２０２３ 第３３回 ＲＣＪ信頼性シンポジウム（“EOS/ESD/EMCシンポジウム”、“電⼦デバイス・電⼦部品の信頼性シンポジウム”）
⽇時︓ ２０２３年１１⽉９⽇（⽊）〜１１⽉１０⽇（⾦）⽇時

11⽉9⽇（⽊）
EOS/ESD/EMC
シンポジウム
機能安全セミナー
優秀論⽂等表彰式
４階コンベンションホール
Ａ会場
Ｂ会場(9:45〜10:00)「開会挨拶」(10:00〜11:40)「イオナイザー,静電気対策」
2件「イミュニティ」 2件

項⽬
会場

午前

午後 前半

（11:40〜12:00）
優秀論⽂等表彰式（12:00〜13:00）
休憩（13:00〜15:00）「招待講演」 ２件

午後 後半（15:00〜15:15）
休憩（15:15〜17:30）「招待講演」 1 件「測定・システムレベル」
3件

昼

夜
展⽰会

（13:15〜14:45）
機能安全セミナー（1）（14:45〜15:00）
休憩（15:00〜17:15）
機能安全セミナー（2）機能安全セミナー（3）（17:40〜19:00）
情報交換会 (軽⾷・ドリンク付き)
4 階コンベンションホール ロビー（ホワイエ）（10:00〜17:00）（2階⼩展⽰ホール）
ESD関連装置の展⽰及びESD対策技術ワークショップ

開催場所︓⼤⽥区産業プラザ

11⽉10⽇（⾦）
電⼦デバイス・電⼦部品のEOS/ESD/EMC
信頼性シンポジウム
シンポジウム
信頼性セミナー４階コンベンションホール
Ａ会場
Ｂ会場(9:30〜10:30)（10:30〜11:30）「モデリング技術」 セミナー 「故障解析、積層セラミック（10:30〜10:45）
コンデンサ信頼性」
休憩2件（10:45〜12:00）「基板・モジュールの静電気対策」セミナー(1)（12:00〜13:00）（11:30〜13:00）
休憩
休憩（13:00〜14:30）（13:00〜17:15）「基板・モジュールの静電気「信頼性セミナー」
対策」セミナー(2)（14:30〜14:45） -SiCパワー半導体の信頼性
及び先端LSIのNBTIと休憩
配線信頼性（14:45〜16:15）「基板・モジュールの静電気対策」セミナー(3)（16:15〜16:30）
休憩（16:30〜17:00）「パネルディスカッション」（10:00〜17:00）（2階⼩展⽰ホール）
ESD関連装置の展⽰及びESD対策技術ワークショップ

主催 ⼀般財団法⼈ ⽇本電⼦部品信頼性センター
協
賛 ⼀般社団法⼈ 電⼦情報技術産業協会 ⼀般社団法⼈ ⽇本電機⼯業会(順不同) ⼀般社団法⼈ ⽇本電気計測器⼯業会 ⼀般財団法⼈ ⽇本規格協会
⼀般社団法⼈ ⽇本電⼦回路⼯業会
⼀般財団法⼈ 光産業技術振興協会
⽇本信頼性学会

⼀般社団法⼈ 電⼦情報通信学会
⼀般社団法⼈ 電気学会
⼀般財団法⼈ ⽇本科学技術連盟 ⼀般財団法⼈ 静電気学会
公益社団法⼈ ⽇本磁気学会
⼀般財団法⼈ 光産業技術振興協会
IDEMA JAPANシ ン ポ ジ ウ ムの概要
RCJ信頼性シンポジウムは、電⼦部品、電⼦デバイス、電⼦機器等の設計・開発技術者、信頼性技術者、⽣産技術者を対象に、信頼性及びESDという共通のテーマで論⽂発表・討論しあい、より進歩した信頼性向上技術、ESD障害対策技術等の分野での発展に寄与することを狙いとしています。本シンポジウムは、静電気関連問題を中⼼に扱う”EOS/ESD/EMCシンポジウム”、及び電⼦デバイス・電⼦部品の信頼性問題を中⼼に扱う”電⼦デバイス・電⼦部品の信頼性シンポジウム”からなっており、今年で33回⽬を迎えました。
コロナの影響が収まったことから、EOS/ESD/EMC関係では、海外招待者をお招きすることができました。その他従来からのテーマである” ESD対策、システム・デバイス試験、イミュニティ”に関する各セッションがあり、また「基板・モジュールの静電気対策」セミナーを開催します。
電⼦デバイス関係では、2件の⼀般講演があり、RCJが運営してる委員会メンバーによる「機能安全セミナー」と「信頼性セミナー（SiCパワー
半導体と最新LSIの信頼性）」を開催します。
また、同会場２階の⼩展⽰場では、静電気（ESD）対策⽤資材、計測・評価試験装置及び故障解析技術サービス等をテーマとした“信頼性・ESD対策技術展⽰会”及びESD対策技術ワークショップを同時開催します。
⽇頃、この⽅⾯でご活躍の皆様の多数のご参加をお待ちしております。

（2023.10.30）
本内容は今後変更になる可能性があります。RCJ ホームページ（http://www.rcj.or.jp）で随時ご確認願います。
- 1 -第33回 EOS/ESD/EMCシンポジウム プログラム
開催⽇︓ ２０２３年１１⽉９⽇（⽊） 9︓45〜１７︓3０
会 場︓ ４階コンベンションホール（A会場）（9:45~9:50） 「開会の挨拶」（⼀財）⽇本電⼦部品信頼性センター（9:50~10:00） 「今年度のEOS/ESD/EMCシンポジウムについて」

