VOL.70

発行所

2010.JUL.
Q u art erl y

発行者

サムコ株式会社 わら や
京都市伏見区竹田藁屋町36☎（075）621-7841
辻 理

編集・企画協力

アド・アソシエイツ株式会社

www.samco.co.jp●表紙写真 ／ 本宮祭

万灯神事［伏見稲荷大社］7月24日（土）・25日（日）

全国に約3万社あるといわれている稲荷神社。その総本宮である伏見稲荷大社において行われる本宮祭
では、稲荷大神を祀る崇敬者が全国から集まり、日々の神恩に感謝を捧げます。前夜に行われる宵宮祭では、境内に点在する石灯篭、また数千におよぶ奉納提灯に灯が点される万灯神事が行われ、広大な伏見稲荷大社の境内を淡い輝きで包みます。

撮影(c)中田昭

3 次元 LSI の本格量産に対応
12インチウエハー用プラズマ CVD 装置『PD-330STC』の販売を開始『PD-330STC』
は3次元LSIの本格量産に対応した12インチウエハー用絶縁膜形成装置です。基板の大面積化を図ると膜厚均一性や成膜速度の低下、ストレス制御などが問題となりますが、PD-330STCはこれらの問題をクリアしており、従 来 のPD-270STシリーズと同 等 の 膜 厚 均 一 性（±8%以内）と成膜速度（100nm/min以上）を保持しながらステップカバレージに優れた成膜を可能としています。
サムコは3次元LSI向けTSVプロセスでは、絶縁膜形成装置のほかに高速シリコンディープエッチング装置も投入しており、さらにTSVの貫通電極形成を手掛ける企業とのアライアンスも検討しています。本格量産が始まろうとしている3次元LSI市場において、これらの装置をターンキーで提供する SAMCO One Stop Solution を提唱し、同市場のリーディングカンパニーを目指しています。

第 21 回マイクロマシン/MEMS 展 お知らせ
会期：7 月 28日
（水）
〜 30日
（金） 会場：東京ビッグサイト 東ホール

ブース No.：D-13

来る7月28日から30日までの3日間、世界最大規模のMEMS、超精密・微細加工、ナノテク、バイオに関する国際展示会である『マイクロマシン/MEMS展』が開催されます。本展示会は急速なMEMS産業の発展とともに規模を拡大させてきましたが、昨年は世界同時不況により来場者が初めて前年比13%減となりました。現在のMEMS業界は活況を取り戻しつつあり、さらに今 回からはサービスロボット関 連の『ROBOTECH 次世代ロボット製造技術展』が同時開催となることで、本展示会はさらに盛況になるものと期待しております。当社はTSVのワンストップソリューションや新製品である12インチウエハー用プラズマCVD装置『PD-330STC』、昨年10月の販売よりご好評を頂いておりまInformation 2

す高性能MEMS加工装置『RIE-400iPB』を最新の技術データとともに紹介する予定です。
RIE-400iPB

プロフィール

サー、紫外線硬化樹脂、生化学産業など様々

1994年3月 東京工業大学大学院
電子物理工学専攻博士課程修了・工学博士
1994年4月 理化学研究所
半導体工学研究室・研究員
2003年4月 理化学研究所
石橋極微デバイス工学研究室
先任研究員
2005年10月 理化学研究所
テラヘルツ量子素子研究チーム
チームリーダー利用できます。
ご研究を始められたきっかけと経緯についてお聞かせ下さい。
博士課程までの研究では1.5µm帯の通信波長帯の半導体レーザーの開発、特に量子ドットレーザーを作る研究をしていました。93年に世界で初めて量子ドットレーザーを通信波長帯で発信させたのは私の研究でした。博士課程を出てすぐ理研に来て何の研究をするのか大変悩みました。最初は、発光デバイスの効率を極めようと、フォトニック結晶を使った発光デバイス

