目 次 (1/2)

シリーズ名

ページ

S-8240Aシリーズ

4-4

S-82L1Aシリーズ

4-5

アラーム機能付き 1セル用バッテリー保護IC

S-82U1Aシリーズ

4-6

バッテリー電圧モニタ端子付き 1セル用バッテリー保護IC

S-82R1Aシリーズ

4-7

充放電制御機能付き 1セル用バッテリー保護IC

S-82B1Aシリーズ

4-8

リチウムイオン電池保護 IC

特長

1セル用バッテリー保護IC

1セル用バッテリー保護IC

S-8240Bシリーズ

アラーム機能付き 1セル用バッテリー保護IC

S-82T1Aシリーズ

アラーム機能付き 1セル用バッテリー保護IC

アラーム機能付き 1セル用バッテリー保護IC

バッテリー電圧モニタ端子付き 1セル用バッテリー保護IC
パワーセービング機能付き 1セル用バッテリー保護IC
充放電制御機能付き

1セル用バッテリー保護IC

パワーセービング機能付き

1セル用バッテリー保護IC

1セル用バッテリー保護IC

1セル用バッテリー保護IC

S-82V1Aシリーズ

S-82S1Aシリーズ

S-82B1Bシリーズ

S-82N1Aシリーズ

S-82N1Bシリーズ

1セル用バッテリー保護IC

4-9

S-82C1Fシリーズ

4-11

S-82F1Bシリーズ

4-12

1セル用バッテリー保護IC

S-82C1Eシリーズ

充放電制御機能付き

1セル用バッテリー保護IC

S-82F1Aシリーズ

充放電制御機能付き

1セル用バッテリー保護IC

充放電制御機能付き

1セル用バッテリー保護IC

充放電制御機能付き

1セル用バッテリー保護IC

1セル用バッテリー保護IC

S-82H1Bシリーズ

1セル用バッテリー保護IC

S-82K1Bシリーズ

4-14

S-82P1Bシリーズ

4-15

4-16

1セル用バッテリー保護IC

S-82H1Aシリーズ
S-82K1Aシリーズ
S-82P1Aシリーズ

充放電電流経路分離回路対応

1セル用バッテリー保護IC

S-82G1Aシリーズ

4-17

S-82D1Aシリーズ

4-18

1セル用バッテリー保護IC
負荷監視端子付き
温度保護機能付き

1セル用バッテリー保護IC
1セル用バッテリー保護IC

CMOS IC 2023 製品カタログ

S-82Y1Bシリーズ

S-82F1Cシリーズ

S-82A2A/B/Cシリーズ

2セル直列用バッテリー保護IC

S-82C2Aシリーズ

4-23

S-8203Aシリーズ

4-24

S-8254Aシリーズ
S-8204Aシリーズ

S-8204Bシリーズ

4-23

4-24
4-25
4-25
4-26

4セル/5セル直列用バッテリー保護IC

S-82B4A/5Aシリーズ

4セル/5セル直列用バッテリー保護IC

S-8205A/Bシリーズ

4-27

S-8245B/Dシリーズ

4-28

S-8244シリーズ

4-29

S-82C4A/5Aシリーズ
S-8245A/Cシリーズ

2セル/3セル直列用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用)

S-8223A/B/C/Dシリーズ

2〜4セル直列用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用)

S-8264A/B/Cシリーズ

3〜5セル直列用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用)

S-8215Aシリーズ

S-8224A/Bシリーズ

3〜5セル直列用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用)

S-8215Cシリーズ

1セル用バッテリー監視IC

S-8259Aシリーズ

1セル用バッテリー保護IC

4-2

S-8252シリーズ

3セル/4セル直列用バッテリー保護IC

セルバランス機能付き3セル〜5セル直列用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用)

4-17

4-22

4-22

S-8253C/Dシリーズ

2〜4セル直列用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用)

4-16

4-21

S-82B2A/Bシリーズ

2セル/3セル直列用バッテリー保護IC

1〜4セル直列用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用)

4-15

S-8261シリーズ

2セル直列用バッテリー保護IC

3〜5セル直列用バッテリー保護IC

4-14

S-82G1Bシリーズ

4-21

3〜5セル直列用バッテリー保護IC

4-13

1セル用バッテリー保護IC

S-8230A/Bシリーズ

4セル/5セル直列用バッテリー保護IC

4-13

充放電電流経路分離回路対応

放電制御機能付き 1セル用バッテリー保護IC

3セル/4セル直列用バッテリー保護IC

4-12

4-20

4-20

3セル/4セル直列用バッテリー保護IC

4-11

4-19

S-8211Dシリーズ

3セル直列用バッテリー保護IC

4-10

S-8211Cシリーズ

4-18

1セル用バッテリー保護IC

2セル直列用バッテリー保護IC

4-9

4-19

S-8200Aシリーズ

2セル直列用バッテリー保護IC

4-8

4-10

充放電制御機能付き

1セル用バッテリー保護IC

4-7

S-8216Aシリーズ

1セル用バッテリー保護IC

1セル用バッテリー保護IC

4-6

ページ

S-8206Aシリーズ

1セル用バッテリー保護IC

4-5

シリーズ名

1セル用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用)
1セル用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用)

4-4

S-82M1Aシリーズ
S-82A1Aシリーズ

特長

S-8265Cシリーズ
S-8211Eシリーズ

4-26

4-27
4-28

4-29
4-30
4-30
4-31

4-31

4-32

4-32

4-33

リチウムイオン電池保護 IC

目 次 (2/2)

特長

シリーズ名

ページ

セルバランス機能付バッテリー保護IC

S-8209Bシリーズ

4-34

3〜5セル直列用バッテリー監視IC

S-8225Aシリーズ

セルバランス機能付バッテリー保護IC
セルバランス機能付電圧監視用IC

S-8209Aシリーズ

4-33

S-8249シリーズ

4-34

3〜5セル直列用バッテリー監視IC

S-8225Bシリーズ

4-35

3〜5セル直列用バッテリー監視IC

S-8255Bシリーズ

多セル直列用過電流監視IC

S-8239Bシリーズ

バッテリー監視IC

S-8229Aシリーズ

3〜5セル直列用バッテリー監視IC
多セル直列用過電流監視IC
多セル直列用過電流監視IC
CMOS IC パッケージ
パッケージ一覧表

4-35

S-8255Aシリーズ

4-36

S-8239Aシリーズ

4-37

S-8269Bシリーズ

4-38

4-36
4-37

4-38
4-39

CMOS IC 2023 製品カタログ

4-3

リチウムイオン電池保護 IC

S-8240Aシリーズ

S-8240Bシリーズ

1セル用バッテリー保護IC● 特長

3.500 V ~ 4.600 V (5 mVステップ)

精度±20 mV

過充電解除電圧3.100 V ~ 4.600 V*1

精度±50 mV

過放電検出電圧2.000 V ~ 3.400 V (10 mVステップ)

精度±50 mV

過放電解除電圧2.000 V ~ 3.400 V*2

精度±100 mV

放電過電流検出電圧

0.015 V ~ 0.200 V (5 mVステップ)

精度±5 mV

負荷短絡検出電圧

0.065 V ~ 0.500 V (25 mVステップ)*3

精度±40 mV

充電過電流検出電圧−0.200 V ~ −0.015 V (5 mVステップ)

精度±5 mV

・高精度電圧検出回路
過充電検出電圧
3.5 V ~ 4.6 V (5 mVステップ)
精度±20 mV
過充電解除電圧
3.1 V ~ 4.6 V*1
精度±50 mV
過放電検出電圧
2.0 V ~ 3.4 V (10 mVステップ)
精度±50 mV
過放電解除電圧
2.0 V ~ 3.4 V*2
精度±100 mV
放電過電流検出電圧
0.015 V ~ 0.100 V (1 mVステップ)
精度±3 mV
負荷短絡検出電圧
0.065 V ~ 0.500 V (25 mVステップ)*3
精度±40 mV
充電過電流検出電圧−0.100 V ~ −0.015 V (1 mVステップ)
精度±3 mV・各種検出遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要)
・0 V電池への充電機能を選択可能: 可能、禁止・パワーダウン機能を選択可能: あり、なし
・放電過電流状態の解除条件を選択可能: 負荷開放、充電器接続
・放電過電流状態の解除電圧を選択可能: VRIOV, VDIOV・高耐圧: VM端子およびCO端子 : 絶対最大定格28 V・広動作温度範囲: Ta = −40°C ~ +85°C
・低消費電流動作時: 1.5 μA typ., 3.0 μA max. (Ta = +25°C)
パワーダウン時: 50 nA max. (Ta = +25°C)
過放電時: 500 nA max. (Ta = +25°C)
・鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー

・各種検出遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要)
・0 V電池への充電: 可能、禁止・パワーダウン機能: あり、なし

・放電過電流状態の解除条件: 負荷開放、充電器接続

・放電過電流状態の解除電圧: VRIOV, VDIOV・高耐圧: VM端子およびCO端子 : 絶対最大定格28 V・広動作温度範囲: Ta = −40°C ~ +85°C

・低消費電流: 1.5 μA typ., 3.0 μA max. (Ta = +25°C)

動作時
パワーダウン時: 50 nA max. (Ta = +25°C)

過放電時: 500 nA max. (Ta = +25°C)*1.

・鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー*1.

過充電解除電圧 = 過充電検出電圧 − 過充電ヒステリシス電圧*2.

過放電解除電圧 = 過放電検出電圧 + 過放電ヒステリシス電圧

1セル用バッテリー保護IC● 特長

・高精度電圧検出回路
過充電検出電圧詳しくは各製品のデータシートをご参照ください。

*2.

(過充電ヒステリシス電圧は、0 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)*3.

過充電解除電圧 = 過充電検出電圧 − 過充電ヒステリシス電圧(過充電ヒステリシス電圧は、0 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)
過放電解除電圧 = 過放電検出電圧 + 過放電ヒステリシス電圧(過放電ヒステリシス電圧は、0 V ~ 0.7 Vの範囲内にて100 mVステップで選択可能)
負荷短絡検出電圧 = 放電過電流検出電圧 + 0.025 × n(nは2以上の整数で選択可能)(過放電ヒステリシス電圧は、0 V ~ 0.7 Vの範囲内にて100 mVステップで選択可能)*3.

負荷短絡検出電圧 = 放電過電流検出電圧 + 0.025 × n

SNT-6A(nは2以上の整数で選択可能)
SOT-23-6
6 5 4

1 2 3

1 DO
2 VM
3 CO
4 NC
5 VDD
6 VSS

SNT-6A
1
2
3

6
5
4

1 NC
2 CO
3 DO
4 VSS
5 VDD
6 VM

CMOS IC 2023 製品カタログ

HSNT-6(1212)
1
2
3

6
5
4

1
2
3
1 NC
2 CO
3 DO
4 VSS
5 VDD
6 VM

4-4

6
5
4

1 NC
2 CO
3 DO
4 VSS
5 VDD
6 VM

HSNT-6(1212)
1
2
3

6
5
4

1 NC
2 CO
3 DO
4 VSS
5 VDD
6 VM

リチウムイオン電池保護 IC

S-82L1Aシリーズ

S-82T1Aシリーズ

アラーム機能付き
1セル用バッテリー保護IC

● 特長

*2.

・ 高精度電圧検出回路
過充電検出電圧3.500 V ~ 4.800 V (5 mVステップ)
精度±12 mV
過充電解除電圧3.100 V ~ 4.800 V*1
精度±50 mV
アラーム検出電圧3.500 V ~ 4.800 V (5 mVステップ)
精度±12 mV
アラームヒステリシス電圧
0 V, 0.010 V, 0.020 V
精度±5 mV
過放電検出電圧2.000 V ~ 3.000 V (10 mVステップ)
精度±50 mV
過放電解除電圧2.000 V ~ 3.400 V*2
精度±75 mV
放電過電流1検出電圧
3 mV ~ 100 mV (0.5 mVステップ)
精度±1.5 mV
放電過電流2検出電圧
10 mV ~ 100 mV (1 mVステップ)
精度±3 mV
負荷短絡検出電圧
20 mV ~ 100 mV (1 mVステップ)
精度±5 mV
充電過電流検出電圧−100 mV ~ −3 mV (0.5 mVステップ)
精度±1.5 mV・ 各種検出遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要)
・ 放電過電流制御機能
放電過電流状態解除条件: 負荷開放放電過電流状態解除電圧: 放電過電流解除電圧 (VRIOV) = VDD × 0.8 (typ.)・ 0 V電池への充電: 可能、禁止・ パワーダウン機能: あり、なし
・ アラーム機能
AO端子出力論理: アクティブ "H"、アクティブ "L"AO端子出力形態: CMOS出力、Nchオープンドレイン出力
AO端子 = "L" 時の接続
: VSS端子、VM端子
充電制御機能: あり、なし
・ 高耐圧: VM端子、CO端子およびAO端子 : 絶対最大定格28 V・ 広動作温度範囲: Ta = −40°C ~ +85°C
・ 低消費電流動作時: 2.5 μA typ., 5.0 μA max. (Ta = +25°C)
パワーダウン時: 50 nA max. (Ta = +25°C)
過放電時: 0.5 μA max. (Ta = +25°C)
・ 鉛フリー (Sn 100%), ハロゲンフリー

過充電解除電圧 = 過充電検出電圧 − 過充電ヒステリシス電圧(過充電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)
過放電解除電圧 = 過放電検出電圧 + 過放電ヒステリシス電圧(過放電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.7 Vの範囲内にて100 mVステップで選択可能)
SNT-6A
1
2
3

6
5
4

*1.
*2.

1 AO
2 CO
3 DO
4 VSS
5 VDD
6 VM

CMOS IC 2023 製品カタログ

アラーム機能付き
1セル用バッテリー保護IC● 特長

・ 高精度電圧検出回路
過充電検出電圧4.200 V ~ 4.600 V (5 mVステップ)
精度±12 mV
過充電解除電圧
4.000 V ~ 4.600 V*1
精度±50 mV
過放電検出電圧2.000 V ~ 3.000 V (10 mVステップ)
精度±50 mV
過放電解除電圧2.000 V ~ 3.400 V*2
精度±100 mV
アラーム検出電圧
4.200 V ~ 4.600 V (5 mVステップ)
精度±12 mV
放電過電流検出電圧
0.003 V ~ 0.100 V (1 mVステップ)
精度±3 mV
負荷短絡検出電圧
0.010 V ~ 0.100 V (5 mVステップ)
精度±7 mV
充電過電流検出電圧−0.100 V ~ −0.003 V (1 mVステップ)
精度±3 mV・ 各種検出遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要)
・ 放電過電流制御機能
放電過電流状態解除条件: 負荷開放放電過電流状態解除電圧: VRIOV = VDD × 0.8 (typ.)・ 0 V電池への充電: 可能、禁止・ パワーダウン機能: あり、なし
・ アラーム機能
AO端子出力論理: アクティブ "L"AO端子出力形式: CMOS出力、Nchオープンドレイン出力
AO端子 = "L" 時の接続
: VSS端子、VM端子
・ 高耐圧: VM端子、CO端子、AO端子 : 絶対最大定格28 V・ 広動作温度範囲: Ta = −40°C ~ +85°C
・ 低消費電流動作時: 800 nA typ., 1500 nA max. (Ta = +25°C)
パワーダウン時: 50 nA max. (Ta = +25°C)
過放電時: 500 nA max. (Ta = +25°C)
・ 鉛フリー (Sn 100%), ハロゲンフリー*1.

詳しくは各製品のデータシートをご参照ください。

過充電解除電圧 = 過充電検出電圧 − 過充電ヒステリシス電圧(過充電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)
過放電解除電圧 = 過放電検出電圧 + 過放電ヒステリシス電圧(過放電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.7 Vの範囲内にて100 mVステップで選択可能)
HSNT-8(1616)

4-5

1

8

4

5

1 AO
2 VM
3 CO
4 DO
5 VSS
6 VDD
7 VINI
8 NC

リチウムイオン電池保護 IC

S-82U1Aシリーズ

S-82V1Aシリーズ

アラーム機能付き
1セル用バッテリー保護IC

● 特長

*2.

・ 高精度電圧検出回路
過充電検出電圧3.500 V ~ 4.800 V (5 mVステップ)
精度±12 mV
過充電解除電圧3.100 V ~ 4.800 V*1
精度±50 mV
アラーム検出電圧3.500 V ~ 4.800 V (5 mVステップ)
精度±12 mV
アラームヒステリシス電圧
0 V, 0.010 V, 0.020 V
精度±5 mV
過放電検出電圧2.000 V ~ 3.000 V (10 mVステップ)
精度±50 mV
過放電解除電圧2.000 V ~ 3.400 V*2
精度±75 mV
放電過電流1検出電圧
3 mV ~ 100 mV (0.25 mVステップ)
精度±0.75 mV
放電過電流2検出電圧
6 mV ~ 100 mV (0.5 mVステップ)
精度±1.5 mV
負荷短絡検出電圧
20 mV ~ 100 mV (1 mVステップ)
精度±4 mV
充電過電流検出電圧−100 mV ~ −3 mV (0.25 mVステップ)
精度±0.75 mV・ 各種検出遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要)
・ 放電過電流制御機能
放電過電流状態解除条件: 負荷開放放電過電流状態解除電圧: 放電過電流解除電圧 (VRIOV) = VDD × 0.8 (typ.)・ 0 V電池への充電: 可能、禁止・ パワーダウン機能: あり、なし
・ アラーム機能
AO端子出力論理: アクティブ "H"、アクティブ "L"AO端子出力形態: CMOS出力、Nchオープンドレイン出力
AO端子 = "L" 時の接続
: VSS端子、VM端子
充電制御機能: あり、なし
・ 高耐圧: VM端子、CO端子およびAO端子 : 絶対最大定格28 V・ 広動作温度範囲: Ta = −40°C ~ +85°C
・ 低消費電流動作時: 2.5 μA typ., 5.0 μA max. (Ta = +25°C)
パワーダウン時: 50 nA max. (Ta = +25°C)
過放電時: 0.5 μA max. (Ta = +25°C)
・ 鉛フリー (Sn 100%), ハロゲンフリー*1.

過充電解除電圧 = 過充電検出電圧 − 過充電ヒステリシス電圧(過充電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)
過放電解除電圧 = 過放電検出電圧 + 過放電ヒステリシス電圧(過放電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.7 Vの範囲内にて100 mVステップで選択可能)
HSNT-8(1616)
1

8

4

5

*2.

過充電解除電圧 = 過充電検出電圧 − 過充電ヒステリシス電圧(過充電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)
過放電解除電圧 = 過放電検出電圧 + 過放電ヒステリシス電圧(過放電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.7 Vの範囲内にて100 mVステップで選択可能)
HSNT-8(1616)

1 AO
2 VM
3 CO
4 DO
5 VSS
6 VDD
7 V NI
8 NC

CMOS IC 2023 製品カタログ

アラーム機能付き
1セル用バッテリー保護IC● 特長

・ 高精度電圧検出回路
過充電検出電圧3.500 V ~ 4.800 V (5 mVステップ)
精度±12 mV
過充電解除電圧3.100 V ~ 4.800 V*1
精度±50 mV
アラーム検出電圧3.500 V ~ 4.800 V (5 mVステップ)
精度±12 mV
アラームヒステリシス電圧
0 V, 0.010 V, 0.020 V
精度±5 mV
過放電検出電圧2.000 V ~ 3.000 V (10 mVステップ)
精度±50 mV
過放電解除電圧2.000 V ~ 3.400 V*2
精度±75 mV
放電過電流1検出電圧
3 mV ~ 100 mV (0.5 mVステップ)
精度±1 mV
放電過電流2検出電圧
10 mV ~ 100 mV (1 mVステップ)
精度±2 mV
負荷短絡検出電圧
20 mV ~ 100 mV (1 mVステップ)
精度±4.5 mV
充電過電流検出電圧−100 mV ~ −3 mV (0.5 mVステップ)
精度±1 mV・ 各種検出遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要)
・ 放電過電流制御機能
放電過電流状態解除条件: 負荷開放放電過電流状態解除電圧: 放電過電流解除電圧 (VRIOV) = VDD × 0.8 (typ.)・ 0 V電池への充電: 可能、禁止・ パワーダウン機能: あり、なし
・ アラーム機能
AO端子出力論理: アクティブ "H"、アクティブ "L"AO端子出力形態: CMOS出力、Nchオープンドレイン出力
AO端子 = "L" 時の接続
: VSS端子、VM端子
充電制御機能: あり、なし
・ 高耐圧: VM端子、CO端子およびAO端子 : 絶対最大定格28 V・ 広動作温度範囲: Ta = −40°C ~ +85°C
・ 低消費電流動作時: 2.5 μA typ., 5.0 μA max. (Ta = +25°C)
パワーダウン時: 50 nA max. (Ta = +25°C)
過放電時: 0.5 μA max. (Ta = +25°C)
・ 鉛フリー (Sn 100%), ハロゲンフリー*1.

