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Title

集積グラフェンNEMS複合機能素子によるオートノマス
・超高感度センサーの開発

Author(s)水田, 博Citation

科学研究費助成事業研究成果報告書: 1‑6

Issue Date

2018‑06‑05

Type

Research Paper

Text version

publisher

URL

http://hdl.handle.net/10119/15412

RightsDescription

基盤研究(S), 研究期間：2013〜2017, 課題番号：25220904, 研究者番号：90372458, 研究分野：ナノエレクトロニクス、NEMS

Japan Advanced Institute of Science and Technology

４版

様

式

Ｃ−１９、Ｆ−１９−１、Ｚ−１９ （共通）

科学研究費助成事業

研究成果報告書
平成 ３０ 年

６ 月

５ 日現在

機関番号： １３３０２
研究種目： 基盤研究(S)
研究期間： 2013 〜 2017
課題番号： ２５２２０９０４
研究課題名（和文）集積グラフェンNEMS複合機能素子によるオートノマス・超高感度センサーの開発

研究課題名（英文）Development of graphene NEMS hybrid functional devices for autonomous andultrasensitive integrated sensors
研究代表者
水田

博（MIZUTA, HIROSHI）

北陸先端科学技術大学院大学・先端科学技術研究科・教授

研究者番号：９０３７２４５８
交付決定額（研究期間全体）：（直接経費）

129,300,000 円

研究成果の概要（和文）：原子層材料グラフェンを用いたナノ電子機械システム（GNEMS）作製技術と原子スケ
ールシミュレーションを構築し、グラフェン表面上に物理吸着したCO2単分子による電気抵抗変化を室温で高速に検出するGNEMSセンサと、吸着分子による質量変化をゼプトグラム(10E‑21 g)レベルで検出するGNEMSセンサの開発に初めて成功した。さらに、従来MEMS技術では困難であった〜1 Vの低電圧でのサブサーマルスイッチング（S値〜10 mV/dec）と素子微細化を同時に実現する新奇GNEMSスイッチを開発した。

研究成果の概要（英文）：We built graphene nano‑electro‑mechanical‑system (GNEMS) fabrication
technology along with atom‑scale simulation and succeeded to develop a GNEMS sensor which enables
high‑speed and room temperature detection of electrical resistance change caused by a single CO2
molecule physisorbed on graphene as well as a GNEMS sensor which detects zeptogram (10E‑21 g) levelmass change due to molecular adsorption. We also developed a novel GNEMS switch successfully anddemonstrated low‑voltage (〜1 V) sub‑thermal switching with the subthreshold slope 〜10 mV/dec anddownscaling of device dimensions simultaneously, which are hardly achievable with conventional MEMS
technology.

研究分野： ナノエレクトロニクス、NEMS
キーワード： グラフェン

NEMS

センサ

スイッチ

単分子検出

ゼプトグラムサブサーマルスイッチング

様 式 Ｃ－１９、Ｆ－１９－１、Ｚ－１９、ＣＫ－１９（共通）１．研究開始当初の背景
近年、ナノスケールに微細化されたナノ電子
機械システム（NEMS) の高度機能素子応用が大いに注目されている。RF スイッチなどの研究に加えて、NEMS の表面対体積比が大きいことを利用して、微少な電荷および質量の変化を超高感度で検出する NEMS センサの研究も盛んになっている。
２．研究の目的研究代表者が構築してきた複合 NEMS セン
サ・パワーマネジメント素子技術と、グラフ
ェン超微細デバイス技術を融合させ、①単一
分子レベルの検出感度を有するグラフェン
NEMS(GNEMS)環境センサおよび、②センサ
回路と電源間のリーク電流を遮断してシステ
ムの超低消費電力化を可能とするサブサーマ
ル（室温での S 値 < 60 mV/dec）急峻 GNEMS
スイッチを世界に先駆けて開発する。併せて、マルチスケール・GNEMS 集積システムシミュレーション技術と集積化プロセス技術を構築し、オートノマス・高機能グラフェン集積
センサシステム基盤技術を開発する。
３．研究の方法
GNEMS センサでは吸着分子による電荷移動とクーロン相互作用に伴う抵抗変化検出方式と、分子吸着によるグラフェン振動子の共振
周波数変化から質量変化を検出する方式を組み合わせて超高感度・高機能化を図る。
GNEMS スイッチでは、GNEMS－電極界面
ファンデルワールス(vdW)力を制御したヘテ
ロ集積・３端子構造を採用して、低電圧動作・
高信頼スイッチを開発する。

