2018.Jul.
Quarterly

VOL.102

I nformation2
半導体オブ・ザ・イヤー 2018を受賞
SEMICON West 2018 出展のお知らせ
中国 長春で薄膜技術セミナーを開催
S amco-Interview
京都工芸繊維大学

裏 升吾 先生

電気電子工学系 教授

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À la carte 京の銘菓・老舗14 京御菓子司「亀屋清永」 5

T echnical-Report
液体原料を用いたタングステンのホール内埋め込み成膜

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Information

半導体オブ・ザ・イヤー2018を受賞
当 社のAqua Plasma®クリーナーは、電 子デバイス産 業 新 聞 が 選 定する『半 導 体オブ・ザ・イヤー 2018』の半導体製造装置部門の優秀賞を受賞しました。去る2018年
6月6日（水）、東京ビッグサイトの電子機器トータルソリューション展（JPCA Show）の会場内で開催されました表彰式において、表彰状とトロフィーを授与されました。
半導体オブ・ザ・イヤーは、我が国にとってますます重要性を増している最先端のIT機器・産業を支える半導体製品・技術を表彰することで、業界の技術および市場のさらなる発展に寄与することを目的として1994年に創設され、本年で第24回目を迎えました。
当社は創業以来、製品コンセプトとしてEHS（環境負荷・健康衛生・安全性）を重視しており、その実用例として液体ソースCVD®装置などの革新的な製品づくりで大きな共感を得てまいりました。今回のAqua Plasma®クリーナーは水素や可燃性ガスを用いず、水蒸気を用いて半導体電極の洗浄や金属酸化膜の還元処理、さらにはヘルスケアチッ

授与された
トロフィー

プの常温接合を実現する画期的な装置として高く評価され、優秀賞を受賞いたしました。

SEMICON West 2018
出展のお知らせ来る7月10日から12日までの3日間、『SEMICON West2018』が“BEYOND SMART”をテーマに米国サンフランシスコのモスコーニセンターで開催されます。
当社は、各種MEMS（微小電気機械素子）デバイスの会

期 2018年7月10日（火）〜12日（木）製造に必須となるシリコン深掘・圧電材料のプラズマエッ会

場 Moscone Center, San Francisco,

チング・低 応 力 窒 化 膜 のPECVD技 術 を 中 心 に、GaAsCA, USA

VCSEL（面発光レーザ）やInPレーザ用の化合物半導体材料のプラズマエッチング技術、当社独自のAqua PlasmaⓇ

ブースNo．1016

クリーナーによる金属酸化膜の還元処理などを紹介します。

中国 長春で薄膜技術セミナーを開催
当社は、最先端の薄膜技術を研究者や技術者に広く伝えることを目的に第一線の講師を迎え、サムコ薄膜技術セミナーを国内外で開催しております。近年は特に海外での開催に力を入れており、昨年3月にはインド工科大学デリー校（IIT Delhi）でMEMS（微小電気機械素子）をテーマに、上海の復旦大学ではSiCパワーデバイスをテーマに開催し、いずれも高い評価をいただきました。
来る8月20日には、中国科学院 長春光学精密机械与物理研究所（長春CIOMP CAS）において半導体レーザ（LD）をテーマに開催いたします。日本からは東京工業大学 科学技術創成研究院長の小山二三夫教授、中国からは吉林大学の張大明教授、長春理工大学の魏志鵬教授、長春CIOMP CASの張星副教授にスピーカーを務めていただきます。定員は150名程度ですが、LDへの関心の高まりを背景にすでに多くの問い合わせを受けております。
※申込フォームは当社ホームページをご覧ください。 https://www.samcointl.com/

