２０２２ 第３２回 ＲＣＪ信頼性シンポジウム（“EOS/ESD/EMCシンポジウム”、“電⼦デバイス・電⼦部品の信頼性シンポジウム”）
⽇時︓ 2022年10⽉26⽇（⽔）〜10⽉27⽇（⽊）
⽇時

午後 後半

10⽉26⽇（⽔）
EOS/ESD/EMC
シンポジウム４階コンベンションホール
(10:00〜11:40)「開会」、「招待」、「静電気対策」（1件）(11:40〜12:00)
表彰式（12:00〜13:00）
休憩
EOS/ESD/EMC
シンポジウム（13:00〜15:40）「招待」（3 件）（15:55〜17:10）「イミュニティ」（3 件）

夜（17:20〜19:00）情報交換会 (軽⾷・ドリンク付き)
4 階コンベンションホール ロビー（ホワイエ）

会場
午前昼

午後 前半

展⽰会

開催場所︓⼤⽥区産業プラザ
10⽉27⽇（⽊）
EOS/ESD/EMC
シンポジウム４階コンベンションホール
（9:30〜10:45）「コンポーネントレベル ESD」（3 件）（11:00〜12:00）「招待」（1 件）（12:00〜13:00）
休憩
電⼦デバイス・電⼦部品の信頼性シンポジウム（13:00〜13:30）「デバイスの信頼性」（1件）（13:30〜17:00）＋信頼性セミナー「SiCパワー半導体の信頼性」（10:00〜17:00）（2階⼩展⽰場）（10:00〜17:00）（2階⼩展⽰場）
ESD関連装置の展⽰及びESD対策技術ワークショップ ESD関連装置の展⽰及びESD対策技術ワークショップ

主催 ⼀般財団法⼈ ⽇本電⼦部品信頼性センター
協
賛 ⼀般社団法⼈ 電⼦情報技術産業協会 ⼀般社団法⼈ ⽇本電機⼯業会(順不同) ⼀般社団法⼈ ⽇本電気計測器⼯業会 ⼀般財団法⼈ ⽇本規格協会
⼀般社団法⼈ ⽇本電⼦回路⼯業会
⼀般財団法⼈ 光産業技術振興協会
⽇本信頼性学会 IDEMA JAPAN

⼀般社団法⼈ 電⼦情報通信学会
⼀般社団法⼈ 電気学会
⼀般財団法⼈ ⽇本科学技術連盟 静電気学会
公益社団法⼈ ⽇本磁気学会
⼀般社団法⼈ 情報通信ネットワーク産業協会
SPE ⽇本⽀部シ ン ポ ジ ウ ム の概要
RCJ信頼性シンポジウムは、電⼦部品、電⼦デバイス、電⼦機器等の設計・開発技術者、信頼性技術者、⽣産技術者を対象に、信頼性及びESDという共通のテーマで論⽂発表・討論しあい、より進歩した信頼性向上技術、ESD障害対策技術等の分野での発展に寄与することを狙いとしています。本シンポジウムは、静電気関連問題を中⼼に扱う”EOS/ESD/EMCシンポジウム”、及び電⼦デバイス・電⼦部品の信頼性問題を中⼼に扱う”電⼦デバイス・電⼦部品の信頼性シンポジウム”からなっており、今年で32回⽬を迎えました。
今年は、新型コロナの影響を考え、海外からの招待講演は取りやめ、国内のみの講演に集約しました。また、コロナ対策として、会場を⼀つにし、密を回避します。但し、イベントや移動の規制が緩和されたことから、昨年実施したリモート配信は⾏わず、現地会場のみでの開催といたします。
同会場の2階⼩展⽰場では、静電気（ESD）対策⽤資材、計測・評価試験装置及び故障解析技術サービス等をテーマとした“信頼性・ESD対策技術展⽰会”及びESD対策技術ワークショップを同時開催します。
⽇頃、この⽅⾯でご活躍の皆様の多数のご参加をお待ちしております。
＜コロナ対策の概要＞
1．シンポジウム会場は、⼀つの会場（定員300名）とし、100名以下の聴講者に制限します。
2．マスク、消毒⽤アルコールをご⽤意いたします。
3．会場は出⼊⼝扉を解放し常時換気を⾏います。
4．テーブル等什器はアルコールによる殺菌をいたします。
5．シンポジウム会場、ロビー等ではマスクの着⽤をお願いします。
6．発熱など体調のすぐれない⽅は聴講をお断りすることがありますのであしからずご了承ください（検温計をご⽤意いたします）。

