No.

162

2006

光・量子技術メカトロニクス技術 特集

光・量子技術メカトロニクス技術 特集

論文・報告 ダブルパルス固体レーザアニーリング技術の液晶･半導体への適用
重粒子線がん治療装置用小型入射器の開発

山 和則，櫻木 進，若林直木，工藤利雄

1

密本俊典，筒井裕士，岩田佳之，山田 聰

7理研中間段リングサイクロトロンの高周波システム

戸内

豊

11

カセット方式FDG合成装置（F200）の開発

田中栄士

15

洋，上野悟史

19

冨田良幸

23

越智俊昭

27

RPD法によるZnO成膜技術

伊藤秀彦，木下公男

29

RPD法によるSiON成膜技術

伊丹

［11C］
メチオニン合成装置の開発

渡辺利光，新屋

リニアモータとボールネジの駆動特性評価

技 術 解 説 超小型PETサイクロトロン制御系の開発

哲，三好

陽

31

テンションコントロールシステムの開発

三好

人

33

高周波PWMドライバ SDPDの開発

白石貴司

35

木根原慎一，千々岩敏彦

37

サーボドライバ GS−200の開発

新製品紹介 RI製造システム CYPRIS HM−739

自動品質管理装置 Q200

40

新型ホットセル41

イオンビームスキャニング電源

42

クラスタ式RPD成膜装置

43

液晶製造装置用大型汎用ステージ

44

論文・報告
圧縮成形装置 SY−COMPの開発

福岡大，深山寿秀45

技術解説
新型半導体モールド装置 SXシリーズ
衛星搭載クライオスタットの軌道上実績

勉

49

恒松正二，平林誠之，吉田誠至

51

淵脇賢二郎

53

澤田博行，曽根正明，嶋崎重昭，川野

下水発生汚泥量抑制プロセス

新製品紹介
アンパイリング／パイリング用リフティングマグネット装置

55

アステロ 直交ギヤヘッド

56

クーリングタワー用減速機 低騒音SFCシリーズ

57

油圧ショベル SH200−5 SH240−558Sumitomo Heavy Industries
No. 162 2006
SpecialSectionTechnical Review
of Optics and Quantum Technology& Mechatronics Technology

Special Sectionof Optics and Quantum Technology& Mechatronics Technology
T/PAPER

Double-pulse Solid-state Laser Annealing Technologies Applied for LCD and Semiconductor Manufacturing Processes
Kazunori YAMAZAKI, Susumu SAKURAGI, Naoki WAKABAYASHI, Toshio KUDO

Development of Compact Injector for Heavy-ion Cancer Therapy System
Toshinori MITSUMOTO, Hiroshi TSUTSUI, Yoshiyuki IWATA, Satoru YAMADA

RF System for RIKEN Intermediate Ring Cyclotron

1
7

Yutaka TOUCHI

11

Eiji TANAKA

15

Toshimitsu WATANABE, Hiroshi ARAYA, Satoshi UENO

19

Development of Cassette Type FDG Synthesizer（F200）
Development of Miniature Module for［11C］
Methionine Synthesis
Evaluation of Drive Performance of Linear Motor and Ball-screw
Yoshiyuki TOMITA

23

Toshiaki OCHI

27

Hidehiko ITO, Kimio KINOSHITA

29

Tetsu ITAMI, You MIYOSHI

31

Kiyoto MIYOSHI

33

Takashi SHIRAISHI

35

Shinichi KINEHARA, Toshihiko CHIJIIWA37

T/INVITATION Development of Ultra Small Size PET Cyclotron System
ZnO Deposition System by RPD Method
SiON Deposition Process by RPD Method
Development of Tension Control System
Development of High Frequency PWM Driver SDPD
Development of Servo Driver GS−200

NEW PRODUCT RI Manufacturing System CYPRIS HM−7

39

Quality Control System Q200

40

New Hot Cell41

Ion Beam Scanning Power Supply

42

Cluster Type Reactive Plasma Deposition

43

Linear Guided Gantry Moving Type of Large Stage for FPD

44

T/PAPER
Development of Compression Molding Machine SY−COMP
Yutaka FUKUOKA, Toshihide MIYAMA

45

Hiroyuki SAWADA, Masaaki SONE, Shigeaki SHIMASAKI, Tsutomu KAWANO

49

T/INVITATIONNew Molding Machine SX Series
Results on Orbit of Cryostat Equipped for Satellite
Shoji TSUNEMATSU, Masayuki HIRABAYASHI, Seiji YOSHIDA

Low Excess-sludge Production Process in Sewage Treatment
Kenjiro FUCHIWAKI

51
53

NEW PRODUCT
Lifting Magnet Device for Unpiling/Piling

55

ASTERO Right Angle Gear Head

56

SFC Low Noise Model for Cooling Tower Drive57

Hydraulic Excavator SH200−5 SH240−558

光・量子技術メカトロニクス技術 特集

ホットラボ室
外部モニタ，操作用
コンピュータルータ
モニタ
キーボード マウス

外部モニタ，
操作用パソコン

メール
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外部モニタ用

住友重機械
HPLC

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KVM 切換え器
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KVM 切換え器 シンクライアント

キーボード マウス
シンクライアント

操作卓

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Q200 PLC

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サイクロトロンPLC

サイクロトロン室

ホットセル内FL NET光・量子技術特集
メカトロニクス技術

ダブルパルス固体レーザアニーリング技術の液晶･半導体への適用

論文･報告

ダブルパルス固体レーザアニーリング技術の液晶･半導体への適用
Double-pulse Solid-state Laser Annealing Technologies Applied for LCD and Semiconductor
Manufacturing Processes
●山

和

則＊ 櫻

Kazunori YAMAZAKI

木

進＊ 若

Susumu SAKURAGI

林

直

木＊ 工

Naoki WAKABAYASHI

藤

利

雄＊

Toshio KUDO

Laser
controller2
o u tpu

Delay time monitor

Laser
controller1
o utpuPersonalcomputer

Delay/pulse
controller

Variable ATTN

Stage controller

Telescope

PD
Pulse laser 2nd

Homogenizer

PD

Process
shutter

Pulse laser 1st

Beam profiler
monitor

PBS

EnergymonitorGlass substrate
Process stage

Process chamber

Microvibration
isolation table

図１

ダブルパルスレーザ固体アニーリング装置（左）とシステム構成（右）Picture (Left) and schematic constitution (Right) of double-pulse solid-state laser annealing system

新たに開発したダブルパルス制御方式の固体グリーン
レーザアニーリング装置を用いて，液晶・半導体向けの新しい熱処理プロセスを開発した。ダブルパルス法は，２台のレーザに数百ns程度の遅延時間をつけて照射する手法である。0.5 ％（rms）のパルスエネルギー安定性と，パルス幅に対し３%（rms）の遅延時間コントロール精度により被照射物への入熱量とその時間履歴を精確にコントロールすることができ，デバイスの高性能化に大きな効果を発揮する。本照射法を液晶低温ポリシリ
コン薄膜トランジスタ（LTPS TFT）のポリシリコン（Poly-Si）薄膜結晶化プロセスに適用し，単結晶並みの高移動度600 cm2/Vsを達成した。また，高性能パワー
トランジスタIGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）の素子裏面の活性化プロセスに適用し，表面の配線層に熱ダメージを与えることなく，80 %以上の高い活性化率で1.8μm深さのpn接合を形成できた。

１

1

まえがき

The double-pulse laser annealing system with twosolid-state green lasers were developed. Using thissystem, innovative laser annealing processes for
LTPS TFT (Low Temperature Poly-Si Thin Film Transistor)of LCD(Liquid Crystal Display) and for high performance power transistor, IGBT (Insulated Gate Bipolar
Transistor) were developed. The double-pulse
method is the technique where two lasers are irradiated with the delay time of several hundred nano seconds between them. The system is characterized by
the high pulse energy stability of 0.5 % and the precise delay time control with less than 3 % fluctuations
to the laser pulse width. They help to effectively control the time evolution of process temperature, which
contributes to the improvement of device performances. Applying this technique to the crystallization
process of poly-Si films for LTPS TFT, high field effectmobility of 600cm2/Vs comparable to that of single
crystal TFT was obtained. And for the backside activation annealing process of IGBT, a deep pn junctionof 1.8μm with high activation ratio of more than 80 %were obtained without thermally damaging the circuit
elements on the front face.

最表面に限られる。しかも，ナノセカンドからマイクロセカ
ンドという極めて短いパルス幅を持ったレーザによる照射でパルスレーザを用いた短時間熱処理技術は，被照射体の最あることから，被照射部からの熱拡散も抑制される。その結表面のみを加熱し支持基板の過熱を抑える低温プロセスとし

果，深さ方向への熱影響は極めて限定された表面近傍のみとてトランジスタ形成に広く検討されてきた。被照射体に対すなり，熱効率の良い低温・省エネプロセスと言える。この特る吸収効率の高い波長を用いることによりレーザ光の進入は長を生かして実用化されたプロセスの代表として，液晶ディ＊技術本部

住友重機械技報 No.162 2006

論文･報告ダブルパルス固体レーザアニーリング技術の液晶･半導体への適用

2000
τ＝ 0 ns

1st pulse

Temperature (℃)

1800
2nd pulse

Intensity

100 nsτ＝300 ns

τ＝500 ns
1600

1400

1200
＞100 ns

Time
1000

0

500

1000

1500

Time (ns)

ダブルパルス照射時のレーザパルス波形（左）と遅延時間を変えてダブルパルス照射を行ったときのSiウエハ表面での温度履歴測定結果（右）Measured laser pulse profiles with double pulse irradiation (Left) and measured time evolution of temperatures on Si wafer with various delay time (Right)

図２

スプレイ（LCD）の駆動素子である低温ポリシリコントラン

コレクタが形成された裏面にレーザを照射加熱し電気的に活ジスタ（LTPS T F T）のpoly-Si薄膜形成プロセスがある。ま性化させるものである。本活性化プロセスにおいても上記ダ

た，高性能パワートランジスタであるIGBT（Insulated Gate

ブルパルス照射は極めて有効に作用し，ダブルパルスによるBipolar Transistor）の活性化アニーリング装置は当社が世界

入熱時間履歴のチューニングにより活性化率および活性化深に先駆けて実用化した 。

さをコントロールできる 。

LT PS T F Tは，携帯電話や携帯情報端末などに搭載する液次章以降，開発したダブルパルス固体レーザアニーリング

晶ディスプレイに近年広く採用されている。量産化されてい装置の概要と上記二つのアニーリングプロセスの開発内容にるpoly-Si 薄膜製造プロセスは，紫外光であるエキシマレーザ

ついて報告する。

を用いたELA（Excimer Laser Annealing）法が主流である。
本プロセスは，無アルカリガラス上に形成されたa-Si 薄膜に

２

ダブルパルス固体グリーンレーザアニーリング装置

レーザ光を照射し，a-Si 薄膜表面近傍のみを加熱し溶融再固図１に，開発したプロトタイプ機とシステム構成を示す ｡

化により欠陥密度の少ない多結晶組織からなるpoly-Si 薄膜を光源として，固体グリーンレーザを 2 台搭載している。波短時間に形成する結晶化プロセスである。a-Si薄膜と比べて長は527 nm，パルス幅は約110 ns，発振周波数は 1 kHzであ2 桁大きな100 cm 2/Vs程度の電子移動度が得られることかる。2 台の光源から出射したレーザビームはバリアブルアッら，ドライバ回路などの周辺回路をガラス基板に一体形成でテネータでパルスエネルギーを調整された後，偏光ビームス

きる特長を有する。しかし，CPUを含む全ての周辺回路をプリッタで同一光軸上に合成され，均一化光学系に導かれる。

一体化する将来のシステムオングラス の実現のためにはよ

均一化光学系により幅0.02〜0.25 mm，長さ2.5〜17.0 mmのり一層高移動度のLTPS T F Tが必要とされ，ELA法では限界

細線均一ビームが被照射物であるガラス基板およびウエハ表がある。なぜなら，ランダムに発生する結晶核を起点に膜厚面に形成される。ビームサイズは上記範囲内において可変で方向に結晶が成長するE L A 法では，成長する結晶サイズがあり，結晶化プロセスと活性化プロセスとで使い分けている。

せいぜい0.5μm程度であり，高移動度化にも限界があるか

照射プロセスは，ガラス基板あるいはウエハを搭載したステらである。一方，本方式とは異なり結晶を膜厚方向ではなくージを細線ビームの短軸方向に一定の速度で掃引しながらダ横（ラテラル）方向に成長させてより大きな結晶を形成させ

ブルパルス照射により行われる。ダブルパルスとは，2 台のるラテラル結晶化技術が提案され，各種方法が報告されていレーザの発振タイミングをコントロールし，一定の遅延時間〜。当社は，パルス固体レーザを用いたレーザアニー

をつけて照射する手法である。遅延時間は，0〜2000 nsの間リング装置と本装置を用いたラテラル結晶化技術を開発したで設定できる。遅延時間により入熱の時間履歴がコントロー

る〜。本装置は，固体レーザの特長であるエネルギー安定

ルされ，結晶化プロセスにおける結晶成長サイズおよび活性性およびパルス間の精確な時間制御を生かしたダブルパルス化プロセスにおける活性化深さなどを最適化することができ制御方式を採用している。本方式は，ダブルパルスによる入る。レーザのパルスエネルギーおよび遅延時間の安定性をそ

熱時間履歴の最適化により大きな種結晶を形成し，従来ELA

れぞれ標準偏差値で0.5 ％以下および 3 ％以下（対パルス幅）法と同様な長尺ビームの簡便な重複走査によって連続的にラにコントロールすることにより，被照射物に投入される熱量

テラル成長させることが可能である。

およびその時間履歴の精度を上げプロセスの安定性を高めて一方，高性能パワートランジスタIGBTの主な用途はモーいる 。図２に，ダブルパルス照射時のレーザパルス波形とタ駆動などの電力制御である。薄型ウエハを用いる次世代型

温度測定結果を示す。遅延時間を 0，300，500 nsと変化さ

IGBTは，ウエハ表面にエミッタを，裏面にコレクタを形成せることにより，被照射物表面のピーク温度および所定温度

し，電子を厚さ方向に輸送する。本デバイスへのレーザアニの保持時間を変えられることが分かる。

ーリングは，配線パターンが形成された素子表面ではなく，住友重機械技報 No.162 20062

論文･報告ダブルパルス固体レーザアニーリング技術の液晶･半導体への適用

1st shot

2nd shot

3rd shot

4th shot

Seeds
Fine
grainsSolidification
PartialmeltCompletemeltPartialmelt

SiO2

GrainsSi layer

Glass substrate

GrainsSiO2
Glass substrate

Nucleus

図３

１ショット照射による結晶成長機構
Crystal grain growth by one shot irradiation of line beam

図５

ALCG法による連続ラテラル成長プロセス
ALCG process flow diagram

Growth direction

SEM image

4μm
Scan direction
AFM image
4μm

Growthdirecti

on

4μm

図４

３
3.1

3

１ショット照射で形成された結晶のSEM像
SEM image of grain growth by one shot irradiation of line beam

液晶への適用ラテラル結晶化プロセス技術

図６

ALCGシリコンのSEM像およびAFM像
SEM and AFM images of ALCG-Si thin-film

ALCG法による連続ラテラル成長のプロセスを，図５を使って説明する。ダブルパルスレーザの第 1 ショットでは，
図４のSEM像に示すように細線ビームの短軸中央方向に向パルス発振固体レーザを光源とするレーザアニーリング装かって成長した 4 μm以上の長さの結晶組織が，長尺方向に置を使った，ラテラル結晶化技術，ALCG（Advanced

帯状に形成される。第 2 ショットでは，第 1 ショットで形Lateral Crystal Growth）法を開発した。ALCG法は，ダブル成された帯状の結晶組織の幅より短いスッテプ幅だけビーム

パルスレーザの照射により大きく成長させたラテラル結晶

位置をずらして照射する。第 1 ショットで形成された前方を，長尺ビームの簡便な重複走査によって連続的に成長させの帯状組織やビーム中央のランダムに形成された結晶粒は，る手法である。

溶融に十分なエネルギ密度で照射され消滅する。一方，第 1

ダブルパルスレーザの 1 ショット照射によってガラス基

ショットで後方に形成された帯状結晶は低いエネルギー密度

板上のa-Si薄膜が溶融して結晶成長する状態を，図３に示す。

で照射されることから残存し，種結晶となってレーザビーム

a-Si薄膜には，細線ビームの短軸方向のエネルギー密度分布の走査方向に向かってさらにラテラル方向に成長する。これを反映して，中心部の完全溶融領域とその両側に部分溶融領を繰り返すことにより第 1 ショットで形成された種結晶粒域ができる。部分溶融領域では基板との境界付近に結晶核がはラテラル成長を続け，連続した結晶からなるポリシリコン

存在し，時間の経過とともに結晶核から結晶粒が成長する。

薄膜を得ることができる。

結晶サイズは，結晶核の密度に依存する。結晶核が多く存在

ALCG法（第 1 および第 2 パルスのエネルギー密度E1＝すれば結晶粒は小さくなり，少なければ結晶粒は大きくなる

725 mJ/cm2＆E2＝650 mJ/cm2，遅延時間τ＝900 ns）で細ことから，結晶核が最も疎な完全溶融領域との境界付近で最線ビーム（20（W）μm×17（L）mm）を4μmステップ幅で重大の結晶粒が形成される。この結晶粒が種結晶となって，固複走査して連続的にラテラル成長させたSi薄膜のSEM像およ

液界面を通して融点以下の過冷却融液の方に潜熱を逃しながびA F M像を，図６に示す 。拡大SEM像の連続した結晶粒ら中心に向かってラテラル方向に成長する。さらに冷却が進界が示すように，ショット間（4μmステップ走査）の継ぎ行すると，残存する過冷却融液中にランダムに発生した核か目でも結晶粒成長が途絶えることなく，連続して成長していら結晶粒が成長し，ラテラル成長は停止する。図４には， 1るのが観察される。ALCG-Si薄膜の表面粗さrmsは，20μm

ショット照射によって形成された結晶のSEM像を示す。

角エリアの評価で4.5 nmの値が得られ，従来のEL A法により住友重機械技報 No.162 2006

論文･報告ダブルパルス固体レーザアニーリング技術の液晶･半導体への適用

1.0E−03

Gate insulator

Gate

Emitter

VDS＝1V

Drain current, ID（A）

1.0E−05

VDS＝0.1V

p＋n＋

1.0E−07

1.0E−09n−1.0E−11
P-implanted layer n＋
1.0E−13−10

B-implanted layer p＋−50Gate voltage, VG（V）

5

10
Collector

図７n-チャンネルTFTのスイッチング特性
Gate transfer characteristics of n-channel TFTs for ALCG process

図９

一般的なIGBTの構造
Structure of typical IGBT

流が結晶粒界に直行して流れる場合，その1/3の200 cm2/Vs
1.1程度となる。この移動度の違いは，結晶粒界でのキャリア散

ALCG（550 cm2/Vs）
1

ALCG-SiTFT（チャンネル長／チャンネル幅 10μm/10μm）＊
CLC（327 cm2/Vs）

0.9
Mobility ratio

乱によるものである。また，別に作製したpチャンネル＊
CLC（470 cm2/Vs）

は，電流が結晶粒界に平行に流れる場合190 cm 2 /Vs程度，

0.8

垂直の場合120 cm2/Vs程度の移動度が得られている。移動0.7度の温度特性からnチャンネルALCG-Si薄膜の結晶品質を評
SIMO X-MO SFET＊（670 cm2/Vs）

0.6

価した結果を，図８に示す。比較検討を目的に，単結晶
MOS（Metal Oxide Semiconductor）トランジスタとCW固0.5

体レーザで作成した高移動度のCLC-SiTFTの移動度の温度

0.4
2

2.2

2.4

2.6

2.8

3

3.2

3.4

1000/T（1/K）

変化も引用している 。移動度の高いTFTほど，その温度特性は単結晶MOSトランジスタに近い。電流が結晶粒界に平行な場合，結晶粒界による散乱の影響が少ないことからキャ

図８

各種トランジスタの移動度の温度依存性
Temperature dependence of normalized field effect mobility forvarious transistors

リアの散乱機構の中でフォノン散乱 が支配的となっていると考えられる。以上の結果より，ALCG-Si薄膜は結晶性に方向性があるものの，単結晶並みの結晶品質を有することを示得られる多結晶Si薄膜の表面粗さに比べて半分以下に改善し
ている。
3.2

ALCG-SiTFT特性

している。

４

半導体への適用（IGBTデバイスのpn接合形成）

ALCG法で作成した多結晶Si薄膜の結晶品質を評価する目

パワーデバイスには，高動作周波数・低出力容量の的で，nチャンネルALCG-S i T F T（チャンネル長／チャンネ

MOSFET，低動作周波数・高出力容量のGTOサイリスタ

ル幅 5μm/5μm）を高温プロセスで試作してその特性を調（Gate Turn−off Thyristor）と中動作周波数・中出力容量のべた 。T F T作成工程のゲート酸化膜形成およびソースドレ

IGBTがある。IGBTは動作周波数ならびに出力容量の両立がイン（S/D）活性化などの結晶品質以外のプロセスでTF T性

可能であることから，パワーデバイスの主力となっている。

能が影響されるのを避けるべく，プロセスが確立している高IGBTは，従来エピタキシャルウエハに作製されてきた。エ

温プロセスを採用した。なお，基板には石英ガラスを使用しピタキシャルウエハを用いると素子の薄型化が難しく，さらた。ALCG - S i T F Tの電流を流す方向，すなわちチャンネルにこのウエハは高価であることからフローティングゾーンの方向はラテラル成長方向に対して平行と垂直両者を作製し（F Z）ウエハへの置き換えが進んでいる。F Zウエハを用い方向性を評価した。図７に，一例としてラテラル成長方向にる場合，従来はエピタキシャル膜で作製していたpn接合を対して平行なnチャンネルTF Tをランダムに20 個選択し，ス

イオン注入と活性化アニーリングで形成することが要求されイッチング特性を測定した結果を示す。ドレイン電圧0.1 Vる。ここで，図９に一般的なIGBTの構造を示す。IGBTは，のスイッチング特性から相互コンダクタンスを求め，電界効

ゲートおよびエミッタ側の面（こちら側を表面とする）を作

果移動度を計算した。ALCG-Si薄膜の結晶品質の指標となる製した後にコレクタ側（裏面）の工程に入る。裏面では所定

ALCG-S i T F Tの移動度は，電流が結晶粒界に平行に流れるの条件でボロン（B）とリン（P）のイオン注入を行った後に活場合，単結晶に近い600 cm2/Vsレベルに達する。他方，電性化アニーリングを行い，裏面から深さ 2μm程度の間にpn
住友重機械技報 No.162 20064

論文･報告ダブルパルス固体レーザアニーリング技術の液晶･半導体への適用

1021

1020

Concentration（cm−3）

B
1019

1018

P
1017

1016

1015

0

0.5

1

1.5

2

Depth（μm）

図10

ＢならびにＰイオン注入直後のSIMS濃度分布
As-implanted SIMS depth profiles of B-and P-implant layers○

SRP depth profile at τ＝500 ns□

SRP depth profile at τ＝0 ns
SIMS depth profile at τ＝0 ns

E1＝E2＝1.8J/cm2, OR＝67 ％

1021

1018
Liquid phase

Liquidphase

Solid phase

Solid phase

P−concentration（cm−3）

B−concentration（cm−3）

1020

1019

1018

1017

1016

1017

1016

図11

5

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

1015

0

0.5

1.0

1.5

2.0

Depth（μm）

Depth（μm）（a）B−implanted sample（b）P−implanted sample

2.5

ダブルパルスレーザアニーリング後のSIMS並びにSRP分析結果
SIMS and SRP depth profiles after double-pulse laser annealing

接合を形成する。この活性化アニーリングによってシリコンと長い，波長500 nm近辺のパルスレーザ光を出力できる半ウエハに注入された不純物原子（ここではBやP）をSi原子

導体励起固体レーザを採用した。このレーザを搭載したダブの格子位置に置換し，電流の担い手であるキャリアを発生さ

ルパルスレーザアニーリング装置を用いて，低サーマルバジ

せる。ここで重要なのは表面には低融点材料であるアルミニ

ェットで 2μm程度の深い活性化の可能性を検証するべく照ウムの配線があることから，表面に熱ダメージを与えられな射テストを行った。まず，面方位が（100）のSiウエハに注い。したがって，従来の電気炉などのウエハ全体を加熱する

入エネルギー40 keV，ドーズ量 1 E＋15/cm2でBイオンを注

活性化アニーリングは低温熱処理であることから高い活性化入したサンプルと注入エネルギー400keV，ドーズ量 1 E＋は難しく，表面を熱することなく裏面のみを活性化する低サ

13/cm 2でPイオンを注入したサンプル，BとPの両方をイオーマルバジェットのアニーリング技術が求められている。

ン注入したサンプルを用意した。このサンプルに，第 1 パ

2μmもの深い活性化を行うには，単結晶Siの光侵入長があルスのエネルギー密度（E1）を1.8J/cm2，第 2 パルスのエネる程度長い波長のレーザ光が望ましい。このレーザ光源としルギー密度（E2）を1.8J/cm2，重複率（OR）を67 ％，遅延て，産業用途で広く使われている，光侵入長がおよそ1μm

時間（τ）を 0 ns，300 ns，500 nsとしてダブルパルス照射
住友重機械技報 No.162 2006

論文･報告ダブルパルス固体レーザアニーリング技術の液晶･半導体への適用を行った。照射したB注入サンプルとP注入サンプルの深さ

nチャネルT F Tを試作した結果，単結晶の特性に迫る

方向の不純物濃度分布とキャリア濃度分布を測定するべく，

600 cm2/Vsレベルの高移動度が得られた。

2 次イオン質量分析（SIMS）と拡がり抵抗測定（S R P）を高性能パワートランジスタIGBTの裏面活性化プロセ

それぞれ行った。図10にBとPを注入したサンプルの不純物

スにダブルパルス照射を適用し，素子表面に熱ダメージにB注入サンプル，図11にP注入サンプ

を与えることなく裏面にB注入層（活性化深さ0.6μm，ルのレーザ照射後の不純物濃度分布ならびにキャリア濃度分

活性化率100 ％）とP注入層（活性化深さ1.8μm，活性濃度分布，図11

布を示す。SRPのキャリア濃度分布がSIMSの不純物濃度分

化率82 ％）から成るpn接合を形成することができた。

布に近いほど，活性化アニーリングにより注入した不純物を

今後は装置の高スループット化と，更なるアプリケーショ

効率的にキャリアにすることができる。なお，この不純物濃度とキャリア濃度の百分率を活性化率と呼ぶ。図11

ンの開拓をしていく予定である。

のSIMSのB濃度分布では深さ0.3μm付近に濃度が局所的に高い部分があるが，これは活性化アニーリング時にこの深さまで溶融した痕跡であると考えられる。この溶融深さより浅い領（参考文献）
T.Kudo and N.Wakabayashi. Materials Research Society Proceedings.
vol.912, 2006 (to be published).
S. Uchikoga. MRS Bulletin 27. p.881, 2002.

域ではキャリア濃度分布は典型的なボックスプロファイルでJ. S. Im and R. S. Sposili. MRS Bulletin 21. p.39, 1996.

SIMSのB濃度分布とほぼ重なっており，高い活性化率を示

A. Hara, F. Takeuchi, M. Takei, K. Suga, K. Yoshino, M. Chida, Y.

している。遅延時間を 0 ns（言い換えるとシングルパルス
照射）から500 nsとすることで，活性化率が91 ％からほぼ
100 ％になった。一方，0.3μmよりも深い固相領域におけるSano and N. Yoshino. AM-LCD'02. p.227, 2002.
M. Hatano and T. Shiba. SID 02 DIGEST. p.158, 2002.
K. Tamagawa, H. Ikeda, T. Ohnishi, K. Kuwahara, M. Kikuchi, M.
Hayama and K. Nakamura. IDW'03. p.585, 2003.

