本記事は , 文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業 技術スタッフ表彰について紹介するものです .

文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム 平成 30 年度技術スタッフ表彰 技術支援貢献賞

プロセスソリューションを実現するドライエッチング技術受賞者 物質 ・ 材料研究機構 微細加工プラットフォーム 大里 啓孝氏に聞く

クリーンルームの見学エリアに立つ大里氏と受賞記念バッジ

文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業（NPJ）は，全国，37 の大学，研究機関が参画し，最先端の研究設備を共用することにより，イノベーションの創出に寄与することを目指している．共用設備は，ナノテ
クノロジー関連科学技術において基本となる 3 つの技術領域：「微細構造解析」「微細加工」「分子・物質合成」のプラットフォーム（PF）のそれぞれに適した形で整備され，支援スタッフを置いて設備の有効活用を図っている．
NPJ は毎年，優れた支援を行ったスタッフ数人を表彰しており，平成 30 年度は，2019 年 1 月 30 日に第 18 回国際ナノテクノロジー総合展・技術会議（nano tech 2019）のセミナー会場で表彰式が行われた [1]．5 人の支援ス
タッフが表彰され，物質・材料研究機構（NIMS）微細加工プラットフォーム

大里 啓孝（おおさと ひろたか）氏に技術支援貢献賞が贈られた [2]．受賞題目は，「プロセスソリューションを実現するドライエッチング技術」である．どのような技術でどのような支援が行われたかを伺うべく，茨城県つくば市千現の物質・材料研究機構に大里氏を訪ねた．

１．プロセスインテグレーションを特色とする NIMS 微細加工 PF
１．
１

NIMS 微細加工 PF の組織概要 [3]NIMS は，
3 つの技術領域：「微細構造解析」「微細加工」「分子・物質合成」の全てに参画し，微細加工 PF，分子・物質合成 PF と微細構造解析 PF の一部を，千現地区の材料信頼性実験棟に収容している（図 1）．微細加工 PF は 30台以上の微細加工装置群をアンダーワンルーフに集約し，分子・物質合成 PF と微細構造解析 PF との横断的融合研

図1

NanotechJapan Bulletin Vol. 12, No. 5, 2019平成 30 年度技術ｽﾀｯﾌ表彰（技術支援貢献賞）-1

文部科学省ﾅﾉﾃｸﾉﾛｼﾞｰﾌﾟﾗｯﾄﾌｫｰﾑ

NIMS 微細加工 PF

究が可能な環境を整えている．
NIMS 微細加工 PF は，2007 年に，ナノテクノロジー融合センター ナノ集積ラインとして文部科学省「ナノテクノロジー・ネットワーク（ナノネット）事業」に参画し，千現地区材料信頼性実験棟 1 階にクリーンルーム
2

１．３ NIMS 微細加工 PF の支援の特徴：プロセスイ
ンテグレーション [6]NIMS 微細加工 PF の支援形態は，他の機関とほぼ同様，次の 3 形態である．

（450m ）を新設，半導体微細加工装置群を新規整備して＊機器利用：NIMS 微細加工 PF スタッフにより「機器ナノネット事業における研究支援を行ったのち，2012 年利用ライセンス」を付与されたユーザーが自身で装置より NPJ に参画した．

利用を行う．

多種多様な材料加工に対応可能な微細加工装置を整備＊技術補助：NIMS 微細加工 PF スタッフの補助を受けし，微細加工 PF 長のもとに，職員と支援員合わせて 5 名ながら装置利用を行う．のスタッフを置いて，運営，支援を行っている．

＊技術代行：ユーザーとの打合せに沿って NIMS 微細加工 PF スタッフが代行して，試料作製を行う．

１．
２

NIMS 微細加工 PF は，PF を「ユーザーとスタッフのNIMS 微細加工 PF の設備皆の知識を共有する共創の場」と考える．利用者は，PFNIMS 微細加工 PF は，測定試料，デバイスなどを一貫の装置，これを活用するノウハウ，蓄積された加工のレして製作するのに必要な，成膜，リソグラフィ，エッチシピをもとに支援を受けて，試料やデバイスを作製して，ング，プロセス評価の装置を揃え，クリーンルームに設成果を創出する．測定試料やデバイスは，成膜，リソグ置している（図 2）[4]．

