半導体特性評価システム

AMM−2000
FETトランジスタ特性試験／TDDB（酸化膜経時破壊）評価試験

CAT.NO.22525

高精度な測定・評価により、信頼性を追求
半導体パラメトリック評価システム
ウェーハの大口径化、微細化・高集積化により信頼性評価の重要性も飛躍的に高まってきています。
エスペックの「半導体パラメトリック評価システム」は、パッケージレベルからウェーハレベルまでを高精度な電圧・電流印加とFET単体トランジスタの電気的特性および継続的変化を測定し、故障原因の解明に重要な役割を果たします。

1

電子機器市場の信頼性評価におけるエスペック計測製品
TDDB評価試験 ウェーハ評価

TDDB評価試験 ウェーハ評価
半導体パラメトリック試験

AMM-TDDB-W

AMM-TDDB-W
AMM-W

封し材料／サブストレート基板／絶縁材料／はんだ材料／多層基板

絶縁抵抗評価試験（エレクトロケミカルマイグレーション）

半導体パラメトリック試験 AMM-C
バーンイン試験

AMI

導体抵抗評価試験（接合信頼性試験） AMR

RBC RBS RBM MBI

絶縁抵抗評価試験

AMI

TDDB評価試験 パッケージ評価

AMM-TDDB-C AMI（エレクトロケミカルマイグレーション）

バーンイン試験
RBC RBS RBM MBI
エレクトロマイグレーション評価試験 AEM
逆バイアス試験（パワーデバイス）
HTRB HTGB H3TRB AMI
パワーサイクル試験（パワーデバイス） RBS-PST
導体抵抗評価試験（接合信頼性試験） AMR

PCメーカー／携帯電話メーカー／車載メーカー／通信機器メーカー

絶縁抵抗評価試験（エレクトロケミカルマイグレーション）

AMI

導体抵抗評価試験（接合信頼性試験）AMR

コンデンサ／インダクタ／抵抗／センサー

導体抵抗評価試験（接合信頼性試験） AMR

漏れ電流測定評価試験
コンデンサ温度特性評価試験
インダクタ評価試験
センサーバーンイン

AMI
AMQ
AEM
RBS

2

半導体特性評価システム

AMM-2000
パッケージレベルとウェーハレベルで複数のＤＵＴを一括処理
マルチSMUと1 枚のCPU基板が基本構成となります。
パッケージレベルで最大 108 SMU（ 36SMU×3 セット）、ウェーハレベルで最大324 SMU（ 36 SMU×９セット）すべて同時にストレス印加と測定が行えます。

高精度な電圧･電流印加と測定を実現

パッケージレベル評価タイプ

マルチSMUの精度は±50Ｖ／±100 ｍＡの範囲で電圧２レンジ、電流9レンジを備え、1 ｍV・1ｐAの分解能で広範囲に印加と測定が行えます。

FET単体トランジスタ特性から
TDDB評価にも対応

ウェーハレベル評価タイプ

ソフトでピンアサイン変更

測定端子接続図〈FET 単体トランジスタ〉〔2 端子測定の場合〕
Drain
SMU-ch.B

Gate〔4 端子測定の場合〕
Drain

SMU-ch.A
Base

SMU-ch.B

SourceGate

SMU-ch.A
Base

SourceSMU-ch.C

SMU-ch.D

DUT処理数
DUT処理数

評価

設定端子数

FET評価
TDDB評価4 端子試験

最大 81 DUT

最大 27 DUT

FET評価
TDDB評価2 端子試験

最大 162 DUT

最大 54 DUTTDDB評価1 端子試験

最大 324 DUT

最大 108 DUT

ウェーハパッケージ
324 SMU（36 SMU× 9 セット） 108 SMU（ 36 SMU× 3 台）

FET 単体トランジスタ測定

3※TDDB評価を行う場合は、追加ソフトウェア（オプション）が必要です。

〔2 端子測定の場合〕

Drain〔3 端子測定の場合〕

SMU-ch.A

FET単体トランジスタでは 2 端子（Drain・Gate）と4 端子（Drain・Gate・Base・Source）の 設 定 で、I-V特 性 やHCIやNBTIなどの評価が行えます。
また、オプションのTDDB評価用ソフトウェ
アを使用することで、1 端子（Gate-GNDcommon）と2 端子（Gate-GND）、4 端子（Drain・Gate・Base・Source）の設定で、TDDB・TZDB・SBD・QDB・I-V・BDVなどの評価が行えます。

