利 用 技 術
マルチスライス法を利用した高分解能 X 線タイコグラフィー

鈴木 明大

高橋 幸生

Suzuki Akihiro

Takahashi Yukio（大阪大学大学院工学研究科，理化学研究所）

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はじめにが難しくなる。投影近似が適用できる最大周波

放射光 X 線を用いたタイコグラフィーは，

projection
数 qx,y,max
は光軸方向の試料厚さ DZ と入射プローブの波長 l を用いて2007 年 に ス イ ス の 放 射 光 施 設 Swiss Light
Source で実証 1） されて以来，ドイツの PETRA

projection
qx,y,max＝Ⅲ，日本の SPring-8 をはじめとする大型放射光施設で研究が進められている。研究者人口，1
2DZ l冪莦（1）

発表論文数は増加の一途をたどり，2013 年の（1）より，光軸方向の試料で与えられる 2）。式春には本手法に関する国際会議が初めて開催さ厚さが DZ のとき，到達可能な観察像の分解能れるなど，成長著しい研究分野である。X 線タreachableprojection
dx,yは，qx,y,maxの逆数で与えられる。すなわ

イコグラフィーは，レンズを用いないイメージ

ち，入射プローブの波長 l だけでなく，光軸ング技術であるコヒーレント X 線回折イメー
ジ ン グ（Coherent X-ray Diffraction Imaging：CXDI）の 1 つとして分類され，走査型 CXDIとも呼ばれる。図 1 のように，可干渉性に優れた（コヒーレントな）X 線に対して照射領域が重なり合うようにサンプルをステップ走査し，走査位置の各点で回折パターンを取得する。重なり領域の試料情報を引き継ぎながら，回折パターンに反復的位相回復計算を実行することで，吸収と位相シフトの両方の情報を含む複素関数が観察像として再構成される。反復的位相回復計算では，被写体を光軸方向に投影した極図1が，回折パターンの高周波数成分ほど光軸方向の試料構造が反映されるため，投影近似の適用

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Isotope NewsX 線タイコグラフィーの概念
X 線タイコグラフィーでは，試料を 2 次元的に走査させながら複数の回折パターンを取得し，それらに反復的位相回復アルゴリズムを適用することで観察像を再構成する

めて薄い物体とみなす投影近似を用いている

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図 2 （a）マルチスライス X 線タイコグラフィー実験の配置図，（b）サンプルの電子顕微鏡像
電子顕微鏡像に示した丸い点は照射位置を表している。スケー
ルバーは 1 mm

る と 考 え，SPring-8 BL29XUL に て実証実験を行った。

2X 線タイコグラフィー測定
図 2（a），（b）に光学系の模式図とサンプルの走査型電子顕微鏡像をそれぞれ示す。サンプ
ルには，Pt を 50 nm スパッタ蒸着した窒化ケイ素膜を 2 枚貼り合わせた 2 層構造体を用いた。それぞれの層には，集束イオンビームにより 100 nm 程 度 の 線 幅 でSACLA

SPring8と加工した。エネルギー 7 keV の X 線を全反射集光鏡によって 500 nm スポットに 2 次元集光し，その焦点位置にサンプルを配置した。サンプルを水平，垂直方向ともに 500 nm ステッ
プで走査し，サンプルの 1.368 m 下流にあるCCD 検出器で 11×11＝121 枚の回折パターンを取得した。図 2（b）の各点は各照射位置を示しており，その中の大きい丸の位置に X 線を

図3

図 2（b）の大きい丸の位置に X 線を照射した際に観測されたコヒーレント X 線回折パターン照射した際の回折パターンを図 3 に示す。周波数±25 mm−1 までの回折強度を取得できてお散乱ベクトル q は散乱角 Q と波長 l を用いて q ＝2sin（Q／2）／l と表される。CCD 検出器のピクセルサイズは 20 mm で，回折パターンの全ピクセル数り，これは回折パターンが最小 40 nm の試料は 606×606 ピクセルである構造情報を含んでいることに相当する。しかしながら，波長 0.177 nm，サンプル厚さ 105 mm

波数は 5.2 mm−1，つまり分解能は 192 nm に制の今回の実験条件では，投影近似下で有効な周限される。

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再構成された位相コントラスト
像とその分解能の評価
図 4（a）にマルチスライス法を用いずに解析した再構成像を示す。回折パター
ンは非常に良い S／N 比で取得され，測定中の位置ドリフトも実験ハッチの恒温化システム 3）によって抑制されているにもかかわらず，分解能が非常に悪く，アーティファクトも見受けられる。一方，マルチスライス法を導入したタイコグラ
フィーアルゴリズムの 3PIE 4） で解析した 1 層目と 2 層目の再構成像を図 4（b），（c）に示す。解析の際，層数が 2 層であること，試料厚さが 105 mm であること

図4（a）マルチスライス法を用いない場合の再構成像。3PIE によって再構成された（b）一層目と（c）二層目の再構成像。
（d）（b）と（c）の再構成像を重ね合わせた試料投影像。スケールバーは 1 mmは既知情報として利用した。 SACLAと加工された 1 層目とSPring8

反復的位相回復アルゴリズムによって再構成したサンプルの位相シフト像と加工された 2 層目が完全に分離して再構成されており，各文字も鮮明に解像できている。両者を重ね合わせることで算出した試料るだろう。一方，様々な角度の投影像から 3 次投影像（図 4（d））を，マルチスライス法を用元像を構築するトモグラフィーは，投影近似にいず解析した再構成像と比較すると，アーティよる分解能の制限を回避することはできない。

ファクトの減少，分解能の向上が一目瞭然であつまり，厚い試料でも高分解能で投影像を取得る。さらに，分解能を定量的に評価するため再できるマルチスライス X 線タイコグラフィー

構成像の断面プロファイルを取得したところ，とトモグラフィーを組み合わせることで，X 線3PIE で解析した再構成像では 50 nm 程度でエの透過性と短波長性を活かした 3 次元ナノ Xッジ構造を分解できており，投影近似下による線イメージング技術が実現すると考えている。

制限を超えて，最大周波数から見積もられる程参考文献度の優れた分解能を達成していることが分かった。

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今後の展望
本稿では，マルチスライス法を用いた厚い試料の高分解能 X 線タイコグラフィー 2） について紹介した。投影近似による分解能の制限を超えることに加え，1 方向からの X 線照射で試料の 3 次元的な情報を取得できることは興味深い。しかしながら，3 次元イメージング法としての応用は，光軸方向の分解能が面内方向と比

1）Rodenburg, J.M., Hurst, A.C., Cullis, A.G.,
Dobson, B.R., Pfeiffer, F., Bunk, O., David, C.,
Jefimovs, K., and Johnson, I., Phys. Rev. Lett., 98,034801（2007）2）Suzuki, A., Furutaku, S., Shimomura, K., Yamauchi,K., Kohmura, Y., Ishikawa, T., and Takahashi, Y.,
Phys. Rev. Lett., 112, 053903（2014）
3）Takahashi, Y., Suzuki, A., Zuttsu, N., Kohmura,Y., Senba, Y., Ohashi, H., Yamauchi, K., andIshikawa, T., Phys. Rev. B, 83, 214109（2011）
4）Maiden, A.M., Humphry, M.J., and Rodenburg,J.M., J. Opt. Soc. Am. A, 29, 1606（2012）較して 3 桁程度下回っている現状では限定され

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