鈴⽊ 輝夫（(株) ソシオネクスト）

セッション名︓「イオナイザー、静電気対策」
司会︓⼩⼭ 明（ソニーセミコンダクタソリューションズ(株)）（10:00~10:25） 33E-01 「交流コロナ放電⽅式バー型イオナイザの誘導電圧抑制と除電能⼒向上の検討」
⼭⼝ 晋⼀＊，中⽥江⾥⼦＊＊，⾼橋 克幸＊＊，⾼⽊ 浩⼀＊＊，永⽥ 秀海＊，
榎本 洋介＊，松本 頼興＊＊＊，松本 亘弘＊＊＊（シシド静電気＊，岩⼿⼤学理⼯＊＊，松本技研＊＊＊）コロナ放電式除電装置（イオナイザ）は，静電気対策に広く⽤いられている．⼀般的に、求められる性能は、除電速度やイオンバランスである．近年，電⼦デバイスの静電気放電耐性の低下に伴い，交流（AC）型イオ
ナイザの⾼電圧部からの交流電界に起因する，誘導電位を低く抑える事が新たな要求事項と成る事が想定されている．
本稿では，交流（AC）型イオナイザに顕著にみられる，放電電極から放出される交流電界の影響で⽣じる
誘導帯電現象を、静電気拡散性領域材料（表⾯抵抗値︓4乗〜11乗 Ω）で構成されたグリッドを放電電極近傍に設置し，誘導電圧の緩和と，除電速度への影響についてその効果を観測した．

（10:25~10:50） 33E-02 「深層学習を⽤いた純⽔スプレー時に発⽣する静電気量の推測⼿法の確⽴」
清家 善之（愛知⼯業⼤学）
純⽔をスプレーする洗浄の際に⽣じる静電気障害は、ノズルから噴射する純⽔の液滴の挙動に⼤きく起因する。
本報告では⾼圧スプレーのノズル直近の噴霧波形を⾼速度ビデオカメラで撮影し、⾶⾏液滴の特徴と発⽣する静電気の関係を⾒極めるとともに深層学習を⽤いて噴射圧⼒を予知する⼿法を確⽴した。

セッション名︓ 「イミュニティ」

司会︓ ⽯塚 裕康（FDD株式会社）（10:50~11:15） 33E-03 「誘導ESDによる過渡電磁界の特徴」
本⽥ 昌實（(株)インパルス物理研究所）
誘導ESDによって⽣じる過渡電磁界の特性を時間領域と周波数領域の両⾯から解析し、これによる回路誤動作を実証する。

（11:15~11:40） 33E-04 「超⾼感度紫外線カメラを⽤いた放電エネルギー解析」
⼤津 孝佳、⼤畑 怜央、位⽥ 直弥（沼津⼯業⾼等専⾨学校）
Society5.0社会では情報機器の⾼性能化と共に、⾼信頼性化が求められる。そこで、電⼦機器の静電気耐⼒や放電現象の観察は、原因発⾒と対策技術の効果の確認の上で重要である。
本研究では電⼦機器の誤動作や、⽔素社会においての⽕災、爆発事故の防⽌に役⽴てることを⽬的とし、⼈の⽬では直接観測することができない低レベルの放電エネルギーを、超⾼感度UVセンサを⽤いた放電可視化カメラ(Blue Vision製C2950)を⽤いて観測した。その結果、針-平板DC放電に於いて下記の結果を得た。
①正針コロナ放電において、およそ0.0008pwを超えるとコロナ雑⾳が聞こえ、可視光で放電観測できるようになり、放電エネルギーが急激に⾼くなる。
②負針コロナ放電において、およそ0.0017pwを超えると可視光でも観測できることが分かった。

挨拶

第32回ＲＣＪ信頼性シンポジウム優秀論⽂賞等表彰式 （11:40~12:00）
⽊村 忠正 （電気通信⼤学名誉教授 ＲＣＪ信頼性シンポジウム運営委員⻑）⽊村 忠正 （電気通信⼤学名誉教授 ＲＣＪ信頼性シンポジウム運営委員⻑）＜優秀論⽂賞＞「⾼速ＩF向け信号端⼦におけるT-coilによるESDへの影響」
加納 英樹、鈴⽊ 輝夫（(株) ソシオネクスト）
休憩（12:00~13:00）- 2 -セッション名︓ 招待講演-1（13:00~13:30）

司会︓奥島 基嗣 （ルネサスエレクトロニクス(株)）2022 RCJ EOS/ESD/EMCシンポジウム優秀論⽂「⾼速ＩF向け信号端⼦におけるT-coilによるESDへの影響」
加納 英樹、鈴⽊ 輝夫（(株) ソシオネクスト）

招待-1

T-coil回路は、ESD保護回路の寄⽣容量の影響を低減できるが、相互誘導で⽣じた電圧(相互誘電起電⼒)により内部回路破壊が発⽣した報告がある。今回、CMOS最先端テクノロジーにて作成したTEGを⽤いて実測およびシミュレーションにて調査を⾏った。
VF-TLP測定は、CDM測定よりも悲観的になる理由を説明する。

