東京エレクトロン アニュアルレポート 2016

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17CONTENTS

ステークホルダーの皆さまへ

財務概況

事業概要

11年間の主要財務データ

中期経営計画・CEOインタビュー

連結貸借対照表

連結損益計算書部門別営業概況および事業展望

連結包括利益計算書

サステナビリティ

連結株主資本等変動計算書

会社情報

財務セクション

連結キャッシュ・フロー計算書

連結財務諸表注記

独立監査人の監査報告書

財務概況
損益状況の受注高、受注残高については、P18 に記載されているセグ技術、成膜技術、洗浄技術などのキーテクノロジーの開の効果もあり、当期純利益の増加率を上回る前期比 15.0%

グメント別の状況をご参照ください。

発に注力しました。

増加の 461.10 円となりました。

これまでの研究開発の成果として、先端パッケージン

当期の事業環境2016 年 3 月期の世界経済は、中国をはじめとする新興グ技術にも対応したコータ / デベロッパや、次世代微細化

売上総利益、販売費及び一般管理費、営業利益

包括利益

国の一部において経済成長に鈍化が見られたものの、全売上原価は前期比 7.1% 増加の 3,967 億円となりましたに対応した枚葉成膜装置などの新製品をリリースしまし

当期は、当期純利益が前期比 60 億円増加の 779 億円を体としては緩やかな回復を示しました。エレクトロニクが、売上高が 8.3% 伸長したため、売上原価率は前期からた。また、STT-MRAM* の製造などに用いられるスパッタ計上した一方で、日本のマイナス金利政策の影響によるス産業においては、モバイル端末の高機能化やクラウドリング装置 EXIM ™が複数顧客の開発ラインに導入され退職給付会計における割引率の減少により、退職給付にました。

係る調整累計額として 92 億円の損失、円高影響による為量やデータセンター向け CPU とメモリの需要が伸長しま0.6 ポイント低下の 59.8% となりました。売上総利益は前期比 10.1% 増加の 2,672 億円となり、売上総利益率は前期比 0.6 ポイント上昇の過去最高 40.2% となりました。

した。IoT（Internet of Things）時代の幕開けと 3 次元構

販売費及び一般管理費（販管費）は、主にアプライド マ造などの新しいメモリや先端ロジック半導体が牽引役とテリアルズとの経営統合契約の解約に伴う統合関連費用なり、半導体メーカーによる設備投資が実施され、当社がの減少により、前期比 2.7% 減少の 1,504 億円となりまし

参画する半導体製造装置市場は堅調に推移しました。薄た。売上高販管費比率は、前期の 25.2% から 22.6% に低新しいエッチング装置を市場投入しました。

価差額金 16 億円の損失などを計上した結果、包括利益は* STT-MRAM：Spin Transfer Torque-Magnetoresistive Random
Access Memory（低消費電力が期待できる磁気メモリ）

前期比 24.1% 減少の 610 億円となりました。
配当政策、当期配当金および自己株式取得

その他収益・費用および親会社株主に帰属する当期純利益円、営業利益率は前期の 14.4% から 17.6% へと上昇しましル向けが大きく増加し、全体としては伸長しました。

た。

売上の状況

研究開発費当もそれに応じて強化すべきと考え、配当性向を 2016 年取利息及び受取配当金 9 億円を計上しました。また、主な

3 月期より 35% から 50% に引き上げました。さらに安定配当の観点も考慮し、一株当たり通期 150 円という下限も設定しました *。

費用としては、TEL FSI, Inc. の事業計画を見直したことによるのれんなどの減損損失 97 億円、事業再編損失 22 億円

発費を積み増したことによるものです。対売上高比率に国内向け売上高は前期比 28.2% 増加の 1,218 億円、海外ついては、前期比 0.1 ポイント低下し 11.5% となりました。

向け売上高は前期比 4.6% 増加の 5,421 億円となり、売上当社は、高い技術力が成長の源泉であるとの考えのも高全体に占める海外向け売上高の比率は前期の 84.5% かと、中期経営計画の達成に向けた強い Next Generation

ら 81.7% に 2.8 ポイント低下しました。

Product を創出するべく、今後市場成長が見込まれる分野を中心に投資を行いました。半導体製造装置分野では、なりました。また、当期末の受注残高は 5.2% 増加の 3,111

さらなる微細化に必要なマルチパターニング、3 次元構造億円となりました。半導体製造装置および FPD 製造装置の NAND フラッシュメモリや新材料に対応するエッチン

