■回路図

PGH150N16150Ａ Ａvg 1600 Ｖolts

ＴＨＹＲＩＳＴＯＲCIRCUIT■外形寸法図OUTLINE DRAWING

Dimension:［mm］

総合定格・特性 Part of Diode Bridge & Thyristor■最大定格 Maximum Ratings
項 目Parameter

記号Symbol

平均出力電流Average Rectified Output Current

Io (AV)

動作接合温度範囲
Operating Junction Temperature Range
保存温度範囲Storage Temperature Range
絶縁耐圧
Isolation Voltage
ベース部
Mounting
締付トルク
主端子部
Mounting TorqueTerminal
ゲート端子部
Gate Terminal

Tjw

条件
Conditions
TC= 113℃（電圧印加なし）
三相全波整流Non-Biased for Thyristor
3-Phase Full
TC= 88℃（電圧印加あり）
Wave Rectified
Biased for Thyristor
125～150℃はｻｲﾘｽﾀ部に順阻止電圧を印加しない事
Tj＞125℃ , Can not be Biased for Thyristor

Tstg
Viso

端子－ベース間，AC 1 分間
Terminal to Base, AC 1min.
ｻｰﾏﾙｺﾝﾊﾟｳﾝﾄﾞ塗布
GreasedF

定格値Max. Rated Value
150150単位
Unit
A-40 ～ +150℃-40 ～ +125℃

2500

V

Ｍ6

2.5 ～ 3.5

Ｍ6

2.5 ～ 3.5

M4

1.2 ～ 1.6Ｎ・ｍ■熱特性 Thermal Characteristics
項 目Parameter

記号
Symbol

接触熱抵抗
Thermal ResistanceRth(c-f)条件
Conditions
ｹｰｽ－ﾌｨﾝ間(ﾄｰﾀﾙ)､ｻｰﾏﾙｺﾝﾊﾟｳﾝﾄﾞ塗布
Case to Fin , Total , Greased

特性値（最大）Maximum Value

単位Unit0.06℃/Ｗ

ダイオードブリッジ部(6 素子) Part of Diode Bridge(6 Arm.)■最大定格 Maximum Rating
項 目
Parameter
くり返しﾋﾟｰｸ逆電圧*1Repetitive Peak Reverse Voltage
非くり返しﾋﾟｰｸ逆電圧*1Non-Repetitive Peak Reverse Voltage
項 目
Parameter
サージ順電流Surge Forward Current
電流二乗時間積I Squared t
許容周波数
Allowable Operating Frequency

記号Symbol

定格値
Max.Rated Value

単位
Unit

VRRM

1600

V

VRSM

1700

V

記号
Symbol*1IFSM*1I2tf条件
Conditions
50Hz 正弦半波，1 ｻｲｸﾙ，非くり返し
Half Sine Wave, 1Pulse, Non-Repetitive
2～10ms

定格値Max. Rated Value

単位Unit

1200A7200

A2ｓ400Hz*1：1 ｱｰﾑ当たりの値 Value Per 1 Arm.

ダイオードブリッジ部(6 素子) Part of Diode Bridge(6 Arm.)■電気的特性 Electrical Characteristics
項 目Parameter
ピーク逆電流Peak Reverse Current
ピーク順電圧Peak Forward Voltage

*1*1

熱抵抗

Thermal Resistance

記号Symbol

条件Conditions

Maximum Value

特性値（最大）単位UnitIRM

Tj = 125℃, VRM= VRRM

15mA

VFM

Tj = 25℃, IFM= 150A

1.32

VRth(j-c)

接合部―ｹｰｽ間(ﾄｰﾀﾙ)
Junction to Case , Total

0.08℃/Ｗ*1：1 ｱｰﾑ当たりの値 Value Per 1 Arm.

サイリスタ部(１素子) Part of Thyristor(1 Arm.)■最大定格 Maximum Rating
項 目Parameter
くり返しﾋﾟｰｸオフ電圧*2Repetitive Peak Off-State Voltage
非くり返しﾋﾟｰｸオフ電圧*2
Non-Repetitive Peak Off-State Voltage

項 目Parameter
サージオン電流Surge On-State Current
電流二乗時間績I Squared t
臨界オン電流上昇率
Critical Rate of Rise of Turned-On Current
ピークゲート電力損失
Peak Gate Power
平均ゲート電力損失
Average Gate Power
ピークゲート電流
Peak Gate Current
ピークゲート電圧
Peak Gate Voltage
ピークゲート逆電圧
Peak Gate Reverse Voltage

記号
Symbol

定格値
Max.Rated Value

単位Unit

VDRM

1600

V

VDSM

1700

V

*2：逆電圧を印加しないこと Can not be Biased for Thyristor
記号
SymbolIＴSM

条件
Conditions
50Hz 正弦半波，1 ｻｲｸﾙ，非くり返し
Half Sine Wave, 1Pulse, Non-Repetitive

定格値
Max. Rated Value

単位Unit3200

A

I2t

2～10ms51200

A2ｓ

di/dt

VD= 2/3 VDRM, ITM = 2・Io, Tj =125℃
IG= 300mA, diG/dt = 0.2A/μs

100A/μs

PGM

5W

PG(AV)

