Proceedings of the 7th Annual Meeting of Particle Accelerator Society of Japan (August 4-6, 2010, Himeji, Japan)

RF SYSTEM FOR SUPERKEKBKazunori Akai, Tetsuo Abe, Kiyokazu Ebihara, Masaaki Ono, Tatsuya Kageyama, Atsushi Kabe, Hiroshi Sakai,
Susumu Takano, Yasunao Takeuchi, Kota Nakanishi, Michiru Nishiwaki, Takaaki Furuya, Katsumi Marutsuka,
Shinji Mitsunobu, Yoshiyuki Morita, Masato Yoshida, Kazuo Yoshino, Shin-ichi YoshimotoHigh Energy Accelerator Research Organization (KEK)
1-1 Oho, Tsukuba, Ibaraki, 305-0801, Japan

Abstract
The operation of present KEKB ended in June 30, 2010, and the upgrade project started. Final goal of the upgrade,SuperKEKB, targets 40 times higher luminosity, based on the nano-beam scheme with twice beam currents in the LERand HER. To increase the beam current and beam power, the KEKB RF system needs to be modified and improved.
The ARES cavities will be rearranged and more klystrons be added so that more beam power can be provided by thecavities. Various RF components such as HOM dampers, input couplers as well as low-level RF control system are tobe improved to cope with the increased beam current.

SuperKEKB の高周波システム
空洞、そしてこれらの空洞に RF を供給するハイパ
ワーRF システム (HPRF) とローレベル RF 制御シス
テム(LLRF) から構成されている[5]。
電子・陽電子非対称エネルギー衝突型加速器
ARES 空洞は、加速空洞に電磁場エネルギー貯蔵
KEKB は、1998 年 12 月のコミッショニング開始以
空洞を結合空洞経由で共鳴的に結合させた
π/2 モー
来これまで運転を続け、大量の B 中間子対を生成し[6][7]。図１に現行
ARES
空洞の構ド三空洞系であるてきた。ピークルミノシティは設計値の２倍を超え
34-2 -1-1造、及び等価な連成振子系を示す。加速・貯蔵の二て 2.1x10 cm s に、積分ルミノシティは 1040 fbに、それぞれ達した[1, 2]。これらはいずれも世界最高 空洞間の電磁場振幅・位相の相対関係は所謂π/2記録である。現行 KEKB はプロジェクトの目的を達 モード安定化機構のお陰で加速空洞に対する大電流成し、2010 年 6 月 30 日に 11 年半におよぶ運転を終 ビーム負荷由来の一次の摂動を受けない。大型円筒了して、衝突性能をさらに高めるための高度化の改 （内径 1.1m 軸長 1.2m ）の貯蔵空洞は低損失高Ｑ値なる TE013 モードにて電磁場エネルギーを貯え、造に着手した[3]。
所謂、原動機の回転を安定化させる「はずみ車」の高度化の最終目標である SuperKEKB はナノビーム方式を採用し、衝突点ビームサイズを 50~60nm 如く機能する。
加速空洞の上下各側面に２本ずつ、計４本の高次まで絞り（ KEKB は 1μm ）、かつビーム電流をモー ド 減 衰 用 の 扁 平 矩 形 導 波 管 （ 図 １ の HOM
KEKB の２倍に増強することで、KEKB の到達した
35-2 -1WG）、そして軸方向前後の両端板各々には上下にルミノシティの 40 倍、8x10 cm s を目指す。リン
溝を配した溝付ビームパイプ(Grooved Beam Pipe)
グの大規模な改造と入射器の増強を行うほか、入射が備えられている。各矩形導波管終端部には２本の陽電子ビームのエミッタンスを下げるためのダンピ
砲弾形炭化ケイ素電波吸収体が、溝付ビームパイプ
ングリングを新設する[4]。
RF システムは SuperKEKB に向けて、ARES 空洞、 においては各溝に８枚の炭化ケイ素タイルがそれぞ[8]
超伝導空洞 (SC)、クライストロンおよび電源など、 れ配置され、高次モードパワーを吸収する 。

1.

はじめにKEKB の既存の機器を可能な限り再利用しつつ、ビーム電流の倍増をはじめとする、新しいビームパラメータからの諸要求を満たすために必要な改造を行う。本論文では、まず KEKB の RF システムについて簡単にまとめ、次に SuperKEKB のためのシステム改造および機器の改良について述べる。

2.

