APRIL 2012

JFEテクノリサーチ株式会社

No.31

雰囲気遮断試料交換室

大気非暴露搬送（トランスファーベッセル使用）

雰囲気遮断試料交換室

大気非暴露搬送（トランスファーベッセル使用）

グローブボックス

Arイオンミリング

FE-SEM

図1 大気非暴露加工観察フロー
A.

大気非暴露加工（Ar雰囲気）

B.

黒鉛結晶境界 SEI(Solid Electrolyte Interface)層が存在する。

従来加工（大気暴露）
黒鉛表面に大気との反応生成物が析出し、SEIや空隙状態などが観察できない。

1μm

1μm

写真1 電池負極材黒鉛粒子の断面SEM像●充電状態（SOC100%）にて電池解体後、イオンミリング処理して断面観察試料を作製

電池材料の物理解析技術（1）〜リチウムイオン二次電池材料など嫌気性材料の大気非暴露下断面SEM観察〜
Cross-sectional Observation of Active Materials Used for Li-ion Secondary Battery Using
Special Type of SEM Connected with Ar Ion Mill by the Transfer-vessel Inhibiting Air Exposure
大気非暴露断面イオンミリング加工試料のSEM 観察を実現
試料断面を走査型電子顕微鏡（SEM）させることにより、加工からSEM観察まます。これに対して、今回導入した装で一貫した大気非暴露環境下で行うこ置を用いて大気非暴露下で一連の作業とを初めて実現いたしました（図1）。

を行うことにより、写真１（A）に示す観察する際に、前処理としてAr-BIB（アリチウムイオン二次電池負極の非大気暴露様に、活物質である黒鉛材料のリチウルゴンブロードイオンビーム）を用いた加工断面の観察に成功

ム吸蔵にともなう体積膨張変化や空隙断面イオンミリング加工を行うケース

電気自動車の普及や蓄電池のニーズが増加しています。この方法によれば、の高まりから、リチウムイオン二次電池状態など、微細な構造変化を正確に把握することが可能になりました。

機械的歪を与えずに清浄な断面観察試料の高容量・高出力・長寿命化を目的とし次世代電池開発が盛んに進められてを作製することができます。しかし、従た研究開発が活発に行われています。

いる中、前述した最先端の要素技術提来の装置では、試料交換や断面加工後リチウムイオン二次電池の充電状態のSEMへの移送は大気環境下で行うのにある負極では、活性なリチウムが活が一般的でした。

物質*1中に吸蔵されているため、酸素、当社では、嫌気性材料の研究開発を水分との反応性が高く、従来の装置で支援するため、雰囲気遮断システムを加工、観察すると写真1（B）に示すよう組み込んだアルゴンイオンミリング加工に断面形成後に水分等と反応したリチ装置を、メーカと共同で作製いたしまし

ウム系化合物が析出し、本来の断面構た。SEMの雰囲気遮断システムと結合造観察ができないという問題が発生し供により、お客様の開発促進に貢献いたします。
*1 活物質：電池において電子の授受に直接関わる物質

お問合せ先：ソリューション本部（千葉）
電池・材料解析評価センター

猪瀬 明

inose@jfe-tec.co.jp

Measuring Technology of the High-end IR Camera (4)高性能赤外線カメラ測定技術（4）温度分解能は0.001℃まで向上します。

は中心の１箇所だけです。一方、ロッ～二次電池の温度分布解析～

ロックイン法とは、充放電を周期的に行クイン法による温度差画像では、(b)のソリューション本部（川崎）計測・可視化解析センター

いながら赤外線カメラで計測し、その①、②に示すように２箇所の発熱箇所周期に相関のある温度変化（温度差）が確認できます。この温度分布は電池を取り出し、ノイズを除去して鮮明な内部の発熱状態を反映しており、充放温度差画像を得る方法です。

電サイクルにおける温度分布変動を捕測定例らえることも可能です。

二村 智昭

t-nimura@jfe-tec.co.jp
はじめにリチウムイオン電池などの二次電池において、発熱・放熱特性は放電の持続時

図１は当社の電池材料解析評価セン間などに直接影響するため、非常に重ターで試作したリチウムイオン電池の高精度赤外線カメラを使った温度測要です。熱設計にはCAEによる数値解充放電試験における温度変化を、本赤定は、二次電池に限らず、様々な部品、まとめ析が用いられますが、挙動把握・検証に外線カメラで計測し解析したものです。

