〈一般研究課題〉 遷移金属ダイカルコゲナイド原子層を用いた可視光応答型光触媒の研究開発
助 成 研 究 者

名古屋工業大学

カリタゴラップ

遷移金属ダイカルコゲナイド原子層を用いた可視光応答型光触媒の研究開発
カリタ ゴラップ（名古屋工業大学）

Research and development of visible light responsive
photocatalyst using transition metal dichalcogenide atomic layer
Golap Kalita(Nagoya Institute of Technology)

Abstract：
In this work, metal dichalcogenide atomic layer was synthesized by a chemical vapor deposition(CVD) process by sulfurization of metal oxide precursor. The molybdenum sulfide (MoS2 )monolayer and few-layers crystals were synthesized on SiO2 /Si substrate and graphene film. TheMOS2 crystals and continuous film were effectively grown on the monolayer graphene film to create
a MoS2 /graphene heterostructure. Morphology and structure of the synthesized materials and theirheterostructures were confirmed by Raman, optical microscope and scanning electron microscope(SEM) analysis. The visible light photosensitivity of MoS2 layer synthesized on SiO2 /Si wasinvestigated by fabricating an Au/MoS 2 /Au based Schottky junction. The visible light
photocatalytic activity of MoS2 /graphene heterostructure was investigated by degradation ofmethylene. High degradation rate of the methylene was achieved owing to synergistic effect of MoS2
and graphene layers. The MoS2 monolayer possessing a band gap of 1.9 eV would provide abundant
electron-hole pairs. The graphene layers with excellent electro-conductivity could realize the quicktransport of electrons via its extended pi-conjugation structure, consequently benefiting theseparation of photo-generated carriers. Our finding showed that the CVD synthesized MoS 2 /graphene heterostructure can be significant for efficient visible light responsive photocatalyst ofvarious organic compounds.

－ 45 －

1. はじめに
近年、原子数個分の厚みをもつシート状の原子層物質であるグラフェンがすぐれた電気特性をもつことにより、様々な電子デバイスへの応用が注目されている。グラフェンのキャリア移動度は、理論的にシリコンの1000倍と予想されており、実験ではシリコンの約100倍（2×105 cm 2 /Vs）の数値が得られている。唯一の欠点は、バンドギャップをもたないことであり、この克服がデバイス化論的にシリコンの 1000 倍と予想されており、実験ではシリコンの約 100 倍（2×105cm2/Vs）の数値への課題である。その一方で、新しい機能性材料として、モリブデン(Mo)やタングステン(W)などが得られている。唯一の欠点は、バンドギャップをもたないことであり、この克服がデバイス化への遷移金属原子と、硫黄(S)などのカルコゲナイド原子からなる遷移金属ダイカルゴゲナイドの課題である。その一方で、新しい機能性材料として、モリブデン(Mo)やタングステン(W)などの遷移金属原子と、硫黄(S)などのカルコゲナイド原子からなる遷移金属ダイカルゴゲナイド(MoS(MoS2、2、WS 2 等)という層状物質も大きな注目を集めている。二硫化モリブデン(MoS 2 )の層は、直接WS2 等)という層状物質も大きな注目を集めている。
二硫化モリブデン(MoS2)の層は、直接バンドギバンドギャップ（～1.81eV）や発光（PL）特性をもっており、光検出器や太陽電池への応用が大いにャップ（～1.81eV）や発光（PL）特性をもっており、光検出器や太陽電池への応用が大いに期待さ期待されている。単層MoS2 やWS 2 には、本質的な直接バンドギャップが存在することから、光検れている。単層 MoS2 や WS2 には、本質的な直接バンドギャップが存在することから、光検出器、出器、発光デバイスや太陽電池への応用が可能となる。遷移金属ダイカルコゲナイド(MoS2 )の合成
発光デバイスや太陽電池への応用が可能となる。遷移金属ダイカルコゲナイド(MoS2)の合成は、は、CVDプロセスによって達成されているが、実用的な光電子デバイスへの応用には、高品質なCVD プロセスによって達成されているが、実用的な光電子デバイスへの応用には、高品質な MoS2、MoS2、WS2 及びヘテロ接合作製が問題である。また、CVD法により合成格子されたMoS2 層と連続WS2 及びヘテロ接合作製が問題である。また、CVD 法により合成格子された MoS2 層と連続膜の結膜の結晶性は品質が十分ではない。そこで、我々が開発している固体原料を用いた気相化学反応晶性は品質が十分ではない。そこで、我々が開発している固体原料を用いた気相化学反応（CVD 法）（CVD法）により遷移金属ダイカルコゲナイド原子層(MoS2 )の合成について研究を行う。CVD合成
により遷移金属ダイカルコゲナイド原子層(MoS2)の合成について研究を行う。CVD 合成の温度やの温度や混合ガス（アルゴンと水素）を制御し、三酸化モリブデン(MoO3 )の硫化により合成された混合ガス（アルゴンと水素）を制御し、三酸化モリブデン(MoO3)の硫化により合成された MoS2 連MoS2 連続膜の結晶性の向上を目指す。CVD法では、硫化プロセスによる基板上に形成されたWS2続膜の結晶性の向上を目指す。CVD 法では、硫化プロセスによる基板上に形成された WS2 結晶の結晶の層数制御とエッジサイト（タングステン(Mo)エッジと硫黄(S)エッジ）について研究を行う。
層数制御とエッジサイト（タングステン(Mo)エッジと硫黄(S)エッジ）について研究を行う。水平方
水平方向及び垂直方向に形成された単層・数層のMoS 2 結晶のエッジサイトによる可視光応答型光向及び垂直方向に形成された単層・数層の MoS2 結晶のエッジサイトによる可視光応答型光触媒電触媒電極の評価を行う。さらに、グラフェン膜上にMoS2 結晶の合成について研究し、高効率可視極の評価を行う。さらに、グラフェン膜上に MoS2 結晶の合成について研究し、高効率可視光応答光応答性電極作製について研究を行う。
性電極作製について研究を行う。

