JASRI産業利用ビームライン（BL14B2, BL19B2, BL46XU）の紹介（公財）高輝度光科学研究センター（JASRI）
産業利用推進室 産業利用支援グループ
材料構造解析チーム
小金澤 智之（BL46XU・BL19B2 X線回折計担当）
koganeza@spring8.or.jp
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１、 JASRI産業利用ビームライン紹介（BL14B2, BL19B2, BL46XU）
２、利用制度と今後の課題募集のご案内

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SPring-8

ビームラインマップ

合計：57 BL
共用 : 26 BL
理研 : 12 BL
専用 : 19 BL

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SPring-8

ビームライン

共用ビームライン：26本

高輝度光科学研究センター（JASRI）

理研ビームライン： 9本

理化学研究所

専用ビームライン：19本

原子力機構、QST、物質材料機構、兵庫県
東大、阪大、京大、電通大
企業コンソーシアム、豊田
台湾NSRRC

共用ビームラインの内訳
主に学術利用（産業も含む）：20本
タンパク質結晶構造解析ビームライン（学術・産業）、３本
産業利用ビームライン（学術も含む）：３本
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ビームライン情報を得るには◎ビームライン情報、装置担当者連絡先
・SPring-8 トップページ ⇒ ビームライン情報 ⇒ ビームライン一覧
http://www.spring8.or.jp/ja/about_us/whats_sp8/facilities/bl/list/
・検索◎利用事例検索（ビームライン名、キーワードで検索）
・論文

研究成果データベース検索
https://user.spring8.or.jp/uisearch/publication2/

・実験報告書 利用課題実験報告書／利用報告書検索
https://user.spring8.or.jp/uisearch/expreport/ja/?criteria.institution=0◎ご相談窓口・お問い合わせフォーム
http://www.spring8.or.jp/ja/science/academic/contacts/inquiry_form
support@spring8.or.jp
・産業利用推進室コーディネータ
http://support.spring8.or.jp/inquiry.html
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放射光（X線）と物質の相互作用
X線回折
小角X線散乱回折・散乱

X線イメージング
吸収・屈折

放射光（X線）

X線イメージング

物質吸収
光電子

蛍光X線

光電子分光

X線吸収微細構造分光20191107第7回次世代先端デバイス研究会／第46回SPring-8先端利用技術ワークショップ

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JASRI産業利用推進室が運営するBL
回折・散乱
分光
X線イメージング
Beamline B/U

粉末X線回折装置、多軸X線回折装置
小角/超小角X線散乱装置
X線吸収微細構造（XAFS）装置
硬X線光電子分光装置

X線イメージング装置

Mono.

E rangetechniques

BL14B2偏向電磁石 水冷二結晶分光器

3.8-72 keV

XAFS
X線イメージング

BL19B2偏向電磁石 水冷二結晶分光器

5-72 keV

粉末X線回折計
多軸X線回折計小角・超小角X線散乱

BL46XU

アンジュ
レータ―

6-35 keV

多軸X線回折計
硬X線光電子分光
X線イメージング

液体窒素冷却
二結晶分光器産業界からニーズの高い硬X線領域の測定手法を整備
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測定手法・装置・担当者◎回折・散乱・粉末X線回折（BL19B2）：大坂恵一
・小角、超小角X線散乱（BL19B2） ：大坂恵一
・多軸X線回折（BL19B2、BL46XU）：小金澤智之◎分光・ X線吸収微細構造 XAFS（BL14B2） ：渡辺剛・硬X線光電子分光 HAXPES（BL46XU）：安野聡◎X線イメージング（BL14B2、BL46XU）

20191107第7回次世代先端デバイス研究会／第46回SPring-8先端利用技術ワークショップ：梶原堅太郎8 /51

測定手法・装置◎回折・散乱・粉末X線回折（BL19B2）：大坂恵一
・小角、超小角X線散乱（BL19B2） ：大坂恵一
・多軸X線回折（BL19B2、BL46XU）：小金澤智之◎分光・ X線吸収微細構造 XAFS（BL14B2） ：渡辺剛・硬X線光電子分光 HAXPES（BL46XU）：安野聡◎X線イメージング（BL14B2、BL46XU）：梶原堅太郎20191107第7回次世代先端デバイス研究会／第46回SPring-8先端利用技術ワークショップ

