③整理_RunLog_2301XeMS2_230123.xlsx1_RunLog

2301Xe-MS2

129Xe35+ 35.7MeV/u AVF_18G max 1pnA

Run Summary Sheet : CAMAC & LabView
AttFnamestart

bef-

実験前無し
実験中：Beam調整時

23/01/20
CapstopHeader

ZnSスポット調整
123
456
7

4:01:00
4:06:00
4:15:00
4:22:00
4:51:00
4:58:00
5:32:00

コメント

Ender / LogNote
Elapsepg.
LogNote: E5exp(10)_100 10 532Trig

Wob AuF Kap IC1

PL1 ED

PL2
IC2 Air1 Air2
SSD

p.70

Cap01_Zsld
Cap02_Qdef
Cap03_WobR
Cap04_QdefSpot
Cap05_QdefでΦ10Cap06_Au４枚
Cap07_Gaf02

mpg
mpg

MaxBeam

Gaf焼き

Gaf:: EBT3 □85x85mm @ Ysld
p.50
Att vs IC2@Air2Gaf
1 5:25:00
Au 15.55u R=0 IC2=INだった
2 5:32:00
Au 9.74u R=0 IC2=INだった3
Au 5.81u R=0 IC2=INだった4
Au 21.40u R=0 IC2=INだった
p.51
5
Au 15.55u R=0 再測定
6
Au 9.74u R=0 再測定
11 6:00:00
Au 9.74u R=20
12
Au 9.74u R=25 <-- コレ本番用に決定
13
Au 無し Qdef
14
Au 無し Qdef R=20
15
Au 9.74u R=30
16
Au 9.74u R=15
p.72
PL HV： 利用「前」plhv011 7:00:27 7:00:53 plhv01-01 PL1=25u PL2=100u 800,800V
2 7:01:50 7:02:27 plhv01-02 900,900V
3 7:03:14 7:03:58 plhv01-03 1000,1000V
4 7:04:49 7:05:47 plhv01-04 1100,1100V
5 7:06:23 7:07:50 plhv01-05 1200,1200V
p.72
回路調整
7:10:00
p.72
scnEDic： ExpR 確認
手動でラフに Peak searchscnEDic01_202301200728
ラフscan : 30s x 13点 -> 8点目で落ちた
7:28:00 7:34:00
scnEDic02_202301200737
本番scan : 30s x 43点 -> 30点でstop
7:37:00 7:57:00
p.73
scnEDic03_202301200809
PL1無し Rng Diff : 30s x 43点8:09:00 8:26:00

IC2[A]
1.2-8

Q軸OK散乱層ZnS はみ出し無し
R=20,25,30,25,20,15,10,25,20,0
Qdefでφ20 TQ3 -7A+ステアラで上流Q軸調整後、再度φ10挑戦
15.5u, 9.74u, 5.81u, 21.4um

25uΦ400 2 0 0 1
40Ar95MeV/uパラメータで0 2 0 0 1

Fulll : RRCout 23enA
EBT3(>100u厚)でもRange大丈夫だった

0 2 0 0 0
0 3 0 1 10 0 0 0 0 FC5A1= 22.5 enA

×0 3 0 1 1
30sec 当初の本命は15.55u だった
25sec
20sec
45sec IC2(Gafの上流)がINだったのに気付く
40sec
35sec 入：IC2有/無の差は殆ど無いので再測定はここでヤメ
35sec Au 9.74umを本命とする
0 3 0 1 1
35sec
30sec Bm芯がはっきり見えた
0 4 0 1 1
20sec 偏った円になった
0 3 0 1 1
35sec
35sec DAC1がマイナスなので、縦長楕円：使えない
PL1=PL2= 1.3kcps 2 2 0 0 2 PorS(0) R36 45.8 〇 〇0:00:26 PL1=25u(2201Xe used) PL2=100u(EJ208 2212Kr used)
0:00:37
0:00:44 25um 100um Coin 100% OK
0:00:58 25um でも十分PHあり
QDC gate もOK（決定） HV PL1=1100V 230uA, (PL2=1100V)（決定） Thr PL1= -300mV, PL1peak= 700～1000mV PL1low = 2000mV(～1/3peak)ED～165uでPeakらしい
IC1～IC2= 5-8A

100 1500u

IC2@Xclmt

100 0uPL2@Air2IC2@Air2PL2@IC2下流〇〇〇〇var

0 2 0 0 0 ～〇 〇0 4 0 0 3(決定) PL[cps]= 1.365E+13 * IC1[A], 実測/予想= 1.15 >1 になった！？

〇〇〇0u

45.8 〇〇

100 0uPL2@Air2〇〇〇

SSD@Air20 2 0 1 2〇

×0:06:00
0:20:00 (決定) ExpR= 262um
PL25umトル AlMyダミー取付け
0:17:00 PL25um ～ Al20um だった

scnAtt： IC1 vs PL1
scnAtt01_202301200843
8:43:00
scnAtt011 8:43:27～31 9:09:01

p.74
0:26:00

8:43:57 scanAtt001 Mul 200

0:00:30

9:09:33 scanAtt031 Mul 80000

0:00:32

ダブリ点多いPL HV： ビーム調整「後」plhv02-1234
5

9:13:57
9:15:199:16:50
9:18:40
9:20:33

PL1 290uA

9:09:00 Step = 1/2, /4, /6, /8, /10p.75

9:14:53 plhv02-01 after 800V,800V
9:16:20 plhv02-02 900,900V
9:18:00 plhv02-03 1000,1000V
9:20:02 plhv02-04 1100,1100V
9:21:48 plhv02-05 1200,1200V

PL1=PL2= 3kcps
0:00:56 PL1: 1100V Pk 800ch -> 600ch
0:01:01 PL2: 1100V Pk 750ch -> 450ch
0:01:10 劣化激しそう
0:01:220 4 0 1 3 PorS(0) R36

scnEDssd
scnEDssd01_202301200956

p.75
30s x 29点

Ecal用

PL 6K, Sor 600cps, Trig=AND

1 9:56:56 9:57:25 scanED001 0.0 um～ん？ 20umも２山？
22 10:12:21 10:12:49 scanED022 217.1 um
scnEDssd02_202301201028
30s x 23点
ED厚さcal用scnEDssd02同上 setup
1 10:29:24 10:29:51 scanED001 0.0 um～20 10:45:31 10:45:59 scanED023 175.7 um
23/01/20
10:45
ビーム調整終了, MS-2終了
aft無し

0:00:29 HV： 110V(1.90uA) 140(1.76) 20(1.59) 120(3.08)
SAmp(Att)： x20x5(8), x100x6(0), x100x8(0), x20x8(0)0:00:28
p.75
同上
0:00:27 同上
0:00:28

加速器E測定： タマキ、小山
23/01/20
以上。

0 4 0 1 2 PandS

150-300,20-700: Xe_set 遮光膜あり Shp=0.5us HVnrm

scnEDssd01-

8:50:00

E(Kr) = 35.58 MeV/u (15enA)

p.84

利用前・加速調整中に測定

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