コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM51016CA-S■概要

http://www.elm-tech.com■特長

ELM51016CA-S は低入力

N チャンネル

P チャンネル

容量、 低電圧駆動、 低オン抵

・ Vds=20V

・ Vds=-20V

抗という特性を備えた大電流
MOSFET です。 N チャンネル

・ Id=0.6A
・ Rds(on)=360mΩ(Vgs=4.5V)

・ Id=-0.4A
・ Rds(on)=620mΩ(Vgs=-4.5V)と P チャンネルを同時に内蔵し・ Rds(on)=420mΩ(Vgs=2.5V)・ Rds(on)=860mΩ(Vgs=-2.5V)ています。

・ Rds(on)=560mΩ(Vgs=1.8V)・ Rds(on)=1450mΩ(Vgs=-1.8V)■絶対最大定格値
項目記号Vds

ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
連続ドレイン電流 (Tj=150℃)

Ta=25℃
Ta=70℃

パルス ・ ドレイン電流
最大許容損失Vgs±12±12V

Id

0.60.4-0.4-0.2

A

1.00.270.16-1.00.270.16-55 ～ 150-55 ～ 150-55 ～ 150
-55 ～ 150

Idm
Tc=25℃
Tc=70℃

接合温度
保存温度範囲特に指定なき場合、 Ta=25℃
N-ch (Max.)
P-ch (Max.)単位20-20VPd
TjTstg■端子配列図A
W℃℃■回路

SOT-563(TOP VIEW)

・ N－ch
端子番号
12

端子記号
SOURCE1
GATE134DRAIN2
SOURCE25

GATE26DRAIN1・ P－ch

D1

D2G2G1S1S2

Rev.1.0
9- 1コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM51016CA-S

http://www.elm-tech.com■電気特性 (N-ch)
項目記号

特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位

条件

静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧

BVdss Id=250μA, Vgs=0V

ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流

Idss

Vds=20V, Vgs=0V

ゲート漏れ電流Igss

Vds=0V, Vgs=±12V

ゲート ・ スレッシュホールド電圧
オン状態ドレイン電流
ドレイン - ソースオン状態抵抗

20V

Ta=85℃

Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=4.5V, Vds�5V
Vgs=4.5V, Id=0.6A

0.4
0.7

15μA

±100nA

1.0V
A240

360

Rds(on) Vgs=2.5V, Id=0.5A300420Vgs=1.8V, Id=0.4A
Vds=10V, Id=0.4A

420
1560

Is=0.15A, Vgs=0V

0.8

1.20.3順方向相互コンダクタンス

Gfs

ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性

Vsd
Is

入力容量

Ciss

出力容量
帰還容量

Coss
Crss

Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHzmΩ
S
V
A

70pF

20
8pF
pF

スイッチング特性
総ゲート電荷ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレント電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間

Qg
Qgs
Qgd

Vgs=4.5V, Vds=10V
Id≡0.6A

td(on)
Vgs=4.5V, Vds=10V
tr
Id≡0.5A, RL=20Ω
td(off)Rgen=1Ωtf

1.060.180.32

1.38

nCnCnC

18202628nsns

702511040nsns

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9- 2

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Alfa-MOS

20V N & P Pair
Technology
Enhancement Mode MOSFET
コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM51016CA-S
Typical Characteristics ( N-Channel )■標準特性曲線 (N-ch)©Alfa-MOS Technology Corp.
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20V N & P Pair
Enhancement Mode MOSFET
コンプリメンタリーパワー MOSFET

Technology

Typical Characteristics ( N-Channel )ELM51016CA-S©Alfa-MOS Technology Corp.
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Alfa-MOS

20V N & P Pair
Technology
コンプリメンタリーパワーEnhancement
MOSFET
Mode MOSFET
ELM51016CA-S■テスト回路と波形
TypicalCharacteristics ((N-ch)
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ELM51016CA-S

http://www.elm-tech.com■電気特性 (P-ch)
項目

記号

特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位

条件

静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧

BVdss Id=-250μA, Vgs=0V

ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流

Idss

Vds=-20V
Vgs=0V

ゲート漏れ電流Igss

Vds=0V, Vgs=±12V

ゲート ・ スレッシュホールド電圧
オン状態ドレイン電流
ドレイン - ソースオン状態抵抗

ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性Vsd
Is

入力容量

Ciss

出力容量
帰還容量

Coss
Crss-0.4-0.7-1-5μA±100nA-1.0VA

500

620

700

860mΩ

Vgs=-1.8V, Id=-0.2A
Vds=-10V, Id=-0.4A

1000 1450
1S

Is=-0.15A, Vgs=0V-0.65 -1.20-0.3

VA

70

pF

Rds(on) Vgs=-2.5V, Id=-0.3A
Gfs

VTa=85℃

Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vgs=-4.5V, Vds�-5V
Vgs=-4.5V, Id=-0.4A

順方向相互コンダクタンス-20

Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHz

100

20
10pF
pF

スイッチング特性
総ゲート電荷ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレント電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間

Qg
Qgs
Qgd

Vgs=-4.5V, Vds=-10V
Id≡-0.25A

td(on)
Vgs=-4.5V, Vds=-10V
tr
Id≡-0.2A, RL=30Ω
td(off)Rgen=10Ω
tf

1.0
0.1
0.3

1.3

nC
nC
nC

10101515

ns
ns

40
30

60
50

nsns

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Enhancement Mode MOSFET

Technology

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Typical Characteristics ( P-Channel )ELM51016CA-S©Alfa-MOS Technology Corp.
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20V N & P Pair

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Enhancement
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MOSFET Mode MOSFET
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