2024/3/17 15:54①準備_手順書.xlsx 手順Bm調

2206Kr

手順書： Beam出し編
優先予定順位 (実際)WobElapse

Kr用

Au IC1 PL45.8

PL1前clm 100#12206交換◎必須 ○やる △Skip可能 ×やらない06/28(火)
hh:mm

mm:ss

直前回：2201Xe、同ビーム前回：2201Kr

散乱槽 上Φ30 下Φ40
上1:Au45.8(Kr), 上2:Au73.0(Ar),上3: Au2.5(Xe) ,ED
ED Xclm Xsld PL2Trig Att Att Log
出clm
IC2/SSD 100#2
cps 調整 100 10 5 3 2 下1:EJ440 裏, 下2:Au5
2206交換
Air1= 145
2 4 1 1 3 18G-ECR (Gas用)～RRC <--今回SsdTrg~300
Air2= 200
3 3 1 0 4 Hyper-ECR(Metal用)～RRC
PL Trg~1000
5 1 0 0 3 RILAC2(28G-ECR)～RRC
Trig=PL(SsdOr抜く) =Ssd(PL抜く)
84Kr31+ 70MeV/u 18G-ECR max 1pnA
AVF 12.3MHz(81.3ns) h=2 <- RF

加速器調整準備
Qmag電源切替(リモート), FC5A1=Ope用, 生物制御盤OFF, PCope設置, Gaf準備

〇〇
☓
☓〇
☓

RRC 24.6MHz(40.7ns) h=5

北壁: レーザ->BmDmp, GVopen, FC,Au,Edeg=out, Zsld:ZnS=Air2 照明OFF
前回 2203Kr 1pnA
オペレータ： Beam Spot ZnS調整
前回値
AttZnS＝ 0 3 0 1 1 <- ZnS Focus の時× × × ××0×× Zsld:ZnS
AttMax＝ 0 0 1 0 0 <- 許可最大ビームの時
オペレータ： Full Beam FC値 --> Att 最大設定 を確認
Kr: C135のR=36.0 DAC1,2= 0.5593 0.6379
GecoLog=ON, AxisLog=ON
6:00 スタート BeamSpot確認(1) 画像で03:00 遠： ZnS Z＝-100～0～+200 ： Beam軸確認(1) Z方向サイズ変化
Att記 0 3 0 1 1 Z=71が 145+Air2:200=345位置
× × × ××0×× ZnS Z=var Cap1 @ Zsld
03:00 遠： ZnS@Air2 ： TQ振る 1発1Aで縦横数発 ： 軸確認(2)同上× × × ××0×× ZnS Z=Air2 Cap2 @ Zsld
00:00 遠： 散乱槽ZnS=IN ： TQ数発振る ： 軸確認(3)
同上で大丈夫 散乱槽ZnS Φ40 ではみ出ていないか？
Cap# @ 散乱槽× ZnS × ××0×× ZnS
00:00 遠： Wob=ON ： Wob半径確認 ゆっくりと；Wob磁場安定するまで
0 2 0 1 0 WobR= 36, 30, 25, 20, 15, 10 の後戻る
Cap# @ Zsld
var × × ××0×× ZnS
05:00 遠： 散ZnS=IN, WobR, Au = 本命設定 ： Bm切れ確認
0 2 1 0 0 Beamが切れていないか？
Cap3 @ Zsld & 散乱槽
本命： Woｂ R=36, Au 45.8um
R36 48 × ××0×× ZnS
00:00 遠： 散ZnS=Out ： 照射条件確認
0 2 1 0 0
Cap# @ Zsld
R36 46 × ××0×× ZnS
00:00 悩み猶予

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2024/3/17 15:54①準備_手順書.xlsx 手順Bm調2206Kr

手順書： Beam出し編
優先予定

順位 (実際)WobElapse

Kr用Au IC1 PL45.8

PL1ED

前clm 100#1

直前回：2201Xe、同ビーム前回：2201Kr

ED

Xclm Xsld

出clm

PL2Trig

IC2/SSD 100#2

cps

6:11 BeamSpot確認(2) Gaf Film で15:00 入： 除： Zsld ZnS, 付： XYsld Gaf @Z=Air2, Xsld2+IC2=Gaf上流側〇〇
◎ 重点
◎ 重点
◎ 重点
◎ 重点
◎ 重点
×05:00 遠： IC2=IN： ZnS の電流量を記録

