２０１６ 第２６回 ＲＣＪ信頼性シンポジウム（“EOS/ESD/EMCシンポジウム”、“電⼦デバイス・電⼦部品の信頼性シンポジウム”）
⽇時︓ 2016年11⽉29⽇（⽕）〜11⽉30⽇（⽔）
⽇時
項⽬
会場

11⽉29⽇（⽕）
EOS/ESD/EMC
電⼦デバイス・電⼦部品のシンポジウム
信頼性シンポジウム
優秀論⽂等表彰式
４階コンベンションホール
Ａ会場
Ｂ会場(10:00〜11:50)

午前「デバイス」(10:45〜11:45)「デバイス発熱解析」

開催場所︓⼤⽥区産業プラザ
11⽉30⽇（⽔）
EOS/ESD/EMC
シンポジウム

電⼦デバイス・電⼦部品の信頼性シンポジウム

４階コンベンションホール
Ａ会場
Ｂ会場(10:00〜11:30)「招待講演」
Dr. Charvaka Duvvury⽒（10:00〜12:00）

信頼性セミナー

11:40〜12:30）「イオナイザー」

昼（11:50〜12:10）

優秀論⽂等表彰式（13:30〜15:00）「招待講演」
午後 前半「EOS/ESDシンポ優秀論⽂」
Dr. Mahadeva Iyer⽒
午後 後半（15:30〜16:45）「デバイス＆試験」（12:30〜13:30）（12:00〜13:00）（13:30〜15:10）「イミュニティ(1)」（13:00〜16:45）

休憩（13:30〜15:30）「機能安全セミナー」（15:45〜16:45）「デバイス・実装信頼性」（17:00〜19:00）

夜

情報交換会 (軽⾷・ドリンク付き)
4 階コンベンションホール ロビー（ホワイエ）

展⽰会（10:00〜17:00）（2階⼩展⽰ホール）
ESD関連装置の展⽰及びESD対策技術ワークショップ（15:40〜16:30）「イミュニティ(2)」休憩

信頼性セミナー・招待講演︓瀬⼾屋 孝⽒「半導体製品信頼性試験
⽅法の国際規格動向」

・信頼性セミナーのテーマ「“パワー半導体の信頼性”と”LSI信頼性”」（10:00〜17:00）（2階⼩展⽰ホール）
ESD関連装置の展⽰及びESD対策技術ワークショップ

主催 ⼀般財団法⼈ ⽇本電⼦部品信頼性センター
協
賛 ⼀般社団法⼈ 電⼦情報技術産業協会 ⼀般社団法⼈ ⽇本電機⼯業会(順不同) ⼀般社団法⼈ ⽇本電気計測器⼯業会 ⼀般財団法⼈ ⽇本規格協会
⼀般社団法⼈ ⽇本電⼦回路⼯業会
⼀般財団法⼈ 光産業技術振興協会
⽇本信頼性学会 IDEMA JAPAN

⼀般社団法⼈ 電⼦情報通信学会
⼀般社団法⼈ 電気学会
⼀般財団法⼈ ⽇本科学技術連盟 静電気学会
公益社団法⼈ ⽇本磁気学会
⼀般社団法⼈ 情報通信ネットワーク産業協会
SPE ⽇本⽀部

シ ン ポ ジ ウ ム の概要
RCJ信頼性シンポジウムは、電⼦部品、電⼦デバイス、電⼦機器等の信頼性技術者・⽣産技術者を対象に、信頼性及びESDという共通のテーマで論⽂発表・討論しあい、より進歩した信頼性向上技術、ESD障害対策技術等の分野での発展に寄与することを狙いとしています。
本シンポジウムは、静電気関連問題を中⼼に扱う”EOS/ESD/EMCシンポジウム”、及び電⼦デバイス・電⼦部品の信頼性問題
を中⼼に扱う”電⼦デバイス・電⼦部品の信頼性シンポジウム”からなっており、今年で26回⽬を迎えました。
EOS/ESD/EMC関係では、昨年に続きDr. Charvaka Duvvury⽒による招待講演、及びDr. Mahadeva Iyer⽒による招待講演、その他従来からのテーマである”デバイスのESD対策、システム・デバイス試験、イミュニティ”に関する各セッションがあり、幅広くESD現象と対策について討議できる場を提供しています。
電⼦デバイス関係では、最近注⽬されています“機能安全”に関するセミナー及び“パワー半導体の信頼性”を中⼼としたセミナーを開催し、従来からのテーマである半導体信頼性及び実装技術信頼性に関する発表等もあります。
また、同会場２階の⼩展⽰場では、静電気（ESD）対策⽤資材、計測・評価試験装置及び故障解析技術サービス等をテーマとした“信頼性・ESD対策技術展⽰会”及びESD対策技術ワークショップを同時開催します。
⽇頃、この⽅⾯でご活躍の皆様の多数のご参加をお待ちしております。
（2016.11.10）
本内容は今後変更になる可能性があります。RCJ ホームページ（http://www.rcj.or.jp）で随時ご確認願います。

