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あいち産業科学技術総合センター 研究報告 2013

研 究 ノート

シリコン基板上窒化ガリウム半導体のナノ分析とバルク評価
杉 本 貴 紀 ＊ 1、 加 藤 正 樹 ＊ 2、 中 尾 俊 章 ＊ 1、 杉 山 信 之 ＊ 1、 鈴 木 陽 子 ＊ 1、 加 納 廣 和 ＊ 3

Nano Analysis and Bulk Evaluation for GaN transistor Grown on Si Substrate
Takanori SUGIMOTO *1 , Masaki KATOU *2 , Toshiaki NAKAO *1
Nobuyuki SUGIYAMA *1 , Yoko SUZUKI *1 and Hirokazu KANOU *3
Research Support Department * 1 ～ 3
シリコンに代わる次世代半導体材料の一つとして注目されているシリコン基板上窒化ガリウム半導体につ い て 、 透 過 電 子 顕 微 鏡 （ TEM）、 X 線 光 電 子 分 光 装 置 （ XPS） に よ る ナ ノ 分 析 を 試 み た 。 ま た 、 同 半 導体 を 用 い て 作 製 し た LED デ バ イ ス 構 造 を 、光 学 顕 微 鏡 に よ り 非 破 壊 評 価 す る こ と を 試 み た 。TEM 観 察 の結 果 、窒 化 ガ リ ウ ム に 転 位 と 推 察 さ れ る コ ン ト ラ ス ト が み ら れ 、結 晶 成 長 の 状 態 を 評 価 し た 。ま た 、TEM
観 察 、XPS 分 析 に よ り 、シ リ コ ン 基 板 、窒 化 ガ リ ウ ム と シ リ コ ン 基 板 と の 熱 膨 張 係 数 差 を 補 完 す る た め の超格子歪緩和層、窒化ガリウム層といったナノ～ミクロ積層構造を明瞭に観察・評価した。さらに、光学顕 微 鏡 に よ る 落 射 蛍 光 観 察 に よ り 、 LED デ バ イ ス 作 製 時 の 不 良 を 評 価 す る こ と が で き た 。

１．はじめにムガリウム（AlGaN）/窒化アルミニウム（AlN）は、表地球温暖化問題や、東日本大震災を契機とする原子力面状態を改善するために成膜されるものである。その上発電の稼働停止を背景に、電気エネルギーのより効率的の SLS は、GaN と AlN の多層膜から成っており、シリな利用が重要な課題となっている。産業機械や自動車、コン基板と窒化ガリウム半導体の熱膨張係数の差を補う電化製品等に用いられるパワーデバイスにおいては、そためのものである。これにより、シリコン基板上に厚膜の高性能・高効率化が求められている。の窒化ガリウム半導体を反りなく成膜できる。最表面の従来からのパワーデバイス材料であるシリコン（Si）

AlGaN は絶縁膜としての機能を果たす。に代わる高性能・高効率な半導体材料の一つとして、窒化ガリウム（GaN）が注目されている。江川は、安価なSi 基板上に、Si と GaN の熱膨張係数差を補完する超格子歪緩和層（Strained Layer Superlattice, SLS）を介して GaN を大面積かつ高品質に成膜する技術を確立した
1)。

この技術開発を進め、地域企業への移転を促すためには、その性能・品質評価を支援する体制の構築が必要で図１ある。

供試したシリコン基板上窒化ガリウムの構造

そこで本研究では、シリコン基板上窒化ガリウム半導体のナノレベルでの分析とバルクでの評価技術を確立す

2.2 透過電子顕微鏡による断面微細構造観察ることを目的として、透過電子顕微鏡（TEM）や X 線集束イオンビーム加工観察装置（FIB、日立ハイテク

光電子分光装置（XPS）によるナノ分析と光学顕微鏡にノロジーズ製 FB2200）により、電子線が透過する厚さよるデバイス観察を行った。

約 100nm 以下にまで薄膜化した。その後、TEM（日本電子製 JEM-2100F）を用いて断面構造観察を行った。
加速電圧は 200kV である。

２．実験方法

2.3 X 線光電子分光装置による表面分析

2.1 供試材供試材として用いたシリコン基板上窒化ガリウムの積XPS（アルバック・ファイ製 PHI 5000 VersaProbe）層構造を図１に示す。シリコン基板上の窒化アルミニウを用いて、試料最表面を分析した。また、アルゴンイオ＊