詳しくは各製品のデータシートをご参照ください。

4-6

1

8

4

5

1 AO
2 VM
3 CO
4 DO
5 VSS
6 VDD
7 VINI
8 NC

リチウムイオン電池保護 IC

S-82R1Aシリーズ

S-82S1Aシリーズ

バッテリー電圧モニタ端子付き
1セル用バッテリー保護IC● 特長

・バッテリー電圧モニタ端子付き
・外付けNTCサーミスタを用いた高精度過熱保護回路
過熱検出温度+45°C ~ +85°C (1°Cステップ)
精度±3°C*1・高精度電圧検出回路
過充電検出電圧3.500 V ~ 4.800 V (5 mVステップ)
精度±15mV
過充電解除電圧3.100 V ~ 4.800 V*2
精度±50 mV
過放電検出電圧2.000 V ~ 3.000 V (10 mVステップ)
精度±50 mV
過放電解除電圧2.000 V ~ 3.400 V*3
精度±75 mV
放電過電流1検出電圧
3 mV ~ 100 mV (0.5 mVステップ)
精度±1 mV
放電過電流2検出電圧
6 mV ~ 100 mV (0.5 mVステップ)
精度±2 mV
負荷短絡検出電圧
20 mV ~ 100 mV (1 mVステップ)
精度±5 mV
充電過電流検出電圧−100 mV ~ −3 mV (0.5 mVステップ)
精度±1 mV・各種検出遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要)
・放電過電流制御機能
放電過電流状態解除条件: 負荷開放放電過電流状態解除電圧: 放電過電流解除電圧 (VRIOV) = VDD × 0.8 (typ.)・0 V電池への充電: 可能、禁止・パワーダウン機能: あり、なし
・高耐圧: VM端子、CO端子 : 絶対最大定格28 V・広動作温度範囲: Ta = −40°C ~ +85°C
・低消費電流動作時: 4.5 μA typ., 6.0 μA max. (Ta = +25°C)
パワーダウン時: 50 nA max. (Ta = +25°C)
過放電時: 0.5 μA max. (Ta = +25°C)
・鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー

*1.

*1.

温度検出精度はNTCサーミスタの仕様により変化します。
表5のNTCサーミスタが接続された場合、検出温度およびその精度が得られます。
*2. 過充電解除電圧 = 過充電検出電圧 − 過充電ヒステリシス電圧(過充電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)*3. 過放電解除電圧 = 過放電検出電圧 + 過放電ヒステリシス電圧(過放電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.7 Vの範囲内にて100 mVステップで選択可能)

1

8

4

5

温度検出精度はNTCサーミスタの仕様により変化します。
表5のNTCサーミスタが接続された場合、検出温度およびその精度が得られます。
*2. 過充電解除電圧 = 過充電検出電圧 − 過充電ヒステリシス電圧(過充電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)*3. 過放電解除電圧 = 過放電検出電圧 + 過放電ヒステリシス電圧(過放電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.7 Vの範囲内にて100 mVステップで選択可能)
HSNT-8(1616)

1 BS
2 VM
3 CO
4 DO
5 VSS
6 VDD
7 VINI
8 TH

CMOS IC 2023 製品カタログ

バッテリー電圧モニタ端子付き
1セル用バッテリー保護IC● 特長

・バッテリー電圧モニタ端子付き
・外付けNTCサーミスタを用いた高精度過熱保護回路
過熱検出温度+45°C ~ +85°C (1°Cステップ)
精度±3°C*1・高精度電圧検出回路
過充電検出電圧3.500 V ~ 4.800 V (5 mVステップ)
精度±15mV
過充電解除電圧3.100 V ~ 4.800 V*2
精度±50 mV
過放電検出電圧2.000 V ~ 3.000 V (10 mVステップ)
精度±50 mV
過放電解除電圧2.000 V ~ 3.400 V*3
精度±75 mV
放電過電流1検出電圧
3 mV ~ 100 mV (0.5 mVステップ)
精度±1.5 mV
放電過電流2検出電圧
10 mV ~ 100 mV (0.5 mVステップ)
精度±3 mV
負荷短絡検出電圧
20 mV ~ 100 mV (1 mVステップ)
精度±5 mV
充電過電流検出電圧−100 mV ~ −3 mV (0.5 mVステップ)
精度±1.5 mV・各種検出遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要)
・放電過電流制御機能
放電過電流状態解除条件: 負荷開放放電過電流状態解除電圧: 放電過電流解除電圧 (VRIOV) = VDD × 0.8 (typ.)・0 V電池への充電: 可能、禁止・パワーダウン機能: あり、なし
・高耐圧: VM端子、CO端子 : 絶対最大定格28 V・広動作温度範囲: Ta = −40°C ~ +85°C
・低消費電流動作時: 4.5 μA typ., 6.0 μA max. (Ta = +25°C)
パワーダウン時: 50 nA max. (Ta = +25°C)
過放電時: 0.5 μA max. (Ta = +25°C)
・鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー

HSNT-8(1616)

詳しくは各製品のデータシートをご参照ください。

4-7

1

8

4

5

1 BS
2 VM
3 CO
4 DO
5 VSS
6 VDD
7 VINI
8 TH

リチウムイオン電池保護 IC

S-82B1Aシリーズ

S-82B1Bシリーズ

充放電制御機能付き
1セル用バッテリー保護IC● 特長

3.500 V ~ 4.600 V (5 mVステップ)

精度±20 mV

過充電解除電圧3.100 V ~ 4.600 V*1

精度±50 mV

過放電検出電圧2.000 V ~ 3.000 V (10 mVステップ)

精度±50 mV

過放電解除電圧2.000 V ~ 3.400 V*2

精度±100 mV

放電過電流検出電圧10.010 V ~ 0.100 V (1 mVステップ)

精度±3 mV

放電過電流検出電圧20.030 V ~ 0.200 V (1 mVステップ)

精度±5 mV

負荷短絡検出電圧

0.050 V ~ 0.500 V (5 mVステップ)

精度±20 mV

充電過電流検出電圧−0.100 V ~ −0.010 V (1 mVステップ)

精度±3 mV

・高精度電圧検出回路
過充電検出電圧3.500 V ~ 4.600 V (5 mVステップ)
精度20 mV
過充電解除電圧3.100 V ~ 4.600 V*1
精度50 mV
過放電検出電圧2.000 V ~ 3.000 V (10 mVステップ)
精度50 mV
過放電解除電圧2.000 V ~ 3.400 V*2
精度100 mV
放電過電流検出電圧10.010 V ~ 0.100 V (1 mVステップ)
精度3 mV
放電過電流検出電圧20.030 V ~ 0.200 V (1 mVステップ)
精度5 mV
負荷短絡検出電圧
0.050 V ~ 0.500 V (5 mVステップ)
精度20 mV
充電過電流検出電圧
0.100 V ~ 0.010 V (1 mVステップ)
精度3 mV・各種検出遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要)
・パワーセービング機能
PS端子の制御論理を選択可能: アクティブ "H"、アクティブ "L"
PS端子の内部抵抗接続を選択可能: プルアップ、プルダウン
PS端子の内部抵抗値を選択可能: 1.0 M、2.0 M、3.0 M、4.0 M、5.0 M
・0 V電池への充電機能を選択可能: 可能、禁止・パワーダウン機能
・放電過電流状態の解除条件を選択可能: 負荷開放、充電器接続
・放電過電流状態の解除電圧を選択可能: 放電過電流検出電圧1 (VDIOV1)、
放電過電流解除電圧 (VRIOV) = VDD  0.8 (typ.)・高耐圧: VM端子およびCO端子 : 絶対最大定格28 V・広動作温度範囲: Ta = 40°C ~ 85°C
・低消費電流動作時: 2.0 A typ., 4.0 A max. (Ta = 25°C)
パワーダウン時: 50 nA max. (Ta = 25°C)
パワーセービング時: 50 nA max. (Ta = 25°C)
・鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー

・各種検出遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要)
・充放電制御機能
CTL端子制御論理
CTL端子内部抵抗
CTL端子内部抵抗値
・0 V電池への充電: アクティブ "H"、アクティブ "L": プルアップ、プルダウン: 1.0 MΩ、2.0 MΩ、3.0 MΩ、4.0 MΩ、5.0 MΩ
: 可能、禁止・パワーダウン機能: あり、なし

・放電過電流状態解除条件
・放電過電流状態解除電圧・高耐圧: 負荷開放、充電器接続: 放電過電流検出電圧1 (VDIOV1)、
放電過電流解除電圧 (VRIOV) = VDD × 0.8 (typ.): VM端子およびCO端子 : 絶対最大定格28 V・広動作温度範囲: Ta = −40°C ~ +85°C

・低消費電流動作時: 2.0 μA typ., 4.0 μA max. (Ta = +25°C)

パワーダウン時: 50 nA max. (Ta = +25°C)

過放電時: 500 nA max. (Ta = +25°C)*1.

・鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
*1.

*2.

過充電解除電圧 = 過充電検出電圧 − 過充電ヒステリシス電圧(過充電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)*2.

パワーセービング機能付き
1セル用バッテリー保護IC● 特長

・高精度電圧検出回路
過充電検出電圧詳しくは各製品のデータシートをご参照ください。

過充電解除電圧 = 過充電検出電圧  過充電ヒステリシス電圧(過充電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)
過放電解除電圧 = 過放電検出電圧  過放電ヒステリシス電圧(過放電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.7 Vの範囲内にて100 mVステップで選択可能)

過放電解除電圧 = 過放電検出電圧 + 過放電ヒステリシス電圧

SNT-6A(過放電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.7 Vの範囲内にて100 mVステップで選択可能)
SNT-6A
1
2
3

6
5
4

1
2
3

1 VM
2 CO
3 DO
4 VSS
5 VDD
6 CTL

CMOS IC 2023 製品カタログ

4-8

6
5
4

1 VM
2 CO
3 DO
4 VSS
5 VDD
6 PS

リチウムイオン電池保護 IC

S-82N1Aシリーズ

S-82N1Bシリーズ

充放電制御機能付き
1セル用バッテリー保護IC

● 特長

*2.

・ 高精度電圧検出回路
過充電検出電圧3.500 V ~ 4.600 V (5 mVステップ)
精度±15 mV
過充電解除電圧3.100 V ~ 4.600 V*1
精度±50 mV
過放電検出電圧2.000 V ~ 3.000 V (10 mVステップ)
精度±50 mV
過放電解除電圧2.000 V ~ 3.400 V*2
精度±100 mV
放電過電流検出電圧
0.003 V ~ 0.100 V (1 mVステップ)
精度±3 mV
負荷短絡検出電圧
0.010 V ~ 0.200 V (1 mVステップ)
精度±7 mV
充電過電流検出電圧−0.100 V ~ −0.003 V (1 mVステップ)
精度±3 mV・ 各種検出遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要)
・ パワーセービング機能
PS端子制御論理: アクティブ "H"、アクティブ "L"
PS端子内部抵抗接続: プルアップ、プルダウン
PS端子内部抵抗値: 1.0 MΩ、2.0 MΩ、3.0 MΩ、4.0 MΩ、5.0 MΩ
・ 放電過電流制御機能
放電過電流状態解除条件: 負荷開放、充電器接続
放電過電流状態解除電圧: 放電過電流検出電圧 (VDIOV)、
放電過電流解除電圧 (VRIOV) = VDD × 0.8 (typ.)・ 0 V電池への充電: 可能、禁止・ パワーダウン機能
・ 高耐圧: VM端子、CO端子 : 絶対最大定格28 V・ 広動作温度範囲: Ta = −40°C ~ +85°C
・ 低消費電流動作時: 600 nA typ., 990 nA max. (Ta = +25°C)
パワーダウン時: 50 nA max. (Ta = +25°C)
パワーセービング時: 50 nA max. (Ta = +25°C)
・ 鉛フリー (Sn 100%), ハロゲンフリー*1.

過充電解除電圧 = 過充電検出電圧 − 過充電ヒステリシス電圧(過充電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)
過放電解除電圧 = 過放電検出電圧 + 過放電ヒステリシス電圧(過放電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.7 Vの範囲内にて100 mVステップで選択可能)
SNT-6A
1
2
3

6
5
4

*2.

過充電解除電圧 = 過充電検出電圧 − 過充電ヒステリシス電圧(過充電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)
過放電解除電圧 = 過放電検出電圧 + 過放電ヒステリシス電圧(過放電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.7 Vの範囲内にて100 mVステップで選択可能)
SNT-6A

1 CTL
2 CO
3 DO
4 VSS
5 VDD
6 VM

CMOS IC 2023 製品カタログ

パワーセービング機能付き
1セル用バッテリー保護IC● 特長

・ 高精度電圧検出回路
過充電検出電圧3.500 V ~ 4.600 V (5 mVステップ)
精度±15 mV
過充電解除電圧3.100 V ~ 4.600 V*1
精度±50 mV
過放電検出電圧2.000 V ~ 3.000 V (10 mVステップ)
精度±50 mV
過放電解除電圧2.000 V ~ 3.400 V*2
精度±100 mV
放電過電流検出電圧
0.003 V ~ 0.100 V (1 mVステップ)
精度±3 mV
負荷短絡検出電圧
0.010 V ~ 0.200 V (1 mVステップ)
精度±7 mV
充電過電流検出電圧−0.100 V ~ −0.003 V (1 mVステップ)
精度±3 mV・ 各種検出遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要)
・ 充放電制御機能
CTL端子制御論理: アクティブ "H"、アクティブ "L"
CTL端子内部抵抗接続: プルアップ、プルダウン
CTL端子内部抵抗値: 1.0 MΩ、2.0 MΩ、3.0 MΩ、4.0 MΩ、5.0 MΩ
・ 放電過電流制御機能
放電過電流状態解除条件: 負荷開放、充電器接続
放電過電流状態解除電圧: 放電過電流検出電圧 (VDIOV)、
放電過電流解除電圧 (VRIOV) = VDD × 0.8 (typ.)・ 0 V電池への充電: 可能、禁止・ パワーダウン機能: あり、なし
・ 高耐圧: VM端子、CO端子 : 絶対最大定格28 V・ 広動作温度範囲: Ta = −40°C ~ +85°C
・ 低消費電流動作時: 600 nA typ., 990 nA max. (Ta = +25°C)
パワーダウン時: 50 nA max. (Ta = +25°C)
過放電時: 500 nA max. (Ta = +25°C)
・ 鉛フリー (Sn 100%), ハロゲンフリー*1.

詳しくは各製品のデータシートをご参照ください。

1
2
3

4-9

6
5
4

1 PS
2 CO
3 DO
4 VSS
5 VDD
6 VM

リチウムイオン電池保護 IC

S-82M1Aシリーズ

1セル用バッテリー保護IC● 特長

・ 高精度電圧検出回路
過充電検出電圧3.500 V ~ 4.600 V (5 mVステップ)
精度±15 mV
過充電解除電圧3.100 V ~ 4.600 V*1
精度±50 mV
過放電検出電圧2.000 V ~ 3.000 V (10 mVステップ)
精度±50 mV
過放電解除電圧2.000 V ~ 3.400 V*2
精度±100 mV
放電過電流検出電圧
0.003 V ~ 0.100 V (1 mVステップ)
精度±3 mV
負荷短絡検出電圧
0.010 V ~ 0.200 V (1 mVステップ)
精度±7 mV
充電過電流検出電圧−0.100 V ~ −0.003 V (1 mVステップ)
精度±3 mV・ 各種検出遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要)
・ 0 V電池への充電: 可能、禁止・ パワーダウン機能: あり、なし
・ 高耐圧: VM端子、CO端子 : 絶対最大定格28 V・ 広動作温度範囲: Ta = −40°C ~ +85°C
・ 低消費電流動作時: 600 nA typ., 990 nA max. (Ta = +25°C)
パワーダウン時: 50 nA max. (Ta = +25°C)
過放電時: 500 nA max. (Ta = +25°C)
・ 鉛フリー (Sn 100%), ハロゲンフリー
*1.

*2.

S-82A1Aシリーズ

1セル用バッテリー保護IC● 特長

・高精度電圧検出回路
過充電検出電圧

3.5 V ~ 4.6 V (5 mVステップ)

精度±20 mV

過充電解除電圧

3.1 V ~ 4.6 V*1

精度±50 mV

過放電検出電圧

2.0 V ~ 3.0 V (10 mVステップ)

精度±50 mV

過放電解除電圧

2.0 V ~ 3.4 V*2

精度±100 mV

放電過電流検出電圧10.010 V ~ 0.100 V (1 mVステップ)

精度±3 mV

放電過電流検出電圧20.030 V ~ 0.200 V (1 mVステップ)

精度±5 mV

負荷短絡検出電圧

0.050 V ~ 0.500 V (5 mVステップ)

精度±20 mV

充電過電流検出電圧−0.100 V ~ −0.010 V (1 mVステップ)

精度±3 mV・各種検出遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要)
・0 V電池への充電: 可能、禁止・パワーダウン機能: あり、なし

・放電過電流状態の解除条件
・放電過電流状態の解除電圧: 負荷開放、充電器接続: 放電過電流検出電圧1 (VDIOV1)、
放電過電流解除電圧 (VRIOV) = VDD × 0.8 (typ.): VM端子およびCO端子 : 絶対最大定格28 V: Ta = −40°C ~ +85°C

・高耐圧
・広動作温度範囲

過充電解除電圧 = 過充電検出電圧 − 過充電ヒステリシス電圧(過充電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)
過放電解除電圧 = 過放電検出電圧 + 過放電ヒステリシス電圧(過放電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.7 Vの範囲内にて100 mVステップで選択可能)

・低消費電流動作時: 2.0 μA typ., 4.0 μA max. (Ta = +25°C)

パワーダウン時: 50 nA max. (Ta = +25°C)

過放電時: 500 nA max. (Ta = +25°C)

・鉛フリー、Sn 100%、ハロゲンフリー*3

SNT-6A
1
2
3

詳しくは各製品のデータシートをご参照ください。

6
5
4

1 VINI
2 CO
3 DO
4 VSS
5 VDD
6 VM

*1.

過充電解除電圧 = 過充電検出電圧 − 過充電ヒステリシス電圧*2.

過放電解除電圧 = 過放電検出電圧 + 過放電ヒステリシス電圧*3.

 品目コードの構成" を参照してください。
詳細は "

(過充電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)(過放電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.7 Vの範囲内にて100 mVステップで選択可能)

SNT-6A
1
2
3

CMOS IC 2023 製品カタログ

4-10

6
5
4

1 VM
2 CO
3 DO
4 VSS
5 VDD
6 VINI

DFN-6(1414)A
1
3

6
4

1 VSS
2 VDD
3 VINI
4 VM
5 CO
6 DO

リチウムイオン電池保護 IC

S-82C1Fシリーズ

1セル用バッテリー保護IC● 特長

・高精度電圧検出回路
過充電検出電圧3.500 V ~ 4.600 V (5 mVステップ)
過充電解除電圧3.100 V ~ 4.600 V*1
過放電検出電圧2.000 V ~ 3.000 V (10 mVステップ)
過放電解除電圧2.000 V ~ 3.400 V*2
放電過電流検出電圧10.010 V ~ 0.100 V (1 mVステップ)
放電過電流検出電圧20.030 V ~ 0.200 V (1 mVステップ)
負荷短絡検出電圧
0.050 V ~ 0.500 V (5 mVステップ)
充電過電流検出電圧−0.100 V ~ −0.010 V (1 mVステップ)
・各種検出遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要)
・0 V電池への充電: 可能、禁止・パワーダウン機能: あり、なし
・放電過電流状態の解除条件: 負荷開放、充電器接続
・放電過電流状態の解除電圧: 放電過電流検出電圧1 (VDIOV1)、
放電過電流解除電圧 (VRIOV) = VDD × 0.8 (typ.)・高耐圧: VM端子およびCO端子 : 絶対最大定格28 V・広動作温度範囲: Ta = −40°C ~ +85°C
・低消費電流動作時: 2.0 μA typ., 4.0 μA max. (Ta = +25°C)
パワーダウン時: 50 nA max. (Ta = +25°C)
過放電時: 1.0 μA max. (Ta = +25°C)
・鉛フリー、Sn 100%、ハロゲンフリー*3
*1.
*2.
*3.

1
2
3

6
5
4

1 VM
2 CO
3 DO
4 VSS
5 VDD
6 VINI

DFN-6(1414)A
1
3

6
4

S-82C1Eシリーズ

充放電制御機能付き
1セル用バッテリー保護IC● 特長

・ 高精度電圧検出回路
過充電検出電圧3.500 V ~ 4.600 V (5 mVステップ)
精度±20 mV
過充電解除電圧3.100 V ~ 4.600 V*1
精度±50 mV
過放電検出電圧2.000 V ~ 3.000 V (10 mVステップ)
精度±50 mV
過放電解除電圧2.000 V ~ 3.400 V*2
精度±100 mV
放電過電流検出電圧10.010 V ~ 0.100 V (1 mVステップ)
精度±3 mV
放電過電流検出電圧20.030 V ~ 0.200 V (1 mVステップ)
精度±5 mV
負荷短絡検出電圧
0.050 V ~ 0.500 V (5 mVステップ)
精度±20 mV
充電過電流検出電圧−0.100 V ~ −0.010 V (1 mVステップ)
精度±3 mV・ 各種検出遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要)
・ 充放電制御機能
CTL端子の制御論理: アクティブ "H"、アクティブ "L"
CTL端子の内部抵抗接続: プルアップ、プルダウン
CTL端子の内部抵抗値: 1.0 MΩ ~ 10 MΩ (1 MΩステップ)
CTL端子電圧 "H": VSS + 0.7 V, VDD − 0.9 V
CTL端子電圧 "L": VSS + 0.7 V, VDD − 0.9 V
・ 0 V電池への充電: 可能、禁止・ パワーダウン機能: あり、なし
・ 放電過電流状態の解除条件: 負荷開放、充電器接続
・ 放電過電流状態の解除電圧: 放電過電流検出電圧1 (VDIOV1)、
放電過電流解除電圧 (VRIOV) = VDD × 0.8 (typ.)・ CTL端子による放電過電流状態リセット機能 : あり、なし
・ 高耐圧: VM端子およびCO端子 : 絶対最大定格28 V・ 広動作温度範囲: Ta = −40°C ~ +85°C
・ 低消費電流動作時: 2.0 μA typ., 4.0 μA max. (Ta = +25°C)
パワーダウン時: 50 nA max. (Ta = +25°C)
過放電時: 1.0 μA max. (Ta = +25°C)
・ 鉛フリー、ハロゲンフリー*3

精度±20mV
精度±50 mV
精度±50 mV
精度±100 mV
精度±3 mV
精度±5 mV
精度±20 mV
精度±3 mV

過充電解除電圧 = 過充電検出電圧 − 過充電ヒステリシス電圧(過充電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)
過放電解除電圧 = 過放電検出電圧 + 過放電ヒステリシス電圧(過放電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.7 Vの範囲内にて100 mVステップで選択可能)
詳細は "
 品目コードの構成" を参照してください。
SNT-6A

詳しくは各製品のデータシートをご参照ください。

1 VSS
2 VDD
3 VINI
4 VM
5 CO
6 DO

*1.
*2.
*3.

