神戸市立工業に電卓を持参すること．高等専門学校 2019年度シラバスシラバス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）
科目

半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）工学 (Semiconductor Engineering)

担当教員

西 敬生 教授

対象学年等

電子工学科・4年・通年・必修・2単位 ( 学修単位III )学習・教育目標 A4-D2(100%)

授業のの評価方法と基準
概要と方針と基準方針

現代のエレクトロニクスは半導体によって支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物の授業に電卓を持参すること．エレクトロニクス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）は半導体によって支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）に電卓を持参すること．よって支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物えられて支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物いる．この授業に電卓を持参すること．半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）を持参すること．，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物や電子輸送現象などの固体物電子輸送現象などの固体物などの授業に電卓を持参すること．固体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）物
理の基礎から学ぶとともに，ダイオードやトランジスタに代表される半導体デバイスとして，応用面からも深く理解できるようの授業に電卓を持参すること．基礎から学ぶとともに，ダイオードやトランジスタに代表される半導体デバイスとして，応用面からも深く理解できるようから学ぶとともに電卓を持参すること．，ダイオードや電子輸送現象などの固体物や電子輸送現象などの固体物トランジス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）タに代表される半導体デバイスとして，応用面からも深く理解できるように電卓を持参すること．代のエレクトロニクスは半導体によって支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物表される半導体デバイスとして，応用面からも深く理解できるようされる半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）として支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物，応用面からも深く理解できるようからも深く理解できるようく理解できるよう理の基礎から学ぶとともに，ダイオードやトランジスタに代表される半導体デバイスとして，応用面からも深く理解できるよう解できるようできるよう学んでいく理解できるよう．授業に電卓を持参すること．で出て支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物く理解できるようる数値のほとんどは実生活では使わない桁のものばかりであるため，演習などで比較検討するこの授業に電卓を持参すること．ほとんどは半導体によって支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物実生活では使わない桁のものばかりであるため，演習などで比較検討するこでは半導体によって支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物使わない桁のものばかりであるため，演習などで比較検討するこわない桁のものばかりであるため，演習などで比較検討するこの授業に電卓を持参すること．もの授業に電卓を持参すること．ばかりであるため，演習などで比較検討するこなどで比較検討するこすることで慣れながら理解することを目指す．れながら理の基礎から学ぶとともに，ダイオードやトランジスタに代表される半導体デバイスとして，応用面からも深く理解できるよう解できるようすることを持参すること．目指す．す．
到

達

目

標

到達目標別の評価方法と基準の評価方法と基準評価方法と基準と基準基準

達成度

半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）という物質の結晶構造やその特性の概要について説明の授業に電卓を持参すること．結晶構造やその特性の概要について説明や電子輸送現象などの固体物その授業に電卓を持参すること．特性の概要について説明の授業に電卓を持参すること．概要について説明に電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物説明
1 【A4-D2】半導体という物質の結晶構造やその特性の概要について説明できる．

半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）とは半導体によって支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物どの授業に電卓を持参すること．ような性の概要について説明質の結晶構造やその特性の概要について説明を持参すること．もった物質の結晶構造やその特性の概要について説明かを持参すること．問うことをレポートおよび前期中うことを持参すること．レポートおよび前期中前期中間試験の中で行い評価する．の授業に電卓を持参すること．中で行い評価する．い評価する．する．

金属，半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版），絶縁体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）の授業に電卓を持参すること．抵抗率をバンド構造の違いなどから定を持参すること．バンドや電子輸送現象などの固体物構造やその特性の概要について説明の授業に電卓を持参すること．違いなどから定いなどから定2 【A4-D2】半導体という物質の結晶構造やその特性の概要について説明
性の概要について説明的に説明できる．に電卓を持参すること．説明できる．

グラフや図を使ってや電子輸送現象などの固体物図を使ってを持参すること．使わない桁のものばかりであるため，演習などで比較検討するこって支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物3つの授業に電卓を持参すること．違いなどから定いを持参すること．説明する問うことをレポートおよび前期中題をレポートおよび前期中間試験を持参すること．レポートおよび前期中前期中間試験の中で行い評価する．
の授業に電卓を持参すること．中で行い評価する．い評価する．する．

半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）中の授業に電卓を持参すること．キャリア密度の導出や，状態密度，占有確率との関密度シラバスの授業に電卓を持参すること．導出や電子輸送現象などの固体物，状態密度シラバス，占有確率をバンド構造の違いなどから定との授業に電卓を持参すること．関3 【A4-D2】半導体という物質の結晶構造やその特性の概要について説明係について説明できる．に電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物説明できる．

キャリア密度の導出や，状態密度，占有確率との関密度シラバスの授業に電卓を持参すること．式や状態密度，占有確率の意味や実際例から値を計算させるや電子輸送現象などの固体物状態密度シラバス，占有確率をバンド構造の違いなどから定の授業に電卓を持参すること．意味や実際例から値を計算させるや電子輸送現象などの固体物実際例から値を計算させるから値のほとんどは実生活では使わない桁のものばかりであるため，演習などで比較検討するこを持参すること．計算させるさせる
問うことをレポートおよび前期中題をレポートおよび前期中間試験を持参すること．レポートおよび前期中前期定期試験の中で行い評価する．で出題をレポートおよび前期中間試験することで評価する．する．