（2022.10.17）
本内容は今後変更になる可能性があります。RCJ ホームページ（https://rcj.or.jp/symposium）で随時ご確認願います。

- 1 -第3２回 EOS/ESD/EMCシンポジウム プログラム
開催⽇︓ ２０２２年１０⽉２６⽇（⽔） １０︓００〜１７︓１０
会 場︓ ４階コンベンションホール
（10:00~10:05） 「開会の挨拶」（⼀財）⽇本電⼦部品信頼性センター（10:05~10:15） 「今年度のEOS/ESD/EMCシンポジウムについて」

鈴⽊ 輝夫（(株) ソシオネクスト）

セッション名︓招待講演-1（10:15~11:15） 招待-1

司会︓鈴⽊ 輝夫（(株) ソシオネクスト）「基本的な半導体製品のESD設計及び組⽴⼯程・市場におけるシステムレベルESD事象と対応策」
⽯塚 裕康（FDD株式会社（旧Maxwell Japan））

半導体デバイスは、部品レベルのESD試験規格を満⾜し、組⽴⼯程のESD管理をする事で、組⽴⼯程におけるESD破壊を防ぐことができるが、電源が加わった⼯程でのESDストレスやESD管理の出来ない⼯程・市場においては、半導体デバイスに過⼤なストレスが加わり破壊する事もある。
⼀般的な部品レベルのESD試験モデル、半導体デバイスのESD設計⼿法を説明すると共に、電源の加わった製造⼯程・市場におけるESDストレス解析事例と共に、破壊メカニズムと対応策に関して紹介する。

セッション名︓「静電気対策」

司会︓澤⽥ 真典（阪和電⼦⼯業(株)）（11:15~11:40） 32E-01 「半導体製造⼯程における⼆流体スプレー洗浄時に発⽣する静電気障害の防⽌技術」
鈴⽊ 洋陽1, 森 ⻯雄1, ⼀野 祐亮1, 清家 善之1,2（愛知⼯業⼤学1，la quaLab合同会社2）
近年、半導体の微細化が進み、パーティクルを除去する洗浄⼯程の重要性が⾼まっている。洗浄⽅法の⼀つに⼆流体スプレー洗浄がある。⼆流体スプレー洗浄は純⽔を圧縮ガスの流れで微粒化し、液滴が衝突した⼒によりパーティクルを除去する洗浄⽅法である。しかしながら、純⽔の⽐抵抗が⾼いため、スプレーされた液滴は帯電し、それが半導体素⼦上に衝突することで、静電気障害（ESD）が発⽣する問題がある。我々は静電気障害を防⽌するために、誘導帯電素⼦を考案した。誘導帯電素⼦とは、円筒状の電極で、⾼電圧を印加することで電界を発⽣させる。誘導帯電素⼦をスプレーノズルの先端に取り付け、電界中にスプレーすることで、液滴の帯電量を制御する。本報告では、誘導帯電素⼦を⽤いた⼆流体スプレーに発⽣する静電気の抑制メカニズムの解析を⾏った。

第31回ＲＣＪ信頼性シンポジウム優秀論⽂賞等表彰式 （11:40~12:00）
⽊村 忠正 （電気通信⼤学名誉教授 ＲＣＪ信頼性シンポジウム運営委員⻑）⽊村 忠正 （電気通信⼤学名誉教授 ＲＣＪ信頼性シンポジウム運営委員⻑）挨拶＜優秀論⽂賞＞「⾼精度CDM破壊電圧を予測するためのTester/PKG/Chip統合回路のモデリング⼿法」
坂⼝ 尚樹、⼩池 洋、泉川 雅芳、濱⽥ 誉⼈（ソニーセミコンダクタソリューションズ(株)）＜奨励賞＞「⼆流体スプレー洗浄時に発⽣する静電気発⽣の要因分析」○

