A i ch i S R
2015 年度
年次報告2015年度
年 次 報 告知の拠点あいち
あいちシンクロトロン光センター

まえがき
本冊子では、2015 年度に実施されました成果公開利用の成果報告と、施設の概要（光源加速器と供用ビームライン）および利用実績をまとめました。
光源加速器の運転は順調で、300mA の蓄積電流に対して、約 0.1%の精度でトップアップ
運転を行っています。
供用開始当初は６本のビームラインでしたが、2015 年度には今までギャップのあったエネ
ルギー領域をカバーする軟Ｘ線ビームライン BL1N2 が、また、名古屋大学の専用ビームラ
イン BL2S1（単結晶Ｘ線回折。ビームタイムの一部を共用）も運用を開始して８本のビームラインを供用しています。更に、株式会社デンソーの専用ビームライン BL2S3 の建設も進んでいます。
産業利用を主目的とするシンクロトロン光施設は世界的にも希有な存在で、産業界による利用実績に注目されていますが、供用を開始した 2013 年度でも 70%（産学協同利用を含む）
を越え、2015 年度では 74%となりました。所属機関に関わらず利用は有償であることもあって、学術および公的機関の利用は 26%ですが、使いやすさと年６回の募集などの効果で、全体の利用時間は 2014 年度より約 15%増となっています。多くのリピータにご利用頂くと同時に新規利用者の開拓も進めており毎年約 50 機関が参入しています。
利用分野や利用企業の所在地などの詳細は利用実績にまとめられていますが、我が国の産業界の旺盛な利用は特筆に値すると思います。産業利用の視点で調査しましたアジアやヨー
ロッパのシンクロトロン光施設では、ビームタイムの 10%程度を産業利用の目標に置いていることを考えますと、70%越えが如何に大きい割合であるかがわかります。
産業界の利用は成果非公開、があいちシンクロトロン光センターの”売り”ですが、そのためどのような企業がどのような目的で利用しているかが全く見えません。2015 年度も文部科学省の「先端研究基盤共用促・プラットフォーム形成事業」で実施されました企業の成果公開無償利用と学術機関の産学連携による成果公開無償利用の成果および大学・公的機関による成果公開利用の成果が本冊子に掲載されています。
当初設置の６本のビームラインの内、４本が 100%の利用となっており、特に硬Ｘ線 XAFSの BL5S1 は延長シフトを組むなどして要望に出来るだけ応えてきましたが、愛知県のご理解で２本目の硬Ｘ線 XAFS ビームライン BL11S2 を建設しています。2016 年度中には供用を開始する予定です。
利用者あっての供用施設ですので、今後とも、ご利用とご提言を頂ければ幸いです。利用者の声は施設や運営の改善に非常に重要です。できるだけご要望に応えたいと思いますので宜しくお願い申し上げます。
公益財団法人 科学技術交流財団
あいちシンクロトロン光センター
所長

竹田美和

目次
1．あいちシンクロトロン光センター概要 …………………………………………………… 1
1.1

施設概要 ………………………………………………………………………………… 1

1.2

光源加速器 ……………………………………………………………………………… 2

1.3

ビームライン概要 ……………………………………………………………………… 3

2．ユーザー利用実績 …………………………………………………………………………… 13
3．成果報告書 …………………………………………………………………………………… 17
3.1