KEKB-RF システム

2.1システム構成

KEKB の高周波システムは 32 台の ARES 型常伝導加速空洞（陽電子リング(LER)に 20 台、電子リング(HER)に 12 台）および HER 用 8 台の超伝導加速-177-

図１： ARES 空洞構造系と等価な連成振子系

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KEKB 超伝導空洞は大電流用に開発したシングルセルのニオブ製空洞である [9] （図２）。片側のビームパイプ径は 300φの大口径であり（他方は 220φ）、最低次のダイポールモード周波数よりも低いカットオフを持ち、このモードを含めてすべての寄生モードが両側のビームパイプから取り出される。
ビームパイプには、フェライト粉末を銅のパイプに高温高圧で焼結（ HIP 製法）させた HOM 吸収体が装着され、高次モードパワーを吸収する。

空洞を含めた RF システムに問題ないことを確認した。HER は RF ステーションを増強して、設計値1.1A を超えて最大 1.4A まで蓄積した。KEKB 超伝導空洞は、超伝導空洞としては世界最高の蓄積ビー
ム電流およびビームパワーである。この高い性能と安定な運転実績が評価され、KEKB 型超伝導空洞は中国 BEPC-II に導入されたほか、台湾放射光リングの改造計画においても導入されることが決定した。
表 1 ： RF 関連主要パラメータの KEKB 運転実績
Beam energy
Beam current
RF frequency
Operating voltage
Cavity type
Number of cavities
Number of klystrons
Operating voltage/cavity
Max. voltage /cavity
Total beam power
Beam power /cavity
HOM power /cavity

図２： KEKB 超伝導加速空洞

GeVAMHzMV

LER
3.52.0MV

8.0
ARES20100.4

MWMWkWkW0.553.3170~6HER8.01.4508.887
13-15ARESSC128780.31
1.20.475>2.25.0170380~15

ARES 空洞は貯蔵空洞と結合することで、また超3. SuperKEKB の RF システム構成
伝導空洞は高い運転電圧によって、いずれも空洞内に高い電磁場エネルギーが貯蔵される。これにより、
3.1 ビームパラメータからの要求ビーム負荷のリアクティブ成分を補償するための離RF に関係する主要なビームパラメータについて、調周波数が、PEP-II 等で使用された通常の常伝導空KEKBの Physics Run での実績と SuperKEKB の設計洞に比較して一桁程度に減少し、加速モードに起因値との比較を表２に示す。ビーム電流はLER 3.6A、する -1 モード縦方向結合バンチ不安定が十分に抑HER
2.6A
で、いずれもKEKBの約２倍である。ま制される。
HPRF と LLRF は TRISTAN 加速器の機器を受け た、LER のビームパワーが約 9MW と、KEKB の３継いだものをベースにして、クライストロンのア 倍増となる。HER のビームパワーは LER よりは低ノードネガティブスパイク現象の原因究明と対策 [10]、 いが、KEKB に比較すると大きい。一方、要求されクライストロン電源のノイズによるクローバー回路 る RF 電圧は KEKB と同程度か、あるいはむしろ低誤動作への対策、ビーム負荷に対する制御性の向上 い。これらの結果、以下に述べるように、ビーム負荷に起因する諸問題への対応が必要となる。
や保護機構の改良[11]など、各種の改良を行った。
2.2

表 2 ： SuperKEKB の主要ビームパラメータ

運転状況

1998 年の加速器コミッショニング開始以来２~３年程度の運転初期には、ビーム電流を次第に高めていく過程で、主として放射光やウェーク電磁場に起因するいくつかの問題が発生した。放電や発熱等の発生箇所の改良、インターロックやビームアボート等の保護機構の改良などを行った結果、2002 年頃か
らは重大なトラブルは少なくなった [12] 。その後もビーム電流をさらに高め、LER 1.6~1.8A、HER 1.1~1.4A で物理ランのための運転を長期間安定に続けた。2006 年頃以降の統計によると、RF システムが原因のビームアボートの発生頻度は１日あたり平均１回程度と、システム全体として良好な安定性を示している[13]。
表１に RF 関係主要パラメータの KEKB での運転実績を示す。LER は電子雲によるビームサイズ増大のため通常 1.8A 以下で運転してきたが、加速器スタディでは最大 2A まで蓄積試験を行ない、ARES

