S-816シリーズ
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トランジスタ外付け型
CMOSボルテージレギュレータ© ABLIC Inc., 1996-2014

Rev.6.1_02

S-816 シリーズは、CMOS 技術を使用して開発したトランジスタ外付けタイプの正電圧ボルテージレギュレータで、過電流保護回路、ON/OFF 回路を内蔵しています。外付けの PNP トランジスタを本 IC で駆動することにより、出力電流数百 mA  1 A クラスの低ドロップアウト型レギュレータを構成することができます。
位相補償回路の工夫で、低消費電流でありながら過渡応答特性を向上させ、入力変動、負荷変動の激しい用途にも対応できます。
小型の SOT-23-5 パッケージや低消費電流等の特徴とあわせ、携帯機器の電源部に最適です。入力電圧も16 V まで対応できますので AC アダプタ入力にも最適です。

 特長: 2.5 V  6.0 V 間において 0.1 V ステップで選択可能: 16 V max.
: 2.0%: 動作時: 30 A typ.、40 A max.
パワーオフ時: 1 A max.
・ 過電流 (ベース電流) 保護回路を内蔵
・ ON/OFF 回路を内蔵: 電池の長寿命化に対応可能
・ ソース電流源 (10 A) を内蔵 : ベース-エミッタ間抵抗が不要
・ 動作温度範囲: Ta = 40C  85C・ 鉛フリー、Sn 100%、ハロゲンフリー*1・ 出力電圧・ 入力電圧・ 出力電圧精度
・ 消費電流*1.

詳細は「 品目コードの構成」を参照してください。

 用途
 携帯電話、電子手帳、PDA等のバッテリー機器のオンボード電源
 携帯通信機器、カメラ、ビデオ機器の定電圧電源
 CPU用電源
 スイッチングレギュレータの後段のレギュレータ
 多電源システムのメインレギュレータ

 パッケージ

SOT-23-5

1トランジスタ外付け型
S-816シリーズ

CMOSボルテージレギュレータ

Rev.6.1_02

 ブロック図

VIN

EXT

ソース電流源

プルアップ
抵抗
過電流
保護回路



VOUT






Vref
ON/OFF


誤差増幅器


シンク
ドライバ

VSS

備考 1. パワーダウン時に外付けトランジスタのオフを保証するために、EXT 出力は IC 内部でプルアップ抵抗 (約 0.5 M) により VIN にプルアップされています。
2. IC 内部のダイオードは寄生ダイオードです。
図12

トランジスタ外付け型
Rev.6.1_02

CMOSボルテージレギュレータ
S-816シリーズ

 品目コードの構成
1.

製品名

S-816A

xx

A

MC

-

xxx

T2

x
環境コード
U ：鉛フリー（Sn 100%）、ハロゲンフリー
G ：鉛フリー（詳細は弊社営業部までお問い合わせください）
テープ仕様での IC の向き

*1

製品略号
パッケージ略号
MC：SOT-23-5
出力電圧25  60（例：出力電圧が 2.5 V の場合は、25 と表されます。）*1.
2.

テープ図面を参照してください。

パッケージ

パッケージ名SOT-23-5
3.

図面コード
テープ図面
MP005-A-C-SD

パッケージ図面
MP005-A-P-SD

リール図面
MP005-A-R-SD

製品名リスト表1
出力電圧 (V)
2.5 V2.0%
2.6 V2.0%
2.7 V2.0%
2.8 V2.0%
2.9 V2.0%
3.0 V2.0%
3.1 V2.0%
3.2 V2.0%
3.3 V2.0%
3.4 V2.0%
3.5 V2.0%
3.6 V2.0%
3.7 V2.0%
3.8 V2.0%
3.9 V2.0%
4.0 V2.0%
4.1 V2.0%
4.2 V2.0%
備考 1.
2.

製品名
S-816A25AMC-BAAT2x
S-816A26AMC-BABT2x
S-816A27AMC-BACT2x
S-816A28AMC-BADT2x
S-816A29AMC-BAET2x
S-816A30AMC-BAFT2x
S-816A31AMC-BAGT2x
S-816A32AMC-BAHT2x
S-816A33AMC-BAIT2x
S-816A34AMC-BAJT2x
S-816A35AMC-BAKT2x
S-816A36AMC-BALT2x
S-816A37AMC-BAMT2x
S-816A38AMC-BANT2x
S-816A39AMC-BAOT2x
S-816A40AMC-BAPT2x
S-816A41AMC-BAQT2x
S-816A42AMC-BART2x

