コンピューティクスによる物質デザイン : 複合デザインと非平衡ダイナミクス
ニュースレター No.2, June 2012

祝ゴードン・ベル賞受賞

研究紹介と解説
ナノ構造形成・新機能発 1960 年 代 に Walter Kohn ら に よ っ て 創

算手法では全ての計算を実空間で行うため

現における電子論ダイナ 始された密度汎関数理論 (DFT = Density

フーリエ変換が 不要となる。ベクトル計

ミクス

Functional Theory) は、現在では、物質科

算機が徐々に並列計算機へと移行をはじめ

学のあらゆる現象を量子力学の第一原理かていた頃、高速フー リエ変換に依存しなら記述するための実用的な枠組みとして重い、実空間 DFT コード -RSDFT- の開発は要な役割を果たしている。その原型となる、始まった。

岩田潤一（東京大学）

物質の基底状態に対する DFT によれば、2006 年 7 月 1 日に筑波大学計算科学研

高橋大介（筑波大学）

ある与えられた原子配置に対する系の最安

究 セ ン タ ー の PACS-CS( 超 並 列 ク ラ ス タ

定 状態 ( 基底状態 ) のエネルギーは、空間計 算機 ) が稼働を開始するが、その 2 年

3 次元の関数である電子密度が分かれば計ほど前から MPI で簡単な並列化を始めて算で きることが示される。

いた RSDFT は、ちょうどその頃始動した

DFT に基づいて、実際に基底状態のエネ

PACS-CS プロジェクトに乗る形で本格的ルギーを計算するには幾つかの方法があな並列 化およびチューニングを進めるこる。 その一つ Kohn-Sham(KS) 法は、電子とになった。このときから、計算機と物理密度を “ 電子間斥力が働かない仮想的な電の人間がほ ぼ毎週のように顔を合わせて

子 系 ” を経由して求めるというものであ議論する日々が始まった。

り、現在最も広く用いられているアプロー

その議論から生まれた成果で最も重要だとチであ る。この方法では、N 電子系の電思われるのが「直交化ルーチンの DGEMM

子密度は、KS 方程式と呼ばれる一電子の化」である。それまで直交化には以下に示

量子力学的 波動方程式の N 個の固有関数

す古典 Gram-Schmidt のアルゴリズムを用( 波動関数と呼ぶ ) から構成される。KS 方

いており、計算は単純にベクトルの内積と程式は、数値 計算的にはエルミート行列

して行っていた。

高速密度汎関数法計算の固有値問題 ( ただし行列自身が電子密度に依存する非線形 問題 ) となるため、N個の波動関数は互いに直交する。
KS-DFT 法の計算量はシステムサイズの 3乗に比例して増大する。ボトルネックは

ψ 1 = φ1

ψ 2 = φ2 − ψ 1 (ψ 1 ,φ2 )ψ 3 = φ3 − ψ 1 (ψ 1 ,φ3 ) − ψ 2 (ψ 2 ,φ3 )ψ 4 = φ4 − ψ 1 (ψ 1 ,φ4 ) − ψ 2 (ψ 2 ,φ4 ) − ψ 3 (ψ 3 ,φ4 )波動関数の直交化である。また物性物理

しかしここでアルゴリズムをよく見直すにおいては周期境界条件を持つ系を扱うと、2 番目のベクトルまで計算が終わる

ことが 多く、波動関数を実空間ではなく、と、3, 4 番目のベクトルの計算の四角でフーリエ空間で計算するのが一般的であ囲 っ た 部 分 は、 ベ ク ト ル 2 本 を 並 べ てる。ただし そのためには並列化に不利と作った行列同士 のかけ算として計算で言われる高速フーリエ変換を多用することきることがわかる。そしてその行列積をになる。一方、実空間差分法と呼ばれる計DGEMM(BLAS 3 の ルーチン ) で実行する

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vol.1と、ピークの 8~9 割という演算性能が出サイズである。しかし、これはシリコンナ

る。PACS-CS1024 ノ ー ド (5.7 TFLOPS)

ノワイヤが 実際に FET として使われるとのリソースで、10,000 原子を越える系のきのサイズである。FET は微細化が進み、計算が実現できたのはこのアルゴリズム

