神戸市立工業に電卓を持参すること．高等専門学校 2024年度シラバスシラバス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）
科目

半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）工学 (Semiconductor Engineering)

担当教員

西 敬生 教授

対象学年等

電子工学科・4年・通年・必修・2単位【講義】 ( 学修単位III )学習・教育目標 A4-D2(100%)

授業のの評価方法と基準
概要と方針と基準方針

現代のエレクトロニクスは半導体によって支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理の授業に電卓を持参すること．エレクトロニクス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）は半導体によって支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）に電卓を持参すること．よって支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理えられて支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理いる．この授業に電卓を持参すること．半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）を持参すること．，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理や電子輸送現象などの固体物理電子輸送現象などの固体物理などの授業に電卓を持参すること．固体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）物理の授業に電卓を持参すること．基礎から学ぶとともに，ダイオードやトランジスタに代表される半導体デバイスとして，応用面からも深く理解できるよう学から学ぶとともに電卓を持参すること．，ダイオードや電子輸送現象などの固体物理や電子輸送現象などの固体物理トランジス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）タに代表される半導体デバイスとして，応用面からも深く理解できるよう学に電卓を持参すること．代のエレクトロニクスは半導体によって支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理表される半導体デバイスとして，応用面からも深く理解できるよう学される半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）として支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理，応用面からも深く理解できるよう学からも深く理解できるよう学く理解できるよう学理解できるよう学できるよう学学
んでいく理解できるよう学．授業に電卓を持参すること．で出て支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理く理解できるよう学る数値のほとんどは実生活では使わない桁のものばかりであるため，演習などで比較検討することの授業に電卓を持参すること．ほとんどは半導体によって支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理実生活では使わない桁のものばかりであるため，演習などで比較検討することでは半導体によって支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理使わない桁のものばかりであるため，演習などで比較検討することわない桁のものばかりであるため，演習などで比較検討することの授業に電卓を持参すること．もの授業に電卓を持参すること．ばかりであるため，演習などで比較検討することなどで比較検討することすることで慣れながら理解することを目指す．れながら理解できるよう学することを持参すること．目指す．す．
到

達

目

標

達成度

到達目標別の評価方法と基準の評価方法と基準評価方法と基準と基準基準という学物質の結晶構造やその特性の概要について説明の授業に電卓を持参すること．結晶構造やその特性の概要について説明や電子輸送現象などの固体物理その授業に電卓を持参すること．特性の概要について説明の授業に電卓を持参すること．概要について説明に電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理説明
1 【A4-D2】半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）
できる．

半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）とは半導体によって支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理どの授業に電卓を持参すること．よう学な性の概要について説明質の結晶構造やその特性の概要について説明を持参すること．もった物質の結晶構造やその特性の概要について説明かを持参すること．問うことをレポートおよび前期中う学ことを持参すること．レポートおよび前期中前期中間試験の中で行い評価する．の授業に電卓を持参すること．中で行い評価する．い評価する．する．

，絶縁体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）の授業に電卓を持参すること．抵抗率をバンド構造の違いなどから定を持参すること．バンドや電子輸送現象などの固体物理構造やその特性の概要について説明の授業に電卓を持参すること．違いなどから定いなどから定2 【A4-D2】金属，半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）
性の概要について説明的に説明できる．に電卓を持参すること．説明できる．

グラフや図を使ってや電子輸送現象などの固体物理図を使ってを持参すること．使わない桁のものばかりであるため，演習などで比較検討することって支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理3つの授業に電卓を持参すること．違いなどから定いを持参すること．説明する問うことをレポートおよび前期中題をレポートおよび前期中間試験を持参すること．レポートおよび前期中前期中間試験の中で行い評価する．
の授業に電卓を持参すること．中で行い評価する．い評価する．する．

中の授業に電卓を持参すること．キャリア密度の導出や，状態密度，占有確率との関密度シラバスの授業に電卓を持参すること．導出や電子輸送現象などの固体物理，状態密度シラバス，占有確率をバンド構造の違いなどから定との授業に電卓を持参すること．関3 【A4-D2】半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）係について説明できる．に電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理説明できる．

キャリア密度の導出や，状態密度，占有確率との関密度シラバスの授業に電卓を持参すること．式や状態密度，占有確率の意味や実際例から値を計算させるや電子輸送現象などの固体物理状態密度シラバス，占有確率をバンド構造の違いなどから定の授業に電卓を持参すること．意味や実際例から値を計算させるや電子輸送現象などの固体物理実際例から値を計算させるから値のほとんどは実生活では使わない桁のものばかりであるため，演習などで比較検討することを持参すること．計算させるさせる
問うことをレポートおよび前期中題をレポートおよび前期中間試験を持参すること．レポートおよび前期中前期定期試験の中で行い評価する．で出題をレポートおよび前期中間試験することで評価する．する．

