LIGA プロセス―マイクロデバイスへの応用と今後の展望―
内海裕一
要

旨

兵庫県立大学

高度産業科学技術研究所〒6781205 兵庫県赤穂郡上郡町光都 312

電気的光学的機械的化学的諸機能を一定の領域に集積したマイクロ構造体の実現は，小型産業機器，民生機器の主要先端部品を構成するマイクロマシンシステムの発展に多くのメリットをもたらすものと期待される。マイクロマシンシステムは，集積化半導体回路の作製技術から派生した，MEMS（マイクロエレクトロメカニカルシステム）技術を用いて作製されているが，近年，より高い精度と高いアスペクト比を有する 3 次元構造体の実現が求められている。これを実現する技術として，放射 X 線リソグラフィ，電鋳，及び成形過程から成る LIGA プロセスが注目されている。本稿では，LIGA プロセスの実際と，そのデバイス適用を紹介し，合わせて技術的課題を抽出する。さらに次世代の LIGA プロセスを予感させるいくつかの新たな試みについて紹介する。

1. LIGA プロセス

関わっており，任意形状によるフレキシブルな駆動や立体的情報のセンシングが技術的なブレークスルーをもたらす「高度情報通信」，「環境エネルギー」，「医療バイオ」

ことが期待される。

等の各種先端産業システムにおいて，小型集積化した機能

このような高アスペクト比の構造体を形成する技術としデバイスである「マイクロシステム」の応用が急速に進んて最も有力と期待されているのが，放射光を用いた LIGAでいる。これらのマイクロシステムは PC や携帯電話のよ（Lithographie（リソグラフィ），Galvanoformung（電鋳），

うな情報機器，家電製品，自動車，電池および，医療シス

Abformung（成形））プロセスである1)。このプロセスは，

テムといった高機能機器に搭載され，それらの機能の鍵をFig. 1 に示すように Deep（深堀りの意味）X 線リソグラフ

握る重要なパーツを構成している。マイクロシステムの応ィによる高アスペクト比の微細プラスチック構造体による用は多岐にわたっているが，センサー，アクチュエータ

マスターを作製し，これを基に電鋳による金属金型の作製

ー，RF スイッチ，カテーテルなどのマイクロ電子機械部を行い，この金型をそのまま構造体部品として用いる。あ品，光スイッチ，光スキャナ，光導波路などのマイクロ光

るいはこれを鋳型としてプラスチック成型を行うという微学素子，インクジェットノズル，集積化分析チップ，燃料

細立体構造体の量産技術である。成型技術を用いるため，電池などのマイクロ流体素子に大別される。これらの要素最終的に得られる構造体の材質は，金属以外に樹脂，ガラ

部品は電子回路による信号処理に加え，光学的，機械的おス，セラミックと自由度が高い。技術のルーツはドイツのよび化学的な機能を同時に実現するために 3 次元構造を

カールスルーエ原子核研究所（ KzK ）にあり，その発展とる場合が多い。こうしたマイクロシステムの作製に用いられているのが，MEMS(MicroElectroMechanical

Systems ) と呼ばれる微細加工技術である。従来はシリコ
ン半導体技術を基本に，研磨，放電加工等の機械加工や積層，封止，接合等のアセンブリ技術を複合することによって形作られてきた。しかし近年，より微細で高アスペクト比（高さ/幅）の構造体を形成することが必要とされてきている。これは構造体の寸法が微細化すればするほど比表
面積（面積/体積）が大きくなり，静電力や表面張力，表面密着力，表面化学反応等のマイクロ構造体の機能発現に有利な自然現象の効果が顕著となり，部品としての性能が向上するためである。また，マイクロシステムの医療やバイオ応用を展開する上で，生体組織，細胞，DNA の形態に適合した 3 次元構造は，必要とする機能実現と密接にFig. 1Elemental steps of LIGA process.

136 ● 放射光 May 2005 Vol.18 No.3
(C) 2005 The Japanese Society for Synchrotron Radiation Researchナノテクノロジー特集 ■ LIGA プロセス―マイクロデバイスへの応用と今後の展望―の基礎となる技術の多くが今もなお同研究所（現在はカー

Table 1

ルスルーエ研究所（KfK）と改称）から誕生している。もExamples for the experimental manufacture of micro
devices using LIGA process

ともと精密機械加工技術の限界寸法を打破するために開発

Category

された技術であるため，今でも半導体加工（サブミクロン）

Sensoraccelerated velocity sensor, position sensor,
distance sensor, chemical analysis sensor,
nuclear radiation sensor, supersonic transducer

Actuator

micro turbine, electrostatic linear actuator,
electromagnetic linear actuator, pneumatic
micro actuator, micro gearMotorelectrostatic linear step motor, electromagnetic
motorElectronics

micro electrical connector, micro electricalswitch, solenoid coil, micro capacitor, microelectrodes

Opticsoptical switch, optical ˆber connector, lighting
guide panel, x-ray focusing lens, spectrometer,
diŠractometer

Fluidics

printer ink jet nozzle, isotope separation nozzle, micro membrane pump, bi-stability ‰ow
switch, separation ˆlter, micro mixier, micro
reactor, micro thermal exchangerと機械加工（数十 mm 以上）による加工寸法の狭間を埋める技術（数 mm ～数 mm ）としての用途が多く，成形，電鋳プロセスとの組み合わせで成り立っていることからその技術的応用的な発想は機械加工に近い。一方で MEMS
技術と併用して用いられる場合が多く，その立体化の鍵を握る重要な技術となっている。本稿ではまずマイクロデバ
イスの開発を例に挙げて LIGA プロセスの優位性を述べる。さらにこのプロセスの個別工程に分け入ってその技術的課題抽出を行った後に，これらのブレークスルーとして期待される最近の技術的試みのいくつかを紹介する。最後に，放射光を用いた産業応用を念頭に置いた将来展望について述べる。

Concrete Devices

2. LIGA プロセスによるマイクロデバイスの開発例に，犠牲層プロセスを併用した容量型加速度センサーが挙
従来の MEMS 技術は，デバイスを成す主要な構造体のげられる3,4)。このセンサーは従来の MEMS 技術では基板

形状創成に半導体技術を主に用いたため，作製されるデバに垂直方向の加速度しか測定できなかったのに対し，基板イスの厚みは数 mm 以下の二次元構造的な場合が多く，静に水平な方向が測定できる。高アスペクト比構造のために電力を応用した各種アクチュエーターやセンサなどを例に

可動電極，固定電極間の静電容量を格段に大きくすること取るとデバイス面積に対する出力効率や感度が低いことがができ，0.01 pF レベルの静電容量変化を精度良く測定す難点であった。LIGA プロセスを用いた 3 次元構造によるる事が可能となった。特にこの犠牲層プロセスは 3 次元

