Proceedings of the 7th Annual Meeting of Particle Accelerator Society of Japan (August 4-6, 2010, Himeji, Japan)

FEASIBILITY STUDY OF SINGLE-SHOT REAL-TIME NONDISTRACTIVE THREE-DIMENSIONAL BUNCH CHARGEDISTRIBUTION MONITOR
H. Tomizawa #,A), S. Matsubara A), H. Dewa A), A. Mizuno A), T. Taniuchi A), K. Yanagida A), H. HanakiA),T. Ishikawa B), N. KumagaiB), A. Maekawa C), K. Lee C), and M. Uesaka C),A)
B)

JASRI/SPring-8, 1-1-1, Kouto, Sayo, Hyogo, 679-5198, JapanRIKEN/SPring-8, 1-1-1, Kouto, Sayo, Hyogo, 679-5148, JapanC)

The University of Tokyo, Ibaraki-ken, JapanAbstract
In linac-based high brightness light sources, it is necessary for high precision experiments to characterize the lightemission bunch by bunch. It is essential for precise characterizations of X-ray FEL’s beam to monitor ever-changing
charge distribution of electron bunch by single-shot measurement with high resolutions. Therefore, a single-shot andnon-destructive 3D bunch charge distribution (BCD) monitor was developed to characterize longitudinal and transverse
BCDs simultaneously. It is based on Electro-Optical (EO) multiple sampling with a manner of spectral decoding. For thetransverse detection, eight EO-crystals surround the beam axis azimuthally, and a linear-chirped probe laser pulse with ahollow shape and spirally temporal shift, passes through the EO-crystals. The polarization axis of the probe laser isradially distributed as well as the Coulomb field of the electron bunches. Since the signal intensity encoded at eachcrystal depends on the strength of the Coulomb field at each point, the longitudinal BCDs are encoded as independent
intensity modulations at eight different wavelength regions. The encoded information of 3D BCDs is decoded by amultichannel spectrometer with an eight-branched fiber-optic input. We report the principle and the first experimental
results of the novel 3D-BCD monitor with ZnTe EO-crystals. As future development directions, we are preparing aconerefringent probe laser with Kerr-EO amorphous for precise detections of transverse BCDs and a broadband laser
prove pulse (> 400 nm @ 800 nm) with an organic DAST EO-crystal to realize a temporal resolution of < 30 fs.

シングルショット・リアルタイム・非破壊型３次元バンチ形状モニターの実証試験結果
うとテラヘルツに対応する。このような背景から，電子ビームバンチがトランスバース方向に放射状にSPirng-8 サ イ ト で は ， X 線 自 由 電 子 レ ー ザ ー 放つ電界により EO 結晶を同時に通過するプローブ（XFEL）の建設が 2010 年度に完了する。フェムト 光（レーザパルス）の偏光にそのリターデーション秒の時間分解能のバンチ長モニターがコミッショニ として電子ビームバンチ情報を書き込み（エンコーングに必須とされるため，実績のある LOLA 空胴[1] ド），それを強度変調に変換するなどして分光器等（RF ディフレクター）を用いたバンチ内電荷分布 でバンチ情報を読み出す（デコード）方法として応構造の計測を準備している。しかし，この計測シス 用できる。近年，欧米の加速器研究施設では非破壊テムは設置予定の 1.3 GeV のエネルギー領域におい でシングルショット計測可能な方法として盛んに研ても， 5 m の長さを空胴自身に要し，さらにその 究開発されている。この方法の優れているところは，
数 m 下流にスクリーンを設置して計測しなければな サブピコ秒の分解能での計測が可能で，レーザ光をらない。コンパクト性を重んじている日本の XFEL プローブとして用いるために時間ジッターがフェム計画においては，よりコンパクトなフェムト秒バン ト秒で計測可能なことである。しかし，従来の EOSチ長モニターが望ましく，アンジュレータ直前の では無機結晶の ZnTe が主に使用されており，現実
さ 300 μ m の 場 合 で 時 間 分 解 能 が 110 fs
8GeV 領域での計測も現実的なスケールで実現可能 的 な 厚[2,3](FWHM)と，結晶自身の時間応答性により制限さな技術を並行して開発しておく必要がある。同時に，れている（TemporalDecoding 法による計測結果）。
非破壊でシングルショット計測が可能なモニターがところで簡便なEOSの計測方法には，プローブ光望ましいことは言うまでもない。の線形チャープしたスペクトル上に電子ビームのバ以前からテラヘルツ分野では，ZnTe 結晶などのポッケルス効果（１次の電気光学（EO）効果）を利 ン チ 時 間 構 造 を 書 き 込 む 方 法 が あ り ， Spectral
用して，サブピコ秒の時間分解能でのパルス長計測 Decoding 法と言われている。これに対し，従来のが 行 わ れ て き た 。 こ の 方 法 を EOS （ Electro フェムト秒レーザのパルス計測に用いられている，optical sampling）と言う。1 ps 程度の電子ビー 自己相関法などを利用したデコーディング方法はムバンチのクーロン電場の変化は，周波数領域でい Temporal Decoding 法と呼ばれている。