Parameterunit

Beam energy
ε_xβ_y*Beam current
Beam power
RF voltage
Bunch length
Luminosity

GeV
nm
mm
AMWMV
mm/nb/s

3.2

KEKB(Physics Run)
LER
HER
3.58.018245.9
5.9
1.81.43.55.08.0
13.0
7721

SuperKEKB(Design)
LER
HER
4.0
7.0
3.2
5.0
0.27
0.31
3.6
2.6
9.3
6.5
9.6
12.0
65800

ARES 空洞の 1 対 1 化、RF ステーション増設
および配置変更

低い RF 電圧で高いビームパワーを供給する場合、各空洞でビーム負荷に整合させるための最適な入力結合度が大きくなる。現在の ARES 空洞の入力結合-178-

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度は最大β=3 程度であるが、KEKB の RF システム イストロンが空洞２台をドライブしているが、空洞をそのまま使用する場合には、β=10 程度への変更 １台をドライブするシステムに変更することで、各が必要になる。しかし、電磁場計算や熱計算の結果、 空洞からビームに供給されるパワーが 200kW からこれは実現困難であることがわかった。
550kW 程度に増加する。このため、クライストロン
KEKB で使用しているクライストロンの最大定格 および HPRF、LLRF から構成される地上部 RF ス
は 1.2MW であるが、出力 800kW 程度での運転を想 テーションを増設するとともに、一部の ARES 空洞定している。その理由は、(1) 現在のクライストロ を撤去する。また、現在 HER 用の大穂ステーショ
ン電源を改造せずに使用できる、(2) 導波管やサー ンの内、半数にあたる ARES 空洞 6 台分を移設してキュレータ等のハイパワーシステムも基本的に現在 LER 用に転化する。クライストロンと１：１化するのものが使用できる、(3) クライストロンの飽和領 ARES 空洞の入力結合度はβ=6 程度に高める必要が域に対して余裕を持ち、大電流ビーム負荷のもとで、 あるが、これについては後述する。
安定な制御性を確保するためである。
なお、これらの改造のうち一部は、ビーム運転開
これらの点を考慮し、SuperKEKB に最適化した 始後に行うことを想定している。各直線部のクライRF システムとするために、ARES 空洞の RF ステー ストロン本数と空洞台数について、建設期間中の配ションについては、大幅な配置換えを含むシステム 置変更の概要および SuperKEKB 運転開始時と最終変更を行う。KEKB では一部例外を除いて、各クラ 形の計画を表３にまとめた。
表 3 ： RF ステーション増強と配置変更（クライストロン本数／空洞台数： S は超伝導空洞）
設置場所
直線部
大穂

側室
D4
D5
D7
富士
D8
D11
日光
Total (ARES)
D10
日光
D11Total (SC)
最大電流 (注 1)

KEKB
LER

HER
3/6
4/6

5/10
5/10
10/20

7/12
4/4S
4/4S
8/8S

add 3 klystrons
add 2 klystrons, convert from HER to LER
remove 2 ARES
remove 2 ARES

