PRODUCT
LINE-UP
東京エレクトロン 製品案内

2023

コータ/デベロッパ
Coater/Developer■ 低発塵新搬送方式

Low particle wafer transfer system■ 最新露光機を含めた

リソセルとしてのOEE向上の実現

Improved Overall Equipment
Efficiency (OEE) for litho cells■ 薬液コストの大幅な削減および省エネルギー化

Reduced Cost of Chemicals (CoC)and energy usage

製造：東京エレクトロン九州（株）Mfg:Tokyo Electron Kyushu Ltd.

■ リソグラフィー全般

All lithography processes■ ハイスループット/省フットプリントHigh throughput/Small footprint■ OEE (Overall Equipment

Efficiency) の改善

Improved OEE(Overall Equipment Efficiency)■ 特殊ウェーハ対応（反りウェーハ、
ガラスウェーハ
貼り合わせウェーハ etc）

Special wafer support(warped wafer, glass wafer,bonded wafer etc.)

製造：東京エレクトロン九州（株）Mfg:Tokyo Electron Kyushu Ltd.

■ アドバンスドパッケージプロセス

Advanced packaging process■ ポリイミドプロセス

Polyimide process■ SOG/SOD塗布プロセス

SOG/SOD Coating process

枚葉洗浄装置
Single Wafer Cleaning System

製造：東京エレクトロン九州（株）Mfg:Tokyo Electron Kyushu Ltd.

High throughput of up to 1,000
wafers per hour

高スループット（最大毎時1,000枚）

Damage-free physical cleaning
using new atomizing spray

新2流体スプレーによるダメージレス物理洗浄

Unique drying technology that
controls watermarks and patterndamageウォーターマーク、パターン倒壊を抑制する独自乾燥技術

Independent control of processenvironment in each chamber

チャンバーごとのプロセス雰囲気独立制御

Spinner technology compatible
with various process chemistries

各種アプリケーション対応
スピナー技術Pre-diffusion and pre-CVD cleaning

拡散前/CVD前洗浄

Post-etch cleaning

エッチング後洗浄

Wet etch

ウェットエッチング

Backside and bevel cleaning

裏面・ベベル洗浄

Post-etch polymer removal

配線加工ポリマー除去オートウェットステーション
Auto Wet Station

製造：東京エレクトロン九州（株）Mfg:Tokyo Electron Kyushu Ltd.

Transfer system withthroughput of 1,000wph

毎時1,000枚の搬送能力

Short-time resist stripping

短時間レジスト剥離処理槽搭載可能

High selective andstable process for
3D NAND SiN etch process

高選択比で安定的なプロセスを提供する3D NAND向け
SiN選択エッチング

New nozzle concept for etch
uniformity improvemet (WIW, WTW)

新ノズルコンセプトで槽内均一性
向上（WIW、WTW）

Equipped with a stacked
dual chamber dryer (SD2)

SD2 (Stacked dual chamberdryer) 搭載

Pre-diffusion and pre-CVD cleaning

Pre-diffusion、Pre-CVDクリーニング

Post-etch cleaning and resist strip

Post-etchクリーニング/Resist strip

Wet-etch(SiN etch, W recess, Poly Si etch)（SiN etch、W recess、Poly Si etch）

Rework and recycle

Wet-etch

Rework/Recycleプラズマエッチング装置
Plasma Etch System■ フレキシブルなチャンバー数の選択が可能

Flexible multi-chamberconfigurations■ 最大12個のドライエッチチャンバー、および後処理チャンバーを搭載可能

Support up to maximum 12
process chambers and after
treatment chambers■ 単位チャンバー当たりのフットプリントを削減

Offers significant reduction in
footprint per chamber■ Smart Tool機能を使用した

自律プロセス制御が可能

Enable autonomous process control
with smart tool technology

製造：東京エレクトロン宮城（株）Mfg:Tokyo Electron Miyagi Ltd.
■ 絶縁膜、
シリコン、反応性イオンエッチング

Dielectric, Conductor, Reactive Ion Etch

■ 最大6個のドライエッチチャンバー、および後処理チャンバーを選択搭載可能Support up to maximum 6
process chambers and after
treatment chambers■ 絶縁膜、
シリコン、反応性イオンエッチング

Dielectric, Conductor, Reactive Ion Etch

製造：東京エレクトロン宮城（株）Mfg:Tokyo Electron Miyagi Ltd.

