2023 EDITION

東北大学
国際集積エレクトロニクス
研究開発センター

東北大学 国際集積エレクトロニクス研究開発センター

国際的産学連携から
集積エレクトロニクス技術のイノベーション創出
ワールドクラスへの飛躍

徴

豊富な産学連携実績に支えられた知見
世界トップクラスのコア技術に関する豊富な知財の一元管理と戦略的運用
グローバルスタンダード対応の契約

デバイス企業共創場

回路設計企業

プロセス製造技術（CIESコンソーシアム）

回路設計技術システム設計技術

産学共同研究ソフトウェア技術

材料企業

アルゴリズム技術

国家プロジェクト

組込み機器企業

等

組込みソフト企業

国内外の大学･研究機関群

システム設計企業
システムソフト企業
システム製造企業

連携

国際集積
エレクトロニクス
研究開発センター

コンテンツ企業
IT・ソリューション企業
カーエレクトロニクス
企業

川下産業

地

支援

ネットワーク企業

ニーズ

宮城県（平成24年10月発足）

域

仙台市

岩手県

地域企業群

スピントロニクス省電力半導体開発拠点

スピントロニクス省電力半導体開発拠点

産学共同研究は、宮城県・仙台市からの支援を受けています。
※1 宮 城 県と県 内 市 町 村で 共 同申 請を設計・試作・評価・システム化までを一貫して開発
開発実証による世界を先導する省電力技術の創出行った民間投資促進特区（情報サー

スピントロニクス半導体とその応用システム開発で世界を先導
半導体の消費電力を1/100に※2 東北大学と仙台市の協定に基づいた

特

徴

コア技術

東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター
センター長
遠藤 哲郎

・材料技術
・プロセス製造技術
・システム設計技術
・アルゴリズム技術

・デバイス技術
・回路設計技術・ソフトウェア技術等

1-99.9%

STT-MRAM

1-97%

SOT-MRAM

1

0.03

0.001

CMOS-based Spintronics

-99%

0.01

CMOS-based Spintronics

CMOS-based Spintronics

設計の革新

TIA/ファンドリとの連携

材料・製造技術の革新

評価技術の革新

システムの革新

スピントロニクス
省電力半導体設計

CMOS製造

スピントロニクス
材料・デバイス製造

スピントロニクス
省電力半導体チップ実証

スピントロニクス
省電力半導体を活用するシステム開発更なる革新をもたらす

社会実装による
産業競争力強化への貢献

東北大モデル1

スピントロニクス半導体
東北大学発革新技術

集積エレクトロニクスは、あらゆる産業製品や社会基盤に活用され、我々の生活の質を決定する技術です。カーボンニュートラルやAI/IoT/DX、Society 5.0 実現という社会ニーズに対し、飛躍的な省電力動作を実現できる革新的集積エレクトロニクスシステムが求められています。
国際集積エレクトロニクス研究開発センター（CIES）は、多様な国内外の企業、そして地方公共団体と連携して、材料・装置・デバイス・回路・システムなど、
産学共同研究、大型国家プロジェクト、地域連携プロジェクトからなるCIESコンソー
シアムを運営して参りました。2021 年に本学が設立した「東北大学半導体テクノロジー
共創体」の一翼を担っており、研究開発分野を従来のスピントロニクスから、AIハード
ウェア、パワーエレクトロニクスに拡充して、集積エレクトロニクス技術に係るコア技術の開発を推進しております。これまでに、世界最高性能となる多様な革新的技術の開発に成功し、超低消費電力が要求されるIoT/AIシステムへの展開を目指しております。加えて、東北大学発スタートアップ「パワースピン株式会社」と連携し、開発技術群の社会実装への展開と、更なる産学連携の高度化を加速させております。
2023 年６月に我が国の「半導体・デジタル産業戦略」が改訂され、「アカデミアを中核とした拠点における先端技術開発（スピントロニクス技術）」が目標・戦略に位置づけられました。本センターの責務は格段に高まっていると認識しております。G7 広島サミットにおいて「半導体の人材育成と研究開発に関する未来に向けた日米大学間パートナーシップ（UPWARDS for the Future）」が締結され、産業界と日米大学の連携により、革新的な半導体の研究開発、製造、サプライチェーン、人材育成に取り組んでいるところです。
これらの活動を通じて、地元宮城県の発展、カーボンニュートラルな社会の実現、そして経済成長と経済安全保障の確保に寄与して参る所存です。
ここまで、本センターが発展して参りましたのも、多くの皆様の継続的なご支援、ご協力によるものです。
心からお礼を申し上げますと共に、引き続きのご支援をお願い申し上げます。
令和６年３月「研 究 第 一」、「門 戸 開 放」、「実学尊重」の理念の下、東北大学が創出し、蓄 積してきた先端コア技術と知財

消費電力/演算速度

固定資産税等相当額の助成等々

AIチ
チップ

消費電力

スピントロニクス半導体開発における世界で唯一の300mm対応R＆D施設

消費電力

ビス関連産業）制度による助成

1

材料技術
デバイス技術材料企業

フレキシブルな産学連携フレームワーク

器

集積エレクトロニクス技術を研究開発し、その技術に係る国際的産学連携拠点の構築を図ることにより、次世代集積エレクトロニクス分野における我が国の国際的な競争力の強化に寄与すると共に、
当該分野技術の実用化及び新産業の創出に貢献。

材料企業（先端技術シーズ）

地域連携プロジェクト用電子機

我が国では初めて、大学キャンパス内に300mmウエハ対応のプロセスライン、共通評価分析装置、
デバイス特性評価装置等を完備

ソフト
様々な応

初の民間拠出によるサイエンスパーク第一号として設立された研究開発拠点

ミッション＆ビジョン

徴

東北大学

多種多様な
ニーズ・シーズのマッチング

製造装置企業器

ハ ード

特国内外の企業群（大学に対するニーズ）

シーズ

組込み機

特

川上産業

ＬSI

復興・新生の先導センターが目指す姿：「B-U-B（Business-University-Business）」モデル

連携【東北大学発ベンチャー】

半導体製造プロセス・部素材・イメージセンサ開発実証拠点
MEMS設計・プロセス開発実証拠点

東北大学発革新的技術に依る新産業創出と社会実装の加速に依る資金の好循環技術の受取り手：

スピントロニクス半導体の装置や設計ツールなどの市場の創出● 国内外の半導体関連産業から半導体ユーザー企業まで● 東北大発スタートアップ「パワースピン株式会社」

スピントロニクス半導体の回路IPやアーキテクチャによる
省電カチップ設計市場の創出

基盤技術：スピントロニクス＋CMOS

東北大学 新AI・IoTスピントロニクス半導体試作ライン

カーボンニュートラルに資する省電力半導体・システム市場の創出

ロゴマークについてメッセージ
グリーン基調色: エコロジー &ローパワー“i” の意味: イノベーション & インテグレーション“i” に集結する3つの輪 : 知、科学と技術の集積
産学官など組織の一体化
材料からシステムの様々なレイヤーの集結