ラフィ，エッチングなどいくつもの加工手段を経て作ら受賞の対象となったドライエッチングは，真空容器内れる．どのプロセスをどのような順序で組み合わせ，どで，反応ガスを高周波放電させ，活性化した反応ガスとのような条件で実行するかを示すのが加工レシピである．

被加工物との化学反応で気化しやすい化合物を作って，施設で実施された内容，加工のレシピは，共用施設の財これを排出させることにより，被加工物を削り取る，反産となって，次の利用に役立てられる．そのため，NIMS応性イオンエッチング（RIE）である．NIMS 微細加工 PF

微細加工 PF は，「レシピは共有，成果は占有」を運営ポには表 1 に示す 4 台のドライエッチング装置が図 2 の左リシーとしている．

部分に設置され，加工対象，反応ガス等によって使い分

図2

NanotechJapan Bulletin Vol. 12, No. 5, 2019

測定試料やデバイスは，技術の異なる様々なプロセスを経て作られる．プロセス設計は，微細加工 PF 利用にけられている [5]．

NIMS 微細加工 PF の施設・設備

文部科学省ﾅﾉﾃｸﾉﾛｼﾞｰﾌﾟﾗｯﾄﾌｫｰﾑ

平成 30 年度技術ｽﾀｯﾌ表彰（技術支援貢献賞）-2

表1

NIMS 微細加工 PF のドライエッチング装置群おける重要な過程である．利用にあたり，スタッフは利フと一緒に作業して機器の使用法を習得したら，その後用目的達成のためのプロセス設計を利用者とともに行う．

は利用者が自分で作業する機器利用に移行する．

プロセス設計は，要素プロセスの最適な組み合わせによ

機器利用の形態では，利用者の中には多くの学生もおり，目的達成のために，要素プロセスを統合・集積する

り，最先端の装置の使用方法を指導するだけでなく技術プロセスインテグレーションである．プロセスインテグ

的な相談についても随時受けて，学生の修業・成長を助レーションは，デバイスを作る一貫プロセスが可能な設ける．このように，NIMS 微細加工 PF は最先端の研究を備やその設備使用上の豊富なノウハウ，経験の蓄積，に支援しながら，将来の日本の技術を支える人材の育成によって可能になる．NIMS 微細加工 PF はプロセスインテも貢献している．

グレーションをその特徴とし，優れたプロセスインテグ

技術代行は材料加工が専門でない，生体分野などの微レーションで，支援スタッフ表彰の優秀技術賞を受賞し細加工に不慣れな利用者が主に利用しており，加工のすている [7]．

べてをスタッフに任せる形態となっている．利用者は希望の構造・設計をスタッフに伝えるだけで，その後の工１．４ NIMS 微細加工 PF における受賞者大里氏の支援活動

程はすべてスタッフ任せになるため，微細加工が未経験

大里氏は NIMS 微細加工 PF において主にドライエッチライエッチングを核とし，汎用的な工程が可能な構成とングを担当するが，全てのプロセスを実施できる．5 人のなっている．使用できる材料については，NIMS は材料スタッフの全員が全てのプロセスを実施でき，プロセス研究所ということもあり，加工対象には特に制限を設けインテグレーションに対応する．大里氏は，表 1 のドラていない．利用希望者の中には，加工装置に材料制限をイエッチング装置の大半で，利用者の機器利用ライセンかけないことについて賛否両論があるが，実際に利用者ス取得テストを実施するのに加え，電子線描画装置，スの声を聞くと，この判断は間違っていないと思っている，

パッタ装置，さらにクリーンルームとは別室にある後工と大里氏は語る．特に企業の利用者は新しい材料を試す

程のスクライバーでもライセンス取得テスト実施者とな際に，まずは社内の装置を検討するが，当然ながら装置るなど様々なプロセス装置に通じている．このため，試管理者にあれこれ制限がかけられていて，まず間違いな料作りの一貫したプロセスを設計し，一連のプロセスをく断られる．そのため，「何でもできる，可能と言っても遂行することができ，利用者からバルク基板の提供を受らえるのは助かる」との声をよく聞く，という．

