２０１7 第２7回 ＲＣＪ信頼性シンポジウム（“EOS/ESD/EMCシンポジウム”、“電⼦デバイス・電⼦部品の信頼性シンポジウム”）
⽇時︓ 2017年11⽉28⽇（⽕）〜11⽉29⽇（⽔）
⽇時
項⽬
会場

午前

昼

午後 前半

午後 後半

夜
展⽰会

開催場所︓⼤⽥区産業プラザ

11⽉28⽇（⽕）
11⽉29⽇（⽔）
EOS/ESD/EMC
EOS/ESD/EMC
電⼦デバイス・電⼦部品のシンポジウムTC101（静電気）セミナー
シンポジウム
信頼性シンポジウム
優秀論⽂等表彰式
４階コンベンションホール
４階コンベンションホール
Ａ会場
Ｂ会場
Ａ会場
Ｂ会場
(10:00〜11:50)(10:00〜11:45)(9:30〜11:00)（10:00〜12:00）「デバイス︓4件」「TC101活動概要」「招待講演」「信頼性セミナー」「新プロジェクト IEC
JEITAセミナー（Real world
61340-6-1（ヘルスケア設 and test effects）
・信頼性セミナーのテーマ
備における静電気対策）の「パワー半導体の信頼性と11:10〜12:00）
活動状況」
新たな
LSI 信頼性保証⽅法」「イミュニティ︓2件」（11:50〜12:10）（12:00〜13:00）（12:00〜13:00）
優秀論⽂等表彰式
休憩
休憩（13:30〜15:25）（13:30〜16:15）（13:00〜14:00）（13:00〜15:15）「デバイス︓1 件」「招待講演」
・招待講演「招待講演」「新規提案規格IEC61340「M.D.Ker 教授」「品質・信頼性を確保する新「EOS/ESDシンポ優秀論⽂」 5-4（EAP資材の測定）に（14:00〜15:00）
しい信頼性認定規格「J.J.Liou教授」
ついて解説」「基板・モジュールレベルの (IEC 60749-43)の紹介」
静電気対策検討」
伊賀 洋⼀⽒（JEITA）
福⽥ 保裕⽒｢加速試験⽅法について（15:55〜16:45）（16:15〜17:00）（15:20〜17:00）（故障物理の重要性）｣「イミュニティ︓2 件」「展⽰会場（2 階）で「イオナイザ等︓4 件」
和⽥ 哲明⽒
各種測定装置の⾒学」（15:30〜17:00）（17:00〜19:00）「信頼性セミナー」
情報交換会 (軽⾷・ドリンク付き)
続き
4 階コンベンションホール ロビー（ホワイエ）（10:00〜17:00）（2階⼩展⽰ホール）
ESD関連装置の展⽰及びESD対策技術ワークショップ（10:00〜17:00）（2階⼩展⽰ホール）
ESD関連装置の展⽰及びESD対策技術ワークショップ

主催 ⼀般財団法⼈ ⽇本電⼦部品信頼性センター
協
賛 ⼀般社団法⼈ 電⼦情報技術産業協会 ⼀般社団法⼈ ⽇本電機⼯業会(順不同) ⼀般社団法⼈ ⽇本電気計測器⼯業会 ⼀般財団法⼈ ⽇本規格協会
⼀般社団法⼈ ⽇本電⼦回路⼯業会
⼀般財団法⼈ 光産業技術振興協会
⽇本信頼性学会 IDEMA JAPAN

⼀般社団法⼈ 電⼦情報通信学会
⼀般社団法⼈ 電気学会
⼀般財団法⼈ ⽇本科学技術連盟 静電気学会
公益社団法⼈ ⽇本磁気学会
⼀般社団法⼈ 情報通信ネットワーク産業協会
SPE ⽇本⽀部

シ ン ポ ジ ウ ム の概要
RCJ信頼性シンポジウムは、電⼦部品、電⼦デバイス、電⼦機器等の信頼性技術者・⽣産技術者を対象に、信頼性及びESDという共通のテーマで論⽂発表・討論しあい、より進歩した信頼性向上技術、ESD障害対策技術等の分野での発展に寄与することを狙いとしています。
本シンポジウムは、静電気関連問題を中⼼に扱う”EOS/ESD/EMCシンポジウム”、及び電⼦デバイス・電⼦部品の信頼性問題を中⼼に扱う”
電⼦デバイス・電⼦部品の信頼性シンポジウム”からなっており、今年で27回⽬を迎えました。
EOS/ESD/EMC関係では、Prof. Juin J. Liou⽒及びProf. Ming-Dou Ker⽒による招待講演、システムレベルESD、モジュールESD対策に関する招待講演、RCJが運営していますIEC/TC 101（静電気）セミナー、その他従来からのテーマである”デバイスのESD対策、システ
ム・デバイス試験、イミュニティ”に関する各セッションがあり、幅広くESD現象と対策について討議できる場を提供しています。
電⼦デバイス関係では、⼀般講演は無く、“パワー半導体の信頼性と新たなLSI信頼性保証⽅法”を中⼼としたセミナーを開催します。
また、同会場２階の⼩展⽰場では、静電気（ESD）対策⽤資材、計測・評価試験装置及び故障解析技術サービス等をテーマとした“信頼性・ESD対策技術展⽰会”及びESD対策技術ワークショップを同時開催します。
⽇頃、この⽅⾯でご活躍の皆様の多数のご参加をお待ちしております。

