T24-15,T26-3

セラミックスチェンバー一体型パルスマグネットの開発
Development of the Ceramics Chamber Integrated Pulsed-Magnet
H24,25,26 年度
匠プロジェクト成果報告書

2015.8.12（公財）高輝度光科学研究センター
加速器部門 加速器第 II グループ 真空・電磁石チーム
満田史織

目次
1.

序論 ..............................................................................................................................................42.

開発目的 ......................................................................................................................................5

3.

4.

5.

6.

2.1

概要 ......................................................................................................................................5

2.2

開発の背景 ...........................................................................................................................6

2.3

開発目的 .............................................................................................................................. 7

セラミックスチェンバー一体型パルスマグネット........................................................................... 7
3.1

パルスマグネットの改善方針 ............................................................................................... 7

3.2

既存パルスマグネットから見える課題 .................................................................................. 8

3.3

パルスマグネットの新たな構造の提案................................................................................. 9

3.4

セラミックスチェンバー一体型パルスマグネット試作機 ..................................................... 10

3.5

セラミックスチェンバー一体化による技術的な効果 ..........................................................12

技術の新規性と特色 ..................................................................................................................12
4.1

技術の新規性 .....................................................................................................................124.2

技術の特色 .........................................................................................................................14

技術開発課題と推進計画 .......................................................................................................... 14
5.1

技術開発課題.....................................................................................................................14

5.2

開発推進計画.....................................................................................................................15

研究成果 .................................................................................................................................... 16
6.1

平板セラミックス試験片を用いた一体成型技術の確立 .................................................... 162

6.2

ダイポール型パルスマグネット試作機の製作 ...................................................................21

6.3

試作機の基本性能評価 .....................................................................................................257.

残された開発課題と今後の展望 ...............................................................................................297.1

リード線接合問題 ...............................................................................................................30

7.2

セラミックス内表面パターンコーティング ...........................................................................32

7.3

課題複合実装開発機の製作 .............................................................................................348.

セラミックスチェンバー一体型パルスマグネット技術の展開 ..................................................... 35
8.1

SPring-8 将来計画と高速パルスキッカーシステムの位置づけ ........................................ 358.2「電源負荷の低減及び小型化」を目指すキッカー電磁石の価値 .................................... 36

8.3

セラミックスチェンバー一体型パルスキッカーの幅広い展開 ........................................... 37

9.

結論 ............................................................................................................................................ 38

Appendix ............................................................................................................................................ 3810.

他研究との比較 ......................................................................................................................38

11.

SPring-8 におけるパルス電源開発との相補性 .....................................................................39

謝辞 .................................................................................................................................................... 40
匠プロジェクト採択課題 .....................................................................................................................41
研究経費 ............................................................................................................................................ 41
研究発表 ............................................................................................................................................ 4231. 序論
パルスマグネットの用途は幅広く、SPring-8 蓄積リングでは、入射パルスセプタム電磁石、入射バンプ電磁石、アボートキッカー、入射時水平振動抑制用高速補正キッカーなど、一つの加速器リングだけにおいても、各種利用がされている。この利用例から分かるように、パルスマグ
ネットは特定の時間幅に存在するビームに対してのみ、磁場を介して必要蹴り角を与えること（ビームをハンドリングすること）を目的としたマグネットで、磁場であることによりパルス電場よりもビームへの作用効率が圧倒的に高い。そのため、この高効率性を利用し、ビームエネルギ
ーが高いまたはビーム軌道偏向幅が大きい等の、大きな蹴り角を必要とする用途にパルスマ
グネットは利用価値が高い。しかしながら、パルス磁場の生成は、コイルを通じた電流により生成されるため、高速性、高繰り返し性にパルス電場に劣る部分がある。
ある特定時間幅においてビーム動作に作用を及ぼすことがパルスであることの一般的な役割価値であると考えるならば、あるバンチのみに作用する（例えば、SPring-8 では 203 バンチフィ
リングで 40ns 間隔等）、バンチの周回ごとに作用する（例えば、SPring-8 では 208kHz の周回
周波数等）、といったような、bunch-by-bunch, turn-by-turn での駆動が可能な、高速性(短パルス性)、高繰り返し性の追求が、世界的に共通する重要な課題である。この際に、本来の優位性である、十分に大きな蹴り角となる出力性能を劣化させることなく実現出来れば、まさに理想的なパルスマグネットと言える。
コイルへ電流を流し磁場を生成する電磁石の原理を踏まえるならば、ビームエネルギーが高いビームに対しても、十分に大きな蹴り角を実現するための大電流出力であることと、高速性、高繰り返し性能の両立は大変難しい。高速性を兼ね備えた、高出力なハイパワーの電源によりこの両立を目指す方向性を考えた場合、ハイパワー電源は自ずと電源規模が拡大することになるため、広い電源室を兼ね揃える必要がある等、電源の設置自由度が極端に低下し、結果として、加速器リング内の蹴り効率が高いβ関数点の適した場所にパルスマグネットを設置する自由度が失われることになる。この観点から、パルスマグネットの課題を克服するためには、
電源パワーの増強だけではパルスマグネットの設置自由度を失う重大なリスクを伴うため十分
でなく、電源の負荷である、パルスマグネット自身の負荷低減へ向けた改善策が重要である。
以上の議論を踏まえ、我々はパルスマグネットの改善による負荷低減策として、狭小ギャップ
パルスマグネットの開発を提案する。狭小ギャップは磁場中心強度の増強につながるため、必
要積分磁場強度を短磁極長で実現出来る。磁石コイルの短長化は、結果として、コイルインダ
クタンスの低減へとつながるため、高速性、高繰り返し性の実現が比較的容易になる。また、短磁極長化は、電源負荷の低減による電源規模の縮小と、加速器磁石間空間が狭小化しても4

挿入が可能な柔軟性へとつながり、パルスマグネットシステムの設置自由度の拡大を生み出す。
この狭小ギャップパルスマグネットシステムの持つ優位性は、SPring-8-II を含めた次世代放射
光リングなどにおける、極低ビームエミッタンスを目指すための、多極電磁石を多数高密度に配置し磁石間スペースが狭小化する場合や、エミッタンス低減のための高磁場多極電磁石の実現のためにボア径が狭小化しビームパイプ径が極端に細くなる場合などに、適用することにより、そもそものビームサイズが縮小する極低ビームエミッタンスリングに有利に働くとともに、次世代における、Bunch-by-bunch, Turn-by-turn などの高度なビーム制御を可能にするものである。
図 1 にパルスマグネット利用の具体例を示すとともに、SPring-8 における仕様概要を示す。

図 1 :パルスマグネットの応用例及び SPring-8 におけるパルス性能仕様例

2. 開発目的
2.1 概要
加速器において求められるパルスマグネットシステムの性能要求は全世界を通じて、共通しており、高磁場出力性能、高速性、高繰り返し性の 3 つである。これらを同時に満たすこ
5

とは技術的に大変難しく、実現するために考えうる方法としては、1 つには、高速、高繰り返し性能を有する大電流出力パルス電源の開発であり、2 つには、パルス電源負荷の低減である。これら 2 つの方法において、電源開発のみで性能目標を達成する場合、電源規模は巨大化し、パルスマグネットシステムの設置柔軟性が失われる。そのため、電源規模を拡大させずに、性能要求を実現するには、電源負荷の低減につながる、パルスマグ
ネット自身の改善が極めて重要な課題である。本研究開発は、電源負荷低減策としての普遍的、波及的価値のあるパルスマグネットの新たな形状、構造の実現を目指す。

2.2 開発の背景
SPring-8 では、蓄積リングにおいて利用する高速パルスキッカーシステムの開発を進めている。このシステムは蓄積リングにおける放射光安定供給のための、Top-Up 入射時水平振動の抑制[1]や、ビームチルト法による短パルス放射光生成(ビームをキックすることによりビームを傾け、その放射光を切りだすことにより 1ps の短パルス光を生み出す)[2]などへの利用を見据え開発を進めており、一部開発済みのものについては、運用、試験運用を開始している。
この高速パルスキッカーシステムで必要とされる高速性能は、入射時水平振動の抑制では、残留振動の振動幅 200ns~800ns と同等のパルス幅での出力が必要で、短パルス光放射光生成では、短パルス放射光ユーザーとノミナルな放射光ユーザーを共存させるためリングに蓄積される一部のビームのみを、つまり 4.7µs の周回時間のうち 100ns 以下のパル
ス幅でキックを与えることが必要であるため、極めて高い高速性能が要求されるシステムである。また、必要電流出力は、500A~1kA 出力が求められており、高速性能と伴わせて極めて高度なパルス電源を必要とする。
このため、電流出力を低く抑えるためには蹴り効率を高める必要があり、システムを蓄積リ
ング内の高いβ点に設置することが望ましいが、加速器装置が高密度に配置されている
高度な放射光リングでは、システムを挿入するスペースは限られており、マグネットの小型化と設置柔軟性が必要である。
マグネットの単純な小型化は、結果として出力電流の増強で蹴り角を補う必要となるため、電源規模の拡大を招くことになる。SPring-8 におけるマイクロ秒オーダーの高速パルス電源はサイラトロンを利用した入射バンプ電源が良い例であるが、8µs のパルス幅で 6kA の出力が可能であるが電源規模は 2m x 2.3mx1.2m (重量 1.3t)の寸法に達する。この電源から展開を図り、100ns オーダーの高速パルス電源を検討した場合、電源規模の小型化は難しく、キッカーシステムの設置柔軟性が電源室に律則されることの想像が容易である。
6

