透過電子顕微鏡法の最新技術動向と将来展望(超高分解能イメージング)
幾

原

雄

一

電子線を偏向しては元に戻すという複雑な過程を繰り返しな

.

は じ

め

に

がら球面収差を補正することが可能となる(8)．このように回転対称な電子レンズでは不可能な収差補正を回転非対称なレ

今世紀に入って透過電子顕微鏡法の分解能は，球面収差補ンズを組み合わせることによって可能になることが提案さ

正装置の出現とあいまって飛躍的な向上をとげている．現時

れ，過去にも，4 極子レンズ，8 極子レンズ，6 極子レンズ，

点での走査透過電子顕微鏡法(Scanning Transmission Elec-

12 極子レンズなどの回転非対称なレンズの試作や検証が行

STEM)の分解能は 45 pm(1)，高分解能電

われてきたが，なかなかその実現には至らなかった．これ

子顕微鏡法(High Resolution Transmission Electron Micro-

は，レンズ設計の精度，加工技術，電気的安定度，など種々

HRTEM)の分解能は 44 pm(2)に達しており，いずれの複合的な問題に起因していたようである(5)．その開発の過も日本が世界記録を有している( 2016 年 12 月時点)．従来は

程で，Hawkes は 6 極子が負の球面収差を生み出すことを初

電子顕微鏡の分解能といえば HRTEM が主体で，1996年にめて指摘し(9) ，その後， Beck(10) と Crewe ら(11) が 6 極子を独の MPI が超高圧電子顕微鏡によって 1 Å の分解能を達成用いた球面収差補正を提唱したが，実用化には至らなかっ

tron Microscopy,
scopy,

して以降，この値が長らく電子顕微鏡の最高分解能とされてた．しかし，1990年に Rose は，2 段の 6 極子レンズと転送きた．それまでの歴史的な変遷については既に多くの文献でレンズを組み合わせるという独自のアイデアにより最初に報告されているので(3)(6)，本報では，主に，今世紀に入っ

TEM 用の収差補正装置を考案し(12) ，これを基に， 1995 年てから普及したレンズ収差補正技術による分解能向上の変遷に CEOS 社の Heider らが実用可能な球面収差補正装置を初とそれに伴う技術革新，材料研究への応用ついて紹介する．

めて開発した(13) ．図 1 ( b )に Heider らによって開発された

さらに最近急速に進展しつつある，低加速電圧電子顕微鏡法

Rose 型 6 極子球面収差補正装置の模式図を示すが，現在各や微分位相コントラスト法の展開についても言及する．

社より市販されている収差補正装置のほとんどがこの方式となっている．一方，4 極子―8 極子収差補正装置(8)は，1999

.

収差補正電子顕微鏡の出現と分解能

年に Nion 社の Krivanek らにより STEM 用として開発された(14) ．これら一連の収差補正装置の原理および概要につい1990 年代に実現した収差補正装置の開発は電子顕微鏡分ては沢田ら(15)および阿部(16)による優れた解説に詳しく記載

野を大きく変革させた．しかし，そのアイデアは Scherzer

されているのでそちらを参照されたい．また，我国においてによって既に 1947 年に提案されていた(7) ． Scherzer は多極

は， 2008 年に，日本電子株式会社の Hosokawa, Sawada ら

子レンズを組み合わせることで球面収差が補正できることをが，二つの六極子場( 12 極子)レンズの厚さが異なり，転送提案している．図( a )に 4 極子と 8 極子レンズの模式図をレンズの焦点距離も異なる独自の収差補正装置を開発し，示す．図中， N 極と S 極が形成する磁場とそれにより電子

300 kV の TEM に 搭 載 す る こ と に 初 め て 成 功 し て い線が偏向(発散と収束)する方向(太い矢印)を示してある．こる(17)(18)．

の二つの多極子レンズを上手く組み合わせることによって，上述したように， Haider らは， 1995 年の論文で，グラフ

財 ファインセラミックスセンターナノ構造研究所主管研究員(〒113東京大学大学院工学系研究科総合研究機構教授，
8656 東京都
文京区弥生211
16)
Recent Technical Trend and Future of Transmission Electron Microscopy (Atomic Resolution Imaging); Yuichi Ikuhara(Institute ofEngineering Innovation, The University of Tokyo, Tokyo. Japan Fine Ceramics Center, Nagoya)
Keywords: STEM, spherical aberration correctors, atomic resolution, annular bright field, light element visualization, interface characterization
2016年 8 月 5 日受理[doi:10.2320/materia.56.254]




