Vol.２８ No.２，２００９

104
センターニュース

分析機器解説シリーズ（104）◆電子線三次元粗さ解析装置 …………………………………………………………… P1
株式会社エリオニクス

田口佳男・小俣有紀子

トピックス◆AFMの新しい測定モード：高速ナノスケール機械特性マッピング〜HarmoniX™（ハーモニクス）〜
日本ビーコ株式会社◆お知らせ……………………………………………………… P4

計測機器部

応用技術課

三澤真弓

…………………………………………………………………………………………… P7

分析機器解説シリーズ（104）

電子線三次元粗さ解析装置
株式会社エリオニクス

田口佳男・小俣有紀子

追加され、合計４個の検出器により三次元定量測定が可能になった。
走 査 電 子 顕 微 鏡（Scanning Electron Microscope、SEM）は、電子ビーム（一次電子線）と固体試料との相互作用によって10nm程度のごく浅い表面層から放出される二次電子信号を利用している。SEM像の明暗のコントラ

２．
１ 表面センシング

ストは主に試料表面の凹凸形状を反映したものであり、二入射電子と試料との相互作用により放出される種々の次電子検出器に捕捉された電子の量に対応している。これ信号において、形態情報源として利用できるものには二は、一次電子線の入射する方向と試料表面とのなす角度に次電子信号と反射電子信号がある。本手法では、１．一

よって二次電子放出量が変化し、さらに平行に近くなるほ次電子線入射点における信号の放出領域が横方向、深さど二次電子放出量が増加することに起因する。

方向共に狭く、空間分解能が優れていること、２．入射本測定法は、1985年にSEMに２個の二次電子検出器電子による試料損傷を考慮し、微弱な入射電流量でも（ＡとＢ）を設置し、その差信号（Ａ−Ｂ）から試料表面のSN 比の良い信号が得られることから二次電子を採用し

１）

Ｘ−Ｚの２次元凹凸プロファイルを求める手法

として実ている。

用化された複数検出器法である。二次電子放出量が試料表

また、使用する装置については、二次電子放出領域をよ面の傾斜角度に依存し、また、0 〜75 付近の間で単調にり狭く、より浅くするため、入射電子線のプローブ径を極増加することを応用した手法であり、SEMを基盤とした関小にし、かつ低加速電圧での使用に耐え得ることが要求さ連技術の一つである。その後さらに二次電子検出器２個がれる。

（1）

分析機器解説シリーズ（104）２．
２ 測定装置の構成と測定原理
まず、二次電子検出器２個を設置したSEMを例にとり、凹凸測定の原理を解説する。

図３に、式（1）より計算で求めた試料の傾きと実際の傾きとの対比グラフを示す。検証には真球度に優れるラテックス球状粒子（ポリスチレン製）を用いた。試料表面

基本的には通常のSEMとほぼ同じ構成であるが、２個に対し垂直入射が前提であるため粒子下部のオーバーハンの二次電子検出器ＡおよびＢを一次電子線走査方向に対しグ形状は得られないが、傾斜角度θ＜75 の範囲でよく一て平行かつ走査中心に対して対称位置に設置してある。

致していることがわかる。

実際の測定では、一次電子線の入射点において放出され前述の近似式は実験より得られたもので、検出信号Ａた二次電子は試料面の斜度と傾きの方向に応じた比率でＡとＢの差分をとることで、試料表面の組成情報を排除およびＢ検出器に同時に分配検出され、16bit のDA 変換器し、また、（A n ＋B n ）2 で割ることで入射電子の強度に対を経てPCに記憶される。
検出された二次電子信号には、形態情報の他に、試料の組成に起因する情報を含む場合も考えられるが、検出信号するキャリブレーションにもなっている。さらに、式（2）によってＸ−Ｚ方向の断面プロファイルが得られる。

ＡとＢの差分をとることで排除できる（図１）。図２はろう付けに使用される銀ろう材を表面研磨し、その後にアルゴンイオンエッチングを行なった表面であるが、Ａ＋Ｂ像（左）では、銀、銅、リンを主成分とした各々３つの偏析域が組成差コントラストとして現れているのに対し、検出信号の差分を画像にしたＡ−Ｂ像（右）では、組成情報はＡとＢともに同じ信号レベルで検出されるため相殺されて凹凸のみが強調された像となり、左方向から照明を当てたようになる。

