11

In 2 O 3 -SnO 2 系透明導電膜における電気光学特性のSnO2量依存性
内
飯

海
草

健 太 郎
仁
志

The Effect of SnO2 Concentration on the Electricaland Optical Properties of In2O3-SnO2 Films
Kentaro UTSUMI
Hitoshi IIGUSA

The influence of SnO2 concentration on the characteristics of tin-doped indium oxide films has beenstudied by the low discharge voltage sputtering method using a highdensity In2O3- SnO2 ceramic target.
For the films deposited on unheated substrates, X-ray diffraction profile showed an amorphous structure. The
minimum resistivity of 358μΩcm was obtained for the In2O3 film of a mobility of 40.1 cm2/Vs and a carrier
density of 4.35×1020 cm-3. With the increase of SnO2 concentration, the resistivity of the films increased whileboth the carrier density and the mobility decreased. In contrast, the films deposited on heated substrates
showed a polycrystalline structure, where the resistivity was found to decrease in the range from 5 to
20 wt.％ of SnO2 concentration. The minimum value of 136μΩcm was attained at 15 wt.％ concentration
with a mobility of 40.5 cm2/Vs and a carrier density of 1.13×1021 cm-3. Transmittance and reflectance of
these films were found to depend considerably on the carrier density.

近年ITO薄膜の用途がLCDのみならず、太陽電池、

１．はじめにタッチパネル、有機ELディスプレイなど多様化し、Tin doped Indium Oxide（ITO）薄膜は高導電性、特定波長での高透過率、高抵抗率、表面平坦性等と多高透過率といった特徴を有し、更に微細加工も容易に

岐に渡るようになっている。このような現状に対応す行えることから、LCD（Liquid Crystal Display）用途

るためには、ITO薄膜諸特性のSnO2量依存性を理解すを中心として使用されてきた。ITO薄膜の製造方法とることが重要である。しかし、ITO焼結体ターゲット

し て は 、 ス プ レ ー 熱 分 解 法 １ ）、 Chemical Vapor

を用いてDCマグネトロンスパッタリング法で形成さDeposition（CVD）法２）、電子ビーム蒸着法３）、スパれたITO薄膜諸特性のSnO2量依存性は、1987年に木村ッタリング法等があげられる。中でもITOターゲット等による報告６）以後、報告されていない。1987年当時を用いたDCマグネトロンスパッタリング法は大面積

は、ITOターゲットに用いられたITO焼結体の密度はへの均一成膜が可能で、かつ高性能の膜が得られる

４）

約80％である。以後、ITO焼結体の密度はFig.1に示すことからITO薄膜形成法の主流となっている。ITOタ

ように増加の一途を辿り、現在では焼結密度=99.5％

ーゲット中のSn含有量は、酸化物換算で10wt.％のも以上のターゲットが市販されている。このようなITOのが使用されてきた。これは、スパッタリング法にお焼結体密度の向上は、薄膜抵抗率を低下させることもいては、SnO2=10wt.％において抵抗率が最小になると報告されている７）。さらに、石橋等により低放電電圧

報告されてきたからである５）。

スパッタリングに法による薄膜の低抵抗率化８）が報告（ 11 ）12

TOSOH Research ＆ Technology Review Vol.47（2003）

入した。スパッタリング時のガス圧は、0.5Paとした。

100

無加熱基板および200℃に加熱したCorning #1737基板

Taregt Density〔％〕95上に膜厚150nmのIn2O3-SnO2系薄膜を形成した。

90

膜厚の測定には、触針式膜厚計（Sloan社製、85

Dektak3030）を用いた。電気特性は、van der Paw法

80により、抵抗率（ρ）、キャリア密度（ｎ）、ホール移75

動度（μ）（以後、移動度と記載）をホール効果測定
装置（Bio-Lad社製、HL5500PC）を用いて測定した。

70
88

90

92

94

96

98

00

02

結晶性は、X線回折法（XRD）（Rigaku, RAD-C）を用Year

いて測定した。透過率および反射率の測定に際しては、

Fig. １ History of improvement of ITO（SnO2 ＝ 10 wt.％）
target density

石英硝子基板上に薄膜を形成し、ダブルビーム式の分光光度計（島津、UV-3100）を用い、空気をリファレンスとして硝子基板込みでの透過率を測定した。

され、成膜技術が大きく変化している。
そこで、今回我々はIn 2O 3-SnO 2系ターゲット中の３．結果および考察

SnO 2添加量を0〜100％まで変化させ、無加熱基板上［１］電気特性および加熱基板上にIn2O3-SnO2系薄膜を形成し、非晶（１）導電機構
ITO薄膜の抵抗率は、