2015 年度公共等利用…………………………………………………………………… 17

3.1.1

BL1N2 ……………………………………………………………………………… 19

3.1.2

BL2S1 ……………………………………………………………………………… 37

3.1.3

BL5S1 ……………………………………………………………………………… 43

3.1.4

BL5S2 ……………………………………………………………………………… 63

3.1.5

BL6N1 ……………………………………………………………………………… 79

3.1.6

BL7U

3.1.7

BL8S1 …………………………………………………………………………… 107

3.1.8

BL8S3 …………………………………………………………………………… 127

3.2……………………………………………………………………………… 95

2015 年度成果公開無償利用事業…………………………………………………… 145

3.2.1

前期 ……………………………………………………………………………… 147

3.2.2

後期 ……………………………………………………………………………… 187

3.3

2013・2014 年度公共等利用 ……………………………………………………… 241

3.4

外部発表リスト ……………………………………………………………………… 246

4．利用促進 …………………………………………………………………………………… 249
4.1

放射線業務従事者教育訓練 ………………………………………………………… 251

4.2

シンクロトロン光利用者研究会 …………………………………………………… 253

1．あいちシンクロトロン光センター概要
1.1 施設概要
光源加速器は、50 MeV 直線加速器、1.2 GeV ブースターシンクロトロン、1.2 GeV 蓄積リングから成る。 超伝導偏向電磁石を 4 台導入することにより、最大 12 本のビームラインに硬 X 線を供給することも可能である。供用を開始した当初より、蓄積電流 300 mA のトップアップ運転を行っている。トッ
プアップ運転中の電流値の変化は、300 mA に対して約 0.1 %である。
供用開始当初より 2014 年度まで、ビームライン 6 本で運用を行ってきた。ビームラインは，硬 X 線
XAFSⅠ（BL5S1）、粉末 X 線回折・XAFS（BL5S2）、軟 X 線 XAFS・光電子分光Ⅰ（BL6N1）、真空紫外分光（BL7U）、薄膜 X 線表面回折（BL8S1）、広角・小角 X 線散乱（BL8S3）である。2015 年度
途中よりアルミニウム、マグネシウム等の軽金属の分析が可能な軟 X 線 XAFS・光電子分光Ⅱ（BL1N2）と名古屋大学の単結晶 X 線回折(BL2S1)が運用を開始し、共用ビームライン 8 本となった。
利用申し込みの募集は 2 か月ごとに行っている。1 週間のうち、月曜日はマシンスタディ、火曜日から金曜日までがユーザー利用日を基本としており、1 日の利用は、10:00～14:00、14:30～18:30 の 2 シ
フト（1 シフト 4 時間）で行っているが、利用申し込み数の増加に伴い、18:30～22:30 の延長シフトを行う場合もある。
供用開始から 2015 年度までに、200 以上の企業・研究機関が利用しており、2 か月ごとの募集や計測サポートの充実などの利便性を反映し、ビームライン全体の平均利用率（利用シフト数/最大利用可能シフト数）は、2013 年度に 63.8%、2014 年度に 78.4%、2015 年度には 81.2%となった。特に、BL5S1
および BL5S2 については、2014 年度に引き続き、利用率 100%に達している。
文部科学省の先端研究基盤共用・プラットフォーム事業を活用した成果公開無償利用制度や測定代行、利用相談、セミナー・研究会、企業直接訪問等を行い、新規ユーザーや新規課題の利用促進に関する取組を積極的に行っている。

1

1.2

光源加速器 （2016 年 9 月現在）

● 蓄積リング・電子エネルギー

1.2 GeV・周長72.0 m

・蓄積電流

300 mA 以上

・エミッタンス

約 53 nm-rad

・RF 周波数

499.654 MHz・ハーモニック数120● ブースターシンクロトロン
・出射エネルギー

1.2 GeV・周長48.0 m・エミッタンス

約 200 nm-rad

・RF 加速周波数

499.65 MHz

・加速繰り返し

単発～1 Hz● 直線加速器
・電子エネルギー

50 MeV・加速電荷量

1 nC

・パルス幅

< 1 nsec

・加速繰り返し

単発～1Hz・RF 周波数

2856 MHz● 5T 超伝導偏向電磁石
・超伝導線材NbTi-Cu

・臨界温度

5.9 K

・冷凍機

2 段 4K-GM 冷凍機

・通電電流

約 100 A・電流密度（線材）

約 150 A/mm2

・ピーク磁束密度5.1 T

・放射光臨界エネルギー

4.8 keV (1.2 GeV)

● アンジュレータ（Apple-II）・残留磁束密度

1.3 T

・周期長

60 mm

・周期数

33

・最小ギャップ

24 mm

・K 値（最大）・Linear (horizontal)

3.4

・Linear (vertical)

2.0・Helical1.7

蓄積電流値（22:00 までの運転例）

Brilliance (ph/s/mm 2/mrad2/0.1% b.w.)

50 MeV

1014

1013

1012
あいちSR超伝導偏向電磁石 300mA

1011

1010
101

あいちSR常伝導偏向電磁石 300mA

102

103
104
Photon energy (eV)105

偏向電磁石光輝度
Brilliance (ph/s/mrad2/mm2/0.1 % b.w.)

・入射エネルギー

1017
ヘリカルモード
1次光

3次光
5次光

10

1次光

16

1015

10

リニアモード
スペクトル

14

1013
10

100
Photon energy (eV)アンジュレータ光輝度

2

1000

1.3 2016 年 9 月現在の共用ビームライン2015 年度から 2 本のビームライン、軟 X 線 XAFS・光電子分光Ⅱ（BL1N2）および名古屋大学による単結晶 X 線回折（BL2S1）の供用を開始した。さらに、供用可能なシフト数を大幅に超える利用申請がある硬 X 線 XAFSⅠ（BL5S1）の問題解消のための新規ビームライン硬 X 線 XAFSⅡ（BL11S2）、
および企業専用ビームライン（BL2S3）が建設・調整中である。新規ビームライン硬 X 線 XAFSⅡ（BL11S2）については 2016 年度中に供用開始の予定である。