ガスケミカルエッチング装置
Gas Chemical Etch System

製造：東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ（株）Mfg:Tokyo Electron Technology Solutions Ltd.

Higher productivity with flexible
module layout concept
Selective etch forvarious oxide films
Good controllability of
micro-loading and etch profile

Dielectric
Chemical dry etch

カスタマイズ可能なモジュール構成による生産性向上
各種酸化膜に対する選択エッチング
粗密パターンでのローディング低減、エッチング形状コントロールが可能

絶縁膜
ケミカルドライエッチング

熱処理成膜装置
Thermal Processing System

製造：東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ（株）Mfg:Tokyo Electron Technology Solutions Ltd.

Batch ALD process to achieve highstep coverage and high productivity
Seed technology to achievethin film controllability
High-speed robotics

バッチ式ALDによりカバレッジ性能の確保と高生産性を両立
シード技術によるCVD膜の薄膜制御性の向上
高速搬送メカDry cleaning technology for particle
reduction

ドライクリーニング技術による
微小パーティクル制御

31% reduction of energy
consumption per wafer bydecreasing L/L N₂ flow rate and by
higher throughput (SEMI S23
conversion, compared to TELINDY™)

L/L N₂流量削減、スループット向上
によりウェーハ当たりのエネルギー
消費量31%削減（SEMI S23換算、TELINDY™比）

Oxide/Anneal/CVD/ALD

成膜装置（酸化/アニール/CVD/ALD装置）

磁場中熱処理装置は、
当社のウェブサイトにてご紹介していますFor magnetic annealing, please visit our website

www.tel.com/product/#allALD装置Atomic Layer Deposition System

製造：東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ（株）Mfg:Tokyo Electron Technology Solutions Ltd.

Thickness controllability at themonolayer level through sufficientgas adsorption and oxidation

反応ガスの十分な吸着・酸化による
原子レベルでの膜厚制御

High quality film deposition bytaking quality improvement steps
into ALD cycles

ALDサイクル内への改質ステップ

Si0₂ film deposited in low temperature
regions (<400˚C) has comparable HF
etch resistance and leakage
performance to thermal oxide

低温域（400度以下）
において熱酸化膜同等の耐フッ酸性、リーク特性の実現

Enabling excellent film property
uniformity required for high aspectratio structures on 3D NAND devices
at high temperatures (760˚C)

高温域（760度成膜）において3D NANDに求められる
高アスペクト内の膜質均一性を達成

Various and dielectric films
Thermal and plasma configuration
磁場中熱処理装置は、
当社のウェブサイトにてご紹介していますFor magnetic annealing, please visit our website

組み込みによる高品質成膜の実現

高品質ALD Film
プラズマ/サーマル
www.tel.com/product/#all枚葉成膜装置
Single Wafer Deposition System

製造：東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ（株）Mfg:Tokyo Electron Technology Solutions Ltd.

Excellent step coverage at
a high aspect ratio contact hole

高アスペクトの微細ホールでの
高カバレッジGood film properties andsuperior step coverage at lower
temperature with ASFD process

ASFDプロセスによる低温でのLow temperature and low damage
plasma processing using high density,
low electron temperature plasma

CVD Ti/TiN/W
ASFD TiN/TiON/TiSiN
Oxidation/Nitridation with plasma

良好かつ高カバレッジな成膜

高密度、低電子温度のプラズマを利用した低温かつ低ダメージのプラズマ処理CVD Ti/TiN/W
ASFD TiN/TiON/TiSiN
プラズマ酸化/窒化ウェーハプローバ
Wafer Prober■ 自動化オペレーション

Automation of operations■ 高精度コンタクト

High accuracy contact■ 高速インスペクション

High-speed inspection■ 新オペレーションソフトウエアシステム

New software structure■ プローブカード、
ウェーハ安全機構

Advanced safety functions
for probe card and wafer

製造：東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ（株）Mfg:Tokyo Electron Technology Solutions Ltd.