に示すように遅延時間の効果がD. S. Knowles, J-Y. Park, C. Im, P. Das, T. Hoffman, B. Burfeindt,

顕著に出ており，遅延時間を 0 nsから500 nsとすることで活

H. Muenz, A. Herkommer, P. C. van der Wilt, A. B. Limanov and J. S.

P注入層の活性化では図11

性化深さ（注）が1.1μmから1.8μmまで深くなり，活性化率が48 ％から82 ％まで著しく改善された。その活性化プロセ
スは，2 段階の再結晶化プロセスから成る。まず，溶融していない0.3μmより深い固相領域のアニーリングにより欠陥が追い出され単結晶に回復する。次に，これよりも浅い溶融（液相）領域では単結晶に回復した固相領域を種結晶としてエピタキシャル成長する。一般的に，固相エピタキシャル成長による結晶回復はアニーリング温度と時間によって決まる。
つまり温度が高いほど単結晶の回復が短時間で起こり，他方
融点より低い温度では長い熱処理時間で単結晶に回復する。

Im. SID 05 DIGEST. p.503, 2005.
T. Kudo, K. Yamazaki and T. Akashi. IDW'04, p.619, 2004.
K. Yamazaki, T. Kudo, K. Seike, D. Ichishima and C. G. Jin. AMLCD'02 Digest, p.149, 2002.
S. Sakuragi, T. Kudo, K. Yamazaki and T. Asano. IDW'05, p.965,
2005.
K. Yamazaki, K. Seike and T. Kudo. CLEO/Europe EQEC'05
Conference Digest, CM-5, 2005.
F. F. Fang and A. B. Fowle. Phys. Rev. 169, p.619, 1968.
（注）注入した不純物イオンによるp型（n型）キャリアとシリコンウエ
ハの n型（p型）キャリアの濃度が反転するSRPプロファイルの深さ
位置を，活性化深さと定義する。

パルスレーザアニーリングは高温かつ極短い時間の熱処理技
術、すなわち低サーマルバジェットの活性化技術と言える。
図２には，エネルギー密度と重複率を固定して遅延時間を
τ＝ 0 ns〜500 nsと変化させてSiウエハにダブルパルス照射を行ったときのアニーリング温度の時間変化が示されている。
遅延時間を 0 nsから500 nsに延ばすことでピーク温度は低下
するが，その分より長い時間アニーリング温度を維持できる。
シングルパルスではダブルパルスのようにアニーリング温度と時間を制御できないことから，結果としてアニーリング時間が短く活性化深さが浅くなってしまったと考えられる。
アニーリング温度と時間を高精度に制御することができる
半導体励起固体レーザを搭載したダブルパルスレーザアニー
リング装置を用いて，IGBTに要求される表面側のパターンに熱ダメージを与えることなく高い活性化率を持つ深いpn接合の形成に成功した。

５

むすび
ダブルパルスを用いた固体レーザアニーリング装置を開発し，本装置を用いて液晶および半導体プロセス開発を実施した。
液晶の結晶化プロセスにダブルパルス照射を適用し，細線ビームの簡便な重複走査によりラテラル結晶を連続的に形成できる新プロセスを開発した。本結晶を用いて住友重機械技報 No.162 20066

光・量子技術特集
メカトロニクス技術

重粒子線がん治療装置用小型入射器の開発

論文･報告

重粒子線がん治療装置用小型入射器の開発
Development of Compact Injector for Heavy-ion Cancer Therapy System
●密

本

俊

典＊ 筒

井

裕

Toshinori MITSUMOTO Hiroshi TSUTSUI

士＊＊ 岩

田

佳

Yoshiyuki IWATA之＊＊＊ 山田聰＊＊＊Satoru YAMADA

重粒子線がん治療装置用小型入射器
Compact injector of heavy-ion cancer therapy system

近年，重粒子線によるがん治療の有効性が確認され，がん治療の有力な手段となっている。この優れた治療法の普及には，装置の小型化が必要である。
この装置の入射器部分の改良について，独立行政法人
放射線医学総合研究所と共同で開発を行い、製作を請け負った。入射器部分はイオン源，二つの線形加速器
Radio Frequency Quadrupole（RFQ）とDrift Tube
Linac（DTL）で構成されるが，そのDTLにIH加速構造とAPF収束構造を採用し，最適化した設計を行った。イ
オンビームの加速試験を行い，炭素イオンを核子あたり
4MeVまで加速し，必要な性能を確認した。二つの方式を同時に採用した実用的なDTLは世界でも初めてであり，これにより装置の大幅な小型化が達成された。

Recently, heavy-iron therapy has proved effective incancer treatment and become an important means oftreating the disease. To expand the spread of thisexcellent treatment technique, it is necessary to reduce
the size of the system. We have developed and produced
a new injector for this system in cooperation with the
National Institute of Radiological Sciences in order toimprove the injector for the system. The injector consists of an ECR ion source and two linacs: RFQ and
DTL. For DTL, we adopted the IH acceleration structure
and the APF focusing structure, and created designs
for their optimization. We conducted an acceleration
test with ion beams and accelerated carbon ions to
4.0 MeV/nucleon to identify the required performance.
This is the world's first practical DTL adopting the two
methods at the same time. Its development enabled
us to drastically downsize the system.

キーワード：射出成形機，全電動，ダブルセンタープラテン，型締力フィードバック

１をする必要がないということは，患者の負担を軽減すること

まえがきになり，通院だけで治療することも可能となっている。この重粒子線によるがん治療は独立行政法人放射線医学総合研究所（放医研）の重粒子線治療装置によりその有効性が確認している。

されてきている。2003年10月には高度先進医療として厚生労

このように優れた治療法ではあるが，治療装置が大規模で，働省から承認され，がん治療の有力手段となっている。2006

高価であるという点がこの治療法の普及の問題点である。例

年 2 月までに2600以上の症例の治療を行い，優れた治療効

えば放医研の重粒子線治療装置では，約70×120 mの敷地と250 億円の建設費が必要であった（図１）。現在，重粒子線果が示された。

7

ことはQOL（Quality Of Life）の高い治療法であることを示

重粒子線によるがん治療は炭素イオンビームを用いた放射によるがん治療ができる施設は国内には放医研と兵庫県粒子線治療の一種であるが，X線による治療に比べると，がん細医療センターの 2 箇所にしかない。重粒子線による治療を胞だけに集中的に線量を当てることができ，正常細胞の損傷

普及させるには，治療装置をもっと容易に建設できるよう小を最小限に抑えることが可能な治療法である。また，がん細型化することが必要となる。

胞を殺傷する能力が強く，他の放射線療法では治療困難であ

重粒子線治療装置は，入射加速器部分，シンクロトロン加った放射線抵抗性のがんにも効果が見られる。さらに，手術

速器部分および照射装置部分で構成されている。放医研では，＊量子機器事業部＊＊技術本部＊＊＊独立行政法人放射線医学総合研究所

住友重機械技報 No.162 2006

論文･報告

表１

入射器

約120

重粒子線がん治療装置用小型入射器の開発

RFQおよびDTLの主要パラメータ
Major specifications of RFQ and DTL
RFQ

DTL

入射エネルギー（MeV/u）

0.010

0.61

出射エネルギー（MeV/u）

0.61

4.0

RF周波数（MHz）

200

200

質量荷電比

1/3

1/3

共振器長さ（m）

2.5

3.4

磁石を入れるなどして磁場で収束力を確保するか，線形加速

約70

器を短くしてイオンビームが発散する前に取り出す必要がある。これまで一般的に使われてきたアルバレ型と呼ばれる

単位：m

DT Lでは，4 重極磁石を使用する方法が一般的であった。
図１

アルバレ型に対してIH型という加速構造は，核子あたり

放医研の重粒子線治療装置
Heavy-ion cancer therapy system at National Institute of Radiological Science

数MeVのエネルギー範囲では，DT Lの中でも小型で加速効率が良いことが知られていた。IH型は，共振器内にリッジDTLと呼ばれる板を対向するように置き，ドリフトチューブはそ

RFQの対向するリッジから交互に支えられる構造である。しかしながらこの構造を採用するにはドリフトチューブ内に設置する 4 重極磁石を極めて小型化する必要があり，あまり実用化されてこなかった。
そこで，この問題点を解決するべくAP F 方式という収束6366方式を採用することとした。AP F 方式はイオンビームの加速する高周波の位相をギャップごとに変えて，電場によりビームの収束力を確保する方式である。この方式を採用するこ
1250とにより，収束用の 4 重極磁石をドリフトチューブ内に設置する必要がなくなり，IH型の利点を最大限利用する設計が可能となった。
単位：mm

DT L の加速構造にIH型，収束方式にA P F 方式を採用するにあたっては，解決しなければならない問題点があった。

図２

がん治療装置用入射器
Injector of heavy-ion cancer therapy system

A P F 方式では，ギャップ間の電圧分布の設計を従来の線形加速器より高い精度で実現しなければならないが，IH型の加速構造では，電圧分布の設計がアルバレ型に比べて難しい

入射器の小型化を重要課題として取り組んできた。当社は，ということである。また，A P F 方式についてはその原理は普及に向けた小型入射器の開発を放医研と共同で行い，その1950年代から知られていたが，最適化の方法が確立されてい製作を請け負った（図２）。

なかったことから，実用機として製作されたものがなかった。

２
2.1

設計
加速方式の選択

そこで，電場分布の設計には，商用の 3 次元電磁場解析
コードを使用し，また，イオンビームの軌道計算と最適化に，新たに計算コードを開発した。

入射器部分に要求される性能は炭素イオンを核子あたり

3 次元電磁場解析コードについては実機の設計に先立っ

4.0 MeVのエネルギーで，200μAの電流量をシンクロトロンてモデル共振器を作成し，その計算精度がどの程度かを確認に入射できることである。この実現に，RFQ（Radio

し，実機設計に充分適用できるものであることを確認した。

Frequency Quadrupole）およびDT L（Drift Tube Linac）と軌道計算については，理論的な位相配列を初期条件とし，透いう二つの線形加速器を用いた。本開発では，DTLについて

過率を最大で，かつ出口でのビームエネルギー幅とエミッタ

その加速構造にIH型（Inter-digital H structure），収束方式にンスを小さくするような解を，各パラメータを少しずつ振る

APF（Alternating Phase Focusing）という方式 を採用し，ことにより求めていった。そして電磁場計算と軌道計算を繰

入射器全体の小型化を目指した。表１に，RFQとDT Lの主

り返すことにより，相互に満足できるような最適構造を決定

要パラメータを示す。

していった。

2.2

DTLの設計実際のギャップ間電圧分布の決定に際しては線形加速器内

DT Lはドリフトチューブという電極を共振器内に並べたでの放電を防ぐべく共振器表面での最大電界（24 MV/m）を構造をしており，その中心にイオンビームを通すことにより決め，これを越えることがないような構造としている。また，

効率的な加速を実現する線形加速器である。DT Lは加速効

必要な電圧分布を得るべく，従来円筒形が一般的であった共率においては優れているが，それ自身ではビームを収束させ振器構造にテーパを付けて，入射側から出口側に向かって広る機能を有していないので，ドリフトチューブ内に 4 重極

がっていく構造を採用した。ドリフトチューブについても，
住友重機械技報 No.162 2006

8

論文･報告重粒子線がん治療装置用小型入射器の開発

φ283

φ364

3369

ドリフトチューブ

リッジ
単位：mm

図３

DTLの断面Cross-sectional view of DTL

図５

図４

DTL内部
Internal view of DTL

RFQ内部Internal view of RFQ

測定値
計算値

外直径を38 mm，30 mmおよび28 mmの 3 種類を使用し，ドリフトチューブ間の静電容量を段階的に調整することとした。
D T L の断面図を，図３に示す。直径で約400 mm，全長
3.4 mと小型ながら，炭素イオンを核子あたり 4 MeVまでの加速を可能としている。一つの共振器内に72 個の加速ギャ

ギャップ電圧（相対値）

0.8

0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1

ップを有しながら，磁気的収束要素なしで加速する構造を実

0

現した。
2.3

0.7

1

11

21

31

41

51

61

71

ギャップ番号

RFQの設計D T L の前段にあたるRFQは，D T L の条件に合わせて最適化された構造としている。RFQはイオン源からの直流イオ

図６DTLギャップ電圧分布
Gap-voltage distributions of DTL

ンビームをD T L での加速に適するように縦横の収束力を維持しながらビーム形状を整形し，D T L の入射エネルギーまでイオンを加速する。構造的には四つの電極により，4 重極振器の直径はどちらも300 mm程度であり，鉄のタンクの内電場を作り，その先端部分にモジュレーションを付けること面に50μmの銅メッキを施してある。RFQ，D T Lの長さはによりバンチ化と加速を実現する。RFQの構造については，それぞれ2.5 m，3.4 mである。長さの違いから，共振器は実績のある 4 ベイン型を採用した。

RFQでは 1 タンク，DT Lでは 2 タンクの接続構造としている。

RFQへの入射エネルギーは，核子あたり10 keVとした。炭

RFQのベイン，DTLのリッジは鍛造された無酸素銅を使用，

素 4 価イオンを使用するので，イオン源部分の電位は30 kV

タンク外部のフランジで位置を調整するようになっており，で良く，取り扱い易い電圧に収めている。このことから，イ高い精度でベイン，リッジのアライメントができる。また，

オン源から引き出したイオンビームをそのままRFQに入射

高周波カプラー，チューナおよびピックアップなどもRFQすることができ，RFQ入射側部分についても構造を単純化とD T Lで基本的に同じ構造を採用している。図４，図５に，させることができる。

RFQ，DTLの内部の様子を示す。

３

製作

3.1

加速器の製作R F QとD T Lについては，基本構造は同じとしている。共93.2高周波源の製作

RFQおよびDT Lで電圧を発生させる高周波源の製作も同時に行った。周波数200 MHzでそれぞれ200 kW，500 kWを発生させることのできるものである。高周波源の中間段，最住友重機械技報 No.162 2006

論文･報告

8

8
水平

垂直

6

4

4

2

2

Y（mrad）

X（mrad）

6

0
−2

0
−2

−4

−4

−6

−6

−8

−8
−10

図７

重粒子線がん治療装置用小型入射器の開発

−8

−6

−4

−2
0
2
X（mm）

4

6

8

10

−10

−8

−6

−4

−2
0
2
Y（mm）

4

6

8

10

12C4＋

ビームのエミッタンス 90％エミッタンス（破線），100％エミッタンス（実線）
Emittance of 12C4＋ beam 90% emittance (Dotted line), 100% emittance (Solid line)

終段アンプには 4 極管を使用し，この高い出力を実現してこの試験の結果，RFQに入射した炭素イオンビームの約いる。また，この入射器の 2 台の線形加速器は連動運転さ80 ％をDT Lの後方で確認することができた。また，エネル

せる必要性があり，それぞれの線形加速器に発生する高周波

ギーは設計値である核子あたり 4 MeVであることを確認で電場の大きさと位相を制御し，一定に保つような制御システ

きた。ビーム電流については 4 価で300μA以上の電流量をムを有している。

安定に得られており，必要な性能を実証することができた。

４

試験

4.1

高周波試験

RFQおよびDT Lは当社においてまず低電力の高周波試験を行い，周波数，電圧分布を調整した。その結果，周波数については設計値どおりの200 MHz，電圧分布についても必要な精度の分布が得られた。図６に，DT Lの電圧分布測定のエミッタンスについては90 ％エミッタンスで水平，垂直とも1.1πmm・mradが得られ，計算値と良い一致がみられた（図７） 。

５

むすび
重粒子線がん治療装置に使用する入射器の開発を行い，RFQおよびDT Lの二つの線形加速器を製作した。

結果を示す。入射側の 5 ギャップを除き，全体の電圧分布は±この二つの線形加速器を据え付け，ビーム試験を行い2 ％の範囲に収めることができた。入射部分の電圧のずれに

がん治療装置の入射器としての必要な性能を確認した。

ついては，軌道計算によりDT Lの性能に大きな影響を与え入射器部分の長さはイオン源を含めて約10 mであり，ないことを確認した。共振器の性能を表わす無負荷Q値は，放医研の重粒子線治療装置の40 mと比較すると1/4ほど

RFQ，DT Lについては，それぞれ7800と12000で理想状態でに短縮された。

の計算値の60 ％と80 ％であった。設計値ではそれぞれ60 ％

この入射器のDT Lでは，IH加速構造とAPF収束構造と70 ％を想定していたので，DT Lにつては設計値を10ポイを採用した世界で初めての実用機であり，世界でもトッント上回った値が得られた 。

プレベルの技術を実用化した。

その後，高周波源を接続し，高周波の入力試験動作の確認

この開発により，重粒子線がん治療装置の入射器部分を行った。大電力高周波の最初の入力段階では，マルチパク

が小型化されることになり，この装置の普及に大きく貢

タリング放電が発生し，定格の入力までは月単位の時間が必献することが期待される。

要な場合があるが，今回開発のRFQおよびDT Lでは 5 日以
内に定格の電圧を発生させることができ，きわめて短期間に立ち上げることができた。
4.2

加速試験

（参考文献）
M. L. Good, Phys. Rev., p.538, 1953.
Y. Iwata, S. Yamada, T. Murakami, T. Fujimoto, T. Fujisawa, H. Ogawa,N. Miyahara, K. Yamamoto, S. Hojo, Y. Sakamoto, M. Muramatsu, T.

基本的な性能の確認後，RFQおよびDT Lは放医研のサイ

Takeuchi, T. Mitsumoto, H. Tsutsui, T. Watanabe and T. Ueda.

クロトロン棟汎用照射室に据え付けられ，イオン源と組み合

Alternating-Phase-Focused IH-DTL, Nucl. Instrum. and Meth. of Phys.

わせた加速試験を行った。イオン源は，放医研で開発されたRes. A. (accepted).

永久磁石型ECRイオン源を使用した 。加速イオンは，実際

M. Muramatsu, A. Kitagawa, Y. Sakamoto, S. Sato, Y. Sato, H. Ogawa,S. Yamada and A. G. Drentje. Rev. Sci. Instrum., 76, 113304, 2005.

に使用される炭素の 4 価イオンとした。電流値とビームのY. Iwata, T. Fujisawa, T. Furukawa, S. Hojo, M. Kanazawa, N. Miyahara,

質を表わすエミッタンスはDT L後方に置かれたファラデー

T. Murakami, M. Muramatsu, K. Noda, H.Ogawa, Y. Sakamoto, S.

カップ電流検出器とエミッタンス測定装置でなされ，エネル

Yamada, K. Yamamoto, T. Mitsumoto, H. Tsutsui, T. Ueda and T.

ギーはさらにその後方に置かれた分析電磁石によりイオンビームを偏向させて測定した。

Watanabe. Alternating-Phase-Focused IH-DTL for heavy-ion medical
accelerators. Proceedings of European Particle Accelerator
Conference (EPAC'06), Edinburgh, UK, 2006.

住友重機械技報 No.162 200610

光・量子技術特集
メカトロニクス技術

理研中間段リングサイクロトロンの高周波システム

論文･報告

理研中間段リングサイクロトロンの高周波システム
RF System for RIKEN Intermediate Ring Cyclotron
●戸

内

豊＊

Yutaka TOUCHI

S−セクターマグネット

主共振器（ES）

FT共振器

W−セクターマグネット

E−セクターマグネット

N−セクターマグネット

主共振器（NW）

電力フィーダ
RF伝送ライン

当社では，長年サイクロトロンの製作に携わってきた。
現 在 当 社 の 柱 と な っ た PET（ Positron Emission
Tomography ）もサイクロトロンを利用した技術応用の一環である。
本報では，現在独立行政法人理化学研究所に建設中の大型サイクロトロンシステムを紹介し，中間段リングサ
イクロトロンの高周波加速システムについて解説する。
高周波加速システムは，イオンを加速する共振器（加速空胴），共振器に電力を供給する増幅器，共振器の電圧および位相を制御するRF制御システムから構成される。それぞれの機器に当社の特許や優れた技術が生かさ

理研IRC
RIKEN IRC

We have been engaged in the production of cyclotrons
for many years. PET (Positron Emission Tomography),which has now become the core business of our company, is one of the technological applications using
the cyclotron. This report introduces a large-scale
cyclotron system currently being built at RIKEN, anddescribes an RF acceleration system for the intermediate ring cyclotron. The RF acceleration system consists of a resonator (acceleration cavity), which accelerates ions, an amplifier, which supplies electric power
to the resonator, and an RF control system, which controls the voltage and phase of the resonator. The report
also introduces an overview of these components.

れており，その概要を紹介する。
キーワード：射出成形機，全電動，ダブルセンタープラテン，型締力フィードバック

１

11

まえがき

クロトロンが建設される。計画の設備全体を，図１に示す。
当社は，稼働中のAVF（Azimuthally Varying Field）サイクロ

独立行政法人理化学研究所（理研）では，1997年から2006

トロン，理研リングサイクロトロン（RIKEN Ring Cyclotron

年までの計画で水素からウランまでの全ての元素のRIRRC）に加え，中間段リングサイクロトロン（Intermediate（Radio Isotope）生成が可能な加速器システム（R I Beam

Ring Cyclotron

Factory計画 RIBF）の整備を進めている 。このシステムをロン（Fixed frequency Ring Cyclotron FRC）の建設を担当使って新しい原子核モデルの構築および元素の起源の解明とした。また，最終段のサイクロトロン（Super conducting

いった根源的な研究に合わせて，新しいR I 技術による新産

Ring Cyclotron

業の創出も期待されている。この計画では現在稼働中の重イ波システムは当社が担当している。本報では，現地での据付オン加速器システムに加え，新たに 3 機の大型リングサイ

けおよび調整試験が完了したIRC（冒頭の図）の高周波加速＊量子機器事業部

IRC），ウラン加速専用のリングサイクロト

SRC ）のマグネットや真空箱を除いた高周

住友重機械技報 No.162 2006

論文･報告理研中間段リングサイクロトロンの高周波システム

RRCサイクロトロン
AVFサイクロトロン

SRCサイクロトロン

FRCサイクロトロン

RIビーム実験施設
IRCの直径 14m

IRCサイクロトロン

図１

RIBF計画
RIBF project

効率よく加速するには，少ない電力で高い加速電圧を発生す
同調パネル
高周波数時位置低周波数時位置る加速空胴を作ることが必要である。また多種のイオンを加速するには，加速空胴にかかる電圧の繰返し（周波数）をイ
オンごとに調整することも必要となる。

A
ビーム

少ない電力で高い電圧を得る指標に，Q 値という特性値がある。高いQ 値を得るには，空胴で消費される電力（壁面損
加速間隙失）を小さくするとともに，蓄えられるエネルギーを大きくする必要がある。エネルギーは，C V 2とL I 2という形で蓄えられる。ここでCは加速空胴の容量成分，Lは加速空胴のイ〜B

ンダクタンス成分を意味する。LとCの組み合わせにより加

加速間隙

B

速空胴の共振周波数が決まる。壁面損失は電流の 2 乗に比電力フィーダ

例するから，上記のIを小さくしLを大きくすれば，Q 値の高
い空胴を得られることが予想できる。先端に発生する電圧は，
L dI / d tと表わされることより，加速電圧もLが大きい方が大〜A（90度回転）きく取れる。
共振周波数の調整構造は，リングサイクロトロンの場合一

図２

主共振器
Main resonator

般的に 1 / 2λの同軸共振器が採用される。しかし周波数が低い場合，必要な長さが長くなり実現できなくなる。IRCの場合
必要な周波数は18 MHz〜40.5 MHzであり，単純計算で各々システム に関しての報告を行う。
サイクロトロンの概要について述べておく。サイクロトロ
ンとは，イオン加速器の一種である。加速器の性質を大きく分類すると，下記の様になる。

の場合の共振器長は 8 〜 4 mとなってしまう。駆動機構を考慮するとこの値の約 2 倍の長さが必要となり，装置および建屋の建築コストを大きく引き上げる要因になる。
この問題を解決するべく同調パネル方式の共振器を提案し

線形/円形（国立大学法人大阪大学（阪大）と当社の特許），阪大のリン

直流加速/高周波加速

グサイクロトロンで採用され，理研IRCの加速空胴にも本機

固定磁場/可変磁場構が採用された。共振器の図を，図２に示す。

サイクロトロンは，円形，高周波および固定磁場を利用しビーム軌道平面近くに可動式のパネルを備え，このパネルた加速器に属する。それぞれに一長一短があるが，サイクロと対向する電極とでつくるコンデンサ容量を変えることで共トロンはコンパクトで高いエネルギーまでイオンを加速でき振周波数を調整している。この構造の採用で，機械構造を大る装置である。最近では，学術目的以外にがん診断用R Iの幅に簡素化することができた。また，半径方向の電圧分布も製造および陽子線がん治療などに利用されている。

外側で高くすることが可能であり，同軸型共振器よりも優れ

２
2.1

IRCの高周波システム
加速空胴

た特性を得ることが可能となった。
共振器には電力の供給に電力フィーダという装置が必要であるが，本共振器では磁界結合の電力フィーダを採用していサイクロトロンは，高周波を利用した加速器の一種である。

る。また，共振器は温度変化で機械寸法が変化し，共振周波イオン源で生成されたイオンは，加速空胴を通るたびにエネ数が変化してしまう。この周波数変動を抑えるべく密同調装

ルギーを受け取り，速度（質量）を上げていく（加速される）。

置という装置も必要になるが，本共振器ではブロック型のチ
住友重機械技報 No.162 2006

12

論文･報告表１

共振器の主要仕様
Major specifications of resonators

台数
周波数（MHz）
同調方式

信号
発生器

主共振器

フラットトップ共振器

21

18〜40.5

72〜121.5

パネル

理研中間段リングサイクロトロンの高周波システム

信号
分配器

600

140

Q値

37500

29300

自動
同調器

分配器

ショート板

最大電圧（kV）

RRC & SRC & FRC & AVF & LINAC へ

F0
RF

位相器

振幅調整器

位相差
比較器

振幅誤差
検出器

F0−0.455 位相
検出器

前段アンプ

終段アンプ

主共振器

分配器

Local F0−0.455

図３高周波系のブロックダイアグラム
Block diagram of RF control system

逓倍器

3 ×F0

フラットトップ系統へ出力回路

加速周波数 F0＝18〜40.5 MHz
フラットトップ周波数 3 ×F0

低周波数時

主共振器
ショート板
増幅器

真空管

入力回路

図４

ューナを採用した。加速用の主共振器と主加速器の 3 倍の周振器に供給される。位相制御回路と電圧制御回路は，共振器波数で運転し，位相アクセプタンスを大きくするフラットトの信号をモニタリングし，その値が設定値どおりに安定になップ用共振器の主要仕様を表１に示す。

るように制御する回路である。IRCの位相安定度は，0.1 度

2.2を目標にしている。40 MHzの信号で位相0.1 度に相当する伝RF制御システム

サイクロトロンでイオンを加速するには，イオンが加速電

送線路の長さは，わずか 2 mmである。敷設するケーブル長極にある瞬間に高周波電圧がピークになるように制御する。

が100 mを超えることを考えると，周囲に温度変化があった

この時，そのタイミングが不安定だとビームのエネルギー幅

場合の影響の大きさが予想できる。そこで，位相制御用の信が大きくなり，ビーム取出し時のロスが増加する。したがっ号は周波数を変換（455 kHz）することにより制御精度の向て，電圧と位相（ビームと高周波の位相関係，サイクロトロ

上を図っている。

ン同士の高周波のタイミング）を高い精度で一定に保つこと

2.3

増幅器

が必要不可欠である。それを実現するのが，RF（Radio

イオンを効率よく加速するには，共振器に高い電圧を発生

Frequency）制御システムである。ブロックダイアグラムを，させる必要がある。その実現に，R F 信号を増幅して共振器

図３に示す。

に供給する。

図３に，IRCの加速空胴用の 1 系統のみを示した。加速器

R Fローレベル制御回路で取り扱う信号のレベルは，10 mW

は，信号発生器 1 台の信号を基本に運転される。この基準信といった非常に小さな信号である。この信号を200 kWまで号から必要な信号を分配して各系統に供給する。分配された増幅するのが増幅器である。I R CのメインR Fシステムの場

