〈一般研究課題〉 新型鳥インフルエンザ選択的検出のための糖鎖分子
修飾ナノカーボンバイオセンサーの開発
助 成 研 究 者

中部大学

河原

敏男

新型鳥インフルエンザ選択的検出のための糖鎖分子
修飾ナノカーボンバイオセンサーの開発
河原 敏男（中部大学）Developments of sugar chain modified nano-carbon field
effect transistors for the influenza bio sensor
Toshio Kawahara(Chubu University)

Abstract：
Nano-carbon materials have highly potential for advanced devices because of the many superior
properties such as high mobility, high strength and so forth. For nano devices, we can use field
effect transistors (FETs) using nano-carbon channels, and high performance sensors, noise enhanced
nonlinear devices has been developed. We have developed several processes to fabricate the FETs
for the bio-sensor. One is the self-alignment process using grapho-epitaxy for the nano-carbon
channels. Second is the deposition process for the binding molecules for the specific molecules suchas avian influenza viruses and human-type ones. In this paper, we have deposited nano-carbon
materials by chemical vapor deposition and fabricated FETs using self-alignment process. We
discuss about the deposition temperature dependence using the Raman spectroscopy and themeasurements of electronic properties such as the drain-source current (IDS). The grapho-epitaxy
can enhance the graphene layers growth and also induce the defects caused by the strain in the
carbon nanowalls (CNWs). The scattering at the grain boundary could be dominant for the electric
properties of CNW-FET. Then we will show the noise spectral analysis. The CNW-FET shows 1/
f-type noise in I DS. There are two noise resources in the CNW channels. One relates toenvironmental noise such as molecular adsorption with large surface area, and the second relates tograin boundary scattering. Higher growth temperatures enlarge the grain size in CNWs, and this－ 43 －

〈一般研究課題〉 新型鳥インフルエンザ選択的検出のための糖鎖分子
修飾ナノカーボンバイオセンサーの開発
助 成 研 究 者

中部大学

河原

敏男

新型鳥インフルエンザ選択的検出のための糖鎖分子
修飾ナノカーボンバイオセンサーの開発
河原 敏男（中部大学）Developments of sugar chain modified nano-carbon field
effect transistors for the influenza bio sensor
Toshio Kawahara(Chubu University)

Abstract：
Nano-carbon materials have highly potential for advanced devices because of the many superior
properties such as high mobility, high strength and so forth. For nano devices, we can use field
effect transistors (FETs) using nano-carbon channels, and high performance sensors, noise enhanced
nonlinear devices has been developed. We have developed several processes to fabricate the FETs
for the bio-sensor. One is the self-alignment process using grapho-epitaxy for the nano-carbon
channels. Second is the deposition process for the binding molecules for the specific molecules suchas avian influenza viruses and human-type ones. In this paper, we have deposited nano-carbon
materials by chemical vapor deposition and fabricated FETs using self-alignment process. We
discuss about the deposition temperature dependence using the Raman spectroscopy and themeasurements of electronic properties such as the drain-source current (IDS). The grapho-epitaxy
can enhance the graphene layers growth and also induce the defects caused by the strain in the
carbon nanowalls (CNWs). The scattering at the grain boundary could be dominant for the electric
properties of CNW-FET. Then we will show the noise spectral analysis. The CNW-FET shows 1/
f-type noise in I DS. There are two noise resources in the CNW channels. One relates toenvironmental noise such as molecular adsorption with large surface area, and the second relates tograin boundary scattering. Higher growth temperatures enlarge the grain size in CNWs, and this－ 43 －

results in a decrease in carrier scattering at the grain boundary. In this case, the noise derived
from the grain boundary might be small and the total 1/f noise becomes small. On the other hand,
influenza virus can detect the structure of the ganglioside to infect the specific host. We will use
the glycan as the detection molecules in the bio-sensor. However, for the electronic detection, thesize of molecules should be small because of the Debye screening. We have tried to estimate thesize of sialyllactose.
１．はじめに
カーボンナノチューブ 1,2)やグラフェン 3-5)等のナノカーボン材料は、本質的にナノサイズであること、及び、卓説した物性値を持つことから、次世代の半導体材料として期待されている。そのため、CNTの発見後の応用と結びついた研究開発の急速な発展は当然のことであった。その応用は、ナノサイズのトランジスタ、バイオセンサー、LSIの配線等多岐にわたる。そして、高感度ガスセ
ンサー、標識なしのバイオセンサーが開発され、また、p型とn型の制御も可能となった。さらには、本来低温でのみ動作する単電子トランジスタの室温動作も可能であることが実デバイスで示された。一方、ナノサイズであるがゆえに大きなノイズが存在するCNTに対して、ノイズ増強型のデバイス動作や 6-8)、その制御性も実験的に明らかにされるなど 9,10)、ナノデバイスの特徴を活かした数多くの新規な応用が提案されてきた。
CNTの卓説した物性値の起源はカーボンの2次元シートに由来し、これは、ナノカーボン材料に共通である。そのため、カーボンの2次元シートを単離する研究がすすめられ、高配向熱分解黒鉛(HOPG)の剥離からカーボンの2次元シートであるグラフェンが単離され、さらに、電界効果特性が報告されたのが2004年であった 3)。そして、卓越した特性をデバイス応用しようと激しい開発競争が行われている 11)。デバイス応用では、制御された位置に材料を成長させる必要があり、化学気相成長法(CVD)等の成長法が検討され、現在では、銅触媒が有用であることが知られている。ただし、銅は金属であるため、半導体デバイスで用いるためには、銅触媒で成長させたグラフェン層を転写法で絶縁基板に移す必要があり、品質低下のために応用が制限されている。そこで、半導体デバイス応用のために、Ni触媒下面に成長させて表面金属層をエッチングするプロセス等の転写を避ける各種のプロセスが提案されている。
カーボンナノウォール(CNW)は、数層のグラフェンから構成されるナノカーボン材料であり 12)、
その単層の極限がグラフェンであるため、層数や結晶品質の制御によりグラフェンと同等の特性を示すことが期待されている。CNWは触媒なしに成長が可能なため、半導体プロセスと整合性が良く、発見当初からその形状を活かした応用が検討されてきた。例えば、ナノ構造体のテンプレート
や燃料電池の触媒のサポートなどが提案されている。また、半導体デバイス応用を想定すると、品質の向上やキャリアの制御が重要であり、水素プロセスや窒素ドープ等が試みられている。しかし、触媒を用いないため位置制御が困難であり、電界効果トランジスタ(FET)構造の作製上の問題となっていた。我々は、自己組織化プロセスを用いてCNWを配列成長させることに成功し、さらなる成長条件の探索を進めている。
我々は、ナノカーボン素子の応用として高感度バイオセンサー開発を目指している。特に、鳥イ
ンフルエンザウイルスのヒト適応性の獲得を特異的に検出するセンサー開発を行っている。現在、－ 44 －

