会

告第 52 回	  真空に関する連合講演会

主 催：	  日本真空協会
協 賛：	
  映像情報メディア学会，応用物理学会，化学工学会，原子衝突研究協会，触媒学会，低温工学・超電導学会，電気学会，電子情報通信学会，日本化学会，日本加速器学会，日本機械学会，日本金属学会，日本顕微鏡学会，日本原子力学会，日本材料学会，日本質量分析学会，日本真空工業会，日本チタン協会，
日本鉄鋼協会，日本半導体製造装置協会，日本表面科学会，日本物理学会，日本分析化学会，日本放射光学会，表面技術協会，腐食防食協会，プラズマ・核融合学会
期 日：	  平成 23 年 11 月 16 日（水）9:30-18:00
平成 23 年 11 月 17 日（木）9:00-17:45

懇親会 18:00-19:30

平成 23 年 11 月 18 日（金）9:00-16:00
会 場：

学習院創立百周年記念会館 3, 4 F（東京都豊島区目白 1-5-1 目白キャンパス）学習院アクセスマップウェブページ http://www.gakushuin.ac.jp/map.html
A 会場（口頭発表）3F 第 1，第 2 会議室
B 会場（口頭発表）4F 第 4 会議室
C 会場（ポスターセッション，企業展示）小講堂
懇親会場	
  学習院輔仁会館 2 階さくらラウンジ

参加費： 日本真空協会学生会員 2,000 円
日本真空協会個人会員及び法人会員に属する個人ならびに協賛学協会の会員 4,000 円
非会員 5,000 円
予稿集代金	
  2,500 円
懇親会	
  3,000 円
ク レ ジ ッ ト カ ー ド に よ る 事 前 登 録 が 可 能 で す ． 連 合 講 演 会 の ウ ェ ブ ペ ー ジ（http://www.vacuum-jp.org/CONFV/asvsj2011/index.html）をご参照ください．
入会のご案内：	  参加される方は 9 月末までに入会申込みを行って下さい．日本真空協会学生会員の年会費は 3,500円ですが，機関誌の配布を希望しない場合は 2,000 円になります．協会のウェブページ（http://www.vacuum-jp.org/ ）の入会方法および入会申込書を参考にしてください．

併設展示会および展示企業プレゼンテーション：本年度もポスターセッション会場（C 会場）において，新製品の紹介と産学の架け橋をすべく，企業展示会（11 月 16 日および 11 月 17 日）を開催いたしますので是非お立ち寄り下さい．期間中には展示企業プレゼンテーション（11 月 16 日 12:45-13:45, 11 月 17 日 12:00-13:00 予定．参加者にはランチ提供（数量限定））を開催します．展示会場のみへの入場は無料です．企業詳細は上記協会ウェブペー
ジでお知らせします．	
 企業展示出展：	
  25 社程度出展予定.	
 プロシーディングス：今回の連合講演会のプロシーディングスは，	
 会誌「Journal	
 of	
 the	
 Vacuum	 Society	
 of	
 Japan」	
 として発行する予定です．	
 プロシーディングス原稿の締め切りは平成 23 年 11 月 11	
 日（金）です．現在運用中の JSTAGE2 は 9 月末で運用が終わります．投稿には，新システム（運用開始は 9 月末からの運用開始予定）に投稿していただくようお願いいたします．詳細については，連合講演会のウェブページ上でご案内いたします．	
 尚，
平成 23 年 7 月の投稿規程改訂により，受賞講演，特別講演，シンポジウム講演以外の一般投稿については投稿料が必要となります．投稿規程（http://www.vacuum-jp.org/EDT/Tokokite.pdf）をご参照ください．	
 11月16日
A会場