様々な量子力 学的効果がデバイス特性にのおかげと言っても過言ではない。 2008

影響を与えるようになり、これまでとは異年頃から、今度は次世代スパコンの開発なる設計指針が求 められている。RSDFTに向け、理研 - 筑波大学 - 東大の共同研究による実デバイスサイズでの量子力学的第が始まり、そこでもまた RSDFT のチュー

一原理シミュレーシ ョンは、その新たなニングを進めていくことになった。その設計指針となり得るものと期待している。

と き問題となったのは、やはり 80,000
ノ ー ド ,640,000 コ ア と い う 膨 大 な 並 列数にどう 対応するかということであった。まず、それまで MPI のみで並列化していたコードを ハイブリッド並列 (MPI
+ OpenMP) 化することを行った。CPU 内のコアまで全て MPI で並列化する、いわゆる Flat MPI は、すでに数千コア程度でも MPI が確保する 通信用のバッファメモ
リのためにメモリ不足に陥るという問題が生じており、この対応 は必須であった。
さらに高並列で問題視されたのは MPI_
ALLREDUCE である。プロ セス並列数 Np
をどんどん大きくしていくと、プロセス当たりの演算コストは 1/Np で減 少していくのに対して、MPI_ALLREDUCE の通信
コストは (L+D/B)log2Np で増大し てゆく(L はレイテンシー、D はデータサイズ、B
はバンド幅 )。この問題は、空間分 割だけで並列化するのではなく、固有関数の添字に関しても分割して並列化することで 対処できることがわかった。空間積分のための MPI_ALLREDUCE に参加するプロセ ス
数を単純に減らすという効果がある。
2011 年 11 月 18 日、RSDFT は「京」7.07
PFLOPS のリソースで 3.08 PFLOPS の 実
効 性 能 を 出 し、Gordon Bell 賞 ピ ー ク 性
能賞を受賞した。計算対象はシリコンナノワ イヤという次世代 FET(=Field EffectTransistor) のチャネル材料と目されている物 質である。原子数は 10 万原子を越えており、KS 法による DFT 計算のターゲッ
トとし ては常軌を逸しているとも言える

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vol.1

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第一原理系励起状態の多体論と高転移温度超伝導
物質デザイン
第一原理系励起状態の多体論
髙田康民（東京大学）

第一原理系励起状態の多体論 :Σ (k,iω n) の計算に含まれる特異な三重積

物性理論研究における重要課題の一つはΣ

分を一万個のオーダーで遂行することが必の精密な第一原理計算である。現在、この須あり、これが計算時間の大部分を占めて課題に対して、バーテックス補を無視したいる。そこで、MPI を用いてこの三重積

GW 近似が主に採用されている。確かに、

分ルーチンを運動量・松原振動数全並列化

クラスター系や絶縁体、半導体では、このしたコードを作成した。速度向上率 T1/TN

GW 近似でも一定の成功を収める [1] が、を図１に示す。ここで、TN は N 個の CPU

他方、金属系に対してはバーテックス補正を使った実行時間である。256 並列以上

Γもワード恒等式（電子密度局所保存則）

において加速効果が減少しているが、こを満たすように自己無撞着に取り入れる必れは総計算時間に占める MPI 通信の割合要がある。摂動論的観点からこのΓを考慮が相対的に増えたためである。なお、512するものとして、はしご近似でベーテ・サ

並列計算時における並列化効率 (T1/TN)/N

ルペータ方程式を解く試みがあるが、ダイは 0.6 であり、まだ改良の余地は大きいが、アグラムの２重数えを避けながら重要なダ

取りあえず、今回のコード改良により大幅イアグラムを漏れなく自己無撞着に取り込

な加速効果を得た。

むことは非常に難しい。さらにいえば、相この加速された計算コードを用いて積分精

関効果の取り入れ方がダイアグラム的に不度を向上させた結果、これまでは金属密明確な DFT 計算によって得られる基底を度領域の電子ガス系 ( 電子密度径数 rs は 2用いた摂動計算ではダイアグラムを正しくを中心として高々 5 ぐらいまで ) でしかΣ

