ロ ー ム の
電 気 自 動 車 向 け
デ バ イ スE V ソリュ ー ション

Ve r. 1 . 3

電気自動車の性能を追求すればSiC デバイスがキーになる
SiCデバイスは、電動車両の車載充電器やDC/DCコンバータを中心に採用が広がっています。
なぜなら、高耐圧かつ低損失を実現できる次世代パワーデバイスだからです。

SiCデバイスのパフォーマンス
電気自動車の大きな課題は、限られた電気エネル

I--V 特性のI-V
特性の性の比較性の比
比較

ギーでどれだけ長い距離を走ることができるかでスイッチ
スイッチング
ッチ
ング特性
ング
特 の比
特性の比較
較

4000す。そのためには「燃費」に替わる「電費」をいかに▲40% ▲74%

SiC
MOSFET

3000

Switching Loss(W)

高められるかが重要です。それを達成できるキー

る物性特性がすぐれているため、今までのSiデバイスの限界を一気に飛び越えることができ、電気自動車の性能に大きく貢献します。

SiC デバイスのメリット● 導通損失低減● スイッチング損失低減● 高電圧化、高周波化

ID or IC (A)A)

デバイスがSiC半導体です。半導体のベースであ
200

Si
IGBT

100

Eoff
Eon

000.5

11.5

VDS or VCE (A)

IGBT+FRDIGBT+
SiC SBD

Full SiC

E V 専 用 ユ ニットに 対EV専用ユニットでは、更なる高信頼性、小型化、低消費化が求められています。
ロームでは、SiCやIGBTをはじめとするパワーデバイス、またそれらを駆動するゲートドライバICなどをソリューションでご提案できます。
また、周辺回路に使用される電源IC、トランジスタ、ダイオード、電流を検出するシャント抵抗器など汎用製品のラインアップも充実しています。

ローム ソリューション提案

Topics

SiC MOSFET 評価基板供給開始
最先端のSiC MOSFETと最適化されたゲートドライバを使い駆動回路や制御電源、保護回路などを含めたソリューション基板。

高耐圧パワーデバイス

SiC、IGBT＋

絶縁
ゲートドライバIC

SiC MOSFET(TO-247N)(BM6101FV-C)

挿入箇所

絶縁テクノロジ
ゲートドライバIC＋フライバック
電源IC

汎用製品

(BD7F200EFJ-LB)

電源IC/モータドライバ /トランジスタ/ダイオード/シャント抵抗器 etc.

SiC MOSFET(TO-247-4L)*
挿入箇所（*ドライブ用ソース端子を持つ4端子タイプ）

P02SCT3040KR-EVK-001
SC電気自動車へのSiC搭載メリット● インインバータ効タ効率改率改善善● 冷却冷 機構
機 の小小型、軽量軽 化

SiCを使用することで電費を3%〜8%改善

50kWh

46kWh

走行距離を維持したままバッテリ容量を削減

対 するロ ー ム の 取り組 み
ロームでは、電動車両に使用される主機インバータ、車載充電器、DC/DCコンバータなどのアプリケーションに注力しています。
今後、セットの更なる高効率化、高周波駆動による小型化、バッテリ電圧の高電圧化などのトレンドを鑑みると、SiCデバイスの搭載が加速していくと予想されます。ロームが誇る素材から製品までの垂直統合型生産体制で、高品質、安定供給を目指します。

SiC SBD
SiC MOSFET
Gate Driver IC
Shunt Resistor

SiC MOSFET
Gate Driver IC

Auxiliaries

12V

MotorUVW

SiC MOSFET
Gate Driver IC
Shunt Resistor

DC FastCharging
station

HV DC

HV. Battery
PTC
HeaterTransmission

IGBT
Gate Driver IC
Shunt Resistor

DC / DC
Converter
InverterHigh VoltagegeeComponents
tss

Air ConCompressor

On Board
ChargerAC

Wireless
Charger(secondary)