2

CIES コンソーシアム研究開発スコープ

研究開発部門（CIES コンソーシアム）
A

CIES コンソーシアム実施体制
産学コンソーシアム構想責任者
東北大学理事（産学連携担当）植田拓郎

支援

産学コンソーシアム運営代表者

連携

大学院工学研究科教授

・工学研究科・情報科学研究科
・電気通信研究所
・金属材料研究所
・レアメタル・グリーン
イノベーション研究開発センター
・先端スピントロニクス
研究開発センター

運営への関与運営への関与

産学連携共同運営ボード
長期的ビジョン策定の場

参

画

仙台市

地域

地域企業等

企業

国際集積エレクトロニクス研究開発センター

中核拠点と豊富な共通設備群

センター長

遠藤哲郎

（平成24年10月発足）

国内外の大学･研究機関群

国内外の企業群

研究開発部門材料、プロセス、デバイス、回路、装置、システム◎知財の無償・安価実施

RA制度
インターンシップ制度など◎研究情報の共有

施設管理、研究設備管理、安全衛生、情報セキュリティ

◎人材育成
RA制度

支援室

インターンシップ制度など

総務、経理、研究協力

3D
メモリ◎クリーンルーム（CR）◎企業の研究ラインと互換性のある共通設備（300mm 製造装置、評価分析装置、測定装置等）◎100 名規模の居室

◎人材育成

◎講義受講

◎CIES 共同研究

産業化・実用化

人材育成・人材流動化

MEMS設計・プロセス開発実証拠点

スピントロニクス省電力半導体、高密度メモリ、高性能プロセッサ
CIES

スピントロニクス
国際集積エレクトロニクス研究開発センター

半導体製造プロセス・部素材・
イメージセンサ開発実証拠点

半導体製造プロセス、超高性能イメージセンサ

MEMS技術（マイクロマシン、
センサ、フォトニクス他）

MEMS
センサー

連携
製造プロセス・部素材

アプリケーション
創出

NICHe

国家プロジェクト

産学官・国際連携

東北半導体・エレクトロニクスデザインコンソーシアム

次世代半導体プロジェクト

CIESコンソーシアム研究開発スコープ

NEDO

ポスト５Ｇ情報通信システム
基盤強化研究開発事業

NEDO

海外研究機関省エネ AI 半導体及びシステム
に関する技術開発事業

JAXA

カーボンニュートラル、デジタルシフト、Society 5.0

宇宙探査イノベーションハブ

JSPS
研究拠点形成事業
文部科学省

1
エッジコンピューティング

カーエレクトロニクス

文部科学省

次世代 X-nics 半導体創生拠点
形成事業

未来科学技術共同研究センター

革新的パワーエレクトロニクス
創出基盤技術研究開発事業

AIシステム

内閣府

SIP プロジェクト（第３期）

集積エレクトロニクスシステム
超低消費電力3

高エネルギー効率① スピントロニクス/新メモリ②AIハードウェア③ パワーエレクトロニクス

MTJ/CMOSハイブリッド技術＋3Dメモリ

脳型コンピューティング＆AIシステム

SiC/GaN on Si
モジュール＆システム
1

回路技術・設計ツールの研究開発

強磁性トンネル接合素子を用いた高感度磁気センサの研究開発
組込みシステムセキュリティ技術の研究開発
リアルワールド応用知能システム VLSI プラットフォームの研究開発
３次元不揮発メモリの研究開発

しなやかな情報処理におけるエラー訂正技術の研究開発
MTJ/CMOS Hybrid AIアプリケーションプロセッサの研究開発

B

マイクロシステム融合研究開発センター

東北大学発スタートアップ

回路技術

モジュール・
コンポーネント・
インテグレーション・
回路技術

μSIC

計測・評価・分析技術の研究開発

脳型演算処理回路技術の研究開発

パワーエレクトロニクス

東北大学半導体テクノロジー共創体
スピントロニクス省電力半導体開発拠点

３次元集積回路技術

AI

ハードウェア

産学連携拠点の構築

製造技術の研究開発

不揮発記憶ベース低消費電力・高性能 VLSI プロセッサの自動設計環境の研究開発

システム技術◎研究費負担基盤技術部門STT/SOT-MRAM &スピントロニクス/CMOS Hybrid
プロセッサ

STT-MRAM・SOT-MRAM及びスピントロニクス/CMOS Hybrid
アプリケーションプロセッサの研究開発◎企業研究者・技術者の出向

IPマネジメント、契約、研究企画、人材育成、広報◎教育プログラム提供（単位付与）

LSI 技術組込み機器技術◎研究情報の共有

戦略企画部門

◎教職員・大学院生の参加

材料・デバイス技術の研究開発

岩手県

スピントロニクス

大学

遠藤哲郎

宮城県

産学協同研究WBGパワー モジュール技術の研究開発
次世代電装コンポーネント技術の研究開発
実装インテグレーション技術の研究開発
電力・産業向け次世代大容量変換器の研究開発

スピントロニクス融合半導体創出拠点
先端半導体製造技術の開発／
光電融合インタフェースメモリコントローラの開発
先導研究（助成）／
半導体プロセス1.5nm ノード以降の不揮発性MRAM の微細加工基盤技術の研究開発
AIエッジコンピューティングの産業応用加速のための設計技術開発／
CMOS/スピントロニクス融合技術によるAI処理半導体の設計効率化と実証及びその応用技術
MTJ/CMOS Hybrid技術による待機電力不要システム研究、及びその耐環境性試験（宇宙用途向け）
スピントロニクス・二次元物質の縦型素子
脱炭素社会実現に向けた集積化パワーエレクトロニクスの研究開発
系統安定化をサポートするUSPMによるインテリジェントパワエレシステムの開発

C

J-Innovation HUB 地域オープンイノベーション拠点（国際展開型） 東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター

D

地域連携プロジェクト

集積エレクトロニクス

IT向け電子デバイスコンポーネントの研究開発

カーエレクトロニクス

自動車向け電装部品コンポーネントの研究開発

東北半導体・エレクトロニクス
デザイン研究会

半導体・電子デバイス関連の人材育成・サプライチェーン強靭化4A

産学共同研究A

スピントロニクス LSI 技術

産学共同研究

スピントロニクス 組込み機器技術

強磁性トンネル接合素子を用いた
高感度磁気センサの研究開発

STT/SOT-MRAM & スピントロニクス /CMOS Hybrid プロセッサの研究開発
遠藤 哲郎 教授

安藤 康夫 教授

池田 正二 教授

大兼 幹彦 教授

磁気センサは環境、セキュリティー、医療、情報通信、自動車などの幅広い分野において、多種多様な目的、用途で使用されています。また、市場規模本テーマでは、スピントロニクス技術とシリコンCMOS技術の融合によるSTT-MRAM・SOT-MRAM及びスピントロニクス/CMOS Hybridアプリケーションプロ