2つの鳥インフルエンザ（H5N1、H7N9亜型）のヒト感染事例が社会的問題となり、遺伝子変異によるパンデミック発生の可能性が世界規模で懸念されている。そのため、当該ウイルスのヒト適応性監視技術の開発が渇望されているが、現在までにその開発・実用化は進んでいない。ヒト適応性変13,14)のヒト適応性監視技術の開発が渇望されているが、現在までにその開発・実用化は進んでいない。
異は、唯一、ヒト喉の受容体シアロ糖鎖結合性により検出でき、その感度向上により世界規模

ヒト適応性変異は、唯一、ヒト喉の受容体シアロ糖鎖結合性により検出でき 13,14)、その感度向上の迅速監視が可能な実用的監視体制が築かれる。その中で、ナノカーボン材料は次世代半導体の候により世界規模の迅速監視が可能な実用的監視体制が築かれる。その中で、ナノカーボン材料は補であると共に、液中で安定な表面構造を持ち、高感度バイオセンサーとしても卓越した性能を持次世代半導体の候補であると共に、液中で安定な表面構造を持ち、高感度バイオセンサーとしてつ。ナノカーボン材料表面をウイルス受容体シアロ糖鎖疑似分子で修飾した電子デバイスを開発すも卓越した性能を持つ。ナノカーボン材料表面をウイルス受容体シアロ糖鎖疑似分子で修飾したることで、鳥ウイルスのヒト適応性獲得を短時間に目視的に捉えるバイオセンサー開発を目指している。

電子デバイスを開発することで、鳥ウイルスのヒト適応性獲得を短時間に目視的に捉えるバイオセンサー開発を目指している。
FET構造を用いる電流検出型のセンサーでは、チャネル部の総キャリア数を減らすと共に電気
FET 構造を用いる電流検出型のセンサーでは、チャネル部の総キャリア数を減らすと共に電伝導率を上げることで検出感度が向上する。特に、高電気伝導率化でノイズが減り分解能が上がる
気伝導率を上げることで検出感度が向上する。特に、高電気伝導率化でノイズが減り分解能が上と考えられる。そこで、本研究課題では、数層グラフェンでの高電気伝導率化を図るための成長条
がると考えられる。そこで、本研究課題では、数層グラフェンでの高電気伝導率化を図るための件の最適化を行った。まず、材料成長条件をラマンスペクトルで評価するとともに、ノイズ特性も成長条件の最適化を行った。まず、材料成長条件をラマンスペクトルで評価するとともに、ノイ含めて電気伝導特性を評価した。また、検出プローブである糖鎖の構造評価として原子間力顕微鏡
ズ特性も含めて電気伝導特性を評価した。また、検出プローブである糖鎖の構造評価として原子でサイズ測定を行った。
間力顕微鏡でサイズ測定を行った。
2．実験

２．実験
数層グラフェン成長用基板としてシリコン(Si)ウェファーを用いた。また、デバイス構造を作製
数層グラフェン成長用基板としてシリコン(Si)ウェファーを用いた。また、デバイス構造を作する際には絶縁膜として熱酸化成長の500 nm厚酸化シリコン(SiO 2 )層を導入したSi基板を用いた。
製する際には絶縁膜として熱酸化成長の 500 nm 厚酸化シリコン(SiO2)層を導入した Si 基板を用
基板上にレジストとしてZEP-520Aを用いて電子線リソグラフによりライン＆スペースのパターンいた。基板上にレジストとして ZEP-520Aを描画し、レジストをエッチングマスクにして反応性を用いて電子線リソグラフによりライン
イオンエッチング(RIE)装置によりエッチングを行っ＆スペースのパターンを描画し、レジスた。エッチングガスとして四フッ化炭素(CF4 )を用いて、トをエッチングマスクにして反応性イオ
100 Wのプラズマパワーで12分間エッチングした。こンエッチング(RIE)装置によりエッチン
こでは、酸化膜が500 nmであるので、300 nmの深さのグを行った。エッチングガスとして四フ凹凸パターンを作製した(図1(a))。
ッ化炭素(CF4)を用いて、100 W のプラズ数層グラフェンの成長はICP励起のプラズマCVDでマパワーで 12 分間エッチングした。ここ行い、原料ガスとしてメタン(CH 4 )、キャリアガスとし
では、酸化膜が 500 nm であるので、300て 水 素(H 2 )を 用 い た。 成 長 時 の 基 板 温 度 は 400 ℃、
nm の深さの凹凸パターンを作製した(図500℃、600℃の条件でそれぞれ作製し、標準プロセス
1(a))。
の成長時間は30分である。
数層グラフェンの成長は ICP 励起のプ
デバイス構造としてバックゲート型の FETを作製しラズマ CVD で行い、原料ガスとしてメタた。その際、ソース、及び、ドレイン電極としてTi/Au
ン(CH )、キャリアガスとして水素(H )を4

2を 用 い た。
電気特性は半導体デバイ
ス･ア500℃、ナライザ用いた。
成長時の基板温度は400℃、B1500(Agilent)で、ゲート電圧として-5
Vから+5 Vの
600℃の条件でそれぞれ作製し、標準プロ
範囲を1 V刻みで設定し、-1
Vのドレイン電
セスの成長時間は 30Vから+1分である。

図 1 自己組織化成長用基板(a)と成長した数
図 1 自己組織化成長用基板(a)と成長した数層グラフェ
圧(VDS)の範囲でドレイン-ソース電流(IDS)を測定した。
デバイス構造としてバックゲート型の同様にIDSの時間依存性からノイズ解析を行った。
FET を作製した。その際、ソース、及び、－ 45 －