そこで、我々の高速キッカーシステムの開発では、電源の小型化とパワー増強を両立させるため世界的に一般的であるサイラトロンの利用から、半導体素子によるパルス電源の開発を推進している[3]。半導体素子の、小型性能、高速性能は高速キッカーシステムに適しており、システムの設置柔軟性を拡大できる。特に、高繰り返し性、高速性は、高寿命性
能は、サイラトロンシステム（サイラトロンでは>100ns 以上、1kHz 以下、寿命あり）よりも圧倒的に優位である。
しかしながら、半導体素子はパワー性能で劣るため、高速性能とパワー性能を同時に追求した場合には、開発の限界を認めざるを得ない状況であった。そこで、より電源のパワ
ー性能を緩和するための改善策として、電源負荷の低減に向けた、パルスマグネット自身の新たな開発が必要とされた。

2.3 開発目的
電源パワーを低く抑えるためには、電源負荷である、キッカー電磁石が、電源出力を磁場出力としていかに低損失で効率的にビームへ効果を与えることができるかが重要な課題であり、その課題に向けた新たなパルスマグネットの形状、構造を提案し、その実現を目指すことが本開発の主題である。
提案する構造改革の要は、極限までパルスマグネットのギャップを狭小化することである。
パルスマグネットのギャップを狭小化することは、ギャップ中心での磁場出力強度を増加させることにつながり、磁場強度と磁極長の積により決まる、ビーム蹴り角を維持したまま、磁極長を短長化することが可能となる。磁極長の短長化はコイルインダクタンスの低減へとつながるため、パルス電源の負荷低減へとつながることとなる。結果として、パルス電源負荷が軽減したことによりパルス電源の追求すべき出力性能である、高速性、高繰り返し性の実現が容易になると考えられる。同時に、電源規模の縮小化も可能となるため、短磁極長のコンパクトなパルスマグネットとともに、パルスマグネットシステムの設置柔軟性が高まることとなる。
高速・高磁場出力を実現するために、パルスマグネットの「電源負荷低減につながる小型化」を目指し、高磁場出力性能の増強に直接寄与する、「狭小ギャップ」を可能にするセラ
ミックスチェンバー一体型パルスマグネットの開発を目的とする。

3. セラミックスチェンバー一体型パルスマグネット
3.1 パルスマグネットの改善方針
7

本研究開発ではパルスマグネットの改善が重要な課題である。まずは、パルスマグネットの磁極がビーム不安定性に寄与しないレベルで、磁極間距離を極限まで狭小化する構造を提案する。これにより磁場強度が増強することにより磁極長を短長化させることが可能である。次に、マグネット型として鉄芯型から空芯コイル型を採用する。これにより電源負荷の低減を進め、高速・高繰り返し、高出力の実現を目指す。更に、ビーム壁電流を通過させるためのチェンバー内表面コーティングの改良を提案する。磁場強度のチェンバー貫通時の低減を緩和することを目指し、パルス電源からのパルス電流を低損失で効率よくビームへと作用させる。最終的には、結果としてパルスマグネットの改善が電源パワーの増強につながる。

3.2 既存パルスマグネットから見える課題
パルスマグネットは、一般的に、マグネットとビームダクトであるセラミックスチェンバーの 2
要素でもって構成される。そのうちの 1 要素であるセラミックスチェンバーは、通常、パルス
磁場により金属表面に生じる渦電流による磁場相殺の減衰を防ぐために、SUS、アルミなどの金属製真空ビームダクトに代わって用いられる。
鉄芯型コイルの場合、このセラミックスチェンバーの外側に積層鋼板による鉄芯またはフェライトコアによるパルスマグネットが設置されるが、この場合、マグネットギャップにはチェン
バー径とチェンバー厚みに加え、マグネットの磁極端とチェンバーとのアライメント用の 1mm 以上のクリアランスの総和が必要となる。この総和が、ギャップ（磁極間距離）となる。つまり、この総和以下にギャップを狭めることは難しい。それに対して、空芯型コイルの場合、
空芯コイルをセラミックスチェンバーの外装に治具により密着させて設置するか、チェンバー内の真空槽内にコイルを吊り下げるストリップラインキッカーのような設置方法がある。前者の場合、ギャップはアライメント用の磁極とのクリアランス分だけが、ギャップの狭小化に寄与しており、磁極間距離の総和はチェンバー内径とチェンバー厚さとなる。後者においては、強力な磁場応力に対抗して、チェンバー内空間にコイルを吊り下げて支持するための、複雑で、強固なサポートが必要で、コイルがチェンバー内に突出しているため、ビーム
壁電流のインピーダンスの不整合が生じやすい構造となる。この場合、セラミックスチェン
バーのボア径は必要以上に大きく設定されなければならなくなり、外形の肥大化を招く。
このように考えると、鉄芯型、空芯型いずれのタイプでも極限までギャップを狭小化するのには不十分な側面があり、我々はそれらを同時に解決する方法としてセラミックスチェンバ
ー一体型パルスマグネットを提案している。この狭小口径ボア実現方法として、マグネット
コイルをセラミックスチェンバー内表面に埋め込み一体成型し、簡潔な構造で持って磁極8間距離をチェンバー内径まで狭めることを提案する。
図 2 に SPring-8 における鉄心型パルスマグネットの一例として、入射バンプマグネットと、
空芯型パルスマグネットの一例として高速補正キッカーを示す。

図 2: SPring-8 蓄積リングで利用される鉄心型、空芯型パルスマグネット
図 3 に図 2 における既存セラミックスチェンバーとマグネットコイルを一体成型する概念図を示す。

図 3: 既存セラミックスチェンバーと新案セラミックスチェンバー一体型パルスマグネット

3.3 パルスマグネットの新たな構造の提案
3.3.1 高出力磁場要求達成のための極限狭小ギャップを目指す新たな構造提案
空芯型コイルにおけるマグネットコイル設置の課題を克服する妙案として、空芯コイルをセ
ラミックスチェンバー内に埋め込むことを提案する。マグネットコイルをセラミックスチェンバ
ー内径まで近づけることが出来れば、磁極間ギャップはセラミックス厚みを無視して、セラミックスチェンバー内径まで狭小化することが可能である。狭小ギャップチェンバー内表面には空芯コイルが段差なく滑らかに埋め込まれている構造とする。真空構造を保持するた9

めのセラミックス厚 5mm はダクトボア径が R=20mm, 15mm, 10mm と狭小化するに従い、
磁場強度高める上で無視できない厚みとなるため、この厚み分の狭小化は十分に意義のあるものである。結果として、チェンバー外装構造が簡素化・小型化するだけでなく、コイ
ルをチェンバー内に突出させて狭小化させる構造のような支持冶具の構造スペースで生じる狭小化の限界を無視でき、チェンバー径に応じたボア径を実現出来る。ビームから見るチェンバー内表面は滑らかで、ビームインピーダンスの不整合を防ぐことが出来る。
3.3.2 渦電流損失の低減のための新たな技術提案
セラミックスチェンバーは、渦電流による磁場相殺効果を緩和できる半面、金属ビームダク
トと違い、真空ダクトを通過するビームが真空ダクトの壁面に鏡像電界が誘起されることにより生じる壁電流を、セラミックスそのままでは上下流の金属ダクトとの間の非導電体のギャップが存在することになり、通過させることが出来ない。そのため、セラミックスチェンバー
内表面には導電性のメタルコーティングを塗布することが必要である。通常、渦電流の発生を抑制するため、導電性の低い Ti を主材とする厚み 2~3µm の合金膜を、セラミックス内
表面に均一にコーティングをすることになる。このコーティングは、金属チェンバーからセラ
ミックスチェンバーに入れ替えることにより緩和している渦電流損を、再び、生じさせる原因となっている。
提案するセラミックスチェンバー一体型構造は、チェンバー内表面にマグネットコイル表面が見えているため、これまで通りの均一な内面コーティングは、マグネットコイル間の絶縁を失わせることになるため許されず、このコイル面を避けたものでなければならない。コイ
ル面を避けたコーティング技術が開発されるならば、このことを応用すれば、金属コーティ
ングを内面一律に塗布するのではなく、渦電流を形成しにくくさせるパターン塗布することも可能である。新たに、セラミックスチェンバー内表面にパターンコーティングする技術を開発し、渦電流損失の低減と壁電流の通過性の確保の両立を図る。