出力電圧 (V)
4.3 V2.0%
4.4 V2.0%
4.5 V2.0%
4.6 V2.0%
4.7 V2.0%
4.8 V2.0%
4.9 V2.0%
5.0 V2.0%
5.1 V2.0%
5.2 V2.0%
5.3 V2.0%
5.4 V2.0%
5.5 V2.0%
5.6 V2.0%
5.7 V2.0%
5.8 V2.0%
5.9 V2.0%
6.0 V2.0%

製品名
S-816A43AMC-BAST2x
S-816A44AMC-BATT2x
S-816A45AMC-BAUT2x
S-816A46AMC-BAVT2x
S-816A47AMC-BAWT2x
S-816A48AMC-BAXT2x
S-816A49AMC-BAYT2x
S-816A50AMC-BAZT2x
S-816A51AMC-BBAT2x
S-816A52AMC-BBBT2x
S-816A53AMC-BBCT2x
S-816A54AMC-BBDT2x
S-816A55AMC-BBET2x
S-816A56AMC-BBFT2x
S-816A57AMC-BBGT2x
S-816A58AMC-BBHT2x
S-816A59AMC-BBIT2x
S-816A60AMC-BBJT2xx：GまたはU
Sn 100%、ハロゲンフリー製品をご希望の場合は、環境コード = Uの製品をお選びください。
3

トランジスタ外付け型
S-816シリーズ

CMOSボルテージレギュレータ

Rev.6.1_02

 ピン配置図
SOT-23-5
Top view

表2
5

1

4

2

図2

4

3

端子番号
1
2
3
4
5

端子記号
EXT
VSS
ON/OFF
VIN
VOUT

機能
ベース電流制御用出力端子
GND 端子ON/OFF 端子 (アクティブ“H”)
IC 電源端子出力電圧監視端子トランジスタ外付け型
Rev.6.1_02

CMOSボルテージレギュレータ
S-816シリーズ

 絶対最大定格
表3
項目
VIN 端子電圧
VOUT 端子電圧
ON/OFF 端子電圧
EXT 端子電圧
EXT 端子電流
許容損失

記号
VIN
VOUT
VON/OFF
VEXT
IEXT
PD

(特記なき場合: Ta25C)
定格
単位V
VSS0.3  VSS18
V
VSS0.3  VSS18
V
VSS0.3  VSS18
V
VSS0.3  VIN0.3
50mA
250（基板未実装時）
mW
600*1
mW
40  85C
40  125
C

動作温度範囲
Topr
保存温度
Tstg
*1. 基板実装時[実装基板](1) 基板サイズ ：114.3 mm × 76.2 mm × t1.6 mm(2) 名称：JEDEC STANDARD51-7
注意

絶対最大定格とは、どのような条件下でも越えてはならない定格値です。万一この定格
値を越えると、製品の劣化などの物理的な損傷を与える可能性があります。

700

300

600

250

許容損失 (PD) [mW]（2）基板未実装時

許容損失 (PD) [mW]（1）基板実装時

500
400
300
200
100
0

0

100
150
50
周囲温度 (Ta) [C]

図3

200
150
100
50
0

0

150
100
50
周囲温度 (Ta) [C]

パッケージ許容損失5

トランジスタ外付け型
S-816シリーズ

CMOSボルテージレギュレータ

Rev.6.1_02

 電気的特性
表4
項

目

入力電圧
出力電圧
最大出力電流 (PNP 出力)*1
ドロップアウト電圧 *1
負荷安定度 (PNP 出力)*1
入力安定度 (PNP 出力)*1
出力電圧温度係数
動作時 IC 消費電流
パワーオフ時 IC 消費電流
EXT 出力ソース定電流
EXT 出力プルアップ抵抗
EXT 出力シンク電流
EXT 出力オフ時リーク電流
EXT 出力シンク過電流設定
値
ON/OFF 端子入力電圧

ON/OFF 端子入力電流

記 号

条

件


VIN VOUT 1 V, IOUT 50 mA,
VOUT
VON/OFF “H”

Vdrop
IOUT 100 mA
VOUT
VIN VOUT 1 V, 1 mA  IOUT  1 A
VOUT
IOUT 50 mA, VOUT 1 V  VIN  16
VOUT  VIN V
VOUT
VIN VOUT 1 V, IOUT 50 mA,
VON/OFF “H”, Ta40  85CTaISS
VIN VOUT 1 V, VON/OFF “H”
ISTB
VIN 16 V, VON/OFF “L”
VIN VOUT 1 V, VON/OFF “H”,
ISRC
VEXT VOUT, VOUT VOUT 0.95
RUP
VIN 16 V, VON/OFF “L”
VIN VOUT 1 V, VON/OFF “H”,
ISINK
VOUT VOUT 0.95
VIN VEXT VOUT 1 V, VOUT 0 V,
IOFF
VON/OFF “L”
VIN VEXT 7 V, VON/OFF “H”,
IMAX
VOUT VOUT 0.95
VIN VOUT 1 V, VOUT 0 V,
VSH
VEXT “L”を確認
VIN VOUT 1 V, VOUT 0 V,
VSL
VEXT “H”を確認
ISH
VON/OFF VOUT 1 V
ISL
VON/OFF 0 V
VIN


