NACHITECHNICALREPORT
Machining

15A2Vol.

Feb/2008■ 寄稿・論文・報文・解説

マシニング事業
機械工具
プレシジョン「微細加工用ダイヤモンド工具の開発と応用」"Development and Applicationof Diamond Tools for Micromachining"〈キーワード〉

ダイヤモンドアレイ工具・マイクロ／ナノ加工・
ダイヤモンドCVD・異方性エッチング・単結晶シリコン

富山大学大学院

森田 昇

教授
Prof.Dr.Noboru Morita, University of Toyama
富山県工業技術センター

川堰 宣隆

研究員
Dr.Noritaka Kawasegi, Toyama Industrial Technology Center
工作機械技術振興賞（論文賞）受賞

「微細加工用ダイヤモンド工具の開発と応用」

要旨

超精密加工技術の発展にともない、機械加工に1.微細加工用工具の必要性

おいてもマイクロ・ナノメートルオーダの微細加工技

近年、電子・光学・バイオをはじめとした様々な分術が求められている。これを達成するためには、工野で、マイクロ・ナノメートルオーダの微細構造の製作機械の高精度化とともに、切削工具の高精度化、造技術が注目されている。とりわけ現在、機械的な微細化が必須となる。

微細加工技術に対する期待は高い。機械加工は、※1

本稿では、単結晶シリコンの異方性エッチングと多様な材料に対して効率よく、自由度の高い加工ダイヤモンドのCVD成膜技術を応用して、任意の切を行なうことができる。このため、現在の半導体製造れ刃形状と配列を精密に規定できるダイヤモンドア技術をベースとしたプロセスでは困難な、微細部品レイ工具について述べる。の作製技術として期待されている。

※2

それを応用したマイクロ・ナノメートルオーダ
さらに、の微細加工技術について概説する。

Abstract
With the development in ultraprecise machining
technology, micromachining technology is required for the micro／nanometer level of machining. As machine tools have become highly precise, the high-precision, microscopic cutting tools
are necessary to achieve this level.
Explained in this text is Diamond Array Tool withwhich an arbitrary form for a cutting edge andthe array can be controlled precisely by using anisotropic etching of single crystal silicon and thediamond's CVD film-forming technology. Furthermore, the applied micromachining technology for micro／nanometer level is briefly explained

マイクロ・ナノメートルオーダの機械加工において、加工を実現するためには、工作機械の高精度化とともに、加工用工具の高精度化、微細化が必須となる。現在、工作機械については運動精度をナノメートルオーダで実現する実用技術は存在するものの、切削工具の形状精度についてはマイクロメートルオー
マイクロ・ナノメートダが限界とされている。このため、ルオーダの機械加工を実現するうえで、加工用工具の開発が極めて重要な課題となっている。
このような背景から、著者らは単結晶シリコンのエッチング技術と多結晶ダイヤモンドのCVD技術を併用し、任意の切れ刃形状と配列を精密に規定できるダイヤモンドアレ微細加工用ダイヤモンド工具（以下、ダイヤモンドアレイ工イ工具）を開発した。本稿では、具の作製と、それを利用したマイクロ・ナノメートルオーダの微細加工技術について述べる。
本工具の開発は、主に富山大学、富山県工業技術センターおよびNACHIの3機関で行なっている。
富山大学では工具の設計・製作および加工実験、
富山県工業技術センターではフォトリソグラフィーによるシリコンモールドの作製、NACHIではダイヤモンドの成膜をそれぞれ分担している。

1

2. ダイヤモンドアレイ工具の作製

1）

マイクロ・ナノメートルオーダの機械加工を実現す（マスクパターンによる工具形状の変化）

るには、切れ刃の形状精度がナノメートルオーダであダイヤモンドアレイ工具の大きさ、配列や形状は、るだけではなく、工具自体の大きさがマイクロメートル使用するマスクパターン、シリコンの結晶方位やエッダイヤモンオーダであることが要求される。このため、チング方法によって変化する。図3は、3種類のマスドアレイ工具の作製には、独自の工具作製方法を考クパターンを用いて作製した、ダイヤモンドアレイ工具｛100｝を用案・開発している。図1は、単結晶シリコンのSEM観察像である。上段はマスクパターン、下段いた場合の、ダイヤモンドアレイ工具の作製プロセスはダイヤモンドアレイ工具である。パターン形状によっである。以下に、その手順を示す。て、切れ刃の大きさ、配列を変化させることができる。

