JP 4314373 B2 2009.8.12(57)【 特 許 請 求 の 範 囲 】【請求項１】
大気圧を上回る高圧または大気圧を下回る低圧の放射線検出用電離ガスを用いた一次元または二次元の位置情報を与える２０チャンネル以上の多チャンネル信号出力を有する多次元位置検出型放射線検出器において、電離ガスを封入する一個以上の入力ポートを有した円筒形または箱型圧力容器の圧力バウンダリーを形成する少なくとも一箇所以上の金属壁面に５ｍｍ以下の微小ピン間隔の高密度フィードスルーを設けたセラミック絶縁板を気密及び耐圧性のある構造で取付け、圧力容器内に突き出た高密度フィードスルーのピンに多次元放射線センサー素子を直接マウントし、もう一方の圧力容器外に突き出た高密度フィードスルーのピンには多チャンネルアンプ基板を取付けて、放射線センサー素子からの10位置情報を有した各チャンネル電気信号パルスを個別に、圧力バウンダリーを介して、ダイレクトにアンプ基板に伝達できるようにした構造の放射線検出器用圧力容器システム。
【請求項２】
請求項１の放射線検出器用圧力容器であって、圧力容器内に突き出た高密度フィードス
ルーのそれぞれのピンに対して、上端がソケット構造で製作されたピンソケット部品をロウ付け方法でフィードスルーピンに取付けた構造、または上下端の両方がソケット構造のソケット部品をはめ込み、これらのピンソケット配列にピン付きパッケージ構造で製作された放射線センサー素子を直接差込む方法でマウントできるようにした構造の放射線検出器用圧力容器システム。
【請求項３】20

(2)JP 4314373 B2 2009.8.12

請求項１又は２の放射線検出器用圧力容器であって、圧力容器外に突き出た高密度フィードスルーのそれぞれのピンに対して、このピン形状配列に合致したソケット配列を電子回路プリント基板上に配置して、圧力容器外側の高密度フィードスルーピン配列にはめ込み、電子回路プリント基板上のアンプ回路群により多次元放射線検出器からの多チャンネル信号を増幅するようにした構造を特徴とする放射線検出器用圧力容器システム。
【発明の詳細な説明】【技術分野】【０００１】
本発明は、例えば、エックス線または中性子散乱を用いた物質の構造解析実験において、高速応答性能、広い計測レンジ及び高位置検出分解能が要求されるエックス線、カンマ10線及び中性子インメージングなどの放射線計測に用いられる一次元あるいは二次元放射線検出器用圧力容器システムに関する。
【背景技術】【０００２】
エックス線または中性子を計測するためのガスコンバータを用いたイメージングセンサ
ーでは、通常、それらから得られる一次エネルギーが３×１０‑ 1 5 クーロン［Ｃ］以下と極めて微少であるが、位置検出分解能を上げるため一次元位置検出型放射線検出器では１［ｃｍ］の単位長当たり１０チャンネル以上、二次元位置検出型放射線検出器では１［ｃｍ2 ］の単位面積当たり２０チャンネル以上のそれぞれの微小出力信号が有する位置情報精度を低下させることなく増幅、処理することが要求される。従来の多次元位置検出型放20

