特集解説

レジストプロセスの基本正員実＊

佐々木Basics of Resist Process
Minoru Sasaki＊, Member
Basics of resist process are described including the practical techniques. The proximity patterning is cost-effective process
having the potential realizing arbitrary 2-3µm width pattern. After explaining the standard processes and mechanisms, someissues in MEMS region is described.
キーワード：レジストプロセス，フォトリソグラフィ
Keywords：resist process, photolithography1.

ある。大学ではよく行われるが，丸型ウェハをダイシングはじめにして，小さなチップ状にして使っている。この際のゴミとフォトリソグラフィの基本は，基板面一括の並列処理で考えられる。基板洗浄としては，ピラニア溶液（硫酸と過ある。工具を利用する機械加工と比較すると，微細にでき酸化水素水）等，強い化学薬品による処理を学ぶ。実は，るほど製作デバイス数を増やせるなど，生産性も含めて威図 1(a)ではこの洗浄処理を行っている。しかし，ダイシング力を発揮する。MEMS 分野の多くで，パターニングには，で最もありえるゴミは Si の破片である。ピラニア溶液は，ステッパではなくアライナによる近接露光を利用するであ有機物に有効であり，Si は取れない。有機溶剤と綿棒のよろう。費用対効果が高い。安定にパターニングできる最小

うな柔らかい繊維で，機械的に拭き取ることをお勧めする。

幅は 2-3µm，研究レベルではサブµm が目安である。上記パ拭き取る方向は，往復させず，一定方向にすると良い。

ターンサイズを自在に扱えることは，魅力である。フォト(２)と(３)は同じ理由である。細かなパターンが流れていリソグラフィの作業自体は明快で，多くの文献に説明があることから，パターン転写そのものは出来ているが，ウェる。但し，ある程度のノウハウの蓄積が必要となることがットな現像処理で異常が起こったと推測できる。ポジレジ

多く，フォトリソグラフィをツールとして利用したい者にストは，基本的に基板との密着が弱い。成膜の際，レジスとってはハードルともなる。高価なアライナを利用していトは液状態で基板上に引き伸ばされる。プリベークによりるにも関わらず，得られるパターンが良くない等の経験をシンナーが抜け，体積収縮する。構造材料として考えると，お持ちの方は，多いのではないだろうか。

大きな膜応力が働いていると考えられる。微細パターン形

本稿の機会を利用し，著者の知る範囲で具体例を紹介し成は，言い方を替えれば，孤立したレジスト領域の製作でつつ，基本ではあるがレジストプロセスの解説を試みる。

2.

成膜

図 1 は，経験の少ない学生が OFPR-800LB レジストを利用してパターニングした例である。図 1(a)は，一見して不良である。(１)基板全体に細かなゴミが付いている。(２)レジストの色が均一ではなく，グラデーションがかった部分がある。(３)上部にはピッチ 10µm のライン-アンド-スペース（デューティ比 1：1）が用意されているが，幅 5µm のラインが，斜めになっていたり，無くなっていたりする。

(a)

原因を説明する。(１)の細かなゴミは勿論取り除くべきで＊

図 1 パターニング例。(a) 初期結果，(b) 適切な処理

豊田工業大学〒980-8579 名古屋市天白区久方 2-12-1
Toyota Technological Institute2-12-1, Hisakata, Tenpaku-ku, Nagoya 468-8511© 2011 The Institute of Electrical Engineers of Japan.

(b)Fig. 1.

Patterning results of (a) 1st trial carried out by beginner,(b) appropriate process.
2

特 集 解 説ある。レジスト-基板間の接触面積が少なくなる。界面との薄くすることが基本である。レジスト-基板間の接触面積が密着が弱いと，どうしても剥がれ易い。対策は，前処理に同じで，レジスト膜が厚くなると，塗膜応力の膜厚分の積ある。図 2 が多くの教科書で紹介されるレジストプロセス分値が大きくなるため，剥離し易くなる。MEMS 特有の厚一連の工程である。前処理には，洗浄と，ヘキサメチルジ膜レジストでは，低密着性に加えクラック発生が共通してシラザン（HMDS）処理が含まれる。迅速に Si 表面から水問題となる。材料による解決が主ではあるが，取り扱い上の多分子層を除去し疎水化する。図 3 に HMDS 処理で生じの注意点もある。基板を高温状態から取り出すなどの場合，(1)る表面改質を示す 。HMDS は Si 表面の OH と反応し，表熱伝導率の低いものを介すなどして，急峻な温度変化によ面を疎水性にする。実は，図 1(a)の例でも利用しているのでる，温度衝撃を避けることである。

あるが，HMDS のスピンコート後，続けてレジストをスピ3.

