電気・電子工学専攻■電気・電子工学専攻 業績一覧 2018年〔査読付学術原著論文〕 12件
題目
Impact of rounded electrode corners on breakdown
characteristics of AlGaN/GaN high-electron mobility
transistors
Sequential Hashing with Minimum Padding

著者

掲載誌,巻,号(出版年月)頁

T. Yamazaki, J.T. Asubar, H. Tokuda, and M. KuzuharaAppl. Phys. Express,11 (2018.04)054102

Shoichi Hirose

Cryptography,2,2, (2018.06)

Optical discrimination of threading dislocations in 4H-SiC
R. Hattori, O. Oku, R. Sugie, K. Murakami, and M. Kuzuhara Appl. Phys. Express,11 (2018.06)075501-(3)epitaxial layer by phase-contrast microscopy
Electron concentration in highly resistive GaN substrates
H. Tokuda, K. Suzuki, J. T. Asubar, and M. Kuzuhara
co-doped with Si, C, and Fe

Jpn. J. Appl. Phys.,57 (2018.06)071001-(4)Effect of surface treatment of printed Ag Schottky
contacts on n-GaN epitaxial layers using Ag nanoink: Twodimensional characterization by scanning internal
photoemission microscopy

Japanese Journal of Applied Physics,57(2018.06)07MA01-1-07MA01-5

Kenji Shiojima, Yukiyasu Kashiwagi, Tasuku Shigemune,
Atsushi Koizumi, Takanori Kojima, Masashi Saitoh,
Takahiro Hasegawa, Masaya Chigane, and Yasufumi
Fujiwara

Determination Method for Optimal Cooperative Operation
Thin Zar Soe, Hirotaka Takano, Ryuhei Shiomi, Hisao
Plan of both Controllable Generators and Batteries in
Taoka
Microgrids Considering Operational Benefits

Journal of International Council on ElectricalEngineering,8,1 (2018.07)103-110

Metalorganic vapor phase epitaxial growth of AlGaN
directly on reactive-ion etching-treated GaN surfaces toprepare AlGaN/GaN heterostructure with high electron
mobility (~1500 cm2V-1s-1): Impacts of reactive-ion
etching-damaged layer removal

A. Yamamoto, K. Kanatani, S. Makino, and M. Kuzuhara

Jpn. J. Appl. Phys.,57 (2018.10)125501-(5)The PRF Security of Compression-Function-Based MAC
Functions in the Multi-user Setting

Shoichi Hirose

IEICE Transactions on Fundamentals,E102-A,1(2019.01)270-277

Sequential Aggregate MACs from Any MACs: Aggregation
Shingo Sato, Shoichi Hirose and Junji Shikata
and Detecting Functionality

Journal of Internet Services and Information Security,9,1(2019.02)2-23

Mapping of a Ni/SiNx/n-SiC structure using scanninginternal photoemission microscopy

Kenji Shiojima, Takanori Hashizume, Masaru Sato, andMayumi B. Takeyama

Japanese Journal of Applied Physics,58(2019.02)SBBC02-1-SBBC02-6

Re-Keying Scheme Revisited: Security Model andInstantiations

Yuichi Komano and Shoichi Hirose

Applied Sciences,9,5, (2019.03)

A Basic Study on Incentive Pricing for Demand Response
Hirotaka Takano, Asuka Kudo, Hisao Taoka and A. Ohara
Programs based on Social Welfare Maximization〔査読付国際会議論文〕 13件
題目

著者

Journal of International Council on ElectricalEngineering,8,1 (2018)135-143

掲載誌,巻,号(出版年月)頁

High efficiency continuous-wave Ti:sapphire laser

Tomoki Kanetake, Sakae Kawato

CLEO2018, (2018.05)

A Study on Decision Support Method for Maintenance
Necessity of Power Facilities Using Its Inspection and
Maintenance Records

Hironobu Shimasaki, Ryuhei Shiomi, Hirotaka Takano,Hisao Taoka

Proc. of the International Conference on ElectricalEngineering 2018,G5-2160, (2018.06)

A Basic Study on Estimation of Operating Lifetime ofElectric Power Equipment Based on Analysis of
Maintenance Records

Ryuhei Shiomi, Hironobu Shimasaki, Hirotaka Takano,Hisao Taoka

Proc. of the International Conference on ElectricalEngineering 2018,,G5-2157, (2018.06)