Drain

SMU-ch.A

キャビネット（ 36 SMU×3 セット）単位で、端子の設定変更が行えます。
また、同端子数のパッドレイアウト変更は、マルチSMU毎に、アプリケーション上で行えますので、同じプローブカードで、ピンアサイン変更が可能です。

半導体特性評価システム

AMM-2000

1台のPCですべての試験を一元管理
ホストコンピュータで試験温度（－ 60℃～＋150℃）から電圧印加･測定、データ収集、モニタリング（ウェーハの画面分布表示、チャンバーの温度制御）などを、一元管理できます。

解析用アプリケーションソフトウェアを用意
試験の進行状況や測定値の変化を自動更新でリアルタイムに確認できます。測定後には測定結果からワイブルプロットの作成や寿命測定が行えます。Excelなどの表計算ソフトウェアなどのデータ変換も行えます。

試験開始時の静電破壊を回避

ショートコネクタ付DUTボード（槽内）

人 体 からの 静 電 気 を 回 避 するために、ショートコネクタを用意し、FETへのダメージを防ぎます。さらにDUTボード上の配線はノイズの影響を受けないようにソケット元までガードリングされています。
（パッケージレベル評価）

専用のDUTボード
DI P 600m i l 28p i n、DI P 300m i l
16pin、の耐熱ソケットをご用意しています。

DUTボードプローブカード（オプション）
要求仕様に合わせ、最適なプローブカードをご提案いたします。

プローブカード（一例）

4

①FETトランジスタ特性試験機能
48 種類の豊富な測定ライブラリ● 測定プログラム［FET単体トランジスタ 測定ライブラリ］
1. Ids測定

25.Linear_CCVth1測定

2. Ids1測定

26.Linear_Vth1－W/L測定

3. Ids1-Ig測定

27.Linear_Vth2 測定

4. Ids1-Ib測定

28.Swing測定

5. Ids1-Is測定

29.V0 測定

6. Isubs測定

30.Isubth測定

7. Isubmax測定

31.Saturation_Vth1測定

8. IsubmaxVｇ

32.Saturation_β1測定

9. BVdss測定

33.Saturation_CCVth1測定

10.BVdss2 測定

34.Saturation_Vth1－W/L測定

11.BVdss3 測定

35.Saturation_Swing測定

12.Vth測定

36.Saturation_V0 測定

13.CCVth測定

37.Saturation_Isubth測定

14.gm測定38.Igleak測定

15.Vth－W/L測定

39.Igmax測定

16.Saturation Vth測定

40.IgmaxVg測定

17.Saturation CCVth測定

41.γ測定18.Beta測定

42.Vf1測定

19.Vth1測定

43.Vf2 測定

20.CCVth1測定

44.Vf3 測定

21.Gm1測定

45.Vf4 測定

22.Vth1－W/L測定

46.Vf5 測定

23.Linear_Vth1測定

47.R-Messure1測定

24.β1測定48.R-Messure2 測定

パラメーターの測定間隔
各ブロックの期間（単位S（秒）、H（時）から選択）

ブロック

Sの範囲

1

固定レンジ
0.1～100sec
オートレンジ 1～100sec

2100 ～

3〜75

ブロック3or試験期間ブロック3～次ブロック
or試験期間測定間隔（リニア）

Hの範囲
ブロック20.1～
or試験期間ブロック2～

ブロック3
or試験期間ブロック3～

次ブロック
or試験期間単位S：
固定レンジ 最小0.1
オートレンジ 最小1
単位H：
最小0.1H
単位S： 最小10
単位H： 最小0.1

測定ライブラリの選択とパラメーターの詳細設定により測定プログラムの作成が行えます。また、測定ライブラリ内に必要な試験項目がない場合には、オリジナルライブラリの新規作成も可能です。
さらに、Relaxation Timeの な いOn
The Flyテストや、DUT毎に試験が行えるシーケンシャル測定モードと、グループ単位で並列に測定を行う標準モードがあります。