図 1 (a)GNEMS センサ構造, (b)基板電界印加による CO2 分子閉込めポテンシャル分布,(c)分子吸着・脱離に伴うチャネル抵抗時間変化, (d)抵抗変化の統計分布 [1]センサでは、ガス検出濃度限界が ppm レベルにとどまり、また多くのガス分子を固体表面に化学吸着させるために通常 100 ℃以上に高温化する必要があるという大きな課題があるが、これらを解決しうる新しい検出原理である。さらに、基板電界をオフにすると、CO2分子はその運動エネルギーでグラフェン表面から容易に脱離する。すなわち、検出後に基板電界をオフにするだけで吸着分子をリリースことができ、リフレッシュプロセス無しでセンサを再利用できる、という実用的にも重要な技術である。

４．研究成果4.1 グラフェン NEMS センサ
抵抗変化検出方式 GNEMS センサ開発においては、図１(a)に示す両持ち梁型２層グラフェ
ン梁チャネルと下部金電極を有する素子構造を用いて、単一 CO2 分子の吸着・脱離過程の測定に世界で初めて成功した[1][2]。あらかじめグラフェン梁を下部電極にプルインさせて、引張り応力を印加した斜め梁チャネルを形成した。非常に希薄な CO2 ガス分子（濃度約 30ppb）を短時間でグラフェン梁表面に物理吸着させる（図１(b)）ため、基板から電界を印加して CO2 分子の吸着を加速する工夫を行った。その結果、チャネル電気抵抗の時間変化に、単一 CO2 分子の吸着・脱離に伴う量子化
した抵抗の増減が観測された（図 1(c)(d))。室
温で単一 CO2 分子を１〜２分の高速で電気的に検出したのは世界で初めてであり、グラフ
ェンの表面対体積比率が従来の MEMS 材料に比べて飛躍的に高く、vdW 力で弱く物理吸
着したガス分子１個による僅かな電荷移動とクーロン散乱にも敏感に応答することを最大限に利用した成果である。従来の半導体ガス

図２ 物理吸着した CO2 分子-グラフェン間
電荷移動の電界依存性[3]（左：外部電界 0.15
V/Å, 中央：0 V/Å. 右：-0.15 V/Å）。電荷分布の青・赤は電子過剰と不足を表す。
グラフェン上に物理吸着した CO2 分子とグラフェン間の電荷移動の外部電界による変調メカニズムを詳細に調べるため、長距離力である vdW 力を取り入れた密度汎関数(vdWDF)理論に基づく高精度第一原理計算を行った。ここで、第一原理計算に導入する外部電界の値は、実験で用いた素子構造に対する３次元有限要素シミュレーションを実施し、グラフェンチャネル近傍に発生する電界を計算することで求めた。グラフェン上の単一 CO2
分子の距離と配置については、結合エネルギ
ーが最小となる安定状態を求めることで決定した。その結果、外部電界印加時における CO2
分子‐グラフェン間の電荷移動（図２）、およの増大などが要因と考えられるが、共振周波数シフトに加えて Q 値の変化をモニターする
ことでより精度の高い検出が可能となることを示している。

図３ (a) ２層グラフェン梁上に物理吸着した単一 CO2 分子周辺の電荷分布と、(b) 静電
ポテンシャル分布、(c) 単一 CO2 分子のクー
ロンポテンシャルによる伝導キャリア散乱の模式図[1]。
び CO2 分子内微小分極に起因する伝導キャリ
アのリモートクーロン散乱（図３）による抵抗変化が、観測された量子化抵抗変化値と良く一致することを見出した[1][3]。また、同様の第一原理解析をアンモニア、ベンゼンなど
他の分子吸着に対しても行った結果、外部電界を正負に変化させた際の電荷移動スペクト
ルは、分子種によって顕著に異なり、この違いを上手く利用することで吸着した分子種を同定できる可能性も見出した[3]。さらに、この抵抗変化検出方式センサを、大気圧窒素雰
囲気中に導入した希薄アセトンガス検出に応用し、アセトン分子とグラフェン間の電荷移
動量が大きなことを利用した選択的検出が可能であることも見出した。