理化学研究所
テラヘルツ量子素子研究チームチームリーダーの研究をしていました。そのうちに、窒化物材料
ひ ら や まひ で き

平山 秀樹 先生

今回のSamco-Interviewは、理化学研究所を訪ね、テラヘルツ量子素子研究チームの平山秀樹先生に深紫外発光ダイオードのご研究についてお話を伺いました。に興味をもちました。当時中村修二氏が、青色半導体レーザーの一万時間発光を達成し、青色発光ダイオードの用途が大きく広がるところでしたので、そういう研究をしてみたいというのがきっかけでした。青色はすでに世に出ていましたので、誰もやってない波長の紫外をやろうと、97年ごろから今の深紫外の研究を始めました。

平山先生のご研究内容、テーマについていう分類があります。UV-Aとは地上に降りそそ研究は、当時としては最短波長の230nmでお聞かせ下さい。

ぐ光で、波長的には300nm〜350nmくらいの領量子井戸を作り、フォトルミネッセンスはよく光ると域。UV-Bとは、280nm〜300nmでオゾン層にいうところまで進みました。しかし、まだ結晶の半導体発光素子の波長の中でも、一番短い

よって地上に降りてくる光の強度が変化する領品質が上がっておらず、貫通転移の多い結晶波長の深紫外の発光素子と一番長い波長のテ域。そして、地上に降り注がない280nmより短上では、発光効率がなかなか上がらず、低温ラヘルツの量子素子という両極端の研究を行っい領 域をUV-Cと呼びます。深 紫 外 発 光ダイ

ではよく光るが、室温ではあまり光らず、なかなています。どちらも半導体の分野の中でまだ研オードはUV-AもBもCも全ての領域を出力するかデバイス化できませんでした。それでも1999

究が進んでおらず、これまで光源があまりなかっことができます。

年 頃 は、我 々が 当 時 最 短 波 長 の333nm〜た領域です。そういうフロンティアな領域を研究しようということが一つのテーマです。
まだ半導体化していない領域を開発すると、深紫外は、同じく窒化物半導体を使用する青308nmくらいのLEDを作り、深紫外の最短波色に比べ、2倍くらいのエネルギーをもつ波長の長領域を築いていました。2000年になると、アメ短い領域です。InではなくAlを混晶したAlGaN

リカの国防高等研究計画局DARPAで、深紫応用展開が非常に開けてきます。例えば、紫外を使うことで、非常に短い波長の深紫外発光ダ外固体照明プロジェクトが桁違いに大きい予算

レーザーだと、エキシマレーザーとかSHGレーイオードを作成することができます。我々のこれまで始まりました。その為、2005年くらいにかけザーとか非常に値段の高い、しかも効率の低いでの研究によって、全く光らない領域から、ようやて、250nm〜300nmという短波長LEDの成果ようなレーザーしかありません。それが紫外の半く光る領域に入ってきたところで、従来0.5%以下をあげられてしまい大分悔しい思いをしました。

導体素子になると、一般応用に花開き、家庭でであった発光の内部量子効率を、80%まで上昇

2006年にAlNの貫通転移を飛躍的に下げるも使えるようになります。テラヘルツの応用領域もさせることに成功しました。しかし、現在のところ結晶成長構造を考え、盛り返してきて、2007年

非常に広いのですが、同様に半導体化できて深紫外発光ダイオードのトータルのデバイス効率には250nm〜300nmくらいの波長を大体網羅しいません。今までなかった波長の半導体レーである外部量子効率は最高で2%程度です。てアメリカの結果に追いつきました。2008年にはザーや半導体の発光素子を開発し、応用分野深紫外発光ダイオードの外部量子効率が青アメリカの結果を追い抜き、波長的にも220nm〜を開く。そういったことをテーマに研究に取り組