（2017.11.9）
本内容は今後変更になる可能性があります。RCJ ホームページ（http://www.rcj.or.jp）で随時ご確認願います。

-1-

第２7回 ＥＯＳ/ＥＳＤ/ＥＭＣシンポジウム プログラム
開催⽇︓ ２０１7年１１⽉２8⽇（⽕） １０︓００〜１９︓００
会 場 ︓ ４階コンベンションホール（Ａ会場）（10:00~10:05） 「開会の挨拶」（⼀財）⽇本電⼦部品信頼性センター（10:05~10:10） 「今年度のEOS/ESD/EMCシンポジウムについて」

鈴⽊ 輝夫（（株）ソシオネクスト）

セッション名︓ 「デバイス」 司会︓ 奥島 基嗣（ルネサスエレクトロニクス(株)）、⼩沢 忠史（(株)メガチップス）（10:10~11:35） 27E-01 「CDMピーク電流の簡便かつ正確な⾒積もり⼿法」
植野 振⼀郎、伊藤 将来、河井 啓⼀、佐々⽊ 真吾、⼩沢 忠史（（株）メガチップス）
製造プロセスの微細化に伴うデバイスの脆弱化や、ピン数増⼤に伴うパッケージの巨⼤化などにより、CDM保護設計はますます困難になってきている。
CDM保護設計において、CDMのピーク電流を正確に⾒積もることは極めて重要であるが、その⼿法は⼗分に議論されているとはいえない。
本論⽂では、ボンディングワイヤやリードフレームのフリンジにより形成されるパッケージ容量が、ピーク電流へ⼤きく寄与することを⽰し、これらを考慮した簡便かつ正確なピーク電流の⾒積もり⼿法を提案する。
（10:35~11:00） 27E-02 「多ピンESD試験装置における、印加GNDのリレーフリーシステムの放電波形についての考察」
澤⽥ 真典、三浦 秀明、中尾 春喜、松井 信近 （阪和電⼦⼯業（株））
多ピンESD試験機において、測定の⾃動化のためにリレーを使⽤することは不可⽋である。
しかしながらリレーを多数使⽤すると、それらの寄⽣容量のつきかたにより、放電波形が歪められることが知られているが、その対応策であるリレーフリーシステムの開発と波形について考察する。
（11:00~11:25） 27E-03 「800V SCR-JFETのフィラメンテーション現象に関するTCADシミュレーションによる検討」
藤原 秀⼆（オン・セミコンダクター）
800V SCR-JFETにHBMストレス印加を⾏うと、フィラメント状の電流パスが観測されること(フィラメンテーション)が、実験及びTCADシミュレーション解析により確認されている。
今回、SCR-JFETの寄⽣PNP素⼦のベース構造とフィラメンテーションの関係について3D TCAD解析を⾏いフィラメンテーション抑制の可能性を検討したので報告する。
（11:25~11:50） 27E-04 「パワーオンESD耐性を向上させたESD電源保護回路」
成⽥ 幸輝, 奥島 基嗣 （ルネサスエレクトロニクス (株)）ICのコンポーネントレベルのESD電源保護には、RCトリガを⽤いた保護回路がよく使われる。⼀⽅、ICをボード実装した後のシステムレベルESD試験については、ボード上の外付保護素⼦でICを保護する場合が多い。しかしながら、ボードレイアウトや外付保護素⼦の特性によっては、システムレベルESD
電流の⼀部がIC内部へ回り込む場合もある。その場合、IC内部のRCトリガ保護回路で回り込んでき
たESD電流から内部回路を守ることになるが、システムレベルESD試験はパワーオン状態での試験であり、パワーオフ状態を前提とするコンポーネントレベルESD試験時とは、RCトリガ保護回路の保護特性は⼤きく異なる。具体的には、パワーオンによって保護MOSのチャネルが開きづらくなるため、パワーオ
フ時に⽐べてクランプ電圧は上昇し、内部回路に⼤きなESDストレスが加わりやすい。
本発表では、従来のRCトリガ保護回路と⽐較して、パワーオンESD時のストレスを低減可能な保護回路技術について報告する。