仕分けることはできない。このような困難の収束解が得られていなかったものが、誘を克服するために、ダイアグラムを一つ一

電異常を起こす密度（圧縮率が発散する

つ計算するのではなく、ダイアグラムを自rs=5.25）を大きく超えて低密度の rs=8 ま動生成する自己エネルギー改訂演算子 F をでΣの収束解が得られるようになった。そ軸にした非摂動論的な基本原理が提唱されのΣを使って得た 1 電子スペクトル関数

た [2]。この理論では、厳密なΣは F の不A(k,ω ) の結果が図２であり、また、運動量動点なので、その F の高精度な近似汎関数

分布関数 n(k) の結果が図 3 である [4]。得形を構成することが目標になる。現在のとられた n(k) の精度は種々の総和則で評価

ころ、GW Γ法は最も適切な近似汎関数形

できるが、我々の結果はそれら総和則のを与えている [3]。

すべてを３桁以上の高精度で満たす。このさて、厳密な F をそのままではなく、かな

ような高精度は最近計算されている蛇行モ

り簡単化された近似汎関数形を使うとはいンテカルロ（RMC）計算でも決して得らえ、この GW Γ法の遂行にはなお膨大なれないもので、実際、図３に示すように、計算量を要する。そのため、これまでは常rs=5 の場合を除けば、RMC 計算の結果と磁性一様電子ガス系にその適用が限られてして報告されているものは精度が悪く、こきた。今後、スピン分極した電子ガス系、

れら総和則を大きく破っている。

電子正孔系、さらには不均一密度の電子ガ

現在、さらに低密度の状況を調べているが、ス系へとこの方法を展開するためには、計

その場合、誘電異常が大変強くなり、フェ算コードの並列化（高速化）が急務となっルミ準位近傍にいわば「自己誘起された励ていた。

起子状態」が生成され、系全体の不安定化

ところで、この GW Γ法の計算コードでは、が示唆されている。なお、この不安定化は

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rs ～ 8.6 で起こることが予想された。その400ため、既に rs=8 でもこの不安定化の兆候
起の間の顕著な非対称が起こり、それの特徴が n(k) の形状にも現れ始めている。
この低密度電子ガスの問題とは直接関係しないが、多電子系の低エネルギー状態を記述する有効フェルミオン模型を考え、それ300

T1 / TNは見えていて、そこでは電子励起と正孔励

200
100
1

1

100

200

300

400

Number of CPUs

500

600

を解析して漸近的に厳密なバーテックス汎図１:GW Γ法計算コードの MPI 並列化に関数Γ [ Σ ] を導出した。その厳密漸近形

よる速度向上率を使って GW Γ法のバーテックス汎関数
Γ [ Σ ] を改良し、同時に、GW Γ法の様々なバリエーションを提案した [4]。そして、この一般論を基にして１次元電子系のラッティンジャー流体も同じ枠組みで捉えられた。今後、これを用いて、擬一次元系でのフェルミ流体とラッティンジャー流体のク
ロスオーバーの問題にも取り組みたい。

参考文献[1] S. Ishii, H. Maebashi, and Y. Takada,
arXiv:1003.3342.
[2] Y. Takada, Phys. Rev. B 52, 12708(1995).
[3] Y. Takada, Phys. Rev. Lett. 87, 226402(2001).
[4] H. Maebashi and Y. Takada, Phys. Rev.
B 84, 245134 (2011

図 3: 電子ガス系の運動量分布関数。３つの総和則を高精度で満足する GW Γ法の結果とそれらをまったく満たさない RMCの結果を比較して示している。

図２: 低密度電子ガス系の１電子スペクトル関数。rs=8 程度までに低密度になるとフェルミ準位近傍でのみ準粒子がよく定義される。

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ニュースレターvol.1「スピントロニクス材料の探索」

スピントロニクス材料の探索〜同時ドーピング法による半導体スピントロニク
ス材料の合成法〜
佐藤和則（大阪大学）

磁性半導体は母体中に磁性不純物がラ～同時ドーピング法による半導体スピント

ンダムに分布した不規則系であり、母体とロニクス材料の合成法～

不純物の組み合わせにより電子状態は多彩なケミカルトレンドを示す。そのような複スピントロニクスとは、電子の持つ電荷の雑な系のキュリー温度を高精度に計算する

自由度に加えてスピンの自由度も同時に制ため、我々のグループでは第一原理計算

御することで高速、高集積、省エネルギーとモンテカルロシミュレーションを組み合を実現する新しいエレクトロニクスであわせた方法を開発し材料設計に用いているる。使われる物質系の違いから半導体材料[1]。当然のことであるが磁性半導体の強をベースとするものと、金属磁性体材料を