セッション名︓ 招待講演-2（13:30~15:00）

司会︓鈴⽊ 輝夫 （(株)ソシオネクスト）

招待-2 「ESD in advanced IC bonding technologies」
Marko Simicic, Shane Lin, Nicolas Pantano, Frank Gijbels,
Serena Iacovo, Shih-Hung Chen, Geert Van der Plas, Gerald Bayer,
Eric Beyne（IMEC）
The next stage of integrated circuit technology scaling is counting on advanced bonding
technology. Transistor scaling is becoming more and more challenging. Bonding multiple chips
together into a single system with extremely short interconnects promises to continue Mooreʼs
law regardless of the transistor scaling slowing down. "Chiplets", "2.5D bonding", "3D bonding","chip-on-wafer", "wafer-on-wafer" and "heterogeneous integration" are some of the terms
associated with advanced bonding. Next to the promises of improved performance andcontinued scaling, advanced bonding also raises concerns of ESD. This talk will investigate ESD
in advanced bonding technologies from three points of view: ESD protection, ESD testing and
ESD prevention.

休憩（15:00~15:15）
セッション名︓ 招待講演-3（15:15~16:15）

司会︓澤⽥ 真典（阪和電⼦⼯業(株)）招待-3 「直接放電試験の信頼性向上のためのTLP-HMM適⽤事例・課題とその改善検討」
⽮野 佑典（名古屋⼯業⼤学 ⼤学院⼯学研究科）
IEC 62228-5やOPEN Allianceといった国際標準規格では、⾞載Ethernet機器やデバイスに対してESDガンを⽤いた直接放電試験が要求されているが、その試験⽅法にはいくつかの課題がある。
本発表では、ESDガンの再現性の問題により試験の信頼性が損なわれるという課題に着⽬し、これを解決するために実施したTLP-HMM(Transmission Line Pulser-Human Metal Model)を⽤いた評価結果を紹介する。また、⼀連の評価で得られたTLP-HMM活⽤のための技術課題と、その改善のための⼀検討を紹介する。

セッション名︓ 「測定・システムレベル」（16:15~16:40）

司会︓ 若井 伸之（東芝デバイス&ストレージ（株））、
佐⼟原 秀樹（東京電⼦交易(株)）33E-05 「⾃動CBE試験装置による放電波形解析」*澤⽥ 真典、**福⽥ 保裕、*三浦 秀明、*坂下 雄⼤（*阪和電⼦⼯業株式会社 ** ESD コンサルタント）
近年、半導体をアッセンブリしたボードやモジュールにおける、静電気による破壊現象が多くなってきている。
しかしながら、ボードやモジュール毎に、印加されるストレスの⼤きさや、破壊現象が異なっている。
前回、CDM規格であるJS-002をベースとしたCBE装置を使⽤し、測定対象物であるモジュールの基板サイズ
や基板上のGNDパターンのサイズなど各種パラメータを変更し、放電波形について取得および解析を⾏った結果を報告した。
今回は、放電波形についてさらに検証を⾏うため、シミュレーションによる再現を試みた。

（16:40~17:05）

33E-06 「帯電ケーブルの放電モデル（Wire Harness Discharge model）」
⽊之⽥ 博 中村 裕広 鈴⽊ 浩⼀ *1) ⾼野 修平 ⽮島 雄三 福⽥ 康博 *2)（*1)宇宙航空研究開発機構、*2)三菱電機株式会社）
機器の⼩型化・⾼性能化に伴い、⾼集積化技術による配線の微細化が進んでいる。このような技術進歩に伴い、デバイスのESD耐性は低下している。また、従来のデバイスを使⽤する場合、HBM、MM、CDMといった既存のESDモデルに基づいて製造・組⽴時のESD対策を⾏えば、ESD問題は発⽣しなかった。
しかし、デバイスのESD耐性が低下するにつれて、ハーネスを機器接続時に発⽣するESDによるデバイス損傷
が、宇宙機で問題となっている。その理由は、ハーネスにおける ESD は、初期放電電流パルスの電流値が⼤き
く、既存の ESD モデルよりも厳しい放電条件となるためと考えている。
我々は、放電による損傷を低減するための新しいESDモデルを提案する。

- 3 -（17:05~17:30）

33E-07 「TVSを⽤いた⾼速伝送路の設計注意点と最適化設計」○
河⻄ 基⽂*、⻄尾 彰展**（*Semtech Japan 合同会社、**EIZO株式会社）
電⼦機器のシステムレベルの ESD 耐圧を実現するため、TVS（Transient Voltage Suppresser）が半導体の各 IO に使⽤されています。ただし IO が GHz/Gbps 帯域では汎⽤ TVS とその基板レイアウトにより信号品質を低下させるため、帯域に合わせた信号品質に影響しない TVS の選択と⾼速性を重視した PCB レイアウトが重要になります。ここでは⾼速 IO 向け TVS の選択指針と⾼周波シミュレーションを含んだ PCB 設計⼿法について、発表を⾏います。

