田 昭治（独）日本学術振興会プラズマ材料科学第153委員会
第151回研究会 企業紹介 2021年6月17日

会 社 名設立支店営業所資 本 金社 員 数
事業内容

株式会社片桐エンジニアリング
神奈川県横浜市鶴見区尻手3-5-34
平成 3年 7月 （30周年）
埼玉事業所・名古屋事業所・南加瀬加工所・日立事業所
10,000,000円
42名（令和3年4月現在）
真空装置及び一般産業機器の設計・製造・販売
ISO-9001取得
かながわスタンダード認証
神奈川県工業技術開発大賞
横浜価値組企業認定
地域貢献企業

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開発・設計・製作・制御まで
自社内一貫製造

横浜・埼玉・名古屋・日立でしょ❕
地の利を生かし地域密着モノづくりで世界に発進

天の時

今でしょ❕
チャンスを逃さず
より早くより良いものをより安くモノづくり

Chance
やっぱ人でしょ❕❕

地の利

人の和Location

Harmony

人と人のハーモニーを大切に
人にやさしいモノづくり

SDG’sへの貢献

バキュームメカトロニクスと熱とプラズマ（開発・設計・製作・制御）真空中の熱と運動（-270～2500℃、直進・回転・傾き）
機密容器製造（10－10～10７Pa、超高真空から超臨界）電源周波数：DC、50～109Hzを用いたプラズマ発生装置（EBEP、CCP、ICP、CCP/ICP-HBP、HWP、MGP、MWP、ECR、APP）

キーテクノロジー
豊富な経験と実績

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放射線利用・高度医療用加速器関連機器
陽子・重粒子イオン源（水素・炭素イオン等） 線形加速器
プロファイルモニタ
ビームの形状、エネルギーを観測する

シンクロトロン
真空ダクト

高エネルギービームモニター

ガン細胞
高エネルギーシャッター
粒子線を遮断する

経緯
・東大核物理学研究所
・理化学研究所
・放射線医学研究所
・高エネルギー研究所
・企業：H社、T社 etc.

核融合関連KKE製作範囲
・ITER負イオン加速器設計に向けた耐電圧試験用静電シールド
・JT-60SA ビーム保護板の製作
・NBI装置ドリフト管改造部品の製作
・絶縁フランジ
国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構
過去の経験（日本原子力研究所東海）・約42年前にガラスのトーラスからステンレスベローズ製に変更
・JFT－２Mトーラス部品製作
・JT-60のインコネルベローズの製作
・NBI角度調整機構及びゲートバルブ製作
先進プラズマ研究開発ホームページより

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真空メカトロニクス
UHV搬送/ＸＰＳ/ＳTM/RHEED/CCP・ICP・ECRプラズマ装置

400kHz～100MHz～2.45GHz
到達圧力10-9Pa

超高真空一貫マルチチャンバ－システム（プラネタリー配置タイプ）

ＵＨＶトンネル

ＵＨＶ搬送ロボット
回転＋直進

超高真空一貫マルチチャンバ－システム（直線配置タイプ）＠名古屋大学後藤研究室

UHV搬送ロボット/ＸＰＳ/ＳFG/シャトル/CF-Clイオンビーム装置

＠名古屋大学 低温プラズマ科学研究センター

ラジカル注入型プラズマCVD装置

CNWの形状制御可能
ラジカル注入：表面波プラズマ、2.45GHz
水素プラズマメインプラズマ：マルチホローCCPプラズマ
100MHz、CH系ガス

＠名古屋大学 堀研シーズ
低温プラズマ科学研究センター

カーボンナノウォールPN制御（マルチチャンバー）5

プラズマ発生装置
ICP/有磁場CCP複合型プラズマ源

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永久磁石マイクロ波ECRプラズマ源<HDRS-114>
●HDRS

■ICP

各種プラズマ発生装置

GaNのMBE成長速度：2.5μm/hr 達成
名古屋大学堀研シーズ

・電子ビーム励起プラズマ（EBEP）•マグネトロン（MGP）

・容量結合（CCP）誘導結合（ICP）•マイクロ波型（MWP）

・ CCP/ICPハイブリッド（HDRS）•電子サイクロトロン型（ECR）

・ヘリコン波プラズマ•大気圧低温プラズマ（APP）

・表面波プラズマ（SWP）

原子状ラジカル密度計測装置

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H/N/O原子状ラジカルの非接触・絶対密度計測
真空紫外分光器