磁性を媒介するメカニズムは系の電子状態

ベースにするものとに大きく分けられるに依存する。主要な強磁性のメカニズムにが、我々の班では両方の領域で第一原理電は p-d 交換相互作用と二重交換相互作用が子状態計算に基づくデザインとその実証実あるが、前者は磁性不純物の d 状態が局験を行いスピントロニクス材料開発におけ在していて価電子帯の下部に現れる場合にるブレークスルーを目指す。紙面の都合か発現し、後者は d 状態がエネルギーギャッ

らここでは私が直接かかわっている半導体

プ中に現れ不純物バンドを形成する場合にスピントロニクス材料のデザインについて重要となる。磁性不純物として Mn を用い紹介したい。

る場合、おおざっぱにはワイドギャップ半半導体スピントロニクスという研究分

導体の場合は二重交換相互作用が、ギャッ

野はここ 20 年ほどの間に発展してきた比プが狭い場合は p-d 交換相互作用が重要に較的新しい研究分野である。宗片（東工大）

なる。高いキュリー温度実現のために重要や大野（東北大）らにより分子線エピタキ

な点は、p-d 交換相互作用は長距離相互作シー法を用いた磁性半導体の合成が 1990

用、二重交換相互作用は短距離相互作用と年前後に可能となり、とくに InAs や GaAs

なる点である。磁性不純物濃度が低い場合、等の半導体に磁性不純物（たとえば Mn）

磁性不純物間の強磁性相互作用は結晶全体を高濃度に添加した磁性半導体でキャリアにパーコレートすることができないので強誘起強磁性が発見されたのがこの分野の発磁性は抑制されるが、その効果は二重交換

展の直接の引き金となった。これらの物質

相互作用の系で特に強く現れる。以上のこは半導体でありながら強磁性を示し、そのとから高いキュリー温度を持つ磁性半導体

磁性をキャリア濃度の変化により制御可能の一般的な設計指針として「磁性不純物のであるために半導体スピントロニクス材料

高濃度添加 (~20% 以上 ) を行うこと」がの候補と考えられてきた。発見当初より実得られる（図１参照）。しかし、半導体中用的な材料の開発にむけて高いキュリー温の磁性不純物の固溶度は低く高濃度添加の度をもった希薄磁性半導体の合成について実現は難しく。ZnTe 中で 20% の Cr 濃度の研究が精力的に進められているが、そのが実現されているのみである。

実現は難しく、ごく一部の磁性半導体で実このようなことをふまえた磁性半導体

現されているのみで、一般的な材料合成のの材料設計の展開として我々のグループ

指針を得るには至っていない。これまでにでは同時ドーピング法を提案している [3]。

行われた磁性半導体のデザインの多くは高一般に磁性半導体は不安定な物質で２相いキュリー温度を持つ材料の提案に関するに分離する傾向があり、磁性元素を高濃ものである。

度まで均一に添加することは難しい。例

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えば (Ga, Mn)As の場合、熱平衡状態ではなる。

GaAs と MnAs に分離した状態が安定である。均一に混合した状態と分離した状態

文の安定性は、混合エネルギーΔ E を計算[1] K. Sato et al., Rev. Mod. Phys. 82 (2010)することで予測できる。例えば (Ga, Mn)1633.

As については、Δ E[2] 1: Matsukura et al., Phys. Rev. B 57-

[xTE(MnAs)+=

TE(Ga1-xMnxAs)(1-x)TE(GaAs)] と 計算される。ここで TE は全エネルギーである。TE(Ga1-xMnxAs) は Mn が 均 一 に 固 溶
した系のエネルギーを示すが、KorringaKohn-Rostoker Coherent Potential
Approximation (KKR-CPA) 法により第一原

献(1998) R2037,
2: Edmonds et al., Appl. Phys. Lett. 81(2002) 4991,
3: Ku et al., Appl. Phys. Lett. 82 (1993)
2302,
4: Edmonds et al., Phys. Rev. Lett. 92

理から計算可能である [4]。我々の計算に37201 (2004).

