NACHITECHNICALREPORT
Machining

22B1

Vol.

March/2011■ 新商品・適用事例紹介
透明導電膜製膜装置「Ｚ−ＴＯＰＳ」
マシニング事業

Transparent Conductive Oxide Coating Equipment"Z-TOPS"〈キーワード〉透明導電膜（TCO）
・ITO（インジウムスズ酸化物）
GZO（ガリウムドープ酸化亜鉛）
・イオンプレーティング・スパッタ

開発本部／商品開発部

林文
高井 健志
福田 和人

Cheol-mun YIM
Takeshi TAKAI
kazuto FUKUDA

透明導電膜製膜装置「Ｚ−ＴＯＰＳ」

要旨

今回ＮＡＣＨＩはヘンミ計算尺と協同で太陽電池、タッチパネル、液晶パネルなどに使用される透明導電が切削工具で長年培ってきたイオンプレーティング法

現状と問題点によるコーティング技術を機能薄膜分野に活かしたもｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ
透明導電膜（ＴＣＯ：Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎ

スパッタ法による従来成膜装置に比べ、大幅ので、Ｏｘｉｄｅ）とは、ガラスやプラスチック基板に薄くコーティな生産性向上が期待できる。またさらにＩＴＯ膜だけ（電気が流れる）薄ングされた透明で導電性のあるでなく低コストなＧＺＯ膜も成膜できる、低温で低抵

タッチパネル、有機ＥＬな膜のことであり、太陽電池、抗な膜が得られる、表面平坦度が良い膜が得られる（図１）。可視光領域でのどに必ず使用されているなど優れた特長がある。

光の透過率が高い、比抵抗が小さい、均一に成膜膜の成膜装置「Ｚ―ＴＯＰＳ」を開発した。ＮＡＣＨＩ有機ＥＬ照明や電子ペーパーなど新しい市場向されていることが望まれる。比抵抗を小さくするにはけも含めて、「Ｚ―ＴＯＰＳ」の展開をはかり、透明導膜厚を厚くすればよいが、逆に光の透過率が悪くな電膜のコスト低減、品質向上に貢献していく。

り、膜厚を制御するうえで、低抵抗と高透過率は相Abstract
NACHI has jointly developed with HEMMI Slide Rule Co., Ltd. the coating equipment, ZTOPS that coats solar cells, touch screens, LCDscreens and others with transparent conductiveoxide. This coating equipment is a product of
NACHI's long years of efforts on the ion plating
method in its cutting tool business, and it is forfunctional, thin-film coating. In comparison withthe equipment that uses the conventional sputtering method, this equipment is expected to realize
the substantial improvement in productivity. In
addition, the equipment allows the coating of ITO
as well as low-cost GZO. It has the excellent
characteristics such as the formation of a low-resistant film under low temperature and good surface flatness in coating.
NACHI will develop Z-TOPS further for
new markets including the markets of organic EL
lighting and electronic paper and contribute to
the cost reduction and quality improvement oftransparent conductive oxide.

11. 透明導電膜の反する特性である。現在透明導電膜の主流はＩＴＯ膜(ＩＴＯ：インジウムスズ酸化物)であるが、主原料であるインジウムがレアメタルであることから需給逼迫、価格高騰、安定調達が問題となっている。これを受けインジウムを使用しない高性能な透明導電膜の要ＺｎＯ（酸化亜鉛）系の膜であ求が高まってきており、などが一部使用さるＧＺＯ（ガリウムドープ酸化亜鉛）れている。しかし、従来のスパッタ法では低抵抗な透明導電膜を得るため、成膜プロセスの中、加熱（アニ−ル処理）する必要があり、プラスチック基板のような熱に弱い基板上には成膜し難いという問題点
スパッタ法は高運動エネルギー飛粒子がある。また、が多く含まれるため、基板表面に損傷を与えやすいといった問題点もある。
今回協同開発した「Ｚ−ＴＯＰＳ」を図2に示す。
従来のスパッタ法に対し、ＮＡＣＨＩが切削工具で長年培ってきたイオンプレーティング法を使用し、これらの問題点に対応したものであり、いろいろ優れた特長を備えている。スパッタ法およびイオンプレーティン
グ法の成膜原理については、図３に示す。