でも施設を利用できることがメリットである．
NIMS 微細加工 PF の装置群はリソグラフィ・成膜・ドけ，完成した試料，デバイスを利用者に渡すこともある．

依頼を受けるものは，大半が経験のない未知のものば

NIMS 微細加工 PF の利用は，電子デバイス，光学デバかりである．新しい材料や，難しい構造など誰でもできイスの開発が多い．利用者は，企業が半分，公的機関とないものだからこそ，それが難しいものに取り組むとい大学が残りの半分を分け合い，50：25：25 の比率になる．

うモチベーションとなり，これからも難題に挑戦してい先に述べたように，支援の形態には，機器利用，技術く，と大里氏は語った．それらの積み重ねは，次章に詳

補助，技術代行の 3 つがあるが，機器利用と技術補助は述する新しいドライエッチングの手法の開拓につながり，セットになることが多い．まず技術補助で利用者がスタッ

この度のスタッフ表彰の対象となった．

NanotechJapan Bulletin Vol. 12, No. 5, 2019文部科学省ﾅﾉﾃｸﾉﾛｼﾞｰﾌﾟﾗｯﾄﾌｫｰﾑ

平成 30 年度技術ｽﾀｯﾌ表彰（技術支援貢献賞）-3

める絶縁破壊強度，パワーデバイス用材料としての潜在２．ドライエッチングにおけるプロセス
ソリューション [2]能力を比較する指標のバリガ指数は極めて高い．
Ga2O3 は数年前にバルク単結晶成長が可能になり，開発の機運が高まった．単結晶の成長に成功した，株式会

２．１ 新材料 Ga2O3 の MOS ダイオードのトレンチ形成に Dry ／ Wet 連続エッチングを考案

社ノベルクリスタルテクノロジー／株式会社タムラ製作

酸化ガリウム（Ga2O3）は，近年になってパワーデバイに挑戦した [10][11]．パワーデバイスの最大動作電圧はスを構成する素材として注目されるようになった材料でその降伏電圧で決まり，降伏電圧はエネルギーギャップ

所の佐々木 公平氏は，高電圧で整流作用が可能な超低損
失 Ga2O3 ショットキーバリアダイオード（SBD）の開発ある．パワーデバイスは，電機システムの制御に古くかとともにデバイス内の電界分布に左右される．Ga2O3 SBDら求められ，交流給電の東海道新幹線はシリコン（Si）サ内の電界分布を，デバイス断面での電磁界解析によるデイリスタによって直流モーターを駆動して運行した．最バイスシミュレーションで求めると（図 3），最大電界が近では，電気自動車はじめ多くの電動機器の制御に重要ショットキー接合を構成する電極と Ga2O3 との界面に発性の増しているデバイスで，その高効率化が強く求めら生し，ショットキー接合のリーク電流が大きくなって，れている．高い電圧，高温環境下で高効率に動作するパ

この電流による発熱でデバイスが破壊することがわかっ

ワーデバイスはエネルギーギャップの大きい半導体材料た．平坦な構造のプレーナ型では，Ga2O3 の材料特性を発で構成することが望ましい．パワーデバイスに広く用い揮できない．ところで，デバイス内の電界分布，最大電られている Si のエネルギーギャップは 1.1eV であるが，界の発生場所はデバイス構造で変えられる．Si pn 接合ダエネルギーギャップ 3.0eV のⅣ族化合物：炭化ケイ素（SiC）

イオードでは，接合の端面を傾斜（べベル）構造にしてのパワーデバイス開発が進み，青色 LED の材料として知耐圧を高めることが試みられた．佐々木氏らは，半導体られ，エネルギーギャップ 3.36eV の III-V 族化合物半導体：

メモリの DRAM で蓄積容量を増そうと考案されたトレン

窒化ガリウム（GaN）のパワーデバイスへの展開にも関心

チ（溝）構造に着目し，トレンチ MOS 構造の電界分布をが高まっている [8]．

解析したところ，最大電界が内部で発生するため，リーこうした中で，酸化物という異なった元素組成から成る Ga2O3 のパワーデバイス応用の可能性が指摘された [9]．

ク電流が抑えられ，Ga2O3 本来の性能を発揮させられることがわかった．

Ga2O3 の パ ワ ー デ バイス関連物性定数は 表 2 の よ う に

トレンチ構造は Si MEMS（微小電気機械システム）で各種半導体と比較される．エネルギーギャップは 4.6 〜も用いられ，トレンチのような深掘り加工はドライエッ4.9eV と見積もられ，パワーデバイスの最高動作電圧を決チング，その中でも反応性イオンエッチングで行われる．