第26回ＲＣＪ信頼性シンポジウム優秀論⽂賞等表彰式 （11:50~12:10）
⽊村 忠正 （電気通信⼤学名誉教授 ＲＣＪ信頼性シンポジウム運営委員⻑）⽊村 忠正 （電気通信⼤学名誉教授 ＲＣＪ信頼性シンポジウム運営委員⻑）＜優秀論⽂賞＞「ICパッケージ内部におけるRCトリガ電源保護回路の発振」
⼩沢 忠史、植野 振⼀郎、佐々⽊ 真吾 （（株）メガチップス）
挨拶-2-

＜功労賞＞
藤原 秀⼆（オン・セミコンダクター）＜奨励賞＞「光電界センサによる放電現象のタイムドメイン測定」
⼤津孝佳1、○荻島規宏1、⽥代治⼰1、尾原航平1、⼤沢隆⼆2（沼津⼯業⾼等専⾨学校１, （株）精⼯技研2）

司会︓ 奥島 基嗣（ルネサスエレクトロニクス(株)）、⼩沢 忠史（(株)メガチップス）
27E-05 「⾞載LANのESD対策」
野添 研治、勝村 俊介、徳永 英晃、⼩林 恵治、井上 ⻯也（パナソニック(株) オートモーティブ＆インダストリアルシステムズ社）

セッション名︓ 「デバイス」（13:30~13.55）

⾞載LAN規格の主流であるCAN(Controller Area Network)トランシーバや先進⽀援システム（ADAS）等の普及により導⼊が加速される⾞載EthernetのPHY(物理層)チップのESD対策に関して動作原理やV-I特性の異なるESD保護素⼦（TVSダイオード、バリスタ、ESDサプレッサ）を⽤いたイミュニティ試験（ESD,BCI）を実施し、各ESD保護素⼦のメリット・デメリットについて⽐較評
価した結果について発表する。

セッション名︓ 招待講演-1 司会︓ ⼩⼭ 明（ソニーセミコンダクタソリューションズ（株）（13:55~14:25） Invited ESDA 2016 EOS/ESD Symposium Best Paper「Gun Tests of a USB3 Host Controller Board」○
Guido Notermans, Hans-Martin Ritter, Burkhard Laue, Stefan Seider,（NXP Semiconductors）
System level tests on a USB3 controller with on-board protection yielded irreproducible
failure levels. Failure analysis shows that the root cause is a combination of uncontrolled
discharging of the gun and the impact of the parasitic inductance of the on-board
protection. Solutions are presented.

セッション名︓ 招待講演-2（14:25~15:25）

司会︓ 澤⽥ 真典（阪和電⼦⼯業(株)）Invited 「Electrostatic Discharge (ESD) Protection in High-Voltage Si BiCMOS/BCD Technologies: Challenges and Solutions」
Juin J. Liou (President, Emoat, LLC, Orlando, Florida, USA, Chair Professor,
Zhengzhou University, China, Fellow of IEEE, Fellow of IET)Electrostatic discharge (ESD) is one of the most prevalent threats to the reliability ofelectronic components. It is an event in which a finite amount of charge is transferredfrom one object (i.e., human body) to the other (i.e., microchip). This process can resultin a very high current passing through the microchip within a very short period of time,and more than 35% of chip damages can be attributed to such an event. As such,designing on-chip ESD structures to protect integrated circuits against ESD stresses is ahigh priority in the semiconductor industry. The continuing advancement of MOS
technology makes the ESD-induced failures even more prominent, and one can predict
with certainty that the availability of effective and robust ESD protection solutions will
become a critical and essential factor to the successful development and commercializationof the modern and future MOS-based electronics.
There has been a rapid increase recently in the use of electronic components operatingin the voltage range of 30-60 V, such as drivers for LCD/LED flat panel displays andelectronic components for automotive. This relatively high-voltage operation imposescertain challenges to the design of robust ESD protection solutions for these applications.
An overview on the ESD sources, models, protection schemes, and testing will first be
given in this tutorial. New methodologies for system-level automotive ESD characterization
are then developed. This is followed by presenting the approaches and challenges ofdesigning and realizing ESD protection solutions for high-voltage integrated circuits
fabricated in the BiCMOS/BCD technologies.

休憩（15:25~15:55）-3-

セッション名︓ 「イミュニティ（1）」 司会︓ 本⽥昌實 (インパルス物理研究所)、
磯福 佐東⾄（東京電⼦交易（株））
27E-06 「放電電流プローブを⽤いた⼈体放電電流の計測」（15:55~16:20）

早⽥ 裕 （プローブテック(株)）
放電電流プローブを⽤いて実際に発⽣する⼈体からの放電電流の測定を試みた。電流波形の形
状には、かなりのばらつきが有ることが判った。また実際の測定⽇による温湿度とその季節変化による
⼈体放電を計測し、放電電流との相関関係を求めた。今年度の冬の最⾼電流値は、24Aのピークに達した。また温湿度の上昇と共に減少し、梅⾬時には、ほとんどゼロアンペアにまで低下した。
27E-07 「イオナイザのコロナ放電が放射する電磁波の検出、計測事例」
磯福 佐東⾄（東京電⼦交易（株））（16:20~16:45）