アクチュエータやセンサは従来の MEMS 技術で作製した加工に展開する技術として LIGA プロセスの応用を大きものよりも高い出力と感度が期待できるため， 1980 年代

く広げ，マイクロアクチュエータとして静電型ステップ

後 半 か ら MEMS の 分 野 で 注 目 さ れ る 技 術 と な っ た 。

モーター5)，や電磁型リニアアクチュエータ6) ，空気駆動

LIGA プロセスは，もともとウラン濃縮のための分離用微型アクチュエータ7) などが試作された。 Fig. 2, 3 にリニア小ノズルを量産するためにドイツのカールスルーエ原子核

駆動，回転駆動のモーターの例を示す。情報通信用部品で研究所（KfK）の E. W. Becker, W. Ehrfeld らが開発したは 光 ス イ ッ チ8,9) ， コ ネ ク タ ア レ イ10,11) ， 各 種 光 導 波ものである1,2) 。分離ノズルは 2 次元構造の大きさに逆比路12)，マイクロスペクトロメーター13,14)，レンズ15)，ビー

例してガスの供給圧が上昇できるが，分離の収率を上げる

ムスプリッター，可変フィルタ，フォトニック結晶16) ，ためにはアスペクト比の大きい数ミクロンレベルの微小体

測長器17) と開発が多岐に渡っている。これは，光通信市

構造が作製出来る技術が必要となった。そのために，従来場が他の分野と比較して特に大きいために，ビジネスのの X 線リソグラフィより一桁大きいエネルギーの放射光ターゲットとしてばかりでなく，これらの光学部品が光通を用いた微細な垂直加工技術と精密成形によるプロトタイ

信技術そのものに影響を与えたためである。光部品の例とピング技術が開発された。実証プラントの建設までは至ら

して Fig. 4 ( a ) , ( b )に，三菱電機のグループが作製したマなかったが，その副産物としての作製技術は多くの新たなイクロ測長器の例17) を挙げる。この光学システムはレー

マイクロ部品の開発が加速する原動力となった。LIGA プ

ザーダイオード，モニターダイオード及び光検出器をとマロセス開発の当初は単にアスペクト比の高い微細 2 次元

イクロ光学基板を集約した構造となっており，LIGA プロ

構造体を作製するだけであったが，その後 3 次元構造体

セスを用いた高機能システムが実現されている。 15 mmを実現するためのいくつかの方法が開発されたため，その× 15 mm というコンパクトサイズに納まっており，数十

応用範囲は各種センサー，アクチュエータ，情報通信用光

mm レベルの距離に対し± 2 以内という高い測定誤差を学部品などを中心に，医用，バイオ応用デバイスまで大き得ている。

く広がっている。Table にこれまでの代表的な応用例を示

最近の新たな応用の展開としては，マイクロフルイディ

す。以下にいくつかを取り上げて説明する。LIGA プロセクス（マイクロ流体素子）に対する LIGA プロセスへのスの有効性を示す典型的な例として良く知られているもの

応用が始まっている。例えば製薬の高速スクリーニング，

放射光 May 2005 Vol.18 No.3 ● 137

Fig. 2

Electrostatically driven linear motor with submicrometer
nickel structures. This ˆgure cited from catalog of KfK.

Fig. 3

Electrostatically driven rotating micromotor made of nickel.
This ˆgure cited from catalog of KfK.

臨床検査，ゲノム解析，環境分析などに用いられる電気泳動や液体クロマトグラフィーなどのマイクロチップや流体システムの 要素部品と してのバル ブ，ポンプ ，リアク
ター，コネクター等が挙げられる1824) 。ディープ X 線リ

Fig. 4

SEM image of the micro-optical system.
a) Free space structure made by LIGAb) Sensor chip mounted on a TO8 CAN heater.

ソグラフィの流路応用については，感光性エポキシ樹脂の構造体をモールドとして作製した PDMS （ポリジメチルー21) ，多機能流体フィルターを用いた垂直単位操作型のシロキサン）チップにおいて，より試薬の電気泳動分離過マイクロリアクター22,23)などが提案されている。それぞれ

程で分解能が低下しない特性が報告されている18) 。これを Fig. 5(a), (b), Fig. 6 (a), (b)に示す。Fig. 5 は，LIGA プ

らは 1 チップにシステム的な機能集約が要求されるだけ

ロセスを用いてマイクロ流体の有効なミキサー（Fig. 5(a））

でなく，試薬毎の使い捨てが前提となるので，コストを大を実現した最初の例であり，リアクターとしてパッケージ

きく下げることが必須となるばかりでなく，分析チップのング（Fig. 5(b））したものが実用化に成功している。Fig. 6

場合は試料分抽ロボットのハンドリング規格サイズ（例えにおいては，流体フィルターの表面物性，穴径を最適化す

ば86 mm × 128 mm ）に多数の電気泳動チップを集積するることにより，流体挙動を制御するためのバルブ機能と層ことが必要であり，ディープ X 線リソグラフィの加工面

流流路機能の二つの機能が実現され，これを用いた新たな積の飛躍的な向上が求められる25) 。マイクロリアクター

垂直化学操作型のリアクターが提案された22,23)。

は，LIGA プロセスの特長である高アスペクト比構造を利次に MEMS 技術や精密加工技術と LIGA プロセスの複用することによって，反応の制御性，効率を大きく高める

合によって試作が行われた例として，Fig. 7 にマイクロポことが可能であるため，早くからその応用がなされてきンプの例を示す20) 。このポンプは可動ダイアフラム部分た。この動きは MEMS 分野にも波及し，現在はマイクロが MEMS 技術により作製され24)，流路を形成するハウジ

TAS (Total Analysis Systems) と呼ばれるマイクロ流体

ングが LIGA プロセス即ちディープ X 線リソグラフィと素子による新たな分析化学，生命科学への応用が飛躍的に成形工程によって作製され，それぞれが接着剤によって接高まってい る。高アス ペクト比構 造を応用し たミキサ

合されている。これにより，大きな流量と圧力の制御範囲

138 ● 放射光 May 2005 Vol.18 No.3

ナノテクノロジー特集 ■ LIGA プロセス―マイクロデバイスへの応用と今後の展望―

Fig. 7Micropumps fabricated by LIGA and MEMS process. Thisˆgure cited from catalog of KfK.