測定間隔の設定
測定期間･間隔を、秒･時間で、7 ブロックに分けて設定することができます。

②TDDB（酸化膜経時破壊）評価試験
測定数にあわせたシステム構成
TDDB評価システムは、電圧電流の出力やモニターが可能なSMモジュールをチャンネル毎に装備しています。
SMモジュールは 4 SMUで1ボードの構成となっており、最大 9 ボードが収納できるユニットが基本構成（ 36 SMU）になっています。ウェーハレベルで最大9セット（324SMU）まで増設が行えます。

高精度な電流･電圧印加測定を実現
電流は 9レンジ、最大電流±100mA・最小電流±1pAの測定分解能。電圧では 2レンジ、最大電圧± 50V･最小電圧 1mVの分解能を備えることで、広範囲にしかも高精度で印加／測定が行えます。

最小10msecの測定が可能
多チャンネルを高速で測定できます。最速処理時には 36 SMU毎に10msecで測定し、データを取り込むことができます。

ウェーハ用プローバのシステム例

用途● TDDB評価システム

半導体ウェーハ（ 200mm、300mm）
液晶ガラス基板

パッケージレベル評価タイプ

6

②TDDB（酸化膜経時破壊）評価試験
幅広い評価項目にも対応

DUT への接続

ウェーハレベルや液晶用ガラス基板レベ
ル のTDDB評 価 が 行え、1 端 子（GateGND common）と2端子（Gate-GND）、4 端子（Drain・Gate・Base・Source）の設定で、QDB･TZDB評価などの測定項目にも対応します。
また、オプションのソフトウェアを使用する事で、FET単体トランジスタ特性評 価が可能です。

〔2 端子測定の場合〕〔1 端子測定の場合〕
トライアキシャルケーブル

トライアキシャルケーブル

装置 GND 端子へ
3 軸プラグ

シールド
ガード

3 軸プラグGND

プローブピン

信号線

ガード
信号線
プローブカード

ウェーハ

プローブカード
ホットチャック

ホットチャック

裏面電極

ソフトでピンアサイン変更

チャックガード

キャビネット（ 36 SMU×3 セット）
単位で、端子の設定変更が行えます。
また、同端子数のパッドレイアウト変更は、マルチSMU毎に、アプリケーション上で行えますので、同じプローブカードで、ピンアサイン変更が可能です。

測定端子接続図〈TDDB〉〔1 端子測定の場合〕
SMU-ch.A

SMU-ch.B

SMU-ch.C

SMU-ch.D

1〔2 端子測定の場合〕
212

12

SMU-ch.A

SMU-ch.C

1212

SMU-ch.B

プローブカード（オプション）
ウェーハサイズ、ウェーハマップ、パッドレ
イアウト、耐熱温度の要求仕様に合わせた最適なプローブカードをご提案いたします。一括全面コンタクトが特長です。