コロナ放電はイオナイザや集塵機等で利⽤されているマイクロアンペア領域の低電流の放電である。
この放電は正負のイオンを⽣じ、これらがイオナイザや集塵機として利⽤される所以である。また、オゾンという酸化⼒が極めて強い気体を⽣じる副作⽤がある。更に、周辺空間に電磁波を放出する。放出される電磁波の周波数帯域は数MHz〜数百MHzといわれているが、計測事例は多くない。
更に⼀般的には、コロナ放電は放電の最初の始まりであって、その持続が⽕花放電、グロー放電、
アーク放電へと成⻑すると周辺を破壊するような影響を及ぼす可能性につながる。今回コロナ放電の応⽤の代表的な事例であるイオナイザを使って、これが周辺に放射している電磁波を検出する事を試みたので報告する。

17:00〜19:00

情報交換会 (軽⾷・ドリンク付き)
会場︓ 4階コンベンションホール ロビー（ホワイエ）

開 催 ⽇ ︓ ２０１7年１１⽉２９⽇（⽔）
会

9︓3０〜１7︓0０

場 ︓ ４階コンベンションホール（A会場）
セッション名︓招待講演-3（9:30~11:00）

司会︓ 徳永 英晃(パナソニック AIS社)
Invited 「JEITA ESD セミナー︓ Real world and test effects」
若井 伸之（東芝デバイス&ストレージ（株））、⽯塚 裕康(Synaptics Japan)
⼯程のESD管理の推進、ESD保護素⼦・回路技術の進歩によって、取り扱い⼯程での半導体デバイスのESD起因での故障事例は殆ど無くなってきています。
⼀⽅、電⼦機器の通電･使⽤過程のESDによる誤動作を想定したシステムレベルESD試験は、市場での電磁妨害(EMC)に対する耐性試験の⼀つとして規格化されていますが、それに対して、⽬的の違う半導体のESD試験とシステムレベルESD試験と同列に扱い、半導体の信頼性認証試験に取り⼊れその耐量を求める等、ESD試験とその耐量との⽐較を⾏う等の誤認識も⾒受けられ出しています。
この状況を受け、中国蘇州で(11⽉6-7⽇)中国ESDフォーラム(ESDA、JEDEC、JEITA主催)を開催し、Industry councilで纏めたWP1~4に加えてシステムレベルESD波形解析とデバイスへの影響、システムESD設計向上策等、ユーザーに理解を深めていただく試みを⾏います。
講演内容を主体に、⼯程ESD管理、システムレベルESDについての最新動向を報告する。

休憩（11:00~11:10）
セッション名︓ 「イミュニティ（2）」 司会︓磯福 佐東⾄（東京電⼦交易（株））、
本⽥ 昌實 (インパルス物理研究所)（11:10~11:35） 27E-08 「低電圧のESD事象による回路誤動作について」
本⽥ 昌實 (インパルス物理研究所)
⼈が感じない様な数ｋＶ以下の放電による回路誤動作を実験と理論の両⾯から俯瞰する。

-4-

（11:35~12:00） 27E-09 「光電界センサによる衝突ESDのタイムドメイン測定」
⼤津 孝佳、⽥代 治⼰、荻島 規宏、⽵内 誠⼈、*⼤沢 隆⼆(沼津⼯業⾼等専⾨学校, *（株）精⼯技研)
電⼦機器の静電気耐⼒の低下とともに、電磁環境の影響が懸念される。⾼周波電界の計測に於いて、従来のアンテナでは、衝突ESDの放射電界について詳細な波形が測定できなかった。本研究では光電界センサのノイズ耐性と優れた周波数特性を活かすことで、衝突ESD現象の放射電界に2つの放電モードがあることが確認できた。また、主放電前のコロナ放電が放射電界の不安定性に関係することが明らかになった。

休憩（12:00~13:00）
セッション名︓ 招待講演-4

司会︓ 鈴⽊ 輝夫（（株）ソシオネクスト）（13:00~14:00） Invited 「Challenge on ESD Protection Design for SoC with Separated Power
Domains」
Prof. Ming-Dou Ker, IEEE FELLOW（Institute of Electronics, National Chiao-Tung University, Hsinchu, Taiwan.）
To reduce the weight of electronic products, to integrate more functions into theelectronic products, as well as to reduce the power consumption of electronic products,
the CMOS technology has been developed into nanometer scale to realize SOC forelectronic systems. With the transistors in the nano-scale dimension, the gate-oxide
thickness of MOSFET is only ~15Å for operating with sub-1V power supply. Such thinnergate oxide is very easily ruptured by electrostatic discharge (ESD) events, which frequently
happen in our environments with the voltage level of hundreds or even thousands volts.
The integrated circuits (ICs) are weaker to sustain such ESD stresses during the assembly,
testing, package, and the applications. Therefore, the on-chip ESD protection circuits must
be equipped on the ICs against ESD stresses, including the Human Body Model (HBM) andCharged Device Model (CDM). How to design the on-chip ESD protection circuits toeffectively protect the integrated circuits realized by the nano-scale CMOS devices is aquite difficult challenge to IC industry, especially in the SOC with separated power
domains. In this talk, the ESD issue on SOC with separated power domains will be
discussed and shown with some failure cases. The successful ESD protection design toovercome such issue will be presented. ESD protection for CMOS ICs is not only theprocess issue but also highly dependent to the design issue, which has been an important
topic that the IC designers need to know.