信号は，基準の信号に対して時間的揺らぎ（ジッタ）や温度

合増幅器は，3 段で構成している。1 段目はトランジスタをによる位相変動があってはサイクロトロン間の位相関係を安使用した増幅器で，2 段目，3 段目には，現在では一部のオ定に保てないことから，使用する素子の選定にも注意が必要

ーディオアンプ位にしか使用しなくなった真空管を使用してになる。

いる。真空管といっても 1 本70 kgもある大きなものである。

分配された信号は，位相制御回路と電圧制御回路を経て共13

増幅器
Main amplifiers

真空管を動作させるには真空管に共振回路を持たせる必要
住友重機械技報 No.162 2006

論文･報告理研中間段リングサイクロトロンの高周波システム

共振モードがある。これらの周波数が，必要としている周波

終段真空管
RS2042SK

終段真空管
A部

前段真空管
RS2012CJ

Z1
L1

数の整数倍に重なるとその周波数で増幅動作し，不必要な周波数成分が増え波形が歪んでしまう。ひどい場合は制御不可

Z2
L2

R

能になり，発振という現象を引き起こす。回路設計時は必要な周波数の計算の他にも想定されるモードの計算も行い，基本周波数の高調波が他のモードと共振しないことを確認して

A部

Z3
L3

B部

B部

おく。
発振には，上記の現象の他に真空管自体が持っているモードも存在する，その周波数は，プレート電極とスクリーング
リッド電極の径の比で決定される 。

図５

終段増幅器の入力回路
Input circuit of final amplifier

これらの不要なモードが観測された場合は，都度対策を打つのが現状である。本増幅器の場合は850 MHz近辺で発振現象が確認されたが，出力回路にダンピングの抵抗体を入れるがあり，この共振回路の良し悪しがシステムの安定に大きく影響する。共振回路といえばコイル（L）とコンデンサ（C）
を使用した回路を思い浮かべるが，この様に大きなシステム

ことで抑えることに成功した。

３

試験結果

（寸法）で〜40 MHzの回路を実現するには，既に単独でのL

IRCの現地調整試験（擬似負荷試験）は終了し，継続してやCといった概念は通用しない。回路は，空胴共振の考えで客先での調整作業（共振器への給電とローレベル回路の定数設計する必要がある。増幅器全体を，図４に示す。

調整）が行われた。共振器に高周波電力を供給する際，励振

2.3.1

終段増幅器入力回路器からみた負荷抵抗が50 Ωになるように電力フィーダ（図２）真空管（ 4 極真空菅）には，フィラメント電極，コントを調整するが，電力供給開始の瞬間は先端が短絡状態に見え

ロールグリッド電極，スクリーングリッド電極およびプレーてしまう。それにより電力供給ライン（同軸管）が共振器とト電極という四つの電極が存在する。

なり，増幅器からみたインピーダンスが50 Ωではなく極端に真空管を動作させるには入力信号用の同調回路と整合回

大きく見えてしまう場合がある。この状態では，増幅器に過路，増幅した信号を取り出す出力回路用の同調回路と整合回

大な電圧が発生し機器を破損してしまうことになる。IRCの路が必要になり，各々に調整用の駆動装置が必要となる。

システムでは，電力供給ラインの長さを変えることで最適な入力回路はフィラメント電極とコントロールグリッド電極状態に調整できる機構を準備した。これまでの試験で，増幅との間に設置する回路であり，フィラメントから放出される器の動作パラメータ，共振器の必要電圧発生およびローレベ

熱電子を制御する役割がある。

ル回路の動作確認など，基本事項に問題ないことが確認され，IRCの増幅器の入力回路には，ダイレクトカップリングと

現在はFRCの調整，SRCの据付けを行っている。

いう斬新な構造が採用された。入力回路の構造と等価な電気

IRCの現地調整はFRCの据付けと並行して行われたが，現回路を，図５に示す。前段の真空管と終段の真空管は直接接地スタッフの協力により作業は段取り良く順調に推移した。

続され，前段の真空管からみると回路と並列に可変コンデン

IRC，FRCともに基本動作に問題のないことが確認され，サが装着され，終段の真空管と並列に同軸回路が装着された

2006年 8 月からはSRC/R F系の据付け・調整が開始された。

ように見える。この構造の場合，インピーダンス整合回路を装着しなくても周波数が18〜40.5 MHzで前段の真空管から４むすびみたインピーダンスをほぼ一定に調整することができる。つ理研では 3 台の大型サイクロトロンの建設が行わ

まり，前段アンプの出力同調回路，整合回路，それに終段入

れ，当社は 2 台のサイクロトロン（IRC，FRC）の建設

力の整合回路の合計 3 個の回路（駆動装置）を省略すること残り 1 台（SRC）の高周波システム部分を担当した。

とが可能になり，コンパクトに納めることができた 。
2.3.2

終段出力回路2 台のサイクロトロンの基本性能確認は終了し，当初予定した性能が確認できた。

出力回路はプレート電極とスクリーングリッド電極に接続

2006年 8 月からはSRC/RF系の据付けを開始した。10月

する回路であり，真空管を必要な周波数で動作させ（同調をまでに基本性能の確認を行う予定で作業を進めている。

とる），動作抵抗を調整（整合をとる）する回路である。IRCの終段出力回路は，オーソドックスな 1 / 4λ（波長）の同軸管方式を採用している。同調は，図４のショート板を上下に動かし調整する。出力回路の途中で内側のパイプ径が細くなっているが，この様な構造にすることで波長を短縮させ必要な回路長を短くしている。
整合をとるには，真空可変コンデンサという高電圧下でも使用可能なコンデンサの容量を変化させ，真空管の動作抵抗（参考文献）
矢野安重. 理研「RIビームファクトリー」計画. 加速器, vol.2, p.170〜175, 2006.
N.Sakamoto. 16th Int. Conf. on Cyclotrons and their Applications.
Michigan, 2001, p.306-308, 2001.
T. Fujisawa. Proc. 11th Int. Conf. on Cyclotrons and their Applications.
Tokyo, p.329-332, 1986.
L. Ederszegi. A model for the parasitic oscillations in power
tetrodes. ELECTRONICS, p.575-582, 1986.

を調整している。
共振回路には，必要としているモードの他にもいろいろな
住友重機械技報 No.162 200614

光・量子技術特集
メカトロニクス技術

カセット方式FDG合成装置（F200）の開発

論文･報告

カセット方式FDG合成装置（F200）の開発
Development of Cassette Type FDG Synthesizer（F200）
●田

中

栄

士＊

Eiji TANAKA

図１

FDGによるPET検診は，近年，一般病院でも広く普及するようになってきた。
当社は，これまで約80施設にPET薬剤製造システムを納入しており，安定した性能が得られることで顧客から好評を得ている。カセット方式FDG（2−［18F］Fluoro2-deoxy-D-Glucose）合成装置（F200）は，そのような一般病院でも受け入れ易く，簡便な操作，短い合成時間
および安定した性能を目標として，開発を進めてきたものである。
本装置の基本仕様および特長は，
60±５％（EOS），

FDG合成収率が

放射化学的純度が95 ％以上，

FDG合成時間が30 分以内， 合成前準備時間が15 分以
内，

アルカリ加水分解方式， 反応器内の圧力制御により安定収率，

カセット交換方式のため準備が簡単，

分離型精製カラムシールドにより，２回合成時のオペレータへの被曝量を低減および小型・軽量の９点である。

本報では，この新型FDG合成装置について紹介し，

FDG合成装置（F200）
FDG Synthesizer(F200)

In late years, the PET examination by FDG begins to
spread widely even into general hospitals. We havedelivered PET medicine production systems, to morethan 80 facilities and get a favorable reputation from
customers, because of their stable performance. We
have worked on the development of the cassette typeFDG synthesizer (F200) as a system that can be accepted even at those ordinary hospitals and provides stable performance with simple operation and short synthesis time. The basic specifications and features ofthis synthesizer are: (1) FDG synthesis yield 60 ±5%(EOS), (2) radiochemical purity 95% or higher, (3) FDG
synthesis time within 30 minutes, (4) synthesis preparation time within 15 minutes, (5) alkali hydrolysis, (6)a stable yield through pressure control in the reactor,(7) simple preparation based on cassette exchange,(8) reduced operator exposure in two rounds of synthesis through a separation-type refining column
shield, and (9) a compact and lightweight design. This
report introduces this new FDG synthesizer anddescribes its actual performance after the delivery.

実際の納入後の性能について報告する。
キーワード：射出成形機，全電動，ダブルセンタープラテン，型締力フィードバック

１（F100）（医療機器承認番号

まえがき

安定した性能を持つことから多数の納入実績がある。しかし，

PET（Positron Emission Tomography）検診は，2002年 4 月

合成の準備が煩雑であり，その操作にある程度の技能の習得に保険適用になったことを契機に一般病院でも広く普及してを必要とすることから，近年では簡便に扱え，合成時間も短いる。

く，性能の安定したカセット方式合成装置を望む顧客が増え

FDG合成装置は，がん細胞の発見を目的としたPET検査18に使用する放射性薬剤（［ F］FDG

1521400BZZ00094000）があり，

18てきている。カセット方式の新型FDG合成装置（F200）は，

2-［ F］Fluoro-2-

この状況に対処するべく開発を進め，2005年 8 月に医療機

deoxy-D-Glucose）を製造する装置であるが，当社には，既器として製造認可を受けたものである（図１）。（医療機器承に 国 産 1 号 と し て 医 療 機 器 認 可 を 受 け た FDG合 成 装 置

認番号＊量子機器事業部

21700BZZ00273000）
住友重機械技報 No.162 2006

論文･報告付属ユニット

合成装置本体パーソナル
コンピュータカセット方式FDG合成装置（F200）の開発

カセット設置（ 2 分）

準備動作（自動）（11分）

コントローラ
カラム調整
（10分）
試薬設置

合

成

（ 2 分）（29分）

反応器洗浄（自動） （ 5 分）

カセット取外し

図２

装置の構成
Composition of devices

ターゲット回収バイアル
炭酸
カリウム溶液/K222溶液（ 1 分）

図４

合成作業フロー
Synthesis work flow

図５

合成前チェックリスト画面
Check list display before synthesis

マンノーストリフレート溶液

陰イオン交換カラム

NaOH水溶液

精製カラム

反応器

図３

合成装置フロー
Synthesizer system flow

２

装置の概要

2.1

装置の基本仕様と構成提携契約を締結し技術導入を行った。その合成概要を次に示す（図３）。
サイクロトロンで製造された18Fフッ化物イオンを含む溶液を陰イオン交換カラムに固相吸着し，18O水と分離した後基本仕様を次に示す。
FDG合成収率

60± 5 ％

炭酸カリウム溶液にて溶出し反応器に送る。これと，クリプ（EOS

End Of Synthesis ）トフィックス222（K222）のアセトニトリル溶液を混合し，（アルカリ加水分解方式 ）反応器内で陰圧条件下の加熱により水およびアセトニトリル

放射化学的純度

95 ％以上を完全に蒸発させる。次に，原料であるマンノーストリフレ

FDG合成時間30 分以内ートのアセトニトリル溶液を加え加熱し，18Fフッ化物イオ

合成前準備時間

15 分以内ンと反応させ，フッ素化を行う。その後，0.3 mol/mLの希装置の構成を，図２に示す。

水酸化ナトリウム（NaOH）水溶液で加水分解を行い，精製装置の構成は，合成装置本体，本体に窒素ガスとエアーを

カラムを通過させて［18F］FDG薬剤を得る。

供給する付属ユニット，これらを制御するコントローラおよ

実際のF200の合成手順としては，以下のように進行する。

びパーソナルコンピュータからなる。装置本体は，非常にコ合成の準備から合成，2 回目の合成までのフローを，図４にンパクトになっており（300（W）×270（D）×280（H）示す。

mm），また，F100と比較して，部品点数を削減することで合成装置用のPCを立ち上げ，画面に表示される合成

より信頼性を向上させている。

装置および周辺機器の状態を確認するチェックリスト

2.2（図５）に従って装置の状態を確認し，カセットを装置

FDG合成の原理と手順［18F］FDG薬剤の合成は，ドイツのユーリッヒ研究所のHamacherらの方法に準拠している。当社は，FDG合成装置（F100）を開発するにあたり，ユーリッヒ研究所と技術本体に設置する。全ての項目にチェックマークを入れ，次の合成準備画面に進む。
合成準備画面の準備開始ボタンを押して，装置の健全
住友重機械技報 No.162 200616

論文･報告カセット方式FDG合成装置（F200）の開発

反応器

位置決ワイヤヒータ

エアーの流れ図６

合成画面
Synthesis display

図８

ヒータ部の構造
Composition of heater part

装置内の全接液部は全てカセット内に納められ，バルブはエアー駆動のピンチバルブ方式を採用していることから，汚れの蓄積・部品の劣化などが発生せず，安定した性能が達成できている。さらに，カセットはターゲット回収バイアル−
反応器−試薬ラインチューブを一体にしており，継手を極力少なくすることにより，リークの低減と合成準備の煩雑性をターゲット回収
バイアル

軽減している。カセットと本体および試薬との接続部には，
本体マーカおよび試薬バイアル色に合わせた色マーカを配置
し，接続間違いを防止している。
合 成 に 使 用 す る 試 薬 は ， 薬 品 メ ー カ ー と 共 同 開 発 し，反応器

F200専用キットとして，薬品メーカーより販売されている。
これを使用することにより，調合などの煩雑な作業をする必要がなくなり，簡便に準備することができる。

図７

カセット
Cassette

3.2

ヒータ周りの構造とエアー流量

2.2にて説明したように，合成では反応器を過熱する必要があり，本装置ではエアーヒータを採用している。装置のヒ性を確認するテストが開始される。各テスト項目が自動ータ周りを，図８に示す。

的に行われ，11 分で完了する。この間に，精製カラム
および試薬の準備を行う。

ーにより 3 点で位置決めされている。極力他の部品との接準備動作が完了すると合成前のチェックリスト画面に触面積を小さくし，反応器から外部への熱の流出を防ぐよう切り替わり，ここで試薬・精製カラムの設置状態を確認

考慮している。さらに，反応器全体を熱風が覆うように，ヒする。全項目にチェックマークを入れると，合成画面

ータエアーの流れを設計することで，反応器全体の温度が均（図６）に切り替わる。

一になるように工夫している。ヒータエアー流量は， 反応

ここまでが，合成前準備であり，カセットの設置に始まり

器温度へ与える影響が大きい重要な要素である。そこで，エ試薬の設置までが15 分で完了する。
合成画面の合成開始ボタンを押すと，自動的に合成の各ステップが実施される。合成は， 18Fフッ化物イオンの吸着から始まり精製まで29 分で完了する
2 回目の合成を行う場合は，カセット・反応器の洗浄

17

反応器は下から 1 点で支えられ，横からは極細のワイヤ

アー流量の調整に採用しているマスフローコントローラ（精度±1NL/min）で十分な制御が可能か，検証を行った。
試験条件は下記のとおりで，エアー流量を規定値に対して± 5 NL/min変化させ，そのときの反応器内液温を測定，比較した。

を行い，使用済みのカセットを取り外し次合成の準備を

反応器内液

アセトニトリル行う。

ヒータエアー流量50，55（規定値），60 NL/min

ヒータ設定温度

測定開始から180 秒の間

３

装置の特長

3.1

カセットと試薬キット

180〜450 秒の間

1.3 mL
90 ℃

110 ℃

その結果，反応器内液温の差は最大でも±1.3 ℃であり，本装置には，合成ごとに使い捨てするカセット（図７）と，合成に大きな影響を与えるようなものではなかった（図９）。

試薬キットを採用しており，簡便に合成の準備をすることがしたがって，採用したマスフローコントローラで十分な制御できる。

が可能であると判断した。
住友重機械技報 No.162 2006

論文･報告カセット方式FDG合成装置（F200）の開発

80
120
70

80

50NL/min
55NL/min
60NL/min60

60

出荷テスト収率（％）

反応器内液温（℃）

100

40

50
40
30
20

20

10
0
0

50

100

150

200
250
経過時間（s）

300

350

400

450

0

0

1

2

3

4

5

6

7

8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18装置 No.

図９

反応器液温測定結果
Result of liquid thermometry in reactor

図10

3.3

カラムシールドと洗浄機能

月末現在までに，合計10 施設・17 台を納めており，順調に合成後のカセット，反応器および精製カラムなどには，放射性物質がある程度残留する。社内での合成テストにおいて，
18

全出荷テスト合成収率
Yield of all shipment test

稼働している。
2006年 7 月末までの全装置の出荷テスト合成収率の統計は，それらへの放射性物質の残留率（合成装置に導入される F

平均収率62.4 ％，標準偏差2.07 ％と開発仕様を満たす非常にフッ化物イオンの放射線量に対する割合）平均値を次に示す。

安定した性能を発揮している（図10）。

ターゲット回収バイアル

1％

また，放射化学純度についても，平均98.05 ％，標準偏差

反応器

7％

1.0 ％と非常に良好な結果となっている。臨床停止につなが

チューブ

0.4 ％

る重故障は，1 件も発生していない。

精製カラム

15.3 ％

陰イオン交換カラム

1.1 ％

５

本装置では，2 回合成する場合を考えて，オペレータへの被曝を低減させている。2 個の精製カラムを収納できる30 mm
厚の鉛製シールドを設け，最も放射線残留量の高い精製カラ

むすび

本報では，カセット方式の新型FDG合成装置（F200）の開発について報告した。
その装置の性能は，
FDG合成収率

62.4±2.07 ％（EOS）

また，本装置は，自動洗浄機能を有しており，精製カラム

放射化学的純度

98.05±1.0 ％の次に残留率の高い反応器およびチューブの放射性物質をホFDG合成時間29 分

合成前準備時間

15 分

ムをシールドしている。

ットセルを開けることなく，除去することができる。前述の精製カラムシールドとともに，この機能を使用することで，1 台の装置で 1 日 2 回の合成をする場合の合成準備中の被曝

これは基本仕様を満足しており，非常に良好な性能を実現している。

量をさらに低減させている。
3.4

であった。

反応器圧力の監視機能

FDGの合成において，反応器内圧力は重要な監視項目の一つである。本装置では，合成中の以下の反応器内圧力を監視している。

（参考文献）
F. Fuchtner. Basic Hydrolysis of 2［18F］
Fluoro-1, 3, 4, 6-tetra-Oacetyl-D-glucose in the Preparation of 2-［18F］Fluoro-2-deoxy-Dglucose. Appl. Radiat. Isot., vol.47, no.1, p.61-66, 1996.

最終圧力

フッ素化

初期圧力，最終圧力［18F］
Fluoro-2-deoxy-D-glucose: an Efficient automated System for

Dry up 2

最終圧力

the aminopolyether-supported Nucleophilic Fluorination. Appl.

加水分解

初期圧力，最終圧力，

Dry up 1

K. Hamacher. Computer-aided Synthesis of No-carrier-added 2-

Radiat. Isot., vol. 41, no.l, p.49-55, 1990.

のDry upの監視は各ステップの最終圧力を監視することで反応器内の乾燥状態に問題がないか判定し， ，のフッ素化および加水分解の各圧力は反応器内の温度が正常に上昇しているか判定する。特に，，については，圧力がしきい値に達することを判定し，次ステップへ進むようプログラムされている。

４

装置の性能

本装置は，2005年 9 月に最初の施設に納めてから2006年 7
住友重機械技報 No.162 200618

光・量子技術特集
メカトロニクス技術［11C］メチオニン合成装置の開発

論文･報告

［11C］
メチオニン合成装置の開発
Development of Miniature Module for［11C］Methionine Synthesis
●渡

辺

利

光＊

Toshimitsu WATANABE

新屋

Hiroshi ARAYA

洋＊ 上

野

悟

史＊

Satoshi UENO

メチオニン合成モジュール
Methionine synthesis module［18F］FDG（2-［18F］Fluoro-2-deoxy-D-glucose）を用いたPET（Positron Emission Tomography）検査は，がん診断の分野で急速に広まってきている。一方，標識アミノ酸である［11C］メチオニンが［18F］FDGによるがん診断を補う薬剤として臨床への応用が広まっている。
しかし，［11C］メチオニンは［11C］標識であることから，短半減期であり臨床でこれを用いて多数の検査を実施す
るには一日複数回合成しなければならない。従来の［11C］メチオニン合成装置はこれにこたえることができなかったので，この要求を満足するような［11C］メチオ
ニンを合成する自動合成装置を開発した。
開発ポイントとしては，作業従事者の被曝低減に，ホットセル内に複数台設置できるように［11C］メチオニン
合成装置を小型化し，さらに比較的短時間での効率の良

FDG-PET has spread rapidly in the cancer diag［18F］
nosis. On the other hand,［11C］
Methionine is paid attention as one of the PET drugs that may help cancer
diagnosis by［ 18F］FDG. Due to its short half-life,
repeated preparations of［11C］
Methionine, two or threetimes a day, are generally required for the routine PETpractice. Although the automatic synthesis devices
for［11C］Methionine were developed, it was difficult to
supply［11C］Methionine two times a day or more. Ｗe
developed a methionine synthesis system that wasable to supply［11C］Methionine two times a day or
more, and a new methionine synthesis unit. The new
synthesis unit is able to synthesize［11C］Methionine
efficiently without HPLC preparation and evaporation
in a short time. The new methionine synthesis unit
and system are more useful for the routine synthesisof［11C］Methionine.

い合成に，従来の溶媒留去操作を省いたプロセスを用いたことである。
キーワード：射出成形機，全電動，ダブルセンタープラテン，型締力フィードバック

１

まえがき

一般病院へのPET検査が急速に普及してきている。現在では，国内において150施設以上で［18F］FDGを用いたPET検査がPE T（Positron Emission Tomography）検査は核医学診断実施されている。近年，［18F］FDGによるがん診断を補う薬手法の一つであり，種々の放射性薬剤を用いることにより，剤の要求が高まりつつあり，中でもアミノ酸取込みの計測を

血流・代謝といった生理学的な情報を得られるという特長を行う［11C］メチオニン有用性が高く評価されてきている。当有している。2002年 4 月に［ 18F］FDG（2-［ 18F］Fluoro-2-

社ではこのような要求にこたえて，新規に［11C］メチオニン

deoxy-D-Glucose）を用いたがん診断が保険適用になったこ

合成装置開発を行った。本報では，開発した［11C］メチオニと，および関連装置の小型化・自動化が進み，従来と比べてン合成装置および試験結果について報告する。

省スペース・少数人員での運営が可能になったことにより，

19＊量子機器事業部

住友重機械技報 No.162 2006

論文･報告

＊

S

図１

２

［11C］メチオニン合成装置の開発

NH2

NH2 11
NH2
CH3I
NaOH
＊
＊
S (CH2)2 CH
H311C−S−(CH2)2 CHO H O/Acetone
10min, 60℃
2
COOH
COOH

［11C］メチオニンの合成スキーム
Scheme of［11C］
methionine synthesis from［11C］CH3I

開発の背景

図２

従来のメチオニン合成装置
Current［11C］
methionine synthesis device

せる気相合成法が新たに報告された 。この気相合成法は全工程を気体状態で行うことができることから，合成ごとに反2.1 ［18F］FDG−PET検査と［11C］メチオニン

応器や試薬を準備することなく繰り返しての合成が可能であ［18F］FDGを用いたPET検査はがん診断の分野でその有用り，［11C］CH3Iを比較的短時間に繰り返して製造するのに適性が高く評価されているものの，脳・心臓などの正常組織おしている。メチオニン合成装置の開発ではこの気相法［11C］

よび炎症部位においては生理的に集積してしまう。それによCH3I合成装置により繰り返し，［11C］CH3Iを供給できるようり，これら組織および周辺領域においてはがんの診断が困難にした。

になると言われている 。このような［ 18 F］F DGを用いた

次に，［11C］CH3Iと薬剤の前駆体とを反応させる方法につ

PET検査の弱点を補う研究が進められており，中でも標識いてであるが，［11C］メチオニンを合成する方法としては種々

アミノ酸の［11C］メチオニンは，正常な脳組織および炎症部の合成法が報告されている。中でも前駆体を溶解した溶媒に位への取込みが比較的少なく，細胞増殖の盛んながん細胞に［11C］CH3Iを捕集し，加熱反応させることにより，［11C］メチ

取り込まれることから，［18F］FDGが苦手とする脳腫瘍診断

オニンを合成する方法が古くから使用されているが（図１），および放射線治療に対する効果判定の分野においてその有用

本合成法ではアセトン溶媒中でメチル化反応させることか性が報告されている 。さらに，［ 11C］メチオニンの半減期

ら，注射用薬剤にするには一度反応液を濃縮乾固し，アセト（20分）は［18F］FDGの半減期（110 分）と比較して短く放ンを除去する必要がある。この場合，合成ごとに反応器およ射能の減衰が早いことから，［11C］メチオニンを臨床で使用

び濃縮装置を準備しなければならず，被曝などの観点からする場合，合成方法，使用方法ともにより時間的な制限が厳［11C］メチオニンを短時間に繰り返して供給することは困難

しくなる。例えば，［18F］FDGでは，午前中に一回または午であった（図２）。その後，ルーチンで［11C］メチオニンを前，午後に一回ずつ合成すれば十分に臨床に必要な薬剤を供合成することを考慮した，固相標識法またはオンカラム法とメチオニンではその半減期の短さから，給できる。一方［11C］呼ばれる標識合成方法が開発された 。本法は，原料基質を

通常は 1 合成あたり 1 〜 2 人程度に制限されてしまう。そ溶解した溶媒を固相へ吸着させ，そこへ気体状の［11C］CH3I

こで，［11C］メチオニンを用いて［18F］FDGと同等に10 人／などのメチル化試薬を導入することで反応を進行させる方法

日程度の検査数を行うには 1 〜 2 時間ごとに薬剤を供給でである。本法は，標識反応・精製などをカラム上で流れ作業

きる合成装置が必要となってくる。

的に行うことができることから，合成装置の自動化が容易で従来の［11C］メチオニン合成プロセスとその問題点あると同時に使い捨てのカラムを使用することで装置の準

通常［ 11C］メチオニンの合成は，サイクロトロンによる備・後処置がより簡便になるという特長を有している 。ま

2.2
11

11

［ C］CO 2の製造→［ C］ヨウ化メチル（CH 3I）などの標識

た，オンカラム法による合成は装置がより単純化できること

前駆体の合成→薬剤の標識反応→精製および製剤化，というから，装置の小型化が期待できる。これまでに，Pascaliら

流れで行われる。これまでに［11］C標識前駆体としては数多によりオンカラム合成法を用いた［11C］メチオニン合成法がく開発されているが，中でも［11C］CH3Iは，窒素・酸素・硫報告されている 。しかし，本法では［11C］CH3Iのカラムへ

黄にメチル基を導入する［11C］メチル化標識薬剤として，最の捕集効率向上にエタノールを用いており，その溶媒留去工も一般的に使用されている。その合成方法としては，［11C］

程を行う必要があった。Någrenらは，より強力なメチル化

CO2をLiAlH4/THFで［11C］CH3OHに還元後，HIとの反応で剤である［11C］メチルトリフレート（［11C］CH3OT f ）を用い

［11C］CH3Iとする液相法による合成が従来から用いられてきて水系溶媒中で高効率に［11C］メチオニンを得る方法を報告た。しかし，本法は合成ごとに反応器および試薬を準備するしている 。本開発ではこれら報告されている方法を改良し，必要があり，上述したように連続的に合成を行うには適して

溶媒留去工程の必要のないより簡便なメチオニン合成法の開いなかった。液相法が開発された後に，［ 11C］CO 2を［ 11C］

発を行い，メチオニン合成装置の小型化を行った。

CH4に変換後，［11C］CH4とI 2 蒸気を高温のカラム中で反応さ住友重機械技報 No.162 200620

論文･報告［11C］メチオニン合成装置の開発

分注装置
気相法
ヨウ化メチル合成装置［11C］CH3I
または［11C］CH3OTf

メチオニン合成モジュール

メチオニン
［11C］

図３

［11C］
メチオニン合成システム［11C］
methionine synthesis system

メチオニン合成モジュールを用いた試験結果
Results of［11C］methionine synthesis by methionine synthesis module

