露光装置技術発展 10.9.22 15:59 ページ117

露光装置技術発展の系統化調査

3

Investigation on Systemization of Technological Development of Photolithography Equipment

高橋 一雄 Kazuo Takahashi■ 要旨
半導体デバイスの製造は、プレーナー型トランジスタの発明によって格段の進歩を遂げ、そこで開発された光露光技術を中心とするいわゆる「フォトリソグラフィー技術」も半導体デバイスの発展と共に歩んできた。特に、わが国においては、カメラを中心とした光学機器を製造販売していたメーカーが、比較的早い時期から半導体露光装置分野に参入しており、DRAMとMPUを中心とする集積回路の需要が増加する1970年代後半には、官民共同の研究機関「超LSI共同研究組合」が組織され、プロセス技術や露光技術の研究・開発も加速された。これを契機として、半導体デバイスメーカーの技術者と半導体製造装置メーカーの技術者の交流も深まり、それに「官」、「学」も加わり共に議論を戦わしながら技術を磨き、装置開発に反映させていった。
この半導体デバイスの開発、製造装置の開発では、その目標となる具体的な数値が、ムアーの法則に代表されるロードマップと呼ばれる技術予測の年表によって明確に示されるようになり、比較的無駄のない開発が進められたこと。加えて、この時代は、軽量高剛性のエンジニアリング・セラミックス、エンジニアリング・プラスチ
ックス、低膨張金属材料などの新しい材料技術、リニア・アクチュエータやPZT素子に代表される高速・高精度駆動技術と精密制御技術、ヘテロダイン方式のレーザ干渉測長技術に代表される精密計測技術など、多くの新しい技術が開発されており、それらをタイムリーに取り入れられたことも幸いしている。
この調査報告書では、光露光装置、特に、1980年代中頃から1990年代後半まで、世界を凌駕したステッパー技術に着目し、その技術が半導体デバイスの微細化のトレンドと、その時々で、どのようにかかわって来たかについて調査したので、その結果について述べてみたい。

露光装置技術発展 10.9.22 15:59 ページ118■ Abstract
Fabrication of semiconductor devices has achieved great progress through the invention of the planar-typetransistor. Together with this progress in semiconductor devices, great progress in the developed light-exposure technology―of which so-called

photolithography

plays a leading role―has also been made. In partic-

ular, as regards the situation in Japan, the manufacturers that produce and distribute optical devices（mainly cameras）entered the field of semiconductor photolithography in the relatively early stage. And in the latter half of the 1970s―a time when the demand for integrated circuits like DRAMs（dynamic random accessmemories）and MPUs（microprocessor units）was increasing―a research body called the
Research Association

VLSI Joint

was set up by the government and private sector（five computer manufacture com-panies）. As a result, research and development on process technologies and photo lithography technologies
was accelerated. With this time marking a turning point, technical exchanges deepened between the processengineers of semiconductor-device manufacturers and the engineers at development section of semiconductor-fabrication equipment. In addition, the national laboratories and the academic institutes also joining inthese lively exchanges, these technologies were refined, and these refinements were reflected in the subsequent development of devices and equipment.
As regards development of both fabrication equipment and semiconductor devices, tangible values wereset as development targets by means of a chronological table of technological forecasts（known as aroadmap ）as represented by Moore s Law. Efficient development could thus be pushed forward according
to such roadmaps.
In addition, during that time, many new technologies were developed, for example, new materials technologies such as new lightweight & high-strength engineering ceramics, engineering plastics, a low-expansion
materials, and new technologies such as precise servo equipments & control technologies, and precise measurement technologies such as heterodyne-laser interferometer. And it was fortunate that these technologies
were introduced just at the right time.
Focusing on photolithography equipment―particularly world-beating stepper technology developed fromthe mid-1980s to the late 1990s―this report presents the results of an investigation on how this technology
was related at any given time to the trend concerning the nano-fabrication of semiconductor devices.

■ Profile■ Contents

高橋 一雄 Kazuo Takahashi

1.はじめに................................................................119

国立科学博物館産業技術史資料情報センター主任調査員

2.フォトリソグラフィー技術について .................122
3.半導体の歴史と露光技術発展の経緯 .................130

昭和41年3月

日本航空協会 航空学術賞受賞

昭和45年3月

中央大学理工学研究科精密工学専攻
修士課程終了昭和54年2月

キヤノン株式会社入社、半導体露光装置、プロセス機器の開発に従事

4.露光装置(ステッパー)に投入された諸技術.......139
5.露光装置の延命策 ................................................153
6.考察 .......................................................................155
7.おわりに................................................................158
附図

ムアーの法則と微細化のトレンド .............160

中央大学理工学部精密工学科講師

附表1

半導体デバイスメーカー・トップ10.....161

平成16年3月

キヤノン株式会社、定年退職

附表2

登録候補一覧 .............................................161

平成17年4月

国立科学博物館産業技術史資料情報センター

附表3

半導体の歴史と露光装置の歴史 ..............162

主任調査員

附表4

ニコンとキヤノンの露光装置開発年表...164

昭和56年7月

工学博士の学位取得

平成04年4月

学会等の活動精密工学会の論文校閲委員会及び出版部会委員、日本機械学会の出版部会委員、日本半導体製造装置協会の用語辞典改定委員、技術企画委員会、競争力強化専門委員会及び技術戦略特別委員会委
員など。

参考資料1

半導体の製造プロセス ......................165

参考資料2

半導体製造プロセスで使用される装置..169

露光装置技術発展 10.9.22 15:59 ページ119

1 はじめに半導体素子の製造は、クリーン・ルームと呼ばれる
非常に清浄度の高い管理された特殊な空間で行われ、節の終わりに簡単な説明を加えておいたので参考にされたい。

製造装置である半導体露光装置は、精密機器特有の温半導体露光装置は、前述のように、一般には、内部度に対する敏感さ、微細な塵埃（ごみ）などを嫌うこ構造を見ることは出来ないが、チャンバー内部は、フとから、そのクリーン・ルームと呼ばれる空間内で、ォト・レジストと呼ばれる特定の波長の光に感光する

さらにチャンバーと呼ばれる精密な温度コントロール

感光剤に感光しない領域のイエロー・ライトとよばれされた小部屋に設置されている（写真1.1参照）。したる照明が取り付けられており、運転中の装置の状態ながって、工場見学などで半導体製造ラインを訪れても、どを前面の小窓から観察できるようになっている。露クリーン・ルームの外部から窓を透して中の作業の様

光装置の主要部は、図1.1にスケルトンで模式図的に子を垣間見ることができる程度で、それ以外では、一示したように、露光を行うための光源部、マスクに描般の方々が工場の内部を見ることが出来る機会はほと画された半導体素子の回路パターンを投影するためのんどないと思われる。また、半導体製造技術自体もか

投影レンズ部、そして、回路素子を作るウェーハ・ス

なり機密性が高く、製造ラインに置かれている装置のテージとウェーハをハンドリングするためのウェー

種類、そのレイアウトなどを公開することが、半導体

ハ・ローダーなどのユニットから成り立っている。こ

製造技術のノウハウを公開することに等しいという考の露光装置とそこで使われている多くの技術は、現在

えから、一般に公開されることはなかった。

も世界をリードする技術として発展し続けている。

写真1.1 縮小投影型露光装置 NSR-2205i14E2（出典；株式会社ニコンのカタログ）

そして、当時は、露光装置製造業界も例外ではなく、

図1.1 ステッパーの模式図（出典；株式会社栃木ニコンの資料）

露光装置自体が、先端技術の粋を集めて開発されておこの「露光装置技術発展の系統化調査」では、初めに、り、企業間の開発競争も激しいことから、半導体製造調査対象である露光装置の紹介をかねて、簡単に半導体装置の業界団体SEMI（注参照）の主催する世界的な素子の製造工程について説明し、その製造工程の中でのイベントであるセミコン・ショーを除いて、一般に公露光装置の役割を明らかにした上で、本論に入ることに開されることはほとんどなかった。業界の一大イベンする。本論では、1980年代から1990年代の中ごろまで世トであるこのショーでも、半導体露光装置、特にステ界をリードしてきた日本の半導体製造の歴史を紐解き、ッパーは、周囲をパーティションで囲い、特定のデバ

それを支えてきた半導体製造装置のなかで、特に全世

イスメーカーの担当者のみに展示内容を説明するとい

界で90％のシェアを独占していたステッパー（注参照）

った場面もあった。

と呼ばれる半導体露光装置に焦点を絞り説明する。

この分野では、独特の専門用語や略称などが多く使われており、初めてこの分野に接するには、かなり負＜SEMI（Semiconductor Equipment and Materials
International）＞

担になるのではないかと思われるので、露光装置に直1970年にシリコンバレーを中心に半導体産業が急

接関係しない用語も出来る限り「（注）」として、その激に開花し、半導体産業が大きくなり、半導体の製

露光装置技術発展の系統化調査

119露光装置技術発展 10.9.22 15:59 ページ120

造装置、材料を中心とした専門の展覧会（ショー）

要素技術が開発されていたわけである。そして、冒頭を行う「Semiconductor Equipment and Materials

でのべたように1978年にGCA社が世界初のステッパ

Institute」という任意団体として作られた。1987年にー（4800DSW）を発表した。

SEMIは、「Semiconductor Equipment and Materials
International」として、標準規格の制定など、ワール
ドワイドの活動する業界団体となる。
＜ステッパー（Stepper）＞
ステッパーとはどのような装置かについては、2-3-2

1980年代初頭は、先行メーカーであるGCA社のステッパーが全世界の約90％を占めていた。
1983年には、キヤノン株式会社（以下キヤノンと記す）がステッパーの製造に参入し、その後、ステッパ節で詳しく説明するので、ここでは、半導体素子をーを製造している装置メーカーは、前述のジーシーエ

つくる製造装置の一つであると理解されたい。

ー社、ニコン、キヤノンと、㈱日立製作所、パーキン
エルマー社（PerkinElmer；米国：後にSVGL）、テー

1.1 華やかなステッパーの時代

ア ー ル イ ー 社 （ T R E ； 米 国 ）、 フ ィ リ ッ プ ス 社（Philips；オランダ：後にASMLとなる）、ウルトラテ

最初のステッパーと称する縮小投影露光装置は、

ック社（Ultratech；米国）、オプティメトリックス社

1978年に米国のジーシーエー社（GCA；米国）から（Optimetrix；米国）など、ワールドワイドで十数社発売された。同時期にわが国では、株式会社ニコンを数えた。

（以下ニコンと記す）が、国産初のステッパー（SR-1）

しかし、わが国の半導体生産量の増加とともに、を開発し、超LSI技術研究組合に納入している。そし1980年代中頃にはすでにGCA社を抜き、ニコンのシて、1980年には、ニコンはステッパーNSR-1010G（写ェアは、世界一となっている。

真1.2参照）の出荷を開始している。

そして、1980年代の後半には、ニコン（約60％）とキヤノン（約30％）で、全世界の90％近くのシェアを取るに至り、この市場独占の状態は、1990年代後半まで続いた（図1.2参照）。

写真1.2 ニコンのステッパー NSR-1010G（出典；Japan Nanonet Bulletin Vol.28）

ここで、わが国のステッパー開発の手本ともなった
図1.2

GCA社の半導体製造装置とその開発の歴史について簡単に触れておきたい。
GCA社は、1958年、グリーンバーグ（M. Greenberg）
らによって設立された。その後、世界最初のフォトレ
ピーター（型番；971GP）を開発（1961年）した（注）
パターンジェネレーター（Pattern Generator）；
半導体素子の回路パターンを形成するのは、現在ではほとんど電子ビーム描画装置が使用されているが、この描画を4枚のマスキングブレードをそれぞれ動かDavid W. Mann社 （ 米 国 ） を 吸 収 合 併 し 、して細いスリット状の開口部、あるいは矩形形状の開GCA/DAVID W. MANNとなる。そして、1968年には、口部にするなど、また、それを同一平面内で回転させ10倍のマスクを製作できるパターンジェネレーターるなどして、マスクを移動させながら、順次開口部か（1600PG）を開発している。この装置では、XおよびYら露光光をマスク上に塗布した感光剤に照射して10に移動可能な高精度のXYステージが搭載されていた。

倍の大きさの回路パターンをマスク上に形成する装置

1976年には、ステージの位置決めにヒューレットパ
ッカード社のレーザ測長器（HP 5501A）を搭載した
パターンジェネレーター（3600PG）とフォトレピー
ター（3696PR）を発表している。このフォトレピー
ターでは、外部振動から装置を保護するための除振台と精密な温調空間を作るための恒温チャンバーが採用されており、この時点ですでに、ステッパーに必要な120

露光装置のシェア

国立科学博物館技術の系統化調査報告 Vol.6 2006.March

を、パターンジェネレーターと呼んでいる。
フォトレピーター（Photo repeater）；
パターンジェネレーターで製作された10倍の大きさの回路パターンの原画を1/10に縮小して1枚のマスク上に並べて描画する装置をフォトレピーターと呼んでいる。

露光装置技術発展 10.9.22 15:59 ページ121

ップなどをシステムLSIとして集積して、マイクロプ

1.2 ステッパー時代の終焉
1995年以降、それまでDRAM（注参照）を主体にしていたわが国の半導体デバイスメーカーは、アジア・太平洋地域の国々の安い製造コストに対応できず、システ
ムLSI（注参照）の製造に主軸を移さなければならなか

ロセッサでは処理能力が足りない動画処理を動画処理
チップの部分に肩代わりさせるという、「マイクロプ
ロセッサ＋アクセラレータ」構造での利用も考えられている。システムLSIは「組み合わせ」構造となっているという特性上、システムLSIメーカーは開発済みのLSI回路を顧客のニーズに合わせて組み替え、それぞれの顧客に適したシステムLSIを販売することもでったこともあって、生産額も年々右肩下がりの傾向となきる。このようなオーダーメイドのシステムLSIは、り、わが国半導体産業の発展とともに栄えたステッパー

開発コストも製造コストも安い上、多機能であること

も、スキャナーにその席を譲り2000年で終焉を告げた。

から通常より高い価格で販売できる利点があり、価格

そして、現在は、微細化の進展とそれに伴うニーズ競争の激しいDRAMから、システムLSIに方向転換すから、このスキャナーと呼ばれる半導体露光装置が製ることは、わが国の半導体産業では、方向転換の時期

造装置の主流となっており、それを製造しているのは、を逸した観はあるが、半導体デバイスメーカーの進む

ニコン、キヤノン、エーエスエムエル（ASML；注参照）の3社が主体で、全世界の90％近くのシェアを占めている。
＜DRAM（Dynamic Random Access Memory）＞

方向として当然の成り行きであろう。
システムLSIの製造では、従来のDRAMの製造とは異なり、マスク（レチクル；次章参照）の交換タイ
ミングが、1枚のウェーハ処理の途中で発生する、あるいは、レチクルの交換の頻度が多いなどのことか

半導体記憶素子の一つ。読み書きが自由に行なえるら、この用途に供するステッパーでは、レチクルのランダム・アクセス・メモリー（RAM）の一種で、交換時間を最短にするような機構が開発され、それコンデンサとトランジスタにより電荷を蓄える回路をに適した駆動シーケンスも開発され適用されている。

記憶素子に用いる。情報の記憶が電荷によって行われ、＜PDA（Personal Digital Assistance）＞

電荷は時間と共に減少することから、一定時間毎に記

手のひらに収まるくらいの大きさの電子機器で、パー憶保持のための再書き込み（リフレッシュ）を行なう

ソナル・コンピュータ（パソコン；PC）のもつ機能の必要がある。コンピュータの電源を落とすと記憶内容

うちいくつかを実装した個人用の携帯情報端末のこと。

は消去される。後述のSRAM（Static Random Access＜エーエスエムエル社（ASML）＞

Memory）に比較して回路が単純で、集積度も簡単にその母体は、フィリップス社（オランダ）の一部

上げることができ、価格も安いため、コンピュータの門が独立したASM社である。その後1984年にASML

メインメモリはほとんどがDRAMである。

社として新たに設立され、本社をオランダのフェル＜SRAM（Static Random Access Memory）＞

トホーフェンに置いている。そして、2001年には、

ランダム・アクセス・メモリー（RAM）の一種で、当時米国最大手の露光装置メーカーであったエスブ

記憶素子としてフリップフロップ回路を用いる。記イジー・リソグラフィー（SVG Lithography）社を吸憶保持のための動作を必要としない、高速に動作す

収合併し、急速に勢力を伸ばしてきた。SVGは、るなどの利点を有するが、回路が複雑になり集積度

Silicon Valley Gropeの略）で、パーキンエルマーを上げにくいという欠点をもっている。記憶保持の（PerkinElmer；米国）社の半導体装置部門をはじめためのバックアップ電源を要しない利点を生かしたとするシリコンバレー近郊の半導体関連メーカーがメモリー・カードなどに使用されている。

合同で設立した会社。

＜システムLSI（System Large Scale Integration）＞
多数の機能を1個のチップ上に集積した超多機能LSI。ポータブル・オーディオやデジタル・カメラな

1.3 露光装置シェアの奪還は？

ど、特定用途の電子機器に組み込まれている。一般に、
システムLSIを使用すると、複数のLSIを使用して組み

前述のようにASML社は、優れた反射光学系の技術

込み機器を設計するのと比べ、配線が単純にできる。

を有するSVGL社を手中におさめ、現在では、世界最

また、LSIの占有面積も少なくなるため、機器の小型化も容易になる。システムLSIは単機能のLSIを用途に合わせて組み合わせることができるような構造になっているため、機能が固定された組み込み機器に適した構造であるといえる。しかし、汎用性の高いPDA

大の露光装置メーカーとなっている。そして、今後さらに微細化する光露光技術にも対応できる反射光学系の開発力と製造技術力を手中に納めたこのメーカーは、そのシェアをますます伸ばして行くのではないであろ（Personal Digital Assistance；注参照）などの組み込うか。これに対して、わが国の露光装置メーカーがどみ機器でも、例えばマイクロプロセッサと動画処理チのように対応するかが今後の大きな課題であろう。

露光装置技術発展の系統化調査

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露光装置技術発展 10.9.22 15:59 ページ122

2 フォトリソグラフィー技術について
半導体素子の像をシリコン・ウェーハ（Wafer）上のフォト・レジスト（Photo Resist）と呼ばれる感光像を形成する工程の総称として使用されている。
この技術は、1959年にテキサス インスツルメンツ

剤に転写する工程は、一般にフォトリソグラフィー

社（TI；Texas Instruments：米国）のジーン（Photo Lithography）あるいは、略して、単にフォトルニ（Jean Hoerni）が、半導体の表面に不純物を拡リソ工程と呼ばれている。半導体素子を形成するシリ

散させて平面構造のトランジスタを作る方法として世コン・ウェーハは、99. 99999999％（テン・ナイン）

界で初めて採用し、プレーナー型トランジスタと以上の純度の珪素（シリコン；化学記号 Si）の単結（Planer Transistor）呼ばれるトランジスタの製造方

晶（写真2.1参照）であり、このインゴットと呼ばれ法を確立させたものである。この製造技術は、平面型

るものを、結晶方向と外形寸法をそろえて、1mm

トランジスタの製造のための光学的露光技術（ミリメートル）以下の薄い板状にスライスし、表面（Optical Lithography）として特許も出願されている。

を鏡面状に研磨したものである（写真2.2参照）。

ホーフォトリソグラフィー工程とは、ウェーハ表面にレ

現在では、その純度もトェルブ・ナインともいわれジストを塗布するレジスト塗布とレジストの安定化のており、半導体素子の微細化にともなってその要求もためのPR熱処理（注参照）であるプリベークを行う

さらに厳しくなっている。近年では、SOIというウェ

レジスト処理工程から始まり、露光装置を使用してマーハ（注参照）も開発され、高性能な半導体素子の製スクの回路素子の像をウェーハ上に塗布したフォト・造に使用されている。

レジストに転写し、その露光工程完了後にプレベーク（PEB；Pre Bake）と呼ばれるPR熱処理工程をへて、レジスト像を形成するための現像工程及び現像後のレジスト像の安定化のためのポストベーク工程までを含めたウェーハ処理工程を意味していることが多い。
そして、フォトリソグラフィー技術とは、この工程で使用されている技術の総称であるが、単にフォトリソ

写真2.1 シリコン・インゴットの写真（300mm）（出典；SUPERCONDUCTIVITY COMMUNICATIONS,
Vol. 7, No. 5, Oct. 1998、信越半導体株式会社）

グラフィーという場合には、露光技術あるいは露光装
置そのものを指していることもある。写真2.3に、シリコン・ウェーハ上に半導体素子を形成したものを示した。
なお、巻末に参考資料として、一般的なCMOSトラ
ンジスタの全製造工程の簡単な説明を付け加えておいたので参考にされたい。

写真2.2 シリコン・ウェーハ（出典；日本エクシード株式会社のカタログ）

このリソグラフィーという言葉は、古くは、石版を用いて転写印刷する技術を意味する用語であったが、近年では、フォト・マスク（Photo Mask）、あるいは単にマスクと呼ばれるガラス基板上に微細な半導体素子の回路パターンを描画し、その像をウェーハ表面に塗布されたフォト・レジスト、あるいは単にレジストと呼ばれる感光剤に転写し、回路パターンのレジスト

122

国立科学博物館技術の系統化調査報告 Vol.6 2006.March

写真2.3 パターンニングされたウェーハの（出典；IBM社のカタログ）

露光装置技術発展 10.9.22 15:59 ページ123＜SOI（Silicon on Insulator）＞

度を溶剤の量で調節し、回転速度と回転させる時間は、IBM社が開発した技術で、絶縁膜上に高純度の単結一定として変えない場合が多いと聞いている。図2.1

晶シリコン層を形成したウェーハあるいは半導体製に示したスピン・コーターには、塗布するレジストの造技術の名称である。SOI技術によって、プロセッサ
基板上のトランジスタ層から絶縁層を超えて流れ出る電荷の停留を半減できることが実証されており、これによって、同じクロック・スピードで動作する
類似のチップと比べて、SOIを採用したチップは性能

状態を安定化するために、レジスト塗布が終わった後、滴下するノズルに残っているレジストを真空吸引により除去（サック・バック；Sack Back）し、リンス液を流して洗浄する機構を有している。

が最大で数十パーセント向上する、あるいは電力消費を約半分に減らすことができる。現行ではSOI技術
は工程が複雑なことと、コストがやや高いこともあり、特定の用途に限られている。
トランジスタを作るためのシリコン結晶薄膜は純粋なシリコン結晶であるが、その下の絶縁膜は完全な結晶ではないので、その上に完全な結晶を形成することは難しいとされていたが、IBM社はサイモックス（SIMOX：Separation by Implantation of Oxygen）