よると、(Ga, Mn)As の場合 Mn 濃度の全域[3] H. Fujii et al., Appl. Phys. Express 4

にわたって混合エネルギーは正となり均一(2011) 022302.

に固溶した状態は不安定であることがわか[4] MACHIKANEYAMA2002 (http://kkr.

る。しかしここに Li を同時に添加するとphys.sci.osaka-u.ac.jp/jp/)

状況は一変し、Mn の低濃度領域に混合エ[5] L. Bergqvist et al., Phys. Rev. B 83

ネルギーが負になる均一添加が可能な領域(2011) 165201.

が現れる。図２はΔ E から自由エネルギーを計算し相図を見積もった例である。格子間 Li による正孔の補償のため、高濃度にMn を添加できたとしてもこのままでは強磁性転移温度は低いと予想されるが、格子間 Li の拡散係数が非常に大きいため低温でのアニーリングにより取り除くことができ、その結果高い強磁性転移温度が実現されると期待できる [5]。
この小論文では研究紹介として同時
ドーピングの解説を行ったが、我々のグ

図１: 第一原理計算とモンテカルロ法による (Ga,Mn)As のキュリー温度の計算値 ( 赤点 ) と実験値 [2]( 青点 )ループでは磁性半導体の相分離をうまく制御してナノ構造を自己組織化させ半導体ス
ピントロニクス材料に応用するデザインも検討している。いずれのデザインも実際の実験を想定したものであるが、あらゆる実験パラメータが反映されている訳ではない。有用な磁性半導体がデザインしたように合成できればしめたものであるが、第一原理計算によるデザインの有用性の検証の

図２:(Ga,Mn)As のバイノーダル線 ( 赤色 )ためにも、磁性半導体中の磁性不純物分布とスピノーダル線 ( 青色 )。点線は同時ドーの直接観測と強磁性の関係や同時ドーピン

ピングなし、実践は同時ドーピングありのグ法による新物質合成の実証実験が重要と場合。

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大規模並列環境における数値計算アルゴリズム
研究紹介
高橋大介（筑波大学）

大規模並列環境における数値計算アルゴリ

ピュータ上で実行される計算物質科学の実

ズムの研究紹介

アプリケーションプログラムに反映させることで、これまで実行時間の制約により不2012 年 6 月現在、理論演算性能が 10 ペ可能とされてきた規模の計算を可能にする

タフロップス（毎秒 1 京回 =10,000 兆回ことが期待される。

の浮動小数点演算数）を超える性能のスー
パーコンピュータが 3 システム出現している。今後のスーパーコンピュータとしては、マルチコア CPU に加えて GPU や MIC（Many Integrated Core）などのアクセラ
レータを搭載した計算ノードを数千～数万台以上接続したものが主流になることが予想される。このようなマルチコア CPU お
よびアクセラレータから構成されるスーパーコンピュータにおいては、プロセッサ
コア数の増加や演算性能あたりのメモリバ
ンド幅の不足などにより、高い実行効率を得ることが困難になりつつある。
したがって、今後計算物質科学においてグランドチャレンジを行うためには、これまでに提案されてきた並列数値計算アルゴリ
ズムや性能チューニング手法を用いるだけでは不十分である。さらに、ノード数を増やした場合の速度向上率の確保も大きな課題である。
そこで、本計画班においては、ペタフロッ
プスを超える性能を持つ大規模並列環境における数値計算アルゴリズムおよび性能
チューニング手法の研究を行っている。
平成 22 ～ 23 年度では、・ペタスケール計算環境に向けた高速フーリエ変換（FFT）のアルゴリズム
・GPU による高精度線形代数演算・GPU における疎行列ベクトル積の高速化
・CPU+GPU 環境下での固有値ソルバ開発と既存ソルバとの性能評価
・複数本の右辺ベクトルを持つ疎行列連立
一次方程式の反復解法における収束性の改善について研究を行ってきた。
今後、これらの数値計算アルゴリズムおよび性能チューニング手法を、スーパーコンコンピューティクスによる物質デザイン : 複合デザインと非平衡ダイナミクス
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ニュースレター vol.1

