半 導 体 製 造 装 置 − イノ ベ ー シ ョン の絶え間ない半導体の進化が、情報・通信革命（IT革命）を牽引しています。 しかしながら、製造装置のワールドマーケットリーダー、東京エレクトロンは、世界の半導体メーカーが半導体のアプリケーションが広がり、産業の成長が加速する
これまでは、パーソナルコンピュータが半導体の市場拡大を牽引する主役でした。しかし、今や、コンピュータだけでなく、携帯電話、PDA、ゲーム機、DVDプレーヤーをはじめとする多くのデジタル製品に高性能、高機能の半導体が搭載されるようになり、産業の成長が加速されています。そして、私たちの想像を超える半導体のアプリケーションが今後続々と登場し、半導体需要はさらに拡大してゆくことでしょう。

熱処理装置

ウェーハプロセス装置のマーケットリーダー、不純物注入装置

東京エレクトロン
ウェーハプロセス装置は、シリコンでできたウェーハと呼薄膜形成装置

ばれる円形の基板に、主に化学反応や物理反応を利用して、極めて微細でしかも複数の層からなる回路を作り込むための高度なプロセスツールです。 このミクロの世界をウェーハ
プロセス装置

つかさどる様々な種類のウェーハプロセス装置も、大きくいくつかのグループに分けることができます。世界の多くの装置メーカーが主に単一プロダクトを提供する中、露光/回路形成装置

東京エレクトロンはマルチプロダクトサプライヤーとして幅広い製品群をとり揃え、それぞれの装置分野で世界のマーケットリーダーとなっています。

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TOKYO ELECTRON LIMITED

表面処理装置始 まり は こ こ か ら
その半導体を作る半導体製造装置の進化なくして、今日のIT革命はありえません。半導体
優れた半導体を作り出す基盤を提供し、このIT革命の進展に大きな貢献を果たしています。

半導体製造装置 ― 半導体産業の発展を支えるツール
半導体製造装置産業はエレクトロニクス産業、そしてさらに、エレクトロニクス産業を支える半導体産業にとって、極めて重要な役割を果たす産業です。情報・通信関連製品の頭脳は高性能半導体であり、この優れた頭脳は、優れたツール、半導体製造装置なくしてこの世に生み出されることはありません。つまり、これからますます進展するであろう情報通信革命を根底から支えるのは半導体製造装置の進化とも言えるのです。

半導体関連設備投資の多くを占めるウェーハプロセス装置
半導体製造装置は、半導体製造工程の前半部分で使われるウェーハプロセス装置と、後半部分で使われる検査及び組み立て装置に大きく分けることができます。1999年、ウェーハプロセス
装置に対する半導体メーカーの投資額は、半導体関連設備投資全体額330億ドルの約55％に至りました。東京エレクトロンが提供する装置の多くも、このウェーハプロセス装置です。製品はすでに世界ブランドとして世界中の半導体メーカーで採用されています。

半導体設備投資の内訳（当社推定）

RTP装置（枚葉熱処理）

電解メッキ装置
ステッパ/スキャナ

アッシング装置
洗浄装置

CMP装置（平坦化）TOKYO ELECTRON LIMITED

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メ ガト レ ンド が 半 導 体 製 造 装 置 需 要 を
半導体の世界で、今、3つの大きなテクノロジーの変化が同時に起きようとしています。
―の採用」です。これら3つのトレンドがもたらすもの、それは、リーディングエッジテクノ
エレクトロンは、ウェーハの300ミリ化、さらなる微細化、そしてLow-k材への移行に対応
1970
Calculator

1975

1980

1985

MainframeDesktop PC

アプリケーション

10µm
デザインルール（最小線幅）（1µm = 1000分の1ミリ）

3µm

0.8µmウェーハ口径

50mm

75mm

100mm

Front End of Line

Oxide

ゲート膜材料

Front End of Line

Oxide / Nitride

キャパシタ膜材料

Back End of Line
配線&層間絶縁膜材料

10125mm

Aluminum + Silicon Dioxide

チップあたりのコストを削減する
ウェーハの大口径化な好機と捉え、早くから300ミリ対応装置のラインアップを進めています。さらに半半導体のさらなる高集積化を実現する微細化