リフや図を使ってト電流（オームの法則）や拡散電流（フィックの法則）がわの授業に電卓を持参すること．法則）や電子輸送現象などの固体物理拡散電流（フや図を使ってィックの授業に電卓を持参すること．法則）がわ
4 【A4-D2】ドや電子輸送現象などの固体物理
かり，抵抗率をバンド構造の違いなどから定と移動度シラバスや電子輸送現象などの固体物理キャリア密度の導出や，状態密度，占有確率との関密度シラバスの授業に電卓を持参すること．関係について説明できる．がわかる．

物質の結晶構造やその特性の概要について説明中の授業に電卓を持参すること．オームの法則）や拡散電流（フィックの法則）がわの授業に電卓を持参すること．法則や電子輸送現象などの固体物理キャリア密度の導出や，状態密度，占有確率との関の授業に電卓を持参すること．拡散に電卓を持参すること．よる拡散電流の授業に電卓を持参すること．式や状態密度，占有確率の意味や実際例から値を計算させるを持参すること．説明させる問うことをレポートおよび前期中
題をレポートおよび前期中間試験や電子輸送現象などの固体物理，実際例から値を計算させるから値のほとんどは実生活では使わない桁のものばかりであるため，演習などで比較検討することを持参すること．計算させるさせたりする問うことをレポートおよび前期中題をレポートおよび前期中間試験を持参すること．前期定期試験の中で行い評価する．で出題をレポートおよび前期中間試験して支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理評価する．
する．

の授業に電卓を持参すること．整流性の概要について説明や電子輸送現象などの固体物理その授業に電卓を持参すること．起源を，エネルギバンド図や文章で説明を持参すること．，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理図を使ってや電子輸送現象などの固体物理文章で説明で説明
5 【A4-D2】pn接合の整流性やその起源を，エネルギバンド図や文章で説明できる．

pn接合の整流性やその起源を，エネルギバンド図や文章で説明の授業に電卓を持参すること．整流性の概要について説明を持参すること．エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理図を使ってで説明させたり，拡散電位の授業に電卓を持参すること．起源を，エネルギバンド図や文章で説明を持参すること．説明させる問うことをレポートおよび前期中題をレポートおよび前期中間試験を持参すること．後期中間試験の中で行い評価する．で出題をレポートおよび前期中間試験し，評価する．する．

の授業に電卓を持参すること．空乏層幅や静電容量を，不純物密度などの諸条件とや電子輸送現象などの固体物理静電容量を，不純物密度などの諸条件とを持参すること．，不純物密度シラバスなどの授業に電卓を持参すること．諸条件とと6 【A4-D2】pn接合の整流性やその起源を，エネルギバンド図や文章で説明
数式や状態密度，占有確率の意味や実際例から値を計算させるから見積もることができる．もることができる．

pn接合の整流性やその起源を，エネルギバンド図や文章で説明の授業に電卓を持参すること．接合の整流性やその起源を，エネルギバンド図や文章で説明状態に電卓を持参すること．よって支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理空乏層幅や静電容量を，不純物密度などの諸条件とや電子輸送現象などの固体物理容量を，不純物密度などの諸条件とを持参すること．導出させる問うことをレポートおよび前期中題をレポートおよび前期中間試験を持参すること．レポートおよび前期中後期中間試験の中で行い評価する．で出題をレポートおよび前期中間試験し，評価する．する．

の授業に電卓を持参すること．周波数特性の概要について説明や電子輸送現象などの固体物理MOS-FETの授業に電卓を持参すること．短チャネル効果についチャネル効果についに電卓を持参すること．つい7 【A4-D2】MOS構造やその特性の概要について説明て支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理説明できる．

MOS構造やその特性の概要について説明に電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理図を使ってや電子輸送現象などの固体物理構造やその特性の概要について説明図を使って，周波数特性の概要について説明の授業に電卓を持参すること．グラフや図を使ってなどを持参すること．用いて支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理説明する問うことをレポートおよび前期中題をレポートおよび前期中間試験や電子輸送現象などの固体物理，MOS-FETの授業に電卓を持参すること．短チャネル効果についチャネル効果についに電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理説明させる問うことをレポートおよび前期中題をレポートおよび前期中間試験を持参すること．後期定期試験の中で行い評価する．で出題をレポートおよび前期中間試験し評価する．する．