VOUT
0.98




(特記なき場合: Ta25C)
測定
Typ. Max. 単位
回路
16
V
1

VOUT VOUT
V
1
1.02
1
A
1

100
mV
1

60
mV
1


0.15

0.01

0.15

%/V

1



0.15



mV/C

1




30


40
1

A
A

1
1



10



A

2

0.25

0.50

1.00

M

2



10



mA

2





0.1

A

2

12

16

20

mA

2

2.4









0.3







0.1
0.1

Min.

3
V
A

2

*1. 外付け部品により特性が決まります。
上記は、PNP トランジスタに株式会社東芝セミコンダクター&ストレージ製 2SA1213-Y、出力コンデンサ (CL)にタンタルコンデンサ 10 F を使用した場合。

6トランジスタ外付け型
Rev.6.1_02

CMOSボルテージレギュレータ
S-816シリーズ

 測定回路
1.

2.
A
A



VIN

EXT

VOUT

A



ON/OFF VSS

V

図4

EXT

A

VIN

A

ON/OFF VSS

VOUT

A

図5

3.

EXT

A

VIN

A

ON/OFF VSS

VOUT

A

V

図6

7

トランジスタ外付け型
S-816シリーズ

CMOSボルテージレギュレータ

Rev.6.1_02

 動作説明1. 基本動作
図 7 に S-816 シリーズのブロック図を示します。
誤差増幅器（エラーアンプ）は、出力電圧を帰還抵抗（RA と RB ）によって抵抗分圧した帰還電圧（Vfb）と基準電圧（Vref）を比較します。この誤差増幅器により、入力電圧や温度変化の影響を受けない一定の出力電圧を保持するのにシンクドライバをコントロールし、外付け PNP トランジスタのベース電流を調整します。
IN

OUT
VIN

EXT

ソース電流源

VOUT

プルアップ
抵抗
過電流
保護回路

RA




Vfb
Vref
ON/OFF


誤差増幅器


シンク
ドライバ

CL

RB

VSS

備考 IC 内部のダイオードは寄生ダイオードです。
図7
2. 内部回路
2.1. ON/OFF 端子
レギュレート動作の起動および停止を行います。
ON/OFF 端子を OFF レベルにすると、内部回路はすべて動作を停止し、EXT 端子の電圧は VIN 電圧となり外付け PNP トランジスタをオフさせ、消費電流を大幅に抑えます。この時、外付け PNP トラン
ジスタのオフを保証するために、EXT 端子は IC 内部でプルアップ抵抗 (約 0.5 M) により、VIN にプ
ルアップされます。
なお、ON/OFF 端子は図 8 の構造になっており、内部でプルアップもプルダウンもされていないため、
フローティング状態で使用しないでください。また、0.3 V  2.4 V の電圧を印加しますと消費電流が増加しますので印加しないでください。ON/OFF 端子を使用しないときは、VIN 端子に接続しておいてください。

ON/OFF 端子“H” : ON“L” : OFF

内部回路
動作
停止

表5
EXT 端子電圧
VINVBE
VIN

VIN

VOUT 端子電圧
設定値
Hi-Z

ON/OFFVSS

図88トランジスタ外付け型
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CMOSボルテージレギュレータ
S-816シリーズ