層グラフェン(b)のSEM写真。挿入図でン(b)の SEMは80
写真。挿入図では80°チルト。
°
チルト。

3

ラマンスペクトルの測定はinVia Raman Microscope (Renishaw)を用いた。励起レーザ波長は532nmである。マッピング測定では30 x 20のピクセルでそれぞれのラマンスペクトルを得てマッピング像とした。測定範囲は、1180 cm-1 から2750 cm-1 で行なった。
糖鎖分子の評価として、シアリルラクトースを用い、劈開したマイカ基板上に展開して原子間力顕微鏡(AFM)で観察した。
3．結果と議論
図1に自己組織化成長に用いた加工基板のパターンの例と、その上に基板温度600℃で成長させた数層グラフェンの走査型電子顕微鏡(SEM)写真を示す。図1(b)を見ると、加工基板の凸部のみに成長し、凹部には成長しない。これは、凹部に堆積するカーボンが拡散により基板上を動き、最終的に吸着確率の高い角部に集中するためである。そのため拡散長よりもせまい凹部を持つパターン
を用いることで凸部に集中して成長させることが可能である 15)。一方、間隔が狭い場合は、隣り合った凸部の吸着確率が競合するため凸部をブリッジ
ドレイン電極として Ti/Au を用いた。電気特性
する成長も起こるが、これは基板温度を下げることでは半導体デバイス･アナライザ B1500(Agilent)
抑えられる。以上の結果、成長時のガス分圧やプラズ
で、ゲート電圧として-5 V から+5 V の範囲を 1マの条件が決まると、それに応じてパターン形状と基V 刻みで設定し、-1 V から+1 V のドレイン電
板温度を制御することで数層グラフェンの自己組織化圧(VDS)の範囲でドレイン-ソース電流(IDS)を測成長が可能となる。
定した。同様に IDS の時間依存性からノイズ解
図2に基板温度500℃で成長させた数層グラフェン析を行った。
の配列化部及びその周辺部のラマンマッピング測定のラ マ ン ス ペ ク ト ル の 測 定 は inVia Raman
結果を示す。図2(a)、(b)に示されるように、配列化しMicroscope (Renishaw)を用いた。励起レーザ波
た数層グラフェンに対してDピーク及びGピークが共長は 532 nm である。マッピング測定では 30 xに減少していた。この減少には、幾何学的要因と配列
20 のピクセルでそれぞれのラマンスペクトル化による数層グラフェン内部の変化の2つの寄与が考を得てマッピング像とした。測定範囲は、1180えられる。我々は、グラフォエピタキシーにより配列
cm-1 から 2750 cm-1 で行なった。
化させているため、配列部の基板自体が凸構造を持つ
糖鎖分子の評価として、シアリルラクトース
のでラマンスペクトルのピークの減少が起こる。このを用い、劈開したマイカ基板上に展開して原子効果を除くため、GとDピークの比のマッピングを求間力顕微鏡(AFM)で観察した。
めて図2(c)に示した。この場合でも、配列化部でラマンスペクトルのG/D比の減少が起きている。そのた
３．結果と議論
め、この減少は、数層グラフェン内部の変化のためと
図 1 に自己組織化成長に用いた加工基板の考えられる。さらに、400℃成長では、配列化部でのパターンの例と、その上に基板温度 600℃で成G/D比の向上が見られ(図3)、成長条件により、グラ長させた数層グラフェンの走査型電子顕微鏡
フォエピタキシー成長のエンハンス効果、及び、応力(SEM)写真を示す。図 1(b)を見ると、加工基板
による界面散乱の増大の効果がラマンマッピングによの凸部のみに成長し、凹部には成長しない。こ16)
り観測出来た。
れは、凹部に堆積するカーボンが拡散により基5 00℃成長数層グラフェンの配列化部及び
図図22 500℃成長数層グラフェンの配列化部及びそその周辺部のラマンマッピング。Dバンの周辺部のラマンマッピング。
D バンドド(a)、(a) 、G
中するためである。そのため拡散長よりもせま観察すると、500℃成長の場合、図4(a)に示すように、 バンド(b)、及び、G/D
Gバンド(b)、及び、G/D比(c)。
比(c)。

板上を動き、最終的に吸着確率の高い角部に集また、透過型電子顕微鏡(TEM)で数層グラフェンをい凹部を持つパターンを用いることで凸部に集中して成長させることが可能である 15)。一方、間隔が狭い場合は、隣り合った凸部の吸着確－ 46 －

率が競合するため凸部をブリッジする成長も起こるが、これは基板温度を下げることで抑えられる。以上の結果、成長時のガス分圧やプラズマの条件が決まると、それに応じてパターン形状と(b)に示すように、グレインの増大が観測され、ークの比のマさらに、その配向性は 6 回対称となる。その

図 3 400℃成長数層グラフェンのラマンスペクト

ため、より低温の 500℃成長ではグレイン境

ル。中央部(a)にパターン、(b)に G/D 比マッピング

界での散乱が電気伝導特性に与える影響が大を示す。

きいと思われる。

た。この場合図 5(a)に基板温度 500℃成長の自己組織化

トルの G/D 比

数層グラフェンの電流電圧特性(IDS-VDS 特

この減少は、性)を示す。ゲート電圧をかけない場合に非めと考えられ線形の IDS が観測された。さらに、負のゲー

配列化部での

ト電圧をかけた場合に正のドレイン電圧で長条件により、

IDS の増大が観測され p 型伝導を示すと考え

ンハンス効果、られる。一方、正のゲート電圧をかけた際に大の効果がラは、負のドレイン電圧で IDS が増大し n 型伝た 16)。

導も同時に観測される。すなわち、両極性の)で数層グラ半導体特性を示すといえる。なお、電流電圧長の場合、図特性の非対称性には、電極界面の欠陥が寄与

イン構造が存していると思われる。また、400℃成長の自ものの配向性己組織化数層グラフェンでも同様の両極性なると、図 4半導体特性が観測された。

大が観測され、となる。その600℃成長の試料に対する電流電圧特性を

4 00℃成長数層グラフェンのラマンスペクトル。
図図3 3400℃成長数層グラフェンのラマンスペクト

図 5(b)に示す。この場合、IDS は線形であり、

図 4 数層グラフェンの TEM 観察像。(a): 500℃成長、
図4

数 層グラフェンのTEM観察像。(a): 500℃成長、はグレイン境中央部(a)にパターン、(b)にG/D比マッピング
ル。中央部(a)にパターン、(b)にG/D 比マッピングを示す。