国内および海外売上高

（億円）

（%）

（億円）

1,200

20

800

売上総利益

211,445

158,755

201,892

242,774

267,210

売上総利益率

33.4%

31.9%

33.0%

39.6%

40.2%

販売費及び一般管理費

151,002146,206

169,687

154,661

150,421

営業利益

60,443

12,54932,205

88,113

116,789

9.5%

2.5%

5.3%

14.4%

17.6%

税金等調整前当期純利益（損失）60,602

17,767(11,756)

86,828106,467

親会社株主に帰属する当期純利益（損失）36,726

6,076(19,409)71,88877,892

4,000

15

14.4
600

600

400
10

9.5

200

300

2,000012
왎 国内
왎 海外

13

1415

16

5

5.3
125

¥663,949

17.6
900

604

¥613,125

1,218¥612,170

5,181¥497,300

950¥633,091

4,505

売上高

1,616

2016

3,788

2015

1,185

2014

6,000

4,617

2013

親会社株主に帰属する
当期純利益（損失）

8,000

1,714

2012

営業利益および営業利益率（億円）百万円
損益状況* 2 期連続で当期利益を生まなかった場合は下限設定の見直しを検討します

利益は、自己株式の取得と消却（発行済株式総数の 8.53%）

6,331

なお、当期の受注高は前期比 2.8% 増加の 6,793 億円との 8.53%）を実施しました。

比 8.4% 増加の 779 億円となりました。一株当たり当期純1,168円となりました。

ました。加えて、自己株式の取得と消却（発行済株式総数加の 1,065 億円、親会社株主に帰属する当期純利益は前期

881

分野であるエッチング装置、成膜装置、洗浄装置に研究開

2.5322

販売が伸び、当期の売上高は前期比 8.3% 増加の 6,639 億

過去最高となる一株当たり 237 円（配当性向 51.4%）としこの結果、税金等調整前当期純利益は前期比 22.6% 増

5,421 6,639た。研究開発費の主な増加要因は、半導体製造装置の注力

これにより当期の年間配当金は、堅調な業績も反映し、額で 103 億円の費用（前期は 13 億円の費用）となりました。

6,131

え、パーツ販売と旧世代技術の需要増に伴った中古装置などを計上しました。これにより、その他収益・費用は純6,122

研究開発費は、前期比 6.9% 増加の 763 億円となりまし

4,973

当社の注力製品の顧客展開が順調に進捗したことに加0012왎 営業利益쎲 営業利益率779

パネル向け設備投資は減少となりましたが、中小型パネています。グローバルレベルの収益力実現を目指す中、配ばの土地、建物などの売却益 10 億円、為替差益 9 億円、受719

これらの結果、営業利益は前期比 32.5% 増加の 1,168 億

当社は、業績連動型の配当を株主還元の基本方針とし当期は、主な収益として、旧テクノロジーセンターつく

13141516-194下しました。

ディスプレイ（FPD）製造装置市場においては、大型液晶

営業利益率替換算調整勘定として 57 億円の損失、その他有価証券評

61

膜トランジスタ（TFT）アレイ工程向けフラットパネル

FPD 製造装置分野では、中小型の高精細パネル向けに、

367

サービスの発展により、端末一台当たりのメモリ搭載容

13140-200

121516東京エレクトロン アニュアルレポート 2016

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ステークホルダーの皆さまへ

事業概要

中期経営計画・CEOインタビュー

11年間の主要財務データ

財務概況

連結貸借対照表

連結損益計算書部門別営業概況および事業展望

連結包括利益計算書

サステナビリティ

連結株主資本等変動計算書

会社情報

財務セクション

連結キャッシュ・フロー計算書

連結財務諸表注記

独立監査人の監査報告書

財務概況
のれんなどの減損損失の計上により、前期比 9.4% 減少のセグメント別の状況■ その他

1,232 億円、セグメント利益率は前期の 23.6% から 20.1%となりました。

財政状態およびキャッシュ・フロー

事業撤退を発表した太陽光パネル製造装置事業につきましては、「 セグメント情報等の開示に関する会計基準 」

資産、負債及び純資産

スマートフォンの高機能化やデータセンター向けサー当期の受注高は前期比 0.1% 減少の 6,263 億円、期末のに定める重要性を満たさなくなったため、当期より報告■資産