も数千億円※と非常に大きいと分析されています。本研究テーマでは、強磁性トンネル接合を用いた、高感度・小型・低消費電力・低コストを兼ね備えた

セッサに関する技術を、産学が連携して研究開発しています。
具体的には、①CMOS集積回路と親和性の高いスピントロニクス素子の高性能化に向けた材料・デバイス技術、②産業界で標準の300mm Siウェハを用いたユ
ニットプロセス・プロセスインテグレーション製造技術、③高効率な計測・評価技術、多機能的な分析技術、④基本メモリセルから大規模集積回路まで網羅する回

磁気センサ素子を、産学が連携して開発しています。このような特長を併せ持つ磁気センサ素子が実現すれば、さらにアプリケーションが広がり、磁気センサ市場に大きな変革をもたらすことが期待されます。

路技術・設計ツールを一貫して研究開発しています。
これらの技術を統合集積化することにより、STT-MRAM・SOT-MRAM及びスピントロニクス/CMOS Hybrid技術を用いたマイコンや画像認識プロセッサなどの※IHS iSuppli Market Research

AIアプリケーションプロセッサを設計し、300ｍｍプロセスラインを用いて試作を行い、これまでその低消費電力性能を実証してきており、今後も本研究開発を通じさらなる技術革新を進めていきます。これにより、飛躍的な省エネルギーシステムを実現する不揮発ワーキングメモリや不揮発ロジックなどの実用化を促進し、カーボンニュートラル社会の実現に貢献します。

強磁性トンネル接合素子を用いた高感度磁気センサの開発

A

産学共同研究A

スピントロニクス LSI 技術

不揮発記憶ベース低消費電力・高性能
VLSI プロセッサの自動設計環境の研究開発
4x 世代以降における深刻な待機電力に起因した性能限

スピントロニクス システム技術

組込みシステムセキュリティ技術の研究開発
羽生 貴弘 教授

鈴木 大輔 准教授

がネットワークに接続されるIoT（Internet

路 IP の設計開発、およびそれらを活用した自動設計環境

of Things）時代に向けた新しいセキュリティを構築することが本テーマの課題であり、主に以下の研技術の確立を目指しています。特に、M2M

究に取り組んでおります。

（machine-to-machine）の利用形態を想定
関する技術検討を実施するとともに、その種々の VLSIプロセッサ向けの有用なデバイスとして技術の有効性をプロトタイプにより評価しています。

目し、その CAD 環境構築を行っております。

一例として、デバイスセキュリティ技術で

2. 不揮発ベース回路 IP 群のさらなる改良は、限られた計算資源・電力供給下におい

不揮発 FPGA のさらなる高性能化・多機能化に向け、て秘匿通信・認証を行うための技術を検討

その基本構成回路 IP、例えば LUT（Lookup Table）回

しています。

路の開発も行っております。

一方、リモート認証技術では、遠隔地端
末とサーバ間もしくは端末間における効率

3. AIアクセラレータ等への応用的なエンティティ認証技術を検討していま

不揮発 FPGA の具体的応用例として、超低消費電力

す。上記の研究開発により、多様なデバイ

AIアクセラレータの開発にも取り組んでいます。
本技術によりVLSIプロセッサの電力効率が高まることされます。

本間 尚文 教授

したデバイスセキュリティとリモート認証に

不 揮 発 FPGA（Field-Programmable Gate Array）に 着

で、モバイル機器や IoT 機器などへの積極的応用が期待青木 孝文 教授

本研究開発では、膨大で多様なデバイス

界を突破するため、不揮発ベース低消費電力・高性能回1. 不揮発 FPGA 向けCAD 環境の構築

5

産学共同研究図：高位合成（C言語）による自動設計環境の構築例。C言語の設計資産を活用して、不揮発ベース回路・VLSIプロセッサの設計を実現．本技術により、AIアクセラレータに最適なアーキテクチャの探索などが容易になる。

スをサイバー空間に安全に接続し、データ連携するための基幹技術の構築が期待され

M2M デバイスの実装安全性評価

端末―サーバ間リモート認証のプロトタイプアプリケーション

ます。

6

A

産学共同研究A

スピントロニクス システム技術

産学共同研究AI ハードウェア 回路技術

しなやかな情報処理におけるエラー訂正技術の研究開発

リアルワールド応用知能システム
VLSI プラットフォームの研究開発
遠藤 哲郎 教授

遠藤 哲郎 教授

本研究開発では、リアルワールド知能システム応用、ビッグデータ応用、DRAMをはじめとした記憶デバイスでは宇宙線や温度条件その他の原因により記憶ビットが反転することがあり、誤った計算結果などが発生します。こインフラ応用等に向け、超低消費電力性・高速性の達成と共に高ソフトエ

れらのエラーを検出し訂正する「誤り訂正符号(ECC, Error Correction Code)」の技術が発展してきました。ECC技術では、元々のデータを冗長性を持っラー耐性を有する再構成可能（リコンフィギャラブル）LSI を開発していまた誤り訂正符号に変換し、エラーが混入してもそれを検知し元々のデータを復元できるようにします。ただし、訂正能力を上げる＝より多くのエラーを検す。集積回路の微細化・3 次元化・極低電圧化に対応するために、自律知・訂正するには、その能力に応じた大きな冗長性が必要となります（図1）。

的な電源電圧制御機能を有する同期・非同期ハイブリッド回路、待機時

コンピュータにおける重要な部品である「メモリ」にも誤り訂正符号の技術が使われており、特にハードウェアとしてECC回路を実装しているメモリを電力の削減と高ソフトエラー耐性を有するMRAM ベース不揮発ロジック回「ECCメモリ」と呼びます。通常、ECCメモリでは、1bitのエラーの訂正と2bitのエラーの検出が可能な「SECDED」というECCアルゴリズムがよく使わ

路、さらに容易にプログラム開発が可能な高位設計ツールの構築を目指しれてきました。本テーマではSECDEDに限らずSTT-MRAMにとって最適で訂正能力の高いECCアルゴリズムを試行錯誤の容易なソフトウェアベースで探ています。

求・検証しており、BCH符号、Golay符号等のECCアルゴリズムの実装・改良を行ってきました。BCH符号はある制約の下、訂正可能なビット数を選ぶことができます。一方、Golay符号は符号長や訂正可能なビット数は決まっていますが、BCH符号よりも簡易な計算でエラーを検知・訂正してデータを復元することができます。
図1：横軸はCode Rate、縦軸は訂正可能なビット数を符号長で割ったもの。この二つはトレードオフの関係にある。理論
的限界（シングルトン限界）を超えることはできない。

細粒度自律電力制御機能を有する不揮発ロジックに基づく超低消費電力再構成可能 LSI（FPGA）によるコンピュータアーキテクチャー

A

産学共同研究不揮発FPGA

図2：ECCメモリ概念図。ECCメモリ上のデータには冗長ビットが含まれており、エラーを自動的に修正するので、システムには正しいデータが送られる。

A

AI ハードウェア 回路技術

産学共同研究AI ハードウェア 回路技術

MTJ/CMOS Hybrid AI アプリケーション
プロセッサの研究開発

脳型演算処理回路技術の研究開発
遠藤 哲郎 教授
本研究開発では、Society5.0において重要となる、高精度と高速性を兼ね備えたエッジAIプロセッサの開発を行っています。

