★★★ ＜第38回知的財産翻訳検定試験【第20回和文英訳】＞ ★★★
≪１級課題 -電気・電子工学-≫【解答にあたっての注意】
１．問題の指示により英訳してください。
２．解答語数に特に制限はありません。適切な箇所で改行してください。
３．課題文に段落番号がある場合、これを訳文に記載してください。
４．課題は３題あります。それぞれの課題の指示に従い、３題すべて解答してください。

問１．以下は、ブロックチェーンにおける契約合意に関する特許明細書の背景技術の記述です。下記の*** START ***から*** END ***までを翻訳してください。
【発明の概要】【発明が解決しようとする課題】【０００５】
ブロックチェーンは、参加者間の仮想通貨の取引情報がトランザクションとしてブロックという１つの単位でまとめられ、Ｐ２Ｐ（ＰｅｅｒｔｏＰｅｅｒ）ネットワークにて参加者全員に共有される一つの巨大な元帳として機能する。例えば、「ＡさんはＢさんに３枚のコインを渡した。」というトランザクションが全員で共有される。このブロックチェーンを参加者全ての取引の内容を記録した一つの元帳と捉えると、通貨以外の様々な取引に応用することができる。
【０００６】
そこで、本発明では、そのブロックチェーンを複数者間で契約を交わす際の証跡として応用する。契約（契約書）は、売買契約、譲渡証、申込書、許諾書等を指し、二者間以上の個人又は機関で交わされる契約の内容を示した文書データである。その際、二者間以上での合意形成がどのように行われたのかを証跡として残しておくことは、権利を主張する際の公的な証明となる。
【０００７】
ここで、前述した仮想通貨の場合、１つのトランザクションには、例えば、一つ前のトランザクションのハッシュ値、送金元のアドレス、送金先のアドレス、支払い額及び送金元の電子署名が含められており、それらによってブロックチェーンを共有する全ての参加者は取引の内容を公的に確認することができる。それゆえ、これを契約合意の証跡に応用するため、契約に関する情報をトランザクションに追加しておくことで同様の効果が期待される。なお、前述のアドレスとは、ブロックチェーン技術において電子署名用の公開鍵のハッシュ値を指す。
*** START ***【０００８】
ここで、仮想通貨としてのブロックチェーンを契約合意の証跡に応用する場
合、契約内容が二者間以上で合意されたことをどのように証明するかといった点が課題となる。仮想通貨のブロックチェーンに採用されている電子署名方式は、前述の通り送金元の電子署名のみによって成り立っており、送金先の電子署名は必要とされていない。一方、二者間以上において契約を取り交わす場合、一方的な契約の発行では契約は成り立たず、必ず契約当事者である全ての関係者の合意が必要となる。しかしながら、ブロックチェーンを形成する１つのトランザクションには送り手の電子署名しか含まれていないため、受け手による契約合意の証跡は該トランザクションに残らないことになる。
【０００９】
上記課題に対する単純な解決方法として、例えば、全ての関係者の電子署名を１つのトランザクションに含める方法が考えられる。仮想通貨にはマルチシグネチャという仕組みが採用されており、一定数以上の電子署名がなければトランザクションが承認されないアドレスを作成することができる。しかしながら、事前にどの電子署名を必要とするのか、承認前のトランザクションを関係者間でどのように共有するのか、複数の秘密鍵をどこに集めて署名を行うのか等、１つのトランザクションに複数の電子署名を含める手続きは煩雑になる。