色LED並みの80%を達成できるようになれば、350nmの非常に広い範囲でできるようになって、んでいます。

応用分野は大きく広がります。深紫外発光ダイ

効率も出力もアメリカを追い越しました。2008年

Samco-Interview 3 • 4「深紫外発光ダイオード」とはどのようなものでしょうか。

オードの応用として一番考えているのが、殺菌と2009年は我々が多くのトップデータを創出しまです。波長帯260nm〜280nmの深紫外光は、した。今年の春になってからは、国内で研究開

地上には降り注がない波長で、DNAを破壊す発競争が激しくなってきています。そういった浮る性質があります。その深紫外光は殺菌、皮膚き沈みがあって、現在の状況があります。

深紫外というのは、波長200nm〜350nm帯治療といった医療分野に応用できます。そのの紫外波長領域を我々が独自に定義している

他、公害物質の高速分解処理、NOxガスの無産学官連携については呼び名です。紫外光にはUV-A,UV-B,UV-Cと害化、深紫外DVD、高演色蛍光灯、各種センどのようにお考えでしょうか。

産学官連携について二つ思うことがあります。

今日はできるようになったというブレークスルーが達一つは、自分で発案して開発したものを世に出す成される瞬間があります。そういったブレークス為には、産業との連携は必要不可欠であるというルーを通して若い研究者に研究をおもしろいと感考えです。研究成果を世に出す為にはどうしてもじてもらうということを心がけています。体験して産業と結び付けないといけませんので、産学官の新しい技術やアイデアを導入したり、新しいメカニ連携は極めて重要だと考えています。もう一つ

ズムの発見があったり、そういう感激があるのでは、産学官の連携は企業と我々のような研究所私は研究を続けていますし、研究はおもしろいと双方に大きなメリットがあるという考えです。企業、感じます。その成果が世界のトップレベルの研究特に半導体メーカーなどですと、非常に高いバッであれば、より一層の感動があると思います。そクグラウンドの技術を持っていて、研究所でやっての為にはバックグラウンドが必要で、装置や研究いる研究より非常にレベルが高いと思います。一の為のセットアップ等も常に世界のトップレベルで方、我々は、新しいアイデアや発想で勝負していないといけません。若い研究者が常に世界のトッます。しかし、企業のように基礎的な安定した技

プレベルの環境で研究できるバックグラウンドを整術を立ち上げるというのが、時間的、予算的に難えるのも大切だと考えています。

しい。産学官連携によって、我々は企業の基礎的な高い半導体のプロセス技術を勉強し、それをとご趣味についてお聞かせ下さい。

りいれることができます。その代わり、我々も新しいアイデアを提供していきます。企業と我々のような小さい時からものを作ることが好きでした。小研究所が共同で研究するのは、技術的にも人間学校4年か5年の頃には真空管ラジオは何台も作的にも交流が深まって大変有益で、大いに進める

りましたし、中学生の時には、トタン板をいっぱいべきことではないかと思います。

切って、それを重ねて鉄心を作りコイルを巻いて、100Wくらいの変圧器をよく作りました。鉄道模型

今後のご研究の展望について教えて下さい。

もだいぶ作りましたし、高校生の時はリニアモーターカーを作って走らせたりしていました。趣味の戦略的創造研究推進事業（CREST）のプロ延長線上にあって、MOCVD装置を作るのが、ジェクトである、深紫外LEDと深紫外半導体レー趣味と言ってもいいかもしれません。高圧電源やザーの研究を進めようと考えています。深紫外アンプの信号処理など、弱電から強電まで、ほとLEDについては外部量子効率が先ほど申し上げんどの回路は作れます。研究所には、リアクターをたように、まだ2％くらいというのが現状です。青色