広角・小角Ｘ線散乱
BL8S3

真空紫外分光
BL7U

超伝導偏向電磁石
常伝導偏向電磁石
薄膜Ｘ線回折BL8S1

2017年度供用開始予定
硬Ｘ線ＸＡＦＳ Ⅱ(仮称）
BL11S2軟Ｘ線ＸＡＦＳ・光電子分光 Ⅰ
BL6N1

粉末Ｘ線回折・ＸＡＦＳ
BL5S2

単結晶Ｘ線回折(名古屋大学）BL2S1

軟Ｘ線ＸＡＦＳ・光電子分光 Ⅱ

BL1N2

硬Ｘ線ＸＡＦＳ Ⅰ
BL5S1

企業専用
(デンソー）
BL2S3

アンジュレータ（2016 年 9 月現在）

3

BL1N2（軟 X 線 XAFS・光電子分光Ⅱ）● 光エネルギー ：1000~2000 eV （波長：1.2～0.6 nm）● ビームサイズ ：2×1 mm● 分解能(E/ΔE) ：＞2000 @ 1000 eV（計算値）● 光子数：1×10 11 (photons/sec) @ 1000 eV（計算値）
軟 X 線領域の吸収端近傍の X 線吸収微細構造（XAFS）分光測定を行い、材料中の原子の結合状態や局所構造を解析する。エネルギー範囲としては 1～2 keV の光が利用でき、K 吸収端でナトリウム～
シリコン、L 吸収端で亜鉛～臭素を対象とした。全電子収量法及び窓無し SDD による蛍光収量法を用いた XAFS 測定が可能である。さらに、球型光電子アナライザ（SCIENTA R3000）も備えており、内殻の占有準位の光電子分光測定も可能である。測定チャンバにはロードロック及びサンプルバンク
を備え、複数試料を導入することが可能である。また、トランスファーベッセルを装備しており、製造現場や実使用環境から大気非曝露で試料を導入することができる。なお、トランスファーベッセルとサンプルホルダーは BL6N1、BL7U と共通型であるため、大気非曝露での相互利用が可能である。
炭素～シリコンの XAFS 測定を可能とするため、2016 年度内に回折格子を増設する予定。
全電子収量法部分蛍光収量法

BL1N2 外観XANES スペクトル（2016 年 9 月現在）

4

BL2S1（単結晶 X 線回折）
● 光エネルギー ：7~17 keV (波長：0.18～0.07 nm)● ビームサイズ ：0.2×0.2 mm● 分解能(E/ΔE) ：＞2000 @ 12 keV（計算値）● 光子数：1.9×10 10 (photons/sec) @ 11.1 keV
湾曲平板の垂直方向の集光ミラー（Pt コート）と、水平分散の非対称結晶三角分光器のビームライン
で、Ge(111)と Ge(110)の分光結晶を交換して使い分けることで 7 ～ 17 keV (0.18～0.07 nm) の広い範囲を使用することが出来る。単結晶Ｘ線回折装置は 2θ 光学台上に設置され、2θ の回転範囲は 12.5
～33.5 度である。試料結晶ゴニオは XYZ ステージ付き高精度高速回転軸ゴニオで、先端部は凍結タン
パク質結晶用のクライオピンがそのまま磁石でマウント出来る標準的な構造である。検出器は二次元検出器(ADSC Q315r または PILATUS 1M) を備え、カメラ長（試料結晶：検出器距離）は 90～342 mm
で可変である。

BL2S1 外観単結晶 X 線回折装置

測定・解析例蛋白質（ソーマチン）の電子密度分布5（2016 年 9 月現在）

BL5S1（硬 X 線 XAFS I）● 光エネルギー：5～20 keV (波長：0.25～0.06 nm)● ビームサイズ：0.5×0.30 mm (横×縦、通常集光時)● 分解能(E/ΔE)：＞7000 @ 12 kev（計算値）● 光子数：5×1010 (photons/sec) @ 12 keV
硬 X 線領域の X 線吸収微細構造 (XAFS) 測定を行い、材料中の原子の結合状態や局所構造を解析する。エネルギー範囲としては、K 吸収端でチタン (Ti) ～ モリブデン (Mo)、
LIII 吸収端でセシウム (Cs)
～ウラン(U) を対象とする。測定法として透過法以外に 19 素子 Ge-SSD、7 素子 SDD による蛍光法
での測定、転換電子収量法が実行可能。ハッチ内に高次光除去ミラーを備え、8 keV 程度以下の測定精度を向上。測定モードではステップスキャンモード以外に、連続スキャン(Quick XAFS) モードでの短
時間／時分割測定をサポート。実験ハッチ内に支燃性・可燃性排ガスの供給／排気ダクトを備え、試料加熱セル(～1000 ℃)、He 冷凍機(～10 K) があり、測定対象の実使用環境における測定が可能。多数の試料の測定には自動試料交換装置を利用可能で最大 50 試料程度を一度の試料交換でセット可能。