太陽光

光

透明導電膜

ガラス

V

シリコン

電気が流れ、光を通す膜

金属電極

太陽電池

ペン

透明導電膜
スペーサ

透明導電膜

フィルム
バッファ層

フィルム

光

有機発光物質ガラス

フィルム

タッチパネル

金属陰極

画像

有機EL

図１ 透明導電膜の模式図と適用例

図２ 透明導電膜製膜装置「Ｚ−ＴＯＰＳ」の外観

皮膜

皮膜
Ａｒ+大電流プラズマビーム
スパッタ

イオン化

昇華
原料

原料

イオンプレーティング法

スパッタ法

図3

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成膜方法の比較2

透明導電膜製膜装置「Ｚ−ＴＯＰＳ」

2. Ｚ−ＴＯＰＳの特長
１）低抵抗なＧＺＯ膜が成膜可能「Ｚ―ＴＯＰＳ」は、イオンプレーティング法を採用し、が形成され、スパッタ法よりも低抵抗な膜が得られる。

透明導電膜の成膜を行なっている。プラズマ発生

スパッタ法では高電圧によってＡｒイオン（＋）
一方、機には工具のコーティングで実績のある大電流の圧ＧＺＯなど）に叩きつけることで成膜をを原料（ＩＴＯ、力勾配型プラズマガン（通称：HCDガン）を用いている。

行なうので、高エネルギー粒子（0〜数百eV）が生じ「Ｚ―ＴＯＰＳ」の概略構成について図4に示す。イ

やすく、基板損傷の原因となりやすい。

オンプレーティング法では高密度のプラズマビームで「Ｚ―ＴＯＰＳ」は、従来のスパッタ法では困つまり原料を一気に昇華し、イオン化させる。そのため、粒難であった低抵抗なＧＺＯ膜が得られ、供給に問題（0〜数eV）、成膜スピードが子のエネルギーが小さくのあるＩＴＯの代替として、今後の需要拡大の中心とｎ以上）、結晶性のよいGZO薄膜
早く（100ｎｍ／ｍｉ（表１による）なる安価なＧＺＯ膜の成膜を可能にした。

基板

排気

アルゴン酸素高密度プラズマビーム

プラズマ発生機（圧力勾配型プラズマガン）

蒸発原料（タブレット／ロッド）

図4 Ｚ−ＴＯＰＳの概略構成図（イオンプレーティング）

表1 ＧＺＯ膜の比抵抗値（成膜法による比較）

GZO膜比抵抗3-4

単位：×10 Ωcm

Z-TOPS（イオンプレーティング法）

DCスパッタ法

RFスパッタ法

3.09.85.02）低温で低抵抗な透明導電膜を高速で成膜可能
従来のスパッタ法によるＩＴＯ膜の成膜では、低1ΩE-03Z-TOPS ITO（200mm）

抵抗な膜を得るためには、特殊熱処理による結晶ITO文献値（150mm）

ティング法では基板への成膜時点で既に結晶化しており、アニール処理が不要である。これにより、装さ置の簡略化、工程の省略ができるにようになった。
らに、従来のスパッタ法ではプラスチック基板への成比抵抗 Ωcm化（アニール）処理を行なう必要がある。イオンプレー
スパッタ法

