SiC MOSFET （TO-247-4L)
FMG50AQ120N6(50A, 1200V)
TO-247-4L パッケージ (絶縁)用途
▶ 産業用インバーター▶ 無停電電源装置（UPS)▶ EV充電器▶ 各種スイッチング電源

UL 規格対応UL File No.E76102

特長■ 放熱性を兼ね揃えた絶縁型パッケージ (Rth( j-c) =0.22℃/W Typ.）

DioMOS※ 技術がもたらす優位性■ 低オン抵抗(15mΩ Typ. Tj=150℃)※パナソニック ( 株 ) 開発の還流ダイオード機能を有■ 高速なスイッチングと低損失を実現する4ピン構造を採用する SiC MOSFET（DioMOS）を搭載■ 高温動作時もオン抵抗の変化が少なく低損失に貢献

パッケージのスペースを最大限に有効活用できる■ 高周波動作での高いノイズ耐性をもたらすゲート特性(VGS(th) : 4.0V Typ.)

ため低い RDS(on) を実現■ トップレベルの短絡耐量

変化の小さいオン抵抗還流ダイオード(FWD)機能内蔵

オン抵抗の温度特性(25℃で正規化)

両面はんだ接合による配線抵抗の低減

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他社 SiC MOSFET

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本製品

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T［℃］

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高電流密度への対応と強固な接合を実現し、従来比で 4 倍以上の電流密度に到達する SiC チップの性能を引き出す

銅端子はんだ

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外付けFWD不要チップ

SiC MOSFET (TO-247-4L)
FMG50AQ120N6
最大定格

特にことわらない限り Tj=25℃
項目

記号単位定格値

条件

ドレイン ー ソース電圧

VDSS

V1200

ドレイン電流ID

A

50

VGS=20V、Tc=108℃、DC

許容損失PtotW

440

Tc=25℃

動作接合部温度

Tj℃- 40 〜 +150

絶縁耐圧

VisoV2500

AC 実効値 １分間、主端子 ー ケース間

電気的特性

特にことわらない限り Tj=25℃
規格値
項目記号単位条件
最小ドレイン ー ソースオン抵抗

RDS(on)mΩ

ドレイン遮断電流

IDSSμA

ゲート ー ソース閾値電圧

VGS(th)V

ゲート漏れ電流

IGSS

nA

熱抵抗

Rth(j-c)

℃/W

標準

最大

13.0

28.0

VGS=20V、ID=50A

15.0

30.0

VGS=20V、ID=50A、Tj=150℃

100

VDS=1200V、VGS=0V

5

VDS=10V、ID=1.5mA

100

VGS=20V、VDS=0V

0.28

接合部 ー ケース間430.22∅

その他の製品 

SiC MOSFETモジュール
高い信頼性の「Techno Block※」
パッケージ
FCA150AC120 / FCA100AC120（150A/100A, 1200V）   

ゲートドライブユニットについてもお問合せください。

 単位 : mm・SanRex、Techno Blockは、株式会社三社電機製作所の商標または登録商標です。
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