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ࠞࠬ࠲ࡑࠨࡐ࡯࠻ㇱご注意
安全設計に関するお願い
1. 弊社は品質、信頼性の向上に努めておりますが、半導体製品は故障が発生したり、誤動作する場合があります。弊社の半導体製品の故障又は誤動作によって結果として、人身事故、火災事故、社会的損害などを生じさせないような安全性を考慮した冗長設計、延焼対策設計、誤動作防止設計などの安全設計に十分ご留意ください。
本資料ご利用に際しての留意事項
1. 本資料は、お客様が用途に応じた適切なルネサス テクノロジ製品をご購入いただくための参考資料であり、本資料中に記載の技術情報についてルネサス テクノロジが所有する知的財産権その他の権利の実施、使用を許諾するものではありません。
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3. 本資料に記載の製品データ、図、表、プログラム、アルゴリズムその他全ての情報は本資料発行時点のものであり、ルネサス テクノロジは、予告なしに、本資料に記載した製品または仕様を変更することがあります。ルネサス テクノロジ半導体製品のご購入に当たりましては、事前にルネサス テクノロジ、ルネサス販売または特約店へ最新の情報をご確認頂きますとともに、ルネサス テクノロジホームページ(http://www.renesas.com)などを通じて公開される情報に常にご注意ください。
4. 本資料に記載した情報は、正確を期すため、慎重に制作したものですが万一本資料の記述誤りに起因する損害がお客様に生じた場合には、ルネサス テクノロジはその責任を負いません。
5. 本資料に記載の製品データ、図、表に示す技術的な内容、プログラム及びアルゴリズムを流用する場合は、技術内容、プログラム、アルゴリズム単位で評価するだけでなく、システム全体で十分に評価し、お客様の責任において適用可否を判断してください。ルネサス テクノロジは、適用可否に対する責任は負いません。
6. 本資料に記載された製品は、人命にかかわるような状況の下で使用される機器あるいはシステムに用いられることを目的として設計、製造されたものではありません。本資料に記載の製品を運輸、移動体用、医療用、航空宇宙用、原子力制御用、海底中継用機器あるいはシステムなど、特殊用途へのご利用をご検討の際には、ルネサス テクノロジ、ルネサス販売または特約店へご照会ください。
7. 本資料の転載、複製については、文書によるルネサス テクノロジの事前の承諾が必要です。
8. 本資料に関し詳細についてのお問い合わせ、その他お気付きの点がございましたらルネサス テクノロジ、ルネサス販売または特約店までご照会ください。

2SC1344，2SC1345
シリコン NPN エピタキシァル形

ADJ-208-1221 (Z)
1st. Edition
2000.12特長• 低周波低雑音増幅用

外観図

TO-92 (1)

1. Emitter2. Collector
3. Base321

2SC1344，2SC1345

絶対最大定格項目
コレクタ・ベース電圧
コレクタ・エミッタ電圧
エミッタ・ベース電圧
コレクタ電流許容コレクタ損失
接合部温度
保存温度

記号
VCBO
VCEO
VEBO
ICPC
Tj
Tstg

2SC1344
30
30
5100
200
150–55〜+150

2SC1345
55
50
5100
200
150–55〜+150(Ta = 25℃)
単位
VV
VmA
mW℃℃

電気的特性(Ta = 25℃)
単位
測定条件
2SC1344
2SC1345
Min Typ Max Min Typ Max
コレクタ・ベース破壊電圧 V(BR)CBO 30——55——
V IC = 10µA，IE = 0
コレクタ・エミッタ破壊電圧 V(BR)CEO 30——50——V IC = 1mA，RBE = ∞エミッタ・ベース破壊電圧 V(BR)EBO
5——5——V IE = 10µA，IC = 0
コレクタ遮断電流
ICBO—
—0.5—
—
0.5µA VCB = 18V，IE = 0
エミッタ遮断電流
IEBO——0.5——
0.5µA VEB = 2V，IC = 01直流電流増幅率hFE*
250— 1200 250 — 1200
VCE = 12V，IC = 2mA
ベース・エミッタ電圧
VBE—— 0.75 —— 0.75
V VCE = 12V，IC = 2mA
コレクタ・エミッタ飽和電圧 VCE(sat)
—
—0.5—
—
0.5V IC = 10mA，IB = 1mA
利得帯域幅積fT— 230 —— 230—MHz VCE = 12V，IC = 2mA
コレクタ出力容量Cob——
3.5——
3.5pF VCB = 10V，IE = 0，f = 1MHz
雑音指数
NF——
8—
—
8dB VCE = 6V，IC = 0.1mA，
f = 10Hz，Rg = 10kΩ
雑音指数
NF——1——
1dB VCE = 6V，IC = 0.1mA，
f = 1kHz，Rg = 10kΩ
【注】 1. 2SC1344，2SC1345 は hFE の値により下記のように 3 区分し，現品に表示してあります。
項目

