研究業績一覧 (長岡技術科学大学 田中)
1. Review Paper(2) “Exciton-related Optical Processes in CuGaS2 Crystals”: Seishi Iida, Tamao Matsumoto-Aoki andKunihiko Tanaka: Jpn. Research Review for Pioneering, IPAP: Books 1, Ternary and MultinaryCompounds in the 21st Century, p.244-250 (29 Dec.2001)(1) “Nonlinear Optics of Chalcopyrite Type Semiconductors, -Reflected Harmonic Generation fromCuGaS2”:Kunihiko Tanaka, Hisao Uchiki and Seishi Iida: Jpn. Research Review for Pioneering, IPAP
Books 1, Ternary and Multinary Compounds in the 21st Century, p.296-301 (29 Dec.2001)
2. 原著論文(査読有り)(88) “Formation of macroscopic black dots in transparent alumina ceramics prepared by pulsed electric
current sinterings”, Yutaro Ogashiwa, Yuichi Ueno, Kunihiko Tanaka, Yen-Ling Kuo, Makoto Nanko,
Ceramics International 50 (2024) 37341-37347.
(87) “Electrical transport properties of Cu2(Sn1-xGex)S3 films with varying x ratioss”, Ayaka Kanai,*, Ray
Ohashi, Yuki Igarashi, Hideaki Araki, Kunihiko Tanaka, Thin Solid Films 800 (2024) 140481 (8pages).
(86) “Effect of Ge inclusion on surface morphologies and the growth mechanism of Cu2(Sn1-xGex)S3 films
grown by the sulfurization of Ge/Cu/SnS precursors”, Ayaka Kanai,*, Kunihiko Tanaka, Mutsumi
Sugiyama, Thin Solid Films 800 (2024) 140410 (6 pages).
(85) ゾルゲル・ディップコート法によるCu2SnS3薄膜作製のNa添加および急速冷却の影響の評
価”, 石田 友紀, 長谷川 覚巳, 金井 綾香, 田中 久仁彦, 森谷 克彦*, Journal of Ternary andMultinary Compounds 2023 (2024) 43-46.
(84) “ゾルゲル・ディップコート法によるCuCl1-xIx薄膜作製におけるアニール条件の検討”, 村山堅亮, 金井 綾香, 田中 久仁彦, 森谷 克彦, Journal of Ternary and Multinary Compounds
2023 (2024) 25-28.
(83) “Effects of the growth process on surface morphology of Cu2(Sn1−xGex)S3 thin films”, Ayaka Kanai*,
Ray Ohashi, Kunihiko Tanaka, Hideaki Araki and Mutsumi Sugiyama, Journal of Materials Science:
Materials in Electronics 35 (2024) 5262 (12 pages).
(82) “Fabrication of ZnO/CuBr1-xIx microstructural transparent solar cells with buffer layer”, Naoya
Tsujimoto, Koya Ochiai, Daikichi Tamai, Ayaka Kanai, and Kunihiko Tanaka*, Japanese Journal ofApplied Physics 63 (2024) 031002 (5 pages).
(81) “Influence of (NH2)2CS concentration during depositing CdS layer on electric properties of Cu2SnS3
solar cell”, Ayaka Kanai*, Soichiro Saito, Araki Hideaki, and Kunihiko Tanaka, Journal of Physics D:
Applied Physics 57 (2024) 025502 (9 pages).
(80) “Optimization of sulfide annealing conditions for Ag8SnS6 thin films”, Ryuki Munekata, Tomohiro
Uchimura, Hideaki Araki, Ayaka Kanai, Kunihiko Tanaka, Tomoichoro Okamoto and Yoji Akaki*,
Journal of Materials Science: Materials 16 (2023) 6829 (11 pages).
(79) “Effect of cover annealing on Cu2SnS3 thin films deposited by dual‑source fine‑channel mist chemical
vapor deposition”, Kunihiko Tanaka*, Kazuya Okamura, Ren Saito, Hirotaka Maeta, and Ayaka Kanai,
Journal of Materials Science: Materials in Electronics 34 (2023) 1742 (10 pages).
(78) “Photoluminescence properties of Cu-poor Cu2Sn1−xGexS3 thin films with varying Ge/(Ge+Sn) ratio”,
Ayaka Kanai, Ryoma Hata, Mutumi Sugiyama, Kunihiko Tanaka*, Journal Physics D: Applied
Physics 58 (2023) 265102 (10 pages).
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研究業績一覧 (長岡技術科学大学 田中)(77) “Dependence of photoluminescence on sulfurization temperature of Cu2SnS3 thin films”, Kunihiko
Tanaka, Shogo Miyagi, Daiki Motai, Ryota Ohashi, Yoko Hosokawa, Kazuo Jimbo, Yoji Akaki,
Hideaki Araki, Applied Physics A 129 (2023) 360 (10 pages).
(76) “Sequential morphology of cobalt from cemented tungsten carbide in microcrystalline andnanocrystalline diamond films by HF-CVD”, Saiki, Yoshinori; Bando, Takahiro; Harigai, Toru;
Takikawa, Hirofumi; Hattori, Takahiro; Sugita, Hiroaki; Kawahara, Natsue; Tanaka, Kunihiko,
Diamond and Related MaterialsVolume 132 (2023) 109643 (11 pages).
(75) Fabrication of Cu2SnS3 thin films by dual‑source fine channel mist CVD, Kazuya Okamura, Ren Saito,
Ayaka Kanai, Kunihiko Tanaka, Applied Physics A 128 (2022) 980 (7 pages).
(74) 発光分光による太陽電池光吸収層材料CuxSn1-yGeyS3の欠陥の検討, 阿部 司，田中 久仁彦,
Journal of Ternary and Multinary Compounds 2021 (2021) 14-17．
(73) CuBr1-xIx/ZnOナノロッド透明太陽電池の効率改善, 渡辺海斗，藤島 睦，辻本直也，田中久仁彦，Journal of Ternary and Multinary Compounds 2021 (2021) 10-13．
(72) 二源系ファインチャネルミストCVD法で作製したCu2SnS3薄膜の組成比均一化, 岡村和哉，友野巧也，齋藤 連，田中久仁彦, Journal of Ternary and Multinary Compounds 2021 (2021) 6-9．
(71) 微粒子塗布法による太陽電池光吸収層Cu2Sn1-xSixS3 薄膜の作製, 野田拓真, 田中 久仁彦,
Journal of Ternary and Multinary Compounds 2021 (2021) 1-5．
(70) ” Preparation of Cu2SnS3 thin film by sol-gel dip coating, simple spin-coating method”, Yuki Igarashi,
Takuya Tomono, Kunihiko Tanaka, and Katsuhiko Moriya, Japanese Journal of Applied Physics 61(2022) SB2203 9pages.
(69) ” Terahertz absorption properties of YBa2Cu3O7−δ superconductor: thin films grown using a nontoxic,
simple spin-coating method”, Arata Yasuda, Katsuhiko Moriya, Sou Takahashi, Sota Abiko,Yuki
Narita, Gakuto Abe, Kunihiko Tanaka & Tetsuo Sasak, PHASE TRANSITIONS 94 (2021) 910-917.
(68) 発光分光によるCu2Sn1-xGexS3のCu/IV族比依存の検討, 阿部 司, 田中 久仁彦, 令和2年 応用物理学会 多元系化合物・太陽電池研究会 年末講演会論文集, pp.40-43. (2021年1月15日), ISBN
978-4-86348-774-1.
(67) ファインチャネルミスト CVD 法による Mo コート基板上への Cu2SnS3 薄膜の堆積, 友野 巧也, 吉久 史貴, 岡村 和, 田中 久仁彦, 令和 2 年 応用物理学会 多元系化合物・太陽電池研究会 年末講演会論文集, pp.35-39. (2021 年 1 月 15 日), ISBN 978-4-86348-774-1.
(66) 微細構造 CuBr1-xIx/ZnO ナノロッド透明太陽電池の作製, 渡辺 海斗, 森 涼太, 田中久仁彦, 令
和 2 年 応用物理学会 多元系化合物・太陽電池研究会 年末講演会論文集, pp.23-26. (2021 年 1
月 15 日), ISBN 978-4-86348-774-1.
(65) “Photoluminescence properties and defects in CuBr1-xIx thin films and their dependence on halogen
ratio”, Kunihiko Tanaka, Ryota Mori, Journal of Solid State Chemistry 293 (2021) 121786 (7 pages).
(64) 「発光観測によるCu2Sn1-xSixS3のCu/IV族比依存の検討」, 塚目達也，田中久仁彦，令和元年 応
用物理学会 多元系化合物・太陽電池研究会 年末講演会論文集, pp.20-24. (2020年1月17日),
ISBN978-4-86348-757-4.
(63) 「ゾルゲル硫化法を⽤いたMo基板上におけるCu2Sn1-xGexS3薄膜の作製」, 乙川大樹，田中久仁彦，令和元年 応用物理学会 多元系化合物・太陽電池研究会 年末講演会論文集, pp.15-19.
(2020年1月17日), ISBN978-4-86348-757-4.
(62) “Photoluminescence observation of the effects of Cu/Sn ratio and Na addition on Cu2SnS3”, Kunihiko
Tanaka⁎, Takahiro Maeda, Hideaki Araki, Solar Energy 199 (2020) 143-151.
(61) “Preparation of monoclinic Cu2SnS3 thin films by fine channel mist chemical vapor deposition
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研究業績一覧 (長岡技術科学大学 田中)
method”, Kunihiko Tanaka⁎, Mao Kowata, Fumitaka Yoshihisa, Shinya Imai, Wataru Yamazaki, Thin
Solid Films, 697 (2020) 137820 (7 pages).
(60) “Preparation of CuCl1−xIx thin films by spin coating”, Yuhei Sato, Kunihiko Tanaka, Nobuo Saito, andKatsuhiko Moriya*, Japanese Journal of Applied Physics 59 (2020) SCCB24 (4 pages).
(59) “Fabrication of a transparent p–n junction using CuBr1-xIx and ZnO nanorods”, Ryota Mori, Naoto
Tezuka, Toshiki Imamura, and Kunihiko Tanaka*, Japanese Journal of Applied Physics 59 (2020)
SCCB09 (5 pages).
(58) “Fabrication of a Cu2Sn1-xGexS3 thin film by the sol-gel sulfurization method”, Kyouhei Yamamoto
and Kunihiko Tanaka*, Japanese Journal of Applied Physics 59 (2020) SCCB14 (4 pages).
(57) “Photoluminescence characterization of Cu2Sn1- xGexS3 bulk single crystals”, Naoya Aihara, Kunihko
Tanaka*, AIP Advances 8 (2018) 095323 (7 pages).
(56) “Preparation of Cu2Sn1-xGexS3 bulk single crystals by chemical vapor transport with iodine”, Riki
Fujita, Nobuo Saito, Kenichiro Kosugi, Kunihko Tanaka*, Journal of Crystal growth 498 (2018)258-262.
(55) “Excitonic and band-to-band transitions in temperature-dependent optical absorption spectra of
Cu2SnS3 thin films”, Naoya Aihara, Hideaki Araki, Kunihiko Tanaka*, Physica Status Solidi B 255(2018) 1700304 (7 pages).
(54) “Preparation of transparent CuI-CuBr alloy thin films by solution processing”, Taiga
Harada, Shoko Tao, Toshiki Imamura, Katsuhiko Moriya, Nobuo Saito, and Kunihiko Tanaka*,
Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 57, No. 2S2,(2018) 02CB05.
(53) “X-ray diffraction and X-ray photoelectron spectroscopy characterization of sulfurized tin thin films
deposited by thermal evaporation”, Hiroto Oomae, Takahito Eguchi, Kunihiko Tanaka, Misao
Yamane, Naofumi Ohtsu, Thin Solid Films 645 (2018) 409-416.
(52)” Photoluminescence characterization of Cu2GeS3 bulk crystals”, Naoya Aihara, Yusuke Matsumoto,
Kunihiko Tanaka*, Physica Status Solidi B, 254 (2017) e1700118 (5 pages).
(51) “Chemical composition dependence of photoluminescence from Cu2ZnSnS4 thin films with potential
fluctuations”, Kunihiko Tanaka*, Yoshiaru Takamatsu, and Shinya Miura, Physica Status Solidi C, 14(2017) e1600138 (5 pages).
(50) “Synthesis and characterization of Cu2Sn1- xGexS3”, Hideaki Araki, Masaki Yamano, Genki Nishida,
Akiko Takeuchi, Naoya Aihara, Kunihiko Tanaka*, Physica Status Solidi C, 14 (2017) e1600193 (5pages).
(49) “Growth of Cu2GeS3 bulk single crystals by chemical vapor transport with iodine”, Yusuke
Matsumoto, Naoya Aihara, Nobuo Saito, Kunihiko Tanaka*, Materials Letters 194 (2017) 16-19.
(48) “Exciton luminescence from Cu2SnS3 bulk crystals”, Naoya Aihara, Yusuke Matsumoto, Kunihiko
Tanaka*, Applied Physics Letters 108 (2016) 092107 (4pages).
(47) “Preparation of monoclinic Cu2SnS3 single crystal by chemical vapor transport with iodine”, Yusuke
Matsumoto, Naoya Aihara, Atsushi Munemura, Kunihiko Tanaka*, Materials Letters 170 (2016)
213-216.
(46) “Effect of UV irradiation on Cu2ZnSnS4 thin films prepared by the solegel sulfurization method”,
3

研究業績一覧 (長岡技術科学大学 田中)
Hayato Miyazawa, Kunihiko Tanaka, Hisao Uchiki, Journal of Alloys and Compounds, 652 (2015)
400-406.
(45) “Donor-acceptor pair recombination luminescence from monoclinic Cu2SnS3 thin film”, Naoya Aihara,
Kunihiko Tanaka, Hisao Uchiki, Ayaka Kanai, and Hideaki Araki, Applied Physics Letters, 107(2015) 032101 (3pages)．
(44)” The effect of dextrin addition during Cu2ZnSnS4 thin film preparation by photochemical deposition”,
Katsuhiko Moriya, Hikaru Shimotsuma, Kunihiko Tanaka, Hisao Uchiki, Physica Status Solidi c, 12(2015) 737-740.
(43) "Effects of Chlorine and Carbon on Cu2ZnSnS4 Thin Film Solar Cells Prepared by Spray Pyrolysis
Deposition ", Kunihiko Tanaka, Minoru Kato, and Hisao Uchiki, Journal of Alloys and Compounds
616 (2014) 492-497.

(42) “Photoluminescence from Cu2ZnSnS4 thin films with different composition fabricated by
sputtering-sulfurization method” Kunihiko Tanaka, Tomokazu Shinji, and Hisao Uchiki, Solar Energy
Material and Solar Cells, 126 (2014) 143-148.
(41) “Cu2ZnSnS4 thin film deposited by sputtering with Cu2ZnSnS4 compound target”, Ryota Nakamura,
Kunihiko Tanaka, Hisao Uchiki, Kazuo Jimbo, Tsukasa Washio, and Hironori Katagiri, Japanese
Journal of Applied Physics 53 (2014) 02BC10 (5 pages).
(40) "Surface Morphology Improvement of Three-dimensional Solar Cell with Cu2ZnSnS4 Absorber ",Kunihiko Tanaka, Masato Kurokawa, Katsuhiko Moriya, and Hisao Uchiki, Journal of Alloys andCompounds 571 (2013) 98–102.
(39) “Investigation of ZnO:Al Window layer of Cu2ZnSnS4 Thin Film Solar Cells Prepared by
Non-Vacuum Processing”, Takumi Aizawa, Kunihiko Tanaka*, Kota Tagami,and Hisao Uchiki,
Physica Status Solidi C 10 (2013) 1050–1054.
(38) “Site-dependent excited state absorption in Ce-doped CaGa2S4 single crystal”, Hisao Uchiki, Shinsaku
Honma, Kunihiko Tanaka, Chiaru Hidaka, Takeo Takizawa, Physica Status Solidi C10 (2013)
1111–1114.
(37) “Face-to-face Annealing Process of Cu2ZnSnS4 Thin Films Deposited By Spray Pyrolysis Method”,
Kunihiko Tanaka, Minoru Kato, Koichi Goto, Yuya Nakano, Hisao Uchiki, Japanese Journal ofApplied Physics, 51 (2012) 10NC26 (4pages).
(36) “Fabrication of 3D structure solar cell with Cu2ZnSnS4”, Masato Kurokawa, Kunihiko Tanaka,
Katsuhiko Moriya, Hisao Uchiki, Japanese Journal of Applied Physics, 51 (2012) 10NC33 (4pages).
(35) “Optical properties of translucent CaGa2S4:Ce films prepared by pulsed laser deposition”, Tsubasa
ISIZAKI, Kunihiko TANAKA, and Hisao UCHIKI, Thin Solid Films 520 (2012) 5219-5221.
(34) “Influence of H2S concentration on the properties of Cu2ZnSnS4 thin films and solar cells prepared bysol-gel sulfurization”, Kazuya, Maeda, Kunihiko Tanaka, Yuki Fukui, Hisao Uchiki, Solar energy
materials and solar cells 95 (2011) 2855-2860.
(33)” H2S Concentration Dependence of Properties of Cu2ZnSnS4 Thin Film Prepared under Nonvacuum
Condition” Kazuya Maeda, Kunihiko Tanaka, Yuya Nakano, Yuki Fukui, and Hisao Uchiki, Japanese
Journal of Applied Physics, 50 (2011) 05FB09 (4 pages).
4

研究業績一覧 (長岡技術科学大学 田中)(32) “Annealing Temperature Dependence of Properties of Cu2ZnSnS4 Thin Films Prepared by Sol-gel
Sulfurization Method”, Kazuya Maeda, Kunihiko Tanaka, Yuya Nakano, and Hisao Uchiki, Japanese
Journal of Applied Physics, 50 (2011) 05FB08 (4 pages).
(31) “Annealing effect of Ce-doped CaGa2S4 synthesized by mechanochemical solid-state reaction”,
Takumi OHTA, Kunihiko TANAKA, and Hisao UCHIKI, Japanese Journal of Applied Physics, 50(2011) 05FB10 (2 pages).
(30)” Chemical composition dependence of morphological and optical properties of Cu2ZnSnS4 thin films
deposited by sol-gel sulfurization and Cu2ZnSnS4 thin film solar cell efficiency”, Kunihiko Tanaka,
Yuki Fukui, Noriko Moritake, Hisao Uchiki, Solar Energy Materials and Solar Cells 95 (2011)838-842.
(29) “Preparation of Ce-doped CaGa2S4 by mechanochemical solid-state reaction”, Takumi OHTA,
Kunihiko TANAKA, and Hisao UCHIKI, Japanese Journal of Applied Physics, 50 (2011) 01BE16 (3pages).
(28) “Dependence on annealing temperature of Cu2ZnSnS4 thin films prepared by sol-gel sulfurizing
method” Kazuya Maeda, Kunihiko Tanaka, Yuki Fukui, Yuya Nakano and Hisao Uchiki, Japanese
Journal of Applied Physics, 50 (2011) 01BE10 (5 pages).
(27) “Orientational photoreactive effects in nematic liquid crystals on silver sulfide thin films”, Akira
Emoto, Kazuya Maeda, Kunihiko Tanaka, Nobuhiro Kawatsuki, and Hiroshi Ono, Applied Physics
Letter 97 (2010) 041919 (3 pages).
(26) “Preparation of Cu2ZnSnS4 Thin Film Solar Cells Under Non-Vacuum Condition “, Noriko Moritake,
Masatoshi Oonuki, Kunihiko Tanaka and Hisao Uchiki: Physica Status Solid C, 6(2009)

