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HVA01J

User’s Guide
フル SiC モジュール 評価キット

C-type ケース対応
フル SiC モジュール評価用ゲートドライブ基板
BSMGD3C12D24-EVK001
１．概要
フル SiC モジュール評価用ゲートドライブ基板（BSMGD3C12D24-EVK001）は、C タイプのケース型フル SiC モジュールを適切で安全に駆動できる評価用ゲートドライブ基板です。
本評価用ゲートドライブ基板はケース型フル SiC モジュールの評価を容易にできるようにするために、駆動に必要な回路や電源、保護回路が内蔵されています。ご使用になるケース型フル SiC モジュールに対応した評価用ゲートドライブ基板をご使用ください。

Figure 1. 評価用ゲートドライブ基板とフル SiC モジュール
Table 1. 対応するフル SiC モジュール
Module
type

VDSS
(V)

MOSFET
type

Module Part No.

Topology

BSMxxxD12P2Cxxx

Half bridge
2G

C type1,200

PlanarBSMxxxC12P2Cxxx

Chopper

BSMxxxD12P3Cxxx

Half bridge
3G

BSMxxxC12P3Cxxx

GD Board Part No.

BSMGD3C12D24-EVK001

TrenchChopper

注）本評価用ゲートドライブ基板は対応するフル SiC モジュール以外には使用できません。誤った使用は故障の原因となります。

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２．特徴
主な特徴を以下に示します。
● ゲートドライブ回路内蔵● フライバック電源内蔵● 短絡保護
● 制御電源低電圧保護● ドライブ電源正バイアス低電圧保護● ドライブ電源正バイアス過電圧保護● 上下アーム同時 ON 防止● 出力 ON/OFF 制御● 異常アラーム出力

3．端子説明3.1 端子配置と一覧
Figure 2 に端子配置図、Figure3 にモジュール端子、Table 2 にモジュール接続端子一覧、Table 3 に CN1 端子一覧を示します。

G2

SS2

NC

NC

SS1

G1

CN1

DS1

CN1
①

ENA

②

GND

③

FLT-H

④

GND

⑤

PWM-H

⑥

GND

⑦

VCC

⑧

VCC

⑨

GND

⑩

PWM-L

⑪

GND

⑫

FLT-L

Figure 2. 端子配置図© 2019 ROHM Co., Ltd.

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Table 2. モジュール接続端子一覧
Terminal namedetails

DS1

上アームのドレイン端子

G1

上アームのゲートドライブ出力端子

SS1

上アームのソースセンス端子

G2

下アームのゲートドライブ出力端子

SS2

下アームのソースセンス端子

1(DS1)

G1
SS1
NC

3、4

G2
SS2
NC

2
Figure 3. モジュール端子© 2019 ROHM Co., Ltd.

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Table 3. CN1 端子一覧

Connector

Pin

Signal
name

I/O

1

ENA

I

2

GND

--

details
ゲートドライブ出力の有効/無効制御する信号。
“L”レベルで有効、“H”レベルで無効。オープン時は“H”
制御回路用 GND。
上アームの異常状態出力端子。（オープンドレイン）

3

FLT-H

O

検知できる異常は、短絡・制御電源低電圧・二次側電源低電圧・二次側電源過電圧。
異常の種類の区別はできない。
正常時:“L” 異常時:"Hi-Z"

CN1

制御回路用 GND。

4

GND

--

5

PWM-H

I

6

GND

--

制御回路用 GND。

7

VCC

I

制御回路用電源。（ゲートドライブ用電源は内部で生成）

8

VCC

I

制御回路用電源。（ゲートドライブ用電源は内部で生成）

9

GND

--

制御回路用 GND。

10 PWM-L

I

11 GND--

上アームのゲートドライブ出力を制御する信号。
“H”レベルでゲートドライブ出力 High, “L”レベルでゲートドライブ出力 Low

下アームのゲートドライブ出力を制御する信号。
“H”レベルでゲートドライブ出力 High, “L”レベルでゲートドライブ出力 Low
制御回路用 GND。
下アームの異常状態出力端子。（オープンドレイン）

12 FLT-L

O

検知できる異常は、短絡・制御電源低電圧・二次側電源低電圧・二次側電源過電圧。
異常の種類の区別はできない。
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3.2 入出力等価回路■PWM-H,PWM-L
抵抗でプルダウンしているため、オープン時は”L”になります。

Figure 4. PWM 入力等価回路図■FLT-H,FLT-L
FLT 端子はオープンドレイン出力になっています。正常時:“L”レベル、保護動作時:"Hi-Z" “となります。

Figure 5. FLT 出力等価回路図■ENA
内部で抵抗によりプルアップしているため、オープン時は“H”となります。

Figure 6. ENA 入力等価回路図© 2019 ROHM Co., Ltd.