自作したMOCVD装置が既に何台かあります。

LEDは研究開発が進んでいて、外部量子効率

そういう小さいころからの電気工作が一つの趣味は80%以上まできています。深紫外LEDは光取です。

り出し効率と電子注入効率を向上させる為のアイデアが着々と発案されており、今後青色LEDの最後にサムコに対して一言お願いします。

歴史をたどって改良されていくと考えています。
青色LEDも90年代の初頭のころには数%程R&Dで使用する自由設計の装置を作って頂き度の外部量子効率でしたが、現在は80%ですかたいと思っています。国内ではそれをやってくれるら、それと同じような歴史を深紫外LEDもたどっ会社はほとんどありません。結局、自分で設計して、2%から10%、ゆくゆくは60％から80%という領て、自分で作るということになりますので、時間が域まで持っていきたい。シングルチップで数Wのかかります。研究者の要望に応じたR&D用の装出力ができる深紫外の殺菌用のLEDを作ろうと置を開発して頂けるとありがたいと思います。

考えています。また、深紫外半導体レーザーは、まだ開発段階にある、特に窒化物半導体エピ

現在336nmというのが、世界の最短波長なので成長でリアクターを最適化したり、新しいリアクターすが、250nm〜280nmくらいまで発振波長を短くを作ったりすることが必要になってきます。かなりしていきたい。その為のp型AlGaNがなかなか作技術力も要しますが、新しい設計を盛り込んだ、成できない、という大きな問題がありますが、いず要望に応じた装置の開発をして頂けると、日本のれ実現できると考えています。

研究は大きく進むと思います。

日頃のご研究において心がけておられるお忙しいところ貴重なお時間を頂き、ことはどのようなことでしょうか。

誠にありがとうございました。

研究をしていると、昨日はできなかったことが、京の門前菓子

2

地下鉄鞍馬口駅の南に位置する御靈（上御霊）神社(京都市上京区)。
「御霊さん」と呼ばれ、古くから厄除けの神様として親しまれています。今回は御霊さんの門前からいたで何百年にもわたって「唐板」をつくり続けてこられた水田玉雲堂さんにお話を伺いました。
気温の変化や湿度に耳をかたむける
唐板は、小麦粉と卵と砂糖、塩という非常に簡単な材料で、すべて手づくりで焼いています。淡いきつね色の生地が餅のようにふくらみ、ひっくり返したときにできる丸い焼き色は唐板を飾るアクセントとなっています。また、同じ厚さ・味に作るために、毎朝起きたときか古書を頼りによみがえったら、なるべく作る側の変化が少ないように、例厄病除けの煎餅

えば道具であったり材料であったりをすべて「唐板」の発祥は、遠く清和天皇の時代に同じように同じ場所に置くようにしています。

さかのぼります。貞観5（863）年に疫病が流それは、毎日変わってしまう気温や湿度の変行し、多くの人々が亡くなりました。これにい化を敏感に感じ取るためです。心の状態もたく御心を悩まされた清和天皇が、神泉苑怒っていると美味しい唐板は絶対につくれま

ご りょう えにおいて御霊会を執行なさったときに、厄病せん。五感を使って唐板の様子に耳を傾けよけの煎餅を広く庶民に授与されました。こながら、何百年も作り続けてきた、素朴で優しのときの煎餅が「唐板」の始まりといわれていい味をこれからも伝えていきたいと思います。

ます。その後、御霊会は応仁の乱により途絶えてしまいますが、私どもの祖先がその後、御靈神社境内に茶店を開き、この唐板煎餅の由来を聞き、古書を頼りによみがえらせました。以来、御霊さんの名物となり、また厄病よけの煎餅としても世に知られるようになったといわれています。
もともと門前菓子というのはお宮参りや七五三参り、結婚など人生の節目にお参りした際に、「お参りして来ましたよ」という報告のた■ 水田玉雲堂

めに近所の方にお土産として配るものです。

京都市上京区上御霊前町394
TEL 075-441-2605
営業時間 9：00〜18：00 定休日 日・祝日

唐板もそのように長いこと親しまれてきました。昭和のはじめまで下鴨神社の方まで森で覆われていたというこの周辺も今では住宅街が立ち並び、私どもの店も御霊さんの境内から門前へと商いの場所を移しました。