セッション名︓ 招待講演-5

司会︓ 藤原 秀⼆（オン・セミコンダクター）（14:00~15:00） Invited 「基板・モジュールレベルの静電気対策検討」
福⽥ 保裕（ESD コンサルタント）
RCJで運営している「基板・モジュール静電気対策検討委員会」の活動状況を報告します。
近年、デバイス搭載プリント基板（ボード）レベルの取扱にて、ESD故障の発⽣が増加しており、この種の故障は、帯電ボードイベント（CBE）と呼ばれます。
しかしながら、それらのESD対策は、アセンブリ品やモジュールそれぞれに対応した固有の対策が必要で、共通の対策⼿法が無い状況です。また、モジュール品のESD耐性評価⽅法も未確⽴です。
このような状況から、アセンブリ品やモジュール製造業者を主な対象に、RCJ内にESD対策検討委
員会の設置し、検討を開始しました。その中間報告です。

休憩（15:00~15:20）
セッション名︓「イオナイザー等」 司会︓⼤津 孝佳（沼津⼯業⾼等専⾨学校）（15:20~15:45） 27E-10 「帯電導体板上の絶縁体の逆帯電について その３」
宮本 佳明（阪和電⼦⼯業（株））
導体板を通じて⾼電位を与えた絶縁体の表⾯電位は、時間経過とともに低下していくことがわかっている。また、その原因が絶縁体の表⾯に逆極性の帯電が⽣じていることに起因していることがわかっている。しかしながら、測定環境の違いによって逆極性帯電の⼤⼩、有無の違いがでている。
前回に続き、逆極性の帯電の⼤きさと湿度依存性との関係性について調べた。

-5-

（15:45~16:10） 27E-11 「電⼦デバイスの純⽔スプレー洗浄時の静電気障害対策」
清家 善之（愛知⼯業⼤学）
半導体デバイスやフラットパネルディスプレー等の電⼦デバイス製造において、純⽔をスプレーする異物を除去する洗浄⼯程が多く存在する。しかしながら純⽔スプレーでの洗浄の場合、絶縁体の⽔が液滴が分裂を繰り返し、サブミクロンオーダの液滴径となり、デバイス上で静電気障害(ESD)を⽣じてしまう問題がある。従来は純⽔に炭酸ガスを混⼊させた炭酸⽔やアンモニア⽔素⽔を使⽤して、純⽔に導電性を持たせて対策を⾏っているが、純⽔に不純物を混⼊させるという課題を持つ。
本報告では、電場にスプレーする純⽔を通すことによって、発⽣する静電気量を減少させ、静電気障害の対策を⾏った。

（16:10~16:35） 27E-12 「⼤気圧プラズマを⽤いた⾮接触式⼈体除電装置の開発」
⼤津 孝佳、藤⽥ 真太朗、⼤⽯ 晋平、迫川 瞭（沼津⼯業⾼等専⾨学校）
⼈体の除電による静電気対策として接地が有効であるが、接地導体との接触時の汚染物質等の⼈体への吸着が懸念される。そこで本研究では、⼤容量のイオン発⽣に着⽬し、⼤気圧プラズマ装置を⽤いた⾮接触式⼈体除電装置の開発を⾏った。その結果、⼤気圧プラズマ装置の出⼒電⼒と空気流量の調節によりイオンバランス制御が可能であることを⾒出し、⾼速除電時に於いて残留電圧が低減することを明らかにした。
（16:35~17:00） 27E-13 「シースエア量を低減したシースエア式イオナイザーの開発」
鈴⽊ 政典（（株）テクノ菱和）
従来、半導体や液晶製造⼯場（クリーンルーム）等では、静電気対策⽤の、コロナ放電によりイオンを発⽣するタイプのイオナイザーの電極から発塵があることが、問題になっていた。そこで、微量不純物を含まないガス流（シースエア）で電極を覆うことにより、クリーンルーム内エア中の微量不純物が、電極上に析出・堆積・再⾶散する現象を防⽌するシースエア式イオナイザーを考案した。そして、半導体や液晶製造⼯場等では、シースエアとして、⼯場内で多⽤されている⾼純度 N2 ガスが利⽤されていた。
けれども、近年、⾼純度 N２ガスが⾼価であることと、液晶ガラス基板の⼤型化に伴い、イオナイザ
ーも⼤型化しシースエアノズル個数の増加により必要なシースエア量が急速に増加したため、シースエア
量の削減が求められていた。そこで、イオナイザーの断⾯形状を流線型にすることによりシースエア量を低減するシースエア式イオナイザーを開発したので、その結果について報告する。