質膜および多結晶膜における薄膜諸特性のSnO 2量依

ρ＝１／enμ存性を評価したので報告する。

（１）e：電子の電荷量、n：キャリア密度、

２．実験方法

μ：キャリアの移動度

In2O3粉末（99.99％）とSnO2粉末（99.99％）を所定の割合で混合した後、成形、焼成し直径４インチので表される。抵抗率を低下させるためには、キャリア
および移動度を増加させればよい。
ITO薄膜におけるキャリアは、以下のメカニズムでIn2O3-SnO2系高密度焼結体を作製した。SnO2含有量は、0、5、10、15、20、44.5、100％と変化させた。得ら生成される。

れたターゲットをバッチ式のDCマグネトロンスパッａ）In 2O 3をわずかに還元させ化学両論組成からず

タリング装置に装着し成膜を行った。ターゲット上のらすことにより酸素空孔から２個の電子を放出

磁束密度は、放電電圧を低下させるため1000Gaussとｂ）４価のスズ（Sn4+）を３価のインジウム（In3+）した。

で置換し、１個の電子を放出

チャンバー内の到達真空度は、5×10 Pa以下とした。

これら電子を放出するサイトは結晶の欠陥であるた

スパッタリングガスとしてはアルゴンガスとアルゴン

め、キャリアを放出すると同時にキャリアの散乱源とと酸素の混合ガスを用い、別系統でチャンバー内に導もなる。このようなサイトがイオン化散乱中心である。

-4

イオン化散乱中心以外にも電子の移動を妨げる要因があり、キャリアを出さない不純物による散乱中心（中

T（℃）
1021

300 100 0 -50

-100

-150

性散乱中心）、格子振動による散乱、転移による散乱、

102

1020

101
Hall Mobility
Carrier density

Hall mobility〔cm2/Vs〕

Carrier density〔cm−3〕

結晶粒界による散乱があげられる。
このうち、格子振動による散乱および転移による散乱は、温度依存性を持つことが知られている。今回作
製した試料の温度特性測定結果をFig.2に示す。抵抗率、キャリア密度および移動度は温度依存性を持たず、過去の報告例9）,10）と同様に格子振動による散乱、転移による散乱は無視できることが確認された。
1019

100
5
1000／T（K−1）

Fig.２

また、粒界散乱に関しても自由電子気体モデルを用

10

The dependences of carier density and mobilityon the tempareture.

いて算出された電子の平均自由行程は、結晶粒径と比較して１桁以上小さいとの報告11）と一致することを確認した。従って、本稿では、キャリアの散乱中心とし（ 12 ）

東ソー研究・技術報告 第47巻（2003）

13てイオン化散乱中心および中性散乱中心を用いて議論

素分圧と呼んでいる。薄膜が著しく還元された場合にする。

は、酸素空孔が過多状態となり、結晶膜では結晶性の（２）酸素分圧依存性

悪化、非晶質膜ではインジウムの低級酸化物を生成す

成膜時の酸素分圧を変化させることにより薄膜の還元の度合いが調整できるため、電気特性は酸素分圧にるため、キャリア密度、移動度共に低下すると考えられる。

大きく依存する。Fig.3〜4に200℃に加熱した基板上

次に、各SnO2組成における最適酸素分圧をTable1

および無加熱基板上に形成したITO薄膜の抵抗率、キにまとめる。いずれの基板温度においても、SnO 2添

ャリア密度および移動度の酸素分圧依存性を示す。

加量の増加により、最適酸素分圧が増加することが明

200℃加熱基板上では多結晶膜が、無加熱基板上ではらかとなった。Yamadaら12)によるとSnは、Sn濃度が

非晶質膜が得られていることは、XRDにより確認し低い領域においては６配位となっているが、Sn量がた（詳細は後述する）。多結晶膜、非晶質膜ともに酸増加し5atm.％以上になると７配位あるいは８配位と素分圧の増加にともないキャリア密度が減少し、移動なることを報告している。上記、SnO 2添加量の増加

