STM32G0 - PWR
電源制御
レビジョン 1.0

STM32G0 電源コントローラのプレゼンテーションへようこそ。
STM32G0 の電源管理機能とすべての低消費電力モードについてもこのプレゼンテーションで説明します。

1

概要
ウェイクアップ
時間

RUN （レンジ 1） @ 64 MHz

100 µA / MHz

RUN （レンジ 2） @ 16 MHzMHz

93 µA /LPRUN @ 2 MHz

90 µA / MHz

6 サイクルSLEEP @ 16 MHzMHz

32 µA /

0.7µs

LPSLEEP @ 2 MHz

4µs

STOP 0 （完全データ保持）

100 µA

5µs

STOP 1 （完全データ保持）
µA*

4.1

14µs

STANDBY + SRAM

14µs

STANDBY

130 nA/480 nA*

256µs

SHUTDOWN

40 nA/380 nA

VBAT

340 nA*

2

FlexPowerControl• 効率的実行• 7種類の低消費電力モードとさまざ
まなサブモード• 高い柔軟性

42 µA / MHz

320 nA/670 nA*

アプリケーション側の利点• 高性能
 CoreMarkスコア = 125• 抜群の電力効率

標準 @ VDD =3 V @ 25 °C* ：RTC を使用

STM32G0 デバイスが備える FlexPowerControl は、電力モード管理の柔軟性を高め、全体的なアプリケーション消費電流を一段と低減します。RUN モードは、最大 64 MHz で動作するシステムクロックをわずか 100 µA/MHz でサポートできます。
16 MHzでは、消費電流はさらに低くなります：93 µA/MHz。
STM32G0 デバイスは、低消費電力 RUN、SLEEP、低消費
電力 SLEEP、STOP 0、STOP 1、STANDBY、およびSHUTDOWN の 7 種類の主要な低消費電力モードをサポートしています。
各モードにさまざまな設定方法があり、さまざまなサブモードで使用できます。
また、STM32G0 デバイスは、VBAT と呼ばれるバッテリバック
アップドメインをサポートしています。
柔軟性の高い電源管理により、CoreMark スコアで 125 という高性能と抜群の電力効率の両方が実現されます。

2

主な機能

3

• 7種類の低消費電力モードと高速ウェイ
クアップ• I/Oウェイクアップでは40nAまで低減• 36KB RAM保持あり（@ 3.0V、25°C、RTC
オフ）では 320nA まで低減
• 多数のペリフェラルからウェイクアップ可能• 最大周波数でのRUNモードで100µA/MHz

アプリケーション側の利点• アクティブなペリフェラル、要求性能、および必要なウェイクアップ･ソースに応
じて消費電力を低減できる高い柔軟性• バッテリ寿命の延長• 外部シフタの削減によるBOMコストの節約• RTCとバックアップ･レジスタを備えた
バッテリ･バックアップ･モード

STM32G0 には、電源管理に関するさまざまな機能があります。
複数の低消費電力モード。30 nA まで低減してもなお I/O からのイベントによりマイクロコントローラをウェイクアップできます。
3.0V VDD 電源においてわずか 320 nA で、36 KB の SRAM を保持することができます。
多くのペリフェラルが、さまざまな低消費電力モードからウェイク
アップできます。
Flash メモリから実行している場合、動的消費電流は 100µA/MHz まで低減します。
VBAT と呼ばれるバッテリバックアップドメインがあり、RTC と特定のバックアップレジスタが含まれます。
独立した電源を複数備えており、いくつかのペリフェラルに高い電圧を供給していても、マイクロコントローラの消費電力を低減できます。
STM32G0 デバイスは多数の電力モードを備えているので、高い柔軟性で電力消費を最小化でき、アクティブなペリフェラル、要
求性能、および必要なウェイクアップソースに応じて電力消費を調整できます。
3

電源スキーム
VREF+

VREFバッファ
COMP、
ADC、DACVDDA

VDD/VDDA

4

VDDIO1

I/O リングFlash メモリ、
リセットブロック、
温度センサ、
PLL、
HSI16
USB PD トランシーバ
VDD

CPU
SRAM
デジタルペリフェラル
Flash コントローラ

VCORE

電圧レギュレータ
スタンバイ回路（ウェイ
クアップ、IWDG）

バックアップドメイン
LSE、RTC、TAMP、
バックアップレジスタ

VBAT

STM32G0 デバイスには独立した電源が複数あり、異なる電圧に設定することも、互いに接続することもできます。主電源は VDD で、
VBAT ドメインの部分を除くほとんどすべての I/O に電源を供給します。
VDD はまた、Flash メモリ、リセットブロック、温度センサ、およびすべての内部クロックソースに電源を供給します。さらに、ウェイク
アップロジック、独立型ウォッチドッグを含むスタンバイ回路にも電源を供給します。
VDD は、VCORE 電源を供給する電圧レギュレータに供給します。
VCORE は、デジタルペリフェラル、SRAM や Flash コントローラのほとんどに電圧を供給します。
VDDA 電圧は VDD 電圧と同じであり、アナログペリフェラルに電圧を供給します。
VREF+ ピンは、A/D コンバータおよび D/A コンバータに基準電圧を提供し、アプリケーションの外部バッファ基準として使用できます。
バックアップバッテリは、VBAT ピンに接続し、バックアップドメインに電源を供給できます。

4

電源スキーム5• 独立した電源供給によって電源と性能を最適化• VDD：1.71～3.6V （パワーダウン時で1.6Vまで低減）• 他の独立した電源が提供される場合は、VDDの設定が必要• VDDA：1.71～3.6V （パワーダウン時で1.6Vまで低減）• ADCまたはCOMPの使用時は最小1.62V• DAC使用時は最小1.8V• VREFBUF使用時は最小2.4V• VDDA < 2Vの場合は VREF+ = VDDA、VDDA > 2V の場合は 2V～VDDA• 20バイトのバックアップ･レジスタを含むRTCブロックとTAMPブロックを含
む電源ドメインの場合、VBAT は 1.55V～3.6V

主電源 VDD は、すべての電力モードで 1.71～3.6 V を供給
してフル装備の動作を保証し、外付けの 1.8 V レギュレータによる供給も可能です。デバイスの機能は、パワーダウンリセッ
トが生成される最小電圧 1.6 V まで保証されます。ペリフェラ
ルがさまざまな電圧で動作できるように、他に独立した電源が提供されています。
アナログ電源 VDDA は常に VDD に接続されます。A/D コン
バータまたはコンパレータを使用する場合、VDDA 電圧を
1.62 V より高くする必要があります。D/A コンバータを使用する場合、VDDA を 1.8 V より高くする必要があります。電圧リ
ファレンスバッファを使用する場合、VDDA を 2.4 V より高くする必要があります。
バックアップドメインに VBAT で電源を供給する場合、VBAT
を 1.55 V より高くする必要があります。バックアップドメインに
は、RTC、32.768 kHz LSE 外部オシレータ、および TAMP ブ
ロック（20 バイトバックアップレジスタを含む）が含まれます。

