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HZ508

第一級アマチュア無線技士「無線工学」試験問題
30 問 2 時間 30 分

A - 1 図に示すように、対地間静電容量が CA = 3〔μF〕、CB = 6〔μF〕の 2 個の導体球 A 及び B に、それぞれ QA = 4〔μC〕及び

Q B = 11〔μC〕の電荷を与えた後、スイッチ S を接(ON)にしたところ、CB から CA に電荷が移動して電気的つり合いの状態となった。このとき、移動した電気量の値として、正しいものを下の番号から選べ。ただし、導線及びスイッチの影響は無視するものとする。

QA

1 1〔μC〕

A

2 2〔μC〕

QBS

B

3 3〔μC〕
CA

4 4〔μC〕

CB

5 5〔μC〕

A - 2 次の記述は、図に示す磁性材料のヒステリシスループ(曲線)について述べたものである。このうち誤っているものを下の番号から選べ。ただし、磁束密度を B〔T〕、磁界の強さを H〔A/m〕とする。
B〔T〕
1 図は強磁性体の磁化曲線の一例である。
2 a は残留磁気、b は保磁力を示す。
3 ヒステリシスループの囲む面積 S が大きい材料ほど、ヒステリシス損が大きい。

H〔A/m〕

04 モーターや変圧器の鉄心には、S の小さい材料は適していない。
5S

aa と b が共に大きい材料は、永久磁石の材料に適している。
bヒステリシスループ

A - 3 図に示すπ形抵抗減衰器の減衰量(電圧)が 14〔dB〕であるとき、抵抗 R〔Ω〕の値として、最も近いものを下の番号から選べ。
ただし、log105 ≒ 0.7 とする。
150〔Ω〕

260〔Ω〕

375〔Ω〕

4120〔Ω〕

5150〔Ω〕

R 〔Ω〕
入力抵抗50 〔Ω〕

75〔Ω〕

75〔Ω〕

負荷抵抗50 〔Ω〕

π形抵抗減衰器A - 4

次の記述は、図に示す回路の各種電力と力率について述べたものである。

内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。ただし、交流電圧 V を 200〔V〕、回路に流れる電流 I を 3〔A〕とする。
(1) 皮相電力は、 A〔VA〕である。

(2) 有効電力（消費電力）は、 B(3) 力率は、 C

I〔W〕である。

〔%〕である。
R = 40〔Ω〕

A

B

C

1 846

36080

2 846

600

60

3 600

36060

4600

80600

V
Xc

R：抵抗〔Ω〕
Xc：容量リアクタンス〔Ω〕(HZ508－1)

A - 5 図に示す、電源が AC 100〔V〕、負荷が 100〔Ω〕の回路に重畳した 7〔MHz〕の高周波電圧を、インダクタ L を用いて負荷側で26〔dB〕減衰させたい。L のインダクタンスの値として、最も近いものを下の番号から選べ。ただし、log102 ≒ 0.3 とする。
L
1 7 / π〔mH〕
2 7 / (2π)〔mH〕
3 4 / (7π)〔mH〕

電源 AC 100〔V〕

4 2 / (7π)〔mH〕( 7 〔MHz〕の高周波重畳)

負荷100〔Ω〕

5 1 / (7π)〔mH〕

A - 6 次の記述は、図 1 に示すように、電気的特性が同一のダイオードＤを二つ直列に接続した回路の電圧と電流について述べたものである。

内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。ただし、Ｄは図 2 の②の特性を持つものとする。

(1) 回路の直流電圧を V〔V〕( 電流 I > 0 ) とすれば、一つのＤに加わる電圧 VD は(2)

VがB

(3)

V が 1.6〔V〕の場合の I は約A〔V〕である。

〔V〕以下であれば、回路に流れる I は零(0)である。
C〔mA〕である。

(4) 図 2 の②が常温における特性であるとき、一般にＤの温度が上昇した場合の特性は図 2 のB

CD

1V/2

1.220①2V/20.610①3V/2

1.220③4V0.620③5V

1.210③のようになる。
① ② ③40IＤVD

ID ＤVＤI D〔mA〕

AD

3020VD
VD

10VD：順方向電圧

図1I D：順方向電流

0

図20.4

1.20.8
VD〔V〕

A - 7 次の記述は、MOS 形 FET (金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ) について述べたものである。このうち誤っているものを下の番号から選べ。
1 電流駆動のバイポーラトランジスタと比べ、MOS 形 FET は電圧駆動のため駆動損失が小さく高周波動作に適している。
2MOS 形 FET は静電気に強い構造であるため、単体で保管する場合でも特別な措置は必要ない。