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4．機能
4.1 機能説明
本評価基板に内蔵されている駆動に必要な各種回路や電源、保護回路についての機能説明を以下に示します。

■ゲートドライブ回路
ゲードライブ回路は絶縁型ゲートドライバ IC とプッシュプル回路で構成されています。これらのゲートドライブ回路に必要な電源は本評価基板に内蔵している絶縁型フライバック電源より供給されます。ゲートドライブ出力は＋19V/0V の固定となっています。

■フライバック電源
電源はローム製フォトカプラレス絶縁型フライバックコンバータ(BD7F200EFJ)と絶縁トランスで構成されています。
電源回路を変更する場合は、BD7F200EFJ のデータシートを確認の上、変更してください。

■短絡保護（SCP・・・Short Circuit Protect）
フル SiC モジュールの ON 時のドレインーソース間電圧が閾値(VSCDET)まで上昇すると短絡保護機能が動作します。
短絡保護機能が動作すると、ゲートドライブ出力はソフトターンオフし、FLT が Hi-Z になります。
この保護はラッチされるため、ドレイン-ソース間電圧が閾値(VSCDET)以下まで低下した後、ENA 端子電圧の立ち上がりでラッチが解除され、FLT は L になり、ゲートドライブ出力可能になります。

■制御電源低電圧保護（UVP1・・・Under Voltage Protect 1）
1 次側の制御電源電圧(VCC)が閾値（VCC1UV）まで低下するとゲードライブ出力が L になり、FLT（異常アラーム出力）が Hi-Z になります。1 次側の制御電源電圧(VCC)が閾値（VCC1UVC）まで上昇すると FLT は L になり、ゲートドライブ出力可能になります。

■ドライブ電源正バイアス低電圧保護（UVP2・・・Under Voltage Protect 2）
2 次側のドライブ電源正バイアス電圧(VCC2)が閾値（VCC2UV）まで低下するとゲードライブ出力が L になり、FLT が Hi-Z になります。2 次側のドラ
イブ電源正バイアス電圧(VCC2)が閾値（VCC2UVC）まで上昇すると FLT は L になり、ゲートドライブ出力可能になります。

■ドライブ電源正バイアス過電圧保護（OVP2＋・・・Over Voltage Protect 2+）
2 次側のドライブ電源正バイアス電圧(VCC2)が閾値（VCC2OV）まで上昇するとゲードライブ出力が L になり、FLT が Hi-Z になります。
この保護はラッチされます。2 次側のドライブ電源正バイアス電圧(VCC2)が閾値（VCC2OVC）まで低下した後、ENA 端子電圧の立ち上がりでラッチが解除され、FLT は L になり、ゲートドライブ出力可能になります。

■上下アーム同時 ON 防止
上下アームのゲート入力端子(PWM)に同時に ON 信号が入力された場合、アーム短絡を防止するため、上下アームともゲートドライブ出力
されません。

■出力 ON/OFF 制御
ENA によりゲートドライブ出力の有効/無効を制御することができます。無効に設定時にはゲートドライブ出力は停止しているので、周辺回路や接続される負荷がスタンバイ状態になるまでの保護等にご活用ください。

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User’s Guide■異常アラーム出力（FLT）
短絡保護、低電圧保護、過電圧保護のいずれかまたは複数の保護が動作すると異常アラームとして FLT が“L”(通常時) から“Hi-Z”（保護動作時）に変わります。短絡保護と過電圧保護はラッチされるため ENA 端子電圧の立ち上がりによるアラーム解除が必要です。
Figure 7 にアラーム解除タイミングチャートを示します。

Hi-Z（FLT-＊）
（ENA）
L

X

H

L

(PWM-＊）
パルス有効期間

パルス無効期間（Ｇ＊）

Figure 7. アラーム解除タイミングチャート

4.2 真理値表
Table 4 に真理値表を示します。
Table 4. 真理値表
INPUT
No.