17:40〜19:00

情報交換会 (軽⾷・ドリンク付き)︓シンポジウム参加者は⾃由にご参加下さい。
会場︓ 4階コンベンションホール ロビー（ホワイエ）

開催⽇︓ ２０２３年１１⽉１０⽇（⾦）

９︓３０〜１7︓００

会 場︓ ４階コンベンションホール（A会場）
セッション名︓「モデリング技術」 セミナー

（9:30~10:30）

セミナー

司会︓ 徳永 英晃（パナソニックインダストリー(株)）「モデルベースによるEMCフロントローディングを加速するモデリング技術」
嶌末 政憲 （株式会社モーデック）
EMCなどのノイズのシミュレーションは実測と合わないという⾒解や体験をお聞きすることがあります。このような問題は、世の中のサイバー・フィジカルという概念やフロントローディング化の妨げとなります。本発表は、ノイズのシミュ
レーションを実測に近づけていくためのスタートアップとなる技術です。まず、モデルベースの動向や課題を通じて、業界が進んでいくと思われる道筋を解説します。その後、EMCシミュレーション・解析に必要とされる様々なモデリング技術を紹介します。

休憩（10:30~10:45）
セッション名︓「基板・モジュールの静電気対策」セミナー

司会︓ 松本 雅俊（RCJ）（10:45~11:15） セミナー 「基板・モジュール静電気対策委員会活動概要及びセミナー趣旨」
1

福⽥ 保裕（RCJ基板・モジュール静電気対策委員会 委員⻑）
半導体デバイスの静電気障害は、開発当初からの問題で、集積度向上とともに、常に損傷形態を変えながら、障害を起こしてきた。それにともないオンチップの静電気保護素⼦、保護回路及び電⼦システム側のESDノイズ対策等も進化してきた。コンポーネントレベルでは公的標準耐性試験⽅法、公的静電気敏感性デバイスの管理⽅法等も制定され、電⼦システムレベルは公的ESD Immunity試験⽅法が制定、耐性確保設計が必須となった。しかし、中間製造品である基板・モジュールレベルでは検討が遅れているため、当委員会を2017年に発⾜し、取り扱いによるESD現象分析、耐性設計、⼯程対策⽅法の分析をはじめた。近年ではシステム側から要求されるHMM耐性、SEED設計等の研究を活動のテーマとしている。今回のセミナーにてこれら成果を紹介する。

（11:15~12:00） セミナー 「基板モジュールレベルの静電気障害分類､取り扱いにおけるESD障害/CBE現象の分析」
2

福⽥ 保裕（RCJ基板・モジュール静電気対策委員会 委員⻑）
半導体デバイスを含む電⼦部品搭載の実装基板、モジュール基板における静電気障害を、コンポーネントレベ
ル、システムレベルにおける静電気障害との⽐較により、位置づけを明確にし、分類する。その上で、基板、モジュールレベルにおける取り扱い、⼯程処理における静電気障害(⼀般に、CBE:Charged Board Event と呼ばれている)を起こすESD現象を、実例、実⼯程例あるいはCBE再現⾃動機を⽤いた実験例等とともに分析する。こ
れらの結果から、CBE現象による損傷防⽌設計等の考え⽅を整理する。また、システムレベルでのESD
immunity耐性要求からの基板、モジュールレベルへのHMM耐性要求、SEED設計提案も含め、今後の課題を説明する。

休憩（12:00~13:00）- 4 -セッション名︓ 「基板・モジュールの静電気対策」セミナー 司会︓ 奥島 基嗣 （ルネサスエレクトロニクス(株)（13:00~13:45） セミナー 「⼯程におけるCBE取扱い⽅法」
板垣 達也（（株）東芝 ⽣産技術センター）
3
半導体デバイスが搭載された実装基板やモジュール基板では、その製造および製品組⽴の⼯程において歩留りを低下させている要因の⼀つとして、ESDによる故障の事例が多数報告されている。また、ESDによりダメージを受けた半導体デバイスが、製造⼯程内の検査で発⾒されずに市場で故障となる事例も報告されている。デバイス
単体ではなく基板レベルの故障は、帯電ボードイベント(CBE︓Charged Board Event)と呼ばれ、基板や製品、さらにそれら製造⼯程毎に固有の対策が必要である。今回、CBEを対策するため、静電気の発⽣箇所を特定する測定⼿法を提案する。また、この⼿法により対策した事例についても報告する。

（13:45~14:30） セミナー 「基板/モジュールレベルにおけるESD保護素⼦部品の選定⽅法とその注意点」
河⻄ 基⽂（Semtech Japan 合同会社）
4
基板やモジュールでは、昨今の半導体デバイスのノードプロセスの微細化により、システムレベルESDへの対策として、TVSなどのESD保護素⼦の使⽤が⼀般的となった。また保護素⼦選定の際、対象ＩＣ（DUT）に対してESD保護特性を解析できるTLP(Transmission line Pulse)の⼿法も知られるようになり、個別のDUTに対して、保護素⼦の違いによるESD保護特性の差異や限界、その詳細を知ることができる。今回、TLPの原理とその重要性、TLPでのESD保護素⼦の特性の詳細、DUTの保護特性解析例、DUTに特性の異なるTVSを使⽤した場合のＥＳＤ保護特性の違いと部品選定⽅法、またその注意点について報告する。