ドや電子輸送現象などの固体物リフや図を使ってト電流（オームの法則）や拡散電流（フィックの法則）がわの授業に電卓を持参すること．法則）や電子輸送現象などの固体物拡散電流（フや図を使ってィックの授業に電卓を持参すること．法則）がわ
4 【A4-D2】半導体という物質の結晶構造やその特性の概要について説明
かり，抵抗率をバンド構造の違いなどから定と移動度シラバスや電子輸送現象などの固体物キャリア密度の導出や，状態密度，占有確率との関密度シラバスの授業に電卓を持参すること．関係について説明できる．がわかる．

物質の結晶構造やその特性の概要について説明中の授業に電卓を持参すること．オームの法則）や拡散電流（フィックの法則）がわの授業に電卓を持参すること．法則や電子輸送現象などの固体物キャリア密度の導出や，状態密度，占有確率との関の授業に電卓を持参すること．拡散に電卓を持参すること．よる拡散電流の授業に電卓を持参すること．式や状態密度，占有確率の意味や実際例から値を計算させるを持参すること．説明させる問うことをレポートおよび前期中
題をレポートおよび前期中間試験や電子輸送現象などの固体物，実際例から値を計算させるから値のほとんどは実生活では使わない桁のものばかりであるため，演習などで比較検討するこを持参すること．計算させるさせたりする問うことをレポートおよび前期中題をレポートおよび前期中間試験を持参すること．前期定期試験の中で行い評価する．で出題をレポートおよび前期中間試験して支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物評価する．
する．

pn接合の整流性やその起源を，エネルギーバンド図や文章で説の授業に電卓を持参すること．整流性の概要について説明や電子輸送現象などの固体物その授業に電卓を持参すること．起源を，エネルギーバンド図や文章で説を持参すること．，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物図を使ってや電子輸送現象などの固体物文章で説で説5 【A4-D2】半導体という物質の結晶構造やその特性の概要について説明明できる．

pn接合の整流性やその起源を，エネルギーバンド図や文章で説の授業に電卓を持参すること．整流性の概要について説明を持参すること．エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物図を使ってで説明させたり，拡散電位の授業に電卓を持参すること．起源を，エネルギーバンド図や文章で説を持参すること．説明させる問うことをレポートおよび前期中題をレポートおよび前期中間試験を持参すること．後期中間試験の中で行い評価する．で出題をレポートおよび前期中間試験し，評価する．する．

pn接合の整流性やその起源を，エネルギーバンド図や文章で説の授業に電卓を持参すること．空乏層幅や静電容量を，不純物密度などの諸条件とや電子輸送現象などの固体物静電容量を，不純物密度などの諸条件とを持参すること．，不純物密度シラバスなどの授業に電卓を持参すること．諸条件とと6 【A4-D2】半導体という物質の結晶構造やその特性の概要について説明
数式や状態密度，占有確率の意味や実際例から値を計算させるから見積もることができる．もることができる．

pn接合の整流性やその起源を，エネルギーバンド図や文章で説の授業に電卓を持参すること．接合の整流性やその起源を，エネルギーバンド図や文章で説状態に電卓を持参すること．よって支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物空乏層幅や静電容量を，不純物密度などの諸条件とや電子輸送現象などの固体物容量を，不純物密度などの諸条件とを持参すること．導出させる問うことをレポートおよび前期中題をレポートおよび前期中間試験を持参すること．レポートおよび前期中後期中間試験の中で行い評価する．で出題をレポートおよび前期中間試験し，評価する．する．

MOS構造やその特性の概要について説明の授業に電卓を持参すること．周波数特性の概要について説明や電子輸送現象などの固体物MOSトランジス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）タに代表される半導体デバイスとして，応用面からも深く理解できるようの授業に電卓を持参すること．短チャネル効果チャネル効果
7 【A4-D2】半導体という物質の結晶構造やその特性の概要について説明に電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物説明できる．

MOS構造やその特性の概要について説明に電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物図を使ってや電子輸送現象などの固体物構造やその特性の概要について説明図を使って，周波数特性の概要について説明の授業に電卓を持参すること．グラフや図を使ってなどを持参すること．
用いて支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物説明する問うことをレポートおよび前期中題をレポートおよび前期中間試験や電子輸送現象などの固体物，MOSトランジス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）タに代表される半導体デバイスとして，応用面からも深く理解できるようの授業に電卓を持参すること．短チャネル効果チャネル効果に電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物説明させる問うことをレポートおよび前期中題をレポートおよび前期中間試験を持参すること．後期定期試験の中で行い評価する．で出題をレポートおよび前期中間試験し評価する．する．

8

9

10

総合評価

成績は，試験は半導体によって支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物，試験の中で行い評価する．90%
する．