5

電源スキーム6• アナログ性能を向上する独立した電圧基準• VREF+：ADCおよびDAC用の基準電圧• 外部基準電圧または内部電圧基準バッファ（VREFBUF）のどちらかによって供給できる• VREF+ ピンと内部電圧基準は、ローピン･カウントのパッケージでは使用できない。
• これらのパッケージでは、VREF+ ピンはVDDにダブル・ボンディングされている• 内部電圧基準バッファは使用できず、無効にしておく必要がある

ADC と DAC の電圧基準は、外部供給電圧または内部リファ
レンスバッファのどちらかによって供給できます。
これにより、独立した基準電圧を供給することによってコンバータの性能を向上できます。
VREF+ ピンと内部電圧基準は、ローピンカウントのパッケージ
では使用できません。
これらのパッケージでは、VREF+ ピンは VDD/VDDA にダブ
ル・ボンディングされており、内部電圧バッファは無効のままにする必要があります。これらのパッケージでは、電圧基準は
VDDA ピンから供給できます。

6

電源供給スーパーバイザ

7• 安全で超低消費電力のリセット管理• PORおよびPDRはSHUTDOWNモードを除くすべてのモードで常に有効• STOP 0/1およびSTANDBYモードでは、消費電力を減らすために周期的にアクティブにすることができる。このオプションは、ULPENビットによって有効化される• ブラウンアウト･リセットは、BOR_ENオプション･ビットがセットされている場合、SHUTDOWNモードを除くすべてのモードで有効にできる• マイクロコントローラの電源電圧が選択されている閾値を下回ると、VDDスロープに関係なく、直ちにリセットされることを保証する• オプション･バイトBORR_LEV[1:0] およびBORF_LEV[1:0] により5つの閾値を選択、立ち上がりエッジと立ち下がりエッジに対して個別に設定可能。

• 電源電圧検出器は、STANDBYモードとSHUTDOWNモードを除くすべてのモードでアクティブ• 7つの閾値 + 外部ピン、立ち上がりエッジと立ち下がりエッジに対して個別に設定可能。

電源スーパーバイザは、安全で超低消費電力のリセット管理を保証します。
STM32G0 デバイスは、パワーオンリセット（POR）とパワーダウンリ
セット（PDR）を内蔵しており、SHUTDOWN モードを除くすべてのモードで常に有効です。
STM32G0 デバイスは、超低消費電力ブラウンアウトリセット（BOR）を内蔵しており、電源電圧を継続的に監視する代わりに、周期的に監視します。
BOR は、マイクロコントローラの電源電圧が選択されている閾値を下回
ると、VDD スロープに関係なく、直ちにリセットが生成されることを保証します。2.0～2.95 V の 4 つの閾値は、立ち上がりエッジと立ち下がり
エッジに対して個別に Flash メモリにプログラムされたオプションバイト
によって選択できます。本機能を無効にして消費電力を節約することもできます。
電源電圧検出器（PVD）は、VDD が選択されている閾値を跨いだときに割込みを生成できます。PVD は、STANDBY モードと SHUTDOWN
モードを除くすべてのモードで有効にできます。立ち上がりエッジと立ち下がりエッジに対して個別に設定可能な 7 つの閾値を、ソフトウェアで選択できます。また、VREFINT と PVD_IN 外部ピンの比較も行うことができます。
7

ULPENの機能

8• PDRとBORに必要な分周器ブリッジは周期的にのみ接続される
VDD

VDD

VPOR
VPDR

+

閾値

1.6 V

t
tPULSE

サンプリング周期
リセット

STM32G0 デバイスでは、リセット監視回路、BOR および
POR/PDR を周期的なサンプリングモードで有効にできます。
このモードを有効化するには、ULPEN ビットを 1 にセットします。
それらの機能に必要な抵抗ブリッジは、周期的に短時間だけ電力が供給されます。
その結果として、消費電力が低減されます。

8ブラウンアウトおよびパワーオン／ダウンリセット• ブラウンアウト･リセットでは立ち上がりと立ち下がりの閾
値を個別に選択することがで
きる

9

VDD

VBORR4
VBORF4
VBORR3
VBORF3
VBORR2VBORF2
VBORR1VBORF1VPOR
VPDR• POR/PDR は、
SHUTDOWNモードを除き、
常時ON

ttRSTTEMPO• BORは、オプション･バイトによって有効または無効にされ BOR 無効でのリセット
BOR 有効でのリセット（
る
V
V
）
BORR4

BORF1

アクティ･ブロー

電源リセット（BOR と POR）は、VBAT から電源を供給されている、RTC ブロックと TAMP ブロックおよび外部低速オシレー
タ LSE が含まれるバックアップドメインのレジスタを除く、すべてのレジスタをリセットします。
STANDBY モードが終了すると、メインレギュレータから電力が供給されるすべてのレジスタがリセットされます。
SHUTDOWN モードが終了すると、電源リセットが生成されます。
BOR が有効である場合、立ち上がり閾値および立ち下り閾値
が個別に設定されたオプションバイトにより 4 つの BOR レベ
ルを選択できます。
バックアップドメインリセットは、RCC バックアップドメイン制御
レジスタで BDRST ビットがセットされている場合に発生します。
VDD と VBAT の電源供給がオンのとき（ただし、以前電源供
給がともにオフ状態であった場合）にも発生します。RTC レジ
スタと TAMP レジスタ、バックアップレジスタ、および RCC
バックアップドメイン制御レジスタをリセットします。
9電圧レギュレータ
• 2つの電圧レギュレータ

レンジ 1 メインレギュレータ：Run/Sleep/Stop0
レンジ 2 LP レギュレータ：LPRun/LPSleep/Stop1• メイン･レギュレータはダイナミック
電圧スケーリング用の2つの電圧レ
VDDンジを備えている。これらはRun、Sleep、およびStop 0モードで使用されるメインレギュレータ
コアロジック
低消費電
力レギュレータ• 低消費電力（Low-power：LP）レ
ギュレータは低消費電力Run、低消費電力SleepおよびStopモード
用で、Standby時のRAMの保持にも使用される
V

10

SRAM 保持

VDD
モニタリング

RTC
バックアップドメイン
BAT

STANDBY 回路およびバックアップドメイン以外のすべてのデジタル回路に電圧を供給する 2 つのリニア電圧レギュレータが組み込まれています。レギュレータ出力電圧(VCORE)は、性
能と消費電力の要件に応じて、ソフトウェアによって 2 つの異なる値にプログラムすることができます。これはダイナミック電
圧スケーリングと呼ばれます。
アプリケーションモードに応じて、VCORE は、RUN、SLEEP、
STOP 0 モード向けにメイン電圧レギュレータから、または低消費電力 RUN、低消費電力 SLEEP、STOP 1 モード向けに
低消費電力レギュレータのいずれかによって提供されます。
STANDBY モードと SHUTDOWN モードではレギュレータはオフになっています。SRAM の内容が STANDBY モードで保持されている場合、低消費電力レギュレータはオンのままで、SRAM 電源を提供します。