製品における温度分布解析に応用できは温度の実測が必要となります。放射温(a)の通常の温度画像では、熱伝導によます。当社では、この技術の適用範囲度計や熱電対では詳細な温度分布を確り温度分布は不鮮明となり、発熱箇所拡大に取り組んでいます。

認することができないため、赤外線カメラが用いられます。当社では、高精度赤負極正極負極

外線カメラを使って、二次電池の熱特正極充放電による発熱箇所1性について詳細な解析を行っています。
特徴
汎 用 赤 外 線 カ メラ の 温 度 分 解 能（NETD）が0.1℃程度であるのに対して、当社が保有する高精度赤外線カメラ

2は、温度分解能が0.02℃と高精度です。

(a)

温度画像

(b)

温度差画像（ロックイン法解析後）

図1 リチウムイオン電池の温度解析例

さらにロックイン法を用いることにより、Simple Making Method of Materials’ Forming Limit Diagram in High Accuracy

材料の成形限界評価

ExとEyを求め、そのときの限界ひずみよい場合など）は、板厚範囲、強度範～精度良く簡便に成形限界線図を作成する方法～を求める必要があります。特に、Exと囲を広げることができます。さらに、ソリューション本部（西日本）材料評価部

海津 享

s-kaizu@jfe-tec.co.jp

Eyのひずみ量を同一にした場合（等二不等二軸変形を行わせることにより、軸変形）の限界ひずみは、もっとも重中間ひずみ領域の測定および高張力鋼板要な指標となります。等二軸変形の場の試験を行うことができます。

合の例を写真１に示します。液圧バル加えて、このようにして得られた材料の成形性について、その限界をジ試験機（写真２）を用いることにより、データの解析手法を簡略化、自動化予測することは非常に重要なことであ

高精度で等二軸変形量を測定することすることにより、材料のFLDを簡便にり、これまでも様々な方法が提案されてができます。板厚の範囲は0.1 ～ 2.0mm、作成することができます（図１）。

きました。当試験では、体系化された強度の範囲は等二軸変形で破断するま

当成形限界評価試験法は、以上の様方法を組み合わせ、さらにその解析手でとなります。また、高精度の等二軸な特徴を有しておりますので、お客様法を簡略化、自動化することにより、材変形を必要としない場合（ExとEyが正の様々な材料の成形限界評価のご要望

料の成形限界線図（FLD：Forming Limit

確に1：1ではなく、多少差異があってもに十分お応えできます。

はじめにDiagram）を精度良く簡便に作成Exすることを可能としました。

90

試験方法の特徴

80

FLDを作成するには、あらかじめ、ひずみ測定用のスク60

E

ライブドサークル（写真１参照）

E 一軸

30の直交方向(Ey)のひずみ量のC 不等二軸(2)20× 破断サークル○ OKサークル● 成形限界ひずみ

組み合わせが複数（等二軸、C10D0不等二軸、平面ひずみなど）に件などを変えて成形してそのB 不等二軸(1)40

ずみ方向(Ex)のひずみ量とそなるように金型形状や潤滑条A50をプリントした鋼板を、主ひD 平面ひずみ

B70

写真1 成形後サンプルの例（等二軸変形）A 等二軸-40-30-20-100102030405060Ey

写真2 液圧バルジ試験機

図1 FLD（成形限界線図）の例

2

Ultra-Trace Analysis Technics (4 )