れてきたが，半導体プロセスや精密機械加工技術と比較す
ると製品化例が少ない現状にある。それにはプロセスの完成度，技術の認知度，開発拠点の分布，作製コストに対する誤解など様々な要因が考えられる。しかし本稿では主にLIGA プロセスの技術的側面に絞って議論し，今後の展望
Fig. 5Photographs of Micromixer21).
a) Mixing element fabricated LIGAb) Overhead view of micromixer

を考えたい。

3. LIGA プロセスの個別工程と課題
LIGA プロセスは，簡単に言い直すと放射光からもたらされる X 線の高い輝度，平行性，及び透過性を利用して高アスペクト比の精密微細構造を形成し，電鋳で金型を作製し，成形技術によってマイクロデバイスのパーツを直接製造，もしくは量産する技術である。ここでは LIGA プ
ロセスを構成する一連の個別工程（ディープ X 線リソグ
ラフィ，電鋳による金属構造体形成，マイクロ成形）について触れ，将来の実用上のさらなる発展に向けた技術的課
題を抽出する。

3.1

ディープ X 線リソグラフィ

ディープ X 線リソグラフィは， LIGA プロセスを用いて作製しようとする所望の微細構造体の形状や寸法，製作精度を決定してしまう最も重要な工程と言える。Fig. 1 に示したように， X 線マスクを通して X 線を基板上に形成
Fig. 6Micro reactor for vertical chemical operation using ‰uid
ˆlters with micro bores.

した感光性樹脂（レジスト）層に照射する。マスクの X
線吸収体のない部分のみ感光したレジストの分子鎖が切断され，その後の現像工程によって感光した部分のみが選択（それぞれ 150 280 ml / min, 40 140 hPa ）を得ており，し的に溶解（ポジレジスト）もしくは残存（ネガレジスト）

かも 7000 時間以上の長時間運転によっても吐出圧力が一してレジストの微細構造体が形成されるものである。放射定という優れた特性を有している。

光光源の特性及びレジストの加工特性が工程の要素技術を

この他にも LIGA プロセスの応用は，内燃機関26) 燃料

決める最も重要な項目であり，これに従って X 線マスク

電池27)など広範に展開されており，枚挙にいとまがない。

の構造や材料，得られる微細構造体の寸法，解像度やアス以上のように LIGA プロセスにおいては MEMS 技術やペクト比が決まる。具体的には放射光光源，ビームライン，

精密機械加工を巧みに取り込みながら幅広く実用化が図ら

X 線マスク，露光装置，レジスト，パターン位置決めな

放射光 May 2005 Vol.18 No.3 ● 139

どの個別の専門技術の集約によって実現され，その技術的KeV ）より高いエネルギー領域（ 3 KeV 以上）の放射光

裾野は広い。光源，ビームライン技術については，ビームを用いることにより，感光性樹脂への X 線の侵入深さを物理や X 線光学，超高真空工学，放射線安全工学などの深くして高アスペクト比の微細構造体を得ている。近年で特殊な分野に属するため，その具体的内容は他の著書を参は露光に用いる X 線のエネルギーは一層高エネルギー化

照されたい28,29) 。さて，以上のディープ X 線リソグラフ

しており，20 KeV 程度の高いエネルギーの放射光を利用

ィ工程中で，主要となる X 線マスク作製とレジスト工程

して，3 mm 程度の厚さの高アスペクト比構造体が実現しについて少し詳しく述べる。 X 線マスクは，吸収体と透ている3032) 。一方，利用 X 線エネルギーの増大によって過体（メンブレン膜）で構成される。吸収材料としては現露光に用いる X 線マスクの吸収体の厚さも数十ミクロン

在 Au, Ta, W 等が用いられているが，Au は電気メッキにと増大している。このため実現出来る線幅の下限をサブミ

よって内部応力の低い膜が作製され，吸収特性や X 線マ

クロンレベル以下にすることが困難となり，微細化の限界

スク作製工程における薬品耐性も高いことから最も一般的寸法が高くなるというデメリットも生じて来ている。まに用いられている材料である。 Ta, W は，本来は半導体

た，アスペクト比の高い構造体は作製できるが，露光の基プロセスにおける X 線リソグラフィで用いられて来た材

本手法は従来の X 線リソグラフィと同じであるのに加料であり， 電子ビーム 描画とリア クティブエ ッチング

え，用いる放射光のエネルギー領域が高いため，基本的に（ RIE ）によってより微細なパタン形成され，寸法精度も形成できるマイクロ構造体は 2 次元面内に展開する構造

十 nm と高いものが得られる。前者は簡便で低コストであであり， 3 次元形状の作製が困難であるという状況があるが，数百 nm 以下の構造体を形成する場合は後者を用いる。さらに一括可能な露光面積は X 線マスクの構造と作るのが一般的である。但し現状ではコストは格段に高くな

製工程の制限により4 インチ程度に留まっている。微細化

り，サブミクロンレベルでの LIGA プロセスの実用化のの限界はこれまで報告された例から 0.2 mm 程度33,34) であ障害となっている。メンブレン膜材料には， Si3N4, SiC,る。このように高エネルギーを用いたリソグラフィでは，Be ，ポリイミド，感光性エポキシ樹脂などが用いられて吸収体の厚さは数十ミクロン以上必要とされ，電子ビーム

いる。ポリイミドなどに代表される高分子材料は X 線のリソグラフィや UV リソグラフィで作製可能な吸収体の照射耐性に劣るが，作製工程が簡便でコストが低く，比較

アスペクト比の制限要因から，線幅の下限が決まってしま

的大面積のものが得られることから，LIGA プロセスではうことが問題となる。また，レジスト工程には，塗布，露従来一般的に用いられて来た。Be は X 線透過率も高く，光，現像リンス，剥離工程が含まれるが，今後作製する

機械的強度も高いが，マスクと基板レジストとのアライメ

構造体のサイズが数 mm～サブミクロンと微細化するにつントに用いる可視光を透過しない事が難点である。従来，れプロセス面積の増大も要求されつつあり，対する要求も実用部品の製作では主に Si3N4, SiC メンブレンが用いら厳しくなってくるものと考えられる。特に厚膜レジスト材

れて来たが，最近では寸法レベルが数十 mm 以上の製品での形成では膜厚の制御性と均一性，および電鋳後の剥離がは高分子のメンブレンを用いる場合も出てきている。

問題になっており，従来とは異なる方式の開発も必要にな

次に重要なレジスト技術について述べる。レジストは，ると予想される。

LIGA プロセスにおけるオリジナルな構造体そのものとなは多い。レジスト材及びレジスト層形成工程で要求される電鋳によるマイクロ金属構造体（金型）の形成
LIGA プロセスにおける電鋳は，厚さが数百 mm ～数
mm ，最終寸法は一般的に数 mm 程度と，微細かつ高アス特性には，高解像度，高感度であることや， X 線照射にペクト比の構造体を作製する点で特徴がある。作製される

よって変性しないことは勿論のこと，平坦膜が高い膜厚精マイクロ金属構造体は 1 )次なる成形工程で用いる金型，るため，材料開発，露光技術，現像工程，リンス工程まで
多くの条件が要求される。特に材料特性に対する要求項目