B会場

11月17日
C会場

A会場

9:00-10:00
開会挨拶

10:00-11:00

開会式典

表面工学・応用表面科
学 II・ナノ構造 II

受賞記念
講演2

前半座長：中村健
後半座長：大岩烈受賞記念
講演3
11:00-12:00
応用表面科学I・ 16Aa-1 真空科学・工学
ナノ構造I
I
青柳里果

16Ba-1

座長：藤田大介

16Ba-3

12:00-13:00

16Aa-2 座長：大林哲郎
生田幸士

16Ba-2

A会場
18Aa-1

17Aa-217Ba-2

18Aa-2

18Ba-2

17Aa-317Ba-3

18Aa-318Ba-317Aa-5

電子材料・プロセスII ・
真空科学・工学II

休憩
17Aa-6鈴木基史

真空科学・工学III・表
面科学I

休憩
前半座長：松田七美男
後半座長：鷹野一朗

展示会

17Ba-5後半座長：福谷克之

16Ap-1
細野秀雄
電子材料・プロセスI
座長：杉山直治

17:00-18:00

薄膜I
16Ap-2
16Ap-3

座長：板倉明子

16Bp-210
16Bp-3
16Bp-416Ap-416Bp-516Ap-5

16Bp-618Ba-618Ba-718Ba-8

17Aa-817Ba-818Aa-918Ba-917Aa-9大島義文

17Ba-918Aa-1017Ba-10

18Aa-1118Ba-10斎藤伸

企業プレゼン ２

18Ap-1
安江常夫
18Ap-2

17P1-42
偶数番号
コアタイム

17Ap-4
與田博明

懇親会

18Bp-2
座長：斎藤伸18Bp-3休憩

前半座長：田中正俊

18Ap-418Bp-4堀勝

後半座長：藤田大介

閉会式

シンポジウム17Ap-2
スピンに関連する最近 永井滋一の展開―基礎科学から応用展開まで―休憩
座長：高橋研17Ap-3田中雅明

18Bp-1

18Ap-3

イントロ
17Ap-1
鈴木基寛

薄膜III

表面科学II

展示会

1８:00-19:00

19:00-20:00

休憩

withdrawn 後半座長：土佐正弘

18Ba-5

18Aa-7

ポスターセッション
１
座長：藤田大介

16:00-17:00

前半座長：松倉祐輔

18Aa-8

17P1-42
奇数番号
コアタイム

展示会

休憩

17Ba-7

16P1-42
奇数番号コアタイム

16P1-42
偶数番号コアタイム

薄膜II

17Aa-7

ポスターセッション
２
座長：土佐正弘

16Bp-1

前半座長：荒川一郎

18Ba-418Aa-517Ba-613:00-14:00

15:00-16:00

18Ba-1

18Aa-417Ba-4
高橋竜太郎

企業プレゼン１

14:00-15:00

B会場

17Ba-1

展示会

16Ba-416Ba-5

C会場

17Aa-1

17Aa-4

受賞記念
講演1

11月18日

B会場

休憩
18Ap-5プラズマ科学技術

18Ap-6

座長：中野武雄

18Bp-5
18Bp-618Ap-718Bp-7

18Ap-818Bp-8

第52回真空に関する連合講演会 受賞記念講演・シンポジウム・特別講演一覧
発表番号

講演題目

小型高性能力覚センサを用いたロールツーロー
受賞記念講演 ルスパッタ装置用張力計測システム

講演者
近藤真也

所属

セッション名期日時間

会場

アサヒ電子研究所 受賞記念講演

11月16日9:45-10:15

A

極高真空測定子（Bent Belt-Beam Gauge Head）
渡辺文夫
受賞記念講演 の開発

真空実験室

受賞記念講演11月16日10:15-10:45

A

隔膜真空計を用いた圧力測定のための熱遷移補
吉田 肇
受賞記念講演 正

産総研

受賞記念講演11月16日10:45-11:15

A

16Aa-1TOF-SIMSデータ解析へのケモメトリクスの応用

青柳里果

島根大生物資源 応用表面科学I・ナノ構造I

11月16日11:30-12:00

A

16Aa-2

バイオマイクロマシンの創製と応用

生田幸士

東大情報理工11月16日12:00-12:30

A

16Ap-1

薄膜電子材料の最近の進展：高性能酸化物半導細野秀雄
体と鉄系超電導エピ膜

東工大応セラ研 電子材料・プロセスI

11月16日16:15-16:45

A

17Aa-6

物理的蒸着法による薄膜のナノ形態制御

京大工

表面工学・応用表面科学 II・ナノ構造 II

11月17日10:30-11:00

A

17Aa-9超高分解能電子顕微鏡によるリチウム原子の可
大島義文
視化

阪大電顕セ

表面工学・応用表面科学 II・ナノ構造 II

11月17日11:30-12:00

A

17Ba-4

重力波検出器と気体分子運動

高橋竜太郎

東大宇宙研

電子材料・プロセスII ・真空科学・工学II

11月17日9:45-10:15

B

17Ap-1

X線磁気ホログラフィーイメージングによるナノ磁区構造の可視化

鈴木 基寛

高輝度光セ

シンポジウム11月17日15:15-15:50

A

17Ap-2

マグネタイトウィスカーからの電界放出電子のス
ピン偏極度

永井滋一

三重大工

シンポジウム11月17日15:50-16:25

A

17Ap-3半導体スピントロニクス ―材料とデバイス研究

田中雅明

東大工

シンポジウム11月17日16:35-17:10

A

17Ap-4

MRAM実用化に向けた歩み

與田博明

東芝研開セ

シンポジウム11月17日17:10-17:45

A

18Ba-10

垂直磁気記録媒体用の擬似六方晶薄膜における六方晶原子層積層のコヒーレンシー ―斎藤 伸
Ru代替材料の発見からCo基強磁性薄膜の結晶磁気異方性の向上まで ―

東北大工

薄膜II

11月18日11:30-12:00

B

18Ap-1

超高輝度・高スピン偏極低エネルギー電子顕微
安江常夫
鏡を用いた表面研究

大阪電通大

表面科学II

11月18日13:00-13:30

A

18Bp-4

コンビナトリアルによるプラズマ科学の構築と有機
堀 勝
材料の超微細加工への展開

名大工

プラズマ科学技術

11月18日14:00-14:30

B

鈴木基史

応用表面科学I・ナノ構造I

第52回真空に関する連合講演会プログラム
11/16（水）Ａ会場 午前の部【開会式・表彰式・受賞記念講演】 9:30-11:15
開会の挨拶・表彰式 9:30-9:45
受賞記念講演 9:45-11:15
真空技術賞
真空技術賞
真空進歩賞

小型高性能力覚センサを用いたロールツー 1)株式会社アサヒ電子研究所、2）小川創造
ロールスパッタ装置用張力計測システム
技術研究所
極高真空測定子（Bent Belt-Beam Gauge
真空実験室Head）の開発
隔膜真空計を用いた圧力測定のための熱遷
産総研
移補正

近藤真也１），玉置 肇１），小川倉一2)
渡辺文夫
吉田 肇

《休憩》
Ａ会場 午前の部
口頭発表Ⅰ【応用表面科学I・ナノ構造I 】 11:30-12:30 座長 藤田大介（NIMS）
TOF-SIMSデータ解析へのケモメトリクスの応用 島根大生物資源
16Aa-1

16Aa-2

バイオマイクロマシンの創製と応用

東大情報理工青柳里果
生田幸士

Ｂ会場 午前の部
口頭発表Ⅱ【真空科学・工学I】 11:30-12:30 座長 大林哲郎（大阪真空）

16Ba-1
16Ba-2シートビーム作成を目的としたキャピラリーか
１）原子力機構
らの放出ガスの指向性に関する実験
アルミ鋳物合金のガス放出特性（株）アルバック゜荻原 徳男１）、引地 祐輔１）、神谷 潤一郎１）゜艸分 倫子、稲吉 さかえ、岡本 正智、柴山 浩司

16Ba-3

チタン材料の溶存水素放出に対する酸化効 １）山口大院理工、２）UBE科学分析セン
果ター、3)三愛プラント工業

16Ba-4

St707ストリップ、St172モジュールを用いた非
１）高エネルギー加速器研究機構PF、２）（有）
蒸発ゲッター（NEG）アセンブリの製作と性能
゜菊地 貴司１）、間瀬 一彦１）、渡辺 文夫２）
真空実験室
評価

16Ba-5

Pakistan Vacuum Society and its
Achievements

1)Quaid-I Azam University

竹田 将利１,2)、栗巣 普揮１）゜、町田 光誠1），山本 節夫1)、中川 浜三2)、石澤 克修3)

゜HAJI MUHAMMAD AKRAM１）《休憩》
C会場 昼の部
展示企業プレゼンテーション 12:45-13:45
Ｃ会場ポスターセッションⅠ 14:00-16:00 （奇数番コアタイム 14:00-15:00 偶数番コアタイム 15:00-16:00）

16P-1
16P-2

気体放出源がある狭い平行平板間から放出
１）電機大、２）高エネ研
される気体分子の衝突回数分布
B-A真空計の感度係数変化に関するシミュ
産業技術総合研究所
レーション