・7月24日（後祭）
表紙写真 ● 祇園祭の「山鉾巡行」（写真は前祭） 7月17日（前祭）
きっぷいり

えきじんじゃ

なごしさい

祇園祭こそ代表的な京の夏の風物詩。7月1日の吉符入から31日の疫神社の夏越祭までの1 ヶ月に渡って行われる日本を代表する祭りの一つである。この祭りは869（貞観11）年に全国に疫病が流行し、疫病退散を祈願したのが起源といわれる。動く美術館といわれる美術工芸品で装飾された山鉾の巡行に加え、旧家の伝来の宝物披露も行われる屏風祭もあり、毎年、全国から大勢の観光客も訪れる代表的行事である。
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Samco-Interview

プロフィール
学歴

1982年 大阪大学 工学部 電気工学科

1987年 大阪大学 大学院 工学研究科
電子工学専攻 博士課程 修了
工学博士

職歴卒業

1987年

大阪大学 工学部 電子工学科

2000年

京都工芸繊維大学 工芸学部
電子情報工学科 助教授

1996年 （英）オックスフォード大学
客員フェロー（6 ヵ月）

受賞歴

2004年

1987年 電子情報通信学会論文賞

1997年 Best Paper Award in 2nd Optoelectronics
and Communications Conference

2015年

2010年 応用物理学会光・電子集積技術業績賞（林巌雄賞）

京都工芸繊維大学教授

電気電子工学系

助手

京都工芸繊維大学 工芸学部
電子情報工学科 教授

京都工芸繊維大学 電気電子工学系教授

う ら

し ょ う ご裏 升吾 先生

今回のSamco-Interviewは、京都工芸繊維大学を訪ね、電気電子工学系の裏升吾教授に光集積デバイスのご研究についてお話を伺いました。
るものでした。数年もすれば結論が出ると考れらの出射光を導波路アレイに結合させる

光導波路を使った光回路とそれを用いたきてなかなか解決せず、現在に至っています。

側にレーザミラーを集積しておいて、導波光

外部の空間を伝搬する光を結合させる方法

くつかの注意点があります。一つは分布型素ングカプラ（Grating Coupler：GC＝回折格子ことです。導波路は光の波長サイズで済むた

す、外部を伝搬してきた光を導波路の中に入でできます。一方、グレーティングカプラは回るかという研究を行っています。

結合長が必要になります。そうすると幅も同▶ 裏先生のご研究についてご紹介ください。
デバイスの研究を続けています。光導波路とや素子にずっと関心を持っており、グレーティ結合器）を利用して導波路の光を外部に出れるということをどのようにすれば上手くでき▶ ご研究を始められたきっかけと現在に至る経緯についてご説明ください。

大学院の修士課程までは物性の研究室で超電導や電気伝導のある高分子などを研究えていましたが、さまざまな課題が次々と出てグレーティングカプラを使いこなすにはい子であり、光導波路径に比べて大きいという構成も検討されています。その際、光配線板励振条件でレーザ発振させられないかというものです。グレーティングカプラと集積する共振器を工夫すれば、結合効率を任意に設計できることが判ってきました。結合効率0%のめ、膜厚も1μmくらい、配線幅も3μmくらい

グレーティングカプラは、入射空間光を高効折を利用するため、数十μmから数百μmのることも判ってきました。結合効率100%で程度にしないと利用しにくく、細い3μmとかば、反射を90%、結合を10%にするというよ

10μmくらいの導波路に接続するためにはサイズ変換素子が必要になります。もう一つは光の入出力の方向です。応用上、光回路面に率で反射でき、レーザミラーとして期待できは、反射せずに全部導波路に入ります。例えうにレーザミラーと導波光励振を同時に実現する可能性を探っています。0%のグレーティ

ングカプラは、昔から知られている導波モー垂直に入出力することが望ましいのですが、ド共鳴（Guided-Mode Resonance：GMR）と垂直入出力が難しく、通常は垂直から傾斜しモード共鳴を利用したデバイスも手掛けてしていましたが、その研究室の教授が退官さグレーティングカプラは性質上、高効率での士課程から光の研究室に移りました。最初、て伝搬する空間光の利用を余儀なくされま