2.2. 過電流保護回路
S-816 シリーズの過電流保護機能は、EXT 端子のシンク電流 (外付け PNP トランジスタのベース電流)
を IC 内部の過電流保護回路でモニターし、その電流 (EXT 端子のシンク電流) を制限します。
負荷電流が増加すると、出力電圧を維持するために EXT 端子のシンク電流 (外付け PNP トランジスタのベース電流) が増加します。過電流保護回路は、EXT 端子のシンク電流を EXT 出力シンク過電流設
定値 (IMAX) でクランプし、シンク電流がそれ以上増加しないように制限します。
過電流保護機能が働く負荷電流値は以下の式で表されます。
IOUT_MAX  IMAX  hFE
ここで、hFE は外付け PNP トランジスタの直流電流増幅率です。
IOUT_MAX は、このレギュレータの最大出力電流となります。これ以上の負荷電流を引こうとした場合には、出力電圧が低下します。
なお、本 IC の過電流保護機能では、IC 外部での EXT-GND 間ショート等によるコレクタ電流の過電流に対して、外付け PNP トランジスタを保護することができない場合がありますので注意してください。
コレクタ電流の過電流から外付け PNP トランジスタを保護するためには、IOUT_MAX  VIN よりも許容損
失の大きなトランジスタを選ぶか、外付けで過電流保護回路を追加する必要があります。外付けの過電流保護回路については、「 応用回路」の「1. 過電流保護回路」を参照してください。
2.3. 位相補償回路
S-816 シリーズでは出力負荷が変化しても安定に動作させるために、IC 内部の位相補償回路と出力コンデンサの ESR (equivalent series resistance) を使って位相補償を行っております。位相補償回路の工夫により、低消費電流でありながら過渡応答特性を向上させ、入力変動、および負荷変動の激しい用途にも対応できます。
S-816 シリーズでは出力コンデンサの ESR を利用して位相補償を行っている関係から、VOUT-VSS 間に出力コンデンサ (CL) を必ず接続する必要があります。使用するコンデンサの特性には適正範囲が存在しますので、部品選定の際には注意してください。詳細に関しては「  外付け部品の選定」を参照
してください。

9トランジスタ外付け型
S-816シリーズ

CMOSボルテージレギュレータ

Rev.6.1_02■ 外付け部品の選定
1. 外付け PNP トランジスタ
外付けトランジスタは、入力電圧、出力電圧、出力電流の条件に応じて選定します。本 IC には hFE が100  300 程度の低飽和電圧の PNP トランジスタが適しています。
外付け PNP トランジスタを選定する際のパラメータとして、最大コレクタ-ベース間電圧、最大コレク
タ-エミッタ間電圧、直流電流増幅率 (hFE) 、最大コレクタ電流、コレクタ損失があります。
最大コレクタ-ベース間電圧、最大コレクタ-エミッタ間電圧は、使用するアプリケーションでの入力電圧範囲から決まります。最大の入力電圧より少なくとも数 V 高いものを使用してください。
直流電流増幅率 (hFE) は、負荷へ供給できる最大出力電流値に影響します。
本 IC では過電流保護機能を内蔵しているため、ベース電流は EXT 出力シンク過電流設定値 (IMAX) 以
上流れないようにクランプされます。アプリケーションで必要な最大出力電流が得られる、hFE と最大
コレクタ電流を持ったトランジスタを選定してください。 (「■ 過電流保護回路」を参照してください。)
なお、最大出力電流値と入出力電圧差から、コレクタ損失には十分注意してトランジスタを選定してください。
2. 出力コンデンサ (CL)
S-816 シリーズでは、出力負荷が変化しても安定に動作させるために、IC 内部の位相補償回路と出力コンデンサの ESR を使って位相補償を行っております。このため、VOUT-VSS 間には必ず 4.7 F 以
上のコンデンサ (CL) を入れてください。
S-816 シリーズを安定動作させる為には、ある適正な範囲の ESR を持ったコンデンサを使用する必要があります。その適正範囲 (0.1   5 程度) より ESR が大きくても小さくても、出力が不安定になり発振を起こす可能性があります。そのため、タンタル電解コンデンサを推奨しております。
ESR の小さいセラミックコンデンサや OS コンデンサを使用する場合、図 9 のように出力コンデンサと直列に ESR の代わりとなる抵抗を追加する必要があります。追加する抵抗値は 0.1   5 程度必要ですが、使用条件により異なるので十分な評価を行い決定してください。おおむね、0.3 程度が推奨です。
アルミ電解コンデンサは、低温時に ESR が増大し発振を起こす可能性がありますので注意が必要です。
使用する際には、温度特性を含めた十分な評価を行ってください。
IN