-6-

IEC/TC101（静電気）セミナー
開催⽇︓

２０１７年１１⽉２８⽇(⽕) １０︓００〜１９︓００

会 場︓

４階コンベンションホール（B会場）

趣旨︓
静電気管理関連の国際標準化活動は、IEC TC101（静電気の専⾨委員会）で⾏っています。⽇本では、IEC
TC101 設⽴当初から RCJ が参加し、国際標準に沿った静電気管理技術と関連技術（資材や測定技術）の普及に努めています。
IEC/TC 101（静電気）とは︖•国際電気標準化会議（IEC)で、静電気管理・測定⽅法の標準化を扱っている国際的な委員会•IEC/TC101 は、SC15D（絶縁物）から昇格し、1995 年 10 ⽉に発⾜
•国内審議団体は、設⽴当初から RCJ
静電気管理標準の RCJS-5-1 は、TC 101 で作成した標準 IEC 61340-5-1 を基に、⽇本の接地環境に適応した規格として作成し、国内での普及に努めています。
今回、IEC TC101 の活動状況と、新たに提案されている IEC 61340-6-1（ヘルスケア設備における静電気対策）及び IEC 61340-5-4（EPA 資材等の測定⽅法）を中⼼に説明します。
セミナー内容とセミナースケジュール
2017 年 11 ⽉ 28 ⽇（⽕）
内容

時間
（10:00~11:00）(11:00~11:45)（11:45~13:30）（13:30~14:45）（14:45~15:00）（15:00~16:15）（16:15~17:00）（17:00~19:00）「IEC/TC 101（静電気）の活動状況」

講師
松本 雅俊
（ルネサスエレクトロニクス（株））「新プロジェクト IEC 61340-6-1（ヘルスケ川村 智紀（ミドリ安全（株））
ア設備における静電気対策）の活動状況」
昼⾷休憩「新規提案規格 IEC61340-5-4（EPA ⽤⾼橋 忠（RCJ）
資材等の測定⽅法）について解説 第⼀部」
休憩
「新規提案規格 IEC61340-5-4 EPA ⽤資
鈴⽊ 輝夫（春⽇電機（株））
材等の測定⽅法）について解説 第⼆部」
展⽰会場（2 階）⾒学
（各種測定装置が揃っている）
情報交換会（4 階ロビー（ホワイエ））

注）︓ スケジュールやテーマ名が変更になる場合があります。
17:00〜19:00

情報交換会 (軽⾷・ドリンク付き)
会場︓ 4階コンベンションホール ロビー（ホワイエ）-7-第２７回 電⼦デバイス・電⼦部品の信頼性シンポジウム プログラム
開催⽇︓

２０１７年１１⽉２９⽇(⽔) １０︓００〜１７︓００

会

４階コンベンションホール（B会場）

場︓

信頼性セミナー︓ 「パワー半導体の信頼性と新たなLSI信頼性保証⽅法」
司会︓

⽊村 忠正 （電気通信⼤学）「故障物理委員会活動状況と信頼性保証⽅法の ⽊村 忠正（故障物理委員会委員⻑
パラダイムシフト」
電気通信⼤学）奥⻄ 拓⾺（10:30~11:15） 「SiC系パワー半導体の信頼性」（ルネサスエレクトロニクス（株））
清⽔ ⽴雄（11:15~12:00） 「GaN系パワー半導体の信頼性」（ルネサスエレクトロニクス（株））（10:00~10:30）（12:00~13:00） 昼⾷休憩
招待
「品質・信頼性を確保する新しい信頼性認定規格（13:00~14:15）（IEC 60749-43）の紹介」〜（半導体集積回路信頼性認定ガイドライン（EDR4708B） ミッションプロファイルに基づいた信頼性試験計画