度が増加した。これは、酸素分圧の増加により薄膜組にともなう最適酸素分圧の増加は、Snの増加により成が化学両論比に近づき、酸素空孔（イオン化散乱中

７配位、８配位のSnが増加し、より多くの酸素が取心）が減少するためである。これらキャリア密度と移り込まれたことによると考えられる。

動度のバランスにより、ある酸素分圧値で抵抗率が最小値を示すこととなり、このときの酸素分圧を最適酸

10−1

10−3

10−4

1020

1019

80

60

Mobility〔cm2/Vs〕

Mobility〔cm2/Vs〕

1022
In2O3
ITO
（SnO2：5wt.％）
ITO（SnO2：10wt.％）
ITO（SnO2：15wt.％）
21
ITO（SnO2：20wt.％） 10
ITO（SnO2：44.5wt.％）
SnO2
1020

1019

80

10−3

10−4

1022

1021

10−2

40

20

Carrier density〔cm−3〕

Resistivity〔Ωcm〕

In2O3
ITO
（SnO2：5wt.％）
ITO（SnO2：10wt.％）
ITO（SnO2：15wt.％）
ITO（SnO2：20wt.％）
ITO（SnO2：44.5wt.％）
SnO2

10−2

Carrier density〔cm−3〕

Resistivity〔Ωcm〕

10−1

60

40

20

0

2

4

6

0

（O2/Ar）flow ratio〔％〕

Fig.３

2

4

6

（O2/Ar）flow ratio〔％〕Fig.４

The effect of oxygen flow ratio on resistivity,
carrier density, and mobility of the films
deposited on heated substrates（200 ℃）.

（ 13 ）The effect of oxygen flow ratio on resistivity,
carrier density, and mobility of the films
deposited on unheated substrates.

14

TOSOH Research ＆ Technology Review Vol.47（2003）

Table１ Optimized oxygen pressure for low resistivity ITO
films from targets of various SnO2 content.
Optimized oxygen pressure（％）
SnO2 content（wt.％）
Unheated substrate Heated substrate（200℃）
0

1.5

0

5

1.5

0

10

1.5

0.3

15

2.0

0.5

20

2.0

0.7

44.5

3.0

2.5

100

4.0

5.0

（３）SnO2量依存性

た膜のXRD測定結果をFig.6に、無加熱基板上に形成

Fig.5に最適酸素分圧で形成された膜の抵抗率、キされた膜のXRD測定結果をFig.7に示す。

ャリア密度および移動度のSnO 2量依存性を示す。ま

最初に、200℃加熱基板上に形成された膜についてた、最適酸素分圧にて、200℃加熱基板上に形成され考える。Fig.6に示したように全SnO2範囲で多結晶膜

Resistivity〔Ωcm〕

10−1
RT
200℃

SnO2

10−2

10−3
44.5wt.％

10−4

1022

15wt.％

10wt.％

1019

80

Mobility〔cm2/Vs〕

Intensity〔a.u.〕

1020

Carrier density〔cm−3〕

1021

20wt.％

60
5wt.％
40

（222）
（211）
（440）

（400）
20

0

0

20

40

60

80

20

100

SnO2 concentration〔wt.％〕

Fig.５

In2O3
（622）

30

40

50

60

70

2θ〔deg.〕

The effect of SnO2 concentration on resistivity,
carrier density, and mobility of the films
deposited on heated and unheated substrates.

Fig.６（ 14 ）

X-ray diffraction profiles for the films on heatedsubstrates prepared using the targets of 0, 5,
10, 15, 20, 44.5, and 100％ SnO2 concentration.