OUTPUT

Status
VCC

VCC2

ENA

PWM-×

TH

FLT-×

SiC(×アーム)

1

UVP1

UVP

○

×

×

×

Hi-Z

OFF

2

UVP2

○

UVP

×

×

×

Hi-Z

OFF

3

OVP2+

○

OVP

×

×

×

Hi-Z

OFF

4

SCP

○

○

L

H

×

Hi-Z

OFF

5

出力制御（無効）

○

○

H

×

×

L

OFF

6

通常動作 L 入力

○

○

L

L

×

L

OFF

7

通常動作 H 入力

○

○

L

H

×

L

ON※

○:>UVP,<OVP、 ×:Don’t care
※PWM-H,PWM-L 共に“H”の場合は“OFF”© 2019 ROHM Co., Ltd.

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4.3 機能ブロック
Figure 8 に機能ブロックを示します。制御回路、駆動回路、保護回路のブロックで構成されています。

Control

Drive

Protect
Secondary(High-side)

Primary

SiC
Module

GP

LDO2

DS1

VCC

P

DESAT
FIL

LDO1

G1

PD

ENA

GSＣ

FET

ENA

(High-

ACL

GD

side)

FLL
STO

FLT-H

SS1

FLO

OUT

OVP(+)

PWM-H

User

UVP(+)

GND2-1

Secondary(Low-side)

GP

LDO2
DESAT

G2

PD

FET
(Low-

GSC

side)

FLT-L
FLO

ACL

GD

SS2

PWM-L

N

STO

OVP(+)

GND2-2

UVP(+)

GP : Gate PowerGD : Gate Driver
PD : Pre Driver

FIL : Filter
ENA : Enable

LDO1 : Low Drop Out(Primary)
LDO2 : Low Drop Out(Secondary)

SCP : Short Circuit Protection
FLL : Fault Latch
FLO : Fault Output

ACL : Active Clamp
STO : Soft Turn Off

GSC : Gate Surge Clamp
OVP : Over Voltage Protection
UVP : Under Voltage Protection

Figure 8. 機能ブロック図© 2019 ROHM Co., Ltd.

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5．製品仕様フル SiC モジュール評価用ゲートドライブ基板 BSMGD3C12D24-EVK001（以下本評価基板）には駆動に必要な回路や電源、保護回路が内蔵されています。電源を接続し、信号を入力することで容易にフル SiC モジュールを駆動することができます。
Table 5 に推奨動作範囲、Table 6 に電気的特性を示します。
Table 5. 推奨動作範囲
Parameter
電源電圧

SymbolConditionsVCC

PWM H レベル 入力電圧

HIGH

MIN

TYP

MAX

Unit

21.5

24

26.5

V

2.0

-

5.5

VPWM
PWM L レベル 入力電圧

V
LOW

0

-

0.8

スイッチング周波数

fPWM

-

60

100

kHz

動作温度範囲

tOP

-40

25

85

℃

MIN

TYP

MAX

Unit

Table 6. 電気的特性
Parameter

SymbolConditions

ゲートドライブ出力 High 電圧

VCC2

-

19

-

V

ゲートドライブ出力 Low 電圧

VEE2

-

0

-

V

VCC1UV

動作電圧

-

13.8

-

VCC1UVC

解除電圧

-

15.3

-

VCC2UV

動作電圧

-

14.9

-

VCC2UVC

解除電圧

-

16.5

-

VCC2OV

動作電圧

-

21.5

-

VCC2OVC

解除電圧

-

21.3

-

VEE2OVC

解除電圧

-

-4.7

-

VSCDET

ドレインーソース間電圧

-

13.5

-

VCC1 低電圧保護(UVP1)

VCC2 低電圧保護(UVP2)

VCC2 過電圧保護(OVP2+)

短絡検出電圧© 2019 ROHM Co., Ltd.

V

V

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6．使用方法本評価基板を用いてフル SiC モジュールを動作させるためにはいくつかの手順が必要となります。ここではその手順を示します。
下記の手順に沿って、本評価基板の使用準備とフル SiC モジュールへの取り付けを実施してください。
これらの手順を無視するとフル SiC モジュール及びゲートドライブ基板が故障する恐れがあります。

6.１ ゲート抵抗、ソフトターンオフ抵抗の選定と実装
本評価基板では様々なアプリケーションに合わせてゲート抵抗によりスイッチング速度を自由に調整できる回路構成となっています。
初期状態はゲート抵抗及びソフトターンオフ抵抗が未実装となっていますので、Table 7 の該当するケース型フル SiC モジュールの抵抗値を参照して抵抗を実装してからご使用ください。