本三次元粗さ解析装置 ERA − 8900 では二次電子検出

試料表面の一次電子線入射点における勾配は次の近似器を４個設置しており、一次電子線の走査方向だけでな式で表すことができる。

く、それに直交する方向の傾斜角度も測定することができる。４個の検出器Ａ〜Ｄを電子光学軸に対して対角に配置し、走査方向の傾斜角を（Ａ＋Ｃ）−（Ｂ＋Ｄ）の組み合わせ、また、それと直交する方向の傾斜角を（Ａ＋Ｂ）−（Ｃ＋Ｄ）の組み合わせにより三次元凹凸形状の再構築を行う。

図１ 二次電子検出器ＡとＢの配置と凹凸測定の原理

図２ エッチング後の銀ろう材表面のＡ＋Ｂ像（左）と同一視野のＡ−Ｂ像（右）（2）分析機器解説シリーズ（104）５）測定可能領域が広い。エリアで数μm2 から数mm2、また、凹凸方向では1nmから数十μmまでの範囲で測定が可能である。
ただし、測定エリアが 500μm2 を超えるような広領域測定では、電子線の垂直入射が前提のセンシング手法であるため、測定エリアの端部ではこれを満足しない。その結果として、測定されたデータのベースラインが凸型に湾曲するが、スプライン関数を用いたハイパスフィルターを用いることで補正できる。さらに、独自のスティッチング機能を用いれば、SEMの倍率制限を越える広領域での測定も可
図３ 測定値から計算で求めた傾きと実際の傾き能である（図５：10円硬貨にデザインされた平等院鳳凰堂）。

２．
３ 三次元測定 SEMの特徴
SEMを基盤とする本装置では、以下の特長と注意点がある。
１）焦点深度の深いSEM像を観察しながら測定箇所の探索が容易に行え、観察している視野がそのまま測定エリアになる。
２）Ａ−Ｂ像の左方向からの照明効果により、定性的に形状を判断できる。図4は、ビッカース硬度計による圧痕の SEM像である。左図のＡ＋Ｂ像（通常のSEM像）ではSEM特有の全方向照明効果により明るく影の少ない像となり、一見、ともすれば突起と図５ 広領域測定結果例判断してしまうほど凹凸感は曖昧である。これに対し、右図のＡ−Ｂ像ではその陰影コントラストから

６）PC 制御により測定時間が短い。

窪みであることがわかる。

２．
４ 装置の校正
校正には米国の国立研究機関であるNIST（米国標準技術研究所）にトレーサブルな VLSIスタンダード社（米国）の標準試料２）を用いている。これは表面形状検査装置の校正用として市販されているもので、シリコン基板上の酸化膜表面に高精度なエッチングによって段差が形成されている。
我々は測定可能なレンジ内で、４水準（最小段差15nm）の標準試料を用いている。
図４ Ａ＋Ｂ像（左）とＡ−Ｂ像（右）一般ユーザーにおいては、通常、二次電子検出系のハードウェアーに異常がなければ測定毎に校正作業を行う必要

３）機械的には非接触方式であり、通常ERA−8900ではないが、管理上定期的に行うことが望ましい。

は、10kV の加速電圧で測定を行う。但し、試料が不導体の場合、導電コーティング処理が必要になる。
４）一般に、微細形状測定では縦方向の分解能のみが強調されがちだが、横方向分解能も同等以上であるこ測定例として、めっき条件の異なるクロムめっき表面のとが望まれる。本測定法では、電子線プローブ径が比較データを図６に示す。本測定法の特徴である電子プ横方向分解能を決定する。縦方向のそれは測定原理

ローブ径相当の優れた横方向分解能によりナノオーダーの上、測定された傾斜角の分解能に依存する。横方向粗さの違いが明確に現れている。測定時間は測定点数によ分解能は、3.5nm（ERA−8900の場合）、縦方向るが、本データ300×225点の測定に対し要した時間はでは1nmを保証している。

80秒である。

（3）

分析機器解説シリーズ（104）／トピックス
定できることは、一部の異常か常態の一部かを判断することも、解析領域を選別することも容易にする。また、SEMの倍率制限を超える広領域での測定を可能にするスティッチング機能など、基礎となるSEM/3D 解析機能の拡張の他、X 線やカソードルミネッセンス、EBSP 等の分析機器、ナノマニピュレーターなどの搭載や加熱ステージへの交換も可能であり、更に活用の場を拡げることができる装置で