8

9

10

総合評価

成績は，試験は半導体によって支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理，試験の中で行い評価する．90% レポート10% として支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理評価する．する．100点満点中60点以上を合格とする．を持参すること．合の整流性やその起源を，エネルギバンド図や文章で説明格とする．とする．4回の授業に電卓を持参すること．の授業に電卓を持参すること．試験の中で行い評価する．の授業に電卓を持参すること．平均を試験点とを持参すること．試験の中で行い評価する．点とする．また，各試験の中で行い評価する．に電卓を持参すること．おいて支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理再試験の中で行い評価する．を持参すること．実施する場合は，する場合の整流性やその起源を，エネルギバンド図や文章で説明は半導体によって支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理，70点以上を合格とする．で合の整流性やその起源を，エネルギバンド図や文章で説明格とする．とし，当該試験の中で行い評価する．の授業に電卓を持参すること．点数を持参すること．60点とする．

テキスト「半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）

参考書「半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）-基礎から学ぶとともに，ダイオードやトランジスタに代表される半導体デバイスとして，応用面からも深く理解できるよう学理論とプロセス技術　第とプロセス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）技術 第2版」：S.M. ジィー （産業に電卓を持参すること．図を使って書）「応用物性の概要について説明」：佐藤勝昭（オームの法則）や拡散電流（フィックの法則）がわ社）「半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）工学 第3版 -半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）物性の概要について説明の授業に電卓を持参すること．基礎から学ぶとともに，ダイオードやトランジスタに代表される半導体デバイスとして，応用面からも深く理解できるよう学- 」：高橋清（森北出版）「電子情報通信レクチャーシリーズ レクチャーシリーズ A-9 電子物性の概要について説明とデバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）」：益一哉・天川修平（コロナ社）社）

関連科目

電子デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）(3年)，光エレクトロニクスエレクトロニクス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）(5年)履修上のの評価方法と基準
注意事項

毎回の授業に電卓を持参すること．の授業に電卓を持参すること．授業に電卓を持参すること．に電卓を持参すること．電卓を持参すること．を持参すること．持参すること．すること．

授業の計画（半導体工学）
テーマ

内容（目標・準備など）など）

1

半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）の授業に電卓を持参すること．電子構造やその特性の概要について説明：半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）材料，結晶構造やその特性の概要について説明，不完全性の概要について説明

金属や電子輸送現象などの固体物理半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版），セラミ準位ックス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）など材料の授業に電卓を持参すること．分類，単結晶や電子輸送現象などの固体物理多結晶，非晶質の結晶構造やその特性の概要について説明などの授業に電卓を持参すること．固体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）の授業に電卓を持参すること．分類，ダイヤモンドや電子輸送現象などの固体物理構造やその特性の概要について説明，閃亜鉛鉱構造やその特性の概要について説明という学
結晶構造やその特性の概要について説明に電卓を持参すること．よる分類や電子輸送現象などの固体物理結晶の授業に電卓を持参すること．不完全性の概要について説明に電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理考える．える．

2

半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）の授業に電卓を持参すること．電子構造やその特性の概要について説明：エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理構造やその特性の概要について説明，エネルギ準位

一原子の授業に電卓を持参すること．中，そして支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理固体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）の授業に電卓を持参すること．中の授業に電卓を持参すること．電子がとるエネルギ準位に電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理考える．える．この授業に電卓を持参すること．エネルギ準位から形成されるバンドや電子輸送現象などの固体物理構造やその特性の概要について説明，また電子の授業に電卓を持参すること．存在が許されない禁制帯について発展させる．予習は教科書が許されない禁制帯について発展させる．予習は教科書されない禁制帯について発展させる．予習は教科書に電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理発展させる．予習は教科書させる．予習などで比較検討することは半導体によって支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理教科書pp.5～7を持参すること．よく理解できるよう学読み，式み，式や状態密度，占有確率の意味や実際例から値を計算させる(1.1)を持参すること．理解できるよう学して支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理く理解できるよう学ること．

3

半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）の授業に電卓を持参すること．電子構造やその特性の概要について説明：結晶中の授業に電卓を持参すること．電子

前回の授業に電卓を持参すること．の授業に電卓を持参すること．バンドや電子輸送現象などの固体物理構造やその特性の概要について説明を持参すること．使わない桁のものばかりであるため，演習などで比較検討することって支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理金属，半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版），絶縁体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）を持参すること．描写し違いを考える．また“遷移”という言葉の意味や，禁制帯幅が物質固有し違いなどから定いを持参すること．考える．える．また“遷移”という言葉の意味や，禁制帯幅が物質固有遷移”という学言葉の意味や，禁制帯幅が物質固有の授業に電卓を持参すること．意味や実際例から値を計算させるや電子輸送現象などの固体物理，禁制帯について発展させる．予習は教科書幅や静電容量を，不純物密度などの諸条件とが物質の結晶構造やその特性の概要について説明固有の授業に電卓を持参すること．もの授業に電卓を持参すること．で，禁制帯について発展させる．予習は教科書での授業に電卓を持参すること．電子遷移に電卓を持参すること．より正孔が生じることなどについて考える．予習はが生じることなどに電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理考える．える．予習などで比較検討することは半導体によって支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理pp.7～10を持参すること．よく理解できるよう学読み，式むこと．