3MOS 形 FET には、N チャネル形と P チャネル形があるが、使用される MOS 形 FET の大半は N チャネル形である。

4 比較的大きな電力を扱うものは、一般にパワーMOSFET とも呼ばれ、送信機の電力増幅部や電源装置などに使用されている。
5

パワーMOSFET の並列接続は、発振防止やスイッチング時間の整合などの注意が必要であるが、バイポーラトランジスタと比べると比較的容易に並列運転ができる。

A - 8 次の記述は、受信機に用いられているセラミックフィルタについて述べたものである。
組合せを下の番号から選べ。なお、同じ記号の(1) セラミックフィルタは、セラミックの内に入れるべき字句の正しい内には、同じ字句が入るものとする。
Aを利用したもので、原理的には図に示すように、セラミックに電極を貼り付けた構造をしている。電極 a - c に特定の周波数の電圧(電気信号)を加えると、Aによって一定周期の固有の機械的振動が発生して、セラミックが機械的に共振する。この振動が電気信号に変換されて、もう一方の電極 b - c から取り出すことができる。
(2) セラミックの材質、形状、寸法などを変えることによって、固有の機械的振動も変化するため、共振周波数や尖鋭度(Q )を自由に設定することができ、主に FM 受信機のBの帯域フィルタ(BPF)として使われることが多い。

(3) 水晶フィルタと比較すると、構造が簡単、小形、軽量、低コストである。また、Q 及び共振周波数安定度は、水晶フィルタよりC。
aA

B

C

1 圧電効果

低周波増幅部

高い

2 圧電効果

中間周波数低い3 ゼーベック効果

中間周波数

高い

4 ゼーベック効果

低周波増幅部

低いb電極

セラミック電極c(HZ508－2)

A - 9 次の記述は、図 1 に示す回路について述べたものである。
図 1 に示す回路はA

電圧波形は図 2 のB

内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。

回路とも呼ばれ、入力端子に図 2 の(a)に示す幅 T の方形波電圧を加えたとき、出力端子に現れるである。この回路と同様の出力波形が得られるのは、図 2 のCの回路である。ただし、t は時間を示し、各回路の時定数は T より大きいものとする。
AB

C

1 微分

②③2 微分

①③3 微分

②④4 積分

①④5 積分

②④L

③ 入力

出力
①t

R

出力

C出力

R

図1R：抵抗
L：コイル
C：コンデンサA - 10t

TR

入力

C(ａ)

④②入力t
図2

図に示す演算増幅器(オペアンプ)を使用した反転電圧増幅回路の電圧利得の値として、最も近いものを下の番号から選べ。

ただし、常用対数は表の値とする。
35 〔kΩ〕
1 15〔dB〕
2 16〔dB〕

5 〔kΩ〕－

3 17〔dB〕
4 18〔dB〕

ＡOP+入力出力

5 19〔dB〕

xlog10x20.3030.48

50.7070.85

101.00：抵抗

ＡOP：演算増幅器

A - 11 次の記述は、増幅回路の性能を示す雑音指数について述べたものである。このうち誤っているものを下の番号から選べ。
1 入力側の信号対雑音比を A (真数)、出力側の信号対雑音比を B (真数)としたとき、雑音指数は(A /B )で表される。
2 雑音の発生しない理想的な増幅回路の雑音指数は 1 〔dB〕である。
3 増幅する周波数が高周波領域になると、バイポーラトランジスタは分配雑音のため雑音指数が悪化する。
4 高周波領域における雑音指数を改善するには、fα(ベース接地電流増幅率αが 1/√2 になる周波数)の高い素子を選択するとよい。