表2

図3

各種パワー半導体材料の材料物性値比較 [10]プレーナ構造（左）とトレンチ MOS 構造（右）の電界強度分布

NanotechJapan Bulletin Vol. 12, No. 5, 2019文部科学省ﾅﾉﾃｸﾉﾛｼﾞｰﾌﾟﾗｯﾄﾌｫｰﾑ

平成 30 年度技術ｽﾀｯﾌ表彰（技術支援貢献賞）-4

Ga2O3 のトレンチ形成が，半導体に限らず各種材料の微後，トレンチの表面に酸化物として誘電率の高い HfO2 を細加工ができる NIMS 微細加工 PF に依頼された．しかALD（原子層堆積）法により被着し，トレンチを埋めるよし，Ga2O3 は最近になって着目され，数年前に単結晶がうに Cu/Au/Ni の 3 層構造のアノード電極を形成した（図使えるようになった新材料である．同じ Ga の化合物であ4 中）．トレンチの深さは 2μm，幅は 5μm，間隔は 1μm で，る GaAs が，20 世紀末の衛星放送開始に GaAs 系 FET が貢献したような実績や，これを支えた加工技術の蓄積を直径 400μm のアノード電極の範囲に整然と形成されている（図 4 右）．試作された Ga2O3 トレンチ MOS SBD は市

Ga2O3 は持たない．GaAs が金属間化合物であるのに対し販の SiC MOS SBD とほぼ同等の逆方向特性，より低い順て，Ga2O3 は金属酸化物である．ドライエッチングの経験

方向立ち上がり電圧を示し，Ga2O3 パワーデバイスの高効はもちろん，当初はその手がかりもなかった．

率性の可能性が確かめられた [11]．

反応性イオンエッチング（RIE）は，加工対象を反応性

この作製工程の中で，ALD は東京工大微細加工 PF，特ガスと反応させ，生成した化合物を，ポンプで吸引，廃性評価は早稲田大学微細加工 PF の装置で行われた．依頼

棄するメカニズムでエッチングを行う．そのため，反応者である佐々木氏は，その工程に最適な機関を選び，加生成物の蒸気圧が重要である．一般的な半導体である，Si工を行うことにより，Ga2O3 MOS SBD の試作に成功したや GaAs はフッ素や塩素化合物の蒸気圧が高いため，比[11]．このことは各機関の強みを生かすことで早期の成果

較的簡単にエッチングすることが可能である．しかし，創出が可能である，という模範的利用例であり，機関をGa2O3 のような酸化物は一般的に蒸気圧が低く，エッチン横断した利用は，ナノテクノロジープラットフォーム事グしにくいとされている．また，新しい材料であるがゆ業の存在価値を高めるものである．

えに，確立された条件がなく，ドライエッチング条件はゼロから探索した．
エッチング条件探索には，NIMS 微細加工 PF で行っていた他の材料加工の条件を参考としながら，反応性ガスを選択し，Ga と O をいかに効率的に反応させて，廃棄す

２．２ スピントロニクス応用磁性ナノワイヤの Dry／ Wet 連続エッチングによる作製
現代の情報社会や産業を支える電子デバイスは電子の電荷の動きを利用している．これには電流を伴うため熱るかに主眼を置いた．
反応性ガスは BCl3 を選定した．それは，Ga の反応と O損失を生じ，情報量増大に伴い電力消費が性能向上を阻の反応を同時に満足させられる反応性ガスのためである．

害する恐れが出てきている．一方，電子は微細な磁石に反応式は下記のように推測される．

相当する，スピンという属性を持つ．その移動には電流を要しないので，電子に代わって，スピン流を制御して情報処理を行わせようとスピントロニクスの研究が進ん

3 BCl3 + Ga2O3 → 2 GaCl3 + 3 BOCl

でいる．スピン流の制御にはまず，磁性体中のスピンを上記の反応によって生成される GaCl3 及び BOCl は，とも非磁性体に注入する．高効率でスピンを注入する入手容に蒸気圧が高く，吸引・廃棄できるので，Ga2O3 の加工が易な強磁性材料が求められる．