①フォトリソグラフィーにより、モールドとなるシリコン｛100｝上にマスクパターンを作製する。
ウエハ（作製方法による工具形状の変化）②水酸化カリウム（KOH）水溶液により単結晶シ

図4（ a）と（b）は、面方位がそれぞれ｛110｝｛、111｝｛111｝面でリコンの異方性エッチングを行ない、のシリコンウエハを用いて作製したダイヤモンドアレイ構成された四角錘状の凹みを形成する。

工具である。六面体の屋根型形状、六角柱状の切③バッファードフッ酸により、酸化膜を除去する。

れ刃を作製できる。同図（c）は、モールドのエッチン④CVD法により、シリコンモールド表面に多結晶グに等方性エッチングを利用して作製した工具である。

ダイヤモンドを成膜する。

等方性エッチングでは、エッチングが全方位に等速⑤アルカリエッチングによりシリコンモールドを除去し、ダイヤモンドアレイ工具をとり出す。

ドーム型の切れ刃を作製できる。同図（d）
は、で進行し、※3

切れ刃のさらなる微細化を図るため、集束イオンビー

シリコンモー
図2は、上記の手法を用いて作製した、ム（FIB）を利用した、1辺の大きさが1μmの工具であルドとダイヤモンドアレイ工具のSEM観察像である。

る。単結晶シリコンにFIB照射すると、照射部がKOH一辺が80μmの四角錐状の切れ刃が規則的に配水溶液に対して耐エッチング性を示す 。この領域列しており、シリコンモールドの形状を正確に転写しをマスクとして使用することで、微細な工具の作製がていることがわかる。その先端半径は10nmオーダで可能となる。
さらに、リアクティブイオンエッチングを利あり、鋭利な切れ刃を有している。

角柱状の切れ刃の作製も可能である。
用することで、①｛100｝
面酸化シリコン②面｛111｝
異方性エッチング③酸化膜除去

シリコンモールド

単結晶シリコン④ 多結晶ダイヤモンド⑤2）※410μm

300μm
30μm
30μm
300μm

300μm
50μm
50μm
300μm

10μm

ダイヤモンドアレイ工具

アルカリエッチング

CVD膜作製〈110〉

図1 ダイヤモンドアレイ工具の作製方法
200μm

200μm10μm

図3 マスクパターンによる工具形状の変化
（a）

（b）

20μm

（a）
シリコンモールド
10μm

（c）
20μm

10μm

（d）

200μm

（b）
ダイヤモンドアレイ工具
20μm

図2 シリコンモールドとダイヤモンドアレイ工具
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図4

作製方法による工具形状の変化

1μm2

「微細加工用ダイヤモンド工具の開発と応用」

3. マイクロ加工用工具への応用
1）ダイヤモンドアレイ工具を用いたマイクロ加工が進行するのに対して、後者の場合は押分け作用

ダイヤモンドアレイ工具は、既知の形状、配列を有が支配的となる。すなわち、除去加工を行なう上では、している。この特長を生かして、様々な微細加工へと応用可能である。ここでは、本工具を押込み加工、スクラッチ加工やフライス加工などのマイクロ加工へと応用した事例について述べる。

前者の場合が有効であるといえる。

4）回転工具によるフライス加工への応用4）（マイクロ加工用回転工具）
図7は、作製した回転工具のSEM観察像である。

2）押込み加工 3）

回転工具は、先端径φ300μmの超硬製シャンクの

図5は、一刃あたりの押込み荷重75.0mNで押込先端にダイヤモンド切れ刃群、あるいは1刃をとり付み加工を行なったアルミニウム表面のSEM観察像けることで作製している。同図（b）は、底辺50μmのである。工具は、一辺30μmの四角錐状の切れ刃を5つの四角錐形状のダイヤモンド切れ刃群が規則正500μmピッチで配列したものである。広域観察像より、しく配列した複刃工具である。同図（c）は、底辺100ダイヤモンドアレイ工具の配列に一致した加工痕（図μmの四角錐形状のダイヤモンド切れ刃を装着した中、白い輝点）が形成されることがわかる。加工痕の単刃工具である。加工範囲は、切れ刃の数や回転形状は、ダイヤモンドアレイ工具の形状が正確に転中心からの距離によって調整することが可能であり、写されている。その深さは、押込み荷重によって変フライス加工や微細溝加工へと応用できる。