OFF Au45.8×03:00
OFF AL960
×03:00OFF AL386×03:00
OFF AL50×05:00
R32 Au45.8×03:00
R34 Au45.8×00:00 入： 除付：Gaf6枚交換
03:00

×××××000000××××××

IC2=IN, Gaf=Out××××××××××××××××××

散乱槽 上Φ30 下Φ40
上1:Au45.8(Kr), 上2:Au73.0(Ar),上3: Au2.5(Xe) ,Att Att Log
調整 100 10 5 3 2 下1:EJ440 裏, 下2:Au5
Gaf(EBT3): ZnS強度@BeamSpot x ~1/100 で数10sec

前回値

感光時間

Gaf=Out : Y= -100(Home)

IC2電流値記録
Att記 0 4 0 0 1 = 2.1-8 /2 = 1-8 A
Gaf焼01 ~30sec
Au本命
同上
Gaf焼02 だんだん
O.D. 薄めで！
同上
Gaf焼03 短時間に''同上
Gaf焼04''
同上
Gaf焼05 ~60sec
R=36(本命)は、大き過ぎ？疑惑のチェック
同上
Gaf焼06 ~60sec''

00:00 悩み猶予

6:51 核反応生成物測定

×〇(トイレ休憩）×

一番強いビーム ZnSのx10, Gafのx100倍
PL1は使用済み品にする
Att記 0 1 1 0 2 Si板中飛程=0.75mm 相当 ED厚で照射00:00 入： 除： Gaf 付： IC1, PL使用済品, 遠：ED=0〇〇×〇off

SET××

新品BmDmp@Air2

00:00 照射

ED=128B = 18422.8um

00:00 悩み猶予

6:51 PL1 HV-bef
10:00 入： 除： Gaf 付： IC1, PL1, IC2@Air2=out, PL2@IC2下流, 遠：ED=0R36〇45〇×1000××IC2out 100

10:00 PLHVscn(1): PL 使い始め PL1=100u#1 PL2=100u#2

PL: HV=700,800,900,1000 CamRun分けて 60s 手動操作,※ PL1_HVは、低めで高レート対応。但し、劣化してもDscr超程度で00:00 入： 交換： PL1=500u#1, PL2=500u#2
00:00 PLHVscn(1): PL1=500u#1, PL2=500u#2×05:00 回路チェック PL, PL2
今回は再現性checkのみ

Att記 2 2 0 0 1 PL ~3kcps : ZnS x ~1/1000
plhv01
PorS=0 ~0.5K～60secx4点

plhv02

Dscr, dB記

調：PL: HV=min～maxの範囲で, Dscr確認 Ringging 無いか?
調：QDCgate確認、Qplスペクトル見ながら QAtt決定
00:00 悩み猶予

3 / 14

PL2でも 同HVでPH違いを確認

2024/3/17 15:54①準備_手順書.xlsx 手順Bm調

2206Kr

手順書： Beam出し編
優先予定順位 (実際)WobElapse

Kr用Au IC1 PL45.8

PL1ED

前clm 100#1

直前回：2201Xe、同ビーム前回：2201Kr

ED

Xclm Xsld

出clm

PL2Trig

IC2/SSD 100#2cps

散乱槽 上Φ30 下Φ40
上1:Au45.8(Kr), 上2:Au73.0(Ar),上3: Au2.5(Xe) ,Att Att Log
調整 100 10 5 3 2 下1:EJ440 裏, 下2:Au5

7:16 ExpR測定
10:00 遠：IC2in X=0 (PL1,PL2=HV off PL2=INのままで良い）〇 〇 〇 × 〇off
var××IC2 〇off
03:00 Beam強度調整
測30s
scnEDic01
50点 30sec〇 精密測定 0:25:00 scnEDic(トイレ休憩）
前回：#29で落ち始め、#38でRange、#42でStop
00:00 Excel作業： ExpR fit〇IC1~IC2 = 5E-8A程度