特

集

だけではあるが， Cs ＝ 0 を実証しており(13) ，収差補正の実Ge30Si70 [ 110 ]の 136 pm を分解する像であった．実際に 1

現という意味では， 1995 年が起点となっていると言える．

Å ( 0.1 nm )以下の分解能を最初に達成したのは， 2004 年の一方， STEM への応用を考えると， 1999 年の Krivanek ら

Pennycook らが示した Si [ 112 ]の 78 pm であると推定されの報告が最初と考えられ(14)，実際の STEM 像で分解能の向る が ， こ れ は Nion 社 の 収 差 補 正 措 置 を 用 い た 300 kV の上を示した(19) ．近年の STEM の優位性， STEM コレクタ

STEM 機( VGHB603U )で達成したものである(20) ．その後

ーと分析電子顕微鏡法の組み合わせによる発展を考慮すると，2007年に，日本の JST のプロジェクトで日本電子の沢田ら

STEM への収差補正の導入が，STEM のその後の革新的なが， GaN [211]で 63 pm の分解能を達成したが(21)，これは普及につながっていったものと思われる．

前述したように日本が独自に開発した収差補正装置を適用し収差補正装置の発展に伴い，分解能が大幅に向上したが，ている．しかし，米国は国家プロジェクト TEAM を推進し，

図に 2000 年以降の分解能向上のグラフを示す． 2002 年に2008 年にはじめて 分解能 50 pm を切る 分解能を実験像 のKrivanek のグループが，収差補正装置を STEM に導入する

FFT で確認し(22)，Ge [114]の 47 pm の観察で実証した(23)．

ことにより 1 Å(0.1 nm)以下のプローブが形成できる可能性

2009年には日本電子も同じ分解能を達成している(24)．それを示し， STEM が今後材料解析に極めて有用であることを以降最近まで，その分解能の更新はなされなかったが，示 し た(19) ． し か し ， こ の 論 文 で 示 さ れ た STEM 像 は2014年に東京大学・日本電子の研究グループは STEM では

現在でも世界最高分解能となる 45 pm を Si [ 114 ]のダンベ
ル構造を観察することによって達成している(1)(25) ．このように収差補正装置の発展に伴い，今世紀に入って飛躍的に分解能が向上してきたが，分解能競争はほぼ飽和しつつあるというのが現状である．一方，このような分解能の向上に伴い，これまでブラックボックスであった種々の材料現象や界面・粒界の原子構造が明らかになりつつあり，材料科学の分
野に大きなブレークスルーを与えて続けている(26)(29)．

.

STEM 法(HAADF と ABF)

STEM 法は，1 nm 以下に絞った電子プローブを試料上で走査し，各プローブ位置における散乱電子を試料下部の環状暗視野検出器(Annular Dark Field (ADF)detector)で収集
し，プローブの走査と同期させてモニター上に像を形成する
図1

収差補正装置の概要．( a ) 4 極子および 8 極子レンズによる磁場と電子線の偏向，( b ) 2 段の 6 極子レンズと転送レンズを組み合わせた収差補正装
置．

手 法 で あ り ， 1960 年 代 後 半 に Crewe に よ り 実 用 化 さ れた(30)(31)．この際，電子プローブを原子カラム間隔以下にまで絞り込むと原子分解能の像を得ることが可能となる．本手法の特徴は，デフォーカス及び試料厚みの変化に伴う像コントラストの反転現象が少なく，原子カラムの位置を像から直接決定できることにある．この優れた特徴は，特に粒界・界面や格子欠陥等の局所的に構造が乱れた領域の原子構造を決めるにあたって，非常に有用となる．また前述したように，
1990年代後半に， STEM 法をレンズ収差補正技術と組み合わされることにより，分解能が大幅に向上し，現在では0.05 nm(50 pm)を切るプローブ径を得ている(1)．
STEM 像は，結像に用いる散乱電子により異なるコント

ラストを呈する．図に STEM の概略を示す．電子銃からでた電子線が，電子レンズ(対物レンズ)によって，試料上にプローブを形成する．この際，収差補正装置を用いると 0.1
nm 以下の極細プローブを得ることができる．このプローブを試料上で走査させて像を得るが，試料を透過した電子線は
中間レンズ，投影レンズ系を経た後，電子線検出器によって検出される．検出器には，散乱された電子が入射するが，高図2