ウェーハサイズが大きくなると、1チップあ導体メーカーの300ミリウェーハへの移行

現在の半導体製造のデザインルール（最たりの製造コストが安くなります。これは、をあらゆる局面でサポートするために、新小線幅）は、30年前と比べておよそ100200ミリウェーハに比べて、300ミリウェープロセステクノロジーセンターを1998年に分の1。これにより、より小さく、より速ハは面積が広い分1枚当りのプロセスコス設立し、本格的300ミリ時代の到来に備えく、より高性能の半導体が誕生していまトがわずかに高くなるものの、より多くのて万全の体制を整えています。

す。また、デザインルールが小さくなれチップ（2倍以上）が採取できるからです。東ば半導体のサイズも小さくなり、その結京エレクトロンは、これを事業拡大の大き果、同じ1枚のウェーハからより多くの半TOKYO ELECTRON LIMITED

喚起する「ウェーハの300ミリ大口径化」、「微細化」、そして「新材料―銅と低誘電率材（Low-k材）ロジーを追求し続ける半導体メーカーからの最新の半導体製造装置への需要です。東京する準備を整え、世界の半導体メーカーに時代のソリューションを提供してまいります。
1990

1995

Notebook PC

Mobile phone

0.5µm

150mm

0.35µm2000

0.25µm

0.18µm

200mm

2005

0.13µm300mm

・低誘電率 (Low-k)材の採用という（ Cu）

クトロンは、微細化プロセスに直接的に高速半導体を実現する
新しい材料関わるコータ/デベロッパ、エッチング装0.13µm以降の世代になると、より処理速初頭に本格化します。 東京エレクトロン

置の世界におけるトップサプライヤーで度の速い半導体を実現する上でボトルネ

は、従来からトランジスタ工程に優れたあり、この微細化トレンドに対して、大変ックとなるのが信号遅延の問題です。これソリューションを提供してまいりましたが、優位な立場にあります。

を解決するのが新しい材料です。トランジ低誘電率（ Low-k ）材をスピン塗布する導体が採れることになります。東京エレ

二つのドラマティックな変化が2000年代

スタ工程(FEOL)のゲート膜/キャパシタ膜

SODコータをコアに、配線工程におけるに高誘電率（High-k、High-ε）材、そして統合ソリューションの提供にも取り組んで配線工程（BEOL）の配線・層間絶縁膜に銅います。

TOKYO ELECTRON LIMITED

11東 京 エ レ クト ロ ン の L O W -ｋ 用 ツ ー ル
統 合 ソ リュ ー シ ョン
半導体は、約18ヶ月ごとにチップ密度が2倍になるというムーアの法則に従って集積化
る こ と が 難 し く な って ま い り ま す。な ぜ な ら 信 号 遅 延 が 最 大 の ボト ル ネック とBreakthrough Technology

SOD 材料
3.5

誘 電 率

3.0

無機
有機

ハイブリッド2.5

無機ポーラス（多孔質材）

2.0

有機ポーラス
ハイブリッドポーラス

1.5

1999

2000

2001
年

12

TOKYO ELECTRON LIMITED

2002

2003

セット が 提 供 す る 配 線 プ ロ セ ス に お け るが進み、性能面で進化を続けてきました。しかし、今後は集積化だけで性能の向上を図なるからです。

有しており、これを半導体メーカーに提供

東京エレクトロンのLow-kテクノロジー・ソリューションしてまいります。その技術とはスピン塗布半導体の信号遅延対策の一つとして銅の方式。さらに低誘電率材塗布後のキュア配線材料への採用が始まりました。しかし（焼成）、エッチング、洗浄の各工程用のながら、銅単独では信号遅延の完璧な阻止装置をとり揃え、配線周りの統合ソリューは難しく、銅を取り囲む層間絶縁膜に低誘ションを提供いたします。

電率（Low-k）材を用いることではじめて東京エレクトロンは世界の様々な最先端完璧なソリューションが得られます。東京

SOD材料メーカーと長期的な提携関係をエレクトロンの開発したLow-k用ツールセ結ぶことにより、半導体メーカーが個々のットは、現状の量産対応レベルとしては最用途に最も適した材料で最適なソリューも低い誘電率の絶縁膜を形成する技術をションが得られる体制を整えています。

Low-k 材料
4.54.0TEOS (SiO2)

誘 電 率

3.5
HDP-FSG

OSG
3.0
2.5
SOD

2.0
エッチング装置• UNITY® Ver. IIe

キュア（焼成）炉• ALPHA (α)-8SE

1.5250

180

150

130

1007050

デザインルール (nm)

洗浄装置

• PR200Z

SODコータ• CLEAN TRACK ACT® 8 SOD
TOKYO ELECTRON LIMITED13