SiC MOSFET 模块(2合1)「Techno Block」series

FCA100AC120（100A/1200V）
FCA150AC120（150A/1200V）

用途▶ 工业用变频器▶ DC-DC变换器▶ 电动车充电器▶ 谐振电源特点

独自的封装「Techno Block※1」
和DioMOS※2技术的优势■ 小型■ 长期可靠性■ 导通电阻低，开关损耗低■ 温度变化小的导通电阻特性可抵抗热失控*1 小型，高散热封装的半导体模块，带有我们独特的双面焊接和一体注塑成型工艺■ 高频工作时具有较高抗噪能力的门极特性 ( VGS(th) : 4.0V )■ 顶级的短路容限，易于进行电路保护设计

*2 Panasonic Corporation 开发的具有续流二极管功能的 SiC MOSFET■ 无需外部FWD节省空间内置续流二极管功能导通电阻变化小

导通电阻温度特性（在25℃时标准化）    

其他公司的 SiC MOSFET

本产品

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T［℃］

    

无需外部FWD

SiC MOSFET Module (2 in 1)
FCA100/150AC120

Power semiconductor for Industry

最大额定除非另有说明一般 Tj＝25℃

项目额定值

条件

符号

单位漏极电压

VDSS

V漏极电流

ID

A100

电力流失Ptot

W

780

工作结温Tj℃-40 ～ ＋150

绝缘耐压VisoV

2500

FCA100AC120

FCA100AC120

FCA150AC120

150

VGS＝20V, Tc＝100℃

VGS＝20V, Tc＝90℃

1135

Tc＝25℃

Tc＝25℃

FCA150AC120

1200

AC 60Hz 1min

电气特性除非另有说明一般 Tj＝25℃
規格值项目

符号最小单位标准条件

最大FCA100/150AC120

FCA100AC FCA150AC FCA100AC FCA150AC FCA100AC FCA150AC FCA100AC FCA150AC

漏极导通电阻RDS（on）

漏极熔断电流IDSS

4.1

149.3

7.4

4.5

15

10200300μA

门极阈值电压VGS（th）

V

门极漏电流

IGSS

热阻

6.8mΩ

33

44

VGS＝20V

ID
ID＝100A ＝150A

VGS＝20V, Tj＝150℃
VDS＝1200V, VGS＝0V

ID
ID＝3mA ＝4.5mA

VDS＝10V

55nA

200

300

VGS=20V, VDS=0V

Rth（j-c） ℃/W

0.16

0.11

接合部 - 外壳间（每个素子）

∅ー∅ー  株式会社三社电机制作所

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