3.2

度（ 1 mm 以下）で均一に形成可能なこと，下地基板と高2 )金属構造部品としての最終製品の二つの目的に使用さい密着性を有すること，現像工程で膨潤，クラック，基板

れるが，ここでは特に 1 )の観点から電鋳工程について述からの剥離を起こさないこと等が求められる。このようにべる。前述したように LIGA プロセスの概念は，金型をレジスト材料に求められる要求項目は多く，その開発は重用いた成形までの量産工程にあるが，半導体プロセスや，要である。PMMA 以外に本格的な取り組みが充分行われ他の MEMS 技術プロセスと比較すると，実用まで至ってて来なかった。現在でも，PMMA は主要なレジストの一いる例は多くはない。この要因はいくつか考えられるが，つである。

特にディープ X 線リソグラフィ以降のマイクロ金属構造

以上ディープ X 線リソグラフィの個別工程について概体（金型）の作製とこれを用いた成型プロセスが十分に確略的に述べた。ディープ X 線リソグラフィの主目的は，立，普及していないためと考えられる。従って成形に利用

現在でも，なるべく高いアスペクト比の微細構造体を精度可能な高耐性マイクロ金型の実現はプロセスの一貫化，量良く得ることにある。このために，半導体プロセスで提唱

産化を進める上で鍵となるものである。

されていた X 線リソグラフィのエネルギー領域（ 1 ～ 2

140 ● 放射光 May 2005 Vol.18 No.3

成形に用いる金属（主にニッケル）金型には 3 mm 程度

ナノテクノロジー特集 ■ LIGA プロセス―マイクロデバイスへの応用と今後の展望―

Fig. 9Outer appearance of the molding apparatus. Left one(manufactured by Engineering System Co., JAPAN) is for
hot embossing42) and right one is for injection molding(manufactured by Jyuken Machine Works Co., JAPAN).

行うと共に，プロセスの最終部品の材料的バリエーション
Fig. 8Outer appearance of the electro forming apparatus for 6 inch
substrate (manufactured Access Engineering Co., JAPAN).

を広げる工程としてとして， Si 系材料を主とした他のマイクロプロセスに対する LIGA プロセスの優位性をもたらしている。成形は材料をガラス転移温度以上まで加熱しの厚さに及ぶマイクロ電鋳（メッキ）技術が必要であるが，て，型に流し込む，あるいは押しつけたり焼結することにそのためには電鋳膜の内部応力を殆どゼロに近い状態で堆

よって構造体を形成する方法であり，適用可能な材料が広積を最後まで継続する必要がある。内部応力存在下では析範である。樹脂のみならず，セラミック，ガラス，石英な出と共に応力が蓄積され金型の中心から周辺に沿って大きどのマイクロ構造体の形成が可能であり，量産のみならずな歪みが生ずる。この歪みは膜厚が増えるにつれて加速度

マイクロデバイスの機能を広げる上で重要である。

的に増大し構造体の自己歪みとなる。電鋳は電鋳浴の電流

これまで LIGA プロセスで用いられてきた成形方法は，密度の高い部分から優先的に進むため，電流密度にばらつ ホットエンボッシング，◯ 射出成形，◯
 反応性射出成形◯

きがあると膜の厚さに顕著な変化が生じ，これが内部応力の 3 つがあり，用途による使い分けがなされているが，の原因となる。このように金型の製作精度を上げるのは材 のホットエンボッシング成形が主流である。
現在では◯料開発も含め，多くの技術的蓄積を要する。このために，

Fig. 9 にホットエンボッシング装置（左エンジニアリン

電解析出条件と電解析出膜の機械特性を把握し，電析モデ

グシステム社製）と射出成形装置（右ジュケンマシンワー

ルに基づくシミュレーション結果等と比較しながら電鋳プ

クス社製）の例を示す。ホットエンボッシング成形は，真ロセスの最適化を行うことが重要となっている。 Fig. 8 に空もしくは大気中にてプラスチックと金型の両者をプラス

量産型の電鋳装置（アクセスエンジニアリング社製）の例

チックのガラス転移温度直上まで加熱した後に徐々に荷重を示す。この装置は 1 mm 以上の厚さのマイクロ金型を最を加えて成形する方法であり，高アスペクト比のマイクロ

大 6 インチまで作製可能である。従来は，電鋳材料とし構造体の作製に適した方法である。しかし加熱した後に荷て Ni, Au, Cu が主に用いられて来たが，量産に適した射重を加えて成形した後にプラスチックと金型を引き離す工

出成形金型への本格的適用を考えた場合，あるいは駆動

程で造体の損傷や歪み等の種々の問題が発生する。これを摺動機能を有するマイクロ部品用材料への適用を考えた場解決するためには，作製する構造体のサイズと形状，プラ合など，ヤング率，硬度等の機械的特性の優れた材料の開スチック材質の種類に応じた注意深い離型荷重ステップが発が重要となる。こういった観点から 2 元系の NiFe35)，必要となる。さらにホットエンボッシング成形は 1 回のNiW36)など他に Ni Mn, Ni Co などの合金メッキの開発

成形に要する時間サイクルが長く（一般的に 5 分以上），

が精力的に進められるようになり，アクチュエータやマイ の射出成形量産の点で問題がある。実用的な成形方法に◯クロプローブなどへの応用もなされている。しかし，電析がある。この方法は常温の金型に，ガラス転移温度の150中での電界集中の制御，電析条件の経時設定，めっき浴の～200°
C高い温度に加熱したプラスチックの溶融体を，短最適化，浴管理などノウハウに係わる部分も多く37) ，こ

時間で圧力注入する方法である。注入が数秒のうちに行わの分野おける技術波及の障壁となっており，今後は技術のれ量産効率が非常に高いために， CD や DVD 等，現在の共通化，標準化等への取り組みが望まれる。

量産型成形の主流である。射出成形では座屈や倒れを生じさせないように樹脂温度を下げて成形する必要があるが，3.3

マイクロ成形最終工程であるマイクロ成形3842) は，量産を具体的に加圧力に制限があるため，アスペクト比の比較的低い形状の構造体の成形に用いられている。熱可塑性の樹脂を用い

放射光 May 2005 Vol.18 No.3 ● 141るが，構造が微細で高アスペクト比になるほど，注入不良を改良し，3 次元構造体を形成するための新たな試みのいや高粘性の樹脂の流れがもたらす不均一な残留応力によるくつかを紹介する。

