2007年第4回知的財産翻訳検定＜和文英訳＞
化学分野 標準解答【問 1】【請求項１】
芯材の片面に犠牲陽極材をクラッドし、他の面に中間材を介してろう材をクラッドしてなるアルミニウム合金の４層構造のクラッド材であって、芯材は、Ｍｎ：０．８～１．８％（質量％、以下同じ）、Ｍｇ：０．１～１．０％を含有し、残部Ａｌおよび不可避不純物で構成され、犠牲陽極材は、Ｍｎ：０．８～１．８％、Ｚｎ：０．５～１０％を含有し、残部Ａｌおよび不可避不純物で構成され、中間材は、Ｍｎ：０．８～１．８％を含有し、残部Ａｌおよび不可避不純物で構成され、ろう材は、少Ｓｉ：６～１３％を含有し、残部Ａｌおよび不可避不純物で構成されることを特徴とするろう付け性、耐食性および熱間圧延性に優れた熱交換器用アルミニウム合金クラッド材。

1. An aluminum-alloy cladding having afour-layer structure for heat exchangers,
having excellent brazing ability, corrosion
resistance, and hot rolling ability,
comprising, on the basis of mass percent:a core comprising 0.8-1.8% Mn and0.1-1.0% Mg, the balance being aluminumand incidental impurities;
a sacrificial anode cladding layer on one
surface of the core, the sacrificial anodecladding layer comprising 0.8-1.8% Mn
and 0.5-10% Zn, the balance beingaluminum and incidental impurities;
an interlayer on the other surface of thecore, the interlayer containing 0.8-1.8%
Mn, the balance being aluminum andincidental impurities; anda brazing filler metal on the interlayer,
the brazing filler metal comprising 6-13%
Si, the balance being aluminum andincidental impurities.
(114 words)【請求項２】
前記中間材が、さらに、Ｓｉ：０．７～１．１％、Ｆ
ｅ：０．５～１．０％、Ｃｕ：０．８％以下、Ｚｎ：０．５～１０％、Ｎｉ：０．１～１．０％、Ｃｒ：０．０２～０．
３％、Ｚｒ：０．０２～０．３％、Ｔｉ：０．０５～０．３
５％のうちの１種または２種以上を含有するが、ＣｕとＺｎとは同時に含有しないようにしたアルミニウム合金で構成されることを特徴とする
請求項１記載のろう付け性、耐食性および熱間圧延性に優れた熱交換器用アルミニウム合
金クラッド材。

2. The aluminum-alloy cladding according
to claim 1, wherein the aluminum-alloy
interlayer further comprises at least oneof 0.7-1.1% Si, 0.5-1.0% Fe､0.8% or lessCu, 0.5-10% Zn, 0.1-1.0% Ni, 0.02-0.3% Cr,
0.02-0.3% Zr, and 0.05-0.35% Ti, with theproviso that Cu and Zn are notsimultaneously contained. (48 words)

【請求項３】
芯材と中間材、犠牲陽極材およびろう材との間変形抵抗の比、（ろう材の変形抵抗／芯材の変形抵抗）、（中間材の変形抵抗／芯材の変形抵抗）、（芯材の変形抵抗／犠牲陽極材の変形抵抗）が、０．７～１．４であることを特徴とする請求項１～２のいずれかに記載のろう付け性、耐食性および熱間圧延性に優れた熱交換器用アルミニウム合金クラッド材。

3. The aluminum-alloy cladding according
to either claim 1 or 2, wherein the ratio of
deformation resistance of the brazing
filler metal to that of the core, the ratio of
deformation resistance of the interlayer tothat of the core, and the ratio of
deformation resistance of the core to thatof the sacrificial anode cladding layer eachrange from 0.7 to 1.4. (62 words)

【問 2】【０００２】

Carbon nanotubes (CNTs), which are tubular

カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）は、炭素原子でmaterials composed of carbon atoms and having構成され、ナノメートルオーダーの直径を有する

a diameter of nanometer order, have been

チューブ（筒）状の物質であり、次世代のナノ材

attracting

料として注目を集めている。ＣＮＴは、アーク放

nanomaterials. CNTs can be formed by, for

電法、レーザー蒸発法及び化学蒸着（ＣＶＤ）法

example, arc discharging, laser ablation, orなどによって形成される。また、日本特許第３１

chemical vapor deposition (CVD).