10

RUNモード：レンジ 1
使用可能なペリフェラル
GPIO
DMA
BOR
PVD
USART
LP UART
I2C 1
I2C 2
SPI
ADC
DAC
COMP
温度センサ
タイマ
LPTIM 1LPTIM 2IWDG
WWDG
SysTick タイマ
UCPD
RNG
AES
CRC
CEC

11

例：Flashメモリからの実行

メインレ･ギュレータ（MR）

Cortex M0+

レンジ 1（最大64MHz）
レンジ 2（最大16MHz）
Flash
メモリ

SRAM
（36KB）

低消費電力レギュレータ（LPR）：最高2MHz

レンジ 1
100 µA/MHz @ 64 MHz（6.4 mA）
レンジ 2
93 µA/MHz @ 16 MHz（1.49 mA）

使用可能な
クロック
HSI16
HSE
LSI
LSE

アクティブセル

クロックオフセル

パワーダウンのセル

使用可能なペリフェラルとクロック

RUN モードでは、CPU にクロックが供給され、FLASH または
SRAM メモリからプログラムを実行することができます。
レンジ 1では、システムクロックは最大 64 MHzで、レンジ 2 では最大 16 MHzです。
デフォルトでは、SRAM クロックは有効です。これは、ソフト
ウェアによって SLEEP モード中にゲートでオフすることができます。
すべてのペリフェラルは、レンジ 1 でアクティブにすることができます。
RUN モードの消費電流は、レンジ 1 の場合、25°Cで Flash
メモリをオンにした状態で、100 µA/MHz（@ 64MHz）です。

11

RUNモード：レンジ 2
使用可能なペリフェラル
GPIO
DMA
BOR
PVD
USART
LP UART
I2C 1
I2C 2
SPI
ADC
DAC
COMP
温度センサ
タイマ
LPTIM 1LPTIM 2IWDG
WWDG
SysTick タイマ
UCPD
RNG
AES
CRC
CEC

12

例：SRAMメモリからの実行

メインレ･ギュレータ（MR）

Cortex M0+

レンジ1（最大64MHz）
レンジ2（最大16MHz）
Flash
メモリ

SRAM
（36KB）

低消費電力レギュレータ（LPR）：最高2 MHz

レンジ1100µA/MHz @ 64MHz（6.4 mA）
レンジ2
75µA/MHz @ 16MHz（1.2 mA）

使用可能な
クロック
HSI16
HSE
LSI
LSE

アクティブセル

クロックオフセル

パワーダウンのセル

使用可能なペリフェラルとクロック

レンジ 2 では、すべてのペリフェラルをアクティブにすることができますが、FLASH メモリをプログラムまたは消去することはできません。
RUN モードの消費電流は、レンジ 2 の場合、Flash メモリをオフにした状態で、75 µA/MHz（@ 16 MHz）です。

12

低消費電力RUNモード
使用可能なペリフェラル
GPIO
DMA
BOR
PVD
USART
LP UART
I2C 1
I2C 2
SPI
ADC
DAC
COMP
温度センサ
タイマ
LPTIM 1LPTIM 2IWDG
WWDG
SysTick タイマ
UCPD
RNG
AES
CRC
CEC

13

例：Flashメモリからの実行

メイン･レギュレータ（MR）

Cortex M0+

レンジ1（最大64MHz）
レンジ2（最大16MHz）
Flash
メモリ

SRAM
（36KB）

低消費電力レギュレータ（LPR）：最高 2MHz
Flashから
103µA/MHz @ 2MHz
（207µA）
SRAM から
79µA/MHz @ 2MHz
（159µA）

使用可能な
クロック
HSI16
HSE
LSI
LSE

アクティブセル

クロックオフセル

パワーダウンのセル

使用可能なペリフェラルとクロック

低消費電力 RUN モードでは、CPU にクロックが供給され、FLASH または SRAM からプログラムを実行することができ、さらに FLASH の電源を完全にオフにすることで電力を節約することができます。
システムクロックは 2 MHz に制限されています。メインレギュ
レータはオフに切り替えられ、デジタルブロックへの電源は低消費電力レギュレータによって供給されます。
低消費電力モードでは、すべてのペリフェラルをアクティブにすることができます。

13

RUNモードと低消費電力RUNモード

14

要求性能と消費電力の間の柔軟性

SYSCLK

HSI16

HSE

PLL

レンジ1

最大64MHz

16MHz

48MHz

128MHz
VCO max = 344MHz

レンジ2

最大16MHz

16MHz

16MHz

40MHz
VCO max = 128MHz

低消費電力RUN

最大2MHz

分周器つきで許可

分周器つきで
許可

電圧範囲

禁止

14

RUN モードの電圧スケーリングおよび低消費電力 RUN モー
ドでは、要求性能と消費電力の間で柔軟な選択が可能です。
RUN モードのレンジ 1 では、システムクロックは 64 MHz に制限され、内部／外部オシレータと PLL を使用できます。
RUN モードのレンジ 2 では、システムクロックは 16 MHz に制限され、内部／外部オシレータと PLL を使用できますが、
16 MHz に制限する必要があります。
低消費電力 RUN モードでは、システムクロックは 2 MHz に制限する必要があります。

14

RUNモードと低消費電力RUNモード

15• 各ペリフェラル･クロックをONまたはOFFに設定できる• リセット後、Flashインタフェース･クロックを除くすべてのペリフェラル･クロックはOFFである• RUNモードではSRAMクロックは常時ONである• SRAMから動作している場合（RUNまたは低消費電力 RUN）：• Flashメモリをパワーダウン･モードにすることができる（低消費電力RUNでのみ）• FlashインタフェースのクロックはOFFにすることができる• 割込みベクタをSRAMに再割り当てする必要がある

15

RUN モードと低消費電力 RUN モードでは、各ペリフェラルク
ロックを ON または OFF に設定できます。
デフォルトでは、Flash インタフェースクロックを除くすべてのペリフェラルクロックは OFF です。
RUN モードでは SRAM クロックは常時 ON です。
SRAM から動作している場合（RUN または低消費電力 RUNモード）、Flash メモリをソフトウェアでパワーダウンモードにすることができ、Flash クロックをスイッチオフできます。
Flash メモリは、スイッチオフされている間はアクセスできません。その結果として Cortex-M0+ ベクタテーブルオフセットレジ
スタを使用して、割込みベクタを SRAM に割り当てる必要が
あります。

15

RUNモードと低消費電力RUNモード

16• RUNモードでの消費電流は、いくつかのパラメータに依存：• 実行されたバイナリ･コード（プログラム自体 +コンパイラの影響）• メモリ内のプログラムの場所（実行コードのアドレスに応じる）• デバイスの設定（アプリケーションに応じる）• I/O ピンの読み込みとスイッチング･レート• 温度• FlashメモリまたはSRAMからの実行• Flashメモリから実行する場合：アクセラレータの設定（キャッシュ、プリフェッチ）
 プリフェッチ + キャッシュオンでエネルギー効率が向上• SRAMから実行する場合：
 Flashと比べてエネルギー効率が向上