(b): 600℃成長。
(b): 600℃成長。

える影響が大を示す。

5

小さなグレイン構造が存在し、グレインは結晶性を示す
かつ、ゲート電圧依存性を示さない。すなわ
ものの配向性はランダムとなる。600℃成長になると、ち、金属特性を示すと言え、シート抵抗とし
図4 (b)に示すように、グレインの増大が観測され、さらて 30 kΩ 程度となった。600℃成長の際に成長に、その配向性は6回対称となる。そのため、より低温
時間を短くすると半導体特性を示すことから、の500℃成長ではグレイン境界での散乱が電気伝導特性
電気伝導特性に成長時のグレイン構造の変化に与える影響が大きいと思われる。
が影響していることが想定される。

自己組織化性(IDS-VDS 特

い場合に非

、負のゲー

イン電圧で

かけた際に

図5(a)に基板温度500℃成長の自己組織化数層グラフェ
図 6(a)に自己組織化成長させた数層グラフ
ンの電流電圧特性(IDS-VDS 特性)を示す。ゲート電圧をかェンによる FETの I のノイズスペクトルを示

大し n 型伝けない場合に非線形のI
DS が観測された。さらに、負のす。ノイズスペクトルは
1/f 型となった。ノイ

ち、両極性のゲート電圧をかけた場合に正のドレイン電圧でIDSの増大
ズ源としては、大きな表面積による表面吸着

お、電流電圧が観測されp型伝導を示すと考えられる。一方、正の分子の影響 8)や、電流経路中のグレイン境界で欠陥が寄与

ゲート電圧をかけた際には、負のドレイン電圧でIDSが増の散乱過程の影響 17)が考えられる。電流の絶℃成長の自大しn型伝導も同時に観測される。すなわち、両極性の対値は試料により異なるため、IDS の 2 乗で規様の両極性半導体特性を示すといえる。なお、電流電圧特性の非対格化してノイズ強度の成長温度依存性を見た

示すと考え

電圧特性を

形であり、

DS

称性には、電極界面の欠陥が寄与していると思われる。
(図 6(b))。ノイズ強度は 10 Hz での値で代表さ
図5図
数層グラフェン
FET の電流電圧特性。 
5 数 層グラフェンFETの電流電圧特性。
せた。その結果、成長温度の増大と共にノイ
図 4また、400℃成長の自己組織化数層グラフェンでも同様
数層グラフェンのTEM 観察像。(a): 500℃成長、(a):
500℃成長、(b)：600℃成長。
ズ強度が減少し、グレインの増大と対応して (a): 500℃成長、(b)：600℃成長。
(b): の両極性半導体特性が観測された。
600℃成長。

いることが分かる。すなわち、電気伝導では600℃成長の試料に対する電流電圧特性を図5(b)に示す。この場合、IDS は線形であり、かつ、
5

粒界散乱が支配的であり、グレイン構造の増ゲート電圧依存性を示さない。すなわち、金属特性を示すと言え、シート抵抗として30kΩ程度と大が電気伝導率の向上に有用であることが分なった。600℃成長の際に成長時間を短くすると半導体特性を示すことから、電気伝導特性に成長かった。
最後に、糖鎖プローブを構成する糖鎖分子－ 47 －の大きさを評価した結果を述べる。インフル
エンザウイルスは、宿主の選択を糖鎖分子で時のグレイン構造の変化が影響していることが想定される。
図6(a)に自己組織化成長させた数層グラフェンによるFETのIDSのノイズスペクトルを示す。ノイズスペクトルは1/f型となった。ノイズ源としては、大きな表面積による表面吸着
分子の影響 8)や、電流経路中のグレイン境界での散乱過程の影響 17)が考えられる。電流の絶対値は試料により異なるた
め、IDSの2乗で規格化してノイズ強度の成長温度依存性を見た(図6(b))。ノイズ強度は10 Hzでの値で代表させた。その結果、成長温度の増大と共にノイズ強度が減少し、グレインの増大と対応していることが分かる。すなわち、電気伝導では粒界散乱が支配的であり、グレイン構造の増大が電気伝導率の向上に有用であることが分かった。
最後に、糖鎖プローブを構成する糖鎖分子の大きさを評価した結果を述べる。インフルエンザウイルスは、宿主の選択を糖鎖分子で行う。そのため、センサーの特異検出部分を構成するのが糖鎖分子である。電気的検出では溶液中のイオンによるデバイ遮蔽の影響を考慮しなければならないため、短分子系で糖鎖プローブを構成する必要がある。そこで、候補

図6分子の一つであるシアリスラクトースを原子間力顕微鏡で観４．まとめ察した(図7)。その結果、高さ解析から、1nm程度以下の分

IDSのノイズ。(a)600℃成長時のスペクトル、(b)ノイズ強度(10Hz)の成長温度依存性。

本研究では、自己組織化グラフェンの成長条件の検子であることが分かり、表面を修飾する分子の候補として適討とシアロ糖鎖を用いた糖鎖プローブの開発を行った。
当であることが分かった。さらに、現在、ウイルスとの反応
自己組織化数層グラフェン素子では、電子線リソグラを調べているところである。
フを用いて Si 基板上にグラフォエピタキシーで配列化させた。そして、基板温度条件の検討から形状触媒
4．まとめ
効果により低温でも溝のエッジに集中して成長するこ本研究では、自己組織化グラフェンの成長条件の検討とシとが分かった。さらに、低温成長配列化数層グラフェ
アロ糖鎖を用いた糖鎖プローブの開発を行った。自己組織化
ンのラマンマッピング測定から、配列成長させた部分
図 7 図7
シアリルラクトースのAFM 像
シアリルラクトースのAFM像
数層グラフェン素子では、電子線リソグラフを用いてSi基板(10ng/ml)。
でグラフェン構造の品質を示す G/D 比の向上が観測(10 ng/ml)。
上にグラフォエピタキシーで配列化させた。そして、基板温された。一方、自己組織化成長により欠陥が導入され度条件の検討から形状触媒効果により低温でも溝のエッジに集中して成長することが分かった。さ電気伝導率が低下することが分かり、その際にはグレイン境界での散乱が主であると考えられる。
らに、低温成長配列化数層グラフェンのラマンマッピング測定から、配列成長させた部分でグラ
そこで、成長温度を高くすることで、内部のグレイン構造の増大、配向性の増大が確認できて、フェン構造の品質を示すG/D比の向上が観測された。一方、自己組織化成長により欠陥が導入されグレイン構造の増大により電気伝導率を向上できることが分かった。さらに、IDS のノイズ解析
電気伝導率が低下することが分かり、その際にはグレイン境界での散乱が主であると考えられる。
を行うことで、電気伝導率の向上とノイズ強度の減少が対応していることが分かった。これは、そこで、成長温度を高くすることで、内部のグレイン構造の増大、配向性の増大が確認できて、グセンサーの感度向上に寄与すると考えられる。一方、プローブとなる糖鎖分子の大きさの評価とレイン構造の増大により電気伝導率を向上できることが分かった。さらに、IDSのノイズ解析を行う
して、分子間力で基板に結合させたシアリルラクトースを走査型プローブ顕微鏡で観察し、1 nm
ことで、電気伝導率の向上とノイズ強度の減少が対応していることが分かった。これは、センサー以下程度の高さであることが分かった。そのため、シアリルラクトースは、デバイ遮蔽長内に入の感度向上に寄与すると考えられる。一方、プローブとなる糖鎖分子の大きさの評価として、分子り、特異検出用分子として使用可能な候補の一つであると言える。
間力で基板に結合させたシアリルラクトースを走査型プローブ顕微鏡で観察し、1 nm以下程度の謝辞－ 48 －
本研究を進めるにあたり、公益財団法人日比科学技術振興財団からは多大な支援を受けました。