可能となり，最終的に各種パラメータの調整やマスクの筑波大学の末益研究室は，スピントロニクス材料とし最適化を行うことでデバイス構造を作製可能な条件に行て，豊富な資源から構成される，強磁性窒化物に着目した．

き着いた．Ga2O3 のトレンチ構造が形成可能となったこと

中でも，窒化鉄（Fe4N）はスピン分極率が大きく，電子により，トレンチ MOS 構造の SBD の作製を開始した．

流による磁壁の移動，これによるスピン流注入への応用作製工程は，まずトレンチエッチングを行った（図 4 左）

図4が期待される．磁壁の移動は，磁気異方性やスピン流注

トレンチ構造の SEM 写真（左），デバイス構造の断面模式図（中），顕微鏡写真（右）NanotechJapan Bulletin Vol. 12, No. 5, 2019文部科学省ﾅﾉﾃｸﾉﾛｼﾞｰﾌﾟﾗｯﾄﾌｫｰﾑ

平成 30 年度技術ｽﾀｯﾌ表彰（技術支援貢献賞）-5

入極の形状に依存する．そこで，筑波大学は，Fe4N 細線（ナメージが無視できなくなり，他のマスク材の選定を迫らノワイヤ，NW）における磁壁物性の細線形状依存性を評れた．様々な材料を思案して，MgO に着目し，これを選価しようと，NIMS 微細加工 PF に評価用デバイス作製へぶことになった．MgO は真空蒸着で成膜可能なのでリフの協力を求めた．

トオフによるマスク形成が可能であり，Cl2 プラズマやイ

厚さ数十 nm の Fe4N 膜を作り，幅が数百 nm の細線にオン衝撃に対する耐性が高いなどマスク材として最適で加工するのに，まず，金属細線加工によく使われる Ar イある，さらに潮解性があり水に溶ける材料なので，除去オンミリングで削った．集束イオンビーム（FIB）の Gaに強酸・強アルカリを使用することがないため，Fe4N 細イオンビームによるエッチングも同様だが，削られた金線へのダメージが少ないことが選定の理由である．

属は RIE のようにガスになって放出されないから，Ar イ

2 段階エッチングの考案，MgO マスクの導入により，オンミリングで削られたものはどこかについてしまう．

従来のイオンミリングや反応性エッチングでは対応でき

この再蒸着は NW 加工に用いたマスク材の角に多く起こない難加工材料の微細加工が可能になり，利用者がイメーる．このため，L 字型に削った Fe4N NW を SEM で観察すジしていた通りの加工を行うことができた．

ると，縁に突起があるため電界集中が起こるので L 字型に白く光って見える（図 5 左）．

そこで，上記の手法，マスクで Fe4N 強磁性ナノワイヤを作製し，その中の磁壁の動きを調べることになった．

そこで Cl2 ガスによるドライエッチングの検討を行っ

分子線エピタキシー（MBE）法により，固体の鉄（Fe）た．この際に，Fe の化合物では蒸気圧の高いものは存在と RF-N2（RF 放電で活性化した窒素ガス）を同時供給し，しないが，エッチング後のサンプルの断面観察を行った

SrTiO3（001）基板上に厚さ 15nm の Fe4N 膜を成膜した．

ところ，プラズマが照射された部分がエッチングマスク

この Fe4N 膜を，電子線リソグラフィとリフトオフによと明らかに様相が違っており，材料が変質していた．そりパターン化した MgO マスクを介して Cl2 反応性イオンの現象について考察してみると，Fe と Cl2 ガスの反応かエッチングとアセトン洗浄の Dry ／ Wet 連続エッチング

らは FeCl3 が生成されているものと推測された．試しにそのサンプルを水洗したところ Fe4N 膜がエッチングされで加工し，幅 500nm，長さ 25μm の L 字型ナノワイヤに形成した．L 字の腕は，Fe4N の磁化容易軸方向の [100]，ており，ドライエッチングの有用性に気付いた．しかし，「010」に合わせてあり，磁気力顕微鏡により磁場による水による溶解では FeCl3 水溶液が強酸になるので，Fe4N磁壁の運動を確認できて，Fe4N における磁壁の電流駆動薄膜を加工した細線へのダメージが懸念された．そこで，に進む第一歩となった [12]．