-1-第２６回 ＥＯＳ/ＥＳＤ/ＥＭＣシンポジウム プログラム
開 催 ⽇ ︓ ２０１６年１１⽉２９⽇（⽕） １０︓００〜１９︓００
会 場 ︓ ４階コンベンションホール（Ａ会場）（10:00~10:05） 「開会の挨拶」（⼀財）⽇本電⼦部品信頼性センター（10:05~10:10） 「今年度のEOS/ESD/EMCシンポジウムについて」

鈴⽊ 輝夫（（株）ソシオネクスト）

セッション名︓ 「デバイス」 司会︓ 藤原 秀⼆（オン・セミコンダクター）、澤⽥ 真典（阪和電⼦⼯業(株)）（10:10~11:35） 26E-01 「内部電源ノードを⽤いた16nmアナログIPのクロスパワードメインCDM保護設計」
成⽥ 幸輝、奥島 基嗣 （ルネサスエレクトロニクス（株））
PLL等の⼩規模アナログIP内にある、アナログ-デジタル電源領域間の異電源渡り信号回路は、CDM試験に対して脆弱な回路の⼀つである。特に、ゲート酸化膜耐圧の低い先端プロセスで設計され、かつ、CDM試験による電圧ストレスが⼤きくなりやすい⼤パッケージへ実装されたLSIにおいて、この回路のCDM耐圧確保は困難である。
本発表では、16nmプロセスのアナログIPにおいて、アナログ電源領域内のレギュレータにより⽣成された内部電源ノードを利⽤することで、異電源信号の信号劣化無しに異電源渡り信号回路のCDM
耐圧を向上させる設計技術について報告する。
（10:35~11:00） 26E-02 「ICパッケージ内部におけるRCトリガ電源保護回路の発振」
⼩沢 忠史、植野 振⼀郎、佐々⽊ 真吾 （（株）メガチップス）
RCトリガタイプの保護回路を有する電源に対し、ノイズ等により急峻な電圧変動が⽣じると、電源ON時でも保護回路が作動する場合がある。この事⾃体は、保護回路が適切に作⽤する証左とみなす事も可能である。しかし、BigNMOSをドライブするインバータが複数段の場合、電源ON時に⼀度保護回路にトリガがかかると、発振状態に陥ってしまい、停⽌出来ずに電流を流し続けてしまう事がある。これを原理的に解決する⼿段は、インバータ段数を1段とする事である。
本論⽂では、インバータ複数段の場合の発振メカニズムと、インバータ1段の場合の発振回避のメカ
ニズムを説明する。
（11:00~11:25） 26E-03 「P/N ハイブリッドゲートMOSを⽤いた超低消費電⼒ESD保護素⼦」
深作 克彦、巽 孝明、宮崎 俊彦、⼤沼 英寿（ソニーセミコンダクタソリューションズ（株））
ESD保護素⼦の低スタンバイリーク化とESD放電能⼒を両⽴するデバイス構造を提案する。RC
トリガー保護素⼦のMain-MOSをゲート電極中央とドレイン端をP/Nハイブリット構造として、⾼Vth化とゲート端電界緩和による低スタンバイリーク化を実現した。
（11:25~11:50） 26E-04 「CDM耐性改善に向けた先端CMOS電源クランプ設計」
牧野 康幸、前⽥ 敏、⽥中 正徳、⼤塚 容⼦、鵜澤 義仁、森下 泰之（ルネサス システムデザイン (株)）
先端CMOS技術を⽤いたLSIチップ設計においては、製造プロセスの進化に伴って、トランジスタ構造が脆弱になり、ESD保護設計が益々難しくなっている。特にPower Rail型の電源ESDクランプ回路
においては、ESD耐性(特にCDM-ESD耐性)が電源メタル配線抵抗の影響を受けやすく、チップ設計においては細⼼の注意を要する。今回、我々はCDM耐性を改善しつつ、トータルチップESD設計検証を容易にする電源クランプ回路を考案したので、その設計⼿法とESD保護性能について紹介する。

-2-

挨拶

第25回ＲＣＪ信頼性シンポジウム優秀論⽂賞等表彰式 （11:50~12:10）
⽊村 忠正 （電気通信⼤学名誉教授 ＲＣＪ信頼性シンポジウム運営委員⻑）⽊村 忠正 （電気通信⼤学名誉教授 ＲＣＪ信頼性シンポジウム運営委員⻑）＜優秀論⽂賞＞「デバイス帯電電圧に着⽬したESD管理法の考察」
牧 国広、 廣瀬 賢司、 加来 太、若井 伸之、 瀬⼾屋 孝（（株）東芝 セミコンダクター＆ストレージ社）＜功労賞＞
澤⽥ 真典（阪和電⼦⼯業（株））
尾前 宏 （⿅児島県⼯業技術センター）＜奨励賞＞「静電気放電によるロボットの誤動作に関する研究」
⼤津 孝佳、○⼤⽯ 晋平、堂⼭ 英之、⻑﨑 祐亮、宮内 広海、⽚岡 俊⼆、池⽥ 怜太郎、五⼗嵐 翔（沼津⼯業⾼等専⾨学校）
セッション名︓ 招待講演
（13:30~14:00）