゜松田七美男１），佐藤吉博２），齊藤芳男２）゜杉沼 茂実、平田 正紘

16P-3

膨張法による中真空標準１）産総研

゜秋道 斉１），小松 栄一１）

16P-4

スピニングロータ真空計のロータ表面状態の
１）産総研
感度への影響゜秋道 斉１），小松 栄一１）

16P-5

標準リークの比較校正のための安定性試験 産総研 計測標準

新井健太、吉田 肇、平田正紘、秋道 斉、小畠時彦

16P-6

薄膜シリコン太陽電池材料製造装置用シラン
１）産総研―水素濃度計の開発

゜鈴木淳、黒河明、永井武彦、松井卓矢、近藤道雄

16P-7

ビームロス低減のための3GeVシンクロトロン
１）日本原子力研究開発機構の漏洩磁場遮蔽の概要

神谷 潤一郎１）、荻原 徳男１）、林 直樹１）、撥
知 英明１）、吉本 政弘１）、金正 倫計１）

16P-8

磁気シールド付ターボ分子ポンプの開発

１）原子力機構゜荻原 徳男１）、神谷 潤一郎１）、 柳橋 亨１）、
引地 祐輔１）、西川 雅章１）

16P-9

キッカー電磁石に組込まれたフェライトのinsituでの脱ガス手法の開発

１）日本原子力研究開発機構

゜神谷 潤一郎１）、荻原 徳男１）、引地 裕輔１）、
柳橋 亨１）、西川 雅章１）、菅沼 和明１）

16P-10V

SUS430製真空容器の放出ガス速度測定

１）東北大理、２）日本原子力研究開発機構

゜加藤 新一１）、神谷 潤一郎２）、山本 風海２）、
吉本 政弘２）、金正 倫計２）

16P-11ヘリウム照射後の核融合炉ブランケット用
SiC/SiC複合材料の水素保持・脱離特性

１）北大、２）東義大学（韓国）

信太 祐二１）゜、山内 有二１）、日野 友明１），HanKi Yoon２）

16P-12V

真空多層断熱材用アルミ蒸着ポリエステル
フィルムの気体放出速度の測定高田聡1)、佐藤博史2)、大森隆夫1)、齋藤芳男2)、
1) 帝京大学、2)高エネルギー加速器研究機
鈴木敏一2)、木村誠宏2)、都丸隆行2)、久万剛3)、構、3) ㈱栃木カネカ、4) ㈱カネカ
西田茂雄4)

16P-13V

チタン材料の光刺激ガス脱離

１）山口大院理工、２）KEK

16P-14V

熱間等方加圧処理(HIP処理)を施した無酸素
１）埼玉大学大学院理工学研究科、２）高エネ 廣岡 悠真１）、山納 康１）、小林 信一１）、齊藤
銅電極および焼結銅電極の真空中絶縁破壊
ルギー加速器研究機構
芳男２）
特性16P-15V

低抵抗アルミナセラミックスにおける真空中沿面放電特性

１）埼大工、２）高エネ研、3)京セラ

16P-16V

宇宙機誘電体材料の光電子電流の測定

１）埼大工、２）宇宙航空研究開発機構、３）東 南條 佑太１）、山納 康１）、仁田 工美２）、三宅
京都市大、４）高エネ研
弘晃３）、伊藤 健二４）、小林 信一１）

16P-17

軌道暴露により生成された酸化珪素膜

物質・材料研究機構

゜土佐 正弘、笠原 章、後藤 真宏

16P-18

Tribological Properties of Nano-structured
WC-Co Coatings

1) Politecnico di Torino, 2) NIMS

G. Maizza 1), A. Tassinari 1), A. Kasahara 2), ゜M.
Tosa 2), T. Noda 2)

16P-19V

有機高分子試料への電子ビーム照射の分子
１）大阪府大工
シミュレーション（2）゜荒木 康誠１）、酒井 裕史１）、安田 雅昭1）、川田 博昭1）、平井 義彦1）

16P-20

レーザーデトネーション法を用いた超音速混
神戸大院
合原子ビームの形成と評価

横田 久美子゜、安田 茂、水谷 朗、田川 雅人

16P-21

V(001)表面酸化膜の熱変性過程の光電子分
１）原子力機構
光観察と重水素脱離の同時測定

戸出 真由美１）、James R. Harries1）、゜寺岡 有殿
１）、吉越 章隆1）

16P-22

アルミナ‐金属界面の結合を介する原子の種類を予測する一般式

１）物質・材料研究機構

゜吉武 道子１）、柳生 進二郎１）、知京 豊裕１）

16P-23

ショットキーバリア高さ制御のための元素添加によるアルミナ‐金属界面結合変化の定
量的予測式

１）物質・材料研究機構

゜吉武 道子１）、ネムシャク スラボミール１）、柳生進二郎１）、知京 豊裕１）

16P-24

SiC微粒子からの熱電子放射

1)東洋大理工 2)三重大工

吉本 智巳1)，岩田 達夫2)

長石 健一１）、栗巣 普揮1)゜、堀内 達也1)、山本節夫1)、山本 将博2）

福田 英昭１）、山納 康１）、小林 信一1）、道園
真一郎2)、齊藤 芳男2)、前田 岳志3)

16P-25

高分解能TOF-SIMSを用いた微粒子粒別起源解析法の開発

16P-26

高温Si(113)表面における水素吸着構造の評
１）横国大工、２）防衛大価

゜安部 壮祐１）、大野 真也１）、鈴木 隆則２）、田中 正俊１）

16P-27V

STM及びRDSによるSi(001)-c(4x2)表面上に
１）横国大工、２）防衛大おけるCO吸着脱離の研究

゜百瀬 辰哉１）、大野 真也１）、北嶋 武２）、鈴木
隆則２）、田中 正俊１）

16P-28石英基板上の単層カーボンナノチューブから
１）横国大工、２）防大応物
発生する第二高調波の特性

゜大河原 悟１）、宮森 麻理子１）、田中 正俊１）、
大野 真也１）、島津 佳弘１）、鈴木 隆則２）

16P-29V

グラファイト上の欠陥及び金蒸着表面の構造
１）横国大院・工と電子状態

井上 晶博１) 首藤 健一１）

16P-30V

紫外光電子分光装置用電源製作とH/Pd(111)電子状態測定への応用

16P-31V

アモルファス氷表面におけるオルト水素・パラ
東大生研
水素分子の物理吸着状態密度゜杉本 敏樹、福谷 克之

16P-32

LEEMによるAu/Ni(111)の二重表面構造成長
１）大阪電通大エレ研、２）大阪府立大過程の顕微観察゜橋本 道廣１）、梅澤 憲司２）、安江 常夫１）、越川 孝範１）