遠藤 哲郎 教授
ディープラーニング（DL）の技術と大規模演算を高速に行うことのできる並列演算プロセッサ（GPUなど）の進歩により、これまで難しかった高精度かつ高速な物体認識が可能となってきました（図1）。しかし、これらのプロセッサは高速に演算できる反面、記憶回路へのアクセスに多くの電力を消費するた

従来のエッジAIプロセッサでは、学習はオフラインでGPU等を用いてめ、車載コンピュータやエッジデバイスに搭載するには消費電力の削減が必要になります。DLアルゴリズムの圧縮・最適化を行うことで消費電力の削減行われ、学習済みデータが、AIチップの推論に用いられていました。通が期待できますが、さらにMTJ/CMOS Hybrid 回路の不揮発性を利用したパワーゲーティング（PG）を適用することで、記憶回路アクセス時の電力削減か

常、学習時のデータ取得条件等と推論時（現場)でのデータ取得条件は異ら消費電力削減が期待できます。

なるため、認識精度の低下を引き起こしています。
この問題を解決するために、本研究では、現場のデータで学習と推論を行える高精度・高効率のエッジAIプロセッサのアーキテクチャ・回路・

そこで、様々なハードウェア上で動作するDLアルゴリズムに対し、その性能（認識精度、速度、メモリアクセスパターン）を解析するスキームの構築を行っています（図2）。メモリパターンを解析してPGに適したアルゴリズムの改良を行い、MTJ/CMOS Hybrid 回路技術にマッチしたDLアルゴリズムの開発を目指しています。

デバイス技術に関する研究・開発を行っています。不揮発メモリとして注目を集めているMRAMを徹底的に活用したアーキテクチャ・回路を基盤とし、システムレベルの細粒度パワーゲーティング技術や、データ転送ボ
トルネック解消のための高効率データ転送技術や、用途に適したMRAMのデバイス技術に加えて、オンライン学習機能も導入したAIプロセッサを実現しています。

図1：DLアルゴリズ
ムの一つ、YOLOv3
による画像認識。多数の物体を高精度で認識している。遠方の非常に小さい物体も高い精度で認識可能である。

図 2：Model Zoo から DL モデルを選定し、CPU/GPU/FPGA 上で性能解析を行うスキーム。
性能解析では、認識精度、速度、メモリアクセスパターンを解析し、アルゴリズムの選定・改良を目指す。

7

8

A

産学共同研究A

パワーエレクトロニクス モジュール技術

WBGパワーモジュール技術の研究開発

産学共同研究パワーエレクトロニクス インテグレーション技術

実装インテグレーション技術の研究開発
髙橋 良和 教授

遠藤 哲郎 教授

本研究テーマでは、SiC-MOSFETやGaN on Si横型パワーデバイスな本研究テーマでは、GaN-on-SiやSiCなど新しいWBGデバイスの持つ、どの低損失で高速性を兼ね備えたワイドバンドギャップ（WBG)パワー

低損失、高速などの優れた特性を最大限に活かすための、ゲート駆動回

デバイスの特長を最大限に活かすためのパワーモジュール技術を、産学

路やインダクタ、トランス、コンデンサなどの周辺主要部品を最適に実が連携して開発しています。これにより、高性能電気自動車（EV）、小型・装するための実装インテグレーション技術を、産学が連携して開発して高効率データセンター電源、それらの電力供給を最適運用するスマートいます。

髙橋 良和 教授

遠藤 哲郎 教授

加藤 修治 准教授

遠藤 哲郎 教授

これにより、パワーエレクトロニクス応用装置の小型・軽量化、高機シティーの実現などに貢献します。

能化、高性能化に貢献します。

具体的には、以下の技術を開発しています。

具体的には、以下の技術を開発しています。

１．WBGパワーモジュール電圧・電流振動抑制技術

１．パッシブ部品技術

WBGパワーデバイスの高速性を活かしながらスイッチング時の電圧・高周波駆動時でも鉄損、銅損の少ない低損失・超小型リアクトル・ト

電流発振、電圧跳ね上がりを抑制する、低インダクタンスモジュール

ランス技術の開発および、高温に耐えるコンデンサ技術の開発。

技術の開発、アクティブゲート駆動回路技術の開発。

２．パワーインテグリティー技術および高放熱レイアウト技術

２．低熱抵抗化技術
小型・高パワー密度化が進むWBGパワーチップの高周波動作時の温度高密度化するパワーエレクトロニクス回路に適用される各種PCB基板上昇を抑えるための高熱伝導絶縁基板技術の開発。

の電源品質確保技術の開発。
高周波時チップ温度を上昇させない高放熱レイアウト技術の開発

３．高放熱化技術

３．接合材料／技術

WBGパワーデバイスの大容量化に対応するための新構造空冷およびGaN on Siデバイスや、ゲート回路、各種パッシブ部品を絶縁基板や冷水冷冷却体技術の開発。

却体などに実装する低熱抵抗かつ高信頼性の接合材料/技術の開発。

A

産学共同研究A

パワーエレクトロニクス コンポーネント技術

次世代電装コンポーネント技術の研究開発を適用したDC-DCコンバータを、産学が連携して開発しています。
これにより、自動車の自動運転などの高度化に伴うセンサー類やアク
チュエータ類の増加による電力供給増加に対応した、高効率で超小型のDC-DCコンバータの実現に貢献します。
具体的には、以下の技術を開発しています。
１．DC-DCコンバータの高周波駆動技術
DC-DCコンバータの絶縁トランスやリアクトル、コンデンサなどのパッシブ部品の小型化を可能とする、超高速のGaN on Si横型パワーデバイスを適用した高周波駆動技術の開発。
２．低ノイズ化技術
DC-DCコンバータをAMラジオ周波数帯以上の周波数(2MHz以上）で駆動させることによるノイズフィルターの削減(小型化）、加えてリン
ギングノイズを抑制するための最適駆動技術の開発。
３．大容量化技術

パワーエレクトロニクス 回路技術

電力・産業向け次世代大容量変換器の研究開発
髙橋 良和 教授

本研究テーマでは、高周波駆動が可能なGaN on Si横型パワーデバイス

産学共同研究遠藤 哲郎 教授

本研究開発では、再生可能エネルギーの大量導入実現に必須な電力受給バラ
ンスに対する貢献や電動化への貢献を目指し、①風力発電や太陽光発電等、電力系統に接続する発変電機器、②工場などに設置される各種動力機器、大型建設機械や船舶、EVなどの需要家機器の革新を目指し、大容量変換器の回路・制御技術を開発しています。
電力変換器は、マルチレベル技術を適用して小型の電力変換器を複数直列に接続することで、大容量化することができます。マルチレベル変換器では、直列接続した電力変換器のパルスタイミングを調整することで、少ないスイッチング回数
でも正弦波電圧を出力することができ、低損失化を図れます。
具体的には、以下の技術を開発しています。
1. マルチレベル変換器を小型・低損失化するための回路・制御技術
2. マルチレベル変換器のロバスト性を向上させるための回路・制御技術