1233-1236.
(25) ”Optical Properties of Sn and e Co-doped CaAl2S4 and Application to White Phosphor”, Hiroshi
Sorimachi, Hitoshi Ohta, Kunihiko Tanaka and Hisao Uchiki: Physica Status Solidi C, 6 (2009)1145-1148.
(24) ”Cu2ZnSnS4 Thin Film Solar Cells Prepared by Non-Vacuum Processing”, Kunihiko Tanaka,
Masatoshi Oonuki, Noriko Moritake and Hisao Uchiki, Solar Energy Material & Solar Cells, 93(2009) 583-587.
(23) “Optical and Electrical Properties of Organic Films Prepared by RF Plasma Chemical Vapor
Deposition Using Mixed Naphthalene and Propane Source”, Tengku Nadzlin Bin TENGKUIBRAHIM, Kunihiko Tanaka, and Hisao Uchiki, Japanese Journal of Applied Physics, 47 (2008)
794-796.
(22) “Cu2ZnSnS4 Thin Films Annealed in H2S Prepared by Pulsed Laser Deposition”, Katsuhiko Moriya,
Yusuke Saeki, Kunihiko Tanaka and Hisao Uchiki, Japanese Journal of Applied Physics, 47 (2008)
602-604.
(21) “Pre-Annealing of Precursors of Cu2ZnSnS4 Thin Films Prepared by Sol-Gel Sulfurizing Method”,
Kunihiko Tanaka, Noriko Moritake, Masatoshi Oonuki and Hisao Uchiki, Japanese Journal of Applied
Physics, 47 (2008) 598-601.
(20) “Optical Properties of Cu2ZnSnS4 Thin Films Prepared by Sol–Gel and Sulfurization Method”, Yusuke
5研究業績一覧 (長岡技術科学大学 田中)
Miyamoto, Kunihiko Tanaka, and Hisao Uchiki, Japanese Journal of Applied Physics, 47 (2008)596-597.
(19) “Fabrication of Cu2ZnSnS4 thin film solar cells prepared by pulsed laser deposition”, KatsuhikoMoriya, Kunihiko Tanaka and Hisao Uchiki, Japanese Journal of Applied Physics, 46 (2007)
5780-5781.
(18) “Preparation of Cu2ZnSnS4 thin films by sulfurizing sol-gel deposited precursors”, Kunihiko Tanaka,
Noriko Moritake and Hisao Uchiki, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 91 (2007) 1199-1201.
(17) “Donar-acceptor pair recombination luminescence from Cu2ZnSnS4 bulk single crystals”, Kunihiko
Tanaka, Yusuke Miyamoto, Hisao Uchiki, Keisuke Nakazawa and Hideaki Araki, Physica Status
Solidi A, 203 (2006) 2891-2896.
(16) “Epitaxial growth of Cu2ZnSnS4 thin films by pulsed laser deposition”, Kazuya Sekiguchi,
Kunihiko Tanaka, and Hisao Uchiki, Physica. Status Solidi C, 3 (2006) 2618-2621.
(15) “Characterization of Cu2ZnSnS4 thin films prepared by photo-chemical deposition”, KatsuhikoMoriya, Jyunichi Watabe, Kunihiko Tanaka and Hisao Uchiki, Physica. Status Solidi C, 3 (2006)
2848-2852.
(14) “Nanosecond spectroscopy of Ce-doped CaGa2S4”, Katsuhiko Takayama, Kunihiko Tanaka, Hisao
Uchiki, Chiharu Hidaka, Takeo Takizawa, Physica. Status Solidi C, 3 (2006) 2722-2725.
(13) “Photoluminescence of Pb-doped CaGa2S4”, Takashi Shidara, Toshihiro Dohasi, Yuji Okubo,
Kunihiko Tanaka, Hisao Uchiki, Physica Status Solidi C, 3 (2006) 2743-2745.
(12) “Application of Pb-doped CaGa2S4 as a fluorescent light”, Yuji Okubo, Toshihiro Dohashi, Takashi
Shidara, Kunihiko Tanaka, Hisao Uchiki, Physica Status Solidi C, 3 (2006) 2746-2749.
(11) “Characterization of Cu2ZnSnS4 Thin Films Prepared by Photo-Chemical Deposition”, KatsuhikoMoriya, Kunihiko Tanaka and Hisao Uchiki, Japanese Journal of Applied Physics, 44 (2005) 715-717.
(10) “Optical Properties of Sn-Doped CaGa2S4”, Toshihiro Dohashi, Kunihiko Tanaka and Hisao Uchiki,Japanese Journal of Applied Physics, 44 (2005) 772-773.
(9) “Preparation of Ce-doped CaGa2S4 Crystals by Melting Method and Their Optical Properties”,
Katsuhiko Takayama, Kunihiko Tanaka and Hisao Uchiki, Japanese Journal of Applied Physics, 44(2005) 729-731.
(8) “Up conversion Luminescence of Rare-Earth-Doped CaGa2S4”, Fumio Hamano, Kunihiko Tanaka and
Hisao Uchiki, Japanese Journal of Applied Physics, 44 (2005) 769-771.
(7) “Optical second-harmonic generation from CuGaS2 (112) bulk single crystals”, Kunihiko Tanaka,Hisao Uchiki, Optics Communications 193 (2001) 313-317.
(6) “Biexciton Luminescence from CuGaS2 Bulk Single Crystals”, Kunihiko Tanaka, Hisao Uchiki,
Seishi Iida, Tomoaki Terasako and Sho Shirakata, Solid State Communications, 144 (2000) 197-201.
(5) “Observation of Biexciton Luminescence from CuGaS2 Bulk Single Crystals”, Kunihiko Tanaka,Hisao Uchiki, Seishi Iida, Tomoaki Terasako, Sho Shirakata, Shigehiro Isomura, Japanese Journal ofApplied Physics, 39 (2000) 110-111.
(4) “Decay Properties of Photoluminescence Lines in CuGaS2 Crystals”, Tomoaki Terasako, Kunihiko6

研究業績一覧 (長岡技術科学大学 田中)
Tanaka, Sho Shiralata, Hisao Uchiki and Shigehiro Isomura, Japanese Journal of Applied Physics, 39(2000) 112-113.
(3) “Picosecond Time-Resolved Spectroscopy of Exciton Systems in CuGaS2 Bulk Single Crystals”,
Kunihiko Tanaka, Hisao Uchiki and Seishi Iida, Japanese Journal of Applied Physics, 38 (1999)
1329-1333.
(2) “Decay Characteristics of Photoluminescence Lines in CuGaS2 Crystals”, Tomoaki Terasako, Hiroshi
Umiji, Kunihiko Tanaka, Sho Shirakata, Hisao Uchiki and Shigehiro Isomura, Japanese Journal ofApplied Physics, 38 (1999) L805-L807.
(1) “Study on Photoacoustic Signals from Powdered samples”, Takehumi Oka, Kunihiko Tanaka, Taichi
Tokunaga, Takashi Nakamura, Tomohiro Irii and Makoto Yamazaki, Japanese Journal of Applied
Physics, 37 (1998) 1919-1925.
3. 原著論文(査読無し)(69) Current Status of Earth-Abundant Cu2SnS3-Based Materials for Next-Generation Solar Cells, Ayaka
Kanai, Taichi Tosuke, Mutsumi Sugiyama, Hideaki Araki and Kunihiko Tanaka, 2023 30th International
Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD), Kyoto, Japan, 2023, pp. 49-52.
(68) 発光分光による Cu ハライド薄膜の欠陥の検討、藤島睦、田中久仁彦、渡辺海斗、辻本直哉、
電子情報通信学会技術研究報 vol 121 No 259 (2021) 13-16, 2021 年 11 月 18 日.
(67) 溶液塗布法による Cu-Sn-Si-S 薄膜の作製，阿部 矩方, 乙川 大樹, 田中 久仁彦，平成 30 年度 応用物理学会 多元系化合物・太陽電池研究会

年末講演会論文集, pp. 35-38，2019 年 1

月 15 日．
(66) 微粒子塗布法による Cu-Sn-Si-S 薄膜の作製，レ フー ギア，阿部 矩方，田中 久仁彦，平成30 年度 応用物理学会 多元系化合物・太陽電池研究会 年末講演会論文集, pp. 39-42，2019
年 1 月 15 日．
(65) ゾルゲル硫化法による Cu2Sn1-xGexS3 薄膜の作製法の検討，山本 恭平， 田中 久仁彦, 平成
30 年度 応用物理学会 多元系化合物・太陽電池研究会 年末講演会論文集,

pp. 43-46，2019

年 1 月 15 日．
(64) ミスト CVD 法による Cu2SnS3 薄膜作製の試み，木幡 真緒， 吉久 史貴， 田中 久仁彦，平成 30 年度 応用物理学会 多元系化合物・太陽電池研究会 年末講演会論文集, pp. 47-50，
2019 年 1 月 15 日．
(63) 溶液塗布法による CuBr1-xIx/ZnO ナノロッド透明微細構造 pn 接合の作製，手塚尚人，森 涼太，今村俊貴，田中久仁彦，平成 30 年度 応用物理学会 多元系化合物・太陽電池研究会 年
末講演会論文集 pp. 61－64，2019 年 1 月 15 日．
(62) CuBr1-xIx 薄膜発光スペクトルの組成比依存，今村 俊貴，手塚 尚人，森 涼太，田中 久仁彦，
平成 30 年度 応用物理学会

多元系化合物・太陽電池研究会 年末講演会論文集 pp. 65-68，

2019 年 1 月 15 日．
(61) フォトニック結晶共振器の形成と共振器上の量子ドットの発光特性に関する研究 ，松冨俊貴，
林 武司，髙松良春，田中久仁彦，安井寛治，電子情報通信学会技術研究報 vol. 118, no. 276,
CPM2018-41, pp. 69-74, 2018 年 11 月 14 日.
7研究業績一覧 (長岡技術科学大学 田中)(60) CuBr1-xIx 薄膜と ZnO ナノロッドを用いた透明微細構造 pn 接合の作製，手塚尚人，森 涼太，
今村俊貴，田中久仁彦，電子情報通信学会技術研究報 vol. 118, no. 276, CPM2018-41, pp. 1-4,
2018 年 11 月 14 日.
(59) 発光分光法による Cu2ZnSnS4 の欠陥低減機構の検討，髙松良春，田中久仁彦， 平成 29 年度
多元系化合物・太陽電池研究会年末講演会 文集 p.13-16．
(58) ゾルゲル硫化法により作製した Cu2ZnSnS4 薄膜における表面処理方法の検討，大野 彩，宗村 篤, 田中 久仁彦，
成 29 年度多元系化合物・太陽電池研究会 年末講演会 論文集 p. 17-20．
(57)ゾルゲル法による硫化すず薄膜の作製 iv，大前洸斗，江口陽人，田中久仁彦，平成 28 年度 多元系化合物・太陽電池研究会年末講演会 講演論文集， p.47-50．
(56)ヨウ素輸送法による Cu2Sn1-xGexS3 バルク結晶の作製と評価，松本祐典，粟飯原直也，田中久仁彦，平成 28 年度 多元系化合物・太陽電池研究会年末講演会 講演論文集， p.56 -59．
(55) 溶液塗布法による銅ハライド透明薄膜の作製と評価，原田大雅，田尾翔子，今村俊貴，森谷克彦，田中久仁彦，平成 28 年度 多元系化合物・太陽電池研究会年末講演会

講演論文集，

p.67-70．
(54) 同時蒸着法を用いた Cu2SnS3 薄膜の Na 添加効果, 金井綾香，田中久仁彦，片桐裕則，荒木秀明, 平成 27 年度多元系化合物・太陽電池研究会年末講演会 論文集 p. 125-128．
(53) ゾルゲル法による不純物添加 NiO 薄膜の作製，粉川えみい，田中久仁彦，平成 27 年度多元系化合物・太陽電池研究会年末講演会 論文集 p. 100-103．
(52) ゾルゲル硫化法により作製した Cl フリーCu2ZnSnS4 薄膜の作製条件最適化，宮澤勇斗, 岡本
崇義, 田中久仁彦，平成 27 年度多元系化合物・太陽電池研究会年末講演会 論文集 p. 92-95．
(51) 発光分光による Cu2ZnSnS4 薄膜中における欠陥の調査，三浦進也，髙松 良春， 田中久仁彦，
平成 27 年度多元系化合物・太陽電池研究会年末講演会 論文集 p. 96-99．
(50) Cu2SnS3 バルク結晶の励起子発光, 粟飯原直也,松本 祐典, 田中 久仁彦，平成 27 年度多元系
化合物・太陽電池研究会年末講演会 論文集 p. 104-107．
(49) Cl フリー溶液を用いてゾルゲル硫化法により作製した Cu2ZnSnS4 薄膜の品質改善, 宮澤勇
斗・岡本崇義・田中久仁彦，電子情報通信学会 信学技報

Vol.115 No.297 IEICE

Technical

Report CPM2015-83-CPM2015-102 (2015-11) p.1-4.
(48) 非真空プロセスによる銅ハライド透明薄膜の作製, 田尾翔子・原田大雅・田中久仁彦,森谷克彦 （ 鶴 岡 高 専 ）， 電 子 情 報 通 信 学 会 信 学 技 報

Vol.115 No.297 IEICE

Technical Report

CPM2015-83-CPM2015-102 (2015-11) p.25-28.
(47) スプレー熱分解法による Cl フリーCu2ZnSnS4 薄膜太陽電池の作製，加藤実，田中久仁彦，
打木久雄，平成 25 年度応用物理学会 多元系機能材料研究会成果報告集 p.29-32.
(46) Cu2ZnSnS4 を用いた 3 次元構造太陽電池 nc-TiO2 層の粒径依存性，長沼萌壮，田中久仁彦，
打木久雄，森谷克彦，平成 25 年度応用物理学会 多元系機能材料研究会成果報告集 p.33-36.
(45) Ce 添加 Ca3Sc2Si3O12 の発光特性，高橋健伍、田中久仁彦、打木久雄，平成 25 年度応用物理学会 多元系機能材料研究会成果報告集 p.57-60.
(44) Cu2ZnSnS4 薄膜発光スペクトルの組成比依存，進士智一，田中久仁彦，中村竜太，打木久雄，
神保和夫，鷲尾司，片桐裕則，平成 24 年度応用物理学会 多元系機能材料研究会成果報告集 p.
10-13.
8

研究業績一覧 (長岡技術科学大学 田中)(43) ゾルゲル硫化法を用いた Cu2ZnSnS4 薄膜の作製における塩素フリー溶液の検討，佐久間広太，
田中久仁彦，打木久雄，平成 24 年度応用物理学会 多元系機能材料研究会成果報告集 p. 48-51.
(42) 急速加熱法を用いた Cu2ZnSnS4 の薄膜改善，中野裕也，田中久仁彦，打木久雄，平成 24 年
度応用物理学会 多元系機能材料研究会成果報告集 p. 52-55.
(41) スパッタ法で作製した Cu2ZnSnS4 薄膜の単元、三源ターゲットによる違いの検討，中村竜太，
田中久仁彦，打木久雄，神保和夫，鷲尾司，片桐裕則，平成 24 年度応用物理学会 多元系機能材料研究会成果報告集 p. 56-59.
(40) Cu2SnS3 薄膜の発光スペクトルの観測，後藤祐輔，田中久仁彦，打木久雄，粟飯原直也，荒木秀明，平成 24 年度応用物理学会 多元系機能材料研究会成果報告集 p.69-72.
(39) 非真空プロセスによる Cu2ZnSnS4 薄膜太陽電池の作製～窓層堆積条件検討による効率の改善～, 田中久仁彦, 相澤卓実, 打木久雄, 電子情報通信学会 信学技報 Vol.112 No.265 IEICE
Technical Report CPM2012-93-CPM2012-111 (2012-10) p.17-22.
(38) Cu2ZnSnS4 を用いた三次元構造太陽電池の作製, 黒川真登, 田中久仁彦, 加藤実, 長沼萌壮,
長橋由樹, 打木久雄, 電子情報通信学会 信学技報 Vol.112 No.265 IEICE

Technical Report

CPM2012-93-CPM2012-111 (2012-10) p.23-28.
(37) 塩素フリー溶液を用いたゾルゲル硫化法による Cu2ZnSnS4 薄膜の作製, 佐久間広太, 田中久仁彦, 相澤卓実, 中野裕也, 打木久雄, 電子情報通信学会 信学技報 Vol.112 No.265 IEICE
Technical Report CPM2012-93-CPM2012-111 (2012-10) p.29-32.
(36) 急速加熱法を用いた非真空下での Cu2ZnSnS4 の作製, 前田和也、田中久仁彦、中野裕也、
打木久雄, 平成 22 年度応用物理学会 多元系機能材料研究会成果報告集 p.50-53.
(36) Cu2ZnSnS4 薄膜太陽電池における部分電界処理効果, 田上皓太、田中久仁彦、打木久雄、
平成 22 年度応用物理学会 多元系機能材料研究会成果報告集 p.46-49.
(35) Cu2ZnSnS4 を用いた 3D セル構造太陽電池の作製, 舘健一、田中久仁彦、打木久雄、平成 22
年度応用物理学会 多元系機能材料研究会成果報告集

p.42-45.

(34) Fe 添加 CZTS の作製、伊藤圭祐、田中久仁彦、打木久雄、平成 22 年度応用物理学会 多元系機能材料研究会成果報告集 p.38-41.
(33) CaGa2S4：Ce3+の励起状態吸収スペクトル、本間晋作、打木久雄、田中久仁彦、日高千春、
滝沢武男、平成 22 年度応用物理学会 多元系機能材料研究会成果報告集 p.35-37.
(32) Ce 添加 CaGa2S4 のメカノケミカル合成と活性化、太田拓実、田中久仁彦、打木久雄
平成 22 年度応用物理学会 多元系機能材料研究会成果報告集 p.31-34.
(31) ゾルゲル・硫化法を用いたCu2ZnSnS4薄膜の硫化温度依存性、前田和也，田中久仁彦，打木久雄，福井雄貴、平成21年度応用物理学会 多元系機能材料研究会成果報告集

p.23-26.

(30) 非真空プロセスによるCu2ZnSnS4薄膜の作製及び硫化水素濃度依存性、福井雄貴，田中久仁彦，打木久雄、平成21年度 応用物理学会 多元系機能材料研究会成果報告集

p.55-58.

(29) 非真空プロセスによるCu2ZnSnS4薄膜太陽電池の作製及び変換効率のCdS界面層堆積時間依存性: 福井雄貴，森竹典子，田中久仁彦，打木久雄，平成20年度応用物理学会多元系機能性材料研
究会成果報告集 p.67-70.
(28) ディップコート法を用いたゾルゲル・硫化法によるCu2ZnSnS4薄膜太陽電池の作製 ～膜厚分
布の基板角度依存～: 松井隆，田中久仁彦，打木久雄，平成20年度応用物理学会多元系機能性9研究業績一覧 (長岡技術科学大学 田中)
材料研究会成果報告集 p.79-82.
(27) 環境調和型半導体を用いた3D セル構造太陽電池作製の試み，佐伯勇輔，田中久仁彦，打木久雄，平成20年度応用物理学会多元系機能性材料研究会成果報告集 p.83-86.
(26) Ce 添加CaGa2S4 単結晶の近赤外域の励起状態吸収，内田貴史，反町裕，田中久仁彦，打木久雄，日高千晴，滝沢武男，平成20年度応用物理学会多元系機能性材料研究会成果報告集
p.129-132.
(25) Ce 添加CaGa2S4 ナノ微粒子化の試み，知久晃治，田中久仁彦，打木久雄，平成20年度応用物
理学会多元系機能性材料研究会成果報告集 p.133-136.
(24) Optical Properties of Sn-doped and Sn:Ce-codoped CaAl2S4 and Application to White Light Emitting
Phosphor， 反町裕，太田均，田中久仁彦，打木久雄，平成20年度応用物理学会多元系機能性材
料研究会成果報告集 p.137-140.
(23) Sn 添加 CaAl2S4 の光学特性，太田均，田中久仁彦，打木久雄，電子情報通信学会 信学技報
Vol.107 No.325 IEICE Technical Report CPM2007-107 (2007-11) p.93-96.
(22) Cu2ZnSnS4 のバルク単結晶とゾル－ゲル・硫化法で作製した薄膜の光学特性，宮本 裕介，田中

久仁彦，大貫

雅敏，森竹

典子，打木

久雄，電子情報通信学会 信学技報

Vol.107No.325 IEICE Technical Report CPM2007-107 (2007-11) p.73-77.
(21) PCD 法による Cu2ZnSnS4 を用いた 3D セル構造の作製，森谷克彦，佐伯勇輔，田中久仁彦，
打木久雄，2007 年(平成 19 年)電子情報通信学会技術研究報告 信学技報 Vol.107 No.325 IEICE
Technical Report CPM2007-120 (2007-11) p.83-87.
(20) ゾルゲル･硫化法による Cu2ZnSnS4 薄膜太陽電池の作製と評価，大貫雅俊，森竹典子，田中久仁彦，打木久雄，2007 年(平成 19 年)電子情報通信学会技術研究報告 信学技報 Vol.107 No.325
IEICE Technical Report

CPM2007-120 (2007-11) p.79-82.

(19) RF プラズマ堆積法により作製した有機薄膜の電気的特性･光学的特性，テンクー ナズリン
ビン テンクー イブラヒム，田中 久仁彦， 打木 久雄，2007 年(平成 19 年)電子情報通信学会
技 術 研 究 報 告 信 学 技 報 Vol.107 No.325 IEICE Technical Report

CPM2007-120 (2007-11)

p.13-17.
(18) PLD法によるEuGa2S4薄膜の作製と評価，金田 亮平，田中 久仁彦，打木 久雄，2007年(平成19年)電子情報通信学会技術研究報告 信学技報 Vol.107 No.325 IEICE Technical Report
CPM2007-120 (2007-11) p.89-92(17) “Emission and Absorption Lines of Free and Bound Excitons in CuGaS2 Crystals”, Tamao Matsumoto,
Takahiro Shimojo, Tomoaki Terasako, Kunihiko Tanaka, Nozomu Tsuboi and Seishi Iida: Proceedingsof 11th Int. Conf Ternary & Multinary Compounds Institute of Physics Conference Series, 152 (1998)
401-404.
(16) 非真空プロセスによる Cu2ZnSnS4 薄膜太陽電池の作製, 田中久仁彦，大貫雅俊，森竹典子，
打木久雄，平成 18 年度応用物理学会多元系機能性材料研究会成果報告集 P19-22.
(15) Ce または Eu 添加 CaGa2S4 の励起状態吸収，サミール ママドフ，高山勝彦，田中久仁彦，
打木久雄，平成 18 年度応用物理学会多元系機能性材料研究会成果報告集 p 100-103.
(14) パルスレーザ堆積法による Cu2ZnSnS4 薄膜の作製と評価（IV），関口和哉，田中久仁彦，Ahamad
ADZWAN，森谷克彦，打木久雄，平成 17 年度応用物理学会多元系機能性材料研究会成果報告10研究業績一覧 (長岡技術科学大学 田中)
集 P26-29.
(13) PCD 法で作製した Cu2ZnSnS4 プリカーサの硫化，森谷克彦，渡部淳一，田中久仁彦，打木久雄，平成 17 年度応用物理学会多元系機能性材料研究会会成果報告集 P30-33.
(12) 光-化学溶液堆積(PCD)法による Cu2ZnSnS4 薄膜の作製と評価(II)，渡部淳一，森谷克彦，田中久仁彦，打木久雄，平成 17 年度応用物理学会多元系機能性材料研究会会成果報告集 P34-37.
(11) Cu2ZnSnS4 バルク単結晶からの DA ペアー発光，田中久仁彦，宮本裕介，打木久雄，中澤圭介，
荒木秀明，平成 17 年度応用物理学会多元系機能性材料研究会会成果報告集 P54-57.
(10) Pb 添加 CaGa2S4 の時間分解スペクトル，設楽宗史，大久保裕司，田中久仁彦，打木久雄
平成 17 年度応用物理学会多元系機能性材料研究会会成果報告集 P58-61.
(9) Ce 添加 CaGa2S4 結晶のナノ秒ポンプ－プローブ分光，高山勝彦，田中久仁彦，打木久雄, 日高
千晴，滝沢武男，平成 17 年度応用物理学会多元系機能性材料研究会成果報告集 P150-153.
(8) 光-化学溶液堆積法(PCD 法)による Cu2ZnSnS4 薄膜の作製と評価，

渡部淳一，森谷克彦，

中野泰孝，田中久仁彦，打木久雄，平成 16 年度応用物理学会多元系機能材料研究会成果報告
集 P58-61.
(7) パルスレーザ堆積法による Cu2ZnSnS4 薄膜の作製と評価(III)，関口和哉，森谷克彦，中野泰孝，
田中久仁彦，打木久雄，平成 16 年度応用物理学会多元系機能材料研究会成果報告集 P40-43(6) PLD 法による Cu2ZnSnS4 薄膜の作製と評価（II），森谷克彦，田中久仁彦，打木久雄
平成 15 度年３元・多元機能性材料研究会成果報告集 P73-76.
(5) 希土類添加 CaGa2S4 のアップコンバージョン発光， 浜野文雄，田中久仁彦，打木久雄
平成 15 度年 ３元・多元機能性材料研究会成果報告集 P45-48.
(4) 溶融法による Ce 添加 CaGa2S4 の作製とその光学特性，高山勝彦，田中久仁彦，打木久雄
平成 15 度年３元・多元機能性材料研究会成果報告集 P41-44.
(3) Ce 添加 CaGa2S4 微粒子の発光特性，浪江寿典，田中久仁彦，打木久雄
平成 13 年度三元多元機能性材料研究会成果報告集 P93-96.
(2) CuGaS2 励起子発光の強励起効果，田中久仁彦，打木久雄，寺迫智昭，白方祥，磯村滋宏
平成 10 年度三元多元機能性材料研究会成果報告集 P15-18.
(1) CuGaS2 の励起子のピコ秒時間分解発光分光，田中久仁彦，打木久雄，飯田誠之，平成 9 年度
三元多元機能性材料研究会成果報告集 P41-44.