バー需要を背景に、DRAM と NAND フラッシュメモリの受注残高は前期比 5.1% 増加の 2,737 億円となりました。

セグメントから除外し、「 その他 」の区分に含めて記載す

流動資産は、前期末に比べ 535 億円減少し 6,174 億円と需要は底堅く、特に DRAM メーカーによる先端ノードへ

当部門の営業概況については、P9 をご参照ください。

る方法に変更しています。以下の前年同期比較についてなりました。主な内容は、手元流動性（現金及び現金同等の設備投資が伸長しました。一方、電子機器需要が想定ほ* ALD（Atomic Layer Deposition）：原子レベルで一層ずつ膜を堆積さは、前年同期の数値を変更後のセグメント区分に組み替物に取得から満期日までが一年内の短期投資を加えたもど伸びず、ロジックメーカーとファウンドリの設備投資せる成膜手法** HARC（High Aspect Ratio Contact）工程：高度な加工技術を要する深穴形成工程

えた数値で比較しています。の）の減少 810 億円、前払費用及びその他流動資産の減少■ 半導体製造装置は抑制され、2015 年の半導体製造装置市場は、前年と同その他の売上は、上述の太陽光パネル製造装置関連の水準となりました。
■ FPD（フラットパネルディスプレイ）製造装置

このような状況のもと、当社が注力分野として位置づ

FPD 製造装置市場は、大型液晶パネル向けの設備投資けている成膜装置と洗浄装置の売上高が前期より増加しは減少しましたが、モバイル端末用中小型液晶パネル向ました。成膜装置はバッチ、セミバッチ装置ともに ALD*

部顧客に対する売上高は、前期比 49.3% 増加の 62 億円となりました。のような状況のもと、大型液晶パネル向けで優位性をも百万円

つ当社の ICP（誘導結合プラズマ）エッチング装置のシェ

2016:号機の売上も計上しました。

売上高

需要が高まり、売上高は前期より約 8% 増加しました。
これにより、当セグメントの外部顧客に対する売上高は前期比 6.4% 増加の 6,130 億円となりました。セグメン
ト利益については、TEL FSI, Inc. の事業計画見直しに伴う¥663,949

11,592

11,592(11,592)—

計613,033

44,687

17,821

675,541(11,592)

663,949

セグメント利益

123,163

4,747

2,036

129,946(23,479)

106,467

セグメント資産321,100

25,1862,134

348,420444,948

793,368

8,792

424

45

9,261

9,996

19,257

970

—

—

970

—

970

減損損失

9,711

—

—

9,711

16

9,727

有形固定資産及び無形固定資産の増加額

8,500

285

13

8,798

5,952

14,750

減価償却費
のれんの償却額

株主還元総額

総資産

（億円）

250

1,500（億円）
10,000

800

200

1,200

8,000

왎 販売費及び一般管理費
쎲 対売上高比率

6,000

600

4,000

15

1615162013 年 3月期の配当金 51 円には、創立50 周年記念配当 20 円が含まれています。

392

1401212
왎 配当金왎 自己株式取得額

2561490

1391

130

12

143

0300

13

14

15

¥663,949

（億円）
6,000

（倍）

6

5,000

4.9

4,000

4.9

5

3.6
4,510

2,000016—

運転資本および流動比率

143
50

50

16200

51
0

15900

¥

3,000

100

400

80

1,504

1,547

0

14150

20

10

13

763

600

22.6

500

12732

25.2

1,510

1,000

30

27.7
1,697

23.9

1,462

29.4

237（円）

1,000

713

（億円）

40

787

（%）

2,000

815

（億円）

1,447

一株当たり配当金¥ 6,229

—

1,055

研究開発費

¥44,687—

セグメント間の内部売上高又は振替高

調整額

3.9

3.7
4,514

技術力を有する装置メーカー認定の中古装置やパーツの¥613,033外部顧客への売上高

合計

4,981

がけるフィールドソリューション事業については、高いその他

4,14836.6% 増加の 447 億円となりました。セグメント利益は前期 13 億円の損失から 47 億円の黒字となり、セグメント利益率は 10.6% となりました。
当期の受注高は前期比 43.1% 増加の 505 億円、期末の受注残高は前期比 18.4% 増加の 374 億円となりました。
当部門の営業概況については、P9 をご参照ください。