伊賀 洋⼀（半導体信頼性試験認定ワーキンググループ（WG） リーダ）

⼿順を追加）〜

招待（14:15~15:15）｢加速試験⽅法について（故障物理の重要性）｣

和⽥ 哲明（プライムアースEVエナジー（株））（15:15~15:30） 休憩
司会︓

清⽔ ⽴雄（ルネサスエレクトロニクス（株））「最新の NBTI モデル」

（15:30~16:15） －⾮回復要素の最新劣化モデル(GSHR と TTOモデル)－

⼤⽇⽅ 浩⼆（ソニーセミコンダクタソリューションズ（株））
桐⼭ 賢（ルネサスエレクトロニクス（株））（16:15~17:00） ｢パッケージの信頼性」（注︓ テーマ名等プログラムが変更される場合があります）＜要旨＞
現在半導体分野でのホットな話題は、新材料を用いたパワー半導体です。RCJ 故障物理委員会では、この次世代のパワー半導体の動向と信頼性問題を取り上げ、調査研究をしています。本セミナーは、これらの調査活動成果を中心に報告するものです。また、信頼性保証方法として、従来の多数試料を用いたストレス試験による保証から、故障物理に基づき、問題となる故障モードに着目した試験方法や効率的な試験方法も注目されています。招待講演として、JEITA で検討している新しい信頼性保証方法についてご講演頂きます。さらに、パワー半導体以外に、従来より調査活動を進めてきた“ＬＳＩ信頼性問題”についても報告します。
本セミナーでは、現在LSI信頼性の分野で問題となっているホットな話題を取り上げています。半導体デバイス信頼性に携わっている方は勿論その他の分野に携わっている方々のご参加をお勧めします。

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信頼性・ESD 対策技術展示会（無料）（静電気障害対策技術及び ESD 故障解析技術を扱う専⾨の展⽰会）
静電気の影響を受けやすい電⼦デバイス・部品、電⼦機器などを扱う信頼性技術者、設計技術者、品質技術者の⽅々を対象に、より進歩した静電気障害対策技術 、静電気測定技術、故障解析技術を扱う専⾨の展⽰会です。この分野の専⾨メーカが展⽰しますので、最新の技術情報収集のためにも是⾮お⽴ち寄り下さい。

期⽇︓ 平成 29 年 11 ⽉ 28 ⽇（⽕）〜11 ⽉ 29 ⽇（⽔）︓ 10:00〜17:00
会場︓ ⼤⽥区産業プラザ（東京 蒲⽥）、2 階⼩展⽰場
主催︓ NPO 法⼈ ESD 協会、（⼀財）⽇本電⼦部品信頼性センター
同時開催︓ ESD 対策技術ワークショップ（無料）
同会場内特設会場にて（プログラムの詳細︓RCJ ウエブ（http://rcj.or.jp/exhibition）参照）

出展社名
株式会社いけうち株式会社ウエストワン〒108-0022 東京都港区海岸3-9-15 LOOP-X 14階〒105-0001東京都港区虎ノ門5-13-1虎ノ門 40MTビル7階
TEL：03-6400-1973 E-mail：dryfog@kirinoikeuchi.co.jp
TEL：03-4530-9885, E-mail:info@west-1.co.jp
URL：http://dryfog.kirinoikeuchi.co.jp
URL: http://www.westone.jp
OKIエンジニアリング〒179-0084 東京都練馬区氷川台3-20-16
TEL：03-5920-2366, E-mail:oeg-dsales-g@oki.com
URL: http://www.oeg.co.jp

春⽇電機株式会社〒212-0032 神奈川県川崎市幸区新川崎２番４号
TEL: 044-580-3511, E-mail: info@ekasuga.co.jp
URL: http://www.ekasuga.co.jp

クレハエクストロン株式会社〒143-0004 東京都大田区昭和島2-4-4
TEL：03-3764-2511,
E-mail: daisuke-satoh@kureha-extron.co.jp
URL : http://www.kreha-extron.co.jp

シシド静電気株式会社〒145-0065 東京都大田区東雪谷1-3-3
TEL：03-3727-0161
E-mail: info@shishido-esd.co.jp
URL：http://www.shishido-esd.co.jp

第⼀合成株式会社〒192－0051 東京都八王子市元本郷町1-25-5
TEL：042-624-5436
E-mail：info@daiichigosei.co.jp
URL：http://www.daiichigosei.co.jp/

中国深圳百泉河実業有限公司〒518101中国深圳市宝安区前進一路諾鉑広場1607室
TEL: 0086-0752-3268119, E-mail: jp88@btree.cn
URL: http://www.szbtree.com/

テク･トライアングル〒299-4111 千葉県茂原市萱場776-58
TEL: 0475-36-7037
E-mail: suzuki.tech-triangle@chiba.email.ne.jp
URL: http://www.tech-triangle.jp

DESCO JAPAN株式会社〒289-1115千葉県八街市八街ほ661-1
Tel: 043-309-4470、E-Mail：Yuta.Takahashi@Desco.com
URL: http://www.descoasia.co.jp/

東京電⼦交易株式会社〒190-0023 東京都立川市柴崎町5-16-30
TEL: 042-548-8011, E-mail: sadohara@tet.co.jp
URL: http://www.tet.co.jp

トレック・ジャパン株式会社〒101-0044 東京都千代田区鍛冶町1-8-5新神田ビル4F
TEL: 03-3526-2985, E-mail: sales@trekj.com
URL： http://www.trekj.com