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2dsinθ=λ
波長λ2θ
粉末試料
（棒状，板状，・・・）

回折強度

粉末X線回折（BL19B2）

2θ
粉末回折・・・最もポピュラーな結晶構造解析の実験手法の一つ
結晶性評価、格子定数精密評価（熱膨張係数）、サイト占有率
構造相転移
大強度・高指向性・高エネルギーの放射光を用いることによって・・・
・ごく微量の試料から・高角度分解能の回折データが・透過配置（デバイ–シェラー光学系）で測定できる
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多目的ハイスループット回折計Polaris（2018B期〜）

１次元検出器MYTHENを利用（Si半導体検出器：12モジュール）
ダイナミックレンジ：24 bit
チャンネルサイズ：50 μm（Δ2θ=0.005°相当）

X線エネルギー範囲：12.4 keV, 24.8 keV (10〜35 keV)
測定角度範囲：80°（2〜82°）
測定時間：1〜5分、試料交換は1分以内、10試料/1時間
保有している機器：試料冷却・加熱装置（N2ガス吹付、-173〜720℃）：ガンドルフィーカメラ
ユーザー持込OK
利用実績が多い分野：リチウムイオン電池（正極材料）、製薬、金属、セラミック
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試料搬送ロボットを利用した無人自動測定

試料100個搭載
温度変化実験（100–1000 K）も自動

サンプルホルダ
他施設（あいちSR等）と互換20191107第7回次世代先端デバイス研究会／第46回SPring-8先端利用技術ワークショップ

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日本全国土砂データベース構築に対する貢献（東京理科大学，旧装置による）赤鉄鉱（Fe2O3）

全国3000余地点から採取された土砂を分析
粉末回折パターンと蛍光X線分析を組み合わせて分布図を完成

SPring-8プレスリリース（2016/3/24）
http://www.spring8.or.jp/ja/news_publications/press_release/2016/160324/
日本全国土砂データベースhttps://www.rs.tus.ac.jp/jrs-db/
現装置は旧装置の10倍程度の効率でデータ収集可能
さらに大きなデータベース構築・データサイエンスに貢献
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測定手法・装置◎回折・散乱・粉末X線回折（BL19B2）：大坂恵一
・小角、超小角X線散乱（BL19B2） ：大坂恵一
・多軸X線回折（BL19B2、BL46XU）：小金澤智之◎分光・ X線吸収微細構造 XAFS（BL14B2） ：渡辺剛・硬X線光電子分光 HAXPES（BL46XU）：安野聡◎X線イメージング（BL14B2、BL46XU）：梶原堅太郎20191107第7回次世代先端デバイス研究会／第46回SPring-8先端利用技術ワークショップ

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小角X線散乱（BL19B2）
散乱X線試料

Small-Angle X-ray Scattering(SAXS)

2θ

2θ範囲：0.005〜2°（粉末X線回折：2〜82°）

X線
数nm〜の分散粒子の形状の違いや粒径分布などの情報が含まれる
微粒子，析出物、分子集合体（ミセル，等）、結晶粒、凝集体

散乱強度

散乱強度

粒径分布

D

00.01

0.1

q(nm-1)

150

D(nm)

q-2
q-1

q-4

1000.1q(nm-1) 1

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BL19B2のSAXS/USAXS測定システム◎小角X線散乱（SAXS）
光学ハッチ

第1実験ハッチ

モノクロメータ
Monochrometer X線ミラー

スリット
Slit

Slit
スリット

第3実験ハッチ

第2実験ハッチ

試料 DetectorSample
スリット
Slit

スリット

スリット
Slit

ガード
アパーチャ

BS0.7–3 m

Camera Length = 40m◎超小角X線散乱（USAXS）
試料ガード
アパーチャ

BS40 m
試料搬送・自動測定ロボット「HummingBird」

2次元検出器BL19B2のSAXS/USAXS測定システム
結晶粒凝集体

観測対象

1μm

Size

散乱角2θ（°）
＠E=18keVq (nm-1)