図2.1

スピン・コーターと呼ばれる技術を用いて、これを克服している。これは、シリコン結晶表面からわずかに深い部分に酸

また、レジストを塗布する寸前には、少量のレジスト

素分子を埋め込み、それを熱酸化させることにより、をノズルから吐出して捨て、ウェーハ上には、常に新し

酸化物絶縁層とその上にシリコン結晶薄膜を作るといレジストが滴下できる状態にするプリディスペンいう技術である。これとは別に、高純度の酸化物絶

ス・シーケンス（Pre-dispense Sequence）を挿入するな

縁膜をウェーハ表面に貼り付けるという方法

どの注意がはらわれている。スピン・コーターの回転に（ELTRAN；日本）で、SOIウェーハを製造する技術

よる遠心力で余ったレジストが周囲に飛散するため、も開発されている。

周囲に飛散防止用にカップ状の側壁を設け、その下部＜PR熱処理（Photo Resist）＞
半導体製造工程では、処理温度が600℃以上の工程
を「熱処理工程」と呼び、レジスト処理のような数
百℃以下の低温度の熱処理は、「PR熱処理」と呼んで区別している。

よりレジストの残渣、リンス液などを回収するポンプと、飛散しているミストが再びウェーハに付着しないように、周囲のエアーを吸引する装置も搭載されている。
このような配慮をすることによって、ウェーハ裏面にレジストが付着することも少なくなり、ウェーハ搬
入時に露光装置を汚染する確率も激減することができ

2.1 レジスト処理工程と露光装置た。また、ウェーハ裏面に付着したレジストは、ウェーハ・チャックでの平面矯正にも影響し、最悪の場合、

ここでは、露光装置がその中心技術となっているフ

投影した像が、デフォーカス（フォーカスが合っていォトリソグラフィー工程全般について、そこで使用さないこと）による像性能の劣化となり、チップ収率のれている主な装置について説明する。

減少を招くことにもなる。
レジスト塗布工程をさらに、詳しく見てみると、前2 -1-1

レジスト塗布装置

工程で洗浄されたウェーハ表面は、一般的に親水性がレジスト処理工程は、フォト・レジストを塗布機

高く、レジストとの密着性が悪いため、はじめに、脱（スピン・コーター；Spin Coater）で薄く塗布するこ

水ベーク（デハイドレーション・ベーク；Dehydrationとからはじまる。スピン・コーターとは、ノズルから

bake）と密着性強化のためのHMDS処理（注参照）

供給された液状のレジストを、回転支持台に固定したを行い、表面を疎水性にした後、まずシンナーなどのウェーハ表面に滴下し、それを高速回転させることに溶剤を滴下し、表面の密着性を向上させる処理を行い、よって均一なレジスト薄膜を作る装置のことである。

その溶剤を乾燥させた後にレジストを塗布する。

レジスト膜厚は、レジスト粘度やレジスト中の溶媒

また、レジストの表面からの反射の影響を軽減する（溶剤）の種類により、スピン・コーターの回転速度ため、レジストの上に反射防止膜（ARC；anti-reflec-

や回転させる時間を制御することで決められる。一般

tive coating）をコート（塗布）する場合もある。

の製造現場では、レジストの種類が決まると、その粘この塗布工程を終えたウェーハは、その周辺部分ま

露光装置技術発展の系統化調査

123

露光装置技術発展 10.9.22 15:59 ページ124

でレジストが塗布されており、これを、ウェーハ・カ

化学反応が異なってくる。

セットに収納する場合や、搬送する場合に剥離して、すなわち、ポジ型レジストは、光があたった部分がエッジ部からの発塵の原因となるために、エッジ部分

光化学反応によって、強アルカリ溶液に溶ける化学構のレジストを除去するエッジ・リンス工程、あるいは造に変化する。一方、ネガ型レジストは、感光していウェーハの外周に沿って細いリング状に露光光を照射ない部分はもともとキシレン系有機溶剤に溶ける性質

するいわゆる周辺露光光程を加え、あらかじめ不要なを有しているので、逆に露光による光化学反応によっレジストを除去する場合もある。

て溶剤に溶けなくなったレジスト・パターン部分が残このように、レジスト処理工程では、各種の有機溶剤や化学薬品を使用しているいため、露光装置のチャンバー内では、これらの薬品が気化して照明光学系やることになる。
微細な工程では、解像力が高いノボラック樹脂系のポジ型レジストが使用されることが多い。

投影光学系などに付着しないような対策もとられている。過去には、露光光源の波長が短波長の遠紫外線の2 -1-3

PR熱処理装置

方向にシフトしたｇ線からi線に移行した時期とi線からレジスト塗布前のデハイドレーション・ベーク、溶

クリプトン・フロライド（KrF）のエキシマ・レーザ

剤を揮発させるためのPR熱処理、塗布後のレジストー（Excimer Laser）に移行した当初、長時間露光装置の安定化のためのPR熱処理（プレ・ベーク；Preを使用していると照明光学系のレンズが白濁し、照度

Bake）、露光直後のレジストの断面形状安定化のためが低下するという現象として報告され、露光装置メーのPR熱処理（PEB；Post-Exposure Bake）、現像後のカーは、その原因究明と対策に追われたこともあった。

レジストのPR熱処理（ポスト・ベーク）には、オー＜HMDS（Hexa methyl di-silan）＞
ヘキサ・メチル・ジ・シランという無色透明の薬品の略称で、この密着性向上塗布剤を用いた疎水性

ブンあるいはホット・プレートが使用される。ホット・プレートは、発熱体を埋め込んだウェーハ・チャ
ックのような形状をしている（写真2.4参照）。

処理をHMDS処理と呼んでいる。特に、ポジ型レジ
ストは、ウェーハ表面との密着性が悪いため、この処理は必然となっている。

2 -1-2

現像処理装置

レジスト像の現像には、ウェーハを回転しながら現像液を滴下して行うスピン・デベロッパー（Spin

写真2.4 真空用ホット・プレートの例（出典；八光電機製作所のカタログ）

Developer）と、現像液を満たした槽にウェーハを浸漬して現像する方法、いわゆるディップ現像法がある
が、量産工程では、スピン・デベロッパーが主流となっている。スピン・デベロッパーも基本的な構造は、スピン・コーターと同じである（図2.2参照）。

2 -1-4

コーター・アンド・デベロッパー

現在、前述のレジスト処理工程では、コーター・アンド・デベロッパーと呼ばれる複合装置が一般に使用される場合が多い。
この種の装置では、インターフェースとなる搬送ト
ラックを介して露光装置と接続され、ウェーハ表面にレジストを塗布、PR熱処理し、露光装置に移送し、露光の終わったウェーハを露光装置から受け取り、PR熱処理、現像、再度PR熱処理をしてレジスト像を形成するという一連の工程を枚葉式（注参照）あるいはバッ

図2.2

124

スピン・デベロッパー

チ式（注参照）に露光装置と一体となって処理するこ

現像液を滴下するノズルとリンス液を滴下するノズとができるように構成されており、工程の途中で人間ルがあり、ミストの吸引、排気機構、リンス液の回収が介在することもなく、人為的な汚染、外部への搬送機構などから構成されている。

による汚染などを受けにくい構成となっている。

この現像処理に利用されているレジストがポジ型か

また露光装置の処理の高速化により、自然冷却ではあるいはネガ型であるかによって、露光工程以降の光PR熱処理後のウェーハの温度が下がらない状態で露

国立科学博物館技術の系統化調査報告 Vol.6 2006.March

露光装置技術発展 10.9.22 15:59 ページ125

光装置に搬入される可能性があり、精度に影響を及ぼ

しかし、密着性を向上させると、露光処理後にウェー

す恐れがあるために、これを防ぐ目的でクーリング・

ハとマスクが離れないなどの問題を生じ、ウェーハ・

ユニットを搭載したコーター・アンド・デベロッパー

チャックの中央に向かってわずかに凸になるようにも開発されている。

（凸レンズ状）加工し剥がしやすくするなどの工夫も

近年では、半導体製造工場のクリーン・ルーム内でなされている。チャックをこのような形状に加工できのウェーハやマスク（レチクル）の搬送は、ほとんどるのは、高精度なレンズ加工の技術を有する光学機器

自動化されており、トラブル発生時やプロセス器機のの専門メーカーだけが為せる業であった。

メンテナンス時以外はクリーン・ルーム内に人影はみあたらない。
〈枚葉処理（枚葉式）〉
ウェーハを一枚ずつ加工することを枚葉処理といい、前述のレジスト処理工程や、プラズマによるドプロキシミティ露光装置は、レジストを表面に塗布したウェーハと、マスクを近接（プロキシミティ）した位置に保ち、その上部から平行光線を照射して、ウェーハ表面のレジストにマスク像を転写させレジスト像を形成する方式のものである（図2.3参照）。

ライ・エッチング装置などによくみられる。
〈バッチ処理（バッチ式）〉
ウェーハは、通常、ウェーハ・カセットと呼ばれる収納容器に25枚単位で格納されており、このカセット単位で処理を行うことのできるウエット洗浄工
程や、複数枚のウェーハを同時に処理することのできる成膜装置などは、バッチ式○○装置と呼ばれることもある。

2.2 光露光装置
2 -2-1

コンタクト及びプロキシミティ露光技術

図2.3

コンタクト・プロキシミティ機構の例

コンタクト露光装置あるいはプロキシミティ露光装
置（写真2.5参照）は、露光装置の原点とも言うべき

このコンタクトあるいはプロキシミティ露光装置

もので、一般の日光写真と同様に、印画紙に相当するは、転写するマスク上の回路パターンと転写されたウレジストを表面に塗布したウェーハに、回路素子を描

ェーハ上の像は、等倍となるのが特徴である。コンタ

画したフィルム（ネガあるいはポジ）に相当するマス

クト方式は、密着性をよくすれば、回折光による像のクを密着（コンタクト）して重ね、その上部から平行

ぼけもなく解像力の点で有利であるが、ウェーハに塗光線を照射して、ウェーハ表面のレジストにマスク像布したレジストがマスクと密着するために、ウェーハ

を転写して、レジスト像を形成する方式のものである。

とマスク双方がダメージを受けやすいという欠点があ

実際には、その密着させた面に空気層が出来ないよる。一方、プロキシミティ方式は、解像力の点では不うに真空ポンプで吸引するなどの方法がとられている。

利であるが、ウェーハ上に塗布したレジスト像とマスクのダメージは少なくなる利点がある。
これらの方式の露光技術は、現在でも一部の半導体製造に使用されているが、最近では主にプリント基板の製造装置やメムス（MEMS；注参照）の製造などでよく使われている。
＜メムス（MEMS；Micro Electro Mechanical Systems）＞
メムスは、機械要素部品、センサー、アクチュエー
タ、電子回路を一つのシリコン基板上に集積化したデバイスを指す。プロセス上の制約や材料の違いなどに
より、機械構造と電子回路が別なチップになる場合があるが、このようなハイブリッドの場合もMEMSという。主要部分は半導体プロセスを用いて作製されるが、写真2.5 コンタクト・プロキシミティ露光装置（出典；PLA-501F；キヤノンのカタログ）

半導体集積回路が平面を加工するプロセスで作製されるのに対し、立体形状を形成する必要があり、半導体
露光装置技術発展の系統化調査

125

露光装置技術発展 10.9.22 15:59 ページ126

集積回路の作製には使われない犠牲層エッチングと呼2.3 投影露光装置の種類

ばれる可動構造を作製するプロセスが含まれる。
現在、製品として市販されている物としては、プ
リンターヘッド、圧力センサー、加速度センサー、
ジャイロスコープ、デジタル・マイクロミラー・デバイス（DMD/DLP）などがある。

微細な回路パターンを転写するために、マスクとウェーハの間に投影光学系を配置した装置を投影露光装置と呼び、その投影光学系の特性から、等倍投影露光＜デジタル・マイクロミラー・デバイス（DMD；Digital Micro-mirror Device）＞
高精細表示を実現するDLP（Digital Light Processing）

装置、縮小投影露光装置に分類される。図2.4に露光装置の種類をまとめた。

方式の一つで、表面に微小なミラーを無数に配置したチップの各々が、画素ひとつ（ピクセル）に対応

2 -3-1

投影露光技術する。従来の「ブラウン管」「液晶」「プラズマ」方

等倍投影露光装置は、パーキンエルマー社（米国；式とまったく異なる投写方式で、プロジェクターな

Perkin Elmer）が1973年に最初に発表している。現在ではどの用途に使われている。DLP及びDigital Light

主に、液晶ディスプレイパネルの製造に使用されておProcessingはテキサス インスツルメンツ社の商標。

り、その光学系は、反射光学系（図2.5参照）を使用した
もの、反射光学系と屈折光学系を組み合わせた光学系

2 -2-2

投影露光技術もある。等倍反射光学系は、一般に円弧状の結像領域を

ガラス基板に塗られた感光剤に人物や風景などの像形成するため、マスクとウェーハを同期させて等速でを写し、それを原版として引伸ばし機で印画紙に投影

移動しながら露光するいわゆるスキャン方式で行われして焼き付けるという写真の技術は古くからある。

る。したがって、マスクの口径を大きく出来れば、大画

多くの場合、写真では、原版の像を拡大して焼付ける

面を一回のスキャンで終えることができ非常に生産性が、ステッパーに代表される投影露光技術では、電子ビが高い。反面、光学系の分解能の面では、屈折系のレンーム（EB）描画装置で作成されたフォト・マスクの原ズで構成される投影露光系には及ばず、この方式は現版を、10対１の縮小投影レンズを介して別のガラス・マ

在では、FPD（注参照）の製造装置として使われている。

スク上に縮小投影し、その投影像をステップ・アンド・

縮小投影光学系では、一回で転写できる領域が小さ

リピートしながら順次転写する。この方式は、原版の像いことから、ウェーハをステップさせながら逐次露光を拡大するか縮小するか、印画紙に相当するものが、紙をするステップ・アンド・リピート方式の露光装置、ではなくガラス（マスク材料）であることが異なるだけ

いわゆるステッパーと、レチクルとウェーハを投影倍で、一般の写真技術と同じである。装置としては、この率に応じた速度で同期させてスキャンしながら露光を従来からある写真技術を応用したフォト・リピーターあ行う露光装置、いわゆるスキャナーがある。

るいはステップ・アンド・リピート・カメラと呼ばれる

現在、最先端の半導体の製造工程では、レチクル上装置が開発されている。半導体素子製造用の縮小投影露の回路素子パターンを高精度かつ大画面で転写できる

光装置は、このフォト・リピーターと呼ばれる装置を手スキャナーが主流となっている。

本として開発されたものである。

図 2.4

126

国立科学博物館技術の系統化調査報告 Vol.6 2006.March

露光装置の種類

露光装置技術発展 10.9.22 15:59 ページ127ョン・フラット（注参照）あるいはノッチ（注参照）を利用してウェーハ・ステージに対する加工されるウェー
ハの粗い位置合せ（プリアライメント）が行われ、ウェーハ・ステージ上のウェーハ・チャックに移送される。
その後のアライメント・シーケンスとしては、製造工程の初めのパターンニングされていないウェーハと工程が進んでパターンニングされているウェーハで異なってくる。

図2.5 反射型縮小投影光学系の例（出典；キヤノンのカタログ）＜FPD（Flat Panel Display）＞
液晶テレビでおなじみの筐体が板状で画面が平面になっているディスプレイ機器の総称である。テレビな
どで、従来から主流であったCRTディスプレイの筐体
は、ブラウン管が奥に大きくせり出した構造となっており、画面も丸みを帯びていたが、これに対し、液晶
画面のように、近年の技術革新によって生み出された
省スペースで画面が平たい表示素子をフラット・パネ

図2.6 ステッパーの概念図（出典；Japan Nanonet Bulletin Vol.28）

ル・ディスプレイと呼んでいる。FPDで最初に実用化された液晶ディスプレイは、表示可能な色数や画面の変化に対する反応速度などに問題があったが、最近の①

パターンニングされていないウェーハのシーケンス

技術革新によりそれらの問題も解消してきている。

ウェーハ上に回路パターンが形成されていない最初

FPDを実現する技術は液晶以外にもいくつかあり、代のウェーハ（バージン・ウェーハと呼ぶ）の場合、バ

表的なものにはレッドあるいはエルイーディーージン・ウェーハは、レーザ干渉計で計測されるウェ（LED；Light Emitting Diode；発光ダイオード）、エレーハ・ステージ（高精度位置決めステージ；図2.7参クトロ・ルミネッセンス（EL；Electro

照）によって、第一ショットの位置に移動され、フォL u m i n e s c e n c e ）、 蛍 光 表 示 管 （ V F D ； V a c u u mーカス計測、駆動とウェーハ・レベリング駆動が行わ

Fluorescent Display）、プラズマ・ディスプレイ・パネル（PDP；Plasma Display Panel）などがある。

れ、露光が開始される。
そして１ショットの露光が終わるとステージが移動
して、次のショットで再びフォーカス計測、駆動とウ

2 -3-2縮小投影露光装置（ステッパー）

ェーハ・レベリング駆動を行い、露光する……といっ

ここでは、ステッパーとスキャナーを採用した場合、た具合に、ステップ・アンド・リピート動作で各ショ

実際の露光工程がどのように進められて行くかについットの露光を繰り返してウェーハ全面にレチクル・パて説明する。

ターンを転写する。露光が完了したウェーハは、搬出ロ

ステッパーの動作は、製造する半導体素子のデータ

ボットにより、再びコーター・アンド・デベロッパー

が外部の集中制御コンピュータから送られセットされに戻され、その後のレジスト処理が行われることになる。

ると、レチクル（ステッパーではフォト・マスクをレチクルと呼んでいる）ストッカーからレチクルを取出しレチクル・ステージにセットする。そして、ウェー
ハ上にレチクル・パターンを転写するために、コーター・アンド・デベロッパーでレジストを塗布したウェーハがステッパーに移送されてくるところからステッパーのメイン・シーケンスがスタートする。
初めに、ウェーハがステッパーのプリアライメント・
ユニットに送り込まれると、ウェーハのオリエンテーシ

図2.7 高精度位置決めステージの例（出典；キヤノンのカタログ）

露光装置技術発展の系統化調査

127

露光装置技術発展 10.9.22 15:59 ページ128

パターンニングされているウェーハのシーケンスの一部を削り取ったウェーハは、前述のスピン・コ

ウェーハ上に回路パターンが既に形成されているウーターなどで高速回転させると、遠心力のアンバラ

ェーハの場合は、前述のプリアライメント動作が終了

ンスを生じ、危険であることから、ノッチと呼ばれ②すると、ウェーハは、搬入ロボットで、ウェーハ・ス
テージ上のウェーハ・チャックに移送され、あらかじ
め決められたショットの位置に移動する。その後、フォーカス計測、駆動とウェーハ・レベリング駆動を行る小さな溝（切り込み）をつけたウェーハが用いられるようになってきている（図4.8参照）。
＜グローバル・アライメント方式の名称＞
AGA；Advanced global alignment（キヤノン）
EGA；Enhanced global alignment（ニコン）

ない、ウェーハ上のアライメント・マークの位置をス
テージのレーザ干渉計（分解能；0.3nｍ）で計測する。

2 -3-3縮小投影露光装置（スキャナー）

そして、次の決められたショットへ移動して、ウェー

ステッパーとの違いは、スキャナーでは、ショッ

ハ上のアライメント・マークの位置を再びレーザ干渉

ト露光ではなく、レチクルのパターンを細いスリッ計で計測するというアライメント計測動作を逐次繰り

トでスキャンしながらウェーハ上に回路パターンを返して、そのアライメント計測データを統計処理し、転写するので、レチクルとウェーハが、投影光学系

ウェーハ上の各ショットの位置を推定する（この一連の倍率に応じた速度で同期して移動することになるの動作はAGA、EGAなどと呼ばれている；注参照）。

（図2.8参照）。

次に、統計処理した情報に基づいてウェーハは、その上に構成された回路パターンの配列がステージの移動方向に平行になるようにウェーハ・ステージ上の微動機構で、回転駆動（θ駆動）され、さらに、ウェー
ハ全体の平均傾きがレベリング駆動され、さらにウェーハ全面の平均的なフォーカス位置にフォーカス駆動される。同時にウェーハ・ステージによって露光の第一ショットの位置に移動される。この状態では、フォーカスとウェーハ・レベリング駆動された量が、統計的に処理された平均値となっている。そこで、再びフォーカスとウェーハ・レベリングの精密計測が行われ、平均値からずれている量の駆動が行われた後に露光が開始される。 露光が終了するとウェーハ・ステ

また、アライメント・シーケンスとしては、ステッパ

ージは、第二ショットの位置へ移動し、再びフォーカ

ーと同様に製造工程の初めのパターンニングされていな

スとウェーハ・レベリングの精密計測、駆動が行われいウェーハと、工程が進んでパターンニングされている

た後に、露光が行われる。以上の動作を繰り返し、ウウェーハで異なってくるが、詳細な説明は省略する。

ェーハ全面の露光が完了したウェーハは、再びコータ

アライメント動作そのものは、ステッパーの場合とー・アンド・デベロッパーに戻され、以降のレジスト同じで、プリアライメント動作が終了すると、ウェー処理が行われることになる。

ハは、搬入ロボットで、ウェーハ・ステージ上のウェ

このシーケンスでは、フォーカスとレベリング駆動

ーハ・チャックに移送され、ウェーハ・ステージによが、ウェーハ全体として一回と各ショットの位置でシって、あらかじめ決められたショットの位置に移動さ

ョット毎に行われているが、これは、各ショットでのれ、移動しながらではあるが、フォーカス計測と駆動、補正量をなるべく小さくして駆動時間を最小にするた

そしてウェーハ・レベリング駆動が行われた後、そのめの配慮でもある。

ショット上のアライメント・マークの位置を計測す＜オリエンテーション・フラット（Orientation Flat）＞
シリコン・ウェーハは、特定の結晶方位に沿ってスライスされるので、その結晶方位をそろえて半導る。そして、次のショットに移動し同様の計測と駆動を繰り返して行う。
通常、レチクルとウェーハが高速で移動しているた

体素子をつくるために、オリフラと略して呼ばれる

め、フォーカスとウェーハ・レベリングの計測及び駆こともある目印をつける（図4.8参照）。

動を、リアルタイムで行うことは難しく、露光位置の＜ノッチ（Notch）＞

少し手前であらかじめ計測し、ウェーハが露光位置にウェーハが大口径化すると、この円形のウェーハ

128

図2.8 スキャナーの概念図（提供；キヤノンのカタログ）

国立科学博物館技術の系統化調査報告 Vol.6 2006.March

達すると同時にフォーカス駆動とショット内のレベリ

露光装置技術発展 10.9.22 15:59 ページ129

ング駆動が行われる、いわゆる先読みという手法がとフォーカス及びショット・レベリングの計測と駆動をられる。スキャン露光される像が、スリット状で、ス

行ないながら、スキャン露光というシーケンスが繰り

キャン方向と直交する方向に長い形状であることか返して行なわれる。

ら、ショット内レベリング駆動は、長手方向に対してのみ行うことも多い。

以上のシーケンスを繰り返し、ウェーハ全面の露光が完了したウェーハは、再びコーター・アンド・デベ

そして、次の決められたショットへ移動して、フォロッパーに戻され、以降のレジスト処理工程に進む。

ーカス計測と駆動、そしてウェーハ・レベリング駆動

ここで、毎ショットごとにレチクル・ステージをクが行われた後、再びショット上のアライメント・マー

イック・リターン動作でスタート位置に戻す理由は、

クの位置を移動しながら計測するというアライメント

設計上はかなり高剛性となるように配慮してはいる

計測動作を逐次繰り返えす。そして、所定の計測ショッが、駆動方向をかえるとステージの姿勢精度が変化すトの計測値を統計的に処理し、ウェーハ上の各ショッることに起因している。また、構造体もレチクルとウトの位置、フォーカス位置とレベリング量を推定する。