FeCl3 を除去する溶剤を，水から有機溶剤（アセトン）に切り替え，難エッチング材である Fe4N の加工に成功した．
この手法：Dry ／ Wet 連続エッチングで作製した Fe4N ナ

３．早期成果創出を可能にするプロセス
インテグレーション

ノワイヤは Ar イオンミリングによる時のような突起がないので SEM 観察では L 字ナノワイヤがうっすらと見えている（図 5 右）．
鉄窒化物（Fe4N）の微細加工は，フォトリソグラフィー

３．１

要素技術の最適組み合わせでプロセス設計により所定形状パターンに加工したマスク材をマスクに微細加工 PF において，デバイスや試料は様々な要素プして，Fe4N 膜を所定パターンに加工し，マスク材を除去ロセスを統合・組織化し，プロセス設計のもとに，各プする．マスク材に，当初は ALD で形成したアルミナ（Al2O3）ロセスを遂行して作製される．NIMS 微細加工 PF はリソを使用した．ALD アルミナは RIE やアルカリでエッチングラフィ・成膜・ドライエッチングを核とした装置群にグ可能なため，初期の実験では重宝したが，最終段階のより汎用的な工程が可能な構成を取り，プロセスインテ加工後のマスク除去で強アルカリによる Fe4N 細線へのダグレーションにより成果の早期創出を図る．

図5

Fe4N ナノワイヤのエッチング加工：左 Ar イオンミリング，右 Dry/Wet 連続エッチング

NanotechJapan Bulletin Vol. 12, No. 5, 2019文部科学省ﾅﾉﾃｸﾉﾛｼﾞｰﾌﾟﾗｯﾄﾌｫｰﾑ

平成 30 年度技術ｽﾀｯﾌ表彰（技術支援貢献賞）-6

PF を利用してのデバイス作製において，企業による利ソグラフィ，ドライエッチングなどの要素技術の組み合用成果は非公開のことが多い．公的機関からの依頼で公わせを考案してフィン構造を作り，ダイアモンド Tri-Gate

開可能なプロセスインテグレーションに次の例がある．

MISFET の試作に成功した（図 7）．この製造方法は特許化され [13]，この方法をもとに試作されたデバイスで平３．
２ トリプルゲート型ダイアモンド MIS FET の試作

面構造 MISFET に対する Tri-Gate MISFET の優位性を示すことができた [14]．

ダイアモンドは，エネルギーギャップ 5.5eV の IV 族半導体でパワーデバイス材料として Ga2O3 よりはるか以前から注目されている．しかし，結晶成長や加工の困難さから，実用には至っていない．NIMS の研究グループは，４．おわりにNIMS 微細加工 PF を利用してダイアモンド MISFET（金NIMS 微細加工 PF のユーザーの多くは，新しいデバイ属—絶縁物—半導体電界効果トランジスタ）の試作に挑スの試作，新しい材料の特性評価試料の作製を目的とし戦した．て施設を利用するため，常に新しい加工プロセスの開発

ダイアモンドはエネルギーギャップが大きいため，パが求められている．大里氏はこれに応え，ドライエッチワーデバイスとして高電圧動作が期待されるが，室温でングにおいて，難加工材料の加工を可能にする方法を生のキャリアが少ない．そのため水素化してキャリア数をみ出した．今回紹介した事例以外にも，過去に考案され増やした H- ダイアモンドを使った．ゲート構造には，出た様々な加工手法は施設のデータベースに蓄積され，そ力電流を大きくできると期待される，立体構造のトリプれが新しいユーザーに還元されている．大里氏は，このルゲート（Tri-Gate）構造を選んだ．図 6 はその構造設計ようなポジティブスパイラルを続けることで魅力ある施例である．濃緑が H- ダイアモンド，基板から上にフィン（魚設になるものと確信している．その一方，利用者の研究のヒレ）が突き出るようにダイアモンド基板が深掘りエッにおいて試料作製を代行することに不安も感じている．

チングされている．Si や GaAs では Tri-Gate MISFET が作

利用者自身が微細加工を行わないため，目的の試料を得られているが，ダイアモンドはこの構造の加工ができなられたとしても，加工手法は微細加工 PF に止まり，加工かったため，Tri-Gate MISFET を作れなかった．