ンコートした。(２), (３)の問題が発生する場合，HMDS 塗

露光

布後に高温ベークすることをお勧めする。制限が無ければ成膜までが正しく行われていれば，解像力を第一に決め200℃以上が望ましい。HMDS 分子は基板上に分解・固定さるのは露光である。微細パターンの転写には，ハードコンれた場合に，界面活性剤として働く。HMDS に曝したのみタクトを意識されるであろう。僅かなギャップでも，光伝では，付随して生成したアンモニアや未反応の HMDS が Si

搬と共に，光強度分布がマスクのそれと変わってしまうか表面に残留している。270℃でベークしたものでは，これららである。フレネル回折であり，コルニュの螺旋から予測の存在が確認されていない。レジストは基板に食いつくよできる(2)。UV 光の波長が単一かつコリメート光である仮定うになり，スピンコートのためにレジスト滴下した際，レの下に，全幅 3µm の開口を通り抜けた後，空間的な強度パジストが広がり難くなる様子が観察される。200℃ベークのターンを計算したものが図 4 である。波長 λ は 400nm，媒対策を施したものが図 1(b)である。良好なパターンは，レジ質は大気とした。マスク-観察面間ギャップが伝搬に伴って，ストが有るか無いかの違いが明瞭である。中間色やにじみ0 から大きな値に変化すると（図中のパラメータはギャップは無い。

，光強度空間分を規格化した値 m=gap/{(opening width)2/λ}）

以上を踏まえると，レジスト膜厚選択の指針が理解され布が開口の矩形から中心にピークを持つ山状に変化する。

る。微細パターン実現には，許される範囲でレジスト膜は一種のレンズとして働いており，マイクロレンズ製作に利用する報告がある程である。フレネル回折は m<0.5 の範囲に対応する(3)。これを越えると光強度分布の横広がりが顕著(1) pretreatment, HMDSとなる。開口幅領域に光強度が残っている m=0.35 までがマ(2) resist coating, prebake

スクパターンに近いと仮定すると，パターニングできる幅との関係は以下のように表される。

UVgap ≤(3) exposure, post exposure bake

0.35 (opening width) 2λ..................................... (１)gap はマスク直下からの距離である。この関係をグラフにしたものが図 5 である。開口幅 3µm に対しては，ギャップは(4) develope, rinse, post bake8µm 以下にすべきことが分かる。これは 1 点ではなく，基negative

positive

板全面で満たす必要がある。
実際のアライナでは，UV の光束は完全に平行ではない。

図 2 レジストプロセス
Fig. 2. Resist process.

0.05
0.2
0.35
0.5(CH3)3Si N
H

Si (CH3)3+HHOOMHDSSiCH3CH3NH3Intensity [a.u.]

2+-4.5-3-1.5

01.5

34.5Position [µm][∠m]
図 4 全幅 3µm の開口を通った光の強度分布（計算値）

HMDS 処理による Si 表面改質

Fig. 4.

Optical intensity distribution passed through 3µm-wide slit.

Si surface modification using HMDS treatment.

電学論 E，131 巻 1 号，2011 年

0.5OSiFig. 3.

10CH3−Si−CH3 CH3−Si−CH3O

図31.53

Normalized resist thickenss [a.u.]

Opening width [µ m]

100
10
10.1
0.1

1101001000

Gap [µm]

reducedthickness

1.0

remaining
thickness

0.8
negative
resist

0.6
0.4
0.2

positive
resist

ϕ

ϕ

0.0
1

10100

Exposure dose [a.u.]

図 5 パターニング可能な幅とギャップの関係

図 6 レジストの特性曲線

Fig. 5. Relation between opening width and gap.

Fig. 6. Characteristic curve of photoresists.