■ 高発熱デバイス（HPC, GPU等）■ フルウェーハテスト

High heat generating device(HPC, GPU etc. )■ 狭ピッチ/小パッド、
プロービング

Small die and fine pitch probing

Full wafer testing■ 低ノイズ・パラメトリック測定

Low noise parametric probing■ 多ピン/多マルチ測定

High pin count and high multi-site
SoC and memory■ ダイシングフレームおよび標準ウェーハ全自動搬送対応

Fully automatic dicing frameand standard wafer handling■ COK/チェンジオーバーキットでの容易な300/200mm切り替え

Change over kit to easily switch
between 300mm and 200mm■ "N-Shot" アライメントによるダイシング後ウェーハへ高精度・多マルチプロービング"N-Shot" alignment for high accuracy,
parallelism probing for diced wafer■ 装置クリーン度、
静電気対策改善

Improved system cleanliness and ESD*

製造：東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ（株）Mfg:Tokyo Electron Technology Solutions Ltd.

■ TEL標準ウェーハプローバアプリケーションソフトウエア"PSAS"対応

TEL standard prober application software "PSAS"■ ダイシング後テストによるKGD*保証、およびRMA*

Post dicing test for KGD*, RMA*
■ 先端パッケージテスト(WLP, FOWLP, Panel level package)

Advanced package test capability(WLP, FOWLP, Panel level package)■ ダイシングシートに貼り付けられた薄ウェーハ、
複数のPCB、
ストリップフレームテスト

Test for thin wafer, multiple PCB, strip frames on dicing frames*ESD: Electro Static Discharge *KGD: Known Good Die *RMA: Return Merchandise Authorization

マルチセルテストシステム
Multi-Cell Test System

製造：東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ（株）Mfg:Tokyo Electron Technology Solutions Ltd.

Asynchronous and simultaneous
test in each cell

完全に独立したセル構造による複数
ウェーハの同時テスト

Ultra-compact footprint by multi-layer
system structure

多段積み構造によるフットプリントの大幅削減

TAT reduction by simultaneous test
in multiple cells

複数ウェーハ同時処理によりTAT(Turn Around Time) 大幅短縮

High reliable front-end equipment
wafer robot technology

前工程プラットフォーム技術を応用した高信頼性搬送ロボット

300mm memory device
Full wafer contact

300mm メモリデバイス
フルウェーハ一括コンタクト

ウェーハボンディング/デボンディング装置
Wafer Bonder/Debonder■ 本格量産用装置デザイン

Designed for high volume
manufacturing■ 高い稼動率を実現

High availability for production■ 高いアライメント精度を実現

Excellent alignment accuracy■ Cu Hybrid接合の量産化を実現

Realized high volume manufacturingwith Cu Hybrid bonding technology■ BSI用フュージョンボンディング

製造：東京エレクトロン九州（株）Mfg:Tokyo Electron Kyushu Ltd.

Fusion bonding for BSI■ Cu Hybrid接合を利用するあらゆる製品に対応

Any application requires Cu Hybrid bonding■ 本格量産用装置デザイン

Designed for high volume
manufacturing■ 接合プロセスに要求される材料塗布からウェーハ接合までの一貫プロセスの実現

Realizes the entire
temporary bonding process■ 剥離プロセスでは35um厚までのウェーハ剥離・洗浄・搬送を実現

Achieves debonding and handlingof wafer with 35um or greater thickness

製造：東京エレクトロン九州（株）Mfg:Tokyo Electron Kyushu Ltd.

■ 常温デボンディング技術の確立による高いプロセスマージンの実現

Establishes room temperature debonding process■ TSV用ウェーハ仮接合/剥離

Temporary bonding and debonding for TSV manufacturing■ 接着剤によるウェーハ永久接合

Wafer permanent bondingバッチスプレー式洗浄装置
Batch Spray Cleaning System■ 省フットプリントで全自動搬送

Compact footprint with full automation■ 200/300mmのウェーハサイズに対応

Available for 200mm and 300mm■ 最大8種類の薬液と加熱純水を使用可能

Up to 8 chemicals with built-in
DI water heater■ 高温蒸気SPM処理

ViPR™プロセスによりウェーハ上~220℃で処理可能

Mfg:TEL Manufacturing and Engineering of America, Inc.