表１

放射化学的収率（EOS）
合成時間

81 ％
3 〜 4 min

残留放射能分布
製品バイアル

92 ％

tC18カラム＜1％

QMAカラム

＜1％

CMカラム

＜1％

Charcoalカラム

6％

開発内容

３
3.1

開発要件

本開発では，前述したように［ 11C］メチオニンを用いてメチオニン合成モジュール格納ホットセル
Hot cell for methionine synthesis module

図４［18F］FDGと同等数の検査がこなせることを目標として，下記条件を満足するよう考慮して開発を行った。
［18F］FDGと同等数の検査が行えるよう，短時間で連法を示す。今回の方法では，Någrenらの報告 を参考にして続して［11C］メチオニンが供給できること。

標識試薬に［11C］CH3Iの代わりに［11C］CH3OTfを用いるこ合成された［11C］メチオニンの品質が，サイクロトロとにより，カラムに充填した水系原料溶媒への捕集効率を上ン核医学利用専門委員会が成熟技術として認定した「放げるようにした。また，原料充填用カラム，中和精製用カラ射性薬剤の基準と臨床使用の指針（1999年改定） 」のムは，すべて市販のものを用いることにより準備・後処理の基準を満たすこと。

簡便化を図った。合成プロセスについて下記に示す。
前述したように，気相法または液相法により［ 11 C］

合成装置が医療機器の基準を満たしていること。

3.2

作業者の被曝低減を考慮した合成装置とすること。

CH3OTfを合成する。

装置の準備，メンテナンスなどが容易であること。

［11C］CH3OT f をHe気流下，前もって原料を充填した

全体構成

Sep−pak tC18カラムに移送し，捕集・反応させる。

図３に，メチオニン合成システムの構想図を示す。本シス
テムでは，前述したとおり気相法ヨウ化メチル合成装置によ揮発性不純物を除くべく，Heにてラインおよびカラムをパージする。

り繰り返して［11C］CH3Iまたは［11C］CH3OT f を合成し，ホットセル内に複数台設置した小型のメチオニン合成装置に順メチオニン合成できるようにした。
次供給し，連続的に［11C］

インプットした［11C］CH3OTf量に対する［11C］メチオニ

次に合成された［11C］メチオニンは，洗浄機能を有したシリンの合成効率は80 ％以上（時間補正なし）であった。今回

ンジ分注装置に移送され，常にクリーンな薬剤が供給できる

開発した方法では有機溶媒を使用していないことから，そのように計画した。

留去工程を省くことができ，合成時間の短縮が可能になった。

3.3

CH3OTf 導入開始から合成収量までの合成時間は 5 分以
［11C］

3.3.1

メチオニン合成装置の開発
合成プロセス

今回の開発では，ルーチンで複数回［11C］メチオニンを合成するシステムとするべく，1 回の合成をより短時間で簡便に行えるように新規に合成プロセスの開発を行った。
下記に，新規に開発したより簡便な［11C］メチオニン合成

21

生理食塩水にて反応物を溶出し，中和用カラムに通して製品バイアルに回収する。

内であり，濃縮乾固の必要な従来の液相法と比較して，3 分
程度の時間が短縮された。表１に，合成実験結果を示す。
3.3.2

メチオニン合成装置の小型化

メチオニンの繰返し供給に対応するべく，
本開発では［11C］
メチオニン合成装置を小型化し，一つのホットセル内に複数
住友重機械技報 No.162 2006

論文･報告［11C］メチオニンの品質検定結果
Quality authorization results of［11C］methionine

表２

FDGの基準値［11C］メチオニン合成装置の開発

Crippa and Emilio Bombardieri. High efficiency preparation of L-[Smethyl-11C]methionine by on-column [11C]methylation on C18 Sep結果

バッチあたりの容量−

3.6±0.2 mL

放射能量

−

3.540±0.1 MBq

性状

澄明

澄明

粒子の有無

認めない

認めない

pH

5 〜7.57〜8放射化学的純度＞95 ％

97.6±1.8 ％エンドトキシン試験＜0.25 EU/mL＜0.25 EU/mL

無菌試験

菌の発育を認めない菌の発育を認めない＜2000 ppm

152±48 ppm

Pak. Journal of Labeled Compounds and Radiopharmaceuticals,
42(8). p.715-724, 1999.
岩田錬. PET薬剤のオンカラム合成. RADIOISOTOPES, no.47, p.379,
1998.
Kjell Nägren and Christer Halldin. Methylation of Amide and Thiol
Functions with [11C]Methyl Triflate, as Exemplified by [ 11C]NMSP,[11C]Flumazenil and [11C]Methionine. J. Labeled Cpd. Radiopharm.,
no.41, p.831-841, 1998.
RADIOISOTOPES, no.48(12), p.65-90, 1999.

残留溶媒試験
エタノール

台設置し，順次合成に使用することにより繰り返しての供給に対応するようにした。
メチオニン合成装置は，φ1 mm程度の流路を加工した
PEEK製マニホールドブロックと小型電磁弁で作成し，小型化を行った。（特許出願中）全体の寸法は200（W）×120（D）×200（H）mmで，ホットセル内に複数台設置できる大きさとなった。冒頭の図に開発したメチオニン合成装置を，
図４にメチオニン合成装置収納ホットセル示す。
3.3.3

性能および薬剤の品質検定結果得られた性能および薬剤の品質検定結果を，表２にまとめる。品質検定項目は，サイクロトロン核医学利用専門委員会
が成熟技術として認定した「放射性薬剤の基準と臨床使用の指針（1999年改定） 」に記載されている検定項目を参考にした。放射化学的純度は95 ％以上であり，その他生物学的安全性試験にも合格した。残留溶媒試験にてユニットの洗浄に使用するエタノールが確認されたが，［18F］FDGの許容値と比較しても十分に低い値であった。以上により，臨床に使
メチオニンが合成できた。
用できる品質の［11C］

４

むすび［11C］メチオニン合成装置の小型化により，一つのホットセル内に 4 台合成装置を設置できるようになり，メチオニンの繰返し供給に対応可能になった。
［11C］
合成した［11C］メチオニンは放射性薬剤の品質基準を満たしており，ルーチン検査への使用に十分対応できるものであると考えられた。
本装置の開発において，国立大学法人東北大学サイクロト
ロン・ラジオアイソトープセンターの岩田錬教授および東京
都老人総合研究所ポジトロン医学研究施設の石渡喜一研究部
副部長の多大なる指導および協力に深く感謝の意を表する。
（参考文献）
伊藤正敏, 遠藤啓吾, 越智宏暢, 福田寛, 米倉義晴, 寺田弘司. 臨床医のためのクリニカルPET. 2001.
Joanne Nuutinen, Sirkku Jyrkkiö, Pertti Lehikoinen, Paula Lindholmand Heikki Minn. Evaluation of early response to radiotherapy in headand neck cancer measured with [11C] methionine-positron emission
tomography. Radiotherapy and Oncology 52, p.225-232, 1999.
Peter Larsen, Johan Ulin, Kent Dahlstrom and Mikael Jensen.
Synthesis of [11C]Iodomethane by Iodination of [11C]Methane. Appl.
Radiat. Isot. 48, p.153-157, 1997.
Claudio Pascali, Anna Bogni, Ren Iwata, Donatella Decise, Flavio

住友重機械技報 No.162 200622

光・量子技術特集
メカトロニクス技術

リニアモータとボールネジの駆動特性評価

論文･報告

リニアモータとボールネジの駆動特性評価
Evaluation of Drive Performance of Linear Motor and Ball-screw
●冨

田

良

幸＊

Yoshiyuki TOMITA

リニアモータ駆動位置決め装置
Positioning system driven by linear motor

半導体および液晶製造装置などの電子部品精密加工装置の分野では，精密駆動機構は装置の全体性能を決める上で重要なキーコンポーネントとなっている。従来，精密駆動機構の多くは，サーボモータによりボールネジを駆動する方式のものが主流であったが，近年，特に半導体や液晶製造装置の精密駆動機構に対する要求仕様が高まるに従い，リニアモータを用いる事例が増えてきている。本報ではボールネジ駆動方式とリニアモータ駆動方式に着目し，特に電子部品製造装置用の精密駆動機構の視点から両駆動方式の比較評価を行った。
ここでは，近年増えてきているスキャニング動作に注目し，その安定性および追従精度の特性に関する比較おPrecise motion and positioning system is a very important component in manufacturing equipments for semiconductor and flat panel display devices. Most of conventional manufacturing equipments have used servomotor and ball-screw drive method to obtain positioning accuracy and stability. Recently, as requirement forhigher performance including positioning and scanningmotion capabilities increases in particular semiconductor
and flat panel display applications, the use of new drive
methods with linear motor has been increased. This
paper describes evaluated results of characteristics ofservomotor/ball-screw drive method and linear motor
drive method, in particular, regarding the performance
including accuracy and stability of scanning motion
under constant velocity command.

よび評価について述べる。
キーワード：射出成形機，全電動，ダブルセンタープラテン，型締力フィードバック

１

まえがき

式の特徴，使い分け，性能比較および評価について述べる。

近年，半導体および液晶製造装置などの電子部品加工装置

なお，ボールネジとリニアモータの駆動特性，特に精密駆動の分野では，精密駆動機構は装置の全体性能を決める上で最時の特性に関しては既に多くの報告がなされていることかも重要なキーコンポーネントとなっている。従来，精密駆動

ら，本報では，当社製品のこれまでの実績データ 〜 をもと機構の多くは，サーボモータによりボールネジを駆動する方に，最近特に増えているスキャン動作時の駆動性能に注目し，式のものが主流であった。しかし，近年特に半導体や液晶製

その比較評価結果を中心に述べる。

造装置の精密駆動機構に対する要求仕様が高まるに従い，リ
ニアモータを用いる事例が増えてきている。当社においても，
1999年より特にリニアモータ駆動方式を中心とした精密駆動機構を市場に投入してきている。
本報では，当社での製品群を例として，特に電子部品製造

23

装置分野におけるボールネジ駆動方式とリニアモータ駆動方＊メカトロニクス事業部

２

精密駆動機構の用途と駆動方式

精密駆動機構は，主にX Y平面内での運動を行う駆動軸と，製造装置それぞれの目的にあった補助軸に大きく分けられる。図１に，精密駆動機構の代表的な軸構成を示す。駆動軸
住友重機械技報 No.162 2006

論文･報告スタック型

移動ガントリ型（ 1 軸）

図１

リニアモータとボールネジの駆動特性評価

サーフェス型

移動ガントリ型（ 2 軸）

スタック型ステージ（リニアモータ駆動，転がりガイド）

サーフェス型ステージ（リニアモータ駆動，エアベアリングガイド）

固定ガントリ型ステージ（リニアモータ駆動，エアベアリングガイド）

固定ガントリ型ステージ（リニアモータ駆動，転がりガイド）

固定ガントリ型

各種位置決め装置の軸構成
Axis configuration of positioning systems

高速化・大型化

図３

各種リニアモータ駆動位置決め装置
Precise positioning systems driven by linear motors

表１

駆動系構成と適用分野
Drive methods and application fields

1500
リニアモータ領域

速度（mm/s）

ボールネジ領域
液晶・PDP露光装置

1000

用途

半導体露光装置

搬送装置
液晶・PDP検査
リペア装置
500

位置決め装置の構成・駆動方式
超精密化

半導体検査装置
液晶・PDP塗布装置

圧電素子領域

ボイスコイルモータ領域
100μm

10μm

一般精度領域

図２

1μm
100nm
駆動分解能
精密領域

露光
装置

液晶・PDP分野

検査 その他 露光 検査･ コータ
リペア 他
装置 後工程 装置 装置

リニアモータ・エアベアリングガイド◎◎◎
スキャン･ スキャン･
スキャン･
位置決め 位置決め
位置決め
リニアモータ・転がりガイド○○◎○
位置決め 位置決め 位置決め スキャン･
位置決め
XYスタック○
ボールネジ・転がりガイド
XY駆動
位置決め
軸構成
リニアモータ・エアベアリングガイド◎◎
スキャン スキャン
ガントリー リニアモータ・転がりガイド◎◎
位置決め スキャン駆動
ボールネジ・転がりガイド○○
位置決め 位置決め
XY H型

半導体後工程
一般加工装置

半導体分野

10nm

1nm

超精密領域

駆動分解能，最高速度および駆動方式
Map of positioning resolution, maximum velocity and drive methods

ボールネジ・転がりガイド
上下・
チルト軸

の構成は，個別の駆動軸を 2 段に重ね合わせた従来型のス◎◎位置決め 位置決め
ボイスコイル・エアベアリングガイド◎
位置決め
ピエゾアクチュエータ◎◎
位置決め 位置決め◎◎◎
位置決め 位置決め 位置決め

タック型，駆動部とガイド部をH型に構成したサーフェス型，
さらにガントリ型に分けられる。このガントリ型は，固定ガントリで駆動軸を有するタイプと，ガントリ自体が移動する

ット確保の高速化が進んでいる。図３に，リニアモータ駆動

移動ガントリ型に分けられる。サーフェス型では，多くはリを用いた当社精密駆動機構の実例を示す。

ニアモータを駆動系として用い，ガイドをエアベアリングと

次に，表１は，精密駆動機構の用途と軸構成，また，それしている事例が多いが，スタック型およびガントリ型についぞれの構成における駆動方式をまとめたものである。表中，ては，ボールネジとサーボモータによる駆動系，転がりガイ

上下およびチルト機構（Z 方向の並進動作とX Y各軸周りのドを用いた例も多い。これら以外にも，特にストロークが小回転動作を行う場合が多い）については，用途と駆動方式の

さい領域，あるいは高速な応答を必要とする分野では，弾性みを示す。各精密駆動機構および各駆動軸の駆動方式は，目ガイド（フレクチュア）などとの組み合わせにより特殊な軸的とする加工装置分野および動作方向などにより異なるが，構成を用いるものもある。

大きく精密駆動を主目的とする場合とスキャン動作を行う場

図２は，リニアモータやボールネジ等の駆動方式をその分合に大別される。特に，X Y 方向の基本軸に関する最近の傾向

解能と速度により分類し，あわせてその利用分野を製造装置

では，電子部品や液晶部品の露光や塗布などでスキャン動作

別に分類したものである。製造装置の目的にもよるが，一般の速度安定性を重視することから，リニアモータとエアベア的な傾向としては，分解能 1μmから100 nmがボールネジとリングあるいは転がりガイドを用いる方式が増加する傾向がリニアモータの境界領域となっている。数10 nm領域では，見られる。一方，上下軸やチルト軸の駆動方式は，ほとんど多くの事例でリニアモータが使われる傾向があり，5 nm以の場合ボールネジとサーボモータを用いる方式が用いられて下の領域は圧電素子あるいはボイスコイル駆動方式を用いるいる。これは，液晶など可動部付加質量が数100 kgから数 t

事例が多い。一方，速度性能面では，最高速度0.5〜1.5 m/sと大きくなる傾向があることによる。一方，事例は少ないがの高速領域でリニアモータを使用する事例が増えている。な

応答性や駆動精度を重視し，ボイスコイルモータとエアベア

お，最近の新しい動向として，特に液晶やプラズマディスプ

リングを用いる方式や圧電素子を用いた駆動系も使われていレイに用いるガラスサイズの大型化傾向が著しく，スループる。当社の場合，ウエハの上下方向駆動系で500 Hz程度の位
住友重機械技報 No.162 200624

論文･報告リニアモータとボールネジの駆動特性評価

ボールネジとリニアモータの一般特性比較
Comparison of characteristic differences between ball-screw/
servomotor drive system and linear motor drive system

表２

ボールネジ＋サーボモータ

可動ステージ

リニアモータ
転がり案内

ストローク アクチュエータ性能に影響。

アクチュエータ性能はストロークの影響少ない。

最高速度

危険速度，ボール循環速度の制 基本的にはドライバ能力により約により決まる。
決まる。

制御系構成

セミクローズド，フルクローズド
フルクローズド
両方式可能。

機械系

精度確保には高剛性が望ましい 制御系の安定性確保に，機械系が，セミクローズド系では設計 の高い剛性確保が必須。
上の余裕大。
フルクローズドでは，高剛性設
計が必須。

制御特性

セミクローズド構成によりサー ダイレクトドライブであり，応ボ剛性は確保しやすい。セミク 答性，精度面で高い性能が可能。
ローズド，フルクローズドの併 機械系剛性が重要。
用により応答性と精度の両立が
可能。

制御精度

位置決め時の停止安定性，外乱 エアベアリングとの組み合わせに対する安定性が高い。スキャ では，停止安定性にやや難。ス
ン精度にやや難あり。
キャン精度は高い。

コスト

基本的に低コスト，転造ネジな 依然ボールネジに比べ高いが，どさらに低コスト・高品質化が 低下傾向あり。
進んでいる。

ボールネジ
サーボモータボールネジ＋サーボモータ駆動＋転がりガイド

エアベアリング

ボールネジ＋サーボモータ駆動＋エアベアリング

図４

ボールネジ駆動系とリニアモータ駆動系の特性比較モデル
Models of ball-screw drive system and linear motor drive system

＋

位置指令

−

増幅アンプ

PID制御器

位置フィードバック
PID制御系

置応答性確保には，エアベアリングガイド系とボイスコイル

位置指令 ＋

モータを用いることで，これを実現している。

−＋
PID制御器

表２に，ボールネジ・サーボモータ駆動系とリニアモータ
フィルタ1駆動系の一般的な比較結果を示す。ボールネジとリニアモー

− ＋

フィルタ2

外乱オブザーバ

タは，それぞれに長所と短所を持っており，一概にその優劣を述べることはできない。それぞれの長所を考慮し，用途に位置フィードバック

より使い分けているのが実情である。

PID＋オブザーバ制御系

表１に示した精密駆動動作とスキャン動作の視点で見ると，一般的にはボールネジ方式は精密駆動動作に向いており，

増幅アンプ

−

図５

転動体の微振動などによりスキャン動作には不向きである。

制御系の評価モデル
Models of motion control system

これに対してリニアモータは推力を直接可動負荷に伝えることができることから，どちらの用途にも適している。ただし，

ボールネジ駆動＋エアベアリングガイド

リニアモータの場合，特にエアベアリングガイドなどによりリニアモータ駆動＋転がりガイド

非接触ガイドされた系では，外乱に比較的弱く，停止精度やリニアモータ駆動＋エアベアリングガイド

速度安定性が低い。
ケーブルテンションの変動や定盤の揺れ，

なお，精密駆動機構の機械系の仕様を完全に一致させるこ

さらに永久磁石の磁束分布など，加速度外乱の影響を受けやとは困難で，ストローク300〜400 mm前後，機械系の負荷構

すいという問題点がある。このことから機械系の剛性をかな

成が比較的近いモデルを選定しての比較とした。また，リニり高く設計することが必要であり，さらに制御方式について

アモータはすべてコアレスタイプとし，すべての装置はエアも外乱に対して強い制御系の適用が必要である点は注意すべ式の除振台に搭載されている。

き点である。これに対してボールネジ駆動方式は，一般に摩擦力を介した駆動方式であるので，これらの外乱の影響を原

また，制御方式も駆動方式同様に駆動性能に大きく影響を与えることから，以下の 2 方式を評価の対象とした。
比例積分微分（PID）制御系（コントローラよりD/A

理的に直接受けにくいという利点がある。

３

リニアモータとボールネジの駆動特性比較と評価

ボールネジとリニアモータの駆動特性，特に精密駆動時の特性に関しては，これまで多くの報告がなされている〜。

比例積分微分（PID）制御系（同上）＋外乱オブザーバ
図５に，評価に用いた制御系の構成を示す。
3.2

評価方法と結果

そこでここでは，当社のこれまでの実績データをもとに，最評価項目は，一定速度指令値をシステムに入力した際の位近増えているスキャン動作時の性能に関する検討結果につい置追従誤差とした。計測方法は，サーボサンプルごとの位置ての比較検討結果を述べる。

指令値と実際のステージ位置計測値の差を計測し，その 3 σ3.1

値によって位置追従誤差の変動を評価した。

評価モデル

図４に，評価モデルの駆動系構成を示す。駆動系の構成は，
以下の 4 形式を用いた。
ボールネジ駆動＋転がりガイド

25を介し電流アンプに推力指令）

図６は，エアベアリングガイドとリニアモータ駆動系を有するシステムの応答波形の一例である。比例積分微分（PID）
制御方式と比例積分微分（PID）＋外乱オブザーバ構成の両
住友重機械技報 No.162 2006

論文･報告0.5
位置追従誤差
20

40

60
80
時間（s）

速度指令

100

0

−10
0

−0.1
120

5

200

4
3

50

2

0

1
位置追従誤差

−100

0

20

40

60
80
時間（s）
PID制御

0

40

60
80
時間（s）

100

100μm/s（PID＋OBS）
0.5

速度指令
実速度

0.4

100

0.3
0.2

50
位置追従誤差

0

0.1

−50

0

−100
0

−0.1
120

20

40

60
80
100
時間（s）
PID制御＋外乱オブザーバ

一定速度指令値に対するリニアモータステージの応答例
Velocity responses for constant velocity command

成分であることが確認されている。

10
ボールネジ＋LM＋PID
位置追従誤差変動（μm）

20

150

−1
120

100

0.1

−0.5
120

100

−50

0.2
位置追従誤差0100μm/s（PID）

実速度

150

0.3

5

−5

0

速度（μm/s）

−5

0.4

10

位置追従誤差（μm）

0

0.5

実速度

15

位置追従誤差（μm）

1

10μm/s（PID＋OBS）

速度指令

20
速度（μm/s）5

位置追従誤差（μm）

1.5

位置追従誤差（μm）

速度（μm/s）

2

10

200
速度（μm/s）

2.5

実速度

15

−10
0

図６

10μm/s（PID）

速度指令

20

リニアモータとボールネジの駆動特性評価

リニアモータ＋エアベリング方式を除くと，他の 3 駆動方

ボールネジ＋AB＋PID
1

0.1

式はいずれも速度の増大に伴い追従性能が劣化する傾向を確

ボールネジ＋AB＋PID＋オブザーバ
リニアモータ＋LM＋PID

リニアモータ＋LM＋PID＋オブザーバ

リニアモータ＋AB＋PID

認できる。この中でボールネジ＋転がりガイド方式を除く他の 2 方式（リニアモータ＋転がりガイド，ボールネジ＋エア
ベアリング）は，基本的には一つの転動体を有する構成であり，原理的には近い構成と考えられる。各ユニットの予圧レ

リニアモータ＋AB＋PID＋オブザーバ
0.01
0.01

0.10

1.00
速度（mm/s）

10.00

ベルにより摩擦特性が異なることから，定量的比較は困難で100.00

AB エアベアリング
LM 転がり案内
PID PID制御
オブザーバ 外乱オブザーバ制御

あるが，速度の増大に伴い転動体の運動周波数が高まること
により，制御系の外乱特性が劣化する傾向が確認できる。な
お，このような系ではオブザーバにより外乱トルクの影響を補償することが，系の追従精度向上に効果があることが分かる。

図７

位置追従誤差の評価結果
Evaluated results of following error under scanning motion

４むすび
ボールネジ駆動方式とリニアモータ駆動方式を取り上制御方式により，微速領域の送り精度を評価した。縦軸（左）げ，特に電子部品製造装置用の精密駆動機構の視点からは速度指令と実際の速度波形を示しており，また縦軸（右）両駆動方式を比較評価した。

は，その際の位置追従誤差を示している。速度波形は，指令

ここでは特に近年増えてきているスキャニング動作に値に高い精度で追従しているが，ムービングコイルタイプの注目した特性比較について述べた。両方式とも優れた特リニアモータを用いている点もあり，ケーブルテンションの影徴をもつ駆動方式であり，今後ともそれぞれ用途・目的

響が大きく，位置追従誤差が送り開始時点から積分されていに応じた使い方により共存して行くものと考えられる。

く傾向が見られる。このように，リニアモータを用いた駆動系
では，その制御方式によってもその応答に大きな差異が出る。
以上述べた方式により，各駆動系構成および制御方式のシステムの送り特性を評価した。図７に，評価結果を示す。
送り速度0.1〜50 mm/sの全領域にわたって最も性能が安定している方式は，リニアモータ＋エアベアリング方式であり，位置追従精度は50〜100 nm以下の領域にある。比例積
分微分（P I D）制御の場合，50 mm/sの速度指令に対して数（参考文献）
精密工学会編. 次世代精密精密駆動技術. フジテクノシステム, p.319〜332, p.377〜386, 2000.
井澤實ほか. 精密位置決め技術. 工業調査会, 1989.
A. H. Slocum. Precision Machine Design. Prentice-Hall, 1992.
井澤實. 精密および超精密精密駆動技術の現状. 精密工学会誌, no.
57, Oct., 1991.
鳥海正樹. 半導体製造装置における精密駆動技術. 精密工学会誌, no.
57, Oct., 1991.

百 nmの追従誤差まで悪化するが，オブザーバを適用するこK. Ohishi, M. Nakao, K. Ohnishi and K. Miyachi. Micro-Processor-とにより，ほぼ速度全域での精度確保が可能となる。これがControlled DC Motor for Load-Insensitive Position Servo System.

本方式の最大の特徴と考えられる。なお，50 mm/sの領域でIEEE Trans. Ind. Electron, IE-34, 1: p.44-49, 1987.