16

RUN または低消費電力 RUN モードでの消費電流は、いくつかのパラメータに依存します。まず第一に、実行されるバイナ
リコード、つまりプログラム自体とコンパイラの影響です。次に、メモリ内のプログラムの場所、デバイスソフトウェアの設定、I/O
ピンの読み込みとスイッチングレート、および温度に依存します
また消費電流は、コードが Flash メモリから実行されるか、SRAM から実行されるかにも依存します。Flash プリフェッチと命令キャッシュが有効になっている場合、エネルギー効率が向上します。Flash メモリは VDD 電源ドメインに属し、SRAM は
Vcore 電源ドメインに属しているため、フラッシュから実行する方が SRAM からの実行よりも消費されます16

SLEEPモードと低消費電力SLEEPモード

17

すべてのペリフェラルを使用可能、ウェイクアップ時間は最短• コアは停止し、各ペリフェラル･クロックをゲートでオン／オフ可能• WFI （Wait for Interrupt）またはWFE （Wait for Event）を実行することにより移行• このモードに移行する2つのメカニズム：• Sleep Now：マイクロコントローラはWFI/WFE命令の実行直後にSLEEPモードに移行する• Sleep on Exit：マイクロコントローラは最も優先順位の低い割込みサービス･ルーチンの終了直後にSLEEPモードに移行する• SLEEPモードに移行する前にスタックがポップされず、次の割込みの発生時にスタックがプッシュされないので実行時間が短縮される• Cortex-M0+システム制御レジスタ [SLEEPONEXIT] により制御
17

SLEEP モードと低消費電力 SLEEP モードでは、すべてのペリフェラルを使用でき、ウェイクアップ時間は最短です。
これらのモードでは CPU は停止し、SLEEP／低消費電力
SLEEP モード中に、ソフトウェアで各ペリフェラルクロックをゲートでオン／オフするように設定できます。
これらのモードに移行するには、アセンブラ命令の WFI （Wait
for Interrupt）または WFE （Wait for Event）を実行します。低消費電力 RUN モードで実行された場合、デバイスは低消費
電力 SLEEP モードに移行します。
Cortex®-M0+ システム制御レジスタの SLEEPONEXIT ビットの設定に応じて、マイクロコントローラは、命令実行直後または最も優先順位の低い割込みサブルーチンの終了直後に
SLEEP モードに移行します。この最後の設定を選択した場合、低消費電力モードの終了時に、スタックをポップおよびプッシュする必要がなくなり、時間と消費電力を節約できます。ただし、スレッドモードが使用されなくなったため、Cortex®-M0+ ハンド
ラモードですべての計算を行う必要があります。
17

Batch Acquisition Mode （BAM）

18

通信ペリフェラルによるデータ転送を最適化したモード
他のデバイスは低消費電力で動作する

1. SLEEPモードでは、必要な通信ペリフェラル、
DMA、およびSRAMのみが、クロックが有効となるように設定される

STM32G0

睡眠中

Cortex M0+

2. Flashメモリはパワーダウン･モードになり、Flash
クロックはSLEEPモード中はゲートでオフされる
3. SLEEPモードまたは低消費電力SLEEPモードのどちらかに移行する
 低消費電力SLEEPモードでもI2Cクロックを16MHzに設定でき、1MHzの高速モードプラスをサポートできるU（S）ART/LPUART
クロックもHSI16に設定できる

SRAM（36 KB）
Flash
（128
KB）

センサ

DMA

センサ

I2C

センサ

I2C

アプリケーションプロセッサ

18

Batch Acquisition Mode はデータ転送に最適化されたモードです。
SLEEP モードでは、必要な通信ペリフェラル、DMA、およびSRAM のみが、クロックが有効となるように設定されます。
Flash メモリはパワーダウンモードになり、Flash メモリのクロッ
クは SLEEP モード中はゲートでオフされます。
その後、SLEEP モードまたは低消費電力 SLEEP モードのど
ちらかに移行できます。低消費電力 SLEEP モードでも I2C ク
ロックを 16 MHz に設定でき、1 MHz の高速モードプラスをサポートできます。USART クロックと LPUART クロックは、高速内部オシレータをベースにすることもできます。標準的なアプリ
ケーションは、センサハブです。

18

SLEEPモード：レンジ1
使用可能なペリフェラル
GPIO
DMA
BOR
PVD
USART
LP UART
I2C 1
I2C 2
SPI
ADC
DAC
COMP
温度センサ
タイマ
LPTIM 1LPTIM 2IWDG
WWDG
SysTick タイマ
UCPD
RNG
AES
CRC
CEC

19

例：FlashメモリON
睡眠中
メインレギュレータ（MR）

Cortex M0+

レンジ 1（最大 64 MHz）
レンジ 2（最大 16 MHz）
Flash メモリ

SRAM
（36 KB）

低消費電力レギュレータ（LPR）：最高 2 MHz

レンジ 1
25 µA/MHz @ 64 MHz（1.6 mA）
レンジ 2
25 µA/MHz @ 16 MHz（0.4 mA）

使用可能な
クロック
HSI16
HSE
LSI
LSE

アクティブセル

クロックオフセル

パワーダウンのセル

使用可能なペリフェラルとクロック

SLEEP モードでは、CPU クロックはオフとなります。
レンジ 1では、システムクロックは最大 64 MHzで、レンジ 2 では最大 16 MHzです。
デフォルトでは、SRAM クロックは有効です。これは、ソフト
ウェアによって SLEEP モード中にゲートでオフすることができます。
すべてのペリフェラルは、レンジ 1 でアクティブにすることができます。SLEEP モードの消費電流は、レンジ 1 の場合、Flash
メモリをオンにした状態で、25 µA/MHz（@ 64 MHz）です。

19

SLEEPモード：レンジ2
使用可能なペリフェラル
GPIO
DMA
BOR
PVD
USART
LP UART
I2C 1
I2C 2
SPI
ADC
DAC
COMP
温度センサ
タイマ
LPTIM 1LPTIM 2IWDG
WWDG
SysTick タイマ
UCPD
RNG
AES
CRC
CEC

20

例：FlashメモリON ただしプログラムや消去はできない
睡眠中
メインレギュレータ（MR）

Cortex M0+

レンジ 1（最大 64 MHz）
レンジ 2（最大 16 MHz）
Flash メモリ

SRAM
（36 KB）

低消費電力レギュレータ（LPR）：最高 2 MHz

レンジ 1
25 µA/MHz @ 64 MHz（1.6 mA）
レンジ 2
25 µA/MHz @ 16 MHz（0.4 mA）

使用可能な
クロック
HSI16
HSE
LSI
LSE

アクティブセル

クロックオフセル

パワーダウンのセル

使用可能なペリフェラルとクロック

レンジ 2 では、すべてのペリフェラルをアクティブにすることができますが、Flash メモリをプログラムまたは消去することはできません。
SLEEP モードの消費電流は、レンジ 2 の場合、Flash メモリをオンにした状態で、25 µA/MHz（@ 16 MHz）です。

20

低消費電力SLEEPモード
使用可能なペリフェラル
GPIO
DMA
BOR
PVD
USART
LP UART
I2C 1
I2C 2
SPI
ADC
DAC
COMP
温度センサ
タイマ
LPTIM 1LPTIM 2IWDG
WWDG
SysTick タイマ
UCPD
RNG
AES
CRC
CEC