sin ql

100nm
0.01
10-2
USAXS

1nm

10nm
10.1

10-1

100

小角X線散乱
SAXS

カメラ長0.75–3 m
カメラ長40 m

散乱強度q = 4p

微粒子，析出物
分子集合体（ミセル，等）

原子配列
分子構造
1Ǻ
10101

X線回折XRD

BL19B2のSAXS/USAXS測定システム

カメラ長SAXS：0.75, 1.0 , 2.0 , 3.0 m
USAXS：40 m

X線エネルギーSAXS：18 keV
USAXS：18 keV

測定時間 SAXS：10秒〜1分
USAXS：5分

ミラー入射角2mrad（15-30 keV）

試料交換1分以内（試料交換ロボット）

保有機器：試料加熱・冷却装置（-50〜200℃）
持込装置可：加熱冷却装置、試料引張り装置、溶液フローセル
利用実績が多い分野：高分子、ゴム、化粧品、金属析出物

BL19B2のSAXS/USAXS自動測定システム

ビームサイズ：0.3 mm x 0.3 mm
試料数：120個（0.75–3 m），90個（40 m）
試料環境：室温
Youtube SPring-8チャンネル
https://www.youtube.com/watch?v=t4hoDJ4wglc

測定手法・装置◎回折・散乱・粉末X線回折（BL19B2）：大坂恵一
・小角、超小角X線散乱（BL19B2） ：大坂恵一
・多軸X線回折（BL19B2、BL46XU）：小金澤智之◎分光・ X線吸収微細構造 XAFS（BL14B2） ：渡辺剛・硬X線光電子分光 HAXPES（BL46XU）：安野聡◎X線イメージング（BL14B2、BL46XU）：梶原堅太郎20191107第7回次世代先端デバイス研究会／第46回SPring-8先端利用技術ワークショップ

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HUBER社多軸X線回折計(BL46XU、BL19B2)
BL46XU第一実験ハッチ
HUBER社製

多軸回折計

オープンスペース

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HUBER社多軸X線回折計(BL46XU、BL19B2)
対象：粉末・単結晶“以外”のX線回折・散乱測定
幅広い測定ニーズに応えられるように測定環境整備
・X線エネルギー
・X線ビームサイズ

薄膜： 6-35 keV 72KeV＠三倍波：3 um－1 mm

・検出器：角度分解能・観測エリア・測定時間
・０次元検出器（＋受光光学系）
・１次元検出器
・２次元検出器・試料周辺・位置調整用自動ステージ : xyz、スイベル、・・・
・試料環境 :大気、He雰囲気、湿度制御
加熱・冷却（-180〜1500℃）
ユーザー持込可
加熱・冷却・引張り・大気非開放・ガス雰囲気・光照射・
電圧印可・真空蒸着・塗布乾燥・充放電

電池そのもの利用実績が多い分野：機能性薄膜、金属、電池
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多軸X線回折計：検出器
0D detector

double slits + 0D detector

PILATUS 300K

0D detector

crystal analyzer+ 0D detector

2D detector (PILATUS 300K)

0D detector

MYTHENsollar slits + 0D detector

1D detector( 6 modules of MYTEHN)PILATUS 2M

2D detector (PILATUS 2M)

装置セットアップはスタッフが実施
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多軸X線回折計：試料周辺

BL46XU

大気中、複数試料加熱、anton parr DHS1100

BL46XU

カプトンドーム He、N2雰囲気

BL19B2

BL46XU

真空蒸着、基板冷却、TFT測定
岩手大学吉本先生

BL19B2

BL46XU

溶媒雰囲気制御＋UV-Vis
産総研宮寺先生

光照射
NAIST鈴木先生

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オープンスペースの利用
Insitu XRD&SAXS

GISAXS

マイクロビームXRD（3~5 um）

ユーザー持込装置

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測定手法・装置◎回折・散乱・粉末X線回折（BL19B2）：大坂恵一
・小角、超小角X線散乱（BL19B2） ：大坂恵一
・多軸X線回折（BL19B2、BL46XU）：小金澤智之◎分光・ X線吸収微細構造 XAFS（BL14B2） ：渡辺剛・硬X線光電子分光 HAXPES（BL46XU）：安野聡◎X線イメージング（BL14B2、BL46XU）：梶原堅太郎20191107第7回次世代先端デバイス研究会／第46回SPring-8先端利用技術ワークショップ

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X線吸収微細構造 XAFS（BL14B2）
XAFSの測定概要
側面図



