Bm調整マニ

IC vs PL較正(1) 測定セットアップ（Ar,Kr用)

scnAtt● 測定量

IC1 電流値[A] vs PL1 [cps] の較正 : PL1 [ cps ] = K [cps/A] * IC1 [A]と、その適応範囲加速器ビームライン中の Attenuator を調整してもらい、
IC1[A] と PL1[cps] の比例領域に於いて、上式の係数 K [cps/A] を求める。

● 照射実施中と同じセットアップで測定する。 即ち、➢ BeamSpot：
Au膜=IN、 Wob=ON で測定➢ ビームライン常設物： Au散乱膜、Kapton膜、IC1, PL1➢ 使用する検出器：
IC1, PL1※ PL1 より下流のモノは使用しないが、大ビーム電流で測定するので、必要に応じて取り外しておく事。
● 準備手順この測定は通常、「ExpR測定」に引き続き行われるので、セットアップは、ExpR測定のマ(遠隔操作)マで良い。IC2は入ったままHV=ON で良い。
[01] 各検出器の HV=ON
HV( IC1) = +400V ～ 3μA,HV(PL1) = PL1HV 決めした値

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Bm調整マニ: IC vs PL較正1

IC vs PL較正

Bm調整マニ(２) LabViewで測定● 測定手順scnAtt

使用するVI : E5A_scanAtt.vi[11] VI 設定の確認④⑤①

通常は incotE5 上で .exe 版を起動する
タグ：Scan で① イオン源選択 : オペレータに確認しておく 《注11》
タグ：Config で② 「BmON保持 = 30sec」 「測定間隔=2000ms」 ： ２秒間隔で30秒測定③ 「GrpMid」 「GrpMax」 ： 核種により右端の値に設定。プロット範囲指定。

[12] ビーム強度調整
再確認： HV(IC1,PL1)=ON
オシロで PL1の PH と CFDout を見ながら、ビームを強くして行き、PH が低下し、CFDout が > 5 M [cps] になるビーム強度から始める。
※ 前回・同ビーム核種の Att START設定 を参照する。
但し、今回の PLのHV値や、加速器の最大Bm電流によって異なる場合有り。

[12] VI 測定スタート
オペレータと電話をつなぎっぱなしにしておく④ Run開始
ボタンを押すと、現在のAtt設定の測定が開始 され、⑤ 測定残りsec が ゼロで終了する
電話で、次の Att 設定にしてもらい、上記を繰り返す。
タグ：PltRaw の グラフ ⑥ を、適宜チェックする※ Att 設定変更は 1/ 2, 3, 4, 5, 6, 8, 10 の順で だんだん弱くしてもらう
イオン源設定によっては、1/3 , 1/5, 1/6 などが設定できない場合があるので臨機応変に、なるべく細かいステップで変更する。

②

測定終了は、IC1 電流値が BG レベルになり、PL1 ～ 1 k [cps] 程度となる Att の組合せまで[13] VI の測定 Log は、③《注11》 イオン源選択 についてイオン源と加速器の組合せによって、Ａｔｔの組合せが異なる。
今回使用するイオン源をオペレータに確認しておく。
変更方法は、LabView server (incotlvs) で行う。
E5Asvr¥E5As_Prm_Acq.vi の設定変更が必要。

Rev.230626~¥LabView Data¥ scnAtt_yyyymmddhhmm.dat に保存される。

⑥

Bm調整マニ: IC vs PL較正2

IC vs PL較正

Bm調整マニ(３) Excelで解析-1

scnAtt● データ読込み②

使用するExcel : ②実験_scnAtt_*.xlsm[21] 解析用 Excel を開く③

このファイルは、各Bm毎に異なるので、予め用意しておく事！

①[22] LVデータを読み込む
前述の scnAtt_yyyymmddhhmm.dat を CSV で開く
ファイル：開く： から、「コンマ区切り」「区切文字＝コンマ」で、列：日付 = 日付、 列：ED Ptn と、Att Num と Ptn の３列 = 文字列 を指定[23] シート：3_Log に CSV をコピペ
① : 12 行目 から 「貼付け：値」 でペースト 表示書式が崩れない様に！
今回測定の 最終行以降は「値：クリア」する [24]で読込まれない様② に、 .dat の File名 と、Note を記入する③ ラベル列 は、各 Edeg 厚さのRun の集計値(Avr, StD, Sum, Min, Max)⑤