休憩（14:30~14:45）
セッション名︓ 「基板・モジュールの静電気対策」セミナー 司会︓ 澤⽥ 真典（阪和電⼦⼯業(株)）（14:45~15:30） セミナー 「基板モジュールレベル、ESD耐性とノイズ耐性との関係調査」
徳永 英晃（パナソニックインダストリー(株)）5
ESD耐性はノイズ耐性の中の⼀つであるが、⼀般的に述べられるノイズと⽐較して特異的なものである。これはESDによるストレスが⾼電圧／⾼電流で、不具合が破壊に⾄る場合が多いためである。それに応じてESD対策
⽅法も⼀般のノイズ対策と異なり、その中で対策部品の選定も同様に異なってくる。今回は前記の内容を踏まえて、基板モジュールレベルでのESD試験のあり⽅や、ESD耐性とノイズ耐性に関して調査した内容を報告する。さらに完成品においては、ESD耐性と他のノイズ耐性の共⽴性確保も⼤きな課題となっており、合わせて報告する。

（15:30~16:15） セミナー 「半導体ICのコンポーネントレベルESD保護設計が基板・モジュールレベルESD保護設計へ与える影響と注意点」
6
奥島 基嗣 （ルネサスエレクトロニクス(株)）基板・モジュールレベルのESD設計において、そのコンポーネントとなる半導体ICとTVSなどのESD対策部品の各々のTLP評価データを活⽤したSEED(System level ESD Efficient Design)設計⼿法が知られているが、コンポーネント部品が過渡応答特性を持つ場合は、この⼿法には制約があり注意が必要である。今回、過渡応答特性を持つ半導体ICのESD保護設計や、過渡応答特性をもつESD対策部品が、基板・モジュールレベルのESD設計に与える影響と注意点につき事例を⽤いて紹介する。

休憩（16:15~16:30）
セッション名︓ 「基板・モジュールの静電気対策」セミナー
司会︓福⽥ 保裕（RCJ基板・モジュール静電気対策委員会 委員⻑）
（16:30~17:00） セミナー 「パネルディスカッション」
講師全員
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今回の「基板・モジュールの静電気対策」セミナ-を踏まえ、事前に集められた、ご質問、ご意⾒に対する、各講師の⾒解説明、今後の基板・モジュールの静電気対策トピック説明等、全員で議論、共有化を⽬指す。

- 5 -機能安全セミナー
開催⽇︓

２０２３年１１⽉９⽇（⽊） １3︓１５〜１７︓１５

会 場︓

４階コンベンションホール（B会場）

RCJ は、機能安全と電⼦部品信頼性と係わりを主テーマとした電⼦部品信頼性調査委員会（通称︓機能安全調査委員会）を運営しています。本セミナーは、この委員会で調査・検討している機能安全規格（IEC 61508）の動向、
FTA の実践⽅法、⾃動⾞⽤機能安全（ISO 26262）で必須の安全分析に使⽤する故障率ハンドブックの動向と使⽤例に焦点をあてたセミナーです。

2023 年 11 ⽉ 9 ⽇（⽊）
時間

司会 塩野 登（RCJ）
テーマ

講師「IEC 61508 の改訂と住宅環境における協調システム（連携接属安全関連系）の機能安全規格の動向」(13:15~14:45)(14:45~15:00)

機能安全の親規格と位置づけられている IEC 61508（電気・電⼦・プログラマブル電⼦
安全関連系の機能安全）の ed.3 の審議が進められている。
最近では、協調安全と呼ばれる⾃律制御機械による⼈との協働作業や⼈へのサービスなど 佐藤 吉信
が現実のものとなってきた。このような複雑なシステムでは、しばしば複数の電気・電⼦・プログラ（元東京海洋⼤学
マブル電⼦安全関連系（以下，安全関連系）を結合していわゆる接属安全関連系（複数の安全関連系をまとめて⼀つのシステムとしたもの）が構成される。そして、結合したそれぞ 教授、機能安全調
れの安全関連系が遂⾏する安全機能が接属安全機能（複数の安全機能をまとめて⼀つの査委員会委員⻑）機能としたもの）として、単独の安全機能では実現できない同族ハザード、相反ハザードなど
複雑なハザード制御を実現することにより機能安全を確保しなければならない。このような、複数の安全系を結合する協調安全間連系の機能安全が IEC 61508 の ed.3 でとり上がられている。また、IEC SyCAAL（ACTIVE ASSISTED LIVING（能動的⽣活⽀援））では、⽇本が提案した協調複合システム群の機能安全が審議されている。このような協調安全システムの問題点や現状の IEC 61508 の対応等について解説する。

休憩「危険事象の⽣起が故障の⽣起順序/ハザードに依存するシステムの FTA」

(15:00~16:00)

ISO 26262 では、安全分析⼿法の⼀つとして、FMEA（Failure Modes and Effects
Analysis）と FTA（Fault Tree Analysis）を上げており、その適⽤例も⽰されている。安
柴垣 光男
全の分野では、危険事象の⽣起が故障などの発⽣順序や対象とするハザードによって左右さ（⽇本信頼性学会
れることが多い。例えば、衝突，熱暴⾛，爆発，感電，⽕傷等のハザードに関して，ある
故障があるハザードに対しては安全側であるが，別のハザードに対しては危険側となる場合が安全学研究会）ある。さらに，単独のハザードにおいて，ある故障がシステムのある状態で発⽣すると安全側，別の状態では危険側となる，すなわち故障と他の事象との発⽣順序との関係が危険事
象の⽣起を左右する場合がある。この様に，安全側にも危険側にもなり得る故障を含むハザードを分析する FTA ⼿法について解説する。

「ISO 26262 のハードウエアの機能安全分析⼿法と分析に使⽤する故障率ハンドブックの動向」(16:00~17:15)