過充電解除電圧 = 過充電検出電圧 − 過充電ヒステリシス電圧(過充電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)
過放電解除電圧 = 過放電検出電圧 + 過放電ヒステリシス電圧(過放電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.7 Vの範囲内にて100 mVステップで選択可能)
詳細は "
 品目コードの構成" を参照してください。
DFN-8(1616)A 1 CTL
2 VM
3 CO
1
8
4 DO
5 VSS
4
5
6 VDD
7 VINI
8 NC

CMOS IC 2023 製品カタログ

4-11

リチウムイオン電池保護 IC

S-82F1Bシリーズ

1セル用バッテリー保護IC● 特長

・高精度電圧検出回路
過充電検出電圧3.500 V ~ 4.600 V (5 mVステップ)*1
過充電解除電圧3.100 V ~ 4.600 V
過放電検出電圧2.000 V ~ 3.000 V (10 mVステップ)
過放電解除電圧2.000 V ~ 3.400 V*2
放電過電流検出電圧10.003 V ~ 0.100 V (0.5 mVステップ)
放電過電流検出電圧20.010 V ~ 0.100 V (1 mVステップ)
負荷短絡検出電圧
0.020 V ~ 0.100 V (1 mVステップ)
充電過電流検出電圧−0.100 V ~ −0.003 V (0.5 mVステップ)
・各種検出遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要)
・放電過電流制御機能
放電過電流状態の解除条件: 負荷開放放電過電流状態の解除電圧: VRIOV = VDD × 0.80 typ.
・0 V電池への充電機能を選択可能: 可能、禁止・パワーダウン機能を選択可能: あり、なし
・高耐圧: VM端子およびCO端子 : 絶対最大定格28 V・広動作温度範囲: Ta = −40°C ~ +85°C
・低消費電流動作時: 2.0 μA typ., 4.0 μA max. (Ta = +25°C)
パワーダウン時: 50 nA max. (Ta = +25°C)
過放電時: 0.5 μA max. (Ta = +25°C)
・鉛フリー (Sn 100%), ハロゲンフリー

654充放電制御機能付き
1セル用バッテリー保護IC● 特長

・ 高精度電圧検出回路
過充電検出電圧3.500 V ~ 4.600 V (5 mVステップ)

精度±15mV

過充電解除電圧3.100 V ~ 4.600 V*1

精度±50 mV

過放電検出電圧2.000 V ~ 3.000 V (10 mVステップ)

精度±50 mV

過放電解除電圧2.000 V ~ 3.400 V*2

精度±75 mV

放電過電流検出電圧10.003 V ~ 0.100 V (0.5 mVステップ)

精度±1.5 mV

放電過電流検出電圧20.010 V ~ 0.100 V (1 mVステップ)

精度±3 mV

負荷短絡検出電圧

0.020 V ~ 0.100 V (1 mVステップ)

精度±5 mV

充電過電流検出電圧−0.100 V ~ −0.003 V (0.5 mVステップ)

精度±1.5 mV・ 各種検出遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要)
・ 充放電制御機能
CTL端子制御論理: アクティブ "H"、アクティブ "L"

CTL端子内部抵抗接続: プルアップ、プルダウン

CTL端子内部抵抗値: 1 MΩ ~ 10 MΩ (1 MΩステップ)

・ 放電過電流制御機能

過充電解除電圧 = 過充電検出電圧 − 過充電ヒステリシス電圧(過充電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)*2. 過放電解除電圧 = 過放電検出電圧 + 過放電ヒステリシス電圧(過放電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.7 Vの範囲内にて100 mVステップで選択可能)

1
2
3

S-82F1Aシリーズ

精度±15mV
精度±50 mV
精度±50 mV
精度±75 mV
精度±1.5 mV
精度±3 mV
精度±5 mV
精度±1.5 mV*1.

SNT-6A

詳しくは各製品のデータシートをご参照ください。

放電過電流状態の解除条件: 負荷開放放電過電流状態の解除電圧: VRIOV = VDD × 0.8 (typ.)・ 0 V電池への充電: 可能、禁止・ パワーダウン機能: あり、なし

・ 高耐圧: VM端子およびCO端子 : 絶対最大定格28 V・ 広動作温度範囲: Ta = −40°C ~ +85°C

・ 低消費電流

1 VM
2 CO
3 DO
4 VSS
5 VDD
6 V NI

動作時: 2.0 μA typ., 4.0 μA max. (Ta = +25°C)

パワーダウン時: 50 nA max. (Ta = +25°C)

過放電時: 0.5 μA max. (Ta = +25°C)

・ 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー*1.

過充電解除電圧 = 過充電検出電圧 − 過充電ヒステリシス電圧(過充電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)*2. 過放電解除電圧 = 過放電検出電圧 + 過放電ヒステリシス電圧(過放電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.7 Vの範囲内にて100 mVステップで選択可能)
HSNT-8(1616)

CMOS IC 2023 製品カタログ

4-12

1

8

4

5

1 CTL
2 VM
3 CO
4 DO
5 VSS
6 VDD
7 VINI
8 NC

リチウムイオン電池保護 IC

S-82H1Bシリーズ

1セル用バッテリー保護IC● 特長

3.500 V ~ 4.600 V (5 mVステップ)

精度±15mV
精度±50 mV

過充電解除電圧3.100 V ~ 4.600 V*1

過放電検出電圧2.000 V ~ 3.000 V (10 mVステップ)

精度±50 mV

過放電解除電圧2.000 V ~ 3.400 V*2

精度±75 mV

放電過電流検出電圧10.003 V ~ 0.100 V (0.5 mVステップ)

精度±1.5 mV

放電過電流検出電圧20.010 V ~ 0.100 V (1 mVステップ)

精度±3 mV

負荷短絡検出電圧

0.020 V ~ 0.100 V (1 mVステップ)

精度±5 mV

充電過電流検出電圧−0.100 V ~ −0.003 V (0.5 mVステップ)

精度±1.5 mV・ 各種検出遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要)
・ 放電過電流制御機能: 負荷開放放電過電流状態解除条件: 放電過電流解除電圧 (VRIOV) = VDD × 0.8 (typ.)

放電過電流状態解除電圧
・ 0 V電池への充電: 可能、禁止・ パワーダウン機能: あり、なし

・ 高耐圧: VM端子およびCO端子 : 絶対最大定格28 V・ 広動作温度範囲: Ta = −40°C ~ +85°C

・ 低消費電流動作時: 2.0 μA typ., 4.0 μA max. (Ta = +25°C)

パワーダウン時: 50 nA max. (Ta = +25°C)

過放電時: 0.5 μA max. (Ta = +25°C)

・ 鉛フリー (Sn 100%), ハロゲンフリー*1.

過充電解除電圧 = 過充電検出電圧 − 過充電ヒステリシス電圧(過充電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)*2. 過放電解除電圧 = 過放電検出電圧 + 過放電ヒステリシス電圧(過放電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.7 Vの範囲内にて100 mVステップで選択可能)
SNT-6A
1
2
3

6
5
4

充放電制御機能付き
1セル用バッテリー保護IC

● 特長

*1.

過充電解除電圧 = 過充電検出電圧 − 過充電ヒステリシス電圧(過充電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)*2. 過放電解除電圧 = 過放電検出電圧 + 過放電ヒステリシス電圧(過放電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.7 Vの範囲内にて100 mVステップで選択可能)

1 VM
2 CO
3 DO
4 VSS
5 VDD
6 VINICMOS IC 2023 製品カタログ

S-82H1Aシリーズ

・高精度電圧検出回路
過充電検出電圧3.500 V ~ 4.600 V (5 mVステップ)
精度±15mV
過充電解除電圧3.100 V ~ 4.600 V*1
精度±50 mV
過放電検出電圧2.000 V ~ 3.000 V (10 mVステップ)
精度±50 mV
過放電解除電圧2.000 V ~ 3.400 V*2
精度±75 mV
放電過電流検出電圧10.003 V ~ 0.100 V (0.5 mVステップ)
精度±1.5 mV
放電過電流検出電圧20.010 V ~ 0.100 V (1 mVステップ)
精度±3 mV
負荷短絡検出電圧
0.020 V ~ 0.100 V (1 mVステップ)
精度±5 mV
充電過電流検出電圧−0.100 V ~ −0.003 V (0.5 mVステップ)
精度±1.5 mV・各種検出遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要)
・充放電制御機能
CTL端子の制御論理を選択可能: アクティブ "H"、アクティブ "L"
CTL端子内部抵抗の接続を選択可能: プルアップ、プルダウン
CTL端子内部抵抗値を選択可能: 1 MΩ ~ 10 MΩ (1 MΩステップ)
・放電過電流制御機能
放電過電流状態の解除条件: 負荷開放放電過電流状態の解除電圧: VRIOV = VDD × 0.8
・CTL端子による放電過電流状態リセット機能を選択可能 : あり、なし
・0 V電池への充電機能を選択可能: 可能、禁止・パワーダウン機能を選択可能: あり、なし
・高耐圧: VM端子およびCO端子 : 絶対最大定格28 V・広動作温度範囲: Ta = −40°C ~ +85°C
・低消費電流動作時: 2.0 μA typ., 4.0 μA max. (Ta = +25°C)
パワーダウン時: 50 nA max. (Ta = +25°C)
過放電時: 0.5 μA max. (Ta = +25°C)
・鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー・ 高精度電圧検出回路
過充電検出電圧詳しくは各製品のデータシートをご参照ください。

HSNT-8(1616)

4-13

1

8

4

5

1 CTL
2 VM
3 CO
4 DO
5 VSS
6 VDD
7 VINI
8 NC

リチウムイオン電池保護 IC

S-82K1Bシリーズ

S-82K1Aシリーズ

1セル用バッテリー保護IC

● 特長

*2.

・ 高精度電圧検出回路
過充電検出電圧3.500 V ~ 4.600 V (5 mVステップ)
精度±15mV
過充電解除電圧3.100 V ~ 4.600 V*1
精度±50 mV
過放電検出電圧2.000 V ~ 3.000 V (10 mVステップ)
精度±50 mV
過放電解除電圧2.000 V ~ 3.400 V*2
精度±75 mV
放電過電流検出電圧10.003 V ~ 0.100 V (0.5 mVステップ)
精度±1.0 mV
放電過電流検出電圧20.010 V ~ 0.100 V (1 mVステップ)
精度±3 mV
負荷短絡検出電圧
0.020 V ~ 0.100 V (1 mVステップ)
精度±5 mV
充電過電流検出電圧−0.100 V ~ −0.003 V (0.5 mVステップ)
精度±1.0 mV・ 各種検出遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要)
・ 充放電制御機能
CTL端子制御論理: アクティブ "H"、アクティブ "L"
CTL端子内部抵抗: プルアップ、プルダウン
CTL端子内部抵抗値: 1 MΩ ~ 10 MΩ (1 MΩステップ)
・ 放電過電流制御機能
放電過電流状態解除条件: 負荷開放放電過電流状態解除電圧: VRIOV = VDD × 0.8 (typ.)・ CTL端子による放電過電流状態リセット機能 : あり、なし
・ 0 V電池への充電: 可能、禁止・ パワーダウン機能: あり、なし
・ 高耐圧: VM端子およびCO端子 : 絶対最大定格28 V・ 広動作温度範囲: Ta = −40°C ~ +85°C
・ 低消費電流動作時: 2.0 μA typ., 4.0 μA max. (Ta = +25°C)
パワーダウン時: 50 nA max. (Ta = +25°C)
過放電時: 0.5 μA max. (Ta = +25°C)
・ 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー

過充電解除電圧 = 過充電検出電圧 − 過充電ヒステリシス電圧(過充電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)
過放電解除電圧 = 過放電検出電圧 + 過放電ヒステリシス電圧(過放電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.7 Vの範囲内にて100 mVステップで選択可能)
HSNT-6D(HSNT-6(1618))
1
2
3

6
5
4

1 VM
2 CO
3 DO
4 VSS
5 VDD
6 VINI*1.

SNT-6A
1
2
3

CMOS IC 2023 製品カタログ

654充放電制御機能付き
1セル用バッテリー保護IC● 特長

・ 高精度電圧検出回路
過充電検出電圧3.500 V ~ 4.600 V (5 mVステップ)
精度±15 mV
過充電解除電圧3.100 V ~ 4.600 V*1
精度±50 mV
過放電検出電圧2.000 V ~ 3.000 V (10 mVステップ)
精度±50 mV
過放電解除電圧2.000 V ~ 3.400 V*2
精度±75 mV
放電過電流検出電圧10.003 V ~ 0.100 V (0.5 mVステップ)
精度±1.0 mV
放電過電流検出電圧20.010 V ~ 0.100 V (1 mVステップ)
精度±3 mV
負荷短絡検出電圧
0.020 V ~ 0.100 V (1 mVステップ)
精度±5 mV
充電過電流検出電圧−0.100 V ~ −0.003 V (0.5 mVステップ)
精度±1.0 mV・ 各種検出遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要)
・ 放電過電流制御機能
放電過電流状態の解除条件: 負荷開放放電過電流状態の解除電圧: VRIOV = VDD × 0.8 (typ.)・ 0 V電池への充電: 可能、禁止・ パワーダウン機能: あり、なし
・ 高耐圧: VM端子およびCO端子 : 絶対最大定格28 V・ 広動作温度範囲: Ta = −40°C ~ +85°C
・ 低消費電流動作時: 2.0 μA typ., 4.0 μA max. (Ta = +25°C)
パワーダウン時: 50 nA max. (Ta = +25°C)
過放電時: 0.5 μA max. (Ta = +25°C)
・ 鉛フリー (Sn 100%), ハロゲンフリー*1.

詳しくは各製品のデータシートをご参照ください。

1 VM
2 CO
3 DO
4 VSS
5 VDD
6 VINI*2.

過充電解除電圧 = 過充電検出電圧 − 過充電ヒステリシス電圧(過充電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)
過放電解除電圧 = 過放電検出電圧 + 過放電ヒステリシス電圧(過放電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.7 Vの範囲内にて100 mVステップで選択可能)
HSNT-8(1616)

4-14

1

8

4

5

1 CTL
2 VM
3 CO
4 DO
5 VSS
6 VDD
7 VINI
8 NC

リチウムイオン電池保護 IC

S-82P1Bシリーズ

S-82P1Aシリーズ

1セル用バッテリー保護IC

● 特長

*2.

・高精度電圧検出回路
過充電検出電圧3.500 V ~ 4.800 V (5 mVステップ)
精度±15mV
過充電解除電圧3.100 V ~ 4.800 V*1
精度±50 mV
過放電検出電圧2.000 V ~ 3.000 V (10 mVステップ)
精度±50 mV
過放電解除電圧2.000 V ~ 3.400 V*2
精度±75 mV
放電過電流検出電圧13 mV ~ 100 mV (0.25 mVステップ)
精度±0.75 mV
放電過電流検出電圧26 mV ~ 100 mV (0.5 mVステップ)
精度±2 mV
負荷短絡検出電圧
20 mV ~ 100 mV (1 mVステップ)
精度±5 mV
充電過電流検出電圧−100 mV ~ −3 mV (0.25 mVステップ)
精度±0.75 mV・各種検出遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要)
・充放電制御機能
CTL端子制御論理: アクティブ "H"、アクティブ "L"
CTL端子内部抵抗接続: プルアップ、プルダウン
CTL端子内部抵抗値: 1 MΩ ~ 6 MΩ (1 MΩステップ)
・放電過電流制御機能
放電過電流状態解除条件:: 負荷開放放電過電流状態解除電圧: 放電過電流解除電圧 (VRIOV) = VDD × 0.8 (typ.)・CTL端子による放電過電流状態リセット機能: あり、なし
・0 V電池への充電: 可能、禁止・パワーダウン機能: あり、なし
・高耐圧: VM端子、CO端子 : 絶対最大定格28 V・広動作温度範囲: Ta = −40°C ~ +85°C
・低消費電流動作時: 2.0 μA typ., 4.0 μA max. (Ta = +25°C)
パワーダウン時: 50 nA max. (Ta = +25°C)
過放電時: 0.5 μA max. (Ta = +25°C)
・鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー

過充電解除電圧 = 過充電検出電圧 − 過充電ヒステリシス電圧(過充電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)
過放電解除電圧 = 過放電検出電圧 + 過放電ヒステリシス電圧(過放電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.7 Vの範囲内にて100 mVステップで選択可能)
SNT-6A
1
2
3

6
5
4

充放電制御機能付き
1セル用バッテリー保護IC● 特長

・ 高精度電圧検出回路
過充電検出電圧3.500 V ~ 4.800 V (5 mVステップ)
精度±15 mV
過充電解除電圧3.100 V ~ 4.800 V*1
精度±50 mV
過放電検出電圧2.000 V ~ 3.000 V (10 mVステップ)
精度±50 mV
過放電解除電圧2.000 V ~ 3.400 V*2
精度±75 mV
放電過電流検出電圧13 mV ~ 100 mV (0.25 mVステップ)
精度±0.75 mV
放電過電流検出電圧26 mV ~ 100 mV (0.5 mVステップ)
精度±2 mV
負荷短絡検出電圧
20 mV ~ 100 mV (1 mVステップ)
精度±5 mV
充電過電流検出電圧−100 mV ~ −3 mV (0.25 mVステップ)
精度±0.75 mV・ 各種検出遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要)
・ 放電過電流制御機能
放電過電流状態解除条件: 負荷開放放電過電流状態解除電圧: 放電過電流解除電圧 (VRIOV) = VDD × 0.8 (typ.)・ 0 V電池への充電: 可能、禁止・ パワーダウン機能: あり、なし
・ 高耐圧: VM端子およびCO端子 : 絶対最大定格28 V・ 広動作温度範囲: Ta = −40°C ~ +85°C
・ 低消費電流動作時: 2.0 μA typ., 4.0 μA max. (Ta = +25°C)
パワーダウン時: 50 nA max. (Ta = +25°C)
過放電時: 0.5 μA max. (Ta = +25°C)
・ 鉛フリー (Sn 100%), ハロゲンフリー*1.

詳しくは各製品のデータシートをご参照ください。

*1.