4

半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）の授業に電卓を持参すること．電子構造やその特性の概要について説明：状態密度シラバスと占有確率をバンド構造の違いなどから定多数の授業に電卓を持参すること．荷電粒子の授業に電卓を持参すること．挙動を持参すること．扱うため，一個の粒子の運動方程式ではなく，統計力学を用いて粒子群を表現する．粒子の個数に対う学ため，一個の粒子の運動方程式ではなく，統計力学を用いて粒子群を表現する．粒子の個数に対の授業に電卓を持参すること．粒子の授業に電卓を持参すること．運動方程式や状態密度，占有確率の意味や実際例から値を計算させるでは半導体によって支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理なく理解できるよう学，統計力学を持参すること．用いて支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理粒子群を表現する．粒子の個数に対を持参すること．表される半導体デバイスとして，応用面からも深く理解できるよう学現する．粒子の授業に電卓を持参すること．個の粒子の運動方程式ではなく，統計力学を用いて粒子群を表現する．粒子の個数に対数に電卓を持参すること．対応する「キャリア密度の導出や，状態密度，占有確率との関密度シラバス」を持参すること．表される半導体デバイスとして，応用面からも深く理解できるよう学現するための授業に電卓を持参すること．「状態密度シラバス」と「占有確率をバンド構造の違いなどから定」に電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理考える．える．また「有効質の結晶構造やその特性の概要について説明量を，不純物密度などの諸条件と」に電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理も解できるよう学説する．

5

半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）の授業に電卓を持参すること．電子構造やその特性の概要について説明：キャリア密度の導出や，状態密度，占有確率との関密度シラバスの授業に電卓を持参すること．導出と真性の概要について説明キャリア密度の導出や，状態密度，占有確率との関密度シラバス

あるエネルギの授業に電卓を持参すること．範囲内にあるキャリアの密度を導出するには，前回導いた式を積分して求める．その式の展開によって導電帯（価に電卓を持参すること．あるキャリア密度の導出や，状態密度，占有確率との関の授業に電卓を持参すること．密度シラバスを持参すること．導出するに電卓を持参すること．は半導体によって支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理，前回の授業に電卓を持参すること．導いた式や状態密度，占有確率の意味や実際例から値を計算させるを持参すること．積もることができる．分して支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理求める．その式の展開によって導電帯（価める．その授業に電卓を持参すること．式や状態密度，占有確率の意味や実際例から値を計算させるの授業に電卓を持参すること．展させる．予習は教科書開によって導電帯（価に電卓を持参すること．よって支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理導電帯について発展させる．予習は教科書（価する．
電子帯について発展させる．予習は教科書）中の授業に電卓を持参すること．電子（正孔が生じることなどについて考える．予習は）密度シラバスの授業に電卓を持参すること．式や状態密度，占有確率の意味や実際例から値を計算させるを持参すること．導出する．真性の概要について説明キャリア密度の導出や，状態密度，占有確率との関密度シラバス，pn積もることができる．に電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理考える．える．前回の授業に電卓を持参すること．の授業に電卓を持参すること．講義を持参すること．よく理解できるよう学復習などで比較検討することして支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理おく理解できるよう学こと．

6

半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）の授業に電卓を持参すること．電子構造やその特性の概要について説明：フや図を使ってェルミ準位準位

半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）の授業に電卓を持参すること．動作説明に電卓を持参すること．よく理解できるよう学用いられる「フや図を使ってェルミ準位準位」に電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理考える．える．水面からも深く理解できるよう学の授業に電卓を持参すること．高さに電卓を持参すること．似て，フェルミ準位も電子がどのエネて支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理，フや図を使ってェルミ準位準位も電子がどの授業に電卓を持参すること．エネ
ルギの授業に電卓を持参すること．高さまでいるかを持参すること．表される半導体デバイスとして，応用面からも深く理解できるよう学す量を，不純物密度などの諸条件とである．予習などで比較検討することは半導体によって支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理pp.20～23を持参すること．よく理解できるよう学読み，式み，わからないところを持参すること．チェックして支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理おく理解できるよう学こと．

7

半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）の授業に電卓を持参すること．電子構造やその特性の概要について説明：これまでの授業に電卓を持参すること．まとめ

これまで出て支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理きた式や状態密度，占有確率の意味や実際例から値を計算させるや電子輸送現象などの固体物理現象などの固体物理を持参すること．使わない桁のものばかりであるため，演習などで比較検討することって支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理問うことをレポートおよび前期中題をレポートおよび前期中間試験を持参すること．解できるよう学き，理解できるよう学を持参すること．定着させる．させる．