21

例：Flashメモリ OFF
睡眠中
メイン･レギュレータ（MR）

Cortex M0+

レンジ 1（最大 64 MHz）
レンジ 2（最大 16 MHz）
Flash メモリ

SRAM
（36 KB）

低消費電力レギュレータ（LPR）：最高 2 MHz
Flash OFF、SRAM OFF
46.5 µA/MHz @ 2 MHz（93 µA）

使用可能な
クロック
HSI16
HSE
LSI
LSE

アクティブセル

クロックオフセル

パワーダウンのセル

使用可能なペリフェラルとクロック

低消費電力 SLEEP モードでは、CPU クロックはオフで、ロジックは低消費電力レギュレータによって供給されます。シス
テムクロックは最大 2 MHz です。
Flash メモリは、パワーダウンになるように設定できゲートでオフできます。SRAM もゲートオフすることができます。
すべてのペリフェラルをアクティブにすることができます。
低消費電力 SLEEP モードの消費電流は、Flash メモリを無効にした状態で、46.5 µA/MHz（@ 2 MHz）です。

21

STOPモード

22

完全データ保持の最小消費電力モード、16MHzへのウェイクアップ時間が5µs• SRAMおよびすべてのペリフェラル･レジスタが保持される• すべての高速クロックは停止する• Flashをスイッチオフできる• LSE （32.768kHz外部オシレータ）と LSI （32kHz内部オシレータ）は有効にできる• さまざまなペリフェラルをアクティブにすることができ、それらはSTOPモードからウェイクアップできる• ウェイクアップ時のシステム･クロックはHSI16（ウェイクアップ時間はRAM上では2µs、電力が供給されていないFlash上では5.5µs）• STOP1は、メイン･レギュレータがオフの状態ではSTOP 0と同等であるため、消費電力は小さくなるが、ウェイクアップ時間は長くなる
22

STM32G0 デバイスは、2 つの STOP モード（STOP 0 と
STOP 1）を備えています。これらは、完全データ保持であり、16 MHz の RUN モードへのウェイクアップ時間がわずか 2 µsの最小消費電力モードです。
STOP モードでは、SRAM およびすべてのペリフェラルレジス
タの内容が保持されます。
すべての高速クロックが停止します。
32.768 kHz 外部オシレータと 32 kHz 内部オシレータを有効にできます。
さまざまなペリフェラルをアクティブにすることができ、それらはSTOP モードからウェイクアップできます。
ウェイクアップ時のシステムクロックは、16 MHz の内部高速オシレータであり、RAM からのウェイクアップ時間はわずか 2 µs、FLASH からのウェイクアップ時間は 5 µs です。ウェイクアップ
時に SYSCLK に対する分周器の設定は保持されます。
STOP 1 は、メインレギュレータがオフに切り替えられた状態では、STOP 0 と同様です。
22

STOP0モード
97 µA @ 3.0 V

使用可能なペリフェラル
GPIO
DMA
BOR
PVD
USART
LP UART
I2C 1
I2C 2
SPI
ADC
DAC
COMP
温度センサ
タイマ
LPTIM 1LPTIM 2IWDG
WWDG
SysTick タイマ
UCPD
RNG
AES
CRC
CEC

I/O は保持され、設定可能

睡眠中

16MHzへのウェイクアップ時間：
 SRAM の場合： 2 µs
 Flash オンの場合：2 µs
 Flash オフの場合：5.5 µs

メインレギュレータ（MR）

Cortex M0+

レンジ 1（最大 64 MHz）
レンジ 2（最大 16 MHz）
Flash
メモリ

SRAM
（36 KB）

低消費電力レギュレータ（LPR）：最高 2 MHz
バックアップドメイン
バックアップレジスタ（5x32 ビット）
RTC およびタンパ

使用可能な
クロック
HSI16
HSE
LSI
LSE

23

アクティブセル

クロックオフセル

パワーダウンのセル

ウェイクアップイ
ベント
NRST
BOR
PVD
RTC + タンパ
USART
LP UART
I2C 1
CEC
COMP
LPTIM 1LPTIM 2
IWDG
GPIO

使用可能な
ペリフェラルとクロック

電圧レギュレータは、メインレギュレータモードに設定されます。
VCORE ドメインのすべてのクロックが停止し、PLL、HSI16、および HSE オシ
レータが無効になります。
内部または外部の低速オシレータからクロックが供給されている RTC は、アクティブなままにできます。
ブラウンアウトリセットは常に有効になります。ほとんどのペリフェラルクロックはゲートでオフされます。STOP 0 モードで機能するペリフェラルは次の通りです：
電源電圧検出器、デジタルアナログコンバータ、コンパレータ、独立型ウォッチ
ドッグ、低消費電力タイマ、I2C、UART、低消費電力UART。
すべての I/O からのイベントは、アクティブなペリフェラルによって生成された割込みと同様に、STOP 0 モードからウェイクアップできます。 I2C と UART、HDMI CEC または LPUART は、STOP モード中にウェイクアップ条件を認識するために HSI16 をオンにし、ウェイクアップフレームではない場合はフレーム受信後に HSI16 をオフにできます。この場合、HSI16 クロックはフレームをリク
エストしているペリフェラルに対してのみ伝達されます。
STOP 0 モードの消費電流（typical、@ 3V）は、HSI が無効の場合 97 µA、HSI が有効の場合 276 µA です。
SRAM または電源が供給されている Flash メモリでの実行を想定した場合、ウェイクアップ時間は 2 µs であり、ウェイクアップ時のシステムクロックは、16MHz の HSI です。
最初に電源が供給されていない Flash から実行する場合は 5.5 µsです。
Flash メモリと HSI16 は設定可能であり、停止または有効状態を維持できます。
23

STOP1モード
電源が供給されていない Flash メモリ： RTC なし：1.3 µA @ 3.0 V
 RTC あり：4.1 µA @ 3.0 V電源が供給されている Flash メモリ： RTC なし：7.0 µA @ 3.0 V

使用可能なペリフェラル
GPIO
DMA
BOR
PVD
USART
LP UART
I2C 1
I2C 2
SPI
ADC
DAC
COMP
温度センサ
タイマ
LPTIM 1LPTIM 2IWDG
WWDG
SysTick タイマ
UCPD
RNG
AES
CRC
CEC

I/O は保持され、設定可能

睡眠中

16 MHz へのウェイクアップ時間：
 SRAM の場合： 5µs
 Flash オンの場合：5µs
 Flash オフの場合：9µs

メインレギュレータ（MR）

Cortex M0+

Flash メモリ

SRAM
（36 KB）

ウェイクアップイ
ベント
NRST
低消費電力レギュレータ（LPR）：最高 2 MHz
バックアップドメイン
バックアップレジスタ（5x32 ビット）
RTC およびタンパ