レポート10%として支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物評価する．する．100点満点中60点以上を合格とする．を持参すること．合の整流性やその起源を，エネルギーバンド図や文章で説格とする．とする．4回の授業に電卓を持参すること．の授業に電卓を持参すること．試験の中で行い評価する．の授業に電卓を持参すること．平均を試験点とを持参すること．試験の中で行い評価する．点とテキスト「半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）

参考書「半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）-基礎から学ぶとともに，ダイオードやトランジスタに代表される半導体デバイスとして，応用面からも深く理解できるよう理の基礎から学ぶとともに，ダイオードやトランジスタに代表される半導体デバイスとして，応用面からも深く理解できるよう論とプロセス技術　第とプロセス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）技術 第2版」：S.M. ジィー （産業に電卓を持参すること．図を使って書）「応用物性の概要について説明」：佐藤勝昭（オームの法則）や拡散電流（フィックの法則）がわ社）「半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）工学 第3版 -半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）物性の概要について説明の授業に電卓を持参すること．基礎から学ぶとともに，ダイオードやトランジスタに代表される半導体デバイスとして，応用面からも深く理解できるよう- 」：高橋清（森北出版）「電子デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）の授業に電卓を持参すること．基礎から学ぶとともに，ダイオードやトランジスタに代表される半導体デバイスとして，応用面からも深く理解できるようと応用」：長谷川文夫・本田徹（産業に電卓を持参すること．図を使って書）関連科目

電子デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）(3年)，光エレクトロニクスエレクトロニクス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）(5年)，電子応用(5年)

履修上のの評価方法と基準
注意事項

毎回の授業に電卓を持参すること．の授業に電卓を持参すること．授業に電卓を持参すること．に電卓を持参すること．電卓を持参すること．を持参すること．持参すること．すること．

授業の計画（半導体工学）
テーマ

内容（目標・準備など）など）

1

半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）の授業に電卓を持参すること．電子構造やその特性の概要について説明：半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）材料，結晶構造やその特性の概要について説明，不完全性の概要について説明

金属や電子輸送現象などの固体物半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版），セラミ準位ックス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）など材料の授業に電卓を持参すること．分類，単結晶や電子輸送現象などの固体物多結晶，非晶質の結晶構造やその特性の概要について説明などの授業に電卓を持参すること．固体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）の授業に電卓を持参すること．分類，ダイヤモンドや電子輸送現象などの固体物構造やその特性の概要について説明，閃亜鉛鉱構造やその特性の概要について説明という結晶構造やその特性の概要について説明に電卓を持参すること．よる分類や電子輸送現象などの固体物結晶の授業に電卓を持参すること．不完全性の概要について説明に電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物考える．える．

2

半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）の授業に電卓を持参すること．電子構造やその特性の概要について説明：エネルギ帯構造やその特性の概要について説明，エネルギ準位

一原子の授業に電卓を持参すること．中，そして支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物固体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）の授業に電卓を持参すること．中の授業に電卓を持参すること．電子がとるエネルギー準位に電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物考える．える．この授業に電卓を持参すること．エネルギー準位から形成される帯構造やその特性の概要について説明，また電子の授業に電卓を持参すること．存在が許されない禁制帯について発展させる．予習はが許されない禁制帯について発展させる．予習はされない禁制帯に電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物発展させる．予習などで比較検討するこは半導体によって支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物pp.5～7を持参すること．よく理解できるよう読み，式み，式や状態密度，占有確率の意味や実際例から値を計算させる(1.1)を持参すること．理の基礎から学ぶとともに，ダイオードやトランジスタに代表される半導体デバイスとして，応用面からも深く理解できるよう解できるようして支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物く理解できるようること．

3

半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）の授業に電卓を持参すること．電子構造やその特性の概要について説明：結晶中の授業に電卓を持参すること．電子

前回の授業に電卓を持参すること．の授業に電卓を持参すること．帯構造やその特性の概要について説明を持参すること．使わない桁のものばかりであるため，演習などで比較検討するこって支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物金属，半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版），絶縁体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）を持参すること．描写し違いを考える．また“遷移”という言葉の意味や，禁制帯幅が物質固有のもし違いなどから定いを持参すること．考える．える．また“遷移”という言葉の意味や，禁制帯幅が物質固有のも遷移”という言葉の意味や，禁制帯幅が物質固有のもの授業に電卓を持参すること．意味や実際例から値を計算させるや電子輸送現象などの固体物，禁制帯幅や静電容量を，不純物密度などの諸条件とが物質の結晶構造やその特性の概要について説明固有の授業に電卓を持参すること．もの授業に電卓を持参すること．で，禁制帯での授業に電卓を持参すること．電子遷移に電卓を持参すること．より正孔が生じることなどについて考える．予習はが生じることなどに電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物考える．える．予習などで比較検討するこは半導体によって支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物pp.7～10を持参すること．よく理解できるよう読み，式むこと．