化させることができる。

3）スクラッチ加工（金属ガラスの微細溝加工）
3）※5

図8は、金属ガラスに対して微細溝加工を行なっスクラッチ加工では、工具の形状や方向によってた結果である。切れ刃をシャンクの軸中心から5μm加工特性が変化する。図6は、荷重52.6mNでアルの距離を置いてとり付け、主軸回転数40,000rpm、ミニウム合金に対してスクラッチ加工を行なったときの、送り速度20mm/minで加工を行なっている。加工

加工痕のSEM観察像である。図中の模式図は、加部周辺のバリは少なく、一定の溝幅18μmを持った工時の工具の方向を示している。切れ刃の方向によっ加工痕が形成されている。て、加工痕形状は異なる。加工方向が工具の辺と（a）（b）（c）m0μ50μm

回転させて加工した場合、加工部周辺で盛り上がりが生じる。また、切りくずは観察されなかった。前者の場合は被削材の除去作用が支配的となり加工

200μm

10

平行な場合、加工痕周辺は平滑である。一方、45°100μm

100μm

100μm

100μm

図7 マイクロ加工用回転工具

10μm

図5 ダイヤモンドアレイ工具による押込み加工痕

20μm

10μm

A-A10μm

A

5.1μm

35μm

5.0μm5μm

図6 ダイヤモンドアレイ工具によるスクラッチ加工痕

5μm

18μm

23μm

18μm

1.4μm

A10μm

図8

回転工具による微細溝加工（金属ガラス）

（単結晶シリコンのフライス加工）

加工材である金属ガラスやシリコンの加工後にも切

図9は、複刃工具を用いて単結晶シリコンに対しフライス加工のような過れ刃の破損などは見られず、てフライス加工を行なった加工部のSEM観察像で酷な条件においても十分な強度を有している。

ある。加工部には、幅242μmの加工痕が形成される。
また加工痕底面には、規則正しい工具マークが観※6察される。加工によるクラックの発生は見られず、延性モードでの加工が行なわれている。
200μm

このことから、本工具はシリコンなどの硬脆材料のマイクロ加工に対しても有効であるといえる。また難10μm

図9 フライス加工痕のSEM観察像（単結晶シリコン）

4. ナノ加工用工具への応用
1）原子間力顕微鏡を利用したナノスケール機械加工※7

切れ刃の形状は、シリコンモールドの作製時に等ナノスケールの微細加工を実現するためには、走方性エッチングを組み合わせることで変化させるこ査型プローブ顕微鏡（SPM）が有効である。SPMでとができる 。図11（ a）は、異方性エッチングのみをは、表面観察に用いるプローブを工具として利用す用いて作製した、シリコンモールドのSEM観察像で5）9）ることで、様々なナノスケール加工が可能となる 。

ある。シリコンのエッチングは{111}面で停止し、四角筆者らは、従来から原子間力顕微鏡（AFM）機錘状の凹みが形成される。同図（b）は、異方性エッ構を用いたナノスケール機械加工に関する研究をチング後に等方性エッチングを行ない作製したシリ

6,7）。AFM機構に工具となる高剛性のコンモールドである。等方性エッチングを組み合わせ加工用カンチレバーをとり付けることで、切込みが数ることでモールドの底面幅は増加し、稜線部は丸み十〜数百nm単位のナノスケール機械加工が可能とを帯びる。

行なってきた※8なる。
ナノメー
マイクロメートルオーダの機械加工と同様に、トルオーダの機械加工においても工具切れ刃の形50μm

状は、加工特性・精度などを決定する上で、重要な因子となる。このため、既知の切れ刃形状を持つダイヤモンドアレイ工具は、ナノスケールの機械加工を実現する上で有効な工具となる。
100μm2）加工用カンチレバーの作製
図10は、ダイヤモンドアレイ工具単粒を切れ刃とし8）て用いた、加工用カンチレバー である。フォトリソグラ