の誤差はリニアモータの推力リプルおよび除振台の揺れが主
住友重機械技報 No.162 200626

光・量子技術特集
メカトロニクス技術

超小型PETサイクロトロン制御系の開発

技術解説

超小型PETサイクロトロン制御系の開発
Development of Ultra Small Size PET Cyclotron System
●越

智

俊

昭＊

Toshiaki OCHI

ホットラボ室
外部モニタ，操作用
コンピュータルータ
モニタ
キーボード マウス

外部モニタ，
操作用パソコン

メール
送信用

IP モニタ
外部モニタ用

住友重機械
HPLC

1m
KVM 切換え器
モニタ

ユーザーズステーション

エンドトキシンコンピ ュータ
KVM 切換え器 シンクライアント

キーボード マウスハブ

シンクライアント

操作卓

Q200 PLC

F200 PLCETHER NET

ホットセル内統括PLC

FL NET

ハブ

RI 制御盤

サイクロトロンPLC

サイクロトロン室

図１

システム構成System configuration

１

はじめに

当社のPET（Positron Emission Tomography）用のサイクロ
トロンは，現在までに多くの納入実績を有している。しかし，

自動運転機能検査前日の準備作業および当日の自動運転の流れを次に示す。
2.1

検査計画

サイクロトロンの運転は，朝からの薬液の投与に合わせて，検査前日に，撮影開始時間，投与開始時間および投与間隔

早朝からのサイクロトロンの立上げ，照射・合成装置の準備を入力することにより，検査日のタイムスケジュールが自動および合成などの専属オペレータの作業が必要となっていた。

的に作成される。

そこで，今回新たに製作した制御装置では，前日に運転計

また，各時間の患者の有無，患者ごとの投与量を入力する

画を立て，サイクロトロンおよび合成装置の準備を行い，自ことにより，検査日に必要とされるFDG（Fluoro - 2 - deoxy-

動運転をセットしておけば，翌朝，計画された運転計画にもD- Glucose薬液）の量が自動的に計算される（図２）。

とづき，サイクロトロンの立上げ，照射，合成装置への回収

2.2および合成を自動的に行うシステムを開発した（図１）。

運転計画

検査計画にて予定された，検査日のタイムスケジュールか本システムの自動運転機能を使用することにより，オペレ

ら計算されたF DGの必要量より，設備の立上げから投与開ータ（薬剤師）が合成完了の時間に合わせて出勤し，品質検始までの運転計画が自動的に計算され表示される（図３）。

定を行えば薬液投与の準備が完了することになり，オペレー
タの早朝出勤での作業が不要となる。
また，本システムは遠隔モニタリング機能も有しており，装置の状況確認および異常内容の詳細などの情報について現
場に専門のオペレータがいなくても専門のスタッフが遠隔から確認が可能であり，専門のオペレータが不要なシステムと27

２

本運転計画であれば，オペレータは検定の準備を行う 8 時
10 分までに検定準備などの作業を開始すれば良いこととなる。
2.3

運転準備

検査計画および運転計画完了後，翌日の自動運転に備えてオペレータは確認，準備作業を行う。
各装置の正常の確認および合成装置へのカセットのセットなっている。

など，自動運転に必要な準備作業を行う。準備作業の必要な＊量子機器事業部

住友重機械技報 No.162 2006

技術解説

図２

検査計画画面Display of inspection plan

図４

超小型PETサイクロトロン制御系の開発

自動運転画面Display of automatic operationの状況確認および異常内容の詳細などの情報を現場に専門のオペレータがいなくても専門のスタッフが遠隔から確認が可能であり，専門のオペレータが不要なシステムとなっている。
操作用のパソコンには，通常の運転に使用する画面の他に，リモートメンテを行う場合に有効となる下記の三つの機能を有している。
各機器の状態をリアルタイムで確認できる。
装置の様々なデータを収集して蓄積できる。
トレンドグラフも装備されており，運転中の変化を確認できる。また，本トレンドグラフの情報はパソコン内
図３のハードディスクに保存されており，過去のトレンドグ

運転計画画面Display of operation plan

ラフを表示可能な様になっている。
さらに，各機器の使用時間なども管理しており，本情項目に関しては，画面にて確認しながら行い，準備状況を自報に基づき適切なタイミングでのメンテナンスなどの計動またはオペレータの確認入力により確認していく。

画が可能となる。

2.4

自動運転

装置に異常が発生した場合，異常の履歴を蓄積し，画運転準備が完了した段階で自動運転の起動を行い，オペレ面から行った操作の履歴を蓄積する機能を有している。

ータは帰宅する。

また，不具合発生時の履歴を直接確認することが可能

検査当日は，運転計画に従い，機器の立上げ，照射および合成などが早朝から自動的に行われる（図４）。
機器の立上げから照射などの運転が自動的に行われること
により，機器の運転などのオペレータの早朝からの勤務が不
要となる。
2.5

状況通知

自動運転中は装置の運転状態などが自動的にメールにて関係者に連絡されるようになっており，装置の運転状態が遠隔にいても把握できるようになっている。
また，装置に異常が発生した場合にもただちに異常発生の一報がメールにて通知される。
この自動運転機能を使用することにより，いままで必要であったオペレータの早朝出勤が不要となる。

３

遠隔モニタリング機能

装置の運転状況の確認および異常発生時の状況確認用の手段として，遠隔モニタリングの機能も有している。
本遠隔モニタリングの機能を使用することにより，詳細なである。
これらのリモートメンテナンス機能を有効に活用することにより，サービスの効率向上やシステムの品質向上などに役立てることができる。

４

おわりに検査計画から運転計画までを自動にて行うことから，オペレータの手間を省くことができる。
検査前日に機器の準備を行い自動運転をセットするだ
けで翌朝装置が自動的に運転される機能により，オペレータの早朝出勤を不要とすることができる。
装置の運転状態を現場に行くことなく遠隔にてモニタリング，確認することができることから，専門のスタッ
フが遠隔から確認およびアドバイスが可能であり，専門のオペレータが不要なシステムとなっている。

今後は，今回超小型 P E T サイクロトロン用に開発した自動運転および遠隔モニタリング機能を他のサイクロトロンシ
ステムへも発展させていく予定である。

情報が表示されている現場の操作画面の情報をインターネッ
ト経由にてモニタリングすることが可能となる。（Avocent
CorporationのSwitchView IPを使用）本機能を使用し，装置（参考文献）
SwitchViewTM IP ユーザー・ガイド. Avocent Corporation, 2003．

住友重機械技報 No.162 200628

光・量子技術特集
メカトロニクス技術

RPD法によるZnO成膜技術

技術解説

RPD法によるZnO成膜技術
ZnO Deposition System by RPD Method
●伊

藤

彦＊ 木

秀

Hidehiko ITO

下

公

男＊

Kimio KINOSHITA

基板

圧力勾配型
プラズマガン

薄膜
活性粒子

プラズマ

プラズマビーム
コントローラ

図１

RPD装置
RPD equipment

１

はじめに

試料タブレット

このプラズマガンにより生成したビームを，プラズマビー

太陽電池やFPD（Flat Panel Display）分野では，酸化錫膜，

ムコントローラにより蒸発材料に導く。このとき，蒸発材料

酸化亜鉛膜および酸化インジウム膜（ITO膜）などが透明導上方にカスプ磁場が形成され，プラズマビームは材料直上に電膜として用いられてきた。近年，インジウムの資源的な問集められて垂直に入射する。ビーム加熱により昇華した材料

題から酸化亜鉛系の透明導電膜に関心が集まっており，低抵

は，高密度プラズマ中でイオン化される。イオン化率は非常

抗のZnO成膜が可能なRPD（Reactive Plasma Deposition）法に高く，粒子は活性化される。飛来している粒子はガス粒子が注目されている。

などとの衝突でエネルギーを減らしたり，一部は中性粒子と本報では，RPD法によるZnO成膜技術について紹介する。

２

RPD法の成膜プロセス

なって基板に到達，堆積して成膜される。基板に到達する粒子の平均エネルギーはおよそ10〜30 eVであり，成膜室の圧力などの成膜条件によりコントロールが可能である。このエ

RPD法は従来の蒸着法，スパッタ法およびCVD法などのネルギー領域は，膜表面でのマイグレーションに有効である。

成膜法とは異なる成膜法で，蒸発源の直上に高密度プラズマ

また，RPD法では，スパッタリング法のように高電圧の印を集束することで，蒸発材料を昇華し，かつイオン化するこ

加とで反応性を高めたプラズマ蒸着法である。RPD法を適用

粒子はプロセス中に存在しない。これらによって，RPD法でした成膜は，圧力勾配型プラズマガン とプラズマビームコ

は緻密で結晶性に優れた膜を実現できる。

ントローラ （ハース外周部の環状永久磁石と電磁石で構成）を組み合わせた装置で実現できる（図１）。

がないことから，100 eVを超えるような高いエネルギー

３

ZnO成膜装置

圧力勾配型プラズマガンは，Ta管とLaB 6円板との複合陰

ZnO成膜装置では，図２のように成膜室にZnOソースとプ

極と中間電極により，低電圧大電流の直流アーク放電を維持

ラズマビームコントローラを並列に配置することによって，し，高密度（1012 cm−3）のプラズマを生成することができる

大型基板に対して均一に成膜することができる。要求されるものである。また，陰極部と成膜室間のオリフィスにより，

ZnOの膜質にもよるが，基板サイズが400 mm幅まではガン陰極部の雰囲気圧力を成膜室より高く保つことができ，このユニット 1 組，400〜1100 mm幅までは 2 組，1100 mmを超

圧力差で酸素などの反応ガスの放電部への混入を防いでおり，えると 4 組以上を幅方向に並べて構成する。

陰極部への酸素影響がほとんどなく，長時間の連続使用が可29

能なものである。

＊量子機器事業部

また，電磁石を調整することにより，蒸発粒子の飛行方向
住友重機械技報 No.162 2006

技術解説

基板

RPD法によるZnO成膜技術

キャリア

ステアリングコイル

キャ
リア
走行

方向

ビームコントローラ

ZnOソース

図２

２ガン式RPD蒸発部構成
RPD process composition for two plasma generators10

抵抗率（×10−4Ωcm）

9

図４

8

RPD法による920×730基板へのGZO成膜
GZO film on 970 × 730 substrate coated by RPD method

7
6
5

おわりに

５

4
3
2

RPD法は，蒸発蒸気のイオン化率が高いことと基板

1

入射時の運動エネルギーが低いことを特徴とする成膜プ

0−500 −400 −300 −200 −100
0
100
200
幅方向の位置（mm）

300

400

500

ロセスである。
RPD法では，プラズマガンとビームコントロールユ
ニットを並列に配置することで，大面積基板への成膜が

図３

GZO膜の比抵抗分布
Resistivity of GZO film

可能である。
RPD法によるZnO膜は，結晶性に優れ，再現性も良好である。

分布を制御することができ，その作用で膜厚分布を均一化することができる。また，化合物膜の場合にはプラズマの反応性の分布に合わせて基板上の堆積速度分布の制御が可能であり，均一な膜質分布が得られる。
昇華材料は，昇華速度に合わせて自動供給機構により一定速度で供給され，昇華面は常に同じ高さに保たれる。その結果，安定した成膜速度で長時間成膜運転することができる。
材料補給は成膜運転を中断することなく，大気側からの追加で補充できることから，長時間にわたって運転を中断することなく操業が可能である。

（参考文献）
浦本上進. イオンプレーティングのための大電流, 長寿命陰極の研究.
真空, 25, p.66, 1982．
田中勝, 牧野博之, 筑後了治, 酒見俊之, 粟井清. 高安定プラズマイオ
ンプレーティング装置による各種成膜技術への応用. 真空, 44−4,
p.435, 2001.
石橋啓次. スパッタリング法による薄膜形成. セラミックス, 33−10,p.801, 1998.
清田淳也. 透明酸化物光. 電子材料第166委員会第6回研究会資料, 1,
1998.
山本哲也, 酒見俊之, 粟井清, 白方祥, 碇哲雄, 中田時夫, 仁木栄, 矢野
哲夫. 月刊ディスプレイ, 10月号, p.70, 2004.

４

RPD法によるZnO膜の特長

RPD法における酸化亜鉛系導電膜の成膜結果を，図３および図４に示す。蒸発材料には，Ga2O3を 3 wt％添加したZnO
焼結体を使用した。成膜中に酸素ガスを供給しながら，200 ℃のガラス基板上に成膜を行った。酸素流量を最適化することにより膜厚200 nm，抵抗率2.4×10 −4 Ωcm，透過率85 ％以上（波長400 nm〜1000 nm）のGa添加ZnO膜（GZO）が得られた。また，2 ガン型R P D成膜装置を用いて，有効基板幅1000 mm，抵抗率2.8×10−4 Ωcm，抵抗率分布± 5 ％の均一
なZnO系大面積透明導電膜の成膜を実証した 。
ZnO膜では，透過率と抵抗率の他に実用上の要求特性に対する適合性が求められる。これらをクリアし，ZnO膜の適用が進むことが期待されている。
住友重機械技報 No.162 200630

光・量子技術特集
メカトロニクス技術

RPD法によるSiON成膜技術

技術解説

RPD法によるSiON成膜技術
SiON Deposition Process by RPD Method
●伊

丹

哲＊ 三

Tetsu ITAMI陽＊好You MIYOSHI

アークプラズマ
低電圧大電流低ダメージ
高い成膜レート

基板
高性能バリア膜
圧力勾配型
プラズマガン
適当なエネルギー
の成膜粒子

高い密着性
平滑性
緻密膜

活性プラズマ従来のイオンプレー
ティングでは成し得なかった安定性・再現性を実現

固形材料利用で有毒ガスを用いず，
除害装置不要SiOタブレット

プラズマビーム
コントローラ

RPD法によるSiON成膜
SiON deposition by RPD method

１

い膜封止構造を示す。膜封止構造はサイズ変更や生産性など

はじめにに優れ，この方法の確立が待望されており，高性能なバリア

当社は1999年にRPD（Reactive Plasma Deposition）法を用いたインライン式ITO成膜装置を開発し，発売して以来，ディスプレイ用や太陽電池用の透明導電膜の成膜装置を多数製

３

RPD法によるSiON成膜技術の特長造し納入してきた。さらにRPD法を適用したSiO系および無機材バリア膜としては従来Si3N4およびSiOxNyなどの窒ZnO系の成膜技術を開発し，従来の成膜法に比べて優れた膜

化珪素および酸窒化珪素膜が使用されており，その成膜方法

特性および生産性を有する成膜装置の商品化を進めている。

はプラズマCVD（Chemical Vapour Deposition）が適用され本報では，有機EL（ElectroLuminescence）ディスプレイ

ている。CVDは原料ガスに特殊ガスを使用することからこ用のバリア膜として開発したRPD法によるSiON成膜技術をれを除外する装置が必要となる。除外には付着物のクリーニ紹介する。

ングがバッチごとに必要であり，連続生産にはスタンバイチ

２

有機ELディスプレイ用の封止構造とバリア膜ャンバが必要となることから，設備が大型になる。バリア性を確保するには，1μm以上の厚膜が必要と言われている。

有機ELディスプレイは液晶に比べると応答速度が速い，動当社は，生産性に優れ，装置が小型で高性能バリア膜を成画が鮮明，バックライトが不要で薄型可能および省エネルギ膜する装置としてRPD法によるSiON成膜装置を開発した。

ーなどの点で優れたディスプレイとして期待され，各社で量冒頭の図に，RPD法によるSiONプロセスの概要を示す。ま

産化の計画が進められている。既に，一部のメーカーで量産た，以下に，その成膜技術の特長を示す。

が行われており，携帯電話のメインディスプレイやサブディ

3.1

高いバリア性

スプレイおよびオーディオ装置の表示器などに適用されていRPD法はアークプラズマによって成膜材料を昇華させ，るが，本格的量産に向けて各種の課題が現在も追求されてい成膜粒子（Si，O，N）をイオン化し，適切なエネルギー状る。その課題の中で，有機ELデバイスを水分および酸素な態で基板に成膜粒子を堆積させる成膜法である。この方法でどから遮断する封止技術はデバイスの長寿命化には重要な課

は堆積後のマイグレーションが活発で緻密な膜が形成され，題である。

高性能なバリア性を有する膜が得られる。図２に，RPD法

現状は，有機ELデバイスと吸湿剤をガラスで密封する構と他の方法で成膜したバリア膜の密度比較を示す。RPD法に，一般的なガラス封止の構造例

でのSiON膜では，2.9 g/cm3の高密度が得られている。このを示す。ELデバイス基板に吸湿剤をセットし，封止用ガラ

効果により，RPD法による100 nm厚のSiON膜でプラズマには吸湿剤を省

CVDによる1μm程度の厚膜のSiN膜と同等のバリア性能を造で封止している。図１

スを接着剤で接合するタイプである。図１
略したタイプの封止構造を，図１31膜が必要である。

＊量子機器事業部には封止ガラスを用いな示している。
住友重機械技報 No.162 2006

技術解説

RPD法によるSiON成膜技術

SiON
ガラス封止
無機バリア膜 ガラス封止
無機バリア膜
陰極（金属膜）
陰極（金属膜）

ポリマ
平滑膜

Ca

透湿度
約 1 ×10−5g/m2/day
加速試験 60℃ 100％

乾燥剤
接着剤

ガラス基板

一般的なガラス
封止構造

ガラス基板

吸湿材省略のガラス封止構造

ガラス基板

ガラス省略の
膜封止構造

加速試験前

図１

加速試験500時間

加速試験600時間

テストフロー
ガラス基板にCaを蒸着。
この上に，SiON成膜（200nm）/ポリマーコート（ 5 μm）/再度SiON（200nm）成膜。
この試料を60℃，RH＝100％の環境に入れて，Caが透明になることで膜表面側からの水分透過量を計算。

各種封止構造Various types of encapsulation composition3

膜密度（g/cm3）

図３

RPD法によるSiON膜を用いた膜封止の透湿度
Permeability of SiON film (RPD)＋polymer

2.8

ローラによって安定したプラズマ状態が維持され，長時間の2.6

連続成膜運転が可能である。
2.4

４

RPD法によるSiON成膜装置

2.2

有機EL用バリア膜成膜装置として，クラスタ式RPD成膜

2
RPD− SiON
RF−SP＊2 P−CVD＊1

RPD− SiOx

RF−SP−SiOx（当社成膜）＊1

P−CVD−SiOx＊2

Radio Frequency SPuttering
Plasma enhanced Chemical Vapour Deposition

装置を開発し納入した。既に3.5 世代基板対応装置は完成しており，4 〜 5 世代基板対応装置を計画中である。

５
図２

RPD法で得られる膜密度
Density of films coated by RPD process

今後の課題

有機ELディスプレイのバリア膜，封止膜の要求にこたえるSiON成膜技術の課題を次に示す。
RPD法によるSiON膜バリア特性を改善し，単膜でも図３に，樹脂膜と組み合わせた封止膜のCa評価テスト例

十分な透湿度が得られる膜を実現する。

を示す。温度60°，湿度100 ％の環境でCa膜（ 4 mm□，200

生産性向上および低ランニングコスト化を図るべく，nm厚）が透明になる時間から透過水分量を計算にて求めた。

成膜レートの増大および材料利用率の向上を実現する。

＋H2
Ca＋2H2O→Ca（H2O）
透湿度＝透明になった面積比×Ca膜厚×Ca密度×（36/40）
×テスト時間６

おわりに

RPD法は，低ダメージで膜特性が得られる優れたプロセスである。
RPDによるSiON膜は，高緻密性および高平坦性を有し，なお，透明部の面積比は 4 mm□を100 万画素のCCDカメラ測定より求めた。
RPD法によるSiON膜（100 nm）ではモコン法の限界である透湿度＝0.02 g/m2/day以下を達成し，さらに樹脂膜を組み合わせると10−5 g/m2/dayレベルの透湿度を達成している。
3.2

高い生産性

RPD法では，低電圧・大電流アークプラズマ をプラズマ

CVDによるSiN膜と同等の高いバリア性能を有する。
有機膜上に低温・低ダメージでSiONの成膜ができる。
連続放電状態で安定した高品質膜の成膜が可能で，高い生産性が実現できる。
プロセスガスは窒素とアルゴンのみを使用しており，ガスの排出で除害装置などは必要なく，シンプルな装置構成である。

ビームコントローラで蒸発材料に収束させることから，高い当社が開発したプラズマビームコントローラでプラズ

蒸発レートが得られれる 。しかも，低電圧の成膜プロセス

マ状態を一定にすることで，安定した長時間の運転がでであることから，有機膜に対してダメージレスで成膜が可能

きる。

であり，また安定した高品質膜の生産が可能である。
3.3

シンプルな装置構成

今後は，この特長を生かして有機樹脂やプラスチックフィ
ルム基板などへ適用を広げていく予定である。

蒸発材料は焼結したタブレット状SiOを用い，プロセスガ
スは窒素とアルゴンのみを使用しており，ガスの排出に除害装置などは必要なく，シンプルな装置構成である。
3.4

安定した運転性（参考文献）
浦本上進. 真空, vol.25, p.66, 1982.
田中勝, 牧野博之, 筑後了治, 酒見俊之, 粟井清. 真空, vol.44, no.4,
p.435, 2001.

当社が開発した磁場を組み合わせたプラズマビームコント
住友重機械技報 No.162 200632

光・量子技術特集
メカトロニクス技術

テンションコントロールシステムの開発

技術解説

テンションコントロールシステムの開発
Development of Tension Control System
●三

人＊

好

Kiyoto MIYOSHI

フリーローラ

エア

圧力検出

サーボ弁

エアベアリング

圧力検出

リニアスケール
指令

位置

圧力

制御器

位置
ダンサシステムモデル
慣性力補償など

改良ダンサシステム
Dancer system (Improved)

Airsonic

１

はじめに

３

実際の張力制御

近年，FPD（Flat Panel Display）部材などに代表される高図２に実際に広く用いられている張力制御方式である張力検機能フィルムにおいて，携帯性の向上などからフィルムの薄出器システム，図３にダンサシステム（可動フリーローラが踊膜化が進んでいる 。それによりWEB（フィルムなどの帯っている様に見えることからこう言われる）の概念を示す。

状物）にかけられる張力は低下傾向にあり，高精度な張力制

まず張力検出器システムであるが，制御の方法としては，御が要求されている。当社では長年にわたり，このWEBの張力検出器によりWEBの張力を検出する。検出した張力と張力制御に取り組んできた。本報では，まずWEB張力制御

目標張力の差分をPI制御器などの制御器に入力することによの方法などについて解説し，次に現在当社が取り組んでいるりフィードローラの速度操作量を得る。この操作量により前張力制御システムの改良について紹介する。

後フィードローラ速度に差をつけ，区間に流入・流出する

２

WEBの量を操作することによりWEB張力を制御する。した張力制御の原理がって，張力検出器システムは区間中WEBの元の長さL0を図１に示すフィードローラに挟まれた区間でのWEBの張力Fは，次式で与えられる。

操作することにより張力を制御するシステムと言える。
次にダンサシステムであるが，制御の方法としては，まずF＝EA（L−L 0）/L 0

WEBに可動機構を持つフリーローラを押しつけることによ

ここで，りWEBに張力を発生させる。WEBに発生した張力とフリー

E：W EBのヤング率

A：WEBの断面積

L：区間中のローラの押しつけ圧が釣り合った時点で，可動フリーローラ

L 0：区間中WEBの元の長さは停止する。したがって，フリーローラのWEBに対する押EおよびAはWEB種類により決まることから，張力を制御

しつけ圧をフリーローラ自身の自重あるいはエアシリンダ，

WEBパス長するにはLまたはL0を操作する。区間中のWEBパス長Lを操作

エアレギュレータなどで操作することにより張力を制御する

するには，WEBが通過するローラ配置を変更する。また，区ことが可能となる。これらのことから，ダンサシステムはフ間中WEBの元の長さL0を操作するには，区間に流入・流出す

リーローラが動くことにより，区間中のWEBパス長Lを操作るWEBの量を前後フィードローラの速度差により変更する。

して張力を制御するシステムと言える。

実際のWEB制御においては，図１に示した区間がいくつ

しかしながら，フリーローラの可動範囲は有限であり，も連続する。したがって，フィードローラの挙動は少なくとWEBが元々大きくたるんでいた場合，すなわちL＜＜L 0であも前後二つの区間の張力に影響を与える。このことから，区った場合などでは，張力の釣合いが取られる前にフリーロー

間中のWEBパス長Lの操作は基本的にその区間の張力のみにラが可動範囲を超え，ストッパに当たってしまう場合がある。

影響を与えるのに対して，区間中WEBの元の長さL 0の操作

これを防ぐにはフリーローラに取り付けた位置検出器によりはその区間の張力のみではなく前後区間の張力にも影響を与

フリーローラの位置を検出し，検出した位置と目標位置（多える。

くの場合は可動範囲の中間位置）の差分をPI 制御器など制御器に入力することによりフィードローラの速度操作量を得

33＊住友重機械メカトロニクス株式会社

住友重機械技報 No.162 2006

技術解説 テンションコントロールシステムの開発

フィードローラ

フィードローラ

張力

L

釣合い

エアシリンダ可動フリーローラ
WEB
検出位置
フィードローラ

図１

電空
変換器

フィードローラ

制御器
速度操作量

速度

WEBにおける張力区間
Section in WEB under tension

フィードローラ

−
＋

張力設定

張力検出器

フィードローラ

図３

位置設定

ダンサシステムによる張力制御
Tension control by dancer system

組んでいるダンサシステムの改良について述べる。
検出張力

WEBの流入−＋WEBの流出

制御器
速度操作量

速度
張力設定

４

ダンサシステムの改良

冒頭の図に，現在当社が取り組んでいる改良ダンサシステ
ムの概念を示す。このシステムでは，押し圧を与えるエアシ
リンダには2003年度から当社が上市している高精度エアシリ

図２

張力検出器システムによる張力制御
Tension control by tension detector system

ンダシステムAirsonic を用いている。このシリンダシステ
ムの特徴を次に示す。
ピストンロッドをエアベアリングにて保持することにる。この操作量により前後フィードローラ速度に差をつけ，より非接触とし，摩擦力を低減している。

フリーローラの位置が可動範囲内にあるように制御する。しピストンロッドに高細密リニアスケールを，圧力室に圧たがって，ダンサシステムは区間中のWEBパス長Lおよび力センサを，エア流量制御用にサーボ弁を内蔵している。

WEBの元の長さL0を操作することにより張力を制御する複上記

合システムと言える。

，

および制御器により，高精度な荷重および位置制御が可能である。

第 2 章張力制御の原理で述べたように，フィードローラ

これらにより，推力500 Nシリンダ単体で荷重制御範囲10〜による区間中WEBの元の長さ L0の操作は，その区間の張力

500 N，荷重制御精度± 1 ％，位置繰返し制御精度± 5 μm

のみではなく前後区間の張力にも影響を与える。したがって，という性能を達成している。このシリンダシステムをダンサより精密に制御する場合，影響を受ける他区間のフィードロ

システムに使用し，摩擦を低減することで，従来のダンサシーラも同時に動かし非干渉化するなどの対策が必要となる。

ステムに比べ低張力まで対応可能となる。また，高細密位置

先に述べたように，ダンサシステムは区間中のWEBパス

検出器から位置情報を得て可動フリーローラ質量にかかって

長LおよびWEBの元の長さL0を操作することにより張力を制いる加速度および慣性力を計算し，アクティブにキャンセル

御する複合システムである。位置制御器の応答を早くし，ダすることにより，ダンサシステム使用可能周波数帯域を広げ

ンサローラが目標位置に良く追従するようにすると，その挙ることが可能となる。

動は張力検出器システムに近づく。逆に位置制御器の応答を遅くするとフィードローラは定常的な張力偏差をゆっくりと制御することとなり，過渡的な張力変動は主に区間中のWEBパス長Lの操作，つまり可動フリーローラの挙動により制御されることとなる。このように張力変動を定常・過渡とに分けて制御できることがダンサシステムの特徴である。
しかしながら，従来のダンサシステムでは可動フリーロー
ラシステムに課題があり，張力定常偏差および張力変動を充

５

おわりにWEB張力制御では、次の問題点があげられる。
a. 張力検出器システムでは，張力制御を行うことにより前後の 張力区間に影響を与える。
b. ダンサシステムでは，慣性力と摩擦力の影響により張力定常偏差および張力変動を充分に抑制できない。
問題を解決するダンサシステムの改良として，次の取分に抑制できないという問題がある。その課題とは，可動フ組みを行った。

リーローラシステムの慣性力と摩擦力である。可動フリーロ

a. ダンサシステムピストンシリンダの摩擦力を低減する。

ーラには当然質量があり，動作の際には慣性力が働く。それによるWEBのバネ剛性とダンサシステムの質量の関係から，
ある一定以上の周波数のWEB張力変動では可動フリーロー

b. 空気圧力の積極制御による慣性力を補償する。
当社では，これからも張力制御に限らずWEB制御全般にわたり，その高精度化に取り組んでいく所存である。

ラがほとんど動作しなくなる。また，可動ローラおよび押し圧を与えるエアシリンダには摩擦があり，摩擦力を下回る張力では可動ローラが動作しなくなる。
次章ではこれらの課題を解決するべく，現在，当社が取り（参考文献）
JSR株式会社筑波研究所. アートン薄膜位相差用フィルム. JSRテク
ニカルレビュー, no.110, p.26〜29. 2003.

