X-ray optic components and
LIGA micro structures

Karlsruhe Institute of Technology (KIT)
Institute of Microstructure Technology (IMT)microworks GmbH

▸ Compound Refractive X-ray Lens (CRL)▸ X-ray Gratings for Talbot Interferometer▸ Micro Structuring Process
by Deep X-ray Lithography: LIGA
▸ X線集光 複合屈折レンズ▸ タルボ干渉計用 X線回折格子▸ X線リソグラフィによる微細加工技術： LIGAYour Local Contact: ASICON Tokyo Ltd.

代理店：株式会社 ASICON
Version 201709

Compound Refractive X-ray Lens (CRL)
X線集光 複合屈折レンズ

Focusing concept and standard specifications
集光コンセプトと標準品の仕様
With more lens elements, getting shorter focal lengths
レンズ素子を連ねることで単焦点距離を実現する

Two Dimensional Focusing CRL (Standard design)
Along the optical axis many small lens elements are positioned tofocus the incident X-ray beam gradually down to a micro focal
point. Both vertical and horizontal directions can be focused byusing a lens array with 90° tilted elements.
Strengths•Optical axis does not change•Focusing quality does not changeover a long exposure•Easily installed because only one
plate is required•Fresnel lens is also available

Specifications•Wide energy range applicable (> 8 keV)
•Entrance aperture size: up to 1,500 μm•Focal point size: min. 0.5 μm x 0.5 μm•Focal length: > several tens mm•Lens material: SU-8 (epoxy resist)

複合屈折レンズ標準品（2次元集光）〜数百 µm のアパーチャを持つレンズ素子が，多数直線的に配列されており，入射光を段階的に集光していきます。 点焦点は，レンズ素子列を90度直交配列させることで実現します。
特長･ 光軸が変わらない･ 長時間の照射でも品質への影響些少
･ 1枚で集光可能なので設置が非常に容易･ フレネルレンズタイプあり

Material
Lens elements are made of SU - 8 likepolymers on a Si-wafer. The epoxy resist
SU-8 used in the lithographic process ischaracterised by a high sensitivity, high
X-ray transparency, and good chemical
and mechanical stability.

Radiation stability
The stability of the lenses against X-rays has been tested up
to a dose of ≈2 MJ/cm³ until now. The longest exposure time
(total) is several hundred hours at BL10XU, SPring-8. During
the initial use of the lenses SU-8 polymer usually darkens.
This has no impact on the transmission properties of thelenses but the focal length might decrease by about 1%.

レンズの材質
レンズの集光素子は， エポキシ樹脂のSU-8からなり，X 線リソグラフィを用いた LIGA プロセスにて，Si ウェハ上に配列されます。SU-8は高耐薬品性，高 X 線
透過性，化学 ･ 機械的な安定性といった特長を兼ね備えています。

X 線耐久性

これまで照射量は2 MJ/cm3程度を記録しています。また，日
本国内では SPring-8の BL10XU にて推定数百時間の累積照射実績があります。X 線照射後，初期には可視光の範囲で外見上の変化が生じ（色が濃くなり），1% 程度の焦点距離の減衰が生じますが，以後は安定します。

仕様･ エネルギー範囲 > 8 keV･ 受光アパーチャサイズ：最大1,500 µm･ 集光サイズ：最小0.5 µm x 0.5 µm･ 焦点距離 > 数十 mm･ レンズ材質： SU-8（エポキシ樹脂）

Required precision of the motorised tables to adjust the lens plate
ステージの要求精度

Direction of positioning of Minimum required Minimum requiredlens plate
range for the motion precisionof this direction
X-translation (vertical)
15 mm± 3 μmY-translation (horizontal)
15 mm± 3 μmZ-translation
10 mm (manual pre± 1 μm
(along beam axis)
adjustment: 100 mm)
Turning around the x-axis
3°± 0.002°
Turning around the y-axis
3°± 0.002°
Turning around the z-axis1°± 0.1°

Focusing example
at BL10XU SPring-8, Japan
SPring-8 BL10XUにおける集光実例
Focusing condition:
E = 30 keV (monochromatic)
CRL1 focuses X-ray from the undulator to a pinhole and CRL2 focuses the beam from this virtual
source to the sample.
CRL 1: SD = 49.4 m, WD = 2.3 m
CRL 2: SD = 5.0 m, WD = 0.5 m
Pinhole: 10 µm diameter
BL10XU SPring-8, Japan, May 2016