Invited

司会︓ 磯福 佐東⾄（東京電⼦交易（株））、鈴⽊ 輝夫（（株）ソシオネクスト）
ESDA 2015 EOS/ESD Symposium Best Paper「An Off-Chip ESD Protection for High-Speed Interfaces」
Dr. Guido Notermans（NXP）
High-speed interfaces, e.g. for USB3.1 or HDMI2.0, require high system level
ESD protection, typically 15 kV, without affecting signal integrity. This paper
describes the development of a novel bipolar process and the design of afast-switching, low-voltage clamping protection combining high protection
capability with excellent signal integrity.

（14:00~15:00）

Invited「Physical mechanisms degrading SOA in Power Transistors under
ESD Conditions」○
Dr. Natarajan Mahadeva Iyer, Jian-Hsing Lee and Haojun Zhang（Global Foundries）
The safe operating area (SOA) of a power transistor is a very importantparameter for power management IC design. It provides the maximum rangethat power transistor can operate without deteriorating its basic electricalperformance parameters. The fundamental physical mechanism decreasingtransistor SOA boundary and drain current with the increasing transistor total
width is discussed in this presentation. The skin effect, proximity and Hall-effectarising from the large varying-current are attributed to transistor SOA
degradation with experimental results correlating to simulation data.

休憩（15:00~15:30）
セッション名︓ 「デバイス＆試験」 司会︓ ⼩⼭ 明（ソニーセミコンダクターソリューションズ（株））、（15:30~15:55）（15:55~16:20）+

26E-05 「p奥島 基嗣（ルネサスエレクトロニクス（株））
バラスト800V SCR-JFET動作の詳細検討」
藤原 秀⼆（オン・セミコンダクター）

p+バラスト構造を有する800V SCR-JFETの動作を、試作素⼦の測定評価（HBM波形観測、TLP特性測定）、と３D TCAD解析（TLPシミュレーション）により、詳細に検討した。検討の結果明らかとなったバラストが有する効果について報告する。
26E-06 「リレーベースESD試験装置における、寄⽣容量に影響を受けた放電波形についての考察」
澤⽥ 真典、三浦 秀明、中尾 春喜、松井 信近 （阪和電⼦⼯業（株））
多ピンESD試験機において、測定の⾃動化のためにリレーを使⽤することは不可⽋である。しかしながらリレーを多数使⽤すると、それらの寄⽣容量のつきかたにより、放電波形が歪められることが知られている。この波形について実際に確認し、その対応策について検討する。

-3-

（16:20~16:45）

26E-07 「帯電電圧に着⽬した半導体デバイスのESD管理⽅法の考察」
牧 国広1)、 廣瀬 賢司1)、 加来 太1)、若井 伸之2)、 瀬⼾屋 孝2)（1:（株）ジャパンセミコンダクター、2:（株）ストレージ＆デバイスソリューション社）
昨年、発表した半導体デバイスの製造・取り扱い⼯程でのデバイス帯電と放電に着⽬し、接触電位計を⽤いることで、効果的に管理を展開出来ることを報告した。今回、デバイスの帯電状況、特に帯電後のGND状態の変化等で⾒かけ上の電位が⼤きく変わることを確認した。各種パッケージを⽤いた検討評価の結果を紹介し、実際の⼯程での帯電・放電現象の発⽣の考察を⾏い、現在広く展開されている⼀般的なESD管理規格に対して、さらにESDに敏感なデバイスへのアドバンスな管理⽅法として提案を⾏う。

17:00〜19:00

情報交換会 (軽⾷・ドリンク付き)
会場︓ 4階コンベンションホール ロビー（ホワイエ）

開 催 ⽇ ︓ ２０１６年１１⽉３０⽇（⽔） １０︓００〜１６︓３０
会

場 ︓ ４階コンベンションホール（A会場）
招待講演

司会︓ 若井 伸之（（株）東芝ストレージ＆デバイスソリューション社）「Industry Council ESD Seminar Presented at 2016 RCJ Symposium」（10:00~11:30）
Dr. Charvaka Duvvury, IEEE Fellow
This talk will present the Councilʼs new comprehensive understanding of EOS failurecauses and some important lessons learned for EOS mitigation will be summarized,
and also present the latest JEDEC HBM/CDM Test Standards.

