DTA114EM / DTA114EE / DTA114EUA
DTA114EKA / DTA114ESA

トランジスタ−100mA / −50V デジタルトランジスタ(抵抗内蔵トランジスタ)
DTA114EM / DTA114EE / DTA114EUA /DTA114EKA / DTA114ESA
z用途
インバータ、インターフェース、ドライバ
z特長1) バイアス用の抵抗を内蔵しているため、入力側の外付け抵抗なしでインバータ回路が構成できる。
（等価回路図参照）
2) バイアス用の抵抗は、薄膜抵抗により構成し、完全にアイソレーションしているため、入力を正にバイアスできる。
また、寄生効果がほとんど生じないという利点がある。
3) ON/OFF 条件の設定だけで動作するため、機器の設計が容易に行える。
z構造
PNP エピタキシャルプレーナ形シリコントランジスタ（抵抗内蔵）
z外形寸法図（Unit : mm）
0.71.6

DTA114EE

0.55

0.30.2

1.20.32(3)

0.80.81.20.2(1)(2)0.220.4 0.4(2)0.130.50.8

ROHM : VMT3

各端子とも同寸法

標印略記号 : 142.02.91.10.8(3)1.62.82.11.250.15

1.3(2)(1) GND(2) IN(3) OUT

各端子とも同寸法

標印略記号 : 144.00.1Min.

(1)

(2)

0.65 0.65(1)0.95 0.95
0.151.9

ROHM : SMT3
EIAJ : SC-59

標印略記号 : 14(1) GND(2) IN(3) OUT

各端子とも同寸法2.0(15Min.)

3Min.

3.0DTA114ESA

各端子とも同寸法0.4(3)

ROHM : UMT3
EIAJ : SC-70(1) GND(2) IN(3) OUT

標印略記号 : 140.70.2

0.15

1.0

ROHM : EMT3

DTA114EKA

0.90.30.2
0.5 0.5

0.3Min.

DTA114EUA

(1)

0.2

(1) IN(2) GND(3) OUT

0.1Min.

(3)

1.6

DTA114EM

0.45

2.50.50.45

5.0

ROHM : SPT
EIAJ : SC-72(1) (2) (3)標印略記号 : A114ES(1) GND(2) OUT(3) IN

Rev.B

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DTA114EKA / DTA114ESA

トランジスタz包装仕様

Part No.

z内部等価回路図
パッケージ

VMT3

EMT3UMT3SMT3SPT

包装名テーピング

テーピング

テーピング

テーピング

テーピング

記 号

T2L

TL

T106

T146

TP個本発注単位 (個)

8000

3000

3000

3000

5000−−−−−−−−−DTA114EM
DTA114EE−

DTA114EUA−−

DTA114EKA−−−

DTA114ESA

−−−

OUT

R1IN
R2

GND(+)OUT

IN−GND(+)−

R1=R2=10kΩz絶対最大定格（Ta=25°C）
Parameter

SymbolLimitsUnit

DTA114EM DTA114EE DTA114EUA DTA114EKA DTA114ESA

電源電圧

VCC

−50V

入力電圧

VIN

−40~+10V

IO−50IC(Max.)−100

出力電流mA

許容損失

PD

接合部温度

Tj

150°C

保存温度範囲Tstg−55~+150°C

150200300mW

z電気的特性（Ta=25°C）
Parameter

Symbol Min.

Typ.

Max.

VI(off)−−−0.5VI(on)−3−−V

出力電圧

VO(on)−−−0.3V

IO/II=−10mA/−0.5mA

入力電流II−−−0.88mA

VI=−5V

出力電流

IO(off)−−−0.5µA

VCC=−50V, VI=0V

直流電流増幅率GI30−−−

VO=−5V, IO=−5mA

入力電圧

Unit

Conditions
VCC=−5V, IO=−100µA
VO=−0.3V, IO=−10mA

入力抵抗

R171013kΩ−抵抗比率

R2/R10.8

11.2−−fT ∗−250−MHz

VCE=−10V, IE=5mA, f=100MHz

利得帯域幅積∗ 構成トランジスタの特性です。

Rev.B

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DTA114EKA / DTA114ESA

トランジスタz電気的特性曲線OUTPUT CURRENT : Io (A)INPUT VOLTAGE : VI(on) (V)−20−10−5−2Ta=−40°C
25°C
100°C

−1−500m−200m−100m−100µ −200µ −500µ −1m −2m−5m −10m −20m −50m −100m

OUTPUT CURRENT : IO (A)Fig.1 入力電圧−出力電流(ON特性)−1OUTPUT VOLTAGE : VO(on) (V)

−500m
−200m

−10m−5m

VO=−0.3V−50−2m−1m−500µTa=100°C
25°C
−40°C

−200µ−100µ−50µ−20µ−10µ−5µ−2µ−1µ01k

VCC=−5V500
DC CURRENT GAIN : GI

−100200VO=−5V
Ta=100°C
25°C−40°C10050201052−0.5−1.0−1.5−2.0−2.5INPUT VOLTAGE : VI(off) (V)

Fig.2 出力電流−入力電圧(OFF特性)−3.0

1−100µ −200µ −500µ −1m −2m−5m −10m −20m −50m−100m

OUTPUT CURRENT : IO (A)Fig.3 直流電流増幅率−出力電流特性

lO/lI=20
Ta=100°C
25°C
−40°C

−100m−50m−20m−10m−5m−2m−1m−100µ −200µ −500µ −1m −2m−5m −10m −20m −50m −100m

OUTPUT CURRENT : IO (A)Fig.4 出力電圧−出力電流特性

Rev.B

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Appendix1-Rev2.0