11

研究業績一覧 (長岡技術科学大学 田中)
4．国際学会(88)“Preparation and characterization of Cu2SnS3 thin films by alkali metal addition”, Jun Sakai, Mitsuki
Nakashima, Rei Ohashi, Ryodai Ichihara, Ayaka Kanai, and Kunihiko Tanaka, 8th STI-Gigaku2023,
City Hall Plaza Aore Nagaoka, Nagaoka, STI-9-30, 2023/11/06 (2023) (poster).
(87)“Enhancement of National Institute of Technology education through collaborative study on
environmentally friendly thin-film solar cells and creation of continuable study environment”, Satomi
Hasegawa, Tomoki Ishida, Kensuke Murayama, Konon Kudou, Yudai Seino, Furii Kuroda, Ren Saitou,
Yuuki Igarashi, Hirotaka Maeta, Ayaka Kanai, Kunihiko Tanaka, Takeshi Hoga, Masaru Tanaka, andKatsuhiko Moriya, 8th STI-Gigaku2023, City Hall Plaza Aore Nagaoka, Nagaoka, STI-7-13,
2023/11/06 (2023) (poster).
(86)“Composition control of CdZnS buffer layers by open-air chemical vapor deposition”, Hayato Matsui,
Tatsuya Morino, Daiki Kobayashi, Yuji Kurimoto, Tamotsu Okamoto, Hideaki Araki, Ayaka Kanai,
Kunihiko Tanaka, 8th STI-Gigaku2023, City Hall Plaza Aore Nagaoka, Nagaoka, STI-7-1, 2023/11/06(2023) (poster).
(85)“Investigation of heat treatment conditions for (Ge,Sn)S thin films fabricated using co-evaporation
method”, Sora Daimon, Takeshi Tasaki, Sanni Malkki, Yuji Kurimoto, Tamotsu Okamoto, Ayaka Kanai,
Kunihiko Tanaka, Hideaki Araki, 8th STI-Gigaku2023, City Hall Plaza Aore Nagaoka, Nagaoka,
STI-7-12, 2023/11/06 (2023) (poster).
(84)“Investigation of basic physical properties in Cu2Sn1-xGexS3 by observation of photoluminescence”,
Ryoma Hata, Ayaka Kanai, Mutsumi Sugiyama, Kunihiko Tanaka, The 33rd International Photovoltaic
Science and Engineering Conference (PVSEC-33), TuP-32-18Nov 15, 2022, Aichi, Japan.
(83)“Observation of photoluminescence in Cu2Sn1-xSixS3 bulk crystals”, Kazuhiro Iwasaki, Ayaka Kanai,
Kunihiko Tanaka, The 33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference(PVSEC-33), TuP-32-19, Nov 15, 2022, Aichi, Japan.
(82)“Influence of Ge/(Ge+Sn) ratio on morphology and structure properties of Cu2(Sn1-xGex)S3 film”,
Ayaka Kanai, Ryoma Hata, Mutsumi Sugiyama, Kunihiko Tanaka, The 33rd International Photovoltaic
Science and Engineering Conference (PVSEC-33), TuP-32-13, Nov 16, 2022, Aichi, Japan.
(81) “Investigation of cover annealing of Cu2SnS3 thin films prepared by dual-source fine channel mist
CVD method”, Kazuya Okamura, Ren Saito, Ayaka Kanai, Kunihiko Tanaka, The 33rd International
Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-33), TuP-32-20, Nov 16, 2022, Aichi,
Japan.
(80)”Fabrication of Cu2Sn1-xSixS3 thin films by thermal evaporation method” , Kazuhiro Sugai, Ayaka
Kanai, Kunihiko Tanaka, The 33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference(PVSEC-33), TuP-32-21, Nov 16, 2022, Aichi, Japan.
(79) “Fabrication of monolithic integrated CTS thin film solar cells”, Masaya Takahashi, Takeshi Tasaki,
Daiki Motai, Yoji Akaki, Yuji Kurimoto, Tamotsu Okamoto, Ayaka Kanai, Kunihiko Tanaka, Hideaki
Araki, 7th STI‐Gigaku2022, City Hall Plaza Aore Nagaoka, Nagaoka, Nov. 18-19, (2022) (poster),
STI-7-19, page 70.
(78) “Deposition of ZnS and CdZnS buffer layers by open-air chemical vapor deposition for compound12研究業績一覧 (長岡技術科学大学 田中)
semiconductor solar cells”, Daiki Kobayashi, Yuji Kurimoto, Tamotsu Okamoto, Hideaki Araki, Ayaka
Kanai, Kunihiko Tanaka, 7th STI‐Gigaku2022, City Hall Plaza Aore Nagaoka, Nagaoka, Nov. 18-19,(2022) (poster), SIT-7-4, page 55.
(77) “Effect of Annealing Temperatures on Ag8SnS6 Thin Films”, Ryuki Munekata, Tomohiro Uchimura,
Hideaki Araki, Ayaka Kanai, Kunihiko Tanaka, Tomoichiro Okamoto, Yoji Akaki, 7th STI‐Gigaku2022,
City Hall Plaza Aore Nagaoka, Nagaoka, Nov. 18-19, (2022) (poster), STI-7-5, page 56.
(76) “Influence of Ge inclusion on surface morphologies of Cu2(Sn1-xGex)S3 films grown by sulfurizationof Cu/Sn-S precursors”, Mutsumi Sugiyama, Ayaka Kanai, Kunihiko Tanaka, 2022 MRS Fall Meeting& Exhibit, Boston, EQ04.11, Nov.27-Dec.2. (poster)(75) “Fabrication of Cu2SnS3 based thin-film solar cells and modules”, M. Takahashi, T. Tasaki, D. Motai,
Y. Akaki, Y. Kurimoto, T. Okamoto, A. Kanai, K. Tanaka, H. Araki, The 1st KOSEN ResearchInternational Symposium (KRIS2023), Hitotsubashi Hall, Tokyo, Mar.1-2(2023). (poster), No149(74) “Effect of Annealing Temperatures and Times on Ag8SnS6 Thin Films”, R. Munekata, T. Uchimura, H.
Araki, A. Kanai, K. Tanaka, T. Okamoto, and Y. Akaki, The 1st KOSEN Research International
Symposium (KRIS2023), Hitotsubashi Hall, Tokyo, Mar.1-2(2023). (poster), No177(73) “Preparation of CuCl1-xIx thin film and examination of composition dependence by spin coating
method”, Daisuke Honma, Yuhei Sato, Kunihiko Tanaka, Nobuo Saito, Katsuhiko Moriya, 2021
International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies,
June 1-3, 2021, P1-25, on web site, Japan.
(72) “Improvement of the film surface of CTS thin film by pure water etching”, Yuki Igarashi, Takuya
Tomono, Kunihiko Tanaka, Katsuhiko Moriya, 2021 International Symposium on Organic andInorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies, June 1-3, 2021, P1-30, on web site,
Japan.
(71) “Deposition of Cu-Sn precursors on Mo-coated substrates by fine channel mist CVD method toprepare Cu2SnS3 thin films”, Takuya Tomono, Kazuya Okamura, Kunihiko Tanaka, 2021 International
Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies, June 1-3,
2021, P1-26, on web site, Japan.
(70) “Investigation of Cu/IV ratio dependence of CuxSn1-yGeyS3 by photoluminescence observation”,
Tsukasa Abe, Kunihiko Tanaka, 2021 International Symposium on Organic and Inorganic Electronic
Materials and Related Nanotechnologies, June 1-3, 2021, P1-27, on web site, Japan.
(69) “Preparation of CuBr1-xIx /buffer layer/ ZnO nanorods transparent solar cell”, Kaito Watanabe, Ryota
Mori, Kunihiko Tanaka, 2021 International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials
and Related Nanotechnologies, June 1-3, 2021, P1-28, on web site, Japan.
(68) “Photoluminescence from Cu2SnS3 thin films depend on sulfurization temperature”, Shogo Miyagi,
Kunihiko Tanaka, Daiki Motai, Ryota Ohashi, Kanata Watanabe, Yoko Hosokawa, Hideaki Araki, 2021
International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies,
June 1-3, 2021, P2-31, on web site, Japan.
(67) “Fabrication and investigation of CuCl1-xIx thin film by spin coating method”, Yuhei Sato, Kunihiko
Tanaka, Katsuhiko Moriya, Fabrication and investigation of CuCl1-XIX thin film by spin coating method,13研究業績一覧 (長岡技術科学大学 田中)
Yuhei Sato, Kunihiko Tanaka, Katsuhiko Moriya, 2019 International Symposium on Organic andInorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies, June 20-22, 2019, P3-1, Nagano, Japan.
(66) “Fabrication of Cu2SnS3 (CTS) by solution deposition method” Kazuhiro Sugai, Amane Abe, Takuya
Tomono, Kunihiko Tanaka, Katsuhiko Moriya, 2019 International Symposium on Organic andInorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies, June 20-22, 2019, P3-2, Nagano, Japan.
(65) “Application to characteristics investigation of Cu-Sn-S (CTS) by terahertz spectroscopy”, Takuya
Tomono, Amane Abe, Toshiki Hujita, Tetsuo Sasaki, Katsuhiko Moriya, Kunihiko Tanaka and Arata
Yasuda, 2019 International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related
Nanotechnologies 9, June 20-22, 2019, P3-3, Nagano, Japan.
(64) “Fabrication and evaluation of Ag8SnS6 photoelectrode by fine particle coating technique”, Le Nguyen
Gia Phuc, Kunihiko Tanaka, 2019 International Symposium on Organic and Inorganic Electronic
Materials and Related Nanotechnologies, June 20-22, 2019, P3-10, Nagano, Japan.
(63) “Preparation of monoclinic Cu2SnS3 thin film by mist CVD method”, Mao Kowata, Fumitaka Yosihisa,
Kunihiko Tnanaka, 2019 International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials andRelated Nanotechnologies, June 20-22, 2019, P3-12, Nagano, Japan.
(62) “Fabrication of Cu2Sn1-xGexS3 thin film by sol-gel sulfurization method”, Kyouhei Yamamoto,
Kunihiko Tanaka, International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related
Nanotechnologies, June 20-22, 2019, P3-13, Nagano, Japan.
(61) “Effect of fine structure on CuBr1-xIx / ZnO nanorod transparent pn Junction”, Ryota MORI, NaotoTEZUKA, Toshiki IMAMURA, Kunihiko TANAKA, 2019 International Symposium on Organic andInorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies, June 20-22, 2019, P3-14, Nagano, Japan.
(60) “Characterization of (NaxCu1-x)ySnS3 by photoluminescence measurement”, Takahiro Maeda, Hideaki
Araki, Kunihiko Tanaka, 2019 International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials
and Related Nanotechnologies, June 20-22, 2019, P3-14, Nagano, Japan.
(59) "The influence of optical absorbing layer thickness on measurement accuracy in inverted structureorganic position-sensitive detectors" Taichiro Morimune, Hirotake Kajii, Asuma Kida, Masato Miyoshi,
Kiyohito Fukuda, Kunihiko Tanaka, Harunori Fujita, 2017 International Conference on Solid State
Devices and Materials (SSDM2017), September 19-22, 2017, PS-10-10, Sendai International Center(58) “Tepmerature-dependent absorption spectra of Cu2SnS3 thin Films”, Naoya Aihara, Hideaki Araki,
and Kunihiko Tanaka, 27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference(PVSEC-27), November 12 - 17, 2017, Lake Biwa Otsu Prince Hotel, Shiga, Japan, 2TuPo.86(57) “Preparation of Cu2SnS3 (CTS) Thin Film by Photo Chemical Deposition”, Amane Abe, KatsuhikoMoriya, Takeshi Houga, Kunihiko Tanaka, 2017 International Symposium on Organic and Inorganic
Electronic Materials and Related Nanotechnologies, June 18-21, 2017, Fukui, Japan, PO1-15.
(56) “Effect of Annealing Conditions of Cu2ZnSnS4 Thin Films Prepared by Dip Coating”, Yusuke Togashi,
Katsuhiko Moriya, Takeshi Houga, Kunihiko Tanaka, 2017 International Symposium on Organic andInorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies, June 18-21, 2017, Kanazawa, Fukui,
PO1-16.
(55) “Investigation of Photoluminescence from Cu2ZnSnS4 Depending on Growth Temperature”,
14

研究業績一覧 (長岡技術科学大学 田中)
Yoshiharu Takamatsu, Kunihiko Tanaka, 2017 International Symposium on Organic and Inorganic
Electronic Materials and Related Nanotechnologies,June 18-21, 2017, Fukui, Japan, PO1-40.
(54) “Preparation of Transparent CuI-CuBr Alloy Thin Films with Solution Processing”, Taiga Harada,
Shoko Tao, Toshiki Imamura, Katsuhiko Moriya, Nobuo Saito, Kunihiko Tanaka, 2017 International
Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies, June 18-21,
2017, Fukui, Japan, PO1-50.
(53) “Cl-free CZTS Thin Film Solar Cell Fabricated by Non-Vacuum Process”, Atsushi Munemura,
Kyouhei Yamamoto, Kunihiko Tanaka, 2017 International Symposium on Organic and Inorganic
Electronic Materials and Related Nanotechnologies, June 18-21, 2017, Fukui, Japan, PO1-51.
(52) “Fabrication of SnS Films Deposited by the Sol-Gel Method”, Hiroto Oomae, Takahito Eguchi,
Kunihiko Tanaka, 2017 International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials andRelated Nanotechnologies, June 18-21, 2017, Fukui, Japan, PO2-37.
(51) “Chemical Composition Dependence of Photoluminescence from Cu2ZnSnS4 Thin Films withpotential fluctuation”, Kunihiko Tanaka, Yoshiharu Takamatsu, Shinya Miura, International Conference
on Ternarly and Multinary Compounds 20, September 5-9, 2016, Halle, Germany, Ref 18.
(50) “Synthesis and characterization of Cu2Sn1-xGexS3”, Hideaki Araki, M Yamano, Naoya Aihara,
Kunihiko Tanaka, International Conference on Ternarly and Multinary Compounds 20, September 5-9,
2016, Halle, Germany, Ref 44.
(49) “Photoluminescence characterization of Cu2GeS3 bulk crystals”, Naoya Aihara, Yusuke Matsumoto,
Kunihiko Tanaka, International Conference on Ternarly and Multinary Compounds 20, September 5-9,
2016, Halle, Germany, Ref 64.
(48) “Synthesis of Sn Doped Zn2Si0.9Ti0.1O4 Phosphor Prepared by Sol-gel Method”, Hiroto Oomae, Keita
Watabe, Kunihiko Tanaka, 2015 International Symposium on Organic and Inorganic Electronic
Materials and Related Nanotechnologies, June 16-19, 2015, Niigata, Japan, P2-73.
(47) “Preparation of Cu2ZnSnS4 Thin Films for Solar Cell Absorber by Photochemical Deposition”, Hikaru
Shimotsuma, Katsuhiko Moriya, Takeshi Houga, Kunihiko Tanaka, 2015 International Symposium on
Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies, June 16-19, 2015, Niigata,Japan, P1-77.
(46) “Photoluminescence characterization of monoclinic Cu2SnS3 thin film”, Naoya Aihara, Kunihiko
Tanaka, Ayaka Kanai, and Hideaki Araki, 2015 International Symposium on Organic and Inorganic
Electronic Materials and Related Nanotechnologies, June 16-19, 2015, Niigata, Japan, P1-39.
(45) “Effects on Cu2ZnSnS4 Optical Absorbing Layer of Partial Electrolyte”, Takayoshi Okamoto, Hiroki
Ogawa, Kunihiko Tanaka, 2015 International Symposium on Organic and Inorganic Electronic
Materials and Related Nanotechnologies, June 16-19, 2015, Niigata, Japan, P1-35.
(44) “Improvement of conversion efficiency of three-dimensional Cu2ZnSnS4 solar cell due to elapsedtime”, Takamichi Ishiyama, Yoshiki Nagahashi, Kunihiko Tanaka, Katsuhiko Moriya, 2015
International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies,
June 16-19, 2015, Niigata, Japan, P1-34.
(43) “Excited state absorption in Ce-doped Ca3Sc2Si3O12 opaque polycrystalline disc observed by reflective15研究業績一覧 (長岡技術科学大学 田中)
pump-probe spectroscopy”, Hisao Uchiki, Kengo Takahashi, Kunihiko Tanaka, International
Conference on Ternarly and Multinary Compounds 19, September 2-5, 2014, Niigata, Japan, P6-87(42) “Effect of UV/O3 irradiation for C2ZnSnS4 thin film deposited on molybdenum by sol-gel sulfurization
method”, Hatayo Miyazawa, Kunihiko Tanaka, Hisao Uchiki, International Conference on Ternarly andMultinary Compounds 19 (ICTMC 19) September 2-5, 2014, Niigata, Japan, P4-62(41) “Properties of Zn defects in Cu2ZnSnS4 thin film”, Shinya Miura, Kunihiko Tanaka, Hisao Uchiki,International Conference on Ternarly and Multinary Compounds 19 September 2-5, 2014, Niigata,Japan, P4-57(40) ” Improvement of crystallinity of NiO thin films prepared by sol-gel spin coating”, Emii Konakawa,
Kunihiko Tanaka, Hisao Uchiki, International Conference on Ternarly and Multinary Compounds 19
September 2-5, 2014, Niigata, Japan, P4-56.
(39) “Cu2ZnSnS4 Thin Film Solar Cell Prepared by Spray Pyrolysis Deposition” Kunihiko Tanaka,
Yukihiro Mikawa, Minoru Kato and Hisao Uchiki, International Conference on Ternarly and MultinaryCompounds 19 (ICTMC 19) September 2-5, 2014, Niigata, Japan, P4-55.
(38)”Cl-free Sol Solution for Preparation of Cu2ZnSnS4 Thin Films by Sol-gel Sulfurization Method”, Kota
Sakuma, Kunihiko Tanaka, and Hisao Uchiki, 2013 International Symposium on Organic and Inorganic
Electronic Materials and Related Nanotechnologies, June 17-20, 2013, Kanazawa, Japan,P2-57.
(37)”Cu2ZnSnS4 Thin Film Deposited by Sputtering with Cu2ZnSnS4 Compound Target”, Ryota Nakamura,
Kunihiko Tanaka, Hisao Uchiki, Kazuo Jimbo, Tsukasa Washio, and Hironori Katagiri, 2013
International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies,
June 17-20, 2013, Kanazawa, Japan,P2-58.
(36)” Observation of Photoluminescence Spectra from Cu2SnS3 Thin Films”,Yusuke Goto, Kunihiko
Tanaka, Hisao Uchiki, Naoya Aihara,andHideaki Araki, 2013 International Symposium on Organic andInorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies, June 17-20, 2013, Kanazawa,
Japan,P3-58(35)”Chemical Composition Dependence of Photoluminescence from Cu2ZnSnS4 Thin Films”,Tomokazu
Shinji, Kunihiko Tanaka, Ryota Nakamura, Hisao Uchiki, Tsukasa Washio, Kazuo Jimbo, and Hironori
Katagiri, 2013 International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related
Nanotechnologies, June 17-20, 2013, Kanazawa, Japan, P3-59(34) “Improvement of conversion efficiency of Cu2ZnSnS4 thin film solar cells prepared by non-vacuum
processing”, Takumi Aizawa, Kunihiko Tanaka, Kota Tagami, and Hisao Uchiki, 17th International
Conference on Ternary and Multinary Compounds, August 27-31, 2012, Sulzburug, Austria, S06-L04．
(33) “Site-dependent excited state absorption in Ce-doped CaGa2S4 single crystal”, Hisao Uchiki,
Shinsaku Honma, Kunihiko Tanaka, Chiaru Hidaka, Takeo Takizawa, 17th International Conference on
Ternary and Multinary Compounds, August 27-31, 2012, Sulzburug, Austria, S10-L01.
(32) “Precursor Cover effect of Cu2ZnSnS4 thin films deposited by spray pyrolysis method”: Kunihiko
Tanaka, Minoru Kato, Koichi Goto, Yuya Nakano, Hisao Uchiki, 21st Photoboltaic Science andEngineering Conference (PVSEC21), 1 Dec. 2011, Hilton Fukuoka Sea Hawk, 4D-3P-01.
(31) “Fabrication of 3D structure solar cell with Cu2ZnSnS4”:Masato Kurokawa, Kunihiko Tanaka,
16