1 共同研究支援部

計測分析室

＊

2 共同研究支援部

試作評価室

＊

3 共同研究支援部（現食品工業技術センター）

3ン銃によるスパッタリングを行いながら深さ方向に分析を行った。線源は、モノクロ化 Al-Kα である。
2.4 光学顕微鏡によるデバイスの非破壊観察
図 1 の基板を用いて作成した LED のデバイス構造を、落射式光学顕微鏡（ニコンインステック製 LV150N）を用いて明視野・蛍光観察した。蛍光観察における励起波長は 330～380nm である。

３．結果及び考察
3.1 透過電子顕微鏡による断面微細構造観察

図３

XPS による表面・深さ方向分析結果

TEM 観察結果を図２に示す。左側の像では、図 1 に示した断面構造を確認することができた。右側の拡大像され、白いコントラストで観察された。白破線で囲った

では、GaN の内部に転位と推察される黒い線状のコント部分は、励起光による白いコントラストが少し現れていラストが観察された。転位の有無やその数は結晶性材料ることから、電極形成でのリソグラフィーにおいて過度の品質を左右するものである。また、SLS は GaN と AlNに露光されたか、絶縁保護膜が薄いことが推察される。の多層膜から成っているが、その様子が白黒の横縞模様

また、白実線で囲った部分に見られる点状の励起は、有のコントラストにより観察された。

機系異物の残留と推察される。

図４

図２

光学顕微鏡による明視野・蛍光観察結果

TEM 観察結果

４．結び
3.2 X 線光電子分光装置による表面分析

本研究により、シリコン基板上窒化ガリウム半導体にXPS を用いて試料最表面 AlGaN を分析したところ、ついて、TEM、XPS を用いたナノ分析評価技術を確立

Al、Ga については測定スペクトルを当該元素で帰属でした。これらの手法は、産業界で幅広く用いられているき、妨害元素は見られなかった（図３）。一方、N につナノ積層薄膜の分析に応用できる。また、光学顕微鏡をいては、Ga のオージェ電子による妨害ピークが近傍に用いた明視野観察、蛍光観察を併用することで、非破壊見られたため、定量的な分析は行えないことが分かった。

でデバイス観察を可能とした。

深さ方向分析による定性的な評価では、最表面に Al、付記

Ga、N が検出され、スパッタ時間とともに Ga の原子数濃度値がやや小さく、Al、N の値が大きくなり、その後本研究の一部は、（公財）科学技術交流財団「平成 24

Ga、N のみとなった。すなわち、最表面から AlGaN/

年度愛知ナノテクものづくりクラスター成果活用促進事

AlN/GaN の積層構造であることが示唆され、図 1 で示業（技術開発推進支援事業）」により実施した。試料提供、したとおりに積層していることが明らかとなった。

分析に関するアドバイスなど、多岐にわたりご協力いた
だいた名古屋工業大学の江川孝志教授、久保俊晴助教に3.3 光学顕微鏡によるデバイスの非破壊観察謝意を表します。

光学顕微鏡により明視野観察を行うと（図４）、正方形状の電極に黒い点状のコントラストが見られ、電極形成の工程において不良が生じたと考えられる。不良部を拡大して蛍光観察を行うと、電極以外の領域が蛍光励起

文献
1） 江川： J. Vac. Soc. Jpn., 54(6), 381 (2011)