透過XAFS測定

試料によるX線の吸収量の測定
 入射X線の強度：I0 試料を透過したX線の強度：
I1
電離箱（I0）SR

電離箱（I1）

白色X線
試料

偏向電磁石

θB

二結晶分光器E (keV) =12.398/2d sinθBd ：結晶の格子面間隔
θB：ブラッグ角I1 = I0 exp(-mt)
mt = -ln(I1/I0)
 m： 試料の吸収係数
 t: 試料の厚さ
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X線吸収微細構造 XAFS（BL14B2）

Absorbance

XAFS (X-ray Absorption Fine Structure)

EXAFS
2

XANES : X-ray Absorption Near Edge Structure
EXAFS : Extended X-ray Absorption Fine Structure

XANES

0

XANES: 電子状態（価数）、対称性など
EXAFS: 局所構造（配位数、結合距離など）

Eu2O3

50eV

47100
7000
Energy (eV)6900

透過法・・・・・・・試料環境制御の自由度が高い
蛍光法・・・・・
感度が高い。希薄な試料に適用
転換電子収量法・・・表面敏感。試料環境制御は難7200•元素選択的な検討ができる•

試料形態・環境を選ばない

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28 /51XAFS測定装置

X線エネルギー範囲：3.8〜70 keV
K-edge : Ca – W
L-edge : In －測定時間：透過法、転換電子収量法：5分
蛍光法：30-60分（測定元素濃度に依存）

高温セル

保有している機器：高温セル（RT〜1000℃、ガス供給可）：低温セル（10K〜RT）
ユーザー持込可（高温、ガスフロー、溶液フロー）
利用実績が多い分野：触媒、リチウムイオン電池、燃料電池

ガス供給装置20191107第7回次世代先端デバイス研究会／第46回SPring-8先端利用技術ワークショップ

29 /51簡便で高効率･高能率な測定環境● 光学機器調整の自動化
・ 結晶面の選択：Si(111) or Si(311)
・ 吸収端の選択：周期律表から選択● XAFS測定の自動化
・ 試料交換：試料自動搬送装置：試料数80個、交換時間30-60秒
・ 測定方法：透過法、蛍光法（45度配置）

自動試料交換自動XAFS測定（ウェブ）● 標準試料データベースとデータ転送システム（BENTEN）
BENTEN●28元素、 462試料のXAFSスペクトルデータを収録(2019.7.29現在) ● 遠隔XAFS測定 ●●※SPring-8実験データ
リポジトリからBENTEN
●に移行中

●

ユーザー実験データの保存●

ブラウザからダウンロード

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ウェブブラウザで実験
データの随時ダウンロード
複数同時接続

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その場観察技術（試料環境整備）● ガス設備（反応性ガス利用）● 試料調製環境整備（化学反応実験）

ガス供給排気装置、除害装置等
ガス混合装置

加圧ガス雰囲気でのその場観察
5～8気圧用を増設

in-situセル

安全かつ効率的な試料調製環境●

グローブボックス
嫌気性試料の調製（O2, H2O < 1ppm）●

ガス分析装置ヒュームフード酸、アルカリ、有機溶媒の安全使用●

実験台
真空ラインによる有機試料合成等

2020年度運用開始予定

オフライン分析装置：ガスクロ

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利用事例紹介
車載用燃料電池に使用する電極触媒の開発*ダイハツ工業株式会社 坂本 友和様
SPring-8 利用推進協議会 第２回グリーンサスティナブルケミストリー研究会 発表資料より抜粋
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測定手法・装置◎回折・散乱・粉末X線回折（BL19B2）：大坂恵一
・小角、超小角X線散乱（BL19B2） ：大坂恵一
・多軸X線回折（BL19B2、BL46XU）：小金澤智之◎分光・ X線吸収微細構造 XAFS（BL14B2） ：渡辺剛・硬X線光電子分光 HAXPES（BL46XU）：安野聡◎X線イメージング（BL14B2、BL46XU）：梶原堅太郎20191107第7回次世代先端デバイス研究会／第46回SPring-8先端利用技術ワークショップ

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硬X線光電子分光(HAXPES)とは?
（Hard X-ray PhotoEmission Spectroscopy ）励起光 : hn
光電子 : Ekin
試料𝐸kin = ℎ𝜈 − 𝐸B
𝐸B : 電子の束縛エネルギー