2. 試料および実験方法
2. 試料および実験方法
固体原料を用いた大気圧CVD法によるMoO2 層の合成を以下の図1aに示す。
固体原料を用いた大気圧 CVD 法による MoO3 を硫化させたMoS3 を硫化させた MoS2 層の合成を以下の図 1a に示す。

図１. (a)固体原料を用いた大気圧CVD (b) 基板上に合成された遷移金属ダイカルコゲナイド(MoS2)の合成と(c) MoS2・グラフェ
図１(a)
固体原料を用いた大気圧 CVD (b) 基板上に合成された遷移金属ダイカルコゲナイド(MoS2)ンへテロ構造と太陽光による光触媒・水素発生を示す。の合成と(c) MoS2・グラフェンへテロ構造と太陽光による光触媒・水素発生を示す。
本実験方法では、CVD 法により、三酸化タングステン(MoO3)を硫化して MoS2 層を SiO2/Si 基板上－ 46 －2

本実験方法では、CVD法により、三酸化タングステン(MoO 3 )を硫化してMoS 2 層をSiO 2 /Si基板に合成した。MoO
3 原料と硫黄粉末をセラミックスボートに別々で CVD の石英管に挿入した。ま
上に合成した。MoO3 原料と硫黄粉末をセラミックスボートに別々でCVDの石英管に挿入した。また、硫黄粉末を石英管の中に別に保持し、180℃で蒸発された。CVD の石英管に Ar と H 混合ガス

2た、硫黄粉末を石英管の中に別に保持し、180℃で蒸発された。CVDの石英管にArとH2 混合ガスを導入して、大気圧で MoS2 結晶・膜の合成を行った。図 1c に示したように、合成された MoS2・を導入して、大気圧でMoS2 結晶・膜の合成を行った。図1cに示したように、合成されたMoS2・ググラフェンのヘテロ構造の光特性による可視光応答型光触媒への応用が考えられる。合成された、ラフェンのヘテロ構造の光特性による可視光応答型光触媒への応用が考えられる。合成された、
MoS2 及び MoS2・グラフェンのヘテロ構造の電気特性（電気―電流）と光特性を、二端子プローブ

MoS2 及びMoS（電気―電流）と光特性を、二端子プローブシ2・グラフェンのヘテロ構造の電気特性システムと2400 シリーズ・ソースメータによる評価を行った。
ステムと2400シリーズ・ソースメータによる評価を行った。
3. 実験結果
3.1 MoS2 層の SiO2/Si 基板上に合成
3. 実験結果

図 2a～b に示すのは、SiO2/Si 基板上に合成された MoS2 結晶の光学顕微鏡画像である。開発された3.1 MoS2 層のSiO
2 /Si基板上に合成プロセスにより、単層の三角形 MoS2 結晶の合