OUT

VIN

EXT

VOUT

S-816 シリーズ

R  0.3 

CLON/OFF

VSS

図9
注意

10

上記接続図および定数は、動作を保証するものではありません。実際のアプリケーショ
ンで十分な評価の上、定数を設定してください。

トランジスタ外付け型
Rev.6.1_02

CMOSボルテージレギュレータ
S-816シリーズ■ 標準回路

VIN

EXT

ソース電流
源

プルアップ
抵抗
過電流
保護回路



VOUT






Vref
ON/OFF


誤差増幅器


シンク
ドライバ

VSS

備考

IC 内部のダイオードは寄生ダイオードです。
図10

注意 上記接続図は、動作を保証するものではありません。実際のアプリケーションで十分な評価の上、定数を設定してください。

11トランジスタ外付け型
S-816シリーズ

CMOSボルテージレギュレータ

Rev.6.1_02■ 注意事項 本 IC の過電流防止機能は、EXT 端子のシンク電流を IC 内部で検出し、その電流を制限します。
よって、IC 外部での EXT-GND 間ショート等による、コレクタ電流の過電流に対しては働きません。
コレクタ電流の過電流を完全に防止するためには、IC 外部に過電流防止回路が必要です。
 本 IC は IC 内部の位相補償回路と出力コンデンサの ESR を使って位相補償を行っております。このため、VOUT-VSS 間には必ず 4.7 F 以上のコンデンサを入れてください。コンデンサにはタンタルタイ
プを推奨します。
なお、S-816 シリーズを安定動作させるためには、ある適正な範囲 (0.1   5 ) の ESR (equivalent
series resistance) を持ったコンデンサを使用する必要があります。その適正範囲より ESR が大きくても小さくても、出力が不安定になり発振を起こす可能性があります。実際の使用条件において十分な評価を行い決定してください。
 電源投入時、または電源変動時、電圧を急激に立ち上げると、出力電圧に一瞬オーバーシュートが発生することがあります。電源投入時の出力電圧は、実機にて十分な評価を行ってください。
 本 IC は静電気に対する保護回路が内蔵されていますが、保護回路の性能を越える過大静電気が IC に印加されないようにして下さい。
 EXT 出力シンク電流による IC 内での損失 (特に高温時) がパッケージの許容損失を越えないよう注意
してください。
 弊社 IC を使用して製品を作る場合には、その製品での当 IC の使い方や製品の仕様、出荷先の国などによって当 IC を含めた製品が特許に抵触した場合、その責任は負いかねます。

12トランジスタ外付け型
Rev.6.1_02

CMOSボルテージレギュレータ
S-816シリーズ■ 応用回路1. 過電流保護回路
図 11 は、外付け回路の追加による過電流保護の例です。
S-816 シリーズに内蔵される過電流保護機能は、EXT 端子のシンク電流 (PNP トランジスタのベース
電流) を検出するもので、IC 外部での EXT-GND 間ショート等によるコレクタ電流の過電流に対して、
外付け PNP トランジスタを保護することができない場合があります。
この回路例では、コレクタ電流の過電流に対してレギュレータを間欠動作させ、外付け PNP トランジ
スタの発熱を抑えます。
間欠動作時のオン時間とオフ時間のデューティは、外付け部品で調整することが可能です。
RS
0.5 

2SA1213Y
R4
2 k

Tr1

EXT

OUT
VOUT

VIN
 CIN
 10 F

VIN

R2
2 k

R1
100 k

R3
C2
2 k 0.22 F

ON/OFF
Tr2

S-816 シリーズ

C1
0.22 F

 CL
 10 F

VSS

図 11
注意

上記接続図および定数は、動作を保証するものではありません。実際のアプリケーションで十分な評価の上、定数を設定してください。

S-816A30AMC (VIN 4 V)

S-816A30AMC (VIN 4 V)

1A
負荷電流(0.5 A/div)
0A

1A
負荷電流
(0.5 A/div)
0A

2V
VON/OFF(1 V/div)
0V

2V
VON/OFF(1 V/div)0V
t (2 ms/div)

図 12

t (100 s/div)