博士学位を取るためにグレーティングカプラために、グレーティングカプラと共振器を集積▶ ご研究が私たちの身近な生活へどう関わって結合が実現でき、チャネル幅と同じくらいのグレーティングカプラの研究の動機の一つれるということと勧めがあったということで博光のことを何も知りませんでしたが、3年間でを研究するようご指導いただきました。導波路では屈折率の高い所を光が通り、そこに細す。そこで、これらの二つの問題点を解決するした新しい形態を考案しました。高効率垂直類似していることがあとでわかり、今は導波います。

くるのかについてお聞かせください。

小さな開口で結合できるため、光配線に使えは光電子融合回路への応用であり、今も変80〜90%の結合効率が期待できます。のコンピュータ、情報処理システムですので、1997年か98年頃だったかと思いますが、性や角度選択性があり、光結合には高精度のは世の中のあらゆるところで役立つといって回路の産官学大型共同研究の模索が始まり、レーティングカプラに入射する光を自動的ににお声がかかりました。セットメーカが電気配めました。光配線板では送信側に面発光レーる光配線板の可能性を真剣に検討しようとすVCSEL）アレイを表面に搭載（実装）して、そかいパターンを描くと光が外に出ます。
「こんな面白いことができるんだ」と衝撃を受け、これを何とか世に出したいという思いがずっとモチベーションになっています。

電子で演算し光で送信するという光電子融合
博士課程の指導教官でした西原先生から私

線の限界を感じ始め、プリント配線板に換わvol.102 / 2018. JUL.

るのではないかと考えました。計算によると
しかし、グレーティングカプラには波長選択わっていません。光電子融合回路は高性能超小型に集積してシステムを作るということ位置合わせが常に問題となります。そこで、グも過言ではありません。スーパーコンピュー

導波路内へ導くことが可能な構造の検討を始

ワンチップにしたり、ロボットを作るときやAI

ザ（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser：

タを掌サイズにしたり、現在のコンピュータをを実現する、AIといっても学習だけではなく自分で考えて判断できるような、いわゆる次世代、次々世代の膨大な演算処理が必要なところに使えるのではないかと考えています。

特に思い出に残っていることは、阪大では一

もっと身近な生活への関わりでは、グレーティ

台の装置でCVDとエッチングに使える装置を

and Ranging：LiDAR＝光検出と測距）システム

つは、こちらに納入していただいたリアクティブ

ングカプラを使ったライダー（Light Detection

工夫して提供していただいたことです。もう一があります。最近ではホットトピックスになってイオンエッチング装置『RIE-10NR』ですが、電テムではレーザ光を走査（ステアリング）する素ようにしていただきました。こちらの要求に親使 われているバーコードリーダにもレ ーザスリーという印象が特にあります。

ラー（Galvanometer Mirror＝検流計の回転機とエッチングに使いました。RIE-10NRはシリコてレーザ光を走査するものです。その機械的動グに使っています。

光集積回路デバイスが検討されており、その光▶ 座右の銘をお教えください。となる可能性があります。グレーティングカプラ

ソンの “ Iʼ m a great believer in luck, and I ﬁnd

しますと、車やドローンの自動運転のほか、例えう名言があります。どれだけ頑張ったかによっ

ウェアに応用されるなどさまざまな用途に使うこで、座右の銘というほどではありませんが、私おり、世界中で研究されています。ライダーシス
子が用いられます。スーパーマーケットなどでキャナが用いられています。これはガルバノミ構を応用した走査ミラー）を機械式に回転させ作をなくし、mmくらいまで小さくしようとして、入出力素子としてグレーティングカプラが主役による超小型のビームステアリング素子が実現

ば、AR（拡 張 現 実）やMR（混 合 現 実）用 アイとができます。ビームステアリングを使った超小極に窓を開けてもらってレーザで膜厚を測れる身になってご協力いただき、ユーザーフレンド
阪大の装置はシリコン窒化膜（SiN）の堆積ン（Si）やシリコン酸化膜（SiO2）系のエッチン

アメリカ第3代大統領のトーマス ジェファー

the harder I work, the more I have of it.” と いてたくさんの運をつかむことができるということの信条に一番合っています。一生懸命研究し型のディスプレイは既に世の中に出ています