使用可能な
クロック
HSI16
HSE
LSI
LSE

24

アクティブセル

クロックオフセル

パワーダウンのセル

BOR
PVD
RTC + タンパ
USART
LP UART
I2C 1
CEC
COMP
LPTIM 1LPTIM 2
IWDG
GPIO

使用可能な
ペリフェラルとクロック

STOP 1 モードは STOP 0 と非常に似ていますが、メインレ
ギュレータが停止し、低消費電力レギュレータに置き換えられるため、電力値がはるかに低くなります。
RTC 未使用時の STOP 1 モードの消費電流は、Flash に電源が供給されておらず RTC が無効になっている場合、1.3 µA（typical、@ 3V）です。
ウェイクアップ時のシステムクロックが HSI 16MHz で、レギュ
レータのレンジが 1 または 2 の場合、ウェイクアップ時間は 5µs です。
Flash メモリと HSI16 は設定可能であり、停止または有効状態を維持できます。

24

STOPモードの比較
STOP0
消費電流
16 MHz へのウェイクアップ時間

STOP1
25 ℃、3 V

97 µA

RTC が無効の場合は 1.3 µA

5.5 µs（最初にパワーダウンされている Flash メ
モリ）
RAM 上で 2 µs

9 µs（最初にパワーダウンされている Flash メモリ）
RAM 上で 5 µs

16 MHz の HSI16

ウェイクアップクロック
レギュレータ25

メインレギュレータ

低消費電力レギュレータ

RTC、I/O、BOR、PVD、COMP、IWDG

ペリフェラル2 LP TIMER
1 LP UART （開始、アドレス一致またはバイト受信）2 U（S）ARTx （開始、アドレス一致またはバイト受信）1 I2C （アドレス一致）

STOP モードを比較した場合：
STOP 0 モードは STOP 1 モードより消費電流は大きくなりま
すが、ウェイクアップ時間は短く、アクティブなペリフェラルの数は多くなります。
STOP 0 モードでは、メインレギュレータが有効になり、RAMから再起動する際に 2 µs という非常に短いウェイクアップ時間が実現されますが、STOP 1 よりも消費電流が高くなります。
I2C アドレス認識は、両方の STOP モードで機能し、アドレス
一致時にウェイクアップイベントを生成できます。
UART および LPUART バイト受信は、両方の STOP モードで機能し、開始検出、バイト受信、またはアドレス一致時にウェイ
クアップイベントを生成できます。
内部または外部の低速オシレータからクロックが供給されている場合または外部ピンからクロックが供給されている場合、低消費電力タイマはマイクロコントローラをそのすべてのイベント
でウェイクアップできます。

25

STANDBYモード

26

SRAMの保持、VBATへの切り替え、およびI/O制御が行われる最小消費電力モード• デフォルトの場合：SRAMもレジスタも保持されない（パワーダウン時の電圧レギュレータ）• 20 バイトのバックアップレジスタは常に保持される• SRAM全体（36KB）の保持が可能• 超低消費電力（Ultra Low Power：ULP） BORを設定可能：VDDの傾きに関わらず安全にリセット、ULP
モードによりグリッチのないアプリケーションの消費電力を低減• 各 I/Oはプルアップまたはプルダウンに設定可能• PWR_CR3レジスタでAPCが設定されている場合、PWR_PUCRx/PWR_PDCRx レジスタ（x = A、B、...、F）が適用される• 外部コンポーネントの入力状態を制御可能• 5 本のウェイクアップ･ピン：各ウェイクアップ･ピンの極性を設定可能• ウェイクアップ･クロックは、16MHzのHSI16

STANDBY モードは、SRAM の 36 KB を保持でき、VDD から
VBAT への自動切り替えをサポートし、独立したプルアップ／
プルダウン回路で I/O レベルを設定できる、最小消費電力
モードです。
デフォルトで電圧レギュレータはパワーダウンモードであり、SRAM の内容とペリフェラルレジスタは失われます。20 バイト
バックアップレジスタは常に保持されます。
超低消費電力のブラウンアウトリセット（BOR）は、STANDBY
モードで使用できます。パワーダウンリセットは常時 ON であり、VDD の傾きに関係ない安全なリセットを保証します。
各 I/O は、プルアップまたはプルダウンのあり／なしを設定でき、この設定は APC 制御ビットによって適用および解除されます。これにより、STANDBY モード中でも外部コンポーネントの入力状態を制御できます。
5 本のウェイクアップピンが使用可能で、デバイスを
STANDBY モードからウェイクアップできます。5 本のウェイク
アップピンそれぞれの極性を設定可能です。
ウェイクアップクロックは周波数 16 MHz の HSI です。
26

SRAMを使用したSTANDBYモード
使用可能なペリフェラル
GPIO
DMA
BOR
PVD
USART
LP UART
I2C 1
I2C 2
SPI
ADC
DAC
COMP
温度センサ
タイマ
LPTIM 1LPTIM 2IWDG
WWDG
SysTick タイマ
UCPD
RNG
AES
CRC
CEC

RTC なし：330 nA @ 3.0 V
RTC あり：680 nA @ 3.0 V

I/O を設定可能
プルアップのあり／なし
プルダウンのあり／なし

16 MHz へのウェイクアップ時間：
Flash メモリの場合：15µs

メインレギュレータ（MR）

Cortex M0+

Flash メモリ

SRAM
（36 KB）

ウェイクアップイ
ベント
NRST
低消費電力レギュレータ（LPR）：最高 2 MHz
バックアップドメイン
バックアップレジスタ（5x32 ビット）
RTC およびタンパ

使用可能な
クロック
HSI16
HSE
LSI
LSE

27

アクティブセル

クロックオフセル

パワーダウンのセル

BOR
PVD
RTC + タンパ
USART
LP UART
I2C 1
CEC
COMP
LPTIM 1LPTIM 2IWDG
GPIO
（WKUP ピン）使用可能な
ペリフェラルとクロック

SRAM を使用した STANDBY モードでは、メインレギュレータ
がパワーダウンし、低消費電力レギュレータは内容を保持するために SRAM に電源を供給します。
内部または外部の低速オシレータからクロックが供給されている RTC は、アクティブなままにできます。
ブラウンアウトリセットは常に有効にできます。独立型ウォッチ
ドッグは、STANDBY モードでも有効にできます。
リセット、ブラウンアウトまたはパワーダウンリセット、RTC とタ
ンパ検出、独立型ウォッチドッグ、および 5 本のウェイクアップ
ピンに対するイベントが発生すると、マイクロコントローラは
STANDBY モードを終了させることができます。
RTC 未使用時における SRAM を使用した STANDBY モードの消費電流は約 330 nA（typical、@ 3V）です。ウェイクアップ
時間は約 15 µs です。

27

SRAMを使用しないSTANDBYモード
使用可能なペリフェラル
GPIO
DMA
BOR
PVD
USART
LP UART
I2C 1
I2C 2
SPI
ADC
DAC
COMP
温度センサ
タイマ
LPTIM 1LPTIM 2IWDG
WWDG
SysTick タイマ
UCPD
RNG
AES
CRC
CEC

RTC なし：130 nA @ 3.0 V
RTC あり：480 nA @ 3.0 V

I/O を設定可能
プルアップのあり／なし
プルダウンのあり／なし

16 MHz へのウェイクアップ時間：
Flash メモリの場合：15µs

メインレギュレータ（MR）

Cortex M0+

Flash メモリ

SRAM
（36 KB）

ウェイクアップイ
ベント
NRST
低消費電力レギュレータ（LPR）：最高 2 MHz
バックアップドメイン
バックアップレジスタ（5x32 ビット）
RTC およびタンパ