A Study on Evaluation Method for Power System Stability
Hiroaki Komatsu, Kensuke Tsutsumi, Hirotaka Takano,
Considering Penetration of Photovoltaic Generation
Hisao Taoka
System

Proc. of the International Conference on ElectricalEngineering 2018,G4-1474, (2018.06)

A Study on Frequency Adjustable Function for Wind
Turbine Generators

Ryo Yawata, Shunya Tanaka, Hirotaka Takano, Hisao
Taoka, Takashi Yasuhara

Proc. of the International Conference on ElectricalEngineering 2018,,G3-2148, (2018.06)

Theoretical Analysis of High Efficiency LD-pumped CW
Short Cavity Laser

Fumihiro Sugiki, Sakae Kawato

Frontiers in Optics + Laser Science, (2018.09)

Non-adaptive Group-Testing Aggregate MAC Scheme

Shoichi Hirose and Junji Shikata

The 14th International Conference on Information
Security Practice and Experience (ISPEC 2018), Lecture
Notes in Computer Science,11125 (2018.09)357-372

Parallelizable Message Preprocessing for MerkleDamgaard Hash Functions

Hidenori Kuwakado, Shoichi Hirose and Masahiro Mambo

2018 International Symposium on Information Theory and
Its Applications (ISITA 2018) (2018.10)457-461

Generic Construction of Sequential Aggregate MACs from
Shingo Sato, Shoichi Hirose and Junji Shikata
Any MACs

The 12th International Conference on Provable Security(ProvSec 2018), Lecture Notes in Computer
Science,11192 (2018.10)295-312

Recognition of landing target of UAV by vision using
machine learning

Y. Homma, S. Moro

Proc. of RISP International Workshop on Nonlinear
Circuits, Communications and Signal Processing(NCSP2019) (2019.03)347-350

A design method for incentive-based demand response
programs based on a framework of social welfare
maximization

Hirotaka Takano, Naoto Tanonaka, Shou Kikuda andAtsumi Ohara

IFAC Papers On Line,51,28 (2018)374-379

Doubly autoparallel structure on the probability simplex

A. Ohara and Hideyuki Ishi

Information geometry and its applications (IGAIA IV,
Liblice, Czech Republic, 2016)(Nihat Ay et al. eds.) Springer (2018)323-334

Information geometry associated with generalized means

Shinto Eguchi, Osamu Komori and A. Ohara

Information geometry and its applications (IGAIA IV,
Liblice, Czech Republic, 2016) (Nihat Ay et al. eds.) 279295, Springer (2018)279-295

〔講 演〕

48件
題目

発表者

会議名,発表番号記号,開催地,抄録集等名（開催年月）

青色半導体レーザー励起連続波チタンサファイアレーザーの励起光ビーム品質の影響を取り入れた効率に関する理 片岡 俊二, 川戸 栄
論解析

光・量子ビーム科学合同シンポジウム2018 (2018.05)

連続波YbYAGレーザーの光光変換効率に対する励起光の冨澤 鴻平, 川戸 栄
ビーム品質の影響

光・量子ビーム科学合同シンポジウム2018 (2018.05)

ページ 1

電気・電子工学専攻
共振器内部に非線形媒質を挿入した超短パルスレーザー
小林 亮, 川戸 栄の効率に関する理論解析

光・量子ビーム科学合同シンポジウム2018 (2018.05)

AlGaN/GaN MOS-HEMTs with dual field plates for stable R. Yamaguchi, T. Yamazaki, T. Nishitani, J. T. Asubar, H.
high-performance operation
Tokuda, and M. Kuzuhara

CS MANTECH,14.14,Austin(USA),Digest of CS-MANTECH
2018 (2018.05)

Characterization of resistivity and breakdown field in Fedoped semi-insulating GaN substrates

WOCSDICE,Bucharest (Romania) (2018.05)

K. Suzuki, A. Aoai, J. T. Asubar, H. Tokuda, K. Nojima, N.
Ishibashi, N. Okada, K. Tadatomo, and M. Kuzuhara

Ti:Sapphireレーザー励起半球型CW Yb:YAGレーザーの高冨澤 鴻平, 川戸 栄
効率化

レーザー学会「固体・半導体レーザー」・レーザ・量子エレク
トロニクス合同研究会 (2018.05)