SuperKEKB
運転開始時LER
HER
6/6
6/6
5/8
5/8

add 5 klystrons in total, remove 4 ARES in total

16/22

建設期間中の配置変更

3.0 A

6/6
4/4S
4/4S
8/8S
2.6 A

SuperKEKB
最終形
LER
HER
6/6
6/6
6/8
6/8
(注 2)
18/22
6/6
4/4S
4/4S
8/8S
3.6 A
2.6 A

（注 1 ）クライストロン１台あたりビームに供給する最大パワーを ARES 1:1 ステーションは 550kW、1:2ステーションは 400kW、SCC は 400kW として、最大電流の目安とした。
（注 2 ） LER または HER で設計値を超えるビーム電流が必要になった場合、オプションとして D11 にARES 空洞 2 ステーションの増設が可能である。
クトル和としての全 RF 電圧を低くすることができ3.3 超伝導空洞の逆転位相運転る。なお、ビームパワーは正位相、逆位相を問わずナノビーム設計は当初、HER の水平方向エミッタ 全空洞で均等に負担するので、高いビームパワーをンスを 2nm 程度まで絞ることとし、オプティクスか 供給できる。
ら要求される RF 電圧が KEKB の半分、約 6MV 程2009 年度の運転でビームスタディを行ない、この度であった。一方、ビームエネルギーは KEKB と同 方式を検証した。まず、RF 電圧やビーム負荷が原
じ 8.0GeV で、HER のビームパワーが約 9MW と高 理通りであることを、バンチ長、シンクロトロンかった。この結果、超伝導空洞の運転電圧が空洞当 チューン、ビームパワーの測定によって確認した。
たり 0.5MV 程度と非常に低く、大きな問題を抱えて 次に、大電流を蓄積した状態で１台の空洞をトリッいた。第一に、離調周波数が周回周波数と同程度に プさせる実験を行った。この目的は、ビーム負荷の大きくなるので、加速モードに起因する -1 モード トランジェントな変動が逆転位相空洞の電圧を上昇不安定が深刻である。この問題の解決が KEKB での させ、クエンチを引き起こす可能性があるので、そARES 空洞や超伝導空洞の採用の本質であったが、 の挙動を観測するためである。測定結果は計算によ
この不安定を抑えられないのでは、その意味がなく る予測と一致した[14]。SuperKEKB ではこの電圧変動なる。第二に、入力カプラーの空洞への突き出し量 が 0.3MV 程度であり、許容範囲である。最後に、逆を大きくして、負荷 Q 値を 1x104 程度と、現在の 5 転位相運転の状態で通常の物理ランを 6 日間行い、分の 1 程度に下げる必要が生じる。交換作業にとも 問題なく、安定に運転できることを確認した。逆転なう空洞表面の汚染などのリスクがある。
位相空洞のビーム供給パワーは、ビーム電流 1.2A
そこで、逆転位相運転の導入を検討した。図３の のとき 300k Ｗであった。
ように、一部の空洞の位相を他の空洞に対して、平なお、最近のナノビーム設計の進展により、RF衡位相角φs の２倍ずらして (reverse phase) 運転す 電圧が 12MV と高くなったこと、およびビームエネることで、各空洞の運転電圧は高く保持しつつ、ベ ルギーが 7GeV に下がりビームパワーが減少したこ-179-

Proceedings of the 7th Annual Meeting of Particle Accelerator Society of Japan (August 4-6, 2010, Himeji, Japan)とにより、現在の設計パラメータでは、逆転位相運 ルチパクタ放電（カプラ 32 台中 2 台においてマル転は必要なくなった。しかし、この運転方式が実現 チパクタ放電により給電電力が制限される事例が可能であることを検証したので、オプションとして、 あった）を完全に抑制すべく、外導体内面に微細な必要に応じて随時導入できる。
溝を周方向に切る改造である [17]。第二は、空洞あたりのビームパワー550 kW に対応すべく、カプラ結合度の現行値 3 強から最大 6 への増強である。昨年度、結合ループの高さを 17 ミリから 60 ミリに延長して最大結合度 8 とした結合度増強型カプラを製造した。当該カプラは、上記テストスタンドでの給電電力 800 kW までの RF コンディショニングの後、D5C ステーション（既に１対１化済み）の ARES空洞に結合度 6.4 （冷間時）にて取り付けられた。
そして、１ヶ月余りの入念なるビームコンディショニングを経て、空洞電圧 0.47MV （ Pc = 130 kW ）にてビームへの供給電力 640 kW、カプラ１台での
図３：逆転位相運転のベクトル図
給電電力 770 kW の実証運転に成功した。現在、当該カプラをベースに量産にむけての細部の詰めを進
4. RF 機器の改造めている[18]。
4.1ARES 空洞