著者の経験では，コリメーションは±10°程度である(4)。斜conventional

め入射の光によって，フレネル回折の回折縞を空間的に重ね合わせ，縞が目立たないようにする意図もある。しかし，

chemically amplified resist

solvent
quencher(photoactivecompound)

これはレジストとマスクが近接した配置を確保できる前提での，追加の機能である。近接が十分でない場合，パターンのエッジがぼけ易い。8µm ギャップで，±10°の UV 光
hνが入射すると，幾何学的に両側から各々1.4µm 分の食い込み

basepolymersolvent
quencherphoto acidgeneratorhνがあることになる。ギャップは，より小さな値にせざるを得ない。研究であれば完全なコンタクト状態を利用してもdisolve indeveloper

差し支えない。しかし，マスクとレジスト面の接触に由来PEBする欠陥が発生するため，ギャップを数µm 入れる近接露光が利用される。実用レベルにおいて解像力が 2-3µm と言わdisolve indeveloperれる理由である。

4.

レジスト材料図 7 従来型と化学増幅型レジストの原理
Fig. 7.

露光の他，解像力には，光学像をパターンとして再現すWorking principle of conventional and chemically

amplified resists.

るレジスト材料の役割が大きい。図 6 に基本的なレジスト特性を示す。露光量と現像後レジストの残存膜厚からなる特性曲線である。ここで γ は曲線の傾きである。
γ = tanϕ ................................................................... (２)の溶解抑止剤を分解するため，高感度化する。酸の拡散距要求されるのは(a)γ が高い，(b)残存膜厚が十分に取れ膜厚

拡散距離が長いほどレジスト感度は上昇するが，長すぎる減少が小さい，(c)しきい露光量が低い，ことである。UV エと酸が未露光領域にまで拡散し，形状劣化を引き起こすた

ネルギがあるしきい値を越えた際に，膜の性質が急峻に変め，トレードオフがある。

離によりレジスト感度，パターン形状は異なることになる。

化することで，光強度はある程度の裾野を持つ空間分布を厚膜レジストは，UV 光の透過率が高い必要がある。吸収持つにも関わらず，膜が残るか否かの急峻な 2 値化した空のために光がレジスト層を通過できなければパターン形成間分布を作り出す。垂直に近い壁をレジストパターンが持できないからである。通過しても，レジストの表面側と基つには，極めて非線形な変化を内部で作り出すことが必要

板側とで極端に露光量が異なると，パターン側壁が垂直にとなる。

ならない。また，現像はレジスト表面側から現像液が接触厚膜であっても，垂直パターンと高感度を実現するものすることで基板に向かって順に進行する。表面側ほど現像に，図 7 に示す化学増幅型レジストがある。IC 製作におい液に触れる時間が長くなり，表面側の方が長時間現像されては KrF 光源 (λ=248nm) とともに利用されはじめた。このる。露光部が溶解するポジ型レジストでは，どうしても表レジストには，ベースポリマー，溶解抑止剤（ネガ型の場面側で露光量が多くかつ現像時間も長くなる。表面側は溶合は架橋剤）に加え，酸発生剤が含まれている。露光によ解し易く，基板側は溶解し難い。すなわち，側壁を垂直にり酸が発生する。次工程の露光後加熱 (PEB, post-exposureし難い。逆に，露光部が不溶となるネガ型レジストでは，bake) により酸が拡散し，触媒作用によって同じ酸が次々と強く露光されて溶け難い表面側が，長く現像されるため，溶解抑止剤を分解する。フォトン入射量が少なくても多くより溶解する条件となり，相殺し合って垂直壁を得易い。
4

IEEJ Trans. SM, Vol.131, No.1, 2011

特 集 解 説
厚膜レジストで垂直パターンを形成するには，透過率の高いネガ型レジストを用いるのが原理的に有利になる。
代表的 MEMS 用レジストである，
Microchem 社の SU-8 は化学増幅型の厚膜ネガ型レジストである。UV 光に対する透過性が高く，厚さ 100µm 以上の構造も形成可能である。推奨 光 源 は i 線 （ 365nm） で あ る が ， 広 帯 域 紫 外 線 光 源（350-400nm）での露光が可能である。SU-8 の主成分はビス(a)フェノール A ノボラックで，これに光酸発生剤を添加して図8(b)ウェハ全面の回折格子（ピッチ 1.67µm）パターン結果。
(a) 空気界面。(b) 純水との界面いる。速乾性・塗布性の向上，密着力向上，塗膜応力低減(5)Fig. 8.の改良が続けられている 。

Overall patterning result of 1.67µm-pitch line and spacehaving (a) air-resist and air-mask interfaces, (b) water-resist and通常レジストは膜厚変化に対して適性露光量が変化する

water-mask interfaces.