プロトン・ミューオンで探る新物性と量子おいて計算科学的見地から見直し、速度をダイナミクスの研究紹介落とさず、さらに広範囲の様々な物質環境に対応可能な、約 50 倍速のシミュレーショ

プロトン・ミューオンで探る新物性と量子ダイナ
ミクス
研究紹介
中西

寛（大阪大学 )第一原理計算手法は、現在、様々な物質

ン・コード ( 特願 2012-16133) を開発し系に適応され、固体物性論における最も成た（図１）。これをもって、水素を含む様々

功した電子状態計算手法の一つである。さな物質系、反応系を探査し、多様な水素のらに原子と原子の間の相互作用の取り扱い

振る舞いを明らかにしてきた。また、物質にこの計算手法を援用した第一原理分子動内でのミューオンの位置情報を与えること

力学法は、様々な物質の動的過程（化学おができる本手法は、超低速ミューオン顕微

よび生化学反応を含む）に適用され成功を鏡法開発への寄与も高い。

収めつつある。しかし、バイオやクリーンエネルギー関連技術で重要な水素は、質量が小さい核の運動状態に量子力学的効果が顕著になり、分子動力学法の適応範囲外にある。
近年ミューオン（正確には、ここでは反ミューオン：μ＋）が物性のプローブ粒子として活用され始めてきた。μ＋は、軽水素の原子核：プロトン（p+）と同じ電荷とスピンをもつ安定な素粒子である。μ＋の質量は、p+ の１／９で、物質中では水素のさらに軽い同位体としてふるまう。また、μ＋ は平均寿命 2.2 μ秒で崩壊し、ス

図１.Pd(001) 表面でのミューオンバンド：コードの高ピン方向に陽電子を放出することから、磁速化によりバンド分散も計算可能となった。

場センサー（スピン磁気双極子）と送信機（陽電子放出）機能を搭載した探査機と量子シミュレーションに多体効果を高して、物質中の局所磁場の情報を探るのに精度に取り入れる高速な計算手法の開発もも使える。このように学術的な興味だけでし て お り、 共 鳴 H.F. 法 で Fukutome ら になく、実学的にも、物質中でのプロトンやより提案されていた非直交スレーター行列

ミューオンといった粒子の量子力学的振る

式による基底セットを用いる方法を応用・舞いを知ることは、重要である。本研究班改良した。図２に多修正関数による収束性

は、様々な物質系において電子に加え、プの向上を示した。99% 以上の相関エネル

ロトン・ミューオン等の軽い核として振る

ギーを 100 個以下のスレーター行列式で舞う粒子にも第一原理を適応し取り扱う量計算可能である 。

子シミュレーションコードを開発するとと高圧系での物性探査では、純粋水素よりももに、水素を探る実験手法も交えて多様な水素化合物の方が、実験で容易に実現でき物質系における、軽い核の量子ダイナミク

る低い高圧領域で転移が期待できると示スを調査し新規物性を探査している。以下

唆され、AlH3 を主体として調査してきた。

にこれまででの研究成果の一部を示す。

第一原理計算の結果、Pm
Pm3n
3n 構造では、以前より開発してきた第一原理量子シ

300GPa 付近で金属から非金属への転移

ミ ュ レ ー シ ョ ン コ ー ド Naniwa( 特 許 第し ( 図 3)、このとき水素は完全にヒドリド

4774523 号 , US8140467) を、 本 研 究 に（H －）になることを確認した。これまでのコンピューティクスによる物質デザイン : 複合デザインと非平衡ダイナミクス
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計 算 で は AlH3 の Pm 3n 構 造 は 500GPaまでは安定で、これよりエンタルピーが低い構造も見つけられないことから、この現象を実験で確認出来る可能性が高いと考えられる。このように物質中で価数が変化し物性を著しく変貌させうるのも、水素（H － ,H0,H+) が学術的に興味をもたれる特徴の一つでもある。
表面反応系での物性探査では、同位体で弁別した水素 (H,D) の吸脱着実験と水素
深さプロファイリングで、パラジウム単結

図２. 相関エネルギー取込率とスレーター行列式数。Nc:
修正関数の数。フッ化水素系にて、取り込み率は Full
CI 法との比較した結果、100 個以下のスレーター式でFull CI 法並みの計算が可能であることが分かる。