鈴⽊ 洋陽, 福岡 靖晃, 森 ⻯雄, ⼀野 祐亮, 清家 善之（愛知⼯業⼤学）
休憩（12:00~13:00）

セッション名︓招待講演-２（13:00~13:30）

招待-2

司会︓

澤⽥ 真典（阪和電⼦⼯業(株)）2021 RCJ EOS/ESD/EMCシンポジウム優秀論⽂「⾼精度CDM破壊電圧を予測するためのTester/PKG/Chip統合回路のモデリング⼿法」
坂⼝ 尚樹、⼩池 洋、泉川 雅芳、濱⽥ 誉⼈（ソニーセミコンダクタソリューションズ(株)）CDM試験は信頼性試験として、製品出荷の前段階に⾏われる試験であり、この信頼性試験をクリアできなければ再設計が必要となり多⼤なコストがかかるため、Chip設計段階で回路シミュレータなどを⽤いてCDM試験の結果を予測できる検証⼿法が必要となる。
本発表ではCDM試験を予測できる検証環境実現の⼀環として、電磁界解析ツールを⽤いた充電容量のモデリングおよび、保護回路ネットワークを考慮したChip内結線を⾏うことで、放電電流波形のピーク電流値を⾼精度に予測することができることを⽰す。

- 2 -最後に、回路シミュレーション上で、前述の⾼精度に予測された放電電流波形を利⽤し、素⼦電圧の時間軸波形に基づいた破壊判定⼿法を適⽤することにより、今まで実現できなかった実製品の破壊電圧の予測を、50Vの誤差で達成できていることを紹介する。

セッション名︓ 招待講演-3（13:30~14:20）

司会︓奥島 基嗣 （ルネサスエレクトロニクス(株)）招待-3 「実環境下で発⽣する静電気放電の電磁⼲渉メカニズムについて」

本⽥ 昌實（(株)インパルス物理研究所）
現実に電⼦機器の稼動現場で起こる静電気放電（ESD）の電磁⼲渉（EMI）について、その誤動作メカニズムを静電／放電プロセスも含めて解説する。

休憩（14:20~14:40）
セッション名︓ 招待講演-4（14:40~15:40）

司会︓⼩⼭ 明（ソニーセミコンダクタソリューションズ(株)）招待-4 「実際のESD現象とシステムレベルESD試験IEC 61000-4-2規格の課題」

⽯⽥ 武志（(株)ノイズ研究所）
1984年に発⾏されたシステムレベルESD試験の国際規格は、気中放電の再現性が問題となり接触放電⽅式を主とした規格を1989年に改正発⾏した。接触放電⽅式の放電電流波形の規定は、⼈体ESD現象を模擬したものであるが、⾼電流かつ⾼速な⽴ち上がり時間を発⽣する厳しい気中放電の現象を再現していない。⼈体からのESD現象と気中放電現象の特性のメカニズムを実験から⽰し、ESD試験規格での課題を探る。

休憩（15:40~15:55）

セッション名︓ 「イミュニティ」（15:55~16:20）

司会︓ 徳永 英晃（パナソニックインダストリー(株)）32E-02 「超⾼感度紫外線カメラを⽤いたコロナ放電現象の可視化」

⼤津 孝佳、位⽥ 直弥、⼤畑 怜央、加藤 ⼤⽃、出⽥ ⼀稀、押尾 利幸（沼津⼯業⾼等専⾨学校）
Society5.0社会では情報機器の⾼性能化と共に、⾼信頼性化が求められる。そこで、電⼦機器の静電気耐⼒や放電現象の観察は、原因発⾒と対策技術の効果の確認の上で重要である。
本研究では超⾼感度UVセンサを⽤いた放電可視化カメラ(Blue Vision製C2950)を⽤いて、様々な放電現象（球ギャップAC放電、針-平板DC放電、インパルス放電、剥離放電、コロナ放電、ピエゾ放電)の放電電圧及び放電エネルギー計測を⾏い下記のことが明らかとなった。
(1)放電が⾳や可視光で観測できないときにおいても、放電現象を観測することができた。
(2)⾳を伴う負極性コロナ放電の観測ができた。
(3)更に、エネルギー解析を⾏い⽔素の着⽕時間の推定を⾏うことができた。