使用可能な
クロック
HSI16
HSE
LSI
LSE

28

アクティブセル

クロックオフセル

パワーダウンのセル

BOR
PVD
RTC + タンパ
USART
LP UART
I2C 1
CEC
COMP
LPTIM 1LPTIM 2IWDG
GPIO
（WKUP ピン）使用可能な
ペリフェラルとクロック

SRAM 保持なしの STANDBY モードでは、メインと低消費電力の両方のレギュレータがパワーダウンされます。
ウェイクアップイベントと使用可能なペリフェラルおよびウェイク
アップソースは、SRAM を使用した STANDBY モードの場合と
同じです。

28

SHUTDOWNモード

2940nAの最小消費電力モード• 次の点を除いてSTANDBYモードと同様：• 電力監視なし：BORとPDRなし、VBATへの切り替えなし• 電源が1.6Vを下回った場合、製品の状態は保証されない• LSIなし、IWDG なし（LSE でクロック･セキュリティ･チェックを行わない）• SHUTDOWNモード終了時にPORリセットを生成• バックアップ･ドメインを除くすべてのレジスタがリセットされる• パッド上でリセットを生成• 20バイト･バックアップ･レジスタを保持• ウェイクアップ･ソース：5本のウェイクアップピン、RTC• ウェイクアップ･クロックは16MHzのHSI

SHUTDOWN モードは、3.0 V でわずか 40 nA で動作する、
STM32G0 の最小消費電力モードです。
STANDBY モードに似ていますが、電力監視は行われず、パワーダウンリセットは無効であり、VBAT への切り替えはサポートされていません。したがって、電源が 1.6 V を下回った
場合、製品の状態は保証されません。
LSI は使用できず、その結果として独立型ウォッチドッグも使用できません。
デバイスが SHUTDOWN モードを終了すると、電源リセットが生成されます。バックアップドメインのレジスタを除くすべてのレ
ジスタがリセットされ、パッド上でリセット信号が生成されます。
SHUTDOWN モードでは、20 バイトバックアップレジスタは保持されます。
ウェイクアップソースは、5 本のウェイクアップピンと RTC イベ
ント（タンパを含む）です。
SHUTDOWN モード終了時のウェイクアップクロックは、16MHz の HSI です。
29

SHUTDOWNモード

30

使用可能なペリフェラル
GPIO
DMA
BOR
PVD
USART
LP UART
I2C 1
I2C 2
SPI
ADC
DAC
COMP
温度センサ
タイマ
LPTIM 1LPTIM 2IWDG
WWDG
SysTick タイマ
UCPD
RNG
AES
CRC
CEC

I/O を設定可能
RTCなし： 40nA @ 3.0V
プルアップのあり／なし
RTCあり：350nA @ 3.0V
プルダウンのあり／なし
ただし、SHUTDOWN を終了するとフローティングが発生

メインレギュレータ（MR）

Cortex M0+

Flash メモリ

16MHz へのウェイクアップ時間：
Flashメモリの場合：250µs

SRAM（36 KB）

ウェイクアップイ
ベント
NRST
低消費電力レギュレータ（LPR）：最高 2 MHz
バックアップドメイン
バックアップレジスタ（5x32 ビット）
RTC およびタンパ

使用可能な
クロック
HSI16
HSE
LSI
LSE

アクティブセル

クロックオフセル

パワーダウンのセル

BOR
PVD
RTC + タンパ
USART
LP UART
I2C 1
CEC
COMP
LPTIM 1LPTIM 2IWDG
GPIO
（WKUP ピン）使用可能な
ペリフェラルとクロック

SHUTDOWN モードでは、メインレギュレータおよび低消費電
力レギュレータがパワーダウンされます。
外部の低速オシレータからクロックが供給されている RTC は、
アクティブなままにできます。
ブラウンアウトリセットは無効になります。外部の低速クロックのみを有効にできます。
ウェイクアップイベントは、RTC とタンパのイベント、リセット、および 5 本のウェイクアップピンです。
RTC 未使用時における SHUTDOWN モードの消費電力は約40 nA（typical、@ 3V）です。ウェイクアップ時間は約 250 µs
です。

30低消費電力モードの概要
モード

レギュレータMR レンジ 1

RUN

MR レンジ 2

LPRun

LPR
MR レンジ 1

SLEEP

MR レンジ 2

LPSleep

LPR

STOP 0MR

STOP 1

LPR

STANDBY

LPR

CPU

Flash

可能

オン（1）

オフ

クロック

ペリフェラルウェイクアップ時間

すべて

オン

任意

可能

オン（1）

オン

任意
PLL を除く

すべて

不可

オン（1）

オン（2）

任意

すべて
任意の割込みまたはイベント

11 サイクル

不可

オン（1）

オン（2）

任意
PLL を除く

すべて
任意の割込みまたはイベント

11 サイクル

すべて

N/A

2 µs RAM5.5 µs Flash メモリ

不可

オフ

オン

LSE/LSI

リセットピン、すべての I/O
BOR、PVD、RTC、IWDG、COMP、
DAC、USARTx、LPUART、I2C、
LPTIMx、UCPD、CEC

ダウン

オフ

SRAM オン

LSE/LSI

リセットピン、5 本の WKUPx ピン
BOR、RTC、IWDG

14 µs

LSE

リセットピン、5 本の WKUPx ピン
RTC

258 µsオフ
SHUTDO
WN

SRAM

ダウン
ダウン

オフ

ダウン

31

5 µs RAM
9 µs Flash メモリ

1. パワーダウンにすることができ、クロックをゲートでオフすることができる
2. SRAM

ここでは、STM32G0 のすべての電源モードの概要を示します。
PLL の最小出力は 3.09 MHz であるため、最大周波数が 2MHz の LPRUN モードでは使用できません。

31

低消費電力モードの遷移

32

LPSleep

STOP 0LPRun

SHUTDOWN

STOP 1RUN

STANDBY

リセット

SLEEP

RUN モードから、低消費電力 SLEEP モード以外のすべての低消費電力モードにアクセスすることが可能です。低消費電力
SLEEP モードに入るためには、まず低消費電力 RUN モードに移行し、レギュレータが低消費電力レギュレータである間にWait for Interrupt 命令または Wait for Event 命令を実行する必要があります。
一方で、低消費電力 SLEEP モードを終了すると、STM32G0
は低消費電力 RUN モードになります。
デバイスが低消費電力 RUN モードの場合、SLEEP モードとSTOP 0 モードを除くすべての低消費電力モードに移行できます。STOP 0 モードには、RUN モードからのみ移行できます。
デバイスが低消費電力 RUN モードから STOP 1 モードに移行すると、低消費電力 RUN モードは終了します。
デバイスが STANDBY または SHUTDOWN に移行すると、RUN モードは終了します。