射線検出器としては、次のものがある。
【０００３】（１）直径２０［μｍ］程度の極めて細い金属線を数ミリメートル間隔に張り、それぞれ の 信 号 線 出 力 を X軸 信 号 と し た 一 次 元 マ ル チ ワ イ ヤ 比 例 計 数 管 （ Ｍ Ｗ Ｐ Ｃ ） 型 放 射 線 センサー素子、または上記の金属線に直交する方向に信号線を張ってそれらの信号出力をY軸信号とした構造の二次元マルチワイヤ比例計数管（ＭＷＰＣ）型放射線センサー素子に
お い て 、 こ れ ら の セ ン サ ー の X軸 信 号 ま た は X及 び Ｙ 軸 信 号 の 両 方 に つ い て 、 圧 力 容 器 内 に並べて張られた信号線の片端で、それぞれの信号線と信号線間に同じ値の大きな電気抵抗を接続し、それら多数並べられた直列抵抗列の両端からの二信号のパルス波高値の減衰量が信号の発生した位置から出力間までの距離に比例する原理を用い、二信号を同軸型のフ30ィードスルーを介して圧力容器外に導出して計測する抵抗減衰方式位置検出型放射線センサー。
【０００４】（２）上記の抵抗減衰方式位置検出型放射線センサーにおいて信号線と信号線間に接続された同じ値の大きな電気抵抗の替わりに、信号パルスの伝播を時間的に遅らせる働きをするパルス遅延素子を配置して、それら多数並べられた遅延素子列の両端からの二信号パルスの遅延時間差が信号の発生した位置から出力間までの距離に比例する原理を用い、二信号を同軸型のフィードスルーを介して圧力容器外に導出して計測するパルス遅延方式位置検出型放射線センサー。
【０００５】

40

上記の抵抗減衰方式位置検出型放射線センサー及びパルス遅延方式位置検出型放射線センサーではＭＷＰＣ型放射線センサーを用いた場合の例であるが、ＭＷＰＣ型放射線センサー素子を、マイクロストリップガスカウンタ（ＭＳＧＣ）型放射線センサー素子又はマイクロピクセルガスカウンター（ＭＰＧＣ）型放射線センサー素子などに置換えた二次元位置検出型放射線センサーなどがある。
【０００６】
マイクロストリップガスカウンタ（ＭＳＧＣ）型放射線センサー素子とは、絶縁基板表面上に幅１０［μｍ］程度の陽極ストリップを、そして両脇に５０［μｍ］程度の絶縁ギャップを介して陽極ストリップを挟む形で幅１００［μｍ］程度の陰極ストリップを配置した電極対を多数並べ、裏面には陽極ストリップと直交する方向に表面の陽電極と同じピ50

(3)JP 4314373 B2 2009.8.12ッチで陰極ストリップと同等幅のバックストリップを配置して、それぞれの陽極ストリップ出力をＸ軸信号として、それぞれのバックストリップの出力をＹ軸信号とした構造のものである。
【０００７】
又、マイクロピクセルガスカウンター（ＭＰＧＣ）型放射線センサー素子とは、絶縁基板裏面に多数本の陽電極線を数１００［μｍ］間隔で配置し、それそれの陽電極の長さ方向に陽電極線と接する絶縁基板部分に数１００［μｍ］間隔で絶縁基板を貫通する直径５０［μｍ］以下の円柱状の金属製スタッドピンを成形し、表面のスタッドピンの真上に陽電極線と直交する方向に陰電極線を配置して、その陰電極線とスタッドピンが重なる部分にスタッドピンと同心で幅１００［μｍ］程度のドーナツ状絶縁ギャップを設け、それぞ10れの陽電極線出力をＸ軸信号、それぞれの陰電極線出力をＹ軸信号とした構造のものである。
【０００８】
又、本発明の背景技術には、更に次のものものがある。
（ １ ） MWPC原 理 に 基 づ い た 二 次 元 位 置 検 出 型 検 出 器 が 中 性 子 小 角 散 乱 実 験 装 置 の た め に製 作 さ れ た 。 そ の 検 出 器 の 有 感 面 積 は 640x640mm 2 で あ る 。 中 性 子 検 出 効 率 と 高 位 置 分 解 能の 性 能 を 得 る た め 、 そ し て 視 差 を 最 小 に す る た め 、 混 合 ガ ス は 190kPa 3 He + 100kPa CF 4に し 、 そ し て 有 感 体 積 を 30mm厚 さ に し た 。 検 出 器 の 最 大 中 性 子 計 数 率 の 設 計 は 10 5 イ ベ ン
ト ／ 秒 で あ る 。 計 算 上 の 中 性 子 検 出 効 率 は 2Å の 中 性 子 で 60%で あ り 、 そ し て ア ノ ー ド グ リッ ド に お け る 測 定 さ れ た 中 性 子 エ ネ ル ギ ー 分 解 能 は 代 表 的 で 20％ （ 半 値 幅 ） で あ っ た 。 有