BL5S1 測定系

XAFS スペクトルXANES スペクトル

Cu フォイルの K 吸収端分析（2016 年 9 月現在）
6

BL5S2（粉末 X 線回折）
● 光エネルギー：5～23 keV(波長：0.25～0.053 nm)● ビームサイズ：0.5×0.5 mm● 分解能(E/ΔE)：7000 @ 12 kev（計算値）● 光子数：1×1011 (photons/sec) @ 12 keV
粉末 X 線回折法により、物質の定性、定量、構造解析などを精度よく行う。検出器とし二次元半導体検出器(PILATUS 100K)4 台を有し、デバイ・シェラーリングを二次元画像として収集可能である。また PILATUS 100K 用の固定アームは、必要とされる角度分解能に応じて、カメラ長の変更(170～1000 mm)が可能である。さらに、試料温度設定用に高低温
窒素ガス吹付装置(－120 ℃~600 ℃)を有する。支燃性・可燃性排気ダクトを整備し、製造現場の実使用環境における測定をサポートする。

低温窒素ガスPILATUS

吹付装置

固定アーム

高温窒素ガス
吹付装置

BL5S2 外観

7（2016 年 9 月現在）

BL6N1（軟 X 線 XAFS・光電子分光Ⅰ）● 光エネルギー：1.75～6 keV(波長：0.7～0.2 nm)● ビームサイズ：2.0×1.0 mm● 分解能(E/ΔE)：＞2000 @ 3 keV （計算値）● 光子数：1.5×1010 (photons/sec) @ 3 keV
軟Ｘ線領域の X 線吸収微細構造分光（XAFS）測定を行い、材料中の原子の結合状態や局所構造を解析する。現在、測定可能なエネルギー領域は K 吸収端で Si～Cr である。本ビームラインはそれぞれ大気圧下と超高真空下で実験が可能な、2 つの測定システムを有する。前者では、He 雰囲気下でシリコン半導体検出器による蛍光収量 XAFS と試料電流法による電子収量 XAFS の同時測定が可能で、液状試料など製造現場や材料の実使用時に近い環境での測定ができる。また後者では、トランスファーベッセ
ルや静電半球型電子分光器（SPECS PHOIBOS 150）により、大気非曝露での XAFS 測定や、ラボ X
線源よりも高い励起エネルギーによる光電子分光測定が可能である。

BL6N1 外観

軟 X 線 XAFS スペクトル

Si K 端X 線光電子分光スペクトルSi 1s（2016 年 9 月現在）

8

BL7U（真空紫外分光）● 光エネルギー：0.03～0.85 keV，(波長：40～1.5 nm)● ビームサイズ：0.07×0.15 mm● 分解能(E/ΔE)：＞5000 @ 200 eV （計算値）● 光子数：2×1012 (photons/sec) @ 100 eV
アンジュレータによる大強度の真空紫外／軟 X 線を用いた高分解能の吸収分光および内殻準位・価電
子帯の光電子分光を行い、物質の化学状態・電子状態を詳細に分析する。エネルギー範囲としては、K端でリチウム～ネオン、L 端でアルミニウム〜ニッケル、M 端でウランまでをカバーする。高分解能の静電半球型光電子分光装置(MB SCIENTIFIC AB)と 2 次元位置検出器を備え、光電子スペクトルの角度依存性（角度分解光電子分光）を高効率に測定することができる。さらに、試料搬入系（試料バンク、準備槽）の工夫により、多数試料の多様な分析を迅速に行うことを可能とする。

BL7U エンドステーション

BL7U フラックス

HOPG（高配向熱分解黒鉛）の分析結果

CK端（2016 年 9 月現在）

9

BL8S1（薄膜 X 線回折）
● 光エネルギー：9.16，14.3，22.7 keV（波長：0.135，0.087，0.055 nm）● ビームサイズ：0.8 mm×2.0 mm● 分解能(E/ΔE)：＞2000 @ 12 kev（計算値）● 光子数：1×1011 (photons/sec) @ 12 keV
有機・無機多層膜の X 線反射率測定や X 線回折、X 線 CTR 散乱測定を迅速・簡便かつ精度よく行えるよう整備されたビームライン．BL8S1 は一結晶分光器を導入するため、回折装置は 2θ 光学台に設置される．分光結晶に Si（111）を使用した場合、利用可能なエネルギー範囲は 9.15 keV～14.4 keV、
分光結晶に Si（311）を使用した場合、利用可能なエネルギー範囲は 18 keV～23 keV となる。回折装
置はリガク製 SmartLab：放射光仕様の改造機が整備されている。検出器としてシンチレーションカウ
ンタの他に二次元半導体検出器(PILATUS 100K)を備え、装置入射部には入射ビーム平行性向上のため
二結晶または四結晶分光器が設置可能となっている。表面すれすれ入射条件を利用した薄膜評価や半導体薄膜の結晶性評価、構造変化の解析、応力測定、照射実験が可能である。