ここに感謝の意を示します。

高さであることが分かった。そのため、シアリルラクトースは、デバイ遮蔽長内に入り、特異検出用分子として使用可能な候補の一つであると言える。
参考文献
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sialic acid is attached,”J. Biol. Chem., Vol. 261, 17057-17061 (1986)14) M. Imai, T. Watanabe, M. Hatta, S. C. Das, M. Ozawa, K. Shinya, G. Zhong, A. Hanson, H.
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Utsunomiya, T. Matsuba, Y. Matsuoka, and M. Yoshimura:“Raman spectral mapping of selfaligned carbon nanowalls,”Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 53, 05FD10 (2014)17) T. Kawahara, A. Hirai, T. Terashima, and Y. Bando,“Low frequency noise from YBa2Cu3O7-X
thin film,”Noise in Physical Systems and 1/f Fluctuations (Ohmsha, Tokyo, 1991), pp. 35-38－ 50 －

results in a decrease in carrier scattering at the grain boundary. In this case, the noise derived
from the grain boundary might be small and the total 1/f noise becomes small. On the other hand,
influenza virus can detect the structure of the ganglioside to infect the specific host. We will use
the glycan as the detection molecules in the bio-sensor. However, for the electronic detection, thesize of molecules should be small because of the Debye screening. We have tried to estimate thesize of sialyllactose.
１．はじめに
カーボンナノチューブ 1,2)やグラフェン 3-5)等のナノカーボン材料は、本質的にナノサイズであること、及び、卓説した物性値を持つことから、次世代の半導体材料として期待されている。そのため、CNTの発見後の応用と結びついた研究開発の急速な発展は当然のことであった。その応用は、ナノサイズのトランジスタ、バイオセンサー、LSIの配線等多岐にわたる。そして、高感度ガスセ
ンサー、標識なしのバイオセンサーが開発され、また、p型とn型の制御も可能となった。さらには、本来低温でのみ動作する単電子トランジスタの室温動作も可能であることが実デバイスで示された。一方、ナノサイズであるがゆえに大きなノイズが存在するCNTに対して、ノイズ増強型のデバイス動作や 6-8)、その制御性も実験的に明らかにされるなど 9,10)、ナノデバイスの特徴を活かした数多くの新規な応用が提案されてきた。
CNTの卓説した物性値の起源はカーボンの2次元シートに由来し、これは、ナノカーボン材料に共通である。そのため、カーボンの2次元シートを単離する研究がすすめられ、高配向熱分解黒鉛(HOPG)の剥離からカーボンの2次元シートであるグラフェンが単離され、さらに、電界効果特性が報告されたのが2004年であった 3)。そして、卓越した特性をデバイス応用しようと激しい開発競争が行われている 11)。デバイス応用では、制御された位置に材料を成長させる必要があり、化学気相成長法(CVD)等の成長法が検討され、現在では、銅触媒が有用であることが知られている。ただし、銅は金属であるため、半導体デバイスで用いるためには、銅触媒で成長させたグラフェン層を転写法で絶縁基板に移す必要があり、品質低下のために応用が制限されている。そこで、半導体デバイス応用のために、Ni触媒下面に成長させて表面金属層をエッチングするプロセス等の転写を避ける各種のプロセスが提案されている。
カーボンナノウォール(CNW)は、数層のグラフェンから構成されるナノカーボン材料であり 12)、
その単層の極限がグラフェンであるため、層数や結晶品質の制御によりグラフェンと同等の特性を示すことが期待されている。CNWは触媒なしに成長が可能なため、半導体プロセスと整合性が良く、発見当初からその形状を活かした応用が検討されてきた。例えば、ナノ構造体のテンプレート
や燃料電池の触媒のサポートなどが提案されている。また、半導体デバイス応用を想定すると、品質の向上やキャリアの制御が重要であり、水素プロセスや窒素ドープ等が試みられている。しかし、触媒を用いないため位置制御が困難であり、電界効果トランジスタ(FET)構造の作製上の問題となっていた。我々は、自己組織化プロセスを用いてCNWを配列成長させることに成功し、さらなる成長条件の探索を進めている。
我々は、ナノカーボン素子の応用として高感度バイオセンサー開発を目指している。特に、鳥イ
ンフルエンザウイルスのヒト適応性の獲得を特異的に検出するセンサー開発を行っている。現在、－ 44 －

2つの鳥インフルエンザ（H5N1、H7N9亜型）のヒト感染事例が社会的問題となり、遺伝子変異によるパンデミック発生の可能性が世界規模で懸念されている。そのため、当該ウイルスのヒト適応性監視技術の開発が渇望されているが、現在までにその開発・実用化は進んでいない。ヒト適応性変13,14)のヒト適応性監視技術の開発が渇望されているが、現在までにその開発・実用化は進んでいない。
異は、唯一、ヒト喉の受容体シアロ糖鎖結合性により検出でき、その感度向上により世界規模