Z-TOPS

膜は、低電圧によるスパッタリングや非晶質ＩＴＯをしかし、Ｚ−ＴＯＰＳ成膜したあとアニール処理する。
アニール処理がなくても様々な基板上に低抵
では、

1ΩE-04050100

これはＧＺＯ膜につい抗なＩＴＯ膜を得ることができ、

150

200

250300250300

基盤温度 ℃Ｉ
ＴＯ膜（表2）（図5）ても同様にいえる。
1ΩE-03

スパッタ法

膜種・基板

比抵抗

ITO膜
ガラス
PET
3.453.59

単位：×10 Ωcm
GZO膜
PET
ガラス
4.76
4.70

比抵抗 Ωcm

表2 「Ｚ−ＴＯＰＳ」によるプラスチック（PET）基板上への成膜事例（膜厚200nm）-4Z-TOPS

Z-TOPS Ga doped ZnO（200mm）
A社 AI doped ZnO（400mm）
1ΩE-04050100150200

基盤温度 ℃
ＧＺＯ膜

図5

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成膜温度と比抵抗4透明導電膜製膜装置「Ｚ−ＴＯＰＳ」

3）表面粗さが非常によい膜が得られる

4）均一な成膜分布
基板を移動させながら成膜する構造をとっている

従来のスパッタ法ではターゲット表面に発生するため、基板上の膜厚、抵抗の分布はばらつきが少な突起群（通称：ノジュール）がスパッタリングされ、基く非常に均一であり、かつ基板の下面に側に成膜板表面上に付着することで数十程度の突起が生じするため異物（パーティクルなど）が基板に付着しにやすく、表面粗さが良くない。特に有機ＥＬの場合、くいという利点もある。

発光層の厚さが100ｎｍ程度であることからこの突起は短絡の原因となり、発光の不均一化（ダークスポッ

5）高い透過率トなど）につながる。このため有機ＥＬ用の透明導電ＩＴＯ膜においては「Ｚ−ＴＯＰＳ」とスパッタ法で膜では粗さを向上させるために成膜後に機械加工可視光線透過率に大きな差がなくほぼ同等である。

Ｚ−ＴＯＰＳはを施すなど特別な工程が必要である。

ＧＺＯ膜については、以前よりＩＴＯ膜より透過率が成膜方法がイオンプレーティング法であり、原料を昇「Ｚ−ＴＯＰＳ」で成膜した高いと言われていたが、ノジュールのない平滑なＩＴ華しイオン化させるため、８６％以上の透過率となり、市販Ｉ結果も同様であり、ＧＺＯ膜を容易に成膜することができる。ＡＦＭ（原Ｏ、（図7）
ＴＯ膜より透過率の高いＧＺＯ膜が得られた。

Atomic Force Microscope）によ透過率が高ければ太陽電池の発電効率を向上さる表面観察結果を図6に示す。
「Ｚ−ＴＯＰＳ」で成ＧＺＯ膜の長所のひとせるなどの効果が期待され、ＩＴＯとも平均表面粗さＲａは１ｎｍ以膜されたＧＺＯ、つである。

子間力顕微鏡下であり、非常に平坦であり、機械加工することなく「Ｚ−ＴＯＰＳ」を用いたPET基板上に成膜さらに、使用に供することができる。これによりとくに有機ＥＬしたGZO膜については、電気特性に関わらず、全光用のような高品位な透明導電膜が要求される用途