図４ グラフェン振動子を用いた質量検出型
センサ[4]の模式図(a)、RF 測定系の構成(b)と水素分子吸着に伴う共振ピークのシフト(c)4.2 グラフェン NEMS スイッチ
GNEMS 集積センサシステムのパワーマネジ
メント素子として、GNEMS 急峻スイッチの開発を行った。図５に開発のロードマップを示す。フェーズ１では、２層グラフェン両持
ち梁の下部に金の制御電極を有する２端子型
GNEMS スイッチを作製し、下部制御電極への印加電圧わずか 1.8 V でグラフェン両持ち
梁をプルイン動作することに成功した[5]。しかしこのスイッチでは、プルイン動作を繰り返すうちに、グラフェンの炭素原子と金原子間に化学結合が形成されるため、最終的にはプルアウトできなくなる問題が存在した。そ質量検出方式 GNEMS センサ開発においては、単層 CVD グラフェン膜を用いて、上部ア
クチュエーション電極を備えた両持ち梁振動子（長さ 900 nm, 幅 500 nm)を作製し、共振周波数の変化から質量変化を検出する高感度
質量検出センサを開発した[4] （図４参照）。
分子吸着によるグラフェン振動子の質量変化
m と共振周波数のシフトf 0 の関係は ∆𝑓 =∆ 𝑚⁄2𝑚 × 𝑓 で与えられる。ここで m0 と f 0
はそれぞれグラフェン振動子の質量と（真空中での）共振周波数である。
図４(b)に示すようなコプレーナウェーブ
ガイドプローブを用いた RF 測定系を構築し、共振特性を評価した結果、室温で共振周波数
92 MHz、Q 値 22.5 の明瞭な共振ピークを観測した。この GNEM センサに、極薄 H2／Ar
混合ガス（H2 分子の個数濃度で数 ppb レベル）を導入して共振特性を測定し、水素分子の吸着に伴う約 400 ゼプトグラム(400x10-21g)の質量変化を室温で安定に検出することに成功した。また、同時に共振ピークの Q 値がガス濃度増加とともに顕著に変化することも観測された。これは表面分子吸着に伴うグラ 図５ 本研究におけるグラフェン NEMS スイ
フェン振動子の内部ダンピング増大、および ッチ開発のロードマップ
振動子周辺の分子との摩擦によるダンピング

ト型スイッチを開発した。グラフェン‐グラ
フェン vdW コンタクト型 GNEM スイッチ
（図６参照）においては、基板側からグラフ
ェン（制御ゲート）／hBN（ゲート絶縁膜）／グラフェン（ドレイン）／エアギャップ／
グラフェン（ソース）ヘテロ集積構造素子を開発し、室温で S 値 10.4 mV/dec の急峻スイッチングを達成した（図 6(c)）[7]。また、グラフェン－hBN vdW スイッチ（図７参照）
においては、サブ１V の低電圧動作と３万回を超える安定な繰り返しスイッチング動作の観測に成功した（図 7(b)(c)）（論文投稿中）。
これらの成果は、従来のバルク材料を用いたMEMS 技術では不可能であった〜１V レンジの低電圧でのサブサーマル急峻スイッチン
グと、ナノメータ領域へのダウンスケーリン
グを初めて同時に実現した集積化 NEMS に対する革新的技術である。

図６ グラフェン‐グラフェン vdW コンタク
ト３端子スイッチ構造の模式図(a)(b)とそのスイッチング特性(c) [7]のため、フェーズ２では、Au/Cr 制御電極をグラフェン梁上部に備え、その下面を Cr2O3
自然酸化膜として化学結合形成を防いだグ
ラフェン‐絶縁膜コンタクト型 GNEMS ス
イッチを開発し[6]、数百回のオン・オフ繰り返しが可能であることを観測した。しかし同時に、この素子では酸化膜とグラフェン間のvdW 力が酸化膜表面のモフォロジーに依存して変化するため、プルアウト電圧が安定しない問題が見出された。これらの結果を踏まえ、フェーズ３・４では、グラフェン‐グラ
フェンコンタクト型、およびグラフェン‐
hBN（六方晶窒化ホウ素原子層膜）コンタク