図６ めっき条件の違いによる粗さ比較例ある。
参考文献
本装置は業界を問わず、要素研究過程から製造工程まで随所で活用されている。SEMとして対象物を俯瞰しながら気になる部分をクローズアップし、必要に応じて三次元測１）Tadao Suganuma：J. Electron Microsc. 、Vol. 34、No. 4、328−337、1985
２）SHS 薄膜段差スタンダード（VLSIスタンダード社）製品カタログ

トピックス

AFMの新しい測定モード：高速ナノスケール機械特性マッピング〜 HarmoniX™（ハーモニクス）〜
日本ビーコ株式会社

１．は じ め にAFM（原子間力顕微鏡）は試料表面を様々な環境下においてナノスケールで観察できる計測装置である。

計測機器部

応用技術課

三澤 真弓

HarmoniX ™の測定例を図３、４に示す。ユーザは、簡単なパラメータ設定をおこない、興味のある機械特性の種類を選択するだけで、短時間で分解能の高い機械特性マッピングイメージを取得することができる。

約20 年前に世界初の AFMとして発表された「ナノスコープ」は、継続的な技術開発を経て、今回HarmoniX ™という革新的な技術によりさらに進化した。

３．機械特性とフォースカーブ

HarmoniX ™は、最新のNanoScope®Vコントローラシ

AFMを用いた最も基本的な機械特性評価手法は、フォーステム（図１）と特殊なプローブ（図２）を用いてタッピスカーブ測定である。探針を試料表面に押し付け、再び引ングモードで試料表面をスキャンし、形状測定をおこなう

き離すという動作をさせると、探針−試料間の相互作用にと同時に機械特性をマッピングする技術である。従来の応じてカンチレバーが反ったり（斥力相互作用）たわんだ「AFMを用いた機械特性評価」とは大きく異なるその手法り（引力相互作用）する。このようなカンチレバーの変位について概説する。

をレーザ光により検出し（光てこ方式）、各カンチレバーに固有のばね定数を用いて相互作用力を求める。ピエゾ

２．HarmoniX ™の特長て、相互作用力をプロットしたものがフォースカーブであ弾性率・吸着力といった各種機械特性をそれぞれ独立る。カンチレバーの種類（ばね定数などの特性）や測定条した特性として個別に、同時に、ナノスケールでマッ件（押し付ける速さなど）が変われば、得られるフォースピングできる。
（弾性率、吸着力、散逸エネルギー、他）カーブも異なる。

タッピングモードで走査するため、試料に対するダ測定したフォースカーブを解析することにより、試料のメージは最小限に抑えられる。

機械特性情報が得られる。弾性率は、フォースカーブの探針−試料間の接触面積が小さいため、空間分解能のスロープ部分に適切なモデルを適用することにより求めら高い機械特性情報が得られる。

れ、球−平面接触を取り扱うヘルツモデルが有名である。

通常のイメージングスピードで、つまり高速に、機械吸着力は、フォースカーブの負の領域から求められる。

特性のマッピングが行える。
定量性がある。

（4）

スキャナの伸縮量から求められる探針−試料間距離に対しフォースカーブ測定は機械特性の定量評価がおこなえる伝統的な手法であるとともに、上記ヘルツモデルに関する

トピックス（a）（b）

図１ NanoScope®V コントローラシステム（a）MultiMode®V システム （b）Dimension ™ V システム

図３ HarmoniX ™の測定例
PS（ポリスチレン）とEPDMゴムのブレンドサンプル。弾性率イメージ。弾性率の高い（明るい）マトリクスがPSで、弾性率の低い（暗い）島がEPDMゴム。

（a）

（b）

図２ 独自の HarmoniX ™専用プローブ（a）探針はカンチレバーの中心軸から離れた位置にある。
そのため本プローブを試料表面にタップさせると、探針−試料間の相互作用力がトルクとなり、カンチレバーのねじれ振動が発生する。
（b）カンチレバーの振幅応答は、共振周波数に依存する。
縦（タッピング）振動の場合、青いカーブのように縦方向の基本共振周波数および高次共振周波数付近で応答が大きくなる。一方ねじれ振動は、縦振動と比較してその基本共振周波数が高いため、赤いカーブのように幅広い周波数範囲に渡って振幅応答が得られることがわかる。探針−試料間の相互作用力は、タッピング周波数（縦振動の基本共振周波数で約60kHz）を１次とするフーリエ級数により記述されるので、各周波数に対するねじれ応答から逆フーリエ変換により相互作用力を求めることができる。