晶表面からの水素吸収機構を調査した。その結果、気相から飛来する水素分子が原子に解離してホットアトムが供給され、あらかじめ吸着していた水素原子と入れ替わ
り、吸着していた水素原子が 0.1eV 未満の活性化障壁で表面内へ吸収されることが分かった。これら反応機構の解明は、水素付加反応の触媒材料開発やクリーン水素エ
ネルギー活用の為の水素精製の技術開発にも寄与するものである。

図３. AlH3 の状態密度。圧力の上昇とともにフェルミ準位近傍の状態密度が著しく減少していくのが分かる。

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平成 23 年度研究会の報告

文部科学省科学研究費新学術領域「コンピューティクスによる物質デザイン：
複合相関と非平衡ダイナミクス」
平成 23 年度研究会
開催日 平成 24 年 3 月 16 日（金）－ 3 月 17 日（土）会場 東京大学工学部 6 号館 63 講義室、セミナ - 室 A/D
プログラム
3 月 16 日（金）［座長：渡邉 聡］
10:30 – 10:50

内田 和之（東京大学工学系研究科物理工学専攻）：「Twisted Bilayer Graphene の RSDFT コードを用いた大規模電子状態計算」
10:50 – 11:10

石井 史之（金沢大学理工研究域）：「多層グラフェン /Ni(111) のスピン分極とラシュバ効果の第一原理計算」
11:10 – 11:35

平山 博之 *（東京工業大学総合理工学研究科材料物理科学専攻）：「Ag(111) 超薄膜上の Silicene エピタキシャル成長過程（実験）II」
11:35 – 11:55

渡辺 一之（東京理科大学理学部物理学科）：「時間依存密度汎関数法によるグラフェンリボンからのレーザー刺激電界電子放射シミュレーション」
11:55 – 12:15

小野 倫也（大阪大学工学研究科）：「C60 重合膜の原子構造と電子輸送特性」
12:15 – 12:35

笹岡 健二（東京大学工学系研究科マテリアル工学専攻）：「ナノデバイスにおける非線形交流応答の非平衡グリーン関数法による解析」

集合写真コンピューティクスによる物質デザイン : 複合デザインと非平衡ダイナミクス
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［座長：張 紹良］
13:35 – 14:00

石井 康雄 *（東京大学情報理工学系研究科／日本電気 ( 株 )）：「エクサスケール計算とその要素技術としてのメモリシステム」
14:00 – 14:25

今堀 慎治 *（名古屋大学工学研究科計算理工学専攻）：「局所探索に基づく原子炉燃料装荷パターンの最適化」
14:25 – 14:45

星 健夫（鳥取大学工学研究科）：「新しい数理アルゴリズムを中核とした電子状態計算と計算機科学の融合」
14:45 – 15:05

吉本 芳英（鳥取大学工学研究科機械宇宙工学専攻応用数理工学科）：「GPU での交換相互作用計算：平面波第一原理計算プログラム xTAPP への実装」
15:05 – 15:25

光武 亜代理（慶應義塾大学理工学部物理学科）：「複雑系の拡張アンサンブルアルゴリズム」［座長：常行 真司］
15:40 – 16:00

篠原 康（筑波大学数理物質科学研究科物理学専攻）：「Krylov 部分空間法に基づくシフト線形方程式による TDDFT の線形応答計算」
16:00 – 16:20

宮崎 剛（物質・材料研究機構）：「オーダー N 法第一原理計算プログラム CONQUEST における局在基底の最適化」
16:20 – 16:40

笠井 秀明（大阪大学工学研究科精密科学・応用物理学専攻）：「Computational Materials Design―from basics to applications」
16:40 – 17:00

Mohammad Kemal Agusta（大阪大学工学研究科精密科学・応用物理学専攻）：「Hydrazine adsorption conformations on metal surfaces」
17:00 – 17:25

Markus Wilde*（東京大学生産技術研究所）：「Pd (110) 表面における水素吸収の配位反応機構」
17:25 – 17:50

首藤 健一 *（横浜国立大学工学府）：「金表面に吸着されたチオール単分子層のコヒーレント振動の実時間計測」

講演の様子コンピューティクスによる物質デザイン : 複合デザインと非平衡ダイナミクス
ニュースレター vol.2, June 20123 月 17 日（土）［座長：今田 正俊］
9:20 – 9:40