Wireless
Charger(ground)

SiC SBD
Shunt Resistor

SJ MOSFETSiC SBD
SiC MOSFET
SiC power module
Gate Driver ICShunt Resistor

SiC SBD
SiC MOSFET
SJ MOSFET
Gate Driver IC
Shunt Resistor

E V 専 用 ユ ニ ット ご と の ロ ー ム の 取 り 組 み

ON-BOARD CHARGER
オンボードチャージャ

オンボ ードチャージャ（ 車 載 充 電 器 ）は 交 流 電 圧 1 0 0 V 〜 2 4 0 Vをですす。
直 流 電 圧に変 換し、高 電 圧 バッテリに充 電 するため の A C / D Cコンバ ータです。
世 界 各 国 の 電 圧 に 対 応 するため 、オンボ ードチャージャの入 力 許 容 電 圧 は 8 5 V 〜 2 6 5 V 程 度となって います。
充 電 時 間 短 縮 の 市 場 ニ ー ズにあ わ せ 、急 速 充 電 規 格 の 電 圧 が 高くなり、バッテリ電 圧 も 高くなる傾 向にあります。そ れにともなってオンボ ードチャージャの 入 力 許 容 電 圧 も 高くなる傾 向にあり、ダイオードだけでなくM O S F E T も 含 め S i C 化 が 急 速に進 ん で います。

高電圧側
SiC SBD

AC LineSiC
SiC
C MOSFETMOSF
OSFETOS

SiC SBD

SiC MOSFETSiC SBD SiC SBD

SiC SBDAC

SiC MOSFET
SiC MOSFET
SiC MOSFET

Isolated
Gate
DriverIsolated
Gate
DriverIsolated
Gate
DriverIsolated
Gate
DriverIsolated
Gate
DriverIsolated
Gate
DriverMOSFET

Flyback Power Supply
Diode

Voltage
Regulator

LV
Battery

MOSFET SBD

MemoryMCU

Low
OhmicResistor
Op AmpComparator

低電圧側
Voltage Detector(Reset IC)

EV専用ECUで力を発揮するローム製品

Gate Driver

2,500Vrms 絶縁素子内蔵 絶縁ゲートドライバ

オールイン 1 パッケージ 絶縁ゲートドライバ
Low Voltage

High Voltage

業界最小*

従来構成から

BM61S40RFV-C
BM61S41RFV-C
BM61M41RFV-C

40％小型化 を実現

最先端のBiC-DMOSプロセスと独自のオンチップト
ランスフォーマプロセス技術を融合し、絶縁素子を内蔵しています。絶縁素子内蔵タイプとしては業界

高24V系の基板

マイコン

ノイズ耐量」「低消費電流」「遅延時間が短い」「温度特コント 絶 ドライバ
ローラ 縁 温度モニタ

絶縁ゲートドライバ

速遅延時間

ゲート

最小*パッケージを実現し、システムの小型化に貢献します。また、従来のフォトカプラ方式に比べて、「高高電圧系の基板65ns
SiC
MOSFETM

低消費電流フォトカプラ0.9mAに対し、消費電流22%削減

性」に優れており、保護機能や品質要求も兼ね備え、システムの高信頼化と設計負荷軽減にも貢献します。

*2019年10月ローム調べ

DC / DC CONVERTER
D C/D Cコンバータ

電 気 自 動 車 はエンジンにかわり、高 電 圧 バッテリとモ ータにより駆 動されます。
D C / D Cコンバ ータは 、そ の 高 電 圧 バッテリからパワー デ バイスをスイッチングしてトランスを使 い 直 流 低 電 圧 へ 変 換します。
低 電 圧 で 作 動 する電 子 回 路を保 護 するために、低 電 圧 基 板と高 電 圧 基 板をLow Voltage Battery

グ ランドも 信 号 も 全 て 電 気 的に分 離 することが 必 要 です。
また 、ロームが 提 案 するS i C M O S F E Tを使ったBatteriesLow Voltage ECU