東ソー研究・技術報告 第47巻（2003）

15が得られている。SnO 2 =0〜44.5wt.％の範囲では、

ら10wt.％の範囲では、増加したSnがキャリア生成に

In2O3のBixbyte構造となっている。SnO2=100wt.％では、寄与するイオン化散乱中心となっていると考えられ

SnO2のRutile構造を示した。ここで、SnO2=20wt.％にる。10wt.％から20wt.％の範囲では、キャリア密度のおいて（222）と（440）のピークが２つのピークに分増加がわずかであることやイオン化散乱中心の計算値

離しているのが明瞭に観察されるが、ピーク分離の原による傾き以上に移動度が低下していることから、増因に対する考察は結晶性の項で述べる。

加したSnがキャリアの生成に寄与しない酸化物を形

薄膜の移動度は、SnO2=5wt.％が最大であり、SnO2

成し、中性散乱中心となっていることが考えられる。

量の増加にともない20wt.％まで低下し、44.5wt.％で20wt.％から44.5wt.％の範囲では、Snを増加している

再び上昇した。キャリア密度、移動度の結果を反映し、にも関わらず、キャリア密度が低下する一方、移動度

抵抗率はSnO2=15wt.％で最小値136μΩcmを示した。

は増加している。これは増加したSnがイオン化散乱

このときのキャリア密度は、1.13×10 cm 、移動度

中心や中性散乱中心にならず、In4Sn3O12で表される中は40.5 cm /Vsであった。

間化合物14）として格子を構成する成分へと性質が変化

21

-3

2

これらキャリア密度および移動度の挙動を理解しやしたためと考えられる。

すくする為に、移動度のキャリア密度依存性をFig.8

次に、無加熱基板上に形成された膜について考える。

に示す。図中の − 線はキャリアの生成をSnによるIn

Fig.7に示したように全SnO2範囲で非晶質膜が得られの置換に限定（酸素空孔によるキャリア生成は考慮している。SnO 2量が増加すると、キャリア密度、移動ない）したときのキャリア密度と移動度の関係を示し

度ともに減少し、その結果、抵抗率が低下した。抵抗ている1）,13）。

率はSnO2=0wt.％で最小値358μΩcmを示した。このSnO2量を5wt.％から10wt.％に増加させた場合の実験データの傾きは、計算値と一致しており、5wt.％かときのキャリア密度は、4.35×1020 cm-3、移動度は40.1
cm2/Vsであった。
非晶質膜においては、In2O3にSnを添加してもSnは
キャリアの生成に寄与せず、単に散乱中心となっていることが明らかとなった。この時、Snはより多くのSnO2酸素を取り込むことで酸素空孔を減少させてキャリア密度を減少させると同時に、添加されたSnが不活性な中性散乱中心を増加させていると考えられる。

44.5wt.％［２］光学特性（１）多結晶膜
Intensity〔a.u.〕

20wt.％

200℃加熱基板上、最適酸素分圧で形成された膜の透過率および反射率をFig.9に示す。可視光領域では、

15wt.％

Mobility〔cm2/Vs〕

103

10wt.％

5wt.％

102
5wt

10wt
15wt

44.5wt
20wt
101

In2O3

1020

1021

1022

Carrier density〔cm−3〕
20

30

40

50

60

70

2θ〔deg.〕

Fig.７

Fig.８

X-ray diffraction profiles for films prepared onunheated substrates using the targets of 0, 5,
10, 15, 20, 44.5, and 100％ SnO2 concentration.

（ 15 ）

Mobilityl vs. carrier density for polycrystalline ITO
films of various SnO2 concentration. Also shown
are the calculated mobility based on charged
impurity scattering and the assumption that all
carriers due to the singly charged donors（dashed
line）
.

16

TOSOH Research ＆ Technology Review Vol.47（2003）

Table2に前節で示したキャリア密度および移動度

100Transmittance andReflectance〔％〕から求めたプラズマ波長をまとめる。本計算では、誘

G

80
A
60

B

D C
E

T％

40

10 -28gとした。本計算結果からも、赤外領域におけるc

プラズマ波長が、キャリア密度に依存していることが

e

b

d

R％
20

電率ε＝ｎ2＝2.02、有効質量ｍ*＝0.3ｍ0＝0.3×9.1×Fa

明らかである。

g

次に、紫外域における吸収端のシフトについて考え
f

0

1000

る。Table3に紫外領域で透過率が10％となった波長
2000（λ％10）とキャリア密度をまとめる。紫外領域におWavelength〔nm〕

Fig.９

ける透過率の低下も、キャリア密度に依存しており、Transmittance（capital letter）and reflectance（small
letter）of films prepared on heated substrates using
the targets with SnO2 concentration of （0 a）,5（b）,
10（c）, 15（d）, 20（e）, 44.5（f）, and 100％（g）.

