データ・シート
シリコン・トランジスタ
Silicon Transistor

2SC945
NPNエピタキシアル形シリコン・トランジスタ
低周波増幅用特外形図（単位：mm）

長○低周波増幅，低速度スイッチング，100 mAまでの各種ド

φ 5.2 MAX.
5.5 MAX.

ライブ用として使用できます。
○高耐圧で，hFE電流特性が優れています。
VCEO：50 V

12.7 MIN.

hFE1（0.1 mA）/ hFE2（1.0 mA）：0.92 TYP.

絶対最大定格（TA = 25℃）
略号

定格

単

コレクタ・ベース間電圧

VCBO

60V

コレクタ・エミッタ間電圧

VCEO

50V

エミッタ・ベース間電圧

VEBO

5.0V

コレクタ電流（直流）

IC(DC)

100mA

コレクタ電流（パルス）IC(pulse)

200mA

ベース電流（直流）

IB(DC)

20mA

ベース電流（パルス）IB(pulse)

40mA

全損失

PT

250mW

ジャンクション温度

Tj150℃

保存温度

Tstg−55〜＋150℃

注

注

0.5

位

1.27
2.54

1
電極接続
1: Emitter
2: Collector
3: Base234.2 MAX.

目

1.77 MAX.

項EIAJ：SC−43B
JEDEC ：TO−92
IEC：PA33PW≦10 ms, Duty Cycle≦50%

注

電気的特性（TA = 25℃）
項号

条MIN.

件

TYP.

MAX.

目

略単位

コレクタしゃ断電流

ICBO

VCB = 60 V, IE = 0 A

100nA

エミッタしゃ断電流

IEBO

VEB = 5.0 V, IC = 0 A

100nA

直流電流増幅率hFE1

VCE = 6.0 V, IC = 0.1 mA

50185

直流電流増幅率hFE2

VCE = 6.0 V, IC = 1.0 mA

90200600

直流ベース電圧VBE

VCE = 6.0 V, IC = 1.0 mA

0.550.620.65

V

ベース飽和電圧

VBE(sat)

IC = 100 mA, IB = 10 mA

0.861.0V

コレクタ飽和電圧

VCE(sat)

IC = 100 mA, IB = 10 mA

0.150.3V

利得帯域幅積fT

VCE = 6.0 V, IE = −10 mA

250

MHz

コレクタ容量Cob

VCB = 6.0 V, IE = 0, f = 1.0 MHz

3.0pF

hFE規格区分
捺 印
hFE2

備考

RQ

P

K

90〜180135〜270

200〜400

300〜600

hFE2テスト条件：VCE = 6.0 V, IC = 1.0 mA

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資料番号 D17117JJ2V0DS00（第2版）（旧資料番号 TC-0163E）
発行年月 June 2004 N CP(K)

本文欄外の 印は，本版で改訂された主な箇所を示しています。

1981

2SC945特性曲線（TA = 25℃）

TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
300
自然放置

全損失

PT（mW）

250
200
150
100500255075

周囲温度100125150

TA（℃）

COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
101.0.9

0 80.
0.780

IC（mA）

0.60.50.4

600.3

400.2
IB = 0.1 mA

200

コレクタ電流コレクタ電流IC（mA）

100

COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE

0.40.81.2
コレクタ・エミッタ間電圧

01.62.0VCE（V）

454035830
62520415102

IB = 5.0 μA
0102030
コレクタ・エミッタ間電圧

0DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
360360パルス測定

3203203V

2001601202V1V0.5 V

5℃

240
20016080

4040
25 10 20IC（mA）

50 100TA = 725℃

−25℃

120

80

00.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1
コレクタ電流2hFE

240

DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
VCE = 6.0 V
パルス測定

280
VCE = 6 V

直流電流増幅率

直流電流増幅率hFE

2804050VCE（V）

00.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1
コレクタ電流データ・シート D17117JJ2V0DS

