第６回知的財産翻訳検定試験【特許請求の範囲】【請求項１】ＳＣＯリンク、メモリを含んで構成されるブルートゥースモジ
ュールにおけるリアルタイムデータの補正方法において、前記ＳＣＯリンクから送られた外部からの受信パケットのリアルタイムデータを前記メモリに保存しながら受信したパケットの欠落を検出し、前記パケットのデータに欠落が生じている場合に、欠落したパケットの前後のパケットのデータのそれぞれと、以前に送られてきたパケットの１つ間を空けた２つのパケットのデータのそれぞれとの相関を調べ、欠落したパケットの前後のパケットのデータと類似したパケットのデータを探し、見つけ出した２つのパケットの間のパケットのデータを、前記欠落したパケットのデータとして補完することを特徴とするリアルタイムデータの補正方法。
【請求項２】
前記類似したパケットのデータを探す際の比較の方法として、差分の二乗値を積算する方法を使用することを特徴とする請求項
１または２記載のリアルタイムデータの補正方法。
注）SCO は Synchronous Connection Oriented の略です。

１級／電気・電子工学

標準解答

Claims1.
A method of correcting real-time data
in a Bluetooth module having a structure
including an SCO link and a memory, the method
comprising the steps of:detecting dropouts in each of received
packets transferred from the SCO link, whilestoring the real-time data included in thereceived packets in the memory;
examining, when a specific packet is foundas having dropouts of data, correlations between
data in packets before and after the specificpacket having the dropouts and corresponding datain two previously received packets straddling anarbitrary packet to find data in two packets
similar to the data of the packets before andafter the specific packet having the dropouts;
andsubstituting data of the arbitrary packet
straddled by the two previously received packets
found to be similar to the data of the packets
straddling the specific packet having thedropouts for the data of the specific packet.
2.
The method of Claim 1, wherein theexamining step uses a method of accumulatingsquare values of differences to find data in twopackets similar to the data of the packets
straddling the specific packet having thedropouts.

【従来の技術】【０００１】
近年、マイクロマシニング技術を用いた高周波デバイスである、いわゆるＲＦ－ＭＥＭＳデバイスが注目されている。本技術では、高アスペクト構造やメンブレイン構造を作製できるため、安価なシリコン基板上に高周波回路を作製しても基板の影響を受けにくく、従って、低コストで高性能な高周波デバイスが期待できる。また、近年、高周波用のシリコンＣＭＯＳ回路において、その使用可能な上限周波数がＧＨｚ帯まで伸びており、シリコンのＣＭＯＳ能動回路とＲＦ－ＭＥＭＳ受動回路を一体化することによって、高周波用モジュールの高機能化と小型化が期待されている。

【０００２】
高周波受動回路素子と、能動回路である半導体素子とを一体化する方法は、両者を同一基板上に形成するモノリシック手法と、素子の何れか一方を他方に実装するハイブリッド手法がある。各手

Background art[0001]
RF-MEMS (radio frequency micro-electromechanical systems) devices, which are highfrequency devices using micromachining
technology, have received widespread attention inrecent years. Since this technology can fabricate
high-aspect-ratio structures and membranestructures, even when high-frequency circuits arefabricated on low-cost silicon substrates, they
are not easily influenced by the substrateproperties. Therefore, this technology isexpected to be capable of producing low-cost,high-performance, high-frequency devices. In
addition, the upper frequency limit at which
high-frequency silicon CMOS (complementary metaloxide-semiconductor) circuits can be operated has
been increasing in recent years and has now
reached gigahertz band. Therefore, theintegration of silicon CMOS active circuits and
RF-MEMS passive circuits is expected to allow
fabrication of high-frequency modules withgreater functionality and more compact size.
[0002]
Methods of integrating high-frequency
passive circuit devices with semiconductor
devices forming an active circuit include amonolithic method in which both types of devices
are formed on a common substrate and a hybrid

法において長所、短所があるが、高周波装置では、受動回路素子がかなりの面積を占めるため、モノリシック手法では全体サイズが大きくなってしまう。また、１０ＧＨｚ以上の高い周波数帯になると、能動回路で使われる低抵抗シリコン基板が、受動回路側
では損失の原因となり、モノリシック化には問題があった。

注記

RF-MEMS は Radio Frequency Micro-Electro-Mechanical-Systems の略です。

method in which one type of device is fabricatedon top of the other. Each method has advantages
and disadvantages. The monolithic method,
however, results in an integrated device oflarger overall size since a relatively large area
is occupied by the passive circuit devices in ahigh-frequency device. In addition, a circuit
fabricated with the monolithic method has anotherdrawback: namely, a low-resistance siliconsubstrate used for the active circuit may cause
loss in the passive circuit in a frequency bandof 10 GHz or higher.

【実施例】【０００１】
以下、本発明の実施例を構成図１に基づいて説明する。ここで、従来の制御装置に加えているのは、動作パルス判定部６である。
また、記憶部１、補間演算部３も従来のものとは以下に述べるように若干異なる機能を有する。動作ティーチ時に高軌跡モードであることが記されたインストラクションであった場合、動作パル
ス判定部６に、各軸の動作指令パルス値が、補間計算部３から送られる。動作パルス判定部６では、前記送られた各軸指令パルスとあらかじめ設定されているパルス判定値Ｐｃとを比較し、Ｐｃより大きければ、通常の動作をする。逆に、Ｐｃより小さけれ
ば、動作パルス判定部６は、補間計算部３に対してＰｃより小さかった軸名と、再補間計算要求を出力する。

Embodiments[0001]
An embodiment according to the present
invention is described below with reference toFIG. 1. In this embodiment, an operation pulse
determining unit 6 is added to the control
apparatus of the related art. Also, a storing
unit 1 and an interpolation operation unit 3 haveslightly different functions from those used in
the apparatus of the related art, as described
below. When an instruction in which a high-locus
mode is described is given during an operationteaching, an operation instruction pulse value
for each axis is sent to the operation pulse
determining unit 6 from the interpolation
operation unit 3. The operation pulse determining
unit 6 compares the received operation
instruction pulse value for each axis with apredetermined pulse determining value Pc, andperforms a regular operation when the received
operation instruction pulse value for each axis
is greater than the predetermined pulse
determining value Pc. In contrast, when thereceived value is smaller than the value Pc, theoperation pulse determining unit 6 outputs thename of the corresponding axis and aninterpolation retry request to the interpolation
operation unit 3.