キャリア密度の増加にともない透過率が10％以下になる波長が短くなる。これは、ITO薄膜の見かけ上のエ
ネルギーギャップが増加した為である。ITO薄膜のキ

SnO2=0wt.％を除いて80％以上の高い透過率が得られ

ャリア密度は、〜10 21（cm -3）ときわめて多く、そのている。SnO2=0wt.％の試料では、膜中に取り込まれためフェルミ準位が伝導帯底部に入り込み縮退半導体

る酸素が極端に少なく、可視光に対して吸収を持つ低となっている。この状態では、生成されたキャリアが級酸化物が形成され、透過率が低下したと考えられる。

伝導帯の底部を占有している。このため本来のITO膜

赤外領域では、SnO2=15、20、10wt.％で透過率が低のエネルギーギャップと同等のエネルギーを持つ光で下するとともに反射率が増加した。また、これらの試は、荷電子帯にある電子を伝導帯に励起できない。伝料では、紫外域における吸収端（透過率が急激に低下

導帯の非占有状態へ励起させるためには、より大きなする波長）が短波長側へシフトする現象が認められた。

光のエネルギーが必要となる。この結果、吸収端のエ

最初に赤外域における透過率の減少について考えネルギーが高エネルギー側へ、即ち、短波長側へシフる。Table2に各SnO 2量における赤外領域の透過率がトする結果となる。この現象は、Burstein-Mossシフ

50％となる波長（λ％50）とキャリア密度をまとめる。

トと呼ばれている15）。Table3に、光学特性から求めた赤外領域での透過率の低下はキャリア密度に依存してバンドギャップをまとめる。キャリア密度に強く依存いることがわかる。これは、ITO膜中の多数キャリアしているのがわかる。

によるプラズマ反射の影響と考えられる15）。プラズマ
により反射される光の波長は、次式で表されるプラズ（２）非晶質膜
無加熱基板上、最適酸素分圧で形成された膜の透過

マ周波数（ωp）で決定され、その波長より長い波長率および反射率をFig.10に示す。SnO2量の増加にともの光は反射される。
ωp ＝nq /εm*２n:キャリア密度ε:誘電率ない、赤外域での透過率が増加するとともに反射が減（２）２

少した。ITO薄膜における光学特性は、前節で述べた

q:キャリアの電荷

ようににキャリア密度に依存している。非晶質膜におm*:有効質量Table２ Carrier density, wave length observed 50％ transmittancein infrared region（λ％50）and wave length at plasma
ocil ation（λp）of In2O3−SnO2 system.
SnO2 concentration（％）Carrier density（cm−3） λ％50（nm）

λp
（nm）

0

3.15×1019

2690

7070

5

20

2334

1730

10

20

8.56×10

1540

1110

15

1.13×1021

1354

967

20

1.02×1021

1304

1020

44.5

20

2526

1890

19

2688

11800

100

3.52×10

2.98×10
1.27×10（ 16 ）

東ソー研究・技術報告 第47巻（2003）

17

Table３ Carrier density and wave length observed 10％ transmittancein ultraviolet region（λ％10）of In2O3−SnO2 system.
SnO2 concentration（％） Carrier density（cm−3） λ％10（nm） Band gap（dV）0

3.15×1019

310

3.64

5

20

3.52×10

286

3.98

10

8.56×1020

274

4.17

15

1.13×1021

270

4.23

20

21

270

4.18

44.5

20

2.98×10

290

3.77

100

1.27×1019

258

4.02

1.02×10

いては、SnO 2量の増加にともないキャリア密度が低

２、４、６、８分と変化させた時の（440）面のXRD下しており、上記SnO 2量の増加にともなう透過率お回折ピークをFig.11に示す。膜厚=150nmの膜を残厚よび反射率の変化は、キャリア密度の影響と帰着する