青色レーザーダイオード励起による損失がTi:sapphireレー
金武 知樹, 川戸 栄
ザーに与える影響

レーザー学会「固体・半導体レーザー」・レーザ・量子エレク
トロニクス合同研究会 (2018.05)

超短パルスレーザーのモード同期の条件が発振スペクトル中島 直哉と効率に及ぼす影響に関する理論解析

レーザー学会「固体・半導体レーザー」・レーザ・量子エレク
トロニクス合同研究会 (2018.05)

モード同期レーザーの共振器内部の損失を与える位置が効率に及ぼす影響に関する理論解析

山川 拓起, 川戸 栄

レーザー学会「固体・半導体レーザー」・レーザ・量子エレク
トロニクス合同研究会 (2018.05)

半球型共振器連続波 Yb:YAG レーザーの効率に関する理論解析

青栁 祐宇, 川戸 栄

レーザー学会「固体・半導体レーザー」・レーザ・量子エレク
トロニクス合同研究会 (2018.05)

青色半導体レーザーを用いた高密度励起Ti:sapphireレー
ザーの効率に関する理論解析

柴田 真志, 川戸 栄

レーザー学会「固体・半導体レーザー」・レーザ・量子エレク
トロニクス合同研究会 (2018.05)

超短パルスレーザーの効率に対するモード同期と非線形効果の影響に関する理論解析

前田隼哉, 川戸 栄

レーザー学会「固体・半導体レーザー」・レーザ・量子エレク
トロニクス合同研究会 (2018.05)

Study on threshold voltage hysteresis in GaN-based
vertical trench MOSFETs

S. Murata, M. Sasada, J. T. Asubar, H. Tokuda, K. Ueno, M.
IEEE IMFEDK,Kyoto (Japan) (2018.06)
Edo, and M. Kuzuhara

Characterization of resistivity and breakdown field in Fedoped semi-insulating GaN substrates

A. Aoai, K. suzuki, J. T. Asubar, H. Tokuda, M. Kuzuhara, K.
IEEE IMFEDK,Kyoto (Japan) (2018.06)
Nojima, N. Ishibashi, N. Okada, and K. Tadatomo

Improved current collapse in AlGaN/GaN MOS-HEMTs
with dual field-platesT. Nishitani, R. Yamaguchi, T. Yamazaki, J. T. Asubar, H.
Tokuda, and M. Kuzuhara

IEEE IMFEDK,Kyoto (Japan) (2018.06)

Reduced current collapse in AlGaN/GaN HEMTs with pGaN layer at gate-drain region

T. Ozawa, J. T. Asubar, H. Tokuda, and M. Kuzuhara

IEEE IMFEDK,Kyoto (Japan) (2018.06)

Effect of post-gate deposition annealing on the electrical
S. Kawabata, J. T. Asubar, H. Tokuda, and M. Kuzuhara
characteristics of AlGaN/GaN HEMTs with p-GaN gate

IEEE IMFEDK,Kyoto (Japan) (2018.06)

Mapping of Ni/SiNx/n-SiC Structure Using Scanning
Internal Photoemission Microscopy

International conference on Solid State Devices andMaterials 2018 (SSDM2018),PS-3-07,東京都 (2018.09)

Kenji Shiojima, Takanori Hashizume, Masaru Sato, andMayumi B. Takeyama

中性粒子ビームエッチングによりGaN表面に導入された損塩島 謙次、末光 哲也、尾崎 卓哉、寒川 誠二
傷の界面顕微光応答法による2次元評価

応用物理学会秋季学術講演会,18p-PA6-4,名古屋市（名古屋国際会議場） (2018.09)

界面顕微光応答法によるファセット成長n-GaNショットキー
前田 昌嵩、塩島 謙次、栗原 香
接触の2次元評価

応用物理学会秋季学術講演会,20a-331-12,名古屋市（名古屋国際会議場） (2018.09)

GaN自立基板上に成長したドリフト層中の欠陥生成におけ 塩島 謙次、佐川 知大、堀切 文正、成田 好伸、吉田 丈
るオフ角の影響
洋、三島 友義

応用物理学会秋季学術講演会,20a-331-5,名古屋市（名古屋国際会議場） (2018.09)

Mapping of metal/semiconductor andsemiconductor/semiconductor interfaces using scanninginternal photoemission microscopy