202感 面 で 検 出 さ れ た 中 性 子 の 位 置 は 、 ワ イ ヤ 対 ワ イ ヤ 法 （ 高 い 分 解 能 の 5x5mm は ワ イ ヤ 座 標に よ っ て 定 義 さ れ た ） を 使 っ て 決 定 さ れ た 。 16チ ャ ン ネ ル の 電 荷 型 前 置 増 幅 器 ／ 増 幅 器 ／コ ン パ レ ー タ ー モ ジ ュ ー ル は 、 チ ャ ン ネ ル 感 度 が 0.1V/fC、 ノ イ ズ ラ イ ン の 幅 が 0.4fCそ して チ ャ ン ネ ル 間 ク ロ ス ト ー ク が 5%以 下 の 性 能 を 持 っ た も の が 開 発 さ れ た （ 非 特 許 文 献 １ ）。
【０００９】（２） 我々はマイクロチップ
二次元マイクロストリップ

ガス

モ ジ ュ ー ル （ MCM） 技 術 を 用 い て 、 検 出 面 積 5cm x 5cmの
チ ェ ン バ （ MSGC） を 開 発 し た 。 そ れ は 17mmの 薄 い 素 子

基 板 、 200 mmの ピ ッ チ の 254ア ノ ー ド と 255バ ッ ク ス ト リ ッ プ を 有 し て い る 。 MSGCは 、 500
ピ ン 以 上 を 持 っ た 大 き な ピ ン グ リ ッ ド ア レ イ （ PGA） パ ッ ケ ー ジ に マ ウ ン ト さ れ て い る 。

30

そ れ は 読 出 し 電 子 回 路 と 組 み 合 わ さ れ た イ メ ー ジ ン グ MSGCか ら の 大 量 の 信 号 を 容 易 に 接 続す る こ と を 可 能 に す る 。 本 誌 に お い て 、 我 々 は 強 烈 な X線 線 源 の 近 く で 作 動 す る X線 イ メ ージ ン グ 検 出 器 と し て の MSGCの 能 力 に つ い て 報 告 す る 。 高 輝 度 X線 の 下 で の 安 定 な 作 動 を 得る た め に 、 約 20mm素 子 基 板 と 約 10 1 5 W/squareの 表 面 抵 抗 が 解 決 策 で あ る こ と が わ か っ た 。
表面抵抗の制御はポリイミド素子基板の表面に有機チタンをコーティングすることで行った 。 こ の 改 善 に よ り 、 MSGCが 10 7 Hz/mm 2 の 高 計 数 率 の 下 で 約 10 3 秒 間 安 定 に 作 動 し た 。 ま た、 MSGCは Ｘ 線 発 生 器 か ら の 中 程 度 輝 度 の X線 の 下 で 数 ヶ 月 間 作 動 し た 。 こ の 測 定 に お い て、 ヒ ッ ト し た 電 極 の 位 置 を 記 録 す る だ け の シ ン プ ル な 読 取 り 法 を 用 い 、 約 60mmRMS位 置 分解能を有した高品質デジタルＸ線イメージングを達成した（非特許文献２）。
【００１０】

40（３） Ｘ線、ガンマ線及び荷電粒子のイメージングのために、斬新なガスを用いた検出器 Micro Pixel Chamber(mu‑PIC)が 開 発 さ れ た 。 そ の mu‑PICは 、 大 面 積 検 出 器 が 容 易 に 生
産 で き る 両 面 プ リ ン ト 回 路 基 板 を 基 本 に し て 製 作 さ れ る 。 0.4mmピ ッ チ 、 3cmx3cm面 積 の mu‑PICを 用 い た 作 動 テ ス ト は 成 功 裡 に 行 わ れ た 。 ガ ス ゲ イ ン と 安 定 性 は こ の テ ス ト で 測 定
さ れ た 。 10 3 の ガ ス ゲ イ ン に お け る 5日 間 の 連 続 作 動 テ ス ト で 、 ア ノ ー ド と カ ソ ー ド 間 放 電は お ろ か ゲ イ ン の 減 少 さ え な か っ た 。 ま た 、 10 7 cps/mm 2 の 輝 度 の Ｘ 線 照 射 ま で ゲ イ ン の 低下は観測されなかった（非特許文献３）。
【 非 特 許 文 献 １ 】 著 者 ： Knott,‑R.B.; Watt,‑G.; Boldeman,‑J.W.; Smith,‑G.C.; et al.
題 名 ： A large 2D PSD for thermal neutron detector.発 行 所 （ 書 名 ） ： Nuclear‑Instru
ments‑and‑Methods‑in‑Physics‑Research.‑SectionA,‑Accelerators,Spectrometers.発 行50