図４ HarmoniX ™の測定例（位相イメージングとの比較）
sPP（シンジオタクチックポリプロピレン）とEPDMゴムのブレンドサンプ
ル。視野５［um］。タッピングフォース（探針が試料表面をタップする力）を変えながら測定すると、位相イメージにおいてコントラストが反転した。
同時に測定したHarmoniX ™の吸着力および弾性率イメージにおいてはコントラストが反転していない。従来の位相イメージングにおいては、試料によっては測定条件によりコントラストが反転することがあり、定性マッピングでもあったため、適切な機械特性評価が難しいケースがあった。

議論もなされるなど、今もなお研究が進められている分析にダメージを与える恐れがあることが挙げられる。このよ評価手法である。しかしながら実用上の問題点として、多うな課題をクリアしたのが HarmoniX ™である。

点測定（マッピング）に膨大な時間がかかることと、試料（5）

トピックス

４．HarmoniX ™におけるフォースカーブ

５．独自のHarmoniX ™専用プローブ（図２）HarmoniX ™の基本動作はタッピングモードであり、HarmoniX ™は独自の専用プローブを用いて試料表面を探針はカンチレバーの基本共振周波数近傍で周期的に走査する。
（図２）探針はカンチレバーの中心軸から離れ試料表面に接触する。つまり１回タップする毎に探針−た位置にあるため、試料表面をタップすると探針−試料間試料間に相互作用力が働く。この相互作用力をタッピンの相互作用力がトルクとなり、カンチレバーのねじれ振動グ１回分の時間に対して計算・プロットしたものを時間が発生する。このねじれ振動の信号を高速に取得し周波数分解フォースカーブ（図５）と呼ぶ。このカーブの横軸分解することにより、幅広い周波数範囲に渡って、各ハーを探針−試料間距離に変換してプロットし直すと従来のモニック周波数(タッピング周波数の整数倍 )におけるねフォースカーブが得られる。フォースカーブを従来と同じれ振動成分が得られる。各周波数に対するねじれ振動様に解析することにより機械特性の定量評価をおこなう

情報を運動方程式に代入することにより、相互作用力の各ことができる。タップ１回分の時間（数10μsec オー

ハーモニック周波数成分が求められる。これを幅広い周波ダー）分、カンチレバーの変位信号（ねじれ振動およ数範囲に渡って足し合わせることにより、時間分解フォーび縦振動）を取得できればフォースカーブが計算によりスカーブが得られる（図５）。

得られる。実際にフォースカーブを多点測定した場合とカンチレバーの縦（タッピング）振動には、タッピング比較すると、測定時間は大幅に短縮される。またタッピ

動作のために基本共振周波数近傍で駆動する力と、探針−ングモードで動作しているため、試料にかかる力はナノ試料間相互作用力とが寄与している。しかしながら、タッニュートン［nN］オーダーに抑えられる。その結果ダメー

ピングモードのフィードバック制御により、共振周波数にジレス・探針先端の長寿命化・接触面積の低減・水平分おける縦振動振幅は一定に保たれるため、他の周波数にお解能の向上といった恩恵が得られる。

ける縦振動成分は大幅に抑えられることとなる。結果として、相互作用力の高い周波数成分に対する振幅応答は充分ではない。それに対してHarmoniX ™専用プローブのねじれ振動は、探針−試料間に働く相互作用力のみの結果として発生する。さらに、ねじれ振動の基本共振周波数は大（a）

変高いため、高次の周波数に対する相互作用力の振幅応答が、幅広い周波数範囲に渡り良好に得られるという決定的な利点がある。

６．高速処理を可能にする最新型
NanoScope®Vコントローラ
カンチレバーのねじれ振動を高次の周波数まで幅広く解（b）析するためには、振動信号を高速に取り込む必要がある。
最新型のNanoScope®Vコントローラには高速 ADコンバータ（最大サンプリングレート50MHz）が２個搭載されているため、カンチレバーの縦振動およびねじれ振動信号を同時に高速で取得することができる。また高速DSP・