が，SU-8 は露光量変化にあまり左右されない。UV 透過率が高く，100µm 程度の膜厚では UV 吸収量が大きくないためである。膜厚が厚く，精細なパターンを必要とする場合

子特有の色に加え，全体に干渉パターンによるムラが確認

は，現像液槽の攪拌や超音波処理を併用するべきである。

できる。原因は，マスク-基板間ギャップで生じる UV 光の但し，微細パターンの倒れや剥がれとのトレードオフがあ干渉縞である。ランプからの白色光であるので，ギャップる。乾燥時に発生する，リンス液の表面張力が主要因であを広げれば，干渉縞は無くせる。意図するパターンが太ける。表面張力 72kN/m の水ではなく，24kN/m の第 3 ブチル

れば，ギャップを広げても問題無いが，(１)式から分かるよアルコール 50%水溶液が利用されることもある。但し，一うに細線パターンでは opening width が小さく，フレネル領

般に表面張力の小さな液はレジストと基板との界面に侵入域が狭いため，解像度が落ちてしまう。そこで，マスク-基し易く，パターン剥がれを起こし易い。工程が複雑になる

板間に純水を導入した（純水を基板表面に滴下してアライが，昇華を利用した凍結乾燥法を用いると，表面張力をほナに導入）。フォトレジストは屈折率 n の比較的高い材料

ぼ 0 に低減できる。

（n～1.6）である。空気（n=1.0）-レジスト界面，空気-ガラ5.

ス（n=～1.5, 青板ガラス相当）界面での屈折率差がある。

エッジバンプ

これにより界面反射および干渉縞が目立ちやすい。水（n=1.3）の導入により，界面での屈折率差が減る(6)。図 8(b)エッジバンプは，基板エッジに溜まったレジストの塊である。丸型ウェハに比べて，ダイシングしたチップを利用がパターニング結果である。干渉縞が軽減し，ピッチ 1.67µmする場合は，基板厚みは同じでありながらエッジ-エッジ間の一様なライン-アンド-スペースが得られた。の距離が短くなるため，剛性が高くなる。基板の反りによ6.って近接条件を確保することは期待できない。一箇所でもプロセスマージン大きな塊があると，マスク-基板間の近接が取れなくなり，アライナ利用時の主たる関心事は露光時間の設定である全面の結果に影響する。著者は，2cm 角程度にカットしたが，前述のような対策が取れた場合に，露光量の変化がどチップを利用することが多いが，中心膜厚 2.8µm のレジスの程度のパターン寸法の変化をもたらすのかについて例を

トで，少なくとも高さ 11µm のエッジバンプ部があることを挙げる。図 9 は，露光量を変化させた際の，ライン-アンド-観察している。微細パターン形成には，無視できない値でスペースのラインおよびスペース幅である。マスクデザイある。ダイシングによる Si のバリがある場合は，エッジバンはデューティ比 1：1 である。レジストはポジ型である。

ンプがより大きくなり易い。ダイシングを，45°テーパ（基図 9(a)は AZ 1500 の膜厚 2.85µm でピッチ 10µm，図 9(b)は板面寸法で～150µm）の面取り状にするベベルカットで行う

TMMR P-W1000PM の膜厚 7.74µm でピッチ 100µm である。と，エッジバンプは～4um に抑制されたが無くすまでにはラインとスペースの幅は 1：1 であるべきであるので，図 9(a)至っていない。アセトン等の溶剤を含ませた綿棒等で拭い

では最適露光量が～4s（45.6mJ/cm2）と分かる。図 9(b)では取ることが望ましい。著者の場合，面内寸法で～1mm の領～7s（82.6 mJ/cm2）である。例えば図 9(a)において露光量を域まで拭い取ることも少なくない。また，異形ウェハにス最適値の 2 倍にすると，幅 5µm デザインのラインが 3.9µm

ピンコートすると，高い確率で裏面にもレジストが回り込の幅となる。言い方を替えれば，デザイン値の 78%は確保む。アライナは，マスクと基板面の近接をアシストするたされている。単純な内挿を取ると，適切な近接露光であれめに互いを機械的に押す。平行度が出ていなければ悪影響ば，最適露光量から～10%変化しても，パターン幅の変動はを与える。取り除くことが望ましい。次に紹介する回折格数%程度であることになる。スピンコートによるレジスト膜子の場合，裏面エッジバンプ除去によりパターニング成功