負荷短絡による間欠動作時の出力電流波形

13トランジスタ外付け型
S-816シリーズ

CMOSボルテージレギュレータ

Rev.6.1_02

過電流の検出は、センス抵抗 (RS) と PNP トランジスタ (Tr1) で行われます。
RS の電圧降下により Tr1 がオンすると、コンデンサ (C2) と抵抗 (R2) の時定数で、NPN トランジス
タ (Tr2) がオンします。ON/OFF 端子が OFF レベルとなり、レギュレート動作が停止し負荷への電流は遮断されます。
負荷電流が遮断されると RS の電圧降下がなくなり、Tr1 は再びオフし、NPN トランジスタ (Tr2) もオ
フします。
この時は、コンデンサ (C1) と抵抗 (R1) の時定数で、ON/OFF 端子が ON レベルに戻ります。この
ON/OFF 端子が OFF レベルから ON レベルに戻るまでの遅延時間が、負荷電流を遮断している時間となります。
遅延時間経過後、ON/OFF 端子が ON レベルとなりレギュレート動作を開始した際、再び過電流が流れれば再度レギュレート動作を停止させ、負荷への電流を遮断し間欠動作に入ります。この間欠動作は、過電流が取り除かれるまで繰り返され、過電流が取り除かれれば通常の動作状態に戻ります。
過電流検出値 (IOUT_MAX) は以下の式で表されます。
IOUT_MAX  |VBE1| / Rs
ここで、RS はセンス抵抗の抵抗値、VBE1 は Tr1 のベース-エミッタ間飽和電圧です。
なお、PNP トランジスタ (Tr1) および NPN トランジスタ (Tr2) は、入力電圧 (VIN) に対して十分な耐圧のある小信号タイプのものを使用してください。
間欠動作時のオン時間 (tON) とオフ時間 (tOFF) は、おおむね以下の式で表されます。
tON  1  C2  R2  LN (1  (VBE2  (1  R2 / R3) ) / (VIN  VBE1) )tOFF  1  C1  R1  LN (1  VSH / VIN )ここで、VBE2 は Tr2 のベース-エミッタ間飽和電圧、VIN は入力電圧、VSH は ON/OFF 端子の反転電圧(OFF→ON) を表します。
オン時間は、負荷容量へのラッシュカレントによって過電流保護がかからない時間に設定します。次に、
アプリケーションでの最大入力電圧と外付け PNP トランジスタの許容損失から、オン時間とオフ時間の比を算出し、先に設定したオン時間を基準にしてオフ時間を設定します。
上記の式はあくまでも目安程度のものとお考えください。実際のオン時間 (tON) とオフ時間 (tOFF) は、
実際に使用する部品を使い評価を行って確認してください。
2. 出力電圧の外部調整
S-816 シリーズでは、図 13 に示すように外付け抵抗 RA、RB と容量 CC を追加することで、出力電圧の調整や、シリーズ製品の出力電圧設定範囲 (6 V) 以上に出力電圧を設定することができます。また、
外付け抵抗 RA、RB と直列にサーミスタ等を挿入して、出力電圧に温度勾配をつけることができます。
OUT
VIN

VIN

CC

EXT
R1

エラーアンプ

 CIN




R2
VREF

ON/OFF
VSS

図 13

14

RA

VOUT
RB


 CL

トランジスタ外付け型
Rev.6.1_02

CMOSボルテージレギュレータ
S-816シリーズ

S-816 シリーズの VOUT-VSS 端子間は、図 13 に示すように抵抗 R1、R2 による内部インピーダンスを持っています。したがって、出力電圧 (OUT) を設定する際には、IC 内部抵抗 (R1、R2) の影響を考慮する必要があります。
出力電圧 (OUT) は以下の式で表されます。
OUT  VOUT  VOUT  RA  (RB *1 RI)*1.  は並列の合成抵抗を表します。
ここで、VOUT は S-816 シリーズの設定出力電圧値、RA、RB は外付け抵抗の抵抗値、RI は IC 内部抵抗の抵抗値 (R1  R2) です。
出力電圧 (OUT) の精度は、外付けで使用する抵抗 RA、RB の絶対値精度、S-816 シリーズの出力電圧
精度 (VOUT 2.0%) 、IC 内部抵抗 (RI) の絶対値ばらつきによって決まります。
ばらつきを含めた出力電圧 (OUT) の最大値 (OUTmax) と最小値 (OUTmin) は、以下の式で表されます。
OUTmax  VOUT  1.02  VOUT  1.02  RAmax  (RBmin  RImin)
OUTmin  VOUT  0.98  VOUT  0.98  RAmin  (RBmax  RImax)
ここで、RAmax、RAmin、RBmax、RBmin は、それぞれ外付け抵抗 RA、RB の絶対値精度が最大なものと最小なもの、RImax、RImin は、それぞれ IC 内部抵抗 (RI) の絶対値ばらつきが最大なものと最小なものを表します。
IC 内部抵抗 (RI) の絶対値ばらつきは、S-816 シリーズの設定出力電圧値により変わり、大別すると下記のようになります。
・出力電圧 (VOUT)
・出力電圧 (VOUT)
・出力電圧 (VOUT)
・出力電圧 (VOUT)
・出力電圧 (VOUT)