3.4 セラミックスチェンバー一体型パルスマグネット試作機
図 4 にはセラミックスチェンバー一体型パルスマグネット(Ceramics Chamber Integrated
Pulsed-Magnet, CCIPM)のダイポール型デザインを示している。CCIPM は空芯コイルを円筒セラミックスチェンバーのセラミックス厚さ 5 mm に長手方向に渡り掘られた円筒内外を貫通している溝にコイルを埋め込んで出来ており、コイルは円筒内外を分ける真空隔壁の一部として働いている。ダイポール型では 4 本のコイルが埋め込まれ、片端はアーク状のバーでショートされ、1 ターンのコイルが 2 つ上下に作られる。デザイン寸法のコイル長及び円筒セラミックスボア半径は SPring-8 蓄積リング入射バンプの磁極長 320 mm、ギャップ
10

56 mm にならった。コイルは円筒円周上に沿って 30°の角度で配置することにより、チェンバー中心での磁場強度を最大化し、±4 mm の水平領域で、0.1%の磁場平坦度を確保している。図 5 に磁場分布計算結果を示す。

図 4: セラミックスチェンバー一体型パルスマグネット(CCIPM)試作機デザイン図

図 5: CCIPM 試作機コイル配置で得られる磁場分布計算結果
コイル端部同志をショートさせるアーク状のバーは円筒セラミックス円周に沿って自然とコイルエンド部が立ち上がる構造となっており、エンド部の不整磁場（フリンジフィールド）が30%解消できている。コイルショート側と反対側は電源を接続するリード線としての役目を果たす。デザイン図で示されるように、電源出力と接続されるリード線立ち上がりのアーク
11

部は長手方向に渡るマグネットコイルとの接合をネジ止めによる機械接合をし、磁場応力に対する耐力を持たせるようにしている。更に、リード線接合は、脱着が可能なマルチコン
タクトによるものとし、パルス電源との切り離しを容易な構造としている。

3.5 セラミックスチェンバー一体化による技術的な効果
CCIPM 構造を採用することにより、3 つの技術的な効果が得られる。1 つ目はコイル自身
が真空隔壁としての役割を担うことにより、コイルは円筒内表面より突出することなく滑らかな表面構造を保ったまま、コイルを円筒内径までビームに近づけることができる。2 つ目はセラミックスが構造上コイルの機械的な支持治具、電気絶縁体の 2 つの役目同時に担っているため、一切の余計な構造がなく、セラミックスチェンバー1 つでパルスマグネットを形成している点である。3 つ目は、コイルを円周上の最適な位置に配置し、磁場強度及び磁場
平坦度を最適化出来ることである。また、技術的な課題は別として、コイルを円周状に多数配置し、空芯多極パルスマグネットの実現が可能である。以上の 3 つの効果を踏まえて、セラミックスチェンバーの外装、内装ともに、極めて簡潔かつコンパクトな構造のパルスマ
グネットを実現できる。結果として、マグネットの簡素さ、電源規模の縮小はシステム全体のコストの低下へとつながる。

4. 技術の新規性と特色
4.1 技術の新規性
4.1.1 セラミックス長手方向金属埋め込み技術
本研究開発で推進する構造では、マグネットコイルとセラミックス部材を機械的に組み上げる方法も考えられたが、真空応力を持つ構造強度と真空気密度の保証を兼ね備えた一体化はセラミックスの寸法精度を考慮した場合、不可能であるため、成型されたセラミックスに
マグネットコイルを埋め込みろう付けさせる一体成型することが必要である。この一体成型
ではマグネットコイル自身が、セラミックスに埋め込まれ真空隔壁としても機能することから、極めて高度な技術を必要とする。例えば、真空相と大気相をセラミックスで隔絶し、電気信号、電力を絶縁しながら相間を通す方法としてのフィードスルー（図 6 参照）などの、セラミックス厚に対して垂直に金属を埋め込む手法は極一般的な技術として確立しているが、セラミックス厚に対して表面長手方向に埋め込み真空気密を持たせる方法は、技術として開発されてこなかった。これは、垂直方向では、金属をセラミックスに埋め込みろう付けする際に留意せねばならない熱膨張差が、800℃のろう付け温度時には、セラミックス厚み及び埋め込み金属の周長数 mm 程度に対する線膨張係数の積であるため無視できる領域
12

であるが、長手方向数 10cm に渡る場合では膨張差が、垂直方向の埋め込みに対して100 倍以上大きくなるからである。（表 1 に各種材料の線膨張率を示す。）

図 6 : 一般的なセラミックスフィードスルー
表 1: 各種材質の線膨張率
材質

線膨張率

セラミックス（Al2O3）

7.2 x 10-6/℃

無酸素銅（Cu）

17.0 x 10-6/℃

KOVAR

4.8 x 10-6/℃

そのため、セラミックスに対してマグネットコイルを長手方向に渡り一体成型する場合、マグネットコイルのろう付け温度前後に起こる、マグネットコイルの金材の熱膨張率とセラミック
スの熱膨張率の差を勘案し、セラミックスを破壊せずにマグネットコイルの形状を維持した
まま、真空気密度を保持する埋め込みとすることが新たな重要な技術開発の要素となる。
4.1.2 円筒内への緻密なパターンコーティング技術
セラミックス内表面には薄膜金属コーティングを施すことがリング全周に渡る電子ビームのもつインピーダンスの不整合を生じさせないため必要であるが、同時に渦電流損失の要因でもある。セラミックスの非導体材に金属コーティングを施すには、蒸着法が用いられるが、マグネットコイルを避けた、パターン構造をコーティングで浮き出させる必要がある。一般
的には、平板セラミックス材などでは、マスク法、ブラスト法などが存在するが、円筒型においては円筒内の限られた空間内でパターン形状を成型せねばならず、現在いずれの実績もないのが実情である。そのため、パルスマグネット用セラミックスチェンバーの円筒内
表面には、基本的には、渦電流を生じにくくするためコーティング厚みを 2~3µm まで薄くした、均一コーティングが施されることが一般的である。本研究開発で提案するパルスマグ
ネット構造は、円筒内にマグネットコイルを避けたコーティング形状から発展させた、セラミックス円筒内表面にパターンコーティングをする技術開発を目指しており、可能となれば、渦電流損失の低減と壁電流の通過性の確保が同時にできる重要な技術となる。図 7 に開13

発を目指す、パターンコーティングのデザインを示す。

図 7 : パターンコーティング実装デザイン

4.2 技術の特色
パルスマグネットコイルには、高圧 20~30kV、電流値 10kA 以上の、高電圧・高電流が印加される。高電圧印加に対するマグネットコイル間の電気的絶縁機能の確保と、高磁場応力に対するコイル保持冶具機能の確保が重要な課題である。本研究開発で提案する、セラ
ミックスチェンバー一体型構造は、セラミックスチェンバーがそれらの機能を同時に担う。セラミックス内へのコイル埋め込みを実現できれば、要求されるコイル間構造強度及び絶縁強度同時に満たすことが可能になる。

5. 技術開発課題と推進計画
5.1 技術開発課題
セラミックスチェンバー一体型パルスマグネットの構造を実現する上で、技術開発を 2 段階に分けて取り組む必要がある。その開発段階とは、実際のセラミックス一体成型のパルス
14マグネットが製作できるかどうかの製作性追求の段階と、製作したパルスマグネットを加速器装置として実装可能であるかどうか実装性追求の段階である。1 段階目は、より基本的な技術開発であり、2 段階目は、加速器装置としてのより具体的な装置として具備すべき装備を兼ね備えさせる付加的な技術開発である。限られた資金で開発を効率よく進めるため、本研究開発では、2 段階の開発段階にそれぞれ具体的な目標仕様値を立案している。
3 カ年に渡る本研究開発は、H24 年~H25 年が開発段階 1 にあたり、H26 年が開発段階 2に相当する。それぞれの開発段階における技術課題と性能仕様値を下記に示す。
セラミックスチェンバー・マグネットコイル一体成型技術開発（開発段階 1）
開発段階 1 では、一体成型のための基礎技術開発を進める。
1) 10-11 Pa・m3/s 以下の真空気密度を保持できる 0.3m コイル長手方向埋め込み銀ろう付け技術の確立2) 10µm セラミックス製作寸法精度及び埋め込み精度に基づく、10-4 磁場精度実現
3) 真空排気による 0.1MPa 真空応力、20kV/6kA 以上のパルス励磁磁場応力、ビームヒ
ートロードを模した 80℃サーマルサイクル熱応力に対する 1)項同等真空気密度の維持
ビーム運転を視野に入れた加速器実装技術開発（開発段階 2）
開発段階 2 では、加速器実装に向けて具備すべき装備の技術開発を進める。
1) 20kV/6kA 以上のパルス励磁磁場応力（100N）に耐える、マグネットコイルへの電源接
続のためのリード線機械的接合技術の確立
2) ビ ー ム 壁 電 流 透 過 性 （ 208kHz 基 本 ビ ー ム 周 回 周 波 数 か ら バ ン チ 構 造 周 波 数508MHz 定 倍 周 波 数 を 通 過 さ せ る ） と 渦 電 流 遮 断 性 （ パ ル ス 磁 場 周 波 数
1MHz~10MHz）を同時に有する、0.1mm パターン形状精度のセラミックスチェンバー
内表面メタルパターンコーティング技術の開発
3) マグネットコイルのろう付け（ろう付け温度 800℃）後、ろう付け強度を減退させる可能性のある、メタルコーティングのための後付け蒸着による再昇温(700℃～800℃)）、フランジ取付による再昇温（300℃超）を同時に成立させる技術確立