線透過率は80％以上であり、ヘイズは１％以下であるに安価な膜を安定的に供給することができる。

（表３）。ヘイズは、光が透明な材料を通過するとき、

Ｚ−ＴＯＰＳによるＧＺＯ膜測定領域 3μｍ□
Ｒａ 0.89ｎｍ
Ｒmax 7.23ｎｍ

ＴＯ膜
Ｚ−ＴＯＰＳによるＩ
測定領域 3μｍ□
Ｒａ 0.84ｎｍ
Ｒmax 4.60ｎｍ

図6 ＡＦＭによる表面粗さ測定

5ＴＯ膜（比較用）
市販のＩ
測定領域 3μｍ□
Ｒａ 7.80ｎｍ
Ｒmax 66.60ｎｍ

不明瞭なくもり状の外観を示すものであり、高いほど導電膜を使用するユーザーにとって膜厚はどれだけくもり度が増すことになる。そのため、低い方が好ましい。

でもよく、実質的な膜の抵抗値であるシート抵抗がヘイズ(%)=Td/Tt x 100. Td：拡散透過率 Tt：全一般的に要求される。

光線透過率 ... L値は明度(かがやき)、a値は＋で通常、太陽電池用は１０Ω／ｓｑ以下、有機ＥＬ用−で緑味、b値は＋で黄色味、−で青味の傾向。
赤味、タッチパネル用は１００〜１０００Ω
は１０〜２０Ω／ｓｑ、／ｓｑ程度のシート抵抗が要求されるが、「Ｚ―ＴＯＰＳ」

6）「Ｚ−ＴＯＰＳ」の成膜実施例（膜厚とシート抵抗）では再現性のよい、低〜高抵抗の幅広いシート抵抗の透明導電膜を得ることができており、いずれの図8に「Ｚ―ＴＯＰＳ」で成膜したＩＴＯ膜とＧＺＯ用途にも対応が可能である。

膜の膜厚とシート抵抗の関係を示す。シート抵抗（Ωとは比抵抗（Ω･ｃｍ）を膜厚で割った値である。
／sq）
つまり比抵抗が大きくても膜厚が厚ければシート抵

100.0Ｉ
ＴＯ膜

100

Z-TOPS GZO膜〜86%（可視光）

Z-TOPS ITO膜〜84%（可視光）

市販ITO〜84%（可視光）

紫外

可視光

シート抵抗（Ω／ｓｑ）（但し透過率は低下するが）。透明抗は小さくなる

10.0

赤外601.0010020040400500600

1000.0200300

膜厚（ｎｍ）

ＧＺＯ膜

200400

図7表3600
波長 [nm]

800

1000100.0

透過率測定例

PET基板上のGZO膜光学特性

GZO A
19.4
シート抵抗(Ω/ｓｑ)83
全光線透過率（%）
0.7
ヘイズ（%）
92
L*−0.3
色調
a*−1.24b*

GZO B
56.7
850.893−0.5−0.4

シート抵抗（Ω／ｓｑ）

透過率 [%]

80

GZO C
85.6
840.7
92
−0.1−0.2

基板のみ−910.8−−−※反射防止膜は施してない

10.01.00100200300400500600

膜厚（ｎｍ）

図8 「Ｚ−ＴＯＰＳ」の膜厚とシート抵抗の例

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22B163.「Ｚ−ＴＯＰＳ」の今後のとり組み
今回、販売を開始した「Ｚ−ＴＯＰＳ」の装置仕様

マンスに優れた装置を提供していく予定である。

を表4に示す。Ｚ−ＴＯＰＳシリーズは、基板サイズが安価なＧＺＯ膜への切換に加え、成膜工程の高200×200と300×400の2種類であり、大面積基板速化、工程省略、歩留向上を可能にすることで、透への対応が必要である。既に大面積対応について明導電膜の大幅なコストダウンを実現する。

は目処が立っており、従来装置よりもコストパフォー
表4 「Ｚ−ＴＯＰＳ」の標準仕様
項目
基板サイズ
蒸発原料
ウェハ収納
到達圧力
装置寸法
装置重量
所要電力
所要水量
使用ガス

Z-TOPS200
Max 200×200mm
φ30タブレット／ロッド枚葉／カセット−4
10 Pa台1730（W）×1180（D）×1630（H）mm
3320（W）×1730（D）×2350（H）mm
1,200kg
3,800kg
3φ200V／220V 60kVA, 1φ100V 7kVA
0.4MPa, 70 ／min, ＜298K
高純度 アルゴン、酸素、窒素［Pure Ar, O2, N2］

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Z-TOPS400
Max 300×400mm

March / 2011〈発行〉 2011年3月10日
株式会社 不二越 開発本部
富山市不二越本町1-1-1 〒930-8511
Tel.076-423-5118 Fax.076-493-5213