A • la • carte 5

近年では贈答用として愛用していただく機会が増えた唐板ですが、80歳を超えた高齢の方が、「お参りのおみやげに」と立ち寄られることもあり、代々続いてきた歴史を改めて感じます。

TSV 向け低温形成絶縁膜技術
サムコは、LEDに続いてMEMS/TSV分野でも一貫生産ラインを提供する SAMCO One Stop Solution を提唱している。
新製品『PD-330STC』
は12インチウエハーへの成膜が可能であり、本格量産に対応可能となった。今回は3次元実装に不可欠なTSVへのサムコLS-CVD® 装置ST-SeriesのTEOS-SiO2 絶縁膜技術を紹介する。

TEOSを用いたLS-CVD® 装置ST-Seriesの特長※LS-CVD®：Liquid Source CVD

SAMCO One Stop Solution

LS-CVD® 装置とは、カバレージ性に優れた液体ソースであるTEOSを用いた、サムコ独自のSiO2 膜形成用プラズマCVD装置である。TEOSはSiH4に比べ非常に安全性が高く、自然ホール形成
使用装置：RIE-800iPB

ホール内絶縁膜形成
使用装置：PD-270STL
使用装置：PD
270STL

ホール底部絶縁膜除去使用装置：RIE-10NR

発火性が無く、爆発性が低く、取り扱いが容易である。さらに、成膜にはカソード側の高いシース電界で得られるイオンエネルギーを利用しており、TSVのSiホール内壁に「低温」で「高カバレージ」の絶縁膜を「高速」で成膜することができる。これらの特性はMEMS利用においても非常に重要である。

低温での高速成膜

ボトムエッチング

Boschプロセスによるホール形成（レジストマスク）

マスクレス

Cu電極形成サンプル実温150℃以下

サムコの装置で以上のような成膜･加工が可能である。ホー3 次元実装の工程では、100μm程度まで研磨した薄いウエ

ルサイズφ5µmでアスペクト比15のTSV Siホール内壁にカバハーを用いる。このため、ウエハーを支持体に貼り付け処理するレージ性の高い絶縁膜を形成できている。現在のホールサイズことが多い。その際、樹脂接着材を用いるため、低温（150℃以はφ30 〜 70µmでアスペクト比も最大5程度であるが、将来の下）での成膜が要求される。LS-CVD® 装置では、バイアスで加高密度化にともない、貫通配線が更に微細化し、アスペクト比も速されたイオンアシストにより基板温度を下げても緻密な膜が形大きくなることが予測される。

成できる。下図は成膜速度のTEOS流量依存性を記したものであるが80℃の低温下で400nm/minの高速成膜が可能である。

絶縁膜形成後のCu電極形成

絶縁膜形成後のCu電極形成〜逆テーパーの難形状への埋め込み〜
低温(80℃)SiO2膜:1.36μm形成

アスペクト比:7へのCuの完全充填が可能
提供：大阪府立大学 化学工学分野
近藤和夫教授 齊藤丈靖教授

3 次元実装加工工程

サムコのOne Stop SolutionでSiO2 の絶 縁 膜を形 成した

TEOS-SiO 2

PR

後、Cu電極を形成したSEM写真である。Cuの完全充填がでTechnical-Report 6

きており、また低温で成膜したSiO2は剥離・クラック等の問題はSi起きていない。

接着シート
電極
ガラス（支持体）

デバイス

1.貫通孔形成

2.側壁絶縁膜形成

3.下部電極露出

BOSCHプロセスにより、Siをエッチングし、貫通孔を形成

PR除去後TEOS-SiO2を成膜し、貫通孔側壁に絶縁膜形成

電極上のTEOS-SiO2を選択的にエッチングし、下部電極を露出

使用装置：RIE-800iPB

使用装置：PD-270STL

使用装置：RIE-10NR

以上、サムコのTSV向け低温形成絶縁膜技術を紹介した。
サファイア

カバレージ性の高い絶縁膜は多様な要求のあるMEMS分野にも応用できる技術である。