SiC MOSFET モジュール(2 in 1)「Techno Block」シリーズ

FCA100AC120 (100A, 1200V)
FCA150AC120 (150A, 1200V)

用途▶ 産業用インバーター▶ DC-DCコンバーター▶ EV充電器▶ 共振電源特長
当社独自のパッケージ「Techno Block※1」とDioMOS※2 技術がもたらす優位性■ 小型■ 長期信頼性■ 小さいオン抵抗とスイッチングロスによる低損失■ 熱暴走に強い温度変化の小さいオン抵抗特性※1 当社独自の両面はんだ接合、トランス ファー
モールド採用の小型・高放熱パッケージの半導体モジュール■ 高周波動作での高いノイズ耐性をもたらすゲート特性(V GS(th) ：4.0V)■ 回路保護設計が容易なトップレベルの短絡耐量※2 パナソニック(株) 開発の還流ダイオード機能を有する SiC MOSFET(DioMOS) を搭載■ 外付けFWD不要

省スペース

変化の小さいオン抵抗

還流ダイオード(FWD)機能内蔵

オン抵抗の温度特性(25℃で正規化)
14.0×99.0×32.0mm、130g  

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他社 SiC MOSFET

本製品

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T［℃］


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外付けFWD不要

SiC MOSFET モジュール (2 in 1)
FCA100/150AC120

産業用パワー半導体

最大定格

特にことわらない限り Tj=25℃
定格値

項目

条件

記号

単位

ドレイン ー ソース電圧

VDSS

V

ドレイン電流

ID

A

100

許容損失

Ptot

W

780

動作接合部温度

Tj℃-40 〜 ＋150

絶縁耐圧

Viso

V

2500

FCA100AC120

FCA150AC120

FCA100AC120

FCA150AC120

150

VGS=20V、Tc=100℃VGS=20V、Tc＝90℃

1135

Tc＝25℃

Tc＝25℃

1200

主端子 ー ケース間、AC 実効値 1 分間

電気的特性

特にことわらない限り Tj=25℃
規格値条件

項目記号

最小単位

最大標準

FCA100AC FCA150AC FCA100AC FCA150AC FCA100AC FCA150AC FCA100AC FCA150AC

ドレイン ー ソースオン抵抗

6.8

4.1

14

9.3

7.4

4.5

15

10200

300

55nA

200300

VGS=20V、VDS=0V

Rth（j-c） ℃/W

0.16

0.11

接合部 ー ケース間 (１素子当たり)

RDS（on）

mΩ

IDSS

μA

VGS（th）

V

IGSS

ドレイン遮断電流
ゲート ー ソース閾値電圧
ゲート漏れ電流
熱抵抗

FCA100/150AC1203344ID
=100A

ID
=150A

VGS＝20V
VGS＝20V、Tj＝150℃
VDS＝1200V、VGS＝0VIDID
VDS＝10V＝3mA ＝4.5mA相当 ー ∅ ー∅

本社・支店・営業所

中部営業所〒533-0031 大阪市東淀川区西淡路 3-1-56
TEL：06-6325-0500 FAX：06-6321-0355
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単位 : mm※ かっこ内の数字は補助寸法

工場
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