分光器

検出器

SmartLab

BL8S1 測定系外観

X 線望遠鏡用多層膜ミラーの反射率測定（2016 年 9 月現在）

10

BL8S3（広角・小角 X 線散乱）
● 光エネルギー：8.2 & 13.5 keV (波長：0.15 & 0.09 nm)● ビームサイズ：0.67×0.14 mm（計算値）● 分解能(E/ΔE)：＞2000 @ 8.2 keV（計算値）● 光子数：7.7×1010 (photons/sec) @ 8.2 keV
X 線小角散乱法により、分子薄膜や繊維など、主に有機・高分子材料の構造を解析する。数 Å から約200 nm までの範囲の構造の測定が可能。自動読取イメージングプレート検出器（R- AXIS Ⅳ++）と二次元半導体検出器 (PILATUS 100K)を備え、高精度静的測定と時分割測定を可能とする。さらにフラットパネル検出器を併設することで小角と高角の同時測定を可能とする。他、Be 窓 X 線イメージイ
ンテンシファイア付き CCD 検出器（V7739P/ION）、サンプルチェンジャーを備える。カメラ長は最大4 m とし、試料位置に自由度を持たせることでユーザー持ち込みの大型な試料環境装置にも対応する。

小角散乱測定例
2 次元画像レイアウト（カメラ長：4 m）

レイアウト

強度プロファイル

100 nm SiO2 粉末分散液 （X 線波長：0.15 nm）（カメラ長：0.2 m）

広角散乱測定例
2 次元画像強度プロファイル
3500

(111)

3000
2500

(111)
(220)
(311)

（カメラ長：0.2 m）

(311)

1500

試料位置

レイアウト

(220)

2000

検出器

1000
500
0

0

10

20

2θ (deg)30

Si 粉末（NIST 640C） （X 線波長：0.09 nm）（2016 年 9 月現在）

1140

BL11S2（硬 X 線 XAFSII）● 平成 29 年(2017 年)初頭より供用開始予定● 光エネルギー：当初 5～20 keV (波長：0.25～0.06 nm)、最終的には 5～26 keV 程度に拡充の予定● ビームサイズ：0.4×0.30 mm (横×縦、通常集光時)● 分解能(E/ΔE)：＞7000 @ 12 kev（計算値）● 光子数：1×1011 (photons/sec) @ 12 keV (計算値)
硬 X 線領域の X 線吸収微細構造 (XAFS) 測定を行い、材料中の原子の結合状態や局所構造を解析する。ビームライン全般に BL5S1 とほぼ同等のスペックを満たし硬 X 線 XAFS 測定の高い需要に応える
ことに加えて、より高エネルギー側での利用をサポートすることを目的する。当初は BL5S1 と同じエネルギー範囲で利用を開始し、最終的には 26 keV 程度(Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In, Sn の K 吸収端)まで利用可能なエネルギー範囲を広げる予定。ビームライン組込の高次光除去ミラーを備え、低エネルギーの測定も安定して実行可能。測定法として透過法、蛍光法、転換電子収量法が利用可能なことや、実使用環境測定をサポートするガス供給／排気系を備えることは BL5S1 と同等。さらに試料加熱・冷凍装置等ほとんどの実験装置を BL5S1 と共有するため、BL5S1 で可能な実験は全てサポートした上で測定可能元素の範囲が広がったビームラインとなる予定。
実験ハッチ外観

実験ハッチ内の XAFS 測定用実験装置のセットアップ

上: 実使用環境測定用
ガス供給系
下: イオンチャンバ用
ガス供給系（2016 年 9 月現在）
12

2. 2015 年度利用実績について
2.１ 概況
○ 2015 年度利用数は、1,618 シフト(1 シフト＝4 時間)で、2014 年度実績（1,409 シフト）の約15％増となっている。 【参考：2013 年度実績 1,061 シフト】
また、2015 年度末で202 の企業・大学等が利用しているが、このうち 2014 年度の新規ユーザーは 53、2015 年
度は 47 と利用企業等の裾野は徐々に拡大している。
【図 1：年度別利用シフト数】
1,800
1,600