(4)JP 4314373 B2 2009.8.12

日 ： (21 Jun 1997). 該 当 頁 ： v.392(1‑3). P.62‑67【 非 特 許 文 献 ２ 】 著 者 ： Toru Tanimori; Atsuhiko Ochi; Seiji Minami, Tomofumi Naga.
題 名 ： Development of an imaging microstrip gas chamber with a 5cm x tcm area bas
ed on multi‑chip module technology. 発 行 所 (書 名 )： Nuclear‑Instruments‑and‑Methods‑in‑Physics‑Research.‑Section‑A 381 (1996).受 理 日 ： (6 May 1996). 該 当 頁 ： P.280‑288【 非 特 許 文 献 ３ 】 著 者 ： Ochi Atsuhiko; Nagayoshi Tsutomu; Koishi Satoshi, Tanimori,‑Toru; et al.題 名 ： Development of micro pixel chamber.Nuclear‑Instruments‑and‑Methods‑in‑Physics‑Research.‑Section‑A,‑Accelerators,‑Spectrometers,‑Detectors‑and‑Associated‑Equipment (1 Feb 2002) v. 478(1‑2)発 行 日 ： (1 Feb 2002). 該 当 頁 ： p.

10196‑199【発明の開示】【発明が解決しようとする課題】【００１１】
エックス線または中性子散乱を用いた物質の構造解析実験に用いられるエックス線及び中性子インメージングセンサには、数１００［μｍ］の極めて高い位置検出分解能と５桁以上のダイナミックレンジ、高い信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）、その上、高い作動安定性が求められる。これらを実現するためには、先ず、一次元または二次元放射線センサー素子から出力される１０‑ 1 3 クーロン［Ｃ］以下の極めて微小な信号パルスを減衰させずにパルス増幅用アンプ回路へ伝送すること、アンプ出力のパルス信号幅を数マイクロ秒以下にす20ること、及び、位置検出するための信号ラインの両端から出力される二信号の時間遅延を０．５［μｓ］以下にすることが要求される。
【００１２】
従来の抵抗減衰方式位置検出型放射線センサーでは放射線の検出位置情報を得るため、放射線センサー素子の検出ワイヤ数またはストリップ数に対応した多数個の直列抵抗列を通して、センサー素子から出力される極めて微小な信号パルスを減衰させて出力する必要がありＳ／Ｎの低下が避けられないこと、さらに、パルス波高値変動を少なくするためにセンサー素子から出力される微小電流パルスをアンプ回路により数マイクロ秒の時定数で十分な積分をする必要がある結果、信号パルス幅が広がり、高速の計測、即ち広いダイナミックレンジの実現などに課題があった。

30【００１３】
パルス遅延方式位置検出型放射線センサーでは放射線の検出位置情報を得るため、放射線センサー素子の検出ワイヤ数またはストリップ数に対応した多数個の直列のパルス遅延素子列を通して、センサー素子から出力される極めて微小な信号パルスを大きく遅延させて出力する必要があり、この結果、出力信号パルスの伝播距離に応じた信号パルスの立上りの劣化をもたらし位置検出精度を低下させること、また、信号ラインの両端から出力される二信号パルス間に長い時間間隔が生じることから高速の計測、即ち広いダイナミックレンジの実現が難しいこと、さらに、パルス遅延素子で信号パルスを大幅に遅延させると信号パルス波高の減衰が生じてＳ／Ｎの低下が避けられないことなどの課題があった。
【課題を解決するための手段】