素子集積化技術については、上記の
GNEMS センサ素子と GNEMS スイッチ素子を同一グラフェン膜上に集積化するプロセス技術を開発した（図 7(d)。さらに英国サザンプトン大学と共同で開発した PECVD 成長
ナノ結晶グラフェン(NCG)薄膜を用いて、大面積 NCG 薄膜上にトップゲート型 GNEMS
スイッチ素子２次元アレイを作製し（図８参照）、高歩留まりで安定したスイッチング特性を得ることにも成功した[8]。

図８ ６インチナノ結晶グラフェン(NCG)膜上に作製した GNEMS スイッチアレイ(b)とそのスイッチング特性(c) [8]＜引用文献＞

図７ グラフェン-hBN vdW コンタクトスイ
ッチ構造の模式図(a)、サブ１V 電圧動作(b)、繰り返しスイッチング動作特性(c)、およびグラフェンセンサ・スイッチ集積化の例(d)[1] J. Sun, M. Muruganathan, and H. Mizuta,‘Room Temperature Detection of Individual
Molecular Physisorption using Suspended
Bilayer Graphene’, Science Advances, vol.2,
no.4, e1501518 (2016)[2] 水田 博，ジアン スン，マノハラン ムル
ガナタン‘グラフェンを用いたナノセンサ素子による二酸化炭素分子一個の検出',
応用物理 87, 193-197 (2018)[3] M. Muruganathan, J. Sun, T. Imamura and H.
Mizuta, ‘Electrically Tunable van der Waals
Interaction in Graphene-Molecule Complex’,
NANO Letters 15, 8176- 8180 (2015)

[4] M. Muruganathan, F. Seto and H. Mizuta,‘Graphene Nanomechanical Resonator Mass
Sensing of Mixed H2/Ar Gas', Int. J. of
Automation Technology 12, 24-28 (2018)[5] J. Sun, W. Wang, M. Muruganathan and H.
Mizuta, ‘Low pull-in voltage graphene
electromechanical switch fabricated with apolymer sacrificial layer’, Appl. Phys. Lett. 105,
033103 (4 pages) (2014)[6] J. Sun, M. Muruganathan, N. Kanetake and H.
Mizuta, ‘Locally Actuated Graphene-Based
Nano-Electro-Mechanical
Switch’,Micromachines 7(7), 124 (2016)[7] N. H. Van, M. Muruganathan, J. Kulothunganand H. Mizuta, ‘Fabrication of a three-terminal
graphene nanoelectromechanical switch using
two-dimensional materials’, in press for
Nanoscale (2018):
DOI:10.1039/C7NR08439K[8] J. Sun, M. E. Schmidt, H. M. H. Chong, M.
Muruganathan, and H. Mizuta, ‘Large-Scale
Nanoelectromechanical Switches Based on
Directly Deposited Nanocrystalline Graphene
on Insulating Substrates’, Nanoscale 8, 66596665 (2016)
５．主な発表論文等〔雑誌論文〕（計３９件）
1. N. V. Huynh, M. Muruganathan, J.
Kulothungan and H. Mizuta, ‘Fabrication of athree-terminal
graphene
nanoelectromechanical switch using two-dimensional
materials ' (査読有), in press for Nanoscale,2018, DOI:10.1039/C7NR08439K
2. M.Muruganathan, F.Seto and H.Mizuta,‘Graphene Nanomechanical Resonator Mass
Sensing of Mixed H2/Ar Gas' (査読有), Int.
J. of Automation Technology 12, 24-28, 2018,
DOI: 10.20965/ijat.2018.p0024 c
3. 水田 博，ジアン スン，マノハラン ムルガ
ナタン‘グラフェンを用いたナノセンサ素子による二酸化炭素分子一個の検出' (査読有 ), 応 用 物 理 87, 193-197, 2018,
http://jsap.or.jp/ap/2018/03/ob870193.html
4. M. E. Schmidt, A. M.M. Hammam, T. Iwasaki,
T. Kanzaki, M. Muruganathan, S. Ogawa, and
H. Mizuta, ‘Controlled Fabrication ofElectrically Contacted Carbon Nanoscrolls' (査読有 ), in press for Nanotechnology, 2018,
DOI: 10.1088/1361-6528/aab82c
5. W. Wang, M. Muruganathan, J. Kulothunganand H. Mizuta, ‘Study of dynamic contacts forgraphene nano-electro-mechanical switches'(査読無) , Jpn. J. Appl. Phys. 56 04CK02(4pages), 2017, DOI: 10.7567/JJAP.56.04CK05
6. J. Kulothungan, M. Muruganathan, and H.
Mizuta, ‘3D Finite Element Simulation ofGraphene Nano-Electro-Mechanical Switches’( 査 読 有 ), Micromachines 7(8), 143, 2016,
DOI: 10.3390/mi7080143
7. J. Sun, M. Muruganathan, N. Kanetake and H.

