VDS = 500 V、ID = 1. 5 A
3 相モータ駆動用インバータ

データシートSMA5145
概要パッケージ

SMA5145 は 3 相ブラシレス DC モータ向けの
MOSFET アレイです。
3 相インバータ回路用に低オン抵抗 N チャネルパワーMOSFET を 6 個内蔵しています。パッケージは
小型 SIP12 パッケージを採用しています。挿入タイ
プで基板の実装面積を削減できます。

SIP12(1)

特長(12)● V(BR)DSS ------------------------- 500 V（ID = 100 µA）● ID------------------------------------------------------- 1.5 A● RDS(ON) ----------------------------------------- 4.0 Ω max.

原寸大ではありません。

内部回路図● 端子部 Pb フリー（RoHS 対応）● N チャネル MOSFET で構成された 3 つのハーフブリッジ回路を内蔵● 低オン抵抗アプリケーション

D1/D3/D5 1

Q1Q3Q5G1 2G3 8G5 9S1/D2 4

S3/D4 6

S5/D6 11

● 3 相 DC モータドライバ

Q2G23

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Q4G4 7Q6
G6 10512S2/S4S61

SMA5145
絶対最大定格
特記がない場合の条件は、TA = 25 °C です。
項目記号

条件

定格単位

ドレイン–ソース間電圧

VDS500V

ゲート–ソース間電圧

VGS±30V

ドレイン電流（DC）

ID

1.5A

ドレイン電流（パルス）

IDM

3A

アバランシェエネルギー

EAS

20mJ

アバランシェ電流

IAS

1.5A

最大許容損失PD

パルス幅≤ 1 ms、デューティ ≤ 25%
VDD = 30 V、L = 10 mH、
ID = 1.5A、クランプなし、RG = 50 Ω
放熱器なし、
TA = 25 °C、全素子動作時TC = 25 °C、全素子動作時

4W
28

ジャンクション温度

TJ

150°C

保存温度

TSTG

−40～150°C

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電気的特性
特記がない場合の条件は、TA = 25 °C です。
項目

記号

条件

Min.

Typ.

Max.

単位

ドレイン–ソース間降伏電圧

V(BR)DSSID = 100 μA、VGS = 0 V

500

——

V

ドレイン–ソース間漏れ電流

IDSS

VDS = 500 V、VGS = 0 V

—

—

100µA

ゲート–ソース間漏れ電流

IGSS

VGS = ±30 V——± 100nA

ゲートしきい電圧

VGS(TH)VDS = 10 V、ID = 1 mA

2.0—

4.0

V

ドレイン–ソース間オン抵抗

RDS(ON)

ID = 1.0 A、VGS = 10 V

—

3.5

4.0

Ω

—

198

—

—

83

—

—

9—

—

20

—

—

26

—

—

50

—

—

40

—

—

5.9

—

nC

—

1.2—

nC

—

2.8

—

nC

入力容量

Ciss

出力容量

Coss

帰還容量

Crss

ターンオン遅延時間td(ON)

ターンオン上昇時間

tr

ターンオフ遅延時間td(OFF)

ターンオフ下降時間tf

全ゲートチャージ電荷量QG

ゲート–ソース間電荷量

QGS

ゲート–ドレイン間電荷量

QGD

VDD = 280 V、
ID = 1.0 A、
VGS = 10 V

ソース–ドレイン間ダイオード順方向降下電圧

VSD

ISD = 1.0A、VGS = 0 V—

1.01.5V

ソース–ドレイン間ダイオード逆方向回復時間

trr

ISD = 1.0 A、
VGS = 0 V、
di/dt = 100 A/µs

—

75

—

ns

VDS = 10 V、
VGS = 0 V、
f = 1 MHzVDD = 280 V、
ID = 1.0 A、
VGS = 10 V、
RL = 280 Ω、
RG =50 ΩpF

ns

熱抵抗特性
項目記号

条件

Min.

Typ.

Max.

単位

ジャンクション–周囲間熱抵抗

RθJA

全素子動作時——31.25°C/W

ジャンクション–ケース間
熱抵抗

RθJC

全素子動作時——4.46°C/W

Typ.
4.0Max.
―

単位g

機械的特性
項目

条件

質量SMA5145-DSJ Rev.1.2
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Min.
―

3

SMA5145
ディレーティング特性グラフ
3030

アバランシェエネルギ耐量 EAS (mJ)

許容損失 PD (W)

無限大放熱器付き

2010
放熱器なし

00255075100125150252015105025

ケース温度 TC (°C)

図 1 PD – TC 特性

5075100125150

ジャンクション温度 TJ (°C)
図2

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EAS – TJ 特性（シングルパルス）

4SMA5145
代表特性グラフ
1031

ドレイン電流 ID (A)ドレイン電流 ID (A)