High temperature stream SPM

ViPR™ process enables processing
at ~220°
C on wafer■ FEOLウェット処理

FEOL wet steps■ 水性BEOLウェット処理■ Si/SiC/AlTiC/Glass/Sapphire

Aqueous BEOL wet steps■ 低コスト/省フットプリント

Low cost and compact footprint■ 200mm以下のウェーハサイズに対応

Available for wafer sizes 200mm and below■ 高度な欠陥検出機能を備えた

新しい制御システム

New control system withadvanced fault detection■ 高温ケミカル処理対応

High chemical temperaturecapability

Mfg:TEL Manufacturing and Engineering of America, Inc.

■ FEOLウェット処理

FEOL wet steps■ 水性BEOLウェット処理

Aqueous BEOL wet steps■ Si/SiC/AlTiC/Glass/Sapphire極低温エアロゾル枚葉洗浄装置
Single Wafer CryoKinetic Cleaning System■ 微小欠陥異物の高除去性能

High fall-on particle removal efficiency■ 純水、薬液を使用しない固体エアロゾル洗浄

Uses no water or chemicals■ 洗浄時の対メタル膜腐食防止

Prevents metal attack and corrosion■ 洗浄時の下地膜ダメージ防止Will not etch or alter film properties■ 純水洗浄で困難な疎水膜での洗浄可能

Ideal for hydrophobic films■ DCプローブ洗浄

Mfg:TEL Manufacturing and Engineering of America, Inc.

DC probe■ FEOL High-k膜成膜後洗浄■ BEOL CMP後洗浄

FEOL High-k■ BEOL絶縁膜成膜後洗浄

BEOL CMP■ BEOLエッチング後パーティクル除去洗浄

BEOL dielectric

BEOL RIE

スクラバー洗浄装置
Scrubber System■ 8チャンバーによる高生産性

High productivity with 8 chambers■ 進化したスクラバープロセステクノロジー

Advanced scrubber process technology■ システム・プロセスログ管理機能

Machine and process data management
system■ 表面/裏面・ベベル洗浄

Front/backside and bevel cleaning■ 150/200mmのウェーハサイズに対応

Available for 150 and 200mm wafer

製造：東京エレクトロン九州（株）Mfg:Tokyo Electron Kyushu Ltd.

ガスクラスターイオンビーム装置
GCIB System Corrective Etch/Trim■ GCIBによる表面の超平坦化機能

Super smooth surface flattening by
GCIB■ 極薄表面改質機能（酸化・窒化）Ultra-thin surface modification
function■ 膜厚データに基づくビーム照射制御

Beam irradiation control based on
film thickness data
■ 理想的な室温プロセス処理

Ideal room temperature process

Mfg:TEL Manufacturing and Engineering of America, Inc.

■ 100、
150および200mmウェーハのうち2種類を段取り替えなしで対応可能

Enabling two of 100, 150 and 200mm wafer size handling without
mechanical change■ RFフィルター(SAW、BAWおよびFBAR)の膜厚・周波数トリミング

RF Filters (SAW, BAW and FBAR) thickness and frequency trimming■ MEMS、フォトマスクの表面平坦化

Surface flattening on MEMS device and photo mask

縦型拡散/LP-CVD/ALD装置
Vertical Diffusion/LP-CVD/ALD Furnace System■ 長期サポートを見据えパーツ/ユニット/

コンポーネントを刷新

Renewed parts, units, andcomponents for life extension■ ALDプロセスに対応: HfO₂, Al₂O₃,

SiO₂などALD process capability: HfO2, Al2O3,
SiO2, and so on■ 装置管理に最適な先進のモニタリング

機能Advanced monitoring function for
remote tool management■ Diffusion, LP-CVD, and ALD■ 150/200mmのウェーハサイズに対応

Available for 150 and 200mm wafer
製造：東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ（株）Mfg:Tokyo Electron Technology Solutions Ltd.

SiCエピタキシャル成膜装置
SiC Epitaxial CVD System■ 高品質エピ膜を高い再現性で実現

A high quality epitaxial film is achieved
with high repeatability■ 高スループット&低ランニングコスト

High throughput and low running cost
■ チャンバー内Insituドライガスクリーニング機能を搭載しメンテナンスサイクルを延長

In-situ dry gas cleaning system to extend
preventive maintenance cycle■ 150/200mmのSiCウェーハに対応

150 and 200mm SiC wafer applicable■ SiC基板上へのエピタキシャル膜成膜

SiC epitaxial film growth on SiC substrate■ Si面&C面&低オフ角基板、n型＆p型、

厚膜エピ膜などに対応

製造：東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ（株）

Mfg:Tokyo Electron Technology Solutions Ltd.