（16:20~16:45）

32E-03 「⼈体からの放電電流と放電エネルギーの計測」

早⽥ 裕（プローブテック）
⼈体からの放電により、⽣産ラインにおいてデバイスの損傷がおこったり、使⽤時に電⼦機器の動作不良などがおこる。筆者は、⼈体からの放電電流（パチ電）を、放電電流プローブを⽤いて実測し、季節変化を測定してきた。今回、⼈体容量を実測し、帯電電荷量、帯電電圧、放電エネルギーなどの⼈体放電に関する各種数値の算出をおこなった。⼈体の容量は、⼈体チャージ電源により帯電させその時の電荷量より算出したところ130ｐFであった。パチ電の電流波形の積分により、帯電電荷量を得ることができ、⼈体の帯電電圧が算出できる。以上の⽅法で冬期の１〜２⽉におけるデータを解析したところ、平均の⼈体電荷量は約800ｎC、⼈体帯電は6200V、放電エネルギーは2m Jouleという値を得ることが出来た。

（16:45~17:10）

32E-04 「誘導ＥＳＤにおける多重回放電事象について」

本⽥ 昌實（(株) インパルス物理研究所）
⾮接地の浮動⾦属体の近くで帯電体が運動すると、この⾦属体全体に電荷が誘導する。 この浮動⾦属体が、数百μm 以下の狭いギャップで接地導体に近接していると、ここで放電（誘導 ESD︓Field-inducedESD）が発⽣する。ギャップ幅、帯電体の電圧、帯電体との距離、などにもよるが、両者に（相対）運動があると、多数回の放電が運動中 持続的に発⽣する。この時の放電発⽣頻度は、1 回／5ms〜 1 回／25ms 程度になる。機械系のセンサーで、この様な多重回に渡る放電があると、重⼤な障害に発展する可能性もある。

17:20〜19:00

情報交換会 (軽⾷・ドリンク付き)︓シンポジウム参加者は⾃由にご参加下さい。
会場︓ 4階コンベンションホール ロビー（ホワイエ）- 3 -開催⽇︓ ２０２２年１０⽉２７⽇（⽊）

９︓３０〜１２︓００

会 場︓ ４階コンベンションホール
セッション名︓「コンポーネントレベルESD」 司会︓ 若井 伸之（東芝デバイス&ストレージ（株））（9:30~9:55）

32E-05 「⾼耐圧BCDテクノロジにおけるシステムレベルESD検出⽤オンチップESD電流センサ回路」

島⽥ ⼀貴、奥島 基嗣 （ルネサスエレクトロニクス(株)）近年、システムレベルESDによってIC破壊や誤動作が起きるという問題がある。これに対し、システムレベルESD電流をIC内で検知しリスクを通知する為、システムレベルESD電流をIC内で誤差無く測定する技術を提案する。
今回、システムレベルESDが多く発⽣する⾼耐圧端⼦を対象とし、⾼耐圧BiCDテクノロジにおいて、10ns未満の早いパルスで、7A以上のESD電流に対し、IC内の電流センサ回路で誤差無く測定する事に成功した。

（9:55~10:20）

32E-06 「⾃動CBE試験装置による放電波形解析及び検討」*澤⽥ 真典、**福⽥ 保裕、*三浦 秀明、*坂下 雄⼤（*阪和電⼦⼯業(株)、** ESDコンサルタント）
近年、半導体をアッセンブリしたボードやモジュールにおける、静電気による破壊現象が多くなってきている。
しかしながら、ボードやモジュール毎に、印加されるストレスの⼤きさや、破壊現象が異なっている。
今回、CDM規格であるJS-002をベースとしたCBE装置を使⽤し、測定対象物であるモジュールの基板サイズや基板上のGNDパターンのサイズなど各種パラメータを変更し、放電波形について取得および解析を⾏った結果を報告する。

（10:20~10:45） 32E-07 「⾼速ＩF向け信号端⼦におけるT-coilによるESDへの影響」
加納 英樹、鈴⽊ 輝夫（(株) ソシオネクスト）
T-coil回路は、ESD保護回路の寄⽣容量の影響を低減できるが、相互誘導で⽣じた電圧(相互誘電起電⼒)により内部回路破壊が発⽣した報告がある。今回、CMOS最先端テクノロジーにて作成したTEGを⽤いて調査⾏った。VF-TLP測
定は、CDM測定よりも悲観的になる理由を説明する。