成型品の変形が予想される。これを解決する有望な方法の開発が待たれる。射出成形は，樹脂の凝固過程が高圧力下

4.1

犠牲層技術

で短時間に行われる動的過程であるために，特にマイクロ

旧来の LIGA プロセスでは基板に固定した機構部品し領域ではそのメカニズムを理論的に予想することが困難でか出来なかったため，得られる構造体の適用範囲が制限さある。特に高アスペクト比のマイクロ構造への溶融樹脂のれるといった問題点があったが，これは 1990 年代に入っ凝固過程に関しては，理論，実験両面ともそのアプローチて犠牲層を用いることによってクリアされた3,4) 。基板上は殆どない状態と言って良い。最近のマイクロ射出成形のに電鋳のためのシード層のスパッタ，パターニングを行っ成果としては，径268 mm の微小遊星歯車の量産に成功した上でさらに犠牲層（ Ti, Cu など）のスパッタ，パターた例が挙げられる。

ニングを行い，さらに厚膜 PMMA を形成した上でディー

 の反応性射出成形は，液状の熱可塑性樹脂を撹拌して◯

プ X 線リソグラフィーによって可動部品のパターニング

射出する方法であり，大型の構造体に用いられて来たが，を行った後に電鋳にて可動部の形成を行い，最後に犠牲層

ウラン濃縮用の同位体分離ノズルの量産のために LIGAとメッキ用ベースの除去を行うものである。3 回のスパップロセスとして，最初に用いられた。成型前の樹脂が液状

タ工程， 2 回の UV リソグラフィ工程，1 回のディープ X

であり注入できる構造体の形状，寸法の自由度が高く，最線リソグラフィと電鋳工程，さらにはウェットエッチングも微細で高アスペクト比の構造体の成型に適した技術であ工程が必要となりやや複雑であるが，この方法によって，る。ウラン濃縮用のノズルでは，最小線幅 3 mm ，平均厚LIGA プロセスを用いて大きな駆動力を有する実用的なマさ300 mm，アスペクト比100という非常に高いアスペクト

イクロタービンや電磁モーターなどのアクチュエータや，比の構造体が作製された2)。しかし，1 回の成形に要する

高感度の加速度センサなど，多くの応用が展開されるきっ時間サイクルが非常に長い事と専用装置の開発が遅れていかけとなったことは特筆すべきことである。

るために最近では用いられる例が少ない。
以上のように，LIGA プロセスにおける量産化を担う成形工程は優位性と共に多くの課題があり，実際の製品に応

4.2

ステップ状 3 次元構造の形成技術

3 次元構造のマイクロ機構を実現するための有効な方法

用された例はそれほど多くない。また，サブアセンブリのとして，2 次元構造を積層したステップ状の 3 次元構造体

状態までどのようにして作製するかは今後の LIGA プロの製造方法が提案され，試作した 2 段構造がマイクロ電

セスの大きな課題である。

磁モーターに応用された43)。この方法は，LIGA プロセスで作製した金型を用いて 2 層レジスト自体を成形して，4. LIGA プロセスと他工程の複合による3 次元構造の形成

アライメントの後に 2 回目のディープ X 線リソグラフィと電鋳を用いてステップ形状の金型を作製し，さらにこれを用いてステップ状 3 次元構造の樹脂成形構造を作製す

前述したように，マイクロシステムにおいては，マイクるものである。この工程で重要となるのが 2 層レジスト

ロメーターサイズの 3 次元構造化が本質的に必要な場合層の形成とマスクとレジストとのアライメントである。2が多い。例えば，指紋センサーなどでは電子回路基板の上層レジストは，ディープ X 線リソグラフィに対する必要に直接立体形状のタッチセンサーを形成している。マイク

条件を満たす高分子量で基板との密着性が良好な PMMA

ロシステムの実用化例として取り上げられるインクジェッ

下層 部と離型 剤を含み， 成形工程に適 した低分子 量のトプリンタヘッドも 3 次元構造を有し，最小寸法は数ミ

PMMA 上層から構成されている。分子量の違う PMMA

クロンから数十ミクロンである。また，実用化されているの 2 層であるために現像速度が異なり，段差が生じる可光スイッチの代表である DMD (Digital Mirror Device) は能性があるが，その抑制のために分子量や現像条件の厳密

光のパスを様々な方向に変える必要があり，必然的に 3な制御が必要となる。しかし，こうした多段ステップ構造

次元構造である。また医療応用では，マイクロカテーテル

は，デバイスのアセンブリに必要な支持構造体やケースのなど，生体組織の形状に適合した形状が必要とされる場合

みならず，機能集積した各種マイクロシステムを実現するも多い。今後は，燃料電池の電極部，微小リアクタの触媒うえで重要となる。

坦時部，及び特定の部位に薬剤を注入する DDS ( Drug
造体の必要性も益々高まり，その応用を実現することによ

AMANDA 技術（Surface Micromachining, Molding and Diaphram Transfer）

り，各産業システムの大きな発展も期待できる。

この方法は1990年代末に KfK（カールスルーエ研究所）

Delivery System ) など，サブミクロンレベルの 3 次元構

4.3

LIGA プロセスでは基本的に数百 mm の厚みを持った 2で生み出された20,24)。Fig. 10 に工程図を示す。ステップ状次元形状の構造物しか出来なかった。ここでは，この欠点

3 次元構造の形成法で作った 3 次元形状の樹脂構造体をダ

142 ● 放射光 May 2005 Vol.18 No.3

ナノテクノロジー特集 ■ LIGA プロセス―マイクロデバイスへの応用と今後の展望―

イアフラム構造を有する Si ウェハー状に接着剤で貼り付

プ，バルブなどのマイクロ流体デバイスを作製するうえでけ，ダイアフラム構造を機械的に Si ウェハーから引き剥キーとなる技術と言える。Fig. 7 で紹介したマイクロポン

がし，メンブレン構造を 3 次元形状の樹脂構造体に移送

プはこの方法によって作製されたものである。

する。さらに別の面からもう一つの 3 次元形状の樹脂構
造体を貼り付け， 3 次元のデバイスを作製する技術である。ダイアフラム構造からなる構造は，流体の制御や測定に必須であることから，高感度の流量センサーや，ポン