図2a～bに示すのは、SiO2 /Si基板上に合成され成に成功した。さらに、合成時間を長くして、たMoS 2 結晶の光学顕微鏡画像である。開発されMoO3 の硫化反応を制御し、連続的な MoS2 単たプロセスにより、単層の三角形MoS 2 結晶の合層膜が作製できた。このような MoS2 連続膜が成 に 成 功図
し た。
ら に、 合 成 時 間 を 長 く し て、2a～bさに示した三角形の結晶が存在するこMoO 3 の硫化反応を制御し、連続的なMoSとがわかる。また、合成された MoS22単層膜単層のラマン及びフォトルミネッセンス（PL）分析によが作製できた。このようなMoS2 連続膜が図2a～bる評価を行った。図 2c は、合成された MoS2 結に示した三角形の結晶が存在することがわかる。
晶のラマンスペクトルを示す。MoS 単層のラ2
また、合成されたMoS 2 単層のラマン及びフォトマンピークは E12g と A1g で示し、モリブデン及ルミネッセンス（PL）分析による評価を行った。
び硫黄原子の面内振動及び面外振動になる。

図2cは、合成されたMoS 2 結晶のラマンスペクト-1

この二つのラマンピークが 383.2cm 及び1ルを示す。MoS2 単層のラマンピークはE2gとA 1gで-1403.3 cm観測された。また、E12g とA1g の周

図2.（a）
三角形のMoS2 結晶（b）個々のMoS2 結晶の光学顕微鏡像。三角形MoS2 結晶の（c）ラマンスペクトル
図 2（a）三角形の MoS2 結晶 （b）個々の MoS2 結と（d）
PLスペクトル。

晶の光学顕微鏡像。三角形 MoS2 結晶の（c）ラマ示し、モリブデン及び硫黄原子の面内振動及び面外振動になる。この二つのラマンピークが波数差が約 20cm-1 あることで単層 MoS2 があンスペクトルと（d）PL スペクトル。
1-1ることが確認できた。図2d は、三角形 MoS383.2cm-1 及び403.3cm-1 観測された。また、E22g とA1g の周波数差が約20cm あることで単層MoS 2結晶の PL スペクトルを示す。合成された 2MoS2 層のバンドギャップとして、1.82eV に相当する、があることが確認できた。図2dは、三角形MoS結晶のPLスペクトルを示す。合成されたMoS
2層鋭い強いピークが 678nm に観察された。多層 MoS 試料では、PL ピークは存在せず、単層 MoS の22のバンドギャップとして、1.82eVに相当する、鋭い強いピークが678nmに観察された。多層MoS2電子特性を示している。この結果により、1.82eV の直接バンドギャップをもつ単層 MoS2 膜が、可試料では、PLピークは存在せず、単層MoS2 の電子特性を示している。この結果により、1.82eV
視光応答デバイス及び光触媒応用として応用可能であることがわかった。の直接バンドギャップをもつ単層MoS2 膜が、可視光応答デバイス及び光触媒応用として応用可能であることがわかった。

3.2 SiO2/Si 基板上に合成された MoS2 層の電気・光特性

MoS2 の光学特性は、ショットキー接合デバイス作製によって評価を行った。図 3a には、作製され3.2 SiO2 /Si基板上に合成されたMoS
2 層の電気・光特性
た Au/MoS2/Au ショットキー接合デバイスの図を示す。
また、図 3b に示した光学顕微鏡画像では、MoS2 の光学特性は、ショットキー接合デバイス作製によって評価を行った。図3aには、作製さMoS2 層に作製された Au 電極間の距離が 200μm であることが確認できた。このような電極作製によって、電流―電圧測定により、デバイス特性及び光応答の評価を行った。また、光応答を評価す
れたAu/MoS
2 /Auショットキー接合デバイスの図を示す。また、図3bに示した光学顕微鏡画像で約 100mW/cm を利用して、測定した。図 3c は、作製されたデバイスの暗状態及は、MoS2 るため、白色光層に作製されたAu電極間の距離が200μmであることが確認できた。このような電極作製
2び明状態（可視光～100mW/cm2）における I-V 特性を示す。デバイス特性評価により、半導体であによって、電流―電圧測定により、デバイス特性及び光応答の評価を行った。また、光応答を評価

る MoS2 層と Au 電極では、ショットキー接合になることがわかった。また、光の照射により、するため、白色光 約100mW/cm2 を利用して、測定した。図3cは、作製されたデバイスの暗状態及び明状態（可視光～100mW/cm2）におけるI-V特性を示す。デバイス特性評価により、半導体である3MoS 2 層とAu電極では、ショットキー接合になることがわかった。また、光の照射により、Au/MoS2 のショットキーデバイスでは光応答を観察できた。さらに、デバイス特性の安定性を評価す－ 47 －