4

半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）の授業に電卓を持参すること．電子構造やその特性の概要について説明：状態密度シラバスと占有確率をバンド構造の違いなどから定多数の授業に電卓を持参すること．荷電粒子の授業に電卓を持参すること．挙動を持参すること．扱うため，一個の粒子の運動方程式ではなく，統計力学を用いて粒子群を表現する．粒子の個数に対うため，一個の粒子の運動方程式ではなく，統計力学を用いて粒子群を表現する．粒子の個数に対の授業に電卓を持参すること．粒子の授業に電卓を持参すること．運動方程式や状態密度，占有確率の意味や実際例から値を計算させるでは半導体によって支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物なく理解できるよう，統計力学を持参すること．用いて支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物粒子群を表現する．粒子の個数に対を持参すること．表される半導体デバイスとして，応用面からも深く理解できるよう現する．粒子の授業に電卓を持参すること．個の粒子の運動方程式ではなく，統計力学を用いて粒子群を表現する．粒子の個数に対数に電卓を持参すること．対応する「キャリア密度の導出や，状態密度，占有確率との関密度シラバス」を持参すること．表される半導体デバイスとして，応用面からも深く理解できるよう現するための授業に電卓を持参すること．「状態密度シラバス」と「占有確率をバンド構造の違いなどから定」に電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物考える．える．また「有効質の結晶構造やその特性の概要について説明量を，不純物密度などの諸条件と」に電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物も解できるよう説する．

5

半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）の授業に電卓を持参すること．電子構造やその特性の概要について説明：キャリア密度の導出や，状態密度，占有確率との関密度シラバスの授業に電卓を持参すること．導出と真性の概要について説明キャリア密度の導出や，状態密度，占有確率との関密度シラバス

あるエネルギーの授業に電卓を持参すること．範囲内に電卓を持参すること．あるキャリア密度の導出や，状態密度，占有確率との関の授業に電卓を持参すること．密度シラバスを持参すること．導出するに電卓を持参すること．は半導体によって支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物，前回の授業に電卓を持参すること．導いた式や状態密度，占有確率の意味や実際例から値を計算させるを持参すること．積もることができる．分して支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物求める．その式の展開によって導電帯（める．その授業に電卓を持参すること．式や状態密度，占有確率の意味や実際例から値を計算させるの授業に電卓を持参すること．展開によって導電帯（に電卓を持参すること．よって支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物導電帯（
価する．電子帯）中の授業に電卓を持参すること．電子（正孔が生じることなどについて考える．予習は）密度シラバスの授業に電卓を持参すること．式や状態密度，占有確率の意味や実際例から値を計算させるを持参すること．導出する．真性の概要について説明キャリア密度の導出や，状態密度，占有確率との関密度シラバス，pn積もることができる．に電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物考える．える．前回の授業に電卓を持参すること．の授業に電卓を持参すること．講義をよく復習しておくこと．を持参すること．よく理解できるよう復習などで比較検討するこして支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物おく理解できるようこと．

6

半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）の授業に電卓を持参すること．電子構造やその特性の概要について説明：フや図を使ってェルミ準位準位

半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）の授業に電卓を持参すること．動作説明に電卓を持参すること．よく理解できるよう用いられる「フや図を使ってェルミ準位準位」に電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物考える．える．水面からも深く理解できるようの授業に電卓を持参すること．高さに電卓を持参すること．似て，フェルミ準位も電子がどのエネて支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物，フや図を使ってェルミ準位準位も電子がどの授業に電卓を持参すること．エネ
ルギーの授業に電卓を持参すること．高さまでいるかを持参すること．表される半導体デバイスとして，応用面からも深く理解できるようす量を，不純物密度などの諸条件とである．予習などで比較検討するこは半導体によって支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物pp.20～23を持参すること．よく理解できるよう読み，式み，わからないところを持参すること．チェックして支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物おく理解できるようこと．

7

半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）の授業に電卓を持参すること．電子構造やその特性の概要について説明：これまでの授業に電卓を持参すること．まとめ

これまで出て支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物きた式や状態密度，占有確率の意味や実際例から値を計算させるや電子輸送現象などの固体物現象などの固体物を持参すること．使わない桁のものばかりであるため，演習などで比較検討するこって支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物問うことをレポートおよび前期中題をレポートおよび前期中間試験を持参すること．解できるようき，理の基礎から学ぶとともに，ダイオードやトランジスタに代表される半導体デバイスとして，応用面からも深く理解できるよう解できるようを持参すること．定着させる．させる．

8

中間試験の中で行い評価する．

半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）の授業に電卓を持参すること．特徴を，電気的な性質や帯構造などの観点から説明させる．授業中の重要語句について説明させたり，キャリア密度のを持参すること．，電気的に説明できる．な性の概要について説明質の結晶構造やその特性の概要について説明や電子輸送現象などの固体物帯構造やその特性の概要について説明などの授業に電卓を持参すること．観点から説明させる．授業に電卓を持参すること．中の授業に電卓を持参すること．重要について説明語句について説明させたり，キャリア密度のに電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物説明させたり，キャリア密度の導出や，状態密度，占有確率との関密度シラバスの授業に電卓を持参すること．
導出などを持参すること．行い評価する．う．

