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- 111 -㻌

SATテクノロジー・ショーケース2015

200
0.1 - 1 s (Nor.)4 - 6.6 s

Low gate㻌
Relative yield

150

High gate㻌gate)ࡋ࡚D⥺᫬㛫ᙉᗘኚ໬ࢆ㏣࠺ࠋᅗ3࡟ࢤ࣮ࢺࡋࡓࠊ᫬㛫౫ᏑD⥺ᙉᗘࢆ♧ࡍࠋᣑᩓ⌧㇟௨እࡢLiࡢ᫬㛫ኚ໬ࢆ㝖ࡃࡓࡵࠊD⥺ᙉᗘࡣࠊ࢚ࢿࣝࢠ࣮ศᕸ࡟᫬㛫౫Ꮡᛶࡀほ ࡉࢀ࡞࠿ࡗࡓࠊᖖ ࡛ࡢPtヨᩱ࠿ࡽࡢD⥺ᙉᗘ࡛つ᱁໬ࡋ࡚࠸ࡿࠋᅗ3ࡢࡼ࠺࡟ࠊప࢚ࢿࣝࢠ࣮㡿ᇦ࡛ࡢD⥺ᙉᗘࡀ᫬㛫࡜ඹ࡟ᚎࠎ࡟ቑ኱㸦㧗࢚ࢿࣝࢠ࣮㡿ᇦ࡛ࡣῶᑡ㸧ࡋ࡚࠸ࡿࡢࡀศ࠿ࡿࠋᩘ್ࢩ࣑࣮ࣗࣞࢩࣙࣥ
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R(9E-12lg,
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D = 9.2×10 cm /s)㻌R(HSG)High gate㻌
-122R(9.2E-12hg)

Simulation ( D = 9.2 ×10 cm /s)㻌

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1

100

0.5

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