6.１.1 ゲート抵抗とソフトターンオフ抵抗の回路
ドライブ回路にはローム製ゲートドライブ IC（BM60054AFV-C）を搭載しており、出力はプッシュプル回路に接続されています。
ゲートドライブ出力はゲート抵抗を介してフル SiC モジュールの MOSFET を駆動しています。
また、本評価基板では保護動作時に安全にフル SiC モジュールを遮断するソフトターンオフ機能が搭載されています。
ご使用条件に合わせて MOSFET がスイッチオフするまでの時間をソフトターンオフ抵抗により調整することができます。
Figure 9,12 にその回路図を示します。

6.１.２ ゲート抵抗とソフトターンオフ抵抗の実装位置
本評価基板ではゲート抵抗及びソフトターンオフ抵抗はあらかじめ実装されていないため、所定の位置にゲート抵抗とソフトターンオフ抵抗を実装する必要があります。ゲート抵抗にはローム製 LTR18 シリーズ、ソフトターンオフ抵抗にはローム製 MCR10 シリーズをご使用ください。
また、MOSFET のスイッチング速度を調整するゲート抵抗は上アーム/下アームともにターンオン時とターンオフ時を個別に設定することができます。
Figure 10,11 にその実装図を示します。

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User’s Guide(上アーム)
ゲート抵抗

ソフトターンオフ抵抗

NM：Not Mounted

Figure 9. ゲート抵抗とソフトターンオフ抵抗の回路図
ターンオフ : R122, R124,

ターンオン : R118, R120,

R123,R125

R119, R121

ソフトターンオフ : R126

Figure 10. ゲート抵抗とソフトターンオフ抵抗の実装位置© 2019 ROHM Co., Ltd.

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User’s Guide(下アーム)
ターンオフ : R224, R225,

ソフトターンオフ : R226

R222, R223
ターンオン : R220, R221,
R218, R219

Figure 11. ゲート抵抗とソフトターンオフ抵抗の実装位置

ゲート抵抗

ソフトターンオフ抵抗

NM：Not Mounted

Figure 12. ゲート抵抗とソフトターンオフ抵抗の回路図© 2019 ROHM Co., Ltd.

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User’s Guide

6.1.3 ゲート抵抗とソフトターンオフ抵抗の設定方法
本評価基板では様々なアプリケーションに合わせてゲート抵抗によりスイッチング速度を自由に調整できる回路構成となっています。
最適なゲート抵抗とソフトターンオフ抵抗はモジュールや使用条件によって異なるため、納品時は未実装となっています。
Table 7 にゲート抵抗とソフトターンオフ抵抗の推奨値を示します。各抵抗は弊社測定回路における下記条件での最適値です。
Table 7. ゲート抵抗とソフトターンオフ抵抗
Gate Resistor
Module

VDSS

type

(V)

C type

1,200

Module Part No.

Topology

Soft turn off

Turn ON

Turn OFFResistor

(ohm)

(ohm)

(ohm)

LTR18(1632)

LTR18(1632)

MCR10(2012)

BSM080D12P2C008

Half bridge

1

1

18

BSM120D12P2C005

Half bridge

1

3.3

18

BSM120C12P2C201

Chopper(boost)

1.8

3.9

18

BSM180D12P3C007

Half bridge

4.7

5.6

18

BSM180C12P3C202

Chopper(boost)

3.9

4.7

15

【ゲート抵抗評価条件】
VDS：800V
IDS:各モジュールの ISRM(BSM180D12P3C007 の場合 360A)
判断基準:ドレインーソース間電圧が定格以下であること【ソフトターンオフ抵抗評価条件】
VDS：800V
主回路インダクタンス:17.6nH
Half bridge:アーム短絡（上アームをゲート電圧 22V(別電源)で ON した状態で、下アームを ON）
Chopper:負荷短絡（ダイオード部を外部配線でショートした状態で、MOSFET を ON）
判断基準①:ドレインーソース間電圧が定格以下であること
判断基準②:破壊なきこと■ゲート抵抗フル SiC モジュールにはゲート抵抗が内蔵されていますが、ここでいうゲート抵抗は評価基板上の外部調整用ゲート抵抗を指します。
実際のアプリケーションにおいてフル SiC モジュールの仕様書に規定されているゲート-ソース間電圧、ドレイン-ソース間電圧を超えないように設定してください。
■ソフトターンオフ抵抗
本評価基板でフル SiC モジュールの短絡を検知した際、通常のスイッチング時間より緩やかにオフする（ソフトターンオフ）回路が内蔵されています。ソフトターンオフの時間を抵抗により調整します。
実際のアプリケーションにおいてフル SiC モジュールの仕様書に規定されているドレイン-ソース間電圧を超えないように設定してください。