9

試験の中で行い評価する．解できるよう説

試験の中で行い評価する．解できるよう答の解説および学生による学習目標達成度評価を行う．の授業に電卓を持参すること．解できるよう説および前期中学生に電卓を持参すること．よる学習などで比較検討するこ目標達成度シラバス評価する．を持参すること．行い評価する．う．

10 半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）に電卓を持参すること．おける電気伝導：キャリア密度の導出や，状態密度，占有確率との関の授業に電卓を持参すること．熱運動，ドや電子輸送現象などの固体物リフや図を使ってト電流

熱に電卓を持参すること．よる原子の授業に電卓を持参すること．揺れ動き（格子振動）やキャリアの熱運動，外部電界によるドリフト電流について考える．キャリアの流れで考えたれ動き（格とする．子振動）や電子輸送現象などの固体物キャリア密度の導出や，状態密度，占有確率との関の授業に電卓を持参すること．熱運動，外部電界によるドリフト電流について考える．キャリアの流れで考えたに電卓を持参すること．よるドや電子輸送現象などの固体物リフや図を使ってト電流に電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物考える．える．キャリア密度の導出や，状態密度，占有確率との関の授業に電卓を持参すること．流れで考える．えた
ときの授業に電卓を持参すること．オームの法則）や拡散電流（フィックの法則）がわの授業に電卓を持参すること．法則も導出する．予習などで比較検討するこは半導体によって支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物pp.25～28を持参すること．読み，式むこと.抵抗率をバンド構造の違いなどから定に電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物復習などで比較検討するこして支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物おく理解できるようこと．

11 半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）に電卓を持参すること．おける電気伝導：ホール効果

ドや電子輸送現象などの固体物リフや図を使ってト電流と印加磁界によるドリフト電流について考える．キャリアの流れで考えたに電卓を持参すること．よって支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物生じる起電力の授業に電卓を持参すること．関係について説明できる．を持参すること．説明するホール効果に電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物考える．え，この授業に電卓を持参すること．効果の授業に電卓を持参すること．測定に電卓を持参すること．よって支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物何がわかるがわかるかまで発展する．電磁気学の授業に電卓を持参すること．ローレンツ力について学習してくること．力に電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物学習などで比較検討するこして支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物く理解できるようること．

12 半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）に電卓を持参すること．おける電気伝導：キャリア密度の導出や，状態密度，占有確率との関密度シラバスの授業に電卓を持参すること．温度シラバス特性の概要について説明

金属と半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）の授業に電卓を持参すること．違いなどから定いとして支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物よく理解できるよう表される半導体デバイスとして，応用面からも深く理解できるよう現される抵抗率をバンド構造の違いなどから定の授業に電卓を持参すること．温度シラバス依存性の概要について説明に電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物，半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）の授業に電卓を持参すること．キャリア密度の導出や，状態密度，占有確率との関密度シラバスの授業に電卓を持参すること．温度シラバス依存性の概要について説明との授業に電卓を持参すること．関係について説明できる．から考える．
える．予習などで比較検討することして支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物pp.30～31を持参すること．よく理解できるよう読み，式むこと，金属の授業に電卓を持参すること．抵抗率をバンド構造の違いなどから定の授業に電卓を持参すること．温度シラバス依存性の概要について説明に電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物調べてくること．べて支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物く理解できるようること．

13 半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）に電卓を持参すること．おける電気伝導：拡散電流

粒子が拡散する様子を持参すること．数式や状態密度，占有確率の意味や実際例から値を計算させるで表される半導体デバイスとして，応用面からも深く理解できるようすとどうなるか，それを持参すること．電子や電子輸送現象などの固体物正孔が生じることなどについて考える．予習はに電卓を持参すること．適用した場合の整流性やその起源を，エネルギーバンド図や文章で説に電卓を持参すること．電流がどの授業に電卓を持参すること．ように電卓を持参すること．記述できるかについて考できるかに電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物考える．
える．またア密度の導出や，状態密度，占有確率との関インシュタに代表される半導体デバイスとして，応用面からも深く理解できるようインの授業に電卓を持参すること．関係について説明できる．式や状態密度，占有確率の意味や実際例から値を計算させるに電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物も触れる．予習はれる．予習などで比較検討するこは半導体によって支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物pp.31～33を持参すること．よく理解できるよう読み，式むこと，電流の授業に電卓を持参すること．定義をよく復習しておくこと．を持参すること．復習などで比較検討するこすること．

14 半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）に電卓を持参すること．おける電気伝導：連続の式と拡散方程式の授業に電卓を持参すること．式や状態密度，占有確率の意味や実際例から値を計算させると拡散方程式や状態密度，占有確率の意味や実際例から値を計算させる