1.

はじめに-307-

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Spectral Decoding 法 は 高 繰 返 し で も シングル
ショット計測可能，微弱光でも簡便に分光器でデコーディングできる優れた方法にもかかわらず，その時間分解能の制限から超高速計測には Temporal
Decoding 法が広く使われている。一方，時間分解能よりもリアルタイム性が重視される電子ビームのジ ッ タ ー ・ ト レ ン ド 計 測 に お い て は ， Spectral
Decoding 法 が 使 わ れ て い る [3] 。 こ こ で Spectral
Decoding 法で時間分解能が制限されるのは，EO 信号がエンコードされる時間領域でのスペクトル帯域が，一般的なフェムト秒 Ti:Sa レーザをプローブ光に用いると制限され，200～300 fs 以下の信号パルスになると鈍ってしまうためである。この時間分解能は一般に，フーリエ限界パルス幅 t0 とチャープパ
ルス幅 tC の幾何平均 t0tc 程度で与えられる。このため，時間分解能に優れた Temporal Decoding 法が精密計測に用いられる傾向にある。しかしながら，我々はこの Spectral Decoding 法の簡便さとリアルタイム計測の可能性に着目し，プローブ光の開発による時間分解能の向上と，同時に電子ビームのトランスバース方向の電荷分布もシングルショット計測
可 能 な も の が で き な い か を 検 討 し た 。 SPring-8
XFEL においてバンチ圧縮後の 30 fs (FWHM)の電子ビームバンチを計測するには，t0 が 2.5 fs (スペクトル幅: 400 nm; 中心波長：800 nm)を原理限界として，タイミング・ジッターが許容できる tC を 400fs とすると，時間分解能は約 30 fs に達することが可能である。この３次元 EO サンプリングを実現するために，フォトニック結晶ファイバーを用いた
帯域 400 nm に及ぶスーパーコンティニュウム光源を，各種レーザ制御技術により，線形チャープでスペクトル強度分布を矩形化するとともに，円環ラジアル偏光に変換する光学システムを発明した[4]。

このプローブ光源を用いた図１に示すモニター素子を３つ組み合わせて３次元バンチ形状モニター [5]を構成する。本報告では，主に RF 電子銃からの電子ビームバンチを用いた３次元 EO サンプリングの実証試験結果 [6]ついて述べる。また，フェムト秒時間分解でバンチスライス（ここでは，スライスとはEOS の時間分解能で定義されるもの）内のトランスバース方向の電荷分布も含めたシングルショット計測のための光学素子開発の現状も合わせて報告する。

2.

SPring-8 フォトカソード試験施設での3D-EOS モニター実証試験システム

2006 年当時の SPring-8 サイト内で，レーザ光源を安定に供給できる加速器施設がフォトカソード試験施設のみであったため，本施設で３次元 EO サンプリングの原理実証試験をフォトカソード照射用の光源レーザから分岐したプローブ光源で実施することにした。2009 年までに開発導入された自動アラ
イ メ ン ト ・ シ ス テ ム (Advanced Tactical Aligner(ATA))[7]により，同時多目的最適化が可能になり，
図２に示すような EO サンプリング用のプローブ光源を含めた各種レーザ光源の配給基盤が整備された。