たからといって必ず報われるということもありまいった研究も2〜3年前から始めています。

ずに頑張れば運が向いてくるだろうということが、今あるものよりもさらに小さくできます。そう▶ 日頃のご研究において心がけておられることはどのようなことでしょうか？
・・・・・・・
いくつかありますが、一つは人がやっている・・・・・・・ことをやらないということです。研究目的は同せんが、落ち込んでも仕方がありません。腐らです。Never give upということが心の拠り所というところですね。

▶ 休日などはどのようにお過ごしでしょうか？
暇なし状態が多いのですが、時間があると庭じでも異なるアプローチを採用し、スペック競・・争を避けるようにしています。もう一つは騙さ・・・れないということです。研究では、設計、試作、の雑草抜きをしたり、ウェブやユーチューブをす。設計するには計算予測は必須ですが、計ど乗っていましたし、テニスや水泳、キャッチことになります。また、実験結果に騙されない公園の外周をよく回っていました。頭のスポー

評 価、検 証するスタイルをずっと続 けていま算結果に騙されないためには実験すればよいことも重要です。理論予測と同じような特性が得られた場合でも、本当に理論予測を裏付ける結果か、別の現象を捉えている可能性はな見たりしています。テレビはほとんど見ません
が、日曜囲碁対局はよく見ています。昔は体を動かすことも好きで、自転車は年間2,000kmほボールも好きでした。ジョギングも好きで万博ツとして囲碁や将棋、麻雀もよくしました。残念ながら、今はほとんどできていません。

いかを多角的に検証することを心がけていま▶ 最後にサムコに対して一言お願いします。とです。学生さんは経験の少なさから騙されるユーザーにすごく近く、何か困ったことがあれ告を受けるときは鵜呑みにせず、計算なら自分ウを開示しない会社もあると思いますが、サムす。もう一つは学生さんに騙されないというこ可能性は高くなります。計算でも実験でも、報先ほども申しましたが、サムコさんの印象はば相談に乗ってくださるというものです。ノウハ

で追試をしますし、実験なら条件等を詳細に聞

コさんはエッチングやCVDのレシピを親切に必ず立ち会い、本当に信頼できるデータを取っすが、この社風を今後も大事にしていただき、き取ります。初めての実験方法を試す場合はているか見極めます。ルーチンワークは他人に任せても、肝心なところは必ず自分の目で確かめるようにしています。

▶阪大や産総研でも弊社の装置をご使用いただきましたが、ご感想をお聞かせください。

教えてくださいます。一言というよりもお願いでそういう形で成長をしていただきたいと思っています。

お忙しいところ貴重なお時間を頂き、誠にありがとうございました。

3-4À la carte

京 の 銘菓・老舗 14
奈良時代に遣唐使が伝えた唐菓子の一つである
せ い じょうか ん き だ ん「 清浄歓喜団 」を今日も受け継ぐ400年の老舗。
亀屋清永の第17代当主・前川清昭さんに京御菓子司の暖簾を守り、新たに挑む「温故知新」の深き想いをお聞きしました。
このような通年の名品と共祇園さんに、季節の逸品も実に多彩 で す。たとえば、祇 園祭の時期に限定販売していた「祇園さん」。表面に八坂の御神紋と鉾の焼き印が施された京情緒あふれる銘菓として広く親しま

清浄歓喜団
星づく夜れてきました（現在、販売休 止）。これに替わって、京都の盛夏を彩る祇園祭でも名高い八女性客の間でも「涼やかで、可愛い!」と話坂神社。その壮麗な朱塗りの西楼門の石題になっているのが夏限定和菓子「星づく段下南に、元和3（1617）年の創業から約夜」。澄んだ青色に月と星がきらめく仕上げ