[24] シート：3_Log選 で 集計値行のみを pick up：マクロ実行⑥④ pick up 結果表示エリア を 「値：クリア」 しておく
⑤ の指定は Avr と StD の２通り ある
先ず Avr を指定して ⑥ Log選択ボタン を押し④ pick up 結果： Run#, Att Mul, と ( PL1, IC1, PL2, IC2, AuF ) 列をシート：2_IC解析 の 列 ⑦a ～ ⑦c に 「貼付：値」でコピペ
次に StD を指定して再度 ⑥ を押し④ pick up 結果： ( PL1, IC1, PL2, IC2, AuF ) 列をシート：2_IC解析 の 列 ⑧a に 「貼付：値」でコピペ④[25] シート:2_IC解析 で、計算式記述行を調整⑨ の部分は、⑦、⑧ のデータ点行数に合わせて、上行から「貼付：数式」 or 不要行を「数式と値クリア」する。

⑨⑦aRev.230626⑦b⑦c⑧a

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IC vs PL較正

Bm調整マニ(３) Excelで解析-2scnAtt②a④b②b④c④d①c①d①a④a①b● Fitting の説明①a ： 較正直線 X: IC1[A] Y: PL1[cps] “計算値”②a ： 較正式 PL1 [cps] = K * IC1[A]両検出器の比例領域 ①d を指定し、その領域内のデータ点を、直線近似する。
その近似式が、②b : ⊿E 計算式 と同程度：実測/予想～0.90 を確認する。

● Fitting 作業③⑤[31] 実測値→ シート：params へ記入③ : ExpR測定と同じ 平均温度、気圧 を記入[32] Fitting 範囲 を指定④a : PL1avr 列で、①d の領域を、薄黄色でマーク。その「行番号範囲」を④b,c : に記入※ ④a の見方は、下限： IC1 avr が、BG level になる付近 上限： IC1 が増えても PL1 がサチって来る所④d : が 直線Fit結果で、②a に転記され、①a の赤線 に相当⑤ : 加速器Grp が TOF法で測定してくれた Ebm[MeV/u] を記入 ※ この他に次頁[41]～[43]も必要①a の緑線 に相当。
[34] シート: 2_IC解析 を 印刷して、Userへ提供する。 以上で完了

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Bm調整マニ: IC vs PL較正4

IC vs PL較正

Bm調整マニ(参考) IC ｖｓ PL較正でやっている事

使用Excel : ①ツール_共通_*用.xlsm②実験_scnAtt_*.xlsm の下２ページ目①a①b①cscnAtt③a④b②b②a④a④c④d● ⊿E 計算式 の 準備[41] 実測値→ シート：params へ記入①a,c : ExpR測定と同じ 平均温度、気圧、ExpR を記入①b : 加速器Grp が TOF法で測定してくれた Ebm[MeV/u] を記入[42] δEbm補正[%] を決定②a : δEbm補正[%] を メノコ で指定し、②b : が、0.0 になる値を探す※ δEbm の意味は、TOF法で測定した Ebm を「人為的に補正」し、ExpR：実測値に強引に合わせる。
このズレは、Edeg 出口までのビーム通過物(Au～PL1,Lair2) の厚さの測定誤差
及び、SRIMの⊿E計算の誤差 による● ⊿E 計算式 でやっている事[44] ⊿E [MeV] → 生成電荷 [C] → 粒子数 PL1 [cps] 計算④a : 空気の W値 を採用 (文献値：ビーム核種にあまり依存しないそうです)④b : Au, Kapton, IC1 通過の Ebm を順次計算④c : IC1 電極部での⊿E ÷ ④a = ion pair 数④d : が、⊿E計算式の 比例係数 K です[43] シート: 1_scnAtt1 へ転記③a : に、②a 決定値 を転記する

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