40【００１４】
本発明は、電離ガスを用いた圧力容器を必要とする多次元位置検出型放射線検出器において、装着された多次元放射線検出素子から数１０チャンネル以上の多チャンネルで出力される微小且つ高速電気信号パルスを個別に減衰及び遅延無く、圧力バウンダリーを介してダイレクトに多チャンネルアンプ基板に伝送する構造を有した放射線検出器用圧力容器システムを提供するものである。
【発明の効果】【００１５】
本発明は放射線センサー素子のそれぞれの検出ワイヤまたはストリップから出力される微小信号パルス一個一個を検出器圧力容器に設けた多ピンのフィードスルーを介してダイ50

(5)JP 4314373 B2 2009.8.12

レクトにアンプ回路に伝送できるため、微小信号パルスの減衰が殆ど生じず高いＳ／Ｎが得られ、従来の抵抗減衰方式位置検出型放射線センサー及びパルス遅延方式位置検出型放射線センサーの課題を解決する。
【００１６】
本発明は放射線センサー素子のそれぞれの検出ワイヤまたはストリップから出力される微小信号パルス一個一個を検出器圧力容器に設けた多ピンのフィードスルーを介してダイレクトにアンプ回路に伝送できるため、微小信号パルスを高速の電流パルスとしてアンプ回路により直接増幅でき、且つ、それぞれの信号パルスをデジタル化してデジタル信号により位置検出処理できる結果、位置検出精度を大幅に向上させる効果、その上、高速化を図れることから広いダイナミックレンジの実現を提供する。

10【００１７】
本発明は放射線センサー素子のそれぞれの検出ワイヤまたはストリップから出力される微小信号パルス一個一個を検出器圧力容器に設けた多ピンのフィードスルーを介してダイレクトにアンプ回路に伝送できるため、ガス圧力容器内に信号パルス減衰用の多数の抵抗素子、または、信号パルス遅延用の多数のパルス遅延素子を組み込む必要がなくなり、この結果、圧力容器の大幅な小型化、且つ圧力容器壁の板厚の削減を与えることから圧力容器入射窓における被計測放射線の減衰及び散乱を減少させる効果、その上抵抗素子または信号パルス遅延による電離ガスの劣化をなくす効果を提供する。
【００１８】
本発明は圧力容器内の多ピンフィードスルーと一次元または二次元放射線センサー素子20との接続にソケット配列構造を採用することによって、狭い圧力容器内における多数の配線接続の困難な作業をなくし、放射線センサー素子の初期マウント作業及び放射線センサー素子故障時の交換を容易にするなどの効果を提供する。
【００１９】
本発明は圧力容器外の多ピンフィードスルーとアンプ回路ボードまたはマザーボードとの接続にソケット配列構造を採用することによって、高密度の配線をなくし、配線による信号の劣化を防ぐことができ、マザーボードなどの交換を可能にする効果を提供する。
【発明を実施するための最良の形態】【００２０】
図１に、本発明の放射線検出器用圧力容器システムを用いた中性子イメージングセンサ

30ーの構成を示す。１は放射線検出器用圧力容器キャップ、１ａは中性子入射窓、１ｂは中性子、２は混合ガス加圧用バルブ、３は圧力容器端盤フランジ、３ａはメタルガスケット、３ｂはフランジ装着用ボルト、４はフィードスルー用セラミック盤、４ａはフィードスルーピン配列、５は二次元位置検出型放射線センサー素子、５ａは放射線センサー素子マウント用基板、５ｂはドリフトプレート、６はアンプ回路基板、６ａはフィードスルーピン接続用スルーホール配列を示す。
【００２１】
図２は、図１の５及び５ａ部品を分解して示した図である。スルーホール配列基板を圧力容器端盤フランジのフィードスルーピンに装着し、各ピンを半だ付けした後、二次元位置検出型放射線センサー素子をスルーホール配列基板上にマウントする。５は二次元位置40検出型放射線センサー素子、５ａはスルーホール配列基板、５ｃはスルーホール配列、５ｄはボンディングパットである。
【００２２】
図３は、図１の放射線検出器用圧力容器システムにおいて、多ピンＩＣパッケージにマウントされた二次元位置検出型放射線センサー素子を、両端がソケット配列で製作された部品を使って、圧力容器端盤フランジのフィードスルーピン配列に装着する場合の部品構成を示した図である。ソケット配列部品７をフィードスルーピン配列４ａに装着した後、ソケット配列部品の上部に二次元位置検出型放射線センサー素子８をマウントする。ここで３は圧力容器端盤フランジ、４ａはフィードスルーピン配列、７はソケット配列部品、８は多ピンＩＣパッケージにマウントされた二次元位置検出型放射線センサー素子である