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6.２ 制御回路との接続（ケーブル作成）
制御回路と本評価基板のコネクタ(CN1)との接続には同梱しているメス側ソケットコネクタをご利用ください。
(適合ハウジング品番:JST 製 PHR-12)
コネクタ(CN1)の入力側では、ケーブル先のインターフェース回路側で各 GND をショートして下さい。各 GND をショートしないで動作させた
場合、誤動作が発生する可能性が有ります。

■推奨インターフェース回路+5V

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Enabling signal
ENA

GND

FLT-H

FLT(High side)

GND

PWM-H

Input signal forHigh side

GND

VCC

+24V

VCC

GND

PWM-L

Input signal for
Low side

GND

FLT-L

FLT(Low side)

CN1-1
CN1-2
CN1-3
CN1-4
CN1-5
CN1-6
CN1-7
CN1-8
CN1-9
CN1-10CN1-11
CN1-12

Figure 13. インターフェース回路© 2019 ROHM Co., Ltd.

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6.3 ゲートドライブ基板の動作確認
6.3.１ 電源投入･切断シーケンス
本評価用基板は外部から供給される電圧源や信号源が複数存在するため、投入・切断シーケンスに注意が必要です。 電源立上げ、立下げの際は、必ず下記の順番に従って下さい。

Power On

Power Off

Sequence

Sequence

VCC

HVDC

(24V)

800V to 0V

ENA

PWM

(5V)

(5Ｖ)

PWM

ENA

(5V)

(5Ｖ)

HVDC

VCC

0V to 800V

(24V)

Figure 14. On/Off シーケンス© 2019 ROHM Co., Ltd.

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6.４ フル SiC モジュールへの取り付け
本評価基板の各端子は Figure 15 のようになっています。本評価基板と同じ端子番号のフル SiC モジュールの端子と接続してください。
駆動回路のパターンインダクタンスが特性に影響するため、フル SiC モジュールへ直付けしない場合はできるだけ短い配線で接続するようにしてください。また、取り付けの際に静電破壊しないように、イオナイザなどで静電気対策した状態で取り付けを行ってください。

【ゲートドライブ基板(本評価基板)】
5

6

7

8

9

10

DS1

CN1
①

ENA

②

GND

③

FLT-H

④

GND

⑤

PWM-H

⑥

GND

⑦

VCC

⑧

VCC

⑨

GND

⑩

PWM-L

⑪

GND

⑫

FLT-L

CN1
Figure 15. ゲートドライブ基板の各端子位置（上面）【フル SiC モジュール】
1(DS1)

5 6 7

8 9 103

1(DS1)

4

2

3、4

2

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Figure 16. フル SiC モジュールの各端子位置（上面）16/28

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User’s Guide【基板とモジュールの組付け】
本評価基板をフル SiC モジュールに組付けた際のイメージを Figure 17 に示します。
① 組付け後に本評価基板の四隅を同梱の M2.6 セルフタッピングねじを用いてフル SiC モジュールに固定します。
※締め付けトルク:0.8N・m※対角に締める② 固定できれば、端子 5～端子 11 までを半田付けします。
③ DS1 端子をつなぐ。
基板側端子:M3
モジュール側端子:M6
上記で組付けは完了です。

①

②

③

Figure 17. フル SiC モジュールの各端子位置（上面）【コネクタピン】コネクタ（CN1）のピンがモジュールに干渉するため、ピンをカットしています。
同様の基板を作製する際はコネクタを変更するか、コネクタの位置を変えるなどのご対応をお願いします。

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7. 保護機能
7-1. 短絡保護（SCP）
短絡した場合、定格電流以上の電流が流れるため、ON 時のドレイン-ソース間電圧(IDS×RON)は通常時よりも高くなります。
本評価基板は ON 時のドレイン電圧をモニターしており、ドレイン電圧が短絡検出電圧(VSCDET)を超えると短絡保護機能が動作します。
短絡保護機能が動作すると、ゲートドライブ出力はソフトターンオフし、FLT が Hi-Z になります。この保護はラッチされます。ドレイン-ソース間電圧が閾値(VSCDET)まで低下した後、ENA 端子電圧の立ち上がりでラッチが解除され、FLT は L になり、ゲートドライブ出力可能になります。

500ns/div

VDS:200V/div

IDS:500A/div
VGS:5V/div

Figure 18. SCP 参考波形（BSM120D12P2C005）© 2019 ROHM Co., Ltd.