1 1 0 0 0 前回は IC1,2~1.3E-7でやった
ExpR=um (決定）00:00 悩み猶予

7:54 Flux較正 IC1 vs PL1/PLanu vs PL2
05:00 Beam強度調整〇 〇 〇 × 〇on
0×××
Opeに任せて： 1/2, 4, 8, 10 を繰り返す 1/10を入れる時は素早く！
測30s
20点 30sec〇 精密測定 10:00 scnAtt
前回：#29でIC1=BGlev Stop
00:00 Excel作業： IC1 vs PL1 fit××

Att=PLへたる強度に調整
Att Start= 1 0 0 0 3 PLovf ~ 4.5Mcps, IC1=9.7E-9A から(PL Run有)Att End= 1 3 0 0 3 PL～100kcps まで
scnAtt01 PorS=0 TrigPL= 1/f=999 にする

00:00 悩み猶予

8:09 PL-HV after 劣化測定
00:00 遠： ED=0, TrgPL 1/f トル〇×〇〇×〇on0××

00:00 PLHVscn(2): PL 重照射後×
PL2無×plhv02

Att記 2 3 0 0 0 同上 PLHV01設定で 次回までに交換品必要か？
PorS=0 ~1K

PL: HV=min～max CamRun分けて 60s 手動操作
8:09 E測定
00:00 入： 交換： IC2HV=off, IC2 ->SSD SSDcur記録〇〇〇×◎ 重点10:00 回路チェック(2) SSDのみ

◎ 重点
◎ 重点

34:40 Edeg厚さ較正用〇onvar×× P^STrigPL= 1/f=999 トル~300 Att記 1 4 0 0 0 PL 5k, Sor 500cps

X=0

調：ADCgate確認、EssdスペクトルOKか？
21:20 E較正用（Ar-Gain）

×

SSDin

52点
32点

40sec
40sec

Discri下げる：Xe用に
測30s
測30s

Dscr, dB記

scnEdssd01
scnEdssd02

00:00 悩み猶予

8:53 Beam調整終了

×

入： 除： SSD, 架台交換 変更： FC5A1 SW切替, GecoLog切替保存

最後なら、生物 制御盤=ON, TMP=ON

4 / 14

Kr-gainでAr-gainで

①準備_手順書.xlsxchk準備2206Kr照射準備 check sheet
済

memodate
検出器動作確認/IC1, IC2
pA電池テスタで確認。生物制御盤＝OFF。BG-Level < １0^-9 A 以下/
PL
BGで、QDCgate, スペクトル確認。
/
SSD
Pulser較正DynamicRange, Att設定。確認：ADCgate、SA:DC, PolZ, TFA:noise, PolZ/
RF
Elv前で、AVF-RFを分岐。信号来ているか？Dscr調整。Hz確認。
/
BeamChop
Lv_nfWF 動作確認。OpeにChopper信号 ON/OFF Duty確認して貰う。
DAQ動作確認/
DAQ系
ccNet, blm1, camacSCL起動。Babiconパラメータ更新。
/
LabView系
E5Asvr起動。Param.vi変更。エラー表示無いか？
/
scn系
cli_scan BC, ED, X, Z の動作確認。Log出力正しいか？ScanX SSDノイズ？
/
コンパイル
cli_CTRL, cli_Plot @ 実験者控室 起動。
/
CaptureUSB-Capture 動作確認
Excel準備/①準備_SSD較正他
SSD Pulser較正 DynamicRange 確認。
/①ツール_共通
ビーム希望表、ExpR推定/①ツール_LETcoef他
LETcoef表/①準備_ED選ED考 -> ED選 -> cli_scanED(IC1用、SSD用) へコピペ/
②実験_scnEDic(要提出) ExpR推定 -> IC計算 -> cli_scanED のLog読込み Log選で確認/②実験_scnBC(要提出)
cli_scanBC のLog読込み Log選で確認。 イオン源、Att組合せ 確認。
/②実験_scnAtt
記入用シート準備、 Att一覧表(イオン源確認)/③整理_Trend(要提出)
E5Asvr のLog読込み Log-Format確認/①準備_Chk表, 手順書
手順書作り
直前確認/