図10

加工用カンチレバー（a）

フィー技術を用いて作製したシリコンレバー上に、ダイヤモンドアレイ工具単粒をとり付けてある。このカンチ20μm

20μm

20μm20μm

レバーは、市販の測定用カンチレバーと比較して千倍以上の剛性を有しており、これによって任意の垂（b）直荷重による機械加工が可能となる。

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図11

等方性エッチングによるシリコンモールドの変化

4

「微細加工用ダイヤモンド工具の開発と応用」

図12（ a）と（b）は、それぞれ図11（ a）と（b）で示し

図14は、垂直荷重637μNで面加工を行なった加ダイヤモンド切たシリコンモールドを用いて作製した、工部周辺のSEM観察像である。加工部周辺にはれ刃である。シリコンモールドの形状が正確に転写さ流れ型の切りくずが観察され、脆性材料である単結れている。異方性エッチングにより作製した切れ刃晶シリコンの場合でも延性モードでの切削加工が行の先端半径は、100nm以下である。一方、等方性エッなわれることがわかる。

チングを組み合わせることで、先端半径は1.7μmと4）ダイヤモンド切れ刃の耐摩耗性なる。この先端半径は、エッチング処理時間によっ

図15は、垂直荷重610μNで面加工したときの、加て任意に規定することができる。

工距離に対する加工深さおよび表面あらさの変化（a）である。加工開始時の加工深さは、350nmである。
加工距離の増加にともない加工深さは急激に低下し、
20μm

2μm

加工距離157mmの時に244nmとなる。それ以降、加工深さの変化は小さくなる。

1.7μm（b）

加工開始直後は、切れ刃の初期摩耗によって加工深さが急激に低下する。その後、定常摩耗域に20μm

図12なり加工深さの低下量は小さくなる。また、加工距離2μmが1,700mmに達するにもかかわらず加工深さは約異なる先端半径を有するダイヤモンド切れ刃

3）ダイヤモンド切れ刃によるナノスケール機械加工

8）

図13（ a）は、異方性エッチングにより作製した切れ刃を用いて、垂直荷重80μNで単線加工を行なっ150nmを示しており、本工具は極めて優れた耐摩耗性を持つことを示している。一方、加工部の表面あらさは加工開始直後に大きく、加工距離の増加にともない小さくなる。

た後のAFM観察像である。被加工材料は、単結晶シリコンである。加工部に、深さ20nmの加工痕が形成される。同図（b）は、垂直荷重397μN、送り量59nmで面加工を行なった試料のAFM観察像である。
加工部に、深さ最大294nmの加工痕が形成されることがわかる。開発した加工用カンチレバーを用いる10μmことで、単結晶シリコンに対して切込み数十〜百nm単位の機械加工が可能となる。

図14

加工痕周辺のSEM観察像

A40.00[nm]
0.00

A'0.200.4030.00[nm]
A-A'0.000.6020nm20.00
B10.0010.00

400.00[nm]

500.00 [nm]図135[μm][μm]
0.60 700.00[nm]
0.400.00
0.200.00

B'20.00

B-B'
0.00

加工痕のAFM観察像

0.00

加工深さ
（nm）

（b）

（a）

垂直荷重：610μN
加工速度：120μm／s
送 り 量：59nm
〈110〉
加工方向：

400
300

加工深さ
表面あらさ

4.0
3.0

200

2.0

100

1.00294nm
10.00 [μm]

0500

1000

1500

表面あらさRa（nm）

5.0

500

02000

加工距離（mm）

図15

加工距離に対する加工深さおよび表面あらさの変化

図16（a）と（b）は、それぞれ加工距離3.8mm、（トライボナノリソグラフィーによるマスクレス微細構造の形成）1,540mmの時の加工表面のAFM観察像である。

ここで示した先端半径の大きな切れ刃は、著者ら※910,11）

加工部には、送り量と同様の間隔で工具マークを観が提案するトライボナノリソグラフィー察できる。その高さは、加工距離3.8mm、1540mmて有効である。単結晶シリコン表面をダイヤモンド切の時に、それぞれ7nm、1.5nmである。加工初期の加工時の応力によっれ刃で加工あるいは摩擦すると、場合、切れ刃は鋭利であるため工具マークが大きくてシリコンはアモルファス相へと相転移する。このアなる。加工距離が大きくなると、切れ刃の鈍化によっモルファス相は、KOH水溶液に対して耐エッチングて工具マークの高さは小さくなることがわかる。