50

(6)

JP 4314373 B2 2009.8.12。
【００２３】
図４は、図１のアンプ回路基板６を図１に示すソケット配列付きマザーボード９に置換えて、多数のアンプ回路基板を装着できるようにした構造を示す。ソケット配列９ａを図１の圧力容器端盤フランジ３の下面に突き出たフィードスルーピン配列に装着し、マザーボードに設けたそれぞれの多ピンコネクタにアンプ回路基板１０を装着して用いる。９はソケット配列付きマザーボード、９ａはソケット配列、９ｂは多ピンコネクタ、１０はアンプ回路基板、１０ａは信号入力用多ピンコネクタ、１０ｂはアンプモジュール、１０ｃは信号出力用多ピンコネクタである。
10【００２４】
図５は、発明の放射線検出器用圧力容器システムを組立て完成させた外観図である。

１は放射線検出器用圧力容器キャップ、１ａは中性子入射窓、１ｂは中性子、２は混合ガ
ス加圧用バルブ、３は圧力容器端盤フランジ、９はソケット配列付きマザーボード、１０はアンプ回路基板、１０ａは信号入力用多ピンコネクタ、１０ｂはアンプモジュール、１０ｃは信号出力用多ピンコネクタである。
【実施例】【００２５】
一例として、本発明を中性子イメージングセンサーに応用した場合の構成を図１に示す。中性子イメージングセンサーでは放射線検出器用圧力容器キャップ１、中性子入射窓１ａ、中性子１ｂ、混合ガス加圧用バルブ２、圧力容器端盤フランジ３、メタルガスケット

20３ａ、フランジ装着用ボルト３ｂ、フィードスルー用セラミック盤４、フィードスルーピン配列４、二次元位置検出型放射線センサー素子５、放射線センサー素子マウント用基板
５ａ、ドリフトプレート５ｂ、アンプ回路基板６、フィードスルーピン接続用スルーホール配列６ａから構成される。実際の使用に際しては、圧力容器端盤フランジの上面に突き出たフィードスルーピンに二次元位置検出型放射線センサー素子をマウントし、圧力容器キャップはフランジ装着用ボルトを用いて圧力容器端盤フランジに装着する。また、アンプ回路基板はそのアンプ回路基板のスルーホール配列を圧力容器端盤フランジの下面に突き出たフィードスルーピンにはめ込み電気的に接続する。混合ガス加圧用バルブから中性子コンバータ及び電離ガスとして働く混合ガスを加圧し、ドリフトプレートに負電圧、放射線センサー素子の陽極と陰極間に正負電圧をそれぞれ印加する。中性子の測定では、中30性子入射によってドリフトプレートと放射線センサー素子の間に発生した電子群がドリフトプレートによる負電界によって、放射線センサー素子面にドリフトされ、放射線センサー素子面の極近傍の強電界領域で電子群がガス増幅されて、この電子雲により陽極及び陰極にそれぞれ負及び正の微小電気信号パルスが誘起される。発明の放射線検出器用圧力容器システムでは放射線センサー素子の全電極ラインがダイレクトに多ピンフィードスルー
配 列 を 介 し て ア ン プ 回 路 に 接 続 さ れ る た め 、 数 本 か ら 数 １ ０ 本 の Ｘ 軸 及 び Y軸 電 極 ラ イ ンにそれぞれ誘起された微小電気信号パルスはパラレルにそれぞれのアンプ回路系統に入力されて、増幅、デジタル化された後、位置検出の信号処理が行われる。
【図面の簡単な説明】【００２６】