セッション名︓招待講演-5

休憩（10:45~11:00）
司会︓ 佐⼟原 秀樹（東京電⼦交易(株)）（11:00~12:00） 招待-5 「基板モジュールレベルの静電気対策」
福⽥ 保裕（ESD コンサルタント）
2018年度に、“基板モジュールレベルの静電気対策”を研究調査活動を⽬的に、RCJ活動委員会が結成された。当初は⽂献調査等によるCBE(Charged Board Event)現象の理解、分析から始まり、組⽴⼯程におけるCBE現象の分析、CBE対応の静電気対策、2020年度にはHMM(Human Metal Model)検証としての基板モジュール対象のIEC61000-4-2 ESD Immunity試験に対する調査、研究、さらに2021年度からはLSI及び基板モジュールにおけるESD保護回路開発専⾨家等を新たに委員会メンバーに加え、LSI開発に伴うESD保護設計の進展、基板機能向上に伴うTVS使⽤⽅法の進化を調査、分析し、製品System組込み状態におけるESD障害防⽌のためのハーモナイズ設計を検討している。ここではこれらの調査、研究から、基板モジュールレベルの静電気対策概要の⼀端を報告する。

- 4 -第32回 電⼦デバイス・電⼦部品の信頼性シンポジウム プログラム
開催⽇︓ ２０２２年１０⽉２７⽇（⽊） １3︓００〜１7︓0０
会 場︓

４階コンベンションホール

セッション名︓ 「デバイスの信頼性」 司会︓ 塩野 登 （RCJ）「フェライトコア適⽤によるPLCのエラーレート改善の開発」（13:00~13:30） 32S-01
宮⽵ 政実（(株) スタッフサービス エンジニアリング事業本部）
⼯場などの監視システムは、温度や回転体の振動成分、発ガスの有無などを多数のセンサーを⽤いて逐次監視している。各センサーからの情報はPLC⽅式を⽤いて情報センター部に集められている。センサーの設置場所によっては情報センターより数百m以上離れた位置に設置させている場合があり、配線のインピーダンス等の条件によっては情報センターに届いた受信電圧が⼤幅に⼩さくなってしまい、通信エラーが発⽣する場合があった。
本発表では、通常はnoise除去する為に⽤いられるフェライトコアを、配線のインピーダンス調査⽤部品として⽤いる事で、遠⽅のセンサーの受信電圧を⼤きくする事ができ、これより通信のエラーレートを改善する事ができたので紹介する。

信頼性セミナー︓ 「SiCパワー半導体の信頼性」
司会︓ 塩野 登 （RCJ）(13:30~13:45) 「故障物理委員会活動状況」(13:45~14:30) 「SiC MOSFETのTDDB，BTI劣化と信頼性評価」(14:30~15:15) 「SiCデバイスの閾値電圧測定⽅法とパワーサイクル試験」

⽊村 忠正（故障物理委員会委員⻑電気通信⼤学）
⽊村 忠正（故障物理委員会委員⻑電気通信⼤学）
瀬⼾屋 孝（RCJ）(15:15~15:30) 休憩
司会︓ ⽊村 忠正（故障物理委員会委員⻑、電気通信⼤学）(15:30~16:15) 「SiCデバイスにおける⽋陥に着⽬した信頼性の評価・予測」(16:15~17:00)

横川 慎⼆ （電気通信⼤学）「SiCパワー半導体の地上の中性⼦線によるシングルイベント
塩野 登 （RCJ）
バーンアウト（SEB）故障と対策」（注︓ テーマ名等プログラムが変更される場合があります）＜要旨＞
RCJ が主催している故障物理委員会は、現在ホットな話題となっている半導体デバイス技術を対象に、その信頼性と故障物理に焦点を当て、調査研究を⾏っています。今回の信頼性セミナーでは、実⽤化が先⾏している SiC パワー半導体に絞り、その信頼性レベル、故障物理、スクリーニングを中⼼とした信頼性保証⽅法の課題と解決策を中⼼に報告します。
電⼒制御⽤のパワー半導体には、電⼒損失が⼩さく⾼電圧対応が要求されています。これらの要求を満たす新素材として SiC とGaN が注⽬されていますが、SiC が Si 技術の流⽤の容易さや⼤⼝径・低⽋陥 SiC 基板の開発成功などで、先⾏しています。既に、SiC パワー半導体（ダイオード、MOSFET）は市販され、使⽤されていますが、Si パワー半導体に⽐べ信頼性は不⼗分で、多くの改良研究が進められています。SiC 特有の問題として、SiC 基板の不完全性に基づくと考えられるゲート酸化膜⽋陥が発⽣し、TDDB 耐性にばらつきが発⽣します。また、SiC-SiO2 界⾯特有の⾼速の Vth 特性変動・回復現象もあります。従って、現状の SiC
パワーMOSFET の実⽤化では、特性変動や TDDB 特性を的確に評価する試験⽅法の開発が必要で、有効なスクリーニング技術の開発も必須です。このような観点で、現状技術について解説します。
また、SiC パワー半導体では、地上での⾼エネルギー中性⼦線によるシングルイベントバーンアウト（SEB）故障も問題となっています。中性⼦線の起源は、太陽フレア陽⼦等が⼤気に衝突し、核反応が起こり⽣成され、地上に降り注ぐもので、10MeV 以上のエネルギーを持つ中性⼦線は、地上で約 10 個/（cm2/h）と報告されています。この地上に降り注ぐ⾼エネルギー中性⼦線の影響は、メモリ LSI やロジック LSI のソフトエラー問題として知られていますが、SiC パワー半導体でも、SEB が発⽣し、問題視されています。この SEB も取り上げ解説します。
本セミナーでは、現在LSI信頼性の分野で問題となっているホットな話題を取り上げています。半導体デバイス信頼性に携わっている⽅は勿論その他の分野に携わっている⽅々のご参加をお勧めします。