ェーハの両ステージを、移動する方向をかえて駆動す

次に、統計処理した情報に基づいてウェーハは露光

ると、弾性変形により微妙に精度が変化することによの第一ショットのスタート位置に移動され、フォーカ

り取られていた処置であり、この種の細々としたノウスとウェーハ・レベリングの計測、駆動を行ないながハウが、数多く露光装置には適用されている。実際の、らスキャン露光が開始される。そして、第一ショット

スキャナーの露光シーケンスは、上述のシーケンスよが終了すると第二ショットへ移動するが、その間にレりも細かい部分が多々あるが、この論文の本筋ではな

チクル・ステージはクイック・リターン動作でスターいので簡略化して記述した。

ト位置に戻される。そして、第二ショットでは再び、露光装置技術発展の系統化調査

129

露光装置技術発展 10.9.22 15:59 ページ130

3 半導体の歴史と露光技術進展の経緯
1882年、トーマス エジソン（Thomas Edison）は、ンが、点接触型トランジスタで音声信号を増幅する実電球の中に電極を入れ、それに正の高い電圧をかけ験を行い、半導体増幅器の実証に成功したが、その構るとガラスの内面に汚れが付かないことを発見した

造上から生じる点接触の不安定性の問題が残った。

が、これに電波を検出する作用があることには気付

翌1948年、ショックレイらは、その不安定さを改良し、かなかった。構造的には、これが2極真空管そのもの

接合型トランジスタの原型ともなるサンドイッチ型トであった。

ランジスタを発明した。そして、ブラッテン、バーデ

1904年、フレミング（John Ambrose Fleming）は、ン、ショックレイら3名のグループは、そのトランジ

このエジソンの2極真空管を検波器として初めて利用

スタ（注参照）の発明を同年6月30日にベル研究で報した。そして、翌1905年には、リー告している。この功績により3名は、1956年にノーベ

ホレスト（Leede Forest）が、三極真空管の特許を取得し、1919年には、ショットキー（Walter Schottky）が四極真空管を発明している。

ル物理学賞受賞した。
同じ1948年、わが国では、現在の社団法人日本電子機械工業会（EIAJ）の前身である無線通信機械工業

1930年代には、米国ではレーダーが実用化され、レ会が設立され、翌1949年には、文部省の研究費を得てーダーでより小さなものまで検出しようとすると、高「トランジスタ研究連絡会」という公的な研究会も発い周波数を扱わなければならなかった。しかし、高周足している。また、1950年には、日本電気（現NEC）波領域では、真空管には問題があることから、1945年、が、トランジスタの研究開発に着手しており、新しいレーダー用の真空管式増幅器にかわる半導体による増電子技術に対して、官民共に素早い対応がなされてい幅器の開発が、AT&T（米国）のベル研究所（注参照）

ることがわかる。

の ウ イ リ ア ム シ ョ ッ ク レ イ （ William Bradford
Shockley）らによって開始されている。
半導体の歴史をさかのぼると、1882年にトーマスエジソン（Thomas Edison）が発明した2極真空管よりも早く、1874年にカール ブラウン（Karl Ferdinand
Braun）が発見した鉱石検波器に端を発する。この初期の無線機に使用されていた鉱石検波器が最も古い半

写真3.1 初期のトランジスタ（出典；IBM社のカタログ）

導体素子と考えられ、その特許は1899年に出願されている。
1926年、グロンダール（L.O. Grondahl）とガイガ

米国にある世界最大の電話会社で、1885年、世界ー（P.H.Geiger）は、酸化銅と銅の接合型ダイオードで最初の長距離電話会社として発足、傘下に多くのを発明した。この接合型ダイオードの理論的解明は、ノーベル賞科学者を創出したベル研究所を抱えてい1938年にショットキーによってなされている。「ショたが、1970年代に始まる反独占訴訟の結果解体されットキー・ダイオード」という言葉として聞いたことがある方も多いであろう。
1939年 に は 、 ベ ル 研 究 所 の ラ ッ セ ル オ ー ル（Russell Ohl）が、半導体にごく少量の不純物を入れている。
＜ベル研究所（Bell Telephone Laboratory）＞
この研究所は、1925年に当時のAT&Tの社長であったウォルター・グリフォードが独立事業として設立したものである。ベル電話研究所とも呼ばれること

ると２つの異なった性質を示し、その接合された境界もあり、電話交換機から電話線のカバー、トランジ（P-N接合）で整流作用があることを発見している。

スタまであらゆるものの開発を行っている。もとも1945年、ショックレイは、電界効果トランジスタとはウェスタン・エレクトリック社の研究部門を引（FET）による増幅器の開発を、ショックレイの部下

き継いだもので、AT&Tとウェスタン・エレクトリッ

でジョン バーデン（John Bardeen）とウォルター ブ

ク社がそれぞれ50%ずつ出資して設立されたという

ラッテン（Walter Brattain）は半導体表面の電子がど経緯がある。

のような振る舞いをするのかを研究していた。
1947年12月23日、ベル研究所のバーデンとブラッテ

130＜AT&T（American Telephone and Telegraphの略 ）＞

国立科学博物館技術の系統化調査報告 Vol.6 2006.March＜トランジスタ（Transistor）＞
英語のtransとresistorをつなげた造語。

露光装置技術発展 10.9.22 15:59 ページ131

3.1

半導体産業の夜明けと集積回路時代の到来「1950年代」

ショックレイは、幾多の改良を重ね、1951年7月5日に実用的な接合型トランジスタを完成させた。そして、わが国でも、同年、電気通信研究所で高純度のゲルマ
ニウム単結晶を用いたトランジスタの制作に成功している。

＜サブマリーン特許 ＞
米国では、継続出願制度（2000年5月29日以降は継続審査制度）という独特の制度があり、出願日を維持しながら、出願内容を次々に変更することが可能となっている。一部継続出願では、最初に出願した内容に新たに付け加えることができることから、世の中の技術動向をみて内容を変更していくことができる。公開制度を取り入れていない先発明制度を踏襲している状態で、この継続出願制度を組み合わ1954年には、テキサス インスツルメンツ社（TI；

せると、とんでもなく古い発明が衣替えして登場しTexas Instruments Incorporated；米国）のゴードンてくることがある。それが、いわゆる「サブマリー

テール（Gordon Teal）が、シリコン・トランジスタン特許」と呼ばれるものである。米国では最近の法を開発しており、1958年には、同社のジャック キル

改正で、外国出願したものに限って公開され、またビー（Jack Kilby）により集積回路（IC；Integrated

権利は出願から20年と歯止めがかかったが、依然とCircuit）が発明され、TI社で試作がなされている。
1958年、わが国では、電子工業の振興を目的に日本
電子工業振興協会（JEIDA）が設立された。そして、翌年には、わが国初のトランジスタ式テレビを東芝がして国内出願では登録まで公開されず、サブマリー
ン特許の脅威は存続している。
＜FORTRAN（FORmula TRANslationの略）＞
1954年にIBMのジョン・バッカスによって考案された数学的な処理に目的を絞ったプログラミング言語。

完成させている。一方、同1959年７月、ジーン オー
ルニ（Jean Hoerni）は、現在のIC製造方法の基本と3.2 露光技術の夜明け「1960年代」

もなっている光学リソグラフィー（Optical lithography）技術を利用し、半導体の表面に不純物を拡散さ

1961年には、フェアチャイルド社とテキサス イン

せて平面構造のトランジスタを作る方法を考案し、プスツルメンツ社は、商業ベースの集積回路（IC）を発

レーナー・トランジスタを試作した。そして、フェア表している。同年、わが国では、国産初のルーリン

チャイルド

グ・エンジンをニコンが開発しており（写真3.2及び

セ ミ コ ン ダ ク タ 社 （ Fairchild

Semiconductor）は、トランジスタ製造に関する新技

3.3参照；産業技術史資料として登録の候補）、これが、術 Planar Processに関する特許を申請した。このこと

後のステッパー開発に役立つことになる。

から、1959年は、半導体露光技術にとって記念すべき年と言える。また、この年、ジャック キルビーがICの基本特許（俗にキルビー特許と呼ばれている）を申請している。後に、この特許は、サブマリーン特許（注参照）とも呼ばれ、半導体デバイスメーカーのみ
ならず製造装置メーカー、半導体のユーザーにまで影響を及ぼした。この年、IBMは全トランジスタ式電子計算機IBM7090を発表した。IBM7090ではトランジス
タ式電子計算機で主記憶装置に、32キロワード（k写真3.2 ルーリング・エンジン（出典；Japan Nanonet Bulletin Vol.28）

words）の磁気コア記憶装置を採用し、ソフトウエア
ではフォートラン（FORTRAN；注参照）が使用されている。また、同年、クレイ社（Seymour Cray）も、最初の全トランジスタ化したスーパー・コンピュータを開発しており、採算性を度外視した高性能計算機の開発競争が始まった。
そして、1960年、日本電気はICの実用化研究に着手
し、信越化学は、高純度シリコンの製造を開始しており、ここに、電子立国（半導体立国）日本のベースは

写真3.3

ルーリング・エンジン主要部（提供；ニコン）整ったことになる。

露光装置技術発展の系統化調査

131

露光装置技術発展 10.9.22 15:59 ページ132

翌1962年には、フォト・マスク製作用レンズ「ウルも生産されるようになった。この年、IC製作用の投影

トラ・マイクロ・ニッコール105mm F2. 8」も開発さ露光装置（PPC-1；産業技術史資料として登録の候補）れている。

がキヤノンで開発されている。

また、鉱工業技術研究組合法（1961年施行）による「電子計算機技術研究組合」が同1962年9月に設立され、大型電子計算機の開発に着手している。同年、米国では、RCA研究所（注参照）のスチーブン ホフステン（Steven Hofstein）、フレデリック ハイマン（FredricH e i m a n ）ら が 、 M O S 型 の 電 界 効 果 ト ラ ン ジ ス タ（Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistors；
MOS FET；注参照）を発明した。
1963年には、現在のコンタピュータには、なくてはならない計算機用のマウス（mouse）をドグ

エンゲ

ルバート（Doug Englebart）が発明。また、フェアチャイルド社 は、ICの商業生産を開始した。記録に

写真3.4 投影露光装置 PPC-1（提供；キヤノン）

よると、このICは、4個のトランジスタと4個の抵抗で以上述べたように、1950年代〜1960年代は、半導体作られた2つの論理回路を持つ集積回路であったよう産業の創世期でもあり、多くの半導体デバイスメーカである。

ーが誕生、あるいは、既存の電機メーカーがこれに参1964年には、IBMは、計算機システム360を発表し入してきた時代でもあった。

ている。このコンピュータは、TTL（注参照）と呼ばれる技術で製造される集積回路（64Bitのバイポラー
型IC；注参照）が採用され、大型から小型までの計算機群をそろえ、上位機種との互換性をもち、汎用大型機（メイン・フレーム；Main Frame）の市場を独占するほどの人気を獲得している。

半導体の中で動いている自由電子か、自由電子が飛び出した後の正孔のいずれかによって電荷が運搬されるトランジスタをMOSトランジスタと呼んでいる。電荷の運搬が自由電子によって行われるものを
nMOS（negative MOS）、正孔によって行われるもの

1965年、わが国では、日本電気が2Bit MOSメモリ

をpMOS（positive MOS）、両者を組み合わせて動作ーの試作に成功した。翌1966年には、わが国の産業技

速度を向上させたものをCMOS（Complementary

術水準を国際レベルにまで引上げることを主目的としMOS）という。MOSを利用した集積回路は構造が単て、大型工業技術研究開発制度（通称；大プロ）が創純なため、集積度を高くすることができ、消費電力

立されている。

も少ないという特徴を有する。

1968年には、144Bit ＮチャンネルMOSメモリーを日本電気が開発している。そして、1969年には、プロ
ジェクション・レチクル・プリンタがニコンにより開発され、半導体の製造工程に採用されている。
1970年、フェアチャイルド社は最初の256Bitの記憶＜TTL（Transistor -Transistor Logic）＞
バイポーラトランジスタのみで構成された論理集
積回路（Logic IC）のことで、TTL登場前に使われていたDTL（Diode-Transistor Logic）と区別するためにこのような名称になった。TTLはCMOSと並んでデジタルICの構成回路としてはもっともポピュラーな装置（スタティック・ランダム・アクセス・メモリ

ものの一つである。

ー（Static Random Access Memory；SRAM）を発＜Bit（binary digit）＞

表した。

コンピュータが扱う情報の最小単位のことで、0かまた、インテル社（Intel；米国）は、最初のマイク

1のように2つの選択肢から1つを特定するのに必要な

ロプロセッサ（1個の半導体チップで基本的な演算処

情報量を1ビットとする。一般に、nビットの情報量理を行うもの＝Microprocessor；Intel 4004）と世界初の１kbit DRAMを発表、Intel 4004は、2300個のトランジスタを集積、日本のビジコム社の電卓（電子式
卓上計算機）に採用されたほかゲーム機などにも転用

132＜MOS（Metal Oxide Semiconductor）transistor＞

では2のn乗個までの選択肢からなる情報を表現することができるので、アルファベット26文字を表現するのに必要な情報量は5ビットとなる。
＜ROM（Read Only Memory）＞
読み出し専用記憶装置。一度書き込まれた情報をされ、計算機の低価格化をもたらした。そして、この読み出すための記憶装置で、書き換える必要のない

頃、商用記憶装置DRAMの他にROM（注参照）など

情報や、書き換えられては困る情報を記憶させる。

国立科学博物館技術の系統化調査報告 Vol.6 2006.March

露光装置技術発展 10.9.22 15:59 ページ133＜バイポラー型IC＞

この装置では、レチクルのパターン面とレジスト表

プラスの電気とマイナスの電気を同時に利用する

面を接触させることなくアライメントと露光ができる

ことにより信号の処理を行うタイプのICである。 超ため、レチクルの寿命が長くなり、レジストへのダメ

小型化、量産化、高信頼性、低コスト化が可能でデジタル回路に適するモノシリックICの中の１つで、他のタイプのユニポーラICに比べて集積度と消費電力の点で不利であるが、高速スイッチング性に優れている利点がある。
＜RCA＞

ージもほとんどなくなり、半導体素子製造の「歩留り」
が、飛躍的に向上した。また、この時代には、量産指向が一段と強まり、ウェーハの自動供給と搬出のための装置、いわゆるオートフィーダー、レチクル上の回路パターンと前の工程で形成されたウェーハ上の回路

1919年 ゼネラル・エレクトリック（GE）からパターンを自動的に位置合わせするためのオートアラ

Radio Corporation of Americaとして分離、独立した。

イメント機能など、自動化の必然性がさけばれるよう

その後1969年に社名をRCAと改称した。1986年にゼになり、装置メーカーは、これらの開発に凌ぎを削っネラル・エレクトリックに買収されたアメリカの総た時代でもあった。

合電気機器メーカー。

3.3

大規模集積回路時代の到来とステッパー技術の夜明け「1970年代」

また、同年、半導体素子の微細化に対応して、キヤノンは投影露光装置（FPA-120）と両面同時露光可能
な投影露光装置（BPA-200）を発表している。
1974年、インテル社は、8ビット・マイクロプロセ

1970年代の初めまでは、ウェーハにマスクを密着さッサ（MPU；注参照）8080を発表（6000個のトラン

せて、一般の写真と同様に一定時間マスク上から光をジスタを集積）。クロック速度（Clock speeds；注参

照射し、レジストを感光させるコンタクト・アライナ

照）は2MHzで、最初のパーソナル・コンピュータ

ーが半導体素子の製造に使用されていた。初期のコン（Personal Computer；PC）アルテア（Altair）に採用

タクト・アライナーは、高圧水銀灯の露光光を照射すされた。

るための照明光学系、露光時間を制御するためのシャッター機構、マスクを保持するためのマスク・ホルダ

1974年には、商用４kbit DRAMが、インテル社から発表された。

ー（プラテンともよばれる）、ウェーハを保持するた

1975年、わが国では、通産省の国家予算（次世代電めのウェーハ・チャック、マスクとウェーハ上の回路

子計算機用大規模集積回路開発促進費補助金）で官民パターンを合わせるためのアライメント顕微鏡及び相共同の「超LSI技術研究組合」の共同研究所のテーマ

対位置を合わせるための位置合わせ機構などから構成を検討する小委員会が設置された。縮小投影光学系をされていた。この種の装置は当初、人間が毎回アライ搭載した露光装置（FPA-141；写真3.5参照）がキヤノ

メント顕微鏡を覗いて手動で位置合わせをしていたこ

ンより発表された。この時代には、ステッパーというとから「眼合わせ装置」とも呼ばれていた。

言葉がなかったので、この装置はファインパターン・

1971年には、世界初の大幅にIC化されたカラーテレ

プロジェクション・マスク・アライナー（産業技術史

ビを東芝が発売。IC製作用の投影露光装置PPC-210が、資料登録候補）と呼ばれていた。ステッパーの草分け

キヤノンで開発された。

的存在である。

1972年、インテル社は、最初の8ビット マイクロプ
ロセッサIntel 8008を発表（3500個のトランジスタを集積）している（巻末の附図参照）。
1973年プロキシミティ・アライナー（PLA-300）がキャノンより発売される。微細化が進み、加えて半導体メモリー素子（DRAM）の需要が急速に伸びて、
4kbit DRAMの時代にはいると、密着のために生ずる
レチクルの損傷、転写された回路パターンのダメージなど、コンタクト アライナーの欠点が次第にクローズアップされるようになった。この問題を解決するために開発された装置が、レジストを塗布したウェーハに、レチクルを近接させて露光できるプロキシミテ
ィ・アライナーである。

写真3.5 投影露光装置 FPA-141（提供；キヤノン）

露光装置技術発展の系統化調査

133

露光装置技術発展 10.9.22 15:59 ページ134

同年、米国では、ハーバード大の学生ビル ゲイツ（Bill Gates）とポール アレン（Paul G. Allen）がベー合に納入している。

シック（BASIC；注参照）言語をパーソナル コンピ

そして、1980年には、ニコンはステッパーNSR-

ュータ（Altair 8800 personal computer；PC）上で走1010G（写真1.2参照）の出荷を開始し、この年、日本

らせることに成功したことで、BASICは初期のパーソ

電気と富士通が64kbit DRAM生産を発表した。日米ナル コンピュータに標準装備され、広く使用される半導体戦争勃発の兆候が見え始めたのも、ちょうどこ

ようになった。

の頃である。

1976年には、「超LSI技術研究組合」共同研究所の仮事務所が発足し、ニコンは縮小投影露光装置の開発を、キヤノンは、反射型投影露光装置の開発をスタートさ＜CPU（Central Processing Unit）＞＜MPU（Micro Processing Unit）＞
コンピュータ内で基本的な演算処理を行う、コンせた。同年、クレイ社（Cray；米国）は、スーパ

ピュータの心臓部に当たる半導体チップを「MPU」

ー・コンピュータ「クレイ--１（Cray１）」を発表。こと呼んでいる。歴史的には、コンピュータの演算処

れは、フレオンで冷却した20万個のICを使うスーパ

理は複数の半導体チップが連携して行っており、こー・コンピュータで、毎秒１億回の浮動小数点演算をの半導体チップ群を「中央処理装置（CPU）」と呼ん実現した。大型コンピュータのメインフレームを製造でいた。マイクロプロセッサは中央処理装置を1個のしている5社が参加している「超LSI技術研究組合」の半導体チップに集積した部品として生まれたが、現活動を加速させる良い刺激となった。

在はマイクロプロセッサが全ての演算を担当するの1977年には、最初のアップル（Apple）社のPCが発売され、PCの低価格価が進展した。同年、16kbit
DRAMをNECが発表している。

が当然になっているため、CPUという言葉もMPUと同じ意味として使われている。
＜クロック速度（Clock speeds）＞
マイクロプロセッサには、1回の命令で同時に処理

1978年、インテル社は、16ビット・マイクロプロセ

できるデータの量によって16ビット、32ビット、64ビ

ッサ（Intel 8086）を発表。これは、トランジスタ29,000

ットなどの種類があり、一般に値が大きいものほど性個を集積、クロック速度は、5MHz、8MHzと10MHzの能が高い。また、同じビット数でも、1秒間に実行で3種類があった。 また、同年、64kbit DRAMを世界で初きる命令の回数（「Hz」で表わされる）、あるいは、バ

めて富士通が量産化に成功している。

スと呼ばれる周辺装置とのデータ伝送路が一度に運べ

1979年、米国では、インテル社が、16ビット・マイ

るデータの量（「ビット」で表わされる）、バスが1秒

クロプロセッサ（Intel 8088）を矢継ぎ早に発表した。

間に行える転送の回数（「Hz」で表わされる）などに

これは、16ビットのCPU（注参照）で、トランジスタ
数29,000個を集積、クロック速度は5MHzと8MHzがありIBMのPCに採用された。同年、モトローラ社も、違いがあるが、これらの値をクロック速度とよび、これが大きいものほど性能が高くなる傾向がある。
＜ベーシック（BASIC）言語＞
BASICは Beginners All purpose Symbolic

16ビット・マイクロプロセッサ（Motorola 6800）をInstruction Codeの略で、BASICの起源は、大型計算発表した。モトローラ社のCPUは、アップル社のPC

機のタイムシェアリング・システムをインタラクテ

であるマッキントッシュ（Macintosh）に採用された。

ィブに制御するために、1960年代中頃にDartmouth

70年代後半になると、半導体素子、特にDRAMの大学で開発された。BASICはインタプリタ型（注参

微細化が一段と進み、プロキシミティ・アライナーで照）の言語であるが、実行ファイルを作成できるコは所要の回路パターンを解像できなくなったことか

ンパイラも開発されている。現在では、このBASICら、1979年に投影光学系を反射ミラーで構成した等倍言語を土台として、WindowsなどのGUI（注参照）のの反射型投影露光装置（ミラー・プロジェクション・
アライナー）がキヤノンから発売された。
また、マスター・マスク（レチクルとも呼ばれる）

134

初のステッパー（SR-1）を開発し、超LSI技術研究組

上で、インタラクティブな操作で簡単にプログラムを作成できるMicrosoftのVisual Basicが広く普及している。
＜インタプリタ（Interpreter）＞の像を縮小して生産用マスクを製作するためのフォ

プログラミング言語で記述したソースコード（ソト・リピーターの技術を応用し、縮小投影光学系にレ

フトウエアの設計図）を、オブジェクトコード（コンズを使用した縮小倍率1/10の逐次露光装置（ステッンピュータが実行できる形式）と呼ばれる記号列にプ ・アンド・リピート式縮小投影露光装置）、いわゆ

変換しながら、そのプログラムを実行するソフトウ

るステッパーが、1978年に米国のGCA社から発売さエアをインタプリタ型言語という。インタプリタ型

れた。そして、同時期にわが国では、ニコンが、国産の言語はプログラムの実行時に変換を行なうため、

国立科学博物館技術の系統化調査報告 Vol.6 2006.March

露光装置技術発展 10.9.22 15:59 ページ135

その分だけコンパイラ型言語よりも遅くなる。

初の8インチ・ウェーハ対応のステッパー（FPA-1558）＜GUI（Graphical User Interface）＞

がキヤノンで開発され、あるデバイスメーカーに納入

ユーザーに対する情報の表示にグラフィックスなどを用いて、コンピュータの一般的な操作をマウスなどのポインティング・デバイスによって視覚的に行うことができる機能をいう。