休憩（11:30~11:40）
セッション名︓ 「イオナイザー」 司会︓本⽥昌實 (インパルス物理研究所)（11:40~12:05） 26E-08 「移動している物体の除電をも考慮した新しいイオナイザ評価指標の提案」
杉本 俊之 （⼭形⼤学⼤学院理⼯学研究科 電気電⼦⼯学専攻）
イオナイザの評価法として、JIS C 62340が広く利⽤されている。これは、1000Vに帯電したプレー
トが100Vまで減衰する時間（除電時間）とプレートの最終電位（イオンバランス）を測定するものである。この評価法は複数のイオナイザを相対的に数値として評価するのには適している場合もある
が、100Vよりずっと低い電位まで除電する必要がある場合の評価指標としては適さない。また、動いている物体を除電する場合には、どのようにイオナイザを運⽤すれば効果的な除電ができるかを推定できるものではない。本研究では、低電圧領域での除電性能を⼗分に把握でき、かつ、イオナイザを運⽤する者が効果的な除電を⾏うためにどのようにライン設計すればよいかの指針が得られるような、新たなイオナイザ評価法を提案する。また、その評価法の実⽤例として、市販のイオナイザと、本研究室で開発した電界駆動型イオナイザの性能⽐較を⾏った。
（12:05~12:30） 26E-09 「イオン搬送式イオナイザーの開発-超⾳波を⽤いた静電霧化による粗⼤荷電粒⼦の⽣成-」
鈴⽊政典、 佐藤朋且 （（株）テクノ菱和）
近年、半導体、液晶製造等の⽣産装置内の狭いスペースでの静電気対策を⽬的として、正負のイオンを細いチューブでユースポイントまで搬送し、帯電体を除電するタイプのイオナイザー（イオン搬送式イオナイザー）の開発を⾏ってきた。しかし、静電拡散によるイオンのチューブ内壁への付着や、イオンの再結合により、イオン量が急速に減少することが問題になっていた。そこで、冷却等で微細ミストを発⽣させ、それに軟Ｘ線等で発⽣させた正負イオンを付着させる⽅法で、イオン（微⼩荷電粒⼦）を粗⼤化し、粗⼤荷電粒⼦にすることにより、イオンの電気的移動度を⼩さくして、搬送距離を改善
できる除電システム（荷電粒⼦搬送式イオナイザー）を考案した。前報では超⾳波を⽤いた静電霧化による荷電粒⼦搬送式イオナイザーを考案し、諸要因がイオナイザーの除電性能に与える影響について評価した。
本報では、それらの結果を踏まえて、①超⾳波を⽤いた静電霧化の特性の調査と、②その特性に従って、超⾳波を⽤いた静電霧化による荷電粒⼦搬送式イオナイザーの除電性能を最適化するための検討と、を⾏ったので、その結果について報告する。

-4-

休憩（12:30~13:30）
セッション名︓「イミュニティ（1）」 司会︓⽯塚 裕康(Synaptics Japan)､徳永 英晃(パナソニック AIS社)（13:30~13:55） 26E-10 「導電性複合材料の帯電特性と放電特性に関する研究」
⼤津孝佳、○⼤⽯晋平、⽥代治⼰、藤⽥真太郎（沼津⼯業⾼等専⾨学校）
電⼦デバイスの⾼性能化・⾼密度化に伴い、配線の実装密度の増加、⾼周波数化、⾼帯域化が進んでいる。それに伴い、静電気耐⼒が低下しており、システムレベルでの対策が望まれる。そのため、本研究では電⼦デバイスのケースやロボットのボディに使⽤されるCFやCNT等の導電性材料の放電特性（放電電圧・放電電流・放射電磁波）を静電気特性評価装置により観察した。また、放電
電流と帯電電圧との関係を詳細に調べるため、e-Scope((株)阪和電⼦⼯業)を⽤いて観察を⾏った。更に、⼤気圧プラズマ照射による表⾯改質を⾏い放電電流の低減の効果について調べた。その結果、帯電電圧の⾼いhot spotと放電電流の⼤きなcold spotが存在することが分かった。また、⼤気圧プラズマ照射による放電電流の低減の⾒通しが得られた。
（13:55~14:20） 26E-11 「光電界センサによる放電現象のタイムドメイン測定」
⼤津孝佳1、○荻島規宏1、⽥代治⼰1、尾原航平1、⼤沢隆⼆2（沼津⼯業⾼等専⾨学校１, （株）精⼯技研2）
携帯電話、スマートフォン、タブレット端末などユビキタス時代の到来とともに、半導体製品が様々な環境下で使われるようになっている。特に、静電気により数 kV に帯電した⼈体からの放電、摩擦や静電誘導によって帯電した機器との接続による放電など、静電気放電による電⼦機器の破壊や誤動作
は深刻な問題である。よって、コンポーネントレベルでの静電気対策のみならず、システムレベルでの静電気対策が急務とされる。本報告では、ESD ガン印加時や静電気放電時の放電電圧波形、放電
電流波形、放射電磁波波形が同時に観察できる装置を開発し、各種静電気対策材料の観察結果と共に保護素⼦との⽐較結果について述べる。
（14:20~14:45） 26E-12 「帯電導体板上の絶縁体の逆帯電について その2」
宮本 佳明（阪和電⼦⼯業（株））
導体板を通じて⾼電位を与えた絶縁体の表⾯電位は、時間経過とともに低下していくことがわかっている。また、その原因が絶縁体の表⾯に逆極性の帯電が⽣じていることに起因していることがわかっている。しかしながら、測定環境の違いによって逆極性帯電の⼤⼩、有無の違いがでている。
今回、測定環境の違いとして、逆極性の帯電の⼤きさの湿度依存性について調べた。