16P-33V

レーザー誘起によるXe高速熱脱離過程に関
東大生研
する研究

池田 暁彦，松本 益明，小倉 正平，福谷 克之，
岡野 達雄

16P-34超低速イオンビームを用いた2次イオン質量分析装置の開発

゜橋之口 道宏１）、岡田 美智雄１、２）

16P-35V

高速陽子の散乱パターン観察によるイオン結
大阪教育大
晶表面のステップ密度の導出゜深澤 優子、池本 将健、柴田 卓、鈴木 康文

16P-36

金属表面上コロネン分子層に関する微視的研究

１）筑波大数物

゜矢野 雅大１）、松野 寛１）、山田 洋一１）、佐々木 正洋1）

16P-37ペンタセン-C60分子相接合界面に関する
STMを用いた検討

１）筑波大数物

゜中山 拓人１）、山田 洋一１）、佐々木 正洋１）

16P-38マイクロ波プラズマCVD法によるカーボンナノ
１）東洋大学大学院
ウォールの生成゜塩原 正記１）

16P-39マイクロ波プラズマCVD法による鉄ナノ粒子
からのカーボンナノチューブ生成゜神倉 翔一１）

16P-40V

ナノカーボン材料を対象とした電子ビーム誘
１）大阪府大工
起構造変化の分子シミュレーション（3）゜地原 由倫１）、安田 雅昭1）、川田 博昭1）、平井 義彦1）

16P-41

熱酸化シリコン薄膜へのゲルマニウム負イオ１）京大院工、２）シャープ
ン斜め注入による極表層での発光サイト形成

゜辻 博司１）、洗 暢俊２）、木下 翔平１）、宮川
豪１）、原田 真臣２）、小滝 浩２）、後藤 康仁１）

16P-42V

PTFE表面形態のイオンビーム照射角度依存
１）工学院大工性゜松浦 美紀１）、鷹野 一朗１）

１）東工大資源研、２）工学院大院工゜間山 憲仁１、２）、後藤 栄太２）、三浦 祐哉２）、
大石 乾詞２）、坂本 哲夫２）、藤井 正明１）

１）筑波大数理、２）筑波大研究基盤総合セン ゜栗田 圭輔１）、所畑 成明１）、大島 弘行２）、関ター
場 大一郎２）

１）阪大リノベーション、２）阪大院理

１）東洋大 理工学部

Ａ会場 午後の部
口頭発表Ⅲ【電子材料・プロセスI 】 16:15-17:45 座長 杉山直治（東芝）
薄膜電子材料の最近の進展：高性能酸化物半導16Ap-1
東工大応セラ研体と鉄系超電導エピ膜

細野秀雄

16Ap-2

第一原理計算を用いたぺロブスカイト型酸化１）阪大院工物の自発分極に関する理論的研究

岡 耕平゜1 ,中西 寛 1 ,笠井 秀明 1

16Ap-3

DLC膜成長の光電子制御プラズマ放電条件 １）東北大多元研、２）東北大通研、３）
依存
CREST-JST゜楊 猛１）、小川 修一1）、鷹林 将2,3）、尾辻 泰
一2,3）、高桑 雄二1）

16Ap-4

半導体デバイス解析用局所プラズマ加工装１）(株)三友製作所、２）(独)産総研
置の開発(4)プラズマ加工中の温度精密計測

゜岩瀬 千克１）、白山 裕也１）、横須賀 俊太郎１）
樫村 健太１）、林 明宏１）、新堀 俊一郎１）、高橋 賢２）、堀江 智之２）、徳本 洋志２）、内藤 泰
久２）、清水 哲夫２）16Ap-5

半導体デバイス解析用局所プラズマ加工装置の開発(3)四重極質量分析による加工モニ １）産総研、２）(株)三友製作所
タリング

゜高橋 賢１）、堀江 智之１）、白山 裕也２）、横須賀 俊太郎２）、樫村 健太２）、林 明宏２）、岩瀬
千克２）、新堀 俊一郎２）、徳本 洋志１）、内藤 泰
久１）、清水 哲夫１）

Ｂ会場 午後の部
口頭発表Ⅳ【薄膜I 】 16:15-17:45 座長 板倉明子（NIMS）

16Bp-1

鉄薄膜における表面磁気キャンティング

１）東大生研、２）高エ研、３）JASRI゜河内泰三１）、福谷克之１）、松本益明１）、小田克郎１）、張 小威２）、岸本俊二２）、依田芳卓３）、岡野達雄１）

16Bp-2c-BN膜の高温応用の可能性

１）神港精機㈱、２）兵庫県立工業技術セン
ター3)滋賀県東北部工業技術センター

野間 正男1) 山下 満2) 所 敏夫3)

16Bp-3

反応性蒸着による細管内壁へのTiNコーティ
１）東海大学ング

゜林田 史彦１）、篠原 義明１）、玉森 亮佑１）、松村 義人１）

16Bp-4アルミナ膜をプロトン伝導体に応用した燃料電池の特性評価

１）大阪工大 工

゜長井 未紗子１）

16Bp-5

LED透明電極のためのITO成膜装置の開発

１）株式会社オプトラン゜臼杵 亨１）、張 大鎬１）、范 濱１）

16Bp-6

高精度In situ光学膜厚モニタシステムの研究 株式会社オプトラン

゜長家 武彦１）、範 濱２）

11/17（木）
Ａ会場 午前の部
口頭発表【表面工学・応用表面科学 II・ナノ構造 II 】 9:00-12:00 座長 中村健（AIST）/大岩烈（オミクロンナノテクノロジー）

17Aa-1高温における耐食性を向上させたアノード酸
１）（株）アルバック 筑波超材研化処理の開発17Aa-2゜吉武 道子１）、ネムシャク スラボミール１）、スカ
アルミ・酸素同時供給によるエピ酸化膜成長 １）物質・材料研究機構、２）シンクロトロン ト
ラ トーマス２）、ヅット ナタリア３）、マトリン ウラジ
におけるNi基板中のSiコンタミの影響
リエステ、３）カレル大学
ミール３）、プリンス ケビン２）

17Aa-3紫外線励起酸素を用いた滅菌システムにおける酸素注入条件の検討

17Aa-4有機薄膜付水晶微小天秤（QCM）を用いた励
１）岩崎電気、２）産総研、３）東海大
起酸素の表面作用量モニター検討

１）岩崎電気㈱、２）産総研、３）東海大学

゜石榑 文昭１）、稲吉 さかえ１）

吉野 潔１）゜、松本 裕之１）、岩崎 達行１）、木下
忍１）、野田 和俊２）、岩森暁３）
松本 裕之１）、゜吉野 潔１）、岩崎 達行１）、木下 忍
１）、野田 和俊２）、岩森 暁３）