A - 12 次の記述は、図に示す SSB(J3E)送信機の終段電力増幅回路の原理的な構成例について述べたものである。このうち誤っているものを下の番号から選べ。

LCBC

TrR

入力出力CN

RFC

VBB

RFC

VCC

1 トランジスタ(Tr)の高周波増幅器では、ベース・コレクタ間の接合容量 CBC を通して出力の一部が帰還電圧として入力に戻り、自己発振を生じることがある。
2 図の CN は、自己発振を防止するため、帰還電圧と逆位相の電圧を作り、帰還電圧を打ち消している。
3 図の LR 並列回路は寄生振動防止用回路であり、増幅周波数とは無関係の周波数の発振を防止するためのものである。
4 図の RFC は、高周波インピーダンスを高く保ち、直流電源回路へ高周波電流が漏れることを阻止するためのものである。
5 一般にトランジスタ(Tr)は D 級で動作するように、バイアス電圧 VBB により設定される。

(HZ508－3)

A - 13

AM(A3E)送信機において、搬送波を単一の正弦波信号で変調したとき、送信機出力の被変調波の平均電力は 450〔W〕、変調度は 80〔%〕であった。無変調のときの搬送波電力の値として、最も近いものを下の番号から選べ。
1360〔W〕

2340〔W〕

3320〔W〕

4 300〔W〕5280〔W〕

A - 14 次の記述は、可変容量ダイオード(可変静電容量)を使用した原理的な直接 FM(F3E)変調回路の例について述べたものである。
内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。なお、同じ記号の(1) 可変容量ダイオードは、PN 接合ダイオードにであり、バイアス電圧の値の変化によりBA内には同じ字句が入るものとする。

電圧を加えたときに生ずる、Bを誘電体とする一種のコンデンサの厚さが変化するため静電容量が変化する。

(2) 図において、信号波が加わると可変静電容量 Cd〔F〕が変化することにより、破線で囲まれた共振回路の周波数が信号波の電圧に応じて変化する。共振回路のコイルのインダクタンスを L〔H〕、コンデンサの静電容量を C〔F〕とすれば、結合コンデンサ Cc のリアクタンスが共振周波数に対して十分小さいとき、共振周波数はおおよそCとなり、トランジスタ Tr から FM 変調波が出力される。
VCC
AB

1 逆バイアス空乏層2 逆バイアス

反転層

3 逆バイアス空乏層

4 順バイアス反転層

5 順バイアス

空乏層

A - 15C
1Tr

2π L(Cd C)

Cc

12π L(Cd C)

L
FM 変調波信号波

1Cd

2π L(Cd C)

C

1：可変容量ダイオード

2π L(Cd C)

Cc

1：抵抗：結合コンデンサ

2π L(Cd C)：コイル：コンデンサ

次の記述は、AM(A3E)受信機に用いられる二乗検波器について述べたものである。

内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。
(1) 変調が深い(変調率 m が大きい)ほど、出力のひずみが(2) 出力をB。に通すと復調出力が得られる。

(3) 復調出力に含まれるひずみの主成分は、変調信号のA

ABC

1 大きい

低域フィルタ(LPF)

第二高調波

2 大きい

高域フィルタ(HPF)

第二高調波

3 大きい

低域フィルタ(LPF)

第三高調波

4 小さい高域フィルタ(HPF)

第三高調波

5 小さい

低域フィルタ(LPF)

第三高調波

Cである。

A - 16 次の記述は、受信機の各種現象等について述べたものである。このうち FM(F3E)受信機のスレッショルドレベル(限界レベル)について述べているものを下の番号から選べ。
1 受信機から副次的に発する電波が、他の無線設備の機能に支障を与えない限度レベルをいう。
2 受信帯域外の 2 波以上の強力な電波が受信機に加わると、各々の周波数の和及び差を周波数とする信号が発生し、この信号が希望信号又は中間周波数と一致すると妨害を受ける。このときの、受信帯域外の電波の受信機入力レベルをいう。
3 受信機の入力レベルを小さくしていくと、ある値から急激に出力の信号対雑音比(S/N)が低下する現象が現れる。このときの受信機入力レベルをいう。
4 受信帯域外に強大なレベルの妨害波が出現した場合、希望信号の出力レベルが低下する現象が現れる。この現象の起こる妨害波の受信機入力レベルをいう。

(HZ508－4)

A - 17 図に示す直列制御形定電圧回路において、制御用トランジスタ Tr1 のコレクタ損失の最大値として、正しいものを下の番号から選べ。ただし、入力電圧 Vi は 15～18〔V〕、出力電圧 VO は 8～14〔V〕、負荷電流 IL は 0～2〔A〕とする。また、Tr1 と負荷以外で消費される電力は無視するものとする。
IL