収差補正装置導入後の分解能の向上(2000年以降)
は FFT データによる．

ま て り あ 第56巻 第 3 号(2017)
Materia Japan

角度に散乱された電子線を検出する手法を HAADF ( High
Angle ADF ) STEM 法と呼び，原子番号 Z のおよそ 2 乗に




図3

図4

チタン酸ストロンチウム結晶の[ 110 ]方向からのSTEM 像．(a) HAADF STEM 像および(b )ABF
STEM 像．各挿入図は原子構造モデルとシミュ
レーション像(33)．

図5

チタン酸ストロンチウム結晶の[ 110 ]方向からの( a ) ABF STEM 像，( b ) Sr L 線マッピング像，(c)TiK 線マッピング像，(d)OK 線マッピング
像(東大 熊本らによる)．

STEM における HAADF と ABF 検出器の関係．

比例した像コントラストを得ることができる(26)(32) ．この際，検出する散乱角度を選択するために検出器は円環状の構成となっている(図 3)．検出器を低角度側に設定したときは弾性散乱電子が，高角度側に設定したときは熱散漫散乱(Thermal diffuse scattering: TDS)電子がそれぞれの像の強度を支配する(26)(32)．
上述したように， HAADF STEM では，検出器の内角を大きく(通常プローブ収束角の 2 倍程度以上)とり，高角散
乱された電子のみを選択的に検出するよう設定する．しかし，電子散乱能の小さい軽元素原子からの信号は非常に弱く，特に重い原子と隣接する場合，軽元素原子からの信号は
重元素原子からの信号により検出し難くなるため，HAADFSTEM 法は軽元素原子観察には向いていない．これを克服する観察手法として， 2009 年に東京大学と日本電子の共同研究グループは，環状明視野(ABF (Annular Bright Field))
STEM 法を提唱した(33)(35) ．図 3 には ABF STEM 観察における検出器の配置についても示している． ABF 法では，る(33)(35)．

検出器の外角をプローブ収束角と同程度に設定し，検出器内

一方，最近では収差補正 STEM 法とエネルギー分散型 X

角をその半分程度にすることで，明視野領域の透過散乱電子線分光法(Energy Dispersive Xray Spectroscopy: EDS あるを選択的に検出するよう設定する手法である．図に，チタ

いは EDX)や電子エネルギー損失分光法(Electron Energy

ン酸ストロンチウム(SrTiO3)結晶を[110]方向から観察した

Loss Spectroscopy: EELS)を組み合わせることにより，原子(a)HAADF および(b)ABF STEM 像を示す(33)(35)．これよ

分解能での組成分析や状態分析も可能になってきている．そり，HAADF 像では，Ti 原子カラムと Sr 原子カラムは観察の一端は本特集号にも紹介されているので(本特集号武藤俊されるが，酸素原子カラムは観察できないことが分かる．一介氏の記事参照)，ここでは，原子分解能 STEM 法を EDS

方， ABF 像は，明視野像であるため， HAADF 像とはコン法と組み合わせて，局所領域の組成分布を原子分解能で分析

トラストが逆転しているが(原子カラムが黒く観察される)，した結果について示す．STEMEDS においては，大検出面

Sr および Ti の原子カラムに加えて，酸素原子カラムが明瞭積を有する Si ドリフト検出器(SDD )の普及により原子分解

なコントラストとして観察されていることが分かる．図中に能での原子配列および組成分布の同時可視化が可能となっては結晶構造モデルおよびシミュレーション像も示している

きた．図は SrTiO3 の[ 110 ]方向からの ABF STEM 像とが，酸素原子カラムと Sr および Ti 原子カラム位置を各コ

これに対応する各 SrL 線，TiK 線，OK 線を用いてマッ

ントラストから直接同定できる．ABF STEM 像では，全てピングした像である．これより，ABF STEM 像中の暗コンの原子カラム位置が暗コントラストとして結像されることにトラストがどの元素に対応するかが明瞭に分かる．ただし晶なる． ABF 法の理論計算によると，特殊な条件下において

帯軸方向から観察すると，電子線のチャネリングにより，測は，その像コントラストが広範な元素に対しておよそ原子番定される X 線の強度は必ずしも定量的ではないことに注意

号 の 3 分 の 1 乗 ( Z1/3 ) に 比 例 す る こ と が 報 告 さ れ て い

する必要がある．




特

集

.