佐久間 怜（千葉大学融合科学研究科）：「GW 近似とその拡張に基づく固体の電子状態計算」
9:40 – 10:00

前橋 英明（東京大学物性研究所）：「１次元電子系の有効フェルミオン模型と GW Γ法の発展」
10:00 – 10:20

石橋 章司（産業技術総合研究所ナノシステム研究部門）：「２成分相対論形式による電子状態計算」
10:20 – 10:40

小倉 昌子（大阪大学理学研究科物理学専攻）：「Fe ベース永久磁石材料のマテリアルデザインに向けて」
10:40 – 11:05

岡田 浩一 *（大阪大学産業科学研究所）：「機能性酸化物自己組織化 3 次元ナノ構造体の完全位置制御結晶成長」
11:05 – 12:00、 13:00 – 14:00

ポスターセッション［座長：高田 康民］
14:00 – 14:25

高橋 大介 *（筑波大学システム情報工学研究科）：「Intel AVX 命令を用いた並列 FFT の実現と評価」
14:25 － 14:50

多田野 寛人 *（筑波大学システム情報工学研究科）：「複素対称連立一次方程式に対する Block Krylov 部分空間反復法の開発と並列固有値解法への応用」
14:50 – 15:10

山内 淳（慶應義塾大学理工学部）：「コア準位ＸＰＳによるＳｉ中のＢクラスターの同定：第一原理的研究」
15:10 – 15:30

只野 央将（東京大学理学系研究科物理学専攻）：「第一原理分子動力学法を用いた非調和力定数の決定と熱伝導計算への応用」
15:30 – 15:50

前園 涼（北陸先端科学技術大学院大学情報科学研究科）：「金属ナノワイヤにおける分散力の非加算性」
15:50 – 16:10

北 幸海（横浜市立大学生命ナノシステム科学研究科）：「量子モンテカルロ法によるアルカリ金属水素化物への陽電子吸着に関する理論的解析」
16:10 – 16:30

濱田幾太郎（東北大学原子分子材料科学高等研究機構）：「金属表面上の C60 に関するファン・デル・ワールス密度汎関数を用いた研究」

ポスター発表コンピューティクスによる物質デザイン : 複合デザインと非平衡ダイナミクス
ニュースレター vol.2, June 2012

賞受賞、著書
●賞受賞

京速コンピュータ「京」による成果がゴードン・ベル賞を受賞－実アプリケーションで実効性能 3 ペタフロップスを達成－
最高性能賞の受賞論文【受賞論文】First-principles calculations of electron states of a silicon nanowire
with 100,000 atoms on the
K computer
和文：「京」による 100,000 原子シリコン・ナノワイヤの電子状態の第一原理計算【著者】
長谷川幸弘（理化学研究所）、岩田潤一（東京大学）、辻美和子（筑波大学）、高橋大介（筑波大学）、押山淳（東京大学）、南一生（理化学研究 所）、朴泰祐（筑波大学）、庄司文由（理化学研究所）、宇野篤也（理化学研究所）、黒川
原佳（理化学研究所）、井上晃（富士通株式会社）、三吉郁 夫（富士通株式会社）、横川三津夫（理化学研究所）
●

著書

岩波講座

計算科学

編集

宇川 彰、押山 淳、小柳義夫、杉原正顯、住 明正、中村春木

第１巻

計算の科学、 第２巻

計算と宇宙、第３巻

第６巻

計算と社会、 別

スーパーコンピュータ

巻

計算と物質、 第４巻

計算と生命、第５巻

計算と地球環境岩波書店
現在の熱力学
著者

白井光雲

共立出版
タンパク質の立体構造入門
編集

藤−基礎から構造バイオインフォマティックスへ−

博幸

講談社

領域代表
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻
押山 淳
領域ホームページ URL
http://computics-material.jp/

ニュースレター 編集部 / 連絡先
名古屋大学大学院理学研究科 物質
理学専攻
倭 剛久
電話／ファックス 052-789-2914
Email: yamato@nagoya-u.jp