- 5 -信頼性・ESD 対策技術展⽰会（無料）（静電気障害対策技術及び ESD 故障解析技術を扱う専⾨の展⽰会）
静電気の影響を受けやすい電⼦デバイス・部品、電⼦機器などを扱う信頼性技術者、設計技術者、品質技術者の⽅々を対象に、より進歩した静電気障害対策技術 、静電気測定技術、故障解析技術を扱う専⾨の展⽰会です。この分野の専⾨メーカが展⽰しますので、最新の技術情報収集のためにも是⾮お⽴ち寄り下さい。

期⽇︓ 2022 年 10 ⽉ 2６⽇（⽔）〜10 ⽉ 2７⽇（⽊）︓ 10:00〜17:00
会場︓ ⼤⽥区産業プラザ（東京 蒲⽥）、2 階⼩展⽰場
主催︓ NPO 法⼈ ESD 協会、（⼀財）⽇本電⼦部品信頼性センター
同時開催︓ ESD 対策技術ワークショップ（無料）
同会場内特設会場にて（プログラムの詳細︓RCJ ウエブ（https://rcj.or.jp/exhibition）参照）

出展社名
株式会社いけうち〒108-0022 東京都港区海岸3-9-15 LOOP-X 14階
TEL：03-6400-1973 E-mail：dryfog@kirinoikeuchi.co.jp
URL：https://www.kirinoikeuchi.co.jp/

株式会社エイチエーエー光学〒141-0031 東京都品川区西五反田3-15-6 7F
TEL：090-9134-4737, E-mail: mizorogi@haa-op.com
URL: https://www.haa-op.com

OKIエンジニアリング〒179-0084 東京都練馬区氷川台3-20-16
TEL：03-5920-2366, E-mail:oeg-dsales-g@oki.com
URL: http://www.oeg.co.jp

春⽇電機株式会社〒212-0032 神奈川県川崎市幸区新川崎２番４号
TEL: 044-580-3511, E-mail: info@ekasuga.co.jp
URL: http://www.ekasuga.co.jp

シシド静電気株式会社〒150-0012 東京都渋谷区広尾5-8-14いちご広尾ビル9階
TEL：03-6432-5771(代)E-mail: info@shishido-esd.co.jp
URL：http://www.shishido-esd.co.jp

⾠野株式会社
大阪本社〒541-0054 大阪府大阪市中央区南本町2-9-9辰野南本町ビル
TEL：06-6263-2331
東京本社〒105-0003 東京都港区西新橋1-20-10 西新橋エクセルビル
E-mail: s.ishikura@tatuno.co.jp
URL：https://www.tatuno.co.jp/

テク･トライアングル〒299-4111 千葉県茂原市萱場776-58
TEL: 0475-36-7037
E-mail: suzuki.tech-triangle@chiba.email.ne.jp
URL: http://www.tech-triangle.jp

DESCO JAPAN株式会社〒289-1115千葉県八街市八街ほ661-1
Tel: 043-309-4470、
E-Mail：Yuta.Takahashi@Desco.com
URL: http://www.descoasia.co.jp/