3.4

超大規模集積回路の発展と共に歩んだ
ステッパー技術「1980年代」

1980年代に入ると、半導体の需要の伸びはさらに、加速され、量産用ステッパーとして、縮小倍率が1/5された。また、吉田ナノ機構プロジェクト（科学技術振興機構）が発足したのもこの年であった。
1987年には、米国で官民共同のプロジェクトである
セマテック（SEMATECH；6章で詳しく説明する）
がスタートした。
1988年、東芝が16Mbit DRAMを開発。新エネルギ
ー産業技術総合開発機構（NEDO）が誕生したのもこの年である。そして、半導体産業の進展は国家の威信をかけた競争となっていったのである。

になり、一回に露光できる画面サイズも、従来の□10

80年代後半には、半導体素子の微細化に拍車がかかｍｍから、1981年には□15ｍｍ、1989年には□17.5ｍ

り、高解像力を求めて、投影光学系の高NA（開口数）ｍ、1990年には□20ｍｍ、そして1996年には□22ｍｍ化の競争が一段と激化した。

へと拡大していった。写真 3.6 は、1981年にニコンが

この激動の時代、ステッパーの技術も、急速な半導発売した画面サイズが□15ｍｍの量産用ステッパー

体素子の微細化競争の中で、多くの超精密とも呼べる（NSR-1505G；産業技術史資料として登録の候補）で技術を開発し採用している。たとえば、オートアライ

ある。

メント技術も、従来のレーザ・ビームをスキャンしてその回折光から、アライメント・マークの位置を検出する方式から、画像認識技術とパターン・マッチング技術を応用した高精度の計測技術が開発され、投影像の像面とウェーハの表面を合わせるためのオート・フ
ォーカスの技術も、当初エアー・マイクロメーターの技術を応用していたが、光学的にウェーハの表面位置を検出し位置合わせする方法が開発されるなど、半導体素子の高速化とあいまって、装置の高精度化と高速
写真3.6

ステッパー NSR-1505G（提供；ニコン）化が同時に達成された。素子を製造したその装置が、その素子の恩恵にあずかり、高速化と高精度化を達成

1982年には、はやくもニコンは、米国へステッパー

し、さらに微細な高性能の素子の製造に寄与すると言を初出荷。その後、1983年にキヤノンが、ステッパーった循環型の技術向上は、画像処理のための回路素子（FPA-1500FA）を発表している。

だけでなく露光装置の機構制御システムの構築にも寄1984年、256Kbit DRAMの量産化に日立が成功し、与している。

同年、6インチ・ウェーハ対応の等倍反射型投影露光装置（MPA-600FA）をキヤノンが発売した。この年、ニコンは、NSR-1010i3というサブミクロンの解像力を有するステッパーを世界に先駆けて開発している。そして、翌1985年には、1Mbit DRAMを東芝が発表した。しかし、この年は、わが国の半導体業界にとって非常に不幸な年となった。すなわち、SIA（注参照）＜SIA（Semiconductor Industry Associationの略）＞
半導体産業が組織する団体の名称で、半導体技術のトレンドを予測しているロードマップが有名である。

3.5 ステッパー技術は、サブミクロンから
ナノメートルの時代へ「1990年代」

が米通商代表部にわが国の半導体ダンピング問題を提1990年代にはいると、半導体素子の微細化は、サブ訴したのである。一方、この年、インテルがDRAM

ミクロンの領域に達し、投影光学系の高NA化（NAにから撤退しMPU事業に特化している。また、大手半

ついては、4-1-2節で詳しく説明する）にともなう焦点

導体製造装置メーカーが発起人となり日本半導体製造深度の問題から、露光に使用する光源は、従来の超高装置協会（SEAJ）を設立したのは、この年である。

圧水銀灯の特定波長である436nm（ｇ線）から、365n

1986年には日米半導体協定が締結されている。このｍ（i線）へと、短波長化の方向に向かった。また、

年4Mbit DRAMをNECと東芝,が発表している。世界

この頃から焦点深度を有効に使うためのウェーハ・テ

露光装置技術発展の系統化調査

135

露光装置技術発展 10.9.22 15:59 ページ136

ィルト機能も搭載されるようになった。ウェーハ・テ

ステッパーが開発されたのも、この頃である。

ィルト機能は、ウェーハ・レベリングとも呼ばれていまた、生産性（スループットと言う）の向上を主目る。さらに、装置が置かれている空間の雰囲気の気圧、的として、レチクルとウェーハを投影光学系の投影倍

温度や湿度で空気の屈折率が変化することで、投影レ率に応じて同期させてスキャンしながらスリット露光

ンズの倍率が変化するためにそれを自動補正するためを行う、いわゆるスキャナーの開発が始められた。
＜半導体産業研究所（SIRIJ）＞の投影倍率補正機構なども開発された。
また、社会情勢としては、1991年に日米半導体協定

通称「半産研」と略して呼ばれている総合家電メが改定されている。微細化の進展では、1992年NECがーカーや半導体デバイスメーカー11社（2006年1月

64Mbit DRAMを発表し、翌年には256Mbit DRAMを
矢継ぎ早に発表している。そして、翌1994年には、日立が1Gbit DRAMの試作に成功するなど、半導体産業
は、世界を席捲しているかのように見えた。この年、通産省（通商産業省の略；現在の経済産業省）は日米

現在）が参画する団体。日本の半導体産業を活性化
し産業の国際競争力を向上させ、併せて半導体の持
つ多くの可能性へ挑戦することを目指し、各種ビジ
ョンと実行プランを策定する機関（シンクタンク）として1994年4月に設立された。
＜半導体理工学研究センター（STARC）＞

半導体摩擦の終息を宣言しており、半導体産業研究所

日本の半導体関連企業が参画し、シリコン半導体（注参照）が発足している。翌1995年には、株式会社

技術の基礎分野について、日本の大学への研究委託、半導体理工学研究センター（注参照）「STARC」が設あるいは大学との共同研究を遂行し、わが国の技術立され、1996年には、株式会社

基盤の強化と先端競争力の維持を実現することなど

半導体先端テクノロ

ジーズ（注参照）「Selete」の設立もあった。
しかし、わが国の半導体の生産額は、1980年以降、右肩上がりの向上を続けていたが、1995年を境に右肩下がりとなってしまった。そして、1998年には、半導体製造の大手五社が、DRAMの不振で赤字に転落している（図3.1参照）。

を目的に1995年12月に設立された。
＜半導体先端テクノロジーズ（Selete）＞
1996年2月に半導体企業10社の均等出資で、300mmウェーハ装置を用いる生産技術の開発（装置・材料評価プログラム、TCADプログラム、先端リ
ソグラフィー・プログラムなどを中心に業界共通のコア技術の開発）コンソーシアムとして設立された。

この右肩上がりの時代には、半導体産業の設備投資も旺盛で、露光装置産業は、60％から90％のシェアを有していた。
90年代後半には、ハーフ・ミクロンの時代に突入し、現在では、このスキャナーが露光装置の主流となっ解像力の向上のための各種プロセス技術や微細化にとており、露光光の波長も193nm（ArF）に進んでいる。

もなって、ますます浅くなる焦点深度をカバーするた

ステッパー、スキャナーのいずれにしても、ウェーめの超解像と呼ばれる各種の手法、すなわち、変形照ハの露光を行うためのシステムに変わりはないが、転明法、位相シフト・マスクなども開発され実用化され写される像の性質は両者で異なってくる。例えば、投ている（詳しくは第5章参照）。そして、波長が248nm

影レンズのディストーションと呼ばれる像形状の誤差（KrF）のエキシマ・レーザーをパルス露光の光源と（4.5節参照）は、ステッパーでは、レンズ固有の誤差して使用する露光倍率が1/4のエキシマ・レーザー・として生ずるが、スキャナーでは、投影レンズは、ス

図3.1

136

3.6 ステッパー技術は、スキャナー技術へ「2000年代」

わが国の半導体の生産額と輸出入額の推移

国立科学博物館技術の系統化調査報告 Vol.6 2006.March

露光装置技術発展 10.9.22 15:59 ページ137

テージの移行方向と直行する方向に長いスリット状の＜EB直接描画装置＞

像を形成させることから、長手方向のレンズ・ディス

1967年に日本電子株式会社で電子ビーム（EB；トーションのみが、転写される像に関係することにな

Electorn Beam）露光装置が開発されている。これは、り、従来のレンズ設計に比べて難易度的には高精度化
しやすくなっている。とはいえ、半導体素子の微細化は留まることなく進んでいるので、その先端で高精度のレンズ開発競争にしのぎを削っているわれわれ技術

光レチクルに電子回路のパターンを描画するための設備として開発されたもので、電子銃から発生した
電子ビームを電子レンズ（磁界の作用を利用）を用
いて細く絞り、方向を制御しながらガラス基板上に塗布された感光剤に照射し、ガラス基板を移動させ者は、レンズ設計が容易になっているとはまったく感て回路パターンを描画するもので、電子ビームの径じられない。加えて、従来、レンズが持っていた誤差は0.1μｍくらいで、制御幅は250μｍ程度である。

の一部を、レチクル・ステージとウェーハ・ステージ

したがって、レチクル全域を描画するためのスキャ機構とその制御システムが肩代わりすることになるの

ン・シーケンスから、ラスター・スキャンとベクタ

で、機構開発や制御システム開発の難易度は、格段にー・スキャン方式に分類される。しかし、この方式高くなっている。

では、微細な回路パターンをウェーハ前面に描画す

また、近年、光学的解像力の向上策として、液侵露
光技術（この技術については、5.4節で詳しく説明する）
も 導 入 が 始 ま っ て い る 。 さ ら に 短 波 長 の F 2レ ー ザ（157nm）光源を搭載した露光装置やEUV（Extreme

るのには、膨大な時間がかかり、実用的ではない。
したがって、ウェーハの直接描画用の装置としては、
マルチ・カラムと呼ばれる多数本の電子ビームで、描画する方式と、回路図の繰返しパターン部分を抽出して作成した20〜100種類程度のパターンを持つレ

Ultra-Violet）露光装置（13nm）の研究開発も行われチクルに照射して得られる電子ビーム・パターンを、ている。

電子レンズを用いて10分の1 〜数10分の1倍のサイズ

また、一方では従来の光とは別に、電子ビームに縮小してウェーハ上にステップ露光する方式が研（EB）でウェーハ上のレジストに直接描画するEB直究されている。後者の方式では、1回の照射毎に、ウ接描画装置や電子ビームでワン・ショット露光する

ェーハ上に最大で数マイクロメートル角を描画でき、EB縮小露光装置などの開発も進んでいる状況である。

電子ビームの数mm程度の偏向とウェーハ・ステージ＜Ｆ2 露光装置＞
露光光源をArFよりさらに短波長のF2エキシマ・レの移動によって、次々に回路パターンを継ぎながら、ウェーハ全面を描画することが可能である。

スキャナーである。F 2は、フッ素の化学記号。露光

ムアーの提唱した「ムアーの法則」と3.7 ゴードン
露光装置技術の関係について

装置の構成や半導体デバイスメーカーでの製造プロ

1965年、Fairchild Semiconductor社のゴードン

セスなどは、現行の光露光技術の延長上にあり、こアー（Dr. Gordon E. Moore）は、Electronics誌

ーザー（波長：157nm）にしたステッパーあるいはれまでに蓄積したノウハウの活用が可能であるという利点がある。この波長になると、吸収の少ない硝材（レンズ用の光学ガラス材料）が限られてくるた
め、レンズ設計も一段と難しくなり、加えて、レンム（Vol.38, No.8, April ）の「Cramming more components onto integrated circuits」と題する論文の中で、「一定面積に集積されるトランジスタの数は12か月でズの加工技術、光学薄膜のコーティング技術など、倍増し、それに伴いトランジスタの動作速度が向上す

解決すべき課題も多々あるが、現在は、ミラーだける」と述べている。

で反射光学系を構成する方法やレンズとミラーを組

以下が、その原文の抜粋である。

み合わせた縮小光学系が検討されている。

The complexity for minimum component costs has＜EUV露光装置＞

increased at a rate of roughly a factor of two per

極めて波長の短い紫外線（波長：13nm）を用いたyear（see graph on next page）. Certainly over the

縮 小 投 影 露 光 で 、 EUVL（ Extreme Ultra Violet

short term this rate can be expected to continue, if

Lithography）とも呼ばれている。原子レベルの薄膜を積層して製造する反射光学系、そしてレーザ光のエネルギーでプラズマを生成して発生する極端紫外線（EUV）光源の開発などが課題である。

not to increase. Over the longer term, the rate ofincrease is a bit more uncertain, although there is no
reason to believe it will not remain nearly constant

このEUV露光の研究開発は、次世代電子技術の研for at least 10 years. That means by 1975, the num-

究組合である「技術研究組合超先端電子技術開発機

ber of components per integrated circuit for mini-

構 （ ASET； Association of Super-advanced

mum cost will be 65,000.

Electronics Technologies）」で進められている。

その後、Intelの共同設立者の一人であった彼は、露光装置技術発展の系統化調査

137

露光装置技術発展 10.9.22 15:59 ページ138

1968年にロバート ノイス（Robert Noyce）とともには、EIAJ（注参照）やSEAJ（注参照）のロードマッ

Intelを立ちあげる。そして、1975年にIEEEでの講演

プ委員会が作成したものなどがある。いずれにしても、「Progress In Digital Integrated Electronics」の中で、この尺度は、素子の最小寸法が3年でルート2分の1

前述の法則をチップの複雑化を考慮して、トランジス（約0.7）倍のペースで、微細化が進展するかのように

タ数の倍増ペースを24か月に修正している。

予測されている。これは、3年で素子の面積が約1/2に以下が、その講演内容の抜粋である。

なることと同じである。したがって、ゴードン

Complexity of integrated circuits has approximate-ーの提唱する「ムアーの法則」とは異なり、同じチッly doubled every year since their introduction. Cost

プ面積で考えると、3年で2倍の集積度になることに相per function has decreased several thousand-fold,当する。このため、DRAMの生産では、第一世代は、

while system performance and reliability have been

3年で4倍の集積をするのに約2倍のチップ・サイズをimproved dramatically.

要していた。そして、第二世代、第三世代と「スケー（中略）

リング則」を適用して素子をシュリンク（注参照）しNeglecting the first planar transistor, where veryてチップ・サイズを小さくしていったのである。そのconservative line width and spacing was employed,

典型的な例が、1995年に三菱が発表した64Mbit

there is again a reasonable fit to an exponential

DRAMである（附図参照）。デザイン・ルールでは、

growth. From the exponential approximation repre-

64Mbit DRAMの最小寸法は0.35μｍで、チップ・サ

sented by the straight line in Figure 3, the increase

イズは、10ｍｍ×20ｍｍのはずである。ところが、こin density from this source over the 1959-1975 periodの発表では、デザイン・ルールが、0.3μｍ、チッis a factor of approximately 32.

プ・サイズは、当時最小の8ｍｍ×17ｍｍであった。

（中略）

これは、16Mbit DRAMのチップ・サイズとほぼ同じ

With this factor disappearing as an important con-

であり、一時代前のチップ・サイズの大きさにシュリ

tributor, the rate of increase of complexity can be

ンクできたということは、この技術で、一時代先の

expected to change slope in the next few years as

256Mbit DRAMを作れば、チップ・サイズを10ｍ

shown in Figure 5. The new slope might approxi-

ｍ×20ｍｍ程度にできることを意味している。このよmate a doubling every two years, rather than every

うに、「スケーリング則」を利用して、素子をシュリ

year, by the end of the decade.

ンクすることで、チップ収率も向上させることができ、

しかし、わが国で、ステッパーの開発がスタートした当時、装置開発者の間では、「ムアーの法則」とは、半導体産業において、1.5年から2年で、集積回路の機

次世代のチップの可能性も検討できるわけである。
＜ITRS（International Technology Roadmap for
Semiconductors）＞

能（トランジスタ数など）、いわゆる集積度が倍にな〈EIAJ（Electronic Industries Association of Japan；

ること、言い換えると、「1.5年で倍の集積度は、3年

日本電子機械工業会）＞

で4倍になる」という部分だけが、一人歩きしていた＜SEAJ（Semiconductor Equipment Association of

ように思える。

Japan；日本半導体製造装置協会）＞

一 方 1974年 、 IBMの ア ー ル デ ナ ー ド （ R. H.
Dennard）により「スケーリング則」が、提案されているが、これは、MOSトランジスタを3次元的に縮小し、同時に電源電圧や不純物濃度を系統的に変化させれば、性能を損なうことなくMOSデバイスの高集積化と高速化ができるというものである。
もう一つ、半導体の微細化では、「デザイン・ルール」と呼ばれる尺度がある。これは、各半導体デバイ
スメーカーが実際に製造した素子の最小寸法の実績であり、その実績を踏まえた予測が、ロードマップと呼ばれて、半導体素子の開発から製造装置の開発に至るまでの指針となっている。ロードマップで有名なものには、アメリカでは、SIA、ITRS（注参照）、日本で

138

ムア

国立科学博物館技術の系統化調査報告 Vol.6 2006.March＜シュリンク（shrink）＞
シュリンクとは、「小さくなる」の意味。シュリンクが進み、同等の機能のチップがより小さい領域に形成できれば、同じ面積のウェーハからたくさんのチップを生産することができる。また、チップが小さくなれば回路内で電子が移動する距離も小さくな
り、高速化・省電力化につながるメリットもある。

露光装置技術発展 10.9.22 15:59 ページ139

4 露光装置（ステッパー）に投入された諸技術
露光装置は、微細加工技術の中核となるもので、半ツ（米国）のJean Hoerniが、プレーナー型のトランジ

導体集積回路の形成には不可欠の技術として研究開発

スタを作る方法として発表したのが始まりである。そが行われてきた。露光装置にとって、集積回路の微細して、そのコンタクト露光装置に使用するレチクルを化に対応した分解能を有する光学系の開発、その光学製作するためのフォト・リピーターと呼ばれる縮小投系を製造するための加工装置や計測装置、そしてその影光学系を搭載した露光装置が開発された。現在使用

光学系を有効に機能させるための鏡筒の加工装置などされているステッパーのルーツをたどると、このフォと、集積回路をウェーハ上に形成するための位置決め

ト・リピーターに行き着く。

装置と制御技術、外乱を遮断するための温調技術や防この生産装置としてのステッパーに要求される性振技術にいたるまで、数多くの先端技術が投入されて能は、いる（図4.1参照）。

①

1970年11月の米国IBM社のTechnical JournalのThe Step & Repeat Camera（D.S. Alles、他） には、

投影レンズの性能（解像力）；
何μｍのパターンがきれるか？

②

回路パターンの重ね合せ精度（アライメント精度、当時の最先端の技術とその設計思想が紹介されておオーバーレイ精度）；半導体素子のパターンをどり、後にステッパーを開発する技術者にとって、有効のくらいの精度で重ね合わせることができるか？

な参考資料の一つとなった。

③

従来は、外国に頼っていた計測技術も、1960年代に生産性（スループット）；
単位時間に、何枚のウェーハを処理できるか？

半導体製造関連製品の製造を開始したニコンは、光学④

信頼性；どれだけの時間安定して運転できるか？

系の開発はもとより、精密機械の代表ともいえるルー⑤

耐久性；どれだけの期間部品交換なく（消耗部品

リング・エンジンの開発を手懸けており、ここで培わは、定期的に交換して）運転し続けることができれた精密加工技術や精密計測技術が、ステッパーの開るか？

発に貢献している（参考文献11参照）。

である。近年では、これに、半導体製造用の光露光装置は、ICの製造装置として開発されてきたことから、そのルーツは、あまり古いものではなく、1959年に、テキサス インスツルメン

図4.1

⑥

COO（Cost Of Ownership；注参照）；
1チップ生産するのに要する総コストは？

が加わっている。

露光装置に投入された諸技術

露光装置技術発展の系統化調査

139

露光装置技術発展 10.9.22 15:59 ページ140

本節では、ステッパーの開発に投入された諸技術について、①され、導入された技術②③

4.1 微細化に対応して開発された技術

半導体素子の微細化（高精度化）対応として開発
半導体素子の微細化は、前述の「ムアーの法則」に生産性（高速化）の観点から開発され、導入され沿って進展してきたが、同時に微細化の歴史は、高精た技術度化の歴史でもある。ここでは、年々微細化が進む中

その他の技術で、前述の（１）、（２）の要求に応じてどのような技の三つの切り口から述べてみたい。

術が開発され、導入されていったかについて述べる。

＜COO（Cost Of Ownership）＞＜OEE（Over Equipment Effectiveness）＞

4 -1-1

光学技術

半導体の生産では、製造プロセスの効率化が重要な

ステッパーに搭載されている光学系には、照明光学課題となり、従来、露光装置では、スループットと呼系、主レンズとなる縮小投影光学系、そしてフォーカ

ばれる「単位時間に何枚のウェーハを処理できるか」

ス位置やステージの位置を計測する計測光学系、ウェという尺度で、性能比較され、装置導入の判断材料とーハ上のアライメント・マークを検出するアライメン

されてきたが、その後、装置単体でのスループットのト光学系など、数多くの光学システムが組み込まれて追求から装置間、工程間の効率化、さらには工場全体いる。ステッパーを開発しているニコンもキヤノンもの生産効率の向上を図ることが検討され始め、ウェー
ハ1枚当りの処理コストを示すCOO（Cost Of Ownership）という尺度が導入され、露光装置も省エネルギー対策（電力の消費量の削減、高圧空気、ガスなどの消費量の削減、真空使用量の削減など）の対応が必要となった。

光学機器メーカーであり、光学理論やレンズ設計技術に長けている技術者を抱えており、レンズやミラーなどの精密光学素子の製造技術、光学薄膜のコーティン
グ技術などを有していたことから、両社は当初からス

最近では、「装置単体でのスループット」の追求か

テッパーの開発に適した条件をそなえていたといえる。

ら装置間、工程間の効率化、さらには工場全体の生

1980年代の半導体の微細化のトレンドに追従し、そ産効率の向上を図ることが検討され始め、前述の装の牽引役を果たせたのも、素早く、かつ柔軟に対応で置のコスト評価尺度COO（1枚当たりの処理コスト）

きる光学技術とそれを加工できる精密加工技術、精密が、さらに一歩進んだSEMATECHが提唱するOEE

計測技術を自社で有していた両社の強みであった。

（Over Equipment Effectiveness）が採用されるようになってきている。OEEは、装置の有効性、生産時

図4.2は、露光装置に投入されたキヤノンの光学技術の例である。

間効率、スループット効率、歩留りによって決まる、
COOがコスト面での効率の指標であるのに対し、
OEEは「時間軸における効率」を示すもので、設備総合効率の指標である。すなわち、プロセス装置の全体の使用時間の内、故障、非製品 ウェーハ処理、
メンテナンス時間、アイドリングなどを除いた、 真の生産に寄与する装置全体の有効稼働率のことを指しており、半導体デバイスメーカーのコスト競争力維持のために、歩留りの改善と共にOEE向上の重要性が著しく高まっている。
このような、包括的な要求に対しても、装置開発
では、かなりの労力を注ぎ込んで検討を重ねているのが現状である。ちなみに、1980年当初、キヤノンの場合、ステッパーの開発は、光学技術者数名、機構設計技術者5〜6名、ソフト設計、ハード設計を含