SMU-ch.D〔4 端子測定の場合〕
1DrainSMU-ch.A

SourceSMU-ch.C

中継BOXパネル2
システムコン
トローラ部
MSMユニット
Gate
Base
GP−IB
SMU-ch.B
無停電電源

SMU-ch.D

1ユニットにボード10 枚1ボードにMSM４個

LAN コントローラ

DUT処理数マニュアル
プローバ
ホットチャック
コントローラチャンバー
DUT処理数

プリンタ

TEGボード評価

設定端子数

TDDB評価1端子試験

最大 324 DUT

最大 108 DUT

TDDB評価FET評価

2 端子試験

最大 162 DUT

最大 54 DUTTDDB評価FET評価

4 端子試験 ● 2 端子測定の場合
最大 81 DUT

ウェーハ
パッケージ
E−BUS
324 SMU（ 36 SMU× 9 セット） 108 SMU（ 36 SMU× 3 台）

最大 27 DUT
● 1 端子測定の場合

トライアキシャルケーブル※FET単体トランジスタ特性評価を行う場合は、追加ソフトウェア（オプション）が必要です。

トライアキシャルケーブル
装置 GND 端子へ

3 軸プラグ

ガード
信号線
プローブカードGND

3 軸プラグプローブピンウェーハ

ホットチャック

7シールド
ガード
信号線
プローブカード
ホットチャック

チャックガード

裏面電極

プローブカードはウェーハのダイレイアウトにより最大 160pin- 耐熱温度 260℃

測定プログラム● 定電圧測定● ステップ電圧測定（I−V 特性測定、TZDB 法）

一定電圧ストレス印加し、測定を行ない測定電流と破壊時間を保存します。

電圧を階段状に増加させながら印加し、各電圧での電流を測定します。
印加電圧

印加電圧0時間測定

Emax・ToxまたはJmaxに達した電圧
dt
dVG-Vfb時間● ソフトブレイクダウン● ステップ電流測定（TZDB）

ストレス印加電圧と測定電圧を変えてデータを取得します。
測定電圧は10 段階の設定が行えます。

log0

印加電流

︵ スケール︶Jmax・A印加電圧

電流を段階状に増加させながら印加し、電圧の時間的変化を測定します。
故障と判定すると試験を終了します。

時間
Jminになる
0電流● 電流ストレス測定

Tmax
Tmaxになっても破壊が検出されない場合は測定終了

測定値の例

一定の電流を印加、電圧測定し故障時間を記録保存します。

測定電圧

測定電流

電流一定（一定電流密度印加）
Qbd＝印加電流密度×故障時間
EG

0t

時間

連続する2 測定値
測定開始 tPBD 秒までの差が V 以上で電界 EG が EPBD
［MV/cm］ かつEPBD 以下で以下の場合、Prebreakdown 破壊とするとする

時間

時間「秒」

連続する2 測定値の比が EG 電界強度比以上ある場合破壊と規定

8

共通ソフトウェア仕様● システムプログラム（試験管理ソフトウェア）● 統計解析ソフトウェア

1. ウェーハマップとプローブカードの設定を自由に管理できます。
2. 試験設定は、測定プログラムに合わせて条件を入力し保存管理できます。
3. 試験の稼働状態は、ウェーハマップ上にて表示され、状態は色判別が可能です。

収集したデータを試験終了したウェーハマップから呼び出し、データをロードすることができます。個別データもエクスプローラー上からドラッグアンドドロップにて簡単表示できます。一次データはもちろん、グラフの作成も簡単に表示します。

〈試験管理〉● 測定パラメーター設定● 試験条件設定● 稼働状況画面

● 試験中〈統計処理〉● ワイブル確率紙● マップデータ表示● 一次データ表示とステップデータ● その他の統計表示プロット
●
●
●

9

ゲート電圧 — 時間特性
電界強度 — 時間特性
破壊までの注入荷重
ヒストグラムウェーハマップ
ワイブルプロット●●●

破壊の起こった電界強度
ヒストグラムウェーハマップ
ワイブルプロット●

ゲート電流—電圧特性
電流密度—電界強度特性
破壊電界強度ヒストグラムウェーハマップ
ワイブルプロット
Fowler-Nordheim プロットなど

仕様
型式

AMM−2000

OS

Windows 10

SMU性能

電圧±50V／電流±100mA（下記SMU単体性能表を参照）

運転可能外囲温度＋5℃〜＋35℃

SMU数

36 SMU単位（MAX.324 SMU）

通信制御

Ethernet
ショートモード
ミディアムモード
ロングモード測定
サンプリングスピード

GPIB

0〜100msec→10msec間隔 100msec以降10sec→100msec間隔
10sec以降→タイムテーブルのとおり アベレージングをしないでデータ取得する。
0〜100msec→20msec間隔 100msec以降10sec→100msec間隔
10sec以降→タイムテーブルのとおり 1周期に対してアベレージングする。
0〜10sec→100msec間隔 10sec以降→タイムテーブルのとおり5周期に対してアベレージングする。
タイムテーブル