超小型真空紫外光源

プロセスチャンバー

光源用
電源ケーブル

真空排気

真空排気
インコヒーレント
光源

真空排気

プラズマ
吸収

光源用 光源用
ガスＩＮ ガスOUT

E1
検出器

I0

E0
原子状ラジカル・水素、窒素、酸素の原子状ラジカルを真空紫外吸収分光法を用いてダイレクトに計測し、プロセスにフィードバック可能
・既存装置に対向したフランジがあれば取付可能
・各種プラズマ装置に取付可能（EBEP処理装置, エッチング, CatCVD, P-CVD、ラジカル反応CVD 等）
・真空排気系一体制御型モニタリングシステム等、システム構成はお客様のニーズに対応Iａ

世界唯一‼
＠名古屋大学堀研シーズ

半導体関連MOCVD装置

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小型MBE装置

MBE装置

2周波CCP型エッチャー
三元同時マグネトロンスパッタ

表面改質・高機能材料

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ＥＢＥＰの特徴：３つの制御[1]電子ビームエネルギーと電流の制御→プロセスガスの超高解離を実現

EBEP放電(電子ビーム)[2]プラズマ空間(形状)を制御→基材の形状に合わせたプラズマを照射

Id

ｃBN-CVD、SUS低温窒化、etc
CVD, エッチング, 表面改質, etc
オールマイティなプラズマプロセス[3]電子ビーム電流による基板温度の制御→金属・樹脂を含む様々な材料に対応(温度制御範囲：室温～1000℃)

電子ビーム励起プラズマ( EBEP）処理装置（理研特許実施）
理研難波研原民夫先生（現在：豊田工業大学）

EBEPによるプラズマ形状の制御

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φ30mm t=15mm ワーク

電子ビーム方向EBEP
磁場

基材へのプラズマ照射制御可電磁石

極低温 ～ 超高温
実績
液体ヘリウム温度（4K）
液体窒素温度（77K）

チラー循環（170～500K）
抵抗加熱（室温～1800K）
誘導加熱（～2500K）

超高温CVD装置（φ500ヒータ表面温度2170K）

11大気圧低温プラズマ

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液中プラズマ
溶液中ナノグラフェンの生成

農業、水産業分野への展開
医療及びバイオ分野への展開

熱プラズマ（アークプラズマ）
気液プラズマ

液中プラズマ・CNTの生成・球状Si製作

ミニマル プラズマ装置

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イオンミリング装置

2周波励起CCPプラズマエッチング装置
：

主な仕様

主な仕様

1)イオン源
2)ニュートラライザー
3)導入ガス
4)真空排気系
5)到達真空度： ICP(13.56MHｚ）＋加速・フォーカス電極： フィラメント方式： アルゴン： ターボ分子ポンプ+ドライポンプ： 5×10-4Pa以下

1)プラズマ源

2周波CCP方式： ・上部電極（シャワーヘッド） ：周波数 40MHz/出力 30w max.
： ・下部電極ステージ：周波数 2MHz/出力 30w max.
2)プロセスガス ： CF4、Ar、O2
破過検知用
3)基板ステージ ： 水冷+Heガス冷媒方式
インジケータ：4)真空排気系
ターボ分子ポンプ+ドライポンプICP式イオン源

5)到達真空度6)排ガス処理5×10-4Pa以下
除害ユニット内臓

フッ素系ガス用
除害ユニットICPメタルエッチング装置

3元スパッタリング装置
主な仕様
1)スパッタ源2)ターゲット
3)基板ステージ
4)導入ガス
5)真空排気系
6）到達圧力： RF2周波重畳マグネトロンスパッタ×3機（切替）： 電極用金属、酸化物、チッ化物も可能： 基板冷却・回転機能、逆スパッタ機能有り： Ar（オプションO2、N2など）： ターボ分子ポンプ+ドライポンプ： 5×10-4Pa以下

シャッター付
3元マグネトロンスパッタ源

主な仕様
1)プラズマ源： ICP（13.56MHｚ）＋CCP（40MHz）
ハイブリッド方式
2)プロセスガス ： CF4、Ar、O2
3)基板ステージ ： 水冷+Heガス冷媒方式、バイアス印加
4)真空排気系 ： ターボ分子ポンプ+ドライポンプ
5)到達真空度 ： 5×10-4Pa以下
6)排ガス処理 ： 除害ユニット内臓

ミニマル装置に搭載

ありがとうございました
天の時
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