17Aa-5

光電子制御イオン源によるCu蒸着膜の表面
東北大多元研処理゜大友 悠大、小川 修一、阿加 賽見、高桑 雄二《休憩》

17Aa-6

物理的蒸着法による薄膜のナノ形態制御

京大工

17Aa-7

電極材料におけるチオール・カルボン酸の修１）物材機構飾特性

゜柳生 進二郎１）、吉武 道子１）、知京 豊裕１）

17Aa-8

Liイオン2次電池のガス放出挙動と性能向上
１）北大工に関する研究゜高丸翔太1)、日野友明1)、山内有二1)

17Aa-9超高分解能電子顕微鏡によるリチウム原子の可
阪大電顕セ
視化

大島義文

鈴木基史

B会場 午前の部
口頭発表【電子材料・プロセスII ・真空科学・工学II 】 9:00-12:00 座長 松田七美男（東京電機大）/鷹野一朗（工学院大）

17Ba-1

標準コンダクタンスエレメントとコンダクタンス
変調法の組み合わせによる、ターボ分子ポン
１）産総研
プの排気速度と電離真空計の感度のその場
測定法

吉田 肇１）、秋道 斉１）、小畠 時彦１）

17Ba-2

排気曲線による真空容器内壁の吸着状態密
１）東大生研度の導出

゜武安 光太郎１）、杉本 敏樹１）、福谷 克之1）

17Ba-3

モンテカルロ法によるベローズ管の通過確率 １）函館高専、２）日本原子力研究開発機構

゜正木 健太郎１）、祐延 悟１）、荻原 徳男２）17Ba-4

重力波検出器と気体分子運動

東大宇宙研

高橋竜太郎
《休憩》

17Ba-5

熱陰極電離真空計の安定性 -トレーサビリ
ティーの視点から-17Ba-6

実用的極高真空計（計算機シミュレーション） １）神戸大学

゜金持 徹１）、櫻井 誠１）

17Ba-7電子ビーム多価イオン源の特性

゜櫻井 誠１）、大谷 俊介２）、坂上裕之３）

17Ba-8シリコン系電界放出電子源を用いた大電流・ １）京大・院工、２）中部大・工、３）日新イオン ゜後藤 康仁１）、田口 周平１）、池田 啓太１）、辻
低エネルギーイオンビームの空間電荷中和 機器
博司１）、石川 順三２）、酒井 滋樹３）

17Ba-9High Current Density from Multi Emitter
Array of CNTs

17Ba-10

フィールドエミッタアレイを用いた周波数混合
１）京大・院工器の試作

1) 株式会社アルバック

１）神大理、２）電通大、３）核融合研

１）GUAS,２) KEK

゜高橋 直樹1)

Vijay Chouhan１), Tsuneyuki Noguchi 2), Shigeki
Kato 1,2）
゜安友 佳樹1)、大上 航1)、後藤 康仁1)、辻 博
司1)

C会場 昼の部
展示企業プレゼンテーション 12:00-13:00
Ｃ会場ポスターセッションⅠ 13:00-15:00 （奇数番コアタイム 13:00-14:00 偶数番コアタイム 14:00-15:00）

17P-1

溝型構造を有するシリコーンへの炭素負イオ
ン注入処理による溝構造内壁の細胞接着性 京大院工付与

゜辻 博司、佐藤 弘子、中塚ピヤヌット、大岡正考、後藤康仁17P-2

チャネリング効果を用いたSi(001)への高エネ
１）福井高専、２）立命大SRセンター
ルギーBイオン注入゜米田 知晃１）、山本 安一２）

17P-3

ルチル型二酸化チタンへの白金負イオン注
入による光触媒特性の向上

宮川 豪１）、゜辻 博司１）、洗 暢俊２）、木下 翔
平１）、原田 真臣２）、小滝 浩２）、後藤 康仁１）

17P-4

超高濃度オゾンガスのエチレン分解反応に関
１）明電舎、２）産総研
する分光学的検討

17P-5

シリコン系電界放出電子源を用いた超低速電子ビーム形成技術の開発

17P-6

プラズマガスガス基板相互作用とダイヤモン
長崎総合科学大 工ド初期成長過程

篠崎 翔一※、大岩 忠利、奥野 公夫

17P-7

DLC‐下地界面原子構造のFIM観察※江頭 威夫貴１）、奥野 公夫１）、吉本 智巳２）

17P-8

イオンビーム照射により界面制御されたDLC
薄膜の作製
１）工学院大工

１）京大院工、２）シャープ

゜三浦 敏徳１）、亀田 直人１）、花倉 満１）、野中
秀彦２）、中村 健２）゜後藤 康仁１）、田口 周平１）、北川 貴之１）、石
１）京大・院工、２）中部大・工、３）日新イオン
川 順三２）、池田 啓太１）、辻 博司１）、酒井 滋
機器樹３）１）長崎総合科学大、２）東洋大工

゜西 勇人１）、鷹野 一朗１）

17P-9VHe+イオンビームアシスト法により作製された
１）工学院大工
フッ素添加DLC薄膜の摩擦・摩耗特性゜黒須 雅浩１）、鷹野 一朗１）

17P-10V

N+イオン照射したTiO2薄膜の光機能特性

゜シュクル ハイデル1）、 佐藤 光史1）、 鷹野 一
朗1）

17P-11

酸化チタン薄膜の光機能性に対する磁場印
１）工学院大学
加の影響

゜豊田 亜貴子１）、鷹野 一朗１）

17P-12V

積層型N-TiO2/TiO2薄膜の光機能特性゜荒原 茂幸１）、鷹野 一朗１）

17P-13反応性スパッタリング法による酸化銅薄膜の1)工学院大学
電気的特性に対するArガス流量の影響

17P-14RAS(Radical Assisted Sputtering)法により作 １）都城工業高等専門学校 物質工学科、２）゜谷川 優美１）、塩野 一朗２）、清 文博３）、河野製したTa2O5固体電解質薄膜の物性評価と 株式会社シンクロン、３）株式会社ホンダロッ
慶彦３）、福留 政治３）、野口 大輔１）
イオン伝導度制御技術に関する研究ク

17P-15反応性スパッタ法によるAl-ON薄膜の作製と １）岡野製作所、２）小川創造技術研究所、３） ゜田尻 修一１）、青園 隆司１）、小川 倉一２）、美諸特性
大阪市立大学馬 宏司３）