Growth on Si face, C face and low off angle substrate, n-type and p-type
film growth, thick film growth and others

プラズマエッチング装置
Plasma Etch System■ UNITY™ Meのプロセスチャンバーの設計を変えずにメインコントローラー/
搬送ロボットをアップデート

Update the main controller andtransfer robot without changing thedesign of the UNITY™ Me process chambers■ UNITY™ Me+とUNITY™ Me間のレシピ互換性を実現

Realize the process recipecompatibility between
UNITY™ Me+ and UNITY™ Me■ UNITY™ Ⅱeからのプロセストレースにも最適

Process trace from UNITY™ Ⅱeis also possible■ Etching膜種：絶縁膜、SiC/SiEtch layer: Dielectric, SiC/Si■ 100, 150, 200mm ウェーハ対応

100, 150, 200mm wafer applicable

製造：東京エレクトロン宮城（株）Mfg:Tokyo Electron Miyagi Ltd.

リモート接続による装置サポートサービス
TELeMetrics™ Remote/Support Service

装置データヘのリモート接続を基盤とするサービス
Services based on remote access to TEL equipment data

Provide services by utilizing
equipment data via remote access
Remote troubleshooting
Alarm diagnosis

リモートインフラを活用したサービスの提供
リモートトラブルシューティング
アラーム診断FPD エッチング/アッシング装置
FPD Etch/Ash System■ マルチチャンバーシステムを採用（最大5基搭載可能）

Multi-chamber system
5 chamber maximum■ プロセスチャンバーモード：

PICP™モード/PICP™ Proモード
Chamber mode:
PICP™ mode/PICP™ Pro mode
■ 対応基板サイズ： 標準

Substrate size: Standard

製造：東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ（株）Mfg:Tokyo Electron Technology Solutions Ltd.

1,500mm x 1,850mm■ シリコン膜エッチング

Silicon layer etch
■ 絶縁膜エッチング

Insulating layer etch■ メタル膜エッチング

Metal layer etch
■ アッシング

Photoresist ash■ マルチチャンバーシステムを採用（最大3基搭載可能）

Multi-chamber system
3 chamber maximum■ プロセスチャンバーモード：

PICP™モード/
PICP™ Proモード/ECCPモード
Chamber mode:
PICP™ mode/
PICP™ Pro mode/ECCP mode
■ 対応基板サイズ：標準

Substrate size: Standard

製造：東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ（株）Mfg:Tokyo Electron Technology Solutions Ltd.

1,500mm x 1,850mm｜
2,200mm x 2,500mm｜2,940mm x 3,370mm■ シリコン膜エッチング

Silicon layer etch
■ 絶縁膜エッチング

Insulating layer etch■ メタル膜エッチング

Metal layer etch
■ アッシング

Photoresist ash

TEL PRODUCT LINE-UP
Japanese

www.tel.co.jp/product/
Englishwww.tel.com/product/

CLEAN TRACK, LITHIUS Pro, CELLESTA, EXPEDIUS, Episode, Tactras, Certas LEAGA, TELINDY PLUS, TELINDY, NT333,
Triase+, Prexa, WDF, Cellcia, Synapse, ZETA, ViPR, MERCURY, ANTARES, UltraTrimmer Plus, ALPHA-8SE, Probus-SiC,
UNITY, TELeMetrics, Betelex, PICP, Impressio, Exceliner, およびEliusは、東京エレクトロングループの日本およびその他の国における登録商標または商標です。

CLEAN TRACK, LITHIUS Pro, CELLESTA, EXPEDIUS, Episode, Tactras, Certas LEAGA, TELINDY PLUS, TELINDY, NT333,
Triase+, Prexa, WDF, Cellcia, Synapse, ZETA, ViPR, MERCURY, ANTARES, UltraTrimmer Plus, ALPHA-8SE, Probus-SiC,
UNITY, TELeMetrics, Betelex, PICP, Impressio, Exceliner, and Elius are registered trademarks of Tokyo ElectronGroup in Japan and/or other countries.
Published in Japan 2022.12 | PR60-597