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8. 回路図Figure 19. Schematics(High Side)

8.1 上アーム部© 2019 ROHM Co., Ltd.

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Figure 20. Schematics(Low Side)

8.2 下アーム部© 2019 ROHM Co., Ltd.

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Figure 21. Schematics(Common)

8.3 共通回路部© 2019 ROHM Co., Ltd.

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9. 部品表Table 8. Bill of Materials (1)DevicePCB--

Manufacturer Model
Name

SymbolMounted

ValuesManufacture QTY---

FR4,6layer,1.6mm

Capacitor

C1,C102,C109,C113
C114,C123,C135,C2
C202,C209,C213,C214
C223,C235,C4,C5

UMJ316BC7475KLHTE

50V,4.7μF

TAIYOYUDEN

16

Capacitor

C101,C105,C13,C201
C205,,,

UMK105CH101JVHF

50V,100pF

TAIYOYUDEN

5C104,C204,,

EMK212AB7475KGHT

16V,4.7μF

TAIYOYUDEN

2

C106,C206,,

NON-C2012-TAIYOYUDEN

2

C107,C11,C136,C138
C139,C15,C16,C17
C18,C207,C236,C238
C239,C7,,

UMK105B7104KVHF

50V,100nF

TAIYOYUDEN

14

C108,C208,,

NON-C1005--

2

Capacitor

C111,C211,,

UMK212B7105KGHT

50V,1μF

TAIYOYUDEN

2Capacitor

C112,C142,C212,C242

UMK107B7102KAHT

50V,1nF

TAIYOYUDEN

4Capacitor

C117,C118,C217,C218
C8,,,

EMK212BBJ106KGHT

16V,10μF

TAIYOYUDEN

5Capacitor

C121,C130,C132,C133
C221,C230,C232,C233

GMK107AB7105KAHT

35V,1μF

TAIYOYUDEN

8

C128,C129,C140,C141
C228,C229,C240,C241

NON-C1608--

8

Capacitor

C134,C234,,

TMK107B7474KAHT

25V,470nF

TAIYOYUDEN

2Connector

CN1,,,

B12B-PH-K-S

100V,2A,12pin

JST

1

Diode

D1,,,

RF071MM2STR

200V/0.7A

ROHM

1

Diode

D101,D104,D105,D201
D204,D205,,

RB160MM-40TR

40V/1A

ROHM

6

Diode

D102,D202,,

RB168VAM150TR

150V/1A

ROHM

2

Diode

D103,D108,D109,D203
D208,D209,,

RB160VAM-60TR

60V/1A

ROHM

6

Diode

D106,D107,D206,D207

RFN1LAM7STR

700V/0.8A

ROHM

4

Diode

D110,D210,,

EMZ6.8NTL

6.8V/150mW

ROHM

2

Diode

D2,,,

RSA5MTFTR

700mW/7V

ROHM

1

IC

IC1,,,

BD450M2EFJ-CE2

LDO(5V,0.2A)

ROHM

1

IC

IC101,IC201,,

BM60054AFV-CE2

Driver IC

ROHM

2

IC

IC102,IC202,,

BD7F200EFJ-LBE2

PWM IC

ROHM

2

IC

IC103,IC203,,

S-19700A00A-E8T1U4

LDO(20V,0.4A)

ABLIC ※1

2

IC

IC104,IC204,,

BD71L4LG-1GTR

Reset IC

ROHM

2

IC

IC105,IC205,,

S-19110PABH-M6T1U4Reset ICABLIC ※1

2

IC

IC3,,,

BU4S81G2-TR

AND(single)

ROHM

1

IC

IC5,IC6,IC7,IC8

BU4S11G2-TR

NAND(single)

ROHM

4

Q1,,,

NON-BSM

-

ROHM

1

Capacitor
Capacitor

NOP

Capacitor

Capacitor

Capacitor

Module

NOP

NOP

NOP

1

Table 9. Bill of Materials (2)© 2019 ROHM Co., Ltd.