ヒト適応性変異は、唯一、ヒト喉の受容体シアロ糖鎖結合性により検出でき 13,14)、その感度向上の迅速監視が可能な実用的監視体制が築かれる。その中で、ナノカーボン材料は次世代半導体の候により世界規模の迅速監視が可能な実用的監視体制が築かれる。その中で、ナノカーボン材料は補であると共に、液中で安定な表面構造を持ち、高感度バイオセンサーとしても卓越した性能を持次世代半導体の候補であると共に、液中で安定な表面構造を持ち、高感度バイオセンサーとしてつ。ナノカーボン材料表面をウイルス受容体シアロ糖鎖疑似分子で修飾した電子デバイスを開発すも卓越した性能を持つ。ナノカーボン材料表面をウイルス受容体シアロ糖鎖疑似分子で修飾したることで、鳥ウイルスのヒト適応性獲得を短時間に目視的に捉えるバイオセンサー開発を目指している。

電子デバイスを開発することで、鳥ウイルスのヒト適応性獲得を短時間に目視的に捉えるバイオセンサー開発を目指している。
FET構造を用いる電流検出型のセンサーでは、チャネル部の総キャリア数を減らすと共に電気
FET 構造を用いる電流検出型のセンサーでは、チャネル部の総キャリア数を減らすと共に電伝導率を上げることで検出感度が向上する。特に、高電気伝導率化でノイズが減り分解能が上がる
気伝導率を上げることで検出感度が向上する。特に、高電気伝導率化でノイズが減り分解能が上と考えられる。そこで、本研究課題では、数層グラフェンでの高電気伝導率化を図るための成長条
がると考えられる。そこで、本研究課題では、数層グラフェンでの高電気伝導率化を図るための件の最適化を行った。まず、材料成長条件をラマンスペクトルで評価するとともに、ノイズ特性も成長条件の最適化を行った。まず、材料成長条件をラマンスペクトルで評価するとともに、ノイ含めて電気伝導特性を評価した。また、検出プローブである糖鎖の構造評価として原子間力顕微鏡
ズ特性も含めて電気伝導特性を評価した。また、検出プローブである糖鎖の構造評価として原子でサイズ測定を行った。
間力顕微鏡でサイズ測定を行った。
2．実験

２．実験
数層グラフェン成長用基板としてシリコン(Si)ウェファーを用いた。また、デバイス構造を作製
数層グラフェン成長用基板としてシリコン(Si)ウェファーを用いた。また、デバイス構造を作する際には絶縁膜として熱酸化成長の500 nm厚酸化シリコン(SiO 2 )層を導入したSi基板を用いた。
製する際には絶縁膜として熱酸化成長の 500 nm 厚酸化シリコン(SiO2)層を導入した Si 基板を用
基板上にレジストとしてZEP-520Aを用いて電子線リソグラフによりライン＆スペースのパターンいた。基板上にレジストとして ZEP-520Aを描画し、レジストをエッチングマスクにして反応性を用いて電子線リソグラフによりライン
イオンエッチング(RIE)装置によりエッチングを行っ＆スペースのパターンを描画し、レジスた。エッチングガスとして四フッ化炭素(CF4 )を用いて、トをエッチングマスクにして反応性イオ
100 Wのプラズマパワーで12分間エッチングした。こンエッチング(RIE)装置によりエッチン
こでは、酸化膜が500 nmであるので、300 nmの深さのグを行った。エッチングガスとして四フ凹凸パターンを作製した(図1(a))。
ッ化炭素(CF4)を用いて、100 W のプラズ数層グラフェンの成長はICP励起のプラズマCVDでマパワーで 12 分間エッチングした。ここ行い、原料ガスとしてメタン(CH 4 )、キャリアガスとし
では、酸化膜が 500 nm であるので、300て 水 素(H 2 )を 用 い た。 成 長 時 の 基 板 温 度 は 400 ℃、
nm の深さの凹凸パターンを作製した(図500℃、600℃の条件でそれぞれ作製し、標準プロセス
1(a))。
の成長時間は30分である。
数層グラフェンの成長は ICP 励起のプ
デバイス構造としてバックゲート型の FETを作製しラズマ CVD で行い、原料ガスとしてメタた。その際、ソース、及び、ドレイン電極としてTi/Au
ン(CH )、キャリアガスとして水素(H )を4

2を 用 い た。
電気特性は半導体デバイ
ス･ア500℃、ナライザ用いた。
成長時の基板温度は400℃、B1500(Agilent)で、ゲート電圧として-5
Vから+5 Vの
600℃の条件でそれぞれ作製し、標準プロ
範囲を1 V刻みで設定し、-1
Vのドレイン電
セスの成長時間は 30Vから+1分である。

図 1 自己組織化成長用基板(a)と成長した数
図 1 自己組織化成長用基板(a)と成長した数層グラフェ
圧(VDS)の範囲でドレイン-ソース電流(IDS)を測定した。
デバイス構造としてバックゲート型の同様にIDSの時間依存性からノイズ解析を行った。
FET を作製した。その際、ソース、及び、－ 45 －