極微量分析
（4）

めには1000倍程度の希釈が必要であり、製の分解容器中に微量分析用容器(イン～有機材料・薬液の微量分析～感度低下が問題となっていました。また

サート、写真2)を入れ、マイクロウェー

溶媒に不溶な試料は、テフロン製の分ブにより加圧分解する方法を確立しまし

解容器を用いて、マイクロウェーブ (写た。この処理方法を用いたICP質量分析

ソリューション本部（千葉）分析部

志村 真樹子m-shimura@jfe-tec.co.jp
はじめに

これまで本シリーズの中で、ICP質量分析法による金属や医療用材料、食品

真1)で加圧分解していましたが、テフロ法の検出下限を確認した結果、従来法

ン容器からKやCaなどが多量に溶出するに比べて2 ～ 15倍、下げられることが分ため、極微量分析が困難でした。

かりました (表1)。

有機材料・薬品の極微量分析

おわりにの極微量分析についてご紹介しました。

当社ではこれらの問題を解決 する

上記の様な極微量分析法を用いて、本号では、有機材料や薬液の極微量分ために、溶 媒に可 溶な試 料には、低界面活性剤や樹脂や有機薬品など様々倍 率 で 希 釈 測 定 が 可 能 な タイム イな有機材料の成分分析が可能です。お有機 材 料や薬液は、半導 体やファン ジ ェ ク ション 試 料 導 入 法 を 実 用

客様のご要望に応じて迅速に対応いた

インケミカルなど様々な分野で利用さ化し、 高 感 度 分 析 を 実 現しまし た。

しますので、ご興味のある方は是非ごれています。これらの材料に含まれるまた溶媒に不溶な試料には、テフロン相談下さい。

析についてご紹介します。

不純物は、製品性能低下などを引き起こすた
め、含有量については、

表1 インサート容器を用いた分析法の検出下限（3σ、ppm）

極微量レベルの測定が要求されます。従来、酸などの溶 媒に可溶な試料は、溶解させた後希釈して測定していましたが、マトリックスの影響を除去するた

写真1 マイクロウェーブ
加圧分解装置

テフロン製

元素

確立した分析法

従来分析法

NaMgAlK
Ca

0.1
0.1
0.1
0.1
0.4

0.2
0.2
0.4
0.96

クォーツ製

写真2 インサート容器

Evaluation of Microbiologically Influenced Corrosion材料の微生物腐食評価

微生物が繁殖している状態における再不動態化電位）を超え、腐食が起ります。

ソリューション本部（川崎）材料機能評価部

電位は、微生物の代謝の影響を受けるステンレス鋼の腐食に影響のある微篠田 修和

ため、実地において測定しなければなり生物としては、好気性細菌、鉄酸化細菌、ません。写真は、現地における電位測

マンガン酸化細菌、硫酸塩還元菌など定状況の様子を示しています。図２は、が知られていますが、これらの微生物は、shinoda@jfe-tec.co.jp
微生物腐食は、MIC（Microbiologically

微生物が存在している環境と実験室の培養法、遺伝子解析法などで特定する

Influenced Corrosion：微生物誘起腐食）

滅菌した環境におけるステンレス鋼の自ことができます。とも呼ばれ、材料（金属、非金属問わ然浸漬電位を比較したものです。微生

当社は、微生物腐食が生じているかず）が微生物の作用によって腐食（劣化）物が存在する場合は、微生物が存在し否か、微生物の種類の特定、さらに対する現象です。例えば、ステンレス鋼においては、数1000ppmのCl-中でも十ない場合に比べて数100mＶ程度電位が策等を種々の調査により解析・提案する高くなります。そのため、ステンレス鋼ことにより、お客様のトラブル解決に分な耐食性を示しますが、微生物の影響を受ける場合、数10ppm程度のCl-での腐食発生電位（孔食電位、腐食すきま貢献いたします。

も、図１に示すような腐食を起こすこと
0.5

水処理設備、海洋設備など、ほぼ全ての自然環境下で発生いたします。
金属材料の腐食は、電気化学的な作

図1 ステンレス鋼の溶接部に発生した微生物腐食用により生じますが、微生物腐食は微生物が電気化学的な作用を助長することに電位 (V vs. SSE)があります。微生物腐食は、河川・ダム、0.0
微生物あり微生物なしより生じるといわれています。そのため、-0.5

微生物腐食の調査では、金属の腐食程0度に加えて微生物の種類や繁殖の程度の調査、さらに微生物の作用による電位の変化などの調査が必要となります。

100200300時間（ｈ）

400

図2 微生物によるステンレス鋼の電位貴化
写真 現地における電位測定状況

3500Speeding Up of Image Processing System by GPGPUGPGPUによる画像処理システムの高速化(1)～高速画像処理を実現するソフトウェア～
計測技術本部 画像検査機器部