８３８４５号明細書には、炭化珪素を真空中で１Patent No. 3183845 discloses formation of a２００～２２００℃に加熱することによりカーボ

carbon nanotube film by heating silicon carbide

ンナノチューブ膜が形成されることが開示されてto 1200 to 2200 degree C in vacuo. (64 words)

attentionasnext-generation

Japaneseいる。
【０００３】

CNTs are categorized into single-walled CNTs

ＣＮＴには、一枚のグラファイトが筒状に巻かれ(SWNTs), which have a cylindrical structure

た構造を有する単層ＣＮＴと、単層ＣＮＴが同心

composed of a single graphite sheet, and

円状に多層に巻かれた構造を有する多層ＣＮＴとmultiwalled CNTs, which consist of multipleがあり、単層のＣＮＴは、グラファイトの螺旋度concentric graphite layers.

(chirality)によって異なる導電性を示す。具体的にCNTs have different conductivities depending on

は、単層ＣＮＴは、巻き方によって、アームチェ

the chirality of the graphite nanotubes.

ア型、ジグザグ型、キラル型等に分類される。こSWNTs are classified into armchair forms,のうちアームチェア型ＣＮＴは金属伝導性を示

zigzag forms, and chiral forms. The armchairす。ジグザグ型やキラル型のＣＮＴには、その螺forms have metallic conductivity, whereas the

旋構造に依存して、半導体のような性質を示すもzigzagのと金属伝導性を示すものとがある。

semiconductivity

andThe single-walledchiralforms

ormetallic

may

The

show

conductivity,depending on their chiral structures. (77 words)【０００４】

Since semiconducting CNTs (hereinafter, carbon

半導体のような性質を示すＣＮＴ（以下、「カーボnanotube semiconductors) have an electron

ンナノチューブ半導体」という）は、シリコンのmobility that is 10 times higher than that of

電子移動度よりも１０倍高い電子移動度を有し得

silicon, they are likely to realize ultra-high

るため、カーボンナノチューブ半導体を用いると、 performancedevicescomparedwith

従来のシリコンデバイスよりも極めて高性能のデ

conventional

silicondevices.

Furthermore,バイスを実現できる可能性がある。また、カーボ

combinationsofcarbonnanotube

ンナノューブ半導体を有機分子などと組み合わせ

semiconductors and organic molecules mayて用いることによって、新規の分子デバイスを実make novel molecular devices a real possibility.

現できる可能性もある。

(50 words)

【問 3】【００３１】
実施例１
好気性硝化グラニュールを１．５ＬビーカーにＭＬＳＳとして２５００ｍｇ／Ｌとなるように入れ、アンモニア性窒素を１５０ｍｇ／Ｌとなるように添加して実験を開始し、経時的に硝酸性窒素の濃度を測定して硝化速度を算出した。実験における溶存酸素濃度は、各ビーカーで０．２、０．５、１、２、３、５、８、１０、１５ｍｇＯ／Ｌとなるように設定し、反応液中の溶存酸素濃度を計測しながら空気、窒素、酸素を供給して調整を行った。温度は２０℃で実施した。

EXAMPLE 1

Aerobic nitrifying granules were placed
into each of nine 1.5-L beakers in a mixed
liquor suspended solids (MLSS)
concentration of 2500 mg/l, and thenammonia nitrogen was added so as to be
150 mg/l. The concentration of
nitrate-nitrogen was periodicallymeasured to determine the nitrifying rate.
The dissolved oxygen levels in the beakers
were maintained at 0.2, 0.5, 1, 2, 3, 5, 8,10, and 15 mgO/L, respectively, by
supplying air, nitrogen, and oxygen while
the dissolved oxygen levels in thesuspension were monitored. The
reaction temperature was 20°C. (91words)【００３２】
好気グラニュールの硝化速度に及ぼす溶存酸素濃度の影響を調べた結果を図２に示す。図２から分かるように、反応液中の溶存酸素濃度が高いほど硝化速度が向上することを確認できた。また、０．５ｍｇＯ／Ｌ（溶存酸素濃度）以上であれば１０ｍｇＮ／Ｌ・ｈｒ（硝化速度）程度以上の速度が得られること、および酸素を使用して８ｍｇＯ／Ｌ（溶存酸素濃度）以上に調整しても硝化速度の向上が認められないことを確認できた。

Fig. 2 shows the dependency of thenitrifying rate of aerobic granules on thedissolved oxygen content. The nitrifying
rate significantly increased with thedissolved oxygen content. A dissolved
oxygen level of 0.5 mgO/L or more led to anitrifying rate of 10 mgN/L･hr or more.
The nitrifying rate did not increase any
more even when the dissolved oxygen
level was enriched to 8 mgO/L or more by
the supply of oxygen. (73 words)