過充電解除電圧 = 過充電検出電圧 − 過充電ヒステリシス電圧(過充電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)*2. 過放電解除電圧 = 過放電検出電圧 + 過放電ヒステリシス電圧(過放電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.7 Vの範囲内にて100 mVステップで選択可能)

1 VM
2 CO
3 DO
4 VSS
5 VDD
6 V NI

HSNT-8(1616)

CMOS IC 2023 製品カタログ

4-15

1

8

4

5

1 CTL
2 VM
3 CO
4 DO
5 VSS
6 VDD
7 VINI
8 NC

リチウムイオン電池保護 IC

S-82G1Bシリーズ

充放電電流経路分離回路対応
1セル用バッテリー保護IC● 特長

・高精度電圧検出回路
過充電検出電圧3.500 V ~ 4.600 V (5 mVステップ)
精度±15 mV
過充電解除電圧3.100 V ~ 4.600 V*1
精度±50 mV
過放電検出電圧2.000 V ~ 3.000 V (10 mVステップ)
精度±50 mV
過放電解除電圧2.000 V ~ 3.400 V*2
精度±75 mV
放電過電流検出電圧10.003 V ~ 0.100 V (0.5 mVステップ)
精度±1.5 mV
放電過電流検出電圧20.010 V ~ 0.100 V (1 mVステップ)
精度±3 mV
負荷短絡検出電圧
0.020 V ~ 0.100 V (1 mVステップ)
精度±5 mV
充電過電流検出電圧−0.100 V ~ −0.010 V (1 mVステップ)
精度±3 mV・各種検出遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要)
・放電過電流制御機能
負荷短絡検出2機能を選択可能: あり、なし
放電過電流状態の解除条件: 負荷開放放電過電流状態の解除電圧: VRIOV = VDD × 0.8
・0 V電池への充電機能を選択可能: 可能、禁止・パワーダウン機能を選択可能: あり、なし
・高耐圧: VMC端子、VMD端子およびCO端子 : 絶対最大定格28 V・広動作温度範囲: Ta = −40°C ~ +85°C
・低消費電流動作時: 2.0 μA typ., 4.0 μA max. (Ta = +25°C)
パワーダウン時: 50 nA max. (Ta = +25°C)
過放電時: 0.5 μA max. (Ta = +25°C)
・鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー

8

4

5

● 特長

HSNT-6D(HSNT-6(1618))

1 VMD
2 VMC
3 CO
4 DO
5 VSS
6 VDD
7 V NI
8 NC

CMOS IC 2023 製品カタログ

1セル用バッテリー保護IC*1. 過充電解除電圧 = 過充電検出電圧 − 過充電ヒステリシス電圧(過充電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)*2. 過放電解除電圧 = 過放電検出電圧 + 過放電ヒステリシス電圧(過放電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.7 Vの範囲内にて100 mVステップで選択可能)

過充電解除電圧 = 過充電検出電圧 − 過充電ヒステリシス電圧(過充電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)*2. 過放電解除電圧 = 過放電検出電圧 + 過放電ヒステリシス電圧(過放電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.7 Vの範囲内にて100 mVステップで選択可能)

1

S-82Y1Bシリーズ

・ 高精度電圧検出回路
過充電検出電圧3.500 V ~ 4.800 V (5 mVステップ)
精度±15 mV
過充電解除電圧3.100 V ~ 4.800 V*1
精度±50 mV
過放電検出電圧2.000 V ~ 3.000 V (10 mVステップ) 精度±50 mV
過放電解除電圧2.000 V ~ 3.400 V*2
精度±75 mV
放電過電流1検出電圧
3 mV ~ 50 mV (0.25 mVステップ)
精度±0.5 mV
放電過電流2検出電圧
6 mV ~ 100 mV (0.5 mVステップ)
精度±1.5 mV
負荷短絡検出電圧
15 mV ~ 100 mV (1 mVステップ)
精度±3.0 mV
充電過電流検出電圧−50 mV ~ −3 mV (0.25 mVステップ) 精度±0.5 mV・ 各種検出遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要)
・ 放電過電流制御機能
放電過電流状態解除条件: 負荷開放放電過電流状態解除電圧: 放電過電流解除電圧 (VRIOV) = VDD × 0.8 (typ.)・ 0 V電池への充電: 可能、禁止・ パワーダウン機能: あり、なし
・ 高耐圧: VM端子、CO端子 : 絶対最大定格28 V・ 広動作温度範囲: Ta = −40°C ~ +85°C
・ 低消費電流動作時: 2.0 μA typ., 4.0 μA max. (Ta = +25°C)
パワーダウン時: 50 nA max. (Ta = +25°C)
過放電時: 0.5 μA max. (Ta = +25°C)
・ 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー*1.

HSNT-8(1616)

詳しくは各製品のデータシートをご参照ください。

1
2
3

4-16

6
5
4

1 VM
2 CO
3 DO
4 VSS
5 VDD
6 VINI

SNT-6A
1
2
3

6
5
4

1 VM
2 CO
3 DO
4 VSS
5 VDD
6 VINI

リチウムイオン電池保護 IC

S-82G1Aシリーズ

充放電電流経路分離回路対応
1セル用バッテリー保護IC

● 特長

*2.

8

4

5

過充電解除電圧 = 過充電検出電圧 − 過充電ヒステリシス電圧(過充電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)
過放電解除電圧 = 過放電検出電圧 + 過放電ヒステリシス電圧(過放電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.7 Vの範囲内にて100 mVステップで選択可能)
HSNT-8(1616)

過充電解除電圧 = 過充電検出電圧 − 過充電ヒステリシス電圧(過充電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)*2. 過放電解除電圧 = 過放電検出電圧 + 過放電ヒステリシス電圧(過放電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.7 Vの範囲内にて100 mVステップで選択可能)

1

負荷監視端子付き
1セル用バッテリー保護IC

● 特長

*1.

*1.

HSNT-8(1616)

S-82F1Cシリーズ

・高精度電圧検出回路
過充電検出電圧3.500 V ~ 4.600 V (5 mVステップ)
精度±15 mV
過充電解除電圧3.100 V ~ 4.600 V*1
精度±50 mV
過放電検出電圧2.000 V ~ 3.000 V (10 mVステップ)
精度±50 mV
過放電解除電圧2.000 V ~ 3.400 V*2
精度±75 mV
放電過電流検出電圧10.003 V ~ 0.100 V (1 mVステップ)
精度±1.5 mV
放電過電流検出電圧20.010 V ~ 0.100 V (1 mVステップ)
精度±3 mV
負荷短絡検出電圧
0.020 V ~ 0.100 V (1 mVステップ)
精度±5 mV
充電過電流検出電圧−0.100 V ~ −0.003 V (1 mVステップ)
精度±1.5 mV・各種検出遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要)
・放電過電流制御機能
放電過電流状態の解除条件: 負荷開放放電過電流状態の解除電圧: VRIOV = VDD × 0.8 (typ.)・0 V電池への充電: 可能、禁止・パワーダウン機能: あり、なし
・高耐圧: VM1端子、VM2端子およびCO端子 : 絶対最大定格28 V・広動作温度範囲: Ta = −40°C ~ +85°C
・低消費電流動作時: 2.0 μA typ., 4.0 μA max. (Ta = +25°C)
パワーダウン時: 50 nA max. (Ta = +25°C)
過放電時: 0.5 μA max. (Ta = +25°C)
・鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー

・高精度電圧検出回路
過充電検出電圧3.500 V ~ 4.600 V (5 mVステップ)
精度±15 mV
過充電解除電圧3.100 V ~ 4.600 V*1
精度±50 mV
過放電検出電圧2.000 V ~ 3.000 V (10 mVステップ)
精度±50 mV
過放電解除電圧2.000 V ~ 3.400 V*2
精度±75 mV
放電過電流検出電圧10.003 V ~ 0.100 V (0.5 mVステップ)
精度±1.5 mV
放電過電流検出電圧20.010 V ~ 0.100 V (1 mVステップ)
精度±3 mV
負荷短絡検出電圧
0.020 V ~ 0.100 V (1 mVステップ)
精度±5 mV
充電過電流検出電圧−0.100 V ~ −0.010 V (1 mVステップ)
精度±3 mV・各種検出遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要)
・充放電制御機能
CTL端子の制御論理を選択可能: アクティブ "H"、アクティブ "L"
CTL端子内部抵抗の接続を選択可能: プルアップ、プルダウン
CTL端子内部抵抗値を選択可能: 1 MΩ ~ 10 MΩ (1 MΩステップ)
VMD端子による充放電禁止状態解除機能を選択可能: あり、なし
充放電禁止状態から放電過電流状態への遷移が選択可能 : 可能、禁止
・放電過電流制御機能
負荷短絡検出2機能を選択可能: あり、なし
放電過電流状態の解除条件: 負荷開放放電過電流状態の解除電圧: VRIOV = VDD × 0.8
・0 V電池への充電機能を選択可能: 可能、禁止・パワーダウン機能を選択可能: あり、なし
・高耐圧: VMC端子、VMD端子およびCO端子 : 絶対最大定格28 V・広動作温度範囲: Ta = −40°C ~ +85°C
・低消費電流動作時: 2.0 μA typ., 4.0 μA max. (Ta = +25°C)
パワーダウン時: 50 nA max. (Ta = +25°C)
過放電時: 0.5 μA max. (Ta = +25°C)
・鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー

用

詳しくは各製品のデータシートをご参照ください。

1

8

4

5

1 VM2
2 VM1
3 CO
4 DO
5 VSS
6 VDD
7 VINI
8 NC

1 VMD
2 VMC
3 CO
4 DO
5 VSS
6 VDD
7 V NI
8 CTL

CMOS IC 2023 製品カタログ

4-17

リチウムイオン電池保護 IC

S-82D1Aシリーズ

S-8206Aシリーズ

温度保護機能付き
1セル用バッテリー保護IC● 特長

詳しくは各製品のデータシートをご参照ください。

1セル用バッテリー保護IC(セカンドプロテクト用)● 特長

・高精度電圧検出回路
過充電検出電圧3.500 V ~ 5.000 V (5 mVステップ)
精度±20 mV
過充電解除電圧3.100 V ~ 4.950 V*1
精度±50 mV・検出遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要)
・出力論理: アクティブ "H"、アクティブ "L"
・出力形態: CMOS出力、Nchオープンドレイン出力
・広動作温度範囲: Ta = −40°C ~ +85°C
・低消費電流動作時: 1.5 μA typ., 3.0 μA max. (Ta = +25°C)
・鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー

・外付けNTCサーミスタを用いた高精度温度保護回路
高温充放電禁止温度+40°C ~ +85°C (1°Cステップ)
精度±3°C*1
高温充電禁止温度+40°C ~ +85°C (1°Cステップ)
精度±3°C*1
低温充電禁止温度−40°C ~ +10°C (1°Cステップ)
精度±3°C*1
低温充放電禁止温度−40°C ~ +10°C (1°Cステップ)
精度±3°C*1・高精度電圧検出回路
過充電検出電圧3.500 V ~ 4.600 V (5 mVステップ)
精度±15mV
過充電解除電圧3.100 V ~ 4.600 V*2
精度±50 mV
過放電検出電圧2.000 V ~ 3.000 V (10 mVステップ)
精度±50 mV
過放電解除電圧2.000 V ~ 3.400 V*3
精度±75 mV
放電過電流検出電圧10.003 V ~ 0.100 V (0.5 mVステップ)
精度±1.5 mV
放電過電流検出電圧20.010 V ~ 0.100 V (1 mVステップ)
精度±3 mV
負荷短絡検出電圧
0.020 V ~ 0.100 V (1 mVステップ)
精度±5 mV
充電過電流検出電圧−0.100 V ~ −0.003 V (0.5 mVステップ)
精度±1.5 mV・各種検出遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要)
・充放電制御機能
CTL端子制御論理: アクティブ "H"、アクティブ "L"
CTL端子内部抵抗: プルアップ、プルダウン
CTL端子内部抵抗値: 1 MΩ ~ 5 MΩ (1 MΩステップ)
・放電過電流制御機能
放電過電流状態解除条件: 負荷開放放電過電流状態解除電圧: 放電過電流解除電圧 (VRIOV) = VDD × 0.8 (typ.)・CTL端子による放電過電流状態リセット機能 : あり、なし
・0 V電池への充電: 可能、禁止・パワーダウン機能: あり、なし
・高耐圧: VM端子およびCO端子 : 絶対最大定格28.0 V
・広動作温度範囲: Ta = −40°C ~ +85°C
・低消費電流動作時: 2.5 μA typ., 5.0 μA max. (Ta = +25°C)
パワーダウン時: 100 nA max. (Ta = +25°C)
過放電時: 0.5 μA max. (Ta = +25°C)
・鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー*1.

過充電解除電圧 = 過充電検出電圧 − 過充電ヒステリシス電圧(過充電ヒステリシス電圧は、0.05 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)
SNT-6A
1
2
3

6
5
4

1 NC
2 CO
3 DO
4 VSS
5 VDD
6 VM

HSNT-6(1212)
1
2
3

6
5
4

1 NC
2 CO
3 DO
4 VSS
5 VDD
6 VM

*1.

温度検出精度はNTCサーミスタの仕様により変化します。
表6のNTCサーミスタが接続された場合、検出温度およびその精度が得られます。
*2. 過充電解除電圧 = 過充電検出電圧 − 過充電ヒステリシス電圧(過充電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)*3. 過放電解除電圧 = 過放電検出電圧 + 過放電ヒステリシス電圧(過放電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.7 Vの範囲内にて100 mVステップで選択可能)
HSNT-8(1616)
1

8

4

5

1 CTL
2 VM
3 CO
4 DO
5 VSS
6 VDD
7 V NI
8 TH

CMOS IC 2023 製品カタログ

4-18

リチウムイオン電池保護 IC

S-8216Aシリーズ

1セル用バッテリー保護IC(セカンドプロテクト用)● 特長

詳しくは各製品のデータシートをご参照ください。

S-8200Aシリーズ

1セル用バッテリー保護IC● 特長

・高精度電圧検出回路

・高精度電圧検出回路
過充電検出電圧

4.000 V ~ 5.000 V (5 mVステップ)

精度±15 mV

過充電解除電圧3.600 V ~ 4.950 V*1

精度±50 mV

放電過電流検出電圧

0.003 V ~ 0.100 V (0.5 mVステップ)

精度±1.5 mV

過充電検出電圧

3.5 V ~ 4.5 V (5 mVステップ)

精度20 mV (Ta = 25°C)

過充電解除電圧

3.1 V ~ 4.5 V

過放電検出電圧

2.0 V ~ 3.4 V (10 mVステップ)

精度35 mV

2.0 V ~ 3.4 V*2

精度50 mV

精度25 mV (Ta = 10°C ~ 60°C)

・検出遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要)*1

精度30 mV・出力論理を選択可能: アクティブ "H"、アクティブ "L"

過放電解除電圧・出力形態: CMOS出力

放電過電流検出電圧

0.05 V ~ 0.20 V (10 mVステップ)

精度10 mV・広動作温度範囲: Ta = −40°C ~ +85°C

充電過電流検出電圧

0.20 V ~ 0.05 V (25 mVステップ)

精度15 mV・各種検出遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要)

・低消費電流動作時

精度20%

・高耐圧 (VM端子およびCO端子 : 絶対最大定格 = 28 V): 2.0 μA typ., 4.0 μA max. (Ta = +25°C)

・0 V電池への充電機能 "可能" / "禁止" の選択可能

・鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー・パワーダウン機能 "あり" / "なし" の選択可能*1. 過充電解除電圧 = 過充電検出電圧 − 過充電ヒステリシス電圧

・広動作温度範囲(過充電ヒステリシス電圧は、0.05 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)
SNT-6A
1
2
3

6
5
4

Ta = 40°C ~ 85°C

・低消費電流

1 VM
2 CO
3 DO
4 VSS
5 VDD
6 V NI

動作時

2.8 A typ., 5.0 A max. (Ta = 25°C)

パワーダウン時

0.1 A max. (Ta = 25°C)

・鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー*1.

過充電解除電圧 = 過充電検出電圧  過充電ヒステリシス電圧*2.

過放電解除電圧 = 過放電検出電圧  過放電ヒステリシス電圧(過充電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)(過放電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.7 Vの範囲内にて100 mVステップで選択可能)
SOT-23-6
6 5 4

1 2 3

CMOS IC 2023 製品カタログ

4-19

1 DO
2 VM
3 CO
4 NC
5 VDD
6 VSS

SNT-6A
1
2
3

6
5
4

1 NC
2 CO
3 DO
4 VSS
5 VDD
6 VM

リチウムイオン電池保護 IC

S-8211Cシリーズ

1セル用バッテリー保護IC● 特長

・ 高精度電圧検出回路
過充電検出電圧詳しくは各製品のデータシートをご参照ください。

S-8211Dシリーズ

1セル用バッテリー保護IC● 特長

・高精度電圧検出回路

3.9 V ~ 4.5 V (5 mVステップ)

精度25 mV (Ta = 25°C)

過充電検出電圧

3.6 V ~ 4.5 V (5 mVステップ)

3.8 V ~ 4.43 V*1

精度50 mV

過充電解除電圧

3.5 V ~ 4.4 V

過放電検出電圧

2.0 V ~ 3.0 V (10 mVステップ)

精度50 mV

過放電検出電圧

2.0 V ~ 3.0 V (10 mVステップ)

過放電解除電圧

2.0 V ~ 3.4 V

過放電解除電圧

2.0 V ~ 3.4 V

放電過電流検出電圧

0.05 V ~ 0.30 V (10 mVステップ)

放電過電流検出電圧

0.05 V ~ 0.30 V (10 mVステップ)

精度15 mV

負荷短絡検出電圧

0.5 V (固定)精度200 mV

負荷短絡検出電圧

0.5 V (固定)精度200 mV

充電過電流検出電圧

0.1 V (固定)精度30 mV*2

精度100 mV
精度15 mV

精度20%

・広動作温度範囲

Ta = 40°C ~ 85°C

・ 低消費電流動作時

3.0 A typ., 5.5 A max. (Ta = 25°C)

パワーダウン時

0.2 A max. (Ta = 25°C)
*3

*3

*1.

過充電解除電圧 = 過充電検出電圧  過充電ヒステリシス電圧*2.

過放電解除電圧 = 過放電検出電圧  過放電ヒステリシス電圧*3.

 品目コードの構成" を参照してください。
詳細は "

5

詳細は "
 品目コードの構成" を参照してください。

1 2 3

0.2 A max. (Ta = 25°C)

SOT-23-5(過放電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.7 Vの範囲内にて100 mVステップで選択可能)

1 VM
2 VDD
3 VSS
4 DO
5 CO

3.0 A typ., 5.5 A max. (Ta = 25°C)

パワーダウン時(過放電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.7 Vの範囲内にて100 mVステップで選択可能)

過放電解除電圧 = 過放電検出電圧  過放電ヒステリシス電圧

4動作時(過充電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)

過充電解除電圧 = 過充電検出電圧  過充電ヒステリシス電圧

5Ta = 40°C ~ 85°C

・鉛フリー、Sn 100%、ハロゲンフリー(過充電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)

SOT-23-5精度20%

・0 V電池への充電機能 "可能" / "禁止" の選択可能

・低消費電流*3.

精度100 mV・パワーダウン機能 "あり" / "なし" の選択可能

・ 0 V電池への充電機能 "可能" / "禁止" の選択可能

・ 鉛フリー、Sn 100%、ハロゲンフリー

精度50 mV

*2・高耐圧 (VM端子およびCO端子 : 絶対最大定格 = 28 V)

・ パワーダウン機能 "あり" / "なし" の選択可能
・ 広動作温度範囲

精度50 mV・各種検出遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要)

・ 高耐圧 (VM端子およびCO端子 : 絶対最大定格 = 28 V)

*2.

*1

過充電解除電圧・ 各種検出遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要)*1.

精度25 mV (Ta = 25°C)
精度30 mV (Ta = 5°C ~ 55°C)

精度30 mV (Ta = 5°C ~ 55°C)

SNT-6A
1
2
3

CMOS IC 2023 製品カタログ

6
5
4

1 NC
2 CO
3 DO
4 VSS
5 VDD
6 VM

4

1 2 3

4-20

1 VM
2 VDD
3 VSS
4 DO
5 CO

SNT-6A
1
2
3

6
5
4

1 NC
2 CO
3 DO
4 VSS
5 VDD
6 VM

リチウムイオン電池保護 IC

S-8261シリーズ

1セル用バッテリー保護IC● 特長

S-8230A/Bシリーズ

放電制御機能付き
1セル用バッテリー保護IC● 特長

・高精度電圧検出回路（1）高精度電圧検出回路内蔵
3.900 V～4.500 V（5 mV ステップ対応）

・過充電検出電圧

詳しくは各製品のデータシートをご参照ください。

精度25 mV（25°C）、

過充電検出電圧

3.5 V ~ 4.5 V (5 mVステップ)

精度20 mV (Ta = 25°C)

30 mV（5°C～55°C）
・過充電ヒステリシス電圧

0.1 V～0.4 V*1

精度25 mV (Ta = 10°C ~ 60°C)

精度25 mV・過放電検出電圧

2.000 V～3.000 V（10 mVステップ対応）

・過放電ヒステリシス電圧

0.0 V～0.7 V*2

過放電検出電圧精度50 mV

2.0 V ~ 3.4 V (10 mVステップ)

精度35 mV

過放電解除電圧精度50 mV

2.0 V ~ 3.4 V*2

精度50 mV

放電過電流検出電圧

0.05 V ~ 0.20 V (10 mVステップ)

精度10 mV

負荷短絡検出電圧

0.5 V (固定)精度100 mV

充電過電流検出電圧

0.20 V ~ 0.05 V (25 mVステップ)

精度15 mV・過電流1検出電圧

0.050 V～0.300 V（10 mVステップ対応）

精度15 mV・過電流2検出電圧0.500 V（固定）精度100 mV

0.16 V ~ 0.08 V (40 mVステップ)（2）高耐圧（VM端子およびCO端子 : 絶対最大定格  28 V）

・各種検出遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要)（3）各種遅延時間（過充電：tCU、過放電：tDL、過電流 1：tIOV1、過電流 2：tIOV2）は内蔵回路のみで実現
精度20%

CTL端子の制御論理を選択可能（5）0 V 電池への充電機能「可能」／「禁止」の選択可能（6）パワーダウン機能「あり」／「なし」の選択可能: アクティブ "H"、アクティブ "L"

CTL端子の内部抵抗接続を選択可能: プルアップ、プルダウン

CTL端子の内部抵抗値を選択可能: 1.0 M、2.5 M、5.0 M
: あり、なし

放電禁止状態ラッチ機能を選択可能（7）充電器検出機能、異常充電電流検出機能
・VM端子のマイナス電圧（Typ. 0.7 V）検出により過放電ヒステリシスを解除します（充電器検出機能）。
・DO端子の出力電圧がHighでVM端子電圧が充電器検出電圧（Typ. 0.7 V）以下の場合、CO端子の出力をLowに落とします（異常充電電流検出機能）。
（8）低消費電流

・0 V電池への充電機能を選択可能: 可能、禁止・パワーダウン機能を選択可能: あり、なし

・放電過電流状態の解除条件を選択可能: 負荷開放、充電器接続

・高耐圧: VM端子およびCO端子 : 絶対最大定格28 V: Ta = 40°C ~ 85°C

・動作時

3.5 A typ.、7.0 A max.

・広動作温度範囲

・パワーダウン時

0.1 A max.

・低消費電流40°C～85°C（10）鉛フリー、Sn 100%、ハロゲンフリー

精度20%

・放電制御機能（4）3 段階の過電流検出回路内蔵（過電流 1、過電流 2、負荷短絡）（9）広動作温度範囲

精度30 mV

3.1 V ~ 4.5 V

過放電ヒステリシス電圧は0.0 V～0.7 Vの範囲内から100 mVステップで選択可能（外付け容量は不要）*1

過充電解除電圧

過充電ヒステリシス電圧は0.1 V～0.4 Vの範囲内から50 mVステップで選択可能

*3

動作時

: 2.8 A typ., 5.5 A max. (Ta = 25°C)

パワーダウン時: 0.1 A max. (Ta = 25°C)

・鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー*1.