研究業績一覧 (長岡技術科学大学 田中)
Katsuhiko Moriya, Hisao Uchiki, 21st Photoboltaic Science and Engineering Conference (PVSEC21), 1
Dec. 2011, Hilton Fukuoka Sea Hawk, 4D-3P-23.
(30) “Photovoltaic properties of Cu2ZnSnS4/PEDOT:PSS based solar cells prepared by non-vacuum
processing”: Taichiro Morimune, Kazutoshi Ishikawa, Tomoki Ishikawa, Kunihiko Tanaka, Hisao
Uchiki, Hirotake Kajii, Yutaka Ohmori, Sixth International Conference on Molecular Electronics andBioelectronics（M&BE6）, 16 March 2011, Sendai International Center, E-P-20.
(29) “Mechanochemical synthesis of Ce-doped CaGa2S4”: Takumi Ohta, Kunihiko Tanaka and Hisao
Uchiki: 17th International Conference on Ternary and Multinary Compounds, September 27-30, 2010,
Baku, Azerubaijan, P1-12.
(28) “H2S concentration dependence of properties of Cu2ZnSnS4 thin films prepared under non-vacuum
condition”: Kazuya Maeda, Kunihiko Tanaka and Hisao Uchiki: 17th International Conference on
Ternary and Multinary Compounds, September 27-30, 2010, Baku, Azerubaijan, P1-9.
(27) “Annealing temperature dependence of properties of Cu2ZnSnS4 thin films prepared by sol-gel
sulfurizing method”: Kazuya Maeda, Kunihiko Tanaka and Hisao Uchiki: 17th International Conference
on Ternary and Multinary Compounds, September 27-30, 2010, Baku, Azerubaijan, P1-8.
(26) “Excited State Absorption Spectrum of Ce-doped CaGa2S4 Single Crystal”: Shinsaku Honma,
Kunihiko Tanaka, Hisao Uchiki, Chiharu Hidaka, Takeo Takizawa: 2010 International Symposium on
Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies, June 22-25, 2010, Toyama,
Japan, P2-37.
(25) “Preparation of Ce-doped CaGa2S4 by Mechnochemical Solid-state Reaction”: Takumi Ohta,
Kunihiko Tanaka, Hisao Uchiki: 2010 International Symposium on Organic and Inorganic Electronic
Materials and Related Nanotechnologies, June 22-25, 2010, Toyama, Japan, P2-36.
(24) “Preparation of Cu2ZnSnS4 Thin Films by Non-Vacuum and Non-Sulfurizing Process”: Kenichi Tachi,
Kunihiko Tanaka, Hisao Uchiki: 2010 International Symposium on Organic and Inorganic Electronic
Materials and Related Nanotechnologies, June 22-25, 2010, Toyama, Japan, P1-60.
(23) “Dependence on Annealing Temperature of Cu2ZnSnS4 Thin Films prepared by Sol-Gel Sulfurization
Method”: Kazuya Maeda, Kunihiko Tanaka, Hisao Uchiki: 2010 International Symposium on Organicand Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies, June 22-25, 2010, Toyama, Japan,
P1-59.
(22) “Preparation of Cu2ZnSnS4 Thin Film Solar Cells Under Non-Vacuum Condition “, Noriko Moritake,
Masatoshi Oonuki, Kunihiko Tanaka and Hisao Uchiki: 16th International Conference on Ternary andMultinary Compounds, September 15-19, 2008, Berlin, Germany, ID85.
(21)”Optical Properties of Sn and e Co-doped CaAl2S4 and Application to White Phosphor”, Hisoshi
Sorimachi, Hitoshi Ohta, Kunihiko Tanaka and Hisao Uchiki: 16th International Conference on Ternaryand Multinary Compounds, September 15-19, 2008, Berlin, Germany, ID86.
(20) “Sulfurization of Cu2ZnSnS4 thin films for solar cell-absorber prepared by photo chemical deposition”,
K. Moriya, K unihiko Tanaka and H. Uchiki: 2007 International Symposium on Organic and Inorganic
Electronic Materials and Related Nanotechnologies, June 19-22, 2007, Nagano, Japan, P1-31.
(19) “Cu2ZnSnS4 thin films annealed in H2S atmosphere for solar cell-absorber prepared by pulsed laser17研究業績一覧 (長岡技術科学大学 田中)
deposition”, K. Moriya, Y. Saeki, K. Tanaka and H. Uchiki: 2007 International Symposium on Organicand Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies, June 19-22, 2007, Nagano, Japan,
P1-32.
(18) “Pre-annealing of precursors of Cu2ZnSnS4 thin films prepared by sol-gel sulfurizing method”, K.
Tanaka, N. Moritake, M. Oonuki and H. Uchiki, 2007 International Symposium on Organic andInorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies, June 19-22, 2007, Nagano, Japan, P1-38.
(17) “ Optical properties of Cu2ZnSnS4 bulk single crystals and thin films prepared by sol-gel andsulfurization method”, Y. Miyamoto, K. Tanaka, M. Oonuki, N. Moritake and Hisao Uchiki, 2007
International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies,
June 19-22, 2007, Nagano, Japan, P1-39.
(16) “Cu2ZnSnS4 thin film solar cells prepared by non-vacuum processingof sol-gel and sulfurization
method”, M. Oonuki, N. Moritake, K. Tanaka and Hisao Uchiki, 2007 International Symposium on
Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies, June 19-22, 2007, Nagano,
Japan, P1-40.
(15) “Optical and electrical proper ties of organic films prepared by RF-plasma deposition using mixed
naphthalene and propane source”, Tengku Nadzlin Bin Tengku Ibrahim, K. Tanaka and H. Uchiki, 2007
International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies,
June 19-22, 2007, Nagano, Japan, P2-05(14) “Donor-acceptor pair recombination luminescence from Cu2ZnSnS4 bulk single crystals”, K. Tanaka, Y.
Miyamoto, H. Uchiki, K. Nakazawa and H. Araki: 15th International Conference on Ternary andMultinary Compounds, March 6-10, 2006, Kyoto, JAPAN, Fri-O-4B.
(13) “Characterization of Cu2ZnSnS4 thin films prepared by photo-chemical deposition”, K. Moriya, J.
Watabe, K. Tanaka and H. Uchiki: 15th International Conference on Ternary and Multinary Compounds,
March 6-10, 2006, Kyoto, JAPAN, Tue-P-27B.
(12) “Epitaxial growth of Cu2ZnSnS4 thin films by Pulsed Laser Deposition”, K. Sekiguchi, K. Tanaka, K.
Moriya and H. Uchiki: 15th International Conference on Ternary and Multinary Compounds, March
6-10, 2006, Kyoto, JAPAN, Tue-P-29B.
(11) “Photoluminescence of Pb-doped CaGa2S4”, T. Shidara, T. Dohashi, Y. Okubo, K. Tanaka and H.
Uchiki: 15th International Conference on Ternary and Multinary Compounds, March 6-10, 2006, Kyoto,
JAPAN, Wed-P-4B.
(10) “Application of Pb-doped CaGa2S4 to a fluorescent light”, Y. Okubo, T. Dohashi, T. Shidara, K.
Tanaka and H. Uchiki: 15th International Conference on Ternary and Multinary Compounds, March
6-10, 2006, Kyoto, JAPAN, Wed-P-5B.
(9) “Nanosecond Spectroscopy of Ce-doped CaGa2S4 Crystal”, K. Takayama, K. Tanaka, H. Uchiki, C.
Hidaka and T. Takizawa:15th International Conference on Ternary and Multinary Compounds, March
6-10, 2006, Kyoto, JAPAN, Wed-P-7B.
(8) “Characterization of Cu2ZnSnS4 thin films prepared by pulsed laser deposition”, Katsuhiko Moriya,
Kunihiko Tanaka and Hisao Uchiki, 2004 International Symposium on Organic and Inorganic Electronic
Materials and Related Nanotechnologies (June 7-10, 2004, Toki Messe (Niigata Convention Center),
18

研究業績一覧 (長岡技術科学大学 田中)
Niigata, Japan) P-122.
(7) “Characterization of Cu2ZnSnS4 thin films prepared by photo-chemical deposition”, Katsuhiko Moriya,
Kunihiko Tanaka and Hisao Uchiki, 2004 International Symposium on Organic and Inorganic Electronic
Materials and Related Nanotechnologies (June 7-10, 2004, Toki Messe (Niigata Convention Center),Niigata, Japan) P-123.
(6) “Upconversion luminescence of rare-earth doped CaGa2S4”, Fumio Hamano, Kunihiko Tanaka and
Hisao Uchiki, 2004 International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials andRelated Nanotechnologies (June 7-10, 2004, Toki Messe (Niigata Convention Center), Niigata, Japan)
P-129.
(5) “Optical properties of Sn-doped CaGa2S4”, Toshihiro Dohashi, Kunihiko Tanaka, Hisao Uchiki, 2004
International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies(June 7-10, 2004, Toki Messe (Niigata Convention Center), Niigata, Japan) P-130.
(4) ”Preparation of Ce-doped CaGa2S4 Crystals by Melting Method and Their Optical Properties”,
Katsuhiko Takayama, Kunihiko Tanaka and Hisao Uchiki, 2004 International Symposium on Organicand Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (June 7-10, 2004, Toki Messe(Niigata Convention Center), Niigata, Japan) P-131.
(3) “Observation of Biexciton Luminescence from CuGaS2 Bulk Single Crystals”, Kunihiko Tanaka, Hisao
Uchiki, Seishi Iida, Tomoaki Terasako, Sho Shirakata, Shigehiro Isomura, 12th International Conference
on Ternary and Multinary Compounds, Hsinchu, Taiwan, March 13-17, 2000 , P1-18.
(2) “Decay Properties of Photoluminescence Lines in CuGaS2 Crystals”, Tomoaki Terasako, Kunihiko
Tanaka, Sho Shirakata, Hisao Uchiki and Shigehiro Isomura:

Proc. 12th International Conference on

Ternary and Multinary Compounds, Hsinchu, Taiwan, March 13-17,2000 , P2-12.
(1) “Emission and Absorption Lines of Free and Bound Excitons in CuGaS2 Crystals”, Tamao Matsumoto,
Takahiro Shimojo, Tomoaki Terasako, Kunihiko Tanaka, Nozomu Tsuboi and Seishi Iida: Proc.
ICTMC-11 ’97, Salford, UK, September 8-12, 1997.
5．国内学会(307) “Admittance spectroscopy 法による Cu2(Sn1-xGex)S3 太陽電池の欠陥評価”, 金井 綾香, 田崎
傑士, 荒木 秀明, 田中 久仁彦, 第 21 回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム(第 4回日本太陽光発電学会学術講演会）PC-8,

2024 年 7 月 11 日.

(306) “抵抗加熱蒸着法による Cu2Sn1-xSixS3 薄膜の作製”, 白井 陽大，田中 久仁彦，金井 綾香, 第71 回応用物理学会春季学術講演会 東京都市大学, 24p-P06-5, 2024 年 3 月 24 日.
(305) “ZnO バッファ層を用いた CTS 薄膜太陽電池の作製”, 高橋昌也, 田崎傑士, 赤木洋二, 栗本
裕司, 岡本 保, 金井綾香, 田中久仁彦, 荒木秀明, 第 71 回応用物理学会春季学術講演会 東京都市大学, 24p-P06-6, 2024 年 3 月 24 日.
(304) “温度依存 J-V 測定における Cu2(Sn1-xGex)S3 太陽電池の電気特性評価”, 金井 綾香，田崎 傑
士, 荒木 秀明, 田中 久仁彦, 第 71 回応用物理学会春季学術講演会

東京都市大学,

24p-P06-7, 2024 年 3 月 24 日.
(303) “NaF 蒸着 Cu2Sn1–xGexS3 薄膜のフォトルミネッセンス”, 市原 稜大, 田崎 傑士, 荒木 秀明,
金井 綾香, 田中 久仁彦, 第 71 回応用物理学会春季学術講演会
19

東京都市大学, 24p-P06-8,

研究業績一覧 (長岡技術科学大学 田中)
2024 年 3 月 24 日.
(302) “光学特性観測による銅硫化物系太陽電池光吸収層材料の評価”, 田中 久仁彦, 金井 綾香,
荒木秀明, 杉山 睦, 第 71 回応用物理学会春季学術講演会 東京都市大学, 22p-71B-2, 2024 年
3 月 22 日.
(301) “ZnO バッファ層を用いた CTS 薄膜太陽電池の作製”, 高橋昌也, 田崎傑士, 赤木洋二, 栗
本裕司, 岡本 保, 金井綾香, 田中久仁彦, 荒木秀明, 第 13 回高専-TUT 太陽電池合同シンポジ
ウム 2023-12/23-24.
(300) “(Ge, Sn)S 薄膜の熱処理条件の検討”, 大門 双来, 田崎傑士, Sanni Paulina Malkki, 栗本祐司,
岡本保, 金井綾香, 田中久仁彦, 荒木秀明, 第 13 回高専-TUT 太陽電池合同シンポジウム
2023-12/23-24.
(299) “大気開放型 CVD 法を用いて作製した CdZnS 膜をバッファ層に用いた CdTe 太陽電池の高効率化”, 内田翔太, 川村龍聖, 栗本祐司, 岡本保, 金井綾香, 田中久仁彦, 荒木秀明, 第 13 回高専-TUT 太陽電池合同シンポジウム 2023-12/23-24.
(298) “大気開放型 CVD 法による CdZnS バッファ層の組成制御”, 松井隼人, 野口寛太, 小林大輝, 栗本祐司, 岡本保, 金井綾香, 田中久仁彦, 荒木 秀明, 第 13 回高専-TUT 太陽電池合同シンポジウム 2023-12/23-24.
(297) “ゾルゲル・ディップコート法による CuCl1-xIx 薄膜作製におけるアニール条件の検討”, 村山堅亮, 金井 綾香, 田中 久仁彦, 森谷 克彦, 2023 年度元系化合物・太陽電池研究会 年末講
演会, P-22, アオーレ長岡, 2023 年 12 月 1 日.
(296) “ゾルゲル・ディップコート法による Cu2SnS3 薄膜作製の Na 添加および急速冷却の影響の評価”, 石田友紀, 長谷川 覚巳, 金井 綾香, 田中久仁彦, 森谷克彦, 2023 年度元系化合物・太陽電池研究会 年末講演会, P-13, アオーレ長岡, 2023 年 12 月 1 日.
(295) “同時蒸着法を用いて作製した(Ge, Sn)S 薄膜の熱処理条件の検討”, 大門 双来, 田崎 傑士,
Sanni Paulina Malkki, 栗本 祐司, 岡本 保, 金井 綾香, 田中 久仁彦, 荒木 秀明, 2023 年度元系化合物・太陽電池研究会

年末講演会, P-11, アオーレ長岡, 2023 年 12 月 1 日.

(294) “二源系ファインチャネルミスト CVD 法による Mo 基板上への Cu2SnS3 薄膜の堆積”, 前田裕孝, 齋藤蓮, 中島和輝, 金井 綾香, 田中 久仁彦, 2023 年度元系化合物・太陽電池研究会 年
末講演会, P-8, アオーレ長岡, 2023 年 12 月 1 日.
(293) “Cu2SnS3 太陽電池の発光スペクトルへの CdS バッファ層形成時のチオ尿素濃度の影響”, 市原 稜大，金井 綾香，齋藤 聡一郎，荒木 秀明，田中 久仁彦, 2023 年度元系化合物・太陽電池研究会 年末講演会, O-2,

アオーレ長岡, 2023 年 12 月 1 日.

(292) “Effects of changing the sulfurization temperature in GeSx and S vapor on morphology and crystal
structure of Cu2Sn1-xGexS3 thin films”, Igarashi, Ray Ohashi, Yuuki Ayaka Kanai* and Kunihiko
Tanaka, 第 33 回 日本 MRS 年次大会 於産業貿易センター他, K-P14-002, 2023-11-14. (poster).
(291) “Cu2SnS3 thin films growth in controlled Sn-S vapor for grain boundary suppression”, Yuuki
Igarashi, Ray Ohashi, Ayaka Kanai* and Kunihiko Tanaka, 第 33 回 日本 MRS 年次大会 於産業
貿易センター他, K-P14-001, 2023-11-14. (poster).
(290) “Influence of (NH2)2CS concentration during deposition of an n-type CdS buffer layer on the electric
properties of Cu2SnS3 thin-film solar cells”, Ayaka Kanai*, Souichiro Saito, Hideaki Araki, andKunihiko Tanaka, 第 33 回 日本 MRS 年次大会 於産業貿易センター他, K-P14-003, 2023-11-14.
(poster).
(289) “二源系ファインチャネルミスト CVD 法による Cu-Sn-Ge-S 系薄膜の作製”, 齋藤 蓮, 前田
裕孝,中島 和輝, 金井 綾香, 田中 久仁彦, 第 81 回応用物理学会秋季学術講演会
20

熊本城ホ

研究業績一覧 (長岡技術科学大学 田中)ール, 20p-P06-9, 2023 年 9 月 20 日.
(288) “GeSx 及び S 雰囲気の硫化温度が Cu2Sn1-xGexS3 薄膜のモフォロジーや結晶構造などの諸特性に与える影響の調査”, 大橋 零, 五十嵐 優聴, 金井 綾香, 田中 久仁彦, 第 81 回応用物理学会秋季学術講演会 熊本城ホール, 20p-P06-8, 2023 年 9 月 20 日.
(287) “CdS 層成膜時の(NH2)2CS 濃度が Cu2SnS3 薄膜太陽電池の太陽電池特性に与える影響”, 金井綾香, 齋藤 聡一郎, 荒木 秀明, 田中 久仁彦, 第 81 回応用物理学会秋季学術講演会 熊本城
ホール, 20p-P06-7, 2023 年 9 月 20 日.
(286) “3 ゾーン管状炉を用いた Sn-S 雰囲気制御 Cu2SnS3 薄膜成長法の最適化”, 五十嵐 優聴, 大橋
零,金井 綾香, 田中 久仁彦, 第 81 回応用物理学会秋季学術講演会 熊本城ホール, 20p-P06-6,
2023 年 9 月 20 日.
(285) “ZnO/MgO/CuBr1-xIx 透明微細構造太陽電池の構造最適化”, 辻本 直也, 落合 航也, 玉井 大吉,金井 綾香, 田中 久仁彦, 第 81 回応用物理学会秋季学術講演会 熊本城ホール, 20p-P06-2,
2023 年 9 月 20 日.
(284) “Cu2SnS3 系太陽電池の特徴と高効率化技術”,金井 綾香, 杉山 睦, 荒木 秀明, 田中 久仁彦,
第 70 回応用物理学会春季学術講演会 於上智大学, 15a-E502-2, 2023 月 3 年 15 日. (Invited)(283) “ZnO/CuBr1-xIx 透明微細構造太陽電池の構造改善”,辻本 直也，玉井 大吉，藤島 睦，金井 綾
香，田中 久仁彦, 第 70 回応用物理学会春季学術講演会 上智大学, 17p-PB03-7, 2023 年 3 月 17日.
(282) “Ge/(Ge+Sn)組成比が Cu2(Sn,Ge)S3 薄膜太陽電池の電気特性に与える影響”,大橋 零, 金井 綾
香, 荒木 秀明, 田中 久仁彦, 第 70 回応用物理学会春季学術講演会 上智大学, 17p-PB03-2,
2023 年 3 月 17 日.
(281) “モノリシック集積型 CTS 薄膜太陽電池モジュールの作製” ,高橋 昌也, 茂田井 大輝, 田崎 傑士, 赤木 洋二，栗本 祐司，岡本 保，金井綾香，田中 久仁彦，荒木 秀明, 第9 回高専-TUT 太陽電池合同シンポジウム 北九州工業高等専門学校, 2022 年 12 月 26～27日.
(280) “CuCl1-xIx 薄膜のウェットプロセスによる膜厚変化の試み” , 村山堅亮，本間大祐，田中久仁彦，森谷克彦，第 9 回高専-TUT 太陽電池合同シンポジウム