1W

IGM

2A

VGM

10V

VRGM

5V

特性値（最大）Maximum Value
最小 標準 最大
Min Typ Max

単位Unit■電気的特性 Electrical Characteristics
項 目Parameter
ピークオフ電流Peak Off-State Current
ピークオン電圧
Peak Off-State Voltage

記号Symbol

条 件Conditions

IDM

Tj = 125℃, VDM= VDRM

50mA

VTM

Tj = 25℃, ITM= 150A

1.22V

トリガゲート電流
Gate Current to Trigger

IGT

VD= 6 V, IT= 1A

トリガゲート電圧
Gate Voltage to TriggerVGT

VD= 6 V, IT= 1A

非トリガゲート電圧
Gate Non-Trigger Voltage
臨界オフ電圧上昇率
Critical Rate of Rise of Off-State Voltage
ターンオフ時間
Turn-Off Time

VGD

Tj =125℃, VD= 2/3 VDRM

0.25V

dv/dt

Tj =125℃, VD= 2/3 VDRM

500

V/μs

tq

Tj =125℃, ITM= Io, VD= 2/3 VDRM
dv/dt = 20V/μs, VR= 100V, ‐di/dt = 20A/μs

Tj =－40℃
Tj = 25℃
Tj = 125℃
Tj =－40℃
Tj = 25℃
Tj = 125℃

300
15080
5.03.02.0150mAVμs項 目Parameter
ターンオン時間
Turn-On Time
遅れ時間Delay Time立ち上がり時間
Rise Time
ラッチング電流Latching Current
保持電流
Holding Current
熱抵抗
Thermal Resistance

質量 … 約450g
Approximate Weight

記号Symbol

条 件Conditionst gt
td

Tj =25℃, VD= 2/3 VDRM , IT=3・IO
IG= 300mA, diG/dt = 0.2A/μstr

特性値（最大）Maximum Value
最小 標準 最大
Min Typ Max

単位Unit

6μs

2μs

4μs

IL

Tj =25℃

150mA

IH

Tj =25℃

100mA

Rth(j-c)

接合部－ケース間
Junction to Case

0.22℃/W

順 電 圧 特 性
FORWARD CURRENT VS. VOLTAGE
PGH150N16(DiodePer (per1 Arm.)
PGH150N16Arm)

20001000瞬時順電流（Ａ）

INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (A)

500

200

1005020Tj=25°C
Tj=150°C
10520123INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)瞬 時 順 電 圧 （Ｖ）

4オ ン 電 圧 特 性
ON-STATE CURRENT VS. VOLTAGE
PGH150N16(Thyristor)
PGH150N16

5000

2000

1000

瞬時
オン電流（Ａ）

INSTANTANEOUS ON-STATE CURRENT (A)

500

200

1005020
Tj=25°C
Tj=150°C
1052012345

INSTANTANEOUS ON-STATE VOLTAGE (V)瞬 時 オン 電 圧（Ｖ）

670°

平 均 順 電 力 損 失 特 性180°AVERAGE FORWARD POWER DISSIPATION通流角CONDUCTION ANGLE

PGH150N16(DiodePGH150N16Total)(Total)AVERAGE FORWARD POWER DISSIPATION (W)

400平均順電力損失（Ｗ）

3PHASE

35030025020015010050004080120160

AVERAGE OUTPUT CURRENT (A)平0°均 出 力電 流 （Ａ）

平 均 オ ン 電 力 損 失 特 性180°

AVERAGE ON-STATE POWER DISSIPATION通流角CONDUCTION ANGLE

平均オン電力損
失（Ｗ）

AVERAGE ON-STATE POWER DISSIPATION (W)PGH150N16(Thyristor)
PGH150N16D.C.

1601208040004080

AVERAGE ON-STATE CURRENT (A)平 均 オ ン 電 流 （Ａ）

120160

PGH150N16( Total)
D.C.
Non－Biased

BiasedThyristor

Diode Per 1 Arm.

－40℃＋25℃＋125℃

ＰＧＭ ＝ 5Wｆ ≧ 50Ｈｚ
duty ≦ 20％

過 渡 熱 抵 抗 特 性Transient Thermal Impedance
PGH150N16(Diode Per 1 Arm.)

過渡熱抵抗（ﾟC/W）

Transient Thermal Impedance Rth(j-c) (°C/W)

1

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02
0.001 0.002

0.005 0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

12510Time t (s)時間 t (s)過 渡 熱 抵 抗 特 性Transient Thermal ImpedancePGH150N16(Thyristor)

過渡熱
抵抗（ﾟC/W）

Transient Thermal Impedance Rth(j-c) (°C/W)

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01
0.001 0.002

0.005 0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

Time t (s)時間 t (s)0.512510