従来の光電子分光（photoemission spectroscopy: PES）:
紫外光～軟X線（数eV～1.5 keV）
硬X線光電子分光（Hard X-ray photoemission spectroscopy: HAXPES）:
硬X線（数 keV～十数 keV）
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(硬X線)光電子分光法で得られる情報
組成分析(デプスプロファイル)

状態分析

元素分析

元素組成(at.%)

Metal

Cu 2s
Cu 2p
O 1s

B

24.520.0CD
5.550.0

FeO

Ti 2p
Fe2O3

Atomic concentration (%)

80

Si 1s
Ti 2s

A60

N1s
O1s
Al2p
Ti2p
Ga2p3/240

2000102030405060

Depth (nm)Appl. Surf. Sci. 100/101 (1996) 3620191107第7回次世代先端デバイス研究会／第46回SPring-8先端利用技術ワークショップ

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HAXPESの特徴
HAXPESのメリット：検出深度が深い
ラボに比べてX線励起エネルギー大(6～14 keV)
光電子の運動エネルギー大

HAXPES（∵ 𝑬𝒌 = 𝒉𝝂 −𝑬𝑩 −𝜱𝒔 ）試料内における光電子の非弾性散乱の影響小非弾性自由行程（IMFP）大

検出深度大(ラボの数倍) → 試料深部を非破壊で分析できる• Bulk sensitive (surface insensitive)• Low surface/contaminant effects (surface preparation is less important)• Analysis of buried interfaces• Depth profiling by TOA dep.

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HAXPESの特徴

HAXPESのメリット：検出深度が深い
Cu 2s
Cu 2p
O 1s

Si 1s
Ti 2p

Si-Si

Ti2p
Intensity (a.u.)

Intensity (a.u.)

Si1s

TiO2
Ti2p3/2

Ti2p1/2

SiO2

1846

1844

1842

1840

Binding Energy (eV)

1838

1836

468

466

464

462

460

458

456

454

Binding Energy (eV)

試料界面(深部)の情報(結合状態)を非破壊で検出できる。
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HAXPES in BL46XU◎周辺装置
試料加熱装置（RT〜500℃） グローブボックス、トランスファーベッセル
光照射装置（300〜1200 nm） Osコーター、Cコーター
電圧印加装置（DC±100V）◎利用実績の多い分野：太陽電池、アルゴンイオン銃、電子銃
ワイドバンド半導体
内部光源（AlKα、AgLα）
二次電池
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R4000 vs. HV-CSA 300/15
VG Scienta R4000
typeHemisphericalFocus HV-CSA 300/15
Cylindrical sectore-KE≤ 10 keV (normally operated at 8 keV)

≤ 15 keV

energyresolution

highmedium

Exp. data
fittinghv~ 7939.1 eVdelta E 0.235 eV
7938

7939

Si(111)DCM+Si (444) CC
Slit size: 0.5C,
Ep=200 eV, RT

Si(333)DCM
Slit size: 0.5,
Ep=100 eV, RT
hv~14016.44 eVdelta E 0.501 eV14015.07940

Kinetic
energyCounts[a.u.]/eV14016.014017.014018.0

Kinetic energy/eVefficiency

highmedium

stability

Very stable at normal condition (8keV)

Stable but sometimes discharges at≥12 keVothersAuto-meas. system with GUI.
Peripheral devices

Blanking electrode for timeresolved exp.

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Metal/SiC界面反応層の分析
as-deposited

600℃

950℃

HAXPESと2D-XRDを組み合わせることでNi/SiC界面反応層の結合状態と結晶配向性を評価することが可能
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SiCの熱酸化過程の観察
In situ XRR results

Epitaxial SiC(Si face)Reflectivity

101010610210-210-625C
100C200C300C
400C
500C
600C
700C
800C900C

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 102 (degree)
各試料ともに100～700℃までは緩やかに酸化膜が成長し、800℃近傍より急激に酸化膜の成長が進行する。
C faceはSi faceに比べて酸化膜の成長速度が大きい。
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Metal/SiO2/SiCバンドアライメント評価

ゲート電極金属(仕事関数)に依存したバンドアライメントの変化が認められた。
Appl. Phys. Lett. 101, 241602 (2012)20191107第7回次世代先端デバイス研究会／第46回SPring-8先端利用技術ワークショップ