17P-16

ＡｌＮ/Ａｌ/ＡｌＮナノ積層膜の作製と電気・光学 １）小川創造技術研究所、２）株式会社清水
的特性について製作所

小川 倉一１）、゜近藤 匡俊１）、清水 正美２）、安田 政智２）、李 普鉉２）

17P-17V

酸化亜鉛系材料を用いた熱線反射膜の作製 １）大阪産大工゜大橋 俊介１）、青木 孝憲１）、鈴木 晶雄１）

17P-19V

高温成膜による抵抗率の悪化を抑制した酸化亜鉛系透明導電膜

゜中 崇人１）、青木 孝憲１）、鈴木 晶雄１）

17P-20V

フルスペクトル対応の太陽電池用TZO透明導
１）大阪産大工電膜

゜松延 光章１）、青木 孝憲１）、鈴木 晶雄１）

17P-21V

有機基板上に成膜したTZO透明導電膜に関
大阪産大工
する研究

近藤 剛成、鈴木 晶雄、青木 孝憲

17P-22V

酸化シリコンを添加した酸化亜鉛系透明導電１）大阪産大工
膜へのレーザーアニール

伊島 匡亮１）、゜伊島 匡亮１）、青木 孝憲1）、鈴木 晶雄1)

１）工学院大学

１）工学院大学

１）大阪産大工

シュクルアヌマル１）、゜ハイデルアリ１）、鷹野一朗
１）17P-23

New-MHVスパッタ装置による高品質ＩＴＯ薄膜の作製-Ⅱ

１）株式会社清水製作所、２）小川創造技術研究所

清水 正美１）、安田 政智１）、李 普鉉１）、小川
倉一２）、゜近藤 匡俊２）

17P-24V

可搬型サーマルサイクラーの放熱と熱応答
性１）神奈川大工゜奥脇 容子１）、山口 栄雄２）

17P-25有機金属気相成長法を用いたInSbTe薄膜の１）神奈川大学工作製と評価

17P-26遷移金属酸化物ReRAMのリセット機構

17P-27V

遷移金属酸化物ReRAMにおけるフィラメント
１）鳥取大学工、２）TEDREC
分布と動作特性の関係

17P-28V

BaTiO3薄膜の自立化に伴う特性変化

17P-29V

１）鳥取大学、２）鳥取大学工学部電子ディス
RFマグネトロンスパッタ法によるBaTiO3の低三浦 寛基１）゜、木下 健太郎１）２）、吉田 大一郎
プレイ研究センター、３）鳥取県産業技術セン
温成膜
１）３）、岸田 悟１）２）
ター

17P-30V

パルスレーザー堆積法によるエピタキシャル
１）東理大材料、２）産総研(Na ,K)NbO3薄膜の作製とその物性

゜櫻井 健人１）、菊地 直人２）、西尾 圭史１）、王瑞平２）、外岡 和彦２）、阪東 寛２）、高島 浩２）

17P-31V

パルスレーザー堆積法によるエピタキシャル
１）東理大材料、２）産総研
Ba(Ti,Zr)O3-(Ba,Ca)TiO3薄膜の作製と評価

゜高部 遼１）、菊地 直人２）、西尾 圭史１）、王瑞平２）、外岡 和彦２）、阪東 寛２）、高島 浩２）

17P-32高真空スパッタ法で作製されたRuバリア層付
１）東京理科大学 工学研究科 電気工学専 伊藤 勝利１）、大野 泰典１）、゜沼川 智則１）、大きトレンチへの超臨界CO2法によるCu埋め込
攻、２）東京理科大学 工学部 工業化学科 竹 勝人２）、斉藤 茂１）
み17P-33

Coバリア層を用いた高真空スパッタ法による
１）東理大工トレンチへのCu埋め込み゜伊藤 勝利１）、新井 清孝１）、斉藤 茂１）

17P-34反応性スパッタリング法によるPtOx薄膜の光
１）明大理工、２）明大電子物性研
触媒特性

゜田中 貴士１）、湯浅 朗道１）、西村 孔三１）、後藤辰弥１）、三浦 登１）、松本 節子１）、松本 皓永１）

17P-35反応性スパッタリング法によるKTN薄膜の作
１）明治大学２）電子物性研
製と評価

゜後藤 辰弥１）、西村孔三１）、湯浅朗道１）、三浦
登１）、松本節子１）、松本皓永１）

17P-36RAS（Radical Assisted Sputtering）法により作 １）都城工業高等専門学校 物質工学科、２）゜池田 将人１）、塩野 一朗２）、清 文博３）、河野製したWO3還元発色薄膜の物性評価とEC特 株式会社 シンクロン、３）株式会社 ホンダ
慶彦３）、福留 政治、野口 大輔１）性制御技術に関する研究
ロック

17P-37

グラニュラー型垂直磁気記録媒体における成長初期部への高ガス圧成膜層挿入による磁 １）一関高専、２）東北大
気的交換結合の抑制

゜佐々木 晋五１）、斉藤 伸２）、高橋 研２）

17P-38V

ポリエチレンナフタレート有機膜上のCo強磁
１）北大電子研、２）JSTさきがけ
性薄膜における表面粗さと磁気特性

海住 英生１、２)、゜ 阿部 太郎１)、近藤 憲治１)、
石橋 晃１)

17P-39c面サファイア基板上バナジウム酸化膜にお１）東海大工けるマグネリ相を含む相共存モデル

゜鈴木 康史１）、 沖村 邦雄１）

17P-40V

高周波スパッタリングにより形成した有機薄膜のVOC（アセトン）の吸着特性

゜大西 康貴１）、池田 佑旭１）、岩森 暁1）、野田和俊２）

17P-41

マイクロハクマク圧力センサによる真空装置 １）岡野製作所、２）小川創造技術研究所、３） ゜田尻 修一１）、青園 隆司１）、小川 倉一２）、美内圧力分布計測の試み
大阪市立大学馬 宏司３）

17P-42V

金ナノ粒子からの光音響放出の干渉による制御

゜石井 辰弥１）、山口 栄雄１）１）鳥取大学、２）鳥取大学電子ディスプレイ
研究センター(TEDEC)゜吉原 幹貴１）、木下 健太郎１）2）、田中 隼人
1）、岸田 悟1）2）
田中 隼人１）、゜木下 健太郎１）２）、吉原 幹貴
１）、岸田 悟１）２）

１）鳥取県産業技術センター、２）鳥取大学工吉田 大一郎１）２）、゜木下 健太郎２）３）、三浦
学部、3）鳥取大学工学部付属電子ディスプレ寛基２）、高橋 智一１）、岸田 悟２）３）
イ研究センター