Mizuta, ‘Locally Actuated Graphene-Based
Nano-Electro-Mechanical Switch’ ( 査 読 有 ),Micromachines 7(7), 124, 2016, DOI:
10.3390/mi7070124
8. H. Mizuta, J. Sun, M. E. Schmidt and M.
Muruganathan, ‘Highly Functional Graphene
Nano-Electromechanical (GNEM) Devices for
Advanced Switch and Sensor Applications’ (査読 有 ), the Emerging Nanomaterials andDevices issue of ECS Transactions 75(13), 3-9,
2016, doi:10.1149/07513.0003ecst
9. J. Sun, M. Muruganathan, and H. Mizuta,‘Room Temperature Detection of Individual
Molecular Physisorption using Suspended
Bilayer Graphene’ (査読有), Science Advances2(4,)
e1501518,
2016,
DOI:
10.1126/sciadv.1501518
10. J. Sun, M. E. Schmidt, H. M. H. Chong, M.
Muruganathan, and H. Mizuta, ‘Large-Scale
Nanoelectromechanical Switches Based on
Directly Deposited Nanocrystalline Graphene
on Insulating Substrates’ (査読有), Nanoscale
8,6659-6665,
2016,
DOI:
10.1039/C6NR00253F
11. M. Muruganathan, J. Sun, T. Imamura and H.
Mizuta, ‘Electrically Tunable van der Waals
Interaction in Graphene-Molecule Complex’(査読有), NANO Letters 15, 8176- 8180, 2015,
DOI:10.1021/acs.nanolett.5b03653
12. J. Sun, W. Wang, M. Muruganathan and H.
Mizuta, ‘Low pull-in voltage graphene
electromechanical switch fabricated with apolymer sacrificial layer’, (査読有) Appl. Phys.
Lett. 105, 033103 (4 pages), 2014,
https://doi.org/10.1063/1.4891055
13. F. A. Hassani, Y. Tsuchiya, and H. Mizuta, ‘Inplane
resonant
nano-electro-mechanicalsensors: A comprehensive study on design,
fabrication and characterization challenges(招待論文) ’ (査読有), Special issue "State-ofthe-Art Sensors Technology in the UK 2013"
Sensors 13(7), 9364-9387, 2013, DOI:
10.3390/s130709364〔学会発表〕（計１３７件）
1. H. Mizuta ‘Downscaled graphene nanoelectro-mechanical (NEM) devices for extreme
sensing and phonon engineering applications(基調講演)' 2nd Int. Carbon Materials Conf. &Exhibition (Carbontech2017), 2017
2. H. Mizuta ‘Graphene nano-electro-mechanical(NEM) devices for extreme sensing
applications ( 招 待 講 演 )' Simulation of
Semiconductor Processes and Devices(SISPAD 2017) Workshop 2 "Simulation ofAdvanced Sensors", 2017
3. H. Mizuta ‘Highly Functional Graphene NanoElectromechanical (GNEM) Devices for
Advanced Switch and Sensor Applications (招待 講 演 )' The Symp. on Emerging
Nanomaterials
andDevices,
PRiME
2016/230th ECS Meeting, 2016
4. H. Mizuta ‘Novel suspended graphene devices
for extreme sensing (招待講演)' The ESSCIRC- ESSDERC 2016, 2016
5. H. Mizuta ‘Recent progress of graphene-based