過充電解除電圧  過充電検出電圧過充電ヒステリシス電圧（ただし、過充電解除電圧＜3.8 Vの選択は不可能）*2.

過放電解除電圧  過放電検出電圧過放電ヒステリシス電圧（ただし、過放電解除電圧＞3.4 Vの選択は不可能）

*3.

詳細は「
 品目コードの構成」を参照してください。
SOT-23-6
6 5 4

1 2 3

*1.

過充電解除電圧 = 過充電検出電圧  過充電ヒステリシス電圧*2.

過放電解除電圧 = 過放電検出電圧  過放電ヒステリシス電圧(過充電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)(過放電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.7 Vの範囲内にて100 mVステップで選択可能)

1 DO
2 VM
3 CO
4 DP
5 VDD
6 VSS

CMOS IC 2023 製品カタログ

SNT-6A
1
2
3

4-21

6
5
4

1 CTL
2 CO
3 DO
4 VSS
5 VDD
6 VM

リチウムイオン電池保護 IC

S-82A2A/B/Cシリーズ

2セル直列用バッテリー保護IC● 特長

・ 高精度電圧検出回路
過充電検出電圧n3.500 V ~ 4.800 V (5 mVステップ)
精度±15 mV
過充電解除電圧n3.100 V ~ 4.800 V*1
精度±50 mV
過放電検出電圧n2.000 V ~ 3.000 V (10 mVステップ) 精度±50 mV
過放電解除電圧n2.000 V ~ 3.400 V*2
精度±75 mV
放電過電流1検出電圧
3 mV ~ 100 mV (0.5 mVステップ)
精度±1.0 mV
放電過電流2検出電圧
10 mV ~ 100 mV (1 mVステップ)
精度±3 mV
負荷短絡検出電圧
20 mV ~ 100 mV (1 mVステップ)
精度±5 mV
充電過電流検出電圧−100 mV ~ −3 mV (0.5 mVステップ) 精度±1.0 mV・ 各種検出遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要)
・ 充放電制御機能 (S-82A2A/Cシリーズ)
CTL端子制御論理: アクティブ "H"、アクティブ "L"
CTL端子内部抵抗接続: プルアップ、プルダウン
CTL端子内部抵抗値: 1 MΩ ~ 10 MΩ (1 MΩステップ)・ パワーセービング機能 (S-82A2Bシリーズ)
PS端子制御論理: アクティブ "H"、アクティブ "L"
PS端子内部抵抗値: 1 MΩ ~ 10 MΩ (1 MΩステップ)・ 0 V電池への充電: 可能、禁止・ パワーダウン機能: S-82A2A/Cシリーズ : あり、なし
S-82A2Bシリーズ : あり
・ 高耐圧
: VM端子、CO端子 : 絶対最大定格28 V・ 広動作温度範囲: Ta = −40°C ~ +85°C
・ 低消費電流動作時: 3.0 μA typ., 6.0 μA max. (Ta = +25°C)
パワーダウン時: 50 nA max. (Ta = +25°C)
過放電時: 1.0 μA max. (Ta = +25°C)
パワーセービング時 (S-82A2Bシリーズ): 50 nA max. (Ta = +25°C)
・ 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー

● 特長

備考

SNT-8A
8
7
6
5

S-82A2A
1 電池
CT
2 VM
二次電
3 CO
4 DO
5 VINI
6 VSS
7 VC
8 VDD

S-82A2B
1 PS
2 VM
ク
3 CO
4 DO
5 VINI
6 VSS
7 VC
8 VDD

S-82A2C
1 CTL
2 VM
3 CO
4 DO
5 VSS
6 VINI
7 VC
8 VDD

HSNT-8(1616)
1

8

4

5

CMOS IC 2023 製品カタログ

S-82A2A
1 CTL
2 VM
3 CO
4 DO
5 VINI
6 VSS
7 VC
8 VDD

S-82A2B
1 PS
2 VM
3 CO
4 DO
5 VINI
6 VSS
7 VC
8 VDD

2セル直列用バッテリー保護IC*1. 過充電解除電圧 = 過充電検出電圧 − 過充電ヒステリシス電圧(過充電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)*2. 過放電解除電圧 = 過放電検出電圧 + 過放電ヒステリシス電圧(過放電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.7 Vの範囲内にて100 mVステップで選択可能)

n = 1, 2

1
2チ
3
4

S-82B2A/Bシリーズ

・ 高精度電圧検出回路
過充電検出電圧n3.500 V ~ 4.800 V (5 mVステップ)
精度±20 mV
過充電解除電圧n3.100 V ~ 4.800 V*1
精度±50 mV
過放電検出電圧n2.000 V ~ 3.000 V (10 mVステップ) 精度±50 mV
過放電解除電圧n2.000 V ~ 3.400 V*2
精度±75 mV
放電過電流1検出電圧
3 mV ~ 100 mV (0.5 mVステップ)
精度±3.0 mV
放電過電流2検出電圧
10 mV ~ 100 mV (1 mVステップ)
精度±5 mV
負荷短絡検出電圧
20 mV ~ 100 mV (1 mVステップ)
精度±10 mV
充電過電流検出電圧−100 mV ~ −3 mV (0.5 mVステップ) 精度±3.0 mV・ 各種検出遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要)
・ 充放電制御機能 (S-82B2Aシリーズ)
CTL端子制御論理: アクティブ "H"、アクティブ "L"
CTL端子内部抵抗接続: プルアップ、プルダウン
CTL端子内部抵抗値: 1 MΩ ~ 10 MΩ (1 MΩステップ)・ パワーセービング機能 (S-82B2Bシリーズ)
PS端子制御論理: アクティブ "H"、アクティブ "L"
PS端子内部抵抗値: 1 MΩ ~ 10 MΩ (1 MΩステップ)・ 0 V電池への充電: 可能、禁止・ パワーダウン機能: S-82B2Aシリーズ : あり、なし
S-82B2Bシリーズ : あり
・ 高耐圧
: VM端子、CO端子 : 絶対最大定格28 V・ 広動作温度範囲: Ta = −40°C ~ +85°C
・ 低消費電流動作時: 3.0 μA typ., 6.0 μA max. (Ta = +25°C)
パワーダウン時: 50 nA max. (Ta = +25°C)
過放電時: 1.0 μA max. (Ta = +25°C)
パワーセービング時 (S-82B2Bシリーズ): 50 nA max. (Ta = +25°C)
・ 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー*1. 過充電解除電圧 = 過充電検出電圧 − 過充電ヒステリシス電圧(過充電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)*2. 過放電解除電圧 = 過放電検出電圧 + 過放電ヒステリシス電圧(過放電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.7 Vの範囲内にて100 mVステップで選択可能)
備考

詳しくは各製品のデータシートをご参照ください。

S-82A2C
1 CTL
2 VM
3 CO
4 DO
5 VSS
6 VINI
7 VC
8 VDD

n = 1, 2
SNT-8A
1
2
3
4

4-22

8
7
6
5

S-82B2A
1 CTL
2 VM
3 CO
4 DO
5 V NI
6 VSS
7 VC
8 VDD

S-82B2B
1 PS
2 VM
3 CO
4 DO
5 VINI
6 VSS
7 VC
8 VDD

HSNT-8(1616)
1

8

4

5

S-82B2A
1 CTL
2 VM
3 CO
4 DO
5 V NI
6 VSS
7 VC
8 VDD

S-82B2B
1 PS
2 VM
3 CO
4 DO
5 VINI
6 VSS
7 VC
8 VDD

リチウムイオン電池保護 IC

S-82C2Aシリーズ

2セル直列用バッテリー保護IC● 特長

・ 高精度電圧検出回路
過充電検出電圧n3.500 V ~ 4.800 V (5 mVステップ)
精度±20 mV
過充電解除電圧n3.100 V ~ 4.800 V*1
精度±50 mV
過放電検出電圧n2.000 V ~ 3.000 V (10 mVステップ) 精度±50 mV
過放電解除電圧n2.000 V ~ 3.400 V*2
精度±75 mV
放電過電流1検出電圧
3 mV ~ 400 mV (1 mVステップ)
精度±3 mV
放電過電流2検出電圧
10 mV ~ 400 mV (1 mVステップ)
精度±5 mV
負荷短絡検出電圧
20 mV ~ 800 mV (5 mVステップ)
精度±10 mV
充電過電流検出電圧−400 mV ~ −3 mV (1 mVステップ)
精度±3 mV・ 各種検出遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要)
・ 0 V電池への充電: 可能、禁止・ パワーダウン機能: あり、なし
・ 放電過電流状態の解除条件: 負荷開放、充電器接続
・ 放電過電流状態の解除電圧: 放電過電流解除電圧 (VRIOV)、放電過電流1検出電圧 (VDIOV1)
・ 高耐圧: VM端子、CO端子 : 絶対最大定格28 V・ 広動作温度範囲: Ta = −40°C ~ +85°C
・ 低消費電流動作時: 3.0 μA typ., 6.0 μA max. (Ta = +25°C)
パワーダウン時: 50 nA max. (Ta = +25°C)
過放電時: 2.0 μA max. (Ta = +25°C)
・ 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー

S-8252シリーズ

2セル直列用バッテリー保護IC● 特長

・各セルに対する高精度電圧検出機能
過充電検出電圧n (n = 1, 2)

3.550 V ~ 4.600 V (5 mVステップ)

精度±20 mV (Ta = +25°C)
精度±25 mV (Ta = −10°C ~ +60°C)
精度±30 mV

過充電解除電圧n (n = 1, 2)

3.150 V ~ 4.600 V*1

過放電検出電圧n (n = 1, 2)

2.000 V ~ 3.000 V (10 mVステップ)

精度±50 mV

過放電解除電圧n (n = 1, 2)

2.000 V ~ 3.400 V*2

精度±100 mV
精度±10 mV

放電過電流検出電圧

0.050 V ~ 0.400 V (10 mVステップ)

負荷短絡検出電圧

0.500 V ~ 0.900 V (50 mVステップ)

精度±100 mV

充電過電流検出電圧−0.400 V ~ −0.050 V (25 mVステップ)

精度±20 mV・充電過電流検出機能: あり、なし

・各種検出遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要)

精度±20%

・高耐圧 (VM端子およびCO端子 : 絶対最大定格 = 28 V)・0 V電池への充電: 可能、禁止・パワーダウン機能: あり、なし

・広動作温度範囲: Ta = −40°C ~ +85°C

・低消費電流動作時: 8.0 μA max. (Ta = +25°C)

パワーダウン時: 0.1 μA max. (Ta = +25°C)

・鉛フリー (Sn 100%) 、ハロゲンフリー*1. 過充電解除電圧 = 過充電検出電圧 − 過充電ヒステリシス電圧(過充電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)*2. 過放電解除電圧 = 過放電検出電圧 + 過放電ヒステリシス電圧(過放電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.7 Vの範囲内にて100 mVステップで選択可能)
備考

詳しくは各製品のデータシートをご参照ください。

*1.

過充電解除電圧 = 過充電検出電圧 − 過充電ヒステリシス電圧(過充電ヒステリシス電圧n (n = 1, 2) は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)*2.

過放電解除電圧 = 過放電検出電圧 + 過放電ヒステリシス電圧(過放電ヒステリシス電圧n (n = 1, 2) は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.7 Vの範囲内にて100 mVステップで選択可能)

n = 1, 2
SOT-23-6
6 5 4

1 2 3

1 DO
2 CO
3 VM
4 VC
5 VDD
6 VSS

SNT-6A
1
2
3

6
5
4

CMOS IC 2023 製品カタログ

SOT-23-6

1 VM
2 CO
3 DO
4 VSS
5 VDD
6 VC

6 5 4

1 2 3

4-23

1 DO
2 CO
3 VM
4 VC
5 VDD
6 VSS

SNT-6A
1
2
3

6
5
4

1 VM
2 CO
3 DO
4 VSS
5 VDD
6 VC

リチウムイオン電池保護 IC

S-8253C/Dシリーズ

2セル／3セル直列用バッテリー保護IC● 特長

・過充電解除電圧 n（n = 1～3）3.800 V～4.400 V*1

精度 ±25 mV
精度 ±50 mV・過放電検出電圧 n（n = 1～3）2.000 V～3.000 V（100 mV ステップ）

精度 ±80 mV・過放電解除電圧 n（n = 1～3）2.000 V～3.400 V*2

精度 ±100 mV（2） 3 段階の過電流検出機能（負荷短絡を含む）
・過電流検出電圧 10.050 V～0.300 V（50 mV ステップ）

・過電流検出電圧 20.500 V（固定）・過電流検出電圧 31.200 V（固定）精度 ±25 mV（3） 各種遅延時間（過充電、過放電、過電流）は内蔵回路のみで実現（外付け容量は不要）（4） コントロール端子による充放電禁止が可能（5） 0 V 電池への充電機能「可能」／「禁止」の選択可能（6） 高耐圧

絶対最大定格 26 V

（7） 広動作電圧範囲

2 V～24 V（8） 広動作温度範囲−40°C～+85°C（9） 低消費電流・動作時

28 μA max.（+25°C）

・パワーダウン時

0.1 μA max.（+25°C）（10）鉛フリー、Sn 100%、ハロゲンフリー*1.

*3

過充電解除電圧 = 過充電検出電圧 − 過充電ヒステリシス電圧
過放電解除電圧 = 過放電検出電圧 + 過放電ヒステリシス電圧（過放電ヒステリシス電圧n（n = 1～3）は、0 Vまたは0.2 V～0.7 Vの範囲内から100 mVステップで選択可能）

*3.

詳細は「
 品 目 コ ー ド の 構 成 」を参照してください。
8-Pin TSSOP
1
2
3
4

8
7
6
5

1 DOP
2 COP
3 VMP
4 CTL
5 VSS
6 VC2
7 VC1
8 VDD

CMOS IC 2023 製品カタログ

3セル直列用バッテリー保護IC● 特長*1. 過充電検出電圧n (n = 1 ~ 3) と過放電検出電圧n (n = 1 ~ 3) の電圧差は0.6 V以下の選択不可。
*2. 過充電ヒステリシス電圧n (n = 1 ~ 3) は0 Vまたは0.1 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能。
(過充電ヒステリシス電圧 = 過充電検出電圧 − 過充電解除電圧)*3. 過放電ヒステリシス電圧n (n = 1 ~ 3) は0 Vまたは0.2 V ~ 0.7 Vの範囲内にて100 mVステップで選択可能。
(過放電ヒステリシス電圧 = 過放電解除電圧 − 過放電検出電圧)*4. 放電過電流検出電圧と負荷短絡検出電圧の電圧差は0.3 V以下の選択不可。

（過充電ヒステリシス電圧n（n = 1～3）は、0 Vまたは0.1 V～0.4 Vの範囲内から50 mVステップで選択可能）*2.

S-8203Aシリーズ

・各セルに対する高精度電圧検出機能
過充電検出電圧n (n = 1 ~ 3)
3.55 V ~ 4.50 V*1 (50 mVステップ)
精度±25 mV
過充電解除電圧n (n = 1 ~ 3)
3.30 V ~ 4.50 V*2
精度±50 mV
過放電検出電圧n (n = 1 ~ 3)
2.0 V ~ 3.2 V*1 (100 mVステップ)
精度±80 mV
過放電解除電圧n (n = 1 ~ 3)
2.0 V ~ 3.4 V*3
精度±100 mV・2段階の放電過電流検出機能
放電過電流検出電圧
0.05 V ~ 0.30 V*4 (50 mVステップ)
精度±15 mV
負荷短絡検出電圧0.50 V ~ 1.0 V*4 (100 mVステップ)
精度±100 mV
・充電過電流検出機能
充電過電流検出電圧−0.30 V ~ −0.05 V (50 mVステップ)
精度±30 mV・過充電検出遅延時間、過放電検出遅延時間、放電過電流検出遅延時間、充電過電流検出遅延時間は外付け容量により設定が可能 (負荷短絡検出遅延時間は内部固定)・充電制御用コントロール端子と放電制御用コントロール端子より充電、放電が独立に制御可能
・0 V 電池への充電: 可能、禁止・パワーダウン機能: あり、なし
・高耐圧: 絶対最大定格28 V・広動作電圧範囲: 2 V ~ 24 V・広動作温度範囲: Ta = −40°C ~ +85°C
・低消費電流動作時: 40 μA max. (Ta = +25°C)
パワーダウン時: 0.1 μA max. (Ta = +25°C)
・鉛フリー (Sn 100%) 、ハロゲンフリー（1） 各セルに対する高精度電圧検出機能
・過充電検出電圧 n（n = 1～3）3.900 V～4.400 V（50 mV ステップ）

詳しくは各製品のデータシートをご参照ください。

1
2
3
4
5
6
7
8

4-24

16-Pin TSSOP

16
15
14
13
12
11
10
9

1
2
3
4
5
6
7
8

VM
CO
DO
V NI
CTLC
CTLD
CCT
CDT

9
10
11
12
13
14
15
16

CIT
VSS
NPI
VC4
VC3
VC2
VC1
VDD

リチウムイオン電池保護 IC

S-8254Aシリーズ

3セル／4セル直列用バッテリー保護IC● 特長（1） 各セルに対する高精度電圧検出機能
・過充電検出電圧n（n = 1～4）
3.90 V～4.45 V（50 mVステップ） 精度±25 mV
・過充電解除電圧n（n = 1～4）
3.80 V～4.45 V*1
精度±50 mV・過放電検出電圧n（n = 1～4）
2.0 V～3.0 V（100 mVステップ） 精度±80 mV・過放電解除電圧n（n = 1～4）
2.0 V～3.4 V*2
精度±100 mV（2） 3段階の過電流検出機能
・過電流検出電圧10.05 V～0.30 V（50 mVステップ） 精度±25 mV・過電流検出電圧20.5 V
精度±100 mV・過電流検出電圧3
VVC1 − 1.2 V
精度±300 mV（3） 過充電検出遅延時間、過放電検出遅延時間、過電流検出遅延時間1は外付け容量により設定が可能（過電流検出遅延時間2、過電流検出遅延時間3は内部固定）（4） SEL端子から3セル直列用／4セル直列用の切り換えが可能（5） コントロール端子から充放電制御が可能（6） 0 V電池への充電可能、禁止（7） パワーダウン機能あり（8） 高耐圧
絶対最大定格26 V（9） 広動作電圧範囲
2 V～24 V（10） 広動作温度範囲−40°C～+85°C（11） 低消費電流・動作時
30 μA max.（+25°C）
・パワーダウン時
0.1 μA max.（+25°C）（12） 鉛フリー、Sn 100%、ハロゲンフリー*3
*1.

*2.

*3.