収差補正電子顕微鏡の普及と材料解析への応用

前述したように，収差補正装置の開発は， 1990 年代後半
からドイツ，米国で開始されたが，日本は開発当初で大きな遅れをとった．その結果， TEM も STEM も日本の電子顕微鏡メーカの収差補正装置には，ドイツ CEOS 社の Rose 型
6 極子球面収差補正装置が導入されている．現在でも 200kV 級電子顕微鏡のほぼ全てに CEOS 社の収差補正装置が搭載され市販されている．しかし， 1995年から 12年後の 2007

図6

( a )青色発光を示す単結晶の立方晶窒化ホウ素，( b ) HAADF STEM 像単原子状態で Ce が分散している様子が分かる．(c)(b)の拡大像ダンベ
ルの左側がやや明るく，左窒素，右ホウ素の原子位置を示している．丸で囲んだ明るいコント
ラストは Ce の原子位置を表しており，窒素サイ
トを占有している(42)．

図7( a ) LiCoO2 結晶の ABF STEM 像(リチウム原子
カ ラ ム が 観 察 で き る ) ， ( b ) YH2 結 晶 の ABF 
STEM 像(水素原子カラムが観察できる)．

年ではあるが，日本電子が，前述した独自の収差補正装置を開発し，300kVTEM に搭載した(17)．同社はさらに2009年，
3 段の12極子と転送レンズを高度に組み合わせたデルタ型収差補正装置を低加速電圧電子顕微鏡に搭載した(36) ．後述するが，低加速電圧電子顕微鏡では，電子線照射損傷を軽減することにより，カーボンナノチューブなどソフトマターへ適
用 で き ， 30 kV の 低 加 速 電 圧 に お い て も Si [ 110 ] で 0.136
nm の分解能を達成している(37)．

次に収差補正電子顕微鏡の材料への応用について述べる．
収差補正を用いた最初の報告は，1998年に，収差補正 TEM
で 初 め て CoSi2 / Si 界 面 を 観 察 し た Haider ら の 結 果 で ある(38) ．一方，収差補正 STEM による最初の観察は， 2002
年の Batson and Krivanek が金の微粒子を観察した論文であろう(19)．また，2004年には Urban らのグループが，負の球面収差を利用した HRTEM というユニークな観察法により，軽元素である酸素原子カラムの観察に成功している(39)．
一方我国における収差補正電子顕微鏡の最初の導入は，
2001 年から開始した文部科学省の科学技術振興調整費による研究課題“アクティブ・ナノ計測基盤技術の確立”にさか
財 ファインセラミックスセのぼる．本研究プロジェクトは，

ンター(JFCC)，名古屋大学，東京大学が連携した国家プロ＝ 58 )は重元素であるため， HAADF STEM 像では明るいジェクトであったが，これを起点として， 2002 年から 2005

原子像として映し出され，図 6 ( b )に示すように Ce が単原

年にかけて CEOS 社のイメージング収差補正装置が名古屋子状態でランダムに分布していることが明瞭に観察できる．

大学の 200 kV 透過電子顕微鏡(日本電子 JEM 2100F )に，


さらに高い倍率で観察すると，図 6 ( c )に示すように，◯

プローブ収差補正装置が東京大学の同型の 200 kV 透過電子

0.09 nm の距離に並んだホウ素( Z ＝ 5 )と窒素( Z ＝ 7 )のダン顕微鏡( 2100F )に導入された(5)(40)(41) ．それ以降， CEOS 社

 原子番号の近いホウ素と窒素がベルが分解していること，◯の収差補正装置を既存の電子顕微鏡に装着するという方式で

 添加された Ce はすべ
コントラストから区別可能なこと，◯

普及しはじめたが， 2008 年に日本電子が収差補正装置一体て窒素サイトを占有していることが確認できる(42)．さらに型の原子分解能電子顕微鏡( JEM ARM 200F )の市販に至EELS によるドーパント 1 個からの EELS 分析を行ったとり，現在までに我国において約60台，海外へは約100台が導ころ，窒素サイトの Ce は 3 価であることが分かった．一般