表４： ARES 空洞の HOM 吸収電力実績値、予想値
及び許容値

加速空洞に対する貯蔵空洞のエネルギー比 US /UAKEKB
Super許容は、結合空洞両側の磁気誘導結合孔の大きさを調整
実績
KEKB値することにより変更できる。ナノビーム方式を採用
Beamcurrent(A)
1.6
3.6する以前の大電流ビーム方式においては、10 A 近
Number of bunches
12932503
いビームの下で加速モード起因の結合バンチ不安定
Bunch length (mm)76を抑制すべく、エネルギー比 US /UA を現行 ARES 空
Lossfactor/cavity(V/pC)
0.40
0.44
洞の 9 から約 15 まで増やす案が検討された[15]。しHOM power /cavity (kW)5.4†
17かし、ナノビーム方式に替わり、現行のままでも、HOM power /WG (kW)
1.05†
3.3
5.0
加速モード（π/2 モード）に起因する結合バンチ不HOM power /groove (kW)
0.3†
0.93
1.0
安定、そして加速モード両側にほぼ左右対称に位置 † calorimetric measurement
する二つの寄生モード（ 0 モードとπモード。両モードとも結合空洞に備えられた減衰器により負荷Ｑ値 100 あたりまで減衰済）のインピーダンス不均 4.2 超伝導空洞
衡に起因する結合バンチ不安定 [15]についても、前者
SuperKEKB ではビーム電流が２倍に増え、かつバは RF フィードバック系、後者は Bunch-by-Bunch ンチ長が 6mm から 5mm と短くなるため、空洞内でフィードバック系の併用で、抑制可能となる。
発生する HOM パワーは KEKB 運転時の 2 倍以上の導波管および溝付きビームパイプの、二種類の高 32kW になる。さらに、フェライト吸収体自身のロ次モード減衰器について、吸収電力に係わる実績 スファクタによる発熱も加わり、小口径ダンパーは（ KEKB LER ）、予想値（ SuperKEKB LER ）、及 20kW、大口径ダンパーは 26kW もの HOM パワーをび許容値（テストスタンド実験に基づく）を表４に 吸収する必要がある。そこで、フェライト表面の温まとめた。空洞１台あたりの吸収電力は KEKB では 度上昇と、それに伴うガス放出が問題となる。フェ
6 kW 弱であったが、SuperKEKB では約 17 kW と、 ライトは熱伝導率が小さく、26kW のパワー吸収時およそ３倍に増える。直接冷却方式の砲弾形吸収体 に表面温度は 180℃に達する。放出されたガスは空を使用している矩形導波管については、導波管あた 洞表面に凝縮、付着して、放電を起こす頻度が高くりの許容値 5.0 kW に対して予想値は 3.3 kW と余 なる。安定な運転を行うためにフェライト表面温度裕がある。一方、間接冷却方式のタイルを配した溝 を下げることが重要であり、１）フェライトの厚さ付ビームパイプについては、溝当たりの許容値 1.0 をこれまでの 4mm から 3mm に薄くして、熱伝導性kW に対して 0.93 kW と余裕は１割弱である。将来 を良くする、２）冷却水路の銅パイプを 2 重の構造の電流増に備えて、現行溝付ビームパイプを直接冷 にして冷却効率を上げるなどの改良を行っている。
却方式の砲弾形吸収体を溝に装填した翼形チェン 2006 年より新型ダンパーの試作を行い、2009 年にバー[15]に換装する方向で開発が進められている[16]。
は 3mm 厚フェライト、2 重冷却構造の SuperKEKB
今回の高度化計画で最も厳しい性能増強が求めら 用 HOM ダンパー1 セットが完成した[14]。現在、ハれるのは入力カプラである。現行カプラについては、 イパワー吸収試験を行い、その性能評価を行ってい地上テストスタンドにおいて 800kW 以上の給電性 る。図４に試作した大口径フェライトダンパーを示能が既に確認されているが、高度化に向けてさらに す。
二つの改造を施した。第一は、同軸の直管部でのマ
入力カプラーについては、ビームに供給する RF-180-

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パワーが 400kW と、KEKB の通常運転より 1~2 割程度増えるが、最大 400kW でのビーム運転実績もある。マルチパクティング放電、ドアノブ変換器の温度上昇などについても、特に問題なく、このパワーでの運転に十分対応できる[19]。

したがって、両システムの RF ステーションが共存してビーム運転が可能となるよう、また新システムへの更新がスムースに行えるよう、外部との信号接続等において既存システムとの互換性にも配慮した設計を行った。
4.4

ダンピングリング用 RF

陽電子ダンピングリングは周長 135m で、バンチ当たり最大 8nC の陽電子が 4 バンチ蓄積される。
ビーム電流 70.8mA、ビームパワーは高々10kW 程度であり、RF 源や HPRF、LLRF の各機器は、メインリング用のものが使用可能である。コヒーレントシ
ンクロトロン放射による microwave instability を回避するために、周回エネルギー損失よりかなり高いRF 電圧が必要とされており、パラメータや加速空洞について現在検討が進められている。
図４：試作が完了した SuperKEKB 用 3mm 厚フェラ
イト大口径 HOM ダンパー

5.