連結財務諸表
計上額

製造装置

4,823

当セグメントの外部顧客に対する売上高は前期比

パーツ・中古装置の販売や改造・保守サービスなどを手FPD
半導体製造装置

7,934

は前期よりわずかながら減少となりました。

セグメント情報

テレビ用有機 EL パネル向けインクジェット描画装置の初8,762

ウンドリ向けの投資割合が減少した影響を受け、売上高ア向上も寄与し、販売が引き続き好調でした。また、大型

8,286

HARC工程**での採用が拡大した一方で、ロジックとファ報告セグメント

7,755グ装置については、先端パターニングや 3D NAND の7,836モリにおいて注力工程での採用が進みました。エッチン

販売費及び一般管理費および対売上高比率

務などの内部サービス関連業務の売上です。当部門の外けの投資が大きく増加し、全体としては伸長しました。こ

工程でのポジションが向上し、洗浄装置はロジックとメ1,50012 億円、たな卸資産の増加 195 億円、受取手形及び売掛金の増加 57 億円によるものです。なお、売上債権回転日数は前期の 66 日から 64 日に改善し、たな卸資産回転日数は前期の 105 日から 107 日にわずかに悪化しました。

売上に加え、当社グループの物流、施設管理および保険業

131415

3

2,000

2

1,000

1012416012왎 運転資本
쎲 流動比率13141516東京エレクトロン アニュアルレポート 2016

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ステークホルダーの皆さまへ

事業概要

中期経営計画・CEOインタビュー

11年間の主要財務データ

財務概況

連結貸借対照表連結損益計算書

部門別営業概況および事業展望

連結包括利益計算書

サステナビリティ

連結株主資本等変動計算書

会社情報

財務セクション

連結キャッシュ・フロー計算書

連結財務諸表注記

独立監査人の監査報告書

財務概況
有形固定資産は、新規取得分が 133 億円ありましたが、固定負債は、退職給付に係る負債 42 億円が増加、その減価償却費 193 億円と TEL FSI, Inc. に係る減損などによ他負債 33 億円が減少し、前期末に比べ 9 億円増加し、631り、純額で 106 億円減少の 963 億円となりました。

億円となりました。

投資その他の資産は、前期末から 187 億円減少し、796比べ 59 億円減少して 2,291 億円となりました。などに伴う無形固定資産の減少 100 億円、退職給付に係純資産は、前期末に比べ 769 億円減少し、5,642 億円とる資産の減少 72 億円、保有株式の売却などに伴う投資有なりました。主として、親会社株主に帰属する当期純利益

価証券の減少 40 億円です。

779 億円と配当金 330 億円（前期末配当 122 億円、当期中間配当 208 億円）の計上などによる利益剰余金の減少 612億円、退職給付に係る調整累計額の減少 96 億円、円高による為替換算調整勘定の減少 57 億円によるものです。
この結果、自己資本比率は前期から 2.1 ポイント低下し、70.9% となりました。また、自己資本当期純利益率（ROE）は前期の 11.8% から 13.0% に上昇しました。

これらの結果、総資産は前期末から 828 億円減少し、7,934 億円となりました。
■負債及び純資産
流動負債は、前期末に比べ 68 億円減少し、1,661 億円となりました。主として、前受金の減少などに伴う未払費用因となり、たな卸資産の増加 235 億円、法人税等の支払額

当期の設備投資額は、前期比 1.2% 増加の 133 億円とな154 億円、前受金の減少 150 億円がそれぞれキャッシュ・りました。主に、中期経営計画の達成に向け、半導体製造流動負債と固定負債を合わせた負債合計は、前期末に億円となりました。主な要因は、TEL FSI, Inc. の減損損失

設備投資額 * および減価償却費 **及びその他流動負債の減少 193 億円、製品保証引当金の減
少 18 億円、支払手形及び買掛金の減少 14 億円によるもの

フローの減少要因となりました。

装置事業において、高成長が期待できる重点分野を中心投資活動により獲得したキャッシュ・フローは、前期のにプロセス評価用機械装置、研究開発用機械装置などを1,557億円の収入に対して1,500億円の支出となりました。

取得しました。

主として、定期預金及び短期投資の純増加による支出1,410 億円、有形固定資産の取得による支出 113 億円によ

減価償却費は、低水準の設備投資の継続により、前期比7.8% 減少し 193 億円となりました。

るものです。
財務活動により支出したキャッシュ・フローは、主に、自* 設備投資額は有形固定資産の増加分を示しています** 減価償却費にはのれん償却額および減損損失は含まれていません