10 µs
100 µs1 ms

0.1

VGS = 10 V
VGS = 7.0 V

2VGS = 5.5 V
VGS = 5.0 V
VGS = 4.5 V

1

VGS = 4.0 V
VGS = 3.0 V

0.01

0
10100

1000

0

2

ドレイン–ソース間電圧 VDS (V)46810

ドレイン–ソース間電圧 VDS (V)図 3 安全動作領域（シングルパルス、TJ = 25 °C）

図4ID – VDS 特性（TJ = 25 °C）

-250

4

ゲートしきい電圧 VGS(TH) (V)

ドレイン電流 ID (A)1.51.0
TJ = 125 °C

TJ = 7 5 °C

0.5321TJ = 25 °C00.00123456

ドレイン–ソース間電圧 VGS (V)
図5ID – VGS 特性（VDS = 10 V）

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255075100125150

ジャンクション温度 TJ (°C)
図 6 VGS(TH) – TJ 特性（VDS = 10 V、ID = 1 mA）

5

SMA5145

10

ドレイン–ソース間オン抵抗 RDS (ON) (Ω)

ドレイン–ソース間オン抵抗 RDS (ON) (Ω)

65432
1086420

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0-25

ドレイン電流 ID (A)255075100125150

ジャンクション温度 TJ (°C)

図 7 RDS(ON) – ID 特性（VGS = 10 V、TJ = 25 °C）

図 8 RDS(ON) – TJ 特性（VGS = 10 V、ID = 1.0 A）

1000

1.5Ciss

容量 (pF)

ソース–ドレイン間ダイオード順方向電流 IS (A)01.0

TJ = 125 °C
TJ = 75 °C

100
Coss

100.5
TJ = 25 °C

Crss

10.00.0

図90.51.0
ドレイン–ソース間ダイオード
順方向降下電圧VSD (V)1.50

IS – VSD 特性（VGS = 0 V）

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1020304050

ドレイン–ソース間電圧 VDS (V)
図 10 容量 – VDS 特性（f = 1 MHz、VGS = 0 V）

6

SMA5145

10ゲート–ソース間電圧 VGS (V)ドレイン–ソース間降伏電圧 V(BR)DSS (V)65060055050086420-2502550751001251500

ジャンクション温度 TJ (°C)

510

全ゲートチャージ電荷量 QG (nC)

図 11 V(BR)DSS – TJ 特性（ID = 100 µA、VGS = 0 V）

図 12 VGS – QG 特性（ID = 1.0 A、VDD = 10 V）

ドレイン–ソース間電圧 VDS (V)201510ID = 2A

5ID = 1 A005101520

ゲート–ソース間電圧 VGS (V)
図 13 VDS – VGS 特性（TA = 25 °C）

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7

SMA5145

ジャンクション–ケース間熱抵抗 (°C/W)

1001010.10.01
100 μ1m

10 m

100 m

110時間 (s)図 14

過渡熱抵抗特性（VDS < 10 V、TC=25°C、シングルパルス、1 素子動作時）

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8

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EAS =V(BR)DSS
1× L × ILP 2 ×2
V(BR)DSS − VDD

VDSL

V(BR)DSS

VDD

ILt

VDS

IL

RG

ILP

VDD

VGS0Vt(a) 測定回路(b) スイッチング波形
図 15

アバランシェエネルギの測定

RL

VGS

90%ID

RG

VDD

VGS0V

10%0VDS

VDS

90%

10%0

パルス幅 = 10 μs
デューティ 1 %td(on) tr

td(off) tf

tontoff(a) 測定回路(b) スイッチング波形
図 16スイッチング時間の測定

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9

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内部回路図
D1/D3/D5 1

Q1

Q3

Q5

G1 2

G3 8

G5 9

S1/D2 4

S3/D4 6

S5/D6 11

Q2G2Q4G4 73Q6
G6 10512

S2/S4S6各端子機能
捺印面121

端子番号端子名機能端子番号端子名1

D1/D3/D5

Q1、Q3、Q5 ドレイン

7G4Q4 ゲート

2G1

Q1 ゲート

8G3Q3 ゲート

3G2Q2 ゲート

9G5Q5 ゲート

4S1/D2

Q1 ソース、Q2 ドレイン

10G6Q6 ゲート

5S2/S4Q2、Q4 ソース

11

S5/D6

Q5 ソース、Q6 ドレイン

6S3/D4Q3 ソース、Q4 ドレイン

12

S6

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機能Q6 ソース10

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外形図● SIP12NOTES:- 単位：mm- 端子部 Pb フリー（RoHS 対応）- はんだ付けをする場合は、以下の条件内で、できるだけ短時間で作業してください。はんだ付けは製品
本体より 1.5 mm のところまでとします。
フロー：260 °C、10 s（1 回）
はんだごて：350 °C／3.5 s（1 回）

捺印仕様JAPAN YMDD

SMA5145
(1)

(12)

ロット番号
Y = 西暦下一桁（0～9）
M = 月（1～9、O、N、D）
DD =日（01～31）
製品名

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ィングについては、納入仕様書および弊社ホームページを参照してください。
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DSGN-CJZ-16003

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