厚，UV ランプからの強度分布などに同程度の揺らぎがある

率が 20 から 80%に上がった。

訳であるから，フォトリソグラフィはトレランスをある程図 8(a)は基板全面にピッチ 1.67µm のライン-アンド-スペ度持つ技術であるとも言える。著者の経験としては，露光ース（デューティ比 1：1）を転写した結果である。回折格量や現像時間のわずかな差で結果が激変する現象が観察さ

電学論 E，131 巻 1 号，2011 年

5Width [µm]
[um]

6.5
65.554.54UV lamp house
LineSpace

Quartz window

Chamber

3.530

Width [µm][um](a)246Exposure time [s]8Hot plate

10Diaphragm pump

65Line60Space5550

図 1045

UV キュア装置の例

Fig. 10. Example of UV curing equipment.

40350(b)5101520

Expos ure tim e [s ](a)図 9 露光時間に対するラインアンドスペースのパターン(c)

サイズの変化。ピッチ (a) 10 µm (b) 100 µm
Fig. 9.

UV

Size dependence of line-and-space on exposure time.

Pitch sizes are (a) 10 µm and (b) 100 µm.

れるのであれば，近接状態が安定して得られていない可能

heat性を検討することは価値がある。
なお，特に異形ウェハにおいて，パターンサイズの評価(b)はレジスト膜厚が代表値となる部分で行うべきである。四(d)図 11角形チップにレジストをスピンコートした場合，4 つのコーUV キュア処理によるメッシュ構造製作

Fig. 11.

ナ付近でレジスト膜の色が異なる領域ができる。この部分

160µm

Process for mesh structure using UV curing.

で，基板全面に対する判断を行ってはいけない。

7.

アフラム真空ポンプから構成される。レジストのリフロー

UV キュアが起こっては都合が悪いため，加熱はプリベーク温度と同UV キュアはドライエッチングの際にレジストのプラズ

じ 90℃とした。この温度ではバイトン O リングが利用できマ耐性を上げる処理として知られる（特に g/i 線用レジスるので，真空室をホットプレート面に密着する真空フラント）。MEMS 特有の利用もできるので紹介する。処理は，減ジで構成した。真空～10kPa で，250W の超高圧水銀ランプ

圧または N2 雰囲気下で水分を除去して，80℃以上に加熱し光（主波長 240～380nm）を 30 分間照射した。この前処理ながら UV を照射する。主たるレジスト材料はノボラック樹として，サンプルをセットしてから，真空排気とホットプ脂と感光剤ナフトキノンジアジド（NQD）である。NQD は，レート温度上昇の待ち時間～30 分を水分除去に利用した。

通常露光で発生するインデンカルボン酸を生成せず，樹脂UV キュア処理を利用したプロセス例を図 11 に示す。(a)とエステル化反応を起こして，仲立ちとなり架橋反応をす

通常のパターニングを行う。ピッチ 160µm のライン-アンドる。分子量が増加しレジストを硬化させる。UV キュアした-スペースである。(b) UV キュアを行う。次に，同じレジスレジストは感光性が無くなると共に，もとのシンナーに曝トをスピンコートする。同じライン-アンド-スペースパターしても形崩れしなくなる。パターニングしたレジスト上に，ンであるが，(c) 向きを直交させてパターニングし，メッシ更にレジストを重ね塗りし，パターニングしても，下地形ュ構造を形成した。図 11(d)は実際に得たパターンのプロフ状は劣化せず，多層構造が作れる。

ァイルである。レジストの重なり領域は，膜厚がほぼ 2 倍

図 10 は筆者らの手作り UV キュア装置である。UV ランとなった。
図 12 は AZ 1500 膜厚～2.9µm レジストの UV キュア前後

プハウス，石英窓を持つチャンバ，ホットプレート，ダイ6

IEEJ Trans. SM, Vol.131, No.1, 2011

特 集 解 説

Film thickness [µm]3.2Before UV curing

幅 5µm のトーションバーが無くなることが頻発した。トーAfter UV curing

ションバー側壁の保護が不可欠となる。パターニングし直すと，アライメント精度分だけ，回転中心軸とアクチュエ3.0ータ構造等が位置ずれする。そこで，図 13 のプロセス（関連部分のみ示す）とした。(a)トーションバーの poly-Si エッ2.8

チングは UV キュアしたレジストを利用する。(b)エッチン
グ後，もう 1 層のレジスト成膜と，より太いパターンによって，トーションバー側壁を覆った。他は，下地の UV キュ2.60.5

11.5

232.5

3.54

アしたレジストを後の c-Si エッチングに使う。挿入写真は4.5レジストパターンの様子である。(c)c-Si アンダーエッチン

Sample number
図 12グによりトーションバーをリリースし，後のアクチュエー

UV キュア処理前後のレジスト膜厚タ構造製作に続く。Al 等のメタルマスクを利用する方法もFig. 12. Thickness before and after UV curing.