Tr1
18〔W〕

214〔W〕

320〔W〕

428〔W〕

5R2

R1

R3Tr2
VR

Vi36〔W〕

DZVO

負荷R4

A - 18 次の記述は、図に示す整流回路について述べたものである。

DZ：ツェナーダイオード
Tr2：トランジスタ
R1,R2,R3,R4：抵抗
VR：可変抵抗内に入れるべき字句又は値の正しい組合せを下の番号から選べ。ただし、ダイオードの順方向抵抗の値は零(0)、逆方向抵抗の値は無限大であり、交流電源は理想的な正弦波とする。
(1) この整流回路は、交流を 4 個のダイオード D で整流する単相の全波整流回路(ブリッジ形)である。
(2) 交流電源を流れる電流について、その振幅(電流の最大値)を Im〔A〕とすると、実効値は Im / √ 2 〔A〕、平均値はであり、波形率は約 1.11、波高率は約BA〔A〕となる。

(3) 図中の直流電流計 A は永久磁石可動コイル形電流計であり、その指示値が 2〔mA〕であるとき、Im の値は約C〔mA〕である。

1A
2 Im /π

B
1.73

C
3.14

2Im /π

1.73

1.57

31.41

1.57

42 Im /π
Im /π

1.41

1.57

52 Im /π

1.41

3.14

A - 19交流D(電流振幅 Im)

AD
負荷交流電源DD

次の記述は、安定化電源回路に用いられるスイッチング・レギュレータについて述べたものである。このうち誤っているもの
を下の番号から選べ。
1 スイッチング・レギュレータは、連続制御(線形制御)方式に比べ、電源回路の損失が小さい。
2 スイッチング・レギュレータは、出力制御用スイッチング素子の ON－OFF により、急峻な電圧又は電流の変化が起きるため、雑音を発生しやすい。
3 スイッチング・レギュレータの制御方式の一つであるチョッパ方式には、パルス幅変調(PWM)方式、パルス周波数変調(PFM)方式及びこれらを組合せた方式などがある。
4 スイッチング・レギュレータは、連続制御(線形制御)方式に比べ、電源回路の小形・軽量化が図れる。
5 スイッチング・レギュレータにおけるスイッチングパルスの周波数は、一般に数 10〔MHz〕以上が使用されている。

A - 20 特性インピーダンスが 50〔Ω〕の無損失給電線の負荷として 75〔Ω〕の純抵抗を接続したとき、線路上の電圧反射係数、電圧定在波比(VSWR)及びリターンロス〔dB〕の値の組合せとして、正しいものを下の番号から選べ。ただし、送信機と給電線は整合しているものとし、log102 ≒ 0.3 とする。
電圧反射係数
1 0.51.5

リターンロス〔dB〕
1220.52.0

1230.21.5

1440.22.01450.2

1.5

16VSWR

送信機：50〔Ω〕

給電線：50〔Ω〕

負荷：75〔Ω〕(HZ508－5)

A - 21 次の記述は、図に示す素子の太さが均一な二線式折返し半波長ダイポールアンテナについて述べたものである。

内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。ただし、波長を λ〔m〕とする。
(1) 実効長はA〔m〕であり、アンテナ利得をBで表すと約 2.15〔dB〕である。

(2) このアンテナの受信開放電圧は、同じ太さの半波長ダイポールアンテナの受信開放電圧の約Cとなるが、受信有効電力は同じである。
Aλπλπ2λπ2λπ2λπ12345BC

相対利得4倍

絶対利得4倍

相対利得4倍

絶対利得2倍相対利得2倍

約λ/2

給電線

A - 22 次の記述は、短波通信における電離層伝搬について述べたものである。このうち誤っているものを下の番号から選べ。
1 送信地点を中心として、跳躍距離を半径とする円の内側のうち、地表波が到達する地域を除いた部分は不感地帯となる。
2 一定の入射角で電離層に進入した電波が電離層内で曲げられて反射されるときには、周波数の高い電波ほど電子密度の小さい層で反射される。
3 LUF(最低使用可能周波数)は、電離層の減衰量、入射角、送信電力及びアンテナ利得等の要因により決定される。
4MUF(最高使用可能周波数)の約 85〔%〕の周波数を FOT(最適使用周波数)といい、通信に最も適当な周波数とされている。