図 2：フォトカソード試験施設のレーザ配給構成
Ti:Sa レ ー ザ の 基 本 波 (792 nm) ， ２ 倍 波 (SHG: 396nm)，３倍波(THG: 264 nm)，白色レーザを単一のレーザ光源から供給する光源基盤として整備した（ただし，矩形スペクトルの白色増幅レーザ光源部のみ開発中）。

図１：3 次元バンチ内電荷分布モニター素子の構成
EO 素子において，電子ビーム通過時にプローブ光の偏光に起きたリターデーションを偏光スプリッターで互いに直交する偏光成分に分離することで，スペクトル強度変調として分光器でデコーディングが可能になる。このモニターでは，８個の信号を単一のファイバー分光器(HR4000; Ocean Optics)に８分岐入力ファイバーを通して同時計測するため，図中の(ii)のスペクトルでは S/Nが悪化する。そのため，(i)のスペクトルを使用する。

図２で本実証実験に関係するものは，フォトカソード光源の３次元パルス整形した THG とコンプレッサーからの 0 次光（線形チャープパルス：200ps (FWHM)）のみである。本試験加速器の電子ビームバンチ長は 10 ps (FWHM)程度であるので，本試験には十分と判断し，既存の基盤光源をプローブ光として用いた。本プローブ光が t0= 40 fs，tC= 200ps であるから，時間分解能は約 3 ps となる。尚、信号パルスのピーク位置分解能は，分光器の分解能とチャーピング条件（図４(d)）から 1.2 ps である。
図３の左側から Ti:Sa レーザの基本波(792 nm;200 ps)を直線偏光にして入射する。波長板（λ/2-308-Proceedings of the 7th Annual Meeting of Particle Accelerator Society of Japan (August 4-6, 2010, Himeji, Japan)板）は，各 EO 素子通過後に控える検光子（ポラライザー）とセットで調整し，電子ビームがない時に分光器で検出される光量が最小になるように設定する（クロスニコル配置）。図１の(b)のポッケルス結晶を使用する３次元 EOS の場合，複数の EO 素子が電子ビームのトランスバース方向にラジアル状に配置されるため，実際のプローブ光はラジアル偏光板とアキシコンレンズ対で円環状のラジアル偏光ビームにして入射される。図４に示すように，各EO 結晶において信号がエンコーディングされる波長域が異なるように，円環ビームはその円周に亘ってラジアル状にタイミングをシフトさせるための制御板（実効的な光路長を調整）を必要とする。
」

図 3：３次元 EOS の実験セットアップ
図中の Rislay Prism 対は，自動アライメント・システム(ATA)[7] において，分光器での光量を検光子なしの状態で最大化するためのアクチュエータとして機能する。

この原理実証試験では，10 ps の電子ビームバンチを計測するため，フェムト秒バンチ計測の時とは異なり，最低 10 ps の時間ディレイを各結晶に対応したエンコーディング領域間に付ける必要がある。
そのため，本試験用のタイミング制御板（12 cm のロッド形状）を図５に示すように８種類の光学ガラスを組み合わせることで製作した。光学ガラスはプローブ光の波長帯での分散特性がフラットなもので，屈折率の差が 0.02 以上になる（各領域間の時間差が 10 ps 以上になる）ように選択した。ストリーク
カメラでの計測で，実際に設計通りのタイミング・シフトが円環ビームの円周に沿って各領域間で生じていることを確認した。円周方向に隣り合うガラス材料の屈折率差は可能な限り小さく抑えるとともに，対向するガラス材料は屈折率の差が 0.04 以上（対向する領域間の時間差が 20 ps 以上）になるように考慮して配置した。また，ガラス接合は光学接着剤を用い，各ガラス間の中間的な屈折率のものを選択して接着した。これは円環ビームがガラス接合面からの回折にすることより崩れていくことを最小限に留め，1～2 m 程度の伝搬距離であるならば計測に支障がないようにするためである。図３に示すように， EO チャンバーを出た直後にある八角錐状の金コート・ピラミッドミラーに垂直に射ち下すことにより，円環ビームの８領域を水平方向に放射状に分離する。それぞれ，各検光子を通過直後に８分岐ファイバーで一つにまとめてファイバー分光器に送る構成にした。この構成により，伝搬距離を最小限に抑えるとともに，計測の S/N を悪化させる回折光をはじめとした迷光を遮光することに成功した。