Kenji Shiojima

4th E-MRS & MRS-J Bilateral Symposium,BS1-I4, ID89,Crete, Greece (2018.10)

Mapping of interfacial reaction of -Ga2O3 Schottky
contacts using scanning internal photoemission
microscopy

Kenji Shiojima, Hitoshi Kambara, Tokiyoshi Matsuda, andTakashi Shinohe

4th E-MRS & MRS-J Bilateral Symposium,BS2-I3, ID92,Crete, Greece (2018.10)

Characterization of AlGaN/GaN MOS-HEMTs with gate
field plate

T. Nishitani, R. Yamaguchi, J. T. Asubar, H. Tokuda, and M.
IWN-2018,MoP-ED-13 (2018.11)
Kuzuhara

Impact of air annealing on performance of AlGaN/GaNMISHEMTs with recessed gate structures

S. Kawabata, W. Gamachi, J. T. Asubar, H. Tokuda, and M.
Kuzuhara

IWN-2018,TuP-CR-23,Kanazawa (Japan) (2018.11)

Threshold voltage hysteresis in GaN-based verticaltrench MOSFETs

S. Murata, M. Sasada, J. T. Asubar, H. Tokuda, and M.
Kuzuhara

IWN-2018,TuP-ED-6,Kanazawa (Japan) (2018.11)

AlGaN/GaN HEMTs fabricated using AlGaN regrowth on
R=E-GaN surfaces

A. Yamamoto, K. Kanatani, and M. Kuzuhara

IWN-2018,ED-5-6,Kanazawa (Japan) (2018.11)

DLTS and MCTS studies of traps in hydrogen implanted
and subsequently annealed n-GaN

K. Iyoda, J. Ito, T. Yagi, K. Shiojima and Y. Tokuda

IWN 2018,TuP-CR-25,金沢市 (2018.11)

Study on breakdown field in Fe-doped semi-insulating
GaN substrates

A. Aoai, K. Suzuki, J. T. Asubar, H. Tokuda, N. Okada, K.
Tadatomo, and M. Kuzuhara

IWN-2018,ThP-ED-2,Kanazawa (Japan) (2018.11)

Mapping of neutral-beam etching induced damages on
GaN surfaces using scanning internal photoemission
microscopy

Kenji Shiojima, Tetsuya Suemitsu, Takuya Ozaki, and Seiji
IWN 2018,ThP-ED-8,金沢 (2018.11)
Samukawa

Scanning internal photoemission microscopy
measurements of n-GaN Schottky contacts under
applying voltage

Kenji Shiojima, Masataka Maeda, and Tomoyoshi Mishima

IWN 2018,ED-11-6,金沢 (2018.11)

Enhancement-mode AlGaN/GaN vertical trench MOSHEMTs using an AlGaN regrown layer

K. Kanatani, A. Yamamoto, and M. Kuzuhara

IWN-2018,ED-15-5,Kanazawa (Japan) (2018.11)

Fabrication and characterization of vertical GaN
MOSFETs

M. Kuzuhara

IDGN-4,Sendai (Japan) (2018.11)

Mapping of metal/semiconductor andsemiconductor/semiconductor interfaces using scanninginternal photoemission microscopy

Kenji Shiojima

4th Intensive Discussion on Growth of Nitride
Semiconductors (IDGN-4),ED-II-1,仙台市 (2018.11)

n-GaNショットキー接触の電圧印加界面顕微光応答測定

塩島 謙次, 前田 昌嵩, 三島 友義

電子情報通信学会電子デバイス研究会,ED2018-36,名古屋市（名工大） (2018.11)

PV連系配電系統における部分ループ最適構成決定手法
に関する基礎検討

金子 曜久，伊藤 雅一，林 泰弘，姉川 高也，外園 秀康，大山 雅之

平成31年電気学会全国大会,北海道科学大学 (2019.03)

系統貢献を目的とした起動停止制約を考慮した地域冷暖房システムの数値モデル構築

冨田 康平，伊藤 雅一，林 泰弘，八木 貴大，塚田 龍也 平成31年電気学会全国大会,北海道科学大学 (2019.03)