2.5 V  2.7 V
2.8 V  3.1 V
3.2 V  3.7 V
3.8 V  5.1 V
5.2 V  6.0 V







3.29 M  21.78 M
3.29 M  20.06 M
2.23 M  18.33 M
2.23 M  16.61 M
2.25 M  14.18 M

なお、出力電圧 (OUT) の計算をする際に、以下の式で得られた RI の値を使用すると、出力電圧(OUT) のばらつきの中心値が得られます。
RI  2  (1  (IC 内部抵抗の最大値)  1  (IC 内部抵抗の最小値) )出力電圧 (OUT) の精度は、出力電圧 (OUT) と IC の設定出力電圧値 (VOUT) の差が小さいほど、外付
け抵抗 (RA、RB) の絶対値精度、および IC 内部抵抗 (RI) の絶対値ばらつきによる影響を受け難くなります。
また、IC 内部抵抗 (RI) の絶対値ばらつきによる影響を抑えるには、外付け抵抗 (RA、RB) の抵抗値をIC 内部抵抗 (RI) より十分に小さくする必要があります。ただし、外付け抵抗 (RA、RB) には無効電流が流れますので、出力電圧 (OUT) の精度と無効電流の関係はトレードオフとなり、アプリケーションの要求に応じて考慮することが必要となります。
なお、外付け抵抗 (RA、RB) の抵抗値を大きくした場合 (1 M以上) 、外来ノイズの影響を受け易くなりますので実際のアプリケーションで十分な確認を行ってください。
また、出力の発振など不安定な動作を起こさないように、外付け抵抗 RA と並列にコンデンサ CC を付加してください。 (図 13 参照)
CC の容量値は、以下の式から求めた値より大きなものを使用してください。
CC [F]  1  (2  π  RA []  6000)
注意

上記接続図および定数は、動作を保証するものではありません。実際のアプリケーションで十分な評価の上、定数を設定してください。

15

CMOSボルテージレギュレータ

トランジスタ外付け型
S-816シリーズ

Rev.6.1_02■ 諸特性データ (Typical データ)
1. 入力電圧 (VIN) - 出力電圧 (VOUT)
VIN-VOUT
S-816A30AMC (IOUT 50 mA)

VIN-VOUT
S-816A50AMC (IOUT 50 mA)

3.10

5.10

3.08

5.08

Ta25C
Ta40C

3.06
3.04

5.04

3.02

5.02
VOUT
(V) 5.00
4.98

VOUT(V) 3.00
2.98
2.96

Ta40C

4.96

Ta85C

2.94

4.94

2.92
2.90

Ta25C
Ta85C

5.06

4.92
2

4

6

8

10

12

14

16

4.90

2

4

6

8

VIN (V)

VIN-VOUT
S-816A30AMC (Ta25C)

5.10

3.05

5.05

3.00

5.00

VOUT
(V) 2.95

VOUT(V) 4.95

2.90

4.90

IOUT500 mA
IOUT100 mA
IOUT1 mA

2.85
2.8

2.9

3.0

12

14

16

VIN-VOUT
S-816A50AMC (Ta25C)

3.10

2.80

10

VIN (V)

3.1

3.2

3.3

4.85

IOUT1 A

3.4

3.5

3.6

IOUT500 mA
IOUT100 mA
IOUT1 mA

3.7

3.8

4.80

4.8

4.9

5.0

5.1

VIN (V)

5.2

5.3

IOUT1 A

5.4

5.5

5.6

5.7

5.8

VIN (V)2. 出力電流 (IOUT) - 出力電圧 (VOUT)
IOUT -VOUT
S-816A50AMC (VIN6 V)

IOUT -VOUT
S-816A30AMC (VIN4 V)
3.10

5.10

3.08

5.08

3.06

Ta25C
Ta40C

3.04
3.02
VOUT
(V) 3.00
2.98
2.96

Ta85C

2.92
1

10

100
IOUT (mA)

16

Ta25C
Ta85C

5.04
5.02
VOUT
(V) 5.00
4.98
4.96

2.94
2.90

5.06

1000

4.94

Ta40C

4.92
4.90

1

10

100
IOUT (mA)1000トランジスタ外付け型
Rev.6.1_02

CMOSボルテージレギュレータ
S-816シリーズ

3. 温度 (Ta) - 出力電圧 (VOUT)
Ta-VOUT
S-816A50AMC (VIN6 V, IOUT 50 mA)

Ta-VOUT
S-816A30AMC (VIN4 V, IOUT 50 mA)
3.10

5.10

3.08

5.08

3.06

5.06

3.04

5.04

3.02

VOUT
(V) 3.00
2.98

5.02
VOUT
(V) 5.00
4.98

2.96

4.96

2.94

4.94

2.92

4.92

2.90

50

25

0

25

50

75

100

Ta (C)

4.90

50

25

0

25

50

75

100

Ta (C)

4. 入力電圧 (VIN) - 消費電流 (ISS)
VIN-ISS
S-816A30AMC (VON/OFF“H”)
50

Ta85C
Ta25C

45
40
35
30
ISS
(A) 25
20

Ta40C

15
10
5
0

0

2

4

6

8

10

12

14

16

VIN (V)