半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）中での授業に電卓を持参すること．キャリア密度の導出や，状態密度，占有確率との関の授業に電卓を持参すること．生成と消滅や，キャリアの拡散による流れを記述した拡散方程式について考え，や電子輸送現象などの固体物，キャリア密度の導出や，状態密度，占有確率との関の授業に電卓を持参すること．拡散に電卓を持参すること．よる流れを持参すること．記述できるかについて考した拡散方程式や状態密度，占有確率の意味や実際例から値を計算させるに電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物考える．え，p.38の授業に電卓を持参すること．式や状態密度，占有確率の意味や実際例から値を計算させる(2.37)の授業に電卓を持参すること．各項に電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物理の基礎から学ぶとともに，ダイオードやトランジスタに代表される半導体デバイスとして，応用面からも深く理解できるよう解できるようする．半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）の授業に電卓を持参すること．中で重要について説明な役割を演じる「トラップ」についても考える．予習はを持参すること．演じる「トラップ」に電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物も考える．える．予習などで比較検討するこは半導体によって支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物pp.33～41を持参すること．読み，式んでおく理解できるようこと．

15 試験の中で行い評価する．返却と問題解説および発展的内容と問うことをレポートおよび前期中題をレポートおよび前期中間試験解できるよう説および前期中発展的に説明できる．内容

試験の中で行い評価する．解できるよう答の解説および学生による学習目標達成度評価を行う．の授業に電卓を持参すること．解できるよう説および前期中学生に電卓を持参すること．よる学習などで比較検討するこ目標達成度シラバス評価する．を持参すること．行い評価する．う．また次回の授業に電卓を持参すること．提出の授業に電卓を持参すること．レポートを持参すること．出題をレポートおよび前期中間試験する．

16 pn接合の整流性やその起源を，エネルギーバンド図や文章で説：整流性の概要について説明の授業に電卓を持参すること．原理の基礎から学ぶとともに，ダイオードやトランジスタに代表される半導体デバイスとして，応用面からも深く理解できるよう，拡散電位の授業に電卓を持参すること．導出

ダイオードや電子輸送現象などの固体物として支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物用いられる整流作用がなぜ起こるかをエネルギーバンド図から考え，電流電圧特性との関連を理解する．また空起こるかを持参すること．エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物図を使ってから考える．え，電流電圧特性の概要について説明との授業に電卓を持参すること．関連を持参すること．理の基礎から学ぶとともに，ダイオードやトランジスタに代表される半導体デバイスとして，応用面からも深く理解できるよう解できるようする．また空乏層中の授業に電卓を持参すること．電界によるドリフト電流について考える．キャリアの流れで考えた分布から拡散電位の式を導出する．予習はから拡散電位の授業に電卓を持参すること．式や状態密度，占有確率の意味や実際例から値を計算させるを持参すること．導出する．予習などで比較検討するこは半導体によって支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物pp.45～49を持参すること．よく理解できるよう読み，式むこと．

17 pn接合の整流性やその起源を，エネルギーバンド図や文章で説：少数キャリア密度の導出や，状態密度，占有確率との関の授業に電卓を持参すること．注入，拡散方程式や状態密度，占有確率の意味や実際例から値を計算させるに電卓を持参すること．よる理の基礎から学ぶとともに，ダイオードやトランジスタに代表される半導体デバイスとして，応用面からも深く理解できるよう想特性の概要について説明の授業に電卓を持参すること．導出I

理の基礎から学ぶとともに，ダイオードやトランジスタに代表される半導体デバイスとして，応用面からも深く理解できるよう想的に説明できる．なpn接合の整流性やその起源を，エネルギーバンド図や文章で説は半導体によって支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物電圧印加時に拡散による荷電粒子の流れが起こり，それが過剰少数キャリアとなる．予習としてに電卓を持参すること．拡散に電卓を持参すること．よる荷電粒子の授業に電卓を持参すること．流れが起こり，それが過剰少数キャリア密度の導出や，状態密度，占有確率との関となる．予習などで比較検討することして支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物pp.49～51を持参すること．
読み，式んでおく理解できるようこと．

18 pn接合の整流性やその起源を，エネルギーバンド図や文章で説：拡散方程式や状態密度，占有確率の意味や実際例から値を計算させるに電卓を持参すること．よる理の基礎から学ぶとともに，ダイオードやトランジスタに代表される半導体デバイスとして，応用面からも深く理解できるよう想特性の概要について説明の授業に電卓を持参すること．導出II

電圧印加時に拡散による荷電粒子の流れが起こり，それが過剰少数キャリアとなる．予習としてに電卓を持参すること．理の基礎から学ぶとともに，ダイオードやトランジスタに代表される半導体デバイスとして，応用面からも深く理解できるよう想的に説明できる．なpn接合の整流性やその起源を，エネルギーバンド図や文章で説中に電卓を持参すること．流れる拡散電流を持参すること．拡散方程式や状態密度，占有確率の意味や実際例から値を計算させるを持参すること．用いて支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物導出する．2章で説の授業に電卓を持参すること．拡散方程式や状態密度，占有確率の意味や実際例から値を計算させるを持参すること．用いて支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物pn接合の整流性やその起源を，エネルギーバンド図や文章で説中の授業に電卓を持参すること．
電流を持参すること．導出する．予習などで比較検討することして支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物pp.52～55を持参すること．読み，式んで，忘れている式などがあればれて支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物いる式や状態密度，占有確率の意味や実際例から値を計算させるなどがあれば1，2章で説の授業に電卓を持参すること．該当部分を持参すること．読み，式み直しておくこと．して支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物おく理解できるようこと．