40【図１】本発明の放射線検出器用圧力容器システムを用いた中性子イメージングセンサーの構成を示す図である。
【００２７】（符号の説明）
１．放射線検出器用圧力容器キャップ、１ａ．中性子入射窓、１ｂ．中性子、２．混合ガ
ス加圧用バルブ、３．圧力容器端盤フランジ、３ａ．メタルガスケット、３ｂ．フランジ
装着用ボルト、４．フィードスルー用セラミック盤、４ａ．フィードスルーピン配列、５．二次元位置検出型放射線センサー素子、５ａ．放射線センサー素子マウント用基板、５ｂ．ドリフトプレート、６．アンプ回路基板、６ａ．フィードスルーピン接続用スルーホール配列。

50

(7)

JP 4314373 B2 2009.8.12【図２】図１の５及び５ａ部品を分解して示した図である。
【００２８】（符号の説明）
５．二次元位置検出型放射線センサー素子、５ａ．スルーホール配列基板、５ｃ．スルーホール配列、５ｄ．ボンディングパット。
【図３】図１の放射線検出器用圧力容器システムにおいて、多ピンＩＣパッケージにマウントされた二次元位置検出型放射線センサー素子を、両端がソケット配列で製作された部品を使って、圧力容器端盤フランジのフィードスルーピン配列に装着する場合の部品構成を示した図である。
【００２９】

10（符号の説明）
３．圧力容器端盤フランジ、４ａ．フィードスルーピン配列、７．ソケット配列部品、８．多ピンＩＣパッケージにマウントされた二次元位置検出型放射線センサー素子。
【図４】図１のアンプ回路基板（６）を図１に示すソケット配列付きマザーボード９に置換えて、多数のアンプ回路基板を装着できるようにした構造を示す。
【００３０】（符号の説明）
９．ソケット配列付きマザーボード、９ａ．ソケット配列、９ｂ．多ピンコネクタ、１０．アンプ回路基板、１０ａ．信号入力用多ピンコネクタ、１０ｂ．アンプモジュール、１０ｃ．信号出力用多ピンコネクタ。
【図５】本発明の放射線検出器用圧力容器システムを組立て完成させた外観図を示す。
【００３１】（符号の説明）
１．放射線検出器用圧力容器キャップ、１ａ．中性子入射窓、１ｂ．中性子、２．混合ガ
ス加圧用バルブ、３．圧力容器端盤フランジ、９．ソケット配列付きマザーボード、１０．アンプ回路基板、１０ａ．信号入力用多ピンコネクタ、１０ｂ．アンプモジュール、１０ｃ．信号出力用多ピンコネクタ。

20(8)
【図１】

【図３】

【図４】

【図２】

【図５】

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(9)JP 4314373 B2 2009.8.12

フロントページの続き(74)代理人 100093713
弁理士 神田 藤博(74)代理人 100091063
弁理士 田中 英夫(74)代理人 100102727
弁理士 細川 伸哉(74)代理人 100117813
弁理士 深澤 憲広(74)代理人 100123548
弁理士 平山 晃二(72)発明者 山岸 秀志
茨城県那珂郡東海村白方字白根２番地の４ 日本原子力研究所 東海研究所内審査官 岡▲崎▼ 輝雄(56)参考文献 特開平１０−３００８５６（ＪＰ，Ａ）
実開昭５９−１８９１８１（ＪＰ，Ｕ）
実開昭５８−０４７７８６（ＪＰ，Ｕ）
特開２０００−３２９８５４（ＪＰ，Ａ）
特開平０５−０５４８３８（ＪＰ，Ａ）
特表平０９−５０９０１６（ＪＰ，Ａ）
特開昭６０−１９６４９５（ＪＰ，Ａ）(58)調査した分野(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ０１Ｔ

１／１８

Ｇ０１Ｔ

７／００