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測定手法・装置◎回折・散乱・粉末X線回折（BL19B2）：大坂恵一
・小角、超小角X線散乱（BL19B2） ：大坂恵一
・多軸X線回折（BL19B2、BL46XU）：小金澤智之◎分光・ X線吸収微細構造 XAFS（BL14B2） ：渡辺剛・硬X線光電子分光 HAXPES（BL46XU）：安野聡◎X線イメージング（BL14B2、BL46XU）：梶原堅太郎20191107第7回次世代先端デバイス研究会／第46回SPring-8先端利用技術ワークショップ

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放射光X線イメージングの特徴• 試料内部における各部位のX線の吸収量の差や屈折により試料内部の構造を画像化する。
• 非破壊で試料内部のオペランド観察やその場観察が短時間で可能。
• 高輝度な単色Ｘ線を使うため高コントラストかつ短時間で観察が可能。

BL14B2とBL46XUにおけるX線イメージング
BL14B2のイメージング装置

BL46XUのイメージング装置

BL14B2

BL46XU

光源

偏向電磁石

アンジュレータ

画素サイズ[μm]Ｂｌ2.860.37

視野サイズ[mm]11×3

1.4×0. 5(12.4keV)- 0.8 ×0.5(37keV)

測定時間[ms/画像]

数10-数100

数10-数100

X線のエネルギー[keV]

6-376-37

測定技術

測定方法：X線ラジオグラフィ、CT、ラミノグラフィ
画像コントラスト：X線吸収コントラスト、屈折コントラスト
試料環境：冷凍装置、赤外線加熱など

冷凍食品の放射光CT(BL14B2)
産業利用推進室で開発した冷凍機(図1)を使い、試料が凍った状態でCT測定。冷凍食品の食材の劣化のメカニズムを解明するために使用されている。
• 単色X線利用により高コントラスト。マグロの身や豆腐が氷と区別できている。
• 冷凍状態のその場観察。

図1. X線CT用冷凍機1)。
••••

測定時間 2.5 min(露光時間 120 ms 、1.2deg/s)
画素サイズ 2.9 μm
試料サイズ 5 mmφ
X線のエネルギー 12.4 keV

図2. 冷凍マグロ(a)と冷凍豆腐(b)の断面像1) 。画像の色はX線の線吸収係数の分布を示している。 -30℃。

1) M. Sato, et al., 日本食品工学会誌 (Japan Journal of Food Engineering), 17, (2016) 83-88

放射光ラミノグラフィによるパワーモジュール実装構造観察(豊田中央研究所 木村英彦氏 BL19B2)
自動車用パワーモジュールの温度変化による変形やボイドの変化を評価。
•

放射光ラミノグラフィにより板状の試料内部が観察できた。

1 mm

X線
ラミノグラフィはCTの回転軸を傾けた配置。板状の試料を回転させてもビームパス長は一定。

パワーモジュールのはんだ部に径の異なるボイドを積極的に導入した試料。はんだ部中央(Section A)では数μmのボイドが観察できた。界面近傍(Section B)ではラミノグラ
フィ特有のアーチファクト(実在しないぼんやりしたボイド像)が発生している。

利用課題実験報告書 https://user.spring8.or.jp/apps/experimentreport/detail/13383/ja

１、 JASRI産業利用ビームライン紹介（BL14B2, BL19B2, BL46XU）
２、利用制度と今後の課題募集のご案内

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48 /51SPring-8共用ビームライン課題申請（産業利用BL）○一般課題（産業利用分野）【年6回募集】
成果公開○大学院生提案型課題○長期利用課題【年6回募集】【年1回募集（A1期）】○成果公開優先利用課題○成果専有課題【年6回募集】【年6回募集】

有償 ○時期指定成果専有課題【随時募集】【随時募集】【随時募集】○測定代行○産業利用準備課題

年6回募集
2019B 2019B1
2019B2
2019B3(11/6)
2020A 2020A1(12/5)
2020A2(3月下旬)
2020A3(5月中旬)
2020B 2020B1(6月中旬)
2020B2
2020B3

研修会：課題申請中の方、および課題申請を検討されている初心者の方が対象
各測定手法で開催。XAFS：随時、その他：1〜2回/年20191107第7回次世代先端デバイス研究会／第46回SPring-8先端利用技術ワークショップ

49 /51SPring-8共用ビームライン課題申請
課題申請

BL情報研修会等

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