X 線リソグラフィによる直接 3 次元構造体の作

4.4製

以上の様に LIGA プロセスを繰り返す工程と犠牲層工程と接合，剥離工程を組み合わせることによって比較的複雑な形状の 3 次元マイクロ構造体が作製できるが， X 線
リソグラフィの工程において一括して 3 次元加工が実現出来れば，大幅な工程短縮が図れるのみならず，マイクロ構造体の形状自由度と加工精度の高い，新たな量産プロセスの実現が期待できる。このため，近年は， X 線リソグ
ラフィによる直接 3 次元構造体の作製の研究が盛んになっている。IMM （ドイツ）の W. Ehrfeld らは，X 線マス
クとレジスト基板の両者を入射放射光に対して種々の角度
で多重露光を行うことによって 3 次元構造体を作製している44)。Fig. 11 は，同様の方法で作成された米国ウィスコ
ンシン州立大学の立体構造体である45) 。これに対し，立命館大学のグループは X 線マスクとレジスト基板の相対位置を露光中に変化させることによって仮想的にレジスト
面内に 2 次元の露光強度分布を作製し 3 次元構造体を作製している50) 。また，兵庫県立大学のグループは X 線マスクの吸収体の厚さに 2 次元分布を持たせ， X 線を一部透過させることによって 2 次元の露光強度分布を作製し 3次元構造体の作製を試み46) ，これを液晶ディスプレイの導光板に応用した（Fig. 12 (a), (b））。光学散乱体のドットに 3 次元構造を適用することにより，輝度が約 1.5 倍向上
する事が報告されている47) 。また，露光中に基板と X 線
マスクの相対位置をスキャンする事によって 3 次元構造を得る方法は最も多く提案されている4850) 。しかしながら，これらの手法で得られる構造体は対称形，もしくは一定の構造の繰り返しによる 3 次元形状であり，生体の組織形状に適合するような自由度の高い 3 次元構造はまだ得られていないのが現状である。3 次元の形状自由度は低Fig. 10

Schematic view of the AMANDA process developed at
KfK20,24).

Fig. 11

Example of 3D microstructure fabricated by multi-step xray exposure45).

放射光 May 2005 Vol.18 No.3 ● 143

の直接アセンブリ技術の開発
◯

露光，現像，電鋳，成形等の各工程のシミュレーシ
ョン技術の開発◯

トータルとしての LIGA プロセスと設計とのコン
カレント化

5. LIGA プロセスの展望
これまで述べたように，LIGA プロセスはマイクロシス
テム製造の有力な微細加工技術であり，多くの機能デバイスに応用されてきた実績がある一方で，今後の産業システ
ムへの本格的な導入を図るためには解決すべきいくつかの重要な課題がある。本稿の最後に，これらのブレークス
ルー と目され る注目すべ き動きを順に 紹介し，新 たな

LIGA プロセスの展望に繋げたい。
前述し たようにデ ィープ X 線リソグ ラフィにつ いては，利用 X 線エネルギーの高エネルギー化により，露光に用いる X 線マスクの吸収体の厚さが数ミクロンから数十ミクロンと一層増大しているため，微細化のサイズが大きくなっている問題がある。このためには，露光に用いる
放射光のエネルギーをより低くし，線幅がより微細でかつ薄い吸収体の X 線マスクを用いても有効にレジスト表層が感光できるようにする技術が必要である。また，量産やコスト低減のみならず，光学応用やバイオ応用では異なる
形状，機能の構造体が大面積に展開することによって初めて有効な機能をなしえる場合もあり，一括可能な露光面積をさらに広げる必要がある。後者は特に，液晶やプラズマ
ディスプレイ等に用いられるマイクロ光学部品からの要請
Fig. 12

Expample of the application of 3D structures to lighting
panel.
a) Trapezoidal cylinder structuresb) Optivcal wave guide mounted at the lighting panelが強い。兵庫県立大学のグループはこの両者を実現する露光システムの開発を行った。露光システムの中核となるビームラインの概略図を Fig. 13 に示す。このビームライ
ンは， 10 KeV 以上のハイエネルギービームラインと， 1～ 2 KeV の低エネルギービームラインの 2 本のビームラ

くとも，量産性と低コスト性が優先的に求められる携帯端

インを縦に積層した新しい構造を有しており，高アスペク

末や自動車部品，燃料電池など市場の大きなマイクロ部品

ト比の構造体形成と，サブミクロンレベルの微細構造体をへの適用を主に，開発が進んで行くものと考えられる。

A4 サイズで同一露光装置内で実現可能である。特に低エレーザーのステレオリソグラフィで得られているような任

ネルギービームラインは入射角可変ミラーの採用により，意の 3 次元構造を得るためには，従来とは別原理による

EUVL (Extreme ultra-violet Lithography) 領域の100 eV

アプローチが必要となろう。

までの低エネルギー光の利用が可能であり，差動排気の最

現在の LIGA プロセスの研究開発ターゲットとなっている，主要な課題を列記する。
線幅がサブミクロンレベルのより高アスペクト比構


◯

造の形成

適化により A4 サイズの露光時においても，高エネルギー
放射光ビームラインは 5 桁，高エネルギー放射光ビーム
ラインは 10 桁の真空度差（ pa ）が得られるようになっており，露光ステーションへの基板冷却用ガスおよび，光化◯ディープ X 線リソグラフィの大面積化

学反応用の各種反応性ガスの導入が可能である。このよう◯

任意の 3 次元マイクロ構造体を形成する手法の探な複合機能型の LIGA プロセス用ビームラインは，初の試みと言える51)。Fig. 14 に A4 サイズ全面にわたって一括索
◯

量産を握る電鋳，成形プロセスの高度化，プロセス
工程間の整合性の確立

◯

位置決めモールド技術，電子光回路上への構造体

144 ● 放射光 May 2005 Vol.18 No.3

形成した大面積マイクロ構造体(a ），及び拡大した高アス
ペクト比パターンの SEM 写真( b )を示す51) 。露光の対象となるレジストは，その材料開発が重要であるが，最近高ナノテクノロジー特集 ■ LIGA プロセス―マイクロデバイスへの応用と今後の展望―

Fig. 13

Detailed drawings of the new LIGA beamline at the NewSUBARU facility.
a(1) High-energy beam duct, a(2) Low-energy beam duct, a(3) Side view of the entire beamline

感度レジストの開発が初められて来た。例えば， MMA /形時間，成形荷重が一桁以上低減するという顕著な効果を

MAA （メチルメタアクレート/メタクリル酸）共重合体見いだした42) 。超音波振動印可によるホットエンボッシ

レジストや，感放射線性カチオン重合開始剤を含むエポキング法によりどの程度のアスペクト比の構造が成形可能か

シ樹脂レジスト（TGP52)，SU 8）が挙げられる。これら

等，具体的な高アスペクト構造への適用が期待される。

は PMMA と比較して数十倍の感度を持ち，後者は UV 領

また組み立てできるサブアセンブリの状態まで作製する域においても厚く（ 500 mm 以下），高アスペクト比の構技術として，一部の部品を樹脂に封じ込めて構造体を成形造体が作製できるレジストとして注目されている。

するインサート成形技術の開発も行われて来つつあり，

ディープ X 線リソグラフィ後続プロセスである金型作

LIGA プロセスへの応用が期待される。成形機は販売され製技術に関しては，最近特にニッケルをベースとした合金ているものは従来大型であり，マイクロ構造体の作製に必

材料面での開発が進んでいる。特に合金化することによっ

ずしも適さなかったが，最近ではホットエンボッシングやて結晶粒のサイズや配列制御を行い，加圧成形の熱負荷時射出成形機を中心に専用の物が量産されるようになって来に要求される金型の機械的耐性を向上させたり，機械特性つつある。特にホットエンボッシング装置はここ数年注目に異方性を与えるなどの新しい試みが行われている。金型されているナノインプリント技術53,54)と手法的に共通項がそのものの作製プロセスに関しては，電鋳プロセスのシミ