D C / D Cコンバ ータシステムにより、
高 速 スイッチング 動 作を可 能にし、安 全 性を高 めな がら
Motor

小 型 化と高 性 能 化 が 実 現 できます。

HighVoltage

DC/DC CONVERTER

HVBattery

SiC MOSFET

Isolated
Gate Driver

SiC MOSFET

MOSFET

Isolated
Gate Driver

LVBattery
14V output

To car navigation
system,air conditioning,

SiC MOSFET

Isolated
Gate Driver

MOSFET

SiC MOSFETECU and so on.

Isolated
Gate Driver
TVS

Low
Ohmic
Resistor

Op AmpI solator

DriverCAN
Transceiver

MCU

VoltageRegulator

High Vol t age
MonitorMOSFET

Flyback Power SupplyMOSFET SBD

Low
Ohmic
Resistor

Diode

高電圧側
Memory

低電圧側
Op AmpComparator

Voltage Detector(Reset IC)

IGBT

絶縁ゲートバイポーラ トランジスタ
RGSシリーズ

幅広い高電圧・大電流アプリケーショ
ンの 高 効 率 化と省 エネ 化に貢 献 。

IPD

2ch ハイサイドインテリジェントパワーデバイス
マルチ電流制御機能

BV2HC045EFU-C
BV2HD045EFU-C

ヒューズやリレーの役割が変わり始めました。より安

ロームでは独自のトレンチゲート、薄心安全を実現するために低スイッウエハ技術により低VCE(sat)、IPDへの置き換えが加速し

チ ン グ 損 失 を 実 現 し て い ま す。ています。ロームのIPDはAEC-Q101に準拠したRGSシリーズ

単にヒューズやリレーから置き換えではなく、マルは、電動コンプレッサを始めさまざまチな電流制限や3モードのエラーフラグ機能などなユニットに最適なデバイスです。

システム全体の機能安全に貢献するデバイスです。

負荷電流
突入電流

ロームIPD

調整可能

無効時間

制限電流

調整可能

突入電流
定常電流

時間

E V 専 用 ユ ニ ット ご と の ロ ー ム の 取 り 組 みMAIN INVERTER
メインインバータ

メインインバ ータはバッテリに備 えられた 直 流 電 力を3 相 交 流 電 力に変 換し、モ ータを駆 動します。

従 来 のインバ ータ用 の パワー デ バイスは I G B Tとダイオードを組 み 合 わ せ たも の が 多く使 われて いますが 、Low Voltage Battery

より導 通 損 失とスイッチング 損 失を低 減させる

DC/DC Converter

S i C M O S F E T が 注 目されて います。
Low Voltage ECU

Batteries

MotorHighVoltage

MAIN INVERTER
HVBattery

LVBattery

Temperature Monitor IC

Isolated
Gate
DriverVoltage
Regulator

SiC
MOSFETCurrent
BufferIsolated
Gate
DriverSiC
MOSFETCurrent
BufferIsolated
Gate
DriverSiC
MOSFET

Current
BufferU
VW

MCU
MOSFET SBD

Low
Ohmic
Resistor

Isolated
Gate
DriverTVS

Current
BufferSiC
MOSFET

I solator

CAN
N
Transceiver

Isolated
Gate
Driver

Op AmpCurrent
BufferSiC
MOSFET

Isolated
Gate
DriverMotor

Current
BufferSiC
MOSFET

Current Sence

I solator

ResolverMOSFET

Flyback Power Supply
Diode

低電圧側
Memory

高電圧側
Op AmpComparator

Voltage Detector(Reset IC)