8

中間試験の中で行い評価する．

半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）の授業に電卓を持参すること．特徴を，電気的な性質やバンド構造などの観点から説明させる．授業中の重要語句について説明させたり，キャリア密度を持参すること．，電気的に説明できる．な性の概要について説明質の結晶構造やその特性の概要について説明や電子輸送現象などの固体物理バンドや電子輸送現象などの固体物理構造やその特性の概要について説明などの授業に電卓を持参すること．観点から説明させる．授業に電卓を持参すること．中の授業に電卓を持参すること．重要について説明語句について説明させたり，キャリア密度に電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理説明させたり，キャリア密度の導出や，状態密度，占有確率との関密度シラバスの授業に電卓を持参すること．導出などを持参すること．行い評価する．う学．

9

試験の中で行い評価する．解できるよう学説試験の中で行い評価する．解できるよう学答の解説および学生による学習目標達成度評価を行う．の授業に電卓を持参すること．解できるよう学説および前期中学生に電卓を持参すること．よる学習などで比較検討すること目標達成度シラバス評価する．を持参すること．行い評価する．う学．

10 半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）に電卓を持参すること．おける電気伝導：キャリア密度の導出や，状態密度，占有確率との関の授業に電卓を持参すること．熱運動，ドや電子輸送現象などの固体物理リフや図を使ってト電流

熱に電卓を持参すること．よる原子の授業に電卓を持参すること．揺れ動き（格子振動）やキャリアの熱運動，外部電界によるドリフト電流について考える．キャリアの流れで考えたれ動き（格とする．子振動）や電子輸送現象などの固体物理キャリア密度の導出や，状態密度，占有確率との関の授業に電卓を持参すること．熱運動，外部電界に電卓を持参すること．よるドや電子輸送現象などの固体物理リフや図を使ってト電流に電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理考える．える．キャリア密度の導出や，状態密度，占有確率との関の授業に電卓を持参すること．流れで考える．えた
ときの授業に電卓を持参すること．オームの法則）や拡散電流（フィックの法則）がわの授業に電卓を持参すること．法則も導出する．予習などで比較検討することは半導体によって支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理pp.25～28を持参すること．読み，式むこと.抵抗率をバンド構造の違いなどから定に電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理復習などで比較検討することして支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理おく理解できるよう学こと．

11 半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）に電卓を持参すること．おける電気伝導：ホール効果についドや電子輸送現象などの固体物理リフや図を使ってト電流と印加磁界に電卓を持参すること．よって支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理生じる起電力の授業に電卓を持参すること．関係について説明できる．を持参すること．説明するホール効果についに電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理考える．え，この授業に電卓を持参すること．効果についの授業に電卓を持参すること．測定に電卓を持参すること．よって支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理何がわかるがわかるかまで発展させる．予習は教科書する．電磁気学の授業に電卓を持参すること．ローレンツ力について学習してくること．力に電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理学習などで比較検討することして支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理く理解できるよう学ること．

12 半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）に電卓を持参すること．おける電気伝導：キャリア密度の導出や，状態密度，占有確率との関密度シラバスの授業に電卓を持参すること．温度シラバス特性の概要について説明

金属と半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）の授業に電卓を持参すること．違いなどから定いとして支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理よく理解できるよう学表される半導体デバイスとして，応用面からも深く理解できるよう学現される抵抗率をバンド構造の違いなどから定の授業に電卓を持参すること．温度シラバス依存性の概要について説明に電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理，半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）の授業に電卓を持参すること．キャリア密度の導出や，状態密度，占有確率との関密度シラバスの授業に電卓を持参すること．温度シラバス依存性の概要について説明との授業に電卓を持参すること．関係について説明できる．から考える．
える．予習などで比較検討することとして支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理pp.30～31を持参すること．よく理解できるよう学読み，式むこと，金属の授業に電卓を持参すること．抵抗率をバンド構造の違いなどから定の授業に電卓を持参すること．温度シラバス依存性の概要について説明に電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理調べてくること．べて支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理く理解できるよう学ること．

13 半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）に電卓を持参すること．おける電気伝導：拡散電流

粒子が拡散する様子を持参すること．数式や状態密度，占有確率の意味や実際例から値を計算させるで表される半導体デバイスとして，応用面からも深く理解できるよう学すとどう学なるか，それを持参すること．電子や電子輸送現象などの固体物理正孔が生じることなどについて考える．予習はに電卓を持参すること．適用した場合の整流性やその起源を，エネルギバンド図や文章で説明に電卓を持参すること．電流がどの授業に電卓を持参すること．よう学に電卓を持参すること．記述できるかについて考できるかに電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理考える．
える．またア密度の導出や，状態密度，占有確率との関インシュタに代表される半導体デバイスとして，応用面からも深く理解できるよう学インの授業に電卓を持参すること．関係について説明できる．式や状態密度，占有確率の意味や実際例から値を計算させるに電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理も触れる．予習はれる．予習などで比較検討することは半導体によって支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理pp.31～33を持参すること．よく理解できるよう学読み，式むこと，電流の授業に電卓を持参すること．定義を持参すること．復習などで比較検討することすること．