１）東海大・工、２）AIST

゜名村 今日子１）、鈴木 基史１）、中嶋 薫１）、木
村 健二１）

１）京大院・工《休憩》

Ａ会場 午後の部
シンポジウム 「スピンに関連する最近の展開 ―基礎科学から応用展開まで―」 15:10-17:50 座長：高橋研（東北大）
17Ap-1

X線磁気ホログラフィーイメージングによるナノ磁区構造の可視化

高輝度光セ

鈴木 基寛

17Ap-2

マグネタイトウィスカーからの電界放出電子のス
ピン偏極度

三重大工

永井滋一

17Ap-3半導体スピントロニクス ―材料とデバイス研究

東大工

田中雅明

17Ap-4

MRAM実用化に向けた歩み

東芝研開セ

與田博明

11/18（金）Ａ会場 午前の部
口頭発表Ⅶ【真空科学・工学III・表面科学I】 9:00-12:00 座長：荒川一朗（学習院大）/福谷克之（東大生研）

18Aa-1

標準コンダクタンスエレメントで校正した四重１）アルバック、２）産総研
極質量分析計を用いた昇温脱離測定

゜稲吉 さかえ１）、茂木 かおり１）、吉田 肇２）、秋道 斉２）、小畠 時彦２）

18Aa-2

ルチル型TiO2(110)面の表面欠陥による電子
１）東大生研準位と水素吸着による変化

゜深田 啓介１）、武安 光太郎１）、松本 益明１）、村田 好正１）、福谷 克之１）

18Aa-3Pd(110)への水素侵入機構

゜大野 哲１）、ヴィルデ マーカス１）、福谷 克之
１）

18Aa-4

Pd30Au70(110)の水素吸放出におけるCO吸
１）東大生研、２）阪大リノベーション
着効果

゜小倉 正平１）、岡田 美智雄２）、福谷 克之１）

18Aa-5

Ag(111)表面上の水素分子のオルソ・パラ転換におけるファン・デル・ワールス力の影響

゜國貞 雄治1)，中西 寛1)，Wilson Agerico Dino1)，
笠井 秀明1)

１）東大生研１）阪大院工《休憩》

18Aa-7

Si高指数面における水素終端構造： 純水リン
１）横国院工、２）産総研
スによるエッチングの影響

゜兼村 瑠威１）、西澤 正泰２）、大野 真也１）、田中 正俊１）、安田 哲二２）

18Aa-8Si(001)表面のTi吸着構造における正孔擬ポ
１）横国院工、２）阪大院工テンシャルを用い た化学シフト解析゜牛山 翔太１）、首藤 健一１）、森川 良忠２）

18Aa-9゜新江 定憲１）、小柏 洋輔２）、大野 真也１）、垣
高分解能コインシデンス分光器の開発及び １）横国大院工、２）群馬大教、３）愛媛大院理
内 拓大３）、間瀬 一彦４，５）、奥沢 誠２）、田中
表面水素化Si(111)の局所価電子状態の研究 工、４）KEK 物構研、５）総研大正俊１）

18Aa-10

表面修飾Si(001)表面上のα-sexthiophene分 １）横国大工、２）東大物性研、３）横浜市大国 ゜豊島 弘明１）、井上 慧１）、向井 孝三２）、吉信
子の構造と電子状態の解析
際総合淳２）、大野真也１）、横山崇３）、田中正俊１）

18Aa-11

人工と天然のダイヤモンドの摩擦発光スペク
学習院大学理学部物理学科
トル

今井悦子、三浦崇、荒川一郎《休憩》Ｂ会場 午前の部
口頭発表Ⅷ【薄膜II 】 9:00-12:00 座長：松倉祐輔（富士通研究所）/土佐正弘（NIMS）

18Ba-1

原子間力顕微鏡を用いた電界ドーピングによ１）鳥取大工、２）ＴＥＤＲＥＣ
るNiO-ReRAMの導電性制御

゜依田 貴稔１）、木下 健太郎１）、２）、福原 貴博
１）、岸田 悟１）、２）

18Ba-2

銅酸化物超伝導体単結晶をプローブとしたペロブスカイト型ReRAM抵抗スイッチングの解 １）鳥取大学、２）TEDREC明

゜松原 勝彦１）、木下 健太郎１）、2）、花田 明紘１）、岸田 悟１）２）

18Ba-3二元系遷移金属酸化物ReRAMにおけるReset過程のパルス応答

１）鳥取大学、２）鳥取大学電子ディスプレイ
研究センター(TEDREC)゜森山 拓洋１）、木下 健太郎１）２）、依田 貴稔
１）、福原 貴博１）、岸田 悟１）２）

18Ba-4

HfO2-CBRAMのスイッチング特性

１）鳥取大学、２）ＴＥＤＲＥＣ

゜長谷川 祥１）、木下 健太郎１）２）、鶴田 茂之
１）、岸田 悟１）２）

18Ba-5

マグネトロンスパッタ法による金属膜の膜厚分布 （Ⅱ） ：ターゲットと基板の距離および １）富山大学理工学研究部
エロージョン分布の影響

゜木田 隆之１）、吉澤 寿夫１）、高安 勇吉１）、喜久田 寿郎１）、山崎 登志成１）

18Ba-6１）金沢工業大学・高度材料科学研究開発セ
高周波スパッタリングにおけるターゲット特性
゜土定 佑亮１）、坂本 宗明１）、佐藤 彰繁２）、岡ンター、２）株式会社フェローテックセラミックの酸化アルミニウム薄膜物性に与える影響
本 研２）、荒堀 忠久２）、草野 英二１）ス

18Ba-7高周波マグネトロンスパッタリング法による
Cu2ZnSnS4薄膜堆積において基板およびホットウォール温度が膜物性に与える影響

18Ba-8

磁場可変型対向スパッタによるニオブ薄膜作
１）山口大学大学院
製18Ba-9高真空スパッタ法で作製されたCoバリア層付
１）東京理科大学 工学研究科 電気工学専 ゜大野 泰典１）、伊藤 勝利1）、沼川 智則1）、上きトレンチへの超臨界CO2法によるCu埋め込
攻、2）東京理科大学 工学部 工業化学科 打田内 康太1）、大竹 勝人2）、斉藤 茂1）
み18Ba-10

垂直磁気記録媒体用の擬似六方晶薄膜における六方晶原子層積層のコヒーレンシー ― Ru
東北大工
代替材料の発見 からCo基 強磁性薄膜の 結晶
磁気異方性の向上まで ―《休憩》