Au/MoS2 のショットキーデバイスでは光応答を観察できた。さらに、デAu/MoS2 のショットキーデバイスでるため、大気圧条件下で加熱し、バイス特性の安定性を評価するたは光応答を観察できた。さらに、デ評価を行った。図3dは、200℃でめ、大気圧条件下で加熱し、評価をバイス特性の安定性を評価するた
アニールされたデバイスのI-V特行った。図
3d は、200℃でアニール
め、大気圧条件下で加熱し、評価を性を示す。ショットキー接合挙されたデバイスのI-V 特性を示す。
行った。図3d は、200℃でアニール動及び光応用性は、アニール後ショットキー接合挙動及び光応用性されたデバイスのI-V 特性を示す。
もショットキーデバイスと光応は、アニール後もショットキーデバショットキー接合挙動及び光応用性答性を維持することがわかった。
イスと光応答性を維持することがわ
は、アニール後もショットキーデバ
こ の 結 果 に よ り、 合 成 さ れ たかった。この結果により、合成されイスと光応答性を維持することがわ
MoS 2 層は、可視光応答型光触媒
た MoSかった。この結果により、合成されとして利用することが可能であ2 層は、可視光応答型光触媒として利用することが可能である。
る。
たMoS
2 層は、可視光応答型光触媒として利用することが可能である。
3.3 MoS2 層のグラフェン膜上に合成

図 3.(a)Au/MoS2/Au デバイスの図と(b)光学顕微鏡画像。
図3.図(a)Au/MoSスの図と(b)光学顕微鏡画像。(c)Au/MoS2 /Auデ2 /Auデバイ(c)
Au/MoS
デバイスの暗状態および明状態での3.(a)Au/MoS
デバイスの図と(b)光学顕微鏡画像。
2/Au2/Au
バイスの暗状態および明状態での電圧(I-V)特性(d)デバイスを200℃での加熱後の電圧(I-V)特性。
電圧(I-V)特性(d)デバイスを200℃での加熱後の電圧(c)
Au/MoS2/Au デバイスの暗状態および明状態での

図 4a-b3.3は、グラフェン膜上に合成され2 層のグラフェン膜上に合成
3.3
MoS層のグラフェン膜上に合成
2 MoS(I-V)特性。
電圧(I-V)特性(d)デバイスを200℃での加熱後の電圧(I-V)特性。
た 4a-b
MoS図4a-bは、グラフェン膜上に合成され
図は、グラフェン膜上に合成され2 層の光学顕微鏡像を示す。CVD 法により2合成
さ れ た 単 層 グ ラ フ ェ ン 膜法
をた
MoS層の光学顕微鏡像を示す。CVD
たMoS2 層の光学顕微鏡像を示す。CVD
SiO/Si を上法により合成された単層グラフェン膜をによ2/Siり 上に転写して、合 成 さ れ た 単グラフェン/SiO
層 グ ラ フ ェ ン2膜
SiO
し て、この実験では、
グ ラ フ 2ェに MoS2 /Si 上 に 転 写グラフェン/SiO
SiO上に転写して、/Siン上/2 成長の実験を行った。
2/Si
SiO2 /Si上にMoS 2 成長の実験を行った。
MoSにMoS
この実験では、2 の均一な連続膜がグラフェン上に得ら2 成長の実験を行った。の均一な連続膜がグれた。同様に、図4c-d 2に示すように、グラMoSの均一な連続膜がグラフェン上に得ら
2この実験では、MoSラフェン上に得られた。同様に、図4c-d
フェン上のMoS2 層の成長をSEM 分析によれた。同様に、図4c-d に示すように、グラに示すように、グラフェン上のMoS2 層のって確認した。SEM
画像に示したように、フェン上のMoS2 層の成長を
SEM 分析によ長 を SEM 分 析画像に示したように、に よ っ て 確 認 し た。
MoS成って確認した。SEM
2 層の成長が連続的であることがわか
SEM画像に示したように、MoS2 層の成る。さらに、大面積のMoS2 膜が直接膜としMoS2 層の成長が連続的であることがわか長が連続的であることがわかる。さらて形成されていることが確認された。グラる。さらに、大面積のMoS2 膜が直接膜とし