このほか、SuperKEKB に向けて、横型高圧水洗装置の開発や新規電界研磨設備の導入などを行っている。横型高圧水洗装置は、長期間運転や真空作業時のトラブルによって導入される塵などによる空洞性能劣化を回復させるために、空洞をクライオスタット内に装着されたままで高圧水洗を行う装置である[20]。新規電界研磨設備は、老朽化した既存設備に代えて KEK 内に建設した。試験空洞を用いた試験研磨が進行中であり、空洞の性能測定試験を行って、電界研磨装置の健全性を確認する予定である。

KEKB の RF システムは、大電流ビーム加速器用に開発した ARES 空洞と超伝導空洞を用いて、長期間安定に稼働した。SuperKEKB では両リングともKEKB の２倍のビーム電流、そして LER では３倍のビームパワーが要求される。地上部 RF ステーションの増設と ARES 空洞の配置変更および入力カプラーの改造により、ビームパワーを増大させる。また、ARES 空洞と超伝導空洞の HOM 吸収体を改良して HOM パワー増大に対応する。HPRF は運転パワー増加への対策をとり、LLRF は制御精度向上を目指したデジタル新システムを導入する。

4.3

HPRF と LLRF

まとめ

参考文献

HPRF は基本的に KEKB で使用された機器を再利用する。ARES 空洞の１対１化やステーション増設 [1] http://www.kek.jp/newskek/2009/mayjun/kekb5.html.のために、レイアウト変更、導波管の組み替え、冷 [2]http://www.kek.jp/ja/news/topics/2010/KEKBBelleCeremony.html.
却配管の変更、配線変更などを行う。なお、KEKB [3] http://www.kek.jp/ja/news/topics/2010/KEKBupgrade.html.
では通常クライストロン出力 700kW 程度以下で運 [4] Belle II TDR, Accelerator Part.
(http://belle2.kek.jp/papers/B2TDR.pdf.)
転していたが、SuperKEKB では常時 800kW で運転を行うため、導波管やサーキュレータの冷却強化な [5] K. Akai et al., NIM A 499 (2003) p. 45.
[6] Y. Yamazaki and T. Kageyama, Particle Accelerators 44
どの対策をとる。
(1994), p. 107.
LLRF は SuperKEKB に向けて、デジタル制御を [7] T. Kageyama et al., Proc. of PAC'97, 1997, p. 2902.
ベースとした新システムへの移行を図り、開発が進 [8] Y. Takeuchi et al., Proc. of PAC'97, 1997, p. 2986.
行中である。新システムでは、高速な信号処理を [9] T. Furuya et al, the 9th Workshop on SRF, 1999.
FPGA に、それ以外の信号処理を PLC に分担させる。 [10] M. Yoshida et al., Proc. of the 9th Symposium on Accel.
Sci. and Tech., 1993, p. 131.
FPGA を中心とした部分はμTCA プラットフォーム[11] K. Akai et al., Proc. of EPAC'02, 2002, p. 2112.
を採用し、高速なフィードバック・フィードフォ [12] K. Akai, High Energy News, 21, 5 (2003), p. 207.
ワード処理を行うほか、クエンチ検出などの高速イ [13] M. Tanaka, private communication.
ンターロック機能も持つ。FPGA の CPU コアには [14] Y. Morita et al, Proc. of IPAC'10, 2010, p. 1536.
th
EPICS を搭載して、EPICS IOC として働かせる。こ [15] T. Kageyama et al., Proc. of the 14 Symposium on Accel.
Sci.
andTech.,2003,p.
66.の FPGA 制御ボードを cERL 用と共通仕様で開発中[16] T. Abe et al., Proc. of IPAC'10, 2010, p. 3548.
である[21]。また、PLC はシーケンス制御やインター [17] T. Abe et al., Proc. of EPAC'06, 2006, p. 1310.
ロックを担うとともに、現行 CAMAC フロントエン [18] K. Yoshino et al., this conference.
ドの置き換えとしての機能も持つ。EPICS 機能を持 [19] S. Mitsunobu et al, the 11th SRF workshop, ThP33, 2003.
たせた FPGA に加え、PLC に EPICS 搭載 CPU を導 [20] S. Takano et al., Proc. of the 14th SRF Workshop, 2009, p.
830.
入することで、LLRF 各サブシステムに EPICS レベ[21]
M. Ryoshi et al., this conference.
ルで可視性を高めた構造を持たせる[22,23]。
[22] J. Odagiri et al., Proc. of IPAC'10, 2010, p. 2686.
増設ステーションへの新システムの導入とともに、 [23] H. Deguchi et al., this conference.
既存ステーションの順次置き換えを計画している。 [24] M. Kikuchi, private communication.
-181-