住友重機械技報 No.162 200634

光・量子技術特集
メカトロニクス技術

高周波PWMドライバ SDPDの開発

技術解説

高周波PWMドライバ SDPDの開発
Development of High Frequency PWM Driver SDPD
●白

石

貴

司＊

Takashi SHIRAISHI

リュート型エンコーダにも対応した。上位制御装置とのイン
タフェースは，当社製PWMドライバ SDPHシリーズと互換であり，位置指令パルス列入力，速度アナログ入力，推力ア
ナログ入力，速度デジタル入力および推力デジタル入力の 5系統を標準装備している。SDシリーズドライバ専用の調整支援アプリケーションSDSAにより，メンテナンス性も大幅に向上した。表１に，SDPDシリーズドライバラインナップ
および主要仕様を示す。

３

特長

3.1

電流制御系

一般的にフィードバック制御系において，低域でのループ
ゲインが不足すると停止精度が悪化し，高域の周波数特性が悪いと指令追従特性が悪化することが知られている。高精度
および高応答を要求されるアプリケーションにおいては，電流制御の特性が必要な帯域までフラットに伸びた周波数特性が必要とされる。SDPDシリーズドライバの電流制御部は，
デジタル方式よりも高利得化が可能なアナログフィードバッ
ク方式を採用した。図２に，SDPD−025とC社製ヴォイスコ
イルモータ型アクチュエータを組み合わせた場合の周波数応
図１

高周波PWMドライバ SDPD
High frequency PWM driver SDPD

答特性例を示す。
3.2

高速スイッチング化技術

低損失トランジスタと高速ゲートドライバ集積回路の採用
により，PWM周波数を従来の当社製ドライバの約 5 倍であ

１

はじめに

従来，高速および高応答が求められるスキャナやヴォイス

る100 kHzの高周波数にスイッチングし，電流リプルおよび電流応答帯域を大幅に改善した。
3.3

電流ゲイン設定変更用ロータリスイッチ

コイル制御には，リニアアンプが適用されることが多かった。

従来，アナログ電流制御器ではモータとの組み合わせによ

リニアアンプは高い制御性能を得られる反面，損失による発って変化する周波数特性を最適化するには，制御ゲインと位熱が大きいことから装置の大型化を余儀なくされるという欠相特性を決める偏差増幅器に使用される回路部品の定数変更点がある。昨今，オーディオアンプの世界ではD級方式と呼が必要であった。SDPDでは独自のゲイン調整機構によるロ

ばれる高周波PWM（Pulse Width Modulation）制御によっータリースイッチを採用し，周波数特性を16 段階に設定でて，リニアアンプに迫る性能と低損失化を両立した製品が台きる機能を搭載した。図３に，ロータリースイッチ設定に対頭している。

する周波数応答特性の変化をプロットした例を示す。本機能

当社では，D級方式技術を応用した高性能アクチュエータ
駆動ドライバSDPDを開発した（図１）。
本報では，SDPDシリーズドライバのラインナップと性能面での特長を中心に紹介する。

２

高性能PWM型ドライバ SDPDシリーズ

によりアクチュエータとの電流特性マッチングが容易となり，さらにユーザが簡単に微調整を行うことが可能となった。
3.4

調整支援アプリケーションソフトウエア SDSASDSAは，当社製 SDシリーズドライバに共通で使用可能
なWindowsアプリケーションソフトウエアである。
3.4.1

リアルタイム波形モニタ機能

SDPDシリーズは50〜500 Nクラスの小型アクチュエータ

速度および推力などの検出値および内部演算値を，リアル向けに開発したPWM型サーボドライバで，出力電流 8 〜40 A

タイムにグラフ表示する機能を搭載した。この機能により，の全 4 シリーズをラインナップした。アクチュエータはヴ

オシロスコープなどの測定器を使用することなく，サーボ調ォイスコイル型や回転型にも対応し，位置センサはAB相パ整が可能となった。

ルスをはじめ，各社省配線型インクリメンタルおよびアブソ

35＊メカトロニクス事業部

住友重機械技報 No.162 2006

技術解説

表１

高周波PWMドライバ SDPDの開発

SDPDシリーズドライバのラインナップおよび主要仕様
Lineups and major specifications of SDPD series drivers
S DP D−004

SDPD−012

S DP D−008

SDPD−025

SDPD−040±DC24Vまたは±DC48V

電源電圧
定格出力電流（A rms）

0.9

1.9

2.8

5.9

9.4

瞬時最大出力電流（A rms）

2.8

5.7

8.5

17.7

28.3

4.0

8.0

12.0

25.0

40.0

瞬時最大出力電流（A peak）
PWMスイッチング周波数

100 kHz

適応アクチュエータ

VCM，DCサーボモータ

エンコーダ入力

ラインドライバ形式（R S−422）

3 相リニアモータ

ACサーボモータ標準仕様

最大カウント周波数

2 MHz（ 4 逓倍後）

高速エンコーダ対応仕様

最大カウント周波数

40 MHz（ 4 逓倍後）

インクリメンタルエンコーダおよびアブソリュートエンコーダ対応
エンコーダ電源供給

5 V 最大350 mA

通信機能

RS−232C通信によるパラメータ設定

表示

7 s e g L E D2桁表示（動作状態表示

モニタ出力機能2C Hアナログモニタ（推力（トルク），速度他） ±10 V

入力信号

R DY / R ST，＋O T，−O T，L S信号入力（パラメータで機能選択可能）
ドライバレディ出力

アラーム表示）

出力信号

アラーム出力指令入力形式

アナログ指令入力（推力（トルク）/速度指令）

8 bit分解能

ブレーキ解除出力

デジタル指令入力（位置パルス列）
デジタル指令入力（推力（トルク）/速度指令）
位置出力信号

A相，B相，Z相出力

ラインドライバ形式（RS−422

パルス分周機能なし）

エンコーダがAB相方式入力の場合のみ対応
保護機能

電源電圧低下，エンコーダ断線，過負荷，過電圧，低電圧，過電流，オーバーヒート他

その他機能

ダイナミックブレーキ

相検知（センサレス磁極位置検出）機能

デジタルフィルタを 2 段装備（ノッチ/ローパスを任意設定可能）

位相特性（deg）−180.00.0

10k
周波数（Hz）

図２

周波数特性例 SDPD＋ヴォイスコイルモータ
Example of frequency response for SDPD＋voice coil motor

3.4.2

高速データサンプリング機能

100k

検出値・内部演算値を最高10 kHzでサンプリングし，CSV
ファイルとして保存できる。これは一般的な表計算ソフトに読み込める形式であり，データ解析などに利用できる。
3.4.3

設定値15

−100
設定値 1
−150
−200

周波数特性（dB）
−80.0
1k

−50

ローカル運転機能

ゲイン特性（dB）

位相特性（deg）

0
0.0

20
0

−40

４

設定値 1

−60
−80

図３

設定値15

−20

10.0

周波数（Hz）

100.0k電流ゲイン調整ロータリースイッチ変更時の周波数特性シミュレーション
Frequency response by rotary switch of current feedback loop gain

おわりに
SDPDは，市場から要求されている高精度化および高速化に対応したアクチュエータドライバである。
高精度および高応答なアクチュエータドライブ技術

SDSAでは，モータと位置検出器のみ接続されていれば，は，半導体の微細化や新しいプロセスへの対応および液

他にＩ／Ｏ信号を接続しなくても簡単に試運転が可能であ晶パネルの生産性向上などを実現するコアコンピタンス

る。この機能により，出荷調整時や上位装置が非稼働状態でとなっている。

あっても効率的な立上げ作業が可能となった。
3.4.4

その他の機能

上記機能の他に，パラメータ編集機能，Ｉ／Ｏモニタ機能，今後は，より高性能化への技術開発を継続するとともに，装置全体まで含めたより広範囲の最適化に貢献するコンポー
ネント開発にも積極的に取り組んでいく所存である。

メモリダンプ機能およびアラーム履歴参照機能などを有しており，メンテナンス作業を強力にサポートする。
住友重機械技報 No.162 200636

光・量子技術特集
メカトロニクス技術

サーボドライバ GS−200の開発

技術解説

サーボドライバ GS−200の開発
Development of Servo Driver GS−200
●木根原

慎

一＊

Shinichi KINEHARA

千々岩

敏

彦＊

Toshihiko CHIJIIWA

置検出器にはコストを考慮し，標準では省線インクリメンタ
ルエンコーダを採用しているが，オプション対応により高分
解能エンコーダにも対応可能な設計とした。17 ビットエン
コーダをオプション選択することにより，更なる高精度化も可能となる。また，近年数多くの案件において要求のある
CEマーキングにも対応した。
GS−200のターゲット市場としては，近年サーボ化が急激に進んできた印刷機械，搬送物流システム，食品機械，繊維機械および包装機械があげられる。これらの業界は，汎用インバータからサーボドライブへの置換えが進んでいる市場である。パラメータ設定器としては，汎用インバータとの親和性を持つカタカナ表示が可能なオペレーションユニット（OPeration Unit OPU）を採用した（図２）。

３
図１

サーボドライバ GS−200
Servo driver GS−200

小型化および低コスト化への取組み

GS−200の開発にあたっては，小型化および低コスト化を実現するべく，様々な方式に取り組んだ。ここではこれらの

１

はじめに

近年，機械装置の高性能化およびコンパクト化に伴い，小OPUは，一度調整すれば不要となる。このことから，
OPUはオプション対応とした。

型サーボドライブに対する需要が急増している。サーボドラ

アラームおよび状態表示は，五つのLEDで表現した運イブ需要は2001年度1600 億円規模であったものが，2004年

転状態の確認および異常状態の確認も最少限の表示機能

度には2300 億円規模にまで増大している。従来は汎用インで実現した。

バータと誘導モータの組み合わせで駆動していたような装置においても，高タクト化および高精度化を追求し，サーボドモータ制御用CPUのペリフェラル機能を最大限に活用し，無駄な外部回路を削減した。

ライブへの切換えが進んでいることが主要因である。また，標準仕様の指令は，パルス列入力および多段速に特化

誘導モータと比較した場合のサーボモータの大きさや効率のした。ただし，アナログ速度指令入力への要求にこたえ良さもこの切換え現象を後押ししている。コンパクトな装置て，アナログ入力オプションを用意した。

を設計する上で，アクチュエータの小型化は必須の条件となってきている。
このような市場の変化に対応するべく，当社においては既接点入力や接点出力の多機能入出力化による入出力接点を削減した。各接点の機能は，OPUにて容易に変更可能とした。

にサーボドライバGS−100を市場投入しているが，市場は更筐体の材質をステンレスとし，塗装を不要とした。

なるドライバのコンパクト化や低コスト化を要求している。

パワー部とコントロール部を 1 枚基板構成とした。

今回，これら市場要求にこたえて，GS−100よりも更なる小整流ダイオードモジュール，主回路IGBTモジュールお型化および低価格化を狙ったサーボドライバGS−200を開発

よび回生ブレーキ用IGBTモジュールを一つのパッケージ

した（図１）。

に収めたPIM（Power Integrated Modules）を採用した。

２

37

項目を紹介する。

GS-200の特長

HVIC（High Voltage IC）およびブートストラップ電源を採用した。これらにより，従来 4 電源出力のトラン

GS−200は，現在200 Vクラス100 W，200 W，400 Wおよびスと 6 個のフォトカプラ＋ゲート駆動回路で構成されて750 Wをシリーズ展開した（表１）。制御方式として，正弦いた回路ブロックを 1 電源出力のトランスと 3 個の波PWM（Pulse Width Modulation）制御方式および回転座標

HVICに置き換えた。これにより，回路ブロックの省サ

変換電流制御方式を採用し，高性能化を実現した。さらに高イズとコスト低減を実現した。省回路によるパターンレ

性 能 CPUの 採 用 や 高 速 IGBT（ Insulated Gate Bipolar

イアウトの容易化も基板の省サイズに寄与している。さTransistor）モジュールおよび高速ゲートドライブ回路を採らに，HVICは従来方式のフォトカプラと比較し，伝達用することにより，高精度化を達成した。モータの速度・位遅延が非常に小さいという特長がある。この特長を生か＊メカトロニクス事業部

住友重機械技報 No.162 2006

技術解説

表１

サーボドライバ GS−200の開発

主要仕様
Major specifications

サーボアンプ形式 GS2002−

A10

A20

A40

A75

適用モータ（kW）

0.1

0.2

0.4

0.75

連続出力電流（A rms）

1.2

2.2

4.3

5.0

最大出力電流（A rms）

3.6

6.6

12.9

12.5

入力電源

3 相 AC200〜230 V

制御方式

正弦波PWM制御・電流制御方式

フィードバック方式

省配線インクリメンタルエンコーダ（エンコーダパルス数

入
出
力
信
号

内
蔵
機
能

環
境
構

±10 ％

50／60 Hz2000 パルス）

シーケンス入力（ 6 点）

6 種類の入力信号を選択可能
サーボオン，正転駆動禁止，逆転駆動禁止，リセット，制御モード切替え，サーボロック，指令パルス阻止，
位置偏差クリア，P動作，多段速 1 ，多段速 2 ，多段速 3 ，位置Pゲイン切替え，速度PIゲイン切替え，
回転方向切替え，トルク制限切替え，加減速切替え，非常停止（A接点），非常停止（B接点）

シーケンス出力（ 3 点）

3 種類の出力信号を選択可能
サーボアラーム，サーボレディ，モータ回転中，位置決め完了，ブレーキ開放，電流制限中，速度検出，速度到達

位置信号出力A，B，Z 相回生処理機能回生抵抗器内蔵オーバトラベル防止機能

正転駆動禁止または逆転駆動禁止動作時にフリーラン停止

電子ギヤ0.01＜A／B＜100

内部速度設定機能

内部 8 速設定可能

保護機能

過電流，過電圧，不足電圧，過負荷，過速度，パワーモジュールエラー，エンコーダ断線，
偏差カウンタオーバフロー，外部異常，EEPROMエラー，欠相，エンコーダ通信異常，回生抵抗器過負荷

表 示

LED表示（STATUS，ALARM1〜4）

使
用
条
件

ラインドライバ出力

使用温度・保存温度

使用温度 0〜50 ℃

使用湿度・保存湿度

90 ％RH以下（結露のないこと）

標 高

海抜1000 m以下

耐振動・耐衝撃耐振動 4.9 m／s2

造

保存温度 −20〜＋65 ℃

耐衝撃 19.6 m／s2

ブックマウント形

概略質量

1.0 kg

2.0 kg

ダと17 ビットインクリメンタルエンコーダ対応のオプ
ションを開発する予定である。
制振制御
機械共振をソフトウエアにて抑制する機能であり，ギアモータのギア鳴り現象の低減にも効果を発揮する。現状は 2 段のノッチフィルタを実装しているが，さらにア
クティブな制振制御を開発中である。
リニアモータ駆動
当社の保有する高精度リニアモータラインナップとの組み合わせを実現する。当社保有技術である相検知機能
図２

OPU

図３

の実装により対応可能である。

ACサーボギアモータ
AC servo gearmotor

1.0〜3.7 kWまでの容量拡張
パラメータコピーユニットおよびパソコン通信の開発
その他海外対応として，以下に取組み中である。

し，IGBTモジュールの上下アームの短絡防止時間を短400 Vクラスの開発

縮し，高精度化を達成した。

U L 規格の取得

高性能ギアとコンパクトなサーボモータを直結したギアモータにより，一層の相乗効果を図った（図３）。

４

今後の機種展開

市場からの要求もあり，下記シリーズを順次追加リリースしていく予定である。

５

おわりに小型，低価格および高精度というサーボドライバへの市場ニーズからGS−200（100〜750 W）を開発し，リリースした。
現在，本製品の小型・低価格・高精度という特長と高アナログ指令入力オプション

性能ギアとコンパクトなサーボモータを直結したギアモ

アナログ速度指令を用いるユーザに対応して，汎用アータにより，相乗効果をあげている。

ナログ入力と高精度アナログ入力の二つのオプションを選択可能とする。

今後も，ユーザニーズにこたえてGS−200シリーズの充実に努めていく所存である。

高精度エンコーダオプション
標準の省線インクリメンタルエンコーダでは，精度が不足するユーザに対応して，17 ビット絶対値エンコー
住友重機械技報 No.162 200638

光・量子技術特集
メカトロニクス技術

RI製造システム CYPRIS HM−7

新製品紹介

R I製造システム CYPRIS HM−7
RI Manufacturing System CYPRIS HM−7

がん細胞の発見を主な目的としたポジトロン断層撮影

サイズは，2800（W）×1600（D）×2100（H）mmで（Positron Emission Tomography PE T）検査に使用する放射あり，顧客病院の建屋コストを最少にするよう非常にコ性同位元素（R I）の製造システムとして，CY PRIS HM−7

ンパクトに設計されている。

18を開発した。本システムは，放射性薬剤2−［ F］フルオロ−

R Iを製造するターゲットは 3 本を備え，そのうち 12−デオキシ−D−グルコース（［ 18 F］F DG 2−［ 18 F］fluoro−2−

本はガスターゲット専用，残り 2 本はガスまたは液体タ

deoxy−D−glucose）の製造を主目的とし， 11C放射性薬剤のーゲットとして使用できる。

15

製造および将来的には O放射性薬剤の製造も可能である。

真空排気用ポンプはクライオポンプおよびドライポン

当社は，既にRI製造システムとしてCYPRIS HM−18，HM−12

プを使用し，安定運転を保証する清浄な真空を実現して

およびHM−10の 3 機種を揃えている。HM−7は従来機種に比いる。

べ，低価格，コンパクト性および操作容易性を特長とする

HM−10と互換性があり，実績のある構造部品を使用す

R I 製造システムである。本体のフットプリントを小さくすることで信頼性を確保するとともに，予備品や消耗品のるべく，放射線遮蔽の自己シールドの小型化およびサイクロ

共通化を行って，在庫品の削減や即納化に対応している。

トロン本体とホットセルの一体型構造を実現した。また，従カセット式FDG合成装置（F200）（本報15頁参照）との来機では専属操作者が早朝より製造システムの操作を実施す

連動装備により，加速器の起動からFDG合成完了までをる必要があったが，HM−7では自動運転および遠隔監視によ

全自動で行うことができる。また，自動で起動停止を行り専属操作者が不要となる画期的なシステムとなっている。

えることにより，休日や夜間の電力消費をゼロにでき，

特長ランニングコストの削減に寄与する。
運転中の異常発生時にはリアルタイムに異常を検出しHM−7は，プロトンおよびデュートロンを標準で加速て，装置担当者にメールにて情報が自動配信される。こすることができる。取出しエネルギーは，プロトンれにより，異常時の迅速な修復対応が可能となっている。

7.5 MeV，デュートロン3.75 MeVである。また引出しビーム電流値は，プロトン70μA以上，デュートロン30μA
以上である。
本体重量は，自己シールドを含めて30 t 以下で，全体39（量子機器事業部

川間哲雄）

住友重機械技報 No.162 2006

光・量子技術特集
メカトロニクス技術

自動品質管理装置 Q200

新製品紹介

自動品質管理装置 Q200
Quality Control System Q200

自動品質管理装置は，操作者が放射線に被曝することなくFDG（［18F］F DG 2−［18F］fluoro−2−deoxy−D−glucose）など

特長のPET（Positron Emission Tomography）薬剤の分注および放射能測定にC型電離箱を採用し，合成直後のFDG放品質検定の装置である。本装置では薬剤の分注機能と品質検

射能全量からシリンジ分注に対応する放射能までの広い

定機能を分離し，それぞれ別々のホットセルに収納すること

範囲の放射能測定が可能である。

で，省スペースおよび低コストを実現している。これにより，

分注ユニットに市販のディスポーザブル 5 連 3 方活栓

合理的な薬剤ハンドリングが可能となった。検定項目の自動と10 mLシリンジを使用し，ランニングコストを最少限化および改良により，合成ごとに実施するFDG検定項目のにすることができた。

うち，放射能減衰後に実施する無菌試験を除いて全て自動化

分注バイアルの取出しには，23 mm厚さのタングステ

され，全く被曝することなく検定を行うことが可能となった。

ンバイアルシールドと鉛遮蔽を搭載した台車を使用している。これにより，薬剤投与器へ持ち運ぶ際の被曝に対主要仕様する安全を確保するとともに，バイアルハンドリングがより容易となった。

分注機能
55.5 GBq

Kriptfix222濃度を検定するTLC試験に対してカラース

最大原液液量30 mL

ポットテストを採用し，従来手動で行っていたシリカゲ

分注精度±10 ％以下（分注液量0.5 mL 以上）

ル上の展開，発色をなくした。これによりT L C試験紙

分注時間

4 分以内

への滴下直後にKriptfix222濃度の判定が可能となった。

最大原液放射能エンドトキシン測定において，サンプル滴下，攪拌，

検定機能
放射能量測定液量測定

性状確認（CCDカメラによる）ゲル化時間の測定，エンドトキシン濃度の算出および結果記録，印字の一連の操作を全て自動化した。

アルミニウムイオン試験紙滴下

FDG薬剤の製造記録および検定記録を自動作成するTLC試験紙滴下（CCDカメラによる自動撮影）機能を搭載し，測定結果の自動入力により帳票作成がよ

半減期測定

り容易となった。

pH試験紙滴下放射化学的純度測定（ラジオ液体クロマトグラフ）
エンドトキシン測定
製造記録

品質検定記録自動作成（量子機器事業部

甲村

巖根）

住友重機械技報 No.162 200640

光・量子技術特集
メカトロニクス技術

新型ホットセル

新製品紹介

新型ホットセル
New Hot Cell

PET（Positron Emission Tomography）用の薬剤製造システムで使用するホットセルでは，内部に収納する放射性薬剤自動合成装置や分注装置で使用する放射性同位元素から

外形寸法

1500
（W）
×816（D）
×2200
（H）mm

の被曝を低減させる遮蔽効果，

薬剤合成の環境として要

遮蔽能力

鉛遮蔽厚さ

求されるクリーン環境および

60/75 mm（いずれかを選択）

非密封放射性同位元素のホ最大使用可能放射能（FDG合成時） F−インプット量

ットセル外への飛散防止の気密性と空調性能の 3 点が要求

111/222 GBq（遮蔽厚さによる） FDG合成量 67/133

されている。使用する放射性薬剤自動合成装置の種類や取りGBq（遮蔽厚さによる）扱う放射性同位元素の数量に対し，適切なホットセルを選定し納入している。
F DG 2−［18F］
現在の主力薬剤であるがん診断薬剤（［18F］
fluoro−2−deoxy−D−glucose）の場合，放射性薬剤自動合成装重量6600/6700 kg（遮蔽厚さによる。従来機の約80 ％

に低減）
セル個数
置用 1 室4 室 (放射性薬剤自動合成装置用 2 室

主扉

時のバックアップに 2 台設置することが一般的であるが，そ放射性薬剤取出し用子扉

れには，従来のホットセルの商品構成ではFDG自動合成装置

放射性薬剤自動合成装置用セル寸法を 1 台収納したホットセルを 2 組設置する必要があった。

630（W）×650（D）
×545（H）mm

そこで，新型ホットセルでは基本性能を維持しながら従来の放射性薬剤自動合成装置を収納可能にした。セルは 4 室あり，左右の上段のセルに自動合成装置を設置できる。従来の機器構成と比較して，部品の共用化により小型軽量化とセル室の容積アップを実現している。

片開き手動扉4枚
1 枚（左下の主扉に設置）

分注装置用セル寸法
630（W）×650（D）
×500（H）mm（ 1 室）
放射性廃棄物保管用セル寸法630（W）×650（D）
×500（H）mm（ 1 室）
クリーン対応HEPAクリーンユニット

風量0.6 m3/min

3 台設置
8.0 m3/min（50 mmH2O）2 台設置

なお，従来のホットセルと同様に合成した放射性薬剤を分排気ブロア注する機能も標準で装備していることから，自動品質管理装

飛散防止機能置や放射性薬剤投与器と組み合わせることで，最大限の被曝

内部状態確認方法

低減効果を期待できる。

分注装

放射性廃棄物保管用 1 室)

置としては，連続で合成する場合の被曝低減とトラブル発生のホットセルを 2 台連結することで，1 台のホットセルで 2 台

41

主要仕様

気密用モータダンパ

3 台設置

L ED照明＋小型カメラによる（量子機器事業部

片岡昌治）

住友重機械技報 No.162 2006

光・量子技術特集
メカトロニクス技術

イオンビームスキャニング電源

新製品紹介

イオンビームスキャニング電源
Ion Beam Scanning Power Supply

当社のスイッチング電源（定電流直流電源単極性）は，

直線性±0.1 ％（200 A±95 ％範囲内）

ドロッパ型電源に対し50 ％以上の小型化，

定格電流に

受電電圧値

AC220V±10 ％対して 5 ppmの高安定度，制御範囲の広さおよび最低電流0.1 ％から運転できる

CISPR Class Aをクリアする低電磁50/60 Hz
出力制御方式

ノイズの 4 点が特長である。これらの特長が評価され，高構造的仕様

精度な磁場が必要な研究所向けの電磁石電源，半導体イオン構成

充電電源＋アンプ

インプランタ装置用電磁石電源，成膜装置用プラズマ電源，（充電電源 1 台に対し複数台のアンプを

そして医療加速器用電磁石電源として多数使用されている。
今回紹介するスキャニング電源は，当社で製造した初めて

接続可能）
外形寸法

の両極性出力電源である。
負荷のスキャニング電磁石はターゲットにイオンビームを一様にスキャンする交流磁場を発生させるものであり，その電源の出力電流波形には100 Hz以上の早い繰返し，再現性，そして高い直線性が要求される。
今後はイオンインプランタや陽子線治療装置などの大型ス
キャニング装置への採用が期待されており，現在はより大型の±400 A/350 V出力の電源を製作している。

三相 3 線式

スイッチング方式

EIA 19インチラック高さ2000 mm（アンプ 2 台

冷却方式

特充電電源 1 台）

空冷方式（前面吸気

背面排気）長インバータ回路にHブリッジを採用することにより，交流電流（電圧）を出力でき，また極性変更を伴う電流増減をスムーズに行うことができる。
エラーアンプ回路にカスケード型フィードバックを採用し 5 kHzまで制御ゲインを有していることから，200

主要仕様

Hzの三角波状交流電流を出力できる。

電気的仕様

出力フィルタに新規設計のフィルタを採用することに

三角波出力電流±200 A

より，スイッチングリップルがモータ制御用市販アンプ

最大繰返し周波数

200 Hzより一桁低い100 mV以下となっている。

最大出力電圧±150 V（量子機器事業部

岩永

慎二

原

章文）

住友重機械技報 No.162 200642

光・量子技術特集
メカトロニクス技術

クラスタ式RPD成膜装置

新製品紹介

クラスタ式RPD成膜装置
Cluster Type Reactive Plasma Deposition

RPD（Reactive Plasma Deposition）を適用したクラスタ式成膜装置を紹介する。
本装置は多層成膜，複合成膜のユーザ要求にこたえて，多くの実績を有するインライン式RPD成膜装置の技術をもと

主要仕様
型式

下面成膜型

基板サイズ

に開発されたもので，ITOとSiONのRPD成膜に適用できる

370（W）×470（L）mm（ 1 ガン）
730（W）×920（L）mm（ 2 ガン）装置である。多角形のクラスタ室に成膜ユニットと基板処理

成膜材料

タブレット成形ITO

ユニットを真空結合して複数のプロセスフローを構成するこ

成膜温度

80 ℃以下（非加熱成膜）可能とが可能で，RPD成膜法と他の成膜法を組み合わせた成膜

アライメント精度±50μｍ以下可能

システムも実現可能なものである。
クラスタ室に接続されるRPD成膜ユニットは，バッファ室とプラズマコーティング室で構成され，各チャンバ間の基
板移動はロボットでハンドリングされ，さらにオプションでマスクやマスクトレイもロボットハンドリング可能である。
成膜ユニットの入側部にマスクアライメント機能を設置して，基板とマスクの脱着とアライメントを行っており，マス
ク付き成膜ができる。成膜部では基板をシャトルに搭載し，シャトルを走行させて移動成膜を行うことから，膜厚・膜質が均一な成膜が可能である。
本装置は，有機EL（ElectroLuminescence）ディスプレイ
および各種デバイスの成膜装置として多くの需要が期待され
ている。

43

シャトル搬送式

特SiO

長成膜室とクラスタ室の間にバッファ室を設置しており，成膜室を独立に制御することが可能である。
マスクを適用した成膜が可能である。
基板とマスクのアライメントは，CCDカメラとステージの組み合わせで短時間で高い精度が可能である。
シャトル走行による移動成膜で，均一な膜厚・膜質分
布を実現している。
材料供給装置により，長時間運転可能である。
搬送ロボットでマスクトレイもハンドリング可能である。
（量子機器事業部

山本敏隆）

住友重機械技報 No.162 2006

光・量子技術特集
メカトロニクス技術

液晶製造装置用大型汎用ステージ

新製品紹介

液晶製造装置用大型汎用ステージ
Linear Guided Gantry Moving Type of Large Stage for FPD

液晶市場は，パソコンからテレビへと拡大してきている。
これにより液晶製造のガラス基板も年々大きくなってきており，現状の最大サイズは，第 8 世代と呼ばれるもので，ガラス基板サイズは全長 2 m以上となる。ガラス基板が急激に大きくなったことにより，液晶製造装置の「歩留まりの低下」
が大きな課題となってきている。エンドユーザは，歩留まり

搭載負荷

100 kgステージ重量4200 kg以下

特長
液晶製造装置向けに開発された製缶構造ガントリ移動型X Yステージであり，その基本構成を次に示す。

の低下の防止に，液晶製造ラインに今まで以上の数の検査装

ガイド方式

転がり案内

置およびリペア装置をラインに配置するようになった。検査

駆動方式

リニアモータ（コア付き/コアレス両方に対応可）

装置およびリペア装置に採用されているステージの特徴は，露光装置などの他の用途と比べると，精度より軽量・低価格

計測方式

リニアスケール（分解能0.05〜 1μm）

であることが重視される。

架台

パッシブ除振台（リジット架台にも対応）

基本構造部

溶接構造

そこで，当社は製缶構造ステージを開発し，「GLシリーズ」（Gantry Linear motor guide）として昨年より販売を開始した。本報では，昨年より既に30 台の販売実績を持つ第 7 世

ガントリ部およびベース部はコンパクトなサイズにまとめられ，フットプリントが小さい。
従来のボールネジ移動型ステージと比較し，急加減速

代用ステージGL2000を紹介する。

および高速度移動が可能で，位置決め時間の短縮を実現

主要仕様

した。
上軸

下軸

石定盤ベースのステージと比較し，ベース形状の自由有効ストローク

2175 mm

2395 mm度があり，多様な装置に対応できる。また，同時に装置

最高速度

1400 mm/s

1400 mm/sの軽量化も実現した。

最大加速度

最大0.28 G

0.28 G（台形加速）

測長分解能

0.5μm

0.5μm

（住友重機械メカトロニクス株式会社

池田

弘志）

住友重機械技報 No.162 200644

論文･報告圧縮成形装置 SY−COMPの開発

圧縮成形装置 SY−COMPの開発
Development of Compression Molding Machine SY−COMP
●福

岡

大＊ 深

Yutaka FUKUOKA

山

寿

秀＊

Toshihide MIYAMA

図１

圧縮成形装置 SY−COMP
Compression molding machine SY−COMP

昨今の携帯電子機器に代表される高密度なシステムを実現するべく，半導体パッケージ自体を高密度化する
SiP（System in Package）が出現して久しい。既に，
半導体チップとスペーサを合わせ５〜９段積層した半導体製品が電子機器に搭載され市場に出ている。これら内部構造が複雑化したSiPの中には，従来の成形方法では良好な成形が不可能なものもあり，圧縮成形法が注目を集めている。樹脂流動が少なく，狭部への充填性に優れている圧縮成形は，SiPを成形する上で有利な特徴を有するとともに，廃材をほとんど出さない環境配慮型の成形プロセスである。
本報では，従来のモールド法に対する技術的な優位性と，これを実現した装置SY−COMPについて報告する。

Many years have passed since SiP (System in Package)
was developed in order to materialize high-density
system as typified by present-day mobile electric
devices. We can already see in the market the electric
devices, which have 5 to 9 stacked chips. As such
SiPs are too complicated to keep good molding inmany cases, the compression molding is grabbing
people's attention in these years. The compression
molding, which has less resin flow and has great
advantage for filling resin to narrow space, is not only
advantageous for molding SiP but also environmentaly
friendly as it does waste few materials. This report
describes the technical advantages of the compression molding process over the conventional molding
method, and the SY-COMP system, which has enabled
the compression molding process to be achieved.