手法の利用範囲拡大，新たな展開に役立つか危惧していそこで，大里氏も加わった NIMS 研究グループは，リ

図6

図7る．利用者にも微細加工についてある程度の知識を深め

Tri-Gate ダイアモンド FET の断面構造

Tri-Gate ダイアモンド FET のフィン構造（左）と完成した FET（右）の表面 SEM 写真

NanotechJapan Bulletin Vol. 12, No. 5, 2019文部科学省ﾅﾉﾃｸﾉﾛｼﾞｰﾌﾟﾗｯﾄﾌｫｰﾑ

平成 30 年度技術ｽﾀｯﾌ表彰（技術支援貢献賞）-7

てもらい，問題が発生した際に一緒に解決に当たって欲[9] 酸化ガリウムによるパワーデバイス開発

しいと願っている，という．ポジティブスパイラルを続

NanotechJapan Bulletin Vol. 8, No. 2, 2015：

ける環境づくり，ユーザーを含めた大きなポジティブス

https://www.nanonet.go.jp/magazine/feature/10-9-

パイラルの展開が望まれる．

innovation/32.html[10] 超低損失酸化ガリウムトレンチ MOS 型ショットキー
バリアダイオード NanotechJapan Bulletin Vol. 11,No. 2, 2018：https://www.nanonet.go.jp/magazine/

参考文献

feature/excellent-result/18.html[1] 第 18 回国際ナノテクノロジー総合展・技術会議（nanotech 2019）開催報告

NanotechJapan Bulletin,[11] Kohei Sasaki, Daiki Wakimoto, Quang Tu Thieu, Yuki
Koishikawa, Akito Kuramata, Masataka Higashiwaki

Vol. 12, No. 2, 2019：https://www.nanonet.go.jp/, and Shigenobu Yamakoshi , “First Demonstration

magazine/Reports/nanotech2019.html

of Ga2O3 Trench MOS-Type Schottky Barrier Diodes”,[2] 文部科学省 ナノテクノロジープラットフォーム事業
技術スタッフ表彰：https://www.nanonet.go.jp/ntj/
award/IEEE Electron Device Letters, Vol. 38, Issue 6, June
2017, pp. 783-785[12] Toshiki Gushi, Keita Ito, Syuta Honda, Yoko Yasutomi,[3] NIMS 微細加工プラットフォームの概要：https://www.nims.go.jp/nfp/group/index.html

Kaoru Toko, Hirotaka Oosato, Yoshimasa Sugimoto,Kiyoshi Asakawa, Norio Ota, and Takashi Suemasu,[4] NIMS 微細加工プラットフォームの施設紹介：https://www.nims.go.jp/nfp/facility/bldg/index.html“Fabrication of L-shaped Fe4N ferromagnetic narrowwires and position control of magnetic domain wall

[5] NIMS 微細加工プラットフォームの装置紹介：https://www.nims.go.jp/nfp/facility/list/index.html

with magnetic field”, Japanese Journal of Applied
Physics, Vol. 54, p. 028003 (2015)[6] NIMS 微細加工プラットフォームの利用について：
https://www.nims.go.jp/nfp/use/flow/index.html[7] ナノ材料物性探索のためのデバイスプロセス技術[13] トリプルゲート H −ダイヤモンド MISFET，特開2017-220512[14] Jiangwei Liu, Hirotaka Ohsato, Bo Da, and Yasuo

NanotechJapan Bulletin Vol. 9, No. 2, 2016：https://Koide. “High Current Output Hydrogenated Diamondwww.nanonet.go.jp/magazine/feature/outstanding-Triple-Gate MOSFETs”, IEEE Journal of the Electron

staff/2.html

Devices Society. Vol. 7 (2019) , pp. 561-565[8] 第 14 回ナノテクノロジー総合シンポジウム（JAPANNANO 2016）NanotechJapan Bulletin 開催報告 Vol. 9,（図は全て大里氏から提供された）

No. 2, 2016：https://www.nanonet.go.jp/magazine/Reports/JAPANNANO2016.html

NanotechJapan Bulletin Vol. 12, No. 5, 2019

（古寺 博）

文部科学省ﾅﾉﾃｸﾉﾛｼﾞｰﾌﾟﾗｯﾄﾌｫｰﾑ

平成 30 年度技術ｽﾀｯﾌ表彰（技術支援貢献賞）-8