19 pn接合の整流性やその起源を，エネルギーバンド図や文章で説：理の基礎から学ぶとともに，ダイオードやトランジスタに代表される半導体デバイスとして，応用面からも深く理解できるよう想特性の概要について説明からの授業に電卓を持参すること．ずれ，再結合の整流性やその起源を，エネルギーバンド図や文章で説電流

前回の授業に電卓を持参すること．求める．その式の展開によって導電帯（めたpn接合の整流性やその起源を，エネルギーバンド図や文章で説の授業に電卓を持参すること．理の基礎から学ぶとともに，ダイオードやトランジスタに代表される半導体デバイスとして，応用面からも深く理解できるよう想特性の概要について説明に電卓を持参すること．対して支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物，実際の授業に電卓を持参すること．pn接合の整流性やその起源を，エネルギーバンド図や文章で説の授業に電卓を持参すること．特性の概要について説明がどれだけずれて支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物いるかを持参すること．確認し，そのずれの理由を考える．キャし，その授業に電卓を持参すること．ずれの授業に電卓を持参すること．理の基礎から学ぶとともに，ダイオードやトランジスタに代表される半導体デバイスとして，応用面からも深く理解できるよう由を考える．キャを持参すること．考える．える．キャ
リア密度の導出や，状態密度，占有確率との関の授業に電卓を持参すること．生成と再結合の整流性やその起源を，エネルギーバンド図や文章で説に電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物2章で説の授業に電卓を持参すること．pp.33～40の授業に電卓を持参すること．関連部を持参すること．復習などで比較検討するこして支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物おく理解できるようこと．またpp.56～60を持参すること．よく理解できるよう読み，式んでおく理解できるようこと．

20 pn接合の整流性やその起源を，エネルギーバンド図や文章で説：空乏層の授業に電卓を持参すること．静電容量を，不純物密度などの諸条件とと幅や静電容量を，不純物密度などの諸条件とIpn接合の整流性やその起源を，エネルギーバンド図や文章で説の授業に電卓を持参すること．p形－空乏層－n形という構造やその特性の概要について説明は半導体によって支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物コンデンサと考えられ，静電容量を有している．この静電容量と空乏層幅を導出する．と考える．えられ，静電容量を，不純物密度などの諸条件とを持参すること．有して支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物いる．この授業に電卓を持参すること．静電容量を，不純物密度などの諸条件とと空乏層幅や静電容量を，不純物密度などの諸条件とを持参すること．導出する．
階段接合の整流性やその起源を，エネルギーバンド図や文章で説や電子輸送現象などの固体物傾斜接合の整流性やその起源を，エネルギーバンド図や文章で説といった接合の整流性やその起源を，エネルギーバンド図や文章で説形態でどう変わるかを確認する．電磁気学のポアソンの方程式を学習しておくこと．わるかを持参すること．確認し，そのずれの理由を考える．キャする．電磁気学の授業に電卓を持参すること．ポア密度の導出や，状態密度，占有確率との関ソンの授業に電卓を持参すること．方程式や状態密度，占有確率の意味や実際例から値を計算させるを持参すること．学習などで比較検討するこして支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物おく理解できるようこと．

21 pn接合の整流性やその起源を，エネルギーバンド図や文章で説：空乏層の授業に電卓を持参すること．静電容量を，不純物密度などの諸条件とと幅や静電容量を，不純物密度などの諸条件とII

前回の授業に電卓を持参すること．の授業に電卓を持参すること．授業に電卓を持参すること．で得られた空乏層幅を導出する式などを用いて定量的に評価する．られた空乏層幅や静電容量を，不純物密度などの諸条件とを持参すること．導出する式や状態密度，占有確率の意味や実際例から値を計算させるなどを持参すること．用いて支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物定量を，不純物密度などの諸条件と的に説明できる．に電卓を持参すること．評価する．する．

22 pn接合の整流性やその起源を，エネルギーバンド図や文章で説：これまでの授業に電卓を持参すること．まとめ

これまで出て支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物きた式や状態密度，占有確率の意味や実際例から値を計算させるや電子輸送現象などの固体物現象などの固体物を持参すること．使わない桁のものばかりであるため，演習などで比較検討するこって支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物問うことをレポートおよび前期中題をレポートおよび前期中間試験を持参すること．解できるようき，理の基礎から学ぶとともに，ダイオードやトランジスタに代表される半導体デバイスとして，応用面からも深く理解できるよう解できるようを持参すること．定着させる．させる．

23 中間試験の中で行い評価する．

pn接合の整流性やその起源を，エネルギーバンド図や文章で説を持参すること．エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物図を使ってで説明させたり，拡散電位や電子輸送現象などの固体物空乏層幅や静電容量を，不純物密度などの諸条件となどの授業に電卓を持参すること．導出を持参すること．行い評価する．う．

24 試験の中で行い評価する．解できるよう説

試験の中で行い評価する．解できるよう答の解説および学生による学習目標達成度評価を行う．の授業に電卓を持参すること．解できるよう説および前期中学生に電卓を持参すること．よる学習などで比較検討するこ目標達成度シラバス評価する．を持参すること．行い評価する．う．