14.8％増1,400
32.8％増

1,200
1,000
800
600

51
266

0

295

192

85

284

154

110

公共等
大学
産学共同

112

中小企業

145
98

400
200

136

948

大企業

711
501

2013年度
1,061シフト2014年度1,409シフト2015年度1,618シフト

2.2 利用状況・推移○ 2013 年 3 月の供用開始から、年々、利用率は上昇傾向にあり、2013 年度の平均利用率は 63.8％、2014 年度には78.4%、2015 年度は81.2%という状況である。
その理由として、当施設の認知度や利便性が徐々に高まってきたことが挙げられる。
○ 4 本のビームライン（BL5S1、BL5S2、BL6N1、BL7U）
については、100％の状態が続いており、特に、硬Ｘ線
XAFS ビームライン（BL5S1）については、利用申込が、常時、超過の状況であるため、臨時的に夜間利用を行っているほか、
現在、新たなビームラインの整備を進めている。

13

○ 利用者の構成【2015 年度】(図２)・産業利用は、全体の 74%（大企業 59%、中小企業 10%、産学共同利用 5%）を占めている。
・産業利用の比率は、他施設と比べて高い割合となっている。
○ 地域別企業ユーザーの利用状況【2015年度】 （図３）
・県内企業の利用件数は、全体の 62%を占め、愛知県を含めた中部地域の利用は 72%となっている。
・一方、関東地域は 19%、近畿地域は 7%となっており、全国規模で利用されている。

図2：利用者の構成
公共等
8%
大学
18%

産学共同
85ｼﾌﾄ
5%

大企業
59%
中小企業
10%

図3：地域別企業ユーザー

東北・四国・中国
2%

近畿
7%
関東
19%
愛知県
62%
中部
（愛知県除く）10%14

○ 産業分野別利用状況 【2015年度】 （図４）
・利用企業の業種は、輸送用機器が最も多い 53%を占めている。
・その他、窯業、電子部品、化学、ヘルスケアなど幅広い産業分野に活用されている。

図4：産業分野別利用
ゴム製品・樹脂 1%
食料品・ヘルスケア
4%
調査･
分析サービス
4%
金属・鉄鋼
3%

繊維 1%
機械 1%
その他
4%

化学
6%
電気機器・
電子部品
10%
ガラス・
窯業・土石
13%

輸送用機器
53%

15

3. 成果報告書
3.1

2015 年度公共等利用3.4

外部発表リスト

口頭発表

西村靖彦

TTDC, 光産業創成大学院大学

プラズマ核融合学会
annual meeting

2015

高強度レーザーによる機能性材料の表面改質

西村靖彦

TTDC, 光産業創成大学院大学

日本物理学会 2015 年
秋季大会

2015

レーザー駆動圧縮による材料研究

あいち SR

16th International
Conference on X-ray
Absorption Fine
Structure

2015

XAFS beam lines at Aichi SR Centerdedicated to industrial use

名古屋工業大学

The 13th Conferenceof the Asian
Crystallographic
Association(AsCA2015)

2015

Multiple two-dimensional X-ray detecting
system on a powder diffraction beamline
BL5S2 at AichiSR

S. Ono名古屋工業大学

The 13th Conferenceof the Asian
Crystallographic
Association(AsCA2015)2015

Evaluation of crystallite size from synchrotron
powder diffraction data collected with a flat
two-dimensional X-ray detector

久保俊晴

名古屋工業大学

日本応用物理学会

2015

放射光を用いた X 線光電子分光による 成膜後アニールを施した ALD-Al2O3/AlGaN 界面の評価

Kubo
Toshiharu

Nagoya Instituteof Technology

SISC

2015

Study of interface states in AlGaN/GaN MISHEMTs with HfO2 fabricated by atomic layer
deposition  Kubo
Toshiharu

Nagoya Instituteof Technology

SSDM

2015

Analysis of post-deposition annealing effects
on insulator/semiconductor interface of
Al2O3/AlGaN/GaN high-electron-mobility
transistors on Si substrates

伊藤彰俊

産科技 C
食品工業技術 C

日本食品科学工学会（第 63 回大会）

2015

愛知県産新規酒造好適米「夢吟香」の米粒によるデンプン構造解析

竹田美和

T. Ida

246

論文発表
論文誌情報

発表年
号
ページ

タイトル

C. Tsukada

NagoyaUniversity

IOP Conference
Series: Materials
Science andEngineering

2015
in press

Spectroscopic and morphologicalstudies on interaction between gold
nanoparticle and liposome constructed withphosphatidylcholine