多く，今後の装置開発の進展と高アスペクト比のナノ構造ュレーション技術が進んでおり，異なる形状サイズのマ体複製技術への進展が期待される。

イクロ構造体を大面積で形成できる金型の電鋳条件に関する最適化が図られている35)。

以上，ここ数年における LIGA プロセスの新たな動きについて紹介したが，競合となる微細加工プロセスに関し

マイクロ成形技術では，ホットエンボッシング技術を中ては，ここ数年，SU8 等のエポキシ系レジストを用いた心により高アスペクト比の構造体の形成に向けて開発が進

厚膜 UV リソグラフィや高密度 ICP（Inductivity Coupled

んでいる。ドイツの IMT のグループは，シミュレーショ

Plasma 誘導結合プラズマ）を用いたエッチングなどのンを用いた成形条件の最適化を行い，アスペクト比 10 以高アスペクト比加工技術が台頭しつつあり，DMD (Digi-

上のマイクロ成形構造を得ることに成功している。一方

tal Mirror Device) 等を用いた光スイッチ等の加工に用いで，成形プロセスそのもののメカニズムそのものに一部手られている。しかし，実現しうるアスペクト比のみならを加えることによって高アスペクト比構造を得ようとする

ず，加工精度，表面粗さ，材料の自由度，量産性からみた動きがある。ホットエンボッシングの成形時と離形時に超総合比較を行うと，技術的には依然として LIGA プロセ

音波振動を印可し，樹脂のキャビティー内での完全充填をスに優位性があると結論できる。この優位性が維持される

アシストする方法が提案されている。大気中で行った従来ためにも，LIGA プロセスの実用化への動きが今後，一層のホットエンボッシング法と比較して，超音波真空ホット加速されることが望まれる。

エンボッシング法，真空ホットエンボッシング法共に，成以上 LIGA プロセスの現状と課題を述べ，最近の新し

放射光 May 2005 Vol.18 No.3 ● 145(Hanser Publishers, Munich) Chapter IV (1989).
C. Burbaum, J. Mohr, P. Bley and W. Menz: sensor andMaterials. 3, 75 (1991).
4) M. Strorhmann, O. Fromhein, W. Keller, K. Lindemann and
J. Mohr: KfK 5238, 1, Statuskolloquium des Projektes
Mikrosystem 65, (1993).
5) U. Wallrabe, P. Bley, B. Krevet, W. Menz and J. Mohr:
Proc. MEMS 92, S, 139 (992).
6) H. Guckel, T. Earles, J. Klein, J. D. Zook and T. Ohnstein:Sens. Actuators A, 53, 386 (1996).
7) W. Menz, W. Wacher, M. Harmening and A. Michel: Proc.
MEMS 91, 69 (1991).
8) A. Ruzzu, D. Haller and J. Mohr: Proc. Conf on MOMEMS
1999, 186 (1999).
9) X. C. Shan, R. Maeda, T. Ikehara, H. Mekaru and T.Hattori:
Sens. Actuators A, 108, 224 (2003).
10) H. Bauer, W. Ehrfeld, M. Gerner, T. Paatzsch, A. Picard, H.
Schift and L. Weber: Proc. the International symposium on
Microsystems, Intelligent Materials and Robots, 33 (1995).
11) U. Wallrabe, H. Dittrich, G. Friedsam, T. Hanemann, J.
Mohr, K. Muller, V. Piotter, P. Ruther, T. Schaller and W.
Zissler: Proc. HARMST 2001, 231 (2001).
12) M. Foulger, C. D. Hannaford and W. Hendersen: IEEE Colloquium on Microengineering Applications in Optelectronics, 41 (1996).
13) J. A. Cox, J. D. Zook, T. Ohnstein and D. C. Dobson: Proc.
SPIE, 2383, 17 (1995).
14) P. Krippner, T. Kuhner, J. Mohr and V. Saile: Proc. SPIE.
3912, 141 (2000).
15) J. Mohr, P. Krippner and U. Wallrabe: FKZABericht 6423,
171 (2000).
16) G. Feiertag, W. Ehrfeld, H. Freimuth, H. Kolle, H. Leihr,
M. Schmidt, M. M. Sigalas, C. M. Soukoulis, G. Kiriakidis,
T. Pedersen, J. Kuhl and W. Koenig: Appl. Phys. Lett. 71,
1441 (1997).
17) T. Oka, H. Nakajima, M. Tsugai, U. Hollenbach, U.
Wallbare and J. Mohr: Sens. And Actuators A, 102, 261(2003).
18) Y. Utsumi, M. Ozaki, S. Terabe and T. Hattori: Jpn. J. Appl.
Phys. 42, 4098 (2003).
19) C. Goll, W. Bacher, B. Bustgens, D. Maas and W. Menz: W.
K. Schomburg, J. Micromech. Microeng. 6, 77 (1996).
20) B. Bustgens, W. Bacher, W. Bier, R. Ehnes, D. Maas, R.
Ruprecht, W. K. Schomburg and L. Keydel: Proc. 4th Int.
Conf. On New Actuators 1994, 86 (1994).
21) W. Ehrfeld, V. Hessel and H. L äowe: ``Microreactors'', Chap86, WILEYVCH (2000).
ter 3, 4122) Y. Utsumi, T. Asano, T. Hattori, K. Matsumi, M. Takeo and
S. Negoro: Proc. Microprocess and Nanotechnology Conference 2004, 248, (2004).
23) T. Asano, K. Matsumi, M. Takeo, S. Negoro and Y. Utsumi:
Proc. Molecule-Based Information Transmission and Reception 2005, 62 (2005).
24) W. K. Schomburg, R. Ahrens, W. Bacher, J. Martin and V.
Saile: Sens. and Actuators, 76, 343 (1999).
25) M. Heckel, A. Gerlach, A. Guber and T. Schaller: Proc SPIE
4408, 469 (2001).
26) B. L. Haroldsen, A. Morales, M. Bankert and T. N. Raber:
Proc. HARMST 2003, 195 (2993).
27) M. A. Muller, C. Muller, R. Foster and W. Menz: Proc.
HARMST 2003, 253 (2993).
28) 「シンクロトロン放射光の基礎」大西宏之編，丸善 1996．
29 ) 「シンクロトロン放射光技術」富増多喜夫編，工業調査会
1990．
30) F. J. Pantenburg and J. Mohr: Nucl. Instrum. and Meth. A,
3)

Fig. 14

The PMMA resist patterns fabricated using the large-area
deep x-ray lithography system. (a) A4-size deep x-ray
lithography, and (b) high-aspect-ratio patterning.