層グラフェン(b)のSEM写真。挿入図でン(b)の SEMは80
写真。挿入図では80°チルト。
°
チルト。

3

ラマンスペクトルの測定はinVia Raman Microscope (Renishaw)を用いた。励起レーザ波長は532nmである。マッピング測定では30 x 20のピクセルでそれぞれのラマンスペクトルを得てマッピング像とした。測定範囲は、1180 cm-1 から2750 cm-1 で行なった。
糖鎖分子の評価として、シアリルラクトースを用い、劈開したマイカ基板上に展開して原子間力顕微鏡(AFM)で観察した。
3．結果と議論
図1に自己組織化成長に用いた加工基板のパターンの例と、その上に基板温度600℃で成長させた数層グラフェンの走査型電子顕微鏡(SEM)写真を示す。図1(b)を見ると、加工基板の凸部のみに成長し、凹部には成長しない。これは、凹部に堆積するカーボンが拡散により基板上を動き、最終的に吸着確率の高い角部に集中するためである。そのため拡散長よりもせまい凹部を持つパターン
を用いることで凸部に集中して成長させることが可能である 15)。一方、間隔が狭い場合は、隣り合った凸部の吸着確率が競合するため凸部をブリッジ
ドレイン電極として Ti/Au を用いた。電気特性
する成長も起こるが、これは基板温度を下げることでは半導体デバイス･アナライザ B1500(Agilent)
抑えられる。以上の結果、成長時のガス分圧やプラズ
で、ゲート電圧として-5 V から+5 V の範囲を 1マの条件が決まると、それに応じてパターン形状と基V 刻みで設定し、-1 V から+1 V のドレイン電
板温度を制御することで数層グラフェンの自己組織化圧(VDS)の範囲でドレイン-ソース電流(IDS)を測成長が可能となる。
定した。同様に IDS の時間依存性からノイズ解
図2に基板温度500℃で成長させた数層グラフェン析を行った。
の配列化部及びその周辺部のラマンマッピング測定のラ マ ン ス ペ ク ト ル の 測 定 は inVia Raman
結果を示す。図2(a)、(b)に示されるように、配列化しMicroscope (Renishaw)を用いた。励起レーザ波
た数層グラフェンに対してDピーク及びGピークが共長は 532 nm である。マッピング測定では 30 xに減少していた。この減少には、幾何学的要因と配列
20 のピクセルでそれぞれのラマンスペクトル化による数層グラフェン内部の変化の2つの寄与が考を得てマッピング像とした。測定範囲は、1180えられる。我々は、グラフォエピタキシーにより配列
cm-1 から 2750 cm-1 で行なった。
化させているため、配列部の基板自体が凸構造を持つ
糖鎖分子の評価として、シアリルラクトース
のでラマンスペクトルのピークの減少が起こる。このを用い、劈開したマイカ基板上に展開して原子効果を除くため、GとDピークの比のマッピングを求間力顕微鏡(AFM)で観察した。
めて図2(c)に示した。この場合でも、配列化部でラマンスペクトルのG/D比の減少が起きている。そのた
３．結果と議論
め、この減少は、数層グラフェン内部の変化のためと
図 1 に自己組織化成長に用いた加工基板の考えられる。さらに、400℃成長では、配列化部でのパターンの例と、その上に基板温度 600℃で成G/D比の向上が見られ(図3)、成長条件により、グラ長させた数層グラフェンの走査型電子顕微鏡
フォエピタキシー成長のエンハンス効果、及び、応力(SEM)写真を示す。図 1(b)を見ると、加工基板
による界面散乱の増大の効果がラマンマッピングによの凸部のみに成長し、凹部には成長しない。こ16)
り観測出来た。
れは、凹部に堆積するカーボンが拡散により基5 00℃成長数層グラフェンの配列化部及び
図図22 500℃成長数層グラフェンの配列化部及びそその周辺部のラマンマッピング。Dバンの周辺部のラマンマッピング。
D バンドド(a)、(a) 、G
中するためである。そのため拡散長よりもせま観察すると、500℃成長の場合、図4(a)に示すように、 バンド(b)、及び、G/D
Gバンド(b)、及び、G/D比(c)。
比(c)。

板上を動き、最終的に吸着確率の高い角部に集また、透過型電子顕微鏡(TEM)で数層グラフェンをい凹部を持つパターンを用いることで凸部に集中して成長させることが可能である 15)。一方、間隔が狭い場合は、隣り合った凸部の吸着確－ 46 －

率が競合するため凸部をブリッジする成長も起こるが、これは基板温度を下げることで抑えられる。以上の結果、成長時のガス分圧やプラズマの条件が決まると、それに応じてパターン形状と(b)に示すように、グレインの増大が観測され、ークの比のマさらに、その配向性は 6 回対称となる。その

図 3 400℃成長数層グラフェンのラマンスペクト

ため、より低温の 500℃成長ではグレイン境

ル。中央部(a)にパターン、(b)に G/D 比マッピング

界での散乱が電気伝導特性に与える影響が大を示す。

きいと思われる。

た。この場合図 5(a)に基板温度 500℃成長の自己組織化

トルの G/D 比

数層グラフェンの電流電圧特性(IDS-VDS 特

この減少は、性)を示す。ゲート電圧をかけない場合に非めと考えられ線形の IDS が観測された。さらに、負のゲー

配列化部での

ト電圧をかけた場合に正のドレイン電圧で長条件により、

IDS の増大が観測され p 型伝導を示すと考え

ンハンス効果、られる。一方、正のゲート電圧をかけた際に大の効果がラは、負のドレイン電圧で IDS が増大し n 型伝た 16)。

導も同時に観測される。すなわち、両極性の)で数層グラ半導体特性を示すといえる。なお、電流電圧長の場合、図特性の非対称性には、電極界面の欠陥が寄与

イン構造が存していると思われる。また、400℃成長の自ものの配向性己組織化数層グラフェンでも同様の両極性なると、図 4半導体特性が観測された。

大が観測され、となる。その600℃成長の試料に対する電流電圧特性を

4 00℃成長数層グラフェンのラマンスペクトル。
図図3 3400℃成長数層グラフェンのラマンスペクト

図 5(b)に示す。この場合、IDS は線形であり、

図 4 数層グラフェンの TEM 観察像。(a): 500℃成長、
図4

数 層グラフェンのTEM観察像。(a):500℃成長、はグレイン境中央部(a)にパターン、(b)にG/D比マッピング
ル。中央部(a)にパターン、(b)にG/D 比マッピングを示す。

(b): 600℃成長。
(b):600℃成長。

える影響が大を示す。

5

小さなグレイン構造が存在し、グレインは結晶性を示す
かつ、ゲート電圧依存性を示さない。すなわ
ものの配向性はランダムとなる。600℃成長になると、ち、金属特性を示すと言え、シート抵抗とし
図4 (b)に示すように、グレインの増大が観測され、さらて 30 kΩ 程度となった。600℃成長の際に成長に、その配向性は6回対称となる。そのため、より低温
時間を短くすると半導体特性を示すことから、の500℃成長ではグレイン境界での散乱が電気伝導特性
電気伝導特性に成長時のグレイン構造の変化に与える影響が大きいと思われる。
が影響していることが想定される。

自己組織化性(IDS-VDS 特

い場合に非

、負のゲー

イン電圧で

かけた際に

図5(a)に基板温度500℃成長の自己組織化数層グラフェ
図 6(a)に自己組織化成長させた数層グラフ
ンの電流電圧特性(IDS-VDS 特性)を示す。ゲート電圧をかェンによる FETの I のノイズスペクトルを示

大し n 型伝けない場合に非線形のI
DS が観測された。さらに、負のす。ノイズスペクトルは
1/f 型となった。ノイ

ち、両極性のゲート電圧をかけた場合に正のドレイン電圧でIDSの増大
ズ源としては、大きな表面積による表面吸着

お、電流電圧が観測されp型伝導を示すと考えられる。一方、正の分子の影響 8)や、電流経路中のグレイン境界で欠陥が寄与

ゲート電圧をかけた際には、負のドレイン電圧でIDSが増の散乱過程の影響 17)が考えられる。電流の絶℃成長の自大しn型伝導も同時に観測される。すなわち、両極性の対値は試料により異なるため、IDS の 2 乗で規様の両極性半導体特性を示すといえる。なお、電流電圧特性の非対格化してノイズ強度の成長温度依存性を見た