5.2 開発推進計画
3 カ年に渡る本研究開発では、各年度における推進計画を下記の通り策定した。
5.2.1

H24 年度計画- セラミックスチェンバー一体型パルスマグネット試作機製作

平板セラミックス試験片を用い、マグネットコイルのセラミックス材への埋め込み銀ろう付け
15

基礎技術の確立を進め、円筒型セラミックス埋め込み技術確立への展開を図り、最終的にセラミックスチェンバー一体型パルスマグネット試作機の製作を試みる。平板セラミックス材を用いた開発では、マグネットコイル埋め込みろう付け方法、コイル形状最適化、コイル材の選定、銀ろうづけ温度プロファイル最適化、マグネットコイルとセラミックス間の熱膨張差を制御する抑え込み冶具の確立を進める。円筒セラミックスへの展開では、デザイン案に示すセラミックス厚 5mm、マグネットコイル磁極長 0.3m、ボア半径 30mm ダイポール型マグ
ネット試作機の製作を進める。
5.2.2

H25 年度- 円筒試作機の基本性能の確認とセラミックス平板試験片による加速器実装へ向けた具備すべき実装技術確立

円筒試作機の磁場性能評価を行い、マグネットコイル埋め込み製作精度の間接的な評価を行う。高精度な磁場精度の実現性が加速器実装の可否につながるため、重要な性能要素である。また、様々な加速器実装時に想定される耐力試験を円筒セラミックス試作機において実施することにより、加速器装置としての成立性を評価する。同時に、加速器実装に向けた実装技術課題の開発を進めるため、平板セラミックス試験片を用い、渦電流低減のためのパターンコーティング形状の最適化と実際にコイル埋め込みメタルパターンコー
ティング技術の開発及びセラミックス埋め込みマグネットコイルと電源間リード線を機械的に接合する機械接合技術の開発を進める。
5.2.3

H26 年度- 加速器実装技術全装型開発機の製作及び製作確度の確認

H25 年度に技術開発を開始した、セラミックス平板試験片を用いた加速実装技術の円筒型セラミックスへの展開を図る。パターンコーティング技術及びリード線接合技術を磁極長0.3m、ボア半径 30mm、ダイポール型マグネット試作機同形のセラミックスチェンバー一体型パルスマグネットへ全実装する。平板試験片での確立技術を円筒型に最適化することが重要であり、最終的に、技術全装型ダイポールマグネットを開発機とし、2 機製作する。
模擬的なサーマルサイクル熱応力下、及び 1Hz/20kV 印加励磁応力下での長期エージン
グ試験の実施を行い、磁場性能評価試験の基本性能の確認とともに、歩留まりなどを含めた製作性の確認を進める。

6. 研究成果
6.1 平板セラミックス試験片を用いた一体成型技術の確立
セラミックス長手方向に熱膨張差が大きい、マグネットコイル金材とセラミックスを銀ろう付
けにより一体化する技術は世界に類を見ない技術である。そこで、熱膨張差の律則条件
16

が緩いと考えられるセラミックス平板試験片（平板試験片は円筒と異なり膨張時に縦横の拘束条件が無い）により、銀ろう付けに必要となる、埋め込み方法の検討、コイル形状、コ
イル材、ろう付け方法（ロウ材質、ロウ材ボリュームなどを含む）、銀ろうづけ温度プロファイ
ル、マグネットコイルとセラミックス間の熱膨張差を制御する抑え込み冶具の 5 つのパラメーターの探索を行った。
6.1.1

コイル埋め込み方法

まず、検討すべき課題として、コイル埋め込みの方法が各種検討された。唯一の目標は、セラミックスチェンバー内径と同一レベルにコイルを設置することである。図 8 にコイル埋め込み方法検討案を示す。

図 8: セラミックス層コイル埋め込み方法検討案一覧
各案の中で、構造強度と真空気密度を同一に達成する上での、製作性、成立性が高いと考えられたものは、本研究開発の原案となる貫通溝にマグネットコイルを落とし込み、銀ろ
う付けにより一体成型することにより真空気密度を保証するものである。結果として、高度な製作技術力を有する必要となる開発となったが、加速器実装に向けた構造耐力を兼ね備えた唯一の方法であると考えられる。セラミックス厚みは、真空強度を得るための十分厚は 5mm とした。
6.1.2

コイル形状検討

マグネットコイルの形状は、セラミックスとマグネットコイルの熱膨張差をによって生じる応力を緩和するものでなければならず、また、セラミックスへのハメ合いが現在の製作技術で可17

能な金材とセラミックスの製作寸法誤差内で真空気密度の要求値を満たす厳密なものでなければならない。図 9 に検討が進められた形状検討案を示す。

図 9: 埋め込みコイル形状検討案一覧
検討案から、800°銀ろう付け時の熱応力緩和の想定と、真空気密度を保つ銀ろうづけ面積が十分であること、マグネットコイルの形状を検討し、扇角を持つ形状に決定された。これは、磁場分布の形状からも磁場中心における平坦度を得るために最適な形状である。
コイル寸法は、現技術で実現出来る真空気密度の保証が可能な製作精度を達成しうる幅
4mm、セラミックス厚みに対してロウ材の流れを許す空間の確保のため、2mm の厚みと決定している。
6.1.3

コイル埋め込み接合で想定される応力

コイル埋め込み方法及びコイル形状を決定した上で、それらのパラメーターによる 800℃
銀ろう付け時の応力解析シミュレーションを行った。例えば、コイル材質を無酸素銅とした
場合、コイル長 300mm に対して、800℃銀ろう付け昇温時には、セラミックスは長手方向7.9mm の膨張でとどまるのに対して、コイルは 20.0mm まで膨張することになる。結果として、
コイル片側で 6mm 以上の膨張差が生じることになるため、ろう付け 800℃最大温度時においてセラミックスへの突っ張り応力（600MPa 超）が生まれ、ろう付け共晶化後の常温に戻った際には、解析では、200MPa を超える引っ張り残留応力がセラミックスとコイル間に残ることになる。このプロセスで、セラミックスが破損する可能性があるのは、最大昇温時と常温回帰時の 2 点である。次節において検討された残留応力緩和策について述べる。図 10 に無酸素銅との組み合わせによる扇角 4 度でのシミュレーション結果一例を示す。

18

図 10: 応力シミュレーション結果。左：ろう付け温度最大時。右：常温回帰時残留応力分
布。
6.1.4

接合で生じる残留応力緩和策検討 1 –コイル材質検討

熱膨張差を縮小する方法として、セラミックスと線膨張係数が近い金属材である、KOVAR
をマグネットコイルとして使用する検討を行った。KOVAR は Fe-Ni-Co の合金で、表 1 で示
すセラミックスと近い線膨張係数を有するため、銀ろう付け最大温度時の膨張差がコイル
片側で 1.5mm まで縮小される。セラミックス厚みに垂直に金材を埋め込むフィードスルーなどにおいてはこの特性を利用し、活用が一般的である。シミュレーションによる応力解析
でも、実際に応力の緩和が最大温度時に見られ半減することが判明した。実際の平板試
験片による製作では、埋め込み接合の成功が得られている。しかしながら、KOVAR の特性として、線膨張係数が一定でなく、セラミックスと近値から倍にまでなる温度変位点が400℃近傍に存在することと、マグネットコイルとして不適切である磁性体であることが問題となった。更に、KOVAR が Cu と比較し 1.2 倍ほどヤング率が高く固いため、最大温度時のセラミックス破壊を防ぐために、常温時にセラミックス溝よりも小さくした寸法でコイルを製作する必要があり、結果として、ろう付け後の常温回帰時に、コイルのハメ合い位置精度に不確定要素が残る。図 11 に KOVAR テスト試験片結果一例を示す。

図 11: KOVAR ろう付け温度マッチングによる常温回帰後の寸法不整合とコイル位置不確定性
19

それに対して、コイル材を無酸素銅とした場合、常温において溝ハメ合いが合致している（溝とコイル寸法が同一）条件下でも、条件がそろうことで、接合に成功することが試験により確かめられた。その条件とは、6.1.6 節で触れる扇角、冶具、ロウ材ボリュームである。
尚、溝寸法とコイル寸法が、常温時において合致している条件を「常温マッチング」、ろう付け温度最大時に寸法が合致する条件を「ろう付け温度マッチング」と呼び、それぞれの
温度プロセスを区別して扱っている。KOVAR は上述の特性理由からろう付け温度マッチ
ングを採用している。
6.1.5

接合で生じる残留応力緩和策検討 2–ロウ材質検討

コイルとセラミックスの熱膨張差は 800℃という高温のろう付け温度に起因するため、これを緩和するためのインジウム添加ロウ材を用いた 600℃低温銀ろう付け接合が試された。しかしながら、ろう付け温度の低温化の実現にはいたったが、ロウ材の溶融が不完全で、ロ
ウ材の粉状状態が残り、完全な接合が得られずに真空気密度を得るに至らなかった。根
本的な要因は、低温ろう付けでは、ろう付け時の冶具の熱容量による熱吸収のために、温度が不均一になると推測され、それにより、溶融不完全部分の真空リークへとつながっていると判断出来る。つまり、低温ろう付けは、本研究開発で進める長手方向への金材埋め込み技術では、適切な手法とは言えないと判断出来る。図 12 にインジウム添加によるロウ材の未溶融箇所拡大を示す。