性を持っており、これを応用することで単結晶シリコ用工具とし

10）

（a）

マスクレスで微細構造を形成できる 。
ン表面に、

（b）

20.00
[nm]

0.400.00

0.400.80

0.00

0.00

20.00
[nm]
0.00

800.00 [nm]図16

加工後、5mass％のKOH水溶液で3分間エッチン0.80

グ処理を行ない作製した微細構造のAFM観察像

0.400.409）

0.80

5.00
[nm]

7nm

図18は、垂直荷重340μN、加工速度120μm/sで

[μm]

[μm]
0.80 5.00[nm]0.00である 。加工部にマスキング作用が発現し、非加工0.00部が選択的エッチングされることで、グレーティング状

1.5nm
800.00 [nm]

加工距離による表面形状の変化の微細構造の作製が可能である。またそのライン幅は120nmであり、作製したダイヤモンド切れ刃を用いることで、高精細な微細構造の形成が可能である。

5）切れ刃形状による加工形態の変化（a）

図17は、異方性エッチングを利用して作製した切（b）

Aた試料のAFM観察像である。加工部では除去加工が行なわれ、幅283nm、深さ115nmの加工痕が形成される。同図（b）は、等方性エッチングを併用しを用いて垂て作製した切れ刃（先端半径1.7μm）
直荷重340μNで単線加工を行なった試料のAFM

[nm]

0.00

0.400.20

0.400.60

180.00[nm] A-A'0.200.800.00[μm]
0.80

B[μm]
A' 0.80 3.50[nm]0.60

れ刃を用いて、垂直荷重331μNで単線加工を行なっ 150.00

B'0.600.400.00
0.20
0.400.60
0.80

0.00

5.00
[nm] B-B'

1.5nm

0.20115nm
800.00 [nm]

0.00

図17

観察像である。

800.00 [nm]0.00

切れ刃先端半径による加工痕形状の変化

垂直荷重はほぼ同様であるにもかかわらず、加工形態は大きく変化する。加工部で除去加工は行な[μm]われず、高さ1.5nmの微小な隆起が生じることがわ
ダイヤモンド切れ刃と試料の摩擦かる。この現象は、によって生じるシリコンのアモルファス化に起因して10）いる 。切れ刃の形状によって加工形態は大きく変化し、先端半径の増加にともない除去加工から隆

加工部

4.00
150.00[nm]
0.00

200.00
[nm]

2.00
2.00

4.00アモルファス相

シリコン

0.00
120nm

起加工へと変化する。
0.00

4.00 [μm]図18 トライボナノリソグラフィーにより作製した微細構造

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6

5.ダイヤモンドアレイ工具による微細加工の実現
本稿では、切れ刃の形状と配列を精密に規定で高野茂人（NACHI）、小幡勤（富山県工業技術セ

きるダイヤモンドアレイ工具と、それを利用したマイクロ、ンター）、芦田極（産業技術総合研究所）のメンバー

ナノメートルオーダの微細加工技術について述べた。

で、（財）工作機械技術振興財団より平成18年度今後は、工具のさらなる高精度化、応用化についてを受賞している。
工作機械技術振興賞（論文賞）
ご協力い
本稿の執筆および研究の遂行に際し、検討していきたいと考えている。
本稿が、微細加工を目指す研究者・技術者の一ただいた富山大学の山田茂准教授、高野登助手、助になれば幸いである。なお本工具の開発成果の大山達雄氏、NACHIの神田一隆氏、高野茂人氏、

9）

一部 については、川堰宣隆、深瀬達也、高野登、富山県工業技術センターの小幡勤氏、産業技術総森田昇、山田茂、大山達雄（富山大学）、神田一隆、合研究所の芦田極氏にお礼申し上げます。