ShinyaYagi

NagoyaUniversity

IOP Conference
Series: Materials
Science andEngineering

2015
in press

Vulcanization reaction of squalene and S8
powder studied by Sulfur K-edge NEXAFS
under liquid phase

竹田美和

あいち
シンクロトロン
光センター

月刊「化学 」

2015, 70,30-33

青色 LED が社会にもたらしたもの- 材料の革命 -Hiroyuki
AsakuraSynchrotron
Radiation
ResearchCenter, Nagoya
University

J. Chem. Phys.

2015, 142,
164507

A theoretical approach to La L1-edge XANES
spectra of La complex oxides and their local
configuration

Hiroyuki
AsakuraSynchrotron
Radiation
ResearchCenter, Nagoya
University

2015, 119,8070-8077

Local Structure and L 1 - and L 3 ‑Edge X‑ray
Absorption Near Edge
Structure of Late Lanthanide Elements（Ho,Er, Yb）in Their Complex
Oxides

主著者

所属

J. Phys.
C

Chem.

Yoshiki
FukadaToyota Motor
Corporation

Journal of Alloys
and Compounds

2015,647,
221-230

In situ x-ray diffraction study of crystal
structure of Pd duringhydrogen isotope loading by solid-stateelectrolysis at moderatetemperatures 250-300℃

Yasuhiko
Nishimura

The Graduate
School for theCreation of
New Photonics
Industries

J. Phys. D: Appl.
Phys.

2015,48,325305-10

Multilayered polycrystallization insingle-crystal YSZ by laser-shockcompression

竹田美和

あいち
シンクロトロン
光センター

OPTRONICS

2015,
No.7,1-9

あいちシンクロトロン光センターにおける産業利用と光ビームプラットフォーム

竹田美和

あいち
シンクロトロン
光センター

放射線化学

（2014）
第 97 号

あいちシンクロトロン光センターの概要と
利用案内

野本豊和

あいち
シンクロトロン
光センター

化学工学

2015（2） ヘリウム大気圧における溶液試料の598
軟 X 線吸収分光測定

Noritake
IsomuraToyota Central
R&D Labs

Applied Surface
Science 355（2015）
268–271247

Depth-selective X-ray absorption
spectroscopy by detection of energy-loss
Auger electrons4．利用促進4．利用促進
4.
利用促進

4.1
放射線業務従事者教育訓練
4.1 放射線業務従事者教育訓練
放射線障害防止法では、放射線取扱事業者に対し、放射線業務従事者への新規教育と年１回の再教育を義務付けています。科学技術交流財団では、2012 年 10 月より、あいちシンクロトロン光センターを利用される方を対象に同法に対応した、放射線業務従事者教育訓練講習会を定期的に開催しています。
【講習内容】（１） 放射線の人体に与える影響

30 分（２） 放射性同位元素等又は放射線発生装置の安全取扱い

4 時間（３） 放射性同位元素及び放射線発生装置による放射線障害の防止に関する法令（４） 放射線障害予防規程

1 時間

30 分

【会場】
あいちシンクロトロン光センター

2 階会議室2015 年度の放射線業務従事者教育訓練講習会の開催日および受講人数の一覧を以下にまとめます。
平成 27（2015）年度

放射線業務従事者教育訓練講習会

受講実績

新規教育

再教育

合計

1

2015 年 4 月 10 日

7

10

17

2

2015 年 4 月 23 日

5

11

16

3

2015 年 5 月 8 日

7

13

20

4

2015 年 5 月 28 日

19

4

23

5

2015 年 6 月 12 日

3

14

17

6

2015 年 6 月 25 日

12

4

16

7

2015 年 7 月 9 日

10

5

15

8

2015 年 7 月 23 日

13

7

20

9

2015 年 8 月 14 日

5

2

7

10

2015 年 8 月 27 日

3

12

15

11

2015 年 9 月 11 日

3

6

9

12

2015 年 9 月 24 日

2

2

4

13

2015 年 10 月 9 日

5

9

14

14

2015 年 10 月 22 日

3

3

6

15

2015 年 11 月 13 日

2

2

4

16

2015 年 11 月 26 日

4

1

5

17

2015 年 12 月 11 日

1

2

3

18

2015 年 12 月 24 日

2

3

5

19

2016 年 1 月 8 日

10

1

11

251

20

2016 年 1 月 28 日

5

0

5

21

2016 年 2 月 12 日

9

6

15

22

2016 年 2 月 25 日

6

5

11

23

2016 年 3 月 11 日

4

12

16

24

2016 年 3 月 24 日

3

9

12

合計

143

143

286

252

4.2

シンクロトロン光利用者研究会

2015 年度

第1回

シンクロトロン光利用者研究会開催一覧
実施日2015 年 10 月 5 日（月）会場

知の拠点あいち あいち産業科学技術総合センター 講習会室

内容

XAFS 概論（名古屋大学 田渕）
硬 X 線 XAFS ビームライン BL5S1 の現状（名古屋大学 森本）
軟 X 線 XAFS・XPS ビームライン BL6N1 の現状（あいち SR 村井）
軟 X 線・真空紫外分光ビームライン BL7U の現状（あいち SR 仲武）
軟 X 線 XAFS・XPS ビームライン BL1N2 の現状（あいち SR 村瀬）
あいちシンクロトロン光センター見学会（希望者）