図 12: ロウ材未溶融状態一例
6.1.6

接合で生じる残留応力緩和策検討 3–コイル扇角検討

コイルの熱膨張を吸収する方法として、コイル金具の扇角の最適化が図られている。扇角が広い場合、熱膨張時のセラミックスへの垂直応力の角度分散が扇開き角に応じて大きくなる。この扇角について、4 度、8 度のサンプルコイルが用意され、コイル金材、無酸素銅、
KOVAR に対して接合を試している。扇角が 4 度については無酸素銅で接合の成功が見られず、KOVAR では接合は 4 度、8 度いずれも成功している。尚、KOVAR は「ろう付け温20

度マッチング」により接合が試されている。無酸素銅では、8 度の扇角であれば、「常温マッチング」「ろう付け温度マッチング」いずれにおいても接合が可能で、さらに、ろう付け後に再昇温を 800℃までかけるヒートサイクルでも真空気密度が保持できることが判明した。
図 13 に無酸素銅コイル試験片ヘアークラック発生一例を示す。

図 13: 無酸素銅コイル試験片における接合破損一例
6.1.7

試験片結果による埋め込み最適パラメーター

多岐にわたるパラメーターの最適化のための平板試験片による試験結果を踏まえ、コイル
材質として最適な無酸素銅が、ある条件下により、埋め込位置精度に不確定性が無い状態でセラミックスとコイルを長手方向 0.3m に渡り一体接合出来ることが得られた。得られたパラメーターは下記の通りにまとめられる。
・埋め込み方法：コイル落とし込み 800℃銀銅ろうづけ

・埋め込み穴形状：：8 度開き角扇形貫通孔

・コイル形状の最適化：8 度開き角扇形

・コイル材最適化：無酸素銅・ろう付け材最適化：銀銅ろう（ロウ材ボリューム、温度プロファイル含）・コイル寸法最適化：常温温度にてセラミックス埋め込み穴形状と同寸

尚、埋め込み冶具、ろう付け温度プロファイルについては、メーカー京セラの企業技術によるため、秘匿事項として開示しない。

6.2 ダイポール型パルスマグネット試作機の製作
平板試験片による埋め込み、一体接合技術の確立がなされた後、円筒セラミックスへの展
21

開が進められた。本節では、円筒セラミックスの製作工程と完成した試作機全容を示す。
6.2.1

セラミックス製作工程

まずは、セラミックス製作工程について、図 14 に京セラ提供資料により示す。

図 14: セラミックス製作工程
セラミックスは粉体から鋳型成型され、焼成後、研削を行い、本研究開発試作機であるφ30mm 円筒セラミックスでは寸法公差±3µm の高精度で製作が行われる。この過程で、円筒の長手方向 0.3m に渡り貫通溝が円筒セラミックス側面に設けられる。これに、マグネット
コイルがろう付けされる。
6.2.2

円筒セラミックス試作機製作工程22

図 15 : 円筒セラミックス試作機製作工程
図 15 に示すように、溝加工がされた円筒セラミックスには、マグネットコイルが銀ろう付けされ、その直後に真空気密度試験が行われる。銀ろう付け時には、フランジ取付のためのSUS スリーブが同時に銀ろう付けされる。フランジスリーブの取付には、縦置き取付を行っていたが、図 16 に示すようなロウ材の溶融たれが生じたため、横置き取付を新たに開発している。真空気密度試験はフランジスリーブこみで、外観上の不備が無く、仕様値を達成したものを合格とする。その後、フランジ取付のためフランジの溶接を行う。フランジ溶接は溶接温度をスポット溶接により 300℃超えることが無いように制御する。フランジ溶接後、フランジを取付けたうえで、He リークチェッカーによる真空リーク試験を実施し、問題が無い
ことを確認した。これにより、試作機が完成した。

図 16: 一般的な縦置きスリーブ取付によるロウ材の溶融垂れが発生した事例
6.2.3

セラミックスチェンバー一体型パルスマグネット試作機の完成
23

平板試験片から円筒セラミックスへはスムーズに展開がなされ、スリーブ取付時のロウ材溶融垂れ問題以外は、セラミックス破損、真空リークに至る問題は一切起こることが無かった。
結果として、2 機製作の内 2 機完成となり、歩留まり 100%であった。このことから、確立した
長手方向マグネットコイル埋め込み技術が高い製作確度であると判断出来る。接合に成功した円筒セラミックスは、再度 800℃のヒートサイクルを与えたが、破損・真空リークを引き起こすことがなかった。接合後の、溶接による昇温、将来的にはビームヒートロードによる昇温などによるサーマルサイクルで生じる残留応力の発散に対しても真空破壊に至ることはないと考えられる。図 17 に完成した試作機内表面の様子を示す。試作機においてはセラミックスチェンバー内表面のコーティングは実装していない。

図 17: CCIPM 試作機円筒内表面の完成状態（フランジ溶接前）
図 18 に試作機の外観全容をエンドコイル、リード線接合とともに示す。ともに、試作機においては、導電性エポキシによる含浸接合（図 19 参照）としている。

24

図 18: CCIPM ダイポール型試作機完成全容

図 19: エンドコイル・リード線エポキシ含浸接合

6.3 試作機の基本性能評価
フランジ取付完了の CCIPM 試作機は、磁場性能及び電気特性の検証と加速器実装に向けた信頼性の検証を実施した。その結果を本節にて下記の通り報告する。
6.3.1

磁場性能評価完成した試作機磁場出力性能を確認するため、ホール素子 3 次元磁場測定機により磁場25測定を行っている。図 20 に磁場測定セットアップの様子を示す。中心軸回転、長手方向
回転いずれも、40µrad 以内のアライメント精度にて据え付け磁場測定を行った。

図 20: 磁場測定セットアップ
励磁電流 DC 30 A にて、ボア半径 30 mm における磁石中心磁場強度は計算では 6.78 µT、
メディアムプレーン上の中心から±4 mm の領域での磁場平坦度は 5.7×10-2%であった。
同様に、励磁電流 30 A での磁場測定結果では、磁石中心磁場強度は 6.85 µT、磁場平
坦度は 8.2×10-2%であった。
磁場平坦度測定では、コイル配置の最適化により、ミデイアムプレーン上の磁石中心から±10 mm まで、1.5%を維持することが出来ており、また、磁場中心から高さ方向に±5 mm
シフトした場合の水平磁場平坦度は、磁場中心から水平±4 mm の範囲にて 1%が維持されている。図 21 に磁場水平分布測定結果を示す。

図 21: 左図：磁石中心での規格化した磁場水平分布測定結果 右図：±5mm 高さ方向シフトさせた場合の磁場強度水平分布
長手方向にわたる磁場分布では、有効磁場長は磁極長 0.3 m に対して-1.0%の減長で、コ
イルエンド部の不整磁場は磁場中心強度の 1%以下まで低減がされている。積分磁場は、204.2±1.6µT・m/30 A となっており、3000 A 励磁電流に対して SPring-8 における 8GeV 電子ビームに対して 765±6.1 µrad の蹴り角に達する。従来の SPring-8 で使用している鉄芯型バンプ電磁石と比較しておよそ 1/2.2 の蹴り角である。上述の測定結果に対する誤差は、
26

磁場測定の再現性より見積もって付している。積分磁場での均一度は、水平方向に磁場中心から±5 mm シフトした場合、磁場中心での積分磁場との差は 0.7%となっており、垂直方向に磁場中心から±4 mm シフトした場合には 0.8%の積分磁場の差となっている。図22 に磁場ビーム軸分布測定結果を示す。

図 22: 左：磁石中心での規格化した磁ビーム軸分布測定結果 右図：±5mm 水平方向にシフトさせた場合の磁場強度ビーム軸方向分布以上の結果から、期待通りの磁場平坦度、積分磁場均一度を確保ができており、計算結果との相違も微小であるため、コイル埋め込みの位置精度がおよそ 10 µm の高い水準で実現できたと判断している。
6.3.2

電源負荷低減効果検証

磁場出力性能に続き、性能目標である負荷低減効果を検証するため、CCIPM と同寸法
規模の SPring-8 蓄積リング入射部で使用している 1 ターンコイル鉄芯型バンプ電磁石との電源に対する負荷低減効果を比較した。磁極長は 320 mm、セラミックスチェンバーのボア半径に該当する磁極間ギャップは 28 mm で構造寸法はほぼ同等である(図 2 参照)。同一のバンプ電磁石用電源に接続を入れ替えながら既定の電圧に応じたパルス電流出力を電磁石に印可し、高速 CT プローブにより、パルス出力波形と電流量を測定した。CCIPMの試作機にはコーティングを内装していないため、バンプ電磁石のギャップ間にセラミック
スチェンバーを内挿せずに試験を行った。また、CCIPM の上下コイルは直列で電源に接続している。
結果であるが、CCIPM は従来型のバンプに比べ 20%の電流値の改善があり、6.1µs の正弦半波出力が 4.5µs まで短パルス化となった。表 2 に負荷低減の根拠となるそれぞれのマグネットの電気的特性(125kHz, 4µs パルス幅)の比較を示す。バンプ電磁石のギャップにコーティングを施したセラミックスチェンバーを内挿した場合、セラミックスの誘電率とコーティングによる容量が加味されるため、電気特性の差は更に広がると思われる。
表 2: SPring-8 蓄積リング使用のバンプ電磁石と CCIPM の電気特性の比較、CCIPM は27