1
2
3
4
5
6
7
8

16
15
14
13
12
11
10
9

1
2
3
4
5
6
7
8

COP
VMP
DOP
V NI
CDT
CCT
VSS
NC

CMOS IC 2023 製品カタログ

9
10
11
12
13
14
15
16

S-8204Aシリーズ

3セル / 4セル直列用バッテリー保護IC● 特長

・各セルに対する高精度電圧検出機能
過充電検出電圧n (n = 1 ~ 4)
3.8 V ~ 4.6 V (50 mVステップ)
精度25 mV
過充電解除電圧n (n = 1 ~ 4)
3.6 V ~ 4.6 V*1
精度50 mV
過放電検出電圧n (n = 1 ~ 4)
2.0 V ~ 3.0 V (100 mVステップ)
精度80 mV
過放電解除電圧n (n = 1 ~ 4)
2.0 V ~ 3.4 V*2
精度100 mV・3段階の放電過電流検出機能
放電過電流検出電圧10.05 V ~ 0.30 V (50 mVステップ)
精度15 mV
放電過電流検出電圧20.5 V (固定)精度100 mV
負荷短絡検出電圧
1.0 V (固定)精度300 mV
・充電過電流検出機能
充電過電流検出電圧
0.25 V ~ 0.05 V (50 mVステップ)
精度30 mV・過充電検出遅延時間、過放電検出遅延時間、放電過電流検出遅延時間1、放電過電流検出遅延時
間2、充電過電流検出遅延時間は外付け容量により設定が可能(負荷短絡検出遅延時間は内部固定)・SEL端子により3セル直列用 / 4セル直列用の切り換えが可能
・充電制御用コントロール端子と放電制御用コントロール端子より充電 / 放電が独立に制御可能
・高耐圧
絶対最大定格 24 V・広動作電圧範囲
2 V ~ 22 V・広動作温度範囲
Ta = 40 C ~ 85 C
・低消費電流動作時
33 A max. (Ta = 25 C)
パワーダウン時
0.1 A max. (Ta = 25 C)・鉛フリー、Sn 100%、ハロゲンフリー *3

過充電ヒステリシス電圧n（n = 1～4）は0 Vまたは0.1 V～0.4 Vの範囲内から50 mVステップで選択可能（過充電ヒステリシス電圧 = 過充電検出電圧 − 過充電解除電圧）
過放電ヒステリシス電圧n（n = 1～4）は0 Vまたは0.2 V～0.7 Vの範囲内から100 mVステップで選択可能（過放電ヒステリシス電圧 = 過放電解除電圧 − 過放電検出電圧）
詳細は「「  品目コー ドの 構成」 を参照してください。
16-Pin TSSOP

詳しくは各製品のデータシートをご参照ください。

*1. 過充電ヒステリシス電圧n (n = 1 ~ 4) は0 Vまたは0.1 V ~ 0.4 Vの範囲内から50 mVステップで選択可能(過充電ヒステリシス電圧 = 過充電検出電圧  過充電解除電圧)*2. 過放電ヒステリシス電圧n (n = 1 ~ 4) は0 Vまたは0.2 V ~ 0.7 Vの範囲内から100 mVステップで選択可能(過放電ヒステリシス電圧 = 過放電解除電圧  過放電検出電圧)*3. 詳細は " 品 目 コード の構 成 " を参照してください。

1
2
3
4
5
6
7
8

NC
SEL
CTL
VC4
VC3
VC2
VC1
VDD

4-25

16-Pin TSSOP

16
15
14
13
12
11
10
9

1
2
3
4
5
6
7
8

COP
VMP
DOP
V NI
CDT
CCT
CIT
SEL

9
10
11
12
13
14
15
16

VSS
VC4
VC3
VC2
VC1
VDD
CTLD
CTLC

リチウムイオン電池保護 IC

S-8204Bシリーズ

3セル / 4セル直列用バッテリー保護IC● 特長

・ 各セルに対する高精度電圧検出機能
過充電検出電圧n (n = 1 ~ 4)
3.65 V ~ 4.6 V (50 mVステップ)
精度25 mV
過充電解除電圧n (n = 1 ~ 4)
3.5 V ~ 4.6 V*1
精度50 mV
過放電検出電圧n (n = 1 ~ 4)
2.0 V ~ 3.0 V (100 mVステップ)
精度80 mV*2
過放電解除電圧n (n = 1 ~ 4)
2.0 V ~ 3.4 V
精度100 mV・ 3段階の放電過電流検出機能
放電過電流検出電圧10.05 V ~ 0.30 V (50 mVステップ)
精度15 mV
放電過電流検出電圧20.5 V (固定)精度100 mV
負荷短絡検出電圧
1.0 V (固定)精度300 mV
・ 過充電検出遅延時間、過放電検出遅延時間、放電過電流検出遅延時間1、放電過電流検出遅延時間2は外付け容量により設定が可能(負荷短絡検出遅延時間は内部固定)・ SEL端子により3セル直列用 / 4セル直列用の切り換えが可能
・ 充電制御用コントロール端子と放電制御用コントロール端子より充電 / 放電が独立に制御可能
・ パワーダウン機能 "あり" / "なし" の選択可能
・ 高耐圧
絶対最大定格 24 V・ 広動作電圧範囲
2 V ~ 22 V・ 広動作温度範囲
Ta = 40 C ~ 85 C
・ 低消費電流動作時
33 A max. (Ta = 25 C)
パワーダウン時
0.1 A max. (Ta = 25 C)*3・ 鉛フリー、Sn 100%、ハロゲンフリー

16-Pin TSSOP

16
15
14
13
12
11
10
9

1
2
3
4
5
6
7
8

COP
VMP
DOP
VINI
CDT
CCT
CIT
SEL

CMOS IC 2023 製品カタログ

9
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11
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14
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16

S-82B4A/5Aシリーズ

4セル / 5セル直列用バッテリー保護IC● 特長

・各セルに対する高精度電圧検出機能
過充電検出電圧n
3 900 V ~ 4.500 V (25 mVステップ)
過充電解除電圧n
3 500 V ~ 4.500 V*1
過放電検出電圧n2 000 V ~ 3.200 V (100 mVステップ)
過放電解除電圧n2 000 V ~ 3.400 V*2・3段階の放電過電流検出機能
放電過電流1検出電圧
10 mV ~ 200 mV (5 mVステップ)
放電過電流2検出電圧
20 mV ~ 300 mV (5 mVステップ)
負荷短絡検出電圧
50 mV ~ 400 mV (10 mVステップ)
・充電過電流検出機能
充電過電流検出電圧−200 mV ~ −10 mV (5 mVステップ)
・放電過電流1検出遅延時間は外付け容量により設定が可能 (その他の遅延時間は内部固定)・制御端子によりパワーセービング機能を制御可能
・0 V電池への充電: 可能、禁止・パワーダウン機能: あり、なし
・放電過電流状態の解除条件: 負荷開放、充電器接続
・CO端子、DO端子の出力電圧をVC2端子電圧に制限 (S-82B5Aシリーズ)
・高耐圧: 絶対最大定格 28.0 V
・広動作電圧範囲: 5.0 V ~ 24 0 V
・広動作温度範囲: Ta = −40°C ~ +85°C
・低消費電流動作時: 4.0 μA typ., 8.0 μA max. (Ta = +25°C)
パワーダウン時: 0.1 μA max. (Ta = +25°C)
パワーセービング時: 0.1 μA max. (Ta = +25°C)
・鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー*1. 過充電ヒステリシス電圧n (n = 1 ~ 4) は0 Vまたは0.1 V ~ 0.4 Vの範囲内から50 mVステップで選択可能(過充電ヒステリシス電圧 = 過充電検出電圧  過充電解除電圧)*2. 過放電ヒステリシス電圧n (n = 1 ~ 4) は0 Vまたは0.2 V ~ 0.7 Vの範囲内から100 mVステップで選択可能(過放電ヒステリシス電圧 = 過放電解除電圧  過放電検出電圧)
 品 目 コ ー ド の 構 成 " を参照してください。
*3. 詳細は "

1
2
3
4
5
6
7
8

詳しくは各製品のデータシートをご参照ください。

精度±20 mV
精度±50 mV
精度±50 mV
精度±100 mV
精度±5 mV
精度±10 mV
精度±20 mV
精度±5 mV*1. 過充電解除電圧 = 過充電検出電圧 – 過充電ヒステリシス電圧(過充電ヒステリシス電圧nは0 V ~ 0.4 Vの範囲内から50 mVステップで選択可能)*2. 過放電解除電圧 = 過放電検出電圧 + 過放電ヒステリシス電圧(過放電ヒステリシス電圧nは0 V ~ 0.7 Vの範囲内から100 mVステップで選択可能)

VSS
VC4
VC3
VC2
VC1
VDD
CTLD
CTLC

備考
考

n = 1, 2, 3, 4, 5

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3
4
5
6
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4-26

16-Pin TSSOP

16
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11
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9

1
2
3
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5
6
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VC1
VC2
VC3
VC4
VC5
VSS
V NI
CIT

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NC
TEST1
PSI
DO
NC
CO
VM
VDD

リチウムイオン電池保護 IC

S-82C4A/5Aシリーズ

4セル / 5セル直列用バッテリー保護IC● 特長

・各セルに対する高精度電圧検出機能
過充電検出電圧n3.900 V ~ 4.500 V (25 mVステップ)
過充電解除電圧n3.500 V ~ 4.500 V*1
過放電検出電圧n2.000 V ~ 3.200 V (100 mVステップ)
過放電解除電圧n2.000 V ~ 3.400 V*2・3段階の放電過電流検出機能
放電過電流1検出電圧
10 mV ~ 200 mV (5 mVステップ)
放電過電流2検出電圧
20 mV ~ 300 mV (5 mVステップ)
負荷短絡検出電圧
50 mV ~ 400 mV (10 mVステップ)
・充電過電流検出機能
充電過電流検出電圧−200 mV ~ −10 mV (5 mVステップ)
・放電過電流1検出遅延時間は外付け容量により設定が可能 (その他の遅延時間は内部固定)・制御端子によりパワーセービング機能を制御可能
・0 V電池への充電: 可能、禁止・パワーダウン機能: あり、なし
・放電過電流状態の解除条件: 負荷開放、充電器接続
・CO端子、DO端子の出力電圧をVC2端子電圧に制限 (S-82C5Aシリーズ)
・NTCサーミスタを接続することで、充電時高低温、充放電時高低温の4点の温度検出可能
高温充放電禁止温度+40°C ~ +85°C (1°Cステップ)
高温充電禁止温度+40°C ~ +85°C (1°Cステップ)
低温充電禁止温度−40°C ~ +10°C (1°Cステップ)
低温充放電禁止温度−40°C ~ +10°C (1°Cステップ)・高耐圧: 絶対最大定格 28.0 V
・広動作電圧範囲: 5.0 V ~ 24.0 V
・広動作温度範囲: Ta = −40°C ~ +85°C
・低消費電流動作時: 5.0 μA typ., 10 μA max. (Ta = +25°C)
パワーダウン時: 0.1 μA max. (Ta = +25°C)
パワーセービング時: 0.1 μA max. (Ta = +25°C)
・鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー

S-8205A/Bシリーズ

4セル / 5セル直列用バッテリー保護IC● 特長

・各セルに対する高精度電圧検出機能
過充電検出電圧n (n = 1 ~ 5)
3.550 V ~ 4.500 V*1 (50 mVステップ)
精度 ±25 mV
過充電解除電圧n (n = 1 ~ 5)3.300 V ~ 4.500 V*2
精度 ±50 mV
過放電検出電圧n (n = 1 ~ 5)
2.000 V ~ 3.200 V*1 (100 mVステップ)
精度 ±80 mV
過放電解除電圧n (n = 1 ~ 5)
2.000 V ~ 3.400 V*3
精度 ±100 mV・2段階の放電過電流検出機能
放電過電流検出電圧
0.050 V ~ 0.300 V*4 (50 mVステップ)
精度 ±15 mV
負荷短絡検出電圧
0.500 V ~ 1.000 V*4 (100 mVステップ)
精度 ±100 mV
・充電過電流検出機能
充電過電流検出電圧−0.300 V ~ −0.050 V (50 mVステップ)
精度 ±30 mV・過充電検出遅延時間、過放電検出遅延時間、放電過電流検出遅延時間、充電過電流検出遅延時間は外付け容量により設定が可能 (負荷短絡検出遅延時間は内部固定)
・S-8205Aシリーズ : 4セル直列用、S-8205Bシリーズ : 5セル直列用・充電制御用コントロール端子と放電制御用コントロール端子より充電、放電が独立に制御可能
・0 V 電池への充電可能、禁止
・パワーダウン機能
あり、なし
・高耐圧
絶対最大定格 28 V・広動作電圧範囲
2 V ~ 24 V・広動作温度範囲
Ta = −40°C ~ +85°C
・低消費電流動作時
40 μA max. (Ta = +25°C)
パワーダウン時
0.1 μA max. (Ta = +25°C)
・鉛フリー (Sn 100%) 、ハロゲンフリー

精度±20 mV
精度±50 mV
精度±50 mV
精度±100 mV
精度±5 mV
精度±10 mV
精度±20 mV
精度±5 mV

精度±3°C*3
精度±3°C*3
精度±3°C*3
精度±3°C*3*1. 過充電検出電圧n (n = 1 ~ 5) と過放電検出電圧n (n = 1 ~ 5) の電圧差は0.6 V以下の選択不可。
*2. 過充電ヒステリシス電圧n (n = 1 ~ 5) は0 Vまたは0.1 V ~ 0.4 Vの範囲内から50 mVステップで選択可能。
(過充電ヒステリシス電圧 = 過充電検出電圧 − 過充電解除電圧)*3. 過放電ヒステリシス電圧n (n = 1 ~ 5) は0 Vまたは0.2 V ~ 0.7 Vの範囲内から100 mVステップで選択可能。
(過放電ヒステリシス電圧 = 過放電解除電圧 − 過放電検出電圧)*4. 放電過電流検出電圧と負荷短絡検出電圧の電圧差は0.3 V以下の選択不可。

*1. 過充電解除電圧 = 過充電検出電圧 – 過充電ヒステリシス電圧(過充電ヒステリシス電圧nは0 V ~ 0.4 Vの範囲内から50 mVステップで選択可能)*2. 過放電解除電圧 = 過放電検出電圧 + 過放電ヒステリシス電圧(過放電ヒステリシス電圧nは0 V ~ 0.7 Vの範囲内から100 mVステップで選択可能)*3. 温度検出精度はNTCサーミスタの仕様により変化します。
表2のNTCサーミスタが接続された場合、検出温度およびその精度が得られます。
備考

詳しくは各製品のデータシートをご参照ください。

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3
4
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16-Pin TSSOP

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VM
CO
DO
VINI
CTLC
CTLD
CCT
CDT

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CIT
VSS
VC5
VC4
VC3
VC2
VC1
VDD

n = 1, 2, 3, 4, 5

1
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16-Pin TSSOP

16
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9

1
2
3
4
5
6
7
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VC1
VC2
VC3
VC4
VC5
VSS
VINI
CIT

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16

CMOS IC 2023 製品カタログ

NC
TH
PSI
DO
NC
CO
VM
VDD

4-27

リチウムイオン電池保護 IC

S-8245A/Cシリーズ

3セル ~ 5セル直列用バッテリー保護IC

● 特長

24
23
22
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TH
VDD
VC1
VC2
VC3
VC4
VC5
VSS
V NI
SEL1
SEL2
CICT

CMOS IC 2023 製品カタログ

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3セル ~ 5セル直列用バッテリー保護IC● 特長*1. 過充電解除電圧 = 過充電検出電圧  過充電ヒステリシス電圧(過充電ヒステリシス電圧n (n = 1 ~ 5) は、0 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)*2. 過放電解除電圧 = 過放電検出電圧  過放電ヒステリシス電圧(過放電ヒステリシス電圧n (n = 1 ~ 5) は、0 V ~ 0.7 Vの範囲内にて100 mVステップで選択可能)*1. 過充電解除電圧 = 過充電検出電圧  過充電ヒステリシス電圧(過充電ヒステリシス電圧n (n = 1 ~ 5) は、0 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)*2. 過放電解除電圧 = 過放電検出電圧  過放電ヒステリシス電圧(過放電ヒステリシス電圧n (n = 1 ~ 5) は、0 V ~ 0.7 Vの範囲内にて100 mVステップで選択可能)
1
2
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5
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S-8245B/Dシリーズ

・ 各セルに対する高精度電圧検出機能
過充電検出電圧n (n = 1 ~ 5)
: 3.550 V ~ 4.600 V (50 mVステップ)
精度20 mV
過充電解除電圧n (n = 1 ~ 5)
: 3.150 V ~ 4.600 V*1
精度50 mV
過放電検出電圧n (n = 1 ~ 5)
: 2.000 V ~ 3.200 V (100 mVステップ) 精度80 mV
過放電解除電圧n (n = 1 ~ 5)
: 2.000 V ~ 3.400 V*2
精度100 mV・ 3段階の放電過電流検出機能
放電過電流1検出電圧: 0.020 V ~ 0.300 V (10 mVステップ)
精度10 mV
放電過電流2検出電圧: 0.040 V ~ 0.500 V (20 mVステップ)
精度15 mV
負荷短絡検出電圧: 0.100 V ~ 1.000 V (25 mVステップ)
精度50 mV・ 充電過電流検出機能
充電過電流検出電圧: 0.300 V ~ 0.020 V (10 mVステップ) 精度10 mV・ 各遅延時間は外付け容量により設定が可能 (負荷短絡検出遅延時間、温度検出遅延時間は内部固定)・ 各制御端子により充電禁止、放電禁止、パワーセービングを個別に制御可能
・ 0 V電池への充電機能を選択可能: 可能、禁止・ パワーダウン機能を選択可能: あり、なし
・ CIT端子内部抵抗値を選択可能: 831 k typ.、8.31 M typ.
・ CO端子、DO端子の出力電圧を15 V max.に制限
・ SEL1端子とSEL2端子により3セル ~ 5セル直列用の切り換えが可能
・ NTCを接続することで異なる4点の温度検出が可能
充電時高温検出比率、放電時高温検出比率: 0.600 ~ 0.900 (0.005ステップ)精度0.005
充電時低温検出比率、放電時低温検出比率: 0.030 ~ 0.400 (0.005ステップ)精度0.005
・ 高耐圧: 絶対最大定格28 V・ 広動作電圧範囲: 5 V ~ 24 V・ 広動作温度範囲: Ta = 40 C ~ 85 C
・ 低消費電流動作時: 20 A max. (Ta = 25 C)
パワーダウン時: 0.5 A max. (Ta = 25 C)
パワーセービング時: 0.1 A max. (Ta = 25 C)・ 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー

・ 各セルに対する高精度電圧検出機能
過充電検出電圧n (n = 1 ~ 5)
: 3.550 V ~ 4.600 V (50 mVステップ)
精度20 mV
過充電解除電圧n (n = 1 ~ 5)
: 3.150 V ~ 4.600 V*1
精度50 mV
過放電検出電圧n (n = 1 ~ 5)
: 2.000 V ~ 3.200 V (100 mVステップ) 精度80 mV
過放電解除電圧n (n = 1 ~ 5)
: 2.000 V ~ 3.400 V*2
精度100 mV・ 3段階の放電過電流検出機能
放電過電流1検出電圧: 0.020 V ~ 0.300 V (10 mVステップ)
精度10 mV
放電過電流2検出電圧: 0.040 V ~ 0.500 V (20 mVステップ)
精度15 mV
負荷短絡検出電圧: 0.100 V ~ 1.000 V (25 mVステップ)
精度50 mV・ 充電過電流検出機能
充電過電流検出電圧: 0.300 V ~ 0.020 V (10 mVステップ) 精度10 mV・ 各遅延時間は外付け容量により設定が可能 (負荷短絡検出遅延時間、温度検出遅延時間は内部固定)・ 各制御端子により充電禁止、放電禁止、パワーセービングを個別に制御可能
・ 0 V電池への充電機能を選択可能: 可能、禁止・ パワーダウン機能を選択可能: あり、なし
・ CIT端子内部抵抗値を選択可能: 831 k typ.、8.31 M typ.
・ CO端子、DO端子の出力電圧を15 V max.に制限
・ SEL1端子とSEL2端子により3セル ~ 5セル直列用の切り換えが可能
・ カスケード接続することにより6セル直列以上の保護が可能
・ NTCを接続することで異なる4点の温度検出が可能
充電時高温検出比率、放電時高温検出比率: 0.600 ~ 0.900 (0.005ステップ)精度0.005
充電時低温検出比率、放電時低温検出比率: 0.030 ~ 0.400 (0.005ステップ)精度0.005
・ 高耐圧: 絶対最大定格28 V・ 広動作電圧範囲: 5 V ~ 24 V・ 広動作温度範囲: Ta = 40 C ~ 85 C
・ 低消費電流動作時: 20 A max. (Ta = 25 C)
パワーダウン時: 0.5 A max. (Ta = 25 C)
パワーセービング時: 0.1 A max. (Ta = 25 C)・ 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー

24-Pin SSOP

詳しくは各製品のデータシートをご参照ください。

24-Pin SSOP
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12

CCT
CDT
CIT
CIT2
PSO
DO
CO
VM
CTLC
CTLD
PSI
VREG

4-28

24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12

TH
VDD
VC1
VC2
VC3
VC4
VC5
VSS
VINI
SEL1
SEL2
CICT

13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24

CCT
CDT
CIT
CIT2
PSO
DO
CO
VM
CTLC
CTLD
PSI
VREG

リチウムイオン電池保護 IC

S-8223A/B/C/Dシリーズ

2セル / 3セル直列用バッテリ－保護IC（セカンドプロテクト用）● 特長

1～4セル直列用バッテリー保護IC（セカンドプロテクト用）● 特長：3.700 V～4.550 V：±25 mV 精度（＋25°C）（5 mVステップ対応）±50 mV 精度（－40°C～＋85°C）
・ヒステリシス：5種のいずれかを選択可能
0.38±0.1 V、 0.25±0.07 V、 0.13±0.04 V、 0.045±0.02 V、なし
（2）高耐圧：絶対最大定格 26 V
（3）広動作電圧範囲：3.6 V～24 V （過電圧検出後遅延回路が正常動作する範囲）（4）検出時の遅延時間を外部容量で設定可能（5）低消費電流：各セル3.5 V時
3.0 μA max．（＋25°C）
各セル2.3 V時
2.4 μA max．（＋25°C）（6）出力形態、出力論理：5種のいずれかを選択可能
CMOS出力 アクティブ“H”
CMOS出力 アクティブ“L”
Pch オープンドレイン出力アクティブ“L”
Nch オープンドレイン出力アクティブ“H”
Nch オープンドレイン出力アクティブ“L”（ヒステリシス0.045 V品はCMOS出力またはNchオープンドレイン出力）（7）鉛フリー（Sn 100%）、ハロゲンフリー

精度±20 mV (Ta = +25°C)
精度±25 mV (Ta = −10°C ~ +60°C)

過充電ヒステリシス電圧n (n = 1 ~ 3)*1
0.0 mV ~ −550 mV (50 mVステップ)−300 mV ~ −550 mV
精度±20%−100 mV ~ −250 mV
精度±50 mV
−50 mV
精度±25 mV
0.0 mV
精度−25 mV ~ +20 mV
・過充電検出遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要)
過充電検出遅延時間を選択可能: 1 s, 2 s, 4 s, 6 s, 8 s
過充電解除遅延時間を選択可能: 2 ms, 64 ms
・タイマリセット遅延回路内蔵
・出力形態を選択可能 (S-8223A/Cシリーズ) : CMOS出力、Nchオープンドレイン出力
・出力論理を選択可能 (S-8223A/Cシリーズ) : アクティブ "H"、アクティブ "L"・CO端子出力電圧を11.5 V max.に制限 (S-8223B/Dシリーズ)*2・高耐圧: 絶対最大定格28 V・広動作電圧範囲: 3.6 V ~ 28 V・広動作温度範囲: Ta = −40°C ~ +85°C
・低消費電流TMSOP-8
12
3
4: 0.25 μA typ., 0.5 μA max. (Ta = +25°C): 0.3 μA max. (Ta = +25°C)

動作時 (各セルVCU − 1.0 V)
過放電時 (各セルVCU × 0.5 V)・鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー*2.