北九州工業高等専門学校,

2022 年 12 月 26～27 日.
(279) “透明太陽電池への応用を目指した銅ハライド系薄膜の作製Ⅲ” 工藤心暖，本間大祐，村山堅亮，田中久仁彦，森谷克彦，第 9 回高専-TUT 太陽電池合同シンポジウム 北九州工業
高等専門学校, 2022 年 12 月 26～27 日.
(278) “ゾルゲル硫化法による Cu2Sn1-xGexS3 薄膜の作製方法の検討”,椎葉 鉄平, 金井 綾香, 田中
久仁彦,令和 4 年(第 32 回)電気学会東京支部新潟支所研究発表会 NGT-22-021 新潟大学, 2022
年 11 月 26 日.
(277) “Cu2SnS3 薄膜作製における結晶性に及ぼす急速冷却の影響” 石田友紀，五十嵐優聴，長谷川覚巳，田中久仁彦，森谷克彦，令和 4 年(第 32 回)電気学会東京支部新潟支所研究発表
会 NGT-22-026 新潟大学, 2022 年 11 月 26 日.
(276) “ディップコート法による CuCl1-xIx 薄膜の作製”, 村山堅亮，本間大祐，田中久仁彦，森谷克
彦，令和 4 年(第 32 回)電気学会東京支部新潟支所研究発表会 NGT-22-031 新潟大学, 2022 年
11 月 26 日.
(275) “ウェットプロセスを用いた Cu2SnS3 薄膜の作製における前駆体溶液の Cu：Sn 混合比の依存性”, 五十嵐優聴，長谷川覚巳，石田友紀，田中久仁彦，森谷克彦，令和 4 年(第 32 回)電気学会東京支部新潟支所研究発表会 NGT-22-036 新潟大学, 2022 年 11 月 26 日.
21研究業績一覧 (長岡技術科学大学 田中)(274) n-CdS 層成膜時の(NH2)2CS 濃度が Cu2SnS3(CTS)太陽電池の電気特性に与える影響, 金井 綾
香, 齋藤 聡一郎, 荒木 秀明, 田中 久仁彦, 第 80 回応用物理学会秋季学術講演会, 22p-P08-5,
2022 年 9 月 22 日.
(273) “環境調和型化合物薄膜太陽電池の現状”,金井 綾香, 杉山睦, 荒木秀明, 田中久仁彦, 日本
太陽光発電学会 Women in Photovoltaics 分科会研究会, 於東京工業大学大岡山キャンパス,2022 年 9 月 2 日. (Invited)(272) Cu2Sn1-xSixS3 バルク結晶のフォトルミネッセンス観測，岩崎 千寛, 金井 綾香, 田中 久仁彦,
第 80 回応用物理学会秋季学術講演会, 22p-P08-10, 2022 年 9 月 22 日.
(271) フォトルミネッセンス観測による Cu2Sn1-xGexS3 の基礎物性の調査, 羽田 涼馬, 金井 綾香,
杉山 睦, 田中 久仁彦, 第 80 回応用物理学会秋季学術講演会,22p-P08-9, 2022 年 9 月 22 日.
(270) ウェットプロセスで作製した化合物太陽電池光吸収層 Cu2SnS3 薄膜の熱処理条件における保持時間の影響，五十嵐 優聴, 長谷川 覚巳, 石田 友紀, 田中 久仁彦, 森谷 克彦, 第 80 回
応用物理学会秋季学術講演会, 22p-P08-7, 2022 年 9 月 22 日.
(269) 大気開放型 CVD 法を用いた薄膜太陽電池のバッファ層用 ZnS 膜および CdZnS 膜の作製と評価, 栗本 祐司, 小林 大輝, 金井 綾香, 田中 久仁彦, 荒木 秀明, 岡本 保, 第 80 回応用物
理学会秋季学術講演会, 21a-B202-5, 2022 年 9 月 21 日.
(268) スピンコート法による新規透明 p 型半導体(銅ハライド系薄膜)の作製, 本間 大祐, 村山 堅亮, 田中 久仁彦, 森谷 克彦, 第 80 回応用物理学会秋季学術講演会, 22p-P08-16, 2022 年 9 月
22 日.
(267) HF-CVD によるダイヤモンド膜形成における未処理超硬基板の Co 挙動観察, 税木 善則, 坂
東 隆宏, 針谷 達, 滝川 浩史, 服部 貴大, 杉田 博昭, 河原 夏江, 田中 久仁彦, 第 80 回応用物理学会秋季学術講演会, 22p-A202-12, 2022 年 9 月 22 日.
(266) 抵抗加熱蒸着法による Cu2Sn1-xSixS3 薄膜の作製，第 69 回応用物理学会春季学術講演会，菅井一博，田中久仁彦，23a-E106-8，2022 年 3 月 23 日．
(265) ファインチャネルミスト CVD 法による Cu2SnS3 薄膜太陽電池作製の試み、友野巧也、岡村
和哉、斎藤 蓮、田中久仁彦、令和 3 年度 第 11 回高専-TUT 太陽電池合同シンポジウム、AM1-7, 2021 年 12 月 25 日.
(264) 太陽電池光吸収層 CuSn1-xSixS3 薄膜の微粒子塗布法による作製、野田拓真、田中久仁彦、令和 3 年度 第 11 回高専-TUT 太陽電池合同シンポジウム、AM3-5, 2021 年 12 月 25 日.
(263) 発光分光による太陽電池光吸収層材料 CuxSn1-yGeyS3 の欠陥の検討, 阿部 司，田中 久仁彦,
令和 3 年度 多元系化合物・太陽電池研究会 年末講演会 V14, 2021 年 12 月 4 日．
(262) 発光分光による異なる硫化温度で作製した Cu2SnS3 薄膜の評価, 宮城 祥吾, 田中 久仁彦,
茂田井 大輝, 大橋 亮太，渡邉 奏汰, 細川 陽子, 神保 和夫, 赤木 洋二, 荒木 秀明，令和 3
年度 多元系化合物・太陽電池研究会 年末講演会 V13, 2021 年 12 月 4 日．
(261) CuBr1-xIx/ZnO ナノロッド透明太陽電池の効率改善, 渡辺海斗，藤島 睦，辻本直也，田中久仁彦，令和 3 年度 多元系化合物・太陽電池研究会 年末講演会 V12, 2021 年 12 月 4 日．
(260) 二源系ファインチャネルミスト CVD 法で作製した Cu2SnS3 薄膜の組成比均一化, 岡村和哉，
友野巧也，齋藤 連，田中久仁彦, 令和 3 年度 多元系化合物・太陽電池研究会 年末講演会 V11, 2021 年 12 月 4 日．
(259) 微粒子塗布法による太陽電池光吸収層 Cu2Sn1-xSixS3 薄膜の作製, 野田拓真, 田中 久仁彦, 令
和 3 年度 多元系化合物・太陽電池研究会 年末講演会 V10, 2021 年 12 月 4 日．
(258) 発光分光による Cu ハライド薄膜の欠陥の検討, 藤島 睦，田中久仁彦，渡辺海斗，辻本直也，
電子情報通信学会電子部品・材料研究会(CPM)，ED2021-17, CPM2021-51, LQE2021-29(2021-11),22

研究業績一覧 (長岡技術科学大学 田中)
2021 年 11 月 25 日．
(257) 硫黄源を用いた二源系ミスト CVD 法による Cu2SnS3 薄膜の作製と評価，岡村和哉，友野巧也，齋藤 連，田中久仁彦，第 18 回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム(第 1 回
日本太陽光発電学会学術講演会)，D-8，2021 年 10 月 15 日
(256) 二源系ファインチャネルミストＣＶＤ法による Cu2SnS3 薄膜の作製，第 81 回応用物理学会
秋季学術講演会，岡村和哉，友野巧也，齋藤 連，田中久仁彦，23a-P12-1，2021 年 9 月 23日．
(255) 溶液塗布法により作製した CuCl1-xIx 薄膜の励起子吸収エネルギーの組成依存性，本間大祐，
佐藤優平，田中久仁彦，齊藤信雄，森谷克彦，東北地区若手研究者研究発表会，F001，2021
年 3 月 5 日．
(254) Application ond investigation of CuCl1-XIX thin film to transparent solar cells, 30th Annual Meetingof MRS-J Yuhei Sato, Kunihiko Tanaka, Nobuo Saito and Katsuhiko Moriya，O-O11-005, 2020 年 11
月 11 日(253)銅ハライド系薄膜を⽤いた透明塗布型太陽電池開発へのアプローチ，佐藤優平，田中久仁彦，
齊藤信雄，森谷克彦，第 30 回電気学会東京支部新潟支所研究発表会， NGT-20-043，2020 年
10 月 31 日(252) 真空蒸着法により作製した硫化すず薄膜の電気特性，大前 洸斗，江口 陽人，田中 久仁彦，
応用物理学会春季学術講演会，17p-Z35-6，2021 年 3 月 17 日．
(251) ファインチャネルミスト CVD 法による Mo コート基板上への Cu-Sn プリカーサの堆積とCu2SnS3 薄膜の作製，友野 巧也，吉久 史貴，岡村 和哉，田中 久仁彦，応用物理学会春季
学術講演会，17p-Z35-9，2021 年 3 月 17 日．
(250) フォトルミネッセンス観測による CuxSn1-yGeyS3 の Cu/IV 族比依存の検討，阿部 司, 田中 久
仁彦, 応用物理学会春季学術講演会，17p-Z35-10，2021 年 3 月 17 日．
(249) フ CuBr1-xIx/ZnO ナノロッド透明太陽電池の作製，渡辺 海斗，森 涼太，田中 久仁彦，応用物理学会春季学術講演会，17p-Z35-12，2021 年 3 月 17 日．
(248) 発光分光による Cu2Sn1-xGexS3 の Cu/IV 族比依存の検討, 阿部 司, 田中 久仁彦, 令和 2 年度
多元系化合物・太陽電池研究会 年末講演会 P15, 2020 年 12 月 12 日．
(247) ファインチャネルミスト CVD 法による Mo コート基板上への Cu2SnS3 薄膜の堆積, 友野 巧也, 吉久 史貴, 岡村 和, 田中 久仁彦, 令和 2 年度 多元系化合物・太陽電池研究会 年末講
演会 P14, 2020 年 12 月 12 日．
(246) 微細構造 CuBr1-xIx/ZnO ナノロッド透明太陽電池の作製, 渡辺 海斗, 森 涼太, 田中 久仁彦,
令和 2 年度 多元系化合物・太陽電池研究会 年末講演会 P5, 2020 年 12 月 12 日．
(245) フォトルミネッセンス法を用いた CuBr1-xIx 薄膜の特性評価，森涼太，田中 久仁彦，応用物理学会春季学術講演会，14a-PA5-23，2020 年 3 月 14 日．
(244) ゾルゲル硫化法を用いた Mo 基板上における Cu2Sn1-xGexS3 薄膜の作製，乙川 大樹, 田中
久仁彦，平成 31 年度 多元系化合物・太陽電池研究会 年末講演会 P6，2019 年 11 月 16日．
(243) 発光観測による Cu2Sn1-xSixS3 の Cu/IV 族比依存の検討，塚目達也, 田中 久仁彦，平成 31
年度 多元系化合物・太陽電池研究会 年末講演会 P7，2019 年 11 月 16 日．
(242) Development of large-area environmentally conscious thin-film solar cells with a view to asustainable society，Takuya Tomono, Kunihiko Tanaka and Katsuhiko Moriya, 令和元年度第 29 回
電気学会東京支部新潟支所研究発表会予稿集，NGT-19-088，2019 年 10 月 26 日
(241) 紫外光を有効活用するための透明微粒子構造太陽電池開発に向けた CuCl1-xIx 薄膜の作製と23

研究業績一覧 (長岡技術科学大学 田中)
検討，佐藤 優平，田中 久仁彦，齊藤 信雄，森谷 克彦令和元年度第 29 回電気学会東京支部
新潟支所研究発表会予稿集，NGT-19-073，2019 年 10 月 26 日
(240) CH3NH3PbI3 薄膜における溶媒変化時の温度特性，工藤 礼士，富樫 光，田中 久仁彦，森谷
克彦：令和元年度第 29 回電気学会東京支部新潟支所研究発表会予稿集，NGT-19-065，2019
年 10 月 26 日
(239) 銅酸化物高温超伝導体 YBCO 薄膜の作製方法の検討佐藤 亮太，成田 祐貴，安田 新，田中
久仁彦，森谷 克彦，令和元年度第 29 回電気学会東京支部新潟支所研究発表会予稿集，
NGT-19-067，(2019)，2019 年 10 月 26 日
(238) “An approach to the development of transparent solar cells for effective use of UV light”, Yuhei Sato,
Kunihiko Tanaka, Nobuo Saito and Katsuhiko Moriya, 29th Annual Meeting of MRS-J, Q-P28-004,
2019 年 11 月 28 日
(237) “Preparation method of perovskite thin films using low toxicity solvent”, Reiji Kudo, Kunihiko
Tanaka and Katsuhiko Moriya, 29th Annual Meeting of MRS-J, Q-P28-005, 2019 年 11 月 28 日
(236) フォトルミネッセンス法を用いた Cu2Sn1-xSixS3 の特性評価，第 80 回応用物理学会秋季学術講演会，塚目達也，田中 久仁彦，19a-E315-5，2019 年 9 月 19 日．
(235) ミスト CVD 法による Cu2Sn1-xGexS3 薄膜の作製，第 80 回応用物理学会秋季学術講演会，吉久史貴，木幡真緒，田中 久仁彦，19p-PB10-13，2019 年 9 月 19 日．
(234) ディップコート法を用いて作製した Cu2SnS3 薄膜の膜面状態への影響と調査, 第 80 回応用物理学会秋季学術講演会，友野 巧也，田中 久仁彦，森谷 克彦, 19p-PB10-17, 2019 年 9 月 19日．
(233) 化学溶液堆積法による Cu2SnS3 薄膜の作製と評価，第 80 回応用物理学会秋季学術講演会，
菅井一博, 友野巧也, 田中久仁彦, 森谷克彦，19p-PB10-15，2019 年 9 月 19 日．
(232) 環境低負荷型の溶媒を用いたペロブスカイト太陽電池の作製手法の検討，第 80 回応用物理学会秋季学術講演会，工藤礼士, 田中 久仁彦, 森谷克彦，19p-PB10-20，2019 年 9 月 19 日
(231) スピンコート法による CuCl1-xIx 薄膜の作製と特性調査，第 80 回応用物理学会秋季学術講演会，佐藤優平, 田中 久仁彦, 森谷克彦，19p-PB10-22，2019 年 9 月 19 日．
(230) 溶液塗布法による Cu2Sn1-xGexS3 薄膜の作製，第 66 回応用物理学会春季学術講演会，山本 恭
平，田中 久仁彦，10a-PB3-7，2019 年 3 月 10 日.
(229) 微粒⼦塗布法による Ag8SnS6 光電極の作製と評価Ⅱ

硫化⽔素雰囲気下でのアニール効果，

第 66 回応用物理学会春季学術講演会，LENGUYEN GIAPHUC，田中久仁彦，10a-PB3-8，2019
年 3 月 10 日.
(228) テラヘルツ分光法による Cu-Zn-Sn-S(CZTS)および Cu-Sn-S(CTS)の特性調査，第 66 回応用物
理学会春季学術講演会，友野 巧也，阿部 天音，藤田 俊樹，佐々木 哲郎，森谷 克彦，田中
久仁彦，安田 新，10a-PB3-13，2019 年 3 月 10 日.
(227) CuBr1-xIx / ZnO ナノロッド透明 pn 接合に微細構造が与える効果，第 66 回応用物理学会春季
学術講演会，手塚 尚人，森 涼太，今村 俊貴，田中久仁彦，10a-PB3-14(226) ミスト CVD 法による Cu2SnS3 薄膜の作製，第 66 回応用物理学会春季学術講演会，木幡 真緒，吉久 史貴，田中 久仁彦，10p-W321-14，2019 年 3 月 10 日.
(225) フォトルミネッセンス法を⽤いた(NaxCu1-x)ySnS3 の特性評価 Ⅱ，第 66 回応用物理学会春季
学術講演会，前田 隆宏，荒木 秀明，田中久仁彦，10p-W321-15，2019 年 3 月 10 日.
(224) 溶液塗布法による Cu-Sn-Si-S 薄膜の作製，阿部 矩方, 乙川 大樹, 田中 久仁彦，平成 30 年度 多元系化合物・太陽電池研究会 年末講演会 P-5，2018 年 11 月 30 日．
(223) 微粒子塗布法による Cu-Sn-Si-S 薄膜の作製，レ フー ギア，阿部 矩方，田中 久仁彦，平24

研究業績一覧 (長岡技術科学大学 田中)
成 30 年度 多元系化合物・太陽電池研究会 年末講演会 P-6，2018 年 11 月 30 日．
(222) ゾルゲル硫化法による Cu2Sn1-xGexS3 薄膜の作製法の検討，山本 恭平， 田中 久仁彦，平成30 年度 多元系化合物・太陽電池研究会 年末講演会 P-7，2018 年 11 月 30 日．
(221) ミスト CVD 法による Cu2SnS3 薄膜作製の試み，木幡 真緒， 吉久 史貴， 田中 久仁彦，平成 30 年度 多元系化合物・太陽電池研究会 年末講演会 P-8，2018 年 11 月 30 日．
(220) 溶液塗布法による CuBr1-xIx/ZnO ナノロッド透明微細構造 pn 接合の作製，手塚尚人，森 涼
太，
今村俊貴，
田中久仁彦，
平成 30 年度 多元系化合物・太陽電池研究会 年末講演会 P-18，
2018 年 11 月 30 日．
(219) CuBr1-xIx 薄膜発光スペクトルの組成比依存，今村 俊貴，手塚 尚人，森 涼太，田中 久仁彦，
平成 30 年度 多元系化合物・太陽電池研究会 年末講演会 P-19，2018 年 11 月 30 日．
(218) フォトニック結晶共振器の形成と共振器上の量子ドットの発光特性に関する研究 ，松冨俊貴，林 武司，髙松良春，田中久仁彦，安井寛治，電子情報通信学会電子部品・材料研究会(CPM)研究発表会，(16)CPM, 2018 年 11 月 2 日．
(217) CuBr1-xIx 薄膜と ZnO ナノロッドを用いた透明微細構造 pn 接合の作製，手塚尚人，森 涼太，
今村俊貴，田中久仁彦，電子情報通信学会電子部品・材料研究会(CPM)研究発表会，(1)CPM,
2018 年 11 月 1 日．
(216) フォトルミネッセンス法を用いた (NaxCu1-x)ySnS3 の特性評価，前田隆宏，荒木秀明，田中
久仁彦，第 79 回応用物理学会秋季学術講演会，19p-PB5-2 (2018 年 9 月 19 日)(215) 微粒子塗布法による Ag8SnS6 光電極の作製と評価，レ グェン ザ フック, 田中 久仁彦，第79 回応用物理学会秋季学術講演会，19p-PB5-1 (2018 年 9 月 19 日).
(214) ディップコート法による Cu2ZnSnS4 薄膜の作製とアニール条件の検討(Ⅱ)，富樫祐介，森谷克彦，田中久仁彦,平成 29 年度(第 27 回)電気学会東京支部新潟支所研究発表会予稿集，
NGT-17-p09，p64，(2017 年 11 月 11 日).
(213) ディップコート法を用いた Cu2SnS3 薄膜の作製と仕込み量依存の検討，友野巧也，森谷克彦，
田中久仁彦，
平成 29 年度(第 27 回)電気学会東京支部新潟支所研究発表会予稿集，
NGT-17-p11，
p66，(2017 年 11 月 11 日).
(212)発光分光法による Cu2ZnSnS4 の⽋陥低減機構の検討，⾼松良春，田中久仁彦，平成 29 年度
多元系化合物・太陽電池研究会年末講演会，P03( 2017 年 11 月 17 日)(211) ゾルゲル硫化法により作製した Cu2ZnSnS4 薄膜における表面処理方法の検討，大野 彩，宗村篤，田中久仁彦，平成 29 年度多元系化合物・太陽電池研究会年末講演会，P07( 2017 年 11
月 17 日).
(210) Cu2Sn1-xGexS3 バルク単結晶からのバンド間再結合発光，粟飯原直也，田中久仁彦，平成 29 年
度多元系化合物・太陽電池研究会年末講演会， P16( 2017 年 11 月 17 日).
(209) XRD と XPS による硫化したスズ蒸着膜の特性評価, ⼤前洸⽃，江⼝陽⼈，田中久仁彦, 29
年度多元系化合物・太陽電池研究会年末講演会，P17( 2017 年 11 月 17 日).
(208) ヨウ素輸送法を用いた Cu2Sn1-xGexS3 バルク単結晶の作製，藤田利樹，粟飯原直也，齊藤信雄，小杉健一朗，田中久仁彦，第 78 回応用物理学会秋季学術講演会，6p-PA5-10 (2017 年 9
月 6 日).
(207) Cu2Sn1-xGexS3 バルク単結晶の発光スペクトル，粟飯原直也，藤田利樹，田中久仁彦，第 78回応用物理学会秋季学術講演会，7a-S21-5 (2017 年 9 月 7 日) .
(206) Cu2SnS3 薄膜における光吸収スペクトルの温度依存性, 粟飯原直也，荒木秀明，田中久仁彦
第 64 回応用物理学会春季学術講演会 15p-16-5, 2017 年 3 月 15 日.

25

研究業績一覧 (長岡技術科学大学 田中)(205) Cu2ZnSnS4 発光スペクトルの成長温度依存性の検討，髙松良晴，田中久仁彦，第 64 回応用物
理学会春季学術講演会, 15p-P16-4, 2017 年 3 月 15 日.
(204) ゾルゲル法による硫化すず薄膜の作製，大前洸斗，江口陽人，田中久仁彦，平成 28 年度多元系化合物・太陽電池研究会年末講演会，P11( 2016 年 12 月 9-10 日).
(203) ヨウ素輸送法による Cu2Sn1-xGexS3 バルク結晶の作製と評価，松本祐典，粟飯原直也，田中
久仁彦，平成 28 年度多元系化合物・太陽電池研究会年末講演会，P14( 2016 年 12 月 9-10 日).
(202) 溶液塗布法による銅ハライド透明薄膜の作製と評価，原田大雅，田尾翔子，今村俊貴，森谷克彦，田中久仁彦，平成 28 年度多元系化合物・太陽電池研究会年末講演会，P19( 2016 年 12
月 9-10 日).
(201) Cu2ZnSnS4 系太陽電池材料のテラヘルツ吸収スペクトルの評価，安田新，森谷克彦，田中久
仁彦，粟飯原直也，佐々木哲朗，第 77 回 応用物理学会秋季学術講演会，16p-P1-20(2016 年
9 月 16 日).
(200) 化学気相輸送法による Cu2GeS3 バルク単結晶の作製，松本祐典，粟飯原直也，田中久仁彦，第 77 回 応用物理学会秋季学術講演会，14p-P21-5(2016 年 9 月 14 日).
(199) Cu2GeS3 バルク結晶の発光スペクトルの観測，粟飯原直也，松本祐典，田中久仁彦，第 77
回 応用物理学会秋季学術講演会，14p-P21-6(2016 年 9 月 14 日).
(198) スピンコート法による CuI，CuCl 混合薄膜の作製，東海林美鈴，森谷克彦，田中久仁彦，第 77 回 応用物理学会秋季学術講演会，14p-P21-2(2016 年 9 月 14 日).
(197)ゾルゲル硫化法により作製した Cu2ZnSnS4 薄膜におけるチオ尿素添加の効果，岡本 崇義, 宗村 篤, 田中 久仁彦，第 13 回次世代の太陽電池発電システムシンポジウム，C14，16p-P1-20(2016 年 5 月 19-20 日).
(196) ヨウ素輸送法による Cu2SnS3 バルク単結晶の作製, 松本 祐典, 粟飯原 直也, 宗村 篤, 田中
久仁彦，第 13 回次世代の太陽電池発電システムシンポジウム，C21，16p-P1-20(2016 年 5 月
19-20 日).
(195) 化学量論比組成に近い組成を持つ Cu2ZnSnS4 薄膜発光の組成比依存, 田中 久仁彦， 三浦
進也，髙松良春, 第 63 回応用物理学会春季学術講演会，20p-P14-7：(2016 年 3 月 20 日).
(194) Cu2SnS3 バルク結晶の励起子発光スペクトル, 粟飯原 直也，松本 祐典，田中 久仁彦，第 63回応用物理学会春季学術講演会，21a-S221-7：(2016 年 3 月 21 日).
(193) ゾルゲル硫化法により作製した Cl フリーCu2ZnSnS4 薄膜の作製条件最適化, 宮澤勇斗，岡本崇義，田中久仁彦, 平成 27 年度多元系化合物・太陽電池研究会年末講演会，P26( 2015 年 12
月 11-12 日).
(192) 発光分光による Cu2ZnSnS4 薄膜中における欠陥の調査, 三浦進也，髙松良春，田中久仁彦, 平
成 27 年度多元系化合物・太陽電池研究会年末講演会，P27( 2015 年 12 月 11-12 日).
(191) ゾルゲル法による不純物添加 NiO 薄膜の作製, 粉川えみい，田中久仁彦, 平成 27 年度多元系化合物・太陽電池研究会年末講演会，P28( 2015 年 12 月 11-12 日).
(190) Cu2SnS3 バルク結晶の励起子発光, 粟飯原直也，松本祐典，田中久仁彦, 平成 27 年度多元系化合物・太陽電池研究会年末講演会，P29( 2015 年 12 月 11-12 日).
(189 ) 同時蒸着法を用いた Cu2SnS3 薄膜の Na 添加効果, 金井綾香，田中久仁彦，片桐裕則，荒木秀明, 平成 27 年度多元系化合物・太陽電池研究会年末講演会，P35( 2015 年 12 月 11-12 日).
(188) Cl フリー溶液を用いてゾルゲル硫化法により作製した Cu2ZnSnS4 薄膜の品質改善, 宮澤勇斗，岡本崇義，田中久仁彦，電子情報通信学会 電子部品・材料研究会，No. 1 (2015 年 11 月
6 日).