32

VBATバックアップドメイン

33

VDDが失われても、RTCは動作を継続し、バックアップ･レジスタは保持• バックアップ･ドメインに含まれるもの：• 32.768kHz LSEオシレータからクロックを供給されている RTC、2本のタンパピンを含む• 20バイトのバックアップレジスタ• RCC_BDCR を通じてリセット• VDDのパワーダウンとパワーオンに応じてVBATとVDD を内部的に自動切り替え• ADCへの内部接続による電圧モニタリング（VBAT/3）• VBATバッテリ充電

バックアップドメインでは、VDD 供給がダウンしても、VBAT ピンに接続されているバックアップバッテリによって、RTC の機能を維持し、バックアップレジスタを保持することができます。
バックアップドメインには、32.768 kHz の低速外部オシレータ
からクロックを供給されている RTC が含まれています。
VBAT モードでは 2 本のタンパピンが動作しており、侵入を検出した際は、同じく VBAT ドメインに含まれている 20 バイトのバックアップレジスタを消去します。
バックアップドメインには、RTC クロック制御ロジックも含まれています。
VDD が一定の閾値を下回ると、バックアップドメインの電源は自動的に VBAT に切り替わります。VDD が正常に復帰すると、
バックアップドメインの電源は自動的に VDD に切り替わります。
バックアップバッテリレベルを監視するために、VBAT 電圧は
内部的に ADC 入力チャネルに接続されています。
VDD が存在する場合、VBAT に接続されているバッテリを
VDD 供給によって充電できます。
33

VBATバックアップ･ドメイン

34• VBATバッテリ充電：VDD が存在する場合に内部抵抗を通じてVBATのスーパー
キャパシタを充電できる
バックアップドメイン

VDD

VBAT

1.5 kΩ

VDD ドメイン

PWR_CR4[VBE]
PWR_CR4[VBRS]

5 kΩ

バッテリ充電VDD に電源が供給されていれば、バッテリ充電機能により、内部抵抗を通じ、VBAT ピンに接続したスーパーキャパシタを充電できます。
充電は、ソフトウェアにより有効化され、ソフトウェアで選択された 5kΩ または 1.5kΩ の抵抗を通じて行われます。
バッテリ充電は、VBAT モードでは自動的に無効化されます。
PWR_CR4[VBE] はバッテリ充電を有効化します。
PWR_CR4[VBRS] は抵抗値を選択します。
起動フェーズ中、VDD が tRSTTEMPO 未満に規定値に達し、かつ VDD > VBAT + 0.6 V である場合、電流は VBAT まで
VDD と電源スイッチ（VBAT）の間に接続された内部ダイオード
を通して注入されます。
VBAT ピンに接続された電源／バッテリがこの電流注入に対応できない場合は、この電源と VBAT ピンの間に外部低電圧
降下ダイオードを接続することを強く推奨します。

34

VBATモード
使用可能なペリフェラル
GPIO
DMA
BOR
PVD
USART
LP UART
I2C 1
I2C 2
SPI
ADC
DAC
COMP
温度センサ
タイマ
LPTIM 1LPTIM 2IWDG
WWDG
SysTick タイマ
UCPD
RNG
AES
CRC
CEC

35

RTCなし： 20 nA @ 3.0 V
RTCあり： 450 nA@ 3.0 V

メインレギュレータ（MR）

Cortex M0+

Flash メモリ

SRAM
（36 KB）

低消費電力レギュレータ（LPR）：最高 2 MHz
バックアップドメイン
バックアップレジスタ（5x32 ビット）
RTC およびタンパ

使用可能な
クロック
HSI16
HSE
LSI
LSE

アクティブセル

クロックオフセル

パワーダウンのセル

使用可能なペリフェラルとクロック

VBAT モードでは、メインレギュレータおよび低消費電力レギュ
レータがパワーダウンされます。
外部の低速オシレータからクロックが供給されている RTC お
よびタンパは、アクティブなままにできます。
外部の低速クロックのみを有効にできます。
電源が入っているブロックは RTC とタンパを含むバックアップ
ドメインのみであり、VDD 電源が供給されると通常の実行に戻ります。
RTC 使用時の VBAT の消費電流は約 450 nA（typical、@3V）です。

35

オプション･バイト

36• Flash のオプション･バイトの3つのオプション･ビットを設定して、特定の低消費電力モードを禁止できる：• nRST_SHDWN：クリアされている場合、SHUTDOWNモードに移行する際にリセットが生成される• nRST_STDBY：クリアされている場合、STANDBYモードに移行する際にリセットが生成される• nRST_STOP：クリアされている場合、STOPモードに移行する際にリセットが生成されるFlash のオプションバイトの 3 つのビットを使用して、特定の低消費電力モードを禁止できます。
クリアされている場合、関連する低消費電力モードに移行する
代わりにリセットが生成されます。

36

デバッグ情報37• SLEEPモードでは、DBG接続は失われない• DBGMCU_CRレジスタの次の2ビットを使用して、STOPモード、STANDBY
モード、およびSHUTDOWNモード中もデバッグを実行できる：• DBG_STANDBY：セットされている場合、STANDBYおよびSHUTDOWNモードではデジタル
部は電源オフにならず、HCLKとFCLKはオンに維持され、内部RCから供給される• さらに、STANDBY/SHUTDOWN中はマイクロコントローラがシステム･リセット状態になる• DBG_STOP：セットされている場合、HCLKとFCLKはSTOPモードでもオンに維持され、内部RC から供給される• これらのビットがセットされている場合、低消費電力モード中もデバッガとの接続は維持される• ウェイクアップ後もデバッグは可能である

マイクロコントローラは、ユーザが低消費電力モードでソフト
ウェアをデバッグするための特殊な手段を備えています。
STOP、STANDBY、および SHUTDOWN の各モードでデバッグするために、デバッグ制御レジスタに 2 つのビットが用意されています。
該当ビットがセットされている場合、STANDBY モードとSHUTDOWN モードでレギュレータが維持され、HCLK とFCLK の両クロックは内部 RC オシレータから供給されます。
これにより、低消費電力モード中もデバッガとの接続は維持され、ウェイクアップ後にデバッグが続行されます。
低消費電力モードでは消費電力が増加するので、マイクロコン
トローラがデバッグ中ではない場合は忘れずにこれらのビットをクリアしてください。

37

関連ペリフェラル

38• ペリフェラルの電源モードとの依存関係の詳細については、次のペリフェラ
ルトレーニングのリストを参照• リセットおよびクロック制御（RCC）• 割込み（NVIC、EXTI）• デジタル･アナログ･コンバータ（DAC）• コンパレータ（COMP）• 低消費電力タイマ（LPTIM）• 独立型ウォッチドッグ（IWDG）• リアルタイム･クロック（RTC）• I2C （Inter-integrated circuit）インタフェース• USART（Universal synchronous asynchronous receiver transmitter）• 低消費電力ユニバーサル非同期レシーバ･トランスミッタ（LPUART）• USB PORT C Power Delivery（UCPD）• HDMI-CECコントローラ（HDMI-CEC）

このトレーニングに加えて、リセットおよびクロック制御と割込
みのトレーニング、さらには STOP からのウェイクアップ機能を備えるすべてのペリフェラルのトレーニングも参照可能です。

38