①準備_手順書.xlsxchk作業

2206Kr

準備作業 check sheet
済date LogN
ビームライン/
為ケ井->有償/
Wobbler/
p147 散乱膜
/
真空切り膜
/
到達真空度
照射セットアップ/ZnS IC1 PL/
Edegスライド/
SSDスライド/
照射物架台/
回転ステージ/アライメント
/
TVカメラ
10/04
照射室照明
検出器セットアップ/
p140 IC1, IC2/p140 PL1,PL2/

p140/
p140///
p151/
変更なし
J7準備////
実験者控室//
/
オペレータ
/////
その他
/

SSD

set

Gaf
温度、気圧計黒サーベイ
温調器
WatchBoot
ケーブル配線

memo

4D-slit撤去。User架台取付。
電源切替=生物用(Tepcoでない）、生物PCで励磁、温度上昇check
下：Au 50μｍ, 上：Au 75μm 動作確認：Lｖ_Slide--> 予備も準備済
Kapton 75μｍ 取付～ 2^-6 Torr @ ch3 照射チェンバー取付確認。結線確認：IC1,PL。 PL厚さ確認。PL交換は？
動作確認 Lv_Edeg。 膜破れてない？ Edeg厚さ表記入動作確認：Lv_Slide。 Home,Center確認。移動量～±100mm障害物無いか？
ボード取付。回転ステージに取付。
動作確認：Lv_回転ステ。所望角度までOKか？
Laser十字線確認。 Air1,2目印付け。
TV1: 下流壁->J7ITV1へ、TV2:ZnS、TV3:照射物、TV4:AuF->壁Zoom。Web確認：incotaxis1/incot/exp--> 今回はZsldZnSにした
必要なら、E5パトライトカバー、E5階段蛍光灯カバーを設置--> 今回からCaenでincothv2
取付、HV=+200V(IC1) +400V(IC2)で 0μA--> 今回からCaenでincothv2
PL1= 100um(Kr), PL2= 500um(Ar)
取付、HV= -800～1200V で 0.2～0.276μA。遮光OK ?
現場noise落とし。遮光OK? HVは数日前から ON 。電流値変化を随時記録。
A1:+60V(3.6uA) A2:+200(5.99) B1:+300(4.47) B2:+400(3.69)
Zsld用□85x85 数枚用意、治具に貼っておく--> 今回からZsldでGaf
Moxa経由でLV読出し
MV100経由でLV読出し。MV100 1ch = ±10mV F.S. 黒サーベー 300μSv/h F.S.
Moxa経由でLV読出し--> 大改造 SV1,Run追加
ch1:照明、ch2:Au照明、ch3： 温調器, 4: User用
E5Aパネル、J7パネル、TV1@実験者控室。 変更は配線表に記入。

SG, ITV 切替
OkR～J7結線
制御盤
Wob準備

Opeに「E5を選択」して貰う。信号入力場所はJ7 (E5室ではない)
SG1:PL/SSD切替 RateM(0-10V) SG2:BmChop TV1: ZnS TV2: 合成画像
OFFして SSDノイズ確認
生物PC/seibutsu/e5seibutsu1 起動：ねこ->ぞう
Wob電源弁当箱: ON 1->2 OFF 2->1

事前準備
荷物受取り
notePC

机上掃除。CloseLAN接続確認。ACタップ用意。GARIS組と共存OK?
個数確認。置き場：控室内。
起動： Lv_CliCTRL, Lv_PlotM, Web_AxisTV, Web_WBoot LvLogフォルダ整理。

monPCZnS
Beam Dump
FC5A1
Spot調整Lv_plotS を Ope室で起動。動作確認。
Zsld式 取付。 TV画像確認。
--> 今回からZsldでZnS
照射物＋レーザー撤去 or アルミDump設置
LV制御コネクタに付替え。SW=Ope/実験者切替。Lv_EDeg で動作チェック。
BeamTransport時はOpeモード。その後、実験者モード。
実験者モード時は、BT-Map の隠しSW切替を依頼。FC5A1: remote/local
ITV1:ZnS 確認、照明OFF、GVopen？ Q軸確認頼む。