金子 鏡一

k-kaneko@jfe-tec.co.jp
GPGPU の特徴

GPU と CPU の処理速度比較可能となります（図１）。

代表的なGPUであるNVIDIA® GeForce®

また、お客様独自の処理についても、

GTX 580と 代 表 的 なCPUで あ るIntel®

パッケージ化された上記ソフトの組みCore™ i7 の、処理速度を比較しました

合せとアレンジで高速化することが可（写真１）。580万画素で標準的なグレー能です。

スケール画像を取り込み、画像演算（差適用分野分画像、加算画像）
・画像移動（拡大、本技術の適用分野としては、高精度縮小、回転）・画像変換（エッジ強調、平印刷文字欠陥検出の印刷検査システム

GPUは グ ラ フ ィ ッ ク 用 に 開 発 さ滑化、鮮鋭化）およびパターンマッチンを始めとする高速処理が必要とされる

れ た 演 算 装 置 で あ り、 こ れ を 一 般

グ処理を比較しました。GPUでの演算画像処理システムが有力です。また、的 な 目 的 に 応 用 す る 技 術 をGPGPU

速度は画像処理に用いられる全ての処

画像の高精細化による情報の膨大化と（General-purpose computing on graphics

理機能でCPUの十倍近い速度になって処理の多重化への対応が必要とされる

processing units）と呼んでいます。GPU

おり、これらを組み合わせることにより、画像処理を組み込んだ分析・制御装置

は、動画像処理に必要な演算の繰り返パソコンで高精度・高速の画像処理がなどへの適用も考えられます。

し処理のため、数百のコアに並列計算処理を行わせることにより、汎用CPU差分画像作成の数百倍の計算速度が発現するといSmoothうものです。一般的な処理に用いる場

Edge Detect

合には、並列演算処理を最適化するこ

拡大 BiLinearとが重要で、処理速度はプログラムにGPU:NVIDIA ® GeForce ® GTX 580

5倍
11倍
18 倍
16倍50倍拡大 BiCubic
15倍

回転 BiLinear

より大きく異なります。

48 倍

回転 BiCubic

今回、画像処理における各処理につパターンマッチいて、並列演算処理を最適化したパッ行列積

されます。

266倍
0

ケージソフトを開発しました。今後、高速画像処理ソフトへの展開が期待

14倍

2040

60

80100

GPU 処理速度 ( CoreTM i7 = 1 )CPU:Intel ® Core™ i7

写真1 GPUとCPU装置の外観

図1 画像処理機能ごとのGPU（GTX580)のCPU( Core™ i7)に対する処理速度比較

お問い合わせ先【ソリューション本部（千葉）】【営業本部】

TEL:043-262-2313 FAX:043-262-2199【大阪営業所】【営業総括部】
TEL:03-5821-6811 FAX:03-5821-6855

TEL:06-6459-1093 FAX:06-6459-1099
神戸支所【東京営業所】
TEL:03-5821-6811 FAX:03-5821-6855

倉敷支所

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TEL:044-322-6208 FAX:044-322-6528

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TEL:084-945-4137 FAX:084-945-3989【ソリューション本部（西日本）】
倉敷 TEL:086-447-4621 FAX:086-447-4618

福山 TEL:084-945-4137 FAX:084-945-3989【九州営業所】
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山口支所【名古屋営業所】
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TEL:0835-27-1011 FAX:0835-27-1012【土壌環境部】
営業グループTEL:044-322-6537 FAX:044-322-6528【ビジネスコンサルティング本部】
東

京 TEL:03-3510-3384 FAX:03-3510-3476

京浜 TEL:044-322-6429 FAX:044-322-6520

大阪グループTEL:06-6459-1087 FAX:06-6459-1099

詳しくは、当社ホームページでhttp: // www.jf e - te c.co.jp◆このパンフレットの送付中止、宛名変更は jfetecsalesmarketing@jfe-tec.co.jp へご連絡ください
茂JFE-TEC News 〈 2 0 1 2 〉 発行人／高野
発行所／JFEテクノリサーチ株式会社 営業総括部

No.31

2012年4月発行©JFE Techno-Research Corporation 2012〒111-0051 東京都台東区蔵前2−17−4（JFE蔵前ビル3F）
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