図 5：タイミング制御板（タイミング・シフター）
異なるガラス材料によって光学長を調整することで，各領域間に 10 ps 以上の時間遅延を与える設計にした。

図４：トランスバース方向の電荷分布シングルショッ
ト計測のためのタイミング・シフト
円環・ラジアル偏光レーザによって、複数の EO 結晶を同時にプローブする。タイミング制御板（各領域ごとに光学長を変化）を用いることで、各 EO 信号を異なる波長領域に書き込む。各波長域にエンコードされた信号の強度比から，電子ビームバンチがトランスバース方向に放射する電界強度分布を分かる。この電界強度分布を多点同時計測（図では８点）することで，電子ビームのトランスバース方向の電荷分布を知ることができる。さらに，レーザのスペクトルを矩形化することで，リアルタイム（計算処理による補正不要）計測が可能になる。

このプローブ光源装置の構成で，対向する EO 結晶のペアをそれぞれ ZnTe，GaP，DAST 結晶[8]にし，EO チェンバー内に設置して各種 EO 結晶の試験も合わせて行えるようにした。加速器での EOS としては，ZnTe と GaP 結晶については実績がある。後述するが， DAST 結晶は有機非線形結晶であり，テラヘルツ分野では注目されているが，まだ加速器の EOS とし て は 実 績 が な い 。 今 回 使 用 し た DAST 結 晶 は（独）理化学研究所 テラヘルツ光源研究チーム [9]で作って頂いたものを南出泰亜先生のご厚意によりご提供頂いたものである。予備試験を実施し，DAST結晶が超高真空に耐えられるか，放射線によるカラーセンターなどのダメージ損傷が起きないかを試験し，どちらの観点でも問題がないことを確認した。

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尚，EO 結晶を除く図３の光学系全体で偏光の消光比は３桁を確保するようにした（結晶の品質により消光比に与える影響が異なるため，ここでは除外して記述するが，実際の EOS 計測では EO 結晶を含めた消光比が重要になる）。

る。この実験に先立つ，通常のガウシアンビーム・プローブ光による EOS 試験でも ZnTe のみでしか信号確認ができていない。
ZnTe で EOS 計測した電子ビームバンチを図６に示す。プローブ・レーザパルスのチャープが正であるため，波長が長い側が時間的にバンチの先頭側に3. 3 次 元 バンチ形状モニター（マルチ なる。ここで，電子バンチの先頭がカソードから出る瞬間の時刻 t を 0 とし，RF のカソード表面電界 EEOS）の原理実証試験の結果と考察
を E=E0cos(ωt-θ)と定義したときのθを初期 RF 位相とする。フォトカソード RF 電子銃の初期 RF 位相
3.1 単一の EO 結晶での実験結果
θを 100°から 50°まで変化させた時に，バンチ形最初に，プローブ光に円環ラジアル偏光・線形状が変化する様子（テールを引いていく様子）が計
チャープ・レーザパルスを用い，単一の EO 結晶の測できている（シミュレーションとも一致）。プ
みによる試験をおこなった。電子ビーム試験は以下
ローブ光が線形チャープしていることから，波長はの条件（ZnTe 結晶の場合のみを示す）で実施した。
時間に比例するはずであるが，実際のプローブ光でフォトカソード入射用レーザパルス幅： 20 ps （矩形）の検証が必要である。図３の光ディレイ路をステッ
ビームエネルギー: 24 MeV
ピング・モーターで移動させて測定した校正曲線をビームチャージ量: 0.85 ～1.4 nC (ビーム直径: 2～4 mm)
図６の(d)に示す。1 nm が 9.58 ps に相当する比例EO プローブレーザ： バンド幅 20 nm (FWHM)関係（線形チャープ）になっていることを確認した。
パルス幅 200 ps(FWHM)
EO 結晶: 10 mm 11 mm 1 mm(t)の ZnTe
ビーム軸-結晶間の距離: 4 mm
(ビーム軸から 4～5 mm の場所でプローブ (円環幅: 1 mm))3.2