1-coil 分の特性
MagnetGap (mm)

Length (m)L (µH)C (nF)R (mΩ)

Iron-core

56

0.32

4.5

357

385

CCIPM

φ60

0.30

0.8

2019

22

6.3.3

応力耐久試験

試作機の構造的耐久性及び真空気密度の信頼性を確認するため、長期コンディショニン
グ試験を 2013 年から 2014 年にかけ実施している。図 23 に励磁試験セットアップの様子を示す。

図 23: コンディショニングセットアップ
コンディショニングは SPring-8 にて使用している蓄積リング入射バンプ用電源を使用した。
最大 7.7kA/20kV をパルス幅 4µs のパルス電流を 1Hz の繰り返しにてコイルに印可し行っている。コンディショニング中は、高圧印加と同時に、セラミックスチェンバーは粗排気真空
ポンプに接続され 1×10-6Pa まで真空引きし、大気圧荷重をかけている。またチェンバーにリボンヒーターを巻き、サーマルサイクルを与えてビームヒートロードによるチェンバーへの熱負荷を模擬した。サーマルサイクルのパラメーターは SPring-8 蓄積リングでのビーム電流 100 mA マルチフィリング時のセラミックスチェンバーの表面温度実測値をもとに決定している。サーマルサイクルのプロシージャーは室温 30℃からセラミックス外表面温度を80℃まで自然速度で上昇させ、80℃を 4 時間維持したのち、自然速度で自然空冷させ室温まで冷却する温度過程を 1 サイクルとし、1 日あたり 3 サイクル実施している（図 24 参照）。

28

図 24: サーマルサイクルプロファイルとリボンヒーターセットアップ
このような加速器実装に近い条件下での耐久試験で、252 日の連続運転終了後、He リー
クディテクターによる真空気密度試験において、1.3×10-11 Pa・m3/s 以下の規定値を維持していることを確認した。表 3 にコンディショニングパラメーターと運転日数についてのまとめを示す。今回開発した CCIPM 試作機は加速器実装にも耐えうる構造強度性能を有していることが確認された。また、応力負荷、熱応力変化にたいしても十分に真空気密度を維持できることを実証した。
表 3: コンディショニングパラメーターと運転日数
Supplied current/voltage

Condition

Elapsed days

3.9kA/10kV

w/o thermal cycle

10

5.8kA/15kV

w/o thermal cycle

24

5.8kA/15kV

w/ thermal cycle

83

7.7kA/20kV

w/ thermal cycle

135

Total

w/ thermal cycle, for all

218, 252

7. 残された開発課題と今後の展望
2012 年より CCIPM の製作技術開発を京セラ(株)と開始し、セラミックスに長手方向に渡り銅コイル埋め込み銀ろう付けする技術を確立した。本報告書では長手方向コイル埋め込み技術の確立とその基本性能の達成と検証に主眼を置いて報告を行った。今後の開発は、CCIPM を加速器装置として実装する際に必要となる装備の実装を目指さなければならない。第一に、セラミックスチェンバー内へのビーム壁電流を通すための金属コーティングである。CCIPM はマグネットコイルがセラミックス内表面に露出しているため、コイルを避けてコーティングを実装させなければならない。第二に、マグネットコイルと電源を結ぶリ29

ード線の機械的接続である。リード線とコイルの接続部には磁場応力負荷に耐える強度と、高圧・高電流の確実な導通が必要である。試作機においては、リード線をコイルに銀ろう付けす
ることが製作上不可能であったため、導電性エポキシによる含浸で取り付けを行った。この接合方法は機械的接合に対して軟弱であるため、強固にする必要がある。今後、上記技術課題の克服とともに、当初の目標である φ30mm 以下の磁石ギャップ狭小化、コイルの埋め込み極数の拡大への展開を目指していく予定である。

7.1 リード線接合問題
CCIPM 試作機では、リード線の接合を導電性エポキシ含浸により済ませている。これは、磁場応力に対する機械応力の確保の観点からは好ましくない方法であったが、埋め込み
マグネットコイルへの機械接合方法には、新たな開発段階が必要と考え、試作機の開発では開発順位を下げた次第である。しかしながら、加速器実装における長期運用安定性の確保には、構造耐力を重視することは重要であるため、加速器実装へ向けた課題として開発をせねばならない。実際に、長期耐久試験中に接続部から放電が発生する事象が起き、問題の重要性を改めて認識している。図 25 に放電事象を示す。

図 25: エポキシ含浸接合部からの放電破壊
現在、リード線接合部における接合強度向上のための、機械接合を可能とする技術開発を進めている。図 26 に検討案及び、目下試作機の開発を進めている技術開発を示す。

30

図 26: リード線機械接合検討案及び技術開発案
開発の基本方針は、ネジ止め式による接合強化である。ただし、ネジ止め用のタップを切るためには、マグネットコイルの 2mm 薄肉にはタップを設けることが出来ないため、肉厚をかせぐためのブロックをマグネットコイルに新たに取り付ける方法の開発が必要である。マ
グネットコイルを厚肉とした場合、熱膨張の影響が大きくなるため、接合時の破損を引き起こす可能性が高く、また、マグネットコイルがブロック状のものが一体となったものとする方法としては、金属加工として難しさが生じるとともに、ブロックとマグネットコイル間の拘束条件がセラミックスとマグネットコイルとの接続時に悪影響を及ぼす可能性があり、いずれも採用していない。現在、マグネットコイルに、別に製作したタップ用ブロック金具を、マグネ
ットコイルとセラミックス接合時に同時ろう付けする技術開発を進めている。
開発には、マグネットコイルとセラミックスとの接合に新たな要素が加わるため、セラミックス
平板試験片からの開発が改めて必要で、平板試験片での開発が完成後、円筒セラミックスへの展開を図る予定である。開発技術は途上であり、新規性に富むため、論文発表などをひかえている。よって開発の経過については、詳細報告を割愛する。尚 H25 後期~H26
年に計上している必要経費はこの開発に該当する。
これまでの開発成果を下記の通りである。
平板試験片セラミックスによるリード線取付ブロック同時ろう付け技術確立(H25-H26)
電源リード線を埋め込みコイルにネジ止めを可能とするタップ付きブロック金具を取り付け
成功
・取付方法最適化：コイルとの同時銀銅ろう付け
31

・ブロック材最適化：マグネットコイルと同材の無酸素銅・ブロック形状最適化：ブロック金具部ロウ材だまり防止くびれ円柱

・メタライズ形状最適化：ブロック金具部ロウ材だまり防止メタライズ欠け法

7.2 セラミックス内表面パターンコーティング
セラミックス内表面コーティングはマグネットコイルを避けたものでなければならないが、その技術が可能であるならば、内表面に意図する模様のパターンコーティングを実装することが可能なはずである。渦電流の低減と、ビーム壁電流を通過させることの両立を目的としたパターン構造を考えるならば、磁場強度を減衰させる渦電流の発生原因は、内表面を均一にコーティングする結果であるため、渦電流が発生しにくい、つまり磁束が通過する
回りに電流のサークルが生まれにくい、コーティング構造とするのが望ましい。但し、この構造はビーム壁電流の周回周波数 208kHz やバンチ構造 508MHz の定倍である高周波を長手方向に通過させるハイパスフィルターの構造を兼ね備えていなければならない。この考えから新たに提案するパターン構造は「櫛形構造」である。上下流からチェンバーダクト
中心に向かって伸びる櫛形のコーティングが互い違いに組み合わさり形成する。この構造にいたるまでの検討案を図 27 に示す。各パターン構造案に対して、渦電流低減効果を実証するには、表皮電流効果をシミュレーションでは求めることが出来ないため、実際に実験により実測する必要がある。コーティングを模擬した、18µm t 厚の銅はく（渦電流効果を明確にするために銅材を選択、厚みについても同様の考えで、実際の Ti-Mo コーティング
厚み 5µm に対して 3 倍程度を選択）を実装したパターン基板をつくり実験を行った。パルス磁場を発生するパルス電源は我々自身で開発を進める半導体電源を用い高速性能と大電流を実現した。図 28 に実験セットアップを示す。