阪和電⼦⼯業株式会社〒649-6272 和歌山県和歌山市大垣内689-3
TEL: 073-477-4435, E-mail: y-yata@hanwa-ei.co.jp
URL: http://www.hanwa-ei.co.jp

ミドリ安全株式会社〒150-8455 東京都渋谷区広尾5丁目4番3号
TEL: 03-3442-8244, FAX: 03-3444-4508
URL: http://www.midori-esd.jp

村上商事株式会社〒111-0043 東京都台東区駒形2-5-6
TEL: 03-6231-7405,
E-mail: info@murakamicorp.co.jp
URL: http://www.murakamicorp.co.jp

カミナガビル3階★詳細は別途案内状をご覧下さい。（RCJ ホームページ（http://www.rcj.or.jp）にも掲載しています）。
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＜参加要領＞
場所、
定員

テキスト

参加区分（開催日）① 11月28日､11月29日:
RCJ信頼性シンポジウム発表論文集（2日間）（電子デバイス・電子部品の信頼性シンポジ
ウム、EOS/ESD/EMCシンポジウム）② 11月28日:（1日間）③ 11月29日:（1日間）（注：電子デバイス・電子部品、EOS/ESD/EMC
シンポジウム両方の聴講可能）

A、B
会場

参加費（消費税を含む）（円）RCJ会員、ESDC
協賛団体会員
非会員
大田区民

２５,０００３２,０００

１７,０００２２,０００

１７,０００２２,０００200名

申 込 先： 〒111-0043 東京都台東区駒形2-5-6 カミナガビル3F TEL：03-5830-7601、FAX：03-5830-7602（一財）日本電子部品信頼性センター 総務部
E-mail： masunaga@rcj.or.jp
申込締切： 11月21日（火）
申込方法：

振込銀行
口座名：

「参加申込書」を上記あて送付すると共に、「参加費」を現金書留又は銀行振込でご送金下さい。
銀行振込の手数料は、申込者負担です。銀行振込の場合は、振込内容（振込予定日（分かる場
合：貴社の都合に合わせて結構です）、金額、振込人名義）を参加申込書に明記して下さい。
なお、請求書及び領収書の発行を致しますので、必要な場合はその旨申込書にご記入下さい。
参加申込者には、参加券を送付致します。シンポジウム発表論文集やセミナーテキストは当日配
布します。
三菱東京UFJ銀行、日本橋中央支店、普通預金口座 0084373、名義：（一財）日本電子部品信頼性センター
きりとり線

・FAXの場合は切り取らずこの用紙のままご送付下さい。

参加申込書
区分欄に上記表の①、②、③の参加区分を必ず記入して下さい。
会 社 名
所 在 地
〒

*受理番号

区分

ＴＥＬ
氏 名

会員又は否に○印を付けて下さい
RCJ賛助会員
協賛団体会員ESDC資格保有者
大田区民

否

所 属 ・ E-mail所属：
E-mail：所属：
E-mail：所属：
E-mail：所属：
E-mail：

ご記入して下さい。
●支払方法
現金書留／銀行振込●振込予定日
月日 ●振込金額●振込人名義円*受理番号欄には、記入しないで下さい- 10 -

備考（請求書、領収書の要否（該当箇所に○を付けて下さい））
請求書
要
不要
領収書
要
不要

◆会場ご案内

会場： 大田区産業プラザ： ４階コンベンションホール、２階小展示場〒144-0035 東京都大田区南蒲田１－２０－２０
交通： 京浜急行線・空港線/京急蒲田駅より徒歩約２分(品川・横浜・羽田空港よりの所要時間各約１０数分)
ＪＲ京浜東北線/蒲田駅より徒歩約１２分◆宿泊施設のご案内
遠方からお越しの方で宿泊が必要な場合下記のホテルに直接連絡してご利用下さい。
（１） グランパークホテル パネックス東京
ＴＥＬ： ０３－５７０３－１１１１〒144-0052 東京都大田区蒲田5-9-19（２） 東横イン 蒲田東口
ＴＥＬ： ０３－３７３６－１０４５〒144-0052 東京都大田区蒲田5-18-4（３） 相鉄フレッサイン東京蒲田 ＴＥＬ： ０３－５７１４－０３０３〒144-0052 東京都大田区蒲田5-19-12
注）（１）、（２）、（３）とも、ＪＲ蒲田駅東口徒歩２～３分程度（４） アパホテル京急蒲田駅前 ＴＥＬ： ０３－５７１３－３９３９〒144-0052 東京都大田区蒲田4-18-24（５） 東急ステイ蒲田 ＴＥＬ： ０３－５７１４－１０９０〒144-0052 東京都大田区蒲田4-23-1（６） チサンイン蒲田 ＴＥＬ： ０３－６７１５－７３１１〒144-0052 東京都大田区蒲田4-23-13
注）（４）、（５）、（６）とも、京急蒲田西口徒歩２～３分程度- 11 -