対向する２つの ZnTe 結晶に対応する，円環プローブ光のディレイさせる光学ガラスに n2 と n8（図５参照）を使用した場合の計測結果を図７に示す。実験に用いたビームチャージ量は 1.3 nC であった。また，信号パルス(i)と(ii)のピーク間の時間差は約 110 ps (11 nm)であった。

図６：円環プローブレーザによる単一 EO 結晶による電子ビームバンチ形状計測結果
バンチ長(FWHM)は，図(d)から 9.58 ps/nm で校正。加速管では RF のトップに乗せて計測。(a) 6.13 ps (0.85nC), (b) 10.8 ps (1.22 nC) (c) 11.5 ps (0.95 nC)

図７：円環プローブレーザによる対向する EO 結晶ペアによる電子ビームバンチ形状計測結果
電子ビーム(1.3 nC)のバンチ長(FWHM)は(i) 10.7 ps,(ii) 11.8 ps（校正曲線は図６のものを使用）。

3.3
試験としてチャンバー内に設置した３種類の EO結晶（ZnTe，GaP，DAST 結晶）のうち，ZnTe 結晶のみで EO 信号の確認ができた。他の２つの結晶で EO信号の確認ができなかった理由は不明であるが，ZnTe 以外の結晶では，偏光の消光比の悪化が見られた。今回の電子ビームではピーク電界強度が低いため数度のリターデーションを計測する必要性があり，結晶での消光比の悪化（光学的な均一性など）が原因で信号確認ができなかった可能性が考えられ対向ペアの EO 結晶(２個の ZnTe)での実験結果

同時計測２信号の変動解析と考察

図７の信号パルス(i)と(ii)それぞれのピーク強度の短期変動(rms)は 12% と 13%であった。この時の 信 号 パ ル ス ピ ー ク 強 度 の 比 (ii)/(i) の 変 動 は13% ， 和 (i)+(ii) の 変 動 が 10% で あ っ た 。 比(ii)/(i)はチャージ量の変動を取り除いた他の変動要因が 13%あることを示している。その他のうちの一つは和(i)+(ii)が示すレーザの強度分布の変動と考えられる。レーザ強度分布の変動は，円環ビームの強度ムラ，およびスペクトル強度分布の変化が光-310-

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源変動要因として考えられ，ファイバー分光器へのカップリング時の振動による検出強度の変動が測定器側の要因として挙げられる。これらをまとめて，レーザ強度変動と呼び，和(i)+(ii)の変動そのものであるとシンプルに考えて 10%だとする。他に残る唯一の変動要因は，プローブレーザと電子ビームの相対的位置変動（ただし，２つの EO 結晶を結んだ線上に射影した相対的位置変動である）と考えられるので，この変動は 8%と計算される。もし，この要因を電子ビームの位置変動であるとし，光源レーザのフォトカソード上の位置変動のみに依ると仮定
すると，EO 結晶位置で 80μm (rms)となる。カソード位置でのレーザのポインティングは 30μm (rms)以下であるのことを考え合わせると，プローブ光の変動要因は無視できないと推察される。

4.

実証結果のまとめと今後の計画

4.1

実験結果のまとめ以上で述べた項目で、時間およびトランスバース方向の分解能の向上に関する開発計画を述べる。
4.2

時間分解能をフェムト秒に上げるための開発

10 fs オーダーの応答性のある素子の材料として，有機材料がある。有機分子にはπ電子が存在するために高速応答することが予想され，実際に我々が有望視しているポリジアセチレン誘導体(DAST)では30 fs 以下の応答性が確認されている [8] 。ZnTe やGaP と比較して，非線形係数が高く，広帯域(1-30THz)で使用可能であるため，フェムト秒の高時間分解能化が可能になると期待される。さらに高速応答可能な，カー効果のアモルファスなどの材料探索が必要である。他のアプローチとして，実績のある
EO 結晶を薄くする方法がある。厚さ 50μm の GaPであれば，80 fs (FWHM)の時間分解能が期待できる。
有機材料では特に，放射線によるカラーセンター形成などでブロードバンド性が損なわれる可能性がある。ビーム実験で用いた DAST に，可視光領域での変化はなかった。しかし，テラヘルツ領域での光学特性の変化も合わせて考慮しなければならない。