゜市河 祐介１）、坂上 拓哉1）、國下 広樹1）、坂本 宗明1）、草野 英二1）１）金沢工業大学

諸橋 信一１），田中浩三１）, 升元佑一１）, 葛尾寛之１） , 碓井圭太１）

斎藤 伸
《休憩》

Ａ会場 午後の部
口頭発表Ⅸ【表面科学Ⅱ】 13:00-15:30 座長：田中正俊（横浜国大）/藤田大介（NIMS）

18Ap-1

超高輝度・高スピン偏極低エネルギー電子顕微
大阪電通大
鏡を用いた表面研究

安江常夫

18Ap-2磁壁移動型メモリ材料 Co/Ni垂直磁化膜の磁区構造-超高輝度・高スピン偏極LEEMによ １）大阪電通大、２）アリゾナ州立大る観察-鈴木 雅彦１）、安江 常夫１）、越川 孝範１）、Ernst Bauer２）

18Ap-3

イオン衝撃グラファイト表面の電子状態解析 １横国院工、２）東大院総合文化゜牛山 翔太１）、青木 優２）、母袋 雄也２）、首藤
健一１）、増田 茂２）

18Ap-4ベンゼンチオール吸着分子のコヒーレントフォ
1)横国大院工 2)防大応物
ノン分光

゜土井 幸司郎1) 首藤健一1) 片山郁文1) 武田淳1) 北島正弘2)

18Ap-5低温Ag(111)表面上における酸素分子の物理
１）東大生研吸着構造と磁気状態

18Ap-6

超熱酸素分子線によるCu(110)表面上での酸 １）阪大リノベーション、２）阪大院理、３）原子 ゜橋之口 道宏１）、岡田 美智雄１、２）、吉越 章
化物生成の表面温度依存性
力機構隆３）、寺岡 有殿３）

18Ap-7

各種表面の酸素ラジカルの再結合係数測定

１）株式会社アルバック 筑波超材研、２）同半電研

゜権藤 麻衣子１）、石榑 文昭１）、稲吉 さかえ
１）、小方 誠司２）

18Ap-8

ガラスキャピラリーを用いたアルゴンクラス
ターイオンビームの集束

１）兵庫県大院工、２）兵庫県大工゜正司 和大１）、出水 元基２）、井内 健輔１）、盛谷 浩右１）、乾 徳夫１）、持地 広造１）《休憩》

゜松本 益明１）、風間 吉則１）、杉本 敏樹１）、福谷 克之１）、岡野 達雄１）

閉会式 15:30Ｂ会場午後の部
口頭発表Ⅹ【薄膜III・プラズマ科学技術 】 13:00-15:30 座長：斎藤伸（東北大）/中野武雄（成蹊大）

゜原田 俊也１）、成田 洋平１）、山崎 宰春２）、石
１）筑波大数理、２）筑波大研究基板総合セン井 聡２）、小倉 正平３）、米村 博樹３）、松本 益
ター、３）東大生研
明３）、福谷 克之３）、関場 大一郎１）

18Bp-1

Mg薄膜の水素吸蔵過程の観察に向けた水素雰囲気中NRAの開発

18Bp-2゜成田 洋平１）、原田 俊也１）、山崎 宰春２）、石Mg薄膜の水素吸蔵過程における弾性応力依 １）筑波大数理、２）筑波大研究基盤総合セン井 聡２）、小倉 正平３）、米村 博樹３）、松本 益
存性ター、３）東大生研
明３）、福谷 克之３）、関場 大一郎２）

18Bp-3

水素照射下で生じる、ステンレス鋼の表面応 １）物・材機構、２）Indian Institute of力Technology 、３）東邦大理

18Bp-4

コンビナトリアルによるプラズマ科学の構築と有機
名大工
材料の超微細加工への展開

堀 勝

18Bp-5

プラズマ電子アブレーションにおけるプルー
ムの特性

伴野 達也１）

18Bp-6

パルスマイクロ放電を用いたプラスチック製マ
鶴岡高専
イクロ流路チップ内壁処理

吉木 宏之

18Bp-7

国際核融合材料照射施設(IFMIF)の液体リチ
ウム試験ループ用真空排気系の製作と初期 １）原子力機構
運転゜中村 和幸１）、井田 瑞穂1）、金村 卓司１）、近藤 浩夫１）、新妻 重人１）、平川 康１）、古川 智
弘１）、渡辺 一慶１）、若井 栄一１）

18Bp-8

Arガスを用いた容量結合型RFプラズマ中における金属の電流電圧特性Ⅶ

久保 隆１）

板倉明子１） Saransh Shin１）２） 高木祥示３） 後
藤哲二３）

《休憩》

１）東大工

１）広国院大工発表者へのご案内
１．口頭発表	  	  講演時間は 15 分（討論時間 5 分を含む）です．講演時に使用可能な機材は液晶プロジェクタ（接続コネクタ： mini D- Sub15pin）のみです（ノートパソコンは持参ください）．休憩時
間やセッション開始前にファイルの動作確認をお願いいたします．PC 不調等の対応について
は，各自の責任にてお願い致します．コンピュータ持参不可の場合や，機器故障，不調の場合を考慮して，各会場に発表用のパソコンを用意いたします．会場のパソコンを使用する場
合は必ず PDF 形式のファイルをご準備ください．USB メモリーでのデータ持参をお願いいた
します．休憩時間やセッション開始前にファイルの動作確認をお願いいたします．
２．ポスター発表	  	  ポスター展示時間は下の表の通りです．コアタイムではポスターの前で説明をお願いいたします．パネルの大きさは下図のように縦 175cm 横 85cm です．パネル左上に縦 10cm 横 20cmの余白をとってください．余白に事務局で発表番号を貼ります．ポスター貼り付けには押しピンのみ使用可能です．押しピンは会場にて用意いたします．
	  	
 11 月 16 日（水）11 月 17 日（木）
展示開始
12：00
12：00
14:00-15:00
13:00-14:00
コアタイム（奇数）15:00-16:00
14:00-15:00
コアタイム（偶数）
17:00
17:00
撤収開始

●ポスターボート概略図●	
 単位：cm

３．優秀ポスター投票と発表	  	  ポスターセッション開催中に参加票添付の投票用紙にて優秀ポスターの投票をお願いいたします．なお、日本真空協会研究部会選考委員にはこれとは別に所定の票が割り当てられます．
優秀ポスター選考対象者は，ポスター番号の横に表示されています．投票箱はポスター会場
入り口付近に設置します．投票締切りは 11 月 16 日（水），17 日（木）ともポスターセッシ
ョン終了 15 分後です．結果の発表は 17 日（木）16：30 頃に 3F 受付け付近で行う予定です．
また優秀ポスター発表の筆頭著者を懇親会に招待し、懇親会場（学習院輔仁会館 2 階さくら

ラウンジ）において表彰式を行います．皆様のご協力をお願いいたします．
会 場 案 内 図 	
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ので、自動車でのご来場は固くお断りいたします。