ISO 26262 では、電⼦機器の安全度⽔準（ASIL）を求める安全分析⼿法では、電 塩野 登 （RCJ）
⼦機器構成部品の偶発故障率を基に算出する。部品の故障率算出⽅法では、公表されている経験則に基づく故障率データ（ハンドブックやデータブックと呼ばれる）を基に算出する⽅法 が 主 流 で あ る 。 こ の よ う な 経 験 則 に 基 づ く ハン ド ブ ッ ク 予 測 ⽅ 法 の 動 向 （IEC/ TR
62380、FIDES、217Plus 等）と、実際の適⽤例を解説する。

注）︓ プログラムが変更になる場合があります。

- 6 -第33回 電⼦デバイス・電⼦部品の信頼性シンポジウム プログラム
開催⽇︓ ２０２３年１１⽉１０⽇（⾦） １０︓３０〜１7︓0０
会 場︓

４階コンベンションホール（B会場）

セッション名︓ 「故障解析、積層セラミックコンデンサ信頼性」 司会︓ 塩野 登 （RCJ）「オージェ電⼦分光法を⽤いたSn化学状態分析事例」（10:30~11:00） 33S-01
⼋巻 潤⼦(a，荒川 史⼦(a，為我井 晴⼦(a，泉⽥ 康彦(a，津久井 博之(a堤 建⼀(b，鍋島 冬樹(b，伊⽊⽥ ⽊の実(ba)ルネサスエンジニアリングサービス株式会社, b)⽇本電⼦株式会社，
半導体製品の微細化に伴いデバイス表層のナノオーダー領域は極めて繊細な部分であり、その特性は保管環境等で損なわれやすく、デバイス特性に影響し不良発⽣と密接に関与していると考えられている。しかしナノオーダ
ー領域の解析⼿法としてはTEM/EDSなどの元素分析⼿法に限定され、試料を薄⽚化する必要がある。化学
状態解析となると、TEM/EELSと⼿法がもっと限定され、試料のさらなる薄⽚化が必須となり、限定した箇所のみの解析となる。試料表⾯の元素組成や化学状態を解析するツールとして、オージェ電⼦分光法（AES）やX
線光電⼦分光法（XPS）が広く⽤いられている。電⼦線を⽤いるAESは、空間分解能の点で優れているとされているが、⼀般的に化学状態分析についてはXPSのほうが優れているが、AESはケミカルシフトの⼤きなSiやAlな
どの特定の元素を除いて、実⽤レベルで適⽤が困難とされている。今回、AESを⽤いてSnはんだ表⾯の化学状
態分析を⾏い、Snの化学状態と製品の信頼性の関係について解析した。その結果、良品と不良に酸化状態に違いがあることがわかった。半導体製品の信頼性評価ツールとして、AES化学状態分析が有効であることを⽰したので報告する。

（11:00~11:30） 33S-02「積層セラミックコンデンサ のクラック発⽣による電気的特性の変化」
宮⽵ 政実（(株) スタッフサービス エンジニアリング事業本部）
積層セラミックコンデンサのクラックによる回路の不具合は、⾊々と報告されている。この不良発⽣の原因は、機械的ストレスがコンデンサにかかりコンデンサ内部にクラックが発⽣した事である。クラックが⼤きい場合は、直ちにショートモードとなるが、軽いストレスによるクラックだとコンデンサの容量が1〜2％低下するだけで、⾒つけ出すことは困難である。しかし、このレベルのクラックが発⽣したコンデンサは、印可電圧が24Vでは約1年後、印加電圧が12Vで11年後にショートする事が判った。
本研究で、このレベルのクラックが発⽣したコンデンサは、Noise特性や印可電圧による容量変化の特性において、正常品とは異なる特性である事が判ったので報告する。

- 7 -信頼性セミナー「SiCパワー半導体の信頼性及び先端LSIのNBTIと配線信頼性」
開催⽇︓

２０２３年１１⽉１０⽇（⾦） １3︓００〜１７︓１５

会 場︓

４階コンベンションホール（B会場）

司会︓ 塩野 登 （RCJ）(13:00~13:15) 「故障物理委員会活動状況」(13:15~14:00) 「4H SiCパワーMOSFETのゲート酸化膜起因信頼性」(14:00~14:45)「SiCデバイスの閾値電圧測定⽅法とAC-BT試験規格の紹介」

⽊村 忠正（故障物理委員会委員⻑
電気通信⼤学）⽊村 忠正（故障物理委員会委員⻑
電気通信⼤学）瀬⼾屋 孝（RCJ）（14:45~15:00） 休憩
司会︓ ⽊村 忠正（故障物理委員会委員⻑、電気通信⼤学）（15:00~15:45） 「パワー半導体パッケージングの信頼性評価⽅法と信頼性」（15:45~16:30）

塩野 登 （RCJ）「NBTI劣化モデルの最新動向と最先端CMOSデバイスの ⼤⽇⽅ 浩⼆（ソニーセミコンダクタソリュ
BTI信頼性」
ーションズ（株））（16:30~17:15） 「Beyond 2nm の配線に求められる信頼性」