26

研究業績一覧 (長岡技術科学大学 田中)(187) 非真空プロセスによる銅ハライド透明薄膜の作製, 田尾翔子，原田大雅，田中久仁彦，森谷克彦，電子情報通信学会 電子部品・材料研究会，No. 1 (2015 年 11 月 6 日).
(186) 化学気相輸送法による Cu2SnS3 バルク単結晶の作製，松本祐典，粟飯原直也，宗村篤，田中
久仁彦，第 76 回 応用物理学会秋季学術講演会，15p-PB1-16(2015 年 9 月 16 日).
(185) 時間の経過による三次元構造 Cu2ZnSnS4 太陽電池の特性変化，田中久仁彦，長橋由樹，打木久雄，森谷克彦，第 62 回応用物理学会春季学術講演会，13p-P19-86：(2015 年 3 月 13 日) .
(184) ゾルゲル硫化法による Cu2ZnSnS4 薄膜の作製における UV/O3 処理の効果 II，宮澤勇斗，田中久仁彦，打木久雄，第 62 回応用物理学会春季学術講演会，12p-A26-6：(2015 年 3 月 12 日).
(183) Cu2SnS3 薄膜におけるドナーアクセプター対再結合発光，粟飯原直也，田中久仁彦，打木久雄，金井綾香，荒木秀明，第 62 回応用物理学会春季学術講演会，12a-A26-7：(2015 年 3 月 12日).
(182)Synthesis and Optical Properties of [Eu(fod)3-( -bmp)-Eu(fod)3] Dinuclear Complex，Kwedi Nash,
Kunihiko Tanaka，Hisao Uchiki, 平成 26 年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会, 8-D-2,(2014 年 11 月 8 日).
(181)非真空プロセス Cu2SnS3 薄膜の作製～金属源，硫化条件の検討～，田上真乃介，田中久仁彦，
打木久雄, 平成 26 年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会, 8-C-1,(2014 年 11 月 8 日).

(180)スプレー熱分解法を用いた塩素フリーCu2ZnSnS4 薄膜作製における基板温度の検討，三川幸宏，田中久仁彦，打木久雄, 平成 26 年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会, 8-C-2, (2014年 11 月 8 日).
(179)三次元構造を用いた Cu2ZnSnS4 太陽電池の吸収層の検討，長橋由樹，田中久仁彦，打木久雄,
平成 26 年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会, 8-C-4, (2014 年 11 月 8 日).
(178)非真空プロセスにおける黄鉄鉱(FeS2)薄膜の作製，中原生惠，田中久仁彦，打木久雄, 平成
26 年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会, 8-C-5, (2014 年 11 月 8 日).
(177)部分的電界処理による Cu2ZnSnS4 光吸収層への影響，小川裕輝，田中久仁彦，打木久雄, 平
成 26 年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会, 8-C-6,(2014 年 11 月 8 日).

(176)ゾルゲル硫化法による Cu2ZnSnS4 薄膜の作製における UV/O3 処理の効果，佐久間広太，田中
久仁彦，打木久雄, 第 61 回応用物理学会春季学術講演会, 18p-PG4-16,(2014 年 3 月 18 日).

(177) Ce 添加 Ca3Sc2Si3O12 の発光特性, 高橋健伍，田中久仁彦，打木久雄, 第 61 回応用物理学会春季学術講演会, 19p-E11-4,(2014 年 3 月 19 日).

(175) フォトルミネッセンスを用いた Cu2ZnSnS4 薄膜の欠陥調査，進士智一, 田中久仁彦, 打木久雄，平成２５年度 日本物理学会新潟支部第４２回例会, 1, (2013 年 12 月 14 日).
(174) Cu2SnS3 の光学特性の解析，後藤祐輔，田中久仁彦，打木久雄，粟飯原直也，荒木秀明，
平成２５年度 日本物理学会新潟支部第４２回例会, 2, (2013 年 12 月 14 日).
(173) スプレー熱分解法による Cl フリーCu2ZnSnS4 薄膜太陽電池の作製，加藤実，田中久仁彦，
打木久雄，平成 25 年度多元系化合物・太陽電池研究会年末講演会，P2( 2013 年 11 月 22-23日).
(172) Cu2ZnSnS4 を用いた 3 次元構造太陽電池 nc-TiO2 層の粒径依存性，長沼萌壮，田中久仁彦，
打木久雄，森谷克彦，平成 25 年度多元系化合物・太陽電池研究会年末講演会，P3( 2013 年
11 月 22-23 日).
(171) Ce 添加 Ca3Sc2Si3O12 の発光特性，高橋健伍、田中久仁彦、打木久雄，平成 25 年度多元系
化合物・太陽電池研究会年末講演会，P10( 2013 年 11 月 22-23 日).

27

研究業績一覧 (長岡技術科学大学 田中)(170) 化合物ターゲットを用いたスパッタ法による CZTS 薄膜の作製，中村 竜太，田中 久仁彦，
打木 久雄，神保 和夫，鷲尾 司，片桐裕則, 第 60 回応用物理学会春季学術講演会, 27a-G5-5,(2013 年 3 月 27-30 日 応用物理学会) .
(169) Cu2ZnSnS4 薄膜における発光スペクトルの組成比依存，進士智一, 田中久仁彦, 中村竜太, 打木久雄, 神保和夫, 鷲尾司, 片桐裕則，第 60 回応用物理学会春季学術講演会, 27p-G5-4,(2013

年 3 月 27-30 日 応用物理学会) .
(168)

Cu2SnS3 薄膜の発光スペクトル，後藤 祐輔，田中 久仁彦，打木 久雄，粟飯原 直也，荒木 秀明， 第 60 回応用物理学会春季学術講演会, 28a-G4-2,(2013 年 3 月 27-30 日 応用物理学会) .
(167) ゾルゲル硫化法で作製した Cu2ZnSnS4 薄膜への塩素の影響，佐久間 広太，田中 久仁彦，打木 久雄，第 60 回応用物理学会春季学術講演会, 27a-G5-7,(2013 年 3 月 27-30 日 応用物理学会) .
(166) Cu2ZnSnS4 薄膜発光スペクトルの組成比依存，進士智一，田中久仁彦，中村竜太，打木久雄，神保和夫，鷲尾司，片桐裕則, 応用物理学会・多元系機能材料研究会 2012 年度年末講演会，(2012 年 11 月 30 日-12 月 1 日，新潟大学).
(165) ゾルゲル硫化法を用いた Cu2ZnSnS4 薄膜の作製における塩素フリー溶液の検討，佐久間広太，田中久仁彦，打木久雄, 応用物理学会・多元系機能材料研究会 2012 年度年末講演会
P-8. (2012 年 11 月 30 日-12 月 1 日，新潟大学).
(164) 急速加熱法を用いた Cu2ZnSnS4 の薄膜改善，中野裕也，田中久仁彦，打木久雄, 応用物
理学会・多元系機能材料研究会 2012 年度年末講演会 P-9.

(2012 年 11 月 30 日-12 月 1 日，新潟大学).
(163) スパッタ法で作製した Cu2ZnSnS4 薄膜の単元、三源ターゲットによる違いの検討，中村竜太，田中久仁彦，打木久雄，神保和夫，鷲尾司，片桐裕則, 応用物理学会・多元系機能材料研究会 2012 年度年末講演会 P-10.

(2012 年 11 月 30 日-12 月 1 日，新潟大学).

(162) Cu2SnS3 薄膜の発光スペクトルの観測，後藤祐輔，田中久仁彦，打木久雄，粟飯原直也，
荒木秀明, 応用物理学会・多元系機能材料研究会 2012 年度年末講演会 P-14.

(2012 年 11 月

30 日-12 月 1 日，新潟大学).
(161) スプレー熱分解法による Cu2ZnSnS4 薄膜の作製，後藤晃一，田中久仁彦，加藤実，打木久雄, 平成 24 年度応用物理学会 北陸・信越支部，学術講演会, 17a-B-10(平成 24 年 11 月 16,17
日 富山県民会館).
(160) 非真空プロセスによる Cu2ZnSnS4 薄膜太陽電池の作製～窓層堆積条件検討による効率の改善～，田中久仁彦, 相澤卓実, 打木久雄, 電子情報通信学会 電子部品・材料研究会,
CPM2012-96 (平成 24 年 10 月 26, 27 日, まちなかキャンパス長岡).
(159) Cu2ZnSnS4 を用いた三次元構造太陽電池の作製, 黒川真登, 田中久仁彦, 加藤実, 長沼萌壮,
長橋由樹, 打木久雄, 電子情報通信学会 電子部品・材料研究会, CPM2012-97,(平成 24 年 10
月 26, 27 日, まちなかキャンパス長岡).
(158) 塩素フリー溶液を用いたゾルゲル硫化法による Cu2ZnSnS4 薄膜の作製, 佐久間広太, 田中久仁彦, 相澤卓実, 中野裕也, 打木久雄, 電子情報通信学会 電子部品・材料研究会,CPM2012-98,(平成 24 年 10 月 26, 27 日, まちなかキャンパス長岡).
(157) 発光スペクトルによる Cd の Cu2ZnSnS4 への熱拡散の検討, 田中久仁彦，相澤卓実，上原健
太郎，田上皓太，打木久雄, 第 59 回応用物理学関係連合講演会：17p-C1 13, (平成 24 年 3 月
17 日，早稲田大学早稲田キャンパス).
(156) Cd フリーCu2ZnSnS4 3D 構造太陽電池の作製， 早川光，黒川真登，田中久仁彦，打木久雄
28

研究業績一覧 (長岡技術科学大学 田中)
第59回応用物理学関係連合講演会：16p-GP7-12(平成24年3月16日，早稲田大学早稲田キャンパス).
(155) 薄膜太陽電池光吸収層材料 Cu2ZnSnS4 の発光分光，上原健太郎，田上皓太，田中久仁彦，
打木久雄，平成 23 年度 日本物理学会新潟支部第 40 回例会 1(平成 23 年 12 月 10 日, 新潟大学).
(154) 酸化物硫化による Ce 添加 CaGa2S4 ナノ微粒子蛍光体の作製，菊地史也，田中久仁彦，打木久雄，平成 23 年度 日本物理学会新潟支部第 40 回例会 2(平成 23 年 12 月 10 日, 新潟大学).
(153) Cu2ZnSnS4 を用いた 3D 構造太陽電池の作製，黒川真登，田中久仁彦，打木久雄，第 72 回応用物理学会学術講演会:31a-H 11(平成 23 年 8 月 31 日，山形大学).

(152) 有機薄膜を界面層に用いた Cu2ZnSnS4 薄膜太陽電池の作製，石川朋希，石川和稔，森宗太
一郎，田中久仁彦，打木久雄，梶井博武，大森 裕，第 58 回応用物理学関係連合講演会：

26a-BT-10(平成 23 年 3 月 26 日，神奈川工科大).

(151) Ce 添加 CaGa2S4 の励起状態吸収スペクトル， 本間晋作, 打木久雄, 田中久仁彦, 日高千晴,
滝沢武男， 平成 22 年度日本物理学会新潟支部第 39 回例会 P-38(平成 22 年 12 月 4 日，長岡
技術科学大学).
(150) 薄膜太陽電池の光吸収層材料 Cu2ZnSnS4 の光学特性，上原健太郎, 田上皓太, 田中久仁彦,
打木久雄，平成 22 年度日本物理学会新潟支部第 39 回例会 P-13(平成 22 年 12 月 4 日，長岡技術科学大学).
(149) Ce 添加 CaGa2S4 単結晶の励起状態吸収スペクトル，本間晋作, 打木久雄, 田中久仁彦, 日高千晴, 滝沢武男，平成 22 年度(第 20 回)電気学会東京支部新潟支所研究発表会 P-15，(平成22 年 12 月 8 日).
(148) Cu2ZnSnS4 薄膜太陽電池における部分電解処理効果，田上皓太, 田中久仁彦, 打木久雄
平成 22 年度(第 20 回)電気学会東京支部新潟支所研究発表会 P-13(平成 22 年 12 月 8 日).
(147) 薄膜太陽電池の光吸収層材料 Cu2ZnSnS4 の光学特性，上原健太郎, 田上皓太, 田中久仁彦,
打木久雄，平成 22 年度(第 20 回)電気学会東京支部新潟支所研究発表会 P-11(平成 22 年 12 月
8 日).
(146) Ce 添加 CaGa2S4 のメカノケミカル合成と活性化，太田拓実, 田中久仁彦, 打木久雄，平成
22 年度(第 20 回)電気学会東京支部新潟支所研究発表会 P-08(平成 22 年 12 月 8 日).
(145) 急速加熱法を用いた非真空下における Cu2ZnSnS4 薄膜の作製，前田和也, 田中久仁彦, 中野裕也, 打木久雄，平成 22 年度(第 20 回)電気学会東京支部新潟支所研究発表会 I-01(平成 22 年
12 月 8 日).
(144) 急速加熱法を用いた非真空下での Cu2ZnSnS4 の作製， 前田和也，田中久仁彦，中野裕也，
打木久雄，応用物理学会・多元系機能材料研究会 2010 年度年末講演会 P-6(2010 年 11 月 19,

20 日，千葉工業大学).
(143) Cu2ZnSnS4 薄膜太陽電池における部分電界処理効果，田上皓太，田中久仁彦，打木久雄，
応用物理学会・多元系機能材料研究会 2010 年度年末講演会 P-5 (2010 年 11 月 19, 20 日，千葉工業大学).
(142) Cu2ZnSnS4 を用いた 3D セル構造太陽電池の作製， 舘健一、田中久仁彦、打木久雄，応用物理学会・多元系機能材料研究会 2010 年度年末講演会 P-4 (2010 年 11 月 19, 20 日，千葉工業大学).
(141) Fe 添加 CZTS の作製，伊藤圭祐，田中久仁彦，打木久雄， 応用物理学会・多元系機能材料研究会 2010 年度年末講演会 P-3，(2010 年 11 月 19, 20 日，千葉工業大学).

29

研究業績一覧 (長岡技術科学大学 田中)(140) CaGa2S4：Ce3+の励起状態吸収スペクトル， 本間晋作，打木久雄，田中久仁彦，日高千春，
滝沢武男，応用物理学会・多元系機能材料研究会 2010 年度年末講演会 P-2(2010 年 11 月 19, 20
日，千葉工業大学).
(139) Ce 添加 CaGa2S4 のメカノケミカル合成と活性化，太田拓実，田中久仁彦，打木久雄，応用物理学会・多元系機能材料研究会 2010 年度年末講演会 P-1 (2010 年 11 月 19, 20 日，千葉工業大学).
(138) ゾルゲル・硫化法を用いたCu2ZnSnS4薄膜の硫化温度依存性，前田和也，田中久仁彦，福井雄貴，打木久雄，2010年第57回応用物理学会関係連合講演会 20P TE-1.

(2010年3月20日，

東海大学湘南キャンパス).
(137) 非真空プロセスによるCu2ZnSnS4薄膜太陽電池の作製：硫化水素濃度依存性，前田和也，福井雄貴，田中久仁彦，打木久雄， 2010年第57回応用物理学会関係連合講演会 20P TE-2. (2010年3月20日，東海大学湘南キャンパス).
(136) 硫化フリー・非真空プロセスによるCu2ZnSnS4薄膜の作製，舘 健一，田中久仁彦，打木久雄，2010年第57回応用物理学会関係連合講演会 20P TE-5. (2010年3月20日，東海大学湘南キャンパス).
(135) ゾルゲル・硫化法を用いたCu2ZnSnS4薄膜の硫化温度依存性，前田和也，田中久仁彦，打木久雄，福井雄貴，2009 年度 応用物理学会 多元系機能材料研究会 年末講演会 O-06

(2009

年12月11-12日，鷲羽ハイランドホテル：岡山県倉敷市).
(134) 非真空プロセスによるCu2ZnSnS4薄膜の作製及び硫化水素濃度依存性，福井雄貴，田中久仁彦，打木久雄，2009年度 応用物理学会 多元系機能材料研究会 年末講演会 P-07(2009年2月
11-12日，鷲羽ハイランドホテル：岡山県倉敷市).
(133) メカノケミカル法によるCe添加CaGa2S4ナノ微粒子の作製と評価，太田拓実，知久晃治，田中久仁彦，打木久雄，2009年(平成21年)秋季第70回応用物理学会学術講演会 9P-TD-7.(2009年
9月7日，富山大学).
(132) 非真空プロセスで作製したCu2ZnSnS4光吸収層の組成比依存性，福井雄貴，森竹典子，田中
久仁彦，打木久雄，2009年第6回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム 2008年7月2日，トキメッセ.
(131) 非真空プロセスで作製したCu2ZnSnS4光吸収層の組成比依存性，福井雄貴，森竹典子，田中
久仁彦，打木久雄， 2009年第56回応用物理学会関係連合講演会 2A-P18-25.，(2009年3月18日，筑波大学：筑波キャンパス).
(130) Ce 添加CaGa2S4 ナノ微粒子化の試み，知久晃治，田中久仁彦，打木久雄，2008 年度 物
理学会新潟支部 第37回例会 P.81-82.

30

研究業績一覧 (長岡技術科学大学 田中)(129) Ce 添加CaGa2S4 単結晶の近赤外域の励起状態吸収，内田貴史，反町裕，田中久仁彦，打木久雄，日高千晴，滝沢武男，2008 年度 物理学会新潟支部 第37回例会 P.73-74.
(128) Optical Properties of Sn-doped and Sn:Ce-codoped CaAl2S4 and Application to White Light
Emitting Phosphor 反町裕，太田均，田中久仁彦，打木久雄，2008 年度 物理学会新潟支部 第37回例会 P.71-72.
(127) 非真空プロセスによるCu2ZnSnS4薄膜太陽電池の作製及び変換効率のCdS界面層堆積時間依存性，福井雄貴，森竹典子，田中久仁彦，打木久雄，2008 年度 応用物理学会 多元系機能材料研究会 年末講演会 P-10(2008年11月14-15日，長岡技術科学大学，メトロポリタン松島).
(126) ディップコート法を用いたゾルゲル・硫化法によるCu2ZnSnS4薄膜太陽電池の作製 ～膜厚分布の基板角度依存～， 松井隆，田中久仁彦，打木久雄，2008 年度 応用物理学会 多元系
機能材料研究会 年末講演会 P-13 P-10(2008年11月14-15日，長岡技術科学大学，メトロポリ
タン松島).
(125) 環境調和型半導体を用いた3D セル構造太陽電池作製の試み，佐伯勇輔，田中久仁彦，打木久雄，2008 年度 応用物理学会 多元系機能材料研究会 年末講演会 P-14 P-10(2008年11月
14-15日，長岡技術科学大学，メトロポリタン松島).
(124) Ce 添加CaGa2S4 単結晶の近赤外域の励起状態吸収，内田貴史，反町裕，田中久仁彦，打木久雄，日高千晴，滝沢武男，2008 年度 応用物理学会 多元系機能材料研究会 年末講演会
P-26 P-10(2008年11月14-15日，長岡技術科学大学，メトロポリタン松島).
(123) Ce 添加CaGa2S4 ナノ微粒子化の試み，知久晃治，田中久仁彦，打木久雄，2008 年度 応用物理学会 多元系機能材料研究会 年末講演会 P-27 P-10(2008年11月14-15日，長岡技術科学
大学，メトロポリタン松島).
(122) Optical Properties of Sn-doped and Sn:Ce-codoped CaAl2S4 and Application to White Light Emitting
Phosphor 反町裕，太田均，田中久仁彦，打木久雄，2008 年度 応用物理学会 多元系機能材料研究会 年末講演会 P-28 P-10(2008年11月14-15日，長岡技術科学大学，メトロポリタン松島).
(121) Optical Properties of Sn-doped and Sn:Ce-codoped CaAl2S4 and Application to White LightEmitting
Phosphor, Hiroshi Sorimachi，Hitoshi Ohta，Kunihiko Tanaka，Hisao Uchiki, 平成 20 年(第 18回)電気学会東京支部新潟支所研究発表会 P.132 ,(2008 年 11 月 8 日).
(120) 非真空プロセスによるCu2ZnSnS4薄膜太陽電池の作製及び変換効率のCdS界面層堆積時間依存性福井雄貴，森竹典子，田中久仁彦，打木久雄，平成20年(第18回)電気学会東京支部新潟支所研究発表会 P.123 ,(2008年11月8日).
(119) ディップコート法を用いたゾルゲル・硫化法による Cu2ZnSnS4 薄膜太陽電池の作製，～膜厚分布の基板角度依存性～, 松井隆，田中久仁彦，打木久雄，平成 20 年(第 18 回)電気学会東京支部新潟支所研究発表会 P.122 ,(2008 年 11 月 8 日).

