SiC MOSFET（TO-247-4L)
FMG50AQ120N650A 1200V SiC MOSFET
TO-247-4L Package (Isolated)

用途▶ 工业用变频器▶ 不间断电源 (UPS)▶ 电动车充电器▶ 各种开关电源通过 UL 认证UL File No.E76102

特点■ 带散热的绝缘封装（ Rth( j-c)=0.22℃/W Typ）

DioMOS※ 技术带来的优势■ 采用 4 引脚结构，开关速度快，损耗低。
■ 低导通电阻（15mΩ Typ. Tj=150℃）※ 搭载 Panasonic Corporation 开发的具有续流

■ 即使在高温操作期间，导通电阻的变化也很小，有助于降低损耗。

二极管功能的 SiC MOSFET (DioMOS)■ 高频工作时具有较高抗噪能力的门极特性 (VGS(th) : 4.0V Typ.)通过最大限度地利用封装空间实现低 RDS (on)■ 顶级短路耐受能力

导通电阻变化小内置续流二极管(FWD)功能

导通电阻温度特性（在25℃时标准化）通过双面焊接减少了布线电阻，实现了牢固的 

  

接合，引出了比以往高出 4 倍电流密度的 SiC
芯片的性能。
铜端子









其他公司的 SiC MOSFET本产品 
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支持高电流密度

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T［℃］

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

焊料  

无需外部FWD

芯片

SiC MOSFET (TO-247-4L)
FMG50AQ120N6

最大额定除非另有说明一般 Tj＝25℃
项目符号单位额定值

条件

漏极电压

VDSS

V1200

漏极电流

ID

A

50

VGS＝20V, Tc＝108℃, DC

电力流失PtotW

440

Tc＝25℃

工作结温Tj℃- 40 〜 +150绝缘耐压VisoV

2500

AC, RMS, 1min, 主端子 — 外壳间电气特性除非另有说明一般 Tj＝25℃
项目符号規格值单位
最小漏极・源极导通电阻RDS(on)mΩ漏极截止电流

IDSSμA门极阈值电压

VGS(th)V门极漏电流

IGSSnA热阻

Rth(j-c)

℃/W

条件

标准

最大13.028.0

VGS＝20V, ID=50A

15.0

30.0

VGS＝20V, ID=50A, Tj＝150℃

100

VDS＝1200V, VGS＝0V

5VDS＝10V, ID=1.5mA

100

VGS=20V, VDS=0V

0.28

接合部 — 外壳间43

0.22

53

15.8

6.15

∅3.6

其他产品23.4

2-4.4

SiC MOSFET 模块
Tc Point

2-2.7

33

高可靠性的“TechnoBlock※”封裝FCA150AC120 / FCA100AC120（150A / 100A 1200V）

1.2

17.6

2-2.4
4-1.2

关于门驱动器单元也请咨询。
0.6
5.08

2-2.542.4

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