*** END ***問２．以下は金属体に取付可能なＲＦＩＤタグに関する特許明細書の実施形態の記述です。下記の*** START ***から*** END ***までを翻訳してください。
【００１９】
図１に本実施形態におけるＲＦＩＤタグ１０の断面図を示す。なお、図１のＲＦＩＤタグ１０は、取り付け対象である金属体３０の表面に取り付けられている状態である。
ＲＦＩＤタグ１０は、多層プリント配線板１２と、多層プリント配線板１２に内蔵されたＲＦＩＤタグチップ１４と、多層プリント配線板１２の内層に形成されたアンテナ回路１６と、を具備する。
【００２０】
多層プリント配線板１２には、金属体３０に面する第一のアンテナ回路１６ａと、第一のアンテナ回路１６ａの上方に離間して位置する第二のアンテナ回路１６ｂと、第二のアンテナ回路１６ｂに配置されるＲＦＩＤタグチップ１４と、が立体的に配置されている。
なお、ＲＦＩＤタグ１０の表面及び裏面には、防錆や表面保護のために、ソルダーレジスト層を形成してもよいし、めっき処理や防錆処理を施してもよい。
*** START ***【００２１】
表面実装製品のような平面的な部品配置では、部品間の配線が冗長になりやすいが、本発明のように多層プリント配線板によるＲＦＩＤタグでは、多層板の層間を利用して配線長を短くすることができるため、配線抵抗による電力ロスを低減することができる。これにより、ＲＦＩＤタグ１０の小型化と通信性能の維持が可能となる。
【００２２】
ここで、ＲＦＩＤタグ１０のデータ通信原理について説明する。
ＲＦＩＤタグ１０の識別データを読み書きするために、ＲＦＩＤリーダーライター装置（不図示）から、ＲＦＩＤタグ１０へ電波が送信されると、ＲＦＩＤタグ１０が取り付けられた金属体３０によって電波は反射、干渉が生じる。
その際、電波が衝突した金属体３０の表面には表面波が発生し、当該表面波は、誘電的作用により第一のアンテナ回路１６ａへと収集される。第一のアンテナ回路１６ａによって収集された表面波は、スルーホール１８を介して第二のアンテナ回路１６ｂ及び第三のアンテナ回路１６ｃへ送り出され、特定の周波数の電波が共振し利用される。共振し増幅された特定の周波数の電波は、ＲＦＩＤタグチップ１４へ送り込まれる。電波を受信したＲＦＩＤタグチップ１４は、ＲＦＩＤタグチップ１４内に格納されたデータを電波に乗せて第二のアンテナ回路１６ｂ及び第三のアンテナ回路１６ｃからＲＦＩＤリーダーライター装置へ返信し、ＲＦＩＤリーダーライターが返信された電波を受信することで、データ通信が完了する。
すなわち、第一のアンテナ回路１６ａは、金属体３０で発生した表面波を取り込むためのアンテナ回路であり、第二のアンテナ回路１６ｂ及び第三のアンテナ回路１６ｃは、第一のアンテナ回路１６ａによって収集された電波を特定の周波数で共振させてＲＦＩＤタグチップ１４へ送り出すとともに、ＲＦＩＤタグチップ内のデータを乗せた電波を発信するためのアンテナ回路である。
【００２３】
また、ＲＦＩＤタグ１０は、金属体３０をＲＦＩＤリーダーライター装置から送信される電波を収集するアンテナ回路であるかのように利用しているため、取り付け対象が非金属体である場合よりも通信利得が上がる。
*** END ***（参考図面）

問３．以下は、半導体装置に関する特許請求の範囲の記述です。
下記の【請求項１】を翻訳してください。翻訳に当たっては、後段に記載の実施形態の説明と図面を参照してください。
【請求項１】
高不純物濃度の半導体基板と、前記半導体基板の表面に設けられた、第１導電型半導体領域と第２導電型半導体領域とを交互に配置した並列ｐｎ層と、前記第２導電型半導体領域の表面層に設けられた第２導電型のベース領域と、前記ベース領域の表面層に設けられた第１導電型のソース領域と、前記並列ｐｎ層の表面にゲート酸化膜を介して設けられたゲート電極と、前記ソース領域および前記ベース領域に電気的に接続し、かつ、前記ゲート電極と離れて設けられたソース電極と、を備えた半導体装置において、