横川 慎⼆ （電気通信⼤学）（注︓ テーマ名等プログラムが変更される場合があります）＜要旨＞
RCJ が主催している故障物理委員会は、現在ホットな話題となっている半導体デバイス技術を対象に、その信頼性と故障物理に焦点を当て、調査研究を⾏っています。今回の信頼性セミナーでは、実⽤化が先⾏している SiC パワー半導体と先端 LSI の重要な信頼性問題である NBTI と配線信頼性に絞り、故障物理と信頼性保証⽅法の課題と解決策を中⼼に報告します。
電⼒制御⽤のパワー半導体には、電⼒損失が⼩さく⾼電圧対応が要求されています。これらの要求を満たす新素材として SiC と
GaN が注⽬されていますが、SiC が Si 技術の流⽤の容易さや⼤⼝径・低⽋陥 SiC 基板の開発成功などで、先⾏しています。既に、SiC パワー半導体は市販され、使⽤されていますが、Si パワー半導体に⽐べ信頼性は不⼗分で、多くの改良研究が進められています。SiC 特有の問題として、SiC 基板の不完全性に基づくと考えられるゲート酸化膜⽋陥が発⽣し、TDDB 耐性にばらつきが発⽣します。また、SiC-SiO2 界⾯特有の⾼速の Vth 特性変動・回復現象もあります。従って、現状の SiC パワーMOSFET の実⽤化では、特性変動や TDDB 特性を的確に評価する試験⽅法の開発が必要で、有効なスクリーニング技術の開発も必須です。このような観点で、現状技術について解説します。
また、SiC パワー半導体の⾼耐熱性を活かすには、パッケージング技術も重要です。パワー半導体のパッケージングは、Si IBGT でも問題視されており、Si と SiC 両⽅について、パッケージングの故障モード、故障メカニズム、信頼性評価⽅法、対策技術につて解説します。
先端 CMOS LSI では、NBTI（負バイアス温度不安定性）が従来より問題視されており、各種モデルが提案されてきました。最近は、正孔の捕獲/放出を主体とした正孔トラップベースのモデルと、⽔素の解離による界⾯準位の⽣成を主体とした拡散―反応モ
デルベースのモデルの 2 つに集約されています。また、最先端の配線技術では、Cu に代わる Co、Ru 等の配線技術が開発されており、信頼性確保も課題となっています。この NBTI と配線技術と信頼性について解説します。
本セミナーでは、現在LSI信頼性の分野で問題となっているホットな話題を取り上げています。半導体デバイス信頼性に携わっている⽅は勿論その他の分野に携わっている⽅々のご参加をお勧めします。

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信頼性・ESD 対策技術展⽰会（無料）（静電気障害対策技術及び ESD 故障解析技術を扱う専⾨の展⽰会）
静電気の影響を受けやすい電⼦デバイス・部品、電⼦機器などを扱う信頼性技術者、設計技術者、品質技術者の⽅々を対象に、より進歩した静電気障害対策技術 、静電気測定技術、故障解析技術を扱う専⾨の展⽰会です。この分野の専⾨メーカが展⽰しますので、最新の技術情報収集のためにも是⾮お⽴ち寄り下さい。

期⽇︓ 2023 年 11 ⽉ 9 ⽇（⽊）〜11 ⽉ 10 ⽇（⾦）︓ 10:00〜17:00
会場︓ ⼤⽥区産業プラザ（東京 蒲⽥）、2 階⼩展⽰場
主催︓ （⼀財）⽇本電⼦部品信頼性センター
同時開催︓ ESD 対策技術ワークショップ（無料）
同会場内特設会場にて（プログラムの詳細︓RCJ ウエブ（https://rcj.or.jp/exhibition）参照）

出展社名
株式会社いけうち〒108-0022 東京都港区海岸3-9-15 LOOP-X 14階
TEL：03-6400-1973 E-mail：dryfog@kirinoikeuchi.co.jp
URL：https://www.kirinoikeuchi.co.jp/

株式会社エイチエーエー光学〒142-0062 東京都品川区小山1-1-4
TEL：03-6417-4895, E-mail:mizorogi@haa-op.com
URL: https://www.haa-op.com

OKIエンジニアリング〒179-0084 東京都練馬区氷川台3-20-16
TEL：03-5920-2366, E-mail:oeg-dsales-g@oki.com
URL: http://www.oeg.co.jp

春⽇電機株式会社〒212-0032 神奈川県川崎市幸区新川崎2番4号
TEL: 044-580-3511, E-mail: info@ekasuga.co.jp
URL: http://www.ekasuga.co.jp

シシド静電気株式会社〒150-0012 東京都渋谷区広尾5-8-14いちご広尾ビル9階
TEL：03-6432-5771(代)E-mail: info@shishido-esd.co.jp
URL：http://www.shishido-esd.co.jp

⾠野株式会社
大阪本社〒541-0054 大阪府大阪市中央区南本町2-9-9辰野南本町ビル
TEL：06-6263-2331
東京本社〒105-0003 東京都港区西新橋1-20-10 西新橋エクセルビル
E-mail: s.ishikura@tatuno.co.jp
URL：https://www.tatuno.co.jp/

テク･トライアングル〒299-4111 千葉県茂原市萱場776-58
TEL: 0475-36-7037
E-mail: suzuki.tech-triangle@chiba.email.ne.jp
URL: http://www.tech-triangle.jp

DESCO JAPAN株式会社〒289-1115千葉県八街市八街ほ661-1
Tel: 043-309-4470、
E-Mail：Yuta.Takahashi@Desco.com
URL: http://www.descoasia.co.jp/