い動きについて述べた。特筆すべきは，今後放射光の応用を中心に，従来の LIGA プロセスから新しい段階への変革の兆しが見え初めていることである。これは，一部の産業界の LIGA プロセスに対する評価が光学部品を中心に見直され初めており，「大面積」，「3 次元加工」，「機能付加」，「ナノレベルの微細化」など従来とは異なる要請が現れて来たためと考えられる。微細立体形状創成の有力な加工方法であるディープ X 線リソグラフィのエネルギー領域の活用がより広範化し，ナノレベル加工へのアプローチが図られて行くと同時に，放射光による物質表面修飾やテ
フロンなどの難加工材料に対する機能付加の動きなども現れ始めている。その意味で，これらの新たな加工機能が複合化された，「 Advanced LIGA プロセス」の出現を期待
したい。

参考文献
1)

E. W. Becker, W. Ehrfeld, P. Hagmann, A. Maner and D.
Munchmeyer: Microelectronic Eng. 4, 35 (1986).
2) P. Hagmenn and W. Ehrfeld: Reaction Injection Molding,

146 ● 放射光 May 2005 Vol.18 No.3

ナノテクノロジー特集 ■ LIGA プロセス―マイクロデバイスへの応用と今後の展望―

31)
32)
33)
34)
35)

36)

37)

38)
39)
40)
41)

42)
43)

44)
45)

46 )
47)
48)

467, 1269 (2001).
F. J. Pantenburg, S. Achenbach and S. Mohr: Microsystems
Tech. 4(2), 89 (1998).
J. Gottert, H .O. Moser, F. J. Pantenburg, V. Saile and R.
Steininger: Microsystem Technologies 6, 113 (2000).
S. Achenbach: proc HARMST 2003, 7 (2003).
S. Sugiyama, Y. Zang, H. Ueno, M. Hosaka, T. Fujimoto, R.
Maeda and T. Tanaka: Proc., MHS 96, 79 (1996).
K. Bade, U. Kohle, B. Krevet, B. Matthis and J. Schultz:
Proc. High Aspect ratio Micro-Structure Technology 2003,
P89 (2003).
T. Yamasaki, T. Mochizuki and T. Fukami: Proc. of High
Aspect ratio Micro-Structure Technology 2001, P195
(2001).
Y. Utsumi, K. Kitadani and T. Hattori: Proc. JSME/ASME
International Conference on Materials and Processing 2002,
2, 585 (2002).
M. Heckel, W. Bacher and K. D. Muller: Microsystem Technologies 4, 122 (1998).
M. Heckele, A. Gerlach, A. Guber and T. Schaller: Proc.
SPIE, 4408, p469 (2001).
M. Heckel and A. Durand: Proc. 2nd Euspen International
Conf. p196 (2001).
H. Mekaru, S. Kusumi, N. Sato, M. Yamashita, O. Shimada
and T. Hattori: Proc. Microprocess and Nanotechnology
Conference 2003, 156 (2003).
銘苅，服部，中村，丸山超音波 TECNO, P65 (2004).
M. Harmening, W. Bacher, P. Bley, A. El-Kholi, H. Kalb, B.
Kowanz, W. Mentz, A. Michael and J. Morh: Proc MEMS
1992, 202 (1992).
J. Mohr, W. Ehrfeld, D. Munchmeyer and A. Stutz: Macromol. Chem., Macromol. Symp. 24, 231 (1989).
J. Goettert, G. Aigeldinger, Y. Desta, Z. L. Ling and L.
Rupp: Proc. Synchrotron Radiation Instrumentation 2001,
102 (2001).
植田，福田，滝口，服部設備管理学会秋季研究発表大会
論文集 p13 (2003).
Y. Utsumi, M. Minamitani and T. Hattori: Jpn. J. Appl.
Phys., 43, 3872 (2004).
A. D. Feinerman, R. E. Lajos, V. White and D. D. Denton: J.

49)
50)
51)

52)
53)
54)

Micrierectromechanical Sys. 5, 250, (1996).
T. Katoh, N. Nishi, M. Fukagawa, U. Ueno and S. Sugiyma:
Proc. MEMS 2000, 556 (2000).
O. Tabata, N. Matsuzaka, T. Yamaji, H. You, J. Minakuchi
and K. Yamamoto: Proc. MEMS 2001, 94 (2001).
Y. Utsumi, T. Kishimoto, T. Hattori and H. Hara: Proc.
Microprocess and Nanotechnology Conference 2004, 104(2004).
N. Sakai, K. Tada, Y. Utsumi and T. Hattori: Proc.
HARMST 2003, 15, (2003).
S. Y. Chou, P. R. Krauss and P. J. Renstrom: Appl. Phys.
Lett. 67, 3114 (1995).
S. Matsui, Y. Igaku, Y. Ishigaki, J. Fujita, M. Ishida, Y.
Ochiai, M. Komuro and H. Hiroshima: J. Vac. Sci. Techonol.
B19, 2801 (2001).

● 著者紹介 ●内海裕一
兵庫県立大学 高度産業科学技術研究所
助教授
E-mailutsumi＠lasti.u-hyogo.ac.jp
専門マイクロシステム工学，放射光マ
イクロプロセス［略歴］
名古屋大学大学院工学研究科博士課程前期課程， NTT 物性科学基礎研究所を経て， 2000 年 3 月より姫路工業大学，高度産業科学技術研究所，助教授となり現在に至る。名古屋大学博士（工学)。主に生化学分析や環境分析に用いる集積化
微小化学システムや機能性流体デバイ
ス，及びこれらを実現するための放射光を応用した MEMS プロセスの研究に従事している。

LIGA Process―Application to Microsystems andOutlook for The Future―
Yuichi UTSUMI

University of Hyogo, Laboratory of Advanced Science and Physics,
312, Koto, Kamigori, Ako, Hyogo, 6781205, JAPANThe realization of 3D microstructures integrating multiple functions, such as, electrical, optical,
Abstract
mechanical, and chemical functions, in a restricted space will bring many advantages to the industrial applicability of microsystems. Microsystems have been fabricated using MEMS (micro electro mechanical systems) processes. Recently, however, fabrication techniques with more precision and higher aspect ratio thanconventionally achievable have become increasingly important. The LIGA (abbreviated from the German
terms Lithographite, Galvanoformung and Abformung) process, which consists of deep x-ray lithography,
electroforming, and molding processes, is one promising candidate for such 3D microfabrication1). In thisreport, the application examples of LIGA were reviewed and technical problems were extracted. The recent
new technical attempts for the next generation process have been performed, and future perspective of LIGA
applications is also expressed.

放射光 May 2005 Vol.18 No.3 ● 147