図4.（a）
グラフェン上に合成されたMoS2 層の光学顕微鏡像（b）
MoS2 /4. （a）グラフェン上に合成された
MoS2 層の光図 グラフ
ェンヘテロ構造の連続膜。（c）
グラフェン上に合成されたに、大面積のMoS2 膜が直接膜として形成
フェン・MoS2 ヘテロ構造を作製することで、て形成されていることが確認された。グラMoS2 膜（d）
MoS2 /グラフェン連続膜のヘテロ構造のSEM像。

学顕微鏡像（b）MoS2/グラフェンヘテロ構造の連4. （a）グラフェン上に合成された
MoS2 層の光図されていることが確認された。グラグラフェンは電極として使用し、MoS
フェン・MoS2 ヘテロ構造を作製することで、2 層のにD ピークと2D ピークの強度の減少がフェン・MoS 2 ヘテロ構造を作製する
可視光応答デバイス及び光触媒への応用がグラフェンは電極として使用し、MoS層の見られた。図5c は、3521 及び 421cm-12 に続膜。（c）グラフェン上に合成された
MoS2 膜 （d）
学顕微鏡像（b）MoS2/グラフェンヘテロ構造の連できる。グラフェン膜上に合成された
MoS2
可視光応答デバイス及び光触媒への応用がそれぞれピーク中心を有する
MoS2 層の用し、MoS 2 層の可視光応答デバイスのラマンスペクトルを測定し、MoSできる。グラフェン膜上に合成された
MoS2
12/グラフE2g 及び A1g ラマンピークを示す。また、

MoS2/グラフェン連続膜のヘテロ構造の SEM 像。

ことで、グラフェンは電極として使MoS2/グラフェン連続膜のヘテロ構造のSEM続膜。
（c）グラフェン上に合成された MoS（d）2 膜像。

及び光触媒への応用ができる。グラェンの構造を確認した。ラマンスペクトルでは、グラフェン、SiOのラマンスペクトルを測定し、MoS
1-12/Si 及び MoS2 層のピークが確認
2/グラフE
2g と A1g 周波数差が約 20cm あること
フェン膜上に合成されたMoS 2 のラマされている。図5a は、グラフェンと MoSG と 2D ピー
ェンの構造を確認した。ラマンスペクトルでは、グラフェン、SiO2/Si 及び MoS2 層のピークが確認で単層MoS があることが確認できた。
グ 2 のピークがあることを示す。グラフェンの2ンスペクトルを測定し、MoS
2 /グラ-1

クが 1613 及び 5a2704cmに表れ、グラフェン膜がMoS2 層の成長後も維持していることがわかる。
されている。図は、グラフェンとMoS2 のピークがあることを示す。グラフェンのG と 2D ピー
ラフェン上に合成された
MoS2 膜の構造フェンの構造を確認した。ラマンス-1-1
しかし、グラフェンのピーク（元のグラフェンMoSG ピークは～1580cm）が 18cm ぐらいのシフクが1613 及び 2704cm-1Gに表れ、グラフェン膜が2 層の成長後も維持していることがわかる。
は、そのエッジ構造が重要である半導体ペクトルでは、グラフェン、SiO2 /Si-1 層の横方向及び縦方向の-1トがあることがわかった。Gピークのシフトは、グラフェン膜上のMoS
しかし、グラフェンのピーク（元のグラフェンG ピークは～1580cm2）が 18cm ぐらいのシフ三角柱状相（2H-MoS2）Gに起因する。
顕微及びMoS 2 層のピークが確認されてい成長に起因する歪み及び欠陥の存在を示す。また、グラフェンに欠陥が発生したことで、1340cmトがあることがわかった。Gピークのシフトは、グラフェン膜上の MoS2 層の横方向及び縦方向の-1鏡観察及びラマン分析により、実証される。 図 5aは、 グ ラ フ ェ ン とMoS 2 の-1成長に起因する歪み及び欠陥の存在を示す。また、グラフェンに欠陥が発生したことで、1340cm
図5．(a)SiO2 /Si基板に転写されたグラフェン膜上に合成されたMoS2 層のラマた合成プロセスにおいて、グラフェン膜ピークがあることを示す。グラフェンスペクトル。(b)ヘテロ構造についてのMoS2 層及び(c)グラフェンピーク。
図 5．(a)SiO2/Si 基板に転写されたグラフェン膜上に上に MoS2 膜のヘテロ構造形成が確認さ4合成された MoS2 層のラマンスペクトル。(b)ヘテロれた。
4－ 48 －構造についての
MoS2 層及び(c)グラフェンピーク。