4-1-2

露光波長の推移とレンズの開口数（NA）

回路パターンの微細化に対するステッパーでの光学

めた電機技術者3〜4名という少人数でスタートして的な対応は、2つの方法がとられている。その方法といるが、1995年には、開発する機種が増えたとはい

は、レイリー（Rayleigh）の式からも明らかなように、

え規模的には、数百名の技術者がステッパーの開発

投影光学系の解像度（R）は、露光に使用する光源のに専念して新製品を開発していることから考えると、光の波長（λ）とレンズの開口数（NA；Numerical

いかに装置が複雑化してきているかを窺い知ること

Aperture）で決まる（図4.3参照）。

ができる。

140

図4.2 露光装置に投入された光学技術の例（出典；キヤノン、技術を深耕するスペシャリストたち）

国立科学博物館技術の系統化調査報告 Vol.6 2006.March

露光装置技術発展 10.9.22 15:59 ページ141

4 -1-3

アライメント技術

ステッパーのアライメント技術は、計測方法、計測
シーケンスなどから幾つかの方式に分類できる。また、計測の位置検出方法としては、アライメント・マークに照射したレーザ光の回折光の強度分布を測定する方式（図4.5参照）とCCDイメージ・センサー（注参照）
でマークを読取り、画像処理を行って位置合わせする、
いわゆるパターン・マッチング方式があるが、現在では、画像処理系の速度が向上し、精度も良いことから
画像処理方式が主流となっている。
図4.3

ＮＡの説明図ＮＡは、空気の屈折率をｎとすれば、
NA= n×sinθ
解像度（R）と焦点深度（DOF）は、
解像度（R）= k1×（λ/NA）
焦点深度（DOF）= k2 ×（ λ/NA2）で表される。ここにk1、k2は、プロセス・ファクターと呼ばれており、通常は1/2である。
すなわち、ウェーハ上に書きこむパターンの解像度

図4.5

回折光の図

は、波長に比例し、投影レンズの開口数に反比例する。
言い換えると、光源の波長が短く、投影レンズのNA

計測方式としては、投影光学系を介して位置検出をが大きいほど高い解像度が得られるということである

行うTTL（Through the lens）オン・アクシス・アラ（図4.4参照）。

イメント光学系（図4.6参照）、あるいは、投影光学系を介さない測長顕微鏡を有するオフ・アクシス・アラ
イメント光学系を搭載している。また、計測及び駆動方式から分類すると、1ショット毎にアライメント計
測と駆動を行うダイ・バイ・ダイ・アライメント方式とウェーハ上の数個所のマークを計測し、それを統計処理して、個々のパターン位置を推定するグローバ
ル・アライメント計測方式などがある。

図4.4 波長、ＮＡと解像度の関係（出典；Japan Nanonet Bulletin Vol.28）

投影露光するための光の波長は、当初、超高圧水銀灯のｇ線スペクトルを使用していたが、回路素子の微細化とともに年々短くなっており、現在では、アルゴン・フロライド（ArF）のレーザ光を使用している装置も登場している。
しかし、NAの増大は、焦点深度の式のからわかる
ように、分母にNAの二乗の項があり、焦点深度が、急激に浅くなることがわかる。これは、4-1-6で述べる対策と同じ対策が必要になることを意味している。このレベリング計測や補正駆動の時間は、各ショット毎に加算されるので、スループットの低下につながるこ
とになる。

図4.6

TTLオン・アクシス・アライメント

露光装置技術発展の系統化調査

141

露光装置技術発展 10.9.22 15:59 ページ142

近年では、露光方式がスキャナーとなってきたためも全体的に発生することもあるが、原因の特定が容易に、TTLオンアクシス方式で、グローバル・アライメ

であるので、アライメント誤差の検討項目としては考ントを行う方式が主流となっている。

えない場合が多い。

アライメント・マークの位置は、チップの両サイド

これら分解された各成分の多くは、発生原因を特定のスクライブ・ラインに埋め込む場合や上下のスクラするのに役立つことから、装置の性能を維持するため

イブ・ラインに埋め込む場合もある。

のテスト露光時の装置の性能、安定性の分析や、装置

露光装置で発生するアライメント誤差の要因は、ウ開発のための検討に使用されている。

ェーハの熱による伸縮、あるいは局所的な変形による

たとえば、露光倍率やディストーションは、装置がものと、露光装置に搭載した位置決め機構から発生す設置されている場所の気圧変化や温度変化により、投る誤差がある。また、投影レンズの歪（ディストーシ

影レンズ内の空気の屈折率が変わることから、発生すョン）や露光倍率の変化のように一回の露光範囲（一ることが多く、両者の相関を調べ、この誤差を少なくショット）内で発生する誤差もある。

する目的で、気圧や温度変動をリアルタイムで計測し、一ショット毎に発生するこれらの誤差は、一般に、投影光学系を自動補正するシステムが開発された。

①

位置ずれ

②

回転

ズ固有のディストーションは、補正が不可能なため、③

伸縮

微細な半導体素子の製造では、数十工程にも及ぶ露光④

歪曲（ディストーション）

工程を、同一のステッパー１台で処理し、固有のレン

⑤

残存誤差

ズ・ディストーションの影響を軽減させる方策もとら

しかし、投影レンズの加工及び組立て発生するレンの5つに分解できる（図4.7（A）参照）。特に、残存誤れていた。半導体素子の全工程を同一のステッパーに差は、前記の①から④の成分を除去した結果として残よって行う方法を現場では「一機通貫？（一気通貫とる誤差成分であるから、特定の傾向を持たないのが普いう麻雀の役の名称）」と呼んでいたようである。

通であり、誤差の量自体他の誤差と比べて小さい。

半導体素子は、数多くの工程を重ねて製造するため、すでに形成されたウェーハ上の回路素子パターンに次の工程のレチクル上のパターンを正確に重ね合わせる
ためのアライメント計測技術と、重ね合わせを自動的に高速で行うための精密位置決め技術は、半導体素子の製造装置には不可欠の機能である。これらの技術は、精密測長装置の位置検出技術やルーリング・エンジンに代表される精密加工装置の技術から発展したものである。

図4.7（A）

アライメント誤差の分類

ステッパーでは、ウェーハが装置に送り込まれると、これらの誤差とは別に、ウェーハ毎に傾向を持った

初めにプリアライメント機構と呼ばれる装置でウェー配列で発生する（図4.7（B）参照）誤差もある。もちハの外周を計測し中心位置を特定すると共に、ウェー

ろん、この種の誤差でも（A）の①に示した位置ずれ

ハの結晶方向を特定するために予めウェーハにつけられているオリエンテーション・フラット（通称オリフラ；図4.8参照）の位置を検出し、ウェーハの向きを決めて、ウェーハ・ステージ上のウェーハ・チャックと呼ばれる保持機構で真空吸着される。

図4.8

図4.7（B）

142

全体的なアライメント誤差

国立科学博物館技術の系統化調査報告 Vol.6 2006.March

オリフラとノッチつきウェーハ

露光装置技術発展 10.9.22 15:59 ページ143

このプリアライメント技術も、当初はメカニカルに一般的である。すなわち、アライメント計測用のマー

位置決めする方法が一般的であったが、半導体素子のク自体は、測長に関する情報は有しておらず、マーク

微細化に伴って、アライメント計測系の分解能をあげの中心情報のみを利用して、ステージの位置を計測したために、視野が狭くなり、プリアライメントの精度ている測長用のレーザ干渉計の位置情報と併せて、長の向上も必要になった。また、ウェーハ上に転写されさや回転量の計測をしているわけである。

る回路素子間のカッティング・ライン（通常スクライ

また、測長用のレーザ干渉計については、ステッパ

ブ・ラインと呼ばれている）が、100μｍから50μｍ

ーの開発当初、各社ともヒューレットパッカード社に狭まったことやオリエンテーション・フラットが、（HP；米国）のものを採用していた。これは、測長技

ウェーハの大口径化に伴い、ノッチ（図4.8 参照）と術としての長さのトレーサビリティを重視したため呼ばれる小さな切込みに変わったことなどもあり、プと、当時信頼性の高いものが他にみあたらなかったこ

リアライメントの方法も高精度化されてきている。

とによる。長さのトレーサビリティとは、簡単にいう

アライメント技術も、計測方法、計測シーケンスなどから幾つかの方式に分類できる。

と、同じ試料をどの装置のレーザ干渉計で計測しても同じ値になるというもので、後発の装置メーカーは先＜CCD（Charge Coupled Devices）イメージ・センサー＞

行して市場に出回っている装置に合わせることが必要

画像を電気信号に変換する際に、受光素子が光からであったことも関係している。当初、このレーザ測長

発生した電荷を読み出すために電荷結合素子（CCD）

は、ウェーハ・ステージに使用され、Ｘ軸とＹ軸といと呼ばれる回路素子を用いて転送を行うことからこうう2軸がレーザ干渉計で計測、制御されていた。

呼ばれる。CCDは、他の撮像素子に比べて相対的にウェーハ・ステージでの測長は、テーブル上に設置

感度が高く、ノイズが少ないという特徴を持つが、された光学スクエアと呼ばれるL型ミラーが使用されCCDを動作させるためには入力電圧として、高いプ
ラス電圧とマイナス電圧を含む複数の電圧を必要とするためその消費電流は比較的高いものになる。

4 -1- 4 超精密位置決め技術
ステッパーの心臓部に一つに、精密位置決めステー
ジがある。これは、ウェーハを所定の位置に高速で移ていた。その後、ウェーハ・サイズが大きくなるとL型ミラーの加工精度維持が難しくなったことと、デジタル制御技術の発展により、直交度補正、ミラー面の歪み補正などをアッベの誤差補正（注参照）と同時に処理できるようになり、角柱状の長尺ミラーへと代わった（図 4.9参照）。

動させるための機構であり、それを制御するための制御技術から成り立っている。
精密位置決めの機構技術は、わが国の得意とする工作機械などの精密機械の技術とその加工技術があり、これらの基礎技術が流用されている。たとえば、ステッパーのウェーハ・ステージで、テーブルを直線移動させるためのガイド機構は、ニコンのステッパーでは、V型の溝を有する工作機械のそれと同じものを採用している。この、直線ガイドの歴史は古いが、ステッパ
ーで使用する場合、サブミクロン・オーダーの直線性が必要となるため、原器による合せ加工が必要であり、

図4.9

レーザ測長の図

戦前から精密測定器の製造技術を有していたニコンにそして、ステージの高精度化に対応して、レーザ干

とっては、選択しやすい機構であったと思われる。

渉計も測長だけではなく、角度の計測も可能なものも一方、キヤノンのステッパーでは、自社の得意とす開発され、ウェーハ・ステージの制御は、フォーカス

る平面加工技術を生かしたガイド機構を採用してい及びチルト計測と併せて、図4.10に示した6自由度全る。これは、当時のキヤノンでは、社内の専用加工機てが対象とされるようになった。したがって、ステッを製作する技術はあったものの、前述のニコンのよう

パーの位置決めステージは、X及びY方向に移動する、な超精密なガイドを加工できる技術がほとんど無かっ

いわゆるXYステージ（位置、回転角の計測はＺ方向たことがあげられる。

以外の5軸で行い誤差補正量を計算し駆動）とZ（フォステッパーのアライメント計測と駆動は、ウェーハーカス）方向の制御、Z軸回りの回転量を補正するθを搭載したＸＹステージの位置情報と併せて行うのが制御、X、Y軸回りの回転量を補正するチルト（レベ

露光装置技術発展の系統化調査

143

露光装置技術発展 10.9.22 15:59 ページ144

リングともいう）制御を行う、いわゆる微動ステージ

理由の一つは、ステッパーやスキャナーの位置決めが、で構成されている。1995年以降になると、ステージの精密測長器のような絶対精度を要求しているのではな

精度はナノメートルの精度を要求されるようになり、く、アライメント計測と併せて相対位置精度とその再完全非接触のセラミックスのエアーガイドとリニア・現性を保証すれば良いことにある。

モータを組み合わせた高精度ウェーハ・ステージが開〈アッベの原理（誤差）〉発された。この種のステージでは、可動部の質量を軽エルンスト・カール・アッベ（Ernst Karl Abbe）

くするため、軽量・高剛性のアルミナ・セラミックス

は、精密工学の分野で測定物と基準を同一の軸上に材料が使用され、通常はムービング・コイル型のリニ

配置して機械的な誤差を小さくする（アッベの原理）

ア・モータを使用するのが一般的であるが、ステッパ

測長器を開発した。

ーの場合、可動部分がXYの両方向に高速で移動する

アッベは、ドイツに生まれでゲッチンゲン大学で学際に、モータに電力を給電する線の抵抗が位置決め精位を取得。1863年イエナ大学に移り、1870年物理学と度に影響することから、ムービング・マグネット型の数学の教授就任。1878年天文学と測量学研究所管理者

リニア・モータを開発し搭載している。このことは、
この種のウェーハ・ステージでは、温度変化に敏感な被加工物であるウェーハを搬送し、精密位置決めするに就任。1866年に、カール・ツァイスの工場に研究所長として現業部門の技術者となり、カール・ツァイス、
光学硝子の開発者フリードリッヒ・オットー・ショットと協力して、光学機器の性能向上に寄与した。

必要があることから、このムービング・マグネット方式では、コイルが筐体に固定されているため、液冷による精密温度制御がしやすくなる利点ともなっている。

4 -1- 5 フォーカス計測技術
焦点深度（DoF）は、露光光の波長に比例し、レンズのNAの二乗に反比例するので、高解像度になると焦点深度が浅くなるという技術的に厄介な問題が生じてくる。焦点深度が浅くなると、ウェーハが焦点から少しずれただけで、パターニングが大きく変わってしまう。したがって、ウェーハ表面に凹凸が生じていると、パターニングがうまくいかない。短波長の光源と高NAのレンズを使用するためには、高精度のウェー
ハ・レベリング技術の開発とウェーハ表面の平坦化を同時に行なう必要がある。

図4.10

ステッパーの6 軸制御

このような高精度位置決めステージと微動ステージ
による6軸制御で、ステッパーの位置決めステージの精度は、転写する回路素子の最小線幅の十数分の一の精度を維持することが可能となっている。この精度を長時間維持している位置決め技術が、超精密と言われる由縁でもある。

フォーカス計測の図

たとえば、現時点で最高の解像性能を有するニコン

フォーカス計測は、この図4.11のようにウェーハ表面のi線ステッパーでは、解像力が350nmであり、総合に平行に近い角度で露光波長以外のレーザ光を照射し、アライメント精度が、40nm以下に抑えられている。

その反射光の位置を受光素子で受けることで行われる。

したがって、参考資料に記してあるように、数十工程

ウェーハ表面に平行に近い角度（臨界角以下）で照射すに及ぶアライメント工程でこの重ね合わせ精度を達成

るのは、レジスト表面の反射光のみを利用するためで、するためには、ウェーハ・ステージの位置決め精度は、

この角度が大きいと、照射した光が屈折してレジスト

さらにこの数分の一程度の精度に抑えなければならな内に入り、下地の酸化膜層あるいはその下の層にまでいので、ｘ±3σで10nm程度ということになる。

達して反射されてくるために、ウェーハのどこを測っ

ナノメートルの重ね合わせ精度を長時間維持できる

144

図4.11

国立科学博物館技術の系統化調査報告 Vol.6 2006.Marchているのかが、あいまいになるのを避けるためである。

露光装置技術発展 10.9.22 15:59 ページ145

また、この計測に使用するレーザ光の波長は、フォト・レジストを感光させにくいものでなければならな
いことは、言うまでもない。

動のPZTとは別の3本のPZT素子で移動制御することによって行う構造となっている。
実際のシーケンスでは、初めにグローバル・アライ
メント時に各計測ショット位置でフォーカス計測を行うので、そのデータから、ウェーハ全体の平均傾きを計算し、その結果で焼付け動作を行う前にウェーハ全体の平均傾きとその位置での焦点深度を補正しておき、各ショットの露光位置では、フォーカス計測と駆動、レベリング計測と駆動を行うが、予め平均傾きと粗フォーカス駆動で両者を補正してあることから、そのローカルな部分での残差分を補正すればよく、短時間で処理できることになる。

図4.12

フォーカス駆動系の図

4-1-7

ウェーハの平面矯正

図4.12は、キヤノンのステッパーに搭載されていた露光装置では、高速で移動するステージ上で、ウェ

フォーカス駆動系の例である。フォーカス駆動では、ーハを保持し、かつ平面を保つために各種のウェー

上下移動のガイドとして、円筒形のリニア・モーショ

ハ・チャックが開発されている。1970年代のコンタク

ン・ベアリングが採用され、粗動はテコを介してボー

ト・アライナーでは、同心円状の吸着溝を有するアルル・ネジでサーボ・モータを駆動する方式が取られてミニウムの表面をアルマイト処理し、研磨したチャッ

おり、微動は、積層したピエゾ（PZT）素子（注参照）

クが使用されていた。ウェーハ・チャックは、ウェーをアクチュエータとして直接ウェーハ・チャックの保ハを露光処理する間は吸着力が強く、移送するときに持基板を駆動するかたちになっている。この粗動機構

は、小さい力で剥がせることが望ましいわけであるが、は、ウェーハをチャック上に搬送する際のハンドリン

平面矯正のための密着性も要求されることから、そのグ機構も兼ねている訳である。

両立は難しかった。塵埃の問題もあまり問題視されなかった1970年代の前半では、剥がすときに、吸着溝に＜ピエゾ（PZT；The lead zirconate titanate）素子＞
チタン酸ジルコン酸鉛（Pb（Zr0.5Ti0.5）O3を素材とした圧電セラミックス材料で、結晶の対向する面に高クリーンな空気を送り込むことで、剥がし易くするな
どの工夫がされていた。

電圧を加えると電歪現象を生じ、その寸法が変化することを利用してアクチュエータとして利用される。通常、一枚当りの寸法変化は非常の小さいので、このアクチュエータを積層した構造のものが開発されている。

4 -1-6 レベリング計測技術と駆動技術3点を含む平面は、唯一つ存在するという、幾何学の定理に基いて、ウェーハ・レベリングの計測は、
このフォーカス計測をウェーハ面上の複数点で行い統計処理することにより行われる。現在のステッパ

写真4.1 ウェーハ・チャック（出典；京セラ株式会社のカタログ）

ーでは、フォーカス計測系を複数組み込んであり、

写真4.1は、コンタクト・アライナーなどに使用され一回でローカルな露光領域の傾き量を計測できるよているウェーハ・チャックの例である。半導体デバイ

うになっている。

スメーカーの技術者との会話で、真空吸着によるウェ

基本的には、図4.12で説明したフォーカス駆動機構

ーハ・チャックの場合、平面矯正能力は、「所詮１気圧を、チルトするためのファイン・セラミックスの天板ですよ」と言われたことが、思い出される。同心円状に固定し、その天板を３か所の上下に移動可能な平行の細い溝の部分を真空に引いても、平面矯正能力が十板バネでガイドしている。この機構は、高速XYステ

分ではなかったことを言われたのである。1980年代のージのテーブル上に組み込まれており、レベリング駆

ステッパーの時代になると、ウェーハの裏面とチャッ

動は、フォーカス駆動系を含む機構を、フォーカス駆ク表面の間に挟まった微小な塵もデフォーカスの原因

露光装置技術発展の系統化調査

145

露光装置技術発展 10.9.22 15:59 ページ146となることから、先端の細いピンを多数埋め込んで、この図からわかるように、ウェーハ1枚に1回の動作

表面を平面に研磨したピン状の突起を有するチャックと、毎ショットごとに発生する動作に分けることがでが採用されるようになった。この時代になると、ピンきる。

状の突起の間隔を大きくすると、真空吸着力でウェー

ウェーハ1枚ごとに1回発生する動作をへらすためには、

ハが、撓んでしまうという問題が生じ、「所詮１気圧でウェーハの口径を大きくすることが効果的であり、一方、すよ」というその１気圧に、今度は逆の意味でまた悩

ショットごとの時間の短縮は、露光関連の時間の短縮あ

まされることとなった。1980年代後半には、構造材料

るいはステージの移動時間の短縮が効果的である。

として密度の高い緻密なセラミックスが開発され、チ
ャックの材質も、金属からファイン・セラミックスに

4-2-1

ウェーハ・サイズの増大

移行し、ピン部の加工も切削加工から脆性材料の加工

ステッパーの初期の時代、ウェーハのサイズは５イに適したサンド・ブラスト加工が採用され、ピンの配ンチが主流であったが、その後、枚葉処理の工程の増置の自由度や設計形状の自由度も増大し、チャックの加などもあり、6インチ、8インチへと移行した（図製造コストも安価になった。写真4.2は、静電チャック

4.14参照）。それに伴い、ステッパーでは、一枚あたで、微細な突起（をピン状）を多数配置した例である。

りのショット数が増加し、処理時間が長くなることから、処理時間を短くする（ショット数を減らす）ために、画面サイズを大きくして、ウェーハ一枚あたりのショット数を減少させる方法を採用したことは、前述の通りである。

写真4.2 静電チャック（出典；日本ガイシ株式会社のカタログ）

4.2 生産性（高速化）の観点から導入された技術
半導体素子の微細化に対応すること、そして高精度化を図ることのほかに、半導体のような大量生産品を生産する設備であるステッパーでは、生産性を高めることも重要な課題の一つになっている。この生産性を

図4.14

ウェーハ・サイズの変遷

スループットとよび、単位時間に何枚のウェーハを処理できるかという数値で表している。

4-2-2

投影倍率（露光エリアの増大）

現在、ステッパーは、コーター・アンド・デベロッ

ステッパーの初期の時代には、縮小投影光学系の倍パーと連結されてウェーハ１枚ごとに処理されてい率は、フォト・リピーターの技術を踏襲したこともある。この処理に要する時間の比率を図4.13に示した。

り、1/10となっていた。その後、生産技術的な要求か
ら、ウェーハのサイズを4インチから5インチ、そして6インチ、8インチへと増大して行くにつれて、一枚あたりの処理時間を短くする（ショット数を減らす）ために、縮小投影光学系の倍率は、1/7から1/5になり、そして、現在では、ステッパー、スキャナー共に、縮小投影光学系の倍率は、1/4が主流となっている。そして、ウェーハ・サイズは、12インチに移行しつつある。
しかし、当初は、レチクル（レチクル）描画用の電子ビーム露光装置の描画領域の制約などから、レチク

図4.13

ウェーハ処理時間の割合

ル・サイズの増大は望めず、縮小投影光学系の倍率は、5インチ・レチクル（レチクル）の場合、1/5で□17.5
ｍｍ、6インチ・レチクル（レチクル）の場合1/5で、146