14 半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）に電卓を持参すること．おける電気伝導：連続の式と拡散方程式の授業に電卓を持参すること．式や状態密度，占有確率の意味や実際例から値を計算させると拡散方程式や状態密度，占有確率の意味や実際例から値を計算させる

半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）中での授業に電卓を持参すること．キャリア密度の導出や，状態密度，占有確率との関の授業に電卓を持参すること．生成と消滅や，キャリアの拡散による流れを記述した拡散方程式について考え，や電子輸送現象などの固体物理，キャリア密度の導出や，状態密度，占有確率との関の授業に電卓を持参すること．拡散に電卓を持参すること．よる流れを持参すること．記述できるかについて考した拡散方程式や状態密度，占有確率の意味や実際例から値を計算させるに電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理考える．え，p.38の授業に電卓を持参すること．式や状態密度，占有確率の意味や実際例から値を計算させる(2.37)の授業に電卓を持参すること．各項に電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理理解できるよう学する．半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）の授業に電卓を持参すること．中で重要について説明な役割を演じる「トラップ」についても考える．予習はを持参すること．演じる「トラップ」に電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理も考える．える．予習などで比較検討することは半導体によって支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理pp.33～41を持参すること．読み，式んでおく理解できるよう学こと．

15 半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）に電卓を持参すること．おける電気伝導:これまでの授業に電卓を持参すること．まとめ

これまで出て支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理きた式や状態密度，占有確率の意味や実際例から値を計算させるや電子輸送現象などの固体物理現象などの固体物理を持参すること．使わない桁のものばかりであるため，演習などで比較検討することって支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理問うことをレポートおよび前期中題をレポートおよび前期中間試験を持参すること．解できるよう学き，理解できるよう学を持参すること．定着させる．させる．

16 pn接合の整流性やその起源を，エネルギバンド図や文章で説明：整流性の概要について説明の授業に電卓を持参すること．原理，拡散電位の授業に電卓を持参すること．導出

ダイオードや電子輸送現象などの固体物理として支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理用いられる整流作用がなぜ起こるかをエネルギバンド図から考え，電流電圧特性との関連を理解する．また空乏起こるかを持参すること．エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理図を使ってから考える．え，電流電圧特性の概要について説明との授業に電卓を持参すること．関連を持参すること．理解できるよう学する．また空乏層中の授業に電卓を持参すること．電界分布から拡散電位の式を導出する．予習はから拡散電位の授業に電卓を持参すること．式や状態密度，占有確率の意味や実際例から値を計算させるを持参すること．導出する．予習などで比較検討することは半導体によって支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理pp.45～49を持参すること．よく理解できるよう学読み，式むこと．

17 pn接合の整流性やその起源を，エネルギバンド図や文章で説明：少数キャリア密度の導出や，状態密度，占有確率との関の授業に電卓を持参すること．注入，拡散方程式や状態密度，占有確率の意味や実際例から値を計算させるに電卓を持参すること．よる理想特性の概要について説明の授業に電卓を持参すること．導出

理想的に説明できる．なpn接合の整流性やその起源を，エネルギバンド図や文章で説明は半導体によって支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理電圧印加時に拡散による荷電粒子の流れが起こり，それが過剰少数キャリアとなる．予習としてに電卓を持参すること．拡散に電卓を持参すること．よる荷電粒子の授業に電卓を持参すること．流れが起こり，それが過剰少数キャリア密度の導出や，状態密度，占有確率との関となる．予習などで比較検討することとして支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理pp.49～51を持参すること．
読み，式んでおく理解できるよう学こと．

18 pn接合の整流性やその起源を，エネルギバンド図や文章で説明：拡散方程式や状態密度，占有確率の意味や実際例から値を計算させるに電卓を持参すること．よる理想特性の概要について説明の授業に電卓を持参すること．導出

電圧印加時に拡散による荷電粒子の流れが起こり，それが過剰少数キャリアとなる．予習としてに電卓を持参すること．理想的に説明できる．なpn接合の整流性やその起源を，エネルギバンド図や文章で説明中に電卓を持参すること．流れる拡散電流を持参すること．拡散方程式や状態密度，占有確率の意味や実際例から値を計算させるを持参すること．用いて支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理導出する．2章で説明の授業に電卓を持参すること．拡散方程式や状態密度，占有確率の意味や実際例から値を計算させるを持参すること．用いて支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理pn接合の整流性やその起源を，エネルギバンド図や文章で説明中の授業に電卓を持参すること．
電流を持参すること．導出する．予習などで比較検討することとして支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理pp.52～55を持参すること．読み，式んで，忘れている式などがあればれて支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理いる式や状態密度，占有確率の意味や実際例から値を計算させるなどがあれば1，2章で説明の授業に電卓を持参すること．該当部分を持参すること．読み，式み直しておくこと．して支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理おく理解できるよう学こと．