GaN on Siデバイスを適用した大容量化技術：並列接続技術、多重化技術などの開発。

マルチレベル変換器の原理と応用

910

B 国家プロジェクト 文部科学省 次世代X-nics半導体創生拠点形成事業

B 国家プロジェクト NEDO ポスト5G情報通信システム基盤強化研究開発事業

スピントロニクス融合半導体創出拠点

先導研究（助成）／
半導体プロセス1.5nmノード以降の不揮発性
MRAMの微細加工基盤技術の研究開発

チップに向けたプロトタイプ検証までを、連携・協力機関と共に総合的に展開します。スピントロニクス融合半導体研究の展開の中で、光・ニューロ・トポロジーとエレクトロニクスの融合領域や、医療・宇宙・情報セキュリティ等の新応用を開拓して新学理と情スマホやIoT・AIプロセッサ等のエッジ側システムのポスト５G時代の低遅延性

報社会の変革までを先導し、我が国の半導体に係る研究開発力の向上に寄与します。本拠点に若⼿研究者や学⽣も積極的かつ戦略的＜研究開発の方向性＞
新学理

社会・産業ニーズを踏まえた研究領域の策定「スピントロニクス半導体材料×素子・回路・システム領域」
動く半導体チップに向けたプロトタイプ検証
プロセス・
インテグレーション

拠点
東北大学

スピン[フォトニクス
スピン[ニューロモルフィクス
スピン[トポトロニクス

回路・
アーキテクチャ

医療、宇宙、
情報セキュリティ等＜人材育成戦略＞

物性・材料

スピントロニクス融合半導体

端子・端子素子

り、エッジシステムの性能向上や事業領域拡大に制限が生じます。

2-7研究開発による半導体集積回路の技術バリューチェーン全体を俯瞰できる人材

我が国が先導する
ゲームチェンジング技術

材料・素子

新機能・新概念・新応用

波及効果・新応用

ノード以降の技術開発では継続して消費電力と演算性能のジレンマが課題とな

プロセス・
「動く」
インテグ
チップ
回路・
実装・システム
素子
アーキテクチャ・ソフト
知識の幅広さ

より広く

拠点の内外との連携の下で、半導体集積回路の革新的省電力化を目指す

コ
ア
技
術
の
深
さ

本提案では1.5nmノード以降の不揮発性MRAMの微細加工技術の研究開発を行うことにより、MRAM ／ CMOS混載LSI技術に基づく不揮発化と微細化による低消費電力化により消費電力と演算性能のジレンマの解決に貢献します。これにより、ポスト５G時代の低消費電力性と低遅延性を有するエッジ側システムの実現と、その社会実装によるシナジー効果としてカーボンニュートラルへの貢献が図本研究開発における具体的な役割としては、東京エレクトロン株式会社(TEL)
当、東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター (CIES)は共同研究としてその微細加工基盤技術検証につなげる集積プロセス開発・試作・評価を担当し、

よ
り
深
く

(
(
(
( 1G
 1980られます。
が1.5nmノード以降に向けたMTJピッチでのRIEエッチング基盤技術の開発を担

より広く

(

スマートフォンの 通信速度 ESV&38のクロック数*+]＜研究開発戦略＞行う必要があります。しかしながら、従来のシリコン技術の延長線上での1.5nm

池田 正二 教授

集積回路の消費電力と演算性能のジレンマの壁の実現のためには、電力供給制限環境下での高度なエッジコンピューティングをに参画させて、実践⼒と俯瞰⼒を持った⼈材育成を目指して参ります。

早川 崇

R&D ディレクター（TEL）



1990

2000

QPノード以降向けの不揮発05$0技術の導入により突破し、
エッジシステム性能向上・
2010 微細化
2020 事業領域拡大に道を拓く
2030
2040
2050100

半導体の微細化により、軸ラベル
集積回路の高速化→通信速度増加に貢献


1980


高速化
1990

2000

2010

年

2020



2030











1
2050

2040

年
カーボン
ニュートラル

年
中期目標





10

QP以降

半導体微細化
世代 QP

遠藤 哲郎 教授

温室効果ガス
排出量 億トン

我が国が先導してきた集積回路の省電力化のゲームチェンジ技術であるスピントロニクスを中核に据え、新材料・素子の研究開発とその特性を引き出す回路・アーキテクチャ・集積化技術の研究開発を推進し、CMOS半導体の発展を加速させる動く省電力半導体





年

2社が一体となって半導体プロセス1.5nmノード以降に向けた不揮発性MRAMの微細加工基盤技術の構築を進めています。

本拠点構想の概要

B 国家プロジェクト NEDO ポスト5G 情報通信システム基盤強化研究開発事業

B 国家プロジェクト NEDO 省エネAI半導体及びシステムに関する技術開発事業

先端半導体製造技術の開発

AIエッジコンピューティングの産業応用加速のための設計技術開発

光電融合インタフェースメモリコントローラの開発
遠藤 哲郎 教授
国立大学法人東北大学は、国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）「ポスト5G情報通信システム基盤強化研究開発事業／先端半導体製造技術の開発」において、キオクシア株式会社、日本電信電話株式会社（NTT）が共同提案した「光電融合インターフェイスメモリモジュール技術」が採択されたことを受け、再委託先として本事業に参画いたします。
NTTが推進するIOWN構想において、データセンターは、
複数ユーザーからの多種多様なリアルタイムリクエストを効率よく処理するため、複数の演算リソース（CPUやGPUなど）
を光インターコネクトに直結した光ディスアグリゲーテッド
コンピューティングが求められます。また、メモリは複数の演算リソースで共有し、利用効率を向上することが必要です。
本学は本技術開発において、光インターコネクトを介して複数の演算リソースから広帯域の光でアクセスできるメモリを実現するフォトニック・ファブリック・アタッチト・メモ
リモジュール（PFAM）の技術開発の一部を再委託先として担う予定です。

CMOS/スピントロニクス融合技術によるAI処理半導体の設計効率化と実証及びその応用技術羽生 貴弘 教授

吉川 浩 教授

池田 正二 教授

令和4（2022）年に提案しました「CMOS/スピントロニクス融合技術によるAI処理半導体の設計効率化と実証及びその応用技術に関する研究開発（代表事業者：東北大学、代表者：羽生 貴弘教授）」が、新エネルギー・
産業技術総合開発機構（NEDO）「高効率・高速処理を可能とするAIチッ
プ・次世代コンピューティングの技術開発／AIエッジコンピューティン
グの産業応用加速のための設計技術開発」に採択されました。
現状のAI処理は、大量のデータを扱い、それを高速演算するので消費電力が大きくなる課題があり、その解決が必要です。特に、エッジ側では、許容される消費電力が制限されるので、革新的に電力効率の高いAI
コンピューティング技術が望まれています。
本研究では、この実現に向けて、現在主流であるCMOS技術と親和性が高く、不揮発性で面積効率の高いスピントロニクス技術を融合し、その特徴を最大限に活かすエッジAIに適した高い電力効率のコンピューティ
ング技術を開発しています。また社会実装として、車載系への応用と見守りシステムなどの次世代サーベイランスシステムへの応用を行います。
エッジサーベイランスへの応用