400年の歴 史を暖 簾に刻んできた京 御 菓で、ほのかに香るフルーツとレモンの爽やか子司の亀屋清永があります。江戸幕府はな味わいは、祇 園 祭のお土 産にも最 適で有職故実に則り、京菓子の伝統を守るためす。昨年、創業400年を記念して発売したに、安 政 4（1857）年に上 菓 子 司を248 軒「翔 ─ SHOU」も大 人 気。あんず、いちじくに限定。その中でも「禁裏御用達」を許さのドライフルーツを入れたひと口サイズの羊れて「京御菓子司」と名乗ることができたの羹で、ワインなどのお酒のおつまみにもぴったは、亀屋清永をはじめとする僅か28軒のみりです。第17代当主・前川清昭さんの座右でした。禁 裏 御 所 御 膳 所、諸 藩 諸 侯、社の銘は「温故知新」。

寺仏閣に出入りを差許され、代々積み重ね伝統を守りながら、常た多大の功績によって「和泉大掾」の称号に新たな和菓子づくを賜わり、苗 字 帯 刀を許されました。天 保りに思いを馳せていま13（1842）年の「御所巻物」（京都御所に提す。
「閃きを得た時が出した菓子のメニュー表）でも、当時「京御最 高に幸 せ …」と快菓子司」として亀屋清永が納めていた菓子

活に微笑みます。の名前を見ることができ、貞享2（1685）年にきょう刊行された京都の名所案内である古書『京はぶたえ羽二重』にも、菓子所の筆頭に亀屋清永の名が記されています。
奈良時代に遣唐使によって伝えられた唐からくだものの菓子は「唐果物」と称され、京菓子の起

京御菓子司『亀屋清永』

本店：京都市東山区祇園町南側534
TEL 075-561-2181
営業時間 8：30〜17：00
定 休 日 水曜日、不定休有源とされています。団子や餅を塩味で整え、油で揚げたもので、神饌や供饌として用いられ、貴族の饗宴で食されました。その一つが亀屋清永の代表的銘菓「清浄歓喜団」であり、千年余の古の姿を今日に伝えるこの菓子を作り続けているのは、その秘法を比叡山の阿闍梨より習った亀屋清永のみです。調製には必ず精進潔斎して臨みます。
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Technical-Report

液体原料を用いたタングステンのホール内埋め込み成膜【サムコ（株）開発部】

モノシラン（SiH4）の代替原料ガスとして弊社が提案している液体原料（以下､SN-2と記す）をタングステン(W)熱CVDプロセスにも適用し、コンタクトホール内へのタングステン埋め込み成膜を、SN-2を用いたプロセスで実現した。また、この成膜プロセスは弊社のプラズマCVD装置をベースとした熱CVDで行っており、反応室内に付着したタングステン膜は、プラズマを用いたドライクリーニングで除去可能である。
これによりSiH4 が使用できない環境において、SN-2を用いたプラズマCVDにより絶縁膜､保護膜としてのシリコン酸化膜（SiOx）、シリコン窒化膜（SiNy）の成膜が可能になり､さらにパワーデバイスの電極等を目的としたタングステンを容易に成膜することが可能となった。
■はじめにパワーデバイスのコンタクト電極として期待されている高融点金属であるタングステンはWF6とH2 を用いた熱CVDプロセスにより形成組成分析と溝構造への埋め込み性確認を行った。膜組成分析には走査型電子顕微鏡（SEM、JOEL製JSM-7600F）に付属しすることができるが、このプロセスの初期過程ではWF6と基板などのているエネルギー分散型X線分析器（EDX）を用いた。また、がエッチングされる結果、タングステンが下地材側に食い込んでしまうサンプルへのタングステン成膜状況を観察し、埋め込み性を下地材との反応が優勢で、タングステンが形成されるとともに下地材という問題が生じることが知られている。また、その解決策としてWF6とH2 に加えて微量のSiH4 を添加することで、下地材ではなくSiH4と同SEMで幅1 µm、深さ2 µm（アスペクト比2）の溝構造を持つ評価した。