入され普及しているようである．一方 FEI 社は 2005 年の段に添加元素が陽イオンである場合，局所的な電気的中性を保階で既に TITAN 80 300 Series として収差補正装置一体型

つために陽イオンサイトを置換するが，観察された Ce は陰

商用機の販売を開始していた．

イオンである窒素サイトを置換しており， Ce 原子が安定にさて，本節では，現段階の収差補正 STEM でどこまで材存在するためには周囲に原子空孔が導入される必要があるこ

料の解析が可能なのかについて二つの代表的な例を紹介したとが予測される．系統的な第一原理計算によりその固溶状態

い．最初は結晶内の原子 1 個の観察が可能になったこと，を計算した結果， Ce と配位している 4 つすべてのホウ素が次に ABF による軽元素の直接観察について述べる．まず，原子空孔を作ることによって大きな空間を形成し，サイズの結晶内のドーパント一個の観察について， Ce をドープした

大きな Ce が窒素サイトに安定に固溶していることが明らか

立方晶窒化ホウ素( cBN )の観察結果について示す(42)．このとなっている(42)．

材料は青色発光を示すことが知られている(図(a))．Ce(Z

ま て り あ 第56巻 第 3 号(2017)
Materia Japan

一方，軽元素の直接観察についてであるが，多くの機能材

料は，酸素，炭素，窒素などの軽元素で構成されており，しいる(49)．

ばしば軽元素の挙動がその機能特性と密接に関係している．

一方，局所領域の電場や磁場を観察する手法としての微分上述した ABF STEM 法を用いることで酸素が観察される位相コントラスト( DPC )法においても大きな進展があっことは上述したが，ここではさらに軽い元素が観察できるかた．最近，柴田らは原子分解能観察対応の多分割 STEM 検

どうかについて述べる．まず原子番号 3 番のリチウム原子出器を開発し(50)(52) ，検出器上での位置・角度に依存したの観察に着目する．その観察対象としてリチウムイオン電池

複数の原子分解能 STEM 像を 1 回のスキャンにより同時計

材料を用いた．図(a)は，層状構造を有する LiCoO2 結晶中測することに成功している．このような検出器を用いれば，を[ 112̃0 ]方向から観察した ABF STEM 像である．強い黒入射電子のわずかな軌道変化を捉えることができ，原子レベ

コントラストを有するコバルト( Co 原子番号 27番)原子列

ルの電磁場を直接計測することも可能となり，原子構造のみに加えて，リチウム( Li 原子番号 3 番)原子列が酸素( O 

ならず電磁場の局所構造が解明できる．この原子分解能

原子番号 8 番)原子層の間に明瞭に観察されていることが分

DPC STEM 法は今後益々進展していくことが期待できる．

かる(43) ．この図は， 8 25 mrad の検出角度で観察した像で究極的には，化学結合状態や電子雲の直視も可能となることあるが，軽元素も重元素も同時に観察できている．図 7( b )が期待され，筆者は，5 年後には現在の多くの原子レベルのは水素化イットリウム(YH2)結晶を[001]方向から観察した解析が本手法にとって代わるものと予測している．

ABF 像である．YH2 は Y 原子による副格子が面心立方構造

.

を有しており，その四面体空隙を H が占有する構造となっ

ま

と

め

ているが，図に示すように， Y 原子間に存在する H 原子カラムの存在位置に弱い暗コントラストが観察されていること

本稿で は今世 紀に 入っ て大き な進 展があ った収 差補 正が分かる．このようなコントラストが H 原子カラムの存在

TEM および STEM によるイメージングを中心に，その歴に起因する信号に由来することは， Bloch wave 法によって史的経緯，分解能の向上，新しい観察法の登場，収差補正器

計算したシミュレーション像によって既に確認されていの急速な普及と材料科学への応用について，概観した．

る(44)．すなわち，図 7(b)の ABFSTEM 像は，水素原子カ

歴史的な記述もあるので，本分野に精通した複数の研究者

ラムが直接観察できていることを実証した像である．このよに年代の記述など，注意深く確認を頂いた．日本電子株式会

うに，ABFSTEM 法は軽元素の直接観察に優れ，現段階で社の沢田英敬博士，東京大学の阿部英司博士，柴田直哉博

は最小の原子である水素原子カラムの観察までもが可能な域士，石川亮博士に謝意を表す．

に達している(44)(45)．

文.