国立科学博物館技術の系統化調査報告 Vol.6 2006.March

露光装置技術発展 10.9.22 15:59 ページ147□20mmとなった。そして、さらに、1/4で、□22ｍ

るためのレベリング計測法やその自動補正駆動手段のｍへと移行し、現在では、ステッパー、スキャナー共開発などが必然となった。

に、縮小投影光学系の倍率は、1/4が主流となっている（図4.15参照）。

4-2-3

環境制御技術

年々微細化する半導体素子の製造では、雰囲気温度の変化で、物体の熱膨張による寸法変化や気体の屈折率変化などが生ずる。また、気圧の変化でも空気の屈折率が変化するなど、ステッパーは、周囲の雰囲気の影響を受ける。さらに、精密機器であるステッパーは、
外乱としての床振動、装置自身に内蔵しているアクチ
ュエータの振動や、ステージを高速で間欠駆動することで発生する振動などの影響を受け易い。
これらの外乱に対してステッパーでは、精密温調
図4.15

イメージ・フィールドの変遷

による雰囲気の温度のコントロール、モータなどの「ムアーの法則」によると、本来同じチップ・サ

発熱物体の強制冷却（液冷、空冷）、気圧変化に対しイズを維持したままで、集積度が3 年で4 倍になるわては、気圧と温度を正確に計測し、装置内に予め組けであるが、半導体素子のデザイン・ルールによるみ込んであるデータベースから対応する補正係数をと前述のように、面積が3年で2倍になってしまう計

求め、レーザ測長器の場合には、測定値に補正係数算になる。しかし、実際には、シュリンクを行って、を乗じてステージを駆動する、あるいは、投影レン

サンプル出荷の時点でも2 倍とはなっていない。そしズの投影倍率の補正では、レンズ内の気圧あるいはて、第二世代になると1.5から1.2倍程度の大きさにシレンズの位置を制御している。さらに、投影レンズ

ュリンクされ、第三世代では、逆に1 倍以下になっての場合、露光時間、露光回数、露光間隔、休止時間いる。

などで、レンズが吸収する熱量が変わるため、これとはいえ、第一世代のチップ・サイズを満足させる
ような露光装置の開発は、市場の命題でもあり、露光らの変動が、個別に変化しても補正可能な制御シス
テムが組み込まれている。

装置メーカーは、画面サイズを□10ｍｍから□22ｍｍ

精密機械としてのステッパーは、自身の発生する振へとレチクル（レチクル）作成の制約のなかで、拡大動のみならず、床を伝わってくる外部振動にたいしてさせてきた。

も敏感に反応する。1980年代のステッパーでは、振動

たとえば、□15mmの場合、9.3×18.8ｍｍ、□17.5の静定時間を常時計測しており、その振動振幅が一定ｍｍの場合、13.4×20.1ｍｍ、□20ｍｍの場合、15.9×の値より小さくなった時点で、アライメント計測する、25.2ｍｍ、□22ｍｍの場合、17.9×25.2ｍｍまでの露光

あるいは露光するなどの動作を行うようにしていたが可能である。半導体デバイスメーカーは、１世代先が、スループットの観点から1990年代になるとステッのDRAMのサンプル作成は、この制約の中で行わなパーには、アクティブ除振装置と呼ばれる自己の発すければならなかった。実際の工程では、1ショットのる振動の制振と床振動などの外部からの振動の防振とエリアに複数の素子を配置している場合でも、この先いう相反する性質を有する物理現象を効率的に制御で行試作では、1ショットのエリア内に1素子という場合きる装置が組み込まれるようになった。

もあったと聞いている。

さらに、近年のスキャナーでは、ステージの高速化

この、露光エリアの増大は、1ウェーハ当りの露光により、前述の制振機能のほかに、ステージの起動・回数の減少による生産性の向上をもたらしたが、ウェ

停止時の慣性力で発生する振動を軽減する目的で、そーハのローカル・フラットネスの影響を受け易くなのステージとほぼ同じ重さのステージを反対方向に同り、解像性能に影響を及ぼす結果となり、両面ポリッ

期させて移動制御をする、いわゆるカウンター・ウエ

シュしたウェーハの採用を余儀なくされ、コスト・ア

イト方式を採用した装置も開発されている。この方式

ップの一要因ともなった。また、露光装置としては、

は、地震による高層ビルの横揺れを軽減させる免振装

ウェーハの平面矯正能力を向上させるためのピン・チ

置として研究されていた高層ビルの免振システムからャックの採用、従来のオート・フォーカス機能に加えの応用であるが、一般の地震振動には無い高い周波数て、像面に対するウェーハのローカルな傾きを補正すの微振動までもが問題となるスキャナーでは、それに露光装置技術発展の系統化調査

147

露光装置技術発展 10.9.22 15:59 ページ148

加えて振動制御用のアクチュエータを多数配置し、アに、ステッパーでは、半導体製造工場のクリーン化とクティブに振動振幅の低減をはかっている。

並行して、独自のクリーン技術を導入している。

微細なごみとの戦い
4.3 （コンタミネーション対策技術）
LSIを製造する世界で「空気がきれい」だといえるのは、目に見える煙やホコリはもちろん、0.1μmという超微細な塵埃を99.9995％以上も除去した極限的な〈HEPAフィルター（High Efficiency Particulate Air Filter）〉
空気中のゴミ、塵埃などを取り除き、清浄空気にする目的で使用するエア・フィルタの一種である。
病院の空気清浄機や半導体製造工場のクリーン・ル
ームのメインフィルタとして用いられている。
JIS Z 8122 によって、「定格風量で粒径が0.3μm

清浄空間である。この微細な塵埃が、LSIチップに一の粒子に対して99.97％以上の粒子捕集率をもち、かつでも付着すると、パターン欠陥につながり、歩留まつ初期圧力損失が245Pa以下の性能を持つエア・フ

りを低下させ、寿命を短かくしたり性質を変えたりしィルタ」と規定されている。

て不良品になる。半導体製造では、この塵埃との戦いであるといっても過言ではない。

4-3-1

清浄度の定義JISZ 8122（コンタミネーションコントロール用語）によると、清浄度とは「対象物の清浄状態を示す量」と定義されている。具体的には、一定の面積あるいは体積に含まれている制御対象物質（汚染物質）の大きさ、個数、質量で表される。特定のある場所または容積中に存在する汚染物質の量、もしくは粒子の大きさ別の数によって格付けられた清浄度の程度を清浄度レベル、清浄度
レベルを等級分けしたものを清浄度クラスという。

図4.16

DRAMの最小線幅と塵埃の大きさ

図4.16は、いろいろな塵埃やウイルスなどの大きさ

清浄度の規格クリーン・ルームの清浄度基準は、微粒子の大きさと個数で決められている。

とDRAMの最小線幅（通常、Line & Spaceとばれて現在では、0.01μm（10nm）、 0.1μm（100nm）といる数値）を比較したものである。ステッパーが登場

いった粒径までが対象となっており、将来はさらに、した1980年代前半では、この最小線幅もミクロン（マ微小な粒子も対象となると考えられる。このクリーン

イクロメートル）オーダーであり、塵埃も沈降性のも度の定義は、ステッパーでも同じである。

のにたいして注意を払っていた。しかし、1980年代後

148

4-3-2

この清浄度に関わる規格は、米国連邦規格（Fed.

半には、L&Sもサブミクロン（0.1マイクロメートル）

Std. 209）、米国航空宇宙局規格（NBHのオーダーに突入し、浮遊性の塵埃も問題にしなけれ

国規格協会規格（BS 5295-1）、ドイツ規格（VDI 2083）、

ばならなくなってきた。ステッパーでは当初、内部の日本工業規格（JISB 9920）などがある。

5340 2）、英

精密計測機器（レーザー干渉測長器）の精度を維持す

このなかで、米国連邦規格Fed. Std. 209Dで規定される温度制御の目的で、専用の閉空間を形成するチャンていた清浄度クラス表記（1立方フィート中に存在するバーを採用した。これにより、ステッパーのウェーハ

粒子の最大許容粒子で表現）は直感的で分かりやすく、処理空間は、外部雰囲気との遮断ができることになる。

日本においても長らく使用されてきた。一方、様々な

さらに、チャンバー内部の雰囲気温度を均一化するた基準が国際統一化へと進むなか、クリーン・ルーム関

めに、内部の空気をゆるい層流状態でながす必要があ連の規格もISO（International Standard Organization）

ったため、この清浄かつゆるい流れを作るために、特のTC（Technical Committee）209にて審議され、清浄殊なフィルター（一般にはHEPAフィルターと呼ばれ度に関する規格ISO14644-1が1999年に成立した。

ている；注参照）を介して、空気をながした。これにこれに伴い米国連邦規格が2001年に廃止されたほより、その空間のクリーン度もフィルターの性能に応か、日本工業規格も2002年に改訂された。ただし現場じて保たれることになった。また、チャンバー内の圧レベルでは、米国連邦規格Fed. Std. 209Dによる「ク力を外部の雰囲気より若干高めに設定することで、外ラス1000」という表現やそれを準用する形で、「0.1μ部からの浮遊性の塵埃の進入も防いでいる。このよう

mクラス100」という通称が用いられることが多く、

国立科学博物館技術の系統化調査報告 Vol.6 2006.March

露光装置技術発展 10.9.22 15:59 ページ149

ISO規格との併用がしばらく続くものと思われる。

パーでは、吸着部に付着する塵と吸着によるダメ

なお、Fed. Std. 209Dによる「クラス1000」はISOク

ージをなくすために、裏面を吸着するという方法

ラス6 相当、通称「0.1μmクラス100」はISOクラス3.5が採用された。このために、ウェーハをチャック相当となる。

に載せる際に、裏面を保持している搬送ハンドを半導体製造工場のクリーン・ルームと呼ばれている逃がすための切り欠きをチャックに付けた。しか空間の清浄度は、JISの規格でいえば、クラス1〜3にし、微細化の進展に伴い投影光学系の焦点深度が相当する。また、大洋上の空気がクラス6〜7、都会の浅くなると、その切り欠き上に位置するショット

雑踏ではクラス8〜9である。

でのデフォーカスが問題となり、ウェーハ・チャ
ックに3本のウェーハ受け渡し用のピンを突き出

4-3-3

ステッパーに採用されている塵埃対策し、その上にウェーハを搬送し、ハンドを退避さ

外部の雰囲気中の塵埃が、ウェーハや、レチクルなせた後に3本のピンを下降させてウェーハをチャどに付着するのを防止するためのチャンバーのほか

ックに吸着させるという機構が開発された。このに、ステッパーでは、自身が出す塵埃がウェーハやレ

細い3本の中空パイプで作られたピンを上下させチクルに付着しないような清浄空間を形成するためるための僅か数ミリの穴が、現在、デフォーカスに、高性能のフィルター（ウルパ）を介してチャンバ
ー内部にクリーン・エアーを層流状に流している。

の原因として再び問題になっているようである。
⑤

それに加えて、①②③

む確率を小さくするために、細い針状の突起でウ

レチクルは、レチクル・カセットに入れて保管し、ェーハを支える、いわゆるピン・チャックが使用するときに、ステッパー内でカセットを開け、採用されている。このピン・チャックは、米国

レチクルを取出しして、レチクル・ステージ上にのIBM社で開発されたものであるが、チャッセットしている。このカセットの開閉により発生

クとピンの材質及び製造方法については、わがする塵埃も問題となることから、カセット内での国で開発されている。特に、ファイン・セラミ

レチクルの保持・固定方法、カセットの開閉機構、ックスのチャックを開発し、実用化したのは、ガそしてカセットの材質にいたるまで、細心の注意

ラスの超平面加工技術を有するキヤノンであった。

がはらわれている。

しかし、開発の当初は、チャックのピンの部分にレチクルには、クロムのパターン面に塵が付着しレジストが付着して凝固し、有機溶剤による通常ないようにペリクルと呼ばれる有機の薄膜（ニトのクリーニングでは取れないと言う問題を生じ、ロ・セルロースなど）を型枠に貼りつけたものがそれを定期的に削り取るためのセラミックス製の付けられている。パターン面と反対側の面に対し工具を開発しなければならなかったというエピソてもペリクルをつける場合もあるが、レチクルのードもある。現在では、セラミックスの材質も多ガラスそのものを厚くする方法もとられている。

様化しており、静電チャックを含めて、セラミッ

前記のレチクルにたいする防塵対策をした上に、クス製のチャックの使用が当たり前になっている。

ステッパーでは、レチクル・ステージ上でレチク④

ウェーハ・チャック表面とウェーハ裏面に塵を挟⑥

1980年代の装置では、回転部の機構にベアリング

ルのガラス面とクロム面及びペリクルの表面に付などを採用し、しゅう動部に潤滑剤を使用してい着した微細な塵埃を検出するための高精度の塵検るものもあったが、1990年代に入ると、これらの査機構も開発され組み込まれている。これは、レ可動部から出される微細なオイル・ミストも問題

チクル上に欠陥となる塵が付着した場合、ウェー

視されるようになり、非接触しゅう動ガイドの採ハ全体にその影響が及ぶためである。たとえば、用や、オイル・ミストの発生の少ない真空雰囲気

ウェーハ上の一箇所に塵が付着した場合、そのチ用の潤滑剤なども採用されるようになった。

ップのみが不良品となるが、レチクルの場合そのこのように、半導体素子製造の現場だけでなく、ス

レチクルを使用したチップは全て不良品となるとテッパー自体の装置仕様としても清浄度を保証するたいう致命的な問題があるからである。

めのさまざまな機構の開発を要求されるなど、装置開ウェーハの無塵ハンドリング技術の採用。1980年

発は、壮絶な塵埃との戦いでもあった。また、装置を

当初の露光装置でのウェーハのハンドリングは、作る環境も、半導体製造工場と同じような清浄空間をレジストの塗布してある表面をゴム系の吸着パッ必要とし、専門の組立工場を建設しなければならない

ドで真空吸引するというものであったが、ステッなど、装置コストに影響する事柄も増えてきた。

露光装置技術発展の系統化調査

149

露光装置技術発展 10.9.22 15:59 ページ150

そのほか、ステッパーを半導体工場に設置するための輸送手段も、温度、湿度といった雰囲気の制御はもとより、輸送時の地面からの振動、エンジンの振動など輸送中の各種振動や衝撃を抑えた専用の輸送車を開写真4.4 ペリクルの写真（出典；Asahi Grassのカタログ.）

発しなければならなかった。また、輸出のように設置
先が海外の場合は、航空機による輸送が主体となり、その環境に耐えられる温度、湿度、気圧といった雰囲②

局所クリーン化技術

気の制御と、輸送時の振動を抑える機構と制御装置を

局所クリーン化技術として、ヒューレットパッカー搭載した専用のコンテナを開発して対処している（写ド社（米国）が、1985年に出願している特許は、ウェ

真4.3参照）。

ーハをクリーンな密閉された容器にいれて、清浄度を保つというアイデアで、スミフ・ポッド（SMIF Pod；
注参照）という名前で知られている。
ステッパーにおいては、この技術は、1995年頃から注目し始めていたが、レチクル・カセットの開発、実装の経験から、この種の搬送ボックスを利用する場合、ウェーハを搬送ボックスとステッパーとの間でやりとりする時に、ボックスの開閉機構と、その受け渡しの方法が難しく、どうしてもパーティクルが発生しやす

写真4.3 輸送用のコンテナの写真（提供；キヤノン）

4-3-4①

そのほかの直接的塵埃対策

ペリクル

くなるということがわかっており、なかなか実用化できなかった。写真4.5は、SMIF Podとそれを開閉するためのオープナー（Opener）と呼ばれる開閉装置の例である。

ステッパーとスキャナーでは、慣例でフォト・マス
クをレチクルと呼んでおり、本論文でもステッパーの記述にはレチクル、それ以外の露光装置の場合は、マスクと記述することで統一した。レチクルの材料は、露光光の透過率が高く、低熱膨張係数の小さな石英ガラスが使用され、図4.17のようにその裏面には、パターンを描画したクロム、酸化クロムあるいはモリブデンシ
リサイドなどの金属薄膜がある。そして、それを覆うようにニトロセルロースの薄膜をペリクル枠に張り付

写真4.5 SMIF Pod とOpener（出典；日立那珂エレクトロニクスの カタログ）

けてある。これは、レチクルに付着する異物が金属薄膜のパターン面から離れていることで、デフォーカス

DRAMの生産で赤字に転落した1998年以降になる

されレジストに転写されることを防止するためである。

と、LSI工場の建設コストや製造コストの増大が、資ペリクルを付けたレチクルを写真4.4 に示した。この写金調達の面からメーカーの工場建設を妨げ、システム

真では、ペリクルの部分を表にして写したので、実際

LSIに方向転換しようとしている半導体メーカーの死の使用時とは反対になっていることに注意を要する。

活問題となってきた。そのためにあらゆるコストダウ
ン技術が検討されるようになり、このLSI工場の建設
コストや製造コスト削減を最優先課題としてみると、
その有力な要素技術が、SMIF等の搬送ボックスと、それと組み合わせで用いられるミニ・エンバイロンメ
ント技術であった。そこで、受け渡しの雰囲気を、ク
リーン・ルーム内とは別にミニの部屋を装置に直付けする形で設け、搬送ボックスと装置を介してウェーハ

図4.17 ペリクルの構成図（出典；旭化成エレクトロニクス株式会社のカタログ）150

国立科学博物館技術の系統化調査報告 Vol.6 2006.Marchの受け渡しを行う、一種の仲介室の考え方が広まってきた。現在、最も生産効率が良いとされているウェー

露光装置技術発展 10.9.22 15:59 ページ151

ハは直径300mmである。これ用の搬送ボックスは、は、自社で開発したものを使用していた。例えば、投フープ（FOUP；Front Opening Unified Pod）と呼影レンズの設計では、キヤノンの光学技術者の思い出

ばれ、ステッパーに実装されている。しかし、世界的として、Uレンズと呼ばれる投影露光装置用のレンズには、200mmのトータルで手頃な生産性も重要であの開発について述べている。以下はその内容を引用しり、既設工場への後付けが可能であることも手伝って、たものである。

現状ではSMIFシステムが、韓国や台湾、また、一部の日本メーカーなどで導入されている。

「ステッパーの投影レンズでは、開発初期、お客さんから求められる性能が出ない時期があったんです。レンズの 収差 の問題です。設計値を見ていたら、開発システムに不備があることにふと気付きました。当時の開発システムはカメラからの転用だったので、ステッパー
設計用には不十分な点があったわけです。急遽、レンズ
設計システムのソフト開発部門を巻き込んで新しいレン

写真4.6 フープと呼ばれているボックス（出典；ミライアル株式会社 カタログ）＜SMIF Pod＞
SMIFは、Standard Mechanical Interfaceの略。

ズ開発システムを特急で作り上げました。
」
また、別の事象で、「こんなふうに、新しい技術領域を扱っていると、過去のデータがあてにならないこともあるんですよ。
自分で実証していくしかないことがよくあるんです。

4.4 化学増幅型レジスト（生産性の向上）

例えば、F2レーザから出る157nmの光は、それまでのエキシマ露光装置に使われていた材質の石英を通りま

ｇ線やｉ線の時代の光源は、十分な光の強度があり、露光時間を短くすることが、比較的容易であるが、クせん。すると限られた光学材料の中では、レンズになるものは蛍石しかないんです。

リプトン・フロライド（KrF）の光源は少しばかり弱ところが、理論的には透過することが分かっていてく、アルゴン・フロライド（ArF）の場合はさらに弱も理科年表などの過去のデータを見ると、蛍石は波長くなるので、化学増幅型レジストが生産性の向上のた

157nmの光を通さないことになっているんです。これめに使用されるようになった。化学増幅型レジストは、は不純物の影響で、実際にはそのように純粋な物質が紫外線だけでなく熱にもよく反応する感光材料であ

世の中に存在していなかったわけです。そこで、蛍石る。露光装置で露光した後、この化学増幅型レジスト自体の開発から入り、純度をどんどん上げて1センチを加熱処理すれば、十分な光で露光したのと同じ結果

あたり99.5パーセント以上の透過率が達成できるようが得られるのである。このレジストを加熱する処理はになりました。このように材料の基礎データから新た

通常、コーター・アンド・デベロッパーに搭載されてに検討し直していくというところがあるから、研究・いるホット・プレートで行う。ただし、化学増幅型レ開発が大変だけれどおもしろいんですね。このあたり

ジストは温度に大変敏感なので、ホット・プレートののおもしろさを、もっとたくさんの人にも知ってもら

温度精度は高くする必要があった。

いたいとも思います。」

一方、レジストの感度をあげると、露光時間の精密

ここにも記されているように、ステッパーの開発でコントロールが必要となり、g線や i 線のステッパーでは、全てが未知のことばかりであり、設計や開発のたは、積算露光計の計測精度向上と、シャッターの制御

めの解析ツールも設計者自身で作ることもあったし、精度の向上を必要とし、KrF以降のパルス・レーザー設計に使用する物性データも自分で測定しなければな

による露光では、パルスのカウント精度と1パルス以らないなど、最先端を行くが故の問題にも多々直面し下の露光量の制御手段の開発が新たに必要となった。

た。さらに、光学設計の分野では、設計した投影レンズの製作の難易度をシミュレーションできるソフトウ

4.5 解析、シミュレーション技術

エアの開発も行われ、実際に製作しなくても、どの程度の性能になるかを検討できるようになっている。まステッパーの開発では、コンピュータによる解析技

た、投影レンズの加工、組立てにおいても、最適なレ術とシミュレーション技術が随所で生かされている。

ンズの組合せをシミュレーションできるソフトウエアといっても、1980年代前半のステッパー開発では、現と計測器が開発されている。

在のように、有効なソフトウエアも少なく、ほとんど機構設計の分野では、当時FEM解析ソフト（注参露光装置技術発展の系統化調査

151

露光装置技術発展 10.9.22 15:59 ページ152照）などはあったが、大型のコンピュータを使うため、

また、構造体の解析では、大規模なFEM解析も簡設計者が常用できるほど簡便ではなかった。たとえば、

便に行えるソフトウエアも市販されるようになり、振ステッパーに搭載する精密位置決めステージは、高速動問題では、このFEMによる固有値解析のほかに、駆動と停止後の素早い振動静定、停止状態での外乱に実際の装置を加振して、その振動の状態をパソコンに対する安定性などが要求される。一般のステージの構

取り込み、装置がどのように変形するかを解析し、そ造は、工作機械や精密測定器などで紹介されていたが、の状態を時系列で視覚的に表示できるモーダル解析装

ステッパーの条件に合致するシステムを選択すること

置がヒューレットパッカード社（HP；米国）より販は、意外と難しく、簡単なシミュレーションを行い、売されるなど、解析ツールも充実してきた。これらの各方式を比較することにした。

解析ツールを有効に利用することで、試作の期間を短シミュレーションのモデル化は、ステージのテーブ

縮でき、さらに、装置の温度変化やチャンバー内の気ルを質量にもち、駆動する機構（ボールねじなど）を流の状態をシミュレーションできるソフトウエアも開バネ系に置き換え、ステージのガイド構造から、その発され、ステッパーの高精度化対応のための検討を助部分の粘性減衰係数を算出して行った。これは、減衰けている。1990年代中頃には、機構設計もキャドのある一軸のバネ・マス振動モデルで、図4.18に示す（CAD；注参照）を使用するようになり、設計、即シようになり、簡単な二次の振動方程式として記述でき

ミュレーションということも可能となったために、開た。この簡略化により、当時、まだ珍しかった８ビッ

発のスピードも格段に向上している。このことは、電トのマイコン（Apple II）でも、シミュレーションが機システム設計においても同じで、E-CADの導入と、可能となり、卓上で図面を引きながら計算をおこなえ