11

車載系への応用12

B 国家プロジェクト JAXA 宇宙探査イノベーションハブ

B 国家プロジェクト 文部科学省 革新的パワーエレクトロニクス創出基盤技術研究開発事業

MTJ/CMOS Hybrid 技術による待機電力不要
システム研究、及びその耐環境性試験（宇宙用途向け）

脱炭素社会実現に向けた集積化パワーエレクトロニクスの研究開発
遠藤 哲郎 教授

小林 大輔 准教授

（JAXA）

令和元年に、国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構（JAXA）宇宙探査イノベーションハブ「太陽系フロンティア開拓による人類の生存圏・活動領域拡大に向けたオープンイノベーションハブ」に関する研究提案募集に提案し、アイデア型研究として採択された「MTJ/CMOS Hybrid 技術による待機電力不要システム
研究、及びその耐環境性試験（宇宙用途向け）」は、令和 3 年にフォローアップ研究に認定され、研究開発を加速しております。
宇宙探査において、月、火星以遠の探査には、エネルギー源となる太陽光が微弱な環境下で 10 年以上の長期ミッションが想定されるため、既存技術ではなしえない超低消費電力の電子システムが求められて

髙橋 良和 教授
本研究テーマでは、WBG デバイスの優れた性能を極限まで活かした回路システムを研究・開発することと、
回路システムに最適な超小型・高性能なパワーモジュー
ル、パワーユニットを開発し、さらには受動部品を適用することで、次世代インバータおよび電源の小型化、高性能化、高パワー密度化、高効率化の実現を目指します。

います。また、宇宙機の電子システムには、待機電力応用製品としては EV 用モータ駆動インバータ、中小不要に加えて宇宙放射線耐性の両立が重要な課題と産業用インバータ、データセンター用電源など小中容量なっています。

電力を扱う広く社会で使われる製品群です。

本提案では、提案代表者らが開発してきたスピント代表機関である東北大学と研究分担機関の茨城大学、

ロニクス素子である磁気トンネル接合（MTJ）とCMOS

早稲田大学および協力企業としてのアドバイザリーボー

技 術を融 合させ た MTJ/CMOS Hybrid 技 術を用 いて、ドにてパワーエレクトロニクス研究に重要な５つのサブ

待機電力不要システムを研究し、飛躍的な演算効率向

テーマの研究開発を推進し、加えてデバイスチーム、受

上と桁違いの低消費電力化を実現する革新的半導体デ

動部品チームと連携を密にすることで当該分野での学術バイス・集積回路の実現を目指します。加えて、JAXA

的な先鋭化を進めるとともに、それらを統合化した応用が保有する放射線耐性を中心とした信頼性評価により、製品の社会実装化に繋げます。

MTJ/CMOS Hybrid 型半導体チップが本来有する不揮発

これらの研究開発を進めることにより世界を牽引し脱性と高速性に加えて、耐環境性を併せ持つ、電力を使用しない高集積回路の創出を目指します。

炭素社会実現に貢献する次世代パワーエレクトロニクス
MTJ/CMOS Hybrid 技術による宇宙放射線耐性を有する待機電力不要情報処理システムの研究

B 国家プロジェクト JSPS 研究拠点形成事業
研究拠点形成事業

B 国家プロジェクト 内閣府 SIP プロジェクト（第３期）

系統安定化をサポートするUSPMによるインテリジェントパワエレシステムの構築

ーA.先端拠点形成型ー「スピントロニクス・二次元物質の縦型素子」
遠藤 哲郎 教授

永沼 博 准教授

髙橋 良和 教授

本研究テーマは、次世代のスピントロニクス技術を本研究開発では幅広いエネルギーマネージメント(EMS)応用と系統安定化

創製するために、現在のスピントロニクス技術に二次機能を有する次世代高パワー密度USPMの要素技術開発、およびスマートイ

元物質を相乗させて、新しい縦型素子を提案するもの

ンバータ、スマート電源の応用技術開発を目的としています。

である。日本、英国、仏国に加えて米国の特徴ある研研研究機関として、最適パッケージング技術による次世代USPMの信頼性向

１．日英連携上技術開発を担当しています。

物質の製膜技術および理論解析を有している。日本のスピントロニクス技術を融合させ、新しい二次元
物質を障壁層とした縦型素子の作製を行う。
２．日仏連携仏国CNRS/Thalesは2007年にノーベル物理学賞を受賞したA.Fert博士を筆頭に最先端のスピントロニ
クス基礎理論の構築を行ってきた。本研究では、二次元物質の高度な最先端加工技術により新しいスピ
ントロニクス素子の創製に寄与する。
３．日米連携
スピントロニクス素子の新しい用途として、バイオ加藤 修治 准教授

本研究開発の代表機関は長岡技術科学大学であり、東北大学CIESでは共同究を融合することを目的としている。
英国ケンブリッジ大学は世界トップレベルの二次元

脱炭素化社会実現に向けた集積化パワーエレクトロニクスの研究開発体制

技術・製品を創出します。

具体的には、次世代USPMに適用するパワーデバイスパッケージの低インダクタンス化によるスイッチング時の跳ね上がり電圧の抑制やノイズ低減、
小型で扱いやすい構造を追求したゲート回路や受動部品との高集積化などを行います。
加えて、次世代USPMが電力系統の安定化に貢献するためには、グリッド
フォーミングインバータとしての同期化力、疑似慣性力に対応する必要があります。
次世代USPMの同期化力、疑似慣性力向上に必須の大電流通電時のパワー
半導体チップの発熱・温度上昇抑制と過電圧抑制を可能とするパッケージ構
造とゲート駆動方式の研究開発を行います。
これらの研究開発を進めることにより系統安定化をサポートするUSPMによるインテリジェントパワエレシステムの構築に貢献いたします。

センシングに関してスタンフォード大学と連携する。

13

14

C

D

J-Innovation HUB 地域オープンイノベーション拠点（国際展開型）

J-Innovation HUB 地域オープンイノベーション拠点（国際展開型）としての活動国際展開型

本センターが第1号の地域オープンイノベーション拠点（国際展開型）に選抜されました。

東北半導体・エレクトロニクスデザインコンソーシアム

東北半導体・エレクトロニクスデザインコンソーシアムについて
遠藤 哲郎 教授

経済産業省の令和2年度事業「地域オープンイノベーション拠点選抜制度」において、地域連携プロジェクト

東北の地域特性を生かし、半導体・電子デバイス関連の人材育成やサプライチェーンの強靱化等により、東北半導体・電子デバイ
ス産業の競争力強化を図り、東北地域、ひいては、我が国の半導体等関連産業を発展させていくことを目的として、「東北半導体・特定の拠点において、海外・国内グローバル企
業等との産学連携活動を積極的に行い、今後の更なる海外展開を目指している拠点