3.4 グラフェン膜上に合成された MoS2 層の電気・光特性

に D ピークと 2D ピークの強度の減少が見られた。図 5c は、3521 及び 421cm-1 にそれぞれピーク中心を有する MoS2 層のE12g 及び A1g ラマンピークを示す。また、-1ンのGと2Dピークが1613及び2704cm に表れ、グラフェン膜がMoS2 層の成長後も維持しているこE12g と A1g 周波数差が約 20cm-1 あることとがわかる。しかし、グラフェンのGピーク（元のグラフェンGピークは～1580cm-1）が18cm-1 ぐら

で単層 MoS2 があることが確認できた。グいのシフトがあることがわかった。Gピークのシフトは、グラフェン膜上のMoS2 層の横方向及びラフェン上に合成された MoS2 膜の構造縦方向の成長に起因する歪み及び欠陥の存在を示す。また、グラフェンに欠陥が発生したことで、は、そのエッジ構造が重要である半導体-11340cm にDピークと2Dピークの強度の減少が見られた。図5cは、3521及び421cm-1 にそれぞれ三角柱状相（2H-MoS2）に起因する。
顕微
ピーク中心を有するMoS層のE1 及びA ラマンピークを示す。また、E1 とA 周波数差が約20cm-122g

2g1g1g

鏡観察及びラマン分析により、実証されあることで単層MoS2 があることが確認できた。グラフェン上に合成されたMoS2 膜の構造は、そのた合成プロセスにおいて、グラフェン膜エッジ構造が重要である半導体三角柱状相（2H-MoS 2）に起因する。顕微鏡観察及びラマン分析に
図 5．(a)SiO2/Si 基板に転写されたグラフェン膜上に上に MoS 膜のヘテロ構造形成が確認さ
2より、実証された合成プロセスにおいて、グラフェン膜上にMoS2 膜のヘテロ構造形成が確認されれた。
た。

合成された MoS2 層のラマンスペクトル。(b)ヘテロ構造についての MoS2 層及び(c)グラフェンピーク。

グラフェン膜上に合成されたMoS
MoS22層の電気・光特性
3.43.4グラフェン膜上に合成された層の電気・光特性

図 6図6は、単層グラフェン膜上に合成されたMoS
は、単層グラフェン膜上に合成された MoS2 2の電流―電圧（I-V）測定値を示す。本実験で作製の電流―電圧（I-V）測定値を示す。本実験で作製された単層グラフェンのシート抵抗は、4-5kΩ･Sqである。そして、作製された MoS2/グラフェン
された単層グラフェンのシート抵抗は、4-5kΩ･Sqである。そして、作製されたMoS
2 /グラフェン
ヘテロ構造がダイオード特性を示す。
また、ヘテロ構造がダイオード特性を示す。ま
22白色光（可視光～100mW/cm）を導入する
た、白色光（可視光～100mW/cm）を導入することにより、順方向及び逆方向のバイことにより、順方向及び逆方向のバイアスアス電圧において顕著な光応答が観察され電圧において顕著な光応答が観察された。
た。したがって、MoS2 層が可視光での光したがって、MoS2 層が可視光での光応答を応答を示したことで、光触媒として応用が示したことで、光触媒として応用が可能に可能になる。作製されたMoS2 /グラフェンなる。作製された
MoS2/グラフェンヘテロヘテロ構造を電極としてメチレンブルー水構造を電極としてメチレンブルー水溶液の図6. MoS2 /グラフェン膜の電暗状態および明状態での電圧(I-V)特性溶液の電気分解について実験を行った。
電気分解について実験を行った。MoS2 層の可図 6. MoS2/グラフェン膜の電暗状態および明2MoS2 層の可視光触媒による、有機化合物の分解が観察された。しかし、100mW/cmの可視光では視光触媒による、有機化合物の分解が観察され状態での電圧(I-V)特性完全な分解は達成されていない。また、MoS
2 のような二硫化タングステン層を光触媒及び水分解た。
しかし、100mW/cm2 の可視光では完全な分触媒としての応用のさらなる研究が必要である。
解は達成されていない。また、MoS
2 のような二硫化タングステン層を光触媒及び水分解触媒としての応用のさらなる研究が必要である。
参考文献
1．R. D. Mahyavanshi, G. Kalita, R. Singh, M. Kondo, T. Dewa, T. Kawahara, M. Umeno and M.

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their2 branchedstructureschemicalstructures
vapor depositionin sulfur-enrichedenvironment”
2 ribbons andApplied Surface Science 2017, 409, 396-402.
sulfur-enriched environment”Applied Surface Science 2017, 409, 396-402.

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