1.4 µmDelivery recordin Japan

BL24XU（兵庫県）兵庫県 ID

国内納品実績

BL35XU（JASRI）高分解能非弾性散乱

国内実績
納品開始：2005年12月
SPring-8 ビームライン納品実績多数
共同研究開発プロジェクト進行中
製造者
カールスルーエ技術研究所
（KIT）
･IMT
（ドイツ ･ 国立研究所）

2 www.asicon-tokyo.com / Version 201709

BL39XU（JASRI）磁性材料
BL40XU（JASRI）高フラックス
BL41XU（JASRI）構造生物学Ⅰ
BL43LXU（RIKEN）量子ナノダイナミクス
BL46XU（JASRI）産業利用 III

2.4 µmLens design #1405©1

Courtesy of Dr Yasuo Ohishi (JASRI) andDr Naohisa Hirao (JASRI)

情報提供 : 大石泰生様（JASRI），平尾直久様（JASRI）

BL22XU（JAEA）重元素科学 I

Delivery record
SPring-8
1D Standard ... 4
2D Standard ... 27
1D Customised ... 2
2D Customised ... 5
Photon Factory
1D Standard ... 1
As of 3.2017

BL19LXU（RIKEN）物理科学 II
BL15XU（NIMS）

広エネルギー帯域先端材料解析

BL13XU（JASRI）表面界面構造解析
BL10XU（JASRI）高圧構造物性
BL09XU（JASRI）核共鳴散乱
BL08W（JASRI）高エネルギー非弾性散乱

Cited references
H. Fukui et al. J. Synchrotron Rad. (2013) 20, 591-595 DOI:10.1107/S0909049513011722
O. Sakata et al. AIP Conf. Proc. 1234, 151 (2010) DOI: 10.1063/1.3463162
Publication examples
F. Marschall et al., Simulation of aperture-optimised refractive lenses for hard X-ray full fieldmicroscopy, Opt. Express, 24(10), 10880 (2016), DOI: 10.1364/OE.24.010880

Multi-focus lenswith multiple focusing conditions on a single layout

F. J. Koch et al., Quantitative characterization of X-ray lenses from two fabrication
techniques with grating interferometry, Opt. Express, 24(9), 9168 (2016), DOI: 10.1364/
OE.24.009168
A. Last, Refractive X-Ray Lenses Produced by X-Ray Lithography, in LIGA and Its Applications(eds V. Saile et al.), Wiley-VCH (2009), DOI: 10.1002/9783527622573.ch9

マルチフォーカスレンズ

複数の集光条件をブロック状に搭載可能

Focusing lenses arranged in a matrix
At most 10 x 10 lens cells available (150 µm aperture)
Function examples:- Multiple set-ups on a single product- Multiple focuses realised by illuminating the whole lens aperture
格子状に配列した集光レンズ･ 最大で10 x 10のレンズマトリクスを構成（アパーチャ150 µm 時の試算）
例：複数のセットアップ向けの集光条件を一つの製品上に搭載

例：アパーチャ全体に X 線を照射することで複数の焦点を構成©1

ズームレンズ

Zoom lens

焦点距離が可変なレンズシステム

with adjustable working distances

User-adjustable lens systemdepending on Working distance and energy- By putting in/out lens elements, you can ajust the WD in your hutch.
- Controlled manually or electronically (upon request)- Outer dimension: about 100 mm x 120 mm x 100 mm
ワーキングディスタンスとエネルギーを現場で設定できるレンズシステム

・ 集光素子を着脱することで ユーザにて WD を現場調整可能
・ 手動または電子制御
（応相談）
©1

・ 外形 100 mm x 120 mm x 100 mm 程度

プリズムレンズ

X-ray prism lens (XPL)

大アパーチャかつ低吸収with a large aperture and low absorption

X-ray lens with focusing elements
arranged along the refracted X-ray light path
Focusing example (12.4 keV, F = 1.6 m, BL13XU SPring-8)
Incident beam: 1,500 μm x 1,500 μm
focus size: 52 μm x 46 μm
Delivery examples (SPring-8): BL13XU, BL43LXU
屈折する光線に沿って集光素子を配列したレンズ

集光例（12.4 keV ，F = 1.6 m, BL13XU SPring-8）

入射光：1,500 µm x 1,500 µm 焦点：52 µm x 46 µm©1With supporting structures

納品例（SPring-8）BL13XU ，BL43LXUWhen you want a lens, let us know:
1. *Photon energy [keV] (monochromatic)
2. *Source size (V [μm]× H [μm], FWHM)
3. *SD: Distance between the source and lens centre position [m]4. *WD: Working distance,
distance between the lens cetre and the focal position [mm]5. *Positions of optical elements between the source and the lens(virtual source, focusing elements) and beam size at these elements' positions.
6. Requested focused beam size (V [μm]× H [μm], FWHM)
7. Distance between the lens centre and the detector plane(* Required)©1