J-Innovation HUB 地域オープンイノベーション拠点選抜制度は、大学等を中心とした地域オープンイノベーション拠点の中で、企業ネットワークのハブとして活躍してい〈設置日〉

るものを経済産業省が評価・選抜することにより、信用力を高めるとともに支援を集中させ、トップ層の引き上げや拠点間の協力と競争を促すことを目的として創設された制度です。
今後、経済産業省がひとつひとつの拠点と対話しながら、オーダーメイド型の伴走支援を行うとし、支援措置は、令和６年１月現在、以下のものが用意されています。
１．国内外への広報、拠点間の連携支援（ロゴマークの使用許可、経済産業省HPでの選抜拠点紹介、選抜拠点間ネットワーク会議、海外展開支援
２．経済産業省各種支援等との連携強化

2022年6月10日（キックオフ会合：2022年7月4日）

海外企業

https://www.tohoku.meti.go.jp/s_monozukuri/mono_hando.html

地域外企業〈参画メンバー〉①産業界等）

半導体等関連産業（半導体製造企業、半導体製造装置企業、半導体ユーザー企業、※予算事業の場合、予算成立を前提

中堅･中小企業・成長型中小企業等研究開発支援事業（Go Tech 事業）②学術機関

・産学融合拠点創出支援事業（J-NEXUS）

③経済団体

地域企業

・その他大学向け予算事業での加点等
３．その他の支援（予算事業紹介、規制緩和等政府施策への接続支援

遠藤 哲郎 教授

エレクトロニクスデザイン研究会」を組成し、東北地域に必要な人材育成等のあり方や推進体制を検討（令和４年度～令和５年度）。

等）

④行政機関

等）

大学、高専、産総研

等

99社・機関(2024.1.5)（事務局）東北経済産業局
本センターの活動に参画されるパートナーの方々には、本J-Innovation HUB 地域

本制度の拠点イメージ

オープンイノベーション拠点選抜制度の優遇措置の活用が期待されます。

D

地域連携プロジェクト（出典：経済産業省資料）

出典：東北経済産業局

集積エレクトロニクス カーエレクトロニクス

東北大学半導体テクノロジー共創体

Ｃ 地域連携プロジェクト 集積エレクトロニクス カーエレクトロニクス
集積エレクトロニクス／カーエレクトロニクス
技術分野における地域連携の促進
集積エレクトロニクス／カーエレクトロニクス

国内大学最大級の半導体R&Dエコシステムの構築技術分野における地域連携の促進

遠藤 哲郎 教授

本活動では、地域行政と協力して地域企業の有する優れたコア技術を

遠藤 哲郎 教授

世界に向けて発信することに取り組んでいます。具体的には、以下のこ

本活動では、地域行政と協力して地域企業の有する優れたコア技術

岩手県ものづくり
自動車産業振興室とを推進しています。

を世界に向けて発信することに取り組んでいます。具体的には、以下のことを推進しています。

１）地域企業のコア技術に本センターの基盤技術・学術を融合させることで、当該コア技術のさらなる高度化を図ります。
１）地域企業のコア技術に本センターの基盤技術・学術を融合させる

２）地域に広がる様々なエレクトロニクス分野や自動車分野におけることで、当該コア技術のさらなる高度化を図ります。

いわて半導体関連
産業集積促進協議会

ＣＩＥ Ｓ

東北半導体・エレクトロニクスデザイン研究会

技術マッチングの協議会～出会いの場～等 産業振興課

企業間の連携を促進し、地域企業の有するコア技術の応用に係る
２）地域に広がる様々なエレクトロニクス分野や自動車分野における宮城県
新産業振興課

約1700のの企業

仙台市

みやぎ高度電子機械産業
振興協議会

新展開を図ります。また、宮城県・岩手県等と協力して、当該企業間の連携を促進し、地域企業の有するコア技術の応用に係るコア技術の事業化を支援します。
新展開を図ります。また、宮城県・岩手県等と協力して、当該

３）本 センターを出会いの場として、地域企業とワールドクラスのコア技術の事業化を支援します。

<CIESのシーズ>

 先端コア技術 科学的深い理解

企業との連携を促進し、地域企業の有するコア技術を世界へ発信<CIESのニーズ>します。

これらの活動を通じて、地域企業の個性ある技術の集積やエレクトロ
これらの活動を通じて、地域企業の個性ある技術の集積やエレクトニクスへの応用展開を図るとともに、次世代カーエレクトロニクス等に
ロニクスへの応用展開を図るとともに、次世代カーエレクトロニクス
おける、革新的デバイスの事業化等を通じて、東北地域振興に貢献して等における、革新的デバイスの事業化等を通じて、東北地域振興に貢献
参ります。

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みやぎ自動車産業
振興協議会

企業との連携を促進し、地域企業の有するコア技術を世界へ発信
３）本センターを出会いの場として、地域企業とワールドクラスのします。

して参ります。

東北経済産業局<地域企業のニーズ>
 尖ったコア技術<地域企業のニーズ>

 ＣＩＥＳコンソーシアム
 メンバーがＣＩＥＳに持ち込んできている技術課題

 保有技術の少ない適用チャンス
 新規技術の高い参入障壁
 科学的理解のためのリソース不足

地域連携プロジェクトの基本方針

地域連携プロジェクトの基本方針〇背景と目的東北大学半導体テクノロジー共創体では、我が国の半導体産業の国際競争力の強化に貢献すべく、大学としてのオープン性を活かしつつ、本学の多種多様な成果を様々な機関と共有し、シナジー効果を生み出しながら、R&Dエコシステムを構築します。
〇取組内容と効果
本共創体には３つの拠点があり、本国際集積エレクトロニクス研究開発センターは、その一角である「スピントロニクス省電力半導体開発拠点」として、スピントロニクス技術を用いた省電力グリーンロジック半
導体・AIプロセッサ、高密度メモリ、高性能プロセッサの設計・試作実証・評価とそのシステム開発を担っています。他の２拠点である、ウルトラクリーンプロセス技術・イメージセンサ技術を基軸とした「半導体製造プロセス・部素材・イメージセンサ開発実証拠点」及び自動運転車

高密度メモリ、高性能プロセッサ用をはじめとする多様なデバイスや高度実装技術の研究開発、技術評価、試作を担う「MEMS設計・プロセス開発実証拠点」と連携し、本学の半導体研究を牽引しております。
https://semicon.tohoku.ac.jp/