己株式の取得による支出 1,055 億円、配当金の支払 330 億円により、前期の 182 億円に対し 1,386 億円となりました。

キャッシュ・フロー

現金及び現金同等物の期末残高は、前期末に比べ 2,220

営業活動により獲得したキャッシュ・フローは、前期比億円減少し、956 億円となりました。なお、現金及び現金24 億円減少の 694 億円となりました。主な内容として、税金等調整前当期純利益 1,065 億円、減価償却費 193 億円、減損損失 97 億円がそれぞれキャッシュ・フローの増加要同等物に取得から満期日までが一年内の短期投資を加えた残高（手元流動性）は、前期末に比べ 810 億円減少し、2,367 億円となりました。

です。

百万円

百万円

2016

2012

2013

流動資産

¥607,051¥521,501¥621,492¥670,883¥617,416

2014

2015

2016

営業活動によるキャッシュ・フロー¥ 29,712¥ 84,267¥ 44,449¥ 71,806¥ 69,398

有形固定資産126,885

135,698

112,344

106,896

96,317

投資活動によるキャッシュ・フロー

(8,352)(141,769)(19,599)

155,738(150,014)(27,335)(10,625)(187)(18,214)(138,601)

158,776

85,314

104,797

317,632

95,638キャッシュ・フロー

投資その他資産49,675

118,329

94,756

98,375

79,635

財務活動によるキャッシュ・フロー

総資産783,611775,528

828,592

876,154793,368

現金及び現金同等物期末残高

流動負債

124,794

106,670

170,510

172,812

166,061

負債合計

185,008

170,401

237,978

234,991

229,129

純資産

598,603605,127590,614641,163564,239

（%）

（億円）

（億円）

15

15

400

3,500

14.1

11.8

6.3

566

64
2,000

25

200

7.7

77

50

2,000

5

1.0

0

2,500

10.5

10
50

3,000

300

193

10209

75

249

70.9

100

4.4

133

74

73.0

132

4,000

86

69.8

5,624

76.5

6,395

105

87

74.9

5,781

100

6,000

5,930

100

100

107

5,868

13.0

125

手元流動性（%）

266

（% ）
100

128

8,000

設備投資額および減価償却費

218（億円）150

ROA（総資産利益率）

395（日）

75

ROE（自己資本当期純利益率）

自己資本および自己資本比率242

売上債権回転日数およびたな卸資産回転日数

25

12

13

2,367

2015

3,1772014

2,681

2013

2,40120122,476

財政状態

1,500
1,000
500-3.3001213

쎲 売上債権回転日数쎲 たな卸資産回転日数141516012왎 自己資本쎲 自己資本比率

131415161.8-5001213141516

ROE＝親会社株主に帰属する当期純利益（損失）/期首・期末平均自己資本 × 100

1213141516ROA＝（営業損益＋受取利息および受取配当金）/
期首・期末平均総資産 × 100

012왎 設備投資額
왎 減価償却費

13141516141516

手元流動性＝現金及び現金同等物に取得から満期日までが一年内の短期投資を加えた残高

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11年間の主要財務データ

中期経営計画・CEOインタビュー

連結貸借対照表

連結損益計算書

連結包括利益計算書

部門別営業概況および事業展望

連結株主資本等変動計算書

サステナビリティ連結キャッシュ・フロー計算書

財務セクション

連結財務諸表注記

会社情報

独立監査人の監査報告書

財務概況
事業等のリスク（3）研究開発による影響（6）知的財産権に関する影響（9）重要な訴訟等に関するリスク

当社は、微細加工技術、真空技術、プラズマ技術、熱処理

当社は、製品の差別化と競争力強化のために、最先端技

当社は、現在においてその業績に重要な影響を与えう

当社の経営成績、財務状況及び当社株価等に影響を及ぼ

技術、塗布・現像技術、洗浄技術、ウェーハ搬送技術、ク術早期開発のための研究開発戦略を事業戦略及び知的財る訴訟等に関与しておりませんが、当社の事業活動等がす可能性のあるリスクには以下のようなものがあります。

リーン化技術等の最先端技術について積極的な研究開発

産戦略と三位一体で推進することにより、多くの独自技今後重要な訴訟等 の対象となり、その結果によっては当投資及び研究開発活動を継続的に実施することにより、術の専有化を可能とし、各製品分野における高い市場社業績に悪影響を及ぼす可能性があります。

