50Ａ Ａvg 1600 Ｖolts

ＴＨＹＲＩＳＴＯＲ■回路図

CIRCUIT

PGH50N16■外形寸法図 OUTLINE DRAWING

Dimension:［mm］

総合定格・特性 Part of Diode Bridge & Thyristor■最大定格 Maximum Ratings
項 目Parameter

記号Symbol

平均出力電流Average Rectified Output Current

Io (AV)

動作接合温度範囲
Operating Junction Temperature Range
保存温度範囲Storage Temperature Range
絶縁耐圧
Isolation Voltage
ベース部
Mounting
締付トルク
主端子部
Mounting TorqueTerminal
ゲート端子部
Gate Terminal

Tjw

条件
Conditions
TC=125℃（電圧印加なし）
三相全波整流Non-Biased for Thyristor
3-Phase Full
TC= 110℃（電圧印加あり）
Wave Rectified
Biased for Thyristor
125～150℃はｻｲﾘｽﾀ部に順・逆電圧を印加しない事
Tj＞125℃ , Can not be Biased for Thyristor

Tstg
Viso

端子－ベース間，AC 1 分間
Terminal to Base, AC 1min.
ｻｰﾏﾙｺﾝﾊﾟｳﾝﾄﾞ塗布
GreasedF

定格値
Max. Rated Value

単位
Unit50A50-40 ～ +150℃-40 ～ +125℃

2500

V

M5

2.4 ～ 2.8

M5

2.4 ～ 2.8－－Ｎ・ｍ■熱特性 Thermal Characteristics
項 目Parameter

記号
Symbol

接触熱抵抗
Thermal ResistanceRth(c-f)条件
Conditions
ｹｰｽ－ﾌｨﾝ間(ﾄｰﾀﾙ)､ｻｰﾏﾙｺﾝﾊﾟｳﾝﾄﾞ塗布
Case to Fin , Total , Greased

特性値（最大）Maximum Value

単位
Unit

0.06℃/Ｗ

ダイオードブリッジ部(6 素子) Part of Diode Bridge(6 Arm.)■最大定格 Maximum Rating
項 目Parameter
くり返しﾋﾟｰｸ逆電圧*1Repetitive Peak Reverse Voltage
非くり返しﾋﾟｰｸ逆電圧*1Non-Repetitive Peak Reverse Voltage
項 目Parameter
サージ順電流Surge Forward Current
電流二乗時間積I Squared t
許容周波数
Allowable Operating Frequency

記号Symbol

定格値
Max.Rated Value

単位Unit

VRRM

1600

V

VRSM

1700

V

記号
Symbol
*1*1IFSM
I2tf

条件
Conditions
50Hz 正弦半波，1 ｻｲｸﾙ，非くり返しHalf Sine Wave, 1Pulse, Non-Repetitive
2～10ms

定格値Max. Rated Value

単位Unit

400

A800A2ｓ400

Hz*1：1 ｱｰﾑ当たりの値 Value Per 1 Arm.

ダイオードブリッジ部(6 素子) Part of Diode Bridge(6 Arm.)■電気的特性 Electrical Characteristics
項 目
Parameter
ピーク逆電流Peak Reverse Current
ピーク順電圧Peak Forward Voltage

記号Symbol*1*1

熱抵抗
Thermal Resistance

条件Conditions

特性値（最大）Maximum Value

単位UnitIRM

Tj = 125℃, VRM= VRRM

3mA

VFM

Tj = 25℃, IFM= 50A

1.25

V

Rth(j-c)

接合部―ｹｰｽ間(ﾄｰﾀﾙ)
Junction to Case , Total

0.10℃/Ｗ*1：1 ｱｰﾑ当たりの値 Value Per 1 Arm.