31研究業績一覧 (長岡技術科学大学 田中)(118) 環境調和型半導体を用いた 3D セル構造太陽電池の作製の試み，佐伯勇輔，田中久仁彦，打木久雄，平成 20 年(第 18 回)電気学会東京支部新潟支所研究発表会 P.113 ,(2008 年 11 月 8 日).
(117) Ce 添加 CaGa2S4 単結晶の近赤外域の励起状態吸収，内田貴史，反町裕，田中久仁彦，打木久
雄，
日高千晴，
滝沢武男，
平成 20 年(第 18 回)電気学会東京支部新潟支所研究発表会 P.27 ,(2008年 11 月 8 日).
(116 )Ce 添加 CaGa2S4 結晶のナノ秒分光Ⅲ，反町裕，内田貴史，田中久仁彦，打木久雄，日高千晴，
滝沢武男，2008 年(平成 20 年)秋季第 69 回応用物理学会学術講演会 2p-S-5(2008 年，9 月 5日，中部大学).
(115) 紫外光励起白色蛍光体の開発，反町裕，内田貴史，田中久仁彦，打木久雄，第三回シナジェ
ティックデバイスフォーラム 平成 20 年 7 月 18 日.
(114) 非真空プロセスによる環境調和型薄膜太陽電池の作製，森竹典子，福井雄貴，田中久仁彦，
打木久雄，第三回シナジェティックデバイスフォーラム 平成 20 年 7 月 18 日.
(113) 非真空プロセスにより作製した Cu2ZnSnS4 薄膜太陽電池の効率改善，森竹典子，福井雄貴，
大貫雅俊，田中久仁彦，打木久雄，2008 年第 5 回「次世代の太陽光発電システム」シンポジ
ウム 221-224 (2008 年 6 月 26-27 日，宮崎市民プラザ).
(112)

不純物添加 CaAl2S4 の光学特性と白色蛍光体への応用，反町裕，太田均，田中久仁彦，打木久雄，2008 年(平成 20 年)春季第 55 回 応用物理学関係連合講演会 29aZD2，(2008 年 3 月
29 日，日本大学理工学部船橋キャンパス).
(111) 非真空プロセスによる Cu2ZnSnS4 薄膜太陽電池の作製(Ⅱ) ，大貫雅俊，田中久仁彦，森竹典
子，打木久雄，2008 年(平成 20 年)春季第 55 回 応用物理学関係連合講演会 27a-ZD-10，(2008
年 3 月 27 日，日本大学理工学部船橋キャンパス).
(110) 光化学溶液堆積法による Cu2SnS3 を用いた 3D セル構造の試作，佐伯勇輔，森谷克彦，田中
久仁彦，
打木久雄，
平成 19 年(第 17 回)電気学会電気学会東京支部新潟支所研究発表会 P.74 ，2007 年 11 月.
(109)ディップコート法による Cu2ZnSnS4 薄膜の作製，廣畑一道，田中久仁彦，打木久雄，平成 19
年度(第 36 回)日本物理学会新潟支部例会 P36，(2007 年 12 月 8 日,新潟大学).
(108) ゾルゲル・硫化法による Cu2ZnSnS4 薄膜作製の乾燥温度依存，森竹典子，田中久仁彦，打木久雄，平成 19 年(第 17 回)電気学会電気学会東京支部新潟支所研究発表会 P.69，2007 年 11月.

32

研究業績一覧 (長岡技術科学大学 田中)(107) ゾルゲル･硫化法による Cu2ZnSnS4 薄膜太陽電池の作製，大貫雅俊，森竹典子，田中久仁彦，
打木久雄，平成 19 年(第 17 回)電気学会電気学会東京支部新潟支所研究発表会 P. 70 ，2007
年 11 月.
(106) 光化学溶液堆積法による Cu2ZnSnS4 を用いた 3D セル構造の試作，森谷克彦，佐伯勇輔，田
中久仁彦，
打木久雄，
平成 19 年(第 17 回)電気学会電気学会東京支部新潟支所研究発表会 P.71，
2007 年 11 月.
(105) RF プラズマ堆積法により作製した有機薄膜の電気的特性･光学的特性，テンクー ナズリン
ビン テンクー イブラヒム，田中 久仁彦， 打木 久雄，平成 19 年(第 17 回)電気学会電気学会東京支部新潟支所研究発表会 P.73，2007 年 11 月.
(104) PLD法によるEuGa2S4薄膜の作製と評価，金田亮平，田中 久仁彦，打木 久雄，平成19年(第17回)電気学会電気学会東京支部新潟支所研究発表会 p.68 ，2007年11月.
(103) Cu2ZnSnS4 のバルク単結晶とゾル－ゲル・硫化法で作製した薄膜の光学特性，宮本 裕介，
田中 久仁彦，大貫雅敏，森竹 典子，打木 久雄，2007 年電子情報通信学会 電子部品

材料研究会(薄膜プロセス・材料，一般) (17) ，(2007 年 11 月 16-17 日，長岡技術科学大学)(102) PCD 法による Cu2ZnSnS4 を用いた 3D セル構造の作製，森谷克彦，佐伯勇輔，田中久仁彦，
打木久雄：，2007 年電子情報通信学会 電子部品材料研究会(薄膜プロセス・材料，一般) (19) ，(2007 年 11 月 16-17 日，長岡技術科学大学).
(101) ゾルゲル･硫化法による Cu2ZnSnS4 薄膜太陽電池の作製と評価，大貫雅俊，森竹典子，田中
久仁彦，打木久雄，2007 年電子情報通信学会 電子部品材料研究会(薄膜プロセス・材料，一般) (18) ，(2007 年 11 月 16-17 日，長岡技術科学大学).
(100) RF プラズマ堆積法により作製した有機薄膜の電気的特性･光学的特性，テンクー ナズリン
ビン テンクー イブラヒム，田中 久仁彦， 打木 久雄，2007 年電子情報通信学会 電子部品
材料研究会(薄膜プロセス・材料，一般) (3) ，(2007 年 11 月 16-17 日，長岡技術科学大学).
(99) PLD法によるEuGa2S4薄膜の作製と評価，金田 亮平，田中 久仁彦，打木 久雄，2007年
電子情報通信学会 電子部品材料研究会(薄膜プロセス・材料，一般) (20) ，(2007年11月16-17日，長岡技術科学大学).
(98) Sn 添加 CaAl2S4 の光学特性，太田均，田中久仁彦，打木久雄，2007 年電子情報通信学会 電子部品材料研究会(薄膜プロセス・材料，一般) (21) ，(2007 年 11 月 16-17 日，長岡技術科学大学).
(97)ゾルゲル・硫化法によるCu2ZnSnS4薄膜の作製(Ⅲ) －乾燥温度依存性－，森竹典子，田中久仁彦，大貫雅俊，打木久雄，2007年(平成19年)秋季第68回応用物理学会学術講演会7a-L-8，(2007
年9月7日，北海道工業大学).

33

研究業績一覧 (長岡技術科学大学 田中)(96)

PCD 法による Cu2ZnSnS4 を用いた 3D セル構造の作製，森谷 克彦，佐伯 勇輔，田中 久

仁彦，打木 久雄，2007 年(平成 19 年)秋季第 68 回応用物理学会学術講演会 7a-L-9，(2007 年
9 月 7 日，北海道工業大学).
(95) Sn添加CaAl2S4の光学特性， 太田均，田中久仁彦，打木久雄，2007年(平成19年)秋季第68回
応用物理学会学術講演会8a-L-4，(2007年9月8日，北海道工業大学).
(94) PLD法によるEuGa2S4薄膜の作製と評価，金田 亮平，田中 久仁彦，打木久雄，2007年(平成19年)秋季第68回応用物理学会学術講演会8a-L-6，(2007年9月8日，北海道工業大学).
(93)非真空プロセスによる Cu2ZnSnS4 薄膜太陽電池の作製，田中久仁彦，大貫雅俊，森竹典子，
打木久雄，2007 年第四回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム 211-214，(2007 年 6
月 28-29 日，東北大学さくらホール).
(92) 光化学溶液堆積法で作製した Cu2ZnSnS4 プリカーサの硫化(Ⅱ)， 森谷克彦，田中久仁彦，打木久雄，2007 年(平成 19 年)春季第 54 回 応用物理学関係連合講演会, 29a-ZW-4，(2007 年 3月 29 日，青山学院大学相模原キャンパス).
(91) Cu2ZnSnS4 のバルク単結晶とゾルゲル･硫化法で作製した薄膜の光学特性， 宮本裕介, 田中久仁彦，大貫雅俊，森竹典子，打木久雄，2007 年(平成 19 年)春季第 54 回 応用物理学関係連合
講演会, 29a-ZW-5，(2007 年 3 月 29 日，青山学院大学相模原キャンパス).
(90) ゾルゲル･硫化法により作製した CZTS 薄膜のプレアニール効果， 田中久仁彦，森竹典子，
大貫雅俊，打木久雄，2007 年(平成 19 年)春季第 54 回 応用物理学関係連合講演会, 29a-ZW-6，(2007 年 3 月 29 日，青山学院大学相模原キャンパス).
(89) 非真空プロセスによる Cu2ZnSnS4 薄膜太陽電池の作製， 大貫雅俊，森竹典子，田中久仁彦，
打木久雄，2007 年(平成 19 年)春季第 54 回 応用物理学関係連合講演会, 29a-ZW-7，(2007 年 3月 29 日，青山学院大学相模原キャンパス).
(88) ゾルゲル・硫化法による Cu2ZnSnS4 薄膜太陽電池の作製，大貫雅俊，田中久仁彦，森竹典子，
打木久雄，平成 18 年度応用物理学会 北陸・信越支部 学術講演会 J-02，(2006 年 11 月 24-25
日，新潟大学).
(87) PLD 法による EuGa2S4 薄膜の作製と評価，金田亮平，田中久仁彦，打木久雄，平成 18 年度
応用物理学会 北陸・信越支部 学術講演会 I-08，(2006 年 11 月 24-25 日，新潟大学).

34

研究業績一覧 (長岡技術科学大学 田中)(86) Ce 添加 CaGa2S4 のナノ秒分光，高山勝彦，サミール ママドフ，田中久仁彦，打木久雄，日高千晴，滝沢武男，平成 18 年度応用物理学会 北陸・信越支部 学術講演会 I-04，(2006 年 11
月 24-25 日，新潟大学).
(85) 紫外 LED を用いた平面型蛍光灯の白色化，大久保裕司，田中久仁彦，打木久雄，平成 18 年(第16 回)電気学会電気学会東京支部新潟支所研究発表会 P-28，予稿集 p.94，(2006 年 11 月).
(84) PLD 法による EuGa2S4 薄膜の作製と評価，金田亮平，田中久仁彦，打木久雄，平成 18 年(第16 回)電気学会電気学会東京支部新潟支所研究発表会 P-12，予稿集 p.78，(2006 年 11 月).
(83) RF プラズマ堆積法による有機薄膜の電気的特性・光学特性，Tengku Nadzlin，田中久仁彦，
打木久雄，平成 18 年(第 16 回)電気学会電気学会東京支部新潟支所研究発表会 P-11，予稿集
p.77，(2006 年 11 月).
(82) ゾルゲル・硫化法による Cu2ZnSnS4 薄膜太陽電池の作製，大貫雅俊，田中久仁彦，森竹典子，
打木久雄，平成 18 年(第 16 回)電気学会電気学会東京支部新潟支所研究発表会 P-10，予稿集
p.76，(2006 年 11 月).
(81) Cu2ZnSnS4 バルク単結晶とゾル-ゲル・硫化法で作製した薄膜からのフォトルミネッセンス，
宮本祐介，田中久仁彦，大貫雅俊，森竹典子，打木久雄，平成 18 年(第 16 回)電気学会電気学会東京支部新潟支所研究発表会 P-9，予稿集 p.75，(2006 年 11 月).
(80) パルスレーザー堆積法による Cu2ZnSnS4 薄膜太陽電池の作製，森谷克彦，田中久仁彦，打木久雄，平成 18 年(第 16 回)電気学会電気学会東京支部新潟支所研究発表会 P-8，予稿集 p.74，(2006 年 11 月).
(79) Ce または Eu 添加 CaGa2S4 の励起状態吸収，サミール ママドフ，高山勝彦，田中久仁彦，
打木久雄，平成 18 年度応用物理学会多元系機能性材料研究会年末講演会 P19，(2006 年 11 月
17-18 日，東北大学片平さくらホール・蔵王ハイツ).
(78) 非真空プロセスによる Cu2ZnSnS4 薄膜太陽電池の作製，田中久仁彦，大貫雅俊，森竹典子，
打木久雄，平成 18 年度応用物理学会多元系機能性材料研究会年末講演会 o3，(2006 年 11 月
17-18 日，東北大学片平さくらホール・蔵王ハイツ).
(77) Ce 添加 CaGa2S4 結晶のナノ秒分光 II，高山勝彦，田中久仁彦，打木久雄，日高千晴，滝沢武
男，2006 年(平成 18 年)秋季第 67 回応用物理学会学術講演会 29p-H-9，(2006 年 8 月 29 日，立命館大学：びわこ・くさつキャンパス).
(76) ゾル-ゲル・硫化法による Cu2ZnSnS4 薄膜の作製(Ｉ) SLG 及び Mo 板上への製膜，大貫雅俊，
田中久仁彦，森竹典子，打木久雄，2006 年(平成 18 年)秋季第 67 回応用物理学会学術講演会
31a-P11-26，(2006 年 8 月 31 日，立命館大学：びわこ・くさつキャンパス).

35

研究業績一覧 (長岡技術科学大学 田中)(75) ゾル-ゲル・硫化法による Cu2ZnSnS4 薄膜の作製(II) 薄膜特性の組成比依存性，田中久仁彦，
森竹典子，大貫雅俊，打木久雄，2006 年(平成 18 年)秋季第 67 回応用物理学会学術講演会
31a-P11-27，(2006 年 8 月 31 日，立命館大学：びわこ・くさつキャンパス).
(74) Cu2ZnSnS4 のバルク単結晶とゾル-ゲル・硫化法で作製した薄膜からのフォトルミネッセンス，
宮本裕介，田中久仁彦，大貫雅敏，森竹典子，打木久雄，2006 年(平成 18 年)秋季第 67 回応用物理学会学術講演会 31a-P11-28，(2006 年 8 月 31 日，立命館大学：びわこ・くさつキャン
パス).
(73) パルスレーザー堆積法(PLD 法)による Cu2ZnSnS4 薄膜太陽電池の作製，森谷克彦，田中久仁彦，打木久雄，2006 年(平成 18 年)秋季第 67 回応用物理学会学術講演会 31a-P11-29，(2006 年
8 月 31 日，立命館大学：びわこ・くさつキャンパス).
(72) 光化学溶液堆積法による太陽電池光吸収層 Cu2ZnSnS4 薄膜の作製(III)，森谷克彦，田中久仁彦，打木久雄，2006 年(平成 18 年)秋季第 67 回応用物理学会学術講演会 31a-P11-30，(2006 年
8 月 31 日，立命館大学：びわこ・くさつキャンパス).
(71) Cu2ZnSnS4 バルク単結晶からのフォトルミネッセンス，宮本裕介，田中久仁彦，打木久雄，中澤圭介，荒木秀明，2006 年(平成 18 年)春季第 53 回 応用物理学関係連合講演会, 24a-ZR-3,
24a-ZR-4，(2006 年 3 月 24 日，武蔵工業大学 世田谷キャンパス).
(70) 光化学溶液堆積法で作製した Cu2ZnSnS4 プリカーサの硫化，森谷克彦，渡部淳一，田中久仁彦，打木久雄，2006 年(平成 18 年)春季第 53 回 応用物理学関係連合講演会, 24a-ZR-4，(2006
年 3 月 24 日，武蔵工業大学

世田谷キャンパス).

(69) パルスレーザ堆積法による Cu2ZnSnS4 薄膜の作製と評価(IV)，関口和哉，田中久仁彦，Ahamad
ADZWAN，森谷克彦，打木久雄，平成 17 年度応用物理学会多元系機能性材料研究会年末講
演会 P06，(2005 年 11 月 25-26 日，東京農工大学 小金井キャンパス).
(68) PCD 法で作製した Cu2ZnSnS4 プリカーサの硫化，森谷克彦，渡部淳一，田中久仁彦，打木久雄，平成 17 年度応用物理学会多元系機能性材料研究会年末講演会 P07，(2005 年 11 月 25-26
日，東京農工大学 小金井キャンパス).
(67) 光-化学溶液堆積(PCD)法による Cu2ZnSnS4 薄膜の作製と評価(II)，渡部淳一，森谷克彦，田
中久仁彦，
打木久雄，平成 17 年度応用物理学会多元系機能性材料研究会年末講演会 P08，(2005年 11 月 25-26 日，東京農工大学 小金井キャンパス).
(66) Cu2ZnSnS4 バルク単結晶からの DA ペアー発光，田中久仁彦，宮本裕介，打木久雄，中澤圭介，
荒木秀明，平成 17 年度応用物理学会多元系機能性材料研究会年末講演会 P13，(2005 年 11 月
25-26 日，東京農工大学 小金井キャンパス).
(65) Pb 添加 CaGa2S4 の時間分解スペクトル，設楽宗史，大久保裕司，田中久仁彦，打木久雄，平成 17 年度応用物理学会多元系機能性材料研究会年末講演会 P14，(2005 年 11 月 25-26 日，東京農工大学 小金井キャンパス).
(64) Ce 添加 CaGa2S4 結晶のナノ秒ポンプ－プローブ分光，高山勝彦，田中久仁彦，打木久雄, 日高千晴，滝沢武男，平成 17 年度応用物理学会多元系機能性材料研究会年末講演会 P38，(2005年 11 月 25-26 日，東京農工大学 小金井キャンパス).
(63) 光－化学溶液堆積(PCD)法による Cu2ZnSnS4 薄膜の作製と評価(Ⅲ)，渡部淳一，森谷克彦，
田中久仁彦，打木久雄，平成 17 年度(第 15 回)電気学会東京支部新潟支所研究発表会 I-05，予36

研究業績一覧 (長岡技術科学大学 田中)
稿集 p.13，(2005 年 11 月).
(62) Ce 添加 CaGa2S4 結晶の励起状態吸収，髙山勝彦，田中久仁彦，打木久雄，日高千晴，滝沢武
男，平成 17 年度(第 15 回)電気学会東京支部新潟支所研究発表会 I-08，予稿集 p.16，(2005 年
11 月).
(61) Cu2ZnSnS4 バルク単結晶からのフォトルミネッセンス，田中久仁彦，宮本裕介，打木久雄，中澤圭介，荒木秀明，平成 17 年度(第 15 回)電気学会東京支部新潟支所研究発表会 I-02，予稿集
p.28，(2005 年 11 月).
(60) Pb 添加 CaGa2S4 の光学特性と応用，大久保裕司，設楽宗史，田中久仁彦，打木久雄，平成 17
年度(第 15 回)電気学会東京支部新潟支所研究発表会 P-06，予稿集 p. 86，(2005 年 11 月).
(59) Pb 添加 CaGa2S4 の発光ダイナミクス，設楽宗史，大久保裕司，田中久仁彦，打木久雄，平成 17 年度(第 15 回)電気学会東京支部新潟支所研究発表会 P-07，予稿集 p. 87，(2005 年 11 月).
(58) RF プラズマ堆積有機薄膜の電気的・光学的特性，熊本明仁，打木久雄，田中久仁彦，平成 17
年度(第 15 回)電気学会東京支部新潟支所研究発表会 P-10，予稿集 p. 90，(2005 年 11 月).
(57) パルスレーザ堆積法による Cu2ZnSnS4 薄膜の作製と評価(Ⅴ)，関口和哉，田中久仁彦，Ahamad
ADZWAN，森谷克彦，打木久雄，平成 17 年度(第 15 回)電気学会東京支部新潟支所研究発表
会 P-13，予稿集 p. 93，(2005 年 11 月).
(56) 光－化学溶液堆積(PCD)法による Cu2ZnSnS4 薄膜の作製と評価(Ⅱ)，森谷克彦，渡部淳一，田中久仁彦，打木久雄，平成 17 年度(第 15 回)電気学会東京支部新潟支所研究発表会 P-21，予稿集 p. 101，(2005 年 11 月).
(55) Ce 添加 CaGa2S4 結晶のナノ秒分光，高山勝彦，田中久仁彦，打木久雄，日高千晴，滝沢武男，2005 年秋季第 66 回応用物理学会学術講演会 8p-K-8，(2005 年 9 月 8 日，徳島大学).
(54) 不純物添加 CaGa2S4 の発光特性(III)，大久保裕司，土橋利弘,田中久仁彦,打木久雄，平成 17
年春季第 52 回応用物理学関係連合講演会 29a-YH-11，(2005 年 3 月 29 日，埼玉大学).
(53) 光-化学溶液堆積法による太陽電池光吸収層 Cu2ZnSnS4 薄膜の作製，森谷克彦，渡部淳一，中野泰孝，田中久仁彦，打木久雄，平成 17 年春季第 52 回応用物理学関係連合講演会 29a-YK-7，(2005 年 3 月 29 日，埼玉大学).
(52) パルスレーザ堆積法による Cu2ZnSnS4 薄膜の作製と評価(III)，関口和哉，森谷克彦，田中久仁彦，打木久雄，平成 17 年春季第 52 回応用物理学関係連合講演会 29a-YK-6，(2005 年 3 月
29 日，埼玉大学).
(51) 光-化学溶液堆積法(PCD 法)による Cu2ZnSnS4 薄膜の作製と評価，渡部淳一，森谷克彦，中野泰孝，田中久仁彦，打木久雄，平成 16 年度応用物理学会多元系機能材料研究会講演会 P-11，(2004 年 12 月 17-18 日，三重大学).
(50) パルスレーザ堆積法による Cu2ZnSnS4 薄膜の作製と評価(II)，関口和哉，森谷克彦，中野泰孝，
田中久仁彦，打木久雄，平成 16 年度応用物理学会多元系機能材料研究会講演会 P-06，(2004年 12 月 17-18 日，三重大学).
(49) パルスレーザ堆積法による Cu2ZnSnS4 薄膜の作製と評価(I)，関口和哉，森谷克彦，中野泰孝，
田中久仁彦，打木久雄，平成 16 年度日本物理学会新潟支部第 33 回例会 P-30，(2004 年 12 月
4 日，新潟大学).