今後の新展開―低加速・高分解能化・新検出器

カーボンナノチューブやグラフェンなどカーボン系材料やソフトマターは電子線照射に弱く，低加速で観察することが望ましいが，電子顕微鏡の低加速・高分解能による研究も大きく進展しつつある(36)(46)．電子顕微鏡の低加速化は試料のノックオンダメージ(はじき出し)を抑えるのにも非常に効果的であり，たとえばフラーレン分子やグラフェンのエッジ原子の場合は，ダメージを抑えるために加速電圧 35 kV 以下で観察することが望ましいとされている(46)．低加速電圧においても原子分解能を実現するためには収差補正技術の高性能化が必要となる．これを克服するために，末永らは上述したデルタ型収差補正装置を低加速電圧電子顕微鏡に搭載した(46) ．その結果，加速電圧 60 kV において 82 pm ， 30 kV
において 111 pm と波長比においては世界最高の空間分解能を得ているが(46)(47)，最近ではさらに分解能が向上し，波長比の分解能で 15倍程度が達成されている(48)．低加速電圧の場合でも電子線を細く絞ることができ，分子構造などを破壊することなく十分な散乱信号の取得が可能であるため，効率的にナノカーボン材料などの原子レベル観察および分析が実現されている．また，紙面の関係で，色収差補正については述べなかったが，情報限界と関係する色収差補正技術も大きく進展しつつあり，さらなる原子分解能の向上が期待されて




献

( 1 ) H. Sawada, N. Shimura, F. Hosokawa, N. Shibata and Y.
Ikuhara: Microscopy, 64(2015), 213.
( 2 ) T. Akashi, et al.: Applied Physics Letters, 106(2015), 074101.
( 3 ) D. A. Muller: Nature Materials, 8(2009), 263270.
( 4 ) H. Rose: J. Elect. Microsc., 58(2009), 7785.
( 5 ) 原田嘉晏，富田正弘電子顕微鏡，46，別冊，No.3 (2011),
147.
( 6 ) 黒田光太郎材料の科学と工学，日本材料学会， 48 ( 2011 ) ,221226.
( 7 ) O. Scherzer: Optik, 2(1947), 114132.
( 8 ) G. D. Archard Br.: J. Phys., 5(1954), 294299.
( 9 ) P. W. Hawkes: Phil. Trans. R. Soc. Lond. A, 257(1965), 479
552.
(10) V. Beck: Optik., 53(1979), 241
255.
(11) A. V. Crewe and D. Kopf: Optik, 55(1980), 110.
(12) H. Rose: Optic, 85(1990), 1924.
(13) M. Haider, G. Braunshausen and E. Schwan: Optic, 99(1995),
167179.
(14) O. L. Krivanek, N. Delby and A. R. Lupini: Ultramicroscopy,
78(1999), 111.
( 15 ) 沢田英敬，三宮 工，細川史生セラミックス， 40 ( 2005 ) ,908.
( 16 ) 阿部英司科学技術動向， 11，科学技術・学術政策研究所出版(2010), 922.
(17) H. Sawada, et al.: Ultramicroscopy, 108(2008), 1467
1475.
(18) F. Hosokawa, H. Sawada, Y. Kondo, K. Takayanagi and K.
Suenaga: Microscopy, 62(2013), 2341.
(19) P. E. Batson, N. Dellby and O. L. Krivanek: Nature, 418(2002), 617
620.
(20) P. D. Nellist, et al.: Science, 305(2004), 1741.