測定間隔10［sec］	〜	

100［sec］

1［sec］×倍率間隔で測定

100［sec］	〜	

1000［sec］

10［sec］×倍率間隔で測定

1000［sec］	〜	

10000［sec］

100［sec］×倍率間隔で測定

10000［sec］	〜	

100000［sec］

1000［sec］×倍率間隔で測定

100000［sec］	〜	 1000000［sec］

10000［sec］×倍率間隔で測定※倍率：1、2、5、10 倍から選択

装備品

漏電遮断器、電源ケーブル

付属品

ユーザーズマニュアル

電源・電圧AC200V±10％

外法※21セット、AMMセットアップディスク

3φ50/60Hz

最大電流 16A※1

W580×H1945×D1190mm

質量約250kg※1 全てのchに対して負荷を接続し、各負荷に電流上限値を印加した場合の定常電流値です。1キャビネットの場合。
※ 2 突起部は含まず。

オプション

SMU単体性能
電圧レンジ
± 10V
± 50V

分解能
1mV
10mV

確度
±（ 0.2％＋10mV）±（ 0.2％＋50mV）

電圧レンジ

分解能

確度

± 100mA

100 μA±（ 0.5％＋100 μA）± 10mA

10 μA±（ 0.5％＋10 μA）

± 1mA

1 μA

±（ 0.5％＋1 μA）± 100 μA

100nA±（ 0.5％＋100nA）± 10 μA10nA±（ 1.0％＋10nA）± 1 μA

1nA±（ 1.0％＋1nA）± 100nA

100pA±（ 1.0％＋100pA）± 10nA

10pA±（ 2.0％＋10pA）

± 1nA

1pA

±（ 2.0％＋10pA）※外囲温度＋23℃± 5℃（結露なし）の場合。

最大電流
100mA

最大電圧

●

FET単体トランジスタ評価用ソフトウェア●

統計解析ソフトウェア 複数ライセンス●

SMモジュール●

トライアキシャルケーブル●

プローブカード※要求仕様に合わせてご提案します。

50V

●

異電圧仕様

確度：±（設定値あるいは指示値％＋オフセット）

10システムブロック図（パッケージレベル）

PCラック

小型環境試験器（最大3台）

RS-485コンバーター

RS-485槽内ラック
DUTボード（最大 3 枚）

RS-232C

小型環境試験器
トライアキシャルケーブル

RS-485小型環境試験器
RS-485（内容は左記と同じ）（内容は左記と同じ）

キャビネットラック

キャビネットラック（内容は左記と同じ）（内容は左記と同じ）

ホストコントローラー
キャビネットラック（最大3台）
Ethernet
スイッチングハブ

マルチSMU
Ethernet
CPU
ロジック制御バス
モジュール

SMモジュール
SMU ４回路（最大 9 枚）

無停電電源

ホストコントローラー
試験管理、統計解析を行います。
無停電電源（ホストコントローラー用）
停電時、自動的に中断処理を行い、復電後中断時点から再開できる状態にします。
RS-485 コンバーター
ホストコントローラーからの RS-232 信号を、RS-485 信号に変換します。
スイッチングハブ
10BASE-T/100BASE-TX に対応したイーサネット・スイッチ。ホストコントローラーと複数のSMU（CPU モジュール）との間のネットワーク接続用。