支持構造付きのデザイン

レンズ仕様の検討開始時に必要な情報（* 必須）

1. * エネルギー［keV］（単色）

2. * 光源サイズ（V［µm］ H［µm］，FWHM）
3. * 光源からレンズ中心までの距離 SD［m］
4. * レンズ中心から集光点までの距離（ワーキングディスタンス）WD［mm］

5. * 光源からレンズまでにある光学素子（仮想光源や集光素子等）の位置とビームサイズ

6. 希望焦点サイズ（V［µm］ H［µm］，FWHM）
7. レンズ中心位置から検出面までの距離［mm］

www.asicon-tokyo.com / Version 201709 3

X-ray Gratings for Talbot Interferometer
タルボ干渉計用 X線回折格子

A s e l f - i m a g e o f G1 i s g e n e ra te d a t aTalbot distance when G1 is exposed tocoherent X-ray. Positioning a G2 where theself-image appears, the refraction fromthe G1 is enhanced and one can observe
moiré fringes. From this refraction, phase
contrast images can be retrieved. And
from these moiré images, absorption,
dif ferential phase and small angle
scattering images can be obtained (Talbot
interferometer).

A multi modal radiography method using X-ray gratings
回折格子を用いたマルチモーダルX線イメージング
Talbot interferometer
X-ray source(SR or micro focus)

G2:
Absorption grating

G1:
Phase grating

タルボ干渉計吸収格子

位相格子

Sample試料

Detector

X-ray

Coherent X-ray

コヒーレント光を入射された位相格子は，一定距離（Talbot 距離）
後に自己像 を生じさせます。

自己像の位置に吸収格子を配置すると屈折が強G0: Source grating, used
when the source is a normal
incoherent X-ray source.
(Talbot-Lau interferometer)

調されモアレ縞として可視化されます。この屈折の量から位相コントラスト画像が取得できま

Talbotdistance

G0：通常の X 線管を用いる場合には，もう一枚の吸収格子 G0を導入する（タルボ・ロー干渉計）

す。モアレ縞画像からは，吸収像，微分位相像，
小角散乱像が得られます（Talbot 干渉計）。

Moiré Image

Self-image of G1 at G2 position

Talbot interferometer imaging
with micro focus
X-ray tube source

Sample カタゾウムシ

Talbot interferometer experiments at SR facility
BL-14C Photon Factory, Japan

放射光施設 撮像例 フォトンファクトリー BL-14C

Momose Lab.,
Tohoku University, Japan
東北大学 百生研究室

東北大学・百生研究室の開発した「高感度 X 線位
相撮像装置」を利用する共用実験の枠組にて撮像©4©4

X-ray source: micro focus X-ray tube,
Optimised energy: 25 keV
Acceleration voltage: 40 kV
Current: 120 µA
G1: period 4.37 µm (Ni)G2: period 2.4 µm (Au)
光源：マイクロフォーカス X 線管E = 25 keV 加速電圧40 kV
電流120 µA
G1：周期4.37 µm（Ni）
G2：周期2.4 µm（Au）

©4

©4

©4

Absorption

Dark field(Visibility
contrast)

Differential
phase

1,616mm
Source

2.5 mmSampleG1

Absorption grating(a) Resist layer preparation(b) X-ray exposure through the mask to the resist layer(c) Realisation of precise resist structure(d) X-ray grating structured by gold electroplating

G2

Differential phase

Detector
Double-crystal mono.
Si (220)

Si

G2

X-ray
imagerAsymmetric crystal
Si (220), 8.5 deg

TiO

(c)

Ti

Au

Mask

(b)

G1

SampleResist(a)｢先端研究基盤共用・プラッ
トフォーム形成事業」の「フォトンファクトリーにおける産業利用促進」にて撮像

2.5 mm159mm

X線回折格子製造プロセス

4 www.asicon-tokyo.com / Version 201709©4

Absorption

X-ray grating fabrication process

吸収格子の場合(a) レジスト層の準備(b) マスクを通してレジスト層に X 線を照射
(c) 微細レジスト構造の実現(d) 電鋳によリ X 線回折格子の吸収体を構造化

E = 17.8 keV ，Al フィルタ2.0 mm
G1：周期2.4 µm（Ni）
G2：周期2.4 µm（Au）

Beam line: BL-14C Photon Factory, JapanE = 17.8 keV with Al filter (2.0 mm)
G1: period 2.4 μm (Ni), G2: period 2.4 μm (Au)

マイクロフォーカスX線管 撮像例(d)Depending on the aspect ratio (AR), phase grating structure can bedirectly drawn on resist without mask and it can be electroplated
afterwards.
Absorption grating requires one or two masks depending on the AR.