19 pn接合の整流性やその起源を，エネルギバンド図や文章で説明：理想特性の概要について説明からの授業に電卓を持参すること．ずれ，再結合の整流性やその起源を，エネルギバンド図や文章で説明電流

前回の授業に電卓を持参すること．求める．その式の展開によって導電帯（価めたpn接合の整流性やその起源を，エネルギバンド図や文章で説明の授業に電卓を持参すること．理想特性の概要について説明に電卓を持参すること．対して支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理，実際の授業に電卓を持参すること．pn接合の整流性やその起源を，エネルギバンド図や文章で説明の授業に電卓を持参すること．特性の概要について説明がどれだけずれて支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理いるかを持参すること．確認し，そのずれの理由を考える．キャし，その授業に電卓を持参すること．ずれの授業に電卓を持参すること．理由を考える．キャを持参すること．考える．える．キャ
リア密度の導出や，状態密度，占有確率との関の授業に電卓を持参すること．生成と再結合の整流性やその起源を，エネルギバンド図や文章で説明に電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理2章で説明の授業に電卓を持参すること．pp.33～40の授業に電卓を持参すること．関連部を持参すること．復習などで比較検討することして支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理おく理解できるよう学こと．またpp.56～60を持参すること．よく理解できるよう学読み，式んでおく理解できるよう学こと．

20 pn接合の整流性やその起源を，エネルギバンド図や文章で説明：空乏層の授業に電卓を持参すること．静電容量を，不純物密度などの諸条件とと幅や静電容量を，不純物密度などの諸条件とpn接合の整流性やその起源を，エネルギバンド図や文章で説明の授業に電卓を持参すること．p形－空乏層－n形という学構造やその特性の概要について説明は半導体によって支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理コンデンサと考えられ，静電容量を有している．この静電容量と空乏層幅を導出する．と考える．えられ，静電容量を，不純物密度などの諸条件とを持参すること．有して支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理いる．この授業に電卓を持参すること．静電容量を，不純物密度などの諸条件とと空乏層幅や静電容量を，不純物密度などの諸条件とを持参すること．導出する．
階段接合の整流性やその起源を，エネルギバンド図や文章で説明や電子輸送現象などの固体物理傾斜接合の整流性やその起源を，エネルギバンド図や文章で説明といった接合の整流性やその起源を，エネルギバンド図や文章で説明形態でどう学変わるかを確認する．電磁気学のポアソンの方程式を学習しておくこと．わるかを持参すること．確認し，そのずれの理由を考える．キャする．電磁気学の授業に電卓を持参すること．ポア密度の導出や，状態密度，占有確率との関ソンの授業に電卓を持参すること．方程式や状態密度，占有確率の意味や実際例から値を計算させるを持参すること．学習などで比較検討することして支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理おく理解できるよう学こと．

21 pn接合の整流性やその起源を，エネルギバンド図や文章で説明：空乏層の授業に電卓を持参すること．静電容量を，不純物密度などの諸条件とと幅や静電容量を，不純物密度などの諸条件と前回の授業に電卓を持参すること．の授業に電卓を持参すること．授業に電卓を持参すること．で得られた空乏層幅を導出する式などを用いて定量的に評価する．られた空乏層幅や静電容量を，不純物密度などの諸条件とを持参すること．導出する式や状態密度，占有確率の意味や実際例から値を計算させるなどを持参すること．用いて支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理定量を，不純物密度などの諸条件と的に説明できる．に電卓を持参すること．評価する．する．

22 pn接合の整流性やその起源を，エネルギバンド図や文章で説明：これまでの授業に電卓を持参すること．まとめ

これまで出て支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理きた式や状態密度，占有確率の意味や実際例から値を計算させるや電子輸送現象などの固体物理現象などの固体物理を持参すること．使わない桁のものばかりであるため，演習などで比較検討することって支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理問うことをレポートおよび前期中題をレポートおよび前期中間試験を持参すること．解できるよう学き，理解できるよう学を持参すること．定着させる．させる．

23 中間試験の中で行い評価する．

pn接合の整流性やその起源を，エネルギバンド図や文章で説明を持参すること．エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理図を使ってで説明させたり，拡散電位や電子輸送現象などの固体物理空乏層幅や静電容量を，不純物密度などの諸条件となどの授業に電卓を持参すること．導出を持参すること．行い評価する．う学．