nanoelectronic and NEM device technologies
for advanced applications (基調講演)' The 2thIEEE Int. Conf. on Semiconductor Electronics(IEEE-ICSE2016), 2016
〔図書〕
（計３件）
1. 水田博, マレク シュミット, 小川真一,
マノハラン ムルガナタン, ‘NEMS 技術とフォノンエンジニアリング’, 『マイクロ・ナノスケールの次世代熱制御技術 フォノンエンジニアリング』, pp.105 – 113,
NTS 出版, 2017
2. Y. Tsuchiya and H. Mizuta, ‘NEMS devices’,
Nanoscale Silicon Devices, S. Oda and D.
Ferry ed., Taylor and Francis, pp. 123-154,
CRD Press, 2015
3. F. Arab Hassani, Y. Tsuchiya, A. Ionescu and H.
Mizuta, ‘Ultrasensitive in-plane resonantnanoelectromechanical sensors’, Nanoscale
Sensors (Lecture Notes in Nanoscale Scienceand Technology), S. Li, J. Wu, Z. M. Wang, Y.
Jiang ed., ISBN 978-3319027715, pp.245-276,
Springer, 2014
〔その他〕
(1) 〔雑誌論文〕リスト１番の論文の図面がNanoscale 誌の表紙イラストに採用予定(2) 専門誌での研究紹介：平成３０年５月７日、日経 XTECH「グラフェンナノ電子機
械による二酸化炭素分子 1 個の検出」
http://tech.nikkeibp.co.jp/atcl/nxt/column/18/
00051/00004/(3) 受賞：平成３０年４月１０日、平成 30 年度科学技術分野の文部科学大臣表彰科学技術賞 業績名「ナノメータスケールにおける電子－機械複合機能素子の研究」
https://www.jaist.ac.jp/whatsnew/press/2018/04/11-1.html(4) プレスリリース：平成２８年４月１８日
発表【原子層材料グラフェンを用いたナノセンサー素子で二酸化炭素分子一個の検出に成功－ 超高感度・超小型パーソナ
ル環境センシング応用に期待 －】（サウサンプトン大学共同で日英同時リリース）
https://www.jaist.ac.jp/whatsnew/press/2016/04/18-1.html
https://www.southampton.ac.uk/news/2016/0
4/graphene-air-pollution-sensor.page
・日経産業新聞 平成２８年５月９日（８面）「ガス分子１個単位で測定」
・日刊工業新聞電子版 平成２８年４月１９日「北陸先端大、CO2 分子１個を炭素原子シートで検出するセンサー素子を開発」
・英 Daily Mail 平成２８年４月１６日「 The tiny sensor that could stop yourhome making you SICK」（他、７６件の記事が掲載され、リリースから１０日間でニュース記事へのアクセス
総数＞１億回：サウサンプトン大広報調査）(5) 専門誌での研究ハイライト紹介：平成２８年１月発刊、Nature Materials 誌, Vol.1,
p3, 「 Van Der Waals Complexes Tunable
Charge Transfer」(6) プレスリリース：平成２６年８月６日発表【わずか炭素２原子層厚のグラフェン膜を使った電子機械スイッチの動作原理検証に成功－ 究極の低消費電力エレク
トロニクス応用に期待 －】・日刊工業新聞（朝刊）平成２６年８月７日（２４面）「グラフェン梁でオン・オフ 電
子機械スイッチ開発」
・北國新聞（朝刊）平成２６年８月７日（３４面）「シックハウス症候群の原因物質 測定センサー開発へ 電力半減スイッチ応用」
・北陸中日新聞（朝刊）平成２６年８月８日（１６面）「省エネスイッチ開発 炭素素材
で漏電遮断」
・マイナビニュースのテクノロジー：次世代半導体技術において、デイリーランキング
および週刊ランキング１位に選出（平成２
６年８月）
（他３件）

(7) テレビ金沢「未来へのスイッチ!!!～極小の装置で世界を拓く」平成27年12月19日（土）11:45-12:00 放映
６．研究組織(1)研究代表者
水田 博（MIZUTA, Hiroshi）
北陸先端科学技術大学院大学・先端科学技術研究科・教授
研究者番号：９０３７２４５８(3)連携研究者
ムルガナタン マノハラン（MURUGANATHAN, Manoharan）
北陸先端科学技術大学院大学・先端科学技術研究科・講師
研究者番号：２０６３９３２２(4)研究協力者
スン ジアン（SUN, Jian）
北陸先端科学技術大学院大学・先端科学技術研究科・博士研究員
フィン ヴァン・ゴク（HUYNH, Van Ngoc）
北陸先端科学技術大学院大学・先端科学技術研究科・博士研究員
シュミット
エドワード・マレク（SCHMIDT, Edward Marek）
北陸先端科学技術大学院大学・先端科学技術研究科・博士研究員
チョン ハロルド（CHONG, Harold）
サザンンプトン大学・物理科学工学部・准教授
土屋 良重（TSUCHIYA, Yoshishige）
サザンプトン大学・物理科学工学部・講師