32

図 27: 渦電流低減のためのパターンコーティング候補

図 28: 渦電流低減効果実証試験セットアップ
半導体パルス電源はパルス幅が可変で、400ns/230A、4000ns/1120A の電流出力が可能である。均一コーティングの磁場ピックアップ電圧に対する、他コーティング構造の磁場ピックアップ電圧を、コーティング基板が無い場合のピックアップ電圧を基準とし比較したとこ
ろ、均一コーティング基板、メッシュ基板では 60%の磁場強度の低減が認められるのに対して、ストライプ構造、ビーム電流を通過させるための、ストライプ構造を交互に組み合わせる構想の櫛形構造などでは、2%程度の磁場強度低減でとどまった。これは、キッカー電源として想定されるパルス幅 400ns~4µs までの幅広い領域で同様の結果が得られるに至った。渦電流低減にはパターンコーティングが効果的であり、壁電流の透過性を良くするためにコーティング厚を厚くしたとしても構造による渦電流低減効果が勝るため、壁電流の透過性と渦電流低減は両立が可能である。櫛形構造とした場合、ストライプ同志が互い違
いに組み合わさる空間はキャパシタンスとして働き、壁電流のハイパスフィルター機能を有する。DC 電流は、チェンバー外を流すと割り切った場合、高周波に対する十分なバンドパスを有するキャパシタンス構造となっていれば、壁電流ロスが生じないと考えられる。これを確認するため、セラミックスチェンバーへ実装する形状を模擬した櫛形構造コーティングを模擬した回路における S-パラメーター特性を計算させた結果の一例を図 29 に示す。均一
コーティングに近い幅広い周波数帯域での透過性が認められる結果となった。

33

図 29: 均一コーティングとパターンコーティングによる S-parameter 特性の比較
実際にこのような複雑なパターンをセラミックスに実装するには技術的な開発が必要である。開発には、マグネットコイルとコーティングの 10MΩ以上の絶縁を確保した上で、緻密なパターンを描くコーティングを円筒内表面に実装せねばならないため、セラミックス平板試験片からの開発が改めて必要で、平板試験片での開発が完成後、円筒セラミックスへの展開を図る予定である。開発技術は途上であり、新規性に富むため、論文発表などをひかえている。よって開発の経過については、詳細報告を割愛する。尚 H25 後期~H26 年に計上している必要経費の一部はこの開発に該当する。
これまでの開発成果を下記の通りである。
平板試験片セラミックスによるブラスト法パターンコーティング技術確立(H25-H26)
マスク法、エッジング法の失敗から、均一コーティング施工後のブラスト法によるパターン
はぎ取りに成功・ブラストノズル形状最適化
・マスク材・マスク形状最適化

7.3 課題複合実装開発機の製作
前節 7.1, 7.2 で述べた課題克服のための技術開発が進められており、個々の要素技術開発を完成させ、円筒セラミックスへの複合実装へとつなげる予定で進めている。H26 年度
経費では、その複合実装への足がかりとなる、マグネットコイル埋め込みのみの円筒セラミ34

ックス試作機からリード線接合ブロック及びコーティングを全装した加速器実装へ向けた開発機の 2 本の製作を実施した。
結果であるが、機械接合金具取り付け技術、コーティング技術のいずれも、平板試験片により確立した技術をそのまま円筒型へ展開を図っているにも拘わらず、複合実装の段階で同時に実装、成立に至っていない。複合実装の未成立は、機械接合金具取付後のコーテ
ィング蒸着時の 800℃再昇温で起きており、再昇温後は真空気密度を保持できない状態となっている。
現在この複合実装を完成させるための開発機の製作改善を、それぞれの要素技術の改善とともに進めている。

8. セラミックスチェンバー一体型パルスマグネット技術の展開
8.1 SPring-8 将来計画と高速パルスキッカーシステムの位置づけ
極小ビームエミッタンスを実現する SPring-8 将来計画においては、下記の 2 点が先進的な放射光光源加速器として必須な要件と考えられる。
1. 蓄積・入射ビーム共に入射時水平振動を抑制した高精度 Top-Up 高繰り返し入射（高精度・高磁場パルス出力）
2. バンチバイバンチまたはターンバイターンビーム制御（極短パルス高繰り返し出力）
これらを実現するためには、入射キッカー、高速補正キッカー、多極パルスマグネットなどを念頭に一部のバンチのみを高速、高繰り返しで高精度なビーム制御を可能とする大電流高速パルスキッカーシステムの開発が不可欠である。
1 項での低ジッターかつ高安定出力な高精度パルス出力、2 項での 50ns を切る極短パル
スかつ 208kHz 以上の高繰り返しの実現は、半導体パルス電源が有望である。これは半導体素子特性である低損失高速性能に由来する。しかしながら、素子あたりの耐電圧が 1kV程度にとどまる半導体では、高出力性能の実現には半導体を利用できる水準までの出力の低電圧化が必要であり、結果負荷の低減が重要である。
また、次期計画では加速器構成要素の配置の制約から小スペースに、またキック効率が高い位相点の限られた場所に、短磁極長で高速・高出力磁場を発生するキッカーシステ
ムを設置する必要がある。この設置柔軟性を実現するためには、短磁極長で小型のキッカ
35

ーでありながら高出力でなければならない。結果、高出力を実現するためには電源負荷を軽減するためのキッカー電磁石の開発が重要である。
SPring-8 将来計画において必要とされる高速パルスキッカーシステムでは、電源負荷低減に直結する CCIPM が有力な鍵となる。

8.2 「電源負荷の低減及び小型化」を目指すキッカー電磁石の価値
パルス電源出力の高速化のためには電源が大型化し設置自由度が極端に縮小する傾向にあった。電源負荷を低減した小型のキッカー電磁石が可能となれば、パルス電源の小型化につながる。
既存のパルス電源の多くは、出力をパルス出力させるスイッチング素子としてサイラトロンが利用されている。サイラトロンは 50kV 近くの耐電圧強度があるため、電源の大型化をいとわなければ、高速性と大電流出力の両立は容易に実現が可能である。しかしながら、電源の小型化へとはつながらない。
現在 SPring-8 にて長年に渡り開発を推し進める、スイッチング素子として半導体 MOSFETを用いた半導体高速パルス電源の導入は、スイッチンング素子自身が 20mmx20mm 角程度の寸法であるため、電源の小型化を可能とする。しかしながら、素子自体の耐圧は 1kV程度であるため、ハイパワー出力を目指す場合には素子数が増加し、電源の規模の拡大
はまぬがれないが、負荷が低減すれば、半導体素子寸法の小型化とともに相乗的に電源の小型化を実現出来る。
半導体素子電源の実現は、パルス出力幅を決定するスイッチング素子のスイッチング速度がサイラトロンの早さ 100ns を切ることを可能にし、低損失な、サイラトロンでは不可能な
1kHz を超える高繰り返しを可能とする。つまり、ターンバイターン、バンチバイバンチビー
ム制御の可能性が見えてくる。これは、次世代中型エネルギー高輝度放射光リングなどの周長短いリングにより優位に働くことになる。また、半導体は半永久寿命であるため、サイラ
トロンのような劣化交換を必要としない。パルスマグネットの小型化は、将来的に放射光加速器コンポーネントの高密度化や、放射光施設の小型化などの要求に対して大きな柔軟性を与えることが出来る。
CCIPM の価値は、これまでの入出射キッカー電源、バンプ電源などの大型パルス電源を小さいものに置き換える可能性に期待が持てることで、パルス電源の高速化、高繰り返し化、高精度化に適している、サイラトロンに代わる半導体素子の導入・普及に期待が持てることである。結果として、次世代加速器において求められる高度なビームコントロール技
36

術や、周長短い小型放射光における高速入射を可能とすることにある。

8.3 セラミックスチェンバー一体型パルスキッカーの幅広い展開
CCIPM の次世代放射光リングへの、具体的な展開の一例として、放射光リングで利用するパルスマグネット全てを CCIPM で統一し、高精度入射キッカー、補正多極パルスマグネットによる入射時水平振動を抑制したビーム入射が考えられる。
リングへの入射方式としてのバンプ軌道形成による入射方法は、バンプパルス出力波形の精密成形が不完全な場合、つまりバンプ軌道が閉軌道となっていない場合、蓄積ビー
ムの入射振動を誘起することになり、放射光安定供給の上で問題となる。
将来における極小エミッタンスビームでは、ビームサイズが縮小するため Top-Up 運転時の入射振動が相対的に顕在化することになる。CCIPM を入射バンプキッカー、パルスセプタ
ムキッカーとして利用すれば、負荷不確定要因が低減できるため波形整形を容易にし、複数台入射キッカーの波形の相似性を向上させることが可能である。さらに、半導体パルス
電源と組み合わせることにより低ジッター・高安定出力の実現が可能で、蓄積ビームの入射時水平振動の抑制へとつながる。
バンプ軌道生成による入射では、蓄積リング軌道を入射軌道に近づけビームを入射させるため、自ずと入射ビームはその軌道差分だけ振動をする。入射ビームの振動を抑制するには、入射後 1 ターン以内に磁石中心が磁場 0 である補正多極パルスマグネットにより入射時振動との逆キックを与えることが出来れば入射ビーム振動を入射後早期の段階で抑制が可能である。多極パルスマグネットにおいて必要となるパルス磁場力はボア径の累乗で増加するため電源への負荷が大きくなることが課題である。そのため、磁極間距離を狭小にできる CCIPM により多極パルス電磁石の製作が可能になれば、電源負荷の低減につながり、結果、蓄積・入射ビームともに振動を抑制した Top-Up 入射へとつながる。また、バンプ軌道生成入射でなく、多極パルスマグネット磁場中心に蓄積ビームを配置し、入射ビームを蹴りいれる低蓄積ビーム入射振動への展開も可能である。
極小エミッタンスでのビームサイズの空間広がりが小さくなることで、リング真空ダクトは全体として狭小化しており、狭小口径キッカーは、ビームを不安定にさせない限界までキッカ
ーボア径を狭小化することが可能であることと、また極小ビームエミッタンスはビームインピ
ーダンスに敏感であることを考慮するならば、狭小口径と滑らかな内表面を持つ CCIPMの適用性がより高まることになる。