特集

(21) H. Sawada, et al.: Jpn. J. Appl. Phys., 46(2007), L568.
(22) C. Kisielowski, et al.: Microsc. Microanal, 14(2008), 469
477.
(23) R. Erni, M. D. Rossell, C. Kisielowski and U. Dahmen: Phy.
Rev. Lett., 102(2009), 096101.
(24) H. Sawada, et al.: J. Elect. Microsc., 58 (2009), 357
361.
(25) 日本経済新聞，2014/9/3付け，夕刊 1 面，電子版
http: / / www.nikkei.com / article / DGXLASGG31H07 _T00C14A9MM0000/.
(26) S. J. Pennycook and P. D. Nellist (Ed): Scanning Transmission
Electron Microscopy: Imaging and Analysis, Springer, (2011).
(27) N. Tanaka (Ed): Scanning Transmission Electron Microscopyof NanoMaterialsBasics of Imaging and Analysis, Imperial
College Press, (2014).
(28) 幾原雄一応用物理，81(2012), 753759.
(29) Y. Ikuhara: J. Elect. Micros., 60(Supplement 1) (2011), S173
S188, doi:10.1093/jmicro/dfr049.
(30) A. V. Crewe, J. Wall and J. Langmore: Science, 168(1970),
1338.
(31) 山口まり日本物理学会誌，70(2015), 5153.
(32) S. J. Pennycook and D. E. Jesson: Ultramicroscopy, 37(1991),
1438.
(33) S. D. Findlay, N. Shibata, H. Sawada, E. Okunishi, Y. Kondo,
T. Yamamoto and Y. Ikuhara: Appl. Phys. Lett., 95(2009),
191913.
(34) S. D. Findlay, N. Shibata, H. Sawada, E. Okunishi, Y. Kondo
and Y. Ikuhara: Ultramicrosocpy, 110(2010), 903923.
( 35 ) 柴田直哉，フィンドレイ スコット，幾原雄一顕微鏡， 46(2011), 55.
(36) H. Sawada, et al.: J. Electron. Microsc., 58(2009), 341347.
(37) T. Sasaki, et al.: J. Electron. Microsc., 59(2010), S7S13.
(38) M. Haider, S. Uhlemann, E. Schwan, H. Rose, B. Kabius and
K. Urban: Nature, 392(1998), 768.
(39) C. L. Jia and K. Urban: Science, 303(2004), 2001.
(40) 平山 司，幾原雄一，田中信夫まてりあ，41(2002), 598
603.
(41) 田中信夫顕微鏡，46(2010), 175180.
(42) R. Ishikawa, N. Shibata, F. Oba, T. Taniguchi, S. D. Findlay, I.

ま て り あ 第56巻 第 3 号(2017)
Materia Japan

Tanaka and Y. Ikuhara: Phys. Rev. Lett., 110(2013), 065504.
(43) R. Huang, T. Hitosugi, S. D. Findlay, C. A. J. Fisher, Y. H.
Ikuhara, H. Moriwake, H. Oki and Y. Ikuhara: Appl. Phys.
Lett., 98(2011), 051913.
(44) S. D. Findlay, T. Saito, N. Shibata, Y. Sato, J. Matsuda, K.
Asano, E. Akiba, T. Hirayama and Y. Ikuhara: Appl. Phys.
Express, 3(2010), 116603.
(45) R. Ishikawa, E. Okunishi, H. Sawada, Y. Kondo, F. Hosokawa
and E. Abe: Nat. Mater., 10(2011), 278.
(46) 末永和知ら顕微鏡，45(2010), 31.
(47) K. Suenaga and M. Koshino: Nature, 468(2010), 1088.
(48) H. Sawada, T. Sasaki, F. Hosokawa and K. Suenaga: Phys.
Rev. Lett., 114(2015), 166102.
(49) F. Hosokawa, H. Sawada, Y. Kondo, K. Takayanagi and K.
Suenaga: Microscopy, 62(2013), 2341.
(50) N. Shibata, Y. Kohno, S. D. Findlay, H. Sawada, Y. Kondo andY. Ikuhara: J. Electron. Microsc., 59(2010), 473479.
(51) N. Shibata, S. D. Findlay, Y. Kohno, H. Sawada, Y. Kondo andY. Ikuhara: Nature Physics, 8(2012), 611.
( 52 ) 柴田直哉， S. D. Findlay ，幾原雄一固体物理， 48 ( 2013 ) ,5563.
★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★
1988 年 3 月

幾原雄一

九州大学大学院・総合理工学研究科・博士課程修了(工博)同年 7 月 財団法人ファインセラミックスセンタ
ー研究員
1993年 7 月 同センター統括部長代理，主幹研究員
1996年 7 月 東京大学大学院工学系研究科・材料学専
攻・助教授
2003 年 1 月 同研究科・総合研究機構・教授・ナノ工学研究センター長
財団法人ファインセラミックスセンター・主管研究員(兼任)，東北大学原子分子材料科学高等研究機構・教授(兼任)
専門分野結晶界面工学，先端透過電子顕微鏡法◎先端透過電子顕微鏡法の材料科学への応用と結晶界面に関する研究に従事．

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