16

文部科学省 次世代 X-nics 半導体創生拠点形成事業

高度人材育成事業「スピントロニクス融合半導体創出拠点」
における半導体人材育成
自身のコア技術・専門分野を深めながら、材料・素子・設計・回路・アーキテクチャ・集積化技術・試作・評価・システム化までの半導体集積回路の技
術バリューチェーン全体を俯瞰できる人材、各技術領域からの協力企業による実践教育なども活用したビジネスセンス・企画力を有する人材の育成を目指しています。さらに、学生の教育のみならず、教育・指導する側の若手教員・技術者のリカレント人
材育成にも取り組んでいます。

集積エレクトロニクス技術分野における若手研究人材の輩出・育成を目的とする次の事業を実施しています。

X-nics産学連携セミナーの事例 （2023年度開講より）
車載半導体等の技術と知財
電機業界とその知財戦略
半導体が拓く未来
モビリティカンパニーへの変革に向けて
クルマ社会の変化と車載用半導体のチャレンジ
Beauty of NAND
AIを加速させるコンピューティングプラットフォーム
Beyond 5G技術
フラッシュメモリの最前線
IVI向けSoCおよびOS変遷と展望
カーボンニュートラルに貢献するパワー半導体モジュールのパッケージ技術
先端パッケージの技術動向とそれを支える材料技術
Computing & Memory

住友電気工業
パナソニック
JEITA
トヨタ自動車デンソー
ウエスタンデジタル
NEC
NICT
キオクシア
アイシン
富士電機
レゾナック
Intel

①産学合同講師によるカリキュラム・講義（単位付与）
産業界や社会に求められる人材像を描き、その理念に基づきカリキュラムを編成し、産学合同講師陣による講義を開講しています。

②東 北半導体・エレクトロニクスデザインコンソーシアム
への参画
経済産業省の半導体デジタル戦略に基づき設置された東北地区
における人材育成等を担う東北半導体・エレクトロニクスデザイ
ンコンソーシアムに参画しています。

③高度人材育成を促進する産学連携OJT制度●CIESコンソーシアム内RA制度

産学連携研究における責任の明確化とその対価報酬支払による大学院生とポスドク・若手研究者の産学連携研究への参画を促進しています。

●X-nics RA制度

コア技術・専門分野を深めながら、材料・素子・設計・回路・アーキテク
チャ・集積化技術・試作・評価・システム化までの半導体集積回路の技術バ
リューチェーン・サプライチェーン全体を俯瞰できる、ビジネスセンスを有する人材の育成を行っています。

●インターンシップ制度

博士後期課程学生（DC）、ポストドクター（PD）、及び若手教員等を対象として、CIESコンソーシアム参加企業へのインターンシップの受け入れ促進制度を整備しています。

④全学プログラムへの参画●先端スピントロニクス研究開発センター（世界トップレベル研究拠点）
本学の指定国立大学法人認定を受けて、卓越した研究者を戦略的に結集し、“Spin-Centered Science”というべき領域を世界に先駆けて切り拓く拠点形成を目指しています。

●東北大学スピントロニクス学術連携研究教育センター（CSRN）

世界をリードする日本のスピントロニクス研究の国際競争力の向上、新産業の創出、現産業の強化及び次世代人材の育成を目指し、国内外の研究機関との共同研究を促進する連携ネットワークの拠点としての役割を担うことを目的としています。

●東北大学スピントロニクス国際共同大学院（GP-Spin）

本学の強みであるスピントロニクス分野における世界的人材の育成を目的として設立され、CIES教員を含む世界トップクラスの教員陣による国際共同大学院プログラムを推進しています。

●東北大学「知のフォーラム」

X-nics RA 学生

マネジメントスキルやコミュニケーションスキル等の社会人基礎力に加えて、プロジェクト学習による課題設定・解決力を養成し、起業、又は企業内で活躍できるイノベーション創発人材を育成する全学プログラムに参画しています。

「スピントロニクス融合半導体創出拠点」における半導体人材育成の概要

戦略企画部門

基盤技術部門

戦略企画部門では、本学の世界トップクラスのコア技術を基に、国内外の産業界との産学共同研究が効率的かつアクティブに展開されるためのフレキシブルな産学連携フレームワークを、本学の豊富な産学連携実績に支えられた知見を活用して構東北大学の研究者が創出してきた基本特許を含む国内トップクラスの特許出願数の知的財産（IP）群とCIESコンソーシアム活動から創出される新たな知的財産を効率的に管理した実践的IPマネージメントを実行しています。この新しいIP制度等に基づいて、フレキシブルかつグローバルスタンダー
戦略企画部門

基盤技術部門では、研究開発活動を快適かつ安全に行えるよう、４つの主要機能に重点を置いて「安全確保」「安定稼働」「高効率運

知財pool制度／ share制度／ acquire制度

用」の３つを同時に実現すべく活動しています。特に、ガス漏れ・薬液漏れ・漏水・パーティクルセンサー管理や各研究ゾーン毎の入契約

退室管理はもとより、電気・ガス・水道などの使用状況を24時間体制でモニタリングし、施設運営の更なる高度化を日々進めています。

フレキシブルかつグローバルスタンダードな契約

築しています。

ドな契約対応を展開しています。

実践的IPマネジメント

研究企画

魅力的で継続可能なテーマの探索

高度人材育成協力企業とのインターンシップ制度

広報

情報発信とネットワーキング

また、同部門は300mmウエハ対応のプロセスラインを有するクリーンルームを運用しています。供給施設を含め、研究開発部門と密に連携して、日常点検をはじめとする管理業務に当たっています。また、クリーンルー
ム内に設置されたプロセス装置の安定稼働の維持管理に努めています。
安全確保においては、施設・装置利用者への安全教育にはじまり、安全衛生委員会、
安全巡視、避難訓練等を通じて安全衛生に関する指導、改善に取り組んでいます。
情報セキュリティ対策では、CIES内の情報機器のセキュリティ管理を行うと共に、利研究設備管理300mmプロセス装置／300mm評価・分析装置

安全衛生

安全衛生委員会／巡視／避難訓練

用者への教育を行っています。
基盤技術部門17

施設管理300mm対応プロセスライン／供給設備

情報セキュリティ

情報・情報機器管理／情報漏洩監視／情報セキュリティ教育

18

世界の知がまわる国際産学連携拠点を構築し、省エネ社会に資する革新技術と高度人材を世界に輩出していきます。

アクセス

青葉山北キャンパス

東北大学
青葉山東キャンパス
青葉山
グラウンド

環境科学
研究科 青葉山みどり
厚生会館

未来産業技術共同研究館
レジリエント社会構築
イノベーションセンター
レアメタル・グリーンイノベーション
研究開発センター

地下鉄東西線「仙台駅」から
八木山動物公園行きに乗車「青葉山駅」下車（乗車時間 9 分）、
「青葉山駅」南１出口から徒歩約 10 分

お問い合わせ
東北大学
国際集積エレクトロニクス研究開発センター
支援室〒980-8572 宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉468-1
TEL : 022-796-3410
FAX : 022-796-3432
E-mail : support-oﬃce@cies.tohoku.ac.jp
HP：http://www.cies.tohoku.ac.jp
2023.3