60nmまでエッチングさせた際、低角側のピーク

ことができる。

（Peak1）のみが減少し、この膜が格子間隔の異なる２層構造の膜となっていることが示された。

［３］結 晶 性
ここでは、Fig.6に示したXRD回折ピークで見られた（222）と（440）のピーク分離について考える。このようにピークが分離する原因としては、ａ）Enoki
らによって報告されているIn4Sn3O12で表される中間化

Peak 2

Peak 1

合物の存在 、ｂ）C. H. Yiらによって報告されてい14)

る固相で結晶化した層と気相で結晶化した層の２層構造膜が考えられた16)〜18)Film Thickness
150nm

。

ピーク分離の原因がａ）に記載した中間化合物の存在に起因するものであれば、固有のピークが22.29度と24.07度に現れる19)が、本実験結果では認められていない。そこで、２層構造膜の観点から分析を実施した。
エッチャントを用い、ステップエッチングを行い（440）ピークの変化を調べた。エッチング時間を０、Intensity〔a.u.〕

SnO2=20wt.％の膜に対して、40℃の塩酸−硝酸系の

130nm

110nm

Transmittance andReflectance〔％〕

100
F

80
T％

G

80nm

A BCD

60

E

40
a

R％

20

c

b
e

0
0

1000

f
2000

60nm

d

g
50

Wavelength〔nm〕

51

52

2θ〔deg.〕Fig.10 Transmittance（capital letter）and reflectance（small
letter）of the films prepared on the unheatedsubstrates using the targets with SnO2 concentrationof （0 a）,5（b）,10（c）,15（d）,20（e）,44.5（f）, and 100％（g）.

（ 17 ）

Fig.11 XRD profiles of（440）peak of the ITO film
150nm step etched for 0, 2, 4, 6, and 8 minutesby chemical wet etching.

TOSOH Research ＆ Technology Review Vol.47（2003）

次に、SnO2=20wt.％膜の成長過程を調べた。膜厚10、60

20、40nmの膜を作製し、結晶性を調べた結果を40
Change inresistivity〔％〕Fig.12に示す。膜厚10および20nmの試料では、回折ピークが見られず非晶質膜が形成されているのに対し、膜厚=40nmでは結晶化した。これらの結果から、本実験におけるSnO 2=20wt.％膜のピーク分離は、C.

20
0
−20

H. Yi等がSnO2=10wt.％の膜に対して報告したのと同−40

様に、固相で結晶化した層と気相で結晶化した層の２

−60

In2O3
ITO
（SnO2:5wt.％）
ITO（SnO2:10wt.％）
ITO（SnO2:20wt.％）
ITO（SnO2:44.5wt.％）
SnO2

層構造によることが明らかとなった。

60
40

さらに、SnO2=20wt.％の膜が２層構造となった原因

20を明らかにするため、20wt.％膜の結晶化温度を調べ0た。その結果、SnO2=20wt.％のターゲットを用いて得−20られた膜の結晶化温度は、250〜300℃の間であり、C.

Change incarrier density〔％〕

18

−40

H. Yiらと同様に結晶化温度よりも低い基板温度で成膜したことによることが示された。

−60

60
40
Change inmobility〔％〕［４］耐 候 性（１）耐熱抵抗安定性
最適酸素分圧で形成された結晶膜に対し空気中で60分間熱処理を行い、電気特性の変化率を調べた。処理

20
0
−20

温度は、100、150、200、250℃とした。結果をFig.13−40に示す。いずれのSnO 2量においても、成膜時の基板

−60
100

温度までは安定していることが明らかとなった。しか

200

300

Anneal Temperature〔℃〕

し、基板温度以上に加熱した場合においては、
Fig.13 The effect of heat treatments in the air
on resistivity, carrier density, and mobilityof the films deposited on heated substrates.

SnO2=5〜20wt.％の範囲を除き、不安定になることが示された。
非晶質膜に対して同様の試験を実施した場合、薄膜が結晶化してしまい耐熱性の評価とならない。そこで、
大気中、90℃で1000時間保持し、電気特性の変化率を調べた。結果をFig.14に示す。いずれの組成において40 nmも耐熱安定性は低く、特にSnO2量が10wt.％から離れ

Intensity〔a.u.〕

るのにともない安定性が低くなることが示された。
（２）耐湿抵抗安定性
最適酸素分圧で形成された結晶膜および非晶質膜に20 nm

対して、60℃、90％RHの条件下で電気特性の耐湿安定性を調べた。結果をFig.15〜16に示す。湿度に対しては、多結晶膜おいて極めて高い安定性を示し、非晶質膜においても高い安定性を有することが示された。

10 nm

４．ま と め
高密度焼結体からなるターゲットを用いたＤＣマグ

20

30

40

50

60

70

2θ〔deg.〕Fig.12 XRD profiles of 20 wt.％ SnO2 film having ofdifferent film thickness.