（14:45~15:10） 26E-13 「⾼電⼒伝送中の同軸線路の同相信号を電流プローブで測定する」
磯福 佐東⾄（東京電⼦交易（株））
電流プローブ（Current Transformer）に 1 本の導線を通すと、その導線を流れる電流値を極性付きで測定できる。2 本の導線を通すと、両導線を流れる電流値を極性付きで加算した値を測定する。例えば 50Hz の交流電源で動作する機器の電源コードの 2 本の線を通すと個々の線には極性が逆の電流が流れるので測定電流値はゼロとなる。これは同軸線路の場合でも同じで、機器内部或いはその周辺での各種の放電を検出する⽬的で、同相ノイズを検出する電流プローブを⽤いる事は⼀
般的に⽤いられている。しかし、同軸線路を使って伝送されている電⼒が⼤きい（電流値或いは電圧値が⼤きい）場合その電⼒が含んでいる周波数成分が⾼くなると、同相ノイズ以外の成分をセンスしてしまう事もありうるので注意が必要である。

休憩（15:10~15:40）
セッション名︓ 「イミュニティ（2）」
司会︓ ⼤津 孝佳 （沼津⼯業⾼等専⾨学校）「ＥＳＤ事象による装置誤動作について」（15:40~16:05） 26E-14
本⽥ 昌實（（株）インパルス物理研究所）
静電気放電（ＥＳＤ）事象、とりわけ衝突ＥＳＤと誘導ＥＳＤによる電⼦装置の誤動作問題を俯瞰する。
（16:05~16:30） 26E-15 「放電電流プローブによる2端⼦抵抗デバイスからの放電検出」
早⽥ 裕 （プローブテック(株)）
⾦属間の接触放電によりデバイスのESD破壊が発⽣する。放電電流プローブを⽤いて、2端⼦抵抗デバイスからの接触による放電電流を測定した。放電電流波形は、3種類に分類される。安定な
電流波形を⽤いて、全電流波形とシングルパターンの電流波形から、デバイスに流れる電流の算出を
試みた。

-5-

第２６回 電⼦デバイス・電⼦部品の信頼性シンポジウム プログラム
開催⽇︓

２０１６年１１⽉２９⽇(⽕) １０︓４５〜１９︓００

会 場︓

４階コンベンションホール（B会場）

セッション名︓ 「デバイスの発熱解析」 司会︓ ⼤⽇⽅ 浩⼆（ソニーセミコンダクターソリューションズ（株））(10:45~11:15) 26S-01 「光学プローブ反射率測定による半導体パワーデバイスの熱解析(OPTIM / OPTW)」
遠藤 幸⼀ 1，瀬⼾屋 孝 1，中村 共則 2，松本 徹 2，越川 ⼀成 2，中前 幸治 3
（1︓（株）東芝ストレージ＆デバイスソリューション社、2︓浜松ホトニクス株式会社 システ
ム事業部、3︓⼤阪⼤学 ⼤学院情報科学研究科）(11:15~11:45)

熱挙動を観測する故障解析ツールとしてはロックインサーモグラフィーが広く使われている．しかし，２次元サーモグラフィーカメラによる受動的観測は，半導体デバイスのＣｈｉｐ状態での解析に⽤いる際は空間分解能・時間分解能ともに⼗分ではない．理由は観測対象のSiや⾦属は熱伝導率が⾼いことと⾚外線輻射率が低く，カメラの撮影速度と感度が⾼くないためである．
本研究ではロックインサーモグラフィーよりも⾼い周波数で測定が可能な反射率温度依存性の測定⽅法を⽤いて，パワーデバイス表⾯メタルの上から測定し，⾼い分解能を得た．この⽅法でロック
インサーモグラフィーの⽋点を克服し，詳細な解析が⾏えることを⽰す．
26S-02 「ロックイン発熱解析(LIT)を⽤いた解析システムの確⽴」
⼭本 剣、味岡 恒夫、⾼森 圭、今井 康雄（沖エンジニアリング（株））
ロックイン発熱解析（LIT）は故障箇所特定法の⼀つで、電⼦機器や電⼦部品動作時の発熱を⾼感度に検出できるため、樹脂包埋されたチップ部品やプリント基板内層部の故障箇所を特定でき、実装基板からの解析を⾶躍的に発展させる⽅法として期待されている。我々はこの解析を様々な試料に適⽤できるプロービングシステム、LIT を透過X 線などの他の解析を相互に⾏うことや、樹脂、配線膜などを除去する加⼯と併⽤しながら故障箇所を絞り込む解析によるシステム、故障要素を観察・分析する物理解析を構築し、効率的な故障解析を実現させた。