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DeviceMountedUser’s Guide

SymbolManufacturer Model
Name

ValuesManufacture QTY

Transistor

Q101,Q201,,

RHU003N03FRAT106

30V,300mA

Transistor

Q102,Q202,,

2SCR572D3TL1

30V,5A

ROHM

2Transistor

Q103,Q203,,

2SAR572D3TL1-30V,-5A

ROHM

2Resistor

R1,R103,R158,R159
R160,R203,R258,R259
R260,R6,,

MCR01MZPF1000

100Ω,1%,1/16W

ROHM

10

Resistor

R101,R201,,

MCR01MZPF10R0

10Ω,1%,1/16W

ROHM

2

Resistor

R102,R110,R127,R202
R210,R227,,

MCR01MZPF4702

47kΩ,1%,1/16W

ROHM

6

Resistor

R104,R168,R204,R268

MCR01MZPF6802

68kΩ,1%,1/16W

ROHM

4

Resistor

R105,R147,R205,R247

MCR01MZPF1003

100kΩ,1%,1/16W

ROHM

4

Resistor

R106,R206,,

MCR01MZPF1502

15kΩ,1%,1/16W

ROHM

2

Resistor

R107,R207,,

MCR01MZPF6801

6.8kΩ,1%,1/16W

ROHM

2

Resistor

R108,R169,R208,R269

MCR01MZPF3901

3.9kΩ,1%,1/16W

ROHM

4

Resistor

R109,R209,,

MCR01MZPF5101

5.1kΩ,1%,1/16W

ROHM

2

Resistor

R111,R211,,

MCR10EZPF4701

4.7kΩ,1%,1/8W

ROHM

2

Resistor

R112,R212,,

LTR18EZPF2701

2.7kΩ,1%,3/4W

ROHM

2

Resistor

R113,R213,,

LTR18EZPF68R0

68Ω,1%,3/4W

ROHM

2

Resistor

R114,R115,R116,R156
R214,R215,R216,R256
X101,X103,X201,X203

MCR03EZPJ000

0Ω,1A

ROHM

12

Resistor

R117,R128,R135,R217
R228,R235,,

MCR01MZPJ000

0Ω,1A

ROHM

6

Resistor

NOP

R118,R119,R120,R121
R122,R123,R124,R125
R218,R219,R220,R221
R222,R223,R224,R225

NON-LTR18

-

-

16

Resistor

NOP

R126,R226,,

NON-MCR10--

2

Resistor

NOP

R130,R230,,

NON-MCR01--

2

Resistor

R131,R231,,

MCR03EZPFL3R90

3.9Ω,1%,1/10W

ROHM

2

Resistor

R132,R232,,

MCR10EZPF6801

6.8kΩ,1%,1/8W

ROHM

2

Resistor

R133,R233,,

MCR03EZPFX1003

100kΩ,1%,1/10W

ROHM

2

Resistor

R134,R234,,

MCR03EZPFX3301

3.3kΩ,1%,1/10W

ROHM

2

Resistor

R136,R236,,

LTR18EZPFLR4700.47Ω,1%,1W

ROHM

2

Resistor

R137,R237,,

MCR03EZPFX1000

100Ω,1%,1/10W

ROHM

2

Resistor

R138,R238,,

MCR03EZPFX4702

47kΩ,1%,1/10W

ROHM

2

Resistor

R139,R239,,

MCR01MZPF1001

1kΩ,1%,1/16W

ROHM

2

Resistor

R140,R240,,

MCR01MZPF3600

360Ω,1%,1/16W

ROHM

2

Resistor

R141,R146,R150,R241
R246,R250,,

MCR01MZPF2202

22kΩ,1%,1/16W

ROHM

6

Resistor

R142,R242,,

MCR01MZPF1801

1.8kΩ,1%,1/16W

ROHM

2

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Table 10. Bill of Materials (3)DeviceSymbolMountedManufacturer Model
Name

ValuesManufacture QTY

Resistor

R143,R243,,

MCR01MZPF4701

4.7kΩ,1%,1/16W

ROHM

2

Resistor

R144,R149,R155,R244
R249,R255,,

MCR01MZPF5602

56kΩ,1%,1/16W

ROHM

6

Resistor

R145,R245,,

MCR01MZPF3902

39kΩ,1%,1/16W

ROHM

2

Resistor

R148,R248,,

MCR01MZPF2701

2.7kΩ,1%,1/16W

ROHM

2

Resistor

R154,R254,,

MCR01MZPF2002

20kΩ,1%,1/16W

ROHM

2

Resistor

R157,R162,R163,R164
R165,R166,R167,R257
R262,R263,R264,R265
R266,R267,R5,

NON-MCR03

-

-

15

Resistor

R161,R261,R8,

MCR01MZPF2201

2.2kΩ,1%,1/16W

ROHM

3

Resistor

R170,R270,,

MCR01MZPF4700

470Ω,1%,1/16W

2

Transformer

T101,T201,,

HFTR4CA

2-output(23V/-4V)