ネトロンスパッタリング法を用いて、ITO薄膜特性のSnO 2量依存性を調べた。その結果、無加熱基板上に形成された非晶質膜においては、Snは膜中でキャリ（ 18 ）

東ソー研究・技術報告 第47巻（2003）

2

1

1.5

0.5

1

0.5

1

Change inHall mobility〔％〕
400

600

800

0.5

2

1

200

2

1.5

1.5

0.5
0

1

0.5

0

2

In2O3
ITO
（SnO2:5wt.％）
ITO（SnO2:10wt.％）
ITO（SnO2:15wt.％）
ITO（SnO2:20wt.％）
ITO（SnO2:44.5wt.％）
SnO2

1.5

1.5

1

0.5
0

1000

200

800

1000

Change in resistivity, carrier density, andmobility of the films deposited on unheatedsubstrates after treatments at 60℃ and
90％RH.

かとなった。薄膜抵抗率は、SnO2=0wt.％で最小値358μΩcmを示した。200℃加熱基板上に形成された多結晶膜においては、SnはInと置換してキャリアを形成し、

1

SnO2=15wt.％に最小抵抗率を示し、その値は136μΩ
cmであった。

2

1.5

1

Change incarrier density〔％〕Change inresistivity〔％〕600アを生成せず、単に散乱中心となっていることが明ら
In2O3
ITO
（SnO2:5wt.％）
ITO（SnO2:10wt.％）
ITO（SnO2:15wt.％）
ITO（SnO2:20wt.％）
ITO（SnO2:44.5wt.％）
SnO2

0.5

0.5

2
Change inHall mobility〔％〕Fig.16

Change in resistivity, carrier density, andmobility of the films deposited on unheatedsubstrates after treatments at 90℃ in the
air.

2

1.5

400

Time〔hour〕

Time〔hour〕

Fig.14

Change incarrier density〔％〕1.5Change inresistivity〔％〕In2O3
SnO2:5wt.％
SnO2:10wt.％
SnO2:15wt.％
SnO2:20wt.％
SnO2:44.5wt.％
SnO2

Change incarrier density〔％〕Change inresistivity〔％〕2Change inHall mobility〔％〕19

今回の実験によりITO薄膜特性のSnO2依存性に関する基礎的なデータベースを構築することができた。その結果、市場からの多彩な要求に対応するための最適なSnO 2組成を読み取ることが可能である。例えば、赤外線反射特性が要求される熱線反射膜用途では、
SnO2量を15〜20wt.％に増加させることにより、より高い赤外線反射特性を得ることが可能となることが読

1.5

み取れる。
また、耐候性および高抵抗が要求されるタッチパネ

1

ル用途に対しては、膜を結晶化させて耐熱・耐湿性を
0.5
0

200

400

600

800

1000

Time〔hour〕

Fig.15

Change in resistivity, carrier density, andmobility of the films deposited on heatedsubstrates after treatments at 60℃ and
90％RH.

高めることが重要であることが読み取れる。しかし、結晶膜では、デバイスへ適応可能なパターニング特性の得られるSnO2=5〜20wt.％の範囲では、要求される
ミドルレンジ（500〜800μΩcm）での抵抗率は得られないことが明らかとなり、当社のタッチパネル用グ
レードであるITO-HRシリーズの優位性が再確認される結果となった。

（ 19 ）

20

TOSOH Research ＆ Technology Review Vol.47（2003）

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著

者

氏名 飯 草 仁 志
Hitoshi IIGUSA入社 昭和61年４月１日

入社 昭和63年３月16日

所属 東京研究所

所属 東京研究所

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新材料・無機分野

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Walrave, T. J. Vink and J. L. C. Daams, Thin Solid

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（ 20 ）

主任研究員

新材料・無機分野