MatLab（注参照）に代表される解析ソフトと各種のた。その後、マイコンも急速に発展し、32ビット機もシミュレーション・ソフトの活用で、開発のスピード

登場したことから数値解析ソフトも充実し、より高度が格段に向上している。今後は、これらのシミュレー

な制御システムとしての総合的なシミュレーションもション技術がさらに進歩し、試作レスの方向に進んで机上で可能になっていった。

行くのではないだろうか。
＜FEM（Finite Element Method）＞
微分方程式を、近似的に解くための数値解析の方法であるが、複雑な形状やいろいろな性質を持つ物体を単純な小部分に分割することで近似し、全体の挙動を予測する方法。現在、構造力学や流体力学などの様々な分野で使用されている。
＜CAD（Computer Aided Design）＞「コンピュータ支援設計」の略で、機構、建築物や工業製品の設計にコンピュータを用いること。
Computer Assisted Designの略だとする説もある。
MatLab（米国；The MathWorks社）
数値解析、シミュレーション言語で、演算機能のほ

図4.18

モデル化の例

か、ビジュアルにデータを表示する豊富なライブラリーを有している。

152

国立科学博物館技術の系統化調査報告 Vol.6 2006.March

露光装置技術発展 10.9.22 15:59 ページ153

5 露光装置の延命策
現在、ステッパーやスキャナーの価格は、十億〜二ーの投影露光は、通常は光の振幅情報のみを利用して十億円と高価であり、半導体の微細化の進展に追従しきた。これに対して、回路パターン間に位相差をつけて買い替えはできない。そこで既存の露光装置の延命て露光することで、解像限界を向上させることが理論を図るためにいろいろな工夫がなされてきた。

的には可能である。この研究に関しては、IBMのレベ

ハーフ・ミクロンの時代に突入し、解像力の向上のンソン（M.D. Levenson）の論文（1982年）が有名でための各種プロセス技術や微細化にともなって、ますあるが、わが国では、その発表の一年前の1981年に露ます浅くなる焦点深度をカバーするための超解像と呼光装置の製造メーカーであるニコンによって特許が出ばれる各種の手法、すなわち、変形照明法や位相シフ

願されているのは非常に興味深い。

ト・レチクル、そして従来の製造設備を継続して使用

代表的な位相シフトマスクの構造に、論文発表者のできる工場設備の延命策ともなる二重露光技術や光露名前をつけたレベンソン型や、ハーフトーン型、エッ光装置そのものの延命策としての液浸露光技術などもジ強調型などいくつかのタイプが使用されている。こ開発され実用化されている。

れらは、いずれもマスク通過光の一部の位相を180°
ずらすことにより、従来、光の干渉で劣化していた解5.1 変形照明法（1990年代初〜）

像力、あるいは焦点深度を改善するものである。
実際に、光に位相差をつけるためには、マスク基板

輪帯照明、分割照明（四開口照明；四重極照明）な

上に厚さdで屈折率nの透明薄膜（シフター）を設けれどの変形照明は、レチクルに垂直に入射させていた光

ばよく、この位相シフター薄膜の材料としては、入射を、少し斜めから入射させることにより解像度と焦点光に対して減衰があってはならないので、回路素子の深度を向上させたものである。特に、DRAMなどの形成に使用される薄膜と同じ酸化膜系が使われてい直交する繰返しパターンが多い場合には、非常に効果る。

的な手段である。この原理は、MTF（Modulation

また、ハーフトーンマスクの位相シフターとしては、Transfer Function）理論に基づいているが、その数Crの酸化膜、あるいはMoSiの酸化膜、およびそれら学的説明は難しく、ここでの本筋ではないので詳細なの積層膜が一般的に使用されている。実際には、シフ

説明はさける。簡単に言うと、対物レンズの性能はコ

ターを付加する場合と、マスクそのものをdに相当す

ントラスト対空間周波数（注参照）の関数で示される

る深さだけエッチングして位相差をつける場合の二つので、通常のコンデンサを用いた中心透過照明でインが考えられる。図5.1は、位相シフトマスクの概念図

コヒーレント照明を行った場合，コントラストは空間で、通常のCrパターンの回折光強度分布に、位相シフ

周波数の増加に対し直線的に減少する。これに対し偏ターで反転した強度分布を加えることで、回路パター

斜照明を行うと高次の回折光の影響で，高空間周波数

ンのコントラストが強調される状況を概念的に示したのコントラストは相対的に増加することになる。これものである。

が、変形照明法の原理である。
＜空間周波数＞

ハーフトーン型（Attenuated Type）マスクは、通常はCrにより遮光される部分からわずかに光を漏らしオーディオの分野では、原音の情報を機器が如何に忠てその漏れ光の位相を開口部分と逆位相にすること

実に再生するかを周波数特性を用いて判断するが、光学で、エッジ強調形マスクと同じ効果を出させたものでの世界では空間周波数（Spatial frequency）を用いるのがある。実際の適用としては、通常のCr膜の代わりにあ

一般的である。具体的には、空間周波数（本/mm）は1mmる程度の透過率を有し、位相が180度変化するようなあたり何本のパターンがあるかを示したものである。

薄膜をもちいて、コンタクトホール層などへ適用する研究が進められている。

5.2 位相シフト・マスク（1990 年代中頃〜）
既存の露光装置の延命を図るための工夫がなされてきたその代表例としては、位相シフト・マスク（PSM；Phase Shift Mask）の使用がある。ステッパ

露光装置技術発展の系統化調査

153

露光装置技術発展 10.9.22 15:59 ページ154

図5.1 位相シフト・マスクの概念図（出典；参考文献33参照）

5.3 二重露光（1990年代後半〜）

図5.2 二重露光の概念図（出典；参考文献33参照）

二重露光の概念は、フォト・レジストが、ある露光光量以上照射されると、光の照射された時間に比例して光化学変化することを利用したもので、例えば、1μｍのスリットを有するマスクを用いて、あるスレッショルド以下の露光光量で露光し、つぎにマスクを0.5μｍ平行移動して、前に露光した領域に0.5μｍだけスリットが重なるようにして、再び、ある
スレッショルド以下の露光光量で露光すると、一回の露光では十分感光しなかったレジストが、スリッ
トの開口部と重なった0.5μｍ幅のレジスト部分は、2

この式において、通常の露光は大気中で行われるの倍の露光光量となる、この露光光量がそのレジスト

で、n=1である。これに対し液浸露光では、投影レンのスレッショルドを超えていれば、ポジ・レジスト

ズとウェーハの間に、屈折率nが1よりも大きな液体をの場合、現像でその部分のみが残ることになる。し満たす露光方式をとり、投影光学系のＮＡの定義におたがって、この方法を用いれば、そのステッパーのいて、前述の解像力の式で、nを拡大することが目的

限界解像力より細い線を転写できることになる。実である。同一の露光光の光線入射角θでは、最小解像

際には、半導体素子の回路パターンの形状によって寸法を1／nに縮小することができる（光学系NAのnは、この方法が有効でない場合もあるが、繰返しパ

倍の拡大の効果）。一方、従来と同一のNAにした場合

ターンの多い素子製造の一部の工程では実施されては、θを小さくできるため、焦点深度をｎ倍に拡大すいるようである。

ることができることになる。

図5.2は、2板のマスクを用いて二重露光を行なう方

この方式は、光学顕微鏡では従来から用いられてき法で、この方法によれば、かなり複雑な形状のパターた方式あるが、投影レンズとウェーハの間を、屈折率ンの製造も可能となる。図中の1、2、3という数字は、1.44の純水で満たすことで液浸露光が可能となるた

1がスレッショルド以下の強度となる部分、2、3、は1

め、現在、光源にアルゴン・フロライド・レーザーをの2倍あるいは3倍となる部分で、2、3で示した部分が、用いた露光装置で、開発がすすめられ一部で実用化さスレッショルドを越えるので、現象で残ることになる。

れている。

5.4 液浸露光技術（2000年代初〜）
ステッパーの解像度は通常、光源の波長が短く、投影レンズのＮＡが大きいほど高い解像度が得られる。
ここでＮＡは、nを露光光が通過する媒質の屈折率、θを露光光が形成する図5.3に示した角度として、
ＮＡ＝n×sinθとなる。

154

図5.3 液浸露光技術の概念図（出典；（株）半導体先端テクノロジーズの資料 ）

国立科学博物館技術の系統化調査報告 Vol.6 2006.March

露光装置技術発展 10.9.22 15:59 ページ155

6 考察
露光装置の系統化の研究のなかで、わが国の露光装の生産額、設備投資額共に減少しているが、右肩上が置が世界を凌駕する装置に育った過程を調べてきた。

りの傾向は維持している。また、この時期は、1Mbit

以下は、この研究過程で気付いた点を記述したものでDRAMから4Mbit DRAMへの世代交代の時期とも重ある。

なっている。

6.1 官民共同プロジェクトでの研究開発体制の確立（超LSI技術研究組合）
超LSI技術研究組合に関する論文や記事は、かなり多く公表されており、ここで改めて論ずる必要はないと思われるが、わが国の半導体産業の黄金時代を築く
きっかけをつくり、本研究のテーマでもある半導体露光装置（特にステッパー）の系統化を論ずる上で、重要な事象であることから、簡単に述べてみたい。
1970年当時、日本電気、日立、三菱といったわが国

図6.1 わが国の半導体生産額と設備投資額の関係（出典；ガードナー データクエスト他）の大手半導体デバイスメーカーは、半導体の生産量で1985年から1995年までの11年間の設備投資額と生産

世界のトップ10にランクインするほどになってはいた

額との比率は、平均で約23.8％であり、膨大な設備投が、同時に大型コンピュータを手がけている各社は、資を続けてきたことを意味している。この比率は、米IBM Corp.による矢継ぎ早の新製品発表と未来コン

1995年以降の右肩下がりの生産額の傾向に対しても同ピュータの開発構想「Future System」に脅威を感じじである。

ており、それらがきっかけとなり、このプロジェクトが設立された。

ここで、2000年の異常とも思える生産額は、64Mbit
DRAMの最盛期と、アメリカのIT景気、パソコン・

当時、日本の半導体デバイスメーカーの生産設備

ブーム、携帯電話ブームなどが合致したためであり、は、米国の半導体製造装置にほとんど依存していた

そのために膨大な投資も行われ、結果的に突出したもが、これからの新しい分野を切り開くには国内で新のと考えられる。300mmウェーハ対応の露光装置のしい製造装置を開発することが望ましいという観点

開発は、この数年前に完了しており、その時点で、設から研究が行われた。そしてその具体的な目標は、備を導入したメーカーも多いことから、露光装置の出超LSIが中心になるであろう1980年代に必要な製造技

荷のピークは、2000年には現れていない。

術を予測し、1980年代半ばに1Mbitの超LSIメモリー

半導体の世代交代がスタートする時期、ウェーハ・を試作、1980年代末に数Mbitの超LSIメモリーを試作

サイズが変化する時期は、半導体製造装置の世代交代

できるような製造装置を開発するということを主眼の時期でもあり、この半導体デバイスメーカーの設備に設定された。

投資の変遷は、そのまま露光装置の生産量に反映され6.2

半導体デバイスメーカーのシェア拡大に伴う膨大な設備投資

図6.1は、1985年から最近までの、わが国の半導体るはずであるが、常に最先端の露光装置を求めるユー
ザーが多く、毎年性能アップを続けている露光装置は、平均化される傾向にあり、必ずしも需要のピークと出荷台数のピークが一致しているとは限らない。

の生産額と設備投資額を示したもので、シリコン・サ

図6.2は、DRAMの世代交代を示すものであり、縦イクルと呼ばれるこの業界特有の経済変化（次節で詳

軸は、年間の生産量である。1999年頃までは、3〜4年

しく説明する）は見られるものの、1995年頃までは、で世代交代していたものが、1995年以降はほぼ2〜3年

生産額は、右肩上がりの成長を続けてきており、それで世代交代が発生しており、それに伴い、膨大な設備に伴って設備投資も行われてきていることを示してい投資が必要ともなっている。しかし、ビット当りのる。この図で、1991〜1994年までは1990年（平成2年）

DRAMの価格は、下がり続けており、COOを小さく

1月の株式大暴落で開始されたと言われている「バブできない限り、利益率は低下する一方である。

ル崩壊」の時期に当たり景気は低迷しており、半導体

露光装置技術発展の系統化調査

155

露光装置技術発展 10.9.22 15:59 ページ156

わが国の半導体産業は、1998年に、半導体大手5社（日本電気、日立、東芝、富士通、三菱）がDRAMの売上不振で赤字を出して以来、システムLSIの製造に方向転換しており、現在は、韓国、台湾などのアジア・太平洋地域勢の躍進が目立っている（図6.3参照）。

図6.2

DRAMの世代交代の図

図6.3

地域別にみた半導体市場の占有率（出典；参考文献30参照）

6.3 シリコン・サイクルについて
図6.4に示したような理由で、3〜4の年周期で変動する半導体業界特有の景気サイクルのことを、シリコ
ン・サイクルと呼んでいる。

図6.5

DRAMの価格変動の例

リンピック・イヤーと一致している場合があったことから、あたかも、連動しているような錯覚を与えているようである。しかし、実際には、前述の図3.1に示すよう
図6.4

シリコン・サイクルの説明図に必ずしも一致しているわけではないが、概念的には、半導体業界は技術進歩が早く、設備投資の計画や在正しい見方かもしれない。特に、近年では、半導体関連庫管理などが非常に難しい。そのために、在庫循環にの技術革新のサイクルも短くなっており、シリコン・サ

よる市況の動きが極端に大きくなりやすい。図6.5は、イクルの周期も短くなっているようであるが。

DRAMの価格変動の一例を示したものである。
半導体は「産業の米」と呼ばれるように、その価格変動は産業界への影響が大きいために、シリコン・サ

156

6.4 半導体デバイスメーカーの生産技術力と露光装置メーカーの開発力と製造技術力の融合

イクルが景気サイクルの大きな要因になっているとも

精密機械の開発を得意とする光学機器の専門メーカ

言われている。またこの、景気循環のサイクルは、オーが露光装置の開発を担当した。当時、両社共、既に

国立科学博物館技術の系統化調査報告 Vol.6 2006.March

露光装置技術発展 10.9.22 15:59 ページ157

フォト・リピーター用投影光学系のレンズなどを開発

をセットで導入すれば，誰でも同じように半導体を量しており露光用光学系の開発技術者及び製造技術者を産できる」というコンセプトで米国の半導体デバイス擁していた。加えて、ニコンはルーリング・エンジンメーカーと半導体製造装置メーカーが一体となって標の技術で磨いた超精密位置決め技術と加工技術、キヤ準の装置を開発していることである。

ノンはガラスの超平面加工技術とその測定機を開発す

セマテックのコンセプトは、優れたプロセス技術者

るための精密技術を既に有しており、共に得意する技をもたない台湾や韓国などの半導体デバイスメーカー

術を駆使して半導体デバイスメーカーの難しい要望にでも、優れた製造装置を導入すれば、装置についてく答えた。そして、半導体デバイスメーカー各社は、生るレシピで最先端のDRAMの製造を可能にした。

産技術力を駆使して、露光装置の性能評価を行い、装1990年代、ASMLは、台湾のTSMC（Taiwan

置メーカーにその評価結果をフィードバックして改善

Semiconductor Manufacturing Company）に大量のさせた。この半導体デバイスメーカー各社の生産技術

ステッパーを供給しており、米国の総合半導体装置メ

力と露光装置メーカーの総合開発力との融合により、ーカーであるAMAT（Applied Materials Inc.）が供各社の半導体製造技術を支えられる信頼性の高いステ給するプロセス装置のレシピと併せることにより、大ッパーをタイムリーに市場に供給すことができたとい

規模なDRAMの製造ラインが容易に構築できるようえる。

になったことである。

ここで、ステッパーの初期の段階から開発に携わっ

AMATは、世界最大の半導体製造装置メーカーでてきた筆者が、常々疑問に思ってきたことがある。そあり、エピタキシャル成長装置、RTP装置、エッチンの一つは、ニコンもキヤノンも当初のステッパーのス

グ装置、CVD装置、PVD装置、イオン注入装置、テージを駆動するサーボ・モータは、GCAと同じエ

CMP装置、検査・測定装置、ウエット・クリーニン

レクトロクラフト社のものを使用し、ステージを位置

グ装置などの開発を手がけている。

決め制御するためのレーザ干渉計は、3社ともHP社のこのように、ほとんどの半導体プロセス器機を手がヘテロダイン干渉計を使用していた。わずかな違いとけているが、光露光装置関連が欠如していた。1990年

いえば、GCAは、滑りガイドを採用し、ニコンは転代に、AMATは、カリフォルニア州サニーベールに専動ガイド、そしてキヤノンは、滑りと転動ガイドを併

門のテクノロジー・センターをつくり、そこに半導体用していたことである。にもかかわらず、数年の間にプロセスラインを構築し、実際のデバイスの試作を行

市場占有率を極端に変えたものが、何であったのかがえるようにしている。このフォトリソグラフィーのラ

よくわからないことである。この疑問が解けることをインに、ASMLのステッパーが導入されたのである。

期待して、今回の調査に臨んだ訳であるが、まだ、調

1990年代の初めに日本でバブル経済がはじけ、日本

査不足のためか、すっきりとした理由がみあたらないの半導体デバイスメーカーが設備投資を縮小し、結局、のははなはだ残念ではある。

巨額の投資を実施し、セマテックのコンセプトを受け

6.5

米国の官民共同の開発プロジェクト
セマテック「SEMATECH」

継いだ米国の半導体製造装置メーカーの設備を導入して、製造のレシピも入手したアジアの新興企業にその座を奪われる結果となった。

わが国の半導体産業の衰退とともに露光装置のシェ

その後、1995年を境に、半導体の生産額も右下がり

アも減少の一途を辿っている。その要因のひとつは、の減少傾向となり、1998年には、大手半導体５社がこ1987年に米国の国防総省と民間半導体デバイスメーカ

ぞって赤字に転落している。

ー14社が共同出資した半導体製造に関する技術の研究

2000年代にはいり、ステッパーの製造をしているの開発のためのコンソーシアム、セマテック「SEMAT-

は、ニコン、キヤノン、ASMLの3社が主体で90％近く

ECH；SEmiconductor MAnufacturing TECHnology」のシェアとなっており、2001年にSVGLを吸収合併し、の成功であろう。

SVGLのシェアも獲得したASMLが販売戦略で優位に立

わが国の超LSI研究共同組合と似ているところもあち、現在、世界最大の露光装置メーカーとなっている。

るが、このプロジェクトの目標は、1980年代半ばに凋

このわが国の華やかなステッパー全盛時代が終焉を落しかかった米国半導体産業の競争力を回復させるこ迎えるに至った理由を、工作機械業界の衰退と対比しとにあった。内容的には、標準となる半導体製造装置て考察している興味深い論文が発表されているので興の開発に主眼をおき、「製造装置と処方箋（レシピ）

味のある方は参考にされたい（参考文献10参照）。

露光装置技術発展の系統化調査

157

露光装置技術発展 10.9.22 15:59 ページ158

7 おわりに1960年代から始まった半導体素子の微細化に呼応し参考文献て開発が進められたステッパーは、第3章で述べたよＡ．半導体デバイス、露光技術などに関する文献

うに、3年で0.7倍の最小線幅になるというロードマッ（1） Dr.Gordon E.Moore；

プを基に、その時々の最新の理論、新しい材料、そし「Cramming more components onto integratedて新しい技術を貪欲に取込んで開発されてきた。

circuits」、Electronics Vol.38、April. 1965

調査を終了するにあたり、いくつか疑問が残っては（2） D. S. Alles 他；

いるが、この短い開発期間に製品を出せたのは、試作「The Step & Repeat Camera」, The Bell sys-品に近い装置を導入して、実際の半導体デバイスの試

tem technical Journal、Nov. 1970

作を行い、問題点を洗い出して、装置の不具合を指摘（3） Dr. Gordon E. Moore；

してくれたデバイスメーカーの優れたプロセス技術者「Progress In Digital Integrated Electronics」、の方々を忘れてはならない。特に、DRAMの製造工

IEEEの講演会資料、1975

程では、各社各様のノウハウがあり、製造装置メーカ（4） 百瀬克巳、高橋一雄；

ーではわからない問題も多々あり、これらをデータベ「超LSI製造装置における位置決め」、ースで素人にも理解できるように説明してくれ、時に

昭和58年度精機学会講習会資料、1983

は、解決のヒントとなるような実験データまでも提供（5） 高橋一雄；

してくれるなどの協力があって、世界を凌駕するステ「ステッパーにおける機構と制御」、昭和60年度

ッパー技術が育ったものと考えられる。

精機学会春季大会シンポジューム資料、1985

本報告を終わるにあたり、株式会社ニコン広報部の（6） 高橋一雄；

伊藤様、キヤノン株式会社光学機器事業本部の早乙女

日本機械学会第663回講習会資料「最新の位置決様には多大なご協力をいただいた。また、私的な立場

め技術」、Jan. 1988

からご助言いただいた両社の開発技術者の方々、そし（7） 小笠原敦；て、組織的には解散してしまったので協力は出来ない「次世代LSI用リソグラフィー技術の研究開発動と言いつつも協力していただいた半導体デバイスメー

向」、科学技術政策研究所月報No.2、May. 2001

カー数社のプロセス技術者の方々、そのほか、この報（8） 高野潤一郎；

告書の執筆にあたり、図や写真などの提供あるいは引「マテリアル・シミュレーションの動向」、

用を快諾くださった各社の方々に、この紙面を借りて科学技術政策研究所月報No.9、Dec. 2001

感謝の意を表する。また、古い図や写真などのいくつ（9） 特許庁；

かは、各社のカタログや電子カタログなどから引用さ「半導体露光技術に関する特許出願動向調査」、せていただいたので、出典として社名を記載させてい特許庁総務部技術調査課、2002

ただいた。
1995年以降、DRAMの製造は、アジア・太平洋地域にシフトしており、それを製造するスキャナーは、
ASMLの牙城となっているが、システムLSIに方向転（10）中馬宏之；「資本財産業におけるモジュール化」、一橋大学
イノベーション研究センター資料、2002（11）吉田庄一郎；

換したわが国の半導体デバイス産業が、システムLSI「ナノネットインタビュー」記事、文部科学省ナ製造の巨人「インテル」を超えて、もう一度世界をノテクノロジー総合支援プロジェクトセンター

凌駕する日がくることを願いつつ本研究のおわりとJapan Nanonet Bulletin、Vol.28、July. 2003

したい。

（12）奥和田久美；「シリコン半導体デバイス研究に対する大学の関
わり」、科学技術政策研月報No.25、April. 2003（13）諏訪恭一；「 開 発 秘 話 ： 半 導 体 露 光 装 置 」、 SEMI Japan
Open Document Vol.19、No.3、2003

158

国立科学博物館技術の系統化調査報告 Vol.6 2006.March

露光装置技術発展 10.9.22 15:59 ページ159（14）JEITA；（27）内藤和弘、藤林明宏；「21世紀のIT社会を拓く」、「日本半導体産業の構造と世界的役割」、