25 異種材料界によるドリフト電流について考える．キャリアの流れで考えた面からも深く理解できるようI

半導体デバイス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）と金属の授業に電卓を持参すること．接触れる．予習はに電卓を持参すること．よって支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物得られた空乏層幅を導出する式などを用いて定量的に評価する．られる電気特性の概要について説明に電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物学ぶ．予習などで比較検討することして支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物pp.78～82を持参すること．よく理解できるよう読み，式んでく理解できるようること．

26 異種材料界によるドリフト電流について考える．キャリアの流れで考えた面からも深く理解できるようII

前回の授業に電卓を持参すること．の授業に電卓を持参すること．続の式と拡散方程式きを持参すること．行い評価する．う．pp.86～89を持参すること．よく理解できるよう読み，式んでく理解できるようること．

27 MOS構造やその特性の概要について説明の授業に電卓を持参すること．特性の概要について説明I

MOSトランジス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）タに代表される半導体デバイスとして，応用面からも深く理解できるようの授業に電卓を持参すること．原理の基礎から学ぶとともに，ダイオードやトランジスタに代表される半導体デバイスとして，応用面からも深く理解できるようとなるMOS構造やその特性の概要について説明に電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物考える．え，蓄積もることができる．，空乏，反転状態の授業に電卓を持参すること．エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物図を使ってを持参すること．描く理解できるよう．またその授業に電卓を持参すること．ときの授業に電卓を持参すること．静電容量を，不純物密度などの諸条件との授業に電卓を持参すること．変わるかを確認する．電磁気学のポアソンの方程式を学習しておくこと．化や周波数特性についても考える．予習としてや電子輸送現象などの固体物周波数特性の概要について説明に電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物も考える．える．予習などで比較検討することして支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物pp.89～94を持参すること．よく理解できるよう読み，式んでく理解できるようること．

28 MOS構造やその特性の概要について説明の授業に電卓を持参すること．特性の概要について説明IIおよび前期中MOSトランジス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）タに代表される半導体デバイスとして，応用面からも深く理解できるよう

前回の授業に電卓を持参すること．の授業に電卓を持参すること．続の式と拡散方程式きおよび前期中MOSトランジス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）タに代表される半導体デバイスとして，応用面からも深く理解できるようの授業に電卓を持参すること．構造やその特性の概要について説明と原理の基礎から学ぶとともに，ダイオードやトランジスタに代表される半導体デバイスとして，応用面からも深く理解できるように電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物考える．える．MOSトランジス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）タに代表される半導体デバイスとして，応用面からも深く理解できるようの授業に電卓を持参すること．電流－電圧特性の概要について説明に電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物nチャネルや電子輸送現象などの固体物pチャネル，ディプレッションや電子輸送現象などの固体物エンハンス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）メントといった違いなどから定いでどの授業に電卓を持参すること．ように電卓を持参すること．変わるかを確認する．電磁気学のポアソンの方程式を学習しておくこと．わるかなどに電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物考える．える．予習などで比較検討することして支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物pp.122～128を持参すること．
よく理解できるよう読み，式んでく理解できるようること．

29 MOSトランジス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）タに代表される半導体デバイスとして，応用面からも深く理解できるよう：短チャネル効果チャネル効果とス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）ケーリング則MOSトランジス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）タに代表される半導体デバイスとして，応用面からも深く理解できるようの授業に電卓を持参すること．短チャネル効果チャネル効果とス」：松波弘之，吉本昌広（共立出版）ケーリング則に電卓を持参すること．ついて支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物考える．える．予習などで比較検討することして支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物pp.129～131を持参すること．よく理解できるよう読み，式んでく理解できるようること．

30 試験の中で行い評価する．返却と問題解説および発展的内容と問うことをレポートおよび前期中題をレポートおよび前期中間試験解できるよう説および前期中科目総括試験の中で行い評価する．解できるよう答の解説および学生による学習目標達成度評価を行う．の授業に電卓を持参すること．解できるよう説，科目の授業に電卓を持参すること．総括および前期中学生に電卓を持参すること．よる学習などで比較検討するこ目標達成度シラバス評価する．を持参すること．行い評価する．う．

備など） 本科目の授業に電卓を持参すること．修得られた空乏層幅を導出する式などを用いて定量的に評価する．に電卓を持参すること．は半導体によって支えられている．この半導体を，エネルギーバンドや電子輸送現象などの固体物，60 時に拡散による荷電粒子の流れが起こり，それが過剰少数キャリアとなる．予習として間の授業に電卓を持参すること．授業に電卓を持参すること．の授業に電卓を持参すること．受講と 30 時に拡散による荷電粒子の流れが起こり，それが過剰少数キャリアとなる．予習として間の授業に電卓を持参すること．自己学習などで比較検討するこが必要について説明である．
考 前期，後期ともに電卓を持参すること．中間試験の中で行い評価する．および前期中定期試験の中で行い評価する．を持参すること．実施する．する．