参加者

XAFS グループ

第2回

第4回

第5回

小角散乱グループ

第1回

第2回

XRD
グ
ルー
プ

実施日

2015 年 10 月 6 日（火）会場

名古屋大学工学部 7 号館 B 棟 4 階「端末室 A」

内容「解析実習」
名古屋大学 朝倉博行

参加者

第3回

第1回

32 名

小川智史

27 名

実施日

2015 年 12 月 21,24,25 日

会場

あいちシンクロトロン光センター

内容「実地研修」
科学技術交流財団

参加者

8名

実施日

2016 年 3 月 2,3,11,15,18 日

会場

あいちシンクロトロン光センター

内容「実地研修」
科学技術交流財団

参加者

14 名

実施日

2016 年 3 月 7 日（月）会場

知の拠点あいち あいち産業科学技術総合センター 講習会室

内容

「XAFS について」 分子研 横山利彦

参加者

62 名

実施日

2015 年 7 月 28,29,30,31 日

会場

あいち SR センター

BL8S3

内容

「実地研修」
科学技術交流財団

あいち SR センター

参加者

16 名

実施日

2016 年 3 月 25 日（金）会場

あいち SR センター

内容

「チョコレート、その他食品油脂における SAXS/WAXS 時分割 X 線回折測定」
広島大学大学院生物圏科学研究科 上野 聡 先生

参加者

10 名

実施日

2015 年 7 月 15,22,28,31 日

会場

あいち SR センター

内容

「実地研修」
名古屋大学 渡邉信久、永江

参加者

11 名

BL1N2

あいち SR センター

杉山

村瀬

杉山

村瀬

BL1N2

あいち SR センター

加藤一徳

山本

2 階会議室

BL2S1

253

第2回

第3回

XRD グループ

第4回

第5回

第6回

シンクロトロン光利用者研究会

入門実施日

2015 年 7 月 17,30,31 日

会場

あいち SR センター

内容

「実地研修」
科学技術交流財団

参加者

5名

実施日

2015 年 8 月 21 日（金）会場名古屋工業大学 付属図書館

内容「解析実習」
二次元ピクセル型 X 線検出器を用いた粉末 X 線回折実験（名工大RIETAN-FP 実習 （名古屋工業大学 泉富士夫）

参加者

45 名

実施日

2015 年 10 月 26 日（月）会場

あいち SR センター

内容

四連装 PILATUS の概要と整備状況（名古屋工業大学 井田先生）
四連装 PILATUS 測定データの取り扱い（あいち SR 和田 CD）
四連装 PILATUS 測定見学（BL5S2 にて）

参加者

6名

実施日

2015 年 11 月 2 日（月）会場

あいち SR センター

内容

「実地研修」
科学技術交流財団

参加者

4名

実施日

2016 年 2 月 29 日（月）会場

あいち SR センター

内容

利用者研究会 講演会「放射光を利用した構造解析の現状とこれから」
東京工業大学名誉教授 大橋 裕二 先生

参加者

10 名

タイトル

入門講習会（計測分析に関する講演会）共同開催

実施日

2016 年 1 月 29 日（金）会場

あいち産業科学技術総合センター 1 階

内容「プラスチック材料の分析」~ 組成と劣化 ~

参加者

42 名

BL8S1
あいち SR センター

吉村

酒井

メディア室

2 階会議室BL5S2
あいち SR センター中西

立木2 階会議室

254

講習会室

井田隆）

著作権法に基づき、本書のいかなる形式の複製、転記も当センターの事前の許可が必要です。

あいちシンクロトロン光センター

2015年度

年次報告2017 年 3 月発行

公益財団法人科学技術交流財団
あいちシンクロトロン光センター〒489-0965 愛知県瀬戸市南山口町 250 番 3
tel

0561-76-8331

fax 0561-21-1652
mail：riyou@astf.or.jp

公益財団法人 科学技術交流財団
Aichi Science & Technology Foundation

あいちシンクロトロン光センター〒489-0965 愛知県瀬戸市南山口町250番3
TEL 0561-76-8331（代表） FAX 0561-21-1652
http://www.astf-kha.jp/synchrotron/