･ 位相格子：低アスペクト比の場合はマスク無し
でレジストに直接加工，電鋳も可能･ 吸収格子：アスペクト比によリ X 線マスクを1つあるいは2つ使用

Referrals:•A. Tapfer et al. Med Phys. 38 (11), 5910-5 (2011) DOI: 10.1118/1.3644844.
•M. P. Valdivia et al. J. Appl. Phys. 114, 163302 (2013) DOI: 10.1063/1.4827186•D. Stutman et al. Appl. Phys. Lett. 101, 091108 (2012) DOI: 10.1063/1.4748882•Yongshuai Ge et al. Opt Express. 22 (12) 14246-52 (2014) DOI: 10.1364/OE.22.014246•D. S t u t m a n e t a l . P h y s M e d B i o l . 56 (17 ) 5 697- 72 0 (2 011) D O I : 10 .10 8 8/0 0 319155/56/17/015•S. Schleede et al. PNAS 109 (44) 17880-17885 (2012) DOI:10.1073/pnas.1206684109•E. Marco et al. Optics Letters, 39 (11) 3332-3335 (2014) DOI: 10.1364/OL.39.003332

高アスペクト比構造

High aspect ratio structures
Karlsruhe Institute of Technology (KIT)/IMT and
its spin- of f company microworks GmbH have along experience in the LIGA process (chain of X-ray
lithography realising a high aspect ratio (AR) resist
structure and precise electroplating, see next page),develop and provide high AR X-ray gratings worldwide.

Structure examples
Height [µm]2004Period [µm]

4.8

3.57

Material

Au

Ni

は，X 線リソグラフィを用いた高アスペクト比の樹脂構造と

AR

79

1.1

一人者です。これらの技術を用いて，狭い周期と高構造を併

Type

G0/G2

G1

カールスルーエ技術研究所（KIT）･IMT と microworks GmbH
電鋳構造の作製（LIGA プロセス，次ページ参照）
に関する第せ持つ回折格子を実現し，世界中に提供しています。

©1

X-ray gratings with larger structured area
D = 100 mm Ni mask 6 inch wafer
D = 70 mm Ti mask 4 inch wafer

回折格子の有効エリア拡大

To realise a large FOV, many customers wish tohave a large grating structured area. And so the
manufacturers are continuously working on this.
Standard structured area
On 4 inch wafer: 70 to 90 mm diameterOn 6 inch wafer: up to 110 mm with some constraints

20 mm x 60 mm
Ti mask 4 inch wafer

Options to further enlarge area
- Tiling multiple grating plates- Enlarging the structured area that is made in a single
fabrication process (R&D)©2

Very small period gratings are under development.
Within a limited area and limited metal thickness, 1.0µm to 2.0 µm period gratings have been realised.
非常に狭い周期の回折格子の実用化を目指しています。1.0µm〜2.0 µm の周期が，限られた面積内で実現しています。
Small period grating structure example with a lamella width of 0.5 µm
狭周期構造例。ラメラ構造の幅が0.5 µm

Substrate materials
D e p e n d i n g o n t h e c us to m e r
requests for e.g. lower X- rayabsorption and bending, various
grating substrates are available.
Material
SiliconGraphite
Polyimide

Thickness (e.g.)200, 525 µm
200, 500 µm
125, 1,000 µm

標準サイズ

基板：4インチウェハ

有効エリア：直径70-90 mm 程度

基板：6インチウェハ

有効エリア：直径110 mm 程度（構造に制限がある場合あり）さらにサイズを拡大する案･ 複数の回折格子をタイル状に並べる･ 単一格子の構造エリアを拡大する（開発案件）

狭い周期の回折格子

Very small period gratings©2

大きな視野を得られるように，回折格子の構造

エリアの拡大に努めています。

基板の選択肢X 線の吸収，湾曲の必要性等に応じて回折格子基板を選択できます。

Strength
Stable (525 µm)
Low absorption, easy to bend
Low absorption, easy to bend

Bent gratings
To avoid shadow effecto f a h i g h A R g ra t i n g
structure illuminated bya cone beam, bending
ca n be i m p l em ented
and the grating will bedelivered on a special
holder.