A - 23 次の記述は、電波の強度に対する安全基準に適合するかどうかの判定のための、電波の強度の算出について述べたものである。
内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。ただし、無線設備の諸元、平均電力を用いるための換算比及び大地面等の反射を考慮した係数は表のとおりとし、アンテナの水平面内指向特性は全方向性、算出地点はアンテナの主輻射方向であり俯角減衰量は 0〔dB〕とする。また、√3770 ≒ 61.4、√π ≒ 1.77 及び log102 ≒ 0.3 とする。
(1)

図において、算出地点の電波の強度を求めるには、最初にアンテナ入無線設
備の諸元

力電力 P〔W〕、アンテナの主輻射方向の絶対利得 G(真数)、アンテナからの距離 R〔m〕及び大地面等の反射を考慮した係数 K を用いて、次式により電力束密度 S 〔mW/cm2〕の値を算出する。
PG
S ＝
K〔mW/cm2〕40πR2
表から得られた数値を上式に代入すれば、S ＝

A2〔mW/cm 〕………①となる。
(2)

周波数

28 〔MHz〕

送信機出力電力1,000 〔W〕

給電線損失

3〔dB〕

アンテナ利得(絶対利得)

6〔dB〕

アンテナ高10〔m〕

平均電力算出のための換算比1

大地面等の反射を考慮した係数

4周波数が 30〔MHz〕以下の場合、①から次式により電界強度 E〔V/m〕の値を算出する。
アンテナ

2S ＝
(3)

E………②3770

給電点

28 〔MHz〕における電波の強度に対する安全基準は、電界強度又は磁界強度があるが、電界強度の基準値は〔MHz〕を単位とする周波数を f とすれば次式から求められる。
824
電界強度の基準値 ＝〔V/m〕………③
f②から得られた電界強度 E と③の基準値を比較し、E＜③であれば、

R

10〔m〕

電波の強度に対する安全基準を満たしている。従って、図の算出地点ではこの設備は安全基準を満たして
A

B

12 /πいない

22 /πいる

34 /πいない

44 /πいるB。
算出地点
2 〔m〕 塀6 〔m〕

(HZ508－6)

A - 24 図に示す回路において、端子 ab 間に内部抵抗 RV が 1.8 〔MΩ〕の直流電圧計 VD を接続したときの端子 ab 間の電圧と、接続しないときの端子 ab 間の電圧の差の値として、最も近いものを下の番号から選べ。ただし、電圧の差は、VD の内部抵抗によってのみ生ずるものとし、また、直流電源の内部抵抗は無視するものとする。
R1 = 120〔kΩ〕
a

1 3.0〔V〕
2 2.5〔V〕
3 2.0〔V〕

VD RV

R2 = 200〔kΩ〕

V = 40〔V〕：抵抗

4 1.5〔V〕：直流電源

5 1.0〔V〕

bA - 25 次の記述は、図に示すように補助電極板を用いた三電極法による接地抵抗の測定原理について述べたものである。

内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。
(1) 接地電極板 X の接地抵抗 RX を測定するには、X、Y 及び Z を互いに十分Aとともに、間隔ができるだけ等距離になるように大地に埋める。
(2) コールラウシュブリッジなどのを電源とした抵抗の測定器を用いて、端子 ab 間の抵抗 Rab〔Ω〕、端子 bc 間の抵B

抗 Rbc〔Ω〕及び端子 ca 間の抵抗 Rca〔Ω〕を測定する。
(3)

Rab、Rbc 及び Rca から RX は、RX =CRca〔Ω〕で求められる。
Rab

B

C

1 近づける

直流(Rab＋Rca－Rbc)/22 近づける

交流

(Rab＋Rca－Rbc)/33 離す

交流(Rab＋Rca－Rbc)/34 離す

交流(Rab＋Rca－Rbc)/25 離す

直流(Rab＋Rca－Rbc)/3AaRbc
bc

大地X

YZ

間隔 ab ≒ bc ≒ ca
Y、Z : 補助電極板

B - 1

次の記述は、電気と磁気に関する法則について述べたものである。このうち正しいものを 1、誤っているものを 2 として解答せよ。
ア

磁界中に置かれた導体に電流を流すと、導体に電磁力が働く。このとき、磁界の方向、電流の方向及び電磁力の方向の三者の関係を表したものを、フレミングの左手の法則という。
イ