休憩（11:45~13:30）

機能安全セミナー︓ 「機能安全とリスクマネジメントと半導体 LSI のソフトエラーと ISO 26262 での対応」
司会︓

塩野 登（ＲＣＪ）(13:30~14:30) 「機能安全とリスクマネジメント―製品に係る個⼈及び集団のリスクについて―」佐藤 吉信 （元東京海洋⼤学）(14:30~15:30)

個々の製品に起因する危険事象率は機能安全の実践により得られる。この危険事象率の知⾒に基づき、市場に供された多数の製品に起因する社会的リスクを推定し、そのリスクマネジメントを⾏うための⼿法を紹介する。
「半導体LSIのソフトエラーとISO 26262での対応」
塩野 登 （RCJ）
半導体LSIは、地上に降り注ぐ⾼エネルギー中性⼦線によりソフトエラーが起こることが知られている。この
中性⼦線ソフトエラーの発⽣メカニズムと、ISO 26262の安全分析で、このソフトエラーにどのように対応しているかを中⼼に解説する。

休憩（15:30~15:45）
セッション名︓ 「デバイス・実装信頼性」
司会︓ ⽳⼭ 汎（RCJ）(15:45~16:15) 26S-03 「直交表を⽤いたパワーデバイス IGBT の信頼性評価」
⻫藤 貴之、鈴⽊ 啓修 （（株）村⽥製作所）
電気機器に組込まれる電⼦部品や材料を選定する際には、特性や価格、信頼性などが判断基準となるが、このうち信頼性の評価については多くの時間やコストなどのリソースを要する問題がある。そこで、問題を解決するために、信頼性試験項⽬をパラメータとした直交表を⽤いることで、信頼性評
価を⼿早く⾏う⼿法を検討している。今回、複数の半導体メーカから購⼊したパワーデバイス IGBT について、L18 直交表を⽤いることで、信頼性の⽐較評価を短期間で⾏った事例について報告する。
(16:15~16:45) 26S-04 「半導体製品におけるガス腐⾷耐性と実使⽤上の問題点」
飯塚 和宏、知野 泰弘、福⼠ 俊光、 瀬⼾屋 孝（（株）東芝ストレージ＆デバイスソリューション社）-6-

今後の⾞載・産業⽤途製品の増加に伴い、⾞載向け LED 製品(ブレーキランプ等)に代表される
様に、半導体製品の屋外使⽤を想定したガス腐⾷耐性の重要性は増加してくるものと想定される。
本発表では、ガス腐⾷試験における弊社半導体製品のガス腐⾷試験耐性の結果、および屋外使⽤を想定した⾼濃度の化学活性物質排出地域における⼤気暴露試験の結果より、半導体製品のガス腐⾷耐性における実使⽤上の問題点について報告する。

17:00〜19:00

情報交換会 (軽⾷・ドリンク付き)
会場︓ 4階コンベンションホール ロビー（ホワイエ）

開催⽇︓

２０１６年１１⽉３０⽇(⽔) １０︓００〜１６︓４５

会

４階コンベンションホール（B会場）

場︓

信頼性セミナー︓ 「“次世代パワー半導体の信頼性”と“LSI信頼性”」
司会︓

⽊村 忠正 （電気通信⼤学）「故障物理委員会活動状況とパワー半導体の ⽊村 忠正（故障物理委員会委員⻑
基礎」
電気通信⼤学）奥⻄ 拓⾺（10:30~11:15） 「SiC系パワー半導体の信頼性」（ルネサスエレクトロニクス（株））
清⽔ ⽴雄（11:15~12:00） 「GaN系パワー半導体の信頼性」（ルネサスエレクトロニクス（株））（10:00~10:30）（12:00~13:00） 昼⾷休憩
招待
瀬⼾屋 孝
「半導体製品信頼性試験⽅法の国際規格動（(株)東芝ストレージ＆デバイスソリューション
（13:00~14:15）
向 」 〜 AEC-Q100, JEDEC, IEC,社）
LV324 ,JEITA 試験規格の動向〜（14:15~14:30） 休憩
司会︓