図1はSi源の異なる各プロセスで得られたタングステン膜のWF6との反応によりタングステンの成膜が進行し、下地材へのタングEDXスペクトルである。いずれもWのピークが強く、プロセスは高圧ガス保安法の特定高圧ガスにあたるため、施設や周辺環境に認したSEM像で、両プロセスとも溝中央部にまだ隙間があるもステン食い込みが抑制できることが報告されている。[1]しかし、SiH4対する安全基準を満たす必要があり、大学などの研究機関では使用が困難な場合が多い。また近年では、巨大地震発生時のリスクを低減させるという観点から、非SiH4プロセスへの期待が高まっている。

このような背景から、弊社ではプラズマCVD成膜プロセス開発の一環として､すでにSiH4 の代替原料として液体原料であるSN-2を用いたLS-CVD®（Liquid Source-CVD）法によるSiOxとSiNy の成膜プロセスを開発した。これまでは、その他の液体原料であるTEOS（Tetraethylorthosilicate）を用いたSiO2 成膜や、当社が提案しているSN-1によるSiCN成膜を実施してきたが、いずれの膜種においても炭素混入が問題になる場合があった｡当社が提案しているSN-2は、上記のような炭素等の不純物混入はなく、SiH4 を用いた場合とほぼ同等の膜が得られるという優位性を有している。

このようなSN-2の特徴から、SN-2がSiH4と同様の役割を果たし、熱CVDプロセスによるタングステン膜形成が可能と考え、プロセス開発および評価を行った。

本検証ではWF6とH2 およびSN-2を用いてタングステンの成膜を行った。また、比較のためSiH4 を用いたプロセスでの成膜も実施しῧຍ䜺䝇䛷䛾EDXẚ㍑䠄SiHた。
成膜装置には、弊社のプラズマCVD装置PD-220NLを検証用に
4䛸SN-2䠅
24000

SiH4W䛾䝢䞊䜽

18000

24000

12000

6000

6000

2.00

4.00

keV

6.00のの、タングステンの側壁上部と下部の膜厚は同等であるため、成膜時間を延ばすことで完全に溝内を埋め込めることは可能であると考えられる。このように埋め込み性にはほぼ差異がないことが確認されたが、SiH4 に比べてSN-2から得られたタングステン膜は表面形状が滑らかで凹凸が少なくなるという点が異なっていた。
■まとめプラズマCVDによるSiO2 膜やSiN膜の成膜プロセスと同様に、熱CVDによるタングステン成膜においてもSN-2がSiH4 の代替原料となり得ることが確認された。また、同装置でのプラズマによるドライクリーニングにより、反応器内に付着したタングステンを除去することが可能である。今後さらに開発を進め、パワーデバイスや他の市場への提案を実施する｡■謝辞
た関東電化工業株式会社に感謝の意を表する｡■参考文献[1] 伊藤 仁，日本金属学会会報 第28巻 第1号(1989) P48-54

SN-218000

12000

00.00

間で大きな差異は認められない。また、図2は埋め込み性を確

本実験を実施するにあたり、WF6ガスを提供していただい■熱CVDによるタングステンの成膜と評価

Counts改造したものを用いた。また、タングステン膜の評価として、膜

8.00

10.00

00.00

2.00

4.00

keV

6.00

8.00

10.00

ᮏ㈨ᩱ䛷䛤ᥦ౪䛩䜛᝟ሗ䛻䛿䝃䝮䝁䞞䛾䝜䜴䝝䜴䛜ྵ䜎䜜䛶䛔䜎䛩䚹↓᩿䛷ᙜヱ᝟ሗ䛾㌿⏝ཪ䛿➨୕⪅䜈䛾㛤♧₃ὤ䜢⾜䜟䛺䛔䜘䛖䛚㢪䛔⏦䛧ୖ䛢䜎䛩䚹※サンプル提供元：国立研究開発法人産業技術総合研究所
図2 Si源の異なるプロセスで成膜したタングステン膜の埋め込み性（左：SiH4, 右：SN-2）

図1 Si源の異なるプロセスで成膜したタングステン膜の膜組成（左：SiH4, 右：SN-2）

1

2018年 7月発行

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