CY2021Q1

SPPテクノロジーズのご紹介© SPP Technologies Co., Ltd.

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PR-1361

SPPテクノロジーズの会社概要
 商 号
 創 業
 本社所在地
 資本金
 社 長
 従業員数
 拠 点
 コア技術 製 品（令和3年4月1日現在）

2011年（平成23年） 12月
東京都千代田区一ツ橋
495百万円 （株主： 住友精密工業／英 SPTS Technologies）
速水 利泰
約180名
本社、尼崎事業所、熊本SS、横浜倉庫、 米国サンノゼ
本社外観
プロセス設計、プラズマ生成、 真空、 自動制御
エッチング装置： シリコン深掘り、 GaN、 GaAs、SiC、シリコン・酸化膜犠牲層 他
成膜装置： PECVD（SiO2膜、SiN膜）、PVD（Al膜、AlN膜）、MVD（分子膜） 他
熱処理装置： Poly-Si膜、 SiN膜、アニール 他
ミニマル装置： Si深掘り、メタル膜エッチング、TEOSプラズマCVD 、SiNプラズマCVD

シリコン深掘り装置

シリコン系膜 成膜装置（PECVD）

金属膜成膜装置（PVD）

Predeus、Proxion、Pulsar

Cetus / SPTS社 Delta

SPTS社 Sigma

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PR-13612

MEMS・半導体向け装置ラインナップ

Predeus, Proxion, Pulsar

酸化膜/窒化膜形成
PE-CVD

酸化膜犠牲層エッチング(VHF)

シリコン犠牲層エッチング(XeF2)

Vetelgeuse,
Monarch25, uEtch ※1

CVE, Xetch ※1

SiC、化合物 / 酸化膜
エッチング

シリコン深掘り

Sirius, Spica

金属膜/圧電膜形成
PVD

黒色：当社国内製品
青色：SPTS社製品※1
赤色：SPT USA社製品※2

ｽﾃｨｸｼｮﾝ防止
分子膜形成

熱処理

ミニマル

Sigma ※1
Cetus , Delta ※ 1

MVD ※ 1

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AVP, RVP,
RVP-300 ※2

Si-DRIE, Metal Etcher,
TEOS-PECVD,
SIN-PECVD
PR-13613

超高速シリコン深掘り装置 “Proxion”
 大開口率パターンにおける高レート＆高均一性加工を実現する

シリコン深掘り装置の開発

 装置名：“PROXION ”（プロキオン）
PROductivity-eXceed next-generatION＜新開発技術＞
 ソース構造の最適化
 ローディング効果抑制機構
 試料台自動化
 C4F8の代替ガス採用 ＜提供性能：お客様メリット＞
 超高速加工 高均一性加工 歩留まり・収量向上
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＜適用アプリケーション＞
 各種MEMS製品
 プラズマダイシング など
PR-13614

Proxion による加工例
Φ600µmホールパターン（D:550µm）

4µm幅トレンチ（D:60µm）
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Φ50µmポール（D:130µm）
PR-13615

化合物エッチング装置 ”Sirius、Spica”
 酸化膜、化合物等のエッチング装置⁃ プロセス要請に応じたプラズマ源を選択可能⁃ 難エッチング材から樹脂エッチまで豊富なプロセス
ライブラリー⁃ Si深掘りで実績のあるプラットフォームを踏襲した装置⁃ 高選択性の高速プロセス⁃ 高精度、低ダメージプロセス⁃ 研究開発から量産まで対応可能
VPX Spica