25 10 20IC（mA）

50 1002SC945
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE

BASE AND COLLECTOR SATURATIONVOLTAGE vs. COLLECTOR CURRENT

10010VCE = 6.0 V
50 パルス測定
ベ ー ス飽和電圧 VBE(sat)（V）
エミッタ飽和電圧 VCE(sat)（V）

75℃

1TA =

0.5−25℃

2525℃

IC（mA）

10コレクタ電流

200.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2

パルス測定

5IC = 50−IB220101VBE(sat)0.50.2

IC = 50・IB
VCE(sat)0.1

100.050.02
0.01
0.1 0.20.3

0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9直流ベース電圧 VBE（V）

1.010000

100

5000502000201000
VCE = 10 V 6 V

2002V100

0.5 1 25 10 20
コレクタ電流 IC（mA）

1V50f = 1.0 MHz

Cib(IC10= 0)

5Cob(IE =20)

10.50.2

20
10−0.1 −0.2

−0.5 −1 −2−5 −10 −20
エミッタ電流 IE（mA）

0.1
5 10 20 50 100
0.1 0.2 0.5 1 2
コレクタ・ベース間電圧 VCB（V）
エミッタ・ベース間電圧 VEB（V）−50 −100

INPUT IMPEDANCE, VOLTAGE FEEDBACKRATIO AND OUTPUT ADMITTANCE vs.
SMALL SIGNAL CURRENT GAINSMALL SIGNAL CURRENT GAIN vs.
DC CURRENT GAIN6004002006040204030201000hie（kΩ）

8050

入力インピーダンスhoe（μs）
出力アドミタンスhfe

80050hre（×104）

100

VCE = 6.0 V
IC = 1.0 mA
f = 1.0 kHz

逆電圧増幅率1000

順電流増幅率50 100INPUT AND OUTPUT CAPACITANCE
vs. REVERSE VOLTAGE

エミッタ容量 Cib（pF）
コレクタ容量 Cob（pF）

利得帯域幅積fT（MHz）

GAIN BANDWIDTH PRODUCT vs.
EMITTER CURRENT

500

20

VCE = 6.0 V
IC = 1.0 mA
f = 1.0 kHz

4030hoehre
hie20100200400600

800

1000

順電流増幅率 hfe
0200400600

800

1000

直流電流増幅率 hFE

データ・シート D17117JJ2V0DS32SC945
NORMALIZED h-PARAMETER vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE

NORMALIZED h-PARAMETER vs.
COLLECTOR CURRENT

5h定数相対値 Hehre213

VCE = 6.0 V
f = 1.0 kHz
he(IC)
He =he(IC = 1.0 mA)

hiehfehfe

0.5 hoe

ICE = 1.0 mA
f = 1.0 kHz
he(VCE)He =he(VCE = 6 V)

h定数相対値 He

102hnehrehfe, hiehrehfe, hiehoe

1hre
0.2
hie
0.1
0.1

40.2

0.51
コレクタ電流25IC（mA）

100

データ・シート D17117JJ2V0DS

102030
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE（V）

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標準水準：コンピュータ，OA機器，通信機器，計測機器，AV機器，家電，工作機械，パーソナル機
器，産業用ロボット
特別水準：輸送機器（自動車，電車，船舶等），交通用信号機器，防災・防犯装置，各種安全装置，生命維持を目的として設計されていない医療機器
特定水準：航空機器，航空宇宙機器，海底中継機器，原子力制御システム，生命維持のための医療機
器，生命維持のための装置またはシステム等
当社製品のデータ・シート，データ・ブック等の資料で特に品質水準の表示がない場合は，標準水準製品であることを表します。意図されていない用途で当社製品の使用をお客様が希望する場合には，事前に当社販売窓口までお問い合わせください。
（注）（１）本事項において使用されている「当社」とは，NECエレクトロニクス株式会社およびNECエレクトロニクス株式会社がその総株主の議決権の過半数を直接または間接に保有する会社をいう。
（２）本事項において使用されている「当社製品」とは，（１）において定義された当社の開発，製造製品をいう。
M8E

02.11

【発 行】
NECエレクトロニクス株式会社〒211-8668 神奈川県川崎市中原区下沼部1753
電話（代表）：044(435)5111

お問い合わせ先【ホームページ】
NECエレクトロニクスの情報がインターネットでご覧になれます。
URL（アドレス）http://www.necel.co.jp/【営業関係，技術関係お問い合わせ先】
半導体ホットライン

電 話：044-435-9494（電話：午前 9:00〜12:00，午後 1:00〜5:00）

E-mail：info@necel.com【資料請求先】
NECエレクトロニクスのホームページよりダウンロードいただくか，NECエレクトロニクスの販売特約店へお申し付けください。
C04.2T