Structure examples
PeriodMetal
HeightFor
Area
Substrate
DesignExample 1
2.0 µmNi
3.2 µm18 keV, π/2
10 mm x 10 mm
Polyimide
Continuous

Example 2
1.0 µmAu
1.5-10 µm
5 mm x 5 mm
Polyimide
Bridges

格子の湾曲
コーンビームを照射したときの影を避けるため，回折格子を湾曲することができます。特性のホルダに設置して納品
します。

©1

©1

www.asicon-tokyo.com / Version 201709 5

Micro Structuring Process by Deep X-ray Lithography: LIGA
X線リソグラフィによる微細加工技術：LIGA

High aspect ratio micro structures provided
by Karlsruhe Institute of Technology (KIT) and microworks GmbHドイツ・カールスルーエ技術研究所（KIT）とmicroworks GmbH が提供する
高アスペクト比の超微細構造
Main characteristics of LIGA structures•High aspect ratios (> 100) in polymers and metals•Parallel side walls with flank angle close to 90º (deviation: ∼1 μm for 1 mm highstructures)•Smooth side walls (Ra in the 10 nm range) suitable e.g. for optical micro mirrors•Lateral precision in the few μm range over distances of several cm•Different side wall angles via double exposure possible

Mask preparation

LIGA 微細構造の特長

・樹脂，金属の高アスペクト比構造（100 可）・平行な側壁（フランク角ほぼ 90 ，高さ 1 mm に対し誤差約 1 µm）
・滑らかな側壁（Ra 数十 nm） 例：光学マイクロミラー
・数 cm の距離間で横方向の精度は数 µm

・複数回の X 線照射により異なる角度の側壁を持つ構造も可能

Lithographie (X-ray lithography)

Galvanoformung (Electroplating)

Mask design is copied into reisist by X-ray from thesynchrotron radition source ANKA.

To form metal structures Au, Ni or Cu electroplating isdone between the resist gaps.

マスクの構造を放射光施設 ANKA の X 線にて複製。

レジスト構造の間隙に電鋳を施して，微細な金属
（Au ，
Ni 等）
を構成する。

Mask is made with resist
drawn by e - beam orlaser, followed by gold
electroplating as X-raya b s o r b e r. F o r h i g hconstrast structures, ah i g h c o nt ra s t m a s k i sneeded.
電子ビームやレーザーによるレジストの描画後，X 線吸収体 ( 金 ) を電鋳して作製。高コントラス
ト構造体向けにはさらに高コントラストマスクを作製する。

Through-holes Single/multi holes

Central beam stop

High aspect ratio structures

高アスペクト比貫通孔 シングルホール/マルチホール

センタービームストップ

高アスペクト比構造例©2Through-hole examples(a) Multi holes with 3.0 µm
diameter and 80 µm gold
thickness(b) Single hole with 5.0-10.0µm diameter and 20 0 µm
gold thickness

貫通孔形成例(a) マルチホール
直径3.0 µm
金の厚み80 µm(b) シングルホール
直径5.0〜10 µm
金の厚み200 µm©2

6 www.asicon-tokyo.com / Version 201709©2

Structure example
Material: Au
Pillar diameter: 30-160 µm
Height: 80 µm
Supporting fin thickness:
2.5-10 µm (centre/outer)

高アスペクト比柱構造の例
材質： Au中心柱の直径：30〜160 µm
高さ：80 µm
支持構造幅：2.5 µm（中心付近）〜10 µm（外縁付近）

ExampleMaterial: Ni
Height: 1,500 µm
Smallest structure: 12 µm
Smallest air gap: 5-8 µm(with lower height, smaller
apertures feasible)
Top surface polishable©2

LIGA processapplication examples- X-ray grating (Au, Ni)- X-ray lens (SU-8)- X-ray slit, pin-hole (Au)- X-ray multi collimator (Au)
- Luxury watch parts (Au)

LIGAプロセス
アプリケーション例©1
高アスペクト比構造の例
材質： Ni
高さ：1,500 µm
最小構造幅：12 µm
最小空間幅：5 〜 8 µm（高さを減らすことで狭周期化が可能）
上部研磨加工可･ X 線回折格子 (Au ，Ni)
･ X 線レンズ (SU-8)･ X 線スリッ ト，ピンホール･ X 線マルチコリメータ (Au)
･ 高級腕時計の部品 (Au)Institute of Microstructure Technologyof Karlsruhe Institute of Technology (KIT/IMT)

カールスルーエ技術研究所（KIT）
・IMT

Organisation: In Division III of the Karlsruhe Institute of Technology (KIT), Germany
Expertise: Structuring diverse polymeric materials and selected metals (esp. Au andNi) down to the nm range.
Major technologies: Lithographic structuring (e-beam, deep X-ray, and UV
lithographies) and replication methods (hot embossing, thermoforming, and nanoimprint).