東京電⼦交易株式会社〒190-0023 東京都立川市柴崎町5-16-30
TEL: 042-548-8011, E-mail: sadohara@tet.co.jp
URL: http://www.tet.co.jp

阪和電⼦⼯業株式会社〒649-6272 和歌山県和歌山市大垣内689-3
TEL: 073-477-4435, E-mail: y-yata@hanwa-ei.co.jp
URL: http://www.hanwa-ei.co.jp

株式会社ブルービジョン〒222-0033 神奈川県横浜市港北区新横浜3-17-2
友泉新横浜ビル
TEL: 045-471-4595, E-mail:sales@bluevision.jp
URL: https://www.bluevision.jp/products/camera/detail/187

ミドリ安全株式会社〒150-8455 東京都渋谷区広尾5丁目4番3号
TEL: 03-3442-8244, FAX: 03-3444-4508
URL: http://www.midori-esd.jp★詳細は別途案内状をご覧下さい。（RCJ ホームページ（https://rcj.or.jp/exhibition）に掲載しています）。

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＜参加要領＞
参加費（消費税抜き）（円）
参加区分（開催⽇）

テキスト

定員

RCJ会員、ESDC
協賛団体会員

⾮会員

⼤⽥区⺠
① 11⽉9⽇､11⽉10⽇:（2⽇間）

RCJ信頼性シンポジウム発表論⽂集（EOS/ESD/EMCシンポジウム、電⼦デバ

各会場② 11⽉9⽇:（1⽇間）

イス・電⼦部品の信頼性シンポジウム）

100名③ 11⽉10⽇:（1⽇間）（注︓両⽅のシンポジウムの聴講可能）

25,00032,00017,00022,00017,00022,000

5,000

7,000

5,000

7,000

5,000

7,000

オプション
④ RCJ成果報告書（R-2022-M-01）⑤ RCJ成果報告書（R-2022-RS-01）⑥ RCJ成果報告書（R-2022-RC-02）

R-2022-M-01「2022 年度 基板・モジュール静電気対策検討委員会調査報告書」＜「基板・モジュールの静電気対策」セミナー参考資料＞
R-2022-RS-01「2022 年度 故障物理研究委員会研究成果
報告書- SiC パワー半導体の故障物理と信頼性保証、
先端 LSI の NBTI 現象と故障モデルの変遷 –＜信頼性セミナー参考資料＞
R-2022-RC-02「経験則に基づくハンドブック予測⽅法による電⼦部品の故障率予測」- IEC/TR 62380、FIDES、217Plus の解説と故障率予測計算例 –＜機能安全セミナー参考資料＞＜注︓ 報告書の⽬次は、案内状掲載webの下欄に掲載した報告書名をクリックすると⾒ることができます。＞
申 込 先︓（⼀財）⽇本電⼦部品信頼性センター〒111-0043 東京都台東区駒形2-5-6 カミナガビル3F
E-mail: symp@rcj.or.jp、TEL︓03-5830-7601、FAX︓03-5830-7602、

申 込 締 切︓

11⽉2⽇（⽊）

申込⽅法︓

ホームページのフォーム https://rcj.or.jp/symposium-application よりお申し込み下さい。
参加申込者には、参加券等をお送りします。シンポジウム発表論⽂集は会場渡しの予定です。
オプションの成果報告書購⼊者には、資料ダウンロードサイトをメールしますので、そこからダウンロードしてください。

振込銀⾏

三菱UFJ銀⾏、⽇本橋中央⽀店、普通預⾦⼝座 0084373

⼝座名︓

名義︓（⼀財）⽇本電⼦部品信頼性センター
注）費⽤の振り込み予定⽇は、貴社の都合に合わせて頂いて結構です。また、不明の場合は空欄で結構です。

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◆会場ご案内

会場︓ ⼤⽥区産業プラザ︓ ４階コンベンションホール、２階⼩展⽰場〒144-0035 東京都⼤⽥区南蒲⽥１－２０－２０
交通︓ 京浜急⾏線・空港線/京急蒲⽥駅より徒歩約２分(品川・横浜・⽻⽥空港よりの所要時間各約１０数分)
ＪＲ京浜東北線/蒲⽥駅より徒歩約１２分◆宿泊施設のご案内
遠⽅からお越しの⽅で宿泊が必要な場合下記のホテルに直接連絡してご利⽤下さい。
（１） グランパークホテル パネックス東京 TEL: 03-5703-1111〒144-0052 東京都⼤⽥区蒲⽥5-9-19（２） 東横イン 蒲⽥東⼝

TEL: 03-3736-1045〒144-0052 東京都⼤⽥区蒲⽥5-18-4
注）（１）、（２）とも、ＪＲ蒲⽥駅東⼝徒歩２〜３分程度（3） アパホテル京急蒲⽥駅前

TEL: 03-5480-5151〒144-0052 東京都⼤⽥区蒲⽥3-19-1（4） 東急ステイ蒲⽥

TEL: 03-5714-1090〒144-0052 東京都⼤⽥区蒲⽥4-23-1（5） チサンイン蒲⽥

TEL: 03-6715-7311〒144-0052 東京都⼤⽥区蒲⽥4-23-13
注）（3）、（4）、（5）とも、京急蒲⽥⻄⼝徒歩２〜３分程度- 12 -