注文コード No. N 2 0 9 1 C

2SB1134/2SD1667
No. N 2 0 9 1 C
12000

半導体ニューズ No.2091B とさしかえてください。

2SB1134 / 2SD1667

PNP / NPN エピタキシァルプレーナ形シリコントランジスタ

大電流スイッチング用

用途

・リレードライブ , 高速インバータ , コンバータなどの一般大電流スイッチング用に最適。

特長

・コレクタ・エミッタ飽和電圧が低い：VCE(sat)=(−)0.4V max / IC=(−)3A, IB=(−)0.3A。
・マイカレスパッケージで取付け作業性が良い。

（ ）内は 2SB1134 の場合を示す。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃

unit

コレクタ・ベース電圧
コレクタ・エミッタ電圧

VCBO
VCEO

(−)60
(−)50VV

エミッタ・ベース電圧
コレクタ電流

VEBO
IC(−)6(−)5V
A

コレクタ電流（パルス）コレクタ損失ICPPC(−)92AW

接合部温度

Tj

25150W℃

保存周囲温度Tstg− 55 〜＋ 150℃

Tc=25℃

電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
コレクタしゃ断電流
ICBO
VCB=(−)40V, IE=0
エミッタしゃ断電流
直流電流増幅率

IEBO
hFE(1)hFE(2)
fT

利得帯域幅積min

VEB=(−)4V, IC=0
VCE=(−)2V, IC=(−)1Atyp70 ※VCE=(−)2V, IC=(−)3A
VCE=(−)5V, IC=(−)1Amax(−)0.1unit
mA(−)0.1
280 ※mA

3030MHz
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※ 2SB1134 / 2SD1667 は 1A hFE により次のように分類している。
70Q

140100

R200140S280
外形図 2041A(unit : mm)

4.5
2.8
3.5
7.2

10.0

5.6

18.1

16.0

3.2

2.4
14.0

1.6
1.2

0.70.75
1 232.55
2.4

2.55

2.55

2.55

1 : Base
2 : Collector
3 : EmitterSANYO : TO-220ML〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
12000 GI IM / N2096 SI 一部変 / 80795 YO 新版 / 2256 JN 寿 8-8812 No.2091-1/4

2SB1134/2SD1667
前ページより続く。
min
出力容量
コレクタ・エミッタ飽和電圧
コレクタ・ベース降伏電圧
コレクタ・エミッタ降伏電圧

Cob
VCE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEOVCB=(−)10V, f=1MHz
IC=(−)3A, IB=(−)0.3A
IC=(−)1mA, IE=0IC=(−)1mA, RBE=∞

エミッタ・ベース降伏電圧
ターンオン時間

V(BR)EBO IE=(−)1mA, IC=0ton
指定測定回路において蓄積時間
下降時間

tstg
tf

typmaxunit(−)0.4pF
V(160)100(−)60(−)50V
V(−)60.1Vµs(0.7)1.40.2µsµs〃〃

スイッチングタイム測定回路図
IB1
INPUT

1OUTPUT

IB210010++100µ470µ50Ω--5V
10IB1= --10IB2= IC=2A（PNPの場合極性逆）単位（抵抗値：Ω, 容量値：F）

IC -- VCE
mA0A--45

A0m A--40--350m--500m--8mA--300--250mA--200mA

8--150mA--6--100mA--4--50mA

IC -- VCE102SB1134

コレクタ電流, IC -- A--1062SD1667

100mA50mA
42--2IB=000--0.4--0.8--1.2--1.6

IB=00--2.00--2.4

IC -- VBE--100.40.8

1.6

1.2

2.0

2.4

コレクタ・エミッタ電圧, VCE -- V ITR08251

コレクタ・エミッタ電圧, VCE -- V ITR08250

IC -- VBE

102SB1134
VCE=--2V2SD1667
VCE=2V

860°C
25°C--20°C

Ta=--425°C

80°C

--64

Ta=8コレクタ電流, IC -- A--8コレクタ電流, IC -- A

A0m mAmA
03 0 250 00mA2A150m

35--20°C

コレクタ電流, IC -- A

20V500m 450 400AmA mA

PW=20µstr, tf≦15ns

2--2000--0.2--0.4--0.6--0.8--1.0

ベース・エミッタ電圧, VBE -- V--1.2--1.4

ITR08252

00.2

0.4

0.60.81.01.2

ベース・エミッタ電圧, VBE -- V

1.4

ITR08253

No.2091-2/4

2SB1134/2SD1667
hFE -- IC

1000
7Ta=80°C

325°C

2--20°C
10075352

5--0.12352--1.03525°C--20°C

100
753VCE(sat) -- IC

22SB1134
IC / IB=10--1.0532°C
80=Ta--0.1

50-2°C
253°C2--0.012352--0.1

35--1.0235コレクタ電流, IC -- A

2--10ITR08256

VCE(sat) -- IC

32SB1134
2IC / IB=20--1.053C0°=8CTa0°-22--0.125°

C532--0.01
235--0.1235--1.0235コレクタ電流, IC -- A

2--10ITR08258

2SB1134

2--1.0=10IC / I B=20IC / I B

7532235--0.1235--1.02コレクタ電流, IC -- A

352--10ITR08260

3520.13521.035210ITR08255

VCE(sat) -- IC22SD1667
IC / IB=101.05320.180=Ta5°C

C0°-2C25°

320.012350.12351.0235コレクタ電流, IC -- A

210ITR08257

VCE(sat) -- IC

32SD1667
IC / IB=20

21.053°C
80C0°-22=
Ta0.125°C

5320.01
2350.12351.0235コレクタ電流, IC -- A

VBE(sat) -- IC

32コレクタ電流, IC -- A

ベース・エミッタ飽和電圧, VBE(sat) -- V

コレクタ・エミッタ飽和電圧, VCE(sat) -- V

Ta=80°C

2100.01--10 2
ITR08254

コレクタ・エミッタ飽和電圧, VCE(sat) -- V

3コレクタ・エミッタ飽和電圧, VCE(sat) -- V

2コレクタ電流, IC -- A

コレクタ・エミッタ飽和電圧, VCE(sat) -- V

3210--0.01

ベース・エミッタ飽和電圧, VBE(sat) -- V

2SD1667
VCE=2V7直流電流増幅率, hFE

直流電流増幅率, hFE

5hFE -- IC

1000

2SB1134
VCE=--2V

210ITR08259

VBE(sat) -- IC

32SD1667

21.010IC / I B=
70IC / I B=25322

350.1

2351.02コレクタ電流, IC -- A

35210
ITR08261

No.2091-3/4

2SB1134/2SD1667
ASO

2ICPer2コレクタ電流, IC -- A

opation--1.0
753ICDC3oper

at2ion1.0753221ms〜100ms : シングルパルス--0.1
57 --1.02351ms〜100ms : シングルパルス

0.1

7 --100
コレクタ・エミッタ電圧, VCE -- V ITR08262

7 --10235571.0

23572

103

57 100

コレクタ・エミッタ電圧, VCE -- V ITR08263

PC -- Ta

2.4

PC -- Tc

28

2SB1134 / 2SD1667

2SB1134 / 2SD1667

2524コレクタ損失, PC -- W

2.0コレクタ損失, PC -- W

75sss
1ms
10m0m

DC

3ICPs
1ms
10m

IC

100m
107
52SD1667

10コレクタ電流, IC -- A--10ASO

22SB1134

1.6

放1.2

熱板

なし

0.80.4

2016128400020406080100

周囲温度, Ta -- °C

120140160

ITR08264

020406080100

ケース温度, Tc -- °C

120140160

ITR08265

PS No.2091-4/4