運動している導体が磁束を横切ると、導体に起電力が発生する。磁界の方向、磁界中の導体の運動の方向及び導体に発生する誘導起電力の方向の三者の関係を表したものを、フレミングの右手の法則という。
ウ

直線状の導体に電流を流したとき、電流の流れる方向と導体の周囲に生ずる磁界の方向との関係を表したものを、アンペアの右ねじの法則という。
エ

電磁誘導によって生ずる誘導起電力の方向は、その起電力による誘導電流の作る磁束が、もとの磁束の変化を妨げるような方向である。これをファラデーの法則という。
オ

電磁誘導によってコイルに誘起される起電力の大きさは、コイルと鎖交する磁束の時間に対する変化の割合に比例する。

これを電磁誘導に関するレンツの法則という。

B - 2

次の記述は、GPS(Global Positioning System)について述べたものである。

(1)

GPS の各衛星は、地上から高度約 20,000〔km〕の軌道上を約(2) 測定点の位置は、イ周期で周回している。の衛星の位置と衛星までの距離から求められる。

(3) その距離は、衛星から発射された

ウ(4) 測位に使用している周波数は帯である。

(5)

ア

内に入れるべき字句を下の番号から選べ。

エを測定して計算により求める。

アマチュア局においては、自局が発射する電波に位置情報を重畳したり、通信機や測定器のオ基準として利用したりしている。
16 時間

2 複数

3 電波を測定点で受信したときの電波の強度

4 超短波(VHF)

5 周波数

612 時間7 一つ8 電波が測定点で受信されるまでの時間

9 極超短波(UHF)10 電圧(HZ508－7)

B - 3 次の記述は、同軸給電線について述べたものである。
(1) 同軸給電線は、ア内に入れるべき字句を下の番号から選べ。

給電線として広く用いられており、イがシールドの役割をするので、平行二線式給電線に比べ放射損が少なく、また、外部からの電磁波の影響を受けにくい。
(2) 特性インピーダンスは、内部導体の外径、外部導体の周波数がオ

ウ及び内外導体の間の絶縁物の

2 平衡形

3 誘電率

4 外部導体5 高く

6 長さ

7 不平衡形

8 導電率

9 内径

10 低く

B - 4 次の記述は、スポラジック E 層(Es)の特徴について述べたものである。
(1) 日本では夏季の

ア

B - 5内に入れるべき字句を下の番号から選べ。に多く発生する。また、電子密度の時間的変化が(2) 発生する地上からの高さは、E 層と同じ約オで決まる。また、なるほど誘電損が大きくなる。

1 内部導体

(3)エ

ウ

イ。

〔km〕付近で、この高さは季節の違いにより大きくエ。の電波が反射されて、遠距離まで強い電界強度で伝搬することがある。

1 100

2 大きい

3 夜間

4 変化する5 マイクロ波(SHF)帯

6 300

7 小さい

8 昼間

9 変化しない

10 超短波(VHF)帯次の記述は、図に示すデジタルマルチメータの原理的構成例について述べたものである。

内に入れるべき字句を下の番号から選べ。

入 力変換部

アナログ信号(被測定信号)

A - D変換器

表示器
駆動回路

表示器

(1) 入力変換部は、アナログ信号(被測定信号)値の大きさや種類に応じて分圧等をするとともに、アに変換し A - D 変換器に出力する。A - D 変換器で被測定信号(入力量)と基準量とを比較して得たデジタル出力は、表示器駆動回路において例えば 7 セグメントの表示器に表示されるよう処理され、測定結果が表示器に表示される。
(2)

A - D 変換器における被測定信号(入力量)と基準量との比較方式には、直接比較方式と間接比較方式がある。

(3) 直接比較方式は、入力量と基準量とをウしてその波形のエイと呼ばれる回路で直接比較する方式であり、間接比較方式は、入力量をを利用する方式である。高速な測定に適しているのは、

1 ひずみ

2 微分

3 ミキサ

4 直接

5 直流電圧6 コンパレータ

7 積分

8 傾き

9 間接

10 交流電圧オ

比較方式である。

(HZ508－8)