キーワード：射出成形機，全電動，ダブルセンタープラテン，型締力フィードバック

１

まえがき

3 次元実装の主力をなすチップ積層型のSiP（System inPackage）は，ここ数年で 1 パッケージ内のチップ積層数が急増している。多種のチップを混載することから，当初のよ45

樹脂封止時の変形に対するリスクは増加している。
これらの問題に対する解決策として，当社は圧縮成形プロ
セスに対応したSY−COMPを開発した（図１）。

２

圧縮成形とはうに大チップ上に小チップが載るばかりでなく，この関係が一般に半導体は熱硬化樹脂を用いて，トランスファ成形法

逆転する層もあり，複雑な形状に対する樹脂の充填性が求めにより樹脂封止されている。樹脂を金型内のポットに投入し，られている。チップ積層数の増加により長ループおよび段差

ランナおよびゲートを介して成形体を成すキャビティに注入

ボンディングなどループ形状は複雑化しており，ボンディン

される。ランナおよびゲートは成形後に除去され，廃棄物とグパッドピッチも40〜50μｍまで狭ピッチ化され，使用するなる。これに対し，圧縮成形は直接キャビティに樹脂を投入

ワイヤ径も細線化傾向にある。したがって，これまで以上にし，厚み方向に押しつけて平板状に成形する。ランナおよび＊電子機械事業部

住友重機械技報 No.162 2006

論文･報告圧縮成形装置 SY−COMPの開発

成形方法の違い

トランスファ成形

圧縮成形

ランナ
ゲート

圧縮成形の金型動作
キャビティ底部

枠部

樹脂，基板セット

図２

基板クランプ

成形

パッケージ表面離型

型開き・製品取出し

成形方法
Molding processes

樹脂投入量精度が重要である。
チップ積層型SiP

３

圧縮成形

圧縮成形の技術的優位性

トランスファ成形

3.1

長ワイヤ封止圧縮成形では，基板面に向かい樹脂を押し付けて行く成形であることから，隣接ワイヤ方向（横方向）への変形を生じ
側方からキャビティv を横断して充填にくい。その反面，圧縮方向（縦方向）にワイヤを変形させる力が生じる。

鉛直方向にゆっくり充填
チップ上が狭部充填になる
最初からチップに樹脂が接触する

ワイヤは流路内にある円柱状の抵抗体であり，単位長さあたりの抗力ｗは以下のようになる。抗力係数C Dは，モールド樹脂レベルの粘度と流速からするとレイノルズ数Reが極

図３

樹脂流動方向の差異
Difference of resin flow direction

めて小さい 。この領域では，Lambの式 を適用する。
w＝ρDv2CD/ 2ゲートなどの余分な流路がなく，流動距離も極めて短いこと

CD＝ 8 π/（Re・ln（7.4/Re））から，流動速度を遅くできる。しかし，樹脂は従来のように

Re＝ρv D/η

金型内の流動中に受熱されず，金型上で 1 面から加熱され

ρ：流体密度るのみで，粘度の安定から見た場合不利となる。また，構造

η：粘度

D：ワイヤ径v：流速

C D ：抗力係数

上，上下金型同士を当接しないことから，成形品の厚さ方向の精度は金型以外にプレス精度および樹脂投入量精度により成形プロセスから制御できるパラメータは，温度および流決定される。厚さに不安定さがある反面，従来のように金型

速の 2 点である。樹脂の粘度は温度と速度に依存するが，の交換によるのではなく，投入樹脂量を変えるだけでパッケ

温度に関しては圧縮成形とトランスファでの差はない。またージ厚さを可変できるメリットがある（図２，図３）。

速度に依存（チクソ性）する粘度変化は，温度ほどの影響は

圧縮成形の特徴および重点ポイントを次にまとめる。
ランナおよびゲートがない。

なく，ワイヤ変形に直結するのは流速の制御である。
圧縮成形は，トランスファ成形とは比較にならないほどの流動長が極めて短い。

低速度域で，ワイヤ周囲を樹脂が流動する。ワイヤ抗力wを樹脂の受熱状態が重要である。

流速および粘度から試算すると，トランスファ成形の流速域

プレスの平行度精度が重要である。

に比べて圧縮成形の流速域の抗力が明らかに小さい。さらに
住友重機械技報 No.162 200646

論文･報告ワイヤ長
ワイヤ径1.0E＋00

5 mm
25 μm

圧縮成形装置 SY−COMPの開発

高精度プレス
減圧ユニット電装

打錠部

1.0E−01

BOX

ワイヤ抗力（N）

精密計量
アンローダ
マガジン

1.0E−02
1.0E−03

ローダマガジン
10Pa・s100Pa・s
1000Pa・s

1.0E−04
1.0E−05

画像認識（オプション）

基板搬送部

プレス部

樹脂供給部

1.0E−06
0.1

1

10

100

流速（mm/s）

図６

装置レイアウトEquipment layout

トランスファ成形領域

圧縮成形領域樹脂の流動が遅れ，未充填などの成形不良を招く。この問題
図４

ワイヤ抗力
Wire dragに対し，圧縮成形の場合該当部（チップ面と金型面の隙間）から樹脂が接するので，狭部への充填という形にはならない。
またチップ間充填の場合，トランスファ成型および圧縮成
形を問わず，チップ間への充填が進行するのは，キャビティ
Ａに樹脂がほぼ行き渡り，圧力が上昇を始めてからである。充填の最終段階であり，見かけの樹脂流動はほぼ停止しているチップことから，キャビティ内の樹脂は急激に粘度上昇する。トラ

狭路充填部

ンスファ成形では，この状態の樹脂をランナおよびゲートを介して加圧し，狭部への充填を進行させる必要がある。圧縮

0.2

基板

成形では，ランナおよびゲートがなく流動長 x が短いことから，充填部までの圧力損失がほとんどない。狭部入口の樹脂

2

圧力が高い分，狭部進行中に起こる圧力損失に対し余裕があ

φ28μm，5.5 mmワイヤ
A矢視

成形後X線画像（平面）

ワイヤ品の成形例

る（図５

狭部充填の成形例
単位：mm

図５）。図の下の写真は，半導体チップを 2 段積層したものを圧縮成形で封止した断面である。基板と 2 段目のチップに挟まれた領域に，樹脂が充填されていることを示す。

４

成形例
Molding package sample

プリフォーム樹脂

当社の圧縮成型装置は，粉粒樹脂から一度キャビティサイ
ズより僅かに小さいプレート状樹脂に予備成形（プリフォー
僅かであるが，粘度より流速に対して感度が高いことが分かる（図４）。したがって，極低速で成形する圧縮成形は，ワイヤ変形に対しトランスファ成形より有利と言える（図５
図５

）。

3.2

狭部充填

ム）している。
プリフォームによる効果は，以下の点にある。

，

受熱効率
平面的な均一性成形部および搬送系の粉塵汚染防止

チップ積層数の増加により，パッケージ上面からチップ上

受熱効率については，パッケージの厚さと関係する。原料面までの距離を縮小する要求が増えている。また，下段チッである粉粒樹脂をキャビティに均一に分布させても，おおむ

プより上段チップが張り出した状態のものも少なくない。こねパッケージ厚さの倍となる。この状態で金型面から受熱す

れらの狭部に樹脂を充填するには，圧力損失Δp≪加圧力p

ると，金型に接している樹脂と上面の樹脂では温度差が大きの関係になくてはならない。チップ面と金型面などの 2 平

く，ある程度の厚さになると成形性を損なうことになる。

面間を移動する粘性流体の圧力損失は，次式に従う。

プリフォームには，加熱成形法を用いている。どのタイプの樹脂でも軟化点があり，プリフォームに必要な成形圧力がΔｐ＝12μv x／h2
Δｐ：圧力損失（側壁抵抗は無視）

μ：粘度

v：流速

x：流動長

急激に低下する。この点を利用し，大型のキャビティに対応するプレート状樹脂であっても，数kNでプリフォームを可h：2 平面間の距離

能にしている。

式より 2 平面間の距離ｈの 2 乗に反比例するので，チッ脂特性に変化がないことは確認済みである。

加熱成形後の樹脂のスパイラルフローおよび粘度など，樹プ上面と金型面との隙間が狭くなると，圧力損失が大きく，

47

住友重機械技報 No.162 2006

論文･報告圧縮成形装置 SY−COMPの開発

850

0

20

40

60

80

100

120

140

160

時間（s）

180

200

220

240

パッケージ厚さ（μm）

ストローク（mm）

840
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0

累積ストローク

830

管理規格

820
810
800
790
780

管理規格

770

PKG厚さ最大PKG厚さ最小760

速度設定0.01 mm/s

750
1

2 3

4

5

6

7

8

9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
ショット数

図７

５
5.1

プレス速度精度
Accuracy of press velocity

装置特性
プレス

圧縮成形では，従来のように上下の金型が当接して金型間

図８６パッケージ厚さ精度
Actual data of package thickness

むすび

本報では，圧縮成形法の優位性と，これを実現した装置
SY−COMPについて報告した。

の平行度が決まる構造ではなく，基板に対して樹脂を押圧し樹脂の流動速度から，ワイヤ変形に対し有利である。

て成形することから，基板面と金型との平行度がそのまま成樹脂の流動方向から，特に半導体チップ上の狭部充填

形品の平行度となる。つまり金型自身の平行度と，プレスのに有利である。

平行度を合わせた精度が成形品の平行度となる。半導体パッ圧縮成形を実現するプレスを開発し，性能を確認した。

ケージの外形精度は±0.05 mm以下が規格であるが，モール装置システムとして，成形品の厚さ精度を確保できた。

ド工程の管理規格としては±0.02 mm以下が要求される。圧縮成形においても，これと同程度の精度を実現する必要があ（参考文献）
Robert L. Daugherty, Joseph B. Franzini and E. John Finnemore．

る。
従来のトグル構造のプレスでは，この精度を実現できないことから，動平行度を高精度に保つ圧縮成形用プレスを開発した（図６）。

FLUID MECHANICS with Engineering Applications. McGraw-Hill
Book Company, p.188-189, p.295-297, p.318, 1985.
G.K.Batchelor. AN INTRODUCTION TO FLUID DYNAMICS．
Cambridge University Press, p.244-246, 2001.

可動プラテンが高精度にガイドされ，ボールネジにより直接駆動することから，平行度を高精度に維持したまま，速度および出力をリニアに制御できる。前述のようにワイヤ変形
は樹脂の流動速度に大きく依存することから，速度制御性も重要な要素である。低速域0.01 mm/sでのリニアリティを測定した結果を，図７に示す。通常使用する最低速度は0.1 mm/sであるので，十分な低速性能を得られた。
5.2

樹脂供給システム

平行度と同様に，圧縮成形では成形品の厚さは金型で決定されない。金型内に投入する樹脂量と，成形体の内蔵物（半導体チップ）の体積により決定される。パッケージ厚さを一定に保つには，半導体チップの体積（数）を把握し，必要な成形品厚さにする樹脂量を算出して計量し，金型に投入する必要がある。
圧縮成形装置では，画像認識により基板上の半導体チップ
搭載数を把握し，そのデータに基づいて樹脂重量を算出し，計量した樹脂を供給してプリフォームする。プリフォームの形状は，キャビティサイズに近いプレート状としている。プ
リフォーム後の樹脂は金型に投入する前に，再度計量して所望の重量であることを確認する。この時点で不慮による欠損などあれば破棄し，必要な樹脂を再度計量，プリフォームする。
このシステムにより，成形品厚さのバラツキを±0.02 mm以下に押えることができた（図８）。
住友重機械技報 No.162 2006

48

技術解説

新型半導体モールド装置 SXシリーズ

新型半導体モールド装置 SXシリーズ
New Molding Machine SX Series
●澤

田

博

行＊ 曽

Hiroyuki SAWADA

根

明＊ 嶋

Masaaki SONE

図１

１

正

崎

重

昭＊

Shigeaki SHIMASAKI

川

野

勉＊

Tsutomu KAWANO

新型モールド装置 SX120（４プレス）
New molding machine SX120(4presses)

はじめには85×260 mmと業界最大クラスを確保している。これは，
ローダ・アンローダが金型内に進入するY軸を片持ち構造と半導体モールド装置はワイヤボンディングされた半導体をし，プレス内のローダ・アンローダY軸用のレールを省いた

樹脂封止する装置であり，材料供給→成形→金型クリーニン

ことで，ダイセット幅を広くできたことによる。Y軸ガイド

グ→ゲートブレーク→収納を全自動で行う。最近では，生産方式は従来主流のカムフォロアガイドから新規にリニアガイ量に応じてプレス数を選択できるモジュラタイプが主流になドを採用したことと，ダイセットとローダ・アンローダの位ってきている。

置決めにローラ式ガイドを採用することで確実な位置決め再一方，近年半導体の製造工程においては生産性向上の目的
でリードフレーム内素子のマトリックス化が進み，リードフ

現性を確保している。
2.2

ハイサイクルレームの大判化が進められている。リードフレームが大判化

型締力1176 kNのプレスとなるとプラテンの重量が重くなり，されると封止面積が増え，従来490〜785 kNで可能であった

従来は速度も相当遅くなる傾向にあった。今回新開発したプ

プレス型締力の増強ニーズが強まってきた。

レスはプラテンの小型化およびトグル機構とサーボモータのそこで当社は，対象リードフレームサイズが大きく，型締最適設計により，100 mm/s＊1の高速送りを確保している。

力1176 kNのモジュラー型封止装置を開発した（図１）。こまた，ローダ・アンローダはサーボモータの最適使用によの装置は同じ能力の従来装置に比べ，設置面積がコンパクト

り容量を無駄に大きくすることなく，高速移動（X軸2500で，高速高生産かつクリーンであることが特長である。

mm/s，Y軸1500 mm/s）を可能とした。プレスの非成形時

本報では，今回開発した新型封止装置を設計面および性能面の特長を中心に解説する。

２
2.1

装置の特長
省スペース

間（プレスへの材料の供給と製品の取出しおよびクリーナ動作時間）を削減している。
これらの改善により，型締力1176 kNの 4 プレスタイプとしては業界最速のマシンタイム17 秒＊2を実現し，時間あたりの生産量としては374フレーム/時間のハイサイクルを実現した。

パスライン1330 mm，プレスストローク186 mmとクリー＊1

速度はボールネジ速度。

ニングなどの作業性を確保しつつ，幅580 mmのコンパクト＊2

4 プレス機において下記条件のとき。

なプレスを新規に開発した。装置としても 4 プレスタイプ
で幅3820 mm，奥行1550 mmと設置面積を小さくしている。
小型化に伴い，レイアウトのフレキシブル性およびスペース
効率向上が図れる（図２，表１）。
また，このコンパクトプレスの採用により，同じ能力の従来装置に比べ 1 〜 3 割も軽量となっている。

成形時間（注入＋キュアタイム）＋マシンタイム＝77 s 以下である。
特殊なプロセス条件（減圧成形および型上プリヒート）を必要とする場合は，そのプロセス時間を含めたサイクルタイ
ムが77 秒以下である。
過大なプリヒート時間およびエアブロー時間は除く。

プレス幅は狭く抑えているが，対象リードフレームサイズ

49＊電子機械事業部

住友重機械技報 No.162 2006

技術解説

表１

ワークの流れ装置の動作
タブレット供給 樹脂タブレット
ローダ
供給部

カル冷却ステージ ゲートブレーク

アンローダ

新型半導体モールド装置 SXシリーズ

主要仕様
Major specifications

MODEL

SX120A−4P

リードフレーム取り数

8 フレーム/ 4 プレス

リードフレーム幅（mm） 14〜85

1550

リードフレーム長さ（mm） 140〜260
リード
フレーム
供給・予
熱部

カル
取出し
製品
収納部

リードフレーム供給 784 kN：530800
1176 kN：580

成形品取出しプレス

784 kN：3620

700
1176 kN：3820

タブレット径（mm）

φ11〜20タブレット長さ（mm）

タブレット径（×1.1〜×1.8）（最大34）

マシンタイム（s）

17（標準仕様時）

サイクルタイム（s）

最小77

型締力（kN）

1176

型締ストローク（mm）

186.5

トランスファ力（kN）

47

装置外形寸法（mm）

3820（W）×1550（D）×1950（H）

パスライン（mm）

1330

単位：mm

概略構成
Outline composition

図２

持する大切なポイントで，SX120では樹脂供給室のタブレッ
トリフタホルダと金型までタブレットを搬送するローダタブ

SX80/120配管抵抗曲線（金型吸引時）
3.7 kWブロワ特性曲線
7.5 kWブロワ特性曲線

25

レットホルダの両方でホルダ表面を清掃するクリーナを設けている。

圧力損失（kPa）

20

2.3.4

ローダにもクリーナ搭載

金型クリーナは通常アンローダが成形品を取り出した後に

15

アンローダが行うが，SX120ではローダ先端にもクリーナを10

設け，ローダが金型進入時にも吸引清掃する。

SX120のシリーズ展開

３

5

SXシリーズは，下記 3 タイプとプレス能力 2 種から構成

0
0

2

4

6
風量（m3/min）

8

10

12

される。本報で報告したSX120はAタイプで，残りの 2 タイプを開発中である。B，Cタイプが完成すれば，IN側モジュ

図３

クリーナ特性Characteristics of cleaner

ールやプレスの共通部を仕込み生産することにより，短納期に対応することも可能となる。
Aタイプ

スタックマガジン収納（リードフレーム用）

Bタイプ スリットマガジン収納（サブストレート用）
2.3

クリーン性の確保（開発中）

モールド装置は，クリーンエリアと粉塵発生エリアが共存

Cタイプ ランナ，タイバーおよびバリカットプレス

した装置である。リードフレーム供給と成形前の金型はクリ付きスタックマガジン収納（開発中）ーンに保たなければならず，一方樹脂タブレット供給では樹なお，各プレスの型締力は784 kN/1176 kNである。

脂粉が，成形後の金型から製品収納までは成形後の樹脂バリが発生してしまう環境にある。1 台の装置の中で両者を如何

おわりに

４

に区別するかがモールド装置の良し悪しを決めるといっても当社では，これまで培ってきたモールディング技術の過言ではなく，SX120ではこの区別に下記工夫を施している。

集大成として，型締力1176 kNのモジュラー型封止装置

2.3.1

SX120を開発した。

クリーナ吸引力の確保と省エネルギー

吸引口形状および配管経路を工夫し，3.7 kWブロア特性

SX120の特長を次に示す。

を有効に使用することにより，従来の7.5 kWブロアより優a.

対象リードフレームサイズが大きい。

れた吸引力（風量）を発揮する（図３）。また，ブロア制御b.

省スペースである。

にインバータを用いクリーニング時以外は回転数を落とすこc.

高速高生産を実現している。

とにより，省エネルギーにも貢献している。

d.

クリーンである。

2.3.2

タブレット供給室の完全密閉タブレット供給室を完全密閉とし，ローダへの樹脂受渡し

今後は残りの 2 タイプの完成を急ぐとともに，更なる技術革新を進め，多様なニーズに対応していく所存である。

時にのみ小扉が開閉しタブレットの受渡しをする。
2.3.3

タブレットホルダの清掃

タブレットの樹脂粉を撒き散らさないこともクリーンを維
住友重機械技報 No.162 2006

50

技術解説

衛星搭載クライオスタットの軌道上実績

衛星搭載クライオスタットの軌道上実績
Results on Orbit of Cryostat Equipped for Satellite
●恒

松

二＊ 平

正

Shoji TSUNEMATSU

林

誠

之＊ 吉

田

誠

至＊

Masayuki HIRABAYASHI Seiji YOSHIDA

図１

SFU搭載IRTS用クライオスタット（左）および「あかり」
用クライオスタット（右）Cryostat (Left) for IRTS equipped with SFU and cryostat(Right) for AKARI

１

効果（温度の低い方から高い方へ流れる）を利用しており，はじめに多孔質体のポーラスプラグがこの気液分離器として機能して独立行政法人宇宙航空研究開発機構（Japan Aerospace

いる。この開放型冷却方式とVCSの組み合わせにより，系内

Exploration Agency JAXA）を始めとした客先とともに開発

温度が上昇しHe蒸発量が増加した場合，VCSが冷却され，し，打上げ，宇宙空間にて運用されてきた当社の宇宙機器の系内温度は下がる方向になるといった「温度自己制御能力」

中で，天文衛星用クライオスタット（極低温冷却システム）を実現している。

に関するシステム概要，構造，特徴および軌道上性能などについて紹介する。

２

伝導伝熱による熱侵入を低減している。サポートストラップ

SFU搭載IRTS用クライオスタット

は，侵入熱を低減するとともに，打上げ時の機械環境（振動本クライオスタットを搭載した宇宙赤外線望遠鏡IRTS（InfraRed Telescope in Space）は単独の衛星ではなく，多目的の宇宙実験用プラットフォームである回収型人工衛星宇宙実験・観測フリーフライヤSFU（Space Flyer Unit）に搭載され，赤外線天体観測用としては日本で初めて地球を回る軌
道に投入された（図１） 。

用に開発したものである。
以上の基本構造は，IRTS以降のクライオスタットでも改良が加えられ採用されている。
IRTSは，1995年 3 月18日にJA XA種子島宇宙センターから− 3 号機により打ち上げられ，Heが枯渇した 4 月26日までの間に，全天の 7 ％にもわたる領域を今までにない）で光学系を冷却し，光学系自身からの赤

高感度でのサーベイ観測に成功した。IRTSは，観測終了後

外放射を最小化するとともに，赤外線検出部を 2 K以下の温スペースシャトルエンデバーにより回収され，翌1996年 1 月

度に冷却してセンサ感度を向上させている。

20日にケネディ宇宙センターに帰還した。（現在は，独立行

小型・軽量を要求されるクライオスタットは，要求性能を満足するべく，以下の構造を採用している（図２）。
He を用いた開放型冷却方式（タンク容量100L）
蒸気冷却放射シールド板VCS（Vapor Cooled Shields）

政法人東京国立博物館に展示されている）

３ 「あかり」用クライオスタット「あかり」は，我が国初の単独の大型赤外線望遠鏡衛星でポーラスプラグによるHe 気液分離あり，欧米の宇宙赤外線望遠鏡計画に比べて軽量でありながサポートストラップによる吊り構造

ら，世界最高の集光力，分解能および検出感度を有し，赤外多層断熱材MLI（Multi-Layer Insulation）
による真空断熱

線観測により，銀河の形成と進化過程，星や惑星の形成過程

クライオスタットは，アウタシェル内を真空とし，3 層のVCSとMLIによりHeタンクへの侵入熱を低減している。タ
ンクへの侵入熱はHe

51および衝撃）に耐える高強度・高剛性が必要であり，IRT S

H−

高感度の赤外線観測を可能にするべく，タンク内の超流動ヘリウム（He

また，Heタンク，光学系および検出器からなる内部構造
は，アウタシェルからサポートストラップによって吊り下げ，の蒸発潜熱として奪われ，Heは気を探ることを主目的にしている（図１） 。
クライオスタットに内蔵した望遠鏡と赤外線検出器は，望遠鏡自身が放射する赤外線の低減および検出器の暗電流の低化され，各VCSはフォアバッフル冷却後の蒸発Heガスの顕減を目的とし，1.7 KのHe

熱により冷却される。宇宙空間という無重量状態で，蒸発を利用することにより，6 K以下の極低温に冷却される（図３，

Heガスのみを選択的に排気する方法として，He

図４）。

＊量子機器事業部の熱機械

からの伝導とその蒸発ガス顕熱

住友重機械技報 No.162 2006

技術解説 衛星搭載クライオスタットの軌道上実績

φ900

ポーラスプラグアウタシェル

寿命

遠赤外線検出器 1.8 K
望遠鏡本体 6 K
輻射シールド 35 K
（蒸発ガス＋ 2 段スターリ
ング冷凍機で冷却）
寒剤寿命 1 年以上（寒剤枯渇後も冷凍機による冷却温度での観測を継続）

サンシールドバスモジュール

0
06/02/22

主鏡

1.8

クライオスタット
機械式
冷凍機

太陽電池パドル
単位：mm「あかり」クライオスタット
Cryostat for AKARI

06/08/21

06/05/23

06/08/21

1.7
1.6
1.5

1.4
単位：mm 06/02/22「あかり」用クライオスタットの軌道上温度履歴
Temperature histories on cryostat orbit for AKARI

表１

今後のクライオスタット搭載ミッション
Mission equipped with cryostat in future

1

SELENE

GRS

2008年度

H− A

γ線検出器

2

JEM /SMILES

2008年度

HTV

サブミリ波検出器

3

VSOP−2

2010年代初頭

未定

サブミリ波検出器

4

NeXT

2010年代初頭

未定

X線検出器

5

SPICA

2010年代半

H− A

赤外線検出器名称

2.2

06/05/23

図４5473238.5要求仕様 温度

図３

焦点面
観測装置

IRTS用クライオスタット
Cryostat for IRTS

冷却装置 超流動ヘリウム（170L）＋ 2 段ス
ターリング冷凍機 2 台（100 W駆動）

副鏡

液体ヘリウムタンク

IVCS
OVCS
MVCS
OVCS Outer Vapor Cooled Shield
MVCS Middle Vapor Cooled Shield
IVCS
Inner Vapor Cooled Shield
単位：mm

