SIA-400T

アーク放電型 イオンプレーティング装置

表面硬化膜形成用For forming a surface hardened ﬁlm
Ideal as a small-quantity
production machine /experimental machine.

【概要】

1．蒸発源表面上にアーク放電を発生させ、溶解・蒸発・イオン化を経て薄膜を形成します。
2．TiN、TiAlN硬化膜の成膜が可能となっております。
[General Outline]
1.An arc discharge is generated on the surface of the evaporation source,
and a thin ﬁlm is formed through dissolution, evaporation, and ionization.
2.It is possible to form a TiN and TiAlN cured ﬁlm.

【特長】

1．切削工具等への表面硬化膜（TiN、TiAlN膜）の成膜が可能です。
2．据付面積（操作盤・ポンプユニット・電源含）
W3,000mm×D2,500mm内の省スペースです。
3．
タッチパネル操作による成膜レシピ制御が可能です。
4．少量生産機・実験機として最適です。
5．高融点金属（タングステンやモリブデン）の蒸発も可能です。
[Features]【用途・応用例】

1.It is possible to form a surface-hardened ﬁlm (TiN, TiAlN ﬁlm) on cutting tools.
2.The installation area is within W3,000mm x D2,500mm, which saves space.

切削工具

3.Film formation recipe control is possible by touch panel operation.

自動車・機械部品

5.Evaporation of refractory metals (tungsten or molybdenum) is also possible.

各種金型[Applications]Cutting tools
Automobile / Mechanical parts
Various molds

少量生産機・実験機に最適

Arc-Discharge-Type Ion Plating Equipment

4.Ideal as a small-quantity production machine / experimental machine.

SIA- 400T

アーク放電型 イオンプレーティング装置
Arc-Discharge-Type Ion Plating Equipment

表面硬化膜形成用For forming a surface hardened ﬁlm

←反応ガス
（N2）

←導入ガス
（Ar）

←Ti（+）

Reaction gas(N2)Introduced gas (Ar)プラズマ Plasma
↓

カソード

ターゲット

CathodeTarget基板︵−︶

Substrate(-)

Substrate(-)

TargetCathode

基板︵−︶

ターゲット

カソード

DCバイアス（−）
DC Bias（−）

成膜原理

TiN成膜例

Film formation principle

TiN ﬁlm formation example

仕様Speciﬁcation

到達圧力

1.2×10-3Pa以下

Ultimate Pressure

1.2×10-3Pa or less

排気速度

6.7×10-3Paまで15分以内

Exhaust Speed

Within 15 minutes to 6.7×10-3Pa

基板加熱

MAX350℃

Substrate Heating

MAX350℃

蒸発電源

10kW

Evaporative Power Supply

10kW

基板治具

①公転治具

Substrate Jig

Revolution jig

ご質問・詳細につきましては、営業部までお気軽にお問合せください。
お問合せ先【営業部】②自転治具
Rotation jig

MAXMAX

本社・相模原工場

Φ200㎜×H250㎜

MAXMAX

Φ200㎜×H250㎜
Φ70㎜×H250㎜

Φ70㎜×H250㎜〒252-0244 神奈川県相模原市中央区田名3062-10×5軸×5axes

真空槽

約W350㎜×D475㎜×H400㎜、SUS304製

Vacuum Chamber

Approx. W350㎜×D475㎜×H400㎜, made of SUS304

据付面積

①本機

Installation Area

①Body approx.W1,600㎜×D1,000㎜×H1,600㎜

約W1,600㎜×D1,000㎜×H1,600㎜②操作盤

FAX. 042-764-0377

E-mail. sales-pamphlet@showashinku.co.jp

https://www.showashinku.co.jp/
昭和真空検索約W565㎜×D820㎜×H1,800㎜②Operation panel approx.W565㎜×D820㎜×H1,800㎜③ポンプ架台 約W400㎜×D800㎜×H910㎜③Pump stand approx.W400㎜×D800㎜×H910㎜

所要諸元

TEL. 042-764-0370

Inquiry [Sales Dep.]
HQ and Sagamihara Plant
3062-10 Tana, Chuo-ku, Sagamihara-city, Kanagawa 252-0244 JapanTEL:+81-42-764-0370

FAX：+81-42-764-0377

本製品は、外国為替並びに外国貿易管理法の規定により、戦略

Required Speciﬁcations

物資等輸出規制品に該当する場合があります。従って、日本国

所要電力

本体

Φ3200V

約38.3KVA（110.5A）

Required Electricity

Main body Φ3 200V Approximately 38.3KVA (110.5A)

所要水量

0.2MPa以上（差圧）、19L/min、20〜25℃

Required Water Volume0.2MPa or more (diﬀerential pressure), 19L/min, 20-25 ℃※冷却水入口の最大圧は0.4MPa以下、水質は市水相当

外に該当品を持ち出す際は、日本国政府への輸出許可申請等、必要な手続きをお取りください。
This product may be applicable to export control products such as strategic raw materials
which are regulated by the Foreign Exchange and Foreign Trade Control Law. Accordingly
when you bring out the applicable products outside Japan, you should take a necessary
action such as application of an export permit to the Government of Japan.

* The maximum pressure at the cooling water inlet is 0.4MPa or less, and the water quality is equivalent to city water.

所要圧空0.7MPa（設定圧0.5MPa）、接続口径Rc3/4

Required Compressed Air

0.7MPa (set pressure 0.5MPa), connection diameter Rc3/4

ガス圧力0.05MPa（設定圧0.02MPa）、接続口径SWL1/4

真空中で特定の基板に薄膜を形成させGas Pressure0.05MPa (set pressure 0.02MPa), connection diameter SWL1/4る装置を主とした、真空蒸着装置やスWeb site

製品情報ページ

パッタリング装置等の真空技術応用装置（真空装置）を製造販売しております。
※本仕様・外観については、改良のため予告なく変更になることがあります。あらかじめご了承下さい。
* For the improvement of the product, please understand in advance that the speciﬁcations and external views are subject to change without prior notice.

https://www.showashinku.co.jp/product/12-14901-JEZ2102