技術情報 Technical Information
Trr測定／Trr (Reverse Recovery Time) Test

半導体のPNジャンクションの順方向（P→N）には電流が流れ、逆方向（N→P）には電流は流れないと言うのがダイオードの特性であるが、順方向電流を逆方向に急激に切り換えした時、ほんの一瞬であるがキャリア移動による電流が流れる。この流れる時間がTrr（逆回復時間）である。
通常、ダイオードのTrrを測定する場合、順方向に100mA、逆方向にも100mAを印加して測定するのが一般的で、IFがIR電流に切換わる点から−I R 電流のピーク点Irpから90％回復するまでの間の電流波形をもってTrr時間とする。
It is the characteristics of the diode thatthe current flows in the forward direction of
the PN junction of the semiconductor (P→N), and current does not flow in the reverse
direction (N→P), and when the forward
current is abruptly changed to backward
direction, it results in a small amount ofcurrent due to the action of carriers. The
amount of time, where the current flows iscalled as Trr (reverse recovery time).
Normally, during the Trr measurement ofdiodes, a current of 100mA is applie to boththe forward and reverse direction of thediode. From the moment when IF (forwardcurrent) is switched to IR (reverse current),
when the peak value Irp (peak reversecurrent) or -IR is recovered to 90%, the Trr isdetermined with this current waveform.

直接影響するため、出来るだけ低い電圧、且つ低インピーダンスで行うことが大切である。実際にTrr測定を行うと、速い電流検出での波形の乱れ（マッチングの問題）でうまく測定出来ない場合が多く、Trr値に大きな差が生じる。また、測定する際、回路との距離によるインダクタンス成分により、立ち下がりも変わり回復波形も変わる。出来るだけ近い点での測定が必要となる。
1) The rising waveform, when the current ischanged from IF to IR must be fast.
2) The impedance of IR power supply must
be designated.
Especially, as the recovery waveform isdirectly influenced by the impedance of IR, it
is important that Trr measurement is donewith low voltage and also low impedance as
far as possible. In fact, when the Trr
measurement is performed, it may not be
possible to do the accurate and precise
measurements, due to the distortion(matching problems) of the waveform incase of fast current detection, resulting in a
big difference in the value of Trr. Further,during the measurement, due to the amountof impedance because of the distance fromthe circuit, changes the fall, and the recovery
waveform. So, it is advised to perform themeasurement at a minimum distance.

Trr

オーバーシュートが回復波形にも影響

fig-5

3．Trr測定の基本測定回路
Fundamental Trr Measurement circuit
CATSではIF＋100mA/IR −100mAの標準測定条件において、1ns以下の立ち下がり時間を目指して開発を行っているが、今のところ2nsを達成したところである。進化する高速SWダイオードにおいてTrr測定値は、数nsになってきており、1ns以下の立ち下がりをもったTrr測定器が必要となっている。
fig-7は2nsの立ち下がりで、スイッチング用ダイオード1S1588を測定した波形である。
In CATS, with the standard measurement
conditions of IF +100mA/IR -100mA, the falltime of less than 1ns is considered in thedevelopment. At this stage, 2ns is achieved.
In the advanced high speed SW diodes, theTrr measurement value must be a few ns,
and it is necessary to have the Trr
measurement equipment whose fall timemust be less than 1ns.
The fig-7, the fall time is 2ns. Thewaveform is for the switching diode 1S1588.
+15V
IF100mA

理想のTrr波形

IFIRIF100mA±100mA
←電流検出
IR

電流検出

抵抗50Ω

↑
オーバーシュート-200mA
IR

D.U.T

1．Trr測定について
Trr Measurement

50Ω

2Ω

抵抗→

fig-3-100mA

fig-1

Trr

IF

10％ IR（Irpの90％回復点）
IR

fig-2

↑
Irp

fig-4・fig-5は、立ち下がりスピードを5ns以下にしたTrr基準波形発生器である。このセットでの波形が最も標準に近いものと思われる。
fig-4 and fig-5 are the Trr standard
waveform generator when the fall time isless than 5ns. It is considered as thewaveform is very close to the standard in this-15V
100μs

IF(+100mA)

Trr

10％ IRIR(-100mA)

fig-6

立ち下がり100mA/2ns以下

set-up.

2．Trr測定する時の注意点
Precautions while measuring the Trr
1）I F からI R に移行する電流の立ち下がり
波形は速いこと
2）I R電流電源のインピーダンスを規定とすること。
特にIR電流のインピーダンスは回復波形に

fig-4

fig-75