D室でTOF測定

タマキさんへ依頼しておく。

①準備_手順書.xlsxchk開始~終了

2206Kr

開始～終了後 check sheet
済date Time
利用者準備中： 調整報告書作成/：
作：scnEDic 解析/：
作：scnAtt, scnBC解析
利用実施中： 解析/：
作：scnEDssd-(2) 解析/：
作：scnXssd, GaF解析
利用終了後：測定手順
確認 （片付け中に）/：/：
PLHV-(2)ビーム調整時にできなかった場合
/
：
神原照射2
/
：
GaF-(2)
確認/：/：
scnXssd以降は、時間が許すまで/：
scnEDssd-(3) PI用タメ/：
scnEDssd-(4) PI用確認/：/：
生物制御盤 = ON/：
FC5A1コネクタ戻す

オススメED表 完成
PL vs IC2 換算表 完成Ecal表

前：SSDリーク電流、 Pulser Calib ２～３点だけでもPLへたり再確認あればオススメEDの条件で
前：SSDリーク電流、 SSDor < 300cps

1min x ? 点 x オススメ 3回
5min x ? 点 Trig=PL^SSD
2min x ? 点 Trig=SSDor
後：SSDリーク電流、 Pulser Calib

終了後：作業/作：持帰り物 線量測定/
svrLog, userLog, blmData 保存/
作：svrLog, userLog整理-> CD-ROM焼き/
作：搬出 運送業者へ
終了後：解析/放管データもらう-> ③整理_Trend 完成/
作：照射報告書/
請求書発行/

作：PLHV 解析2024/3/1715:54①準備_手順書.xlsx手順納品測定

2206Kr

手順書： 納品測定編予定(実際)hh:mm

ElapseWob AuIC1 PLslt PL1R3850
Kap50uφ50100um
交換
Air1= 145, Air2= 200 mm

ED

PL2 Trig
SSD 500 CamRun

EDslt IC2

□30

□30

Att Att Log
Commentcps 調整 100 10 5 3 2
2 4 1 1 3 18G-ECR (Gas用)～RRC~400
3 3 1 0 4 Hyper-ECR(Metal用)～RRC <--今回~1000
5 1 0 0 3 RILAC2(28G-ECR)～RRC

交換
ｓA1: 150, sA2: 2000
ｓB1: 2000, sB2: 2000
Trig=PL(SsdOr抜く) =Ssd(PL抜く)

mm:ss

40Ar17+ 95MeV/u 18G-ECR max 1pnA

19:00 照射終了

〇入： User架台撤去、クレーン搬出、ビ調整架台設置
Check： SSD電流
Set：PL1,PL2 HV=ON, EDslt撤去, SSD@Air2 outで待機
19:30 スタート PL1 劣化測定
05:00 遠：PL1,PL2 HV=ON, ED=0, SSD=out 調：Att=PL強度〇 〇 〇 × 〇×× SSDout 〇05:00 PLHVscn: PL 利用終了 後X=-98
plhv11
PL: HV=600～900 CamRun分けて 30s 手動操作

E測定

19:40

02:00 遠： SSDin

SSDcur記録〇 〇 〇 × 〇var
〇 SSDin △隠 P^S
06:30 SSD_E測定 納品用測180s
6点 65sec
02:00 リスト修正
20:40 SSD_PIタメ Air2=230
測300s
4点 310sec
03:00 入： SSD@Air2=50、リスト修正
20:40 SSD_PIタメ Air2=50
測300s
4点 310sec◎〇〇GecoLog=OFF~400 Att記 1 4 0 0 0 PL 3k, Sor 300cps : ZnS x ~5/100
scnEDssd11
scnEDssd12

PL 10k, Sor 500cps :scnEDssd13

Gaf やり直し

20:34

05:00 入： 除：IC1,PL1,SSD 付：Zsld, Gaf@Air2× Au50 ×
03:00 入： 換：Gaf
02:00
× Au75 ×
02:00

20:46

Att記 2 2 0 0 3 同上 PLHV01
PorS=0 ~1K
plhv11×××

遠： Wob=OFF, Scat膜, ED=0
Gaf11×××××

ビームタイム終了
遠： PL1,PL2, IC1,IC2 HV=Off00:00 SSD PulCal

Gaf12

aft01

FC5A1 SW切替, E5B TMP=ON, 生物制御盤=ON, J7配線復帰

12 / 14

Att記 0 3 0 1 3 弱めにして