ミッション部

図２

スターリング
サイクル
冷凍機

サポート
ストラップ

低温バルブ

200

温度（K）

2185

950

焦点面観測機器

アパチャリッド分離

100

MLI

多層断熱材

アパーチャリッド

300
アパチャリッド（軌道上で放出）
サンシールド

温度（K）

1400
ミラー
フォアバッフル サポートストラップ
アフトバッフルアパーチャシェード

打上げ予定

打上げ機

冷却対象

SELenological and ENgineering Explorer
Gamma-Ray SpectrometerJapan Experiment Module
Superconducting subMIllimeter-wave Limb-Emission Sounder
VLBI (Very Long Baseline Interferometry) Space Observatory Programme
New X-ray Telescope
SPace Infrared telescope for Cosmology and Astrophysics

波長 2μm〜200μmの赤外線サーベイ観測を行う望遠鏡シより打ち上げられた後，現在まで順調に運用を継続している。

ステムは，有効径67 cmのSiC製主鏡を持つリッチクレチアン

打上げ230 秒後にヘリウム排気バルブ開放，約 1 日後に冷凍方式で，副鏡を移動し焦点距離を調整する機能を有する。

機の駆動が開始された。打上げ51日後に実施されたアパチャ

衛星は太陽同期極軌道に打ち上げられ，通常は観測口からの軌道入熱を避けるべく，常に衛星側面が太陽方向，衛星底

リッド分離後に観測が開始され，現在まで順調に運用されている。

部が地球方向を向くよう姿勢制御される。全天一様サーベイ

He枯渇時期は，軌道上でのHe液量計測により2007年 8 月

観測は超流動ヘリウム冷却により 1 年以上継続され，超流頃と推測されている。（図４に，軌道上での各部温度履歴を

動ヘリウム消費後は，機械式冷凍機のみを用いて波長5μm示す）

以下の天体観測を継続する。
「あかり」では，限られた打上げ能力の下で可能な限り大口径の望遠鏡を搭載するべく，従来の蒸発ヘリウムガスの顕熱利用に加え，補助冷却手段として 2 台の 2 段スターリン

今後の計画としては，表１に記載のミッションにおいて衛星搭載クライオスタットの打上げが予定されている。

おわりに

４

グ冷凍機を搭載するハイブリッドシステムとし，衛星の軽量

現在までにI RTS用および「あかり」用のクライオス化および高効率（従来の方式に比べ，1.5〜10 倍の寒剤消費タットが軌道上に打ち上げられ，「あかり」は現在も順効率）を実現している。

調に運用を継続している。
これらの実績は現在開発中である各極低温冷却システ

また，冷却システム性能向上を図るべく，クライオスタッ
ト外壁温度を以下の方法により200 Kレベルまで冷却した。
最大の入熱源である太陽光線は，サンシールドで防いでいる。
サンシールド自身を放射冷却し温度を下げるべく，そ

ムに反映され，さらに改良が重ねられている。
上記クライオスタットの開発にあたっては，JAX A宇宙科
学研究本部ならびに日本電気株式会社の指導を得た。関係各
位に厚く感謝の意を表する。

の表面には太陽光吸収率が小さく赤外線放射率が高い熱制御材を施工している。
外壁表面に熱制御材を貼ることにより，外壁面全体を深宇宙に対する放射冷却用のラジエータとして利用している。
冷凍機冷却効率向上を図るべく，冷凍機高温部を冷却している。
「あかり」は，2006年 2 月22日にM−V−8型ロケットに（参考文献）
平林誠之, 恒松正二, 佐光利幸, 青木薫. IRTS（宇宙赤外線望遠鏡）
クライオスタットの熱設計と熱評価試験. 住友重機械技報, vol. 39, no.
115, p.64〜71, 1991.
平林誠之, 吉田誠至, 村上浩, 中川貴雄, 大西晃, 村上正秀. 赤外線天文
衛星ASTRO-F冷却システムの開発. 熱物性, vol.17, no.3, p.236〜242,
2003.

住友重機械技報 No.162 2006

52

技術解説

下水発生汚泥量抑制プロセス

下水発生汚泥量抑制プロセス
Low Excess-sludge Production Process in Sewage Treatment
●淵

脇

賢二郎＊

Kenjiro FUCHIWAKI

P

pH

DO

M

M

M

ORP

M
処理水

F

反応槽

終沈
B
P

原水槽

返送汚泥ポンプ
DO

P
初沈処理水

P
低DO槽引抜きポンプ

pH

P

M

低DO槽投入ポンプ
F
P
B
余剰汚泥ポンプ

低DO槽

減容系（低DO槽を組み込んだ標準活性汚泥法）

処理水対照系（標準活性汚泥法）

余剰汚泥

図１

１

テストフロー
Schematic diagram of experimental apparatus

低溶存酸素（低DO）条件で好気性消化を行い，反応槽で自はじめに己消化を促進させ，発生汚泥量そのものを抑制する水処理プ

下水道整備の進展に伴い，生活環境の向上や公共水域の水質改善などの成果が着実に現れてきている。それに伴う下水処理量の増大あるいは高度処理により，水処理から発生するロセスで，汚泥減容方法の一つと見なせる。
なお，低DO条件における好気性消化には，以下の利点があることが報告されている 。
低DO消化では，硝化と脱窒が同時に進行することか

汚泥量も確実に増加している。

ら，pH調整が必要ない。

通常，下水汚泥は水分のほかに肥効性のある有機物を多く

低DO消化では，曝気量が少ないことから熱損失を低含み，石炭に近い発熱量を有する有用な資源である。したがく抑えられ，その結果消化速度が速い。

って，汚泥は緑農地利用やエネルギー利用などの有効利用を曝気に要する電力消費量の削減に伴うランニングコス行うことが最も望ましい処理形態である。

トの低減が図れる。

しかし，経済活動の高度化による廃棄物排出量の増大，廃棄物最終処分場の新規立地の困難さから最終処分量を抑制
し，かつ処理場運営費に占める汚泥処分費の低減を図るべく，効果的な汚泥減容化技術が求められている。
汚泥減容化技術を大別すると，以下の三つの方式がある。
好気性消化および嫌気性消化など，生物学的に汚泥を減少させる。
的に汚泥を減少させる。
およびの組み合わせにより，汚泥を減少させる。
上記の技術は，いずれも一度発生した汚泥を減容する方法である。一方，今回報告するプロセスは，返送汚泥の一部を

53

＊技術本部

２

試験方法

テスト装置の概略フローを，図１に示す。減容系は返送ラ
インに低DO槽を組み込んだ標準活性汚泥法で，返送汚泥の機械的破砕，熱処理およびオゾン酸化など，物理化学
上記

そこで，本試験ではその発生汚泥量の抑制効果を把握することを目的とした。

一部は低DO槽を経由して反応槽に返送する。発生汚泥量の抑制効果を評価する上での比較となる対照系には，通常の標準活性汚泥法を用い，反応槽の容量はともに30 Lで，低DO槽の容量は10 Lとした。
試験では実下水を用いて，減容系および対照系とも 1 日
あたり90 Lの下水を処理し水質分析を行った。
住友重機械技報 No.162 2006

技術解説

下水発生汚泥量抑制プロセス

対照系
y ＝5599.9x−2E＋08

500000BOD

減容系
y ＝ 3466.5x− 1E＋08

400000120
濃度（mg/L）

累積SS量（mgDS）

600000300000200000100000
0
6/27

7/17

8/6

8/26

9/15

100
80

反応槽流入

60

減容系処理水40

対照系処理水

20

10/5

0
7/1

累積発生汚泥量
Total amount of excess-sludge

表１

各槽のSVおよびSVI
Sludge characteristics of each reactor
SV（vol％） SVI（mL/g）MLSS（mg/L）

減容系（標準法＋低DO槽）
対照系（標準法）

反応槽

42

123

3420

低DO槽

99

93

10667

反応槽

53.5

229

2340

140
120
100
80
60
40
20
0

反応槽流入
減容系処理水対照系処理水

7/1

３

10/9

SS
濃度（mg/L）

図２

8/20

試験結果

図３

8/20

10/9

水質分析結果Influent and effluent BOD and SS concentrations

7 月から 9 月までの累積発生汚泥量を，図２に示す。グラフの傾きが 1 日あたりの発生汚泥量を示す。7 月から 9 月までの長期データで判定すると，減容系での発生汚泥量は70.2 gDS（＝2.34×30）であった。したがって，減容系では

3.5 gDS/dで，対照系での発生汚泥量は5.6 gDS/dであった。

対照系の約 3 倍量の活性汚泥を保持していたことになる。

ここで，抑制効果を次式で評価するものとすると，一般に，下水中に含まれる有機物は活性汚泥に摂取され，酸化と同化に利用される。酸化では微生物の生体維持や細胞抑制効果＝減容系の固形物発生量
対照系の固形物発生量×100

合成などに必要なエネルギーを得るには有機物を利用し，同化では酸化で得たエネルギーを利用して有機物を新しい細胞物質に合成する（活性汚泥の増殖）と言われている 。

減容系の抑制効果としては，63 ％（＝3.5/5.6×100）であ

減容系では，対照系と比較して約 3 倍量の活性汚泥を系る。したがって，対照系での発生汚泥量を100 ％とすると，内に保持し，酸化に利用された有機物の割合が対照系より高減容系では対照系の37 ％に相当する汚泥量が減容されたとかったことから，発生汚泥量が抑制されたものと考えられる。

見なすことができる。
また，試験開始からの流入水と処理水の分析結果の一例を，図３に示す。
処理水質は減容系および対照系とも同程度で，良好な結果が得られている。特に，発生汚泥量抑制運転による処理水の悪化は確認されなかった。
試験終了時における各槽のSV（Sludge Volume）およびSVI（Sludge Volume Index）を，表１に示す。SVIを比較す

４

おわりに減容系では，対照系と比較して発生汚泥量を63 ％に抑制できた。すなわち，37 ％に相当する汚泥を減容できた。
返送汚泥の一部を低DO条件に置くことで，汚泥の沈降性が改善できることを確認した。
汚泥減容運転による処理水の悪化は確認されなかった。

ると，減容系が最も良く対照系の約半分程度であった。これは，減容系において返送汚泥の一部を，低DO槽を経由して反応槽に返送することで，汚泥の沈降性が改善されたものと考えられる。また，汚泥の沈降性が改善されたことで，系内で保持する活性汚泥量を高く維持できた。
今回の試験では低DO槽の容量を反応槽の1/3で実施し，か（参考文献）RaviSankar Arunachalam, Hemant K. Shah and Lu-Kwang Ju. Aerobic
Sludge Digestion under Low Dissolved Oxygen Concentrations. Water
Environment Research, vol. 76, no.5, p.453−462, Sept./Oct., 2004.
社団法人日本下水道協会. 下水道施設計画・設計指針と解説

後編−

2001年版. p.14〜24.

つML SS（Mixed Liquor Suspended Solid）は反応槽の約 3 倍の濃度で運転することができた。
減容系の系内で保持する活性汚泥量（MLSS量）は，反応槽で103 gDS（＝3.42×30），低DO槽で107 gDS（＝10.7×10），
計210 gDSであった。一方，対照系で保持する活性汚泥量は
住友重機械技報 No.162 2006

54

新製品紹介アンパイリング／パイリング用リフティングマグネット装置

アンパイリング／パイリング用リフティングマグネット装置
Lifting Magnet Device for Unpiling/Piling

本装置は，鋼板の生産工程で使用する自動・手動アンパイ

吸引指令

リング/パイリング用リフティングマグネット装置として国内の製鉄所に納入したものである。

（グラフィックオペレーションターミナル操作による半
自動運転）

マグネット

吸引指令

LEC−03A型
0.2 kW

50 ％ED

鋼板 1 枚選択吊り用

特

励磁電流値指令長

任意サイズ鋼板の山積み状態の鋼板山から，最上部の鋼板

4 台（行）×20 台（列）の配置

1 枚を自動運転で選択吊上げ可能なように，マグネットの磁マグネット総台数

気特性，取付け機構および電気制御特性を考慮している。

80 台

小径丸型マグネットにより，磁気浸透深さを浅くし薄取扱鋼板

板 1 枚選択性を確保した。

種

類

一般構造用炭素鋼

温度− 5 〜100 ℃

小径丸型マグネットを分散配置，クッションスプリン

板

厚4.5〜25.0 mm

グを介し個々のマグネットを独立懸架して必要特性を確板

幅1.4〜4.0 m

保した。

板

長

3.0〜12.0 m

a.

吊上げ荷重

最大98 kN（10 tf ）

電源装置
停電時バックアップ機能を装備
運転操作
遠隔自動運転（上位制御システムからの指令による運転）

サイズ違いの鋼板を山積みしたとき，最上部に生じる平面度の不均一（吸着面の凹凸）に対応している。
b. 荷重分担のバランス化による薄板鋼板選択性を確保

IGBT式マグネット個別定電流制御式

55

釈放指令

マグネット励磁区分選択指令

丸型電磁石式DC110V

励磁電流値指令

現場手動運転（半自動運転）

主要仕様

φ284

釈放指令

マグネット励磁区分選択指令

した。
c.

荷重分担のバランス化による鋼板たわみ量の軽減および薄板鋼板の吊り安定性を確保した。
マグネットを個々に定電流制御し，最適励磁とした。
（量子機器事業部

永井健）

住友重機械技報 No.162 2006

新製品紹介アステロ 直交ギヤヘッド

アステロ 直交ギヤヘッド
ASTERO Right Angle Gear Head

0.1 kW以上の小型ギヤモータ製品では，ータなど，様々なモータとの組み合わせが可能である。

高効率・低騒音運

発売済みのアステロ ギヤモータ（平行軸タイプ）と転が可能といった特長を持っているハイポイド方式の直交軸取付けに使用するフランジ寸法や軸径を合わせた設計とギヤモータが伸びている。

した。これにより，お客様の機械側の設計を変えること計が可能，

メンテナンスが容易および省スペース設一方，0.1 kW未満のギヤモータ市場では，多様なモータなく，置換えが可能となった。

に対応するべく，モータとギヤヘッドが分離可能な平行軸型

また，平行軸タイプではチェーンやプーリー，それらが主流である。よりコンパクトで低騒音なギヤモータに対すを保護するカバーなどが必要となる場合があったが，直る市場要求にこたえて，ハイポイド方式のアステロ 直交ギ

交軸タイプでは直接取り付けることができ，お客様の機

ヤヘッドを開発した。

械自体を低コストでコンパクトに構成することが可能と
なった。

主要仕様
形

式

高速段にハイポイドギヤを用い，独自の解析，加工技

モータ

アステロ 三相減速比

5 〜240特術により，低騒音および高効率を実現している。

中空，中実軸タイプ
単相モータ

25〜90 Wまた，メンテナンスフリーの製品でもあり，環境負荷の低減に貢献できるギヤモータである。

長
アステロ モータの軸はヘリカルギヤとなっているが，ギヤヘッドの入力軸のホロー部に差し込むだけで，簡単に連結できる構造を開発した。
また，アステロ 用モータには豊富なバリエーション
があり，インダクションモータ，レバーシブルモータ，
電磁ブレーキ付きモータおよびスピードコントロールモ（PTC事業部

竹原敬二）

住友重機械技報 No.162 2006

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新製品紹介クーリングタワー用減速機 低騒音SFCシリーズ

クーリングタワー用減速機 低騒音SFCシリーズ
SFC Low Noise Model for Cooling Tower Drive

クーリングタワー用のファン駆動減速機として，SFCシリ

グタワー用減速機においては低騒音化のニーズが高く，国内ーズを2001年より世界市場向けに発売している。今回，本シ

市場でのシェア維持および海外市場でのマーケット拡大におリーズの低騒音タイプを開発した。

いて低騒音化は有効なセールスポイントとなる。

SFCシリーズはクーリングタワー用専用設計機として，従来から以下のような特長を持っている。
ハウジング，軸および軸受が最適化され，剛性を強化している。
新冷却ファンを標準装備し，熱容量の向上を実現している。

今回，SFCシリーズのベベルギヤ（入力段）に 3 次元歯面修整を実施することで低騒音化を実現した。従来の 2 次元歯面修整（歯形修整および歯すじ修整）から 3 次元歯面修整（バイアス修整を追加）へ変更することで，噛合い長さと接触線長さを制御でき，より精密な修整が可能となった。また 3次元歯面修整のツールとして次の 2 点の開発，導入を行った。

枠番間のトルクの飛びが小さく，最適な選定が可能である。

最適歯面修整量決定のための負荷時歯当たりシミュレーション技術を開発した。

ファン逆転防止機能として，バックストップを標準化している。
近年，減速機を含む装置が居住地に隣接して設置されるな
ど，低騒音が要求されるケースが多くなっており低騒音仕様の実現が期待されていた。しかし，クーリングタワー用減速

精密な修整量の制御が可能な研削盤を導入した。
本製品は，従来機と比較し最大約7dB(A)の騒音低減することができた。

主要仕様

機は設備の配置上直交減速機が使用されるが，直交減速機に枠用いられるベベルギヤは一般的に音が大きく，低騒音化は困

入力容量

番

55 kW〜280 kW

045〜075難であった。

減速比6.3〜18

グローバルブランドとしての地位確立には，工業用減速機分野における低騒音技術の確立は必須である。特にクーリン

57（PTC事業部

大山茂男）

住友重機械技報 No.162 2006

新製品紹介油圧ショベル SH200−5 SH240−5

油圧ショベル SH200−5 SH240−5
Hydraulic Excavator SH200−5 SH240−5

本開発は，国内排出ガス 3 次規制，北米EPA排出ガス規制

SPモードへの切替えは，スロットルとモード切替え

および欧州EU排出ガス規制に適合した中型油圧ショベル20 t，を連動させた一体型スロットルボリュームにより簡単操「SH240−5型」としてフルモデルチェ
24 t級を，「SH200−5型」

作が可能となった。さらに，油圧回路の最適化と操作状

ンジして発売するものである。

態のセンシングにより，オペレータの力加減をスムーズ

このフルモデルチェンジ機は，全世界に向けて供給する戦に伝える高い操作性を実現した。操作レバーの投入量に

略主力機種であり，世界中の顧客要望を集め開発の随所に反応じて走行速度が変化，複合操作が必要な山間部や高い映した。開発にあたり「運動性能」，「経済性能」および「快場所での作業も円滑に行える。

適 性 能 」 と い う 三 つ の 性 能 に つ い て 徹 底 的 に こ だ わ り，

新エンジンシステム「スペース 5 」によるコモンレール「SPACE5（スペース5）」というエンジンシステムと「SIH：

超高圧燃料噴射システムとトータルの制御技術で10 ％S（シーズ）」という油圧システムを開発・融合することで，の燃費改善，新油圧システム「シーズ」によるポンプ制

大作業量の発揮と燃費の従来機比20 ％改善を実現した。

御関係の効率改善で10 ％の燃費改善を実現，二つのシス
テムを高い次元で融合させることで従来機比20 ％の燃費

主要仕様改善を達成した。整備性としてはショベル上部に登らず

機種名

SH200−5

SH240−5

地上からのメンテナンスが容易となり，清掃やパーツ交

バケット容量0.8 m3

1.10 m3

換時間の短縮が図れる。本体には管理用コントローラと運転質量19950 kg

24300 kg−1

通信機器を標準装備しているので，機械の状態を容易に
−1

定格出力

117.3 kW/1800 min

最大掘削半径9900 mm10280 mmき，幅広い情報の入手で機械のトータルマネジメントを

最大掘削深さ6650 mm6900 mm

実現している。

特132.1 kW/2000 min

長確認でき，管理コストおよびメンテンスコストを削減でワイドキャブの採用により広く大きな前方視界および右下視界を確保し，安全性能が大幅に向上した。さらに，

大作業量の実現と，それぞれ従来機比で，バケット掘低騒音エンジンおよび低騒音マフラの搭載に加え，遮削力 8 ％アップ，走行駆動力 4 ％アップ，バケット閉じ

音・吸音設計などを採用し，超低騒音を実現している。

スピード24 ％アップ，重掘削負荷時のスピード改善を 7％実施したことで，力強い大作業量と大幅なサイクルタ
イムの短縮を実現した。また新たに追加したSP（Super
Power）モードにより，かってない大作業量を実現，従来機比 5 ％の作業量アップを図った。

（住友建機製造株式会社

三觜勇）

住友重機械技報 No.162 2006

58

主要営業品目
変減速機,インバータ●機械式減速機：［同心軸］サイクロ減速機,サイクロギヤモータア
ルタックス, 精密制御用サイクロ減速機,プレストギヤモータ,コン
パワー遊星歯車減速機,［平行軸］パラマックス減速機,ヘリカルバ
ディボックス,［直交軸］パラマックス減速機,ハイポニック減速機,
ベベルバディボックス,ライタックス減速機,HEDCONウォーム減
速機,小形ウォーム減速機 ●変速機：［機械式変速機］バイエル無段変速機, バイエル･サイクロ可変減速機,［電気式変速機］インバー
タ,インバータ搭載ギヤモータ,サーボドライブ,DCドライブ

物流･パーキングシステム●自動倉庫システム ●高速自動仕分システム ●FMS/FAシス
テム ●無人搬送システム ●機械式駐車場,動く歩道
金属加工機械
●鍛圧機械：フォージングプレス,油圧プレス,フォージングロール,
超高圧発生装置 ●工作機械 ●SPS（放電プラズマ焼結機）
運搬荷役機械
連続式アンローダ,港湾荷役クレーン（コンテナクレーン,タイヤマ
ウント式ジブクレーン,タイヤマウント式LLC）,トランスファクレーン,ジブクレーン,ゴライアスクレーン,天井クレーン,製鋼クレーン,
自動クレーン,ヤード機器（スタッカ,リクレーマ,スタッカ／リクレーマ）,シップローダ,ベルトコンベアおよびコンベアシステム,リフ
ティングマグネット装置
船舶海洋●船舶：油槽船,撒積運搬船,鉱石運搬船,鉱油兼用船,コンテナ船,自動車運搬船,LPG船,LNG船,カーフェリー,ラッシュ船,作業船,大型洋式帆船,巡視船,他 ●海洋構造物：海洋石油生産関連構造物,浮体式
防災基地,浮体式海釣施設,その他海洋構造物 ●海洋開発機器：各
種ブイ,舶用環境機器
インフラ整備関連●橋梁：一般橋,長大橋 ●海洋･港湾構造物：沈埋函,ケーソン
化学機械，プラント●一般プラント：紙・パルプ製造装置,化学装置,原子力装置 ●発電設備：循環流動層ボイラ ●圧力容器：リアクタ,塔,槽,熱交換器 ●撹拌混合システム：マックスブレンド撹拌槽,スーパーブレ
ンド（同心2軸型撹拌槽）,バイボラック（横型2軸反応装置）

サイクロ, アルタックス,コンパワー,パラマックス,バディボックス,ハイポニック
減速機,ライタックス,HEDCON,バイエルおよびバイエル・サイクロは,住友重機械
工業株式会社の登録商標です。

プラスチック加工機械●プラスチック加工機械：射出成形機,射出吹込成形機,ディスク成形機,セラミックス成形機 ●フィルム加工機：押出機,フィルム製
造装置,ラミネート装置 ●IC封止プレス ●ガラスプレス ●成形システム･金型：射出成形用金型,PE Tシステム,インジェクショ
ンフロー成形システム,インモールドラベリング成形システム
レーザ加工システム●レーザドリルシステム ●レーザアニーリングシステム ●YAGレーザと加工システム ●エキシマレーザと加工システム●YAG高調波レーザと加工システム
半導体・液晶関連機器●イオン注入装置 ●放射光リング・AURORA,放射光ビームライ
ン ●成膜装置：（液晶フラットパネル用）プラズマ薄膜形成シス
テム ●精密XYステージNanoplaneシリーズ ●リニアモータ
Nanoplaneシリーズ ●マイクロマシン ●エキシマレーザアニー
リングシステム ●ウエハ研削装置 ●ウエハ洗浄装置

マックスブレンドおよびバイボラックは,住友重機械工業株式会社の登録商標です。

AURORAおよびNanoplaneは,住友重機械工業株式会社の登録商標です。

製紙機械
抄紙機,ワインダ,各種製紙関連設備
建設機械,産業車輛
油圧式ショベル,移動式環境保全およびリサイクル機械,杭打機,道路
舗装機械,フォークリフト
その他
航空用機器,精密鋳鍛造品,防衛装備品（各種機関銃,機関砲およびシ
ステム）

環境施設
●環境･エネルギー関連プラント：都市ごみ焼却施設,リサイクル施設, 流動層ガス化溶融炉, 産業用廃棄物処理施設 ●大気関連プラ
ント：電気集塵装置,灰処理装置,乾式脱硫･脱硝装置 ●水関連プ
ラント：上水処理施設,下水処理施設,浸出水処理施設 ●産業廃水処理装置
加速器，医療機器，精密機器，極低温機器，超電導磁石●イオン加速器：サイクロトロン,ライナック,シンクロトロン ●電子線照射装置 ●医療機器：PET診断用サイクロトロン･CYPRIS,
標識化合物合成装置,がん治療用陽子サイクロトロン,治療照射装置●精密XYステージNanoplaneシリーズ ●リニアモータNanoplaneシリーズ ●冷凍機：パルスチューブ冷凍機,4KGM冷凍機,スター
リング冷凍機,クライオボンプ用冷凍機,MRI用冷凍機 ●人工衛星搭載観測装置冷却システム ●超電導磁石：ヘリウムフリー超電導マグネットCYPRISおよびNanoplaneは,住友重機械工業株式会社の登録商標です。

事業所
本
社
関西支社
中部支社
九州支社
田無製造所
千葉製造所
横須賀製造所
名古屋製造所
岡山製造所
愛媛製造所
新居浜工場
西条工場

〒141-8686〒541-0041〒461-0005〒810-0801〒188-8585〒263-0001〒237-8555〒474-8501〒713-8501

東京都品川区北品川5丁目9番11号（住友重機械ビル） 技術開発センター 〒237-8555 神奈川県横須賀市夏島町19番地
技術開発センター 〒188-8585 東京都西東京市谷戸町2丁目1番1号
大阪市中央区北浜4丁目7番26号（住友ビル2号館）（田 無）
名古屋市東区東桜1丁目10番24号（栄大野ビル）（明治安田生命福岡ビル）
福岡市博多区中洲5丁目6番20号
東京都西東京市谷戸町2丁目1番1号
千葉市稲毛区長沼原町731番地1
神奈川県横須賀市夏島町19番地
愛知県大府市朝日町6丁目1番地
本号に関するお問い合わせは，技術本部技報編集事務局（電話番号
岡山県倉敷市玉島乙島新湊8230番地は下記）宛お願い致します。

〒792-8588 愛媛県新居浜市惣開町5番2号〒799-1393 愛媛県西条市今在家1501番地

住友重機械工業株式会社のホームページhttp://www.shi.co.jp/※文章中のソフトウェア等の商標表示は，省略しております。

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委 員 渡 辺
石 塚
増 田
大須賀
玉 井
平 田
倉
西 原
川 井
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荒 居
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正
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一
秀
浩
賢
祐
善

郎
之
之
幸
次
徹
香
司
生
一
基
勝

住 友 重 機 械 技 報
委 員 松
敏 彦
小 島 宏 志太 田 朝 也井 辻 孔 康木 村 良 幸土 居 砂登志久 保隆
古 川 竜 治事務局 技術本部
アシスト ＳＮＢＣ
千代田プランニング

第162号

非売品

2006年12月10日印刷
発行

12月20日発行

住友重機械工業株式会社〒141-8686 東京都品川区北品川5丁目9番11号（住友重機械ビル）
お問い合わせ電話発 行 人

横須賀(046)869-2302

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