D250〜5002

記号E400〜800

F600〜1200

2SC1344，2SC1345

小信号 h 定数項目
入力インピーダンス
電圧帰還率
電流増幅率
出力アドミタンス記号hiehrehfehoe(VCE = 5V，IC = 0.1mA，f = 270Hz，Ta = 25℃)
単位EF170240KΩ
14.516×10–4
540
825
12.5
13.5µS

D110
9.534012.010Collector Current IC (mA)

Collector Power Dissipation PC (mW)Maximum Collector Dissipation Curve
250200150

10050050100150Ambient Temperature Ta (ºC)

86420

Typical Output Characteristics P
C =26200m24W
22201816
1412108642 µA
IB = 0121620
48Collector to Emitter Voltage VCE (V)243

2SC1344，2SC1345
DC Current Transfer Ratio vs.
Collector Current

Typical Transfer Characteristics
5VCE = 12 V
Collector Current IC (mA)

DC Current Transfer Ratio hFE

7006005005º C7a=T400

25300

2000.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 25 10 20
Collector Current IC (mA)

50Collector Output Capacitance Cob (pF)

Base to Emitter Voltage VBE (V)

4VCE = 12 V
IC = 2 mA

0.7

0.6

0.5

0204060Ambient Temperature Ta (ºC)

210.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Base to Emitter Voltage VBE (V)Collector Output Capacitance vs.
Collector to Base Voltage

0.90.4–20

VCE = 12 V

30Base to Emitter Voltage vs. Ambient
Temperature

0.848010IE = 0f= 1 MHz
52115102
Collector to Base Voltage VCB (V)2SC1344，2SC1345
Emitter Input Capacitance vs.
Emitter to Base Voltage

Contours of Constant Noise Figure

Signal Source Resistance Rg (kΩ)

100

IC = 0f= 1 MHz
52

52
Emitter to Base Voltage VEB (V)1030 2dB
4d
10B
6dB
3 8dB
10dB
1.0

1.0

dB

0.3
0.1
0.001 0.003 0.01

0.03

0.1

0.3

Collector Current IC (mA)

1.0

3.0

100
Signal Source Resistance Rg (kΩ)

Signal Source Resistance Rg (kΩ)

3d6 B
8 dB
dB

VCE = 6 V
f = 120 HzdB

40.1

0.3

1.03.0

Contours of Constant Noise Figure

dB

20.03

Collector Current IC (mA)dB

1110dB
8 dB
6 dB
4230

VCE = 6 V
f = 10 Hz

0.3

Contours of Constant Noise Figure
100dB

0.1
0.001 0.003 0.01

111dB
10 B
d8 dB
6 dB
4 dB
2 dB
1Emitter Input Capacitance Cie (pF)1030

108 dB
6 dB
dB
4dB
2dB
1dB

VCE = 6 V
f = 1 kHz10123
4

1.00.3dBdB

dBdB810 dB
dB
60.1
0.001 0.003 0.01

0.030.10.3

1.03.0

Collector Current IC (mA)

52SC1344，2SC1345
Noise Figure vs. Collector to
Emitter Voltage

Noise Figure vs. Frequency

1012VCE = 6 V
IC = 0.1 mA
Rg = 10 kΩ

8Noise Figure NF (dB)

Noise Figure NF (dB)106421020

10050200500

4211k251020Frequency f (Hz)Collector to Emitter Voltage VCE (V)Noise Figure vs. Collector to
Emitter Voltage

Noise Figure vs. Collector to
Emitter Voltage

105010IC = 0.1 mA
f = 120 HzRg = 10 kΩ

8Noise Figure NF (dB)

Noise Figure NF (dB)

6006420

IC = 0.1 mA
f = 1 kHz
Rg = 10 kΩ

864201251020

Collector to Emitter Voltage VCE (V)

6IC = 0.1 mA
f = 10 Hz
Rg = 10 kΩ

850

1251020

Collector to Emitter Voltage VCE (V)50

2SC1344，2SC1345

外形寸法図

As of July, 2001
Unit: mm

4.8 ± 0.3

2.3 Max
0.70.60 Max
0.55 Max

12.7 Min5.0 ± 0.2

3.8 ± 0.3

0.5 Max

1.272.54

Hitachi CodeJEDECJEITA
Mass (reference value)