最先端の技術を創造するとともに、当該技術を搭載したシェアと利益率の確保に成功してきました。しかしなが当社は、技術革新が激しく自らの強みを発揮できる半新製品を早期市場投入することによって当社が参入するら、当社の製品は多くの最先端技術が統合・最適化された導体製造装置等のハイテク分野に資源を集中させること各製品分野において上位の市場シェアと高い利益率の獲製品であることもあり、第三者の技術や特許その他の知当社は、新たな高成長・高収益事業の創出、既存事業ににより、高い利益率を獲得してきました。半導体市場は技得に成功してきました。しかしながら、新製品投入タイミ的財産権を使用する上で制約される場合等があるため、おける更なる高収益の追求、市場規模縮小時においても術の変化により大幅に成長する反面、需給バランスが崩ングのずれ等の影響により当社業績に悪影響を及ぼす可当社業績に悪影響を及ぼす可能性があります。

利益を生み出すことのできる体質への改善に積極的に取れることによって市場規模が一時的に縮小することがあ能性があります。

（1）半導体市場変動による影響せるように構造改革にも積極的に取り組んできました。

り組むとともに、環境保全活動の推進、コンプライアンス（7）外国為替変動による影響るため、当社はこのような局面においても利益を生み出（4）安全に関する影響（10）その他リスクやリスク管理体制及び情報セキュリティ管理体制の再整

当社は、事業の積極的な海外展開に成功したことにより、備にも取り組んできました。しかしながら、当社が事業をしかしながら、予期せぬ市場規模の大幅な縮小によって、当社は、開発・製造・販売・サービス・管理等の各種業海外への売上高比率が高くなっております。当社の輸出は遂行する限りにおいては、同業他社及び他業種企業と同受注取消、過剰設備・人員、在庫増加、顧客の財務状況悪務の遂行において安全や健康に対する配慮を常に念頭に為替リスクを回避するために円建て取引にて行うことを原様に、世界及び各地域における経済環境、自然災害、戦争、化による貸倒損失、仕入先の経営状態悪化による供給不おいて行動するという基本理念のもと、当社製品の安全則としておりますが、一部外貨建て輸出も存在し、その場合テロ、感染症等の不可抗力、金融・株式市場、政府等によ足等が発生する場合には、当社業績に少なからず悪影響性向上や健康影響排除のために積極的かつ継続的に努力には受注時の先物為替予約等によって為替リスクヘッジにる規制、仕入先の供給体制、商品・不動産市況、国内外でを及ぼす可能性があります。

しております。しかしながら、当社製品に関連する安全性努めております。しかしながら、急激な為替変動によって価の人材確保、標準規格化競争、重要人材の喪失等の影響を等の問題により、顧客への損害発生、受注取消等が発生し格の変動が生じ為替リスクとなることがあり、当社業績に受け、場合によっては当社業績に悪影響を及ぼすことがた場合、当社業績に悪影響を及ぼす可能性があります。

間接的に悪影響を及ぼす可能性があります。

想定されます。

（5）品質に関する影響（8）企業買収による影響（2）特定顧客への取引集中による影響
当社は、優れた最先端技術を搭載した製品及び顧客満足度の高いサービス体制を通じて、国内の大手半導体メーカーを含む、世界中の主要な大手半導体メーカーと当社は、優れた最先端技術を積極的に開発し新製品に当社は、事業戦略の一環として、新たな事業領域への進の取引拡大に成功してきました。大手半導体メーカーの搭載し早期に市場に投入すると同時に、ISO9001 の認証

出、新技術・ビジネス基盤の獲得、既存事業の競争力強化

大規模設備投資のタイミングによっては売上高が特定の取得を含む品質保証体制の確立、及びレベルの高いサーなどを目的とした企業買収を実施することがあります。

顧客に一時的に集中することがあり、販売競争の激化にビス体制の確立にも努め、その結果、当社の製品を多くの具体的な実施にあたっては入念な調査・検討を行っておよって当社業績に悪影響を及ぼす可能性があります。

顧客に採用していただくことができました。しかしながります。しかしながら、買収後に当初期待した成果が十分ら、当社の製品が最先端技術製品である等の原因によっに得られなかった場合には、当社業績に悪影響を及ぼすて、未知の分野の開発技術も多く存在し、予期せぬ不具合可能性があります。

品が発生する等により当社業績に悪影響を及ぼす可能性があります。