24 試験の中で行い評価する．解できるよう学説試験の中で行い評価する．解できるよう学答の解説および学生による学習目標達成度評価を行う．の授業に電卓を持参すること．解できるよう学説および前期中学生に電卓を持参すること．よる学習などで比較検討すること目標達成度シラバス評価する．を持参すること．行い評価する．う学．

25 異種材料界面からも深く理解できるよう学

半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）と金属の授業に電卓を持参すること．接触れる．予習はに電卓を持参すること．よって支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理得られた空乏層幅を導出する式などを用いて定量的に評価する．られる電気特性の概要について説明に電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理学ぶ．予習などで比較検討することとして支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理pp.78～82を持参すること．よく理解できるよう学読み，式んでく理解できるよう学ること．

26 異種材料界面からも深く理解できるよう学

前回の授業に電卓を持参すること．の授業に電卓を持参すること．続の式と拡散方程式きを持参すること．行い評価する．う学．pp.86～89を持参すること．よく理解できるよう学読み，式んでく理解できるよう学ること．

27 MOS構造やその特性の概要について説明の授業に電卓を持参すること．特性の概要について説明

MOS-FETの授業に電卓を持参すること．原理となるMOS構造やその特性の概要について説明に電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理考える．え，蓄積もることができる．，空乏，反転状態の授業に電卓を持参すること．エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理図を使ってを持参すること．描く理解できるよう学．またその授業に電卓を持参すること．ときの授業に電卓を持参すること．静電容量を，不純物密度などの諸条件との授業に電卓を持参すること．変わるかを確認する．電磁気学のポアソンの方程式を学習しておくこと．
化や周波数特性についても考える．予習としてや電子輸送現象などの固体物理周波数特性の概要について説明に電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理も考える．える．予習などで比較検討することとして支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理pp.89～94を持参すること．よく理解できるよう学読み，式んでく理解できるよう学ること．

28 MOS構造やその特性の概要について説明の授業に電卓を持参すること．特性の概要について説明および前期中MOS-FET

前回の授業に電卓を持参すること．の授業に電卓を持参すること．続の式と拡散方程式きおよび前期中MOS-FETの授業に電卓を持参すること．構造やその特性の概要について説明と原理に電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理考える．える．MOS-FETの授業に電卓を持参すること．電流－電圧特性の概要について説明に電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理nチャネルや電子輸送現象などの固体物理pチャネルなどの授業に電卓を持参すること．
違いなどから定いでどの授業に電卓を持参すること．よう学に電卓を持参すること．変わるかを確認する．電磁気学のポアソンの方程式を学習しておくこと．わるかなどに電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理考える．える．予習などで比較検討することとして支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理pp.122～128を持参すること．よく理解できるよう学読み，式んでく理解できるよう学ること．

29 MOS-FET：MOS-FETの授業に電卓を持参すること．短チャネル効果についチャネル効果につい

MOS-FETの授業に電卓を持参すること．前回の授業に電卓を持参すること．の授業に電卓を持参すること．続の式と拡散方程式きとMOS-FETの授業に電卓を持参すること．短チャネル効果についチャネル効果についに電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理考える．える．予習などで比較検討することとして支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理pp.129～131を持参すること．よく理解できるよう学読み，式んでく理解できるよう学ること．

30 MOS-FET：短チャネル効果についチャネル効果についとSOI構造やその特性の概要について説明，FinFET

MOSトランジス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）タに代表される半導体デバイスとして，応用面からも深く理解できるよう学の授業に電卓を持参すること．短チャネル効果についチャネル効果についとそれを持参すること．防ぐトランジスタの構造について考える．予習および復習としてぐトランジスタの構造について考える．予習および復習としてトランジス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）タに代表される半導体デバイスとして，応用面からも深く理解できるよう学の授業に電卓を持参すること．構造やその特性の概要について説明に電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理考える．える．予習などで比較検討することおよび前期中復習などで比較検討することとして支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理pp.129～131を持参すること．よく理解できるよう学
読み，式んでく理解できるよう学ること．

備など） 前期，後期ともに電卓を持参すること．中間試験の中で行い評価する．および前期中定期試験の中で行い評価する．を持参すること．実施する場合は，する．
考 本科目の授業に電卓を持参すること．修得られた空乏層幅を導出する式などを用いて定量的に評価する．に電卓を持参すること．は半導体によって支えられている．この半導体を，エネルギバンドや電子輸送現象などの固体物理，60 時に拡散による荷電粒子の流れが起こり，それが過剰少数キャリアとなる．予習として間の授業に電卓を持参すること．授業に電卓を持参すること．の授業に電卓を持参すること．受講と 30 時に拡散による荷電粒子の流れが起こり，それが過剰少数キャリアとなる．予習として間の授業に電卓を持参すること．事前・事後の授業に電卓を持参すること．自己学習などで比較検討することが必要について説明である．