用語解説※1 単結晶シリコンの異方性エッチング
結晶方位による加工速度の違いを利用したエッチング技術。KOHによ｛ 111｝のエッチングレート
るエッチングでは、他の結晶方位と比較して、｛ 111｝で構成された構造が形成される。
が著しく低いため、※2 CVD
Chemical Vapor Depositionの略。原料物質を含むガスを導入し、化学反応させることで薄膜を作製する方法。主に切削工具や半導体材料への薄膜作製に利用されている。
※3 集束イオンビーム
Focused Ion Beam（FIB）。細く絞ったイオンビームを試料に照射することで、スパッタ、堆積や表面観察を行なうことができる。主に、透過型電子顕微鏡の試料作製や微細加工分野で利用されている。
※4 リアクティブイオンエッチング
Reactive Ion Etching（RIE）。反応ガスをプラズマ化させ、それによって生じたイオンやラジカルを試料に衝突させ、物理的なスパッタと化学反応による加工を同時に行なうことで、高精度に異方性エッチングを行なう方法。とくに、高アスペクト比の構造の作製に、多く利用される。
※5 金属ガラス
アモルファス合金の一種。通常のアモルファス材料よりも極めて遅い冷却速度でアモルファス状態となるため、バルク状の合金を作製できる。
結晶材料と比較して、機械強度、耐食性、精密鋳造性などに優れる。
※6 延性モード加工
シリコンなどの脆性材料において、表面にクラックやチッピングなどを起こさずに加工する加工方法。シリコンやガラスなどの脆性材料でも、切込みをサブミクロン以下にすることで、延性モード加工が可能である。

※9トライボナノリソグラフィー
Tribo-Nanolithography（TNL）。著者らが提案する、微細構造形成法。
単結晶シリコン等の表面にAFMを用いてナノ加工あるいは摩擦すると、加工部がアモルファス相へと相転移する。この領域をマスクとしてエッチングすることで、高さ数十〜百nm単位の3次元微細構造をマスクレスで形成できる。

参考文献
1）高野 登・森田 昇・林 弘樹・川堰 宣隆・山田 茂・大山 達雄・神田 一隆・
高野 茂人・小幡 勤：精密工学会誌、70（11）、p.1402（2004）
2）川堰 宣隆・柴田 浩一・森田 昇・芦田 極・谷口 淳・宮本岩男：
日本機械学会論文集（C編）、70（696）、p.2541（2004）
3）高野 登・森田 昇・林 弘樹・川堰 宣隆・山田 茂・大山 達雄・神田 一隆・
高野 茂人・小幡 勤：砥粒加工学会誌、48（9）、p.510（2004）4）岡 大輔・高野 登・森田 昇・山田 茂・大山 達雄・川堰 宣隆・神田 一隆・
高野 茂人・小幡 勤・稲垣 清紀：2006年度精密工学会春季大会学術講演会講演論文集、p.351（2006）5）A. A. Tseng・A. Notargiacomo and T. P. Chen：
J. Vac. Sci. Technol.、B 23（3）、p.877（2005）
6）芦田 極・森田 昇・吉田 嘉太郎：
日本機械学会論文集（C編）、64（626）、p.4072（1998）
7）芦田 極・森田 昇・吉田 嘉太郎：
日本機械学会論文集（C編）、64 (626)、p.4079（1998）※7 走査型プローブ顕微鏡
Scanning Probe Microscope（SPM）。走査型トンネル顕微鏡（STM）
や原子間力顕微鏡（AFM）などをはじめとした顕微鏡群の総称。探針と試料に働く相互作用を検出することで、物体の性質を測定することができる。

8）N.Kawasegi・N.Takano・D.Oka・N.Morita・S.Yamada・K.Kanda・S.Takano・
T.Obata and K.Ashida：ASME J. Manuf. Sci. Eng.、128（3）、p.723（2006）※8 カンチレバー
原子間力顕微鏡において、表面を走査するために使用するプローブ。
通常の測定用カンチレバーは、プローブ・試料間の微小な力を検出するため、剛性が極めて小さく設計されている。

10）N.Kawasegi・N.Morita・S.Yamada・N.Takano・T.Oyama and K.Ashida：
Nanotechnology、16（8）、p.1411（2005）

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Vol.15A2

February / 2008

〈発9）川堰 宣隆・深瀬 達也・高野 登・森田 昇・山田 茂・大山 達雄・神田 一隆・
高野 茂人・小幡 勤・芦田 極：精密工学会誌、72（8）、p.1025（2006）

11）陳 利益・森田 昇・芦田 極：精密工学会誌、66（11）、p.1807（2000）

行〉 2008年2月20日
株式会社 不二越 開発本部 開発企画部
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