サイリスタ部(１素子) Part of Thyristor(1 Arm.)■最大定格 Maximum Rating
項 目
Parameter
くり返しﾋﾟｰｸオフ電圧*2Repetitive Peak Off-State Voltage
非くり返しﾋﾟｰｸオフ電圧*2
Non-Repetitive Peak Off-State Voltage

記号Symbol

定格値
Max.Rated Value

単位Unit

VDRM

1600

V

VDSM

1700

V

*2：逆電圧を印加しないこと Can not be Biased for Thyristor
項 目Parameter
サージオン電流Surge On-State Current
電流二乗時間績I Squared t
臨界オン電流上昇率
Critical Rate of Rise of Turned-On Current
ピークゲート電力損失
Peak Gate Power
平均ゲート電力損失
Average Gate Power
ピークゲート電流
Peak Gate Current
ピークゲート電圧
Peak Gate Voltage
ピークゲート逆電圧
Peak Gate Reverse Voltage

記号Symbol
ITSM

条件
Conditions
50Hz 正弦半波，1 ｻｲｸﾙ，非くり返し
Half Sine Wave, 1Pulse, Non-Repetitive

定格値
Max. Rated Value

単位Unit1200A

I2t

2～10ms7200

A2ｓdi/dtVD= 2/3 VDRM, ITM = 2・Io, Tj =125℃
IG= 200mA, diG/dt = 0.2A/μs

100A/μs

PGM

5W

PG(AV)

1W

IGM

2AVGM

10V

VRGM

5V

特性値（最大）Maximum Value
最小 標準 最大
Min Typ Max

単位Unit■電気的特性 Electrical Characteristics
項 目Parameter
ピークオフ電流Peak Off-State Current
ピークオン電圧
Peak Off-State Voltage

記号Symbol

条 件Conditions

IDM

Tj = 125℃, VDM= VDRM

15mA

VTM

Tj = 25℃, ITM= 50A

1.10V

トリガゲート電流
Gate Current to Trigger

IGT

VD= 6 V, IT= 1A

トリガゲート電圧
Gate Voltage to Trigger

VGT

VD= 6 V, IT= 1A

VGD

Tj =125℃, VD= 2/3 VDRM

0.25V

dv/dt

Tj =125℃, VD= 2/3 VDRM

500

V/μstqTj =125℃, ITM= Io, VD= 2/3 VDRM
dv/dt = 20V/μs, VR= 100V, ‐di/dt = 20A/μs

非トリガゲート電圧
Gate Non-Trigger Voltage
臨界オフ電圧上昇率
Critical Rate of Rise of Off-State Voltage
ターンオフ時間
Turn-Off Time

Tj=－40℃
Tj= 25℃
Tj=125℃
Tj=－40℃
Tj= 25℃
Tj=125℃

200
10050
4.0
2.5
2.0150mAVμs項 目Parameter
ターンオン時間
Turn-On Time
遅れ時間
Delay Time立ち上がり時間
Rise Time
ラッチング電流Latching Current
保持電流
Holding Current
熱抵抗
Thermal Resistance

質 量‐-‐約225ｇ
Approximate Weight

記号Symbol

条 件Conditionst gttd

Tj =25℃, VD= 2/3 VDRM , IT=3・IO
IG= 200mA, diG/dt = 0.2A/μstr

特性値（最大）Maximum Value
最小 標準 最大
Min Typ Max

単位
Unit

6μs

2μs

4μs

IL

Tj =25℃

100mA

IH

Tj =25℃

80mA

Rth(j-c)

接合部－ケース間
Junction to Case

0.3℃/W過 渡 熱 抵 抗 特 性Transient Thermal Impedance
PGH50N16(Diode Per 1 Arm.)

過渡熱抵抗（ﾟC/W）

Transient Thermal Impedance Rth(j-c) (°C/W)

210.5

0.2

0.1

0.05
0.001 0.002

0.005 0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

12510

Time t (s)時間 t (s)過 渡 熱 抵 抗 特 性Transient Thermal Impedance
PGH50N16(Thyristor)

過渡熱
抵抗（ﾟC/W）

Transient Thermal Impedance Rth(j-c) (°C/W)

1

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02
0.001 0.002

0.005 0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

Time t (s)時間t (s)0.512510