前記並列ｐｎ層の表面と、前記ゲート電極との間に選択的に設けられた、前記ゲート酸化膜よりも厚い絶縁膜を備え、前記ゲート電極が前記並列ｐｎ層の表面の、前記ベース領域および前記ソース領域以外のネック部分を覆う第１面積と、前記第１面積のうちの、前記ゲート電極が前記絶縁膜を覆う第２面積とが、０．１≦第２面積／第１面積≦０．４を満たし、前記第１導電型半導体領域と、前記第２導電型半導体領域との界面と直交する方向において、隣り合う前記第１導電型半導体領域の間の前記ネック部分の表面に前記絶縁膜の島が複数個設けられており、隣り合う前記第１導電型半導体領域の間に生じた複数の電界集中領域を覆うようにそれぞれ異なる前記絶縁膜が設けられていることを特徴とする半導体装置。

（実施形態の説明）＊以下の翻訳は不要です。

図１は、本発明の実施の形態１にかかる半導体装置の平面構造について示す平面図である。また、図２は、図１の切断線Ａ－Ａ’における断面構造について示す断面図である。なお、以下の半導体装置の平面構造の説明においては、半導体装置の構造を明確にするため、ゲート酸化膜を省略している。
図２に示すように、実施の形態１にかかる半導体装置は、並列ｐｎ構造の半導体基板を用いて作製されている。並列ｐｎ構造の半導体基板は、ｎ＋ドレイン領域である抵抗率の低いｎ＋基板１の第１主面側の表面に、ｎ型ドリフト領域（第１導電型半導体領域）２およびｐ型仕切領域（第２導電型半導体領域）３からなる並列ｐｎ層が設けられている。
ｐ型仕切領域３の上部には、ｐベース領域８が設けられている。ｐベース領域８の表面には、ｎ＋ソース領域９が互いに離れて２箇所に設けられている。さらに、それぞれのｎ＋ソース領域９の間に、ｐ＋ピックアップ領域１０が設けられている。この、ｐベース領域８とｎ＋ソース領域９が形成されたｐ型仕切領域３を、第１ｐ型仕切領域（第１の第２導電型半導体領域）３ａとする。また、ｐベース領域８とｎ＋ソース領域９が形成されていないｐ型仕切領域３を、第２ｐ型仕切領域（第２の第２導電型半導体領域）３ｂとする。図１および図２においては、ｐ型仕切領域３の繰り返しにおいて、第１ｐ型仕切領域３ａの間に、１つの第２ｐ型仕切領域３ｂが設けられている。すなわち、ｎ型ドリフト領域２を挟んで、第１ｐ型仕切領域３ａと、第２ｐ型仕切領域３ｂと、が交互に、ストライプ状に形成されている。
ｎ型ドリフト領域２および第２ｐ型仕切領域３ｂの表面には、ｎ型表面バッ
ファ領域５が設けられている。上述したｎ＋基板１からｎ型表面バッファ領域５、ｐベース領域８、ｎ＋ソース領域９およびｐ＋ピックアップ領域１０までが並列ｐｎ構造の半導体基板である。
ｎ型表面バッファ領域５の表面上には、ゲート酸化膜６よりも厚い絶縁膜１６が選択的に設けられている。実施の形態１においては、隣り合うｎ型ドリフ
ト領域２の間の、ｎ型表面バッファ領域５の表面上の、１箇所に絶縁膜１６の島が設けられている。ここで、並列ｐｎ構造の半導体基板の表面には、電界が集中する領域（電界集中領域）が生じる。このため、絶縁膜１６の端部が電界集中領域（例えば図２の破線で囲んだ領域Ｂ、Ｂ’）と一致するか、絶縁膜１６が電界集中領域を全て覆うようにする。また、ゲート電極７は、ｐベース領域８の、ｎ型表面バッファ領域５とｎ＋ソース領域９とに挟まれた領域と、ｎ型表面バッファ領域５と、の上に、ゲート酸化膜６と絶縁膜１６を介して設けられている。
【図１】【図２】