本実証試験により複数の EO 結晶を配置して，単一のレーザ光で同時にプローブする EOS が可能であることを世界で初めて提唱 [5]し，且つ実証した。し 4.3 トランスバース方向の分解能向上への開発
かし，実用に耐える３次元 EOS で電子ビームバンチ
フェムト秒時間分解能に対応したトランスバース
内の３次元的な電荷分布を高分解能で実現するには[10]方向の電荷分布形状計測には，円錐屈折現象を用以下に述べる項目について改善・検討の必要がある。
いたプローブ光を用いることを計画している。円錐 分光器の暗電流ノイズが±20 counts (EO 信号 屈折とは二軸性の複屈折結晶を用いて，その C 軸に強度の 20%)あるため，冷却型分光器を使用し 垂直方向に通常のガウシアンビームを入射すると，て暗電流を抑制する必要。暗電流を一桁減ら 円錐状に立体的に屈折してコリメートされた円環せば，S/N は 0.2%になる。このとき，XFEL で ビームを生成できる。偏光方向を回転しながら，スは信号強度が一桁強いので結晶をビーム軸か パイラル状に時間シフトして円弧を描く。ブロードら 1 cm 以内に置けば，ビーム位置の空間分解 バンド・レーザに KGd(WO4)2 を用いて円錐屈折ビー能は 20μm 程度の精度で計測可能。
ムの発生実験を行い，その特異的な偏光特性を調べ
 円環プローブレーザの強度ムラ，スペクトル ている[11]。疑似シュテルン・ゲルラッハ装置[12]を構
強度分布変化など，現状ではまだリアルタイ 成してエンコーディングし，干渉計を用いたホログ
ム 性 に 問 題 あ り 。 プ ロ ー ブ 光 は ス ペ ー シ ャ ラフィックなスペクトログラフ[13]によりデコーディ
ル・フィルターなどにより高品質化が必要。
ングする方法を検討している。
 ラジアル偏光の純度（消光比に関係）がまだ足りない。既に全体の消光比が５桁の光学系参考文献をこの対策として開発。EO 結晶の品質（偏光[1] H. Ego, et al., Proc. of EPAC 08, Genova, Italy , 2008, 1098.
特性を含めた光学的均一性）が課題。
[2] G. Berden et al., Phys. Rev. Lett. 99, 2007, 164801.
 時 間 分 解 能 で 30 fs (FWHM) を 切 る に は ， プ [3] B. Steffen, FLS workshop, Hamburg, 18.05.2006.
ロ ー ブ レ ー ザ と 電 子 ビ ー ム の タ イ ミ ン グ ・ [4] H. Tomizawa, Japan Patent Application No: 2007-133046.
ジッターが 60 fs (rms)以下 (８信号同時計測 [5] H. Tomizawa, et al., Proc. of FEL 2007, Novosibirsk, Russia,
では 20 fs 以下) を要求。ただし，対応でき
2007, 472.
[6] H. Timizawa, et al., Proc. of IPAC 10, Kyoto, Japan 2010,
る高速応答の EO 結晶（材料開発）が必要。
963.
 トランスバースの電荷分布形状計測は現状の[7] H. Tomizawa, Synchrotron Radiation in Natural Science
８個のポッケルス EO 結晶では，簡単なビーム
Vol. 9, No. 1 – 2 (2010) 24.の対称性を議論する程度。外形を把握するに [8] Hattori T, et al., Chem. Phys. Lett., 113, 1987, 230.
は連続点で計測が必須。そのためにはカー効 [9] http://www.riken.go.jp/r-world/info/release/news/2009/aug/
frol_02.htm
果（２次の電気光学（EO）効果）を利用する[10]
M.V. Berry, J. Opt. A: Pure Appl. Opt. 6, 2004, 289.
必要がある(図１の(a)）。カー効果は電界の[11] S. Matsubara, et al., Proc. of FEL 2009, Liverpool, UK,自乗に比例するため，アモルファスを用いる
2009, 269.
ことで最低次の EO 効果として利用可能。XFEL [12]ファインマン物理学 V.「量子力学」，R. ファインマ
では信号強度が一桁以上強いので，カー効果
ン著，砂川重信訳，岩波書店，p97-115
による EO 信号は十分に観測されると予想する。 [13] H. Tomizawa, et al., Applied Surface Science 235/1-2,(2003) 214.
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