（c）

（6）

図５ 時間分解フォースカーブ（a）ねじれ振動を周波数分解し、各周波数に対するねじれ振動から、運動方程式により相互作用力の各ハーモニック周波数成分（緑の各カーブ）が得られる。これらを幅広い周波数範囲に渡って足し合わせることにより、時間分解フォースカーブ（赤いカーブ）が得られる。これはタッピング１サイクルの時間に対して相互作用力をプロットしたカーブとなる。
（b），（c）機械特性の異なる領域では、各ハーモニック周波数におけるねじれ振幅応答（右下のスペクトル）およびその結果得られる時間分解フォースカーブ（右真ん中のカーブ）の波形は異なる。ここで、右上のカーブは縦（タッピング）振動の信号である。

トピックス／お知らせ
高速データ転送機能などにより、通常のイメージングスも最近発売された。現存する試料温度制御機能や環境制御

ピードで、各画素においてフォースカーブの構築および各機能などと組み合わせれば、より広範な材料評価をおこな機械特性値の算出がリアルタイムに実現されている。

うことが可能となる。最先端の研究開発に是非役立てていただきたい。

７．お わ り にHarmoniX ™は AFMを用いてナノスケールで機械特性を参考文献マッピング評価する革新的な技術である。標準的な専用プ

１）O. Sahin, S. Magonov, C. Su, C. F. Quate and O. Solgaard,
Nat. Nanotechnol. 2, 507（2007）

ローブで、約10MPa〜10GPa の弾性率を持つ材料（ほと２）O. Sahin, Rev. Sci. Instrum. 78, 103707（2007）

んどのポリマー材料に相当）に対する評価が可能である。

３）O. Sahin and N. Erina, NanoTechnology 19, 445717（2008）

より軟らかい材料や薄膜への適用を視野に入れたプローブ

お知（1）筑紫地区では粒系解析装置を更新しました。従来の装置（90 度散乱）と異なり後方散乱（165 度）により測定す

らせ（2）伊都地区では電子線３次元粗さ解析装置（ERA8900）を導入しました。

るため、試料の濃度調整を気にしなくて良くなりました。

（2）詳細は本号「機器分析解説シリーズ」をご参照ください。

また、コンピュータ関連もグレードアップし、取扱いがサンプルに導電性が無い場合は、導電処理が必要です。

便利になりましたのでご利用下さい。
粒系測定システムELSZ-OS 大塚電子㈱製

電子線３次元粗さ解析装置ERA8900 ㈱エリオニクス製
SEM 観察系

測 定 原 理動的光散乱法（光子相関）

分

解能

3.5nm

光半導体レーザー30mW

電子

銃

プリセンタードタングステン

検源

光電子増倍管

加 速 電 圧

0.3〜35kV

測 定 角 度

出器

165度（後方散乱）

倍率×10〜×300,000

粒系測定範囲0.6〜7μm

検器

二次電子検出器４本

測定濃度範囲0.001〜40％

溶

水、有機溶媒可能媒

試料温度範囲0℃〜80℃

光 相 関 計

リニア相関計：タイムインターバル法、タイムドメイン法、1024チャンネル
L o g 相 関 計：タイムドメイン法、440チャンネル

ソフトウェア表示

出試 料 サ イズ

Φ125×H10mm（最大径）Φ150×H30mm（最大厚）Φ110×H10mm

三次元測定系
Ｚ方向分 解 能1nm

ビ ー ム 走 査

デジタル走査

ＯＳ：Windows XP
解析：キュムラント平均粒径法、ヒストグラム法

測 定 方 向Ｘ方向、Ｙ方向傾 斜 補 正オート及びマニュアル

自己相関関数、粒径モニタープロット、重ね書きプロット、散乱強度分布など

測

Ｘ，Ｙ，Ｚ方向の距離、傾斜角度

利用料金（暫定） １件 1,000円

粒径測定装置長解 析 機 能

等高線、面積率、山数、粒度、表面積、
鳥瞰図、JIS 企画粗さパラメータ

ERA8900

（7）

お知らせ
（3）
「登録装置」に関して（3）これまで「登録装置」として研究室所属の分析機器を共同利用機器として有効利用にご協力いただいてきましたが、本学における大型機器共用の方針に基づくセンター規則の改正により、今後は「部局管理装置」として中央分析センターに登録することで共同利用が可能になります。今後「部局管理装置」としての登録台数の増加を考えておりますので、共同利用可能な機器類がありましたら、お問い合わせください。また登録された「部局管理装置」の利用経費に関しても段階的に外部資金での支払が可能になります。
（4）最新の所管装置の利用経費表です。H21年４月より学外料金も設定されております。詳細はお問い合わせ下さい。