(a) Patterning, poly-Si etching

考えられるが，プラズマチャンバのメタル汚染とのトレードオフがある。UV キュア処理は，有機材料のみによる多段UV cured resist
poly-Siマスクを実現する。

8.
c-Si

レジストプロセスに関して，通常は議論に現れ難い部分

resist(b) UV curing, additional patterning

おわりにも含めて紹介した。近接露光そのものは単純であるので，原理と照らし合わせて，判断の参考になれば幸いである。
紹介した内容には，先端研究施設共用イノベーション創出事業（ナノテクノロジー・ネットワーク）を通し，梶原UV
curedresist

建 専任支援員と協力したもの，文部科学省 私立大学戦略的研究基盤形成支援事業での結果が含まれる。
（平成 22 年 11 月 5 日受付）

文resist(１) 山岡亜夫 監修：「レジスト材料ハンドブック」，第 12 章，リアライズ社 (1996)(２) E. Hecht : “Optics”, Chapter 10, Pearson Education Inc. (2002)(３) 鶴田匡夫：「応用光学 I」，第 3 章，培風館 (1999)(４) V. K. Singh, M. Sasaki, K. Hane, Y. Watanabe, H. Takamatsu, M.
Kawakita, and H. Hayashi : “Deposition of thin and uniform photoresist onthree-dimensional structures using fast flow in spray coating”, J.
Micromech. Microeng., Vol.15, pp.2339-2345 (2005)(５) 江刺正喜 監修：「MEMS マテリアルの最新技術」，第 1 章 6 節，シーエムシー出版 (2007)(６) K.-S. Chang, S. Tanaka, and M. Esashi : “A micro-fuel processor withtrench-refilled thick silicon dioxide for thermal isolation fabricated bywater-immersion contact photolithography”, J. Micromech. Microeng.,
Vol.15, pp.S171-S178 (2005)(７) M. Sasaki, M. Fujishima, K. Hane, and H. Miura : “Simultaneous Realizationof Stabilized Temperature Characteristics and Low-Voltage Driving ofMicromirror Using Thin Film Torsion Bar of Tensile Poly-Si”, IEEE J.
Selected Topics in Quantum Electronics, Vol.15, pp.1455-1462 (2009)

UV curedresist(c) SiO2 etching, Si isotropic etching

図 13

献

UV キュアを利用したマイクロミラー製作プロセス（関連部分）。右側はトーションバー部分の拡大図
Fig. 13. Parts of fabrication sequence of micromirror.の膜厚変化である。UV キュア後に約 0.2µm 膜厚減少する。
この減少量は Si 基板上に直接成膜されたレジスト（Number1）でも，パターニングした下層レジストの上に重ね塗りしたレジスト（Number 2-4）でも，ほぼ一定であった。
UV キュア処理を応用したマイクロミラー製作プロセス

佐々木

例を紹介する。SOI 基板上に膜厚 0.3µm の poly-Si を成膜し，（正員）1995 年名古屋大学大学院工学研究科博士課程（電気工学・電気工学第二および電子工学専攻）修了。日本学術振興会特別研究員（PD）を経て，1996 年東北大学工学部助手，2000 年
同講師，2001 年同助教授，2007 年豊田工業大学教授，現在に至る。光 MEMS（センサ（可視，赤外），アクチュエータ），立体加工，プラズマ関連の研究に従事。日本機械学会，精密工学会，応用物理学会，IEEE 各会員。博士（工学）。

(7)

薄膜からなるトーションバーを形成するプロセスである 。
SF6 ガスを利用して poly-Si および結晶（c-）Si をエッチングする。F ラジカルを利用する Si エッチングは等方性であるのでトーションバー上面からだけでなく，側壁面からもエッチングされる。デバイス Si 層厚は 10µm あり，アンダーエッチングによりトーションバーをリリースする。この際，電学論 E，131 巻 1 号，2011 年

実7