電子情報技術産業協会、2003

中央大學商学部河邑ゼミナール資料、2002（15）小松裕司；「半導体製造技術の研究開発動向」、
科学技術政策研究所月報No.36、March. 2004
（16）立野公男；（28）原史朗；「ムーアのビジネスモデルの破綻」、
AISTプレゼンテーション資料、April. 2004

「半導体微細加工装置技術の最新動向」、
科学技術政策研究所月報No.36、May. 2004（17）SIRIJ；「FACTBOOK 2004」、半導体産業研究所、2004（18）小松裕司；「エレクトロニクスへのナノテクノロジーの応用」、科学技術政策研究所月報No.46、Jan. 2005

Ｃ．各種統計データ（29）SEAJ；「半導体製造装置

統計資料」、

各年度毎の日本半導体製造装置協会統計データ（30）WSTS；「World Semiconductor Trade Statistics」、
各年度毎の世界半導体市場統計データ、1985-2005

Ｂ．半導体および露光装置の歴史、経済などに関する文献（19）金銅亮知；
半導体産業「1980年代の日米半導体摩擦を手掛かりに」（20）小宮隆太郎、横堀恵一；（31）Gartner＆Dataquest；「世界半導体マーケットシェア」、
各年度毎の半導体市場予測データ、1985-2005（32）EIAJ；「電子工業生産実績、輸出入実績」、
日本電子機械工業会の統計データ「1980年代の日本の産業政策」、通商産業研究所、Discussion Paper Series, May. 1990
（21）米津宏雄；

Ｄ．半導体技術ロードマップ（33）JMF、SEAJ；「半導体産業と先端技術」、「半導体製造装置技術ロードマップに関する調査

工学図書株式会社、1992

研究報告書」、2004（22）垂井康夫；「日本半導体50年史-時代を創った537人の証言」、
半導体産業新聞、2000（34）SIA & ITRS ロードマップ（35）日本半導体製造装置協会；「各年度の半導体製造装置技術関連のロードマップ」（23）清貞智会；「日米欧の政府R&D予算に関する政策動向」、

Ｅ．専門用語

科学技術政策研究所月報No.2、May. 2001（36）日本半導体製造装置協会；（24）亘理誠夫；「スーパーコンピュータの動向」、
科学技術政策研究所月報No.7、Oct. 2001
（25）Hiroyuki Chuma、Yaichi Aoshima；「半導体製造装置用語辞典-第３版」、
日刊工業新聞社、1987（37）日本半導体製造装置協会；「SEAJポケットブック-半導体・FPD製造装置業「Determinants of Microlithography Industry

界便利帳-第3版」、2003参考資料1

Leadership-The Possibility of collaboration and

プロセス

半導体の製造Outsourcing」、Institute of Innovation Reserch,
Hitotubashi University、2001（26）福田将之；「戦略転換を迫られる国内半導体業界」、（株）三重銀総研 産業レポートNo. 27、Jan. 2002

露光装置技術発展の系統化調査

159

附図

ムアーの法則と微細化のトレンド

露光装置技術発展 10.9.22 15:59 ページ160

160

国立科学博物館技術の系統化調査報告 Vol.6 2006.March

登録候補一覧
附表２

附表１

半導体デバイスメーカー・トップ10

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露光装置技術発展の系統化調査

161

附表３

半導体の歴史と露光装置の歴史

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162

国立科学博物館技術の系統化調査報告 Vol.6 2006.March

露光装置技術発展 10.9.22 15:59 ページ163

露光装置技術発展の系統化調査

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露光装置技術発展 10.9.22 15:59 ページ164

附表４

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ニコンとキヤノンの露光装置開発年表

国立科学博物館技術の系統化調査報告 Vol.6 2006.March

露光装置技術発展 10.9.22 15:59 ページ165

参考資料1

半導体の製造プロセス

ぐらいなので、約900〜1000℃ぐらいの温度でド半導体製造装置のなかで、露光装置の位置づけ明確

ライ酸化をする。この酸化膜成膜の目的は、使用にする目的で、半導体の製造工程とそこで使用されてするウェーハの表面を一度酸化し、塵や表面の段

いる製造装置について簡単に説明する。

差、余計な不純物などを取り除くために行う。し一般的な半導体の製造工程は、半導体の素子形成を行たがって、ここで生成した表面の酸化膜は、次のうFEOL（Front end of line）と、配線を主体とした工程で、エッチングにより除去する。これは、工BEOL（Back end of line）に分けられる。

程を重ねていくうちに不具合が強調されてしまう

ここでは、半導体の製造に使用されるいろいろな装のをさけるためである。半導体というのは非常に置の使い方がわかるように、CMOSタイプのICに比べミクロな領域での話なので、このように細心の注ると、単純な製造工程となるＮ型MOSトランジスタ

意を払っても、最後の工程に達するまでにはいろの製造を例に、FEOLでの工程の進み方とその工程でいろと問題が出てくるのが普通である。

使用される装置について説明する。実際の製造ライン

３．ウエット・エッチング工程

では、単純な製造工程であるＮ型MOSトランジスタ

BHF溶液などを用いたウエット・エッチングで熱でも、参考資料1に示した工程よりもさらに、多くの酸化膜を除去する。

処理工程が随所に挿入され、各工程で使用される装置

４．洗浄工程も多岐にわたるが、本来の説明が煩雑になることを避

前述のBHF溶液によるウエット・エッチング工程

けて、必要最小限の工程と、その工程で一般的に使用

は、ウエット処理のための複数の洗浄槽と乾燥装されている装置について説明し、その他の装置につい置が一体となったマルチ・ステーション洗浄装置ては、概要を紹介するにとどめた。ここでは、数字とを用いて同時に行うことも出来る。

それに続く強調文字の部分をとばして読むと、文章が連続するように記述してある。

５．エピタキシャル成長工程
エピタキシー（epitaxy）とは、「上」を意味する
エピ（epi）と「配列」を意味するタキシス

シングルNウエル型のCMOSトランジスタの製造工程（taxis）の合成語で、エピタキシャル成長とは、

ここでは、上述のトランジスタの製造工程を、順を

基板結晶上に基板結晶と同じ方位関係を持った結追って説明する。実際の工程では、この説明以外にも晶を成長させることである。

随所に洗浄工程、検査工程が挿入されているが、ここ

エピタキシャル成長の目的は、何層も積み重ねたでは、一連の製造工程の中で、フォトリソグラフィー

結晶層の組成や不純物の濃度をコントロールしたの役割を明確化することに主眼をおいているため、こデバイスの製造や、基板結晶よりも欠陥が少ない

れと直接関係のない工程ほ説明は省略した。

良質な結晶層を得るために行われる。

CMOSトランジスタの製造工程で多く使用されてい６．酸化膜の成膜工程

るのは、ホール（Hole）がキャリアとなる不純物としここでは、熱酸化装置を用い、ウェーハを約て硼素（ボロン；B）を入れたもので、この半導体ウ

900℃の酸化雰囲気中で処理し、表面にシリコン

ェーハは、P-sub Wafer（P型ウェーハ）と呼ばれての酸化膜（二酸化珪素の薄膜）を形成する。

いる。P-subのsubは、substrate（基板）の略である。
１．洗浄工程７．窒化膜の成膜工程
さらに、減圧化学気相堆積（LP-CVD）装置を用

両面あるいは片面を鏡面研磨されたシリコン・

いて、約800℃の温度でジクロール・シランとアウェーハの表面に付着した微細なパーティクル、

ンモニアを反応させ、酸化膜上にシリコンの窒化

有機化合物、金属汚染などを除去するウェーハ

膜（窒化珪素の薄膜）を堆積させる。

の洗浄は非常に重要な工程で、一般的には、ウエット処理のための複数の洗浄槽と乾燥装置が一体となったマルチ・ステーション洗浄装置が用いられる。
２．熱酸化膜形成工程
つぎに、熱酸化炉と呼ばれる炉でシリコンの薄い

８．洗浄工程そして、再び洗浄工程を経た後、９．フォトリソグラフィー工程
フォトリソグラフィー工程の詳細については、第二章を参照されたい。
10．ドライ・エッチング工程

酸化膜をつける。

その後、測長SEMでレジスト・パターンが正確

この最初の酸化膜を作る工程では、膜厚が1000Åに形成されていることを検査する工程をへて、硬露光装置技術発展の系統化調査

165

露光装置技術発展 10.9.22 15:59 ページ166

化したレジストをレチクルとして、ドライで処理化しシリコン表面に酸化膜を成長させる。このゲできる反応性イオン・エッチング（RIE；

ート酸化膜は、MOSトランジスタの性能を決め

Reactive Ion Etching）装置を用いて、フロロカ

るKeyとなるので、クリーンな熱酸化が必要であーボン（CF4）のプラズマ・ガスで、窒化膜と酸り、細心の注意がはらわれる。

化膜を除去する。

窒素（N2）ガス雰囲気中で、ジクロール・シラ

チングで浅い溝をつける（シャロー・トレンチ；

ンを熱分解させて、酸化膜上にポリシリコンをShallow Trench）。

堆積させる。このポリシリコンには、燐（P）や

11．アッシング工程
つぎに、不要となったフォト・レジストをアッシ
ング装置で除去し、再び洗浄工程をへて、12．熱酸化膜の成膜工程

砒素（As）などのN型導電不純物が CVD中に添加される。
20．ゲート電極形成
再びフォトリソグラフィー工程でゲート電極と熱酸化炉と呼ばれる酸素雰囲気の炉内で薄いシリなる部分のレジストのみを残して現像し、そのコンの酸化膜をシャロー・トレンチ部分に成長さ

レジストをマスクにして、ポリシリコンをエッせる。

チングすると、ポリシリコンのゲート電極が形

13．酸化膜の堆積工程
さらに、LP-CVD法（減圧化学気相堆積法）で、成される。
21．アッシング工程

ジクロール・シランと酸素を反応させ、シャロ

つぎに、不要となったフォト・レジストをアッシー・トレンチを埋めるために厚いシリコンの酸化ング装置で除去し、再び洗浄工程をへて、膜を堆積させる。
14．平坦化（CMP）工程

22．イオン注入工程
フォトリソグラフィー工程でNチャンネル領域と堆積させたシリコン酸化膜をCMP装置で除去し、なる場所以外をレジストでマスキングした後、イ洗浄工程に進む。

オン・インプラテーションで、燐（P）をイオン

15．洗浄工程

注入し、Nチャンネル領域にN型導電領域が自動CMP後の洗浄は、通常ウエット・ステーション生成される。この2つのN型導電領域は、後の工で行われるため、この窒化膜も、同じウエット・

程でFETのソースとドレインになる。

ステーションを用いて、燐酸の加熱溶液の槽を加えたウエット・エッチングで除去する。
16．イオン注入工程
つぎに、フォトリソグラフィー工程でPチャンネ

23．アッシング工程
再び、不要となったフォト・レジストをアッシング装置で除去し、再び洗浄工程をへて、
24．イオン注入工程

ル領域となる場所以外をレジストでマスキングしつぎに、フォトリソグラフィー工程でPチャンネ

た後、イオン・インプラテーションで、燐（P）

ル領域となる場所以外をレジストでマスキングしをイオン注入し、PチャンネルのMOSトランジス

た後、イオン・インプラテーションで、硼素（B）

タを形成する部分にN−ウエルを形成する。

をイオン注入し、PチャンネルのMOSトランジス＜N−ウエル（N-well）＞

タを形成する部分にPウエルを形成する。この2つN−ウエルとは、N型導電層の量子井戸のことである。
詳しくは、半導体関連の書籍か量子力学、固体物理などの参考書を参照されたい。

17．アッシング工程のP型導電領域は、後の工程でFETのソースとドレインになる。
25．アッシング工程
レジスト剥離は、ウエットとドライの両方法があ

つぎに、不要となったフォト・レジストをアッシるが、この工程の場合、イオン・インプラテーシ

ング装置で除去し、フッ酸（HF）によるウエッ

ョンによってレジストが叩かれているため、プラト・エッチングでウェーハ表面の酸化膜を除去

ズマ・アッシャーによる剥離が効果的であるが、し、シリコン表面を露出させる。その後、再び洗プラズマ・ダメージに注意を要する。

浄工程をへて、
18．熱酸化膜の成膜工程
クリーンな高温の酸素雰囲気中でウェーハを熱酸

166

19．CVD工程

さらに、露出したシリコンの表面にドライ・エッ

国立科学博物館技術の系統化調査報告 Vol.6 2006.March

26．酸化膜の堆積工程
さらに、LP-CVD法（減圧化学気相堆積法）で、ジクロール・シランと酸素を反応させ、厚いシリ露光装置技術発展 10.9.22 15:59 ページ167

コンの酸化膜を堆積させる。

ジクロール・シランと酸素ガスのLP-CVD法でシ27．異方性ドライ・エッチング工程

リコン酸化膜を厚く堆積し、層間絶縁膜を形成

異方性ドライ・エッチングで、ゲート電極の側壁にのみシリコン酸化膜が残るようにする。これがする。
35．平坦化（CMP）工程

ゲート電極のサイド・ウォール（側壁酸化膜）と堆積させた層間絶縁膜をCMP装置で除去し表面なるわけである。

を平坦化した後、洗浄工程をへて、再びフォトリ

28．イオン注入工程
つぎに、フォトリソグラフィー工程でNチャンネ

ソグラフィー工程へ進む。
36．フォトリソグラフィー工程

ル領域となる場所以外をレジストでマスキングしレジスト処理工程をへて、コンタクト・ホールをた後、イオン・インプラテーションで、砒素形成するためのレジスト像を作る。

（As）をイオン注入し、Nチャンネル・トランジ

37．エッチング工程

スタのゲート・ポリシリコンと同時にソースとドレジスト像をマスクとしたエッチングで、シリコ

レインになる領域に高濃度のN形導電領域（N+

ン酸化膜に引出し電極用のコンタクト・ホールを領域）を形成する。この領域は、Ｎチャンネル・

形成する。

トランジスタのゲート電極のサイド・ウォールに対して、セルフ・アラインで位置決めされ自動で形成される。
29．アッシング工程
その後、レジストを剥離し、洗浄工程をへて、フその後、レジスト剥離工程、洗浄工程をへて、
38．スパッタリング工程
スパッタリング装置で、バリア膜としての窒化チ
タン（TiN）膜を堆積する。続けて、39．CVD工程ォトリソグラフィー工程でPチャンネル領域となCVD法で、コンタクト・ホールに埋め込むためる場所以外をレジストでマスキングして、にタングステン（W）膜を堆積する。

30．イオン注入工程

40．平坦化（CMP）工程

イオン・インプラテーションで、硼素（B）をイ堆積させたタングステンとバリア膜として堆積しオン注入し、Pチャンネル・トランジスタのゲーてあった窒化チタン膜をCMP装置で除去し絶縁

ト・ポリシリコンと同時にソースとドレインにな膜を露出させ、表面を平坦化した後に、洗浄工程る領域に高濃度のP形導電領域（P+領域）を形成をへて、する。この領域は、Pチャンネル・トランジスタ

41．スパッタリング工程のゲート電極のサイド・ウォールに対して、セル窒化チタン膜、配線材料であるアルミ（Al）膜、

フ・アラインで位置決めされ、自動で形成される。

窒化チタン膜と順次スパッター法で膜を堆積する。

その後、レジストを剥離し、洗浄工程をへて、
31．スパッタリング工程

42．フォトリソグラフィー工程とエッチング工程
レジスト像をマスクとしたエッチングで、窒化チ

ウェーハ全面にスパッタリング法で、コバルト

タン膜、アルミ膜、窒化チタン膜からなる配線材（Co）の薄膜を堆積する。

膜に素子間の配線回路を形成する。その後、レジ32．熱処理工程ウェーハを高温で加熱処理すると、コバルト

スト剥離工程、洗浄工程をへて、
43．層間絶縁膜形成工程（Co）とシリコン（Si）が接触している部分（ソジクロール・シランと酸素ガスのLP-CVD法でシース、ドレイン、ゲート）でコバルトとシリコン

リコン酸化膜を厚く堆積し、第一層と第二層目のが反応して、コバルト・シリサイト（CoSi 2）を

配線層を絶縁するための層間絶縁膜を形成する。

形成する。
33．エッチング工程

44．平坦化（CMP）工程
堆積させた層間絶縁膜をCMP装置で除去し表面

フッ酸（HF）などによるウエット・エッチングを平坦化した後、洗浄工程をへて、再びフォトリ

で、未反応のコバルトを除去する。このエッチン

ソグラフィー工程へ進み、グ処理では、シリコン表面及びゲート電極部分の45．フォトリソグラフィー工程とエッチング工程

コバルト・シリサイト膜はエッチングされないのレジスト像をマスクとしたエッチングで、シリコで残る。そして、洗浄工程をへて、ン酸化膜に第一層の配線と第二層の配線を接続す

34．層間絶縁膜形成工程

るためのビア・ホールを形成する。その後、レジ露光装置技術発展の系統化調査

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スト剥離工程、洗浄工程をへて、
46．スパッタリング工程

その後、洗浄工程、フォトリソグラフィー工程をへて、エッチングにより電極パッドとなる部分のパッシ

第二層目の配線材料として、バリアとなる窒化チ

ベーション膜を除去して、パッド部分を露出させて前タン膜、配線材料であるアルミ膜、窒化チタン膜

工程を全て終了する。

と順次スパッター法で膜を堆積する。

このように、二層配線の単純なCMOS工程でも12回

47．フォトリソグラフィー工程とエッチング工程のフォトリソグラフィー工程を繰返して半導体チップ

レジスト像をマスクとしたエッチングで、窒化チが製造されるわけである。現在では、十層以上の配線

タン膜、アルミ膜、窒化チタン膜からなる配線材層をもつ半導体素子も出てきており、一層あたり最低膜に第二層目の素子間の配線回路を形成する。そ2回のフォトリソグラフィー工程を通過することになの後、レジスト剥離工程、洗浄工程をへて、るので、この場合、二十回以上のフォトリソグラフィ

48．層間絶縁膜形成工程

ー工程をへて、チップが完成することになる。そして、配線金属（この場合はアルミ）と回路素子を保護

各工程では、当然のことながら、重ね合わせる回路素するために、パッシベーション膜（絶縁膜）を堆子パターン同士の相対的な位置合わせ精度が要求され積させる。一般的には、ジクロール・シランと酸ることになり、ステッパーの開発では、アライメン

素及び窒素ガスを用いてCVD法でシリコン酸窒

ト・マークの検出方法、マークの大きさや形状、マー化膜（SiON）を堆積させる。

クを埋め込む位置などが精度を維持する上で常に問題となり、加えて、他社のステッパーのアライメント・
マーク位置との干渉もまた問題として提起されるな
ど、半導体デバイスメーカーとの協力関係の構築が重要な課題の一つであった。

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参考資料2

半導体製造プロセスで使用される装置

主な半導体プロセス装置についての若干の説明を加えておく。

して、高電界で加速してウェーハ表面にぶつけて導入する。不純物の入る深さは加速電圧で決まり、不純物の量はイオン電流で決まる。トランジスタの形成には不可欠の装置である。

＜エピタキシャル成長装置＞＜CMP装置＞

下地の結晶ウェーハ上にそれと同じ結晶構造を有す

CMP装置の心臓部は、化学機械研磨（CMP；

る膜を堆積する方法をエピタキシ法といい、エピタ

Chemical Mechanical Polishing）という名前が示してキシ法により成膜する装置をエピタキシャル成長装

いるように、ウェーハを保持して回転と加圧を与える

置という。ピュアーな薄膜を形成する装置。

研磨ヘッド機構、研磨布（パッド）が貼り付けられた＜RTP装置＞

回転定盤とその駆動機構、研磨布のドレッシング機構、RTPは、Rapid Thermal Processの略で、急速加熱処

ウェーハ・チャック面の洗浄ユニット、加工液と砥粒理装置の総称であり、半導体の製造プロセスでは、随からなるスラリーのウェーハ加工面への供給機構で構所に出てくる装置。

成される。

＜エッチング装置＞

ウェーハ表面の平坦度の精度を上げるには、ウェーハ

エッチングとは、薬品やイオンの腐食作用を使ってICをいかに精度よく保持し、加圧し、回転して研磨するの回路を形成する工程である。前の現像工程でレジスかが重要である。そのため、研磨ヘッドを含むこの部

トを溶かして回路パターンの像を形成し、その溶けた分は、装置メーカーによりいろいろな方式が提案され部分の下にある層を溶かす、あるいは削って回路パタている。多層配線のVLSIの製造には不可欠の平坦化

ーンを作ることになるが、この溶かす、あるいは削っ装置。

て回路パターンを作る工程をエッチング工程と呼び、＜ウエット・クリーニング装置＞

エッチングの方法にはウエット式とドライ式の2つが半導体製造プロセスで重要な技術の一つが洗浄技術ある。エッチング装置は、フォトリソグラフィー工程

で、ウエット洗浄の基本的考え方は、1960年代にで形成された回路素子のレジスト像をシリコン基盤にRCA社（米国）のKernらによって開発された。その刻み込む重要な装置。

後、界面活性剤の添加、オゾン水の代替やメガソニッ＜CVD装置＞

ク（超音波）の利用など、幾多の改良を重ねながらも、

CVD（Chemical Vapor Deposition）とは化学気相成

基本的な部分はRCA洗浄法という呼び名で、現在で長のことで、ウェーハの表面に特殊なガスを供給しても半導体洗浄の主流となっている。

化学反応を起こし、その反応で生成された分子の層をRCA洗浄法で使用される薬液は、APM、HPM、SPM、

ウェーハ上に形成するものである。化学反応をスムー

DHF、BHFの5種類で、APMは通称SC-1、HPMはズに行わせるために、熱や光、プラズマのエネルギー

SC-2、SPMはピラニア溶液とも呼ばれる。

が使われる。この方法は二酸化珪素層や窒化珪素層のAPM=Ammonia Hydroxide/Hydrogen Peroxide/

ほか、一部の金属層やシリコンと金属の化合物の層を作るときにも使われる成膜装置。
＜PVD（Physical Vapor Deposition）装置＞
真空蒸着装置とスパッタリング装置（Sputtering system）は物理蒸着法のひとつで、成膜する材料を真空

Water Mixture
HPM=Hydrochloric Acid/Hydrogen Peroxide/
Water Mixture
SPM=Sulfuric Acid/Hydrogen Peroxide/
Water Mixture

中で加熱蒸発（気化）させウェーハ上に堆積する成膜

DHF=Diluted Hydrofluoric Acid装置の総称である。

BHF=Buffered Hydrofluoric Acid

＜イオン注入装置（Ion Iｍplanter）＞

SC-1=RCA Standard Clean1

イオン・インプランテーション（Ion Implantation）

SC-2=RCA Standard Clean2

は略してインプラとも言い、現在では不純物導入で最も良く使われているイオン注入技術である。インプラ

なお、薬液の詳細についての説明は、専門書を参照されたい。

では燐、ヒ素、硼素などの不純物を真空中でイオンに露光装置技術発展の系統化調査169

科学博冊子vol.6・奥付 10.9.22 15:32 ページ1

国立科学博物館
技術の系統化調査報告 第6集
平成18（2006）
年3月31日■編集

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産業技術史資料情報センター（担当：コーディネイト 永田 宇征、エディット 久保田稔男）■発行

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