2SA970
東芝トランジスタ シリコン PNP エピタキシャル形 (PCT 方式)

2SA970○ 低周波低雑音用

単位: mm·2SA970 は PNP 低周波低雑音トランジスタで低信号源インピーダンスでの雑音指数を小さく設計しており、さらにパルス性雑音が小さく、ステレオやテープデッキなどのイコライザアンプ初段低雑音増幅用として高S/N 比特性の実現を容易にします。

·

低信号源インピーダンスでの雑音指数が小さい。
: NF = 3 dB (標準) (RG = 100 Ω, VCE = −6 V, IC = −0.1 mA, f = 1 kHz): NF = 0.5 dB (標準) (RG = 1 kΩ, VCE = −6 V, IC = −0.1 mA, f = 1 kHz)

·直流電流増幅率が高い。: hFE = 200~700: VCEO = −120 V·高耐圧です。

·

パルス性雑音が小さい。: 1/f 雑音が小さい。

·2SC2240 とコンプリメンタリになります。

最大定格 (Ta = 25°C)
項目

記 号

定格単位

コ レ ク タ ･ ベ ー ス 間 電 圧

VCBO-120V

コ レ ク タ ･ エ ミ ッ タ 間 電 圧

VCEO-120

Vエ ミ ッ タ ･ ベ ー ス 間 電 圧

VEBO-5

流

IC流

コベコレ

クータ電ス

レク電タ損

JEDEC

TO-92

VJEITA

SC-43-100mA

東

2-5F1B

IB-20mA

質量:

失PC

300mW

接合

温度

Tj

125°C

保存

温度

Tstg

-55~125°C

1芝g (標準)2002-01-29

2SA970
電気的特性 (Ta = 25°C)
項目

記 号

測 定 条 件最小標準最大単位

コレクタ

しゃ

断電流

ICBO

VCB = -120 V, IE = 0¾¾-0.1mAエミッタ

しゃ

断電流

IEBO

VEB = -5 V, IC = 0¾¾-0.1mA

V (BR) CEO

IC = -1 mA, IB = 0-120¾¾V

コレクタ･エミッタ間降伏電圧hFE (注) VCE = -6 V, IC = -2 mA

200

¾700

コレクタ･エミッタ間飽和電圧

VCE (sat)

IC = -10 mA, IB = -1 mA¾¾-0.3V

ベ ー ス ･ エ ミ ッ タ 間 電 圧

VBE

VCE = -6 V, IC = -2 mA¾-0.65¾Vト ラ ン ジ シ ョ ン 周 波 数

fT

VCE = -6 V, IC = -1 mA¾100¾MHzコCob

VCB = -10 V, IE = 0, f = 1 MHz¾4.0¾pF

VCE = -6 V, IC = -0.1 mA, f = 10 Hz,
RG = 10 kW¾¾6VCE = -6 V, IC = -0.1 mA, f = 1 kHz,RG = 10 kW¾¾2

VCE = -6 V, IC = -0.1 mA, f = 1 kHz,RG = 100 W¾3¾直雑注:流レ電ク音

hFE 分類流

タ増出力指幅容率量数NFdB

GR: 200~400, BL: 350~70022002-01-29

2SA970

IC – VCEIC – VBE-5-30
エミッタ接地コレクタ電流 IC-3-9(mA)

(mA)

-4

エミッタ接地-10

Ta = 25°C-8

コレクタ電流 IC-7-6-5-2-4-3-1-2-25

VCE = -6 V

-20-15

Ta = 100°C

25-25-0.4-0.6-0.8-10-5

IB = -1 mA
000-2-4-8-600-10-0.2

ベース･エミッタ間電圧 VBE

コレクタ･エミッタ間電圧 VCE (V)(V)

h パラメータ – IChFE – IC
1000

5000
3000

エミッタ接地hfe500

VCE = -6 V300
エミッタ接地1000
Ta = 100°C
500

25-25300

100-0.1hie (´ kW)-0.3-1100-3コレクタ電流 IC-10h パラメータ

直流電流増幅率 hFE-1.0-30(mA)

VCE = -6 V
f = 270 Hz
Ta = 25°C

5030hre (´ 10-5)105hoe (´ mW)

31-30-100-300-1000

コレクタ電流 IC-3000-10000(mA)

VCE (sat) – IC
コレクタ･エミッタ間飽和電圧
VCE (sat) (V)-1
エミッタ接地-0.5IC/IB = 10-0.3
Ta = 100°C-0.1-0.05

25-25-0.03-0.01-0.1-0.3-1-3

コレクタ電流 IC-10-30(mA)

32002-01-29

2SA970h パラメータ – VCE

NF – RG, IC

1000100 k500

エミッタ接地hfe

VCE = -6 Vf = 1 kHz

300
エミッタ接地10 k

f = 270 Hz
100Ta = 25°C

信号源抵抗5030hoe (´ mV)
hre (´ 10-5)

hie (´ kW)

2Ta = 25°C

3412106

NF = 1dB

RG (9)IC = -1 mA

h パラメータ

81k

NF = 1dB
23100104685-1-3-10-30

10-10012

コレクタ･エミッタ間電圧 VCE (V)

10-10-100(pF)

10コレクタ出力容量

20Cob

Cob – VCB-1000

コレクタ電流 IC-10000(mA)

IE = 0f = 1 MHz
Ta = 25°C

531-1-3-10-30

コレクタ･ベース間電圧 VCB-100(V)NF – RG, IC100 k

エミッタ接地
VCE = -6 V
f = 10 Hz
Ta = 25°C1210 k

PC – TaNF = 1dB

2001k46

NF = 1dB234610081010000310RG (9)300

信号源抵抗許容コレクタ損失

PC (mW)

400

2812255075

10012510-10150

周囲温度 Ta (°C)

-100-1000

コレクタ電流 IC

4-10000(mA)

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2SA970

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