清⽔ ⽴雄（ルネサスエレクトロニクス（株））(14:30~15:15）「信頼性の寿命分布に関する最近の動向－ばらつきとクラスタリング〜」

横川 慎⼆（電気通信⼤学）(15:15~16:00） 「NBTI 劣化モデルのレビュー」

桐⼭ 賢（ルネサスエレクトロニクス（株））(16:00~16:45） 「デバイス/回路のばらつきと信頼性」

堤 利幸 （明治⼤学）（注：

テーマ名等プログラムが変更される場合があります）＜要旨＞
現在半導体分野でのホットな話題は、新材料を用いたパワー半導体です。RCJ 故障物理委員会では、この次世代のパワー半導体の動向と信頼性問題を取り上げ、調査研究をしています。本セミナーは、これらの調査活動成果を中心に報告するものです。また、招待講演として、「信頼性試験の国際規格動向」について、この分野の専門家である瀬戸屋 孝氏にご講演頂きます。さらに、パワー半導体以外に、従来より調査活動を進めてきた“ＬＳＩ信頼性問題”についても報告します。
本セミナーでは、現在LSI信頼性の分野で問題となっているホットな話題を取り上げています。半導体デバイス信頼性に携わっている方は勿論その他の分野に携わっている方々のご参加をお勧めします。

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信頼性・ESD 対策技術展示会（無料）（静電気障害対策技術及び ESD 故障解析技術を扱う専⾨の展⽰会）
静電気の影響を受けやすい電⼦デバイス・部品、電⼦機器などを扱う信頼性技術者、設計技術者、品質技術者の⽅々を対象に、より進歩した静電気障害対策技術、静電気測定技術、故障解析技術を扱う専⾨の展⽰会です。この分野の専⾨メーカが展⽰しますので、最新の技術情報収集のためにも是⾮お⽴ち寄り下さい。

期⽇︓ 平成 28 年 11 ⽉ 29 ⽇（⽕）〜11 ⽉ 30 ⽇（⽔）︓ 10:00〜17:00
会場︓ ⼤⽥区産業プラザ（東京 蒲⽥）、2 階⼩展⽰場
主催︓ NPO 法⼈ ESD 協会、（⼀財）⽇本電⼦部品信頼性センター
同時開催︓ ESD 対策技術ワークショップ（無料）
同会場内特設会場にて（プログラムの詳細︓RCJ ウエブ（http://www.rcj.or.jp）参照）

出展社名
株式会社いけうち

OKIエンジニアリング〒108-0022 東京都港区海岸3-9-15 LOOP-X 14階
TEL：03-6400-1973､E-mail：dryfog@kirinoikeuchi.co.jp
URL：http://dryfog.kirinoikeuchi.co.jp

春⽇電機株式会社〒179-0084 東京都練馬区氷川台3-20-16
TEL：03-5920-2366, E-mail:oeg-dsales-g@oki.com
URL: http://www.oeg.co.jp

クレハエクストロン株式会社〒212-0032 神奈川県川崎市幸区新川崎２番４号
TEL: 044-580-3511, E-mail: info@ekasuga.co.jp
URL: http://www.ekasuga.co.jp〒143-0004 東京都大田区昭和島2-4-4
TEL：03-3764-2511,
E-mail: masao-sakai@kureha-extron.co.jp
URL : http://www.kreha-extron.co.jp

シシド静電気株式会社

第⼀合成株式会社〒145-0065 東京都大田区東雪谷1-3-3
TEL：03-37270161
E-mail: info@shishido-esd.co.jp
URL：http://www.shishido-esd.co.jp〒192－0051 東京都八王子市元本郷町1-25-5
TEL：042－624－5436
E-mail：info@daiichigosei.co.jp
URL：http://www.daiichigosei.co.jp/

中国深圳百泉河実業有限公司

テク･トライアングル〒518101 中国深圳市宝安区前進一路諾鉑広場1016室
TEL: 0086-0752-6518700内線817, E-mail: jp88@btree.cn
URL: http://www.btree.cn/

DESCO JAPAN株式会社〒299-4111 千葉県茂原市萱場776-58
TEL: 0475-36-7037
E-mail: suzuki.tech-triangle@chiba.email.ne.jp
URL: http://www.tech-triangle.jp

東京電⼦交易株式会社〒190-0023 東京都立川市柴崎町5-16-30
TEL: 042-548-8011, E-mail: sadohara@tet.co.jp
URL: http://www.tet.co.jp〒289-1115千葉県八街市八街ほ20-2
Tel: 043-309-4470、E-Mail：Tosh.Hagiwara@Desco.com
URL: http://www.DescoAsia.com

トレック・ジャパン株式会社

阪和電⼦⼯業株式会社〒103-0013 東京都中央区日本橋人形町1-2-12 元林ビル6F
TEL: 03-6264-8692, E-mail: sales@trekj.com
URL： http://www.trekj.com