5. 入力電圧 (VIN) - EXT 出力シンク過電流設定値 (IMAX)
VIN-IMAX
S-816A30AMC
22

Ta85C

20
18
IMAX(mA) 16

Ta25C

14
12

Ta40C

10
4

6

8

10

12

14

16

VIN (V)17トランジスタ外付け型
S-816シリーズ

CMOSボルテージレギュレータ

Rev.6.1_02

6. 入力電圧 (VIN) - ON/OFF 端子入力電圧 (VSH、VSL)
VIN-VSHS-816A30AMC

VIN-VSLS-816A30AMC

2.5

2.5

Ta85C
2.0

2.0

VSH
(V)

1.5

VSL
(V)

Ta25C
1.0

Ta40C
Ta25C

1.0

Ta40C

0.5

0.5

Ta85C

0.0

0.0
4

6

8

10
VIN (V)

18

1.5

12

14

16

4

6

8

10
VIN (V)

12

14

16

トランジスタ外付け型
Rev.6.1_02

CMOSボルテージレギュレータ
S-816シリーズ■ 過渡応答特性例 (Typical データ)
1. 入力過渡応答特性 (電源投入 VIN0 V  VOUT 1 V、IOUT0 A、CL10 F)
S-816A30AMC (VIN 0 V  4 V)

S-816A50AMC (VIN 0 V  6 V)
6V

4V
入力電圧
(2 V/div)0V

入力電圧(2 V/div)0V

出力電圧(2 V/div)0V

出力電圧(2 V/div)0V
t (100 s/div)t (100 s/div)

2. 入力過渡応答特性 (電源電圧変動 VINVOUT 1 V  VOUT 2 V、CL10 F)
S-816A30AMC (IOUT 10 mA)

S-816A30AMC (IOUT 300 mA)5V
入力電圧(0.5 V/div)
4V

5V
入力電圧
(0.5 V/div)
4V

出力電圧(20 mV/div)
3V

出力電圧(20 mV/div)
3Vt (100 s/div)t (100 s/div)

S-816A50AMC (IOUT 10 mA)

S-816A50AMC (IOUT 300 mA)

7V
入力電圧(0.5 V/div)
6V

7V
入力電圧
(0.5 V/div)
6V

出力電圧(20 mV/div)
5V

出力電圧(20 mV/div)
5Vt (100 s/div)t (100 s/div)

19トランジスタ外付け型
S-816シリーズ

CMOSボルテージレギュレータ

Rev.6.1_02

3. 負荷過渡応答特性 (電源投入 IOUT1 mA  100 mA、CL10 F)
S-816A30AMC (VIN 4 V)

S-816A30AMC (VIN 4 V)

100 mA
負荷電流(50 mA/div)
1 mA

100 mA
負荷電流(50 mA/div)
1 mA

3V
出力電圧
(20 mV/div)

3V
出力電圧(20 mV/div)t (50 s/div)t (50 s/div)

S-816A50AMC (VIN 6 V)

S-816A50AMC (VIN 6 V)

100 mA
負荷電流(50 mA/div)
1 mA

100 mA
負荷電流(50 mA/div)
1 mA

5V
出力電圧
(20 mV/div)

5V
出力電圧(20 mV/div)t (50 s/div)

4.

t (50 s/div)

ON/OFF 端子過渡応答特性 (VON/OFF  0 V  VIN、IOUT 0 A、CL 10 F)

S-816A30AMC (VIN 4 V)

S-816A50AMC (VIN 6 V)
6V

4V
VON/OFF(2 V/div)
0V

VON/OFF(2 V/div)0V

出力電圧(2 V/div)0V

出力電圧(2 V/div)0V
t (100 s/div)20

t (100 s/div)

2.9±0.2
1.9±0.2
4

5

1

2

+0.1

0.16 -0.06

30.95±0.1
0.4±0.1

No. MP005-A-P-SD-1.3

TITLE

SOT235-A-PKG Dimensions

No.

MP005-A-P-SD-1.3

ANGLE
UNIT

mm

ABLIC Inc.

4.0±0.1(10 pitches:40.0±0.2)+0.1

ø1.5 -0+0.2

ø1.0 -0

2.0±0.05

0.25±0.1

4.0±0.1

1.4±0.2

3.2±0.2

3 2 1

4

5

Feed direction

No. MP005-A-C-SD-2.1

TITLE

SOT235-A-Carrier Tape

No.

MP005-A-C-SD-2.1

ANGLE
UNIT

mm

ABLIC Inc.

12.5max.

9.0±0.3

Enlarged drawing in the central part
ø13±0.2

(60°)

(60°)

No. MP005-A-R-SD-1.1

TITLE

SOT235-A-Reel

No.

MP005-A-R-SD-1.1

ANGLE

QTY.

UNIT

mm

ABLIC Inc.

3,000

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