S-8244シリーズ（1）高精度電圧検出回路内蔵
・過充電検出電圧

・各セルに対する高精度電圧検出回路
過充電検出電圧n (n = 1 ~ 3)
3.600 V ~ 4.700 V (50 mVステップ)*1.

詳しくは各製品のデータシートをご参照ください。

8
7
6
5

1
2
3
4
5
6
7
8

VCC
SENSE
VC1
VC2
VC3
VSS
ICT
CO

SNT-8A
1
2
3
4

1
2
8 3
7 4
6
5 5
6
7
8

CO
ICT
VSS
VC3
VC2
VC1
SENSE
VCC

過充電ヒステリシス電圧は、以下の式で計算される範囲で選択してください。
(過充電検出電圧n) + (過充電ヒステリシス電圧n)≧3.4 V
出力論理はアクティブ "H" のみとなります。
SNT-6A
1
2
3

6
5
4

S-8223A/B

S-8223C/D

1
2
3
4
5
6

CO
VDD
VC1
VC2
VC3
VSS

VC1
VC2
VSS
VC3
VDD
CO

CMOS IC 2023 製品カタログ

4-29

リチウムイオン電池保護 IC

S-8264A/B/Cシリーズ

2～4 セル直列用バッテリ－保護 IC（セカンドプロテクト用）

● 特長
（1）

精度±25 mV（+25°C）

精度±30 mV（−5°C～+55°C）

・過充電ヒステリシス電圧n（n = 1～4）
検出時の遅延時間は内蔵回路のみで実現（外付け容量は不要）（3）

CTL端子による出力制御機能（CTL端子は内部でプルダウン）（S-8264Aシリーズ）（4）

過充電検出後の出力ラッチ機能（S-8264Bシリーズ）（5）

出力形態、出力論理

CMOS出力アクティブ“H”

（6）

高耐圧

絶対最大定格26 V

CTL端子による出力制御機能（CTL端子は内部でプルアップ）（S-8264Cシリーズ）（7）

広動作電圧範囲

3.6 V～24 V（8）広動作温度範囲−40°C～+85°C

（9）

低消費電流
5.0 μA max.（+25°C）

・各セル3.5 V時

・各セル2.3 V時
4.0 μA max.（+25°C）（10） 鉛フリー、Sn 100%、ハロゲンフリー*1
*1.

詳細は「
 品目コードの構成」を参照してください。
8-Pin TSSOP
1
2
3
4

8
7
6
5

1
2
3
4
5
6
7
8

VDD
SENSE
VC1
VC2
VC3
VSS
CTL
CO

SNT-8A
1
2
3
4

1
2
8 3
7 4
6
5 5
6
7
8

2 ~ 4セル直列用バッテリ－保護IC(セカンドプロテクト用)● 特長

精度±20 mV (Ta = +25°C)
精度±25 mV (Ta = −10°C ~ +60°C)

過充電ヒステリシス電圧n (n = 1 ~ 4)*1
0.0 mV ~ −550 mV (50 mVステップ)−300 mV ~ −550 mV
精度±20%−100 mV ~ −250 mV
精度±50 mV
−50 mV
精度±25 mV
0.0 mV
精度−25 mV ~ +20 mV
・過充電検出遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要)
過充電検出遅延時間を選択可能: 1 s, 2 s, 4 s, 6 s, 8 s
過充電解除遅延時間を選択可能: 2 ms, 64 ms
・タイマリセット遅延回路内蔵
・CTL端子による出力制御機能
・出力形態を選択可能 (S-8224Aシリーズ): CMOS出力、Nchオープンドレイン出力
・出力論理を選択可能 (S-8224Aシリーズ): アクティブ "H"、アクティブ "L"・CO端子出力電圧を11.5 V max.に制限 (S-8224Bシリーズ)*2・高耐圧: 絶対最大定格28 V・広動作電圧範囲: 3.6 V ~ 28 V・広動作温度範囲: Ta = −40°C ~ +85°C
・低消費電流−0.520±0.210 V、−0.390±0.160 V、−0.260±0.110 V、−0.130±0.060 V、なし
（2）

S-8224A/Bシリーズ

・各セルに対する高精度電圧検出回路
過充電検出電圧n (n = 1 ~ 4)
3.600 V ~ 4.700 V (50 mVステップ)

各セルに対する高精度電圧検出回路

・過充電検出電圧n（n = 1～4）4.200 V～4.800 V（50 mVステップ）

詳しくは各製品のデータシートをご参照ください。

: 0.25 μA typ., 0.6 μA max. (Ta = +25°C): 0.3 μA max. (Ta = +25°C)

動作時 (各セルVCU − 1.0 V)
過放電時 (各セルVCU × 0.5 V)・鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー

VDD
SENSE
VC1
VC2
VC3
VSS
CTL
CO

*1.
*2.

過充電ヒステリシス電圧は、以下の式で計算される範囲で選択してください。
(過充電検出電圧n) + (過充電ヒステリシス電圧n)≧3.4 V
出力論理はアクティブ "H" のみとなります。
SNT-8A
1
2
3
4

CMOS IC 2023 製品カタログ

4-30

1
2
8 3
7 4
6
5 5
6
7
8

VDD
VC1
VC2
VC3
VC4
VSS
CTL
CO

リチウムイオン電池保護 IC

S-8215Aシリーズ

S-8215Cシリーズ

3セル ~ 5セル直列用バッテリ－保護IC(セカンドプロテクト用)

● 特長

1
2
3
4

8
7
6
5

1
2
3
4
5
6
7
8

VDD
VC1
VC2
VC3
VC4
VC5
VSS
CO

SNT-8A
1
2
3
4

CMOS IC 2023 製品カタログ

1
2
8 3
7 4
6
5 5
6
7
8

3セル ~ 5セル直列用バッテリ－保護IC(セカンドプロテクト用)● 特長

・ 各セルに対する高精度電圧検出回路

・ 各セルに対する高精度電圧検出回路
過充電検出電圧n (n = 1 ~ 5)
3.600 V ~ 4.700 V (50 mVステップ)
精度±25 mV (Ta = +25°C)
精度±30 mV (Ta = −5°C ~ +55°C)
過充電ヒステリシス電圧n (n = 1 ~ 5)
0.0 mV ~ −550 mV (50 mVステップ)−300 mV ~ −550 mV
精度 ±20%−100 mV ~ −250 mV
精度 ±50 mV
0.0 mV ~ −50 mV
精度 ±25 mV
・ 検出時の遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要)
・ 出力形態を選択可能: CMOS出力、Nchオープンドレイン出力、Pchオープンドレイン出力・ 出力論理を選択可能: アクティブ "H"、アクティブ "L"・ 高耐圧: 絶対最大定格28 V・ 広動作電圧範囲: 3.6 V ~ 26 V・ 広動作温度範囲: Ta = −40°C ~ +85°C
・ 低消費電流
各セルVCUn − 1.0 V時: 3.0 μ A max. (Ta = +25°C)
各セル2.3 V時: 1.7 μ A max. (Ta = +25°C)
・ 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
TMSOP-8

詳しくは各製品のデータシートをご参照ください。

過充電検出電圧n (n = 1 ~ 5)
: 2.700 V ~ 4.700 V (5 mVステップ)

精度±20 mV (Ta = +25°C)
精度±25 mV (Ta = −10°C ~ +60°C)

過充電解除電圧n (n = 1 ~ 5) *1: 2.700 V ~ 4.700 V
精度±50 mV (Ta = +25°C)
・ 過充電検出遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要): 0.5 s, 1 s, 2 s, 4 s, 6 s, 8 s

過充電検出遅延時間
・ 出力形態: CMOS出力、Nchオープンドレイン出力・ 出力論理: アクティブ "H"、アクティブ "L"・ 遅延時間を短縮して過充電検出電圧を確認できるテストモードを搭載
・ 高耐圧: 絶対最大定格28 V・ 広動作電圧範囲: 3.6 V ~ 26 V・ 広動作温度範囲: Ta = −40°C ~ +85°C

・ 低消費電流: 0.3 μ A typ., 0.7 μ A max. (Ta = +25°C)

動作時
・ 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
*1.

VDD
VC1
VC2
VC3
VC4
VC5
VSS
CO

過充電解除電圧 = 過充電検出電圧 + 過充電ヒステリシス電圧(過充電ヒステリシス電圧は、0 mV ~ −400 mVの範囲内にて50 mVステップで選択可能)
TMSOP-8
1
2
3
4

4-31

8
7
6
5

1
2
3
4
5
6
7
8

VDD
VC1
VC2
VC3
VC4
VC5
VSS
CO

SNT-8A
1
2
3
4

1
2
8 3
7 4
6
5 5
6
7
8

VDD
VC1
VC2
VC3
VC4
VC5
VSS
CO

リチウムイオン電池保護 IC

セルバランス機能付き
3セル ~ 5セル直列用バッテリー保護IC(セカンドプロテクト用)

S-8265Cシリーズ● 特長

・ 各セルに対する高精度電圧検出回路

S-8259Aシリーズ

1セル用バッテリー監視IC● 特長

・高精度電圧検出回路

セルバランス検出電圧n (n = 1 ~ 5)
: 2.700 V ~ 4.650 V (5 mVステップ)

精度±20 mV (Ta = +25°C)
精度±25 mV (Ta = −10°C ~ +60°C)

セルバランス解除電圧n (n = 1 ~ 5) *1: 2.700 V ~ 4.650 V
過充電検出電圧n (n = 1 ~ 5) *2: 2.750 V ~ 4.700 V (5 mVステップ)

過充電検出電圧3.500 V ~ 4.600 V (5 mVステップ)

精度±20 mV

過充電解除電圧3.100 V ~ 4.600 V*1

精度±50 mV

過放電検出電圧2.000 V ~ 3.400 V (10 mVステップ)

精度±50 mV

過放電解除電圧2.000 V ~ 3.400 V*2

精度±100 mV

精度±50 mV (Ta = +25°C)

・各種検出遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要)
・CO端子出力論理精度±20 mV (Ta = +25°C)
精度±25 mV (Ta = −10°C ~ +60°C): アクティブ "H"、アクティブ "L"・広動作温度範囲: Ta = −40°C ~ +85°C

・低消費電流過充電解除電圧n (n = 1 ~ 5) *3, *4: 2.750 V ~ 4.700 V
精度±50 mV (Ta = +25°C)
・ 各セルに対しセルバランス放電用FETを内蔵
・ 出力形態: CMOS出力、Nchオープンドレイン出力・ 出力論理: アクティブ "H"、アクティブ "L"・ 高耐圧: 絶対最大定格28 V・ 広動作電圧範囲: 3.6 V ~ 26 V・ 広動作温度範囲: Ta = −40°C ~ +85°C

動作時: 1.5 μA typ., 3.0 μA max. (Ta = +25°C)

過放電時: 2.0 μA max. (Ta = +25°C)

・鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー

・ 遅延時間を短縮してセルバランス検出電圧、過充電検出電圧を確認できるテストモードを搭載*1.

過充電解除電圧 = 過充電検出電圧 − 過充電ヒステリシス電圧*2.

過放電解除電圧 = 過放電検出電圧 + 過放電ヒステリシス電圧(過充電ヒステリシス電圧は、0 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)(過放電ヒステリシス電圧は、0.1 V ~ 0.7 Vの範囲内にて100 mVステップで選択可能)
SOT-23-6・ 低消費電流6 5 4: 0.3 μ A typ., 0.7 μ A max. (Ta = +25°C)

動作時
・ 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー*1.

詳しくは各製品のデータシートをご参照ください。

1 2 3

セルバランス解除電圧 = セルバランス検出電圧 + セルバランスヒステリシス電圧

1 DO
2 VM
3 CO
4 NC
5 VDD
6 VSS

(セルバランスヒステリシス電圧は、0 mV ~ −400 mVの範囲内にて50 mVステップで選択可能)*2.

過充電検出電圧≧セルバランス検出電圧 + 50 mVとなるように選択してください。

*3.

過充電解除電圧 = 過充電検出電圧 + 過充電ヒステリシス電圧(過充電ヒステリシス電圧は、0 mV ~ −400 mVの範囲内にて50 mVステップで選択可能)*4.

過充電解除電圧≧セルバランス解除電圧 + 50 mVとなるように選択してください。
TMSOP-8
1
2
3
4

8
7
6
5

1
2
3
4
5
6
7
8

VDD
VC1
VC2
VC3
VC4
VC5
VSS
CO

SNT-8A
1
2
3
4

CMOS IC 2023 製品カタログ

1
2
8 3
7 4
6
5 5
6
7
8

VDD
VC1
VC2
VC3
VC4
VC5
VSS
CO

4-32

リチウムイオン電池保護 IC

S-8211Eシリーズ

1セル用バッテリー保護IC● 特長

3.6 V～4.5 V（5 mVステップ）

精度±25 mV（＋25 C）
精度±30 mV（－5 C ~ ＋55 C）*1

精度±50 mV・過充電解除電圧

3.5 V～4.4 V

・過放電検出電圧

2.0 V～3.0 V（10 mVステップ）

・過放電解除電圧

2.0 V～3.4 V

精度±50 mV*2

精度±100 mV（2）各種検出遅延時間は内蔵回路のみで実現（外付け容量は不要）

精度±20%－40 C～＋85 C（3）広動作温度範囲（4）低消費電流

3.0 A typ.、5.5 A max.（＋25 C）

・動作時

2.0 A typ.、3.5 A max.（＋25 C）

・過放電時（5）CO端子の出力論理を選択可能

アクティブ“H”、アクティブ“L”（6）鉛フリー、Sn 100%、ハロゲンフリー
*1.

*3

*2.

過充電解除電圧 = 過充電検出電圧－過充電ヒステリシス電圧

*3.
*4.

過放電解除電圧 = 過放電検出電圧＋過放電ヒステリシス電圧（過放電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.7 Vの範囲内にて100 mVステップで選択可能）

*3.

詳細は「
 品目コードの構成」を参照してください。
SOT-23-5
5

4

1 2 3

1
2
3
4
5

VM
VDD
VSS
DO
CO

*5.

SNT-6A
1
2
3

CMOS IC 2023 製品カタログ

6
5
4

1
2
3
4
5
6

セルバランス機能付バッテリー保護用IC

● 特長

*1.

（過充電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能）*2.

S-8209Aシリーズ

・高精度電圧検出回路
過充電検出電圧 *13.55 V ~ 4.40 V (5 mVステップ)
過充電解除電圧 *13.50 V ~ 4.40 V*2
セルバランス検出電圧 *13.55 V ~ 4.40 V (5 mVステップ)*3
セルバランス解除電圧 *13.50 V ~ 4.40 V*4
過放電検出電圧
2.0 V ~ 3.0 V (10 mVステップ)
過放電解除電圧
2.0 V ~ 3.4 V*5・外付け容量にて出力端子に遅延時間を設定可能
・CTLC端子、CTLD端子から充電、放電、セルバランスの制御が可能
・充電 / 放電の2種類のセルバランス機能を搭載 *6・広動作温度範囲
Ta = −40°C ~ +85°C
・低消費電流7.0 μA max.
・鉛フリー、Sn 100%、ハロゲンフリー *7（1）高精度電圧検出回路
・過充電検出電圧

詳しくは各製品のデータシートをご参照ください。

*6.
*7.

NC
CO
DO
VSS
VDD
VM

過充電検出電圧、過充電解除電圧、セルバランス検出電圧、セルバランス解除電圧の選択については、" 品 目 コ ー ド の 構 成 "、"3. 製 品 名 リ ス ト " の備
備 考 3を参照してください。
過充電解除電圧 = 過充電検出電圧 − 過充電ヒステリシス電圧(過充電ヒステリシス電圧は、0 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)
過充電検出電圧＞セルバランス検出電圧となるように選択してください。
セルバランス解除電圧 = セルバランス検出電圧 − セルバランスヒステリシス電圧(セルバランスヒステリシス電圧は、0 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)
過放電解除電圧 = 過放電検出電圧 + 過放電ヒステリシス電圧(過放電ヒステリシス電圧は、0 V ~ 0.7 Vの範囲内にて100 mVステップで選択可能)
放電セルバランス機能なしも選択可能
詳細は "
 品 目 コ ー ド の 構 成 " を参照してください。
8-Pin TSSOP
1
2
3
4

4-33

精度±25 mV
精度±50 mV
精度±25 mV
精度±50 mV
精度±50 mV
精度±100 mV

8
7
6
5

1
2
3
4
5
6
7
8

CTLC
CTLD
VDD
CDT
VSS
DO
CO
CB

SNT-8A
1
2
3
4

1
2
8 3
7 4
6
5 5
6
7
8

CTLC
CTLD
VDD
CDT
VSS
DO
CO
CB

リチウムイオン電池保護 IC

S-8209Bシリーズ

セルバランス機能付バッテリー保護用IC● 特長

・高精度電圧検出回路
過充電検出電圧 *13.55 V ~ 4.40 V (5 mVステップ)
過充電解除電圧 *13.50 V ~ 4.40 V*2
セルバランス検出電圧 *13.55 V ~ 4.40 V (5 mVステップ)*3
セルバランス解除電圧 *13.50 V ~ 4.40 V*4
過放電検出電圧
2.0 V ~ 3.0 V (10 mVステップ)
過放電解除電圧
2.0 V ~ 3.4 V*5・外付け容量にて出力端子に遅延時間を設定可能
・CTLC端子、CTLD端子から充電、放電、セルバランスの制御が可能
・充電 / 放電の2種類のセルバランス機能を搭載 *6・広動作温度範囲
Ta = −40°C ~ +85°C
・低消費電流7.0 μA max.
・鉛フリー、Sn 100%、ハロゲンフリー *7
*1.
*2.
*3.
*4.
*5.
*6.
*7.

1
2
3
4

8
7
6
5

1
2
3
4
5
6
7
8

CTLC
CTLD
VDD
CDT
VSS
DO
CO
CB

SNT-8A
1
2
3
4

CMOS IC 2023 製品カタログ

1
2
8 3
7 4
6
5 5
6
7
8

セルバランス機能付き電圧監視用IC● 特長: 2 0 V ~ 4.6 V (5 mVステップ)*1

セルバランス解除電圧: 2 0 V ~ 4.6 V

過充電検出電圧: 2 0 V ~ 4.6 V (5 mVステップ)

過充電解除電圧: 2 0 V ~ 4.6 V*2・CB端子  VSS端子間にオン抵抗5  typ.のNchトランジスタを内蔵
・消費電流: 2 0 A max. (Ta = 25°C)
・各種検出遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要)
・CO端子出力形態、出力論理選択可能 : CMOS出力
Nchオープンドレイン出力_____
・CE 端子によるパワーセービングモードへの切り換えが可能
・動作温度範囲: Ta = 40°C ~ 85°C
・鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー

過充電検出電圧、過充電解除電圧、セルバランス検出電圧、セルバランス解除電圧の選択については、" 品
目 コ ー ド の 構 成 "、"3. 製 品 名 リ ス ト " の備
備 考 3を参照してください。
過充電解除電圧 = 過充電検出電圧 − 過充電ヒステリシス電圧(過充電ヒステリシス電圧は、0 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)
過充電検出電圧＞セルバランス検出電圧となるように選択してください。
セルバランス解除電圧 = セルバランス検出電圧 − セルバランスヒステリシス電圧(セルバランスヒステリシス電圧は、0 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)
過放電解除電圧 = 過放電検出電圧 + 過放電ヒステリシス電圧(過放電ヒステリシス電圧は、0 V ~ 0.7 Vの範囲内にて100 mVステップで選択可能)
放電セルバランス機能なしも選択可能
詳細は "
 品 目 コ ー ド の 構 成 " を参照してください。
8-Pin TSSOP

S-8249シリーズ
・高精度電圧検出回路
セルバランス検出電圧

精度±25 mV
精度±50 mV
精度±25 mV
精度±50 mV
精度±50 mV
精度±100 mV

詳しくは各製品のデータシートをご参照ください。

*1.
*2.