ページ 2

電気・電子工学専攻
系統用蓄電池による変動緩和の性能向上を目的としたState-of-Charge Feedback制御の基礎検討

赤木 覚，芳澤 信哉，伊藤 雅一，藤本 悠，宮崎 輝，林平成31年電気学会全国大会,北海道科学大学 (2019.03)
泰弘, 矢野 孝，久田 俊哉，田和 克久

蓄エネルギー技術を用いた出力変動制御技術の開発

蓮池 宏, 日浦 俊哉，伊藤 雅一，林 泰弘，原 亮一，北 裕
平成31年電気学会全国大会,北海道科学大学 (2019.03)
幸，高山 聡志，石亀 篤司，本間 隆，石川 光浩

Preliminary Analysis of Short-term Solar Irradiance
Forecasting by using Total-Sky Imager and Convolutional
Neural Network

Anto Ryu, Masakazu Ito, Hideo Ishii, Yasuhiro Hayashi

IEEE PES GTD,Thailand (2019.03)

Determination Method of Bids for an Electricity Market
with State-of-charge Maintenance of a Compressed Air
Aki Kikuchi, Masakazu Ito, Yasuhiro Hayashi
Energy Storage System Using Prediction Intervals of Wind
Power Output

IRES 2019,Dusseldorf (2019.03)

GaAsへのイオン注入技術―LSI実現をめざして―

葛原正明

第66回応用物理学会春季学術講演会,東京 (2019.03)

界面顕微光応答法による電気化学エッチングしたNi/nGaNショットキーの2次元評価

松田 陵、堀切 文正、成田 好伸、吉田 丈洋、三島 友義、
塩島 謙次

応用物理学会春季学術講演会,11p-PB3-5,東京都世田谷区 (2019.03)

水素イオン注入n-GaNに導入される正孔トラップの評価

田村 和也、伊豫田 健、徳田 豊、塩島 謙次、伊藤 成志、
八木 孝秀

応用物理学会春季学術講演会,11a-M121-8,東京都世田谷区 (2019.03)

GaN HEMTの特徴、開発経緯と将来展望

葛原正明

学振第162委員会研究会,東京 (2019.03)

有理関数体の代数拡大に基づいた常微分方程式の整数型解法のある種の一般化

坂口文則

2019年度 日本数学会 年会 応用数学分科会,東京都,2019年度 日本数学会 年会 応用数学分科会 講演アブストラク
ト (2016.09)

固有関数消去法による微分作用素の整数型固有値計算
法の改良

坂口文則

岡山市,2018年度 日本数学会 秋季総合分科会 応用数学分科会 講演アブストラクト (2016.09)

A method for deriving interface state density from subthreshold swing in AlGaN/GaN MIS-HEMTs

H. Tokuda, J. T. Asubar, and M. Kuzuhara

IS-Plasma 2018,名古屋市 (2018.03)〔資料・解説等〕

3件
題目

光の回折模様と自動運転ロボットを見てみよう

著者
金武知樹, 山星遼馬, 杉木史弘, 中島直哉, 片岡俊二,
小林亮, 青柳祐宇, HAN QIYAO, 高村紀之, 川戸栄

掲載誌,巻,号,頁(出版年月)
青少年のための科学の祭典2018福井大会実験解説集(2018.11)

THD解析を用いた多相同期CMOS LC発振器における結合
赤尾 健太，茂呂 征一郎
素子特性の比較

電子情報通信学会技術研究報告,118,498,1-6 (2019.03)

ハールウェーブレット変換を用いた偏微分方程式の数値解
小倉 顕弘，平田 凌士，茂呂 征一郎
析

電子情報通信学会技術研究報告,118,498,63-68 (2019.03)〔学会等の開催〕

7件
名称

担当者

開催地(期間始)2018 Spring Meeting of the Materials Research Society

Kenji Shiojima

Phoenix (USA) (2018.04)（社）レーザー学会研究会「固体・半導体レーザー」

川戸 栄

あわら市 (2018.05)

International Symposium on Nonlinear Theory and Its
Applications (NOLTA2018)

S. MoroTarragona (Spain) (2018.09)

2018 International Coference on Solid State Devices andMaterials (SSDM)

Kenji Shiojima

東京都 (2018.09)

応用物理学会秋期学術講演会

塩島謙次

名古屋市 (2018.09)

4th E-MRS & MRS-J Bilateral Symposium

Kenji Shiojima

Crete, Greece (2018.10)

RISP International Workshop on Nonlinear Circuits,
Communications and Signal Processing (NCSP2019)

S. MoroHonolulu (USA) (2019.03)

ページ 3