37

研究業績一覧 (長岡技術科学大学 田中)(48) Optical and electrical properties of RF-plasma-polymerized naphthalene and anthracene films， Hlaing
Myo Ma Ma, 熊本明仁，田中久仁彦，打木久雄，平成 16 年度日本物理学会新潟支部第 33 回
例会 P29，(2004 年 12 月 4 日，新潟大学).
(47) PCD 法による Cu2ZnSnS4 薄膜の作製と評価，森谷克彦，渡部淳一，中野泰孝，田中久仁彦，
打木久雄，平成 16 年度日本物理学会新潟支部第 33 回例会 P28，(2004 年 12 月 4 日，新潟大学).
(46) 希土類添加 CaGa2S4 のアップコンバージョン発光特性，浜野文雄，田中久仁彦，打木久雄，
平成 16 年度日本物理学会新潟支部第 33 回例会 P27，(2004 年 12 月 4 日，新潟大学).
(45) 不純物添加 CaGa2S4 の発光特性，土橋利弘,田中久仁彦，打木久雄，平成 16 年度日本物理学会新潟支部第 33 回例会 P26，(2004 年 12 月 4 日，新潟大学).
(44) Optical and electrical properties of RF-plasma-polymerized naphthalene and anthracene films,
Hlaing Myo Ma Ma, 熊本明仁，田中久仁彦，打木久雄， 平成 16 年度(第 14 回)電気学会東京支部新潟支所研究発表会 P-13.
(43) 光-化学溶液堆積法(PCD 法)による Cu2ZnSnS4 薄膜の作製と評価，渡部淳一，森谷克彦，中野泰孝，田中久仁彦，打木久雄，平成 16 年度(第 14 回)電気学会東京支部新潟支所研究発表会
P-6.
(42) パルスレーザ堆積法による Cu2ZnSnS4 薄膜の作製と評価(IV)，関口和哉，田中久仁彦，森谷克彦，中野泰孝，打木久雄，平成 16 年度(第 14 回)電気学会東京支部新潟支所研究発表会 I-12.
(41) 光化学溶液堆積法(PCD 法)による Cu2ZnSnS4 薄膜の作製と評価(II)， 森谷克彦,田中久仁彦,
打木久雄，平成 16 年秋季第 65 回応用物理学会学術講演会 4a-ZL-2，(2004 年 9 月 4 日，東北学院大学，宮城県).
(40) 不純物添加 CaGa2S4 の光学特性(II)，土橋利弘，田中久仁彦，打木久雄， 平成 16 年秋季第 65
回応用物理学会学術講演会 2a-ZL-9，(2004 年 9 月 4 日，東北学院大学，宮城県).
(39) 光化学溶液堆積法(PCD 法)による Cu2ZnSnS4 薄膜の作製と評価，森谷 克彦，田中 久仁彦，
打木 久雄，平成 16 年春季第 51 回応用物理学関係連合講演会 31a-P21-9，(2004 年 3 月 31 日，
東京工科大学：東京都八王子市).
(38) パルスレーザー堆積法(PLD 法)による Cu2ZnSnS4 薄膜の作製と評価，森谷 克彦，田中 久
仁彦，打木 久雄，平成 16 年春季第 51 回応用物理学関係連合講演会 31a-P21-8，(2004 年 3月 31 日，東京工科大学：東京都八王子市).
(37) 不純物添加 CaGa2S4 の光学特性，土橋利弘，田中久仁彦，打木久雄，平成 16 年春季第 51
回応用物理学関係連合講演会 29p-P13-13，(2004 年 3 月 29 日，東京工科大学：東京都八王子市).
(36) Er 添加 CaGa2S4 のアップコンバージョン発光，浜野文雄，田中久仁彦，打木久雄，平成 16
年春季第 51 回応用物理学関係連合講演会 29p-P13-12，(2004 年 3 月 29 日，東京工科大学：
東京都八王子市).
(35) 溶融法による Ce 添加 CaGa2S4 結晶の作製と光学特性，高山勝彦，田中久仁彦，打木久雄，
平成 16 年春季第 51 回応用物理学関係連合講演会 29p-P13-11，(2004 年 3 月 29 日，東京工科
大学：東京都八王子市).

38

研究業績一覧 (長岡技術科学大学 田中)(34) ナフタレン添加 a-C:H 膜の光学特性，山野辺純朗，Tengku Nadzlin，田中久仁彦，打木久雄，
平成 15 年度日本物理学会新潟支部第 32 回例会 p9，(2003 年 12 月 6 日，新潟歯科大学新潟歯学部).
(33) 不純物添加 CaGa2S4 の光学特性，土橋利弘，田中久仁彦，打木久雄，平成 15 年度日本物理学会新潟支部第 32 回例会 p8，(2003 年 12 月 6 日，新潟歯科大学新潟歯学部).
(32) 希土類添加 CaGa2S4 のアップコンバージョン発光，浜野文雄，田中久仁彦，打木久雄，平成
15 年度日本物理学会新潟支部第 32 回例会 p7，(2003 年 12 月 6 日，新潟歯科大学新潟歯学部).
(31) 溶融法による Ce 添加 CaGa2S4 の作製とその光学特性，高山勝彦，田中久仁彦，打木久雄，
平成 15 年度日本物理学会新潟支部第 32 回例会 p6，(2003 年 12 月 6 日，新潟歯科大学新潟歯学部).
(30) 希土類添加 CaGa2S4 のアップコンバージョン発光，浜野文雄，田中久仁彦，打木久雄， 平
成 15 年第 13 回電気学会東京支部新潟支所研究発表会 P-12 予稿集 p. 92，(2003 年 11 月)(29) パルスレーザー堆積法による Cu2ZnSnS4 薄膜の作製と評価(Ⅲ)，森谷 克彦，田中 久仁彦，
打木 久雄，平成 15 年第 13 回電気学会東京支部新潟支所研究発表会 I-19 予稿集 p. 33，(2003年 11 月).
(28) 溶融法による Ce 添加 CaGa2S4 の作製と光学特性，髙山

勝彦，田中久仁彦，打木久雄，

平成 15 年第 13 回電気学会東京支部新潟支所研究発表会 I-7 予稿集 p. 11，(2003 年 11 月).
(27) PLD 法による Cu2ZnSnS4 薄膜の作製と評価(II)，森谷克彦，田中久仁彦，打木久雄，平成 15
年三元・多元機能性材料研究会講演会 P16，(2003 年 11 月 7-8 日，東海大学湘南キャンパス).
(26) 希土類添加 CaGa2S4 のアップコンバージョン発光， 浜野文雄，田中久仁彦，打木久雄， 平成
15 年 三元・多元機能性材料研究会講演会 P9，(2003 年 11 月 7-8 日，東海大学湘南キャンパ
ス).
(25) 溶融法による Ce 添加 CaGa2S4 の作製とその光学特性，高山勝彦，
田中久仁彦，打木久雄， 平
成 15 年三元・多元機能性材料研究会講演会 P8，(2003 年 11 月 7-8 日，東海大学湘南キャン
パス).
(24) Ca-Ce-Ga-S 系ガラスの作製と光学特性の評価， 高山勝彦，田中久仁彦，打木久雄， 平成 15
年春季第 50 回応用物理学関係連合講演会 28a-ZA-7，(2003 年 3 月 28 日，神奈川大学).
(23) PLD 法による Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜の作製と評価，田辺智樹，田中久仁彦，打木久雄，平成
14 年秋季第 63 回応用物理学会学術講演会 27a-ZE-4， (2002 年 9 月 27 日，新潟大学).
(22) PLD 法による Na，Te 添加 ZnO 薄膜の作製とその評価，菅野泰央，田中久仁彦，打木久雄， 平
成 14 年秋季第 63 回応用物理学会学術講演会 26p-ZD-1， (2002 年 9 月 26 日，新潟大学).
(21) Nonlinear Optics of Chalcopyrite Type Semiconductors -Reflected Harmonic Generation from CuGaS2-，
田中久仁彦，
打木久雄，
飯田誠之，平成 14 年秋季第 63 回応用物理学会学術講演会 26p-ZE-8，(2002 年 9 月 26 日，新潟大学).
(20) “Exciton-related Optical Processes in CuGaS2 Crystals”，飯田誠之, 青木(松本)玉緒，田中久仁彦，
平成 14 年秋季第 63 回応用物理学会学術講演会 26p-ZE-7， (2002 年 9 月 26 日，新潟大学).
(19) GaMnAs による反射第二高調波光発生，藤岡丈志，千田栄，神保良夫，田中久仁彦，内富直
隆，打木久雄，平成 13 年度日本物理学会新潟支部第 30 回例会 P-3，(2001 年 12 月).

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研究業績一覧 (長岡技術科学大学 田中)(18) Ti 添加 a-C:H 膜の発光特性，森宗太一郎，田中久仁彦，打木久雄，平成 13 年度日本物理学会
新潟支部第 30 会例会 P-2，(2001 年 12 月).
(17) Ti 添加 a-C:H 膜の発光時間減衰特性，森宗太一郎，田中久仁彦，打木久雄，平成 13 年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2B-2.
(16) GaMnAs による反射第二高調波発生，藤岡丈志，千田栄，神保良夫，田中久仁彦，内富直隆，
打木久雄，平成 13 年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2B-1.
(15) パルスレーザー堆積法による多層膜光学ミラーの作製と評価，B.トゥンナカート，田中久仁彦，打木久雄，平成 13 年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 1F-8.
(14) Ce 添加 CaGa2S4 微粒子の発光特性，浪江寿典，田中久仁彦，打木久雄，平成 13 年度応用物
理学会北陸・信越支部学術講演会 1B-1.
(13) Ce 添加 CaGa2S4 微粒子の発光特性，浪江寿典，田中久仁彦，打木久雄，平成 13 年度三元多元機能性材料研究会 P-22，(2001 年 11 月 22-23 日，龍谷大学瀬田学舎).
(12) Ce 添加 CaGa2S4 微粒子の光学特性，浪江寿典，田中久仁彦，打木久雄， 平成 13 年度 第 11回電気学会東京支部新潟支所研究発表会 P-22, 予稿集 p. 124.
(11) Ti 添加 a-C:H 膜の発光特性，森宗太一郎，菅野泰央，田中久仁彦，打木久雄， 平成 13 年度 第
11 回電気学会東京支部新潟支所研究発表会 P-21, 予稿集 p. 123.
(10) CuGaS2 バルク単結晶(112)面からの反射第三高調波発生，田中久仁彦，打木久雄: 平成 12 年度日本物理学会新潟支部第 29 回例会 P25.
(9) CuGaS2 バルク単結晶(112)面からの反射第二高調波発生，田中久仁彦，打木久雄: 平成 12 年秋
第 61 回応用物理学会学術講演会 4p-ZK-8.
(8) CuGaS2 励起子発光の強励起効果，田中久仁彦，打木久雄，寺迫智昭，白方祥，磯村滋宏，平成 10 年度三元多元機能性材料研究会 P-02.

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研究業績一覧 (長岡技術科学大学 田中)(7) CuGaS2 バルク単結晶励起子のピコ秒時間分解発光分光，田中久仁彦，打木久雄，飯田誠之
平成 10 年春第 45 回応用物理学会関係連合講演会 31aS10.
(6) CuGaS2 のフォトルミネッセンス(IX)-磁場及び時間減衰特性－，寺迫智明，海路博司，田中久仁彦，白方祥，打木久雄，磯村滋宏，平成 10 年春第 45 回応用物理学会関係連合講演会 31aS8.
(5) CuGaS2 の励起子のピコ秒時間分解発光分光，田中久仁彦，打木久雄，飯田誠之，平成 9 年度
物理学会新潟支部第 26 回例会 PS1.
(4) CuGaS2 の励起子のピコ秒時間分解発光分光，田中久仁彦，打木久雄，飯田誠之，平成 9 年度
三元多元機能性材料研究会 P8.
(3) CaF2 基板上 ErF3 薄膜のホトルミネッセンス励起スペクトル，平野謙治，小滝裕一，田中久仁彦，打木久雄，八百隆文，足立和則，稲葉克彦，宇田聡，福田承生，平成 8 年春季第 44 回応用物理学会学術講演会予稿集, 28p-V-5.
(2) CaF2 基板上 ErF3 薄膜のフォトルミネッセンス，平野謙治，小滝裕一，田中久仁彦，打木久雄，
八百隆文，足立和則，稲葉克彦，宇田聡，福田承生，平成 8 年度日本物理学会新潟支部大会
第 25 回例会.
(1) CaF2 基板上 ErF3 薄膜のフォトルミネッセンス，平野謙治，小滝裕一，田中久仁彦，打木久雄，
八百隆文，平成 7 年秋季第 57 回応用物理学会学術講演会予稿集，9p-ZL-9.

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研究業績一覧 (長岡技術科学大学 田中)
7．特許(3) 硫化物薄膜の作製方法
出願平成18年3月31日，出願番号特願2006-98530，特許公開番号2007-269589
発明者 田中久仁彦，森竹典子，打木久雄(2) 固体蛍光材料
出願平成16年6月21日，出願番号特願2004-182524，整理番号P160621N1
発明者 打木久雄，田中久仁彦，土橋利弘(1) 固体蛍光材料
出願平成16年3月24日，出願番号特願2004-87571，取得平成19年4月20日 特許番号3945710
発明者 打木久雄，田中久仁彦，土橋利弘
8．外部資金など●研究代表者分(45) 令和 6-9 年度 科研費

基盤 B 「少数キャリア動的挙動制御による高効率かつ有毒・希少元素フリー薄膜太陽電池の創生」(44) 令和 5 年度 TAKEUCHI 育英奨学会助成「元素戦略を考慮した低価格・環境調和・太陽電池の開発」(43) 令和 5 年度 財団法人内田エネルギー科学振興財団試験研究助成「ミスト CVD 法による太陽電池光吸収層用環境調和型半導体 Cu2Sn1-xGexS3 薄膜の作製」(42) 令和 5 年度 財団法人内田エネルギー科学振興財団試験研究助成「塩素フリー原料溶液を用いた環境調和型薄膜太陽電池の作製」(41) 令和 4 年度 カシオ科学振興財団研究助成「元素戦略を考量した透明太陽電池の高効率化」(40) 令和 4 年度 佐々木環境技術振興財団試験研究費助成「Cu-Si 系化合物を用いた低コスト環
境調和薄膜太陽電池の作製」(39)令和 4 年度ユニオンツール奨学育英会 研究助成「真空蒸着法による汎用元素を用いた薄膜太陽電池の作製」(38) 令和 4 年度 池谷科学技術振興財団 研究助成「元素戦略を考慮した環境調和半導体太陽電池の創生」(37) 令和 4-6 年度 日本板硝子材料工学助成会 研究助成「二源系ファインチャネルミスト CVD
法による環境調和 Cu2SnS3 薄膜太陽電池の作製」(36) 令和 3 年度 佐々木環境技術振興財団試験研究費助成「透明微細構造透明太陽電池実現のためのハロゲン組成比制御法の検討」(35) 令和 3 年度 村田学術振興財団研究助成「元素戦略を考慮した太陽電池実現のための分光学的手法による欠陥の検討」(34) 令和 3 年度 公益財団法人 内田エネルギー科学振興財団試験研究費助成「二系統ミスト CVD法による銅硫化物薄膜作製法の確立」(33) 令和 2 年度 八洲環境技術振興財団 研究開発 ・調査 助成「元素戦略を考慮した総合的な環境保全に資する太陽電池の開発

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研究業績一覧 (長岡技術科学大学 田中)(32) 令和 2 年度ユニオンツール奨学育英会 研究助成
「発光観測および理論的計算による環境調和太陽電池用材料 Cu2IVS3 の欠陥の解析」(31) 令和 2－5 年度 科研費

基盤 B「積極的欠陥制御による高効率・有毒・希少元素フリー薄膜

太陽電池の創生」(30) 平成 31 年度ユニオンツール奨学育英会 研究助成
「ゾルゲル・硫化法による低コスト多元系銅化合物薄膜堆積法の開発」(29) 平成 30 年度 佐々木環境技術振興財団試験研究費助成「元素戦略を考慮した透明微細構造透
明太陽電池の作製」(28) 平成 30－31 年度 科研費 挑戦的研究(萌芽)「元素戦略を考慮した室内環境改善機能を持つ
フレキシブル透明太陽電池の創製」(27) 平成 30 年度ユニオンツール奨学育英会 研究助成「ミスト CVD 法による多元系銅化合物薄膜堆積法の開発」(26) 平成 30 年度 池谷科学振興財団 研究助成 「溶液塗布法による低価格・環境調和・高効率
太陽電池の開発」(25) 平成 28 年度 財団法人内田エネルギー科学振興財団試験研究助成「塩素フリー原料溶液を用いた環境調和型薄膜太陽電池の作製」(24) 平成 28 年度 八洲環境技術財団 研究助成 「元素戦略を考慮した紫外光を有効活用するた
めの透明微粒子構造太陽電池の開発」(23) 平成 27-28 年度 JFE21 世紀財団 技術研究助成「太陽電池効率改善のための Cu2SnS3 単結晶作
製法の確立と光学特性の解析」(22) 平成 27 年度 佐々木環境技術振興財団試験研究費助成「透明太陽電池実現に向けての新規銅ハロゲン化合物半導体の作製」(20) 平成 27-29 年度科研費

基盤研究 C「欠陥低減機構の解明および高効率レアメタルフリー環

境調和太陽電池の創製」(19) 平成 25 年度 佐々木環境技術振興財団試験研究費助成「ベースメタルを用いた太陽電池光吸収層用半導体の開発」(18) 平成 25 年度 A-step FS シーズ顕在化ステップ「レアメタルフリー超低コスト環境調和型薄膜太陽電池の効率改善」(17) 平成 25 年度財団法人内田エネルギー科学振興財団試験研究助成「太陽電池高効率化へ向けての環境調和型半導体 Cu2SnS3 の光学特性の解析」(16) 平成 25 年度ユニオンツール育英奨学会 「硫化鉄の太陽電池への応用の検討」(15) 平成 24 年度 インテリジェントコスモス財団 インテリジェント・コスモス奨励賞への助成事業「レアメタル，有毒元素フリー・超低コスト三次元構造太陽電池の界面層，TiO2 微粒子の機能解明および高効率化の検討」(14) 平成 23 年度財団法人内田エネルギー科学振興財団試験研究助成「環境調和型薄膜太陽電池の高効率化に向けての急速加熱法による Cu2ZnSnS4 薄膜の作製」(13) 平成22年度 社団法人 新化学発展協会研究奨励金「非真空プロセスによる低環境負荷・超低コスト薄膜太陽電池作製法の開発」(12) 平成 21 年度財団法人内田エネルギー科学振興財団試験研究助成「環境調和型薄膜太陽電池の43

研究業績一覧 (長岡技術科学大学 田中)
作製 ～高効率化へ向けての組成比の検討～」(11) 平成 21-22 年度科研費

若手 B「非真空プロセスによる超低コスト環境調和型薄膜太陽電池の作製に関する研究」(10) 平成 20 年度 日揮･実吉奨学会研究助成「界面層，窓層改善による超低コスト環境調和型薄膜太陽電池の効率改善」(9) 平成20年度 財団法人 御器谷科学技術財団 国際研究集会派遣研究者 派遣先「16thInternational Conference on Ternary and Multinary Compounds」(8) 平成 19 年度財団法人内田エネルギー科学振興財団試験研究助成「超低コスト環境調和型薄膜
太陽電池の大面積化」(7) 平成 19 年度ユニオンツール育英奨学会「環境調和型薄膜太陽電池光吸収層の光物性の研究」(6) 平成18年度JSTサテライト新潟 研究成果実用化検討(ＦＳ)課題「非真空プロセスによる環境
調和型薄膜太陽電池の作製」(5) 新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)H15-17 年度(17 年度のみ代表)
事業名称：太陽光発電技術研究開発革新的次世代太陽光発電システム技術研究開発事業
採用テーマ：「汎用原料を使用した CZTS 光吸収層による新型薄膜太陽電池の研究開発」
分担テーマ：「非真空プロセスによる CZTS(Cu2ZnSnS4)薄膜太陽電池の製造技術開発」(4) 平成 17 年度財団法人内田エネルギー科学振興財団試験研究助成「Cu2ZnSnS4 の光学特性の解析 ~環境調和型太陽電池の高効率化へ向けて~」(3) 平成 16 年度ユニオンツール育英奨学会「環境調和型薄膜太陽電池の界面層機能の解明による高効率化と完全無毒化」(2) 平成 15 年度財団法人内田エネルギー科学振興財団試験研究助成「光-化学溶液堆積法による
Cu2ZnSnS4 薄膜の作製」(1) 平成 14 年度山口育英奨学会学術研究助成金「省資源，環境調和型 Cu2ZnSnS4 太陽電池の研究」

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研究業績一覧 (長岡技術科学大学 田中)
8．受賞(1) 第15回電気学会東京支部新潟支所研究発表会優秀発表賞(平成17年度)(2) 第11回インテリジェント・コスモス奨励賞 (平成24年)(3) 平成28 年度多元系化合物・太陽電池研究会年末講演会 奨励賞， ヨウ素輸送法による
Cu2Sn1-xGexS3バルク結晶の作製と評価，松本祐典，粟飯原直也，田中久仁彦
9．総説，解説・著書(3) Copper Zinc Tin Sulfide-based Thin Film Solar Cells edited by Kentaro Ito
Wiley, 2015,

ISBN: 9781118437872(2) “環境調和半導体(CZTS)を用いた非真空プロセスによる太陽電池の開発”
田中久仁彦，Materials Integration Vol. 23 No. 11 (2010) p.16-20 11 月 1 日(1) “非真空プロセスによる環境調和型薄膜太陽電池の作製”
田中久仁彦，コンバーテック 2010 年 10 月号 (加工技術研究会) p.80-82

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