-based III-V group heterogeneous

HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE &登録記録なし○2024/5/28

integrated device and preparation method thereof
Silicon-based integrated light source and preparation

TECHNOLOGYHUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE &登録記録なし○TECHNOLOGYHUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE &登録記録なし○TECHNOLOGYWUHAN UNIVERSITY

登録記録なし○1CN118244419A

2024/5/28

method thereof
Vertical coupling waveguide based on deposited

4CN118244555A

2024/5/27

silicon and preparation method thereof
All-optical nonlinear activator, implementation
method thereof, network structure and computing

5CN118226581A

2024/5/21

chip
Preparation method of chalcogenide phase change

SUN YAT-SEN UNIVERSITY

登録記録なし○6CN118244421A

2024/4/9

material heterogeneous integrated waveguide device
Quick manufacturing method of low-loss optical

SHANGHAI UNIVERSITY

登録記録なし○789CN118264320A
CN118233005A
CN118264324A

2024/4/8
2024/4/2
2024/3/29

silicon through hole
Distributed optical sensing system and method
Optical signal transmission device
Silicon-based erbium-doped waveguide amplifier

STATE GRID XUZHOU POWER SUPPLYSHENZHEN GIGALIGHT TECHNOLOGY,LTD
SHANGHAI INSTITUTE OF OPTICS & FINE

登録記録なし登録記録なし登録記録なし○○○10

CN118259514A

2024/3/28

integrated with optical modulation function
Phase compensation type silicon-based star 90-

MECHANICS CHINESE ACADEMY OF SCIENCES
SOUTHEAST UNIVERSITY

登録記録なし○11CN118248780A

2024/3/22

degree optical mixer
Semiconductor device, method of manufacturing theBEIJING GUANGZHIYUAN TECHNOLOGY,LTD

登録記録なし○XI'AN INSTITUTE OF OPTICS & PRECISION

登録記録なし○12CN118259308A

2024/3/15

same, and method of removing residual polysiliconSingle-photon laser radar imaging system and13

CN118259400A

2024/2/7

method on silicon germanium chip
Preparation method of silicon template of diffraction

MECHANICS OF CAS
GUANGNA SIWEI (GUANGDONG)

登録記録なし○1415CN118244418A
CN117970674A

2023/12/22
2023/11/29

optical waveguide
Optical mode coupler in integrated photonics device
Photonic device and method of manufacturing thePHOTOELECTRIC TECHNOLOGY,LTDNOKIATAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING

登録記録なし登録記録なし○○16

CN221200013U

2023/11/3

same
Packaging structure of silicon optical module

SHENZHEN XUNTONG OPTICAL

登録記録あり○17

CN117991446A

2023/11/1

Waveguide transition for hybrid thin silicon/III-V

COMMUNICATION,LTD
CAPLESS LIGHT PHOTOELECTRIC

登録記録なし○2023/10/30

photonics
Optical component with adjacent metamaterial

LATTICE CHIP (USA) INTEGRATED CIRCUIT

登録記録なし○structures

TECHNOLOGY,LTD

18

CN118057224A（出願番号は、全文のURLリンクになっています[Google Patent]。番号によってはリンク先がない場合、また古い出願はリンクがない場合があります。）
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外国出願（各国）の最新出願がわかる！～最新出願TOP50～（手続き中などの出願もあるため、以下のリストにない出願が存在する可能性がある）
最新ランキ

公報番号

出願日

発明の名称

出願人

審査･権利状況 外国出願（各国）

ング

19
20

CN118131395A
CN118091836A

2023/10/27

Optical assembly with one or more embedded Bragg

LATTICE CHIP (USA) INTEGRATED CIRCUIT

登録記録なし○2023/10/19

reflectors
Extended multilayer nitride waveguide for photonic

TECHNOLOGY,LTDLATTICE CHIP (USA) INTEGRATED CIRCUIT

登録記録なし○TECHNOLOGY,LTDTAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING

21

CN117393496A

2023/9/19

integrated circuits
Package and method of forming the same

登録記録なし○22

CN117420635A

2023/9/1

Optical device and method of manufacturing theTAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING

登録記録なし○23

CN117647909A

2023/8/31

Semiconductor optical amplifier optical combiner

NO OPEN LIGHTING

登録記録なし○2325

CN117420640A

2023/8/31
2023/8/30

Package and method of forming the same
Optical device and method of manufacturing theTAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING

登録記録なし登録記録なし○○26

CN117420634A
CN117826321A

2023/8/29

Light spot size converter

SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES

登録記録なし○27

CN117761830A

2023/8/25

Optical coupler for switching between single-layer

GEXIN USA INTEGRATED CIRCUIT TECH CO

登録記録なし○2829303132

CN117369061A
CN117956322A
CN117595078A
CN117724208A
CN117518371A

2023/8/16
2023/8/11
2023/8/9
2023/8/3
2023/7/27

waveguide and multi-layer waveguide
Package and method for manufacturing the same
Laser with optical signal management capability
Comb laser
Silicon photon multiplexer and demultiplexer
Light emission sub-module structure and active

TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING
BROADCOMMARVELL ASIA PTEBROADCOMDONGGUAN YUNHUI PHOTOELECTRIC CO

登録記録なし登録記録なし登録記録なし登録記録なし登録記録なし

○○○
○
○

33

CN117933321A

2023/7/14

alignment method thereof
Reconfigurable all-optical activation function withHEWLETT PACKARD ENTERPRISE

登録記録なし○34

CN117393551A

2023/6/12

normalized output power
Photon integrated circuit monitor, monitoring system GEXIN USA INTEGRATED CIRCUIT TECH CO

登録記録なし○TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING

登録記録あり○35

CN220673766U

2023/5/31

and monitoring method based on scattered light
Device for measuring photoelectric characteristic of36

CN117471611A

2023/5/30

traveling wave of Mach-Zehnder modulator
Diamond spot size converter for optical fiber edge

BROADCOM

登録記録なし○37

CN117310875A

2023/5/29

coupling
Waveguide core with double trapezoid shape

GEXIN USA INTEGRATED CIRCUIT TECH CO

登録記録なし○38

CN117289388A

2023/5/23

Photonic chip spliced by back-to-back taper using

GEXIN USA INTEGRATED CIRCUIT TECH CO

登録記録なし○TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING

登録記録あり○FUJITSU GROUPTAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING

登録記録なし登録記録あり○○39

CN220252205U

2023/5/12

photomasks
Photonic device and integrated circuit

39
41

CN117080857A
CN220553009U

2023/5/12
2023/5/11

Optical semiconductor device
Photon polarization beam splitter（出願番号は、全文のURLリンクになっています[Google Patent]。番号によってはリンク先がない場合、また古い出願はリンクがない場合があります。）
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外国出願（各国）の最新出願がわかる！～最新出願TOP50～（手続き中などの出願もあるため、以下のリストにない出願が存在する可能性がある）
最新ランキ

公報番号

出願日

発明の名称

出願人

審査･権利状況 外国出願（各国）

ング

4243

CN117192683A
CN117013363A

2023/5/9

Photonic chips spliced by side-by-side taper using a

GEXIN USA INTEGRATED CIRCUIT TECH CO

登録記録なし○2023/5/4

photomask
Silicon photon hybrid distributed feedback laser withNO OPEN LIGHTING

登録記録なし○44

CN117055158A

2023/4/11

built-in grating
Back-end process edge coupler with tapered grating

GEXIN USA INTEGRATED CIRCUIT TECH CO

登録記録なし○45CN116896002A

2023/4/4Integrated coherence length reduced laser

ROCKLEY PHOTONICS

登録記録なし○46

CN116953846A

2023/3/27

Waveguide and edge coupler with multi-thickness

GEXIN USA INTEGRATED CIRCUIT TECH CO

登録記録なし○2023/2/28

waveguide core
Photonic integrated circuit structure for coupler ofGEXIN USA INTEGRATED CIRCUIT TECH CO

登録記録なし○GEXIN USA INTEGRATED CIRCUIT TECH CO
GEXIN USA INTEGRATED CIRCUIT TECH CO

登録記録なし登録記録なし○○登録記録なし登録記録なし登録記録なし○○○47

CN116893473A

4747

CN116893472A
CN116819678A

2023/2/28
2023/2/28

interlayer waveguide coupling
Edge coupler with nonlinear taper
Slot waveguide including metamaterial structures

505050

CN116804785A
CN116804784A
CN116661061A

2023/2/23
2023/2/23
2023/2/23

Edge coupler comprising a metamaterial layer
Edge coupler with continuously arranged tapers
Semiconductor optical element and method for

GEXIN USA INTEGRATED CIRCUIT TECH CO
GEXIN USA INTEGRATED CIRCUIT TECH CO
SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES;UNIV

manufacturing the same

HOKKAIDO NAT UNIV

（出願番号は、全文のURLリンクになっています[Google Patent]。番号によってはリンク先がない場合、また古い出願はリンクがない場合があります。）
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