EV専用ECUで力を発揮するローム製品SHUNT R

LDO

シングルアウトプット 低飽和レギュレータ
40

車載ユニットの高機能化、高精度化にともない、マイコンやセンサに安定して電源を供給できるICが求められています。
ロームではバッテリ変動や外部ノイズに強いリニアレギュレータをラインアップしています。また自動車の省エネ化に貢献できる業界トップクラスの低暗電流レギュレータもラインアップしており、ご使用の環境にあわせて選んでいただくことが可能です。

回路電流（µA）

BD4xxMxシリーズ
BD7xxLxシリーズ
BD8xxMxシリーズ

シャント抵抗器

回路電流3030PSRシリーズ

206100従来品

BD7xxLxxシリーズ

ELECTRIC COMPRESSOR
電動コンプレッサ

電 気 自 動 車 では 、エアコン用 のコンプレッサ が 電 動になります。

モ ータの 効 率を上 げるために高 電 圧 が 使 われ、回 転を制 御 する
インバ ータも 高 耐 圧 、高 信 頼 性 、高 効 率 が 重 要になります。
ロームの 電 動コンプレッサ 向 け I G B T は 、短 絡 耐 量に優 れ 、さらに低 損 失を実 現した 高 性 能 デ バイスです。

MOSFET Diode

LV
Battery

HVBattery
IGBT

Flyback
Flb k
Power Supply

LDO
Regulator

Low
Ohmic
MOSFET SBD Resistor

Gate
Driver

IGBT
IGBT

Voltage
Regulator
MCU

Gate
Driver

IGBT

Motor

IGBT
TVS

CAN
N
Transceiver

IGBT

Gate
DriverIsolator

Op AmpLow
Ohmic
Resistor

高電圧側

低電圧側
Op AmpComparator

MemoryRESISTOR
高電力が必要となるユニッ

トの 電 流 検 出 用に最 適 な「高電力」「、超低抵抗」が特Voltage Detector(Reset IC)SCHOTTKYBARRIER DIODE

精密溶接技術と高機能合金で高電力化
抵抗体金属（Ni-Cr/Cu-Mn系高機能合金）

低VFシリーズ
超低IRシリーズ

MOSFET
40Vシリーズ
60Vシリーズ
100Vシリーズ長です。抵抗体と電極間の精密溶接技術により、低抵低V Fから低I Rまで選べる豊富な抗領域においても優れた抵ラインアップ。回路によって最適MOSFET。最新プロセスにより低な提案が可能です。

オン抵抗製品をラインアップ。

抗温度係数(TCR)を実現。

電極（Cu）

精密溶接部

電極（Cu）

モ ー タ駆 動 及 び 、各 種 駆 動 用ロームの車載関連カタログ
このパンフレットの他にも「オートモーティブ プロダクトカタログ」「パワーデバイスカタログ」もご用意しています。
パワーデバイスカタログ

オートモーティブプロダクトカタログ

ロームのパワーデバイス製品についロームグループの車載製品についてて詳しく記載しています。

詳しく記載しています。

SiCパワーデバイスを中心に高耐圧・クルマの進化とともに発展をとげる高効率の製品をまとめました。

エレクトロニクス化 の 歩 み の 中 で 、省エネ・CO 2 削減に貢献する次世代次世代のクルマ社会で欠くことのでの「エコデバイス」
をご覧ください。

きない製品など豊富なラインアップをまとめておりますので、ぜひご覧ください。

安 心・安 全な自動 車 社 会の創造に向けて

自動車向け機能安全規格「ISO 26262」の開発プロセス認証を取得〜最高水準の安全度（ASIL-D）
でのデバイス開発に対応可能〜
ロームは自動車向け製品において、車載専用ラインを構築し、品質マネジメントシステム「IATF 16949」
や電子部品の信頼性規格「AEC-Q100・101・200」に準拠した製品開発を進めてき「ISO 26262」の開発プロセス認証を第三者認証機関であるテュフ ラインランド（ドイツ）より取得しました。これにより、ロームました。そして2018年に自動車向けの機能安全規格であるまで対応可能と認められました。今後は、「ISO 26262」に準拠した開発プロセスを機能安全が求の車載向けデバイスの開発プロセスが、同規格の最高レベルの安全水準となる「ASIL-D」
自動車社会の安心安全に貢献していきます。
められる電源ICやタイミングコントローラICなどの製品に順次適用し、