示すと考え

電圧特性を

形であり、

DS

称性には、電極界面の欠陥が寄与していると思われる。
(図 6(b))。ノイズ強度は 10 Hz での値で代表さ
図5図
数層グラフェン
FET の電流電圧特性。 
5 数 層グラフェンFETの電流電圧特性。
せた。その結果、成長温度の増大と共にノイ
図 4また、400℃成長の自己組織化数層グラフェンでも同様
数層グラフェンのTEM 観察像。(a): 500℃成長、(a):500℃成長、(b)：600℃成長。
ズ強度が減少し、グレインの増大と対応して (a): 500℃成長、(b)：600℃成長。
(b): の両極性半導体特性が観測された。
600℃成長。

いることが分かる。すなわち、電気伝導では600℃成長の試料に対する電流電圧特性を図5(b)に示す。この場合、IDS は線形であり、かつ、
5

粒界散乱が支配的であり、グレイン構造の増ゲート電圧依存性を示さない。すなわち、金属特性を示すと言え、シート抵抗として30kΩ程度と大が電気伝導率の向上に有用であることが分なった。600℃成長の際に成長時間を短くすると半導体特性を示すことから、電気伝導特性に成長かった。
最後に、糖鎖プローブを構成する糖鎖分子－ 47 －の大きさを評価した結果を述べる。インフル
エンザウイルスは、宿主の選択を糖鎖分子で時のグレイン構造の変化が影響していることが想定される。
図6(a)に自己組織化成長させた数層グラフェンによるFETのIDSのノイズスペクトルを示す。ノイズスペクトルは1/f型となった。ノイズ源としては、大きな表面積による表面吸着
分子の影響 8)や、電流経路中のグレイン境界での散乱過程の影響 17)が考えられる。電流の絶対値は試料により異なるた
め、IDSの2乗で規格化してノイズ強度の成長温度依存性を見た(図6(b))。ノイズ強度は10 Hzでの値で代表させた。その結果、成長温度の増大と共にノイズ強度が減少し、グレインの増大と対応していることが分かる。すなわち、電気伝導では粒界散乱が支配的であり、グレイン構造の増大が電気伝導率の向上に有用であることが分かった。
最後に、糖鎖プローブを構成する糖鎖分子の大きさを評価した結果を述べる。インフルエンザウイルスは、宿主の選択を糖鎖分子で行う。そのため、センサーの特異検出部分を構成するのが糖鎖分子である。電気的検出では溶液中のイオンによるデバイ遮蔽の影響を考慮しなければならないため、短分子系で糖鎖プローブを構成する必要がある。そこで、候補

図6分子の一つであるシアリスラクトースを原子間力顕微鏡で観４．まとめ察した(図7)。その結果、高さ解析から、1nm程度以下の分

IDSのノイズ。(a)600℃成長時のスペクトル、(b)ノイズ強度(10Hz)の成長温度依存性。

本研究では、自己組織化グラフェンの成長条件の検子であることが分かり、表面を修飾する分子の候補として適討とシアロ糖鎖を用いた糖鎖プローブの開発を行った。
当であることが分かった。さらに、現在、ウイルスとの反応
自己組織化数層グラフェン素子では、電子線リソグラを調べているところである。
フを用いて Si 基板上にグラフォエピタキシーで配列化させた。そして、基板温度条件の検討から形状触媒
4．まとめ
効果により低温でも溝のエッジに集中して成長するこ本研究では、自己組織化グラフェンの成長条件の検討とシとが分かった。さらに、低温成長配列化数層グラフェ
アロ糖鎖を用いた糖鎖プローブの開発を行った。自己組織化
ンのラマンマッピング測定から、配列成長させた部分
図 7 図7
シアリルラクトースのAFM 像
シアリルラクトースのAFM像
数層グラフェン素子では、電子線リソグラフを用いてSi基板(10ng/ml)。
でグラフェン構造の品質を示す G/D 比の向上が観測(10 ng/ml)。
上にグラフォエピタキシーで配列化させた。そして、基板温された。一方、自己組織化成長により欠陥が導入され度条件の検討から形状触媒効果により低温でも溝のエッジに集中して成長することが分かった。さ電気伝導率が低下することが分かり、その際にはグレイン境界での散乱が主であると考えられる。
らに、低温成長配列化数層グラフェンのラマンマッピング測定から、配列成長させた部分でグラ
そこで、成長温度を高くすることで、内部のグレイン構造の増大、配向性の増大が確認できて、フェン構造の品質を示すG/D比の向上が観測された。一方、自己組織化成長により欠陥が導入されグレイン構造の増大により電気伝導率を向上できることが分かった。さらに、IDS のノイズ解析
電気伝導率が低下することが分かり、その際にはグレイン境界での散乱が主であると考えられる。
を行うことで、電気伝導率の向上とノイズ強度の減少が対応していることが分かった。これは、そこで、成長温度を高くすることで、内部のグレイン構造の増大、配向性の増大が確認できて、グセンサーの感度向上に寄与すると考えられる。一方、プローブとなる糖鎖分子の大きさの評価とレイン構造の増大により電気伝導率を向上できることが分かった。さらに、IDSのノイズ解析を行う
して、分子間力で基板に結合させたシアリルラクトースを走査型プローブ顕微鏡で観察し、1 nm
ことで、電気伝導率の向上とノイズ強度の減少が対応していることが分かった。これは、センサー以下程度の高さであることが分かった。そのため、シアリルラクトースは、デバイ遮蔽長内に入の感度向上に寄与すると考えられる。一方、プローブとなる糖鎖分子の大きさの評価として、分子り、特異検出用分子として使用可能な候補の一つであると言える。
間力で基板に結合させたシアリルラクトースを走査型プローブ顕微鏡で観察し、1 nm以下程度の謝辞－ 48 －
本研究を進めるにあたり、公益財団法人日比科学技術振興財団からは多大な支援を受けました。

ここに感謝の意を示します。

高さであることが分かった。そのため、シアリルラクトースは、デバイ遮蔽長内に入り、特異検出用分子として使用可能な候補の一つであると言える。
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