 酸化膜/化合物ｴｯﾁﾝｸﾞ装置：

Sirius SiCエッチング装置：

Sirius

 化合物エッチング装置：

Spica

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PR-13616

Sirius、Spicaの加工例
高ﾊﾞｲｱｽ化 SiO2加工

塩素系ｶﾞｽﾌﾟﾛｾｽ GaN，Al加工
化合物ｴｯﾁﾝｸﾞ

金属ｴｯﾁﾝｸﾞ

2.0μm

0.5μm幅、5μm深さ
A/R>10Φ80μm、100μm深さ
ﾚｰﾄ：１μm/min

高ﾊﾞｲｱｽ化 SiC加工
ﾄﾚﾝﾁ加工1μm幅、3μm深さ
ﾚｰﾄ：0.5μm/min

GaN
ﾚｰﾄ：1.0μm/min

Al-Si(Cu0.5%)
ﾚｰﾄ：0.5μm/min
樹脂加工 ﾎﾟﾘｲﾐﾄﾞ

垂直加工

ﾃｰﾊﾟｰ加工Φ60μm、50μm深さ
ﾚｰﾄ：2μm/min

100μm深さ
ﾚｰﾄ：3.3μm/min

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20μm深さﾚｰﾄ：2μm/min
PR-13617酸化膜／窒化膜成膜装置 ” Cetus ”
 プラズマによるシリコン酸化膜、及び窒化膜のCVD装置⁃ 低温（<200℃）成膜
 良好な膜特性（電気特性、耐湿性、密着性）
 膜質と下地ダメージの調整可能⁃ ストレス制御
 SiNの屈折率等その他膜特性と独立制御可能
 SiOの経時変化抑制可能⁃ 厚膜（～50μm）成膜
APX+A2CS Cetus (SiH4)⁃ 屈折率制御

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PR-13618

Cetus：シリコン系膜の成膜例
SiO2 深穴被覆（TSV等）

SiO2 メタル配線上絶縁膜（LED等）

良好なステップカバレッジ

剥離しやすいGaNやAl電極、Ti電極上に2～3umの高耐圧SiO2厚膜を剥離無く形成可能

SiO2Si
上部

SiO2 3μm

底部
全体

Via:径30μm、深さ70μm
ﾚｰﾄ:86.7nm/min@底面

Al 0.8μm
SiO2Si1.43μm

成膜レート：60nm/min

SiO2 SiCﾄﾞﾗｲｴｯﾁﾏｽｸ（ﾊﾟﾜｰﾃﾞﾊﾞｲｽ ｼｬﾛｰﾄﾚﾝﾁ）

SiO2 段差厚膜被覆（光導波路）

SiC基板上へも厚膜形成可能

クラック、ボイドなく 成膜可能

SiN 段差厚膜被覆
残留応力なく 成膜可能
SiN

SiO2SiC

2.0μm
SiO213μm

Si20μm
750μm[提供:Cambridge University]

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PR-13619ミニマルファブ・ 現在の半導体量産ﾗｲﾝ(ﾒｶﾞﾌｧﾌﾞ)ではｺｽﾄが合わないような、多品種少量向けのﾃﾞﾊﾞｲｽ（生涯生産個数50万個以下）の市場に向けた、革新的な半導体生産ｼｽﾃﾑ。
・ 0.5ｲﾝﾁｳｪﾊを用いｸﾘｰﾝﾙｰﾑ設備不要で設備投資を大幅に抑制。
・ 装置幅(30cm)を含む外形ﾃﾞｻﾞｲﾝ、操作方法など厳格な統一規格を持った小型・低価格な装置群で構成。

ミニマル装置ミニマルシャトル
ハーフインチウエハ
ウエハ搬送容器（Φ42㎜）（Φ12.5㎜）
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W : 294mm
D : 450mm
H : 1440mm
PR-1361

10

SPT製ミニマル装置の特長●Si深掘りエッチング装置
世界初、ミニマル装置でのボッシュプロセスによるシリコン深掘り加工を実現。

●TEOSプラズマCVD装置

TEOS材料を用いてSiO2を成膜。
300℃以下の低温で成膜が可能。
液体TEOS材料タンクをミニマル筐体に内蔵。

高ｱｽﾍﾟｸﾄ比Siｴｯﾁﾝｸﾞ加工例（産総研様ご提供）●メタルエッチング装置

ｻﾌﾞﾐｸﾛﾝﾊﾟﾀｰﾝ ｶﾊﾞﾚｯｼﾞ性能●SiNプラズマCVD装置

塩素系プロセスによる金属膜（Al）、各種化合物（GaN）等の高精度エッチングが可能。

昨年度（2017年度）販売開始！
液体ソース系の代替シラン材料を用いてSiNを成膜。

塩素系ガスに対する安全仕様を実装（腐食対策、接ガス部表面処理等） Al配線膜垂直加工例

代替シラン材料を使用することで安全管理コストを軽減。

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PR-136111ご清聴ありがとうございました。

Toward a Promising Future

SPTS

SPT SPT USA

SPTS

JP : SPP Technologies Co., Ltd.
US : SPT Microtechnologies USA, Inc.
UK : SPTS Technologies Ltd.
US : SPTS Technologies Inc.

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PR-136112