恒温器（エスペック製小型環境試験器 SU-661）
・ 槽内ラック
DUT ボードを固定するための 3 段ラック。
SM モジュールの各ソース・モニター回路から、トライアキシャルケーブルで接続。
・ DUT ボード IC パッケージ形状の DUT をチャンバー内にセットするためのボード。
・ DUT ボード用ジャンパー線
DUT ボード上の配線パターンとICソケットのピンの配線用。
・ DUT ボード用ショートコネクター
DUT を挿抜する際に、DUT が静電破壊するのを防ぎます。
マルチ SMU
9 枚の SM モジュールと1 枚の CPU モジュールを内蔵。
ユニット内の CPU モジュールとSM モジュールの間は、ロジック制御バスで接続。
また、AC 入力／ DC 出力の電源装置を複数内蔵し、各モジュールへ DC 電源電圧を供給。
・ CPU モジュール
マルチ SMU 外部の機器と、マルチ SMU 内部の回路とのインターフェイスを行うプリント配線板モジュール。
外部からの制御信号を受けて、各 SM モジュールを制御します。
・ SM モジュール
1 枚あたり4 個のソース・モニター回路を内蔵するプリント配線板モジュール。

11システムブロック図（ウェーハレベル）

第1キャビネット（最大3台）

ホスト
コントローラー

（第1キャビネットのみ）

GPIB

Ethernet

マルチSMU（最大3マルチSMU）
スイッチングハブ

SMモジュールCPU
ロジック制御バス SMU ４回路モジュール（最大 9 枚）トライアキシャル
ケーブル

無停電電源

スイッチングハブ

第3キャビネット

トライアキシャルケーブル（内部は上記と同じ）

プローバ

マルチSMU（最大3マルチSMU）

中継ユニット

第2キャビネット

プローブ
カード

マルチSMU（最大3マルチSMU）

スイッチングハブ

ホストコントローラー
試験管理、統計解析を行います。
GPIB ボード内蔵
無停電電源（ホストコントローラー用）
停電時、自動的に中断処理を行い、復電後中断時点から再開できる状態にします。
スイッチングハブ
10BASE-T/100BASE-TX に対応したイーサネット・スイッチ。ホストコントローラーと複数のSMU（CPU モジュール）との間のネットワーク接続用。

トライアキシャル
ケーブル

ウェーハ

（内部は上記と同じ）

マルチ SMU
9 枚の SM モジュールと1 枚の CPU モジュールを内蔵。
ユニット内の CPU モジュールとSM モジュールの間は、ロジック制御バスで接続。
また、AC 入力／ DC 出力の電源装置を複数内蔵し、各モジュールへ DC 電源電圧を供給。
・ CPU モジュール
マルチ SMU 外部の機器と、マルチ SMU 内部の回路とのインターフェイスを行うプリント配線板モジュール。
外部からの制御信号を受けて、各 SM モジュールを制御します。
・ SM モジュール
1 枚あたり4 個のソース・モニター回路を内蔵するプリント配線板モジュール。
中継ユニットSM モジュールの各ソース、モニター回路とプローブカードをトライアキシャルケーブルで接続。
オートプローバ用セミオートプローバ用をご用意しています。

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ISO 9001（JIS Q 9001）審査登録

エスペックは日本規格協会ソリューションズ（株）より国
際規格 ISO 9001:2015（JIS Q 9001:2015）に基づく品質マネジメントシステムに審査登録しています。
エスペック株式会社（国内関連会社、海外関連会社はのぞく）

JIS Q 9001
JSAQ 004

MSCM001

ISO 27001（JIS Q 27001）
審査登録
エスペック株式会社（国内関連会社、海外関連会社はのぞく）
JIS Q 27001
JSAI 165

ISO 14001（JIS Q 14001）
審査登録

エスペック株式会社（海外関連会社はのぞく）

MSCM021

EC99J20460051● 製品の改良・改善のため、仕様および外観、その他を予告なく変更することがあります。あらかじめご了承ください。

TW1E05C02（記載内容は 2022 年 12 月現在のものです。）● 本カタログに記載されている会社名および商品名は各社の商標または登録商標です。