6 5 4

1 2 3

4-34

アクティブ "H"、アクティブ "L"
アクティブ "H"、アクティブ "L"

セルバランス解除電圧 = セルバランス検出電圧  セルバランスヒステリシス電圧(セルバランスヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.7 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)
過充電解除電圧 = 過充電検出電圧  過充電ヒステリシス電圧(過充電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.7 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)
SOT-23-6

CTLC
CTLD
VDD
CDT
VSS
DO
CO
CB

精度12 mV (2.0 V≦VBU＜2.4 V)
精度0 5% (2.4 V≦VBU≦4.6 V)
精度24 mV (2.0 V≦VBL＜2.4 V)
精度1.0% (2.4 V≦VBL≦4.6 V)
精度12 mV (2.0 V≦VCU＜2.4 V)
精度0.5% (2.4 V≦VCU≦4.6 V)
精度24 mV (2.0 V≦VCL＜2.4 V)
精度1.0% (2.4 V≦VCL≦4.6 V)

1 CO
2 VSS
3 DP
4 CE
5 VDD
6 CB

リチウムイオン電池保護 IC

S-8225Aシリーズ

3セル ~ 5セル直列用バッテリ－監視IC● 特長

・各セルに対する高精度電圧検出機能
過充電検出電圧n (n = 1 ~ 5)

詳しくは各製品のデータシートをご参照ください。

S-8225Bシリーズ

3セル ~ 5セル直列用バッテリー監視IC● 特長

・各セルに対する高精度電圧検出機能
過充電検出電圧n (n = 1 ~ 5)

3.500 V ~ 4.400 V (50 mVステップ)
精度±20 mV (Ta = +25°C), ±30 mV (Ta = 0°C ~ +60°C)
過充電解除電圧n (n = 1 ~ 5)3.300 V ~ 4.400 V*1
精度±50 mV
過放電検出電圧n (n = 1 ~ 5)
2.000 V ~ 3.200 V (100 mVステップ)
精度±80 mV
過放電解除電圧n (n = 1 ~ 5)
2.100 V ~ 3.400 V*2
精度±100 mV・過充電検出遅延時間、過放電検出遅延時間は外付け容量により設定可能
・SEL1端子、SEL2端子により3セル ~ 5セル直列用の切り換えが可能
・カスケード接続が可能
・CTLC端子によりCO端子、CTLD端子によりDO端子をそれぞれ独立して制御可能
・CO端子、DO端子の出力電圧を12 V max.に制限
・高耐圧
絶対最大定格 28 V・広動作電圧範囲
4 V ~ 26 V・広動作温度範囲
Ta = −40°C ~ +85°C
・低消費電流動作時 (V1 = V2 = V3 = V4 = V5 = 3.4 V)
22 μA max. (Ta = +25°C)
パワーダウン時 (V1 = V2 = V3 = V4 = V5 = 1.6 V)
4.5 μA max. (Ta = +25°C)
・鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー

3.5 V ~ 4.4 V (50 mVステップ)
精度 ±20 mV (Ta = +25°C), ±30 mV (Ta = 0°C ~ +60°C)
過充電解除電圧n (n = 1 ~ 5)
3.3 V ~ 4.4 V*1
精度 ±50 mV
過放電検出電圧n (n = 1 ~ 5)
2.2 V ~ 3.2 V (100 mVステップ) 精度 ±80 mV
過放電解除電圧n (n = 1 ~ 5)
2.2 V ~ 3.4 V*2
精度 ±100 mV
・過充電検出遅延時間、過放電検出遅延時間は外付け容量により設定可能
・SEL1端子、SEL2端子により3セル ~ 5セル直列用の切り換えが可能
・CTLC端子によりCO端子、CTLD端子によりDO端子をそれぞれ独立して制御可能
・CO端子、DO端子の出力電圧を12 V max.に制限
・出力論理を選択可能
アクティブ "H"、アクティブ "L"・高耐圧
絶対最大定格 28 V・広動作電圧範囲
4 V ~ 26 V・広動作温度範囲
Ta =−40°C ~ +85°C
・低消費電流動作時 (V1 = V2 = V3 = V4 = V5 = 3.4 V)
20 μA max. (Ta = +25°C)
パワーダウン時 (V1 = V2 = V3 = V4 = V5 = 1.6 V)
3.0 μA max. (Ta = +25°C)
・鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー*1. 過充電ヒステリシス電圧n (n = 1 ~ 5) は0 Vまたは0.1 V ~ 0.4 Vの範囲内から50 mVステップで選択可能。
(過充電ヒステリシス電圧 = 過充電検出電圧 − 過充電解除電圧)*2. 過放電ヒステリシス電圧n (n = 1 ~ 5) は0 V ~ 0.7 Vの範囲内から100 mVステップで選択可能。
(過放電ヒステリシス電圧 = 過放電解除電圧 − 過放電検出電圧)*1. 過充電ヒステリシス電圧n (n = 1 ~ 5) は0 Vまたは0.1 V ~ 0.4 Vの範囲内から50 mVステップで選択可能。
(過充電ヒステリシス電圧 = 過充電検出電圧 − 過充電解除電圧)*2. 過放電ヒステリシス電圧n (n = 1 ~ 5) は0 Vまたは0.2 V ~ 0.7 Vの範囲内から100 mVステップで選択可能。
(過放電ヒステリシス電圧 = 過放電解除電圧 − 過放電検出電圧)

1
2
3
4
5
6
7
8

16-Pin TSSOP

16
15
14
13
12
11
10
9

1
2
3
4
5
6
7
8

CTLD
CTLC
CO
DO
SEL1
SEL2
CDT
CCT

CMOS IC 2023 製品カタログ

9
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16

VSS
VC6
VC5
VC4
VC3
VC2
VC1
VDD

1
2
3
4
5
6
7
8

4-35

16-Pin TSSOP

16
15
14
13
12
11
10
9

1
2
3
4
5
6
7
8

CTLD
CTLC
CO
DO
SEL1
SEL2
CDT
CCT

9
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16

VSS
VC6
VC5
VC4
VC3
VC2
VC1
VDD

リチウムイオン電池保護 IC

S-8255Aシリーズ

3セル ~ 5セル直列用バッテリー監視IC● 特長

・ 各セルに対する高精度電圧検出機能
過充電検出電圧n (n = 1 ~ 5)
: 3.550 V ~ 4.600 V (50 mVステップ)
過充電解除電圧n (n = 1 ~ 5)
: 3.150 V ~ 4.600 V*1
過放電検出電圧n (n = 1 ~ 5)
: 2.000 V ~ 3.200 V (100 mVステップ)
過放電解除電圧n (n = 1 ~ 5)
: 2.000 V ~ 3.400 V*2
・ 各遅延時間は外付け容量により設定が可能 (温度検出遅延時間は内部固定)・ 各制御端子により充電禁止、放電禁止、パワーセービングを個別に制御可能
・ 0 V電池検出機能を選択可能: あり、なし
・ CO端子、DO端子の出力電圧を8 V max.に制限
・ SEL1端子とSEL2端子により3セル ~ 5セル直列用の切り換えが可能
・ カスケード接続することにより6セル直列以上の監視が可能
・ NTCを接続することで異なる4点の温度検出が可能
充電時高温検出比率、放電時高温検出比率: 0.600 ~ 0.900 (0.005ステップ)
充電時低温検出比率、放電時低温検出比率: 0.030 ~ 0.400 (0.005ステップ)
・ 高耐圧: 絶対最大定格28 V・ 広動作電圧範囲: 5 V ~ 24 V・ 広動作温度範囲: Ta = 40 C ~ 85 C
・ 低消費電流動作時: 19 A max. (Ta = 25 C)
パワーセービング時: 0.1 A max. (Ta = 25 C)・ 鉛フリー、ハロゲンフリー

詳しくは各製品のデータシートをご参照ください。

S-8255Bシリーズ

3セル ~ 5セル直列用バッテリー監視IC● 特長

・ 各セルに対する高精度電圧検出機能
過充電検出電圧n (n = 1 ~ 5)
: 3.550 V ~ 4.600 V (50 mVステップ)
過充電解除電圧n (n = 1 ~ 5)
: 3.150 V ~ 4.600 V*1
過放電検出電圧n (n = 1 ~ 5)
: 2.000 V ~ 3.200 V (100 mVステップ)
過放電解除電圧n (n = 1 ~ 5)
: 2.000 V ~ 3.400 V*2
・ 各遅延時間は外付け容量により設定が可能 (温度検出遅延時間は内部固定)・ 各制御端子により充電禁止、放電禁止、パワーセービングを個別に制御可能
・ 0 V電池検出機能を選択可能: あり、なし
・ CO端子、DO端子の出力電圧を8 V max.に制限
・ SEL1端子とSEL2端子により3セル ~ 5セル直列用の切り換えが可能
・ NTCを接続することで異なる4点の温度検出が可能
充電時高温検出比率、放電時高温検出比率: 0.600 ~ 0.900 (0.005ステップ)
充電時低温検出比率、放電時低温検出比率: 0.030 ~ 0.400 (0.005ステップ)
・ 高耐圧: 絶対最大定格28 V・ 広動作電圧範囲: 5 V ~ 24 V・ 広動作温度範囲: Ta = 40 C ~ 85 C
・ 低消費電流動作時: 19 A max. (Ta = 25 C)
パワーセービング時: 0.1 A max. (Ta = 25 C)・ 鉛フリー、ハロゲンフリー

精度20 mV
精度50 mV
精度80 mV
精度100 mV

精度0.005
精度0.005

精度20 mV
精度50 mV
精度80 mV
精度100 mV

精度0.005
精度0.005*1. 過充電解除電圧 = 過充電検出電圧  過充電ヒステリシス電圧(過充電ヒステリシス電圧n (n = 1 ~ 5) は、0 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)*2. 過放電解除電圧 = 過放電検出電圧  過放電ヒステリシス電圧(過放電ヒステリシス電圧n (n = 1 ~ 5) は、0 V ~ 0.7 Vの範囲内にて100 mVステップで選択可能)*1. 過充電解除電圧 = 過充電検出電圧  過充電ヒステリシス電圧(過充電ヒステリシス電圧n (n = 1 ~ 5) は、0 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)*2. 過放電解除電圧 = 過放電検出電圧  過放電ヒステリシス電圧(過放電ヒステリシス電圧n (n = 1 ~ 5) は、0 V ~ 0.7 Vの範囲内にて100 mVステップで選択可能)

20-Pin TSSOP
20-Pin TSSOP
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10

20
19
18
17
16
15
14
13
12
11

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10

TH
VDD
VC1
VC2
VC3
VC4
VC5
VSS
SEL1
SEL2

CMOS IC 2023 製品カタログ

11
12
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16
17
18
19
20

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10

CCT
CDT
PSO
DO
CO
THC/DX
CTLC
CTLD
PSI
VREG

4-36

20
19
18
17
16
15
14
13
12
11

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10

TH
VDD
VC1
VC2
VC3
VC4
VC5
VSS
SEL1
SEL2

11
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15
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20

CCT
CDT
PSO
DO
CO
THC/DX
CTLC
CTLD
PSI
VREG

リチウムイオン電池保護 IC

S-8239Aシリーズ

多セル直列用過電流監視IC● 特長

・高精度電圧検出回路内蔵

詳しくは各製品のデータシートをご参照ください。

S-8239Bシリーズ

多セル直列用過電流監視IC● 特長

・高精度電圧検出回路内蔵

過電流1検出電圧*10.04 V ~ 0.30 V (10 mVステップ)

精度±15 mV

過電流1検出電圧*10.04 V ~ 0.30 V (10 mVステップ)

精度±15 mV

過電流2検出電圧

0.1 V ~ 0.7 V (100 mVステップ)

精度±100 mV

過電流2検出電圧

0.1 V ~ 0.7 V (100 mVステップ)

精度±100 mV

過電流3検出電圧

1.2 V (固定)精度±300 mV

過電流3検出電圧

1.2 V (固定)精度±300 mV・3段階の過電流検出回路内蔵
・過電流3検出機能: 過電流1、過電流2、過電流3: あり、なし

・3段階の過電流検出回路内蔵
・過電流3検出機能

・UVLO (低電圧誤動作防止) 機能
UVLO検出電圧・高耐圧: 過電流1、過電流2、過電流3: あり、なし・UVLO (低電圧誤動作防止) 機能
2.0 V (固定)精度±100 mVUVLO検出電圧: VM端子、DO端子 : 絶対最大定格 28 V

・高耐圧

2.0 V (固定)精度±100 mV: VM端子、DO端子 : 絶対最大定格 28 V

・各種遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要)

・各種遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要)

・低消費電流・低消費電流

通常動作時: 7.0 μA max.

通常動作時

UVLO動作時: 6.0 μA max.

パワーダウン時: 7.0 μA max.
: 0.1 μA max.

・出力論理

: アクティブ "L"、アクティブ "H"・出力論理: アクティブ "L"・広動作温度範囲: Ta = −40°C ~ +85°C

・広動作温度範囲: Ta = −40°C ~ +85°C

・鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー

・鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー*1. 過電流2検出電圧 = 0.1 Vの場合、過電流1検出電圧≦0.06 Vとなるようにしてください。
過電流2検出電圧≧0.2 Vの場合、過電流1検出電圧≦0.85×過電流2検出電圧 − 0.05 Vとなるようにしてください。

*1. 過電流2検出電圧 = 0.1 Vの場合、過電流1検出電圧≦0.06 Vとなるようにしてください。
過電流2検出電圧≧0.2 Vの場合、過電流1検出電圧≦0.85 × 過電流2検出電圧 − 0.05 Vとなるようにしてください。

SOT-23-6
6 5 4

1 2 3

SOT-23-6

1 VINI
2 VM
3 DO
4 DP
5 VDD
6 VSS

CMOS IC 2023 製品カタログ

6 5 4

1 2 3

4-37

1 VINI
2 VM
3 DO
4 DP
5 VDD
6 VSS

リチウムイオン電池保護 IC

S-8269Bシリーズ

多セル直列用過電流監視IC● 特長

・高精度電圧検出回路
放電過電流検出電圧10.0030 V ~ 0.1000 V (0.5 mVステップ)
放電過電流検出電圧20.010 V ~ 0.100 V (1 mVステップ)
負荷短絡検出電圧
0.020 V ~ 0.100 V (1 mVステップ)
充電過電流検出電圧−0.1000 V ~ −0.0030 V (0 5 mVステップ)
・各種検出遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要)
・放電過電流制御機能
放電過電流状態解除条件: 負荷開放放電過電流状態解除電圧: VDIOV1, VRIOV = VDD × 0.8 (typ.)・高耐圧: VM端子およびCO端子 : 絶対最大定格28 V
・低消費電流動作時: 2.0 μA typ., 4.0 μA max. (Ta = +25°C)
・広動作温度範囲: Ta = −40°C ~ +85°C
・鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
SNT-6A
1
2
3

6
5
4

S-8229Aシリーズ● 特長

・ 検出電圧精度
・ ヒステリシス特性
・ 消費電流精度±1.5 mV
精度±3 mV
精度±5 mV
精度±1.5 mV・ 動作電圧範囲・ 検出電圧・ 出力形態・ 出力論理*2
・ 動作温度範囲
・ 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
*1.
*2.

1 VM
2 CO
3 DO
4 VSS
5 VDD
6 V NI

SOT-23-6
6 5 4

4-38

バッテリー監視IC: ±1.0%: VHYS1 ~ VHYS3 = 0 mV, 50 mV, 300 mV, 400 mV, 500 mV: 動作時: IDD1 = 9.0 μA max. (−VDETtotal*1≧42 V)
IDD1 = 11.0 μA max. (−VDETtotal*1＜42 V): パワーオフ時 : IDD2 = 0.1 μA max.
: VDD = 3.6 V ~ 24 V
: −VDET1(S) ~ −VDET2(S) = 10.5 V ~ 21.5 V (0.1 Vステップ)−VDET3(S) = 7.5 V ~ 21.5 V (0.1 Vステップ): Nchオープンドレイン出力: フルチャージオールオン、フルチャージオールオフ: Ta = −40°C ~ +85°C−VDETtotal : 検出電圧の合計値−VDETtotal = −VDET1(S) + −VDET2(S) + −VDET3(S)フルチャージオールオン : 入力電圧が3つの検出電圧値以上の場合、VOUT1 = VOUT2 = VOUT3 = VSSとなります。
フルチャージオールオフ : 入力電圧が3つの検出電圧値以上の場合、VOUT1 = VOUT2 = VOUT3 = "High-Z" となります。

1 2 3

CMOS IC 2023 製品カタログ

詳しくは各製品のデータシートをご参照ください。

1 OUT12 OUT23 OUT34 VSS
5 VDD
6 ON/OFF

SNT-6A
1
2
3

6
5
4

1 OUT32 OUT23 OUT1
4 ON/OFF
5 VDD
6 VSS

リチウムイオン電池保護 IC

パッケージ一覧表
パッケージタイプ

リード挿入タイプ

フラットリードタイプ
ガルウイングタイプ

パッケージサイズ (mm)ピン数

パッケージ名3

TO-92S

4.95

SOT-89-5

4.5

3

3

TO-92

SOT-89-3

54

SC-82AB5

SC-88A3

SOT-23-3

3

SOT-23-3S

3
5

6

2.1

2.8

2.8

2.8

2.8

16
6

8

8

8

5
9

HTSSOP-16

HSOP-6

HSOP-8A

HSOP-8A

HSOP-8Q

TO-252-5S(A)TO-252-9S

2.9

2.9
2.9

6.4
7.6

4.0

4.0

6.4

6.0

6.0

6.0

5.1
6.5
7.9

2.9

2.9

5.12

5.02

5.02

5.02

6

3.0

1.3

0.95

1.3

0.95

1.1

0.65

1.1

0.65

1.2
1.4

0.8

0.8

1.1

1.75

1.68

1.65

0.8

0.4

8
8

0.65

1.91

1.27

1.27

1.27

6.5

6.5

1.4

0.65

8
備考

8

0.4

1.2

0.4

0.4

0.4

0.65

0.5

0.5

0.4

0.5

HSNT-6(2025)

2.46

1.96

0.5

0.5

HSNT-8(2030)

3.0

2.0

0.5

0.5

HSNT-8(1616)
DFN-6(1414)A
DFN-6(1518)A
DFN-8(1616)A
DFN-8(2030)

DFN-8(2030)A

DFN-8(2030)B

1.6

1.4
1.8
1.6
3.0
3.0
3.0

1.6

1.4

0.4
0.33

2.0

0.5

1.6
2.0
2.0

0.4

0.6

1.5

WLPパッケージ品の詳細については、販売窓口までお問い合わせください。

0.5
0.5

0.6

0.4
0.5

0.6

0.5

0.8

0.5

1.27

A

HE

CMOS IC 2023 製品カタログ

0.65

1.6

6

0.65

0.41

1.8

1.2

0.4

1.0

6

HSNT-6(1212)

0.5

0.41

1.0

HSNT-6D(HSNT-6(1618))

6

0.65

1.0

0.5

0.8
1.96

8

0.65

HSNT-4(1010)B

1.0
2.46

8

0.65

HSNT-4(1010)

1.97

HSNT-6A

6

0.5

0.8

HSNT-4(0808)

1.2

6
6

0.65

1.68
1.4

4

0.5

0.5

0.8

4

0.65

1.57

HSNT-4(0808)B

1.9

0.5

1.8

1.6

C

0.95

SNT-6A
SNT-6A(H)

SNT-4A

ピッチ (mm)

0.9

0.65

4

4

2.9

1.56

1.9

0.8

1.9

A (max.)

2.55

1.2

1.3

D

SON-6C

2.46

5.02
6.5

4

6-Pin HSON(A)HE

SNT-8A

6.0

6.5

6

パッケージサイズ (mm)

8

1.1

3.0

6

パッケージ名

0.65

3.0

2.9

ピン数

1.1

6.4

24-Pin SSOPHTMSOP-8

2.9

ノンリードタイプ

1.3

1.27

24
8

2.0

1.1

1.75

6.4

TMSOP-8

2.0

5.02

16-Pin TSSOP

8

1.5

パッケージタイプ

1.5

6.0

2.8

16

20-Pin TSSOP

1.6

1.6

0.95

6.4

20

4.5

2.5/1.27

1.35

8-Pin TSSOP
8-Pin TSSOP

2.5/1.27

4.2

C

2.9

8

8

1.62

4.5

SOT-23-6

8-Pin SOP (JEDEC)

4.1

4.0

2.85

SOT-23-6W

8

A (max.)

5.2

2.1

ピッチ (mm)D

7.0

TSOT-23-3S
SOT-23-5

6

HE

4-39

C

D

リチウムイオン電池保護 IC

注意事項● 本カタログ内容は予告なく変更する事があります。
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航空機器、宇宙機器、及び原子力関連機器等、人体に影響を及ぼす機器または極めて高い信頼性が要求される機器には使用することができません。
● 本カタログに記載されている製品は、耐放射線設計はされておりません。
● 弊社は品質、信頼性の向上に努めておりますが、半導体製品はある確率で故障や誤動作する場合があります。故障や誤動作により、人身事故、火災事故、社会的損害などを生じさせないような冗長設計、延焼対策設計、誤動作防止設計などの安全設計に十分ご留意ください。

CMOS IC 2023 製品カタログ

4-40

リチウムイオン電池保護 IC

2023年3月作成

このカタログの内容は、製品の改良に伴い、予告なしに変更することがあります。

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