東京電⼦交易株式会社〒190-0023 東京都立川市柴崎町5-16-30
TEL: 042-548-8011, E-mail: sadohara@tet.co.jp
URL: http://www.tet.co.jp

阪和電⼦⼯業株式会社〒649-6272 和歌山県和歌山市大垣内689-3
TEL: 073-477-4435, E-mail: y-yata@hanwa-ei.co.jp
URL: http://www.hanwa-ei.co.jp

株式会社ブルービジョン〒222-0033 神奈川県横浜市港北区新横浜3-17-2
友泉新横浜ビル
TEL: 045-471-4595, E-mail: fukushima-hi@th-grp.jp
URL: http://www.bluevision.jp

ミドリ安全株式会社〒150-8455 東京都渋谷区広尾5丁目4番3号
TEL: 03-3442-8244, FAX: 03-3444-4508
URL: http://www.midori-esd.jp★詳細は別途案内状をご覧下さい。（RCJ ホームページ（https://rcj.or.jp/exhibition）に掲載しています）。

- 6 -＜参加要領＞
参加費（消費税を含む）（円）
参加区分（開催⽇）

テキスト

定員

RCJ会員、ESDC
協賛団体会員

⾮会員

⼤⽥区⺠
① 10⽉26⽇､10⽉27⽇:（2⽇間）

RCJ信頼性シンポジウム発表論⽂集（EOS/ESD/EMCシンポジウム、電⼦デバ② 10⽉26⽇:（1⽇間）

イス・電⼦部品の信頼性シンポジウム）③ 10⽉27⽇:（1⽇間）（注︓両⽅のシンポジウムの聴講可能）

申 込 先︓

100名

25,00032,00017,00022,00017,00022,000（⼀財）⽇本電⼦部品信頼性センター〒111-0043 東京都台東区駒形2-5-6 カミナガビル3F
E-mail: symp@rcj.or.jp、TEL︓03-5830-7601、FAX︓03-5830-7602、

申 込 締 切︓

10⽉20⽇（⽊）

申込⽅法︓

ホームページのフォーム https://rcj.or.jp/symposium-application よりお申し込み下さい。
参加申込者には、参加券等をお送りします。シンポジウム発表論⽂集は会場渡しの予定です。

振込銀⾏

三菱UFJ銀⾏、⽇本橋中央⽀店、普通預⾦⼝座 0084373

⼝座名︓

名義︓（⼀財）⽇本電⼦部品信頼性センター
注）費⽤の振り込み予定⽇は、貴社の都合に合わせて頂いて結構です。また、不明の場合は空欄で結構です。

◆会場ご案内会場︓ ⼤⽥区産業プラザ︓ ４階コンベンションホール、２階⼩展⽰場〒144-0035 東京都⼤⽥区南蒲⽥１－２０－２０
交通︓ 京浜急⾏線・空港線/京急蒲⽥駅より徒歩約２分(品川・横浜・⽻⽥空港よりの所要時間各約１０数分)
ＪＲ京浜東北線/蒲⽥駅より徒歩約１２分- 7 -◆宿泊施設のご案内
遠⽅からお越しの⽅で宿泊が必要な場合下記のホテルに直接連絡してご利⽤下さい。
（１） グランパークホテル パネックス東京 TEL: 03-5703-1111〒144-0052 東京都⼤⽥区蒲⽥5-9-19（２） 東横イン 蒲⽥東⼝

TEL: 03-3736-1045〒144-0052 東京都⼤⽥区蒲⽥5-18-4（３） 相鉄フレッサイン東京蒲⽥

TEL︓03-5714-0303〒144-0052 東京都⼤⽥区蒲⽥5-19-12
注）（１）、（２）、（３）とも、ＪＲ蒲⽥駅東⼝徒歩２〜３分程度（４） アパホテル京急蒲⽥駅前

TEL: 03-5480-5151〒144-0052 東京都⼤⽥区蒲⽥3-19-1（５） 東急ステイ蒲⽥

TEL: 03-5714-1090〒144-0052 東京都⼤⽥区蒲⽥4-23-1（６） チサンイン蒲⽥

TEL: 03-6715-7311〒144-0052 東京都⼤⽥区蒲⽥4-23-13
注）（４）、（５）、（６）とも、京急蒲⽥⻄⼝徒歩２〜３分程度- 8 -