37

9. 結論本研究開発で取り組みを開始した、超狭小口径ボアを目指す、セラミックスチェンバー一体型
パルスマグネット（Ceramics Chamber Integrated Pulsed-Magnet: CCIPM）は、平成 24 年から 3
カ年に渡り開発を進めた結果、円筒セラミックス側面の長手方向にセラミックスとの熱膨張差が大きい銅材を埋め込む新技術の開発に成功し、狭小口径ボアの基本的となるパルスマグネッ
ト構造を完成させるに至った。これは、世界的に取り組まれたことが無く、成功例の無い、埋め込み技術の確立へとつながった。そして、世界的に類を見ないパルスマグネット構造を実現したことに重要な価値がある。
開発は現在も進行中であり、現在は、加速器実装へ向けた具備すべき要素を搭載するための技術開発に主眼が置かれ開発をすすめている。この具備すべき要件のうち、埋め込み金具と外部装置とを接合するための機械接合金具の取付技術は、CCIPM 技術が、パルスマグネットとしてだけでなく、汎用的な技術として一般化させるための重要な技術開発と位置付けられており、埋め込み技術と同様に新規性の高い技術となる。またパターンコーティングについても、
世界的に取り組まれたことが無い、無類の技術となっており、CCIPM の加速器応用へ必須の技術開発である。
CCIPM はその製作コストの低さと、斬新なデザイン性、電源などへの波及性を考慮するに、パルスマグネットの世界的な標準化へとつながる可能性のある構造技術である。加速器実装、応用を主眼とし更なる開発・改善を推し進め、本来の目的である、R10 などの超小口径ボア径の実現、多極コイル埋め込みの実現などを視野に、製作技術の確立を目指す予定である。

Appendix10.

他研究との比較

マグネット型高速パルスキッカーシステムに対する別の高速パルスキッカーシステムとして、電磁場を利用したストリップライン型高速パルスキッカーの研究が世界的に進められている。
SPring-8 においても近年同様の技術導入が開始されている。ストリップライン型高速パルスキッカーの構造的特徴としては、我々同様、出力強度を稼ぐために電極をビームチェンバー内に設置しビームに肉薄させていることが特徴的である。また、磁場出力のみでなく電場出力もキッ
ク力として利用することにより出力強度の増大を図っている。電場によるキックを生み出すため、
高速性及び速応答性の追求が比較的容易であるが、しかしながら、キック力の増大のためには磁場よりも効率が悪いため、有効磁極長を稼ぐための冗長なスペースが必要であることと、
38

超高圧入力には絶縁性、またインピーダンスの整合性を保つ上で困難性があり、また、真空チ
ェンバー内に電極が突出しているため、リング内を周回するビームの不安定性を誘起する可能性がある。このことから高速パルスキッカーマグネットシステムをチェンバー内壁表面にマグ
ネットコイルを配置する電磁石方式にて実現出来れば次世代のよりローエミッタンスの高品質ビームを供給する加速においてビーム不安定性を誘起せずに、また、長尺な設置スペースを必要とせずに、必要な出力を生みだすことが可能になるため、基幹技術となる可能性がある。

11.

SPring-8 におけるパルス電源開発との相補性

SPring-8 においては 2008 年来、パルス電源のスイッチング素子を既存のサイラトロン方式から
MOSFET を 用 い た 高 速 高 出 力 小 型 パ ル ス 電 源の 開 発 を 進 め て き て い る 。 こ の 電 源 は0.4x0.39x0.43m のコンパクトな筐体にも拘わらず、600nH 空芯コイルに対して、2kV 入力で530A/400ns, 930A/700ns の出力が可能で、加速器ビームラインの 40cm の少スペースにおいて設置することが可能である。この電源をパルス幅が広い、周回時間幅 4µs 程度の入射パルス
電源システムとして利用した場合、5300A の出力が可能で、6200A/20kV 電源であるバンプ電源の筺体規模 2m x 2.3m x 1.2m から電圧にして 1/10 に、筺体体積を 1/1000 に縮小出来ている。
このような電源規模を維持したまま、出力の増強が図ることが可能であるならば、半導体パルス
電源の可能性が広がることとなる。バンプ電源の負荷想定は 4.5µs に対して、1-coil あたりのCCIPM はφ60 ボアで 0.8µH である。ボア径が半減した場合 600nH 空芯コイルを想定する上
記電源 1 台で、バンプ電源と同規模の出力の実現が可能である。
SPring-8 で進める半導体パルス電源開発は、このように CCIPM の開発と相補的になっており、双方の開発は相乗的に、規模、コストの縮小に反映されることとなる。

Bibliography[1] “SUPPRESSION OF STORED BEAM OSCILLATION AT INJECTION BY FAST KICKER IN
THE SPRING-8 STORAGE RING” C. Mitsuda, et al., 5th International Particle Accelerator
Conference (IPAC14) proceeding, p280, 2013
[2] “CURRENT STATUS OF SHORT X-RAY PULSE GENERATION WITH A VERTICALKICKER IN THE SPRING-8 STORAGE RING” C. Mitsuda, et al., 11th Synchrotron Radiation
Instrumentation (SRI2012), proceeding, Journal of Physics:Conference Series, 425 (2013) 042012.
39

[3] “NEW DEVELOPMENT OF COMPACT FAST PULSED POWER SUPPLY SYSTEM IN THE
SPring-8” C. Mitsuda, et al., 4th International Particle Accelerator Conference (IPAC13), proceeding,p666, 2013

謝辞
本開発は（公財）高輝度光科学研究センター（JASRI）内研究費公募「匠プロジェクト」により採択され、3 カ年に渡り推進されたものである。ここに当初目標が十分に達成され一つの報告書にまとめるに至ったこと、匠プロジェクト採択委員の皆様に、深く感謝いたします。
本件課題は 2010 年に JASRI 加速器部門 佐々木茂樹氏により素案が提示され、具体的な開発へとつながる課題発案と至りましたこと深謝いたします。本案件の主たる技術開発を担当した（株）京セラ 笹川敦司氏には、世界に類の無い技術開発に対して、快く開発を引き受けてくださり、意欲的に挑戦し、数々の難題を克服した上で本件課題の成功に至りましたこと、深く感謝の意を表したいと思います。
R&D における試験検査、実験では平成 24~平成 25 年にかけて（株）スプリングエイトサービス（SES）中西辰郎氏、平成 26 年には同じく本井傳晃央氏に技術補佐を依頼し、構想案の設計から試験検査、実験のセットアップと幅広いサポートを頂けましたこと心より感謝いたします。
最後に、本件課題採択時に、採択委員会委員長として、適切なご助言を受け賜わりました、
JASRI 熊谷教孝氏に心より感謝申し上げます。

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匠プロジェクト採択課題
1) H24 年 新規 T24-15 チェンバー一体型パルスマグネットの開発
2) H25 年 継続 T24-15 チェンバー一体型パルスマグネットの開発
3) H26 年 継続 T26-3

セラミックスチェンバー一体型パルスマグネットの開発

研究経費
1) H24 年 新規 T24-15 チェンバー一体型パルスマグネットの開発
・総額

4,714,500 (申請予算 500 万)・内訳
セラミックスチェンバー一体型キッカー電磁石試作機製作

1式

4,714,500

2) H25 年 継続 T24-15 チェンバー一体型パルスマグネットの開発
・総額

2,664,060 (申請予算 270 万)・内訳
メタルコーティング技術開発のための金材一体成型平板セラミックス試験片製作
1式

1,995,000

セラミックス金材一体成型試験片リード線製作

1式

172,200

セラミックスチェンバー一体型パルスマグネットステージ製作

1式

239,400

セラミックスチェンバー一体型パルスマグネットリード線補修

1式

58,800電子回路基板の製作

1式

198,660

3) H26 年 継続 T26-3 セラミックスチェンバー一体型パルスマグネットの開発
・総額

5,497,200 (申請予算 550 万)・内訳
セラミックスチェンバー一体型キッカーマグネット開発機製作

1式

5,497,200

41

研究発表
1) Development of the Ceramic Chamber Integrated Pulsed Magnet Fitting for a Narrow Gap
C. Mitsuda, et. all, 6th International Particle Accelerator Conference (IPAC15),
proceedings,WEPMA049, 20152) セラミックスチェンバー一体型パルスマグネットの開発
満田史織、他、第 12 回日本加速器学会年会、敦賀市、WEP072, 201542