KIT
FZK

研究所

研究所名：カールスルーエ技術研究所
（KIT）
・IMT

主要技術：リソグラフィ（電子ビーム，ディープ X線，UV）
を用いた構造化と，複製技術（ホットエンボス，熱形成，ナノインプリント）。多種のポリマーや金属（特に金とニッケル）を nm レンジまで微細に構造化可能。

X-ray imaging
and Spectroscopy

Uni-KA大学

Bio-,
Nano photonics
Microfluidics,
BioMEMS
ANKA

放射光施設

Merged in 2009
Employees: 9,239 (2016)
Budget: Euro 851 million (2016)
Baden-Württemberg, Germany

Smart materials
Micro-,
Nano replication©3

Synchrotron radiation source ANKA シンクロトロン放射光施設 ANKA

microworks GmbHA spin-off company from KIT/IMT providing high precision metal structures

カールスルーエ技術研究所・IMT のスピンオフ企業
About: Founded in 2007 as a spin- off from the Instituteof Microstructure Technology (IMT) of Karlsruhe Instituteof Technology (KIT) in Germany.
Core competence: X-ray lithography which realises thehighest aspect ratios and a precision well below 1 μm
within a wafer and from wafer to wafer.
Production chain: From layout and mask making to UV
and X-ray lithography up to electroplating and surface
finishing.
Mission: To serve the clients as the number-one supplierof high-precision microstructures made with X-ray andlaser LIGA technology.
Founder and Managing Director: Dr Joachim Schulz

ドイツ ・ カールスルーエ技術研究
所・IMT のスピンオフ企業
（2007
年設立）

コアコンピタンス：高アスペクト比と 1 µ m 未満の高精度を可能 とする X 線リソグラフィ

製造プロセス：レイアウトとマスク作製から，UV ，X 線リソグラ フィ，
更には電鋳と表面仕上げまで対応

ミッション： X 線リソグラフィとレーザーLIGA 技術による高精度微細構造の最良のサプライヤーとして顧客に貢献する©2

the fields of X-ray optics and
ASICON Tokyo Ltd. Inmicrofluidics,
ASICON Tokyo Ltd.
株式会社ASICON
URL: http://www.asicon-tokyo.com
Contact: microtech@asicon-tokyo.com
Company name
Founded on
Managing Director
Main businesses
Suppliers

ASICON Tokyo Ltd.
25.12.2006
Tomoaki TSUGITA
Sales and facilitation services of customer specificmicrostructured parts in X-ray optic and microfluidic
fieldsKarlsruhe Institute of Technology (KIT) / IMT
microworks GmbHmicrofluidic ChipShop GmbHof fers end-user specific micro
structured parts fabricated inGermany to Japanese, Korean
and Taiwanese customers.
商号
設立
代表取締役
主要事業

サプライヤー株式会社 ASICON は，欧州（特にドイツ）にて開発された，微細加工を中心とした技術やサー

ビスと，それらから派生した製品を，日本，韓国，台湾のお客様に提供しております。

株式会社 ASICON
2006年12月25日
次田 友暁
・微細加工技術によって製造された製品の販売と仕様達成のためのコンサルティング
・国外技術並びに製品の販売及び研究開発のためのコンサルティ
ング並びに市場調査
カールスルーエ技術研究所・IMT
microworks GmbHmicrofluidic ChipShop(KIT) GmbHwww.asicon-tokyo.com / Version 201709 7

X-ray optic components and
LIGA micro structures
Karlsruhe Institute of Technology (KIT)
Institute of Microstructure Technology (IMT)microworks GmbHYour Local Contact: ASICON Tokyo Ltd.

代理店：株式会社 ASICON

microtech@asicon-tokyo.com
www.asicon-tokyo.com
Version 201709

Copyright holders:©1 Karlsruhe Institute of Technology IMT©2 microworks GmbH
©3 Karlsruhe Institute of Technology©4 ASICON Tokyo Ltd.