ROHM
PROTERIAL※2

Terminal

TT1,,,

TH-1.6-M3

M3,30A

MAC8

1

Resistor
Zener
Diode
Zener
Diode
Zener
Diode

X102,X202,,

MCR10EZPJ000

0Ω,2A

ROHM

2

ZD101,ZD201,,

TFZVTR12B

12V, 20mA

ROHM

2

ZD102,ZD202,,

TFZVTR30B

30V, 20mA

ROHM

2

ZD103,ZD203,,

TFZVTR6.2B

6.2V, 20mA

ROHM

2

NOP

*1. As for 'ABLIC' products, please contact ' Kanematsu Futuretech Solutions'Because this part name is ROHM custom.
mailto:Masateru_Kojima@kft.kanematsu.co.jp*2. Please find the website of ' PROTERIAL'.
https://www.proterial.com/products/soft_magnetism/isolation_transformer.html© 2019 ROHM Co., Ltd.

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10. レイアウト図© 2019 ROHM Co., Ltd.

Figure 22.

Top-Layer(Top view)

Figure 23.

Layer 2(Top view)

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Figure 24.

Layer 3(Top view)

Figure 25.

Layer 4(Top view)

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Figure 26.

Figure 27.

© 2019 ROHM Co., Ltd.

Layer 5(Top view)

Bottom-Layer(Top view)

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11. 外形図
Mechanical Units: mm

Top View

Side View

Figure 28.

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Mechanical Dimensions

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Noticeご 注意

ロームグループ（以下「ローム」という）製品のご紹介を目的としています。
ローム製品
1) 本資料に記載されている内容は、のご使用にあたりましては、別途最新のデータシートもしくは仕様書を必ずご確認ください。
2) ローム製品は、一般的な電子機器（AV機器、OA機器、通信機器、家電製品、アミューズメント機器等）もしくはデータ
シートに明示した用途への使用を意図して設計・製造されています。
したがいまして、極めて高度な信頼性が要求され、その故障や誤動作が人の生命、身体への危険もしくは損害、またはその他の重大な損害の発生に関わるような機器または装置（医療機器、輸送機器、交通機器、航空宇宙機器、原子力制御装置、燃料制御、
カーアクセサリーを含む車載機
器、各種安全装置等）（以下「特定用途」という）にローム製品のご使用を検討される際は事前にローム営業窓口までご相談くださいますようお願いいたします。
ロームの文書による事前の承諾を得ることなく、特 定用途にローム製品を使用したことによりお客様または第三者に生じた損害等に関し、
ロームは一切その責任を負いません。
3) 半導体を含む電子部品は、一定の確率で誤動作や故障が生じる場合があります。万が一、誤動作や故障が生じた場合であっても、人の生命、身体、財産への危険または損害が生じないように、
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4) 本資料に記載された応用回路例やその定数などの情報は、
ローム製品の標準的な動作や使い方を説明するためのもので、実際に使用する機器での動作を明示的にも黙示的にも保証するものではありません。
したがいまして、お客様の機器の設計において、回路やその定数及びこれらに関連する情報を使用する場合には、外部諸条件を考慮し、お客様の判断と責任において行ってください。
これらの使用に起因しお客様または第三者に生じた損害に関 し、ロームは一切その責任を負いません。
5) ローム製品及び本資料に記載の技術を輸出または国外へ提供する際には、「外国為替及び外国貿易法」、「米国輸出管理規則」など適用される輸出関連法令を遵守し、それらの定めにしたがって必要な手続きを行ってください。
6) 本資料に記載された応用回路例などの技術情報及び諸データは、あくまでも一例を示すものであり、これらに関する第三者の知的財産権及びその他の権利について権利侵害がないことを保証するものではありません。
また、
ロームは、本資料に記載された情報について、ロームもしくは第三者が所有または管理している知的財産権その他の権利の実施、使用または利用を、明示的にも黙示的にも、お客様に許諾するものではありません。
7) 本資料の全部または一部をロームの文書による事前の承諾を得ることなく転載または複製することを固くお断りいたします。
8) 本資料に記載の内容は、本資料発行時点のものであり、予告なく変更することがあります。
ローム製品のご購入及びご使用に際しては、事前にローム営業窓口で最新の情報をご確認ください。
9) ロームは本資料に記載されている情報に誤りがないことを保証するものではありません。万が一、本資料に記載された情報の誤りによりお客様または第三者に損害が生じた場合においても、
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