三相混合ブリッジ モジュール
SFF200BB80
SFF200CC80(200A 800V)



用途
▶ エンジン発電機▶ エンジン溶接機▶ 汎用インバーター▶ 電力調整器▶ 調光装置UL 規格対応UL File No.E76102

特長■ サイリスタ・ダイオード混合ブリッジ■ 高さ17mm薄型パッケージ

三相ブリッジの片側アームにサイリスタを接続することにより、ブリッジ本体でDC出力の制御が可能（2種類の接続をラインアップ）

大容量でありながら、薄型パッケージを実現■ 低積層構造による高い放熱性
Rth(j-c)＝0.06℃/W



低積層構造により、チップに対する熱応力が大幅に低減し、高いパワーサイクル耐量を実現■ 高い耐久性と優れた耐環境性

はんだ

モールドタイプパッケージで高い耐久性と優れた耐環境性を実現

端子
チップ
緩衝板

従来構造

はんだ

端子

端子

チップ

絶縁基板

DCB基板

ベース板

ベース板

低積層構造

■ 完全鉛フリーはんだを採用

三相混合ブリッジ モジュール
SFF200BB80 / SFF200CC80

産業用パワー半導体最大定格項目

記号単位＊ピーク繰返し逆電圧

VRRM

V800

＊ピーク非繰返し逆電圧

VRSM

V960

項目

記号単位

規格値

A200A

2100/2300

A2s

22000

IT(AV)
IF(AV)

＊平均オン
（順）
電流

ITSM
IFSM

＊サージオン（順）
電流I2t＊電流二乗時間積di/dt

臨界オン電流上昇率

A/μs

200- 40 〜 +125

条件
三相全波整流回路、TC=92℃
50Hz 10ms / 60Hz 8.3ms 商用単相半波 1 サイクル、波高値、非繰返し50Hz 10ms / 60Hz 8.3ms 商用単相半波 1 サイクル
Tj=125℃、非繰返し VD=800V、IC=200mA、dIG/dt=1A/μs＊動作接合部温度

Tj

＊保存温度

Tstg

＊絶縁耐圧

VISO

＊質量ーg

記号単位

規格値

IRmA

15ID

mA

15Tj=125℃、VD=VDRM (１素子当たり )

V

1.35

IT=200A (１素子当たり )1.06

Tj=25℃℃℃

特にことわらない限り Tj=25℃

SFF200BB80 / SFF200CC80- 40 〜 +125
2500

V280

AC、実効値 1 分間
標準値

電気的特性
項目
＊逆電流
オフ電流
＊オン
（順）
電圧

VTM
VFM

閾値電圧

V(TO)

V

ゲートトリガー電流

IGTmA

VGT

V

＊熱抵抗

Rth(j-c)℃/W＊接触熱抵抗Rth(c-f)℃/W

ゲートトリガー電圧

特にことわらない限り Tj=25℃

条件
Tj=125℃、VR=VRRM (１素子当たり )

0.87
150
3
0.06
0.05

Tj=125℃
VD=6V、IT=1A
VD=6V、IT=1A
接合部 ー ケース間（１モジュール当たり）
ケース ー フィン間（１モジュール当たり )、Si グリス熱伝導率 9×10-3[W/cm・℃]

上記中の＊項目はサイリスタ部及びダイオード部に適用します。
その他の項目は主にサイリスタ部に適用します。
■ 高耐圧品をご要望のお客様は下記営業までお問合せ下さい。
±  

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60/75/100A

±

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

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±

ｈ＝22 ㎜パッケージ

±

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単位 : mm※1 Single Inline Package※ かっこ内の数字は補助寸法
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