ミドリ安全株式会社〒649-6272 和歌山県和歌山市大垣内689-3
TEL: 073-477-4435, E-mail: y-yata@hanwa-ei.co.jp
URL: http://www.hanwa-ei.co.jp

村上商事株式会社〒150-8455 東京都渋谷区広尾5丁目4番3号
TEL: 03-3442-8244, FAX: 03-3444-4508
URL: http://www.midori-esd.jp〒103-0023 東京都台東区駒形2-5-6 カミナガビル3階
TEL: 03-6231-7405, E-mail: info@murakamicorp.co.jp
URL: http://www.murakamicorp.co.jp★詳細は別途案内状をご覧下さい。（RCJ ホームページ（http://www.rcj.or.jp）にも掲載しています）。
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＜参加要領＞
場所、
定員

テキスト

参加区分（開催日）① 11月29日､11月30日:
RCJ信頼性シンポジウム発表論文集（2日間）（電子デバイス・電子部品の信頼性シンポジ
ウム、EOS/ESD/EMCシンポジウム）② 11月29日:（1日間）③ 11月30日:（1日間）（注：電子デバイス・電子部品、EOS/ESD/EMC
シンポジウム両方の聴講可能）

A、B
会場

参加費（消費税を含む）（円）
RCJ会員
協賛団体会員
非会員
大田区民

２５,０００３２,０００

１７,０００２２,０００

１７,０００２２,０００200名

申 込 先： 〒111-0043 東京都台東区駒形2-5-6 カミナガビル3F TEL：03-5830-7601、FAX：03-5830-7602（一財）日本電子部品信頼性センター 総務部
E-mail： masunaga@rcj.or.jp
申込締切： 11月22日（火）申込方法：「参加申込書」を上記あて送付すると共に、「参加費」を現金書留又は銀行振込でご送金下さい。
銀行振込の手数料は、申込者負担です。銀行振込の場合は、振込内容（振込予定日（分かる場
合：貴社の都合に合わせて結構です）、金額、振込人名義）を参加申込書に明記して下さい。
なお、請求書及び領収書の発行を致しますので、必要な場合はその旨申込書にご記入下さい。
参加申込者には、参加券を送付致します。シンポジウム発表論文集やセミナーテキストは当日配布します。
振込銀行 三菱東京UFJ銀行、日本橋中央支店、普通預金口座 0084373、
口 座 名 ： 名義：（一財）日本電子部品信頼性センター
きりとり線
・FAXの場合は切り取らずこの用紙のままご送付下さい。

参加申込書
区分欄に上記表の①、②、③の参加区分を必ず記入して下さい。
会 社 名
所 在 地
〒

会員又は否に○印を付けて下さい
RCJ賛助会員
協賛団体会員
大田区民

*受理番号

区分

ＴＥＬ
氏 名

否

所 属 ・ E-mail所属：
E-mail：所属：
E-mail：所属：
E-mail：所属：
E-mail：

ご記入して下さい。
●支払方法
現金書留／銀行振込●振込予定日
月日 ●振込金額●振込人名義円*受理番号欄には、記入しないで下さい-9-

備考（請求書、領収書の要否（該当箇所に○を付けて下さい））
請求書
要
不要
領収書
要
不要

◆会場ご案内

会場： 大田区産業プラザ： ４階コンベンションホール、２階小展示場〒144-0035 東京都大田区南蒲田１－２０－２０
交通： 京浜急行線・空港線/京急蒲田駅より徒歩約２分(品川・横浜・羽田空港よりの所要時間各約１０数分)
ＪＲ京浜東北線/蒲田駅より徒歩約１２分◆宿泊施設のご案内
遠方からお越しの方で宿泊が必要な場合下記のホテルに直接連絡してご利用下さい。
（１） グランパークホテル パネックス東京
ＴＥＬ： ０３－５７０３－１１１１〒144-0052 東京都大田区蒲田5-9-19（２） 東横イン 蒲田東口
ＴＥＬ： ０３－３７３６－１０４５〒144-0052 東京都大田区蒲田5-18-4（３） 相鉄フレッサイン東京蒲田 ＴＥＬ： ０３－５７１４－０３０３〒144-0052 東京都大田区蒲田5-19-12
注）（１）、（２）、（３）とも、ＪＲ蒲田駅東口徒歩２～３分程度（４） アパホテル京急蒲田駅前 ＴＥＬ： ０３－５７１３－３９３９〒144-0052 東京都大田区蒲田4-18-24（５） 東急ステイ蒲田 ＴＥＬ： ０３－５７１４－１０９０〒144-0052 東京都大田区蒲田4-23-1（６） チサンイン蒲田 ＴＥＬ： ０３－６７１５－７３１１〒144-0052 東京都大田区蒲田4-23-13
注）（４）、（５）、（６）とも、京急蒲田西口徒歩２～３分程度- 10 -