中央分析センター所管装置利用経費（学内用）◆利用料金（自身で測定する場合）
機器◆分析依頼料金名（型式）（円 / 件）

高感度示差走査熱量計（DSC6220）

1,900

蛍光 X 線分析装置（PV9500）

1,500

光交流法比熱測定装置

3,700

レーザー粒径解析装置（LPA-3000/3100）

1,000
500
500

原子間力顕微鏡（Nano ScopeⅢa）

1,500

区

地

赤外分光分析装置（FT/IR-550）

地

顕微赤外分光分析装置（MFT-2000）

機

名（型式）

（円 / 件）
22,900X 線光電子分光分析装置（AXIS-165）

22,5004 軸型自動 X 線回析計（CAD-4）

95,400Weissenbergカメラ

1,900

光交流法比熱測定装置

10,600超伝導核磁気共鳴装置（VarianI NOVA）

6,200

超高圧物性測定装置

11,900雰囲気中液体急冷装置

4,200

区

超高圧物性測定装置

2,200

高周波2極スパッタ装置（SPF-210HRF）

2,500

光散乱光度計（SLS-600）

2,500

ラバープレス

1,600500

超伝導核磁気共鳴吸収装置（JNM-ECP400）

6,900

1,400

誘導結合プラズマ質量分析装置（Agilent7500c）

6,500

ラウエカメラ高周波2極スパッタ装置（SPF-210HRF）
ラバープレス600

超伝導核磁気共鳴吸収装置（JNM-ECP400）

1,000

X 線分析顕微鏡（XGT-5000）

5,800

誘導結合プラズマ質量分析装置（Agilent7500c）

5,000

都

5,700
5,300

伊X 線回折計（Multi Flex）
X 線回折計（XD-D1）
蛍光 X 線分析装置（EDX-800）

4,000

X 線回折計（Multi Flex）

1,000

走査型電子顕微鏡（SS-550）

6,700

機器名（型式）（円 / 時間）800

電顕用エネルギー分散型X線分析装置（Genesis2000）

5,500

電界放出型走査電子顕微鏡（JSM-6701F）

9,900

1,500

走査型プローブ顕微鏡（D-3000）

6,200

900

イオンコーティング装置（IB-3）

1,000

X 線分析顕微鏡（XGT-5000）

1,700

蛍光 X 線分析装置（EDX-800）

地

伊X 線回折計（XD-D1）

1,000

イオンコーティング装置（JFC-1600）

1,000

地

2,000

フーリエ変換赤外分光光度計（FT/IR-700）

4,200

フーリエ変換赤外分光光度計（FT/IR-620）

4,600

熱分析システム（SSC5200）

6,500

走査型プローブ顕微鏡（D-3000）

1,000

イオンコーティング装置（IB-3）400

イオンコーティング装置（JFC-1600）700

フーリエ変換赤外分光光度計（FT/IR-700）700

フーリエ変換赤外分光光度計（FT/IR-620）

1,000

熱分析システム（SSC5200）

800材料試験機（AG-5000D）

5,000

区

電顕用エネルギー分散型X線分析装置（Genesis2000）
電界放出型走査電子顕微鏡（JSM-6701F）

区

都

走査型電子顕微鏡（SS-550）

九州大学中央分析センターニュース
九州大学中央分析センター（筑紫地区）〒816-8580 福岡県春日市春日公園6丁目1番地
TEL 092-583-7870／FAX 092-593-8421
ホームページアドレス（8）器

オージェ電子分光分析装置（JAMP-7800F）

紫紫2,900筑筑

超高感度示差走査熱量計（DSC6100）

第104号 平成21年4月15日発行

九州大学中央分析センター伊都分室（伊都地区）〒819-0395 福岡市西区元岡744番地
TEL 092-802-2857／FAX 092-802-2858

http://www.bunseki.cstm.kyushu-u.ac.jp