TO-92 (1)
Conforms
Conforms
0.25 g7

2SC1344，2SC1345

ご注意
1. 本書に記載の製品及び技術のうち「外国為替及び外国貿易法」に基づき安全保障貿易管理関連貨物・技術に該当するものを輸出する場合，または国外に持ち出す場合は日本国政府の許可が必要です。
2. 本書に記載された情報の使用に際して，弊社もしくは第三者の特許権，著作権，商標権，その他の知的所有権等の権利に対する保証または実施権の許諾を行うものではありません。また本書に記載された情報を使用した事により第三者の知的所有権等の権利に関わる問題が生じた場合，弊社はその責を負いませんので予めご了承ください。
3. 製品及び製品仕様は予告無く変更する場合がありますので，最終的な設計，ご購入，ご使用に際しましては，事前に最新の製品規格または仕様書をお求めになりご確認ください。
4. 弊社は品質・信頼性の向上に努めておりますが，宇宙，航空，原子力，燃焼制御，運輸，交通，各種安全装置， ライフサポート関連の医療機器等のように，特別な品質・信頼性が要求され，その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり，人体に危害を及ぼす恐れのある用途にご使用をお考えのお客様は，事前に弊社営業担当迄ご相談をお願い致します。
5. 設計に際しては，特に最大定格，動作電源電圧範囲，放熱特性，実装条件及びその他諸条件につきましては，弊社保証範囲内でご使用いただきますようお願い致します。
保証値を越えてご使用された場合の故障及び事故につきましては，弊社はその責を負いません。
また保証値内のご使用であっても半導体製品について通常予測される故障発生率，故障モードをご考慮の上，弊社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故，火災事故，その他の拡大損害を生じないようにフェールセーフ等のシステム上の対策を講じて頂きますようお願い致します。
6. 本製品は耐放射線設計をしておりません。
7. 本書の一部または全部を弊社の文書による承認なしに転載または複製することを堅くお断り致します。
8. 本書をはじめ弊社半導体についてのお問い合わせ，ご相談は弊社営業担当迄お願い致します。

お問い合わせ先ඨዉ૕ࠣ࡞࡯ࡊ ‫ޥ‬100-0004᧲੩ㇺජઍ↰඙ᄢᚻ↸ੑৼ⋡6⇟2ภ㧔ᣣᧄࡆ࡞㧕  (ᄢઍ)
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༡
ᬺᚲർᶏ㆏
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(011) 261-3131 (ઍ)
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␠(022) 223-0121 (ઍ)
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(03) 3212-1111 (ઍ)
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ᐫ
(025) 241-8161 (ઍ)
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⨙
ၔ
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(029) 271-9411 (ઍ)྾࿖ᡰ␠ඨዉ૕㩂㩨㩣㨺㩖㩩᧻ᧄ༡ᬺᚲ
(0263) 36-6632
ᗲ
ᇫ
ᡰ
ᐫ
ᮮ
ᵿ
ᡰ
␠
(045) 451-5000 (ઍ)
਻
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ᡰ
␠
⋵
ᄩ
ᡰ
ᐫ
(0462) 96-6800 (ઍ)(0559) 51-3530 (ઍ)࠳ࠗࡗ࡞)(076)263-2351 (‫ޓ‬ࠗࡦ(052) 243-3111 (ᄢઍ)(06) 6616-1111 (ᄢઍ)(082) 223-4111 (ઍ)(087) 831-2111 (ઍ)(089) 943-1333 (ઍ)(092) 852-1111 (ઍ)‫ع‬ᛛⴚ⊛ߥ߅໧วߖ߅ࠃ߮⾗ᢱߩߏ⺧᳞ߪ‫ޔ‬਄⸥ߩᜂᒰ༡ᬺ߹ߚߪਅ⸥߳ߤ߁ߙ‫ޕ‬‫᧲ޓޥ‬੩ㇺජઍ↰඙ᄢᚻ↸ੑৼ⋡⇟ภ ᣣᧄࡆ࡞ᩣᑼળ␠ᣣ┙⵾૞ᚲ‫ޓ‬ඨዉ૕ࠣ࡞࡯ࡊࡆࠫࡀࠬડ↹ᧄㇱ‫ޓ‬✚ว໧วߖ⓹ญ‫ޓޓޓ‬㧦ඨዉ૕ࠞࠬ࠲ࡑࠨ࡯ࡆࠬ࠮ࡦ࠲‫ޓ‬E-Mail:csc@sic.hitachi.co.jp
࠼ࠠࡘࡔࡦ࠻⺧᳞⓹ญ㧦ඨዉ૕࠼ࠠࡘࡔࡦ࠻▤ℂቶ‫ޓޓޓ‬E-Mail:document@sic.hitachi.co.jp㔚⹤(03) 5201-5220(⋥)
㔚⹤(03) 5201-5189(⋥)‫ޓ‬

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٨⵾ຠ઀᭽ߪ‫ޔ‬ᡷ⦟ߩߚ߼ᄌᦝߔࠆߎߣ߇޽ࠅ߹ߔ‫ޕ‬(ᩣ)ᣣ┙⵾૞ᚲ‫ޓ‬ඨዉ૕ࠣ࡞࡯ࡊߩࡎ࡯ࡓࡍ࡯ࠫߦ߅޿ߡ‫⵾ޔ‬ຠᖱႎࠍ⼾ንߦ߅ዯߌߒߡ߅ࠅ߹ߔ‫ޕ޿ߐߛߊⷩߏ߭ߗޕ‬http://www.hitachisemiconductor.com/jp/8Colophon 4.0