1) 本資料の記載内容は 2019 年 10 月 1 日現在のものです。
2) 本資料の記載内容は改良などのため予告なく変更することがあります。
本製品のご使用に際しては、下記セールス･オフィスまで最新の仕様書をご請求の上、必ずご確認ください。
3) ロームは常に品質・信頼性の向上に取り組んでおりますが、半導体製品は種々の要因で故障・誤作動する可能性があります。
万が一、本製品が故障・誤作動した場合であっても、その影響により人身事故、火災損害等が起こらないようご使用機器でのディレーティング、冗長設計、延焼防止、バックアップ、フェイルセーフ等の安全確保をお願いします。
定格を超えたご使用や使用上の注意書が守られていない場合、いかなる責任もロームは負うものではありません。
4) 本資料に記載されております応用回路例やその定数などの情報につきましては、本製品の標準的な動作や使い方を説明するものです。
したがいまして、量産設計をされる場合には、外部諸条件を考慮していただきますようお願いいたします。
5) 本資料に記載されております技術情報は、製品の代表的動作および応用回路例などを示したものであり、ロームまたは他社の知的財産権その他のあらゆる権利について明示的にも黙示的にも、その実施または利用を許諾するものではありません。
上記技術情報の使用に起因して紛争が発生した場合、ロームはその責任を負うものではありません。
6) 本資料に掲載されております製品は、耐放射線設計はなされておりません。
7) 本製品を下記のような特に高い信頼性が要求される機器等に使用される際には、ロームへ必ずご連絡の上、承諾を得てください。
・ 輸送機器（車載、船舶、鉄道など）、幹線用通信機器、交通信号機器、防災・防犯装置、安全確保のための装置、医療機器、サーバー、太陽電池、送電システム
8) 本製品を極めて高い信頼性を要求される下記のような機器等には、使用しないでください。
・ 航空宇宙機器、原子力制御機器、海底中継機器
9) 本資料の記載に従わないために生じたいかなる事故、損害もロームはその責任を負うものではありません。
10) 本資料に記載されております情報は、正確を期すため慎重に作成したものですが、万が一、当該情報の誤り・誤植に起因する損害がお客様に生じた場合においても、ロームはその責任を負うものではありません。
11) 本製品のご使用に際しては、RoHS 指令など適用される環境関連法令を遵守の上ご使用ください。
本製品の RoHS 適合性などの詳細につきましては下記セールス･オフィスまでお問合せください。
お客様がかかる法令を遵守しないことにより生じた損害に関して、ロームは一切の責任を負いません。
12) 本製品および本資料に記載の技術を輸出又は国外へ提供する際には、「外国為替及び外国貿易法」「、米国輸出管理規則」など適用される輸出関連法令を遵守し、それらの定めにしたがって必要な手続を行ってください。
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R1089A横 浜(045)476-2121

京 都(075)365-1077

韓 国+82-2-8182-700

東 京(03)6280-0820

名古屋(052)589-9027

北 京+86-10-8525-2483

西東京(042)648-7821

上 海

仙 台(022)295-3011

深宇都宮(028)633-2271

香 港+852-2740-6262

水 戸(029)300-0585

台 湾+886-2-2500-6956

高 崎(027)310-7111

シンガポール+65-6436-5100

松 本(0263)34-8601

フィリピン+63-2-807-6872

Catalog No.62X7248J 01.2020 1500IS

タイ+66-2-254-4890

マレーシア+60-3-7931-8155+86-21-6072-8612

インド+91-80-4125-0811+86-755-8307-3008

ドイツ+49-2154-921-0

アメリカ+1-408-720-1900© 2020 ROHM Co., Ltd.